MINISTERUL EDUCAIEI, TINERETULUI I SPORTULUI A RM

UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI

FACULTATEA RADIOELECTRONIC
CATEDRA TELECOMUNICAII

Lucrare de laborator
2
la disciplina Emitoare i receptoare radio
Tema: Generator cu excitaie extern

A efectuat
A verificat

Chiinu 2009

2.1. Scopul lucrrii: studierea proceselor fizice n generatorul cu excitaie

extern (GEE, care funcioneaz cu contur acordat i dezacordat), familiarizarea cu
metoda de determinare a parametrilor de baz pentru GEE.
2.2. Noiuni generale.
n fig.2.1 sunt prezentete familiile de caracteristici statice pentru un tranzistor de
tip n-p-n n scheme de emitor comun. Potenialul colectorului este pozitiv fa de
emitor. Caracteristicile tranzistorului de tip p-n-p sunt identice cu excepia polarizrii
sursei de alimentare EC.

Fig.2.1
Pe caracteristicile statice putem accentua urmtoarele regiuni:
regiunea de blocare, cnd ambele jonciuni sunt nchise, iar curenii
colectorului i al bazei sunt determinai de curenii de scurgere. Practic putem afirma
c aceti cureni nu snt;
- regiunea activ, cnd jonciunea colectorului este nchins, iar a emitorului deschis.
n aa regim de funcionare pentru schema cu emitor comun curentul bazei dirijeaz
cu curentul colectorului i tranzistorul posed proprieti de amplificare dup tensiune
i curent.
- Regiunea de saturaie, cnd ambele jonciuni sunt deschise. Curentul colectorului este
determinat de tensiunea sursei de alimentare EC i nominalul rezistenei sarcinii RS i
nu depinde de curentul bazei. n aceast regiune coeficientul de amplificare al
tranzistorului se micoreaz.
- Regiunea de spargere. La valori ale tensiunii eC mai mari ca eCadm are loc spargerea
termic a jonciunii colectorului.
n fig.2.1 sunt prezentate caracteristicile intrare i transfer (a) i de ieire (b) ale
tranzistorului cuplat cu emitor comun. Liniile punctate indic caracteristicile idealizate.
2.3. Sarcina de laborator:
n fig.2.2 este prezentat schema machetei de laborator. Ea este construit n aa
mod, ca semnalele de baz s fie analizate cu ajutorul osciloscopului.
Utiliznd aparatele de msur, s se determine:
- unghiul de blocare pentru curentul colectorului i curentul bazei n regim critic:
Imax=58 mA, =930 sau 1,61 rad;
unghiul de blocare de sus al curentului colectorului n regim
supraexcitant:
2

Imax=90 mA, =1090 sau 1,90 rad;

coeficientul de utilizare al tensiunii colectorului;
puterea de ondulaie n contur;
puterea folosit de la sursa de alimentare;
randamentul GEE n regim critic;
parametrii optimi de funcionare pentru GEE analizat.

2.4. Schema de lucru:

Fig.2.1
2.5. Efectuarea calculelor:

Regim subexcitant
a) Componenta continu
I C 0 I C max

sin cos
sin 84 1.46 cos 84
29
8.66mA
(1 cos )
3.14(1 cos 84)

b) Armonica 1
I C1 I c max

sin cos
1.46 sin 84 cos 84
29
13.96mA
(1 cos )
3.14(1 cos 84)

c) Armonica 2
I c 2 I c max

sin 2 cos 2 cos 2 sin

sin 2 * 84 cos 84 2 cos 2 * 84 sin 84
29
10.41mA
2
2(n 1)(1 cos )
2( 4 1)(1 cos 84)

d) Coeficientul de descompunere a impulsului analogic

IC 0

I C max
I C1

I C max
IC 2

I C max

8.66
0.29
29

13.96
0.48
29

10.41
0.35
29

e)Puterea aplicat
P0=Ea0*IC0=9*8,66*10-3=77,94mW
PC

1 2
1
I C1RC (13.96) 2 *10 3 *175 17.05mW
2
2

PC1 17.05

0.21 *100 0 0 21 0 0
P0
77.94

Regim critic
a) Componenta continu
I C 0 I C max

sin cos
sin 92.7 1.61cos 92.7
58
18.56mA
(1 cos )
3.14(1 cos 92.7)

b) Armonica 1
I C1 I c max

sin cos
1.61 sin 92.7 cos 92.7
58
29.33mA
(1 cos )
3.14(1 cos 92.7)

c) Armonica 2
I c 2 I c max

sin 2 cos 2 cos 2 sin

sin 2 * 93 cos 93 2 cos 2 * 93 sin 93
58
18.04mA
2
2( n 1)(1 cos )
2( 4 1)(1 cos 93)

d) Coeficientul de descompunere a impulsului analogic

IC 0
I C max
I C1

I C max

IC 2
I C max

18.56
0.32
58

29.33
0.50
58

18.04
0.31
58

e)Puterea aplicat
P0=Ea0*IC0=9*18,56*10-3=167,04mW
PC

1 2
1
I C1 RC ( 29.33) 2 *10 3 *175 75.2mW
2
2

PC1
75.2

0.45 *100 0 0 45 0 0
P0
167.04

Regim supraexcitant
a) Componenta continu
I C 0 I C max

sin cos
sin 109 1.9 cos109
90
33.47 mA
(1 cos )
3.14(1 cos109)

b) Armonica 1
I C1 I c max

sin cos
1.9 sin 109 cos109
90
47.82mA
(1 cos )
3.14(1 cos109)

c) Armonica 2
I c 2 I c max

sin 2 cos 2 cos 2 sin

sin 2 *109 cos109 2 cos 2 * 109 sin 109
90
18.88mA
2
2(n 1)(1 cos )
2( 4 1)(1 cos109)

d) Coeficientul de descompunere a impulsului analogic

IC 0

I C max
I C1

I C max
IC 2

I C max

33.47
0.37
90

47.82
0.53
90

18.88
0.20
90

e)Puterea aplicat
P0=Ea0*IC0=9*33,47*10-3=301,23mW
PC

1 2
1
I C1 RC (47.84) 2 *10 3 *175 200.25mW
2
2

PC1 200.25

0.66 *100 0 0 66 0 0
P0
301.23

2.6. Concluzie
n urma acestei lucrri am studiat procesele fizice n generatorul cu excitaie
extern (GEE, care funcioneaz cu contur acordat i dezacordat), familiarizarea cu
metoda de determinare a parametrilor de baz pentru GEE, am ajuns la concluzii c
coeficientul de descompunere a impulsului analogic este acela la toate regimurile.