Circuite Integrate Analogice

C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I.
Circuite fundamentale
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Cuprins
1 Tranzistoare MOS si bipolare 3
1.1 Tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Generalitat i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2 Funct ionarea tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3 Modelul de semnal mare n regiunea activa normala . . . 7
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar n saturat ie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar n RAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.6 Caracteristica de iesire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.7 Caracteristica de transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.1.8 Modelul de semnal mic si nalta frecvent a . . . . . . . . 11
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.1 Generalitat i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.2 Funct ionarea tranzistoarelor MOS . . . . . . . . . . . . 14
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS . . . . . 17
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS
n saturat ie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.5 Polarizarea substratului si efectul latch-up . . . . . . . 22
1.2.6 Modelul de semnal mic si nalta frecvent a . . . . . . . . 23
1.3 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2 Surse de curent 27
2.1 Sursa simpla de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . . 27
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor si degenerare rezistiva . . 30
2.3 Sursa de curent cascoda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.4 Sursa de curent cu rezistent a de iesire marita . . . . . . . . . . 35
2.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
ii
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
3 Oglinzi de curent 39
3.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Oglinzi de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.1 Oglinda simpla de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.2 Oglinda de curent cascoda MOS . . . . . . . . . . . . . 44
3.2.3 Oglinda cascoda MOS de joasa tensiune . . . . . . . . . 46
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS . . . . . 50
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . 53
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . 53
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de . . . . . . . . . . 57
3.3.3 Oglinda de curent bipolara cu degenerare rezistiva . . . . 61
3.3.4 Oglinda cascoda bipolara . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.3.5 Oglinda Wilson bipolara . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4 Referint e electronice 70
4.1 Referint a simpla cu divizor de tensiune . . . . . . . . . . . . . . 71
4.2 Referint a de tensiune cu dioda
bipolara si MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.3 Referint a de tensiune cu dioda Zener . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.4 Referint a de curent cu oglinda simpla
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.5 Referint a de curent Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.5.1 Referint a Widlar cu tranzistoare MOS . . . . . . . . . . 79
4.5.2 Referint a Widlar cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . 81
4.6 Referint a de curent V
Th
si V
BE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.7 Referint e independente de V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.8 Referint e compensate cu temperatura . . . . . . . . . . . . . . 85
4.9 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.10 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5 Amplicatoare simple 94
5.1 Amplicatorul inversor cu sarcina rezistiva . . . . . . . . . . . . 94
5.2 Amplicatorul inversor cu sarcina dioda . . . . . . . . . . . . . 100
5.3 Amplicatorul inversor cu sarcina sursa
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.4 Amplicatorul inversor cascoda . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.5 Amplicatorul inversor cascoda simetrica . . . . . . . . . . . . . 114
5.6 Amplicatorul inversor cascoda pliata . . . . . . . . . . . . . . . 119
iii
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
5.7 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
6 Amplicatoare diferent iale 125
6.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
6.2 Amplicatorul diferent ial cu sarcina rezistiva . . . . . . . . . . . 126
6.3 Amplicatorul diferent ial MOS cu sarcina
oglinda de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
6.4 Amplicatorul diferent ial cu sarcina surse de curent . . . . . . . 139
6.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
7 Amplicatoare operat ionale 147
7.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
7.2 Amplicatorul operat ional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate
necondit ionata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
7.2.2 Viteza de variat ie a tensiunii de iesire la AO Miller . . . 157
7.2.3 Amplicatorul operational Miller complet diferent ial . . . 159
7.2.4 Amplicatorul operat ional Miller
cu etaj repetor de iesire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
7.2.5 Metoda de proiectare a amplicatorului
operat ional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
7.3 Amplicatorul operat ional cascoda telescop . . . . . . . . . . . 167
7.3.1 AO cascoda telescop complet diferent ial . . . . . . . . . 176
7.4 Amplicatorul operat ional cascoda pliata . . . . . . . . . . . . . 177
7.4.1 AO cascoda pliata complet diferent ial . . . . . . . . . . 185
7.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
iv
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Prefat a
Materialul prezentat n aceasta carte se adreseaza student ilor de la facultat ile
de Electronica si Telecomunicat ii, care urmeaza cursurile de Circuite Inte-
grate Analogice, inginerilor cu aceasta specialitate si tuturor celor interesat i
de proiectarea analogica. Cartea este structurata pe sapte capitole, ecare
abordand o categorie de circuite sau principii, utilizate n proiectarea cir-
cuitelor analogice integrate.
In capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare si tranzistoarele MOS.

Pentru ecare dispozitiv sunt discutate structura zica, probleme de pola-
rizare, modelul de semnal mare si ecuat iile de funct ionare, caracteristicile
de iesire si de transfer, iar n nal modelul de semnal mic si parametrii
specici, at at pentru joasa cat si pentru nalta frecvent a.
Capitolul 2 si propune studiul catorva implementari electronice ale surselor
de curent. Pornind de la structura cea mai simpla si argumentand ecare
mbunatat ire se ajunge la structuri mai performante, utilizate n practica.
Capitolul 3 se ocupa de oglinzile de curent MOS si bipolare. Accentul este
pus pe comportamentul de curent continuu si caracteristicile de semnal mic
ale circuitelor. Fiecare oglinda este caracterizata prin parametrii ei speci-
ci, astfel ind posibila comparat ia ntre diferitele implementari la nivel de
tranzistor.
In capitolul 4 sunt introduse cateva tipuri de referint e de tensiune si de

curent. Pentru ecare referint a sunt date expresia senzitivitat ii marimii de
iesire cu tensiunea de alimentare si a coecientului de temperatura. Tot
n aceasta sect iune este explicata o metoda prin care se elimina dependent a
de tensiunea de alimentare a marimii generate.

In nal, sunt prezentate
referint ele de tip banda interzisa, imune la variat iile cu temperatura.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 5 se refera la principalele congurat ii de amplicatoare simple,
iar capitolul 6 la amplicatoarele diferent iale. Aceste circuite stau la baza
oricarei structuri mai complicate ale unui amplicator operat ional complet.
Caracteristicile specice ecarui etaj de amplicare, discutate n acest pa-
ragraf, sunt punctul static de funct ionare, domeniul de variat ie al tensiunii
de iesire, modelul de semnal mic si comportamentul n frecvent a.
Ultimul capitol vizeaza studiul unei categorii speciale de circuite analogice, si
anume cel al amplicatoarelor operat ionale.

In acest context, sunt discutate
AO avand compensare de tip Miller, AO cascoda telescop si AO cascoda
pliata.

In cazul ecaruia sunt evident iate avantajele, limitarile si domeniul
de frecvent e n care se utilizeaza n practica. Cele trei structuri de AO sunt
nsot ite de metoda completa de proiectare pentru specicat ii impuse.
Lucrarea ofera, pe langa prezentarea si analiza concreta a unor circuite, o
vedere de ansamblu aspura metodelor de analiza specice circuitelor analo-
gice. Aceste metode permit cititorului sa adapteze algoritmii propusi altor
categorii de circuite, care nu sunt discutate n aceasta carte.
Aprilie, 2007 Autoarea
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 1
Tranzistoare MOS si bipolare
Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate.
Ele pot de mai multe tipuri n funct ie de pasii utilizat i n procesul de fabricat ie.
Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare si MOS cu canal indus.
1.1 Tranzistoare bipolare
1.1.1 Generalitat i
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale daca se
considera si conexiunea de substrat) comandate n curent. Simbolurile tipice
utilizate sunt date n Figura 1.1.
B B
C E
E
C
NPN PNP
Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare
In procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structura zica ver-

ticala, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regula ca dispozitive
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE
laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentata n Figura 1.2 (vedere
de sus si sect iune).
+
n buried
n+
p+
n-
n-
n-
p-
p-
p+ p+
p+
p+
n+
n+
n+ n+
SiO
2
conexiuni metalice
Figura 1.2: Structura zica a unui tranzistor NPN
Colectorul este realizat ca un strat ngropat (eng. n+ buried), contactul
acestuia ind accesibil printr-o port iune verticala de tip n+ (dopata puternic cu
atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ngropat de dimensiuni mai mari
permite captarea optima a purtatorilor. Tranzistorul este izolat de dispozitivele
adiacente prin structuri p+.
1.1.2 Funct ionarea tranzistorului bipolar
Funct ionarea tranzistorului bipolar este determinata de cele doua jonct iuni pn
din structura, ind similara pentru tranzistoarele NPN si PNP. Din acest motiv
se va discuta pe larg numai funct ionarea variantei NPN.
4 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tranzistorul nepolarizat
Figura 1.3 prezinta distribut ia purtatorilor de sarcina ntr-un tranzistor NPN ale
carui terminale sunt conectate la masa.
p n
+
+
+
+
+
+
n
+
+
+
+
+
+
B E C
Figura 1.3: Electronii si golurile ntr-un tranzistor NPN nepolarizat
La limita dintre regiunile n si p electronii se recombina cu golurile astfel ncat
fasiile adiacente jonct iunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul
este n echilibru energetic, curentul de conduct ie ind zero.
Tranzistorul corect polarizat
Figura 1.4 arata distribut ia purtatorilor de sarcinantr-un tranzistor NPN corect
polarizat.
Polarizarea corecta nseamna:
- polarizarea directa a jonct iunii baza-emitor (V
BE
> 0);
- polarizarea inversa a jonct iunii baza-colector (V
BC
< 0);
O tensiune pozitiva aplicata ntre baza si emitor reduce lat imea regiunii de
golire prin compensarea potent ialului intrinsec datorat recombinarii purtatorilor.
Cand tensiunea externa egaleaza efectul potent ialului intrinsec, dioda baza-
emitor intra n conduct ie, iar emitorul injecteaza electroni mobili n regiu-
nea bazei.
Doris Csipkes 5
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
B(p)
E(n)
+
_
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
C(n)
+
_
V
BE
V
BC
Figura 1.4: Electronii si golurile ntr-un tranzistor NPN corect polarizat
O tensiune negativa aplicata ntre baza si colector mareste lat imea regiu-
nii de golire si n acelasi timp potent ialul pozitiv al colectorului accelereaza
electronii liberi injectat i n zona bazei de catre emitor. Electronii accelerat i
urmeaza sa e captat i de colector. Astfel se formeaza un curent de conduct ie
ntre colector si emitor. Mecanismul de conduct ie este prezentat n Figura
1.5.
B(p) E(n)
+
_
C(n)
+
_
V
BE
V
BC

E
B
C
Figura 1.5: Mecanismul de conduct ie a tranzistorului NPN
Observat ie: sensul saget ilor reprezinta direct ia de deplasare a electronilor.
Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtatorilor. Drept
urmare, n tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens
sugerat de sageata de pe simbolul dispozitivului).
Electronii liberi din regiunea bazei sunt n numar mult mai mic decat golurile.
Din acest motiv ei se numesc purtatori minoritari.
6 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Dintre electronii injectat i n baza de catre emitor majoritatea ajung sa e
captat i de colector. Un numar mic de electroni se pierd n baza datorita
potent ialului pozitiv al bazei fat a de emitor. Astfel, apare un curent n baza.
Valoarea tipica a curentului de baza este de aproximativ 1% din valoarea
curentului de colector.
1.1.3 Modelul de semnal mare n regiunea activa normala
Modelul de semnal mare descrie funct ionarea dispozitivului, dependent a din-
tre tensiunile aplicate celor doua jonct iuni si curent ii generat i. Ecuat iile de
funct ionare se deduc din concentrat iile de purtatori n diferite regiuni si para-
metrii geometrici ai jonct iunilor. Curentul de colector se scrien funct ie de ten-
siunea baza-emitor ca n ecuat ia (1.1). Se observa dependent a exponent iala.
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
(1.1)
In aceasta ecuat ie V
T
= kT/q este tensiunea termica, iar I
S
este curentul de
saturat ie.
Modelul de semnal mare este prezentat n Figura 1.6.

i
B
i
C
v
BE
v
CE
B C
E E
Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Jonct iunea baza-emitor se modeleaza cu o dioda. Jonct iunea colector-emitor
se modeleaza cu o sursa de curent comandata n curent a carei factor de
transfer este castigul de curent al tranzistorului.
In ecuat ia (1.1) si modelul de semnal mare nu s-a t inut cont de modulat ia lat imii
bazei cu variat ia regiunii de golire baza-colector. Cu cat tensiunea negativa V
BC
Doris Csipkes 7
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
este mai mare, cu atat regiunea de golire este mai lata, iar lat imea bazei scade.
Acest fenomen se numeste efect Early. Ecuat ia (1.1) se poate rescrie pentru
a considera si efectul Early. Factorul de corect ie este invers proport ional cu
tensiunea Early V
EA
si direct proport ional cu tensiunea colector-emitor.
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T

_
1 +
v
CE
V
EA
_
(1.2)
Observat ie: tensiunea Early se poate exprima ca ind variat ia relativa a
lat imii bazei cu tensiunea colector-emitor.
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar n saturat ie
In regim saturat ambele jonct iuni sunt polarizate direct. Astfel, atat emito-
rul cat si colectorul injecteaza sarcini n baza, iar curentul nu se mai conformeaza
ecuat iei i
C
= i
B
. Tipic, curentul de baza creste, condit ia de saturat ie ind
i
C
i
B
(1.3)
In practica, pentru a evita saturat ia nedorita a tranzistoarelor bipolare, punctul

static de funct ionare se alege astfel ncat V
BE
< V
CE
.
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar n RAN
Modelul de semnal mic se obt ine din modelul de semnal mare considerand
variat ii innitezimale ale tensiunilor si curent ilor n jurul punctului static de
funct ionare ales.
Observat ie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datorita
faptului ca variat iile de semnal sunt innitezimale n jurul punctului static
de funct ionare.
Modelul de semnal mic este dat n Figura 1.7.
8 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

i
B
i
C
v
BE
v
CE
B C
E E
r
BE
r
CE
g v
m BE
Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar n RAN
Parametrii de semnal mic sunt rezistent a baza-emitor (r
BE
), rezistent a
colector-emitor (r
CE
) si transconductant a de semnal mic (g
m
).
Rezistent a colector-emitor
Denit ie: rezistent a colector emitor se deneste ca variat ia tensiunii
colector-emitor cauzata de variat ia innitezimala a curentului de colec-
tor.
Expresia rezistent ei colector-emitor este:
r
CE
=
v
CE
i
C
=
1
i
C
v
CE
=
1
I
S
V
EA
e
v
BE
V
T
=
V
EA
i
C
(1.4)
Ordinul tipic de marime al rezistent ei colector-emitor este de sute de k.
Transconductant a de semnal mic
Denit ie: transconductant a de semnal mic se deneste ca variat ia curen-
tului de colector cauzata de o variat ie innitezimala a tensiunii baza-
emitor.
Expresia transconductant ei de semnal mic este:
g
m
=
i
C
v
BE
= I
S
e
v
BE
V
T

_
1 +
v
CE
V
T
_
1
V
T
=
i
C
V
T
(1.5)
Doris Csipkes 9
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Ordinul tipic de marime a transconductant ei este de mS.
Rezistent a baza-emitor
Denit ie: rezistent a baza-emitor se deneste ca variat ia tensiunii baza-
emitor cauzata de variat ia innitezimala a curentului de baza.
Expresia rezistent ei baza-emitor este:
r
BE
=
v
BE
i
B
=
1
i
B
v
BE
=
1
1

i
C
v
BE
=

g
m
(1.6)
Ordinul tipic de marime a rezistent ei baza-emitor este de sute de k.
1.1.6 Caracteristica de iesire
Caracteristica de iesire, data n Figura 1.8, descrie dependent a dintre tensiu-
nea colector-emitor si curentul de colector. Caracteristica de iesire este o
familie de curbe corespunzatoare diferitelor valori ale tensiunii V
BE
. Panta
caracteristicii n RAN este conductant a colector-emitor (1/r
CE
).
i
C
v
CE
v
BE
V
EA
0
CE
v
C
i
SAT RAN
v
CE_PSF
i
C_PSF
Figura 1.8: Caracteristica de iesire a tranzistorului NPN
10 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.1.7 Caracteristica de transfer
Caracteristica de transfer descrie dependent a curentului de colector de ten-
siunea baza-emitor. Aceasta dependent a, prezentata n Figura 1.9, este o
exponent iala rapid crescatoare. Panta caracteristicii, masurata n jurul punc-
tului static de funct ionare, reprezinta transconductant a de semnal mic (g
m
).
i
C
v
BE
0
BE
v
C
i
v
BE_PSF
i
C_PSF
Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN
1.1.8 Modelul de semnal mic si nalta frecvent a
Modelul de semnal mic si nalta frecvent a caracterizeaza comportamentul n
frecvent a al tranzistorului. Dependent a de frecvent a a parametrilor este data
de capacitat ile parazite ale dispozitivului. Modelul este prezentat n Figura
1.10.
In acest model r
B
, r
C
si r
E
sunt rezistent ele echivalente ale terminale-
lor, iar C
BE
, C
BC
si C
CS
sunt capacitat ile asociate cu jonct iunile baza-
emitor, baza-colector si colector-substrat. Toate capacitat ile parazite sunt de
tip jonct iune (eng. depletion). Ele se datoreaza regiunilor de golire (aces-
tea act ioneaza ca izolatoare fara sarcini mobile) dintre regiunile p si n din
structura dispozitivului.
Doris Csipkes 11
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

i
B
i
C
B C
E
Substrat
r
BE
r
CE
g v
m BE
r
B
r
E
r
C
C
BE
C
BC
C
CS
Figura 1.10: Modelul de semnal mic si nalta frecvent a al tranzistorului
bipolar
Expresia tipica a unei capacitat i de golire depinde de tensiunea aplicata
jonct iunii, de potent ialul intrinsec al jonct iunii nepolarizate precum si de
concentrat ia purtatorilor din regiunile p si n. De exemplu, capacitatea baza-
colector se scrie:
C
BC
=
C
BC0
_
1
V
BC
intrinsecBC
(1.7)
Capacitatea baza-emitor mai are o componenta datorata tensiunii create de
difuzia sarcinilor din emitor spre baza. Aceasta componenta depinde de
lat imea bazei, de constanta de difuzie a electronilor n siliciu si de transconduc-
tant a de semnal mic a tranzistorului.
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus
1.2.1 Generalitat i
Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale, comandaten tensiune.
Simbolurile tipice sunt prezentate n Figura 1.11.
Structura tranzistoarelor MOS cu canal n si canal p este data n Figura 1.12.
Acest exemplu de structura este valid numai pentru un proces de fabricat ie
12 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat. Din gura trebuie remarcata
si semnicat ia parametrilor geometrici W si L ai tranzistorului. Dispozitivele
individuale sunt izolate unul de celalalt prin implanturi speciale de izolator.
G G
D
sau
B B
S
S D
NMOS NMOS PMOS PMOS
Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS
substrat p-
PMOS
B
G G
B S S
D
D
polisiliciu
SiO
2
SiO
2
NMOS
n-well
p+ p+ p+
n+ n+ n+
ISO ISO ISO ISO
ISO
L L
W W
Figura 1.12: Sect iunea tranzistoarelor MOS
Observat ie: din Figura 1.12 se observa ca tranzistorul PMOS este plasat
ntr-o regiune speciala (n-well) menita sa elimine un scurt circuit ntre drena
si sursa prin substrat. Ca regula generala, tranzistoarele cu canalul de acelasi
tip cu substratul sunt pozit ionate ntotdeauna pe o regiune implantata cu
dopant complementar.
Doris Csipkes 13
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.2.2 Funct ionarea tranzistoarelor MOS
Funct ionarea tranzistoarelor MOS este determinata de structura zica a dispo-
zitivelor. Deoarece funct ionarea tranzistoarelor PMOS este similara cu a celor
NMOS (daca toate tensiunile se considera n modul) n continuare se discuta
numai tranzistorul cu canal n.
Sect iunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentata n Figura 1.13.
n+ n+
substrat p-
regiuni de golire

D
G
S
Figura 1.13: Sect iunea unui tranzistor NMOS nepolarizat
La jonct iunea dintre materialele de tip n (drena sau sursa) si p (substrat) se
formeaza regiuni de golire a caror lat ime depinde de concentrat ia de atomi
donori si acceptori.
Regiunea de sub grila ramane de tip p
, iar curentul prin dispozitiv este zero.

Daca grila este polarizata cu un potent ial pozitiv fat a de sursa, atunci elec-
tronii minoritari din substratul p
vor atrasi spre grila. Atat timp cat

tensiunea V
GS
este mai mica decat o tensiune de prag V
Th
, recombinarea aces-
tor electroni cu golurile din regiunea imediat adiacenta oxidului de grila duce la
extinderea regiunilor de golire dintre drena, sursa si substrat. Procesul este
ilustrat n Figura 1.14.
Daca tensiunea grila-sursa depaseste tensiunea de prag, concentrat ia de
electroni sub grila duce la aparit ia temporara a unei regiuni de inversie (numita
n continuare canal). Canalul se ment ine atata timp cat V
GS
> V
Th
(Figura
1.15).
14 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
n+ n+
substrat p-

D
G
S
e e
e
e
e
e
V <V
GS Th
Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grila
n+ n+
substrat p-

D
G
S
canal
V >V
GS Th
Figura 1.15: Formarea canalului pentru V
GS
> V
Th
Observat ie: spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici conduct ia se da-
toreaza purtatorilor majoritari (regiune complet inversata). Deasemenea,
este important de remarcat ca dispozitivul are o structura perfect simetrica.
Drept urmare, din punct de vedere teoretic, este indiferent care terminal se
considera drena si care sursa.
Doris Csipkes 15
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Funct ionarea n regim liniar
Canalul odata format, este necesara aplicarea unei tensiuni ntre drena si
sursa pentru a accelera electronii si a aduce tranzistorul n conduct ie. Odata
cu cresterea tensiunii V
DS
(presupunem V
DS
> 0) jonct iunea substrat-drena
este invers polarizata, iar regiunea de golire din jurul drenei se largeste
cauzand ongustare a canalului de partea drenei. Fenomenul este prezentat
n Figura 1.16.
n+ n+
substrat p-
canal ngustat

D
G
S
V >V
GS Th 0<V <V
DS DSsat
Figura 1.16:

Ingustarea canalului datorita tensiunii V
DS
In regim liniar (eng. triode sau weak inversion) canalul formeaza un

contact ohmic ntre drena si sursa. Astfel tranzistorul se va comporta ca o
rezistent a a carei valoare este controlata de tensiunea V
GS
. Condit ia de
funct ionare n regim liniar este ca 0 < V
DS
< V
DSsat
.
Funct ionarea n regim saturat
In regim saturat tensiunea V

DS
depaseste tensiunea V
DSsat
. Regiunea de
golire din jurul drenei se largeste mai mult decat adancimea canalului. Astfel
contactul ohmic al drenei cu canalul dispare, indnlocuit de o regiune de golire
numita regiune de pinch-o ca n Figura 1.17.
Datorita pierderii contactului ohmic ntre drena si sursa curentul prin dispozitiv
nu mai depinde de tensiunea drena-sursa, ci numai de concentrat ia de
16 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
sarcini din sursa-canal, adica de V
GS
. Electronii accelerat i de V
DS
trec de
bariera de potent ial ind apoi eliminat i din dispozitiv prin terminalul drenei.
n+ n+
substrat p-

D
G
S
regiune "pinch-off"

V >V
DS DSsat
V >V
GS Th
Figura 1.17: Regiunea de golire elimina contactul ohmic al drenei cu ca-
nalul
Regimurile de funct ionare se pot da conform Tabelului 1.1 in funct ie de tensiu-
nile aplicate la terminale.
Regiune V
GS
V
DS
Canal
blocare < V
Th
nu conteaza nu
liniar > V
Th
0 < V
DS
< V
DSsat
da
saturat > V
Th
> V
DSsat
da, pinch-o
Tabelul 1.1: Regimurile de funct ionare ale tranzistoarelor MOS
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS
Ecuat iile specice modelului de semnal mare se obt in calculand gradientul de
variat ie a sarcinii n canal n diferite regimuri de funct ionare. Cea mai generala
ecuat ie a curentului de drena se obt ine pentru polarizarean regim liniar. Aici
tranzistorul se comporta ca o rezistent a controlata n tensiune.
I
D
=
C
ox
W
L
_
(V
GS
V
Th
) V
DS
V
2
DS
2
_
, 0 < V
DS
< V
DSsat
(1.8)
Doris Csipkes 17
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Marimile din aceasta ecuat ie au urmatoarele semnicat ii:
- - mobilitatea purtatorilor de sarcina (electroni sau goluri);
- C
ox
- capacitatea specica a oxidului de sub grila;
- W/L - raportul lat ime/lungime al canalului.
Se observa ca variat ia curentului cu tensiunea drena-sursa este parabolica.
Acest lucru nseamna ca valoarea curentului prin tranzistor va creste patratic
cu V
DS
pana la o valoare maxima, dupa care ar avea o tendint a de scadere.
Intuitiv, curentul va creste conform ecuat iei (1.8) atata timp cat contactul
ohmic dintre drena si canal persista, adica pana la aparit ia regiunii pinch-o.
Observat ie: valoarea maxima a curentului n regim liniar pentru un V
GS
dat se determina calculand derivata curentului n funct ie de V
DS
si apoi
egaland derivata cu zero (metoda clasica de calcul ale punctelor de ine-
xiune).
Prin calcule se demonstreaza ca valoarea curentului maxim se obt ine pentru
V
DS
= V
GS
V
Th
= V
DSsat
(1.9)
Aceasta ecuat ie arata ca regiunea pinch-o apare daca V
DS
depaseste dife-
rent a dintre tensiunea grila-sursa si tensiunea de prag. Astfel, (V
GS
V
Th
)
se identica cu V
DSsat
. Aceasta tensiune este adesea numita si tensiune de
overdrive (notata n continuare cu V
od
).
Daca V
DS
> V
od
curentul si pastreaza valoarea maxima atinsa n regim
liniar pentru un V
GS
dat, iar tranzistorul se satureaza. Termenul saturat ie se
refera la faptul ca valoarea curentului este constanta indiferent de V
DS
.

In
consecint a valoarea constanta a curentului se obt ine substituind V
DS
cu V
od
n
ecuat ia (1.8).
_
_
_
I
D
=
C
ox
W
2L
V
2
od
V
DS
> V
DSsat
(1.10)
18 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Aceasta ecuat ie presupune ca lungimea canalului se ment ine constanta indi-
ferent de V
DS
.

In realitate nsa lungimea regiunii pinch o creste cu
V
DS
(modulat ia regiunilor de golire), iar lungimea efectiva a canalului se
micsoreaza. Astfel, curentul de drena va avea o dependent a slaba de V
DS
.
Expresia curentului de drena trebuie corectata n mod similar ca la tranzistoa-
rele bipolare. Considerand gradientul de variat ie a lungimii canalului cu V
DS
se
introduce coecientul de variat ie a lungimii canalului .
I
D
=
C
ox
W
2L
V
2
od
(1 +V
DS
) (1.11)
Figura 1.18 arata variat ia curentului de drena cu V
DS
pentru regimul liniar si
cel saturat (caracteristica de iesire a dispozitivului).
V
DS
I
D
V
GS
Liniar
Saturaie
0
Figura 1.18: Variat ia curentului de drena cu V
DS
Observat ie: curentul de drena variaza cu tensiunea substrat-sursa, chiar
daca V
GS
este o valoare constanta. Acest lucru se datoreaza variat iei ten-
siunii de prag V
Th
cu V
BS
conform ecuat iei (1.12).
V
Th
(V
BS
) = V
Th0
+
_
2 |
f
| +|V
BS
|
_
2 |
f
| (1.12)
Doris Csipkes 19
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Marimile au urmatoarele semnicat ii:
- - parametrul de prag al substratului;
- V
Th0
- tensiunea de prag a tranzistorului pentru V
BS
= 0;
-
f
- potent ialul intrinsec al jonct iunii sursa-substrat.
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS
n saturat ie
Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzisto-
rului bipolar polarizat n RAN. O diferent a este rezistent a grila-sursa innita,
datorata izolatorului de sub grila. O alta diferent a este contribut ia jonct iunii
substrat-sursa la fenomenul de conduct ie. Modelul este prezentat n Figura
1.19.

i
D
v
GS
v
DS
G D
S S
r
DS
g v
m GS
g v
mb BS
Figura 1.19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat
Parametrii de semnal mic sunt transconductant a (g
m
), transconductant a
sursa-substrat (g
mb
) si rezistent a drena-sursa (r
DS
).
Transconductant a de semnal mic
Denit ie: transconductant a este variat ia curentului de drena cauzata de
o variat ie innitezimala a tensiunii grila-sursa n jurul punctului static de
funct ionare.
Expresia transconductant ei se scrie:
20 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m
=
i
D
v
GS
=
C
ox
W
L
v
od
(1 +v
DS
) =
2i
D
v
od
=
_
2C
ox
Wi
D
L
(1.13)
Valoarea tipica a transconductant ei este de sute de S, de 3-4 ori mai mica
decat a tranzistoarelor bipolare la acelasi curent.
Transconductant a sursa-substrat
Denit ie: transconductant a sursa-substrat se deneste ca variat ia curen-
tului de drena cauzata de o variat ie innitezimala a tensiunii substrat-
sursa.
Expresia transconductant ei sursa-substrat este:
g
mb
=
i
D
v
BS
=
i
D
V
Th
V
Th
v
BS
= g
m
V
Th
v
BS
= g
m

2
_
|v
BS
| + 2 |
f
|
(1.14)
Datorita factorului , tensiunii substrat-sursa si potent ialului intrinsec, valoarea
tipica a transconductant ei sursa-substrat este cu un ordin de marime mai
mica decat cea a transconductant ei de semnal mic.
Rezistent a drena-sursa
Denit ie: rezistent a drena-sursa se deneste ca variat ia tensiunii drena-
sursa cauzata de variat ia innitezimala a curentului de drena n jurul
punctului static de funct ionare.
Expresia rezistent ei drena-sursa se calculeaza ca n ecuat ia (1.15):
r
DS
=
_
v
DS
i
D
_
sat
=
_
_
_
_
1
i
D
v
DS
_
_
_
_
sat
=
1 +v
DS
i
D
=
1
i
D
(1.15)
Valoarea tipica a rezistent ei drena-sursa este de sute de k, dar tinde sa e
mai redusa decat rezistent a colector-emitor a tranzistorului bipolar.
Doris Csipkes 21
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1.2.5 Polarizarea substratului si efectul latch-up
Regiunile dopate ale doua tranzistoare adiacente, unul NMOS si celalalt
PMOS, formeaza elementele parazite R
n
, R
p
, Q
1
si Q
2
din Figura 1.20.
substrat p-
PMOS
B
p
G
p G
n
B
n
S
p
S
n
D
p
D
n
NMOS
n-well
p+ p+ p+
n+ n+ n+
ISO ISO ISO ISO
ISO
R
n
R
p
Q
1
Q
2

Figura 1.20: Elementele parazite ale structurii complementare
Tranzistorul PNP Q
1
are terminalele conectate dupa cum urmeaza: baza la B
p
,
emitorul la S
p
si colectorul la B
n
.

In mod similar, Q
2
, de tip NPN, are baza
conectata la B
n
, emitorul la S
n
si colectorul la B
p
. Structura echivalenta cu
conexiuni este data n Figura 1.21.
Rezistent ele mpreuna cu tranzistoarele bipolare PNP si NPN sunt conectate
ntr-o structura de react ie pozitiva. O perturbat ie aplicata la una din bazele
tranzistoarelor poate aduce structura n conduct ie.

In acest caz circuitul ajunge
rapid la echilibru, pastrand starea de conduct ie pana cand tensiunea dintre
nodurile S
p
si S
n
este redusa la zero. Acest fenomen se numeste agat are
sau latch-up.
Pentru a evita agat area elementelor parazite n starea de conduct ie se impune
blocarea explicita a tranzistoarelor bipolare parazite. Pentru aceasta trebuie sa
asiguram o tensiune de baza corespunzatoare ambelor tranzistoare. Un tran-
zistor bipolar NPN este blocat daca potent ialul bazei este mai mic sau egal cu
potent ialul emitorului. Drept urmare, nodul B
n
se conecteaza n totdeauna
la cel mai mic potent ial din circuit (alimentarea negativa). Un rat ionament
asemanator duce la concluzia ca nodul B
p
trebuie conectat la cel mai nalt
potent ial din circuit (alimentarea pozitiva).
22 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

Q
1
Q
2
R
n
R
p
S
n
S
p
B
p
B
n
reactie
pozitiva
Figura 1.21: Structura parazita echivalenta a tranzistoarelor complemen-
tare adiacente
1.2.6 Modelul de semnal mic si nalta frecvent a
Modelul de semnal mic si nalta frecvent a cuprinde capacitat ile parazite si
rezistent ele echivalente ale terminalelor. Dintre aceste elemente cele mai
importante sunt capacitat ile parazite introduse de structura zica a tranzis-
toarelor. Figura 1.22 arata distribut ia capacitat ilor parazite.
- C
OLS
, C
OLD
- capacitat i formate din suprapunerea unei port iuni din
contactul grilei cu regiunea sursei si a drenei (eng. overlap capacitan-
ces);
- C
jBS
, C
jBD
, C
jCh
- capacitati de tip golire/jonct iune (eng. deple-
tion/junction capacitances) formate de contactul dintre doua regiuni
adiacente dopate complementar;
- C
Ch
- capacitatea canalului care are o natura similara cu capacitat ile
de suprapunere.
Capacitat i de jonct iune
Expresia capacitat ilor de jonct iune este similara cu cea din ecuat ia (1.7).
C
jBS
=
C
BS0
_
1
V
BS
0BS
; C
jBD
=
C
BD0
_
1
V
BD
0BD
(1.16)
Doris Csipkes 23
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
B
D
G
S
L
L
OL
L
OL
C
jBS
C
jBD
C
jBCh
C
OLS
C
OLD
C
Ch
Figura 1.22: Capacitat ile parazite specice structurii NMOS
Capacitat i de suprapunere
Aceste capacitat i sunt de tip planar. Prin urmare, expresia lor se scrie ca un
produs ntre o capacitate specica (acelasi C
ox
ca n expresia curentului) si
aria de suprapunere a grilei cu sursa, respectiv cu drena.
C
OLS
= C
OLD

= W L
OL
C
ox
= C
GS0
L
OL
= C
GD0
L
OL
(1.17)
In ecuat ia de mai sus s-a considerat ca regiunile de suprapunere a grilei cu drena

si cu sursa au aceeasi arie.
Capacitatea canalului
Capacitatea canalului este tot o capacitate planara, formata prin suprapunerea
grilei cu canalul. Drept urmare, expresia sa este similara cu cea din ecuat ia
(1.17).
C
Ch
= W (L 2L
OL
) C
ox
(1.18)
Fiecare dintre aceste capacitat i contribuie la capacitat ile parazite totale dintre
terminale, n funct ie de regimul de funct ionare al tranzistorului. Tabelul
1.2 arata contribut ia ecarei capacitat i n diferitele regimuri de funct ionare.
Lungimea efectiva a canalului se deneste ca ind L
ef
= L L
OL
.
24 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Blocare Liniar Saturat ie
C
GD
WL
OL
C
ox
WL
OL
C
ox
+
WL
OL
C
ox
+
1
2
WL
ef
C
ox
C
GS
WL
OL
C
ox
WL
OL
C
ox
+ WL
OL
C
ox
+
+
1
2
WL
ef
C
ox
+
2
3
WL
ef
C
ox
C
GB
C
GB0
+
C
GB0
C
GB0
+WL
ef
C
ox
C
SB
C
jSB
C
jSB
+
1
2
C
jBCh
C
jSB
+
2
3
C
jBCh
C
DB
C
jDB
C
jDB
+
1
2
C
jBCh
C
jDB
Tabelul 1.2: Contribut ia capacitat ilor parazite n diferite regimuri de
funct ionare
1.3 Sumar
In aceasta sect iune s-au studiat tranzistoarele bipolare si tranzistoarele MOS.

Pentru ecare dispozitiv au fost discutate urmatoarele aspecte:
structura zica simplicata;
probleme de polarizare generale ( adit ional efectul latch-up la MOS);
modelul de semnal mare si ecuat iile de funct ionare;
caracteristicile de iesire si de transfer;
modelul de semnal mic si parametrii specici;
modelul de semnal mic si nalta frecvent a;
capacitat ile parazite.
Doris Csipkes 25
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Bibliograe
1. Lelia Festila - Circuite integrate analogice I, Casa Cart ii de Stiint a, 1997;
2. Lelia Festila - Circuite integrate analogice II, Casa Cart ii de Stiint a, 1999;
3. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
4. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
5. B. VanZeghbroeck - Principles of Semiconductor Devices, online book
2004, http://ece-www.colorado.edu/ bart/book/.
26 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 2
Surse de curent
Sursele de curent joaca un rol important n polarizarea circuitelor electronice.
In mod ideal ele furnizeaza un curent independent de tensiunea de la borne.

Parametrii specici implementarii electronice:
- rezistent a de iesire - trebuie sa e cat mai mare pentru a se apropia de
sursele de curent ideale;
- tensiunea minima la iesire - trebuie sa e cat mai mica pentru a permite
funct ionarea la tensiuni de alimentare joase.
2.1 Sursa simpla de curent cu un singur tranzistor
Figura 2.1 prezinta sursa de curent cu un tranzistor n varianta MOS si bipolara.
Tensiunile de comanda sunt aplicate n grila, respectiv n baza tranzistoarelor.
Q1
M1

I
out
I
out
I
out
V
G
V
B
Figura 2.1: Sursa de curent simpla cu un tranzistor
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Observat ie: orice tranzistor poate considerat sursa de curent contro-
lata n tensiune daca este polarizat n regiunea activa normala (bipolar)
sau n regim saturat (MOS).
Datorita raspandirii pe scara mai larga a tehnologiilor CMOS si BiCMOS, n
aceasta sect iune se vor discuta numai sursele de curent n varianta MOS.
Ecuat ia (2.1) deneste condit ia de saturat ie pentru un tranzistor MOS.
V
DS
V
od
V
DSmin
= V
od
(2.1)
Aceasta ecuat ie deneste implicit si tensiunea minima admisa la iesire si
anume V
out
m
in
= V
DSmin
.
Caracteristica de iesire a sursei simple de curent este data n Figura 2.2.
V_V1
0V 0. 5V 1. 0V 1. 5V 2. 0V
I D( M1)
0A
50uA
100uA
150uA

I
out
V
out
V
out_min
ideal
real
PSF
Figura 2.2: Caracteristica de iesire a sursei de curent cu un tranzistor
Din gura se observa ca valoarea curentului depinde slab de tensiunea de
iesire. Acest lucru conduce la ideea ca sursa implementata de tranzistor nu
28 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
este ideala, ci are rezistent a de iesire nita. Valoarea lui R
out
se poate
determina masurand panta caracteristicii n regim saturat n jurul PSF.
Se poate demonstra ca rezistent a de iesire este egala cu rezistent a drena-sursa a
tranzistorului. Pentru demonstrat ie se considera modelul echivalent de semnal
mic al tranzistorului din Figura 2.3.

g V
m GS
g V
mb BS
r
DS
I
out
V
out
Figura 2.3: Schema echivalenta de semnal mic a sursei de curent cu un
tranzistor
Rezistent a de iesire se scrie:
R
out
=
V
out
I
out
=
(I
out
g
m
V
GS
g
mb
V
BS
) r
DS
I
out
(2.2)
La construct ia modelului echivalent de semnal mic se pasivizeaza toate sursele
constante din circuit. Astfel toate sursele de curent devinntrerupere, iar toate
sursele de tensiune devin scurt circuit la masa. Din acest motiv atat V
GS
cat
si V
BS
sunt egale cu zero. Rezistent a de iesire devine:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS
(2.3)
Ordinul tipic de marime al rezistent ei drena-sursa a fost precizat la sect iunea
de tranzistoare MOS, aceasta ind de o suta de k. Acest lucru nseamna
ca o variat ie de tensiune de 1V la bornele sursei (V
DS
) va produce o variat ie
de 10A. De multe ori aceasta variat ie este considerata prea mare. Astfel este
necesara gasirea unei metode de a mari rezistent a de iesire a sursei.
Doris Csipkes 29
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor si de-
generare rezistiva
O metoda de a mari rezistent a de iesire a sursei simple cu un tranzistor este
conectarea ntre terminalul sursei si masa a unei rezistent e ca n Figura 2.4.
M1

g V
m GS
g V
mb BS
r
DS
I
out
V
out
V
G
V
B
R
R
I
out
I
out
Figura 2.4: Schema si modelul de semnal mic al sursei degenerate rezistiv
Rezistent a de iesire se calculeaza n mod similar ca pentru sursa fara degene-
rare.
R
out
=
V
out
I
out
=
(I
out
g
m
V
GS
g
mb
V
BS
) r
DS
+I
out
R
I
out
(2.4)
Observat ie: De aceasta data, desi grila si terminalul de substrat ale tranzis-
torului sunt conectate la masa n modelul de semnal mic, terminalul sursei
este un nod otant. Din acest motiv tensiunile V
GS
si V
BS
sunt diferite de
zero si pot exprimate ca diferent e de potent ial.
_
_
_
V
GS
= V
G
V
S
= V
S
= I
out
R
V
BS
= V
B
V
S
= V
S
= I
out
R
(2.5)
30 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Din ecuat iile (2.4) si (2.5) rezulta:
R
out
= r
DS
+R + (g
m
+g
mb
) r
DS
R (2.6)
Deoarece g
mb
este tipic cu un ordin de marime mai mic decat g
m
, rezistent a de
iesire se aproximeaza:
R
out

= r
DS
+R +g
m
r
DS
R
= g
m
r
DS
R (2.7)
In afara de modul de calcul al rezistent ei de iesire bazat pe schema de semnal

mic, mai exista un mod intuitiv de abordare a problemei care duce la acelasi
rezultat aproximativ (ca n ecuat ia (2.7)).
Aceasta metoda de analiza se bazeaza pe identicarea unei react ii negative de
tip serie-serie care mareste rezistent a de iesire a amplicatorului de pe calea
directa de semnal cu un factor egal cu castigul buclei.
Din analiza sursei de curent se observa ca marimea de iesire este chiar curentul
I
out
. Marimea de intrare este considerata potent ialul de comanda din grila
tranzistorului. Astfel amplicatorul de pe calea directa de semnal este de tip
transconductant a, castigul acestuia ind egal cu transconductant a de semnal
mic a tranzistorului. Curentul de iesire este masurat n serie si transformat n
tensiune cu un factor de react ie egal cu R. Din schema mai rezulta ca aceasta
cadere de tensiune pe R se scade din tensiunea de intrare, astfel bucla de react ie
negativa ind nchisa.
g
m
r
DS
R
out
V
GS
V
G
V
R
I
out
R
Figura 2.5: Bucla de react ie negativa serie-serie
Doris Csipkes 31
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Observat ie: react ia este serie-serie deoarece la intrare tensiunile se
nsumeaza serie, iar la iesire curentul se masoara tot serie.
Rezistent a de iesire a amplicatorului transconductant a de pe calea directa
este rezistent a r
DS
a tranzistorului, dupa cum s-a aratat la sursa simpla fara
degenerare. React ia negativa mareste rezistent a de iesire n bucla nchisa cu
un factor egal cu castigul buclei, adica cu g
m
R. Astfel se ajunge la aceeasi
aproximare a rezistent ei de iesire ca n ecuat ia (2.7).
Tensiunea minima admisa la iesire necesara tranzistorului pentru a funct iona n
regim saturat este:
V
outmin
= V
DSmin
+RI
out
(2.8)
Ca exemplu, vom calcula cateva valori pentru R
out
si V
outmin
corespunzatoare
sursei de curent cu degenerare rezistiva, stiind ca tranzistorul are r
DS
= 100k,
g
m
= 1mS si V
od
= 200mV , pentru diferite valori ale rezistentei R.
Stiind valoarea transconductant ei si a tensiunii de overdrive se poate calcula
curentul prin tranzistor ca ind 100A.
In Tabelul 2.1 sunt calculate R

out
si V
outmin
pentru o rezistent a de degenerare
de 1k, 10k si 100k.
R R
out
V
outmin
1k 201k V
DSmin
+ 0, 1V
10k 1, 11M V
DSmin
+ 1V
100k 10, 2M V
DSmin
+ 10V
Tabelul 2.1: R
out
si V
outmin
pentru diferite valori ale lui R
Observat ie: valorile din acest tabel sunt valide numai daca presupunem ca
punctul static de funct ionare al tranzistorului este ment inut constant.
Acest lucru implica o crestere a potent ialului din grila pentru a compensa
caderea de tensiune pe rezistent a. Astfel tranzistorul se va ment ine saturat.
Daca nu este compensata caderea de tensiune pe R, tranzistorul va intra n
regim liniar odata cu scaderea excesiva a tensiunii de iesire.
32 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Din tabel se poate vedea ca pentru valori mari ale rezistent ei pasive se obt ine
cresterea rezist entei de iesire, dar tensiunea minima la iesire creste si ea limitand
funct ionarea sursei n circuitele mai complicate cu alimentare redusa. Astfel
apare ideea de a gasi o structura care sa implementeze o sursa de curent avand
R
out
marita si totodata V
outmin
sa se ment ina la valori relativ reduse. Solut ia
este nlocuirea rezistent ei pasive cu un tranzistor (privit n saturat ie ca sursa de
curent).
2.3 Sursa de curent cascoda
Schema si modelul echivalent de semnal mic al sursei de curent cascoda sunt
prezentate n Figura 2.6.
M2
M1

g V
m1 GS1
g V
mb2 BS2
r
DS1
I
out
V
out
V
G2
V
B2 I
out
V
G1
g V
m2 GS2
I
out
r
DS2
Figura 2.6: Sursa de curent cascoda si modelul echivalent de semnal mic
corespunzator
Rezistent a de iesire se scrie:
R
out
=
(I
out
g
m1
V
GS1
) r
DS1
I
out
+
+
(I
out
g
m2
V
GS2
g
mb2
V
BS2
) r
DS2
I
out
(2.9)
Doris Csipkes 33
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunea V
GS1
este zero datorita pasivizarii, iar expresiile lui V
GS2
si V
BS2
sunt:
_
_
_
V
GS2
= V
G2
V
S2
= V
S2
= I
out
r
DS1
V
BS2
= V
B2
V
S2
= V
S2
= I
out
r
DS1
(2.10)
Inlocuind tensiunile grila-sursa si substrat-sursa ale lui M

2
n ecuat ia (2.9),
rezulta:
R
out
= r
DS1
+r
DS2
+ (g
m2
+g
mb2
) r
DS2
r
DS1

= g
m2
r
DS2
r
DS1
(2.11)
Din aceasta ecuat ie se poate vedea ca expresia lui R
out
este aceeasi ca pentru
sursa de curent cu degenerare rezistiva, cu diferent a ca rezistent a pasiva a fost
nlocuit a cu rezistent a drena-sursa a lui M
1
. Astfel ordinul teoretic de marime
al rezistent ei de iesire este cel al M -lor, pentru cazul n care tranzistoarele au
r
DS
de o suta k si g
m
de ordinul mS.

In practica aceasta valoare este adesea
imposibil de realizat.
Tensiunea minima de iesire este n acest caz:
V
outmin
= V
DSmin1
+V
DSmin2
(2.12)
Caracteristica de iesire a sursei de curent cascoda este data n Figura 2.7.
Din caracteristica de iesire simulata se observa o aplatizare a curbei n regiunea
corespunzatoare regimului de saturat ie a ambelor tranzistoarelor fat a de sursa
simpla de curent. Acest fapt indica o crestere considerabila a rezistent ei de
iesire. O alta remarca importanta este aceea ca exista doua puncte de frngere
pe caracteristica, unul corespunzator intrarii n regim liniar a lui M
2
, iar celalalt
intrarii n regim liniar a lui M
1
. Tensiunea minima la iesire este impusa de
condit ia de funct ionare n regim saturat a ambelor tranzistoare.
34 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V_V1
0V 1. 0V 2. 0V 3. 0V
I D( M2)
0A
40uA
80uA
120uA

I
out
V
out
V
out_min
Figura 2.7: Caracteristica de iesire a sursei de curent cascoda
2.4 Sursa de curent cu rezistent a de iesire marita
O crestere n continuare a rezistent ei de iesire a sursei de curent cascoda este
posibila prin marirea castigului buclei de react ie negativa. Aceasta se poate
face prin conectarea unui amplicator inversor ntre sursa si grila tranzistorului
M
2
.
M2
-
+
M1

g V
m1 GS1
g V
mb2 BS2
r
DS1
I
out
V
out
V
G2
V
B2
I
out
V
G1
g V
m2 GS2
I
out
r
DS2
V
CT
V
G2
a
-a
Figura 2.8: Sursa de curent cascoda cu R
out
marita si modelul echivalent
de semnal mic
Doris Csipkes 35
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Rezistent a de iesire se determina dupa cum urmeaza:
R
out
=
(I
out
g
m1
V
GS1
) r
DS1
I
out
+
+
(I
out
g
m2
V
GS2
g
mb2
V
BS2
) r
DS2
I
out
(2.13)
Tensiunea V
GS1
este zero, iar expresiile lui V
GS2
si V
BS2
se scriu:
_
_
_
V
GS2
= V
G2
V
S2
= aV
S2
V
S2
= (a + 1) I
out
r
DS1
V
BS2
= V
B2
V
S2
= V
S2
= I
out
r
DS1
(2.14)
Combinand ecuat iile (2.13) si (2.14) rezulta:
R
out
= r
DS1
+r
DS2
+ [(a + 1) g
m2
+g
mb2
] r
DS2
r
DS1

=
= (a + 1) g
m2
r
DS2
r
DS1
(2.15)
Din expresia lui R
out
se poate vedea ca aceasta a crescut de aproximativ a ori
fat a de sursa de curent cascoda. Ordinul teoretic de marime este cel al zecilor de
M daca se ia r
DS
de o suta k, g
m
de ordinul mS si castigul amplicatorului
de ordinul zecilor.
Tensiunea minima de iesire este identica cu cea a sursei de curent cascoda.
O posibila implementare a sursei de curent cascoda cu rezistent a marita este
data n Figura 2.9.
Rezistent a de iesire are urmatoarea forma:
_
_
_
R
out
= r
DS1
+r
DS2
+ [(a + 1) g
m2
+g
mb2
] r
DS2
r
DS1
a = g
m3
(r
DS3
|| r
DS4
)
(2.16)
36 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M4
M1
M3
M2

VDD
V
B2
I
out
V
G1
V
CT
V
G2
Figura 2.9: Implementarea la nivel de tranzistor a sursei de curent cas-
coda cu R
out
marita
2.5 Sumar
In aceasta sect iune s-au prezentat cateva implementari electronice ale sursei
de curent. Pornind de la structura cea mai simpla si argumentand ecare
mbunatat ire se ajunge la structuri mai performante, utilizate n practica. Pen-
tru ecare structura au fost discutate urmatoarele aspecte:
- schema si modelul echivalent de semnal mic;
- rezistent a de iesire;
- tensiunea minima de iesire pentru care circuitul mai funct ioneaza ca sursa
de curent;
- caracteristica de iesire si interpretarea ei.
Bibliograe:
Doris Csipkes 37
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Press, 1987
38 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 3
Oglinzi de curent
In sect iunea Surse de curent au fost prezentate structurile unor surse de curent
electronice si parametrii specici de funct ionare. S-a presupus ca toate tranzis-
toarele sunt corect polarizate n regim de saturat ie. Punctul nediscutat a fost
metoda cu care sunt generate tensiunile constante din grilele tranzistoarelor.
In majoritatea cazurilor tensiunile de grila sunt generate injectand un curent de

referint a ntr-un tranzistor conectat ca dioda MOS, determinand astfel tensiu-
nea grila-sursa a tranzistorului. Astfel se ajunge la o clasa de subcircuite numite
oglinzi de curent. Oglinzile sunt utilizate pentru distribuirea curent ilor de
polarizare, dar mai pot utilizate si ca amplicatoare de curent.

In conti-
nuare se vor discuta cateva variante constructive implementate cu tranzistoare
MOS si tranzistoare bipolare.
3.1 Introducere
Parametrul de baza care descrie funct ionarea oglinzii de curent este castigul de
curent sau raportul de reexie. Raportul de reexie se deneste ca raportul
dintre curentul de iesire si curentul de intrare/referint a.
n =
I
out
I
in
(3.1)
Cerint ele de performant a pentru oglinzile de curent sunt asemanatoare cu cele
de la sursele de curent, dar adit ional mai punem condit iile necesare ca intrarea
oglinzii sa e o intrare de curent (de joasa impedant a):
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
- rezistent a de iesire sa e cat mai mare pentru a reduce dependent a cu-
rentului de iesire cu tensiunea de iesire (ca la sursele de curent);
- tensiunea minima la iesire pentru care circuitul mai funct ioneaza ca sursa
de curent sa e cat mai mica (ca la sursele de curent);
- tensiunea minima la intrare sa e cat mai mica (determinata de PSF a
diodei MOS);
- rezistent a de intrare sa e cat mai mica;
- raportul de reexie sa e cat mai precis, constant cu tensiunea de alimen-
tare si independent de temperatura.
3.2 Oglinzi de curent MOS
3.2.1 Oglinda simpla de curent MOS
Oglinda simpla de curent se obt ine din sursa de curent cu un singur tranzistor
prin conectarea grilei la dioda MOS care genereaza tensiunea de grila. Schema
circuitului este data n Figura 3.1 mpreuna cu modelul echivalent de semnal
mic.
M1 M2

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out I
in
V
in V
out
Figura 3.1: Oglinda simpla de curent si modelul echivalent de semnal mic
Observat ie: modelul de semnal mic se deseneaza pentru tranzistoare n
saturat ie. M
1
este ntotdeauna saturat datorita conexiunii de dioda MOS
(V
DS
= V
od
+V
Th
> V
od
), iar M
2
este o sursa de curent.
40 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Observat ie: n schema echivalenta de semnal mic nu apar sursele de curent
corespunzatoare transconductant ei de substrat (g
mb
) deoarece tensiunile
V
BS
de control ale acestora sunt zero (B conectat la S pentru ambele
tranzistoare).
Rezistent a de intrare a oglinzii se calculeaza din schema echivalenta de semnal
mic, t inand cont de faptul ca tensiunea grila-sursa a tranzistorului M
1
este egala
cu tensiunea drena-sursa:
R
in
=
V
in
I
in
=
r
DS1
1 +g
m1
r
DS1
=
1
g
m1
(3.2)
Rezistent a de iesire este aceeasi ca pentru sursa de curent simpla:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS2
(3.3)
Tensiunea minima admisa la iesire este aceeasi ca pentru sursa simpla de curent
si este egala cu tensiunea drena-sursa a lui M
2
pentru care acesta este nca n
regim saturat.
Curent ii de drena ai tranzistoarelor se scriu:
_
_
i
D1
=
1
(V
GS1
V
Th1
)
2
(1 +V
DS1
)
i
D2
=
2
(V
GS2
V
Th2
)
2
(1 +V
DS2
)
1
=
C
ox
W
1
2L
1
;
2
=
C
ox
W
2
2L
2
(3.4)
Stiind ca tensiunile grila-sursa ale tranzistoarelor sunt egale, rezulta expresia
raportului de reexie:
n =
I
out
I
in
=

2
(V
GS2
V
Th2
)
2
(1 +V
DS2
)
1
(V
GS1
V
Th1
)
2
(1 +V
DS1
)
(3.5)
Doris Csipkes 41
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Examinand ecuat ia (3.5) se observa ca sunt trei factori care afecteaza precizia
raportului de reexie: modulat ia lungimii canalului, nemperecherea tensiu-
nilor de prag a tranzistoarelor si nemperecherea geometriei tranzistoarelor.
Pentru analiza efectului de modulat ie a lungimii canalului se considera un raport
de reexie unitar (presupunand ca tranzistoarele au aceeasi geometrie) si ca
tensiunile de prag sunt perfect mperecheate.

In acest caz obt inem:
n =
I
out
I
in
=
1 +V
DS2
1 +V
DS1
(3.6)
Ca o concluzie, se poate spune ca un dezechilibru ntre tensiunile de intrare si
de iesire va produce o eroare a raportului de reexie.
Pentru a analiza efectul nemperecherii tranzistoarelor se considera tensiunile
drena-sursa egale. Diferent a dintre tensiunile de prag se noteaza cu V
Th
iar
diferent a dintre geometriile tranzistoarelor se traduce n . Pentru tensiunile
de prag si parametrii se pot scrie relat iile:
_
_
V
Th1
= V
Th
1
2
V
Th
V
Th2
= V
Th
+
1
2
V
Th
V
Th
=
V
Th1
+V
Th2
2
_
1
=
1
2
2
= +
1
2
=

1
+
2
2
(3.7)
Combinand ecuat iile (3.5) si (3.7) rezulta:
n =
_
1 +

2
__
1
V
Th
2 (V
GS
V
Th
)
2
_
_
1

2
__
1 +
V
Th
2 (V
GS
V
Th
)
2
_ (3.8)
In continuare se considera funct ia binomiala inversa si dezvoltarea sa n serie

Taylor:
42 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1
a +x
=
k=0
(x)
k
a
k+1
=
1
a

x
a
2
+
x
2
a
3

x
3
a
4
+. . . (3.9)
Daca se considera x << 1 atunci termenii de ordin mai mare sau egal cu doi
se neglijeaza, iar ecuat ia (3.9) devine:
1
a +x
=
1
a

x
a
2
(3.10)
Pentru cazul n care, a = 1,

<< 1 si
V
Th
2 (V
GS
V
Th
)
, termenii de grad
mai mare decat doi se neglijeaza si expresia aproximativa a lui n devine:
n
=
_
1 +

2
_
2
_
1
V
Th
2 (V
GS
V
Th
)
_
4
(3.11)
Ridicand la puterile corespunzatoare si neglij nd din nou termenii de ordin mai
mare decat unitatea, raportul de reexie se poate aproxima astfel:
n
= 1 +

2V
Th
V
GS
V
Th
(3.12)
Observat ie: eroarea raportului de reexie se poate reduce daca dimensiunea
tranzistoarelor este mai mare (geometria depinde de ) sau daca curentul
prin ele este mai mare (curentul depinde de V
GS
V
Th
). Intuitiv, doua
tranzistoare se mperecheaza mai bine daca dimensiunile lor sunt mai mari.
Insumand performant ele oglinzii simple de curent se poate observa ca rezistent a

de iesire este relativ redusa (ca la sursa simpla de curent), iar factorul de reexie
variaza puternic cu asimetriile din circuit. Pentru a mbunatat i raportul de
reexie si rezistent a de iesire trebuie gasita o structura care sa egaleze tensiunile
drena-sursa ale tranzistoarelor. De asemenea trebuie marita si rezistent a de
iesire. Metoda cu care toate aceste neajunsuri sunt reduse este cascodarea.
Doris Csipkes 43
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
3.2.2 Oglinda de curent cascoda MOS
Oglinda de curent cascoda se obt ine din oglinda simpla prin cascodarea ambelor
ramuri de circuit, avand schema si modelul echivalent de semnal mic din Figura
3.2.
I
in
I
out
V
B3
V
B4
M2
M4
M1
M3

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out
I
in
V
in V
out
g V
m3 GS3
g V
mb3 BS3
g V
mb4 BS4
g V
m4 GS4
r
DS3
r
DS4
Figura 3.2: Oglinda de curent cascoda MOS si modelul de semnal mic
Determinarea rezistent ei de intrare se face considerand teorema lui Norton la
iesire (la iesire curentul se masoara serie Norton), conform careia rezistent a
de sarcina se nlocuieste cu un scurt circuit la masa. Drept urmare, trebuie
sa consideram V
out
= 0.

In mod similar, pentru calculul rezistent ei de iesire
aplicam teorema lui Thevenin la intrare (curentul se nsumeaza paralel
Thevenin). Astfel, se considera I
in
= 0.
Calculul rezistent elor de intrare si de iesire
Tensiunea de intrare se scrie ca suma caderilor de tensiune pe tranzistoarele M
1
si M
3
:
V
in
= V
DS1
+V
DS3
(3.13)
Tinand cont de faptul ca tensiunile drena-sursa ale lui M
1
si M
3
sunt egale cu
tensiunile grila-sursa, rezulta:
44 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
DS1
= (I
in
g
m1
V
GS1
) r
DS1
V
DS1
=
r
DS1
1 +g
m1
r
DS1
I
in

=
1
g
m1
I
in
(3.14)
In mod similar se scrie V

DS3
:
V
DS3
=
r
DS3
1 +g
m3
r
DS3
I
in

=
1
g
m3
I
in
(3.15)
Inlocuind ecuat iile (3.14) si (3.15) n (3.13), rezulta:

R
in
=
V
in
I
in
=
1
g
m1
+
1
g
m3
(3.16)
Rezistent a de iesire este identica cu cea a sursei de curent cascoda:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS2
+r
DS4
+(g
m4
+g
mb4
) r
DS4
r
DS2

= g
m4
r
DS4
r
DS2
(3.17)
Ordinul de marime pentru R
in
este de k, iar pentru R
out
de M.
Calculul tensiunii minime admise la iesire
Pentru a determina tensiunea minima admisa la iesirea circuitului se vor consi-
dera toate tranzistoarele de aceeasi dimensiune si perfect mperecheate (V
GS1
=
V
GS2
= V
GS3
= V
GS4
). Stiind ca tensiunea drena-sursa pentru care un tran-
zistor mai este n regim de saturat ie este notata cu V
DSmin
, putem scrie:
V
outMIN
=
DSmin4
+V
DSmin2
=
= V
DSmin4
+ (V
GS3
+V
GS1
V
GS4
) = 2V
DSmin
+V
Th
(3.18)
Din expresia tensiunii minime admise la iesire se poate remarca faptul
ca pe tranzistorul M
2
cade o tensiune V
DSmin
+ V
Th
. Pentru a lucra
n regim saturat valoarea minima necesara acestuia ar V
DSmin
. Prin
Doris Csipkes 45
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
urmare, structura clasica de oglinda de curent cascoda nu este solut ia
optima din punctul de vedere al tensiunii minime la iesire (avand cu V
Th
mai mult decat este necesar pentru a polariza tranzistoarele).
Raportul de reexie al oglinzii cascoda este mbunatat it deoarece prin cascodare
tensiunile drena-sursa ale tranzistoarelor M
1
si M
2
au fost echilibrate (curent ii
din M
3
si M
4
precum si geometriile identice egaleaza V
GS3
cu V
GS4
). Astfel
castigul de curent este mult mai put in inuent at de efectul de modulat ie al
lungimii canalului.
In practica, pentru mbunatat irea raportului de reexie, tranzistoarele M

1
si M
2
sunt optimizate pentru o mperechere cat mai buna, avand aria relativ extinsa,
iar M
3
si M
4
sunt optimizate pentru transconductant a cat mai mare n vederea
cresterii rezistent ei de iesire.
3.2.3 Oglinda cascoda MOS de joasa tensiune
Oglinda de curent cascoda de joasa tensiune ncearca sa optimizeze oglinda
de curent cascoda din punctul de vedere al tensiunii minime admise la
iesire.

In acelasi timp se pastreaza structura etajului de iesire a oglinzii cascoda
si implicit si rezistent a de iesire.
M4
M1
M2

M3

I
in
I
out
V
Th
V
DSmin
V
GS3
V
GS4
V
GS1
Figura 3.3: Principiul utilizat la reducerea tensiunii minime de iesire
In sect iunea anterioara s-a demonstrat ca tensiunea minima la iesirea oglinzii

46 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
de curent cascoda era 2V
DSmin
+ V
Th
, n timp ce valoarea necesara este doar
2V
DSmin
. Considerand structura oglinzii din Figura 3.2 se observa ca surplusul
de tensiune V
Th
se datoreaza potent ialului prea ridicat din grila tranzistorului
M
4
. Pentru a elimina V
Th
din expresia tensiunii minime de iesire este necesar
ca potent ialul acestui punct sa scada cu V
Th
. Aceasta scadere se poate realiza
prin inserarea unei surse de tensiune constanta ca n Figura 3.3. Tensiunea
furnizata de aceasta sursa trebuie sa e egala cu V
Th
.
Pentru o funct ionare corecta a circuitului este necesar ca toate tranzistoa-
rele sa e saturate. Teorema lui Kirchho pentru tensiunile pe bucla duce
la urmatoarea ecuat ie:
V
GS1
+V
GS3
= V
Th
+V
GS4
+V
DSmin
(3.19)
Din aceasta ecuat ie rezulta ca potent ialul din grila tranzistorului M
3
trebuie sa
e sucient de mare pentru a permite funct ionarea n regim saturat a lui
M
2
. Relat ia practica de proiectare se poate scrie (ntr-o prima aproximare se
considera acelasi V
Th
pentru toate tranzistoarele):
V
od1
+V
od3
= V
od4
+V
DSmin
(3.20)
O implementare practica a acestui principiu este prezentata n Figura 3.4.

In
aceasta structura deplasarea de nivel se face cu ajutorul unei ramuri suplimen-
tare (M
5
-M
6
).
Ecuat ia pentru tensiuni este:
V
GS1
+V
GS3
= V
GS6
+V
GS4
+V
DSmin
(3.21)
Daca se considera aceeasi tensiune de prag pentru toate tranzistoarele, rezulta:
V
od1
+V
od3
= V
od6
+V
od4
+V
DSmin
(3.22)
Pentru a realiza tensiunile de overdrive V
od1
si V
od3
sucient de mari, n acea
ramura de circuit se injecteaza un curent de referint a, iar dimensiunile se aleg
n concordant a cu tensiunile V
od
dorite si cu valoarea curentului de referint a.
Doris Csipkes 47
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M5
M3
M4
M1
M6
M2

I
in
I
out
V
GS6
I
ref
V
GS4
V
GS3
V
GS1
V
DSmin
Figura 3.4: Schema practica de oglinda cascoda de joasa tensiune
O alta implementare implica scaderea potent ialului din sursa tranzistorului M
3
.
Acest lucru este posibil (fara a bloca tranzistorul M
1
) numai daca potent ialul
din grila lui M
3
este independent de V
GS1
. Structura de circuit este data n
Figura 3.5 a).
M2
M1
M2
M3 M3 M4
M1
M4

I
in
I
out
I
ref
V
GS3
I
in
I
out
I
ref
R
a) b)
V
GS4
V
DSmin
V
GS1
V
GS3
V
GS4
V
DSmin
V
DSmin
Figura 3.5: Alta modalitate de a scadea tensiunea minima la iesire
Aceasta structura de circuit ne permite sa xam tensiunea drena-sursa a lui M
2
48 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
conform urmatoarei relat ii:
V
od3
= V
od4
+V
DSmin
(3.23)
Din nou V
od3
trebuie sa e sucient de mare pentru a permite funct ionarea
tranzistorului M
2
n regim saturat. Dezavantajul structurii este acela ca pentru
a obt ine V
od3
sucient de mare trebuie e sa marim curentul prin ramura, e
sa alegem dimensiuni mult mai reduse pentru M
3
decat pentru M
4
. O solut ie
ar introducerea unei rezistent e care sa preia o parte din tensiunea V
GS3
(Figura 3.5 b).

In acest caz tensiunile se scriu:
V
od3
+I
ref
R = V
od4
+V
DSmin
(3.24)
Daca M
3
se alege identic cu M
4
atunci caderea de tensiune drena-sursa a lui
M
2
va tocmai I
ref
R. Prin aceasta metoda putem regla cu usurint a tensiunea
minima la iesire la 2V
DSmin
.
Observat ie: raportul de reexie al oglinzii din Figura 3.5 este afectat de
dezechilibrul dintre tensiunile V
DS
ale M
1
si M
2
. Corect ia se poate face
inserand un tranzistor care sa echilibreze V
DS2
cu V
DS1
. Suplimentar, im-
plementarea numai cu tranzistoare este preferata rezistent ei pasive ori de
cate ori este posibil.
M5
M2
M1
M4
M1
M4
M5
M3
M3
M6
M2

I
in
I
out I
ref
V
DSmin
I
in
I
out
I
ref
R
a) b)
V
GS3
V
DSmin
V
GS4
V
GS4
V
DSmin
V
DSmin
V
GS3
Figura 3.6: Implementarea practica a oglinzii cascoda de joasa tensiune
Doris Csipkes 49
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Observat ie: rolul ramurii M
3
-M
6
este sa stabileasca potent ialul n grilele
tranzistoarelor M
5
si M
4
. Aceasta ramura nu va afecta expresia rezistent ei
de intrare.
Calculul rezistent ei de intrare si de iesire
Rezistent a de iesire este aceeasi ca la oglinda cascoda clasica. Rezistent a de
intrare se calculeaza pentru V
out
= 0, conform teoremei lui Norton (similar ca
la oglinda cascoda clasica). Din calcule rezulta:
R
in
=
r
DS1
+r
DS5
+ (g
m5
+g
mb5
) r
DS5
r
DS1
1 +g
m1
r
DS1
+ (g
m5
+g
mb5
) r
DS5
g
m1
r
DS1
=
1
g
m1
(3.25)
Se observa ca rezistent a de intrare este comparabila cu cea a oglinzii MOS
simple.
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS
Oglinda Wilson utilizeaza react ia negativa pentru a mari rezistent a de iesire.
Structura si schema echivalenta de semnal mic a circuitului sunt date n Figura
3.7.

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out
V
in
V
out
g V
mb3 BS3
g V
m3 GS3
r
DS3
V
GS3
M1 M2
M3

I
in
I
out
V
B3
Figura 3.7: Structura si schema echivalenta a oglinzii Wilson cu tranzis-
toare MOS
50 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunea minima la iesire
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure funct ionarea tranzistorului M
3
n
regim saturat, precum si sa acopere tensiunea V
GS2
. Astfel, se obt ine o valoare
similara ca si pentru oglinda cascoda clasica:
V
outMIN
= 2V
DSmin
+V
Th
(3.26)
Este important de remarcat ca, datorita conexiunii de dioda a M
2
, nu
avem nici o posibilitate de a reduce tensiunea minima la iesire.
Calculul rezistent elor de intrare si de iesire
Rezistent ele de intrare si de iesire se calculeaza n condit ii similare ca pentru
oglinzile de pana acum (I
in
= 0 pentru R
out
si V
out
= 0 pentru R
in
). Din
calcule rezulta:
_
_
R
in

=
r
DS1
1 +
g
m1
g
m3
r
DS1
1
r
DS2
+
1
r
DS3
+g
m2
+g
m3
R
out

= r
DS3
+
r
DS2
1 +g
m2
r
DS2
+g
m3
r
DS3
r
DS2
1 +g
m1
r
DS1
1 +g
m2
r
DS2
(3.27)
In relat iile (3.27) se pot face cateva simplicari care conduc la expresiile apro-
ximative din sistemul (3.28). Acestea sunt urmatoarele:
g
m
r
DS
>> 1 si g
m
r
DS
r
DS
>> r
DS
r
DS
/(1 +g
m
r
DS
)
= 1/g
m
adit ional s-a ignorat efectul substratului asupra tensiunii de prag
(g
m
>> g
mb
).
_
_
R
in

=
g
m2
+g
m3
g
m1
g
m3
R
out

=
g
m1
g
m3
r
DS1
r
DS3
g
m2
(3.28)
Doris Csipkes 51
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Din structura circuitului (Figura 3.7) se observa ca tensiunile drena-sursa ale
tranzistoarelor M
1
si M
2
nu sunt egale. Drept urmare, raportul de reexie este
afectat de o eroare sistematica. Aceasta eroare se poate reduce prin echilibrarea
tensiunilor drena-sursa. Rezulta o structura similara cu cascoda clasica (Figura
3.8).

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out
I
in
V
in V
out
g V
m4 GS4
g V
mb4 BS4
g V
mb3 BS3
g V
m3 GS3
r
DS4
r
DS3
M3
M1 M2
M4

I
in
I
out
V
B3
V
B4
Figura 3.8: Structura si schema de semnal mic a oglinzii Wilson MOS
echilibrate
Tensiunea minima la iesire ramane aceeasi, iar rezistent ele de intrare si de iesire
se calculeaza conform urmatoarelor relat ii:
_
_
R
in

=
r
DS1
+
r
DS4
1 +g
m4
r
DS4
1 +
g
m1
g
m3
r
DS1
1
r
DS2
+
1
r
DS3
+g
m2
+g
m3
R
out

= r
DS3
+
r
DS2
1 +g
m2
r
DS2
+g
m3
r
DS3
r
DS2
1 +g
m1
r
DS1
1 +g
m2
r
DS2
(3.29)
Desi structura circuitului s-a modicat, valorile aproximative ale rezistent ei de
iesire si ale rezistent ei de intrare sunt aceleasi ca pentru oglinda Wilson simpla.
52 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare
Oglinzile de curent cu tranzistoare bipolare au aceeasi topologie ca si oglinzile cu
tranzistoare MOS. Principalele diferent e n funct ionare se datoreaza rezistent ei
baza-emitor nite si curentului de baza diferit de zero.
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare
Schema oglinzii de curent simple cu tranzistoare bipolare este data n Figura
3.9.
Q2 Q1

I
in
I
out
I
B2
I
B1
I
C1
I
C2
Figura 3.9: Oglinda de curent simpla cu tranzistoare bipolare
In primul pas se analizeaza erorile factorului de reexie. Aceste erori pot

introduse de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale celor doua tranzis-
toare, de amplicarea de curent si, n mod similar ca la oglinda MOS, de
nemperecherea ariilor. Nemperecherea ariilor se traduce n nemperecherea
curent ilor de saturat ie I
S
ai tranzistoarelor.
Analiza factorului de reexie ncepe de la expresiile curent ilor de colector ale
tranzistoarelor Q
1
si Q
2
. Datorita faptului ca atat bazele cat si emitoarele sunt
conectate mpreuna, se poate considera V
BE1
= V
BE2
.
Doris Csipkes 53
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
I
C1
= I
S1
e
V
BE1
V
T

_
1 +
V
CE1
V
EA
_
I
C2
= I
S2
e
V
BE2
V
T

_
1 +
V
CE2
V
EA
_
(3.30)
O relat ie importanta, dedusa din sistemul de mai sus, este dependent a curentului
I
C2
de I
C1
. Pentru a determina aceasta dependent a se calculeaza raportul
curent ilor de colector. Dupa efectuarea calculelor rezulta:
I
C2
= I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
(3.31)
Aplicand teorem lui Kirchho pentru curent i la nodul de intrare al oglinzii se
obt ine expresia curentului de intrare.
I
in
= I
C1
+I
B1
+I
B2
= I
C1
+
I
C1
+
I
C2
=
= I
C1
_
1 +
1
_
+I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1
(3.32)
Din schema circuitului se poate scrie curentul de iesire:
I
out
= I
C2
= I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
(3.33)
Factorul de reexie este raportul dintre curentul de iesire si curentul de intrare.
Se observa ca n acest raport curentul I
C1
se simplica. Astfel expresia lui n
rezulta:
n =
I
out
I
in
=
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1 +
1
+I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1
(3.34)
54 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
O transformare a acestei relat ii permite exprimarea factorului de reexie n
funct ie de o eroare sistematica :
n =
I
S2
I
S1
(1 +) , (3.35)
unde eroarea se scrie:
= 1 +
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
1 +
1
+I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1
(3.36)
In cazul ideal, daca V

CE1
= V
CE2
si tinde la innit, eroarea sistematica a
raportului de reexie va tinde la 0, iar factorul de reexie este denit numai
de raportul curent ilor de saturat ie si implicit de raportul ariilor.
n =
I
S2
I
S1
=
A
2
A
1
(3.37)
Acest lucrunseamna ca, de exemplu, daca tranzistorul Q
2
are o arie dubla fat a
de Q
1
, atunci raportul ideal de reexie va egal cu doi (curentul de iesire dublu
fat a de cel de intrare).
Observat ie: si n acest caz este valabila teorema suprapunerii efectelor.
Eroarea totala se obt ine prin cumularea erorilor datorate dezechlibrului ten-
siunilor colector-emitor si castigului de curent (conform ecuat iei (3.36)).
Observat ie: raportul de reexie este inuent at si de nemperecherea geo-
metrica a ariilor celor doua tranzistoare. Astfel pot sa apara erori statistice
chiar daca tinde la innit si V
CE1
= V
CE2
.
Performant ele oglinzii de curent mai depind si de rezistent ele de intrare si de
iesire. Aceste rezistent e se determina din schema echivalenta de semnal mic
data n Figura 3.10.
Doris Csipkes 55
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

g V
m1 BE1
1/g
m1
r
BE1
r
BE1
I
in
I
in
V
in
V
in
V
out
V
out
r
BE2
r
BE2
r
CE1
r
CE1
g V
m2 BE2
g V
m2 BE2
r
CE2
r
CE2
I
out
I
out
Figura 3.10: Schema echivalenta de semnal mic a oglnzii simple cu TB
Observat ie: orice sursa de curent controlata de tensiunea de la propri-
ile borne este conform legii lui Ohm o rezistent a. Valoarea rezistent ei
echivalente este R = 1/g
m
.
Rezistent a de intrare
Rezistent a de intrare se calculeaza pentru V
out
= 0 conform teoremei lui Nor-
ton. Tensiunea de intrare se scrie n funct ie de curentul de intrare si rezistent a
echivalenta vazuta la masa.
V
in
= I
in
_
r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
|| r
BE2
_
(3.38)
Rezistent a de intrare rezulta:
R
in
=
V
in
I
in
= r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
|| r
BE2

=
1
g
m1
(3.39)
La aproximare s-a t inut cont de faptul ca rezistent a colector-emitor (de ordinul
100k) si rezistent a baza-emitor (100k) sunt mult mai mari decat 1/g
m
(k).
56 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Rezistent a de iesire
Rezistent a de iesire se calculeaza pentru un curent de intrare I
in
= 0 conform
teoremei lui Thevenin. Din nou se t ine cont de egalitatea tensiunilor baza-
emitor ale celor doua tranzistoare. Astfel, V
BE1
= V
BE2
= V
in
= R
in
I
in
= 0.
Tensiunea de iesire si rezistent a de iesire se scriu:
V
out
= r
CE2
(I
out
g
m2
V
BE2
) = r
CE2
I
out
R
out
=
V
out
I
out
= r
CE2
(3.40)
Tensiunea minima la iesire trebuie sa permita funct ionarea tranzistorului Q
2
n
regiunea activa normala (ca sursa de curent). Drept urmare, V
CE2
trebuie sa
e sucient de mare pentru a evita polarizarea directa si deschiderea diodei
baza-colector.

In caz contrar Q
2
poate sa treaca n regimul de saturat ie.

In
practica se impune condit ia ca V
CE
= V
BE
(n ciuda faptului ca tranzistorul
este n RAN si pentru pentru V
BE
= V
CE
= V
CEsat
).
In mod similar ca la oglinda simpla cu tranzistoare MOS, se pot face urmatoarele

observat ii:
rezistent a de iesire este relativ redusa, ind necesara o metoda de mbu-
natat ire;
factorul de reexie prezinta o eroare sistematica chiar si daca tensiunile
colector-emitor sunt echilibrate.
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de
(eng. EFA - Emitter Follower Augmented)
Din schema oglinzii simple cu tranzistoare bipolare se observa ca responsabil
pentru eroarea sistematica a factorului de reexie introdusa de este curentul
pierdut n bazele celor doua tranzistoare. Astfel curentul de colector I
C1
nu mai este perfect egal cu I
C2
ca n cazul realizarii MOS. Intuitiv, eroarea
datorata castigului de curent s-ar putea reduce daca s-ar micsora curentul
Doris Csipkes 57
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
pierdut n baze. Cea mai simpla metoda de a realiza aceasta mbunatat ire
este introducerea unui buer de curent care sa permita extract ia unui curent
foarte redus din colectorul lui Q
1
si n acelasi timp sa produca curentul I
B1
+I
B2
prin amplicare de curent. Buerul se poate implementa cu un simplu tranzistor
ca n Figura 3.11 a.

Q2 Q1
Q3
g V
m1 BE1
r
BE1
I
in
V
in
V
out
r
BE2
r
CE1
g V
m2 BE2
r
CE2
I
out
r
BE3
r
CE3
g V
m3 BE3
I
in
I
out
I
B2
I
B1
I
C1
I
E3
I
C2
I
B3
a) b)
Figura 3.11: Structura si schema echivalenta de semnal mic a oglinzii EFA
Raportul de reexie se calculeaza n mod similar ca la oglinda simpla.

In primul
pas se scrie curentul de intrare n funct ie de curent ii de colector I
C1
si I
C2
.
I
in
= I
C1
+I
B3
= I
C1
+
I
E3
+ 1
= I
C1
+
I
B1
+I
B2
+ 1
= I
C1
+
I
C1
+I
C2
( + 1)
(3.41)
Utilizand relat ia (3.31) expresia curentului de intrare devine:
I
in
= I
C1
_
1 +
1
( + 1)
_
+I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1
( + 1)
(3.42)
Curentul de iesire are aceeasi expresie can cazul oglinzii simple (ecuatia (3.33)).
Raportul de reexie rezulta:
58 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
n =
I
out
I
in
=
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1 +
1
( + 1)
+
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1
( + 1)
(3.43)
Eroarea sistematica va avea aceeasi forma can relat ia (3.35), dar estenlocuit
de ( + 1). Astfel, n cazul unui nit funct ia 1/[(+1)] va tinde la 0 mult
mai rapid decat 1/, iar eroarea sistematica datorata lui este mult redusa.
Observat ie: aceasta oglinda este n continuare sensibila la erorile dato-
rate dezechilibrului tensiunilor colector-emitor si nemperecherii aleatoare a
ariilor. Corect ia rezolva numai problemele legate de .
Rezistent a de intrare se calculeaza din schema echivalenta de semnal mic data
n Figura 3.11 b). Scriind teoremele lui Kirchho si legea lui Ohm se ajunge la
sistemul de ecuat ii (3.44). Din schema de semnal mic se observa ca rezistent a
r
CE2
este conectata cu ambele borne la masa. Drept urmare, curentul prin ea
este zero. Deasemenea, sursa g
m2
V
BE2
extrage si injecteaza acelasi curent n
nodul de masa si astfel nu contribuie la echilibrul curent ilor (se neglijeaza).
_
_
V
in
= V
BE3
+V
BE1
I
in
= g
m1
V
BE1
+
V
in
r
CE1
+I
B3
V
BE3
= r
BE3
I
B3
I
B3
+g
m3
V
BE3
V
BE1
r
CE3
=
V
BE1
r
BE1
|| r
BE2
(3.44)
Rezolvarea acestui sistem duce la urmatoarea expresie a rezistent ei de intrare:
Doris Csipkes 59
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
R
in
=
1
1
r
CE1
+
1
r
BE3
+r
ech
+
g
m1
1 +
r
BE3
r
ech
r
ech
= (1 +g
m3
r
BE3
) (r
BE1
|| r
BE2
|| r
CE3
)
(3.45)
Tinand cont de faptul ca r
CE
si r
BE
sunt mult mai mari decat 1/g
m
, expresia
rezistent ei de iesire se aproximeaza:
R
in

=
1
g
m1
(3.46)
Se observa ca valoarea rezistent ei de intrare este similara cu cea a oglinzii simple.
La calculul rezistent ei de iesire I
in
se considera egal cu zero. Drept urmare nodul
de intrare va un nod otant al carui potent ial se stabileste prin echilibrul
curent ilor si tensiunilor n restul circuitului. Se poate scrie urmatorul sistem de
ecuat ii:
_
_
V
in
= V
BE3
+V
BE1
g
m1
V
BE1
+
V
in
r
CE1
+I
B3
= 0
V
BE3
= r
BE3
I
B3
I
B3
+g
m3
V
BE3
V
BE1
r
CE3
=
V
BE1
r
BE1
|| r
BE2
(3.47)
Rezolvand sistemul, rezistent a de iesire se scrie:
_
_
_
V
BE1
= V
BE2
= 0
V
out
= r
CE2
(I
out
g
m2
r
BE2
) = I
out
r
CE2
(3.48)
60 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Astfel:
R
out
=
V
out
I
out
= r
CE2
(3.49)
Tensiunea minima la iesire este aceeasi ca la oglinda bipolara simpla.
3.3.3 Oglinda de curent bipolara cu degenerare rezistiva
Oglinda bipolara simpla si cea cu compensare de nu rezolva problema rezisten-
t ei de iesire relativ reduse. Ca si n cazul oglinzilor MOS, o solut ie ar in-
troducerea unei react ii negative prin doua rezistent e conectate n emitoarele
tranzistoarelor ca n Figura 3.12 a).
Q1 Q2

I
in
I
out
I
B2
I
B2
I
B1
I
C1
I
C2
g V
m1 BE1
r
BE1
I
in
I
out
V
in
R
1
R
1
R
2
R
2
V
out
r
CE1
I
out
a) b)
g V
m2 BE2
r
BE2
r
CE2
Figura 3.12: Oglinda bipolara cu degenerare rezistiva
Considerand tranzistoarele perfect mperecheate si tinzand la innit
(I
in
= I
C1
), teorema lui Kirchho pentru tensiunile pe ramuri se scrie:
V
BE1
+I
in
R
1
= V
BE2
+I
out
R
2
(3.50)
Daca tensiunile baza-emitor sunt egale (aproximativ acelasi curent si aceeasi
arie) atunci raportul de reexie rezulta:
n =
I
out
I
in
=
R
1
R
2
(3.51)
Doris Csipkes 61
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Observat ie: raportul de reexie este n continuare inuent at de nit si
de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale tranzistoarelor.
Observat ie: pentru a obt ine un raport de reexie diferit de unitate este
necesara si scalarea ariilor celor doua tranzistoare (pe langa scalarea
rezistent elor). Ecuatia (3.51) este valida sub aceasta forma numai daca
V
BE1
= V
BE2
. Daca aceasta condit ie nu este ndeplinita atunci raportul de
reexie rezulta diferit de unitate, dar valoarea va diferita de cea dorita.
(a se vedea exemplul)
Exemplu: daca se doreste un factor de reexie egal cu 2 atunci se alege R
1
=
2R
2
. Suplimentar, aria tranzistorului Q
2
trebuie sa e de doua ori mai mare.
In acest caz raportul de reexie va aproximativ 2, cu eroarea introdusa de

nit si de dezechilibrul tensiunilor.
Rezistent a de intrare se calculeaza din schema echivalenta de semnal mic din
Figura 3.12 b) pentru V
out
= 0. Teoremele lui Kirchho si legea lui Ohm duc
la urmatorul sistem de ecuat ii:
_
_
V
in
=
_
R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
_
(I
in
I
B2
)
V
out
= r
CE2
(I
out
g
m2
V
BE2
) +R
2
(I
out
+I
B2
) = 0
V
BE2
= r
BE2
I
B2
V
in
= V
BE2
+R
2
(I
out
+I
B2
)
(3.52)
Rezistent a de intrare rezulta:
R
in
=
V
in
I
in
=
R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
1 +
R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
r
BE2
+ (1 +g
m2
r
BE2
) (R
2
|| r
CE2
)
= R
1
+
1
g
m1
(3.53)
62 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
La aproximare s-a considerat R
1
de ordinul k-lor. Daca R
1
este mai mare,
de exemplu 100k, atunci conteaza tot i termenii fract iei.
Pentru a determina rezistent a de iesire se scrie urmatorul sistem de ecuat ii:
_
_
V
out
= r
CE2
(I
out
g
m2
V
BE2
) +R
2
(I
out
+I
B2
)
V
BE2
= r
BE2
I
B2
V
BE2
+R
2
(I
out
+I
B2
) =
_
R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
_
(I
in
I
B2
)
I
in
= 0
(3.54)
Rezistent a de iesire este raportul dintre tensiunea si curentul de iesire. Aceasta
este de forma:
_
_
R
out
= r
CE2
_
_
_
_
1 +
g
m2
R
2
1 +
R
2
r
BE2
+
r
ech
r
BE2
_
_
_
_
+R
2
1 +
r
ech
r
BE2
1 +
R
2
r
BE2
+
r
ech
r
BE2
r
ech
= R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
(3.55)
Expresia aproximativa a lui R
out
este:
R
out
= r
CE2
+R
2
+g
m2
r
CE2
R
2

= g
m2
r
CE2
R
2
(3.56)
Observat ie: din ecuat ia (3.56) se observa ca rezistent a de iesire are aceeasi
forma ca la sursele de curent MOS. Rezistent a de iesire aproximativa a
unei structuri de tip cascoda se scrie n totdeauna ca un produs ntre
castigul tranzistorului cascoda (g
mcas
r
CE(DS)cas
) si rezistent a echiva-
lenta vazuta n emitor/sursa.
Doris Csipkes 63
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunea minima la iesire trebuie sa permita funct ionarea tranzistorului Q
2
n regiunea activa normala si sa acopere caderea de tensiune I
out
R
2
pe
rezistent a. Daca se doreste obt inerea unei rezistent e de iesire foarte mari,
aceasta cadere de tensiune devine semnicativa.

In practica rezistent a pasiva
senlocuieste adesea cu o sursa de curent care permite o rezistent a echivalenta
similara cu R
2
, dar cu avantajul unei caderi de tensiune mult mai reduse.
Astfel se ajunge la structura cascoda.
3.3.4 Oglinda cascoda bipolara
Structura circuitului este data n Figura 3.13.
Q3
Q1
Q4
Q2

I
in
I
out
I
B2
I
B1
I
C1
I
C2
I
B3
I
B4
I
E3
I
E4
I
C3
I
C4
Figura 3.13: Oglinda cascoda bipolara
Forma generala a raportului de reexie se deduce n mod similar ca la oglinzile
discutate anterior. Pentrunceput se scrie curentul de intrare avand urmatoarea
forma:
64 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
I
in
= I
C3
+I
B3
+I
B4
=
I
E3
+ 1
+
I
E3
+ 1
+
I
E4
+ 1
= I
E3
+
I
E4
+ 1
(3.57)
Identicand I
E3
si I
E4
de pe schema circuitului se obt ine:
I
in
= (I
C1
+I
B1
+I
B2
) +
I
C2
+ 1
= I
C1
+
I
C1
+
I
C2
+
I
C2
+ 1
(3.58)
In urmatorul pas se t ine cont de relat ia (3.31) dintre I

C1
si I
C2
. Rezulta:
I
in
= I
C1
_
1 +
1
_
+I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
__
1
+
1
+ 1
_
(3.59)
Curentul de iesire se scrie:
I
out
= I
C4
= I
E4
+ 1
= I
C2
+ 1
= I
C1
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_

+ 1
(3.60)
Raportul de reexie se obt ine mpart ind ecuat iile (refecogl57) si (refecogl56).
n =
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_

+ 1
1 +
1
+
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
2 + 1
( + 1)
(3.61)
Eroarea sistematica (fat a de unitate) rezulta:
= 1 +
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_

+ 1
1 +
1
+
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
2 + 1
( + 1)
(3.62)
Doris Csipkes 65
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Se observa ca eroarea sistematica depinde n continuare de si de diferent a de
tensiune V
CE2
V
CE1
. Daca curent ii prin tranzistoarele Q
3
si Q
4
sunt apro-
ximativ egali atunci se poate spune ca si V
BE3
= V
BE4
. Astfel, tranzistoarele
cascoda echilibreaza tensiunile colector-emitor, iar eroarea raportului de ree-
xie va depinde foarte put in de V
CE2
V
CE1
. Daca tranzistoarele sunt identice,
factorul de reexie se aproximeaza:
n =

2
2
+ 4 + 2
(3.63)
Calculul riguros al rezistent ei de intrare este relativ complicat datorita curent i-
lor de baza si rezistent elor baza-emitor nite ale tranzistoarelor. O expresie
aproximativa este data n urmatoarea ecuat ie (similara ca la varianta MOS):
R
in

=
1
g
m3
+
1
g
m1
(3.64)
Calculul riguros este din nou relativ complicat. Drept urmare n ecuat ia (3.65)
este data expresia aproximativa a rezistent ei de iesire.
R
out

=
g
m4
r
CE4
r
CE2
r
BE4
r
BE4
+r
CE2
_
1 +
g
m2
g
m1
_ (3.65)
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure funct ionarea tranzistoarelor Q
2
si
Q
4
n regiunea activa normala.
3.3.5 Oglinda Wilson bipolara
Varianta bipolara a oglinzii de curent Wilson utilizeaza aceeasi react ie nega-
tiva ca si implementarea MOS pentru a mari rezistent a de iesire a circuitului.
66 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Schemele oglinzii simple si a oglinzii ehilibrate sunt date n Figura 3.14.

In
continuare se discuta numai varianta echilibrata.
Q3
Q2 Q1
Q4

I
in
I
out
I
B3
I
E3
I
B2
I
B1
I
C2
I
C1
I
B4
I
E4
I
C4
I
C3
Q2 Q1
Q3

I
in
I
out
I
B3
I
E3
I
B2
I
B1
I
C2
I
C1
Figura 3.14: Oglinzile bipolare Wilson a) simpla si b) echilibrata
Forma generala a raportului de reexie se calculeaza n mod similar ca si pentru
celelalte oglinzi bipolare discutate anterior. Dupa calcule raportul de reexie al
oglinzii Wilson echilibrate se obt ine:
n =
1
1 +
+
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1 +
1
( + 1)
+
I
S2
I
S1
_
1 +
V
CE2
V
CE1
V
CE1
+V
EA
_
1
(3.66)
In cazul particular n care tranzistoarele sunt identice (aceeasi arie a

emitorului) si V
CE1
= V
CE2
(tranzistoarele Q
3
si Q
4
echilibreaza oglinda
Q
1
-Q
2
), raportul de reexie va o funct ie numai de , expresia lui ind
urmatoarea:
n =

2
+ 2
2
+ 4 + 2
(3.67)
Expresia aproximativa a rezistent ei de intrare este:
Doris Csipkes 67
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
R
in

=
r
BE3
(g
m2
+g
m3
)
g
m2
+g
m1
g
m3
r
BE3
=
1
g
m3
+
1
g
m1
(3.68)
Se observa ca rezistent a de iesire aproximativa are aceeasi expresie ca si n cazul
oglinzii cascoda clasice.

In calcule s-a t inut seama de egalitatea lui g
m1
cu g
m2
.
Aceasta egalitate este valabila numai daca raportul de reexie al oglinzii
este unitar.
Rezistent a de iesire aproximativa se scrie:
R
out

=
g
m1
g
m3
r
CE1
r
CE3
+
r
CE1
r
BE3
g
m2
_
1 +
r
CE1
r
BE3
_
+g
m1
r
CE1
r
BE3
(3.69)
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure funct ionarea tranzistoarelor Q
2
si Q
3
n regiunea activa normala. Din structura circuitului se observa ca
tranzistorul Q
2
va funct ionan RAN datorita conexiunii de dioda. Drept urmare
tensiunea minima teoretica la iesire este ceva mai mare decat la oglinda cascoda.
In practica, punand condit ia V

CE
= V
BE
pentru ecare tranzistor, rezulta valori
similare pentru tensiunea minima la iesire ca si pentru oglinda cascoda bipolara.
3.4 Sumar
In acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS si bipolare.

Accentul s-a pus pe comportamentul de curent continuu si caracteristicile de
semnal mic ale circuitelor. Fiecare oglinda a fost caracterizata prin factorul de
reexie, tensiunea minima la iesire, rezistent a de intrare si rezistent a de iesire.
La oglinzile MOS raportul de reexie depinde de nemperecherea geometrica a
tranzistoarelor si de dezechilibrul tensiunilor drena-sursa ale tranzistoarelor din
oglinda fundamentala. Adit ional, la oglinzile bipolare mai apare si dependent a
de castigul de curent nit al tranzistoarelor bipolare. Solut ia carembunatat este
68 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
performant ele oglinzilor (n general precizia raportului de reexie si rezistent a
de iesire) este alegerea unor structuri de tip cascoda.
Bibliograe:
Press, 1987
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,
1999
Doris Csipkes 69
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 4
Referint e electronice
Referint ele de curent si de tensiune sunt implementarile cu dispozitive active
ale unor surse ideale. Ele furnizeaza o tensiune sau un curent independent
de sarcina, de temperatura si de tensiunea de alimentare.
In realitate, termenul de referint a este utilizat pentru a denumi circuitele care

genereaza tensiuni si curent i cu o precizie mai buna si mai independente de
temperatura si tensiunea de alimentare decat sursele electronice obisnuite.
Pentru a caracteriza calitativ performant ele unei referint e, trebuie luate n con-
siderare dependent ele curentului sau tensiunii generate de temperatura precum
si de parametrii de circuit. Astfel referint ele se caracterizeaza prin doi parametrii
principali: senzitivitatea si coecientul de temperatura.
Senzitivitatea este o marime relativa si se deneste astfel:
S
y
Xref
=
Xref
y

y
Xref
(4.1)
In aceasta ecuat ie X
ref
este tensiunea sau curentul generat, iar y este parame-
trul de circuit care introduce dependent a (de ex. tensiunea de alimentare sau
o rezistent a).
Coecientul de temperatura este senzitivitatea la variat ii ale temperaturii de
funct ionare, normata la 1
C.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT E ELECTRONICE
TC =
Xref
T

1
Xref
(4.2)
Coecientul de temperatura este dat de regula n V(A)/
C sau n ppm/
C.
Majoritatea parametrilor de circuit care intervin n expresia curentului sau a
tensiunii de referint a depind de temperatura. Astfel determinarea riguroasa a
coecientului de temperatura poate deveni foarte laborioasa.
4.1 Referint a simpla cu divizor de tensiune
Cea mai simpla implementare a unei surse de tensiune este un divizor de
tensiune. Pentru realizari practice se pot utiliza elemente pasive sau active.
Schema circuitului este data n Figura 4.1.
M1
M2

V
DD
V
DD
V
CC
I
I
R
1
R
2
V
ref
V
ref
Figura 4.1: Referint a cu divizor de tensiune
Expresia tensiunii de iesire se poate gasi usor scriind regula divizorului de
tensiune.
V
ref
=
R
2
R
1
+R
2
V
DD
(4.3)
Aceasta ecuat ie este valida numai daca circuitul funct ioneaza n gol sau daca
rezistent a de sarcina este foarte mare.
Doris Csipkes 71
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se calculeaza dupa cum urmeaza:
S
V
ref
V
DD
=
V
ref
V
DD
V
DD
V
ref
=
R
2
V
DD
R
1
+R
2
R
1
+R
2
R
1
V
DD
= 1 (4.4)
Senzitivitatea ind unitara, o variat ie de 10% a tensiunii de alimentare (uzuala
de altfel n practica) va produce o variat ie de 10% a tensiunii de referint a.
Coecientul de temperatura depinde de variat ia raportului de rezistent e precum
si de variat ia tensiunii de alimentare cu temperatura. Coecientul de tempera-
tura al unui raport de rezistent e de acelasi tip este foarte redus. Prin urmare
factorul care inuent eaza variat ia lui V
ref
cu temperatura este V
DD
.
Tensiunea de referint a furnizata de varianta activa a circuitului se calculeaza
din urmatorul sistem de ecuat ii:
_
_
I
D1
=
n
(V
GS1
V
Thn
)
2
I
D2
=
p
(V
SG2
|V
Thp
|)
2
n
=
k
n
W
1
2L
1
p
=
k
p
W
2
2L
2
(4.5)
Exprimand tensiunile V
GS
ale celor doua tranzistoare rezulta ecuat iile de dispo-
zitiv:
_
_
V
GS1
= V
Thn
+
_
I
D1
n
V
SG2
= |V
Thp
| +
I
D2
p
(4.6)
Din circuit se mai obt ine:
_
V
DD
V
SG2
= V
ref
V
GS1
= V
ref
(4.7)
72 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Din combinat ia sistemelor (4.6) si (4.7) rezulta curentul prin circuit.

In calcule
se considera I
D1
= I
D2
.
I =
V
DD
|V
Thp
| V
Thn
1
n
+
1
_
p
(4.8)
Stiind ca V
GS1
= V
ref
si considerand expresia lui V
GS1
n funct ie de curent, se
ajunge la urmatoarea expresie a tensiunii de referint a:
V
ref
= V
Thn
+
V
DD
V
Thn
|V
Thp
|
1 +
p
(4.9)
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se obt ine prin calculul derivatei.
S
V
ref
V
DD
=
V
ref
V
DD
V
DD
V
ref
=
V
DD
V
DD
+V
Thn
p
|V
Thp
|
(4.10)
In cazul particular n care

n
=
p
si V
Thn
= |V
Thp
| senzitivitatea este egala
cu unitatea.

In practica acest caz particular este foarte put in probabil.
Coecientul de variat ie cu temperatura al implementarii active se determina
calculand derivatele part iale n raport cu tot i parametrii de circuit care variaza
cu temperatura. Astfel se poate scrie:
TC
V
ref
=
V
ref
T

1
V
ref
= f
_
TC
V
DD
, TC
V
Thn
, TC
V
Thp
, TC
n
, TC
p
_
(4.11)
Calculul matematic riguros al lui TC
V
ref
este relativ laborios.
Din expresia senzitivitat ii si coecientului de temperatura se observa ca ten-
siunea furnizata de referint a este puternic dependenta de tensiunea de ali-
mentare si de temperatura. Aceasta dependent a se datoreaza faptului ca V
ref
Doris Csipkes 73
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
este denita de curentul de echilibru prin circuit, care la randul lui depinde
proport ional de V
DD
. O mbunatat ire s-ar putea aduce circuitului daca V
ref
ar depinde neliniar de curentul de echilibru. Dependent a neliniara se poate
realiza prin nlocuirea rezistent ei la masa cu un element neliniar, tipic o dioda
bipolara sau MOS.
4.2 Referint a de tensiune cu dioda
bipolara si MOS
Schemele referint elor de tensiune cu dioda bipolara si dioda MOS sunt date n
Figura 4.2.
M1 Q1

V
DD
V
DD
V
CC
I
I
R
V
ref
V
ref
R
Figura 4.2: Referint a de tensiune cu dioda bipolara si dioda MOS
Expresia tensiunii de iesire si senzitivitatea cu V
DD
se pot determina cu metode
similare ca la referint a cu divizor de tensiune. Presupunand ca referint a este
izolata de sarcina (functioneazan gol) punctele statice de funct ionare se gasesc
la intersect ia dintre caracteristicile tranzistoarelor si dreapta de sarcina.
Varianta MOS
Pentru varianta MOS se scrie urmatorul sistem de ecuat ii:
74 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
I =
V
DD
V
ref
R
V
ref
= V
GS
= V
Th
+
_
I
(4.12)
unde are aceeasi semnicat ie ca la circuitele discutate anterior.
Tensiunea de referint a rezulta:
V
ref
= V
Th
+
V
DD
V
ref
R
(4.13)
Aceasta ecuat ie are solut ii multiple (prin rearanjarea termenilor rezulta o ecuat ie
de gradul 2). Calculul riguros al solut iilor nu este neaparat necesar pentru
a determina senzitivitatea tensiunii de referint a cu tensiunea de alimentare.
Senzitivitatea se obt ine cu metoda clasica prin calculul derivatelor.
S
V
ref
V
DD
=
V
ref
V
DD
V
DD
V
ref
=
V
DD
2V
ref
_
R (V
DD
V
ref
)
(4.14)
Coecientul de temperatura este din nou o funct ie de variat iile cu temperatura
ale tuturor parametrilor de circuit. Determinarea expresiei exacte se face prin
derivare n raport cu temperatura.
TC
V
ref
=
V
ref
T

1
V
ref
= f (TC
V
DD
, TC
V
Th
, TC
, TC
R
) (4.15)
Varianta bipolara
Sistemul de ecuat ii care caracterizeaza punctul static de funct ionare se scrie:
_
_
V
ref
= V
BE
= V
T
ln
_
I
I
S
_
I =
V
CC
V
ref
R
(4.16)
Doris Csipkes 75
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunea de referint a rezulta:
V
ref
= V
T
ln
_
V
CC
V
ref
R I
S
_
(4.17)
Se observa ca aceasta ecuat ie este transcendenta. Din acest motiv pentru
rezolvare se utilizeaza metode numerice. Senzitivitatea cu V
DD
se calculeaza
cu ajutorul derivatelor part iale.
S
V
ref
V
CC
=
V
ref
V
CC
V
CC
V
ref
=
V
CC
V
T
V
ref
(V
CC
V
ref
)
(4.18)
Se observa ca senzitivitatea scade cu V
ref
. Acest fapt se datoreaza variat iei
neliniare a lui V
ref
cu valoarea curentul prin circuit.
Observat ie: comparand senzitivitat ile variantelor MOS si bipolare se poate
ajunge la concluzia ca implementarea bipolara ofera o senzitivitate mai
scazuta datorita neliniaritat ii accentuate a funct iei I
C
= f(V
BE
). Chiar
si asa, uneori senzitivitatea nu este sucient de mica pentru aplicat ii de
precizie.

In aceste cazuri este nevoie de structuri speciale care sa compen-
seze dependent ele de V
DD
.
Coecientul de temperatura se scrie:
TC
V
ref
= f (TC
V
CC
, TC
V
T
, TC
R
, TC
I
S
) (4.19)
Un dezavantaj al referint ei cu dioda simpla este domeniul limitat de valori ale
tensiunii de referint a. Din schema rezulta ca V
ref
este ntotdeauna egal cu
tensiunile grila-sursa sau baza-emitor ale tranzistoarelor.
O extensie a domeniului de valori se obt ine prin introducerea unui divizor de
tensiune rezistiv ca n Figura 4.3. Tensiunea de referint a pentru varianta MOS
se scrie:
V
ref
=
_
1 +
R
1
R
2
_
_
V
Th
+
V
DD
V
ref
R
_
(4.20)
76 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Q1 M1

V
DD
V
CC
I
I
R
V
ref
R
R
1
R
1
R
2
R
2
V
ref
Figura 4.3: Referint a de tensiune cu dioda si domeniu extins de valori
In mod similar pentru varianta bipolara rezulta:

V
ref
= V
T
_
1 +
R
1
R
2
_
ln
_
V
CC
V
ref
R I
S
_
(4.21)
4.3 Referint a de tensiune cu dioda Zener
Din comparat ia referint elor de tensiune cu dioda MOS si dioda bipolara a rezul-
tat ca o dependen
ta mai neliniara a tensiunii pe dioda (proport ionala sau egala

cu V
ref
) duce la o senzitivitate mai scazuta cu V
DD
. Intuitiv, cu cat variat ia
curentului prin dioda cu tensiunea aplicata (V
GS
sau V
BE
) este mai abrupta,
cu atat senzitivitatea cu V
DD
scade. Aceasta proprietate a circuitului este ex-
ploatata prin utilizarea unor diode Zener cu caracteristica V
D
= f(I
D
) foarte
abrupta. Figura 4.4 prezinta referint a de tensiune cu o dioda Zener si variat ia
curentului cu tensiunea pe dioda. Punctul static de funct ionare este determinat
tot de intersect ia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcina.
Dioda Zener este utilizatan regim de strapungere pentru a implementa carac-
teristica tensiune-curent abrupta. Tensiunea de strapungere V
BV
este puternic
Doris Csipkes 77
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
dependenta de concentrat ia purtatorilor de sarcina din regiunile p
+
si n
+
ale
jonct iunii.

V
DD
V
DD
I
PSF
V /R
DD
V
BV
I
R
D
V
ref
I
V
Figura 4.4: Referint a de tensiune cu dioda Zener
Dezavantajul major al circuitului este faptul ca n tehnologiile MOS tensiunea
de strapungere are valori ridicate, tipic 5-6V. Astfel referint a nu poate
utilizata n circuitele de joasa tensiune unde alimentarea nu depaseste 2,5-3V.
4.4 Referint a de curent cu oglinda simpla
de curent
Referint a de tensiune cu dioda discutata anterior se poate transforma ntr-o
referint a de curent prin copierea curentului din circuit cu o oglinda de curent.
Prin adaugarea unui tranzistor de iesire din oglinda rezulta schema din Figura
4.5.
Daca tranzistoarele sunt identice si oglinzile echilibrate, atunci senzitivitatea
curentului de iesire cu V
DD
va egala cu senzitivitatea lui I
ref
. Ombunatat ire
a senzitivitat ii este posibila daca senzitivitatea curentului I
ref
ar scalata cu
un coecient subunitar. Aceasta scalare se poate implementa daca o parte
din tensiunea V
GS
(V
BE
) creata de curentul I
ref
ar preluata de un element
liniar. Astfel s-ar introduce o dependent a mai slaba a curentului de iesire cu
V
DD
. Circuitul rezultat se numeste oglinda de curent sau referint a Widlar.
78 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
DD
V
CC
V
DD
I
ref
I
ref
I
o
I
o
R
R
M1 Q2 M2 Q1

Figura 4.5: Referint a de curent cu oglinda de curent simpla
4.5 Referint a de curent Widlar
Referint a Widlar se poate implementa atat cu tranzistoare MOS cat si cu tran-
zistoare bipolare. Schemele celor doua variante sunt date n Figura 4.6.
M1 M2 Q2 Q1

V
DD
V
CC
V
DD
I
ref
I
ref
I
o
I
o
R
1
R
1
R
2
R
2
Figura 4.6: Referint a de curent Widlar
4.5.1 Referint a Widlar cu tranzistoare MOS
Funct ionarea circuitului este descrisa de urmatorul sistem de ecuat ii:
Doris Csipkes 79
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
V
GS1
= V
GS2
+R
2
I
o
V
GS1
= V
Th
+
_
I
ref
1
V
GS2
= V
Th
+
_
I
o
2
(4.22)
Calculand diferent a tensiunilor grila-sursa si nlocuind n prima ecuat ie rezulta:
I
o
R
2
+
I
o
I
ref
1
= 0 (4.23)
Aceasta ecuat ie este de gradul doi cu necunoscuta
I
o
. Solut ia este de forma:
_
I
o
=
1
2R
2
_
_
_
_
1
2
+ 4R
2
I
ref
1
_
_
_
(4.24)
Dat ind faptul ca termenul din stanga este un radical, solut ia acceptata este
numai cea cu semnul plus.
Senzitivitatea curentului de iesire cu tensiunea de alimentare se determina prin
calculul derivatelor din ecuat ia (4.23) si identicarea senzitivitat ilor S
Io
V DD
si
S
Iref
V DD
.
S
I
o
V
DD
= S
I
ref
V
DD
_
I
ref
1
2
I
ref
_
I
o
2
= S
I
ref
V
DD
V
od1
2V
od1
V
od2
(4.25)
Din prima ecuat ie a sistemului (4.22) rezulta ca V
GS1
> V
GS2
. Aceasta inega-
litate este valabila si pentru perechea V
od1
si V
od2
. Astfel:
S
I
o
V
DD
= k S
I
ref
V
DD
, k < 1 (4.26)
80 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
4.5.2 Referint a Widlar cu tranzistoare bipolare
Sistemul de ecuat ii care descrie funct ionarea circuitului se scrie:
_
_
V
BE1
= V
BE2
+R
2
I
o
V
BE1
= V
T
ln
_
I
ref
I
S1
_
V
BE2
= V
T
ln
_
I
o
I
S2
_
(4.27)
Inlocuind n prima ecuat ie tensiunile baza-emitor se obt ine:

I
o
R
2
+V
T
ln
_
I
o
I
ref
I
S1
I
S2
_
= 0 (4.28)
Curentul de iesire rezulta:
I
o
=
V
T
R
2
ln
_
I
ref
I
o
I
S2
I
S1
_
(4.29)
Aceasta ecuat ie este transcendenta, prin urmare valoarea curentului de iesire se
determina prin metode numerice.
Observat ie: curentul de iesire depinde direct proport ional de V
T
deci de
temperatura absoluta. Astfel, putem spune ca referint a de curent Widlar cu
tranzistoare bipolare genereaza un curent de tip PTAT (Proportional To
Absolute Temperature). Pentru a PTAT curentul trebuie sa e indepen-
dent de curentul de saturat ie al tranzistoarelor, I
S
.
Senzitivitatea curentului de iesire cu V
DD
se calculeaza similar ca la varianta
MOS, rezultand:
S
I
o
V
CC
= S
I
ref
V
CC
V
T
V
T
+R
2
I
o
= k S
I
ref
V
CC
, k < 1 (4.30)
Doris Csipkes 81
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Senzitivitatea se poate mbunatat i daca ntreaga tensiune V
GS2
(V
BE2
) este
preluata de o rezistent a pasiva astfel ncat valoarea curentului de iesire nu va
mai depinde de V
GS2
(V
BE2
).
4.6 Referint a de curent V
Th
si V
BE
Structura circuitului rezulta din observat ia de mai sus si este data n Figura 4.7.
M2 Q2
M1 Q1

V
DD
V
DD
V
CC
I
ref
I
ref
I
o
I
o
R
1
R
1
R
2
R
2
Figura 4.7: Referint a de curent V
Th
si V
BE
In aceasta structura rolul tranzistorului M

2
(Q
2
) este sa act ioneze ca tampon
si sa stabileasca rezistent a de iesire a circuitului.
Curent ii de iesire se scriu:
_
_
I
oMOS
=
V
GS1
R
2
=
V
Th
+
_
I
ref
1
R
2
I
oTB
=
V
BE1
R
2
=
V
T
ln
_
I
ref
I
S1
_
R
2
(4.31)
82 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Prin derivare se gasesc senzitivitat ile curent ilor de iesire cu tensiunea de alimen-
tare.
_
_
S
I
oMOS
V
DD
= S
I
ref
V
DD
V
od1
2 (V
od1
+V
Th
)
S
I
oTB
V
CC
= S
I
ref
V
CC
V
T
V
BE1
(4.32)
Prin calcule numerice se poate demonstra ca referint ele de tip V
Th
si V
BE
au senzitivitat i mai reduse cu tensiunea de alimentare decat oglinzile Widlar
corespunzatoare.
4.7 Referint e independente de V
DD
Curent ii si tensiunile furnizate de referint ele studiate depind de tensiunea de
alimentare, avand o senzitivitate nenula cu V
DD
.
La referint ele studiate pana n acest moment curentul de iesire depinde de
tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referint a I
ref
. La
randul lui I
ref
depinde de V
DD
prin metoda cu care a fost generat (echilibrul din
prima ramura o cadere de tensiune pe o dioda MOS sau bipolara). Intuitiv,
daca I
ref
ar generat cu ajutorul lui I
o
, fara o dependent a de V
DD
, atunci
curentul de iesire ar teoretic independent de tensiunea de alimentare. Acest
lucru este posibil prin dubla denit ie a curentului de iesire si fenomenul numit
bootstrapping.
Generarea curentului I
ref
cu ajutorul lui I
o
se face prin simpla copiere a curen-
tului I
o
n cealalta ramura printr-o oglinda de curent. Schema circuitului este
data n Figura 4.8.
Cele doua variante se bazeaza pe referint ele Widlar si V
Th
cu tranzistoare MOS.
Tranzistoarele M
5
si M
6
preiau si distribuie curentul de iesire spre alte circuite
dupa necesitate.
Ecuat iile care descriu funct ionarea circuitului sunt urmatoarele (scrise pentru
varianta cu referint a V
Th
):
Doris Csipkes 83
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
V
GS1
= I
o
R
V
GS1
= V
Th
+
_
I
ref
1
(4.33)
M1
M5 M4 M3
M8
M2
M7
M6
M8
M5
M2
M1
M3
M7
M6
M4

V
DD
I
ref
I
5
I
5
I
6
I
6
I
o
R
p
R
Circuit de pornire
Circuit de pornire
V
DD
I
ref
I
o
R
p
R
Figura 4.8: Referint a bootstrap
Daca se considera tranzistoarele M
3
si M
4
identice si se neglijeaza neidealitat ile
oglinzii de curent rezulta I
ref
= I
o
.

In aceste condit ii, din sistemul (4.33) se
poate obt ine expresia curentului de iesire.
_
I
o
=
1
2R

_
1
1
+
_
1
1
+ 4RV
Th
_
(4.34)
Se observa ca aceasta ecuat ie nu cont ine elemente dependente de tensiunea de
alimentare. Drept urmare, senzitivitatea curentului de iesire cu tensiunea de
alimentare este zero.
84 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Observat ie: n realitate eroarea raportului de reexie al oglinzii PMOS
depinde de dezechilibrul tensiunilor drena-sursa ale tranzistoarelor. Deze-
chilibrul cont ine n expresia sa tensiunea de alimentare V
DD
. Astfel, daca
raportul de reexie nu este precis, senzitivitatea va avea o valoare diferita
de zero.
Observat ie: datorita principiului de funct ionare, circuitul are doua puncte
de echilibru. Primul punct este n origine, unde atat I
ref
cat si I
o
sunt
zero. Al doilea punct este denit de egalitatea lui I
ref
si I
o
la valori diferite
de zero. Pentru a ne asigura ca circuitul paraseste punctul static nedorit
din origine trebuie sa adaugam un circuit de pornire.
Circuitul de pornire asigura un curent init ial prin circuit si este dezactivat treptat
daca circuitul evolueaza spre punctul static de funct ionare denit de ecuat ia
(4.34). Funct ionarea circuitului de pornire din Figura 4.8 este urmatoarea:
- I
ref
= I
o
= 0 n drena lui M
1
avem potent ial zero, dar n grila lui
M
7
avem un potent ial egal cu V
GS8
M
7
conduce se injecteaza un
curent n dioda MOS M
1
apare o cadere de tensiune pe rezistent a R
apare un curent I
o
la iesire I
o
este copiat n ramura de referint a
curent ii I
ref
si I
o
vor converge spre o valoare de echilibru prin react ie
pozitiva;
- tototdata potent ialul din drena lui M
1
creste M
7
pierde V
GS
si se va
bloca treptat circuitul de pornire este dezactivat, curentul prin M
7
reducandu-se la zero.
4.8 Referint e compensate cu temperatura
Referint ele prezentate pana acum erau puternic inuent ate de variat ia tempe-
raturii.

In practica este adesea necesara generarea unei tensiuni sau a unui
curent stabil cu temperatura. Aceasta condit ie este ndeplinita de referint ele
de tip banda interzisa (eng. bandgap).
Tensiunile si curent ii generat i de referint ele studiate aveau o variat ie pozitiva
sau negativa cu temperatura.

In continuare se vor considera doua tipuri de
tensiuni: V
BE
si V
BE
, prima generata de referint a de curent de tip V
BE
, iar a
doua generata de referint a de curent Widlar cu tranzistoare bipolare.
Doris Csipkes 85
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Variat ia lui V
BE
cu temperatura
Reamintim variat ia lui V
BE
cu valoarea curentului printr-un tranzistor bipolar:
V
BE
= V
T
ln
_
I
C
I
S
_
(4.35)
La prima vedere s-ar parea ca V
BE
creste cu temperatura (ind proport ionala
cu V
T
). Pentru a determina sensul de variat ie corect trebuie considerata
urmatoarea expresie semi-empirica a curentului de saturat ie:
I
S
= I
0
e
V
G0
V
T
(4.36)
In aceasta ecuat ie I
0
este un curent dependent de procesul de fabricat ie (mult
mai mare decat I
S
), iar V
G0
este tensiunea de banda interzisa a siliciului, ex-
trapolata la temperatura de 0
K.

Inlocuind expresia lui I
S
n ecuat ia (4.35),
rezulta:
V
BE
= V
T
ln
_
_
_
I
C
I
0
e
V
G0
V
T
_
_
_
= V
G0
V
T
ln
_
I
0
I
C
_
(4.37)
Din aceasta ecuat ie se observa ca tensiunea V
BE
scade liniar cu temperatura.
Deasemenea, la 0
K, V
BE
este egala cu V
G0
. Drept urmare, se poate spune ca
V
BE
este o tensiune de tip CTAT (Complementary To Absolute Temperature).
Variat ia tensiunii V
BE
cu temperatura
Tensiunea V
BE
este de fapt o diferent a de tensiuni de tip V
BE
. Astfel, se
poate scrie:
V
BE
= V
BE1
V
BE2
= V
T
ln
_
I
C1
I
C2
I
S2
I
S1
_
(4.38)
Daca cele doua tranzistoare sunt identice, atunci V
BE
va depinde numai de
raportul curent ilor de colector, iar curent ii I
S1
si I
S2
se simplica. Astfel,
86 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
dependent a de temperatura a lui I
S
este eliminata, iar V
BE
va creste liniar
cu temperatura. Drept urmare putem spune ca V
BE
este o tensiune de tip
PTAT.
Observat ie: de cate ori avem nevoie de tensiune (sau curent) PTAT, vom
cauta sa generam o tensiune de tip V
BE
. De cate ori avem nevoie de o
tensiune CTAT, generam o tensiune de tip V
BE
.
Principiul de funct ionare a referint elor compensate cu temperatura se bazeaza
pe nsumarea ponderata a doua tensiuni avand coecientul de temperatura
de semn opus (practic nsumam un PTAT cu un CTAT). Adt ional, ambele
tensiuni ar trebui sa e independente de tensiunea de alimentare (se obt ine prin
bootstrapping) deoarece sumarea compenseaza numai variat iile cu temperatura.
Schema de principiu a unei referint e bandgap este data n Figura 4.9.
Q

V
DD
V
DD
I
a
PTAT
I
1
aV
T
V
T
V
BE
V
o
Figura 4.9: Schema de principiu a unei referint e bandgap
Tensiunea de iesire se scrie:
V
o
= V
BE
+a V
T
(4.39)
Coecientul a este o marime constanta, independenta de temperatura
(de cele mai multe ori realizata ca raport de rezistent e si/sau de curent i de
saturat ie).
Doris Csipkes 87
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tinand cont de expresiile tensiunilor V
BE
si V
BE
, tensiunea de iesire se scrie:
V
o
= V
G0
V
T
ln
_
I
0
I
C
_
+V
T
ln
_
I
C1
I
C2
I
S2
I
S1
_
(4.40)
Daca circuitul este corect dimensionat, atunci termenii dependent i de tempe-
ratura se reduc, iar tensiunea de iesire va aproximativ egala cu V
G0
(de aici
numele de bandgap).
Pentru a gasi variat ia tensiunii de iesire cu temperatura se deriveaza ecuat ia
(4.39) n raport cu temperatura. Pentru un calcul corect ar trebui sa cunoastem
valorile exacte ale tensiunilor si coecientul lor de variat ie cu temperatura.
4.9 Exemple
Referint a bandgap de tip Widlar
Una dintre primele implementari ale referint elor bandgap, bazata numai pe
tranzistoare bipolare, este cea data de Widlar. Schema circuitului este prezen-
tata n Figura 4.10.
Pentru simplitate, n calcule se considera = . Expresia tensiunii de iesire
se calculeaza din urmatorul sistem de ecuat ii:
_
_
V
o
= R
1
I
1
+V
BE1
V
BE1
= V
BE2
+R
3
I
2
V
BE1
+R
1
I
1
= V
BE3
+R
2
I
2
(4.41)
Daca tranzistoarele Q
1
si Q
3
sunt identice, atunci expresia lui I
2
se scrie:
I
2
=
V
T
R
3
ln
_
R
2
R
1
I
S2
I
S1
_
(4.42)
Tensiunea de iesire rezulta:
88 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
o
= V
BE1
+V
T

R
2
R
3
ln
_
R
2
R
1
I
S2
I
S1
_
(4.43)
Din aceasta ecuat ie se observa ca tensiunea de iesire este compensata cu tem-
peratura.
Q2
Q3
Q1
Q4

V
CC
V
DD
I
3
I
2
I
1
R
p
R
2
R
1
R
3
V
o
Figura 4.10: Referint a bandgap de tip Widlar
Observat ie: n general referint ele bandgap prezinta o curbura a carac-
teristicii V
o
= f(T) datorata neidealitat ilor. Punctul de maxim al curbei
semnica un coecient de temperatura egal cu zero si se ajusteaza la
temperatura nominala cu ajutorul elementelor de circuit.
Referint a bandgap de tip Song
Referint a bandgap Song foloseste o oglinda Widlar bipolara pentru a ge-
nera curentul PTAT. Oglinda de curent PMOS utilizata pentru compensarea
variat iilor cu V
DD
este o oglinda cascoda care reduce erorile raportului de re-
exie si implicit senzitivitatea curentului de iesire cu V
DD
. Schema circuitului
este data n Figura 4.11.
Doris Csipkes 89
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Q1
M8
M2
M3
M7
M4
M1
Q2
M6
M5
Q3

V
DD
V
DD
I
PTAT
I
2
I
1
R
1
R
2
V
o
Figura 4.11: Referint a bandgap de tip Song
Sistemul de ecuat ii corespunzatoare circuitului se scrie:
_
_
V
o
= V
BE3
+R
2
I
PTAT
V
BE1
= V
BE2
+R
1
I
2
I
1
= I
2
= I
PTAT
(4.44)
Rezulta:
V
o
= V
BE3
+V
T

R
2
R
1
ln
_
I
S2
I
S1
_
(4.45)
Referint a bandgap de tip Brokaw
Una dintre cele mai cunoscute structuri de referint e bandgap este celula
Brokaw. Diferent a dintre tensiunile baza-emitor necesara pentru producerea
curentului PTAT este generata cu ajutorul unui divizor rezistiv de tensiune.
90 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Q2 Q1
+
-

V
CC
V
DD
I
1
I
2
I
1
R
1
R
3
R
4
R
2
V
o
Figura 4.12: Referint a bandgap cu celula Brokaw
In aceasta varianta de celula Brokaw amplicatorul operat ional este utilizat n

congurat ia cu react ie pentru a egala tensiunile la bornele sale de intrare. Daca
se considera amplicatorul operat ional ideal (tensiune de oset si curent i de
polarizare neglijabili) atunci potent ialele de la bornele inversoare si neinversoare
sunt egale. Astfel, caderile de tensiune pe rezistent ele R
1
si R
2
sunt egale, iar
curent ii sunt ponderat i de valorile rezistent elor.
Sistemul de ecuat ii caracteristic circuitului se scrie:
_
_
V
o
= V
BE1
+R
4
(I
1
+I
2
)
V
BE1
= V
BE2
+R
3
I
2
R
1
I
1
= R
2
I
2
(4.46)
Doris Csipkes 91
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tensiunea de iesire rezulta:
V
o
= V
BE1
+V
T

R
4
R
3
_
1 +
R
2
R
1
_
ln
_
R
2
R
1
I
S2
I
S1
_
(4.47)
Observat ie: n realitate variat ia cu temperatura a lui V
BE
este usor ne-
liniara, astfel ncat caracteristica de iesire a referint ei bandgap variaza
cu temperatura ca n Figura 4.13. Se observa ca panta caracteristicii se
anuleaza la o singura temperatura, considerata temperatura nominala de
proiectare. De multe ori, mai ales la circuitele integrate de joasa putere,
aceasta temperatura este egala cu cea a camerei (27
C).
T
o
-40 C
o
100 C
o
27 C
V
DD
I
1
V
o
Figura 4.13: Variat ia reala a tensiunii de iesire cu temperatura
4.10 Sumar
In acest capitol s-au prezentat cateva tipuri de referint e considerate imple-

mentari electronice ale surselor ideale. Majoritatea referint elor simple sunt sen-
sibile la variat iile tensiunii de alimentare si ale temperaturii. Pentru a com-
pensa variat iile cu tensiunea de alimentare se utilizeaza procedeul de boots-
trapping care introduce o dubla denit ie a curentului de iesire eliminand astfel
dependent a de V
DD
.
Pentru a compensa variat iile tensiunii sau curentului generat cu temperatura
se utilizeaza nsumarea unor tensiuni cu coecient i de temperatura de semn
92 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
opus.

In paragrafele dedicate referint elor de tip banda interzisa s-a aratat ca
aceste referint e sunt, n cazul ideal, imune la schimbarile de temperatura, dar
n realitate exista o curbura a caracteristicii temperatura-tensiune. Elementele
de circuit permit o ajustare a temperaturii nominale la care coecientul de
temperatura al referint ei se anuleaza.
Bibliograe:
Press, 1987
1999.
5. T. H. Lee - The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits,
Cambridge University Press, 1998;
6. J-T. Wu - Voltage and Current References - Lecture Notes, National
Chiao-Tung University, Taiwan, 2003
Doris Csipkes 93
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 5
Amplicatoare simple
Amplicatoarele inversoare simple constituie etajele fundamentale n circuitele
de amplicare mai complexe, cum sunt amplicatoarele operat ionale sau com-
paratoarele integrate.
Structura amplicatoarelor inversoare cont ine ntotdeauna o sursa de curent
controlata n tensiune si un circuit de sarcina. Mecanismul de amplicare
are la baza principiul de conversie a tensiunii de intrare n curent, iar apoi
acest curent este injectat ntr-un nod de nalta impedant a de unde se culege
tensiunea de iesire.
Discut ia asupra amplicatoarelor simple din aceasta sect iune prezinta analiza
punctului static de funct ionare, modelul de semnal mic si joasa frecvent a, pre-
cum si comportamentul la frecvent e mari.
5.1 Amplicatorul inversor cu sarcina rezistiva
La acest tip de amplicator tensiunea de intrare este convertita n curent de
tranzistorul de intrare. Sarcina este o rezistent a pasiva care determina n ultima
instant a castigul. Schema circuitului este data n Figura 5.1.a.
Punctul static de funct ionare
Punctul static de funct ionare se gaseste din condit ia de echilibru al circui-
tului. Condit ia de echilibru implica egalitatea curent ilor prin rezistent a si prin
tranzistor (presupunand funct ionarea n gol sau cu sarcina pur capacitiva).
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Punctul static de funct ionare se poate determina n mod grac din intersect ia
caracteristicii de iesire a tranzistorului M
1
si a dreptei de sarcina (Figura 5.1.b).
M1

V
DD
v
out
v
in
R
a) b)
PSF
R
I
V
out
V
DD
M
1
R
V
DD
I
Figura 5.1: Amplicatorul inversor cu sarcina rezistiva
Observat ie: ecarei tensiuni de intrare continue (ecarui V
GS1
) i va cores-
punde un punct de echilibru diferit, circuitul are mai multe puncte statice
de funct ionare posibile
Domeniul de variat ie a tensiunii de iesire
Punctul static de funct ionare al circuitului trebuie ales astfel ncat la valori de
varf ale semnalului tranzistorul sa ramana n regim saturat. Invers, pentru un
PSF ales se poate determina domeniul de variat ie a semnalului de iesire.
In cazul amplicatorului cu sarcina rezistiva limita de sus a domeniului de

variat ie este chiar V
DD
deoarece rezistent a nu impune reguli asupra caderii
de tensiune la bornele sale. Limita de jos este determinata de polarizarea
tranzistorului care funct ioneaza n regim saturat daca V
DS
> V
od
. Astfel, la un
varf negativ al semnalului tensiunea instantanee la iesire nu are voie sa scada
sub V
od1
.
Doris Csipkes 95
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Modelul de semnal mic si joasa frecvent a
Modelul de semnal mic si joasa frecvent a, prezentatn Figura 5.2, ignora efectele
capacitat ilor parazite si a capacitat ii de sarcina asupra funct ionarii circuitului.
R
v
out
v
in
g v
m1 GS1
r
DS1

Figura 5.2: Schema de semnal mic a amplicatorului cu sarcina rezistiva
La construct ia modelului s-a considerat transconductant a de substrat mult mai
mica decat g
m
, iar nodurile conectate la surse constante au fost pasivizate (de
ex. V
DD
devine masa).
Observat ie: modelul de semnal mic este inerent liniar deoarece descrie
variat ii mici (innitezimale) ale semnalelor n jurul punctului static de
funct ionare. Acest lucru nseamna ca o tensiune sinusoidala aplicata la
intrarea modelului va produce la iesire tot un semnal sinusoidal de aceeasi
frecvent a.
Observat ie: modelul de semnal mic cont ine doar elemente pasive si surse
comandate. Drept urmare, efectele dinamice din circuit (de ex. limitarea
semnalului sau viteza de variat ie a semnalului) nu sunt modelate.
Castigul de joasa frecvent a se determina scriind teorema lui Kirchho si legea
lui Ohm la nodul de iesire.
g
m1
v
in
+
v
out
r
DS1
+
v
out
R
= 0 (5.1)
Daca se considera r
DS1
>> R, rezulta:
96 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m1
1
r
DS1
+
1
R
= g
m1
R
out

= g
m1
R (5.2)
Observat ie: castigul de joasa frecvent a al unui amplicator simplu de ten-
siune se scrie ntotdeauna ca produsul dintre transconductant a tranzisto-
rului de intrare (conversia tensiune-curent) si rezistent a de iesire (conver-
sia curent-tensiune).
Pentru amplicatorul cu sarcina rezistiva transconductant a tranzistorului de
intrare este g
m1
, iar rezistent a de iesire se aproximeaza cu R.
Comportamentul n frecvent a
Pentru a descrie comportamentul n frecvent a trebuie sa t inem cont de capa-
citat ile parazite din circuit si de capacitatea de sarcina. Figura 5.3 prezinta
schema amplicatorului cu toate capacitat ile nodurilor explicitate.
M1

v
in
V
DD
v
out
C
1
C
2
R
rhz
p
M1
Figura 5.3: Schema amplicatorului cu sarcina rezistiva si capacitat ile ex-
plicitate
Capacitatea C
1
este chiar capacitatea grila-drena a tranzistorului M
1
. Capa-
citatea C
2
cont ine toate capacitat ile parazite conectate la nodul de iesire si
Doris Csipkes 97
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
capacitatea de sarcina.
Din examinarea schemei se observa ca nodul de iesire va introduce un pol n
funct ia de transfer a circuitului. Etajul ind inversor, efectul Miller datorat
cuplajului capacitiv prin C
1
va produce si un zero n semiplanul drept (RHZ
= Right Half-plane Zero).

In concluzie, daca se considera o sursa de tensiune
ideala la intrare, funct ia de transfer a amplicatorului va avea un pol si un zero
pozitiv.
Schema de semnal mic si nalta frecvent a a circuitului este data n Figura 5.4.
C
2
v
out
v
in
G v
m in
R
out

C
1
Figura 5.4: Modelul de semnal mic si nalta frecvent a al amplicatorului
cu sarcina rezistiva
Teorema lui Kirchho pentru curent i la nodul de iesire conduce la urmatoarea
funct ie de transfer:
A(s) =
v
out
v
in
=
g
m1
R
out
_
1
sC
1
g
m1
_
1 +s (C
1
+C
2
) R
out
=
g
m1
R
out
_
1
sC
1
g
m1
_
1 +sC
L
R
out
(5.3)
In aceasta ecuat ie capacitatea conectata la nodul de iesire este dominata de

capacitatea de sarcina. Funct ia de transfer se mai poate scrie sub forma generala
dupa cum urmeaza:
98 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
_
1 +
s
p
(5.4)
Identicand parametrii rezulta castigul de joasa frecvent a A
0
, frecvent a polului
f
p
si frecvent a zeroului pozitiv f
z
.
_
_
A
0
= g
m1
R
out

= g
m1
R
f
p
=
1
2RC
L
f
z
=
g
m1
2C
1
(5.5)
Diagramele Bode corespunzatoare funct iei de transfer de mai sus sunt date n
Figura 5.5.

10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
180d
-40
-20
0
20
|A(s)|
f
A(s)
f
p
f
rhz
f
Figura 5.5: Caracteristicile de frecvent a ale amplicatorului cu sarcina
rezistiva
Doris Csipkes 99
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pe gura sunt identicate frecvent ele aproximative f
p
si f
z
. Se observa ca zeroul
pozitiv compenseaza caderea cu -20dB/decada a caracteristicii de amplitudine,
dar introduce un defazaj suplimentar de 90
. Deasemenea trebuie remarcate

ordinele de marime ale celor doua frecvent e si castigul de joasa frecvent a
relativ redus (< 10).
5.2 Amplicatorul inversor cu sarcina dioda
Amplicatorul cu sarcina dioda are structura similara cu cea a amplicatorului cu
sarcina rezistiva. Sarcina este de aceasta data o dioda MOS. Schema circuitului
este data n Figura 5.6.a.
Punctul static de funct ionare se determina din condit ia de echilibru a circuitului
(acelasi curent prin ambele tranzistoare).

In mod grac, punctul static de
funct ionare este la intersect ia dintre caracteristica de iesire a tranzistorului M
1
si
caracteristica de transfer a lui M
2
(Figura 5.6.b). M
2
ind ntotdeauna saturat
(dioda), caracteristica sa de transfer este o parabola cu varful n tensiunea
V
DD
|V
Thp
|.

M1
M2

V
DD
v
out
v
in
a) b)
PSF
V
out
V -|V |
DD Thp
M
1
M
2
I
I
Figura 5.6: Amplicatorul inversor cu sarcina dioda
100 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Valoarea instantanee a tensiunii de iesire trebuie sa permita pastrarea tranzis-
torului M
1
n regim saturat si a lui M
2
n conduct ie. La evaluarea domeniului
admis de variat ie trebuie luat n seama si semnalul suprapus peste compo-
nenta continua. Astfel rezulta:
V
od1
+v
max
V
out
V
DD
|V
Thp
| v
max
(5.6)
In aceasta inegalitate v
max
este amplitudinea semnalului la iesirea circuitului.
Modelul de semnal mic si joasa frecvent a, prezentat n Figura 5.7, permite
determinarea rezistent ei de iesire si a castigului de joasa frecvent a.

r
DS2
v
out
v
in
g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
Figura 5.7: Modelul de semnal mic al amplicatorului cu sarcina dioda
Castigul de joasa frecvent a se calculeaza scriind teorema lui Kirchho pentru
curent i la nodul de iesire al circuitului. Daca se considera g
DS
<< g
m
rezulta:
A
0
=
v
out
v
in
= g
m1
R
out
=
g
m1
g
DS1
+g
DS2
+g
m2
=
g
m1
g
m2
(5.7)
Se observa ca rezistent a de iesire este redusa datorita conexiunii de dioda a
tranzistorului M
2
(rezistent a echivalenta aproximativ 1/g
m2
). Astfel, castigul de
joasa frecvent a este apropiat de unitate, iar circuitul se utilizeaza ca repetor.
Doris Csipkes 101
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
In mod similar ca si amplicatorul cu sarcina rezistiva exista un singur nod n

calea semnalului. Capacitat ile specice circuitului sunt daten Figura 5.8. Polul
introdus de nodul de iesire este mutat la frecvent e mai mari datorita rezistent ei
de iesire reduse. Zeroul pozitiv apare aproximativ la aceeasi frecvent a ca si la
amplicatorul cu sarcina rezistiva.
M1
M2

v
in
V
DD
v
out
C
1
p
rhz
C
2
Figura 5.8: Capacitat ile specice amplicatorului cu sarcina dioda
Modelul de semnal mic si nalta frecvent a a amplicatorului este dat n Figura
5.9. Se observa ca modelul este identic cu cel al amplicatorului cu sarcina
rezistiva (topologia circuitului este neschimbata), dar expresia rezistent ei de
iesire R
out
este diferita.
Pentru R
out
aproximativ egal cu 1/g
m2
si C
1
+ C
2
aproximativ egal cu C
L
funct ia de transfer rezulta:
A(s) =
v
out
v
in
=
g
m1
g
m2
1
sC
1
g
m1
1 +
sC
L
g
m2
= A
0
1
s
z
1 +
s
p
(5.8)
102 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
C
2
v
out
v
in
G v
m in
R
out

C
1
Figura 5.9: Modelul de semnal mic si nalta frecvent a al amplicatorului
cu sarcina dioda
Parametrii funct iei de transfer sunt:
A
0

=
g
m1
g
m2
; f
p
=
g
m2
2C
L
; f
z
=
g
m1
2C
1
(5.9)
Diagramele Bode corespunzatoare sunt date n Figura 5.10.

|A(s)|
f
A(s)
f
p
f
rhz
f

0d
90d
180d
-40
-20
0
dioda
Doris Csipkes 103
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Se observa deplasarea polului spre frecvent e mai nalte fat a de amplicatorul
cu sarcina rezistiva. Zeroul a ramas la aceeasi frecvent a, iar castigul de joasa
frecvent a este apropiat de 0dB.
5.3 Amplicatorul inversor cu sarcina sursa
de curent
Topologia circuitului nu se schimba fat a de circuitele discutate pana acum,
dar sarcina este nlocuita cu o sursa de curent simpla cu un singur tranzistor.
Schema circuitului este data n Figura 5.11.a.
M2
M1

V
DD
v
out
v
in
a) b)
PSF
V
out
V
DD
V
G2
M
1
M
2
I
I
Figura 5.11: Amplicatorul inversor cu sarcina sursa de curent
Punctul static de funct ionare se gaseste la intersect ia caracteristicilor de iesire
ale celor doua tranzistoare (Figura 5.11.b). Tensiunile de polarizare din grilele
celor doua tranzistoare trebuie alese astfel ncat intersect ia caracteristicilor sa
e n zonele de saturat ie ale tranzistoarelor. Astfel, ambele tranzistoare vor
saturate si se vor comporta ca si surse de curent.
104 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Domeniul de variat ie a tensiunii de iesire se determina din condit iile de satu-
rat ie ale celor doua tranzistoare. Condit iile de saturat ie, scrise pentru cazurile
n care semnalul la iesire si atinge valoarea maxima (v
max
) respectiv minima
(v
max
), conduc la urmatoarea inegalitate:
V
od1
+v
max
V
out
V
DD
V
od2
v
max
(5.10)
Inegalitatea de mai sus este utilizata si pentru a determina valoarea componentei
continue a tensiunii de iesire. Alegerea se face astfel ncat circuitul sa poata
conectat n cascada n timp ce variat ia semnalului este maxim posibila (trebuie
evitata limitarea).

In practica apar frecvent amplicatoare n cascada unde
polarizarea tranzistorului de intrare ntr-un etaj este asigurata de iesirea etajului
precedent.
Modelul de semnal mic si joasa frecvent a al amplicatorului inversor cu sarcina
sursa de curent este data n Figura 5.12.

rDS2
vout
vin
gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2
Figura 5.12: Modelul de semnal mic si joasa frecvent a al amplicatorului
cu sarcina sursa de curent
Observat ie: grila si sursa tranzistorului M
2
sunt conectate la un potent ial
constant, independent de semnal. Prin pasivizare aceste noduri sunt conec-
tate la masa. Drept urmare, V
GS2
= 0 si sursa comandata g
m2
V
GS2
dispare
din schema de semnal mic.
Doris Csipkes 105
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Teorema lui Kirchho pentru curent i si legea lui Ohm conduc la urmatoarea
expresie a castigului de joasa frecvent a:
A
0
=
g
m1
g
DS1
+g
DS2
= g
m1
(r
DS1
|| r
DS2
) = g
m1
R
out
(5.11)
Rezistent a de iesire a circuitului se obt ine ca o conexiune paralela ntre
rezistent ele drena-sursa ale celor doua tranzistoare.
Intuitiv, se poate spune ca amplicatorul cu sarcina sursa de curent va avea
un comportament similar n frecvent a ca si amplicatoarele discutate anterior.
Acest lucru se datoreaza topologiei identice. Schema circuitului cu capacitat i
parazite este prezentata n Figura 5.13.
M2
M1

V
DD
v
out
v
in
V
G2
C
2
C
1
p rhz
Figura 5.13: Capacitat ile parazite n amplicatorul cu sarcina sursa de
curent
Modelul de semnal mic si nalta frecvent a este dat n Figura 5.14.
106 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
C
2
v
out
v
in
G v
m in
R
out

C
1
Figura 5.14: Capacitat ile parazite n amplicatorul cu sarcina sursa de
curent
Funct ia de transfer n s a circuitului este:
A(s) =
v
out
v
in
=
g
m1
(r
DS1
|| r
DS2
)
_
1
sC
1
g
m1
_
1 +s (r
DS1
|| r
DS2
) C
L
= A
0
1
s
z
1 +
s
p
(5.12)
Castigul de joasa frecvent a, frecvent a polului si frecvent a zeroului se scriu:
A
0

= g
m1
(r
DS1
|| r
DS2
) ; f
p
=
1
2R
out
C
L
; f
z
=
g
m1
2C
1
(5.13)
Datorita rezistent ei de iesire marite frecvent a polului se deplaseaza la frecvent e
mai joase, n timp ce castigul de joasa frecvent a al circuitului creste. Aceste
modicari sunt ilustraten diagramele Bode din Figura 5.15. Parametrii funct iei
de transfer sunt comparabile cu cele ale amplicatorului cu sarcina rezistiva.
5.4 Amplicatorul inversor cascoda
Amplicatoarele discutate n paragrafele anterioare se pot utiliza numai pentru
un castig relativ redus (tipic n jur de 20-30dB), chiar unitar. Adit ional, s-a
ignorat efectul rezistent ei nenule al sursei de semnal de la intrare. Aceasta
rezistent a poate deteriora semnicativ comportamentul n frecvent a al circui-
tului daca se combina cu capacitatea reectata la intrare prin efect Miller (de
ordinul sutelor de fF sau chiar pF daca A
0
> 20dB). Rezultatul efectului Miller
este n aceste cazuri un pol suplimentar la frecvent e joase sau medii.
Doris Csipkes 107
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

|A(s)|
f
A(s) f
p
f
rhz
f
0d
90d
180d
-40
-20
0
20
sursa de curent
Observat ie: desi de cele mai multe ori efectul Miller nu este dorit, el poate
avea si efecte benece. Aceste efecte se folosesc lambunatat irea stabilitat ii
amplicatoarelor cu etaje multiple (discut ie mai detaliata la structuri de
AO).
Utilizarea structurilor cascoda mareste rezistent a de iesire a amplicatorului.
Adit ional, tranzistorul M
1
va vedea n drena sa o rezistent a de valoare apro-
ximativ egala cu 1/g
m2
si astfel castigul lui va scadea fat a de amplicatorul
cu sarcina sursa de curent. Drept urmare, capacitatea reectata la intrare prin
efect Miller va mai redusa. Acest lucru nseamna ca structura cascoda
permite reducerea consecint elor efectului Miller pe tranzistorul de intrare.
Structura amplicatorului cascoda este data n Figura 5.16.a.
108 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Punctul static de funct ionare al amplicatorului cascoda cu sarcina sursa de
curent se obt ine prin intersectarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului
M
3
si a sursei de curent cascoda M
1
-M
2
ca n Figura 5.16.b.
M1
M3
M2

V
DD
v
in
v
out
V
G3
V
G2

a) b)
PSF
V
out
V
DD
M+ M
1 2
M+ M
1 2
liniar
M
3
M
2
liniar
I
Figura 5.16: Amplicatorul cascoda
Cele doua coturi ale caracteristicii de iesire a sursei cascoda corespund tensiu-
nilor la care tranzistorul M
2
si apoi M
1
intra n regim liniar. Aceste aspecte au
fost discutate detaliat n paragraful cu surse de curent.
Valorile extreme ale tensiunii instantanee la iesire trebuie sa permita ment ine-
rea tuturor tranzistoarelor n regim saturat, chiar daca semnalul si atinge
valorile maxime pozitive si negative.
Limita superioara a domeniului admis pentru tensiunea de iesire este determi-
nata de tensiunea sursa-drena minima a tranzistorului M
3
.
V
outMAX
= V
DD
V
od3
v
max
(5.14)
Limita inferioara a domeniului de variat ie se obt ine similar, impunand condit ia
de saturat ie pentru tranzistoarele M
1
si M
2
.
Doris Csipkes 109
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
outMIN
= V
od1
+V
od2
+v
max
(5.15)
Schema de semnal mic se obt ine prinnlocuirea ecarui tranzistor cu modelul sau
de semnal mic. Tensiunile V
G2
si V
G3
nu depind de semnal si devin conexiuni
la masa dupa pasivizarea schemei. Figura 5.17 arata schema de semnal mic
rezultata dupa pasivizare.

r
DS2
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS3
Figura 5.17: Schema de semnal mic a amplicatorului cascoda cu sarcina
sursa de curent
Observat ie: la circuitele care cont in surse de curent mai complicate (de ex.
cascoda) este util sa se construiasca schema echivalenta de semnal mic prin
nlocuirea tranzistoarelor. Astfel, pot puse n evident a aspectele legate
de etajele intermediare de amplicare.

In cazul amplicatorului cascoda
tranzistorul M
2
reprezinta un etaj tampon de curent (grila comuna).
Castigul de joasa frecvent a rezulta din teorema lui Kirchho pentru curent i
si legea lui Ohm.
110 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
A
0
=
g
m1
(g
DS2
+g
m2
+g
mb2
)
g
DS1
(g
DS2
+g
DS3
) +g
DS3
(g
DS2
+g
m2
+g
mb2
)
(5.16)
Daca se considera transconductant a de semnal mic mult mai mare decat con-
ductant a drena-sursa si transconductant a sursa-substrat, A
0
se aproximeaza:
A
0

= g
m1
r
DS3
= g
m1
R
out
(5.17)
Se observa ca rezistent a de iesire a amplicatorului este aproximativ egala cu
r
DS3
.
Figura 5.18 prezinta schema amplicatorului cascoda cu capacitat ile parazite
explicitate.
M3
M1
M2

v
in
V
DD
v
out
C
1 p
2
C
3
rhz
p
1
v
G2
v
G3
C
2
Figura 5.18: Capacitat ile parazite n amplicatorul cascoda cu sarcina
sursa de curent
Doris Csipkes 111
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Diferent a majora dintre caracteristicile de frecvent a ale amplicatoarelor stu-
diate pana acum si ale amplicatorului cascoda este aparit ia unui pol supli-
mentar (p
2
) datorat etajului n grila comuna. Frecvent a acestui pol este
determinata de capacitatea si de rezistent a echivalenta a nodului din drena
tranzistorului M
1
.
Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a este data n Figura 5.19.

r
DS2
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS3
C
3
C
1
C
2
Figura 5.19: Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecvent a ampli-
catorul cascoda
Funct ia de transfer a circuitului rezulta:
A(s) =
A
0
_
1
sC
1
g
m1
_
s
2
a +sb + 1
(5.18)
Coecient ii lui s se identica dupa cum urmeaza:
_
_
a =
C
3
(C
1
+C
2
)
g
DS1
(g
DS2
+g
DS3
) +g
DS3
(g
DS2
+g
m2
)
b =
C
3
(g
DS1
+g
DS2
+g
m2
) + (C
1
+C
2
) (g
DS2
+g
DS3
)
g
DS1
(g
DS2
+g
DS3
) +g
DS3
(g
DS2
+g
m2
)
(5.19)
112 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Examinand ecuat ia (5.18) se observa ca funct ia de transfer a circuitului are
doi poli si un zero pozitiv. Castigul de joasa frecvent a, frecvent a polilor si
frecvent a zeroului se pot aproxima ca n urmatoarele ecuat ii:
_
_
A
0

= g
m1
r
DS3
f
p1
=
1
2b
=
1
2R
out
C
3
f
p2
=
b
2a
=
g
m2
2 (C
1
+C
2
)
f
z
=
g
m1
2C
1
(5.20)
Diagramele Bode corespunzatoare circuitului sunt date n Figura 5.20.

|A(s)|
f
A(s)
f

0d
90d
-90d
-80
-40
0
40
f
p1
f
rhz
f
p2
Figura 5.20: Diagramele Bode corespunzatoare amplicatorului cascoda
Se observa ca frecvent a polului dominant a ramas aproximativ neschimbata fat a
de amplicatorul simplu cu sarcina sursa de curent, n timp ce castigul de joasa
Doris Csipkes 113
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
frecvent a a crescut usor. Frecvent a polului al doilea, introdus de etajul n grila
comuna este de ordinul GHz-lor.
Un dezavantaj al circuitului este acela ca structura de cascoda nu este simetrica.
Din acest motiv, beneciul adus de cascoda rezistent ei de iesire se pierde. O
solut ie la aceasta problema este utilizarea unei structuri de cascoda p-n
simetrice raportat la nodul de iesire.
5.5 Amplicatorul inversor cascoda simetrica
Amplicatorul cascoda simetrica pastreaza avantajul introdus de cascoda simpla
n ceea ce priveste reducerea consecint elor efectului Miller pe tranzistorul de
intrare. Adit ional, rezistent a de iesire este marita considerabil prin simetrizarea
structurii. Schema circuitului este data n Figura 5.21.
M2
M3
M4
M1

V
DD
v
in
v
out
V
G3
V
G2
V
G4
a) b)
PSF
V
out
V
DD
M + M
1 2
M + M
3 4
M + M
1 2
liniar
M + M
3 4
liniar
M
2
liniar
M
3
liniar
I
Figura 5.21: Amplicatorul inversor cu cascoda simetrica
114 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Punctul static de funct ionare se gaseste la intersect ia caracteristicilor de
iesire ale celor doua surse de curent cascoda (M
1
-M
2
si M
3
-M
4
). Este de
remarcat faptul ca ambele caracteristici prezinta franturile specice introduse
de intrarea n regim liniar a tranzistoarelor cascoda si apoi ale tranzistoarelor
conectate la V
DD
respectiv V
SS
.

In punctul static de funct ionare curentul este
acelasi prin toate cele patru tranzistoare.
Valoarea instantanee a tensiunii de iesire trebuie sa permita ment inerea n
saturat ie a tuturor tranzistoarelor. Limitele domeniului admis de variat ie se
scriu similar ca la amplicatorul cascoda simplu:
_
_
_
V
outMAX
= V
DD
V
od3
V
od4
v
max
V
outMIN
= V
od1
+V
od2
+v
max
(5.21)

r
DS2
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS4
r
DS3
g v
m3 GS3
Figura 5.22: Schema de semnal mic a amplicatorul inversor cu cascoda
simetrica
Modelul de semnal mic si joasa frecvent a a amplicatorului cu cascoda simetrica
Doris Csipkes 115
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
(Figura 5.22) se construieste nlocuind tranzistoarele cu schemele echivalente.
Suplimentar, potent ialele din grilele tuturor tranzistoarelor n afara de M
1
sunt
constante si devin conexiuni la masa dupa pasivizare.
Teoremele lui Kirchho si legea lui Ohm scrise pentru circuit duc la urmatoarea
expresie a castigului de joasa frecvent a:
A
0

= g
m1
(g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
) = g
m1
R
out
(5.22)
Ordinul de marime a rezistent ei de iesire este cel al M-lor, considerabil mai
mare decat n cazul amplicatorului cascoda simplu.
M2
M4
M3
M1

v
in
V
DD
v
out
C
1
p
2
C
3
rhz
p
1
v
G2
v
G4
C
2
v
G3
R
ech3-4
Figura 5.23: Capacitat ile specice amplicatorului cu cascoda simetrica
116 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Comportamentul n frecvent a al circuitului se determina considerand capa-
citat ile parazite si rezistent ele echivalente ale tuturor nodurilor din circuit.
Figura 5.23 prezinta schema amplicatorului cu capacitat ile nodurilor explici-
tate.

r
DS2
v
out
v
in gm1vGS1
rDS1
g v
m2 GS2
R
ech3-4
v
C
3
C
1
C
2
Figura 5.24: Schema de semnal mic si nalta frecvent a a amplicatorului
cu cascoda simetrica
Funct ia de transfer a circuitului are aceeasi forma ca si n cazul variantei cu
cascoda simpla, cont inand un zero pozitiv si doi poli.
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
_
_
1 +
s
p1
__
1 +
s
p2
_ (5.23)
Frecvent ele polilor si a zeroului se scriu:
Doris Csipkes 117
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
A
0

= g
m1
(g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
f
p1

=
1
2C
3
(g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
=
1
2R
out
C
3
f
p2

=
g
m2
2 (C
1
+C
2
)
f
z

=
g
m1
2C
1
(5.24)
Diagramele Bode corespunzatoare sunt date n Figura 5.25.

|A(s)|
f
A(s)
f
0d
90d
-90d
180d
-80
-40
0
40
f
p1
f
rhz
f
p2
Figura 5.25: Raspunsul n frecvent a al amplicatorului cu cascoda sime-
trica
Din gura se observa ca polii si zeroul pozitiv duc la un comportament n
frecvent a similar cu cel al amplicatorului cascoda simpla. Diferent a principala
constan cresterea castigului datorita rezistent ei marite de iesire si deplasarea
polului dominant la frecvent e mai joase.
118 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
5.6 Amplicatorul inversor cascoda pliata
Dezavantajul amplicatorului cu structuri p si n simetrice este ca n tehnologi-
ile cu tensiuni de alimentare joase tranzistoarele sunt dicil de polarizat n
saturat ie (insucient V
DS
). Solut ia este plierea structurii cascoda pentru a
reduce numarul de tranzistoare dintre cele doua conexiuni de alimentare. Cas-
codarea este facuta cu un tranzistor PMOS care serveste ca si cascoda atat
pentru tranzistorul de intrare cat si pentru cel de sarcina.
Schema amplicatorului inversor cascoda pliata este data n Figura 5.26.
M1
M3
M4
M2

V
DD
v
in
v
out
V
G2
V
G3
v
G4
Figura 5.26: Amplicatorul inversor cascoda pliata
Punctul static de funct ionare este mai dicil de reprezentat n mod grac deoa-
rece curentul furnizat de tranzistorul M
4
se divide ntre doua ramuri de cir-
cuit. La dimensionarea tranzistoarelor trebuie t inut cont de valoare curentului
prin ecare dispozitiv n parte.
Limitele domeniului de variat ie a tensiunii de iesire se determina dupa acelasi
Doris Csipkes 119
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
rat ionament ca n paragrafele precedente. Pentru o funct ionare corecta toate
tranzistoarele trebuie ment inute n regim saturat, chiar si n prezent a sem-
nalului. Rezulta:
_
_
_
V
outMAX
= V
DD
V
od2
V
od4
v
max
V
outMIN
= V
od3
+v
max
(5.25)
Similar, tensiunea n nodul de pliere este si ea limitata. Din condit iile de
saturat ie ale tranzistoarelor se obt ine:
_
_
_
V
nodpliereMAX
= V
DD
V
od4
v
max
V
nodpliereMIN
= V
od2
+V
od3
+v
max
(5.26)
Observat ie:

In cazul n care alimentarea este simetrica ntre V
DD
si V
SS
,
limitele inferioare ale domeniilor de variat ie corespunzatoare celor doua ten-
siuni se raporteaza la V
SS
.
Schema echivalenta de semnal mic si joasa frecvent a a amplicatorului inversor
cascoda pliata este data n Figura 5.27.
Observat ie: Sursele de curent comandaten tensiune corespunzatoare tran-
zistoarelor M
3
si M
4
se pot elimina din model deoarece atat grilele cat si
sursele sunt conectate la potent iale constante. Astfel n schema de semnal
mic tensiunile grila-sursa sunt egale cu zero dupa pasivizare.
Castigul de joasa frecvent a si rezistent a de iesire rezulta:
_
_
_
A
0
= g
m1
R
out
R
out

= r
DS3
|| [g
m2
r
DS2
(r
DS1
|| r
DS4
)]
(5.27)
120 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Rezistent a de iesire se poate aproxima cu r
DS3
, similar ca si n cazul amplica-
torului cu cascoda simpla.

r
DS4
v
out
v
in g v
m1 GS1 r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS2
r
DS3
Figura 5.27: Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecvent a al am-
plicatorului inversor cascoda pliata
Comportamentul n frecvent a al amplicatorului cascoda pliata este similar cu
cel al amplicatorului cascoda asimetrica. Schema circuitului cu capacitat ile
parazite explicitate este data n Figura 5.28.
Schema de semnal mic si nalta frecvent a corespunzatoare este data n Figura
5.29.
Funct ia de transfer a circuitului cont ine doi poli si un zero pozitiv, scriindu-se
sub forma:
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
_
_
1 +
s
p1
__
1 +
s
p2
_ (5.28)
Doris Csipkes 121
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M1
M4
M2
M3

v
in
V
DD
v
out
C
1
p
2
C
3
rhz
p
1
v
G2
v
G4
C
2
v
G3
Figura 5.28: Capacitat ile parazite din structura amplicatorului cascoda
pliata

r
DS4
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS2
r
DS3
C
3
C
1
C
2
Figura 5.29: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a al am-
plicatorului inversor cascoda pliata
122 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Frecvent ele polilor si a zeroului se calculeaza din schema de semnal mic si nalta
frecvent a. Dupa efectuarea calculelor rezulta:
_
_
R
out

= r
DS3
|| [g
m2
r
DS2
(r
DS1
|| r
DS4
)]
f
p1

=
1
2R
out
C
3
f
p2

=
g
m2
2 (C
1
+C
2
)
f
z

=
g
m1
2C
1
(5.29)
Ordinele de marime ale frecvent elor sunt foarte similare cu cele obt inute pentru
amplicatorul cascoda simplu. Asemanarea se observa si pe diagramele Bode
din Figura 5.30.

f
f
|A(s)|
A(s)
f
p1
f
rhz
0d
90d
-90d
-80
-40
0
f
p2
Figura 5.30: Caracteristicile de frecvent a simulate ale amplicatorului
cascoda pliata
Doris Csipkes 123
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
5.7 Sumar
In acest capitol s-au prezentat principalele congurat ii de amplicatoare simple.

Aceste circuite stau la baza oricarei structuri mai complicate ale unui ampli-
cator, e acesta un amplicator diferent ial sau un amplicator operat ional
complet.
Caracteristicile specice ecarui etaj de amplicare, discutate n acest paragraf,
sunt punctul static de funct ionare, domeniul de variat ie a tensiunii de iesire,
modelul de semnal mic si comportamentul n frecvent a. Aceste caracteristici
determina performant ele unui amplicator n cazul n care semnalul este su-
cient de mic pentru a se putea considera o funct ionare liniara.
Bibliograe:
Press, 1987
1999.
5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National
124 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 6
Amplicatoare diferent iale
6.1 Introducere
Amplicatoarele diferent iale sunt circuite care, spre deosebire de amplicatoa-
rele simple, au un semnal de intrare diferent ial. Acest semnal se exprima ca
o diferent a de potent ial dintre doua noduri otante (ecare nod este la randul
lui raportat la masa). Adesea semnalul diferent ial util este suprapus peste un
semnal de mod comun. Modul de aplicare a semnalului de intrare unui etaj
diferent ial este ilustrat n Figura 6.1.
2
v
in
+
in
v
ip
v
ip
v
im
v
im
v
MC
V
2
v
in
-
MC
V
Figura 6.1: Semnalul de intrare diferent ial si tensiunea de mod comun
A doua reprezentare permite utilizarea semicircuitelor n analiza amplicatoare-
lor diferent iale. Aceasta abordare este foarte des utilizata la calculele efectuate
pe baza modelului de semnal mic.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT IALE
Expresia semnalului de intrare este:
V
in
= v
ip
v
im
+V
MCin
= v
in
+V
MCin
(6.1)
Observat ie: tensiunea de mod comun afecteaza n mod identic ambele
intrari. Ea serveste la polarizarea corecta a tranzistoarelor de intrare.
In paragrafele urmatoare sunt prezentate cateva amplicatoare diferent iale folo-

site n proiectarea circuitelor analogice mai complicate (de ex. la amplicatoare
operat ionale). Pentru ecare structura se vor discuta domeniile de variat ie ale
tensiunilor de intrare si iesire, modelul de semnal mic si comportamentul n
frecvent a.
6.2 Amplicatorul diferent ial cu sarcina rezistiva
Cea mai simpla varianta de amplicator diferent ial este cea cu sarcina rezistiva.
M1
M3
M2

V
DD
V
biasn
VX
R
D
R
D
V
SS
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
+
2
v
out
-
Figura 6.2: Amplicatorul diferent ial cu sarcina rezistiva
126 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Domeniul de variat ie a tensiunii de intrare
Tensiunea instantanee la intrarile amplicatorului diferent ial trebuie sa permita
polarizarea corecta (n regim saturat) a tranzistoarelor de intrare M
1
-M
2
si a
sursei de curent M
3
.
Aparent s-ar putea arma ca cel mai defavorabil caz pentru tranzistoarele de
intrare si M
3
este atunci cand semnalul la una dintre intrari si atinge valoarea
maxima negativa fat a de tensiunea de mod comun.

In acest caz s-ar putea
scrie urmatoarea ecuat ie:
V
MCinMIN

v
in
2
= V
od1,2
+V
Th1,2
+V
xMIN
(6.2)
Tensiunile V
od1
si V
od2
sunt stabilite prin polarizare si se considera constante.
Ecuat ia (6.2) exprima cazul cel mai defavorabil numai daca varful de semnal
negativ cauzeaza scaderea tensiunii V
x
si intrarea n regim liniar a tranzistorului
M
3
. Aici se pot pune doua ntrebari:
- ce efect are cealalta ramura asupra tensiunii V
x
?
- cum afecteaza semnalul de intrare tensiunea V
x
daca se considera
si efectul celeilalte ramuri?
La primantrebare se poate raspunde considerand perechea ecuat iei (6.2), scrisa
pentru cealalta ramura a etajului diferent ial:
V
MCinMIN
+
v
in
2
= V
od1,2
+V
Th1,2
+V
xMIN
(6.3)
Din comparat ia celor doua ecuat ii se observa ca cealalta ramura, unde sem-
nalul si atinge valoarea maxima pozitiva, compenseaza scaderea tensiunii
V
x
. Rezulta raspunsul la a doua ntrebare: tensiunea V
x
este independenta de
semnal.
Observat ie: Deorece tensiunea V
x
nu depinde de semnal, nodul X, comun
celor doua tranzistoare M
1
si M
2
, este un nod de masa virtuala.
Doris Csipkes 127
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Daca V
x
este constanta, punctele statice de funct ionare ale tranzistoarelor nu
depind de semnalul de intrare, ci numai de tensiunea de mod comun V
MCin
(adica de polarizare). Astfel alegerea domeniului de variat ie a tensiunii de intrare
se reduce la determinarea intervalului de valori admise pentru tensiunea de mod
comun V
MCin
pentru care toate tranzistoarele sunt saturate.
Tensiunea de mod comun minima este:
V
MCinMIN
= V
od1,2
+V
Th1,2
+V
od3
(6.4)
Tensiunea maxima admisa la iesire se calculeaza t inand seama de caderea
de tensiune pe rezistent a de sarcina si de variat ia maxima a semnalului.
V
outMAX
= V
DD
V
R
v
max
(6.5)
Rezistent a de sarcina nu impune o cadere de tensiune minima. Totusi, trebuie
t inut cont de faptul ca tensiunea la iesire polarizeaza intrarea urmatorului
etaj ntr-o cascada de amplicatoare. V
R
se alege astfel ncat tranzistoarele de
intrare ale etajului urmator sa poata corect polarizat n regim saturat.
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure polarizarea tranzistoarelor de
intrare M
1
si M
2
n regim saturat. Rezulta:
V
outMIN
= V
x
+V
od1,2
+v
max
(6.6)
Observat ie: Exista un echilibru strict ntre tensiunea de mod comun la
intrare V
MCin
si tensiunea de mod comun la iesire V
MCout
. Legatura dintre
cele doua tensiuni este potent ialul mesei virtuale V
x
.
Modelul de semnal mic si joasa frecvent a al amplicatorului diferent ial cu sarcina
rezistiva este dat n Figura 6.3.
128 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
R
D
r
DS1
R
D
r
DS2
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.3: Modelul de semnal mic si joasa frecvent a al amplicatorului
diferent ial cu sarcina rezistiva
Observat ie: Tranzistorul M
3
lipseste complet din modelul de semnal mic
deoarece prin pasivizare drena si sursa sunt ambele conectate la masa (scurt
circuit ntre V
SS
si masa virtuala).
Castigul de joasa frecvent a si rezistent a de iesire se obt in rezolvand urmatorul
sistem de ecuat ii:
_
_
g
m1
v
GS1
1
r
DS1
v
out
2

1
R
D
v
out
2
= 0
g
m2
v
GS2
+
1
r
DS2
v
out
2
+
1
R
D
v
out
2
= 0
(6.7)
Adit ional, se t ine cont de modul de aplicare a semnalului de intrare diferent ial
si de urmatoarele egalitat i:
v
GS1
=
v
in
2
; v
GS2
=
v
in
2
(6.8)
Castigul de joasa frecvent a rezulta dupa efectuarea calculelor:
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m1
+g
m2
1
r
DS1
+
1
r
DS2
+
2
R
D
(6.9)
Daca se considera tranzistoarele de intrare si rezistent ele de sarcina identice si
perfect mperecheate, atunci g
m1
= g
m2
si r
DS1
= r
DS2
, iar A
0
devine:
Doris Csipkes 129
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
A
0
=
g
m1
1
r
DS1
+
1
R
D
= g
m1
(r
DS1
|| R
D
) = g
m1
R
out
(6.10)
Stiind ca rezistent ele de sarcina R
D
au valoarea maxima limitata din conside-
rente de zgomot, aria ocupata pe silicu si polarizare, ele vor n majoritatea
cazurilor cu cel put in un ordin de marime mai mici decat rezistent a r
DS
a unui
tranzistor MOS. Astfel castigul de joasa frecvent a se aproximeaza:
A
0

= g
m1
R
D
(6.11)
Observat ie: Din expresia castigului de joasa frecvent a se observa ca
transconductant a etajului diferent ial este jumatate din transconductant a
unui tranzistor de intrare g
m1
, iar rezistent a de sarcina diferent iala este de
doua ori rezistent a R
D
.
M1
M3
M2

2
v
out
+

V
DD
V
biasn
R
D
R
D
V
SS
p
rhz
p
rhz
C
1 C
3
C
2
M1 M2
C
4
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
Figura 6.4: Amplicatorul diferent ial cu sarcina rezistiva si capacitat ile
parazite
130 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Schema amplicatorului diferent ial cu sarcina rezistiva, avand capacitat ile pa-
razite utilizate la determinarea comportamentului n frecvent a explicitate este
datan Figura 6.4. Din gura se observa ca funct ia de transfer a amplicatorului
va avea un singur pol si un zero pozitiv, datorat efectului Miller pe tranzistoa-
rele de intrare. Suplimentar, daca rezistent a de iesire a sursei de semnal este
diferita de zero, atunci funct ia de transfer se va extinde cu un pol determinat
de capacitat ile C
GD
reectate la intrare prin efect Miller.

g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
R
D
r
DS1 R
D
r
DS2
C
3
C
4
C
1
C
2
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.5: Schema de semnal mic si nalta frecvent a
Teoremele lui Kirchho si legea lui Ohm duc la urmatoarea expresie a funct iei
de transfer n s:
A(s) =
g
m1
+g
m2
1
r
DS1
+
1
r
DS2
+
2
R
D
_
1
s (C
1
+C
2
)
g
m1
+g
m2
_
1 +s
C
1
+C
2
+C
3
+C
4
1
r
DS1
+
1
r
DS2
+
2
R
D
(6.12)
Identicand castigul de joasa frecvent a din ecuat ia (6.9) si considerand din nou
tranzistoarele si rezistent ele de sarcina identice, rezulta:
A(s) =
A
0
_
1
sC
1
g
m1
_
1 +s
C
1
+C
3
1
r
DS1
+
1
R
D
=
A
0
_
1
sC
1
g
m1
_
1 +s (C
1
+C
3
) (r
DS1
|| R
D
)
(6.13)
Doris Csipkes 131
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Funct ia de transfer de mai sus se poate scrie sub forma generala dupa cum
urmeaza:
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
_
1 +
s
p
(6.14)
Identicand coecient ii termenilor n s din ecuat iile (6.13) si (6.14) se obt in
frecvent ele polului si a zeroului.
_
_
f
p
=
1
2R
out
(C
1
+C
3
)
f
rhz
=
g
m1
2C
1
(6.15)
Caracteristicile de amplitudine si faza ale amplicatorului sunt date n Figura
6.6.

f
f
f
rhz
|A(s)|
f
p

A(s)

-135d
-90d
-45d
0d
0
10
20
Figura 6.6: Caracteristica de amplitudine si faza a amplicatorului
132 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
6.3 Amplicatorul diferent ial MOS cu sarcina
oglinda de curent
In Figura 6.7 este prezentata schema amplicatorului diferent ial cu sarcina

oglinda de curent. Tranzistoarele de intrare M
1
-M
2
sunt cu canal n, iar cele
de sarcina M
3
-M
4
cu canal p. Iesirea este asimetrica si se culege din drena
tranzistorului M
2
.
M5
M4 M3
M2 M1

V
DD
v
out
V
biasn
V
SS
2
v
in
+
2
v
in
-
Figura 6.7: Schema amplicatorului diferent ial cu sarcina oglinda de cu-
rent
Tensiunea maxima admisa la iesirea circuitului se calculeaza astfel ncat
tranzistorul de sarcina M
4
sa e saturat si n plus se t ine cont de variat ia
maxima a semnalului de iesire. Prin urmare, V
outMAX
va avea expresia:
V
outMAX
= V
DD
V
od4
v
max
(6.16)
Tensiunea minima admisa la iesire trebuie sa asigure funct ionarea n regim
saturat a tranzistoarelor de intrare M
1
-M
2
si a lui M
5
care implementeaza sursa
de curent.
Doris Csipkes 133
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
v
outMIN
= V
od1,2
+v
od5
+v
max
(6.17)
Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecvent a este prezentat n Figura
6.8 si include doar rezistent ele echivalente nu si capacitat i.

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3
r
DS1
r
DS2
2
v
in
+
2
v
in
-
g
m3
1
v
out
r
DS4
Figura 6.8: Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecvent a a circui-
tului
Determinarea castigului de semnal mic si joasa frecvent a necesita scrierea teo-
remei lui Kirchho pentru curent i n nodul intermediar din drena tranzistorului
M
1
si n nodul de iesire.
_
_
_
g
m1
v
GS1
+g
DS1
v +g
DS3
v +g
m3
v = 0
g
m2
v
GS2
+g
DS2
v
out
+g
m4
v
GS4
+g
DS4
v
out
= 0
(6.18)
Din inspect ia circuitului din Figura 6.7 rezulta urmatoarele identitat i:
v
GS1
=
v
in
2
; v
GS2
=
v
in
2
; v
GS4
= v (6.19)
134 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Inlocuind tensiunile grila-sursa din sistemul (6.18) cu aceste expresii si apoi

eliminand tensiunea v din cele doua ecuat ii, se obt ine castigul circuitului:
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m2
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) +g
m1
g
m4
2 (g
DS2
+g
DS4
)
(6.20)
Tinand cont de faptul ca tranzistoarele de intrare sunt identice, la fel si cele de
sarcina, se pot scrie egalitat ile:
g
m1
= g
m2
, g
m3
= g
m4
(6.21)
Astfel, castigul amplicatorului devine:
A
0
=
g
m1
(g
DS1
+g
DS3
+ 2g
m3
)
2 (g
DS2
+g
DS4
) (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
)
(6.22)
Stiind ca transconductant a unui tranzistor MOS este mult mai mare decat
conductant a sa drena-sursa, castigul de joasa frecvent a se poate scrie sub o
forma simplicata, dupa cum urmeaza:
A
0
=
g
m1
g
DS2
+g
DS4
= g
m1
(r
DS2
|| r
DS4
) (6.23)
transconductant a etajului diferent ial este de fapt cat transconductant a unui
tranzistor de intrare, iar rezistent a de sarcina este egala cu rezistent ele
drena-sursa a tranzistoarelor cu canal n si p conectate n paralel.
In Figura 6.9 este data schema amplicatorului diferent ial cu sarcina oglinda de
curent avand desenate capacitat ile parazite ale tranzistoarelor.
Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvent a este dat n
Figura 6.10.
Doris Csipkes 135
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M5
M4 M3
M2 M1

V
DD
V
biasn
C
1
C
3
C
4
V
SS
p
2
rhz
C
2
lhz v
out
p
1
rhz

2
v
in
+
2
v
in
-
Figura 6.9: Schema amplicatorului cu capacitat ile sale parazite

2
v
in
-

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3
r
DS4
r
DS1
r
DS2
C
3
C
1
C
2
C
4
2
v
in
+
v
out
g
m3
1
Figura 6.10: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a
136 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Comportamentul n frecvent a al circuitului se determina scriind teorema lui
Kirchho pentru curent i n nodul intermediar din drena tranzistorului M
1
si
n nodul de iesire. Dupa efectuarea calculelor si t inand seama de expresiile
tensiunilor grila-sursa date n (6.19) se obt ine funct ia de transfer a circuitului:
A(s) =
g
m2
_
1 s
C
2
g
m2
_
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
+sC
1
+sC
3
)
2 (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
) (as
2
+bs + 1)
+
+
g
m1
_
1 s
C
1
g
m1
_
g
m4
2 (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
) (as
2
+bs + 1)
(6.24)
unde coecient ii a si b au expresiile de mai jos:
_
_
a =
(C
1
+C
3
) (C
2
+C
4
)
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
)
b =
(C
2
+C
4
) (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) + (C
1
+C
3
) (g
DS2
+g
DS4
)
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
)
(6.25)
Deoarece structura circuitului este simetrica sunt valabile urmatoarele egalitat i:
g
m1
= g
m2
, g
m3
= g
m4
, C
1
= C
2
(6.26)
Folosind aceste egalitat i si identicand termenii care constituie castigul de joasa
frecvent a, funct ia de transfer din (6.24) se poate rescrie dupa cum urmeaza:
A(s) =
A
0
_
1 s
C
1
g
m1
__
1 +s
C
1
+C
3
g
DS1
+g
DS3
+ 2g
m3
_
as
2
+bs + 1
(6.27)
Din analiza lui A(s) se observa ca aceasta are doi poli si doua zerouri. Expresia
generala a unei funct ii de transfer cu doi poli si doua zerouri este datan (6.28).
Doris Csipkes 137
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
__
1 +
s
lhz
_
_
1 +
s
p1
__
1 +
s
p2
_ (6.28)
Polii funct iei de transfer rezulta prin identicarea coecient ilor n s a polinoa-
melor de la numitorul expresiilor date n (6.27) si (6.28). Astfel vom avea:
f
p1
=
1
2b
, f
p2
=
b
2a
(6.29)
In relat iile lui a si b date n (6.25) se considera conductant a drena-sursa a tran-

zistoarelor mult mai mare decat transconductant a lor. Astfel rezulta expresiile
simplicate ale polilor:
_
_
f
p1

=
g
DS2
+g
DS4
2 (C
2
+C
4
)
=
1
2 (C
2
+C
4
) R
out
f
p2

=
g
m3
2 (C
1
+C
3
)
(6.30)
Se observa ca polul dominat este introdus de nodul de iesire, iar polul de nalta
frecvent a de nodul intermediar din drena tranzistorului M
1
.
Expresiile zerourilor se obt in prin identicarea coecient ilor termenilor n s de
la numaratorul expresiilor (6.27) si (6.28). Este usor de remarcat faptul ca
zeroul pozitiv este introdus de calea directa de semnal de la intrare la iesire prin
capacitat ile C
1
si C
2
. Zeroul negativ provine de la oglinda de curent M
3
-M
4
.
_
_
f
rhz
=
g
m1
2C
1
f
lhz
=
g
DS1
+g
DS3
+ 2g
m3
2 (C
1
+C
3
)
=
2g
m3
2 (C
1
+C
3
)
(6.31)
In Figura 6.11 este prezentata caracteristica de amplitudine si faza a amplica-

torului diferent ial discutat.
138 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
f
p1
|A(s)|
f
f
f
lhz
A(s)
f
p2
f
rhz
-135d
-90d
-45d
0d
-40
-20
-0
20
-60
Figura 6.11: Caracteristica de amplitudine si faza a circuitului
Din analiza caracteristicilor se poate observa prezent a celor doi poli negativi, a
unui zero pozitiv si a unui zero negativ, dupa cum am obt inut si din calculul
teoretic. Mai mult, se poate specica ordinea n care sunt situate n frecvent a
singularitat ile. Primul pol este polul dominat datorat nodului de iesire a circui-
tului. Apoi urmeaza polul dat de nodul intermediar din grilele tranzistoarelor
care formeaza oglinda de curent si la frecvent a apropiata zeroul dat de acelasi
nod intermediar. Faptul ca aceste singularitat i sunt apropiate n frecvent a se
poate dovedi si teoretic analizand ecuat iile (6.30) si (6.31). Ultimul este zeroul
datorat caii directe de semnal de la intrare la iesire prin capacitatea grila-drena
a tranzistoarelor de intrare.
6.4 Amplicatorul diferent ial cu sarcina surse de
curent
Schema amplicatorului diferent ial cu sarcina surse de curent este prezentata
n Figura 6.12. Tranzistoarele M
3
-M
4
constituie circuitul de sarcina. Iesirea se
culege diferent ial din drena tranzistoarelor M
1
si M
2
.
Doris Csipkes 139
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M1 M2
M5
M3 M4

V
DD
V
biasn
V
biasp

V
SS
2
v
out
+
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
Figura 6.12: Schema amplicatorului cu sarcina surse de curent
Tensiunea maxima admisa la iesirea circuitului se calculeaza similar ca pentru
amplicatorul diferent ial cu sarcina oglinda de curent. Astfel v
outMAX
este de
forma:
V
outMAX
= V
DD
V
od3
v
max
(6.32)
Tensiunea minima admisa la iesire se scrie conform relat iei:
v
outMIN
= V
od1
+V
od5
+v
max
(6.33)
Schema echivalenta de semnal mic si joasa frecvent a este prezentata n Fi-
gura 6.13. Fiecare tranzistor este modelat cu o sursa de curent comandata de
tensiunea grila-sursa a sa n paralel cu rezistent a drena-sursa.
140 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

r
DS1

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3
r
DS4
r
DS2
g v
m3 GS3
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.13: Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecvent a a circui-
tului
Calculul castigului de semnal mic si joasa frecvent a se determina scriind teorema
lui Kirchho pentru curent i n nodurile de iesire, ca n ecuat iile (6.34).
_
_
g
m1
v
GS1
v
od
2
g
DS1
v
od
2
g
DS3
= 0
g
m2
v
GS2
+
v
od
2
g
DS2
+
v
od
2
g
DS4
= 0
(6.34)
Analizand schema din Figura 6.12 se pot exprima tensiunile grila-sursa ale tran-
zistoarelor de intrare astfel:
v
GS1
=
v
in
2
; v
GS2
=
v
in
2
(6.35)
Inlocuind tensiunile grila-sursa cu tensiunile de intrare corespunzatoare n siste-

mul (6.34) si scazand cele doua ecuat ii, se obt ine castigul de semnal mic:
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m1
+g
m2
g
DS1
+g
DS2
+g
DS3
+g
DS4
(6.36)
Daca se considera tranzistoarele de intrare perfect mperecheate, la fel si cele
de sarcina, se pot scrie identitat ile:
Doris Csipkes 141
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m1
= g
m2
, g
DS1
= g
DS2
, g
DS3
= g
DS4
(6.37)
Bazat pe aceste egalitat i, expresia castigului de joasa frecvent a devine mai
simpla si este data n ecuat ia (6.38).
A
0
=
g
m1
g
DS1
+g
DS3
= g
m1
(r
DS1
|| r
DS3
) (6.38)
transconductant a etajului diferent ial este jumatate din transconductant a
unui tranzistor de intrare g
m1
, iar rezistent a de sarcina diferent iala este du-
blul rezistent ei rezultate prin conectarea n paralel r
DS
a tranzistoarelor cu
canal n si p.
In Figura 6.14 este data schema cu parazit i a amplicatorului diferent ial cu
sarcina surse de curent.
M3
M2
M4
M5
M1

2
v
in
-

V
DD
V
biasn
V
SS
p
1
rhz
V
biasp
p
1
rhz
C
1
C
3
C
2
C
4
2
v
in
+
2
v
out
+
2
v
out
-
Figura 6.14: Schema amplicatorului cu capacitatile sale parazite
142 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvent a este dat n
Figura 6.15.

2
v
in
-

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3 r
DS4
r
DS1
r
DS2
C
3
C
1
C
2
C
4
g v
m3 GS3
2
v
in
+
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.15: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a a am-
plicatorului
Funct ia de transfer a circuitului se poate determina scriind teorema lui Kirchho
pentru curent i n nodurile de iesire. Tinand seama de expresia castigului de
joasa frecvent a din ecuat ia (6.36), n urma calculelor raportul dintre tensiunea
de iesire si cea de intrare rezulta:
A(s) =
A
0
_
1 s
C
1
+C
2
g
m1
+g
m2
_
1 +s
C
1
+C
2
+C
3
+C
4
g
DS1
+g
DS2
+g
DS3
+g
DS4
(6.39)
Funct ia de transfer obt inuta se poate scrie simplicat, daca se considera tran-
zistoarele de intrare perfect mperecheate si la fel cele de sarcina. Aceasta
nseamna ca urmatoarele identitat i sunt adevarate:
g
m1
= g
m2
, g
m3
= g
m4
, C
1
= C
2
, C
3
= C
4
(6.40)
Astfel comportamentul n frecvent a al circuitului va caracterizat de relat ia
(6.41).
Doris Csipkes 143
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
A(s) =
A
0
(1
sC
1
g
1
)
1 +
s(C
1
+C
3
)
g
DS1
+g
DS3
(6.41)
Din analiza expresiei lui A(s) se observa ca funct ia de transfer are un pol si un
zero. O astfel de funct ie de transfer se poate scrie dupa cum urmeaza:
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
_
1 +
s
p
(6.42)
In continuare se identica coecient ii termenilor n s din relat iile (6.41) si (6.42),

obt inandu-se expresia polului si a zeroului.
_
_
f
p
=
g
DS1
+g
DS3
2 (C
1
+C
3
)
=
1
2R
out
(C
1
+C
3
)
f
rhz
=
g
m1
2C
1
(6.43)
Polul este introdus de nodul de iesire, iar zeroul este datorat caii directe de
semnal de la intrare la iesire prin capacitatea grila-drena a tranzistoarelor de
intrare.
Caracteristica de amplitudine si faza simulata pentru amplicatorul discutat
este data n Figura 6.16.
144 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e

|A(s)|
f
f
p
f
f
rhz A(s)
-135d
-90d
-45d
0d
-40
-20
-0
20
-60
Figura 6.16: Caracteristica de amplitudine si faza a circuitului
6.5 Sumar
In acest capitol s-au prezentat cele mai des utilizate congurat ii de amplica-
toare diferent iale. Aceste circuite stau la baza oricarei structuri de amplicator
operat ional.
In cazul ecarui etaj diferent ial s-a discutat domeniul de variat ie a tensiunii de
iesire, castigul de joasa frecvent a si comportamentul n frecvent a. Determinarea
acestor parametrii s-a facut pe baza modelelor cu surse comandate.
Bibliograe:
Press, 1987
Doris Csipkes 145
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
1999.
146 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 7
Amplicatoare operat ionale
7.1 Introducere
Amplicatoarele operat ionale pot considerate n cazul ideal surse de tensiune
comandaten tensiune, ale caror tensiuni de iesire depind de tensiunea de intrare
cu factorul de scalare numit castig.

In cazul ideal castigul este independent
de frecvent a.

In AO reale castigul depinde de frecvent a, iar comportamentul
circuitului poate modelat cu unul sau mai mult i poli si zerouri de transmisie.
Amplicatoarele operat ionale se folosesc n numeroase aplicat ii, dintre care cele
mai uzuale sunt:
- ca detector de erori si amplicator n sistemele cu react ie;
- n ltrele AO-RC, AO-CMOS sau cu capacitat i comutate;
- n amplicatoarele cu castig variabil;
- ca si comparatoare de viteza mica sau medie.
Pentru a obt ine castigul specicat (n general de ordinul miilor sau zecilor de
mii), structura interna a AO trebuie sa permita conversii succesive tensiune-
curent si apoi curent-tensiune. Circuitul de intrare al ecarui etaj din structura
amplicatorului operat ional converteste tensiunea diferent iala de intrare n cu-
rent diferent ial. Acest curent este reconvertit n tensiune de catre circuitul de
sarcina al etajului. Astfel, castigul dorit este obt inut prin cascadarea catorva
etaje de amplicare.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT IONALE
Daca notam cu G
m
castigul de conversie tensiune-curent, iar cu R
out
castigul
curent-tensiune, atunci pentru un AO cu n etaje castigul de joasa frecvent a se
scrie:
A
0
= (G
m1
R
out1
) (G
m2
R
out2
) . . . (G
mn
R
outn
) (7.1)
Schema de principiu a unui amplicator cu n etaje este prezentatan Figura 7.1.
Etajele acestuia s-au ales sa e de tipul amplicator simplu n conexiune sursa-
comuna. Astfel, se poate nt elege usor principiului conversiilor succesive, si
anume: pe ecare tranzistor se face conversia tensiune-curent, iar apoi curentul
din drena este convertit napoi n tensiune pe rezistent a echivalenta de sarcina.

M2 Mn M1
V
in
V
DD
R
ech1 R
ech2
R
echn
Circuit
de sarcina
V
DD
V
out
Circuit
de sarcina
Circuit
de sarcina
Figura 7.1: Ilustrarea principiului conversiilor succesive n amplicatoare
cu etaje multiple

M1 M2 Mn
VI
V
in
VI
IV IV IV
VI
V
DD
V
DD
V
out
R
1
R
2
R
n
Figura 7.2: Exemplu concret de implementare a unui amplicator simplu
cu etaje cascadate
148 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Un exemplu concret de implementare este aratat n Figura 7.2.

In acest scenariu
circuitul de sarcina este o simpla rezistent a care determina valoarea aproximativa
a rezistent ei de iesire echivalente corespunzatoare ecarui etaj.
In structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferent ial,

iar conversia I-V se face pe sarcina acestuia, care poate rezistiva, sursa de
curent sau oglinda de curent n functie de castigul pe care dorim sa-l obt inem
si de topologia impusa (iesire asimetrica sau diferent iala).
In categoria amplicatoarelor care se bazeaza pe cascadarea mai multor etaje

pentru a obt ine castigul dorit, reprezentantul cel mai cunoscut este AO Miller.
Castigul marit al unui AO se poate realiza nu numai prin cascadarea mai multor
etaje, ecare aducandu-si aportul la castigului nal, ci si prin folosirea unui
singur etaj de amplicare cu o structura avand rezistent a de iesire mare, ceea ce
implica si un castig ridicat. Acesta este cazul AO cascoda telescop si cascoda
pliata.

In cele ce urmeaza vor studiate diferite topologii de amplicatoare
operat ionale.

V
in
V
in
a)
b)
Etaj diferential
de intrare
Etaj diferential
de intrare
Etaj inversor
Etaj inversor Etaj de iesire
V
out
V
out
V
DD
C
M
C
M
A
1
A
1
-A
2
-A
2
+1
Figura 7.3: Schemele bloc ale AO Miller a) fara si b)cu repetor la iesire
7.2 Amplicatorul operat ional Miller
Amplicatorul operat ional Miller se foloseste pentru aplicat iile unde funct iona-
rea la frecvent e nalte nu este critica. Exista doua variante de implementare ale
acestuia, cu si fara repetor la iesire, avand schemele bloc din Figura 7.3.
Doris Csipkes 149
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Varianta simpla, fara etaj repetor la iesire, are rezistent a de iesire mare si se
poate numi amplicator transconductant a, deoarece livreaza la iesire curent.
Acest tip de AO poate comanda sarcini strict capacitive fara a inuent at
castigul de joasa frecvent a.
Structura unui AO Miller cu repetor la iesire este bazata pe un amplicator
transconductant a si un etaj de iesire avand o rezistent a de iesire (R
out
) mica,
n caz ideal zero. Varianta de AO Miller cu repetor la iesire poate comanda
sarcini rezistiv-capacitive. La joasa frecvent a rezistent a de sarcina (R
L
) va
determina tensiunea de iesire din divizorul de tensiune format din R
out
si R
L
.
Astfel, castigul repetorului este aproximativ egal cu unitatea.
M7
M2
M3
M1
M4
M6
M5

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
ip
V
out
V
im
Figura 7.4: Schema AO Miller simplu
Schema implementata la nivel de tranzistor a amplicatorului operat ional Miller
este aratata n Figura 7.4. Tranzistoarele M
1
- M
2
formeaza etajul diferent ial
de intrare, iar M
3
-M
4
sarcina acestuia de tip oglinda de curent. Amplicatorul
diferent ial este polarizat de sursa de curent M
5
. Cel de-al doilea etaj este un
amplicator inversor simplu, constituit din M
6
si M
7
.
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a corespunzator AO Miller
este dat n Figura 7.5. Se poate observa ca ecare etaj de castig este modelat
150 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
cu rezistent a echivalenta vazuta la iesirea etajului n paralel cu capacitatea
echivalenta a acestui nod si o sursa de curent comandata n tensiune, avand
parametrul G
m
. Oglinda de curent M
3
-M
4
introduce un pol si un zero negativ
la frecvent e nalte unde nu inuent eaza funct ionarea AO, din acest motiv nu
au fost modelate.

V
DD
V
in V
out G V
m1 in
G V
m2
R
1
V
R
2
C
1
C
2
Figura 7.5: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller simplu
Conform acestui model, funct ia de transfer a amplicatorului operat ional este
de forma:
A(s) =G
m1
_
R
1
||
1
sC
1
_
G
m2
_
R
2
||
1
sC
2
_
=
=
G
m1
R
1
G
m2
R
2
(1 +sR
1
C
1
) (1 +sR
2
C
2
)
(7.2)
Parametrii de semnal mic au urmatoarele expresii:
_
_
G
m1
= g
m1
, G
m2
= g
m6
R
1
= r
DS2
|| r
DS4
, R
2
= r
DS6
|| r
DS7
C
1
= C
BD2
+C
BD4
+C
GS6
+C
GD6
(G
m2
R
2
)
C
2
= C
BD6
+C
BD7
+C
GD7
+C
L

= C
L
(7.3)
Analizand ecuat ia (7.2) se observa ca circuitul are doi poli: unul dat de nodul
de iesire si celalalt de nodul intermediar. Condensatorul C
1
este mult mai mic
decat C
2
deoarece primul este format din capacitat ile parazite ale tranzistoarelor
conectate la nodul intermediar al circuitului, iar cel de-al doilea include pe langa
capacitat ile parazite si condensatorul de sarcina. O alta observat ie este aceea ca
Doris Csipkes 151
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
rezistent ele R
1
si R
2
sunt de acelasi ordin de marime. Din aceste considerente
rezulta ca polul p
1
este cel dominant si p
2
este polul de nalta frecvent a.
Castigul de tensiune continua si polii funct iei de transfer sunt dat i n sistemul
de ecuat ii (7.4).
_
_
A
0
= G
m1
R
1
G
m2
R
2
f
p1
=
1
2R
2
C
2
f
p2
=
1
2R
1
C
1
(7.4)
Considerand scenariul n care p
1
este polul dominant, caracteristicile de ampli-
tudine si faza, aproximate prin asimptotele lor, ale AO n bucla deschisa, sunt
date n Figura 7.6 a).
|A(s)|
A(s)
f
f
-90
-180
j
m
p1
p2
p1
*
p2
*
b)
|A(s)|
A(s)
f
f
p1
GBW
GBW
-90
-180
p2
j
m
a)
Figura 7.6: Raspunsul n frecvent a a AO n bucla deschisa
Din inspect ia caracteristicilor de frecvent a se poate vedea ca valoarea fazei la
frecvent a unde castigul este zero dB (notata GBW, eng. Gain BandWidth)
este apropiata de -180

. Acest fapt se datoreaza celor doi poli apropiat i, ambii
situat i la frecvent e mai mici decat GBW. Astfel la frecvent a unde amplitudinea
152 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
este unitara, faza a scazut deja doua decade ajungand n jurul valorii de -180
In aceste condit ii marginea de faza este insucienta pentru a asigura stabilitatea

necondit ionata a amplicatorului n bucla nchisa.
Din condit ia de stabilitate a lui Barkhausen rezulta ca faza nu trebuie sa e mul-
tiplu de 180
la frecvent a egala cu produsul amplicare-banda (GBW). Pentru

a realiza stabilitatea necondit ionata, marginea de faza se recomanda sa e mai
mare decat 45
. O valoare a marginii de faza de 60
asigura stabilitatea simul-

tan cu compromisul overshoot minim si viteza de variat ie a tensiunii de iesire
maxima al raspunsului la semnal treapta.
Solut ia la acesta problema este asa numita procedura de compensare a carac-
teristicii de frecvent a. Prin aceasta polii sunt separat i, un pol deplasandu-se la
frecvent e mai joase, iar celalat pol la frecvent e mai mari decat GBW. Separarea
n frecvent a a celor doi poli are ca efect cresterea marginii de faza. Concret,
compensarea Miller se face cu ajutorul unei capacitat i, C
M
, conectate ntre
nodul intermediar si nodul de iesire al circuitului.
C
L
C
M
V
DD
V
SS
V
biasn
V
ip
V
out
V
im
M2
M3
M1
M5
M6
M7
M4

Figura 7.7: Schema AO Miller compensat
Schema AO Miller compensat este prezentata n Figura 7.7. Compensarea este
realizata folosind efectul Miller pe etajul al doilea, inversor. Practic, capacitatea
grila-drena a tranzistorului M
6
este marita cu o capacitate pasiva C
M
. Deoarece
castigul etajului al doilea este ridicat, C
M
va reectata la iesirea etajului
Doris Csipkes 153
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
diferent ial cu valoare marita. Drept urmare, capacitatea echivalenta a acestui
nod va marita, iar polul corespunzator nodului se va deplasa la frecvent e mai
joase, devenind polul dominant n urma compensarii.
Adit ional, rezistent a de iesire a etajului de castig ridicat va redusa de catre
react ia negativa prin capacitatea de compensare. Datorita faptului ca la frecven-
t e nalte C
M
este un scurtcircuit virtual, tranzistorul M
6
poate considerat n
conexiune de dioda. Astfel, rezistent a de iesire se poate aproxima cu 1/g
m6
.
Reducerea acestei rezistent e echivalente are drept efect translatarea polului dat
de nodul de iesire a AO la frecvent e mai nalte.
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a al AO Miller compensat
este prezentat n Figura 7.8.

In acest model s-au ignorat polul si zeroul datorat
oglinzii de curent si zeroul pozitiv datorat efectului Miller pe tranzistoarele de
intrare.
V
DD

V
in V
out G V
m1 in
G V
m2
R
1
V
R
2
C
M
C
1
C
2
Figura 7.8: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller compensat
Scriind teorema lui Kirchho n nodul intermediar si n nodul de iesire, rezulta
sistemul de ecuat ii (7.5).
_
_
G
m1
V
in
+
V
R
1
+V sC
1
+sC
M
(V V
out
) = 0
sC
M
(V V
out
) = G
m2
V +
V
out
R
2
+sC
2
V
out
(7.5)
Dupa eliminarea variabilei V corespunzatoare nodului intermediar al circuitului,
rezulta urmatoarea funct ie de transfer:
154 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
A(s) =
V
out
V
in
=
G
m1
G
m2
R
1
R
2
_
1 s
C
M
G
m2
_
s
2
a +sb + 1
a = R
1
R
2
(C
1
C
2
+C
1
C
M
+C
2
C
M
)
b = R
1
C
1
+R
2
C
2
+ (R
1
+R
2
) C
M
+G
m2
R
1
R
2
C
M
(7.6)
Examinand ecuat ia (7.6) se poate vedea ca funct ia de transfer a circuitului
are doi poli la frecvent ele
p1
,
p2
si un zero pozitiv la
rhz
(eng. Right
Halfplane Zero). Din nou s-au ignorat polii si zerorurile de nalta frecvent a
introduse de oglinda de curent, care nu inuent eaza funct ia de transfer n re-
giunea frecvent elor de interes.

In conformitate cu aceasta observat ie, forma
generala a funct iei de transfer se scrie ca n ecuat ia (7.7).
A(s) =
A
0
_
1
s
rhz
_
_
1 +
s
p1
__
1 +
s
p2
_ (7.7)
Determinarea expresiei polilor si a zeroului se face prin identicarea coecient ilor
termenilor n s din relat iile (7.6) si (7.7).

In vederea simplicarii calculelor se
presupune ca polul al doilea este situat la frecvent a mult mai nalta decat polul
dominant,
p2
>>
p1
. Utilizand aceasta aproximare, rezulta:
_
_
A
0
= G
m1
R
1
G
m2
R
2
p1
=
1
b
=
1
[C
2
R
2
+C
1
R
1
+C
M
(R
1
+R
2
) +C
M
G
m2
R
1
R
2
]
p2
=
b
a
=
C
2
R
2
+C
1
R
1
+C
M
(R
1
+R
2
) +C
M
G
m2
R
1
R
2
R
1
R
2
[C
1
C
2
+C
M
C
1
+C
M
C
2
]
rhz
=
G
m2
C
M
(7.8)
Pentru a simplica expresiile polilor si ale zeroului se t ine cont de urmatoarele
aproximari:
Doris Csipkes 155
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
- etajul al doilea are un castig ridicat G
m2
R
2
>> 1;
- capacitatea de sarcina este mult mai mare decat capacitatea parazita a
nodului intermediar C
L
>> C
1
.
Expresiile aproximative ale frecvent elor polilor si a zeroului rezulta can sistemul
(7.9).
_
_
f
p1

=
1
2G
m2
R
1
R
2
C
M
f
p2

=
G
m2
2C
2
f
rhz
=
G
m2
2C
M
(7.9)
Din expresiile polilor se observa ca p
1
este situat la frecvent e joase datorita
efectului Miller. Efectul Miller se menifesta prin marirea capacitat ii echivalente
la nodul intremediar. Capacitatea reectata are valoarea amplicata de castigul
etajului al doilea, G
m2
R
2
. Polul p
2
este translatat la frecvent a nalta datorita
scurtcircuitului realizat de C
M
si conexiunii virtuale de dioda a tranzistorului
M
6
la frecvent e mari. Caracteristicile de frecvent a ale circuitului compensat
sunt date n Figura 7.6 b).
Dimensionarea condensatorului Miller C
M
este problema cheie pentru a asigura
marginea de faza sucient de mare a amplicatorului cu doua etaje.

In paragra-
ful urmator sunt deduse relat iile de dimensionare a condensatorului C
M
pornind
de la o valoare impusa a marginii de faza.
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabili-
tate necondit ionata
Considerand ca polii sunt separat i n frecvent a n urma compensarii, iar f
p1
<<
f
p2
, efectele lor nu se vor suprapune, prin urmare se poate utiliza modelul cu
pol pseudo-dominat. Modelul cu pol pseudo-dominant nseamna ca primul etaj
va considerat un integrator ideal, cu polul specic n origine (polul dominant
p
1
al AO), avand defazaj de 90
la orice frecvent a. Adit ional, stiind ca zeroul

pozitiv introduce un defazaj suplimentar n caracteristica de faza, trebuie luat
156 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
n calcul si efectul acestuia asupra marginii de faza.

In aceste condit ii, se obt ine
expresia marginii de faza dupa cum urmeaza:
m
= 90
tan
1
_
GBW
f
p2
_
tan
1
_
GBW
f
rhz
_
(7.10)
Considerand, de exemplu, zeroul pozit ionat la frecvent a de zece ori mai mare
decat GBW, se poate calcula frecvent a polului al doilea raportata la GBW
pentru o valoare a marginii de faza impusa. Astfel, pentru m
= 45
rezulta
f
p2
= 1, 22 GBW, iar pentru m
= 60
se obt ine f
p2
= 2, 22 GBW.
In practica, amplicatorul Miller se proiecteaza pentru o margine de faza

m
= 60
, valoare care asigura un compromis ntre stabilitate, overshoot si

viteza de variat ie a tensiunii de iesire. Prin urmare, daca valoarea raportului
dintre f
p2
si GBW este cunoscuta, utilizand relat iile (7.11), rezulta raportul
dintre capacitatea Miller si a celei de sarcina.
_
_
GBW = A
0
f
p1
=
G
m1
2C
M
f
p2

=
G
m2
2C
L
(7.11)
Capacitatea de compensare se dimensioneaza conform urmatoarei relat ii:
C
M
= C
L
G
m1
G
m2
1
tan
_
90
tan
1
_
GBW
f
rhz
__ (7.12)
7.2.2 Viteza de variat ie a tensiunii de iesire la AO Miller
Viteza de variat ie a tensiunii de iesire, notata SR (eng. Slew-Rate), este un
parametru de nalta frecvent a si semnal mare al amplicatoarelor operat ionale.
Acesta se deneste ca rata maxima cu care poate varia tensiunea de iesire a
amplicatorului operat ional.
Doris Csipkes 157
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Daca amplitudinea semnalului de intrare depaseste o valoare critica, atunci tot
curentul dat de sursa de curent care polarizeaza etajul diferent ial va trece prin
unul dintre tranzistoarele de intrare M
1
sau M
2
. Blocarea uneia sau a celeilalte
dintre ramurile etajului diferent ial depinde de semnul tensiunii de intrare. Pentru
o tensiune pozitiva la intrare, tranzistorul M
1
conduce si M
2
este blocat. Astfel,
tot curentul de polarizare se regaseste n M
1
si prin oglinda de curent M
3
- M
4
.
Capacitatea de compensare C
M
se va ncarca de la acest curent furnizat de
oglinda. Sensul curentului este reprezentat cu linie continua n Figura 7.9.

In
cazul unei tensiuni negative la intrare, M
1
este blocat si M
2
conduce, iar curentul
de polarizare al etajului descarca direct condensatorul C
M
. Sensul curentului
este desenat cu linie punctata, n acest caz.
M2
M4
M5
M3
M1

C
M
C
L
VDD
Vim
Vbiasn
-A2
Vip
VSS
Vout
Figura 7.9: Sensul curentului de polarizare n AO Miller pentru tensiuni
de intrare pozitive si negative
La determinarea vitezei de variat ie a tensiunii de iesire trebuie t inut cont de
ecare nod al circuitului.

In formula nala a SR-ului apare raportul minim
dintre curentul de ncarcare si capacitatea echivalenta asociata ecarui nod n
parte. Pentru AO Miller, expresia SR se poate scrie dupa cum urmeaza:
SR =
dV
out
dt
= min
_
I
5
C
M
,
I
6
C
L
_
=
I
5
C
M
(7.13)
158 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
7.2.3 Amplicatorul operational Miller complet diferent ial
Schema AO Miller complet diferent ial este prezentata n Figura 7.10.
M2
M8
M1
M5
M3
M9
M4
M6
M7

C
L
C
M
C
M
V
DD
V
SS
V
biasn
V
biasp
V
ip
V
om
V
op V
im
Figura 7.10: Schema AO Miller complet diferent ial
Avantajele prelucrarii de semnal diferent iale au fost punctate n capitolul Am-
plicatoare Diferent iale si datorita acestora, n lant urile de prelucrare a sem-
nalului sunt preferate structurile complet diferent iale.
Circuitul este similar cu AO Miller simplu, cu diferent a ca etajul de intrare are
sarcina de tipul sursa de curent, formata din tranzistoarele M
3
-M
4
, iar etajul al
doilea este dublat. Astfel, este posibila sa culegem semnalul de iesire diferent ial.

V
DD
V
in V
out V
G V
m1 in
G V
m2
R
1
R
2
C
M
C
M
C
1
C
2
V
ip
V
op
V
om
V
im
Figura 7.11: Modelul echivalent pentru varianta complet diferent iala
Doris Csipkes 159
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Schema de semnal mic si nalta frecvent a este data n Figura7.11.
Parametrii de semnal mic se exprima n mod similar ca la varianta cu iesire
asimetrica, dar trebuie t inut cont de conexiunile diferent iale ale componentelor.
_
_
G
m1
=
g
m1
2
, G
m2
=
g
m6
2
R
1
= 2 (r
DS2
|| r
DS4
) , R
2
= 2 (r
DS6
|| r
DS7
)
C
1
=
1
2
[C
BD2
+C
BD4
+C
GS6
+ (C
GD6
+C
M
) A
2
]
C
2
=
1
2
(C
BD6
+C
BD7
+C
L
)
=
C
L
2
(7.14)
7.2.4 Amplicatorul operat ional Miller
cu etaj repetor de iesire
Amplicatorul operat ional Miller cu etaj repetor de iesire este folosit ca sursa
de tensiune comandata n tensiune si poate comanda sarcini rezistiv-capacitive.
Schema AO Miller cu etaj repetor de iesire este data n Figura 7.12. Tranzis-
toarele M
8
si M
9
constituie buerul de iesire, avand castig unitar.
M9
M4
M8
M5
M2 M1
M7
M6
M3

C
L
C
M
V
DD
V
SS
V
biasn
V
ip
V
out
V
im
Figura 7.12: Schema AO Miller cu etaj repetor de iesire
160 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a este aratat n Figura 7.13.
Etajul de iesire este modelat cu o sursa de tensiune comandata n tensiune
avand castig unitar si n serie cu ea este conectata rezistent a echivalenta de
iesire a buerului.

V
DD
V
in
V
out
G V
m1 in
G V
m2
R
1
V
R
2
C
M
R
3
C
1
C
2
A =1
V
C
3
Figura 7.13: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a pentru
circuitul din Figura 7.9
Funct ia de transfer a circuitului este similara cu cea a AO Miller simplu, cu
diferent a ca etajul repetor de iesire introduce un pol denalta frecvent a adit ional.
Astfel, expresia lui A(s) este n conformitate cu ecuat ia (7.15).
_
_
A(s) =
G
m1
G
m2
R
1
R
2
_
1 s
C
M
G
m2
_
(s
2
a +sb + 1) (1 +sR
3
C
3
)
a = R
1
R
2
(C
1
C
2
+C
1
C
M
+C
2
C
M
)
b = R
1
C
1
+R
2
C
2
+ (R
1
+R
2
) C
M
+G
m2
R
1
R
2
C
M
(7.15)
Parametrii de semnal mic G
1
, R
1
, C
1
, G
2
si R
2
sunt aceasi ca la AO Miller
fara etaj repetor din ecuat ia (7.3).

Insa, expresia lui C
2
se modica datorita
inuent ei capacitat ilor parazite ale etajului repetor asupra capacitat ii echivalente
din nodul de iesire a amplicatorului simplu. Astfel, C
2
, rezistent a si capacitatea
echivalenta a buerului de iesire se scriu:
_
_
C
2
= C
BD6
+C
BD7
+C
GD7
+C
GD8
R
3
= r
DS9
||
1
g
m8
=
1
g
m8
C
3
= C
BD8
+C
BS9
+C
GS8
+C
GD9
+C
L

= C
L
(7.16)
Doris Csipkes 161
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Frecvent ele aproximative ale polilor si a zeroului funct iei de transfer sunt date
n sistemul (7.17).
_
_
f
p1

=
1
2G
m2
R
1
R
2
C
M
f
p2

=
G
m2
2C
2
f
p3
=
1
2R
3
C
3
f
rhz
=
G
m2
2C
M
(7.17)
Analizand aceste ecuat ii se observa ca frecvent a polului dominant a ramas
aceeasi ca la AO Miller simplu. Polul de nalta frecvent a s-a mutat mai sus
n frecvent a, datorita capacitat ii echivalente scazute a nodului de la intrarea
etajului repetor. Etajul repetor de iesire introduce un pol suplimentar n funct ia
de transfer putand contribui semnicativ la nrautat irea marginii de faza. Drept
urmare, expresia marginii de faza trebuie completata ca n urmatoarea ecuat ie:
m
= 90
tan
1
_
GBW
f
p2
_
tan
1
_
GBW
f
rhz
_
tan
1
_
GBW
f
p3
_
(7.18)
Dezavantajul compensarii Miller este acela ca impune un compromis ntre ban-
da, marginea de faza si consumul de curent al amplicatorului operat ional.
Astfel, stabilitatea necondit ionata si banda larga se pot obt ine numai cu pret ul
unui consum de curent ridicat. Datorita acestei limitari AO Miller este utilizat
cu precadere n circuitele la care frecvent a de funct ionare nu depaseste cat iva
MHz.
7.2.5 Metoda de proiectare a amplicatorului
operat ional Miller
In acest paragraf este prezentata metoda completa de proiectare a unui ampli-

cator operat ional Miller pentru specicat ii impuse.
Specicat iile considerate n majoritatea aplicat iilor sunt urmatoarele:
162 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
- castigul de joasa frecvent a A
0
60dB;
- viteza maxima de variat ie a tensiunii de iesire SR 15V/s;
- produsul amplicare-banda GBW 10MHz;
- zeroul pozitv sa e situat la o frecvent a f
rhz
= 10GBW;
- capacitatea de sarcina C
L
= 10pF;
- alimentare simetrica V
DD
= V
SS
= 3V ;
- stabilitate necondit ionata cu m
= 60
;
- tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezulta din calcul se con-
sidera V
od
= 200mV .
Tip I
D
W/L V
od
V
Th
NMOS 50A 10/1 174mV 450mV
PMOS 50A 20/1 225mV 450mV
Tabelul 7.1: Valorile parametrilor din setul de referint a
Pasul 1: determinarea capacitat ii de compensare n raport cu cea de sarcina.
Conform expresiilor deduse pentru GBW si f
rhz
, pe care le repetam din nou n
ecuat iile (7.19), si t inand cont de relat ia dintre frecvent a zeroului si GBW data
n specicat ii, vom avea:
_
_
GBW =
G
m1
2C
M
f
rhz
=
G
m2
2C
M
G
m2
= 10G
m1
(7.19)
Determinarea raportului dintre frecvent a polului al doilea si produsul amplica-
re-banda se face pe baza ecuat iei (7.10), dupa cum urmeaza:
GBW
f
p2
= tan
_
90
tan
1
_
GBW
f
rhz
__
f
p2
2, 22GBW (7.20)
Doris Csipkes 163
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tinand cont de acest rezultat, de legatura dintre transcoductant ele celor doua
etaje dedusa n (7.19) si de expresiile lui GBW si f
p2
, pe care le rescriem n
sistemul (7.21), rezulta relat ia dintre capacitatea Miller si cea de sarcina:
_
_
GBW =
G
m1
2C
M
f
p2
=
G
m2
2C
L
C
M
0, 22C
L
(7.21)
Pe baza acestei relat ii si stiind ca C
L
= 10pF, putem alege capacitatea de
compensare C
M
= 2, 5pF.
C
M
= 2, 5pF
Pasul 2: calculul curentului de polarizare a etajului diferent ial.
Din formula vitezei maxime de variat ie a tensiunii de iesire se calculeaza curentul
I
5
astfel:
SR =
I
5
C
M
I
5
= SR C
M
= 37, 5A (7.22)
I
5
= 37, 5A
Pasul 3: calculul valorilor transconductant elor celor doua etaje.
Din expresia produsului amplicare-banda putem obt ine valoarea lui G
m1
:
GBW =
G
m1
2C
M
G
1
= 2C
M
GBW = 157S (7.23)
Am aratat anterior cantre transconductant ele celor doua etaje exita urmatoarea
relat ie:
G
m2
= 10G
m1
= 1, 57mS (7.24)
G
m1
= g
m1
= 157S, G
m2
= g
m6
= 1, 57mS
164 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pasul 4: gasirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M
1
-M
2
Stiind valorile transconductant ei si a curentului prin M
1
, putem aa tensiunea
de overdrive a acestui tranzistor:
g
m1
=
2I
1
V
od1
=
I
5
V
od1
V
od1
=
I
5
g
m1
= 239mV (7.25)
V
od1
= V
od2
= 239mV, restul V
od
= 200mV
Pasul 5: dimensionarea tranzistoarelor M
1
-M
2
Folosind setul de referint a pentru tranzistoare NMOS (I = 50A, V
od
=
174mV, W/L = 10/1) se face o scalare pentru a obt ine setul de parametrii
dorit i (I
1
= 18, 75A, V
od1
= 239mV, W
1
/L
1
):
50
18, 75
=
10L
1
W
1
_
174m
239m
_
2
W
1
L
1
= 2 =
2
1
(7.26)
W
1
L
1
=
W
2
L
2
=
2
1
Pasul 6: dimensionarea tranzistorului M
5
Se face o noua scalare pentru setul de parametrii dorit i
(I
5
= 37, 5A, V
od5
= 200mV, W
5
/L
5
):
50
37, 5
=
10L
5
W
5
_
174m
200m
_
2
W
5
L
5
= 5, 7 =
5, 7
1
(7.27)
W
5
L
5
=
5, 7
1
Doris Csipkes 165
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pasul 7: dimensionarea tranzistoarelor M
3
-M
4
Din nou scalam, de data aceasta folosind setul de referint a pentru tranzistoare
PMOS (I = 50A, V
od
= 225mV, W/L = 20/1). Parametrii dorit i sunt
(I
3
= 18, 75A, V
od3
= 200mV, W
3
/L
3
):
50
18, 75
=
20L
3
W
3
_
225m
200m
_
2
W
3
L
3
= 9, 5 =
9, 5
1
(7.28)
W
3
L
3
=
W
4
L
4
=
9, 5
1
Pasul 8: determinarea curentului prin etajul al doilea de castig si dimensionarea
lui M
6
Pentru ca factorul de reexie al oglinzii de curent M
3
-M
4
si M
6
sa nu depinda
de eroarea datorata coecientului de modulat ie al lungimii canalului, se impune
condit ia de echilibru a tensiunilor drena-sursa.

In aceste condit ii tensiunile de
overdrive ale tranzistoarelor ce formeaza oglinda sunt egale:
V
od3
= V
od4
= V
od6
= 200mV (7.29)
Din formula transconductant ei pentru M
6
, rezulta curentul prin acesta conform
ecuat iei (7.28).
g
m6
=
2I
6
V
od6
I
6
=
1
2
g
m6
V
od6
157A (7.30)
I
6
= 157A
Facem o noua scalare pentru a obt ine raportul dintre lat imea si lungimea ca-
nalului lui M
6
:
50
157
=
20L
6
W
6
_
225m
200m
_
2
W
6
L
6
= 80 =
40
0, 5
(7.31)
166 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
W
6
L
6
=
40
0, 5
Pasul 9: dimensionarea lui M
7
50
157
=
10L
7
W
7
_
174m
200m
_
2
W
7
L
7
=
23, 8
1
(7.32)
W
7
L
7
=
23, 8
1
Pasul 10: calculul tensiunii de polarizare V
biasn
V
biasn
= V
SS
+V
Thn
+V
od5
= 3 + 0, 45 + 0, 2 = 2, 35V (7.33)
V
biasn
= 2, 35V
Observat ie: metoda de dimensionarea a circuitului prezentata anterior, tre-
buie completata prin rularea unor simulari atat de punct static de funct ionare
cat si de curent alternativ si se ajusteaza n, n cateva iterat ii geometria
tranzistoarelor pana se obt in performant ele dorite ale AO proiectat.
7.3 Amplicatorul operat ional cascoda telescop
Dezavantajul major al AO Miller este acela ca pentru un consum rezonabil
putem obt ine o banda modesta. Limitarea se datoreaza metodei de compensare
Miller. O structura care pentru acelasi consum ofera o banda mai larga este
amplicatorul cascoda telescop. La aceasta varianta de AO castigul ridicat
este asigurat de rezistent a de iesire mare, tipic de ordinul M-lor, a structurii
cascoda.
Schema AO cascoda telescop este prezentata n Figura 7.14. Tensiunea de
intrare se aplica tranzistoarelor M
1a
-M
1b
din etajul diferent ial. Sarcina acestuia
Doris Csipkes 167
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
este oglinda cascoda formata din M
3a
-M
3b
si M
4a
-M
4b
. Pentru a mari rezistent a
de iesire se utilizeaza cascoda de tip NMOS n locul structurii simple de etaj
diferent ial.

Intreg etajul este polarizat cu sursa de curent implementata cu M
5
.

M4b
M1b M1a
M4a
M3a
M2a M2b
M3b
M5
C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
casn
V
ip
V
out
V
im
D1a D1b
Figura 7.14: AO cascoda telescop
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a corespunzator AO cascoda
telescop este dat n Figura 7.15. Similar ca la AO cu compensare Milller s-au
ignorat singularitat ile introduse de oglinda de curent cascoda M
3a
-M
3b
.

V
in
V
out
Vp
G V
m1 in
G Vp
m2
R
p
R
out
C
p
C
out
D1a
D1b
Figura 7.15: Modelul echivalent de semnal mic al AO cascoda telescop
Conform acestui model funct ia de transfer a amplicatorului operat ional rezulta
168 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
de forma:
A(s) =
G
m1
R
out
G
m2
R
p
(1 +sR
p
C
p
) (1 +sR
out
C
out
)
, (7.34)
unde parametrii de semnal mic au urmatoarele expresii:
_
_
G
m1
= g
m1
, R
out
= g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
G
m2
=
g
m2
2
, R
p

=
2
g
m2
C
out
= C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+C
L

= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS2
+C
GS2
+C
BD1
)
(7.35)
In cele ce urmeaza sunt prezentat i pasii de proiectare sistematica a unui AO

cascoda telescop, avand specicat ile:
0
60dB;
L
= 4pF;
- alimentarea simetrica V
DD
= V
SS
= 2V ;
- amplitudinea maxima a semnalului de iesire V
semnMAX
= 0, 5V
Pasul 1: domeniul maxim de variat ie a semnalului la iesire.
La proiectare se considera toate tranzistoarele polarizate n regim saturat. Prin
urmare, tensiunea drena-sursa a ecarui tranzistor este mai mare decat ten-
siunea sa de overdrive. Pentru tranzistoarele M
4
, M
5
alegem V
od
= 250mV
in vederea obt inerii unei bune mperecheri.

In cazul tranzistoarelor cascoda se
alege o valoare mai mica, V
od
= 200mV , pentru a obt ine o valoare marita a
Doris Csipkes 169
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
transconductant ei, necesara realizarii rezistent ei de iesire ridicate a AO. Tensiu-
nea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
1
rezulta din specicat ii ca ind
V
od1
= 150mV , dupa cum se va arata la Pasul 5.
Tensiunea drena-sursa a ecarui tranzistor se alege cu o margine V = 100mV
pentru a pastra tranzistoarele n regim saturat chiar si n cazul cel mai defavo-
rabil, n care tensiunea de prag si punctul static de funct ionare se deplaseaza
cu temperatura si cu neidealitat ile procesului de fabricat ie.
Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele
sa nu ajunga n regim liniar sau blocate.

In consecint a, limitele de variat ie ale
tensiunii de iesire se pot scrie:
_
_
V
DD
V
outMAX
= V
DS3
+V
DS4
V
outMAX
= V
DD
(V
od3
+ V ) + (V
od4
+ V )
V
outMAX
= 1, 35V
V
outMIN
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
DS5
V
outMIN
= V
SS
+V
od1
+V
od2
+V
od5
+ 3V
V
outMIN
= 1, 1V
(7.36)
S-a notat cu V
outMAX
si V
outMIN
tensiunea maxima, respectiv minima instan-
tanee la iesirea circuitului.
Rezulta ca variat ia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
V
out
= V
outMAX
V
outMIN
= 1, 35 (1, 1) = 2, 45V (7.37)
Valoarea teoretica maxima a tensiunii de iesire suportate de circuit fara dis-
torsiuni (limitare) este 2, 45V . Pentru aplicat ia noastra consideram variat ia
semnalului de iesire de 1V , valoare normala n circuitele cu AO. Se pot alege
si alte valori n limitele admise si considerand tensiunea de mod comun data.
Notam amplitudinea semnalului de iesire cu V
semnMAX
, acesta avand valoarea
egala cu jumatate din variat ia semnalului de iesire, mai precis 0, 5V .
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun V
MC
.
170 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pentru ca AO sa funct ioneze corect atunci cand este cascadat ntr-un lant de
amplicatoare, tensiunile de mod comun la intrare si iesire trebuie sa e egale,
V
MCin
= V
MCout
.
Limita inferioara a domeniului de variat ie a tensiunii de mod comun trebuie
sa permita ca tranzistoarele de intrare M
1a
-M
1b
si cel de polarizare al etaju-
lui diferent ial M
5
sa e n regim saturat. Conform acestei condit ii, tensiunea
grila-sursa a tranzistoarelor de intrare si cea drena-sursa a tranzistorului ce im-
plementeaza sursa de curent trebuie sa asigure funct ionarea dispozitivelor n
regim saturat.
V
MCmin
V
SS
= V
GS1
+V
DS5
, (7.38)
unde:
_
V
GS1
= V
od1
+V
Thn
= 0, 15 + 0, 45 = 0, 6V
V
DS5
= V
od5
+ V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(7.39)
Rezulta V
MCmin
= 1, 05V
Pe de alta parte, tot valoarea minima a tensiunii de iesire se poate obt ine
V
MCmin
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
DS5
+V
semnMAX
, (7.40)
unde:
_
_
V
DS1
= V
od1
+ V = 0, 15 + 0, 1 = 0, 25V
V
DS2
= V
od2
+ V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
V
DS5
= V
od5
+ V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(7.41)
De aceasta data, rezulta V
MCmin
= 0, 6V .
Pentru a aa valoarea minima a tensiunii de mod comun, se ia cazul cel mai
defavorabil V
MCmin
= 0, 6V .
Doris Csipkes 171
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Limita superioara a domeniului de variat ie a tensiunii de mod comun trebuie sa
permita funct ionarea tranzistoarelor M
3b
si M
4b
din oglinda de curent cascodan
regim saturat, chiar si atunci cand semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
V
DD
(V
MCmax
+V
semnMAX
) = V
DS3
+V
DS4
, (7.42)
unde:
_
V
DS3
= V
od3
+ V = 0, 3V
V
DS4
= V
od4
+ V = 0, 35V
(7.43)
Rezulta valoarea maxima a tensiunii de mod comun, ca ind V
MCmax
= 0, 85V
Teoretic, tensiunea de mod comun poate aleasa oriundentre -0,6V si +0,85V.
In practica, variat ia optima a semnalului la iesire este obt inuta atunci cand
tensiunea de mod comun este aleasa la aproximativ jumatatea intervalului dintre
limitele admise pentru V
MC
. Prin urmare, o posibila valoare ar putea V
CM
=
0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare V
biasn
si V
casn
.
Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ntai stabilite caderile de
tensiune drena-sursa pe ecare tranzistor. Caderea de tensiune pe ecare tran-
zistor trebuie sa permita polarizarea acestuia n regim saturat.

In consecint a,
tensiunea sa drena-sursa se alege cu o margine de cel put in 100mV fat a de
tensiunea de overdrive.
Se porneste cu asezarea n tensiune a tranzistorului M
5
. Tensiunea V
DS5
este
condit ionata de valoarea tensiunii de mod comun la intrare, astfel:
V
MCin
V
SS
= V
GS1
+V
DS5
V
DS5
= 1, 4V (7.44)
Daca V
MCin
= V
MCout
, atunci valoarea teoretica calculata a tensiunii instanta-
nee la iesire nu se mai conformeaza ecuat iei 7.36, ci este limitata de tensiunea
grila-sursa a tranzistorului de intrare si de tensiunea drena-sursa a lui M
5
. Deoa-
rece la M
5
asiguram 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care raman trebuie mpart it i
ntre tranzistoarele M
1
si M
2
. Vom aloca mai mult spat iu n tensiune tranzisto-
rului cascoda, deoarece ca si la sursa de curent cascoda, tranzistorul care intra
172 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
primul n regim liniar este cel cascoda. Prin urmare, alegem V
DS1
= 0, 25V si
V
DS2
= 0, 35V .
Cascodarea tranzistorului de intrare duce la o structura nepotrivita pentru egali-
tatea tensiunilor de mod comun de la intrare si iesire. Aceasta, datorita faptului
ca bugetul de tensiune alocat tranzistorului de intrare si celui cascoda este prea
redus. Este posibil ca pentru valori mai mari ale tensiunii de overdrive a M
in
,
acest tranzistor sa e la limita regimului saturat.
In cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problema alocarea tensiunilor

drena-sursa, deoarece dispunem de 2V pe care sa-i mpart im ntre M
3
si M
4
.
Din nou alocam mai mult tranzistorului cascoda si vom avea V
DS3
= 1, 5V si
V
DS4
= 0, 5V .
In Figura 7.16 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.

M4b
M5
M2a
M2b
M3b M3a
M1a
M4a
M1b
V =2V
DD
V =-2V
SS
V 0,3V
casn=
V =0V
MC
V =0V
MC
100uA 100uA
200uA
V =0V
MC
V =0,5V
DS4
V =0,35V
DS2
V =0,25V
DS1
V =1,4V
DS5
V =1,5V
DS3
V =-1,3V
biasn
Figura 7.16: AO cascoda telescop - asezare n tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuat iilor (7.45) si (7.46).
Doris Csipkes 173
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
V
casn
V
SS
=V
GS2
+V
DS1
+V
DS5
V
casn
= V
SS
+ (V
od2
+V
Thn
) +V
DS1
+V
DS5
(7.45)
V
biasn
V
SS
= V
GS5
V
biasn
= V
SS
+ (V
od5
+V
Thn
) (7.46)
Dupa nlocuirea valorilor numerice si efectuarea calculelor rezulta:
_
V
casn
= 2 + (0, 2 + 0, 45) + 0, 25 + 1, 4 = 0, 3V
V
biasn
= 2 + (0, 25 + 0, 45) = 1, 3V
(7.47)
Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.
Curentul I
5
se obt ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
5
C
L
I
5
= SR C
L
= 200A (7.48)
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferent ial este egal cu jumatate din
curentul dat de sursa implementata cu M
5
.
I
1
= I
2
= I
3
= I
4
= I
5
/2 = 100A (7.49)
I
5
= 200A, I
1
= I
2
= I
3
= I
4
= 100A
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW se poate calcula transconductant a G
m1
.
GBW =
G
m1
2C
L
G
m1
= g
m1
= 2C
L
GBW = 1, 33mS (7.50)
Pe de alta parte transconductant a tranzistorului M
1
se poate scrie conform
ecuat iei (7.51).
174 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
g
m1
=
2I
1
V
od1
(7.51)
Din ecuat iile (7.50) si (7.51) rezulta valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
zistoarele M
1a
-M
1b
.
V
od1
=
2I
1
g
m1
= 150mV (7.52)
g
m1
= 1, 33mS, V
od1
= 150mV
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
Tip I
D
V
od
V
DS
M
1a
M
1b
100A 150mV 0,3V
M
2a
M
2b
100A 200mV 0,45V
M
3a
M
3b
100A 200mV 1,5V
M
4a
M
4b
100A 250mV 0,5V
M
5
200A 250mV 1,25V
Tabelul 7.2: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Curent ii si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schema sunt date
n Tabelul 7.2. Conform acestor valori si folosind setul de referint a, se poate
calcula raportul W/L pentru ecare tranzistor.
Pentru dimensionarea tranzistoarelor se face urmatoarea scalare:
I
ref
I
=
W
ref
L
ref
L
W

_
V
ref
od
V
od
_
2
W
L
=
W
ref
L
ref
I
I
ref
_
V
ref
od
V
od
_
2
(7.53)
Particularizand aceasta ecuat ie pentru ecare tranzistor din schema, rezulta
geometria acestora, conform Tabelului 7.3.
Pentru tranzistoarele cascoda M
2
si M
3
s-a ales lungimea canalului mai redusa
decat a celorlate, n vederea diminuarii capacitat ilor parazite de la iesire.
Doris Csipkes 175
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
W
L
26, 9
1
7, 5
0, 5
25, 3
0, 5
32, 4
1
19, 4
1
Tabelul 7.3: Valorile W/L a tranzistoarelor
7.3.1 AO cascoda telescop complet diferent ial
Schema AO cascoda telescop cu iesire diferent iala se obt ine din structura de
AO cascoda telescop cu iesire simpla. Pentru aceasta se nlocuieste sarcina
oglinda de curent cascoda cu surse de curent cascoda si se culege diferent ial
iesirea din drenele tranzistoarelor M
2
.

In acest caz, circuitul de polarizare trebuie
sa furnizeze pe langa tensiunile V
biasn
, V
casn
si tensiunea de polarizare V
casp
,
necesara pentru polarizarea tranzistoarelor cascoda PMOS.
Schema AO cascoda telescop complet diferent iala este data n Figura 7.17.
M4b
M2a M2b
M1a
M4a
M1b
M3a M3b
M5

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
casn
V
biasp
V
casp
V
casn
V
ip
V
op
V
om
V
im
D1a D1b
Figura 7.17: AO cascoda telescop complet diferent iala
176 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Un caz special l constituie modul de generare a tensiunii de polarizare V
biasp
,
care este furnizata de un circuit destinat reglajului tensiunii de mod comun.
Acesta are la intrarea sa componenta continua a tensiunii instantanee de la
ecare iesire a AO diferent ial, pe care o compara cu o tensiune de referint a,
egala chiar cu tensiunea de mod comun. Printr-o bucla de react ie negativa, prin
intermediul lui V
biasp
se regleaza curentul prin ramurile AO, pana cand tensiunea
de mod comun la iesire are valoarea dorita.

In literatura de specialitate se gasesc
mai multe variante de implementare a circuitelor de reglaj a tensiunii de mod
comun, dar acestea, apart inand unei tematici mai avansate, nu fac obiectul
cursului nostru.
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecvent a este aratat n Figura 7.18.
V
in
V
out
Vp
G V
m1 in
G Vp
m2
R
p
R
out
C
p
C
out
D1a
D1b

Figura 7.18: Modelul echivalent corespunzator AO din Figura 7.17
Parametrii de semnal mic sunt dat i n urmatorul sistem de ecuat ii:
_
_
G
m1
=
g
m1
2
, R
out
= 2 (g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
G
m2
=
g
m2
2
, R
p

=
2
g
m2
C
out
=
1
2
(C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+ 2C
L
)
= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS2
+C
GS2
+C
BD1
)
(7.54)
7.4 Amplicatorul operat ional cascoda pliata
Dezavantajul major al AO cascoda telescop l constituie polarizarea proble-
matica a tranzistorului de intrare si a celui cascoda NMOS, datorita spat iului
restrans n tensiune care poate alocat acestora. Deoarece tensiunile de mod
Doris Csipkes 177
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
comun la intrare si iesire sunt egale, suma tensiunilor drena-sursa a lui M
1
si
M
2
este egala cu tensiunea grila-sursa a tranzistorului de intrare. Pentru o po-
larizare corecta, valoarea tensiunii grila-sursa se considera insucienta, n cazul
cel mai defavorabil, pentru a acoperi echivalentul a doua tensiuni drena-sursa.
Un caz concret a fost aratat n exemplul de proiectare al AO cascoda telescop,
unde 0,6V au fost alocat i tranzistorului de intrare si celui cascoda NMOS.

M4
M5
M1
M3
M4
M2
Min
M1
M2
M5
M3
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DS2
V
SD3
V
DS1
V
DSin
V
GS1
V
GS1
V
biasn
V
biasn
V
biasp
V
biasp
V
biasn
V
casn
V
casn
V
casp
V
casp
V
inMC
V
inMC
V
outMC
VS1 VSin
V
outMC
Figura 7.19: Sect iuni ale AO cascoda telscop si AO cascoda pliata
In Figura 7.19 a) este data o sect iune din AO cascoda telescop. Daca scriem
caderea de tensiune dintre iesire si intrare, se poate demonstra armat ia ante-
rioara.
_
_
V
outMC
V
S1
= V
DS2
+V
DS1
V
inMC
V
S1
= V
GS1
V
inMC
= V
outMC
V
DS2
+V
DS1
= V
GS1
(7.55)
O solut ie la aceasta problema ar nlocuirea tranzistorului cascoda NMOS cu
unul PMOS, ca n Figura 7.19 b). Tranzistorul cascoda PMOS introduce o
deplasare de nivel si astfel diferent a tensiunilor drena-sursa a tranzistorului de
intrare si a celui cascoda PMOS trebuie sa e egala cu tensiunea grila-sursa a
lui M
in
, conform ecuat iei (7.56). Astfel, se pot aloca cu o margine rezonabila
178 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
tensiunile drena-sursa tuturor tranzistoarelor din schema, evitand intrarea lor n
regim liniar sau blocat. Rezulta structura cascoda pliata.

In acest caz ecuat iile
7.55 se rescriu dupa cum urmeaza:
_
_
V
outMC
V
S
in
= V
DS
in
V
SD3
V
inMC
V
S
in
= V
GS
in
V
inMC
= V
outMC
V
DS
in
V
SD3
= V
GS
in
(7.56)
Schema AO cascoda pliata este prezentata n Figura 7.20.
M1b
M3a
M5
Mina
M4b
M2a
M3b
Minb
M1a
M2b
M4a

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
biasp
V
casp
V
casn
V
ip
I
in
I
cas
I
in
I
cas
V
out
V
im
Figura 7.20: Amplicatorul operat ional cascoda pliata
Aceasta varianta de amplicator operat ional are doua etaje. Primul, format
din tranzistoarele M
ina
si M
inb
converteste tensiunea diferent iala de intrare
n curent si apoi din nou n tensiune pe rezistent a echivalenta a nodului de
pliere. Acest nod prezinta o impedant a joasa, aproximativ egala cu inversul
transconductant ei tranzistoarelor cascoda PMOS. Al doilea etaj, este format cu
tranzistoare n conexiune grila-comuna si amplica curentul din nodul de pliere,
folosind rezistent a de iesire a circuitului de valoare ridicata.
Modelul echivalent de semnal mic este acelasi ca cel al AO cascoda telescop din
Figura 7.15. Parametrii de semnal mic sunt dat i n sistemul de ecuat ii (7.57).
Doris Csipkes 179
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
G
m1
= g
m
in
, R
out
= g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
G
m2
=
g
m3
2
, R
p

=
2
g
m3
C
out
= C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+C
L

= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS3
+C
GS3
+C
BD4
+C
GD4
+C
BD1
)
(7.57)
Pentru a arata metoda completa de proiectare a unui AO cascoda pliata, se
considera urmatoarele specicat ii:
0
60dB;
L
= 4pF;
- alimentare simetrica V
DD
= V
SS
= 1, 5V ;
- amplitudinea semnalului de iesire V
semnMAX
= 0, 5V ;
- curentul prin ramurile etajului cascoda este I
cas
= 1, 5 I
in
, pentru a
evita blocarea tranzistoarelor din etajul de iesire la semnal mare.
Pasul 1: domeniul maxim de variat ie a semnalului la iesire.
Valorile tensiunilor de overdrive se aleg V
od
= 250mV pentru tranzistoarele de
polarizare M
1
, M
4
, M
5
si V
od
= 200mV pentru tranzistoarele cascoda M
2
, M
3
.
Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
in
rezulta V
od
= 160mV ,
dupa cum se va arata la Pasul 5. Adit ional, tensiunea drena-sursa a ecarui
tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fat a de valoarea V
DSsat
minima
admisa.
Domeniul de variat ie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele
sa e polarizate n regim saturat. Rezulta ca limitele de variat ie ale tensiunii de
iesire sunt:
180 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
_
_
V
DD
V
outMAX
= V
DS3
+V
DS4
V
outMAX
= V
DD
(V
od3
+ V ) + (V
od4
+ V )
V
outMAX
= 0, 85V
V
outMIN
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
V
outMIN
= V
SS
+V
od1
+V
od2
+ 2V
V
outMIN
= 0, 85V
(7.58)
Rezulta ca variat ia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
V
out
= V
outMAX
V
outMIN
= 0, 85 (0, 85) = 1, 7V (7.59)
Pentru aplicat ia noastra consideram ca variat ia semnalului de iesire este de 1V .
Aceasta este mai mica decat valoarea teoretica maxima calculata n (7.59).
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun V
MC
.
Din nou punem condit ia ca tensiunile de mod comun la intrare si iesire sa e
egale, V
MCin
= V
MCout
.
Limita inferioar a a domeniului de variat ie a tensiunii de mod comun trebuie
sa permita tranzistoarelor de intrare M
ina
-M
inb
si celui de polarizare a etajului
diferent ial M
5
sa funct ioneze n regim saturat.
V
MCmin
V
SS
= V
GS1
+V
DS5
, (7.60)
unde:
_
V
GS
in
= V
od
in
+V
Thn
= 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V
V
DS5
= V
od5
+ V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(7.61)
Rezulta V
MCmin
= 0, 54V
Doris Csipkes 181
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Pe de alta parte, tot valoarea tensiunii de mod comun la iesire se poate obt ine
V
MCmin
V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
semnMAX
, (7.62)
unde:
_
V
DS1
= V
od1
+ V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V
V
DS2
= V
od2
+ V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
(7.63)
De aceasta data, rezulta V
MCmin
= 0, 35V .
Valoarea minima a tensiunii de mod comun care acopera ambele valori part iale
calculate mai sus este V
MCmin
= 0, 35V .
Limita superioara a domeniului de variat ie a tensiunii de mod comun trebuie sa
permita funct ionarea tranzistoarelor M
3
si M
4
n regim saturat, n condit iile n
care semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
V
DD
(V
MCmax
+V
semnMAX
) = V
DS3
+V
DS4
, (7.64)
unde:
_
V
DS3
= V
od3
+ V = 0, 3V
V
DS4
= V
od4
+ V = 0, 35V
(7.65)
Rezulta valoarea maxima a tensiunii de mod comun, ca ind V
MCmax
= 0, 35V
Teoretic tensiunea de mod comun poate n intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru
maximizarea domeniului de variat ie a semnalului de iesire alegem V
CM
= 0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare V
biasp
, V
casp
si V
biasp
.
Mai ntai stabilim caderile de tensiune pe ecare tranzistor din schema, astfel
ncat ele sa e polarizate n regim saturat. Pentru aceasta, tensiunile drena-
sursa se aleg cu o margine de cel put in 100mV fat a de tensiunile de overdrive.
Deoarece schema este simetrica, tranzistoarelor M
1
-M
2
si M
3
-M
4
vom aloca
1,5V.

In mod similar ca la AO cascoda telescop, repartizam mai mult spatiu n
182 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
tensiune tranzistoarelor cascoda. Prin urmare, alegem V
DS1
= V
DS4
= 0, 5V
si V
DS2
= V
DS3
= 1V .
Tensiunea V
DS5
este condit ionata de valoarea tensiunii de mod comun la intrare
si se calculeaza conform ecuat iei:
V
MCin
V
SS
= V
GS
in
+V
DS5
V
DS5
= 0, 89V (7.66)
In Figura 7.21 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.

Minb
M5
M3a
M4b
M4a
M1b
M2a
M3b
M2b
Mina
M1a
V =1,5V
DD
V =-1,5V
SS
V =0,35V
casp
V =0,8V
biasp
V =0V
MC
V =0V
MC
150uA
100uA
200uA
V =0V
MC
V =0,5V
DS4
V =1V
DS2
V =0,5V
DS1
V =0,89V
DS5
V =1V
DS3
V =-0,8V
biasn
100uA
150uA
250uA 250uA
Figura 7.21: AO cascoda pliata - asezare n tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuat iilor anterioare.
_
_
V
biasn
V
SS
= V
GS5
V
biasn
= 0, 8V
V
DD
V
biasp
= V
SG4
V
biasp
= 0, 8V
V
DD
V
casp
= V
SD4
+V
SG3
V
casp
= 0, 35V
(7.67)
Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ial.
Doris Csipkes 183
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Curentul I
5
se obt ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
5
C
L
I
5
= SR C
L
= 200A (7.68)
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferent ial de intrare este egal cu
jumatate din curentul prin M
5
.
I
Dina
= I
Dinb
= I
5
/2 = 100A (7.69)
I
5
= 200A, I
ina
= I
inb
= 100A, I
cas
= 1, 5 I
in
= 150A
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW determinam transconductant a G
m1
.
GBW =
G
m1
2C
L
G
m1
= g
m
in
= 2C
L
GBW = 1, 25mS (7.70)
Pe de alta parte, transconductant a lui M
in
se poate scrie astfel:
g
m
in
=
2I
Din
V
od
in
(7.71)
Din ecuat iile (7.70) si (7.71) rezulta valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
zistoarele de intrare.
V
od
in
=
2I
in
g
m
in
= 160mV (7.72)
g
m
in
= 1, 25mS, V
od
in
= 160mV
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
In Tabelul 7.4 sunt dat i curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din
schema.
184 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Tip I
D
V
od
V
DS
M
in
100A 160mV 1,61V
M
1
150A 250mV 0,5V
M
2
150A 200mV 1V
M
3
150A 200mV 1V
M
4
250A 250mV 0,5V
M
5
200A 250mV 0,89V
Tabelul 7.4: Curent ii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Deoarece curent ii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate,
egal cu 50A, se vor face scalari pentru tranzistoarele de tip NMOS si PMOS
avand curentul egal cu unitatea si tensiunea de overdrive de 200mV si 250mV .
Utilizand ecuat ia (7.53), rezulta:
_
_
W
n
L
n
=
7, 5
1
,
W
p
L
p
=
25, 3
1
, pentru V
od
= 200mV
W
n
L
n
=
4, 8
1
,
W
p
L
p
=
16, 2
1
, pentru V
od
= 250mV
(7.73)
In Tabelul 7.5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schema.
M M
in
M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
W
L
23, 6
1
3*
4, 8
1
3*
3, 7
0, 5
3*
12, 6
0, 5
5*
16, 2
1
4*
4, 8
1
Tabelul 7.5: Geometria tranzistoarelor
7.4.1 AO cascoda pliata complet diferent ial
Varianta complet diferent iala a amplicatorului cascoda pliata este data n Fi-
gura 7.22. Trecerea de la AO cascoda pliata cu iesire simpla la structura complet
diferent iala se face n mod similar ca la amplicatorul cascoda telescop.
Doris Csipkes 185
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
M1b
M1a
M2a
Mina
M4b
M3a
M2b
M4a
Minb
M5
M3b

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
casn
V
biasp
V
casp
V
casn
V
ip
V
op
V
om
V
im
Figura 7.22: AO cascoda pliata complet diferent ial
Schema de semnal mic este aceeasi ca la AO cascoda telescop din Figura 7.18.
Parametrii de semnal mic sunt urmatorii:
_
_
G
m1
=
g
m
in
2
, R
out
= 2 (g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
G
m2
=
g
m3
2
, R
p

=
2
g
m3
C
out
=
1
2
(C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+ 2C
L
)
= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS3
+C
GS3
+C
BD4
+C
GD4
+C
BD1
)
(7.74)
7.5 Sumar
In acest capitol s-au prezentat cateva congurat ii de amplicatoare operat iona-

le. Astfel, au fost discutate AO Miller, AO cascoda telescop si cascoda pliata.
186 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
In cazul ecaruia s-au evident iat avantajele, limitarile si domeniul de frecvent e

n care se utilizeaza n practica.
Cele trei structuri de AO sunt nsot ite de metoda completa de proiectare pentru
specicat ii impuse. Acesti pasi de proiectare permit ca pentru un nou set de
specicat ii sa se obt ina cu usurint a dimensiunile tranzistoarelor si a componen-
telor pasive, acolo unde este cazul.
Bibliograe:
Press, 1987
Doris Csipkes 187

Circuite Integrate Analogice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Circuite Integrate Analogice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

C

In capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare si tranzistoarele MOS.

In capitolul 4 sunt introduse cateva tipuri de referint e de tensiune si de

In procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structura zica ver-

In practica, pentru a evita saturat ia nedorita a tranzistoarelor bipolare, punctul

, iar curentul prin dispozitiv este zero.

vor atrasi spre grila. Atat timp cat

In regim liniar (eng. triode sau weak inversion) canalul formeaza un

In regim saturat tensiunea V

In ecuat ia de mai sus s-a considerat ca regiunile de suprapunere a grilei cu drena

In aceasta sect iune s-au studiat tranzistoarele bipolare si tranzistoarele MOS.

In mod ideal ele furnizeaza un curent independent de tensiunea de la borne.

In afara de modul de calcul al rezistent ei de iesire bazat pe schema de semnal

In Tabelul 2.1 sunt calculate R

Inlocuind tensiunile grila-sursa si substrat-sursa ale lui M

In majoritatea cazurilor tensiunile de grila sunt generate injectand un curent de

In continuare se considera funct ia binomiala inversa si dezvoltarea sa n serie

Insumand performant ele oglinzii simple de curent se poate observa ca rezistent a

In mod similar se scrie V

Inlocuind ecuat iile (3.14) si (3.15) n (3.13), rezulta:

In practica, pentru mbunatat irea raportului de reexie, tranzistoarele M

In sect iunea anterioara s-a demonstrat ca tensiunea minima la iesirea oglinzii

In primul pas se analizeaza erorile factorului de reexie. Aceste erori pot

In cazul ideal, daca V

In mod similar ca la oglinda simpla cu tranzistoare MOS, se pot face urmatoarele

In acest caz raportul de reexie va aproximativ 2, cu eroarea introdusa de

In urmatorul pas se t ine cont de relat ia (3.31) dintre I

In cazul particular n care tranzistoarele sunt identice (aceeasi arie a

In practica, punand condit ia V

In acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS si bipolare.

In realitate, termenul de referint a este utilizat pentru a denumi circuitele care

In cazul particular n care

In mod similar pentru varianta bipolara rezulta:

ta mai neliniara a tensiunii pe dioda (proport ionala sau egala

Inlocuind n prima ecuat ie tensiunile baza-emitor se obt ine:

In aceasta structura rolul tranzistorului M

In aceasta varianta de celula Brokaw amplicatorul operat ional este utilizat n

In acest capitol s-au prezentat cateva tipuri de referint e considerate imple-

In cazul amplicatorului cu sarcina rezistiva limita de sus a domeniului de

In aceasta ecuat ie capacitatea conectata la nodul de iesire este dominata de

. Deasemenea trebuie remarcate

In mod similar ca si amplicatorul cu sarcina rezistiva exista un singur nod n

In acest capitol s-au prezentat principalele congurat ii de amplicatoare simple.

In paragrafele urmatoare sunt prezentate cateva amplicatoare diferent iale folo-

In Figura 6.7 este prezentata schema amplicatorului diferent ial cu sarcina

Inlocuind tensiunile grila-sursa din sistemul (6.18) cu aceste expresii si apoi

In relat iile lui a si b date n (6.25) se considera conductant a drena-sursa a tran-

In Figura 6.11 este prezentata caracteristica de amplitudine si faza a amplica-

Inlocuind tensiunile grila-sursa cu tensiunile de intrare corespunzatoare n siste-

In continuare se identica coecient ii termenilor n s din relat iile (6.41) si (6.42),

In structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferent ial,

In categoria amplicatoarelor care se bazeaza pe cascadarea mai multor etaje

In aceste condit ii marginea de faza este insucienta pentru a asigura stabilitatea

la frecvent a egala cu produsul amplicare-banda (GBW). Pentru

. O valoare a marginii de faza de 60

asigura stabilitatea simul-

la orice frecvent a. Adit ional, stiind ca zeroul

In practica, amplicatorul Miller se proiecteaza pentru o margine de faza

, valoare care asigura un compromis ntre stabilitate, overshoot si

In acest paragraf este prezentata metoda completa de proiectare a unui ampli-

In cele ce urmeaza sunt prezentat i pasii de proiectare sistematica a unui AO

In cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problema alocarea tensiunilor

In Figura 7.16 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curent ii prin tranzistoare.