Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
a) Dispozitivul semiconductor la baza funcționării căruia este pusă dependența fotoelectric se numește fotorezistor.
c) Descărcarea electrică în gaze care se produce numai în prezența agentului ionizator este numită neautonomă.
2. Determinați valoarea de adevăr a următoarelor afirmații , marcând “A” dacă afirmația este adevărată și “F” dacă
afirmația este falsă.
a) Electronii liberi din conductorul metalic în lipsa câmpului electric exterior se mișcă haotic. A
c) Disocierea electrolitică are loc numai în prezența curentului electric prin electrolit. A
3. La mărirea temperaturii metalului rezistivitatea electrică a lui se micșorează , deoarece la temperaturi mai înalte
mișcarea termică este mai intensă.
4. Sarcina electrică totală a unui semiconductor ce conține atomi donori este negativă , deoarece acest semiconductor
prezintă un cristal tetravalent în care sunt introduși atomi pentavalenți.
5. Masa metalului depus la catodul băii electrolitice este direct proporțională cu sarcina electrică transportată prin
baie , deoarece fiecare cation este caracterizat de o anumită masă și de sarcina electrică respectivă.
6. Rezistența unui conductor de aluminiu este egală cu 4Ω la 0°C. La introducerea lui într-o sobă electrică rezistența s-a
mărit pînă la 13,6Ω . Care este temperatura în interiorul sobei? Coeficientul de temperatură al rezistivității pentru
aluminiu este egal cu 0,0048 K^-1.
Se da R(l)=Ro(1+at)
Ro = 4 om R(l)=Ro+Ro at
R(l)=13,6 om Ro at= R(t)-Ro
a = 0,0048K-1 t=R(t)-Ro
-------------
t= ? Ro a
t=13,6-40 9,6
------------- = ------------- = 500oC
4*0,0048 0,0192