Sunteți pe pagina 1din 2

SEMICONDUCTOARE INTRINSECI ŞI SEMICONDUCTOARE

EXTRINSECI

Semiconductoare (materiale care conduc doar în anumite condiţii) – a


căror rezistivitate este medie (ρ≈10-2 Ωm la Ge şi ρ≈103 Ωm la Si).
În construcţia dispozitivelor electronice se folosesc semiconductoare
impurificate. Semiconductoarele impurificate (numite semiconductoare
extrinseci) se obţin din semiconductoarele pure prin înlocuirea, fără a modifica
structura reţelei, a unui atom semiconductor cu elemente a căror valenţă diferă
cu o unitate în plus (pentavalente) sau în minus (trivalente).
Procedeul tehnologic prin care se obţin semiconductoare extrinseci poartă
numele de dopare.
Dacă doparea se face cu elemente pentavalente se obţin semiconductoare de tip
n. La un semiconductor de tip n:
� electronii sunt purtători majoritari;
� golurile sunt purtători minoritari.
Dacă doparea se face cu elemente trivalente se obţin semiconductoare de tip p.
La un semiconductor de tip p:
� electronii sunt purtători minoritari;
� golurile sunt purtători majoritari.

!!!!!!!!!!!
1. Într-un semiconductor, purtătorii de sarcină sunt electronii şi golurile.
2. Semiconductoarele pot fi intrinseci (pure) şi extrinseci (impure).
3. Semiconductoarele extrinseci se pot obţine prin impurificare cu:
� elemente trivalente (se obţin semiconductoare de tip p)
� elemente pentavalente (se obţin semiconductoare de tip n).
4. Deplasarea ordonată a electronilor sau a golurilor reprezintă un curent
electric. Deplasarea golurilor are loc în sens invers deplasării electronilor;
5. Într-un semiconductor extrinsec, există două tipuri de purtători de sarcină:
• majoritari;
• minoritari.

6. La semiconductoarele extrinseci conductibilitatea nu mai depinde de


temperatură, ci doar de concentraţia de impurităţi şi este controlată prin
intermediul acesteia.
JONCŢIUNEA PN

Dacă se creează, în acelaşi cristal semiconductor, prin impurificare controlată cu


impurităţi, de o parte şi de alta a unei suprafeţe de separaţie, două zone, una de
tip n şi una de tip p, se obţine o joncţiune pn.

 Joncţiunea pn polarizată direct


Polarizarea directă a joncţiunii se obţine prin aplicarea unei surse de
tensiune exterioare, cu polul pozitiv pe regiunea p şi cu cel negativ pe regiunea
n. Prin joncţiune va trece un curent având sensul de la regiunea p la regiunea n.
Acest curent se numeşte curent direct şi creşte cu creşterea tensiunii de
polarizare directă.

 Joncţiunea pn polarizată invers


Polarizarea inversă a joncţiunii se obţine prin aplicarea unei surse de tensiune
exterioare, cu polul pozitiv pe regiunea n şi cu cel negativ pe regiunea p. Prin
joncţiune va trece un curent având sensul de la regiunea n la regiunea p. Acest
curent se numeşte curent invers şi are valori de ordinul 10-6 – 10-9 A (în funcţie
de natura materialului semiconductor).