Sunteți pe pagina 1din 5

Ministerul Educaiei al Republicii Moldova Universitatea Tehnic a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatic i Microelectronic


Catedra de Microelectronic i Dispozitive cu Semiconductori

Lucrare de laborator Nr.2


La disciplina: Tehnologia circuitelor electronice Tema: Fabricarea jonciunilor p-n prin metoda difuziei

A efectuat: A verificat:

studentul grupei ISBM-071 prof.univ.dr.hab. Trofim V.

Chiinu 2010

Scopul lucrrii : a lua cunotin de metoda difuziei, folosind impuriti din starea solida, pentru obinerea jonciunilor p-n i de cercetat parametrii straturilor difuzionale i ai jonciunii p-n. n anul 1952, Pfann a avut ideea de a modifica nivelul conduciei n semiconductori folosind impurificarea acestora prin difuzie. De atunci, au fost dezvoltate mai multe tehnici de impurificare controlat. S-a urmrit ntotdeauna modul cum se poate controla concentraia de impuriti, uniformitatea i reproductibilitatea, precum i stabilirea unor proceduri care s permit procesarea simultan a mai multor plachete, astfel nct s fie reduse costurile de fabricaie. Se pot folosi trei modaliti de a introduce impuritile n siliciu, i anume: - prin plasarea plachetelor ntr-un mediu bogat n impuritatea ce urmeaz a fi folosit (procese de difuzie); - prin depunerea pe plachet a unui strat subire care conine impuritatea de interes - prin folosirea tehnicii de implantare de ioni. La temperaturi mari, atomii reelei cristaline vibreaz n jurul nodurilor reelei. Atomii care capt energie suficient pentru a prsi nodurile reelei devin interstiiali i las n urm cte o vacan. Cnd un atom de impuritate migreaz spre locul vacanei, mecanismul poart numele de difuzie prin vacane sau substraional. Cnd un atom de impuritate se deplaseaz ntre atomii (nodurile) reelei, dr s ocupe un loc n nod, mecanismul se numete difuzi interstiial. n cazul siliciului, elementele uzuale de dopare din grupele 3 i 5 difuzeaz substraional. Dac N(x,t) este concentraia local de impuriti presupuse a difuza exclusiv n direcia X, fluxul de impuriti F (atomi de unitatea de arie n unitatea de timp) este proporional cu gradientul concentraiei de impuriti, adic:

F ( x, t ) = D

N ( x, t ) , x

(1)

relaie care definere constanta de proporionalitate D drept coeficientul de difuzie al impuritii respective (exprimat n cm2). Aceast ecuaie de transport este prima lege a lui Fick. Datorit legii conservrii, variaia n timp a concentraiei de impuriti trebuie s fie egal cu variaia local a fluxului de difuzie, adic

N ( x, t ) F ( x, t ) = t x
Substituind (1) n aceast ecuaie de continuitate se obine cea de-a doua lege a lui Fick, sau ecuaia difuziei sub forma unidimensional:
N ( x, t ) N ( x, t ) = D t x x

Dac D este constant, ipotez valabil pentru concentraii mici de impuriti, ecuaia devine:

N ( x, t ) 2 N ( x, t ) = D (2) t x x 2 Coeficientul de difuzie al oricrei impuriti exponenial depinde de temperatur:


D = D0 e
E kT

(3),

unde D0 constanta egal numeric cu coeficientul de difuzie la temperaturi infinit de mari (cm2/s); E energia de activare, care se determin ca o oarecare energie, necesar impuritii pentru a ptrunde n semiconductor (eV); T temperatura absolut; k constanta lui Boltzmann. Ecuaia (2) poate fi rezolvat pentru diferite seturi de condiii iniiale i limit simple, care corespund ns destul de bine unor situaii practice importante. Un interes de mare importan practic o au dou cazuri de efectuare a proceselor de difuzie: 1) difuzia ntr-o surs semiinfinit (constant) de impuriti; 2) difuzia dintr-o surs limitat de impuriti. Difuzia dintr-o surs semiinfinit se folosete mai des la fabricarea C.I. ca prima etap a difuziei, care are scopul de a introduce n semiconductor o anumit cantitate de impuriti la o adncime mic. Aceast etap se numete des predifuzie sau depunere de impuriti. dac n timpul procesului de depunere concentraia la suprafa N0 este meninut constant, condiiile de limit pentru ecuaia (2) sunt:

Condiia iniial este unde t timpul procesului (s); N0 concentraia impuritilor la suprafa (cm-3).

(4)

Valoarea maxim a concentraiei N0 la o temperatur anumit poate fi egal cu solubilitatea solid a aceste impuriti n semiconductorul dat.

fig. 1 Distribuia concentraiei impuritilor n funcie de distan pentru trei valori ale timpului de difuzie

Fig. 2 Distribuirea concentraiei impuritilor n funcie de adncime (x) pentru trei valori ale timpului de depunere a) distribuie erfc (concentraie constant de suprafa); distribuie Gauss (redistribuirea aceleiai cantiti Q de impuriti).

Soluia ecuaiei (2) cu condiiile (4) este:

, unde erfc este funcia complementar de eroare. Parametrul cheie al procesului este, care poart numele de lungime de difuzie. Profilele de impuriti, care rezult din diferii timpi de depunere, snt ilustrate n fig. 2. Cantitatea total de atomi a impuritii pe o unitate de arie, introdus n semiconductor dup un proces de depunere Q (at/cm3), rezult din integrarea ecuaiei relaiei (5):

(6) Difuzia dintr-o surs limitat de impuriti se realizeaz n acel caz, cnd pe suprafaa semiconductorului la adncime mic este format o regiune, care conine impuriti Q (pe o unitate de suprafa). Cantitatea aceasta de atomi nu se evapor de pe suprafaa semiconductorului i are loc procesul difuziei numai n interiorul cristalului. Condiiile de limit i iniiale n acest caz pot fi scrise:

Soluia legii II a lui Fick, care satisface condiiile de mai sus, este o curb Gauss, exprimat de: , iar profilul concentraiei este reprezentat n fig. 2. Difuzia propriu-zis se face n atmosfer de oxigen. Oxidul format (SiO2) nltur vaporizarea impuritilor de pe suprafaa siliciului. La formarea jonciunilor p-n concentraia acceptorilor (donorilor) pe suprafaa semiconductorului trebuie s fie mai mare dect concentraia donorilor(acceptorilor) materialului iniial.

Fig.3. Variaia solubilitii solide maxime cu temperatura.