Măsurarea mărimilor

electrice de material
Octavian DĂNILĂ
 Măsurarea rezistenței electrice

Ohm-metrul – dispozitiv care măsoară curentul printr-un circuit și

determină rezistența din relația circuitului simplu: Deoarece ohm-
metrul măsoară rezistențe pe multe ordine de mărime, pentru cele
analogice se preferă scala logaritmică.

Ohm-metre cu traducere de curent. Ohm-metrul serie

1. Se scurtcircuitează circuitul (), și se ajustează pentru a avea - limitator de curent, - ajustare de

curentul de capăt de scală (valoarea maximă). Această valoare zero, necunoscut (conectat la bornele
corespunde indicației de zero ohmi. AB)
2. Se deschide circuitul (), curentul este , indicația este .
3. Se calibrează ohm-metrul prin conectarea unor valori cunoscute
ale rezistenței . O valoare specifică este cea care oferă un curent
egal cu .
4. Cu valoarea specifică se calculează valorile și :

𝐼 𝑐𝑠 𝑅 𝑚 𝑅 h 𝐼 𝑐𝑠 𝑅𝑚 𝑅 h
𝑅 2= 𝑅1 =𝑅h −
𝐸 − 𝐼 𝑐𝑠 𝑅 h 𝐸
 𝑅1
Măsurarea rezistenței electrice 𝐼𝑥
𝐼𝑡 𝐼𝑚
Pentru rezistențe mici (0.1-500 ohm) se folosește ohm- 𝐼 𝑠h
metrul cu shunt. Configurația trebuie să includă un
întrerupător. Pentru calibrare se folosește din nou 𝑅𝑚 𝑅 𝑠h 𝑅𝑥
valoarea la care indicația este .

La indicația avem: 𝐼 𝑥 = 𝐼 𝑠h − 𝐼 𝑚

( )
𝐸 𝐼𝑚 𝑅 𝑚 𝑅 𝑚 − 𝑅h 𝐼 𝑚 𝑅𝑚
𝐼 𝑥= − 𝐼 𝑠h = 𝐼 𝑚 𝑅 𝑠h =
𝑅h 𝑅h 𝑅h 𝐼 𝑠h

𝑅𝑚 𝐸− 𝐼 𝑚 𝑅 𝑚
𝐼 𝑡 = 𝐼 𝑚 + 𝐼 𝑠h + 𝐼 𝑥 =2 ( 𝐼 𝑚 + 𝐼 𝑠h ) =2 𝐼 𝑚 𝑅1 =
𝑅h 𝐼𝑡

Scalele pt (a) ohmmetrul serie și

(b) ohmmetrul cu shunt
Măsurarea rezistenței electrice

Ohm-metrele cu punte de rezistențe (puntea Wheatstone) măsoară

în domeniul 1 ohm – 100 Mega ohm. Puntea este formată din două
rezistențe fixe, una ajustabilă și una necunoscută. Sursa de tensiune
se conectează la bornele A și C, iar galvanometrul este conectat la
bornele B și D.

Puntea se consideră balansată dacă prin galvanometru nu trece

curent. Pentru o punte balansată, avem:

𝑅2 𝑅 𝑥
=
𝑅1 𝑅 3
Pentru o punte debalansată se observă o tensiune pe galvanometru.
Relațiile de punte devin:

( )
𝑅2 𝑅𝑥 𝑅2 𝐸 − ( 𝑅1 + 𝑅 2) 𝑉 𝐺
𝑉 𝐺= − 𝐸 𝑅 𝑥= 𝑅3
𝑅1 + 𝑅 2 𝑅 𝑥 + 𝑅3 𝑅 1 𝐸 + ( 𝑅 1+ 𝑅2 ) 𝑉 𝐺

Temperatura trebuie menținută constantă!

𝑅=𝑅 0 ( 1+𝛼 Δ 𝑇 )
Măsurarea rezistenței electrice

Pentru rezistențe mici – puntea Kelvin dublă. Funcționează similar cu

puntea Wheatstone, dar aceasta ia în considerare rezistențele firelor și
contactelor din circuit.

La balans (), avem:

𝑅=𝑆
𝑃
+ (
𝑞𝑟
𝑄 𝑝+𝑞 +𝑟 )( 𝑃 𝑝
−
𝑄 𝑞 )
Pentru determinare, s-a facut conversia de la triunghi la stea în
triunghiul de laturi p,q,r. Se observă că pentru , avem punte
Wheatstone. Rezistențele intermediare sunt

𝑝𝑞 𝑝𝑟 𝑞𝑟
𝑟1= 𝑟2= 𝑟3= R – rezistența necunoscută;
𝑝 +𝑞 +𝑟 𝑝+𝑞 +𝑟 𝑝+ 𝑞+𝑟
S – rezistența de referință (valoare mică);
r – rezistența contactului (yoke resistance);
Dacă puntea nu este balansată, prin galvanometru avem o variație Pp, Qq – rezistențe non inductive, un set este
de curent ajustabil;
( )( )
−1
Δ𝐼 𝑃 𝑝𝑞 𝑃𝑄
=Δ 𝑆 𝑅𝐺 + +
𝐼0 𝑃 +𝑄 𝑝 +𝑞 𝑃 +𝑄
Măsurarea rezistivității și conductivității

𝑈 𝑙 𝑙
𝑅= 𝑅=𝜌 =
𝐼 𝐴 𝜎𝐴
⃗𝑗=𝜎 ⃗
𝐸
1
𝜌= 𝑅𝐴 𝜌 = 𝑚
𝜎 𝜌= 2
𝑙 𝑛𝑒 Δ𝑡

Mișcarea electronilor și traseul curentului electric

Tehnici de măsură: Se determină rezistivitatea prin într-un conductor
măsurarea rezistenței electrice cu un ampermetru și un
voltmetru. Măsurarea se poate face în două sau patru
puncte.

𝑈𝑤h
𝑈𝑤h 𝜌=
𝜌= 𝐼𝑙 ′
𝐼𝑙
Măsurarea rezistivității și conductivității

Rezistivitatea unei suprafețe. Aceste măsurători sunt relevante pentru

filme subțiri, în diferite dispozitive (biologice, optice, electronice).
Metoda constă în aplicarea unui curent între bornele 1-4 și măsurarea
variației de tensiune de la bornele 2-3 față de 1-4. Rezistența electrică
a filmului este:
𝜋 Δ𝑉
𝑅=
ln 2 𝐼
𝜌 ≃ 𝑅𝜏 – grosimea filmului

În măsurătoare trebuie ținut cont de rezistențele firelor și rezistențele

de contact. De regulă un voltmetru bun anulează .

În funcție de forma geometrică a suprafeței filmului se aplică factori

de corecție. Pentru un film circular de diametru d măsurat la centru,
cu distanța s între probele 1-4, factorul de corecție este:
ln 2
𝐶=

( ) ( )
2 2
𝑑 𝑑
ln 2+ln 2
+3 − ln 2
−3
𝑠 𝑠
Măsurarea rezistivității și conductivității

Determinarea formulei rezistenței pentru măsurarea în 4 puncte (mediu gros

de dimensiuni semi-infinite). La injecția unui curent într-un punct de contact
pe un material omogen cu suprafața semi-infinită, densitatea de curent se
distribuie uniform:

( )
𝐼 𝑑𝑉 𝑑𝑉 𝐼
𝑗= 𝑗=𝜎 𝐸=𝜎 =− 𝜌 𝑗=− 𝜌
2𝜋 𝑟
2
𝑑𝑟 𝑑𝑟 2𝜋𝑟
2

𝑟
𝜌𝐼 𝜌𝐼
𝑉 =∫ − 𝑑𝑟 = 𝑉 (𝑟 = 0 )= 0
0 2𝜋𝑟
2
2𝜋𝑟
Luăm 4 probe la aceeași distanță s între ele. Curentul este injectat în proba 1 și
cules în proba 4, și se măsoară diferența de potențial între 2 și 3. Avem:

𝑉 2=
𝜌𝐼 1
(−
2𝜋 𝑠 2𝑠
1
) 𝑉 3= (
𝜌𝐼 1 1
−
2𝜋 2𝑠 𝑠 ) Δ 𝑉 =𝑉 2 − 𝑉 3= (
𝜌𝐼 2 1
−
2𝜋 𝑠 𝑠 )
Δ𝑉
𝜌 =2 𝜋 𝑠
𝐼
Măsurarea rezistivității și conductivității

Determinarea rezistivității pentru filme de grosime și suprafață

semiinfinită. Aici simetria distribuției densității de curent nu mai
este sferică, ci cilindrică.

𝐼 𝑑𝑉 𝜌𝐼
𝑗= =−
2 𝜋𝜏 𝑟 𝑑𝑟 2 𝜋𝜏 𝑟

𝑟2 𝑟2
𝜌𝐼 𝑅𝐼 𝐼𝑅
𝑉 =∫ − 𝑑𝑟 =∫ − 𝑑𝑟 = ( ln𝑟 1 − ln 𝑟 2 )
𝑟1
2 𝜋𝜏 𝑟 𝑟 1
2𝜋𝑟 2𝜋
Spre deosebire de cazul anterior, nu se mai poate face presupunerea
că potențialul tinde la zero pentru distanțe infinite.

Luăm iar sistemul de măsură în 4 puncte. Tensiunile sunt:

𝐼𝑅
𝑉 41 =
2𝜋
( ln 𝑟 4 −ln 𝑟 1 )
𝐼𝑅 𝐼𝑅 𝜋 Δ𝑉 𝑅 𝜋 Δ𝑉
𝑉 21 = ( ln 2 𝑠 − ln 𝑠 ) Δ 𝑉 =𝑉 31 −𝑉 21=ln 2 𝑅= 𝜌= =
2𝜋 𝜋 ln 2 𝐼 𝜏 𝜏 ln2 𝐼
𝐼𝑅
𝑉 31 = ( ln 𝑠 − ln 2 𝑠 )
2𝜋
Măsurarea rezistivității și conductivității
Metoda van der Pauw - geometrie oarecare a filmului
1. Se definesc rezistențele , cu , și curentul între punctele i și j.
2. Se măsoară rezistențele , , și , .
3. Se definesc rezistențele și
4. Se calculează rezistența din relația van der Pauw:

Alternativ se poate folosi metoda van der Pauw grafică:

1. Se definesc rezistențele , cu , și curentul între punctele i și j
2. Se măsoară rezistențele și și se iau maximele și minimele și
3. Se calculează raportul și se extrage rezistivitatea după relația
4. Se repetă pașii 2 și 3 pentru rezistențele și , se obține
5. Dacă cele două valori diferă cu 10-20% una față de alta, densitatea este media
aritmetică

ln 4 𝛾
𝑓 (𝛾)=
1+𝛾 ln ( 1 − 4 )
−1
( 1+𝛾 ) 𝑓
Măsurarea rezistivității și conductivității

Metoda Hall: Electronii care se deplasează într-un material (conductor sau

semiconductor) pe direcția Ox sunt supuși unui câmp magnetic pe direcția
Oz. Apare forța Lorentz care îi deviază: 𝐼𝐵
𝐹 =𝑞𝑣𝐵=
𝑛𝐴
Nu toți electronii au aceeași viteză, astfel apare o distribuție de sarcină pe
direcția Oy, deci apare un gradient de câmp – o tensiune.

𝐼 𝑥 𝐵𝑧 𝐸𝑦 𝑉 𝐻𝑡 1
𝑉 𝐻= 𝑅𝐻 = 𝑅𝐻 = = n – concentrația de electroni
𝑛𝑡𝑒 𝑗 𝑥 𝐵𝑧 𝐼𝐵 𝑛𝑒
(definit)
n – concentrația de electroni
Pentru semiconductori:
𝑝 𝜇 2h − 𝑛 𝜇2𝑒 p – concentrația de goluri
𝑅𝐻 = 2
𝑒 ( 𝑝 𝜇h +𝑛 𝜇 𝑒 )
- mobilitățile golurilor
respectiv electronilor
Măsurarea rezistivității și conductivității

Rezistivitatea unui material este echivalentă cu concentrația de

purtători. Pentru un conductor avem doar electroni, pentru un
semiconductor este necesară cunoașterea concentrației intrinseci,
(eventual dopaje), și măsurarea doar a unei concentrații.

Simetria materialului contează! Se preferă folosirea formei de trifoi.

Pentru a avea o măsurătoare corectă, se fac două seturi de măsurători,

pentru ambele sensuri ale câmpului magnetic.

Pentru un sens al câmpului magnetic:

1. Se aplică curentul și se măsoară
2. Se aplică curentul și se măsoară
3. Se aplică curentul și se măsoară
4. Se aplică curentul și se măsoară
Se repetă procedura pentru sensul negativ, se obțin tensiunile (cu
minus) 𝐼𝐵 𝑝𝑠
− − 𝑝 𝑠 =8 ⋅ 10
8
( 𝑐 𝑚− 2 ) 𝑝=
𝑉 𝑐 =𝑉
+¿ −𝑉
24
24 ¿
𝑉 𝐷 =𝑉
+¿ − 𝑉 42 ¿
42
𝑉 =𝑉 𝑐 +𝑉 𝐷 +𝑉 𝐸 + 𝑉 𝐹 𝑞𝑉 𝑡
− −
+¿ −𝑉 13 ¿ + ¿ −𝑉 ¿
𝑉 𝐸 =𝑉 𝑉 𝐹 =𝑉 31

Identic pt n, dacă V < 0

13 31
Dacă V > 0, materialul este tip p
Măsurarea capacității electrice

Capacitatea: Cantitatea de sarcină înmagazinată pe două armături, la

o tensiune nominală.
❑

𝑄
∬⃗
𝐷𝑑⃗
𝐴
𝑆
𝐶= = ❑
𝑉
∫⃗
𝐸 𝑑 ⃗𝑙
Γ

Pentru calcul, se alege o suprafață care să conțină una dintre armături

și o curbă care să conecteze cele două armături. În cazul unui
condensator plan, avem:
❑ ❑

∬ ⃗𝐷 𝑑 ⃗𝐴=𝐷𝐴=𝜖 𝐸𝐴 ∫ ⃗𝐸 𝑑 𝑙=𝐸𝑑
⃗ 𝐶=
𝜖𝐴
𝑑
𝑆 Γ

Capacitatea se poate exprima și în

funcție de rezistență și curentul de
scurgere:
𝜖𝐴 𝜌𝑑
𝐶= 𝑅=
𝑑 𝐴
𝜖𝜌 𝐼
𝐶= =𝜖𝜌 𝑠
𝑅 𝑉
Măsurarea capacității electrice

Constructiv, un condensator este realizat prin inserția unei folii de

dielectric între doi electrozi metalici. Capacitățile variază de la
femto-F la Farad.

Tipuri de condensatori:
• Low-loss, cu sticlă, mică, plastice cu pierderi reduse (telecom)
• Medium-loss, cu hârtie, plastic sau ceramice (motoare, transfer de
putere, linii de transmisie)
• De toleranță mare (electrolitice), cu aluminiu și tantal, pentru
capacități mari (radio, TV, militar)

Condensatori de capacitate mare se obțin prin legarea în paralel a

mai multor electrozi. Pentru condensatori variabili se folosește
configurația cu discuri rotative (discuri cu secțiunea arc de cerc
care se rotesc între armături).
Măsurarea capacității electrice

Dependența de frecvență: Dielectricul este un material dispersiv, deci

capacitatea depinde de frecvența semnalului aplicat.

Dielectrici polari – Moleculele dielectricului sunt dipoli, deci oscilează

rezonant la anumite frecvențe, rezultând pierderi mari. Absorbția în
dielectric induce și întârzieri, deci nu se pot folosi în circuite rapide.

Dielectricii polari disipă energie, ceea ce permite încărcare pe termen

lung. Mărimea discriminantă – rezistența de scurgere.

Dependența de nivelul de semnal. În funcție de natura dielectricului,

polarizația care se obține în material depinde de nivelul semnalului. Peste
un anumit nivel (tensiunea de străpungere), dielectricul se străpunge, și
condensatorul se arde.

Dependența de temperatura ambientală. Proprietățile dielectricului

(permitivitatea și rezistența de scurgere) depind de temperatură. De regulă
dependența de temperatură este neliniară (compusă din cele două tipuri de
dependențe).
Măsurarea capacității electrice

Impedanța condensatorului:
1
𝑍 𝐶= 𝑠=𝜎 + 𝑗 𝜔 (Transformata Laplace)
𝑠𝐶
Pentru regim sinusoidal, avem

Modelul echivalent complet trebuie să includă

rezistențele și inductanțele firelor de contact.

𝑍 𝑅 =𝑅 𝑍 𝐿 =𝑠𝐿 𝑠=𝜎 + 𝑗 𝜔

Legarea condensatoarelor

𝑁 𝑁
1 1
=∑ 𝐶𝑝= ∑ 𝐶𝑘
𝐶 𝑠 𝑘=1 𝐶 𝑘 𝑘=1
 Măsurarea capacității electrice

Puntea RC - serie
În condiții de balans:
𝑍1 𝑍 𝑥
=
𝑍2 𝑍3 ( 𝑅1−
𝑗
𝜔 𝐶1) (
𝑅3 = 𝑅𝑥 −
𝑗
𝜔 𝐶2
𝑅2
)
𝑅1 𝑅3 𝐶1 𝑅2
𝑅 𝑥= 𝐶 𝑥=
𝑅2 𝑅3

( ) ( )
−1 −1
Puntea RC - paralel 𝑍1 𝑍 𝑥 1 1
= + 𝑗 𝜔 𝐶1 𝑅3 = + 𝑗 𝜔 𝐶𝑥 𝑅2
𝑍2 𝑍3 𝑅1 𝑅𝑥
În condiții de balans:

𝑅3 𝑅1 𝐶1 𝑅2
𝑅 𝑥= 𝐶 𝑥=
𝑅2 𝑅3
Măsurarea capacității electrice

Puntea Wien 𝑅3 ( 1+ 𝜔 2 𝑅 21 𝐶 21 )
𝑍1 𝑍 𝑥 𝑅 𝑥=
= 𝜔2 𝑅1 𝑅 2 𝐶 21
În condiții de balans: 𝑍2 𝑍3
𝐶 1 𝑅2
𝐶 𝑥=
𝑅3 ( 1+ 𝜔2 𝑅21 𝐶 21 )

Puntea servește și la măsurarea 2 1

frecvenței de rezonanță, dacă se 𝜔=
𝑅 1 𝐶 1 𝑅𝑥 𝐶 𝑥
cunosc toate elementele.

Puntea Schering (tensiuni sau frecvențe mari)

𝑍1 𝑍 𝑥 𝐶 3 𝑅2 𝐶 2 𝑅1
În condiții de balans: = 𝐶 𝑥= 𝑅 𝑥=
𝑍2 𝑍3 𝑅1 𝐶3

Dacă se cunoaște geometria condensatorului, din capacitate se

poate determina direct o singură valoare a permitivității electrice.
Măsurarea permitivității complexe – DC-kHz

⃗
𝑃=𝜖0 𝜒 𝑒 ⃗
𝐸 ⃗
𝐷=𝜖 0 𝜖𝑟 ⃗
𝐸 Deoarece avem dispersie, funcțiile sunt definite ca produs în spațiu Fourier. Trecerea
la domeniul temporal se face printr-o integrală de convoluție.

⃗ ⃗ 𝜕⃗
𝐷
∇ × 𝐻 = 𝑗+ - densitatea de current dată de sarcinile din volum
𝜕𝑡
- densitatea de current de conducție
∇ ×⃗
𝐻 =⃗𝑗 s + ⃗𝑗𝑐 + j 𝜔𝜖 ⃗
𝐸
- densitatea de current de deplasare

⃗𝑗 =𝜎 ⃗
𝐸 ∇ ×⃗
𝐻 =⃗𝑗 s + ( 𝜎 + j 𝜔𝜖 ) ⃗
𝐸
Legea Ohm - formă locală 𝑐 de unde

Pe lângă acești curenți, trebuie adăugate efectele de întârziere ale dipolilor

electrici raportat la câmpul aplicat. Se obține

∇ ×⃗
𝐻 =⃗𝑗 s +¿ Modelarea empirică a proceselor de
relaxare: model Cole-Cole
∗ 𝜖∗
𝜖 =𝜖− j𝜎+𝜔𝜅} over {𝜔¿ 𝜖 𝐷𝐶 − 𝜖 ∞
∗
𝜖 = =𝜖 ′𝑟 − 𝑗 𝜖′𝑟′ =𝜖 𝑟 (1− 𝑗 tan 𝛿)
𝑟 ∗
𝜖 𝑟 =𝜖 ∞ +
𝜖0 1− 𝛼
1+ ( 𝑗 𝜔𝜏 )
– unghiul de pierdere, apare din cauza curentului de conducție – timpul de relaxare – factor de model
 Măsurarea permitivității complexe – DC-kHz

Determinarea din capacitatea electrică a unui condensator plan.

Această metodă funcționează la frecvențe mici (Hz – kHz)

Condensatorul plan cu vid are capacitatea pF

𝑟 =𝑟 1 + Δ Δ=
1
2
( 𝑟 2 −𝑟 1 ) −
2𝑑
𝜋
ln cosh (
𝜋 ( 𝑟 2 −𝑟 1 )
4𝑑 )
La aplicarea unui semnal treaptă, curentul prin condensator este:
𝑉 𝐶 0 ( 𝜖 0 −𝜖 ∞ )
𝐼 =𝜖 ∞ 𝐶 0 𝑉 𝛿 ( 𝑡 ) +
𝜏 ( )
exp −
𝑡
𝜏
𝜏= 𝑅 𝐶 0 ( 𝜖 0 − 𝜖 ∞ )

Primul termen – curentul de încărcare al condensatorului de pe ramura de

sus a circuitului echivalent, care dispare după un timp foarte scurt. În
practică, acest curent provoacă arderea condensatorului dacă nu este
shuntat
Al doilea termen – curentul de încărcare a brațului de jos. Constanta de
timp se determină din trasarea caracteristicii de relaxare în timp.
Rezistența se determină prin extrapolarea caracteristicii la .
 Măsurarea permitivității complexe – kHz-GHz

Pentru frecvențe kHz-GHz: Puntea Schering

În intervalul de frecvențe joase ( < MHz), nu se folosește
𝐶𝑑 𝑅𝑐 𝐶𝑇 𝑅𝑑
La echilibru, avem: 𝑅 𝑥 = 𝐶 𝑥=
𝐶𝑇 𝑅𝑐
𝑋𝑥 1
Se poate exprima și în funcție de factorul de calitate 𝑄 𝑥 = =
𝑅𝑥 𝜔 𝐶 𝑥 𝑅 𝑥

Pentru intervalul de frecvențe înalte, se folosește metoda substituției:

1. Se introduce și se echilibrează puntea. Se notează valorile și
2. Se scoate și se echilibrează puntea. Se notează valorile și
Cu valorile obținute, avem:
RC serie RC paralel
𝐶 𝑥 =𝐶 𝑉 2 − 𝐶𝑉 1
( )
1 1 𝐶𝑠
𝐶𝑉 2 𝐺 𝑝= 𝐶𝑝=
1 𝑅 𝑠 1+𝑄 2𝑥 1
= ( 𝐶 𝑑 1 − 𝐶 𝑑2 ) 𝜔 𝑅 𝑑 1+ 2
𝑄𝑥 𝐶 𝑥 𝑄𝑥

( )
′ 𝐶𝑥 ′′ 𝐶𝑥 1 1
𝜖= 𝜖 = 𝑅𝑠=
𝐶0 𝐶0 𝑄𝑥 𝐺𝑝 1+𝑄 2𝑥
(
𝐶 𝑠= 𝐶 𝑝 1+
1
𝑄𝑥
2
)
Măsurarea permitivității complexe – GHz-THz

Domeniul GHz – THz: Metoda cavității rezonante

Metoda presupune măsurarea frecvenței de rezonanță și a

factorului de calitate pentru o cavitate goală și încărcată. Dacă
se notează mărimile măsurate pentru cavitatea goală și
mărimile măsurate pentru cavitatea încărcată, avem

( )
1 1 𝑓1
√
2
𝑓 −𝑓2
𝜖 𝑟 = 1+ 1 tan 𝛿= −
𝑓2 𝑄 2 𝑄1 𝑓 2

Dacă eșantionul are simetrie cilindrică și este pus Dacă eșantionul are simetrie sferică de rază și este
într-un ghid dreptunghiular care suportă modul , pus într-un ghid dreptunghiular de volum care
atunci avem: suportă modul , atunci avem:

1 𝑓 1− 𝑓 2 𝑉 𝑔 𝑉 𝑔 𝑄 2 − 𝑄1
𝜖 ′𝑟 =1+ ′′
𝜖𝑟 = 𝑉𝑔 𝑓 1− 𝑓 2 𝑉𝑔 𝑄2 −𝑄 1
2 𝑓 2 𝑉𝑠 4 𝑉 𝑠 𝑄1 𝑄 2 ′′
𝜖 ′𝑟 = 𝜖𝑟 =
16 𝜋 𝑟 𝑄 1 𝑄2
3
8𝜋𝑟
3
𝑓2
- volumele ghidului respectiv eșantionului
Măsurarea permitivității complexe – GHz-THz

Măsurarea coeficientului de reflexie pe interfață. În acest domeniu, descrierea nu mai folosește conceptele efective
de tensiune și curent, ci se preferă o descriere de undă. În acest mod, se pot defini planele de referință, care
reprezintă porturi. Dacă un circuit are un număr impar de borne, atunci porturile se obțin adăugând un punct de
referință arbitrar pe circuit.

Cel mai simplu circuit: Un generator de impedanță debitează putere

pe un element Z înseriat cu o impedanță de sarcină . Firele de
legătură au impedanțe neglijabile. Undele care intră într-un port i
sunt notate cu , cele care ies cu . Pentru a avea definițiile
consecvente cu teorema de conservare a energiei (și a puterii), se
normează undele la (impedanța caracteristică a vidului, pur
rezistivă). O altă simplificare -

Dacă avem , atunci - circuitul este adaptat, și avem transfer maxim de putere pe sarcină. În aceste condiții avem .
Coeficienții sunt dați de:
1 2

𝑈0 𝑟𝑒𝑓𝑙
𝑃
𝑖𝑛𝑐
1 =
2
|𝑎 1|
𝑎 1= 𝑈 1
2 √ 𝑍0 𝑏 = 1 2
2 √ 𝑍 0 𝑃 1 = 2 |𝑏1|
1 𝑟𝑒𝑓𝑙

Standard UE – factor ½
Standard US – factor 1.
Măsurarea permitivității complexe – GHz-THz

Dacă nu avem sarcina adaptată, atunci o fracțiune din puterea incidentă

pe acesta va fi reflectată înapoi la portul 2. Unda care se propagă de la
portul 2 spre sarcină este o superpoziție a unei unde progresive, de la
generator cu o undă regresivă, care se reflectă de la sarcină.

𝑈 𝑖 + 𝐼𝑖 𝑍 0
𝑈 𝑖 =√ 𝑍 0 ( 𝑎𝑖 + 𝑏𝑖 ) =𝑈 𝑖 +𝑈 𝑖
𝑖𝑛𝑐 𝑟𝑒𝑓𝑙
𝑎𝑖 =
2 √ 𝑍0
𝑈𝑖
𝑟𝑒𝑓𝑙 1 1
𝑈 𝑖 − 𝐼𝑖 𝑍0 1 𝑃 𝑖= ℜ 𝔢 ( 𝑈 𝑖 𝐼 ∗𝑖 ) = ( 𝑎𝑖 𝑎∗𝑖 +𝑏𝑖 𝑏∗𝑖 )
𝑏𝑖 = 𝐼 𝑖= ( 𝑖 𝑖) 𝑍
𝑎 −𝑏 = 2 2
2 √ 𝑍0 √ 0
𝑍 0

Matricea de împrăștiere

𝑏1 =𝑆11 𝑎1 + 𝑆12 𝑎 2 𝑆 11=

( )
𝑏1
𝑎1 𝑎 2=0
Coeficientul de reflexie
la portul 1
𝑆 22 =
( )
𝑏2
𝑎2 𝑎 1=0
Coeficientul de reflexie
la portul 2
𝑏 2=𝑆 21 𝑎 1 +𝑆 22 𝑎 2

( )
Coeficientul de
𝑆 21 =
𝑏2
𝑎1 𝑎 2= 0
Coeficientul de transmisie 𝑆 12 = 𝑏 1
progresivă, de la 1 la 2 𝑎2 ( ) 𝑎 =0
1
transmisie regresivă, de
la 2 la 1
 Măsurarea permitivității complexe – GHz-THz

Metoda de măsurare presupune determinarea permitivității complexe

prin analizarea coeficienților de împrăștiere și . Se folosește o sursă
de unde electromagnetice în domeniul THz cu două antene tip
goarnă, iar eșantionul de grosime d este plasat între ele.
∗ ′ ′′
𝜖 𝑟 =𝜖 + 𝜖

√
𝑍 𝑛 −1 1 (mediu nemagnetic - )
Γ= 𝑍𝑛= ∗
𝑍 𝑛 +1 𝜖𝑟
𝑇 =exp ( −𝛾 𝑑 ) 𝛾 =𝛾 0 √ 𝜖 𝑟
∗

𝑆 11=
Γ ( 1− 𝑇 2 )
1−Γ 𝑇
2 2
𝑆 21 =
T (1 − Γ 2)
1− Γ 𝑇
2 2
𝜖 ∗𝑟 = (
𝛾 1− Γ
𝛾 0 1+ Γ )
𝛾=
1
𝑑
ln
1
𝑇( )
1
= ln
𝑑
1
|𝑇 |
+𝑗
( )
2 𝜋 𝑛− 𝜙
𝑑

1. Se măsoară coeficienții și
2. Se extrag și
3. Se calculează permitivitatea complexă. Pentru evitarea ambiguităților
se folosesc grosimi de material mai mici ca lungimea de undă