Digitally signed by

Library TUM
Reason: I attest to the
accuracy and integrity
of this document UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

MATERIALE ŞI COMPONENTE PASIVE

Ciclu de prelegeri

Partea 2

Chişinău
2017
UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

FACULTATEA ELECTRONICĂ ŞI TELECOMUNICAŢII

DEPARTAMENTUL TELECOMUNICAŢII

MATERIALE ŞI COMPONENTE PASIVE

Ciclu de prelegeri

Partea 2

Chişinău
Editura „Tehnica-UTM”
2017
1
 Ciclul de prelegeri este adresat studenţilor specialităţilor
523.3. Teleradiocomunicaţii, 521.8. Inginerie şi management în
telecomunicaţii, 525.2. Sisteme optoelectronice, cu formele de
studii la zi şi cu frecvenţă redusă.

Autor: conf. univ., dr. Silvia GANGAN

Recenzent: prof.univ., dr.hab. Nicolae SÎRBU

Redactor responsabil: conf. univ., dr. Nicolae BEJAN

© UTM, 2017

2
 Tema 11 REZISTOARELE

Planul temei:
1 Clasificarea rezistoarelor
2 Parametrii rezistoarelor
3 Solicitarea în curent alternativ al rezistorului
4 Rezistoarele fixe
5 Rezistoarele variabile
6 Rezistoarele nelineare

1 Clasificarea rezistoarelor
Rezistoarele sunt componente pasive de bază în aparatura
electronică. În funcţie de intensitatea curenţilor care le străbat, pot fi:
rezistoare pentru curenţi tari şi rezistoare pentru curenţi slabi.
Conform tipului constructiv există:
- rezistoare fixe, rezistenţa cărora rămâne constantă pe
întreaga perioadă de funcţionare;
- rezistoare variabile, rezistenţa cărora poate fi modificată
în anumite limite pentru reglaj.
Pentru curenţii slabi (electronică) rezistoarele pot fi peliculare,
de volum şi bobinate.
O categorie aparte o constituie rezistoarele nelineare care
folosesc proprietăţile materialelor semiconductoare în realizarea
unor anumite caracteristici tehnice.
După destinaţie, rezistoarele pot fi profesionale şi de uz
general.

2 Parametrii rezistoarelor
Rezistenţa nominală Rn, , a rezistorului reprezintă valoarea
rezistenţei ce se doreşte a fi obţinută în urma procesului tehnologic,
nominalizează rezistorul şi este marcată pe corpul acestuia în clar
sau în codul culorilor.

3
 Rezistenţa rezistorului, în general, este dată de formula:
 (11.1)
R ,
S
în care:  şi S sunt rezistivitatea electrică specifică, mm2/m, şi
suprafaţa secţiunii transversale, mm2, a elementului conductiv; l –
lungimea drumului parcurs de curent, m.
Rezistenţa rezistorului cilindric nespiralizat este:
 (11.2)
R ;
Dh
iar a celui spiralizat:
N  (11.3)
R ,
t  a h
unde l este lungimea cilindrului rezistorului nespiralizat, mm; D –
diametrul tronsonului ceramic, mm; N, t şi a – numărul de spire,
pasul şi lăţimea şanţului filetat, mm; h – grosimea stratului
conductiv, mm.
Rezistenţa rezistoarelor de volum de formă dreptunghiulară
este:
R   / bc , (11.4)
unde l, b şi c sunt lungimea, lăţimea şi înălţimea rezistorului, mm.
Rezistenţa rezistorului de sârmă este:
 
R  4  / d 2 , (11.5)

unde l şi d sunt lungimea, m, şi diametrul, mm, sârmei.

Rezistenţa rezistorului pelicular în circuitele hibride se
calculează prin formula:
R = l/b, (11.6)

4
unde  - rezistivitatea electrică specifică a pătratului peliculei de
metal, de aliaj, de pastă sau de vopsea care formează elementul
conductiv al rezistorului, /; l şi b – lungimea şi, respectiv,
lăţimea rezistorului pelicular, mm.
Toleranţa t, %, rezultă în procesul de fabricaţie al rezistorului,
exprimă, în procente, abaterea maximă relativă a valorii reale Rr
faţă de valoarea nominală RN:
Rr  Rn
t   max .
Rn (11.7)

Valorile nominale şi toleranţele sunt standardizate

internaţional, fiind date prin seriile de valori En. Seriile valorilor
nominale ale rezistenţei rezistoarelor alcătuiesc progresii geometrice
cu raţia q egală cu n 10 , în care n este numărul seriei, de exemplu,
pentru E6: q 6  6 10 =1,47, q12  12 10  1,21 ş.a.m.d. Toleranţa
rezistoarelor este dată de seria: 0,01 %; 0,02 %; 0,05 %; 0,1 %;
0,2 %; 0,5 %; 1 %; 2 %; 5 %; 10 %; 20 %; 30 %.
Clasele de toleranţă corespund seriei de valori conform
tabelului 11.1.

Tabelul 11.1 Seriile valorilor nominale şi clasele de toleranţă

ale rezistoarelor
Seria E6 E12 E24 E48 E96 E192

Toleranţa 20 % 10 % 5 % 2,5 % 1,25 % 0,6 %

Rezistoarele de precizie se caracterizează de toleranţa până la

2%, cele de uz general de la t = 5% până la t = 20%, iar rezistoarele
variabile se caracterizează de t = 30%. Pentru definirea valorii
rezistorului, valoarea nominală trebuie întotdeauna să fie însoţită de
toleranţă.
Puterea nominală Pn, W, reprezintă puterea electrică maximă
la care poate fi supus un rezistor în regim de funcţionare
5
îndelungată într-un mediu cu temperatura cel mult egală cu cea
nominală Tn şi poate fi determinată prin relaţia:

Pn = D(TM – Tn), (11.8)

unde D este coeficientul de disipare termică. Temperatura nominală
Tn este precizată pentru fiecare tip de rezistor.
Uzual puterea disipată de rezistor trebuie să fie mai mică
decât 0,5 Pn, iar pentru tehnica specială – mai mică decât 0,3 Pn.
Această condiţie este prevăzută de coeficientul de sarcină
Padm
k (în catalog). Puterile uzuale standardizate ale
Pn
rezistoarelor sunt: 0,05; 0,10; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 4; 6; 12; 16; 25;
40; 50; 100; 160; 250; 500 W*. Cu cât puterea disipată este mai
mare, cu atât dimensiunile de gabarit al rezistorului sunt mai mari.
Tensiunea nominală Un, V, reprezintă tensiunea electrică
maximă continuă sau valoarea efectivă a tensiunii alternative ce
poate fi aplicată rezistorului în regim de funcţionare îndelungată,
fără a-i modifica caracteristicile.
Pentru o tensiune nominală Un dată şi o putere disipată
maximă Pn impusă, există în seriile de valori nominalizate o singură
valoare care poate fi utilizată simultan la cei doi parametri nominali.
Valoarea aceasta se numeşte rezistenţă critică (este acea valoare a
rezistenţei la care tensiunea nominală este aceeaşi cu tensiunea
maximă admisibilă) şi este dată de formula:
U2
Rcr  n . (11.9)
Pn
Deci, în aceeaşi clasă de putere şi tensiune, toate valorile
rezistoarelor (în afară de valoarea egală cu Rcr) sunt limitate fie de
tensiune, fie de putere. Pentru a putea aplica unui rezistor o tensiune
egală cu Un, fără a depăşi puterea admisibilă, este necesar ca
valoarea rezistenţei acestuia să fie mai mare decât rezistenţa critică.

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
*În România puterea standardizată maximă este 100W, în Rusia – 500W.

6
 Domeniul temperaturilor de utilizare T[Tm, TM], reprezintă
intervalul maxim de temperatură în care poate să ia valori
temperatura corpului rezistorului în timpul funcţionării. Tm este
temperatura minimă la care poate să ajungă corpul rezistorului în
timpul funcţionării, iar TM temperatura maximă. Conform unor
norme internaţionale, temperaturile Tm şi TM sunt reprezentate în
catalog prin categoria climatică care are forma N1/N2/N3.
N1 reprezintă Tm, N2 este TM şi N3 este numărul de zile pentru
care componenta este supusă la încercări climatice conform
normelor ce precizează temperatura, umiditatea, presiunea etc.
Coeficientul termic al rezistenţei CTR = R, K-1, exprimă
modificarea valorii rezistenţei la variaţia temperaturii cu un grad.
Temperatura influenţează orice proprietate a materialelor, deci
şi valoarea unei componente pasive. Prin definiţie, coeficientul de
variaţie cu temperatură este:
1 dR
R   .
R dT (11.10)
Pentru majoritatea rezistoarelor, această funcţie este lineară.
Când însă CTR se schimbă nelinear, atunci în catalog se indică nu
valoarea CTR, dar valorile lui la temperaturi de limită respective.
Semnul şi valoarea CTR al rezistorului se determină de CT al
materialului din care este fabricat elementul conductiv al
rezistorului. Astfel, rezistoarele de sârmă (bobinate) se
caracterizează prin CTR mic şi pozitiv; rezistoarele cu pelicula de
carbon – CTR negativ cu valori medii (cu creşterea temperaturii are
loc contactarea mai strânsă a granulelor şi rezistenţa se micşorează);
rezistoarele din material semiconductor – CTR mare negativ (se
micşorează rezistenţa joncţiunii p-n), rezistoarele de volum şi
metalizate pot avea valori CTR medii sau mari cu sens variabil, în
funcţie de mecanismul predominat: contactarea granulelor sau
creşterea rezistenţei sub influenţa mişcării haotice a electronilor în
granule.

7
 Tensiunea electromotoare de zgomot Uzg, V, exprimă
zgomotul intern al rezistorului şi reprezintă valoarea eficace a
tensiunii electromotoare care apare la bornele rezistorului în mod
aleatoriu datorită mişcării haotice şi mişcării termice a electronilor,
precum şi trecerii curentului prin rezistor.
Zgomotul este deosebit de supărător în reţelele de intrare ale
aparaturii electronice, deoarece el se amplifică simultan cu semnalul
recepţionat util. Zgomotul care se datorează mişcării haotice a
electronilor în elementul conductiv (mişcarea browniană) conduce
la schimbarea aleatoare a rezistenţei rezistorului şi, ca urmare, la
apariţia pulsaţiilor tensiunii. Cu creşterea temperaturii, acest tip de
zgomot este în creştere. Forţa electromotoare a zgomotului termic:

E zg  4kTRIF , V, (11.11)

unde k este constanta lui Bolzman, k=1,3810-23J/K;
T – temperatura, K;
R – rezistenţa, ;
F – banda de frecvenţă în care lucrează rezistorul, Hz;
I – intensitatea curentului, A.
Zgomotul care apare în urma trecerii curentului prin rezistor
este caracteristic rezistoarelor cu structură grăunţoasă, cum sunt
rezistoarele de volum, cu peliculă de oxizi metalici şi cu peliculă de
carbon, cele mai zgomotoase fiind rezistoarele de volum.
Factorul de zgomot Kzg este raportul dintre tensiunea de
zgomot şi tensiunea continuă aplicată la bornele rezistorului şi se
exprimă în V/V. Cu creşterea tensiunii aplicate creşte şi nivelul de
zgomot. După nivelul de zgomot rezistoarele pot fi clasificate în
următoarele categorii: cu factor de zgomot până la 1,5 V/V (C1 şi
C2**); Kzg  40 V/V (C3); Kzg  45 V/V (C4); rezistoarele de
sârmă (C5) se caracterizează numai de zgomotul termic. Acest
zgomot este mult mai mic (aproximativ de 10 ori) decât zgomotul
provocat de trecerea curentului prin rezistor.

**Se referă la rezistoarele fabricate în Rusia

8
 3 Solicitarea în curent alternativ al rezistorului
În cazul rezistorului idealizat, relaţia dintre tensiunea care
apare la bornele rezistorului R şi curentul care îl străbate este:
u R  Ri t .

I UR,I
U I UR
I
2700 3600
R
 E 0 t
UR 900

a) b)

Figura 11.1 Rezistor idealizat în c.a.: a) schema electrică; b) relaţia

tensiune–curent pentru un rezistor şi diagrama fazorială

Dacă i(t) = I sin t, în care I - amplitudinea curentului;

 = 2f – pulsaţia; f – frecvenţa semnalului sinusoidal; uR(t) şi i(t) –
valorile instantanee ale tensiunii şi curentului, atunci expresia
tensiunii la bornele rezistorului devine [1]:

u R t   RI sin t  U R sin t , U R  RI . (11.12)

Aşadar, la bornele rezistorului avem o tensiune sinusoidală

care se află în fază cu curentul.
Când rezistorul funcţionează într-un intervalul anumit de
frecvenţe, rezistenţa lui poate să se schimbe faţă de valoarea lui
nominală în curentul continuu. În rezistorul real, în afară de
componenta activă, mai are loc o serie de elemente parazite care
modifică funcţionarea lui, mai ales la frecvenţe înalte.

9
 C12

C
R L
 R L

C1 C2
Z
a b
Figura 11.2 Schema echivalentă a rezistorului tehnic real

Dacă se notează cu C12 capacitatea parazită echivalentă dintre

extremităţile rezistorului, cu C1 şi C2, capacităţile parazite ale
terminalelor faţă de masă şi cu L inductivitatea parazită datorată
câmpului magnetic ce apare prin fenomenul de inducţie magnetică
în elementul rezistiv străbătut de curent, se poate calcula o
impedanţă, respectiv o admitanţă echivalentă:
C1C 2 1 1
C  C12  ,Y    j C .
C1  C 2 Z R  j L (11.13)
Schema din figura (11.2, b) reprezintă o reţea oscilantă cu
1
frecvenţa de rezonanţă  r  . Reieşind din aceste
LC
considerente, expresia admitanţei se poate scrie astfel:
1 C 1 1
Y  j   
L 1 r LC  L
R j  R j
r LC r C
  (11.14)
 
 1 1 1  1 
 j    j .
r L R  1 L r 1 L 
1  j  
C  r R C R C

10
 De aici rezultă 3 situaţii posibile:
1 L
- dacă raportul  1, admitanţa are caracter capacitiv la
R C
orice frecvenţă;
1 L
- dacă raportul  1, admitanţa are caracter inductiv la
R C
frecvenţă joasă şi capacitiv pentru frecvenţele înalte, existând o
frecvenţă 0 pentru care circuitul se comportă ca o rezistenţă pură;
1 L
- dacă raportul  1, circuitul se comportă aproximativ
R C
ca o rezistenţă pură în domeniul pentru care   r.
Într-adevăr, putem transforma relaţia obţinută astfel:
 
 
1 1  1 
Y  j 
R  1 L r 1 L 
1  j  
 r R C R C
 
 1 j   1 L 
1 r R C  1 
   j  
R 2
  1 L r 1 L 
1  j 2    

 R C 
  r   R C  

  1 L  1   
2
 1 L   
2

1  j  1    
 r R C
 j
r 1 L    r
  R C   
    
1 R C 
  2 2 
R   1 L 
 1      
 r   R C 
 
 
11
   1 L  1  
3
1 1 L 
2

1  j  j  j       
 r R C r 1 L  r  1 L  R C  
1  R C R C 
  2 2 
R   1 L 
1     

  r   R C  
 
 
   
   3 
1  j   1 L  1   j   
 
1 L
  r  R C 1 L    r  R C
   
1  R C  (11.15)
  2 .
R 2
  1 L 
 1      
 
   r   R C  
 
 

În domeniul frecvenţelor joase se neglijează membrii de

ordinul 2 şi 3 şi atunci:

   
   

1  j 
1 L 1   0

 r  R C 1 L  
 
1  R C  
Y  . (11.16)
R 1 0 
 
 
 
 

12
 1
De unde urmează Y  atunci, când:
R
1 L 1 1 L 1
 0   (11.17)
R C 1 L R C 1 L
R C R C
1 L 1 L
2
 1 sau  1.
R C R C (11.18)
Din relaţia precedentă urmează:
L 1 L
  1 sau  RC.
R RC R (11.19)
Relaţia dorită între R şi elementele parazite se obţine prin
selectarea construcţiei şi tehnologiei de fabricaţie a rezistorului.

4 Rezistoarele fixe
Rezistoarele cele mai frecvent utilizate în industria electronică
sunt cele fixe, de destinaţie generală, cu puterea nominală care nu
depăşeşte 2 W. În construcţia acestor rezistoare se folosesc toate
tipurile de elemente conductive şi pot fi peliculare, de volum şi
spiralizate.

Figura 11.3 Rezistoarele fixe cu destinaţie generală

13
 Rezistoarele cu peliculă de carbon sunt destinate pentru
lucrul în curent continuu, curent alternativ şi în regim de impuls, în
aparatura electronică. Se fabrică prin aplicarea tehnologiei de
piroliză – de descompunere termică a unei hidrocarburi saturate pe
un tronson ceramic, au terminale radiale sau axiale, sunt rezistoare
de tip pelicular. Pentru a se ajunge la valoarea nominală dorită, se
efectuează spiralizarea peliculei metalice. Se realizează la Pn până
la 2 W. Rezistorul este acoperit cu vopsea protectoare sau email
hidrofob. Temperatura lor de lucru este de 400C, iar temperatura
maximă este de 1000C, la care se permite coeficientul de sarcină
P
egal cu 1, (k s  A ) ; la rezistoarele pentru condiţii tropicale aceste
Pn
temperaturi sunt 700C şi 1250C respectiv. Acest tip de rezistoare
este destinat pentru frecvenţe destul de înalte, caracterizându-se prin
capacitate parazită mică în şanţurile filetate, datorită grosimii mici a
peliculei de carbon (sutimi de micron). Sunt de dimensiuni mici şi
stabilitate termică bună (  R  - 10 3 K 1 – are valori medii şi este
negativ).
Stratul protector
Stratul rezistiv

Aliajul de
lipit
Tronsonul ceramic
Figura 11.4 Construcţia rezistorului cilindric

Rezistoarele bobinate sunt cele de putere (până la 500 W). În

rezistoarele bobinate, în înfăşurarea firului şi în terminale, se
formează inductanţa parazită, iar între spirele înfăşurării se
formează capacitatea parazită. Rezistoarele bobinate se utilizează în
domeniul frecvenţelor joase (până la frecvenţele de sunet). Se
14
explică aceasta astfel: cu creşterea frecvenţei, componenta inductivă
a impedanţei creşte, iar componenta capacitivă descreşte. De aceea,
rezistenţa rezistorului bobinat poate să se schimbe într-un sens sau
altul. Însă cu creşterea frecvenţei, rezistenţa rezistorului bobinat se
măreşte întotdeauna. Fenomenul acesta se datorează curenţilor Fuco
(skin – efect), care împing curentul alternativ la suprafaţa
conductorului. Secţiunea transversală efectivă a conductorului se
micşorează, în comparaţie cu secţiunea lui în curent continuu, şi
obţine forma unui inel.

d
xe

a) b)

Figura 11.5 Distribuirea curentului în secţiunea transversală a

firului: a) în curent continuu; b) în curent alternativ.

ρ
Valoarea xe  , în mm, se numeşte adâncimea
 0  r f
pătrunderii curentului de frecvenţă înaltă în conductor (aici  -
rezistivitatea specifică, mm2/m; f – frecvenţa curentului
alternativ, MHz;  r – permeabilitatea magnetică relativă, 0 –
permeabilitatea magnetică a vidului, H/m). Cu cât frecvenţa este
mai avansată, cu atât xe este mai mică şi rezistenţa rezistorului este
mai mare.
În electronică se folosesc rezistoarele de marcă C5-31 (Rusia)
(miniatură) care se utilizează în circuite integrate hibride.

Rezistoarele cu peliculă metalică sunt destinate pentru lucrul

în curent continuu, curent alternativ şi în regim de impuls, în
aparatura electronică, sunt rezistente la căldură şi umiditate, sunt
15
rigide mecanic, au dimensiunile de gabarit mici, fiind compatibile
cu circuitele integrate.
Pelicula metalică se depune pe un tronson ceramic prin
metoda de evaporare termică. Grosimea peliculei constituie: de la
zecimi până la unităţi de micron. Pelicula poate fi din aliaj special,
oxid metalic sau din metalo-dielectric.
În rezistoarele peliculare efectul de suprafaţă poate fi ignorat,
deoarece acest tip de rezistoare dispune de structură granuloasă, iar
diametrul granulelor este mult mai mic decât adâncimea pătrunderii
câmpului electromagnetic în conductor. În rezistoarele peliculare
rezistenţa în funcţie de frecvenţă se determină de capacitate şi
inductivitate parazite. În rezistoarele peliculare nefiletate (cu
impedanţă joasă) rezistenţa creşte cu avansarea frecvenţei, deoarece
în schema lor echivalentă lipseşte capacitatea parazită, existând
numai inductanţa parazită.
Pentru rezistoarele peliculare filetate inductanţa parazită poate
fi ignorată. Descreşterea rezistenţei este predeterminată de acţiunea
capacităţii parazite care se formează în şanţurile filetate. Cu cât mai
gros este stratul conductiv şi cu cât este mai mare valoarea
permitivităţii dielectrice a stratului protector, cu cât mai mare este
numărul de spire, cu atât mai mare este capacitatea parazită şi cu
atât proprietăţile electrice ale rezistorului la frecvenţe înalte sunt
mai reduse.
În comparaţie cu rezistoarele de carbon, rezistoarele cu
peliculă metalică sunt mai mici, la aceeaşi putere de disipaţie. Ele
sunt rezistente la umiditate datorită stratului protector rezistent la
căldură şi umiditate.
Neajunsul acestor rezistoare este rezistenţa insuficientă la
sarcina de impuls şi banda de frecvenţă este mai îngustă decât în
cazul rezistoarelor de carbon (grosimea stratului conductiv este mai
mare, iar capacitatea dintre spire se măreşte, în afară de aceasta
marginile şanţurilor filetate se distrug din cauza supraîncălzirilor
locale). Funcţionează la temperaturi avansate – până la 3000C.
Rezistoarele de volum sunt fabricate dintr-un amestec de
material conductor şi un material izolant de umplutură.

16
 Granula
conductivă
Material
electroizolant

Figura 11.6 Reprezentarea schematică a rezistorului

de volum [5]
Ele se utilizează pentru aceleaşi scopuri ca şi rezistoarele de
carbon şi cele cu peliculă metalică, pot lucra în condiţii tropicale
(climă uscată sau umedă, temperaturi avansate), au robusteţe
electrică şi mecanică bună. Majoritatea parametrilor electrici sunt
inferiori altor tipuri de rezistoare. Nivelul de zgomot este destul de
mare (Kzg până la 10 V/V), iar rezistenţa depinde de valoarea
tensiunii aplicate. Nu sunt rezistoare de precizie. Elementul
conductiv se etanşează în capsula din sticloceramică. Rezistoarele
de tip C3-3 şi C4 pot fi montate pe cablaje imprimate, au masă şi
dimensiuni de gabarit mici, sunt rezistente la temperaturi avansate
(până la 3500C). Pn - până la 60 W.
Rezistoarele pentru montarea pe suprafaţă – Surface
Mounted Devices (SMD)
Elementul conductiv al rezistoarelor din această clasă este
fabricat din oxid metalic. Au dimensiuni mici şi sunt adoptate
pentru montarea automatizată.

Figura 11.7 Rezistoarele SMD

17
 Marcarea se face pe suprafaţa rezistorului. Codul marcării
este compus din cifre sau din combinaţia cifrelor cu litere
(anexa A).
5 Rezistoarele variabile [1]
Rezistoarele variabile sunt cele ale căror rezistenţă poate fi
variată continuu sau în trepte între anumite limite, prin deplasarea
unui cursor pe suprafaţa elementului rezistiv. Se mai numesc
potenţiometre sau reostate. Potenţiometrele se utilizează pentru
reglarea tensiunii, iar reostatele – pentru reglarea curentului. Într-un
circuit electronic potenţiometrele se conectează în paralel, reostatele
– în serie. În afară de parametrii comuni tuturor componentelor
pasive, potenţiometrele au şi alţi parametri specifici cum ar fi:
- legea variaţiei rezistenţei care indică variaţia valorii
rezistenţei electrice R care trebuie obţinută la ieşirea
potenţiometrului în funcţie de poziţia unghiulară sau liniară a
cursorului. Legile de variaţie uzuale sunt ilustrate în figura 10.8.

R/Rn[%]
C
E
100

80
F
A
60
B
40

20 D
max[%]
0
20 40 60 80 100

Figura 11.8 Legile de variaţie ale potenţiometrelor [1]

18
 S-au notat legile în felul următor: A – lineară; B – logaritmică;
C – invers logaritmică; D – exponenţială; E – invers exponenţială;
S – curbă în formă de S (sinusoidă sau cosinusoidă);
- rezistenţa reziduală (iniţială sau finală) R0, , este egală cu
valoarea maximă admisibilă a rezistenţei electrice măsurate între
ieşirea cursorului şi unul din terminale, când cursorul se află la una
din extremităţile cursei de reglaj;
- rezistenţa de contact Rk, între cursor şi elementul rezistiv;
- precizia reglării care depinde de materialul rezistiv şi de
rezistenţa de contact dintre cursor şi elementul rezistiv.
În funcţie de modul de realizare a elementului rezistiv,
potenţiometrele se clasifică astfel:
- potenţiometre peliculare: cu peliculă metalică, cu peliculă
de carbon, cu peliculă metalo-ceramică (cermet);
- potenţiometre bobinate;
- fotopotenţiometre.
După criterii constructive, potenţiometrele se clasifică astfel:
- simple, echipate cu un singur element rezistiv şi care pot
fi circulare (cu o singură rotaţie), reglabile continuu (de translaţie),
multitură (rectilinii, circulare, elicoidale), cu rotaţie continuă, cu
întrerupător, cu comutator, cu comutator şi întrerupător,
potenţiometru miniatură;
- multiple: tandem (cu două sau mai multe secţiuni
comandate de un singur ax pe care sunt fixate cursoarele), multiax,
combinate cu întrerupător, miniatură.
După modul de execuţie, potenţiometrele se construiesc în
variantă închisă, deschisă.
Potenţiometrele peliculare au un suport dielectric din pertinax
sau alumină. Cursorul se realizează din bronz fosforos sau aliaj (Ni,
Cu şi Zn) rezistent la uzură. Este prevăzut cu un mic cilindru din
grafit care trebuie să realizeze contactul electric în orice poziţie a
cursorului şi să nu lezeze pelicula rezistivă.
Toleranţa potenţiometrelor este de  20% pentru
Rn  250 k ; 30% – pentru Rn  250 k.

19
 6 Rezistoarele nelineare
Rezistoarele nelineare – termistoare, varistoare, fotorezistoare
– folosesc proprietăţile materialelor semiconductoare pentru a
realiza dependenţa nelineară între U şi I.
Termistoarele sunt rezistoare ale căror rezistenţă depinde
mult de temperatură. În fucţie de modul de variaţie al rezistivităţii,
se obţin termistoare cu coeficient de temperatură negativ – NTC sau
pozitiv – PTC. Pentru obţinerea termistoarelor NTC se folosesc
oxizi şi elemente din grupa fierului: Fe, Cr, Mn, Ni. Prin
impurificarea cu ioni străini aceste materiale se transformă în
semiconductoare, în acest fel mărindu-se conductibilitatea şi
variaţia cu temperatură a rezistivităţii.
Materialele folosite la obţinerea termistoarelor cu coeficientul
de temperatură pozitiv sunt în bază de titanat de bariu (BaTiO3) sau
soluţie solidă de BaTiO3 şi SrTiO3, impurificate cu ioni 3-tetra- sau
pentavalenţi se obţin materiale semiconductoare de tip n.
Termistoarele se pot obţine în formă de plachete, cilindre,
discuri, filamente (protejate în tuburi de sticlă).

Legile de variaţie ale rezistenţei cu temperatură sunt

B B

exponenţiale. Pentru NTC: RT  Ae ; PTC: RT  A  Ce ,

T T

unde A, B, C – constante de material; T – temperatura [K]. NTC

sunt utilizate la stabilizarea tensiunii sau curentului pentru
compensarea variaţiei cu temperatura altor elemente şi ca traductor
de temperatură (ZnP2).

-t +t
Figura 11.9 Marcarea termistoarelor

20
 NTC
U U

-t
U1
U1 U

R
U2 U2

U
I
PTC – limitator de curent

PTC se utilizează pentru

protecţia la scurtcircuit sau
supratensiuni
I

Figura 11.10 Utilizarea termistoarelor

Varistoarele – sunt rezistoare a căror rezistenţă este

determinată de tensiunea aplicată la bornele lor. Materialele cele
mai utilizate sunt carbura de siliciu SiC şi oxidul de zinc ZnO.
Carbura de siliciu în formă de pulbere, amestecat cu un liant, este
supusă presării, sinterizării şi unui proces de îmbătrânire care constă
în supunerea baghetei sau discurilor formate unui regim electric de
impulsuri ce depăşeşte tensiunea nominală de lucru.
Varistorul se marchează în clar.

U
Figura 11.11 Marcarea varistoarelor

21
 Relaţia curent–tensiune a unui varistor este de formă
I  kU  sau U  CI  , unde k – constanta ce fixează tensiunea
de lucru a varistorului şi depende de dimensiunile şi tehnologia
obţinerii varistorului; α şi β – coeficienţi de nelinearitate: α =5
pentru SiC, α =25 pentru ZnO.
I
Zn Si
C

Figura 11.12 Caracteristica volt-amperică tipică a varistoarelor

Sunt utilizate împotriva supratensiunilor, pentru stabilizarea

tensiunii şi curentului în circuite care lucrează în modulaţie de
amplitudine şi frecvenţă etc.
I
R

U U U arc
tgR

U 2 U 1
Figura 11.13 Exemplu de utilizare a varistorului

22
 I

U
arc tgR

U1 Rs U2

U
U 2 U
1

Figura 11.14 Exemplu de utilizare a varistorului

Fotorezistoarele – rezistoare dependente de fluxul luminos,

având la bază efectul fotoelectric intern în semiconductor. Au
următoarele particularităţi:
- rezistenţă la întuneric, Rα care reprezintă valoarea
rezistenţei la iluminarea nulă;
- sensibilitate la fluxul luminos. Se fabrică din PbS şi CdS.

Întrebări de control
1 Cum se clasifică rezistoarele din punctul de vedere al rezistenţei?
2 Cum se clasifică rezistoarele din punctul de vedere al
materialului elementului conductiv?
3 Ce reprezintă seriile valorilor nominale ale rezistenţelor
rezistoarelor?
4 Enumeraţi parametrii rezistorului fix şi unităţile de măsură.
5 Enumeraţi parametrii specifici ai rezistoarelor variabile.
6 Enumeraţi legile variaţiei rezistenţei la rezistoarele variabile.
7 Ce reprezintă un rezistor variabil?
8 Reprezentaţi schema echivalentă a rezistorului industrial.
9 Numiţi domeniul de utilizare a rezistoarelor variabile
(potenţiometrelor şi reostatelor).
10 Care este destinaţia rezistoarelor nelineare (varistoare şi
termistoare)?
23
 Tema 12 BOBINELE (INDUCTOARELE)

Planul temei:
1 Componenta pasivă tip inductor
2 Parametrii inductorului
3 Circuitele echivalente ale unui inductor
4 Elementele constructive ale unei bobine
5 Solicitarea inductorului în frecvenţă
6 Utilizarea bobinelor

1 Componenta pasivă tip inductor

Inductoarele reprezintă componente pasive (dipole) capabile
să acumuleze energie magnetică. Parcurse de curent, inductoarele
sunt în stare să producă un câmp magnetic asemănător celui produs
de un magnet. Între tensiunea la bornele inductorului, u (t) şi
curentul ce îl parcurge, i (t), există relaţia:
di
uL . (12.1)
dt
Trecerea unui curent de intensitate i printr-un conductor
determină apariţia unui flux magnetic prin suprafaţa care se sprijină
pe firul conductor. Între cele două mărimi există o directă
proporţionalitate, factorul fiind numit inductanţa circuitului:


L (12.2)
i

Figura 12.1 Circuitul de tip inductor

24
 Întrucât fluxul magnetic şi curentul electric variază direct
proporţional, inductanţa reprezintă coeficientul de proporţionalitate
respectiv, conform relaţiei:
t   L  i t . (12.3)
Mărimea fluxului, la o valoare bine precizată a curentului,
depinde de forma suprafeţei străbătute de liniile de câmp generate
de curent şi de natura magnetică a mediului parcurs de aceleaşi linii
de câmp.
Rezultă că inductanţa depinde de factori geometrici şi de
factori ce caracterizează proprietăţile magnetice ale mediului. Cu
cât mediul este mai permeabil la liniile de câmp magnetic, cu atât
fluxul magnetic va fi mai mare şi implicit la aceleaşi geometrii ale
traseului conductor parcurs de acelaşi curent, inductanţa rezultată va
fi mai mare.
Totodată, corespunzător aceluiaşi mediu, cu cât aceleaşi linii
de câmp magnetic parcurg de mai multe ori suprafaţa ce se sprijină
pe traseul conductor, cu atât fluxul magnetic este mai mare şi ca
atare şi inductanţa traseului conductor ce a generat respectiva
suprafaţă. Cu alte cuvinte, se poate afirma că inductanţa unui traseu
de lungime l dispus sub forma unui cerc este superioară inductanţei
obţinută cu aceeaşi lungime de traseu dispusă în o formă diferită de
cerc 2].
În definiţia inductanţei nu s-a luat în considerare nici un alt
efect fizic care diminuează fluxul magnetic determinat de curentul
electric i. Această inductanţă se numeşte inductanţă intrinsecă.
Odată cu creşterea frecvenţei curentului ce parcurge traseul
conductor, în prezenţa altor efecte fizice, fluxul magnetic este
influenţat de respectivele efecte şi valoarea inductanţei nu mai
rămâne constantă de la o frecvenţă la alta. Prezenţa efectelor
capacitive şi disipative (parazite) poate fi evidenţiată prin
intermediul unei scheme echivalente care reprezintă comportarea
inductorului într-un anumit interval de frecvenţă. Schema electrică
echivalentă conţine nu numai inductanţa intrinsecă, ci şi elementele
capacitive şi disipative (rezistive).

25
 Lech

Figura 12.2 Schema echivalentă simplificată a unui inductor

Aşadar, un inductor poate avea efect inductiv, efect capacitiv

şi efect disipativ şi această componentă electronică reprezintă o
combinaţie a acestor elemente.
În aplicaţii se caută ca efectul inductiv să fie preponderent,
această cerinţă fiind satisfăcută de la curentul continuu (frecvenţă
nulă) până la frecvenţa de rezonanţă proprie. Existenţa acestei
rezonanţe este explicabilă dacă se ţine seama de faptul că pe baza
efectelor fizice ce au loc într-un inductor se poate considera că
acesta este alcătuit dintr-o inductanţă şi o capacitate parazită [2].
Acest circuit admite o frecvenţă proprie de rezonanţă, fiind
precizată cu o bună aproximaţie prin relaţia:
1
f0  , (12.4)
2 LC p

unde Cp este capacitatea parazită.

2 Parametrii inductorului
Inductanţa bobinei – valoarea inductanţei care trebuie
obţinută în procesul de fabricaţie. Unitatea de măsură a inductanţei
care reprezintă principalul parametru caracteristic al inductorului
(bobinei), henry-ul [H], reprezintă raportul dintre fluxul magnetic
de 1 Wb (Weber) şi curentul electric de 1A, unităţile derivate fiind
nH, , mH:
26
 1 nH = 10-9 H;
1  = 10-6 H;
1 mH = 10-3 H.

Inductanţa bobinei depinde de structura, geometria şi

dimensiunile acesteia. Calculul inductanţei se efectuează înaintea
realizării bobinei cu ajutorul unor formule empirice, tabele sau
diagrame 4, 5.
Inductanţa L a unei bobine fără miez, de lungimea l [cm],
diametrul D [cm] (sau secţiunea S [cm2]), având n spire, se poate
calcula prin relaţiile:
4N 2 S
LH    dacă l >>D, (12.5)
l
LH   aN D  10  dacă l~D,
2 3 (12.6)
în care a este un coeficient al cărui valoare (în funcţie de raportul
l/D) se află tabelată în lucrările de specialitate [2]. În cazul unei
bobine cu miez magnetic (de permeabilitate magnetică ), se
utilizează relaţia generală:
L = N2S/l. (12.7)
Valorile uzuale ale inductanţelor în radioelectronică sunt de
ordinul nH…H. În afară de inductivitate, o bobina reală se
caracterizează prin însuşirile enumerete în continuare.

Tangenta unghiului de pierderi şi factorul de calitate

Datorită efectului disipativ, în inductor se dezvoltă puterea
activă. Pierderile de putere activă din inductor se caracterizează prin
tangenta unghiului de pierderi (factor de disipaţie, factor de
pierderi), tg , mărime ce reprezintă raportul dintre puterea activă şi
puterea reactivă din inductor:
P 1 (12.8)
tg  a  .
Pr Q
Mărimea reciprocă mărimii tg este factorul de calitate Q al
inductorului şi se utilizează mai des pentru caracterizarea pierderilor
unui inductor.
27
 Factorul de calitate Q [-], definit la o anumită frecvenţă de
lucru ca raportul dintre energia maximă existentă în câmpul
magnetic al bobinei şi energia disipată (de aceasta) în formă de
căldură într-o perioadă. Bobinele utilizate în echipamentele
radioelectronice au, în general, Q = 0…300.
Coeficientul de variaţie cu temperatura αL
Ca şi rezistenţa rezistorului, inductanţa unei bobine depinde
de temperatură conform unei relaţii de forma:
L  L0 1   L (T  T0 , (12.9)
unde: L0 – inductanţa bobinei la temperatura T0;
αL este coeficientul care arată variaţia relativă a inductanţei bobinei
cu variaţia temperaturii cu un grad:
1 L  1  1
L     sau 0 .
L0 T  K  C

Rezistenţa totală de pierderi, R [] (sau r [] – determinată

atât de pierderile în conductor (prin efectul Joule – în c.c./c.a. – şi
efectul pelicular – în c.a.), cât şi pierderile în materialul magnetic
(prin curenţii turbionari şi histerezis), şi de rezistenţa de lucru (fiind
mai mare la frecvenţe înalte). De remarcat că inductivitatea L
caracterizează comportamentul util al bobinei ca element reactiv, în
timp ce rezistenţa de pierderi R caracterizează pierderile de putere
activă în bobină.
Capacitatea (parazită) proprie, Cp [pF] – determinată de
suma capacităţilor distribuite între spirele bobinei, precum şi dintre
acestea şi masă. Acest parametru depinde în mod esenţial de
dimensiunile şi numărul de spire al bobinei, având valori de ordinul
pF…sute pF.
Stabilitatea (parametrilor bobinei) – definită prin variaţia
parametrilor de mai sus în funcţie de timp (“îmbătrânirea”) sau sub
influenţa temperaturii, umidităţii, vibraţiilor etc.
Puterea, tensiunea şi curentul maxim admise pentru a nu
produce transformări ireversibile în bobină.

28
 3 Circuitele echivalente ale unui inductor
Din diagrama fazorilor U şi I de la bornele inductorului se
poate considera o schemă echivalentă formată din două elemente:
inductiv (L) şi disipativ (R).
Orice inductor poate admite două tipuri de circuite
echivalente:
- circuit echivalent – în serie (Ls,Rs);
- circuit echivalent - paralel (Lp,Rp).

L
s L Rp
L

R
Rs

a) b) c)
Figura 12.3 Circuite echivalente ale bobinei:
b) circuit în serie; c) circuit paralel.

Rs2   2 L2s Rp2 Lp

Lp  ; Ls  2 .
 2 Ls Rp   2 L2p
Rs2   2 L2s  2 Rp2 L2p
Rp  ; Rs  2 . (12.10)
 2 Lp Rp   2 L2p
Ls Rp
Q  .
Rs Lp
29
 Ls Rs 
U
LI


I

RsI
Figura 12.4 Diagrama fazorială pentru inductorul cu pierderi (model cu
rezistența în serie)

U
Ia 
Rp
Lp Rp  U


Ief
U
Ir 
L p

Figura 12.5 Diagrama fazorială pentru inductorul cu pierderi

(model cu rezistenţa conectată în paralel)

4 Elementele constructive ale unei bobine [3]

Datorită diversităţii foarte mari a bobinelor utilizabile în
radioelectronică, nu există o producţie de serie mare (standardizată)
a acestora, ca la rezistoare şi condensatoare, astfel încât bobinele se
30
construiesc numai de către utilizatori (în serii mici sau chiar ca
unicat – în funcţie de necesităţi). În general, fiecare circuit care
include bobine se calculează pornind de la valorile normalizate ale
celorlalte componente pasive.
Elementele componente ale unei bobine sunt (în general):
carcasa, înfăşurarea, miezul şi ecranul. Cu excepţia înfăşurării,
celelalte elemente nu intră în mod obligatoriu în structura unei
bobine:
a) Carcasa – constituie suportul pe care se înfăşoară
conductorul bobinei. Ea are, în general, o formă tubulară şi este
realizată din materiale uşor de prelucrat, dar cu proprietăţi izolatoare
deosebite şi rezistenţă mecanică satisfăcătoare. În ordinea
crescătoare a performanţelor, cele mai utilizate materiale pentru
carcase sunt: cartonul electroizolant, pertinaxul, textolitul,
materialele termorigide (bachelită), materialele termoplastice
(polisteren, policlorvinil, polietilenă, teflon), materialele ceramice.
Din punct de vedere constructiv, carcasele tubulare pot avea
secţiunea circulară (cel mai frecvent), pătrată sau dreptunghiulară;
ele pot fi prevăzute cu flanşe – la extremităţi (pentru
delimitarea/fixarea înfăşurărilor) sau intermediar (tipul “cu galeţi” –
pentru reducerea capacităţilor parazite). Flanşele pot fi prevăzute cu
orificii prin care se scot terminalele înfăşurărilor şi cu piese (cose,
capse, şlifturi etc.) pentru fixare pe şasiu (sau pe placa de circuit
imprimat).
b) Înfăşurarea (bobinajul) – constituie elementul principal
şi indispensabil al oricărei bobine. Se caracterizează prin
diametrul/secţiunea conductorului, numărul de spire, pas, număr de
straturi, număr de secţiuni. Cel mai frecvent se utilizează
conductoarele din cupru, având secţiune circulară şi diametre
normalizate.
În cazul unor curenţi foarte mari, se utilizează conductoare cu
secţiune dreptunghiulară sau pătrată (uneori chiar tubulară – pentru
a permite răcirea cu apă) – inclusiv din aluminiu.
În cazul bobinelor de joasă frecvenţă (JF), conductoarele sunt
izolate cu email, cu email şi fibre textile sau cu fibre anorganice

31
 (sticlă), iar în cazul bobinelor de înaltă frecvenţă (ÎF) se utilizează
conductoarele liţate (“liţa de RF”) constituite din 7-15 conductoare
de diametru foarte redus şi izolate individual (ansamblul lor fiind
izolat – cu bumbac sau mătase). În domeniul frecvenţelor foarte
înalte (FÎF/UÎF) se utilizează conductoare din cupru, argintat,
izolate cu email-mătase sau chiar neizolate (în cazul spirelor puţine
şi rare).
Bobinajele se realizează fie monostrat (cilindrice – cu sau
fără carcasă, toroidale sau “în dublu D”), fie multistrat (tip spiră
după spiră”, piramidal, “fagure” – propriu-zis sau universal).
Procesul tehnologic de bobinare se încheie cu impregnarea
bobinei în scopul protejerii ei împotriva umidităţii, dar şi pentru a-i
conferi o robusteţe mecanică suficientă (prin rigidizarea
înfăşurărilor). Impregnarea constă în umplerea interstiţiilor
bobinajului cu lac de impregnare electroizolant.
Tehnologic, bobinajele se execută cu maşini semiautomate
de bobinat special construite pentru anumite tipuri de bobine şi
bobinaje. Operaţiile de impregnare se realizează manual.
c) Miezul – intră în componenţa majorităţii bobinelor,
întrucât permite obţinerea unor inductivităţi de valori mai mari şi
reglabile (în limite relativ restrânse). Se utilizează miezuri
magnetice (din materiale magnetodielectrice sau din ferite) şi
miezuri nemagnetice (din alamă sau cupru) pentru obţinerea
factorului de calitate ridicat.
d) Ecranul – este facultativ şi se utilizează pentru a înlătura
potenţialele cuplaje parazite, electrice sau magnetice, cu
generatoare/receptoare exterioare bobinei. În cazul bobinelor de
joasă frecvenţă, ecranele sunt executate din ferite, iar pentru
bobinele de frecvenţele înalte – din cupru sau aluminiu.
În consecinţă, criteriile de clasificare ale bobinelor pot fi:
- considerente constructive (forma/tipul carcasei, tipul
bobinajului, numărul de spire/straturi; prezenţa/absenţa miezului sau
ecranului etc.);
- parametrii caracteristici obtenabili (în special, inductivitatea,
factorul de calitate şi gama frecvenţelor de lucru);

32
 - domeniul aplicaţiilor preconizate (radio, TV, electronică de
putere etc.).
Cel mai simplu tip de bobină conţine un singur strat de sârmă,
de ex. din cupru emailat (CuEm), bobinată spiră lângă spiră, pe o
carcasă tubulară, fără miez magnetic.

Carcasă Spire CuEm

Figura 12.6 Bobină cilindrică monostrat

Notând: 2r cm  diametrul exterior al carcasei; N  numărul

de spire bobinate; l cm  lăţimea bobinajului pe carcasă, se
demonstrează (cu condiţia ca l0,8r) că inductivitatea L a bobinei
este dată, aproximativ, de relaţia:
0.3937 r 2 N 2
LH    L0  pentru bobina monostrat.
9r  10l (12.11)
Valorile L maxime ce se pot obţine cu astfel de bobine nu
depăşesc 300 . Bobinajele monostrat reprezintă rezistenţe de
curent continuu, inductivităţi şi capacităţi parazite reduse. Ele pot fi
atât cilindrice, cât şi toroidale sau “în dublu D”. În primul caz,
cuplajele magnetice parazite sunt importante (perturbând
funcţionarea altor componente şi modificând inductivitatea proprie),
dar în celelalte cazuri câmpul magnetic de dispersie este mult mai
redus. Bobinele monostrat realizate cu spire distanţate (conductorul
putând fi neizolat în acest caz) au un factor de calitate Q ridicat
(150…400) şi sunt deosebit de stabile. Bobinele monostrat asigură

33
inductanţe de până la 200…300 , pentru valori mai mari fiind
necesare bobinele multistrat.
Un alt tip constructiv de bobină fără miez magnetic, permiţind
obţinerea unor inductivităţi mari în volum mic, conţine mai multe
straturi de sârmă, suprapuse şi având, fiecare, spirele bobinate una
lângă alta.
b

c
a

Figura 12.7 Bobină cilindrică multistrat (pe carcasă cu flanşe)

Conductorul utilizat trebuie să fie în acest caz, în mod

obligatoriu, izolat (cu email, uneori şi cu mătase).
Carcasa, în general tubulară, este prevăzută la extremităţi cu
flanşe pentru evitarea alunecării spirelor bobinate. Ordinea bobinării
spirelor şi straturilor este indicată prin săgeţi.
Dacă a, b, c (în cm) sunt dimensiunile geometrice menţionate,
iar N = numărul spirelor bobinate (în total), inductivitatea L a
bobinei este dată de relaţiile:
0,315a 2 N 2
LH    pentru bobina scurtă; (12.12)
6a  9b  10c

a = (d1+d2)/2, în care d1 este diametrul interior, iar d2 – diametrul

exterior al carcasei:
0,0127 N 2 ac
LH   L0  0,693  B   pentru (12.13)
b
bobinele lungi.
34
 S-au notat: L0 – inductanţa bobinei monostrat (cu aceeaşi r, l,
N); B – factorul de corecţie (0…0.32), dat în grafice în funcţie de
raportul b/c [4,7].
Bobinajele multistrat spiră lângă spiră se caracterizează prin
capacitate distribuită mare şi pericol de străpungere a izolaţiei (în
cazul spirelor de la extremitatea straturilor, acolo unde diferenţele
de potenţial pot fi relativ mari). Pentru reducerea pericolului de
străpungere se pot introduce, între straturi, folii izolatoare (din
material plastic, hârtie de condensator etc.), deşi, astfel, se obţine şi
o creştere a volumului bobinajului.
Alte soluţii pentru evitarea străpungerilor, dar şi pentru
reducerea capacităţilor proprii (parazite) constau în realizarea
bobinajelor de tip:
- cilindric secţionat;
- piramidal (recomandabil pentru obţinerea inductanţelor
mari, lucrând la tensiuni ridicate, de ex. în cazul transformatoarelor
de impulsuri);
- “fagure” (“propriu-zis” – cu spire distanţate sau “universal”
– cu spire nedistanţate), cu sau fără secţiuni.
Toate aceste bobinaje se realizează pe carcase cilindrice, dar
se pot executa şi bobinaje toroidale multistrat, alunecarea straturilor
evitându-se prin introducerea unor folii izolatoare între straturi.
Bobinajele multistrat se pot realiza şi fără carcasă, atunci când
bobina trebuie să aibă un anumit profil (de exemplu, în cazul
bobinelor de deflexie ale tubului cinescop) sau atunci când
pierderile în carcasă devin importante.
Pentru a obţine inductivităţi de valori mari, se introduce un
miez magnetic în interiorul carcasei bobinei, având rolul de a
concentra, aproape integral, liniile câmpului magnetic.
O asemenea bobină este frecvent utilizată în domeniul
frecvenţelor foarte înalte.

35
 bară ferită

carcasă Suport plastic

Spire CuEm

Figura 12.8 Bobină cilindrică, monostrat, cu miez din ferită

Carcasa tubulară (filetată interior) conţine un miez cilindric

din ferită, montat pe un suport din material plastic (filetat exterior).
Prin înşurubarea/deşurubarea acestui suport se poate modifica
poziţia miezului în raport cu bobinajul, reglând astfel valoarea
inductivităţii L (într-un domeniu de valori relativ redus). În varianta
multistrat se obţin, evident, valori superioare de inductivităţi L.
Notând: L0 – inductivitatea bobinei monostrat, fără miez; r –
permeabilitatea magnetică relativă a miezului; k – constantă
(depinzând de dimensiunile bobinei şi ale miezului, precum şi de
poziţia relativă a acestora), valoarea inductivităţii L este dată de
relaţia:
LH   k r L0 H . (12.14)
Majoritatea bobinelor utilizate în echipamentele electronice
au în componenţa lor un miez magnetic care, din punct de vedere
constructiv, poate fi: secţionat (deschis sau neînchis), de regulă de
formă cilindrică ori tubulară, sau închis, în general de formă
toroidală.
Miezurile se realizează din materiale feromagnetice moi fie în
formă de laminate (ca tole sau benzi din aliaje Fe-Si, Fe-Ni etc.), fie

36
ca pulbere (intrând în structura materialelor magnetodielectrice sau
magnetoceramice – “feritele”).
Construcţia miezurilor permite, în general, modificarea
inductanţei prin deplasarea miezului în raport cu înfăşurarea
(bobinajul).
Există şi miezuri nemagnetice realizate din alamă sau cupru.
carcasă cu galeţi

carcasă

Spire CuEm

Spire CuEm
a) b)
Figura 12.9 Tipuri de bobinaj: a) piramidal, b) cu galeţi.

Pe lângă tipurile de bobine şi bobinaje reprezentate mai sus,

se pot realiza (cu sau fără miez magnetic) şi alte tipuri, ca de
exemplu:
a) bobinaj cilindric pe carcasă fără flanşe (fig. 12.9, a). Pentru
ca spirele marginale să nu alunece este necesar ca stratul n să
conţină cu cel puţin o spiră mai puţin decât stratul n-1;
b) bobinaj cilindric secţionat cu flanşe intermediare
(fig.12.9, b). Carcasa este prevăzută în acest caz cu mai multe flanşe
(galeţi), delimitând secţiunile bobinei. Numărul spirelor din fiecare
astfel de secţiune, fiind redus, scade capacitatea proprie (parazită).

37
În plus, întrucât spirele între care există diferenţe mari de potenţial
sunt îndepărtate, se evită complet străpungerile electrice.
O bobină plată, realizată cu ajutorul tehnologiei cablajelor
imprimate în forma unei spirale (circulare sau dreptunghiulare) este
o bobină imprimată. Se pot obţine astfel inductivităţi relativ mici
(0.1…10 H) şi factori de calitate între 50…200 (depinzând de
calitatea suportului electroizolant şi de rezistivitatea conductorului
plan).
d

a) b)
Figura 12.10 Bobină imprimată (plată) – (a), bobină monospiră
fără carcasă - (b)

În domeniul frecvenţelor foarte înalte (FÎF/UÎF) se utilizează

bobine fără carcasă, realizate din conductor relativ gros (d1 mm, în
general neizolat) şi având una (fig. 12.10, b) sau mai multe spire.
În primul caz, cu condiţia ca diametrul D al spirei să fie mai
mare decât lungimea de undă corespunzătoare semnalului aplicat şi
cunoscând d, D (în centimetri), valoarea inductanţei se poate calcula
prin relaţia aproximativă:
 8D 
LH   0,00628 D 2,3 lg  2 . (12.15)
 d 
Inductivitatea bobinelor fără carcasă (“cu aer”), având 1…10
spire, se poate determina şi din tabele (în funcţie de diametrul
interior, diametrul conductorului şi numărul de spire), de exemplu
din lucrarea 4.
38
 Prin structura şi funcţionarea sa, orice bobină se poate cupla
inductiv (prin câmp magnetic) sau capacitiv (prin câmp electric) cu
diferite generatoare/receptoare exterioare de semnal parazit. Pentru
reducerea (sau chiar anularea) acestor cuplaje potenţiale şi nedorite,
bobinele sunt protejate cu ajutorul unor ecrane magnetice (respectiv
electrice) special construite şi, în general, conectate la masă.
Materialul şi forma acestor ecrane se aleg în funcţie atât de
rolul acestora, cât şi de frecvenţa câmpului magnetic (electric)
perturbator. Astfel:
- pentru ecranare magnetică în joasă frecvenţă (JF) se
utilizează materiale feromagnetice cu permeabilitate relativă mare
(de exemplu „permalloy”). Plasând bobina în interiorul unui ecran
de formă paralelipipedică sau cilindrică (fără contact între acesta şi
miez), se obţine un efect de ecranare cu atât mai eficient cu cât
ecranul este mai departe de miez şi cu cât reluctanţa materialului
ecranului este mai mică (în consecinţă, peretele ecranului trebuie să
fie gros sau subţire, dar cu mai multe straturi);
- pentru ecranare magnetică la frecvenţe medii (radio) şi înalte
(RF, FÎ) se folosesc materiale conductoare cu conductibilitate
ridicată (Al, Cu) – (fig. 12.11, a). Şi în acest caz, bobina se plasează
în interiorul ecranului (având formă paralelipipedică sau cilindrică),
dar efectul de protecţie se realizează prin acţiunea curenţilor
turbionari induşi (în circuitul electric închis prin peretele ecranului)
de câmpul magnetic exterior. Aceşti curenţi, la rândul lor, creează
un câmp magnetic ce se opune efectului perturbator. Întrucât
aluminiul este mai ieftin decât cuprul, de regulă, se realizează astfel
de ecrane din aluminiu;
- pentru ecranarea electrostatică la joasă frecvenţă, de ex. în
cazul transformatoarelor, se poate reduce efectul capacităţilor
parazite dintre primar şi secundar, introducând între aceste
înfăşurări o folie conductivă separatoare, conectată galvanic la
potenţial nul (fig. 12.11, b). Ecranul electrostatic astfel obţinut nu
trebuie să se închidă pentru a nu forma o spiră în scurtcircuit.

39
 bobină înfăşurare
câmp magnetic ecranată
secundară
perturbator

Înfăşurare primară
Miez feromagnetic
ecran
Carcasă de material conductor
electrostatic
a) b)
Figura 12.11 Ecranarea bobinelor

E de menţionat că orice ecran magnetic complet închis şi

realizat din material electroconductiv este şi un ecran electrostatic
(obţinându-se “cuşca Faraday”).
Efectul de ecranare este măsurat prin raportul dintre
intensităţile câmpului electric/magnetic (în exteriorul bobinei) în
prezenţa, respectiv, în absenţa ecranului. Valorile uzuale de ordinul
1/100…1/20 semnifică o ecranare suficient de eficientă, în
majoritatea cazurilor.
Pentru creşterea efectului ecranării, în practică se utilizează
uneori două sau chiar trei ecrane pentru aceeaşi bobină. De remarcat
că, totodată, ecranul influenţează parametrii bobinei, cu atât mai
puternic cu cât pereţii acestuia sunt situaţi mai aproape de bobină.
Plasând un cilindru de ferită între ecran şi bobină, se reduce mult
câmpul magnetic exterior al bobinei (deci, şi cuplajul acesteia cu
ecranul), devenind astfel posibilă micşorarea dimensiunilor de
gabarit ale bobinei având ecran. Stabilitatea bobinelor ecranate este
inferioară faţă de bobinele neecranate, deoarece factorii de influenţă
(timpul, temperatura, umiditatea etc.) acţionează şi asupra
dimensiunilor geometrice şi parametrilor electrici ai ecranului.

40
 Tabelul 12.1 Bobinaje utilizate pentru diferite domenii
de frecvenţe [3]
Tipul Aspect Domeniu de Q Cp Observa-
bobina- utilizare ții
jului
1 2 3 4 5 6
Într-un Întreaga 80–250 Mică Cu/fără
strat cu gamă de miez,
spire frecvenţe, L Cu/fără
alăturate mici (х carcasă
0,1µH..х
0,1H)
Într-un Frecvenţe 150–350 F.mică Idem,
strat cu înalte şi puteri
spire foarte înalte, mari
distan- L mici (emisie)
ţate (х nH..х 0,1
mH)

Bobinaj Frecvenţe 150–300 F.mică Fără

spiral înalte şi foarte miez,
înalte, L mici se fac şi
(хnH), puteri pe cablaj
mari pentru imprimat
emisie
Multe Frecvenţe Mic, F.mare Cu/fără
straturi joase când nu < 50 miez,
spiră lân- contează Q, Cu/fără
gă spiră Q mic, L carcasă
şi strat mari
peste
strat
Mai Frecvenţe Uneori Mare Pe
multe medii şi mici satisfă- carcasă
straturi (<2 MHz), cător cu
bobinate L mari flanşe
întâmp- sau pe
lător miez

41
 Continuarea tabelului 12.1
1 2 3 4 5 6
Piramidal Frecvenţe Bun Me- Pe
medii şi (>80) die carcasă
înalte sau pe
miez
Cu straturi Frecvenţe Bun Mică Carcase
distanţate medii şi (>80) speciale
înalte, puteri
mari (emisie,
L medie)
Bobinaj Frecvenţe Mediu Me- Pe
secţionat medii şi (50– die carcase
(galeţi) joase, L – 100)
valori medii
sau mari
În fagure Frecvenţe Bun Mică Pe miez
încrucişat medii şi (>50) sau pe
joase, (50 carcase
kHz ...5
МHz),
L mare
(>50 µH)
Frecvenţe Idem Idem Pe miez
În fagure medii şi sau pe
universal joase, (50 carcase,
kHz ...5 au
МHz), rigiditate
L mare bună, se
(>50 µH) execută
mai uşor
Toată gama, în 80–350 Mică Pe
Bifilar unul sau mai carcasă
1 2 multe straturi sau pe
pentru miez
obţinerea unui
cuplaj strâns

42
 5 Solicitarea inductorului în frecvenţă

În figura 11.12 este reprezentată schema echivalentă

simplificată a inductorului industrial.

L rm rCu
rp

C
Figura 12.12 Schema echivalentă a inductorului industrial [8]

Reieşind din schema dată, admitanţa acestei bobine va fi

dată prin formula [8]:
1 1 1
Y  j C   
rm  rCu  jL rp  rCu rm 
jL1   
 jL jL 
1 1 1
 jC    j C  
rp   rCu rm   rp
jL1  j    
  L L  

r r 
1  j  Cu  m 
  L L  1
 jC  . (12.16)
 r r  
2
rp
jL 1   Cu  m  
  L L  

Întrucât rCu şi rm sunt conectate în serie cu L, raportul

rCu/ωL = tgδCu, respectiv - rm/ ωL = tgδm şi vom indica L1= L[...],
atunci:

43
 1  j tg Cu  tg m  1 1 tg Cu  tg m 1
Y  jC     jC  
jL 1
rp jL1
L 1
rp

L1
tg Cu  tg m 
1  j 2 2 L1C rp
  
jL1 L1 (12.17)
1   2 L1C tg Cu  tg m  tg p
  .
jL1 L1

2
 
1    (12.18)
 tg
Y   r1   1 .
jL L

Reieşind din ecuaţia iniţială:

dacă    - Y are caracter capacitiv;
  0 - Y reprezintă pierderile active,
iar reieşind din relaţia finală, dacă    r , Y are caracter activ,
tg 1
deoarece 1  .
L R p
Având în vedere că mărimile electrice (tensiune, curent,
putere) la care este solicitat un inductor în timpul funcţionării, sunt
dependente de frecvenţă, proiectantul de circuite electronice va
trebui să aibă în vedere ca în timpul funcţionării inductorului să nu
se depăşească parametrii nominali ai acestuia. Adică, considerând
un inductor care are inductanţa L, tensiunea nominală Un, curentul
nominal In, puterea nominală Pn, tangenta unghiului de pierderi tg
mărimile electrice la care poate fi solicitat inductorul vor trebui să
fie mai mici decât cele maxim admisibile determinate în funcţie de
parametrii nominali.
Valorile maximal admisibile ale tensiunii Ua şi curentului Ia
se determină astfel: se determină puterea nominală ce ar trebui să fie
44
disipată de inductor Pdmax = UnIntg şi se compară cu puterea
nominală, rezultând două cazuri:
- dacă Pdmax Pn, atunci există două frecvenţe critice (f1 şi f2)
şi se aplică algoritmul prezentat mai jos la punctul (1);
- dacă Pdmax  Pn, atunci există doar o singură frecvenţă critică
(f0) şi se aplică algoritmul prezentat mai jos la punctul (2).
1) Când frecvenţa tinde la zero, curentul prin inductor
tinde să ia valori foarte mari:
U U U
I   ; (12.19)
2fL 2  Rs2  2fL 
2
2 fL 1  tg
2fL    1
 Rs 
U
f 0 I  .
Rs
Deoarece mărimea Un/Rs este, în general, mult mai mare decât
curentul nominal, se poate spune că la frecvenţele joase curentul
maximal-admisibil este chiar curentul nominal, IaIn, iar tensiunea
maximal-admisibilă creşte (aproximativ) liniar cu frecvenţa:
(12.20)
U a  2fL   Rs2  I n  2fLI n 1  tg 2  2fLI n .
2

De la anumită frecvenţă (notată f1), puterea disipată de către

inductor poate depăşi puterea nominală. Puterea disipată de către
inductor are expresia: Pd=RsI2=2fLsI2tg, unde Rs, Ls, sunt
inductanţa, respectiv rezistenţa modelului serie pentru inductor.
Deoarece LsL avem:
Pd = RsI2 = 2fLI2tg. (12.21)

Frecvenţa f1 se calculează, respectând condiţia:

Pn (12.22)
Pd  Pn  2f1 LI n2 tg  Pn  f1  .
f  f1 2LI n2 tg

45
 Pentru frecvenţa f1, avem

(12.23)
P f

1
2fLPn 1
Ia  2fLtg
n
 2 ; Ua 
tg
~ f 2
.

Crescând şi mai mult frecvenţa, la un moment dat tensiunea

pe inductor va egala tensiunea nominală. Notăm această frecvenţă
cu f2. Ea se deduce punând condiţia:

2f 2 LPn U 2 tg

U Un   U n  f2  n . (12.24)
f  f2 tg 2LPn

La frecvenţe mai mari decât f2 avem:

Un Un Un (12.25)
Ia    ~ f 1 ; U a  U n .
2fL 2  Rs2 2fL 1  tg 2 2fL

În concluzie, în funcţie de frecvenţă apar trei domenii în care

se impun succesiv restricţii:
- asupra curentului în domeniul frecvenţelor joase până la
frecvenţa critică f1;
- asupra puterii disipate în domeniul (f1 - f2);
- asupra tensiunii la frecvenţele mai mari decât frecvenţa
critică f2.

În tabelul 12.2 sunt sintetizate calculele efectuate mai sus. În

figura 12.13 este reprezentată variaţia mărimilor Ia şi Ua în funcţie
de frecvenţă 6.

46
 Tabelul 12.2 Valorile curentului şi tensiunii în diferite
domenii de frecvenţă când Pdmax Pn
Domeniu frecvenţă 0<f<f1 f1<f<f2 f>f2
Curentul maximal- In Pn Un
admisibil 2fL
2fLtg
Tensiunea maximal- 2fLIn 2fLPn Un
admisibilă
tg

Ia; Ua ~f -1/2

Ia
Ua

~f 1/2 ~f -1

(log)
~f

f2 f
f1
(log)

Figura 12.13 Variaţia mărimilor Iadmis, Uadmis în funcţie de frecvenţă

2) Dacă f2>f1, nu se mai pot aplica rezultatele obţinute mai

sus. În acest caz, limitarea în tensiune se produce la o frecvenţă mai
mică decât limitarea în putere. Astfel spus, la orice frecvenţă,
puterea disipată de către bobină este mai mică decât puterea
nominală (în condiţiile I<In, U<Un). La frecvenţe joase, curentul
admisibil este In, iar tensiunea admisibilă creşte liniar cu frecvenţa,
Ua= 2fIn. De la o anumită frecvenţă (notată f0), tensiunea pe
inductor poate depăşi tensiunea nominală. Frecvenţa f0 se
47
calculează, respectând condiţia ca inductorul să fie solicitat în
acelaşi timp atât la curent nominal, cât şi la tensiune nominală:
Un
U n  2f 0 LI n  f 0  . (12.26)
2LI n
La frecvenţele mai mari decât f0 avem:
U (12.27)
I a  n ~ f 1 ; U a  U n .
2f
Deci, în funcţie de frecvenţă, apar două domenii în care se
impun succesiv restricţii: asupra curentului în domeniul frecvenţelor
joase până la frecvenţa critică f0 şi asupra tensiunii la frecvenţe mai
mari decât frecvenţa critică f0. În tabelul 12.3 se sintetizează
calculele efectuate mai sus. În figura 12.14 este dată variaţia
mărimilor Ia şi Ua în funcţie de frecvenţă în acest caz.

Tabelul 12.3 Valorile curentului şi tensiunii în diferite

domenii de frecvenţă când Pdmax  Pn
Domeniu frecvenţă 0<f<f0 f>f0
Curent maximal- In Un
admisibil 2fLI n
Tensiune maximal- 2fLIn Un
admisibilă

Ia; Ua
In
Un
~f -1

(log)
~f

f0 (log) f
Figura 12.14 Variaţia mărimilor Ia, Ua în funcţie de frecvenţă
în cazul f1>f2
48
 Observaţie. În relaţiile anterioare, în cazul în care se are în
vedere influenţa temperaturii mediului ambiant asupra puterii
maximal-admisibile disipate de inductor, puterea nominală Pn va fi
înlocuită cu Pa0.

6 Utilizarea bobinelor
Prin conectarea în serie a două înfăşurări cu inductanţele L1 şi
L2 se obţine o bobină cu inductanţa echivalentă L=L1+L2, (dacă
cele două înfăşurări nu sunt cuplate prin câmp magnetic). În cazul
existenţei unui cuplaj magnetic între bobinele conectate în serie,
inductanţa echivalentă este:
L=L1+L2+2M – dacă bobinele au acelaşi sens (fig.12.15, a);
L=L1+L2-2M – dacă bobinele au sensuri opuse
(fig.12.15, b).

L1 L1

M M L
L2 L2
L=L1+L2+2M L’=L1+L2-2M
a b
Figura 12.15 Circuitul echivalent al unei bobine cu două înfăşurări
conectate în serie şi cuplate magnetic

În cazul existenţei unui cuplaj magnetic între bobinele

conectate în serie, inductanţa echivalentă este: L=L1+L2+2M, dacă
bobinele au acelaşi sens (fig.12.15, a); L’=L1+L2-2M, dacă
bobinele au sensuri opuse (fig.12.15, b).
Sensul unei bobine se referă la curentul electric ce o
parcurge, deci, la fluxul magnetic obţinut. De regulă, se indică pe
schemele cu inductanţe cuplate magnetic, printr-un asterisc (*),
punctul de începere a înfăşurărilor (prin care intră curentul electric).

49
 S-au notat: M  k L1 L2 – inductanţa mutuală (sau de
cuplaj) a înfăşurărilor L1 şi L2; k (= 0…1) – coeficientul de cuplaj al
bobinelor depinzând de geometria şi poziţia relativă a celor două
înfăşurări).
Pentru două bobine cuplate magnetic, inductanţa mutuală M
este, prin convenţie, pozitivă, dacă bobinele implicate au acelaşi
sens şi negativă, în caz contrar.
Două sau mai multe bobine cuplate, amplasate pe acelaşi
miez magnetic, formează un transformator.
În varianta cea mai simplă, acesta conţine 2 bobine L1,L2 –
independente şi cuplate exclusiv prin câmp magnetic.

M L1+M L2+M
1 2 1 2

L1 L2 -M

1’ 2’ 1’ 2’

Figura 12.16 Circuitul echivalent în T al unui transformator

Aplicând la bornele de intrare 1-1’, înfăşurării primare L1, o

putere electrică P1 (sub tensiunea U1 şi curentul I1) rezultă la
bornele de ieşire 2-2’ (ale înfăşurării secundare L2) puterea electrică
P2 (sub tensiunea U2 şi curentul I2), astfel încât, dacă U2>U1I2I1
şi dacă U2U1I2I1. (U, respectiv I, sunt amplitudinile semnalelor
u(t), i(t)).
Considerând, în mod ideal, că P1=P2 (în realitate P2<P1
datorită pierderilor în miezul magnetic şi în înfăşurări), rezultă:
U I
n  2  1  raport de transformare.
U1 I 2

50
 Cunoscând inductanţa mutuală M se poate determina schema
echivalentă a unui transformator ca în figura 12.16.
În funcţie de destinaţie, transformatoarele se pot clasifica
astfel:
- transformatoare de alimentare (în general la frecvenţa reţelei
de 50 Hz). Dacă între primar şi secundar există şi un cuplaj galvanic
(asigurând transferul unor puteri mai importante), cu sau fără
posibilitatea reglării tensiunii de ieşire, este vorba de un
„autotransformator”;
- transformatoare de semnal (de audiofrecvenţă sau de
radiofrecvenţă, cu sau, respectiv, fără miez magnetic). Ele se
utilizează pentru adaptarea impedanţelor sau nivelelor de
tensiune/curent, pentru cuplarea etajelor de amplificare, pentru
izolarea galvanică (în c.c.) a unor circuite etc.
Transformatoarele reprezintă, alături de bobinele de şoc, cele
mai voluminoase şi mai grele componente din structura
echipamentelor electronice. Astfel, ele pot reprezenta până la 20%
din volum şi până la 40% din masa unui astfel de echipament [3].
În practică se utilizează, în principal, transformatoare având
structură şi performanţe standardizate/normalizate, dar şi unele
tipuri special proiectate.
Bobinele în combinaţie cu condensatoarele formează linii de
întârziere care se utilizează foarte larg în televiziune, sistemele de
telecomunicaţii [6], sistemele de observaţie prin unde
electromagnetice (staţii de radiolocaţie de control aerian, staţii
pentru cercetări meteorologice etc.).
Bobinele se mai utilizează pe larg pentru obţinerea circuitelor
cuplate (oscilante), formând circuite RLC în serie cuplate (inductiv)
prin inductanţa mutuală M sau circuite RLC derivaţie cuplate
(capacitiv) prin condensatorul serie. Circuitele RLC cuplate sunt
utilizate atât pentru a realiza cuplajul (în c.a.) între două etaje
amplificatoare, cât şi, mai ales, pentru a selecta din mulţimea
semnalelor de diferite frecvenţe numai pe cele care au frecvenţa
inclusă în banda de trecere a circuitului respectiv, atenuând
substanţial semnalele ce au frecvenţa în exteriorul acestei benzi.

51
Întrebări de control
1 Ce este un inductor?
2 Enumeraţi elementele constructive ale unei bobine.
3 Cum depinde inductanţa de elementele constructive ale
inductorului (lungimea de bobinare, secţiunea bobinajului,
numărul de spire)
4 În ce condiţii efectul secundar capacitiv al unui inductor
influenţează mai puţin funcţionarea acestuia
5 Pentru ce frecvenţe inductorul funcţionează ca un condensator
(datorită efectului capacitiv preponderent)
6 De ce inductoarele care iau naştere în mod nedorit (inductoare
parazite) nu trebuie trecute cu vederea
7 Capacitatea parazită a unei bobine depinde de următoarele:
- izolaţia conductorului de bobinaj;
- forma bobinei;
- distanţa dintre spirele bobinei;
- suportul de bobinare.
8 Schema electrică echivalentă a unui inductor:
- este un montaj de laborator;
- este un circuit de măsură reprezentat în cataloage;
- reprezintă o încercare a fabricanţilor de inductoare de a
minimiza efectele parazite ce apar în înaltă frecvenţă;
- reprezintă o schemă electrică echivalentă ce modelează
un inductor real.
9 Inductorul:
- tinde asimptotic spre inductorul ideal odată cu creşterea
frecvenţei;
- se îndepărtează de inductorul ideal odată cu creşterea
frecvenţei;
- se manifestă în funcţionare doar ca element disipativ de
energie;
- are pierderi ohmice şi pierderi magnetice.
10 Pentru ce se utilizează bobinele?

52
 Tema 13 MATERIALE MAGNETICE

Planul temei:
1 Materiale magnetice. Proprietăţi
2 Clasificarea materialelor magnetice
3 Influenţa factorilor externi asupra proprietăţilor
materialelor magnetice

1 Materiale magnetice. Proprietăţi

Proprietăţile magnetice ale unei substanţe sunt determinate de
structura ei atomică. Polii magnetici nu există separat spre deosebire
de sarcinile electronice care pot fi negative şi pozitive şi există
separat una de alta.
Magnetismul atomului este determinat de cauzele următoare
[9]:
- prezenţa în electron a momentului de spin. Momentul de
spin este asociat momentului mecanic corespunzător al
electronului;
- mişcarea electronilor pe orbită şi în jurul axei proprii,
mişcări care dau naştere momentelor magnetice orbitale;
- prezenţa momentului magnetic al nucleului atomic care este
iniţiat de momentele de spin ale protonilor şi neutronilor.
Momentul de spin al nucleului constituie o miime din
momentul de spin magnetic al electronului. De aceea, putem
considera că purtătorii elementari ai momentelor magnetice în
substanţă sunt electronii.
Conform principiului Pauly, în fiecare stare cuantică se află
2 electroni cu spinii opuşi. Momentul rezultativ de spin al
electronilor împerecheaţi este egal cu 0.
Dacă atomul conţine un număr impar de electroni, atunci unul
din electroni va fi neîmperecheat şi atomul în întregime va avea
momentul magnetic constant.
Momentul magnetic al orbitelor complete este egal cu 0, iar
electronii de valenţă sunt comuni în metal. Momentele magnetice de

53
spin ale electronilor sunt suficient de mari în atomii cu orbitele
interioare incomplete.
Momentele orbitale şi de spin se adună şi formează
momentele sumare de spin ale atomilor. Unitatea de măsură a
momentului magnetic este magnetonul lui Bohr:
e J 
B   9,27  10  24  , (13.1)
2m T 
h
în care:   ; h = 6,62∙ 10-34 J∙s este constanta lui Planc;
2
e = 1,6∙10-19C - sarcina electronului;
m = 9,1 ∙ 10-31 kg - masa electronului.
Starea de magnetizaţie a unui material poate fi temporară,
când ea depinde de existenţa unui câmp magnetic exterior şi se
anulează odată cu acesta.
Magnetizaţia permanentă este independentă de prezenţa unui
câmp magnetic exterior.
Vectorul de magnetizaţie conţine în general două componente,
inclusiv magnetizaţia temporară şi cea permanentă:

M  Mt  M p. (13.2)
Interacţiunea dintre substanţă şi câmpul magnetic este dată de
legea legăturii dintre inducţia magnetică B, intensitatea câmpului
magnetic H şi magnetizaţia corpului M:

B  0 H  0 M , (13.3)

H
unde:  0  4  10 7 este permeabilitatea magnetică a
m
vidului.
În cazul unui material izotrop, linear, fără magnetizaţie
permanentă, în ipoteza neglijării pierderilor în material inducţia
poate fi exprimată astfel:

54
 B   0 H   0 M   0 H   0  m  H   0 H 1   m 
  0  r H  H , (13.4)

unde:    0  r este permeabilitatea absolută a materialului;

 r  1   m  - permeabilitatea relativă, ambele fiind caracteristici
de material.
Dependenţa dintre intensitatea câmpului magnetic şi
magnetizaţia temporară este dată în formula 13.5:

Mt  m  H, (13.5)

unfe  m  caracteristica de material care se numeşte

susceptivitate magnetică.
Mediile care au susceptivitate magnetică independentă de
intensitatea câmpului magnetic se numesc medii magnetice liniare,
iar cele unde există o interdependenţă între  m şi H se numesc
medii neliniare.
În cazul materialelor magnetice reale, permeabilitatea relativă
este o mărime complexă, care depinde şi de pierderile de putere
activă în material, caz care se va trata separat.
Materialele magnetice cu magnetizaţie temporară se impart în
diamagnetici şi paramagnetici, iar cele cu magnetizaţie permanentă
se impart în feromagnetici, antiferomagnetici şi ferimagnetici [10].
Diamagnetismul apare datorită interacţiunii dintre câmpul
magnetic aplicat şi electronii atomici. Câmpul magnetic modifică
mişcarea electronilor, suprapunând o mişcare de precesie peste
mişcarea orbitală. Precesia generează un moment magnetic indus
care se opune câmpului iniţial, micşorându-l (legea lui Lenz).
Rezultă o susceptivitate magnetică negativă  m  0, deci  r  1 .
Efectul diamagnetic reprezintă o proprietate universală,
caracteristică pentru orice substanţă. Însă în majoritatea cazurilor,
efectul acesta este mascat de alte efecte, mult mai puternice.
Diamagnetismul învelişurilor electronice se manifestă atunci când
55
momentul magnetic propriu al atomilor este nul (momentele
magnetice de spin sunt compensate). Valoarea permitivităţii  r nu
depinde de intensitatea câmpului exterior (H; gazele inerte,
compoziţii organice şi Cu; Zn; Ag; Au; Hg).
Paramagneticii sunt substanţe cu permitivitate magnetică
 r  1 care nu depinde de intensitatea câmpului exterior (Al, Pt,
NO, săruri de fier, săruri de cobalt, săruri de nichel),
având  m  0. Valorile susceptivităţii paramagnetice sunt foarte
4 5
mici  m  10  10 - ca şi la diamagnetice, motiv pentru care
aceste materiale se numesc şi nemagnetice. În lipsa câmpului
magnetic exterior, momentele magnetice spontane sunt orientate cu
aceeaşi probabilitate în orice direcţie a spaţiului, astfel, în
ansamblu, materialul are o magnetizaţie nulă. Sub influenţa unui
câmp magnetic exterior, momentele magnetice elementare spontane
tind să se orienteze în direcţia câmpului, mărindu-l. La temperatură
constantă, procesul de orientare depinde de intensitatea câmpului
aplicat, iar magnetizaţia tinde spre saturaţie. La câmpul constant,
susceptivitatea paramagnetică este invers proporţională de
temperatură, conform legii Curie-Weiss:
C (13.6)
m  ,
T
unde C este constanta Curie.
Feromagnetismul este propriu materialelor atomii cărora au
moment magnetic elementar spontan, rezultat din necompensarea
spinilor. Aceste momente magnetice, datorită interacţiunilor de
schimb dintre spinii electronilor atomilor megieşe, se orientează
omoparalel pe domenii, formând domenii magnetice de magnetizare
spontană. Datorită acestei structuri, ele au susceptivitate magnetică
şi permeabilitate relativă foarte mari, ambele depinzând de
intensitatea câmpului aplicat (caracter neliniar), de temperatură, de
solicitări mecanice etc.

56
 Ferimagnetismul şi antiferomagnetismul este propriu
materialelor cu structura în care există două subreţele magnetice,
particulele cărora au momentele magnetice elementare spontane
orientate antiparalel. Antiferomagneticii se caracterizează de
 m  10 3  10 5. Structura acestor două tipuri de materiale conţine
două sau mai multe subreţele magnetice, având magnetizare
spontană cu momente magnetice orientate antiparalel [8]. Modelul
cel mai simplu (fig.13.1) este format din două subreţele cubice,
constituite din atomii X şi Y cu momentele magnetice elementare
mx, respectiv my.
X

mx Y

my

Figura13.1 Modelul subreţelelor magnetice ale materialelor

fero- sau ferimagnetice [8]

Cazul mx  m y corespunde antiferomagnetismului.

La temperaturi foarte scăzute şi în lipsa unui câmp magnetic
exterior, momentele celor două subreţele se compensează total,
materialul apărând nemagnetic din punct de vedere macroscopic. Cu
creşterea temperaturii, datorită agitaţiei termice, apare o abatere de
la orientarea perfect antiparalelă; în prezenţa unui câmp exterior,
momentele elementare tind să se orienteze după acea direcţie mx şi

57
my, care formează cel mai mic unghi cu orientarea câmpului,
magnetizaţia corpului devenind nenulă. După depăşirea unei
temperaturi critice TN, temperatura Neel, ordinea antiparalelă se
distruge şi materialul devine paramagnetic, supunându-se legii
(13.6), iar materialele antiferomagnetice nu prezintă importanţă
practică.
Cazul mx  m y corespunde ferimagnetismului.
Momentele magnetice elementare ale subreţelelor,
necompensându-se total, rezultanta lor determină un moment
magnetic spontan care este ordonat omoparalel pe domeniile Weiss.
Magnetizarea în prezenţa unui câmp magnetic exterior se realizează
la fel ca la feromagnetici, prin deplasarea pereţilor Bloch. Din acest
motiv, ferimagneticii au dependenţele M = f(H), B = f(H), M = f(T)
asemănătoare cu cele ale feromagneticilor.

a) Orientarea spinilor în materialele

materiale
paramagnetice

Orientarea spinilor în materialele

materiale
b)
feromagnetice

Orientarea spinilor în materialele

materiale
c)
antiferomagnetice

d) Orientarea spinilor în materialele

materiale
ferimagnetice

Figura 13.2 Orientarea spinilor în materiale

Orientarea omoparalelă a spinilor atomilor megieşi se

numeşte orânduire atomică feromagnetică, ceea ce înseamnă că

58
feromagneticii, în lipsa câmpului exterior, se află în stare de
magnetizaţie spontană.
Această magnetizaţie depinde de temperatură, crescând pe
măsura scăderii temperaturii, atingând valoarea de saturaţie la
T = 0K.
Condiţia obligatorie pentru apariţia feromagnetismului este
prezenţa în atom a înfăşurărilor interioare necompletate. Însă
această condiţie nu este suficientă. De exemplu, înfăşurările interne
incomplet ocupate de electroni sunt caracteristice atomilor
elementelor de tranziţie, pământurilor rare, actinizilor, dar numai
trei din cele opt elemente ale grupului ferului dispun de proprietăţi
feromagnetice: Fe, Co, Ni şi numai şase din pământurile rare: Gd
(gadolinii), Tb (terbii), Dy (disprozii), Ho (holmii), Er (erbii), Tu
(tulii).

Tabelul 13.1 Momentele magnetice spontane

corespunzătoare unor elemente chimice [11]
K M N Orientările Mp
Nr. ordine

momente-
Simbolul

1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f
lor de spin

21 Sc 2 2 6 2 6 1 2 B
22 Ti 2 2 6 2 6 2 2 2 B
23 V 2 2 6 2 6 3 2 3 B
24 Cr 2 2 6 2 6 5 1 5 B
25 Mn 2 2 6 2 6 5 2 5 B
26 Fe 2 2 6 2 6 6 2 4 B
27 Co 2 2 6 2 6 7 2 3 B
28 Ni 2 2 6 2 6 8 2 2 B

Orientarea reciprocă a spinilor influenţează asupra energiei de

interacţiune electrostatică a electronilor. Electronii atomilor vecini
uneori se schimbă cu locurile. Energia interacţiunii de schimb a

59
atomilor poate să difere de „0” atunci când electronii se află
întotdeauna în apropierea nemijlocită şi când învelişurile lor se
„suprapun”.
Acest efect este important numai pentru electronii dintr-un
atom sau din atomii vecini care au o distanţă anumită între ei.
Energia interacţiunii de schimb este proporţională cu integralul
energiei de schimb A, valoarea şi semnul căruia depind de raportul
a/d, în care a este parametrul reţelei, d - diametrul înfăşurării
incomplete (fig.13.3) [11].

1,5
Co
1
interacţiunii de schimb
A, integralul energiei

Fe Ni
0,5
Gd
0
antiferomagnetici 1,5
Mn feromagnetici paramagnetici
-0,5
Cr
-1

-1,5
a/d, distanţa dintre atomi raportată la diametrul înfăşurării
incomplete

Figura 13.3 Integralul energiei de schimb A în funcţie de raportul a/d

Când A  0 ( a d  1,5 ), apare magnetizaţia spontană, dacă

A  0 (Mn, Cr) , materialele nu au proprietăţi feromagnetice.
Funcţia A (a/d) explică apariţia proprietăţilor feromagnetice în
unele aliaje compuse din componente neferomagnetice, cum ar fi
aliajele Mn+Bi sau Mn+Sb etc.
Aşadar, însuşirile feromagnetismului sunt:
- existenţa înfăşurărilor interioare incomplete (d sau f) în
atomi;
60
 - valoarea pozitivă a integralului energiei de schimb, care are
loc atunci când dimensiunile înfăşurării incomplete sunt mici
în comparaţie cu distanţa dintre atomii din reţea (a/d > 1,5).
Când magnetizarea spontană se deteriorează, energia
interacţiunii de schimb creşte. La încălzirea materialelor magnetice
se intensifică mişcarea haotică a atomilor, orientarea paralelă a
momentelor magnetice se compromite şi, ca urmare, magnetizaţia
spontană se deminuează. Când se ajunge la punctul Curie,
magnetizaţia spontană nu mai are loc şi energia mişcării haotice a
atomilor atinge valoarea energiei de schimb.
Magnetizarea spontană este determinată de câmpul molecular
interior. Aceasta nu se manifestă în exterior, întrucât corpul
feromagneticului este divizat în regiuni microscopice - domenii
(domenii Weiss). De regulă, domeniile Weiss au dimensiuni de
sutimi de milimetru.
În lipsa unui câmp magnetic exterior, momentele magnetice
ale domeniilor Weiss au orientare diferită în spaţiu, astfel în
ansamblu, materialul are o magnetizaţie nulă. Trecerea de la un
domeniu Weiss cu o anumită orientere la un domeniu vecin cu altă
orientare nu se poate realiza brusc din cauza saltului energiei de
schimb. Trecerea se realizează treptat, de-a lungul unei zone numită
perete Bloch, în interiorul căreia momentele magnetice elementare
spontane suferă rotaţii succesive de la direcţia primului domeniu la
cea a domeniului vecin.
Grosimea pereţilor Bloch este de 50...50 000 constante de
reţea şi depinde în principal de energia de schimb.
Formarea domeniilor de magnetizare spontană este
determinată de efectul cuantic de interacţiune de schimb de
electroni între doi atomi învecinaţi.
Pentru explicarea acestui efect [11], considerăm cazul cel mai
simplu a două nuclee cu doi electroni (molecula de hidrogen). În
cazul în care atomii sunt izolaţi, starea lor este complet definită prin
funcţiile de undă asociate  a 1 şi  b 2 , funcţii care depind atât de
coordonatele spaţiale ale particulelor, cât şi de spinul lor (indicii a şi
b se referă la primul, respectiv al doilea atom sau nucleu, iar indicii
61
1 şi 2 se referă la electronul primului, respectiv a celui de-al doilea
atom). La formarea sistemului molecular, apare un schimb
permanent de electroni între atomul a şi b, nemaiputându-se
individualiza faptul că electronul 1 a aparţinut atomului a, respectiv
electronul 2 - atomului b. Dacă electronul 1 ar continua să aparţină
atomului a, iar electronul 2 atomului b, funcţia de undă totală a
sistemului ar fi de forma  a 1  b 2, dar din cauza
indiscernabilităţii electronilor se realizează şi starea  a 2   b 1
corespunzătoare schimbării poziţiilor celor doi electroni. Situaţia
cea mai generală a caracterizării stării sistemului va fi o
suprapunere de funcţii de undă. În cazul analizat, există două soluţii
posibile ce pot fi caracterizate de două funcţii de undă de forma:

 sim   a 1  b 2   a 2  b 1;

 asim   a 1  b 2   a 2  b 1. (13.7)

Prima funcţie de undă se numeşte simetrică, pentru că ea nu-şi

schimbă semnul când se schimbă poziţia electronilor, a doua se
numeşte asimetrică, pentru că-şi schimbă semnul la schimbul de
electroni. Considerând că  a   b , ambii electroni au aceeaşi stare
cuantică (deci, şi spini egali şi omoparaleli). Conform principiului
de excluziune a lui Pauli, starea totală a sistemului nu trebuie să se
realizeze (deci,   0 ), caz ce se întâmplă numai pentru  asim .
Aşadar, soluţia asimetrică corespunde spinilor omoparaleli (atomul
reprezentând un moment magnetic elementar permanent), iar cea
simetrică - spinilor antiparaleli.
Cunoscând cele două funcţii de undă, se poate calcula
valoarea medie a energiei electronilor aflaţi în câmpul celor două
nuclee. După neglijarea unor termeni minori, se obţine:

 sim  2 0  K  A;  asim  2 0  K  A, (13.8)

62
 unde:  0 este energia electronului în atomul izolat;
K - suma energiilor de interacţiune dintre electroni, dintre
nuclee şi dintre electroni şi nuclee;
A - integrala de schimb ce determină şi energia de schimb.

Realizarea cea mai probabilă a unei stări rezultă din condiţia

de minimizare a energiei totale. Din (13.8) se observă că energia
stării cu moment magnetic (funcţie asimetrică) este mai mică decât
energia stării fără moment magnetic dacă integrala de schimb este
pozitivă  A0 , această stare fiind proprie materialelor
feromagnetice. Materialele la care, pentru atomii imediat vecini se
realizează A<0, sunt materiale antiferomagnetice sau ferimagnetice.
Energia de schimb corespunzătoare integralei de schimb A nu are
echivalent şi explicaţie în fizica clasică, ea fiind legată de schimbul
permanent de electroni dintre atomii învecinaţi. Valoarea acestei
energii scade cu creşterea distanţei dintre atomi, datorită faptului că
se reduce şi probabilitatea efectuării schimbului de electroni.
În fiecare domeniu, momentele magnetice ale atomilor se
orientează omoparalel, adică fiecare domeniu se află în stare de
saturaţie tehnică (Rozing, Weiss). Domeniile sunt plăsate unul faţă
de altul în mod haotic, iar momentul magnetic însumabil al
feromagneticului este egal cu 0. Dimensiunile domeniilor (Akulov
şi Bitter) sunt de ordinul 1m  10 m . Momentul magnetic al unui
domeniu este de ordinul  1015 de momente magnetice ale unui
atom separat. La magneţii puternici  r  1 şi depinde de
intensitatea câmpului magnetic. În categoria aceasta intră
următoarele materiale: fierul, nichelul, cobaltul şi aliajele lor,
aliajele cromului cu mangan, feriţii cu compoziţii diferite, hodolinii.
O proprietate specifică a materialelor magnetice este
anizotropia magnetică care constă în faptul că proprietăţile
magnetice depind de anumite direcţii preferenţiale, numite direcţii
de uşoară magnetizare. Un material magnetic introdus într-un câmp
exterior, orientat după o direcţie preferenţială de magnetizare, se
magnetizează la o inducţie superioară, cu un consum mic de energie
din exterior. În cazul în care anizotropia magnetică îşi are originea

63
în structura cristalină a materialului, o considerăm anizotropie
magnetocristalină, iar în cazul în care este produsă de factorii
externi - anizotropie indusă.
Anizotropia magnetocristalină. Materialele fero- şi
ferimagnetice au structură microcristalină, depinzând de tipul
materialului: cubic cu volum centrat - la fier, cubic cu feţe centrate -
la nichel, hexagonal compact - la cobalt. Momentele magnetice
orbitale sunt orientate după anumite direcţii sub influenţa câmpului
electric cristalin determinat de structura cristalină a materialului.
Prin intermediul interacţiunii dintre spinii electronilor momentele
de spin se vor orienta la rândul lor după direcţiile preferenţiale
determinate de ordinea cristalină, direcţii pentru care, la echilibrul
termodinamic, energia liberă a cristalului este minimă. Existenţa
acestor direcţii preferenţiale, de uşoară magnetizare, generează
anizotropia magnetocristalină.
În cazul fierului, direcţiile de magnetizare uşoară (m.u.) sunt
paralele cu muchiile cubului elementar, cele de magnetizare medie
(m.m.) sunt paralele cu diagonalele feţelor cubului, cele de
magnetizare grea (m.g.) sunt paralele cu diagonalele principale ale
cubului. În cazul cobaltului cristalizat hexagonal, direcţiile m.u.
sunt paralele cu axa prismei hexagonale, iar cele m.g. sunt
perpendiculare peste aceasta. La materialele ferimagnetice cu
structura spinelică, direcţia m.u. coincide cu diagonala principală a
cubului. Anizotropia se caracterizează prin energia de anizotropie
Wan, definită ca energia necesară orientării momentelor magnetice
spontane din unitatea de volum de la direcţia de magnetizare uşoară
la altă direcţie dată.
Anizotropia indusă se poate realiza prin mai multe procedee
tehnologice, inclusiv: laminarea la rece utilizată la producerea
tolelor texturate din aliaje fier-siliciu, fier-cobalt, fier-nichel;
tratamentul termic în prezenţa unui câmp magnetic exterior
orientează momentele magnetice elementare spontane în direcţia
câmpului, aceasta reprezentând şi direcţia de magnetizare uşoară,
procedeul utilizându-se la fabricarea unor materiale cu ciclu de
histerezis dreptunghiular, la fabricarea feritelor cu structură
hexagonală etc.; răcirea materialului la o temperatură superioară
temperaturii Curie în prezenţa unui câmp magnetic produce
64
schimbări în structura cristalină a materialului la trecerea prin
temperatura Curie, în sensul că cristalele a căror magnetizaţie
corespunde cu direcţia câmpului magnetic exterior vor creşte în
raport cu celelalte, anizotropia fiind puternic influenţată de viteza de
răcire a materialului.
Magnetizarea feromagneticilor se realizează în primul rând
prin creşterea domeniilor Weiss, a căror orientare este mai apropiată
de direcţia câmpului magnetic exterior, creştere ce echivalează cu
deplasarea pereţilor Bloch. Să considerăm două domenii d1 şi d2
(fig.13.4), orientate antiparalel şi despărţite de un perete Bloch  .
Introducând materialul într-un câmp magnetic exterior omoparalel
cu direcţia de magnetizare a lui d1, ţinând cont că energia potenţială
a unui atom este minimă atunci când momentul magnetic spontan
este omoparalel cu direcţia câmpului, atât momentele peretelui
Bloch, cât şi cele ale domeniului d2 tind să se rotească în direcţia lui
H (fapt reprezentat punctat în fig.13.4, b), lucru ce are ca efect
deplasarea peretelui Bloch şi creşterea lui d1 în defavoarea lui d2.
H0=0

a
d1 M M d2

H0=0 Perete Bloch

M M b
d1 d2

WB1 3
4 5
c
2
1

Figura 13.4 Deplasarea pereţilor Bloch [12]

65
 Rotirea momentelor magnetice se realizează cu un consum de
energie din partea corpului exterior. Din cauza defectelor de reţea
ale materialului, a existenţei impurităţilor şi datorită anizotropiei
magnetice, energia ce trebuie cedată peretelui Bloch variază
aleatoriu de-a lungul materialului, reprezentând maxime şi minime
(fig.13.4, c).
La dispariţia câmpului magnetic exterior, peretele Bloch tinde
să revină la poziţia iniţială de echilibru stabil. În cazul când
magnetizarea iniţială a fost mică (deplasarea peretelui din punctul 1
în 2), energia proprie a peretelui permite revenirea lui la starea
iniţială, fenomenul de magnetizare fiind reversibil. La o
magnetizare mai puternică (până în punctul 5), magnetizarea se
realizează prin salturi de energie (salturi Barkhausen); la
întreruperea câmpului exterior, peretele Bloch nu mai revine în
poziţie iniţială, energia lui proprie fiind insuficientă „escaladării”
maximelor de energie 3 şi 4, deplasarea peretelui Bloch fiind
ireversibilă, rezultând deci o magnetizaţie remanentă.
Comportarea materialului magnetic în câmpul magnetic se
caracterizează prin curba iniţială de magnetizare (fig.13.5).

Bs

Cu creşterea
intensităţii
B,T

câmpului magnetic
inducţia magnetică
creşte până la saturaţie

H, A/m Hs

Figura 13.5 Curba iniţială de magnetizare [13]

66
 Caracteristicile materialelor magnetice sunt următoarele:
- permitivitatea magnetică absolută  a reprezintă raportul
dintre inducţia magnetică B şi intensitatea câmpului magnetic H
într-un punct anumit al curbei de magnetizare:
B T  H
a    sau  ;
H  A m m
- permitivitatea magnetică relativă  r este raportul dintre
permitivitatea magnetică absolută şi permitivitatea magnetică în vid.
Permitivitatea magnetică relativă depinde de intensitatea câmpului
magnetic;
- coeficientul termic al permitivităţii relative CT r permite a
determina caracterul schimbării permitivităţii magnetice în funcţie
de temperatură. La schimbarea  r liniară (într-un interval îngust de
temperaturi):
1  2   1  1
CT     ; (13.9)
1 (T2  T1 ) 0 C

- inducţia Bs se numeşte inducţia de saturaţie (bucla histerezis,

fig.13.6). Cu cât Bs este mai mare la intensitatea H indicată, cu atât
mai bun este materialul magnetic;
- raportul dintre inducţia remanentă şi inducţia maximală se
B
numeşte coeficient de rectangularitate: K r  r . Pentru
Bmax
materialele magnetice utilizate în elementele de memorie
K r  0,8  0,9;
- inducţia magnetică remanentă Br se observă în materialul
magnetic la procesul de demagnetizare (când intensitatea câmpului
magnetic este egală cu „0”). Pentru demagnetizarea materialului
este necesar ca intensitatea câmpului magnetic să-şi schimbe
direcţia în partea opusă „-H”. Intensitatea câmpului „-H”, la care
inducţia se egalează cu 0, se numeşte forţă coercitivă Hc (de

67
întârziere). Cu cât Hc este mai mare, cu atât mai greu materialul se
demagnetizează;

Figura 13.6 Buclă histerezis

- pierderile specifice de energie pe histerezis PH sunt pierderi

de energie cheltuită pentru remagnetizarea unităţii de masă sau de
volum pe parcursul unui ciclu şi se măsoară în W kg sau W m 3 .
Valoarea pierderilor depinde de frecvenţa de remagnetizare şi de
valoarea inducţiei maximale Bmax. Pierderile specifice pe histerezis
sunt proporţionale suprafeţei buclei de histerezis. Cu cât pierderile
sunt mai mari, cu atât suprafaţa buclei este mai mare;
- pierderile energiei la curenţii turbionari Pc.t. depind de
rezistivitatea specifică de volum  v a materialului magnetic. Cu cât
 v este mai mare, cu atât Pc.t. sunt mai mici. Ele depind de
densitatea materialului şi de grosimea lui, fiind proporţionale
pătratului frecvenţei de remagnetizare şi amplitudei inducţiei

68
 h 2  Bmax
2
f2
magnetice ( B 2 2
şi f ): Pc.t .  64 , unde: h - grosimea
d  v
max

materialului, m; d - densitatea, kg m 3 ;  v   m; B max T ; f Hz .

2 Clasificarea materialelor magnetice

În electronică se utilizează materiale magnetice moi şi

materiale magnetice tari.
Materiale magnetice moi sunt cele cu valorile mici ale forţei
coercitive Hc şi valorile mari ale permeabilităţii magnetice  . Ele
se magnetizează până la saturaţie în câmpurile magnetice slabe, se
caracterizează de buclă histerezis îngustă şi pierderi mici la
remagnetizare. Se utilizează pentru miezuri de transformatoare şi
bobine de şoc, în calitate de electromagneţi, sisteme magnetice în
aparatura metrologică etc.
Materiale magnetice tari sunt cele cu forţă coercitivă mare.
Ele se remagnetizează numai în câmpuri magnetice foarte puternice
şi se utilizează de regulă la fabricarea magneţilor permanenţi.
Convenţional, se consideră că magneţii moi au
H c  800 A/m, iar magneţii tari - cu H c  4 kA/m.
În categoria materialelor magnetice cu destinaţie specială
sunt incluse materiale cu bucla histerezis rectangulară (BHR), feriţii
pentru dispozitive care funcţionează în microunde şi materialele cu
anizotropia magnetocristalină.
Clasificarea materialelor magnetice este dată în figura 13.7 şi
tabelul13.2.

Materiale magnetice

Magneţi moi Cu destinaţie specială Magneţi tari

Figura 13.7 Clasificarea materialelor magnetice

69
 Tabelul 13.2 Clasificarea materialelor magnetice [14]
Categoria Tipul Caracteristica
Pentru frecvenţele Fierul şi oţelul cu concentraţia
Magneţi moi joase joasă de carbon
Oţelul electrotehnic cu siliciul
Aliajele cu forţa coercitivă
joasă
Pentru frecvenţele Magnetodielectricii
înalte Feriţii
Cu bucla histerezis Nemetalele magnetice (feriţii)
Magneţii cu rectangulară Metalele magnetice
destinaţie Feriţii pentru Cu structură policristalină
specială microunde Cu structură monocristalină
Magnetostrictice Metalele magnetice
(cu anizotropie Nemetalele magnetice (feriţii)
magnetocristalină)
Termomagnetice
Cu  constantă în
câmpurile slabe
Turnate din aliajele cu forţă
coercitivă înaltă
Pentru magneţii Materiale metaloceramice
permanenţi Materiale metaloplastice
Magneţi tari Feriţii tari
Aliajele în baza pământurilor
rare
Oţeluri dopaţi
Pentru înscrierea Metale
informaţiei Nemetale
(elementele de
memorie)

70
 3 Influenţa factorilor externi asupra proprietăţilor
materialelor magnetice
Influenţa temperaturii. Creşterea temperaturii unui material
feromagnetic intensifică mişcarea de agitaţie termică a particulelor,
îngreunând orientarea momentelor magnetice spontane ale
domeniilor Weiss în direcţia câmpului exterior; drept urmare,
magnetizaţia scade odată cu creşterea temperaturii (fig.13.8).


5
4,5
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
Tk
T

Figura 13.8 Dependenţa tipică a permeabilităţii magnetice de

temperatură [13]

La o anumită temperatură (Tc - constanta de material), energia

termică a reţelei depăşeşte energia interacţiunii de schimb, domeniile
de magnetizare spontană dispar, materialul devine paramagnetic,
comportarea lui în funcţie de temperatură, desfăşurându-se conform
legii Curie-Weiss.
Temperatura la care  r scade brusc (aproape de 0) se
numeşte temperatura Curie (Tc). La temperaturi mai înalte de Tc
71
procesul de magnetizare se dereglează din cauza oscilaţiilor termice
ale atomilor şi moleculelor, iar materialul îşi pierde proprietăţile
feromagnetice.

Tabelul 13.3 Temperaturile Curie pentru diferiţi feromagneţi [14]

Material Gd Fe Ni Co Permalloy Fe-Si Ferit
(NiO,ZnO,Fe2O3)
Tc, 0C 17 770 358 1120 400 700 150

Permeabilităţile relative variază neliniar atât odată cu

temperatura, cât şi odată cu câmpul, motiv pentru care este dificilă
definirea unui coeficient general de temperatură a permeabilităţii. De
regulă, se defineşte coeficientul de temperatură a permeabilităţii
iniţiale, care are o valoare aproximativ constantă în domeniul
0...700C:
1 d ri 1
 ri  
 ri dT
K .   (13.10)
Influenţa frecvenţei. În domeniul frecvenţelor joase,
permeabilitatea relativă iniţială a materialelor feromagnetice se
păstrează practic constantă (fig.13.9).

 r

0 fcr f

Figura 13.9 Variaţia permeabilităţii relative iniţiale în funcţie

de frecvenţă [15]

Cu creşterea frecvenţei, atât datorită vâscozităţii magnetice, cât

şi din cauza pierderilor de putere activă, permeabilitatea iniţială
72
scade (curbele de histerezis sunt tot mai înclinate). Frecvenţa critică
în urma căreia apare modificarea permeabilităţii iniţiale este:
4
f cr  , (13.11)
id 2
unde  r ,  , d reprezintă respectiv permeabilitatea relativă
iniţială în regim static, conductivitatea electrică şi grosimea tolei. La
o mai mare frecvenţă, permeabilitatea iniţială scade proporţional cu
1 f .
Influenţa timpului. Un material feromagnetic, cu
permeabilitatea relativă iniţială  ri , magnetizat, poate fi
demagnetizat în mai multe moduri: prin încălzire mai mare de
temperatura Curie, prin demagnetizare în câmp alternativ continuu
scăzător etc. În urma demagnetizării, valoarea permeabilităţii
relative iniţiale creşte, fenomen numit acomodare. În timp,
permeabilitatea revine la valoarea iniţială, fenomen numit
dezacomodare; de regulă, dezacomodarea se desfăşoară după o lege
exponenţială (fig.13.10).

r

3200

2800 lg t[min]
10 100 1000

Figura 13.10 Variaţia în timp a permeabilităţii

relative iniţiale

73
 Aprecierea dezacomodării se face prin factorul de
dezacomodare, care reprezintă variaţia relativă a permeabilităţii
iniţiale într-o decadă, luând ca origine valoarea iniţială a
permeabilităţii mărite:
   i10
d  i1 . (13.12)
t2
i1 lg
t1
Dezacomodarea este un efect negativ, care poate fi înlăturat
prin aliere (fapt ce duce uneori la mărirea pierderilor).
Dezacomodarea nu este identică cu „îmbătrânirea” magneţilor
permanenţi, fenomenele având cauze fizice diferite.
Influenţa impurităţilor. Impurităţile, fie în amestec, fie în
structura feromagneticilor, influenţează în mod esenţial proprietăţile
lor. O serie de elemente sau substanţe (carburile metalelor,
materialele metalice neferomagnetice etc.) deformează reţeaua
cristalină, producând tensiuni mecanice interne, care duc atât la
îngreunarea deplasării pereţilor Bloch, cât mai ales la revenirea lor
în poziţia iniţială aferentă unei energii minime; ca urmare creşte atât
inducţia remanentă, cât şi câmpul coercitiv, efect favorabil
proprietăţilor magneţilor permanenţi. Impurităţile în forma Ni, Co,
Cr, Mo în fier conduc la creşterea permeabilităţii magnetice,
scăderea câmpului coercitiv, mărirea inducţiei de saturaţie, efecte
favorabile materialelor magnetice moi utilizate în construcţia
miezurilor magnetice.
Siliciul în aliaj cu fierul măreşte rezistivitatea electrică a
materialului, conducând la scăderea pierderilor prin curenţii
turbionari. În general, nu există relaţii analitice care să reflecte
influenţa impurităţilor asupra proprietăţilor materialelor magnetice,
interdependenţele fiind determinate pe cale experimentală şi
reprezentate în formă grafică.

74
Întrebări de control

1 Ce fenomene fizice stau la baza magnetismului atomului?

2 Ce reprezintă permitivitatea magnetică relativă, absolută?
Scrieţi formulele şi unităţile de măsură.
3 Ce reprezintă forţa coercitivă?
4 Desenaţi bucla histerezis şi numiţi punctele de bază.
5 Ce tipuri de pierderi magnetice cunoaşteţi? Natura lor.
6 Ce măsuri se întreprind pentru diminuarea pierderilor
magnetice?
7 Definiţi temperatura Curie.
8 Cum influenţează factorii externi asupra proprietăţilor
magnetice, inclusiv temperatura şi timpul?
9 Cum influenţează frecvenţa asupra proprietăţilor magnetice?
10 Cum influenţează impurităţile asupra proprietăţilor
magnetice?

75
 Tema 14 MATERIALE MAGNETICE UTILIZATE ÎN
ELECTRONICĂ
Planul temei:
1 Funcţiile materialelor magnetice
2 Materiale pentru miezurile magnetice

1 Funcţiile materialelor magnetice [14]

Proprietăţile materialelor fero- şi ferimagnetice le conferă
acestora o largă aplicabilitate practică în îndeplinirea unor funcţiuni
specifice, ca suport material al utilizării tehnice a fenomenelor
electromagnetice. Principalele funcţiuni sunt: funcţia de miez
magnetic, funcţia de generare a câmpului magnetostatic, de
înregistrare magnetică a informaţiei, funcţii neliniare şi parametrice,
funcţia de ecran magnetic, de traductor piezomagnetic, de traductor
de temperatură.
Funcţia de miez magnetic. Considerând o bobină ideală (fără
pierderi) a cărei inductivitate în vid este L0 şi introducând în
interiorul ei un material magnetic închis, astfel încât fluxul de
scăpări să fie nul, în ipoteza neglijării pierderilor în material,
reactanţa la bornele bobinei devine X L  j r L0 . Deci, bobina cu
miez magnetic este echivalentă unei bobine în vid cu inductivitatea
de  r ori mai mare. Prin utilizarea miezului magnetic, datorită
valorilor mari ale lui  r , creşte inducţia, deci, şi densitatea de
volum a energiei magnetice aferentă circuitului magnetic
considerat.
Materialelor utilizate pentru această funcţiune, li se cere o
inducţie-limită a zonei cvasiliniare a curbei de magnetizare
(inducţie la cot) cât mai mare, o permeabilitate relativă mare,
pierderi de magnetizare cât mai mici (ciclul de histerezis îngust).
Ele se utilizează în construcţia circuitelor magnetice ale maşinilor şi
aparatelor electrice, ale bobinelor, transformatoarelor etc.
Funcţia de generare a câmpului magnetostatic
Un circuit magnetic cu întrefier, a cărui miez magnetic a fost
în prealabil magnetizat până la saturaţie, reprezintă un magnet

76
permanent, între polii căruia există un câmp magnetostatic.
Densitatea de energie a câmpului magnetostatic este determinată de
coordonatele B şi H ale punctului de funcţionare aflat în cadranul II
al curbei de histerezis, coordonate care la rândul lor depind de
inducţia remanentă şi câmpul coercitiv al materialului. Pentru
obţinerea unei densităţi de energie a câmpului magnetostatic cât mai
mari, materialul magnetic utilizat trebuie să aibă valori ale inducţiei
remanente şi în special a câmpului coercitiv cât mai mari.
Funcţia de înregistrare magnetică a informaţiei. Această
funcţie se bazează pe proprietatea materialelor fero- şi
ferimagnetice, ca magnetizarea remanentă să depindă univoc de
câmpul magnetic de excitaţie. Materialele utilizate în acest scop
trebuie să aibă un câmp coercitiv mare, care să împiedice efectul de
ştergere a informaţiei sub influenţa unor câmpuri perturbatoare.
Funcţii neliniare şi parametrice. Caracterul neliniar al
caracteristicii de magnetizare a materialelor magnetice, în special a
celor cu ciclu de histerezis dreptunghiular, permite realizarea unor
funcţii de circuit neliniare şi parametrice. Aceste materiale se
utilizează la fabricarea miezurilor de comutaţie şi memorie, a
amplificatorilor magnetici, releelor, bobinelor saturabile etc.
Funcţia de ecran magnetic. În vederea înlăturării acţiunii
perturbatoare a câmpurilor electromagnetice exterioare, unele
dispozitive şi elemente electronice se ecranează. Efectul de scădere
sau anulare a câmpului perturbator depinde direct de adâncimea de
pătrundere:
v
 , (14.1)
f a
unde f este frecvenţa;
 v - rezistivitatea specifică de volum a materialului;
 a - permeabilitatea absolută.

Dacă la frecvenţă înaltă ecranarea se poate realiza uşor cu

materiale de mare conductivitate (câmpul produs de curenţii
turbionari reducând câmpul perturbator), la frecvenţă joasă ar
77
rezulta o adâncime de pătrundere mare, ceea ce ar conduce la un
ecran masiv. Acest inconvenient se înlătură utilizând ecrane de
mare permeabilitate magnetică, care reduc adâncimea de
pătrundere.
Funcţia de traductor piezomagnetic. Materialele fero- şi
ferimagnetice suferă modificări ale dimensiunilor exterioare sub
influenţa variaţiei stării de magnetizare, fenomen denumit
piezomagnetism. De regulă, materialele piezomagnetice îndeplinesc
funcţia de traductor piezomagnetic invers, transformând energia
electromagnetică în energie mecanică (generatoare sonore şi
ultrasonore).
Funcţia de traductor de temperatură. Variaţia cu temperatura
într-un câmp constant, a permeabilităţii relative a materialelor fero-
şi ferimagnetice, cu preponderenţă în apropierea temperaturii Curie,
permit utilizarea acestora drept traductoare de temperatură. Pe
acelaşi efect se bazează şi utilizarea lor drept elemente
termocompensatoare în circuitele cu magneţi permanenţi.

2 Materiale pentru miezurile magnetice

Materialele utilizate în construcţia miezurilor magnetice sunt
materiale magnetice moi, cu rezistivitatea electrică ridicată pentru
diminuarea pierderilor prin curenţii turbionari. Principalele categorii
de materiale utilizate sunt aliajele fierului (în formă de tablă
laminată din care prin ştanţare se obţin tole de forma şi
dimensiunile dorite), miezuri de ferită, miezuri magnetodielectrice
[8].
Aliajele fier-siliciu laminate la cald în formă de tole se
utilizează pentru magneţii permanenţi. Ele au grosimi de 0,35 şi
0,5 mm. Siliciul are rolul de a mări rezistivitatea aliajului, de
scădere a câmpului coercitiv şi de diminuare a fenomenului de
îmbătrânire a materialului. Totuşi, procentul de siliciu nu poate
depăşi valoarea de 4,5%, datorită faptului că tabla devine friabilă -
nemaiputându-se prelucra prin ştanţare. Tolele se izolează pe una
sau pe ambele feţe, în vederea reducerii pierderilor prin curenţii
turbionari. Izolarea se poate realiza prin oxizii ce se află pe ambele

78
feţe ale tolei - izolaţie satisfăcătoare pentru miezurile magnetice
mici, care funcţionează la valori mici ale inducţiei. La inducţii mai
mari, aflate în zona cotului curbei de magnetizare, izolarea se
realizează cu hârtie pentru tole, lipită pe una sau pe ambele feţe ale
tolei cu clei de amidon, lacuri pe bază de celuloză sau lacuri pe bază
de răşini sintetice.
Aliajele fier-siliciu laminate la rece nu depăşesc 3,3% Si.
Datorită laminării la rece apare o anizotropie indusă care determină
proprietăţile magnetice superioare în direcţia laminării, inducţia de
saturaţie depăşind 2T. Anizotropia este influenţată negativ de
prelucrările mecanice şi de îndoirea tablei, motiv pentru care, după
prelucrarea tolelor, ele trebuie supuse unui tratament termic de
recoacere care să le stabilească caracteristicile magnetice iniţiale.
Izolaţia tolelor se realizează cu oxizi ceramici (carlit), prin fosfatare
sau cu lacuri pe bază de răşini sintetice. Tolele se laminează la
grosimi de 0,03...0,5 mm, tolele de grosimi mai mici putându-se
utiliza pentru miezurile bobinelor care lucrează până în domeniul
kHz-ilor.
Aliajele fier-siliciu-aluminiu (alsifer) conţin până la 14% Si
şi 12% aluminiu, cu câmp coercitiv mic, valori mari ale inducţiei la
saturaţie, rezistivitate mare. Aliajele cu conţinut mai redus de siliciu
şi aluminiu (2...3)% se pot lamina la rece, putându-se utiliza în
formă de tole. Odată cu creşterea procentului de siliciu, materialul
nu se mai poate lamina; se poate însă turna până la grosimi de 2 mm
(utilizate la ecrane magnetice) sau se poate obţine în formă de
pulberi, care se sinterizează sau se utilizează în compoziţia
magnetodielectricilor.
Aliajele fier-nichel (permalloy) au proprietăţi puternic
dependente atât de proporţia substanţelor în compoziţie, cât şi de
tratamentul termic la care este supus materialul. În general, ele au o
permeabilitate magnetică foarte mare (µr> 100 000), pierderi
magnetice specifice mici şi câmp coercitiv mic. Un procent de
40...50% Ni determină inducţii maxime de până la 1,5 T,
materialele putându-se utiliza la miezuri pentru transformatoare şi
bobine de şoc. Odată cu creşterea procentului de nichel, inducţia
maximă scade, însă creşte foarte mult permeabilitatea
79
(permeabilitatea maximă obţinându-se pentru 78,5%Ni). Aliajele
Fe-Ni se pot lamina până la grosimi de ordinul micrometrilor, fapt
ce le face apte să funcţioneze la frecvenţă înaltă. Adaosurile de
molibden, crom (până la 5%) şi siliciu (până la 3%) conduc la
creşterea rezistivităţii volumetrice şi a permeabilităţii magnetice.
Caracteristicile unor aliaje Fe-Ni (Supermalloy, Mumetal, Mo-
permalloy, Dynamax) se utilizează pentru miezurile de
transformatoare cu proprietăţi deosebite, şi anume: transformatoare
de impus. Aliajele Fe-Ni cu 40...50% Ni sau cu un adaos de 8...10%
Cu supuse unor laminări succesive combinate cu un tratament
termic obţin o anizotropie indusă în direcţia laminării, care le
determină o curbă de magnetizare relativ puţin înclinată şi o
permeabilitate magnetică relativ constantă cu variaţia câmpului.
Aceste materiale, denumite tehnic izoperm, se utilizează la miezuri
pentru bobine de inductivitate constantă cu câmpul până la
100...200 A/m.
Aliajele fier-cobalt sunt aliaje cu inducţie mare la saturaţie,
ajungând până la 2,5 T. Aliajul cu 30...50% Co (Permendur) este
dur şi casant, neputându-se prelucra. Prin adaos de 2% V (Vanadiu-
Permendur), aliajul devine laminabil cu păstrarea aceloraşi
proprietăţi magnetice. Aceste aliaje se utilizează la fabricarea
miezurilor pentru electromagneţi a membranelor telefonice etc.
Aliajele fier-cobalt-nichel (numite perminvar) au, în urma
unor tratamente termice, valori constante ale permeabilităţii
magnetice cu câmpul, până la câmpuri de mii de A/m, fiind
superioare izopermului atât din punct de vedere al valorii
permeabilităţii, cât şi din punct de vedere al păstrării valorii
constante în limite mai largi de variaţie a câmpului. Însă are
dezavantajul unei nestabilităţi magnetice, după aplicarea unui câmp
puternic materialul trebuind retratat termic. Se utilizează în special
la miezuri cu distorsiuni de neliniaritate neglijabile.
Feritele au o largă utilizare tehnică. Materialele
ferimagnetice, sau feritele, au în numeroase cazuri formula chimică
2 2 3 2
generală M O  Fe O , unde M este un element bivalent
2 3
(Mn, Zn, Ni, Cd, Fe, Mg, Ba) sau o combinaţie metalică de
elemente mono- bi- sau trivalente care să echivaleze cu un element
80
bivalent. Feritele au trei tipuri principale de structuri cristaline:
structură spinelică, hexagonală şi structură tip granat. Din punct de
vedere al conducţiei electrice, majoritatea feritelor au caracter
semiconductor, rezistivitatea lor variind între 10...108 Ωcm, fapt ce
conduce la diminuarea pierderilor prin curenţii turbionari, permiţind
extinderea gamei de frecvenţă la care pot fi utilizate. Datorită
existenţei domeniilor Weiss, de magnetizare spontană, feritele au
proprietăţi asemănătoare feromagneticilor: sunt neliniare, prezintă
cicluri de histerezis magnetic,  r  1 . Spre deosebire de aceştia
însă, inducţia la saturaţie şi inducţia remanentă sunt de câteva ori
mai mici (Bs<0,6 T), de asemenea, permeabilitatea magnetică
iniţială este mai mică, fiind puternic influenţată de existenţa
câmpurilor magnetice continue, chiar de mică intensitate. Variaţia
magnetizaţiei feritelor cu temperatura este asemănătoare cu a
feromagneticilor, peste temperatura Curie, materialul devenind
paramagnetic. Temperatura Curie este mult mai scăzută
(60...450)0C decât a feromagneticilor. Feritele cu structură tip
granat au o dependenţă M = f(T) puţin diferită (fig.14.1),
temperatura Tc fiind temperatura de compensare dintre subreţele.
Ms

Tc T
Figura 14.1 Dependenţa de temperatură a
magnetizaţiei de saturaţie a feritelor cu structura tip granat

Feritele sunt dure şi casante, nepermiţind alte prelucrări

mecanice decât rectificarea. Din acest motiv ele se fabrică în formă
de miezuri prin sinterizare. Caracteristica magnetică principală a
acestor miezuri o reprezintă factorul de inductanţă AL, exprimat în
nH/sp2, de fapt, permeanţa specifică a miezului.
81
 Feritele moi se utilizează în domeniul frecvenţelor înalte. Cele
mai reprezentative tipuri sunt:
Feritele mangan-zinc cu denumiri industriale: Oxifer, Ferrox-
cube, Siferrit, Formalite, CIA, CIB, CIC. În raport de compoziţia lor
şi în raport de temperatura de sinterizare, ele au Bs = 0,25...0,5 T,
Hc = 8...24 A/m, tg  = 10-3...10-1, permeabilitatea relativă iniţială
până la 6 000 (printre cele mai mari la ferite). Ele au rezistivitate de
0,3...1 Ω∙m şi Tc = 120...1800C - relativ mare comparativ cu
celelalte tipuri de ferită. Se utilizează la confecţionarea miezurilor
transformatoarelor de impulsuri, a filtrelor etc., până la frecvenţe de
sute de kiloherţi.
Feritele nichel-zinc au denumiri industriale: Niferit,
Ferroxcube B, Formalite, Oxifer. Proprietăţile lor sunt dependente
de compoziţie şi de tratamentul termic de sinterizare. Feritele cu un
conţinut mare de zinc au permeabilitate relativă maximă ridicată
(aproape 15000), dar câmp coercitiv redus (6,4...160 A/m), inducţie
de saturaţie mică (sub 0,4 T) şi temperatură Curie scăzută
(60...80)0C. Cu scăderea procentului de zinc,  r max scade foarte
mult, dar Tc creşte. Datorită rezistivităţii mari şi a frecvenţei de
rezonanţă magnetică ridicată, feritele Ni-Zn cu un conţinut redus de
Zn se utilizează la fabricarea miezurilor magnetice ce funcţionează
până în domeniul zecilor de MHz. Feritele cu un conţinut ridicat de
Zn au ciclul de histerezis dreptunghiular.
Feritele Ni-Zn cu adaos de cobalt au un ciclu de histerezis tipic
materialelor perminvar, o temperatură Curie mai ridicată şi se
utilizează la miezuri cu comportare liniară până în domeniul MHz.
Feritele de litiu şi litiu-zinc au o permeabilitate relativă
iniţială scăzută (în jur de 100), dar au pierderi mici până în domeniul
sutelor de MHz. Se utilizează la fabricarea miezurilor bobinelor cu
factor bun de calitate care funcţionează la zeci de MHz.
Feritele magneziu-zinc şi mangan-zinc au rezistivităţi foarte
mari (108...109) Ωcm, frecvenţă de rezonanţă magnetică în domeniul
gigaherţilor, dar au permeabilitatea şi inducţia de saturaţie scăzute.
Se utilizează (în special ferita Mn-Mg) în domeniul frecvenţelor
foarte înalte (10 Ghz).

82
 Feritele cu structură hexagonală sunt ferite mixte, pe bază de
Ba, cu caracter magnetic moale şi sunt cunoscute cu denumirea
comună de ferite tip feroxplană. Toate feritele feroxplană au
rezistivitate mare (până la 1010 Ωcm), frecvenţă de rezonanţă
magnetică ridicată, dar permeabilitate relativă scăzută. Ele se
utilizează la frecvenţă ultraînaltă. Sinterizarea în câmp magnetic
constant induce o anizotropie magnetică care le îmbunătăţeşte
proprietăţile magnetice în direcţia preferenţială.
Materialele magnetodielectrice sunt materiale magnetice
constituite din granule de material fero- sau ferimagnetic (de regulă,
fier carbonil, alsifer, permalloy, magnetită) înglobate într-un liant
dielectric (răşini sintetice, sticlă lichidă, cauciuc etc.). Datorită
dimensiunilor foarte mici ale granulelor, scad pierderile prin curenţi
turbionari, fapt ce permite utilizarea materialului la frecvenţe mai
ridicate. Înglobarea în liant conduce la scăderea proprietăţilor
magnetice, aceasta depinzând de tipul şi de procentul volumetric al
dielectricului în compoziţia materialului. Miezurile magnetice,
precum şi alte piese din material magnetodielectric, se obţin prin
presare sau extrudere, urmând un tratament termic pentru înlăturarea
tensiunilor interne. În prezent, magnetodielectricii sunt deseori
înlocuiţi cu ferite.

Întrebări de control
1 Ce funcţii pot îndeplini materialele magnetice?
2 Care este destinaţia materialelor magnetice în electronică?
3 Care dintre materialele magnetice se utilizează la fabricarea
miezurilor pentru frecvenţe industriale?
4 Care din materialele magnetice se utilizează la fabricarea miezurilor
pentru frecvenţe înalte?
5 Ce rezistivitate specifică au feritele?
6 Ce reprezintă materialele magnetodielectrice?
7 Care dintre ferite se utilizează în domeniul microundelor?
8 Care dintre materialele magnetice se utilizează la fabricarea
miezurilor pentru electromagneţi?
9 Ce tip de ferită veţi alege pentru miezul transformatorului de
impulsuri, a filtrelor etc., care funcţionează la frecvenţe de până la
sute de kiloherţi?
10 Ce tip de caracter are conducţia electrică a feritelor?

83
 Tema 15 MATERIALE SEMICONDUCTOARE [16]

Planul temei:
1 Noţiuni generale
2 Clasificarea materialelor semiconductoare
3 Proprietăţile semiconductoarelor
4 Utilizarea materialelor semiconductoare

1 Noţiuni generale
Materialele semiconductoare sunt materiale care au
valoarea conductivităţii electrice cuprinsă în intervalul de valori
(10-6- 105) 1/Ωm, puternic dependentă de condiţiile exterioare
(temperatură, câmp electric, câmp magnetic etc.) şi de structura
internă a acestora (natura elementelor chimice, defecte, impurităţi
etc.). Conductibilitatea electrică a materialelor este determinată în
anumite condiţii energetice de apariţia purtătorilor de sarcină
electrică şi de deplasarea acestora în structura internă a materialului
respectiv. Descrierea purtătorilor de sarcină electrică se realizează
pe baza modelului simplificat al benzilor energetice al corpului
solid. Conform acestui model, electronii atomului sunt plasaţi pe
diferite nivele energetice, care pot fi grupate în benzi energetice.
Există o bandă energetică în care toate nivelele energetice sunt
ocupate de electroni. Această bandă se numeşte bandă de valenţă,
iar electronii respectivi se numesc electroni de valenţă. În structura
cristalină a materialului, aceşti electroni sunt legaţi prin legături
covalente, fiind imobili. Banda energetică în care nivelele
energetice au valorile cele mai mari se numeşte bandă de conducţie.
În această bandă, toate nivelele energetice sunt libere. Pentru ca un
electron să poată ocupa un nivel energetic în banda de conducţie
este necesar ca acesta să beneficieze de un aport energetic.
Electronul care ocupă un nivel energetic din banda de conducţie se
numeşte electron de conducţie. Electronii de conducţie sunt liberi
să se deplaseze prin structura cristalină a materialului.

84
 Figura 15.1 Diagrama benzilor energetice: a) pentru materialele
conductoare; b) pentru materialele semiconductoare şi izolatoare [16]

Aceşti electroni provin din electronii de valenţă care, pe baza

aportului energetic provenit din exteriorul materialului, pot rupe
legăturile covalente în care au fost iniţial fixaţi devenind electroni
liberi. Datorită faptului că se pot deplasa, electronii de conducţie
participă la generarea curentului electric prin structura unui
material. Tipul unui material electronic poate fi caracterizat de
modul în care sunt dispuse benzile energetice ale acestuia.
Informaţiile despre dispunerea benzilor energetice sunt furnizate de
către diagrama de benzi energetice a materialului respectiv.
În figura 15.1, a) se dă diagrama benzilor energetice pentru
materialele conductoare. Prin EC s-a notat nivelul energetic inferior
al benzii de conducţie, iar prin EV s-a notat nivelul energetic
superior al benzii de valenţă. Se observă că pentru materialele
conductoare, cele două benzi energetice reprezintă o suprapunere.
În acest caz, conducţia curentului electric este asigurată de către un
singur tip de purtători de sarcină electrică, şi anume, electronul de
conducţie.
În figura 15.1, b) se dă diagrama benzilor energetice pentru
materialele izolatoare, respectiv semiconductoare. În acest caz, se
remarcă faptul că banda de conducţie este izolată de banda de
valenţă printr-o bandă energetică, numită bandă interzisă. Banda
interzisă grupează nivele energetice care NU sunt permise

85
electronilor; electronii nu pot ocupa nivelele energetice din
această bandă. Diferenţa dintre materialele semiconductoare şi cele
izolatoare este dată de lăţimea benzii interzise, notată EG, la
materialele izolatoare fiind mult mai mare (  5eV; eV = electron-
volt) decât la cele semiconductoare (  1,1eV). În cazul în care
materialul izolator sau semiconductor este supus acţiunii unui agent
exterior (câmp electric, magnetic, căldură, lumină), se poate furniza
unora dintre electronii de valenţă energia necesară depăşirii benzii
interzise astfel, încât aceştia pot ajunge pe un nivel energetic
superior, aflat în banda de conducţie. În consecinţă, printr-un aport
energetic suficient de mare, aceşti electroni de valenţă devin
electroni de conducţie, fiind liberi să se deplaseze prin structura
cristalină a materialului. Prin plecarea unui electron din banda
de valenţă, se eliberează un loc pe un nivel energetic din această
bandă, care, în continuare, poate fi ocupat de un alt electron de
valenţă, aflat pe un nivel energetic inferior. Locul liber, lăsat prin
plecarea unui electron de pe un nivel energetic al benzii de valenţă,
se numeşte gol. La materialele semiconductoare şi izolatoare,
fenomenele de conducţie ale curentului electric sunt generate de
apariţia electronilor de conducţie şi a golurilor.

2 Clasificarea materialelor semiconductoare

Materialele semiconductoare pot fi:
- elementare: carbon, siliciu, germaniu, staniu, bor, fosfor,
arsen, stibiu, sulf, seleniu, telur şi iod;
- compuse, sunt de ordinul sutelor, cele mai frecvent utilizate
fiind: galiu-arsen, solidede indiu–arsen.
Din punct de vedere al legăturilor interatomice,
semiconductorii se pot clasifica astfel:
- semiconductori cu legatură covalenta, direcţională, realizată
prin asocierea a doi electroni cu spini antiparaleli proveniţi de la 2
atomi învecinaţi, cum sunt: Si, Ge, Sn, S, Se şi Te;
- semiconductori cu legatură hibridă, cum sunt: soluţiile solide
ale indiului cu arsen şi GaAs. Cu cât gradul de ionicitate subunitar
este mai ridicat, cu atât legătura are un caracter ionic mai

86
pronunţată, iar materialul are o comportare dielectrică mai
pronunţată.
După cum în banda interzisă se găsesc sau nu niveluri
adiţionale produse prin dopare, cu impurităţi selectate,
semiconductori pot fi:
- extrinseci;
- intrinseci.

Materiale semiconductoare intrinseci

Materiale semiconductoare intrinseci sunt materiale
semiconductoare pure, la care atomii din reţeaua cristalină sunt de
un singur tip din grupa a IV a tabelului periodic al elementelor, şi
anume: Si şi Ge. În prezent, cel mai utilizat element pentru
obţinerea materialelor semiconductoare este siliciul, structura sa
fiind reprezentată în figura 15.2.

Figura 15.2 Structura unui atom de siliciu [14]

Revenind la diagrama benzilor energetice, la temperatura de 0

K, electronii sunt plasaţi numai în banda de valenţă. În
semiconductor nu se generează curentul electric, deoarece în
structura acestuia nu există electronii de conducţie. La temperaturi
mai avansate de 0 K, o parte din energia termică este preluată de
electronii de valenţă, care, beneficiind de acest aport energetic, pot
trece peste nivelele energetice ale benzii interzise şi ajunge la
nivelele energetice din banda de conducţie, devenind liberi să se
deplaseze prin structura materialului.

87
 Prin plecarea acestor electroni din banda de valenţă, locul
ocupat iniţial de către aceştia pe nivelul energetic din banda de
valenţă devine liber, altfel spus – gol. Acest gol poate fi ocupat de
un alt electron de valenţă, fără un aport energetic substanţial.
Acest al 2-lea electron de valenţă, prin ocuparea nivelului
energetic lăsat liber de primul electron, lasă la rândul său un nou loc
liber, un nou gol, pe nivelul energetic inferior din banda de valenţă.
Se constată, astfel, o deplasare a golurilor în banda de valenţă,
motiv pentru care şi golul este un purtător de sarcină mobil. Acest
fenomen este reprezantat în figura 15.3.

Figura 15.3 Deplasarea golurilor în banda de valenţă [14]

Acelaşi fenomen poate fi explicat pe baza structurii reţelei

cristaline a atomului de siliciu. La temperatura de 0 K, atomii de
siliciu sunt legaţi prin legături covalente la care fiecare dintre aceşti
participă cu câte 4 electroni de valenţă. La nivelul reţelei cristaline
electronii de valenţă pot căpăta suficientă energie astfel, încât să
rupă legăturile covalente în care au fost fixaţi. Prin ruperea legăturii
covalente, electronii de valenţă devin liberi (devin electroni de
conducţie) şi lasă în urmă, la nivelul atomului de unde au plecat, un
gol, caracterizat printr-un exces de sarcină pozitivă la nivelul
atomului respectiv. Din acest motiv, golul respectiv poate fi
88
echivalat, din punct de vedere electric, cu o sarcină electrică
pozitivă fictivă. În continuare, dacă un alt electron de valenţă rupe o
legătură covalentă, devenind liber, poate ocupa golul lăsat de primul
electron de valenţă. Acest fenomen este sugerat în figura 15.4.

Figura 15.4 Rerezentarea procesului de rupere a legăturii

covalente şi formarea electronilor de valenţă liberi

Purtătorii mobili de sarcină electrică

Purtătorii mobili de sarcină electrică în semiconductoare sunt
electronii de conducţie şi golurile. În cazul în care deplasarea
purtătorilor de sarcină este orientată prin structura
semiconductorului, se observă apariţia unor fenomene de conducţie
electrică (fenomene legate de generarea curentului electric).

Generarea purtătorilor mobili de sarcină

Se ştie că purtătorii mobili de sarcină (electronii de conducţie
şi goluri) sunt generaţi prin ruperea legăturilor covalente. Prin
creşterea temperaturii, numărul de electroni de valenţă care capătă
suficientă energie pentru a rupe legăturile covalente, creşte.
Mecanismul de generare a purtătorilor mobili de sarcină în
semoconductoare pe baza creşterii temperaturii se numeşte generare
termică de purtători de sarcină. Prin ruperea legăturilor covalente
electronii de conducţie şi golurile sunt generaţi în perechi. De aceea,

89
concentraţiile de purtători mobili de sarcină electrică într-un
semiconductor intrinsec sunt egale. Concentraţiile de purtători
mobili de sarcină electrică într-un semiconductor se notează astfel:
n – concentraţia de electroni de conducţie; p – concentraţia de
goluri.
Valoarea comună a acestor concentraţii se numeşte
concentraţie intrinsecă şi se notează cu ni.
Concentraţia intrinsecă creşte odată cu creşterea temperaturii
semiconductorului. La temperatura camerei, considerată 300K, ni
are valoarea 1,45×1010 cm-3 pentru siliciu, respectiv 2×1013 cm-3, la
germaniu. În figura 15.5 se arată modul în care variază cu
temperatura T concentraţia intrinsecă a unui material
semiconductor din siliciu.

Figura 15.5 Variaţia cu temperatura T a concentraţiei intrinseci

a unui material semiconductor din siliciu [14]

90
 Recombinarea purtătorilor de sarcină
În cadrul semiconductoarelor, pe lângă mecanismul de
generare a purtătorilor de sarcină, este prezent şi mecanismul invers,
care conduce la dispariţia purtătorilor de sarcină. Mecanismul
respectiv se numeşte recombinare de purtători de sarcină şi este
caracterizat prin revenirea electronilor de pe un nivel energetic
superior, din banda de conducţie, pe un nivel energetic inferior, în
banda de valenţă. Revenirea în banda de valenţă a unui electron de
conducţie conduce atât la dispariţia unui electron de conducţie, cât
şi a unui gol. Deci, mecanismul de recombinare a purtătorilor de
sarcină conduce la dispariţia în perechi a acestora.

Materiale semiconductoare extrinseci. Doparea materialelor

semiconductoare
Fenomenul de dopare constă în introducerea în materialul
semiconductor intrinsec, prin diverse procedee controlate, a unor
atomi diferiţi faţă de cei din Si sau Ge, denumiţi şi atomi de
impuritate, în scopul modificării proprietăţilor electrice ale
materialului semiconductor. Un material semiconductor dopat cu
atomi de impuritate se numeşte material semiconductor extrinsec.
Condiţia necesară ca un material semiconductor să fie extrinsec este
ca concentraţia de atomi de impuritate cu care este dopat materialul
semiconductor intrinsec, notată NImpurităţi, să fie mult mai mare decât
concentraţia intrinsecă ni: Nimpuritati >>ni.
Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru
fabricarea dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate,
tranzistoare sau diode. Atomii de impuritate cu care se dopează
semiconductoarele sunt atomi din grupele V, respectiv III, din care
cel mai frecvent utilizaţi sunt reprezentaţi în figura 15.6.

91
 Figura 15.6 Doparea semiconductoarelor cu atomii elementelor
din grupele V şi III ale tebelului periodic al elementelor [14]
În funcţie de atomii de impuritate cu care sunt dopate
materialele semiconductoare intrinseci, materialele semiconductoare
extrinseci se impart în două categorii:
- materiale semiconductoare de tip N;
- materiale semiconductoare de tip P.

Materialele semiconductoare de tip N

Pentru obţinerea acestui tip de material, semiconductorul
intrinsec este dopat cu atomi de impuritate pentavalenţi (din grupa a
V-a a tabelului periodic al elementelor chimice), care, în structura
cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu.
Patru din cei 5 electroni de valenţă ai atomului de impuritate
formează 4 legături covalente cu electronii de valenţă ai atomului de
siliciu sau germaniu învecinaţi, în timp ce al 5-lea electron de
valenţă al atomului de impuritate este slab legat, astfel încât la
temperatura camerei primeşte suficientă energie pentru a se
desprinde de atomul de impuritate, devenind astfel electron liber
(electron de conducţie), capabil să participe la fenomene de
conducţie, aşa cum este prezentat în figura 15.7.

92
 Figura 15.7 Formarea electronului liber (de conducţie) capabili să
participe la fenomene de conducţie în semiconductorul de tip N [14]

Se constată că formarea electronului de conducţie nu este

însoţită de generarea unui gol. Electronii de conducţie obţinuţi în
acest mod sunt generaţi prin doparea materialului cu atomi de
impuritate.
Pe lângă acest procedeu de obţinere a electronilor de
conducţie, aceştia mai pot fi generaţi prin mecanismul de generare
termică (prin creşterea temperaturii), dar, în acest caz, generarea
unui electron de conducţie este însoţită de generarea unui gol.
Aşadar, în cazul materialului semiconductor de tip N, concentraţia
de electroni de conducţie este mult mai mare decât concentraţia
golurilor. Din acest motiv, electronii de conducţie se numesc
purtători de sarcină majoritari, iar golurile se numesc purtători de
sarcină minoritari. Deoarece atomul de impuritate cedează al 5-lea
electron de valenţă, el se numeşte atom donor. În urma cedării celui
de-al 5-lea electron, atomul donor devine ion pozitiv.

Materialele semiconductoare de tip P

Pentru obţinerea acestui material electronic,
semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivalenţi (din
grupa a IIIa a tabelului periodic al elementelor chimice), cum ar fi
borul, galiul, indiul, care în structura cristalină a materialului
substituie atomii de siliciu sau germaniu. Atomul de impuritate
poate participa, prin cei trei electroni de valenţă ai săi, la formarea
numai a trei legături covalente cu electronii de valenţă ai atomilor
93
de siliciu sau germaniu învecinaţi, lăsând electronul de valenţă al
celui de-al 4-lea atom de siliciu învecinat fără legătură covalentă,
astfel creând un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv.
Electronul de valenţă a celui de-al 4-lea atom de siliciu
învecinat (atomul de Si din drepta) poate forma legătură covalentă
cu un alt electron de valenţă al unui alt atom de siliciu învecinat,
care, prin completarea acestei legături covalente lasă, la rândul său,
în urma sa un gol.

Figira 15.8 Formarea unui gol capabil să participe la fenomene

de conducţie în semiconductorul de tip P [14]

Se constată că formarea unui gol nu este însoţită de generarea

unui electron de conducţie. Golurile obţinute în acest mod sunt
generate prin impurificarea materialului cu atomii de impuritate. Pe
lângă acest procedeu de obţinere a golurilor, aceştia mai pot fi
generaţi prin mecanismul de generare termică (prin creşterea
temperaturii), dar, în acest caz, generarea unui gol este însoţită de
generarea unui electron de conducţie. Aşadar, în cazul materialului
semiconductor de tip P, concentraţia de goluri este mult mai mare
decât concentraţia de electroni de conducţie. Din acest motiv,
golurile se numesc purtătorii de sarcină majoritari, iar electronii de
conducţie se numesc purtători de sarcină minoritari. Deoarece
atomul de impuritate primeşte un electron de valenţă de la un atom
de siliciu învecinat, el se numeşte atom acceptor. În urma acceptării
acestui electron, atomul acceptor devine ion negativ.
94
 3 Proprietăţile semiconductoarelor
Spre deosebire de metale, în cazul temperaturilor uzuale,
rezistivitatea semiconductoarelor scade pe măsură ce temperatura
creşte. Pe baza acestei proprietăţi se realizează termistoarele,
termoelementele, straturile termoemisive etc. Creşterea gradului de
impurificare voită (dopare) sau accidental (impurităţi necontrolate)
determină o creştere a conductivităţii semiconductoarelor. Astfel, la
temperatura normală, Ge pur are rezistivitatea de 0,47 Ω, iar
impurificat cu atomi de Sb în raportul 1:810 reprezintă o
rezistivitate de numai 0,04 Ω. Dacă însă concentraţia impurităţilor
depăşeşte o anumită valoare, mobilitatea purtătorilor de sarcină şi
deci conductivitatea semiconductoarelor are tendinţă de scădere.
Proprietăţile electrice ale unui material semiconductor se modifică
din cauza impurităţilor, câmpurilor electrice sau luminii, de aceea
dispozitivele făcute din materiale semiconductoare pot fi folosite
pentru amplificarea, transformarea sau conservarea energiei.
În funcţie de natura şi concentraţia impurităţilor, se realizează
o mare varietate de dispozitive semiconductoare: diode, tranzistoare
etc. Odată creşterea intensităţii câmpului electric, creşte
probabilitatea de tranziţie a electronilor de pe nivelele donoare (sau
din banda de valenţă) în banda de conducţie. Astfel, creşte
concentraţia purtătoarelor de sarcină din banda de conducţie şi, deci,
conductivitatea corpului. Anumite cristale (sulfuri de zinc)
reprezintă, sub acţiunea câmpului electric, fenomenul de
luminiscenţă. În cazul existenţei unei joncţiuni, lărgirea stratului de
blocare şi, deci, rezistenţa electrică a acestuia depind atât de
intensitatea câmpului electric, cât şi de sensul câmpului electric
stabilit prin corp. Această proprietate este utilizată îndeosebi la
fabricarea diodelor redresoare, tranzistoarelor, fotoelementelor etc.
Acţiunea câmpurilor magnetice exterioare asupra materialelor
semiconductoare se manifestă prin fenomenul de magnetizare,
efectul Hall şi efectul magnetostrictiv.
Efectul magnetostrictiv direct constă în modificarea
dimensiunilor unui corp sub acţiunea unui câmp magnetic.

95
Semiconductoarele se utilizează ca materiale magnetostrictive
datorită valorilor mari ale rezistivităţii lor.
Efectul Hall constă în apariţia unei tensiuni electrice Uh între
feţele laterale ale unei plăci semiconductoare de grosimea d
parcursă de curentul I şi situată într-un câmp magnetic de inducţie
B, perpendicular pe ea:
Uh =RhBI/d.
Mărimea Rh, numită constanta Hall, variază mult mai puţin
decât în cazul metalelor, motiv pentru care semiconductoarele se
utilizează la fabricarea generatoarelor Hall, cu aplicaţii în măsurarea
câmpului magnetic, a intensităţii câmpului electric, a puterii, în
amplificare, în telecomenzi etc.
De asemenea, se produce un fenomen magnetostrictiv invers:
prin modificarea dimensiunilor semiconductorului se produce o
variaţie a câmpului magnetic în care se află acesta.
Efectul piezoelectric este însoţit de apariţia unor sarcini
electrice pozitive şi negative pe feţele opuse ale unei plăci
semiconductoare, supuse unor solicitări mecanice – este utilizat la
fabricarea traductoarelor de presiune, a forţelor, acceleraţilor, a
generatoarelor de ultrasunete etc. Este prezent doar în cazul
semiconductorilor piezoelectrici.

4 Utilizarea materialelor semiconductoare

Doparea precisă a elementelor semiconductoare, în vederea
obţinerii joncţiunilor, a permis realizarea diodelor semiconductoare,
tranzistoarelor, varistoarelor, elementelor electroluminiscente,
tiristoarelor etc.
Semiconductoarele cu sensibilitate mare la acţiunea
temperaturii se utilizează la fabricarea termistoarelor,
termoelementelor, a elementelor termoemisive etc.
Materialele semiconductoare se mai utilizează la fabricarea
tuburilor fotoelectrice, a celulelor fotoconductoare şi fotovoltaice, a
fototranzistoarelor, a elementelor luminiscente şi fotorescente etc.
Diodele semiconductoare sunt dispozitive cu o singură
jonctiune p–n. Se realizează în mai multe variante: diode redresoare,

96
varicap, pentru frecvenţele ultraînalte etc. Diodele redresoare se
obţin din Ge, Si, GaAs, Se etc. Diodele cu Si de mică putere
(obţinute prin difuzie) se utilizează în instalaţii cu curenţi slabi
(receptoarele de televiziune), iar cele de mare putere, obţinute
printr-o tehnologie planară, în instalţii de redresare pentru curenţi
intenşi. Diodele cu contact punctiform se realizeza dintr-o pastilă de
Ge dopat cu Sb (cu rezistivitatea de 0,01…0,05 Ωm) şi un fir de
wolfram sau aur. Diodele de frecvenţă ultraînaltă sunt diode
punctiforme realizate din Ge sau Si de rezistivitate redusă şi cu fir
de aur de circa 3 µm diametrul. Diodele Zener se realizează din Si,
cu joncţiune de suprafaţă.
Tranzistoarele sunt constituite dintr-un strat p sau n puternic
dopat, numit emitor E, un strat dopat mediu şi cât mai subţire
posibil, baza B, şi un strat p sau n de concentraţie mai redusă numit
colector C. Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) au impedanţa
mare la intrare şi zgomot foarte redus, se realizează cu grila
joncţiune sau cu grila izolată.
Tiristoarele sunt dispozitive cu trei jonctiuni p-n-p-n, obţinute
prin difuzia unilaterală sau bilaterală în cristalul de tip p sau n a
unor impurităţi acceptoare sau donoare. Tiristoarele de putere se
construiesc, de regulă, prin difuzia bilaterală a unor impurităţi
acceptoare într-un semiconductor de tip n urmat de aliere sau
difuzia unei noi impurităţi donoare. Se utilizează în circuitele de
comutaţie, la celulele de redresare cu electrod de comandă etc.
Elementele electroluminiscente se caracterizează prin
apariţia, la introducerea lor într-un câmp electric, a unor radiaţii
luminoase. Se obţin din sulfura de zinc sau de cadmiu, activate cu
Cu, Ag, Mn sau cu unul dintre constituenţii aflaţi în exces. Se
realizează panouri electroluminescente, ecrane pentru osciloscoape,
televizoare etc.
Varistoarele sunt dispozitive puternic neliniare, realizate pe
bază de carbură de Si (CSi). Pulberea de CSi în amestec cu o
substanţă ceramică sau o răşină termorigidă (şellac, epoxid) este
presată şi arsă. Deoarece rezistenţa varistoarelor scade foarte mult
odată cu creşterea tensiunii, ele se utilizează în construcţia

97
descărcătoarelor cu rezistenţă variabilă de înaltă şi joasă tensiune
pentru protecţia maşinilor şi transformatoarelor electrice, a
instalaţiilor de telecomunicaţie etc.
Termistoarele sunt rezistoare neliniare. Termistoarele se
realizează în formă de bare, discuri sau perle, în funcţie de domeniul
de utilizare. Sunt utilizate ca stabilizatoare de tensiune sau
limitatoare de curent. Perlele introduse în tuburi de sticlă se
utilizează pentru măsurarea temperaturii sau ca relee de timp.
Perlele înconjurate de o rezistenţă parcursă de curentul electric şi
introduse într-un balon de sticlă vidat se utilizează ca dispozitive de
reglaj.
Termoelementele reprezintă conbinaţii din două
semiconductoare sau dintr-un semiconductor şi un metal, lipite între
ele la cele două capete şi dispuse la temperaturi diferite. Se
realizează din TeSb, SeBi , TeBi, PbTe, PbSe , PbSb , SnSb , CoSb
etc.
Straturile termoemisive se obţin din oxizi ai metalelor
alcalino-pământoase şi constituie catozii tuburilor electronice cu
emisie la cald, lucrul mecanic de extracţie a electronilor fiind mai
redus decât în cazul catozilor (metalici) cu emisie la rece.
Generatoarele Hall şi dispozitivele pe bază de ferite
reprezintă aplicaţiile cele mai importante ale semiconductoarelor
sensibile la acţiunea câmpului magnetic. Se utilizează HgSe,HgTe,
InAs, InSb, etc. Generatoarele Hall se utilizează pentru măsurarea
inducţiei magnetice, a curentului continuu de intensitate mare, a
cuplului motoarelor electrice, a puterii în c.c. etc.
Tuburile fotoelectrice. Construcţia lor se bazează pe efectul
fotoelectric interior: iluminate, ele îşi modifică conductivitatea
electrică şi determină, astfel, variaţii ale curenţiilor electrici care
le parcurg. Se confecţionează prin depunerea pe un grătar metalic a
unui strat semiconductor de Se, TeS, CdS, CdSe, PbS, PbSe etc. Se
utilizează la instalţiile de semnalizare, protecţie, comandă etc.
Celulele fotovoltaice cuprind fotoelementele, fotodiodele şi
fototranzistoarele. Fotoelementele se deosebesc de toate tipurile de
dispozitive fotoelectrice prin faptul că nu conţin surse de alimentare

98
cu tensiune electrică. Astfel, un fotoelement de dimensiuni relativ
reduse poate genera sub acţiunea radiaţiilor luminoase, o tensiune
electromotoare de 0,5V (respectiv o putere de 22,5mW în circuitul
de sarcină).
Prin gruparea mai multor fotoelemente se pot obţine baterii
solare cu un randament al transformării energiei luminoase în
energie electrică de 11%. Fotodiodele au zone sensibile la radiaţii
luminoase situate în interiorul materialului semiconductor. Se obţin,
prin aliere, tragere etc., din Ge, Si. Fototranzistoarele, având una din
joncţiunile p–n expuse radiaţiilor luminoase, se realizează din
aceleaşi materiale ca şi fotodiodele. Luminoforii şi fosforii se
utilizează la fabricarea dispozitivelor cu fluorescenţă sau
fosforescenţă, a ecranelor tuburiilor catodice, a lămpilor
fluorescente, a panourilor luminoase. Luminoforii utilizaţi în
tehnică se obţin din sulfuri, selenuri, silicaţi, wolframaţi, boraţi etc.
activaţi cu Cu, bismut, mangan etc.
Traductoarele piezoelectrice se realizează din materiale
semiconductoare a căror structură nu prezintă un centru de simetrie
al sarcinilor punctuale, de exemplu GaAs, InSb etc. În practică sunt
des intâlnite traductoare piezoelectrice realizate din cuarţ sau
turmalină, materiale care, după cum se ştie, fac parte din clasa
izolanţilor. Se utilizează pentru măsurarea presiunii, a forţelor şi
acceleraţilor în tensometrie, defectoscopie etc. Traductoarele de
presiune – rezistenţa electrică se realizează din granule
(microfoane) sau discuri subţiri (traductoare industriale) din
carbune, plasate între două plăci conductoare şi care îşi modifică
rezistenţa electrică sub acţiunea solicitărilor mecanice (statice sau
dinamice). Asemenea dispozitive se utilizează în construcţia
accelerometrelor, în telefonie, pentru înregistrarea informaţiei etc.
În afara aplicaţiilor prezentate, materialele semiconductoare se
utilizează la fabricarea circuitelor integrate (monocristale care
conţin rezistoare, diode, tranzistoare), a laserilor, a instalaţiilor
frigorifice, a termoelementelor, a modelatoarelor de radiaţii
infraroşii, a celulelor fotoelectromagnetice, la măsurarea distanţelor
submicroscopice etc.

99
Întrebări de control

1 Prin ce purtători de sarcină se asigură conductivitatea

materialelor semiconductoare?
2 Definiţi semiconductoarele extrinseci şi intrinseci.
3 Cum se clasifică semiconductoarele în funcţie de atomii de
impuritate cu care sunt dopaţi?
4 Cum poate fi obţinut materialul semiconductor de tip N?
5 Cum poate fi obţinut materialul semiconductor de tip P?
6 Enumeraţi proprietăţile materialelor semiconductoare.
7 Prin ce fenomene se manifestă acţiunea câmpurilor magnetice
exterioare asupra materialelor semiconductoare?
8 În ce constă efectul magnetostrictiv în materialele
semiconductoare?
9 În ce constă efectul Hall şi unde se utilizează?
10 Pentru ce se utilizează materialele semiconductoare?

100
 Tema 16 CABLAJELE IMPRIMATE ŞI MONTAREA
COMPONENTELOR PE SUPRAFAŢĂ

Planul temei:
1 Generalităţi
2 Clasificarea cablajelor imprimate
3 Metode şi tehnologii de realizare a cablajelor imprimate
4 Realizarea cablajelor imprimate prin metodele de
corodare
5 Realizarea cablajelor imprimate multistrat
6 Tehnologia montării pe suprafaţă

1 Generalităţi
Utilizarea cablajelor (circuitelor) imprimate constituie
actualmente soluţia constructivă cea mai performantă şi mai
răspândită de interconectare a componentelor în circuitele
electrice/electronice din montaje, aparate şi echipamente
electronice*. Principalele avantaje ale cablajelor imprimate sunt:
- realizează o bună densitate de montare a componentelor,
permiţând reducerea volumului şi greutăţii aparatelor electronice;
- asigură poziţionarea precisă şi fixă a pieselor şi
interconexiunilor acestora în circuite, permiţând creşterea fiabilităţii
în funcţionare şi reducerea /compensarea cuplajelor parazite dintre
componente şi/sau circuite;
- simplifică şi reduc durata operaţiilor de montaj, facilitând
automatizarea acestora, reducând posibilităţile de montare eronată şi
asigurând un înalt grad de reproductibilitate;
- fac posibilă unificarea şi standardizarea constructivă a
subansamblurilor funcţionale din structura aparatelor/
echipamentelor electronice, permiţând interconectarea rapidă,
simplă şi fiabilă a acestora.

*Folosite pentru prima data în 1945 (în aparatura militară), cablajele

imprimate au înlocuit, treptat şi pretutindeni, vechile cablaje "spaţiale", filare
(conventionale), introducând modificări importante în construcţia şi tehnologia
echipamentelor electronice atât profesionale, cât şi de larg consum.
101
 Există, totuşi, şi unele dezavantaje ale cablajelor imprimate:
- orice modificări ulterioare ale circuitului sunt relativ dificil
de realizat;
- majoritatea tipurilor de cablaje imprimate sunt sensibile la
şocul termic, ceea ce impune unele precauţii la lipirea terminalelor
componentelor.
Principalele materiale electroizolante utilizate ca suport al
circuitelor imprimate sunt prezentate în schema din figura 16.1.

MATERIALE DIELECTRICE UTILIZATE LA

FABRICAREA CABLAJELOR IMPRIMATE

PE BAZA TEXTURII DE HÂRTIE

IMPREGNATĂ CU RĂŞINI FENOLICE
(PERTINAX)

PE BAZA TEXTURII DIN FIBRĂ DE STICLĂ

IMPREGNATĂ CU RĂŞINI EPOXIDICE
(STICLOTEXTOLIT)

Figura 16.1 Principalele materiale electroizolante utilizate ca

suport al circuitelor imprimate

În ultimul timp, pentru realizarea cablajelor profesionale sunt

utilizate şi suporturi ceramice, având proprietăţi termice excelente,
dar şi rezistenţă mecanică redusă.

102
 Circuitele imprimate flexibile utilizează drept suport materiale
termoplaste ca: ACLAR (max. 200C), TEFLON (max. 274C),
KAPTON (max. 400C).
Traseele conductoare se realizează din materiale, având
proprietaţi adecvate: rezistivitate electrică redusă, sudabilitate bună,
rezistenţă mare la coroziune. În general, cel mai frecvent utilizat
material este cuprul electrolitic de înaltă puritate, formând o folie de
grosimi normalizate uzuale: 35 m sau 70 m aplicată pe suprafaţa
suportului electrolitic izolant (împreună cu care formează
semifabricatul "placat" din care, prin operaţii tehnologice specifice,
se obţin cablajele imprimate, având diferite structuri, configuraţii,
dimensiuni etc.).
În unele aplicatii profesionale se poate utiliza şi aurul,
argintul sau nichelul. În scopul facilitării lipirii terminalelor
componentelor, cât şi pentru asigurarea unor contacte electrice
fiabile, folia de cupru se acoperă uneori cu o peliculă de cositor, de
aur sau de argint.
Adezivii utilizaţi pentru fixarea foliei de cupru pe suportul
electroizolant de tip Pertinax, de regulă, răşini speciale, trebuie să
reziste la temperatura de lipire şi să fie suficient de elastici (pentru a
prelua, la lipire, diferenţele de dilatare dintre suport şi folie).
Materialele electroizolante de tip Sticlotextolit nu necesită
adezivi. Semifabricatele placate cu cupru se produc la diferite
dimensiuni, mai frecvente fiind: 900 x 900 mm sau 900 x 1800 mm.
Din acestea se debitează plăcile cu viitoarele cablaje imprimate ale
caror dimensiuni nu trebuie să depăşeasca (240 x 360) mm2 - pentru
cablajele simplu/dublu strat şi (200 x 240) mm2 - pentru cablajele
multistrat, astfel încât procesul tehnologic de realizare a acestora să
nu devină prea dificil.

2 Clasificarea cablajelor imprimate

În figura 16.2 se dă o clasificare a cablajelor imprimate după
numărul planelor în care sunt amplasate traseele conductoare,
precum şi după caracteristicile mecanice ale suportului izolant:

103
cablaje cu o faţă, cablaje dublu faţă, cablaje multistrat, cablaje cu
suport flexibil.

CLASIFICAREA CABLAJELOR IMPRIMATE

CABLAJE CU O FAŢĂ

CABLAJE DUBLU FAŢĂ

CABLAJE MULTISTRAT

CABLAJE CU SUPORT FLEXIBIL

Figura 16.2 Clasificarea cablajelor imprimate

Cablajele cu o faţă ("cablaje simplu strat " sau "cablaje

monostrat") - sunt cele mai vechi si mai frecvent utilizate cablaje
imprimate, fiind destinate, în special aparaturii electronice de larg
consum. Au cel mai simplu proces tehnologic de fabricaţie şi cele
mai reduse costuri de productie, dar nu permit obţinerea de mari
densitaţi de montaj, motiv pentru care ponderea lor pe ansamblul
producţiei de cablaje imprimate este în scădere.
Cablajele dublu faţă ("cablaje dublu strat") - sunt actualmente
cele mai utilizate în construcţia aparatelor şi echipamentelor
electronice profesionale, întrucât asigură o densitate ridicată de
montaj, la un preţ de cost relativ scăzut. Procesul tehnologic de
realizare este însă mai complex, implicând, în unele cazuri, şi
metalizarea găurilor în care se implantează terminalele
componentelor.
104
 Cablajele multistrat - sunt destinate exclusiv echipamentelor
electronice profesionale, întrucât asigură o densitate de montaj şi
proprietaţi electrice superioare tuturor celorlalte tipuri (permiţând
interconectarea mai simplă a numeroase circuite integrate de tip LSI
sau VLSI). Dar procesul lor tehnologic de realizare este complex şi
costisitor, întrucât metalizarea găurilor este mult mai dificilă.
Cablajele cu suport flexibil - au tendinţa de a înlocui atât
cablajele imprimate rigide, cât şi "formele de cablu" (compuse din
diferite tipuri de conductoare) care interconectează subansamblurile
echipamentelor electronice.
Cablajele imprimate flexibile au numeroase avantaje:
- sunt mai uşoare şi mai puţin voluminoase decât cele rigide,
fiind destinate în principal echipamentelor la care greutatea şi
volumul sunt esenţiale, de exemplu aparatele electronice
aerospaţiale, calculatoarele electronice etc.;
- permit realizarea unor mari densităţi de montaj şi obţinerea
unei fiabilităţi superioare în exploatare, reducând mult, sau chiar
eliminând, posibilitatea cuplajelor parazite între circuite;
- formează un sistem de interconectare tridimensional, întrucât
nu numai că pot fi, eventual, îndoite, răsucite şi deplasate, dar pot
avea orice geometrie (spre deosebire de cablajele rigide, având, de
regulă, formă dreptunghiulară).
Dar lipirea componentelor pe astfel de cablaje este, de regulă,
mai avantajoasă dacă se efectuează manual (deci, cu o productivitate
relativ scazută) şi nu automat.

3 Metode şi tehnologii de realizare a cablajelor imprimate [16]

Pentru realizarea cablajelor imprimate, cu mijloace industriale

sau artizanale, se pot utiliza peste 30 metode (tehnologii) diferite ce
pot fi, totuşi, grupate în două mari categorii, principial opuse
(fig. 16.3):

105
 METODE DE REALIZARE A
CABLAJELOR IMPRIMATE

METODE SUBSTRACTIVE METODE ADITIVE

METODE FOTOGRAFICE

METODE SERIGRAFICE

METODE OFFSET

Figura 16.3 Metode (tehnologii) de realizare a

cablajelor imprimate
Metodele substractive ("de corodare") - implică prelucrarea
unui semifabricat placat cu cupru şi obţinerea traseelor circuitului
imprimat prin înlăturarea unor porţiuni din folia electroconductoare
aderentă la suportul electroizolant. Aceste zone pot fi îndepărtate pe
cale chimică (prin corodare), având în prezent cea mai mare pondere
pe ansamblul cablajelor imprimate fie pe cale mecanică, prin
segmentarea şi eliminarea foliei.
Metodele aditive ("de depunere") - impună metalizarea unui
semifabricat din material electroizolant neplacat. Din această
categorie fac parte: metoda electrochimică, metoda transferului,
metoda arderii în cuptor, metoda pulverizării catodice şi termice etc.
Actualmente, predomină metodele substractive, dar a apărut şi
o tendinţă de extindere a metodelor de depunere, având în vedere
necesitatea reducerii consumului de cupru.
Există şi o a treia categorie de metode mai rar folosite,
"metodele combinate", în care se folosesc tehnologii specifice atât
ale metodelor substractive, cât şi ale celor aditive.

106
 Aproape în toate cazurile este necesară transpunerea
configuraţiei circuitului de realizat de pe un desen pe semifabricatul
de prelucrat. Această operaţie se realizeaza industrial, prin metode
fotografice, serigrafice sau offset, iar artizanal prin desenare
manuală sau vopsire cu şablon şi pensulă (sau pulverizator).

4 Realizarea cablajelor imprimate monostrat prin

metodele de corodare
În prezent, cablajele imprimate se realizează aproape exclusiv
prin metode de corodare, transpunerea desenului pe folia de cupru,
realizându-se fie prin fotografiere, fie prin serigrafiere. Orice proces
tehnologic de realizare a cablajelor imprimate prin metodele de
corodare traversează urmăoarele etape principale (fig.16.4):
- realizarea desenului de cablaj (la o scară mărită, între 2:1 - la
cablajele normale, şi 4:1 - pentru cablajele de mare fineţe) pe hârtie
specială, conform principiilor de proiectare a cablajelor imprimate.
Traseele conductoarelor imprimate se desenează la calculator,
obţinându-se astfel originalul desenului cablajului imprimat
("fotooriginalul");

ETAPELE PROCESULUI DE REALIZARE A

CABLAJELOR IMPRIMATE

REALIZAREA DESENULUI

REALIZAREA FOTOŞABLONULUI

TRANSPUNEREA DESENULUI CABLAJULUI PE

SUPORTUL PLACAT

PRELUCRĂRI MECANICE

Figura 16.4 Etapele de bază ale unui proces tehnologic de

realizare a cablajelor imprimate
107
 - realizarea filmului fotografic ("fotoşablonului" sau "măştii")
prin fotografierea fotooriginalului pe film de mare contrast şi cu
reducere corespunzatoare a formatului (la scara desenului), astfel
încât negativul foto obţinut să rezulte în marime naturală;
- transpunerea (imprimarea) imaginii cablajului de pe filmul
fotografic pe suportul placat cu cupru fie prin metoda fotografică,
fie prin metoda serigrafică;
- efectuarea unor prelucrări mecanice adecvate (după
realizarea corodării): găurire, tăiere (decupare) etc. urmate de
realizarea unei acoperiri de protecţie (lăcuire).

Metoda fotografică
În cazul transpunerii imaginii cablajului imprimat de pe film
(fotoşablon) pe semifabricatul placat prin metoda fotografică,
principalele etape ale procesului tehnologic respectiv sunt date în
figura 16.5.

TRANSPUNEREA IMAGINII PE SUPORTUL PLACAT PRIN

FOTOGRAFIERE

PREGĂTIREA SUPORTULUI PLACAT

ACOPERIREA SUPORTULUI PLACAT CU FOTOREZIST

EXPUNEREA LA LUMINĂ PRIN FOTOŞABLON

DEVELOPAREA, FIXAREA

ÎNDEPĂRTAREA FOTOREZISTULUI NEIMPRESIONAT

CORODAREA

ACOPERIREA CU STRATUL DE PROTECŢIE

Figura 16.5 Transpunerea imaginii pe semifabricatul placat prin

fotografiere
108
 Această metodă permite obţinerea unor rezoluţii şi precizii
maxime, deci a unor trasee fine de cablaj, dar are dezavantajul
productivitaţii scăzute şi este costisitoare. În consecinţă, se
utilizează cu precădere în producţia de serie mică şi de unicate.
Rolul acestor etape în transformarea semifabricatului placat reiese
din figurile 16.6-16.8.
Folie de cupru

Suport
Fotorezist izolant

Figura 16.6 Pregătirea şi acoperirea foliei de cupru a

semifabricatului placat
În prima fază (fig.16.6), conform primelor două etape
reprezentate în figura 16.5, după o spălare şi o degresare prealabilă a
foliei de cupru, aceasta se acoperă cu un strat fotosensibil de
FOTOREZIST.
În faza următoare (fig.16.7) stratul de fotorezist se expune la
lumină prin intermediul fotoşablonului (realizat anterior, ca mai
sus), transferându-se astfel configuraţia circuitului imprimat de
realizat pe folia de cupru.
Sursă de
lumină
ultravioletă

Fotorezist
Suport
izolant
Folie de
cupru

Figura 16.7 Prelucrarea stratului de fotorezist negativ (prin expunere,

developare-fixare şi îndepărtare a zonelor neexpuse luminii)
109
 După developarea şi fixarea fotografică, anumite zone din
fotorezist devin insolubile, iar celelalte pot fi dizolvate şi îndepărtate
cu ajutorul unui solvent special. Astfel, la fotorezistul negativ,
porţiunile expuse la lumină polimerizează şi devin insolubile, spre
deosebire de fotorezistul pozitiv la care zonele neexpuse luminii
devin insolubile.
Se obţine astfel, în primul caz (fig.16.7), o acoperire a foliei
de cupru cu fotorezist doar în zonele corespunzatoare porţiunilor
transparente ale fotoşablonului. Stratul rămas se fixează pentru a-i
mări rezistenţa la reactivul de corodare.
Urmează, conform ultimelor două etape reprezentate în figura
16.5, faza de prelucrare a foliei de cupru (fig.16.8).
Soluţie de corodare

Un element
de comutaţie
din cupru
cupru

Figura 16.8 Prelucrarea foliei de cupru prin corodare

Cea mai importantă etapă constă în corodare (specifică
metodelor substractive), implicând imersarea semifabricatului placat
într-o cuvă (de dimensiuni adecvate) cu clorură ferică. Aici au loc
reacţii chimice care determină corodarea şi îndepărtarea foliei de
cupru numai în zonele neacoperite cu stratul protector de fotorezist
(fig.16.8), corespunzând, în cazul fotorezistului negativ, zonelor
neexpuse la lumină (deci, porţiunilor opace ale fotoşablonului).

110
Corodarea se consideră încheiată când în zonele neacoperite de
fotorezist apare suportul electroizolant al semifabricatului.
După corodare se efectuează succesiv:
- îndepărtarea stratului protector de fotorezist (depus pe
traseele circuitului imprimat);
- debitarea/decuparea plăcii la dimensiunile finale;
- efectuarea găurilor necesare montării componenetelor pe
placă şi a plăcii în aparat/echipament;
- debavurarea muchiilor plăcii şi a găurilor;
- curăţarea (cu apă caldă şi spirt);
- lăcuirea, în scopul asigurării protecţiei anticoroziune şi al
facilitării efectuării lipirilor cu cositor.
Se obţine astfel un produs finit - o placă cu cablaj imprimat
(sau cu "circuite imprimate"), pe care urmează să se monteze (prin
implantare şi lipire) toate componentele pasive şi active prevăzute.

Metoda serigrafică
Transpunerea imaginii cablajului imprimat de pe fotoşablon
pe semifabricatul placat se poate efectua şi prin metoda serigrafică.
Principalele etape ale metodei serigrafice sunt indicate în figura
16.9. Deşi această metoda realizează unii parametri calitativi
inferiori celor obtinuţi prin metoda fotografică (rezoluţie: 1,5 mm în
loc de 0,5 mm; precizie: 0,3 mm în loc de 0,15 mm), ea este larg
utilizată în producţia industrială de mare serie a cablajelor
imprimate, întrucât asigură obţinerea unei productivitaţi maxime şi a
unui preţ de cost mai redus, permiţând, totodată, automatizarea
totală a procesului tehnologic respectiv.
În acest caz, configuraţia cablajului imprimat de realizat este
protejată contra corodării prin aplicarea unui strat de
vopsea/cerneală serigrafică specială, cu ajutorul unei "site
serigrafice" specifice.
Această sită (sau "şablon") este de regulă o "pânză" cu ochiuri
foarte fine şi bine întinsă pe o ramă dreptunghiulară, având
dimensiunile mai mari decât cele ale plăcii cu cablaj imprimat.

111
 TRANSPUNEREA IMAGINII PE SUPORTUL
PLACAT PRIN SERIGRAFIERE

PREGĂTIREA SUPORTULUI PLACAT

REALIZAREA SITEI SERIGRAFICE

ACOPERIREA SUPORTULUI PLACAT CU

CERNEALĂ SERIGRAFICĂ

CORODAREA DESENULUI

DEPUNEREA STRATULUI DE PROTECŢIE

Figura 16.9 Transpunerea imaginii pe semifabricatul

placat prin serigrafiere

Realizarea sitei serigrafice implică obturarea anumitor ochiuri

în scopul transpunerii imaginii alb/negru de pe filmul fotografic într-
o imagine cu ochiuri obturate, respectiv libere, pe sită. În acest scop,
pe sita nouă (având toate ochiurile libere) se aplică mai întâi un strat
fotosensibil din FOTOREZIST, care este expus la lumină prin
intermediul fotoşablonului pozitiv (conţinând configuraţia cablajului
imprimat). În ochiurile iluminate, fotorezistul polimerizează şi se
întăreşte (fixându-se pe sită şi obturându-i ochiurile), în timp ce în
zonele neluminate fotorezistul poate fi îndepărtat (prin spălare cu
apă caldă), permiţând reapariţia ochiurilor libere. Astfel, sita devine
un "negativ", conţinând imaginea cablajului imprimat.
În etapa urmatoare, această imagine se transpune (imprimă) pe
folia de cupru a semifabricatului placat.
Pentru aceasta, sita se pune în contact direct cu folia, iar pe
cealaltă faţă a sitei se aplică vopsea/cerneală serigrafică prin
întindere, pe întreagă suprafaţă a sitei, cu ajutorul unei raclete
(şpaclu) speciale (fig.16.10). Translatând această racletă, cerneala
serigrafică va pătrunde prin ochiurile rămase libere ale sitei,
112
imprimându-se pe folia de cupru, zona ochiurilor obturate ramânând
neacoperită cu cerneală.
Astfel, pe folia de cupru se obţine o imagine "pozitivă" şi în
relief a cablajului imprimat, realizată cu ajutorul vopselei/cernelei
serigrafice. După uscarea acesteia are loc corodarea şi celelalte
operaţii indicate pentru metoda fotografică.
În producţia de serie, conform metodei serigrafice, a cablajelor
imprimate, se utilizează maşini specializate - manuale, semiautomate
sau automate.

Sita serigrafică (şablon)

Imprimarea prin intermediul sitei serigrafice cu cerneală

serigrafică (1) întinsă cu racleta (2)
Figura 16.10 Principiul imprimarii serigrafice

5 Realizarea cablajelor imprimate multistrat

În prezent există câteva sute de metode pentru realizarea
cablajelor imprimate multistrat, diferenţa dintre ele constând, în
principal, în modul de realizare a conexiunilor electrice la straturi.
Practic, se utilizează două grupe de procedee de interconectare
(fig.16.11):
- procedee chimice ("de galvanizare");
- procedee mecanice (prin sudură, lipire, nituire).

113
 METODE DE REALIZARE A
CABLAJELOR IMPRIMATE

PROCEDEE CHIMICE PROCEDEE MECANICE DE

DE INTERCONECTA- INTERCONECTARE A
RE A STRATURILOR STRATURILOR

Figura 16.11 Metode de realizare a cablajelor imprimate

multistrat

Peste 80% din cablajele multistrat produse în prezent în lume

sunt realizate pe baza procedeelor chimice care au următoarele
avantaje:
- permit interconectarea unui număr mare de straturi;
- asigură o densitate ridicată de montaj a componentelor
electronice;
- sunt compatibile cu automatizarea.

Diferenţele existente între cele două grupe de procedee din

punct de vedere al obţinerii unei găuri metalizate reies şi din figura
16.12 care reprezintă structura unui cablaj cu 2 straturi conductive
cuprinse între 3 straturi izolante ("suporturi dielectrice").
Unele găuri sunt în contact cu primul strat, iar altele cu al
doilea strat, conectarea realizându-se prin procedee chimice sau prin
procedee mecanice.
De regulă, metalizarea găurilor se face aplicând procedee
chimice, însă pot fi utilizate şi procedee mecanice. Cel mai răspândit
procedeu mecanic de "metalizare" a găurilor constă în introducerea
unor capse metalice (având lungimea puţin mai mare decât grosimea
stratului izolant) în găurile cablajului finit, urmată de bercluirea
(răsfrângerea) ambelor extremităţi ale capsei. Este evident că acest
procedeu comportă numeroase inconvenienţe: este laborios şi puţin
fiabil (întrucât probabilitatea unui contact perfect între capsă şi
conductorul imprimat este destul de redusă), implică toleranţe foarte
114
strânse pentru găuri şi capse, necesită un consum relativ ridicat de
materiale (capse) etc.
În consecinţă, este mai avantajoasă realizarea pe cale chimică
a cablajelor imprimate multistrat (şi a găurilor metalizate
respective).

Suport Metalizare
dielectric Conductor
imprimat

capsa
Figura 16.12 Tipuri uzuale de cablaje imprimate multistrat

6 Tehnologia montării pe suprafaţă [17]

Particularităţile montării componentelor ataşabile
Tehnologia montării pe suprafaţă (Surface Mount
Technology, SMT) este o tehnologie de asamblare a dispozitivelor
electronice prin lipirea componentelor direct pe suprafaţa cabaljului
circuitului electric, urmând tehnologia clasică prin inserţie
(Through-hole Technology, THT), astfel încât aceste dispozitive
care folosesc montarea pe suprafaţă se numesc SMD (Surface
Mount Device), iar componentele electronice lipite (montate) pe
suprafaţă se numesc SMC (Surface Mount Components).

115
 Tipuri de SMC
Ca şi în cazul componentelor electronice folosite în tehnologia
prin inserţie (THT) şi în tehnologia SMT avem aceleaşi dispozitive,
doar că au o altă geometrie şi, evident, arată altfel. SMC pot fi
împărţite după mai multe criterii (de exemplu: statice şi dinamice),
însă cel mai simplu este să le împărţim după tipul lor:
Condensatoarele SMC
Condensatoarele SMC, la fel ca orice alte condensatoare, au
rolul de a înmagazina energie electrică şi de a alimenta sistemul
pentru scurte perioade de timp, astfel încât acestea sunt folosite
pentru majoritatea tipurilor de circuite, de la oscilatoare la filtre
(unde reţinând energie din sistem, condensatoarele pot să reţină şi
energia semnalului parazit, de exemplu).
Constructiv, un condensator SMC este fabricat din substratul
electric, în speţă un material semiizolator cu proprietăţi de
acumulare a energiei, şi din două mici contacte electrice, pe părţile
geometric opuse ale condensatorului, unde se vor efectua lipiturile.
Rezistenţele SMC
Rezistenţele SMC au acelaşi rol ca şi rezistenţele THC, şi
anume, atenuează semnalul electric. Acest lucru este dorit, de
exemplu, la adaptarea electrică a două circuite electrice aflate unul
după celălalt sau la filtre.
Constructiv, o rezistenţă SMC este un dispozitiv foarte
simplu, ce constă dintr-un material slab conductor electric (de unde
şi rolul de atenuare), în capete având două contacte electrice unde se
vor efectua lipiturile.
În imaginea următoare se pot observa atât rezistenţe, cele cu
cifre pe ele, cât şi condensatoare, parte dintr-un dispozitiv SMD.

116
 Figura 16.13 Rezistoare şi condensatoare SMC

Diodele SMC, ca şi THC, au roluri şi funcţii multiple, de la

redresare la detectare (a prezenţei unui semnal). Constructiv, o
diodă SMC este constituită dintr-o aşchie de siliciu (numită cip) cu
proprietăţi electrice puţin diferite, numite joncţiuni p (pozitiv, în
lipsa unor electroni – sau: exces de protoni) şi n (negativ, de la
excesul de electroni), luate împrenuă: p – n şi n – p.
Din punct de vedere mecanic, o diodă poate fi compărată cu o
supapă cu un singur sens de trecere. O diodă are următorii
parametri:
- tensiunea de prag sau tensiunea de deschidere şi reprezintă
tensiunea electrică minimă care permite deschiderea "supapei"
electrice;
- curentul maxim direct sau intensitatea maximă a curentului
ce, trecând prin diodă, nu va afecta echilibrul dintre zona cu exces
de protoni şi cu exces de electroni;
- tensiunea maximă inversă reprezintă tensiunea maximă ce
poate fi aplicată diodei, în sens invers din punct de vedere electric,
fără ca aceasta să se distrugă. Este opusul electric al tensiunii de
deschidere.
În imaginea următoare, în prim-plan, se observă o diodă SMC.
Pe fundalul figurii observăm nişte condensatoare SMC.

117
 Figura 16.14 Condensatoare şi o diodă SMC (cu marcare pe
suprafaţă)

Una dintre cele mai mari invenţii umane, tranzistorul, a fost

inventat în 1947. Acesta este o combinaţie între două diode, la
nivelul cristalului din substrat, având joncţiuni p–n–p sau n–p–n.
Interesant este că, prin controlul proprietăţilor electrice ale
joncţiunii din mijloc (p sau n), se poate controla funcţionarea
joncţiunilor periferice (n sau p) după mai multe legi. Dacă până
acum celelalte componente erau supuse legii electrice
unidimensionale, la tranzistor legea electrică este bidimensională,
adică pot varia cel puţin doi parametri.
Din punct de vedere mecanic, un tranzistor poate fi asociat cu
o varietate mai largă de dispozitive complexe, de la valvele
controlate extern la ansamblurile pneumatice. Oricum, atât la diodă,
cât şi la tranzistor cristalul poartă denumirea de substrat. Iniţial
acesta a fost conceput din germaniu (un semimetal), apoi din siliciu
(un metaloid).
Un tranzistor are următorii parametri:
- factorul de amplificare (β) sau de câte ori creşte intensitatea
semnalului de la ieşire faţă de semnalul de intrare în funcţie de
semnalul de control;
- temperatura maximă a joncţiunilor. Spre deosebire de
celelalte componente electrice, tranzistorii se încălzesc destul de tare
118
astfel, încât, în funcţie de tipul substratului, temperatura maximă a
joncţiunilor este temperatura maximă ce o poate avea substratul fără
a-şi pierde proprietăţile electrice;
- puterea maximă disipată este aproximativ produsul dintre
tensiunea de alimentare şi curentul din fiecare joncţiune (p–n sau n–
p). Aproximativ, fiindcă o parte este radiată în natură, prin încălzire;
- curentul de colector maxim. Numerotând joncţiunile p–n–p
cu Bază, Emitor şi Colector (denumiri ce clarifică şi rolul lor),
curentul de colector este curentul maxim ce poate ieşi din tranzistor
fără ca acesta să se distrugă;
- tensiunea maximă admisă reprezintă tensiunea maximă la
care poate fi alimentat un tranzistor, fără ca acesta să se distrugă.

În figura 16.15 este dat un tranzistor. Doar anumite tipuri

speciale de diode (varicap, de exemplu) au trei pini, dar sunt mai rar
întâlnite în tehnologia SMC.

Figura 16.15 Tranzistorul SMC (în centru)

Circuitele integrate SMC

Evident, circuitele integrate au diferite forme şi dimensiuni,
cu roluri şi funcţii diverse. Actualmente, pare firesc ca un ciruit
integrat să fie lipit direct pe o faţă a plăcii. Până în prezent doar
pentru aplicaţii mai speciale (militare, medicină etc.) pinii
119
 circuitelor integrate erau trecuţi prin placa din fibră de sticlă a
cablajului, pentru o mai bună rezistenţă mecanică.
Odată cu creşterea gradului de integrare a circuitelor integrate,
s-a observat tot mai stringenta nevoie de a reduce dimensiunile
fizice ale circuitelor electronice, întrucât era posibilă dezvoltarea
unor dispozitive complexe, însă apăreau limitări date de
dimensiunile fizice, practice ale dispozitivelor. Astfel, după ani de
cercetare, au apărut primele componente SMC care, în timp, au
devenit mult mai mici decât standardul iniţial.
Integrarea în sine, conform termenului de circuit integrat, se
referă la faptul că mai multe componente electronice, de regulă
tranzistori, au fost integrate pe un singur cip de siliciu, iar gradul de
integrare este o scală ce cataloghează tipurile de circuite integrate în
funcţie de nivelul de integrare a acestor componente. Aşadar, putem
enumera:
- SSI (Small Scale Integration), sunt circuite integrate simple,
de regulă, conţinând câteva porţi logice, având până la câteva zeci de
tranzistori per cip;
- MSI (Medium Scale Integration), sunt circuite integrate
puţin mai complexe şi, de regulă, cu funcţii de suport logic,
conţinând numărătoare şi circuite basculante, combinate cu
multiplexoare sau demultiplexoare, având până la câteva sute de
tranzistori per cip;
- LSI (Large Scale Integration), sunt circuite integrate mai
complexe, de la memorii de mică capacitate până la mici controllere
sau dispozitive de interfaţă, având până la o mie de tranzistori,
precum şi alte componente (condenstatoare, diode, rezistenţe) per
cip;
- VLSI (Very Large Scale Integration), sunt circuite integrate
şi mai complexe, de genul primelor microprocesoare, astfel de
circuite având peste 10 000 de tranzistori şi alte componente
(condenstatoare, rezistenţe, bobine sau diode) per cip. De asemenea,
memoriile ROM de BIOS sau primele cipuri de memorie RAM sunt
tot circuite VLSI;

120
 - ULSI (Ultra Large Scale Integration), sunt circuite din cele
mai complexe, cu peste 100 000 de tranzistori per cip. Actualmente,
orice microprocesor, oricât de simplu, sau orice dispozitiv de
memorie este un circuit integrat ULSI. Circuitele integrate ULSI
conţin, cu siguranţă, toate componentele electronice posibile.

Întrebări de control

1 Ce reprezintă un cablaj imprimat?

2 Enumeraţi materialele dielectrice ce servesc drept suport al
unui cablaj imprimat rigid, flexibil?
3 Cum se clasifică cablajele imprimate?
4 Ce avantaje au cablajele imprimate?
5 Ce tehnologii se utilizează pentru fabricarea cablajelor
imprimate?
6 Ce material se utilizează pentru elementele de comutaţie ale
cablajelor imprimate?
7 De ce se depune un strat de protecţie pe cablajul imprimat?
8 Enumeraţi componentele ce se montează pe suprafaţa unui
cablaj imprimat.
9 Ce avantaje are tehnologia montării pe suprafaţă?
10 Ce tip de circuite integrate SMC cunoaşteţi?

121
 BIBLIOGRAFIE

1 Dragulanescu N., Miroiu C., Moraru D. A.B.C. Electronica în

imagini. Componente pasive. Bucureşti: Politehnica, 1990. –
144 p.
2 Golumbeanu V. Materiale electronice. Ciclu de prelegeri.
Bucureşti: Politehnica, 1995. – 162 p.
3 Oltean I., Nicolae Gh. Componente pasive de circuit. Braşov:
Editura „Transilvania”,1999. - 172 р.
4 Lozneanu S., Laczko A. Memoratorul radiotehnicianului. Iaşi:
Ed. Junimea, 1995.
5 Nicolau E. Manualul inginerului electronist. Radiotehnică. V.1.
Bucureşti: Tehnică, 1987.- 428 p.
6 Svasta P., Golumbeanu V., Ionescu C. şi a. Componente şi
circuite pasive. Bucureşti: Politehnica, 1999. – 119 p.
7 Gangan S. Inductoare. Îndrumar de laborator la disciplina
„Materilale şi componente în electronică”. Chişinău: UTM,
2001. – 55 p.
8 Cătuneanu V. ş.a. Materiale pentru electronică. Bucureşti. Ed.
Didactică şi Pedagogică, 1992. - 246 p.
9 Андреев В.М. Материалы микроэлектронной техники.
Москва: Радио и связь. 1989. - 349 с.
10 Корицкий Ю., Пасынков В., Тареев В. Справочник по
электротехническим материалам. Москва:
Энергоатомиздат, 1986. – 716 с.
11 Богородицкий Н., Пасынков В., Тареев Б.
Электротехнические материалы. Москва:
Энергоатомиздат, 1985. - 303 с.
12 Богородицкий Н., Пасынков В. Материалы
радиоэлектроники. Москва: Высшая школа, 1990.

122
13 Gangan S. Materiale magnetice. Chişinău: Tehnica-UTM,
2011.- 48 p.
14 Мишин Д. Магнитные материалы. Учебное пособие для
ВУЗов. Москва: Высшая школа. 1991. – 380 с.
15 Петров К. Радиоматериалы, радиокомпоненты и
электроника. Санкт-Петербург: Издательство «Питер»,
2003. - 255 c.
16 https://ru.scribd.com/doc/56526661/Curs-Materiale-Semiconductoare-
Materiale-Electrotehnice.
17 Robin Molnar. http://www.robintel.ro/muzeul-de-
informatica/notiuni-teoretice/tehnologia-montarii-pe-
suprafata/.
18 http://www.symmetron.ru/suppliers/resistors1/chip_res.shtml

123
 Anexa A

Marcarea rezistoarelor fixe pentru montarea pe

suprafaţă

1 Codul din trei cifre. Primele două cifre

indică valoarea rezistenţei în Ω, ultima cifră indică
numărul de zerouri. Se utilizează în cazul rezistoarelor din seria Е-
24 cu toleranţa de 1% şi 5%, dimensiunile standard: 0603, 0805 şi
1206.
Exemplu: 103 = 10 000 = 10 k Ω.
2 Codul din patru cifre. Primele trei cifre
indică valoarea rezistenţei în Ω, ultima cifră indică
numărul de zerouri. Se utilizează în cazul
rezistoarelor din seria Е-96 cu toleranţa de 1%, dimensiunile
standard: 0805 şi 1206.
Exemplu: 4402 = 440 00 = 44 kΩ.
3 Marcarea cu trei simboluri. Primele două
simboluri sunt cifre care indică valoarea rezistenţei
în Ω luată din tabelul A1, ultimul simbol este litera
ce indică valoarea înmulţitorului: S=10-2; R=10-1;
B=10; C=102; D=103; E=104; F=105. Se utilizează la rezistoarele din
seria E-96, având toleranţă de 1%, dimensiunile standard: 0603.
Exemplu: 10C = 124 x 10² = 12,4 kΩ.

Tabelul A1 Coduri şi valori ale rezistenţelor pentru marcarea cu

trei simboluri
Cod Valoare Cod Valoare Cod Valoare Cod Valoare
01 100 25 178 49 316 73 562
02 102 26 182 50 326 74 576
03 105 27 187 51 332 75 590
04 107 28 191 52 340 76 604
05 110 29 196 53 348 77 619
124
 Continuarea tabelului A1
06 113 30 200 54 357 78 634
07 115 31 205 55 365 79 649
08 118 32 210 56 374 80 665
09 121 33 215 57 383 81 681
10 124 34 221 58 392 82 698
11 127 35 226 59 402 83 715
12 130 36 232 60 412 84 732
13 133 37 237 61 422 85 750
14 137 38 243 62 432 86 768
15 140 39 249 63 442 87 787
16 143 40 255 64 453 88 806
17 147 41 261 65 464 89 825
18 150 42 267 66 475 90 845
19 154 43 274 67 487 91 866
20 158 44 280 68 499 92 887
21 162 45 287 69 511 93 909
22 165 46 294 70 523 94 931
23 169 47 301 71 536 95 953

Dimensiunile standard ale rezistoarelor SMD [18]

125
Tabelul A2 Dimensiunile standard ale rezistoarelor SMD [18]

Cod L W H A
mm mm mm mm
0201 0.6 0.3 0.23 0.13
0402 1.0 0.5 0.35 0.25
0603 1.6 0.8 0.45 0.3
0805 2.0 1.2 0.4 0.4
1206 3.2 1.6 0.5 0.5
2010 5.0 2.5 0.55 0.5
2512 6.35 3.2 0.55 0.5

126
 CUPRINS

Tema 11 Rezistoarele............................................ ................... 3

Tema 12 Bobinele (inductoarele) .............................................. 24
Tema 13 Materiale magnetice .................................................. 53
Tema 14 Materiale magnetice utilizate în electronică............ 76
Tema 15 Materiale semiconductoare....................................... 84
Tema 16 Cablajele imprimate şi montarea componentelor
pe suprafaţă……....................................................... 101
Bibliografie………………………………………………........ 122
Anexa A Marcarea rezistoarelor fixe pentru montarea pe
suprafaţă.................................................................... 124

127
 MATERIALE ŞI COMPONENTE PASIVE

Ciclu de prelegeri

Partea 2

Autor: Silvia GANGAN

Redactor Eugenia Balan

–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
Bun de tipar 14.06.17 Formatul 60x84 1/16
Hârtie ofset. Tipar RISO Tirajul 50 ex.
Coli de tipar 8,0 Comanda nr. 56
–––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––
2004, UTM, Chişinău, bd. Ştefan cel Mare, 168
Editura „Tehnica-UTM”
2045, Chişinău, str. Studenţilor, 9/9

128