Lucrarea Nr.

9
Tranzistorul bipolar – Caracteristici statice – Fișă de lucru

Activitatea în simulator

C1. Determinarea caracteristicilor statice de intrare I B (V BE)

Se implementează în CAPTURE circuitul din Figura 1 utilizând un tranzistor bipolar cu
joncţiuni BC549B/EBIPOLAR., aşa cum este ilustrat în Figura 2. Se va utiliza:
R B=130000+ MARCADE .

Figura 2- Implementarea CAPTURE a circuitului utilizat pentru determinarea

caracteristicilor statice ale TBJ

Se editează profilul de simulare în vederea realizării unei analize DC Sweep în care sursa
de tensiune continuă V BB este variată între 0 şi 5 V cu paşi de 0.01 V . Se adaugă un
Sweep secundar pentru variaţia V CC conform listei 1 ,2 , 3 , 4 ,5. Se afişează curentul de
bază al tranzistorului funcţie de tensiunea baza-emitor ( I B (V BE) ) prin schimbarea
variabilei abscisei din V BB în V (Q 1: b). Se remarcă faptul că I B nu depinde de V CE .

Figura 3- Caracteristici statice de intrare I B (V BE)

Utilizând funcţia Cursor, se completează Tabelul 1.

1
 I B [uA ] 1 3 5 7 10 15 20 25 30
V BE [ V ] pentru V CE =1V
V BE [ V ] pentru V CE =5 V

[Activitate Opţională]
Folosind informaţia din ultimele două coloane ale Tabelului 1, determinaţi rezistenţa în
conducţie a joncţiunii emitoare.

C2. Determinarea caracteristicilor statice de transfer I C (V BE )

Se utilizează acelaşi profil de simulare pentru analiza DC Sweep în care sursa de tensiune
continuă V BB este variată între 0 şi 5 V cu paşi de 0.01 V la care se adaugă variaţia
secundară a V CE =V CC . Se afisează curentul de colector al tranzistorului funcţie de
tensiunea baza-emitor ( I C (V BE )) prin schimbarea variabilei abscisei din V BB în V (Q 1: b).

Figura 4- Caracteristici statice de transfer I C (V BE )

Utilizând funcţia Cursor, se completează Tabelul 2.

I C [mA ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9
V BE [ V ] pentru V CE =1V
V BE [ V ] pentru V CE =2V
V BE [ V ] pentru V CE =3 V
V BE [ V ] pentru V CE =4 V
V BE [ V ] pentru V CE =5 V

[Activitate Opţională]

2
Folosind informaţia din ultimele două coloane ale Tabelului 2, determinaţi
Δ iC
transconductanţa G M = precum şi variaţia acestei mărimi cu vCE . Reprezentaţi
Δ v BE
grafic.

C3. Determinarea caracteristicilor statice de ieşire I C (V CE )

Se editează profilul de simulare în vederea realizării unei analize DC Sweep în care sursa
de tensiune continuă V CC este variată între 0 şi 5 V cu paşi de 0.01 V . Se adaugă un
Sweep secundar pentru variaţia V BB conform listei rezultate din linia 2 a Tabelului 1
pentru I B=5/10/15/20/25 uA .
TKII :V BB=R B I B +V BE

Se afişează curentul de colector al tranzistorului funcţie de tensiunea baza-emitor (

I C (V CE )) prin schimbarea variabilei abscisei din V CC în V (Q 1: c). Se remarcă faptul că
I C depinde de V CE.

Figura 5- Caracteristici statice de ieşire I C (V CE )

Utilizând funcţia Cursor, se completează Tabelul 3.

V CE [ V ] 0.2 0.3 0.4 0.5 1 2 3 4 5
I C [mA ] pentru I B =5 uA

3
 I C [mA ] pentru I B =10 uA
I C [mA ] pentru I B =15 uA
I C [mA ] pentru I B =20 uA
I C [mA ] pentru I B =25 uA

[Activitate Opţională]
Δ v CE
Folosind informaţia din ultimele două coloane ale Tabelului 3, determinaţi r CE =
Δi C
precum şi variaţia acestei mărimi cu i B . Reprezentaţi grafic.