Sunteți pe pagina 1din 166

Ecaterina-Liliana MIRON

Mihai MIRON
Gheorghe PAN

ELECTRONIC
- partea I -

Editura Academiei Forelor Aeriene Henri Coand

DISPOZITIVE ELECTRONICE

1. INTRODUCERE N ELECTRONIC
1.1. COMPONENTE DE CIRCUIT
n perioada actual de dezvoltare, electronica ocup un loc foarte important, fiind
prezent n toate domeniile activitii umane. Electronica a nceput ca o ramur a electrotehnicii numindu-se electrotehnica curenilor slabi, avnd ca domeniu principal de aciune
telecomunicaiile. Datorit avantajelor oferite de miniaturizare, amplificare, memorare, vitez de
calcul, precum i de posibilitile de automatizare, electronica poate satisface orice cerin.
Diversitatea i preteniile sunt tot mai mari, astfel c este necesar s se creeze echipamente cu
funciuni specifice prin interconectarea corespunztoare a unor componente performante.
Realizarea echipamentelor electronice a nceput prin utilizarea componentelor discrete, conectate
n circuite care s realizeze funciile dorite. Dezvoltarea actual a electronicii a permis realizarea
unor funcii, direct cu ajutorul dispozitivelor electronice speciale.
Se definesc urmtoarele noiuni:
1. Circuitul electric succesiune de medii conductoare prin care circul curent electric,
care realizeaz o anumit funcie n cadrul unui montaj complex. Este caracterizat de parametrii
de circuit (rezisten, inductivitate, capacitate). Acesta conine mai multe componente discrete.
Termenul de circuit se poate asocia cu:
Circuit integrat grup de elemente electronice conectate inseparabil, capabil s
ndeplineasc una sau mai multe funcii. Poate fi:
analogic (mrimea de ieire variaz cu mrimea de intrare);
numeric (circuitul folosete cele dou nivele, ale codului binar, 0 i 1).
Circuit activ este circuitul care conine cel puin un element activ.
Circuit pasiv circuitul care nu conine nici o surs de energie.
Tehnica de realizare a circuitelor electrice a evoluat, ajungndu-se de la tehnologia de
fabricare a circuitelor cu tuburi electronice la tehnologia microelectronicii (realizarea de circuite
integrate monolitice), de concentrare a unui numr mare de elemente de circuit ntr-un volum
redus.
Realizarea unui circuit electronic implic stabilirea funciunilor circuitului i
interconectarea elementelor componente pentru realizarea acestor funciuni. De asemenea, este
necesar anticiparea comportrii circuitelor obinute prin aceast interconectare, prin realizarea
modelului matematic pe schemele echivalente ale componentelor fizice din cadrul circuitului,
operaii obinute prin modelare i simulare.
2. Componente electronice. Clasificare
n cadrul circuitelor electronice, n funcie de modul n care intervin, se deosebesc
urmtoarele tipuri de componente:
Componente electronice pasive
Componente electronice active
2.1. Componentele electronice pasive
Sunt elemente de circuit care pot ndeplini funcii de prelucrare a semnalelor elecrice,
precum filtrare, integrare, derivare. Astfel de componente nu pot aciona asupra energiei
semnalelor. Componentele pasive se mpart, la rndul lor, n:
Componente pasive de tip dipol (circuite uniport): rezistoare, bobine, condensatoare,
diode semiconductoare;
Componente pasive de tip circuite diport: linia lung i linia de ntrziere;
Componente pasive de tip circuite n-port: transformatoare electrice.
7

2.2. Componentele electronice active


Spre deosebire de componentele pasive, acestea sunt capabile s modifice energia
semnalului. Se gsesc cel mai des n circuitele de comand, afiare, nregistrare. Se mai ntlnesc
sub denumirea de dispozitive semiconductoare. Astfel de componente funcioneaz atunci cnd
sunt alimentate, ele consumnd energie de la o surs electric. Un exemplu de astfel de
componentel reprezint tranzistoarele.
Componentele active sunt componente neliniare de circuit.
3. Semnale electronice
n circuitele electrice semnalele se manifest ca variaii ale marimilor:
Tensiune u(t);
Curent i(t).
La rndul lor pot fi - constante;
- variabile.
Cele mai des ntlnite n circuitele electrice sunt semnalele continue i alternative
(figura1.1).
x(t)

x(t)

Xm

T
t

a.
Fig. 1.1 Semnale electrice: a. continue; b. alternative
Pentru un semnal alternativ, x(t) se definesc urmtoarele:
1. Valoare instantanee:
x(t ) = X 2 sin( t )
pentru care:
Xm = X 2 valoarea maxim a semnalului;
= 2f viteza unghiular;
f frecvena semnalului;
unghiul de defazaj ntre dou marimi ale aceluiai circuit.
2. Valoarea medie pe o perioad:
1T
X med = x(t )dt
T0
3. Valoarea efectiv:
X =

1T
[x(t )]2 dt
T 0

b.

Aparatele de msur, n general, pun n eviden valoarea efectiv a semnalului.


De asemenea, pentru un circuit electric se definesc:
4. Puterea electric:
Puterea la borne (instantanee)
p(t) = u(t)i(t)

Puterea medie:
1T
Pmed = u( t ) i( t )dt
T0
4. Surse de semnale
Semnalele electrice sunt obinute n urma introducerii n circuit a uneia sau mai multe
surse de semnale. Sursele se clasific n:
1. Surse de tensiune
2. Surse de curent
La rndul lor acestea pot fi: - ideale;
- reale.

a.

c.

b.

d.

Fig.1.2. Surse de semnal: a. surs de curent real; b. surse de curent - simbol;


c. surs de tensiune real; d. surse de tensiune - simbol;
n figura 1.2 se prezint cteva simboluri ale surselor. Sursele ideale sunt pri
componente ale circuitelor utilizate n modelarea matematic a acestora. n montajele practice
ele nu exist. Sursele ideale de tensiune sunt elemente de circuit care au tensiunea la borne
independent de curentul prin acestea. Sursele ideale de curent sunt cele la care curentul ce le
strbate este independent de tensiunea la borne.
5. Caracteristicile i parametrii componentelor electronice
n studiul circuitelor electronice pasive intervin termenii:
Impedan (n c.a.) sau rezisten (n c.c.) raportul tensiune/curent;
Admitan (n c.a.) sau conductan (n c.c.) raportul curent/tensiune.
n cazul reprezentrii acestora n planurile U-I i I-I sub form liniar atunci elementele
se numesc liniare. Practic astfel de elemente nu exist.
9

Caracteristici electrice: reprezentarea grafic a dependenei diferitelor mrimi


electrice. Pot fi:
Caracteristici teoretice: aproximeaz funcionarea unei componente sau a unui
circuit;
Caracteristici experimentale: reprezentarea grafic a rezultatelor experimentale.
Acest tip de caracteristic poate fi:
o Reprezentare prin puncte;
o Reprezentare continu.
n general, funcionarea unei componente este dependent de una sau mai multe variabile
electrice sau neelectrice. Aceast dependen a unei mrimi n funcie de alt mrime conduce la
obinerea unei familii de caracteristici. Exist mai multe moduri i categorii de caracteristici:
o Caracteristici i parametri statici, sau de curent continuu;
o Caracteristici i parametri de curent alternativ;
o Caracteristici i parametri pentru regim tranzitoriu;
o Caracteristici i parametri pentru influena mediului;
o Caracteristici i parametri pentru puterea disipat.
Caracteristicile i parametrii enumerai mai sus sunt cei care se specific n cataloagele de
specialitate.
n continuare se vor prezenta principalele componente de circuit.

10

1.2. COMPONENTE PASIVE


n acest capitol se prezint cteva din componentele de circuit utilizate cel mai des n
aplicaiile electronice.

1.2.1. REZISTOARE
Rezistorul este componenta de circuit cel mai des ntlnit n circuitele electrice.
Principalul parametru al rezistoarelor este rezistena electric iar unitatea de msur n sistemul
internaional este ohm-ul ().
Termenul de rezisten electric este n strns legtur cu fenomenul de conducie
electric (curentul electric micarea ordonat a purttorilor de sarcin). Rezistena electric este
fenomenul de opunere trecerii curentului electric printr-un conductor. Mrimea prin care se poate
msura fenomenul de rezisten electric, la un material conductor se numete rezistivitate
electric () i se msoar n /m.
Pentru un conductor de lungime l i cu o arie a seciunii S, rezistena electric se poate
exprima:
l
R=
S
Simbolul rezistorului este prezentat n figura 1.3.
C12

1 I

Lp

U
a.

b.

Fig. 1.3 Simbolizarea rezistorului:


a. ideal; b. real
Rezistorul ideal este caracterizat printr-un singur parametru rezistena electric.
n cazul rezistorului real apar inductiviti i capaciti parazite, cu schema real din
figura 1.3.b.
Pentru rezistorul electric ideal sunt valabile urmtoarele:
Legea lui Ohm:
Rezistena electric este raportul dintre tensiunea electric aplicat la bornele
rezistorului i intensitatea curentului determinat prin rezistor.
U
R=
I
La trecerea curentului electric printr-un rezistor, puterea electric disipat se
transform n putere caloric prin efect Joule:
U2
2
P = UI = RI =
I
Puterea disipat determin nclzirea rezistorului. Aceast nclzire conduce la stabilirea
unei temperaturi de echilibru termic, dependent de puterea disipat i de temperatura mediului
ambiant. Dac temperatura de echilibru termic depete temperatura maxim admisibil
prescris pentru rezistorul respectiv atunci apar modificri ale proprietilor acestuia.
11

Rezistoarele se utilizeaz n circuitele electrice sub forma divizoarelor de tensiune i


curent (figura 1.4).
1
I
U1

R1

U1 = U

U
R2

R1
R1 + R2

I1

I2

R1

R2

U2

2
a.

b.

Fig.1.4. a. Divizor de tensiune; b. divizor de curent.


Clasificarea rezistoarelor
1. Dup mrimea curentului pe care-l suport:
Rezistoare pentru cureni slabi;
Rezistoare pentru cureni tari.
2. Din punct de vedere constructiv:
Rezistoare fixe;
Rezistoare variabile:
o Reglabile;
o Poteniometre.
3. Din punct de vedere al destinaiei:
Rezistoare de uz general;
Rezistoare profesionale.
4. n funcie de forma caracteristicii:
Liniare;
Neliniare.
o Termistoare (rezistena variaz cu temperatura);
o Varistoare (rezistena variabil cu tensiunea);
o Fotorezistoare (rezistena variabil cu iluminarea).
5. Dup elementul rezistiv utilizat:
Pentru cureni slabi:
o Peliculare;
o De volum.
Pentru cureni tari:
o Rezistoare bobinate;
o Rezistoare tanate din tabl;
o Rezistoare spiralate din benzi metalice.
6. Dup posibilitatea conectrii n circuit:
Cu terminale axiale;
Cu terminale radiale;
Circuite integrate hibride;
Arii de rezistoare.
12

I1 = I

R2
R1 + R2

Marcarea rezistoarelor
Valoarea rezistoarelor se poate marca n dou moduri:
n clar
Acest mod de marcare este mai rar ntlnit. Se marchez pe corpul rezistorului
valoarea rezistenei nominale, inclusiv simbolul. Exemple de marcare: 0,1; 100.
Diferite coduri:
Cod numeric-alfanumeric varianta 1. Pentru rezistoarele cu valori de ordinul
ohmilor, se marcheaz cifrele semnificative cu virgula pus n mod corespunztor
fr a se inscripiona simbolul . Pentru valori nominale mai mari de 1K, se
marcheaz cifrele semnificative, iar n locul virgulei se pune simbolul de
multiplicare.Acesta poate fi K, M, .a. (tabelul 1.1)
Tabelul 1.1

Marcare
RN []

2,2
2,2

62
62

1K2
1200

1K
1000

1M
106

1M8
1,8106

Cod alfanumeric varianta 1. Este asemntor cu cel prezentat anterior, cu


diferena c pentru rezisten, n locul virgulei se pune litera R (tabelul 1.2).
Tabelul 1.2

Marcare
RN []

2R2
2,2

62R
62

1K2
1200

1K0
1000

1M0
106

1M8
1,8106

Cod numeric-alfanumeric varianta 2, utilizat n special pentru marcarea


rezistoarelor SMD sub form de chip, la care se marcheaz uneori doar rezistena
nominal, (datorit dimensiunilor mici). Codul este format din cifrele semnificative
ale rezistenei nominale, litera R pus n locul virgulei pentru valori mici ale
rezistenei i ordinul de multiplicare (puterea lui zece) pentru valori mari ale
rezistenei. Pentru tolerane de 20%, 10% i 5%, sunt necesare dou cifre
semnificative. n cadrul codului se folosete: x prima cifr semnificativ; y a doua
cifr semnificativ; m ordinul de multiplicare.
Rxy, pentru RN < 1;
xRy, pentru RN = 1... 9,1;
xyR, pentru RN = 1099;
xym, pentru RN > 100.
Pentru tolerane mici de 2,5%, 2% i 1%, etc. sunt necesare trei cifre
semnificative, codul devenind:
Rxyz, pentru RN < 1;
xRyz, pentru RN = 1... 9,1;
xyRz, pentru RN = 1099,9;
xyzR, pentru RN = 100999.
xyzm,pentru RN > 1000.
Tabelul 1.3

Marcare
RN[ ]

1R2
1,2

56R
56

681
680

913
91103

1R62
1,62

26R7
26,7

1781
1780

4873
487103

Cod alfanumeric - varianta 2. Pentru rezistoare SMD de dimensiune foarte mic


se utilizeaz un cod alfanumeric conform tabelelor 1.4 i 1.5

13

Cod

Cod

Tabelul 1.4
Cod

Cod

Tabelul 1.5

S
Cod literal
Multiplicator 10-2

R
10-1

A
10

B
101

C
102

D
103

E
104

F
105

Codul se utilizeaz pentru tolerane de 0,1%, 0,5%, 1%. Aceast marcare, fa de


varianta anterioar (cod alfanumeric varianta 3) reduce marcarea cu un digit. Exemplu: 10C
nseamn RN=12,4 k.
Codul culorilor este prezentat n tabelul 1.6. Utiliznd codul culorilor se poate marca
rezistena nominal, tolerana, coeficientul de variaie cu temperatura i uneori fiabilitatea.
Pentru marcarea rezistenei nominale, n funcie de toleran sunt necesare dou sau trei cifre
semnificative. Tolerana i coeficientul de variaie cu temperatura pot fi marcate sau nemarcate.
Ordinea de citire a culorilor este de la captul cel mai apropiat (figura 2.4 a i b) sau
ultima culoare este de aproximativ dou ori mai lat dect celelalte (figurile 2.4 c, d, e, f).

Fig. 1.5. Marcarea rezistoarelor n codul culorilor. 1 - prima cifr semnificativ; 2


- a doua cifr semnificativ; 3 - a treia cifr semnificativ;
m multiplicator; t tolerana; - coeficient de temperatur; - fiabilitate.
14

Tabelul 1.6

Cifr
semnificativ

Culoare

Multiplicator

Tolerana rezistoarelor se poate marca:


n procente:
Pentru tolerane de 20%, se marcheaz numai rezistena nominal cu trei inele colorate
(figura 2.4. a) ;
Cu codul culorilor:
La rezistoare cu toleran de 10% i 5% (fr marcarea coeficientului de variaie cu
temperatura). n acest caz se marcheaz rezistena nominal (culorile C1, C2, m) i tolerana. De
exemplu, fiind marcate culorile rou (C1), galben (C2), maro (m) i auriu, rezult RN = 2410
=240 cu tolerana t = 5%.
Marcarea din figura 2.4.c este utilizat pentru marcarea rezistenei nominale i a
toleranei, tolerana fiind mai mic dect 2,5%. n acest caz apare ca necesar a treia cifr
semnificativ C3. Coeficientul de variaie cu temperatura, atunci cnd este marcat este ultima
culoare.
n cod literal conform tabelului 1.7.
Tabelul 1.7

Codul
literal

t [%]

0,01 0,02 0,05 0,1

0,25 0,5

2,5

10

20

n cataloagele de specialitate trebuie s se regseasc:


Rezistena nominal, RN, fiind valoarea rezistenei nscris pe rezistor.
Domeniul de valori, fiind mulimea valorilor nominale disponibile sau realizabile
pentru un anumit tip.
Tolerana, exprim procentual abaterea maxim admisibil a valorii reale de la
valoarea nominal (marcat pe corpul rezistorului):
R Rn
t = max
100 [% ]
R
Puterea disipat nominal, Pn [W], puterea pe care o poate dezvolta un rezistor n
timpul funcionrii la temperatura ambiant fr a-i modifica proprietile.
Tensinea nominal limit, Unlim [V], tensiunea continu sau valoarea efectiv a
tensiunii alternative aplicat la bornele rezistorului:
U n lim = Pn R N

15

Rezistena critic, valoarea maxim a rezistenei creia i se poate aplica tensiunea


nominal limit. Coeficientul de temperatur a rezistenei, raportul dintre variaia real
a rezistenei i variaia de temperatur care a determinat aceast diferen:
R
R = R [ oK-1]
T
Coeficientul de variaie a rezistenei sub aciunea unui factor extern:
R
Kk =
100 [% ]
R0
De asemenea se mai pot prezenta: temperatura ambiant, domeniul nominal de
temperatur, rigiditatea dielectric, rezistena de izolaie, categoria climatic i precizia
rezistoarelor.

1.2.2. BOBINE
Bobina este componenta de circuit a crei principal parametru este inductana electric
[L]. n Sistemul Internaional aceasta se msoar n Henry [H].
Bobina este elementul la care curentul care strbate componenta i tensiunea la bornele
acesteia ndeplinesc relaia:
di ( t )
uL ( t ) = L L
dt
Realizarea unei bobine se face prin nfurarea unui fir conductor pe carcase avnd
diferite seciuni i proprieti dielectrice foarte bune. Exist mai multe tipuri de bobinaje (ntr-un
singur strat, multistrat, piramidal, secionat, fagure) fiecare imprimnd anumite caracteristici
bobinei.
Bobinajul poate fi realizat din fir de aluminiu sau cupru, monofilar sau multifilar (pentru
frecvene mari). Pentru frecven ultranalt (datorit efectului pelicular) se folosesc conductoare
de cupru argintat (curentul trecnd prin pelicula de argint) sau conductoare de aluminiu (pentru
puteri mari).
Aluminiul prezint anumite dezavantaje fa de cupru, din cauza problemelor pe care le
ridic lipirea sa, respectiv rezistivitatea electric mai ridicat n comparaie cu cuprul care
impune mrirea seciunii conductoarelor conducnd la soluii constructive necorespunztoare.
Conductoarele pentru bobine pot avea seciune circular sau dreptunghiular (ptrat) i
pot fi izolate sau neizolate.
n curent alternativ bobina este caracterizat de reactana inductiv (XL) definit de
relaia:
X L = L
Cu ajutorul acesteia se poate defini factorul de calitate ca fiind:
X
QL = L
R
Bobinele se clasific astfel:
Bobine fixe (inductana constant pe timpul funcionrii), cu reprezentarea din figura
1.6.a. Dac sunt fr miez atunci sunt realizate pentru inductiviti mici.
Bobine variabile (prin poziionarea unui miez magnetic), reprezentate ca n figura
1.6.b;
Bobine fixe cu miez magnetic, figura 1.6.c. Miezurile magnetice ale bobinelor pot
avea diferite forme (bar, tor, oal si alte forme nchise).
Bobine fixe cu miez magnetic i ntrefier, figura 1.6.d.

16

1.

a.

b.

c.

d.

2.

Fig.1.6: 1. Simbolurile bobinelor; 2. Simboluri tolerate: a. Bobin, inductan;


b. Bobin, inductan variabil; c. Bobin, inductan cu miez magnetic;
d. Bobin, inductan cu miez magnetic i ntrefier.
Pentru bobine, n catalog se prevd principalele caracteristici:
Inductana (L)
Rezistena proprie (RL);
Factorul de calitate (QL) sau tangenta unghiului de pierderi (tg), reprezint raportul

dintre puterea activ disipat n bobin i puterea reactiv;


Capacitatea parazit a bobinei;
Coeficientul de temperatur, caracterizeaz modificarea relativ a inductanei sub
influena temperaturii;
Puterea, tensiunea i curentul maxim admis pentru a nu produce transformri
ireversibile n bobin;
Domeniul de ajustare a inductivitii.
La bobine pot aprea cmpuri electromagnetice exterioare. Pentru aceasta este necesar
ecranarea. Aceasta se face prin ecranarea cu materiale feromagnetice pentru cmpuri
perturbatoare de joas frecven i materiale bune conductoare de electricitate pentru frecvene
nalte.
Un tip special de bobine sunt variometrele, ansamblu de dou bobine (una fix i alta
mobil cu acelai ax) fr miez, care asigur modificarea cuplajului magnetic (inductana
mutual) dintre ele. Se utilizeaz n circuitele de acord de ieire ale emitoarelor radio si cele de
intrare ale radioreceptoarelor gonio.
Inductivitatea bobinei poate avea mai multe interpretri:
1. Proprietate a unui circuit de a se opune variaiei curentului electric care l parcurge.
Astfel inductivitatea bobinei este coeficientul de proporionalitate ntre fluxul magnetic i
curentul electric:
Wb
( t )
L=
H =
i( t )
A
2. Proprietatea bobinei de a acumula energie magnetic. La conectarea unei bobine la o
surs electric apare o tensiune electromotoare care se opune creterii curentului prin bobin.
Aceasta nu se realizeaz n totalitate, astfel c este necesar energie suplimentar pentru a
nvinge opoziia bobinei, exprimat cu relaia:
LI 2
WL =
2
Inductivitatea bobinei este dependent de form, dimensiuni i structur.
Exemplu:
1. Pentru o bobin fr miez, de lungime l, seciune S i numr de spire N, inductivitatea
bobinei este calculat cu relaia:
17

S
l
2. Pentru o bobin amplasat pe un miez magnetic nchis de seciune medie a miezului
magnetic, Sm i Dm:
Sm
L = N2
2 Dm
L = 4 N

Comportarea n frecven a bobinei


Schema echivalent a bobinei conine o rezisten de pierderi n conductor Rc, o
rezisten de pierderi n miez Rm, o rezisten de izolaie Riz i capacitatea parazit ntre dou
spire alturate C. Astfel se poate obine un model cu parametri concentrai ca n figura 1.7.
Rm
L
1
Rc
2
C
Riz

Fig. 1.7. Schema echivalent cu parametri concentrai a bobinei


n cazul real, o bobin se reprezint prin schema serie sau paralel ca n figura 1.8.
Diagramele fazoriale ale celor dou metode de echivalare a bobinei arat faptul c
defazajul real ntre curentul prin bobin i tensiunea aplicat la borne nu este de 90o. De
asemenea schemele pun n eviden unghiul de pierderi, pe baza cruia se calculeaz factorul de
pierderi (tg) sau factorul de calitate (Q):
IR
I

I
IL

U
U
U/R

U
U

U/(jL)
I

jLI

RI
a.

b.

Fig. 1.8. Schema echivalent a bobinei cu diagramele fazoriale:


a. paralel; b. serie

18

Pentru schema paralel:


L 1
tg =
=
R
Q
Pentru schema serie:
R
1
tg =
=
L Q
Factorul de pierderi depinde de frecvena curentului prin bobin, respectiv de pierderile
n conductor, n rezistena de izolaie sau prin histerezis.
n circuitele practice se utilizeaz schema echivalent serie, pentru care impedana
echivalent serie se obine n urma aplicrii legii lui Ohm de forma:
1
Z S = R + jL =
Y
unde Y se numete admintan.

1.2.3. CONDENSATOARE
Condensatorul este un sistem de dou conductoare desprite de un dielectric. Cele dou
conductoare se numesc armturi. Condensatorul se caracterizeaz prin capacitate (C).
Atunci cnd se aplic o tensiune (diferen de potenial) la bornele unui condensator,
acesta acumuleaz o sarcin electric (Q) proporional cu tensiunea aplicat, conform relaiei:
Q = C U
Unitatea de msur a capacitii n Sistemul Internaional este faradul (F).
Din punct de vedere energetic un condensator de capacitate C nmagazineaz o energie a
cmpului electric dintre armturi conform relaiei:
1
W = CU 2
2
Energia acumulat se msoar n Joule (J).
Pentru un condensator cu dou armturi cu suprafaa S, cu distana d ntre ele i constanta
dielectricului , capacitatea se poate calcula cu relaia:
S
C=
d
Condensatoarele pot fi clasificate:
n funcie de natura dielectricului utilizat n condensatoare:
cu mic,
cu hrtie;
cu pelicule plastice;
electrolitice.
Exist un alt tip de condensatoare, ceramice, care se realizeaz din materiale ceramice cu
polarizare spontan sau temporar.
Din punct de vedere constructiv:
fixe;
variabile;
semireglabile;
de trecere.
Principalele caracteristici electrice ale condensatoarelor sunt:
Capacitatea nominal (Cn) i tolerana acesteia, specificate la o anumit frecven (50,
800 sau 1000 Hz);
Tensiunea nominal (Un) care reprezint valoarea maxim a tensiunii continue sau a
tensiunii efective care nu produce strpungerea condensatorului n funcionare
ndelungat;
19

Fig. 1.9. Reprezentarea condensatoarelor: a. fixe; b. variabile;


c. semireglabile; d. f. g. electrolitce; e. de trecere.

Rezistena de izolaie (Riz), care reprezint valoarea raportului tensiune-curent


continuu la un minut dupa aplicarea tensiunii;
Tangenta unghiului de pierderi, care reprezint raportul dintre puterea activ i cea
reactiv, msurate la aceeai frecven la care a fost msurat capacitatea nominal;
Tolerana, reprezint abaterea relativ maxim a capacitii de la valoarea nominal.
La fel ca la rezistoare valorile nominale sunt cuprinse n seriile de valori n funcie de
tolerana condensatorului. Pentru capaciti mari (condensatoare electrolitice) se pot
fabrica i n afara seriilor. La acest tip de condensatoare toleranele sunt n general
nesimetrice. Ex. 20%+80% ;
Coeficientul de variaie cu temperatura [K-1]
1 dC
=
C dT
Alturi de parametri enumerai mai sus, exist i ali parametri, dar nu la fel de
importani. Condensatoarele variabile mai au urmtorii parametri:
Capacitatea minim (Cmin);
Legea de variaie a capacitii dat de funcia:
C = f(Cmin, Cmax, ),
unde este unghiul de rotaie, variabil ntre 0 si max.
Astfel, legile de variaie a capacitii pot fi: legi liniare, exponeniale etc.
Comportarea condensatoarelor n c.a.

n cazul ideal, un condensator este reprezentat prin capacitatea condensatorului. n caz


real schema echivalent a lui este format dintr-o capacitate i o rezistivitate, ca n figura 1.10.
Pentru condensatoarele electrolitice schema echivalent se complic datorit electrolitului.
Impendana echivalent a circuitului (cu R i C rezistena i capacitatea serie a
condensatorului) este:
1
Zs = R +
jC
Exist o valoare a frecvenei, numit frecven de rezonan r, care dac este depit,
condensatorul real i pierde caracterul de condensator. Alturi de rezistoare, condensatoarele
sunt cele mai folosite componente. Defecte la condensatoare apar numai n cazul folosirii
incorecte a acestora.
Cele mai frecvente defecte ale condensatoarelor constau n micorarea rezistenei de
izolaie, pierderea capacitii condensatorului, ruperea terminalelor, iar n cazul condensatoarelor
ceramice, spargerea acestora.

20

IC
I

I
Ir

U
Ir

I/(jC)

Ir

a.

b.
Fig. 1.10. Schema echivalent a condensatorului i diagrama fazorial:
a. serie; b. paralel.

n cazul condensatoarelor electrolitice, scderea capacitii se poate remedia printr-un


procedeu numit reformare. Acesta const n meninerea o perioad de timp a condensatorului la
tensiunea nominal. Aceast meninere favorizeaz refacerea stratului de oxid.
Marcarea condensatoarelor
Valoarea condensatoarelor se poate marca n urmtoarele moduri:
Marcarea n clar. Este exemplificat n tabelul urmtor:
Tabelul 1.8

Marcare
Cn [F]

220pF
2210-11

100nF
10-7

3,3F
3,310-6

Codul alfanumeric utilizat pentru marcarea capacitii nominale este prezentat n


tabelul 1.9; n locul virgulei se utilizeaz simbolurile literale p, n, . n unele ri p
este nlocuit cu U, n cu T sau K, cu M. Exemplificare se face n tabelul 1.8.
Tabelul 1.9

Marcare
Cn

3p3
3,3pF

100p
100pF

4n7
4,7nF

1M
1F

2M2
2,2F

Codul numeric pentru marcarea capacitii nominale este format din trei cifre.
Primele dou cifre reprezint cifrele semnificative a capacitii, iar a treia cifr este
factorul de multiplicare. Un exemplu este prezentat n tabelul 1.10.

Factor
multiplicare
Cod
Marcare
Cn

de 1
9(R)
109
10pF

Tabelul 1.10

10

10

10

104

1
221
220pF

2
102
1nF

3
223
22nF

4
474
470nF
21

Codul culorilor. Capacitatea nominal este marcat cu trei culori, pentru seriile de
valori nominale E6, E12 i E24 i cu patru culori pentru seriile E48, E96, E192, etc.
Culorile sunt inscripionate pe corpul condensatorului sub form de inele, linii sau
puncte. Codul culorilor este prezentat n tabelul 1.11, iar semnificaia este dup cum
urmeaz :
a - coeficientul de variaie cu temperatura;
b - prima cifr semnificativ a capacitii nominale;
c - a doua cifr semnificativ a capacitii nominale;
d - factorul de multiplicare;
e -tolerana (de fabricaie);
f - tensiunea nominal;
h - terminalul conectat la armtura exterioar;
j - a treia cifr semnificativ a capacitii nominale;
k - gama temperaturilor de lucru, folosit numai la condensatoarele cu mic: negru
pentru [-5,100]C, rou pentru [-55, -180]C i galben pentru [-55, 125]C;
m - clasa condensatorului, specific fiecrei firme.
Dei prezentarea este fcut pentru 10 inele, pe corpul condensatoarelor se vor gsi, de
cele mai multe ori, 5, 4 sau 3 inele. Reprezentarea este dat n figura 1.11.

a
b
c
d
e

b
c
d
e

Fig. 1.11. Marcarea condensatoarelor n codul culorilor

n tabelul 1.11. se utilizeaz urmtoarele notaii:


CC - condensatoare ceramice monostrat;
CM - condensatoare cu mic;
CH - condensatoare cu hrtie;
CP - condensatoare cu poliester;
CS - condensatoare cu stiroflex (polistiren);
CTa - condesatoare electrolitice cu Tantal.
Tolerana poate fi marcat :
n clar,
codul culorilor,
cod literal.

22

b
c
d

Tabelul 1.11.
Linii
Cifre
semnificative

Factor de
multiplicare

Tolerana

Coef.
temperatur

Tensiune
nominal (V)

La marcarea n clar a toleraei se inscripioneaz pe corpul condensatorului cifrele


toleranei, cu sau fr simbolul %. La condensatoarele cu capacitatea nominal Cn < 10pF,
tolerana este dat n pF.
Marcarea n codul culorilor este conform tabelului 1.11 i figurii 1.11.
Marcarea n cod literal a toleranei este conform tabelului 1.12.
Tabelul 1.12. Partea nti
Cod

Tolerana

Cn
Cn

Tabelul 1.12. Partea a doua


Cod

Tolerana

Cn
Cn

23

1.3. COMPONENTE ACTIVE


Componentele active sunt cele care contribuie la mrirea puterii semnalului (adic a
mrimii fizice care poart informaie, fr a altera informaia). Mrirea puterii semnalului se face
pe seama puterii absorbite de la sursa de alimentare. Din categoria componentelor active fac
parte att tuburile cu vid ct i dispozitivele semiconductoare.

1.3.1. TUBURI ELECTRONICE


Tuburile electronice sunt componenete de circuit a cror funcionare se bazeaz pe fluxul
de electroni. Acesta este produs de un electrod special numit catod.
Fenomenul de generare" a electronilor de ctre catod poart numele de emisie
electronic. Emisia electronic, poate fi:
emisia termoelectronic - se realizeaz prin nclzirea catodului metalic la o
temperatura suficient de mare, astfel nct, energia cinetic a electronilor liberi s fie
suficient pentru ca o parte dintre acetia s prseasca definitiv catodul;
emisia prin cmp electric puternic - se obine ca urmare a aplicrii unui cmp electric
tubului;
emisia secundar nseamn smulgerea unui numr de electroni din catod i din ali
electrozi ca urmare a bombardrii acestora cu particule sau a excitrii lor cu radiaii
electromagnetice;
emisia fotoelectronic, etc.
Emisia electronic se produce n vid. Nu se poate utiliza emisia electronic n aer
deoarece electronii emii nu pot parcurge distanele corespunztoare. De asemenea, n cazul
tuburilor electronice trebuie s se in cont de temperaturile mari care sunt necesare pentru
obinerea unei emisii electronice corespunztoare, care accelereaz reacia metalelor de a se
transforma n oxizi n prezena aerului.
Dintre tuburile electronice, n acest capitol se prezint:

1.3.1.1. Dioda cu vid (kenetronul)


Este un dispozitiv electronic neliniar cu doi electrozi: anod (A) i catod (K), introdui
ntr-un balon vidat. Semnul convenional este prezentat n figura 1.12.
Fenomenele fizice care au loc n funcionarea diodei se evideniaz ca fenomene de baz
i pentru restul tuburilor convenionale.
IA

Limitare
prin
sarcin
spaial

Limitare
prin
energie

K
a.

UA
b.

Fig. 1.12. Dioda cu vid: a. Semnul convenional;


b. Caracteristica static.

24

Presupunem c se alimenteaz anodul, n timp ce catodul este nealimentat. Prin


alimentarea cu tensiune a catodului se produce o emisie termoelectric. Catodul nclzit va emite
electroni care l vor nconjura sub forma unui nor de sarcin spaial negativ. Fa de norul de
sarcin spaial negativ, catodul se ncarc pozitiv.
Starea de echilibru const n meninerea n preajma catodului (la o anumit temperatur a
catodului) a norului de sarcin spaial (existena unei fore coulombiene care atrage norul spre
catod). Starea de echilibru se meine att timp ct anodul nu este conectat la o surs de tensiune.
Dac potenialul anodului n raport cu catodul este negativ, electronii din sarcina spaial sunt
respini de ctre anod i se vor aduna cu densitate mare n jurul catodului.
Dac anodul va avea un potenial pozitiv fa de catod, electronii din sarcina spaial sunt
atrai de anod i intr n circuitul exterior anod-catod, dnd natere unui curent anodic. Numrul
de electroni care strbat spaiul dintre electrozi n unitatea de timp depinde de diferena de
potenial dintre anod i catod.
Funcionarea diodei cu vid este caracterizat de dou mrimi:
Tensiunea anodic - tensiunea anod-catod (UA);
Curentul anodic - curentul din circuitul exterior tubului (IA).
Dependena ntre aceste dou mrimi se numete legea 3/2 avnd expresia analitic (n
funcionare ideal) de forma:
I A = K U A3 / 2
K se numete pervean, avnd valoarea dependet de geometria electrozilor.
Caracteristica static ideal a diodei cu vid este prezentat n figura 1.13. La valori diferite de
nclzire se obin valori diferite ale tensiunii, respectiv caracteristici diferite.
IA

Uinv

UF2

Ustr

UF1

I0

UA
Iinv

Fig. 1.13. Caracteristica tensiunecurent (UF2 > UF1).

Fig.1.14. Caracteristica invers


tensiune-curent.

n vecintatea originii variaia curentului anodic respect o lege exponenial i nu legea


3/2. La o anumit tensiune anodic, apare limitarea prin emisie, astfel curentul anodic
corespunde valorii curentului de emisie, care are o valoare limitat pentru o temperatur de
nclzire dat. Zona caracteristicii aproximativ orizontal, care se abate total de la legea 3/2, se
numete zon de saturaie. Chiar i n zona de saturaie, curentul crete usor cu creterea
tensiunii anodice datorit intensificrii cmpului electric ntre cei doi electrozi, favorizndu-se
apariia unei emisii prin cmp electric (efect Schottky).
Dioda cu vid se utilizeaz n scheme de redresare, limitare, detecie. Diodele prezint
anumite proprieti, a cror apreciere se face pe baza parametrilor i valorilor caracteristice.
Parametrii diodei rezult din legea real de variaie a curentului anodic n raport cu tensiunea
anodic:
25

parametri difereniali specifici fiecrui punct de pe caracteristica IA = f(UA), numii i


parametri statici;
parametri difereniali medii, care indic proprietile globale ale diodei i nu pe cele
punctuale, numii i parametri de curent continuu.
Dintre parametrii se amintesc:
Rezistenta interna Ri, - raportul dintre variaia tensiunii anodice i variaia
corespunztoare a curentului anodic;
Puterea de disipaie anodic - puterea rezultat din cedarea energiei cinetice de ctre
electronii ajuni la anod care se transform n energie caloric i puterea provenit din
cldura filamentului sau catodului i radiat de acesta.
Curentul invers (Iinv).
Legea curentului anodic corespunde regimului direct de funcionare a diodei (unei
tensiuni cu plusul pe anod i minusul pe catod). Exist ns un regim invers de
funcionare cu plusul la catod i minusul la anod, situaie intlnit cnd dioda
ndeplinete funcia de redresare, n cazul alternanei negative a tensiunii. Acest regim
este caracterizat prin aceea c tensiunea aplicat ntre anod si catod ntrerupe
conducia n tub. Aceasta nseamn apariia unei rezistene interne numit rezistena
invers, Rinv de ordinul zecilor de M. n consecin exist un curent invers Iinv,
(foarte mic). Pe msur ce tensiunea invers Uinv crete, rezistena invers scade.
Crescnd tensiunea invers, la atingerea tensiunii de strpungere a spaiului anodcatod curentul invers prin diod crete foarte mult, ceea ce produce distrugerea
tubului.

1.3.1.2. Trioda
Trioda este un tub electronic n care exist un al treilea electrod, grila, plasat ntre anod i
catod. Rolul grilei este unul de comand. In figura 1.15. este prezentat simbolul triodei.
IA
A

IG
K

Fig. 1.15. Semnul convenional


al triodei.

UG

UA
IC

Fig. 1.16. Circuitele triodei.

Spre deosebire de dioda cu vid, la triode se pot pune n eviden dou circuite:
Circuitul anodic ntre anod i catod (caracterizat de tensiunea UA);
Circutul de gril ntre gril i catod (caracterizat de tensiunea de gril UG. Cnd
aceast tensiune este pozitiv, o parte din electronii din sarcina spaial sunt atrai de
gril, deci apare un curent de gril IG).
Grila, prin potenialul ei, controleaz circulaia electronilor n tub.
Exist urmtoarele situaii:
1. UG > 0. n acest caz electronii sunt accelerai spre anod ntr-o msura mai mare, deci
curentul anodic crete.
2. UG = 0. Atragerea electronilor din sarcina spaiala de ctre gril dispare. Curentul de
gril IG continu s existe datorit captrii de ctre gril a electronilor emii cu energie cinetic
ridicat i a celor provenii din respingerile de electroni care au loc n norul sarcinii spaiale.
26

3. UG < 0. Grila are rol de frn fa de electronii din sarcina spaial, precum i fa de
cei emii de catod, respingndu-i napoi ctre catod.
Trioda este asociat cu proprietatea de amplificare (produce o tensiune anodic de
valoare mare pentru tensiuni de gril reduse). Aceasta duce la concluzia c trioda poate fi
considerat att amplificator de putere ct i de tensiune.
Cmpul electric n triod este influenat mai puternic de potenialul grilei dect de cel
anodic.
Se definete efectul de ecranare al anodului de ctre gril. Acesta se caracterizeaz prin
factorul de ptrundere D, al grilei (o tensiune UA aplicat ntre anod i catod produce n tub
acelai efect ca i o tensiune DUA aplicat ntre gril i catod). Inversul factorului de ptrundere
se numete factor de amplificare n tensiune, .
1
=
D
Curentul total din tub este:
IC = IG + I A
Legea de variaie a curentului este:
I C = K (U G + DU A )3 / 2
Dac tensiunea de gril este negativ, se poate aproxima IG 0. Legea devine:
I A = K (U G + DU A )3 / 2
pentru care K este perveana triodei, dependent de forma i dimensiunile electrozilor.
Pentru triod se pot determina urmtoarele caracteristici:
caracteristica anodic sau de ieire I A = f ( U A ) U = ct
G

caracteristica de transfer I A = f ( U G ) U

A = ct

caracteristica de intrare I G = f ( U G ) U

A = ct

caracteristica de reacie I G = f ( U A ) U

G = ct

IA(mA)

IA(mA)

UG(V)=+8V
+4V

UA(V)=400
0V

300
-4V

200
-8V
100

100

200

300

UA(V)

Fig. 1.17. Carcteristica static de ieire.

-8V

-6V

-4V

-2V

UG(V)

Fig. 1.18. Caracteristica static de transfer.

Proprietile
triodelor
se
apreciaz
prin
valorile
parametrilor
lor.
Plecnd de la funcia IA = f(VG, VA) se pot defini urmtorii parametri:
Panta (static) triodei, denumit conductaa mutual sau transconductana - variaia
curentului anodic raportat la variaia corespunztoare a tensiunii de gril n jurul unui
punct de funcionare M, la tensiune anodic constant.

27

Factorul de amplificare (static) - raportul dintre variaia tensiunii anodice i variaia


corespunztoare a tensiunii de gril n jurul unui punct de funcionare M, meninnd
curentul anodic constant.
Rezistena intern (static) - raportul dintre variaia tensiunii anodice i variaia
corespunztoare a tensiunii de gril n jurul punctului M, meninnd constant
tensiunea de gril.
Clasificarea triodelor
1. n funcie de valorile factorului de amplificare static:
triode de mic amplificare, cu < 20;
triode de amplificare medie, cu = 30 60;
triode de amplificare mare, cu > 60, dar nu mai mare de aproximativ 100.
2. n raport cu rezistena intern:
triode de putere, cu Ri < 2 k;
triode amplificatoare de tensiune, cu Ri = 2 5 k;
triode amplificatoare de tensiune, cu Ri = 5 50 k.

1.3.1.3. Tetroda
Tetroda este tubul cu patru electrozi, dintre care dou grile aflate ntre anod i catod.
Acestea se numesc: gril de comand (grila) i gril ecran (ecranul).
Ecranul reduce distana dintre cei doi electrozi. Grila ecran se face cu att mai deas, cu
ct ecranarea trebuie s fie mai complet.
Tensiunea (continu i pozitiv) care se aplic ntre ecran i catod se numete tensiune de
ecran, i n general este mai mic sau cel mult egal cu tensiunea anodic. O parte din electronii
plecai de la catod sunt atrai de ecran, formndu-se un curent de ecran (de cteva ori mai mic
IA
dect curentul anodic).
A
A
IG
G

UA

UG

UE
IC

Fig. 1.19. Semnul convenional


al tetrodei.

Fig. 1.20. Circuitele tetrodei.


A

E
G

G
K

Fig. 1.21. Tetroda cu fascicul


dirijat.
28

Fig. 1.22. Semnul convenional


al pentodei.

Un caz particular al tetrodei este tetroda cu fascicul dirijat. Proprietatea acesteia const
n nlturarea efectului deranjant dintre ecran i anod (el dispare i dac distana dintre ecran i
anod este de 8-10 ori mai mare dect distana dintre catod i ecran). Pentru a mri densitatea de
sarcin n spaiul ecran-anod, electronii care circul de la catod la anod sunt dirijai n fascicule
nguste, de unde i denumirea tubului.
Pentru a realiza concentrarea electronilor n fascicule i pentru ca acetia s nu treac
spre pantele marginale ale anodului, tubul se prevede cu dou plci de deflexie, diametral opuse,
situate n spaiul dintre anod i catod (figura 1.21). Plcile au acelai potenial cu catodul.

1.3.1.4. Pentoda
Este un tub electronic cu 5 electrozi. n plus fa de tetrod, se introduce un electrod
numit gril de oprire (supresare), cu rol de a opri schimbul de electroni secundari ntre anod i
ecran.
Supresorul poate fi polarizat:
negativ n raport cu catodul;
la acelai potenial cu el.
Polarizarea se face astfel nct electronii de emisie secundar anodic s fie respini de
cmpul de frnare dintre anod i supresor i ntori spre anod. Prin urmare curentul anodic nu
mai scade, iar curentul de ecran nu mai crete.
Pentoda se utilizeaz n circuitele de amplificare.

1.3.1.5. Tuburi schimbtoare de frecven


Au rolul de a schimba frecvena unui semnal. Acest fenomen de schimbare de frecven
este folosit ntr-o serie de echipamente radioelectronice (receptoare superheterodin).
Exist dou tipuri de schimbatoare a frecvenei:
multiplicativ;
aditiv.
vs (fs)

Schimbtor de
frecven

vi (fi)

va (fa)
Fig. 1.23. Schema bloc a schimbtorului
de frecven.
1. Schimbtor multiplicativ

Semnalul util vs de frecven fs (la care se dorete schimbarea frecvenei) se aplic


schimbtorului de frecven pe un electrod, iar semnalul auxiliar va de frecven fa, provenind de
la un oscilator local pe alt electrod. Tubul schimbtor de frecven este polarizat astfel nct s
funcioneze neliniar. La ieirea din schimbtor se obine un semnal vi cu frecvena fi (frecven
intermediar, mai mic dect frecvena fs). Acest dispozitiv se folosete la frecvene obinuite.
Pentru funcia de schimbare de frecven se utilizeaz pentodele, dar fr rezultate foarte
bune. De aceea, s-au construit tuburi electronice speciale multigril (hexoda, heptoda, octoda).
2. Schimbtor aditiv

Semnalul vs i semnalul va se aplic la acelai electrod al tubului. Schimbarea de


frecven aditiv poate fi realizat cu triode sau pentode la care ambele semnale vs i va se aplic
pe grila de comand. Acest tip de schimbare de frecven se folosete n domeniul frecvenelor
ultranalte.
29

2. NOIUNI DE FIZICA
SEMICONDUCTORILOR
Semiconductorii sunt materiale cu proprieti plasate ntre proprietile izolatorilor i cele
ale conductorilor. Dei tuburile electronice sunt de foart mult vreme utilizate, n ultimul timp
cele mai des ntlnite dispozitive sunt diodele semiconductoare i tranzistoarele, cunoscute n
sens larg sub denumirea de dispozitive semiconductoare.
Dispozitivele semiconductoare funcioneaz pe principiul micrii electronilor n
interiorul cristalului descris de legile mecanicii cuantice.
Deoarece tehnica semiconductorilor se dezvolt rapid i se pare c nu exist limite n n
aceast direcie, se dezvolt proporional i dispozitivele care au la baz materiale
semiconductoare cu proprieti ca: eficien, caracter compact i adaptabilitate. Dezvoltarea
tehnicii semiconductorilor a nsemnat apariia, pe baza structurii diodelor semiconductoare, de
noi dispozitive ca diodele Zener, fotodiodele, tranzistoarele cu efect de cmp, ajungndu-se la
circuitele integrate, la rndul lor cu form din ce n ce mai miniaturizat. Circuitul integrat este o
bucat de material semiconductor cu posibilitatea de a realiza funciile unui ntreg circuit
electronic.
nceputul dispozitivelor semiconductoare se poate considera a fi n anii 1800, cnd M.
Faraday a descoperit coeficientul de temperatur negativ al sulfurii de argint. Aceasta nseamn
c rezistena la trecerea curentului electric scade cu creterea temperaturii. n opoziie exist
termenul de coeficient de temperatur pozitiv, acesta, n cazul materialelor conductoare. Civa
ani mai trziu s-au descoperit proprietile de redresare (Munk Rosenshold) ale materialelor
semiconductoare, proprieti redescoperite civa ani mai trziu de F. Braun. Urmtoarea
descoperire a fost proprietatea pelicular a seleniului (sensibilitatea la lumin rezistena scade
odat cu creterea intensitii luminii).
Aceast desoperire i-a permis lui Alexander Graham Bell s inventeze telefonul
fotografic (convertirea variaiei luminii n sunet), predecesorul receptorului radio.
Alturi de seleniu, siliciul s-a dovedit un al doilea material semiconductor, considerat a fi
cel mai stabil. De asemenea, germaniul (descoperit de Carl Beredicks) este materialul
semiconductor utilizat n electronica de mic putere i aplicaiile ei la frecvene joase.
Dei descoperite, materialele semiconductoare nu au fost utilizate pn n timpul celui
de-al doilea rzboi mondial, cnd a fost necesar un dispozitiv care s lucreze la frecvenele ultranalte ale radarului (tuburile electronice puteau s amplifice, s redreseze dar nu lucrau la
frecvene ultra-nalte). Utilizarea dispozitivelor semiconductoare a luat amploare odat cu
descoperirea funciei de amplificare a semnalului (realizat de tranzistor).
Descoperirile au continuat prin realizarea diodei Zener (Carl Zener), a diodei tunel (Leo
Esaki) i mai trziu a circuitelor integrate.
Dezavantajele dispozitivelor semiconductoare constau n dependena proprietilor lor de
temperatur, umiditate i iradiere mai mult dect proprietile tuburilor.
Pentru a nelege funcionarea dispozitivelor semiconductoare este necesar s se cunoasc
structura i natura materialelor semiconductoare. Dup cum se tie universul se mparte n
materie i energie.
Materia este ceea ce ocup spaiu i are o greutate. Materia se poate mpri n trei forme
de existen: solid, lichid i gaz. Cnd vorbim de materie ne referim la un element chimic sau la
o combinaie de elemente. n studiu, se consider ca baz atomul. Este cea mai mic particul
care pstreaz proprietile originale. Un atom se compune din electroni, protoni i neutroni.
Numrul i aranjamentul electronilor i protonilor fac diferena dintre diferitele elemente
chimice. Electronii sunt purttorii de sarcini electrice negative, n timp ce protonii sunt purttori
de sarcini pozitive. Calea pe care merge electronul se numete orbit. Pentru a extrage electronul
este necesar o cantitate de energie (nivel energetic). Pentru a menine electronul pe orbita sa
30

este necesar un echilibru energetic (s nu se piard i s nu se ctige energie). Pentru o


clasificare a materialelor se ine seama de nivelele energetice. Astfel materialele se mpart n:
Izolatoare;
Semiconductoare;
Conductoare.
Energia
electronului

Energia
electronului

Energia
electronului

Band de conducie
(permis)

Band de conducie
(permis)

Band de conducie
(permis)

Band interzis

Band interzis

Band de
valen

Band de
valen

Band de
valen
a.

b.

c.

Fig. 2.1. Diagrama nivelelor energetice pentru: a. izolator;


b. semiconductor; c. conductor.

Activitatea unui atom este determinat de numrul de electroni din nveliul de valen.
Dac nveliul de valen este complet, atomul este stabil i nu are tendine de combinare cu ali
atomi. Un atom este stabil dac are pe nveliul de valen 8 electroni (atomi inactivi). Dac este
necesar un anumit numr de electroni pentru a completa nveliul de valen, activitatea atomului
crete (este cazul siliciului i germaniului).

a.

In

b.

c.

Fig. 2.2. Tipuri de semiconductoare: a. intrinseci; b. extrinseci tip P; c. extrinseci tip N.


31

Pentru descrierea fenomenelor macroscopice de conducie s-au realizat modele care


folosesc particule fictive.
Micarea acestor particule este caracterizat astfel:
micarea electronului din banda de conducie este descris de o particul fictiv,
numit tot electron, cu aceeai sarcin ca i particula real (-q);
micarea electronului din banda de valen care se desprinde dintr-o legtur covalent
spre a ocupa un loc liber din alt legtur covalent rupt, este descris de o alt
particul fictiv, numit gol, cu sarcin electric egal cu cea a electronului dar de
sens opus +q.
n concluzie, n semiconductoare conducia curentului electric este asigurat de dou
tipuri de purttori de sarcin mobili, electroni i goluri.
Electronii de conducie i golurile apar n perechi, proces numit generare de perechi
electron-gol. Concentraia [cm-3] electronilor se noteaz cu n, iar a golurilor cu p. n condiii de
echilibru termic, concentraiile n0 i p0, la semiconductorul fr impuriti, sunt egale. Valoarea
lor comun se noteaz cu ni i se numete concentraie intrinsec de purttori.
Realizarea dispozitivelor electronice semiconductoare impune obinerea unor
semiconductoare extrinseci (figura 2.2):
Cu exces de electroni (n > p), numit semiconductor de tip N (folosesc impuritati
pentavalente, numite impuriti donoare). Un atom de impuritate donoare substituie un
atom de semiconductor din reea. Patru dintre electronii de valen formeaz legturile
covalente cu atomii vecini, iar al cincilea este slab legat. Acesta la temperatura
ambiant primete suficient energie pentru a se desprinde de atomul donor devenind
electron de conducie. Electronii de conducie sunt purttori de sarcin (negativ)
majoritari, iar golurile sunt purttori de sarcin (pozitiv) minoritari.
Cu exces de goluri (p > n), numit semiconductor de tip P (folosesc impuritati
trivalente, impuriti acceptoare). Atomul de impuritate trivalent satisface trei din
cele patru legturi covalente cu atomii vecini. Legtura rmas liber se poate
completa cu un electron dintr-o legtur covalent vecin, lsnd n urma sa un gol.
Golurile sunt purttori de sarcin (pozitiv) majoritari i electronii de conducie sunt
purttori de sarcin (negativ) minoritari.

2.1. JONCIUNEA PN
Dac la un material semiconductor de tip N se alipete un material semiconductor de tip
P se obine un dispozitiv numit jonciunea pn. Suprafaa unde regiunea tip P se ntlnete cu
regiunea tip N se numete jonciune. Acest dispozitiv este cunoscut n practic ca dioda
redresoare.
Deoarece, dioda permite trecerea curentului electric ntr-un singur sens, ea este utilizat
n redresarea curentului alternativ n curent continuu.
Reprezentarea diodei este dat n figura 2.3. Dioda are dou terminale: anodul (A,
material de tip P) i catodul (K, material de tip N).
a.

b.
Fig. 2.3. Simbolul grafic al diodei cu jonciune pn.
Pentru a nelege funcionarea jonciunii pn trebuie s se studieze trecerea curentului prin
cele dou tipuri de material.
32

Pentru semiconductorul de tip N, prin aplicarea unei tensiuni la capete, electronii vor
avea direcia indicat n figura 2.4. Potenialul pozitiv va atrage electronii liberi. Electronii vor
prsi cristalul i vor ajunge la terminalul pozitiv al sursei. n timp ce un electron prsete
cristalul, un alt electron (de la terminalul negativ al sursei) va intra n cristal, dnd natere unei
ci de curent. Purttorii majoritari n regiunea de tip N (electroni) sunt respini de terminalul
negativ i atrai de terminalul pozitiv al sursei.
electroni

goluri

a.

electroni

goluri

b.

Fig. 2.4. Sensul curentului prin: a. material tip N; b. material tip P.


Pentru semiconductorul de tip P, purttorii majoritari (golurile) sunt respini de
terminalul pozitiv al sursei i mpini spre terminalul negativ. Electronii din circuitul extern
ntlnesc, n apropierea terminalului negativ al materialului, golurile din vecintatea acestui
terminal, formnd legturi covalente. n apropierea terminalului pozitiv electronii sunt desprini
din legturile covalente, formnd noi goluri. Procesul continu ct timp exist curent de goluri.
n materialul de tip N electronii sunt n exces, dar pentru fiecare exist un atom cu sarcin
pozitiv care s-l compenseze din punct de vedere electric. Din acest motiv regiunea de tip N
este neutr din punct de vedere electric. Asemntor, n cazul materialului de tip P golurile care
sunt n exces se combin cu electronii, regiunea P devenind de asemenea neutr.
Micarea particulelor n cele dou regiuni poate fi descris prin dou fenomene:
Generarea:
fenomenul de trecere a unui electron al reelei cristaline n banda de conducie duce la generarea de electroni de conductie;
prsirea benzii de valen - generarea de goluri.
Recombinarea:
procesul prin care un electron al reelei cristaline prsete banda de conducie dispare un electron de conducie;
trecerea n banda de valen - dispare un gol.
Dac printr-un proces unim cele dou regiuni, electronii din regiunea N difuzeaz spre
regiunea P (unde se ntlnesc cu golurile din aceast regiune). Limita de demarcaie dintre cele
dou regiuni se numete jonciune metalurgic de interfa.
Pierderea de electroni din regiunea N i de goluri din regiunea P creeaz ioni pozitivi n
regiunea N i ioni negativi n regiunea P. Aceti ioni sunt fici i sunt plasai n apropierea limitei
de demarcaie. Prin formarea a dou tipuri de sarcini se produce un cmp electrostatic
(reprezentat sub forma unei baterii), figura 2.5. Difuzia electronilor i golurilor continu pn
cnd amplitudinea cmpului electrostatic crete suficient de mult, astfel nct electronii i
golurile nu mai au energie pentru a-l depi. n acest moment se stabilete punctul de echilibru.
Din acest motiv cmpul electrostatic se numete barier de potenial.

33

jonciune
P

Cmp electrostatic

Fig. 2.5. Cmpul electrostatic la jonciune.


Formarea de ioni pozitivi i negativi nu afecteaz existena golurilor i electronilor din cele dou
regiuni.
Dac se aplic o tensiune extern jonciunii pn atunci nseamn c putem discuta despre
polarizarea diodei. Aceasta poate fi:
Direct;
Invers.

2.1.1. TIPURI DE POLARIZARE A JONCIUNII PN


2.1.1.1. Polarizarea direct
Se consider o jonciune la care se aplic o tensiune care se opune cmpului electrostatic,
care va reduce bariera de potenial i va mri curentul prin barier. Figura 2.6 prezint
polarizarea direct.
Potenialul pozitiv aplicat pe regiunea P va fora golurile spre ionii negativi, cu care se
vor combina. Potenialul negativ aplicat pe regiunea N va trimite electronii spre ionii pozitivi, cu
care se vor combina. Ct timp ionii pozitivi i negativi vor fi astfel neutralizai, bariera de
potenial se va micora.
P

- +
- +
- +
- +
- +

Bariera
original

Fig. 2.6. Cmpul electrostatic la polarizarea


direct a jonciunii.
n concluzie, prin aplicarea polarizrii directe se obine reducerea barierei de potenial i
se permite purttorilor majoritari s traverseze jonciunea. Conducia la acest tip de polarizare
este asigurat de purttorii majoritari: golurile n regiunea de tip p i electronii n regiunea de tip
n. Odat cu creterea tensiunii aplicate, crete fluxul de curent prin creterea numrului de
purttori majoritari care strbat jonciunea. n cazul n care tensiunea aplicat depete valoarea
admisibil, jonciunea se poate deteriora.

34

2.1.1.2. Polarizarea invers


Se consider o surs de tensiune conectat cu terminalul negativ la regiunea p i
terminalul pozitiv la regiunea n, figura 2.7.
P

+ +

+ +

+ +

+ +

+ +

Bariera
original

Fig. 2.7. Cmpul electrostatic la polarizarea


invers a jonciunii.
Terminalul negativ atrage golurile din preajma jonciunii (pe partea regiunii p), n timp ce
terminalul pozitiv atrage electronii din preajma jonciunii, pe partea regiunii n. Prin acest tip de
conectare a sursei, se obine o cretere a barierei de poltenial, care se opune fluxului de curent.
Curentul care traverseaz jonciunea nu este nul datorit purttorilor minoritari, golurile
n regiunea n i electronii n regiunea p, care sunt respini spre terminalul pozitiv (golurile),
respectiv spre terminalul negativ (electronii). Aceast micare a purttorilor minoritari se
numete flux de curent minoritar (curent invers).
Funcionarea jonciunii pn n cele dou moduri de polarizare este reprezentat de
caracteristica static a diodei, dependena curentului anodic n funcie de tensiunea anodic.
Pentru jonciunea pn ideal se poate stabili o expresie analitic a curentului IA n funcie de VA.
Aceast expresie, cunoscut sub numele de ecuaia jonciunii pn ideale, este:
VA

VT

I A = I 0 e 1

pentru care
kT
VT =
mV ( 26 mV la 300oC)
q
Ecuaia jonciunii pn ideale este o relaie fundamental pentru dispozitivele electronice cu
jonciuni semiconductoare. Caracteristica din figura 2.8 reflect urmtoarele proprieti:
1) dependena neliniar ntre variabilele electrice de la terminale (IA i VA);
2) conducia unidirecional (cnd este polarizat direct, VA>0).
IA [mA]

30mA

80V

40V

10mA

Curent invers

VBR

Curent direct

50mA

500A

3V

UA [V]

1000A

iA [A]

Fig. 2.8. Cracteristica static real a jonciunii pn


35

n rezumat, proprietatea diodei cu jonciune pn este capacitatea de a nu opune rezisten


n cazul polarizrii directe i de a se opune trecerii curentului electric n cazul polarizrii inverse.
Datorit acestei proprieti dioda cu jonciune pn (dioda semiconductoare) se utilizeaz n
aplicaii cu circuite redresoare, circuite stabilizatoare, circuite de detecie sau de limitare
(exemplificate mai jos).
Caracteristica real este caracterizat mai corect de relaia:
VA

I A = I0 e mVT 1 cu m (1; 2 )

i ia n considerare:
creterea valorii curentului rezidual la valoarea IS, respectiv reducerea curentului la
polarizarea direct;
La creterea curentului prin jonciunea polarizat direct se trece la regimul de nivel
mare de injectie. Creterea curentului IA cu VA nu mai este exponenial, ci cu pant
mai mic, iar la cureni deosebii de mari, cnd lrgimea regiunii de trecere tinde ctre
zero, caracteristica VA IA devine cvasiliniar, comportarea jonciunii apropiindu-se
de cea a unei rezistene.
n cazul n care tensiunea invers aplicat este de valoare foarte mare (atinge punctul
VBR de pe caracteristic), experimental se constat o cretere brusc a curentului
invers, cu consencine asupra funcionrii jonciunii. Se produce fenomenul de
strpungere. Exist trei mecanisme de baz responsabile pentru strpungere (figura
2.9):
Instabilitatea termic;
Efectul tunel (Zener): pentru concentraii mari de impuriti (> 1018 cm-3) strpungerea
jonciunii se face prin efect Zener - apariia unui numr crescut de purttori de sarcin
prin ruperea unor legturi covalente sub aciunea direct a cmpului electric. Efectul
Zener apare la jonciunile cu tensiuni mici de strpungere (< 5 V).
Multiplicarea n avalan: apare la aplicarea unor tensiuni inverse ridicate, cnd
cmpul electric din regiunea de sarcin spaial atinge valori mari i imprim
purttorilor de sarcin care o strbat o energie crescut. n urma ciocnirii cu atomii
reelei cristaline, un purttor de sarcin poate avea energie suficient pentru a forma o
pereche electron-gol prin ruperea unei legturi covalente. Aceti purttori suplimentari
sunt antrenai la rndul lor de cmpul electric i pot forma noi perechi electron-gol
ducnd la creterea curentului. La tensiunea de strapungere, VBR, multiplicarea
purttorilor de sarcin este practic infinit, ducnd la creterea nelimitat a curentului.
IA
UA

Efect tunel

Strpungere
termic

Multiplicare n
avalan

Fig. 2.9. Tipuri de strpungere ale jonciunii pn.

36

2.2. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE


2.2.1. DIODA REDRESOARE
O diod redresoare ideal are o caracteristic static ideal de forma celei din figura 2.10,
i se comport ca un scurtcircuit (rezisten nul) n sens direct i ca un ntreruptor deschis
(rezisten infinit) n sens invers (figura 2.11). Simbolul (acelai cu cel al diodei
semiconductoare, figura 2.3) sugereaz c dispozitivul conduce ntr-un singur sens, cel direct (de
la A la K), indicat de sgeat.
I
A

UA

Fig. 2.10. Caracteristica static ideal a diodei


ideale redresoare.
Pentru verificarea diodei se utilizeaz un ohmetru ca n figura 2.11.

_ +

a.

b.

Fig. 2.11. Verificarea practic a diodei semiconductoare: a. polarizare inversvaloare mare a rezistenei; b. polarizare direct-valoare nul a rezistenei.

2.2.2. DIODA STABILIZATOARE


Diodele stabilizatoare (diode Zener) sunt diode care funcioneaz normal n zona de
strpungere, deci polarizat invers. Scopul este acela ca la terminalele diodei s se menin
practic constant o tensiune cnd curentul variaz n limite relativ largi. In figura 2.12 sunt date
simbolurile diodei Zener, iar n figura 2.13 caracteristica diodei.

a.

b.

Fig. 2.12. Simbolurile grafice ale principalelor tipuri de


diode: a. dioda Zener; b. dioda tunel

37

Forma caracteristicii statice este cea a unei diode obinuite. Dac se aplic o tensiune
invers, la o valoare VZ, numit tensiune Zener, apare fenomenul de strpungere, curentul invers
prin diod crescnd brusc. Strpungerea este nedistructiv pentru c, datorit rezistenei din
circuitul exterior, curentului nu i se permite s depeasc valoarea maxim admisibil IZM. n
cazul diodei Zener nu apar efecte termice care s produc strpungerea distructiv.
IA
N

UA

UZ
IZ1

a.

Regiune de
funcionare
normal

IZM

b.

Fig. 2.13. a. Polarizarea diodei Zener; b. Caracteristica static a diodei Zener.


Se observ c, dac punctul de funcionare al diodei Zener ramne n zona delimitat de
un punct iniial cu valoarea curentului IZ1, punct care marcheaz instalarea strpungerii i un
punct cu valoarea curentului IZM, tensiunea pe dioda Zener nu se modific practic, dei curentul
poate s se modifice n limite largi. Aceast zon se numete regiune Zener sau regiune de
stabilizare sau regiune normal de funcionare.

2.2.3. DIODA TUNEL


La baza funcionrii diodei tunel se gsete efectul tunel. Simbolul diodei este dat n
figura 2.12.
n anii 1950-1960 Leo Esaki a descoperit c prin mrirea concentraiei de impuriti att
n zona p ct i n zona n (jonciune de tip p+n+) se obine o regiune de trecere foarte ngust n
raport cu diodele obinuite. Caracteristica diodei tunel este prezentat n figura 2.14.
IA [mA]

2-IM
4

3-Im

400mV

UA [V]

Fig. 2.14. Caracteristica diodei tunel comparativ cu cea


a diodei obinuite.
38

Dioda tunel se caracterizeaz prin urmtoarele:


Curentul direct crete pn la o valoare de vrf IM (2) dup care scade la o valoare
minim Im (pe msura creterii tensiunii de polarizare direct - 3). Caracteristica
continu cu o cretere suplimentar odat cu creterea polarizrii directe (4, 5).
La polarizarea direct caracteristica are o regiune de rezisten negativ (poriunea 2-3
de pe caracteristic). La polarizarea invers dioda tunel nu are regim de saturaie, ci
are o rezisten intern foarte mic, ceea ce implic distrugerea diodei n cazul
aplicrii unei tensiuni inverse.
Dioda tunel se utilizeaz la construcia amplificatoarelor (n domeniul microundelor) i la
construcia oscilatoarelor armonice (datorit rezistenei negative).

2.2.4. DIODA DETECTOARE


Diodele detectoare se folosesc pentru demodularea semnalelor radio, video etc. Funcia
lor este asemntoare diodelor redresoare, dar semnalele prelucrate au frecvene mari (sute de
kHz MHz GHz) i puteri nesemnificative.

2.2.5. DIODA DE COMUTATIE


Diodele de comutaie sunt folosite n circuitele de impulsuri, principalii parametri fiind
timpii de comutaie din polarizare direct n polarizare invers i n sens contrar. Pentru mrirea
vitezei de comutaie trebuie redus timpul de via al purttorilor mobili de sarcin, care se
realizeaz tehnologic prin impurificarea structurii cu diverse materiale (ex. - la Si se folosete
Au). Diodele de comutaie au timpii minimi de comutaie de circa 5 ns.

2.2.6. APLICAII ALE DIODELOR N MICROUNDE


n domeniul microundelor se utilizeaz o multitudine de diode ntr-o larg gam de
aplicaii care se pot clasifica dup anumite criterii.
n funcie de domeniul de aplicaie, diodele pot fi mprite n trei mari grupe:
conversie de frecvene
control al semnalului
generatoare de semnal
Din punct de vedere al principiului de funcionare, diodele pot fi clasificate n:
diode varistor (cu neliniaritate rezistiv)
diode varactor (cu neliniaritate reactiv)
diode active (au partea real a impedanei negativ)

2.2.6.1. Dioda varicap (varactor)


Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabil realizat pe cale
electric. Se utilizeaz n circuite acordate, oscilatoare, filtre etc. n astfel de circuite dioda
varicap trebuie polarizat invers. Mrimea capacitii de barier este dependent de valoarea
tensiunii inverse aplicate. Simbolul diodei varicap este cea din figura 2.15.a.

a.

b.

Fig. 2.15. Simbolurile grafice ale principalelor tipuri de


diode: a. dioda varicap; b. dioda Schottky
39

2.2.6.2. Dioda Schottky


Denumit dup fizicianul Walter Schottky, dioda se caracterizeaz printr-o tensiune de
polarizare direct de valori reduse i printr-o vitez mare de comutare (frecvene mari i timpi de
comutaie mici). Dioda Schottky se utilizeaz n detectoarele de frecvene foarte nalte, n
redresoarele de putere care lucreaz la frecvene ridicate, n circuitele integrate (TTL Schottky)
pentru creterea vitezei de comutare. Simbolul diodei Schottky este prezentat n figura 2.15.b.
Pentru dioda Schottky se utilizeaz contactul metal-semiconductor. Contactul metalsemiconductor este o structura care intr n componena majoritii dispozitivelor electronice.
Contactul metal-semiconductor are dou forme:
Contact ohmic contactul care prezint rezisten foarte mic n ambele sensuri de
polarizare. Este contactul metal-semiconductor de tip p;
Contact redresor contactul care are conducie unilateral i este contact de tipul
metal-semiconductor de tip n.
Pentru dioda Schottky se utilizeaz contactul redresor.
Al

SiO2

n
n+

Si
K

Au

Fig. 2.16. Structura diodei Schottky.


Pentru metalizarea superioar se utilizeaz aluminiul, iar pentru metalizarea inferioar
aurul. Aluminiul mpreun cu semiconductorul de tip n realizeaz structura metal
semiconductor cu caracter redresor. Contactul dintre aur i semiconductorul n+ (puternic
impurificat) realizeaz contactul ohmic.

2.2.6.3. Dioda Gunn


Din familia diodelor de microunde fac parte de asemenea diodele Gunn, IMPATT,
TRAPATT i BARRIT, prezentate pe scurt n continuare.
Diodele Gunn se bazeaz pe fenomenul transferului de electroni care apare n anumite
semiconductoare (dintre care cel mai mare interes prezint galiul-arsen). Efectul Gunn se
produce la anumite materiale semiconductoare (GaAs, InP etc.) atunci cnd, local, intensitatea
cmpului electric depete o anumit valoare critic.
Teoria corpului solid arat c anumite materiale semiconductoare (cum ar fi galiul-arsen)
au dou benzi de conducie i dou categorii de electroni liberi:
electroni uori (cu mobilitate mare);
electroni grei (cu mobilitate mic) sunt mai energici (banda energetic respectiv
corespunde unor energii mai mari).
Distribuia energetic a electronilor se modific cu intensitatea cmpului electric. La
intensiti mai mari ale cmpului, crete energia cinetic a electronilor i crete ponderea
electronilor grei. Ca urmare, viteza medie de drift a electronilor liberi ncepe la un moment dat s
scad cu cmpul electric. La intensiti mari ale cmpului, practic toi electronii sunt grei, iar
pe de alt parte viteza lor tinde s se satureze.
40

2107

Regiune de
rezisten negativ

v
[cm/s]

Prag de tensiune

Diodele Gunn se realizeaz n prezent sub form de structuri metale nn+ sau n+ nn+.
Aceste dispozitive nu au jonciuni pn i la nceput au fost numite cu efect de volum.

107

[KV/cm]

Fig. 2.16. Caracteristica vitez de drift-cmp


electric a diodei Gunn.

Fig. 2.17. Caracteristica I-U a diodei Gunn.

Curentul este proporional cu viteza, iar cmpul electric (presupus uniform) este
proporional cu tensiunea aplicat. Cnd intensitatea cmpului depete valoarea de vrf M
(figurile 1.40 i 1.41), n semiconductor au loc ns fenomene calitativ noi. Remarcm mai nti
c n structura n+ nn+, la limitele zonei n, apare o sarcin spaial datorit difuziei electronilor
din zonele n+.
Astfel Dioda Gunn este un dispozitiv activ n domeniul microundelor, care funcioneaz
ca un convertor a unei tensiuni continue ntr-o tensiune oscilant de nalt frecven, prin
utilizarea caracteristicii de rezisten negativ de volum pe care o prezint o categorie de
semiconductori compui de tipul GaAs i InP.
Dioda Gunn este una din cele mai importante surse de energie cu corp solid din domeniul
microundelor, care se caracterizeaz prin nivel sczut de zgomot i un domeniu larg de
frecven. Aceest tip de diod este uneori utilizat ca amplificator de microunde, dar n general
este folosit n special ca oscilator de mic sau medie putere.

2.2.6.4. Dioda IMPATT


Este dispozitivul care se bazeaz pe ionizarea prin oc i timp de tranzit. Ea genereaz
puteri de civa wai n regim continuu de oscilaie, iar frecvenele de lucru pot ajunge la cteva
sute de gigaheri.
Datorit necesitii de a fixa punctul static de funcionare al diodei n zona de avalan,
polarizarea diodelor IMPATT se face cu o surs de curent constant.
i
Vn

p+ n i

n+

Fig. 2.18. Structura diodei IMPATT.

Ip

Fig. 2.19. Polarizarea static a diodei IMPATT.

41

Funcionarea dispozitivului este explicat pe o structur de tip p+nip+, unde i (de mare
rezistivitate) este o zon intrinsec (concentraia efectiv de impuriti este neglijabil). Structura
diodei este prezentat n figura 2.18.
Se aplic o tensiune invers (cu plus pe n+) suficient de mare pentru a provoca
strpungerea prin multiplicare n avalan la jonciunea p+n. Vom admite c dispozitivul este
polarizat n avalan cu o surs de curent constant. Dac presupunem ca la bornele dispozitivului
apare o tensiune sinusoidal de foarte nalt frecven care oscileaz n jurul tensiunii de
strpungere Vn, atunci constatm generarea intern a unor pachete de purttori de sarcin care
dau un curent n antifaz cu tensiunea menionat mai sus.
La dioda IMPATT efectul de rezisten dinamic negativ se obine datorit timpului de
tranzit al purttorilor de sarcin, n urma ionizrii n avalan a materialului semiconductor.
Efectul de rezisten dinamic negativ se manifest numai n regim dinamic i numai ntr-o
anumit band de frecven, band determinat de particularitile constructive ale diodei.
Acest tip de diode au, n domeniul microundelor, un comportament similar cu acela al
dispozitivelor cu rezisten negativ (de tip S).
n ceea ce privete structura diodelor IMPATT, ele pot fi realizate n multe variante,
ncepnd cu structura clasic PN i pn la structuri mai puin obinuite cum ar fi: P+NIN+,
P+IPNIN+. Printre materialele utilizate se enumer Si, GaAs.
Diodele IMPATT sunt folosite ca oscilatoare de mic sau medie putere, cu randament
mediu (10%). Inconvenientul diodelor IMPATT este zgomotul lor, sensibil mai mare dect al
diodelor Gunn.

2.2.6.5. Dioda BARITT


Dioda BARITT (Barrier Injection Transit Time) are o structur P+NP+, semnnd cu
structura unui tranzistor a crui baz nu este accesibil din exterior. n funcionarea acestui
dispozitiv timpul de tranzit al purttorilor de sarcin joac un rol important.
Oscilatoarele cu acest tip de diode au puteri mai mici, dar prezint avantajul unui zgomot
mult mai redus dect oscilatoarele cu diode IMPATT. Diodele BARITT sunt potrivite pentru
realizarea amplificatoarelor de microunde, precum i pentru realizarea oscilatoarelor cu
automixare din sistemele de radiolocaie cu efect Doppler.

2.2.6.6. Dioda TRAPATT


Dioda TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche Triggred Transit) poate funciona n
regim de semnal mare n dou moduri:
modul IMPATT fundamental
modul IMPATT de mare randament - denumit TRAPATT caracterizat prin
randament foarte ridicat (60%) i puteri mari de ieire.
Structurile TRAPATT cele mai utilizate sunt P+NN+ sau N+PP+ cu jonciunea abrupt,
polarizate invers n care la procesele din regiunea activ particip ambele tipuri de purttori:
electroni i goluri.

2.2.6.7. Dioda PIN


Denumirea provine de la structura de tip PIN, regiunea intrinsec fiind ncadrat de dou
regiuni, p i n puternic dopate. Datorit prezenei regiunii intrinseci, frecvena limit de lucru ca diod - a structurii PIN este joas. Domeniul frecvenelor de lucru la microunde este mult
peste aceast frecven limit, prin urmare dioda PIN nu poate fi folosit ca redresor de
microunde.
La tensiune de polarizare nul, regiunea central este complet lipsit de purttori, iar n
regiunile adiacente se formeaz sarcini spaiale egale dar de semn opus, la fel ca la jonciunea
pn.
42

n dispozitivele reale, regiunea central nu poate fi intrinsec, ci numai slab dopat. Aici
regiunea central va fi complet golit de purttori prin aplicarea unei tensiuni negative (minus pe
regiunea p).
La aplicarea unei tensiuni de polarizare direct diodei pin, regiunea p+ injecteaz goluri
n regiunea central, n timp ce regiunea n+ injecteaz electroni. Rezistena regiunii centrale se
micoreaz foarte mult.
p+

n+

Fig. 2.20. Structura diodei PIN.


Dioda PIN are particularitatea c la polarizarea n sens direct este practic echivalent cu o
rezisten pur, invers proporional cu curentul continuu al diodei, iar la o polarizare n sens
invers schema ei echivalent se reduce la o mic capacitate, practic independent de mrimea
tensiunii de polarizare.
Dioda PIN este folosit mai ales n funcia de comutator foarte rapid i drept rezisten
variabil, comandat prin polarizare. De asemenea, se utilizeaz n:
atenuatoare programabile;
sisteme de control automat al nivelului generatoarelor de microunde (ALC-automatic
levelling control).

2.2.6.8. Dioda STEP-RECOVERY


Dioda STEP-RECOVERY este o diod cu o structur pin optimizat n vederea
funcionrii ei ca generator de impulsuri scurte.
Generarea impulsurilor este legat de fenomenele specifice ce apar n diod la comutarea
ei din starea de conducie n starea de blocare. Datorit prezenei regiunii de semiconductor
intrinsec, sarcina spaial dispare dup un anumit timp astfel c dioda va conduce n sens invers
un timp, pn se epuizeaz sarcina spaial, dup care curentul dispare brusc.
Dioda step-recovery este utilizat n special n:
generatoare de armonici cu un foarte bogat coninut de armonici;
n circuitele de multiplicare a frecvenei cu rapoarte de multiplicare de ordinul 4 10,
cu randament acceptabil.

2.2.7. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE


Dispozitivele optoelectronice sunt dispozitive care produc sau utilizeaz lumina pentru
funcionare. n cadrul capitolului de diode, se prezint pe scurt led-ul i fotodioda.

2.2.7.1. LED
Acest tip de dispozitive au fost realizate pentru a nlocui becurile (cu via de scurt
durat i relativ fragile) utilizate la panourile de comand pentru semnalizarea strilor
nchis/deschis. Un LED (light-emitting diode) este o diod care n polarizare direct produce o
lumin vizibil, de culoare roie, galben sau portocalie, dependent de tipul materialului din
care este realizat dioda. Simbolul acestui tip de diod este prezentat n figura 2.21.

43

a.

b.

Fig. 2.21. a. Simbolul ledului; b. Forma fizic a LED-ului.


Astfel de dispozitive se utilizeaz la fiaj, n combinaii de 7 segmente (pentru
vizualizarea unui numr), figura 2.22.

Fig. 2.22. Afiaj cu 7 segmnete.

Fig. 2.23. Display cu pachet de afiaje


cu 7 segmente.

Afiajul cu 7 segmente este disponibil n varianta catod comun, toate terminalele catod
sunt legate la acelai potenial. n cazul defectrii unui LED, pentru nlocuirea lui este necesar un
acelai tip de LED. Prin combinarea a mai multor afiaje cu 7 segmente, se poate vizualiza o
serie de numere, figura 2.23.

2.2.7.2. Fotodioda
Spre deosebire de LED care produce lumin, fotodioda funcioneaz prin consum de
lumin. Fotodioda este de fapt un fotorezistor variabil. Dac jonciunea pn este supus aciunii
unei surse de lumin extern, rezistena intern scade iar fluxul de curent crete. Acest tip de
diod funcioneaz n polarizare invers.
n figura 2.24 este prezentat fotodioda i simbolul acesteia.

44

a.

b.

Fig. 2.24. a. Semnul convenional al fotodiodei; b. Fotodioda.


Schimbnd intensitatea luminii sursei se obine variaia fluxului de curent, proporional
cu intensitatea luminoas. Pentru c fotodioda rspunde rapid la variaia luminii, este des
utilizat n aplicaiile digitale sau la echipamentele de scanare optice.

2.2.7.3. Optocuplor
Acest tip de dispozitiv (optocuplor cu fotodiod i LED) se utilizeaz la frecvene mici
(din gama megahertzilor). n figura 2.25 este prezentat schematic un optocuplor cu diode.
fotodiod
+

_
LED

Fig. 2.25. Structura optocuplorului cu fotodiod i


LED
Optocuploarele nlocuiesc transformatoarele utilizate n aplicaiile de joas tensiune i
curent mic. De asemenea, se pot utiliza n circuitele de reglare a tensiunii i curentului cu nivele
logice de joas tensiune.
Optocuploarele se pot realiza i n variante constructive cu fototranzistoare cu diode, sau
fototranzistoare cu tiristoare, variante care vor fi prezentate n capitolele urmtoare.

45

3. TRANZISTOARE BIPOLARE
Din cele studiate anterior concluzionm: polarizarea direct a jonciunii pn nseamn
echivalarea acesteia cu o rezisten de valoare mic (pentru o tensiune dat, circuitul este
parcurs de un curent mare), n timp ce polarizarea invers a jonciunii determin echivalarea
acesteia cu o rezisten de valoare mare.
Folosind legea lui Ohm pentru calculul puterii (P = I2R) i presupunnd c avem curent
constant, se poate concluziona c puterea dezvoltat de-a lungul unei rezistene mari este mai
mare dect cea dezvoltat pe o rezisten mic. Astfel, n cazul unui cristal cu dou jonciuni pn
(una n polarizare direct i una n polarizare invers), injectarea unui semnal de mic putere n
jonciunea polarizat direct va conduce la un semnal de putere mare la ieirea din jonciunea
polarizat invers. Acest concept este teoria de baz despre amplificarea cu ajutorul unui
tranzistor.
Un tranzistor bipolar este un monocristal cu dou jonciuni cuplate n opoziie. Aceast
dispunere nu este echivalent cu dou jonciuni independente, montate n acelai circuit, motiv
pentru care este valabil definiia:
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare alctuite dintr-o
succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiai cristal semiconductor, regiunea
central fiind mult mai ngust i de tip diferit fa de regiunile laterale.
De altfel, regiunea central este mai slab dopat cu impuriti dect celelalte regiuni i se
numete baz (B). Celelalte dou regiuni, una puternic dopat cu impuriti, denumit emitor
(E), iar cealalta, mai srac n impuriti dect emitorul, este colectorul (C). Direcia sgeii
indic sensul curentului n emitor cnd tranzistorul conduce normal.
In figura 3.1 sunt reprezentate cele dou tipuri de TB i simbolurile acestora.
E

C
B

C
B

a.

b.

Fig. 3.1. Structura i simbolul TB de tip:


a) pnp; b) npn
Emitorul este sursa de purttori, care determin n general curentul prin tranzistor, iar
colectorul colecteaz purttorii ajuni aici. Baza are rolul de a controla intensitatea curentului
prin tranzistor n funcie de tensiunea dintre aceasta i emitor. Tranzistorul bipolar transfer
curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten mare, de
unde i denumirea de tranzistor (TRANSISTOR = TRANsfer reSISTOR).
Cele dou jonciuni ale tranzistorului sunt:
a) jonciunea de emitor sau:
- emitor-baz (EB) pentru transistorul bipolar pnp;
- baz-emitor (BE) pentru tranzistorul bipolar npn.
b) jonciunea de colector sau:
- colector-baz (CB) pentru tranzistorul bipolar pnp;
- baz-colector (BC) pentru tranzistorului bipolar npn.
Pentru tranzistorul bipolar se pot defini cureni i tensiuni ca n figura 3.2:
46

a.
b.
Fig. 3.2. Curenii i tensiunile la tranzistorul
bipolar: a) tip pnp; b) tip npn.

3.1. FUNCIONAREA TRANZISTORULUI npn


La tranzistorul npn exist dou regiuni de tip n extreme, care conin electroni liberi, n
timp ce regiunea de tip p central, are un exces de goluri. Conform teoriei de la jonciunea pn
ntre regiunile de tip n i p, se dezvolt o zon de sarcin spaial i apare o barier de
potenial.
Un tranzistor este utilizat de cele mai multe ori n etajele de amplificare. Pentru a folosi
un tranzistor ca amplificator, fiecare din jonciunile sale trebuie controlat (comandat) cu o
tensiune extern. Astfel, prima jonciune (emitor-baz) este polarizat direct, n timp ce
jonciunea baz-colector este polarizat invers (rezisten mare). Emitorul este conectat la
terminalul negativ al bateriei n timp ce baza este conectat la borna pozitiv. Tensiunea pe
colector trebuie s fie mai mare dect n baz. Toate acestea sunt prezentate n figura 3.3.

Polarizare
direct

Polarizare
invers

colector

emitor

Fig. 3.3. Polarizarea tranzistorului bipolar de tip npn.


n concluzie, baza tranzistorului npn trebuie s respecte sensul de polarizare a emitorului,
n timp ce colectorul trebuie s se afle la un potenial mai mare dect cel din baz.
Curent
minoritar

colector

p
n

Jonciune

emitor

Jonciune

emitor

Fig. 3.4. Polarizarea direct a jonciunii


emitorului. ( flux de electroni, ......
flux de goluri)

Fig. 3.5. Polarizarea invers a


jonciunii colectorului.
47

3.1.1. Polarizarea direct a jonciunii emitorului la tranzistorul


npn
Pentru c regiunea n pe una din prile jonciunii este mai puternic dopat dect pentru
regiunea p, curentul produs de purttorii majoritari (electroni) n regiunea n este mai mare
dect cel produs de golurile din regiunea p.
Astfel, conducia prin jonciunea polarizat direct, ca n figura 3.4, este asigurat n
principal de purttorii majoritari, electronii, de la materialul n (emitor).
Cu polarizarea jonciunii baz-emitor din figura 3.4, electronii prsesc terminalul
negativ al bateriei i ajung la materialul n (emitorul). Electronii, fiind purttorii majoritari n
materialul n, trec uor prin emitor, traverseaz jonciunea i se combin cu golurile din baz
(material p). Pentru fiecare electron care se combin n regiunea p, alt electron va prsi
materialul p, crend un nou gol care se va deplasa ctre terminalul pozitiv al sursei.

3.1.2. Polarizarea
tranzistorul npn

invers

jonciunii

colectorului

la

A doua jonciune pn (baz-colector), polarizat invers conform figurii 3.5, se


caracterizeaz printr-un curent care traverseaz jonciunea de valoare mic. Acest curent se
numete curent minoritar, sau curent invers i este produs de perechile electron-gol. Purttorii
minoritari pentru jonciunea polarizat invers sunt electronii n materialul p i golurile n
materialul n.
Observaie
A doua jonciune pn (baz-colector) nu este polarizat direct cum este prima jonciune pn
(baz-emitor). Dac ambele jonciuni ar fi polarizate direct, electronii ar avea tendina s treac
din fiecare regiune n a tranzistorului npn (emitor i colector) spre centru, regiune p (baz). n
esen am putea avea 2 diode cu aceeai baz, astfel eliminndu-se orice amplificare i scopul
tranzistorului. Dac se greete polarizarea celei de a doua jonciuni (se polarizeaz direct), se
poate dezvolta un curent excesiv, suficient pentru nclzirea i distrugerea jonciunii, fcnd
tranzistorul neutilizabil.
Concluzie
Trebuie asigurat polarizarea corect nainte de conectarea electric a tranzistorului.
n figura 3.6 se prezint fenomenele ce apar ca urmare a alimentrii celor 2 jonciuni ale
tranzistorului n acelai timp. n figur sunt reprezentate sensurile convenionale ale curenilor IC,
IE, IB dei sensurile reale sunt n sensurile opuse acestora.
Ic
n
Polarizare
invers
Polarizare
direct

p
IB
VBB

Vcc

n
IE

Fig. 3.6. Funcionarea tranzistorului npn.


flux de electroni;
..........flux de goluri.
Sursele de polarizare sunt notate VCC pentru tensiunea de alimentare a colectorului, VBB
pentru tensiunea de alimentare a bazei.
48

Exemplu: Tensiunea de alimentare a bazei este relativ mic, pn la 1V. Tensiunea de


alimentare a colectorului este n general mai mare dect cea de alimentare a bazei, n general
6V. Aceast diferen de tensiune este necesar pentru a avea un flux de curent de electroni de
la emitor la colector.
Fluxul de curent n circuitul extern este datorat micrii electronilor liberi, ceea ce
nseamn c electronii trec dinspre terminalul negativ al sursei spre emitorul de tip n. Aceast
micare combinat a electronilor este denumit curent de emitor IE.
n timp ce electronii sunt purttori majoritari n materialul n, ei se vor deplasa direct de la
emitorul de tip n la jonciunea baz-emitor. Prin polarizare direct a acestei jonciuni, electronii
continu s se adune n regiunea bazei. Odat ajuni n baz, aceasta fiind de tip p, electronii
devin purttori minoritari. O parte din electronii ajuni n baz se recombin cu golurile. Pentru
fiecare electron recombinat, un alt electron traverseaz baza (ca i curent de baz IB, crendu-se
un nou gol pentru o eventual recombinare) i se rentoarce la sursa de alimentare VBB.
Pentru curentul de baz electronii recombinai sunt neimportani, ei se consider a fi
pierdui. Pentru eficientizarea tranzistorului, regiunea bazei este foarte subire i slab dopat.
Astfel se reduce posibilitatea ca un electron s se recombine cu un gol i s se piard. Cei mai
muli electroni care se mic n regiunea bazei sunt sub influena unui colector polarizat puternic,
invers. Acest mod de polarizare, ca i polarizarea direct a bazei (pentru purttorii minoritari,
electroni), accelereaz electronii prin jonciunea baz-colector i i trimite spre colector. Ct timp
colectorul este realizat din material de tip n, electronii care mbogesc colectorul devin purttori
de curent majoritari dnd natere unui curent de colector IC.
Colectorul este realizat fizic mai mare dect baza din dou motive:
1) pentru mrirea ansei purttorilor de sarcin de a traversa uor regiunea bazei;
2) pentru evacuarea cldurii mai uor.
Observaie
Curentul principal al tranzistorului npn este dinspre colector spre emitor (sensul
convenional). Discutnd n procente, curentul IE se consider a fi 100 %. Pe de alt parte, att
timp ct baza este ngust i slab dopat, un procentaj mic din curentul total (IE) va circula n
circuitul bazei fa de circuitul de colector. n mod normal, curentul de baz nu este mai mare de
25% din curentul total, n timp ce 9598% este curentul de colector.
Relaia de baz existent ntre cei trei cureni este:
IE = IB +IC
n concluzie, un semnal mic n jonciunea baz-emitor va produce un curent mare de la
emitor la colector.

3.2. FUNCIONAREA TRANZISTORULUI pnp


n principiu, funcionarea tranzistorului pnp este asemntoare funcionrii tranzistorului
npn. Deoarece emitorul, baza i colectorul la tranzistorul pnp sunt din materiale diferite fa de
tranzistorul npn, fluxul purttorilor de sarcin va fi diferit de cel al tranzistorului de tip npn.
Purttorii majoritari de curent n pnp sunt golurile, n contrast cu purttori majoritari de la npn
care erau electronii. Pentru a suporta diferena curentului (flux de goluri), sursele de alimentare
sunt n polarizare invers fa de tranzistorul npn. O polarizare tipic a tranzistorului pnp este
indicat n figura 3.7.
n succesiunea p-n-p se pot considera urmtoarele definiii:
p indic polaritatea cerut de emitor pentru tensiune (pozitiv)
n indic polaritatea tensiunii bazei (negativ)

49

Polarizare
invers

colector
P

P
emitor

direct

Polarizare

baz
N

Fig. 3.7. Polarizarea tranzistorului bipolar de tip pnp.


Ct timp jonciunea colector-baz este polarizat (ntotdeauna) invers, terminalul de
polaritate negativ a tensiunii va fi utilizat de ctre colector. Colectorul va fi conectat la un
potenial mai negativ dect cel al bazei. Aceast diferen n tensiunea de alimentare este
necesar pentru a avea flux de curent (flux de goluri) de la emitor la colector. Fluxul de goluri se
face prin interiorul tranzistorului (n cazul tranzistorului pnp), n timp ce fluxul de electroni se
realizeaz prin circuitul extern.
Trebuie fcut precizarea: Golul este o particul echivalent electronului dar care se
mic n sens opus acestuia, astfel c fluxul de goluri se definete ca micarea n sens invers a
electronilor de valen.

3.2.1. Polarizarea direct a jonciunii emitorului la tranzistorul


pnp
Pentru a studia ce se ntmpl cnd jonciunea emitor-baz este polarizat direct se
prezint figura 3.8. Cu polarizarea din figur, terminalul pozitiv al sursei de alimentare atrage
golurile din emitor spre baz, iar terminalul negativ conduce electronii din baz spre emitor. Ca
urmare are loc un proces de recombinare. Pentru fiecare electron care se recombin cu un gol, un
alt electron prsete terminalul negativ al sursei i se ndreapt spre baz. n acelai timp, un
electron pleac din emitor crend un gol care ajunge la terminalul pozitiv al sursei. Aceast
micare de electroni prin baz i n afara emitorului constituie curentul de baz IB.

colector
p
n
+

p
emitor

colector
p
n

Jonciunea
polarizat direct

50

Jonciunea
polarizat invers

p
emitor
Curent minoritar
(electroni)

Fig. 3.8. Polarizarea direct a jonciunii


emitorului. ( flux de electroni,
...... flux de goluri).

Curent minoritar
(goluri)

Fig. 3.9. Polarizarea invers a jonciunii


colectorului.

3.2.2. Polarizarea
tranzistorul pnp

invers

jonciunii

colectorului

la

n cazul jonciunii colectorului polarizat invers, figura 3.9, potenialele negativ din
colector, respectiv mai pozitiv din baz interzic purttorilor de curent majoritari s traverseze
jonciunea.
Tensiunea de colector negativ atrage golurile din baz (purttori minoritari), care
traverseaz jonciunea i ajung la colector, alctuind curentul de colector IC. n colector,
electronii (purttori minoritari), datorit tensiunii de baz pozitiv, tind spre baz iar golurile
sunt atrai de electronii care provin de la terminalul negativ al bateriei. Dei curentul prin
jonciunea polarizat invers este dat numai de purttorii minoritari, datorit numrului redus al
acestora acesta este foarte mic.

IC
colector
p
IB

n baz
p

VBB

Jonciune
polarizat invers

emitor

VCC
Jonciune
polarizat direct

IE

Fig. 3.10. Funcionarea tranzistorului PNP


flux de electroni
..........flux de goluri
Prin lansarea n funcionare a celor dou jonciuni n acelai timp (figura 3.10 la care se
pstreaz reprezentarea sensurilor convenionale i nu reale ale curenilor IC, IE, IB), se observ o
interaciune ntre cele dou jonciuni similar celei de la tranzistorul npn (exceptnd faptul c la
tranzistorul pnp purttorii majoritari sunt golurile). La tranzistorul pnp, figura 3.10, tensiunea
pozitiv din emitor ajut la transferul golurilor spre baz. Odat ajunse aici, golurile se combin
cu electronii din baz. Pentru a preveni procesul de recombinare goluri-electroni, baza este foarte
ngust. Mai mult de 90% din golurile care ajung n baz sunt atrase de colector (puternic
negativ). Pentru fiecare electron i gol care se recombin, un alt electron prsete terminalul
negativ al sursei (VBB) i intr n baz ca i curent de baz (IB). n acelai timp un alt electron
prsete emitorul ca IE (crend un gol) ajungnd la terminalul pozitiv VBB. n circuitul de
colector, electronii de la sursa VCC intr n colector ca IC i se recombin cu golurile n exces din
baz. Pentru fiecare gol neutralizat n colector de un electron, un alt electron prsete emitorul
urmnd s ajung la terminalul pozitiv al VCC.
Dei fluxul de curent n circuitul extern tranzistorului pnp are sensul opus fa de
tranzistorul npn, purttorii majoritari trec de la emitor spre colector. Acest flux de purttori
majoritari divizeaz circuitul tranzistorului sub forma a dou bucle individuale de curent. O
bucl este pentru curentul de baz i o a doua bucl este pentru curentul de colector. Combinaia
dintre cei doi cureni determin curentul total din tranzistor:
I E = IB + IC
Cea mai important asemnare pentru cele dou tipuri de tranzistoare este c ambele se
comand n curent.
51

Concluzie
Mrind tensiunea de polarizare direct a tranzistorului se reduce bariera jonciunii emitorbaz. Aceast aciune permite mai multor purttori s mbogeasc colectorul, determinnd o
mrire a fluxului de curent de la emitor spre colector i prin circuitul extern. n consecin, o
scdere a tensiunii de polarizare direct reduce curentul de colector.
Din cele prezentate anterior se observ c jonciunile baz-colector i baz-emitor pot fi
polarizate direct sau invers, astfel c tranzistorul se poate afla n una din strile prezentate n
figura 3.11.
Jonciunea B-E

Jonciunea B-C

Invers

Direct

Invers

1
Regiune de
tiere

2
Regiune activ
normal

Direct

4
Regiune activ
invers

3
Regiune de
saturaie

Fig. 3.11. Modurile de funcionare ale tranzistorului


bipolar.
Funcionarea n regiunea activ invers este rar folosit, fiind ntlnit la porile TTL.
Un tranzistor se poate conecta n circuit dup unul din montajele fundamentale prezentate
n figura 3.12, denumite conexiuni fundamentale.
Cele dou circuite ale montajelor se numesc: circuit de intrare i circuit de ieire. Unul
dintre terminalele tranzistorului face parte din ambele circuite. Terminalul tranzistorului comun
celor dou circuite i vzut n curent alternativ d numele conexiunii n care se afl montat
tranzistorul. Se disting trei conexiuni: conexiunea emitor comun (EC), conexiunea baz comun
(BC) i conexiunea colector comun (CC).
Pentru identificarea conexiunii unui tranzistor trebuie urmai trei pai:
1. Identificarea terminalului la care se aplic semnalul (emitor, baz, colector);
2. Identificarea terminalului la care se culege semnalul de ieire (emitor, baz, colector);
3. Elementul rmas, elementul comun, este elementul care d numele configuraiei.
Fiecare tip de conexiune are anumite particulariti care o face potrivit pentru aplicaii
specifice.

52

a.

b.

c.
Fig. 3.12. Conexiunile tranzistorului bipolar (NPN I PNP): a. emitor
comun (EC); b. baz comun (BC); c. colector comun (CC).

3.3. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI


3.3.1. Conexiunea emitor comun
Acest tip de conexiune (EC) este tipul cel mai des ntlnit n cazul circuitelor de
amplificare, de comutaie sau digitale, deoarece furnizeaz valori bune pentru tensiune, curent,
respectiv putere. Circuitul de intrare (la care se aplic semnalul de intrare) este circuitul bazemitor, iar circuitul de ieire este colector-emitor. Conexiunea EC se caracterizeaz prin:
Rezisten de intrare de valoare mic (500-1500), intrarea realizndu-se pe
jonciunea polarizat direct;
Rezisten de ieire de valoare destul de ridicat (30k-50k sau chiar mai mult),
ieirea realizndu-se pe jonciunea polarizat invers.

0V

VCC

0V

intrare

VC
ieire
0V

Fig. 3.13. Schema de baz a


amplificatorului cu tranzistor npn.

0V

intrare

-Vc

ieire

-VCC

Fig. 3.14. Schema de baz a


amplificatorului cu tranzistor pnp.

53

n cazul schemei cu tranzistor npn (fig. 3.13), n timpul alternanei pozitive a semnalului
de intrare curentul de baz crete fa de situaia fr semnal. Astfel crete i curentul de colector
iar tensiunea colector-emitor scade. n timpul alternanei negative a semnalului de intrare
curentul de baz scade fa de situaia fr semnal, curentul de colector va scdea i el iar
tensiunea colector-emitor va crete. Rezult o relaie n antifaz ntre tensiunea de intrare i cea
de ieire din amplificator.
n cazul celuilalt amplificator realizat cu tranzistor pnp (fig. 3.14), n timpul alternanei
pozitive a semnalului de intrare, baza devine mai pozitiv fa de situaia fr semnal. Curentul
de colector scade i crete tensiunea de colector spre valori negative. Acest lucru echivaleaz cu
alternana negativ a semnalului din colector. Pe timpul semialternanei negative baza se
negativeaz n raport cu emitorul, ceea ce produce o mrire a polarizrii directe i eliberarea unui
numr mai mare de purttori de curent de la emitor, producnd o cretere a curentului de colector
i o micorare a tensiunii n colector. n acest mod curentul de colector care trece printr-o
rezisten de valoare mare (jonciune polarizat invers) produce o amplificare mare.
Pentru semialternana pozitiv a semnalului de intrare ieirea va fi pe semialternana
negativ. Conexiunea EC este singurul tip de conexiune care produce un defazaj ntre intrare i
ieire de -180o.
Prin scrierea ecuaiilor pe cele dou circuite, de intrare i de ieire, se observ c cei doi
cureni importani sunt curentul de colector IC i curentul de baz IB. Ecuaia caracteristic de
funcionare devine:

1
IC =
IB +
IC 0
(3.1)
1
1
Unde reprezint factorul de amplificare n curent n conexiunea baz comun.
Ctigul (amplificarea) este dat() de raportul ntre ieire i intrare. Pentru conexiunea EC
se definete factorul de amplificare conform relaiei:
I
= C sau
(3.2)
I B

(3.3)

Se obine:

I C = I B +

1
IC 0
1

(3.4)

Variabila pune n concordan modificrile curentului de baz cu cele ale curentului de


colector. Dac se ignor termenul IC0, ctigul n c.c. este raportul dintre curentul de colector i
cel de baz.

3.3.2. Conexiunea baz comun


Acest tip de conexiune (BC) este preferat datorit valorilor impedanelor de intrare /
ieire (30-160 / 250k-550k). Utilizarea acestui tip de conexiune este limitat de:
Rezistena de intrare mic;
Ctigul n curent mai mic dect 1.
Altfel, conexiunea BC este utilizat n aplicaiile n care se cere amplificare n tensiune
mare i rezisten de intrare mic (exemplu: amplificator de voce).

54

Fig. 3.15. Conexiunea baz-comun


La acest tip de conexiune, semnalul de intrare este aplicat emitorului, n timp ce semnalul
de ieire se culege pe colector. n acest mod, un semnal care ajut la polarizare va crete valoarea
curentului prin tranzistor, iar semnalul care se opune polarizrii va micora curentul prin
tranzistor.
Semnalele de intrare i de ieire sunt n faz.
Prin aplicarea pe emitor a unui semnal care ajut la polarizare, curentul de colector se va
mri, cderea de tensiune pe RS va crete, tensiunea VC va scade, astfel c tensiunea de colector
va deveni pozitiv i n faz cu ieirea.
Amplificarea n curent se calculeaz asemntor conexiunii EC (semnal de ieire pe
semnal de intrare). Se definete :
I
= C
(3.5)
I E
n timp ce o parte din curentul de emitor intr n baz i nu apare ca i curent de colector,
acesta va fi mai mic dect curentul de emitor care-l produce. ntre curenii prin tranzistor exist
relaia:
I E = I B + IC
(3.6)
ntre i exist relaia:

(3.7)

1+

3.3.3. Conexiunea colector comun


Conexiunea colector comun (CC) este utilizat datorit impedanei sale. Este folosit ca
regulator de curent, avnd ctigul de valoare mare. Este utilizat n circuitele de comutaie, avnd
posibilitatea de a permite trecerea semnalului n ambele direcii (funcionarea bidirecional).

Fig. 3.16. Conexiunea colector-comun (repetorul pe emitor)


La acest tip de conexiune semnalul de intrare este aplicat pe baz, iar semnalul de ieire
este cules pe emitor, n timp ce colectorul este comun ambelor circuite. n cazul conexiunii CC,
rezistena de intrare are valoare mare (2k-500k), iar rezistena de ieire valoare mic (5055

1500). Dei ctigul n curent are valoare ridicat, ctigul de putere este mai mic dect n
cazul conexiunilor EC, BC. Semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Amplificarea de curent este:
I
= E
(3.8)
I B
iar legtura ntre amplificarea n curent a conexiunii EC i amplificarea n curent a
conexiunii CC este:
= +1
(3.9)
Un tranzistor care se afl montat n oricare dintre cele trei tipuri de conexiuni este definit
de cele trei relaii:

+1

, =

, = +1

(3.10)

n tabelul 3.1 sunt prezentate comparativ caracteristicile celor trei tipuri de conexiuni ale
tranzistorului.
Tabelul 3.1
TIPUL
AMPLIFICATORULUI

BAZ
COMUN

EMITOR
COMUN

COLECTOR
COMUN

Relaia ntre fazele semnalului


0
de intrare/ieire

180

Amplificarea n tensiune

mare

medie

mic

Amplificarea n curent

mic()

medie()

mare()

Amplificarea n putere

mic

mare

medie

Rezistena de intrare

mic

medie

mare

Rezistena de ieire

mare

medie

mic

3.3.4. APLICAII ALE TRANZISTORULUI


Un tranzistor poate funciona n una din cele patru regiuni prezentate n figura 3.11. Se
consider un tranzistor npn i conexiunea BC a acestuia ca n figura 3.17.
Pentru a funciona n regiunea de tiere ambele jonciuni trebuie s fie polarizate invers.
n acest caz toi curenii se presupun zero, curenii de dispersie asociai polarizrii inverse fiind
foarte mici, astfel c pot fi ignorai.
ISE

ISC

Fig. 3.17. Polarizarea tranzistorului n conexiunea BC


pentru funcionarea n regiunea de tiere.

56

Pentru funcionarea n regiunea activ normal direct jonciunea baz-emitor este


polarizat direct, n timp ce jonciunea baz-colector este polarizat invers (figura 3.18).

Fig. 3.18. Polarizarea tranzistorului n conexiunea BC


pentru funcionarea n regiunea activ normal.
Pentru studiul tranzistorului purttorii care intereseaz sunt electronii. Acetia sunt
injectai n regiunea bazei, unde devin purttori minoritari, chiar dac sunt numeric mai muli. Se
adun n zona jonciunii BE, de unde prin difuzie traverseaz regiunea bazei. Dei unii se
recombin, majoritatea vor mbogi jonciunea BC. La jonciunea BC, electronii ntmpin
rezisten datorit regiunii de golire, dar vor reui s traverseze regiunea spre colector.
2
1

3
5

Fig. 3.19. Vedere intern pentru configuraia BC, n


funcionarea n regiunea activ normal
Figura 3.19 prezint componentele curentului n conexiunea BC. Astfel exist:
1-goluri injectate din B-E. Este un curent mic care poate fi ignorat.
2-electroni injectai de baz n emitor. Curent aproximativ egal cu IE.
3-electroni care mbogesc regiunea colectorului. Curent aproximativ egal cu IE.
4-curent de recombinare. Este egal cu (1- ) IE.
5-curentul invers de saturaie, IC0. Este n general neglijat.

F este factorul de transfer a curentului direct. Acest factor se refer la acea parte a

electronilor care mbogesc colectorul, dar care sunt injectai n regiunea bazei, ajungnd n
final la jonciunea emitorului.
La cele mai multe tranzistoare se apropie de 1, fiind ntre 0,9 i 0,99. Diferena ntre
curentul injectat n regiunea bazei i cel care ajunge la colector este curentul de baz. Acesta este
foarte mic, se poate neglija, astfel c se consider curentul de colector egal cu cel de emitor.
Sunt valabile urmtoarele relaii:
I B + IC + I E = 0
(3.11)
innd cont de componentele 3 i 5 ale curentului de colector, avem:
I C = F I E + I C 0
(3.12)
Cele dou relaii descriu curenii n conexiunea BC, n regiunea activ normal de
funcionare.
57

ntoarcerea la regiunea de tiere se poate face prin reducerea tensiunii de polarizare ntre
baz i emitor. Att timp ct jonciunea B-E este o jonciune PN, acest curent este considerat a fi
curentul prin diod. Reducnd tensiunea de polarizare la 0, curentul de emitor va fi 0, iar relaia
ntre cureni va fi:
I B = IC = IC 0
(3.13)
n timp acest curent va deveni zero.
n regiunea de saturaie, curentul de colector va deveni proporional cu curentul de
emitor plus curentul rezidual IC0. Aceasta nseamn c tensiunea de polarizare a jonciunii bazcolector este neimportant. Conform figurii 3.19, n serie cu terminalul colectorului este un
rezistor.
Dac curentul de colector crete pn la un punct la care tensiunea pe rezistor plus
tensiunea de alimentare a colectorului tinde s polarizeze direct jonciunea colectorului, golurile
vor fi injectate dinspre baz spre colector. Acest curent de goluri va contracara curentul de
electroni (venit de la emitor) limitnd efectiv curentul prin tranzistor. Tensiunea VBC la care
ncepe efectul de limitare este de aproximativ 0,4V, efectul de limitare ajungnd maxim la 0,6V.
Acest mod de funcionare este cunoscut sub numele de regim de saturaie.
Observaie
Terminologia de saturaie se refer n acest caz, la circuit i nu la tranzistor. Tranzistorul
poate produce mai muli purttori de sarcin, dar circuitul exterior (sursa de tensiune i
rezistorul) limiteaz curentul.
Pentru a funciona n regiunea activ normal invers jonciunea colectorului este
polarizat direct, n timp ce jonciunea emitorului este polarizat invers. Funcionarea n acest
caz este asemntoare funcionrii n regiunea activ normal direct, cu diferenierea surselor de
tensiune, ceea ce duce la inversarea curenilor de emitor i colector. n aceast funcionare F
(F=Forward) se nlocuiete cu R (R=Reverse). Astfel, ecuaia curenilor devine:
I E = R I C + I E 0
(3.14)
Aceast configuraie este rareori folosit. Motivul este acela c majoritatea tranzistoarelor
sunt astfel dopate ca factorul de amplificare, , s fie aproape egal cu 1, aceasta nsemnnd un
curent invers de valoare foarte mic.

Observaie
Studiul realizat este o aproximare a fenomenelor care se petrec n timpul funcionrii unui
tranzistor. Multe dintre acestea sunt neglijate. Astfel, pentru aplicaiile curente nu se iau n
considerare printre altele: curentul datorat golurilor injectate din baz n emitor, generarea
termic a perechilor electron-gol, rezistena intern a tranzistorului sau generarea n avalan.

3.3.4.1. Funcionarea tranzistorului ca amplificator


Una din aplicaiile tranzistorului este utilizarea acestuia n etajele de amplificare. Pentru
studiul funcionrii tranzistorului n acest mod este necesar s se defineasc noiunile de
amplificare i amplificator.
Amplificarea este un proces de mrire a puterii unui semnal fr a modifica modul de
variaie a mrimii n timp i folosind energia unor surse de alimentare. Termenul de semnal este
folosit pentru curent, tensiune sau putere n circuit. n acest capitol studiul se realizeaz pentru
amplificatoarele ideale. n realitate semnalele sunt distorsionate, adic forma semnalului de ieire
difer de forma de und a semnalului de intrare.
Un amplificator este circuitul care produce amplificarea semnalului original (creterea
amplitudinii curentului i tensiunii sau mrimii puterii).
Cteva din circuitele care se pot realiza cu tranzistoare sunt:
amplificatoare de curent (cu rezisten mic),
amplificatoare de tensiune (cu rezisten mare),
amplificatoare de putere.
58

Pentru a observa cum se utilizeaz un tranzistor pe post de amplificator se consider


figura 3.16, pentru care se presupune c VEE este mrit cu 1mV.
Creterea tensiunii va produce o cretere a curentului n jonciunea baz-emitor. Cea mai
mare parte a curentului se va regsi n creterea curentului de colector, ceea ce presupune o
modificare a cderii de tensiune pe rezistorul RC. Dac RC este de valoare mult mai mare dect
rezistorul RE, atunci se obine o amplificare de tensiune.
Fie amplificatorul din figura 3.13 realizat cu tranzistor npn, n conexiune EC.
La funcionarea amplificatorului, pentru polarizarea jonciunilor sunt necesare dou surse
(separate). La alegerea surselor (a valorii acestora) trebuie s se in cont de tipul tranzistorului
din schema amplificatorului, astfel pentru polarizarea direct la tranzistorul cu germaniu sunt
suficieni 0,2V, n timp ce pentru tranzistorul cu siliciu sunt necesari aproximativ 0,6V. Pentru c
bateriile uzuale nu permit tensiuni att de mici, n schemele de polarizare ale tranzistorului se
utilizeaz divizorul rezistiv.
Prin inserarea n circuit a unuia sau mai multor rezistori, se obin metode de polarizare cu
ajutorul crora se pot elimina sursa de tensiune de pe jonciunea emitor-baz i efectele negative
produse de variaiile de temperatur asupra polarizrii.
Curentul n circuitul baz-emitor circul de la mas la emitor, prin afara bazei, i prin RB
spre sursa VCC. Curentul n baz este foarte mic (zeci - sute de microamperi) i rezistena direct
a tranzistorului este mic, astfel c numai cteva zecimi de voli din tensiunea pozitiv vor
ajunge n baza tranzistorului. Acestea sunt suficiente pentru polarizarea corect a tranzistorului.
Dac tranzistorul este polarizat corect, prin circuit exist curent cu sau fr semnal de
intrare. Aceasta nseamn existena unei tensiuni de colector VC att timp ct exist curent prin
tranzistor i RS. Aceasta este notat pe graficul de ieire. Att timp ct existena tensiunii VC este
independent de existena unui semnal de intrare, semnalul de ieire ncepe la nivelul VC i poate
crete sau descrete. Tensiunea i curentul (continue) care exist n circuit nainte de aplicarea
unui semnal sunt cunoscute sub numele de curent i tensiune de meninere (reziduale).
Rezistorul RS, rezistorul de sarcin din colector, se conecteaz n circuit pentru a menine
efectul tensiunii de alimentare a colectorului n circuitul exterior acestuia. Ca urmare tensiunea
VC se modific cu semnalul de intrare, permind tranzistorului s amplifice tensiunea. Fr RS
n circuit, tensiunea de colector va fi egal cu VCC.
Condensatorul C1 este un element de cuplaj pentru circuit. El permite trecerea semnalului
de c.a. i blochez componenta de c.c. a semnalului de intrare n baz. Acest condensator
mpiedic modificarea polarizrii de c.c. a tranzistorului fie datorit rezistenei interne mici a
sursei de semnal fie datorit potenialului de c.c. de la ieirea etajului de amplificare anterior.
Semnalul de intrare n amplificator este de form sinusoidal i variaz cu civa milivoli
fa de valoarea 0. Semnalul se aplic prin condensatorul de cuplaj ntre baz i emitor. Prin
aplicarea acestui semnal (alternana pozitiv), tensiunea pe jonciunea baz-emitor devine mai
mare n valoare pozitiv. Polarizarea direct crete, astfel c n baz curentul crete odat cu
intrarea sinusoidal. Curenii de emitor i colector cresc, dar mult mai mult dect curentul de
baz. Odat cu creterea curentului de colector, tensiunea pe rezistena RS crete. Deoarece
tensiunea pe RS i tensiunea colector-emitor formeaz mpreun tensiunea VCC, creterea
tensiunii RS nseamn micorarea tensiunii pe tranzistor. Tensiunea de ieire a amplificatorului,
culeas la colector, este alternana negativ a tensiunii de amplitudine mai mare dect intrarea,
dar avnd acelai caracter sinusoidal.
Pe durata alternanei negative a semnalului de intrare, acesta se opune polarizrii directe.
Ca rezultat scade curentul de baz, respectiv curenii de emitor i colector. Scderea curentului
prin RS micoreaz cderea de tensiune pe acest rezistor. Aceasta implic creterea cderii de
tensiune colector-emitor. Tensiunea de ieire este o alternan pozitiv a tensiunii, mai mare ca
valoare dect intrarea, cu form sinusoidal.
Prin examinarea unei perioade complete a intrrii, se observ c ieirea amplificatorului
este o reproducere exact a intrrii, exceptnd inversarea polaritii i mrirea amplitudinii
(intrare - civa milivoli, ieire - civa voli).
59

La versiunea pnp a amplificatorului, figura 3.14, exist cteva diferene fa de


amplificatorul cu tranzistor npn. Una din diferene este polaritatea tensiunii. Tensiunea VCC este
negativ pentru a se putea realiza polarizarea direct ntre emitor i baz.
1. Cnd semnalul de intrare la pnp devine pozitiv, acesta se opune polarizrii directe a
tranzistorului. Aciunea va anula o parte din tensiunea negativ de pe jonciunea emitor-baz,
reducnd curentul prin tranzistor. Rezult c, tensiunea pe rezistorul RS scade i tensiunea pe
tranzistor crete.
Pentru VCC negativ, tensiunea din colector VC tinde s devin negativ (dup cum se vede
n figur) pn la VCC. Ieirea devine alternana negativ a tensiunii, de form sinusoidal dar de
valoare mai mare i cu polaritate opus.
2. Pe alternana negativ a semnalului de intrare, curentul prin tranzistor crete (tensiunea
ajut fenomenul de polarizare direct). Tensiunea pe rezistena RS crete i n consecin
tensiunea pe tranzistor scade sau trece spre valoare pozitiv (ex. -5V spre -3V). Rezult o
tensiune de ieire pozitiv care are aceleai caracteristici ca i tensiunea de intrare exceptnd
valoarea (este amplificat) i polaritatea inversat.
Rezumnd, semnalul de intrare din circuitul precedent a fost amplificat; micile modificri
n baz produc modificri majore n curentul de colector. Prin plasarea rezistenei n serie cu
colectorul, se produce amplificare de tensiune.

3.3.4.2. Modelele circuitelor pentru tranzistor n conexiune emitor


comun
Circuitul baz emitor
Relaiile ntre curentul de baz i tensiunea baz-emitor sunt n corelaie cu
caracteristicile jonciunii baz-emitor, considernd aceast jonciune c funcioneaz ca o diod.
Aceasta nseamn c modelul acestei jonciuni va fi similar unei diode. Dac se vorbete de pori
logice, se consider c nu exist curent de baz att timp ct tensiunea baz-emitor este mai mic
de 0,50V. n cazul n care baza conduce greu se presupune c tensiunea baz-emitor se apropie
de tensiunea de saturaie:
VBE = VBEsat = 0,80V

a.

b.

c.

Fig. 3.20. Modelele circuitului n conexiunea EC la tranzistorul npn.


a. Regiune de tiere: VBE<0,5V, VBC<0,5V.
b. Regiune activa: IB>0, VCE>0,2V.
c.
Circuitul colector emitor Regiune de saturatie: IB>0, IC<IB
Acest tip circuit este mai greu de modelat. Aceasta din cauza existenei celor trei regiuni
care intervin n funcionare. Pentru c funcionarea tranzistorului n regiunea activ normal
invers este rar utilizat, n continuare se va considera cazul funcionrii n regiunea activ
normal direct. n figura 3.21 se prezint caracteristicile de ieire IC = IC(VCE) pentru cteva
valori ale curentului de baz.

60

IC [mA]

Regiune de saturaie
50 A
40 A
Regiune activ
normal (RAN)

IC [mA]

Regiune de
saturaie
-0,60 V

30 A
20 A

Regiune activ
normal (RAN) -0,58 V

10 A

-0,56 V
-VBE = 0

IB= 0
Regiune de tiere

VCE [V]

Fig. 3.21. Caracteristicile de ieire


IC = IC(VCE) pt. IB = ct.

Regiune de tiere

-VCE [V]

Fig. 3.22. Caracteristicile de


ieire IC = IC(VCE) pt. VBE = ct.

Dac tensiunea baz emitor este mai mic dect valoarea de prag, atunci curentul de baz
este 0. Drept urmare, singurul curent prin circuit este curentul de meninere, care n general este
neglijat. Din acest motiv, funcionarea tranzistorului n regiunea de tiere se modeleaz printr-un
circuit deschis (figura 3.20). Regiunea de tiere este prezentat prin dreapta pentru care IB = 0,
figura 3.21, sau VBE = 0, figura 3.22.
Regiunea activ normal corespunde ecuaiei:
1
I C = I B +
IC 0
(3.15)
1
pentru care se observ c avem o dependen a curentului de colector n funcie de
curentul de baz. Modelarea tranzistorului pentru acest tip de funcionare este prezentat n
figura 3.20.b. Modelarea jonciunii baz-emitor se face printr-o surs de tensiune, iar circuitul
emitor-colector
printr-o surs reglabil de curent IB, limitele de demarcare a acestei regiuni fiind: IB>0,
VCE>0.2V.
Trebuie menionat faptul c acest model al tranzistorului este doar o aproximare. Modelul
real trebuie s ia n considerare faptul c variaia curentului de colector se face lent cu tensiunea
VCE, ceea ce nseamn c spaiul dintre caracteristici nu este constant. De asemenea, exist o
variaie a factorului cu curentul de colector.
Pentru a fi valabil modelul mai sus prezentat, n majoritatea aplicaiilor, se consider
cazul tranzistorului ideal la care se adaug un parametru adiional r0.
Pentru modelarea tranzistorului n regiunea de saturaie se face o aproximare a
tranzistorului ca fiind dispozitiv ideal, astfel c circuitul este modelat printr-o tensiune fix VCE
= 0.2V. n aceast regiune circuitul bazei este considerat a fi o surs de tensiuneVBE = 0.8V
(figura 3.20.c). Limitele acestei regiuni sunt IB> 0, IC< IB.
Ca o concluzie, n figura 3.23 se prezint efectele modelrii tranzistorului. Compararea
figurilor 3.21 i 3.23 indic faptul c modelele mai sus prezentate sunt o aproximare a modelului
real al tranzistorului. Aproximarea permite simplificarea analizei circuitului n contextul mai larg
al circuitelor de comutaie.

61

Saturaie
Regiune
activ

IC [mA]

Tiere
IB=0A

VCE [V]

Fig. 3.23. Caracteristicile obinute prin modelarea


tranzistorului.

3.3.4.3. Funcionarea tranzistorului ca inversor / comutator


Utilizarea tranzistorului n circuitele digitale se poate realiza datorit posibilitii
tranzistorului de a bloca sau conduce curentul cu ajutorul unui semnal de curent de valoare mic.
Din acest motiv cele mai importante moduri de funcionare sunt n regiunile de tiere i de
saturaie.
Pentru a studia funcionarea tranzistorului ca inversor sau comutator sunt utile modelele
prezentate anterior.
n figura 3.24 care reprezint un comutator clasic, funcionarea tranzistorului este
comandat de curentul din circuitul bazei. Analiza circuitului se realizeaz pentru Vin = 0V, 5V
respectiv 10V.

a.

b.

c.

Fig. 3.24. a. Funcionarea tranzistorului ca i comutator. b. Schema simplificat.


c. nlocuirea tranzistorului cu modelul n regim de tiere

Ex. 1. Vin = 0
Pentru c jonciunea BE este o diod, aceast parte a circuitului se va analiza ca fiind un
circuit n componena cruia este o diod. Fr sursa de alimentare care s furnizeze tensiune de
62

deschidere a diodei, nu va exista circulaie de curent, iar fr curent de baz tranzistorul se afl n
regiunea de tiere, drept pentru care nu va exista curent de colector.
n lipsa unui curent de colector, cderea de tensiune pe rezistorul RC va fi nul, ceea ce
nseamn VCE = V0 =10V (fig. 3.24.c.).

Ex. 2. Vin = 5V
Prin introducerea unei surse de tensiune cu 5V se obine un curent de baz diferit de 0
(figura 3.25).

Fig. 3.25. Circuitul tranzistorului pentru Vin = 5V.


Curentul de baz se obine ca fiind:
5 0.7
IB =
= 0.86mA
5k
Att timp ct exist curent de baz, exist i curent de colector. Dac se presupune c
tranzistorul funcioneaz n regiunea activ normal, se poate rezolva circuitul pentru aflarea
curentului de colector:
I C = I B = 20 0.86 = 17.2mA
De asemenea, rezolvarea circuitului nseamn aflarea tensiunii de ieire i a cderii de
tensiune pe rezistorul RC.
V0 = VCE = VCC I C RC = 10 17.2mA 0.5k = 1.4V
Att timp ct VCE > VCEsat (0,2V), acest rezultat arat c tranzistorul funcioneaz n
regiunea activ normal.

Ex. 3. Vin = 10V


Pentru o tensiune de intrare de 10V curentul de baz devine:
V V BE 10 0.7
I B = in
=
= 1.86mA
RB
5k
I C = I B = 37.2mA
Tensiunea de ieire devine:
V0 = VCE = VCC I C RC = 10 37.2mA 0.5k = 8.6V
n realitate un astfel de rezultat nu este posibil, neexistnd surs de tensiune negativ.
Aceasta nseamn c tranzistorul este proiectat ca o surs de curent comandat n curent, dar nu
este generator de curent.
Se observ c pe caracteristicile de colector, tensiunea de colector nu poate deveni
negativ pentru un curent de colector pozitiv. Singura concluzie posibil este c tranzistorul este
saturat i prelungirea regiunii active nu este valabil.

Fig. 3.26. Circuitul tranzistorului pentru Vin = 10V.


63

n regim de saturaie modificarea este n circuitul de baz, VBE = 0,8V. Aceast


modificare influeneaz valoarea curentului de baz.
10 0.8
V VCEsat 10 0.2
IB =
= 1.84mA I C = CC
=
= 19.6mA
0.5k
5k
RC
Tensiunea de ieire este VCEsat. Rmne de verificat dac modelul considerat este sau nu
apropiat de realitate. Verificarea se realizeaz prin demonstrarea relaiei:
I Csat < I B
Ct timp I B = 36.8mA > 19.6mA , este valabil modelul tranzistorului n saturaie.
Rezumat
Este bine de lmurit criteriul dup care se alege modul de funcionare al tranzistorului.
Regiunea de tiere:
VBE <VBE i VBC <VBC
Dac apare aceast condiie atunci curenii de baz i colector sunt zero. Se ignor
curentul de meninere. Se consider posibilitaea utilizrii tranzistorului cu colectorul i emitorul
polarizate invers. Se presupune c tensiunea de colector este mai mare dect tensiunea bazei.
Regiunea activ
IB > 0, VBE = 0,70V, IC = IB, VCE > 0,2V
Regiunea de saturaie
IB > 0, VBE = 0,70V, IC < IB, VCE = 0,2V
Valoarea VBE se alege astfel nct s existe o posibilitate de orientare asupra tranziiei
ntre regiunea de tiere i regiunea activ. Pentru circuitele logice aceast valoare se alege de
aproximativ 0,5V. Pentru o valoare mai mic tranzistorul funcioneaz n regiunea de tiere. La
saturaie,
VBE = 0,80V. La sistemele logice orice valoare ntre cele dou menionate mai sus duc
tranzistorul ntr-o stare de nedeterminare, care ns nu cauzeaz probleme.
Funcionarea tranzistorului ca inversor
Pentru prezentarea modului n care funcioneaz n mod real tranzistorul, se consider
cazul unui inversor la intrarea cruia se aplic tensiune sinusoidal. n acest caz tranzistorul va
trece prin toate cele trei stri prezentate anterior. Se presupune c:
VBE = 0.75 = VBEact = VBEsat
RC= 1k
Rin= 10k
= 40

Fig. 3.27. Tranzistorul funcionnd ca


amplificator inversor.
Studiul ncepe cu determinarea regiunii de utilizare a tranzistorului. Prima regiune de
funcionare care trebuie determinat este regiunea de tiere. Acest mod de funcionare se
realizeaz pentru tensiune de intrare sub VBE. n cazul schemei din figura 3.27 acest lucru se
ntmpl cnd tensiunea de intrare parcurge alternana negativ, spre 5V. n tot acest timp
tranzistorul se poate nlocui cu modelul din figura 3.28.

64

5
t

RC= 1k
-5

Rin= 10k

Reg.
tiere

10

Reg.
tiere

Fig. 3.29. Tensiunea de ieire pentru


funcionarea tranzistorului n regiunea
de tiere.

Fig. 3.28. Modelul tranzistorului n


regiunea de tiere.

Funcionarea n acest regim nseamn: curentul de colector este zero, curentul prin
rezistorul RC este zero, cderea de tensiune pe RC este zero, ceea ce nseamn c tensiunea de
ieire este 10V.
Dac tensiunea de alimentare este pe alternana pozitiv i depete 0,75V, tranzistorul
va intra n funcionare n regiunea activ.
10k

Rin= 10k

Vin > 0.75

0.75

a.

IB

RC= 1k

10

Vin>3,2

0,75

0,20

1k

10

b.
Fig. 3.30. a. Funcionarea tranzistorului ca inversor n regiunea activ;
b. Modelul tranzistorului la saturaie.

Analiza circuitului se realizeaz pe baza figurii 3.30.a, obinndu-se urmtoarele:


Curentul de baz:
V VBE 5 sin t 0.75
I B = in
=
RB
10k
Ecuaia este valabil dac se ndeplinete condiia: Vin > VBE.
Tensiunea de ieire este tensiunea de alimentare minus cderea de tensiune pe rezistorul
din colector.
5 sin t 0.75
V0 = VCC I C RC = 10 40 1k
10k
n acelai timp curentul IC = IB =40IB.
Din nou exist condiii de valabilitate:
Tensiunea Vin> 0,75V
Circuitul s nu fie saturat, V0 = VCE > 0,2V.
Tensiunea de ieire este sinusoidal numai pentru o parte din ciclu. Se observ c dac
tensiunea de intrare este 0,75V tensiunea de ieire este 10V, ceea ce corespunde regiunii de
tiere.
Tranzistorul va funciona n regiunea de saturaie dac tensiunea colector-emitor atinge
valoarea de 0,2V. Pentru a afla ce tensiune de intrare poate duce tranzistorul n regiunea de
saturaie considerm modelul dispozitivului la saturaie.
Pentru circuitul n saturaie se determin:
65

VCC VCEsat 10 0.2


=
= 9.8mA
RC
1k
Tensiunea de intrare minim necesar pentru un astfel de curent de baz este:
Vmin = V BEsat + I Bsat RB = 3.2V
Tranzistorul este n saturaie pe perioada de ciclu cnd Vin >3,2V.
n figura 3.31 se prezint ntregul ciclu parcurs de tranzistor. Se observ c regiunea
activ este prezent un timp relativ scurt, pe parcursul cruia tensiunea de ieire are form
sinusoidal.
IC =

5
3.2
0.75

Vin

t
activ

V0

tiere

0.2

saturaie

t
Fig. 3.29. Ciclul parcurs la funcionarea ca inversor a
tranzistorului

3.4. TIPURI DE POLARIZARE A


TRANZISTOARELOR
Una din problemele de baz ale funcionrii tranzistorului n cadrul circuitelor electrice
este stabilirea i meninerea valorilor corecte pentru tensiune i curent n circuit, aceasta fiind n
strns legtur cu selectarea corect a metodei de polarizare n funcie de condiiile de ambient
i temperatur (acestea pot produce modificri ale funcionrii tranzistorului sau eventuale
schimbri nedorite n forma semnalului) i determinarea punctului static de funcionare.
Rezult necesitatea aflrii curentului de colector al tranzistorului IC i a tensiunii UCE
dintre colector i emitor (respectiv UEC pentru pnp) n regim activ normal (RAN) atunci cnd se
cunosc parametrii o i UBE (respectiv UEB pentru pnp). Coordonatele punctului static de
funcionare sunt mrimile IC i UCE i se gsesc pe caracteristica static de ieire a tranzistorului
n conexiune EC, iC = iC (uCE) pentru IB = constant.
n acest capitol se prezint cteva dintre metodele de polarizare.
IC [mA]

Regiune de
saturaie

50 A
40 A

Regiune activ 30 A
normal (RAN)
P(IC, UCE)

20 A
10 A
IB= 0

Regiune de tiere

66

VCE [V]

Fig. 3.32. Caracteristicile de


ieire IC = IC(VCE) cu IB = ct.

3.4.1. Polarizarea n curent a bazei polarizare fix


Prima metod de polarizare, polarizarea n curent a bazei, este prezentat n figura 3.13.
Dup cum s-a vzut, aceast metod const n conectarea unui rezistor Rb ntre tensiunea de
alimentare a colectorului i baz. Din nefericire aceast metod are dezavantajul instabilitii
termice. Dac temperatura tranzistorului crete din orice motiv, curentul de colector va crete.
Aceast cretere va afecta punctul de funcionare n c.c. (deplasndu-l din poziia stabilit).
Aceast reacie a temperaturii este nedorit, afectnd amplificarea i producnd distorsiuni.

3.4.2. Autopolarizarea
O metod mai corect de polarizare a tranzistorului se obine prin introducerea unei
rezistene Rb ntre baz i colector ca n figura 3.33. Prin aceast metod, de legare a colectorului
la baz, tensiunea de reacie necesar polarizrii directe se obine de la colector spre baz. Acum,
dac temperatura crete producnd o cretere a curentului de colector, tensiunea VC va scade, ca
rezultat a cderii de tensiune pe rezistorul RS. Saltul de tensiune VC se va resimi n baz prin
scderea curentului de baz. Scderea se va opune efectului iniial de cretere a curentului de
colector, stabiliznd funcionarea. Fenomene asemntoare se produc i la scderea temperaturii.

autopolarizare
VC

ieire
intrare

Fig. 3.33. Autopolarizarea tranzistorului bipolar


Aceast metod are n schimb dou dezavantaje:
1) este eficient parial, fiind folosit numai n cazul unor modificri moderate
(ateptate) ale temperaturii ambiante;
2) se reduce amplificarea pe perioada ct semnalul din colector afecteaz tensiunea din
baz.
Acest efect este urmare a faptului c semnalele pe colector i baz sunt n opoziie de faz
i parte din semnalul din colector care afecteaz semnalul din baz anuleaz o parte din semnalul
de intrare. Procesul se numete reacie negativ. Sunt cazuri n care se dorete acest proces,
pentru prevenirea distorsiunilor n amplitudine.

3.4.3. Polarizarea combinat


Pentru mbuntirea stabilitii i eliminarea dezavantajelor celor dou metode
prezentate anterior se utilizeaz o metod de polarizare care combin cele dou metode.
Aceasta const n polarizarea cu divizor de tensiune n baz, ca n figura 3.34. Polarizarea
n curent este reprezentat de R1 - R2 i tensiunea VCC. Fluxul de c.c. prin divizorul de tensiune
polarizeaz direct baza n raport cu potenialul emitorului. Rezistorul Re, care se conecteaz n
serie cu emitorul, asigur autopolarizarea emitorului.
Dac IE crete, cderea de tensiune pe Re crete, reducnd UC. Acest efect de cretere a Ie
respectiv a tensiunii pe Re este o alt form a degenerrii, care const ntr-un semnal de ieire
67

mai mic. Pentru a obine o stabilitate termic n acelai timp cu realizarea unei degenerri mici,
se utilizeaz un condensator de decuplare Ce n paralel cu Re. Dac Ce este suficient de mare,
variaia rapid a semnalului nu va afecta sarcina i nu vor aprea degenerri ale semnalului.
Polarizare
fix

UC

Fig. 3.34. Schema de polarizare


a tranzistorului cu divizor de
tensiune.

Concluzie
R1 i R2 tind s menin potenialul bazei constant n timp ce potenialul emitorului
variaz. Acest tip de polarizare ofer o bun stabilitate termic odat cu meninerea punctului
static de funcionare a tranzistorului la valoarea dorit.

3.5. CARACTERISTICILE STATICE ALE


TRANZISTORULUI BIPOLAR
Pentru calcule practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaz caracteristicile statice
ridicate experimental. Exist trei tipuri de caracteristici pentru tranzistorul bipolar:
1. caracteristicile de intrare descriu dependena a dou mrimi de intrare, parametru
fiind o mrime de ieire;
2. caracteristicile de transfer descriu dependena dintre o mrime de ieire i una de
intrare, ca parametru putnd fi, n principiu, oricare alt mrime;
3. caracteristicile de ieire descriu dependena dintre dou mrimi de ieire, avnd ca
parametru o mrime de intrare.
ntruct caracteristicile statice depind de tipul schemei de conectare, n cele ce urmeaz le
prezentm pe cele corespunztoare conexiunii emitor-comun.
Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare n conexiune emitor comun

Vom considera cazul unui tranzistor bipolar pnp de mic putere. n schema emitorcomun, tensiunile au ca nivel de referin potenialul emitorului. Ca mrimi de intrare avem: VBE
= VEB i IB, iar ca mrimi de ieire pe VCE i IC.
O relaie ntre cureni este:
I CB0 eVCB
N
exp
IC =
IB
(3.16)
1
1 N I
1 N I kT
Coeficientul de amplificare baz-colector

N =

N
1 N

are valori mult mai mari ca unitatea, fiind cuprins ntre 20 i 1000.
Pentru un tranzistor pnp, pot fi scrise urmtoarele relaii
68

(3.17)

eV
I C = N I B ( N + 1)I CB0 exp CB 1
kT
eV
I E = I I B ( I + 1)I EB0 exp EB 1
kT

(3.18)
(3.19)

Expresia curentului de baz n funcie de tensiunile aplicate jonciunilor rezult ca fiind:


( + 1)I EB0 exp eVEB 1 + ( N + 1)ICB0 exp eVEB 1
IB = N
(3.20)

1 + N + I kT 1 + N + I kT

Caracteristici de intrare
Expresia acestei caracteristici este IB = IB(VBE) cu VCE = ct. n figura 3.35 sunt
reprezentate caracteristicile de intrare tipice pentru un tranzistor bipolar cu Si. n conexiunea EC
normal, curentul de baz este dat de relaia:

IE
I CB0
1 N

IC [mA]
VCE = -15V

VCE = -5V

VCE = -5V

iB [A]

(3.21)

VCE = -10V

I B = I E I C = I E (1 N ) I CB0 =

IC1

VEB [V]

Fig. 3.35. Caracteristica static de


intrare

IB1

IB [A]

Fig. 3.36. Caracteristica de transfer n


curent

Pentru valori mici ale tensiunii de polarizare direct a jonciunii emitorului,


caracteristica de intrare apare n cadranul IV, ntruct n circuitul bazei predomin curentul
rezidual ICB0. La tranzistoarele din siliciu, curentul rezidual ICB0 este foarte mic, astfel nct
caracteristica de intrare se poate considera c trece prin origine. Pentru diferite valori ale
parametrului UCE = ct < 0, la tranzistorul pnp, caracteristicile rezult distincte dar foarte
apropiate.

Caracteristici de transfer n curent


Expresia caracteristicii este IC = IC(IB) pentru VCE = ct.
n regiunea valorilor medii ale curenilor dependena experimental IC = IC(IB) este
cvasiliniar, astfel nct n zona acestor cureni (figura 3.36):
I
= C1
(3.22)
I B1
poate fi considerat constant.
69

Caracteristici de ieire
n figura 3.37 sunt prezentate mrimile caracteristice unui tranzistor pnp, iar
caracteristicile de ieire de forma IC = IC(VCE) cu VBE = ct sunt reprezentate n figura 3.38.
n figura 3.39 este reprezentat familia caracteristicilor experimentale de ieire, IC =
IC(VCE) cu IB = ct pentru un tranzistor npn
IC

VCB

IB
VCE
VBE

VEB
IE

Fig. 3.37. Tensiuni i cureni n conexiune EC

IC [mA]

Regiune de
saturaie
-0,60 V

IC [mA]

Regiune de
saturaie

50 A
40 A

Regiune activ 30 A
normal (RAN)

Regiune activ
normal (RAN) -0,58 V

P(IC, UCE)

-0,56 V
-VBE = 0
Regiune de tiere

20 A
10 A
IB= 0

-VCE [V]

Regiune de tiere

Fig. 3.38. Caracteristicile de


ieire IC = IC(VCE) cu VBE = ct.

VCE [V]

Fig. 3.39. Caracteristicile de


ieire IC = IC(VCE) cu IB = ct.

Caracteristica IB = 0 (figura 3.39) nu este, de fapt, limita regiunii de tiere. Pentru a bloca
tranzistorul este necesar blocarea jonciunii emitorului. n acest caz IC devine egal cu ICE0.
Funcionarea tranzistorului bipolar n regim de saturaie este ntlnit frecvent n circuitele
digitale, deoarece n aceast regiune se asigur o tensiune de ieire bine specificat care
reprezint o stare logic. n circuitele analogice se evit n mod uzual regiunea de saturaie,
deoarece factorul de amplificare al tranzistorului bipolar este foarte mic.

IB

IC
VCE

VBE

IE

Fig. 3.40. Tensiuni i cureni la tranzistorul pnp


n conexiune EC.
70

Jonciunea emitorului este polarizat direct dac UBE = -UEB <0. Jonciunea colectorului
este polarizat invers dac colectorul este situat la un potenial mai negativ dect baza, poteniale
considerate n raport cu emitorul (figura 3.40). Acest mod de polarizare corespunde regiunii
active normale.
eV
eV
I C = N I ES exp EB 1 I CS exp CB 1
(3.23)
kT
kT
IC [mA]

Regiune de
saturaie normal

80 A
60 A

VCEsat

Regiune de tiere
invers

Regiune activ
40 A
normal
20 A

-VEC [V]

IB= 0

IB= 0
20 A
40 A

-VCE [V]

Regiune activ invers

VCEsat

60 A
80 A

Regiune de
saturaie invers

Regiune de tiere
normal

-IE [mA]

Fig. 3.41. Caracteristicile de ieire la tranzistorul pnp.


Curentul de intrare IB are acelai sens att n conexiune normal, ct i n conexiune
invers. Deoarece acest curent are valori mici, curenii de colector i emitor rezult apropiai ca
valoare, adic IE IC, respectiv - IE - IC. Tensiunile de ieire n cele dou conexiuni sunt legate
prin
relaia
VCE = - VEC, astfel c ele reprezint cele dou semiaxe ale tensiunii. Cu aceste precizri, dac se
reprezint caracteristicile de ieire n conexiune EC normal n cadranul I (fig. 3.41),
caracteristicile de ieire n conexiune EC invers este justificat s se reprezinte n cadranul III.
Caracteristicile de ieire sunt trasate pentru aceleai valori ale parametrului IB, astfel c se poate
face o comparaie direct ntre cele dou regimuri de funcionare.
kT
n regim normal, pentru tensiuni negative VCE, care determin VCE (3 4 )
, se
e
poate neglija termenul exponenial din relaia (3.18), astfel nct:

I C = N I B + I CE 0

(3.24)

unde

I CE 0 = ( N + 1)I CB 0
(3.25)
pentru IB = 0, prin circuitul de ieire circulnd curentul rezidual de colector cu baza n
gol, ICB0; acest curent are o valoare de ( N + 1) ori mai mare dect curentul rezidual ICB0 din

71

cazul conexiunii BC cu emitor n gol. Curentul ICE0 are valori mai importante la tranzistoarele cu
germaniu i nu poate fi neglijat la calculul circuitelor echipate cu asemenea tranzistoare.
Frontiera dintre regiunea activ normal i regiunea de tiere normal este determinat
kT
din condiia VEB = 0. Pentru tensiuni de polarizare invers VCE (3 4 )
rezultnd
e

( + 1)( I + 1) ( + 1)I
I CBO
= N
(3.26)
N
CBO
1 N I
1+ N + I
Caracteristica pentru IB = 0 este situat n regiunea activ normal a curenilor mici, deci
foarte aproape de frontiera cu regiunea de tiere normal. n calculele practice, se poate
considera ca frontier ntre regiunea activ normal i regiunea de tiere normal chiar
caracteristica pentru IB = 0.
Creterea curentului IC cu tensiunea UCE pe caracteristicile de IB = ct este mult mai
pronunat fa de creterea curentului IC cu tensiunea UCB pe caracteristicile de IE = ct. Aceasta
este determinat de variaia diferit a coeficienilor N (U CE ) i N (U CB ) .
Pentru conexiunea EC sunt valabile relaiile:
IE = IC + IB.
(3.27)
I C = I CS =

Conform IC = F IE + ICB0

IE =

I C I CB 0

(3.28)

Introducnd (3.28) n (3.27), rezult:

I C I CB 0

= IC + I B

(3.29)

IC ICB0 = F IC + F IB
IC(1 F) = F IB + ICB0
IC =

F
1
IB +
I CB 0
1 F
1 F

Notnd cu

F =

F
1 F

(3.30)
(3.31)

(3.32)

factorul de amplificare n curent n conexiunea emitor comun (EC), i cu


I CE 0 =

1
1 F

(3.33)

curentul rezidual de colector n conexiunea emitor comun (EC) (msurat cu baza n gol),
se obine relaia:
IC = F IB + ICE0.

72

(3.34)

Noul factor de amplificare n curent poate fi mult mai mare dect 1 (zeci, sute). De
asemenea ICE0 >> ICB0
Pentru un tranzistor npn, reunirea celor 3 tipuri de caracteristici este prezentat n figura
3.42.
Acestea se reprezint astfel:
Cadranul I conine familia caracteristicilor de ieire, care reprezint dependena: iC = iC
(vCE) pentru IB = constant
Cadranul II conine familia caracteristicilor de transfer n curent, care reprezint
dependena iC = iC (iB) pentru VCE = constant
Cadranul III conine familia caracteristicilor de intrare, care reprezint dependena
iB = iB (vBE) pentru VCE = constant
Cadranul IV conine familia caracteristicilor de transfer n tensiune, care reprezint
dependena vBE = vBE (vCE) pentru IB = constant.
iC [A]
VCE2>VCE1

Regiune de
saturaie
( v BC 0 )

vBC= 0

vCE = VCE1

iC

i C1

iB > 0

iB = 0
iB = -ICB0
iB

ICEO
i B

VCE2
vCE

ICBO

vCE [V]

Regiune de blocare

VCE1
VCE2 > VCE1

iB

vBE

vBE

Fig. 3.42. Caracteristicile tranzistorului npn.

3.6. CLASE DE FUNCIONARE ALE


AMPLIFICATOARELOR CU TRANZISTOARE
n continuarea se prezint clasele de funcionare ale amplificatoarelor cu tranzistoare.
Una din ntrebrile care se pun este cea care face referire la tipul componentelor din
structura amplificatoarelor. Exist audiofili care susin utilizarea tuburilor electronice n
defavoarea dispozitivelor semiconductoare, pe motive de fidelitate a redrii sunetelor.
73

Se pot aduce argumente pro i contra pentru ambele tipuri de componente. Tuburile de
slab calitate sunt lente i au adesea zgomot de fond spre deosebire de cele de bun calitate care
sun spectacular. Aceleai observaii se pot face i pentru dispozitivele semiconductoare. De
asemenea, exist cazuri chiar de amplificatoare cu dispozitive semiconductoare care au o
ntrziere mare n redarea sunetului.
Ce sunt amplificatoarele? Sunt circuite care amplific semnalul de la intrarea sa. Exist o
varietate mare de scheme de amplificator. Cele mai cunoscute sunt clasele A, AB i C. Exist
clase speciale cum ar fi clasa G (Hitachi), clasa H (Soundcraftsman), clasa D (numit i
amplificator digital) i clasa T.
n cele prezentate anterior, s-a presupus c pentru orice punct de pe sinusoida semnalului
de intrare exist un semnal de ieire. n cazul utilizrii tranzistorului ca amplificator, se dorete
ca acesta s conduc pentru anumite zone ale sinusoidei de intrare. Clasele de funcionare ale
amplificatoarelor sunt determinate de poriunile din sinusoida de intrare pentru care exist
semnal la ieire.
Clasa A
Clasa A utilizeaz unul sau mai multe tranzistoare care conduc pe ambele alternane ale
semnalului. Un amplificator lucreaz n clas A cnd alimentarea acestuia se face astfel nct
variaia polaritii semnalului de intrare s nu produc blocarea sau saturarea tranzistorului. S-au
introdus noiunile de:
Blocare: la tranzistorul pnp, dac baza devine pozitiv (se respect polarizarea
jonciunii emitorului) golurile sunt respinse spre jonciunea pn astfel c nu exist
curent n circuitul colectorului.
Saturarea: intervine n momentul n care negativarea bazei este att de puternic nct
modificrile semnalului de intrare nu modific fluxul curentului de colector.
Prin polarizarea tranzistorului n acest mod se obine un punct de funcionare pe
caracteristica static n c.c. (PSF) cuprins ntre regiunea de blocare i cea de saturaie. n acest fel
pentru o variaie complet (de 360o) a semnalului de intrare se obine la ieire un semnal care
este replica semnalului de intrare.
Un exemplu de amplificator n clas A este cel din figura 3.43. Un astfel de montaj este
utilizat ca amplificator de frecven audio i radio, la sistemele radar i audio.
Dei cu distorsiuni reduse, acest tip de amplificator este ineficient i genereaz relativ
mult cldur. n acelai timp se observ c indiferent dac utilizezi frecvena FM sau vizionezi
un film amplificatorul va consuma putere proporional cu ct modifici poteniometrul de volum.
Clasa B
n sensul cresctor al eficienei, urmtoarea clas de amplificatoare este clasa B. Pentru
montajele n aceast clas se utilizeaz dou tranzistoare care conduc alternativ, unul pe
alternana pozitiv iar cellalt pe alternana negativ. Cam 99% din amplificatoarele care se
utilizeaz sunt n clas B, cu performane bune din punct de vedere al distorsiunilor.
Polarizarea tranzistorului se face astfel nct curentul de colector este zero pentru o
alternan complet a semnalului de intrare. Punctul de funcionare este astfel ales nct curentul
de baz este zero cnd nu exist semnal de intrare.
Specific funcionrii n clas B este faptul c fiecare tranzistor lucreaz pe jumtate de
ciclu. n urma funcionrii n acest mod apare o distorsiune ntre momentul blocrii unui
tranzistor i a intrrii n conducie a celuilalt.
Amplificatoarele care funcioneaz n clas B sunt utilizate cu precdere ca
amplificatoare audio de putere mare.

74

Fig. 3.43. Amplificator Fig. 3.44. Amplificator n


Fig. 3.45. Amplificator n
n clas A
clas B
clas AB
Clasa AB
Clasa AB dorete s elimine aceast problem. Astfel n clas AB un tranzistor i ncepe
conducia n timp ce cellalt tranzistor este nc n conducie. Dei se elimin distorsiunea clasei
B apare o alta, prin suprapunerea pentru un timp a celor dou semnale. Aceasta se traduce prin
faptul c semnalul o ia nainte.
n cazul funcionrii n clas AB, curentul de colector este zero pentru (zona de blocare)
pentru o poriune a uneia din alternanele semnalului de intrare. n acest caz tensiunea de
polarizare direct are valoarea mai mic dect valoarea semnalului de intrare. Jonciunea bazemitor va fi polarizat invers pe perioada unei alternane, att timp ct semnalul de intrare se
opune i este mai mare dect valoarea tensiunii de polarizare direct. Rezult c exist circulaie
de curent de colector mai mult de 180o dar mai puin de 360o. PSF-ul n acest caz este mai
aproape de regiunea de blocare.
Printre amplificatoarele audio clasice existente cele din clasa A au o eficien de 50% n
timp ce amplificatoarele din clasele B, AB mbuntesc procentul pn la 70-80%, restul
pierzndu-se prin disipare de cldur. A fost necesar o mbuntire a eficienei
amplificatoarelor ajungndu-se la clasa D, cea care a pus bazele funcionrii n comutaie a
montajelor de amplificare, atingndu-se teoretic pragul de eficien de 100%.
Cele mai multe elemente de circuit pot fi clasificate ca fiind rezistive, capacitive,
dispozitive magnetice (incluznd bobina i transformatorul) i dispozitive semiconductoare (pot
opera liniar sau n comutaie).
Un circuit funcionnd liniar, are funcionarea n regim clasic n care frecvena nu este un
parametru decisiv. La funcionarea n regim liniar ieirea este dependent de intrare printr-o
relaie liniar, cu distorsiuni minime ale semnalului de ieire. Aceasta nseamn c se evit
funcionarea elementelor magnetice n regim liniar.
Pe de alt parte, tranzistorul funcionnd n regiunea liniar a caracteristicii duce la
pierderi mari de putere (prin disipaie de cldur). Prin acesta se afecteaz randamentul
circuitului.
Amplificatoarele clasice cum sunt cele n clas A i AB opereaz n regim liniar.
La funcionarea n regim de comutaie pierderile de putere sunt nesesizabile. Din acest
motiv rezistoarele i elementele semiconductoare funcionnd n regim liniar se utilizeaz mai
puin, lund amploare elementele funcionnd n regim de comutaie. Se reamintete c la
funcionarea n comutaie dispozitivele se pot gsi n dou stri: ON (n regiunea de saturaie)
75

sau OFF (n regiunea de tiere). De asemenea, se tie c n regiunea de saturaie nu exist cdere
de tensiune n semiconductor iar n regiunea de tiere nu exist flux de curent. Din acest motiv
pierderile la funcionarea n comutaie sunt date de pierderile la tranziia dintr-o regiune de
funcionare n alta (dintr-un regim de funcionare n altul).
Dei amplificatoarele n clas A sunt ineficiente, sunt mai uor de proiectat i au o
calitate bun a sunetului. Un amplificator n clas A bine proiectat este aproape la fel de complex
ca un amplificator n clas B, dezavantajul fiind cel al costului, cel n clas A fiind mai scump.
n figura 3.46 este prezentat comparativ semnalul de ieire pentru diferitele clase de
amplificatoare.
Clasa A

Clasa AB

Clasa B

Fig. 3.46. Clasele de funcionare ale


amplificatoarelor cu tranzitoare.
zon de conducie.

Clasa C

Clasa C
n acest caz, curent de colector exist prin circuit pentru mai puin de jumtate dintr-o
alternan a semanlului de intrare.
Funcionarea n clas C se realizeaz prin polarizarea invers a jonciunii emitor-baz,
care duce punctul de funcionare sub regiunea de blocare.
Amplificatoarele n clas C sunt utilizate ca amplificatoare de radiofrecven.
Clasa D de amplificatoare utilizeaz tranzistoarele care pot comuta ON sau OFF
(asemntor tehnicii de modulaie n durat). Avantajele acestui tip de amplificator sunt:
eficiena mrit i cantitatea de cdur degajat redus comparativ cu clasa AB. Dezavantajul
const n distorsiunile introduse n momentul comutrii tranzistorului ntre cele dou stri, acesta
neputndu-se afla n acelai timp n ambele stri. Aceste distorsiuni sunt neimportante n
utilizrile cele mai frecvente ale clasei D anume cele de amplificatoare pentru difuzoare de joas
frecven.
Alte tipuri de clase sunt:
Clasa E este asemntoare clasei C, o clas de radiofrecven, cu avantajul reducerii
disipaiei de putere n tranzistor. Nu este aplicabil la amplificatoarele de audiofrecven.
Clasa G combin dou etaje de clas B ntr-unul singur. Scopul acestei clase este de a
mri eficiena. Teoretic, etajul n clas B de joas putere preia ntreaga sarcin, n timp ce etajul
n clas B de mare putere se afl n stand-by intrnd n funcie n momentul apariiei proceselor
tranzitorii, a existenei vrfurilor sau a nivelelor prea ridicate pentru ieirile audio. Trecerea
automat se realizeaz n urma proceselor de comutaie prin intermediul diodelor de comutaie.
Pentru c mrirea eficienei nu este la nivelul dorit, nu se poate justifica complexitatea
schemei prin introducerea circuitelor adiionale de comutaie.
Clasa H este o ncercare de a mri eficiena amplificatoarelor n clas B. Se obin
aceleai rezultate ca n cazul clasei G, cu deosebirea c funcia de comutaie ntre cele dou etaje
de alimentare de la clasa G este realizat de dinamica arhitecturii clasei H. Aceasta nseamn
posibilitatea mririi valorii tensiunii de alimentare cnd este dorit o valoare mai mare de putere
la ieire. Structura clasei H compenseaz costurile suplimentare i complexitatea structurii celor
dou etaje a clasei G. Chiar i cu aceste mbuntiri eficiena se menine n limite modeste,
astfel c nu se justific efortul de a realiza un amplificator nclas G.

76

Clasa S cuprinde un amplificator de joas putere n clas A care alimenteaz o sarcin


dintr-un etaj de amplificare n clas B. Aceasta nseamn ca etajul n clas B face ca sarcina s
par a avea impedan mare care poate fi comandat mai uor cu ajutorul unui amplificator n
clas A.
Clasa T sunt amplificatoarele n comutaie cele mai perfecionate, proiectate de Tripath.
Se utilizeaz procesarea semnalelor astfel nct s se elimine distorsiunile la comutaie din clasa
D. Avantajul oferit de eliminarea distorsiunilor nu duce la un sunet mai bun dect n clas A sau
AB ci obinerea unui pre mai bun pentru amplificatoare mai performante.

3.7. VERIFICAREA TRANZISTOARELOR


Tranzistorul se consider, conform celor prezentate anterior, un dispozitiv fr probleme
n funcionare i datorit capsulrii i stratului protector, cu durat lung de funcionare.
Teoretic, un tranzistor poate fi folosit un timp infinit. Practic, dac un tranzistor este supus unui
supracurent, jonciunile pot suferi avarii, sau chiar se pot distruge total. Aceleai urmri le poate
avea i funcionarea tranzistorului la tensiuni peste cele admisibile sau n cazul apariiei unui
curent invers peste valorile admise. Ali factori de deteriorare i constitue: temperatura,
umiditatea sau radiaiile care dac sunt peste o anumite valori duc la distrugerea tranzistorului.
Verificarea tranzistorului se poate face astfel:
Cu ajutorul ohmmetrului;
Prin nlocuirea tranzistorului suspectat a nu funciona corect cu unul care se tie a fi n
parametri. n acest caz trebuie s se verifice n prealabil circuitul n care se va
introduce tranzistorul, pentru a elimina eventualele defeciuni din circuit i a nu
distruge noul tranzistor.
De asemenea, la utilizarea tranzistoarelor n circuit trebuie s se verifice montarea
acestora prin identificarea corect a terminalelor.
Cu ajutorul ohmmetrului se pot realiza dou tipuri de verificri: a amplificrii i a
rezistenei jonciunii. Verificarea jonciunii tranzistoarelor furnizeaz informaii cu privire la
eventualele scurtcircuitri, ntreruperi sau scurgerile de curent.
Metoda cea mai simpl de verificare a tranzistorului se realizeaz cu ajutorul unui
ohmmetru i a unui circuit simplu de testare, care conine o serie de rezistori cuplai printr-un
ntreruptor. n principiu, curentul prin tranzistor, de la emitor la colector, nainte de polarizarea
direct a jonciunii emitor-baz este nul sau neglijabil.
n figura 3.47, cu ntreruptorul pe poziia deschis, baza nu este alimentat, iar jonciunea
emitor-baz nu este polarizat. n acest caz, ohmmetrul trebuie s indice o rezisten de valoare
mare (ca n figur). Dac se nchide ntreruptorul, jonciunea emitor-baz este polarizat direct
de tensiunea prin divizorul de tensiune R1, R2. Curentul circul prin circuitul emitor-colector,
rezistena pe ohmmetru trebuind s aib valoare mic.

Ohmmetru

R2

R1

R3

Fig.3.47. Verificarea amplificrii


tranzitorului cu ajutorul ohmetrului
77

Pentru verificarea unui tranzistor de tip npn (n figur tranzistorul este de tip pnp) se
inverseaz polaritile bornelor (respectiv a terminalului ohmmetrului) la emitorul i colectorul
tranzistorului i se aplic acelai algoritm ca cel anterior.
Ohmmetrul se poate utiliza pentru verificarea fluxului de curent, prin msurarea
rezistenei jonciunilor baz-emitor, baz-colector i circuitului baz-emitor n polarizare direct
i invers. Pentru simplificarea msurtorilor, tranzistorul se consider ca fiind format din dou
diode conectate n opoziie. Montate n acest mod, diodele vor avea: rezisten direct mic i
rezisten invers mare. Prin aceste msurtori se evit utilizarea rezistenei R1.
C

Ohmmetru

Ohmmetru

Fig. 3.48. Verificarea emitorcolector.

Fig. 3.49. Verificarea bazcolector

C
Ohmmetru

Fig. 3.50. Verificarea bazemitor

78

4. TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP


Prin apariia tranzistorului, proiectarea electronic a facut un pas important n dezvoltarea
sa. Totui, tranzistorul bipolar are ca dezavantaj impendana de cuplare ntre dou etaje de
amplificare. Astfel, s-a cutat o soluie care s combine impendana mare de intrare cu unele
avantaje ale tranzistorului bipolar. S-a realizat tranzistorul cu efect de cmp, TEC (FET-field
effect transistor).
Comparativ cu tranzistorul bipolar care realizeaz reglarea conduciei prin variaia unui
curent ntre baz i emitor, la TEC se utilizeaz o tensiune pentru controlul cmpului
electrostatic din interiorul tranzistorului.
Funcionarea tranzistoarelor cu efect de cmp are la baz variaia conductanei unui strat
de material semiconductor, numit canal, la aciunea cmpului electric creat de tensiunea aplicat
unui electrod de comand numit gril (G) sau poart (cu rol asemntor bazei tranzistorului
bipolar). Curentul prin TEC se datoreaz deplasrii numai a purttorilor majoritari, electroni sau
goluri, n funcie de tipul canalului (de tip n, respectiv p).
Clasificare:
a. TEC cu jonciune (sau cu gril jonciune) TECJ (JFET);
b. TEC cu gril izolat - TEC metal oxid (izolator) semiconductor; TECMOS
(MOSFET) sau TECMIS (MISFET)

4.1. TEC CU JONCTIUNE


Structura i simbolurile tranzistorului sunt prezentate n figura 4.1.
dren
poart

dren
poart

surs

surs

dren

dren

poart

a.

poart

surs

surs

b.

Fig. 4.1. Structura i simbolurile TEC:


a. TECJ cu canal de tip n;
b. TECJ cu canal de tip p;
Multe tranzistoare cu efect de cmp au o structur n care canalul este mrginit de
regiunile de sarcin spaial a dou jonciuni, aa cum se poate vedea n figura 4.2, unde s-a
ilustrat cazul unui tranzistor cu canal n (acesta este prezentat mai pe larg n cele ce urmeaz).
Cele dou regiuni de tip p snt conectate ntre ele formnd electrodul porii.
79

poart (gril)
dren

surs
Canal tip n

poart tip p

Substrat tip p (poart)

Fig. 4.2. Structura TECJ cu canal tip n.


Se consider modelul din figura 4.3. Canalul este de cel puin 10 ori mai lung dect larg,
putnd fi chiar de cteva sute de ori mai lung.
UG
Poart, reg. tip p

US

UD

Canal tip n

ID
Poart, reg. tip p

Fig. 4.3. Model fizic pentru un tranzistor cu efect de cmp cu


poart-jonciune, cu canal n.
Se presupune canalul uniform dotat i avnd o lungime L. Distana dintre regiunile de tip
p ale porilor, regiuni ce se presupun a fi mult mai puternic dopate n comparaie cu canalul, este
2a. Deoarece regiunile de sarcin spaial asociate celor dou jonciuni ptrund n canal,
lrgimea sa este mai mic dect 2a. Lrgimea canalului se va nota 2b, figura 4.3 indicnd
dispozitivul la echilibru, cnd lrgimea canalului este uniform.
Se consider tranzistorul nepolarizat din figura 4.4.a, nepolarizat pe poart. Dac se
aplic o tensiune (ex. 5V) pe dren, va circula un curent n direcia indicat de sgeat (msurat
cu miliampermetru mA). Terminalul porii este legat la mas. n aceste condiii canalul va
prezenta o rezisten de aproximativ 500. Cu drena alimentat, miliampermetrul va indica
valoarea curentului de dren (10 mA). n acest caz tranzistorul este caracterizat de valorile (UDD,
ID).
Se consider tranzistorul din figura 4.4.b, la care se polarizeaz invers poarta cu o
tensiune de valoare mic. Aplicarea unei tensiuni pe poart, UGS (ex. 1V, cu polarizarea din
figur), polarizeaz invers jonciunea pn. Aceast polarizare creaz o regiune de golire (de
sarcin spaial) n jurul jonciunii, care micoreaz numrul purttorilor de sarcin. De
asemenea, un efect al polarizrii inverse este reducerea seciunii de trecere a canalului (2b).
Reducerea seciunii de trecere implic creterea valorii rezistenei surs-dren i micorarea
valorii curentului.
80

UDD
UDD
mA

Surs

Regiune p

Canal n

Regiune p

Canal n

Poart

Regiune p

UGS

Regiune p

mA

Surs

a.

b.
Fig. 4.4. Referitoare la funcionarea TECJ.

Prin mrirea substanial a tensiunii negative aplicat grilei, regiunea de golire se mrete
iar curentul de dren devine zero. Tensiunea care anuleaz curentul de dren se numete
tensiune de tiere, (de prag = VP). Plaja tensiunilor la care lucreaz tranzistorul este:
VP < VGS < V
Limita superioar, V, este tensiunea de deschidere a jonciunii pn. n mod obinuit se
asigur funcionarea la VGS < 0.

4.1.1. Caracteristicile TECJ


TECJ are urmatoarele tipuri de caracteristici statice:
caracteristici de iesire ID = ID(VDS) cu VGS = ct.;
caracteristici de transfer ID = ID(VGS) cu VDS = ct.
Analiza funcionrii se face pentru TECJ cu canal n. Pentru aceasta se va utiliza modelul
simetric idealizat din figura 4.5.
p+

V
GS

Regiuni de
sarcin spaial
Canal n

V
DS

VGS3 > VGS2 > VGS1> VP

p+

Fig. 4.5. Modelul simetric idealizat al


TECJ

Fig. 4.6. Caracteristicile ID = ID(VDS) cu


VGS = ct. la VDS mic

Caracteristicile de ieire
Caracteristicile statice ID = ID(VDS) cu VGS = ct., la VDS mic sunt reprezentarea funciei
exprimat de relaia:

81

V
GS

V
I D = G0 1
(4.1)
VP DS

fiind reprezentate n figura 4.6.


TECJ este folosit n regiunea liniar la tensiuni VDS mici (orientativ sub 0,1 V), dar nu ca
amplificator, ci ca rezisten controlat n tensiune.
n figura 4.7 sunt reprezentate caracteristicile experimentale de dren ID = ID(VDS) pentru
VGS = ct. ale unui tranzistor cu canal n. Aceste caracteristici sunt liniare numai la tensiuni VDS
foarte mici. Pentru tensiuni VDS mai mari se disting: o zona neliniar, o zona de saturaie n care
ID este foarte slab dependent de VDS i o zon de strpungere, caracterizat printr-o cretere
abrupt a curentului.

Zona de
saturaie

0 > VGS1 > VGS2 > VGS3 > VP

Zona de strpungere

Zona de saturaie

VDSsat = VGS - VP

Fig. 4.7. Caracteristicile de dren

Fig. 4.8. Caracteristicile ideale" de dren

n figura 4.9 se arat o schi a profilului de sarcin spaial din canal la o tensiune VDS <
VDSsat, unde VDSsat este tensiunea VDS la care apare saturaia curentului de dren. Potenialul
canalului crete treptat de la surs la dren, polariznd invers din ce n ce mai puternic poriunea
corespunztoare a jonctiunii p+n poart-canal. Ca urmare, canalul se ngusteaza treptat pe msur
ce ne apropiem de dren. Datorit neuniformitii grosimii canalului, acesta nu se mai comport
ca o rezisten liniar.
VGS >VP

VGS >VP

VDS >
VDS sat

VDS <
VDS sat
canal n

canal n

a.

b.

Fig. 4.9. Profilul sarcinii spaiale din canal:


a. pentru tensiuni VDS < VDS sat; b. pentru tensiuni VDS > VDS sat.
1. regiune tip p+; 2. regiune de sarcin spaial.
82

Acest lucru explic forma neliniar a caracteristicilor, curbarea caracteristicilor fiind n


sensul creterii rezistenei, deoarece cderea de tensiune VDS micoreaz seciunea conductiv a
canalului.
Urmrind mai departe o curb VGS = ct. n sensul creterii lui VDS, se constat c de la o
anumit valoare, ID nu mai crete apreciabil cu VDS. Aceasta corespunde saturaiei curentului
(VDS VDSsat , ID = IDsat). Saturaia corespunde cazului n care canalul este strangulat lng dren.
Aceast strangulare apare cnd diferena de potenial ntre poart i extremitatea de lng dren a
canalului este egal cu tensiunea de prag.
La tensiuni VDS mari apare o cretere abrupt a lui ID datorit strpungerii prin
multiplicare n avalan, care apare la captul de lng dren al jonctiunii poart-canal.
Caracteristicile de transfer
Fiind utilizat cel mai des n montaje de amplificare, se ia n studiu cazul cnd tranzistorul
este utilizat ca amplificator, aceasta ntmplndu-se n zona vDS > VDssat, cu iD = IDsat.
Tranzistorul lucreaz n zona de saturaie a curentului i are o unic caracteristic de transfer ID
= ID(VGS), independent de VDS. Pentru calcule de circuit se folosete aproximaia parabolic:

I D = I Dsat

V
= I DSS 1 GS
VP

(4.2)

cu
I DSS = I Dsat VGS = 0

(4.3)

Caracteristica de transfer este prezentat n figura 4.10

VDS > VDSsat

T2 > T1

T1

T2

Fig. 4.10. Caracteristica de transfer.

Fig. 4.11. Dependena de temperatur a


caracteristicii de transfer.

Observaie
Curentul IDSS i VP variaz invers proporional cu temperatura. La creterea acesteia, scad
att curentul ct i tensiunea n cauz, figura 4.11.
n figura 4.12 se prezint comparativ tranzistorul bipolar cu tranzistorul TECJ.
La tranzistoul TECJ cu canal P, canalul este realizat de material de tip P iar la TECJ cu
canal N, canalul este din material de tip N. Diferena ntre TECJ i TB este dat de tipul
tensiunilor de polarizare.
Asemnarea dintre cele dou tipuri de tranzistoare const n direcia indicat de sgeata
din simbolul de reprezentare, aceasta indicnd regiunea de tip N.

83

D
TECJ cu
canal N

D _

+
S

+
+

B
+

B
_

PNP

TECJ cu
canal P

NPN

Fig. 4.12. Simbolurile i tensiunile de polarizare pentru TECJ i TB

4.1.2. Polarizarea TECJ


Exist mai multe tipuri de polarizare.
1. Polarizarea automat a porii
+VDD

ID

ID

VGS = -RSID

VGS

ID0

VGS
VGS 0

Fig. 4.13. Schema de polarizare


automat a porii

Fig. 4.14. Determinarea PSF-ului la


polarizarea automat a porii.

Polarizarea automat a porii fa de surs este asigurat de cderea de tensiune pe


rezistena RS. Aceast tensiune se aplic pe poart prin rezistena RG, (valori de ordinul M).
Prin aplicarea legii lui Ohm se obine punctul static de funcionare (PSF), la intersecia
caracteristicii de transfer cu dreapta de polarizare a crei ecuaie este:
VGS = RSID
(4.4)
2. Polarizarea cu divizor de tensiune
La calculul PSF-ului tranzistorului TECJ trebuie luate n considerare diferenele
caracteristicilor de la un tip de tranzistor la altul, ct i dependena caracteristicii de temperatur.
Impunem ca variaia lui ID, corespunztoare punctului static de funcionare, s fie tolerat numai
84

ntre IA i IB (punctele A i B pe caracteristicile limit). Ca urmare, linia de polarizare trebuie s


treac printre A i B i prin origine, asa cum se vede n figura 4.15.
ID

VGS = -RSID
A

IA
IB

VGS

0
Fig. 4.15. Determinarea PSF al TECJ in condiiile
cunoaterii unor limite ale curentului de dren.
Atunci cnd variaia IB IA impus este prea mic i nu se poate gsi o dreapt de
polarizare care s treac corect printre punctele A i B i n acelasi timp prin origine, se folosete
circuitul de polarizare din figura 4.16.
Cu acesta se asigur:
VGS = VGG IDRS,
(4.5)
unde
RV
VGG = 2 DD
(4.6)
R1 + R2
+VDD

ID

ID
VGS

a.

IA
B

IB

VGG
RS
VGG

VGS

b.
Fig. 4.16. Schema de polarizare cu divizor rezistiv.

Tranzistorul TECJ poate fi utilizat n condiii foarte bune n schemele de amplificare. Un


astfel de montaj este prezentat n figura 4.17.

85

+VDD

ID

+Vg

VGS

Fig. 4.17. Schema unui amplificator cu TECJ.


Prile componente ale montajului (amplificator cu surs comun) sunt asemntoare
montajului amplificatorului cu tranzistor bipolar. C1 i C3 sunt conedensatoare de intrare i ieire
de cuplaj. R1 este un rezistor cu rol de a preveni creterea numrului de sarcini pe poart prin
descrcarea condensatorului C1.
Ca i la amplificatorul cu tranzistor bipolar, exist defazaj de 180o ntre cele dou
semnale, de intrare i de ieire.
Pe alternana pozitiv a semnalului de intrare polarizarea invers a regiunii de tip p a
porii este redus, astfel c va crete aria seciunii transversale a canalului i odat cu aceasta
scade rezistena surs-dren. Rezistena scade, crete valoarea curentului prin tranzistor, cderea
de tensiune pe R3 crete, ceea ce implic scderea tensiunii de dren.
Pe alternana negativ, polarizarea invers a porii crete, scade aria seciunii transversale
a canalului, crete rezistena dren-surs, scade valoarea curentului i crete tensiunea de dren.

4.2. TEC CU GRIL IZOLAT


Tranzistorul este constituit dintr-un substrat semiconductor de siliciu de tip p n care s-au
format prin difuzie dou regiuni de tip n puternic dopate. Aceste regiuni se afl la o distan
stabilit una fa de alta, constituind regiunile de surs i dren ale tranzistorului. Suprafaa
semiconductorului cuprins ntre surs i dren se acoper cu un strat izolator (de obicei dioxid
de siliciu). Peste stratul izolant se depune o pelicul metalic care constituie grila. Contactul la
substrat constituie baza care n funcionare obinuit se leag la surs, aceasta din urm
constituind i referina de potenial.
Canalul poate fi:
indus n substrat prin aplicarea unei tensiuni electrice ntre gril i acesta (tranzistorul
TECMOS cu canal indus);
format iniial prin doparea corespunztoare a suprafeei semiconductorului de sub
stratul de SiO2 (tranzistor TECMOS cu canal iniial).

86

Al
G
D

SiO2

n+

n+

Substrat

Fig. 4.18. Structura tranzistorului TECMOS.


Simbolurile tranzistoarelor sunt prezentate n figura 4.19.
D

D
iD
G

iD

iG

iG

VDS

VDS
B

b.1.

a.1.

VGS

VGS

D
iD

iD

iG

VDS

VDS

VGS

a.2.

iG
B

VGS
S

b.2.

Fig. 4.19. Simbolurile tranzistoarelor TECMOS:


a.1. TECMOS cu canal indus de tip P; a.2. TECMOS cu canal iniial de tip P;
b.1. TECMOS cu canal indus de tip N; b.2. TECMOS cu canal initial de tip N.
TEC cu poart -jonciune i TECMOS sunt asemntoare n ceea ce privete principiul
lor de funcionare i caracteristicile electrice, dei exist dou mari deosebiri:
1. TEC cu poart-jonciune lucreaz prin golire. Dac jonciunea porii este polarizat
direct, are loc injecia de purttori n exces iar curentul de poart devine important. Dei
87

conductana canalului este mrit ntr-o oarecare msur de prezena purttorilor n exces,
tranzistorul nu lucreaz niciodat n acest mod deoarece apare curentul de poart.
2. Cnd TEC cu poart jonciune lucreaz cu polarizarea invers a jonciunii, curentul de
poart este mai mare dect ar fi la un TECMOS. Curentul produs prin extragerea de purttori
minoritari la o jonciune polarizat invers este mai mare, pe unitatea de arie, dect curentul
determinat de rezistena stratului de oxid ntr-un TECMOS. Ca urmare, tranzistorul cu poart
izolat este mult mai util n aplicaiile de electrometrie dect TECJ.
Avantajele enumerate i faptul c ntr-o oarecare msur sunt mai uor de fabricat, face
ca TECMOS s fie mai larg rspndite dect TECJ. TECMOS-urile sunt folosite n
amplificatoarele i mixerele din echipamentele radio de IF sau n echipamentele de testare.
Tranzistoarele TECMOS sunt realizate s funcioneze n dou moduri de baz:
1. Cu polarizare invers pe poart (gril);
2. Cu polarizare direct, pentru creterea numrului de purttori de sarcin n canal.
Ca i TECJ, tranzistoarele TECMOS se gsesc n dou variante constructive: cu canal N
sau cu canal P, fiecare putnd fi cu canal indus sau cu canal iniial. La tranzistoarele cu canal
iniial, canalul exist chiar dac tensiunea VGS este nul.
S

vGS

G+

+D

vDS

SiO2
n+
Substrat p

n+
Electroni

Fig. 4.20. Funcionarea tranzistorului TECMOS cu canal indus.

4.2.1. TEC cu canal indus


Conducia se realizeaz la suprafaa substratului de Si, ntre cele dou zone: sursa (S) i
drena (D).
In figura 4.20 substratul se consider de tip p, sursa i drena fiind de tip n+. Pentru a se
putea stabili un curent electric ntre surs i dren, suprafaa semiconductorului trebuie inversat
ca tip, adic s devin de tip n. In acest fel, la suprafa apare un canal de tip n care leag sursa
de dren.
Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul rezistivitii
canalului se face prin cmpul electric ce ia natere la aplicarea tensiunii pe poart.
Cnd electrodul poart este lsat n gol sau i se aplic o tensiune negativ (vGS < 0) n
raport cu sursa, nu exist practic conducie ntre surs i dren, deoarece regiunile sursei i
drenei, mpreun cu regiunea din substratul semiconductor cuprins ntre aceste regiuni,
formeaz dou jonciuni pn+ legate n opoziie, astfel c, indiferent de polaritatea tensiunii
aplicate ntre surs i dren, una din jonciuni va fi polarizat invers, blocnd calea de conducie
ntre surs i dren.
Cnd poarta este pozitivat (vGS > 0) fa de surs i dren, n stratul de oxid de sub
electrodul poart ia natere un cmp electric orientat dinspre metal (gril) spre semiconductor
(substrat). Are loc fenomenul de respingere a golurilor de la suprafaa semiconductorului
(mrind concentraia electronilor minoritari), deci formarea unei regiuni golite (de sarcin
spaial). Acest regim de lucru al tranzistorului MOS se numete regim de golire. Peste o
anumit valoare VP a tensiunii vGS, numit tensiune de prag, concentraia electronilor la interfa
88

devine mai mare dect concentraia golurilor, adic s-a inversat tipul de conductibilitate. Stratul
superficial de la interfa n care, sub aciunea cmpului electric generat de tensiunea de gril, a
fost inversat tipul de conductibilitate a semiconductorului (n cazul de fa de la plan) se numete
strat de inversie sau canal indus (aici, canal n). Formndu-se stratul de inversie ntre D i S, cu
acelai tip de conductibilitate ca i regiunile respective, se asigur conducia electric ntre dren
i surs.
ID [mA]
ID [mA]
Regiune de
strpungere

VDS=VGS-VP
Regiune de
saturaie

UGS2> UGS1

VDS = Ct
VDS > VDSsat
UGS>0
UGS=0
VP

VGS [V]

VDS[V]
b.

a.

Fig. 4.21. Caracteristicile tranzitorului MOS cu canal indus.


a. Carateristica de transfer; b. Caracteristica de ieire.

4.2.2. TEC cu canal iniial


n figurile 4.22 i 4.23 se arat structura unui TECMOS cu canal iniial, iar n figura 4.24
caracteristicile sale statice de ieire. Canalul iniial poate fi realizat prin intermediul unei anumite
sarcini la suprafaa semiconductorului sau modificnd prin difuzie de impuriti tipul
conductibilitii pe o mic adncime la suprafaa substratului.
La tranzistoarele cu canal iniial, tensiunea de gril poate lua att valori pozitive ct i
negative. Cnd vGS = 0, ntre surs i dren exist o anumit conductan. Dac vGS < 0
conductana canalului scade. Pentru o anumit valoare vGS = VP < 0, numit tensiune de prag,
canalul este complet golit de purttori mobili de sarcin (electroni), iar conductana canalului se
anuleaz.
La creterea tensiunii dren-surs (vDS) pentru vGS = ct. la TEC-MIS cu canal iniial au
loc aceleai fenomene ca la TECMOS cu canal indus: scderea concentraiei purttorilor mobili
din canal, nchiderea canalului lng dren i n final scurtarea canalului.
Tranzistorul MOS cu canal iniial lucreaz n dou regimuri: de srcire i de mbogire,
prezentate schematic mai jos. Regimul de mbogire se instaleaz la aplicarea unei tensiuni VGS
> 0 iar regimul de srcire (golire) n momentul aplicrii unei tensiuni VGS < 0.

89

Canal

Strat de oxid
G

Canal N
Regiune de
golire

Substrat P

a.

b.

c.

Fig. 4.22. Efectele regimului de golire: a. forma iniial a tranzistorului; b. polarizarea


tranzistorului (aplicarea unei tensiuni surs-dren); c. polarizare invers a tranzistorului.
G

a.

b.

c.

Fig. 4.23. Efectele regimului de mbogire: a. forma iniial a tranzistorului; b. polarizarea


tranzistorului (aplicarea unei tensiuni surs-dren); c. polarizare invers a tranzistorului.
VGS2> VGS1

ID [mA]

mbogire
VGS1>0
VGS=0

IDSS
Srcire

VGS<0

UDS=Ct
-VGS [mA]

-VP

UDS [V]

Fig. 4.24. Cracteristicile tranzistorului MOS cu canal iniial.

4.2.3. Polarizarea tranzistorului TECMOS


n cazul tranzistoarelor MOS cu canal indus polarizarea se face cu un circuit simplu, fiind
necesar o singur surs de tensiune. Tensiunile de dren i poart au aceeai polaritate. Schema
de polarizare este prezentat n figura 4.25.
Scopul polarizrii tranzistoarului MOS este de a obine un punct static de funcionare.
Alegerea punctului static (PSF) se face n funcie de scopul dorit: funcionarea ntr-o anumit
zon a caracteristicii, obinerea unei anumite pante.
90

Polarizarea tranzistorului cu canal indus se realizeaz printr-un divizor de tensiune.


Tensiunea aplicat pe poart are valoarea:
R2
VGS = VDD
(4.7)
R1 + R2
n consencin curentul de dren va fi determinat pe baza caracteristicii de transfer. Prin
calcul, tensiunea de dren va fi:
VDS = VDD RD I D
(4.8)
Polarizarea tranzistorului cu canal iniial trebuie s ofere posibilitatea obinerii pentru
tensiunea de poart att valori pozitive ct i negative. Tensiunea pe poart se determin cu
relaia:
R2
VGS = VDD
RS I D
(4.9)
R1 + R2
+VDD

+VDD

ID

ID
VDS
VGS

VGS

a.

VDS

b.

Fig. 4.25. Schema de polarizare a tranzistoarelor MOS: a. tranzistoare


MOS cu canal indus; b. Tranzistoare MOS cu canal iniial.
Tranzistoarele MOS sunt utilizate n circuitele de amplificare. Pentru aceasta tranzistorul
MOS funcioneaz n regiunea de saturaie a caracteristicilor statice.

91

4.3. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE


MULTIJONCIUNE
Sub aceast denumire se reunesc dispozitivele semiconductoare caracterizate prin mai
mult de dou jonciuni. Aceste structuri permit obinerea unor dispozitive cu proprieti
deosebite, cum ar fi: cureni mari n conducia direct, tensiuni mari n cazul structurii blocate,
caracteristici specifice dispozitivelor cu dou stri stabile (bistabile).
Structurile semiconductoare pnpn se deosebesc ntre ele prin numrul i dimensiunile
domeniilor interne i prin numrul de terminale exterioare cu care sunt prevzute. Astfel de
structuri se utilizeaz n circuitele electronice de putere (redresoare comandate, invertoare), n
general n electronic i energetic.

4.3.1. DIODA PNPN


Structura unei diode pnpn este dat n figura 4.26. Aceasta cuprinde ntre cele patru
regiuni cu conductibilitate alternant, create ntr-un semiconductor de Si, trei jonciuni pn: J1, J2,
J3. Regiunile extreme sunt puternic dopate, iar cele mediane au o dopare mai slab. Domeniul n
central se mai numete baza groas, iar domeniul p central se numete baza subire.
Daca ntre anod i catod se aplic o tensiune UAC > 0, jonciunile extreme J1 i J3 sunt polarizate
direct, iar jonciunea median J2 este polarizat invers, astfel nct structura nu conduce att timp
ct UAC este sub o valoare limit.
Zonele extreme, mai puternic dopate, se numesc emitoare, iar zonele interioare, mai slab dopate,
se numesc baze. Emitorul p1+ se numeste anod, iar emitorul n4+ se numeste catod. Jonciunea
vecin anodului are rolul de injecie a golurilor, iar cea vecin catodului de injecie a electronilor
(din acest motiv se numesc jonciuni emitoare).
Jonciunea central a diodei se mai numete jonciune colectoare, ntruct ea este
echivalent celor dou jonciuni colectoare care nlocuiesc dispozitivul.

A
p1+

n2

p3

n4+

IC0

iA
vA

a.

p I

T1

b.

c.

T2
n I

Fig. 4.26. Dioda pnpn. a. Structura diodei; b. Simbolul grafic; c. Schema echivalent
Dioda pnpn mai este cunoscut ca: dinistor, dioda Shockley, dioda cu patru straturi.
Schema echivalent care utilizeaz dou tranzistoare evideniaz bucla de reacie pozitiv
specific dispozitivelor bistabile. T1 poate fi considerat ca etaj amplificator, avnd drept sarcin
jonciunea de emitor a lui T2. Tranzistorul T2 formeaz al doilea etaj amplificator care are legat
ieirea cu intrarea primului etaj. Fiecare etaj schimb faza cu 180o, deci ambele etaje vor
schimba faza cu 360o rezultnd astfel o tensiune de reacie n faz cu cea de intrare, aplicat
jonciunii baz-emitor a lui T1, deci o reacie pozitiv.
Caracteristicile diodei pnpn evideniaz cele dou stri principale ale dispozitivului:
starea blocat, ce corespunde poriunii OA a caracteristicii, cnd curentul este
foarte mic (10-8A) i rezistena ntre anod i catod foarte mare (108 );
starea de conducie, cnd cderea de tensiune pe structur este foarte mic (l-2 V), iar
curentul este foarte mare, el fiind limitat doar de rezistena circuitului exterior n
care este introdus dioda (figura 4.27).

92

IA
C

IH

B
A

Ustri
O

UH

UB0 (Ustrd)

UA

Fig. 4.27. Caracteristica diodei pnpn: UB0 = tensiune de aprindere; UH = tensiune


de meninere; IH = curent de meninere; Ustri = tensiune de strpungere invers.
Starea de conducie corespunde poriunii BC a caracteristicii. Poriunea AB a
caracteristicii corespunde unei rezistene difereniale negative, du/dt, cauzat de reacia
pozitiv, fapt ce determin instabilitatea funcionrii n acest domeniu. Poriunea BC a
caracteristicii se aproximeaz cu o dreapt de ecuaie:
UA = U0 + RdI
(4.10)
unde U0 este tensiunea de prag, iar Rd rezistena dinamic corespunztoare acestei poriuni a
caracteristicii.

4.3.2. DIACUL
Diacul este un dispozitiv multijonciune care are proprietile diodei pnpn n ambele
sensuri de conducie. Dispozitivul are cinci straturi i patru jonciuni, reprezentate schematic n
figura 4.28.

n
p
metal

a.

p
n

p
n

p
n

b.

VBR
VB0

c.

d.

Fig. 4.28. Diacul: a) structura; b) structura echivalenta; c) simbol;


d) caracteristica static.
Diacul poate fi considerat ca fiind realizat din dou structuri pnpn aezate antiparalel n
acelai monocristal de siliciu. Diacul are conducie bidirecional, cei doi electrozi ntre care se
stabilete curentul putnd fi numii electrodul 1 i electrodul 2.
Diacul se folosete de regul pentru comanda tiristorului i a triacului.

93

4.3.3. TIRISTORUL
Acest dispozitiv are structura diodei pnpn, la care zona p adiacent catodului se
conecteaz la un electrod de comand numit poart sau gril (notat cu G). Tiristorul este
echivalent n aplicaii cu tubul tiratron. Funcionarea sa, n cazul cnd poarta este n gol,
este similar diodei pnpn.
IA
A

p+

C(K)

+
n p n

C
IG2 > IG1 >0

a.

G
A

C(K)

Ustr i

G
C(K)

IG2

IG1
A

UA

Ustr d

b.

c.

Fig. 4.29. Tiristorul: a) structura; b) simboluri; c) caracteristicile statice.


Curentul n regiunea de conducie BC trebuie s
fie limitat exterior pentru a preveni distrugerea
IA
dispozitivului prin nclzire. Dac curentul de
T2
poart
este mare, amorsarea poate avea loc la
IC
tensiuni
anodice mici, iar peste o anumit valoare
T1
a curentului de poart amorsarea se poate efectua
direct pe curba punctat OB, ca la o jonciune pn.
n
n funcionare normal tensiunea anodic VA
trebuie s fie mai mic dect tensiunea de
Fig. 4.30. Schema echivalent a
autoaprindere VBO.
tiristorului.
Pentru comutare direct se aplic pe poart un curent iG cruia i corespunde o tensiune
de aprindere VBO1 < VA. n polarizare invers tiristorul se comport ca o diod pnpn, prin el
trecnd un curent mic. La tensiunea invers VB are loc strpungerea tiristorului (Ustr i).
Pentru a bloca tiristorul curentul iA trebuie s scad sub valoarea de meninere IH sau s
scad tensiunea anodic sub valoarea VH. Este larg acceptat ideea c dup amorsare poarta i
pierde rolul de comand (nu poate aciona n sensul blocrii tiristorului), ea relundu-i rolul
doar dup blocarea tiristorului.
Prin comparaie cu un tranzistor, rolul porii unui tiristor este de comand a
intrrii n conducie, n timp ce rolul jucat de baza unui tranzistor este de control a
valorii curentului de colector.
pIA

IG

4.3.4. TRIACUL
Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu dou tiristoare aezate
antiparalel n acelai monocristal de siliciu, avnd un singur electrod de comand. n
consencin, triacul posed proprietatea de conducie bidirecional. Astfel, prin tensiunile de
comand aplicate pe poarta acestui dispozitiv se poate comanda intrarea sa n conducie pentru ambele sensuri ale curentului ce-1 strbate.

94

I
2
2

UG > 0

U12

-UB0

UB0
n

UG < 0

b.

a.

c.

Fig. 4.31. Triacul: a) structura; b) simboluri; c) caracteristicile statice.


Comanda pe poart se poate face cu semnale de ambele polariti pentru fiecare dintre cele dou sensuri ale curentului
principal.
Triacul se folosete n circuitele de comand i reglare a puterii de curent alternativ.

4.3.5. TRANZISTORUL UNIJONCIUNE (TUJ)


Un tranzistor unijonciune este format dintr-un bloc semiconductor avnd la capetele
opuse dou contacte ohmice numite baze. Unica jonciune pn, situat ntre baze, este
format ntre semiconductor i un domeniu mic, cu conductibilitate de tip opus, care face
contact cu un terminal numit emitor. Emitorul formeaz cu fiecare din baze diode obinuite.
B1

IE

UBB1 < UBB2 < UBB3

B1
n

UBB1 UBB2 UBB3

E
p

UEB
B2

UEB! UEB2 UEB3

B2
a)

b)

c)

Fig. 4.32. Tranzistorul unijonciune de tip p: a) structura; b) simboluri;


c) caracteristicile statice.
Pe caracteristica static, la polarizarea direct a emitorului n raport cu B1, se disting
regiunile:
de blocare (AB),
de rezisten dinamic negativ (BC),
de conducie (CD),
specifice dispozitivelor de comutaie.

95

B2
IB2

rB2
IE

D
0

VE

IE

V0

VBB

rB1
A

UEB

B1

Fig. 4.33. Schema echivalent a TUJ n


regim static.

Fig. 4.34. Explicativ la forma


caracteristicii statice.

n funcionarea cu emitorul nepolarizat, dac baza B2 are o polarizare pozitiv n raport


cu baza B1 (VBB > 0), prin corpul dispozitivului trece un curent mic determinat de tensiunea VBB
aplicat pe rezistena interbaz rBB = rB1 + rB2.
Se definete termenul de raport de divizare intrinsec ca fiind raportul: = rB1/ rBB.
Presupunem c se aplic o tensiune VE<V0, ceea ce face ca dioda D s fie polarizat
invers.
Curentul IE rezultat, negativ, este de valoare foarte mic (ne situm n regiunea AB de pe
caracteristic). Dac tensiunea VE > V0, dar insuficient pentru deschiderea diodei D, curentul IE
este pozitiv dar de valoare foarte mic.
Dac VE=V0+VD (VD tensiunea de deschidere a diodei), dioda D se deschide. Curentul
care o traverseaz (IE) are valoare mare i este limitat de rezistena circuitului exterior. Curentul
de emitor injecteaz purttori de sarcin n zona cuprins ntre punctul O i baza B1, unde are loc
un proces de multiplicare n avalan nsoit de o scdere a rezistenei rB1 i a tensiunii V0, care
devin rB1<<rB1 si V0<<V0. Tensiunea de amorsare (punctul B) se determin cu relaia:
VB = VD + VBB
(4.11)
TUJ-urile se folosesc, n general, n aplicaiile n regim de comutaie. Ele se
caracterizeaz prin tensiuni inverse maxime mai mari, cderi de tensiune n regim de
conducie mici i timpi de comutaie mici. Tensiunile de alimentare pot fi foarte mici.
Exemple de aplicaii sunt: oscilatoare, relee cu viteze mari de comutaie, etc.

96

CIRCUITE ELECTRONICE
Aa cum s-a prezentat n primul capitol, circuitele electronice sunt succesiuni de medii
conductoare prin care circul curent electric i care realizeaz o anumit funcie n cadrul unui
montaj complex. Acestea conin mai multe componente discrete i sunt caracterizate de
parametrii de circuit (rezisten, inductivitate, capacitate).

5. REDRESOARE
Redresoarele fac parte din categoria mutatoarelor. Acestea sunt aparate sau instalaii
statice care, transform energia electromagnetic de o anumit form n energie
electromagnetic de alt form. Sub denumirea de mutatoare electronice se cunosc
redresoarele, invertoarele, variatoarele de c.c. sau de c.a.
Redresorul este o parte component a surselor electronice de c.c. Redresarea este un
proces neliniar, realizat cu ajutorul tuburilor electronice, ionice (cu gaz) sau a dispozitivelor
semiconductoare.
Schema bloc a unui redresor (fig. 5.1) conine urmtoarele elemente:
un transformator de reea, cobortor sau ridictor de tensiune;
elemente de redresare;
filtru pentru netezirea tensiunii redresate.
n cazul n care consumatorul RS nu admite fluctuaii ale tensiunii continue de alimentare,
se introduce i un stabilizator S care menine tensiunea de ieire constant, n cazul variaiilor
tensiunii reelei sau curentului pe sarcin.

TRAFO
REEA

ELEMENTE
DE
REDRESARE
REEA

FILTRU

stabiliza-tor

RS

Fig. 5.1. Schema bloc a redresorului de tensiune.


Clasificare
1. n funcie de tipul elementelor de redresare:
Redresoare necomandate: realizate cu diode cu vid, diode cu gaz sau diode
semiconductoare;
Redresoare comandate: realizate cu ignitroane, tiratroane, tiristoare, tranzistoare etc.
(au posibilitatea reglrii tensiunii prin modificarea comenzilor transmise elementelor
redresoare).

2. n funcie de modul de utilizare al celor dou alternane:


Redresoare monoalternan;
Redresoare bialternan.
3. n funcie de numrul de faze:
Redresoare monofazate;
Redresoare polifazate.

97

5.1. REDRESOARE MONOFAZATE


Redresoarele necomandate se pot regsi n oricare din clasele enumerate anterior, astfel
c ele pot fi att comandate ct i necomandate, dar i monoalternan sau bialternan.

5.1.1. Redresoare necomandate


n figura 5.2.a este prezentat cel mai simplu tip de redresor necomandat, redresorul
monoalternan i forma tensiunii obinut n urma procesului de redresare.
i(t)

D1

i(t)

D4
uR(t)

u(t)

uR(t)

u(t)

D3

a.

D2

b.

Fig. 5.2. Structuri de redresoare necomandate, monofazate: a. redresor monoalternan;


b. redresor bialternan.
Atunci cnd dioda semiconductoare este polarizat direct, nsemnnd potenialul pozitiv
al sursei de alimentare conectat la anod, adic alternana pozitiv a tensiunii de alimentare, dioda
va conduce, iar curentul va avea sensul indicat n figur. Pe alternana negativ datorit
polarizrii inverse a diodei semiconductoare nu exist circulaie de curent. Ciclul se repet la
fiecare 2k radiani (20ms).
Datorit suprimrii alternanelor negative, curentul redresat este pulsatoriu. Sarcina fiind
rezistiv, tensiunea la ieire (Us) are aceeai form de und ca i curentul redresat.

2k (2k + 1)
I AM sin t dac t ,

Deci i A (t ) =
(5.1)
(
)
(
)
2
1
2
1

+
+
k
k

0
,
dac t


n cazul n care tensiunea la bornele diodei n conducie este neglijabil fa de U
(valoarea maxim a tensiunii alternative u), curentul redresat are, n intervalele conduciei,
expresia:
U sin t
(5.2)
is =
Rs + rT
unde rT este valoarea rezistenei echivalente a transformatorului. Dac valoarea tensiunii
pe dioda n conducie, UAM nu poate fi neglijat n raport cu U, la calculul curentului se va
considera i rezistena intern a diodei Ri:
U sin t
is =
(5.3)
Rs + rT + Ri
Avnd n vedere caracteristica real a diodelor semiconductoare, se poate considera c
dioda conduce dac tensiunea aplicat depete tensiunea de prag (de deschidere, VD).
Pentru diode cu Si , VD = 0,5 0,7 V i poate fi neglijat pentru tensiuni redresate mai
mari dect 10V.
98

Dac se realizeaz o redresare dubl alternan, fenomenele sunt identice, dar valoarea
tensiunii redresate se dubleaz. De asemenea, frecvena tensiunii redresate (care este i n acest
caz pulsatorie) este dubl fa de frecvena tensiunii alternative.

u(t)

a.

UR

b.

URC

c.
t

Fig. 5.3. Formele de und (obinute in PSpice) la redresorul monofazat, monoaltenan:


a) tensiunea de alimentare; b) tensiunea redresat fr filtru; c) tensiunea redresat cu filtru.
Din varietatea de scheme de redresare dubl alternan se prezint schema punte, figura
5.2 cu formele de und corespumztoare din figura 5.4
n alternana pozitiv a tensiunii (plusul indicat n figura 5.4.a.) curentul trece prin
diodele D1 i D2, iar n alternana negativ conduc D3 i D4 . n acest fel, tensiunea pe sarcin este
pulsatorie i are forma (n cazul sarcinii rezistive) din figura 5.4.b.
Deoarece n fiecare alternan conduc dou diode n serie (n cazul redresorului n punte)
tensiunea de prag VD i rezistena intern a diodei Ri vor avea valori duble fa de cazul
redresorului monoalternan. n schimb se dubleaz valoarea medie a tensiunii redresate i
frecvena armonicii fundamentale.
Dac se urmrete eliminarea componentelor alternative ale tensiunii redresate, se
intercaleaz ntre redresor i sarcin un circuit de filtrare, de tip FTJ (filtru trece jos).
Se poate folosi fie un singur condensator, fie un filtru LC n ca n figura 5.5.
Celula de filtrare (figura 5.5) realizeaz o dubl filtrare: condensatoarele, datorit reactanei
1

capacitive X C =
care se micoreaz odat cu creterea frecvenei, vor scurtcircuita la mas
C

componentele alternative, iar bobina, datorit reactanei inductive (X L = L ) care se mrete cu


frecvena, realizeaz o cale de rezisten mare ntre componentele alternative i sarcin. Prin
coroborarea celor dou elemente, sarcina va fi practic izolat fa de componentele alternative cu
frecvena mai mare dect frecvena de tiere a filtrului LC.

99

u(t)

a.
UR

b.
URC

c.
t

Fig. 5.4. Formele de und (obinute n PSpice) la redresorul monofazat, bialternan:


a) tensiunea de alimentare; b) tensiunea redresat fr filtru; c) tensiunea redresat cu filtru.
Filtrul capacitiv realizeaz numai scurtcircuitarea componentelor alternative. n
momentele cnd tensiunea redresat depete valoarea tensiunii pe condensator, acesta se
ncarc (prin dioda D), absorbind curent din secundarul transformatorului. Dac se pot neglija Ri
i rT (acestea determin constanta de timp la ncrcarea condensatorului ( nc = C( R i || rT ) ) ,
atunci se poate considera c la ncrcarea condensatorului uRC este o poriune din sinusoid.
L
Dinspre
redresor

Fig. 5.5. Celul de filtrare n


.
Cnd tensiunea redresat scade sub valoarea tensiunii pe condensator, dioda se blocheaz
i condensatorul se descarc pe R.
n acest fel se poate obine pe sarcin o tensiune cu un grad mai mic de pulsaie. Astfel,
ponderea armonicilor superioare este mai mic. Ca urmare, valoarea medie a tensiunii redresate
va fi mai mare, deoarece condensatorul are tendina s se ncarce pn la valoarea maxim UR a
tensiunii redresate. Valoarea amplitudinii vrf la vrf a ondulaiei se poate calcula cu relaia
simplificat :
100

CR

U = U R 1 exp

(5.4)

Dac
RC >> T U U

T
RC

(5.5)

S-au utilizat notaiile :


UR = amplitudinea tensiunii redresate;
T = perioada tensiunii redresate;
R = rezistena de sarcin;
C = capacitatea condensatorului de filtrare.
Funcionarea filtrelor este principial identic pentru redresoarele dubl alternan.

5.1.2. Redresoare comandate


n practic este necesar ca tensiunea continu aplicat sarcinii conectate la un redresor s
poat fi reglat (variabil). Pentru aceasta se pot utiliza urmtoarele metode:
Introducerea unor rezistoare variabile montate poteniometric sau n serie la ieire. n
cazul puterilor mari aceast metod prezint dezavantaje cum ar fi: pierderi mari de
putere activ i nrutirea caracteristicii de ieire a redresorului.
Utilizarea de transformatoare sau autotransformatoare cu raport de transformare
reglabil, care s poat regla tensiunea de intrare alternativ. Dezavantajul const n
imposibilitatea de modificare a raportului de transformare. Acesta se modific numai
n trepte, n funcie de prizele de pe nfurare, iar modificarea nu se poate realiza n
sarcin, n timpul funcionrii redresorului.
Utilizarea de dispozitive semiconductoare comandate (tiristoare, tranzistoare) care
permit varierea valorii tensiunii continue prin modificarea momentului de intrare n
conducie (procedeul se numete comanda prin control de faz). Dei este cel mai
utilizat procedeu, prezint ns dezavantajul scderii factorului de putere odat cu
micorarea perioadei de conducie a elementului redresor.
Un exemplu de redresor monoalternan comandat este dat n figura 5.6.
Th

Circuit de
comand

UR

Fig. 5.6. Structura redresorului comandat monofazat,


monoalternan.
Tiristorul intr n conducie numai la aplicarea impulsurilor de comand n gril. Ca
urmare, forma de und a tensiunii pe sarcin este cea artat n figura 5.7. Valoarea medie a
acestei tensiuni (deci componenta continu) este dependent de valoarea unghiului de comand
(adic de momentul aplicrii comenzii). Se observ c nu se comand aprinderea tiristorului
dect n alternanele pozitive, cnd acesta este capabil s intre n conducie deoarece UA>0.
Valoarea medie a tensiunii redresate este :
101

Ud =

U2

cos 2

= U d ( )

(5.6)

S-a neglijat cderea de tensiune pe tiristorul n conducie, UA.


u(t)

a.
Ug

b.
UR

c.

Fig. 5.7. Formele de und (obinut n PSpice) la redresorul comandat, monofazat,


monoalternan (cu filtru): a) tensiunea alternativ a sursei; b) impulsurile de comand
ale tiristorului; c) tensiunea la ieire (redresat).
Prin diverse montaje de tip punte se poate obine un redresor comandat dubl alternan.
n figur sunt prezentate astfel de scheme.

D1

Th1

D2

Th2

Th2

D1

D4

Th1

Th4

a.

D2

D3

Th3

b.

Th

c.

Fig. 5.8. Scheme de redresoare comandate, monofazate, bialternan.


Figura 5.8.b prezint un redresor complet comandat. Th1 i Th3 trebuie comandate
simultan, n alternana pozitiv, iar Th2 i Th4 n alternana negativ. Dac cele dou unghiuri de
comand sunt egale, atunci frecvena tensiunii redresate i valoarea ei medie sunt duble fa de
cazul redresorului monoalternan.
Se observ c dou dintre tiristoare pot fi nlocuite cu diode, obinndu-se varianta mai
economic din figura 5.8.a.
102

Dac unghiurile de comand 1 = 2 (cazul cel mai ntlnit n practic), atunci se poate
folosi varianta din figura 5.8.c.

5.1.3. Caracteristicile redresorului monofazat


Ca elemente de calcul, n cazul redresorului monofazat, se consider urmtoarele:
1.Schema n c.c. a redresorului este prezentat n figura 5.9:
I0

U0, gol

U~

U0

Fig. 5.9. Redresorul privit ca surs de


tensiune.

Redresor

U0

Fig. 5.10. Schema de montaj pentru


ridicarea caracteristicii redresorului.

2.Se pot defini urmtoarele:


Caracteristica extern: dependena tensiunii continue redresate U0 de curentul de sarcin
I0. Poate fi neliniar caz n care rezistena de ieire R0 nu este constanta i este asociat tangentei
la caracteristica extern pentru un curent de sarcina I0 dat. Caracteristica poate fi determinat
prin msurri cu un montaj ca cel din figura 5.10. Forma cztoare se datoreaz cderii de
tensiune pe rezistena intern Ri (echivalent) a sursei de alimentare, depirii limitelor etajelor
stabilizatoare, fluxului de scpri din transformatorul de reea, rezistenelor de contact etc.
U0
U0,gol

I0

Fig. 5.11. Caracteristica extern


Rezistena intern
U
Ri =
I U = ct

(5.7)

Randamentul redresrii
U 0 I0
=
Pabsorbitaretea

(5.8)

Factorul de ondulaie
valoarea eficace a tensiunii alternative
=
componenta continua

(5.9)

103

5.2. REDRESOARE POLIFAZATE


Pentru puteri mari (> 1kW) se utilizeaz redresoare polifazate datorit unor avantaje, din
care se amintesc:
asigur ncrcarea simetric a reelei de alimentare trifazate, factorul de utilizare al
transformatorului de reea este mai mare, ceea ce reprezint o caracteristic eseniala
la redresoarele de putere,
tensiunea redresat are pulsaii de amplitudine mai mic
iar filtrele de netezire vor putea lipsi.
Dintre schemele de redresare polifazat se prezint schema cu alimentarea n stea.
Prezentarea redresoarelor polifazate se face cu urmtoarele ipoteze simplificatoare:
transformatorul de reea este simetric, fr pierderi n miez i n nfurri, fr
inductan de scpri i fr curent de magnetizare;
elementele redresoare sunt ideale;
inductana de filtraj este de valoare infinit (L>>R), deci curentul prin sarcin este
constant.
ntre rezultatele experimentale i cele teoretice obinute n aceste ipoteze simplificatoare,
exist o bun apropiere i justific aceast analiz.
Cea mai simpl schem de redresor polifazat este redresorul trifazat, pentru care faza 1
este considerat ca origine de faz, iar celelalte dou faze sunt situate n sistemul direct de
tensiuni, la 120.
D3

D1

D2
U1

Fig. 5.12. Schema redresorului


necomandat, trifazat cu punct median.

n circuitui diodei D1 acioneaz tensiunea de pe


faza 1 i tensiunea uS care apare pe sarcin,
datorat celorlalte diode. n acelai mod se
determin i tensiunile care acioneaz n circuitul
celorlalte diode. Funcionarea redresorului trifazat
cu secundarul n stea se prezint n figura 5.13. La
un moment t, tensiunile de faz au valorile u22 i
u23 > 0 i satisfac condiia u23>u22. Pe anozii
diodelor D2 si D3 potenialul rezult pozitiv n
raport cu punctul neutru (N), considerat ca punct
de referin. Fiecare diod conduce un interval
pentru care tensiunea fazei la care este conectat
anodul are valoarea cea mai mare. Durata perioadei
de conducie a unei diode este de 2/3 radiani la
sistemul trifazat i de 2/m la un sistem general, n
stea cu m faze.

Valoarea medie a tensiunii redresate se calculeaz n cazul mai general al redresorului cu


secundarul n stea i cu un numr de m faze, cnd pulsaiile tensiunii redresate se repet de m ori
intr-o perioad. Calculul se face pe durata unei pulsaii, astfel c funcia us(t)=Umaxcos(t) este
simetric fa de axa ordonatelor.
Msura n care valoarea medie a tensiunii redresate se apropie de amplitudinea tensiunii
din secundar, se determin cu ajutorul noiunii de factor de redresare, definit cu relaia:
Dr=U0/Umax
(5.10)
U0 este componenta continu a tensiunii redresate, calculat cu relaia:

104

2 m
U0 =
U cos( t )d ( t ) = U max
2 0 max
m
u21

u22

u23

sin

(5.11)

US

URC
U

t
Fig. 5.13. Formele de und (obinute n PSpice) ale tensiunii pe sarcin la redresorul trifazat: a)
redresor fr filtru; b) redresor cu filtru.

Pentru un sistem cu un numr mare de faze rezult c valoarea medie a tensiunii redresate
devine egal cu amplitudinea tensiunii de alimentare. Din acest punct de vedere este necesar s
se lucreze cu un numr ct mai mare de faze n secundar. n cazul redresoarelor de putere mare
este necesar s se studieze influena armonicelor introduse de acestea:
Pentru sistemul trifazat, intr-o perioada sunt trei pulsaii ale tensiunii redresate, rezult
c armonica cea mai important este armonica a treia (150 Hz); armonicele superioare
vor fi de ordinul 6, 9, 12 etc.
Pentru sistemul hexafazat apar ase pulsaii ale tensiunii redresate ntr-o perioad, deci
prima armonic este armonica a asea (300 Hz).
O a doua schem de redresor trifazat este cea a redresorului trifazat n punte - larg folosit
n aplicaiile industriale, prezentat n figura 5.14 iar formele de und n figura 5.15.

Fig. 5.14. Structura redresorului trifazat punte.


105

Sistemul trifazat de Tensiunea redresat


alimentare

Tensiunea redresat pe
alternanele pozitive

Tensiunea redresat pe
alternanele negative

Fig. 5.15. Formele de und specifice redresorului trifazat punte.


Tensiunea care apare la bornele sarcinii se culege ntre punctele 1 i 2 ale punii
redresoare. Modul cum rezult tensiunea us(t) din sumarea tensiunilor de faz n oricare interval
este prezentat n figura 5.15. Valoarea tensiunii redresate este dubl fa de cazul redresorului
trifazat cu punct median. Durata pulsaiilor scade la /3 sau n general la /m iar amplitudinea
pulsaiilor se reduce. Intr-o perioad T vor exista un numr de ase pulsaii, deci se obine o
comportare echivalent unui redresor hexafazat cu punct median.
Th1
Circuit de comand

Th2

Tensiune de
alimentare

Th3

Thm

Fig. 5.16. Redresor comandat polifazat (m faze) cu punct median


Schema redresorului comandat polifazat echipat cu tiristoare este prezentat n figura
5.16. Deschiderea tiristoarelor se realizeaz cu impulsurile de comand aplicate grilei la
momentul

106

( - unghi de comand).

Curentul prin faze i prin tiristoare are forma unor pulsuri de curent de amplitudine Io i
durat 2/m.
Sistemul
tensiunilor de
alimentare

Tensiunea
redresat

t
Impulsuri de comand

Fig. 5.17. Formele de und specifice unui redresor comandat polifazat (cu
condensator de filtrare).
Intervalul de conducie al unui tiristor este 2/m, dar el este deplasat cu unghiul fa de
cazul redresorului necomandat cu punct median din figura 5.18.

2
t1

3
t2

t3
t

lim

2/m

Fig. 5.18. Formele de und specifice unui redresor


comandat trifazat (cu sarcin RL-far filtru).
La momentul t1, se aplic impulsul de comand tiristorului T1 care se deschide. La
bornele sarcinii apare o tensiune, care variaz n timp asemntor fazei 1. ncepnd din
momentul corespunztor punctului 2, faza cu potenialul cel mai ridicat este faza 2 i ntruct nu
s-a aplicat impuls de comanda tiristorului T2, acesta rmne blocat i va continua s conduc tot
tiristorul T1. In momentul cnd u21 devine negativ inductana din circuitul sarcinii, L, se opune
variaiei acestui curent. La bornele ei apare o tensiune contraelectromotoare care compenseaz
efectul tensiunii negative de pe faza 1 i asigur polarizarea direct a tiristorului T1.
n momentul t2 se aplic impuls de comand tiristorului T2, acesta se deschide i
determin apariia la bornele sarcinii a tensiunii us=u22. Catodul tiristorului T1 are potenial
pozitiv, n timp ce anodul are potenialul negativ, astfel c tiristorul T1, se blocheaz. Tiristorul
T2 conduce pn n momentul t3, cnd se aplic impuls de comanda tiristorului T3. Anularea
107

fazei u22 se face n momentul t =/2, astfel c pentru cazul general al redresorului cu m faze
rezult
lim= /2-/m
Unghiul de comanda lim caracterizeaz faptul c pentru > lim n componena tensiunii
redresate intervin poriuni negative, valoarea unghiului limit depinznd de numrul de faze.
n cazul sarcinii inductive prezena poriunilor negative n tensiunea redresat determin
mrirea amplitudinii pulsaiilor i constituie un dezavantaj al acestui tip de redresor comandat.
Aceste poriuni negative se pot elimina prin conectarea unei diode n paralel cu sarcina, figura
5.19.

Tensiune de
alimentare

Fig. 5.19. Redresor comandat trifazat cu diod de nul.


Poriunea negativ a pulsului tensiunii redresate se datoreaz tensiunii
contraelectromotoare care apare la bornele inductanei sarcinii. In prezena diodei, aceast
tensiune determin polarizarea direct a diodei, astfel c, prin circuitul sarcinii curentul este
meninut constant i n cazul > lim. Cderea de tensiune pe dioda polarizat direct este foarte
mic, astfel c n circuitui tiristorului TI acioneaz tensiunea de pe faza 1; ea polariznd invers
tiristorul T1 ncepnd din momentul cnd u21 <0.
Pe baza schemelor prezentate n figurile anterioare se pot realiza diferite scheme de
redresare, n funcie de cerinele beneficiarului i de tipul sarcinii redresorului. n funcie de
natura sarcinii, redresoarele pot fi: redresoare cu sarcin rezistiv (prezentate n schemele
anterioare), redresoare cu sarcin inductiv (RL) i redresoare cu sarcin capacitiv (RC). Dup
cum se observ s-au prezentat scheme cu dispozitive semiconductoare, acestea impunndu-se n
faa dispozitivelor cu vid prin avantajele oferite:
Durat de funcionare, teoretic nelimitat;
Cdere de tensiune direct mic;
Gabarit redus.

108

6. STABILIZATOARE
Pentru a funciona corect, aparatura electronic necesit tensiuni de alimentare continue
constante, eventualele abateri de la valoarea nominal determinnd funcionarea incorect.
Tensiunea obtinu la ieirea unui redresor cu filtru are:
component continu, dependent de tensiunea reelei;
component variabil (ondulaiile).
Valoarea tensiunii obinute prin redresare este invers proporional cu valoarea
curentului de sarcin (caracteristic extern cztoare) i este dependent de temperatur.
Pentru meninerea constant a tensiunilor sau curenilor de alimentare se utilizeaz un
circuit electronic cu rol de stabilizare, denumit stabilizator.
n prezent exist un numr relativ mare de circuite destinate stabilizrii tensiunii sau
curentului, cu valori continue sau alternative. Clasificarea acestor circuite se poate face dup mai
multe criterii: puterea pe care o controleaz, principiul de funcionare, tipul elementelor utilizate
pentru stabilizare, gradul de stabilizare sau natura sarcinii.
Stabilizatoarele de tensiune constituie unul dintre blocurile componente ale surselor de
alimentare, dup cum se observ n figura 6.1, prezentnd avantajul unui reglaj comod al mrimii
de ieire precum i performane tehnice ridicate.
Stabilizatorul de tensiune ideal este un circuit care asigur la ieire o tensiune
independent de tensiunea de intrare, de curentul de sarcin i de temperatur. Stabilizatorul de
tensiune real nu poate realiza o independen total a tensiunii de ieire de factorii menionai
mai sus, micornd ns dependena.
i0
Ui

U0

Fig. 6.1. Componena sursei stabilizate de


alimentare.
n principiu, stabilizarea unei tensiuni continue se poate realiza:
nainte de redresor, prin meninerea constant a tensiunii alternative de alimentare.
Dezavantaj: preia numai variaiile de reea.
dup redresor, prin intercalarea ntre acesta i sarcin a unui element capabil s preia
variaiile de tensiune. Avantaj: menine constant tensiunea de sarcin, indiferent de
cauzele care tind s o modifice. Din acest motiv dispozitivele din a doua categorie sunt
preferate n practic.
Stabilizatorul de tensiune este un aparat conectat ntre surs i consumatorul de energie
electric i servete la micorarea variaiilor tensiunii de alimentare pn la limitele impuse de
performanele consumatorului.
Stabilizatorul de curent este asemntor stabilizatorului de tensiune, cu deosebirea c
micoreaz (pn la anumite limite) variaiile curentului.
Clasificarea stabilizatoarelor
1. Dup principiul de funcionare stabilizatoarele de tensiune se mpart n:
stabilizatoare parametrice;
stabilizatoare cu reacie;
stabilizatoare n regim de comutaie.

109

Stabilizatorul parametric are structura cea mai simpl. La baza funcionrii acestuia st
neliniaritatea caracteristicii curent tensiune a dispozitivului electronic folosit (n general o
diod stabilizatoare - Zener).
Stabilizatoarele cu reacie realizeaz funcia de stabilizare printr-o reacie negativ,
dispozitivele electronice folosite funcionnd liniar. Acest tip de stabilizatoare se consider
circuite liniare.
Stabilizatoarele n regim de comutaie sunt stabilizatoare cu reacie la care elementul
regulator al tensiunii de ieire nu lucreaz liniar, ci n regim de comutaie. n acest regim crete
randamentul stabilizatorului.
2. Dup modul de amplasare a elementului regulator n raport cu ieirea stabilizatorului,
stabilizatoarele de tensiune pot fi:
stabilizatoare serie;
stabilizatoare derivaie.
3. Dup metoda de stabilizare exist urmtoarele tipuri principale de stabilizatoare:
Stabilizatoare electromagnetice (n general transformatoare cu prize), utilizate de
obicei pentru reglarea tensiunilor alternative n instalaiile de mare putere. Aciunea de
stabilizare se bazeaz pe proprietile miezurilor magnetice saturate.
Stabilizatoare electronice prin compensaie (reglare automat). Elementul neliniar
preia variaiile de tensiune sau curent ale sarcinii, ca urmare a unei comenzi primite
prin intermediul unei bucle de reacie. Aceste stabilizatoare sint denumite adesea
prescurtat ,,stabilizatoare electronice".
Stabilizatoare parametrice, care folosesc o impedan neliniar n serie sau n paralel
cu sarcina, capabil s compenseze variaiile parametrului de ieire. Stabilizatoarele
parametrice sunt, de asemenea, stabilizatoare electronice.
Indiferent de categoria din care face parte, un stabilizator de tensiune continu poate fi
reprezentat sub forma unui cuadripol, ca n figura 6.2. Consumatorul de energie electric de la
ieirea stabilizatorului se consider de forma unei rezistene echivalente de sarcin, Rs.
Tensiunea U0 de la ieirea stabilizatorului este dependent de tensiunea de intrare n
stabilizator, Ui (tensiunea obinut de la redresor).
Ii
Ui

I0
U0

Fig. 6.2. Stabilizatorul privit ca


un cuadripol
Se consider U0 = f(Ui,Rs). Variaiile tensiunii de ieire provocate de variaiile tensiunii
redresate i ale rezistenei de sarcin, se exprim prin relaia:
U 0
U 0
dU 0 =
dU i +
dRs .
(6.1)
U i
Rs
Cele dou modaliti de reglare de baz, serie i paralel, sunt prezentate n figura 6.3. n
practica electronic ns, circuitul de reglare este mult mai complex dect varianta prezentat n
figur.

110

Ui

Ui

U0

U0

a)

b)

Fig. 6.3. Principiul de baz al stabilizrii. a) reglare serie;


b) reglare paralel.

6.1. STABILIZATOARE DE TENSIUNE


6.1.1. STABILIZATOARE PARAMETRICE
n figura 6.4 este prezentat schema unui stabilizator parametric cu diod stabilizatoare.
Funcionarea schemei se bazeaz pe caracteristica neliniar a diodei stabilizatoare. Se tie c
dioda Zener admite variaii relativ mari de curent la variaii mici ale tensiunii pe diod.
Tensiunea la ieirea stabilizatorului este chiar tensiunea pe diod, adica U0 = Uz. Din acest motiv
(se cere U0 = ct.) dioda trebuie s fie alimentat cu un curent n plaja de stabilizare IZm IZM.
IZm este determinat de ieirea din regiunea de stabilizare, iar IZM este determinat din considerente
de putere (IZM = PZM/UZ ).
Caracteristica neliniar a diodei stabilizatoare se poate liniariza pe poriuni (figura 6.6).
Caracteristica liniarizat accept relaia:
UZ = UZ0 + RZIZ.
(6.2)
IA

IA
Ir

Ui

IS

U0

UZ0

UA

UZM UZm

UA

IZm

Regiune de
funcionare
normal

IZ
IZM

Fig. 6.4. Schema stabilizatorului


parametric cu diod Zener.

Fig. 6.5. Caracteristica diodei


Zener.

Fig. 6.6. Liniarizarea


caracteristicii diodei
Zener; tg = RZ

Valorile nominale sunt cuprinse:


pentru UZ ntre civa voli i zeci de voli;
pentru IZ ntre miliamperi i zeci de miliamperi;
pentru RZ ntre civa i zeci de .

111

IZ

IZM
Ir

IS

IZ
Ur

U0
IZm

IZ0

Fig. 6.7. Schema echivalent a stabilizatorului


parametric pentru regimul dinamic.

A
UZm UZ0 UZM UZ

Fig. 6.8. Caracteristica diodei Zener n


zona de strpungere.

Dac la bornele receptoare 2-2 (fig.6.7) nu se conecteaz nici un consumator (Rs = ),


curentul prin diod este maxim Iz max, punctul de funcionare se stabilete n C, iar tensiunea pe
element este de asemenea maxim U0 max = Uz max. Conectnd sarcina, aceasta va asbsorbi un
curent n dauna curentului prin diod, care scade; punctul de funcionare se deplaseaz n jos
spre B. Mrind consumul prin sarcin (Rs scade, Is crete ) punctul de funcionare se deplaseaz
din ce n ce mai jos. La un anumit curent maxim prin sarcin Is max, punctul de funcionare tinde
spre limita inferioar, punctul A curentul prin Z devine minim, iar tensiunea la bornele de ieire
devine de asemenea minim.
Se observ c variaia curentului de sarcin aduce implicit o variaie a curentului prin
diod; crete curentul de sarcin, iar curentul prin diod scade. Acelai mecanism acioneaz i
n cazul variaiei tensiunii de reea, reprezentat n schem prin sursa Ui, (tensiunea debitat de
redresor n gol), R0 fiind rezistena intern a redresorului.
Creterea tensiunii de reea se reflect prin creterea tensiunii Ui, ceea ce va conduce la
creterea tensiunii de intrare n stabilizator Ur, i a curentului Ir. Variaiile curentului Ir vor fi
preluate ns, n cea mai mare parte, de dioda Zener, astfel c tensiunea i curentul prin sarcin
vor rmne aproximativ constante.
Pentru stabilizatorul din figura 6.7 se pot defini urmtorii parametri:
Coeficientul de stabilizare:
U r
R
= 1+ r .
(6.3)
S0 =
U 0 I = ct
RZ
s

Rezistena intern a stabilizatorului:


R (R + R )
(6.4)
Ries = RZ (R 0 + Rr ) = Z 0 r .
R 0 + Rr + R Z
Din cele dou relaii se observ c pentru obinerea unui coeficient de stabilizare mai bun
trebuie mrit valoarea aa numitei rezistene de balast, notat Rr. ns, la creterea rezistenei Rr
apare dezavantajul unei pierderi suplimentare de tensiune i totodat posibilitatea ieirii din plaja
de stabilizare a diodei ( I Zm I Z I ZM ).
Observaie
n cazul necesitii de a obine tensiuni stabilizate de valori ridicate, se pot lega n serie
mai multe diode stabilizatoare. n figura 6.9 sunt prezentate cteva scheme de stabilizatoare cu
diode Zener.

112

U0

Ui

Ui

U0

Ui

b)

a)

U0

Ui

U0

Ui

c)

U0

U0

Ui
U02

d)

e)

f)

Fig. 6.9. Scheme electrice de stabilizatoare parametrice cu diode Zener:


a) stabilizator format dintr-o celul simpl de stabilizare;
b) stabilizator prevzut cu diod pentru stabilizare termic;
c) stabilizator constituit din dou celule n cascad;
d) stabilizator pentru tensiune ridicat, cu dou diode Zener n serie;
e) stabilizator constituit din diode Zener n serie, prevzut cu diod
(Z3) pentru compensare termic;
f) stabilizator cu diode Zener n serie, care furnizeaz dou tensiuni
la ieire.

6.1.2. STABILIZATOARE CU REACIE


6.1.2.1. Stabilizator de tensiune cu element de reglaj serie
Datorit performanelor i randamentului, acest tip de stabilizator are cea mai larg
rspndire n practic.
Schema bloc de principiu a unui stabilizator cu element de reglaj serie este reprezentat
n figura 6.10. Aceasta conine aceleai blocuri componente ca i schema stabilizatorului cu
element de reglaj derivaie, deosebirea constnd n locul de amplasare a elementului de reglaj,
care este de obicei un tranzistor.
I0

Ui

U0

Fig. 6.10. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune continu


cu element de reglaj serie: ER-element de reglaj; AE-amplificator de eroare;
DE-detector de eroare; STR-surs de tensiune de referin.
113

Funcionarea stabilizatorului: Variaia tensiunii de ieire U0 ntr-un anumit sens, atrage


dup sine prin intermediul buclei de reacie o variaie n acelai sens a cderii de tensiune Ut, de
pe elementul de reglaj. Tensiunea de ieire fiind egal cu diferena dintre tensiunea de intrare i
cea de pe elementul de reglaj, tendina iniial este astfel contracarat.
Stabilizatoarele de tensiune serie pot fi ntlnite n practic sub dou forme:
1. Stabilizatoare fr amplificator de eroare, figura 6.11;
2. Stabilizatoare cu amplificator de eroare, figura 6.12.

Ui

U0

Idiv

Ui

U0

UBE
UZ

Fig. 6.11. Schema stabilizatorului cu


element de reglaj serie fr
amplificator de eroare.

Fig. 6.12. Schema stabilizatorului cu element


de reglaj serie cu
amplificator de eroare.

Elementul de reglaj (rezistorul variabil) din figura 6.3 este nlocuit de tranzistorul T1.
Alturi de tranzistor, elementele principale ale unui stabilizator sunt rezistorul de limitare a
curentului (R1) i dioda Zener. Dup cum se tie, proprietatea diodei Zener este de a bloca
trecerea curentului att timp ct tensiunea aplicat la bornele diodei nu depete o valoare
stabilit constructiv (tensiune Zener). n cazul n care tensiunea aplicat depete tensiunea
Zener, prin diod apare curent datorat conduciei inverse (de la catod la anod).
Tranzistorului i se aplic o tensiune constant pe baz, numit (n general) tensiune de
referin. Presupunnd c tensiunea n circuitul de ieire sufer modificri, emitorul
tranzistorului va prelua variaia i corespunztor vor avea loc modificri n polarizarea
tranzistorului.
Exemplu

Fie cazul unei scheme n care dioda Zener are valoarea tensiunii Zener de 15V i la care
tensiunea de intrare este de 20V (fig.6.13).
Dioda Zener stabilete valoarea tensiunii pe baza tranzistorului T. Polarizarea direct a
jonciunii baz-emitor determin o cdere de tensiune pe jonciune de 0,7V, caz n care cderea
de tensiune pe tranzistor va fi de 5,7V i tensiunea de ieire va avea valoarea de 14,3V.
5.7V

Ui, variabil

20V

14,3V

U0, constant

0,7V

Fig. 6.13. Schema simplificat a unui stabilizator cu


element de reglaj serie (fr amplificator de eroare).
114

Mecanismul de reglare:
1. S presupunem c tensiunea de intrare variaz, fiind 20,1V. Corespunztor, tensiunea
de ieire va crete lavaloarea de 14,4V, ceea ce nseamn o deviaie de la tensiunea cerut la
ieire de 0,1V. Deoarece tensiunea n baza tranzistorului este meninut constant (15V) de ctre
dioda DZ, tensiunea de polarizare direct BE va fi de 0,6V, mai mic dect cea normal de 0,7V.
Rezistena tranzistorului va crete ns, avnd ca rezultat creterea cderii de tensiune pe
tranzistor la 5,8V i implicit readucerea tensiunii de ieire la valoarea de 14,3V.
2. Presupunem c tensiunea la ieire scade la 14,2V. Pentru c dioda DZ menine
tensiunea n baza tranzistorului T la valoarea de 15V, tensiunea de polarizare direct BE va
crete la 0,8V. Aceasta nseamn o micorare a rezistenei tranzistorului, reducndu-se cderea
de tensiune pe acesta la valoarea de 5,7V, respectiv tensiunea de ieire la 14,3V.

6.1.2.2. Stabilizator de tensiune cu element de reglaj derivaie


n cazul stabilizatorului de tensiune continu cu element de reglaj derivaie, variaiile
tensiunii de ieire U0 sunt sesizate de detectorul de eroare DE prin comparare cu tensiunea de
referin furnizat de sursa de tensiune de referin STR. Amplificatorul de eroare AE comand
curentul elementului de reglaj ER, care compenseaz tendinele de variaie ale tensiunii de
sarcin. Prin urmare, o tendin de variaie ntr-un sens a tensiunii de ieire atrage dupa sine o
(comanda de) variaie n sens opus.
I0

Ui

U0

Fig. 6.14. Schema bloc a unui stabilizator de tensiune continu


cu element de reglaj derivaie.
Exemplu
Fie un stabilizator cu element de reglaj derivaie cu tensiunea de intrare de 20V
(fig.6.15). Cderea de tensiune pe dioda Zener este constant, n valoare de 5,6V. Din schem,
rezult o cdere de tensiune pe rezistorul R de 14,4V. Pentru o cdere de tensiune pe jonciunea
baz-emitor a tranzistorului T de 0,7V, cderea de tensiune pe rezistorul R1 este de 13,7V i
tensiunea de ieire U0 va fi de 6,3V.
Mecanismul de reglare:
1. Fie o variaie a tensiunii de intrare n sens cresctor de 0,1V, ceea ce nseamn
creterea tensiunii la ieire la 6,4V. Pentru c dioda Zener i menine tensiunea la borne
constant n valoare de 5,6V, creterea tensiunii de intrare conduce la creterea cderii de
tensiune pe jonciunea BE (polarizat direct) a tranzistorului la valoarea de 0,8V. Rezistena
115

tranzistorului scade, curentul prin ea crete i cderea de tensiune pe R1 devine 13,8V. Totodat,
cderea de tensiune pe rezistena de sarcin va reveni la valoarea de 6,3V.

5,6V
Ui 20V
14.4V

6,3V U0
0,7V
R1

13,7V
Fig. 6.15. Schema simplificat a unui stabilizator
cu element de reglaj derivaie.
2. S presupunem c are loc o micorare a rezistenei de sarcin, respectiv o scdere a
tensiunii de ieire la valoarea de 6,2V. Datorit diferenei de tensiune la ieire de 0,1V, tensiunea
de polarizare direct a jonciunii baz-emitor a tranzistorului va fi de 0,6V. Aceast scdere
conduce la creterea rezistenei tranzistorului, reducerea curentului prin tranzistor i n final, la
creterea curentului de sarcin la o valoare care s stabileasc tensiunea pe sarcin la 6,3V.
Observaie

Att n cazul stabilizatorului serie ct i n cazul stabilizatorului derivaie, aceste variaii,


respectiv aceste cicluri de aducere a tensiunii la valoarea dorit, dureaz cteva fraciuni de
secund.
Alegerea elementului de reglaj

Elementul de reglaj se alege astfel nct s satisfac parametrii de funcionare impui


stabilizatorului:
variaiile procentuale pozitive (b) i negative (a) ale tensiunii de reea;
tensiunea maxim de sarcin, (Us max);
tensiunea minim de sarcin (Us min);
curentul maxim prin sarcin (Ismax).
Situaiile extreme n funcionare sunt determinate de:
Urmin = UTmin + U0max =(1 - a)Ur;
(6.5)
Urmax=UTmax + U0min = (1 + b)Ur.
(6.6)
n relaiile anterioare UTmin este tensiunea minim pe elementul de reglaj n cazul
tensiunii de reea sczute, iar UTmax este tensiunea maxim pe elementul de reglaj n cazul
tensiunii de reea crescute. Rezult:
1+b
( U T min+U 0 max) U 0 min
U T max=
(6.7)
1+ a

116

iT
(iC)
I0max

U s max
I s max
U
tg 2 = s min
I s min

tg 1 =

UTma
x

U0max

Ur

iB = ct.

uT (uCE)

Ur min
UTmax

U0min

Urmax

Fig. 6.16. Caracteristica curent-tensiune a elementului de reglaj i


situaiile extreme ntlnite n funcionarea stabilizatorului cu ER serie.
Dac n cazul Ur min i U0max se solicit curentul maxim I0max, puterea pe care trebuie s o
disipe elementul de reglaj devine maxim, valoarea acesteia fiind:

1 + b
( U T min+U 0 max) U 0 min I 0 max
P d max =U T maxI 0 max=
(6.8)

1 + a
S-a aproximat curentul maxim prin elementul de control cu I0max. n relaia anterioar,
singurul element necunoscut este UTmin. Pentru tranzistoare de medie i mare putere, aceast
tensiune se poate impune ca fiind de (1 4)V, valoarea maxim reprezentnd o rezerv pentru
pulsaiile tensiunii de alimentare, un coeficient de siguran pentru ca n prezena acestora
tranzistorul s nu fie adus la saturaie (punctul D) nici chiar de vrfurile pulsaiilor.
Cunoscnd puterea disipat maxim, tensiunea maxim colector-emitor (aceast tensiune
se ia egal cu Ur max) i curentul de colector maxim (aproximativ egal cu cel maxim de sarcin),
din catalog se alege tranzistorul care poate ndeplini rolul de element de reglaj.

6.1.3. STABILIZATOARE DE TENSIUNE N REGIM


DE COMUTAIE
Schema stabilizatorului n regim de comutaie (figura 6.17) conine dou pri:
convertorul cc-cc cu posibilitate de comand extern;
circuitul de comand i control.
Pentru ca tensiunea la ieire s fie meninut constant, circuitul de comand compar
tensiunea de ieire cu o tensiune de referin i, n funcie de eroarea rezultat, modific raportul
de conducie al convertorului cc-cc.

117

Ur

CIRCUIT
DE
COMAND

U0

CS
Ui

U0

Convertor cc-cc

Fig. 6.17. Schema de principiu a stabilizatorului n


comutaie.
Modificarea componentei continue a tensiunii de ieire se realizeaz prin modificarea
raportului de conducie. Metoda cea mai utilizat n acest scop este modulaia n durat. Aceast
metod menine spectrul de armonici al tensiunii de ieire ntr-o relaie strns cu celelalte
frecvene ale sistemului alimentat de sursa respectiv, permind i o filtrare bun.
Surs
de tensiune
nestabilizat

Ui

Comutator
electronic

Filtru
trece jos

U0

Sarcin

Etaj de putere

Etaj de
comand

U0

Generator
de impulsuri
cu modulaie
n durat

Ur - U0

Ur

Etaj de comand i control

Fig. 6.18. Schema bloc a stabilizatorului de tensiune


continu n regim de comutaie: Ui tensiune de intrare;
U0 tensiunea la ieire; Ur tensiunea de referin.
Convertoarele folosite la realizarea stabilizatoarelor de tensiune n regim de comutaie
pot fi grupate n:
convertoare directe;
convertoare cu revenire;
convertoare cu funcionare n contratimp.
Filtrele de netezire
Etajul de filtrare este o parte important a stabilizatorului n regim de comutaie,
tensiunea de ieire avnd un spectru bogat n armonici superioare. Randamentul stabilizatorului
118

depinde de modul de realizare a filtrului, de performanele dinamice, zgomotul i ondulaia


tensiunii de la ieire. Dintre tipurile de filtre cunoscute RC, RL sau LC, cel mai des utilizate sunt
cele de tipul LC. Folosirea acestui tip de filtru ofer avantaje, precum:
putere disipat redus;
meninerea amplitudinii curentului prin tranzistorul comutator la o valoare acceptabil;
valorile inductanei i condensatorului sunt relativ mici atunci cnd frecvena de lucru
a convertorului depete 10 20 KHz.
Circuitul de comand i control are rolul de a modifica raportul de conducie al
convertorului, astfel ca valoarea medie a tensiunii de la ieire s fie meninut constant. Pentru
aceasta, cu ajutorul unui comparator sau al unui amplificator diferenial, o fraciune din tensiunea
de la ieirea stabilizatorului este comparat cu o tensiune de referin, riguros stabilit. Schema
unui generator pentru impulsuri modulate n durat este prezentat n figura 6.19.
Generator
de tensiune
liniar
variabil

Ur
Ieire modulat

U1=k U

Fig. 6.19. Schema bloc a


generatorului de impulsuri
modulate n durat.

Tensiunea de eroare de la ieire este


proporional cu diferena dintre cele dou
tensiuni. Semnalul de eroare de la ieire este apoi
amplificat i aplicat la intrarea unui generator de
impulsuri
modulate
n
durat.
Durata
impulsurilor de comand a convertorului cc-cc
este modificat n sensul anulrii semnalului de
eroare.

Prin utilizarea stabilizatoarelor n regim de comutaie (sunt tot stabilizatoare cu


reacie, la care elementul regulator al tensiunii de ieire nu lucreaz liniar, ci n regim de
comutaie) crete randamentul stabilizatorului.

6.2. STABILIZATOARE DE CURENT


n unele circuite este necesar stabilizarea valorii curentului de ieire. Un astfel de
circuit care furnizeaz curent constant se numete stabilizator de curent. Schema simplificat a
unui stabilizator de curent este prezentat n figura 6.20.
A

Fig.6.20. Schema simplificat a stabilizatorului


de curent
Prezena rezistorului variabil din figur indic conceptul de stabilizator de curent,
dei este cunoscut faptul c aceast component nu este suficient de rapid pentru modificrile
care au loc n circuit. Pentru o funcionare corect a circuitului ampermetrul trebuie s indice o
valoare constant a curentului prin rezistorul de sarcin. Astfel, rezistorul variabil RV
compenseaz modificrile aprute la valoarea sarcinii sau la tensiunea de alimentare. Conform
119

schemei, orice modificare a valorii rezistenei de sarcin produce un salt n valoarea curentului,
astfel c pentru a menine curentul constant este necesar:
Reducerea valorii rezistenei RV - dac rezistena de sarcin crete;
Mrirea valorii rezistenei RV - dac rezistena de sarcin scade.
Utilizarea unui rezistor variabil nu este o metod practic de reglare a valorii curentului.
Schema stabilizatorului de curent este prezentat n figura 6.21 i cuprinde alturi de rezistor un
tranzistor i o diod Zener.

+
+

Ieire de curent
stabilizat

IS

+
-

Fig.6.21. Schema stabilizatorului de curent


Circuitul prezentat n figura 6.21 este similar cu cel al stabilizatorului de tensiune. n
plus fa de schema stabilizatorului de tensiune, apare rezistorul R1 care sesizeaz orice
modificare a curentului de sarcin. Cderea de tensiune pe R1 mpreun cu tensiunea la bornele
DZ se aplic jonciunii BE a tranzistorului T. Polaritatea tensiunii aplicate acestei jonciuni este
consecin a fluxului de curent prin rezistorul R1, cderea de tensiune pe R1 opunndu-se
polarizrii directe a jonciunii tranzistorului. Valoarea tensiunii de polarizare a jonciunii BE a
tranzistorului este dat de diferena dintre cele dou tensiuni (UDZ; UR1). Funcia rezistorului R2
este de limitare a curentului prin dioda Zener.
2.4V

+
+

6
0.6V

3V

12V

Eie

15

V
6V

200
400mA

Fig. 6.22. Funcionarea stabilizatorului de curent.


Fie schema din figura 6.22, care trebuie s asigure la funcionarea corect, un curent prin
sarcin constant cu valoarea de 400mA. Tensiunea pe care voltmetrul conectat la ieirea schemei
o indic, ajut la nelegerea funcionrii stabilizatorului de curent. Diferena dintre tensiunea de
pe dioda Zener i cderea de tensiune pe rezistorul R1 este de 0,6V, suficient pentru polarizarea
direct a jonciunii baz-emitor a tranzistorului. Cderea de tensiune pe rezistorul de sarcin este
120

de 6V, rezistena tranzistorului este de 9, astfel c avem un curent de 400mA, verificat prin
legea lui Ohm:
12V
0.4V =
.
30
Reglarea valorii curentului este prezentat n figura 6.23.
2.5V

+
+

14

6
0.5V

3V

12V

Eie

10

400mA

Fig. 6.23. Reglarea valorii curentului.

O scdere a rezistenei de sarcin produce o mrire a valorii curentului prin circuit.


Presupunnd c valoarea RS scade de la 15 la 10, rezult o cretere a cderii de tensiune pe
tranzistor de la 2,4V la 2,5V, n timp ce valoarea tensiunii pe dioda Zener rmne constant la
9V. Valoarea tensiunii de polarizare a jonciunii tranzistorului devine 0,5V, n timp ce valoarea
rezistenei tranzistorului se modific de la 9 la 14. Creterea de 5 a rezistenei tranzistorului
implic o scdere cu 5 a rezistenei de sarcin, astfel c rezistena echivalent a circuitului
rmne constant, implicit valoarea curentului prin circuit.

121

7. AMPLIFICATOARE
Caracteristici generale ale amplificatoarelor
Amplificatoarele electronice sunt circuite cu foarte multe aplicaii n practic. Se
ntlnesc n aparatele de msur (de laborator i industriale), n aparatura electronic de
telecomunicaii, n aparatura electronic de larg consum (electrocasnic), etc.
Gama foarte larg de aplicaii a condus la realizarea de amplificatoare cu performane
foarte diferite, bazate pe tehnologii diferite, i bineneles, avnd costuri diferite n funcie de
destinaie i performane.
Un amplificator este un dispozitiv care primete semnal de la o surs pe la bornele de
intrare i furnizeaz semnalul amplificat unei sarcini pe la bornele de ieire. Amplificatoarele pot
fi privite ca un cuadripol. Mrimile de ieire (uo, io) sunt dependente de cele de intrare (ui, ii). Nu
ntotdeauna ambele variabile, tensiunea i curentul, sunt luate n considerare la utilizarea unui
amplificator. Exist cazuri n care conteaz la intrare numai tensiunea sau numai curentul, sau
puterea aplicat. Aceast consideraie este valabil i n raport cu ieirea amplificatorului.
Rezult c accentul din punct de vedere al semnalului util aplicat la intrare sau dorit la ieire,
cade numai asupra uneia dintre mrimile de intrare sau ieire ale amplificatorului. Mrimile de
intrare (ieire) sunt legate ntre ele prin structura amplificatorului sau a sarcinii conectate la
ieirea acestuia.
Circuitul amplificatorului, cu dou borne de intrare i dou borne de ieire, caracterizat la
intrare prin perechea de mrimi ui, ii i la ieire prin perechea uo, io, satisface urmtoarele
condiii:
corespondena dintre tensiunea i curentul de ieire, fa de tensiunea i curentul de
intrare, este de tip biunivoc, (pentru un amplificator conectat ca n figura 7.1) adic
stabilirea unor valori pentru mrimea de la intrare determin n mod univoc mrimile
de la ieire, i reciproc - unei perechi (uo, io) i corespunde o pereche (ui, ii);
dependena invers ntre mrimile de la intrarea amplificatorului i cele de la ieirea
acestuia, trebuie s fie ct mai redus, aproximativ nul. n majoritatea cazurilor
tensiunea i curentul da la intrarea unui amplificator nu depind de tensiunea i curentul
de la ieirea sa.
n raport cu mrimea care constituie semnalul util aplicat la intrare, circuitul realizeaz
o amplificare, respectiv domeniul de variaie a semnalului la ieire este mai extins
dect la intrare.

Clasificare
1. din punct de vedere al mrimii semnalelor pe care le amplific:
amplificatoare de semnal mic, la care variaiile de tensiune i curent produse de
semnalul de intrare n dispozitivele active ale amplificatorului (tuburi, tranzistoare)
sunt mici n comparaie cu valorile tensiunilor i curenilor din punctul static de
funcionare, putndu-se considera c toate aceste dispozitive lucreaz n regim liniar;
amplificatoare de semnal mare (de putere), la care variaiile de tensiune i curent din
dispozitivele active sunt suficient de mari pentru ca funcionarea acestora s prezinte
abateri de la liniaritate ce trebuie luate n consideraie, iar puterea semnalului de ieire
este apreciabil (de ordinul kW).
2. din punct de vedere al tipului semnalului pe care l pot amplifica:
amplificatoare de c.c. pot amplifica semnale cu variaie n timp orict de lent
(ncepnd de la c.c. la care f = 0 pn la o frecven limit superioar);
amplificatoare de c.a. pot amplifica numai semnalele variabile n timp; sub o
frecven limit minim, respectiv peste o frecven limit maxim, semnalul nu mai
poate fi amplificat.
3. din punct de vedere al frecvenei pe care o poate avea semnalul de intrare pentru ca el s poat
fi redat corect la ieire:
122

amplificatoare de joas frecven - J.F. (pn la 100 kHz);


amplificatoare de nalt frecven - .F. (pn la zeci de MHz);
amplificatoare de foarte nalt frecven - F. . F. (pentru telecomunicaii terestre i
spaiale, Radiolocaie, etc. 102 104 MHz);
4. din punct de vedere al lrgimii de band a semnalului amplificat:
amplificatoare de band ngust (spectrul semnalului este concentrat ntr-o band
ngust n jurul unei anumite frecvene; ex. AFI - amplificatoare de frecven
intermediar pentru radioreceptoare 451 459 kHz);
amplificatoare de band larg (ex. AVF amplificatoarele de videofrecven ale
camerelor videocaptoare 0 6 MHz).
5. din punct de vedere al modului de realizare:
amplificatoare cu tuburi;
amplificatoare cu tranzistoare;
amplificatoare cu circuite integrate (CI).
Exist nc multe alte criterii de clasificare a amplificatoarelor electronice, ns cele
prezentate sunt semnificative.
n funcie de tipul semnalelor de intrare i ieire se deosebesc mai multe tipuri de
amplificatoare. Cele mai utilizate sunt:
amplificatorul de tensiune, la care att mrimile de intrare ct i cele de ieire sunt
tensiuni,
amplificatorul de curent, la care att mrimile de intrare ct i cele de ieire sunt
cureni.
La amplificatorul de tensiune, fiecare port (de intrare, respectiv ieire) se poate modela
printr-un circuit echivalent Thvenin, alctuit dintr-o surs de tensiune i o rezisten.
Portul de intrare are un rol pur rezistiv i se modeleaz printr-o rezisten Rin numit
rezisten de intrare.
Portul de ieire se modeleaz cu o surs de tensiune comandat n tensiune, care
semnific dependena dintre uin i uo, conectat n serie cu rezistena Ro, numit rezisten de
ieire.
Amplificatorul de tensiune se prezint n figura 7.1, unde Au reprezint amplificarea n
tensiune (ctigul n tensiune) i se exprim n V/V.
Sursa de semnal de la intrare este modelat printr-un circuit echivalent Thevenin. Este
alctuit dintr-o surs de tensiune ug i o rezisten Rg.
Sarcina are rol pasiv i s-a modelat prin rezistena RS.

RS

Fig. 7.1. Amplificatorul de tensiune


Expresia tensiunii de ieire se determin aplicnd regula divizorului de tensiune:
RS
Au u in
uo =
Ro + R S
Aplicnd, din nou, regula divizorului de tensiune la intrare se obine:
Rin
ug
u in =
R g + Rin
123

Prin eliminarea lui uin i rearanjarea relaiei se obine ctigul de la sursa de semnal la
sarcin:
RS
uo
Rin
=
Au
Ro + R S
u g R g + Rin
Atenurile de la portul de intrare i cel de ieire se numesc efecte de ncrcare. Pentru a evita
aceste efecte, Rg i Ro trebuie s fie foarte mici n comparaie cu Rin i RS. n cazul
amplificatorului de tensiune, acest deziderat se poate atinge numai dac Rin iar Ro=0, situaie
n care se spune c amplificatorul este ideal. n practic trebuie s fie ndeplinite inegalitile:
Rin R g , respectiv Ro RS .
Schema echivalent a unui amplificator de curent se prezint n figura 7.2.

RS

Fig. 7.2. Amplificatorul de curent


Amplificarea n curent s-a notat Ai i se exprim n A/A.
Aplicnd de dou ori regula divizorului de curent, se obine:
Rg
io
Ro
=
Ai
i g R g + Rin
Ro + RS
Efectul de ncrcare la portul de intrare const n pierderea unei pri din curentul dat de sursa de
semnal prin Rg. La ieire, efectul de ncrcare determin pierderea unei pri din curentul Aiiin
prin rezistena Ro. Un amplificator ideal de curent, la care s-au eliminat efectele de ncrcare, se
caracterizeaz prin Rin = 0 i Ro (exact invers ca la amplificatorul de tensiune). n practic
trebuie s fie ndeplinite inegalitile: Rin R g , respectiv Ro RS .
Se mai definesc urmtoarele tipuri de amplificatoare:
Amplificator transconductan (A/V): mrimea de intrare este o tensiune iar cea de
ieire un curent. Analiza la portul de intrare corespunde unui amplificator de tensiune iar la
portul de ieire unui amplificator de curent.
Amplificator transrezisten (V/A): mrimea de intrare este un curent iar cea de ieire o
tensiune. Analiza la portul de intrare corespunde unui amplificator de curent iar la portul de
ieire unui amplificator de tensiune.

7.1. AMPLIFICATORUL OPERAIONAL


Definiie. Amplificatorul operaional (AO) este un amplificator electronic de curent
continuu, cu ctig mare, realizat sub form de circuit integrat (CI), care amplific diferena
tensiunilor aplicate pe cele dou intrri i este capabil s realizeze o gam larg de funcii liniare,
neliniare i de proceasare de semnal.
Majoritatea AO se alimenteaz de la o surs dubl de tensiune, cu polariti opuse,
valorile uzuale fiind de +15V i -15V. O surs dubl se obine prin legarea n serie a dou surse
simple E1 i E2 (figura 7.3).

124

Fig. 7.3. Ilustrarea modului de conectare


a sursei duble de tensiune cu care se alimenteaz AO
Plusul sursei E1 devine plusul alimentrii duble i se conecteaz la pinul corespunztor
alimentrii pozitive a AO (notat cu V+ n catalog, litera V provenind de la cuvntul voltage, care
nseamn tensiune n limba englez). Minusul sursei E2 devine minusul alimentrii duble i se
conecteaz la pinul corespunztor alimentrii negative a AO (notat cu V- n catalog). Punctul de
nseriere devine referina de potenial (masa montajului) i nu este conectat de obicei la AO
propriu-zis, dar se conecteaz obligatoriu la montajul realizat cu AO. Toate semnalele de intrare
n circuitul realizat cu AO au punctele de mas conectate la aceast referin de potenial. La
ieirea montajului, rezistena de sarcin se conecteaz ntre pinul de ieire al AO i aceeai
referin de potenial.
Tensiunile de saturaie reprezint valorile maxime, pozitive sau negative, ale tensiunilor
de ieire. Tensiunile de saturaie depind de valoarea tensiunilor de alimentare i au, n general,
valoarea cu aproximativ 2V mai mic dect tensiunile de alimentare. Se fabric i AO la care
tensiunile de saturaie difer foarte puin (cu 100mV, de exemplu) fa de cele de alimentare.
Este cazul AO de tipul RRIO (Rail-to-Rail Input Output) adic AO la care att tensiunea de
intrare ct i cea de ieire se modific ntre cele dou bare de alimentare.
Simbolul i terminalele AO. Un AO trebuie s aib cel puin cinci terminale (pini), dintre
care trei de semnal i dou de alimentare (figura 7.4). Unele AO mai sunt prevzute cu nc dou
borne pentru anularea tensiunii de decalaj (offset) i cu 1-2 borne pentru compensarea n
frecven.

Fig. 7.4. Simbolul i terminalele amplificatorului operaional


Uzual, pentru desenarea simplificat a circuitelor cu AO, conexiunile surselor de
alimentare nu se trec pe scheme. Totui, trebuie s se rein c, totdeauna, pentru ca circuitele s
lucreze, sursele de alimentare trebuie s fie conectate la montaj.
Terminalele de intrare sunt denumite ca: intrare inversoare i intrare neinversoare.
Intrarea inversoare este notat cu semnul (-) iar cea neinversoare cu semnul (+). Aceste
semne nu au nici o legtur cu polaritatea tensiunilor individuale, u+ i u-, care se pot aplica pe
aceste terminale, deoarece ambele semnale pot fi, n raport cu masa, att pozitive ct i negative.
125

Aceste semne au n schimb legtur cu relaia de faz dintre semnalele de intrare i cel de ieire.
Astfel, dac intrarea neinversoare se leag la mas iar pe intrarea inversoare se aplic un semnal
cu variaie cresctoare, la ieire se obine un semnal cu variaie descresctoare. Din acest motiv
intrarea (-) se numete inversoare. Similar, dac intrarea inversoare este conectat la mas i se
aplic un semnal cu variaie cresctoare pe intrarea neinversoare, la ieire se obine un semnal tot
cu variaie cresctoare. Din aceast cauz intrarea (+) se numete neinversoare.
Aa cum se va vedea mai departe, aceste semne au legtur cu semnul ctigului n
tensiune.
Modelul de circuit. Deoarece AO este un circuit complex, care conine zeci de
componente (tranzistoare, rezistoare), pentru a se putea studia montajele realizate cu el, AO se
nlocuiete cu un circuit electric echivalent, pe care se pot aplica uor teoremele lui Kirchhoff.
Acest circuit care vzut din exterior se comport ca i AO pe care l nlocuiete, se numete
model de circuit.
Modelul de circuit cel mai apropiat pentru AO este cel de amplificator de tensiune (figura
7.5). Conform acestui model, circuitul conectat la bornele de intrare ale AO vede o rezisten,
notat rd i numit rezisten de intrare (diferenial).

Fig. 7.5. Modelul de circuit al amplificatorului operaional


La borna de ieire, AO se face cunoscut circuitului care urmeaz prin sursa de tensiune
controlat n tensiune, notat cu aud i rezistena intern a acesteia, ro, numit rezistena de ieire
a AO.
Tensiunile evideniate pe modelul din fig. 7.5 i care sunt identice cu cele de la intrarea
AO au urmtoarea semnificaie:
u+ - tensiunea individual aplicat la intrarea neinversoare;
u- - tensiunea individual aplicat la intrarea inversoare;
ud - tensiunea diferenial de intrare, care reprezint, prin definiie, diferena dintre
semnalul aplicat pe intrarea neinversoare i cel aplicat pe intrarea inversoare:
ud = u + u
uo - tensiunea de ieire, msurat n raport cu potenialul masei.
Aciunea complex a AO rezult din amplificarea tensiunii de intrare difereniale cu un
factor de amplificare foarte mare, notat cu a pe modelul de circuit din figura 7.5. Relaia
tensiunii de ieire n raport cu masa este:
uo = a ud = a ( u + u )
Observaie: amplificarea a este o amplificare n bucl deschis i se numete astfel
deoarece nu s-a conectat nici o component de circuit ntre ieirea AO i vreuna dintre intrri.
Ea este o amplificare util, numit amplificare diferenial.

7.1.1. Conceptul de AO ideal i consencinele acestui concept


Dei AO ideale nu exist, cele reale sunt destul de apropiate de acest concept. Pentru o
aplicaie dat, proiectantul de circuit trebuie s selecioneze acel AO ale crui imperfeciuni
(abateri de la idealitate) nu degradeaz semnificativ performanele ce s-ar obine cu un AO ideal.
Este de dorit, deci, ca AO folosit ntr-o anumit aplicaie s fie ct mai aproape de AO ideal.
126

Se presupune c AO ideal se caracterizeaz prin:


rezisten de intrare, vzut ntre cele dou intrri, infinit, rd;
rezisten de ieire, vzut ntre terminalul de ieire i mas, nul, ro=0, deci nu apare
nici o rezisten n serie cu sursa dependent de tensiune;
amplificare diferenial n bucl deschis infinit, a.
Cu aceste presupuneri, modelul de circuit al unui AO ideal este cel din figura 7.6.

Fig. 7.6. Modelul de circuit al amplificatorului operaional ideal


Conceptul de AO ideal are urmtoarele consecine, prezentate n ordinea presupunerilor
de idealitate:
rezisten de intrare infinit nseamn c prin niciuna dintre terminalele de intrare nu
curge curent. Atunci cnd la intrrile AO se conecteaz un anumit circuit, la aplicarea
teoremelor lui Kirchhoff curenii prin cele dou intrri se consider egali cu zero;
presupunerea c rezistena de ieire este zero implic faptul c tensiunea de ieire nu
se modific la conectarea unei sarcini fa de situaia fr sarcin. Deci AO
furnizeaz aceeai tensiune de ieire, indiferent de valoarea curentului de sarcin;
consecina celei de a treia presupuneri este cea mai important. Tensiunea de intrare
diferenial se poate scrie
u
ud = u + u = o
a
Dac circuitul lucreaz liniar (adic tensiunea de ieire este mai mic dect cea de
saturaie) i este stabil (adic circuitul nu oscileaz), atunci uo va avea o valoare finit i dac
a va rezulta c
u
lim ud = lim o = 0
a
a a
adic tensiunea diferenial ud se apropie de zero. Se poate deci scrie:
ud = u + u = 0
sau
u+ = u
Concluzia foarte important, care se desprinde din ultima relaie, const n aceea c AO
lucreaz astfel nct tensiunile individuale de la cele dou intrri sunt forate s fie egale.
Apare firesc ntrebarea: de ce tensiunea uo este diferit de zero dac ud=0 iar uo=aud?
Rspunsul este urmtorul: tensiunea diferenial ud nu este chiar zero ci are o valoare
foarte mic, astfel c atunci cnd este multiplicat cu valoarea foarte mare a amplificrii n bucl
deschis, rezult pentru uo o valoare diferit de zero.
De exemplu, valorile tipice pentru o funcionare liniar a unui AO sunt: a=105 i
ud=20V, valori pentru care rezult uo=aud=1052010-6=2V, o valoare rezonabil i mai mic
dect tensiunea de saturaie. Astfel, la un AO real, tensiunea diferenial ud nu este niciodat zero
iar amplificarea a nu este niciodat infinit, dar cele dou presupuneri a i ud=0 sunt utile
pentru analiza circuitelor realizate cu AO.
Chiar dac presupunerea c tensiunea diferenial de intrare este zero conduce la ideea c
pe cele dou intrri ale AO se aplic tensiuni de valori egale, nu este voie niciodat, ca ntr-un
127

circuit realizat cu AO, s se uneasc cele dou intrri. Aa cum s-a artat mai sus, pentru ca AO
s lucreze normal, ntre cele dou intrri trebuie s existe o mic diferen de potenial, situaie
care nu se poate obine dac intrrile se unesc.

7.1.2. Conceptul general de reacie


In realizarea amplificatoarelor, reacia negativ se utilizeaz deoarece, prin aplicarea sa,
rezult cteva consecine favorabile importante i anume:
reacia negativ stabilizeaz ctigul amplificatorului fa de modificrile parametrilor
dispozitivelor active determinate de variaiile surselor de alimentare, de variaiile de
temperatur i de efectele de mbtrnire;
reacia negativ permite proiectantului s modifice impedanele de intrare i de ieire
ale circuitului aa cum dorete;
datorit reaciei negative se reduc distorsiunile formei de und produse de
amplificatorul fr reacie;
reacia negativ determin creterea benzii de frecven a amplificatorului.
La aceste avantaje se asociaz i dou dezavantaje:
ctigul circuitului se reduce aproape direct proporional cu mrimea avantajelor ce se
obin;
poate s apar tendina de oscilaie a circuitului dac montajul nu este realizat cu
atenie.
Fie configuraia idealizat de reacie negativ din figura 7.7, unde Si i So sunt semnalele
de intrare, respectiv ieire, care pot fi tensiuni sau cureni. Reeaua de reacie, care n mod
obinuit este liniar i pasiv, are o funcie de transfer notat cu b; ea trimite napoi spre intrare
un semnal Sb. La intrare se face diferena ntre semnalul de intrare Si i cel de reacie Sb.
Semnalul de eroare, Se, dat de diferena ntre Si i Sb este trimis ctre amplificatorul de baz care
are funcia de transfer a.

Fig. 7.7. Configuraie idealizat de reacie negativ


In practic, amplificatoarele cu reacie negativ fac diferena ntre semnalele Si i Sb
(exist un nod/ochi de intrare n/pe care cele dou semnale se scad).
Din figura 7.7 rezult:
So = aSe
(7.1)
presupunnd c reeaua de reacie nu ncarc amplificatorul de baz.
De asemenea
Sb = bSo
(7.2)
Se = Si Sb
(7.3)
Inlocuind (7.2) n (7.3) se obine
Se = Si bSo
(7.4)
Inlocuind (7.4) n (7.1) se gsete
So = aSi abSo
(7.5a)
sau
a
So
= A=
(7.5b)
Si
1 + ab
128

Ecuaia (7.5b) este ecuaia fundamental a circuitelor cu reacie negativ, A fiind


amplificarea n bucl nchis a circuitului.
Considernd AO ideal, relaia (7.5b) se scrie la limit:
a
1
1
lim A = lim
= lim
=
(7.6)
a
a 1 + ab
a 1
+b b
a
Aceast relaie arat c pentru valori mari ale amplificrii n bucl deschis, ctigul global al
amplificatorului este determinat de funcia de transfer a circuitului de reacie. Deoarece reeaua
de reacie este n mod uzual format din elemente stabile, pasive, valoarea lui b este bine
definit. n consecin este bine definit i valoarea amplificrii globale.
Este util s se introduc mrimea T, denumit ctigul pe bucl i definit astfel:
T = ab
(7.7)
innd cont de aceast mrime relaia (7.5b) se poate scrie:
1
A= b
(7.8)
1
1+
T
Aceeai observaie de mai sus se poate reformula astfel: pentru valori mari ale ctigului pe
bucl T, ctigul global al amplificatorului este determinat de funcia de transfer a circuitului de
reacie.
Bucla de reacie opereaz astfel nct foreaz semnalul Sb s fie aproape egal cu
semnalul Si. Aceast situaie se obine amplificnd diferena Se = Si Sb , bucla de reacie fcnd
apoi ca semnalul de eroare s fie minim. Pentru a pune n eviden acest fapt se nlocuiete (7.5b)
n (7.4) obinndu-se:
aSi
Se = Si b
(7.9)
1 + ab
care se rescrie:
Se
1
1
=
=
(7.10)
Si 1 + ab 1 + T
Pe msur ce ctigul pe bucl devine mult mai mare ca unitatea, Se devine mult mai mic dect
Si. n plus dac se nlocuiete (7.5.b) n (7.2) se obine:
a
Sb = bSi
(7.11)
1 + ab
sau
Sb
T
=
(7.12)
Si 1 + T
deci dac T>>1, atunci Sb este aproximativ egal cu Si. Aceasta nseamn c semnalul de reacie
este practic o replic a semnalului de intrare.
Deoarece semnalele Sb i So sunt direct legate prin relaia (7.2), rezult c n cazul n care
b 1, semnalul So este o replic amplificat a semnalului Si ceea ce constituie, de fapt, scopul
unui amplificator cu reacie.

7.1.3. Configuraii de baz realizate cu AO


Cele mai importante configuraii realizate cu amplificatoare operaionale, de a cror
cunoatere depinde nelegerea funcionrii tuturor celorlalte circuite construite cu AO, sunt:
configuraia inversoare;
configuraia neinversoare.

129

7.1.3.1. Configuraia inversoare


Amplificatorul inversor reprezint una dintre configuraiile utilizate cel mai des i are
structura din figura 7.8.

Fig. 7.8. Structura configuraiei inversoare,


realizat cu amplificator operaional

Observaie: n montajele practice, n serie cu intrarea neinversoare se conecteaz un


rezistor care are rolul s reduc influena curenilor de polarizare a intrrilor AO. Subiectul se
va detalia mai trziu. Montajul poate lucra foarte bine i fr acest rezistor, n aceast form
simpl fiind mai uor de studiat.
Ne propunem s determinm funcia de transfer a circuitului, adic s calculm relaia
amplificrii n bucl nchis. Circuitul este n bucl nchis, deoarece ntre borna de ieire i cea
corespunztoare intrrii inversoare s-a conectat rezistorul R2.
Presupunnd funcionarea liniar i stabil, tensiunea de intrare diferenial este forat s
fie egal cu zero i astfel u = u + .
Dar intrarea neinversoare este conectat la mas, deci u + = 0 , astfel c i intrarea
inversoare va avea tot potenialul zero al masei. Se spune c n cazul amplificatorului inversor
intrarea inversoare este punct virtual de mas. S-a folosit atributul virtual deoarece n realitate
intrarea inversoare nu este legat direct la mas ci are doar potenialul masei.
Important: chiar dac potenialul intrrii inversoare este egal cu cel al masei, este
interzis s se lege intrarea inversoare la mas, deoarece, aa cum s-a mai artat, pentru ca AO
s lucreze normal, ntre cele dou intrri trebuie s existe o mic diferen de potenial.
Faptul c intrarea inversoare are potenialul egal cu cel al masei conduce la concluzia c
tensiunea de intrare se regsete integral la bornele rezistorului R1. Astfel curentul de intrare iin
se poate determina cu ajutorul legii lui Ohm i este:
u
iin = in
(7.13)
R1
Aplicnd presupunerea c prin terminalele de intrare ale AO nu curge curent, rezult c
n nodul corespunztor intrrii inversoare nu are loc divizarea curentului iin i c prin rezistorul
de reacie R2 va circula acelai curent iin. Cderea de tensiune de la bornele rezistorului R2 va fi:
R
(7.14)
u r = R2 iin = 2 u in
R1
Deoarece intrarea inversoare este punct virtual de mas, tensiunea de ieire este egal cu
cderea de tensiune de pe rezistorul R2, dar are sensul opus tensiunii de reacie i se poate scrie:
R
u o = u r = 2 u in
(7.15)
R1
Amplificarea n bucl nchis a circuitului se noteaz cu A i reprezint raportul dintre
tensiunea de ieire i cea de intrare:
u
R
A= o = 2
(7.16)
u in
R1
130

Din relaia (7.16) se observ c amplificarea n bucl nchis depinde de raportul a dou
rezistene i este independent de valoarea amplificrii n bucl deschis, care poate varia de la
un exemplar de AO la altul, chiar dac amplificatoarele operaionale sunt de acelai tip.
Dac se selecioneaz rezistoare de precizie, atunci i valoarea amplificrii n bucl
nchis se poate controla cu precizie mare.
Rezistena de intrare a circuitului, Rin reprezint prin definiie raportul dintre tensiunea de
intrare, uin i curentul de intrare, iin. Lund din nou n considerare faptul c tensiunea de intrare
apare la bornele rezistorului R1, rezult:
u
Rin = in = R1
(7.17)
iin
Este foarte important s nu apar confuzie ntre rezistena de intrare a amplificatorului
operaional, care s-a presupus infinit i rezistena de intrare a circuitului compus din AO i
rezistoarele R1 i R2, dat de relaia (7.17).
Rezistena de ieire a circuitului este egal cu zero.

7.1.3.2. Configuraia neinversoare


Amplificatorul neinversor reprezint cea de-a doua configuraie foarte important
realizat cu AO i are schema desenat n figura 7.9.

Fig. 7.9. Structura configuraiei neinversoare,


realizat cu amplificator operaional
Observaie: n montajele practice, n serie cu intrarea neinversoare se introduce un
rezistor cu rolul de a reduce influena curenilor de polarizare a intrrilor. Circuitul poate s
lucreze i fr acest rezistor, astfel fiind mai uor de analizat.
Semnalul se aplic direct la intrarea neinversoare. Presupunnd funcionarea liniar i
stabil, tensiunea de intrare diferenial este forat s fie egal cu zero i deci:
(7.18)
u = u + = u in
Aceast tensiune apare chiar la bornele rezistorului R1 astfel c expresia curentului prin
R1 se poate scrie:
u
(7.19)
iin = in
R1
Deoarece prin intrarea inversoare nu circul curent, iin va curge prin rezistorul R2, avnd
sensul de la borna de ieire a AO, prin R2 i R1 spre mas. La bornele rezistorului R2 apare
cderea de tensiune:
u
u R 2 = R2 iin = R2 in
(7.20)
R1
Aplicnd teorema a II-a lui Kirchhoff pe ochiul format de tensiunile uin, uR2 si uo rezult:
R
u o = u in + u R 2 = (1 + 2 )u in
(7.21)
R1
astfel c amplificarea n bucl nchis se scrie:

131

uo
R
= 1+ 2
(7.22)
u in
R1
Ca i n cazul circuitului inversor, amplificarea n bucl nchis a configuraiei
neinversoare este o funcie numai de un raport de rezistene i este independent de amplificarea
n bucl deschis.
Rezistena de intrare a amplificatorului neinversor este infinit, ceea ce nseamna c
aceast configuraie nu absoarbe curent de la sursa de semnal.
Rezistena de ieire a circuitului este egal cu zero.
A=

7.1.3.3. Repetorul de tensiune


Repetorul de tensiune reprezint un caz particular de circuit neinversor, la care
amplificarea este unitar (figura 7.10).

a.
b.
Fig. 7.10. Structura repetorului de tensiune, realizat cu amplificator operaional: a. Schema
simpl de repetor; b. Schema de repetor care utilizeaz rezistoare de compensare a efectului
curenilor de polarizare a intrrilor AO
Amplificarea n bucl nchis se poate determina dac n relaia (7.22) se fac nlocuirile
R2=0 i R1, rezultnd:
A=1
(7.23)
Amplificarea n bucl nchis este egal cu unitatea i astfel ieirea repet tensiunea de la
intrare.
Ce rol ar putea sa aib un astfel de circuit care nu modific amplitudinea semnalului? Nu
trebuie uitat c repetorul provine dintr-un amplificator neinversor care are impedana de intrare
infinit. Dac, n cazul ideal, se consider c impedana de ieire este zero, se poate afirma c
repetorul de tensiune realizeaz o amplificare de putere. Repetoarele de tensiune se folosesc ca
elemente de izolare ntre sursele de semnal i sarcinile acestora, atunci cnd se cere meninerea
nealterat a unui anumit nivel al semnalului de intrare.
Aa cum se observ n figura 7.10.b, n serie cu intrarea neinversoare mai apare un
rezistor, care poate fi chiar rezistena intern a sursei de semnal. Pentru reducerea influenei
curenilor de polarizare a intrrilor, pe calea de reacie se conecteaz un rezistor, de valoare egal
cu cea a rezistorului serie din intrarea neinversoare. Circuitul care rezult este tot un repetor de
tensiune, la care A=1. In cazul ideal, neexistnd circulaie de curent prin intrri, nu apar cderi de
tensiune pe rezistenele notate cu R i amplificarea n tensiune nu este afectat. Chiar dac R2 nu
este egal cu zero, deoarece condiia R1 este indeplinit, relaia (7.22) d n continuare
rezultatul A=1.

132

7.2. APLICAII ALE Amplificatorului operaional


7.2.1. Circuite liniare
Circuitele liniare se caracterizeaz prin existena buclei de reacie negativ i prin
proporionalitate ntre mrimea de la ieirea circuitului realizat cu amplificator operaional i
mrimea de la intrarea circuitului.

7.2.1.1.

Surse de curent controlate n tensiune (SCCU)

Cele dou configuraii de baz, inversoare i neinversoare, tratate anterior, fac parte din
categoria surselor de tensiune controlate n tensiune (STCU) i sunt circuitele liniare active
utilizate cel mai des. Un alt tip de circuite liniare, utile n unele aplicaii, sunt sursele de curent
controlate n tensiune (SCCU).
Dintre structurile posibile care realizeaz aceast funcie se prezint:
SCCU de tip inversor cu sarcin flotant;
SCCU de tip neinversor cu sarcin flotant;
SCCU cu sarcina conectat la mas.
Observaie: Termenul de inversor sau neinversor este n coresponden cu STCU din
care provine sursa de curent, deoarece noiunea de curent inversor sau neinversor n sarcina
flotant are caracter ambiguu.
7.2.1.1.1. SCCU de tip inversor cu sarcin flotant

In fig. 7.11 se prezint schema unui astfel de circuit. La prima vedere circuitul pare s fie
un amplificator STCU inversor, de tipul celui discutat anterior. Din aceast cauz n denumirea
sursei de curent apare termenul inversor.

Fig. 7.11. Schema sursei de curent cu sarcin


flotant, de tip inversor
Diferenele constau n modul de conectare a sarcinii i n felul n care se analizeaz i se
interpreteaz funcionarea circuitului. Astfel, n cazul amplificatoarelor inversoare de tipul
STCU, att rezistena de intrare ct i cea de reacie au valori fixe, iar mrimea de interes este
tensiunea msurat n raport cu masa la borna de ieire a AO. n circuitul SCCU de tip inversor,
rezistena de sarcin se conecteaza ca rezisten de reacie i nu are o valoare fix. Sarcina se
numete flotant deoarece se conecteaz ntre dou borne ale AO i nu ntre ieire i mas.
Acest fapt limiteaz aria de aplicaie a circuitului la cazurile n care sarcina nu trebuie s aib
neaprat un capt conectat la masa montajului.
Curentul de intrare, iin este stabilit de sursa de tensiune de control uin i de valoarea
rezistenei R. Presupunnd cazul funcionrii liniare i stabile, terminalul intrrii inversoare este
forat s aib potenialul masei. Din aceast cauz curentul de intrare are expresia:
u
(7.24)
iin = in
R
133

Deoarece prin intrrile AO, n cazul ideal nu curge curent, cel prin sarcin se poate exprima:
u
i L = iin = in
(7.25)
R
Se observ c acest curent depinde numai de tensiunea de intrare, uin i de valoarea rezistenei R
i este complet independent de rezistena de sarcin, RL, adic exact ceea ce trebuie s realizeze o
surs de curent.
SCCU se descrie cu ajutorul transconductanei gm, msurat n Siemens (S).
Transconductana acestui circuit este:
u in
i
1
gm = L = R =
(7.26)
u in u in R
Circuitul funcioneaz ca o SCCU liniar pentru ambele polariti ale semnalului de intrare n
raport cu masa. Chiar dac scopul principal const n obinerea unui curent prin rezistena de
sarcin, trebuie avut grij ca tensiunea de la ieirea AO, uo s nu depeasc valoarea tensiunii de
saturaie. Astfel, pentru a se evita saturarea ieirii AO, trebuie s se ndeplineasc urmtoarea
condiie:
R L i L U sat
(7.27)
7.2.1.1.2. SCCU de tip neinversor cu sarcin flotant

Schema circuitului se prezint n fig. 7.12. Circuitul seamn cu amplificatorul


neinversor STCU, de unde provine termenul de neinversor din denumirea sa. Rezistena de
sarcin RL este conectat ca rezisten de reacie iar mrimea de ieire este curentul de sarcin, iL,
prin aceast rezisten.
Curentul iL este identic cu cel care trece prin rezistena R. In cazul funcionrii liniare i
stabile, potenialul intrrii inversoare este egal cu cel al intrrii neinversoare, deci este egal cu
uin, astfel c iL se scrie:
u
i L = in
(7.28)
R

Fig. 7.12. Schema sursei de curent cu sarcin


flotant, de tip neinversor
Transconductana circuitului este identic cu cea a SCCU de tip inversor:
1
gm =
(7.29)
R
Domeniul de variaie a rezistenei de sarcin n cazul circuitului neinversor este mai mic dect la
cel inversor deoarece, n cazul sursei analizate, borna inversoare nu are potenialul masei. Pentru
a se evita saturarea ieirii AO, trebuie s fie satisfcut inegalitatea:
( R + R L ) i L U sat
(7.30)
SCCU de tip inversor prezint avantajul unui domeniu de funcionare liniar mai mare n timp ce
SCCU de tip neinversor are avantajul unei impedane de intrare mai mari. Intr-adevr, aa cum s134

a artat, la configuraia inversoare impedana de intrare este Rin=R, n timp ce, n cazul
configuraiei neinversoare, impedana de intrare este teoretic infinit.
Deoarece se presupune RL variabil, nu este posibil s se asigure o valoare unic pentru
rezistena de compensare a efectului curenilor de polarizare a intrrilor AO. Situaia este
asemntoare n multe alte circuite realizate cu AO, n care cu o valoare aleas pentru aceast
rezisten se asigur doar o compensare parial. In astfel de cazuri, este bine s se aleag o
valoare medie, previzibil, a combinaiei paralel dintre R i RL.
7.2.1.1.3.

SCCU cu sarcina la mas

SCCU cu sarcina la mas are aspectul din fig. 7.13. In literatura de specialitate circuitul
mai este cunoscut i sub numele de sursa de curent Howland. Fa de circuitele studiate pn n
prezent, cel din fig. 7.13 poate s par un pic ciudat deoarece are conectate o rezisten i ntre
ieirea AO i intrarea neinversoare.
Cu notaiile de pe fig. 7.13. i cu presupunerile fcute anterior, aplicnd prima teorem
Kirchhoff n nodul corespunztor intrrii neinversoare, se poate scrie relaia:
u u in u L u o
iL + L
+
=0
(7.31)
R
R
Calea rezistiv superioar a circuitului este un simplu divizor de tensiune, astfel c tensiunea la
intrarea inversoare este uo/2. Deoarece tensiunile de pe cele dou intrri ale AO sunt forate s fie
egale, se poate scrie:
u
(7.32)
uL = o
2
Prin nlocuirea lui uL din relaia (7.32) n (7.31) i rezolvnd ecuaia pentru iL, se obine:
u
(7.33)
i L = in
R
Ca i n cazul surselor cu sarcin flotant, curentul de sarcin este complet independent fa de
rezistena de sarcin, fiind o funcie doar de tensiunea de control, uin i de rezistena R. O atenie
deosebit trebuie acordat mperecherii valorilor celor patru rezistene notate cu R, n caz contrar
circuitul nu va lucra corect.
Transconductana circuitului este aceeai ca la sursele de curent prezentate anterior:
1
(7.34)
gm =
R

Fig. 7.13. Schema sursei de curent cu sarcina


conectat la mas
Pentru ca circuitul s lucreze liniar, tensiunea de la ieirea AO nu are voie s depeasc
tensiunea de saturaie. Deoarece uo=2uL, trebuie s fie ndeplinit condiia:
U
(7.35)
R L i L sat
2
135

Comparand relaiile (7.35) i (7.24) se observ c pentru valori identice de rezistene i ale
tensiunii de control, domeniul dinamic al sursei cu sarcina la mas este egal cu jumtate din cel
al sursei de tip inversor. Factorul 1/2 din relaia (7.35) este rezultatul faptului c tensiunea uL nu
poate atinge dect jumtate din tensiunea de ieire, datorit divizorului de tensiune de la intrarea
inversoare, cerut de simetria circuitului. Astfel dac Usat=13V, AO se va satura pentru
RLiL=6,5V.

7.2.1.2. Surse controlate n curent


Sursele controlate n curent constituie alte aplicaii cu AO n care mrimea de ieire
(tensiune sau curent) se poate controla cu ajutorul curentului de intrare. Dup natura mrimii de
ieire se deosebesc dou tipuri de surse controlate n curent:
sursa de tensiune controlat n curent (STCI);
sursa de curent controlat n curent (SCCI).
7.2.1.2.1. Sursa de tensiune controlat n curent (STCI)

Schema simplificat a unei astfel de surse se prezint n fig.7.14.

Fig. 7.14. Schema sursei de tensiune controlat


n curent
Deoarece intrarea inversoare a AO este mas virtual, curentul de intrare iin vede o
mas n acest punct. Considerand AO ideal, prin intrrile lui nu circul curent, astfel c ntreg
curentul iin trece prin rezistorul R, cderea de tensiune pe R fiind egal chiar cu tensiunea de
ieire, deci:
u o = Riin
(7.36)
Transrezistena circuitului, Rm este:
Rm = R
(7.37)
Tensiunea de ieire este o funcie de curentul de intrare, justificndu-se astfel denumirea de surs
de tensiune controlat n curent.
7.2.1.2.2. Sursa de curent controlat n curent (SCCI)

n fig.7.15 se prezint schema unei surse de curent controlat n curent.

Fig. 7.15. Schema sursei de curent controlat n curent


Dac se presupune funcionarea liniar i stabil a AO, curentul de intrare (de comand)
trebuie s treac prin rezistorul R2 deoarece la un AO ideal s-a presupus c prin intrri nu circul
curent. La bornele rezistorului R2 apare astfel cderea de tensiune:
136

u 2 = R2 iin
(7.38)
Intrarea inversoare este punct virtual de mas, de unde rezult c aceeai tensiune se regsete i
la bornele rezistorului R1. Curentul care trece prin rezistorul R1 va fi astfel:
u
R
i1 = 2 = 2 iin
(7.39)
R1 R1
Aplicnd prima teorem Kirchhoff n nodul comun rezistoarelor R1, R2 i RL, rezult:
i L = i1 + iin
(7.40)
i n urma nlocuirii relaiei (7.39) n (7.40) se va obine:
R
(7.41)
i L = (1 + 2 )iin
R1
Curentul de ieire este o funcie de curentul de intrare i este independent de valoarea
rezistenei de sarcin, att timp ct AO nu se satureaz. La fel ca la sursa de curent controlat n
tensiune (SCCU), funcia cerut este de surs de curent, dar spre deosebire de SCCU, n acest
caz curentul de ieire este controlat tot de un curent (curentul de intrare).
Acest tip de surs realizeza i o amplificare de curent, care se poate nota cu :
R
= 1+ 2
(7.42)
R1
Funcionarea liniar a AO cere ca amplitudinea semnalului dintre borna de ieire a AO i mas
s fie mai mic dect tensiunea de saturaie. Deoarece amplitudinea semnalului de ieire este:
R
(7.43)
u o = [ R2 + RL (1 + 2 )] iin
R1
funcionarea liniar cere s fie satisfcut inegalitatea:
R
[ R2 + RL (1 + 2 )] iin U sat
(7.44)
R1

7.2.1.3.

Circuite de sumare

Circuitele care se prezint n acest paragraf i n cel urmtor sunt aplicaii ale AO care
realizeaz o anumit combinaie liniar ntre tensiunile de intrare.
S presupunem c dorim s combinm mai multe tensiuni u1, u2, ..., un astfel nct la
ieirea circuitului semnalul s fie de forma:
uo = A1u1 + A2 u2 +...+ An un
(7.45)
unde constantele Ak pot fi att pozitive ct i negative.
Se spune c tensiunea uo din relaia (7.45) reprezint o combinaie liniar a tensiunilor de
intrare u1, u2, ..., un.
7.2.1.3.1. Sumatorul inversor

Sumatorul inversor este un circuit de combinaii liniare la care toate constantele Ak din
relaia (7.45) sunt negative. Acestei situaii i corespunde circuitul din fig. 7.16.

137

Fig. 7.16. Schema sumatorului inversor


Presupunnd c AO este stabil i c funcioneaz liniar, rezult c intrarea inversoare este
punct virtual de mas (prin intrrile AO nu circul cureni i de aceea pe rezistorul Rc nu apare
nici o cdere de tensiune). Astfel cderile de tensiune de pe rezistoarele Rk sunt egale chiar cu
tensiunile de intrare uk, rezultnd pentru curenii de intrare ik relaiile:
u
u
u
(7.46)
i1 = 1 , i2 = 2 , ..., in = n
R1
R2
Rn
Aplicnd prima teorem Kirchhoff n nodul corespunztor intrrii inversoare se obine:
u
u
u
ir = i1 + i2 + ... + in = 1 + 2 + ... + n
(7.47)
R1 R2
Rn
Tensiunea de ieire are expresia:
uo = Rr ir
(7.48)
i nlocuind ir din relaia (7.47) n (7.48) se obine:
R
R
R
uo = r u1 r u2 ... r un
(7.49)
R1
R2
Rn
Facnd o comparaie ntre relaiile (7.49) i (7.45) se observ c s-a obinut o combinaie liniar,
unde toate constantele Ak sunt negative:
R
Ak = r
(7.50)
Rk
Circuitul este un sumator inversor dac toate constantele Ak sunt egale ntre ele. In caz contrar,
circuitul reprezint ceva mai mult dect un sumator deoarece, n funcie de valorile rezistenelor
de intrare, se poate realiza i o ponderare a semnalelor.
Dac se cere simpla adunare a semnalelor, se aleg toate rezistenele de valori egale, adic
Rk=Rr=R. In acest caz rezistena de compensare a efectului curenilor de polarizare a intrrilor
AO va avea expresia:
R
(7.51)
Rc =
n +1
iar tensiunea de ieire va fi de forma:
uo = (u1 + u2 +...+ un )
(7.52)
Observaii:
In cazul sumatorului inversor, intrrile sunt independente, ca rezultat al faptului c
intrarea inversoare se poate considera punct virtual de mas. Datorit acestui fapt, amplificrile
individuale din relaia (7.49) sunt independente de rezistoarele de pe celelalte intrri, astfel c se
pot anula sau aduga intrri, dup bunul plac, fr ca acest lucru s afecteze intrrile rmase
active n circuit.
Dac, de exemplu, se cere ca toate constantele din relaia (7.45) s fie pozitive, la ieirea
circuitului din fig. 7.16 se mai poate conecta un AO n configuraie de repetor de tensiune
138

inversor (cu amplificarea egal cu -1). Dac se cere ca unele constante s fie pozitive iar altele
negative, se mai folosete un numr adecvat de inversoare.

7.2.1.4.

Circuite de scdere

7.2.1.4.1.

Amplificatorul diferenial

Amplificatorul diferenial este un circuit liniar special, la care se aplic semnal i pe


intrarea inversoare i pe cea neinversoare (fig. 7.17).

Fig. 7.17. Schema circuitului diferenial

Numele de diferenial provine de la faptul c circuitul amplific diferena tensiunilor


aplicate la intrri. Pe scurt, acest circuit este capabil s combine semnalele u1 si u2 pentru a da la
ieire un semnal de forma:
(7.53)
uo = A1 u1 A2 u2
Circuitul se poate analiza mai uor dac se aplic principiul superpoziiei.
Astfel, pentru a studia numai efectul tensiunii u1 se consider circuitul din fig. 7.13, a, n
care se pasivizeaz sursa u2.

a)

b)

Fig. 7.18. Analiza amplificatorului diferenial utiliznd metoda superpoziiei.


(a) Circuitul echivalent n cazul aciunii tensiunii u1. (b) Circuitul echivalent n cazul aciunii
tensiunii u2
In acest caz presupunnd sursele ideale, rezult c borna de intrare corespunzatoare
tensiunii u2 se leag direct la mas. Semnalul u1 este mai nti atenuat de divizorul rezistiv R1,
R2. Tensiunea u+, aplicat la intrarea neinversoare, se determin aplicnd regula divizorului de
tensiune:
R2
u+ =
u1
(7.54)
R1 + R2
Din punct de vedere al semnalului u+, circuitul se comport ca un amplificator neinversor,
semnalul de intrare fiind chiar u+. Componenta uo1, datorat tensiunii u+ este:
R
uo1 = (1 + 4 )u +
(7.55)
R3
conform relaiei valabile n cazul configuraiei neinversoare.
nlocuind relaia (7.54) n (7.55) se obine:
139

R2
R + R4
3
u1
(7.56)
R1 + R2
R3
Pentru a studia numai influena tensiunii de intrare u2, se pasivizeaz sursa u1 i rezult circuitul
echivalent din fig. 7.18, b. AO se presupune ideal, astfel c pe cele dou rezistoare R1 i R2,
conectate n paralel, nu apare nici o cdere de tensiune. In acest fel se poate menine n
continuare ipoteza c intrarea inversoare este punct virtual de mas. Circuitul care rezult este de
forma unui amplificator inversor, astfel c pentru componenta uo2 a tensiunii de ieire, datorat
tensiunii de intrare u2, se obine:
R
u o 2 = 4 u2
(7.57)
R3
Prin superpoziie, cele dou componente ale tensiunii de ieire se adun
R + R4
R2
R
u o = u o1 + u o 2 = (
)( 3
)u1 4 u 2
(7.58)
R1 + R2
R3
R3
Comparnd relaiile (7.54) i (7.58) se observ c s-a obinut funcia dorit, n care un factor de
amplificare are semnul plus iar cellalt factor semnul minus.
uo1 =

7.2.1.4.2.

Amplificatorul diferenial echilibrat

Cazul cel mai important de amplificator diferenial este cel de amplificator diferenial
echilibrat la care cei doi factori de amplificare au valori egale dar sunt de semne opuse, adic:
A1 = A2 = K
(7.59)
Pentru ca aceast egalitate s poat avea loc trebuie s existe o anumit relaie ntre rezistenele
circuitului. Egalnd ntre ei cei doi coeficieni din relatia (7.58):
R + R 4 R4
R2
3
=
=K
(7.60)
R1 + R2
R3
R3
se obine:
R2 R4
=
=K
(7.61)
R1 R3
In cazul amplificatorului diferenial echilibrat, rezistenele se aleg coform relaiilor:
R1 = R; R2 = KR1 = KR
(7.62)

R3 = R; R4 = KR3 = KR
Circuitul n care rezistenele ndeplinesc condiiile din relaia (7.62) se prezint n fig. 7.19.
Tensiunea de ieire se poate scrie:
u o = K (u1 u 2 )
(7.63)
unde K este o constant pozitiv.

Fig. 7.19. Structura unui amplificator diferenial echilibrat

Se observ c n acest caz ambele intrri vd rezistene de valori egale spre mas, astfel
nct se realizeaz automat compensarea efectului curenilor de polarizare a intrrilor AO, fr s
fie necesar vreo intervenie special.
140

7.2.1.4.3. Amplificatorul de instrumentaie

Amplificatorul de instrumentaie este un circuit liniar de precizie care se poate folosi


pentru amplificarea unor semnale de nivel mic ntr-un mediu zgomotos (prin mediu zgomotos
nelegnd locul n care exist radiaie electromagnetic puternic ce poate perturba funcionarea
normal a unor circuite electronice datorit semnalelor parazite induse n firele de conexiune ale
circuitului).
Aceast form de procesare a semnalelor prin care se obine diferena a dou semnale,
amplificat de un numr arbitrar de ori, se poate realiza cu performane mai modeste i cu
ajutorul amplificatorului diferenial, studiat anterior. Acest circuit prezint urmtoarele limitri:
impedanele de intrare pentru cele dou semnale au valori finite. Acest fapt oblig
culegerea semnalelor de la surse ideale, cu rezisten intern nul;
rejecia modului comun este o funcie critic de rezistenele conectate n circuit.
Variaia valorilor celor patru rezistene degradeaz mult rejecia modului comun.
pentru a regla amplificarea trebuie modificat simultan valoarea a dou rezistene,
ceea ce complic mult posibilitile de echilibrare.
Circuitul care elimin aceste neajunsuri este amplificatorul de instrumentaie, cu schema
din fig. 7.20.
De obicei acest circuit este disponibil ntr-o unic prezentare (un singur circuit integrat).
Rezistenele fixe sunt realizate cu mare grad de precizie iar amplificrile celor dou ci de
semnal sunt bine mperecheate. Buna echilibrare i utilizarea unor amplificatoare operaionale de
calitate, asigur valori ridicate ale rejeciei modului comun (CMRR tipic este de 120dB).

Fig. 7.20. Schema amplificatorului de instrumentaie


Cele dou semnale care trebuie prelucrate se aplic la intrrile neinversoare ale AO de
intrare (AO1 i AO2), ceea ce asigur impedane de intrare de valori foarte mari. Etajul de ieire
este un amplificator diferenial echilibrat. Cu ajutorul unei singure rezistene, notat RG, se
ajusteaz amplificarea pentru ambele ci de semnal.
Pentru a determina expresia tensiunii de ieire, pe fig. 7.20 s-au trecut sensurile
tensiunilor i curenilor din circuit, considerndu-se, arbitrar, c tensiunea cea mai pozitiv este
u1. Aceast particularizare nu afecteaz deloc rezultatul analizei.
Se presupune c AO sunt ideale. Pentru condiii stabile n bucl nchis, tensiunea de la
borna inversoare a fiecrui AO de la intrare este egal cu tensiunea de pe intrarea neinversoare.
Deoarece rezistena RG se conecteaz ntre cele dou intrri inversoare ale AO1 i AO2, rezult
c tensiunile de la capetele acestei rezistene sunt egale cu cele de intrare, cderea de tensiune pe
RG exprimndu-se:
ux = u1 u2
(7.64)
Aceast cdere de tensiune determin prin RG un curent, care are expresia:
u
u u2
ix = x = 1
(7.65)
RG
RG
141

Deoarece prin intrrile AO ideal nu curge curent, ix va circula de la ieirea AO1 spre ieirea
AO2, trecnd prin R1, RG i R2. Dac se presupune R1=R2=R, cderile de tensiune datorate lui ix
sunt egale i au valoarea:
R (u1 u 2 )
u r = Ri x =
(7.66)
RG
Tensiunile uao1i uo2de la ieirile AO1, respectiv AO2, se scriu:
uo1 = u1 + u r
(7.67)

uo 2 = u 2 u r
i reprezint tensiunile de intrare ale amplificatorului diferenial echilibrat realizat cu AO3.
Folosind rezultatele obinute la amplificatorul diferenial echilibrat, tensiunea de ieire se poate
scrie sub forma:
u o = u o1 u o 2 = u1 u 2 + 2u r
(7.68)
nlocuind ur din relaia (7.66) n (7.68), rezult:
R
u o = (1 + 2
)(u1 u 2 )
(7.69)
RG
Relaia (7.58) pune n eviden modul n care se poate modifica amplificarea circuitului i anume
prin varierea valorii unei singure rezistene (RG).
Funcionarea liniar a circuitului este posibil numai dac toate cele trei amplificatoare
operaionale lucreaz liniar.
Funcionarea lui AO3 este liniar numai dac tensiunea sa de ieire este mai mic dect
tensiunea de saturaie, adic dac se ndeplinete condiia:
R
(1 + 2
) u1 u 2 U sat
(7.70)
RG
Tot funcionarea liniar a circuitului impune ca i cele dou AO de la intrare s lucreze liniar.
Prin nlocuirea pe rnd a relaiei (7.66) n cele dou relaii (7.67) rezult:

R
R
u2 U sat
)u1
(1 +
RG
RG

(7.71)

R
R
(1 +
)u2
u1 U sat

RG
RG

Influena zgomotului. Amplificatorul de instrumentaie se dovedete deosebit de util


atunci cnd se cere amplificarea unor semnale de amplitudine mic iar n firele prin care se
aduce semnalul la amplificator se induc semnale parazite (tensiuni de zgomot).
Se presupune c trebuie amplificat semnalul uin. Sursa de semnal are un capt conectat la
mas. Se dispune de un amplificator cu intrare simpl (intrarea ntre borna cald i mas a
amplificatorului) aa cum se arat n fig. 7.21. Semnalul se transmite la amplificator printr-un
cablu bifilar, neecranat, de o lungime suficient de mare ca semnalele induse s fie suprtoare
(comparabile ca amplitudine cu mrimea semnalului util). n fiecare din firele cablului se induce
o tensiune de zgomot nedorit, uzg. Dac cele dou fire sunt suficient de apropiate atunci cele
dou tensiuni induse au valori egale. Cu RF s-au notat rezistenele firelor din cablu.
Dac traseul de mas este perfect, atunci nu apare bucl de mas i analiza se face pentru
circuitul din fig. 7.21 unde traseul desenat cu linie ntrerupt se consider c nu exist. n aceste
condiii tensiunea de zgomot de pe firul superior se adun direct la tensiunea util iar
amplificatorul va amplifica semnalul (u in + u zg ) .

142

Fig. 7.21. Ilustrarea modului de aciune a zgomotului de mod comun i a buclei de mas
Cazul cel mai general este cel ilustrat n fig.7.21, cnd exist traseul desenat cu linie
punctat. Situaia prezentat corespunde unei legturi de mas imperfecte, cnd ntre cele dou
puncte de mas exist o mic diferen de potenial. Cnd un astfel de circuit se leag n dou
puncte la mas, rezult un circuit nchis, numit bucl de mas, cu rezistena RG, prin care circul
curentul buclei de mas. Datorit lui, n circuit apare o tensiune parazit suplimentar care se
adun la semnalul de intrare util, uin.
Neajunsul creat de bucla de mas se elimin prin utilizarea unui amplificator de
instrumentaie (fig. 7.22), deoarece acest amplficator nu are nici una dintre intrri conectat la
mas (are intrare diferenial).
n acest fel tensiunea de intrare util apare ca o tensiune diferenial:
u d = u1 u 2 = u in
(7.72)
Dac se noteaz amplificarea diferenial n bucl nchis a circuitului cu A, atunci semnalul
diferenial de la ieire este:
u od = A(u1 u 2 ) = Au in
(7.73)

Fig. 7.22. Ilustrarea modului de aplicare a unui semnal afectat de zgomot la intrarea unui
amplificator de instrumentaie
Tensiunile de zgomot apar ca semnale de intrare de mod comun, adic uic=uzg. Fie Ac
amplificarea de mod comun a circuitului. Tensiunea de ieire de mod comun se scrie:
u oc = Ac u zg
(7.74)
Se evalueaz raportul dintre tensiunea de ieire diferenial i cea de ieire de mod comun:
u od
Au in
=
(7.75)
u oc
Ac u zg
unde raportul A/Ac reprezint factorul de rejecie a modului comun, CMRR. Cu aceast
observaie relaia (7.75) se scrie:
u od
u
= CMRR in
(7.76)
u oc
u zg
In relaia (7.76), uin/uzg reprezint raportul dintre semnalul util i tensiunea de zgomot. Din acest
motiv, uin/uzg se numete raport semnal-zgomot. Se observ c raportul semnal-zgomot de la
ieirea amplificatorului de instrumentaie este de CMRR ori mai mare dect raportul semnalzgomot de la intrare. Conform acestei observaii, cu ct CMRR-ul unui amplificator de
143

instrumentaie este mai mare cu att se atenueaz mai mult influena zgomotelor asupra
semnalului de ieire.

7.2.1.5. Circuitele de integrare i derivare


Operaiile matematice de integrare i derivare intervin des n procesarea semnalelor
analogice. Ambele circuite schimb forma semnalului prelucrat, n concordan cu operaia
matematic asociat.
7.2.1.5.1. Circuitul de integrare

Circuitul de integrare este circuitul la care ntre tensiunea de intrare, uin i cea de ieire, uo
se stabilete relaia:
t

u o (t ) = u in (t )dt + u o (0)

(7.77)

unde uo(0) reprezint valoarea iniial a tensiunii de ieire (calculat la momentul t=0).
Pentru un condensator, ntre tensiunea la borne i curentul de ncrcare exist relaia:
t
1
(7.78)
uC (t ) = iC (t )dt + uC (0)
C0
unde uC(0) este valoarea iniial a tensiunii de pe condensator.
Astfel tensiunea de la bornele condensatorului este proporional cu integrala curentului
i ecuaia are forma relaiei (7.77). Deosebirea const n faptul c, n timp ce n relaia (7.77)
mrimea de intrare i cea de ieire sunt ambele tensiuni, n (7.78) doar ieirea este tensiune,
intrarea fiind curent. Ar fi necesar s se conecteze astfel condensatorul, eventual n combinaie i
cu alte elemente, astfel nct curentul de intrare s se poat exprima n funcie de o tensiune.
Prin conectarea condensatorului n bucla de reacie negativ a unui AO n configuraie de
inversor (fig. 7.23), curentul de ncrcare al condensatorului, egal cu cel de intrare, se poate
exprima n funcie de tensiunea de intrare i rezistena conectat n serie cu intrarea inversoare,
astfel:
u (t )
iC (t ) = in
(7.79)
R
Se nlocuiete (7.79) n (7.78), se ine seama de faptul c uo(t)= -uC(t) i rezult:
t
1
(7.80)
u o (t ) =
u in (t )dt + u o (0)
RC 0
Semnul minus apare din cauz c circuitul este inversor. Dac semnul minus i constanta 1/RC
deranjeaz, se poate conecta, dup integrator, un inversor care s elimine efectul semnului minus
i cu o amplificare care s anuleze efectul constantei 1/RC.

Fig. 7.23. Structura de principiu a integratorului


realizat cu AO

144

In funcie de semnul tensiunii continue aplicate la intrare, un integrator transform


aceast tensiune ntr-o ramp cresctoare sau descresctoare. Pentru c integratorul este sensibil
la semnale de c.c., tensiunea de offset i curenii de polarizare a intrrilor, ambele semnale tot de
c.c., pot determina trecerea ieirii AO n saturaie, chiar n absena semnalului de intrare. De
aceea AO care se folosesc n circuitele de integrare trebuie s aib valori extrem de mici ale
tensiunii de offset i ale curenilor de polarizare. Un tip special de AO folosit n astfel de situaii
este AO stabilizat prin chopper, la care se utilizeaz un procedeu de comutare mecanic pentru
corectarea n mod continuu a efectelor offsetului i curenilor de polarizare.
7.2.1.5.2.

Circuitul de derivare (difereniere)

Circuitul de derivare este circuitul la care ntre tensiunea de intrare uin i cea de ieire uo
se stabilete relaia:
du (t )
u o (t ) = in
(7.81)
dt
adic tensiunea de ieire uo(t) este egal cu viteza de variaie a semnalului de intrare, uin(t).
Astfel cnd tensiunea de intrare se modific rapid, cea de ieire are amplitudine mare. Dac
tensiunea de intrare are o modificare lent, atunci i semnalul de ieire are o amplitudine mic. n
funcie de relaia dintre curentul de ncrcare al unui condensator C i tensiunea la bornele sale,
se poate scrie:
du ( t )
iC ( t ) = C C
(7.82)
dt
La fel ca la integrator, una dintre variabile este o tensiune iar cealalt un curent, care trebuie
convertit n tensiune. Circuitul care realizeaz acest lucru este construit cu ajutorul unui AO,
conectat n configuraie de inversor (fig. 7.24).

Fig. 7.24. Structura de principiu a circuitului de


derivare realizat cu AO
Presupunnd c intrarea inversoare este punct virtual de mas rezult pentru curentul de
ncrcare al condensatorului relaia:
du (t )
iC (t ) = C in
(7.83)
dt
Acest curent curge prin rezistorul R i determin o cdere de tensiune uR(t) la bornele acestuia.
Tensiunea de ieire se scrie:
uo ( t ) = uR ( t ) = Ri C ( t )
(7.84)
i nlocuind relaia (7.83) n (7.84) se obine:
du (t )
u o (t ) = RC in
(7.85)
dt
Din nou se poate afirma c dac semnul minus i constanta RC deranjeaz, se adaug un inversor
cu amplificare ajustat astfel nct semnalul la ieire s fie de forma celui dat de relaia (7.81).
In practic circuitele de derivare nu se folosesc prea des deoarece zgomotul, prezent
totdeauna n circuitele electronice, este accentuat puternic de procesul de derivare. Zgomotul este
145

un semnal aleator care poate s aib variaii brute. Ieirea unui derivator fiind proporional cu
viteza de variaie a intrrii, rezult c aceste variaii brute de la intrare vor produce un zgomot i
mai pronunat la ieire.
7.2.1.5.3.

Comparaie ntre integrare i derivare

Procesul de integrare este cumulativ (se adun nite arii), schimbrile brute fiind
eliminate. Astfel se obine o netezire a semnalului de ieire. Integratoarele se comport deci ca
filtre trece-jos.
In contrast, derivarea accentueaz schimbrile brute ale semnalului de intrare. Semnalele
constante sau cu modificare lent sunt eliminate. Derivatoarele se comport deci ca filtre trecesus.

7.2.1.6.

Stabilizatoare de tensiune realizate cu AO

Stabilizatoarele de tensiune sunt circuite electronice care menin constant tensiunea pe


rezistena de sarcin (tensiunea stabilizat), n condiiile variaiei tensiunii de intrare (tensiunea
nestabilizat), a curentului de sarcin i a temperaturii. Conectat ntre redresor i sarcin,
stabilizatorul transform sursa de tensiune nestabilizat ntr-o surs de tensiune stabilizat.
Stabilizatoarele realizate cu AO sunt stabilizatoare serie cu reacie. Funcionarea lor se
bazeaz pe utilizarea unei scheme de amplificator cu reacie negativ, sarcina fiind conectat n
serie cu elementul de reglare serie. Tensiunea de ieire se menine constant printr-un proces de
reglare automat la care tensiunea de ieire sau o fraciune din ea se compar cu o tensiune de
referin. Amplificatorul de eroare care realizeaz compararea este AO. Semnalul diferen,
numit i de eroare, este amplificat i comand elementul de reglare a tensiunii de ieire pentru a
restabili valoarea prescris.

Fig. 7.25. Schema de principiu a unui stabilizator cu


reacie i amplificator de eroare realizat cu AO
Expresia tensiunii de ieire este se determin considernd AO ideal i presupunnd
potenialele de pe cele dou intrri egale:
R1
(7.86)
U + = U U REF =
UO
R1 + R2
de unde
R
U O = (1 + 2 )U REF
(7.87)
R1
Relaia este identic cu cea de la o configuraie neinversoare la care tensiunea de intrare este cea
de referin, UREF. Tranzistorul Q1 este n conexiune de repetor pe emitor (amplificator de
curent). Ansamblul AO Q1 se comport ca un AO de putere.
In caz de suprasarcin sau scurtcircuit accidental al ieirii la mas, curentul prin
tranzistorul serie Q1 poate crete mult i se depete puterea maxim admisibil pe care acesta o
poate disipa. Pentru a preveni distrugerea tranzistorului Q1 se folosesc circuite de protecie care
pot fi:
146

circuite de protecie prin limitarea curentului de suprasarcin (circuite de protecie cu


caracteristic rectangular) i
circuite de protecie prin micorarea curentului de scurtcircuit (circuite de protecie
prin ntoarcerea caracteristicii).
Circuitul de protecie din fig. 7.26, a este un exemplu de circuit de protecie prin
limitarea curentului de suprasarcin.
Funcionarea circuitului de protecie din fig. 7.26, a este urmtoarea: n mod normal
tranzistorul de protecie Q2 este blocat. Cnd curentul de sarcin IS depete o anumit valoare,
la care cderea de tensiune pe rezistena de protecie RP devine egal cu tensiunea de deschidere
a jonciunii baz-emitor a tranzistorului Q2, acesta intr n conducie. Deoarece cderea de
tensiune pe o jonciune baz-emitor este aproximativ constant, nseamn c i cderea de
tensiune pe rezistena RP este constant i deci are loc o limitare a curentului de sarcin IS.
Chiar dac are loc o limiatre a curentului de sarcin, puterea disipat de tranzistorul
regulator Q1 poate fi excesiv de mare i Q1 se poate distruge. Situaia cea mai defavorabil este
n caz de scurtcircuit la mas a ieirii, cnd toat tensiunea de intrare cade pe tranzistor
(UCE(Q1)=UIN).
Dac se presupune c tensiunea de deschidere a jonciunii baz-emitor a lui Q2 este de
0,65V i se cunoate valoarea rezistenei RP, curentul limit ISlim este dat de relaia:
0,65V
I S lim =
(7.88)
RP
Valoarea de curent calculat cu relaia (7.88) este valabil i n caz de scurtcircuit la ieire
(ISlim=ISC).
Caracteristica extern din fig. 7.26, b, numit caracteristic de protecie rectangular,
este proprie unui stabilizator de tensiune cu limitare de curent.

a)

b)

Fig. 7.26. Protecia prin limitare. (a) schema circuitului de protecie.


(b) caracteristica de protecie
De exemplu dac RP are valoarea de 1, rezult ISlim=ISC=0,65A.
n caz de scurtcircuit puterea disipat de tranzistorul regulator este:
Pd (Q1) U IN I SC

(7.89)

deoarece UO=0.
De exemplu dac UIN=30V i ISC=1A, atunci n caz de scurtcircuit la ieire, tranzistorul
regulator trebuie s disipe 30W, ceea ce n cazul unui radiator subdimensionat sau dimensionat
greit doar pentru funcionarea normal a stabilizatorului (cnd tensiunea colector-emitor a
tranzistorului regulator este egal cu UIN-UO<UIN), poate duce la distrugerea tranzistorului serie
prin ambalare termic.
O protecie mai eficient este cea numit protecie prin ntoarcerea caracteristicii,
deoarece n acest caz puterea disipat de tranzistorul regulator scade dac apare un scurtcircuit la
ieire fa de situaia de funcionare normal.
Circuitul de limitare foreaz curentul de scurtcircuit ISC s aib o valoare mai mic dect
curentul limit ISmax care declaneaz procesul de protecie.
147

n fig. 7.27, a se prezint un circuit de protecie prin ntoarcerea caracteristicii, alctuit


din tranzistorul de protecie Q2, rezistorul de sesizare a curentului de suprasarcin, RP i
rezistoarele RA i RB.
Dac se neglijeaz curentul de baz al tranzistorului Q2, tensiunea UA se scrie:
RB
UA =
UB
(7.90)
R A + RB
iar tensiunea UB depinde de tensiunea de ieire i de cderea de tensiune pe rezistena de
protecie RP:
U B = U O + RP I S
(7.91)
Conform schemei din fig. 7.27, a, tensiunea baz-emitor a tranzistorului Q2 este:
U BE = U A U O
(7.92)
Dup nlocuirea relaiilor (7.90) i (7.91) n (7.92), se obine:
RB RP
RA
U BE =
IS
UO
(7.93)
R A + RB
R A + RB
Dac n aceast relaie se nlocuiete UBE cu 0,65V se obine valoarea maxim a curentului de
sarcin, ISmax, la care se declaneaz procesul de protecie:
R + RB
RA
(7.94)
I S max = A
0,65V +
UO
RB RP
RB RP
n caz de scurtcircuit, tensiunea de ieire devine egal cu zero. Dac n relaia (7.94) se face
nlocuirea UO=0, se poate determina valoarea curentului de scurtcircuit:
R + RB
I SC = A
0,65V
(7.95)
RB RP
Comparnd relaiile (7.94) i (7.95) se observ c ISC<ISmax. Caracteristica de protecie se
prezint n fig. 7.27, b.

a)

b)

Fig. 7.27. Protecia prin ntoarcerea caracteristicii. (a) schema circuitului de protecie.
(b) caracteristica de protecie

7.2.2. Circuite neliniare


Circuitele neliniare se caracterizez prin absena buclei de reacie pentru unele sau toate
regiunile de funcionare sau chiar prezena reaciei pozitive. n aceste condiii, cele dou tensiuni
individuale de intrare ale AO pot avea valori mult diferite.
La unele circuite neliniare, pe unele poriuni ale domeniului de funcionare, se nchide o
bucl de reacie negativ, caz n care tensiunile individuale de pe intrrile AO se pot considera
egale, dar conin i regiuni de lucru n care bucla se desface i nu se mai poate menine condiia
de egalitate a tensiunilor de pe intreile AO.

148

La alte circuite neliniare, pentru anumite condiii de funcionare, ieirea poate fi ntr-una
din cele dou stri de saturaie (pozitiv sau negativ) i chiar dac circuitul conine reacie
negativ, funcionarea lui se consider neliniar deoarece ieirea este saturat.

7.2.2.1. Circuite de logaritmare i exponeniere


n blocurile de logaritmare i exponeniere se folosesc amplificatoare operaionale n
configuraii inversoare care exploateaz caracterul exponenial al relaiei:
i
(7.96)
u BE = U T ln( C ) ,
IS
unde UT reprezint tensiunea termic (0,026V la temperatura T=300K) iar IS este curentul de
saturaie al jonciunii baz-emitor.
Circuitul de logaritmare are schema de principiu reprezentat n fig. 7.28, a. Tensiunea de
ieire se scrie:
I
U
U O = U BE = U T ln C = U T ln IN ;
(7.97)
IS
RI S
Circuitul de exponeniere are schema de principiu din figura 7.28, b. Tensiunea de ieire are
expresia:
U IN
U O = RI S exp(
);
(7.98)
UT

a)

b)

Fig. 7.28. Circuitele de logaritmare (a) i exponeniere (b) realizate cu AO

7.2.2.2.

Redresoare de precizie

Redresarea este fie procesul prin care c se elimin una dintre alternanele unui semnal
alternativ (ori cea pozitiv, ori cea negativ - la redresorul monoalternan), fie procesul prin
care toate poriunile semnalului variabil situate de o parte a lui zero se inverseaz i se obine un
semnal cu o singur polaritate (redresorul dubl alternan).
Obinerea cu precizie ridicat a valorii medii redresate a unei tensiuni alternative,
folosind mijloace convenionale, nu este posibil dac amplitudinea acesteia este mai mic sau
de acelai ordin de mrime cu tensiunea de deschidere a diodei semiconductoare folosite (0,2V
pn la 0,6V). Reducerea substanial a tensiunii de deschidere (i anume de a ori, unde a
reprezint amplificarea n bucl deschis a AO) i liniarizarea caracteristicii diodei se poate
obine prin introducerea ei n bucla de reacie a unui AO. n acest fel, ansamblul diodamplificator constituie o diod de precizie.

149

7.2.2.2.1. Redresorul de precizie monoalternan saturat

Cel mai simplu circuit utilizat pentru redresarea unei singure alternane a tensiunii
alternative uin, este prezentat n fig.7.29, a.

a)

b)

Fig. 7.29. Redresorul de precizie monoalternan saturat. (a) Schema redresorului.


(b) Caracteristica de transfer
n semiperioada pozitiv a tensiunii de intrare, uin>0, tensiunea diferenial de intrare este
pozitiv i face ca i tensiunea de ieire a AO s fie tot pozitiv. Pentru valori ale tensiunii de
intrare mai mici dect tensiunea de deschidere a diodei D, bucla de reacie este deschis i
tensiunea de ieire a AO tinde s creasc cu vitez mare spre valoarea pozitiv de saturaie. n
momentul n care se atinge pragul de deschidere a diodei, bucla de reacie se nchide,
amplificatorul funcioneaz ca repetor de tensiune, iar tensiunea de ieire uo este replica celei de
intrare. n aceste condiii, tot timpul tensiunea de la ieirea AO care asigur egalitatea uo=uin
este:
u o , AO u o + 0,7 V
(7.99)
dac se consider cderea de tensiune direct pe diod egal cu aproximativ 0,7V.
Pentru semiperioada negativ a tensiunii de intrare, uin <0, tensiunea de la ieirea AO este
negativ, u o , AO 0 . Dioda este polarizat invers (blocat), bucla de reacie este ntrerupt, AO este
saturat (la ieirea lui se msoar tensiunea de saturaie -Usat), iar tensiunea de ieire a
redresorului este practic nul.
Caracteristica de transfer a redresorului din fig. 7.29, b evideniaz o liniaritate foarte
bun, deoarece AO compenseaz, prin reacie, caracteristica neliniar a diodei. Liniaritatea se
menine i pentru valori foarte mici ale tensiunii de intrare.
Matemetic, caracteristica de transfer se exprim astfel:
u o = u in pentru u in 0
(7.100)
u o = 0 pentru u in 0
Redresorul monoalternan saturat este un exemplu de circuit neliniar la care ntr-o regiune de
funcionare ( u in 0 ) funcionarea este liniar, iar n alta ( u in 0 ) AO lucreaz neliniar (saturat). n
prima regiune se poate menine presupunerea u + = u (egalitatea tensiunilor individuale de la
intrrile AO). n a doua regiune de funcionare, tensiunile de pe cele dou intrri vor fi mult
diferite. Din acest motiv trebuie avut grij s se respecte valoarea maxim a tensiunii difereniale
de intrare pentru tipul de AO utilizat.
Din cauza saturaiei negative a ieirii AO rspunsul n frecven este limitat.
Dac dioda D se conecteaz invers, zona liniar se mut din cadranul I n cadranul III al
caracteristicii de transfer.
7.2.2.2.2. Redresorul de precizie monoalternan nesaturat

Eliminarea dezavantajului saturrii AO este asigurat de varianta inversoare pentru


redresarea unei singure alternane, circuit prezentat n fig. 7.30, a.
Pentru semiperioada pozitiv a tensiunii de intrare uin, tensiunea diferenial de intrare
fiind negativ i tensiunea de la ieirea AO devine negativ. n acest caz dioda D1 este blocat,
150

bucla de reacie se nchide prin D2, tensiunea u o , AO de la ieirea AO este negativ i egal cu
cderea de tensiune pe dioda D2 (aproximativ -0,7V), iar tensiunea de la ieirea circuitului, uo,
este nul.
Pentru semiperioada negativ a tensiunii de intrare uin, tensiunea de ieire a AO devine
pozitiv, dioda D1 este polarizat direct i conduce, iar dioda D2 este blocat. Circuitul
funcioneaz ca un inversor cu o diod polarizat direct i conectat n bucla de reacie. Reacia
va fora ca tensiune de la ieirea redresorului, uo, s fie de (-R2/R1) ori mai mare dect uin iar
u o , AO va avea valoarea necesar meninerii diodei D1 n conducie.
Expresiile matematice care descriu aceast funcionare sunt:
u o = 0 pentru u in 0
(7.101)

R2
u in pentru u in 0
R1
Tensiunea u o , AO de la ieirea AO este:
uo =

u o,AO 0,7 V pentru u in 0


(7.102)

R2
u in + 0,7 V pentru u in 0
R1
Caracteristica de transfer a redresorului se prezint n fig.7.30, b.
u o , AO

a)

b)

Fig. 7.30. Redresorul de precizie monoalternan nesaturat. (a) Schema redresorului.


(b) Caracteristica de transfer
Caracterul inversor al circuitului se poate corecta prin conectarea unui amplificator
inversor suplimentar la ieirea redresorului.
Deoarece AO lucreaz nesaturat, caracteristica de frecven a redresorului inversor este
mai bun dect n cazul redresorului saturat.

7.2.2.2.3. Redresorul dubl alternan nesaturat


Acest redresor se mai ntlnete i sub denumirea de circuit de valoare absolut (de
modul).
Schema circuitului se prezint n fig. 7.31, a. Circuitul realizat n jurul amplificatorului
AO1 reprezint un redresor monoalternan nesaturat, de tipul celui din fig. 7.30, a. Circuitul
realizat cu AO2 este un sumator inversor.
Pentru uin<0, tensiunea uA=0. La una din cele dou intrri ale sumatorului se aplic o
tensiune nul iar la cealalt tensiunea de intrare uin. Dac amplificarea corespunztoare acestei
intrri este egal cu -1, la ieire se obine uo= -uin. Deoarece uin <0, uo va fi pozitiv. Funcionarea
corespunde cadranului II de pe caracteristica de transfer din fig. 7.31, b.
Pentru uin>0, tensiunea de la ieirea redresorului realizat cu AO1 este uA= -uin, deoarece
rezistoarele sunt egale. n aceast situaie pe una dintre intrrile sumatorului apare tensiunea uA,
amplificarea corespunztoare acestei intrri fiind -2. Pe cealalt intrare apare, la fel ca mai
nainte, tensiunea uin. Tensiunea de la ieirea sumatorului se va scrie:

151

u o = u in 2u A = u in 2(u in ) = u in
Situaia uin >0, uo>0 corespunde cadranului I de pe caracteristica de transfer.
Matematic, redresorul se poate caracteriza cu ajutorul relaiilor:
u o = u in pentru u in 0

u o = u in pentru u in 0

a)

(7.103)

b)

Fig. 7.31. Redresorul de precizie dubl alternan nesaturat. (a) Schema redresorului.
(b) Caracteristica de transfer

7.2.2.3.

Comparatoare

Comparatoarele sunt circuite neliniare care produc la ieire dou nivele de tensiune,
dependente de nivelul semnalului de intrare. Astfel, sub o anumit valoare a semnalului de
intrare, numit de prag, la ieire se obine unul dintre cele dou nivele iar dac semnalul de
intrare depete puin valoarea de prag, ieirea comut n cellalt nivel. In cazul
comparatoarelor realizate cu AO, cele dou nivele de ieire sunt tensiunile de saturaie.
Comparatoarele sunt elementele principale n sistemele de conversie analog-numeric i
numeric-analogic. Se folosesc, de asemenea, la realizarea oscilatoarelor i a generatoarelor de
forme de und.
Cele mai bune performane ale funciei de comparator se obin cu ajutorul circuitelor
integrate proiectate i optimizate special pentru acest scop. n implementarea funciei de
comparare, se pot utiliza i amplificatoare operaionale obinuite. Funcionarea acestor
comparatoare se poate nelege mai uor, deoarece structura lor este mai simpl dect cea a
comparatoarelor specializate.
Comparatoarele realizate cu AO se mpart n:
comparatoare n bucl deschis i
comparatoare cu reacie pozitiv (trigger Schmitt).

7.2.2.3.1. Consideraii despre mrimea tensiunii de intrare


Comparatoarele realizate cu AO au la ieire dou nivele care pot fi tensiunile de saturaie.
Din aceast cauz tensiunile individuale de intrare pot fi mult diferite ntre ele. De aceea trebuie
s nu se depeasc valorile maxime admisibile ale tensiunilor individuale aplicate pe intrri
precum i ale tensiunii de intrare difereniale care ar putea s apar pentru o anumit configuraie
de circuit.
Astfel, la AO de tipul 741, valorile maxime ale tensiunilor individuale aplicate la intrri
sunt egale cu 15V, pentru o alimentare simetric de 15V, iar valoarea maxim a tensiunii de
intrare difereniale este de 30V. n cazul unor tensiuni de alimentare mai mici, tensiunile
individuale maxime de intrare trebuie s nu depeasc valorile tensiunilor de alimentare iar
tensiunea de intrare diferenial maxim se va considera egal cu dublul tensiunii de alimentare.

152

7.2.2.3.2. Caracteristica de transfer


Orice circuit electric care are un singur semnal de intrare i un singur semnal de ieire se
poate descrie grafic cu ajutorul funciei de transfer. Acest grafic arat care sunt valoarile
semnalului de ieire pentru orice valoare a semnalului de intrare.
Circuitele liniare, tratate pn n acest moment, au avut pentru funcia de transfer o relaie
matematic destul de simpl i de aceea nu a fost nevoie s se utilizeze caracteristicile de transfer
dect n cazuri foarte rare.
Multe circuite neliniare prezint un numr mare de salturi abrupte ale pantei care,
matematic, se descriu foarte greu iar n cazul unor circuite neliniare aceast descriere matematic
este chiar imposibil. Din acest motiv, pentru analiza circuitelor neliniare, este util s se utilizeze
caracteristicile de transfer, de multe ori acestea fiind singurul mod de descriere a funcionrii
circuitului neliniar.

7.2.2.3.3. Comparatoare n bucl deschis


Cele mai simple comparatoare sunt cele care lucreaz fr bucl de reacie, motiv pentru
care se numesc comparatoare n bucl deschis. n funcie de mrimea tensiunii de ieire,
comparatoarele n bucl deschis se mpart n:
comparatoare saturate, la care tensiunea de ieire atinge nivelele de saturaie i
comparatoare nesaturate, la care tensiunea de ieire este mai mic dect cea de
saturaie.
Comparatoarele saturate au rspunsul n timp mai lent dect cele nesaturate, ceea ce
constituie o limitare n aplicaii. Viteza de comutare se poate crete prin utilizarea unor tehnici
speciale de limitare a tensiunii de ieire a comparatorului sub nivelul de saturaie, aspect ntlnit
la comparatoarele nesaturate.
Comparatoarele, indiferent dac sunt saturate sau nu, se mai pot mpri n:
comparatoare neinversoare
comparatoare inversoare.
Tipul de comparator se apreciaz dup urmtoarea regul:
comparatorul este neinversor, dac ieirea trece n starea nalt (saturaia pozitiv)
atunci cnd semnalul de intrare depete un anumit nivel de prag;
comparatorul este inversor, dac ieirea trece n starea joas (saturaia negativ)
atunci cnd semnalul de intrare depete un anumit nivel de prag.

7.2.2.3.3.1. Comparatorul neinversor saturat


Schema unui astfel de comparator se prezint n fig.7.32, a. Semnalul de intrare se aplic
pe intrarea neinversoare iar intrarea inversoare se conecteaz la mas. Dac tensiunea de intrare
este pozitiv, uin>0, atunci i tensiunea de intrare diferenial este pozitiv i ieirea trece n
valoarea pozitiv de saturaie. Deoarece amplificarea n bucl deschis a AO este foarte mare, o
valoare pozitiv a tensiunii de intrare de civa microvoli determin comutarea ieirii n saturaia
pozitiv. De exemplu, n cazul AO de tipul 741, dac Usat=13V i a=200.000, este nevoie de o
13V
tensiune de intrare (de prag) egal cu
= 65V pentru a determina ieirea s treac n
200000
saturaia pozitiv.
Dac uin<0, atunci att tensiunea de intrare diferenial ct i cea de ieire sunt negative,
ieirea comutnd n saturaia negativ. Pentru a avea loc aceast comutare este suficient o
valoare negativ foarte mic. n cazul amplificatorului operaional de tipul 741, dac Usat= -13V
i a=200.000, rezult c tensiunea de prag este -65V.
Practic, valoarea tensiunii de intrare la care are loc comutarea fiind att de mic, se poate
considera c tranziia are loc pentru uin=0.
Matemetic, funcionarea comparatorului neinversor saturat se descrie cu ajutorul
relaiilor:
153

u o = +U sat pentru u in 0
(7.104)

u o = U sat pentru u in 0
unde se subnelege c totui, pentru ca ieirea s comute, la intrarea comparatorului trebuie s se
aplice o tensiune pozitiv sau negativ, de valoare foarte mic.
Caracteristica de transfer a circuitului se prezint n fig.7.32, b. Graficul arat c n
momentul n care tensiunea uin devine uor pozitiv, tensiunea de ieire trece n valoarea pozitiv
de saturaie. Regimul de lucru se afl n cadranul I (uin>0, uo>0). Asemntor, dac tensiunea uin
devine uor negativ, cea de ieire trece n valoarea negativ de saturaie i regimul de lucru se
afl n cadranul III (uin<0, uo<0), n concordan cu relaiile (7.104).

a)

b)

Fig. 7.32. Comparatorul neinversor saturat. (a) Schema comparatorului.


(b) Caracteristica de transfer

7.2.2.3.3.2. Comparatorul inversor saturat


Circuitul din fig. 7.28 se transform ntr-un comparator inversor dac intrarea
neinversoare se leag la mas iar semnalul se aplic pe intrarea inversoare (fig.7.33, a).
n acest caz este valabil acelai mod de analiz ca cel aplicat comparatorului neinversor,
cu deosebirea c o mic tensiune de intrare pozitiv trece ieirea n saturaia negativ iar o
tensiune de intrare negativ trece ieirea n saturaia pozitiv. Funcionarea se poate descrie
matematic cu relaiile:
u o = U sat pentru u in 0
(7.105)

u o = +U sat pentru u in 0
Caracteristica de transfer se prezint n fig.7.33, b. n acest caz se observ c funcionarea are loc
n cadranele II (uin<0, uo>0) i IV (uin>0, uo<0).

a)

b)

Fig. 7.33. Comparatorul inversor saturat. (a) Schema comparatorului.


(b) Caracteristica de transfer

7.2.2.3.3.2.1. Schimbarea pragului de comutare


Cele dou tipuri de comparatoare analizate anterior au pragul de comutare egal cu zero
voli. Dac n exemplele precedente, se deconecteaz intrarea legat la mas i pe acest terminal
se aplic o tensiune de polarizare, numit i tensiune de referin, se poate stabili o valoare
arbitrar a pragului de comutare, diferit de zero. n funcie de polaritatea tensiunii de referin i
154

terminalul amplificatorului la care se conecteaz aceast tensiune, sunt posibile patru combinaii.
Analiza se face n funcie de urmtoarele proprieti:
cnd tensiunea diferenial de intrare este pozitiv, tensiunea de ieire trece n valoarea
corespunztoare saturaiei pozitive;
cnd tensiunea diferenial de intrare este negativ, tensiunea de ieire trece n
valoarea corespunztoare saturaiei negative.
Deoarece tensiunea de intrare diferenial reprezint, prin definiie, diferena dintre tensiunea
individual aplicat pe intrarea neinversoare i tensiunea individual aplicat pe intrarea
inversoare, proprietile enunate mai sus se pot exprima i sub forma:
dac valoarea tensiunii de la intrarea neinversoare este mai pozitiv dect cea de la
intrarea inversoare, atunci ieirea trece n saturaia pozitiv;
dac valoarea tensiunii de la intrarea neinversoare este mai mai negativ dect cea de
la intrarea inversoare, atunci ieirea trece n saturaia negativ;

7.2.2.3.3.3.

Comparatorul neinversor cu polarizare pozitiv

Se consider circuitul din fig.7.34, a.


Pe intrarea neinversoare a AO se aplic semnalul uin, iar pe intrarea inversoare se aplic o
tensiune de polarizare de c.c., pozitiv, UP. Dac nivelul semnalului de intrare este mai mic dect
cel al tensiunii de polarizare, tensiunea de intrare diferenial va fi negativ i la ieire se va
obine tensiunea negativ de saturaie. Dimpotriv, dac tensiunea de intrare are nivel mai mare
dect tensiunea de polarizare, atunci tensiunea de intrare diferenial devine pozitiv i ieirea
trece n saturaia pozitiv.
Relaiile matematice care descriu situaiile prezentate mai sus arat astfel:
u o = U sat pentru u in U P
(7.106)

u o = +U sat pentru u in U P
Caracteristica de transfer se prezint n fig.7.34, b.

a)

b)

Fig. 7.34. Comparatorul neinversor cu tensiune de prag pozitiv. (a) Schema comparatorului.
(b) Caracteristica de transfer
7.2.2.3.3.4. Comparator inversor cu polarizare negativ
Circuitul acestui tip de comparator se prezint n fig.7.35, a. n acest caz pe intrarea
neinversoare se aplic tensiunea de polarizare negativ iar semnalul se aduce la borna inversoare.
Cnd semnalul de intrare este mai negativ dect valoarea tensiunii de polarizare, tensiunea
diferenial de intrare devine pozitiv i ieirea trece n saturaia pozitiv. Invers, cnd semnalul
de intrare devine mai pozitiv dect tensiunea de polarizare, tensiunea diferenial devine negativ
i ieirea trece n saturaia negativ.
Exprimarea matematic a celor prezentate se face cu ajutorul relaiilor:
u o = +U sat pentru u in U P
(7.107)

u
U
pentru
u
U
=

sat
in
P
o
Caracteristica de transfer se prezint n fig.8.35, b.
155

a)

b)

Fig. 7.35. Comparatorul inversor cu tensiune de prag negativ. (a) Schema comparatorului.
(b) Caracteristica de transfer

7.2.2.3.3.5. Circuite formatoare de semnal


Comparatoarele descrise pn n acest moment se pot folosi n diferite aplicaii de
formare a semnalului. De exemplu, unde periodice sinusoidale sau triunghiulare se pot converti
cu ajutorul comparatoarelor n impulsuri dreptunghiulare. Comparatoare pot genera varianta
curat a unor impulsuri de date, transmise n medii zgomotoase i degradate de sistemele de
transmisie a datelor. Att timp ct se pstreaz trecerile prin zero ale semnalului care trebuie
refcut, se poate construi o versiune nou a acestui semnal, fr zgomot i distorsiuni.
Pentru a gsi pragul de comutare, n exemplul 7.6, se vor utiliza caracteristicile de
transfer ale comparatoarelor care intervin n fiecare exemplu.
Datorit vitezei limitate de variaie a semnalului de la ieirea AO (SR), pentru intrarea i
ieirea din saturaie se consum un anumit timp. In exemplul 7.6 se consider c semnalele au
frecvena suficient de joas pentru ca timpul de tranziie s fie neglijabil n comparaie cu
perioada semnalelor.

7.2.2.3.4.

Comparatoare nesaturate

O soluie de cretere a vitezei de comutare const n evitarea saturrii AO, o soluie


posibil prezentndu-se n fig. 7.36. Cele dou diode Zener, montate n opoziie, trebuie s
reziste la curentul maxim furnizat de AO.
Soluia de circuit pentru evitarea saturrii AO se poate aplica la oricare din schemele
analizate anterior.

Fig. 7.36. Comparatorul nesaturat

7.2.2.4. Comparatoare cu reacie pozitiv


Comparatoarele cu reacie pozitiv se mai numesc i circuite trigger Schmitt. Reacia
pozitiv are ca efect apariia histerezisului, n urma cruia punctul de tranziie din starea joas n
starea nalt este diferit de punctul de tranziie din starea nalt n starea joas. Altfel spus,
procesul de tranziie este sensibil la sensul de comutare a intrrii.
Ce avantaje aduce histerezisul? Mai nti, prin histerezis se elimin tranziiile nedorite,
datorate unor semnale de zgomot false. n al doilea rnd, datorit reaciei pozitive, procesul de
comutare se poate accelera. n al treilea rnd, efectul de histerezis este avantajos n cazul unor
generatoare de forme de und.
156

7.2.2.4.1. Triggerul Schmitt inversor


Forma saturat inversoare a triggerului Schmitt se prezint n fig. 7.37, a. Divizorul
rezistiv R1, R2 determin la intrarea neinversoare o tensiune proporional cu tensiunea de ieire
i numit tensiune de prag, UP. Aplicnd regula divizorului de tensiune n situaia saturrii ieirii
AO, tensiunea de prag are expresia:
R1
UP =
U sat
(7.108)
R1 + R2
Dac ieirea AO se afl n saturaia pozitiv, adic uo = +U sat , atunci tensiunea de pe intrarea
neinversoare va fi u + = +U P iar la saturaie negativ, cnd uo = U sat , se obine u + = U P .
Principiul de funcionare
Se presupune, iniial, c circuitul se afl n starea corespunztoare poriunii din stnga
caracteristicii, notat cu A (fig. 7.37, b), situaie n care uo = +U sat , u + = +U P iar tensiunea de
intrare, ui este negativ. Tensiunea diferenial este pozitiv i circuitul rmne n starea de
saturaie pozitiv. Pentru ca tensiunea de intrare diferenial s schimbe de semn, trebuie ca ui s
treac un pic peste valoarea +UP. Acest fapt s-a indicat prin sgeile orientate spre dreapta pe
palierul orizontal notat cu A.

a)

b)

Fig. 7.37. Triggerul Schmitt inversor. (a) Schema comparatorului.


(b) Caracteristica de transfer
n momentul n care tensiunea de intrare atinge (i depete uor) tensiunea de prag,
tensiunea de ieire a AO ncepe s scad. Scade, de asemenea i tensiunea de pe intrarea
neinversoare, deoarece ea reprezint mereu o fraciune din tensiunea de ieire. Tensiunea de
intrare diferenial va crete, accentund procesul de comutare a ieirii. Tensiunea de ieire se
schimb de la +Usat la -Usat, dup linia notat cu B, ntr-un timp scurt, limitat de SR-ul
amplificatorului. Orice cretere ulterioar a tensiunii de intrare nu determin dect deplasarea
punctului de funcionare pe palierul orizontal al caracteristicii de transfer, notat cu C. Tensiunea
de ieire va fi uo = U sat iar tensiunea de pe intrarea neinversoare va deveni u + = U P .
Pentru ca ieirea AO s revin la starea iniial, uin trebuie s ating o valoare uor mai
negativ dect -UP. Astfel, punctul de funcionare trebuie s se deplaseze pe orizontala C spre
stnga i s ajung n punctul de abscis -UP. n acest punct, tensiunea de intrare diferenial
schimb de semn, ieirea revenind la saturaia pozitiv, de-a lungul liniei notat cu D. Orice
scdere n continuare a tensiunii de intrare va determina doar deplasarea punctului de funcionare
de-a lungul dreptei A, spre stnga caracteristicii.

7.2.2.4.2. Triggerul Schmitt neinversor


Circuitul corespunztor unui trigger Schmitt neinversor se prezint n fig. 7.38, a. La
acest tip de comparator, tensiunea de pe intrarea neinversoare este o combinaie liniar ntre
tensiunea de intrare, uin i tensiunea de ieire, uo. Pentru a determina expresia tensiunii de pe
intrarea neinversoare, se aplic principiul superpoziiei. Se presupune c u1+ reprezint
157

contribuia lui uin la tensiunea u+, iar u2+ este contribuia lui uo. Componenta u1+ se determin
considernd u o = 0 . Rezult:
R2
u in
(7.109)
R1 + R2
Pentru a determina componenta u2+ se pasivizeaz sursa uin i se nlocuiete cu un scurtcircuit (se
presupune c sursa uin este ideal). Rezult:
R1
u 2+ =
uo
(7.110)
R1 + R2
Prin suprapunerea de efecte, tensiunea u+ se scrie:
R2
R1
u + = u1+ + u 2+ =
u in +
uo
(7.111)
R1 + R2
R1 + R2
Pentru a determina tensiunea de prag se observ urmtoarele:
pentru ca ieirea AO s se afle n starea de saturaie pozitiv trebuie ca tensiunea
individual de pe intrarea neinversoare s ndeplineasc condiia u + 0 ;
pentru ca ieirea s fie n saturaia negativ trebuie ca u + 0.
u1+ =

a)

b)

Fig. 7.38. Triggerul Schmitt neinversor. (a) Schema comparatorului.


(b) Caracteristica de transfer
Pe caracteristica de transfer din fig. 7.38, b se vede c pentru un punct aflat pe dreapta A
(extrema stng), uo = U sat , tensiunea uin fiind i ea tot negativ. Deoarece att uin ct i uo sunt
negative, din relaia (7.111) rezult c i tensiunea individual de pe intrarea neinversoare este
tot negativ. n relaia (7.111), fcnd substituia uo = U sat , expresia lui u+ devine:
R2
R1
u+ =
u in
U sat
(7.112)
R1 + R2
R1 + R2
Pentru ca ieirea s-i modifice starea, tensiunea u+ trebuie s devin pozitiv. Punnd condiia
u + 0 n relaia (7.112) se obine, dup prelucrarea relaiei, condiia:
R
u in 1 U sat
(7.113)
R2
Se poate acum defini i tensiunea de prag a acestui tip de comparator:
R
U P = 1 U sat
(7.114)
R2
Astfel, tensiunea de intrare trebuie s devin uor mai pozitiv dect tensiunea de prag pentru ca
circuitul s-i modifice starea, fapt indicat de sgeile orientate spre dreapta pe linia A de pe
fig.7.38, b.
Dup ce tensiunea de intrare a depit cu o mic valoare tensiunea de prag, ieirea se
modific i devine egal cu +Usat, tranziia avnd loc de-a lungul liniei notat cu B. Orice
158

cretere ulterioar a tensiunii de intrare nu mai modific ieirea ci doar poziia punctului de
funcionare de pe orizontala C (punctul de funcionare se deplaseaz spre dreapta).
Pentru a determina condiia de comutare napoi n starea de saturaie negativ, n relaia
(7.111) se face substituia uo = +U sat i rezult:
R2
R1
(7.115)
u+ =
u in +
U sat
R1 + R2
R1 + R2
Revenirea n saturaia negativ are loc pentru u+ negativ. Punnd n relaia (7.115) condiia u + 0
se obine:
R
(7.116)
u in 1 U sat
R2
astfel c tensiunea de prag negativ are expresia:
R
U P = 1 U sat
(7.117)
R2
Pentru ca ieirea s comute n starea negativ de saturaie, punctul de funcionare trebuie s se
deplaseze spre stnga pe orizontala C. Pentru o tensiune uor mai negativ dect -UP, ieirea
scade la -Usat de-a lungul dreptei D. Orice scdere ulterioar a tensiunii de intrare nu mai
modific ieirea ci doar poziia punctului de funcionare de pe orizontala A. Punctul de
funcionare se deplaseaz spre stnga i se ajunge n punctul din care a pornit analiza acestui
comparator.

7.3. PROBLEME
Exemplul 7.1 Se presupune amplificatorul inversor din figura 7.39.a.
a) S se determine valoarea amplificrii n bucl nchis, A=uo/uin;
b) Considernd c tensiunile de alimentare sunt de 15V iar cele de saturaie,
Usat=13V, s se determine valoarea maxim (de vrf) a semnalului de intrare pentru care AO
mai lucreaz liniar;
c) S se determine valorile tensiunii de ieire uo pentru fiecare din urmtoarele valori ale
tensiunii de intrare: 0V; -0,5V; 0,5V; 1V; -2V;
d) Dac ntre borna de ieire i mas se conecteaz o rezisten de sarcin RS = 2k, s se
determine curentul de ieire al AO pentru uin= -1V i apoi pentru uin =1,3V.
Rezolvare:
a) amplificarea n bucl nchis este:
R
100k
A= 2 =
= 10
(7.118)
10k
R1
Semnul minus arat faptul c tensiunea de ieire este de semn opus fa de cea de intrare (ntre
cele dou tensiuni exist un defazaj de 180).
b) Valoarea maxim a tensiunii de intrare pentru care ieirea AO se satureaz este:

U
13V
= 1,3V
(7.119)
u in = sat =
A
10
Rezultatul este valabil pentru ambele polariti ale semnalului de intrare. Deci funcionarea
liniar are loc dac amplitudinea semnalului de intrare se modific ntre -1,3V i +1,3V.

159

RS

a.
b.
Fig. 7.39. Circuitul pentru exemplul 7.1 (a) Schema circuitului.
(b) Circuitul utilizat pentru determinarea curentului de ieire al AO, cnd Uin=-1V
c) Pentru a calcula valorile tensiunii de ieire n funcie de diferitele valori ale tensiunii
de intrare se nmulete fiecare valoare a tensiunii de intrare cu valoarea amplificrii n bucl
nchis:
u o = Au in = 10u in
(7.120)
Rezultatele pentru primele patru valori ale tensiunii de intrare se trec n tabelul de mai jos:
uin (V)
0
-0,5
0,5
1

uo (V)
0
+5
-5
-10

Se observ c uo=0 cnd uin=0, deoarece s-a presupus AO ideal.


Pentru alte valori ale tensiunii de intrare, la ieire se obine o tensiune de 10 ori mai mare,
dar cu semn schimbat. Aceast schimbare de semn este elementul caracteristic amplificatorului
inversor.
Pentru uin=-2V, dac se folosete relaia (7.120), ar trebui s gsim la ieire valoarea de
+20V. Aceast valoare nu se poate atinge deoarece AO se satureaz iar tensiunea de saturaie
este de +13V. In aceast situaie tensiunea de intrare a depit valoarea de vrf corespunztoare
funcionrii liniare iar ecuaia (7.120) nu mai este valabil. Dac circuitul se folosete n aceste
condiii, rezultatele vor fi nemulumitoare. Semnalul de ieire va fi distorsionat, adic limitat la
valoarea de aproximativ +13V.
d) Pentru RS=2k i uin= -1V, circuitul are aspectul din figura 7.39.b.
Curentul total de ieire al AO, io, are dou componente: curentul prin sarcin i cel prin
reeaua de reacie.
Curentul de sarcin este:
u
10V
(7.121)
iL = o =
= 5 mA
RS
2k
A doua component a curentului io curge spre mas, prin reeaua de reacie. Deoarece
tensiunea de intrare este negativ, sensul pozitiv al acestui curent este spre mas. Tensiunea uin
apare la bornele rezistorului R1, astfel c se obine:
u i n 1V
iin =
=
= 0,1mA
(7.122)
R1
10k
i curentul total de ieire devine:
io = i L + iin = 5 + 0,1 = 5,1mA
(7.123)
Pentru uin=1,3V, condiiile de circuit se prezint n figura 7.40.
Calculnd asemntor ca mai sus se gsete:
io = 6,63mA
(7.124)
160

RS
Fig. 7.40. Circuitul utilizat pentru determinarea

curentului de ieire al AO, dac Ui=1,3V


Analiznd cele dou situaii de la subpunctul d), se observ c pentru o valoare dat a
tensiunii de intrare cele dou componente ale curentului de ieire al AO au acelai sens n raport
cu borna de ieire a AO i c amplitudinea lor crete odat cu mrirea amplitudinii semnalului de
intrare. Astfel se poate estima valoarea maxim a curentului de ieire al AO n funcie de
valoarea de vrf a tensiunii de intrare.
Dac semnalul de intrare este simetric atunci se obin cureni de ieire care au sensuri
opuse i valori egale pentru cele dou semialternane ale semnalului de intrare. Dac semnalul de
intrare este nesimetric, atunci valoarea maxim a curentului de ieire se apreciaz pentru
semialternana cu amplitudinea mai mare. Pentru ca AO s nu se distrug este important s nu
se depeasc valoarea maxim admis a curentului de ieire pentru AO utilizat.
In acest exemplu valoarea curentului prin reeaua de reacie este mic i este bine s fie
aa. Dac rezistenele din circuitul de reacie au valori mici, atunci componenta curentului de
ieire a AO, corespunztoare reelei de reacie, poate deveni excesiv de mare i poate bloca AO
(intr n aciune circuitele de limitare a curentului debitat de etajul de ieire al AO). In acest fel
valoarea curentului de ieire nu mai corespunde situaiei reale, de funcionare liniar, ci este
curentul de limitare.
Exemplul 7.2. Se presupune acelai AO, alimentat cu 15V dar n configuraie
neinversoare (figura 7.41). S se repete analiza din Exemplul 7.1.

a.
b.
Fig. 7.41. Circuitul pentru exemplul 2.2: a. Schema circuitului.
b. Circuitul utilizat pentru determinarea curentului de ieire al AO, cnd Uin=-1V
Rezolvare:
a) Amplificarea n bucl nchis este
R
90 k
A = 1+ 2 = 1+
= 10
(7.125)
R1
10 k
Mrimea amplificrii este aceeai ca n Exemplul 7.1 dar R2 este de valoare mai mic dect n
cazul analizat anterior.

161

b) Deoarece mrimea amplificrii este identic iar tensiunile de saturaie au aceleai


valori, rezult c valoarea maxim (de vrf) a semnalului de intrare pentru care AO mai lucreaz
liniar este identic cu cea din Exemplul 7.1, adic:

U
13V
= 1,3V
(7.126)
u in = sat =
10
A
c) Valorile tensiunii de ieire se determin cu relaia:
u o = Au in = 10u in
(7.127)
i sunt trecute n tabelul de mai jos:
uin [V]
0
-0,5
+0,5
+1
-2

uo [V]
0
-5
+5
+10
-13

Observaii

AO saturat

Primele patru cazuri corespund funcionrii liniare i au mrimile egale cu cele din
Exemplul 7.1, excepie fcnd faptul c ieirea nu mai este cu semn schimbat (ieirea este n faz
cu intrarea).
Pentru uin= -2V, ieirea se satureaz, obinndu-se -13V (tensiunea negativ de saturaie).
d) Pentru RS=2k i uin=-1V, condiiile de circuit se prezint n figura 7.42.
Curentul de ieire al AO se scrie:
io = i L + iin
(7.128)
unde
u
Au in 10V
iL = o =
=
= 5 mA
(7.129)
RS
RS
2 k
u
1V
iin = in =
= 0,1mA
(7.130)
R1 10k
i astfel, curentul total la ieirea AO va avea valoarea:
io = 5 + 0,1 = 5,1mA
(7.131)
Pentru valoarea maxim a tensiunii de intrare pentru care AO mai lucreaz liniar (uin=1,3V),
condiiile de circuit se prezint n fig. 7.42.
In acest caz AO furnizeaz un curent de ieire cu amplitudinea io=6,63 mA.

Fig. 7.42. Circuitul utilizat pentru determinarea


curentului de ieire al AO, dac Ui=1,3V
Consideraii privind alegerea valorii rezistoarelor
Ambele configuraii de baz realizate cu AO reprezint exemple de surse de tensiune
controlate n tensiune (STCU). In proiectarea unor astfel de circuite se pornete, de obicei, de la
valoarea necesar a amplificrii n bucl nchis, astfel nct pentru un nivel dat al semnalului de
intrare s se obin un semnal de ieire nedistorsionat. Se presupune c s-au ales AO i tensiunile
162

de alimentare astfel nct s se poat obine amplitudinea cerut pentru semnalul de ieire. De
exemplu, dac alimentarea se face cu 15V atunci ne putem atepta la un semnal maxim la ieire
de 13V. Dac presupunem c semnalul de intrare are amplitudinea de 200mV iar circuitul are
amplificarea n bucl nchis A=100 ar trebui s obinem un semnal de ieire cu amplitudinea de
0,2100=20V. Dac alimentarea este cea uzual de 15V, utilizatorul va fi profund dezamgit
deoarece semnalul de ieire va fi distorsionat i limitat la 13V. In astfel de situaii se crete
valoarea tensiunii de alimentare a AO, iar dac amplificatorul ales nu suport mrirea tensiunii
de alimentare, se schimb cu un alt tip care poate lucra la o tensiune de alimentare mai mare.
a) Amplificarea n bucl nchis pentru ambele configuraii depinde de raportul de
rezistene R2/R1. Dac se cere, de exemplu, ca acest raport s fie R2/R1=10, exist o mulime de
combinaii ale rezistenelor R1 i R2 care dau raportul 10. Se pune firesc ntrebarea: care este
raportul bun? Ca rspuns, se fac cteva comentarii cu caracter general:
dac valorile de rezistene sunt prea mici, gradul de ncrcare al AO i/sau al sursei de
semnal poate deveni excesiv de mare i se ajunge la o funcionare neliniar (sau chiar
mai ru);
n contrast, dac valorile de rezistene sunt prea mari, crete zgomotul termic i apare
la ieire o tensiune de decalaj din cauza curenilor de polarizare a intrrilor AO.
Astfel, din considerente practice se recomand ca domeniul rezonabil de variaie a
valorilor de rezistene, pentru majoritatea AO, s fie n limita 1k100k, cu cele mai multe
valori n domeniul 10k100k. Se pot ntlni ns i excepii, ceea ce s-a prezentat avnd
caracter orientativ.
b) Deoarece amplificarea n bucl nchis depinde de un raport de rezistene, poate apare
urmtoarea ntrebare: se poate crete orict acest raport pentru a se obine amplificri ct mai
mari? Raspunsul este NU, motivele se vor nelege mai trziu, dar iat cteva observaii:
pentru un circuit dat, cu ct valoarea amplificrii n bucl nchis, A, se apropie de cea
a amplificrii n bucl deschis, scade precizia cu care se determin A;
banda de frecven a rspunsului n bucl nchis scade pe msur ce A crete.
Din aceste motive, valorile amplificrii n bucl nchis se aleg mult mai mici dect cele
ale amplificrii n bucl deschis.
c) O alt problem o constituie impedana de intrare a circuitului. La configuraia
inversoare aceast impedan este egal cu R1, astfel c trebuie luat n considerare eventualul
efect de ncrcare pe care aceast rezisten l poate exercita asupra sursei de semnal. La
configuraia neinversoare, ideal, impedana de intrare este infinit i nu apar fenomene de
ncrcare a sursei de semnal.
d) Dup proiectarea circuitului se verific dac valoarea curentului de ieire a AO nu
depete valoarea maxim admisibil pentru tipul de AO folosit, aa cum s-a procedat n
exemplele 7.1 i 7.2.
In concluzie ntr-o proiectare simplificat a unui amplificator de semnal mic realizat
cu AO trebuie s in seama de urmtoarele:
1. Se verific dac n funcie de valorile tensiunilor de alimentare, domeniul dinamic al
AO ales este suficient pentru a se obine nivelul necesar al semnalului de ieire.
2. Ori de cte ori este posibil, valorile de rezistene se aleg n domeniul 1k (uzual
10k)100k.
3. Amplificarea n bucl nchis se limiteaz la valori mult mai mici dect amplificarea
n bucl deschis. Tipic, valoarea amplificrii n bucl nchis se menine sub valoarea
100.
4. Pentru cazul cel mai defavorabil se verific dac valoarea maxim a curentului de
ieire mai permite funcionarea liniar a AO.
Dac n serie cu intrarea neinversoare se conecteaz rezistena de compensare a curenilor
de polarizare a intrrilor AO, valoarea acesteia trebuie s reprezinte rezultatul conectrii n
163

paralel a rezistenelor R1 i R2. Problema se va detalia mai trziu. Pe moment este util de reinut
c este bine ca cele dou intrri ale AO s vad spre mas rezistene de valori egale. De aici
deriv condiia ca rezistena de compensare s reprezinte, ca valoare, R1 R2 .
Exemplul 7.3. Utiliznd rezistoare cu tolerana de 5% s se proiecteze un amplificator
inversor STCU care s aib amplificarea egal cu -10. Pentru a nu se ncrca sursa de semnal, se
impune ca impedana de intrare a montajului s nu fie mai mic de 10k. Nivelul semnalului se
presupune suficient de mare pentru ca zgomotul termic al rezistoarelor i curenii de polarizare a
intrarilor AO s nu constituie o problem, situaie n care valorile de rezistene pot fi de maxim
500k.
Rezolvare: Amplificarea cerut presupune R2/R1=10 i exist mai multe valori standard
de rezistene care satisfac acest raport.
Deoarece valoarea minim a impedanei de intrare este de 10k, valoarea rezistenei R1
nu poate fi mai mic de 10k. Valorile cele mai mici de rezisten care satisfac condiiile cerute
sunt R1=10k i R2=100k. Valorile maxime care rspund la constrngerile date sunt R1=47k
i R2=470k. Urmtoarele valori standard ar face ca R2 s depeasc valoarea maxim impus
de 500k.
Cu o bun aproximaie se poate alege setul de valori medii R1=22k i R2=220k.
Pentru rezistena de compensare a influenei curenilor de polarizare a intrrilor AO rezult
valoarea:
RR
R = R1 R2 = 1 2 = 20k
(7.132)
R1 + R2
i se afl ntre valorile standardizate i cu tolerana de 5%.
Utiliznd rezistene cu tolerana de 5% este posibil ca amplificarea real s difere de cea
cerut. Dac se impune ca amplificarea s fie precis exist dou posibiliti:
1. s se utilizeze rezistene cu toleran mai mic (de exemplu 1%);
2. s se utilizeze combinaii de rezistene fixe i rezistene ajustabile, valoarea exact a
amplificrii stabilindu-se dup efectuarea reglajelor. Pentru exemplul tratat, se poate
nlocui R2 cu o rezisten fix legat n serie cu un poteniometru semireglabil.
Exemplul 7.4. Se presupune c un proiectant nceptor trebuie s proiecteze un
amplificator la ieirea cruia semnalul s aib amplitudinea de 1V. Semanlul se preia de la un
traductor care furnizeaz n gol o valoare de vrf de 50mV i are impedana intern de 50k. Nu
conteaz dac semnalul este inversat sau nu. Proiectantul nu cunoate teorema lui Thvenin i
realizeaz circuitul din figura 7.43.
S se determine valoarea real a tensiunii de ieire furnizat de acest circuit.

Fig. 7.43. Circuitul pentru exemplul 7.4


Rezolvare: amplificarea de tensiune n bucl nchis a circuitului inversor din fig.7.43

este:
uo
100
=
= 20
(7.133)
5
u in
ceea ce nseamn c la ieire s-ar obine 1V dac la intrare s-ar aplica uin=50mV. Dar
proiectantul nu a inut seama de rezistena intern de 50k a sursei de semnal. Valoarea relativ
164
A=

mic a rezistenei de intrare a montajului inversor va ncrca excesiv sursa de semnal. Tensiunea
de intrare uin nu va fi de 50mV ci mult mai mic, din cauza divizorului de tensiune format din
rezistoarele Rg i R1, astfel c amplificarea real va fi:
R1
R
100k
Areal =
2 =
= 1,818
(7.134)
R1 + R g R1
5k + 50k
Problema nu se poate rezolva dect printr-o nou proiectare n care rezistena sursei se consider
ca parte component a rezistenei totale de intrare a circuitului iar pentru R2 se alege acea valoare
care asigur amplificarea cerut.
O soluie i mai bun este s se utilizeze un amplificator neinversor la care efectul de
ncrcare al sursei de semnal este minim.
Exemplul 7.5. Se presupune c ntr-o anumit aplicaie se cere un amplificator inversor
cu amplificarea reglabil ntre -2 i -12. Dac se dispune de un poteniometru cu valoarea de
100k, s se proiecteze circuitul care ndeplinete condiia cerut.

Fig. 7.44. Circuitul pentru exemplul 7.5


Rezolvare: Pentru a obine un amplificator inversor cu amplificare reglabil, fie R1 fie R2
trebuie s fie reglabile (parial sau n ntregime). Dac se alege rezistena R1 reglabil, atunci
impedana de intrare se modific la schimbarea amplificrii. Din acest motiv este mai corect s
se aleag rezistena R2 reglabil.
Rezult astfel schema din figura 7.44, unde R2 este format din poteniometrul P i
rezistena fix R2' , adic R2 = P + R2' .
In general amplificarea este A=-R2/R1 i se modific odat cu R2. Cnd cursorul
poteniometrului se afl n captul din dreapta, atunci R2 = R2' . Aceast situaie va corespunde la
o amplificare A=-2.
Cnd cursorul poteniometrului se afl n captul cellalt (n stnga), atunci
'
R2 = R2 + 100k i amplificarea va fi A=-12.
Se pot scrie astfel urmtoarele relaii:
R2'
=2
(7.135)
R1
R2' + 105
= 12
(7.136)
R1
soluia acestui sistem fiind: R1=10k i R2' =20k.
Exemplul 7.6. Semnalul sinusoidal din fig.7.45, avnd amplitudinea de 5V, se aplic la
intrarea comparatorului neinversor saturat de tipul celui din fig.7.32, a.
S se deseneze forma tensiunii de ieire. Se presupune c frecvena semnalului este
suficient de mic pentru ca efectele de SR s fie neglijabile i se admite c tensiunile de saturaie
sunt: Usat=13V.
Rezolvare: Dac AO ar avea amplificarea n bucl deschis infinit, atunci tranziia ar
apare chiar la trecerea semnalului de intrare prin zero. Practic, pentru a avea loc comutarea,

165

tensiunea de intrare trebuie s ating o mic valoare pozitiv sau negativ, dar aceast valoare
practic nu conteaz n raport cu amplitudinile tensiunilor de intrare i ieire. La ieirea circuitului
va rezulta un semnal cu forma de und dreptunghiular (fig.7.45).

Fig. 7.45. Formele de und pentru circuitul din exemplul 7.6.


Valorile maxime, pozitive i negative ale semnalului de ieire reprezint tensiunile de
saturaie ale AO i sunt independente de valoarea de vrf a tensiunii de intrare. n acest fel,
tensiunea de ieire ramne aproape constant pentru un domeniu larg de variaie a amplitudinii
tensiunii de intrare. Trebuie avut n vedere s nu se depeasc valoarea maxim a tensiunii
difereniale de intrare pentru AO utilizat. O valoare prea mic a tensiunii de intrare, comparabil
cu cei civa zeci de microvoli, necesari pentru ca AO s lucreze corect, poate influena
momentul n care comut ieirea.
Circuitul prezentat poate transforma semnalele sinusoidale sau orice tip de semnale
alternative ntr-un semnal dreptunghiular. Obiectivul principal trebuie s fie cel al utilizrii unor
comparatoare cu vitez ct mai mare.

166

Bibliografie

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Cri
Gheorghe Pan, Electronic analogic implementat cu amplificatoare operaionale,
Editura Universitii Transilvania Braov, 2005
Octavian-Ioan Bogdan , Dispozitive i circuite electronice, Editura Academiei
Forelor Terestre, Sibiu, 2000
C.G. Constantinescu, .a., Componente i dispozitive electronice, ndrumar de
laborator, Editura Academiei Forelor Aeriene Henri Coand Braov, 2000
Gheorghe Brezeanu, Circuite electronice, Editura Albastr, Cluj-Napoca, 1999
V. Croitoru, .a., Electronic, Editura didactic i pedagogic, Bucureti, 1982
D. Dasclu, Dispozitive i circuite electronice, Editura didactic i pedagogic,
Bucureti, 1982
Th. Dnil, .a., Dispozitive i circuite electronice, Editura didactic i pedagogic,
Bucureti, 1982
Internet
*** www.csee.wvu.edu
*** www.tpub.com/content/neets

167

Copyright 2008
Editura Academiei Forelor Aeriene Henri Coand
Str.Mihai Viteazu nr.160 BRAOV ROMNIA
Tel. +40268423421
e-mail: secretariat@afahc.ro

Electronic - partea I - Ecaterina-Liliana MIRON, Mihai MIRON, Gheorghe PAN

Toate drepturile rezervate


Editurii Academiei Forelor Aeriene Henri Coand

Referent tiinific:
Procesare text:

Pearsic Marian
Autorii

ISBN: 978-973-8415-61-4

Prefa
n contextul dezvoltrii tehnologice actuale, n care Electronica este
implicat n aproape toate sferele de activitate, se impune ca utilizatorii sistemelor
tehnice moderne ce includ microelectronic i inteligen artificial, s posede un
bagaj adecvat de cunotine din domeniu.
Lucrarea de fa se adreseaz studenilor din Academia Forelor Aeriene
Henri Coand, dar i tuturor celor interesai de domenil abordat, ncercnd s
constituie un ghid util n nsuirea cunotinelor de baz ale electronicii i un
suport al cunotinelor transmise la cursul de profil.
Aportul autorilor la prezenta lucrare este: capitolele 1, 3, 5, 6 - Ecaterina
Liliana Miron; capitolele 2, 4 - Mihai Miron; capitolul 7 - Gheorghe Pan.
Dorim s mulumim tuturor celor ce ne-au sprijinit n realizarea prezentei
lucrri, precum i celor ce ne vor semnala eventualele greeli de form i coninut
introduse.

Autorii

Cuprins
DISPOZITIVE ELECTRONICE
1.
Introducere n electronic
1.1 Componente de circuit..
1.2 Componente pasive...
1.3 Componente active
2.
Noiuni de fizica semiconductorilor
2.1 Jonciunea pn
2.2 Tipuri de diode semiconductoare.
3.
Tranzistoare bipolare..
3.1 Funcionarea tranzistorului npn
3.2 Funcionarea tranzistorului pnp
3.3 Conexiunile tranzistorului
3.4 Tipuri de polarizare a tranzistoarelor
3.5 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar..
3.6 Clase de funcionare ale amplificatoarelor cu transistor.
3.7 Verificarea tranzistoarelor
4.
Tranzistoare cu efect de camp (TEC).
4.1 TEC cu jonctiune..
4.2 TEC cu gril izolat..
4.3 Dispozitive semiconductoare multijonciune...

7
7
11
24
30
32
37
46
47
49
53
66
68
73
77
79
79
86
92

CIRCUITE ELECTRONICE
5.
Redresoare
5.1 Redresoare monofazate
5.2 Redresoare polifazate..
6.
Stabilizatoare
6.1 Stabilizatoare de tensiune.
6.2 Stabilizatoare de current..
7.
Amplificatoare.
7.1 Amplificatorul operaional..
7.2 Aplicaii ale amplificatorului operaional
7.2.1 Circuite liniare.
7.2.2 Circuite neliniare.
7.3 Probleme.
Bibliografie

97
98
104
109
111
119
122
124
133
133
148
159
167

S-ar putea să vă placă și