Semiconducto

ri
Iankovszky Cristina
Cuprins:
Benzile de energie. Conductori,
semiconductori, izolatori
Semiconductori intrinseci
Semiconductori extrinseci
Probleme
Jonciunea pn. Dioda semiconduc toare
Caracteristicile diodei semiconductoare
Trasarea experimental a caracteristicilor
diodei semiconductoare
Redresarea curentului alternativ
Probleme
 Benzile de energie.
Conductori, semiconductori,
izolatori Banda de energie
Prin nivel
Banda de energetic
n
provenit atomul
de o la valen
liber,
nivelul
energetice

ntelegem
este separat de stare
banda
deasupra
energetic
energetic nivelului
discret de
posibil al
Banda de conductie de conducie
valen,
atomului pese printr-un
caregsesc
se afl
ntr-unsistem
interval cuantic
energetic,
nivele
electronii
atom, de energetice
valen
molecul, se
denumit band
Eg Banda care,dei
numete sunt
nucleu, cristal,band libere,
etc.) de
interzisa interzis,
eleFiecare n care
pot fi ocupatenivel
valen. nu
cu
exist nivelenenergetice
electroni urma
energetic
pentru Gradul discret
de ocupare
electroni. al
Banda de valenta excit rii atomului. n
Nivele

atomului,
cu electroni
Ocuparea cucaracterizat
aelectroni
nivelelor a
cristal
prin nivelul
perechea liber al
de
energetice
nivelelor dindebanda
valen de
atomului
numere cuantice se
(n,l),
depinde
conducie de
poate natura
ncepe
transform
n cristal se ntr-o
transform
chimic
numai n amomentul
atomilor, de
cnd
band
ntr-o de sbnivele
band
structura
electronii cristalin
din banda sau
de
(nucleu) libere
energetic. care poart
de ali factori;
valen ea poateo
primesc
denumirea
Noiunea dede band
benzi
(Click pe fiecare termen daca dorii sa aflai fi ocupat
energie cel parial
puin sau
egal
mai mult..)
de conducie.
energetice (nivele
complet
cu de electroni.
lrgimea n
benzii
energetice)
mod reflect
normal electronii
interzise.
numai n
aflai banda stareade
energetic
valen au cea mai a
 n funcie de gradul de ocupare cu electroni a
benzilor de energie, corpurile solide pot fi mprite
n: conductoare, semiconductoare, izolatoare.

Izolatoare
Banda de conductie Izolatoarele sunt
substane care nu
permit trecerea
curentului electric.
Orict energie ar primi
Eg > 3
electronii din banda de
eV valen nu ar putea
Eg < 3 face saltul n banda de
conducie deci nu avem
eV
sarcini electrice libere
care s participe la
Banda de
formarea curentului
valenta Electrical Current.swf
electric.
 Conductoare
Conductoarele (metalele)
au deasupra benzii de
valen complet ocupat Semiconduct
cu electroni o band de
conducie parial ocupat
oare solide a cror
Corpurile
cu electroni. band de valen este
complet ocupat cu
electroni, iar banda de
conducie complet liber
este separat de banda
de valen printr-o band
interzis ngust de
lrgime Eg < 3 eV , sunt
semiconductoare.
Semiconductori
Semiconductoarele sunt corpuri a cror
conductivitate electric = 1/ = 104....10-
8
1/m este cuprins ntre cea a metalelor
i cea a izolatoarelor, fiind influenat de
temperatur ( la temperaturi joase sunt
izolatoare i la temperaturi nalte sunt
conductoare.
Semiconductoare intrinseci (
pure)
Semiconductoare

Semiconductoar de tip n
e extrinseci ( cu
impuriti de tip p
Conducia electric a
semiconductorilor
La temperaturi joase un semiconductor Atomii aflai n
este un isolator cu rezisten electric nodurile reelei
foarte mic. cristaline
oscileaz n
jurul poziiei de
echilibru. La o
Si Si Si anumit
temperatur
vor avea o
energie
cinetic finit,
Si Si Si existnd
posibilitatea ca
electronii
periferici s
prseasc
atomii
devenind liberi.
 Aducerea unui electron n starea de conducie nseamn
trecerea lui din banda de valen (BV) n banda de conducie
(BC).

Benzi de energie (eV)

Prin plecarea electronului din BV n BC, n urma lui apare un
nivel energetic liber numit gol. Apariia unui gol este
echivalent cu apariia unei sarcini electrice pozitive.

Cristal de siliciu BC
( germaniu )

Eg

Si Si Si BV

Si Si Si
 E Dac semiconductorului i se
aplic o diferen de potenial,
electronii din banda de
Fe Fe valen vor ncepe s se
deplaseze n sens invers
Benzi de energie (eV)

cmpului electric; golurile vor

BC fi ocupate tocmai de acei
electroni care se apropie de
ele, lsnd n urma lor noi
Eg goluri.
Electronii se vor deplasa de la
n-
semiconductoare sunt
la + iar golurile n posibile
sens
dou tipuri de conducie
invers. electric:
BV - conducia electronic,
determinat de deplasarea
electronilor n banda de conducie;
- conducie de goluri, determinat
de deplasarea golurilor n banda de
valen.
 Semiconductori intriseci

Benzi de energie (eV)

n cazul semiconductorilor
intrinseci, datorit agitaiei termice
electronii pot trece din banda de
valen n banda de conducie BC, BC
procesul numindu-se excitare termic
intrinsec ( generare termic

recombin
gener
intrinsec ). n urma acestui proces Eg

are
apar electroni i goluri n numr egal.

are
Pe de alt parte are loc i procesul
invers generrii i anume
recombinarea electronilor cu golurile, BV
respectiv trecerea electronilor din
banda de conducie BC n banda de
valen BV.
Prin urmare, n regim de echilibru
termodinamic la o anumit
temperatur T, numrul actelor de
generare este egal cu numrul undeactelor
ni concentraia
de recombinare, iar n semiconductor intrinsec
se va stabili o concentraie staionar
Semiconductor de tip n
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip n se
introduc ntr-un semiconductor pur impuriti donoare
( donori ) adic, atomi cu valena V precum fosfor (P)
sau arseniu (As).

Si Si Si
As

As
Si Si Si
 Ed energia de ionizare
Nd concentraia donorilor
- atomi donori
BC
- ioni ai atomilor donori
n - concentraia total a Ed
electronilor liberi din BC Eg
p - concentraia golurilor n
BV
Donorii dau nivele energetice mai apropiate
de banda de conducie, electronii putnd fi uor BV
transportai de pe un astfel de nivel pe banda de
conducie.
Trecerea electronilor de pe nivelul donor n
banda de conducie poart numele de excitare
(generare) termic extrinsec a electronilor.
Poate avea loc i procesul invers de trecere a
n = p+
electronilor din banda cde conducie pe nivelul Nd
donor, proces denumit recombinarea electronilor
pe nivelul donor.
Semiconductor de tip p
Pentru a obine un semiconductor extrinsec de tip p se
introduc ntr-un semiconductor pur impuriti
acceptoare ( acceptori) adic, atomi cu valena III
precum bor (B) sau galiu (Ga) .

Si Si Si
B

B
Si Si Si
 Ea energia de ionizare a
acceptorilor
Na concentraia acceptorilor
- atomi acceptori
BC
- ioni ai atomilor
acceptori
p - concentraia total a Ea
golurilor din BV Eg
n - concentraia electronilor
n BC
Procese care au loc n
BV
semiconductorii de tip p
la temperaturi coborte predomin
schimbul de goluri dintre BV i nivelul
energetic Ea al acceptorilor, avnd loc
acte de generare i recombinare a
golurilor;
p = n+
la temperaturi mai nalte are loc i Na
generarea intrinsec.
 Jonciunea p-n

p n

Jonciunea p-n reprezint zona de trecere

( contact) care se formeaz ntr-un cristal
semiconductor, la care o parte conine impuriti
acceptoare ( tip n) iar cealalt impuriti donoare
(tip p). Ea are o lrgime l = 10-4.10-5 cm.
Dioda semiconductoare
Jonciunea pn are caliti
redresoare. Astfel aplicnd o
tensiune continu cu :
- polaritate direct (polul plus
la regiunea p i polul minus la
regiunea n), prin jonciune
trece un curent electric a crui
intensitate crete cu creterea
tensiunii aplicate, deoarece
rezistena electric este mic
(Rj = 10 );
- polaritate invers, practic nu
trece curent deoarece are loc
o lrgire a stratului de baraj
care capt o rezisten
electric foarte mare (Rj =
4 5
 Caracteristicile diodei
semicoductoare
Prin aplicarea cmpului
U exterior n sens direct are
loc o micorare a duferenei
de potenial (barierei)
Ub la dintre cele dou regiuni,
echilibru deoarece cmpul extern are
Tensiun sens invers cmpului de
Ub-U
e baraj, ceea ce nlesnete
directa micarea purttorilor
majoritari. n felul acesta, la
Cnd dioda este polarizat polarizareU direct curentul
invers, cmpul extern aplicat electric trece prin diod.
Tensiune
avnd acelai sens cu cmpul de
U +U inversa
baraj, micarea purttorilor b

majoritari este mpiedicat. n la

acest caz, curentul ce strbate echilibru
Ub
dioda, format numai din purttori
minoritari, este extrem de slab
( de ordinul mA la dioda cu Si i de
ordinul A la cea cu Ge), aa nct
l putem considera practic nul.
Spunem c la polarizarea invers
dioda nu conduce curentul electric.
 p n

Dioda
funcioneaz ca
o supap ce
permite
trecerea
Schema i
curentului
simbolul
electric ntr-un
diodei
singur sens
(cnd este
 Caracteristica real a unei diode
cu jonciune.
n figur se reprezint
caracteristica I = f(U) a unei
diode. Ea pune n eviden
urmtoarele:
a) Intensitatea curentului n
sens direct, dup ce se
depete tensionea de
deschidere UD, crete
b) n sens contrar, pentru U < 0, intensitatea curentului
exponenial i care trece
rezistena
prin diod este foarte mic, cu multe ordine
diodei de mrime
devine mai mic
foarte mic.
dect n sens direct. n majoritatea aplicaiilor practice se
consider egal cu zero. Dac tensiunea crete peste o anumit
valoare critic numit tensiune de strpungere dioda
(jonciunea) se strpunge i intensitatea curentului ncepe s
creasc brusc. Fenomenul de strpungere este unul negativ. n
http://www-
practic se urmrete crearea de jonciuni care s reziste la
g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
tensiuni inverse ct mai mari, mii de voli.
 Caracteristica static liniarizat i
aproximeaz destul de bine, pentru
cureni lent variabili, caracteristica
real a diodei. i
Definim rezistena dinamic a
diodei prin relaia:
u
Rdm
i
u
pentru poriunea nclinat, 0 UD u
corespunztoare conduciei
diodei. Acest raport reprezint
tangenta unghiului de nclinare
fa de vertical a poriunii
rectilinii nclinate Rdm = tg .
O diod ideal ar funciona
ca un ntreruptor care este
nchis pentru tensiuni u < 0
(polarizare invers) i i
deschis pentru tensiuni
pozitive u > 0 (polarizare
direct). Ea ar prezenta la
polarizare invers o
rezisten infinit, iar n
conducie direct, o
u
rezisten nul.
0
 Caracteristica liniarizat ar
corespunde modelului electric Dideala Rdm UD
echivalnd cu o diod ideal
nseriat cu o rezisten,
reprezentnd rezistena
dinamic a diodei i cu un (a)
generator ideal de tensiune i i
electromotoare egal cu i
tensiunea de deschidere UD a

dm
R
diodei reale. (a)
Din compunerea celor trei
caracteristici individuale (b)
rezult caracteristica D.i u u
liniarizat (c). d
0 U 0 UD
Reinem 0, u c
U U D i Rdm sunt D
D
parametrii modelului. Modelul
i u U D (b) (c)
este descris R , u
matematic
U D de
funcia: dm
 Trasarea experimental a
caracteristicilor diodei
semiconductoare
Materiale necesare:

diod semiconductoare;
resistor (cel puin 10 )

surs : 0 12 V c.c.

conductori de legtur;

voltmetru, ampermetru;

reostat.

http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarbeit/da/weTEiS
/weteis/diode1.htm
 Redresarea curentului alternativ

Transformatorul din
circuitul redresor Filtrul are rolul de
Prin redresarea curentului alternativea reduce
se nelege
(netezi)
separ componenta
transformarea Redresorul
curentului alternativ de joas frecven n curent
de curent alternativ propriu-zis pulsaiile
pulsator, utiliznd un dispozitiv numit redresor. tensiunii
de cea de curent este un
Pentru redresarea curentului alternativ se poate folosiFiltrele
redresate. dioda
continuu i element
n mod obinuit un redresor cu dispozitiv semiconductor
cu jonciune. se realizeaz de
determin de obicei neliniar (sau
este compus din: elementul redresor ( obicei
dioda
cu
valoarea tensiunii mai multe)
semiconductoare ),sursa de curent alternativ elemente (reea dede
continue cupentru o care permite
alimentare energie electric sau transformator)
circuit i un
reactive:
valoare dat a trecerea Spre
Rete filtru de netezire.. condensatoare, sarci
tensiunii de reaea. curentului
a bobine, uneori na i
Transforma ntr-un singur
~ tor sens.
Filtru de
rezistoare.
netezire
Redresor
Redresor monoalternan

Redresorul monoalternan este cel mai simplu redresor. Blocul

redresor
coine un singur element redresor, o diod.
Randamentul sczut este unul dintre dezavantajele acestui
redresor. Un al
doilea dezavantaj este ncrcarea nesimetric a reelei, puterea
fiind absorbit doar n
timpul unei singure semialternante. Redresorul monoalternan
este ns destul de
folosit la puteri mici deoarece este cel mai simpu i cel mai ieftin.
Redresarea ambelor alternane
Redresor dubl alternan cu
punct median
n cazul acestui tip de redresor transformatorul este necesar i el
trebuie s aib
un secundar cu dou nfurri nseriate, care au acelai numr de
spire, cu un punct
median ntre ele, astfel ca s furnizeze blocului redresor compus
din dou diode dou
tensiuni identice, u2. Ansamblul poate fi privit i ca dou
redresoare monoalternan
legate la aceeai sarcin, n cazul acesta rezistena RS.
 n prima semiperioad cele
dou diode sunt polarizate
astfel: D1 direct, plusul
tensiunii transformatorului la
anod, iar D2 invers. Schema
echivalent este aceea din
figura (b) (D1 scurtcircuit, D2
ntrerupt) i tensiunea pe
n a doua semiperioad cele
sarcin este egal cu u2, adic o
dou diode sunt polarizate astfel:
semialternan pozitiv. D1 invers, minusul tensiunii
transformatorului la anod, iar D2
direct. Schema echivalent este
aceea din figura (c) (D1 ntrerupt,
D2 scurtcircuit) i tensiunea pe
sarcin este egal cu minus u2
(negativ n acest semiinterval),
adic din nou o semialternan
pozitiv.
http://www.sciences.univ-
Se obine n acest fel o
nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html
redresare dubl alternan.
 Redresor dubl alternan n punte

Redresorul dubl alternan n

punte are schema, forma tensiunilor
i schemele
echivalente n semiperioadele
distincte de funcionare prezentate
n figur. n cazul
acestui tip de redresor
transformatorul
Se obine npoate
acestlipsi.
fel o
redresare dubl alternan la fel
ca n cazul anterior.
Avantajul schemei, valoarea
medie dubl fa de redresarea
monoalternan i
deci o eficacitate dubl a
redresrii dar i faptul c este
nevoie de o singur surs de
alimentare.
Blocul redresor este format din 4 diode legate n punte (formnd
un patrulater)
ntr-o anumit succesiune a terminalelor. La una din diagonalele
punii se conecteaz
sursa de tensiune alternativ, sau secundarul transformatorului
dac acesta exist, iar la
a doua diagonal se conecteaz sarcina, R n cazul acesta.
 n prima semiperioad sunt
polarizate direct diodele D2 si
D3 i sunt polarizate
invers diodele D1 i D4.
Schema echivalenta este
aceea din figur i tensiunea
pe sarcin este egal cu u2,
adic o semialternan n a doua semiperioad sunt
pozitiv. polarizate invers diodele D2
i D3 sunt
polarizate direct diodele D1
i D4. Schema echivalent
este aceea din figur i
tensiunea pe sarcin este
egal cu minus u2 (negativ
n acest semiinterval), adic
http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCurrent.dcr
din nou o semialternan
pozitiv.
Bibliografie
Manual pentru clasa a XI-a; N. Gherbanovschi,
M.Prodan,St. Levai; Ed. Didactica si Pedagogic; Bucuresti
1990
Fizica Manual clasa aXII-a; O. Rusu,L. Dinica, C-tin
Traistaru, M. Nistor; Ed. Corint; Bucuresti 2007
http://mritsec.blogspot.com/2009/01/electronic-device-
animations.html
http://www.ibiblio.org/kuphaldt/socratic/output/animatio
n_bridge_rectifier_nonideal_fast.gif
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplomarb
eit/da/weTEiS/weteis/diode1.htm
http://www-
g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.ht
 Redresarea cu pynte

http://www.vjc.moe.edu.sg/fasttrack/physics/AltCu
rrent.dcr
Redresarea cu 2 diode
http://www.sciences.univ-
nantes.fr/physique/perso/gtulloue/Elec/DiodesAO/Red_transfo.html
LED

http://www.micro.magnet.fsu.edu/primer/java/leds/basicoperati
on/
Caracteristica diodei
http://www.kjanssen.de/Studium/Forschungen/Diplo
marbeit/da/weTEiS/weteis/diode1.htm

Dioda semiconductoare

http://www-
g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.h
tml