LUCRAREA NR.

3
ANALIZA
FUNCIONRII
DIODELOR
SEMICONDUCTOARE. PARAMETRI. TASAREA CARACTERISTICILOR I IDENTIFICAREA PERFORMANELOR
1.

Introducere privind caracterizarea dispozitivelor

semiconductoare

Ecuaiile ce descriu funcionarea dispozitivelor semiconductoare sunt

aproximative deoarece au la baz modele simplificate. Rezultatele
calculate cu ajutorul lor, prezint calitativ procesele care au loc stabilind
relaii de determinare ntre parametri. Utiliznd modele cu un grad
ridicat de complexitate, rezolvabile prin tehnici de prelucrare numeric,
i avnd la dispoziie tehnologii performante, se pot impune anumii
parametri pentru dispozitivele care vor fi produse.
Indiferent de modelul utilizat n proiectare, sau de tehnologia folosit
la realizarea unui anumit dispozitiv,acesta trebuie caracterizat prin
msurtori.Firmele productoare indic principalele date necesare
utilizatorilor.Un minimum de date sunt :
Descrierea dispozitivului, valori constructive. n cadrul descrierii se
indic materialul semiconductor utilizat, tehnologia de obinere,
principalele aplicaii, iar la valori constructive se prezint tipul de
capsul folosit, dimensiunile, modul de marcare, conexiunile la
terminale, masa.. Exist o mare diversitate de dispozitive
electronice.
Valori limit absolute Sunt valorile maxime ale parametrilor de
funcionare care prin depire conduc la distrugerea dispozitivului.
Dac nu se fac precizri suplimentare, valorile indicate ale
curentului, tensiunii i puterii sunt date n curent continuu la

29

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

temperatura capsulei de 25C. La funcionarea n regim de impuls

se fac precizri asupra duratei acestuia i a frecvenei de repetiie.
Caracteristicile electrice pot fi:
caracteristici de curent continuu, care indic dependena dintre
tensiunile, curenii i
puterile prin dispozitiv n regim de curent
continuu; aceste caracteristici sunt influenate de temperatur;
caracteristici de curent alternativ, care dau o descriere a funcionrii
n curent alternativ sau n regim de impuls a dispozitivului; se indic
mrimile semnificative pentru funcionarea n audiofrecven sau
comutaie, n condiii bine precizate de msur (parametrii h, timpii de
comutaie, variaia factorului de calitate cu frecvena, .a.).
Caracteristici termice
n acest cadru se indic temperatura de funcionare a jonciunii,
temperatura ambiant de lucru, temperatura de stocare, disipaia admis
i rezistena termic.
Montaje de testare
Pentru a facilita sarcinile utilizatorului, firma productoare indic
schemele i aparatele folosite la msurarea principalilor parametri ai
dispozitivului.
Aplicaii principale
Pentru dispozitivele noi, n cadrul foii de catalog, se indic o serie de
aplicaii, descriindu-se scheme de utilizare i prezentndu-se formulele
de calcul necesare.
n cadrul lucrrilor de laborator ce au ca scop studiul dispozitivelor
electronice vor fi determinate experimental caracteristicile acestora. Se
urmrete compararea valorilor obinute cu datele de catalog. Se
efectueaz msurtori i pentru precizarea unor parametri ce nu sunt
indicai de productor.

30

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

2. Trasarea caracteristicilor statice la diode.

Mrimi specifice
Pentru orice tip de diod caracteristica static reprezint dependena
dintre curentul ce strbate jonciunea i tensiunea aplicat acesteia:

I = f(V )

(1)

Cunoaterea funciei (1) permite determinarea domeniului de utilizare

a dispozitivului. Se pot stabili:1- tensiunea de deschidere,VF0,; 2tensiunea maxim invers,VRM ; 3- curentul direct, IF ; 4- curentul
invers,IR 5- puterea disipat, P ; 6- rezistena diferenial a jonciunii rd.
Dac se fac nregistrri la diferite temperaturi de funcionare, se pot
determina aceleai mrimi ca funcii de temperatur, lucru extrem de
important pentru circuitele reale (fig.1).

Fig.1 Caracteristica curent tensiune la dioda semiconductoare

Caracteristica la polarizare direct (I i II) este definit prin
tensiunea de deschidere VF0 i rezistena diferenial rd. VF0
reprezint tensiunea minim la care dispozitivul conduce la polarizare
direct i depinde de tipul jonciunii:

31

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

Tipul jonciunii

Germaniu

Tensiunea de deschidere (V) (domeniu

Siliciu

Schottky

0.15-0.3

0.5-0.6

0.1-0.3

0.18

0.55

0.1

de variaie)
Tensiunea de deschidere (V) (tipic)

Rezistena diferenial a diodei n regim lent variabil de semnal mic

se definete conform relaiei:

rd = (

dI -1
) |
dV V F = VFQ

(2)

Uneori se utilizeaz mrimea numit conductan diferenial :

-1

gd = ( r d )

(3)

Punctul de coordonate (VQ, IQ) se numete punct static de

funcionare al diodei; rd i gd sunt funcii de tensiunea aplicat
depinznd de punctul de funcionare ales. Caracteristica static direct
trasat experimental indic o rat de cretere a curentului mai mic
dect prevede teoria. Acest lucru se datoreaz n special cderilor de
tensiune pe rezistenele ohmice ale regiunilor p i n care sunt neglijate
n cadrul teoriei Shockley.
Caracteristica la polarizare invers este definit printr-o valoare
extrem de sczut a curentului invers IR(<10 A) ntr-un domeniu larg
de tensiune (III) depinznd de tipul diodei. La atingerea unei valori
critice a tensiunii aplicate (VRM sau VZ) curentul prin diod crete brusc,
datorit intrrii n conducie a jonciunii prin efect Zener sau avalan
(IV). La diodele redresoare sau de comutaie obinuite nu trebuie s se
ating valoarea VZ. Pentru aceste dispozitive se indic tensiunea VRM
numit tensiune invers repetitiv maxim. Pentru a avea o indicaie
asupra performanelor la polarizare invers se indic o valoare maxim
a curentului invers IRM, la tensiunea VRM .
n cazul polarizrilor inverse exist mai multe cauze care fac ca
valoarea curentului invers msurat experimental, IR s fie mai mare ca
cea prezis de teorie, Is. n regiunea de trecere au loc fenomene de
32

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

generare a purttorilor att pe cale termic, ct i datorit cmpului

electric, care pot produce strpungerea reversibil sau ireversibil a
diodei. Curentul de saturaie crete i datorit existenei n jonciune a
unor impuriti sau defecte n structura semiconductorului.
3.Metoda trasrii punct cu punct a caracteristicii voltamperice.
Pentru a aplica aceast metod se folosesc montajele prezentate n
fig.2.

mA

a
VE

+ anod
D
- catod

+
S

catod
D
anod

(a)

(b)

Fig.2 Montaje pentru trasarea caracteristicilor la diode

semiconductoare la : (a) -polarizare direct, (b) -polarizare invers
Se vor analiza tipuri de diode cu siliciu i cu germaniu. Pentru fiecare
se determin punctele de pe caracteristica de polarizare direct folosind
montajul din fig.2a unde pentru a se putea regla fin tensiunea n
domeniul 0-1V se utilizeaz un divizor de tensiune 1:10 inclus n sursa
de tensiune stabilizat S; Curentul este msurat cu miliampermetrul
mA.
Se determin punctele de pe caracteristica de polarizare invers
utiliznd pentru msurarea curentului microampermetrul A.
Citirea tensiunilor se va face n ambele msurtori cu un voltmetru
electronic numeric care s asigure o impedan ridicat de intrare i o
precizie mare pentru valorile preluate. Rezultatele se trec ntr-un tabel
iar apoi se reprezint grafic .
33

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

4. Metoda vizualizrii pe trasorul de caracteristici

(Caracteriscop)
Trasorul de caracteristici este un aparat electronic complex utilizat
pentru nregistrarea pe ecranul unui tub catodic a familiilor de
caracteristici att la diode ct i la tranzistoare. Tensiunile de polarizare
ale dispozitivelor testate, precum i curenii, sunt aplicai un timp scurt,
cu o frecven de repetiie cobort, fapt care permite determinarea unor
parametri limit fr distrugerea dispozitivului. Se pot afla curenii i
tensiunile maxime de funcionare. Diodele se msoar de obicei n
regim de impulsuri cu durata de 80-150 s la un factor de umplere mai
mic sau egal cu 1/100. Se evit astfel nclzirea jonciunii.
Caracteriscopul permite sortarea rapid a dispozitivelor electronice. Cu
ajutorul lui se poate stabili abaterea caracteristicilor electrice ale unei
componente fa de o alta considerat etalon.
5. Mod de lucru n laborator.
n cadrul lucrrilor de laborator se traseaz caracteristicile statice la
urmtoarele tipuri de diode: 1N4001, 1N4148, EFD103.
a) Se identific componentele. Se iau din catalog valorile de lucru i
valorile limit ale curentului i tensiunii pentru fiecare component. Se
identific terminalele.Diodele se monteaz prin intermediul unor
conectori miniatur pe o planet de lucru prevzut cu borne la care
pot fi conectate ferm sursa i aparatele de msur necesare n circuit.
b) Se realizeaz montajul din figura 2 a. Divizorul rezistiv R1,R2 este
inclus n sursa de alimentare i se activeaz printr-un comutator
basculant de pe panoul sursei.
c) Se modific tensiunea debitat de sursa S i se msoar tensiunea pe
diod i curentul prin diod valorile obinute notndu-se ntr-un tabel de
valori. Se determin tensiunea de deschidere VF0. Tensiunea i
curentul nu trebuie s depeasc valorile maxime indicate n
catalog pentru dispozitivul testat. Va fi supravegheat cu atenie
regimul termic al dispozitivului.
34

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

Atenie ! La nceperea determinrilor se va roti spre stnga butonul

poteniometrului de reglaj al tensiunii sursei pentru a se obine
iniial tensiunea minim.
d) Se determin rezistena diferenial a diodei ntr-un punct dat al
caracteristicii statice directe (IQ, VFQ) cu ajutorul raportului:

rd = (

VF
)|
I VF = VFQ

(4)

Se calculeaz din valorile experimentale rezistena diferenial a

diodei nainte de deschidere i dup deschidere i se compar valorile
obinute.
e) Se realizeaz montajul din fig. 2b, destinat trasrii caracteristicii
inverse. Se modific tensiunea debitat de sursa S, msurndu-se
tensiunea i curentul prin diod.Valorile obinute se noteaz n tabelul
de date.
g) Se reprezint grafic caracteristicile celor dou diode folosind hrtie
milimetric sau un program adecvat pe calculator (ex. ORIGIN)
Cu ajutorul caracteriscopului se traseaz automat caracteristicile
diodelor studiate. Se compar aceste caracteristici cu cele obinute prin
trasarea punct cu punct.
Pentru a face o analiz atent i corect a diodelor trebuie n prealabil
s se delimiteze domeniul parametrilor de lucru analiznd fiele de
catalog ale dispozitivelor.
FIA TEHNIC
Caracteristici la diodele din seria 1N4000
C
a
t
o
d
m
a
r
c
a
t

m
m

m
m
,
4
m
m
1
N
4
0
0
1 6
m
a
s
a
=
0
,
4
g

35

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

Caracteristici electrice principale:UR = 50...1000V, I0 = 1A (Tamb = 750C)

Valori limit absolute (Tamb =250C)
VR
(Tamb =250C)
VRM
(Tamb =250C)
I0
(T amb= 750C)
IF
(T amb= 750C)
IFRM
( T amb= 750C)
IFSM
(10ms)
PD
Tstg
Tamb
Tj
Rthj-amb

Caracteristici electrice
VF
IR
IRM

1N4001
50
50
1
1,15
10
30

1N4003
1N4005
200
600
200
600
1
1
1,15
1,15
10
10
30
30
1
- 65 + 150
- 55 +150
+150
60

Condiii de msur
IF =1A
(Tamb =250C)
UR = URM (Tamb = 250C)
UR = URM , (Tamb =1000C)

1N4007
1000
1000
1
1,15
10
30

Max.
1,1
5
50

Fig.3 Caracteristica direct : a-caracteristica tipic,

b-caracteristica maxim

36

U.M.
V
V
A
A
A
A
W
0
C
0
C
0
C
0
C/
W

U.M.
V
A
A

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

Fig.4 Puterea disipat n conducie direct PF , n funcie de

curentul direct mediu IFAV

Fig.5 Curentul direct de vrf de suprasarcin accidental IFSM

n funcie de durata impulsului de suprasarcin,tp

37

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

FIA TEHNIC
Caracteristici ale diodei 1N4148

Diod de comutaie ultrarapid cu siliciu n structur planarepitaxial utilizat n comutare i detecie CAPSULA DO-35
C
a
t
o
d
m
a
r
c
a
t

m
m

m
m
,
9
m
m
1
N
4
1
4
8 3
D
O
3
5
m
a
s
a
=
0
,
1
4
g

Caracteristici electrice principale :UF (10 mA) = 1V, UR =75 V, toff = 4 ns)
Valori limit absolute (la Tamb = 250C)VR
VRM
I0
IFRM
IFSM
Ptot
Tstg
Tj

Caracteristici electrice (Tamb = 250C)

VF
IR
VBR
Ctot
VFM
toff

tens.

capacitatea total
tensiune direct tranzitorie
timpul de comutare invers
randamentul de detecie n

Valoarea
75
100
75
225
500
250
-65+200
200

Condiii de msur
IF = 10mA
VR = 20V
VR = 75V
IR = 100A
V=0
IF = 50 mA, tp = 0,1 s
IF = 10 mA, RL = 100
RL = 5K, CL = 20pF
VI = 2Veff, f = 100 MHz

38

U.M.
V
V
mA
mA
mA
mW
0
C
0
C

Max.
1
25
5
100
4
2,5
4
45

U.M.
V
nA
A
V
pF
V
ns
%

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

Diodele de comutaie se folosesc n circuitele cu funcionare n

regim de impuls. Trecerea rapid a diodei de la regimul de polarizare
direct la cel de polarizare invers poate avea loc datorit reducerii
timpului de via a purttorilor mobili de sarcin din semiconductor
prin procese tehnologice de impurificare i iradiere a
semiconductorului.

Fig.6 Curentul invers IR n funcie de tensiunea invers VR

FIA TEHNIC
Caracteristicile diodei tip EFD 104
Diod cu germaniu cu contact punctiform n capsul de sticl destinat
utilizrii n circuitele de detecie pentru semnale video. Capsula DO-7

39

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

C
a
t
o
d
m
a
r
c
a
t

m
m

m
m

i
n
e
l
e
c
o
l
o
r
a
t
e

7
,
1
m
m
m
a
s
a
=
0
,
2
g

Caracteristici electrice principale : VR = 25V ; I0 = 30mA

Valori limit absolute (Tamb=250C)

Notaia

Valoarea

U.M.

Tensiunea invers continu

VR

25

Tensiunea invers de vrf

VRM

30

Curentul direct continuu

IF

40

mA

Curentul direct de vrf

IFM

90

mA

Curentul de suprasarcin accidental (1s)

IFSM

500

mA
mA

Curentul mediu redresat

I0

40

Temperatura de stocare

Tstg

-55+85

Caracteristici electrice
Tensiunea direct VF
Curentul invers IR

Condiii de msurare

Valoarea

IF = 6 mA

U.M.

VR =10V, Tamb = 70 C

30

VR =24V, Tamb = 700C

50

VR =27V, Tamb = 70 C

200

VR = 30V , Tamb = 700C

240

= V0/Vi x 100

34

Randament de detecie

D
Vi

33K

330pF

V0

Fig.7 Montaj de msur n radiofrecven (Vi=7Vef ,f=44MHz,

V0 = min 2,4V)
40

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

Fig.8 Caracteristica curent-tensiune la dioda EFD104

6. Diode stabilizatoare de tensiune (diode Zener)
Diodele stabilizatoare de tensiune sunt diode cu jonciuni pn de
construcie special care funcioneaz la polarizare invers, n
regiunea de strpungere cnd tensiunea la bornele lor este practic
constant la variaii mari ale curentului. Strpungerea controlat a
jonciunii apare prin efect Zener sau multiplicare n avalan a
purttorilor de sarcin. Diodele Zener actuale sunt cu siliciu i au
tensiuni de lucru cuprinse ntre 3V i 200V. Caracteristica static la
polarizare direct i la polarizare invers pn n apropierea zonei de
strpungere este identic cu a unei diode redresoare obinuite.
Strpungerea electric apare la tensiunea specificat pe diod i
conduce la apariia unor cureni importani (10-2- 10-1 A). care trebuie
limitai astfel nct s nu aib loc distrugerea termic a jonciunii.n
fig.9 este prezentat o caracteristic tipic de diod Zener.

41

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

Fig.9 Caracteristica tipic a unei diode Zener

Mrimi specifice diodelor Zener

Tensiunea de stabilizare VZ ,este specificat la un anumit curent

ce depinde de tipul diodei. Puterea disipat de diod este egal cu
produsul VZIZ . Diodele cu tensiuni de lucru mici vor admite
cureni mari iar diodele cu tensiune stabilizat ridicat vor
permite trecerea unor cureni redui. Exemplu dioda PL 6V2Z are
VZ = 5,8-6,6V i IZM = 100 mA, n timp ce dioda PL 180Z are VZ
= 168 191V i IZM = 5 mA ,ambele fcnd parte din aceeai
serie de diode stabilizatoare cu puterea de 1W n capsula F-126.
Fa de valoarea marcat pe diod exist dispersia specificat n
fiele de catalog pentru tensiunea de strpungere (ca n exemplele
de mai sus), la temperatura de 250C. Pentru calculul valorii

42

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

tensiunii stabilizate n cazul nclzirii diodei la temperatura T se

utilizeaz coeficientul de temperatur al diodei , VZ
VZ(T) = VZ(T0) [1 + VZ(T T0)]

(5)

VZ are valori negative de ordinul (2..6) 10-4/ 0C pentru diodele cu

tensiuni mai mici de (5,56) V i valori pozitive de ordinul (110)
10-4/ 0C pentru tensiuni mai mari de 6V. Schimbarea semnului se
datoreaz trecerii de la strpungerea prin efect Zener la strpungerea
prin multiplicare n avalan.

Rezistena diferenial Rd, are dou componente: rezistena

diferenial a jonciunii pentru cazul izoterm Rd j , i rezistena
diferenial de natur termic Rdth :

R d R dj R dth

dU Z U Z U Z dT

dI Z I Z T T I dI Z

(6)

n cazul variaiilor rapide de curent componenta Rdth ,poate fi

neglijat. n foile de catalog se indic de obicei mrimea Rd msurat
la o frecven de 1KHz.
Curentul maxim de stabilizare IZM.
Valoarea acestui curent este dictat de nscrierea funcionrii
diodei ntr-un regim de echilibru la care Tj TjMAX . Aa cum s-a
specificat anterior cu ct tensiunea stabilizat este mai mare cu att
curentul maxim admis este mai redus. n regim de impulsuri de scurt
durat curentul IZM , poate fi depit cu condiia ca puterea medie
disipat n diod s menin condiia Tj TjMAX (dioda zener este
folosit n acest mod n circuite de protecie la apariia unor vrfuri
de tensiune).

43

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

Zgomotul diodelor stabilizatoare

Diodele Zener sunt dispozitive zgomotoase deoarece au ca

mecanism de funcionare multiplicarea n avalan a
purttorilor. La creterea curentului IZ , tensiunea echivalent de
zgomot prezint maxime i minime, strpungerea aprnd n mai
multe puncte ale jonciunii. Pentru reducerea zgomotului propriu
diodei se evit funcionarea n regiunea de cot a caracteristicii
i se recomand untarea acesteia cu un condensator de
calitate avnd o capacitate de 10100 nF.
n cadrul lucrrii practice se studiaz cteva exemplare de
diode Zener tip PL 9V1Z. Se utilizeaz montajul pentru trasarea
caracteristicilor la diode n regim de polarizare invers (fig.11)
mA

c a to d

DZ
anod

Fig.10 Montaj pentru trasarea caracteristicii la dioda Zener (se

nseriaz cu dioda msurat un rezistor de 68/2W cu scop de
protecie prin limitarea curentului).
FIA TEHNIC
Caracteristici la dioda PL9V1Z

- Diod stabilizatoare de tensiune cu siliciu difuzat, aliat i

C
a
t
o
d
m
a
r
c
a
t

m
m

m
m
,
4
m
mF
P
L
9
V
1
Z6
1
2
6
m
a
s
a
=
0
,
4
g

44

LUCRAREA NR.3

Analiza funcionrii diodelor semiconductoare

Trasarea caracteristicilor i identificarea peformanelor

dublu difuzat pentru uz profesional n CAPSULA F-126. Rcire prin

convecie.
Caracteristici electrice
(Tamb= 250C)
VZ
Tensiunea stabilizat
IZ
Curentul nominal
Rd
Rezistena diferenial
VZ Coeficientul de temperatur
IR
Curentul invers (UR = 3,5V)
IZM Curentul maxim de stabilizare
Tj
Temperatura maxim a jonciunii
Tamb Temperatura ambiant defuncionare
Tstg Temperatura de stocare

Min. Tip. Max

8,5 - 9,1 9,6
50
4
5,1 10-4
1
100
150
-50+150
-50+150

U.M.
V
mA

0 -1
C
A
mA
0
C
0
C
0
C

Fig.12 Rezistena diferenial a diodelor zener din seria PL

45

ELECTRONICA FIZIC
LUCRRI PRACTICE

FLORIN MIHAI TUFESCU

n funcie de tensiunea stabilizat i de curentul prin diod

Etape de lucru n cadrul studiului experimental al diodei zener

1. Se vor trasa caracteristicile la polarizare invers pentru trei
exemplare de diode zener de acelai tip PL9V1Z , pn la cureni de
cca.90 mA.
2. Se va determina tensiunea de stabilizare nominal a diodei ca
fiind tensiunea msurat la curentul de 50 mA prin diod. Se vor
compara valorile obinute evideniindu-se mrimea dispersiei pentru
tensiunea stabilizat de fiecare din cele trei exemplare.
3. Se vor reprezenta caracteristicile obtinute.
4. Se vor calcula i compara rezistenele difereniale ale diodelor la
diferii cureni (1 mA, 10 mA, 20 mA, 50 mA, 80 mA) reprezentnduse grafic dependena rezistenei difereniale n funcie de curentul care
strbate dioda.
5. Se va aduce una din diode intr-un regim de curent invers de
cca.100 mA (care constituie curentul maxim admis de dispozitiv) i se
va observa calitativ modul n care se modific tensiunea stabilizat la
creterea temperaturii datorit disipaiei termice n dispozitiv.
6. Pentru una din diode, se va trasa caracteristica la polarizare
direct i se va compara cu caracteristica la polarizare direct a diodei
1N4001.
7. Se va calcula de pe una din caraceristicile la polarizare invers
variaia puterii disipate pe diod n funcie de curentul care o strabate
i se va reprezenta grafic aceast dependen.
Not : Pentru msurarea tensiunii pe diodele zener se va folosi un
voltmetru numeric de calitate capabil s evidenieze micile variaii de
tensiune care apar la modificarea curentului prin dispozitiv.

46