Capitolul V.

Etapele de bază pentru formarea joncţiunilor p–n

Operaţiile tehnologice pentru realizarea joncţiunilor p–n fac parte din categoria celor
referitoare la doparea controlată a materialelor semiconductoare.
Doparea controlată a materialelor semiconductoare se poate realiza prin difuzie sau prin
implantare ionică.
O altă posibilitate de a obţine un semiconductor cu dopare controlată este operaţia de
depunere a peliculelor epitaxiale.
Dacă în procesul de depunere epitaxială, pelicula semiconductoare nou formată poate
avea caracteristici complet independente de ale suportului semiconductor pe care se realizează
depunerea, în cazul difuziei şi implantării ionice are loc schimbarea caracteristicilor suportului în
anumite regiuni ale acestuia prin pătrunderea în interior a altor substanţe dopante.

V.1. Teoria difuziei

Difuzia este un proces de pătrundere a atomilor unei substanţe printre atomii altei
substanţe, datorită mişcării de agitaţie termică. Deşi mişcarea de agitaţie termică este haotică,
difuzia are un caracter orientat, desfăşurându-se pe direcţia gradienţilor de concentraţie ai
substanţei.
În principiu difuzia are loc la temperaturi mari în toate cele patru stări ale materiei: în
solide, lichide, gaze, plasmă.
Prin procese de difuzie se pot obţine joncţiuni p–n cu suprafaţa cuprinsă între μm2 și
până la zeci de cm2, cu grad de reproductibilitate a parametrilor joncţiunii foarte bun
(concentraţia impurităţilor, adâncime, etc.).
Mecanismele de realizare a difuziei în solide pot fi:
- Mecanisme de difuzie interstiţială – în care atomii de impuritate pătrund între
nodurile reţelei (în interstiţii);
- Mecanisme de difuzie în vacanţe – în care atomii de impuritate ocupă locurile
libere (vacanţele) ale reţelei cristaline;
- Mecanisme de difuzie substituţionale – în care atomii de impuritate au energii mari
şi pot disloca atomi ai reţelei cristaline de bază.

V.1.1. Legile difuziei

Legile difuziei (pentru gaze) au fost formulate de Fick în 1889 şi descriu procesul
difuziei foarte bine şi în solide.
Aceste legi stabilesc legături intre fluxul de substanţă în sistem şi concentraţia de
substanţă din sistemul termodinamic.
Prima lege a lui Fick stabileşte legătura între fluxul de substanţă şi gradientul de
N
concentraţie F   D unde:
x
 F reprezintă fluxul de substanţă, adică numărul de atomi care pătrund printr-o unitate de
atomi
suprafaţă într-o unitate de timp;  F SI 
m2  s
D este o constantă de difuzie ce depinde de natura substanţei, de temperatură, presiune
etc.
dN
reprezintă gradientul concentraţiei impurităţii
dx
dN
Fluxul de substanţă este egal cu D dacă  1 .
dx
A doua lege a lui Fick stabileşte legătura dintre variaţia în timp a concentraţiei
impurităţilor şi variaţia fluxului de substanţă.
N 2 N
D 2
t x
Procesul difuziei pe trei coordonate (trei direcţii) este descris de ecuaţia:

N  2 N 2 N 2 N 
 D    
t  x2 y 2 2
z 

Ecuaţia poate fi rezolvată numai în cazuri speciale care se întâlnesc şi în practică:
- difuzia dintr-o sursă semiinfinită;
- difuzia dintr-o sursă limitată.

V.1.2. Difuzia dintr-o sursă semiinfinită

Fie o plăcuţă de siliciu şi o mulţime de atomi de fosfor (P) în vecinătatea ei. În interiorul
unei fiole de cuarţ (cu vid) se pun bucăţele de fosfor şi se introduce şi plăcuţa de Si. Această
fiolă este introdusă apoi intr-un cuptor la temperatura de 1200ºC. Crescând temperatura, în
volumul fiolei de cuarţ se formează o anumită concentraţie de fosfor care este egală cu
concentraţia vaporilor saturaţi la temperatura dată.

Figura V.1. Difuzia din sursă semiinfinită

Fosforul se vaporizează direct din faza solidă (prin sublimare). O parte din atomii de
fosfor vaporizaţi intră în siliciu dar se vaporizează alţi atomi din sursă astfel încât concentraţia
gazului rămâne constantă. (Ngaz=constant pentru t<0<∞).
Notând N ( x, t ) concentraţia impurităţilor la o anumită adâncime x după timpul t,
rezultă că N ( x, t )  0 pentru x   .
 x
Legea a doua a lui Fick poate fi soluţionată dacă introducem o variabilă  ,
t
 x 
 
 2 2 D  t  2 
soluţia fiind: N ( x, t )  N 1   e d  .
0 
 0 
 
 
N0 - concentraţia atomilor la suprafaţa plachetei, care este constantă pentru 0  t  
deoarece atomii pătrund tot mai adânc în plachetă.
2 x  2
Se poate nota: e d   erf ( x)
0
x
Ştiind că 1 erf ( x)  erfc( x) rezultă că soluţia este: N ( x, t )  N  erfc
0 2 D t
Graficele funcţiilor erf ( x) şi erfc( x) sunt prezentate mai jos (Figura V.2):

Figura V.2. Graficele funcţiilor erf(x) şi erfc(x)

Soluţia legii a doua a lui Fick poate fi reprezentată ca mai jos:

Figura V.3. Reprezentarea soluţiei legii a-II-a a lui Fick pentru difuzia
din sursa semiinfinită
Acest model matematic este adecvat difuziilor din fază gazoasă care se sprijină pe
operaţii de sublimare şi condensare a impurităţilor. Ca fenomenologie, pe măsură ce impurităţile
pătrund în adâncimea plachetei, alte impurităţi sunt aduse la suprafaţa plachetei, menţinând astfel
constantă concentraţia de impurităţi de la suprafaţa plachetei.
 V.1.3. Difuzia dintr-o sursă limitată
Fie o peliculă de aluminiu de 1μm grosime la suprafaţa plachetei de siliciu. Pentru ca
vaporii de aluminiu să nu se evapore ci să intre în material se adaugă o peliculă de oxid de siliciu
(SiO2).

Figura V.4. Exemplificarea difuziei din sursă limitată

Într-un centimetru cub de material de aluminiu avem 5*1022atomi atunci pentru o peliculă
de aluminiu de grosime 1 μm şi 1cm/1cm, lungime/lăţime vom avea 5*1018 atomi.
Se poate considera concentraţia atomilor ce se află pe suprafaţa semiconductoare că este
egală cu 5*1018 atomi/cm2.
Această cantitate de atomi de aluminiu nu se poate vaporiza ci doar intră în interiorul
cristalului. Dacă o parte din aceşti atomi intră în placheta de siliciu, concentraţia lor scade
deoarece nu mai vin alţi atomi. Pentru a soluţiona legea a doua a lui Fick trebuie avute în
consideraţie următoarele condiţii de limită:
a) N(x,t)  0 , dacă t=0 şi x > 0;
b) N ( x, t )  0 , dacă t > 0 şi x   ;
N
c)  0 pentru x=0 şi 0 < t <  , (gradientul concentraţiei impurităţii lipseşte la
x
suprafaţa plachetei);
x
d)  N ( x, t )dx  Q , pentru 0 <x <  şi 0 < t <  - legea conservării materiei.
0
Având în vedere cele patru condiţii, legea a doua a lui Fick are următoarea soluţie:
 x2 

Q  
N ( x, t )   e 4Dt 
  D t
Reprezentarea (concentraţiei impurităţilor) soluţiei legii a doua a lui Fick pentru aceste
condiţii:
 Figura V.5. Reprezentarea concentraţiei impurităţilor pentru difuzia
dintr-o sursă limitată
Pe măsură ce are loc difuzia, concentraţia impurităţilor la suprafaţă scade şi pe măsură
ce timpul creşte, impurităţile pătrund mai adânc în suprafaţă.
Acest model matematic este valabil pentru difuzia din straturi subţiri de impurităţi cu
concentraţii foarte mari ce au fost aduse la suprafaţa plachetei pentru predepunere sau la o
adâncime oarecare în plachetă.
În procesul de difuzie industrială, cu puţine excepţii, se foloseşte o combinaţie a celor
două tipuri de difuzie. În prima etapă se face o predifuzie de scurtă durată, la temperatură înaltă,
a unei cantităţi mari de impurităţi la nivel superficial (difuzie din sursă infinită).
În etapa a doua (difuzia propriu-zisă), impurităţile pătrund de la nivelul superficial în
adâncimea dorită prin controlul adecvat al temperaturii şi duratei procesului.

Figura V.6. Exemplu de difuzie industriala

Dacă Nn=Np atunci s-a format joncţiunea pn, iar xpn este adâncimea joncţiunii pn.
Această difuzie se foloseşte pentru formarea bazei tranzistorului bipolar, a joncţiunii
colector-bază, a joncţiunii emitor-bază (care are loc într-o singură etapă (din sursă semiinfinită)
deoarece se doreşte emitorul foarte dopat).
 V.1.4. Influenţa diferiţilor factori la distribuirea impurităţilor în procesul difuziei
Există patru factori ce influenţează difuzia in mod semnificativ:
- solubilitatea solidă a impurităţii;
- puritatea fizică a suportului;
- temperatura şi durata procesului;
- desăvârşirea reţelei cristaline.
Solubilitatea solidă reprezintă concentraţia maximă a impurităţilor care poate intra în
cristal fără a se forma faze noi pe suprafaţa lui. Această mărime este dependentă de temperatură
şi reprezintă un indiciu pentru nivelul maxim de dopare al unui material care se poate atinge. În
general există o legătură strânsă între această solubilitate solidă şi constanta de difuzie însă există
şi excepţii. Aurul are solubilitate mică, însă are un coeficient de difuzie destul de mare. P are
solubilitate ridicată.
Exemplu: Într-un cristal de siliciu se găsesc atomi a cărei concentraţie este
NSi=5*1022at/cm3. Dacă vom introduce atomi de impuritate care au o concentraţie de
5*1020at/cm-3 (atomi de P, de exemplu), la 100 atomi de Si de bază le revine un singur atom de
impuritate (1%). Dacă introducem Nimp=5*1021at/cm-3 rezultă10% impurităţi.

Figura V.7. Solubilitatea solidă a impurităţilor

Puritatea fizică a suportului monocristalin influenţează mult constanta de difuzie dar şi
uniformitatea (izotropia procesului de difuzie). Izotropia este proprietatea unui corp de a fi
izotrop (ce poseda aceleaşi proprietăţi în toate direcţiile).
Izotropia este cu atât mai ridicată cu cât gradul de dezordonare a structurii interne este
mai ridicat (număr de defecte mai mare). În astfel de materiale constanta de difuzie are tendinţa
de a se micşora.
Unele tipuri de defecte punctuale (vacanţe) au tendinţa de a contribui la creşterea
constantei de difuzie. În semiconductoare cu structură monocristalină perfectă, anizotropia este
ridicată, existând direcţii preferenţiale de deplasare a impurităţilor. În semiconductoare cu
structură cristalină aproape perfectă apare aşa numitul fenomen de canalizare în care impurităţile
pătrund în adâncime pe direcţii preferenţiale asociate unor minime energetice ale reţelei
cristaline.
 S-a făcut un experiment de creştere a cristalelor în spaţiul cosmic şi s-a obţinut un
cristal cu reţea perfectă, dar când s-a făcut difuzia a apărut scurt între C şi E şi ca urmare
tranzistorul nu mai funcţiona.

Figura V.8. Fenomenul de canalizare

Temperatura şi durata procesului de difuzie sunt doi dintre factorii ce permit, în condiţii
industriale, controlul asupra adâncimii joncţiunilor formate.
Temperatura intervine prin intermediul energiei termice direct în expresia coeficientului
 Ea 
  K T 
de difuzie: D  D  e 
0
D0 – coeficient de difuzie ce depinde de natura impurităţilor;
Ea – lucru mecanic de extracţie ce depinde de suport; pentru siliciu Ea=4eV

Figura V.9. Coeficientul de difuzie

Temperatura este bine stabilizată în tehnologie: la 1200ºC şi se poate schimba în timp
1
cu  ºC.
2
Durata procesului de difuzie afectează adâncimea joncţiunilor. Pentru ambele tipuri de
difuzie concentraţia de impurităţi la o adâncime x în plachetă, la un moment de timp t, este
x
funcţie de .
Dt
 x 
N f ; x j  Dt f 1  N  Ea adâncimea joncţiunii este dependentă cu Dt - lungime
 Dt 
medie (parcurs mediu) a impurităţilor. Dacă constanta de difuzie este mai mare atunci durata
procesului de difuzie este mai mică şi invers.
 V.1.5. Metode de efectuare a difuziei şi difuzanţii utilizaţi
La fel ca şi alte operaţii tehnologice, difuzia poate fi efectuată în sisteme închise (în
condiţii de laborator) şi în sisteme deschise.
I.1.5.1. Difuzia într-un sistem închis

Figura V.10. Difuzia într-un sistem închis

Se scoate aerul, după care se sudează fiola şi se introduce într-un cuptor la o anumită
temperatură. Fosforul se vaporizează direct din starea solidă (prin sublimare) şi toţi atomii
difuzanţi vor umple întregul volum. Dacă o parte din atomii difuzanţi intră în placheta de siliciu
atunci din bucăţelele de fosfor se vaporizează alţi atomi astfel încât concentraţia atomilor în faza
gazoasă să fie constantă rezultând o difuzie din sursă semiinfinită.
Avantaj: putem introduce fiola într-un cuptor cu două nivele de temperatură diferite:

Figura V.11. Distribuţia temperaturii în cuptor

Cu temperatura T1 se reglează presiunea vaporilor saturaţi rezultând o concentraţie
constantă în faza gazoasă.
Cu temperatura T2 se reglează lungimea difuziei (adâncimea difuziei şi rapiditatea
difuziei).
Dezavantaj: pentru a scoate plachetele trebuiesc tăiate fiolele de cuarţ care se aruncă şi
costă foarte mult.
Cuarţul este folosit pentru că poate fi purificat şi pentru că suportă temperaturi foarte
mari (nu se înmoaie).
I.1.5.2. Difuzia în sisteme deschise
Mai des se utilizează în industrie sistemul deschis în flux de N2.
Schema cu posibilitatea de a difuza trei tipuri de impuritate este descrisă în figura I.12.
(dar nu se folosesc toate odată):
 Figura V.12. Difuzia în sisteme deschise
Se poate face difuzie din toate stările de agregare:
- solid (P2O5),
- lichid (PCl3),
- gaz(AsH3).
Deşi există posibilitatea difuziei din orice stare de agregare, în realitate sursele de
difuzie lichide şi gazoase pot duce la corodarea plachetelor datorită compoziţiei lor chimice.
Pentru a evita acest efect secundar de nedorit toate tipurile de difuzanţi se transformă în oxizi la
suprafaţa plachetelor prin reacţie cu oxigenul în cantităţi mici. Dacă difuzantul este un oxid el se
evaporă şi se depune o peliculă pe suprafaţa plachetei.

I.1.5.3. Difuzanţi utilizaţi:

În practică, pentru siliciu se folosesc difuzanţii:
Siliciu de tip n Siliciu de tip p
PCl3
POCl3 BBr3
Lichid
AsCl3 BCl3
SbCl3
B2O3
Solid P2O5
BN
PH3
Gaz B2H6
AsH3
Există deosebiri între sursele de difuzie: pentru sursa solidă trebuie un cuptor cu două
tipuri de temperatură, iar pentru sursa de tip gaz reglarea concentraţiei se face deschizând mai
mult sau mai puţin “butelia” de gaz.
În cazul difuzanţilor în stare solidă reacţia chimică a oxidului cu siliciu este necorozivă.
2 P O  5Si  5SiO  4 P
2 5 2
 La suprafaţa plachetei se formează o peliculă de sticlă fosforosilicată:
P2O5  Si   SiO2  x  P2O5 1 x  P
Întâi se formează pe suprafaţa plachetei această sticlă după care difuzia atomilor de
fosfor are loc din această sticlă rezultând o difuzie din sursă limitată.
Pentru alţi difuzanţi solizi se obţin reacţiile:
B2O3  Si   B2O3  x  SiO2 1 x  B
As2O5  Si   As2O5  x  SiO2 1 x  As
Pentru faza lichidă concentraţia impurităţilor se poate regla prin fluxul de N2 care trece
prin vas sau prin încălzirea vasului cu lichid mărindu-se concentraţia impurităţilor care ajung în
interiorul reactorului.
În cazul difuzanţilor în stare lichidă şi gazoasă se introduce şi O2 pentru că difuzia nu se
poate face din PCl3 curat deoarece poate duce la eroziunea plachetelor.
4 PCl  5O  2 P O  6Cl , unde P2O5 intră în reacţie cu Si şi formează aceeaşi
3 2 2 5 2
sticlă şi gaz;
4 AsH  5O  2 As O  6 H ,unde As2O5 reacţionează cu Si şi formează o
3 2 2 5 2
sticlă arsenicosilicată;

V.2. Metoda implantării ionice

Implantarea ionică reprezintă procesul de pătrundere a impurităţilor ionizate într-un
substrat semiconductor sub acţiunea unui câmp electric exterior.
Mişcarea impurităţilor în substrat este o mişcare de drift datorată interacţiunii dintre
sarcina electrică a acestor impurităţi şi câmpul electric aplicat
Avantajele semnificative ale implantării ionice:
- posibilitatea de a implanta orice element din tabelul lui Mendeleev în orice
semiconductor;
- implantarea poate avea loc la temperaturi joase, chiar la temperatura camerei;
- în metoda implantării ionice avem ioni care au o energie şi capătă o viteză cu ajutorul
căreia intră în interiorul cristalului;
- putem forma joncţiuni pn reproductibile până la 100% cu o concentraţie controlată pe
toate cele trei axe (x, y, z);
- procesul are loc în vid destul de înalt, ce necesită purificarea plachetelor;
- durata procesului de implantare este scurtă (până la câteva minunte).
Unul din dezavantajele implantării ionice este deteriorarea structurii cristaline a
suportului deoarece o parte din ionii implantaţi pot disloca atomi din structura materialului de
bază rezultând apariţia unui număr mare de defecte în structura cristalină. Pentru a minimiza
acest efect se realizează o operaţie de călire a reţelei cristaline, operaţie ce constă în încăzirea
structurii la o temperatură de câteva sute de grade Celsius pentru a permite rearanjarea atomilor
în reţea. Din păcate, această operaţie de călire, deşi duce la micşorarea numărului de defecte
structurale, ea însăşi are un defect ducând la redistribuirea impurităţilor în profunzime.
Din punct de vedere matematic, fluxul de substanţă care pătrunde în plachetă este
dependent de intensitatea câmpului electric aplicat. Pentru impurităţi ionizate pozitiv şi a căror
sarcină este egală în modul cu cea elementară, ecuaţia de legătură este de forma:
F  N E
Pentru a ţine cont şi de mişcarea de difuzie în plachetă ecuaţia matematică completă a
procesului de difuzie şi implantare se formulează astfel:
N
F  D     N  E ecuaţia fluxului de substanţă care depinde atât de concentraţie
x
cât şi de câmpul electric aplicat.
Într-un punct cantitatea de substanţă funcţie de fluxul de substanţă are o variaţie de
N F
forma:  .
t x
Procesele industriale de implantare ionică însoţite de operaţia de călire oferă soluţii
analitice pentru concentraţiile de impurităţi, similare cu difuzia din sursă limitată în care însă la
adâncimea x0 se obţin mai multe maxime de energie.
  x  x 2 
 0 
Q0  4 Dt 
N ( x, t )  e
 

  D t
Q0 – numărul de ioni pe unitatea de suprafaţă.
În cazul siliciului procesul de implantare se desfăşoară pe baza ionizării impurităţilor
provenite în general din cloruri sau bromuri. Acestea, prin încălzire, trec în stare de vapori şi
ionizează relativ uşor, ca orice alt gaz, în special în prezenţa unui câmp magnetic aplicat.

V.2.1. Construcţia instalaţiei implantării ionice şi principiul de funcţionare

Figura V.13. Instalaţia pentru realizarea implantării ionice

1 – sursa de ioni; 2 – bobine electromagnetice; 3 – filament termoelectronic; 4 –
electrod de tragere a ionilor din sursă (diafragmă); 5 – lentile electrostatice pentru focalizarea
fluxului de ioni; 6, 7, 10, 11 – plăci pentru reglarea fluxului de ioni pe axa x şi pe axa y (se
utilizează pentru a scana pe suprafaţa plachetei); 8 – separator magnetic; 9 – diafragmă.
Întreaga instalaţie se găseşte în vid.
Putem pune un gaz care se vaporizează şi ajunge în interiorul filamentului care se
încălzeşte şi emană nişte electroni care nimerind în câmpul electromagnetic (2) se vor mişca pe o
traiectorie sub formă de spirală şi ca urmare creşte probabilitatea de a se ciocni cu moleculele de

PCl3. Cu ajutorul bobinelor are loc separarea ionilor P  şi Cl  . Se vor extrage doar
31
încărcăturile pozitive (ionii de P) cu ajutorul diafragmei (4). Separatorul magnetic face ca

m  v2
particula extrasă să se mişte pe o circumferinţă care are o forţă centripetă:  e B v ,
r
m v
rezultând raza traiectoriei r  ,unde r – raza de mişcare, m – masa, v – viteza, care este
e B
dată de potenţialul de accelerare, B – intensitatea câmpului magnetic, e – sarcina electronului
propriu-zis.
Placheta fiind legată la electrodul negativ permite preluarea sarcinii electrice a
impurităţilor, iar curentul electric care trece prin electrod depinde de fluxul de impurităţi ce
pătrund în plachetă.
Dacă e, B şi v sunt constante, rezultă că raza traiectoriei este proporţională cu masa, ca
urmare particulele cu rază mai mică vor avea şi masa mai mică şi cele cu rază mai mare vor fi
separate de diafragmă astfel încât separăm ionii după masă şi se elimină şi impurităţile.
Avantajul major al implantării ionice este că ionii cad pe verticală (perpendicular) şi
joncţiunea pn se realizează exact fără a se pătrunde sub oxid.

Figura V.14. Diferenţa dintre difuzie şi implantarea ionică

V.2.2. Factori de mediu ce influenţează concentraţia impurităţilor implantate
Factorii ce influenţează distribuirea ionilor sunt:
1. energia ionului;
2. doza (nr. de ioni care cade pe o unitate de suprafaţă);
3. temperatura plachetei la implantare;
4. orientarea plachetei.
Energia de implantare şi doza influenţează împreună fundamental profilul concentraţiei
impurităţilor întrucât diverse combinaţii ale acestora pot contribui la obţinerea unuia sau a mai
multor maxime plasate în adâncimea plachetei sau chiar la suprafaţa acesteia.
În cazul în care se utilizează o doză redusă de substanţă, o energie de implantare scăzută
duce la plasarea maximului la un nivel superficial. Dacă energia de implantare creşte, maximul
este situat în adâncimea plachetei.
 Dacă doza de substanţă folosită este mare, impurităţile pot rămâne în totalitate la nivelul
superficial pentru energii de accelerare scăzute sau se pot plasa în concentraţii mari la mai multe
adâncimi ale plachetei daca energia este mare. Apariţia mai multor maxime pe curba
concentraţiei de impurităţi este dată de fenomenul de canalizare.
În esenţă o parte din impurităţi îşi pierd energia cinetică din cauza ciocnirii cu atomii
reţelei cristaline şi rămân la nivel superficial în plachetă, în timp ce alte impurităţi pătrund în
plachetă prin zonele interstiţiale şi reuşesc sa ajungă la adâncimi mari înainte de a-şi pierde
energia cinetică în totalitate.

Figura V.15. Concentraţia de impurităţi în raport cu adâncimea

De ce există două maxime? Lindarhu a interpretat graficul astfel: ionii care cad pe
suprafaţa plachetei de siliciu sunt împărţiţi în două grupe:
1) ionii care nimerind pe suprafaţa plachetei pierd “memoria” direcţiei de mişcare şi se
absorb în stratul superficial;
2) ionii care se canalizează (formează un flux canalizat).
De exemplu avem structura reţelei cristaline pe care cade un ion sub un unghi nu foarte
mare şi pătrunde în interior ciocnindu-se de ioni, pătrunzând foarte adânc în cristal.

Figura V.16. Reţea cristalină bombardată cu ioni

Din teoria lui Lindarhu: distribuirea totală a ionilor reprezintă superpoziţia a două
fluxuri canalizat şi necanalizat. Apariţia mai multor maxime de canalizare depinde şi de
temperatură.
Temperatura este un alt factor ce influenţează semnificativ distribuţia concentraţiei de
impurităţi prin intermediul energiei de agitaţie termică şi a vibraţiei inerente a atomilor reţelei
cristaline. Cu cât agitaţia termică este mai mare cu atât mişcarea de drift este mult atenuată şi
impurităţile au tendinţa de a se poziţiona mai mult la suprafaţa plachetei. Creşterea temperaturii
are ca efect reducerea nivelului maximelor canalizate.
 Figura V.17. Concentraţia impurităţilor la doua temperaturi
Orientarea plachetei este un factor important. Direcţia axelor cristalografice în raport cu
suprafaţa de tăiere a plachetelor şi mai ales cu direcţia câmpului electric aplicat influenţează
apariţia maximelor canalizate şi a nivelelor acestora. În practică pentru un suport dat se poate
controla apariţia maximelor canalizate folosind unghiuri de pătrundere bine calculate

Figura V.18. Realizarea unui tranzistor bipolar pnp vertical prin implantare ionică
 Capitolul VI.Procesul de litografie pentru producerea
dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate
monolitice

Litografia constă în acoperirea plachetei cu o substanţă chimică ale cărei proprietăţi

chimice (solubilitatea în anumiţi solvenţi) se modifică la expunerea într-un câmp de radiaţii
electromagnetice şi înlăturarea selectivă a acesteia de pe anumite regiuni ale plachetei. Exista
mai multe tipuri de fotorezişti cu structură chimică de tip polimer care sunt sensibili la radiaţii
electromagnetice de diferite lungimi de undă. Modificarea proprietăţilor chimice ale acestor
substanţe se bazează pe raportul energetic al radiaţiilor la care sunt expuse. Există însă o
clasificare generală a fotoreziştilor după modul în care se comportă la expunerea la radiaţii:
- Fotorezişti pozitivi – sunt substanţe care devin solubile în anumiţi solvenţi organici,
sub acţiunea unor radiaţii electromagnetice;
- Fotorezişti negativi – sunt substanţe care devin insolubile în anumiţi solvenţi organici,
sub acţiunea unor radiaţii electromagnetice.
Pentru a realiza procesul de fotolitografie sunt necesare fotomăşti. O fotomască arată
astfel:

Figura VI.1. Fotomăşti pentru realizarea litografiei

Pe o plachetă de siliciu pe care am depus fotorezist punem o mască pe suprafaţa
plachetei şi iluminăm placheta. În cazul fotorezistului pozitiv are loc absorbţia razelor
ultraviolete care duce la producerea reacţiei fotochimice datorită căreia are loc distrugerea
legăturilor dintre moleculele fotorezistului, iar în cazul celui negativ are loc majorarea legăturilor
dintre aceste molecule.
Operaţia de dizolvare a fotorezistului se numeşte developare.
În general, scopul operaţiei de fotolitografie este protejarea unor pelicule conductoare,
dielectrice sau semiconductoare la acţiunea unor agenţi de corodare. În felul acesta se poate
obţine o corodare selectivă a peliculelor. Există şi posibilitatea utilizării fotorezistului cu scop de
protejare în cazul unei operaţii de difuzie sau implantare ionică, în acest caz grosimea
fotorezistului trebuie sa fie sensibil mai mare. Nu este utilă folosirea fotorezistorului pentru
protejarea unei plachete în operaţia de difuzie pentru că difuzia se realizează la temperaturi
ridicate la care majoritatea fotoreziştilor carbonizează.
Operaţiile de bază ale procesului de fotolitografie sunt descrise în figura de mai jos:
 Figura VI.2. Operaţiile de bază ale procesului de fotolitografie
După ce fotorezistul şi-a îndeplinit funcţiile se îndepărtează de pe suprafaţa peliculei.
În producerea circuitelor integrate se foloseşte un anumit număr de fotomăşti. Pentru a
confecţiona cele mai simple circuite integrate ne trebuie un set de 7 fotomăşti. Deoarece acest
proces conţine 10 operaţii tehnologice, se poate ajunge la 100-200 de operaţii tehnologice şi ca
urmare necesită un timp foarte lung.

VI.1. Criterii de apreciere a fotomăştilor

Cele mai importante criterii care stabilesc utilitatea unui fotorezist într-un proces
fotolitografic sunt:
- Sensibilitatea spectrală la anumite lungimi de undă a radiaţiei electromagnetice;
- Sensibilitatea integrală care reflectă modul în care evoluează, în raport cu timpul,
proprietăţile chimice ale fotorezistului expus sau dependenţa de timp a stratului;
- Stabilitatea (durabilitatea) chimică în raport cu agenţii de corodare folosiţi pentru
prelucrarea straturilor dielectrice semiconductoare şi conductoare folosite în
realizarea circuitelor integrate;
- Rezoluţia fotorezistorului.
Sensibilitatea spectrală a fotorezistului reflectă dependenţa coeficientului de absorbţie
(k) a luminii faţă de lungimea de undă (λ).
La baza fotorezistului negativ stă un polimer numit polivinilfinomat. Datorită faptului
că absorbţia maximă are loc la lungimea de undă λ=0.35μm trebuie folosită o mască din sticlă de
cuarţ deoarece numai aceasta dă drumul la raze ultraviolete cu o lungime de undă aşa de mică.
De aceea în fotorezist se adaugă o substanţă numită inhibator care schimbă regiunea spectrală şi
duce lungimea de undă la 0.45μm şi la care se poate folosi sticla specială numită K08 (pentru
mască).
Figura VI.3. Dependenţa coeficientului de absorbţie faţă de lungimea de undă pentru
fotorezist negativ
În unele situaţii fotoreziştii prezintă mai multe maxime ale sensibilităţii spectrale şi se
folosesc măşti cu lungimea de undă corelată atât cu maximul sensibilităţii spectrale cât şi cu
materialul fotomăştii (coeficientul de absorbţie trebuie să fie cât mai mic).

Figura VI.4. Dependenţa coeficientului de absorbţie faţă de lungimea de undă pentru

fotorezist pozitiv
1 1
Sensibilitatea integrală - S   , unde E-intensitatea luminii, t-timpul de
E t H
expunere, H-expoziţia.
Dacă intensitatea radiaţiei este constantă sensibilitatea integrală este invers
proporţională cu timpul de expunere.

Figura VI.5. Grosimea stratului de fotorezist expus funcţie de timp

Problema principală în fotolitografie este de a determina timpul optim pentru expunerea
la radiaţii. Astfel se măsoară timpul necesar pentru a ajunge la 0.9h0, după care se află pentru h0.
În industrie se pun mai multe plăcuţe cu acelaşi fotorezist, cu aceeaşi grosime, ce se
expun perioade diferite de timp şi se găseşte cea mai clară imagine care e dată de timpul cel mai
optim.
 Durabilitatea chimică a fotoreziştilor reflectă proprietatea fotoreziştilor de a nu
reacţiona cu agenţii utilizaţi în reacţia de corodare (HCl, HP, etc.). În timpul corodării datorită
particulelor de praf sau porilor existenţi la suprafaţa fotorezistului pot să apară corodări locale
ale peliculei. Dacă pelicula este suficient de groasă, acest lucru nu afectează suficient de mult în
ansamblu stratul de corodat. De aceea, plachetele se prelucrează în camere deosebit de curate
(cleanroom).
Corodarea selectivă realizată după fotolitografie se realizează şi lateral, pe orizontală nu
numai pe verticală ca în figura de mai jos.

Figura VI.6. Corodarea pe verticală şi orizontală

Acest fenomen de corodare laterală este caracterizat de un coeficient de corodare
x
laterală şi reprezintă raportul dintre grosimea stratului corodat şi grosimea dorită, k 
. Când
h
x=h, k=100% apare corodarea izotropă. Valoarea lui k este mai mare în cazul corodării umede
(cu agenţi chimici acizi).
Pentru a micşora dezavantajul introdus de corodarea laterală fotomasca se realizează
mai mică decât dimensiunea dorită.
Rezoluţia fotorezistului reprezintă numărul maxim de linii de fotorezist de pe plachetă
care pot fi realizate pe unitatea de lungime (pe suprafaţa plachetei) considerând că lăţimea
fiecărei linii de fotorezist este egală cu distanţa dintre două linii învecinate.

Figura VI.7. Rezoluţia fotorezistului

VI.2. Mecanismul de absorbţie a luminii

În mod normal ar trebui ca lumina să pătrundă numai pe verticală însă apar fenomene
secundare de propagare a luminii ce duc la expunerea fotorezistului pe o arie mai mare decât a
fotomăştii.
Fenomenele secundare ce pot apărea sunt:
- Dispersia luminii la nivelul dintre zona umbrită şi cea transparentă a fotomăştii;
 - Reflexia dintre fotorezist şi plachetă;
- Dispersia luminii în fotorezist care este un material neomogen.
Primele două fenomene sunt cele mai importante şi acestea limitează rezoluţia
fotorezistului.

Figura VI.8. Direcţii de propagare a luminii în fotorezist

Absorbţia luminii

Figura VI.9. Absorbţia luminii în cazul fotorezistului negativ

Figura VI.10. Absorbţia luminii în cazul fotorezistului pozitiv

Fotorezistul pozitiv are un contrast mai bun decât cel negativ dar necesită un timp de
expunere mai mare.
Fenomenele secundare de propagare şi modul cum vor arăta marginile fotorezistului pe
plachetă influenţează mult procesul de corodare ulterioară. În general, fotoreziştii pozitivi sunt
stabili la acţiunea chimică astfel încât corodarea se poate face în acizi. Fotoreziștii negativi sunt
stabili la acţiunea bazelor.

VI.3. Operaţiile principale ale procesului de fotolitografie

Fotolitografia cuprinde următoarele operaţii principale:
 1. Formarea peliculei de fotorezist - cuprinde următoarele etape:
- purificarea suprafeţei plachetei;
- depunerea peliculei de fotorezist;
- uscarea peliculei.
2. Formarea imaginii - cuprinde următoarele etape:
- alinierea fotorezistului;
- expunerea fotorezistului;
- developarea fotorezistului;
- tratamentul termic.
3. Transferul imaginii dorite pe suprafaţa plachetei - cuprinde următoarele etape:
- corodarea peliculei neprotejate de fotorezist;
- înlăturarea fotorezistului.
1. Formarea peliculei de fotorezist – purificarea plachetei
Dacă suprafaţa plachetei nu este curată se foloseşte acetonă sau acid clorhidric pentru a
îndepărta impurităţile sau grăsimile.
S-a observat experimental că pelicula de oxid de siliciu formată pe plachetă conţine o
combinaţie de silandă şi siloxană:

Figura VI.11. Suprafaţa peliculei de oxid de siliciu

Pe suprafaţa peliculei de oxid de siliciu, numită siloxană, litografia se poate face destul
de bine. Dacă această suprafaţă are contact cu atmosfera şi absoarbe grupări de hidroxil (OH)
suprafaţa de oxid de siliciu se numeşte silandă, iar litografia nu este bună pentru că suprafaţa se
umezeşte cu HCl (corodant) şi acesta pătrunde foarte adânc în fotorezist. În acest caz pe
suprafaţa plachetei cu hidroxil se adaugă o picătură de apă deionizată, care umezeşte suprafaţa
plachetei în aşa fel încât formează un unghi de umezire de 45º şi astfel litografia va avea succes.

Figura VI.12. Umezirea plachetei cu apă deionizată

Formarea peliculei de fotorezist – Depunerea peliculei de fotorezist
Există trei metode de depunere a fotorezistului:
 Prima metodă: placheta se introduce într-un vas cu fotorezist lichid de mai multe ori,
după care se pune la uscat vertical şi vom avea o aranjare a fotorezistului mai subţire în partea de
sus şi mai gros în partea de jos, ca în figura de mai jos:

Figura VI.13. Uscarea verticală a fotorezistului

După uscare se repetă procedeul dar cu placheta întoarsă astfel încât se obţine aceeași
grosime a fotorezistului.

Figura VI.14. Uscarea verticală a fotorezistului cu placheta întoarsă invers

A doua metodă este depunerea cu ajutorul pulverizatorului. Se poate folosi pentru
depunere pe suprafeţe mari, dar se utilizează foarte puţin deoarece uleiul din pompe poate ajunge
în fotorezist.
A treia metodă este depunerea prin centrifugare (cea mai utilizată):

Figura VI.15. Depunerea fotorezistului prin centrifugare

Grosimea stratului de fotorezist depinde de:

- vâscozitatea fotorezistului: cu cât este mai vâscos cu atât se va
depune mai rău;
- viteza de rotaţie.
 Figura VI.16. Grosimea fotorezistului funcţie de raza plachetei
În fotorezistul depus pot apărea defecte sub formă de comete, pentru că poate exista un
fir de praf asupra căruia pot acționa forțe în timpul rotirii şi astfel grosimea fotorezistului devine
mai mică.

Figura VI.17. Defect sub formă de cometă

Marginea îngroşată poate zgâria masca, pentru că aceasta este în contact cu fotorezistul.
Pentru a elimina acest neajuns se micşorează viteza de rotaţie, după ce s-a depus fotorezistul, şi
se picură un solvent pe regiunea respectivă pentru a-l îndepărta.
Formarea peliculei de fotorezist – Uscarea peliculei se face cu scopul înlăturării
solventului din fotorezist, altfel încât când punem masca acesta se lipeşte.
Pentru formarea imaginii se foloseşte o lampa cu mercur ce generează raze ultraviolete.

Figura VI.18. Lampă cu ultraviolete

Pentru expunerea corectă a fotorezistului este necesară alinierea fotomăştii cu placheta.

În acest scop plachetele sunt prevăzute cu tăieturi speciale iar fotomăştile sunt prevăzute cu
semne.
 Figura VI.19. Alinierea plachetelor cu fotomaştile
Alinierea se poate realiza fie după tăieturile plachetei, fie după semnele de aliniere de pe
fotomască. Semnele de aliniere trebuie sa fie aceleaşi pentru toate seturile de măşti.

Figura VI.20. Semnele de aliniere de pe fotomască

Acest tip de aliniere nu se foloseşte în cazul litografiei cu raze x şi cu fascicul electronic
deoarece placheta trebuie introdusă într-o incintă vidată.
În circuitele VLSI precizia de aliniere este importantă. Placheta şi măştile sunt
prevăzute cu găuri, alinierea acestora fiind realizată cu fascicul de lumină foarte subţire şi un
fotodetector.
Expunerea selectivă presupune aducerea sistemului plachetă – fotorezist – fotomască în
prezenţa sursei de raze ultraviolete care va sensibiliza fotorezistul în regiunile transparente ale
fotomăştii. Timpul de iluminare se determină experimental.
Developarea reprezintă operaţia de înlăturare a fotorezistului. Pentru fotorezistul pozitiv
developarea are loc în soluţii lichide, slabe: 0.5%KOH, NaOH, iar pentru fotorezistul negativ se
foloseşte acelaşi solvent care intră în componenţa fotorezistului iniţial: acetonă, toluenă.
Tratamentul termic ca şi uscarea se face cu raze infraroşii. Este necesar pentru creşterea
adeziunii peliculei la plachetă. Tratamentul termic nu se face în cuptoare electrice, deoarece s-ar
crea un strat la suprafaţă care apoi s-ar crăpa. Razele infraroşii pătrund în tot fotorezistul şi-l
usucă uniform.
Transferul imaginii pe suprafaţa plachetei - SiO2 se poate coroda în HF:
SiO2  4 HF  SiF4 ( gaz) 2 H 2O
 Figura VI.21. Corodarea oxidului de siliciu
Ca urmare în corodantul de SiO2 se mai adaugă şi NH4F:
SiO2  HF (1)  NH 4 F (9)   SiF6  ( S ) ........
SiF6 este un solid care cade la fundul vasului, îşi schimbă valenţa de la 4 la 6 şi nu mai
ridică fotorezistul iar fereastra este mult mai mică (eventual poate ajunge la 11μm).
Pentru corodarea unei pelicule de Au se foloseşte HNO3 şi HCl în amestec.
După ce s-a făcut corodarea, adică s-a transferat imaginea, se va înlătura fotorezistul
(atât cel negativ cât şi cel pozitiv se înlătură cu H2SO4). Fotorezistul pozitiv se mai înlătură cu
dimtilformonid, De asemenea, fotorezistul pozitiv cât şi cel negativ se mai înlătură prin fierberea
în soluţii de 10% baze.

VI.4. Caracteristicile fotomăştilor (FM) şi metodele de confecţionare

Fotomăştile sunt realizate din plăcuţe de sticlă pe care sunt depuse diverse pelicule cu
un coeficient de absorbţie ridicat pentru radiaţiile folosite la expunere. În cazul razelor
ultraviolete se pot folosi pelicule de crom sau oxid de fier. Pelicula de crom are adeziune foarte
bună pe sticlă astfel încât poate rezista la 700 de operaţii de litografie însă dacă densitatea
elementelor opace de pe fotomască trebuie să fie mare atunci alinierea fotomăştii cu placheta
este dificilă întrucât pelicula de crom absoarbe şi radiaţiile din spectrul vizibil. Pelicula de oxid
de fier Fe2O3 are o adeziune ceva mai slabă pe sticlă însă are avantajul unui coeficient de
absorbţie mic pentru spectrul vizibil şi a unui coeficient de absorbţie mare pentru radiaţiile
ultraviolete, astfel încât alinierea se face mai uşor.
Desenul dorit pe fotomască se obţine tot printr-o operaţie de litografie selectivă.
De exemplu pentru formarea contactelor se desenează de 10 ori mai mari şi se
fotografiază astfel încât desenul să fie micşorat de 10 ori:

Figura VI.22. Realizarea fotomăştilor

 VI.5. Metode de confecţionare a fotomăştilor
Generarea unei fotomăşti necesită ea însăşi o operaţie de fotolitografie pentru obţinerea
unei pelicule care să acopere selectiv plăcuţa de sticlă ce constituie fotomasca. În funcţie de
dimensiunea elementelor de pe desenul fotomăştii utilizate la obţinerea circuitului se pot distinge
două metode pentru generarea fotomăştilor. Cele două metode prezintă diferenţe fundamentale în
ceea ce priveşte expunerea selectivă a radiaţiilor.

VI.5.1. Metoda optico-mecanică

Prima metodă este metoda optico-mecanică, mai veche, a fost utilizată pentru elemente
de circuit mai mari. Originalul fotomăştii era reprezentat la scară mărită care era proiectat printr-
un sistem optic de precizie ca asigură reducerea la scara 1:1 şi multiplicarea desenului dorit.

Figura VI.23. Metoda optico – mecanică

VI.5.2. Metoda litografiei cu fascicol electronic
Metoda litografiei cu fascicol electronic permite obţinerea rapidă a unei măşti şi este
singura metodă care nu necesită existenţa unei fotomăşti, fascicolul de electroni fiind controlat în
acest caz prin intermediul unor plăci de deflexie.
Substanţa de tip fotorezist îşi modifică solubilitatea sub acţiunea fascicolului de
electroni care distruge legăturile moleculare în fotorezist şi permite solubilitatea acestuia în
solvenţi organici. Acest sistem litografic permite obţinerea de dispozitive foarte mici.
Se ştie că fluxul de electroni are proprietăţi cuantice şi ondulatorii şi lungimea de undă a
150  0 
fluxului de electroni este:   A , unde U este tensiunea de accelerare a electronilor.
U  
 0 0
Dacă U  150V lungimea de undă   1 A iar dacă U  1.5 KV   0.1 A
Având în vedere că lungimea de undă asociată fascicolului de electroni este mică, există
teoretic posibilitatea obţinerii unor dispozitive foarte mici. Limitările apar datorită atomilor din
0
pelicula de fotorezist ce au distanţa dintre ei în reţeaua cristalină de 6 A , astfel încât nu putem
obţine o rezoluţie de acelaşi ordin de mărime.
În calitate de rezist sensibil la fluxul de electroni se foloseşte substanţa organică
polimeră PMMA-polimetilmetacrilat (plexiglas-sticlă organică).
Există două sisteme cu fascicol electronic pentru litografie: un sistem cu scanare şi un
sistem cu fotocatod (cu desen simultan pe toată suprafaţa).
Sistemul cu scanare permite obţinerea de fotomăşti cu rezoluţie ridicată însă necesită un
timp îndelungat de expunere. Sistemul este descris în figura de mai jos:

Figura VI.24. Litografia cu fascicol electronic cu scanare

Sistemul cu fotocatod este mai rapid dar necesită fotomască. Fotomasca trebuie să
conţină o peliculă cu un coeficient de absorbţie mare pentru razele ultraviolete şi cu proprietăţi
de fotoemisie slabe, ce acoperă selectiv plăcuţa de sticlă. Adiţional peste această peliculă se
adaugă o altă peliculă ce se comportă ca fotocatod.
Fie o sticlă de cuarţ. Pe această sticlă se depune consecutiv un strat de titan (Ti) care are
o foarte bună adeziune pe sticlă şi în plus nu emite electroni prin fotoemisie. Prin oxidare
anodică pelicula de Ti se transformă în TiO2. După aceasta cu ajutorul litografiei cu fascicol
electronic de scanare se formează desenul viitoarei măşti (dimensiunile sunt submicronice). Apoi
pe suprafaţa măştii se depune peste tot o peliculă de paladiu (Pd).
Tot acest sistem se numeşte fotocatod.
 Figura VI.25. Sistemul cu fotocatod
Aplicăm un potenţial şi electronii sunt poziţionaţi spre plachetă iar unde cade fluxul de
electroni are loc şi exponarea suprafeţei peliculei de PMMA. În acelaşi fel se obţine rapid o
mască.
Deoarece sistemul este în vid alinierea nu se mai face ca până acum. Nu se poate pune
microscop pentru a vedea semnele de pe plăcuţe. Ca urmare se va face aliniere în regim automat.
Sticla este pătrată şi în fiecare colţ este o gaură pe unde trece lumina. Găurile făcute cu ajutorul
laserului sunt şi pe plachetă. Alinierea va fi corectă când lumina din sticlă trece perfect prin
gaura din plachetă. Acest rol este îndeplinit de un fotoreceptor care este format din două diode
cuplate în opoziţie:

Figura VI.26. Alinierea cu ajutorul luminii şi a unui fotoreceptor

Când le iluminăm fotocurentul: If  1  R   s , unde R reprezintă coeficientul de
reflexie a luminii, η – factor cuantic, s – suprafaţa iluminată.
Dacă suprafeţele iluminate sunt egale pe cele două diode rezultă If  0 şi V  0 .
Dacă lumina cade mai mult pe primul contact, voltmetrul ne va arăta poziţia fascicolului
de lumină.
 Figura VI.27. Tensiune afişată de voltmetru funcţie de poziţia măştii
VI.5.3. Litografia cu raze X
Din punct de vedere al funcţionării, litografia cu raze X se apropie de cea cu raze
ultraviolete, deosebirea constând în lungimea de undă ( UV  450nm şi x  90nm ) şi de modul
de generare a acestora. Radiaţiile sunt generate de către un fascicol de electroni ce cad pe o ţintă
dintr-un anumit material (Al). În momentul în care electronii ciocnesc materialul ţintă ei emit
cuante de lumină ale căror energii sunt date de diferenţele de nivele energetice asociate stării
stabile şi cea excitată.
Acelaşi principiu este folosit pentru analiza compoziţiei chimice a unei substanţe.

Figura VI.28. Obţinerea razelor X

Se poate astfel determina componenţa chimică a oricărui corp în funcţie de componenta
spectrală.
Instalaţia litografiei cu raze x este descrisă în figura de mai jos:
 Figura VI.29. Instalaţia litografiei cu raze X
Filamentul se încălzeşte şi din el ies electronii. Aceştia nimeresc pe ţinta de aluminiu,
având potenţial de 20KV. În unele instalaţii se întrebuinţează ţinta sub formă de octaedru, care în
timpul funcţionării se roteşte (electronul are o energie atât de mare astfel încât în momentul în
care ajunge pe ţintă poate să o topească) pentru a se ciocni pe mai multe feţe.
Mişcarea electronilor se face în vid, de unde trebuie să iasă prin fereastra din beriliu, în
aer. Ca urmare din vid ies razele X. Masca în acest caz este un material subţire şi care nu
absoarbe razele X decât în zonele opace. Trebuie să existe însă un material care le absoarbe.
Avantajele şi dezavantajele litografiei cu raze X
Nu se pot obţine elemente cu dimensiuni foarte mici datorită instalaţiei care influenţează
divergenţa fascicolului de raze X generat. Divergenţa fascicolului de raze X la nivelul fotomăştii
este dată de distanţa dintre diafragmă - ţintă şi ţintă – fotomască. La nivelul suprafeţei de
fotorezist se adaugă o eroare suplimentară introdusă de distanţa fotomască – suprafaţa fotorezist.
Unele probleme apar datorită faptului că lungimea de undă este atât de mică încât nu
putem cu ajutorul lentilelor să focalizăm aceste raze X. Aceste raze X cad pe PMMA ca un flux
ce se împrăştie divergent şi apar erori de formare a desenului:
- erori geometrice (semiumbră);
- erori datorate poziţiei elementului pe suprafaţa plachetei.

Figura VI.30. Erori geometrice

2-

Figura VI.31. Erori datorate poziţiei elementului pe suprafaţa plachetei

 Capitolul VII. Depunerea materialelor dielectrice şi conductoare

În tehnologia circuitelor integrate hibride există două tipuri de pelicule:

- pelicule subţiri (câteva sute de Å);
- pelicule groase.
Deosebirea principală constă în modul de confecţionare a acestor pelicule. Un circuit
integrat hibrid este un suport dielectric pe suprafaţa căruia sunt depuse elemente pasive
(rezistoare, condensatoare, bobine, trasee de interconexiuni) unite mai departe cu elemente active
(diode, tranzistoare, chip-uri). Prin metodele de astăzi se depun elementele pasive şi apoi se
conectează cele active. Plăcile de cablaj imprimat au doar trasee şi pe acestea se conectează
elementele.
În principiu peliculele subţiri se depun prin vaporizare termică în vid, prin pulverizarea
în plasmă(metalice, rezistive, dielectrice). Configuraţia acestor pelicule se face cu ajutorul
măştilor.
La baza circuitelor integrate hibride cu pelicule groase stau aşa numitele paste (pastă
conductoare, rezistivă, dielectrică). Aceste paste conţin materiale deficitare: aur, platină.
Principala problemă este că aceste paste nu se depun în vid şi se pot depune în atmosferă.

VII.1. Metode de obţinere a vidului

Presiunea atmosferică are în medie 760mmHg iar pentru a depune o peliculă în vid este
necesar un vid cu o presiune de 10-6mmHg. Pentru a se obţine vid se folosesc pompe mecanice
sau pompe difuzionice. Pentru epitaxie este necesar un vid 10-12mmHg.

VII.1.1. Construcţiile şi principiul de funcţionare a pompelor mecanice

Sunt două tipuri de pompe mecanice:
- cu plăci rotitoare;
- cu plăci staţionare.
Pompe cu plăci rotitoare:

Figura VII.1. Pompa cu plăci rotitoare

Funcţionarea are la bază modificările de volum ale camerei de admisie şi evacuare
obţinute la rotirea plăcilor.

Pompe cu plăci staţionare

 Figura VII.2. Pompa cu plăci staţionare
Pompele se deosebesc prin presiunea atmosferică. La pompele mecanice presiunea este
presiunea atmosferică iar pompele difuzionice pot lucra de la o presiune de intrare de 10-1
mmHg. Presiunea maximă pe care o poate obţine este 10-6 mmHg.
Pompele se mai caracterizează prin viteza de pompare:
- la cele mecanice: câteva sute litri/sec;
- la cele difuzionice: 5000 litri/sec.

VII.1.2. Construcţiile şi principiul de funcţionare a pompelor difuzionice

Pompele difuzonice au la bază difuzia aerului într-un lichid la o temperatură mai
ridicată şi urmată de condensarea şi evacuarea lichidului. Pentru evacuare se foloseşte tot o
pompă mecanică.

Figura VII.3. Pompa difuzionică

În camera compresiei se găseşte ulei cu molecule care au presiunea vaporilor saturaţi
mai mare. Prin încălzire o parte din moleculele de ulei ajung în stadiul de vapori antrenând aerul
din incintă (aerul difuzează în vaporii de ulei). Pereţii vasului sunt răciţi având loc condensarea
acestor molecule care sunt evacuate şi comprimate în partea de jos. Pereţii vasului sunt răciţi cu
o instalaţie criogenică ce permite colectarea picăturilor de ulei. Vasul cu azot lichid de la
suprafaţa vasului împiedică vaporii de ulei să iasă din incintă.
 VII.2. Măsurarea vidului
Instalaţiile de realizare a vidului sunt însoţite de traductoare care permit măsurarea
presiunii din incinta vidată.

VII.2.1. Traductoare pentru măsurarea vidului

Există două tipuri de traductoare pentru măsurarea vidului: pe baza efectului
termoelectric şi cu ionizare.
Traductoare pe baza efectului termoelectric

Figura VII.4. Traductoare pe baza efectului termoelectric

Aceste traductoare sunt realizate dintr-un încălzitor şi un termocuplu. Prin încălzitor se
aplică un curent stabilizat Ist şi cu voltmetru se măsoară tensiunea care apare la termocuplu.
Presiunea aerului din interiorul incintei determină un transfer de căldură mai mare sau
mai mic. Tensiunea măsurată cu voltmetru funcţie de presiune are o formă ca cea din figura de
mai jos:

Figura VII.5. Presiunea din incintă funcţie de tensiunea măsurată de voltmetru

Aceste traductoare pot să măsoare doar până la 10-4 mmHg.
Traductoarele cu ionizare sunt folosite pentru a măsura presiuni de peste 10-4 mmHg şi
sunt construite dintr-un filament termoelectronic (catod), un cilindru de nichel colector de ioni şi
un anod, ca în figura de mai jos:
 Figura VII.6. Traductoarele cu ionizare
Catodul emite electroni ce ajung în câmpul anodului. Electronii se vor accelera spre
anod şi pe parcursul drumului de mişcare au posibilitatea de a se ciocni cu atomii aerului rămas
în sistem. Din aceste ciocniri rezultă ioni pozitiv încărcaţi (electronul smulge un electron de la
atom). Acest ion este atras de câmpul catodului sau de colectorul de ioni (care are potenţial
negativ mai mare) rezultând un curent prin colectorul de ioni proporţional cu presiunea.

VII.2.2. Construcţia instalaţiei pentru obţinerea vidului. Principiul de funcţionare

Figura VII.7. Instalaţia pentru obţinerea vidului

k1 este pentru a da drumul la aer în volumul de lucru.
Pentru a se obţine vid: k1, k2 închise, k3 deschis şi se pompează afară aerul din instalaţie
rezultând un vid de 10-1 mmHg. Se încălzeşte pompa difuzionică, se închide k2 şi se deschide k4,
pompa mecanică va pompa din butelia de vid şi din pompa difuzionică. Apoi se deschide k3 şi se
pompează aerul din instalaţie obţinându-se vidul necesar şi se face în instalaţie operaţia dorită.
Dacă se vrea altă operaţie se închid k2, k3 şi se deschid k1, k4 şi se dă drumul la aer în
instalaţie, după care se reia procedeul.

VII.3. Metode de obţinere a peliculelor dielectrice şi conductoare

Peliculele dielectrice şi conductoare se pot depune prin mai multe metode.
O primă metodă este cea de depunere în fază gazoasă (metoda chimică) în care
substanţa evaporată într-o incintă este transportată cu un gaz de transport (gaz inert), într-o altă
incintă unde se depune.
O a doua metodă este cea în care substanţa evaporată într-o incintă reacţionează cu
gazul transportor, compusul rezultat este transportat într-o altă incintă unde se descompune astfel
încât substanţa utilă se depune pe suprafaţa plachetei.
A treia metodă este metoda depunerii prin electroliză (în fază lichidă) în care ionii de
interes din electrolit sunt transportaţi sub acţiunea câmpului electric până la suport unde sarcina
acestora este neutralizată, atomii rezultaţi depunându-se pe suport.
Alte două metode sunt metoda evaporării termice în vid şi metoda pulverizării catodice
care necesită o atmosferă strict controlată din punct de vedere al concentraţiei şi presiunii gazelor
din interiorul incintei. Metodele presupun prezenţa unui vid înalt, lucru ce nu este posibil într-o
singură etapă datorită performanţelor instalaţiilor utilizate.

VII.3.1. Bazele fizice a vaporizării termice în vid

Pe baza diagramelor de stare orice substanţă în anumite condiţii de presiune poate trece din
starea solidă direct în starea de vapori (sublimare). Presiunea la care are loc acest lucru se
numeşte presiunea vaporilor saturaţi.
B
p  A , A, B = constante ale substanţelor, T[ºK] = temperatura.
T
Una din problemele majore ale procesului de sublimare este aceea ca în absenţa unui
mecanism adecvat depunerea substanţei pe suport se face neuniform. Pentru a obţine o depunere
uniformă ar fi necesar ca întreaga substanţă ce trebuie depusă să fie evaporată şi apoi depusă prin
condensare pe suprafaţa suportului. Pentru a împiedica o depunere neuniformă se plasează
deasupra încălzitorului o placă de magneziu care nu permite soluţiei sa părăsească vaporizatorul
până când nu ajunge în stare gazoasă.
În ansamblu procesul de depunere prin evaporare termică în vid are performanţele
determinate de doi factori:
- Rata de evaporare a substanţei;
- Rata de depunere a acesteia.
În cazul unei substanţe formate dintr-un singur element rata de evaporare depinde de
temperatura şi presiunea gazelor reziduale din incintă.
1 molecule
N  CPe Pe – presiunea limită a vaporilor saturaţi
MT cm 2 s
 Depunerea materialului evaporat depinde mult de λ- lungimea drumului liber mediu a
unei molecule sau lungimea maximă pe care o poate parcurge atomul fără ciocnire.
Această mărime este invers proporţională cu presiunea gazului rezidual din incintă.
5 103
 cm Po – presiunea vidului
Po
dacă Po=10-4mmHg rezultă λ=50cm.
Pentru a obţine un randament bun al procesului de depunere ar trebui ca distanţa dintre
vaporizator şi suport să fie mai mică decât λ la presiunea respectivă.

Figura VII.8. Depunerea prin evaporarea termică în vid

λ- lungimea parcursului liber al atomului sau lungimea maximă pe care o poate
parcurge atomul fără ciocnire.
p= 10-2mmHg=presiunea condiţională de vaporizare.
Dacă λ >> R obţinem instalaţie cu vid înalt;
Dacă λ  R obţinem instalaţie cu vid mijlociu;
Dacă λ < R obţinem instalaţie cu vid scăzut (în principiu nu putem vaporiza).
Dacă presiunea în incintă ar fi relativ ridicată atunci drumul liber mediu ar avea valoare
mică şi atunci creşterea randamentului substanţei de depunere s-ar face prin scăderea lui R însă
aceasta ar duce la neuniformitatea peliculei depuse.

Figura VII.9. Neuniformitatea peliculei depuse

Vaporizatorul folosit în general se realizează din wolfram şi tantal pentru că substanţele de
vaporizat necesită temperaturi mari pentru sublimare.
Există vaporizatoare în care vaporizarea se face cu încălzire directă, în care materialul
conduce curentul electric şi se încălzeşte, şi cu încălzire indirectă în care materialul primeşte
căldura necesară de la o sursă separată de căldură. Există şi posibilitatea încălzirii substanţei în
câmp electromagnetic (microunde).
În cazul aliajelor, unde rata de evaporare a elementelor componente este complet diferită se
poate folosi:
- Metoda vaporizării instantanee în care cantităţi mici de aliaj sunt aduse în
vaporizator astfel încât ambele elemente sunt vaporizate instantaneu;
 Figura VII.10. Metoda vaporizării instantanee
- Metoda celor trei temperaturi în care prin două temperaturi se controlează cotele de
evaporare ale celor două elemente, aflate în vaporizatoare distincte şi prin a treia
temperatură se coordonează cotele de depunere.
- Există posibilitatea evaporării şi în fascicul electronic în care electronii generaţi de
filamentul electronic sub acţiunea unui câmp combinat electric şi magnetic
ciocnesc materialul de bază iar atomii acestui material, ionizaţi, se vor desprinde şi
se vor deplasa sub influenţa unui câmp electric către suport.

Figura VII.11. Vaporizatorul cu fascicol electronic

Cu astfel de vaporizatoare putem vaporiza substanţe cu temperatură mare de vaporizare
obţinându-se astfel substanţe cu grad înalt de puritate.
Pentru circuite integrate hibride este necesară vaporizarea aliajelor. Dacă luăm exemplul
Nichelului şi Cromului la temperatura de 1000ºC, constatăm că presiunea vaporilor saturaţi ai
Cromului este de zece ori mai mare decât cea a Nichelului. Deoarece aliajul 80%Ni+20%Cr
după vaporizare nu-şi mai păstrează compoziţia se vaporizează foarte bine în vaporizator cu
fascicol de electroni.

VII.3.2. Metoda pulverizării în plasmă

În interiorul instalaţiei se găsesc atomii unui gaz neutru care în prezenţa unui câmp
electric se transformă în plasmă. Plasma acţionează asupra materialului de bază în sensul ruperii
legăturilor interatomice, atomii rezultaţi depunându-se pe suport.
Avantajele procesului de pulverizare în plasmă:
- posibilitatea de a depune aliaje fără modificarea concentraţiei acestora;
 - posibilitatea de a obţine pelicule din materiale cu temperatura de topire foarte mare;
- posibilitatea de a obţine pelicule dielectrice datorită reacţiei chimice în plasmă
dintre substanţa care se vaporizează cu un oarecare gaz de reacţie (O2 sauN2);
- uniformitatea grosimii peliculei depuse este mult mai bună decât în cazul
vaporizării termice în vid;
- se poate asigura continuitatea procesului prin folosirea unei “ţinte” (materialul care
se vaporizează reprezintă o ţintă masivă) care se schimbă la ½ de an;
- inerţia procesului este scăzută;
- peliculele au o adeziune mai mare decât în cazul vaporizării termice, datorită
faptului că atomul pulverizat are o energie de trei ori mai mare decât în cazul
vaporizării termice în vid.
Există mai multe sisteme de pulverizare în plasmă:
- în curent continuu;
- în curent alternativ;
- în sistem diodic;
- în sistem triodic.

VII.3.3. Pulverizarea în curent continuu în sistem diodic

În orice moment de timp există posibilitatea ionizării gazului din interior pe baza
energiei cuantelor de lumină. Aceşti ioni sunt acceleraţi în interior către catod şi întâlnind pe
parcurs alţi atomi îi ionizează formând fenomenul de avalanşă a numărului de particule ionizate.

Figura VII.12. Pulverizarea în curent continuu în sistem diodic

Aplicând pe catod un potenţial negativ şi pe anod unul pozitiv la un moment dat se va
observa că tubul va începe să lumineze într-o culoare roşiatică (potenţialul nu poate rupe
electroni din atomi, deci nu din această cauză luminează). Există posibilitatea ca pe acest tub să
vină o particulă cu o energie hυ, când atomul se ciocneşte cu această particulă (dacă atomul este
destul de mare) formează un ion pozitiv (ce are masă mai mare şi se mişcă mai încet) şi un
electron.
Electronul mişcându-se spre anod se poate ciocni de un atom neutral şi se poate forma o
altă pereche electron-ion rezultând astfel înmulţirea în avalanşă a purtătorilor de sarcină.
La un moment dat tot acest gaz este ionizat, adică s-a obţinut plasmă în interiorul
acestui tub.
În interiorul tubului se vor vedea patru regiuni:
1 – regiunea întunecată de lângă catod;
2 – regiunea luminoasă negativă;
3 – regiunea întunecată anodică;
 4 – regiunea luminoasă anodică (cea mai mare).
Graficul distribuirii potenţialului pe lungimea tubului este ca în figură:

Figura VII.13. Distribuirea potenţialului pe lungimea tubului

Graficul este strâns legat de modul în care se distribuie particulele din gaz în momentul
apariţiei plasmei. Materialul ţintă se va pune totdeauna la catod (ionii au masă mai mare decât
electronii deci au energii mai mari).
Există două teorii pentru procesul de pulverizare:
1. Teoria clasică în care fiecare ion accelerat ciocneşte suprafaţa catodului şi rupe
din acesta alţi atomi. Dacă energia ionilor ar fi suficient de mare atunci energiile cinetice ale
atomilor rezultanţi prin pulverizare ar fi suficient de mari încât toţi ar ajunge la anod, ceea ce nu
se întâmplă. Ionii nimerind pe suprafaţa ţintei cedează energie şi ţinta se încălzeşte până la
evaporare. Dacă s-ar încălzi catodul ar creşte randamentul procesului ceea ce este fals.
2. Teoria cinetico-moleculară se apropie cel mai mult de rezultatele experimentale.
Direcţiile de mişcare şi vitezele tuturor particulelor se modifică în urma unor ciocniri.
Dependenţa coeficientului de pulverizare, ce reprezintă numărul de atomi smulşi din
catod sub acţiunea unui ion, de potenţialul aplicat arată ca în figură:

Figura VII.14. Dependenţa coeficientului de pulverizare de potenţialul aplicat

Cu cât se măreşte potenţialul de accelerare cu atât mai mulţi atomi pot fi smulşi din ţintă
(K mare). La un moment dat K se micşorează (chiar dacă se măreşte energia) şi ionul se poate
implanta în interiorul ţintei la energie mare.
K  U  U cr   J
S-a obţinut pentru viteza de pulverizare următoarea formulă: v ,
PD
 unde U-Ucr este potenţialul aplicat, J este densitatea curentului [A/cm2], P este presiunea
gazului inert în tub şi D este distanţa dintre anod şi catod.
Astfel putem spune că viteza de pulverizare este invers proporţională cu presiunea.
Dacă presiunea este mare atunci atomii se vor împrăştia şi nu se vor mai depune pe
suport, ca urmare trebuie să micşorăm presiunea, şi deci trebuie să mărim potenţialul.
Cu cât este mai mare presiunea în aceste gaze se găsesc şi diferite impurităţi. Pentru a
depune pelicule cu o puritate mai înaltă se foloseşte pulverizarea catodică cu ajutorul curentului
alternativ.

VII.3.4. Pulverizarea în curent alternativ în sistem diodic

Instalaţia pulverizării în curent alternativ în sistem diodic este descrisă în figură:

Figura VII.15. Instalaţia pulverizării în curent alternativ în sistem diodic

În alternanţa negativă ionii sunt acceleraţi către catod şi are loc procesul de pulverizare.
În alternanţa pozitivă ionii vor fi acceleraţi către anod, vor bombarda suportul, fără însă a
pulveriza.
Unul din avantajele folosirii sistemului diodic în curent alternativ este acela că se
micşorează riscul implantării ionice a gazului inert.
Dacă atomii gazului vor pătrunde pe alternanţa pozitivă în ţintă, aceştia vor fi degajaţi în
instalaţie în alternanţa negativă.

VII.3.5. Pulverizarea în sistem triodic

Pulverizarea în sistem triodic presupune că anodul şi catodul sunt separate de ţintă şi
suport. Instalaţia este descrisă în figura următoare:
 Figura VII.16. Instalaţia pulverizării în sistem triodic
Bobina prin câmpul magnetic generat are rolul de a imprima o mişcare în spirală
electronilor generaţi de filament crescând în acest fel probabilitatea de ciocnire dintre ioni şi
atomii gazului inert din incintă. Acest lucru duce la scăderea presiunii gazului inert din incintă
rezultând o creştere a vitezei de depunere a materialului ţintă şi o puritate ridicată a peliculei
depuse. Pentru a împiedica ionii gazului inert să se apropie de catod (filament) şi neutralizarea
lor electrică, catodul este protejat cu o membrană magnetică.
În toate aceste sisteme suprafaţa ţintei este mai mare decât suprafaţa suportului pe care
se face depunerea pentru a asigura o bună uniformitate a peliculei depuse.
Adeziunea ridicată la suport a peliculei depuse este şi o urmare a faptului că suportul se
încălzeşte datorită bombardării lui de către atomii materialului ţintă dar şi de către ionii gazului
inert.
Avantajele acestei vaporizări:
- viteza de depunere a peliculei este mult mai mare decât în sistemele diodice datorită
micşorării presiunii;
- gradul de purificare a peliculei este mai înalt pentru că presiunea este mai mică.
Acest sistem poate fi folosit pe larg pentru depunerea peliculelor subţiri.

VII.3.6. Pulverizarea reactivă

Pulverizarea reactivă poate fi făcută şi în sistemele diodice şi triodice şi presupune
introducerea în incintă, pe lângă gazul inert, a unui gaz reactiv care poate reacţiona cu materialul
ţintă ducând în felul acesta la depunerea unei pelicule dielectrice pe suprafaţa suportului.
 Figura VII.17. Instalaţia pulverizării reactive
Peliculele obţinute pentru diverse ţinte sunt descrise în tabelul următor:

Materialul ţintei Gazul de reacţie Pelicula obţinută

Si O2 SiO2
Al O2 Al2O3
Si N2 Si3N4
Unul dintre cele mai avansate sisteme de pulverizare este magnetronul, care este un
sistem de tip diodic, în care suporturile sunt egal distribuite pe pereţii acestuia

Figura VII.18. Principiul magnetronului

Datorită câmpului magnetic aplicat şi a mişcării magnetronului, electronii liberi din
interior vor avea o mişcare în spirală ce vor ciocni ionii cu o probabilitate mai mare.
Randamentul de pulverizare este foarte bun pentru că ţinta este bombardată din toate părţile cu
ioni ai gazului inert.
Uniformitatea peliculelor depuse este bună datorită mişcării de rotaţie a magnetronului.

VII.3.7. Pulverizarea dielectricilor la frecvenţe înalte

Pentru această metodă se foloseşte principiul sondei lui Lengmiur.
 Figura VII.19. Sonda lui Lengmiur pentru pulverizarea la înaltă frecvenţă
Dacă de ţintă se ciocneşte o încărcătură pozitivă (ion) acesta se acumulează pe
suprafaţa catodului şi la un moment dat această încărcătură va neutraliza potenţialul catodului
astfel încât pulverizarea dielectricilor nu poate avea loc.
S-a măsurat curentul prin sondă pentru ambele polarităţi:

Figura VII.20. Curenţii prin sonda lui Lengmiur

Mobilitatea electronilor este mai mare decât cea a ionilor. Deoarece ionii nu se
neutralizează imediat pe suprafaţa catodului, atrag electroni mobili care sunt mai mici şi se
deplasează cu viteză mai mare. Este necesară o frecvenţă înaltă pentru amorsarea efectului:

Figura VII.21. Instalaţie de pulverizare la frecvenţe înalte

Când la ţintă avem potenţial negativ, ionii formaţi în plasmă vor bombarda ţinta şi se
vor acumula pe suprafaţa ţintei din SiO2. Când tensiunea este nulă ţinta este bombardată de
electroni neutralizând potenţialul ionilor astfel încât ţinta este gata pentru a putea fi pulverizată
când potenţialul este pozitiv.
Particularităţi ale depunerii peliculelor dielectrice
 În cazul în care materialul ţintă este un dielectric, iar câmpul electric aplicat între anod
şi catod este continuu sau alternativ de joasă frecvenţă, există riscul acumulării ionilor gazului
inert la catod (sistemul diodic) şi neutralizării sarcinii electrice a catodului. Acest lucru duce la
blocarea procesului de pulverizare. Pentru a evita acest lucru ţintele din material dielectric sunt
pulverizate în câmp electric de înaltă frecvenţă. Creşterea frecvenţei câmpului electric permite
neutralizarea gazului inert chiar de către electronii liberi din interiorul incintei, minimizându-se
astfel probabilitatea plasării acestor ioni pe catod.

VII.3.8. Măsurarea grosimii peliculelor în timpul depunerii

Peliculele care formează rezistoare în circuitele integrate hibride au grosimea 500-600Å
astfel încât necesită o precizie foarte mare la depunerea peliculelor.
O metodă de măsurare general utilizată pentru grosimea peliculelor este microscopul
interferenţiomic.

Figura VII.22. Microscopul interferenţiomic

Razele cad pe suport prin deschizătura din peliculă, după care o parte din raze se
reflectă de pe suprafaţa suportului şi o parte de pe suprafaţa peliculei şi ajung la ocular cu o
diferenţă de drum parcurs, şi vom vedea culorile ca în figură:

Figura VII.23. Culorile observate de ochiul observator

.
X 
grosimea peliculei se defineşte sub forma: h 
X 2
 Dacă lumina (raza) este verde λverde=0,55µm, grosimea peliculei este: h  0.275 X [  m]
X
Se folosesc diferiţi traductori (pentru măsurarea grosimii) sau aparate de măsură ce
trebuie să măsoare diferite grosimi ale peliculei precum şi viteza de depunere a peliculei.
Efectele fizice care stau la baza acestei metode de măsurare sunt:
a) efectul ionizaţionic;
b) efectul de rezonanţă;
c) efectul rezistiv;
d) efectul capacitiv.
a) Măsurarea grosimii pe baza efectului ionizaţionic

Figura VII.24. Efectul ionizaţionic

Ionii se deplasează către colectorul de ioni. În felul acesta traductorul oferă un curent
prin colectorul de ioni proporţional cu cantitatea de gaz reziduală din interiorul traductorului.
Modulatorul are rolul de a permite pătrunderea în anumite intervale de timp a unei cantităţi de
substanţă provenită din vaporizator. În felul acesta în interiorul traductorului se va gasi o
cantitate de substanţă fluctuantă în timp ce va duce la apariţia unei componente alternative a
curentului prin colectorul de ioni, componentă care se suprapune peste cea continuă ce este dată
de valoarea medie a gazului rezidual din traductor. Se poate presupune că amplitudinea
componentei alternative este proporţională cu viteza de depunere a substanţei pe suport.
t
1
Grosimea peliculei depuse este: h   I (t )  dt
D0
D reprezintă constanta traductorului şi depinde de construcţia sa.
b) Măsurarea grosimii pe baza efectului de rezonanţă
În acest caz traductorul este un cristal al cărui frecvenţă de oscilaţie este proporţională
cu masa traductorului.
În mod normal cristal de cuarţ oscilează pe o frecvenţă de rezonanţă f0, care depinde de
temperatura materialului de exploatare.
Ştiind masa şi densitatea peliculei putem determina grosimea ei. Pelicula se depune şi
pe traductor caracterizat prin frecvenţa f0 proporţională cu m0 (masa traductorului).
 Figura VII.25. Traductor pe baza efectului de rezonanţă
Dacă masa m0 se schimbă se va modifica şi frecvenţa: m0  m  f 0  f f  m
Acest traductor trebuie calibrat pentru diferite tipuri de materiale:

Figura VII.26. Grosimea peliculelor funcţie de variaţia frecvenţei

Depunerile de pe traductor trebuie uneori îndepărtate pentru că se ajunge la frecvenţe
foarte mari. Pe traductor se depune o peliculă de Al pentru ca îndepărtarea să se facă cu un
corodant pentru Al (astfel se pot îndepărta depunerile de SiO2 dacă traductorul este din SiO2).
Această metodă se foloseşte şi în VLSI.
c) Măsurarea grosimii pe baza efectului rezistiv
Se utilizează doar pentru elementele rezistive. Dacă se depune o peliculă rezistivă,
l
rezistenţa echivalentă este: R   . Măsurând cu un ohmetru rezistenţa, se poate determina
bh
grosimea h.

Figura VII.27. Efectul rezistiv

d) Măsurarea grosimii pe baza efectului capacitiv
 Se utilizează doar pentru elementele capacitive la depunerea dielectricului.

Figura VII.28. Efectul capcitiv

Dacă C0 este capacitatea suportului, după depunerea peliculei dielectrice vom obţine
C0+ΔC=C0Cp/(C0+Cp) iar Cp=εpS/h. Măsurând cu un capacimetru capacitatea se poate determina
grosimea h.

VII.3.9. Depunerea SiO2 şi Si3N4

Plasma poate fi folosită pentru depunerea peliculei de SiO2, Si3N4, Al2O3 din plasmă
la temperaturi mai mici decât la oxidarea termică (500-600ºC). Această depunere (în plasmă) se
foloseşte pentru a pasiviza suprafaţa circuitelor integrate, în general, sau pentru a face metalizare
multistrat unde trebuie să realizăm izolaţie între contacte. Putem depune şi la temperatura
camerei pe suprafaţa plachetei.
În 1968 se foloseşte plasma pentru a înlătura rămăşiţele de fotorezist de pe suprafaţa
plachetei. Însă la înlăturarea fotorezistului o parte din atomi totuşi rămâneau pe suprafaţa
plachetei (atomii de St care duceau la scurtcircuitarea între reţelele de contact).
Timp de 10 ani nu s-a mai folosit acest proces. S-a ivit apoi problema că s-a început a se
utiliza pelicula de Si3N4, pentru care nu exista un corodant pentru a fi înlăturat şi s-a început
corodarea acestuia cu ajutorul plasmei.
Datorită acestui fapt s-a început cercetarea corodării cu plasmă şi începând cu anii ’80-
’83 plasma a început să fie folosită pe scară largă pentru circuitele VLSI.
Plasma s-a folosit pentru a depune pelicule din: Pt, WF6, Mo.
Cum plasma este ioni+electroni molecula WF6 (sare de W- în stare gazoasă) se va
descompune în: WF5+F sau WF5+F- .
In general siliciul monocristalin se depune prin operaţii de epitaxie (reacţia dintre SiCl4
şi H2), motivul fiind puritatea ridicată a peliculelor depuse.
0
SiCl4  H 2 
1200 C
 Si  4 HCl
Siliciul se poate depune şi din compuşi de tipul triclorsilan SiHCl3 şi silanul propriu-zis.
În cazul în care sunt necesare pelicule de SiO2 cu calitate foarte bună se pot utiliza
reacţii de sinteză din silan, cu oxigen sau cu N2O.
SiH 4  O2  SiO2  2H 2
SiH4  2N2O  SiO2  2N2  2H2
Pelicula corespunzătore oxidului de grilă de la MOS se obţine prin oxidare termică cu
temperaturi scăzute (400-6000C). Dacă puritatea oxidului necesar nu este atât de critică atunci se
poate utiliza şi pulverizarea în plasmă reactivă.
 SiO2 şi Si3N4 se pot depune în plasmă cu instalaţia:

Figura VII.29. Instalaţia de depunere a SiO2

T[ºC] oxidant Viteza de corodare

Metoda Raportul Compoziţie
depunere SiH 4 [nm/s]
Depunere în plasmă
300 3 - 4.5
SiH4+O2
SiO1.94
SiH4+N2O 300 55 3.0
N0.06
Reacţie chimică
500 1.5 SiO2 6
SiH4+O2
Oxidare termică 900 1.5 SiO2 1.7
Viteza de corodare a peliculei depuse reprezintă un indice de performanţă pentru
calitatea acelei pelicule. Cu cât viteza scade cu atât pelicula depusă este mai densă.
Când se utilizează plasma reactivă viteza de depunere dar şi calitatea peliculei depuse
vor depinde de puterea consumată de reactor.
În ceea ce priveşte pelicula de Si3N4 aceasta se poate obţine printr-o reacţie de sinteză
dintre SiH4 şi amoniac, fie printr-o metodă combinată utilizând plasmă reactivă.
3SiH 4  4 NH3  Si3 N4  12H 2
De altfel mai toate metodele chimice pot fi modificate în metode electro-chimice. Si3N4
obţinută poate obţine concentraţie de H2 impurităţi până la 18%.
Metodele de depunere în plasmă se pot folosi ori de câte ori temperatura de sublimare a
materialelor ce urmează a fi depuse este mult prea ridicată astfel încât metoda evaporării termice
nu poate fi folosită.

VII.4. Corodarea
Corodarea se poate realiza chimic (corodare umedă) sau pe cale electrochimică
(corodare uscată).
Corodarea SiO2 în acid fluorhidric (HF) este o corodare umedă.
SiO2  4 HF  SiF4  2 H 2O
SiF4 poate duce la desprinderea foterezistului.
Mai des folosită este corodarea cu HF şi fluorură de amoniu (NH4F):
SiO2  HF  NH 4 F  SiF6  ...
 Indiferent de agenţii de corodare utilizaţi şi de metoda de corodare folosită, pentru
operaţia propriu-zisă prezintă interes doi parametrii: anizotropia de corodare (A) şi selectivitatea
agentului de corodare. Selectivitatea agentului de corodare este dată de raportul dintre viteza de
corodare orizontală şi viteza de corodare verticală.
V
A 1 L
VV
Un proces de corodare este cu atât mai bun cu cât anizotropia se apropie de valoarea
unitară (VL=0) şi cu cât selectivitatea agentului de corodare este mai bună (viteza de corodare a
substanţei ce se doreşte a se înlătura este mult mai mare decât viteza de corodare a celorlalte
substanţe).

Figura VII.30. Pătrunderea substanţei corodante sub fotorezist

Corodarea umedă, din punct de vedere al anizotropiei, este dezavantajoasă, anizotropia
având valori mici (10-20%) dar are avantajul unei selectivităţi bune (agentul de corodare folosit
pentru SiO2 nu reacţionează chimic cu fotorezistul sau cu placheta). În cazul corodării uscate
(plasmă nereactivă formată din gaz inert), anizotropia este ridicată, apropiată de 1 (deoarece ionii
se deplasează pe direcţii perpendiculare pe suprafaţa plachetei) însă selectivitatea agentului de
corodare este foarte proastă (bombardamentul cu ioni duce la distrugerea legăturilor moleculare
aflate pe suprafaţa plachetei). Un compromis între cele două este oferit de plasma reactivă în
care pe lângă energiile cinetice mari imprimate ionilor în câmp electric, acestea au şi proprietatea
că reacţionează cu substanţa ce urmează a fi înlăturată.
În reactor se află un amestec de gaz neutru şi un gaz reactiv iar placheta va fi plasată la
catodul sistemului. În interiorul reactorului se vor găsi atomi şi ioni ai gazului neutru şi atomi din
structura moleculară a gazului reactiv. O parte din aceşti atomi vor reacţiona cu substanţa ce
urmează a fi înlăturată de pe suprafaţa plachetei.
Primele corodări au avut loc cu utilizarea plasmei CF4 (în plasma de Ar se mai adaugă
un gaz de reacţie). Acesta, în plasmă, se descompune:
 CF3  F
CF4  , atunci are loc bombardarea cu Ar şi în jurul bombardării (în
 CF2  F  F 
plasmă) mai sunt şi atomi de F rezultând reacţia SiO2  4F  SiF4  O2 ,în interiorul plasmei mai
are loc şi reacţia chimică ce măreşte viteza de corodare a peliculei.
Si  4F  SiF4
În acelaşi mod: - plasmă reactivă- plasma în care are loc şi
SiN4  4F  SiF4  2 N 2
reacţii chimice
 Viteza de corodare a siliciului în plasma creşte dacă plasma conţine fluoruri -XeF2(gaz),
XeF2+Ar sau Ar+:

Figura VII.31. Viteza de corodare pentru plasma ce conţine fluoruri

O selectivitate mai bună a acestui agent de corodare se poate obţine prin adăugare de H2 în CF4

Figura VII.32. Raportul vitezelor de corodare

Figura VII.33. Vitezele de corodare pentru diverse materiale

Figura VII.34. Raportul vitezelor de corodare creşte pentru presiune ridicată

Aluminiu se corodează în cloruri de tipul: CCl4 şi BCl3.

Aluminiu are pe suprafaţa sa Al2O3 şi până nu se rupe această peliculă nu are loc
corodarea.
 Selectivitatea
Material pentru Vcorodare
Gaz Material/ Material/ Material/
corodant [nm/min]
fotorezist Si SiO2
Al, Al-Si, Al-Cu BCl3+Cl2 50 58 35 20  25
PoliSi Cl2 50  80 5 35 25  30
SiO2 CF4+H2 50 5 20 25  30
P.S.G. (sticlă
CF4+H2 80 8 32 25  30
fosforsilicată)
 Capitolul VIII. Metode de izolare a tranzistoarelor bipolare

Tehnologia bipolară, ca şi cea MOS, poate fi folosită atât în realizarea de dispozitive

semiconductoare discrete cât şi pentru realizarea de circuite monolitice în care mai multe
dispozitive sunt realizate în acelaşi substrat semiconductor. În cazul realizării dispozitivelor
discrete, numărul operaţiilor tehnologice este mai mic, complexitatea acestora fiind mult mai
redusă iar costurile de încapsulare sunt destul de mici. În cazul circuitelor monolitice
complexitatea circuitului (numărul de componente şi diversitatea lor) dictează în mod direct
complexitatea şi numărul operaţiilor tehnologice utilizate. O diferenţă semnificativă între cele
două cazuri este dată de absenţa sau prezenţa unor mecanisme (tehnici) de izolare între
componente. În cazul tehnologiilor monolitice, fiind necesară realizarea mai multor dispozitive
în acelaşi substrat semiconductor, de regulă, sunt necesare operaţii tehnologice suplimentare
pentru izolarea dispozitivelor între ele. Aceste tehnici urmăresc să micşoreze curenţii de scurgere
prin substrat pentru a asigura o bună funcţionare a circuitului. Costurile de încapsulare ale
circuitelor monolitice sunt mai ridicate decât a celor discrete, fiind influenţate de aria de siliciu
ocupată şi de puterea consumată de circuit.

Figura VIII.1. Realizarea tranzistoarelor bipolare discrete şi integrate

Între oricare două colectoare învecinate apar două diode în antiserie. Curentul parazit
care circulă între colectoare este curentul de scurgere printr-o diodă p+n. Se observă că se obţine
o bună funcţionalitate a circuitului chiar și în absenţa polarizării substratului . Dacă se face
polarizarea substratului pentru îmbunătăţirea caracteristicilor dinamice ale circuitului atunci
substratul se leagă la cel mai negativ potenţial din circuit. În plus, în tehnologia bipolară
monolitică dacă se doreşte creşterea frecvenţei de lucru a tranzistoarelor atunci este necesară şi o
dopare n+ ce are ca scop micşorarea rezistenţei regiunii neutre a colectorului.
Figura VIII.2. Realizarea tranzistoarelor bipolare integrate de micăputere, mare putere şi
multiemitor
Izolarea se poate realiza:
 cu ajutorul joncţiunii polarizate invers:
- tehnologia standard;
- izolarea cu ajutorul colectorului;
- izolarea cu ajutorul bazei;
- metoda celor trei fotomăşti (3 FM).
 cu ajutorul dielectricilor:
- procesul epic.
 izolarea combinată:
- procesul VIP;
- procesul izoplanar.

VIII.1. Tehnologia standard

Tehnologia standard se utilizează în proporţie de 75% în toate circuitele integrate cu
tranzistoare bipolare.
Se pleacă de la o plachetă p dopată slab cu orientare 1:1:1. Nivelul de dopare este în jur
de 10 atomi/cm3.
15
 Primul pas este de acoperire cu un strat de oxid de siliciu (oxidare termică combinată
uscat-umed-uscat, maxim 1µm).
Al doilea pas este operaţia de litografie şi corodare prin care se deschide o fereastră în
stratul de oxid de siliciu prin care se va realiza difuzia n+ corespunzătoare stratului îngropat de
colector. Difuzia se face cu fosfor (0.3µm)

Figura VIII.3. Tehnologia standard (primii doi paşi)

Al treilea pas este realizarea propriu-zisă a difuziei n+ care va constitui stratul de
colector al viitorului tranzistor.
În al patrulea pas se înlătură oxidul de pe suprafaţa plachetei folosind HP. Se creşte
epitaxial o peliculă de siliciu dopat de tip n la 1200oC. Concentraţia este cu un ordin de mărime
mai mare.

Figura VIII.4. Tehnologia standard (următorii paşi)

În timpul operaţiei de creştere a peliculei epitaxiale are loc o redistribuire a impurităţilor
din stratul îngropat. Apoi au loc procesele de oxidare termică, litografie și corodare selectivă
pentru a proteja zonele active şi pentru a permite realizarea difuziilor de izolare a straturilor
semiconductoare. Grosimea oxidului, în acest caz, este mai mare (0,8µm).
Difuzia p+ de izolare, având în vedere adâncimea mare, se realizează în două etape:
- Predifuzie (difuzie din sursă semiinfinită);
- Difuzia propriuzisă (din sursă limitată).
 Adâncimea acestei difuzii trebuie să depăşească grosimea stratului epitaxial n pentru a
avea o bună izolare.

Figura VIII.5. Tehnologia standard (următorii paşi)

Se înlătură prin corodare oxidul rămas şi se face o nouă operaţie de oxidare, litografie,
difuzie, pentru deschiderea unei noi ferestre necesare difuziei de bază p (cu bor).
Difuzia de bază se face tot în două etape pentru a obţine o concentraţie relativ scăzută a
atomilor dopanţi.
Se înlătură oxidul din nou de pe suprafaţa plachetei şi se face o nouă operaţie de
oxidare, litografie şi corodare pentru deschiderea unei ferestre pentru a se realiza difuzia n+ de
emitor şi difuzia n+ în colector.
Difuzia de emitor se realizează într-o singură etapă (prin implantare ionică). Grosimea
de difuzie a emitorului trebuie să fie mică pentru a nu scurtcircuita emitorul cu colectorul.
Se înlătură oxidul protector şi se realizează o nouă operaţie de oxidare litografie şi
corodare pentru deschiderea ferestrelor de contact.
Urmează realizarea metalizărilor pentru colector, bază emitor şi substrat prin acoperirea
plachetei cu un strat de aluminiu şi apoi corodarea selectivă a stratului de aluminiu pentru a
obţine conexiunile dorite.
 Figura VIII.6. Tehnologia standard (ultimi paşi)
Observaţii:
Operaţia de corodare premergătoare unei noi oxidări poate lipsi.
Difuzia n+ din colector este necesară pentru a evita apariţia barierelor Shotky între
metal şi colectorul slab dopat.
Dacă tehnologia este cu un singur strat de metalizare atunci urmează pasivizarea
suprafeţei circuitului prin acoperire cu sticlă care poate fi şi dopată şi dechiderea ferestrelor
necesare colectării firelor de legătură cu pinii capsulei.

VIII.2. Metoda de izolare cu ajutorul colectorului

În acest caz primele etape sunt aceleaşi, rezultatul fiind obţinerea stratului n+ îngropat
în plachetă. Prin creştere epitaxială se depune o peliculă de tip p care va constitui baza viitorului
tranzistor bipolar. Ulterior se face o oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru obţinerea
difuziei n++ de colector. Poziţionarea acestor ferestre se face la marginea stratului îngropat.
Adâncimea difuziei n++ trebuie să depăşească grosimea peliculei epitaxiale.
 În felul acesta cu poziţiile n++ şi n+ şi cu creşterea temperaturii, cele două zone difuzate
se vor uni formând colectorul viitorului tranzistor bipolar.
Se înlătură oxidul şi se face o nouă oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru
obţinerea zonei de bază.
Se înlătură oxidul şi se face o nouă oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru
deschiderea ferestrelor de contact la colector, bază, emitor şi substrat. Se realizează metalizările
corespunzătoare conexiunilor pentru dispozitive.

Figura VIII.7. Metoda de izolare cu ajutorul colectorului

Această tehnică de izolare utilizează un număr mai mic de operaţii decât metoda
standard iar suprafaţa regiunii de izolare este mai redusă, ceea ce duce la o densitate de integrare
mai ridicată.
Această tehnică duce la formarea unor regiuni de colector cu nivel de dopare foarte
ridicat (cu rezistenţă mică) dar şi cu tensiuni de străpungere scăzute. Acest tip de izolare este
folosit în circuite logice.
 VIII.3. Metoda de izolare cu ajutorul bazei
Primele etape standard rămân identice iar pelicula epitaxială crescută este de tip n.
Ulterior se face o oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru obţinerea zonei de izolare şi a
difuziei de bază care sunt de arie minimă.
Se înlătură oxidul şi se face o nouă oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru
deschiderea ferestrelor de contact la colector, emitor, bază şi difuzia de izolare conectată la cel
mai negativ potenţial. Ulterior se fac metalizările corespunzătoare conexiunilor dintre
componente.

Figura VIII.8. Metoda de izolare cu ajutorul bazei

Între colectoarele a două tranzistoare bipolare învecinate separate prin difuzia de izolare
se formează un dispozitiv de tip JFET în care difuzia de izolare joacă rolul grilei. Canalul acestui
tranzistor trebuie blocat, lucru posibil prin aplicarea unui potenţial negativ pe zonele de izolare în
raport cu cele două colectoare. Acest lucru permite extinderea regiunii golite până la suprafaţa
plachetei de tip p şi blocarea canalului tranzistoarelor JFET parazite.
 S-a micşorat numărul de operaţii tehnologice însă gradul de integrare şi performanţele
tranzistorului bipolar obţinut sunt la fel de scăzute ca şi la metoda standard.

VIII.4. Metoda celor trei fotomăşti

Această metodă este cea mai ieftină pentru că exclude operaţia de creştere epitaxială
care este scumpă. Cele trei regiuni ale tranzistorului bipolar se obţin prin trei operaţii de difuzie
succesive care necesită trei operaţii premergătoare de oxidare, litografie şi corodare selectivă,
deci în consecinţă necesită trei fotomăşti.
1º) Placheta iniţială ca în tehnologia standard:

2º) Oxidare, fotolitografie, difuzia n pentru colector:

3º) Oxidare, fotolitografie, difuzia bazei de tip p:

4º) Oxidare, fotolitografie, difuzia n+ pentru emitor:

5º) Tehnologia standard pentru contacte:

Figura VIII.9. Metoda celor trei fotomăşti

Avantajul metodei este numărul redus de operaţii (nu se realizează difuzii speciale de
izolare şi nici strat îngropat de colector). Densitatea de integrare este ridicată însă performanţele
tranzistoarelor dar şi a mecanismelor de izolare sunt scăzute.

VIII.5. Metoda de izolare cu ajutorul dielectricilor. Procesul EPIC

Toate metodele de izolare cu ajutorul joncţiunii pn polarizate invers au un neajuns: între
colector şi plachetă este o diodă polarizată invers şi orice diodă are capacitate de barieră. Această
capacitate micşorează frecvenţa de lucru a tranzistorului.
Operaţiile de bază pentru această metodă sunt:
Se pleacă de la o plachetă de tip n care constituie viitorul colector al tranzistorului
bipolar.
 1º) se depune epitaxial un strat de n+

2º) Fotolitografie prin care se protejează selectiv regiunile active (regiuni în care se vor
forma tranzistoarele bipolare):

3º) Se realizează o corodare chimică pentru formarea unor şanţuri în plachetă:

4º) Se înlătură fotorezistul şi se realizează o oxidare termică la suprafaţa plachetei:

5º) se depune polisiliciu pe suprafaţa plachetei :

6º) se întoarce placheta invers şi se şlefuieşte:

7º) prin metoda standard se formează colectorul, baza şi respectiv emitorul:

Figura VIII.10. Metoda de izolare cu ajutorul dielectricilor

Stratul de polisiliciu constituie un strat tampon pentru protecţia mecanică a plachetei în
cursul prelucrărilor ulterioare.
Această tehnică de izolare se foloseşte pentru tranzistoarele bipolare de înaltă frecvenţă,
curenţii de scurgere şi capacităţile parazite sunt mult mai mici decât în tehnologia standard însă
este una din cele mai scumpe tehnici de izolare deoarece necesită operaţii mecanice de şlefuire,
de precizie ridicată.

VIII.6. Tehnologia VIP

Tranzistoarele sunt izolate în părţile laterale cu dielectric şi în partea de jos cu ajutorul
joncţiunilor p-n polarizate invers.
Primele etape ale tehnologiei VIP sunt aceleaşi cu cele de la metoda standard, plecându-
se de la o plachetă de tip p, se realizează stratul îngropat n+ şi stratul epitaxial n.
În următoarea etapă se face o operaţie de fotolitografie pentru protejarea regiunilor
active apoi o corodare specială care formează în plachetă şanţuri în formă de V, adâncimea
acestor şanţuri trebuie să depăşească zona n.
Se înlătură fotorezistul şi se oxidează termic întreaga suprafaţă a plachetei.
Prin operaţia de depunere epitaxială se formează un strat de polisiliciu pe suprafaţa
plachetei, rolul acestuia fiind de a împiedica pătrunderea fotorezistului utilizat în operaţiile
următoare în interiorul şanţurilor corodate. Dacă fotorezistul pătrunde în aceste şanţuri nu va
putea fi înlăturat cu uşurinţă şi ar putea afecta operaţiile ulterioare.
Se şlefuieşte polisiliciu de pe plachetă apoi se realizează tranzistorul identic cu metoda
standard.
 Figura VIII.11. Tehnologia VIP
Tehnica de izolare VIP oferă rezultate mai bune decât cea standard dar ceva mai slabe
decât metoda EPIC.

VIII.7. Metoda izoplanară

Metoda asigură cel mai bun compromis calitate-preţ. Primele etape sunt aceleaşi cu cele
de la metoda standard, plecându-se de la o plachetă de tip p. se realizează stratul îngropat n+ şi
stratul epitaxial n. Se face o corodare puternic anizotropă puţin peste jumătatea peliculei
epitaxiale şi apoi o oxidare termică până când marginea inferioară pătrunde sub limita peliculei
epitaxiale iar marginea superioară ajunge la nivelul superior.

Figura VIII.12. Metoda izoplanară

Se obţine astfel o izolare laterală şi pe fund cu joncţiuni p-n polarizate invers.
Prin metodele cunoscute se realizează tranzistorul.
 Capitolul IX.Construcţiile şi calculul elementelor în circuitele
integrate

IX.1. Realizarea Diodelor în tehnologia Tranzistoarelor Bipolare.

În circuitele integrate nu este nevoie de a se confecţiona diode speciale. Diodele
reprezintă aceleaşi structuri ale tranzistoarelor (BE, CB, EC) conectate diodic.

Figura IX.1. Realizarea diodelor in circuitele integrate

Primele două structuri au tensiunea de străpungere cea mai mare şi capacitatea de
barieră cea mai mică. A treia structură are tensiunea de străpungere cea mai mică în timp ce
capacitatea de barieră este cea mai mare.

Figura IX.2. Secţiune prin schema 2) şi vedere de sus

În general nu se utilizează conexiuni flotante pentru că există posibilitatea acumulării de
sarcini nedorite.

IX.2. Construcţia şi calculul rezistoarelor în circuitele integrate

În general se folosesc rezistoare difuzate, materialul rezistorului fiind un material
difuzat de acelaşi tip cu baza, colectorul sau emitorul.
Parametrii rezistorului:
- rezistenţa (  , K  ) – Ri;
- puterea de disipare (pe care o poate disipa) – Pi ;
R
- precizie - ;
R
R  R0
- coeficient termic de rezistenţă -  R  t .
R0  t
 Rezistoarele dopate mai puternic vor avea rezistenţă pe pătrat mai mică dar coeficient
de variaţie cu temperatura mai mic. Rezistoarele dopate mai slab au rezistenţa pe pătrat mai mare
dar şi coeficientul de variaţie cu temperatura mai mare. Pentru a creşte rezistenţa pe pătrat se
poate micşora secţiunea transversală obţinându-se rezistoare de tip „pinch”.

Figura IX.3. Rezistor realizat prin difuzie de colector

Figura IX.4. Rezistor realizat cu utilizarea regiunii bazei

Figura IX.5. Rezistor de tip pinch realizat prin difuzie de colector

Conexiunea pinch ar putea fi utilizată pentru a controla electric rezistorul.
De obicei în circuitele integrate se doreşte ca orice rezistor să fie aşezat într-o insulă
izolată comună. Pentru ca rezistorul să fie izolat trebuie ca într-un punct al regiunii izolate să
avem un potenţial pozitiv. De aceea rezistoarele trebuie să fie toate la un loc pentru a avea numai
un singur fir la care să fie potenţial pozitiv şi nu câte un fir pentru fiecare rezistor.
 Figura IX.6. Izolarea rezistoarelor
Rezistoarele pot fi construite sub diverse forme:

Figura IX.7. Realizarea rezistoarelor sub diverse forme

Pentru a proiecta topologia unui circuit cu rezistoare se analizează circuitul şi se
calculează puterea disipată pentru fiecare rezistor, se aleg toleranţele fiecăruia şi intervalul de
temperatură de exploatare a circuitului integrat.
Având aceşti parametri, putem proiecta fiecare rezistor determinându-se dimensiunile
geometrice. Pentru calcule se introduce un nou parametru: rezistivitate specifică pe suprafaţă.

Figura IX.8. Calculul rezistenţei echivalente a unei pelicule în circuitele integrate

Toate rezistoarele formate în cadrul unui circuit au aceeaşi adâncime (adâncimea este
l 
constantă pentru toate rezistoarele) astfel încât R  s unde  s  - rezistivitate pe
b h
suprafaţă.
    l
Dacă l=b, suprafaţa este un pătrat şi atunci R=ρs;    s SI   şi notând Kf=
 patrat  b
coeficientul de formă obţinem R   s K f formula pentru determinarea rezistivităţii.
Trebuie să găsim mai întâi lăţimea rezistorului pentru ca să satisfacă cerinţele de putere,
toleranţă: bcalc  max b teh ,b ∆ ,bp 
bteh - lăţimea minimă a rezistorului care poate fi confecţionat
bΔ - cu cât este mai mare lăţimea rezistorului cu atât este mai precis.
K f l b
Astfel   unde Δl şi Δb sunt erorile absolute ale dimensiunii rezistorului.
Kf l b

K f 1  l 
Dacă l  b   K f atunci    b  rezultând lăţimea maximă a rezistorului
Kf b 
 Kf 
K f  l  R
care satisface cerinţele de precizie. b    b  . Ştiind că

Kf  rezultă
K f  K f  s
R  s K f
    R  T unde αR=10-4[ºC]-1, ΔT- ales din proiectare şi rezistenţa se poate
R s Kf
schimba dacă T se schimbă, ΔR/R=0.2, ΔρS/ρS=0.05  0.1=eroarea relativă a rezistivităţii
specifice (depinde de concentraţia la suprafaţă, stabilitatea temperaturii, adâncimea joncţiunii)
K f R  s
Astfel     R  T nu trebuie să rezulte valoare negativă.
Kf R s
Pentru determinarea lăţimii rezistorului care să satisfacă cerinţele de disipare a căldurii
se porneşte de la puterea disipată pe unitatea de suprafaţă care pentru siliciu este 0.5  3W/mm2
Pi P Pi Pi
P0   i  rezultând bp 
S l  bp K f  bp
2
P0  K f
După determinarea valorii bcalc se poate determina lăţimea rezistoarelor dreptunghiulare.
l  bcal  K f
Pentru un rezistor de tip meandru trebuie determinat şi numărul de segmente:

Figura IX.9. Dimensionarea rezistorului de tip meandru

Se împarte în segmente de tipul Z. În cazul nostru avem 3Z=n - nr. de segmente sub
forma Z; lmij - lungimea liniei ce trece prin mijlocul rezistorului.
lmij  n  a
L  na  b  lmij  na  B   B 
n
 Dacă L=B (rezistorul ocupă cea mai mică suprafaţă dacă el este înscris într-un pătrat)
lmij  n  a
n  a  b   n2  a  b   n  a  lmij  0
n

b   a  a  4  a  b  lmij
2
a a2 lmij
n1,2     
2a 2  a  b 2(a  b) 4(a  b) a  b
2

lmij
a y y2
Notând:  y rezultă n1,2     b , primii doi termeni au valoare
b 2( y  1) 4( y  1) y  1

lmij / b Kf
mică şi putem să-i neglijăm astfel încât n   .
y 1 y 1
Kf
Adesea a=b atunci n  segmente.
2
Exemplu de calcul pentru un rezistor meandru
Ri=28KΩ
Rt  R0
R   10 4
R0  t
Pi=5 mW ΔT=(-20  40ºC)=60ºC
R
 20%
R
Ri 28 K  Kf
Kf    93 n  46  7 segmente
s  2
300
patrat
K f R  s
    R  T  0.2  0.1  60 104  0.1
Kf R s
 Δl  K  0.1  1
bΔ    Δb   f    0.1  1 m
K
 f  ΔK f  0.3  0.1

Pi 5mW 5 103
bp     10  m
P0  K f 0.5
W
 93 46.5
mm 2
lmij  b  K f  10  93  930 m
L  n( a  b)  2  a  n  2 10  7  140  m
lmij  n  a 930  70 860
B    123 m
2 7 7

IX.3. Construcţia şi calculul condensatoarelor în circuitele integrate

Condensatoarele în circuitele integrate sunt de fapt joncţiuni p-n polarizate invers, astfel
încât mărimile de interes sunt tensiunea de străpungere şi capacitatea (a se revedea realizarea
diodelor). Pe măsură ce creşte capacitatea pe unitatea de suprafaţă scade tensiunea de
străpungere.
Un condensator realizat din capacitatea de barieră CBC este descris în figura de mai jos:

Figura IX.10. Condensator realizat din capacitatea de barieră CBC

Cu cât rezistenţa plăcilor este mai mare cu atât factorul de calitate este mai mic.
Schema echivalentă pentru condensator este:

Figura IX.11. Schema echivalentă a capacităţii

C
Pentru ca acest condensator să fie bun trebuie ca 7
C parazit
Dacă considerăm capacitatea CEB :

Figura IX.12. Condensator realizat din capacitatea de barieră CEB

IX.4. Construcţia TEC-J în circuitele integrate

Structura unui TEC-J este cea din figură:
 Figura IX.13. Structura TEC-J
Potenţialul negativ al grilei în raport cu sursa şi drena controlează lăţimea regiunii golite
de sarcină şi în consecinţă aria secţiunii transversale a canalului.
Există două metode de confecţionare a tranzistoarelor TEC:
- metoda difuziei duble;
- metoda creşterii epitaxiale şi a difuziei.

IX.4.1. Metoda difuziei duble

Se pleacă de la o plachetă de tip p şi se realizează o difuzie de tip n şi una p+. Această
metodă de realizare este folosită şi la dispozitive discrete şi circuite monolitice integrate.

Figura IX.14. Metoda difuziei duble

Acest tranzistor nu cere izolaţie specială pentru că regiunea p este slab dopată şi are
rezistenţă mare. Ca urmare acest tranzistor poate să nu mai fie izolat (ajunge izolarea pe care o
are).

IX.4.2. Metoda creşterii epitaxiale şi a difuziei

Pe o plachetă de tip p slab dopată se cresc două pelicule epitaxiale succesiv de tip n şi p
apoi se face litografie, difuzie selectivă, corodare, difuzia p+ de izolare şi metalizările pentru
sursă, drenă şi grilă.
 Figura IX.15. Metoda difuziei duble
IX.4.3. Formarea TEC-J în cadrul tehnologiei bipolare
Tranzistorul TEC-J în tehnologia bipolară se poate realiza din difuzia de colector şi cea
de bază

Figura IX.16. TEC-J realizat în tehnologie bipolară

 Capitolul X. Tehnologia MOS în Circuitele Integrate

Tehnologia MOS uzuală a adus cu sine avantajul unui număr mult mai mic de operaţii
tehnologice, o arie ocupată de zeci de ori mai mică şi un cost redus. Dezavantajul major al
tehnologiei MOS faţă de tehnologia bipolară este dat de variaţia mare a parametrilor
dispozitivelor cu temperatura.
La început tranzistorul MOS era realizat prin oxidare, fotolitografie, corodare şi difuzie.
Electrodul de poartă al tranzistorului MOS era realizat din aluminiu, această metodă fiind
menţinută şi în prezent pentru realizarea dispozitivelor discrete.
Etapele de realizare a tranzistorului MOS sunt descrise mai jos:
1. Se consideră o plachetă de siliciu de tip p;
2. Se realizează o oxidare a întregii suprafeţe apoi fotolitografie şi difuzia de tip n+
pentru drenă şi sursă;
3. Se înlătură oxidul din regiunea grilei şi se formează prin oxidare termică uscată un
strat subţire de oxid ce va constitui oxidul izolator de sub poartă;
4. Urmează operaţii de corodare selectivă pentru contactele de sursă şi drenă apoi
depunere selectivă de aluminiu pentru realizarea metalizărilor pentru sursă, drenă şi
grilă.

Figura X.1. Realizarea tranzistorului NMOS

Ulterior se protejează suprafaţa plachetei cu un strat protector de sticlă fosforosilicată şi
se realizează ferestre de contact la PAD-urile de conectare la capsulă.
 Dacă se doreşte ajustarea tensiunilor de prag se realizează o operaţie în plus de difuzie
în zona de canal, operaţie ce se face înaintea formării oxidului de poartă. Pentru scăderea
tensiunii de prag se realizează difuzie de tip n iar pentru creştere se realizează difuzie p.

Figura X.2. Realizarea tranzistorului NMOS cu canal iniţial

Aceste operaţii tehnologice nu ar putea fi utilizate în circuitele monolitice din cauza mai
multor factori:
- Absenţa izolării între dispozitive
Deşi aparent dispozitivele sunt izolate prin joncţiuni p-n polarizate invers, această
izolare este slabă şi nu permite lucrul la înaltă frecvenţă şi zgomotul indus poate afecta prin
substrat funcţionarea unui alt dispozitiv învecinat.
- Poarta din aluminiu nu permite controlul cu precizie al tensiunii de prag
Neadaptarea perfectă a aluminiului depus la suprafaţa dielectricului în momentul
depunerii şi apariţia unor sarcini stocate la nivelul interfeţei conduce la controlul slab al tensiunii
de prag.
- Lipsa preciziei de aliniere a electrodului de poartă în raport cu difuziile de drenă şi sursă
astfel încât variaţia lungimii canalului este destul de mare de la un dispozitiv la altul pe acelaşi
wafer. În plus realizarea electrodului de poartă concomitent cu realizarea metalizărilor de sursă şi
drenă creşte nivelul apariţiei de scurtcircuit între poartă şi sursă respectiv între poartă şi drenă.
Cu alte cuvinte ferestrele de contact nu pot fi apropiate foarte mult de electrodul de poartă, deci
zonele difuzate de sursă şi drenă vor ocupa o arie mare.
- O altă necesitate majoră în cazul circuitelor monolitice este analizarea suprafeţei
dielectricilor şi reducerea unghiului format de pereţii oxidului cu suprafaţa acesteia în zona
ferestrelor de contact.
Obţinerea unui strat de dielectric cu planaritate bună şi cu pereţi în zonele corodate nu
foarte abrupţi este necesară pentru obţinerea unei bune stabilizări a peliculei metalice depuse dar
şi pentru reducerea interconexiunilor metalice obţinute.

X.1. Procese de bază în tehnologia MOS

X.1.1. Metode de planarizare
Pentru un circuit VLSI sunt necesare 17  20 operaţii de fotolitografie. Când toate
elementele circuitului sunt realizate se face oxidare termică şi se deschid ferestre de contact în
oxidul de siliciu (le vom deschide prin corodare uscată).
Una din metodele de planarizare utilizate este folosirea în locul oxidului de siliciu a
sticlei fosforosilicate care la temperaturi relativ joase are proprietatea de a curge. În funcţie de
concentraţia de fosfor utilizată şi de temperatura de topire se pot obţine unghiuri formate pe
pereţii de corodare cu suprafaţa plachetei.
 Figura X.3. Planarizarea prin utilizarea sticlei fosforosilicate

Figura X.4. Unghiul obţinut funcţie de concentraţia de fosfor

A doua metodă de planarizare a plachetei (nu se poate folosi în VLSI) a apărut prin
folosirea unor straturi dielectrice cu puritate gradată. Astfel de straturi de dielectric se obţin prin
controlul vaporilor de apă la oxidare. Viteza de corodare a dielectricului depinde de puritatea
acestuia. Când se corodează un dielectric cu puritate gradată pereţii nu mai sunt abrupţi.

Figura X.5. Planarizarea prin utilizarea dielectricului cu puritate gradată

O altă metodă de planarizare este utilizarea unui agent de corodare care poate reacţiona
cu fotorezistul şi cu dielectricul nefiind puternic selectiv. Pe parcursul operaţiilor de corodare,
corodantul ajunge să corodeze colţurile oxidului netezindu-le
 Figura X.6. Planarizarea prin utilizarea unui agent de corodare ce reacţionează
cu fotorezistul
A patra metodă de planarizare este folosirea răşinii poliimidice. Această răşină poate fi
depusă ca şi fotorezist şi după ce se încălzeşte la 300ºC aceasta se smulge, pereţii nemaifiind atât
de abrupţi.

X.1.2. Autoalinierea
Alinierea precisă a sursei şi drenei în raport cu electrodul de poartă se realizează
depunând întâi electrodul şi apoi realizându-se implantarea ionică pentru drena şi sursă. Ionii vor
pătrunde în plachetă doar prin oxidul subţire şi nu vor pătrunde în regiunea de canal datorită
electrodului.
Pentru a obţine un număr mic de defecte la nivelul interfeţei dintre electrodul de poartă
şi dielectric se poate utiliza polisiliciu care are dezavantajul unei rezistenţe crescute. De fapt în
cursul implantării ionice se realizează şi o scădere a rezistivităţii electrodului de poartă.

X.2. Tehnici de izolare a tranzistoarelor MOS în circuitele monolitice

Aparent tranzistoarele MOS sunt izolate datorită polarizării inverse a joncţiunilor, însă
dacă peste zona dintre tranzistoarele MOS se află trasee de aluminiu acestea vor constitui
electrozi de poartă a unui MOS parazit care are stratul de dielectric de poartă mai gros, însă
tensiunea de prag apropiată de cea a tranzistorului util.

Figura X.7. Tranzistor MOS parazit ce apare între două tranzistoare MOS utile
Dacă distanţa dintre tranzistoare este mare atunci şi lungimea canalului MOS parazit
este mare şi în consecinţă curenţii de scurgere prin aceste tranzistoare parazite vor fi mici. În
condiţiile măririi densităţii de integrare distanţa dintre tranzistoare devine comparabilă cu a unui
tranzistor MOS util. Deci curentul care circulă prin tranzistorul parazit este mare, ceea ce
afectează funcţionarea în ansamblu a circuitului.
 Astfel tehnicile de izolare trebuie sa asigure următoarele cerinţe:
- Să asigure curenţi de scurgere cât mai mici;
- Aria ocupată de regiunile de izolare să fie cât mai mică astfel încât să nu fie afectată
densitatea de integrare;
- Tehnicile de izolare să fie simple astfel încât costul procesului tehnologic să fie cât mai
mic.
Izolarea poate fi realizată prin patru metode:
- izolarea cu ajutorul oxidului gros şi dopării pe câmp (locul liber dintre tranzistoare);
- izolarea locală sau tehnica LOCOS (LOCal Oxidation Silicon);
- izolarea prin şanţuri corodate în Si;
- izolarea cu ajutorul epitaxiei selective.
Aceste metode se deosebesc prin complexitatea lor. Cea mai utilizată este tehnica LOCOS.

X.2.1. Izolarea cu ajutorul oxidului gros şi dopării pe câmp

Dacă creştem grosimea oxidului, nu se mai poate forma un canal parazit şi apar în plus
greutăţi de deschidere a ferestrelor de contact.

Figura X.8. Izolarea cu ajutorul oxidului gros

Mai întâi se realizează tranzistoarele, apoi dopare în toate zonele de câmp inactive şi
apoi creştere de oxid de siliciu gros.
Aceasta tehnică, prima din cele utilizate, are ca principal dezavantaj prezența
denivelărilor mult prea mari pe stratul de oxid.
Al doilea dezavantaj comun tuturor tehnicilor de izolare este tensiunea de străpungere
drenă-substrat şi sursă-substrat. Pentru a reduce denivelările de pe primul strat de oxid s-a
introdus tehnica LOCOS care este utilizată pentru tehnologii de până la 0.5µm.

X.2.2. Tehnica LOCOS

În această tehnică, deasupra plachetei se creşte un strat subţire de oxid (strat buffer). Se
delimitează regiunile active prin acoperire selectivă cu un strat de nitrură de siliciu(Si3N4).
Stratul buffer este utilizat pentru a obţine o modificare lină a coeficienţilor de dilatare între
siliciu şi nitrura de siliciu. În acest fel la ridicarea ulterioară a temperaturii se evită riscul apariţiei
crăpăturilor în nitrură.
 Figura X.9. Tehnica LOCOS
În toate regiunile de câmp se face o implantare de ioni de Bor ce constituie doparea de
câmp şi creşte tensiunea de prag a tranzistoarelor parazite.
Apoi se face o oxidare adâncă, inclusiv impurităţile de Bor se vor redistribui datorită
temperaturii de oxidare. Impurităţile difuzează mai repede în adâncime decât atomii de oxigen.
Se corodează nitrura de siliciu în H3PO4, se depune polisiliciu şi se implantează ioni,
apoi urmează o călire, oxidare şi corodare selectivă pentru contacte.

Figura X.10. Tehnica LOCOS (continuare)

Dezavantajele tehnicii LOCOS
 Apariţia ciocului de pasăre care reduce aria regiunilor active;
  Există posibilitatea formării în timpul oxidării a unor oxinitruri care încetineşte
procesul de oxidare.

X.2.3. Tehnologia SEPOX (Selective Polisilicon Oxidation)

Pentru a minimiza riscul apariţiei defectelor în cristal s-a introdus tehnica SEPOX în
care oxidarea nu se realizează pe suprafaţa plachetei ci pe un strat de polisiliciu depus
suplimentar. Ulterior pe suprafaţa plachetei se depune Si3N4 care se corodează selectiv pentru a
proteja zonele active.

Figura X.11. Tehnica SEPOX

Restul operaţiilor sunt identice cu cele de la metoda anterioară
Deşi metoda reduce defectele din cristal în continuare este prezent ciocul de pasăre care
duce la micşorarea ariei active.

X.2.4. Izolarea prin şanţuri corodate în siliciu

Tehnica presupune realizarea unor şanţuri cu pereţi verticali utilizând corodare puternic
anizotropă (plasmă reactivă), adâncimea şanţului fiind de 0.2-0.5µm.
 Figura X.12. Izolarea prin şanţuri mici corodate în siliciu
Ulterior are loc oxidarea plachetei în zonele neprotejate.
Dacă adâncimea şanţului corodat este mică stratul de oxid se va ridica deasupra
nivelului oxidului buffer. Astfel şanţul se realizează mai adânc. Cu cât adâncimea şanţului este
mai mare cu atât stratul de oxid folosit pentru izolare va pătrunde mai mult în regiunea activă
micşorându-se iar ciocul de pasăre tot nu dispare.

Figura X.13. Izolarea prin şanţuri adânci corodate în siliciu

Pentru a împiedica pătrunderea oxidului în regiunea activă se acoperă placheta, după
corodarea şanţurilor cu oxid de siliciu și nitrura.
Se realizează o corodare anizotropă a zonelor plane de nitrură şi oxid urmată ulterior de
oxidare termică. Se poate evita creşterea excesivă a stratului de oxid prin depunere de polisiliciu.
După formarea oxidului de câmp urmează o şlefuire până la suprafaţa plachetei.
Tehnica este scumpă deoarece necesită şlefuire mecanică precisă.

Figura X.14. Izolarea prin şanţuri adânci corodate în siliciu cu împiedicarea

pătrunderii oxidului în regiunile active
O altă metodă de realizare a şanţurilor este metoda cu şanţuri corodate cu pereţi teşiţi.
 Se pleacă de la aceeaşi plachetă realizându-se o depunere de oxid şi nitrură prin
pulverizare în plasmă.
Pentru ca în cursul bombardării să nu se strice Si3N4 depunem în plasmă SiO2 pe care îl
corodăm astfel încât să rămână doar pe părţile laterale.
Se realizează o corodare în plasmă pentru înlăturarea lui Si3N4 de pe părţile orizontale şi
a oxidului de pe lateral.

Figura X.15. Izolarea prin şanţuri teşite corodate în siliciu

 X.2.5. Izolarea cu şanţuri de tipul V
Se porneşte de la o plachetă de tip p şi se face o operaţie de fotolitografie pentru
protejarea regiunilor active apoi o corodare specială care formează în plachetă şanţuri în formă
de V.
Se depune oxid de siliciu care va fi strat de izolaţie între tranzistoare. Apoi se depune un
strat tampon de polisiliciu pentru protecţia plachetei. Se întoarce placheta şi se şlefuieşte apoi se
realizează tranzistoarele.

Figura X.16. Izolarea prin şanţuri în V

X.2.6. Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective
Este cea mai bună şi cea mai des utilizată. Într-o primă etapă se realizează o oxidare
termică realizându-se oxidul de câmp de izolare. Apoi se realizează o operaţie de fotolitografie,
corodare selectivă pentru înlăturarea oxidului din regiunile active.
 Se realizează o depunere epitaxială de siliciu ce se realizează în mai multe etape
deoarece dacă s-ar realiza într-o singură etapă ar apărea defecte în reţeaua cristalină.
Creşterea peliculei epitaxiale se face în mai multe etape în atmosferă de hidrogen.
SiCl4  2H 2  Si  4 HCl
Astfel au loc 5 – 10 depuneri şi tranzistoarele se vor forma în aceste pelicule eptaxiale.

Figura X.17. Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective

Avantajele epitaxiei selective:
Pelicula epitaxială are un număr mai redus de defecte decât placheta, crescută prin
metoda Czochalski; ceea ce conduce la performante mai bune ale tranzistoarelor MOS.
Suprafaţa obţinută pentru plachetă este perfect plană.

X.3. Tehnologia PMOS standard

Tehnologia standard este printre primele apărute şi conţine poarta din aluminiu iar
difuziile sunt realizate înaintea electrodului de poartă astfel realizându-se o aliniere slabă între
difuzie şi poartă.
Se pleacă de la o plachetă de tip n şi se realizează oxidarea pentru oxidul de siliciu gros,
apoi o corodare selectivă pentru regiunile de sursă şi drenă.
 Se realizează o depunere de B2O3 lichid, ca sursă de difuzie, corodare pentru regiunile
de canal şi o oxidare termică uscată ce duce la pătrunderea simultană a borului în plachetă
formând difuziile de drenă şi sursă
Se deschid ferestre de contact şi se formează metalizări pentru sursă drenă şi electrodul
de poartă.

Figura X.18. Tehnologia PMOS standard

X.4. Tehnologia PMOS actuală

Tehnologiile actuale permit realizarea de dispozitive şi cu canal indus şi cu canal iniţial.
Etapele de realizare sunt:
 Oxidarea, pentru a realiza oxidul de câmp
 Deschiderea pentru difuzie de sursă şi drenă
 Expunereaa la o sursă de bor pentru difuzie, formându-se sticla borosilicată
 Înlăturarea oxidul din dreptul canalului
 Implantarea ionică pentru realizarea canalului iniţial
 Oxidarea uscată pentru oxidul de poartă
 Deschiderea ferestrei de contact
 Figura X.19. Tehnologia PMOS actuală

X.5. Tehnologia NMOS de bază

A folosit de la început poarta din polisiliciu şi cuprinde în esenţă toate operaţiile
tehnologice specifice circuitelor monolitice integrate pe scară largă:
 Tehnica de izolare LOCOS
 Poartă de polisiliciu
 Implantare ionică
 Posibilitate de realizare ca tranzistoarelor cu canal indus şi iniţial
Se pleacă de la o plachetă pe care se depune un oxid buffer. Se acoperă placheta cu
Si3N4 care se corodează selectiv (rămâne doar pe zonele active).
Se realizează implantarea ionică pentru dopare de câmp şi oxidare pentru formarea
oxidului de câmp.
Se înlătură Si3N4 de pe suprafaţa întregii plachete şi se protejează cu fotorezist
tranzistoarele ce urmează a avea canal indus. Se face implantare ionică cu fosfor pentru a forma
canalul iniţial. Urmează eliminarea fotorezistului şi depunerea de polisiliciu cu corodare
selectivă pentru realizare electrozi de poartă.
Apoi urmează implantarea ionică pentru formarea zonelor difuzate de sursă şi drenă,
depunere de oxid de siliciu si deschiderea ferestrelor de contact pentru metalizări. Ultima etapă
este cea de depunere a stratului de pasivizare cu sticlă PSG.

Figura X.20. Tehnologia NMOS de bază

 X.6. Tehnologia CMOS în circuitele VLSI
Tehnologia CMOS a apărut după cea NMOS având multe din caracteristicile acesteia
(tehnici de izolare, poartă din polisiliciu, autoalinierea zonelor difuzate cu electrozii de poartă)
insă a evoluat foarte mult în dorinţa de a asigura o densitate de integrare mai ridicată şi în dorinţa
de a micşora o serie de fenomene nedorite (latch-up).
Pentru că dorinţa a fost de a cupla tranzistoare complementare P şi N la acelaşi tip de
substrat a fost necesară crearea unor insule speciale de tip opus tipului substratului. Aceste insule
se numesc vane sau well.
Dacă substratul este de tip n atunci în substrat se pot realiza tranzistoare PMOS iar vana
trebuie sa fie de tip p pentru realizarea în aceste vane a tranzistoarelor NMOS.
Pentru a asigura o bună funcţionare a tranzistoarelor substratul şi vana trebuie sa
formeze joncţiuni p-n polarizate invers dar şi diodele parazite ale MOS-urilor trebuie să realizeze
joncţiuni p-n polarizate invers.
Etapele tehnologice în tehnologia CMOS cu substrat de tip p sunt:
1. Se face oxidare termică pentru protecţia plachetei, urmată de corodare selectivă
pentru realizarea difuziei de vană.
2. Difuzia vanei se realizează în două etape obţinându-se siliciu de tip n slab dopat.
Concentraţia de impurităţi trebuie să fie cu un ordin de mărime mai mare decât
placheta de tip p.
3. Urmează operaţiile de delimitare a zonelor active, realizându-se o oxidare uscată
pentru un oxid de siliciu buffer.
4. Urmează o acoperire cu Si3N4 şi corodare selectivă a acesteia pentru protecţia
regiunilor active
5. Se acoperă cu fotorezist pozitiv gros şi se corodează selectiv pentru realizarea
implanturilor de câmp corespunzătoare în vană, fotorezistul fiind utilizat cu rol de
protecţie a plachetei la efectuarea implantului de câmp corespunzător vanei.
6. Se înlătură fotorezistul pozitiv şi se acoperă cu fotorezist negativ iar la corodare se
foloseşte aceeaşi mască anterioară
7. Urmează o implantare ionică cu bor pentru difuziile de câmp de tip n, fotorezistul
negativ se corodează rămânând pe plachetă Si3N4 şi SiO2. Urmează o oxidare
termică pentru formarea oxidului de câmp (tehnica LOCOS). Tot acum are loc şi
obţinerea difuziilor, impurităţile obţinute prin implantare de câmp pătrund în
profunzime, la fel şi oxidul coboară în plachetă. Astfel structura este pregătită pentru
realizarea tranzistoarelor.
8. Se înlătură Si3N4 şi se depune polisiliciu, apoi corodarea selectivă a acestuia pentru
realizarea electrozilor de poartă şi a interconexiunilor de polisiliciu. Se protejează
din nou cu fotorezist pozitiv şi se corodează folosind masca de realizare a vanei. Se
difuzează ioni pentru realizarea sursei si drenei la tranzistoarele PMOS. Impurităţile
acceptoare pătrund şi în electrodul de poartă al PMOS scăzându-i rezistivitatea. Se
înlătură fotorezistul pozitiv şi se acoperă placheta cu fotorezist negativ care este
 înlăturat selectiv pentru a proteja zona de vană. Se implantează fosfor pentru
realizare difuziilor de sursă şi drenă pentru NMOS scăzându-se totodată rezistenţa
grilei. După înlăturarea fotorezistului se poate face o călire a întregii structuri
cristaline pentru a reface zonele afectate de implantare. Pentru implanturile de câmp
este al doilea tratament, primul fiind făcut la oxidare, astfel încât zonele difuzate de
câmp cât şi zonele de sursă şi drenă ajung la acelaşi nivel.
9. Urmează acoperirea cu dielectric (oxid de siliciu) ce este corodat apoi pentru
obţinerea zonelor de contact pentru sursă, drenă, grilă şi vană. Se depune aluminiu
şi se corodează selectiv pentru definirea interconexiunilor.
 Figura X.21. Tehnologia CMOS

X.7. Fenomenul de latch-up în circuitele CMOS

Este datorat unei perechi de tranzistoare bipolare care se formează în substrat şi vană şi
care sunt conectate între ele formând o buclă de reacţie pozitivă. O asemenea structură se
formează în orice succesiune pnpn.

Figura X.22. Formarea tranzistoarelor bipolare parazite

Cele două tranzistoare sunt cu atât mai mari cu cât distanţa de la contactele folosite
pentru polarizarea substrat/vană până la corpul tranzistoarelor sunt mai mari acest lucru poate
duce la apariţia fenomenului de latch-up

Figura X.23. Protecţia la formarea fenomenului de latch-up

 Sunt tehnologii care în dorinţa de a reduce fenomenul de latch-up folosesc vană dublă în
strat epitaxial. Fiecare tranzistor va fi în propria sa insulă, aceste insule fiind realizate într-un
strat epitaxial foarte slab dopat. Exista şi vane retrograde în care concentraţia impurităţilor este
controlată adecvat pentru reducerea valorilor celor două rezistenţe.
Pentru a se micșora și mai mult rezistivitatea stratului de polisiliciu și pentru a micșora
rezistențele de contact ale sursei și drenei, înainte de metalizări se face o silicidare care constă în
acoperirea suprafeței de polisiliciu și a suprafeţelor de drenă și sursă cu o mixtură de polisiliciu
și metal (siliciură de platină).
Pentru a reduce efectul difuziei laterale între tranzistoare tehnologiile avansate MOS
folosesc un oxid de spațiere depus pe pereții laterali ai electrodului de poartă înaintea
implanturilor de sursă și drenă astfel încât impuritățile vor pătrunde în plachetă la o anumită
distanță de electrodul de poartă.
 Capitolul XI.Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH)

Circuitele hibride reprezintă un compromis între circuitele cu cablaj imprimat și cele

monolitice. Ele sunt realizate dintr-un suport dielectric pe care s-au depus componentele pasive
și s-au realizat dispozitivele active și circuitele monolitice împreună cu interconexiunile dintre
acestea.
Circuitele hibride pot fi:
- Cu pelicule subțiri – la care peliculele depuse au grosimi de sute de anștromi
- Cu pelicule groase – la care peliculele depuse depășesc 0.1µm
Circuitele hibride cu pelicule subțiri se obțin prin depunerea peliculelor în vid prin una
din metodele discutate anterior. Definirea configurației circuitelor hibride cu pelicule subțiri se
poate face în două moduri:
1. Procese normale de depunere fotolitografie și corodare selectivă
2. Depunere selectivă
Circuitele hibride cu pelicule groase în general utilizează paste conductoare, rezistive și
dielectrice iar definirea configurațiilor acestor circuite se face prin depunere selectivă.

XI.1. Suportul pentru Circuitele Integrate Hibride

Cerinţele faţă de suport:
- suportul nu trebuie să conţină pori, pentru că în momentul depunerii peliculelor
moleculele de aer din pori s-ar putea degaja ducând la apariţia defectelor în peliculă.
- Suprafaţa trebuie să fie netedă, curată, pentru ca peliculele să aibă adeziune bună
şi grosime uniformă.
- Materialele utilizate pentru suport trebuie să aibă rezistivitate ridicată pentru o
bună izolare între ele. Materialele utilizate pentru suport trebuie să aibă conductivitate termică
bună pentru a degaja căldura. Ele trebuie să fie ieftine pentru a reduce costul de fabricaţie.
Pentru suport se folosesc materiale dielectrice:
- Sticla care este destul de fragilă şi are conductivitate termică slabă
- Oxidul de aluminiu cu 96% puritate şi 4% alţi oxizi dintr-un material ieftin cu
conductivitate termică destul de bună dar rezistivitate nu foarte ridicată.
- Oxid de beriliu Be2O3 – este cel mai bun, are rezistivitate mare şi conductivitate
termică foarte bună.
- În prezent suporturile se realizează din duraluminiu acoperit cu o peliculă groasă
de oxid de aluminiu.
Dimensiunea unui circuit integrat hibrid este de 10-12mm iar placheta pe care se
realizează are 96-120mm ceea ce înseamnă că într-un flux tehnologic se pot realiza până la 100
de circuite.
La început suporturile se realizau prin arderea oxizilor la temperaturi ridicate şi
depunere pe un substrat special. O altă metodă utilizată a fost presarea iar suportul din
duraluminiu se poate obţine prin metode electrochimice.
 Suprafaţa suportului se degresează cu o substanţă organică (acetonă) într-un vas care
este conectat la un generator de ultrasunete. În acest vas se formează vibraţii care elimină de pe
suprafaţa plachetei impurităţile.

Figura XI.1. Curăţarea suprafeţei plachetei

XI.2. Tehnologia de realizare a măştilor pentru circuite integrate cu pelicule

subţiri
Deşi teoretic există posibilitatea definirii configuraţiei elementelor de circuit prin
operaţii de fotolitografie şi corodare selectivă, în practică se preferă procesele de depunere
selectivă, configuraţia elementelor este definită chiar în momentul depunerii.
Măştile se pot realiza prin operaţii de fotolitografie şi corodare selectivă şi trebuie să
îndeplinească anumite cerinţe:
- Masca trebuie confecţionată dintr-un material destul de subţire pentru ca să lipsească
efectul de umbrire.
- Masca nu trebuie să se deformeze la căldură pentru a fi în contact bun cu suportul
- Materialul din care se realizează masca trebuie să fie maleabil pentru a se fixa bine pe
suport.

De-a lungul timpului s-au realizat trei tipuri de măşti:

- Monometalice
- Bimetalice
- Trimetalice
Un material cu proprietăţi bune este bronz-beriliu. Masca se obţine prin fotolitografie
dar pelicula nu poate fi foarte subţire. Utilizarea acestei măşti introduce un efect de umbră
semnificativ.
 Figura XI.2. Procesul de formare a măştii monometalice
O soluţie care a redus efectul de umbră a fost utilizarea unei măşti bimetalice din brom-
beriliu şi nichel.

Figura XI.3. Procesul de formare a măştii bimetalice

Mobilitatea este suficient de bună deoarece nichelul este subţire şi bronz-beriliu este
maleabil. În anumite condiţii de temperatură şi această mască are probleme datorită coeficienţilor
de dilatare termică complet diferiţi ai celor două materiale.
 Pentru a compensa acest neajuns s-au realizat măşti bimetalice cu două pelicule de
nichel şi una de bronz-beriliu între ele. Aceste măşti sunt mult mai scumpe şi creează dificultăţi
în procesul de aliniere.

XI.3. Realizarea rezistoarelor în circuitele integrate hibride

O problemă importantă este creşterea rezistivităţii şi modificarea coeficientului de
variaţie cu temperatura prin scăderea grosimii peliculei. O altă problemă este fenomenul
îmbătrânirii datorită oxidării la nivel superficial al peliculei care poate duce în timp la
modificarea valorii rezistoarelor şi a grosimii lor. Dacă grosimea peliculei depăşeşte 0.1µm
atunci rezistivitatea nu mai variază semnificativ cu grosimea iar coeficientul termic este pozitiv.

Figura XI.4. Calculul rezistenţei echivalente a unei pelicule în circuitele integrate

Dacă h ≥0.1μm atunci ρpeliculă=ρmonolitic=constant
l R 1 Rt  R0
R , R   0
bh T R0 R0  T
Dacă h este 0.1n (μm) unde n este în intervalul 1-9, atunci ρpeliculă>ρmonolitic iar αR este
apropiat de 0.
Dacă h este 0.01n (μm) unde n este în intervalul 1-9 atunci ρpeliculă creşte mult iar αR
devine negativ.
Creşterea rezistivităţii peliculei este datorată mişcării lungimii parcursului mediu al
purtătorilor de sarcină. Una dintre primele materiale utilizate pentru rezistoarele peliculare a fost
cromul care se depune prin sublimare la 100oC. Pelicula de crom se oxidează foarte uşor chiar în
momentul depunerii, astfel încât rezistenţele obţinute din crom nu sunt reproductibile.
S-a renunţat la crom si s-a utilizat aliajul crom-nichel. Rezistoarele obţinute dintr-un
asemenea aliaj sunt cu reproductibilitate bună cu rezistenţă pe pătrat in jur de 10kΩ şi
αR=102ppm/oC. Din păcate realizarea peliculelor de crom-nichel nu se poate face decât prin
pulverizare în plasmă datorită presiunii vaporilor saturaţi diferite. La 1200 oC presiunea vaporilor
saturaţi ai cromului este de zece ori mai mică decât ai nichelului.
Un alt material utilizat este tantalul, care permite obţinerea unei rezistenţe de
100Ω/pătrat pentru grosimi de 50-60nm. Tantalul are o temperatură de sublimare de 3000 oC,
ceea ce creează dificultăţi de depunere. Depunerea se realizează prin pulverizare în plasmă sau în
câmp electric de intensitate mare. O altă problemă este fenomenul de îmbătrânire, pelicula de
tantal reacţionează uşor cu oxigenul în timpul şi după pulverizare. Pentru a evita acest fenomen
se practică îmbătrânirea controlată, pelicula de tantal depusă este mult mai groasă şi apoi în
funcţie de valoarea rezistenţei se supune unui proces de oxidare controlată până când se ajunge la
valoarea dorită a rezistenţei. Având în vedere pelicula de oxid formată în acest fel fenomenul de
oxidare ulterioară este mult mai lent.
Se pot realiza rezistoare pe baza aliajelor metal-dielectric, Cr-SiO sau cermet. Aceste
pelicule permit obţinerea unei rezistenţe de 10-1000Ω/pătrat şi αR=102ppm/oC.
Acest aliaj reprezintă un praf şi nu se poate face ţintă din acesta, el vaporizându-se în
vaporizator.
Alte aliaje utilizate sunt siliciu-crom siliciu molibden – rezistoare silicide - permit
obţinerea unei rezistenţe de 200-20KΩ/pătrat şi αR=102ppm/oC.
Acest grup de materiale este cel mai utilizat pentru că aceste rezistenţe nu au nevoie de
pasivizare a suprafeţei fiindcă că în timpul ajustării la nominal ele se acoperă cu dielectric
(SiO2). O particularitate importantă a aliajului siliciu-crom este aceea că coeficientul de variaţie
cu temperatura este negativ pentru temperaturi peste 75 oC şi pozitiv pentru temperaturi mai
mici.

XI.3.1. Realizarea condensatoarelor în circuitele integrate hibride

Cea mai simplă realizare a unui condensator pe un suport dielectric constă din două
pelicule conductoare separate printr-una izolatoare. Natura şi forma acestor pelicule sunt dictate
de caracteristicile materialelor utilizate dar şi de performanţele dorite de condensator.

Figura XI.5. Realizarea condensatoarelor în circuite integrate

Dielectricul izolator este de obicei un oxid al metalului folosit pentru armătura
inferioară şi se poate obţine printr-o oxidare anodică a acestei armături. Ca și materiale se
folosesc armături din aluminiu şi Al2O3 izolator sau armături din tantal şi Ta2O5 .
Exemplu de realizare a condensatorului cu tantal
Într-un vas se găseşte o soluţie cu apă şi H2SO4, armătura de tantal fiind legată la cel
mai pozitiv potenţial. În această situaţie are loc oxidarea şi formarea peliculei izolatoare. Pelicula
obţinută este cu atât mai mare cu cât diferenţa de tensiune dintre anod şi catod este mai mare.
 Figura XI.6. Realizarea armăturilor de tantal
Deşi armătura superioară este din tantal se preferă acoperirea ambelor armături cu
suprafeţe de contact din aur deoarece tantalul are rezistivitate ridicată.
Un dezavantaj major este aria ocupată mare.
Condensatoarele realizate cu Ta2O5 au dezavantajul major că sunt polare (au o tensiune
de străpungere mai mică intr-o direcţie şi mai mare în cealaltă). Pentru a indepărta acest neajuns
se conectează două condensatoare în serie şi se utilizează atunci când condensatorul este flotant.

XI.3.2. Materialele dielectrice utilizate pentru condensatoare în circuitele integrate

hibride
 0  S
Capacitatea poate fi determinată cu relaţia: C  , unde ε0=1, ε-permitivitatea
d
dielectrică, S-suprafaţa de suprapunere a plăcilor, d-grosimea dielectricului.
C    0  pF 
Capacitatea specifică a condensatorului: C0   .
S d  mm 2 
Cu cât d este mai mic cu atât C0 este mai mare. Însă d nu poate fi foarte mic datorită
tensiunii de străpungere.
U str  V 
Tensiunea de străpungere: E str  .
d  mm 
Pentru ca un condensator să lucreze bine trebuie ca: Ulucru < Ustr
U lucru    U str    Estr  d ,   0.8 .
V
De exemplu: EstrSiO  106 astfel încât putem depune o peliculă de SiO2 de 0.1μm;
2
cm
V
EstrSiO (d  0.1 m)  100  U str  10V .
2
m
Grosimea maximă a dielectricului este limitată de coeficientul dilatării temice (ce este
diferit de la dielectric faţă de metal şi dacă acesta este mai mare de 1μm ar crăpa).
Primul material folosit pentru condensatoarele monolitice a fost SiO (sub formă de praf)
ce poate fi depus prin vaporizare în vid astfel:
Materialele utilizate pentru condensatoare sunt:
Material ε C0 [μF/cm2]
 SiO 56 0.01  0.5
SiO2 3.5  4 0.004  0.02
Al2O3 10 0.03  0.08
Ta2O5 21  25 0.1  0.15
De exemplu pe o suprafaţă de 1cm2 de SiO poate rezulta un condensator cu capacitatea
de 0.5μF care însă ocupă o suprafaţă foarte mare şi se vor folosi în concluzie condensatori
discreţi.
În concluzie, dacă avem condensatoare cu capacitate mare putem folosi în cadrul
circuitelor integrate condensatoare discrete care pot ocupa o suprafaţă mult mai mică.

XI.3.3. Materiale pentru conductoare în circuite integrate hibride

Cuprul este un material foarte bun pentru că are conductibilitatea electrică foarte bună
dar are adeziune slabă şi oxidează repede. Se poate folosi cuprul cu titan pentru adeziune şi cu
aur pentru a nu oxida, grosimea conexiunilor devenind mare. Aurul deşi are conductibilitate
electrică foarte bună nu oxidează însă are adeziune slabă. Conexiunile din aur nu permit
interconectarea componentelor prin lipire pentru că se dizolvă în cositor şi de obicei se foloseşte
termocompresia.
Aluminiu are conductibilitate bună, adeziune bună dar nu suportă lipituri de cositor
decât doar dacă se depune o peliculă de nichel crom deasupra.
  
Metal [   cm]  s  patrat   1000 Å
Cu 1.6 0.2
Au 2.4 0.27
Al 2.8 0.33
Pd-Au 21 3
Ti 55 10
Ni+Cr 100 15

XI.3.4. Fluxul tehnologic de confecţionare a circuitelor integrate hibride cu pelicule

subţiri
Topologia circuitelor integrate hibride se poate forma prin trei metode:
 confecţionarea cu ajutorul măştilor;
 confecţionarea cu ajutorul fotolitografiei;
 confecţionarea combinată.
Exemplu de circuit integrat simplu pe peliculă subţire:
Pe circuite integrate hibride se realizează condensatoarele şi rezistoarele separat faţă de
fluxul tehnologic al tranzistoarelor.
 Figura XI.7. Confecţionarea circuitelor integrate hibride cu ajutorul măştilor

XI.4. Tehnologia CIH cu pelicule groase

Aceste circuite folosesc în întregime metode de depunere selectivă. Grosimea
peliculelor şi dimensiunea elementelor nefiind critice în cazul acestui circuit. Sunt cele mai
ieftine circuite iar peliculele utilizate se obţin din paste conductoare sau izolatoare.
Etapele de realizare a circuitelor integrate hibride cu pelicule groase sunt:
1. proiectarea topologiei;
2. confecţionarea măştilor;
3. depunerea pastei conductoare (după fiecare depunere a pastei se face uscare şi apoi
coacere);
 4. depunerea pastei dielectrice;
5. depunerea pastelor rezistive;
 M
Pastele rezistive pot avea:  s  10 1 . Aceste paste le punem în funcţie de
patrat patrat
cerinţele de temperatură.
6. Ajustarea funcţională (trimerarea);
7. Testarea;
8. Încapsulare;
9. Testare post încapsulare.
Măştile folosite pentru circuitele hibride cu pelicule groase trebuie să permită depunerea
unor biluţe de paste şi au o structură adecvată şi necostisitoare.
Cele mai simple măşti sunt cele sită, foarte fine şi impregnate cu fotorezist care se va
coroda selectiv. Sitele pot fi realizate din metal sau mase plastice. Geometria elementelor va fi
dată de ochiurile sitei din care s-a înlăturat fotorezist.

Figura XI.8. Mască sub formă de sită

Aceste măşti sunt utilizate în special în laboratoare deoarece nu pot fi utilizate de foarte
multe ori.
Un alt tip de mască intens utilizat este o mască dublă formată dintr-o peliculă metalică
ce este corodată selectiv conform geometriei elementelor ce se doresc a fi realizate. Peste această
mască se pune sita. Un dezavantaj al acestei măşti este coeficientul de dilatare termică diferit
între pelicula metalică şi sită.

Figura XI.9. Mască dublă

Pastele pentru depunerea peliculelor groase au în compoziţia lor chimică următoarele
materiale:
1. Materialul de bază care determină destinaţia pastei;
2. Un liant pentru legătură temporară prin care se poate controla vâscozitatea pastei în
momentul depunerii;
3. Un liant pentru legătura de durată (legătura staţionară) care oferă caracteristicile
mecanice ulterioare pastei depuse.
 Materialele de bază utilizate pentru pastele conductoare sunt: aur, argint, nichel,
aluminiu, cupru.
Pentru peliculele care conţin argint există riscul migraţiei atomilor de argint către
margini şi apariţia scurtcircuitelor. Peliculele din aur nu se folosesc des deoarece sunt scumpe.
Pastele rezistive sunt obţinute din materiale conductoare ce au rezistivitate mare sau din
oxizi.
Pastele dielectrice sunt realizate din oxizi în stare pură sau din amestecuri de oxizi
(SiO2, Al2 O3,PbO2). Liantul pentru legătura temporară este format din substanţe organice şi se
elimină prin evaporare în procesul de uscare. Materialul de legătură staţionară este tot un oxid.
Pastele în general sunt compuse din particule cu diametrul de 5-15nm ale substanţei de
bază care sunt amestecate cu cele două substanţe de legătură (70-75% substanţă de bază).
În pastele dielectrice se adaugă BaTiO3 pentru a creşte permitivitatea dielectrică şi
adeziunea la suport.

XI.4.1. Procesul de depunere a pastelor

În general la depunere masca este fixată pe suport iar pasta se întinde cu o racletă
specială ce ar trebui sa aibă dimensiunea suportului şi care se poate mişca în diferite direcţii
pentru a se obţine o peliculă depusă uniform.

Figura XI.10. Depunerea pastelor

Există două metode de depunere:
1) când masca este în contact cu suportul;
2) când între mască şi suport este o distanţă de 500 μm.

Figura XI.11. Depunerea pastelor cînd masca este în contact cu suportul

 Figura XI.12. Depunerea pastelor cînd masca este distanţată de suport

XI.4.2. Uscarea şi coacerea pastelor

Pelicula depusă are o configuraţie data de configuraţia sitei. În consecinţă pasta se lasă
până la 30 de minute să se uniformizeze după care se introduce în instalaţia pentru uscare şi
coacere. Scopul operaţiei de uscare este de a înlătura moleculele solventului organic iar scopul
operaţiei de coacere este de a creşte adeziunea la suport. Instalaţia pentru uscare şi coacere este
aceeaşi şi utilizează un gradient adecvat de temperatură pentru a atinge scopul celor două
operaţii.

Figura XI.13. Instalaţia pentru uscare şi coacere şi distribuţia temperaturii în instalaţie

Coacerea se realizează într-o atmosferă de gaz inert motivul fiind acela că în timpul
operaţiei de coacere o parte din oxizi pot reacţiona cu atomii de carbon formând dioxid de
carbon care ar avea tendinţa de a se degaja din peliculă şi pelicula ar crăpa.
 Bibliografie
1. Ion Dima, Ion Munteanu, „Materiale şi dispozitive semiconductoare”, Ed. Didactică si
Pedagogică, Bucureşti, 1980
2. Radu M. Barsan, „Fizica şi tehnologia circuitelor MOS integrate pe scară mare”, Ed.
Academiei, Bucureşti, 1989
3. Ion Pârvu, „Produse anorganice semiconductoare”, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1997, ISBN
973-31-1109-0
4. Eugen Lakatoş, “Rolul fizicii în dezvoltarea microelectronicii” Ed. Electra, 2014
5. Yoshio Nishi, Robert Doering, „Handbook of Semiconductor Manufacturing
Technology”, Marcel Dekker, Inc., 2000, ISBN 0-8247-8783-8
6. Peter van Zant, „Microchip Fabrication”, McGraw-Hill, 2000, ISBN 0-07-135636-3
7. Paul Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis, Robert G. Meyer „Analysis and Design of
Analog Integrated Circuits”, John Wiley & Sons, Inc., 2001, ISBN 0-471-32168-0
8. R.J.Baker, H.W.Li, D.E.Boyce, „CMOS Circuit Design, Layout and Simulation”,
IEEE Press, 1998, ISBN 0-7803-3416-7
9. Alan Hastings, „The Art of ANALOG LAYOUT”, Prentice Hall, 2001, ISBN 0-13-
087061-1
10. Dan Clein, „CMOS IC Layout”, Newns, 2000, ISBN 0-7506-7194-7