Ministerul Educaţiei si Tineratuluidin Republica Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Energetică
Catedra Electroenegetică

Lucrarea de laborator Nr.3

La disciplina: „Procese tranzitorii electromagnetice”

Tema: ”Modelarea regimurilor de scurtcircuit nesimetric intr-un

sistem electric cu utilizarea pachetului de extensie SIMULINK din
componenta MATLAB”

A efectuat: st.grupei. EE-151

Morari Vasilii

A verificat: lect.univ.
Murdid E

Chişinău 2017
 1.Scopullucrării: Obţinerea deprinderilor de modelare a sistemelor electrice la calculul
regimurilor de scurtcircuit(s.c.) cu utilizarea modulului Simulink din componenţa MatLab;
determinarea curenţilorsupratranzitorii de s.c.îndiferiteramuri, a coeficienţilor de repartiţieşi a
tensiunilorîndiferitenoduri ale sistemului la un scurtcircuittrifazat.
2. Schema de calcul a sistemului.

G2

T2
L6

L7
L8

L5
L9
S4

T5
K6

G3 S5

Parametrii elementelor schemei de calcul a sistemului.

G3-hidrogeneratoare G2-turbogenerator Sarcini:
Pn=15 MW Pn=25MW S4=34MVA
cosφ=0,8 cosφ=0,8 S5=23MVA
Un=10,5kV Un=6,3kV
’’
Xd =0,19 Xd’=0,216
Xd’=0,27 Xd’’=0,130
X2=0,20 X2=0,159
 T5-transformatoare. T2: Linii:
Sn=40MW Sn=40MW L5=11km
Uk=10,5% Uk=10,5% L6=15km
Unom.în.=121kV Unom.în.=121kV L7=12km
Un.j.=10,5kV Un.j.=6,3kV L8=15km
L9=15km

3.Rezultatul calcului reactanţelor elementelor sistemului pentru diferite secvenţe în unităţi

relative.
Schema echivalentă a sistemului:
Eg2
1.08

x1
0.416

x6
x2 x3 0.045
0.262 0.262

x7
0.045
x4 x5 x9
0.033 0.036
0.033
x14
x8 1.029
0.039

ES4
0.85
x10 x11
0.262 0.262 K6

x12 x13
1.013 1.521

Eg3 ES5
1.08 0.85
4.Relaţii de calcul al reactanţelor elementelor sistemului în unităţi absolute raportate la
tensiunea treptei de bază :
4.1 Secvenţa directă şi inversă:

1) pentru generatoare:
U2 1152
G2: x  xd  b  0,130   0, 055 
Snom 31.25 103
U b  U med . nom.sc  115 kV
Pnom 25
S nom    31.25 MW
cos  0,8
U b2 1152
G3: x  xd   0,19   0,134 
Snom 18.75 103
U b  U med . nom.sc  115 kV
Pnom 15
S nom    18.75 MW
cos  0,8
2) pentru transformatoare:
us.c.,% U b2 10,5 1152
T2: x      34, 7 
100 Snom 100 40
us.c.,% U b2 10,5 1152
T5: x     34.7 
100 Snom 100 40
3) pentru LEA:
L5: x  x0  l  0, 4 11  4.4 
L6: x  x0  l  0, 4 15  6 
L7: x  x0  l  0, 4 12  4.8 
L8: x  x0  l  0, 4 15  6 
L9: x  x0  l  0, 4  15  6 

4.2Secvenţă homopolară:

4) pentru generatoare:
U b2 1152
G2: x  xd   0,130   0, 055 
Snom 31.25 103
U b  U med . nom.sc  115 kV
Pnom 25
S nom    31.25 MW
cos  0,8
U b2 1152
G3: x  xd   0,19   0,134 
Snom 18.75 103
U b  U med . nom.sc  115 kV
Pnom 15
S nom    18.75 MW
cos  0,8
5) pentru transformatoare:
 us.c.,% U b2 10,5 1152
T2: x     34,7 
100 Snom 100 40
us.c.,% U b2 10,5 1152
T5: x     34.7 
100 Snom 100 40
6) pentru LEA:
L5: x x1  4,7  4, 4  4,7  20,68 
L6: x  x1  3  6  3  18 
L7: x  x1  3  4,8  3  14, 4 
L8: x  x1  3  6  3  18 
L9: x  x1  3  6  3  18 

5. Simulink- modelele schemelor echivalente de secvenţă directă, inversă şi homopolară.

6. Rezultatul calculului reactanţelor rezultante de secvenţă directă, inversă şi homopolară

în raport cu punctul de scurtcircuit.

Pentru determinarea reactanţelor rezultante de secvenţe diferite este necesar de

determinat experimental curentul în punctul de scurtcircuit şi TEM echivalentă a circuitului în
raport cu punctul de scurtcircuit:
I k3  3, 239;
I 1  2,999;
E 1
xech1    0,333;
I 1 2,999
Eech  xech1  I k3  0,333  3, 239  1,08;
xech1  xech 2 ;
I 0  2,712;
E 1
xech 0    0,369.
I  0 2, 712

7. Rezultatele calculelor curenţilor de secvenţă directă şi totali la diferite tipuri de

scurtcircuite nesimetrice.
Calculăm reactanţele suplimentare pentru diferite tipuri de scurtcircuite nesimetrice:

-s.c. monofazat x (1)  xech 2  xech 0  0, 702;

-s.c. bifazat x (2)  xech 2  0,333;
x x
-s.c. bifazat cu punere la pământ x (1,1)  ech 2 ech 0  0,175,
xech 2  xech 0
X ( n ) este reactanţa suplimentară, determinată de tipul s.c.

Dacă nu se ia în consideraţie rezistenţa tranzitorie în locul s.c., atunci regula de echivalenţă

a succesiunii directe poate fi exprimată cu relaţia:
 Eech
I kA1 
,
x  x ( n ) (n)
ech1

unde I kA1 este curentul succesiune directă în faza A la un s.c. nesimetric;

Eech - T.E.M. rezultanta a schemei de succesiune directă;
1 - reactanţa rezultantă a schemei de succesiune directă în raportul cu punctul de
(n)
X ech
scurtcircuit;
X ( n ) -reactanţa suplimentară, determinată de tipul s.c.
1 1, 08
I kA 1   1, 043
0,333  0, 702
 2 1, 08
I kA 1   1, 622;
0,333  0,333
1,1 1, 08
I kA 1   2,126.
0,333  0,175

Modulul curentului total de s.c. în faza avariată poate fi exprimat prin curentul de
succesiune directă

 n
I kA  m n  I kA
 n
1

Unde m n este un coeficient care are valori determinate pentru orice tip de s.c.
Dacă se neglijează rezistenţele elementelor circuitului, atunci acest coeficient are
următoarele valori:
--s.c. monofazat m1  3;
m   3;
1
--s.c. bifazat
--s.c. bifazat cu punere la pământ

xech 2  xech 0
m   3  1   1,5;
1

 xech 2  xech 0 
2

1
I kA  3 1,043  3,129;
 2
I kA  3 1,622  2,809;
1,1
I kA  1,5  2,126  3,189.
8. Simulink-modelul schemei echivalente complexe pentru tipul indicat de
scurtcircuit nesimetric (prezentat în formă de blocuri de subsistem).

9. Rezultatele măsurărilor în Simulink-model a curentului de secvenţă directă pentru tipul

indicat de scurtcircuit nesimetric, a curenţilor de diferite secvenţe în ramurile schemei şi a
tensiunilor de diferite secvenţe în nodurile acesteia.

9.1 Scurtcircuit monofazat k (1) :

I1  I1(1)  I 2(1)  I 0(1)  1, 253;
U1(1)  0,582;
U 2(1)  0, 418;
U 0(1)  0,164.
 9.2 Scurtcircuit bifazat k ( 2) :
I1(2)  1, 499;
I 2(2)  1, 499;
U1(2)  0,5.

9.3 Scurtcircuit bifazat cu punere la pămînt k (1,1) :

I1(1,1)  2,339;
I 2(1,1)  0, 66;
I 0(1,1)  1, 679;
U1(1,1)  0, 22.

10. Diagrama fazorială pentru curenţi şi tensiuni în punctul de scurtcircuit pentru

tipul de scurtcircuit indicat(k(1)).

11.Calculul rapoartelor curenţilor pentru diferite tipuri de scurtcircuite nesimetrice către

curentul de scurtcircuit trifazat în acelaşi punct al sistemului.


1
I kA 3,129
 3
  0,966;
I kA 3, 239

 
2
I kA 2,809
 3
  0,867;
I kA 3, 239

 
1,1
I kA 3,189
 3
  0,985.
I kA 3, 239
 IC1≡IB2 +j
UB1 μI=200 A/cm
μU=100 V/cm
UB2

UA1 UA0≡UB0≡UC0 UA2 IA +1

IA1≡IA2≡IA0≡IB0≡IC0

UC2

UC1
IB1≡IC2

Concluzie:
În lucrarea de laborator au fost studiate principalele tipuri de scurtcircuite nesimetrice:
monofazat, bifazat şi bifazat cu punere la pămînt. După ce am determinat experimental
reactanţele rezultante ale schemelor în raport cu punctul K3, pentru diferite succesiuni, am
calculat reactanţele suplimentare ΔX(n) utilizînd relaţiile cunoscute.
Efectuînd modificările în schema de culegere (în conformitate cu regula de echivalenţă a
secvenţei directe) am măsurat curenţii de secvenţă directă la diferite tipuri de scurtcircuit (IK1(n)).
În continuare am calculat curentul total de s.c. în punctul K3, pentru fiecare tip de scurtcircuit
 n
nesimetric cu relaţia I kA  m n  I kA
 n
1.
Am studiat şi am utilizat metoda componentelor simetrice la calculul curenţilor de
scurtcircuit pentru diferite tipuri de scurtcircuite nesimetrice la model-analizatorul MatLab,
aplicând totodată şi regula de echivalenţă a succesiunii directe. Conform acestei reguli,
curenţii de diferite succesiuni sunt proporţionali curentului de succesiune directă în punctul de
scurtcircuit. La rândul său, curentul de succesiune directă pentru orice tip de scurtcircuit
nesimetric pote fi determinat ca un curent la un scurtcircuit trifazat într-un punct, îndepărtat
de punctul real de scurtcircuit printr-o reactanţă suplimentară X (n) , determinată de tipul de
scurtcircuit.