Sunteți pe pagina 1din 13

Amplificatorul diferenţial

caracteristica importantă: are două intrări:


- amplifică semnalele în antifază (de mod diferenţial);
- rejectează semnalele în fază (de mod comun).
schema de principiu:

- semnalele de la intrare se pot aplica separat pe cele două intrări (bazele


tranzistoarelor) sau între intrări;
- semnalele de la ieşire se pot culege de pe cele două colectoare (semnale
nesimetrice) sau între cele două colectoare (semnal simetric).
- rezultă că, în principiu, se pot defini 9 (nouă) amplificări diferite; se
preferă deducerea tensiunilor de ieşire în funcţie de tensiunile de intrare şi apoi
se particularizează în funcţie de circuitul real analizat: U1 (e1 , e2 ); U 2 (e1 , e2 ) .

Calculul tensiunilor de ieşire:

( ''
)
* se echivalează T " , Z s cu un tranzistor echivalent în conexiunea CM;
dinspre emitor se vede schema echivalentă Thevenin cu:
A∞ = 1, Z ies = zib" .
* se introduce şi R0 şi se echivalează din nou cu Thevenin cu notaţiile:
R0 zib" R0
Z1 = R0 z = "
ib k1 =
R0 + zib" R0 + zib"

unde k1 este un coeficient de cuplaj în tensiune de la T " la T ' ;


' "
( k1 poate fi privit şi ca un coeficient de cuplaj în curent de la T la T ).
'
* circuitul echivalent pentru tranzistorul T :

* se echivalează grupul: (T ' , Z1 ) ≡ T


*
cu parametrii:

h + N Z1
' ' h 'f − ho' Z1
hi* = i
≅ hi
'
+ N '
Z1 ; h *
= ≅ h '
;
1 + ho Z1
' f
1 + ho Z1
' f

hr' + ho' Z1 ho'


h =
*
r ≅ hr
'
+ h '
o 1Z ; ho
*
= ≅ h '
o;
1 + ho Z1
'
1 + ho Z1
'

( ) (
Δh* = hi*ho* − h*f hr* ≅ hi' + N ' Z1 ho' − h 'f hr' + ho' Z1 ≅ Δh ' )
unde:
ho' hi''
ho' Z1 = ho' k1 zib'' ≅ k1 " → 0
hf
'
* tensiunea de la ieşirea lui T se scrie prin superpoziţie:
U1 = Au*e1 + Aub
* *
k1e2 = − Aub (e1 − k1e2 ) deoarece:

Au* =−
h*f Z s'
; *
Aub =
(h
*
f )
− Δh* Z s'
⇒ Au* = − Aub
*
hi* + Z s' Δh *
hi* + Z s' Δh*
*
* calculul lui Aub :

* vo vo vi' zib' ' ' zib'


Aub = = ' = ' Aub = − Au '
vi vi vi zib + Z1 zib + Z1
zib' h 'f Z s'
- rezultă: U1 = Au' '
(e1 − k1e2 ) '
cu: Au =−
zib + Z1 hi' + Z s' Δh '
(adică amplificarea de tensiune a tranzistorului T ' , în conexiune EM, având ca
sarcină pe Z s ' ).

* se definesc:
- tensiunea diferenţială de la intrare: vid = e1 − e2 ;
e +e
- tensiunea de mod comun de la intrare: vic = 1 2 .
2
v v
- se deduc tensiunile de intrare: e1 = vic + id ; e2 = vic − id .
2 2
- din expresiile factorilor de cuplaj se calculează:
1 − k1 1 − k2
zib'' = R0 ; zib' = R0 .
k1 k2
- se calculează tensiunea de ieşire:
zib'
U1 = A ''
u ( e1 − k1e2 ) =
zib + Z1
1 − k2
R0
k2 ⎛ vid ⎛ vid ⎞ ⎞ sau:
= Au' v + − k v −
1 − k2 1 − k1 ⎜⎝ ic 2 1 ⎜ ic
⎝ 2
⎟⎟
⎠⎠
R0 + R0 k1
k2 k1

U1 = Au'
(1 − k2 )(1 + k1 ) ⎛⎜ v + 2(1 − k1 ) v ⎞⎟
2(1 − k1k 2 ) ⎜⎝
id ic ⎟
1 + k1 ⎠
1 + k1 1 + k2
- se notează: r1 = ; r2 = . (coeficienţi de rejecţie, de
2(1 − k1 ) 2(1 − k 2 )
valoare mare)
- se calculează:
2r1 − 1 2r − 1
k1 = ; k2 = 2 şi se obţine:
2r1 + 1 2r2 + 1

r1 ⎛ v ⎞
U1 = Au' ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟ ; la fel:
r1 + r2 ⎝ r1 ⎠

r2 ⎛ v ⎞
U 2 = Au'' ⎜⎜ − vid + ic ⎟⎟
r1 + r2 ⎝ r2 ⎠

Au' r1 + Au' ' r2 Au' − Au' '


şi U 1− 2 = vid + vic .
r1 + r2 r1 + r2
Cazuri particulare pentru amplificarea de tensiune:
• cazul AD simetric:
T ' ≡ T " ⇒ h 'f = h 'f' = h f hf Zs
Au' = Au'' = Au = −
I C' = I C'' ⇒ hi' = hi'' = hi ⇒ hi + Z s Δh
Z s' = Z s'' = Z s r1 = r2 = r
Rezultă:

1 ⎛ v ⎞ 1 ⎛ v ⎞
U1 = Au ⎜ vid + ic ⎟; U 2 = Au ⎜ − vid + ic ⎟; U1− 2 = Au vid .
2 ⎝ r ⎠ 2 ⎝ r ⎠
(influenţă mică a tensiunii de mod comun ⇒ r → ∞ ).

• excitaţie diferenţială simetrică:

e1 − e2 = vid ; e1 + e2 = 0 ⇒ vic = 0
Rezultă:

r1 r2 Au' r1 + Au'' r2
U1 = Au' ''
vid ; U 2 = − Au vid ; U1− 2 = vid
r1 + r2 r1 + r2 r1 + r2
Se notează:
r1 r2
Ad' = Au' '' ''
; Ad = Au (amplificare diferenţială)
r1 + r2 r1 + r2
Rezultă:
U1 = Ad' vid ; U 2 = − Ad'' vid ;
1
Ad' = Ad' ' = Ad = Au (pentru un circuit simetric).
2
• excitaţie pe modul comun:

e1 − e2 = 0; e1 = e2 = vic ; vid = 0.
Se notează:
' Au' '' Au''
AMC = ; AMC = şi rezultă:
r1 + r2 r1 + r2
'
U1 = AMC ''
vic ; U 2 = AMC '
vic ; U1− 2 = AMC ''
− AMC (
vic )
Observaţie:
- pentru un AD simetric, se poate scrie că:
Au A
AMC = = u.
r1 + r2 2r
* din cele două moduri de excitaţie se poate scrie, pentru un circuit simetric:
U1 (vid ) = Ad vid
U1 (vic ) = AMC vic

- rezultă că, pentru a produce acelaşi efect la ieşire, este necesar ca:
r vid = vic ceea ce înseamnă că, aceeaşi tensiune la ieşire este realizată de o
tensiune de mod comun la intrare de r ori mai mare decât tensiunea de mod
diferenţial de la intrare. Raportul dintre tensiunea de mod comun şi tensiunea
de mod diferenţial de la intrare care provoacă acelaşi efect la ieşire se
numeşte factor de rejecţie a modului comun, CMR.
- rezultă: (CMR' ) = r1; (CMR" ) = r2 .
- pentru circuitul simetric: (CMR) = r .
- valori tipice: (− 100 ÷ −140 )dB .
* tensiunile de ieşire se mai pot scrie şi sub forma:
⎛ vic ⎞
U1 = Ad' vid + AMC
'
vic = Ad' ⎜⎜ vid + ⎟
'⎟
⎝ (CMR) ⎠
⎛ vic ⎞
U 2 = − Ad'' vid + AMC
''
vic = Ad'' ⎜⎜ − vid + ⎟
'' ⎟
⎝ (CMR) ⎠

• excitaţie diferenţială nesimetrică


vid
e1 = vid ; e2 = 0 ⇒ vic =
2
⎛ 1 vid ⎞ 2r + 1
U1 = Ad' ⎜⎜ vid + ⎟⎟ = Ad' 1 vid ≅ Ad' vid
⎝ r1 2 ⎠ 2r1
Au
- se mai observă că, în cazul unui circuit simetric, Ad = ceea ce înseamnă
2
că, pentru ieşire nesimetrică, se pierde 0,5 din amplificarea pe care este
capabil să o asigure tranzistorul T ' .

Comportarea AD la intrare:

* se deduce circuitul echivalent la intrare sub forma:

*
- din amplificarea de curent a tranzistorului T :
h*f
I c' = I b' Ai' = I b' ≅ Ai' I b'
1 + ho* Z s'
- se calculează curentul de intrare:
/
I c' U1 1 1 r ⎛ v ⎞
I b' '
= ' = − ' ' = − ' ' Au 1 ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟
Ai Z s Ai Ai Z s r1 + r2 ⎝ r1 ⎠
- se foloseşte relaţia generală:
Z s'
Au' = − Ai'
Z i'
şi rezultă:

1 r ⎛ v ⎞ 1 r2 ⎛ vic ⎞
I b' = ' 1 ⎜⎜ vid + ic ⎟⎟ şi
I = ''
''
b ⎜ −vid + ⎟
Z i r1 + r2 ⎝ r1 ⎠ Zi r1 + r2 ⎝ r2 ⎠
în care:
hi' + Z s' Δh ' hi'' + Z s''Δh ''
Z i' = ≅ hi
'
; Z i
''
= ≅ hi
''
1 + ho' Z s' 1 + ho'' Z s''
(ca pentru un tranzistor în conexiune EM).
Cazuri particulare:

• excitaţie nesimetrică (impedanţa de intrarea diferenţială):

vid
a) e1 = vid ; e2 = 0 ⇒ vic = ;
2
* impedanţa de intrare diferenţială va fi:

e1 vid ' r1 + r2 2r1 r1 + r2 '


Z id' = = = Z i ≅ Zi
Ib '
1 r1 ⎛ vid ⎞ r 2 r + 1 r
⎜ v + ⎟ 1 1 1
Z i' r1 + r2 ⎝⎜ 2r1 ⎟⎠
id

vid
b) e1 = 0; e2 = vid ⇒ vic = şi rezultă, la fel:
2
e r +r
Z id'' = 2" = 1 2 Z i''
Ib r2
* pentru un circuit simetric: Z id' = Z id'' = 2 Z i

• excitaţie pe modul comun: (impedanţa de intrare pe modul comun)

- se calculează curenţii de intrare:


1 r1 vic vic vic
I b' = = ; la fel: I b'' = .
Z i r1 + r2 r1 Z i (r1 + r2 )
' '
Z i (r1 + r2 )
''

- rezultă impedanţele de intrare pe cele două intrări:


e1 vic
Z ic' = = = Z i' (r1 + r2 ); Z ic'' = Z i'' (r1 + r2 )
'
Ib vic
Z i' (r1 + r2 )
- impedanţa de intrare pe modul comun va fi:
Z ic = Z ic' Z ic'' = (r1 + r2 )Z i' Z i''
Zi hi + Z s Δh
- pentru AD simetric: Z ic = 2r = rZ i cu: Zi =
2 1 + ho Δh

* calculul coeficientului de rejecţie:


Ro
1+
1 + k1 Ro + zib''
2 Ro + zib'' Ro 1
r1 = = = = '' +
2(1 − k1 ) ⎛ Ro ⎞ ''
2 zib zib 2

2⎜1 − ⎟
'' ⎟
⎝ Ro + z ib ⎠
''
h
- dar: zib'' = i'' şi rezultă:
hf
Ro h 'f' Ro h 'f
r1 ≅ şi r2 ≅ .
hi'' hi'
* se recalculează impedanţele de intrare diferenţiale:
Ro h 'f' Ro h 'f
+
hi'' hi= ' h 'f h 'f'
Z id' = Z i' = hi' + hi'' şi: Z id'' = hi'' + hi' .
Ro h 'f' h 'f' h 'f
hi''
'
- dacă tranzistoarele sunt identice ( h f = h 'f' ), atunci: Z id' = Z id'' = hi' + hi'' .
- rezultă că AD se comportă simetric la intrare (din punct de vedere al
impedanţei de intrare) indiferent de PSF.
* se recalculează impedanţele de intrare de mod comun:
⎛ Ro h 'f Ro h 'f' ⎞ h '
Z = Z (r1 + r2 ) ≅ h ⎜ ' + ' '
' ' ' ⎟ = h f Ro + Ro h f
' ' ' i
şi:
ic i ⎜ i ⎟ ''
⎝ hi hi ⎠ hi

hi''
Z ic'' = h 'f' Ro + Ro h 'f şi: Z ic = Zic' Z ic''
hi'
- pentru un circuit simetric:

Z ic' = Z ic'' = 2h f Ro

Comparaţie: Z id = 2hi cu Z ic = h f Ro

Factorul de merit al AD

Ro h f
* prin definiţie, este produsul: M = Z id r = 2hi = 2h f Ro .
hi
- cu cât M este mai mare, cu atât performanţele AD (r şi Z id ) sunt mai bune.
- pentru a avea M cât mai mare: hf ↑ şi/sau Ro ↑ .

* metode de creştere a factorului de merit:


1. mărirea rezistenţei de cuplaj, Ro - limitată de căderea de tensiune în
curent continuu, la rândul ei fiind limitată de tensiunea de alimentare şi de
excursia maximă de tensiune necesară pe sarcină;

2. înlocuirea rezistenţei de cuplaj cu o sarcină dinamică ce prezintă o


rezistenţă mică în curent continuu (o cădere de tensiune mică la bornele
ei) şi o impedanţă în regim variabil dinamică mare. Nu se poate folosi o
bobină pentru că aceasta are o reactanţă dependentă de frecvenţă ( ωL ).
Se foloseşte circuitul elementar cu BM în circuitul de ieşire care are cea
mai mare impedanţă de ieşire dintre cele trei circuite elementare:
- pentru circuite integrate liniare, grupul format din rezistenţele de polarizare
şi capacitatea de decuplare se poate înlocui cu o rezistenţă şi o diodă, fiind
posibile mai multe variante, specifice circuitelor integrate; oglindă de curent.

3. mărirea (electronică) a lui hf prin tranzistoare compuse:


a) tranzistor compus Darlington:

H i ≅ hi' + hh' hi'' ≅ 2hi' şi H f ≅ h 'f h 'f' , rezultând:

Z id = 2 H i ≅ 4hi şi M ≅ 4h 2f Ro
(dacă h 'f = h 'f' = h f ' ''
şi hi = hi = hi ).
- concluzie: s-a mărit şi impedanţa de intrare (nu numai factorul de rejecţie);
- este o soluţie aplicată la μA 702 şi la μA 709.

b) tranzistor compus SuperG:


H i ≅ hi' şi H f ≅ h 'f h 'f' ,
Z id = 2 H i ≅ 2hi şi M ≅ 2h 2f Ro
(dacă h 'f = h 'f' = h f şi hi
'
= hi'' = hi ).

4. utilizarea reacţiei negative de tip serie:

- se poate face echivalarea: (T , Re ) ≡ T a cu parametrii:


h af ≅ h f şi hia ≅ hi + (h f + 1)Re ;
- se calculează:
M = 2h f Ro şi Z id ≅ 2hi + 2h f Re (creşte).
- pentru PSF, se poate realiza schema:

- impedanţa de intrare va fi: (


Z id ≅ 2hi + (h f + 1) Re' + Re'' ).
- prin utilizarea potenţiometrului, se pot regla curenţii de colector (din PSF)
pentru a se realiza un circuit simetric.
Exemple de scheme electrice

– polarizare separată a bazelor celor două tranzistoare

- abateri mici ale rezistenţelor pot duce la blocarea unuia dintre tranzistoare.

-circuit de intrare diferenţial pentru amplificatoare operaţionale:

****

S-ar putea să vă placă și