Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Electronica Analogica 1 PDF
Electronica Analogica 1 PDF
ELECTRONIC
ANALOGIC
Dispozitive i aplicaii
Cuprins
ISBN 978-973-598-802-9
Prefa
Aceast lucrare de cercetare i sintez studiaz dispozitivele semiconductoare utilizate de electronica
analogic i aplicaiile de baz ale acestora. Lucrarea este util att studenilor din primii ani de studiu ct i
inginerilor de profil electric.
La elaborarea acestei lucrri s-au presupus cunoscute noiunile de matematic i de circuite electrice
la nivel de liceu. Parcurgerea prealabil a unui curs n domeniul circuitelor electrice constituie un avantaj,
dar nu este absolut necesar, deoarece noiunile fundamentale de circuite electrice sunt prezentate n primul
capitol. Recomand parcurgerea materialului n succesiunea din lucrare, cel puin la prima lectur.
Lucrarea este structurat pe 4 capitole.
Capitolul introductiv prezint configuraiile fundamentale de circuit, principiile modelrii i
cteva metode de obinere a circuitelor echivalente Noiunile prezentate trebuiesc nelese n
profunzime deoarece materialul este necesar pentru capitolele urmtoare.
Urmtoarele trei capitole care studiaz diodele semiconductoare, tranzistoarele bipolare i
tranzistoarele cu efect de cmp sunt structurate n dou pri:
- n prima parte se introduc modelele cele mai simple ale dispozitivelor studiate i sunt
analizate aplicaiile fundamentale (pe baza modelelor simplificate),
- n partea a doua se analizeaz construcia i funcionearea dispozitivelor respective, modele
mai complexe, se introduc modele de simulare SPICE i noiuni avansate de utilizare a
dispozitivului respectiv.
Pentru cititorul interesat de aspectele strict aplicative este posibil parcurgerea primei pri a
fiecrui capitol i eventual parcurgere sumar a noiunilor de fizica semiconductoarelor i despre
funcionarea intern a dispozitivelor (prezentate n partea a doua a fiecrui capitol).
Majoritatea aplicaiilor studiate sunt nsoite de exemple de circuite practice, calculate
complet i cu explicaii detaliate. Pentru cei ce vor s aprofundeze materialul, recomand ca dup
parcurgerea subiectului teoretic s rezolve independent exemplele de analiz sau proiectare propuse,
fr a citi rezolvarea. Abia dup ce se ncearc rezolvarea problemei respective se va analiza i
rezolvarea propus. Prin aceast metod se obine implicarea direct a cititorului i se scurteaz
calea spre nelegerea aplicaiilor simple de electronic, acesta fiind primul pas al viitorului inginer
electronist. Consider c deosebirea dintre un matematician i un inginer este aceea c matemati-
cianul efectueaz calculele exacte, precizia fiind principalul deziderat; n timp ce rezolvarea
problemelor inginereti se face prin gsirea aproximaiei optime, nelegerea i modelarea
fenomenului fiind scopul principal. Aplicarea metodelor matematice exacte la studierea aplicaiilor
de electronic este principial posibil, dar conduce cel mai adesea la pierderea legturii cu
fenomenul studiat, din cauza complexitii prea mari la care se ajunge pentru a avea o precizie
foarte bun. n prima etap se utilizeaz modele ct mai simple care permit nelegerea
fenomenului, calculele exacte se pot face n a doua etap a analizei, cu ajutorul calculatorului, pe
baza unor modele ct mai precise. De aceea n studiul dispozitivelor i al circuitelor electronice de
electronic analogic sunt utilizate diferite niveluri de detaliere, de la cele mai simple modele
utilizate la calcule manuale i pn la cele mai precise (dar complexe) modele utilizate la simularea
pe calculator. La unele dintre exemplele de calcul se analizeaz nivelul de detaliere necesar la
modelarea dispozitivelor electronice, fie prin compararea rezultatelor obinute cu ajutorul diferitelor
modele, fie comparnd rezultatele calculate cu cele determinate experimental.
Domeniul electronicii analogice abordat, partea de dispozitive i aplicaii, constituie doar
fundamentul electronicii i nu studiaz sistemele electronice, ci pregtete cititorul pentru astfel de
studii ulterioare. Abordarea sistemelor electronice actuale oblig la o prezentare simplificat
datorit complexitii deosebite i a dezvoltrii foarte rapide a acestor sisteme. Prezentarea
noiunilor fundamentale din electronic aduce ansa de a lucra ntr-un domeniu relativ stabil, care
permite realizarea unui studiu aprofundat i dezvoltarea unei metode de analiz sistematic i clar
a realitii care ne nconjoar.
Un vechi proverb chinez spune c este de preferat s nvei pe cel flmnd s pescuiasc n
loc s i dai petele gata pescuit. Transpus n domeniul dinamic i complex al electronicii i
calculatoarelor aceasta nseamn c un adevrat specialist trebuie s cunoasc chestiunile
fundamentale din domeniu i s le adapteze la situaiile concrete care apar n practic. Formarea
unor deprinderi, sau a unor obiceiuri ntr-un domeniu att de dinamic ca electronica nu este o
strategie eficient, deoarece o dat cu modificrile, care apar foarte des n acest domeniu, trebuiesc
adaptate sau chiar modificate deprinderile anterioare.
Prin urmare consider ca fiind foarte important crearea unei baze, a unui fundament relativ
stabil i asta se poate realiza prin dezvoltarea unui complex de metode de nelegere sistematic i
profund a realitii nconjurtoare. n ultim instan modul cum se ajunge la o astfel de nelegere
este mai puin important i eu propun prin aceast lucrare studierea dispozitivelor electronice i a
aplicaiilor acestora. Din punctul de vedere al specialistului, crearea unui fundament de metode i de
cunotine este o investiie pe termen lung. Valorificarea cunotinelor fundamentale presupune
oricum cunoaterea situaiei la zi din domeniul respectiv, ceea ce conduce la dificultile inerente
cauzate de dinamismul i complexitatea electronicii. Aceast etap dificil pentru orice specialist
presupune o informare continu i un studiu susinut care se poate face pe baza fundamentelor, ntr-
un mod adaptiv i creativ, sau ntr-un mod superficial, care poate s duc la rezultate satisfctoare
doar pe termen scurt.
Am ncercat s fac din aceast lucrare un instrument ct mai util pentru actualii i viitorii
electroniti. Concepia i redactarea materialului se bazeaz pe referinele bibliografice date la
sfritul fiecrui capitol. Alegerea materialelor, modul de abordare a subiectelor tratate i
majoritatea problemelor sunt originale, multe din ele bazndu-se pe realizri experimentale
concrete. ntruct redactarea i corectura mi aparin, mi asum responsabilitatea eventualelor erori
care poate au rmas n lucrare. i rog pe cei ce au observaii sau corecturi de fcut s mi le trimit pe
adresa de e-mail de mai jos i le mulumesc anticipat. Mulumesc de asemenea soiei care m-a
sprijinit n perioada dificil de realizrii a acestei cri, mulumesc recenzenilor i colegilor de la
Catedra de electronic i calculatoare a Universitii Transilvania din Braov. Viitorilor
studeni i tuturor celor care vor avea rbdarea s studieze aceast lucrare le mulumesc anticipat.
1.6 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 18
2.9 BIBLIOGRAFIE................................................................................................... 81
1.1 INTRODUCERE
Electronica este tiina care se ocup de studiul i aplicaiile fenomenelor legate de
micarea purttorilor de sarcin electric n semiconductoare, n vid i n gaze rarefiate. Ca tiin
fundamental, electronica are ca scop principal cunoaterea dispozitivelor electronice existente i
elaborarea unor noi dispozitive. Ca tiin aplicat, electronica se ocup de studiul circuitelor
electronice, care pot fi privite ca aplicaii ale dispozitivelor electronice.
Acest prim capitol i propune s familiarizeze cititorul cu cteva concepte de baz i cu
terminologia utilizat. Se prezint: principiile modelrii, elementele de circuit mai importante,
configuraiile fundamentale de circuit i modalitile de obinere a circuitelor echivalente. Se
presupun cunoscute noiunile de matematic i noiunile de circuite electrice la nivel de liceu. La
analiza circuitelor se vor utiliza cu precdere legea lui Ohm i legile lui Kirchhoff aplicate n curent
continuu (cc) dar i n curent alternativ (ca).
U
I
+
R C L
Fig. 1.1. Simbolurile grafice utilizate n schemele electrice pentru: rezistene, capaciti,
inductiviti, surse de tensiune i surse de curent.
rezistenei se numete ohm =V/A. n electronic se folosesc adesea multiplii acestuia, kilo-ohmul
i mega-ohmul: 1k =103 i 1M =106 .
Relaia (1.1) reprezint caracteristica static a rezistorului. n general, caracteristica static
este relaia dintre tensiunea ntre terminale i curentul care circul prin acele terminale.
Rezistena este un element pasiv n sensul c primete energie (de la circuitul exterior) pe
care o transform n cldur, sau se spune c o disip. n unele cazuri o parte din energia electric
absorbit se transform i n alte forme de energie; de exemplu becul electric produce i energie
luminoas iar difuzorul energie sonor. Puterea electric P primit de o rezisten este:
u2
P = u i = (R i ) i = R i 2 sau P = u (G u ) =
. (1.2)
R
Pentru rezistenele normale, pozitive, puterea absorbit de rezisten este o mrime pozitiv
deoarece depinde de ptratul curentului (sau al tensiunii). Rezistene cu valori negative sunt utilizate
ocazional pentru a modela unele dispozitive speciale.
Rezistorul
Componentele electrice de circuit fabricate pentru a avea o anumit valoare a rezistenei se
numesc rezistoare. Acestea se comport aproape ca i o rezisten (ideal). Diferenele apar datorit
condiiilor concrete de exploatare. Rezistena rezistorului real depinde ntr-o oarecare msur de
temperatur. Curentul care parcurge rezistorul produce o nclzire a acestuia (datorit puterii
disipate), ceea ce conduce la o oarecare modificare a rezistenei, deci relaia tensiune-curent nu mai
este strict liniar. Deoarece aceste modificri sunt relativ mici se poate nlocui rezistorul cu
rezistena lui, sau altfel spus, rezistena este modelul cel mai simplu al rezistorului. Dependena de
temperatur a rezistenei rezistorului se poate modela prin introducerea unui parametru suplimentar,
coeficientul de temperatur al rezistorului (variaia normat a rezistenei cu temperatura):
1 dR R 1
K = . (1.3)
R dT T R
Un alt parametru specificat pentru rezistor este puterea disipat nominal, care arat puterea
disipat maxim admis de un rezistor n condiii specificate, pentru care temperatura intern a
rezistorului nu depete limita permis i pentru care rezistorul nu se defecteaz.
O observaie important din punct de vedere practic este aceea c rezistoarele se fabric cu o
anumit toleran, abaterea maxim de la valoarea nscris pe rezistor fiind de 510% pentru
rezistoarele uzuale. Rezistoarele de precizie, fabricate cu o toleran de 0,11% (uneori chiar mai
bun) au un pre mare i se folosesc numai la aplicaii pretenioase i scumpe. Valoarea precis
msurat a rezistenei unui rezistor este corect doar n condiiile de msurare concrete; depinde, de
exemplu, de temperatur i se modific n timp datorit aa-numitului fenomen de mbtrnire a
rezistorului. Din toate aceste motive, pentru aplicaii obinuite, un model a crui precizie este de
ordinul procentelor este considerat ca fiind bun.
La frecvene ridicate de lucru modelul rezistorului se complic datorit efectelor inductive i
capacitive, care devin semnificative cu creterea frecvenei i care pot fi modelate de o inductan n
serie, respectiv de o capacitate n paralele cu rezistena. Efectul inductiv este mai important pentru
rezistoarele de valoare mic (sub 100) fiind determinat n principal de inductivitatea terminalelor
(i deci de lungimea lor; se poate considera o valoare estimativ de 10nH/cm). Efectul capacitiv
este mai pregnant pentru rezistoarele de valoare mai mare (se poate considera o valoarea estimativ
a capacitii dintre terminale de 1pF). Pentru a determina importana efectului inductiv sau capacitiv
pentru un rezistor dat, se calculeaz reactana inductiv, respectiv capacitiv, la frecvena de lucru i
8 Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE
( )
X L = 2 f L = 2 10 6 2 10 8 = 0,126 , XC =
1
=
1
2 f C 2 10 10 12
6
= 159k
deoarece XL <<R i XC >>R (reactana serie este mult mai mic i reactana paralel este mult mai
mare dect rezistena). Pentru acelai rezistor la o frecven de 100MHz:
( )
X L = 2 f L = 2 10 8 2 10 8 = 12,6 ,
1
XC = =
1
2 f C 2 10 10 12
8
= 1,59k
Efectul inductiv se poate neglija i la aceast frecven (XL reprezint 0,13% din R ), dar efectul
capacitiv este important (1/XC reprezint 63% din 1/R ), fiind comparabil cu rezistena. Orientativ,
efectele parazite ale rezistoarelor se pot neglija dac:
R XC
> 10 , respectiv > 10 . (1.4)
XL R
Aceste calcule sunt estimative dar adesea suficiente n practic; dac este nevoie, valoarea exact a
inductivitii i/sau a capacitii parazite se poate msura cu o punte RLC.
1.2.3 Inductivitatea
Inductivitatea (sau inductana) L este un element ideal de circuit a crui caracteristic static
este complementar (sau dual) caracteristicii statice a capacitii:
di
u=L , (1.7)
dt
1.2 ELEMENTE DE CIRCUIT 9
Deoarece circuitul nu prezint nici o ramificaie, conform primei teoreme a lui Kirchhoff,
T1K (referitoare la cureni), curenii prin cele dou rezistene au aceiai valoare: i1 = i2 = i.
Conform teoremei a doua a lui Kirchhoff, T2K, n forma clasic, suma (algebric) a
tensiunilor de-a lungul unei bucle de circuit este nul; T2K se poate exprima i n modul urmtor:
cderea de tensiune ntre dou noduri de circuit este aceiai indiferent de calea pe care se nsumeaz
tensiunile. n circuitele electronice se prefer a doua variant, T2K scris gravitaional (de sus n
jos) de obicei de la borna de alimentare la referina de potenial.
Referina de potenial sau masa (electric) a circuitului reprezint traseul electric de
potenial nul, fa de care sunt referite n mod normal tensiunile dintr-un circuit electric. Simbolurile
mai des utilizate pentru traseul de mas sunt prezentate n figura alturat. De regul, masa electric
este o legtur comun tuturor circuitelor care alctuiesc un sistem electric i poate fi legat sau nu
la pmnt (prin borna de mpmntare a reelei de alimentare cu
energie electric, de exemplu). n cazul n care traseul de mas
este diferit de cel de mpmntare, se folosesc simboluri diferite
pentru cele dou trasee, de exemplu primul dintre simboluri Simboluri pentru masa
(electric) a circuitului.
pentru traseul de mas i cel de-al doilea pentru mpmntare.
n cazul circuitul analizat, tensiunea de la bornele sursei este egal cu cderea de tensiune pe
cele dou rezistene din circuit:
1.3 ANALIZA CONFIGURAIILOR FUNDAMENTALE DE CIRCUIT 11
uS
u S = u1 + u 2 = R1 i1 + R2 i2 = (R1 + R2 ) i i (= i1 = i2 ) = ; (1.8)
R1 + R2
tensiunile pe rezistene s-au nlocuit conform legii lui Ohm i a rezultat curentul (unic) din circuit.
Ecuaia (1.8) arat c valoarea curentului prin cele dou rezistene este aceeai ca i curentul care ar
circula printr-o singur rezisten cu valoarea (R1 + R2 ). De aceea se spune c rezistenele n serie se
adun sau rezistena echivalent rezistenelor nseriate este suma rezistenelor respective. Curentul
prin circuit fiind cunoscut, se poate calcula tensiunea pe fiecare rezisten cu legea lui Ohm:
R1 R2
u1 = R1i = uS , u2 = uS . (1.9)
R1 + R2 R1 + R2
Tensiunea total pe rezistenele nseriate se distribuie proporional cu valoarea fiecrei rezistena.
Circuitul considerat se numete divizor de tensiune; tensiunea u2 de la ieirea divizorului se
determin cu relaia (1.9) care se numete regula divizorului de tensiune. Deoarece apare frecvent n
circuitele electronice, este util recunoaterea divizorului de tensiune i aplicarea direct a regulii
divizorului de tensiune.
Curentul care se stabilete ntr-o ramur a unei reele liniare n care acioneaz mai multe
surse, este egal cu suma algebric a curenilor pe care i-ar stabili n acea ramur fiecare dintre surse
n ipoteza c ar aciona singur n reea, cu celelalte surse pasivizate (anulate).
Teorema superpoziiei este o consecin a caracterului liniar al teoremelor lui Kirchhoff
aplicate circuitelor electrice liniare. Prin aplicarea teoremei superpoziiei calculele ntr-un circuit la
care acioneaz mai multe surse simultan se simplific, deoarece se consider doar efectul unei
singure surse la un moment dat.
Exemplu de calcul
S se determine curenii prin circuitul din figura 1.4.a.
i 1 R1 i 1a R1 i 1b R1
i2 i2a i2b
u0 iS u0 Intrerupere Scurtcircuit iS
R2 R2 R2
a) b) c)
Fig. 1.4. Exemplu de aplicare a teoremei superpoziiei: a) Circuitul complet; b) Circuitul cu sursa de
curent pasivizat; c) Circuitul cu sursa de tensiune pasivizat.
are o inductivitate i orice element sub tensiune are un efect capacitiv asociat. Scopul analizei
urmtoare este determinarea parametrilor circuitelor simple n regim tranzitoriu.
Se va considera cel mai simplu circuit n regim tranzitoriu, o capacitate ncrcat cu o
tensiune iniial, conectat n paralel cu o rezisten, ca n figura 1.5.a.
K Figura 1.5. Circuite RC simple: K R
i a) la descrcarea i i
U + U
u u
+
+
C _ R b) la ncrcarea capacitii. C
Comutatorul K se deschide, respectiv
a) se nchide la momentul t =0. b)
unde e 2,718 este baza logaritmului natural i a este o constant. Prin identificare relaiei (1.15) cu
(1.14) i pentru a se ndeplini condiia (1.13) soluia ecuaiei difereniale este:
t t
u ( t ) = U exp = U exp , (1.16)
RC
unde =RC se numete constant de timp a circuitului.
Conform relaiei (1.16), tensiunea pe capacitate scade exponenial spre zero ca n figura 1.6;
sarcina nmagazinat pe capacitate scade datorit curentului prin rezisten iar tensiunea este
proporional cu sarcina stocat pe capacitate. Linia punctat din figur reprezint panta iniial a
curbei exponeniale i intersecteaz axa timpului la t = . La acest moment de timp funcia
exponenial a sczut la: exp(-1) = 1 / e 0,37 din valoarea iniial. Pentru fiecare interval de timp
, funcia se reduce cu un factor 1/e conform tabelului din figur. Dup t = 5 , funcia scade la circa
1% din valoarea iniial i se poate considera ca fiind practic nul. Deci se poate spune c durata
regimului tranzitoriu este de circa cinci constante de timp (cu o eroare de 1%).
u/U
1,0
Figura 1.6. Descrcarea exponenial a capacitii;
=RC este constanta de timp a circuitului.
exp(-t/ )
t 0 2 3 4 5
exp(-t/ ) 1 0,37 0,13 0,05 0,02 0,01
0,37
0,13
t
0 2 3 4 5
14 Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE
n cazul circuitului din figura 1.5.b dac se nchide comutatorul K la t =0, capacitatea se va
ncrca de la zero la tensiunea U tot dup o funcie de tip exponenial:
t t
u ( t ) = U 1 exp = U 1 exp , (1.17)
RC
a crei valoare este iniial nul u(0) = 0 i n final (practic dup 5 ) u() = U.
n general, pentru o variaie brusc a tensiunii de alimentare, tensiunea pe o capacitate (sau
curentul printr-o inductivitate) se modific de la valoarea iniial la valoarea final dup o curb
exponenial de tip exp(-t/ ), deoarece aceast funcie este caracteristic modificrii n timp a
energiei nmagazinate n elementul reactiv (capacitatea sau inductivitatea) din circuit.
i i
i
P
IP
u uniport
u P Ge tg p
0 p u
RE = u / i GE tg 0
a) b) c) GE tg P
Dac uniportul este neliniar, caracteristica lui static este neliniar (curbilinie), un astfel de
exemplu este artat n figura 1.7.c. Rezistena echivalent este i ea neliniar, adic depinde de
intensitatea curentului care strbate uniportul, IP . Conductivitatea echivalent static este egal (mai
exact proporional) cu panta dreptei care unete originea axelor cu punctul P de pe caracteristica
static. Punctul P se numete punct static de funcionare ( psf ) i este definit de mrimile electrice
de cc de la bornele uniportului.
Se numete rezisten echivalent diferenial Re a unui uniport pasiv rezistena rezultat
prin aplicarea legii lui Ohm pentru diferenialele semnalelor la poarta uniportului considerat:
du u
Re = . (1.20)
di i
Relaia aproximativ de mai sus s-a obinut prin nlocuirea diferenialelor cu diferene finite
i este corect pentru variaii mici. Conform acestei relaii, rezistena diferenial Re poate fi
interpretat ca fiind rezisten echivalent pentru variaii mici. Pentru determinare practic a Re se
introduce o variaie cunoscut a unei mrimi (de exemplu a tensiunii la bornele uniportului) i se
msoar variaia celeilalte mrimi (variaia curentului prin uniport, pentru cazul exemplificat).
Conductana echivalent dinamic a uniportului Ge:
di
Ge = = k S tg p . (1.21)
du
este proporional () cu panta caracteristicii statice n punctul considerat, ca n figura 1.7.c.
Rezistena echivalent se poate determina i n cazul uniporilor activi. Pentru uniporii
activi liniari este ns frecvent folosit echivalarea lor cu un uniport format din dou elemente: o
surs ideal i o rezisten, conform teoremei lui Thvenin sau conform teoremei lui Norton.
i i i i
I SC
Uniport liniar activ RO
u U0 u IS C GO u
u
0 U0
a) b) c) d)
Fig. 1.8. Teoremele lui Thvenin i Norton: a) uniport liniar activ oarecare, b) caracteristica
static a uniportului liniar activ; c) sursa echivalent Thvenin, d) sursa echivalent Norton.
Dac se noteaz: U0 I SC
RO = respectiv GO = , (1.23)
I SC U0
atunci ecuaia prin tieturi poate fi scris sub una din urmtoarele dou forme:
16 Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE
u = U 0 i R0 sau i = I SC u GO . (1.24)
Aceste relaii reprezint caracteristicile statice ale uniporilor din figura 1.8.c, respectiv
figura 1.8.d. Aceti unipori sunt echivaleni cu uniportul considerat, ceea ce se poate exprima sub
forma teoremelor urmtoare.
Teorema lui Thvenin: Un uniport liniar activ oarecare este echivalent cu un uniport
format dintr-o surs de tensiune avnd tensiunea la borne U 0 , nseriat cu o rezisten de valoare
RO . Schema din figura 1.8.c se va numi surs Thvenin.
Teorema lui Norton: Un uniport liniar activ oarecare este echivalent cu un uniport format
dintr-o surs de curent avnd curentul la borne I SC , legat n paralel cu o conductan de valoare
GO . Schema din figura 1.8.d se va numi surs Norton.
Poarta unui uniport activ se numete uneori ieire pentru a sublinia faptul c uniportul este
folosit de obicei pentru a furniza putere ctre exterior pe la poarta sa. Corespunztor, rezistena RO
se numete rezisten (static) de ieire (litera O este iniiala cuvntului englezesc output ieire).
Rezistena RO are i alt interpretare dect cea din relaia (1.23): este rezistena echivalent a
uniportului dat, dup ce s-au pasivizat toate sursele (independente) din interiorul lui. n circuite este
adesea mai simpl determinarea RO ca fiind rezistena vzut la bornele uniportului dup
pasivizarea (anularea) surselor interne independente.
Aceste teoreme pot fi aplicate att la circuitele de cc ct i la circuitele de ca; la analiza
circuitelor de ca, n locul semnalelor de cc se folosesc semnale instantanee sau de ca iar la schema
surselor echivalente se nlocuiete rezistena cu impedana i conductana cu admitana.
t t
0 0
Fig. 1.9. Exemplu de semnal: a) analogic, b) discret.
n funcie de evoluia n timp semnalele pot fi periodice (sau de regim permanent), descrise
de o funcie periodic (forma semnalului se repet dup o anumit perioad), de regim tranzitoriu
1.5 NOIUNI ELEMENTARE DE SEMNALE ELECTRICE 17
(periodice amortizate sau aperiodice) i singulare. Exemple de astfel de semnale sunt: n figura 1.6
un semnal de regim tranzitoriu aperiodic i n figura 1.9.a un semnal singular.
Semnalele periodice pot avea diferite forme de und; semnalele periodice mai des ntlnite
sunt cele sinusoidale, dreptunghiulare (de fapt aproximativ trapezoidale), triunghiulare, n dini de
fierstru sau cu form de impulsuri scurte de comand.
O caracterizare foarte util a unui semnal sau n general a oricrei funcii de timp se
realizeaz prin spectrul su de frecven. Descrierea semnalelor n acest mod se realizeaz pe baza
seriilor Fourier i a transformatei Fourier, care permit reprezentarea unui semnal oarecare ca o sum
de semnale sinusoidale de amplitudini i frecvene diferite. De aceea semnalul sinusoidal este unul
dintre cele mai importante semnale.
uA
Figura 1.10. Semnal sinusoidal;
Ua_vf
t Mrimi caracteristice:
0 2T Ua_vf tensiunea de vrf,
T
T perioada semnalului.
4U
t 3 4U
4U
5
7
U K
a) b)
0 3 0 5 0 7 0 (rad/s)
Fig. 1.11. Semnal dreptunghiular simetric: a) forma de und n timp, b) spectrul de frecven.
18 Cap. 1 NOIUNI FUNDAMENTALE DE CIRCUITE ELECTRICE
Componentele sinusoidale ale seriei din ecuaia (1.26) reprezint spectrul de frecvene ale
semnalului dreptunghiular. Acest spectru poate fi reprezentat grafic ca n figura 1.11.b. Semnalul
dreptunghiular are foarte multe armonice superioare. Deoarece amplitudinea armonicelor scade,
seria infinit poate fi trunchiat, rezultatul fiind o aproximaie a semnalului dreptunghiular.
1.6 BIBLIOGRAFIE
[1] Crciun A.V: - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Univ. Transilvania Braov, 2003;
[2] Damachi E. .a. Electronica, E.D.P. Bucureti, 1979;
[3] Gray P.E., Searle C.L. Bazele electronicii moderne, Ed.Tehnic. Bucureti, 1973;
[4] ora C. Bazele electrotehnicii, E.D.P. Bucureti, 1982;
[5] Senturia Stephen, Wedlock Bruce Electronic Circuits and Applications, J.Willey&Sons, 1975;
[6] Malvino A.Paul Electronic Principles, Tata Mc.Grow-Hill Publ.Co., New Delhi, 1982;
[7] Radu Ovidiu Componente electronice pasive, Ed. Tehnic, Bucureti,1981;
[8] Costin Miron Introducere n circuite electronice, Ed.Dacia, Cluj-Napoca, 1983;
[9] Sedra Adel, Smith Kenneth Microelectronic Circuits, Oxford University Press, New York, 1998.
2.1 NOIUNI FUNDAMENTALE 19
Proprietatea principal a diodei este conducia unilateral. Aceasta const din aceea c
dioda permite trecerea curentului ntr-un sens i blocheaz curentul n cellalt sens. Simbolul diodei
este n esen o sgeat orientat de la zona p la zona n a semiconductorului (figura 2.1.b), sgeat
care arat sensul n care dioda permite trecerea curentului electric, respectiv sensul de referin al
tensiunii i al curentului prin diod (figura 2.1.c).
Terminalul conectat la zona p a diodei (cel cu sgeat,) se nume te anod, iar cel conectat la
zona n, catod; aceste denumiri s-au pstrat de la dioda cu vid. n cazul diodelor de mic putere,
terminalul catodului este marcat cu o band (de culoare alb pentru capsule negre din plastic, figura
2.1.d) sau un grup de benzi colorate (mai apropiate de catod, la unele diode cu capsul de sticl).
Experimental, curentul iese din diod prin terminalul marcat cu band (catodul diodei).
Aceste relaii arat c dioda ideal este de fapt un comutator care se deschide sau se nchide n
funcie de sensul mrimilor electrice care apar din circuitul exterior. Circuitul exterior este acela
care determin curentul direct prin dioda n conducie i tensiunea invers pe dioda blocat.
Relaiile (2.1) reprezint o funcie liniar pe poriuni Reprezentarea grafic a acestei funcii
reprezint caracteristica static a diodei ideale i const din dou semidrepte n unghi de 90o care
se ntlnesc n origine ca n figura 2.2. Pentru dioda ideal se va folosi simbolul din figura 2.2.
iA
Fig. 2.2. Caracteristica static i simbolul diodei ideale.
iA
Dioda ideal este un element (ideal) de circuit, cel
uA uA mai simplu model al diodei, cu tensiunea nul n
conducie i curent nul n blocare.
0
Oricare dintre modurile de descriere a diodei (prin ecuaii, prin analiza funcionrii sau prin
caracteristica static) reprezint un model al diodei ideale.
n cazul unei diode reale curentul n blocare este nenul, dar foarte mic (cu valori uzuale de
nanoamperi pn la microamperi) iar cderea de tensiune n conducie este relativ mic (mai mic
de 1V). Valorile foarte mici ale curentului invers (pentru dioda blocat) pot fi considerate zero
pentru majoritatea aplicaiilor practice. Cderea de tensiune direct (pentru dioda n conducie)
poate fi considerat ca fiind nul (modelul diodei ideale) doar la o analiz de principiu a unui circuit
sau dac tensiunile din circuit sunt mult mai mari dect 1V. Pentru a ine cont i de cderea de
tensiune care apare pe diod n conducie se introduce modelul diodei cu tensiune de prag.
innd seama de aceste valori ale tensiunii, se consider c tensiunea pe dioda n conducie
are o valoare constant, de exemplu UD =0,7V la siliciu. S-au prezentat valorile msurate la dioda
cu siliciu deoarece este dioda cea mai utilizat n practic.
Modelul diodei cu tensiune de prag poate fi utilizat n aproape toate cazurile practice. Ca
metod de analiz a circuitelor cu diode este de preferat adesea analiza funcionrii circuitului
considernd iniial modelul diodei ideale, pentru a pune n eviden ceea ce este esenial i apoi se
analizeaz circuitul cu ajutorul modelului cu tensiune de prag. Cea de-a doua analiz este mai
exact, dar evident mai complicat i de aceea este posibil s se scape din vedere aspectele
fundamentale ale funcionrii circuitului.
Prin caracteristic liniarizat (pe poriuni) se nelege o caracteristic format din semidrepte
i eventuale segmente de dreapt. La analiza unui circuit care include cel puin un dispozitiv cu o
caracteristic liniarizat pe poriuni (cum ar fi dioda ideal sau dioda cu tensiune de prag), n cazul
n care semnalul aplicat dispozitivului trece prin unul dintre punctele de frngere ale caracteristicii,
se determin mai nti nivelul semnalului la care are loc trecerea dintr-o regiune liniar n alta i
apoi se analizeaz separat comportarea circuitului pentru fiecare poriune liniar a caracteristicii.
1 2 U i UO
UO =
2 2 U i sin t d t =
, IO =
R
. (2.3)
0
u
Uv
UD
uO (ideal)
uO
UD t
0 2
Uinv_max
(D blocat)
ui
Rezultatele obinute cu modelul diodei ideale sunt suficient de corecte pentru tensiuni
redresate mari, de ordinul zecilor de voli. Dac tensiunea redresat are valori mici (mai mici dect
circa 10V) atunci erorile introduse de modelul diodei ideale sunt n general inacceptabile i se
analizeaz circuitul considernd i cderea de tensiune pe diod.
( )
1 2 U i 2
UO = 2 U i sin t U D d t = cos U D . (2.6)
2 2
Dac << , ceea ce nseamn UD <<Ui , atunci ecuaia precedent se poate simplifica:
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE 23
2 U i U D
UO . (2.7)
2
Exemplu
S se determine tensiunea medie la ieirea redresorului monoalternan, calculat cu modelul
diodei ideale i cu modelul diodei cu tensiune de prag (UD =0,7V), pentru o tensiune sinusoidal
de intrare cu valoarea de vrf de 5V i de 10V. S se compare rezultatele obinute prin diferite
metode.
Rezultatele calculelor sunt prezentate n tabelul urmtor. Pentru a evidenia ct mai exact
erorile datorate diferitelor metode de calcul s-au calculat 4 cifre semnificative. n practic, o
astfel de precizie a calculelor nu se justific datorit aproximrilor inerente dintr-un circuit
concret, unde apar erori de cel puin cteva procente (la exemplul prezentat eroarea tensiunii
UD poate fi de circa 0,1V iar tensiunea de intrare poate avea o eroare tipic de 5%).
Se constat c erorile de calcul sunt mai mici dac tensiunile din circuit sunt mai mari.
Erorile 2 introduse cu modelul diodei ideale n cazul unor tensiuni mici sunt inacceptabile.
Pentru tensiuni mai mari de 10V erorile sunt mai mici de 12% i pot fi acceptate uneori.
Erorile 1 datorate relaiei simplificate de la modelul diodei cu tensiune de prag sunt mici i
de aceea, n practic, nu se justific utilizarea relaiei exacte (care presupune calcule
trigonometrice).
Problem de proiectare
La ncrcarea bateriilor alcaline se suprapune o component alternativ peste curentul
continuu pentru a evita polarizarea electrolitului. S se dimensioneze circuitul de ncrcare din
fig. 2.8.a pentru a obine un curent mediu de ncrcare I =120mA i un curent mediu de
descrcare Id = 40mA (curentul net de ncrcare este dat de diferena celor doi cureni). Se
consider un grup de 2 baterii cu o tensiune total UB =3,5V, cderea de tensiune pe dioda n
conducie UD =0,7V, tensiunea alternativ n secundarul transformatorului U 20 =14V (valoarea
efectiv n gol) i rezistena echivalent a transformatorului vzut n secundar R t r =17.
R2 Rtr + R1 + R2
u A = u R 2 = (u 20 U B ) UD u 20 U D + U B U D + U B .
Rtr + R1 + R2 R2
Aproximaia din relaia precedent va fi verificat dup obinerea rezultatelor finale.
R2 u U
R1 2v
u1 n1 n2 u2 D UB
+
r1 r2 UB +UD
a) 2 t
R2 0 - Blocare D 2+
R tr R1 (descrcare)
Conducie D
u20 u2 UB (ncrcare)
+
uA
u20
d)
b)
R2 Fig. 2.8. ncrcarea bateriilor alcaline;
R tr R1 a) Schema de principiu
+
UD UB b) Schema echivalent la descrcare (D blocat)
u20 u2
+
Pentru simplitate se noteaz UBD =UB +UD =4,2V. Limita intrrii n conducie a diodei
este uA =UD ; n acest punct se determin valoarea tensiunii u 20 i unghiul de conducie:
U BD
u 20 = 2 U 20 sin t = U 2v sin t ; U 2v sin = U BD , = arcsin = 0,214 radiani.
U 2v
Circuitul echivalent cu dioda n conducie este prezentat n figura 2.8.c, n care dioda s-a
nlocuit cu sursa de tensiune echivalent UD . Dioda conduce pn cnd tensiunea u 20 devine
mai mic dect UBD , ceea ce are loc la unghiul de blocare , conform formelor de und
din figura 2.8.d. Blocarea diodei dureaz pn la noul unghi de conducie, 2+ , dup care
procesul de conducie/ blocare al diodei, respectiv de ncrcare/descrcare al bateriei se reia.
Curentul de descrcare se calculeaz n schema din figura 2.8.b din legea lui Ohm
aplicat celor trei rezistene din circuit. Pentru aceasta se determin iniial tensiunea medie pe
rezistene n timpul descrcrii, prin integrare conform relaiei:
2 +
1 1 U 2v cos 1
(U 2v sin t U B ) d t = (U 2v sin U B ) d = U B 2 +
U med =
2 2
Curentul prin baterie se consider n sensul diodei astfel nct curentul de descrcare va fi
negativ.
U med U med 8,15
Id = R1 + R2 = Rtr = 17 = 187 .
R1 + R2 + Rtr Id 0,04
Curentul de ncrcare se calculeaz n schema din figura 2.8.c cu ajutorul tensiunii medii
pe R1 care apare la ncrcare:
2 + +
1 U 2v cos 1 U med U U med
(U 2v sin U BD ) d =
+
U med = U BD , I = + D
2 R1 + Rtr R2 R1 + Rtr
26 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Aproximaia din relaia precedent va fi verificat dup obinerea rezultatelor finale. Din
relaia aproximativ rezult valoarea lui R1:
+
U med 4,35
R1 = Rtr = 17 = 19,2 20 , R2 = (R1 + R2 ) R1 = 187 20 = 166 160 .
I 0,12
Valorile alese pentru rezistoare au fost rotunjite la valoarea standardizat cea mai apropiat.
n final se vor calcula curenii rezultai i se va verifica n ce msur aproximaiile fcute
au afectat rezultatele. Vor fi acceptate devieri de ordinul procentelor fa de valorile din
enun, deoarece rezistoarele reale au tolerane uzuale de 510%. Unghiul de conducie este:
1 Rtr + R1 + R2
= arcsin U D + U B = 0,221 iar curenii de descrcare i ncrcare:
U 2v R2
+
U med 8,145 U med U 4,345 0,7
Id = = = 41,3 mA , I = + D = + = 121,8 mA .
Rtr + R1 + R2 17 + 20 + 160 R1 R2 17 + 20 160
Deoarece diferenele fa de valorile cerute n enun sunt mici (mai mici de 3,3%) calculele nu
mai trebuie reluate.
Calculul puterii disipate n rezistoare se face considernd valoarea efectiv a curentului
care le parcurge. Pentru exemplificare se calculeaz puterea disipat n R1, PdR1:
2 2 2
1 U 2 v sin U BD 1 U 2 v sin U B
I R1 _ ef =
R1 + Rtr
d +
R + R2 + Rtr
d =
I1 + I 2 ,
2 1
1 sin 2 2
I1 = U 22v + 2U 2vU BD cos + U BD = 0,233m 168 = 0,0391
(R1 + Rtr ) 2
4 2 4 2
1 sin 2 2
I2 = U 22v + 2U 2vU BD cos + U BD = 8,2 158 = 0,0013
(R1 + R2 + Rtr ) 2
2 4 4 2
Diodele utilizate trebuie s suporte cel puin jumtate din curentul direct, IO /2 i o tensiune
invers egal cu tensiunea de vrf din toat nfurarea secundar, 2 2 U 2 . Tensiunea invers
maxim pe dioda blocat apare la vrful sinusoidei i este practic tensiunea de pe toat nfurarea
secundar deoarece cealalt diod, n conducie, poate fi considerat ca fiind un scurtcircuit.
Dac se ine seama i de efectul tensiunii de prag atunci tensiunea medie la ieire poate fi
calculat cu relaia aproximativ (conform cu cea de la redresorul monoalternan):
2 U vf
UO U D . (2.11)
Tr. iO
u21 D1 uO R Fig. 2.9.a. Redresorul cu transformator cu
punct median; bornele polarizate ale
u1 nfurrilor sunt marcate cu puncte.
u22 D2
u uO (ideal)
U vf
UD
uO
UD t
0
D1 conduce D2 conduce Uinv_max
D1 blocat (D1 blocat)
u21 u22
2U D
pentru un unghi de conducie al diodelor: = arcsin . (2.14)
U vf
Dac << , ceea ce nseamn 2UD <<Ui , atunci ecuaia precedent se poate simplifica:
2 U vf
UO
2U D . (2.15)
Analiznd acest rezultat se constat c tensiunea calculat este tensiunea din cazul ideal, conform
relaiei (2.12), din care se scade cderea de tensiune pe diodele aflate n conducie.
u
U vf
2UD
uO
D1, D3 conduc D2, D4 conduc t
0 D2, D4 blocate D1, D3 blocate 2
ui
b)
Avantajele acestui redresor (versiunea cu transformator) fa de redresorul cu transformator
cu punct median sunt: consumul redus de cupru din secundarul transformatorului (necesit jumtate
din numrul de spire) i reducerea la jumtate a tensiunii inverse maxime pe diodele blocate.
Tensiunea invers pe dioda D1, de exemplu, poate fi determinat din bucla D1 R D4 ca fiind:
u D1 (invers) = u O + u D 4 (direct) .
Valoarea maxim a tensiunii uD1 apare la vrful tensiunii uO i rezult din relaia:
U inv _ max = (U vf 2 U D ) + U D = U vf U D . (2.16)
Diodele utilizate trebuie s suporte cel puin jumtate din curentul direct, IO /2 (fiecare diod
conduce o jumtate din timpul total de conducie) i o tensiune invers mai mare dect Uinv_max:
(
I F I O 2 , V RRM U inv _ max 2 U i . ) (2.17)
Cele 4 diode conectate n punte sunt disponibile comercial ncapsulate mpreun ca puni
redresoare. Pe capsul cele 4 borne sunt marcate cu simbolurile ~ pentru bornele de intrare i
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE 29
+ respectiv pentru bornele de ieire. Curentul direct i tensiunea invers suportate sunt date n
catalog, iar uneori rezult din numele componentei, de exemplu: 1PM8 suport 1A i 800V.
Exemplu
S se determine tensiunea medie la ieirea redresorului n punte, calculat cu modelul diodei
ideale i cu modelul diodei cu tensiune de prag (UD =0,7V), dac tensiunea sinusoidal de intrare
are amplitudinea de 5V, 10V i 20V. S se compare rezultatele obinute prin diferite metode.
Se constat c erorile de calcul sunt mai mici dac tensiunile din circuit sunt mai mari.
Erorile 2 introduse cu modelul diodei ideale n cazul unor tensiuni mici sunt inacceptabile.
Pentru tensiuni mai mari de 20V erorile sunt mai mici de 12% i pot fi acceptate uneori.
Erorile 1 datorate relaiei simplificate de la modelul diodei cu tensiune de prag sunt suficient
de mici pentru ca n practic s se utilizeze relaiei aproximativ (2.15), care nu presupune
calcule trigonometrice.
u Uvf
Ur_vv uO
T/2 T t
0
t1 t 2 T+t1
t t
durata de
ui
conducie
Fig. 2.11.b. Formele de und de la redresorul monoalternan cu filtru capacitiv (cazul ideal cu RC =5T)
ntruct T << RC, se poate utiliza aproximaia: exp( T RC ) 1 T RC i se obine (din relaia
anterioar) valoarea vrf la vrf a tensiunii de ondulaie (sau riplu):
T T
u O min = U vf U r _ vv U vf 1 U r _ vv U vf . (2.21)
RC RC
Tensiunea medie la ieire se poate calcula ca medie a valorilor extreme ale uO:
U vf + u O min U r _ vv T
UO = = U vf = U vf 1 . (2.22)
2 2 2 RC
Factorul de ondulaie al unei tensiunii este valoarea efectiv a componentei pulsatorii
raportat la valoarea medie (componenta de cc) a acelei tensiuni. Componenta pulsatorie a tensiunii
de la ieirea redresorului cu filtru capacitiv are o form aproximativ triunghiular. Se poate
demonstra c pentru o tensiune triunghiular: U vf U ef = 3 . Factorul de ondulaie este:
U r _ ef U r _ vv T 1 T
= = . (2.23)
UO 2 3 UO 3 (2 RC T ) 2 3 RC
Se observ c pentru a obine un factor de ondulaie ct mai mic trebuie maximizat produsul RC.
Deoarece durata de blocare a diodei este de fapt mai mic dect perioada, rezultatele obinute sunt
acoperitoare, deci factorul de ondulaie real este mai mic dect cel calculat.
O alt metod de calcul se bazeaz pe calcularea variaiei sarcinii primite de condensator n
timpul ncrcrii i a variaiei sarcinii cedate de condensator n timpul descrcrii:
Qnc = C u C = C U r _ vv , Qdesc = I O t desc I O T . (2.24)
Pe baza principiului conservrii sarcinii electrice se obine variaia tensiunii pe sarcin:
I O T 2 I O
Qdesc = Qnc U r _ vv = = = 2 I O X C . (2.25)
C C
Calculnd tensiunea medie de ieire se obine caracteristica extern a redresorului, care arat
dependena tensiunii medii de ieire de curentul mediu de ieire:
U r _ vv
U O = U vf = U vf I O X C = U vf I O Ri . (2.26)
2
Caracteristica extern a redresorului, conform cu ecuaia precedent, este reprezentat n figura
2.12. Rezistena intern a redresorului monoalternan ideal (alctuit din elemente ideale) este
proporional cu reactana capacitiv a condensatorului: R i = XC.
UO
U1 =Ri .I1
Uvf Fig. 2.12. Caracteristica extern a redresorului ideal
cu filtru capacitiv;
S-au figurat tensiunea medie U1 i cderea de
U1 tensiune U1 pe Ri , care apar la curentul I1.
IO
0
I1
Observaie: Durata de conducie a diodei t se poate determinarea cu uO min calculat din (2.21),
u T T t
u O min = U vf cos , = arccos O min i t = (cu in radiani). Cu: U r _ vv = se pot
U vf 2 RC
calcula mai exact parametrii redresorului. n practic, un astfel de calcul nu se justific datorit
impreciziei componentelor (tolerana la un condensator de filtrare cu Al poate fi 10%+50%).
32 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
2 t
0
ui > Uo Ri
Blocare D
2 Descrcare C UO
Uvf cos t
+
Conducie D a)
ui b)
ncrcare C
Schema echivalent n timpul ncrcrii, pentru ui >UO, este prezentat n figura 2.13.b.
Pentru a calcula semiunghiul de conducie , se va folosi principiul conservrii energiei electrice
aplicat sursei de tensiune echivalent de la ieirea redresorului. Surplusul de curent primit de sursa
echivalent pe durata unei perioade este egal cu curentul furnizat de aceeai surs ctre sarcin.
Curentul de ncrcare se determin prin integrare conform schemei din figura 2.13.b:
2 U vf cos t U vf cos U
I nc = dt = vf (sin cos ) . (2.29)
2 0 Ri Ri
Prin egalarea celor doi cureni Inc=Idesc (=IO ) se obine:
U vf U cos Ri tg
(sin cos ) = vf = = ki . (2.30)
Ri R R
Raportul dintre rezistena intern i rezistena de sarcin s-a notat cu ki. Unghiul se poate
determina din reprezentarea grafic a funciei ki ( ). Explicitarea funciei inverse se poate face prin
liniarizarea funciei reprezentat la scar logaritmic. Pentru ki =0,030,4 funcia aproximat este:
= 0,96 lg k i + 2,4 [radiani] . (2.31)
Pentru a ine seama de cderea de tensiune pe diod, UD, se consider o tensiune maxim
redus la intrarea redresorului: (Uvf UD) n locul tensiunii Uvf .
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE 33
u Uvf uO
Ur_vv
| ui |
t t
0
t1 t2 T/2 T/2+ t1 T perioada semnalului de intrare
Fig. 2.14. Formele de und la redresorul bialternan cu filtru capacitiv (cazul ideal cu RC 2,5T )
Problem de analiz
Dac tensiunea de intrare este: ui =30 sin100 t (V)
_ iO
i componentele redresorului din figur se presupun ideale: +
ui
R
a) s se determine tensiunea pulsatorie i tensiunea medie C uO 300
de ieire precum i factorul de ondulaie; 220 F
T 1 20m
= 1
Cb = 1+ 1 + = 16,7 58,7 = 979F 1000 F .
4 R 3 b 4 300
3 0, 01
O metod mai expeditiv, cu grad de aproximaie rezonabil, se bazeaz pe proporionalitatea
(aproximativ) dintre capacitile de filtrare i inversele factorilor de ondulaie:
4,7
Cb = C = 220 = 1034F 1000 F .
b 1
Verificarea metodei:
Rezultatele obinute prin simularea
circuitului (din figura alturat) difer
destul de mult de cele calculate. Astfel la
punctul a) valoarea vrf la vrf a tensiunii
ondulatorii este de 3,6V fa de 4,5V ct
a rezultat din calcul.
U r _ vv (calc) U r _ vv (sim) 0,9
n procente aceast diferen este: 100 = = +25%
U r _ vv (sim) 3,6
Aceast diferen se datoreaz neglijrii duratei de conducie a diodelor. S-a presupus c
timpul de descrcare al condensatorului (ntre dou ncrcri succesive) este jumtate din
perioada semnalului de intrare, T/2 =10ms. Dac se ine seama de durata de conducie a
diodelor, care este de circa 1,6ms (conform simulrii), durata descrcrii condensatorului este
de 8,4ms (restul semiperioadei); tensiunea de ondulaie vrf la vrf corectat este:
t C (sim ) 8,4m
U r _ vv (cor) = U r _ vv (calc) = 4,5 = 3,8V = U r _ vv(sim) + 5% .
T 2 10m
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE 35
Concluzia care se impune este c rezultatele obinute conform metodei de calcul prezentate
pot avea o eroare relativ mare (25% n acest caz). Rezultatele sunt ns ntotdeauna acoperitoare,
n sensul c ondulaia calculat este mai mare dect cea realizat, deoarece la calcule se consider
durata de descrcare maxim posibil. Practic, alegerea unui condensator mai mare dect cel
necesar conduce la ondulaii mai reduse (dect cele calculate) ceea ce este mai convenabil. Un
calcul mai exact ar fi dificil i nu se justific practic datorit toleranelor mari ale condensatoarelor
de filtrare (de exemplu pentru condensatoare electrolitice cu Al tolerana poate fi: 10%+50%).
u
uO
UO +
UO +
45 o uI t
0
0
UO
uO
UO
ui
a) Caracteristica de transfer, b) Efectul asupra unui semnal sinusoidal
Fig. 2.15. Limitator bilateral simetric pasiv:
Cel mai simplu limitator de acest tip se poate realiza cu dou diode conectate ca n figura
2.16.a. Considernd tensiunea de prag a diodelor UD, funcionarea circuitului poate fi descris cu
ecuaiile: u O = U D dac uI U D ; conduce D1, D 2 este blocat
u O = u I dac U D < u I < U D ; ambele diode sunt blocate . (2.37)
u = U dac u I U D ; conduce D 2, D1 este blocat
O D
R iO = 0 R iO = 0
D1
uI D1 D2 uO uI uO
+
UP
Rezistena R este introdus n circuit pentru a prelua diferena de tensiune dintre intrare i
ieire atunci cnd tensiunea de intrare este n afara valorilor limit. Dac tensiunea este ntre cele
dou valori limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece curentul prin R este nul (curenii prin
diodele blocate au valoarea practic zero i curentul de ieire este nul ieirea este n gol):
i R = i D1 i D 2 + iO = 0 0 + 0 = 0 uO = u I u R = u I R i R = u I .
UD
uI uO uI uO
+
UP UP 45 o uI
a) b) c) 0 UP +UD
Analiza circuitului este principial identic cu cea de la problema definit n figura 2.8. Se
consider iniial dioda blocat i se nlocuiete cu o ntrerupere de circuit, figura 2.17.a. Dioda se
menine blocat ct timp tensiunea pe diod uA , este mai mic dect tensiunea de prag UD .
u A = u I R i R U P < U D , D este blocat, i A = 0 , i R = i A + iO = 0 i din:
u A = u I U P < U D u I < U D + U P i uO ( = u I R i R ) = u I .
La limita intrrii n conducie a diodei, uA =UD , curentul prin diod este nc nul, cderea de
tensiune pe R este nul, uA = uI R .iR UP = uI UP i uI =UD +UP . Creterea tensiunii de intrare
peste aceast valoare conduce la apariia unui curent prin rezisten i prin diod; dioda n conducie
se nlocuiete cu sursa de tensiune UD , ca n figura 2.17.b:
u I > U D + U P i R = i A > 0 , D conduce, u A = U D , uO ( = u A + U P ) = U D + U P .
Circuitele de limitare pot avea diferite configuraii n funcie de nivelele semnalului care
trebuie ndeprtate. Un exemplu de circuit de limitare este analizat n problema urmtoare.
2.2 APLICAII ALE DIODELOR REDRESOARE 37
Problem de analiz
Pentru circuitul din figura 2.18.a se consider UD =0.6V i U 1 =3V.
a) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer uO (uI ) a circuitului;
b) S se exprime analitic i s se reprezinte grafic tensiunea de ieire pentru o tensiune de
intrare sinusoidal: u i = 2 U i sin t = 6 sin (100 t ) V .
D1 R2 iO =0 iA1 R2 iR2 =0 iO =0
+
D2 uA
uI R1 uO uI UD R uM uO
+
U1 1 U1
Rezolvare: Primul pas este analiza problemei. Circuitul este compus din redresorul
monoalternan D1-R1 i limitatorul cu tensiune de prag R2-D2-U1 . Se noteaz cu uM
tensiunea median, dintre cele dou circuite. O posibilitate de analiz ar fi studierea succesiv
a celor dou circuite i combinarea rezultatelor. Varianta propus va analiza circuitul n
totalitate n funcie de strile posibile ale celor dou diode.
O observaie util pentru nelegerea funcionrii se refer la relaiile cauz-efect din
circuit; cauza apariiei curenilor n circuit sunt sursele de tensiune. n acest caz sursa de
tensiune se presupune c exist implicit la intrare, chiar dac nu este figurat ca atare. Sursa
U1 este o surs pasiv datorit diodei D2; aceasta nseamn c U1 nu poate furniza curent
dect atunci cnd o surs extern (uI ) deschide dioda D2. La ieirea circuitului, notaia uO nu
semnific existena unei surse de tensiune ci este doar denumirea care permite identificarea
respectivei tensiuni (se poate imagina un voltmetru ideal care msoar respectiva tensiune).
Deoarece circuitul conine dou diode i fiecare diod poate avea dou stri (blocat sau
n conducie) sunt posibile patru variante, care vor fi analizate n continuare. Dac ambele
diode sunt blocate, curentul prin acestea este nul, iA 1=iA 2=0. Sursa U1 nu poate furniza
curent prin dioda D2 blocat. Curentul spre ieire este i el nul conform datelor iniiale ale
problemei (circuitul lucreaz n gol). De aceea, ct timp D1 este blocat curentul prin R1 este
nul: iR 2 = iO + iA 2 = 0, iR 1 = iA 1 iR 2 = 0 i tensiunea median este nul: uM = R 1 . iR 1 = 0. Pe
de alt parte curentul prin R2 este nul, de aceea i tensiunea de ieire va fi nul: uO = uM
R 2 . iR 2 = 0. D1 este blocat pentru uA 1 <UD , adic uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI <UD .
La limita intrrii n conducie a diodei D1, curentul prin diod este nc nul i cderea de
tensiune pe R1 este nul: uA 1 = uI R 1 . iR 1 = uI =UD . Pentru uI >UD D1 intr n conducie,
uA 1 =UD i tensiunea median uM = uI uA 1 devine uM = uI UD . Limitatorul cu tensiune de
prag, R2-D2-U1 , are tensiunea uM la intrare i uO la ieire i funcioneaz conform relaiilor
(2.38). Pragul de conducie al diodei D2 este la tensiunea uM = U1 +UD = uI UD adic
uI = U1 +2UD . Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile:
u O = u M = 0 dac uI < U D , ambele diode sunt blocate;
u O = u I U D dac U D u I < 2 U D + U 1 , conduce D1; D 2 este blocata;
u = U + U dac u I 2 U D + U1 , conduc ambele diode.
O D 1
innd seama de valorile tensiunilor date n enunul problemei caracteristica static este
descris analitic de ecuaiile:
u O = 0 dac u I < 0,6V
u O = u I 0,6V dac 0,6V u I < 4,2V .
u = 3,6V dac u I 4,2V
O
Reprezentarea caracteristicii de transfer a circuitului din figura alturat este de fapt o
reprezentare grafic a acestui sistem de ecuaii (o funcie matematic descris pe poriuni).
Forma analitic a tensiunii de ieire se obine nlocuind tensiunea uI , n sistemul de
ecuaii anterior, conform enunului. Unghiurile de deschidere ale diodelor i respectiv
momentele de timp la care diodele se deschid se calculeaz cu relaiile:
0,6 0,1
u i1 = 6 sin 1 = 6 sin (100 t1 ) = 0,6 1 = arcsin = 0,1 rad , t1 = = 0,32 ms ,
6 100
4,2 0,78
u i 2 = 6 sin 2 = 6 sin (100 t 2 ) = 4,2 2 = arcsin 0,78 rad , t 2 = 2,5 ms .
6 100
uO (V) u
(V)
4,2
3,6
6V
uO
45 o uI 0,6 10 20 t
0
0 0,6 4,2 (V) (ms)
0,32
6V
ui
uI uC uO
Uv 2Uv UD
t C
0 uI D uO R Uv UD
t
0 U
Uv D
Fig. 2.20. Circuit de refacere a nivelului de cc cu semnal sinusoidal i fr sarcin (R foarte mare)
n acest caz descrcarea condensatorului n timpul unei perioade (pn la o nou ncrcare) este
nesemnificativ (mai mic dect 1% din nivelul semnalului). Deoarece tensiunea de ieire este:
u O = uC + u I = (U v U D ) + u I , (2.40)
forma de und de la ieire va fi identic cu cea de la intrare, dar deplasat cu o tensiune constant:
uC =Uv UD , dup cum se vede n partea dreapt a figurii 2.20. Prin inversarea sensului diodei,
semnalul va fi deplasat cu o tensiune negativ, vrful pozitiv al semnalului fiind fixat la o tensiune
aproximativ nul (mai exact +UD ).
Acest circuit este folosit la polarizarea amplificatoarelor n clas C, la refacerea nivelului de
alb n receptoarele de televiziune i la demodularea semnalelor modulare n impulsuri.
Prin canalul de comunicaie se transmite doar componenta de ca a semnalului modulat n impulsuri
(PWM pulse width modulation). La recepie se reface nivelul de cc i apoi, la ieirea unui filtru trece-jos
RC simplu, se obine semnalul modulator (proporional cu valoarea medie a semnalului transmis).
Dubloare de tensiune
Circuitele de dublare a tensiunii ndeplinesc funcia de detector vrf la vrf, deci tensiunea
de ieire este aproximativ egal cu valoarea vrf-la-vrf a tensiunii de intrare: UO =Ui_vv . n figura
2.21 sunt prezentate dou versiuni de dubloare de tensiune.
uC1 D1
D2
C1
C1 C2 ui
ui D1 uO
uO
D2 C2
a) b)
Primul dublor de tensiune este alctuit din dou seciuni nseriate: un circuit de refacere a
componentei de cc (C1-D1) i un redresor monoalternan (D2-C2). Acest dublor de tensiune se
caracterizeaz prin existena unui punct comun intrrii i ieirii, punct care poate fi utilizat ca
referin de tensiune i care reprezint masa electric a circuitului respectiv.
La analiza de principiu a circuitului se consider diodele ideale i tensiunea de intrare
sinusoidal: u i =Uv sint. n timpul alternanei negative, dioda D1 este polarizat direct i D2 este
polarizat invers. Condensatorul C1 se ncarc la valoarea de vrf negativ a tensiunii de intrare
u C1 =Uv . n timpul alternanei pozitive, dioda D2 este polarizat direct i D1 este polarizat invers.
40 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Triplorul de tensiune
Triplorul de tensiune se obine prin adugarea unei seciuni diod-condensator (D3 -C3)
suplimentare dublorului din figura 2.21.a, conform schemei din figura urmtoare.
uO
u C1 u C3 Fig. 2.22. Triplorul de tensiune;
Prin conectarea de seciuni C-D suplimentare
C1 C3 (la liniile punctate, respectnd succesiunea din
ui D1 D2 D3
figur) se poate multiplica tensiunea de intrare
C2
de un numr ntreg de ori.
u C2
D1
UAA
uiA Fig. 2.23. Pori simple cu diode:
D2 R
uiB uO a) Circuit de maxim: la ieire apare cea
D1
D3 uiA uO mai mare tensiune de la intrri;
uiC b) Circuit de minim: la ieire apare cea
D2
uiB mai mic tensiune de la intrri.
R
D3
a) uiC b)
Pentru simplitatea analizei diodele vor fi considerate iniial ca fiind ideale. Pentru circuitul
de maxim, din figura 2.23.a, dac la un moment dat tensiunile de intrare se afl n relaia:
u iA > u iB > u iC (> U D ) , atunci u O = u iA ,
deoarece dioda D1 n conducie se comport ca un comutator nchis i transmite tensiunea de la
intrarea A la ieire. Celelalte diode sunt polarizate invers, deci blocate, deoarece celelalte tensiuni
de intrare (de la anodul diodelor) sunt mai mici dect tensiunea de la ieire (de la catodul diodelor).
Datorit simetriei circuitului, analiza de mai sus este valabil pentru oricare dintre intrri i deci
intrarea care are valoarea maxim apare la ieire, prin dioda n conducie de la acea intrare.
Celelalte diode, blocate de tensiunile de intrare mai mici, izoleaz intrrile respective.
42 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
La circuitul de minim, catozii diodelor sunt spre intrri i se va deschide dioda la catodul
creia se aplic tensiunea cea mai mic (care trebuie s fie mai mic dect tensiunea UAA ). Prin
dioda deschis, tensiunea minim apare la ieire (la anozii diodelor) i blocheaz celelalte diode.
Dac se consider modelul diodelor cu tensiune de prag, funcionarea circuitelor este
identic, dar tensiunea de ieire difer de tensiunea de intrare cu cderea de tensiune pe dioda n
conducie. n exemplul de la circuitul de maxim, tensiunea de ieire va fi: u O =u iA UD . Circuitul
de maxim poate fi utilizat pentru tensiuni pozitive mai mari dect tensiunea pe o diod n conducie,
UD, iar circuitul de minim poate fi utilizat pentru tensiuni mai mici (cu cel puin UD 0,7V) dect
sursa de tensiune utilizat (UAA n figur).
Aceste circuite permit obinerea simpl a funciei logice SI respectiv a funciei logice SAU.
Se consider un sistem cu logic pozitiv cu UAA=5V, la care tensiunile apropiate de 0V
corespund nivelului logic 0 i tensiunile apropiate de 5V corespund nivelului logic 1. Circuitul
din figura 2.23.a are trei intrri, u iA , u iB i u iC ; variabilele logice corespunztoare se noteaz cu A,
B, C i cu Y se noteaz variabila logic de ieire. Dioda conectat la 1 logic (+5V) va conduce i
va fixa ieirea la nivel logic 1 (uO +5V). Tensiunea pozitiv de la ieire menine blocate diodele
ale cror intrri sunt la 0 logic (u i 0V). Astfel, ieirea va fi la nivel ridicat, 1 logic, dac una
sau mai multe intrri sunt n 1 logic i ca urmare circuitul implementeaz funcia logic SAU:
Y = A+ B+C (+ semnific operatorul logic sau).
Pentru circuitul de minim din figura 2.23.b, oricare dintre intrri conectat la 0 logic aduce ieirea
n 0 logic. Pentru ca ieirea s fie n 1 logic, trebuie ca toate intrrile s fie n 1 i deci acest
circuit implementeaz funcia logic SI:
Y = A BC (. semnific operatorul logic i).
Ca pori logice aceste circuite prezint dezavantajul degradrii nivelului logic de la ieire
datorit cderii de tensiune pe rezistena R (produs de curentul furnizat de ieire ctre circuitul
urmtor, n cazul n care toate diodele sunt blocate) sau datorit cderii de tensiune pe diode (n
cazul n care cel puin o diod este deschis). Porile logice clasice refac nivelurile logice la ieire
cu ajutorul unor circuite de amplificare. Circuitele de minim i maxim se pot utiliza ca pori logice
cu recomandarea ca s nu fie utilizate mai multe astfel de circuite succesiv, deoarece degradarea
nivelurilor logice ale semnalelor digitale se cumuleaz.
Redresorul cu transformator cu punct median poate fi privit ca un circuit de maxim cu dou
intrri (tensiunile de la cele dou seciuni ale nfurrii secundare a transformatorului). Circuitul de
maxim cu trei intrri (din figura 2.23.a) se poate utiliza i ca redresor trifazat (aa-numitul redresor
cu punct neutru), R fiind sarcina redresorului iar tensiunile aplicate la intrare fiind cele trei faze (R,
S, T). La borna superioar a sarcinii apare n fiecare moment cea mai mare dintre faze, astfel nct
la ieire apare componenta de cc cea mai mare posibil. Fiecare diod conduce o treime din
perioada semnalului de intrare iar pulsaiile de la ieire vor avea frecven tripl. Analiza n detaliu
a redresoarelor trifazice depete scopul acestei cri, fiind un subiect specific electronicii de
putere.
2.3 NOIUNI DE FIZICA SEMICONDUCTOARELOR - JONCIUNEA PN 43
Ca urmare concentraia golurilor, pn0 (goluri pozitive, n zona n, la echilibru termic), care sunt
generate prin ionizare termic, este foarte mic:
ni2
p n0 = (<< ni ) (2.46)
ND
i de aceea, n semiconductorul de tip n, golurile se numesc purttori minoritari. Deoarece ni
depinde de temperatur, concentraia purttorilor minoritari este dependent de temperatur, n timp
ce concentraia purttorilor majoritari (care depinde n principal de ND) nu depinde de temperatur.
Semiconductoarele de tip p se produc prin impurificare controlat cu atomi trivaleni (de
exemplu bor). Atomii trivaleni se numesc acceptori pentru c fiecare atom accept un electron de
valen de la cristalul semiconductor i formeaz astfel cele patru legturi covalente necesare
pentru a se ncadra n structura cristalin a semiconductorului.
La echilibru termic, concentraia golurilor majoritare depinde de concentraia atomilor
acceptori, NA , iar concentraia electronilor minoritari, generai termic, se determin din (2.45):
ni2
p p 0 N A (>> ni ) , n p0 =
NA
( )
<< p p 0 . (2.47)
Cristalele semiconductoare extrinseci sunt neutre din punct de vedere electric deoarece
sarcina purttorilor majoritari mobili (electroni n semiconductorul de tip n i goluri n cel de tip p)
este compensat de sarcina ionilor de impuritate fixai n reeaua cristalin.
mai ridicat de purttori mobili (de exemplu goluri) ntr-o zon a semiconductorului, atunci golurile
vor difuza din regiunea cu concentraie mai mare spre regiunea cu concentraie mai mic. Acest
proces de difuzie produce o deplasare net de sarcin sau curent de difuzie. Valoarea curentului de
difuzie este proporional cu gradientul concentraiei de purttori:
dp
J p = q D p , (2.48)
dx
unde cu J p s-a notat densitatea de curent (curentul pe unitatea de arie), q este sarcina electronului
iar D p este constanta de difuzie a golurilor. Semnul apare deoarece difuzia are sens opus
creterii concentraiei; s-a presupus cazul n care concentraia scade pe direcia axei Ox.
n cazul electronilor liberi difuzia apare datorit gradientului de concentraie al electronilor
i densitatea de curent a electronilor se poate calcula cu o relaie similar:
dn
J n = q Dn , (2.49)
dx
unde D n este constanta de difuzie al electronilor liberi. Constanta de difuzie a electronilor este de
aproape trei ori mai mare dect cea a golurilor, D n 3D p (pentru cristalul de siliciu intrinsec).
Cel de-al doilea mecanism de conducie n semiconductoare este driftul ntr-un cmp
electric creterile de vitez uniforme cu caracter dirijat n sensul cmpului electric:
r r
vdrift = E
unde este mobilitatea purttorilor de sarcin i E este cmpul electric din semiconductor.
Densitatea curentului de drift este proporional cu concentraia de purttori de sarcin:
( )
J drift = q p p + n n E = E . (2.50)
Aceast relaie reprezint legea lui Ohm n semiconductoare, iar este conductivitatea electric a
semiconductorului (proporional cu concentraia purttorilor mobili de sarcin: p + n ).
Factorul de difuzie i mobilitatea purttorilor de sarcin sunt legate prin relaia lui Einstein:
Dn Dp kT
= = = UT , (2.51)
n p q
unde k este constanta lui Boltzmann i U T tensiunea termic. La temperatura camerei U T 25mV.
Mobilitatea electronilor este mai mare dect cea a golurilor: n 3 p (la siliciu).
Curentul de difuzie
n vecintatea jonciunii se produce difuzia purttorilor majoritari; golurile din regiunea p
difuzeaz n regiunea n i electronii liberi din regiunea p difuzeaz n regiunea n. Acesta dou
componente formeaz mpreun curentul de difuzie ID , a crui direcie este de la zona p la zona n.
46 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
ID
I0 Fig. 2.25. Jonciunea pn n gol.
Reg.Sarc.Spa. Curentul de difuzie ID i curentul de
Goluri Electroni drift I 0 sunt egali; curentul net e nul.
+
+++++ Modelul unidimensional al
+p+++ + n jonciunii evideniaz cele 3 regiuni:
+++++ +
- Regiunea de sarcin spaial, RSS,
Regiune neutr Regiune golit Regiune neutr sau regiunea golit de purttori,
p - Dou regiuni neutre, una n zona p
NA i cealalt n zona n,
pp 0 Sunt prezentate i variaiile:
ln pn 0 x
- concentraiei de goluri p,
n - concentraiei de electroni liberi n,
ND - potenialului u,
lp + nn 0 de-a lungul jonciunii.
np 0 x
Sarcinile necompensate ale ionilor din RSS
u sunt reprezentate prin suprafee haurate
vertical, indicndu-se i semnul lor.
U0
x
lJ
Regiunea de sarcin spaial
Datorit difuziei (i parial datorit recombinrii purttorilor mobili), n imediata vecintate
a jonciunii apare o regiune golit de purttori mobili. n aceast regiune sarcina ionilor fici din
reea nu mai este echilibrat de sarcina purttorilor mobili (care au difuzat) i de aceea regiunea din
vecintatea jonciunii devine o regiune de sarcin spaial (se va nota cu RSS ).
Sarcina necompensat a ionilor de impuritate din RSS duce la apariia unui cmp electric
orientat de la zona p la zona n. Acest cmp electric se opune difuziei purttorilor majoritari. De
fapt, cderea de tensiune pe RSS acioneaz ca o barier de potenial care trebuie depit de
golurile care difuzeaz spre zona n i de electronii care difuzeaz spre zona p. Cu ct bariera de
potenial este mai mare cu att mai puini purttori mobili o vor nvinge. De aceea curentul de
difuzie ID depinde esenial de cderea de tensiune U 0 pe regiunea golit.
Zona p i zona n din afara RSS se numesc regiuni neutre i se comport practic ca un cristal
extrinsec de tip p, respectiv n. Prin urmare la o jonciune pn apare RSS i dou regiuni neutre.
Aceast condiie de echilibru este meninut de bariera de tensiune U0 . Dac, dintr-un motiv
oarecare, de exemplu, curentul ID devine mai mare dect I 0 , atunci crete sarcina necompensat de
ambele pri ale jonciunii, RSS devine mai lat i tensiunea U0 va crete. Se restabilete astfel
echilibrul prin micorarea curentului ID (datorat creterii barierei de potenial U0 ).
UJ (<U0) UJ (>U0)
iA iA (<0)
p n p n
+
uA uA (<0)
lJ (<lJ 0) + lJ (>lJ 0)
iD iD
I0 I0
Excesul de
concentraie
np (lp ) pn (x)
np (x)
pn 0
np 0 Concentraia de echilibru x
lp 0 ln
Fig. 2.27. Distribuia purttorilor minoritari la o jonciune pn polarizat direct n cazul unei
jonciuni asimetrice ( NA 3 ND ).
Curentul de drift I 0 reprezint curentul invers (prin jonciunea polarizat invers). Acest
curent se mai numete i curent invers de saturaie al jonciunii, deoarece pentru tensiuni inverse
(u A <0) mult mai mari n modul dect tensiunea termic (u A << UT ), curentul invers conform
relaiei (2.58) se satureaz, adic ajunge la o valoare constant, i A = I 0 . Valoarea acestui curent
este de ordinul microamperilor (10-6A) pentru diodele cu germaniu i de ordinul picoamperilor (10 -
12A) pentru diodele cu siliciu. Curentul I depinde exponenial de temperatura absolut conform
0
relaiei (2.56). Se poate considera c la temperaturi uzuale I 0 se dubleaz la creterea temperaturii
cu circa 10C.
Jonciunea pn asimetric
Dac gradul de dopare al celor dou zone ale jonciunii pn este diferit se spune c jonciunea
este asimetric. Distribuia purttorilor minoritari la o astfel de jonciune este prezentat n figura
2.27 (pentru NA 3 ND ). Jonciunilor asimetrice au urmtoarele particulariti:
Regiunea golit se extinde mai mult n zona mai slab dopat a jonciunii, limea regiunii golite
este invers proporional cu gradul de dopare al zonei respective. Astfel, dac se noteaz cu l p i
cu l n limea regiunii golite din zona p respectiv din zona n i cu A aria transversal a jonciunii,
atunci condiia de egalitate a sarcinii n cele dou pri ale jonciunii se poate scrie:
lp ND
q l p A N A = q ln A N D = . (2.59)
ln NA
La polarizare direct, curentul va fi format n majoritate din purttorii majoritari ai regiunii mai
puternic dopate. Pe baza statisticii Boltzmann, se pot calcula curenii de difuzie de goluri i de
electroni (i p i i n ), care sunt proporionali cu concentraia purttorilor majoritari respectivi:
ip p p0 NA
= . (2.60)
in nn0 ND
Scal
UStr comprimat uA
p n
0 0,7V
iA 0,5V
expandat
uA
Scal
Fig. 2.28. Caracteristica static a jonciunii pn, cu scala negativ a tensiunii uA comprimat i
scala negativ a curentului iA expandat, pentru a pune n eviden detaliile.
50 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Regiunea de strpungere
La tensiuni inverse mari, se constat o cretere foarte mare a curentului prin jonciune. La o
anumit tensiune, numit tensiune de strpungere UStr , curentul crete abrupt ctre infinit i el
trebuie s fie limitat din circuitul exterior pentru a nu depi valoarea la care jonciunea s-ar
distruge. Mecanismele care pot cauza strpungerea sunt efectul Zener i multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin.
Efectul Zener const din ruperea unor legturi covalente dintre atomii reelei cristaline
datorit unui cmp electric foarte intens (concentrat n RSS a jonciunii). Se genereaz astfel perechi
electron-gol, fenomen ce conduce la strpungerea jonciunii. Acest tip de strpungere are loc la
jonciuni foarte nguste, realizate din semiconductoare puternic dopate (NA , ND >1018 atomi /cm3 ).
La aceste jonciuni nguste cmpul electric de valori foarte mari apare pentru tensiuni reduse, de
ordinul volilor; pentru US tr <5V este preponderent strpungerea prin efect Zener. Tensiunea de
strpungere scade cu temperatura deoarece o dat cu creterea temperaturii crete agitaia termic i
este necesar un surplus de energie mai mic pentru a rupe legturile covalente. Coeficientul de
temperatur este negativ i este mai mare (n modul) pentru tensiuni de strpungere mai mici.
n majoritatea cazurilor strpungerea se datoreaz multiplicrii n avalan. Sub aciunea
cmpului electric intens purttorii mobili dobndesc o energie suficient pentru a produce ionizarea
atomilor cu care se ciocnesc i apar astfel noi purttori suplimentari, care pot ioniza la rndul lor ali
atomi. Curentul crete astfel foarte mult datorit multiplicrii n avalan a purttorilor n RSS.
Acest tip de strpungere este specific jonciunilor realizate din semiconductoare cu un grad de
dopare mic sau mediu (NA , ND =10141017 atomi /cm3 ) pentru care limea regiunii golite este
comparabil cu drumul liber mediu al purttorilor de sarcin. Tensiunea de strpungere datorat
multiplicrii depinde de temperatur deoarece la creterea temperaturii scade drumul liber mediu i
pentru a obine aceeai energie este necesar un cmp electric de accelerare i deci o tensiune mai
mare. Coeficientul de temperatur este pozitiv cu o valoare tipic de circa 0,1% pe grad Celsius.
Fenomenul de strpungere este nedistructiv; distrugerea jonciunii poate s apar ns
datorit efectelor termice asociate depirea puterii disipate admisibile a dispozitivului respectiv.
circuit. Perechea de puncte {UA , IA }, determinate n cc, reprezint punctul static de funcionare al
diodei i va fi notat simplu cu psf.
R iA
Fig. 2.30. Circuit simplu cu diod;
Sursa de tensiune i rezistena pot s reprezinte
+
uA D
UAA circuitul echivalent Thvenin al unei reele liniare.
iA
UAA /R psf
Dreapta de sarcin
IA
uA
0 UA UAA
Fig. 2.31. Metoda grafic de aflare a psf, pentru circuitul din figura 2.30.
Analiza grafic este de folos pentru vizualizarea modului de funcionare al circuitului; ns,
efortul presupus de aceast metod nu se justific n practic, mai ales n cazul circuitelor
complexe. Simplificarea metodei de analiz presupune nlocuirea diodelor cu modele de circuit mai
simple, care se comport aproximativ la fel. n funcie de aplicaia concret i de precizia dorit,
aceste modele (sau circuite echivalente) pot avea diferite grade de complexitate. Cele mai simple
modele ale diodelor au fost deja prezentate n prima parte a acestui capitol. Modelele de diode
prezentate n continuare sunt mai precise, dar implicit i mai complexe.
dublarea ariei unei diode conduce la o valoare dubl a lui I 0 i conform ecuaiei diodei idealizate,
curentul prin diod iA se va dubla pentru aceeai tensiune pe diod uA . Tensiunea termic UT la
temperatura ambiant t = 1727C este U T 2526mV.
Dac curentul direct prin diod este semnificativ, mai precis pentru i A >>I0 , ecuaia (2.63)
se poate aproxima cu relaia exponenial:
u
i A I 0 exp A . (2.64)
nU T
i
Relaia poate fi exprimat i n forma logaritmic: u A = nU T ln A . (2.65)
I0
Pentru dou puncte de pe caracteristica diodei {U1 , I1 } i {U2 , I2 } se pot scrie ecuaiile:
U1 U2 I1 U U2
I1 = I 0 exp , I 2 = I 0 exp , = exp 1 .
nU T nU T I2 nU T
Ultima ecuaie poate fi rescris cu logaritmul natural, respectiv zecimal, dup cum urmeaz:
I1 I1
U 1 U 2 = nU T ln , U 1 U 2 = 2,3 nU T lg . (2.66)
I2 I2
Ecuaia anterioar se poate exprima astfel: pentru o decad (factor 10) de variaie a curentului
tensiunea pe diod se schimb cu 2,3nUT , care este 60mV pentru n =1 i 120mV pentru n =2. Dac
la trasarea caracteristicii se gradeaz logaritmic axa curentului, atunci caracteristica static a diodei
va fi liniar, cu o pant de 2,3nUT pentru o decad de variaie a curentului (I1/I2 =10). Dac
valoarea lui n nu se cunoate (ea poate fi obinut experimental conform celor artate anterior)
atunci se poate considera o valoare convenabil UA 0 =0,1V/decad pentru panta caracteristicii
statice a diodei. Pentru a defini caracteristica mai este necesar un punct; pentru o diod discret se
poate considera c la un curent IA0 =1mA tensiunea pe diod este UA0 =0,6V. Considernd aceste
valori se poate determina tensiunea pe diod la un anumit curent conform ecuaiei:
iA
u A = U A0 + U A0 lg . (2.67)
I A0
Valoarea de referin a tensiunii, UA0 , se poate obine cu un multimetru digital care indic (pe
poziia marcat cu simbolul diodei) tensiunea pe dioda polarizat direct cu un curent de circa 1mA.
Exemplu
n tabelul urmtor se compar tensiunea calculat conform relaiei (2.67) cu tensiunile
obinute experimental pentru dou diode uzuale: o diod redresoare de 1A (cu indicativul
1N4001) i o diod de comutaie de 100mA, 1N4148:
Se constat c diferenele sunt destul de mici, mai ales n zona curenilor medii. La
cureni mari tensiunea msurat este mai mare dect cea teoretic datorit cderii de tensiune
pe rezistena serie a jonciunii, conform relaiei (2.61). (Noiunea de curent mare are semnificaie
diferit n funcie de tipul diodei i este o valoare mai mic pentru diode cu curent nominal mai mic.)
Modelul exponenial al diodei, definit conform relaiei (2.58) sau (2.67), se poate utiliza
pentru calculul psf prin metode aproximative.
Un sistem dintre o relaie liniar i una exponenial nu admite n general soluie exact, dar
se poate rezolva prin metoda aproximaiilor succesive ilustrat grafic n figura 2.32.
iA
(1)
(0)
UAA /R (1)
(4)
(3)
(2)
uA
0 UAA
Fig. 2.32. Calculul psf prin metoda aproximaiilor succesive.
Modelul exponenial al diodei este un model precis dar neliniar i aceast neliniaritate
complic mult calcularea circuitelor cu diode. Acest model este utilizat mai ales de ctre
programele de simulare a circuitelor, implementate cu ajutorul calculatorului; n acest caz
complexitatea calculelor nu mai este un impediment. Simplificarea calculelor, pentru o proiectare
sau analiz manual, se realizeaz cu ajutorul modelelor liniarizate ale diodelor.
iA
Panta =1/rD
IA2 (2)
iA UD rD
+
uA
(1) uA
IA1
0 UD 0 UA2
Fig. 2.33. Modelul cu tensiune de prag i rezisten serie: caracteristica static (comparat cu
caracteristica exponenial) i circuitul echivalent.
Caracteristica diodei cu tensiune de prag i rezisten serie se poate descrie i analitic prin
ecuaiile semidreptelor:
i A = 0 , pentru u A < U D 0
. (2.70)
u A = U D 0 + rD i A , pentru i A > 0
Aceste ecuaii pot fi reprezentate i sub form de circuit echivalent conform figurii 2.33.
Schema echivalent a diodei include i o diod ideal care permite curentului s circule doar n sens
direct; ca urmare sursa de tensiune inclus n model se comport ca o surs pasiv care nu poate
furniza energie n circuitul exterior.
Un model liniarizat al diodei mai simplu este dioda cu tensiune de prag, iar cel mai simplu
model este modelul diodei ideale. Aceste modele au fost prezentat n prima parte a acestui capitol.
56 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Exemplu de calcul
S se determine punctul static de funcionare al diodei conectat n circuitul din figura 2.30
dac UAA =3V i R =100. Pentru diod se vor considera urmtoarele modele:
a) dioda ideal;
b) dioda cu tensiune de prag, UD =0,7V;
c) dioda cu tensiune de prag i rezisten serie, UD =0,6V, rD =5;
d) dioda exponenial cu tensiunea pe diod UA0 =0,6V la un curent IA0 =1mA cu o variaie a
tensiunii UA0 =0,1V/decad;
e) dioda exponenial cu I0 =50pA i n =1,5.
Rezolvare:
a) Dioda ideal polarizat direct este un scurtcircuit, UA =0 i curentul prin circuit este:
I A = U AA R = 3 100 = 0,03 = 30mA .
b) n cazul diodei cu tensiune de prag UA =UD =0,7V i curentul este:
I A = (U AA U D ) R = 2,3 100 = 23mA .
c) Tensiunea pe dioda cu tensiune de prag i rezisten serie se calculeaz din schema
echivalent din figura 2.33 iar curentul din legea lui Ohm aplicat celor dou rezistene:
U AA U D 0 2,4
IA = = = 22,9mA , U A = U D 0 + rD I A = 0,6 + 0,114 = 0,714V .
R + rD 105
Calculul cu modele exponeniale se va face prin aproximaii succesive.
n cazul d) se va utiliza succesiv ecuaia dreptei de sarcin (2.62) pentru a calcula
curentul i ecuaie (2.67) pentru a calcula tensiunea pe diod:
U AA 3 i ( 0) 30
i A( 0) = = = 30mA , u (A1) = U A0 + U A0 lg A = 0,6 + 0,1 lg = 0,748V ,
R 100 I A0 1
U AA u (A1) i A( 2) 22,5
i A( 2) = = 22,5 mA , u (A3) = U A0 + U A0 lg = 0,6 + 0,1 lg = 0,735V ,
R I A0 1
U AA u (A3) i A( 4) 22,65
i A( 4) = = 22,65 mA , u (A5) = U A0 + U A0 lg = 0,6 + 0,1 lg = 0,7355V .
R I A0 1
Se observ c ultimele dou soluii sunt foarte apropiate i se rein ca soluie ultimele valori
calculate (dac se mai face o iteraie se constat c se obin practic aceleai ultime rezultate).
2.5 DIODA STABILIZATOARE 57
+
IZm UZ0
iZ rZ
uZ
uZ IZT
c) Schema
I echivalent
a) Simbolurile i
U valabil pt.
mrimile electrice
IZm< iZ < IZM.
b) Caracteristica static
Fig. 2.34. Dioda stabilizatoare: simboluri, caracteristica invers i schema echivalent.
Denumirea de diod zener este de fapt improprie pentru c efectul Zener explic numai
funcionarea diodelor cu tensiuni de stabilizare pn la aproximativ 5V. La tensiuni mai mari de
stabilizare, funcionarea diodelor se bazeaz pe efectul de multiplicare n avalan.
Simbolurile diodei stabilizatoare sunt cele din figura 2.34.a. Sensul mrimilor electrice
asociate diodei zener este invers fa de sensul convenional al jonciunii pn, astfel nct iZ i uZ s
aib valori pozitive la aplicaiile normale (unde dioda este polarizat invers).
de referin T0 (de obicei 25C). Fa de valoarea nominal a tensiunii exist o dispersie tehnologic
de fabricaie; n catalogul de diode se dau valorile limit: minima i maxima admis.
Rezistena diferenial (sau dinamic) rZ indic variaia tensiunii de stabilizare n funcie
de variaia curentului (variaii determinate la curentul IZT ):
d uZ
rZ = .
d iZ IZ T
Aceast rezisten are o valoare mic, uzual de ordinul ohmilor (cu variaii de la fraciuni de ohm
pn la sute de ohmi n funcie de tipul diodei i de curentul care circul prin diod). Din punct de
vedere grafic rZ este inversul pantei tangentei la caracteristica static. ntruct caracteristica static
este neliniar, rezistena diferenial va depinde de curentul prin diod. La creterea curentului,
rezistena dinamic scade conform unor curbe date n cataloage. Din aceste curbe se poate pune n
eviden o proporionalitate (aproximativ) ntre logaritmul rezistenei dinamice i logaritmul
curentului prin diod, din care rezult:
1
rZ mai exact : r = a + b , cu p = 0,3...1 i a, b constante .
Z
IZ I Zp
n practic se prefer aproximarea rezistenei difereniale cu o valoare constant, adic liniarizarea
caracteristicii diodei. Caracteristica liniarizat a diodei este trasat cu linia punctat tangent la
graficul din figura 2.34.b, iar rezistena dinamic se poate calcula din panta acestei drepte:
rZ = U I . (2.71)
Ecuaia caracteristicii statice liniarizate a diodei zener,
u Z = U Z 0 + rZ i Z , (2.72)
st la baza modelului acesteia, prezentat n figura 2.34.c sub forma unei scheme echivalente. Dioda
ideal din schema echivalent nu permite circulaia curentului dinspre sursa echivalent UZ0 spre
circuitul exterior diodei (i de aceea UZ0 este o surs pasiv). Schema echivalent este valabil
pentru un curent prin diod cuprins ntre curentul minim i curentul maxim de stabilizare.
Curentul minim de stabilizare IZm este curentul la care dioda zener nc mai funcioneaz
n regim de stabilizare. Acest curent depinde de aplicaia concret prin valoarea maxim admis
pentru rezistena diferenial. O prim estimare poate fi: IZm = (0,050,1)IZM .
Curentul maxim de stabilizare IZM este impus de regimul termic staionar al diodei zener,
astfel nct temperatura diodei s fie mai mic dect temperatura maxim admisibil. Valoarea lui
IZM corespunde puterii maxime care poate fi disipat de diod, PD adm (specificat la T0 =25C):
I ZM = PD adm U Z . (2.73)
Puterea disipat admisibil PD adm are valori uzuale de 0,550W n funcie de tipul diodei.
Coeficientul de temperatur VZ reprezint variaia normat a tensiunii cu temperatura:
d uZ 1 %
VZ = C . (2.74)
dT U Z
Coeficientul de temperatur este negativ pentru diode cu UZ <56V, pozitiv pentru tensiuni
mai mari i minim pentru UZ = 56V. Exist i dispozitive speciale de stabilizare a tensiunii la care
sunt folosite tehnici speciale de compensare termic.
Cu ajutorul coeficientului VZ se poate calcula tensiunea de stabilizare la o temperatur T:
2.5 DIODA STABILIZATOARE 59
U Z (T ) = U Z (T0 ) [1 + VZ (T T0 )] . (2.75)
Dioda zener este folosit mai ales ca element de referin n stabilizatoarele de tensiune sau
ca element activ n stabilizatoarele parametrice. Alte aplicaii uzuale ale diodelor zener sunt
limitatoarele de tensiune i circuitele de deplasare de nivel.
+
+
uI uO RL UZ
uZ b)
a) IZm< iZ < IZM
Pe baza circuitului simplificat din figura 2.35.b se determin limitele pentru care circuitul
funcioneaz corect. Dac se presupune n prima faz a analizei curentul de ieire constant, atunci
limitele posibile ale tensiunii de intrare rezult din limitele admise ale curentului prin diod:
I Zm i Z I Z M , (2.76)
uI U Z
i Z = i R iO = iO u I = U Z + R (i Z + iO ) (2.77).
R
Cu liter mic se noteaz mrimile electrice din circuit, cu liter mare parametrii diodei sau
mrimile constante. Pentru iO = constant = IO , limitele posibile ale tensiunii de intrare sunt:
(
U Z + R ( I Zm + I O ) u I U Z + R I Z M + I O . ) (2.78)
n orice caz condiia foarte simpl: uI > U Z (2.79)
este absolut necesar; circuitul poate s reduc tensiunea de intrare dar nu poate s o mreasc.
Pentru a calcula limitele curentului de ieire se presupune c tensiunea de intrare este
constant uI = constant = UI i c respect cel puin relaia (2.79). Curentul maxim de ieire rezult
pentru curentul minim de stabilizare IZm prin diod:
uI U Z U UZ
iO = i Z iO M = I I Zm . (2.80)
R R
La un curent nul prin sarcin rezult un curent maxim prin diod iar puterea disipat va fi maxim.
Se verific dac puterea disipat n diod este mai mic dect puterea maxim admis, PD adm.
60 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
UI UZ
i ZM = , PdZM = U Z i ZM < PD adm . (2.81)
R
Dac aceast condiie nu se ndeplinete, atunci se calculeaz valoarea minim admis a curentului
de ieire: iOm = (U I U Z ) R I ZM i se impune condiia suplimentar: iO > iOm sau se alege o alt
diod zener cu o putere disipat admisibil PD adm mai mare.
Variaia tensiunii de ieire este variaia tensiunii pe dioda zener. Conform (2.71) rezult:
u O rD i Z = rD (i ZM i Zm ) . (2.82)
Curenii, minim i maxim, care circul efectiv prin diod, iZm i iZM, se calculeaz considernd
limitele extreme de variaie ale tensiunii de intrare i ale curentului de ieire. Variaia simultan a
tensiunii de intrare i a curentului de ieire este analizat n exemplul urmtor.
Exemplu de proiectare
a) S se determine parametrii (UZ 0 i rZ ) unei diode stabilizatoare pentru care s-au msurat:
UZ1 = 6,3V la IZ1 = 50mA i UZ2 = 6,4V la IZ2 =100mA.
b) Utiliznd aceast diod s se proiecteze un stabilizator parametric care s funcioneze corect
pentru uI =1215V i iO = 2080mA. Se admite IZm = 5mA, PD adm = 1W i rZ 0.
c) S se determine limitele extreme ale tensiunii de ieire pentru rZ calculat la punctul a.
Rezolvare:
a) Schema echivalent a diodei zener din figura 2.34.c conduce la relaia (2.72). Pentru a
calcula parametrii diodei, UZ 0 i rZ , (considerai ca fiind constante), se scrie relaia (2.72) de
dou ori succesiv pentru cele dou puncte (de pe caracteristica diodei) din enun:
U Z 1 = U Z 0 + rZ I Z 1
.
U Z 2 = U Z 0 + rZ I Z 2
Cele dou ecuaii sunt un sistem de ecuaii cu necunoscutele UZ 0 i rZ . Rezult:
U Z 2 U Z 1 6,4 6,3
rZ = = = 2 , U Z 0 = U Z 1 + rZ I Z 1 = 6,2V .
I Z 2 I Z1 0,1 0,05
b) Prin proiectarea stabilizatorului se nelege determinarea componentelor
stabilizatorului parametric cu schema din figura 2.35.a, adic aflarea valorii i a puterii
disipate de rezistorul R. Deoarece se neglijeaz rZ , calculele se pot face pe schema
echivalent din figura 2.35.b.
Pentru ca stabilizatorul s funcioneze corect, curentul prin diod trebuie s fie mai mare
dect curentul minim pentru orice valoare a tensiunii de intrare i a curentului de ieire:
uI U Z 0
i Z = i R iO = iO I Zm .
R
Cele mai defavorabile condiii n ecuaia precedenta apar pentru o valoare minim n
stnga inegalitii adic pentru tensiunea de intrare minim i curentul de ieire maxim, UIm
i IOM :
U Im UZ0 U Im UZ0 12 6,2
I OM I Zm R = 68 .
R I OM + I Zm (80 + 5) m
2.5 DIODA STABILIZATOARE 61
UZ0
Calculul simplificat se poate face conform urmtoarei metode: se calculeaz curentul prin
dioda zener fr a considera rezistena diferenial a diodei (aproximaie posibil deoarece
rZ << R i iZ < iR ) i apoi se determin tensiunea de ieire considernd i rezistena rZ :
u U Z0
u O = U Z 0 + rZ i Z U Z 0 + rZ I iO
R
n acest caz limitele extreme ale tensiunii de ieire vor fi:
12 6,8 15 6,8
u O 6,2 + 2 0,08 L 0,02 = 6,211K 6,419V
68 68
Se poate constata o diferen nesemnificativ ntre rezultatele celor dou metode de
calcul; calculul aproximativ este preferabil n practic deoarece este mai simplu.
Tensiunea de ieire depinde de starea diodelor care pot fi: blocate cu iA 0, n conducie
direct cu uA UD sau n strpungere cu uA UZ . Astfel:
u O = U Z 1 + U D dac u I U Z 1 + U D ; D2 conduce direct, D1 ca diod zener
.
u O = u I dac U Z 2 U D < u I < U Z 1 + U D ; ambele diode sunt blocate (2.83)
u = U U dac u U U ; D conduce direct, D ca diod zener
O Z2 D I Z2 D 1 2
Rezistorul R preia diferena de tensiune dintre intrare i ieire atunci cnd diodele conduc.
Dac tensiunea este ntre valorile limit, cderea de tensiune pe R este nul deoarece diodele sunt
blocate i circuitul lucreaz n gol: i R = i Z + iO 0 + 0 = 0 u O = u I u R = u I R i R = u I .
D
uI R uO
UD
a) 45 o
0 UZ uI
Fig. 2.38. Circuit de deplasare de nivel:
a) Schema de principiu,
b)
b) Caracteristica de transfer.
ua
uA D
+
UA UA
b) uA = UA + ua
a) t
0
Fig. 2.39. a) Circuit de principiu pentru studiul regimului dinamic al diodei; b) Semnalul
sinusoidal ua suprapus peste tensiunea de polarizare UA .
Conform circuitului, tensiunea aplicat diodei n fiecare moment (component total sau
instantanee) este o sum a tensiunii de polarizare (componenta de cc) i a tensiunii semnalului
(componenta de ca): u A = U A + ua . (2.84)
Tensiunea pe diod i componentele acesteia sunt puse n eviden n figura 2.39.b pentru
cazul unui semnal sinusoidal.
U + ua U u u u 1 u
2
i A = I 0 exp A = I 0 exp A exp a = I A exp a = I A 1 + a + a + K .
nU T nU T nU T nU T nU T 2! nU T
Dac aa numita condiie de semnal mic:
u a << nU T , (2.86)
este valabil, atunci termenii superiori din dezvoltarea n serie a exponenialei pot fi neglijai i se
obine o relaie liniarizat din care se poate exprima componenta de ca a curentului:
ua u
iA I A + I A = I A + ia ia = I A a . (2.87)
nU T nU T
Se constat c dac se aplic diodei o tensiune de polarizare combinat cu un semnal mic, se
pot separa cele dou componente ale curentului, una de polarizare i una de semnal; comportarea
diodei este liniar i circuitului i se poate aplica o versiune modificat a teoremei superpoziiei.
Metoda de analiz care rezult const din calcularea separat a mrimilor de cc pe baza schemei
64 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Capacitatea de barier
Dac se analizeaz structura unei jonciuni pn din figurile 2.25 i 2.26 se remarc o structur
de condensator plan: un izolator (regiunea golit de purttori mobili) ntre dou armturi (regiunile
neutre, conductive). Capacitatea, numit de barier, a acestui condensator plan este:
AJ 1 1 1
Cb = = , (2.90)
lJ U0 uA U0 1 uA U0
unde AJ este aria jonciunii, este permitivitatea dielectric a siliciului i U0 este potenialul electric
intern al jonciunii. La relaia precedent s-a utilizat dependena (2.54). Proporionalitatea se
pstreaz indiferent de tensiunea aplicat diodei deci i la polarizare nul:
AJ 1 Cb 0
Cb0 = Cb U = Cb = . (2.91)
A =0 lJ 0 U0 1 uA U0
n condiii de semnal mic, variaia de tensiune este mic i poate fi neglijat,
u A = U A + u a U A pentru u a << U A ,
deci capacitatea de barier poate fi considerat constant. Valoarea acestei capaciti depinde ns
de psf, fiind funcie de tensiunea de polarizare UA . Relaia mai precis de calcul a Cb :
Cb0
Cb = , (2.92)
(1 U A U 0 )m
introduce un coeficient suplimentar care depinde de tipul jonciunii, numit factor de gradare,
m 0,5 pentru jonciuni abrupte i m 0,33 pentru jonciuni gradate (la care trecerea de la o
majoritate de impuriti acceptoare la o majoritate de impuriti donoare se face gradat; este cazul
jonciunilor obinute prin difuzie).
La polarizare direct precizia relaiei precedente este nesatisfctoare i va fi nlocuit de o
relaie empiric: C 2C (2.92)
b b0.
2.6 DIODA N REGIM DINAMIC 65
Capacitatea de difuzie
Capacitatea de difuzie se datoreaz sarcinilor electrice acumulate n regiunile neutre ale
jonciunii. La polarizare direct, curentul electric prin jonciune se datoreaz difuziei purttorilor
majoritari care dup traversarea RSS devin purttori minoritari n regiunea neutr respectiv.
Concentraia purttorilor minoritari de sarcin din regiunile neutre este schiat n figura 2.27.
La modificarea tensiunii pe jonciune, se modific concentraia purttorilor majoritari i
curentul prin jonciune. Modificarea sarcinii electrice (a purttorilor minoritari din regiunile neutre,
a cror concentraie s-a modificat) cu modificarea tensiunii este specific unei capaciti. Modelarea
acestui efect capacitiv (complet diferit de efectul de stocare a sarcinii n RSS) se face cu ajutorul
capacitii de difuzie:
dQ di
Cd = , dQ = T d i A C d = T A = T , (2.93)
du A du A rD
unde T este timpul mediu de tranzit al diodei. La dispozitivele practice, cu jonciunii asimetrice,
acest timp reprezint timpul de via al purttorilor regiunii mai puternic dopate, de exemplu pentru
cazul NA >>ND , ip >> in , Qp >>Qn , Q Qp i T p , adic timpul mediu de tranzit este aproximativ
egal cu timpul de via al golurilor n zona n (purttori minoritari, dup traversarea jonciunii).
n condiii de semnal mic, rD rd , iA IA i utiliznd (2.89), pentru n =1, rezult:
T
Cd = IA, (2.94)
UT
unde IA este curentul de polarizare n psf. Capacitatea Cd este direct proporional cu IA i de aceea
este foarte mic la polarizare invers (n general pentru tensiuni mai mici dect tensiunea de prag a
diodei). Pentru a obine o capacitate de difuzie ct mai mic, n cazul diodelor de nalt frecven,
timpul de tranzit se reduce prin metode tehnologice speciale (de exemplu dopare cu aur).
Cd
rs rd Fig. 2.40. Schema echivalent a diodei n
regim dinamic la semnal mic.
Cb
Rezistena rs este rezistena serie a diodei i reprezint n esen rezistena regiunilor neutre
ale jonciunii conform relaiei (2.61), cu valori de ordinul ohmilor de la fraciuni de ohm la
diodele de curent mare i pn la zeci (sau chiar sute) de ohmi la diodele de curent mic.
Schema echivalent se simplific n funcie de regimul de funcionare al diodei:
- Pentru cureni mici i medii prin diod, rezistena serie rs se poate neglija, deoarece rd >>rs .
- La polarizare direct, capacitatea de barier Cb ( 2Cb0 ) se poate neglija, deoarece Cd >>Cb .
- La polarizare invers, Cd 0, rd este foarte mare i din schema echivalent rmne doar Cb .
- La joas frecven dioda are caracter rezistiv; reactanele capacitive sunt mici i se pot neglija.
66 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
Aplicaie
Pentru circuitul din figura 2.41.a cu ug = 0,5sin t (V), se consider o diod cu UD = 0,6V;
UT = 26mV i n = 1. S se determine tensiunea la bornele diodei i curentul care trece prin diod.
La frecvena semnalului, condensatorul are o reactan foarte mic (poate fi considerat un
scurtcircuit din p.d.v. al semnalului) i se pot neglija efectele capacitive din diod.
C
a) R1 R2 iA b) R1 R2 IA c) R1 ia
ug 5k 10k
ug rd
+
uA D U UA ua
+
+
U = 20V UD
Rezolvare:
Se presupune iniial c este ndeplinit condiia de semnal mic, (2.86) sau (2.88) i deci
dioda are o comportare aproximativ liniar. Ca urmare se poate utiliza versiunea modificat a
teoremei superpoziiei, care const din calcularea separat a mrimilor de cc pe baza schemei
echivalente de cc i apoi a mrimilor de ca, pe baza schemei echivalente de ca. Mrimile
electrice instantanee se obin prin nsumarea celor dou componente ale fiecrei mrimi.
n schema echivalent de cc din figura 2.41.b:
- sursa independent de ca este pasivizat (se anuleaz, deci se nlocuiete cu un
scurtcircuit),
- dioda este nlocuit cu modelul cu tensiune de prag (model sugerat de forma n care se dau
datele problemei) i
- condensatorul este nlocuit cu o ntrerupere de circuit (nu mai apare n schema de cc,
deoarece nu are nici un efect n cc).
Schema echivalent de ca din figura 2.41.c se obine prin:
- pasivizarea sursei de cc,
- nlocuirea diodei cu schema echivalent de semnal mic, joas frecven i
- nlocuirea condensatorului cu un scurtcircuit.
Determinarea psf al diodei se face n schema echivalent de cc. Dioda ideal din schem
se nlocuiete cu un scurtcircuit, deoarece este n conducie, parcurs de un curent pozitiv:
U U D 20 0,6
IA = = = 1,3 mA .
R1 + R2 15k
nU T 26m
Conform 2.89, rezistena dinamic a diodei este: rd = = = 20 .
IA 1,3m
Tensiunea de ca pe diod se determin cu regula divizorului de tensiune n schema de ca:
rd 20
ua = ug = 0,5 sin t = 2 103 sin t (V) .
rd + R1 5020
Se constat c este ndeplinit condiia de semnal mic:
2.7 MODELAREA DIODEI N SPICE 67
Programul SPICE include un model intern pentru diod. Acesta este un model de semnal
mare al diodei prezentat n figura 2.42. Comportarea static a diodei este modelat de ecuaia
exponenial a diodei (2.63) i comportarea dinamic este reprezentat de capacitatea neliniar CA .
Aceasta este suma dintre capacitatea de difuzie Cd i capacitatea de barier Cb a jonciunii,
capaciti calculate cu relaii aproape identice cu (2.94) i (2.92). Rezistena serie rs include efectul
rezistenei regiunilor neutre ale jonciunii (2.61) i are valori tipice de ordinul ohmilor pn la zeci
de . Pentru analiza de semnal mic, SPICE utilizeaz rezistena incremental a diodei rd i valorile
incrementale (sau difereniale) ale capacitilor Cb i Cd .
rs u
i A = I 0 exp A 1
n UT
= Cb 0
CA
iA
uA C A = T iA +
UT (1 u A U 0 )m
Tabelul 2.1 prezint lista celor mai importani parametrii ai modelului diodei, utilizai de
SPICE. Sunt listate, de asemenea, valorile implicite ale acestor parametrii (utilizate de SPICE n
absena unor valori specificate de utilizator) i valorile practice pentru dioda redresoare 1N4001
(literele reprezint multiplicatori: p pico,10-12; n nano,10-9; u micro,10-6).
Tab. 2.1. Parametrii modelului de diod din SPICE
n = 0,01) i dioda D_dir este o diod redresoare utilizat pentru a modela polarizarea directe a
diodei zener (la aplicaiile n care diodei zener este polarizat doar invers dioda D_dir poate lipsi).
D_dir
D_id
Acest model poate fi utilizat n SPICE
= UZ0
+
ca subcircuit n locul diodei zener.
rZ Dioda ideal D_id poate fi aproximat
n SPICE considernd n = 0,01.
4
C DZ uO RL uC C UZ
500 F
0
a) b)
Fig. 2.44. Alimentator cu diod zener: a) schema de principiu;
b) circuitul echivalent de la ieirea redresorului.
Rezolvare: a) Prin condiia ca dioda zener s lucreze corect se nelege c dioda zener
funcioneaz n regiunea de strpungere i deci n fiecare moment prin aceast diod circul
un curent iZ >0 (de la catod la anod). Aadar, maximul curentului continuu de ieire se va
determina din condiia ca valoarea instantanee a curentului prin dioda zener s fie pozitiv:
70 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
i Z = i R iO > 0 sau mai precis i Z min = i R min iO max > 0 iO max < i R min .
ntr-o prim aproximaie tensiunea pe dioda zener uZ = uO este constant, ceea ce face ca
i curentul prin sarcin s fie constant (pentru o rezisten de sarcin fixat). De aceea,
curentul de ieire maxim din relaia precedent se refer la maximul ce poate fi atins pentru
diferite valori ale rezistenei de sarcin, iar minimul curentului prin rezistena R se refer la
valoarea instantanee minim care apare pentru o anumit rezisten de sarcin. ntr-o prim
aproximaie curentul prin rezistena R nu depinde de valoarea rezistenei de sarcin (deoarece
tensiunea de ieire este meninut aproximativ constant de dioda zener) i curentul minim
prin rezistena R poate fi determinat din legea lui Ohm:
uC uO u C min u Z u C min U Z 0
iR = i R min = = .
R R R
S-a considerat cazul limit n care curentul prin dioda zener este nul (iO = iR min ) caz n care
uZ = UZ0 . Din analiza formei de und a tensiunii uC (care este practic identic cu forma de
und de la redresorul bialternan cu filtru capacitiv din figura 2.14) tensiunea uC min rezult:
Fig. 2.46. Fiierul (de tip text, comentat) care descrie: circuitul simulat,
modelele diodelor i parametrii regimului tranzitoriu simulat.
S-a utilizat numerotarea nodurile circuitului din figura 2.44.a.
UC U Z UC U Z
Qnc = Qdesc , C u C = I desc t t desc u C = t desc .
R RC
Tensiunea medie pe condensator (sau componenta de cc) este:
u C U UZ u C max 2 RC + U Z t desc
U C = u C max = u C max C t desc UC = .
2 2 RC 2 RC + t desc
Rezistena minim de sarcin necesar pentru simulare rezult ca i la calculul estimativ:
UZ0 u C min U Z 0 U C u C 2 U Z 0
R L min = cu i R min = = .
i R min R R
Timpul tdesc poate fi preluat din prima simulare, se recalculeaz RL min dup formulele de
mai sus i se simuleaz din nou circuitul. Procedura se poate repeta apoi dac este cazul.
O alt procedur de lucru const din determinarea tdesc printr-un calcul iterativ. Se
consider iniial tdesc =T/2(=10ms), se calculeaz UC , uC i uC min apoi se calculeaz
unghiul de conducie al diodelor i timpul tdesc . Din relaiile anterioare:
15,4 2 50 0,5m + 5,1 10m 13,7 5,1
UC = = 13,7 V , u C = 10m = 3,44V ,
2 50 0,5m + 10m 50 0,5
u C 3,44
u C min = U C = 13,7 = 12V .
2 2
Din analiza formei de und de la redresorul cu filtru capacitiv (figura 2.14) se calculeaz
unghiul de conducie al diodelor :
u C min 12
u C min (= U vf cos ) = u C max cos , = arccos = arccos = 0,68 rad
u C max 15,4
i apoi cu regula de trei simpl se determin timpul de descrcare al condensatorului:
T 0,68
t desc = = 10m = 7,8ms .
2
Cu tdesc astfel obinut (sau preluat din simularea precedent, tdesc=7,9ms) se recalculeaz
tensiunea pe condensator, rezistena de sarcin i curentul continuu maxim de ieire:
15,4 2 50 0,5m + 5,1 7,8m 14 5,1
UC = = 14V , u C = 7,8m = 2,78V ,
2 50 0,5m + 7,8m 50 0,5
u C 2,78 u C min U Z 0 12,6 4,9
u C min = U C = 14 = 12,6V , i R min = = = 0,154A
2 2 R 50
UZ0 4,9 UZ 5,1
R L min = = 32 i IO = = 0,16A .
i R min 0,154 R L min 32
Pentru a determina ondulaiile tensiunii la ieirea alimentatorului se va analiza circuitul
de stabilizare a tensiunii a crui schem echivalent este prezentat n figura 2.47.a. Schema
echivalent de ca din figura 2.47.b (rezultat prin pasivizarea surselor de cc) permite
calcularea variaiilor de tensiune la ieire cu regula divizorului de tensiune:
rZ || R L rZ || R L 4 || 32
uo = uc sau u O = u C = 2,78 = 0,185V .
rZ || R L + R rZ || R L + R 4 || 32 + 50
2.7 MODELAREA DIODEI N SPICE 73
R iR iO
R
iZ
+
UC rZ
uC uO RL uc rZ uo RL
uc
+
UZ0
a) cc+ca b) ca
Fig. 2.47. Scheme echivalente ale stabilizatorului cu diod zener.
Valoarea efectiv a ondulaiilor pe condensator i la ieire se determin innd seama de
forma (aproximativ) triunghiular a acestor tensiuni; conform relaiei (2.32):
U r _ vv u C 2,78 u O 185
Ur Uc = = 0,8V i U o = = 53mV
2 3 2 3 2 3 2 3 2 3
Factorul de ondulaie (de riplu) se reduce de la condensator la ieire de circa 5 ori:
U c 0,8 U o 0,053 c 5,7
c = = = 5,7% , o = = 1,1% , = = 5,4 .
U C 14 UO 5 o 1,1
Cu rezistena de sarcin minim recalculat se reia simularea; n fiierul de descriere a
circuitului se nlocuiete linia RL=38 cu RL=32. Formele de und ale tensiunilor rezultate n
urma simulrii sunt prezentate n figura 2.48.
n tabelul 2.3 se compar tensiunile obinute prin simulare cu cele determinate prin
calcul. Deoarece rezultatelor simulrii i cele teoretice sunt apropiate, se poate concluziona c
metoda de calcul dezvoltat este corect. Rezultatele calculului sunt precise, dar aceasta
intereseaz doar n cazul idealizat n care se cunosc cu precizie toate elementele circuitului.
Deoarece n practic exist imprecizii de cel puin 510%, o metod de calcul foarte precis,
care de obicei este mult mai complicat, nu se justific. n acest exemplu a fost dezvoltat o
metod precis pentru a ilustra o modalitate de utilizare a programelor de simulare.
Cu uC min din figura 2.48 se calculeaz curentul minim prin dioda zener:
u C min U Z 0 U 12,54 4,9 4,9
i Z min = i R min iO = Z0 = = 0,1528 0,1531 0 .
R R L min 50 32
Acest curent este practic nul i deci rezistena de sarcin cu care s-a fcut simularea (32 )
este intr-adevr valoarea minim admis (pentru care rezult curentul continuu maxim de
ieire la care dioda zener nc mai funcioneaz corect, adic n orice moment iZ >0).
n figura 2.49 sunt prezentate formele de und ale tensiunii de ieire pentru diferite valori
ale rezistenei de sarcin. Se constat c pentru rezistene de sarcin suficient de mari
ondulaia la ieire are practic aceeai form de und, iar pentru rezistena de sarcin de 30
(mai mic dect RL min ) forma de und prezint ondulaii suplimentare (dioda zener nu mai
lucreaz ca stabilizator, iZ =0 n intervalele de timp cnd tensiunea de ieire scade mai mult).
Rezolvare b) Dac sursa de la intrare are o rezisten intern semnificativ, atunci
tensiunea medie pe condensator i semiunghiul de conducie al diodelor (n radiani) se
calculeaz cu relaiile (2.34), respectiv cu relaia (2.35) rescrise:
Ri UC
U C (= U vf cos ) = u C max cos , 0,48 lg + 1,2 . Cu RC =
RC IR
s-a notat rezistena echivalent la ieirea redresorului (la bornele capacitii). Aflarea oricreia
dintre mrimile de mai sus presupune rezolvarea unui sistem de ecuaii transcedental.
Se va utiliza o metod iterativ de calcul plecnd de la o valoare iniial estimat pentru
tensiunea UC . Datorit rezistenei interne a sursei, tensiunea pe condensator va fi mai mic
dect la punctul a al problemei. Se va estima UC =12V (n loc de 14V ct a fost la punctul a):
U C U Z 12 5 UC 12
IR = = 0,14A , RC = = = 86 ,
R 50 IR 0,14
10
0,48 lg + 1,2 = 0,75 rad , U C = 15,4 cos 0,75 = 11,3V .
86
Dac se estimeaz c variaia tensiunii pe condensator uC este cea de la punctul a, atunci:
2.7 MODELAREA DIODEI N SPICE 75
Concluzii:
1. Utilizarea programelor de simulare presupune cunoaterea modului de funcionare
a circuitului simulat pentru a calcula unele valori de componente necesare la simularea circuitului
(rezistena de sarcin RL min n acest caz) i mai ales pentru a interpreta rezultatele simulrii i a
extrage din multitudinea de rezultate puse la dispoziie de simulator pe cele necesare la calcularea
cerinelor problemei respective.
2. Comparnd cele dou cazuri analizate n problem, a i b, se constat c dac n unele
situaii (cazul a) problema poate fi rezolvat i fr simulare, n alte situaii (cazul b) analiza
detaliat a funcionrii ar conduce la ecuaii foarte complexe, care nu pot fi simplificate i pentru
care efortul de calcul este nejustificat de mare. n primul caz simularea circuitului este util att
pentru verificarea rezultatelor obinute (i implicit a metodei de calcul) ct i pentru reducerea
efortului de calcul manual. n cel de-al doilea caz simularea circuitului devine o necesitate, n lipsa
simulrii i cu un efort rezonabil de calcul se pot obine doar nite estimri ale rezultatelor a cror
eroare este apreciabil.
Aplicaie tipic
n figura 2.52 se prezint un circuit acordat de nalt frecven utilizat la receptoarele radio.
Frecvena de rezonan fr a circuitului acordat este determinat n principal de inductana L i de
capacitatea echivalent C dintre bornele inductanei:
1 Cb C 2
fr = , C = C1 + C1 + C b , (2.95)
2 LC Cb + C 2
relaie valabil pentru C2 >> Cb . Condensatorul C2 (ntrerupere de circuit n cc) este introdus pentru
ca bobina L s nu scurtcircuiteze dioda n cc. Rezistena R de polarizare a diodei (de ordinul zecilor
de k), este parcurs de curentul invers foarte mic al diodei (de ordinul nA). Cderea de tensiune
pe rezisten este foarte mic i tensiunea de polarizare UR se regsete practic nemodificat pe
diod.
Tr Co OUT
Simbolul i caracteristica static a diodei tunel sunt prezentate n figura 2.54. La tensiuni
mici (ntre punctele A i B ale caracteristicii) apare curentul tunel, dioda conduce, iar tensiunea de
strpungere este practic nul. ncepnd din punctul B, la creterea tensiunii directe apare o barier
de potenial i curentul tunel scade cu creterea tensiunii directe. Apare astfel o regiune de rezisten
dinamic negativ:
du A
rD = < 0; (2.96)
diA
creterea tensiunii duce la scderea curentului, invers dect la legea lui Ohm. ncepnd din punctul
C, curentul de difuzie al jonciunii crete ca la orice dioda polarizat direct.
Diodele tunel sunt realizate din germaniu sau galiu-arsen i se utilizeaz n oscilatoare de
frecven foarte nalt, de ordinul gigahertzilor, sau n circuite de comutaie foarte rapid.
R1 D
Fig. 2.55. Oscilator cu diod tunel;
C - circuit rezonant paralel: L, C, Rp;
L
+
U R2 Rp uo
- circuit de polarizare: U, R1, R2.
Dac se aplic un puls de tensiune circuitului rezonant paralel L-C-Rp (fr diod), n
circuit apare o oscilaie pe frecvena de rezonan a circuitului. Datorit energiei disipate pe
rezistorul Rp amplitudinea oscilaiei scade n timp, adic oscilaia este amortizat. Dac se
conecteaz dioda tunel n serie cu circuitul rezonant (conform figurii 2.55) i se polarizeaz n
centrul zonei de rezisten negativ a caracteristicii statice, atunci la ieirea circuitului vor rezulta
oscilaii ntreinute (cu amplitudine constant, neamortizate). Principial, rezistena dinamic
negativ a diodei compenseaz rezistena (pozitiv) a circuitului rezonant.
Polarizarea diodei este realizat de divizorul de polarizare R1, R2 alimentat de la sursa de
tensiune continu U; tensiunea de la ieirea divizorului (de pe R2) se regsete pe diod (deoarece
inductana L este un scurtcircuit n cc). Din punct de vedere energetic, energia de cc a sursei de
tensiune U este transformat n energie de ca furnizat circuitului rezonant.
2.8.4 Fotodioda
ntr-o jonciune pn expus la radiaii luminoase are loc generarea direct a purttorilor de
sarcin, electroni i goluri, care sunt separai sub aciunea cmpului electric intern E (electronii se
deplaseaz dinspre RSS spre zona n i golurile dinspre RSS spre zona p). Fenomenul este reprezentat
schematic n figura 2.56. Fotodiodele sunt n esen jonciuni pn, a cror capsul are o fereastr
pentru accesul luminii (adesea sub form de lentil pentru focalizare) n RSS a jonciunii.
E
i iA < 0 D Fig. 2.56. Fotodioda:
p n a) Purttorii datorai luminii i separai de
+
uA E conduc curentul i prin rezistena R,
R h (lumin) R b) Simbolul i sensurile convenionale ale
a) b) tensiunii i curentului pentru fotodiod.
Diodele lucreaz ca generatoare (sau n regim fotovoltaic) dac uA > 0 i iA < 0 (ca n figura
2.56.b) i n acest caz se mai numesc celule fotovoltaice dac aria jonciunii AJ < 1cm sau celule
solare dac AJ > 1cm. Aceste dispozitive realizeaz conversia direct a energiei luminoase n
energie electric. Randamentul tipic al conversiei este =1015%, tensiunea n gol pe o celul
este U0 0,55V iar curentul de scurtcircuit ISC 35mA/cm2 la E = 1000lux (iluminarea exterioar
specific unei zile noroase). Curentul de scurtcircuit este proporional cu iluminarea (mai exact cu
incidana luminoas E) pentru un domeniu foarte larg de iluminri, ISC = k E .
Contribuia purttorilor de sarcin generai datorit iluminrii este pus n eviden din punct
de vedere electric de curentul datorat iluminrii, IL = ISC = k E . Ecuaia jonciunii idealizate devine:
u
i A = I 0 exp A 1 I L , cu I L = iA u A =0
= I SC (2.97)
UT
i reprezint ecuaia fotodiodei. Din aceast ecuaie se poate calcula tensiunea la mers n gol:
uA i A =0
= U 0 = U T ln (I L I 0 1) . (2.98)
80 Cap. 2 DIODE SEMICONDUCTOARE
2 (>1)
Fig. 2.57. Fotodioda ca fotodetector:
(>2) IL
a) Schema de principiu la polarizare invers, U/R
b) Caracteristicile statice i dreapta de sarcin.
I =/ (mW/sr) iA (mA)
R IA
3 30
rd mic
D
+
2 20 U
1 10
IA (mA) uA (V) c)
a) 0 10 20 30 40 b) 0 1 UD
Fig. 2.58. Dioda fotoemisiv LED. a) Intensitatea luminoas (= flux luminos / unghi solid) funcie de
curentul direct; b) Caracteristica static; c) Schema de alimentare i simbolul LED-ului.
2.9 BIBLIOGRAFIE 81
Conform caracteristicii statice din figura 2.58.b tensiunea pe diod se modific foarte puin
la modificarea curentului i este aproximativ constant: UD = 1,82,4V (valoarea ei depinde de
tipul diodei). Ca urmare rezistena dinamic a diodei rd = duA /diA are o valoare redus i de aceea
este contraindicat alimentarea LED-ului direct de la o surs de tensiune o mic modificare a
tensiunii (sau a caracteristicii diodei) conduce la o modificare apreciabil a curentului (iA depinde
exponenial de uA ) i chiar la distrugerea diodei (dac se dep e te puterea maxim admis).
Soluia de circuit cea mai simpl este limitarea curentului prin LED cu un rezistor ca n figura
2.58.c:
U uA U UD
IA = . (2.99)
R R
Curentul prin LED se alege de obicei n domeniul: IA = 5mA40mA, n funcie de tipul
diodei i de nivelul intensitii luminoase dorit.
Avantajele utilizrii LED-urilor ca indicatoare luminoase sunt: fiabilitatea ridicat (durata de
funcionare ajunge pn la 100.000 de ore), pre redus, montare u oar n circuit, dependen liniar
a intensitii luminoase de curent.
Dezavantajul principal al acestor diode este randamentul foarte redus al conversiei energiei
electrice n energie luminoas: = 0,020,1% tipic (maxim 1% pentru diodele comerciale), ceea ce
le face improprii pentru utilizarea ca surse de lumin. Alte dezavantaje sunt sensibilitatea la ocuri
electrice i dependena de temperatur a caracteristicilor. Tensiunea invers suportat de LED-uri
este mic, cu valori uzuale de circa 5V.
2.9 BIBLIOGRAFIE
[1] Crciun A.V: - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Univ. Transilvania Bra ov, 2003;
[2] Sedra Adel, Smith Kenneth Microelectronic Circuits, Oxford University Press, New York, 1998;
[3] Floyd Thomas Electronic Devices, Merrill Publishing Co. Columbus, Ohio, 1988;
[4] Piringer R. .a. Dispozitive electronice, Editura Didactic i Pedagogic Bucure ti,1976;
[5] Damachi E. .a. Electronic, Editura Didactic i Pedagogic (EDP) Bucure ti, 1979;
[6] Petru Alex. Dan .a. Diode cu siliciu, catalog, Editura Tehnic, Bucure ti, 1986;
[7] Sporea Dan, Brc tefan Optoelectronic, dispozitive i aplicaii, Editura Militar, Bucure ti,1983.
82 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Funcionarea n regim activ normal (prescurtat RAN) este ntlnit n cazul aplicaiilor
liniare. n saturaie tranzistorul se poate aproxima cu un comutator nchis (uCE 0), iar n blocare cu
un comutator deschis (iC 0). Tranzistorul se utilizeaz n aceste dou regimuri la aplicaiile din
electronica digital i la circuitele de comutaie. Regimul activ inversat este ntlnit foarte rar.
Tranzistorul va fi analizat n regim activ normal. n RAN, jonciunea emitorului, dintre
emitor i baz, este polarizat n sensul conduciei. Jonciunea fiind asimetric (condiia 2), curentul
prin aceast jonciune se va datora ndeosebi purttorilor minoritari injectai n baz din emitor.
Aceti purttori vor difuza prin baz i cea mai mare parte a lor vor traversa baza fr a se
recombina (datorit condiiei 1) ajungnd la ce-a dea doua jonciune pn (numit jonciunea
colectorului), pe care o vor traversa, deoarece n RAN este polarizat invers (fiind favorizat astfel
conducia purttorilor minoritari). Astfel, prin jonciunea colectorului, dei polarizat invers, va
trece un curent mare, aproape ntreg curentul care trece prin jonciunea emitorului (care este
polarizat direct). Trecerea unui curent mare printr-o jonciune polarizat invers, datorit prezenei
unei jonciuni polarizat direct n vecintatea ei, constituie efectul de tranzistor. Aceste
tranzistoare se numesc tranzistoare bipolare deoarece funcionarea lor se bazeaz pe ambele
categorii de purttori (majoritari n regiunile extreme i minoritari n regiunea de mijloc).
Simbolurile tranzistoarelor de tip pnp, respectiv npn sunt prezentate n figura 3.1.
3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE 83
unde este factorul de amplificare n curent dintre colector i emitor. Efectul de tranzistor poate fi
modelat printr-un generator de curent comandat n curent.
Curentul de emitor circul prin jonciunea de emitor polarizat direct i depinde exponenial
de tensiunea de polarizare a jonciunii conform unei ecuaii de tipul ecuaiei exponeniale a diodei,
relaia (2.64). Tranzistorul poate fi privit ca o diod ntre baz i emitor i ca un generator de curent
(comandat n curent) n colector. Circuitul din figura 3.2.a este echivalent unui tranzistor npn.
B iB iC C
E iE iE iC C E iE iE iC C
+
+
UBE iB
IS / UBE
B B
a) b) c) E
Fig. 3.2. Modele de semnal mare n RAN pentru tranzistoare npn; a) circuit cu diod,
b), c) circuite echivalente simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.
Din particularizarea relaiei (2.64) pentru jonciunea emitorului i din relaia (3.3), care arat
c iC iE , se obine ecuaia exponenial a tranzistorului. Pentru tranzistorul npn aceasta este:
u
iC = I S exp BE , (3.4)
UT
unde IS este o constant numit curent de saturaie al tranzistorului i UT (25mV la 290K) este
tensiunea termic. Curentul IS are valori tipice n domeniul 10 1510 12A (funcie de dimensiunea
tranzistorului) i depinde de temperatur (se dubleaz la circa 5C cretere a temperaturii).
O simplificare a schemei echivalente din figura 3.2.a, se obine nlocuind dioda dintre baz
i emitor cu o surs de tensiune constant. Aceast nlocuire este posibil deoarece tensiunea baz-
emitor se schimb relativ puin la modificarea curentului de colector. Astfel, pentru un curent prin
tranzistor IC = zecimi de mA sute de mA, rezult UB E =0,60,8V(n cazul tranzistorului cu
siliciu). Se consider cel mai adesea o tensiune constant: UB E 0,7V i se obine astfel modelul
simplificat al TB din figura 3.2.b, care asigur o precizie suficient pentru circuitele uzuale.
84 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
+
UEB iB
IS /
B B B iB iC C
a) b) c)
Fig. 3.3. Modele de semnal mare n RAN pentru tranzistoare pnp; a) circuit cu diod,
b), c) circuite echivalente simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.
Indiferent de tip, tranzistorul bipolar n RAN este un dispozitiv care controleaz curentul de
colector. Controlul liniar al curentului de colector se poate realiza n dou moduri:
- prin curentul de emitor i
- prin curentul de baz.
La analiza unui circuit cu tranzistoare, se identific modalitatea de control (din emitor sau
din baz), se utilizeaz unul dintre modelele din figura 3.2 sau 3.3 i se verific, cu relaiile (3.2)
sau (3.8), n ce msur tranzistorul i pstreaz regimul activ normal de funcionare la eventuala
modificare a semnalelor.
3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE 85
B iB iC C iC
E iE iE i C
C
+ iB
+
UD UD uBE
B
a) uCE >UCEsat b) E c) 0 UD
Fig. 3.4. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare npn valabile n RAN i n blocare,
comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.
Circuitele echivalente prezentate nu sunt valabile n saturaie i n regim activ inversat, ceea
ce impune o condiie suplimentar:
u CE > U CEsat pentru npn, respectiv u EC > U ECsat pentru pnp , (3.14)
86 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
unde UCEsat sau UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului npn, respectiv pnp (cu o valoare
uzual de cteva zecimi de volt).
u >U E iC
EC ECsat
iE
+
E iE UD iC C UD
+ iB uEB
iB iC
B c) 0 UD
a) B b) C
Fig. 3.5. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare pnp valabile n RAN i n blocare,
comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.
Tensiunea de saturaie a tranzistorului UCEsat are o valoare uzual de cteva zecimi de volt;
n cazul tranzistoarelor de mic putere se poate considera UCEsat 0,2V. La o analiz simplificat a
circuitelor care conin tranzistoare saturate se poate considera tensiunea de saturaie a tranzistorului
ca fiind nul, mai ales dac tensiunile din circuitul colectorului au valori mai mari dect civa voli.
n acest caz circuitul echivalent al tranzistorului se simplific i devine cel din figura 3.6.b.
Tensiunea baz-emitor a tranzistoarelor n saturaie are de obicei valori mai mari dect n RAN
UBEsat = 0,7...0,9V. Pentru simplitate se consider tensiunea baz-emitor cu aceeai valoare din
RAN: UBEsat UBE 0,7V.
Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, raportul dintre curentul de colector i cel
de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul exterior tranzistorului):
iC
fortat = <, (3.17)
iB
se alege de obicei fortat = 10 K 20 << . (3.18)
3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR 87
+
uO uO
+
uI uBE uI
a) b)
Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu,
b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.
Exemplu
S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer a inversorului din
figura 3.7.a pentru: RC =1k, RB =10k, uI =05V i UCC =5V. Se consider modelul
tranzistorului din figura 3.4.b cu UB E (=UD ) =0,7V, =100 i UCEsat =0,2V.
RAN
u = 0,2 V pentru u I 1,18 V
O
Saturaie
Blocare
Fig. 3.8. Caracteristica de transfer a inversorului
cu tranzistor ; cu linie ntrerupt este schiat
caracteristica de transfer obinut prin simulare.
uI [V]
0,2
0 0,7 1 1,18 2 5
Problem de proiectare
a) S se dimensioneze circuitul inversor din figura 3.9,
+UCC
astfel nct s realizeze: RC +5V
1k
- uO UCC pentru uI =01V, iC
R1 iB
- uO =UCEsat 0 pentru uI = 25V.
uO
Parametrii tranzistorului se consider UD 0 =0,5V,
+
uI R2 uBE
UB E =0,7V i =100.
b) S se determine tensiunea de intrare de la care Fig. 3.9. Inversor logic cu tranzistor
tranzistorul intr n saturaie dac =300.
Rezolvare:
a) Dimensionarea circuitului se reduce la aflarea valorilor rezistenelor R 1 i R 2 . Pentru
tranzistorul blocat, divizorul de tensiune lucreaz n gol (iB 0) i deci:
R2 uI R
u BE = u I sau = 1+ 1 .
R1 + R2 u BE R2
La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE =UD 0 =0,5V i trebuie ca
uI =1V (conform enunului). Din relaia precedent rezult:
R1 u 1
= I 1 = 1 = 1 R1 = R2 .
R2 u BE 0,5
La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), conform relaiei (3.25), curentul iB necesar este:
U CC 5
iB = = 0,05 mA .
RC 100 1k
90 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
U BE
Curentul necesar prin R 1: i R1 = i R 2 + i B = + iB , obinut din T1K,
R2
u I U BE
se poate determina i din legea lui Ohm: iR1 = . innd cont c R 1 =R 2 , rezult:
R1
U BE u U BE u I 2U BE 2 2 0,7
+ iB = I , R2 i B = u I 2U BE , R2 = = = 12k
R2 R2 iB 0,05m
O alt modalitate de rezolvare este nlocuirea circuitului conectat la intrare (ntre baz
i emitor) cu sursa Thvenin echivalent conform figurii alturate. Parametrii sursei Thvenin
sunt:
R1 iB RTh iB
R2 uI
uTh = u BE i =0 = u I = ,
R1 + R2
+
B 2 uI R2 uBE uTh uBE
R2
RTh = R1 || R2 = . Fig. 3.10. Echivalarea Thvenin la intrare
2
Prin nlocuirea circuitului de la intrare cu sursa Thvenin echivalent, schema circuitului
devine identic cu cea din figura 3.7.a, cu uTh n loc de uI i R Th n loc de R B . Relaia (3.25)
permite calcularea rezistenelor din circuitul bazei la limita intrrii n saturaie:
uTh U BE U CC u U BE 1 0,7
RTh RC Th = 100 1k = 6k , R2 = R1 = 2 RTh = 12k
RTh RC U CC 5
b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:
U CC 5
iB = = 0,0167 mA ,
RC 300 1k
iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate calcula din:
u I U BE U BE
= + iB u I = R1i B + 2U BE = 12k 0,0167 m + 2 0,7 = 1,6V .
R1 R2
Folosind sursa Thvenin echivalent se obine acelai rezultat (cu mai puine calcule):
uTh = RTh i B + U BE = 6k 0,167m + 0,7 = 0,8V , u I = 2 uTh = 1,6V
n concluzie circuitul analizat poate fi utilizat ca inversor logic. Intervalele de tensiuni
corespunztoare nivelelor logice la intrare sunt:
- pentru 0 logic : uI =01V depinde de tensiunea de deschidere a tranzistorului UD 0
i de raportul rezistenelor de la intrare (nu depinde de factorul al tranzistorului);
- pentru 1 logic : uI = 25V pentru =100 i uI = 1,65V pentru =300 depinde de
factorul de amplificare n curent al tranzistorului. Pentru ca circuitul s funcioneze cu
orice tranzistor care are 100, se va considera intervalul de tensiuni care asigur
saturarea tranzistorului pentru minim, deci uI = 25V, saturarea tranzistoarelor care au
mai mare fiind asigurat implicit.
ambiante sub un anumit prag. Contactele de for ale releului pot fi utilizate de exemplu pentru
cuplarea automat a sistemului de iluminare de siguran. Ca senzor de lumin este utilizat
fotorezistena FR component semiconductoare a crei rezisten scade la creterea iluminrii
(datorit purttorilor de sarcin generai optic). Prin modificarea rezistenei R 1 se poate ajusta
pragul de declanare. Dioda D are rolul de a crea o cale de curent pentru tensiunea de autoinducie
care apare la decuplarea releului (n momentul blocrii tranzistorului). n lipsa diodei aceast
tensiunea ar putea duce la strpungerea tranzistorului.
+UCC
Rel.
Exemplu de proiectare D
R1
S se calculeze rezistena R 1 pentru ca releul s cupleze la acea iC
iluminare pentru care fotorezistena are valoarea RFR = 5k, dac iB
UCC =12V, UB E =0,7V, =100. Rezistena releului este RRel = 1k
FR uBE
iar tensiunea de prag (la care cupleaz releul) este UP =6V.
La ce valoare a fotorezistenei va cupla releul dac =200? Fig. 3.11. Releu optic
Rezolvare:
Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu. Curentul prin releu
este curentul de colector al tranzistorului i poate fi calculat cu legea lui Ohm (la cuplarea
releului dioda D este blocat). Curenii prin tranzistor sunt:
UP 6 iC 6m
iC = = = 6mA , iB = = = 0,06mA .
R Rel 1k 100
Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin fotorezisten i
rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea succesiv a legii lui Ohm:
U BE 0,7 U U BE 11,3
i FR = = = 0,14mA , i R1 = i B + i FR = 0,2mA , R1 = CC = 56k .
R FR 5k i R1 0,2m
Dac factorul de amplificare crete, curentul necesar n baza tranzistorului scade, curentul
prin R 1 nu se modific i deci cuplarea releului se va produce pentru o alt valoare a
fotorezistenei:
iC 6m U BE 0,7
i FR1 = i R1 = 0,2m = 0,17 mA , R FR1 = = = 4,12k .
200 i FR1 0,17 m
Analiza circuitului s-a fcut cu schema echivalent a iR1
tranzistorului presupus implicit. Schema echivalent a
R1 iB RRel
circuitului (care utilizeaz explicit schema echivalent a iC
iFR UCC
+
RFR iB
Observaii: 1. Pentru aplicaia propus modificarea UBE
fotorezistenei de la 5k la circa 4k este acceptabil;
declanarea releului optic se va produce la un nivel de iluminare
ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al tranzistorului este mai mare.
2. Echivalarea Thvenin a circuitului din baza tranzistorului nu conduce la o simplificare
a calculelor deoarece, n acest caz, att uTh ct i R Th depind de fotorezisten.
92 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
+UCC +UCC
R2 RE +UCC
UCC RL RL
RL
+
R1 IC R1 IC D
IC T
IC T T
RL D D R1 IC
R2 RE D2 RE RL
a) b)
c) d) e)
Fig. 3.12. Surse de curent constant cu TB: a), b) scheme bloc; scheme de principiu:
c), d) cu tranzistoare npn absorb curent i e) cu tranzistor pnp injecteaz curent.
Schemele de principiu ale surselor standard de curent constant care absorb, respectiv
injecteaz curent sunt prezentate n figura 3.12.c, d respectiv e. La dimensionarea acestor surse
trebuie respectate urmtoarele condiii:
- Tranzistorul trebuie s fie nesaturat (se asigur astfel egalitatea curenilor prin tranzistor: IC IE ,
deoarece tranzistorul nesaturat are un factor de amplificare mare, sau 1); condiia de
nesaturare este relaia (3.14) corespunztoare tipului tranzistorului utilizat.
- Curentul prin circuitul de polarizare al bazei trebuie s fie mult mai mare dect curentul de baz;
o condiie rezonabil este:
I R1 > 0,1 I C . (3.27)
Aceast condiie asigur o dependen redus a curentului de ieire de factorul de amplificare al
tranzistorului, ct timp acest factor este suficient de mare (tipic: 100 IR1 10 IB1 ).
Calcularea curentului de ieire n funcie de elementele schemei se face considernd implicit
modelul tranzistorului din figura 3.4.a (respectiv 3.5.a pentru pnp), fr a mai redesena schema
echivalent. Aceasta revine la a considera tensiunea emitor-baz constant i IC = IE IE . Pentru
schema din figura 3.12.c sunt valabile urmtoarele relaii:
U RE U R2
IE = , U RE + U BE = U R 2 + U D ; U D U BE U RE U R 2 i I E .
RE RE
n circuitul de polarizare al bazei: U R 2 = R2 I R 2 ; pentru
3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR 93
U CC U D R (U U D )
I R1 >> I B I R 2 = I R1 I B I R1 , U R 2 = 2 CC
R1 + R2 R1 + R2
i n final se obine: R2 U U D
IC I E CC . (3.28)
R1 + R2 RE
Jonciunea baz-emitor i dioda D se comport aproximativ identic, dependena de
temperatur a celor dou jonciuni este aproximativ identic i implicit curentul de ieire este relativ
independent de temperatur. Circuitul funcioneaz i fr dioda D (nlocuit cu un scurtcircuit), dar
crete dependena de temperatur a curentului de ieire.
Condiia de nesaturare a tranzistorului din relaia (3.14) impune:
- fie tensiunea de alimentare UCC minim pentru o sarcin dat:
U CE = U CC (R L + R E ) I C > U CEsat U CC > U CEsat + (R L + RE ) I C , (3.29)
- fie cderea de tensiune maxim pe circuitul de sarcin (sau valoarea maxim a rezistenei de
sarcin) dac tensiunea UCC este impus:
U U CEsat
U RL < U CC U CEsat R E I C sau R L < CC RE . (3.30)
IC
n cazul generatorului cu tranzistor pnp din figura 3.12.e relaiile precedente nu se modific
exceptnd nlocuirea tensiunii UCEsat cu tensiunea de saturaie specific tranzistorului pnp, UECsat .
Relaia de calcul a curentului de ieire din surs (3.28) este aceeai indiferent de tipul
tranzistorului. Din aceast relaie se remarc proporionalitatea dintre curentul de ieire i tensiunea
de alimentare; aceasta indic dependena curentului IC de tensiunea UCC . Pentru a obine o relativ
independen a curentului de ieire de tensiunea de alimentare, se poate utiliza schema din figura
3.12.d (n locul celei din figura 3.12.c). Se poate demonstra uor c:
UD
IC , (3.31)
RE
unde UD este cderea de tensiune pe dioda D2; se poate considera UD 0,7V.
Dac n schema din figura 3.12.e se nlocuiete R1 cu o diod (sau diod zener) se obine i
n cazul schemei cu tranzistor pnp o relativ independen a curentului de ieire de tensiunea UCC .
Problem de proiectare
a) S se dimensioneze circuitul de ncrcare al unui acumulator cu Ni (cadmiu-nichel,
CdNi, sau nichel-metal hidrid, NiMH) cu tensiunea nominal de 3,6V (format din trei elemente
nseriate) i cu o capacitate nominal de 1Ah (amper-or). Curentul de ncrcare se alege
Inc = 0,1A(=Q/10h, aa-numitul regim de ncrcare lent; n acest regim, randamentul tipic al
ncrcrii este de circa 70% i timpul de ncrcare a acumulatorului complet descrcat este de
circa 14 ore). Se va utiliza circuitul din figura 3.12.e (cu acumulatorul conectat la mas) cu
tensiunea sursei de alimentare de 12V. Cderea de tensiune pe rezistena din emitor se alege
URE = 23V i IR1 = (1020)IBmax . Se consider factorul de amplificare n curent al
tranzistorului 100 i UD =UEB = 0,7V.
b) Pentru sursa de curent constant rezultat, s se determine puterea maxim disipat de
tranzistor (n cazul unei tensiuni nule pe sarcin scurtcircuit la ieire) i tensiunea maxim care
poate s apar pe sarcin (n cazul n care sursa furnizeaz curentul nominal), dac se consider o
tensiune de saturaie a tranzistorului UECsat = 0,3V.
94 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Rezolvare:
Schema echivalent a circuitului este reprezentat IR2
n figura alturat. S-a utilizat schema echivalent a RE
tranzistorului n RAN iar acumulatorul s-a nlocuit cu sursa R2 UCC
IE
+
de tensiune echivalent.
+
UD UEB IB
Curentul de emitor al tranzistorului este practic egal cu
IR1 IB
cel de colector deoarece >>1: Iinc
R1
+
+1
IC Acu
I E = IC + I B = IC + = I C I C = I nc .
RE se dimensioneaz cu legea lui Ohm:
U RE U RE 2...3
RE = = = 20...30 . Se alege valoarea standardizat: RE =22.
IE I nc 0,1
2
Puterea disipat de rezistena de emitor este: PdRE = R E I nc = 22 0,12 = 0,22 W .
T iO R iO
Fig. 3.13. Scheme de
URef principiu pentru:
+
uI uO RL uI u RL
T O a) configuraia serie
URef
b) configuraia paralel.
a) b)
ntruct tensiunea UBE este aproximativ constant, rezult o tensiune de ieire uO care este
aproximativ constant. Avantajul adus de aceste configuraii de circuit este curentul mic solicitat
din sursa de tensiune constant URef . Aceast surs este realizat practic ca stabilizator de tensiune
cu diod Zener sau cu ajutorul unui circuit integrat specializat de mic putere.
n figura 3.14 este prezentat stabilizatorul serie tipic, cu diod zener.
iB
iO iO
+
T
R R
iR iB UBE
+
RL uI RL
uI uO iZ UZ uO
UZ D
+
a) b)
Fig. 3.14. Stabilizatorul de tensiune serie cu tranzistor i diod Zener:
a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru iZ >IZm ).
Stabilizatorul de tensiune cu tranzistor din figura 3.14.a se bazeaz pe circuitul din figura
3.13.a, la care sursa de tensiune de referin URef este nlocuit cu stabilizatorul parametric compus
din R i D. Curentul de ieire pentru stabilizatorul parametric este curentul de baz al tranzistorului
iB , iar curentul de ieire din stabilizator iO este curentul de emitor al tranzistorului. Relaia dintre
curentul de emitor i curentul de baz al tranzistorului se obine din (3.5) i (3.6):
iO
iO = i E = iC + i B = i B + i B = ( + 1) i B i deci iB = . (3.33)
+1
Tensiunea de la ieirea stabilizatorului se poate calcula cu relaia (3.32.a) care devine:
u O = U Z U BE , (3.34)
iar puterea disipat de tranzistor se poate calcula cu relaia:
PdT = u CE i E = (u I u O ) iO . (3.35)
Stabilizatorul parametric i implicit stabilizatorul cu tranzistor funcioneaz corect dac prin
dioda zener circul un curent ntre limitele admise (conform relaiei de la stabilizatorul parametric):
I Zm i Z I Z M ,
96 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
unde IZm este curentul minim de stabilizare i IZM este curentul maxim de stabilizare. Pe baza
schemei echivalente din figura 3.14.b se pot calcula limitele tensiunii de intrare i ale curentului de
ieire pentru care circuitul ndeplinete funcia de stabilizator de tensiune. Astfel, pentru un anumit
curent de ieire IO , considerat constant, tensiunea de intrare trebuie s fie:
I
u I U Z + R I Zm + O , (3.36)
+1
iar pentru o anumit tensiune de intrare UI , constant, curentul de ieire trebuie s fie:
U UZ
iO I I Zm . (3.37)
R
Variaia simultan a tensiunii de intrare i a curentului de ieire este analizat ntr-un:
Exemplu de proiectare
a) S se determine rezistorul R astfel nct stabilizatorul de tensiune din figura 3.14.a s
funcioneze corect i ncrcarea diodei zener s fie minim dac uI =1215V i
iO = 00,5A. Pentru dioda zener (de tip DZ6V8) se consider UZ = 6,8V, IZm = 5mA i
IZM = 70mA iar pentru tranzistor 100 i UBE = 0,7V.
Pentru R = 470 s se determine: b) puterea maxim disipat de tranzistor i de dioda zener dac
limitele uI i iO sunt cele de la punctul precedent i c) puterea maxim disipat de tranzistor n
cazul unui scurtcircuit la ieire dac =50 (pentru IC = 1 2 A; scade la creterea IC ).
Rezolvare
a) Determinarea rezistorului R presupune aflarea valorii rezistenei i a puterii disipate
maxime. Rezistena trebuie astfel dimensionat nct cel mai mic curent prin dioda zener
s fie cel puin egal cu IZm :
u I U Z iO u Imin U Z iO max
iZ = iR i B = ; i Z min = I Zm .
R R min
Din relaia anterioar rezult rezistena maxim (pentru care stabilizatorul funcioneaz
corect i ncrcarea diodei zener este minim):
u I min U Z 12 6,8
R = = 0,52k = 520 .
I Zm + iO max min 5m + 500m 100
Puterea disipat de rezistor i valoarea maxim a acesteia sunt:
(u I U Z )2 (u I max U Z )2 (15 6,8)2
PdR = , PdR max = = 0,13W .
R R 520
Se verific dac dioda zener suport curentul maxim care poate s apar:
u I max U Z iO min 15 6,8
i Z max = = 0 16mA < I ZM (= 70mA ) .
R 520
b) Puterea maxim disipat de tranzistor se calculeaz particulariznd relaia (3.35):
PdT max = (u I max U O ) iO max = [15 (6,8 0,7 )] 0,5 = 4,45W .
Puterea maxim disipat de dioda zener se calculeaz cu ajutorul curentului maxim care
poate s apar prin dioda zener (calculat cu rezistena R de la punctul b):
3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR 97
u U Z iO min 15 6,8
PdZ max = U Z i Z max = U Z I max = 6,8 0 0.12 W .
R 470
c) n cazul unui scurtcircuit la ieire tensiunea pe tranzistor este egal cu tensiunea de intrare
i curentul prin tranzistor crete foarte mult:
u I U BE
u CEsc = u I u O = u I 0 = u I , iCsc = i Bsc =
R
ceea ce determin o cretere apreciabil a puterii disipate pe tranzistor:
u U BE 15 0,7
PdT max sc = u I max I max = 15 50 = 15 1,52 = 22,8W .
R 470
S-a utilizat valoarea mai mic a factorului de amplificare deoarece curentul prin tranzistor
are o valoare mare (1,5A), valoare la care factorul scade (conform enunului).
Observaii: 1. Circuitul se dimensioneaz astfel nct curentul prin dioda zener s fie
mai mare dect curentul minim admisibil, ct timp tensiunea de intrare i curentul de ieire se
menin n limitele prestabilite.
2. Pentru stabilizatorul serie, tranzistorul este componenta de circuit care preia diferena
de putere dintre intrare i ieire. n cazul unui scurtcircuit la ieire, puterea disipat de
tranzistor crete foarte mult (de circa 5 ori la circuitul analizat) i pentru a prentmpina
distrugerea tranzistorului, n circuitele reale trebuie prevzut un mecanism de limitare a
curentului de scurtcircuit.
RC C
iC UCC RC
+
RB iB
RB iB iC UCC
+
ui
+
ui uO uo uI UBE iB
uO
+
uI u BE UI
+
UI
a) b)
Fig. 3.15. Amplificator de tensiune obinut prin modificarea inversorului cu tranzistor:
a) Schema de principiu, b) Schema echivalent simplificat (valabil pentru uI >UBE ).
Prin nserierea surselor la intrare se obine o tensiune uI care are o component UI de cc (sau
de polarizare) i o component ui de ca (sau de semnal, cu o valoare medie nul):
98 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
u I = U I + ui . (3.38)
Tensiunea de ieire uO care rezult este i ea format dintr-o component UO de cc i o
component uo de ca:
uO = U O + uo . (3.39)
Componenta de semnal de la ieire este separat de componenta de cc cu ajutorul condensatorului
de cuplaj C a crui capacitate are o valoare mare (teoretic infinit).
Calcularea mrimilor electrice din circuit se poate face cu ajutorul schemei echivalente a
circuitului din figura 3.15.b, n care tranzistorul a fost nlocuit cu schema echivalent simplificat:
U I + u i U BE
u O = U CC RC iC = U CC RC i B = U CC RC . (3.40)
RB
Mrimile de cc se obin considernd tensiunea de semnal la intrare nul (ui =0):
U I U BE
U O = U CC RC . (3.41)
RB
Din relaiile (3.39), (3.40) i (3.41) se pot determina tensiunea de semnal la ieire i
amplificarea n tensiune realizat de circuit:
ui uo R
u o = u O U O = RC , au = = C . (3.42)
RB ui RB
Semnul din expresia amplificrii indic un defazaj de 180 ntre semnalul de ieire i
semnalul de intrare n amplificator (de exemplu, atunci cnd semnalul de intrare atinge valoarea
maxim amplitudinea pozitiv, semnalul de ieire va atinge amplitudinea negativ).
Valoarea amplificrii n tensiune depinde de rezistenele din circuit (RC i RB ) i de factorul
de amplificare n curent al tranzistorului . Pentru a obine o amplificare ct mai mare trebuie ca
rezistena RB s fie ct mai mic (conform relaiei precedente, amplificarea devine infinit pentru
RB =0). Dac RB =0, atunci semnalul de intrare se aplic direct n baza tranzistorului i tensiunea
uBE se modific (datorit tensiunii variabile ui ). Conform modelului simplificat al tranzistorului,
utilizat anterior, tensiunea uBE =UBE =ct. nu se modific. Aceast aparent imposibilitate (ca uBE s
fie variabil i constant n acelai timp) indic de fapt c modelul simplificat al tranzistorului nu
poate fi utilizat (pentru RB mici) i trebuie utilizat un model mai precis, de exemplu modelul
exponenial, dat de ecuaia (3.9) a tranzistorului. Pe baza modelului exponenial se va face analiza
funcionrii tranzistorului n regim dinamic (ntr-un paragraf urmtor).
Limitele ntre care amplificatorul funcioneaz liniar sunt date de intrarea tranzistorului n
blocare (uO UCC ), respectiv n saturaie (uO 0). Pentru a obine un domeniu maxim de variaie a
tensiunii de ieire, n cazul unui semnal simetric (de exemplu sinusoidal), trebuie ca tensiunea de
ieire fr semnal UO (tensiunea de polarizare la ieire) s aib valoarea medie a celor dou limite:
U CC
UO . (3.43)
2
Dup cum se poate constata din relaia (3.40) tensiunea continu UO (de polarizare la ieire)
depinde de tensiunea de polarizare a intrrii UI i de factorul de amplificare al tranzistorului .
3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR 99
Exemplu de analiz
a) S se determine amplificarea n tensiune au , tensiunea static la ieire UO i limitele extreme
ale tensiunii de ieire uO pt. un semnal sinusoidal de intrare cu amplitudinea Ui_vf =0,2V,
dac pentru amplificatorul din figura 3.15.a se cunosc: RB =10k, RC =2k, UCC =20V,
UI =1,2V, UBE =0,7V i =200.
b) Cum se modific au i UO dac se modific cu 50% ( =100 respectiv =300)?
Concluzii:
1. Circuitul analizat este un amplificator inversor; amplific semnalul de intrare (de cteva
zeci de ori n exemplul analizat) i inverseaz faza semnalului de ieire fa de semnalul de intrare.
3. Acest amplificator utilizeaz dou surse de alimentare (UCC i UI ) pentru polarizarea
tranzistorului; n practic sunt preferate amplificatoarele cu o singur surs de alimentare.
2. La acest amplificator realizat pe baza inversorului cu tranzistor, ambele mrimi de interes,
att amplificarea ct i tensiunea de polarizare a ieirii, depind pronunat de factorul de amplificare
n curent al tranzistorului .
Circuitele electronice robuste i precise sunt acelea a cror funcionare depinde ct mai puin
de variaiile posibile ale componentelor de circuit n general i de valoarea factorului n special.
Studierea amplificatorului realizat pe baza inversorului cu tranzistor (ai crui parametrii depind
foarte mult de ) va fi aprofundat n dou direcii: prin studiul circuitelor de polarizare a
tranzistoarelor i prin analiza funcionrii n regim dinamic a tranzistoarelor.
100 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
RC
+
RC UBB
RB R B iB B iC UCC
iC
+
UCC C UCC
RB iB
+
+
iB
+
UBE iB iC
+
UBB UBB E
RC
a) b) c)
Fig. 3.16. Circuite de polarizare cu dou surse de alimentare.
a) schema de principiu pentru TB npn, b) schema echivalent simplificat,
c) schema de principiu pentru pnp, (tranzistorul este figurat inversat cu E sus).
Mrimile electrice specifice tranzistoarelor (curenii n acest caz) sunt notate n figur cu
liter mic (cu indice liter mare) pentru a simboliza caracterul variabil al acestora, n sensul c,
aceste mrimi (de cc sau cc+ca) sunt determinate de componentele circuitului. Curenii i tensiunile
de polarizare, fiind mrimi de cc, se vor nota n formule cu liter mare (cu indice liter mare).
Punctul static de funcionare se poate determina din schema echivalent (simplificat) a
circuitului, reprezentat n figura 3.16.b. Se presupun cunoscui parametrii statici ai TB, i UBE.
Dac nu se cunosc, se pot considera valori n intervalele: UBE = 0,6...0,8V i = 100...500 pentru
tranzistoarele uzuale (siliciu, de mic putere). Se observ dispersia mare a valorii factorului de
amplificare . n lipsa unor informaii mai precise despre parametrii TB, se poate considera o
estimare iniial pentru acetia la o valoare medie a intervalelor precizate.
Curentul de baz se determin aplicnd T2K pe bucla de intrare:
U BB U BE
IB = . (3.44)
RB
Curentul de colector este fixat (conform schemei echivalente) de generatorul de curent
comandat din colectorul tranzistorului conform relaiei:
IC = I B . (3.45)
3.3 CIRCUITE DE POLARIZARE 101
+
UCC UEE
U EE U BE iC iE
IE = ,
RE
(3.47)
IC = I E I E , iE iC
+
U CB = U CC R C I C . UEE RE UCC RC
iB iB UCC iB iC iB
+
UCC iC iC
RB RC RB RC
a) b) c) d)
Fig. 3.18. Circuite de polarizare cu surs de alimentare unic.
Circuitele de polarizare din figura 3.18 a) i c) sunt pentru tranzistoare npn, iar cele de la b)
i d) pentru tranzistoare pnp. n schemele c) i d) n locul sursei de alimentare s-a notat potenialul
bornei de alimentare a circuitului (fa de mas). Acest mod de a nota sursele de alimentare se va
utiliza n continuare pentru a simplifica schemele.
Pentru calcularea psf se nlocuiete UBB cu UCC n relaia (3.44):
U CC U BE
IB = , IC = I B , U CE = U CC RC I C . (3.48)
RB
dublu (sau chiar mai mare) a valorii factorului datorit dispersiei de fabricaie a componentelor
(de exemplu n catalogul IPRS-Bneasa la tranzistoarele de tip BC107B =240500). Pentru un
tranzistor dat, factorul depinde de temperatur i de curentul prin tranzistor (mai ales n domeniul
curenilor foarte mici sau foarte mari). La tranzistoarele integrate tipice, se poate considera c
crete cu 7% la o cretere a temperaturii cu 10C i deci coeficientul de variaie a amplificrii cu
temperatura este k 0,7%/C. Prin urmare, factorul este constant doar pentru un anumit
tranzistor, la o anumit temperatur i pentru cureni medii prin tranzistor.
Tensiunea baz-emitor este de fapt tensiunea pe o jonciune. Ca i la diode, aceast tensiune
depinde logaritmic de curentul prin tranzistor (datorit ecuaiei exponeniale a tranzistorului) i
liniar de temperatur. Valoarea tipic a coeficientului de temperatur este de 2mV/oC.
Modificarea acestor parametrii ai TB duce la modificarea psf. n circuitele de polarizare
prezentate, tensiunea UBE are o importan relativ redus (deoarece de obicei UBE << UBB) i deci
variaia acesteia cu temperatura nu va influena semnificativ curentul IB. Pentru IB constant variaia
factorului de amplificare cu temperatura va duce la modificarea n aceeai msur a valorii
curentului de colector deoarece I C = I B .
Astfel, la o variaie T = 30C, variaia curentului va fi IC = 0,7% .30 .IC = 0,21. IC, variaie
inacceptabil n majoritatea aplicaiilor practice. Pentru a elimina acest dezavantaj s-au conceput
circuite de polarizarea care asigur o relativ insensibilitate a psf cu temperatura. Procedeele de
stabilizare termic pot fi mprite n dou categorii:
- procedee liniare, care utilizeaz n circuitul de polarizare componente liniare (rezistoare);
- procede neliniare sau de compensare, care utilizeaz componente ale cror caracteristici sunt
dependente de temperatur (termistoare, diode).
Procedeele liniare nu asigur o compensare perfect, dar pot reduce foarte mult variaia psf
cu modificarea parametrilor TB (cu temperatura sau datorate dispersiei tehnologice de fabricaie).
Procedeele neliniare pot asigura o compensare complet a variaiilor cu temperatura, dar necesit o
reglare minuioas i nu pot compensa dispersia tehnologic a caracteristicilor tranzistoarelor.
n continuare se va prezenta soluia cea mai utilizat la circuitele discrete cu tranzistoare.
IDiv IDiv
+UCC +UCC +UCC
RC
R1 RC
iC RC R1
iB RB iB B RB iB B
B
+
UCC
RB
+
R2 R2 uB uB
RE RE UBB
+
UBB RE A A A
a) b) c) d)
Fig. 3.19. Circuite de polarizare cu RE; Schema principial: a) cu dou surse, b) cu surs unic;
c) Schema utilizat practic i d) echivalarea divizorului de polarizare a bazei (pentru cazul c).
Prin nlocuirea divizorului de polarizare a bazei cu sursa Thvenin echivalent (fig. 3.19.d)
circuitul de polarizare echivalent devine cel din figura 3.19.a. Parametrii sursei Thvenin sunt:
3.3 CIRCUITE DE POLARIZARE 103
R2
U BB = U R2 = U CC , R B = R1 || R2 . (3.49)
iB = 0 R1 + R2
Stabilizarea psf fa de variaiile factorului de amplificare n curent al tranzistorului are loc
dup urmtorul mecanism:
- La creterea lui (datorat de exemplu creterii temperaturii sau nlocuirii tranzistorului cu altul
U BB U BE U E
- iar curentul de baz al tranzistorului scade: IB = (3.52)
RB
- compensnd o parte din creterea curentului de colector n relaia (3.50) crete, IB scade.
Curentul de colector rezult prin nlocuirea relaiei (3.51) n (3.52) i apoi a relaiei (3.52)
n (3.50): (U BB U BE )
IC = . (3.53)
R B + R E ( + 1)
Pentru RB << RE (condiie care se poate realiza deoarece este de ordinul sutelor),
curentul de colector practic nu mai depinde de :
(U BB U BE ) U BB U BE
IC . (3.54)
R E ( + 1) RE
Efectul variaiei tensiunii UBE (de exemplu variaia cu temperatura este de circa 2mV/C)
este nesemnificativ dac numrtorul expresiei (3.54) este mult mai mare dect respectiva variaie.
n final se verific dac tranzistorul este n regim activ normal; tensiunea n colector trebuie
s fie mai mare dect n baz, sau cel puin UCE >UCEsat . UCE se calculeaz din T2K cu relaia:
U CE U CC (RC + RE ) I C . (3.55)
Exemplu de analiz
S se determine limitele de variaie ale psf {IC, UCE} pentru circuitul din figura 3.19.c
dac se consider UBE = 0,60,7V i =100300. Valorile rezistenelor din circuit sunt:
R1 =30k, R2 =10k, RC = 2k, RE =1k i tensiunea de alimentare este UCC =12V.
Exemplu de proiectare
S se dimensioneze circuitul de polarizare al tranzistorului bipolar din figura 3.19.c astfel
nct s se obin: IC = 3mA, UCE = UCC /3, pentru UBE = 0,6V, 200 i UCC =9V. Se
sugereaz alegerea IDiv 0,1IC i UE UCC /3.
3.3 CIRCUITE DE POLARIZARE 105
Rezolvare: Rezistenele din circuit pot fi dimensionate utiliznd legea lui Ohm:
UE UE 3 U CC U CE U E 9 3 3
RE = = = 1k , RC = = = 1k
IE IC 3m IC 3m
Curentul prin divizorul de polarizarea al bazei se alege conform sugestiei:
IDiv = 0,1IC = 0,3 mA,
i cu acest curent se pot determina rezistoarele de polarizare a bazei:
U BE + U E 0,6 + 3 U U BE U E
R2 = = 12k , R1 = CC = 18k
I Div 0,3m I Div
La rezolvarea problemei nu s-a utilizat explicit factorul al tranzistorului; s-a inut
seama implicit de faptul c >>1 deoarece s-a considerat IC IE , conform relaiilor (3.59).
T1K se poate scrie n trei noduri (curentul care intr n masa montajului nu trebuie
calculat i deci T1K nu se aplic n nodul de mas). Scrierea T1K n nodul de alimentare
(+UCC ) nu prezint interes la aceast problem, iar neglijarea curenilor de baz fa de cei de
colector face inutil T1K n colectorii tranzistoarelor sau mai exact T1K se reduc la:
I RC1 = I C1 + I B 2 I C1 pentru I B 2 << I C1 ; I RE 2 = I E 2 + I B1 I C 2 pentru I B1 << I C 2 .
Dac se ocolesc tensiunile UCE i UCB (care nu se cunosc iniial) mai rmn trei bucle pe
care se poate scrie T2K:
- +UCC RC1 UBE2 RE2 mas;
- mas RE2 RB UBE1 RE1 mas;
- +UCC RC1 UBE2 RB UBE1 RE1 mas.
Primele dou bucle exprim relaiile cauzale din circuit; curentul de polarizare a bazei
tranzistorului T2 este furnizat de sursa de alimentare (prin RC1), iar rezistena din emitorul lui
T2 (de valoare mic) acioneaz ca o surs de polarizare a bazei lui T1 (prin RB). Cea de-a
treia bucl este de fapt o combinaie a primelor dou. Pentru a determina curenii prin cele
dou tranzistoare este necesar un sistem de dou ecuaii cu dou necunoscute; pentru a
rezolva circuitul se pot utiliza ecuaiile scrise pe oricare dou bucle dintre cele trei artate mai
sus.
Conform T2K pe primele dou bucle rezult:
U CC = RC1 I C1 + U BE 2 + R E 2 I C 2 ( a)
;
R E 2 I C 2 = R B (I C1 ) + U BE1 + R E1 I C1 ( b)
n (b) s-a inut seama c IC1 = IB1. Dac se substituie (b) n (a) se obine:
U CC = RC1 I C1 + U BE 2 + R B (I C1 ) + U BE1 + R E1 I C1
Se observ c aceast relaie reprezint de fapt T2K scris pe bucla a 3-a i are o singur
necunoscut, curentul prin T1:
U CC U BE 2 U BE1 9 0,65 0,6 7,85
I C1 = = = = 0,7 mA .
RC1 + R E1 + R B 10k + 1k + 51k 300 11,17 k
Curentul se poate calcula din oricare ecuaie a sistemului. Din (a) rezult:
U CC RC1 I C1 U BE 2 9 10k 0,7 m 0,65 1,35
IC2 = = = = 2mA .
RE 2 680 0,68k
Presupunerile iniiale se dovedesc a fi corecte:
IC2 2m I C1 0,7m
I B2 = = 6,7A << I C1 = 700A , I B1 = = 2,3A << I C1 = 2mA .
300 300
Tensiunile pe tranzistoare UCE se calculeaz din T2K aplicat pe buclele de ieire ale
tranzistoarelor, care includ tensiunile respective:
U CE 2 U CC I C 2 (RC 2 + RE 2 ) = 9 2m 2,68k = 3,64V ,
U CE1 U CC I C1 (RC1 + R E1 ) = 9 0,7 m 11k = 1,3V .
3.4 TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC 107
Ambele tranzistoare se afl n RAN deoarece UCE >UBE . Circuitul analizat este cunoscut
sub numele de schem cu polarizare automat, deoarece tranzistoarele vor fi polarizate n
RAN (de exemplu UCE1 2UBE ) pentru limite largi ale tensiunii de alimentare UCC.
UCC
ui
+
UBE
a) uBE
0
b)
Fig. 3.21. Funcionarea tranzistorului n regim dinamic UBE
a) Schema principial,
b) Analiza funcionrii pe caracteristica de transfer.
ui
Un semnal mic de intrare ui suprapus peste o
tensiune de polarizare UBE produce o variaie a
curentului de colector cu aceea i form de und. t
Caracteristica de transfer a tranzistorului din figura 3.21.b este o caracteristic de tip
exponenial, conform ecuaiei tranzistorului (3.12). Pentru a obine o funcionare ct mai liniar
trebuiesc ndeplinite dou condiii:
- tensiunea variabil de intrare ui (numit semnal de intrare) trebuie suprapus peste o tensiune
continu UBE (numit tensiune de polarizare a intrrii) i
- nivelul semnalului de intrare trebuie s fie suficient de mic pentru a putea aproxima curba
exponenial cu o dreapt.
Tensiunea de polarizare a intrrii determin poziia punctului static de funcionare ( psf ) P,
valoarea curentului continuu prin tranzistor i implicit valoarea tensiunii statice la ie ire UCE . La
aplicarea semnalului variabil la intrare, tensiunea instantanee de intrare se modific i punctul de
funcionare al tranzistorului se deplaseaz n jurul psf. Dup cum se vede n figura 3.21.b, curentul
prin tranzistor se modific i implicit se va modifica i tensiune de colector a tranzistorului:
u C = U CC RC iC .
108 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Tensiunea de colector scade atunci cnd curentul de colector crete (cretere cauzat de creterea
tensiunii semnalului de intrare) i deci semnalul de ieire (variaia tensiunii de colector) este n
antifaz cu semnalul de intrare.
Tensiunea de polarizare a intrrii UBE trebuie aleas astfel nct semnalul de ieire s nu fie
limitat. Situaia cea mai convenabil apare atunci cnd tensiunea de alimentare UCC este mprit
n mod egal ntre tranzistor i rezistena de colector: UCE =UCC /2. n acest caz amplitudinea
semnalului la ieire poate atinge valoarea maxim (teoretic UCC /2). Pe de alt parte, cu ct
semnalul de intrare este mai mare cu att semnalul de ieire va avea abateri de form mai
semnificative (fa de forma semnalului de intrare) i se spune c este distorsionat.
Metoda de analiz grafo-analitic prezentat se utilizeaz uneori la analiza de semnal mare a
amplificatoarelor cu tranzistoare. Dac nivelul semnalului de intrare este suficient de mic, se
folosesc metode de analiz analitice i liniare. Liniarizarea apare prin aproximarea exponenialei cu
o dreapt (tangenta n psf ) i tranzistoarele pot fi nlocuite cu modele (sau scheme echivalente de
regim dinamic) liniare, atunci cnd se analizeaz circuitele din punctul de vedere al semnalului.
Tranzistorul este polarizat n RAN, UCE >UBE. Se va analiza dependena curenilor prin
tranzistor de tensiunea variabil ube, cu scopul de a identifica un circuit echivalent de regim dinamic
pentru tranzistorul bipolar.
Curenii n psf se determin fr semnal la intrare, ube =0 . Conform (3.4) i (3.6):
U BE IC
I C = I S exp , IB = . (3.61)
UT
Transconductana
Pentru o tensiune de semnal nenul, conform ecuaiei exponeniale a tranzistorului (3.4):
U BE + u be U u u
iC = I S exp = I S exp BE exp be = I C exp be . (3.62)
UT UT UT UT
Dac se dezvolt exponeniala n serie de puteri i se rein primii termeni, rezult:
u 1 u
2
1 u
3 u
iC = I C 1 + be + be + be + K I C 1 + be . (3.63)
U T 2! U T 3! U T UT
Aproximaia din relaia precedent este valabil doar dac:
u be << U T ( practic se poate admite : u be < 10mV) . (3.64)
Inecuaia de mai sus este denumit condiie de semnal mic. Dac se consider condiia mai
concret ube <10mV (i pentru UT 25mV la temperatura camerei), atunci eroarea introdus de
aproximaia din relaiei (3.63) este mai mic de 10%.
3.4 TRANZISTORUL N REGIM DINAMIC 109
Din relaia (3.74) rezult cele dou modaliti (echivalente) de calcul a rezistenei de emitor:
1 UT
re = sau re = ; (3.76)
gm gm IE
re depinde numai de curentul de polarizare IE ( IC, deoarece 1).
Relaia dintre re i r poate fi determinat din definiiile lor (3.71), respectiv (3.75):
u be = ib r = ie re , r = (ie ib ) re , deci r = ( + 1) re . (3.77)
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic, adic tensiunea de semnal ube este conform
cu relaia (3.64), atunci relaiile ntre curenii i tensiunile din circuit sunt liniare. Relaiile liniare
dintre mrimile electrice specifice tranzistorului pot fi reprezentate prin circuite echivalente ale
tranzistorului. Echivalena se pstreaz ct timp semnalul aplicat este mic i aceste circuite se
numesc circuite echivalente de semnal mic sau modele de semnal mic ale tranzistorului bipolar.
Modelul n
Un astfel de circuit echivalent este prezentat n figura 3.24.a; tranzistorul este reprezentat ca
o surs de curent controlat n tensiune (SIcU) care include rezistena de intrare n baz r .
b ib ic c b ib ic c
I
gm = C
UT
r g m ube r ib
ube
r =
m g
a) e b) e
Fig. 3.24. Circuite echivalente de semnal mic pentru tranzistorul bipolar; tranzistorul ca:
a) surs de curent controlat n tensiune, b) surs de curent controlat n curent.
3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR 111
Modelul n T
Modelul n poate fi folosit pentru analiza de semnal mic a oricrui circuit; totui, n unele
situaii este mai convenabil utilizarea unui alt circuit echivalent, denumit modelul n T (denumirea
se refer la desenarea circuitului echivalent cu emitorul n stnga i baza n jos). Cele dou variante
ale acestui model sunt prezentate n figura 3.25. n ambele circuite echivalente apare rezistena
dintre baz i emitor vzut dinspre emitor re.
c c
ic ic
IC
g m ube gm = ie
b ib UT b ib
re UT
u be re = = re
IE gm ie
a) e b) e
Fig. 3.25. Circuite echivalente de semnal mic n T pentru tranzistorul bipolar; Circuitul este:
a) o surs de curent controlat n tensiune, b) o surs de curent controlat n curent.
Curenii prin circuitul din figura 3.25.a sunt n conformitate cu relaiile (3.66) i (3.75):
u be
ic = g m u be , ie = .
re
Tranzistorul din figura 3.25.b, reprezentat ca o surs de curent controlat n curent (SIcI ), se
obine prin exprimarea curentului de ieire ca o funcie de curentul de emitor conform relaiilor:
g m u be = g m (ie re ) = ( g m re ) ie = ie ;
Modelul simplificat de semnal mic din figura 3.25.b poate fi privit ca fiind versiunea
incremental a modelului de semnal mare din figura 3.2; n locul diodei apare rezistena dinamic a
acesteia, iar sursa de curent este comandat de variaia curentului (ie n loc de iE).
Observaii: 1. Parametrii modelelor de semnal mic: gm , r i re , depind de curentul static
de colector IC, conform relaiilor din figurile precedente.
2. Toate modelele de semnal mic se pot utiliza i pentru tranzistoarele de tip pnp, fr a fi
necesar schimbarea polaritii surselor i a tensiunilor din schema echivalent (aceste schimbri
sunt posibile, dar nu sunt necesare; rezultatul obinut va fi acelai, deoarece se schimb n acelai
timp att polaritatea sursei comandate, ct i a mrimii de comand).
Rg
Fig. 3.26. Modelul amplificatorului de
Ro
Ri RL tensiune schema echivalent.
ui uo
ug A u0 u i Amplificatorul este completat cu un
generator de semnal la intrare i cu
o rezisten de sarcin la ieire.
generator amplificator sarcina
+UCC
R1 RC CC Fig. 3.27. Schema de principiu a
amplificatorului cu un tranzistor
Rg CB uo discret n conexiune EC.
Tranzistorul este polarizat cu divizor
RL n baz i rezisten n emitor.
ui CE Condensatoarele din circuit se
ug R2 RE
consider scurtcircuite n ca.
a) (R B = R 1||R 2) b)
Fig. 3.28. Scheme echivalente de ca ale amplificatorului cu un tranzistor n conexiunea EC:
a) C i U CC nlocuite cu scurtcircuite, b) tranzistorul liniarizat, n condiii de semnal mic.
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64), tranzistorul se poate nlocui cu una
dintre schemele echivalente liniarizate; n figura 3.28.b s-a utilizat schema simplificat n . Acest
circuit permite determinarea prin calcul a parametrilor amplificatorului.
ui
Ri = R B || Rib , R B = R1 || R2 , Rib = = r . (3.83)
ib
Rezistena de ieire este rezistena sursei Thvenin echivalente, rezistena vzut de sarcin
dup pasivizarea surselor independente (u g =0 n acest caz):
Ro =
uo
io
= RC (ug = 0 u be = 0 )
g m u be = 0 . (3.84)
u g =0
Pasivizarea sursei de semnal conduce la anularea sursei comandate de curent (conform relaiilor din
parantez), iar sursa de curent anulat este echivalent cu o ntrerupere de circuit.
Parametrii tranzistorului i implicit parametrii amplificatorului depind de psf. Astfel, la
creterea curentului static de colector IC , transconductana gm crete, rezistena de intrare n baz r
scade i ca urmare amplificarea n tensiune Au 0 crete iar rezistena de intrare Ri scade.
Amplificarea n tensiune n prezena sarcinii se poate determina cu ajutorul relaiei (3.78),
iar efectul rezistenei generatorului asupra amplificrii poate fi calculat cu relaia (3.80). innd
seama de aceste relaii se poate determina amplificarea global n tensiune:
u o u o ui RL Ri
Aug = = Aug = Au 0 . (3.85)
u g ui u g RL + Ro Ri + R g
Pentru a obine o amplificare global ct mai mare A ug A u0 , trebuiesc ndeplinite inecuaiile (3.79)
i (3.81). Dup cum se va vedea din exemplul urmtor, amplificarea n tensiune n gol are valori
destul de mari, dar amplificarea global este redus semnificativ datorit rezistenei de intrare
moderate i a rezistenei de ieire destul de mari a acestui tip de amplificator.
Exemplu
1. n condiii de semnal mic la intrare, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug pentru amplificatorul
cu emitor comun din figura 3.27 dac: =100, IC =1mA, RC =5k, RB (= R1 || R2 ) =10k,
Rg =6k.
2. S se calculeze amplificrile Au i Aug pentru o sarcin RL =500 cuplat capacitiv la ieire.
3. Ct este amplitudinea semnalului la ieire pentru o amplitudine la generator Ug_vf =20mV?
Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:
1. Se calculeaz parametrii de semnal mic ai tranzistorului cu relaiile (3.67) i (3.72):
IC I mA 100
gm = = C = 40 I C = 40 1m = 40 , r = = = 2,5k
U T 25m V gm 40m
Parametrii amplificatorului se calculeaz conform relaiilor (3.82 3.85), cu R L = :
Au 0 = g m RC = 40m 5k = 200 , Ri = RB || r = 10k || 2,5k = 2k
Ri 2k
Ro = RC = 5k , Aug = Au 0 = 200 = 200 0,25 = 50
Ri + R g 2k + 6k
3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR 115
2. Deoarece sarcina este cuplat capacitiv la ieire, nu influeneaz psf tranzistorului, deci
parametrii tranzistorului i ai amplificatorului nu se modific la conectarea sarcinii.
Amplificrile n tensiune n prezena sarcinii se calculeaz conform relaiilor (3.78) i (3.85):
RL 500 1
Au = Au 0 = 200 = 200 = 18,2
R L + Ro 500 + 5k 11
Ri RL 1 1
Aug = Au 0 = 200 4,5
Ri + Rg RL + Ro 4 11
Aceste relaii au fost determinate folosind modelul amplificatorului de tensiune din figura
3.26 i innd seama de cele dou divizoare de tensiune care apar n schema respectiv.
3. Se verific iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Astfel, valoarea
maxim a tensiunii baz-emitor este amplitudinea semnalului de intrare n amplificator,
calculat innd seama de divizorul de tensiune de la intrare, conform relaiei (3.80):
Ri 2k 1
U be _ vf = U i _ vf = U g _ vf = 20m = 20m = 5mV < 10mV .
Ri + R g 2k + 6k 4
Colectorul tranzistorului este conectat la sursa de alimentare, care este i mas de semnal.
De aceea, circuitul se mai numete amplificator cu colectorul la mas sau cu colector comun
(intrrii i ieirii). Intrarea circuitului se conecteaz n baza tranzistorului i ieirea se preia din
emitor. Generatorul de semnal i rezistena de sarcin sunt conectate prin condensatoare suficient de
mari ca s poat fi considerate scurtcircuite din punctul de vedere al semnalului.
Curentul de colector IC din psf se determin cu relaia (3.53), cu UBB = UCC , iar parametrii
de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67) i (3.72) (relaiile din figura 3.24).
n condiii de semnal mic, (3.64), se poate utiliza oricare dintre schemele echivalente de
semnal mic ale tranzistorului. n figura 3.29.b s-a utilizat modelul n simplificat cu tranzistorul
privit ca o surs de curent controlat n curent (conform cu figura 3.24.b).
Parametrii amplificatorului se determin pe baza schemei de ca din figura 3.29.b. Pentru a
calcula amplificarea n tensiune n gol se consider circuitul fr sarcin, R L = . Se exprim
tensiunea de ieire i de intrare funcie de curentul de baz (mrimea de legtur ntre ieire i
intrare, care apare att n circuitul de ieire ct i n cel de intrare):
u o = R E ie = R E (ib + ic ) = R E ( + 1 ) ib , u i = u be + u o = r ib + R E ( + 1 ) ib . (3.86)
Amplificarea n tensiune n gol rezult subunitar deoarece tensiunea de intrare este mai
mare dect cea de ieire (pe care o include):
Au 0 =
uo
=
uo
=
( + 1 ) R E = 1
( Au 0 < 1 ) . (3.87)
u i u be + u o r + ( + 1 ) R E r
1+
( + 1 ) RE
Valoarea amplificrii este apropiat de unitate deoarece:
r << ( + 1 ) RE Au 0 1 . (3.88)
Deoarece tensiunea n emitor repet tensiunea din baz (A u0 1, u e u b n ca), acest amplificator
se numete repetor pe emitor. Faptul c tensiunea din baz se repet n emitor este o proprietate
general a unui tranzistor care lucreaz n RAN i care are o rezisten conectat n emitor (chiar
dac colectorul nu este conectat la masa de ca).
La conectarea sarcinii, cele dou rezistene din emitor apar n paralel (n ca). Rezistena de
emitor n ca i amplificarea n tensiune devin:
uo ( + 1 ) Re 1
Re = R E || R L , Au = = = . (3.89)
u i r + ( + 1 ) Re r
1+
( + 1) Re
Deoarece R e < RE rezult A u< A u0 ; amplificarea scade n prezena sarcinii.
Rezistena de intrare a amplificatorului este rezistena vzut de generatorul de semnal n
prezena sarcinii:
u
Ri = R B || Rib , Rib = i = r + ( + 1 )(R E || R L ) = r + ( + 1 ) Re . (3.90)
ib
Dac sarcina lipsete, atunci va fi nlocuit cu o rezisten infinit R L = i rezult R E || R L = R E .
Valoarea rezistenei de intrare este relativ mare i depinde de rezistena conectat n emitorul
tranzistorului. Dac se nlocuiete r n relaia precedent conform relaiei (3.77), se obine regula
de reflectare a rezistenelor din emitor n baz:
Rib = ( + 1 ) re + ( + 1 ) Re = ( + 1 )(re + Re ) , (cu Re = RE || R L ) , (3.91)
3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR 117
regul care se poate exprima astfel: Rezistena vzut n baza unui tranzistor este rezistena
total din bucla emitorului multiplicat cu +1.
Rezistena de ieire este rezistena sursei Thvenin echivalente adic rezistena vzut de
sarcin dup pasivizarea surselor independente (u g =0 n acest caz):
uo
Ro = = R E || Roe . (3.92)
io u g =0
Rezistena vzut n emitorul tranzistorului Roe (de ieire din emitor) este rezistena sursei
Thvenin echivalente tranzistorului privit dinspre emitor rezisten vzut de RE . Pentru calculul
acestei rezistene se presupune aplicat la ieire o tensiune uo (de ca) i se pasivizeaz sursa ug .
Cderea de tensiune pe bucla bazei este tensiunea uo , iar curentul spre emitorul tranzistorului este
inversul sumei curenilor de baz i de colector:
uo (
r ib R B || R g ib ) (
r + R B || R g )
Roe = = = . (3.93)
ioe u g =0
ib i b +1
Rezistena de ieire din repetorul pe emitor este relativ mic i depinde de rezistena intern
a generatorului conectat la intrare. Rezultatul obinut se poate exprima ca fiind regula de reflectare a
rezistenelor din baza n emitorul unui tranzistor, regul care se enun astfel: Rezistena vzut
spre emitorul unui tranzistor este rezistena total din bucla bazei divizat cu factorul +1.
Deoarece rezistena de intrare a amplificatorului depinde de sarcin i rezistena de ieire
depinde de rezistena intern a generatorului, modelul general al amplificatorului de tensiune
trebuie folosit cu precauie, deoarece repetorul pe emitor nu este o entitate independent, parametrii
lui depinznd i de configuraia circuitului exterior. Modalitatea practic de lucru este urmtoarea:
dac se analizeaz circuitul la ieire, atunci trebuie considerat generatorul conectat la intrare,
dac se analizeaz circuitul la intrare, atunci trebuie considerat sarcina conectat la ieire.
Se poate concluziona c repetorul pe emitor se comport ca un transformator de impedane
(rezistene n ca) cu o amplificare n tensiune aproximativ unitar, o rezisten de intrare mare
i o rezisten de ieire mic. Acest montaj poate fi utilizat pentru a conecta o sarcin de valoare
mic la o surs de semnal cu rezisten intern relativ mare. Amplificarea n tensiune global, n
prezena sarcinii se poate determina utiliznd relaia (3.80):
u o u o ui Ri
Aug = = Aug = Au . (3.94)
u g ui u g Ri + R g
Rezistena de intrare Ri se calculeaz n prezena sarcinii, cu relaia (3.90). Efectul de cuplare al
sarcinii la ieirea amplificatorului este inclus implicit n Au (deoarece la calcul s-a utilizat
Re = RE ||RL ). Rezistena de intrare fiind mare, n cazurile practice obinuite, se obine o amplificare
global A ug A u, apropiat de unitate. La prima vedere, o amplificare unitar este lipsit de interes
practic. Exemplul urmtor pune n eviden utilitatea unui repetor pe emitor n cazul n care sarcina
are o valoare mult mai mic dect rezistena intern a generatorului de semnal.
Exemplu
1. Pentru repetorul pe emitor din figura 3.29.a, s se calculeze curentul static de colector IC
dac UCC =10V, RE =5k, RB = 430k, =100 i UBE =0,7V.
2. Pentru Rg =6k, s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0.
118 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Rezolvare:
1. Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53), la care se consider UBB = UCC :
(U CC U BE ) 100 (10 0,7 )
IC = = = 0,995m 1mA .
R B + ( + 1)R E 430k + 101 5k
2. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67) i (3.72):
IC 1m mA 100
gm = = = 40 , r = = = 2,5k .
U T 25m V gm 40m
Amplificarea n tensiune fr sarcin se determin cu relaia (3.87):
1 1 1
Au 0 = = = = 0,995 .
r 2,5k 1,00495
1+ 1+
( + 1 ) R E 101 5k
Rezistena de intrare se determin cu relaia (3.90) particularizat pentru RL = :
Rib = r + ( + 1 ) R E = 2,5k + 101 5k = 507,5k ; Ri = R B || Rib = 430k || 507k = 233k .
Rezistena de ieire se determin cu relaiile (3.92) i (3.93):
(
r + R B || R g ) 2,5k + 430k || 6k 8,4k
Roe = = = = 83 , Ro = RE || Roe = 83 || 5k = 82 .
+1 101 101
Relaia (3.94) este folosit pentru calcularea amplificrii globale fr sarcin:
Ri 233k
Aug 0 = Au 0 = 0,995 = 0,995 0,975 = 0,97 .
Ri + R g 233k + 6k
3. n prezena sarcinii, rezistena de emitor n ca devine:
Re = R E || R L = 5k || 500 = 454,6 ;
iar parametrii tranzistorului nu se schimb pentru c sarcina este cuplat capacitiv i nu
influeneaz psf. Amplificarea n tensiune devine:
1 1 1
Au = = = = 0,948 .
r 2,5k 1,0545
1+ 1 +
( + 1)Re 101 0,455k
Se recalculeaz rezistena de intrare i apoi se calculeaz amplificarea global n tensiune
cu relaiile (3.90) i (3.94):
Rib = r + ( + 1)Re = 2,5k + 101 455 = 45,9k , Ri = RB || Rib = 430k || 45,9k = 43,5k ,
Ri 43,5k
Aug = Au = 0,948 = 0,948 0,89 = 0,84 .
Ri + R g 43,5k + 6k
3.5 AMPLIFICATOARE DE SEMNAL MIC CU UN TRANZISTOR 119
Factorul de transfer direct dintre generator i sarcin (fr amplificator) rezult din regula
divizorului de tensiune aplicat circuitului din figura 3.30.a:
uo RL 500 1
K ug = = = = = 0,077 = 7,7 % .
u g RL + R g 500 + 6k 13
Fa de cuplajul direct, amplificarea obinut prin intermediul repetorului pe emitor este
de Aug / Kug =0,84 / 0,077 =11 ori mai mare.
Pentru o nelegere mai concret a funcionrii repetorului pe emitor, n figura 3.30.b i
respectiv 3.30.c, s-au reprezentat circuitele echivalente obinute prin reflectarea rezistenelor
n emitor i respectiv n baz, conform regulilor de reflectare prezentate anterior.
Rg R g ||R B re R oe Rg Ri R ib r
+1
RL uo ui u be uo ui RB ( +1) Re uo
ug ug Re ug
a) b) c)
Fig. 3.30. a) Cuplajul direct al generatorului cu sarcina. Scheme echivalente
de ca ale repetorului pe emitor obinute prin reflectare: b) n emitor, c) n baz.
Concluzii:
- Amplificarea n tensiune a repetorului pe emitor este subunitar i apropiat de unitate, mai ales
n cazul amplificatorului fr sarcin exterioar (A ug0 , A u0 1).
- Rezistena de intrare este mare i depinde de rezistenele din emitor, iar rezistena de ieire este
mic i depinde de rezistenele din baz. De aceea, cuplarea n tensiune printr-un repetor pe
emitor este mult mai bun dect cuplarea direct a generatorului cu sarcina.
- Calcularea circuitului se face fie dinspre ieire spre intrare (caz n care se include sarcina n
rezistena de emitor), fie dinspre intrare spre ieire (caz n care se ine seama de rezistena
intern a generatorului conectat la intrare). Metoda cea mai convenabil de calcul utilizeaz
schema echivalent obinut prin reflectarea rezistenelor din circuitul bazei n emitor (sau din
circuitul emitorului n baz).
ic c Ro
+UCC
R1 RC CC
Rg Ri R ib ie
ib RC u RL
Rg CB o
b
re
uo RL RB ie
ui e
ui R2 RE ug Re = RE
ug
a) b)
Fig. 3.31. Etaj de amplificare cu rezisten nedecuplat n emitor;
a) Schema de principiu, b) schema de semnal mic cu modelul n T al tranzistorului.
n condiii de semnal mic, se poate utiliza oricare dintre modelele tranzistorului; utiliznd
modelul n T se obine schema echivalent de ca din figura 3.31.b.
Rezistena de intrare se poate determina cu regula de reflectare a rezistenelor din emitor n
baz, (3.91): Rib = ( + 1 )(re + Re ) , R B = R1 || R2 , Ri = RB || Rib , (3.95)
Aceast regul poate fi demonstrat i cu ajutorul circuitului n T din figura 3.31.b astfel:
ie ui
u i = ie (re + Re ) , ib = ie (1 ) = , Rib = = ( + 1)(re + Re ) .
1+ ib
Multiplicarea rezistenei din emitor cu factorul ( +1) se datoreaz faptului c n baz
curentul este de ( +1) ori mai mic dect n emitor. Ca urmare introducerea unei rezistene
suplimentare n emitor Re poate conduce la creterea apreciabil a rezistenei de intrare. Dac se
compar relaiile (3.95) cu (3.83), innd cont de (3.77) i de (3.76) se obine:
n cazul unui etaj de amplificare cu Re , se poate calcula direct valoarea amplificrii utiliznd doar
rezistenele din circuit, conform relaiei anterioare. Pentru a verifica n ce msur calculul direct
este corect, trebuie estimat IC i apoi se poate aprecia inegalitatea din relaia (3.100).
Dac se compar relaia (3.98) cu (3.82) se constat c prezena rezistenei Re conduce la
reducerea amplificrii cu un factor (1+ gm Re ):
Au 0 (cu Re ) RC 1 1
= , (3.102)
Au 0 (fara Re ) re + Re g m RC 1 + g m Re
Nivelul tensiunii ube , dintre baza i emitorul tranzistorului, este cel care determin gradul de
liniaritate al amplificrii, conform figura 3.21 i relaiei (3.64). Ca i repetorul pe emitor, etajul cu
Re poate manevra tensiuni de intrare mai mari dect etajul cu tranzistor n conexiune EC (cu Re =0),
deoarece doar o fraciune din semnalul de intrare apare ntre baza i emitorul tranzistorului:
ube re 1
= , (3.103)
ui re + Re 1 + g m Re
Se observ c factorul de reducere al amplificrii (1+ gm Re ) relaia (3.102), este acelai cu
factorul de cretere al rezistenei de intrare n baza tranzistorului relaia (3.96) i cu factorul de
reducere al nivelului semnalului de intrare relaia (3.103). Proiectantul circuitului poate optimiza
parametrii amplificatorului prin alegerea rezistenei de emitor Re celei mai convenabile. Circuitul
cu Re are o comportare intermediar ntre etajul cu un tranzistor n conexiunea EC i repetorul pe
emitor, gradul de apropiere de unul sau altul dintre circuite depinznd de valoarea rezistenei Re .
Problem de analiz
1. Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze +UCC
curentul static de colector IC dac =100 i UBE =0,7V RB RC +10V
820k 5k
2. Dac rezistena intern a generatorului este: Rg =6k, Rg CB CC
s se calculeze Au0 , R i, R o, i Aug0, pentru: K CE
uo
a) Re =1k respectiv b) Re =100. (practic, n primul RE
ui RE1
caz comutatorul este deschis: Re =RE , respectiv n al u g 1k 110
doilea caz este nchis: Re = RE ||RE1)
3. Ct este amplitudinea la ieire dac amplitudinea la generator este Ug_vf =50mV?
Condensatoarele din circuit se consider scurtcircuite n ca i UT =25mV.
Rezolvare:
1. Curentul de colector se calculeaz cu relaia (3.53), la care se consider UBB =UCC :
(U CC U BE ) 100 (10 0,7 )
IC = = = 1,01m 1mA .
R B + ( + 1)R E 820k + 101 1k
2. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se determin cu relaiile (3.67), (3.76) i prin
explicitarea factorului din relaia (3.7):
IC 1m mA 1 1
gm = = = 40 , re = = = 25 , = = 0,99 .
U T 25m V gm g m 40m +1
Amplificarea n tensiune (fr sarcin) se determin cu relaia (3.98):
122 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
uo RC 0,99 5k 0,99 5k
Au 0 = = : a ) Au 0( a ) = = 4,83 , b) Au 0(b ) = = 39,6 .
ui re + Re 25 + 1k 25 + 100
Calculul amplificrii cu relaia aproximativ (3.101):
RC 5k 5k
Au 0 = : a ) Au 0( a )~ = = 5 , b) Au 0(b )~ = = 50 ,
Re 1k 100
conduce la o eroare:
Au 0~ Au 0 5 4,83 50 39,6
= 100 [%] : a = = 3,5 % , b = = 26 % ,
Au 0 4,83 39,6
acceptabil (de ordinul procentelor, mai mic de 5%) n primul caz; n cazul al doilea eroarea
este apreciabil, deoarece inegalitatea (3.100) nu este de fapt ndeplinit:
Re ( a ) Re (b )
Re ( a ) = 1000 >> 25 = re , = 40 ; Re (b) = 100 , = 4 < 10 .
re re
Rezistena de intrare se determin cu relaia (3.95):
Rib = ( + 1 )(re + Re ) : Rib ( a ) = 101 (25 + 1k ) = 103,5k , Rib (b ) = 101 (25 + 100 ) = 13,6k ,
103,5k 13,6k
Aug ( a ) = 4,83 4,6 , Aug (b) = 39,6 = -39,6 0,694 27,5 .
103,5k + 6k 13,5k + 2,5k
Se observ c amplificarea mai mic obinut n cazul a) se modific mai puin la conectarea
generatorului (deoarece rezistena de intrare a amplificatorului este mai mare).
3. Se determin iniial dac este ndeplinit condiia de semnal mic (3.64). Pentru aceasta
se determin tensiunea ube cu ajutorul relaiilor (3.103) i (3.80):
re re Ri
u be = ui = ug .
re + Re re + Re Ri + R g
Izolri Metalizri E B
SiO2 Difuzia de baz
p+ Difuzia de emitor
n
p
Strat epitaxial Tranzistorul intern
p+ Substrat
C
Fig. 3.32. Seciune printr-un tranzistor pnp realizat prin dubl difuzie.
Tranzistorul este realizat pornind de la o pastil de siliciu de tip p cu conductivitate ridicat
(foarte puternic dopat cu impuriti, notat cu p+) a crei grosime este de cteva zecimi de mm.
Conductivitatea este ridicat pentru a reduce rezistena serie a colectorului. Pe acest substrat se
cre te un strat epitaxial, cu grosime de civa microni, a crui concentraie de impuriti este mult
mai redus dect a substratului. n acest strat epitaxial se realizeaz dou difuzii succesive: prima
este difuzia de baz prin care se obine un semiconductor de tip n slab dopat, iar cea de-a doua este
difuzia de emitor prin care se obine o regiune de tip p puternic dopat (p+). Se depune apoi un
strat de oxid de siliciu izolator care se corodeaz n zonele ferestrelor de contact. n aceste zone se
depun metalizrile prin care se conecteaz tranzistorul la circuitul extern.
WB
Je Jc
p+ Ei n Ei p
Ee Ee
iE i pE i pC iC
i nBE i pR I CB0
W B0
+ UEB - iB + UCB -
(zecimi V) (V, zeci V)
Fig. 3.33. Seciune prin tranzistorul intern.
Sursele UEB i UCB polarizeaz Je respectiv Jc astfel nct tranzistorul pnp funcioneaz n
RAN. n figur se indic cmpurile electrice (interne - Ei i externe - Ee) din jonciuni i
curenii care circul prin tranzistor. WB0 reprezint limea metalurgic i WB limea
efectiv a bazei. WB <WB0 datorit regiunilor golite de purttori ale jonciunilor (ha urate).
124 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Considernd emitorul n gol, deci cu sursa de alimentare UEB deconectat, prin jonciunea
colectorului polarizat invers va circula curentul invers al jonciunii respective, notat cu ICB0
(curentul dintre colector i baz cu emitorul n gol). Acesta este un curent de drift al purttorilor
minoritari datorat cmpului electric extern (Ee), ca la orice jonciune polarizat invers.
Prin jonciunea emitorului polarizat direct (datorit sursei UEB) circul curentul de difuzie
al purttorilor majoritari (goluri din emitor i electroni din baz). Acest curent depinde exponenial
de tensiunea UEB, ca n prima relaie din sistemul (3.107) Deoarece jonciunea emitorului este
asimetric, cu emitorul mult mai puternic dopat dect baza, curentul va fi datorat n principal
golurilor care difuzeaz din emitor n baz ipE i ntr-o msur mult mai mic electronilor care trec
din baz n emitor inBE, conform relaiei (2.60) de la studiul jonciunilor asimetrice.
Golurile sunt purttori minoritari n baz. Concentraia golurilor n vecintatea emitorului
este mare (golurile fiind injectate dinspre emitor) i aceste goluri difuzeaz spre regiunile de
concentraie mai redus, adic spre colector. Toate golurile care ajung n regiunea de sarcin
spaial a colectorului sunt antrenate de cmpul electric din Jc prin curent de drift i de aceea
concentraia golurilor la captul dinspre colector al bazei este nul. Datorit grosimii mici a bazei
(fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari), recombinarea n baz este redus i curentul
de recombinare ipR este mic, astfel nct aproape toate golurile (emise de emitor) trec prin baz i
sunt captate (colectate) de colector.
innd seama de explicaiile precedente i de figura 3.33, curenii prin tranzistor sunt:
i E = i pE + inBE
iC = i pC + I CB 0 . (3.104)
i pE = i pC + i pR
Se noteaz:
i pC i pC i pE
= = tB E = N , (3.105)
iE i pE i E
unde: tB = ipC /ipE este factorul de transport n baz, E = ipE /iE este eficiena emitorului, iar
N = ipC /iE este factorul normal de amplificare n curent n conexiunea BC; N este acelai factor
de amplificare care n prima parte a capitolului a fost notat cu (fr indice). Deoarece aproape tot
curentul din emitor ajunge n colector valoarea factorului de amplificare N este practic unitar:
N = 0,98 ... 0,998 . (3.106)
Pentru dioda emitor-baz polarizat direct i innd seama de relaiile (3.104) i (3.105) se
pot scrie relaiile care definesc funcionarea tranzistorului n RAN:
u EB
i E = I SE exp 1
UT , (3.107)
i = i + I
C N E CB 0
unde ISE este curentul invers de saturaie al Je (valoare teoretic de ordinul a 10 -1510 -12 A).
Schema echivalent a tranzistorului din figura 3.34.a este conform cu sistemul de ecuaii
(3.107); n locul curentului ICB0 s-a reprezentat dioda baz-colector prin care circul acest curent.
3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI 125
N iE I (-iC )
E iE iC C E iE iC C
Fig. 3.34. Scheme echivalent de semnal mare pentru tranzistorul pnp: a) n RAN, b) n RAI.
Alturi de diode s-a notat curentul invers de saturaie al jonciunilor.
unde ISC este curentul invers de saturaie al jonciunii colectorului i IEB0 este curentul dintre emitor
i baz cu colectorul n gol. Sensul curenilor s-a considerat conform conveniei din figura 3.1.a iar
schema echivalent conform cu relaiile (3.108) este cea din figura 3.34.b.
Observaie: Pentru tranzistoarele de tip npn schemele echivalente sunt aceleai cu cele din
figura 3.34, dar se inverseaz sensul diodelor, al generatoarelor de curent i al curenilor.
Modelul conine dou diode, dioda de emitor DE i dioda de colector DC (care nlocuiesc
cele dou jonciuni pn) i dou surse de curent controlate n curent care modeleaz efectul de
tranzistor n sens normal i n sens inversat. Curenii prin diode depind exponenial de tensiuni:
u u
i DE = I SE exp BE 1 , i DC = I SC exp BC 1 , (3.109)
UT UT
unde ISE i ISC sunt curenii de saturaie sau de scalare ai celor dou diode. Deoarece jonciunea de
colector are o arie mai mare dect jonciunea de emitor, curentul ISC este de obicei mai mare dect
ISE (cu un factor de 2 pn la 50). Dup cum s-a artat la analiza funcionrii tranzistorului n RAN,
aproape tot curentul din jonciunea de emitor se regsete n colector. Acest curent este modelat prin
sursa N iDE , unde factorul normal de curent N este foarte apropiat de unitate. n mod analog o
parte din curentul care parcurge jonciunea de colector traverseaz baza i se regsete n emitor.
Aceast component a curentului de emitor este modelat de sursa I iDC , unde factorul invers de
curent I are valori sensibil subunitare. Cei patru parametrii ai tranzistorului sunt legai prin relaia:
N I ES = I I CS = I S , (3.110)
demonstrat n [1], unde IS este curentul de saturaie al tranzistorului. La tranzistoarele de mic
putere IS este de ordinul a 10 -1510 -14 A i este proporional cu aria jonciunii emitor-baz.
Pe baza figurii 3.35 se pot exprima curenii prin terminalele tranzistorului n funcie de
tensiunile aplicate ntre terminalele acestuia:
i E = i DE I i DC , (3.111)
iC = iDC + N iDE , (3.112)
iB = (1 N ) iDE + (1 I ) iDC . (3.113)
Dac se nlocuiesc iDE i iDC din relaiile (3.109) i utiliznd relaia (3.110) rezult:
IS u u
iE = exp BE 1 I S exp BC 1 , (3.114)
N UT UT
u I u
iC = I S exp BE 1 S exp BC 1 , (3.115)
UT I UT
IS u I u
iB = exp BE 1 + S exp BC 1 , (3.116)
N UT I UT
unde N i I sunt factorii (de amplificare n curent dintre colector i baz) normal i respectiv
inversat: N I
N = , I = . (3.117)
1 N 1I
Factorul (fr indice) este o notaie simplificat pentru factorul N i are valori tipice de ordinul
sutelor, iar factorul I are valori mici (0,0210, uzual cteva uniti).
Pentru tranzistorul npn n RAN, cu uBE >>UT i uBC <0, din (3.115) i (3.116) rezult
relaiile (3.4) i (3.6), care au stat la baza modelelor simplificate ale tranzistorului:
u I u
iC = I S exp BE 1 S (0 K 1) I S exp BE ,
UT I UT
IS u I I u i
iB = exp BE 1 + S (0 K 1) S exp BE = C sau iC = i B .
N UT I N UT N
3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI 127
i C RC RB iB iBC DBC iC RC
RB iB iBE UCC
UBB N iBE I iBC
+
UCC
+
UBB DBE
a) b)
Fig. 3.37. a) Inversorul cu TB, b) schema echivalent pentru studiul saturaiei.
Dup cum s-a artat la studiul inversorului cu TB, circuitul analizat permite tranzistorului s
funcioneze n regim de blocare, n RAN sau n saturaie n funcie de valorile componentelor. Se
consider circuitul de polarizare al colectorului fixat (UCC i RC nu se modific). Regimul de
funcionare al TB se poate modifica din circuitul de polarizare al bazei (UBB i/sau RB).
128 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Conform tabelului 3.1, tranzistorul este blocat pentru UBB = 0 i se afl n RAN pentru
uBC < 0 (sau uCE > uBE ). La trecerea din RAN n saturaie uBC = 0 i uCE = uBE .
La limita intrrii n saturaie a TB curenii prin tranzistor sunt:
U CC u BE I Csat0
I C sat0 = , I B sat0 = , (3.120)
RC N
Curentul de baz s-a determinat din schema echivalent innd cont c dioda baz-colector DBC este
polarizat la o tensiune nul (uBC = 0, limita intrrii n saturaie), curentul prin aceast diod este
nul iBC = 0, deci iBE = iB i iC = N iBE .
Pe de alt parte curentul de baz este determinat n principal de circuitul de polarizare al
bazei conform T2K aplicat pe bucla de intrare a TB (cu uBE aproximativ constant uBE UBE ):
U BB U BE
IB = . (3.121)
RB
Creterea curentului de baz peste valoarea IBsat0, prin creterea UBB sau scderea RB, conduce
la intrarea tranzistorului n saturaie. Surplusul de curent care apare IB = IB IB sat 0 deschide dioda
DBC. n aceste condiii, diodele DBE i DBC sunt deschise amndou i ntre colectorul i emitorul
tranzistorului apare o cale de joas impedan (diodele deschise pot fi echivalate cu surse de
tensiune cu rezisten intern mic). Ca urmare, tensiunea colector-emitor UCE este mic:
U BC > 0 U CE = U BE U BC < U BE . (3.122)
Modelele tranzistoarelor saturate sunt cele prezentate la nceputul capitolului, n figura 3.6.
Curentul de colector n saturaie este aproximativ constant. Pentru circuitul din figura
3.37, limitele curentului IC sat se determin pentru cazurile limit, uBC = 0 i respectiv uCE = 0:
U CC U BE U
I C sat0 I C sat < I C max sau I C sat < CC ; (3.123)
RC RC
pentru UBE <<UCC (cazul uzual), curentul de saturaie ICsat este aproximativ constant.
Un criteriu de apreciere al saturaiei, utilizabil n cazul circuitelor practice este:
I C sat U CC
I B > I B sat sau IB > , (3.124)
N RC N
cu IB calculat conform relaiei (3.121). La ndeplinirea criteriului de mai sus tranzistorul este
saturat, n caz contrar este n RAN.
Gradul de saturaie se poate aprecia prin factorul de supracomand n baz:
IB RC
SB = IB N (n saturaie S B > 1 ). (3.125)
I B sat0 U CC
Un alt parametru utilizat pentru a determina gradul de saturaie este raportul dintre curenii
de colector i de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul extern tranzistorului):
fortat = I C I B . (3.126)
TB este n saturaie dac forat < N . Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, se
alege adesea forat =1020. Tensiunea colector-emitor n saturaie UCEsat scade odat cu scderea
factorului de amplificare forat.
3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI 129
Tensiunea UCEsat se poate calcula pe baza modelului Ebers-Moll. Deoarece tensiunile UBE
i UBC sunt ambele pozitive i mult mai mari dect UT , n ecuaiile (3.115) i (3.116) termenii
exponeniali sunt mult mai mari dect unitatea. Cu aceste aproximaii i dac se nlocuiete iB = IB
i iC = forat IB rezult un sistem de dou ecuaii care se poate rezolva pentru a obine UBE i UBC ,
iar tensiunea UCEsat este diferena acestor dou tensiuni:
1 + ( fortat + 1) I
U CE sat = U T ln . (3.127)
1 fortat N
Aceast relaie poate fi utilizat pentru a calcula dependena tensiunii UCEsat de forat .
Exemplu
a) S se determine tensiunea UCEsat la un TB ai crui factori de amplificare sunt N = 200
i I = 2 pentru forat = 1801 (900,5% din N ). Cum se modific tensiunea de saturaie,
UECsat , dac tranzistorul este conectat inversat, pentru forat =1,80,1 (905% din I ) ?
b) S se refac analiza de la punctul a) pentru un tranzistor cu N = 200 i I =10.
UCEsat [V]
0,2
50mV
UCEofs
0,1
0 10 30
forat
0
N
Deoarece iC = forat IB , pentru IB constant, forat este proporional cu iC i curba din figur
este practic caracteristica uCE iC pentru un curent de baz IB constant (pentru domeniul curenilor
iC mici). Valoarea infinit a tensiunii UCEsat obinut n tabel (i n grafic) pentru forat = N
semnific faptul c tranzistorul este n RAN. Figura arat n plus i independena tensiunii uCE de
iC n regim activ de funcionare. Pe msur ce forat se reduce, tranzistorul intr n saturaie mai
profund, UBC crete i UCEsat scade. Pentru forat =0, ceea ce corespunde colectorului n gol
(iC =0), se obine o valoare mic a tensiunii UCEsat . Aceast valoare reprezint tensiunea remanent
(de ofset) UCEofs pe tranzistorul care funcioneaz ca un comutator (conform zonei detaliate a
figurii). n figur s-au trasat cu linie punctat i posibile caracteristici liniarizate, cu care se poate
aproxima curba analizat. Se poate constat c aceste caracteristici liniarizate estimeaz o valoare
mai mare a tensiunii de ofset.
Trebuie precizat c tensiunea UCEsat calculat cu (3.127) este mai mic dect tensiunea de
saturaie msurat, deoarece nu ine seama de cderea de tensiune pe rezistena serie a materialului
semiconductor al regiunii de colector rC, cdere de tensiune proporional cu curentul IC .
Tranzistorul funcioneaz inversat atunci cnd are colectorul legat spre mas i emitorul
legat printr-o rezisten (RC n cazul circuitului din figura 3.37.a) spre plusul sursei de alimentare.
n acest caz forat = IE /IB . Pentru a determina tensiunea de saturaie UECsat a acestui circuit, se
poate utiliza relaia (3.127) n care se schimb ntre ele valorile factorilor de amplificare: N I .
Rezultatele obinute sunt prezentate n liniile 3 i 4 ale tabelului anterior. Se remarc valorile
sensibil mai mici ale tensiunilor de saturaie obinute n acest caz, fa de cazul saturaiei pentru
tranzistorul conectat normal. Pentru a obine aceste tensiuni mici trebuie s fie utilizat un curent de
comand mult mai mare dect curentul comandat IB >>(IE ), de exemplu forat = 0,1 nseamn
IB =10(IE ), caz n care rezult o tensiune UECsat ceva mai mare de 1mV. Datorit tensiunii de
saturaie foarte mici, tranzistorul conectat inversat poate fi utilizat pentru comutarea semnalelor
analogice n circuite de conversie a datelor. Dezavantajul unei astfel de regim de funcionare al
tranzistorului este timpul relativ lung de comutare din saturaie n blocare.
Pentru un tranzistor al crui factor I este mai mare, tensiunile de saturaie rezultate sunt
mai mici, dup cum se poate constata dac se compar cea de-a doua parte a tabelului cu prima
parte a acestuia (linia 6 cu linia 2 i linia 8 cu linia 4). Prin urmare, tranzistoarele de comutaie, a
cror tensiune de saturaie trebuie s fie mic, au un factor I relativ mare i o rezistena serie (a
materialului semiconductor din regiunea de colector) rC ct mai mic. Parametrii tranzistorului
considerat la punctul b) al problemei corespund unui astfel de tranzistor (2N2222).
delay time n englez). Aceast ntrziere este timpul necesar pentru ncrcarea capacitii de intrare a
tranzistorului de la zero pn la tensiunea de polarizare direct uBE 0,7V. Urmeaz apoi o cretere
exponenial a curentului de colector spre valoarea final N IB 1 , unde IB1 este curentul injectat n
baz de circuitul exterior:
U U BE
I B1 = 1 . (3.128)
RB
Datorit saturaiei, curentul de colector nu va ajunge la N IB1 , ci se va limita la IC sat UCC /RC .
Viteza de comutare direct poate fi apreciat cu ajutorul timpului de cretere tr (rise time n englez)
sau prin intermediul timpului de deschidere al tranzistorului ton , a cror valoare se determin
conform figurii. (S-au preluat indicii de la denumirile din limba englez deoarece n limba romn termenii
cretere i cdere au aceiai iniial).
uI
U1
CB RC
iC + UCC
t RB
0 iB
+
U2 b) uI
iC ton toff a)
0,9IC sat
IB 2 d)
Durata mare de blocare se poate explica dac se analizeaz distribuia purttorilor minoritari
din baza tranzistorului, schiat n figura 3.39. Purttorii minoritari difuzeaz prin baz (dinspre
emitor spre colector) i, conform relaiei (2.49), curentul de difuzie este proporional cu gradientul
concentraiei de impuriti, deci cu panta dreptei care arat profilul de impuriti n baza
tranzistorului. Deoarece jonciunea colectorului este i ea polarizat direct, concentraia purttorilor
minoritari n vecintatea colectorului va fi nenul. Sarcina suplimentar din baz, haurat n figur,
nu particip la formarea curentului de colector, ci se datoreaz surplusului de curent injectat din
circuitul exterior n baza tranzistorului (pentru a-l aduce n saturaie). Cu ct este mai mare factorul
de supracomand n baz, cu att este mai mare excesul de purttori n baz. De fapt, aceast
132 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
sarcin, numit sarcin n exces n baz (sau de saturaie) Qs, este proporional cu surplusul de
curent n baz, IB = IB1 IBsat (cu IBsat = IC sat /N ):
Qs = s IB = s (IB1 IB sat ), (3.129)
unde s este un parametru al tranzistorului, numit constant de timp de stocare.
(2)
(3)
x (4) x
a) b)
Fig. 3.39. a) Profilul concentraiei purttorilor minoritari n baza unui tranzistor saturat. Aria
haurat reprezint sarcina n exces (de saturaie). b) La blocarea tranzistorului sarcina n exces
trebuie s dispar prima. n acest timp profilul se schimb de la dreapta (1) la dreapta (2). Apoi
profilul scade spre zero dreapta (4), iar curentul de colector scade exponenial spre zero.
Timpul de stocare
Comutarea invers a tranzistorului ncepe din momentul n care tensiunea de comand uI
comut la valoarea negativ U2 . Curentul de colector nu se modific pe durata extragerii din baz a
sarcinii n exces. n acest timp, numit timp de stocare ts , profilul purttorilor minoritari din baz se
modific conform figurii 3.39.b, de la dreapta (1) la dreapta (2). Dup cum se constat din figura
3.38.d, curentul de baz devine negativ, deoarece uBE rmne aproximativ 0,7V n timp ce
tensiunea uI devine negativ, uI = U2. Curentul invers I2 ajut la ndeprtarea mai rapid a sarcinii
suplimentare Qs din baz (n absena acestui curent, sarcina Qs dispare doar datorit recombinrii).
Se poate arta [1] c timpul de stocare poate fi calculat cu relaia:
I B1 I B 2 I Csat U CC
t s = s ln , unde I Bsat = . (3.130)
I Bsat I B 2 N N RC
IB 2 este negativ conform figurii 3.38.d: IB 2 = (U2 UBE )/RB (cu U2 0).
Pentru exemplul din figura 3.38, IB 2 = (2 0,85)/1k= 2,85mA, IB sat = 230m/1501,53mA
i s se poate exprima din (3.130): s = 53n/ln[(4,2m + 2,85m)/(1,53m + 2,85m)]=111ns.
Dup ce sarcina suplimentar a fost extras, curentul de colector scade exponenial cu o
constant de timp care depinde de capacitile jonciunilor. n acest timp panta profilului de
impuriti scade spre zero, conform figurii 3.39.b. n final, iB scade la zero, atunci cnd capacitatea
jonciunii de emitor Je se ncarc la tensiunea negativ U2 (la blocare Je va fi polarizat invers).
O metod de reducere a timpilor de comutaie, const din introducerea unui condensator CB
n paralel cu rezistena RB (figura 3.38.a). Valoarea acestuia se calculeaz astfel nct variaia
sarcinii n condensator (la comutaia invers) s fie cel puin egal cu sarcina stocat n baz:
QC Qs sau CB (U1 U2 ) s (IB1 IB sat ), de unde rezult:
3.6 CONSTRUCIA I FUNCIONAREA TRANZISTORULUI 133
s U 1 U BE U
CB CC . (3.131)
U1 U 2 RB N RC
Pentru exemplul din figura 3.38, rezult:
CB 111n (4,2m 1,53m)/7= 42pF. Dac se
simuleaz din nou circuitul din figura 3.38.a, cu
CB = 47pF, se constat (figura 3.40.c) c timpii
de comutare direct se reduc practic la zero:
td =0 i tr , ton<1ns. Accelerarea comutrii
directe se datoreaz impulsului de curent de
comand care apare la ncrcarea capacitii CB ,
produs de frontul abrupt al tensiunii de intrare.
Fa de situaia fr condensator (com-
parnd figurile c i b), se constat c timpul de
cdere tf rmne practic nemodificat (la 39ns) i
timpul de blocare toff scade de aproape trei ori
(de la 75ns la 27ns) pe seama scderii apreciabile
a timpului de stocare ts (de la 53ns la 5ns; n
figur, timpul de stocare este timpul de la frontul
cztor al uI , 300ns, la cursorul C2).
Formele de und rezult pentru un impuls
de intrare cu timpi de cretere i de cdere
neglijabili de mici fa de timpii de rspuns ai
tranzistorului i considernd c sursa de intrare
poate furniza impulsuri de curent apreciabile
(care apar prin condensatorul CB n timpul
comutaiilor), sau cu alte cuvinte, pentru o surs
cu rezisten intern neglijabil. Nici una dintre
aceste ipoteze nu este satisfcut de multe dintre
circuitele practice. Efectul rezistenei finite a
sursei de semnal (RG =200, 20% din RB ,
considerat n serie cu tensiunea uI din figura
3.38.a) este prezentat n figura 3.40.d.
Comparnd aceast situaie cu situaia idealizat
din figura 3.40.c (cu RG = 0) se constat o cre-
tere a timpilor de comutare direct: tr =19ns,
ton= 6ns, timpul de blocare toff =24ns scade
puin, i timpul de stocare crete, ts =12ns.
Fig. 3.40. Inversorul cu TB saturat.
n orice caz, condensatorul CB conduce
Variaia curentului de colector n timp
la o reducere semnificativ a timpilor de
pentru diferite configuraii la intrare.
comutare.
n concluzie, pentru tranzistorul bipolar n saturaie, cel mai important element de limitare a
vitezei de comutare a tranzistorului este timpul de stocare ts , a crui valoare este proporional cu
gradul de saturaie al tranzistorului. Pentru a obine circuite care comut rapid, saturaia trebuie
evitat, sau gradul de saturaia trebuie s fie ct mai redus, sau se utilizeaz un condensator de
accelerare n circuitul bazei.
134 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
iI iO iC
Fig. 3.41. TB privit ca un cuadripol.
iB
uI IN OUT uO u CE
a) schema bloc a unui cuadripol, uBE
b) TB tip npn n conexiunea EC.
a) b)
Caracteristicile statice ale cuadripolilor reprezint relaia (grafic) dintre trei mrimi: una n
abscis, una n ordonat i cealalt considerat ca parametru. Caracteristicile cuadripolilor pot fi:
- de ieire: iO = f ( uO ) cu II parametru (iI =constant pentru fiecare curb), sau cu UI parametru,
- de intrare: iI = f ( uI ) cu UO parametru,
- de transfer: iO = f ( iI ) cu UO parametru. n general caracteristica de transfer este o mrime de
ieire funcie de o mrime de intrare cu cealalt mrime de ieire parametru.
Pentru a putea considera TB ca un cuadripol este necesar ca un terminal s fie comun intrrii
i ieirii cuadripolului. Acest terminal reprezint masa electric a montajului i va fi considerat
referin de potenial. Terminalul conectat la mas determin conexiunea tranzistorului. n cazul
conexiunii emitor comun (EC), emitorul este la mas, intrarea este ntre baz i emitor iar ieirea
ntre colector i emitor, conform figurii 3.41.b. Pentru trasarea caracteristicilor statice, schema
simplificat din figura 3.41.b este completat cu surse de alimentare reglabile i aparate de msur.
La tranzistorul de tip npn, caracteristicile statice (obinute prin simularea circuitului realizat cu un
tranzistor de tip 2N2222) sunt prezentate n figurile 3.42 i 3.43. n planul caracteristicilor de ieire
din figura 3.43.a s-a trasat cu linie punctat i curba UCE =UBE, care delimiteaz regiunea activ
normal (RAN, cu UCE >UBE) de saturaie.
I B [A]
40
Fig. 3.42. Caracteristicile de intrare ale
tranzistorului npn n conexiunea EC.
- Caracteristica de intrare este de fapt caracteristica
unei diode. Variaia tensiunii UBE cu IC este mic UCE =0,1V
(UBE =0,50,7V pentru IC =0,0240mA). UCE =10V
20
- Modificarea tensiunii UCE, parametru la care se
traseaz curba, produce un efect nesemnificativ;
Caracteristica etichetat n figur cu UCE =10V este
practic aceeai pentru UCE =0,5...20V (n RAN). UBE [V]
0 0,4 0,8
3.7 CARACTERISTICI ALE TRANZISTORULUI BIPOLAR 135
I C [mA] I C [mA]
10 I B = 50A 10
UCE = 6V
I B = 40A
UCE = 1V
UCE = UBE I B = 30A
5 5
I B = 20A
UCE = 0,1V
I B =10A
i B [A] iC [mA]
40
10
UCC
30 RC
UBB
IB RB
5 I B = 20A
IC
10
uBE [V] uCE [V]
0
0 UBE 1 3 UBB 5 0 5 UCE 15 UCC
a) b)
Fig. 3.44. Determinarea psf din caracteristicile statice ale TB: a) la intrare, b) la ieire.
Dreptele corespunztoare circuitelor de polarizare s-au trasat prin "tieturi"; punctele de
coordonate {0, UBB /RB} i {UBB, 0} la intrare, respectiv {0, UCC /RC} i {UCC, 0} la ieire.
136 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
T2K aplicat n circuitul de ieire, numit dreapt de sarcin static (n cc), este:
U CC = R C i C + u CE . (3.133)
La intersecia dintre dreapta static de sarcin i caracteristica de ieire corespunztoare
curentului IB determinat anterior, rezult coordonatele psf n circuitul de ieire (IC i UCE), ca n
figura 3.44.b. n cazul n care nu exist nici o caracteristic avnd ca parametru valoarea curentului
IB, se traseaz o astfel de caracteristic prin interpolarea caracteristicilor existente.
Metoda grafo-analitic se utilizeaz rar deoarece este laborioas i presupune cunoaterea
prealabil a caracteristicilor statice ale tranzistorul. n practic, se prefer metodele analitice de
calcul ale psf care utilizeaz modelele liniarizate de semnal mare ale TB prezentate anterior.
a) b)
Fig. 3.45. Exemple de caracteristici de catalog ale TB (npn, medie putere, tip BD135,137,139):
a) Reducerea puterii disipate maxime cu temperatura (Ptot =12,5W la TC 25C), b) Ariile de
siguran n cc i n regim de impulsuri (I C =1,5A, I CP =3A, VCE0 =60V la BD137).
Aria de siguran (Safe Operating Area) reprezint limitele valorilor tensiunilor VCE i
curenilor I C pentru care tranzistorul prezint un regim termic stabil i este reprezentat n foile de
catalog ca un domeniu al planului I C VCE cu axele gradate logaritmic (3.45.b). Domeniul cel mai
restrictiv este pentru cazul funcionrii tranzistorului n cc. Sunt trasate i domenii admise pentru
funcionare n regim de impulsuri. Aceste domenii sunt limitate de curentul I C maxim, tensiunea
VCE maxim, puterea admisibil Ptot i curba strpungerii secundare. Strpungerea secundar se
manifest prin scderea brusc a tensiunii VCE , apare n general la tensiuni mari i se datoreaz
creterii densitii de curent n anumite puncte datorit neregularitilor de structur, compoziie sau
form ale tranzistorului. Existnd o densitate local mare de curent cristalul se nclzete mai mult
n acel punct, ceea ce i crete conductivitatea, deci curentul prin aceast zon crete i mai mult,
nclzirea local i ea, apare astfel un proces regenerativ. Factorii care favorizeaz apariie
strpungerii secundare n regim de impulsuri sunt energia impulsului i temperatura jonciunii.
138 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
N
Zona I Zona I I Zona I I I
300
T = 125 C
200
T = 25 C
100 T = -55 C
IC
0
10A 0,1mA 1mA 10mA 0,1A 1A
Fig. 3.45. Curbele de dependen N IC (tipice) pentru diferite temperaturi.
Caracteristicile sunt obinute prin simulare (pentru tranzistorul npn de tip 2N2222).
Axa curentului IC este gradat logaritmic pentru a vizualiza un domeniu larg de cureni.
Variaia lui N cu curentul de colector, evideniat n figura 3.45, poate fi mprit n trei
zone. Zona I este zona curenilor mici, n care N scade odat cu scderea curentului (la cureni de
colector foarte mici N este proporional cu I C ). n zona II, care corespunde valorilor medii ale
curentului, N este aproximativ constant. Zona III este zona de curent mare n care N scade odat
cu creterea curentului (la cureni foarte mari factorul de curent este proporional cu 1/IC).
O consecin direct a variaiei lui N este faptul c 0 are o valoare diferit de N. Relaia
dintre factorii de amplificare poate fi obinut prin diferenierea funciei iC = N iB n raport cu iB .
Folosind relaiile (3.135) se obine:
N
0 = .
d N iC (3.136)
1
d iC N
Aceast relaie arat c dac N depinde de iC , atunci 0 N (derivata din relaia de mai sus este
nenul). Astfel, n zona curenilor mici (zona I, unde derivata este pozitiv), 0 >N iar n zona
curenilor mari (zona III, unde derivata este negativ), 0 < N . n zona curenilor medii, N fiind
aproximativ constant, derivata din relaia precedent este practic nul i 0 N . n calculele uzuale
se consider o valoare unic pentru factorii de amplificare, notat simplu cu .
Un exemplu numeric poate fi edificator pentru nelegerea implicaiilor practice ale variaiei
factorului N cu curentul de colector. Se consider tranzistorul cu caracteristicile din figura 3.45 la
temperatura normal T=25C. La cureni medii (5mA 50mA), 0 N 180. Amplificrile scad
semnificativ la cureni mari; la IC1=0,13A, N1150 i la IC2 =0,5A, N2 100. Aproximnd
diferenialele din relaia (3.136) cu diferene finite rezult:
N2 100
02 = = 60 ,
N I C 2 150 130 0,5
1 1
iC N 2 0,5 0,13 100
deci factorul dinamic de amplificare la iC2 =0,5A este doar o treime din cel de la cureni medii.
140 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Dependena lui N de tensiunea UCE este datorat aa numitului efect Early: creterea ten-
siunii UCB (=UCE UBE ) duce la creterea limii regiunii golite a Jc i la micorarea grosimii
efective a bazei (WB n figura 3.33). Ca urmare se reduce recombinarea n baz, scade curentul de
baz pentru acelai curent de colector i crete N (ca raport al curenilor IC /IB ). N depinde cu att
mai mult de UCE cu ct tranzistoarele au baza mai ngust i implicit un factor N mai mare
(amplificarea n curent este mare deoarece recombinarea n baza ngustat este mic). Deci pentru
ca efectul Early s fie mai puin important, trebuiesc utilizate tranzistoare cu factorul N mai mic.
UBE 3
IC
UBE 2
UBE 1
uCE
UA 0 UCE
Fig. 3.46. Tensiunea Early UA pus n eviden din caracteristicile de ieire ale TB.
142 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
b c
Fig. 3.47. Circuitul echivalent de semnal mic,
gm ube fundamental, al tranzistorului bipolar.
r Cde ro
ube IC 0 UA
gm = , r = , C de = F g m , ro =
UT gm IC
e
n continuare, acestui model i se vor aduga elemente suplimentare care modeleaz efectele
parazite i cele de ordinul doi (mai puin importante).
Rezistena colector-baz
Un efect de ordinul doi este dat de variaiile tensiunii UCE asupra sarcinii de purttori
minoritari din baz. Creterea tensiunii UCE determin creterea limi regiunii golite a jonciunii de
colector, i deci, reducerea grosimii bazei (prin efect Early). Ca urmare sarcina total de purttori
minoritari n baz se micoreaz, ceea ce corespunde unei scderi a curentului de baz IB (scade
recombinarea n baz). Deoarece o cretere duCE a tensiunii UCE determin o scdere diB a
curentului IB , acest efect se poate modela prin introducerea unei rezistene r ntre colector i baz.
innd cont de relaiile (3.135) i (3.141), valoarea acestei rezistene este:
du CE duCE diC
r = = = ro 0 . (3.144)
di B d iC d i B
Aceast relaie este corect dac se consider curentul de baz ca fiind identic cu curentul de
recombinare n baz. La tranzistoarele moderne, valoarea curentului de recombinare poate s
reprezinte doar 10% din curentul de baz (componenta de difuzie a purttorilor majoritari din baz
spre emitor fiind determinant pentru IB ). Ca urmare valoarea pentru r poate fi 10 0 ro , iar
valoarea indicat de relaia (3.144) reprezint limita inferioar pentru r . Datorit valorii foarte mari
a acestei rezistene (Msute de M) ea este de obicei neglijat.
3.8 ELEMENTELE SUPLIMENTARE ALE MODELULUI DE SEMNAL MIC 143
Exemplu
S se deduc elementele circuitului echivalent de semnal mic pentru un tranzistor bipolar
care lucreaz n punctul static de funcionare: IC =10mA i UCB =5V, pentru UT =25mV.
Parametrii tranzistorului (estimai pe baza datele de catalog ale tranzistorului 2N2222) sunt
hfe =200, F =0,6ns, UA =70V, Cob0 =8pF (la UCB =10V), Cib0 =30pF (la UEB =0,5V), rb =20,
rc =2 i r =2 0 ro . Cele dou jonciuni se consider ca fiind gradate cu m=1/3 i U0 =0,6V.
rb C
ic
ib r C gm ub'e ro Ccs ic
ib
ub'e
a) b)
Fig. 3.50. Determinarea frecvenei de tiere a tranzistorului fT :
a) schema de curent alternativ, b) circuitul echivalent de semnal mic.
g m j C gm
0 = ; (3.150)
g + j (C + C ) g + j (C + C )
Din (3.152) rezult pulsaia i frecvena de tiere a tranzistorului pentru | 0 (j)| =1:
gm 1 gm
T = sau fT = . (3.153)
C + C 2 C + C
Relaia anterioar este adevrat pentru frecvene suficient de mari, mai concret dac partea
imaginar a numitorului din relaia (3.151) este mult mai mare dect unitatea:
1 gm
r (C + C ) >> 1 , adic >> = = T = , (3.156)
r (C + C ) 0 (C + C ) 0
unde reprezint pulsaia de frngere, pulsaia la care partea real este egal cu partea imaginar
a lui 0 (j). Prin urmare se definete ca fiind pulsaia la care modulul amplificrii n curent
scade la 0 / 2 (scade cu 3dB fa de amplificarea de la frecvene joase).
Dependena amplificrii n curent de frecven poate fi ilustrat ca n figura 3.51.
| 0 ( ) | [dB]
caracteristica asimptotic
Fig. 3.51. Dependena de frecven (pulsaie) a
0
modulului ctigului n curent la semnal mic.
3dB Caracteristica asimptotic este funcia | 0 ( )|
liniarizat pe poriuni, format din semidreptele
care se ntlnesc n punctul { 0 , }.
20 dB
20dB/dec
(scar logaritmic)
0 dB
0,1 T T
Determinarea experimental a pulsaiei (frecvenei) de tiere se face prin msurarea mrimii
| 0 (j)| la o pulsaie la care valoarea sa este de 510, iar T se calculeaz din relaia (3.155). n
figura 3.51 s-a reprezentat cazul n care | 0 (j)| =10(=20dB), caz n care =0,1 T . Caracteristica
n zona n care se face msurarea are o pant de 20dB/decad, adic amplificarea scade cu 20dB
pentru o cretere a frecvenei cu un factor 10 (o decad).
innd seama (3.153) i de (3.140), constanta de timp T asociat pulsaiei de tiere este:
1 C + C C de Cbe C C C
T = = = + + = F + be + , (3.157)
T gm gm gm gm gm gm
expresie care arat c T este dependent de curentul de colector IC din psf (prin intermediul lui
gm ) atingnd o valoare constant la valori mari ale curentului de colector. La valori mici ale
curentului IC termenii care conin capacitile Cbe i C sunt dominani, determinnd o cretere a lui
T i respectiv o scdere a frecvenei fT, odat cu scderea curentului IC . Aceast comportare este
ilustrat n figura 3.52 care reprezint o curb tipic a dependenei frecvenei fT de curentul static
de colector IC . Aceast teorie simpl nu prevede scderea frecvenei fT la cureni mari de colector;
scdere datorat creterii constantei T ca urmare a efectelor de nivel mare de injecie (la cureni
mari, concentraia purttorilor minoritari din baz devine comparabil cu concentraia purttorilor
majoritari). Practic, din caracteristica de catalog fT -IC se determin valoarea maxim a frecvenei
de tiere fTmax (sau se poate considera valoarea de catalog fT ca fiind fTmax ). Folosind aceast
mrime, se poate calcula constanta F (necesar la determinarea capacitii de difuzie Cde din baza
tranzistorului): 1
F = . (3.158)
2 f T max
148 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
400
fT VCE =20V
[MHz] TJ = 25C
300
0
1 10 IC [mA] 100
Exemplu
a) La un curent de colector IC 1 =1mA, tranzistorul a crui caracteristic este dat n figura
3.52, are o frecven de tiere fT 1 =90MHz, iar la IC 2 = 4mA, fT 2 =200MHz. S se calculeze T
i Cbe, presupunnd c ambele mrimi sunt constante. Se consider C = 8pF, UT = 25mV i se
neglijeaz efectele legate de nivelul mari de injecie (valorile fiind din zona curenilor mici).
b) Considernd fTmax=320MHz s se calculeze T cu relaia (3.158) i s se compare cu
rezultatul obinut prin metoda precedent.
n final trebuie precizat c modelul complet al tranzistorului bipolar (care a fost utilizat n
aceast analiz) este potrivit numai pentru frecvene mai mici dect circa 0,2 T , pentru frecvene
mai mari, rb i C trebuiesc considerai ca elemente cu parametrii distribuii. O alt observaie
referitoare la modelul de nalt frecven al tranzistorului din figura 3.48, este c la frecvene mai
mari dect circa 10 , se poate ignora rezistena r (capacitatea C fiind dominant, XC<<r).
Rezistena rb rmne singurul element rezistiv la intrare i are un rol major n ceea ce privete
comportarea tranzistorului la frecvene mari. De aceea, determinarea precis a rezistenei rb se poate
face printr-o msurtoare la nalt frecven.
3.8 ELEMENTELE SUPLIMENTARE ALE MODELULUI DE SEMNAL MIC 149
ii io
ii ri io
ui in out uo ui hf i i 1 uo
hr uo ho
a) b)
Fig. 3.53. Cuadripol n regim dinamic:
a) Schema bloc cu mrimile electrice de cuadripol, b) Circuitul echivalent cu parametrii h.
u
hr = i factorul de transfer invers n tensiune, cu intrarea n gol (factor de reacie);
uo i = 0
i
i
hf = o factor de transfer direct n curent, cu ieirea n scurtcircuit (amplificare n curent);
ii u = 0
o
i
ho = o admitana de ieire cu intrarea n gol.
uo i = 0
i
Parametrii hibrizi sunt diferii din punct de vedere dimensional i se obin prin msurtori efectuate
n condiii de gol sau de scurtcircuit pentru componenta de ca (de semnal).
n unele cataloage se dau valorile parametrilor h la joas frecven (1 kHz), pentru un
anumit psf (de exemplu IC =1mA i UCE =5V) i o anumit temperatur (25C). De asemenea, n
foile de catalog se dau uneori curbe tipice de variaie, care prezint modificarea relativ a
parametrilor fa de valoarea de referin.
+UCC
+UCC
RC CC
RB RC CC
RB
ic
CB io ic
Rg ii ib CB
uc
RL
ug uc
ub ub
a) b)
Fig. 3.54. Circuite pentru msurarea parametrilor hibrizi: a) hie , hfe i b) hre .
3.8 ELEMENTELE SUPLIMENTARE ALE MODELULUI DE SEMNAL MIC 151
Semnalul de intrare ii este determinat din legea lui Ohm aplicat rezistenei Rg de valoare
cunoscut. Dac RB este mare, atunci:
u g ub
ib ii = . (3.163)
Rg
Tensiunea de semnal de la intrare ub poate fi msurat n baza tranzistorului. Folosind
curenii determinai anterior, se pot calcula parametrii hie i hfe :
u i
hie = b i h fe = c . (3.164)
ib ib
Msurarea hre se poate face cu circuitul din figura 3.54.b. i la acest circuit RB trebuie s
fie mare (mult mai mare dect r ) iar tensiunea de intrare ub se msoar cu un voltmetru a crui
rezisten intern este mare, asigurndu-se astfel condiia de mers n gol la intrare. Parametrul hre se
calculeaz conform definiiei: u
hre = b . (3.165)
uc
Rezistena de ieire hoe este prin definiie panta caracteristicilor de ieire ale tranzistorului
i de aceea poate fi determinat din caracteristicile statice ale tranzistorului n conexiunea EC.
(Determinarea hoe din circuitul din figura 3.54.b este principial posibil, ns erorile de msur pot fi mari,
deoarece hoe poate fi mult mai mare dect rezistena RC cu care apare n paralel, n regim dinamic.)
Pentru a obine legtura dintre parametrii hie i hfe i parametrii modelului -hibrid, se
folosesc relaiile obinute din schema echivalent din figura 3.55.a:
hie = rb + (r || r ) rb + r (3.166)
i h fe = g m r . (3.167)
Se poate observa c, prin definiie, hfe este identic cu 0 i c relaia (3.167) este identic cu
formulele utilizate anterior pentru 0 , de exemplu (3.147).
ub r gm ub'e ro uc =0 ic ub r gm ub'e ro uc
ub'e ub'e
e e e e
a) b)
Fig. 3.55. Circuite echivalente de ca utilizate pentru a obine relaiile dintre parametrii hibrizi
i parametrii naturali: a) pentru hie i hfe ; b) pentru hre (i hoe ).
Expresiile pentru hie i hfe se pot calcula din circuitul echivalent din figura 3.55.b:
r r
hre = (3.168)
r + r r
i 1 0
hoe + . (3.169)
ro r
Expresiile de mai sus pot fi utilizate pentru a calcula parametrii modelului -hibrid cu
ajutorul parametrilor hibrizi msurai:
I
gm = C , (3.170)
UT
152 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
h fe
r = , (3.171)
gm
rb = hie r , (3.172)
r
r = , (3.173)
hre
1
h fe
ro = hoe = VA . (3.174)
r I
C
Deoarece rb << r , ecuaia (3.172) nu va duce la o determinare precis a rezistenei rb . De
fapt, deoarece rezistena serie a bazei rb are un rol major la nalt frecven (dup cum s-a artat
ntr-un paragraf anterior), ea se poate determina precis printr-o msurare de nalt frecven.
Exemplu
Se consider circuitul din figura 3.54.a cu Rg =10k, RB =100k, RC =10k i RL =100.
Valorile efective ale tensiunilor alternative, msurate la joas frecven sunt: Ug =15mV,
Ub =5mV i Uc =20mV.
a) S se calculeze hie i hfe att aproximativ (conform relaiilor anterioare) ct i exact
(innd seama i de curenii care circul prin RB i prin RC ).
b) Dac rb = 50 (determinat pe baza unei msurtori suplimentare efectuat la nalt
frecven), s se calculeze r , re , gm i IC .
c) Circuitului modificat conform figurii 3.54.b i se aplic un semnal Ug = 5V cu frecven
foarte mic. Dac s-a msurat Ub =1mV s se calculeze hre .
d) Cu rezultatele de la punctul c i b s se calculeze r . S se determine frecvena la care
reactana condensatorului C =10pF este egal cu r .
Tensiunea termic este UT =25mV i condensatoarele se consider scurtcircuite n ca.
U b U g U b U b 15m 5m 5m
Ib = Ii = = = 0,95A
RB Rg RB 10k 100k
Parametrii hie i hfe , calculai conform (3.164) considernd valorile exacte ale curenilor:
3.9 MODELAREA TB N SPICE 153
5m 198
hie = = 5,26k i h fe = = 208,4
0,95 0,95
sunt cu 5,2%, respectiv cu 4,2% mai mari dect valorile calculate aproximativ. Diferena
destul de mic dintre valorile exacte i cele aproximate permite utilizarea relaiilor
aproximative (pentru RB >> hie i RC >> RL ).
b) Din (3.166) se determin r : r = hie rb = 5260 50 5,2k .
Pe baza relaiilor (3.171) i (3.170) se determin gm i IC :
h fe 208 mA
gm = = = 40 i I C = g m U T = 40m 25m = 1mA .
r 5,2k V
1
Rezistena de intrare n emitor re se poate determina din (3.76): re = 25 .
gm
U b 1m
c) Din (3.165) se calculeaz hre : hre = = = 2 10 - 4 .
Uc 5
r 5,2k
d) Din (3.168) se determin r : r = = = 26M .
hre 0,2m
Se remarc valoarea foarte mare a acestei rezistene. Reactana condensatorului C este
egal cu r la o frecven destul de mic:
1 1 1
X C = = r f = = = 612Hz .
2 f C 2 C r 2 10p 26M
E
154 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
Modelul diodei exponeniale, relaia (2.63), conine un indice suplimentar n, care ine seama de
abaterile fa de caracteristica ideal a jonciunii. La ecuaiile modelului de transport acest indice,
numit coeficient de emisie, a fost considerat unitar. Modelul SPICE al TB permite definirea unor
coeficieni de emisie neunitari, cte unul pentru fiecare jonciune.
Dup cum se poate vedea din figur, modelul SPICE include rezistenele ohmice ale celor
trei regiuni ale tranzistorului: rC pentru colector, rx pentru baz i rE pentru emitor. Funcionarea
dinamic a tranzistorului este modelat de cele dou capaciti neliniare CBE i CBC , care sunt
compuse fiecare dintr-o capacitate de difuzie i una de barier. La tranzistoarele din circuitele
integrate se utilizeaz i capacitatea de barier a jonciunii colector-substrat CCS .
Pentru analiza de semnal mic n RAN, modelul SPICE se reduce la circuitul echivalent
complet din figura 3.48.
Modelul SPICE al TB include peste 40 de parametrii. Cei mai importani dintre acetia sunt
dai n tabelul 3.2. Sunt listate, de asemenea, valorile implicite ale acestor parametrii (utilizate de
SPICE n absena unor valori specificate de utilizator) i valorile pentru tranzistorul 2N2222
(literele reprezint multiplicatori: f fempto,10-15; p pico,10-12; n nano,10-9; u micro,10-6).
Tab. 3.2. Parametrii mai importani ai modelului de tranzistor bipolar din SPICE
Exemplu de simulare
a) Pentru amplificatorul din figura alturat s se calculeze psf pentru un tranzistor 2N2222
cu =150, UBE = 0,7V i s se compare cu psf obinut prin simulare.
1
Dac generatorul de la intrare are amplitudinea +UCC
R1 RC +10V
Ug_vf = 20mV i rezistena intern Rg = 5k, s se 82k 5k 7
2
determine amplificarea n tensiune a circuitului cu Rg 5 CB 3 CC
6
RL = 2k (Aug ) i cu RL = (Au0 ), pentru: CE
4 8
R2 uo R L
b) Re1 = 0 (etaj n conexiune EC), R
ug ui 17k E
Re1
1k
c) Re1 = 110 (amplificator cu Re 100),
att prin calcul simplificat ct i prin simulare. S se explice diferenele dintre cele dou metode.
Tensiunea termic este UT =26mV i condensatoarele se consider scurtcircuite n ca.
Rezolvare: Se vor utiliza metode de calcul manual ct mai exacte (fr aproximri),
astfel nct eventualele diferene s fie determinate n principal de modelele tranzistorului.
a) Parametrii sursei echivalente Thvenin, de polarizare a bazei, sunt:
R1 17 k
U BB U CC = 10 = 1,72V , R B = R1 || R2 = 14k .
R1 + R2 99k
Curentul de colector se calculeaz cu (3.53) i tensiunea UCE cu (3.55):
(U BB U BE ) 150 1,02
IC = = = 0,93mA ,
( + 1)RE + RB 151k + 14k
U CE = U CC (RC + R E ) I C = 10 6k 0,93m = 4,4V .
n urma simulrii circuitului descris cu fiierul text din figura 3.57, se obine:
UBE = 0,644V, N =154, IC =0,977mA, UCE =0,413V.
Dac se recalculeaz psf folosind datele (UBE i N ) din simulare:
154 (1,72 0,644)
IC = = 0,98mA , U CE = 10 6k 0,98m = 4,12V ,
155k + 14k
rezultatele obinute sunt practic identice cu rezultatele simulrii. Diferenele dintre calculele
manuale i simulare se datoreaz valorilor diferite ale datele iniiale, UBE i N ; metoda de
calcul nu introduce erori semnificative.
Parametrii de semnal mic ai tranzistorului se calculeaz din (3.67), (3.72) i (3.77):
156 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
I 0,98m mA 150 r 4k
gm = C = = 37,7 , r = = = 4k , re = = = 26,5 .
UT 26m V gm 37,7 m + 1 151
b) Amplificarea n tensiune i rezistena de intrare calculate cu (3.82) i (3.83) sunt:
Au 0 = g m RC = 37,7m 5k = -188,5 i Ri = RB || r = 14k || 4k = 3,1k .
Amplificarea n tensiune referitoare la generator se calculeaz din (3.85):
RL Ri
Aug = Au 0 = 188,5 0,286 0,383 = 20,65 (cu Ro RC = 5k ).
R L + Ro Ri + R g
r IC Re1 = 0 Re 100
N 0
(k) (mA) | Au0 | Ri (k) | Aug | | Au0 | Ri (k) | Aug |
Calcul iniial 150 150 4 0,93 188,5 3,1 20,65 39,5 8,1 7
Simulare 154 170 4,52 0,997 176,7 3,43 21,4 39,06 8,4 7,08
Calcul refcut 154 170 4,52 0,98 176,7 3,42 21,45 - - -
Amplif. cu TB in cnx.EC (cu Re=0 sau Re=100, cu RL=2k sau fara RL)
Vcc 1 0 10
Vg 6 0 ac 20m
Rg 6 5 5k
Cb 5 3 1
R1 1 3 82k
R2 3 0 17k
Q 2 3 4 Q2N2222
Rc 1 2 5k
RE 4 0 1k
Ce 4 8 1
Re1 8 0 1m ; Re10 , etaj cu un tranzistor n conexiunea EC,
*Re1 8 0 110
Cc 2 7 1
RL 7 0 2k ; cu rezistena de sarcin RL=2k
*RL 7 0 1G
.model Q2N2222 NPN(Is=14.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74 Bf=256 Ne=1.307
+ Ise=14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1
+ Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22p Mje=.377 Vje=.75
+ Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)
.op
.ac lin 1 1k 1k ; analiza de ca la 1kHz.
.print ac V(7) V(3) V(6) I(Rg) Ib(Q)
.end
Fig. 2.46. Selecii din fiierul de ieire (comentat). Este descris circuitul simulat,
se dau modelul i parametrii tranzistorului precum i rezultatele simulrii n ca.
S-a utilizat numerotarea nodurile circuitului din schema de principiu.
Trecerea la celelalte configuraii de circuit se face prin mutarea asteriscului (care indic
o linie-comentariu) ntre cele dou linii de fiier care ncep cu Re1, respectiv cu RL.
158 Cap. 3 TRANZISTOARE BIPOLARE
3.10 BIBLIOGRAFIE
[1] A.V. Crciun - Dispozitive i circuite electronice, Ed. Universitii Transilvania Braov, 2002.
[2] Sedra S.Adel, Kenneth C.Smith Microelectronic circuits, Oxford University Press, New York, 2-nd
Edition 1987, 4-th Edition 1998;
[3] Thomas L.Floyd - Electronic Devices, Merrill Publishing Company, Columbus, Ohio, 1988;
[4] E. Damachi, A. Tunsoiu, L. Dobo, N. Tomescu - Electronic, Ed. Did. i Pedag. Bucureti, 1979;
[5] R. Piringer, Gh. Samachi, S. Cserveny - Dispozitive electronice, Ed. Did. i Pedag. Bucureti, 1976;
[6] P. Gray, C. Searle - Bazele electronicii moderne, Editura Tehnic, Bucureti, 1973;
[7] T.M. Agahanean - Electronica cu tranzistori, Editura tiinific i Enciclopedic, Bucureti, 1980;
[8] Adrian V.Crciun - Large signal model for bipolar transistors, Proceedings of the 4-th International
Conference on Optimization of Electric and Electronic Equipments, vol.2, p.187-190, Braov 1994;
[9] A. Vtescu, .a. Dispozitive semiconductoare, Manual de utilizare, Ed. Tehnic, Bucureti, 1975;
[10] Paul R.Gray, Robert G.Meyer - Circuite integrate analogice, Analiz i proiectare, Ed.Th. Buc. 1997;
[11] Keneth R.Laker, Willy M.C.Sansen Design of analog integrated circuits and systems, McGraw-
Hill Book Co. Singapore, 1994;
[12] D. Dasclu, s.a. - Dispozitive i circuite electronice - Probleme, Ed. Did. i Pedeg. Bucureti, 1982;
[13] V. Croitoru, .a. - Electronic - Culegere de probleme, Ed. Didactic i Pedagogic Bucureti, 1982;
4.1 NOIUNI FUNDAMENTALE 159
Fig. 4.1. Simbolurile TEC i sensurile de referin ale curenilor i tensiunilor pentru:
a), b) TEC-MOS cu canal indus, respectiv iniial de tip n, c) TEC-J cu canal n;
d), e) TEC-MOS cu canal indus, respectiv iniial de tip p, f) TEC-J cu canal p.
160 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
iD iD
UGS 3 (= 4UP)
Regiunea Regiunea de
rezistiv saturaie
UGS 2 (= 3UP)
(IDSS )
UGS 1 (= 2UP)
UGS 0 ( UP) uDS uGS
0 UDS sat2 (=UGS 2 UP) (UP) 0 UP
Fig. 4.2. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal indus de tip n:
a) Caracteristicile de dren, b) Caracteristica de transfer n saturaie, (caracteristica de transfer
trasat cu linie ntrerupt este a unui TEC cu canal iniial de tip n).
Dac tensiunea de control este mai mare dect UP, prin tranzistor circul curentul de dren
iD pozitiv (pentru o tensiune uDS pozitiv) i tranzistorul se afl n conducie. Caracteristicile de
dren ale tranzistorului, trasate experimental n figura 4.2.a, pun n eviden regimurile de
funcionare ale TEC-MOS. Pentru fiecare caracteristic (trasat la uGS = UGS =constant), la tensiuni
uDS suficient de mari (n dreapta liniei punctate dat de relaia 4.4), se poate considera curentul de
dren ca fiind constant. Acest regim de funcionare se numete saturaie deoarece curentul nu mai
crete (se satureaz) dac uDS crete peste valoarea de saturaie:
UDSsat = UGS UP , (4.4)
n saturaie curentul de dren depinde numai de tensiunea gril-surs conform funciei parabolice:
4.1 NOIUNI FUNDAMENTALE 161
k
i D = n (u GS U P )2 , pentru u DS > uGS U P , (4.5)
2
unde kn este factorul de conducie pentru tranzistorul cu canal n (se mai numete parametru de
transconductan). Saturaia la TEC-MOS (la TEC n general) are un neles diferit de saturaia de la
tranzistoarele bipolare; aceast situaie neplcut nu mai poate fi schimbat deoarece ntreaga
literatur electronic utilizeaz aceast terminologie.
Funcia (4.5) reprezint caracteristica de transfer n saturaie i este trasat n figura 4.2.b.
Relaiile (4.1) i (4.5) definesc circuitul reprezentat n figura 4.3. Acesta este de fapt circuitul
echivalent de semnal mare al TEC n saturaie, un generator de curent controlat n tensiune.
Se observ c pentru uDS = uDSsat (= uGS UP), din relaia (4.6) se obine relaia (4.5), deci
valoarea curentului n punctul de tranziie de la o regiune la alta poate fi calculat cu oricare dintre
relaiile specifice celor dou regiuni, funcia care descrie TEC fiind continu.
Dac tensiunea uDS este foarte mic, termenul ptratic devine nesemnificativ i relaia (4.6)
se poate simplifica:
i D = k n (uGS U P ) u DS , pentru u DS << uGS U P . (4.7)
n acest regim liniar de funcionare, conductana echivalent a TEC depinde liniar de tensiunea de
control uGS i are o valoare fix pentru o tensiune UGS constant:
iD
g DS = = k n (U GS U P ) , pentru u DS << U GS U P . (4.8)
u DS
Comportarea liniar a tranzistorului se menine i pentru tensiuni uDS negative (apropiate de zero).
Prin urmare, pentru tensiuni uDS mici, TEC se comport ca o rezisten controlat n tensiune.
acestuia este descris cu aceleai relaii: (4.3) n blocare, (4.5) n saturaie, (4.6) n regim rezistiv,
(4.7) i (4.8) n regim liniar.
Caracteristica de transfer n saturaie pentru TEC-MOS cu canal iniial de tip n este trasat
cu linie ntrerupt n figura 4.2.b. Curentul de dren n saturaie la polarizare nul a grilei este IDSS
(curentul dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs) i este un parametru al tranzistoarelor cu canal
iniial. Din relaia (4.5), pentru uGS =0, se obin legturile dintre IDSS i kn :
k 2 I DSS
I DSS = n U P2 respectiv kn = . (4.10)
2 U P2
Cu parametrul IDSS , caracteristica de transfer n saturaie (4.5) devine:
2
u
i D = I DSS 1 GS , pentru u DS > uGS U P , (4.11)
UP
Tranzistoarele cu efect de cmp cu canal iniial pot fi de tip MOS (cu grila izolat), sau
TEC-J (cu gril jonciune). Relaia (4.11) este utilizat de obicei pentru tranzistoarele TEC-J.
Deoarece izolarea grilei de canal se realizeaz prin jonciunea gril-surs polarizat invers,
tensiunea de control a unui TEC-J cu canal n trebuie s fie negativ:
u GS 0 . (4.12)
Se pot admite tensiuni uGS pozitive pentru TEC-J cu canal n doar dac au valori mai mici dect
tensiunea de deschidere a unei diode (circa 0,5V la siliciu).
Relaiile (4.11) arat c tranzistorul trebuie s fie n regiunea de saturaie; pentru uGS =0
trebuie ca: u >U la TEC cu canal n i u > U la TEC cu canal p. (4.15)
DS P SD P
Introducerea unui circuit suplimentar de polarizare a grilei permite modificarea curentului la
TEC cu canal iniial precum i utilizarea ca surse de curent constant a TEC-MOS cu canal indus.
Exemplu
Se consider un tranzistor TEC-J cu canal n cu parametrii: IDSS =4mA i UP = 2V,
alimentat cu o tensiune dren-surs foarte mic uDS 0.
a) S se calculeze conductana i rezistena echivalent dintre drena i sursa tranzistorului
pentru uGS =0 (n cazul scurcircuitrii grilei cu sursa). Cu ct se modific rezistena echivalent
dac se modific tensiune dren-surs la UDS = UP /4 ?
b) S se reprezinte grafic conductana i rezistena echivalent dintre drena i sursa
tranzistorului (raportate la valorile calculate anterior) n funcie de tensiunea uGS (raportat la
tensiunea de prag UP ) pentru uGS =0UP .
gds rds
gds max rds min
1
12
3/4
8
1/2
1/4 4
Rezistenele din divizor se aleg de valori foarte mari (M, alegere posibil datorit
curentului de gril foarte mic, iG 0) i de aceea curentul prin aceste rezistene poate fi neglijat fa
de curentul iD prin tranzistor.
Scopul analizei urmtoare este obinerea funciei rDS (uCda).
Curentul de gril al TEC este foarte mic ( iG 0) i prin cele dou rezistene circul acelai
curent (iR >> iG ). Din legea lui Ohm aplicat succesiv celor dou rezistene egale rezult:
u u GS u GS uCda u + u Cda
i R = DS = i u GS = DS . (4.16)
R R 2
Se consider c TEC lucreaz n regiunea rezistiv. Prin nlocuirea relaiei precedente n
(4.6) se obine:
u i u
i D = k n Cda U P u DS i g DS = D = k n Cda U P , (4.17)
2 u DS 2
o relaie liniar ntre gDS i uCda. Liniaritatea se pstreaz pe ntreg domeniul de valabilitate al
relaiei (4.6), adic pentru uDS < uGS UP. nlocuind uGS din (4.16) rezult:
uCda > u DS + 2 U P . (4.18)
La TEC-J, grila trebuie s fie polarizat invers. La TEC-J cu canal n , uGS <0. innd seama
de (4.16) rezult: uCda < u DS . (4.19)
n general pentru ca orice TEC cu canal n (indiferent de tip) s fie n conducie trebuie s fie
respectat condiia mai puin restrictiv:
uGS > U P i din (4.16): u Cda > 2 U P u DS . (4.20)
Din condiiile anterioare se obin limitele tensiunii de comand uCda n funcie de valorile
posibile ale tensiunilor din circuit (de exemplu, la TEC cu canal iniial de tip n tensiunea UP este
negativ iar tensiunea uDS poate fi pozitiv sau negativ).
Exemplu
Parametrii TEC-J din figura 4.7 sunt IDSS =4mA i UP = 2V. Dac se folosesc dou
rezistene egale R =1M, s se determine:
a) limitele ntre care conductana echivalent a TEC gDS se modific liniar cu tensiunea de
comand uCda, dac uDS variaz ntre uDS min = 1V i uDS max =1V.
b) Ct devin aceste limite dac domeniul de variaie al tensiunii aplicate tranzistorului se
reduce de 10 ori (la uDS = 0,10,1V).
Rezistene controlate n tensiune cu TEC pot fi folosit la: circuite de modulare, controlul
automat al amplificrii, reglarea automat a amplitudinii, oscilatoare comandate n tensiune .a.
n continuare se analizeaz una dintre cele mai simple configuraii, realizat cu un TEC-J cu canal n
conectat la mas, ca n figura 4.9.a. Tranzistorul deconecteaz sau conecteaz la mas rezistena de
sarcin RL care este conectat la rndul ei la sursa de semnal u .
Semnalul de control este aplicat n grila tranzistorului. Cnd acest semnal este nul, TEC este
n conducie i comutatorul este nchis. Rezistena RL i sursa de semnal u asigur funcionarea
TEC n regim rezistiv (RL >> rDS i/sau u are valori mici). Figura 4.9.b prezint caracteristica de
ieire a TEC pentru uGS = 0 i cteva drepte de sarcin trasate pentru diferite valori (pozitive i
negative) ale tensiunii sursei de semnal u . Circuitul poate fi dimensionat astfel nct TEC s
funcioneze n regim liniar, cu uDS << UP . n acest caz tranzistorul poate fi considerat ca fiind o
rezisten rDS =1/ gDS (figura 4.9.c). Conductana gDS este panta caracteristicii TEC n origine i se
poate calcula cu (4.8) pentru uGS = 0 . Rezistena n conducie a tranzistorului are valori uzuale de
ordinul zecilor de ohmi.
iD RL iD
uGS = 0
uDS u
0 u GS Drepte de sarcin
UP panta = gDS de pant 1/ RL pt.
a) diferite tensiuni u.
P
u u uDS
0 u1 u2
RL RL
D D b)
rDS
c) d) Fig. 4.9. Funcionarea TEC-J ca comutator.
rDS
Fig. 4.10. Comutatorul analogic conecteaz
u RL u RL sarcina RL la semnalul analogic u (a);
uO uO
b) Schema echivalent cu comutatorul nchis.
a) b)
4.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP 169
Exemplu de analiz
Se consider circuitul din figura 4.9 cu o surs de semnal sinusoidal u cu amplitudinea
Uvf = 10V i o sarcin RL =10k . Parametrii TEC-J sunt IDSS =4mA i UP = 2V. Dac UGS = 0:
a) S se determine amplitudinea pozitiv i cea negativ a tensiunii pe sarcin i erorile
datorate comutatorului analogic.
b) S se calculeze rezistena de sarcin maxim pentru care tranzistorul este n regim
rezistiv i erorile introduse de comutatorul analogic n acest caz.
c) Ct poate fi RL pentru ca atenuarea introdus de comutatorul analogic s fie sub 1%?
innd seama de limitele tensiunii u, din (4.21) se obin limitele tensiunii pe sarcin:
RL u
uO = u = , uO1 = 9,74V, uO2 = 9,77V.
RL + rDS 1 + 1 ( g ds RL )
Erorile, privite ca diferene ntre amplitudinile (pozitive) ale semnalelor de pe sarcin i
de intrare raportate la amplitudinea semnalului de intrare, sunt:
| u Ovf | U vf
= 100 % , 1 = 2,6%, 2 = 2,3%.
U vf
Eroarea de neliniaritate, datorat amplitudinilor diferite ale celor dou alternane pe
sarcin, se calculeaz ca diferena amplitudinilor (n modul) raportat la amplitudinea medie:
| uO 2 | uO1 0,03
n = = = 0,31% .
(uO1 + | uO 2 | ) 2 9,755
Aceast eroare este proporional cu coeficientul de distorsiuni al semnalului pe sarcin.
b) Tensiunea maxim pe TEC uDS max apare atunci cnd tensiunea este maxim la sursa
de semnal: umax = Uvf . La limita dintre regimul rezistiv i regimul de saturaie al TEC, pentru
UGS = 0, din (4.11) rezult: iD = IDSS ( = iD max ) i uDS = UP ( = uDS max ).
Legea lui Ohm aplicat rezistenei de sarcin n aceste condiii:
u u DS U vf + U P
RL = , R L max = , (4.23)
iD I DSS
conduce la RL max =(102)/4m=2k .
Conductanele echivalente ale TEC i erorile circuitului se determin ca la punctul a:
gDS 1 =2mS, gDS 2 =4,67mS, 1 = 4,76%, 2 = 2,1%, n = 2,75%.
Se observ erorile mari ale tensiunii pe sarcin i mai ales eroarea de neliniaritate
apreciabil care apare n acest caz.
c) Din calculele anterioare se observ c erorile mai mari apar pentru alternana pozitiv
iar eroarea este determinat de cderea de tensiune pe TEC, uDS 1 . Pentru 1 = 1%= 0,01
rezult o tensiune: uDS 1 = 1 Uvf = 0,1V i din (4.22) rezult conductana TEC:
u
g DS1 = k u U P DS1 = 2m (2 0,1) = 3,9 mS .
2
Din regula divizorului de tensiune aplicat divizorului rDS 1 RL 1 , se obine:
u 1 101 101
1 = DS1 = = 0,01 i R L1 = = 27k .
U vf 1 + g DS1 R L1 g DS1 3,8m
Concluzia este c regimul limit de funcionare (b) al TEC trebuie evitat; TEC trebuie s
funcioneze cu tensiuni ct mai mici (c) pentru a introduce erori minime, sau trebuie ca RL s
fie mult mai mare dect rezistena echivalent a TEC, RL >> rDS 0 ( = 1/ kn UP = 0,25k ).
Amplificarea n tensiune
n prezena semnalului de intrare, tensiunea de ieire se poate calcula folosind (4.11):
2
u
uO = U DD R D I DSS 1 i = U DD R D I DSS + u o = U O + u o , (4.31)
UP
iar tensiunea de semnal uo este:
2u u
2
u o = R D I DSS i i . (4.32)
U P U P
Dac este ndeplinit condiia de semnal mic:
ui << | UP |, (4.33)
atunci termenul ptratic din relaia precedent poate fi neglijat, caz n care tensiune de ieire i
amplificarea n tensiune a circuitului pot fi calculate cu relaiile:
2u i u 2I
u o R D I DSS i Au = o = DSS R D . (4.34)
UP ui UP
Din analiza relaiei precedente se constat c amplificarea depinde direct de parametrii TEC i de
rezistena de dren. Amplificarea are o valoare negativ, deoarece tranzistorul MOS cu canal n are o
tensiune de prag negativ, conform (4.9). Semnificaia valorii negative a amplificrii este c
amplificatorul este inversor, adic semnalele de ieire i de intrare sunt n antifaz.
Dac psf este centrat (conform celor artate anterior) atunci RD ndeplinete condiia (4.30)
i amplificarea n tensiune devine:
2 I DSS U DD + U P U DD
Au = = + 1. (4.35)
UP 2 I DSS UP
Din relaia anterioar se constat c amplificarea n tensiune depinde direct de raportul
dintre tensiunea de alimentare i tensiunea de prag a tranzistorului cu efect de cmp.
Amplificarea maxim
Amplificarea n tensiune maxim n condiii de semnal mic se obine cu (4.34), pentru o
rezisten de dren maxim. Din (4.26) se constat c o rezisten RD maxim conduce la o
tensiune UDS (= UO ) minim. Tensiunea UO minim apare la ieirea din saturaie a TEC, conform
(4.28). Din (4.28) i (4.26) rezult rezistena de dren maxim:
U DD + U P
RD = . (4.36)
I DSS
n condiii de semnal foarte mic la ieire, din (4.34) i (4.36) rezult amplificarea maxim:
U
Au = 2 DD + 1 . (4.37)
UP
Prin compararea (4.37) cu (4.35), se constat c amplificarea n tensiune poate fi cel mult
dubl fa de amplificarea calculat n condiii de centrare a psf la ieire. n practic, amplificarea
maxim nu poate fi realizat, deoarece, pentru o variaie negativ a semnalului la ieire, TEC intr
n regim nesaturat. n regim nesaturat, neliniaritile amplificatorului cresc, deoarece curentul de
dren depinde neliniar i de tensiunea de ieire (nu numai de tensiunea de intrare ca n saturaie).
4.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP 173
Exemplu de analiz
Pentru amplificatorul din figura 4.11 cu UDD =12V i RG =1M, tranzistorul MOS cu
canal iniial de tip n cu parametrii: IDSS =10mA i UP = 3V, funcioneaz n saturaie.
a) S se determine rezistena de dren pentru care psf este centrat la ieire (n dren).
b) Dac semnalul la intrare are o amplitudine Ui_vf = | UP /3| = 1V s se determine limitele
tensiunii de ieire i amplitudinea celor dou alternane la ieire, cu RD de la punctul a.
c) S se calculeze amplificarea n tensiune a circuitului n condiii de semnal mic, cu RD
de la punctul a i cu rezistena de dren maxim. Ct este amplitudinea semnalului la ieire n
cele dou cazuri, dac amplitudinea semnalului de la intrare este Ui_vf = 0,1V?
Rezolvare: a) Pentru a centra psf n dren trebuie ca tensiunea de dren s fie media
tensiunilor de blocare i de ieire din saturaie a TEC, conform (4.30):
U DD + U P 12 3
RD = = = 0,45k = 450 .
2 I DSS 2 10m
Punctul static de funcionare al TEC este definit de mrimile de cc:
UGS = RG IG =0, ID = IDSS =10mA i U DS = U DD R D I DSS = 12 0,45k 10m = 7,5V .
b) Curentul de dren n cele dou situaii limit: uGS = Ui_vf = | UP /3| , se calculeaz
cu relaia (4.11), innd seama de rezultatul de la punctul a: RD IDSS =( UDD + UP )/2, iar
limitele tensiunii de ieire rezult din T2K aplicat pe bucla de ieire.
- Pentru alternana pozitiv la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:
2
U P 16
i D = I DSS 1 = I DSS = i D max = 17,8 mA i
3 U P 9
16 8 U 8
u DS = U DD I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = DD U P = uO min = 4V .
9 9 9 9
Deoarece uO min > UP , condiia de saturaie este ndeplinit i deci calculul este corect.
- Pentru alternana negativ la intrare, uGS = Ui_vf = UP /3, rezult:
2
UP 4
i D = I DSS 1 = I DSS = i D min = 4,44mA i
3 U P 9
4 2 7 2
u DS = U DD I DSS R D = U DD (U DD + U P ) = U DD U P = uO max = 10V .
9 9 9 9
Amplitudinile semnalului la ieire pot fi calculate ca diferene ntre valorile limit i
valoarea din psf a tensiunii de ieire:
Semnalul de ieire este distorsionat deoarece amplitudinile acestuia sunt inegale. Eroarea
este cauzat de nivelul prea mare al semnalului i poate fi apreciat cu diferena dintre
amplitudini i media acestora, raportat la medie:
174 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
iD (mA)
6 TEC-J min, T1:
IDSS 1=2mA, UP 1= 1V
(a)
TEC-J max, T2:
4 IDSS 2 =6mA, UP2 = 3V
(c) T2
(b)
panta = 1/ RS 2 panta = 1/ RS
ID 2
T1 UGG
ID1 uGS (V)
3 2 1 0 2 4
Fig. 4.12. Caracteristicile de transfer limit pentru TEC-J (cu canal n, de tip 2N3221).
Sunt desenate i dreptele de sarcin pentru polarizare: (a) cu tensiune constant,
(b) cu negativare automat i (c) cu negativare automat i divizor de tensiune.
176 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
UDS UGG
UGS
+
RG R2
RS RS RS
+
a) b) c) d)
Fig. 4.13. Circuite de polarizare (pentru TEC-J cu canal n): a) cu tensiune constant,
b) cu negativare automat, c) cu negativare automat i divizor de tensiune i
d) schema echivalent pentru c (divizorul de tensiune este echivalat cu sursa UGG ).
dect n cazul polarizrii cu tensiune constant. Pentru a reduce variaia curentului ID trebuie aleas
o rezisten RS ct mai mare (o valoare mare pentru RS conduce la o pant mic a dreptei). Cu o
valoare mare pentru RS rezult ns un curent ID nepractic de mic (mai ales n cazul TEC min).
De exemplu, pentru o rezisten RS de 1k i considernd caracteristicile din figura 4.13,
rezult ID = 0,5mA, UGS = 0,5V pentru TEC min i ID = 1,5mA, UGS = 1,5V pentru TEC
max, o variaie de 1:3, mai mic dect la circuitul cu tensiune constant, dar totui inacceptabil.
Exemplu de proiectare
S se dimensioneze circuitul de polarizare din figura 4.13.c dac caracteristicile TEC-J
sunt cele din figura 4.12, pentru o tensiune de alimentare UDD = 10V.
a) b)
Condiia de saturaie la TEC cu canal p, (4.13), poate fi rescris ntr-o form mai simpl:
u SD > u SG + U P , u SD u SG = uGD , uGD > U P , (4.44)
Semnificaia fizic a relaiei (4.44) este c potenialul n gril trebuie s fie mai mare dect n dren
cu o tensiune egal cu UP (care este pozitiv n cazul TEC-J cu canal p).
Relaiile de calcul de la TEC-J cu canal n pot fi adaptate la TEC-J cu canal p conform
regulilor indicate la prezentarea tranzistorului cu canal p (paragraful 4.1.3). Astfel, pentru circuitul
de polarizare cu negativare automat, relaiile (4.39) i (4.40) devin:
2
I R
USG = RS ID , respectiv I D = I DSS 1 D S . (4.45)
UP
La circuitul de polarizare cu negativare automat i divizor n gril relaiile (4.41), (4.40) i
(4.43) devin:
R2
U GG = U SS , uSG = UGG Rs iD , (4.46)
R1 + R2
respectiv uSD = USS ( RD + RS ) iD . (4.47)
Curentul ID se poate determina prin nlocuirea tensiunii uSG din (4.46) n (4.11) rescris
pentru TEC-J cu canal p: 2
u
i D = I DSS 1 + SG . (4.48)
U P
4.3 CIRCUITE DE POLARIZARE 179
iG=0
UGG
+
R2 ID
R2 RS
RS
a) b) c)
Fig. 4.15. Circuite de polarizare pentru TEC-MOS cu canal indus (de tip n) cu tensiune
constant n gril: a) cu UGS constant; Cu tensiune constant i rezisten n surs: b) circuitul
practic (cu divizor de tensiune) i c) schema echivalent (divizorul este echivalat cu UGG ).
iD TEC1
(a) TEC2
UP 2 2UP 1
ID1a
UGG 4UP 2
(b)
ID1
ID2 panta = 1/ RS
uGS
0 UP1 UP2 UGG a UGG
Fig. 4.16. Caracteristicile de transfer limit pentru TEC-MOS cu canal indus de tip n i dreptele
de sarcin pentru polarizare: (a) cu tensiune UGS constant, (b) cu UGG i RS .
180 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Exemplu de proiectare
Datele de catalog ale unui TEC-MOS cu canal iniial, de tip 1N7002, indic un domeniu de
variaie a tensiunii de prag UP =12,5V, cu o valoare tipic UP =2,1V i un curent maxim de
gril IGS max =10nA (pentru UGS <15V). Pentru uDS >3V (TEC saturat), din caracteristicile
statice (tipice) rezult un curent ID =0,36A la o tensiune UGS =3V. Se consider UDD =12V.
a) S se dimensioneze circuitul de polarizare cu divizor n gril i rezisten n surs,
pentru a obine un curent de dren de 10mA i s se determine variaia ID pentru variaia
posibil a UP . Se va considera o amplitudine maxim a tensiunii la ieire de 3V.
b) S se dimensioneze circuitul de polarizare cu rezisten dren-surs pentru a obine un
curent de dren de 10mA i s se determine variaia ID pentru variaia posibil a UP . S se
determine variaia maxim posibil a tensiunii n dren n funcie de valoarea tensiunii de prag.
Rezistena de dren RD trebuie s fie aleas astfel nct TEC s rmn n saturaie
indiferent de nivelul semnalului n dren; amplitudine acestuia este Ud_vf =3V. Rezult o
tensiune minim n dren UDS min = UDS Ud_vf i din condiia de saturaie a TEC cu canal
n, uDS > uGS UP , se obine legtura dintre tensiunea minim n dren i tensiunea n surs:
ID
U DS > U GS U P + U d _ vf sau UD > US + + U d _ vf .
kn 2
Pe de alt parte, tensiunea maxim de dren trebuie s permit variaia pozitiv a
semnalului i rezult astfel limitele posibile ale tensiunii de dren:
U D max = U DD U d _ vf i deci 6,32 < UD < 9 [V] .
Rezistena RD se determin din T2K aplicat n circuitul de dren i limitele RD vor fi:
U DD U D 12 (6,32 K 9)
RD = = = 568K 300 .
ID 10m
Amplificarea n tensiune este proporional cu RD i de aceea alegerea unei rezistene
mai mari conduce la o amplificare mai mare. Se alege de exemplu RD = 470 .
Variaia curentului de dren cu variaia tensiunii de prag se calculeaz din (4.50):
k
I D1 = n (U GG U P1 RS I D ) = 0,1 (5,4 1 300 I D1 ) ID1 =13,5mA,
2
I D 2 = 0,1 (5,4 2,5 300 I D 2 ) ID2 = 9,6mA.
Ecuaiile de gradul doi n ID dau dou soluii. Se consider soluia pentru care UGS > UP .
Variaia curentului de dren fa de cazul tipic (cu UP = 2,1V) este de 4%+35%, iar fa
de valoarea medie a curenilor limit este de 17%.
Dac s-ar utiliza polarizarea fr rezisten n surs, variaiile curentului ar fi extrem de
mari. Astfel, pentru o tensiune constant n gril UGG = UGS = 2,4V (la care ID =10mA
pentru tensiunea UP tipic), variaiile curentului ID , calculate cu (4.5) ar fi de la:
k
I D1 = n (U GS U P1 )2 = 0,1 (2,4 1)2 = 196 mA la ID2 = 0 (pentru UGS < UP2 ),
2
un astfel de circuit de polarizare fiind inutilizabil.
b) Pentru dimensionarea circuitului de polarizare din figura 4.17, se determin rezistena
de dren din (4.51) cu UGS = 2,4V (de la punctul a pentru UP tipic):
U DD U DS U DD U GS 12 2,4
RD = = = = 0,96 k .
ID ID 10m
Se alege o rezisten RD =1k, caz n care se obine ID = 9,59mA (pentru tranzistorul tipic)
prin rezolvarea ecuaiei ptratice rezultat dup nlocuirea (4.51) n (4.52):
k
I D = n (U DD R D I D U P )2 .
2
Limitele curentului ID calculate cu aceiai ecuaie sunt: ID1 =10,7mA i ID2 = 9,2mA,
adic o variaie de 4%+11,5%, iar fa de valoarea medie variaia este de 7,5%.
Fa de cazul a, variaia curentului de dren este mai mic, dar domeniul de variaie
posibil al tensiunii de dren este i el mai mic Ud_vf = UP.
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE 183
UG 0 G Regiuni golite de
G UG =UP (<0 )
iG =0 purttori mobili
iS = iD p+ iD D p+ iD =0
S
S g iD D
n UD >0
US =0 UD >0
p+ p+
a) UG b) UG
Fig. 4.19. Funcionarea TEC-J cu canal n pentru tensiuni uDS mici (US =0, UD >0, UD 0)
n cazul unei tensiuni UGS negative: a) mai mari sau b) egale cu tensiunea de prag UP .
184 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Dac tensiunea dintre dren i surs crete semnificativ, UDS >>0, dependena curentului de
dren de tensiunea de dren devine neliniar, deoarece canalul nu mai este uniform (se ngusteaz la
captul dinspre dren, conform figurii 4.21.a) i rezistena acestuia crete cu creterea tensiunii uDS .
Aceast neuniformitate este cauzat de tensiunea dintre gril i canal, care scade de la surs spre
dren; valoarea minim apare la captul dinspre dren al canalului: UGD (= UGS UDS )< UGS .
La o anumit tensiune de dren UDS sat (la care UGD = UP , tensiune gril-canal de penetrare
a canalului), regiunile golite ale celor dou jonciuni penetreaz complet canalul la captul dinspre
dren (unde potenialul este maxim), n seciunea A din figura 4.21.b; UGD (= UGS UDS sat )= UP
conduce la:
UDS sat = UGS UP . (4.53)
G UG 0 G UG 0
p+ iD D p+ iD D
S n S n A
UD >>0 UD
p+ p+ ( UG UP )
a) UG b) UG
Fig. 4.21. Funcionarea TEC-J cu canal n pentru tensiuni uDS mari (US =0, UD >>0)
n regim: a) nesaturat (rezistiv), UDS <UDS sat ( = UGS UP ) i b) saturat, UDS UDS sat .
Dac tensiune de dren crete n continuare, apare o poriune n care canalul semiconductor
este ntrerupt (la captul dinspre dren). Curentul trece prin aceast poriune de canal datorit
cmpului electric longitudinal produs de diferena dintre uDS i UDS sat . Lungimea acestei poriuni
de canal ntrerupte va crete cu uDS UDS sat (la fel ca orice RSS care preia o tensiune invers mai
mare), ceea ce va conduce la micorarea lungimii canalului conductor. n general, aceast micorare
este mic fa de lungimea canalului. Dac se neglijeaz reducerea lungimii canalului cu creterea
tensiuni de dren, forma canalului (i conductana acestuia) nu se schimb cu uDS , iar cderea de
tensiune pe acest canal, UDS sat , este constant i de aceea nu se modific nici curentul iD prin
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE 185
canal. Regiunea caracteristicilor pentru uDS >UDS sat , n care iD rmne constant, se numete
regiune de saturaie (figura 4.20.b). n realitate, din cauza micorrii lungimii canalului conductor,
iD va crete cu tensiunea uDS i pentru uDS >UDS sat . Aceast cretere este n general slab, fiind
mai pronunat la dispozitivele cu canal mai scurt, deoarece efectul relativ al aceleiai micorri
absolute de lungime de canal este mai important.
Curentul de dren n saturaie, pentru uDS >UDS sat , se poate calcula cu relaia (4.11)
completat cu un termen care include coeficientul de modulaie a lungimii canalului :
2
u
i D = I DSS 1 GS (1 u DS ) . (4.54)
UP
n cazurile uzuale i pentru calculele manuale se va utiliza relaia simplificat (4.11),
deoarece valoarea coeficientului (=1/UA ) este mic (tipic 0,01V-1). Acest coeficient se va utiliza
la modelarea tranzistorului n regim dinamic i la modelele de simulare ale TEC.
Parametrii IDSS i UP ai TEC-J se dau de obicei n foile de catalog ale tranzistoarelor i
reprezint curentul dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs n saturaie i respectiv tensiunea de
prag (de nchidere a canalului). Experimental, ambii parametrii se detemin n saturaie, pentru
UDS > UP , IDSS prin msurare direct (cu UGS =0) i UP se poate determina prin extrapolarea
caracteristicii de transfer n saturaie liniarizate a TEC: iD (uGS ) ca n figura 4.22.b.
iD
iD
IDSS Fig. 4.22. a) Caracteristica de
I DSS transfer n saturaie pentru
UDS >UP TEC-J cu canal n;
UDS >UP I D1
ID1 b) liniarizarea caracteristicii
I D2 de transfer pentru a determina
uGS tensiunea de prag UP .
ID 2 uGS
UP UGS 2 UGS 1 0 UP UGS 2 UGS 1 0
a) b)
Din catalogul de tranzistoare se constat c parametrii TEC-J au dispersie de fabricaie
mare. Motivul principal este dificultatea tehnologic de a controla cu precizie grosimea g0 a
canalului (care rezult ca diferen dintre grosimea stratului epitaxial n i a celui difuzat p+). Din
analiza funcionrii tranzistorului, se constat ns c dac, de exemplu, grosimea canalului este mai
mare, atunci att curentul IDSS ct i tensiunea de prag UP (n modul) au valori mai mari (deoarece
un canal cu grosime mai mare are pe de o parte o conductan mai mare i va rezulta un curent IDSS
mai mare i pe de alt parte tensiunea de prag UP necesar pentru nchiderea complet a unui canal
mai gros este mai mare, n modul). Dispersia de fabricaie se poate reduce prin nlocuirea difuziei
p+ cu implantarea ionic a impuritilor acceptoare, procedeu tehnologic care permite un control
mai precis al adncimii stratului implantat i deci al grosimii canalului.
n regiunea rezistiv a caracteristicilor statice, iD depinde de conductana canalului
conductor i se poate calcula prin integrare n lungul canalului, innd seama de dependena limii
regiunilor golite ale jonciunilor de tensiunea invers aplicat. Dac se consider doar componenta
longitudinal a cmpului n canal i doar cea transversal n RSS, se obine o relaie simplificat:
u 2
u DS u DS
i D = I DSS 2 1 GS . (4.55)
UP
U P U P
186 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Din relaia anterioar, la limita intrrii n saturaie, uDS = uGS UP , se obine relaia (4.11).
Pentru tensiuni uDS mici, (4.55) poate fi aproximat prin neglijarea termenului ptratic:
2 I DSS u GS
iD = 1 u DS . (4.56)
U P UP
Aceast relaie liniar reprezint caracteristicile statice n jurul originii, din care rezult conductana
liniar gDS , care depinde de tensiunea uGS :
iD 1 2 I DSS u GS
g DS = = , g DS = 1 . (4.57)
u DS u mic rDS U P UP
DS
Valoarea maxim a conductanei apare la o tensiune uGS nul, deci TEC-J este un dispozitiv
normal deschis prin el circul curent n absena unei tensiuni la intrare. La aplicarea unei tensiuni
uGS negative de intrare, curentul prin tranzistor scade pn la anulare (pentru cazul n care tensiunea
de intrare este mai mic dect tensiunea de prag UP ). Deoarece jonciunea gril-canal este
polarizat invers, curentul de gril este foarte mic (de ordinul nanoamperilor) i puternic dependent
de temperatur (la temperatura camerei se dubleaz la circa 10 grade cretere a temperaturi).
Aplicarea unei tensiuni uGS pozitive conduce la creterea apreciabil a curentului de gril.
Acest regim de funcionare poate fi admis doar pentru tensiuni mai mici dect tensiunea de
deschidere a jonciunii gril-surs (UD0 ,circa 0,5V la siliciu), uGS <UD0 .
Tranzistorul cu canal p funcioneaz principial la fel ca cel cu canal n; purttorii de sarcin
prin canalul p vor fi golurile iar tensiunea aplicat grilei uGS , care reduce curentul prin tranzistor,
este pozitiv. Tensiunea de prag UP (care nchide complet canalul) este de asemenea pozitiv. Se
utilizeaz conveniile de sens i de reprezentare prezentate n paragraful 4.1.3.
n+ n+
L
Jonciuni
difuzate Fig. 4.23. Structura fizic a
Substrat p unui tranzistor cu efect de cmp
de tip metal-oxid-semiconductor
(TEC-MOS) cu canal de tip n:
Contacte metalice a) Seciune,
a) Baza (B) b) Vedere de sus.
Ferestre contact Parametrii unui TEC-MOS
L (metal) tipic sunt:
- grosimea stratului de oxid,
gox =0,020,1m;
- lungimea canalului,
L =110m;
- limea canalului,
W
W =2500m.
Grila
(metal sau
Sursa polisiliciu) Drena
b)
n prima etap se va analiza funcionarea TEC-MOS pentru cazul n care substratul este
conectat la surs, caz n care TEC-MOS poate fi considerat un dispozitiv cu trei terminale.
Substratul (implicit i sursa tranzistorului) se consider referina de potenial.
La aplicarea pe gril a unei tensiuni pozitive, n izolatorul grilei apare un cmp electric E, cu
sensul conform figurii 4.24.a. Pentru valori moderate ale acestei tensiuni, la suprafaa dinspre gril
a semiconductorului apare o regiune golit de purttori de sarcin (datorit cmpului electric,
golurile majoritare sunt mpinse n substrat iar electronii liberi minoritari sunt atrai din substrat i
se recombin cu golurile). Dac tensiunea aplicat grilei are o valoare mai mare dect tensiunea de
prag UP , atunci la suprafaa semiconductorului apare un strat de inversiune (datorit cmpului
electric intens, concentraia electronilor liberi atrai din substrat depete concentraia golurilor i
tipul semiconductorului de sub gril se inverseaz). Apare astfel un canal de tip n ntre dren i
surs, canal indus de tensiunea aplicat grilei, ca n figura 4.24.b. Grosimea stratului de inversiune
depinde de valoarea cmpul electric din izolator i implicit de valoarea tensiunii aplicate grilei.
S D
US =0 0< UG < UP UD >0 S UP < UG G D UD >0
G iS = i D iG =0
iD =0 iD >0
n+ n+ n+ n+
E L
Regiune golit de
Substrat p purttori mobili Substrat p Canal n indus
B UB =0 B
a) b)
Fig. 4.24. Funcionarea TEC-MOS cu canal n pentru tensiuni UDS mici (US =0, UD >0, UD 0)
n cazul unei tensiuni UGS pozitive: a) mai mic i b) mai mare dect tensiunea de prag UP .
188 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
La aplicarea unei tensiuni pozitive ntre dren i surs uDS apare un curent iD care circul
prin canal. Curentul se datoreaz deplasrii electronilor liberi de la surs spre dren i se consider
prin convenie c circul n sens contrar deplasrii purttorilor negativi de sarcin (electroni), adic
de la dren spre surs. Se remarc egalitatea dintre curentul care intr n dren i cel care iese din
surs (iD = iS ) datorat curentului de gril nul (iG = 0).
Pentru o tensiune uDS mic, curentul depinde de densitatea electronilor din canal, care la
rndul ei depinde de valoarea tensiunii uGS . Pentru o tensiune uGS = UP , canalul tocmai apare i
curentul iD este neglijabil de mic. Curentul prin canal va depinde de conductana acestuia (intuitiv
depinde de grosimea canalului) care depinde de surplusul de tensiune (uGS UP ), numit i tensiune
efectiv de gril. De aceea, curentul de dren iD este proporional cu tensiunea uGS UP (care
influeneaz conductivitatea canalului) i cu tensiunea uDS (datorit creia apare acest curent).
Canalul conductor este indus de tensiunea aplicat grilei, de unde i numele de TEC cu canal indus,
iar creterea tensiunii de gril peste tensiunea de prag conduce la nbogairea canalului cu purttori,
de unde i numele de tranzistor cu mbogaire (enhancement-type MOS-FET n englez).
La o tensiune de dren uDS mare tensiunea n canal crete de la surs spre dren (de la 0
la uDS ) iar tensiunea ntre diferite puncte ale grilei i surs este diferit (scade dinspre surs spre
dren, de exemplu uGD = uGS uDS < uGS ). Deoarece grosimea canalului depinde de tensiunea dintre
gril i canal n fiecare punct, rezult c grosimea canalului va fi neuniform, va scdea dinspre
surs spre dren cu att mai mult cu ct tensiunea uDS este mai mare, conform figurii 4.25. Datorit
acestui fenomen rezistena canalului va crete cu creterea tensiunii uDS .
Caracteristicile statice de ieire iD (uDS ) trasate la uGS =constant(= UGS ), i vor reduce
nclinaia cu creterea tensiunii uDS , ca n figura 4.26.a. Dac tensiunea la captul dinspre dren
scade la valoarea UP , atunci grosimea canalului la captul dinspre dren se reduce la zero i canalul
se nchide ntr-un punct (la captul dinspre dren).
iD iD
UGS 3 (= 4UP)
Regiunea Regiunea
rezistiv de saturaie
UGS 2 (= 3UP)
UGS 1 (= 2UP)
UGS 0 ( UP) uDS uGS
0 UDS sat2 (= UGS 2 UP) 0 UP
Fig. 4.26. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal indus de tip n:
a) Caracteristicile de dren, b) Caracteristica de transfer n saturaie (UDS > uGS UP ).
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE 189
Regiunea Regiunea
rezistiv de saturaie
UGS = 0
IDSS
UGS = 1V
UGS 2V(= UP) uDS uGS
0 UDS sat = 2V(= UP) UP 0
Fig. 4.27. Caracteristicile statice ale unui tranzistor TEC-MOS cu canal iniial de tip n.
4.4 CONSTRUCIE I FUNCIONARE 191
Ecuaiile de funcionare ale TEC-MOS cu canal iniial sunt aceleai cu cele pentru TEC cu
canal indus. n cazul tranzistoarelor cu canal iniial ecuaiile se pot scrie i funcie de IDSS (curentul
dren-surs cu grila scurtcircuitat la surs) ca i la TEC-J. Curentul IDSS se poate calcula conform
relaiei (4.10).
Efectul de substrat
n multe aplicaii substratul este conectat la surs, caz n care jonciunea pn care apare ntre
substrat i canal nu este polarizat i de aceea substratul nu are nici un efect, existena acestuia
putnd fi ignorat (ca n analizele de pn acum); acesta este de regul cazul TEC discrete. n cazul
circuitelor integrate, substratul este comun mai multor tranzistoare i pentru a menine condiia de
blocare pentru jonciunile substrat-canal ale tuturor tranzistoarelor, substratul este conectat de
regul la cel mai negativ potenial din circuit. Polarizarea invers care apare la tranzistoarele a cror
surs este conectat la un potenial mai ridicat (USB la NMOS) va avea un efect semnificativ asupra
funcionrii respectivelor tranzistoare. Acest efect poate fi pus uor n eviden prin modificarea
tensiunii de prag a tranzistorului (fa de valoarea UP 0 a TEC cu US B =0) conform relaiei:
U P = U P0 + ( 2 f + U SB 2 f , ) (4.67)
unde UP 0 este valoarea de prag pentru US B =0; 2f este un parametru fizic cu o valoare tipic de
0,6 V; i este un parametru al procesului de fabricaie calculat conform relaiei:
2q N A s
= , (4.68)
C ox
unde NA este concentraia golurilor din substratul de tip p i s este permitivitatea siliciului (circa
1012 F/cm). Parametrul are o valoare tipic de 0,5 V1/2.
Ecuaia (4.67) indic faptul c o cretere a tensiunii US B conduce la o cretere a tensiunii de
prag UP , care la rndul ei conduce la creterea curentului iD . Se poate spune c substratul
acioneaz ca o a doua gril a tranzistorului MOS; fenomenul este cunoscut ca efect de substrat iar
parametrul este cunoscut ca factor de substrat al TEC-MOS.
192 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Efectele temperaturii
Cei doi factori principali ai TEC-MOS sunt dependeni de temperatur astfel: UP scade cu
circa 2 mV pentru o cretere a temperaturii cu 1C (ceea ce conduce la creterea curentului iD ) iar k'
are un efect dominant i scade cu creterea temperaturii. Rezultatul net este o scdere a curentului
iD cu creterea temperaturii. Ca o consecin direct, la TEC-MOS nu apare ambalarea termic
(spre deosebire de tranzistoarele bipolare) ceea ce permite utilizarea tranzistoarelor MOS la
circuitele de putere fr a fi necesare circuite speciale de eliminare a ambalrii termice.
Strpungerea electric
La TEC-MOS pot apare diferite tipuri de strpungeri electrice i anume:
- La creterea tensiunii de dren peste o anumit valoare apare fenomenul de strpungere a
jonciunii pn dintre dren i substrat; tensiunea uzual de strpungere este de 50100 V i
conduce la creterea rapid a curentului.
- La dispozitivele moderne cu canal scurt apare strpungerea la o tensiune de dren relativ redus
(circa 20 V) la care regiunea golit a drenei se extinde prin canal pn n regiunea sursei, ceea
ce conduce la o cretere apreciabil a curentului de dren. n mod normal aceast strpungere nu
conduce la distrugerea tranzistorului.
- Un alt tip de strpungere apare atunci cnd tensiunea gril-surs depete aproximativ 50 V.
Strpungerea oxidului care apare duce la distrugerea definitiv a TEC-MOS. Cu toate c
tensiunea de 50 V pare mare, s nu uitm c rezistena de intrare a TEC-MOS este foarte mare,
ceea ce face ca o sarcin static relativ mic acumulat pe capacitatea mic a grilei s duc la
depirea acestei valori a tensiunii de strpungere.
Valorile de tensiune indicate sunt pur orientative i se refer n principal la TEC-MOS
discrete; cu ct tehnologia avanseaz cu att se produc tranzistoare cu dimensiuni (L, W, g) mai mici
la care tensiunile de strpungere sunt mai reduse.
Pentru a evita acumularea sarcinilor statice pe grila tranzistorului MOS trebuie luate msuri
speciale de manipulare i montare a acestora n circuit. O metod relativ complicat, dar sigur,
const din conectarea unui fir izolat la surs i apoi la gril (dac este posibil fr a scoate
tranzistorul din suportul conductor n care a fost livrat), apoi se conecteaz tranzistorul n circuit
(circuit care prevede o rezisten ntre gril i surs) i apoi se dezleag firul conductor. Metodele
de manevrare sunt diferite n funcie de capsula tranzistorului; ceea ce trebuie avut n vedere este s
nu se creeze o cale de apariie a sarcinilor statice pe gril. n cazul tranzistoarelor MOS de putere
precauiile de manevrare nu sunt att de severe deoarece capacitatea de gril a acestora este mare.
Pentru TEC-MOS de la intrarea circuitelor integrate se prevd de obicei circuite speciale de
protecie, mai exact circuite de limitare cu diode.
aproximate bine de modelul ptratic. La valori mari ale intensitii cmpului electric viteza se
satureaz atingnd o valoare constant:
vlim = n Ecrit , (4.69)
unde: Ecrit =1,5x106 V/m iar n =0,07 m2/Vs este valoarea mobilitii electronilor n cmpuri slabe.
n cazul TEC cu canal scurt cmpul critic apare de la tensiuni mici (de exemplu pentru L =1 m, la
o tensiune uDS =1,5 V, valoarea medie a intensitii cmpului electric este egal cu Ecrit ).
Influena saturaiei vitezei purttorilor asupra caracteristicilor de semnal mare ale TEC se
poate modela prin introducerea unei rezistene RSX n serie cu sursa unui tranzistor ideal. Ca
rezultat, n zona curenilor mari, caracteristica de transfer n saturaie iD (uGS ) devine liniar.
W u
iD = I D 0 exp GS , (4.70)
L nU T
unde ID0 este un curent constant (cu valori uzuale de zeci de nA) iar coeficientul n1,5.
Caracteristica iD (uGS ) din figura 4.28.a este aproximativ o dreapt ceea ce arat c TEC
are o caracteristic de transfer apropiat de caracteristica ptratic ideal. Reprezentri grafice de
acest tip sunt utilizate pentru determinarea tensiunii UP (prin extrapolarea dreptei) i a factorului k'
(din panta caracteristicii). Se remarc c n apropierea tensiunii de prag caracteristica se abate de la
dreapta care corespunde caracteristicii ptratice. Aceast zon reprezint conducia sub prag i este
pus n eviden n figura 4.28.b prin folosirea unei scri logaritmice pentru curent. Panta zonei
drepte a caracteristicii pentru tensiuni uGS < UP permite determinarea coeficientului n.
iD lg iD Regiune cu
caracteristic
ptratic
Regiune exponenial
de conducie sub prag
uGS uGS
0 UP 0 UP
a) b)
Fig. 4.27. Caracteristica de transfer a unui tranzistor TEC-MOS cu canal iniial de tip n
trasat pentru a pune n eviden: a) caracteristica ptratic, b) conducia sub prag.
Funcionarea sub prag se folosete la aplicaiile care cer o putere foarte mic i accept o
frecven de lucru sczut (frecvena de tiere fT are valori foarte mici la cureni iD foarte mici).
194 Cap. 4 TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
D NMOS D S PMOS S
G G
B B G B G B
a) S b) S c) D d) D
Fig. 4.28. Simbolurile complete ale TEC-MOS cu canal indus (a, c) i cu canal iniial (b, d);
de tip n (NMOS: a, b) i de tip p (PMOS: c i d).
Simbolurile din figura 4.28 sunt descriptive dar destul de complexe i de aceea, adesea, se
utilizeaz simboluri simplificate cum ar fi cele din figura 4.1.a, b, d i e, utilizabile n cazul n care
substratul este conectat la sursa tranzistorului.
unde iD |P = ID ; pentru semnale mici d uGS = ugs , iar d uDS = uds . (valorile instantanee ale semnalelor,
sau variaiile acestora n psf sunt suficient de mici pentru a putea fi aproximate cu diferenialele).
Din relaia precedent se poate separa componenta de ca a curentului de dren:
i D i
id = u gs + D u ds = g m u gs + g d u ds , (4.72)
uGS P u DS P
Derivatele pariale calculate n psf sunt parametrii ai circuitului de semnal mic care se
calculeaz cu formule care rezult din relaia anterioar. Cei doi parametrii au dimensiunea unor
conductane i se numesc:
i D
- transconductan (sau pant): gm = , (4.73)
uGS P, u = 0
ds
iD
- conductan de dren (sau de ieire): gd = , (4.74)
u DS P, u = 0
gs
Relaia (4.72) definete circuitul echivalent de dren al TEC, compus dintr-un generator de
curent controlat n tensiune gm ugs i conductana gd . Rezistena de intrare este considerat infinit
ntruct grila este izolat cu o jonciune polarizat invers n cazul TEC-J i cu un izolator propriu-
zis n cazul TEC-MOS. Rezult astfel circuitul echivalent de semnal mic din figura 4.29.
Deoarece coeficientul de modulare a lungimii canalului este mai mic pentru canale mai
lungi (este invers proporional cu lungimea canalului), pentru a obine o rezisten de dren ct mai
mare (conductan de dren ct mai mic) trebuie ca lungimea canalului L s fie ct mai mare.
Transconductana
Din (4.73) i (4.54) rezult transconductana pentru TEC-J:
2 I DSS U GS
gm = 1 , (4.76)
UP UP
i din (4.73) i (4.66) rezult transconductana pentru TEC-MOS:
g m = k n (U GS U P ) . (4.77)
Aceast relaie arat c transconductana (sau panta tranzistorului) depinde liniar de tensiunea
efectiv de gril (valoarea cu care tensiunea de polarizare a grilei depete tensiunea de prag) i de
factorul de conducie kn , care se mai numete i parametru de transconductan. La tranzistoarele
MOS integrate se poate nlocui factorul de conducie conform (4.62) i se obine:
W
g m = k n' (U GS U P ) , (4.78)
L
relaie din care se observ c transconductana acestora depinde liniar de factorul de conducie
intrinsec (parametru al procesului de fabricaie) i de factorul dimensional W / L care poate fi
controlat de proiectant. Pentru a obine o transconductan mai mare trebuie ca limea W s fie
mare i lungimea L s fie redus. Pe de alt parte ns, conform celor artate n paragraful anterior,
o lungime redus conduce la o rezisten de ieire mare. La proiectarea tranzistoarelor MOS
integrate va trebui aleas lungimea optim n funcie de rolul tranzistorului respectiv.
Transconductana este cel mai important parametru al tranzistorului MOS deoarece reflect
eficiena tranzistorului de la intrare la ieire. Un criteriu mai bun, care arat ct de eficient este
folosit curentul pentru a genera transconductan, este raportul gm /ID .
Acest raport rezult din expresia pentru gm care se obine prin nlocuirea tensiunii efective
de gril conform relaiei (4.65):
W
gm = 2 kn I D = 2 k n' ID . (4.79)
L
Aceast expresie care arat c:
- pentru un anumit TEC-MOS transconductana este proporional cu I D i
- la un curent dat gm este proporional cu W L.
Dac se compar aceste rezultate cu cele de la tranzistorul bipolar (TB) se observ dou
diferene majore: la TB valoarea transconductanei este proporional cu valoarea curentului de
polarizare i nu depinde de dimensiunile i forma tranzistorului.
Diferena dintre cele dou tipuri de tranzistoare se poate pune n eviden printr-un calcul al
transconductanei la acelai curent de polarizare. Conform ecuaiei (4.79), la un curent I D =1mA,
un TEC-MOS integrat cu k'n =20 A/V2 i W / L =1 are gm = 0,2 mA/V iar pentru W / L =100 rezult
gm = 2 mA/V. n contrast, un TB polarizat la acelai curent de colector de 1 mA are o pant mult
mai mare, gm = 40 mA/V.
Prin nlocuirea factorului de conducie din (4.65) n relaia (4.76) se obine:
4.5 REGIMUL VARIABIL DE SEMNAL MIC LA TEC 197
2 ID ID
gm = = . (4.80)
U GS U P (U GS U P ) 2
Aceast relaie arat c transconductana este raportul dintre curentul de dren i o jumtate din
tensiunea efectiv de gril UG-ef = UGS UP , expresie similar cu cea de la TB, unde gm = I C / UT .
Dac UT = 25 mV, (UGS UP )/2 trebuie ales mai mare dect 0,1 V, ceea ce arat din nou c panta la
TB este sensibil mai mare dect la TEC. Pe de alt parte, chiar dac panta TEC este relativ mic,
tranzistorul TEC-MOS are alte avantaje, cum ar fi: impedana de intrare foarte mare, dimensiunile
mici, puterea disipat mic i procesul de fabricaie mai simplu.
Transconductana n cazul acestui regim de funcionare este proporional cu curentul de dren (ca
i n cazul TB, cu diferena c apare coeficientul n1,5 iar curenii prin tranzistor sunt foarte mici).
Raportul gm /ID este constant i atinge valoarea maxim n acest regim, conform figurii 4.30.
Pentru a obine amplificri mari cu TEC, regimul de inversie slab este preferabil. Pe de alt parte,
datorit valorilor foarte mici ale curentului prin tranzistor, frecvena limit a TEC atinge o valoare
mic, ceea ce limiteaz domeniul de utilizare a acestui regim doar la aplicaii de joas frecven.
gm panta = 0
gm sat panta = 1/2
Saturarea
panta = 1 vitezei
Inversie purttorilor
accentuat
Fig. 4.30. a) Transconductana gm i
a) Inversie slab ID
b) gm /ID ,
ca funcii de curentul de polarizare a
gm n UT drenei ID n saturaie.
ID panta = 1/2
panta = 1
b) ID
G D
B Fig. 4.31. Circuitul echivalent de
semnal mic al unui TEC-MOS
u gs g m u gs rd g mb ubs ubs la care substratul nu este
conectat la surs.
S
n figura 4.31 este prezentat modelul tranzistorului MOS care include efectul de substrat;
acest model se va utiliza atunci cnd sursa nu este legat la substrat.
G Cgd D
Fig. 4.32. Circuitul echivalent de nalt frecven
la semnal mic al unui TEC-MOS
g m u gs rd
Cgs (substratul este conectat la surs i
u gs capacitatea dren-substrat este neglijat).
S
Aceast aproximaie se poate aplica cu rezultate bune pentru operarea n regiunea de tip triod, chiar dac
tensiunea uDS nu este mic.
2. Dac TEC-MOS este n saturaie, atunci grosimea canalului la captul dinspre dren se reduce
la zero (conform figurii 4.25), Cgd este nul i ntreaga capacitate a grilei se regasete n Cgs :
2
C gs = WLC ox , C gd = 0 (n saturaie). (4.86)
3
3. Dac TEC-MOS este blocat, canalul dispare i ca urmare ambele capaciti sunt nule:
C gs = C gd = 0 (n blocare). (4.85)
4. n toate formulele precedente mai trebuie adugat o componenta capacitiv mic datorat
extinderii difuziei de dren i de surs sub oxidul grilei. Dac lungimea acestei suprapuneri este
notat cu Lov (de la overlap) atunci aceste capaciti suplimentare (de suprapunere) sunt:
C ov = WLov C ox . (4.85)
Valoarea tipic: Lov = 0,1 0,2 m; aceata poate fi o fracie semnificativ a lungimii canalului n
cazul tehnologiilor CMOS moderne, sub-micronice.
Id gm
; (4.87)
I g j (C gs + C gd )
Din (4.87) rezult pulsaia i frecvena de tiere a tranzistorului pentru care ctigul n
curent devine unitar:
gm 1 gm
T = sau fT = . (4.88)
C gs + C gd 2 C gs + C gd
mai eficient la nalt frecven (realizat cu tranzistorul respectiv). Valorile tipice ale frecvenei de
tranziie sunt de la circa 100 MHz (la tehnologiile mai vechi) pn la valori de zeci de GHz la
tehnologiile moderne (submicronice).
Curgerea
curentului Drena
Tranzistorul DMOS functioneaz astfel: La aplicarea unei tensiuni pozitive pe gril uGS ,
mai mare dect tensiunea de prag UP, apare un canal lateral de tip n n regiunea bazei de tip p
imediat sub stratul de oxid al grilei. Canalul care rezult astfel este scurt, cu lungimea notat cu L n
figur. Curentul este produs de electronii de la surs care se deplaseaz prin canalul scurt spre
substrat i apoi vertical prin substrat spre dren. Conducia vertical a curentului este diferit de
conducia lateral care apare la un tranzistor MOS standard, de semnal mic.
4.6 TEC-MOS DE PUTERE, D-MOS 201
Cu toate c tranzistorul are un canal scurt, tensiunea de strpungere poate fi foarte mare
(pn la 600 V) deoarece regiunea golit de purttori dintre substrat i baz se extinde n principal
n zona slab dopat a substratului i nu n canal. Tranzistorul MOS rezultat poate controla un curent
mare (50 A sau chiar mai mult) avnd n acelai timp i o tensiune de strpungere mare. Un avantaj
suplimentar al structurii verticale este utilizarea eficient a ariei de siliciu.
Vsat este valoarea de saturaie a vitezei (5 . 106 cm/s la electroni n siliciu). n zona liniar a
caracteristicii de transfer, transconductana gm este constant i proporional cu W; deoarece
limea W are o valoare mare la tranzistoarele de putere, tranzistoarele MOS de putere vor avea o
valoare mare a transconductanei.
iD
Linear
UT uGS
Exponenial
(sub prag)
iD (A)5
1 2 3 4 5 uGS (V)
Ambalarea termic este totui posibil n zona curenilor mici (pentru coeficieni de
temperatur pozitivi). Coeficientul de temperatur al iD este pozitiv n domeniul curenilor mici
deoarece este determinat de coeficientul de temperatur negativ al tensiunii de prag UP (cu valori
de -3 la -6 mV/grdC).
Dup cum se poate vedea din figur, modelul SPICE include rezistenele ohmice ale drenei
i sursei: rD i rS . Funcionarea dinamic a tranzistorului este modelat de cele dou capaciti CGS
i CGD . Valorile acestor capaciti se calculeaz n funcie de dimensiunile geometrice ale TEC-
MOS, W i L, indicate la declararea tranzistorului MOS. La tranzistoarele din circuitele integrate se
utilizeaz i capacitile neliniare dintre substrat (baz) i cele trei terminale: CBD , CBS , CBG , care
nu sunt incluse n figura precedent.
Cei mai importani parametrii ai TEC-MOS sunt dai n tabelul 4.1.
Tab. 4.1. Parametrii mai importani ai modelului de tranzistor MOS din SPICE
4.8 BIBLIOGRAFIE
[14] Sedra S.Adel, Kenneth C.Smith Microelectronic circuits, Oxford University Press, New York,, 4-th
Edition 1998;
[15] Paul R.Gray, Robert G.Meyer - Circuite integrate analogice, Analiz i proiectare, Editura Tehnic,
Bucureti, 1997;
[16] Keneth R.Laker, Willy M.C.Sansen Design of analog integrated circuits and systems, McGraw-Hill
Book Co. Singapore, 1994;
[17] * * * Data on Disk - ST Microelectronics, Italy, 1998;
[18] Andrei Vladimirescu - SPICE, Editura Tehnic, Bucureti, 1999;