TBIP-Regimul dinamic

Tranzistorul este utilizat pentru prelucrarea semnalelor variabile.

Semnalele variabile se aplică în serie cu tensiunile de polarizare - ca
urmare, se vor modifica curenţii, deci şi tensiunile pe rezistenţa de sarcină.
În cazul general, semnalul variabil se suprapune peste regimul de
curent continuu.
Tranzistorul – element neliniar – adică relaţiile dintre tensiuni şi
curenţi sunt neliniare. Liniarizarea se poate face în condiţii de semnal mic.

Δi2
Definiţie: factor de amplificare în curent:
Δi1 Δu 2 = 0

ΔiC
- pentru conexiunea BC: α=
ΔiE u C = ct .

ΔiC
- pentru conexiunea EC: α ' =
ΔiB u ' C = ct .

Δi E
- pentru conexiunea CC: α ' ' =
Δi B u ' ' C = ct .
Conexiunea BC:

iC = α 0iE + ico
diC ⎛ dα 0 ⎞ ⎛ dα du E ⎞
= α 0 + ⎜⎜ iE ⎟⎟ = α 0 + ⎜ iE 0 ⎟
diE ⎝ diE ⎠ u ⎜ du E u = ct . diE u = ct . ⎟
C = ct . ⎝ C C ⎠
qu E
qD p pn kT ⎛ diE ⎞ q
Deoarece: iE = A e , ⎜⎜ ⎟⎟ = I E deci:
w du
⎝ E ⎠ PSF kT

12
 dα 0 kT 1 kT dα 0
α = α0 + IE = α0 +
du E uC = ct .
q IE q du E u C = ct .

Deoarece în RAN α 0 depinde puţin de u E (prin W), rezultă: α ≅ α 0 .

Dependenţa α 0 de PSF:

variaţia lui α 0 cu curentul de colector (emitor) determinată de:

- generarea de purtători electroni-goluri din zona de trecere ( γ );
- efecte la nivel mare de injecţie ( β t ).

Conexiunea EC:

ΔiC
Relaţii: α'= =β
ΔiB u ' C = ct .
α
iE = iC + iB → ΔiE = ΔiC + ΔiB ΔiC = αΔiE ⇒β =
1−α
Factor de amplificare în regim variabil în conexiunea EC: β = h21e .
Variaţia lui β cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternică
decât în cazul conexiunii BC.

Conexiunea CC: nu prezintă elemente importante din punct de vedere al

regimului static de funcţionare; referirile se fac la conexiunea EC.

12
5. Modelul Early:

Condiţii: semnale variabile mici;

regim staţionar.
a) circuitul de intrare
i E = i E (u E , u C )
Se diferenţiază în jurul unui PSF, M (U E , U C , I E , I C )
∂iE ∂i
Δi E = Δu E + E Δu C
∂u E M ∂uC M
1 1 Δu
ΔuE = ΔiE + ΔuC = ren ΔiE + C
∂iE ∂iE K
∂uE M ∂u
− E M
∂iE
∂uC M
Se desenează sub forma unui circuit electric:

Observaţii:
- ren : rezistenţa naturală a emitorului:

qu E
qD p pn kT
iE = A e kT (pentru RAN: uC < 0, uC >> )
w q
qu
∂iE qD p pn q kTE q
=A e = IE Rezultă:
∂u E w kT kT
M

12
 1 kT 1 0,026
ren = = = (valoare mică)
⎛ ∂iE ⎞ q IE IE
⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ∂u E ⎠ M
-K: coeficientul de modulaţie a grosimii bazei:
∂iE qI E
∂u E kT 1
K =− M
=− =
∂iE 1 ∂w kT 1 ∂w
− IE
∂uC M
w ∂uC M
q w ∂uC M
(reprezintă influenţa ieşirii asupra intrării prin intermediul grosimii efective
a bazei – reacţia internă în tranzistor).
Valori tipice pentru K: 10 ÷ 10 .
3 5

b) circuitul de ieşire
Relaţia:
iC = α 0iE + ic 0 = α 0 (iE , uC )iE + ic 0 (uC )
Se diferenţiază:

⎛ ∂α 0 ⎞ ⎛ ∂α 0 ⎞ ∂i
ΔiC = α 0 Δi E + ⎜⎜ i E ⎟⎟ Δi E + ⎜⎜ i E ⎟ Δu C + c 0 Δu C
⎟
⎝ ∂i E ⎠ M ⎝ ∂u C ⎠ M ∂u C M
⎡ ⎛ ∂α 0 ⎞ ⎤ ⎡⎛ ∂α 0 ⎞ ∂i ⎤
ΔiC = ⎢α 0 + ⎜⎜ iE ⎟⎟ ⎥ ΔiE + ⎢⎜⎜ iE ⎟⎟ + c 0 ⎥ ΔuC
⎣ ⎝ ∂iE ⎠ M ⎦ ⎣⎝ ∂uC ⎠ M ∂uC M ⎦
Se poate scrie sub forma:
ΔiC = αΔiE − g cn ΔuC
Se desenează sub forma unui circuit electric:

12
Observaţii:
- α factor de amplificare în curent în conexiunea BC
- g cn conductanţa naturală a emitorului – dependenţa de PSF:
Se obţin valori mici pentru conductanţa naturală a emitorului -
10−6 − 10−7 S - ceea ce conferă TBIP caracterul de generator de curent şi în
regim dinamic.
Pentru semnale rapid variabile, intervin elementele capacitive:

Se adaugă şi rezistenţa distribuită a bazei, rx = rbb ' :

Pentru circuitul Early elementele de circuit depind şi de frecvenţă, ceea face

dificilă utilizarea lui.

Capacităţile tranzistorului

La joncţiunea emitor-bază – polarizată direct – capacitatea de difuzie

este mai importantă decât capacitatea de barieră; la joncţiunea colector bază
– polarizată direct – contează ambele componente, mai importantă fiind,
totuşi, capacitatea de barieră.
Ce = Cde + Cbe Cc = Cdc + Cbc

12
Capacităţile de barieră – ca la joncţiunea PN.
Capacitatea de difuzie este determinată de variaţia sarcinii purtătorilor
mobili de sarcină din bază la variaţii ale tensiunii emitor bază respectiv
colector-bază.

6. Circuit echivalent Giacoletto

Este un model pentru care parametrii nu depind de frecvenţă până la o

valoare foarte mare a acesteia ( < 0,5 fα ).
Se deduce din modelul Early:
ΔuC
ΔuE = ren ΔiE +
K
ΔiC = αΔiE − g cn ΔuC
Prima relaţie se scrie:
ΔuE ΔuC
ΔiE = − sau:
ren Kren
1
1−α
α−
ΔiE = Δu E + K Δu + Δu E − ΔuC
E
ren ren Kren

care se scrie sub forma:

Δu E Δu − ΔuC
ΔiE = + S Δu E + E
rπ ro
Analog, relaţia a doua se scrie:
⎛ Δu Δu ⎞
ΔiC = α ΔiC − g cn ΔuC = α ⎜ E − C ⎟ − g cn ΔuC =
⎝ ren Kren ⎠
1
α− Δ u − Δ u ⎛ 1 − α ⎞
sau:
= K Δu + E − ⎜ g cn − ⎟ ΔuC
C
E
ren Kren ⎝ Kr en ⎠

Δu − ΔuC ΔuC
ΔiC = SΔu E + E −
ro rμ

12
Se desenează, sub forma unui circuit electronic, cele două relaţii:

Interpretarea parametrilor (în ordinea importanţei):

1
α−
* S= K ≅ α ≅ α o = α q I ≅ 40 I
o C C
ren ren ren kT
mA mA
S este panta tranzistorului, în , pentru I C în mA ); S = 40 pentru
V V
I C = 1mA .
r α 1 β
* rπ = en ≅ =
1−α 1−α S S
(reprezintă curentul local al joncţiunii EB, valori tipice de kΩ pentru I C de
ordinul mA)
- se pune în evidenţă relaţia: Srπ = β ≅ β o
α kT
* ro = Kren ≅ K ≅K
S qI C
(reprezintă reacţia internă a tranzistorului, valori tipice de 10 L10 Ω ) –
4 5

dependentă de PSF şi de frecvenţă;

1 1−α 1−α 1 1−α
* = g cn − = g cn − S = g co +
rμ Kren α K Kren
(dependent de PSF şi de frecvenţă, valori tipice pentru rμ de 10 L10 Ω )
6

* rx rezistenţa distribuită a bazei, valori tipice zeci – sute Ω .

Schema se poate desena şi pentru conexiunea EC.

12
Schema simplificată pentru frecvenţe joase

Schema simplificată pentru amplificare mică

Schema simplificată pentru frecvenţe înalte

12
7. Parametrii de cuadripol

Din punct de vedere dinamic, tranzistorul poate fi caracterizat printr-

un model matematic prin care se iau în considerare relaţiile dintre mărimile
de intrare (curent, tensiune) şi mărimile de ieşire (curent, tensiune) ale
acestuia considerat ca un cuadripol.

- mărimi de intrare: - curentul de intrare, I i

- tensiunea de intrare, U i
- mărimi de ieşire: - curentul de ieşire, I 0
- tensiunea de ieşire, U 0
Relaţiile dintre cele patru mărimi – determină seturi de parametri –
- mai importanţi –
- parametrii y (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe
mari)
- parametrii h (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe
mici).
Parametrii h se pot măsura în cele mai bune condiţii: scurt circuit la
ieşire (sarcina formată dintr-o capacitate mare) şi întrerupere la intrare
(comandă prin generator de curent).
Deducerea parametrilor h din parametrii circuitului echivalent
Giacoletto pentru conexiunea EC:

12
Parametrii h se deduc pornind de la definiţie:
Ui
h11 = hi = == rx + Z μ Zπ = rx + rπ rμ ≅ r x + rπ
Ii U0 =0

- valori tipice: kΩ (pentru curenţi de ordinul mA );

kT
- dependent de PSF (prin rπ = β0 );
qI C
- rx are importanţă la curenţi mari;
- la frecvenţe mari intervine şi o dependenţă de frecvenţă;
ub ' e 1
Sub ' e − S−
I2 Zμ rμ
h21 = h f = = = ≅ Srπ = β
I1 ub ' e ub ' e 1 1
U0 =0 + +
Zπ Z μ rπ rμ
- principalul parametru dinamic al tranzistorului;
- numeric, practic egal cu parametrul static β 0 ;
- valori tipice: 50 L 300 ;
- relaţia Srπ = β permite determinarea parametrului hi dacă se
cunoaşte curentul din PSF;
- se poate pune în evidenţa panta tranzistorului:
β hf hf hf 1
S= = = =
rπ rπ hi − rx hi 1 − rx
hi
Ui Zπ Z r
h12 = hi = = ≅ π = π
Uo Ii = 0
Zπ + Z μ Z μ rμ
−4 −5
- valori tipice; 10 L10
- dependent de PSF;
- dependent de frecvenţă.

12
 ⎛1 1 Zπ ⎞⎟
U o ⎜⎜ + +S
Io ⎝ ro Zπ + Z μ Zπ + Zμ ⎟⎠
h22 = ho = = =
Uo I i =0
Uo
1 1 + Srπ 1 1 + β
= + = +
ro rμ ro rμ
−4 −5
- valori tipice: 10 L10 S ;
- dependent de PSF şi de frecvenţă.

Schema cu parametrii h simplificaţi (prin neglijarea lui h12 şi h22)

12