Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Determinarea Constantei BOLTZMANN Prin Masurarea Curentului de Difuzie Intr-Un Tranzistor PDF
Determinarea Constantei BOLTZMANN Prin Masurarea Curentului de Difuzie Intr-Un Tranzistor PDF
DEPARTAMENTUL DE FIZIC
BN 119
2005
DETERMINAREA CONSTANTEI BOLTZMANN PRIN MSURAREA
CURENTULUI DE DIFUZIE NTR-UN TRANZISTOR
1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri este determinarea mrimii constantei Boltzmann. Pentru
determinare, se folosete dependena de anumii parametri (determinati la rindul lor de
constanta Boltzmann) a caracteristicii curent-tensiune din circuitul de colector al unui
tranzistor.
2. Teoria lucrrii
Pentru a ntelege funcionarea unui tranzistor, vom examina iniial jonciunea p-n.
O jonciune semiconductoare p-n este un ansamblu format din alipirea unui semiconductor de
tip p cu unul de tip n1 (vezi figura 1):
Fig. 1
1
Semiconductorii de tip n sau p reprezinta semiconductori dopati cu impuritati n mod controlat. In
semiconductorii de tip n, impuritatile sunt donoare iar conductia este mediata de electroni; n cei de tip p,
impuritatile sunt acceptoare iar conductia este mediata de goluri.
1
schimbat (vezi figura 2). In primul caz apare un cmp electric exterior opus cmpului Eb,
usurind difuzia electronilor si mentinind astfel un curent semnificativ prin zona jonctiunii;
corespunztor, cmpul electric total va scdea uurnd deplasarea purttorilor. Similar, la
polarizarea invers cmpul electric total (de acelai sens cu cel de baraj) va crete,
mpiedicnd deplasarea purttorilor.
Se poate arta c n anumite condiii indeplinite la majoritatea semiconducto rilor,
intensitatea curentului prin jonciune va crete exponenial cu tensiunea direct aplicat. La
polarizarea invers curentul va scdea n prim faz exponenial, atingnd o valoare de
saturaie extrem de redus.
Fig. 2 Fig. 3
2
Dispozitivul experimental cuprinde un tranzistor de tip npn (model BC171) introdus
ntr-un cuptor electric C (figura 4). Cuptorul este alimentat de la sursa de tensiune continu
S1 prin intermediul poteniometrului P1.
Fig. 4 Fig. 5
4.Modul de lucru
a) Pentru nceput se fac determinri la temperatura camerei (sursa S1 deconectat).
Cu poteniometrul P1 fixat la minim, se alimenteaz sursa S2 de la reeaua de 220 V
c.a.Pornirea sursei se face prin rotirea comutatorului notat cu < Up.
b) Se fixeaz domeniile de msurare ale voltmetrului (scala de 1 V c.c.) i ale
miliampermetrului (scala 5mA c.c.). Se citete temperatura camerei T0 la termometrul Tm.
c) Se variaz tensiunea U cu ajutorul poteniometrului sursei (notat cu U), n trepte
de cte 0,02 V, ncepnd cu tensiunea de deschidere a jonciunii (aproximativ 0,30 V), pn la
0,40 V. (Citirea tensiunii U se va face pe voltmetrul UNIMET i nu pe voltmetrul sursei S2).
d) Simultan cu valorile tensiunii se citesc valorile corespunztoare ale curentului de
colector; datele obinute se trec n tabelul de mai jos:
6. Intrebari
3
1) Indicati influenta cresterii temperaturii asupra curentilor de difuzie dintr-o jonctiune
p-n, in absenta unei polarizari exterioare.
2) Indicati motivul pentru care curentul de difuzie din zona jonctiunii baza-emitor a
unui tranzistor poate fi masurat in circuitul colectorului.
3) Indicati influenta temperaturii exterioare asupra curentului de difuzie din zona
jonctiunii baza-emitor, masurat in circuitul colectorului.
4) Indicati influenta tensiunii baza-emitor asupra curentului de difuzie din zona
jonctiunii baza-emitor, masurat in circuitul colectorului.