Mihai DOGARIU

ELECTRONIC APLICAT
Suport teoretic

An II AR FR, semestrul III

2011 2012

Unitatea de nvare I.1.1 REZISTORUL

Cuprins
1.1. Introducere ............................................................................................................... 1
1.2. Competene .............................................................................................................. 2
1.3. Proprieti generale ............................................................................................. 3
1.4 Clasificarea rezistoarelor ..................................................................................... 4
1.5 Elemente de tehnologie a rezistoarelor ................................................................. 5
1.5.1 Tehnologia rezistoarelor fixe .......................................................................... 5
1.5.2 Tehnologia rezistoarelor peliculare ................................................................ 5
1.5.3 Tehnologia suportului izolant ......................................................................... 6
1.5.4 Realizarea terminalelor................................................................................... 7
1.5.5 Realizarea proteciei ....................................................................................... 7
1.6 Aplicaiile rezistoarelor......................................................................................... 7
1.6.1 Rezistoare variabile......................................................................................... 7
1.6.2 Reglarea sau limitarea curentului printr-un dispozitiv electronic.................. 8
1.6.3 Reglarea turaiei unui motor electric .............................................................. 8
1.6.4 Atenuarea ........................................................................................................ 8
1.7 Rezistorul ca parte a unui circuit electric ............................................................. 9
1.7.1 Prima lege a lui Kirchhoff ............................................................................... 9
1.7.2 A doua lege a lui Kirchhoff ........................................................................... 10
1.7.3 Conexiunea serie ........................................................................................... 10
1.7.4 Conexiunea paralel ....................................................................................... 10
1.7.5 Reeaua de rezistoare .................................................................................... 11
1.7.6 Puntea rezistiv de msur ........................................................................... 11
1.8 Rezistoare dependente de temperatur ............................................................... 12
1.8.1 Rezistoare semiconductoare .......................................................................... 13
1.9 Rezistoare dependente de tensiune ...................................................................... 13
1.10 Rezistoare dependente de lumin ...................................................................... 14

1.1 Introducere
Rezistorul este probabil, cea mai simpl i cel mai des utilizat component
n circuitele electronice.
Cursul prezint principalele caracteristici funcionale ale rezistorului, modurile de
conectare n circuitele electrice i electronice, tipurile reprezentative.
Se vor prezenta relaiile de dependen fa de diveri factori care influeneaz
parametrii funcionali, precum iprincipalele aplicaii ale rezistorului.
1.2 Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Defineasc principalele caracteristici ale diverselor rezistoare;
S recunoasc legile care descriu matematic comportamentul rezistorului n
circuitele elctrice;

S aleag un rezistor care s corespund cerinelor de proiectare a unui

circuit.

Durata medie de parcurgere a primei uniti de nvare este de 3 ore.

REZISTORUL
Rezistorul este un dispozitiv electric care opune o rezisten trecerii curentului electric
prin el, ceea ce va produce o cdere de tensiune ntre cele dou borne ale sale. Conform legii lui
Ohmm, aplicat circuitului simplu ilustrat n figura 1.1, rezistena electric este egal cu tensiunea
pe rezistor V mprit la curentul ce-l strbate I (relaia 1.1).

Fig. 1.1Circuit rezistiv.

V
(1.1)
[] ,
I
n reprezentrile grafice, rezistorul se simbolizeaz dup cum se arat n figura 1.2:
R=

Fig. 1.2 a, b rezistor fix; c, d rezistor cu rezisten variabil; e fotorezistor.

Rezistorul este un element pasiv de circuit ce primete energie electrica i o transform
ireversibil n caldur, adic este un element disipativ. Ecuaia caracteristic a rezistorului este de
forma:
u = u(i(t),t) sau i = i(u(t),t)
iar curba caracteristic n planul (U,I) se numete caracteristica tensiune curent, sau curent
tensiune. Caracteristica curent tensiune (efect dependent de cauza i=i(u)) asociaz tensiunii
variabila independent, iar curentului variabila dependent.
Fizic, tensiunea este cauza, iar curentul este efectul, deoarece tensiunea produce un cmp
electric E sub aciunea cruia purttorii de sarcin se pot deplasa. n planul caracteristicii i u
curba caracteristic poate avea orice form.
1.3 Proprieti generale
n general, rezistorul este utilizat pentru a crea un raport binecunoscut tensiune curent
ntr-un circuit electric, astfel dac este cunoscut curentul ce trece prin poriunea de circuit,
rezistorul se folosete pentru a realiza o cdere prestabilit de tensiune, proporional cu acest
curent. De asemenea, dac este cunoscut diferena de potenial la bornele rezistorului, se poate
prestabili un curent proporional cu aceast tensiune.

Rezistoarele sunt componentele electronice pasive cel mai des utilizate n aparatura
electronic, reprezentnd aproximativ 30-40% din totalul componentelor unui aparat.
Din punct de vedere tehnologic, rezistoarele reprezint utilizri ale materialelor
conductoare n scopul controlului i limitrii curentului electric, bazate n general pe relaia:
R=

l
S

[]

(1.2)

unde:

rezistivitatea materialului conductor, care este caracteristic de material

[m];
- l lungimea conductorului [m];
- S aria seciunii conductorului [m2].
Figura 1.3 exemplific relaia 1.2, cu observaia c practic i uzual tehnologic datorit
dimensiunilor mari ale lungimii, conductorul se bobineaz pe un suport izolator.
-

Fig. 1.3 Rezistena unui fir conductor.

1.4 Clasificarea rezistoarelor
Clasificarea rezistoarelor se poate face dup diferite criterii, din care se prezint urmtoarele:
a) Dup construcie:
- rezistoare fixe, a cror rezisten electric este constant, fr posibiliti de
reglare;
- rezistoare variabile, a cror rezisten este variabil ntre zero i valoarea
nominal, avnd o construcie adecvat reglrii, formnd dou mari clase:
poteniometre i poteniometre semireglabile.
b) Dup tehnologia de realizare a prii rezistive a rezistorului:
- rezistoare bobinate, realizate prin bobinarea unui conductor filiform de mare
rezistivitate pe un suport izolator;
- rezistoare de volum, unde elementul rezistiv ocup ntregul volum al
rezistenei situat ntre terminale;
- rezistoare peliculare, unde elementul rezistiv este depus sub forma unei
pelicule subiri (sub 100 m grosime) pe un suport izolator.
c) Dup caracteristica tensiune-curent a rezistorului:
- rezistoare liniare;
- rezistoare neliniare, care au o caracteristic neliniar, R fiind dependent de
diferii factori ( tensiunea la variatoare, temperatura la termistoare,
intensitatea fluxului luminos la fotoreziatoare).
d) Dup modul de ncapsulare i utilizare:
- rezistoare singulare (obinuite);
- reele rezistive, formate din mai multe rezistoare n aceeai capsul, de regul
interconectate ntr-un mod cerut de aplicaii tipice.

1.5 Elemente de tehnologie a rezistoarelor

1.5.1 Tehnologia rezistoarelor fixe
Un rezistor fix are o structur tipic, indiferent de modul de realizare i anume:
- partea rezistiv;
- suportul izolant;
- terminalele;
- protecia fa de mediul exterior.
Partea rezistiv constituie elementul esenial al rezistorului, nglobnd principalele
eforturi tehnologice i determinnd performanele acestuia; ea se realizeaz din conductoare
metalice, care trebuie s rspund urmtoarelor cerine:
rezistivitate ridicat, pentru a se folosi ct mai puine spire, n special pentru
rezistene cu valori mari;
- coeficient mic de temperatur al rezistivitii;
- tensiune electromotoare de contact n raport cu cuprul mic (deoarece
terminalele se realizeaz, de regul din Cu sau aliajele ale acestuia);
- temperatur de topire ridicat (la rezistoarele de mare putere).
Principalele caracteristici ale materialelor conductoare sunt prezentate n tabelul 1.1.
-

Tab. 1.1

Caracteristici

Rezistivitate [mm2/m]
Coeficient de temperatur
[10-6/oC]
Temperatura maxim de utilizare
[oC]
T.e.m. de contact fa de cupru
[V/oC]
Rezistena la traciune [kgf/mm2]
Densitate [g/cm2]

Manganin
Ni=4%
Cu=84%
Mn=12%

Constantan
Ni=45%
Cu=55%

0.42

0.5

Aliaj
Kanthal
Fe=75%
Cr=20%
Al=4,5%
Co=0,5%
1.35

15

20

100

Nicrothal Nicrom
Ni=75%
Ni=80%
Cr=17%
Cr=20%
Mg,Si=8%
1.33

1.15

20

20

130

535

150

230

1000

43

3,5

40.55
8.4

4050
8.9

80100
7.2

110..140
8.1

92
8.4

1.5.2 Tehnologia rezistoarelor peliculare

La rezistoarele peliculare, elementul rezistiv se realizeaz din pelicule cu grosimi cuprinse
ntre 0,001 i 100 m.
Aceste pelicule pot fi:
- pelicule rezistive de carbon aglomerat;
- pelicule rezistive de bor carbon;

pelicule rezistive de carbon cristalin;

pelicule metalice;
pelicule din oxizi metalici;
pelicule obinute prin tehnologia straturilor subiri sau groase.

Peliculele rezistive din carbon aglomerat rezult din amestecul a dou materiale: unul cu
rezistivitate mic (pe baz de negru de fum sau grafit), iar cellalt cu rezistivitate mare (pe baz
da oxizi metalici semiconductori). Amestecul se consolideaz printr-un liant pe baz de rini
fenolformaldehidice.
Rezistoarele construite pe baza acestor pelicule au avantajul unei tehnologii simple, cu
pre de cost redus, rezisten la suprasarcini, dar i dezavantajul unui zgomot intern i unui
coeficient de nbtrnire mari.
Peliculele rezistive din carbon cristalin sunt fabricate prin descompunerea termic
(piroliza) a hidrocarburilor saturate (metan, benzen etc.) n vid sau n atmosfer inert. Grosimea
peliculelor obinute astfel este de aproximatir 0,1m. Aceste pelicule cu structur cristalin, au o
mai bun stabilitate n timp, fa de cele cu carbon aglomerat.
n tabelul 1.2 se prezint cteva din principalele caracterisici ale unor materiale folosite la
fabricarea rezistoarelor peliculare.
Tabelul 1.2
Materialul
Caracteristici
CrSiO
SnO 2
Ta
Cermet
1000
25..1000
50500
110000
R 0 []
Coeficient. de temperatur
100
500
2005000 -200+500
[10-6/oC]
1.5.3 Tehnologia suportului izolant
Suportul izolant trebuie s satisfac unele caliti, cum ar fi:
- rezisten electric i mecanic mare;
- conductibilitate termic bun;
- s nu fie higroscopic;
- s fie stabil din punct de vedere chimic fa de elementul resistiv;
- s aib permeabilitate magnetic i permitivitate dielectric, mic;
- pierderi dielectrice i magnetice reduse, ntr-o gam larg de frecvene.
n funcie de tipul de rezistor, suportul izolant se realizeaz cu suprafee uniforme, fr a fi
nevoie de prelucrri ulterioare.
a) Pentru rezistoarele bobinate se utilizeaz urmtoarele materiale:
- sticl sau fibre de sticl, pentru temperaturi de lucru ce pot depi 100C;
- ceramic, pentru temperaturi de lucru pn la 360C;
- mica, pentru rezistoare speciale.
b) Pentru rezistoarele peliculare, suportul izolant se realizeaz din ceramic, selectat s
aib coeficientul de dilatare termic apropiat de cel al elementului rezistiv. Suporii necesit
prelucrri mecanice (finisare) i chimice (degresare) nainte de depunerea peliculelor.

1.5.4 Realizarea terminalelor

La marea majoritatea tipurilor de rezistoare, terminalele se realizeaz din conductoare
filare avnd diametrele de 0,4; 0,5; 0,6 ; 0,8 sau l mm, n funcie de puterea i tipul rezistorului.
n cazul rezistoarelor bobinate cu puteri mari, terminalele pot fi de tip colier, realizate din
lamele strnse cu uruburi.
Terminalele filiforme, mai rar lamelare, se fixeaz fie prin sudura unor capace, de corpul
rezistorului, fie prin lipire direct (suportul are n acest caz capetele metalizate) sau prin
ncastrare. ( operaiune specific rezistoarelor de volum ).
Orientarea terminalelor poate s fie axial sau radial. Un caz aparte este reprezentat de
rezistoarele de tip plachet, la care terminalele se sudeaz n zonele metalizate ale plachetei.
Materialele utilizate de obicei pentru realizarea acestor terminale sunt cuprul (cositorit),
alama, alte aliaje ale Cu.
1.5.5 Realizarea proteciei
Protecia trebuie s satisfac cerine similare cu cele impuse suportului izolant. La
rezistoarele bobinate, n funcie de putere, respectiv temperatura de lucru, se pot aplica
urmtoarele tipuri de protecie:
- lcuire, pentru temperaturi de lucru sub 125C;
- cimentare cu ciment siliconic (max. 360C);
- vitrificare, prin strat protector vitrifiant n cuptor la max. 400C;
- introducerea ntr-un corp ceramic, care devine i radiator;
- tropicalizare, prin introducerea ntr-un tub de sticl sau porelan i ermetizare.
La rezistoarele peliculare se aplic de regul lcuirea i mai rar, cimentarea, sau rini termodure
i un strat de cear.
1.6 Aplicaiile rezistoarelor
1.6.1 Rezistoare variabile
Rezistoarele variabile numite i poteniometre sau rezistoare ajustabile sunt larg folosite
n circuitele electronice ca dispozitive de stabilire i reglare a unor parametri ai circuitului. Ele se
pot realiza n forme, dimensiuni, valori etc. foarte variate. Principalele caracteristici ale
poteniometrelor sunt:
- legea de variaie a rezistenei (liniar, logaritmic etc.);
- valorile minim i maxim de reglaj;
- puterea disipat;
- materialul rezistiv i proprietile acestuia;
- modul de ncapsulare i numrul de rezistoare care pot fi reglate simultan;
- modul de reglaj i precizia reglrii (cu ax, cu cursor, cu urub etc.).
n figura 1.4 se prezint un poteniometru care va prestabili o tensiune U 2 , care va avea o
valoare dependent de poziia cursorului, anume:

U 2 = k U 1 , unde k = 0...1

(1.3)

Fig. 1.4 Divizor poteniometric de tensiune.

1.6.2 Reglarea sau limitarea curentului printr-un dispozitiv electronic
Montarea n seie a rezistorului cu o alt component electronic, de exmplu o dioda
luminiscent ( LED Light Emitting Diode ), face ca prin acest circuit, s poat fi meninut i
controlat curentul la o valoare sigur pentru o bun funcionare a diodei.
Aceast simpl aplicaie, n care rezistorul are rol de limitator de curent este reprezentat n
figura 1.5.

Fig. 1.5 Rezistena utilizat ca limitator de curent.

1.6.3 Reglarea turaiei unui motor electric
Turaia unui motor electric de curent continu poate fi controlat prin intercalarea unei
rezistene reglabile (reostat) n serie cu indusul motorului, cum se putea ntlni la controlul vitezei
de deplasare ale tramvaielor electrice sau ale troleibuzelor urbane (figura 1.6).

Fig. 1.6 Rezistena utilizat la reglarea turaiei unui motor.

1.6.4 Atenuarea
O reea format din dou sau mai multe rezistoare formeaz un divizor de tensiune i este
utilizat pentru reglarea nivelului de tensiune dorit, cum se arat n figura 1.7:

Fig. 1.7 Divizorul de tensiune.

Relaia de calcul a tensiunii divizate este:

U2 =

R2
U1
R1 + R2

[V ]

(1.4)

1.7 Rezistorul ca parte a unui circuit electric

Prin plasarea unui rezistor ntr-un circuit electric, acesta se supune celor dou legi ale lui
Kirchhoff ( descrise prima dat n 1845 de Gustav Kirchhoff ), care sunt aplicaii ale principiului
conservrii sarcinii electrice i a energiei i ale crora forme simplificate sunt urmtoarele:
1.7.1 Prima lege a lui Kirchhoff (sau legea nodurilor )
Ca aplicaie a principiului conservrii sarcinii electrice, care nu se schimb n timp, suma
curenilor luai cu semnele lor este nul, sau suma curenilor care intr ntr-un nod este egal cu
suma curenilor care ies din acel nod, dup cum se arat n figura 1.8:

Fig. 1.8 Reprezentarea legii lui Kirchhoff pentru noduri.

Astfel, se poate scrie:

i1 + i4 = i2 + i3 , sau, n general pentru nodul considerat:

I = 0

(1.5)

1.7.2 A doua lege a lui Kirchhoff (sau legea buclelor )

Aceast lege este o implicaie a principiului conservrii energiei, care stipuleaz c suma
diferenelor de potenial ntr-un circuit electric trebuie s fie nul.
n figura 1.9 este reprezentat un circuit electric sub forma unei bucle ce conine i o surs
de tensiune v 4 , iar relaia matematic a legii este:

V = 0 , adic v + v
1

+ v3 + v 4 = 0

(1.6)

Fig. 1.9 Reprezentarea legii lui Kirchhoff pentru bucle.

1.7.3 Conexiunea serie
Curentul electric ce strbate rezistenele legate n serie rmne acelai, dar cderea de
tensiune pe fiecare rezistor n parte are o valoare impus de valoarea reistenei respective, astfel
nct suma acestor cderi de tensiune egaleaz tensiunea de alimentare a reelei. Pentru aflarea
rezistenei echivalente Req a circuitului serie artat n figura 1.10, se utilizeaz relaia:
Req = R1 + R2 + ... + Rn

(1.7)

Fig. 1.10 Conectarea rezistoarelor n serie.

1.7.4 Conexiunea paralel
Prin conectarea n paralel a mai multor rezistoare, fiecare dintre acestea suport aceeai
cdere de tensiune, dup cum se arat n figura 1.11, iar pentru aflarea rezistenei echivalente
Req se folosete relaia:

1
1
1
1
=
+
+ ... +
Req R1 R2
Rn

(1.8)

10

Fig. 1.11 Conectarea rezistoarelor n paralel.

1.7.5 Reeaua de rezistoare
O combinaie de rezistoare conectate att n serie ct i n paralel constituie o reea
rezistiv.
Pentru exemplificare, se prezint n figura 1.12 o reea simpl format dintr-un rezistor
legat n serie cu o conexiune n paralel format din alte dou rezistoare, a crei rezisten
echivalent Req este dat de:

Req = (R1 R2 ) + R3 =

R1 R2
+ R3
R1 + R2

(1.9)

Fig. 1.12 Conectarea rezistoarelor n reea.

1.7.6 Puntea rezistiv de msur (Wheatston)
Principiul de funcionare este sugerat de modul de amplasare a celor patru rezistene,
anume dou cte dou opozite, analog juctorilor de Bridge, de unde i numele. Acest circuit
special are dou diagonale una de alimentare cu energie electric, alta de msur, unde este
plasat un indicator, el este artat n figura 1.13.
Tensiunea dat de indicator (U ind ) este:

U ind

1
1

= U bat
= U bat

R1
R3
1+

1+
R2
Rx

R3 R1

R x R2

R
R
1 + 1 1 + 3
R2 R x

(1.10)

11

de unde rezult condiia de echilibru a punii de msur, anume:

R1 R3
, ceeace sugereaz modul de a afla o rezisten necunoscut R x , adic:
=
R2 R x
R R
(1.11)
Rx = 2 3
R1

Fig. 1.13 Puntea Wheatston.

1.8 Rezistoare dependente de temperatur
Rezistoarele dependente de temperatur au la baza funcionrii lor variaia rezistivitii
unor materiale semiconductoare sau de alt tip, atunci cnd se modific temperatura acestora.
Termistoarele cu coeficient de temperatur negativ (NTC Negative Temperature
Coefficient) se realizeaz din materiale semiconductoare a cror rezistivitate scade cu creterea
temperaturii, fenomen specific majoritii semiconductoarelor. n acest scop se utilizeaz de
regul oxizi de Cr, Mn, Fe, Ni etc. impurificai cu ioni strini pentru a-i spori proprietile
semiconductoare.
Dependena de temperatur a rezistenei termistorului este
(1.12)
RT = Ae B / T
unde,
A = R este valoarea limit a rezistenei cnd T , iar B este o constant de material i de
tehnologie i are valori ntre 2000 i 5000 oC.
Coeficientul de temperatur este:
B
1 dRT
(1.13)
R =
= 2 <0
RT dT
T
Termistoarele cu coeficient de temperatur pozitiv (PTC Positive Temperature
Coefficient) se realizeaz din materiale pe baz de titanat de bariu (BaTiO 3 ) cu o tehnologie
tipic materialelor ceramice, urmrindu-se ca prin tratamentul termic s se substituie ionii de
Ba2+ cu ioni de impurificare, devenind astfel materiale semiconductoare.
Dependena de temperatur a rezistenei termistorului este dat de relaia:
RT = A + Ce BT , iar
coeficientul de temperatur al rezistenei este:
12

BC e BT
1 dRT
(1.14)
=
>0
RT dT
A + Ce BT
Aceste rezistoare se utilizeaz ca senzori de temperatur (traductoare termice) n sistemele de
urmrire a temperaturii i de reglare automat a acesteia.

R =

1.8.1 Rezistoare semiconductoare (Termistoare)

Prin utilizarea materialelor semiconductoare, cel mai des fiind siliciu, se realizeaz
rezistoare puternic dependente de temperatur, cu aplicaii primordial n domeniul msurrii
temperaturilor.
Termistoarele au o sensibilitate la variaii de temperatur cu cteva ordine de mrime mai
mare dect rezistoarele metalice, iar rezistena lor este dat de o expresie exponenial de forma:
(1.15)
RT = RT0 exp K (T T0 ) []
Figura 1. 14 prezint comparativ evoluia rezistenei cu temperatura a termistoarelor i
termorezistenelor.

Fig. 1. 14 Comparaie ntre variaia rezistenei cu temperatura a unui termistor i a unei

rezistene din platin.
1.9 Rezistoare dependente de tensiune (varistoare)
Varistorele se produc din materiale pe baz de carbur de Si, ZnO sau ali oxizi.
Dependena de tensiune a rezistenei se explic prin fenomenele ce au loc la suprafaa granulelor
ce compun materialul la diferite tensiuni. Prin sinterizare, ntre dou granule vecine se formeaz
o dubl joniune, echivalent cu dou diode n serie. Suprapunerea efectelor n ntregul volum
semiconductor conduce la o caracteristic curent tensiune de forma:
I = k1U + k 2U n 1

(1.14)

unde, k1, k2 i n sunt constante de material.

Difereniind ecuaia de mai sus se obine ecuaia dependenei rezistenei de tensiune:
13

RU =

1
dU
=
dI
k1 + k 2U n 1

(1.15)

Aplicaiile varistoarelor sunt legate de sistemele de monitorizare i control automat al

tensiunilor electrice, traductoare de tensiune, modulaia semnalelor electrice, realizarea de funcii
electrice neliniare etc.
1.10 Rezistoare dependente de lumin (fotorezistoare)
Fotorezistoarele, simbolizate ca n figura 1.14, au la baza funcionrii lor efectul
fotoelectric, care const n modificarea conductivitii electrice a unui semiconductor n urma
recepiei unui flux luminos. Absorbia fotonilor modific concentraia de purttori liberi din
semiconductor i prin aceasta conductivitatea sa, n sensul reducerii acesteia.

Figura 1.14 Simbolizarea fotorezistorului.

Fotorezistorul n circuit (figura 1.15) formeaz un divizor de tensiune, iar informaia dat de
fluxul luminos este dat de relaia:
V =

Rf
R + Rf

Vcc

(1.16)

n acest caz, tensiunea de ieire V scade odat cu creterea intensitii luminoase.

Figura 1.15 Utilizarea fotorezistorului ntr-un

circuit electric

Figura 1.16 Fotorezistor CdS

Fotorezistoarele se construiesc dup domeniul de utilizare; astfel pentru spectru vizibil se

utilizeaz ca material sulfura de cadmiu, pentru domeniul infrarou apropiat sulfuri de plumb
sau compui de indiu-antimoniu, iar pentru domeniul infrarou ndeprtat germaniu dopat cu
cupru.
Fotorezistoarele au o larg arie de aplicaii, ncepnd de la controlul camerelor de luat
vederi, comanda iluminatului, pn la fotospectrometre, iar fizic, fotorezistorul este ilustrat n
figura 1.16.

14

Exemple
Legea lui Ohmm poate determina una dintre necunoscute, cnd se cunosc doi
parametri de circuit; astfel dac pentru o aplicaie dat se cunosc tensiunea i
curentul, se poate determina rezistena.
Conectarea mai multor rezistene se analizeaz din aproape n aproape, astfel se
poate determina o schem echivalent simplificat, din care se pot trage concluzii
privind nivelul tensiunilor i circulaia curentului.
Scriei relaia unui divizor de tensiune: pentru o tensiune de intrare de 12
V, s se afle valoarea rezistenelor pentru o tensiune de ieire de 6 V.
Aflai valoarea rezistenei pentru a limita curentul dintr-un circuit
alimentat la 12 V la 0.5 A.

S ne reamintim...
Rezistoarele se supun legii lui Ohmm, care pune n relaie curentul ca fiind efectul
tensiunii, care este cauza.
Comportarea lor n circuit este coordonat de legile specifice circuitului electric.
Rezistoarele se fabric ntr-o larg varietate tipo-dimensional; fiecare aplicaie cere
un anumit tip constructiv, care s corespund cerinelor de tensiune i putere maxim
admisibil.

Rezumat
Elementul de circuit pe care l reprezint rezistorul este supus unor legi care
leag mrimi tipice de circuit, cum sunt tensiunea i curentul.
Au fost prezentate diverse feluri de conectare a rezistoarelor, relaii valabile n
circuitele elctrice, tipologii speciale de circuite rezistive.
Au fost prezentate rezistoare speciale, care pot fi utilizate ca senzori pe un
autovehicul.

15

Unitatea de nvare I.2.1 CONDENSATORUL

Cuprins
I.2.1 Introducere ........................................................................................................... 16
I.2.2. Competene .......................................................................................................... 16
I.2.3. Capacitatea unui condensator ............................................................................. 17
I.2.4 Tipuri de condensatoare ....................................................................................... 18
I.2.5 Energia nmagazinat........................................................................................... 18
I.2.6 Condensatorul amplasat n circuite electrice ....................................................... 18
I.2.7 Simbolizare ........................................................................................................... 19
I.2.8 Condensatorul n circuite de curent continuu ...................................................... 19
I.2.9 Condensatorul n circuite de curent alternativ..................................................... 20
I.2.9.1 Impedana condensatorului ........................................................................... 20
I.2.9.2 Vectorii asociai tensiunii i curentului ......................................................... 20
I.2.10 Reele de condensatoare ..................................................................................... 21
I.2.10.1 Conectarea condensatoarelor n paralel ..................................................... 21
I.2.10.2 Conectarea condensatoarelor n serie ......................................................... 21
I.2.10.3 Puterea instantanee ..................................................................................... 22
I.2.11 Aplicaii ale condensatoarelor ........................................................................... 22

I.2.1. Introducere
Condensatorul este o component important a unui circuit electric prin
calitile sale specifice: decuplarea surselor de tensiune continu, comportarea
diferit n circuitele de curent continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea
de a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice,
principalele caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii
funcionali ai unui condensator.
I.2.2. Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Defineasc rolul i locul unui condensator ntr-un circuit electric;
Defineasc noiunea de impedan a condensatorului;

Descrie fazorial funcionarea condensatorului n circuite de curent

alternativ.

16

Durata medie de parcurgere a celei de-a doua uniti de nvare este de 3

ore.

CONDENSATORUL
Un condensator este definit ca un dispozitiv electric sau electronic, care poate stoca energie
n cmpul electric format de dou plci conductoare de arie A, separate de un izolator denumit
dielectric, la o anumit distan d; o reprezentare intuitiv a unui condensator plan este artat n
figura 2.1.

Figura 2.1 Condensatorul plan

Atunci cnd se aplic o tensiune electric, pe cele doua plci ale armturii condensatorului
apare un cmp electric n dielectric, ceea ce duce la apariia unei ncrcri cu sarcini electrice de
polariti opuse Q.
Mrimea acestor sarcini determin capacitatea unui condensator.
2.3 Capacitatea unui condensator
Atunci cnd sarcinile electrice se acumuleaz n cele dou plci ale armturii, n dielectric
se formeaz un cmp electric direct proporional cu mrimea acestora, ceea ce duce la apariia unei
diferene de potenial ntre plci:
(2.1)
V = E d [V ]
Capacitatea unui condensator C este msura cantitii de sarcini electrice Q, stocate n
armturi, pentru o diferen de potenial V, aplicate pe acestea:
C=

Q
V

[F ]

(2.2)

n sistemul unificat de uniti SI, condensatorul are capacitatea de un Farad atunci cnd
sarcina electric de un Coulomb acumulat pe armturi creeaz o diferen de potenial ntre
acestea de un Volt.

17

Capacitatea unui condensator plan, urmrind figura 2.1, este proporional cu aria
armturilor A, cu permitivitatea dielectricului , care este un material izolator i invers
proporional cu distana d dintre armturi, iar expresia acesteia este dat de relaia (2.3):
C=

A
; Ad2
d

(2.3)

2.4 Tipuri de condensatoare

Figura 2.2 Tipuri reprezentative de condensatoare citors: ceramice, cu tantal sau electrolitice,
vzute la scar centimetric.
2.5 Energia nmagazinat (stocat)
Sarcinile electrice acumulate pe cele dou armturi dezvolt un cmp electric, a crui energie (care
se msoar n Joule, n SI ) este stocat i care este dat de:
E=

1 Q2 1
1
= VQ
CV 2 =
2 C 2
2

[J ] ,

(2.4)

unde V este tensiunea electric dintre armturi.

Energia maxim ce poate fi acumulat ntr-un tip oarecare de condensator este limitat de
dimensiunea cmpului electric ce nu-l poate distruge, care se poate defini prin densitatea de
energie pe volumul dielectricului (J / m ).
2.6 Condensatorul amplasat n circuite electrice
Condensatorul are comportament diferit, dup cum este situat ntr-un circuit de curent continuu sau
alternativ.

18

Figura 2.3 Migraia sarcinilor electrice

n figura 2.3 se poate observa cum electronii din dielectric care sunt sub influena cmpului
electric duc la o rotaie lent a moleculelor dielectricului. Condensatorul las s treac curentul
alternativ i blocheaz curentul continuu.
2.7 Simbolizare
Condensatoarele sunt figurate simbolic n funcie de aplicaia specific, dup cum se
reprezint n tabelul 2.
Tabelul 2
Condensator
Condensator
Condensator
polarizat
variabil

2.8 Condensatorul n circuite de curent continuu

Electronii nu pot trece uor de pe o armtur pe cealalt prin dielectric, care este ales astfel
nct s fie un foarte bun izolator. Curentul prin condensator rezult de fapt, mai mult ca urmare a
separrii sarcinilor electrice, dect acumulrii electronilor lor pe armturi. Aceast separare a
sarcinilor Q crete cu tensiunea V aplicat plcilor.
Expresia matematic a curentului I, care reprezint raportul de forare a sarcinilor Q prin
dQ
dV
,
(2.5)
=C
condensator este:
I=
dt
dt
Unde,
I este curentul msurat n amper [A] ,
C este capacitatea n farad [F ];

19

dV
este derivata tensiunii aplicat armturilor [V / s ] .
dt

Pentru circuitele alimentate de la o surs de curent continuu tensiunea pe condensator nu

poate excede tensiunea sursei, dect n aplicaii speciale. n acest caz se ajunge la un echilibru
energetic, din care cauz se spune uzual condensatorul blocheaz curentul continuu.
2.9 Condensatorul n circuite de curent alternativ
Curentul prin condensator datorat unei tensiuni alternative aplicat pe plci i schimb
direcia periodic, astfel nct sarcinile electrice se transfer de pe o plac pe cealalt, iar curentul
nu se anuleaz niciodat. De aceea se spune c prin condensator trece curentul alternativ.
2.9.1 Impedana condensatorului
Raportul dintre fazorul tensiunii i fazorul curentului se numete impedan, iar n cazul
condensatorului aceasta este dat de:
j
= jX C ,
(2.6)
Zc =
2fC
unde
j = 1 ;
f este frecvena;
= 2f este pulsaia sau frecvena unghiular;
1
se numete reactana capacitiv.
XC =
C
Semnul negativ al impedanei indic faptul c tensiunea (alternativ) este naintea
curentului cu 900 pentru un semnal sinusoidal. Se observ c reactana este invers proporional cu
capacitatea i scade o dat cu creterea frecvenei, ajungnd chiar la un scurtcircuit la frecvene
mari.
2.9.2 Vectorii asociai tensiunii i curentului
Descrierea vectorilor este dat de relaiile (2.7):

u = U 2 sin ( t + ) U : U / ;
(2.7)

i = I 2 sin(t + + / 2 I : I / + / 2

Vectorul curent I este rotit cu unghiul /2 n sens trigonometric (nainte) fa de vectorul

tensiunea U aplicat la borne. La un condensator U I , iar curentul I este defazat cu unghiul /2

radian naintea lui U , cum se arat n figura 2.4, unde se observ c vectorul curentului este
defazat cu /2 rad naintea vectorului tensiunii.

20

a
b
Figura 2.4 a tensiunea este naintea curentului cu /2; b - fazorii tensiunii i curentului prin
condensator.
2.10 Reele de condensatoare
2.10.1 Conectarea condensatoarelor n paralel
Configurarea condensatoarelor n paralel, ilustrat n figura 2.5 conduce la acelai potenial
electric pe fiecare dintre acestea, iar capacitatea echivalent este dat de relaia (2.8):
C echivalent = C1 + C 2 ++ C n

(2.8)

Figura 2.5 Conexiunea paralel a condensatoarelor.

Motivul principal de conectare a condensatoarelor n paralel este acela de a mri cantitatea
sarcinilor electrice acumulate, implicit de a mri cantitatea energiei electrice stocate, a crei
expresie este:
2
1
(2.9)
E stocata = CV
2
2.10.2 Conectarea condensatoarelor n serie
Curentul care strbate condensatoarele conectate n serie rmne acelai, dar cderea de
tensiune pe fiecare condensator este diferit, dup valoarea capacitii acestuia, conexiunea n serie
fiind artat n figura 2.6, astfel nct capacitatea echivalent este:
1
C echivalent

1
1 1
+ +
+
C1 C 2
Cn

(2.10)

21

Figura 2.6 Conexiunea serie a condensatoarelor.

Practic, legarea n serie a condensatoarelor urmrete obinerea unui capacitor echivalent
capabil s suporte o tensiune nalt de exemplu, trei condensatoare cu o tensiune suportabil de
600 V legate n serie vor forma un condensator echivalent capabil s reziste la o tensiune maxim
de 1800 V.
2.10.3 Puterea instantanee
Puterea instantanee pe condensator are expresia:
p = ui = CU 2 2 sin(t + ) cos(t + ) = CU 2 sin 2(t + )

(2.11)

i oscileaz cu frecvena unghiular 2 n jurul valorii nule ca i la o bobin.

In concluzie, pentru un condensator :
- puterea activ este nul;
- puterea reactiv capacitiv definit ca amplitudine a puterii instantanee oscilante ,este :
1 2
(2.12)
QC = U 2 / X C = X C I 2 =
I
C
2.11 Aplicaii ale condensatoarelor
Condensatoarele au multiple utilizri n circuitele electrice i electronice, de la aparatele de
telecomunicaie pn la centralele energetice nucleare.
Stocarea de energie
Un condensator poate nmagazina energie electric, atunci cnd este deconectat de la
cicuitul electric, astfel nct el devine o baterie temporar, cu att mai bun cu ct capacitatea este
mai mare.
De exemplu, la schimbarea bateriei unei plci de baz a unui calculator, un condensator
menine tensiunea de alimentare a memoriei, aa fel nct aceasta s nu-i piard informaia; la un
vehicul hibrid, pornirea motorului termic se face de la un supracondensator etc.
Filtrarea
Datorit proprietilor de stocare a sarcinilor electrice, condensatorul netezete pulsaiile
tensiunii redresate. De asemenea prin blocarea tensiunii continue, el separ componenta
alternativ, caz n care se numete condensator de cuplaj.
Energia stocat poate fi utilizat ca informaie memorat, de exemplu n circuitele de
conversie analog digital, caz n care este denumit condensator de memorare (sample & hold
capacitor).
Circuite acordate
Condensatorul cuplat ntr-un mod particular cu o inductan, formeaz aa numitul circuit
de acord, care selecteaz o anumit frecven de transmisie a unui semnal util, cum se ntmpl la
cutarea unui post de radio.

22

Relaia dintre frecven i valorile condensatorului C i ale inductanei L este dat de:
f=

1
2 LC

(2.13)

frecven care coincide cu frecvena de rezonan a circuitului LC.

Alte aplicaii consider condensatorul ca un senzor, n care orice modificare a distanei dintre
armturi, a dielectricului sau suprafeei plcilor armturilor conduce la realizarea msurrilor de
deplasare liniar, unghiular sau de acceleraie.

Exemple
Observaii
n curent continuu curentul prin condensator este nul. Condensatorul reprezint
deci o ntrerupere de circuit.
n curent alternativ, la o tensiune dat aplicat la borne, curentul prin condensator
este determinat de reacia sa; reactana unui condensator ideal este invers
proporional cu frecvena.
De aceea condensatorul ideal blocheaz trecerea curentului la frecvene joase i
prezint scurt-circuit la frecvene nalte.

Scriei expresia capacitii unui condensator plan;

Artai cum se poate construi un senzor, utiliznd proprietile de material
ale dielectricului;
Calculai impedana unui condensator la frecvenele de 50, 500, 1000,
10000 Hz.

Rezumat
Condensatorul este o component important a unui circuit electric prin
calitile sale specifice: decuplarea surselor de tensiune continu, comportarea
diferit n circuitele de curent continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea de
a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice, principalele
caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii funcionali ai unui
condensator.
Condensatorulu este elementul dual al inductanei

23

Unitatea de nvare I.3.1 INDUCTANA

Cuprins
I 3.1 Introducere ........................................................................................................... 24
I 3.2 Competene ........................................................................................................... 24
I 3.3 Forme constructive ............................................................................................... 25
I 3.4 Energia nmagazinat........................................................................................... 26
I 3.5 Comportarea inductanei ntr-un circuit electric ................................................. 26
I 3.6 Inductana n circuite de curent alternativ ........................................................... 26
I 3.7 Puterea activ ....................................................................................................... 27
I 3.8 Puterea instantanee .............................................................................................. 27
I 3.9 Reele de inductane.............................................................................................. 29
I 3.10 Factorul de calitate............................................................................................. 30
I 3.11 Formule matematice utile privind inductana .................................................... 31
Rezumat ................................................................................................................ 32

I.3.1 Introducere
Cursul elemente specifice componentei pasive de circuit, care este inductana.
Sunt abordate caracteristicile funcionale, comportarea diferit n circuitele de
curent continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea de a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice,
principalele caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii
funcionali ai unei inductane.
I.3.2 Competenele unitii de nvare
Defineasc rolul i locul unei inductane ntr-un circuit electric;
Defineasc noiunea de impedan a cinductanei;
Descrie fazorial funcionarea inductanei n circuite de curent alternativ.
Durata medie de parcurgere a celei de-a treia uniti de nvare este de 3 ore.

24

INDUCTANA
Inductana este o component pasiv de circuit care, const n esen, dintr-o nfurare a
unui fir conductor (de regul din cupru) pe un suport izolator; ea poate avea sau nu un miez
feros, care ar putea intensifica fluxul magnetic creat la trecerea curentului electric.
Simbolizarea inductanei este aratat in figura 3.1.

Figura 3.1 Simbolul inductanei.

3.3 Forme constructive
O inductan este construit n mod uzual, dintr-o bobin din material conductor, tipic din
cablu emailat din cupru infurat in jurul unui miez, care poate fi aer sau un material
feromagnetic. Formele constructive pot fi foarte diverse, cteva dintre acestea fiind urmtoarele:
- inductane cu miez de ferit;
- inductane ajustabile cu miez reglabil;
- inductane care se pot ataa direct pe circuitul imprimat sau care se pot realize direct pe un
cablaj imprimat, de exemplu sub forma unei spirale;
- inductane care se construiesc ca parte funcional dintr-un circuit integrat;
- giratoare, care se comport ca o inductan dar sunt realizate n tehnic integrat, fiind
constituite dintr-un condensator i alte componente active (diode, tranzistoare etc.).
n figura 3.2 se prezint cteva forme constructive uzual folosite n circuitele de joas
tensiune i de semnal mic:

Figura 3.2 Forme constructive ale inductanelor.

Unitatea de msur a inductanei este Henri (H) i reprezint efectul cmpului magnetic
creat de curentul ce strbate conductorul din bobinaj; ca urmare fluxul magnetic este proporional
cu acest curent. O schimbare a curentului din bobin conduce la o modificare a fluxului magnetic,
care va genera o for electromotoare ce se va opune acestei schimbri.
Astfel se poate spune c inductana este msura forei electromotoare generate de o
schimbare unitar a curentului prin bobinaj.
Inductana poate fi mrit prin ecranarea bobinei sau prin introducerea unui miez construit
dintr-un material de nalt permeabilitate magnetic.

25

3.4 Energia nmagazinat

Energia stocat de o inductan (exprimat n Joule, n SI) este dat de urmatoarea formul:
E stocat =

1 2
LI
2

(3.1)

unde,
L este inductana;
I este curentul prin bobinaj.
3.5 Comportarea inductanei ntr-un circuit electric
Fa de un condensator, care se opune modificrilor de tensiune, o inductan se opune
schimbrilor curentului; o inductan ideal are o rezisten electric nul n curent continuu, dar
n general variaia curentului prin bobin n timp descrie tensiunea la bornele inductanei prin
relaia:
di (t )
(3.2)
v(t ) = L
dt

3.6 Inductana n circuite de curent alternativ

n regim sinusoidal inductana strbtut de curentul sinusoidal i = I 2 sin(ti + ) are tensiunea
la borne dat de relaia:

di
(3.3)
u L = L = LI 2 cos(t + ) = LI 2 sin(t + + )
dt
2
Prin urmare , valoarea efectiv a tensiunii U L este:
iar faza iniial are valoarea:

U L = LI

= +

(3.4)

(3.5)

Mrimea L = X L se numete reactana inductiv. Simbolul reactanei este X, i se msoar n

ohmi ca i rezistena.
Concluzii privitoare la inductan:
- curentul este defazat n urma tensiunii la borne cu

rad;
2
- valoarea efectiv a curentului este egal cu valoarea efectiv a tensiunii la borne mprit la
U
reactana bobinei, adic I = L .
XL
Vectorii asociai tensiunii i curentului

26

Descrierea vectorilor este dat de relaiile (3.6):

u L = U L 2 sin(t + +

) U L : U L / / 2 + ;

i = I 2 sin(t + ) I : I /

(3.6)

Vectorul U L este rotit cu unghiul / rad n sens trigonometric fa de vectorul I . La bobin

curentul este defazat cu / 2rad n urma tensiunii, respectiv tensiunea este defazat cu /2
naintea curentului, cum se ilustreaz n figura 3.3.

Figura 3.3 Vectorii tensiunii i curentului prin bobin.

3.7 Puterea activ
Pe durata unei perioade, ntr-o semiperioad puterea instantanee este primit de bobin,
iar n semiperioada imediat urmtoare puterea instantanee este cedat de bobin spre exterior, de
exemplu sursei la care este conectat. n medie pe o perioad, energia primit la borne este nul;
puterea activ este deci, de asemenea nul.
Bobina nu este numai un consumator de putere activ; ea schimb energia cu exteriorul.
Se poate caracteriza acest schimb de energie prin amplitudinea puterii instantanee, care este
oscilant. Aceast mrime se numete puterea reactiv inductiv i este definit de relaia:
QL = LI 2 = X L I 2

(3.7)

3.8 Puterea instantanee la bornele bobinei are expresia:

p = ui = 2LI 2 2 sin(t + ) cos(t + ) = LI 2 sin 2(t + )
i este variabil sinusoidal n timp, avnd frecvena dubl.
Puterea reactiva are simbolul Q i se msoar in var (volt-amper-reactiv).

(3.8)

Figura 3.4 arat variaiile n timp a parametrilor energetici ale unei bobine. Astfel,
atunci cnd puterea instantanee este negativ, de exemplu n intervalul (T/4;T/2), energia

27

magnetic acumulat n bobin scade la zero de la valoarea maxim LI 2 , egal cu aria haurat
de sub graficul puterii instantanee.

Figura 3.4 Relaii energetice ntr-o bobin.

Atunci cnd puterea instantanee este pozitiv, n intervalul (T/4;T/2), energia
magnetic acumulat crete de la zero la valoarea maxim. n acest interval bobina primete
energie. Bobina schimb energia pe la borne fr a o consuma; ceeace primete ntr-un interval
cu durata T/4 se cedeaz n intervalul imediat urmtor. Valoarea medie n timp pe o perioad a
energiei magnetice este ns:

1
1 ~
(3.9)
Wm = L i 2 = LI 2
2
2
ca i cnd bobina ar fi parcurs de un curent continuu cu intensitatea egal cu valoarea efectiv a
curentului alternativ.
Comparnd expresia puterii reactive cu cea a energiei magnetice medii, se trage
concluzia c:
~
(3.10)
Q = 2W
ceea ce arat c puterea reactiv inductiv este proporional cu valoarea medie pe o perioad a
energiei magnetice acumulate n cmpul magnetic al bobinei.

28

Figura 3.4 Relaii energetice ntr-o bobin.

3.9 Reele de inductane
Conectarea inductanelor n paralel
Configurarea inductanelor n paralel, ilustrat n figura 3.5 conduce la acelai potenial
electric pe fiecare dintre acestea, iar inductana echivalent este dat de relaia (3.11):

Figura 3.15 Conectarea inductanelor n paralel.

1
1
1
1
=
+
+ ... +
Leq L1 L2
Ln

(3.11)

Conectarea inductanelor n serie

Curentul care strbate inductanele conectate n serie rmne acelai, dar cderea de
tensiune pe fiecare este diferit, conexiunea n serie fiind artat n figura 3.16, astfel nct
inductana echivalent este dat de relaia (3.12):

29

Figura 3.16 Conectarea inductanelor n serie.

(3.12)
Leq = L1 + L2 + ... + Ln
Aceast relaie simpl este valabil doar dac nu exist cuplaje magnetice mutuale ntre
inductanele conectate.
3.10 Factorul de calitate
O inductan real are pierderi datorit rezistenei conductorului electric din care este
realizat bobina. Aceast rezisten apare n serie cu inductana i va produce nclzirea bobinei,
pierdere care se traduce prin pierderea calitii inductanei.
Factorul de calitate este o msur a randamentului i este definit ca raportul reactanei
inductive la rezistena de pierderi, la o frecven dat , descris prin relaia (3.13):
Q=

(3.13)

3.11 Formule matematice utile privind inductana

1. Formula de calcul pentru o bobin cilindric

L=

0 r N 2 A
l

(3.14)

L = inductana [H];
0 = permeabilitatea magnetic a aerului = 4 10 7 [H/m];
r = permeabilitatea relativ a materialului miezului;
N = numrul de spire;
A = aria seciunii bobinei [m2];
l = lungimea bobinei [m].
2. Inductana unui conductor rectiliniu
4l
L = l ln 1 200 10 9

(3.15)

L = inductana [H];
l = lungimea conductorului [m];
d = diametrul conductorului [m].

Exemplu: un conductor cu l = 10 mm i d = 1 mm va avea o inductan L = 5.38 nH, iar unul

acelai diametru, dar cu l = 100 mm L = 100 nH.

30

3. Inductana unei bobine cu un singur strat n aer

L=

r2N 2
9r + 10l

(3.16)

L = inductana [H];
R = raza exterioar [inches];
L = lungimea bobinei [inches];
N = numrul de spire.

4. Inductana unei bobine cu multiple straturi

L=

0.8r 2 N 2
6r + 9l + 10d

(3.17)

L = inductana [H];
R = raza medie a bobinei [inches];
L =lungimea fizic a nfurrii [inches];
N = numrul de spire;
D = adncimea bobinei [inches].

Exemple
n curent continuu curentul prin inductan este infinit; inductana reprezint deci
un scurtcircuit;
n curent alternativ, la o tensiune dat aplicat la borne, curentul prin inductan
este determinat de reacia sa; reactana unei inductane ideale este direct
proporional cu frecvena.
De aceea inductana ideal blocheaz trecerea curentului la frecvene nalte i
prezint scurtcircuit la frecvene joase.

Scriei expresia inductanei unei bobine plane;

Artai cum se poate construi un senzor, utiliznd proprietile de material
ale ntrefierului;
Calculai impedana unei inductane la frecvenele de 50, 500, 1000,
10000 Hz.

31

S ne reamintim.
Observaii:
1) n curent continuu tensiunea la bornele unei bobine este nul, deoarece
derivata unei mrimi invariabile n timp este nul (viteza ei de variaie este
nul ) . Se spune ca pentru curentul continuu bobina reprezint un scurtcircuit.
2) n curent alternativ, la o tensiune la borne dat, curentul este limitat de
reactana bobinei, care este proporional cu frecvena. De aceea o bobin
blocheaz trecerea curentului la frecvene nalte i reprezint un scurtcircuit la
frecvene suficient de joase.
3) Reactana bobinei nu are sens dect n curent alternativ, adic n regimul n
care este definit.

Rezumat
Cursul elemente specifice componentei pasive de circuit, care este inductana.
Sunt abordate caracteristicile funcionale, comportarea diferit n circuitele de curent
continuu i n cele de curent alternativ, capacitatea de a nmagazina energie.
Cursul prezint principalele moduri de conectare n circuitele electrice, principalele
caracteristici funcionale i factorii care influeneaz parametrii funcionali ai unei
inductane.
Se prezint cteva din principalele relaii de calcul practic ale unor inductane.

32

Unitatea de nvare I.4.1 DIODA

Cuprins
I.4.1 Introducere ........................................................................................................... 33
I.4.2 Competene ........................................................................................................... 33
I.4.3 Dioda termic ....................................................................................................... 34
I.4.4 Dioda semiconductoare ........................................................................................ 35
I.4.5 Tipuri reprezentative de diode .............................................................................. 37
I.4.6 Aplicaii ................................................................................................................ 38
I.4.7 Redresarea monoalternan ................................................................................. 39
I.4.8 Redresarea bialternan ....................................................................................... 39
I.4.9 Redresarea bialternan n punte ......................................................................... 40
I.4.10 Redresarea n punte trifazic ............................................................................. 40
I.4.11 Stabilizator de tensiune ...................................................................................... 41
I.4.12 Aplicaii fotoelectrice ......................................................................................... 42

I.4.1 Introducere
Dioda este primul i cel mai vechi dispozitiv neliniar utilizat pe scar larg n
industria electronic. n curs sunt descrise principalele caliti i necesitatea
utilizrii diodei n aplicaii apecifice. Sunt prezentate principalele tipuri de diode
dintr-o larg gam de produse, fiecare cu domeniul su de aplicaie indicat.
Principalele aplicaii sunt legate de redresarea curentului alternativ, cu multiple
aplicaii practice.
I.4.2 Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Defineasc rolul i locul unei diode ntr-un circuit electric;
Poat clasifica diferitele tipuri de diode;

Recunoasc i s clasifice tipurile principale de redresoare.

Durata medie de parcurgere a primei uniti de nvare a modulului II este

de 3 ore.

33

DIODA
n electronic, dioda este o component activ, care restricioneaz direcia de micare a
purttorilor de sarcin. n esen, ea permite trecerea curentului ntr-o direcie i-l blocheaz n
direcia contrar, aceast proprietate fiind la baza principalelor sale aplicaii, denumite n general,
redresare.
Simbolizarea unei diode de uz general este reprezentat n figura 4.1 , unde A reprezint
anodul, iar K este catodul.

Figura 4.1 Simbolizarea diodei.

Scurt istoric
Dioda a fost primul dispozitiv electronic att ca tub electronic, ct i ca semiconductor,
care a fost la originea expandrii tiinelor informaticii i ale industriilor moderne.
Principiul de funcionare a diodei termice a fost descoperit de ctre Frederick Guthrie n
1873 i redescoperit de ctre Thomas Edison n februarie 1880, iar al diodei cu cristal de ctre
savantul german Karl Ferdinand Braun n 1874 i patentat n 1899.
John Ambrose Fleming, fost angajat a lui Edison i cercettor la Marconi Company a brevetat
prima dioda termic n Marea britanie n 1904.
Primul radioreceptor utiliznd diod cu cristal, denumit detector cu cristal a fost
construit n 1900 de ctre Greenleaf Whittier Pickard, care a brevetat detectorul cu siliciu, n
1906.
Denumirea de diod a fost dat de ctre William Henry Eccles n 1919 i provine din
greaca veche ( di dou, odos rdcini ), adic un dispozitiv cu dou terminale, denumit tehnic
dipol.
4.3 Dioda termic
Dioda termic este un tub vidat din sticl, care comunic cu circuitul electric n care este
conectat prin doi electrozi, unul anodul i catodul notai n figura 4.2 cu A, respectiv K.

Figura 4.2 Dioda cu vid.

Terminalele notate cu f alimenteaz un filament tratat cu o mixtur de bariu i oxid de
stroniu, care este adus la incandescen de un circuit electric de nclzire conducnd astfel, la
apariia unei emisii termice de electroni.
n polarizare direct, diferena de potenial pozitiv aplicat ntre anod i catod face ca
electronii emii s fie atrai electrostatic de ctre anod, conducnd la apariia unui curent electric,
34

denumit curent de conducie direct. Dac diferena de potenial i schimb sensul, electronii
emii de catod sunt blocai, iar curentul electric va avea o valoare nesemnificativ, denumit
curent de blocare.
Acest tip de diode a fost utilizat n diverse aplicaii analogice sau digitale pe parcursul
secolului XX, dar n prezent se folosete doar n aplicaii speciale care necesit anumite
proprieti ale tubului cu vid.
4.4 Dioda semiconductoare
Marea majoritate a diodelor moderne se bazeaz pe efectul jonciunii semiconductoare,
denumit jonciune de tip p n, ilustrat n figura 4.3.

Figura 4.3 Jonciunea semiconductoare P-N.

Semiconductorul este foarte apropiat de izolator, aceste dou categorii de elemente solide
fiind catalogate dup nivele energetice, care pot face posibil eliberarea electronilor conductori
de sarcini electrice, care conduc la apariia unui curent electric purttor de energie sau de
informaie.
n timp ce un izolator este inert la aplicarea unui cmp electric, semiconductorul este
capabil de a elibera electroni necesari unei circulaii ale curentului electric n anumite condiii,
prestabilite de cerinele specifice i care deservesc unui anume scop, acesta fiind de natur
analogic sau digital.
n figura 4.4 se exemplific principiul de funcionare a unei jonciuni semiconductoare,
care este construit dintr-o pastil de siliciu pur ( chip ), impurificat ( dopat ) cu anumite
elemente astfel nct zona de tip P va fi acceptoare de electroni, iar zona de tip N va fi donoare de
electroni sub influeana unei diferene de potenial aplicat celor doi electrozi.
Odat fiind obinut semiconductorul, care este siliciu sau germaniu n stare pur
(elemente din grupa a IV a din tabelul periodic de elemente), acesta este n mod intenionat
impurificat (dopat) cu elemente din grupa a III a, cum ar fi borul, care ofer caliti acceptoare
de electroni (dopare de tip P) sau din grupa a V a, cum ar fi fosforul (dopare de tip N).

35

Figura 4.4 Jonciunea P-N cu Si devine conductoare la o tensiune de 0.7 V.

Zona de recombinare constituie o barier n calea electronilor liberi, care poate fi depit
de acetia odat cu creterea tensiunii de deschidere (Vd), care are valori diferite dup natura
semiconductorului.
Astfel, pentru germaniu Vd = 0,2 V, iar pentru siliciu Vd = 0,7 V, dup cum se arat n
figura 4.5, unde este reprezentat caracteristica de funcionare a unei diode semiconductoare cu
siliciu.

Figura 4.5 Caracteristica static a unei diode cu Siliciu.

n figura 4.5 se reprezint caracteristica tensiune curent a unei diode cu siliciu, unde se
poate observ una dintre limitrile impuse de construcia unei diode, anume tensiunea invers

36

suportat n regiunea de polarizare invers, denumit zona de strpungere, care odat depit,
dispozitivul va fi distrus.
Funcionarea diodei este descris prin ecuaia lui Shockley sau legea diodei:
Vd
nV

I d = I S e T 1 ,

(4.1)

unde:
I d este curentul dat de polarizarea direct a diodei,
I S este curentul de saturaie,
Vd tensiunea pe diod,
V T tensiunea de agitaie termic,
n coeficientul de emisie de electroni, care are o valoare de 1 pn la 2, depinznd de material i
de procesul de fabricaie.
Tensiunea dat de agitaia termic este exprimat de urmtoarea formul:
VT =

kT
,
e

(4.2)

unde:
e sarcina electric elementar;
k constanta lui Boltzmann;
T temperatura absolut a jonciunii p n.
4.5 Tipuri reprezentative de diode
n afar de utilizarea diodei ca redresor, aceasta are unele aplicaii speciale, care sunt artate n
tabelul 4.1.
Tabelul 4.1

Diod
redresoare

Diod
Zener

Diod
Schottky

Light-Emitting
Diode ( LED )

Fotodiod

Diod
Varicap

Diod
Tunnel

Tiristor
( SCR )

De exemplu, LED ul emite lumin la o anumit tensiune de polarizare, pe cnd

fotodioda absoarbe lumina i o convertete ntr-un curent ce poate fi apoi prelucrat; dioda Zener

37

are proprietatea de a funciona n zona de tensiune invers i este utilizat ca stabilizator de

tensiune, iar dioda varicap are proprietatea de a-i schimba capacitatea dintre electrozi odat cu
modificarea tensiunii de alimentare, fiind utilizat n circuitele de acord din aparatele de recepie
radio, TV, telecomunicaii etc.
Diodele se fabric ntr-o mare varietate de forme i dimensiuni, care depind de aplicaiile
tipice, cteva forme constructiv dimensionale fiind artate n figura 4.6.

Figura 4.6 Forme constructive ale diodelor.

4.6 Aplicaii
Redresarea este poate, cea mai rspndit aplicaie a diodelor, care se bazeaz pe
proprietatea diodei de a conduce curentul unidirecional i carea are scopul de a a obine curent
continuu dintr-o surs de tensiune alternativ.
Se reamintete c expresia unei tensiuni sinusoidale, cum este cea din reeaua casnic sau
cea industrial de alimentare cu energie electric este:
u (t ) = U sin(t + )

(4.3)

unde, se poate neglija defazajul, adic = 0 , iar principalii parametri energetici valoarea
medie i valoarea efectiv se calculeaz dup relaiile de definire a lor, astfel:

1
= u (t )dt =
2
T 0
T

valoarea medie

valoarea efectiv

U med

U cos(t )dt

(4.4)

U ef =

2
1
u (t )dt

T 0

(4.5)

38

4.7 Redresarea monoalternan

Redresarea monoalternan este cea mai simpl i economic soluie, n anumite aplicaii
i care conine o singur diod. Pentru o tensiune sinusoidal la intrarea n redresor avnd
expresia (4.3), rezult la ieirea din redresor tensiunea semialternant din figura 4.7.

Figura 4.7 Redresorul monoalternan.

valoarea medie, din relaia (4.4) este U med =

valoarea efectiv, din relaia (4.5) este U ef =

0.318U ;

U
2 2

0.354U .

4.8 Redresarea bialternan

Redresarea bialternan cu dou diode presupune utilizarea unui transformator cu priz
median, care are nfurarea secundarului cu un numr dublu de spire dect n cazul redresrii
monoalternan. Circuitul de redresare i formele de und sunt prezentate n figura 4.8.

Figura 4.8 Redresorul bialternan cu dou diode i cu transformator cu priz median.

valoarea medie, din relaia (2.4) este

U med =

valoarea efectiv, din relaia (2.5) este

U ef =

U
2

0.637U ;

0.707U .

39

4.9 Redresarea bialternan n punte

Redresarea bialternan cu punte de patru diode utilizeaz acelai transformator ca n
cazul redresrii monoalternan, schema electric i formele de und fiind prezentate n figura
4.9.

Figura 4.9 Redresorul bialternan n punte de diode.

Valorile medie i efective ale tensiunii redresate sunt identice cu cele din cazul
redresorului cu transformator cu priz median, cu observaia c folosind mai puin cupru pentru
nfurarea secundar, acest tip de redresor este mai economic, diodele fiind mai ieftine. Figura
4.10 prezint sintetic formele de und ale redresoarelor mono i bialternan.

Figura 4.10 Forme de und la redresarea curentului alternativ.

4.10 Redresarea n punte trifazic
Redresarea n punte trifazic reprezint o aplicaie pentru un sistem trifazic de tensiuni,
care se ntlnete la generatorul de curent al oricrui autovehicul; acesta este o main electric
sincron, care este utilizat pentru ncrcarea bateriei de acumulatoare. n figura 4.11 a se arat

40

schema electric a unui redresor trifazic, unde R, S, T sunt cele trei faze alternative, iar n b sunt
reprezentate formele de und nainte i dup redresare.

a
b
Figura 4.11 a puntea trifazic; b formele de und a redresrii trifazice.
i este:

Componenta continu sau valoarea medie a tensiunii redresate se deduce din relaia (4.4)

U med =

2U ef cos td (t ) = 2U ef

sin

3 = 3U
peak

(4.6)

4.11 Stabilizator de tensiune

Pentru a stabiliza tensiunea unui consumator cu cerine energetice relativ reduse, se
utilizeaz ca element regulator dioda Zener, cu simbolizarea din figura 4.11.
Urmrind caracteristica de conducie din figura 4.12, se poate observa c poriunea de
conducie direct este similar oricrei alte diode, dar aplicnd plusul pe catod i minusul pe anod
(polarizare invers) i crescnd lent tensiunea, n jurul punctului V Z curentul crete brusc, dioda
pare c intr n strpungere apare conducia invers n regim de avalan. Curentul Iz prin diod
va trebui s aib valori cuprinse ntre I Zmin i I Zmax.

41

Figura 4.11 Simbolul

diodei Zener

Figura 4.12 Caracteristica de conducie a

diodei Zener

Cea mai simpl schem de principiu a unui stabilizator de tensiune cu diod Zener se
prezint n figura 4.13, unde dioda este conectat n paralel cu rezistena de sarcin Rs, iar
rezistorul R are rolul de balast, care determin curentul Iz la tensiunea de intrare Vi maxim.
Ca regul general de proiectare, Io < 4Izmax.

Figura 4.13 Circuit de stabilizare a tensiunii cu diod Zener.

4.12 Aplicaii fotoelectrice
Exist dou tipuri principale de diode cu proprieti fotoelectrice cele care emit lumin
(LED Light Emitting Diode) i cele care recepioneaz lumina pe care o convertesc ntr-un
semnal electric (Fotodioda). Un rol special din aceast categorie l au diodele LASER.
n ultimii ani, aceste diode luminiscente sau receptoare de lumin i-au gsit numeroase
aplicaii, att n echipamentul electric auto (bord, iluminri etc.), ct i n echipamentele casnice
(TV, Radio, Aparatur etc.).
Cel mai simplu circuit de alimentare a unui LED este prezentat n figura 4.14, unde
rezistorul de balast R are rolul de a limita curentul de conducie n sens direct (cel care produce
efectul luminiscent) la valori uzuale de ordinul 20 mA.

Figura 2.14 Circuitul electric de alimentare a unui LED.

42

Pentru multiplicarea efectului luminiscent, LED-urile se pot lega n serie, atunci curentul
care parcurge conexiunea rmne constant la valoarea de aprindere pomenit, sau n paralel, cnd
curentul absorbit este suma curenilor diodelor conexiunii.
Dualitatea emisie recepie a luminii este des utilizat prin combinarea diodelor
respectiv, cu largi aplicaii n tehnica msurrilor, telecomenzi, senzori optici etc.

Calculai urmtoarele valori medii obinute prin redresare ale unei

tensiuni cu valoarea de vrf 14.1 V, cu frecvena de 50 Hz:
Pentru un redresor monofazat;
Pentru un redresor bialternan;
Rezumat
Dioda este primul i cel mai vechi dispozitiv neliniar utilizat pe scar larg n
industria electronic. n curs sunt descrise principalele caliti i necesitatea utilizrii
diodei n aplicaii apecifice. Sunt prezentate principalele tipuri de diode dintr-o larg
gam de produse, fiecare cu domeniul su de aplicaie indicat.
Principalele aplicaii sunt legate de redresarea curentului alternativ, cu multiple
aplicaii practice.

43

Unitatea de nvare I.5.1 TRANZISTOARE

Cuprins
I.5.1 Introducere ........................................................................................................... 44
I.5.2 Competene ........................................................................................................... 44
I.5.3 Tranzistoare bipolare ........................................................................................... 45
I.5.3.1 Tipuri de tranzistoare ........................................................................................ 45
I.5.3.2 Structura i modul de utilizare .......................................................................... 46
I.5.3.3 Definiii, caracteristici de funcionare .............................................................. 46
I.5.3.4 Aplicaii ............................................................................................................. 49
I.5.4 Tranzistoare unipolare ......................................................................................... 51
I.5.4.1 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart jonciune ........................................ 52
I.5.4.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat ............................................... 53

I.5.1. Introducere
Cursul trateaz domeniul electronicii moderne bazat pe tranzistoare, care sunt
principalele semiconductoare cu largi aplicaii de la cele casnice, pn la cele
industriale, incluznd aplicaiile pe autovehicul.
Se descriu tranzistoarele bipolare, cu o introducere n abordarea matematic a lor
expunndu-se principalele relaii funcionale.
Se descriu principalele tipuri de tranzistoare unipolare, cu accent pe tranzistoarele
MOSFET.
Sunt tratate principalele aplicaii ale tranzistoarelor amplificatoare i circuite de
comutaie.
I.5.2. Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Clasifice tipurile de tranzistoare;
Descrie regimurile de funcionare ale tranzistoarelor bipolare;

Defineasc parametrii funcionali ai tranzistoarelor bi i unipolare.

Durata medie de parcurgere a celei de-a doua uniti de nvare a modulului

II este de 4 ore.

44

5.3 TRANZISTOARE BIPOLARE

Scurt istoric
Tranzistorul bipolar sau cu contact punctiform a fost inventat n 1947 la Bell Telephone
Laboratories de ctre John Bardeen i Walter Brattain sub ndrumarea lui William Shockley, care
a fost amintit n capitolul Diode i a condus la o revoluionare a tehnologiei informaiilor i a
comunicrii fr fir.
Acest dispozitiv electronic are trei terminale, denumite Emitor, Colector i Baz, iar
epitetul de bipolar semnific faptul c funcionarea lui se bazeaz n egal msur pe transportul
att a electronilor ct i a golurilor, iar alimentarea sa cu energie electric se face cu dou surse
de tensiune.
5.3.1 Tipuri de tranzistoare
Exist dou tipuri de tranzistoare i anume, de tip PNP i NPN, mai pe scurt P i N,
diferena dintre ele constnd din modul de alimentare la o surs de tensiune cu o anumit
polaritate (Emitorul la borna pozitiv pentru tranzistoare de tip P, respectiv Colectorul la plus,
pentru cele de tip N); simbolizarea lor este redat n figura 5.1.

PNP

NPN

Figura 5.1 Simboluri utilizate pentru tranzistoare.

Un tranzistor, de exemplu unul de tip NPN poate fi considerat ca dou diode avnd un
anod comun. ntr-un regim tipic de funcionare jonciunea emitor baz este polarizat n mod
direct, iar jonciunea baz colector este polarizat invers, cum se arat n figura 5.2.

Figura 5.2 Modelul cu diode al unui tranzistor NPN.

Una dintre jonciuni este puternic asimetric n ce privete doparea cu elemente de
conducie, adic n+p sau p+n, depinznd de tipul tranzistorului (N sau P); aceast jonciune se
numete emitor baz (E-B), iar cealalt colector baz (C-B).
O seciune simplificat printr-un tranzistor NPN ilustreaz structura sa fizic n figura 5.3.

45

Figura 5.3 Structura fizic simplificat printr-un tranzistor NPN.

5.3.2 Structura i modul de utilizare
Cele dou jonciuni descrise se pot polariza independent, rezultnd patru regimuri de
funcionare posibile:
Regimul activ normal, cu jonciunea E-B polarizat direct i jonciunea C-B polarizat
invers;
Regimul activ invers, cu jonciunea E-B polarizat invers i jonciunea C-B polarizat
direct;
Regimul de saturaie, cu ambele jonciuni polarizate direct;
Regimul de blocare, cu ambele jonciuni polarizate invers.
Modul de polarizare cu dou surse independente este artat n figura 5.4.

Figura 5.4 Polarizarea unui tranzistor NPN.

Figura 5.5 prezint tensiunile i curenii pe simbolul tranzistorului; considernd
tranzistorul ca un nod, suma curenilor trebuie s fie nul, astfel, n cazul ambelor tipuri este
valabil relaia (5.1):
IE = IC + IB
(5.1)

a
b
Figura 5.5 Definirea curenilor i a tensiunilor pe un tranzistor bipolar a, de tip N; b, de tip P.
5.3.3 Definiii, caracteristici de funcionare
Indiferent de regimul de funcionare, tranzistorul ca sistem fizic, poate fi descris prin
relaii matematice descrise de modelul Ebers-Moll (relaia 5.2), valabile pentru un tranzistor de

46

tip P n conexiunea baz comun (BC), adic baza este conectat la mas, iar n cazul
tranzistorului de tip N tensiunile i curenii i schimb sensul.

qV
iC = F i E I CB0 exp CB 1
kT
(5.2)

qV
i E = R iC + I EB0 exp EB 1
kT
unde, urmrind i figura 5.5:
V EB tensiunea emitor- baz
V CB tensiunea colector-baz
F factorul de amplificare n curent direct, n
conexiunea BC
I EB0 curentul invers al jonciunii E-B, cu
R factorul de amplificare n curent invers, n
colectorul n gol
conexiunea BC
I CB0 curentul invers al jonciunii C-B, cu
q
- constanta termic a tranzistorului
emitorul n gol
kT
Un alt mod de abordare a regimului dinamic de semnal mic este prin utilizarea
parametrilor de cuadripol, de regul cu parametrii h; atunci, pentru conexiunea emitor comun
(EC) se scrie:
i C curentul de colector
i E curentul de emitor
i B curentul de baz

V BE = h ie I b + h re V CE
(5.3)
I C = h fe I b + h oe V CE
n cazul funcionrii tranzistorului n regiunea activ normal, sistemul descris devine
aproximativ:
iC = F i E + I CB0
(5.4)
qV
i E = I EB0 exp EB
kT
Pentru conexiunea emitor comun (EC) este util exprimarea dependenei I C I B din
regiunea activ:
(5.5)
I C = F I B + I CE0
unde,
F este factorul de amplificare static n curent n conexiunea EC, iar I CE0 curentul rezidual de
colector pentru I B = 0, adic cu baza n gol.

47

Relaiile de legtur dintre parametrii statici ai regimului activ normal din cele dou
conexiuni sunt dai de:

F =
Observaie:

F
;
1F

(5.6)

n cazurile practice F 0.9...0.99 , astfel nct F 10...1000 ; I CE0 0 , iar relaia (5.4)
capt o form practic, dat de:
IC F I B

(5.7)

Pentru un tranzistor de tip N n conexiune EC, forma grafic a caracteristicilor statice cuprinde
urmtoarele seturi de curbe:

Caracteristicile de ieire

iC = iC (VCE ) , cu parametrul i B , prezentat n figura 5.6;

Caracteristicile de intrare
unei diode;
Caracteristicile de transfer
dreapt;

iC = iC (VBE ) , cu parametrul V BC , care este aproximativ o

i B = i B (VBE ) , cu parametrul V BC similare caracteristicilor

Figura 5.6 Caracteristica de ieire a unui tranzistor NPN.

Limitri n funcionare
n timpul funcionrii, datorit agitaiei termice interne dat de transportul sarcinilor
electrice, tranzistorul se va nclzi. Ca urmare, temperatura va trebui s fie evacuat prin
disiparea sa nspre mediu; acest lucru este posibil prin utilizarea de radiatoare adecvate.
Temperaturile maxim admisibile de funciunare sunt de 150 0C pentru tranzistoarele ce
siliciu i de 80 0C pentru cele cu germaniu.
Alte limitri sunt date de:
Curentul de colector maxim ICmax ;
Tensiunea de colector maxim V CEmax ;

48

 Puterea disipat maxim admisibil P Dmax ;

Frecvena maxim, care face ca amplificarea n curent s scad nspre valoare unitar.
Aceste limitri contureaz aria de funcionare sigur a tranzistorului.
5.3.4 Aplicaii
Tranzistorul ca amplificator
Circuitele din figura 5.7 exemplific funcionarea tranzistorului ca amplificator de curent
continuu (a) i de curent alternativ (b). Datorit rezistenei variabile R, circuitul a exemplific
funcionarea tranzistorului n trei regimuri:
Tranzistorul este n regim de blocare cursorul rezistenei fiind nspre partea de jos,
tensiunea V BE este nul, atunci I B este nul, I C deasemenea lampa L nu se aprinde;
Tranzistorul este n regim activ cursorul este deplasat n sus, pn cnd V BE = 0.7 V,
tranzistorul se deschide, apare un curent de baz I B 100A , curentul de colector
I C = I B atinge o valoare dat de mrimea lui , care poate fi de la 10 la 1000, o
valoare = 100 fiind potrivit, rezult I C = 10 mA, lampa se aprinde uor;
Tranzistorul este n regim de saturaie, adic este complet deschis, Ic = 100 mA, lampa se
prinde total.

Figura 5.7 Circuite de amplificare cu un tranzistor NPN a circuit n curent continuu; b

circuit n curent alternativ.
Pentru circuitul b, se aplic la intrare un semnal sinusoidal de pild cu amplitudinea de
100 mV, iar la ieire se obine o tensiune cu amplitudinea de 5 V, datorit curentului de colector,
care strbate rezistena de sarcin R S = 0.5 k.
Tranzistorul comutator
Dac se acioneaz comutatorul S, apare un curent de baz I B care va fi limitat de
rezistena R la o valoare potrivit ca I C = I B s aprind lampa L, figura 5.8 a.
Aplicaia este valoaroas pentru c la comenzi de energie mic se controleaz procese de
energie mare (n cazul de fa aprinderea unui bec).

49

Comutatorul S poate fi nlocuit cu un semnal de forma unui impuls electric cu amplitudine

pozitiv, care poate proveni de la un senzor, astfel circuitul poate comanda diferite feluri de
actuatori (electrovalve, bobine de inducie, motoare electrice etc.).

a
b
Figura 5.8 Tranzistorul n regim de comutaie.
O soluie modern pentru a micora nivelul energetic de comand este dat de utilizarea a
dou tranzistoare n conexiune Darlington, care au schema electric prezentat n figura 5.8 b;
Astfel, dac se nlocuiete tranzistorul T din a cu perechea Darlington din b, pentru
IC
acelai curent de ieire I C , este necesar un curent de intrare I B
, deci pentru circuitul a,
1 2
I B devine de ori mai mic.
Expresia exact a factorului de amplificare Darlington este:
(5.8)
Darlington = 1 2 + 1 + 2
Valori uzuale pentru sunt de ordinul 100, aa c suma este neglijabil pe lng produs, astfel c:
(5.9)
Darlington 1 2

Amplificator de putere
Prin combinarea mai multor elemente de circuit pasiv (rezistoare, condensatoare) i
elemente active (diode, tranzistoare) se pot obine circuite cu diferite utilizri.
Figura 5.9 prezint un amplificator de putere, care poate fi considerat ca fiind apt pentru diverse
aplicaii.
Circuitul conine cinci tranzistoare, dou diode, opt rezistoare i dou condensatoare i este
structurat pe trei nivele energetice, clasificate ca etaje de amplificare, dup amplitudinea
semnalului procesat, dup cum urmeaz:
Etajul de intrare, de tip diferenial compus din tranzistoarele Q1 i Q2;
Etajul de comand (driver) Q3;
Etajul final de putere Q4 + Q5, care formeaz un etaj complimentar de putere dat de o
pereche de tranzistoare de tip N + P;
Rezistenele de polarizare R1R7;
Condensatoarele de decuplare C1, C2.
Rezistena de reacie negativ R8;
Diodele de compensare termic D1 i D2.

50

Figura 5.9 Amplificator de putere.

Acest tip de amplificator poate funciona n regim de amplificator audio, controler pentru
motoare DC sau servoamplificator pentru acionarea diverselor elemente de execuie.
Rolul etejului de intrare este de a asigura o impedan de intrare suficient de mare pentru a
asigura o separare a etajeor funcionale din avalul circuitului; rezistenele de polarizare asigur
funcionare dispozitivelor active n zona activ, driverul ofer un curent de intrare suficient
pentru activarea etajului final pentru puterea de ieire propus; rezistena de reacie negativ
controleaz nivelul semnalului pentru a nu produce distorsiuni.
5.4 TRANZISTOARE UNIPOLARE
Tranzistoarele unipolare funcioneaz pe baza efectului de cmp, de aceea ele se mai
numesc tranzistoare cu efect de cmp; cu ajutorul unui cmp electric transversal fa de direcia
de curgere a curentului se modific rezistena unui traseu semiconductor. Traseul rezistiv se
numete canal, iar capetele lui se numesc surs (S) i dren (D). Cmpul electric de control
transversal se obine prin al treilea terminal, numit poart sau gril (G).
Tranzistoarele unipolare se pot clasifica n dou mari categorii:
tranzistoare cu efect de cmp cu poart jonciune (TEC-J), sau folosind terminologia
tehnic JFET (Junction Field Effect Transistor), unde poarta formeaz cu regiunea
canalului o jonciune p-n sau n-p. Prin polarizare invers a acesteia se modific
dimensiunile geometrice ale canalului i prin aceasta, densitatea de curent de utilizat;
tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat IGFET (Insulated Gate FET), unde poarta
este izolat galvanic de canal; cel mai reprezentativ dispozitiv din aceast categorie este
tranzistorul MOS (Metal Oxid Semiconductor), n literatur se mai ntlnete ca MOSFET. Analog JFET-ului, controlul rezistenei canalului se obine prin poart i jonciunea
poate fi de tip N sau P.

51

5.4.1 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart jonciune

Din punct de vedere istoric, principiul de funcionare al unui FET a fost patentat de Julius
Edgar Lilienfeld n anul 1925, ca 25 de ani mai trziu compania Bell Telephone s nceap
cercetrile asupra aplicabilitii unui astfel de tranzistor, care a fost denumit J-FET, adic
tranzistor cu efect de cmp cu poart-jonciune (Jonction - Field Effect Transistor).
Tranzistoarele FET prezint o mare rezisten de intrare, de ordinul 10810 , ca urmare
intrarea n astfel de dispozitive este foarte bine izolat de ieire, ceeace le face potrivite pentru
aplicaii speciale, cum ar fi comutatoarele statice.
Tranzistoarele JFET, cu canal N sunt simbolizate ca n figura 5.10, la un loc cu structura
fizic. Pentru JFET cu canal P, se schimb semnul sgeii nspre poart.

Figura 5.10 Simbolizarea unui JFET i structura fizic simplificat.

Pentru tensiuni V DS < 0.1...0.3 V, JFET prezint ntre dren i surs o caracteristic
rezistiv liniar, controlat de tensiunea aplicat pe poart V GS .
Caracteristicile statice de ieire pentru orice tensiune V DS sunt prezentate n figura 5.11; pe
msura creterii tensiunii V DS , caracteristicile i pierd carcaterul liniar pentru V DS > V Dssat
curentul de dren se limiteaz, aceast zon a caracteristicilor numindu-se regiunea de saturaie,
cu limitarea n preajma zonei de strpungere Vbr, unde dispozitivul se distruge.

52

Figura 5.11 Caracteristicile de transfer i statice de ieire ale unui FET.

Caracteristica de transfer n regiunea de saturaie are expresia matematic:
v
i D = I DSS 1 GS
VT

(5.10)

unde I DSS i V T (tensiunea de tiere channel-off din figura 5.11) sunt parametri constructivi
precizai n foaia de catalog.
Circuitul de amplificare cu FET cel mai des utilizat este cel cu surs comun, analog
circuitului cu tranzistor bipolar emitor comun. Acest circuit poate fi utilizat ca amplificator n
tensiune, unde tensiunea de intrare V in moduleaz tensiunea de ieire V out , sau ca amplificator de
conductan, unde intrarea moduleaz curentul de ieire printr-o rezisten de sarcin.
Acest circuit prezentat n figura 5.12 realizeaz, ideal urmtoarele performane:

Amplificarea n curent
i
Ai = out ;
iin

Amplificarea n tensiune
v
Av = out ;
vin

Impedana de intrare
v
rin = in ;
i in

Impedana de ieire
v
rout = out = RD
iout

Figura 5.12 Amplificator cu FET n montaj cu surs comun.

5.4.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat
O dezvoltare a JFET-ului n sensul creterii rezistenei de intrare este tranzistorul cu efect de
cmp cu poart izolat IGFET (Isolated Gate FET), a crui simbolizare i descriere a structurii
fizice sunt prezentate n figura 5.13.
Comanda canalului conductor se realizeaz similar ca la JFET, cu deosebirea c producerea
cmpului electric transversal se face printr-o poart izolat. Dac stratul izolator este nitrura de
siliciu, tranzistorul se numete MNSFET (Metal Nitrur de Siliciu FET), iar n general se
numete MIS-FET (Metal Izolant Semiconductor FET). Atunci cnd canalul, cu poarta n gol este
53

strangulat iniial, este vorba de un IGFET cu mbogire sau cu canal indus, iar cnd, dimpotriv
canalul conduce, se numete cu srcire sau cu canal iniial.
Cel mai cunoscut i utilizat tranzistor de acest tip este MOS-FET, la care poarta este metalic i
este separat de semiconductor de un strat izolator din bioxid de siliciu, cu o grosime tipic de 0.1
0.7 m, cu excelente proprieti izolante. Figura 5.13 ilustreaz simbolizarea MOS-FET i arat
structura constructiv pentru un MOS cu canal n.

a
b
Figura 5.13 a simbolizarea MOS-FET; b structura fizic.
Sursa (S) i drena (D) au conductibilitate opus fa de traseul din substratul de tip p n
care se va crea canalul de lungime L (figura 5.13 b); de regul, pentru V GS = 0, nu apare canal,
deci curentul de dren este nul I D = 0, aceste tranzistoare fiind cu canal indus.
Caracteristicile statice de ieire sunt similare celor ale JFET i sunt prezentate n figura
5.14; i aici se ntlnete regiunea cvasiliniar, regiunea de saturaie i strpungerea.

Figura 5.14 Caracteristicile statice de ieire ale unui MOS-FET.

Pentru o tensiune V GS > V T , suprafaa semiconductorului i inverseaz tipul de
conductibilitate devenind de tip n i stabilind o legtur (canal) ntre surs i dren. Pe msura
creterii V GS , concentraia de electroni din canal crete, ca urmare crete curentul de dren, cum
se arat n figura 5.15 a.

54

a
b
Figura 5.15 a ilustrarea modului de control prin tensiunea V GS ; b MOS-FET n circuit de
comutaie.
Unele MOS-FET prezint canal chiar n absena tensiunii de polarizare a porii, V GS = 0,
acestea fiind numite MOS cu canal iniial. Simbolul i structura constructiv sunt prezentate n
figura 5.16.
Forma caracteristicilor statice sunt similare tranzistoarelor cu canal indus, cu precizarea
c tensiunea de tiere VT este negativ.

Figura 5.16 Simbolizarea i structura fizic a unui MOS-FET cu canal iniial.

Dependena de temperatur
Indiferent de tipul constructiv, tranzistoarele cu efect de cmp au acelai tip de dependen cu
temperatura a curentului de dren, anume la creterea temperaturii, curentul sufer o uoar
scdere, ceeace reprezint un avantaj net fa de tranzistoarele bipolare, unde curentul crete
exponenial cu temperatura. Ca urmare, tranzistoarele cu efect de cmp nu prezint fenomenele
de ambalare termic i strpungere secundar, ca efect direct, acestea se pot lega n paralel fr
restricii, pentru creterea capabilitii n curent.

55

Definii jonciunea semiconductoare;

Care este tensiunea de deschidere a unui tranzistor bipolar cu germaniu?
Cum se definete factorul de amplificare?
Definii conductana unui FET;

S ne reamintim...
Tranzistoarele bipolare sunt comandate n curent, iar cele unipolare sunt
comandate n tensiune.
Tranzistoarele bipolare sunt dependente de temperatur, cele unipolare nu.

Rezumat
Cursul trateaz domeniul electronicii moderne bazat pe tranzistoare, care sunt
principalele semiconductoare cu largi aplicaii de la cele casnice, pn la cele
industriale, incluznd aplicaiile pe autovehicul.
Se descriu tranzistoarele bipolare, cu o introducere n abordarea matematic a lor
expunndu-se principalele relaii funcionale.
Se descriu principalele tipuri de tranzistoare unipolare, cu accent pe tranzistoarele
MOSFET.
Sunt tratate principalele aplicaii ale tranzistoarelor amplificatoare i circuite de
comutaie.

56

Unitatea de nvare I.6 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE

PUTERE
Cuprins
I.6.1 Introducere ........................................................................................................... 57
I.6.2. Competene .......................................................................................................... 57
I.6.3 Dispozitive semiconductoare de putere ................................................................ 58
I.6.3.1 Tiristorul ........................................................................................................ 58
I.6.3.2 Triacul ............................................................................................................ 61
I.6.3.3 Diacul ............................................................................................................. 63
I.6.3.4 Tranzistorul unijonciune ............................................................................... 65

I.6.1. Introducere
Semiconductoarele de putere au o importan deosebit n utilizarea
energiei electrice, i anume n domeniul acionrilor electrice, redresoare,
invertoare, n general convertizoare.
Se vor aborda urmtoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de
comutaie: tiristorul, triacul i dispozitive auxiliare construirii unui circuit de
comutaie cum ar fi tranzistorul unijonciune i diacul.
I.6.2 Competenele unitii de nvare
Dup parcurgerea cursului studentul va fi capabil s:
Clasifice tipurile de tdispozitive de putere;

Descrie regimurile de funcionare ale tiristoarelor;

Defineasc parametrii funcionali ai tiristoarelor;
Descrie funcionarea triacului.

Defineasc TUJ-ul.

Durata medie de parcurgere a celei de-a treia uniti de nvare este de 4 ore.

57

6.3 DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

Semiconductoarele de putere au o importan deosebit n utilizarea energiei electrice, i
anume n domeniul acionrilor electrice, redresoare, invertoare, n general convertizoare.
Se vor aborda urmtoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de comutaie:
tiristorul, triacul i dispozitive auxiliare construirii unui circuit de comutaie cum ar fi tranzistorul
unijonciune i diacul.
6.3.1 TIRISTORUL
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor cu trei borne, denumite anod A, catod K i
poart (gate) G, asemntor unei diode cu o born de comand. Fr un curent n poart,
tiristorul este blocat, indiferent de tensiunile aplicate pe anod, respectiv pe catod. Dac se aplic o
tensiune pozitiv pe anod, tiristorul poate fi adus n conducie cu un curent de mic intensitate pe
poart i are o caracteristic asemntoare unei diode. Simbolul tiristorui este prezentat n figura
6.1 a, iar partea activ electric constituit din trei jonciuni P-N, echivalentul a trei diode sau a
dou tranzistoare bipolare n b.

b
Figura 6.1 a simbolizarea tiristorului; b schema echivalent.

Referitor la schema din figura 6.1 b, se poate observa c cele dou tranzistoare sunt
complementare au conectate colectoarele fiecare la bazele celuilalt tranzistor, astfel fiecare curent
de colector al unuia devine curent de baz al celuilalt, astfel nct n regim de conducie, ambele
tranzistoare lucreaz n zona de saturaie.
Ecuaia de baz a tristorului se scrie pornind de la ecuaile celor dou tranzistoare
echivalente din b, unul de tip p cellalt de tip n, astfel:
I Cp = p I T + I CB0 n
I Cn = n ( I G + I T ) + I CB0 p

(6.1)

unde,
n i p sunt factorii de amplificare n curent emitor colector;

58

I CBo n i I CB0 p sunt curenii reziduali de colector ai tranzistoarelor echivalente;

I T este curentul total prin tiristor, iar cu

I CB 0 = I CB0 n + I CBo p care este curentul rezidual prin tiristor, rezult curentul total prin
tiristor:
IT =

n I G + I CB 0
1 ( n + p )

(6.2)

Caracteristicile statice curent tensiune sunt reprezentate n figura 6.2, unde se poate
observa c pentru curent de poart nul (I G = 0), curentul prin tiristor are o valoare minim (I L ),
care se numete curent de meninere. Pe msur ce curentul de poart crete caracteristica arat
apropierea de punctul de amorsare a aprinderii tiristorului I H , care se numete curent de acroare
cnd apare conducia n sens direct, analog unei diode.
La depirea tensiunii V BO , care se numete tensiune de autoaprindere, tiristorul se
aprinde fr curent de comand pe poart. La aplicarea unei tensiuni negative pe anod, tiristorul
se afl n regim de blocare la polarizare invers i conduce un curent neglijabil, pn la atingerea
unei tensiuni limit de strpungere V BR , care va distruge dispozitivul.

Figura 6.2 Caracteristica I-V a unui tiristor cu I G ca parametru.

Pentru blocarea tiristorului nu este suficient ntreruperea curentului de poart; este
necesar ca i tensiunea pe anod s devin nul sau s-i schimbe polaritatea, ceeace dureaz o
perioad, numit timp de dezamorsare.
Pentru exemplificarea celor expuse, n figura 6.3 se prezint un circuit de comutaie n
curent continuu, unde tiristorul se deschide la aplicarea unei comenzi pe poart prin intermediul
unui contact on; oprirea curentului prin rezisten nu este posibil dect prin ntreruperea
alimentrii cu ajutorul contactului off.

59

Figura 6.3 Circuit de comutaie n curent continuu.

n circuitele de curent alternativ, cum este cel din figura 6.4 unde se prezint un circuit de
redresare comandat n faz, tiristorul poate s conduc doar pe semialternana pozitiv cea notat
cu +, iar semialternana negativ l blocheaz.

Figura 6.4 Circuit de control al puterii monofazat.

Prin comanda aprinderii tiristorului la un unghi , pentru o tensiune sinusoidal cu
amplitudinea U, se poate obine un reglaj al tensiunii pe rezistena de sarcin.
Valoarea medie (componenta continu) a tensiunii redresate are forma:
U
(3.3)
U d = cos

unde, pentru 0 < < , se obine 0 < U R < 0.318U , adic se poate regla puterea pn la
valoarea maxim dat de un redresor monoalternan cu o diod, formele de und fiind prezentate
n figura 6.5.

Figura 6.5 Reglarea puterii prin unghiul de aprindere.

Circuitele de redresare comandate n punte se abordeaz n mod similar, pentru
exemplificare se prezint n figura 6.6 circuitul de redresare trifazic cu o sarcin rezistiv, care
conine ase tiristoare.

60

Figura 6.6 Redresor trifazic comandat.

Valoarea medie a tensiunii redresate, de asemenea n funcie de unghiul de comand
este dat de relaia:
U d =

3 2U
2

1 sin 3

(3.4)

6.3.2 TRIACUL
Triacul (Triode for Alternating Current), cunoscut i sub numele de tiristor bidirecional
este un dispozitiv semiconductor dedicat controlului puterii electrice n sarcini att rezistive, ct
i inductive; el poate fi amorsat att la tensiuni pozitive, ct i la tensiuni negative, aplicnd un
curent de comand pozitiv sau negativ pe poart.
Similar tiristorului, triacul are trei terminale denumite anod 1 (A1), anod 2 (A2) i poart
(gate G). Simbolul triacului este prezentat n figura 6.7 a, iar n b se arat structura fizic, ce
sugereaz construcia sa din dou tiristoare alipite n mod antiparalel.

a
b
Figura 6.7 a simbolul triacului; b structura constructiv.

61

Caracteristicile statice curent tensiune sunt similare celor ale unui tiristor, cu observaia
c evoluia curentului n cadranul III este simetric fa de origine; acestea sunt reprezentate n
figura 6.8, unde se poate observa c pentru curent de poart nul (I G = 0), curentul prin tiristor are
o valoare minim (I BO ), care se numete curent de meninere. Aprinderea se poate realiza cu
impulsuri pozitive sau negative aplicate porii, combinaiile de polariti ale comenzii cu
tensiunea aplicat fiind ilustrate n figura 6.9, cu recomandarea utilizrii impulsurilor pozitive n
cadranul I i a celor negative n cadranul III.

Figura 6.8 Caracteristicile statice ale unui triac.

Figura 6.9 Cadranele de funcionare ale triacului.

62

n timpul funcionrii, triacul disip putere n dependen de unghiul de aprindere, cum

se arat n figura 6.10.

Figura 6.10 Puterea maxim disipat n funcie de valoarea efectiv a curentului prin triac,
cu unghiul de deschidere ca parametru.
6.3.3 DIACUL
Controlul aprinderii triacului, prin aceasta, controlul puterii furnizate sarcinii se realizeaz
extrem de simplu prin utilizarea dispozitivului semiconductor numit DIAC, conceput special
pentru astfel de aplicaii. Diacul (Diode for Alternating Current) este un dispozitiv semiconductor
PNP simetric, care corespunde unui montaj integrat din dou tiristoare antiparalel, fr electrod
de comand, simbolul i caracteristica funcional fiind prezentate n figura 6.11. Dup cum se
poate observa, caracteristica tensiune curent are forme similare la polarizarea direct sau
invers i poate fi amorsat fie prin depirea tensiunii de amorsare V BO , fie printr-o cretere
rapid a tensiunii. Diacul rmne n conducie pn cnd curentul scade sub limita de meninere
I BO , dup care intr n starea de rezisten mare.

63

Figura 6.11 Diacul simbolul i caracteristica de transfer.

O soluie, att simpl, ct i economic de control al puterii furnizate ctre o sarcin
inductiv Z L , este prezentat n figura 6.12. Acest tip de circuit de control se numete circuit de
amorsare cu sincronizarea triacului. Alte metode de control sunt:
Sincronizare cu tensiunea de alimentare;
Prin sincronizarea unui tren de impulsuri cu tensiunea de alimentare.

Figura 6.12 Schema de control cu sincronizarea triacului.

Formele de und care rezult n urma comenzilor de aprindere sunt prezentate n figura
6.13; blocarea triacului se produce la unghiul , dup ce curentul prin triac cade la zero, aa fel
nct: = Tr , unde:
= 2f , f = 50 Hz este frecvena reelei electrice;
Tr = (P + Rt )C este constanta de timp a circuitului de control;

este unghiul de conducie;

este unghiul de conducie maxim.

64

Figura 6.13 Forme de und la aprinderea unui triac.

6.3.4 TRANZISTORUL UNIJONCIUNE
Tranzistorul unijonciune este un dispozitiv semiconductor care are o singur jonciune (de
unde i numele); el are trei terminale un emitor (E) i dou baze (B1 i B2).
Rezistena dintre cele dou baze, cu emitorul blocat se numete rezisten interbaze. La
depirea unei valori a tensiunii pe emitor numit tensiune de declanare, rezistena interbaze
devine negativ, ceeace face posibil utilizarea TUJ-ului n circuite oscilante, numite oscilatoare
de relaxare. Figura 6.14 prezint n a simbolul tranzistorului unijonciune, iar n b structura sa
fizic, unde se poate observa jonciunea P-N dintre emitor i substratul rezistiv.

a
b
Figura 6.14 a simbolul TUJ; b structura fizic.
Modul de funcionare a unui TUJ este exemplificat n figura 6.15, unde se prezint schema
echivalent compus dintr-o diod, care simuleaz jonciunea emitorului i rezistena interbaz,

65

care este suma celor dou rezistene corespunztoare celor dou baze, adic RBB = RB1 + RB 2 . La
depirea valorii de vrf V P a tensiunii de emitor V E , R B1 , care de fapt este rezistena controlat
de dispozitiv, scade brusc pn n punctul de vale V V , apoi ciclul se reia.
Definiii:

RB1
, de unde VRB1 = VBB;
RBB

Raportul intrinsec de divizare a tensiunii V E este =

Valoarea de vrf V P este dat de VP = VBB + VD , unde V D este cderea de tensiune pe

dioda echivalent (0.7 V).

Figura 6.15 Schema echivalent i caracteristica TUJ-ului.

Aplicaia tipic a unui TUJ este oscilatorul de relaxare, a crui schem electric este
prezentat n figura 6.16; alimentarea montajului se face dintr-o surs de curent alternativ (cu
amplitudinea mai mic de 30 V, pentru majoritatea dispozitivelor). Dioda Zener limiteaz
amplitudinea tensiunii de alimentare la cca 24 V, cu cderi periodice la zero. Amorsarea TUJ-ului
se produce la tensiunea de ncrcare a condensatorului C, adic V C = V Z , unde V Z este
tensiunea Zener.

Figura 6.16 Oscilator de relaxare cu TUJ.

66

Urmrind formele de und generate de oscilatorul de relaxare din figura 6.17 se poate
observa c V E ia periodic valori cuprinse ntre V P i V V , date de variaia rezistenei R B1 (figura
6.15), care conduce la variaia tensiunii VRB1 = VBB, acest proces desfurndu-se cu perioada
dat de frecvena reelei electrice.
Perioada oscilaiilor de relaxare T este dat de relaia:
1
(3.5)
T PC ln
1

Avnd datele de catalog ale TUJ-ului, perioada T a oscilaiilor de relaxare se poate

controla foarte simplu prin modificarea rezistenei poteniometrului P.

Figura 6.17 Formele de und ale oscilatorului de relaxare cu TUJ.

Rezumat
Semiconductoarele de putere au o importan deosebit n utilizarea energiei
electrice, i anume n domeniul acionrilor electrice, redresoare, invertoare, n
general convertizoare.
Se vor aborda urmtoarele dispozitive statice, care sunt de fapt dispozitive de
comutaie: tiristorul, triacul i dispozitive auxiliare construirii unui circuit de
comutaie cum ar fi tranzistorul unijonciune i diacul.

67