Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I
01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I
Proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar Centrul Naional de Dezvoltare a nvmntului Profesional i Tehnic
str. Spiru Haret nr. 10-12, sector 1, Bucureti-010176, tel. 021-3111162, fax. 021-3125498, vet@tvet.ro
Nivel 3
2009
AUTOR:
DANIELA CONDEI prof. grad didactic I.
COORDONATOR:
GABRIELA DIACONU - prof. grad didactic I
Cuprins
I. Introducere ................................................................................................................... 4
II. Documente necesare pentru activitatea de predare .................................................... 5
III. Resurse ...................................................................................................................... 6
Tema 1. Diode semiconductoare ................................................................................. 6
Fia suport 1.1 Dioda semiconductoare ................................................................... 6
Fia suport 1.2 Tipuri de diode semiconductoare ..................................................... 9
Tema 2. Tranzistorul bipolar ...................................................................................... 13
Fia suport 2.1 Funcionarea tranzistorul bipolar .................................................... 13
Fia suport 2.2 Carateristicile tranzistorul bipolar ................................................... 16
Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp ..................................................................... 20
Fia suport 3.1 Tranzistoare cu efect de cmp ....................................................... 20
Fia suport 3.2 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) .................... 22
Fia suport 3.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat ........................... 25
Tema 4. Tiristorul ....................................................................................................... 29
Fia suport 4.1 Tiristorul ......................................................................................... 29
Tema 5. Dispozitive optoelectronice .......................................................................... 32
Fia suport 5.1 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern .... 32
Fia suport 5.2 Dispozitive optoelectronice electroluminiscente ............................. 35
IV. Fia rezumat ............................................................................................................ 37
V. Bibliografie ................................................................................................................ 38
VI. Anexe ....................................................................................................................... 39
Anexa 1 Tipuri de diode i utilizrile acestora ........................................................ 39
Anexa 2 Caractertisticile statice ale tranzistorului bipolar n conexiune EC............ 40
I. Introducere
Materialele de predare reprezint o resurs suport pentru activitatea de predare,
instrumente auxiliare care includ un mesaj sau o informaie didactic.
Prezentul material de predare, se adreseaz cadrelor didactice care predau n cadrul
liceului tehnologic, filier tehnologic, profil tehnic, domeniul Electronic i
automatizri, calificarea Tehnician n automatizri.
El a fost elaborat pentru modulul X: Circuite cu componente electronice analogice,
ce se desfoar n 33 ore, din care:
Laborator tehnologic 16 ore
Competene
Identific
componentele
electronice
analogice
Teme
Fie suport
Tema 1 Diode
semiconductoare
Tema 2 Tranzistorul
bipolar
Tema 3
Tranzistoare cu efect
de cmp
Tema 4 Tiristorul
Tema 5 Dispozitive
optoelectronice
Tema 1 Diode
semiconductoare
Tema 2 Tranzistorul
bipolar
Verific
funcionalitatea
componentelor
electronice
analogice
Tema 3
Tranzistoare cu efect
de cmp
Tema 4 Tiristorul
Tema 5 Dispozitive
optoelectronice
http://www.datasheet4u.com/
http://vlab.unitbv.ro/VELab/papers/datasheets.php
III. Resurse
Tema 1. Diode semiconductoare
Fia suport 1.1 Dioda semiconductoare
Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline
cu diverse impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (regiune
de tip donor - n, regiune tip acceptor - p). Cele mai utilizate materiale semiconductoare
folosite n construcia dispozitivelor semiconductoare de circuit sunt siliciul i germaniul.
catod
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizare;
conversaia euristic;
activiti
practice
de
determinare
a
PSF,
parametrilor, vitualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau invididual
msurarea
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
catod
Diodele Zener (diode stabilizatoare), cu simbolul din Fig. 1.2.2, sunt diode de
construcie special, care nu se distrug n cazul n care se strpung, ci funcioneaz
chiar n regiunea de strpungere i se utilizeaz ca stabilizatoare de tensiune.
anod
catod
10
Diodele tunel, cu simbolul din Fig. 1.2.4, sunt un tip de diode semiconductoare
capabile de operare la viteze foarte mari.
anod
catod
Efectul tunel const n faptul c un electron cu energie mai mic dect bariera
energetic corespunztoare barierei de potenial reuete s treac dincolo de aceasta
nu peste barier ci prin ea (ca printr-un tunel).
Diodele tunel au concentraii mari de impuriti att n zona p ct i n zona n (jonciune
de tip p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte ngust n raport cu diodele
obinuite.
La polarizare direct caracteristica curent - tensiune (Fig. 1.2.5) are forma literei N i
posed o zon p-v de rezisten negativ de valoarea zecilor de ohmi. La polarizare
invers dioda tunel nu are regim de saturaie, ci are o rezisten intern foarte mic. De
aceea o inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la distrugerea acesteia. Diodele
tunel au o vitez de comutare foarte mare.
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizarea;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
12
n principiu un tranzistor bipolar este o pastil de siliciu dopat astfel inct s se creeze
trei straturi dopate diferit, i deci dou jonciuni pn; una emitor-baz i alta bazcolector. Tranzistoarele pot fi pnp (zona din mijloc dopat cu elemente donoare de
electroni, celelalte dou dopate cu elemente acceptoare), sau npn (dopat invers).
Totui, din cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza), cele dou jonciuni nu
funcioneaz independent i ntre terminalele extreme (colector i emitor) poate aprea
un curent, aceasta fiind i proprietatea cea mai important a tranzistorului, i aceea
care permite folosirea lui pe post de amplificator.
Fig. 2.1.3
Structura tranzistorului npn n circuitul de alimentare i distribuia curenilor
Pentru funcionarea tranzistorului a crui structur i alimentare sunt prezentate n Fig.
2.1.3, pe jonciunea baz-colector, se aplic o tensiune invers, cu polul pozitiv la
partea n, adic la colector. Deoarece n zona p nu sunt electroni liberi care s fie atrai
de polul pozitiv de la colector, n circuitul colectorului curentul este practic nul. Dac n
baz se injecteaz electroni din emitor, prin aplicarea unei tensiuni directe pe jonciunea
emitor-baz, electronii injectati vor fi atrai de colectorul pozitiv i n circuitul colectorului
va circula curent. n acest fel curentul n circuitul colectorului este comandat de curentul
din circuitul emitorului, care la rndul su este determinat de tensiunea aplicat ntre
emitor i baz (EE). Peste anumite valori ale tensiunii baz-colector (EC) toi electronii
injectai n baz sunt colectai de colector, curentul de colector atinge valori de saturaie
i curentul de baz (care circul ntre baz i sursa EC) este foarte mic. Se observ c
pe msur ce crete curentul emitorului crete i curentul colectorului, iar tensiunea
baz-colector, practic, nu influeneaz curentul colectorului.
Aplicnd ntre emitor i baz o tensiune alternativ, variaiile de tensiune provoac
variaii ale curentului emitorului, care produc variaii ale curentului colectorului. Pe
rezistorul de sarcin Rs, mare, din circuitul colectorului, variaiile de curent produc
variaii de tensiune mai mari dect ale tensiunii de intrare. Aadar tranzistorul poate
funciona ca amplificator de tensiune. Pentru ca semnalul amplificat s nu fie deformat,
n circuitul emitorului se introduce o tensiune continu U0 care are rolul de a stabili un
punct de funcionare al tranzistorului: tensiunea U0 produce un anumit curent de emitor,
n jurul cruia se produc variaiile de tensiunea alternativ. Aceast amplificare poate
lua valori mari. Deoarece tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din
circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten mare, de aici
denumirea TRANSfer reZISTOR adic transfer de rezisten.
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizare;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
15
16
n aa mod, prin contactul emitorului (circuitul emitor - baz) curge curentul de dirijare IE
(de intrare), prin contactul colectorului (circuitul colector - baza) curentul de dirijare IE
(de ieire) i curentul invers al colectorului ICB0, iar prin contactul bazei diferena
curentului emitorului i colectorului.
n tranzistoarele reale curenii IE i IC i creterile lor IE i IC sunt aproximativ egale
dup valori.
Coeficienii de transfer a curenilor. Modificarea curentului colectorului rezultat
din modificarea curentului emitorului este condiionat numai de electroni. ns, curentul
total al emitorului este determinat att de electroni ct i de goluri. Cu ct mai muli
electroni (n comparaie cu numrul golurilor) trec prin jonciunea emitorului i cu ct
mai puini din aceti electroni se recombin n baz, neajungnd la jonciunea
colectorului, cu att mai bine tranzistorul transmite schimbrile curentului emitorului n
circuitul colectorului.
Coeficientul static de transfer al emitorului poate fi determinat dup formula:
I C I CB0
IE
I C I CB0
I B I CB0
a baz comun;
b emitor comun;
c colector comun
17
n cataloage de obicei sunt prezentate primele dou tipuri de caracteristici (de intrare i
de ieire), cci sunt cele mai importante i utilizabile. n anexa 2 prezentm
caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiune EC.
Indiferent de tipul tranzistorului, n planul caracteristicilor de ieire se disting trei
regiuni de lucru :
- regiunea de saturaie care se afl n extremitatea stng a caracteristicilor de ieire;
- regiunea de blocare care se afl sub caracteristica IB = 0;
- regiunea activ normal de lucru care se afl ntre cele dou regiuni de blocare i
saturaie.
Asigurarea integritii tranzistoarelor necesit considerarea unor limitri impuse
mrimilor ce le determin regimul de lucru. Valorile maxime absolute sunt valori care nu
trebuie depite n timpul funcionrii montajului, deoarece se pot produce defectarea
tranzistorului. De regul n aceast grup apar:
tensiunile maxime ntre terminale: VCB0, VCE0, VEB0;
curentul maxim de collector i de baz: ICM, IBM;
puterea maxim disipat: Ptot;
temperature maxim a jonciunii: TjM.
O regul practic util recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult, 0,75 din valorile
de catalog ale acestor parametri.
Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete,
n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de
instrumentaie, oscilatoare, modulatoare i demodulatoare, filtre, surse de alimentare
liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind
integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.
18
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizare;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizri de caracteristici
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
19
20
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizarea;
conversaia euristic;
organizarea clasei: frontal, grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
21
22
iD = iD,sat
Saturaia corespunde momentului n care canalul este strangulat lng dren. Aceast
strangulare apare la rndul ei atunci cnd diferena de potenial ntre poart i
extremitatea de lng dren a canalului este egal cu tensiunea de prag.
b.
Caracteristicile de transfer (Fig. 3.2.4) sunt iD = iD(uGS). Dispozitivul este folosit
ca amplificator n zona de saturaie caracterizat de uDS >uDS,sat , unde iD este practic
independent de uDS.
23
Zona preferat de lucru este cea de la cureni mari, acolo unde i panta
caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu creterea temperaturii (la UGS =
const) dar problema ambalrii termice nu se pune n cazul TEC-J.
Sugestii metodologice
CU CE?
tipuri de TEC-J-uri;
calculator cu soft educaional;
folii transparente cu simbolurile, caracteristicile TECJ - urilor.
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizarea;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
24
26
tip n
tip p
tip n
tip p
27
Sugestii metodologice
CU CE?
tipuri de TEC-MOS;
calculator cu soft educaional;
folii transparente cu simbolurile, caracteristicile statice ale TEC-MOS.
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizarea;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
28
Tema 4. Tiristorul
Fia suport 4.1 Tiristorul
a structur;
b - simbol
30
Cu ajutorul tiristorului pot fi controlate puteri mari, fiind utilizat frecvent n circuitele
redresoare comandate i invertoare. Posibilitatea de control a momentului amorsrii
determin un domeniu larg de aplicaii pentru acest dispozitiv care poate fi alimentat de
la tensiuni de ordinul zecilor la tensiuni de ordinul sutelor de voli i corespunztor
curenilor de ordinul sutelor de amperi.
Sugestii metodologice
CU CE?
tipuri de tiristoare;
calculator cu soft educaional;
folii transparente cu simbolul, caracteristici, schem echivalent a tiristorului.
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizare;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilo, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
31
32
Fototranzistorul, simbolizat n Fig. 5.1.4, este format din trei zone (pnp sau npn)
numite colector, baz i emitor. Zona sensibil la lumin formnd-o jonciune bazcolector. Spre deosebire de fotodiode fototranzistoarele realizeaz i o amplificare a
curentului fotoelectric. Fluxul luminos are rolul curentului de baz de aceea
33
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizare;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
34
Sugestii metodologice
CU CE?
CUM?
metode de nvmnt:
explicaia;
observaia dirijat;
problematizare;
conversaia euristic;
activiti practice de msurarea parametrilor, vizualizarea caracteristicilor.
organizarea clasei: frontal, pe grupe de elevi sau individual
UNDE?
sala de clas;
laborator tehnologic;
laborator informatizat.
36
Fia rezumat
Clasa ________________
Nr.
Crt.
1
2
3
4
...
Y
Nume i
prenume
elev
Profesor______________________
Competena 1
A1
A2
Competena 2
AX
A1
A2
Competena 3
A3
A1
A2
A3
zz.ll.aaaa1
zz.ll.aaaa reprezint data la care elevul a demonstrat c a dobndit cunotinele, abilitile i atitudinile vizate prin activitatea respectiv
37
Observaii
V. Bibliografie
1. Bioiu, Adrian. Blu, Gheorghe. Icou, Corneliu. Lingvaz, Iosif. (1984).
Practica electronistului amator, Bucureti: Editura Albatros
2. Creang, Emil. Saimac, Anton. Banu, Emilian. (1981). Electronic Industrial,
Bucureti: Editura didactic i pedagogic
3. Dan, Pentru Alexandru. Luca, Dan Mihai. Albu, Adrian. Dunca, Tudor. Primejdie,
George. (1986). Diode cu siliciu - catalog, Bucureti: Editura Tehnic
4. Dascalu, Dan. Rusu, Adrian. Profirescu, Marcel. Costea, Ioan. (1982).
Dispozitive i circuite electronice, Bucureti: Editura didactic i pedagogic
5. Florea, S. Dumitrache, I. Gburici, V. Munteanu, F. Dumitriu, S. Catan, I.
(1983). Electronic industrial i automatizri, Bucureti: Editura Didactic i
Pedagogic
6. Stan, Alexandru Iulian. Cnescu, Traian. Huhulescu, Mihai. Popescu, Constaniu.
Simulescu, Drago. (1998). Aparate, echipamente i instalaii de electronic
industrisl tehnologia meseriei- manual pentru clasele a IX a i a X a licee
industriale i coli profesionale, Bucureti: Editura didactic i pedagogic
7. Vasilescu, Gabriel. Lungu, erban. (1981). Electronic, Bucureti: Editura
Didactic i Pedagogic
38
VI. Anexe
Anexa 1 Tipuri de diode i utilizrile acestora
Tipul diodei
Utilizarea
Diode tunel
Diode redresoare
Redresoare
Diode Zener
Stabilizatoare de tensiune
Limitatoare de tensiune
Diode PIN
39
40