Auxiliar Componente Electronice

prof.
RUSU CONSTANTIN
ELECTRONIC ANALOGIC
COMPONENTE ELECTRONICE
- AUXILIAR CURRICULAR -
BISTRIA 2015
ISBN - 978-973-0-19868-3
CUPRINS
PREFA .................................................................................................................................................. 1
CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE ..................................................................................... 2
1.1 GENERALITI................................................................................................................................ 2
1.2 CONDUCIA N SEMICONDUCTOARE ............................................................................................ 3
1.3 SEMICONDUCTOARE DE TIP N I DE TIP P ................................................................................. 4
1.3.1 SEMICONDUCTOARE DE TIP P ................................................................................................ 4
1.3.2 SEMICONDUCTOARE DE TIP N................................................................................................ 5
REZUMATUL CAPITOLULUI .................................................................................................................. 6
EVALUAREA CUNOTINELOR ............................................................................................................. 7
CAPITOLUL 2. JONCIUNEA PN................................................................................................................ 8
2.1 REALIZAREA JONCIUNII PN ....................................................................................................... 8
2.2 POLARIZAREA DIRECT A JONCIUNII PN................................................................................... 9
2.3 POLARIZAREA INVERS A JONCIUNII PN............................................................................... 12
REZUMATUL CAPITOLULUI ........................................................................................................ 16
EVALUAREA CUNOTINELOR .................................................................................................. 17
CAPITOLUL 3. DIODA SEMICONDUCTOARE........................................................................................... 18
3.1 STRUCTURA I SIMBOLUL DIODEI ............................................................................................... 18
3.2 TESTAREA DIODELOR................................................................................................................... 19
LUCRARE DE LABORATOR .................................................................................................................. 20
3.3 POLARIZAREA DIODELOR ............................................................................................................ 22
3.4 PARAMETRII CARACTERISTICI DIODELOR ................................................................................... 23
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI .................................................................................... 25
3.5 FUNCIONAREA DIODEI REDRESOARE N CIRCUIT. ................................................................... 29
3.5.1 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT CONTINUU. ...................................... 29
3.5.2 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT ALTERNATIV. ................................... 30
3.6 FUNCIONAREA DIODEI STABILIZATOARE N CIRCUIT ................................................................ 31
3.7 DIODE DE UZ SPECIAL .................................................................................................................. 33
3.7.1 DIODE STABILIZATOARE DE CURENT .................................................................................... 33
3.7.2 DIODE CU CONTACT PUNCTIFORM ..................................................................................... 33
3.7.3 DIODE DE COMUTAIE ......................................................................................................... 34
3.7.4 DIODE VARICAP (VARACTOR) ............................................................................................... 34
3.7.5 DIODE TUNEL (ESAKI) ........................................................................................................... 35
3.7.6 DIODE GUNN ........................................................................................................................ 36
AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/
3.7.8 DIODE PIN ............................................................................................................................. 36

REZUMATUL CAPITOLULUI........................................................................................................... 37
EVALUAREA CUNOTINELOR.................................................................................................... 39
CAPITOLUL 4. APLICAII ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE ............................................................. 40
4.1 REDRESORUL MONO-ALTERNAN ............................................................................................ 40
4.2 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN CU PRIZ MEDIAN............................................................ 41
4.3 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN N PUNTE ............................................................................ 42
4.3.1 PUNTEA REDRESOARE .......................................................................................................... 42
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ......................................................................... 44
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ......................................................................... 48
REZUMATUL CAPITOLULUI........................................................................................................... 50
EVALUAREA CUNOTINELOR ................................................................................................... 51
CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE .............................................................................................. 52
5.1. TRANZISTOARE BIPOLARE - GENERALITI ................................................................................ 52
5.1.1 STRUCTURA I SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR ......................................................... 52
5.1.2 NCAPSULAREA TRANZISTOARELOR. IDENTIFICAREA TERMINALELOR. ............................... 53
LUCRARE DE LABORATOR ................................................................................................... 56
5.1.3 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR ........................................................................ 59
5.1.4 PARAMETRII I CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR ........................................... 61
5.1.5 FUNCIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR. ................................................................................ 65
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ....................................................................... 67
5.2 CONEXIUNILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE .............................................................................. 69
5.2.1 CONEXIUNEA EMITOR COMUN ............................................................................................ 69
5.2.2 CONEXIUNEA BAZ COMUN .............................................................................................. 70
5.2.3 CONEXIUNEA COLECTOR COMUN ........................................................................................ 71
5.3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE ............................................................................ 72
5.3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE (PSF) ........................................................................... 72
5.3.2 POLARIZAREA BAZEI DE LA Vcc............................................................................................. 74
5.3.3 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV..................................................................................... 76
5.3.4 POLARIZAREA CU DOU SURSE DE TENSIUNE ..................................................................... 79
LUCRARE DE LABORATOR ................................................................................................. 81
5.4. DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE.......................................................... 83
5.4.1 DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTORULUI ............................................................................. 83
5.4.2 DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE ........................................................................ 86
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE ..................................................... 90
II
5.6. FORMULE DE BAZ UTILIZATE N CIRCUITELE CU TRANZISTOARE ....................................... 102

REZUMATUL CAPITOLULUI. ................................................................................................... 104
EVALUAREA CUNOTINELOR.................................................................................................. 107
CAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE ......................................................................................... 110
6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITI ........................................................................... 110
6.2. TRANZISTOARE CU GRIL JONCIUNE (TEC-J).......................................................................... 111
6.2.1 Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-J ....................................................... 111
6.2.2 ncapsularea i identificarea terminalelor dispozitivelor TEC-J. ......................................... 112
6.2.3. Principiul de funcionare al tranzistoarelor TEC-J. ............................................................ 113
6.2.4. Caracteristicile tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune. ................................ 113
6.2.5. Polarizarea tranzistoarelor TEC-J....................................................................................... 115
6.3 TRANZISTOARE CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS) ........................................................................ 116
6.3.1. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-MOS................................................ 116
6.3.2. Principiul de funcionare al dispozitivelor TEC-MOS. ........................................................ 117
6.3.3 Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS. .................................................................................. 119
REZUMATUL CAPITOLULUI. ................................................................................................... 120
CAPITOLUL 7. TRANZISTOARE UNIJONCIUNE .................................................................................... 124
7.1 STRUCTURA I FUNCIONAREA TUJ .......................................................................................... 124
7.1.1 Structura i simbolul tranzistorului unijonciune ............................................................... 124
7.1.2 Funcionarea i caracteristica static de emitor a TUJ. ...................................................... 124
7.1.3 Caracteristicile electrice specifice tranzistoarelor unijonciune ........................................ 125
7.2. STRUCTURA I FUNCIONAREA UNUI TUJ PROGRAMABIL ...................................................... 126
7.2.1 Structura i simbolul unui TUJ programabil ....................................................................... 126
7.2.2 Funcionarea i caracteristica static de emitor a TUP. ..................................................... 127
7.3 Identificarea terminalelor tranzistoarelor unijonciune ........................................................... 127
CAPITOLUL 8. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE .................................................................................. 128
8.1. DISPOZITIVE FOTODETECTOARE .............................................................................................. 128
8.1.1 FOTOREZISTORUL ............................................................................................................... 128
8.1.2 FOTODIODA ........................................................................................................................ 130
8.1.3 FOTOTRANZISTORUL .......................................................................................................... 134
LUCRARE DE LABORATOR ................................................................................................ 139
8.2. DISPOZITIVE FOTOEMITOARE .............................................................................................. 141
8.2.1 DIODA LUMINISCENT (LED) .............................................................................................. 141
8.2.2 CELULA DE AFIAJ 7 SEGMENTE CU LED-uri. ...................................................................... 146
III
8.3. MODULATOARE OPTOELECTRONICE........................................................................................ 149

8.3.1 CUPLOARE OPTICE .............................................................................................................. 149
8.3.2 FIBRE OPTICE ...................................................................................................................... 153
REZUMATUL CAPITOLULUI ...................................................................................................... 160
CAPITOLUL 9. DISPOZITIVE MULTIJONCIUNE .................................................................................... 164
9.1. DIODA SHOCKLEY ..................................................................................................................... 164
9.1.1 STRUCTUR I SIMBOL ....................................................................................................... 164
9.1.2 FUNCIONAREA DIODEI SHOCKLEY. ................................................................................... 164
9.2. TIRISTORUL ............................................................................................................................... 167
9.2.1 STRUCTUR I SIMBOL ....................................................................................................... 167
9.2.2 PARAMETRII ELECTRICI AI TIRISTORULUI ........................................................................... 167
9.2.3 FUNCIONAREA TIRISTORULUI........................................................................................... 168
9.2.4 IDENTIFICAREA TERMINALELOR TIRISTORULUI.................................................................. 170
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI ..................................................................... 171
LUCRARE DE LABORATOR ............................................................................................... 172
9.3. DIACUL I TRIACUL ................................................................................................................... 173
9.3.1 DIACUL ................................................................................................................................ 173
9.3.2 TRIACUL .............................................................................................................................. 174
LUCRARE DE LABORATOR ............................................................................................... 175
REZUMATUL CAPITOLULUI ...................................................................................................... 177
BIBLIOGRAFIE ...................................................................................................................................... 179
IV
AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE
PREFA
Electronica este o disciplin tehnico-tiinific n care teoria se mbin n mod
armonios i indispensabil cu practica. Electronica este o ramur de vrf a industriei
att n zilele noastre ct i n toate epocile viitoare.
nc de la nceputurile sale electronica a atras n special tinerii dornici de a
realiza i experimenta diverse construcii.
Printr-o munc bine dirijat n care se mbin armonios nsuirea elementelor
teoretice cu realizarea construciilor practice, tnrul licean de azi va fi specialistul de
mine.
Auxiliarul curricular Electronic Analogic Componente electronice se
adreseaz elevilor care urmeaz cursurile unui liceu tehnologic sau ale unei coli de
arte i meserii, domeniul electronic i automatizri precum i specializrile care
deriv din acest domeniu.
Auxiliarul curricular este structurat n nou capitole. n fiecare capitol sunt
tratate noiunile teoretice de baz corespunztoare temei respective, lucrri de
laborator i simulri cu ajutorul calculatorului. Fiecare capitol se ncheie cu un
rezumat i un test de verificare a cunotinelor.
Acest auxiliar curricular trateaz numai componentele electronice elementare.
Aplicaiile componentelor electronice, circuitele integrate, circuitele electronice sunt
tratate n auxiliarul curricular Electronic Analogic Circuite electronice.
Autorul ureaz mult succes celor care utilizeaz acest auxiliar curricular i le
dorete s mbine ct mai plcut i armonios cunotinele teoretice cu abilitile
tehnice pentru a-i dezvolta ct mai mult puterea de creaie tehnic.
N ELECTRONIC VIITORUL RMNE DESCHIS TUTUROR POSIBILITILOR.
Prof. RUSU CONSTANTIN

Colegiul Tehnic INFOEL - BISTRIA
CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1.1 GENERALITI
n funcie de rezistivitatea electric, materialele electrotehnice pot fi ncadrate n trei
categorii:
2 ;
]
Materiale izolatoare - rezistivitatea electric = 1012 1023 [
Materiale semiconductoare - rezistivitatea electric = 10 1012 [
Materiale conductoare - rezistivitatea electric = 10-2 10 [
2 ;
]
2 .
]
Materialele semiconductoare din punct de vedere al conducerii curentului electric au

proprieti intermediare ntre conductoare i izolatoare. Cele mai rspndite
materiale semiconductoare sunt germaniul, siliciul, carbonul.
Materialele semiconductoare sunt alctuite din atomi care prezint patru
electroni de valen caracteristici (figura 1.1)
+32
+14
a. Atom de siliciu
b. Atom de germaniu
Figura 1.1 Diagramele atomilor de siliciu i germaniu

Electronii de valen ai atomului de siliciu (fig. 1.1 a) se afl pe stratul trei iar
cei ai germaniului (fig.1.1 b) se afl pe stratul patru. Deoarece electronii de valen
ai germaniului se afl mai departe de nucleu, posed energii mai mari dect cei ai
siliciului care se afl mai aproape de nucleu, deci le este necesar un surplus
energetic mai mic pentru a se desprinde din atom. Aceast caracteristic face ca
germaniul s devin instabil la temperaturi mari, de aceea siliciul este materialul
semiconductor cel mai des utilizat la construcia dispozitivelor electronice active.
1.2 CONDUCIA N SEMICONDUCTOARE

Pentru a forma o structur solid, atomii unui semiconductor se combin prin legturi
covalente dintre electronii de valen, formnd o structur cristalin. Prin legturile
covalente fiecare din cei patru electroni de valen a unui atom de siliciu se pun n
comun cu cte un electron de valen a unui atom de siliciu nvecinat (figura 1.2).
Cristalul astfel format se numete intrinsec deoarece nu conine impuriti.
Si
Si
Si
Si
Si
Si
a. Poriune dintr-un cristal pur de SI
Si
--- - -Si
Si
Si
b. Diagram de legturi
Figura 1.2 Legturile covalente la siliciu

n jurul nucleului unui atom de material semiconductor se afl trei benzi de energie:
banda de valen n care se afl electronii de valen din semiconductor;
banda interzis reprezint diferena energetic dintre banda de valen i

banda de conducie;
banda de conducie n care se afl electronii liberi din semiconductor.
Un cristal de siliciu pur (intrinsec) la o anumit temperatur, permite unor electroni de

valen din banda de valen s acumuleze suficient energie pentru a strpunge
banda interzis i a trece n banda de conducie. Aceti electroni se numesc
electroni liberi. Cnd un electron trece din banda de valen n banda de conducie,
locul su din banda de valen rmne liber. Acest loc liber se numete gol. n acest
mod se creeaz perechile electron-gol.
Dac la capetele unui cristal de siliciu intrinsec se aplic o tensiune n interiorul
cristalului circul dou categorii de cureni:
curentul de electroni care reprezint deplasarea ordonat a electronilor

liberi din banda de conducie spre polul pozitiv al sursei de alimentare;
curentul de goluri care reprezint deplasarea ordonat a golurilor din

banda de valen prin structura cristalin n sens opus curentului de electroni.
1.3 SEMICONDUCTOARE DE TIP N I DE TIP P

Datorit numrului limitat de electroni liberi din banda de conducie i de goluri din
banda de valen, materialele semiconductoare n stare intrinsec nu conduc
curentul electric. Pentru a putea fi utilizate n diverse aplicaii acestea trebuie
prelucrate n scopul mririi conductivitii electrice, prin introducerea controlat a
unor impuriti n materialul intrinsec care duce la creterea numrului de purttori de
curent. Acest procedeu se numete dopare.
ntr-un cristal semiconductor electronii liberi reprezint sarcinile negative (N) iar
golurile reprezint sarcinile pozitive (P).
1.3.1 SEMICONDUCTOARE DE TIP P

Aceste semiconductoare au un numr mare de goluri. Deoarece majoritatea
purttorilor de curent este constituit din goluri (sarcini pozitive) acestea poart
denumirea de semiconductoare de tip P.
Pentru a obine un semiconductor de tip P (fig.1.3), un cristal de siliciu pur se
dopeaz cu atomi de impurificare trivaleni (cu trei electroni de valen) aluminiu
(Al), bor (B), galiu (Ga), indiu (In).
Gol creat de
atomul de galiu
Si
Si
Ga
Si
Si
Figura 1.3 Semiconductor de siliciu de tip P impurificat cu galiu

Atomul de galiu are trei electroni de valen. Toi cei trei electroni de valen particip
la legturile covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu. Deoarece un
atom de siliciu are patru electroni de valen la fiecare atom de galiu din cristalul de
siliciu apare cte un gol.
La semiconductorul de tip P, golurile sunt purttori majoritari iar electronii sunt
purttori minoritari.
1.3.2 SEMICONDUCTOARE DE TIP N

Aceste semiconductoare au un numr mare de electroni. Deoarece majoritatea
purttorilor de curent este constituit din electroni (sarcini negative) acestea poart
denumirea de semiconductoare de tip N.
Pentru a obine un semiconductor de tip N (fig.1.4), un cristal de siliciu pur se
dopeaz cu atomi de impurificare pentavaleni (cu cinci electroni de valen)
arseniu (As), fosfor (P), bismut (Bi), stibiu (Sb).
Electron liber de la atomul
de fosfor
Si
Si
Si
Si
Figura 1.4 Semiconductor de siliciu de tip N impurificat cu fosfor

Atomul de fosfor are cinci electroni de valen. Patru dintre cei cinci electroni de
valen particip la legturile covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu,
iar al cincilea rmne liber (deoarece un atom de siliciu are patru electroni de
valen).
La fiecare atom de fosfor din cristalul de siliciu apare cte un electron liber.
La semiconductorul de tip N, electronii sunt purttori majoritari iar golurile sunt
purttori minoritari.
REZUMATUL CAPITOLULUI
Din punct de vedere al conductibilitii materialele semiconductoare se

situeaz ntre materialele conductoare care au un numr mare de electroni
(conduc foarte bine curentul electric) i materialele izolatoare care au un
numr foarte mic de electroni liberi (nu conduc curentul electric).
Atomii semiconductoarelor au patru electroni de valen.
Cele mai rspndite materiale semiconductoare sunt: Germaniul, Siliciul i

Carbonul dintre care Siliciul este cel mai larg utilizat.
n jurul nucleului unui atom de material semiconductor se formeaz trei benzi

de energie: banda de valen, banda interzis, banda de conducie.
Electronii liberi sunt electronii care la o anumit temperatur a cristalului

semiconductor pur trec din banda de valen n banda de conducie.
Golurile sunt locurile libere din banda de valen lsate de electronii liberi.
Dac la capetele unui cristal semiconductor se aplic o tensiune, n interiorul

cristalului apare un curent de electroni care reprezint deplasarea ordonat
a electronilor liberi spre polul pozitiv al sursei i un curent de goluri care
reprezint deplasarea ordonat a golurilor spre polul negativ al sursei.
Procedeul prin care unui cristal semiconductor i se adaug impuriti se

numete dopare.
Materialele semiconductoare de tip p se formeaz prin doparea cu atomi de

impurificare trivaleni (Aluminiu, Bor, Gali, Indiu).
ntr-un semiconductor de tip p purttorii majoritari sunt golurile iar purttorii

minoritari sun electronii liberi.
Materialele semiconductoare de tip n se formeaz prin doparea cu atomi de

impurificare pentavaleni (Arseniu, Fosfor, Bismut, Stibiu).
ntr-un semiconductor de tip n purttorii majoritari sunt electronii liberi iar

purttorii minoritari sun golurile.
Electronii sunt sarcini electrice negative iar golurile sunt sarcini electrice
pozitive.
EVALUAREA CUNOTINELOR
I. ncercuiete varianta de rspuns corect.
1. Materialele semiconductoare au:
a. 3 electroni de valen;
b. 4 electroni de valen;
c. 5 electroni de valen.
2. Cel mai utilizat material semiconductor este:
a. siliciul;
b. germaniul;
c. carbonul.
3. Pentru a obine un semiconductor de tip p un cristal de siliciu pur se dopeaz cu:
a. trei electroni de valen;
b. patru electroni de valen;
c. cinci electroni de valen.
4. Pentru a obine un semiconductor de tip n un cristal de siliciu pur se dopeaz cu:
a. trei electroni de valen;
b. patru electroni de valen;
c. cinci electroni de valen.
II. Completai spaiile libere cu informaia corect.
1. ntr-un cristal semiconductor electronii liberi reprezint sarcinile
iar golurile reprezint sarcinile ..
2. ntr-un semiconductor de tip p electronii liberi sunt purttorii
iar golurile sunt purttorii ..
3. ntr-un semiconductor de tip n golurile sunt purttorii.
iar electronii liberi sunt purttorii ..
4. Procedeul prin care unui semiconductor i se adaug impuriti se numete
CAPITOLUL 2. JONCIUNEA PN.

2.1 REALIZAREA JONCIUNII PN
Dac dopm o jumtate dintr-un cristal de siliciu cu impuriti trivalente, iar cealalt
jumtate cu impuriti pentavalente se obin dou regiuni vecine cu tip diferit de
impurificare, o regiune de tip p i o regiune de tip n.
Jonciunea PN reprezint zona de contact dintre dou regiuni vecine, una de tip P i
una de tip N, create ntr-un monocristal pur (fig.2.1 a).
jonciunea PN
regiunea P
regiune de barier
regiunea N
- electroni
- goluri
a. Structur PN iniial
---
+
+
+
+
b. Formarea regiunii de barier
Figura 2.1 Structura semiconductorului n care s-a creat o jonciune PN

La formarea jonciunii PN electronii din regiunea N tind s ocupe golurile din
regiunea P i difuzeaz prin jonciune. Deoarece prin plecarea electronilor rmne
un surplus de sarcini electrice pozitive n vecintatea jonciunii spre regiunea N se
creeaz un spaiu ncrcat cu sarcini pozitive (ioni pentavaleni) (fig.2.1 b). n acelai
timp golurile din regiunea P se combin cu electronii care au strpuns jonciunea.
Prin sosirea electronilor apare un surplus de sarcini electrice negative iar n
vecintatea jonciunii spre regiunea P se creeaz un spaiu ncrcat cu sarcini
negative (ioni trivaleni) (fig.2.1 b).
Cele dou zone cu sarcini pozitive i negative formeaz regiunea de barier.
Aceste procese se desfoar pn cnd sarcina negativ total din regiunea de
barier mpiedic ali electroni s mai difuzeze prin aceast regiune (apare
fenomenul respingere a sarcinilor electrice de acelai potenial).
n regiunea de barier ntre sarcinile pozitive i negative apare un cmp de fore
numit cmp electric intern. Diferena de potenial al cmpului electric intern se
numete potenial de barier (Vp - tensiune de prag) i se exprim n voli.
Cmpul electric intern din regiunea de barier se comport ca o barier n calea
electronilor care tind s traverseze regiunea.
8

Valoarea tensiunii de prag depinde de materialul din care este construit cristalul de
semiconductor:
n cazul siliciului tensiunea de prag este de aproximativ 0,6 1,2 V;
n cazul germaniului tensiunea de prag este de aproximativ 0,2 0,6 V.
Pentru ca electronii s poat strbate regiunea de barier, trebuie s li se furnizeze

energie din exterior, care se face prin polarizarea jonciunii PN.
2.2 POLARIZAREA DIRECT A JONCIUNII PN

Prin polarizare se nelege aplicarea unei tensiunii continue la capetele celor dou
regiuni. La polarizarea direct borna plus (+) a sursei de alimentare se conecteaz
la regiunea P a jonciunii PN iar borna minus (-) a sursei se conecteaz la regiunea
N a jonciunii PN. Jonciunea se conecteaz n serie cu un rezistor R care limiteaz
valoarea curentului prin circuit pentru a nu deteriora jonciunea.
Eext
Eint
ID
R
E
Figura 2.2 Polarizarea direct a jonciunii PN
Att timp ct valoarea tensiunii sursei de alimentare E este mai mic dect tensiunea
cmpului electric intern Eint prin jonciune nu circul curent (jonciunea este blocat).
Cnd tensiunea de polarizare depete valoarea tensiunii de prag a jonciunii se
creeaz un cmp electric extern Eext care strbate jonciunea de la P la N i care
este contrar cmpului electric intern al jonciunii. Astfel jonciunea PN este parcurs
de un curent direct ID dinspre regiunea P spre regiunea N, curent care crete
exponenial cu tensiunea aplicat jonciunii. n figura 2.4 sunt prezentate cteva
situaii practice de polarizare a jonciunii PN unde se observ cum crete valoarea
curentului prin jonciune la creterea valorii tensiunii de alimentare a jonciunii.

La polarizarea direct a jonciunii PN fenomenele se desfoar astfel (fig.2.3):
Minusul sursei de alimentare fiind conectat la regiunea negativ N respinge

electronii (care sunt sarcini negative i purttori majoritari in regiunea N) din
regiunea N spre regiunea P (se formeaz curentul de electroni). Tot borna
negativ a sursei de alimentare injecteaz un flux continuu de electroni ctre
regiunea negativ N prin circuitul exterior;
Sursa de alimentare ofer electronilor din regiunea N suficient energie ca

acetia s strbat regiunea de barier i s ajung n regiunea P. Cnd
electronii liberi ajung n aceast regiune nu mai au suficient energie s se
combine cu golurile din regiunea P i sunt atrai de borna pozitiv a sursei de
alimentare. Pe msur ce electronii prsesc regiunea P i se ndrept spre
borna pozitiv a sursei de alimentare prin circuitul exterior, n regiunea P
numrul de goluri crete;
Golurile din regiunea P strbat jonciunea PN i ajung n regiunea N (se

formeaz curentul de goluri). Deoarece numrul de goluri care strbat
jonciunea este mai mare dect numrul de electroni curentul de goluri
formeaz curentul direct ID care strbate jonciunea PN de la P spre N;
n concluzie, jonciunea PN la polarizare direct este strbtut de un

curent direct de la regiunea P spre regiunea N;
Deoarece numrul de electroni i goluri care ptrund n zona de barier cresc,

scad numrul de ioni pozitivi i negativi din zona de barier (electronii se
combin cu golurile). Aceast scdere duce la ngustarea regiunii de barier i
produce la capetele jonciunii PN o cdere de tensiune egal cu potenialul de
barier (tensiunea de prag).
Figura 2.3 Deplasarea fluxurilor de purttori la polarizarea direct a jonciunii PN
10
Figura 2.4 Msurarea tensiunii i a curentului la polarizarea direct a jonciunii PN
Prin reprezentarea grafic a valorilor obinute n montajele din figura 2.4 se obine
caracteristica static a jonciunii PN pentru polarizarea direct (fig. 2.5).
ID
C
A
0
UP
UD
0,7V
Figura 2.5 Caracteristica static a jonciunii PN pentru polarizarea direct
11
2.3 POLARIZAREA INVERS A JONCIUNII PN

La polarizarea invers borna plus (+) a sursei de alimentare se conecteaz la
regiunea N a jonciunii PN iar borna minus (-) a sursei se conecteaz la regiunea P
a jonciunii PN. Jonciunea se conecteaz n serie cu un rezistor R care limiteaz
valoarea curentului prin circuit pentru a nu deteriora jonciunea.
Eext
P
IINV
Eint
N
R
E
Figura 2.6 Polarizarea invers a jonciunii PN
La polarizarea direct a jonciunii PN borna pozitiv a sursei de alimentare atrage

electronii din regiunea N spre captul din dreapta a regiunii iar n regiunea de barier
spre regiunea N apar ioni pozitivi suplimentari. n acelai timp borna negativ a
sursei de alimentare genereaz electroni liberi care se deplaseaz prin regiunea P
spre regiunea de blocare unde creeaz un surplus de ioni negativi.
n acest mod crete limea zonei de blocare iar purttorii majoritari scad semnificativ
pn cnd potenialul regiunii de blocare ajunge la valoarea tensiunii sursei de
alimentare E. Din acest moment curentul prin jonciune dispare aproape complet, cu
excepia unui curent invers foarte mic.
n concluzie, polarizarea invers a jonciunii PN determin apariia unui cmp electric
extern Eext mai mare i de acelai sens cu cmpul electric intern Eint, care se
ndreapt de la zona N spre zona P, care mpiedic deplasarea purttorilor de
sarcin majoritari dar favorizeaz deplasarea purttorilor de sarcin minoritari. Aceti
purttori de sarcin prin deplasarea lor formeaz curentul invers care este foarte
mic i este independent de valoarea tensiunii de alimentare. Valoarea curentului
invers depinde numai de temperatura jonciunii.
12

n figura 2.7 sunt prezentate cteva situaii practice de polarizare invers a jonciunii
PN iar n figura 2.8 este prezentat caracteristica static a jonciunii PN pentru
polarizarea invers.
Figura 2.7 Msurarea tensiunii i a curentului la polarizarea invers a jonciunii PN
USTR
C
UINV
D
IINV
Figura 2.8 Caracteristica static a jonciunii PN pentru polarizarea invers
USTR reprezint tensiunea invers de strpungere a jonciunii PN (n acest caz 50V)

13

n figura 2.9 este reprezentat graficul caracteristicii statice complete a jonciunii PN.
ID[mA]
ID max
ZONA I
UINV
UST
IINV
UP
UD [V]
0,7V
0
ZONA II
IINV max
IINV [A]
Figura 2.9 Caracteristica static a jonciunii PN
Caracteristica static a jonciunii PN este reprezentarea grafic a relaiei tensiune
curent ce caracterizeaz aceast jonciune. n figura 2.9 este reprezentat graficul
complet al caracteristicii statice n ambele situaii de polarizare.
ZONA I corespunde polarizrii directe cnd jonciunea PN permite trecerea
curentului electric prin ea. Jonciunea se deschide i permite trecerea curentului
electric cnd tensiunea pe jonciune depete tensiunea de prag (Up).
n aceast zon de funcionare jonciunea are urmtoarele caracteristici:
Tensiunea la bornele jonciunii este aproximativ constant n jurul valorii

tensiunii de prag i nu crete odat cu tensiunea de alimentare;
Curentul prin jonciune are valoare mare i este dependent de valoarea

rezistorului conectat n serie cu jonciunea;
14
Rezistena electric a jonciunii este foarte mic.


ZONA II corespunde polarizrii inverse cnd jonciunea PN nu permite trecerea
curentului electric prin ea. Jonciunea este blocat iar curentul care circul prin
jonciune este foarte mic i depinde doar de temperatura jonciunii i natura
semiconductorului.
Acest
curent
numit i
curent invers este
de
ordinul
nanoamperilor (10-9 A) pentru Si i de ordinul microamperilor (10-6 A) pentru Ge. n

aceast zon de funcionare jonciunea are urmtoarele caracteristici:
Tensiunea la bornele jonciunii este aproximativ egal cu valoarea tensiunii de

alimentare crete odat cu aceasta;
Curentul prin jonciune are valoare foarte mic i nu depinde de valoarea

tensiunii de alimentare att timp ct acesta nu depete valoare tensiunii de
strpungere a semiconductorului;
Rezistena electric a jonciunii este foarte mare.
La extremitile celor dou zone se gsesc zonele care limiteaz funcionarea

jonciunii PN n parametrii normali, astfel:
La extremitatea zonei I cnd jonciunea este polarizat direct dac se

depete valoare curentului direct maxim (ID
max)
jonciunea se
supranclzete i se distruge. Pentru a preveni aceast situaie se calculeaz

corect rezistena i puterea electric a rezistorului care se conecteaz n serie
cu jonciunea. Aceast valoare se calculeaz n funcie de valoarea tensiunii
de alimentare i a curentului maxim admis prin jonciune;
La extremitatea zonei II cnd jonciunea este polarizat invers dac se

depete valoare tensiunii de strpungere (UST) curentul prin jonciune
crete foarte mult fapt care duce la supranclzirea i distrugerea jonciunii.
Pentru a preveni aceast situaie se urmrete ca valoarea tensiunii de
alimentare s nu depeasc valoarea tensiunii de strpungere pentru care a
fost proiectat jonciunea, n situaia n care jonciunea este polarizat invers.
15
Jonciunea PN este o structur fizic obinut prin doparea unui monocristal

semiconductor pur cu impuriti trivalente i pentavalente.
Jonciunea PN reprezint zona de contact dintre dou regiuni vecine, una de

tip P i una de tip N.
Jonciunea PN are trei regiuni: dou regiuni neutre de tip p i de tip n ntre
care se afl o regiune de trecere numit i regiune de blocare sau regiune
golit.
Prin polarizarea jonciunii se nelege alimentarea cu tensiune a jonciunii

prin conectarea celor dou regiuni neutre P i N la bornele unei surse de
tensiune continu.
La polarizarea direct regiunea P se conecteaz la borna pozitiv a sursei

iar regiunea N se conecteaz la borna negativ a sursei de alimentare.
La polarizarea invers regiunea P se conecteaz la borna negativ a sursei

iar regiunea N se conecteaz la borna pozitiv a sursei de alimentare.
Tensiunea de prag (potenialul de barier) reprezint tensiunea minim la

care jonciunea permite la polarizarea direct trecerea curentului electric.
La cristalul de siliciu tensiunea de prag este 0,6 1,2 V iar la cristalul de

germaniu tensiunea de prag este 0,2 0,6 V.
La polarizarea direct a jonciunii PN regiunea golit se ngusteaz iar la

polarizarea invers regiunea golit se lrgete.
Cnd se polarizeaz o jonciune se conecteaz n circuitul electric n serie cu

un rezistor care are rolul de a limita curentul electric prin jonciune.
La polarizarea direct rezistena electric a jonciunii este foarte mic i n

momentul n care tensiunea pe jonciune depete tensiunea de prag prin
jonciune circul un curent mare (numit i curent direct) dinspre zona P spre
zona N.
La polarizarea invers rezistena electric a jonciunii este foarte mare iar prin
jonciune circul un curent foarte mic (numit i curent invers) dinspre zona N
spre zona P.
Pentru a preveni deteriorarea jonciunii PN se ine cont de valoarea maxim a

curentului direct i valoarea tensiunii inverse maxime ( tensiune de
strpungere).
16
I ncercuiete varianta de rspuns corect.
1. Jonciunea PN se formeaz la:
a. Recombinarea electronilor cu golurile;
b. Ciocnirea unui neutron i proton;
c. Limita de separare ale semiconductoarelor de tip P i tip N.
2. Regiunea golit const n:
a. Purttori majoritari;
b. Purttori minoritari;
c. Ioni pozitivi i negativi.
3. Polarizarea nseamn:
a. Intensitatea curentului ce strbate jonciunea;
b. Tensiunea electric dintre zonele P i N ale jonciunii PN;
c. Tensiunea electric continu aplicat la zonele P i N ale jonciunii.
4. Tensiune de prag reprezint:
a. Tensiunea minim la care jonciunea permite trecerea curentului;
b. Tensiunea minim la care jonciunea blocheaz trecerea curentului;
c. Tensiunea maxim la care jonciunea permite trecerea curentului.
5. La polarizarea direct a jonciunii PN:
a. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona N;
b. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona P;
c. Borna pozitiva a sursei de alimentare se poate conecta la orice zon.
6. La polarizarea invers a jonciunii PN:
a. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona N;
b. Borna pozitiv a sursei de alimentare se conecteaz la zona P;
c. Borna pozitiva a sursei de alimentare se poate conecta la orice zon.
7. La polarizarea direct a jonciunii PN:
a. Curentul prin jonciune este mare i tensiunea pe jonciune este mic;
b. Curentul prin jonciune este mic i tensiunea pe jonciune este mare;
c. Curentul i tensiunea sunt mari.
8. La polarizarea invers a jonciunii PN:
a. Curentul prin jonciune este mare i tensiunea pe jonciune este mic;
b. Curentul prin jonciune este mic i tensiunea pe jonciune este mare;
c. Curentul i tensiunea sunt mari.
17
CAPITOLUL 3. DIODA SEMICONDUCTOARE.

3.1 STRUCTURA I SIMBOLUL DIODEI
Dioda semiconductoare - este un dispozitiv electronic format dintr-o jonciune
PN prevzut cu dou contacte metalice ataate la cele dou zone numite Anod (+)
i Catod(-). Acest ansamblu este introdus ntr-o capsul cu rol de protecie i de
transfer al cldurii degajate n timpul funcionrii.
Figura 3.1 Structura i simbolul grafic al diodei

Materialele utilizate pentru construcia jonciunii PN sunt metale semiconductoare
(Germaniu i Siliciu).
Capsulele diodelor pot fi din plastic, din sticl sau metalice.
Figura 3.2 Capsule de diode uzuale

Simbolurile diodelor utilizate frecvent n circuitele electronice sunt prezentate mai jos:
DIODA REDRESOARE
DIOADA STABILIZATOARE
DIODA CU CONTACT
DIODA DE COMUTAIE
PUNCTIFORM
DIODA VARICAP
18
DIODA TUNEL
3.2 TESTAREA DIODELOR

a. Verificarea diodelor se face cu multimetru digital prin dou metode:
1. Se msoar rezistena diodei n ambele sensuri.
Dioda funcioneaz dac ntr-un sens aparatul indic rezisten mic (pe display este
afiat un numr) iar n cellalt sens indic rezisten foarte mare (pe display este
afiat I. sau .0L).
Pentru msurarea rezistenei jonciunii diodei, comutatorul multimetrului se fixeaz
pe domeniul ohmi pe poziia 2M sau 20M
2. Se msoar tensiunea la bornele diodei n ambele sensuri.
Dioda funcioneaz dac ntr-un sens aparatul indic 0,7 V iar n cellalt sens indic
0 V.
Pentru msurarea tensiunii pe diod, comutatorul multimetrului se fixeaz pe poziia
. Dac multimetrul este prevzut cu buton de selecie a funciei
se
activeaz butonul de selecie pn apare pe display simbolul diodei.

b. Identificarea terminalelor diodei semiconductoare se face prin dou metode:
1. Vizual - n funcie de tipul capsulei:
La diodele n capsul de plastic i de sticl terminalul spre care este o band

colorat reprezint Catodul(-);
La diodele n capsul metalic terminalul care este n legtur direct cu

corpul diodei reprezint Catodul(-).
Figura 3.3 Identificarea terminalelor diodei in funcie de tipul capsulei

2. Prin msurarea rezistenei sau a tensiunii pe diod cu multimetrului digital:
Se conecteaz tastele multimetrului la bornele diodei n sensul n care acesta indic
rezisten mic sau indic tensiune. n aceast situaie borna + (plus)
multimetrului este conectat la anodul diodei (+) iar borna (minus)
multimetrului este conectat la catodul diodei (-).
19
LUCRARE DE LABORATOR
VERIFICAREA I IDENTIFICAREA TERMINALELOR UNEI DIODE.
OBIECTIVE:
o Verificarea diodei semiconductoare;
o Identificarea terminalelor diodei cu multimetru digital.
RESURSE:
o Multimetru digital;
o Diode redresoare 1N4007.
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se verific dioda prin msurarea rezistenei jonciunii parcurgnd etapele:
Se fixeaz comutatorul multimetrului pe poziia
Se conecteaz tastele multimetrului la bornele diodei n ambele sensuri (se

schimb poziia terminalelor diodei fa de tastele multimetrului);
a.
b.
Figura 3.4 Msurarea rezistenei jonciunii diodei n ambele sensuri
Se observ c ntr-un sens ohmmetrul indic rezisten (fig. 3.4 a) iar n

cellalt sens ohmmetrul indic rezisten foarte mare (fig.3.4 b);
Dac n ambele sensuri ohmmetrul indic rezisten atunci jonciunea diodei

este strpuns;
Dac n ambele sensuri ohmmetrul indic rezisten foarte mare atunci

jonciunea diodei este ntrerupt.
20

2. Se verific dioda prin msurarea tensiunii pe jonciune parcurgnd etapele:
Se fixeaz comutatorul multimetrului pe poziia diod;
Se activeaz butonul de selecie buzer / diod pn apare afiat pe display

simbolul diodei;
Se conecteaz tastele multimetrului la bornele diodei n ambele sensuri (se

schimb poziia terminalelor diodei fa de tastele multimetrului);
Figura 3.5 Msurarea tensiunii pe jonciunea diodei n ambele sensuri
Se observ c ntr-un sens multimetrul indic tensiune 0,5 V (fig. 3.5 a) iar
n cellalt sens multimetrul nu indic tensiune 0 V (fig.3.5 b);
3. Se identific terminalele diodei astfel:
Se conecteaz tastele multimetrului la terminalele diodei n sensul n care

acesta indic rezisten electric (fig. 3.4 a) sau indic tensiune (fig. 3.5 a).
Terminalul la care este conectat tasta + (plus) a multimetrului este anodul

(+) diodei.
21
3.3 POLARIZAREA DIODELOR

Dioda redresoare, dioda cu contact punctiform, dioda de comutaie, dioda tunel se
polarizeaz direct.
Dioda stabilizatoare, dioda varicap se polarizeaz invers.
Prin polarizare se nelege aplicarea la terminalele diodei a unei tensiuni continue.
Polarizarea poate fi direct i invers.
Polarizare direct - const n conectarea bornei (+) a sursei la Anodul (+) diodei i
a bornei (-) a sursei la Catodul (-) diodei.
O diod este polarizat direct i n situaia n care anodul este mai pozitiv dect
catodul .
LA POLARIZARE DIRECT DIODA INTR N CONDUCIE I PERMITE
TRECEREA CURENTULUI ELECTRIC PRIN EA.
Polarizare invers - const n conectarea bornei (+) a sursei la Catodul (-) diodei i
a bornei (-) a sursei la Anodul (+) diodei.
O diod este polarizat invers i n situaia n care anodul este mai negativ dect
catodul .
LA POLARIZARE INVERS DIODA SE BLOCHEAZ I NU PERMITE TRECEREA
CURENTULUI ELECTRIC PRIN EA.
Tensiunea de prag - este tensiunea minim cu care trebuie s fie polarizat o diod
pentru a intra n conducie.
Pentru diodele cu siliciu tensiunea de prag are valoarea 0,6 V iar pentru cele cu
germaniu are valoarea 0,2 V.
Figura 4.2.3 Polarizarea jonciunii PN
Figura 3.6 Polarizarea diodei semiconductoare
22
3.4 PARAMETRII CARACTERISTICI DIODELOR

a. Parametrii caracteristici diodei redresoare:
Tensiunea continu direct [VF] reprezint tensiunea la bornele diodei n

conducie direct, pentru un anumit curent precizat IF;
Curentul direct continuu [IF] reprezint curentul continuu admis n regim

permanent care trece prin diod, n absena componentei alternative;
Tensiunea direct la vrf [VFM] reprezint valoarea maxim a tensiunii

sinusoidale la bornele diodei n conducie direct, pentru un curent maxim
precizat IFM;
Curentul direct la vrf [IFM] reprezint valoarea maxim a curentului semisinusoidal n sens direct, n regim permanent;
Tensiunea invers maxim de vrf [VRRM] reprezint tensiunea invers

maxim la care poate rezista dioda, atunci cnd aceast tensiune este atins
n mod repetat;
Curentul direct maxim de vrf [IFRM] reprezint valoarea instantanee

maxim a curentului direct, n regim permanent, incluznd toi curenii
tranzitorii n absena polarizrii continue;
Curentul direct de vrf de suprasarcin accidental [IFSM] reprezint

valoarea de vrf a unui impuls de curent direct, ce trece accidental prin diod
ntr-ul interval de timp foarte scurt (10 ms);
Tensiunea de strpungere [VBR] reprezint valoarea minim a tensiunii la

care are loc distrugerea diodei;
Puterea disipat [Pdmax] reprezint valoarea maxim a puterii disipate, fr

ca aceast putere s distrug dioda Pdmax = VFM IFM;
Temperatura maxim a jonciunii [Tjmax] reprezint temperatura maxim a

jonciunii PN. Pentru diodele cu siliciu: Tjmax = (- 55C ..+175C)
Tabel 3.1 - Date de catalog pentru diode redresoare din familia 1N4001-1N4007
23
DIOD
VRRM[V]
IFRM[A]
IFSM[A]
VF[V]
IF[A]
Pdmax[W]
1N4001
50
10
30
1,1
1N4005
600
10
30
1,1
1N4007
1000
10
30
1,1

b. Parametrii caracteristici diodei stabilizatoare:
Tensiunea nominal de stabilizare [VZT] reprezint tensiunea aplicat n

sens invers la bornele diodei, care rmne aproximativ constant cnd
curentul ia valori ntr-un anumit domeniu;
Curentul de control al tensiunii stabilizate [IZT] reprezint curentul de control

al tensiunii stabilizate;
Curentul de stabilizare maxim [IZM] reprezint limita superioar a curentului

de stabilizare peste care funcionarea diodei nu mai este garantat. Curentul
de stabilizare maxim nu apare n toate cataloagele, dar mai poate fi calculat
cu aproximaie utiliznd formula: =
Curentul de stabilizare minim [IZK] reprezint limita inferioar a curentului de

stabilizare sub care funcionarea diodei nu mai este garantat;
Impedana Zener [ZZT] reprezint valoarea n ohmi a impedanei dinamice

corespunztoare curentului de control al tensiunii de stabilizare (se msoar
n regim variabil =
).
Tabel 3.2 - Date de catalog pentru diode Zener din familia BZX85C cu PD = 1,3 W
24
DIOD
VZT[V]
IZT[mA]
ZZT[]
ZZK[]
IZK[mA]
IZM[mA]
BZX85C 4V7
4,7
45
13
600
193
BZX85C 5V1
5,1
45
10
500
178
BZX85C 5V6
5,6
45
400
162
BZX85C 9V1
9,1
25
200
0,5
100
BZX85C 10
10
25
200
0,5
91
BZX85C 12
12
20
350
0,5
76
BZX85C 15
15
15
15
500
0,5
61
SIMULARE CU AJUTORUL CALCULATORULUI

CARACTERISTICA STATIC A DIODEI REDRESOARE
OBIECTIVE:
o Realizarea cu ajutorul programului de simulare a circuitelor de
polarizare a diodei;
o Trasarea caracteristicii statice n funcie de valorile msurate n circuitul
simulat.
RESURSE:
o Calculator;
o Program de simulare scheme electronice.
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz cu simulatorul schema din figura 3.7;
Figura 3.7 Circuite de polarizare direct i invers a diodei redresoare

Cnd comutatorul K este pe poziia 1, dioda D1 este polarizat direct. Tensiunea pe
diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ud respectiv ampermetrul Id.
Cnd comutatorul K este pe poziia 2, dioda D1 este polarizat invers. Tensiunea pe
diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ui respectiv ampermetrul Ii.
25

2. Se fixeaz comutatorul K pe poziia 1 i se regleaz sursa V1 la valorile indicate n
tabel. n fiecare caz se simuleaz funcionarea i se noteaz n tabelul 3.3 valoarea
tensiunii indicate de voltmetrul Ud i a curentului indicat de ampermetrul Id;
Tabelul 3.3
V1[V]
0,2
0,5
10
20
Ud[V]
Id[mA]
tensiunii indicate de voltmetrul Ui i a curentului indicat de ampermetrul Ii;
Tabelul 3.4
V2[V]
20
53
55
60
70
Ui[V]
Ii[mA]
4. Pe baza datelor din cele dou tabele se traseaz prin puncte caracteristica static
direct i caracteristica static invers a diodei redresoare n sistemul de coordonate
reprezentat n figura 3.8.
ID[mA]
UD[V]
UI[V]
0
II[mA]
Figura 3.8 Graficul caracteristicii statice directe i inverse a diodei redresoare
26

CARACTERISTICA STATIC A DIODEI STABILIZATOARE
OBIECTIVE:
polarizare a diodei;
o Trasarea caracteristicii statice n funcie de valorile msurate n circuitul
simulat.
RESURSE:
o Calculator;
DESFURAREA LUCRRII:
Figura 3.9 Circuite de polarizare direct i invers a diodei stabilizatoare
Cnd comutatorul K este pe poziia 1, dioda D1 este polarizat direct. Tensiunea pe

diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ud respectiv ampermetrul Id.
Cnd comutatorul K este pe poziia 2, dioda D1 este polarizat invers. Tensiunea pe
diod i curentul prin diod sunt indicate de voltmetrul Ui respectiv ampermetrul Ii.
27

tensiunii indicate de voltmetrul Ud i a curentului indicat de ampermetrul Id;
Tabelul 3.5
V1[V]
0,5
10
15
Ud[V]
Id[mA]
tensiunii indicate de voltmetrul Ui i a curentului indicat de ampermetrul Ii;
Tabelul 3.6
V2[V]
10
15
Ui[V]
Ii[mA]
4. Pe baza datelor din cele dou tabele se traseaz prin puncte caracteristica static
direct i caracteristica static invers a diodei stabilizatoare n sistemul de
coordonate reprezentat n figura 3.10.
ID[mA]
UD[V]
UI[V]
0
II[mA]
Figura 3.10 Graficul caracteristicii statice directe i inverse a diodei Zener
28
3.5 FUNCIONAREA DIODEI REDRESOARE N CIRCUIT.

3.5.1 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT CONTINUU.
Dac plasm o diod cu anodul (+) spre borna (+) a unei surse de alimentare,
dioda intr n conducie i permite trecerea curentului prin ea.
Dac plasm o diod cu catodul (-) spre borna (+) a unei surse de alimentare, dioda
se blocheaz i NU permite trecerea curentului prin ea.
n figura 3.11 dioda este n conducie, permite trecerea curentului electric prin ea,
lampa H lumineaz.
Figura 3.11 Diod n circuit de curent continuu - polarizat direct

n figura 3.12 dioda este blocat, NU permite trecerea curentului electric prin ea,
lampa H NU lumineaz.
Figura 3.12 Diod n circuit de curent continuu - polarizat invers
29
3.5.2 FUNCIONAREA DIODELOR N CIRCUITE DE CURENT ALTERNATIV.

Dioda redresoare transform tensiunea alternativ n tensiune continu
(redreseaz).
Dac plasm o diod cu anodul (+) spre sursa de tensiune alternativ, dioda permite
s treac prin ea semialternanele pozitive (fig.3.13).
Dac plasm o diod cu catodul (-) spre sursa de tensiune alternativ, dioda permite
s treac prin ea semialternanele negative (fig.3.14).
Figura 3.13 Redresarea semialternanelor pozitive
Figura 3.14 Redresarea semialternanelor negative
30
3.6 FUNCIONAREA DIODEI STABILIZATOARE N CIRCUIT

a. Generaliti.
Dioda stabilizatoare (Zener) menine la ieirea unui circuit de curent continuu
tensiunea constant (stabilizat) n condiiile n care se modific, ntre anumite limite,
valoarea tensiunii de intrare sau a curentului de sarcin (curent absorbit de
consumator).
Dioda stabilizatoare se polarizeaz invers.

Simbolul diodei Zener.
Anod (+)
Catod (-)
Diodele stabilizatoare se construiesc n capsul din sticl, plastic sau metalic
Figura 3.15 Diode stabilizatoare de tensiune

b. Conectarea diodei n circuit.
Dioda stabilizatoare se utilizeaz numai n circuite de curent continuu i se
polarizeaz ntotdeauna invers. Pentru limitarea curentului prin diod la funcionarea
stabilizatorului n gol (fr rezisten de sarcin), dioda stabilizatoare se
conecteaz n circuit n serie cu un rezistor (Rz). Tensiunea de ieire a circuitului de
stabilizare se culege de la bornele diodei Zener.
Figura 3.16 Polarizarea diodei stabilizatoare de tensiune

31
c. Algoritmul de calcul a elementelor de circuit.

n circuitul din figura 3.16 se cunoate:
LED-ul este rou cu: ULED = 1,8 V ; ILED = 10 mA ;
dioda DZ este BZX85C 5V1 cu: VZT = 5,1 V ; IZT = 45 mA ; IZK = 1mA ; IZM = 178 mA.
Pentru circuitul din figura 3.16 se pot scrie relaiile:
() = + () = ()
= + ()
Pentru calculul elementelor de circuit se parcurg etapele:

1. Se calculeaz valoarea rezistenei de sarcin Rs :
[] []
[]
,,
= (5)
unde: Us = VZT = 5,1 V; Is = ILED = 10 mA;

2. Se calculeaz valoarea rezistenei de limitare Rz dac se cunoate valoarea
maxim a tensiunii de intrare Ui (se consider Ui=27 V) :

,
=
= ()
Rz = 150 (prima valoare superioar standardizat).

Cnd se calculeaz Rz se consider c valoarea curentului prin dioda Zener este
maxim, stabilizatorul funcioneaz fr sarcin (cu ieirea n gol);
3. Se calculeaz valoarea minim a tensiunii de intrare care poate fi stabilizat
de dioda Zener:
= + = ( + ) +
= ( + ) + , = , + , = , ()
La calculul tensiunii de intrare minime se ia n considerare curentul minim de care
are nevoie dioda ca s stabilizeze i curentul de sarcin necesar funcionrii
consumatorului;
4. Dac se cunoate valoarea rezistenei de limitare Rz, se calculeaz valoarea
maxim a tensiunii de intrare care poate fi stabilizat de dioda Zener:
= + = + ()
32
3.7 DIODE DE UZ SPECIAL

3.7.1 DIODE STABILIZATOARE DE CURENT
Sunt diode care menin curentul constant ntre anumite limite la modificarea tensiunii
din circuit. Se polarizeaz direct cu tensiuni cuprinse ntre 1,5 V i 6 V .
Seria de diode 1N5283 1N5314 au curentul de stabilizare cuprins ntre 0,2 - 4,7
mA.
Simbolul diodei stabilizatoare de curent
Anod
Catod
3.7.2 DIODE CU CONTACT PUNCTIFORM
Structura unei diode cu contact

punctiform: 1- capsul de sticl;
2-electrozi metalici;
3-semiconductor de tip n;
4-conductor subire de wolfram.
Figura 3.17 Diode cu contact punctiform
Diodele cu contact punctiform sunt diode cu capacitatea total foarte mic (sub 1 pF)
fiind utilizate n domeniul frecvenelor nalte i ultranalte, ca detectoare i
schimbtoare de frecven, putnd fi folosite i n regim de impulsuri, ca diode de
comutaie.
Tensiunea de deschidere UF este mai mare ca la diodele redresoare, ajunge pn la
2 V.
Se polarizeaz direct i se noteaz cu AA112----AA118, EFD 103, EFD 109etc.
33
3.7.3 DIODE DE COMUTAIE

La aceste diode rspunsul la schimbarea condiiilor de polarizare este foarte rapid.
Timpul de comutaie din starea de blocare n cea de conducie i invers este foarte
mic.
1N4148 reprezint o familie de diode de comutaie
Figura 3.18 Diod de comutaie

Dioda Schottky este o diod de comutaie rapid cu timpul de comutaie de 50 ps.
Dioda se polarizeaz direct, iar tensiunea de deschidere a diodei este de 0,3 V.
1N5817 1N5819 ; SK ; SR
3.7.4 DIODE VARICAP (VARACTOR)

Aceste diode se polarizeaz invers i i modific capacitatea odat cu modificare
tensiunii. Diodele varicap se comport n circuit ca nite condensatoare variabile
comandate n tensiune. Capacitatea unei diode varicap se modific de la ordinul pF
pn la zeci de pF.
Simbolul diodei varicap
Diodele varicap se noteaz cu BB 101, 102..201etc.
Figura 3.19 Diode varicap
34
3.7.5 DIODE TUNEL (ESAKI)

Dioda tunel este un dispozitiv electronic cu rezisten dinamic negativ.
Pn la o anumit valoare a tensiunii de polarizare (UP tensiunea de pic) dioda
tunel funcioneaz ca o diod normal (curentul prin diod crete odat cu tensiunea
de polarizare).
Dac tensiunea de polarizare a diodei crete peste o anumit valoare (de la U P la
UV- tensiunea de vale) , curentul prin diod scade ( acest fenomen poart numele de
rezisten negativ).
Dac tensiunea de polarizare crete i mai mult (peste tensiunea U V) dioda tunel
funcioneaz iari ca diod normal.
Deci dioda tunel se polarizeaz direct i are 3 zone distincte de funcionare.
Figura 3.20 Diode tunel

Familii de diode tunel: 1N3713.1N3721 ; 1N 2927 ; 1N3149
Dioda tunel se utilizeaz n circuite electronice de amplificare, oscilaie i comutaie.
35
3.7.6 DIODE GUNN

Diodele Gunn sunt componente specifice generatoarelor de microunde i
funcioneaz prin efectul Gunn, adic prin apariia unei oscilaii de foarte nalt
frecven n semiconductoare omogene, la trecerea unui curent prin acestea.
Necesit tensiuni de alimentare mici (5 10V) i pot produce oscilaii de pn la 30
GHz la puteri de 100 mW.
Diodele Gunn sunt dispozitive active n domeniul microundelor, care funcioneaz ca
un convertor a tensiunii continue ntr-o tensiune oscilant de nalt frecven.
Figura 3.21 Diode GUNN

Familii de diode GUNN: MG 1001 MG1061
Se utilizeaz ca oscilatoare de mic i medie putere; ca amplificatoare de microunde,
cuptoare cu microunde, detectoare de micare, detectoare radar, radare militare.
3.7.8 DIODE PIN

O diod PIN este format din dou regiuni, n i p, separate de un strat intrinsec de
siliciu.
ANOD
P
Intrinsec
N
CATOD
Figura 3.22 Diode PIN

n polarizare direct, funcioneaz ca o rezisten variabil, comandat n curent.
n polarizare invers, funcioneaz ca o capacitate relativ constant.
Familii de diode PIN: BAR 63-04W, BAR 63-05W, BAR 63-06W
Se utilizeaz n special n circuitele de radiofrecven, ca atenuatoare comandabile.
Se mai utilizeaz n domeniul microundelor, drept comutator comandat n tensiune
continu de variaiile rapide ale tensiunii de polarizare, sau ca dispozitiv de
modulare.
36
Dioda semiconductoare - este un dispozitiv electronic format dintr-o

jonciune PN prevzut cu dou contacte metalice ataate la cele dou zone
numite Anod (+) i Catod(-).
Dioda funcioneaz dac ntr-un sens ohmmetrul digital indic rezisten mic
(pe display este afiat un numr) iar n cellalt sens indic rezisten foarte
mare (pe display este afiat I. sau .0L).
La diodele n capsul de plastic i de sticl terminalul spre care este o band

colorat reprezint Catodul(-). La diodele n capsul metalic terminalul care
este n legtur direct cu corpul diodei reprezint Catodul(-).
Pentru identificarea terminalelor diodei, tastele ohmmetrului digital se

conecteaz la bornele diodei n sensul n care acesta indic rezisten mic.
n aceast situaie borna + (plus) a ohmmetrului este conectat la anodul
diodei (+) iar borna (minus)
a ohmmetrului este conectat la catodul
diodei (-).
Polarizare direct - const n conectarea bornei (+) a sursei la Anodul (+)

diodei i a bornei (-) a sursei la Catodul (-) diodei. O diod este polarizat
direct i n situaia n care anodul este mai pozitiv dect catodul.
Polarizare invers - const n conectarea bornei (+) a sursei la Catodul (-)

diodei i a
bornei (-) a sursei la Anodul (+) diodei.
O diod este
polarizat invers i n situaia n care anodul este mai negativ dect

catodul.
La polarizare direct dioda intr n conducie i permite trecerea curentului

electric prin ea. La polarizare invers dioda se blocheaz i nu permite
trecerea curentului electric prin ea.
Tensiunea de prag - este tensiunea minim cu care trebuie s fie polarizat o

diod pentru a intra n conducie. Pentru diodele cu siliciu tensiunea de prag
are valoarea 0,6 V iar pentru cele cu germaniu are valoarea 0,2 V.
Dac plasm o diod redresoare cu anodul (+) spre borna (+) a unei surse de
alimentare, dioda intr n conducie i permite trecerea curentului prin ea.
Dac plasm o diod redresoare cu catodul (-) spre borna (+) a unei surse de
alimentare, dioda se blocheaz i NU permite trecerea curentului prin ea.
37
Dac plasm o diod redresoare cu anodul (+) spre sursa de tensiune

alternativ, dioda permite s treac prin ea semialternanele pozitive. Dac
plasm o diod redresoare cu catodul (-) spre sursa de tensiune alternativ,
dioda permite s treac prin ea semialternanele negative.
Dioda stabilizatoare (Zener) menine la ieirea unui circuit de curent

continuu tensiunea constant (stabilizat) n condiiile n care se modific,
ntre anumite limite, valoarea tensiunii de intrare sau a curentului de sarcin
(curent absorbit de consumator) .
Diodele cu contact punctiform sunt diode cu capacitatea total foarte mic

(sub 1 pF) fiind utilizate n domeniul frecvenelor nalte i ultranalte, ca
detectoare i schimbtoare de frecven, putnd fi folosite i n regim de
impulsuri, ca diode de comutaie.
Diodele de comutaie sunt diode la care rspunsul la schimbarea condiiilor

de polarizare este foarte rapid. Timpul de comutaie din starea de blocare n
cea de conducie i invers este foarte mic.
Diodele varicap i modific capacitatea odat cu modificare tensiunii. Aceste

diode se comport n circuit ca nite condensatoare variabile comandate n
tensiune.
Dioda tunel este un dispozitiv electronic cu rezisten dinamic negativ.

Pn la o anumit valoare a tensiunii de polarizare (UP tensiunea de pic)
dioda tunel funcioneaz ca o diod normal (curentul prin diod crete odat
cu tensiunea de polarizare). Dac tensiunea de polarizare a diodei crete
peste o anumit valoare (de la UP la UV- tensiunea de vale) , curentul prin
diod scade ( acest fenomen poart numele de rezisten negativ).
Diodele Gunn sunt componente specifice generatoarelor de microunde i

funcioneaz prin efectul Gunn, adic prin apariia unei oscilaii de foarte nalt
frecven n semiconductoare omogene, la trecerea unui curent prin acestea.
Dioda PIN este format din dou regiuni, n i p, separate de un strat intrinsec
de siliciu. n polarizare direct, funcioneaz ca o rezisten variabil,
comandat n curent. n polarizare invers, funcioneaz ca o capacitate
relativ constant.
38
I ncercuiete varianta sau variantele de rspuns corect.
1. La o diod cu siliciu, valoarea tipic a tensiunii de polarizare direct este:
a. Mai mic de 0,3 V;
b. ntre 0,3 V i 0,6 V;
c. Mai mare de 0,6 V.
2. La polarizare direct dioda:
a. Nu conduce curentul;
b. Conduce curentul;
c. Are rezisten mare;
d. Are rezisten mic.
3. Pentru a permite trecerea curentului prin ea o diod trebuie:
a. S fie polarizat direct;
b. S fie polarizat invers;
c. Tensiunea de polarizare s fie mai mare dect tensiunea de prag.
II Completeaz spaiile libere cu termenii corespunztori
1. Dioda Zener stabilizeaz tensiunea ntr-un circuit dac este polarizat .;
2. Diodele cu contact punctiform sunt utilizate n domeniul frecvenelor ;
3. Diodele varicap se comport n circuit ca nite ...;
III Stabilete asocierea corect dintre tipurile de diode din coloana A i
simbolurile grafice din coloana B.
A TIP DE DIOD
B SIMBOL GRAFIC
DIOD STABILIZATOARE
DIOD TUNEL
DIOD VARICAP
DIOD DE COMUTAIE
39
CAPITOLUL 4. APLICAII ALE DIODELOR SEMICONDUCTOARE

4.1 REDRESORUL MONO-ALTERNAN
Fig.4.1 Schema electronic a redresorului mono-alternan
Fig. 4.2 Schema bloc a redresorului mono-alternan

TRANSFORMATORUL - reduce tensiunea de alimentare alternativ de la 220 V la
o tensiune necesar funcionrii montajului.
REDRESORUL - transform tensiunea de intrare de curent alternativ ntr-o
tensiune pulsatorie de curent continuu.
FILTRUL - elimin fluctuaiile tensiunii redresate, furniznd la ieirea sa o tensiune
de c.c. relativ constant.
Tensiunea de vrf (maxim) - Uv - reprezint valoarea tensiunii alternative indicat
de un osciloscop.
Tensiunea de vrf din secundar - Uv(sec) - reprezint valoarea tensiunii indicat
de un osciloscop n secundarul transformatorului.
Tensiunea
de
vrf la
ieire -
Uv(out)
reprezint
valoarea
tensiunii redresate indicat de un osciloscop.

Tensiunea efectiv - Uef - reprezint valoarea tensiunii alternative indicat de un
voltmetru de c.a.
Tensiunea medie redresat - Umed - reprezint valoarea tensiunii redresate
indicat de un voltmetru de c.c.
40
4.2 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN CU PRIZ MEDIAN
Figura 4.3 Schema electronic a redresorului dubl alternan cu priz median
Fig. 4.4 Schema bloc a redresorului dubl alternan cu priz median

Transformatorul cu priz median - are n secundar 2 nfurri identice are au cte
un capt conectat la priza median.
ntre priza median a secundarului i fiecare dintre capetele acestuia se regsete
cte o jumtate din tensiunea total din secundar.
Cnd n primar este semialternana pozitiv n secundar pe nfurarea conectat la
dioda D1 este semialternan pozitiv iar pe nfurarea conectat la dioda D2 este
semialternan negativ. n aceast situaie dioda D1 conduce iar dioda D2 este
blocat.
Cnd n primar este semialternana negativ n secundar pe nfurarea conectat la
dioda D1 este semialternan negativ iar pe nfurarea conectat la dioda D2 este
semialternan pozitiv. n aceast situaie dioda D1 este blocat iar dioda D2
conduce.
41
4.3 REDRESORUL DUBL-ALTERNAN N PUNTE
Figura 4.5 Schema electronic a redresorului dubl alternan n punte

Redresorul dub alternan n punte utilizeaz 4 diode dispuse ca n figura 4.5 i
funcioneaz astfel:
- pentru semialternana pozitiv a tensiunii de intrare diodele D1 i D2 sunt polarizate
direct, prin D1 trece (+) iar prin D2 trece (-). Diodele D3 i D4 sunt polarizate invers;
- pentru semialternana negativ a tensiunii de intrare diodele D3 i D4 sunt
polarizate direct, prin D3 trece (-) iar prin D4 trece (+). Diodele D1 i D2 sunt
polarizate invers.
Forma tensiunii de ieire este ca la redresorul dubl alternan cu priz median.
La redresorul dubl alternan valoarea tensiunii de ieire este dubl fa de
valoarea tensiunii de ieire de la redresorul mono-alternan.
4.3.1 PUNTEA REDRESOARE

Puntea redresoare are 2 pori cu cte 2 terminale fiecare poart. Terminalele opuse
reprezint o poart.
Poarta de intrare (notat cu i ) este conectat la sursa de tensiune alternativ iar
poarta de ieire (notat cu + i -) este conectat la montaj.
Puntea redresoare poate fi monobloc (figura 4.6) sau poate fi construit utiliznd 4
diode redresoare.
Figura 4.6 Puni redresoare monobloc

42

a. Construirea unei puni redresoare utiliznd 4 diode.
- se deseneaz un romb i se stabilete poarta de intrare i poarta de ieire pe cte
2 vrfuri opuse ale rombului;
- pe fiecare latur a rombului se stabilete ce semialternan trebuie s treac i
sensul de parcurgere al laturii (de la intrare spre ieire);
- pe fiecare latur se plaseaz o diod astfel nct s permit trecerea
semialternanei stabilite la punctul precedent.
n figura 4.7 sunt reprezentate de la stnga la dreapta etapele de realizare a unei
puni redresoare.
Figura 4.7 Etapele de realizare a punii redresoare cu 4 diode

b. Identificarea porilor i terminalelor unei puni redresoare monobloc.
O poart este format din 2 terminale opuse ale punii. Dac puntea are terminalele
liniare, cele de pe margini reprezint o poart iar cele din interior alt poart.
Pe poarta de intrare ( ) multimetrul indic n ambele sensuri rezisten foarte
mare
Pe poarte de ieire (+ - ) multimetrul indic ntr-un sens rezisten foarte mare iar
n cellalt sens rezisten mic.
Pentru a identifica terminalul ( + ) i terminalul ( - ) al porii de ieire , se conecteaz
multimetrul la poarta de ieire n sensul n care indic rezisten mic.
n aceast situaie tasta (+) a multimetrului se afl pe terminalul (-) al porii de
ieire iar tasta (-) a multimetrului se afl pe terminalul (+) al porii de ieire.
OBSERVAIE: pentru msurtorile explicate mai sus s-a utilizat un multimetru
digital.
c. Marcarea punii redresoare monobloc.
3 PM 4
curentul maxim [A]
tensiunea invers maxim [sute de voli]
Puntea marcat cu 3PM4 suport un curent maxim de 3 A i o tensiune invers de

400 V.
43

CIRCUITE DE REDRESARE
OBIECTIVE:
redresare;
o Msurarea unor mrimi electrice n diferite puncte a circuitelor de
redresare;
o Vizualizarea cu ajutorul osciloscopului a formelor de und n diferite
puncte a circuitelor de redresare .
RESURSE:
o Calculator;
DESFURAREA LUCRRILOR:
A. REDRESORUL MONO-ALTERNAN.
1. Se realizeaz cu simulatorul schema redresorului mono-alternan din figura 4.8;
Figura 4.8 Schema redresorului mono-alternan realizat cu simulatorul

2. La generatorul de semnal sinusoidal (XFG1) se seteaz:
- frecvena = 50 Hz;
- amplitudinea = 20Vp
Transformatorul Tr se seteaz la raportul 1:1. Nu este obligatoriu s se utilizeze
transformator, generatorul poate fi conectat direct n circuit;
44

3. Se conecteaz n circuit osciloscopul, cu canalul A la intrarea n redresor i cu
canalul B la ieirea din redresor;
4. Cu ntreruptorul K n poziia deschis (fr filtru) se simuleaz funcionarea i se
noteaz n tabelul 4.1 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele din circuit i Uv
indicat de osciloscop. Oscilograma n aceast situaie este prezentat n figura 4.9.
Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;
Figura 4.9 Oscilograma redresorului mono-alternan fr filtru

5. Cu ntreruptorul K n poziia nchis (tensiunea este filtrat) se simuleaz
funcionarea i se noteaz n tabelul 4.1 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele
din circuit i Uv indicat de osciloscop. Oscilograma n aceast situaie este
prezentat n figura 4.10. Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;
Figura 4.10 Oscilograma redresorului mono-alternan cu filtru

TABELUL 4.1
K nchis
K deschis
Uv
Uef
Umed
Uv
Uef
Umed
6. Calculai Uef i Umed cu ajutorul formulelor prezentate la redresorul monoalternan.
45

B. REDRESORUL DUBL-ALTERNAN CU PRIZ MEDIAN.
1. Se realizeaz cu simulatorul schema redresorului dubl-alternan din figura 4.11;
Figura 4.11 Schema redresorului dubl-alternan realizat cu simulatorul

2. La generatorul de semnal sinusoidal (XFG1) se seteaz:
- frecvena = 50 Hz;
- amplitudinea = 17Vp;
3. Se conecteaz n circuit osciloscopul, cu canalul A la intrarea n redresor i cu
canalul B la ieirea din redresor;
4. Cu ntreruptorul K n poziia deschis (fr filtru) se simuleaz funcionarea i se
noteaz n tabelul 4.2 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele din circuit i Uv
indicat de osciloscop. Oscilograma este prezentat n figura 4.12.
Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;
Figura 4.12 Oscilograma redresorului mono-alternan fr filtru

46

5. Cu ntreruptorul K n poziia nchis (tensiunea este filtrat) se simuleaz
funcionarea i se noteaz n tabelul 4.2 valorile Uef i Umed indicate de voltmetrele
din circuit i Uv indicat de osciloscop. Oscilograma n aceast situaie este
prezentat n figura 4.13. Osciloscopul este reglat la 10 V/div i 10 ms/div;
Figura 4.13 Oscilograma redresorului mono-alternan cu filtru

TABELUL 4.2
K nchis
K deschis
Uv
Uef
Umed
Uv
Uef
Umed
6. Calculai Uef i Umed cu ajutorul formulelor prezentate la redresorul dublalternan.

C. REDRESORUL DUBL-ALTERNAN N PUNTE.
Se realizeaz cu simulatorul schema redresorului n punte din figura 4.14, apoi se
parcurg etapele care s-au parcurs la lucrarea anterioar.
Figura 4.14 Schema redresorului n punte realizat cu simulatorul

47

STABILIZATOARE DE TENSIUNE PARAMETRICE
OBIECTIVE:
stabilizare cu diod Zener;
o Msurarea unor mrimi electrice n diferite puncte a circuitelor de
redresare;
o Determinarea parametrilor electrici limit ai unui circuit de stabilizare cu
diod Zener.
RESURSE:
o Calculator;
DESFURAREA LUCRRILOR:
A. Stabilizator de tensiune n raport cu variaia tensiunii de intrare.
1. Realizai cu simulatorul schema stabilizatorului din figura 4.15;
Figura 4.15 Schem stabilizator parametric realizat cu simulatorul

2. Modificai tensiunea sursei de alimentare la valorile indicate n tabelul 4.3 i n
fiecare caz simulai funcionarea circuitului;
48

3. La fiecare simulare notai n tabel valoarea curentului prin dioda Zener Iz, valoarea
curentului de sarcin Is i valoarea tensiunii pe sarcin Us;
Ui[V]
10
12
16
20
TABELUL 4.3
24
28
Iz[mA]
Is[mA]
Us[V]
4. Calculai limita inferioar i superioar a tensiunii de intrare ce poate fi stabilizat
cu dioda Zener;
B. Stabilizator de tensiune n raport cu variaia curentului de sarcin.
1. Realizai cu simulatorul schema stabilizatorului din figura 4.16;
Figura 4.16 Schem stabilizator cu diod Zener realizat cu simulatorul

2. Modificai valoare poteniometrului P conform tabelului 4.4 i notai n tabel
valoarea curentului prin dioda Zener Iz, valoarea curentului de sarcin Is i valoarea
tensiunii pe sarcin Us;
P[%]
TABELUL 4.4
1
10
50
100
Iz[mA]
Is[mA]
Us[V]
3. Pentru montajul din figura 4.16 calculai valoare rezistenei de sarcin Rs pentru
Iz = 45 mA.
49
Tensiunea de vrf (maxim) - Uv - reprezint valoarea tensiunii

alternative indicat de un osciloscop. = .
Tensiunea efectiv - Uef - reprezint valoarea tensiunii alternative indicat

de un voltmetru de c.a.
Tensiunea
de
vrf din
secundar -
Uv(sec)
reprezint
valoarea
tensiunii indicat de un osciloscop n secundarul transformatorului.
Tensiunea
de
vrf la
ieire -
Uv(out)
reprezint
valoarea
tensiunii redresate indicat de un osciloscop:

o pentru redresorul mono-alternan: () = (sec) 0,7;
o pentru redresorul cu priz median: () =
(sec)
2
0,7;
o pentru redresorul n punte: () = (sec) 1,4 .
Tensiunea medie redresat - Umed - reprezint valoarea tensiunii redresate

indicat de un voltmetru de c.c:
o pentru redresorul mono-alternan: =
()
o pentru redresorul cu priz median: = 2

o pentru redresorul n punte: = 2
()
()
Rezistena de polarizare a unei diode Zener - Rz, se calculeaz considernd

c valoare curentului prin diod este maxim, cu formula: =
unde: Ui = tensiunea de intrare, VZT= tensiunea de stabilizare a diodei Zener,

IZM = curentul maxim suportat de dioda Zener.
Valoarea maxim a tensiunii de intrare ce poate fi stabilizat de dioda Zener

se calculeaz cu formula: = + = + ;
Valoarea minim a tensiunii de intrare ce poate fi stabilizat de dioda Zener

se calculeaz cu formula: = + = +
unde: IZK = curentul minim la care dioda Zener stabilizeaz.
Rezistena de sarcin minim se calculeaz pentru un curent de sarcin

maxim Ismax cu formula: =
unde: UOUT = VZT
= (
50
) .
I ncercuiete varianta de rspuns corect.
1. La un redresor mono-alternan tensiunea msurat cu un voltmetru n
secundarul transformatorului este 12 V. Valoarea tensiunii maxime este:
a. 16 V;
b. 16,9 V;
c. 20 V.
2. La un redresor mono-alternan tensiunea msurat cu un voltmetru n
secundarul transformatorului este 12 V. Valoarea tensiunii redresate indicate
de un voltmetru este:
a. 5,15 V;
b. 5,38 V;
c. 11,3 V.
3. La un redresor n punte tensiunea msurat cu un voltmetru n secundarul
transformatorului este 12 V. Valoarea tensiunii redresate indicate de un
voltmetru este:
a. 9,87 V;
b. 10,3 V;
c. 10,6 V.
II. n schema din figura 4.17 parametrii diodei Zener sunt: V ZT = 12V, IZK = 0,5 mA,
IZM= 76 mA iar RZ = 165 . Calculai:
a. Valoarea maxim a tensiunii de intrare Uimax ce poate fi stabilizat.
b. Valoarea minim a tensiunii de intrare Uimin ce poate fi stabilizat.
c. Rezistena de sarcin minim.
d. Valoarea rezistenei de polarizare Rz n situaia n care IZT = 20 mA, Ui=24 V i
Rs = 165 .
+V
Rz
165
D1
BZX85-C12
Rs
Figura 4.17 Stabilizator de tensiune parametric cu diod Zener

51
CAPITOLUL 5. TRANZISTOARE BIPOLARE

5.1. TRANZISTOARE BIPOLARE - GENERALITI
5.1.1 STRUCTURA I SIMBOLUL TRANZISTORULUI BIPOLAR
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic realizat din material
semiconductor, format din trei regiuni (EMITOR, BAZ, COLECTOR) separate prin
dou jonciuni pn.
n funcie de tipul regiunilor, tranzistoarele bipolare se mpart n dou categorii:
NPN i PNP
E
B
C
B
C
B
Figura 5.1 Structura i simbolul tranzistorului bipolar

a - tranzistor NPN ; b tranzistor PNP
Tranzistorul de tip NPN este format din dou regiuni N separate de o regiune P.
Tranzistorul de tip PNP este format din dou regiuni P separate de o regiune N.
Regiunea bazei este mai subire i mai slab dopat n comparaie cu regiunea
emitorului(puternic dopat) i cu regiunea colectorului( dopat moderat).
ntre dou regiuni nvecinate se formeaz o jonciune. ntre baz i emitor este
jonciunea baz-emitor, iar ntre baz i colector este jonciunea baz-colector.
Fiecare regiune are ataat cte un terminal care se noteaz cu E(emitor) , B(baz),
C(colector).
n structura tranzistorului bipolar, purttorii de sarcin electric sunt att golurile ct
i electronii. Deoarece conducia este realizat de dou tipuri de purttori,
tranzistorul se numete bipolar.
COLECTOR
EMITOR
EMITOR
BAZ
COLECTOR
BAZ
OXID
jonciunea baz-emitor
jonciunea baz-colector
SUBSTRAT
Figura 5.2 Seciunea de principiu printr-un tranzistor

52
5.1.2 NCAPSULAREA TRANZISTOARELOR. IDENTIFICAREA TERMINALELOR.

a. ncapsularea tranzistoarelor
Tranzistoarele, n funcie de destinaia lor se realizeaz ntr-o gam larg de capsule.
Tranzistoarele pot avea capsule din metal sau material plastic, care au dimensiuni
mai mici sau mai mari n funcie de destinaia care o au.
n funcie de destinaia lor tranzistoarele se mpart n 3 mari categorii:
tranzistoare de semnal mic se utilizeaz la frecvene joase (sub 100 kHz)

i cureni mici (sub 1 A);
Figura 5.3 Capsule de tranzistoare de semnal mic (uz general)
tranzistoare de putere se utilizeaz la cureni mari (peste 1 A);
Figura 5.4 Capsule de tranzistoare de putere
tranzistoare de radio-frecven (RF) se utilizeaz la frecvene foarte nalte.
Figura 5.5 Capsule de tranzistoare de radio-frecven

53

b. Identificarea terminalelor tranzistoarelor bipolare.
Identificarea terminalelor n funcie de tipul capsulei
tranzistoare de uz general n capsul metalic la majoritatea tranzistoarelor
din aceast categorie Emitorul este terminalul de lng chei, Colectorul este n
partea opus iar Baza este la mijloc. Terminalele sunt dispuse sub forma unui
triunghi echilateral.
B
E
C
B
B
E
E
BC
Figura 5.6 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul metalic
tranzistoare de uz general n capsul din material plastic la tranzistoarele din

aceast categorie terminalele sunt dispuse liniar cu baza n mijloc. La majoritatea,
terminalele sunt dispuse ca n figura 5.7, dar sunt si familii de tranzistoare din
aceast categorie la care Emitorul i Colectorul sunt dispuse invers fa de cum sunt
prezentate n figura 5.7.
C
C
C
E B
B E
Figura 5.7 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele n capsul din plastic
54
tranzistoare de putere la tranzistoarele din aceast categorie Colectorul este

conectat la partea metalic a tranzistorului. La majoritatea tranzistoarelor din aceast
categorie terminalele sunt dispuse liniar iar Colectorul este la mijloc. La tranzistoarele
care au numai 2 terminale (vezi 2N3055), Colectorul este corpul metalic al
tranzistorului.
E C B
ECB
B C E
C B E
C
E
B
E
EC
Figura 5.8 Dispunerea terminalelor la tranzistoarele de putere
OBSERVAIE IMPORTANT!
La unele familii de tranzistoare terminalele pot fi dispuse altfel dect sunt
prezentate n figurile de mai sus chiar dac capsulele sunt identice.
Metoda cea mai sigur de identificare a terminalelor este msurarea
rezistenei electrice ntre terminalele tranzistorului, metod ce va fi
prezentat n cele ce urmeaz.
55
IDENTIFICAREA
TERMINALELOR
UNUI
TRANZISTOR
BIPOLAR
PRIN
MSURAREA REZISTENEI ELECTRICE A JONCIUNILOR.

OBIECTIVE:
o Verificarea tranzistorului bipolar;
o Identificarea terminalelor tranzistorului bipolar cu multimetru digital.
RESURSE:
o Multimetru digital;
o Tranzistoare bipolare BC 546 i BC 547.
DESFURAREA LUCRRII:
Pentru identificarea terminalelor tranzistorului prin aceast metod se parcurg 3
etape:
n prima etap se identific baza tranzistorului:
NPN
PNP
Figura 5.9 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

Din structura tranzistoarelor cu diode se observ c rezistenele electrice ntre baz
i celelalte dou terminale ale tranzistorului trebuie s fie egale, ntr-un sens au
valoare mic iar n sens opus au valoare foarte mare. Prin cele dou sensuri se
nelege modul de plasare a tastelor multimetrului fa de terminalele tranzistorului
(ntr-un sens se plaseaz cu borna plus pe baz iar n cellalt sens se plaseaz cu
borna minus pe baz).
Se fixeaz comutatorul unui multimetru digital pe poziia (pentru msurarea
rezistenei electrice).
Se plaseaz o tast a multimetrului pe unul din terminalele tranzistorului iar cu
cealalt tast se msoar rezistenele electrice fa de celelalte dou terminale.
Dac rezistenele electrice sunt aproximativ egale (ntr-un sens rezistene mici iar n
cellalt sens rezistene foarte mari) tasta multimetrului este plasat pe baza
tranzistorului.
56
B
B
Figura 5.10 Identificarea BAZEI tranzistorului bipolar
n a doua etap se identific tipul tranzistorului:
Se plaseaz o tast a multimetrului pe baz i cealalt tast pe unul din celelalte

dou terminale ale tranzistorului n sensul n care multimetrul indic rezisten mic.
Dac pe BAZ este tasta COM (MINUS) tranzistorul este de tip PNP
Dac pe BAZ este tasta PLUS tranzistorul este de tip NPN
Deoarece BAZA este n mijloc, se pune n mijloc litera corespunztoare polaritii
care este pe baz (N pentru MINUS i P pentru PLUS)
iar pe margini literele
corespunztoare celeilalte polariti (doi de P sau doi de N) i astfel se obine PNP

sau NPN.
PNP
E
NPN
C
Figura 5.11 Identificarea tipului de tranzistor (PNP sau NPN)

57
n a treia etap se identific Emitorul i Colectorul:
Rezistena electric dintre Baz i Emitor este ntotdeauna mai MARE dect
rezistena electric dintre Baz i Colector.
Se plaseaz o tast a multimetrului pe baz iar cu cealalt tast se msoar i se
noteaz valoarea rezistenelor fa de celelalte dou terminale. Terminalul fa de
care rezistena este mai mare va fi Emitorul tranzistorului iar cellalt Colectorul
tranzistorului.
Rezistena BAZ-EMITOR este mai MARE dect rezistena BAZCOLECTOR.

La tranzistorul
BC 547 de tip NPN:
RBE = 5,32 M
RBC = 5,17 M
RBE > RBC
B E
Figura 5.12 Identificarea EMITORULUI i COLECTORULUI
58
5.1.3 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

Un tranzistor bipolar funcioneaz corect, dac jonciunea baz-emitor este
polarizat direct cu o tensiune mai mare dect tensiunea de prag, iar jonciunea
baz-colector este polarizat invers cu o tensiune mult mai mare dect tensiunea
baz-emitor.
Emitorul este sursa de purttori care determin curentul prin tranzistor, iar colectorul
colecteaz purttorii ajuni aici. Baza controleaz curentul prin tranzistor n funcie
de valoarea tensiunii de polarizare a jonciunii baz-emitor.
Jonciunea emitor-baz (polarizat direct) injecteaz un curent de emitor I E care este
colectat n cea mai mare parte de jonciunea colector-baz (polarizat invers), acest
proces definind efectul de tranzistor.
Tranzistorul bipolar transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic, n
circuitul de ieire de rezisten mare, de unde denumirea TRANsfer reZISTOR
TRANZISTOR.
a. Funcionarea tranzistorului NPN.
La acest tip de tranzistor purttorii majoritari sunt electronii.
EMITOR
BAZ
COLECTOR
(N)
(P)
(N)
jonciunea BE
jonciunea BC
polarizat direct
polarizat
invers
IE
IC
IB
IE = IC + I B
Figura 5.13 Prezentarea funcionrii tranzistorului NPN
Regiunea de tip n a emitorului este puternic dopat cu electroni liberi. Regiunea de
tip p a bazei este foarte subire i slab dopat cu goluri. Prin polarizarea direct a
jonciunii BE electronii din regiunea emitorului difuzeaz cu uurin prin jonciunea
BE ctre regiunea bazei. Aici un procent foarte mic de electroni se combina cu
golurile din baz i formeaz curentul de baz. Prin polarizarea invers a jonciunii
BC majoritatea electronilor difuzeaz prin jonciunea BC i sunt atrai ctre regiunea
colectorului de ctre tensiunea de alimentare a colectorului, formndu-se astfel
curentul de colector.
59

b. Funcionarea tranzistorului PNP.
La acest tip de tranzistor purttorii majoritari sunt golurile.
EMITOR
BAZ
COLECTOR
(P)
(N)
(P)
jonciunea BE
jonciunea BC
polarizat direct
polarizat invers
IE
IC
IB
IE = I C + IB
Figura 5.14 Prezentarea funcionrii tranzistorului PNP
Regiunea de tip p a emitorului este puternic dopat cu goluri. Regiunea de tip n a
bazei este foarte subire i slab dopat cu electroni. Prin polarizarea direct a
jonciunii BE golurile din regiunea emitorului difuzeaz cu uurin prin jonciunea BE
ctre regiunea bazei. Aici un procent foarte mic de goluri se combina cu electronii
din baz i formeaz curentul de baz. Prin polarizarea invers a jonciunii BC
majoritatea golurilor difuzeaz prin jonciunea BC i sunt atrai ctre regiunea
colectorului de ctre tensiunea de alimentare a colectorului, formndu-se astfel
curentul de colector.
60
5.1.4 PARAMETRII I CARACTERISTICILE TRANZISTORULUI BIPOLAR

a. Parametrii tranzistorului bipolar
a1. Factorul de amplificare al tranzistorului
Factorul de amplificare n curent din baz n colector (cc) reprezint raportul dintre
curentul continuu prin colector (IC) i curentul continuu prin baz (IB)
CC
IC
IB
(1)
este o mrime static de curent continuu, care indic de cte ori este mai mare
curentul prin colectorul tranzistorului dect curentul prin baza tranzistorului. Acest
parametru mai poart denumirea de ctig n curent al tranzistorului.
Valoarea acestui parametru este menionat de ctre productor n foile de catalog,
ca parametru echivalent hibrid hFE
hFE CC
(2)
Valorile parametrului sunt cuprinse ntre 10 i 1000, n funcie de tipul tranzistorului.

Factorul de amplificare n curent din emitor n colector (cc) reprezint raportul
dintre curentul continuu prin colector (IC) i curentul continuu prin emitor (IE)
CC
IC
IE
(3)
Acest parametru este ntotdeauna subunitar deoarece curentul de colector (IC) este
ntotdeauna mai mic dect curentul de emitor (IE) .
Valorile paramentului sunt cuprinse ntre 0,95 i 0,99 n funcie de tipul
tranzistorului. ntre parametrii i sunt urmtoarele relaii:
CC
CC
1 CC
(4)
CC
CC
1 CC
(5)
a2. Valorile maxime absolute

Sunt valori care nu trebuie depite n timpul funcionrii tranzistorului, deoarece pot
produce defectarea acestuia. De regul n aceast grup apar:
Tensiunile maxime ntre terminale: VCBO, VCEO, VEBO;
Curentul maxim de colector i de baz: ICM, IBM;
Puterea maxim disipat: Ptot;
Temperatura maxim a jonciunii: TjM (este cuprins ntre 175C i 200C).
n practic se recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult 0,75 din valorile de

catalog ale acestor parametrii.
61

b. Caracteristicile tranzistorului bipolar.
b1. Caracteristicile electrice
IB curentul continuu de baz

IC curentul continuu de colector
RC
IE curentul continuu de emitor

Ic
RB
IB
VCE
VBE
VBB
VCB tensiunea colector-baz
VCB
VBE tensiunea baz-emitor

+
VCC
IE
VCE tensiunea colector-emitor

VBB surs de tensiune continu
care polarizeaz direct jonciunea
baz - emitor
Figura 5.1.15 Curenii i tensiunile tranzistorului
VBE 0,7V
(1)
VBB VBE
IB
RB
RB
VRB
IC CC I B
(3)
I E IC I B
(4)
VBB surs de tensiune continu

care polarizeaz invers jonciunea
baz - colector
(2)
VCE VCC VRC VCC IC RC
VCB VCE VBE
(5)
(6)
VE , VB , VC - reprezint tensiunile pe terminalele tranzistorului. Aceste

tensiuni se msoar ntre terminalul respectiv i masa montajului.
62
b2. Caracteristicile statice

Aceste caracteristici sunt grafice ce reprezint dependena dintre curenii ce trec prin
terminalele tranzistorului i tensiunile ce se aplic la aceste terminale. Fiecare
schem de conectare a unui tranzistor se caracterizeaz prin patru familii de
caracteristici:
IIE = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de ieire;
UINT = f (IINT) la UIE = constant caracteristici de intrare;
IIE = f (IINT)
UINT = f (UIE) la
la UIE = constant caracteristici de transfer a curentului;

IINT = constant caracteristici de reacie invers dup
tensiune.
Figura 5.16 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiunea EC

n cataloagele de tranzistoare sunt prezentate caracteristica de intrare i
caracteristica de ieire, deoarece aceste caracteristici sunt mai importante. Pe
caracteristica de ieire se pot delimita regiunile de funcionare a tranzistorului i se
poate trasa dreapta de sarcin.
63
IC[mA]
Regiunea de saturaie
IB=50 A
IB=40 A
IC(sat)
PSF
IB=30 A
Regiunea activ normal

(RAN)
Regiunea de blocare
IB=20 A
IB=10 A
IB=0 A
VCC VCE[V]
Figura 5.17 Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar n conexiunea EC

n regiunea de blocare tranzistorul funcioneaz n regim de blocare (tiere):
jonciunea baz emitor este polarizat invers (sau direct cu o tensiune mai
mic dect tensiunea de prag);
jonciunea baz colector este polarizat invers;
curenii prin tranzistor sunt foarte mici, practic IC=0;
tensiunea de ieire are valoare mare, practic VCE = VCC;
tranzistorul se comport ca un ntreruptor deschis.
n regiunea de saturaie tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie:
jonciunea baz emitor este polarizat direct;
jonciunea baz colector este polarizat direct;
curentul de saturaie este mai mare dect n regim activ normal IC(sat) > IB;
tensiunea de saturaie este forte mic VCE(sat) = 0,2 0,3 V;
tranzistorul se comport ca un ntreruptor nchis.
n regiunea activ normal tranzistorul funcioneaz n regim activ normal (RAN):
jonciunea baz emitor este polarizat direct;
jonciunea baz colector este polarizat invers;
curentul prin tranzistor este mare IC = IB;
tensiunea de ieire (VCE) este mic;
tranzistorul se comport ca un amplificator de semnal.
Pe graficul caracteristicii de ieire (figura 5.17) dac se unete punctul de blocare

(VCC) cu punctul de saturaie (IC(sat)) se obine dreapta de sarcin n curent continuu.
De-a lungul dreptei de sarcin ntre cele dou puncte se afl regiunea activ normal
de funcionare a tranzistorului. La intersecia unei caracteristici de ieire cu dreapta
de sarcin se afl punctul static de funcionare (PSF).
64
5.1.5 FUNCIILE TRANZISTORULUI BIPOLAR.

Din graficul caracteristicii de ieire a tranzistorului se observ c tranzistorul bipolar
are dou funcii importante:
Funcia de amplificare cnd tranzistorul funcioneaz n regim activ normal;
Funcia de comutare cnd tranzistorul funcioneaz n regim de blocare i n

regim de saturaie.
a. FUNCIA DE AMPLIFICARE.
Cnd tranzistorul este polarizat astfel nct s lucreze n regiunea activ, acesta
poate amplifica att un semnal de form continu ct i un semnal de form
alternativ.
n circuitul de curent continuu tranzistorul amplific curentul din baz (figura 5.18 a)
IC CC I B
(1)
n circuitul echivalent de curent alternativ tranzistorul amplific tensiunea alternativ

din baz (figura 5.18 b)
AV
VC
(2)
VB
+VCC
RC
RC
Vc
Ic
+VBB
RB
IB
RB
VB
in
IE
Figura 5.18 Funcia de amplificare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC
65

b. FUNCIA DE COMUTARE.
Tranzistorul bipolar cnd lucreaz n regim de comutaie, trece alternativ din starea
de blocare n starea de saturaie.
n starea de blocare, cnd jonciunea baz-emitor nu este polarizat direct,
tranzistorul se comport ca un ntreruptor deschis i prin el
nu circul curent
(figura 5.19 a)
n aceast situaie tensiunea colector-emitor este maxim:
VCE (blocare ) VCC (3)
- condiia de blocare
n starea de saturaie, cnd jonciunea baz-emitor este polarizat direct, tranzistorul

se comport ca un ntreruptor nchis i prin el circul un curent (figura 5.19 b)
Valoarea curentului care circul de la colector spre emitor este:
I C ( sat )
VCC
RC
(4) VCE(sat) 0
Valoarea minim a curentului de baz pentru a aduce tranzistorul n saturaie este:
I B (min)
+VCC
RC
I C ( sat )
CC
(5)
+VCC
+VCC
RC
Rc
C
RB
Rc
IC(sat)
Ic=0
0V
+VCC
+VBB
IB=0
(a) Blocare ntreruptor deschis
RB
C
IB
E
(b) Saturaie ntreruptor nchis
Figura 5.19 Funcia de comutare a tranzistorului bipolar n conexiunea EC
66

CARACTERISTICA STATIC DE IEIRE A TRANZISTORULUI BIPOLAR
OBIECTIVE:
o Trasarea caracteristicii statice de ieire n funcie de valorile msurate
n circuitul simulat;
o Analiza comportamentului tranzistorului bipolar pe baza caracteristicii
statice de ieire.
RESURSE:
o Calculator;
DESFURAREA LUCRRII:
Figura 5.20 Schem pentru determinarea caracteristicii statice de ieire a TB

2. Se regleaz sursa S1 la valoarea de 9 V, valoare care se menine constant;
3. Se regleaz poteniometrul P astfel nct curentul IB = 20 A;
4. Se regleaz sursa S2 (i dac este cazul i poteniometrul P) astfel nct s se
stabileasc valorile UCE indicate n tabelul 5.1;
IB[A]
UCE[V]
20
IC[mA]
40
IC[mA]
60
IC[mA]
67
0,1
0,3
TABELUL 5.1
0,5

9. Punctele de coordonate IC i UCE se reprezint n sistemul de axe de coordonate
din figura 5.21;
10. Se unesc punctele reprezentate pentru fiecare valoare a curentului de baz IB
obinndu-se caracteristicile statice de ieire a tranzistorului bipolar IC = f(UCE) | IB=ct
IC [mA]
UCE [V]
Figura 5.21 Graficul caracteristicilor statice de ieire a tranzistorului bipolar

RECOMAND REALIZAREA ACESTEI LUCRRI
PRACTIC I COMPARAREA
REZULTATELOR OBINUTE PE SIMULATOR CU CELE OBINUTE PRACTIC.
68
5.2 CONEXIUNILE TRANZISTOARELOR BIPOLARE

Conexiunile TB reprezint modurile de conectare a unui tranzistor ntr-un circuit.
Tranzistorul poate fi conectat n circuit n 3 configuraii de baz:
Conexiunea emitor comun;
Conexiunea baz comun;
Conexiunea colector comun.
O conexiune are o poart de intrare i o poart de ieire.

Fiecare poart este prevzut cu cte dou terminale (borne).
Prin termenul comun se definete terminalul care este comun att intrrii ct i
ieirii.
Acest terminal se conecteaz la masa montajului.
Pentru a identifica tipul conexiunii se procedeaz astfel:
se identific terminalul pe care se aplic semnalul de intrare;
se identific terminalul de pe care se culege semnalul de ieire;
terminalul rmas este cel comun, care d numele conexiunii.
5.2.1 CONEXIUNEA EMITOR COMUN
--
++
+
Ieire
VCE
Ieire
VCE
VBE Intrare
VBE Intrare
a. Tranzistor NPN
b. Tranzistor PNP
Figura 5.22 Conexiunea emitor comun

n aceast conexiune EMITORUL este comun intrrii i ieirii circuitului. Conexiunea
este utilizat n circuitele de amplificare n tensiune, curent i putere. Este cea mai
utilizat conexiune, deoarece are cea mai eficient combinaie de amplificare n
tensiune i curent.
Amplificarea n curent ( - beta) este raportul dintre curentul de ieire i curentul de
intrare.
(1) h
FE
69
h21
IC
IB
factorul de amplificare n curent

Mrimile caracteristice conexiunii emitor comun:
impedana de intrare este medie (500 -1500 );

impedana de ieire este mare (30 k 50 k);
amplificarea n curent mare (10 100);
amplificarea n tensiune mare (peste 100);
amplificarea n putere foarte mare (pn la 10.000);
semnalul de ieire este defazat cu 180 fa de semnalul de intrare.
5.2.2 CONEXIUNEA BAZ COMUN
--
++
+
Ieire
VEB
VCB
Ieire
VEB
VCB
Intrare
Intrare
+
a. Tranzistor NPN
b. Tranzistor PNP
Figura 5.23 Conexiunea baz comun

n aceast conexiune BAZA este comun intrrii i ieirii, semnalul de intrare este
aplicat pe emitor iar semnalul de ieire este cules de pe colector. Amplificarea n
curent ( - alfa) este raportul dintre curentul de ieire i curentul de intrare.
(2)
IC
IE
Mrimile caracteristice conexiunii baz comun:
impedana de intrare este mic (30 -160 );

impedana de ieire este mare (250 k 550 k);
amplificarea n curent unitar (1);
amplificarea n tensiune mare (pn la 1000);
amplificarea n putere mare (pn la 1000);
semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Se utilizeaz n etajele amplificatoare de RF din receptoarele UUS.

Avantaj - lucreaz la frecvene foarte nalte.
Dezavantaj - rezisten de intrare mic.
70
5.2.3 CONEXIUNEA COLECTOR COMUN
Ieire
VEC
Ieire
VEC
VBC Intrare
VBC Intrare
--
++
a. Tranzistor NPN
b. Tranzistor PNP
Figura 5.24 Conexiunea colector comun

n aceast conexiune COLECTORUL este comun intrrii i ieirii, semnalul de intrare
este aplicat pe baz iar semnalul de ieire este cules de pe emitor.
Conexiunea se mai numete i repetor pe emitor, deoarece tensiunea de ieire este
aproximativ egal cu tensiunea de intrare.
Amplificarea n curent ( - gama) este raportul dintre curentul de ieire i curentul
de intrare
(3)
IE
IB
Mrimile caracteristice conexiunii colector comun:
impedana de intrare este mare (2 k - 500 k);
impedana de ieire este mic (50 1500 );
amplificarea n curent mare (peste 10);
amplificarea n tensiune unitar (1);
amplificarea n putere mare (peste 10);
semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Conexiunea colector comun se utilizeaz cnd se dorete o rezisten de intrare

foarte mare i o rezisten de ieire mic.
Conexiunea se utilizeaz n general ca adaptor de impedan ntre impedana de
ieire a unui amplificator i o rezisten de sarcin de valoare mic.
71
5.3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE

Prin polarizarea unui tranzistor se nelege, modul de conectare a surselor de
alimentare la bornele tranzistorului, astfel nct acesta s funcioneze ca amplificator.
Prin polarizarea corect a unui tranzistor se urmrete stabilirea i meninerea
valorilor corecte pentru tensiunile i curenii din circuit i determinarea punctului static
de funcionare.
5.3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE (PSF)

n figura 5.25 se observ c punctul static de funcionare se afl pe dreapta de
sarcin, la intersecia acesteia cu caracteristica static de ieire a tranzistorului.
Pentru funcionarea ct mai corect a unui amplificator(semnalul de intrare s fie
amplificat i reprodus fidel la ieire), punctul static de funcionare trebuie s fie situat
cam la jumtatea dreptei de sarcin.
Odat cu deplasarea PSF n regiunea de saturaie sau n regiunea de blocare,
semnalul de ieire este distorsionat.
Dac PSF este situat n regiunea de saturaie sunt distorsionate semialternanele
pozitive ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare (figura 5.26 a).
Dac PSF este situat n regiunea de blocare sunt distorsionate semialternanele
negative ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare (figura 5.26 b).
Coordonatele punctului static de funcionare (IC, VCE) sunt impuse de valorile
tensiunilor surselor de polarizare i de valorile rezistenelor din circuitele de
polarizare.
Figura 5.25 Caracteristica pentru determinarea PSF

Ieire
Intrare
Amplificator
Ieire
Intrare
Amplificator
Figura 5.26 Distorsionarea semnalului de ieire la un amplificator cu TB

72

Determinarea PSF pentru conexiunea EC.
Se va determina PSF al circuitului din figura 5.27.
Pentru tranzistorul BC 546BP se consider CC = 200.
IC[mA]
80
RC
150
RB
70
60
50
40
30
BC546B
P
22k
+
VBB
20
VCC
5V
12V 10
A
2 4 6
8 10 12
VCE[V]
Figura 5.27 Circuit pentru determinarea PSF la un TB n conexiunea EC

Se determin coordonatele dreptei de sarcin, apoi se traseaz dreapta
(1)
VCC RC IC VCE
Pentru IC = 0 VCE = VCC = 12 V A(12, 0)

Pentru VCE = 0
VCC RC IC
IC
VCC I 12V 80mA B(0, 80)

C
150
RC
Se determin coordonatele punctului static de funcionare P(IS, VCE)
VBB VBE 5 0, 7
195 A
RB
22 K
(2)
IB
(3)
IC I B CC 195 A 200 39mA
(4)
VCE VCC IC RC 12V 39mA 150 6, 2V
IC 39mA
VCE 6, 2V
Punctul static de funcionare are coordonatele P(6,2V ; 39mA)

Se determin valoarea maxim a curentului de baz n funcionare liniar
(5)
IC (vrf ) IC ( sat ) IC ( PSF ) 80mA 39mA 41mA

(6) I B ( vrf )
73
I C ( vrf )
CC
41mA
205 A
200
5.3.2 POLARIZAREA BAZEI DE LA Vcc

Prin aceast metod baza tranzistorul se polarizeaz prin intermediul unei rezistene
Rb de la sursa de alimentare Vcc (figura 5.28). Configuraia este instabil, nu
funcioneaz liniar, de aceea nu se utilizeaz n practic. Poate fi utilizat la circuitele
care lucreaz n comutaie.
Figura 5.28 Polarizarea tranzistorului bipolar cu un rezistor n baz

Tranzistorul BC546BP are CC = 300.
Se aplic legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea colector-emitor:
= 0 (1)
Din relaia (1) = (2)
Cderea de tensiune pe rezistorul Rb este: = (3)
Dar: = (4)
nlocuind (4) n (3) se obine relaia: = (5)
Din relaia (5) =
(6)
tim c = (7)

nlocuind relaia (6) n (7) se obine relaia: = (
) ()
Din relaia (8) se observ c Ic este dependent de CC.

Deoarece
CC
se modific cu modificarea temperaturii i depinde de procesul
tehnologic de realizare a tranzistorului, aceast configuraie este instabil i poate

produce distorsiuni la ieire.
74

Pentru montajul din figura 5.28 se determin PSF i se traseaz dreapta de sarcin.
= (

,
) = (
) = = ,
= = , = ,
Prin calcule s-a obinut: Ic = 15,8mA
i VCE = 7,57 V
Punctul static de funcionare are coordonatele P(7,5V ; 15,8mA).

Pentru trasarea dreptei de sarcin se determin IC(sat) i VCE(blocare) .
() =
() () =
= ,
() = () () =
n fig. 5.29 este prezentat dreapta de sarcin i PSF-ul montajului din fig. 5.28
IC[mA]
35
IC(sat)
30
25
20
PSF
15
10
VCE(blocare) VCE[V]
0
0
12
15
18
Figura 5.29 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu un rezistor n baz

Dac
CC
scade la 100 atunci PSF coboar pn aproape de zona de blocare i are
coordonatele (12,5V ; 5,2mA). n consecin acest mod de polarizare nu se utilizeaz

unde este necesar o funcionare liniar.
75
5.3.3 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV

Prin aceast metod, tranzistorul se polarizeaz prin intermediul unui divizor de
tensiune rezistiv, de la o singur surs de alimentare. Rezistenele divizorului de
tensiune nlocuiesc o a doua surs de alimentare necesar polarizrii celor dou
jonciuni ale tranzistorului. Aceast metod de polarizare se utilizeaz foarte des n
practic deoarece asigur o stabilitate satisfctoare utiliznd o singur surs de
tensiune.
Figura 5.30 Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv

Divizorul de tensiune este format din rezistenele Rb1 i Rb2
Tensiunea din baza tranzistorului se calculeaz cu formula:
VB (
Rb2
) VCC (1)
Rb1 Rb2
Pentru modificarea tensiunii n baza tranzistorului se modific valorile rezistenelor

divizorului astfel:
VB crete dac Rb2 crete sau Rb1 scade
VB scade dac Rb2 scade sau Rb1 crete
76

Un circuit de polarizare a tranzistorului trebuie s fie astfel conceput nct s asigure
independena PSF-ului de parametrul (factorul de amplificare n curent).
Tranzistorul va funciona n regiunea activ normal dac sunt ndeplinite dou
condiii de baz:
0,5 VCE (VCC 1)
(2);
CC RE
Rb2 s fie mai mic de cel puin 10 ori dect
(3) .
Pentru verificarea primei condiii trebuie determinat valoarea tensiunii VCE astfel:
Se calculeaz IC
= + = 0,7 + (4)
=
,7
(5)
(6)
Se calculeaz VCE
= + + = + + (7)
= ( + ) (8)
Pentru schema din figura 5.30 se obin urmtoarele valori:
= (
2
1+2)
) = (
0,7
2,7
10+2,7
2,550,7
330
) 12 = 2,55
= 0,0056 = 5,6
= ( + ) = 12 5,6(1 + 330) = 4,56

77

0,5 V<4,56 V<(12 V-1 V) 0,5 V < 4,56 V < 11 V prima condiie este ndeplinit.
Se verific a doua condiie:
= 300 330 = 99000 = 99

Rb2 = 2,7 K , a doua condiie este ndeplinit.
Punctul static de funcionare are coordonatele P(4,56V ; 5,6mA)
() =
() () =
=
+
,
() = () () =
IC[mA]
10
IC(sat)
9
8
7
6
PSF
5
4
3
2
1
VCE(blocare) VCE[V]
0
0
10
11
12
Figura 5.31 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu divizor de tensiune

Este cea mai utilizat metod de polarizare a tranzistoarelor bipolare.
Asigur o stabilitate destul de bun deoarece IC este independent de CC.
78
5.3.4 POLARIZAREA CU DOU SURSE DE TENSIUNE

Prin aceast metod tranzistorul se polarizeaz cu o surs de tensiune diferenial,
V , +V se aplic n colector i V se aplic n emitor (figura 5.32).
Figura 5.32 Polarizarea tranzistorului bipolar cu dou surse de tensiune

Tranzistorul BC546BP are CC = 300.
Condiia
este ndeplinit deoarece 100 K << 990 K
Verificm dac este ndeplinit condiia a doua 0,5 < < (2 1).
Se aplic legea a II-a a lui Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciune baz-emitor:
+ + + = 0 (1)
Deoarece
(2)
n ecuaia (1) se nlocuiete IB cu cel din relaia (2) se trece VBE i VEE n dreapta:
+
Din relaia (3)
= (3)
(4)
(5)
nlocuim n relaia (5) valorile date
79
() ,
,
=

,
, +

n figura 5.32 se observ c tensiunea sursei care alimenteaz colectorul este egal
cu suma tensiunilor care cad pe elementele dintre colector i masa montajului:
= + + + ()
= ( + ) ()
nlocuind n relaia (7) valorile date = 15 (15) 4 4,3 13
Condiia a doua este ndeplinit deoarece 0,5 < 13 < (215-1) 0,5 13 29
Prin calcule s-a obinut: Ic = 4mA
i VCE = 13 V
Punctul static de funcionare are coordonatele P(13V ; 4mA).

Pentru determinarea IC(sat) n relaia (7) se consider VCE = 0
() =

15 (15)
30
(8) () =
=
= 6,97
+
1 + 3,3
4,3
Pentru determinarea VCE(blocare) n relaia (7) se consider IC = 0
() = (9) () = 15 (15) = 30
IC[mA]
8
7
IC(sat)
6
5
PSF
4
3
2
1
VCE(blocare) VCE[V]
0
0
10
15
20
25
30
35
Figura 5.33 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu dou surse de tensiune

Aceast modalitate de polarizare asigur un PSF stabil deoarece IC este independent
de VBE i de CC.
80
POLARIZAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR CU DIVIZOR REZISTIV.
OBIECTIVE:
o Realizarea circuitului de polarizare cu simulatorul;
o Realizarea practic a circuitului de polarizare;
o Determinarea PSF;
o Trasarea dreptei de sarcin.
RESURSE:
o
o
o
o
o
o
o
Multimetre digitale;
Pistoale de lipit;
Accesorii pentru lipit;
Conductoare;
Plcue de lucru;
Rezistoare;
Tranzistoare bipolare BC 546 i BC 547.
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz cu simulatorul schema electronic din figura 5.34;
Figura 5.34 Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv

2. Se realizeaz practic, pe placa de lucru, montajul din figura 5.34;
3. n montajul realizat se msoar curentul de colector IC i tensiunea colectoremitor Uce;
4. Se calculeaz cu ajutorul formulelor de la 5.3.3 curentul de colector I C i
tensiunea colector emitor Uce;
81
) ,
= ( + )
()
(2)
5. Se trec n tabelul 5.2 valorile IC i UCE obinute prin simulare, practic i prin
calcul i n fiecare caz se determin PSF;
SIMULARE
TABELUL 5.2
PRACTIC
CALCUL
IC[mA]
UCE[V]
PSF
6. Se determin punctele de intersecie a dreptei de sarcin cu axele de
coordonate ale graficului;
() =
()
() = ()
7. Se traseaz dreapta de sarcin i se reprezint pe dreapt PSF.

IC[mA]
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
VCE[V]
0
0
10
11
12
Figura 5.35 Dreapta de sarcin a TB polarizat cu divizor de tensiune
82
5.4. DEPANAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

Funcionarea anormal a unui circuit cu tranzistoare bipolare, se datoreaz unui
defect intern al unui tranzistor, sau defectrii unui rezistor din circuitele de polarizare
a tranzistoarelor. La tranzistor, un defect intern apare n cazul ntreruperii unei
jonciuni sau strpungerii unei jonciuni a tranzistorului (rezistena electric a
jonciunii scade foarte mult). n cazul rezistoarelor pot apare ntreruperi ale acestora.
n majoritatea cazurilor aceste defecte aduc tranzistorul n regimul de blocare sau de
saturaie. Pentru depanarea defectului se msoar tensiunile i curenii din circuit i
n funcie de valorile acestora se poate localiza defectul respectiv.
5.4.1 DEFECTE INTERNE ALE TRANZISTORULUI

Cea mai rapid metod de a afla dac jonciunile unui tranzistor sunt ntrerupte sau
strpunse este msurarea rezistenelor jonciunilor cu un multimetru digital.
Pentru aceasta vom considera structura tranzistorului bipolar ca un ansamblu de
dou diode conectate ca n figura 5.36
E
NPN
PNP
Figura 5.36 Structura tranzistoarele bipolare cu diode

O jonciune (BE sau BC) este ntrerupt dac multimetru n ambele sensuri de
msurare indic rezisten foarte mare (sau infinit).
O jonciune (BE sau BC) este strpuns dac multimetru n ambele sensuri de
msurare indic rezisten mic.
O jonciune (BE sau BC) este scurtcircuitat dac multimetru n ambele sensuri de
msurare indic rezisten foarte mic (sau infinit).
Jonciunea baz-emitor ntrerupt.
n
ambele
sensuri
de
msurare
multimetru digital indic valoarea 1
Figura 5.37 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(jonciune ntrerupt)

Jonciunea baz-emitor scurtcircuitat.
n ambele
sensuri
de
msurare
multimetru digital indic valoarea 0
Figura 5.38 Verificarea unui tranzistor bipolar defect(jonciune scurtcircuitat)

83

Alt metod de verificare a strii jonciunilor unui tranzistor este msurarea valorilor
tensiunilor din baza i colectorul unui tranzistor n circuit.
VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Pentru montajul din figura 5.39 la

funcionarea n condiii normale:
Uce
Q1
Tensiunea n baz UB = 3,52 V
+
V
4.938
Ub
BC546BP
3.527
Tensiunea n colector UC = 4,93 V
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.39 Tranzistor polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale

tensiunilor
VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac
s-a
Emitorul
Uce
Q1
Ub
3.588
tranzistorul
se
BC546BP
Baza,
BE,
sau
jonciunea
blocheaz, iar tensiunile sunt:
9.999
ntrerup
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.40 Circuit cu tranzistor bipolar defect (ntreruperea jonciunii BE)

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a ntrerup jonciunea BC, sau

Colectorul, tranzistorul se blocheaz,
Uce
Q1
iar tensiunile sunt:
9.999
Ub
1.091
BC546BP
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.41 Circuit cu tranzistor bipolar defect (ntreruperea jonciunii BC)
84

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a scurtcircuitat jonciunea

BE, tranzistorul se blocheaz, iar
Uce
Q1
tensiunile sunt:
+
V
9.999
Ub
BC546BP
0.484
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.42 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea jonciunii BE)

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a scurtcircuitat jonciunea BC,

tranzistorul se comport ca o diod
polarizat direct prin care circul curent,
Uce
Q1
+
3.991
Ub
BC546BP
3.991
iar tensiunile sunt:
Rb2
5.6k
Re
560
Figura 5.43 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea jonciunii BC)

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Dac s-a scurtcircuitat jonciunea

CE, tranzistorul se comport ca un
conductor prin care circul curent, iar
Uce
Q1
tensiunile sunt:
3.590
Ub
3.588
BC546BP
Rb2
5.6k
Re
560

Figura 5.44 Circuit cu tranzistor bipolar defect (scurtcircuitarea jonciunii CE)

85
5.4.2 DEFECTE ALE CIRCUITELOR DE POLARIZARE

VCC
Pentru montajul din figura 5.45,
10V
Rb1
10k
la
Rc
1k
funcionarea
condiii
normale, valorile tensiunilor la

terminalele tranzistorului bipolar
sunt:
Uc
Q1
+
4.938
Ub
3.527
BC546BP
Rb2
5.6k
Ue
Re
560
2.844
-
Tensiunea n emitor UE = 2,84 V
Figura 5.45 TB polarizat cu divizor rezistiv cu valorile corecte ale tensiunilor

DEFECT 1. REZISTORUL Rb1 NTRERUPT
VCC
10V
Rb1
10k
Acest defect duce la dispariia
Rc
1k
tensiunilor din baza i emitorul

tranzistorului, iar tranzistorul se
BLOCHEAZ
Uc
Q1
+
9.999
Ub
2.542n
Tensiunea n baz UB 0 V
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
Tensiunea n emitor UE 0 V
6.310n
-
Figura 5.46 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Rb1)

DEFECT 2. REZISTORUL Rb2 NTRERUPT
VCC
10V
Rb1
10k
Acest defect duce la creterea
Rc
1k
tensiunii i curentului din baz, iar

tranzistorul intr n SATURAIE
Uc
Q1
+
3.799
Ub
4.495
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
3.780
-
Figura 5.47 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Rb2)

86

DEFECT 3. REZISTORUL RE NTRERUPT
VCC
10V

Rb1
10k
Rc
1k
curenilor
prin
tranzistor,
iar
tranzistorul se BLOCHEAZ
Uc
Q1
+
9.999
Ub
BC546BP
3.588
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
3.161
Figura 5.48 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Re)
DEFECT 4. REZISTORUL RC NTRERUPT

VCC
curentului prin
10V
Rb1
10k
tensiunilor din colector i emitor ne
Rc
1k
determin
tranzistorul este
0.386
1.091
+
-
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
saturat
dar n

Tensiunea n emitor UE = 390 mV
BC546BP
presupunem
realitate tranzistorul nu conduce.
Uc
Q1
Ub
colector. Valorile
Tensiunea n colector UC = 386 mV
0.390
Figura 5.49 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (ntrerupere circuit Rc)
87
DEFECT 5. REZISTORUL Rb1 SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Tensiunea
Rb1
10k
Rc
1k
egal
cu
baz-emitor
este
tensiunea
de
alimentare a tranzistorului fapt

care
Uc
Q1
+
9.198
Ub
10.000
-
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
deteriorarea
acestei jonciuni.
Tranzistorul se BLOCHEAZ.
BC546BP
determin
+
V
9.190
-
Tensiunea n baz UB = 10 V
Tensiunea n colector UC = 9,1
V
Figura 5.50 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rb1)
DEFECT 6. REZISTORUL Rb2 SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
curentului i tensiunii n baza

tranzistorului, iar tranzistorul se
BLOCHEAZ
Uc
Q1
Tensiunea n baz UB = 0 V
9.999
Ub
0.000
Tensiunea n emitor UE 0 V
BC546BP
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
6.310n
Figura 5.51 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rb2)
88
DEFECT 7. REZISTORUL RC SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1
10k
Acest defect duce la creterea
Rc
1k
tensiunii pe jonciunea colectoremitor a tranzistorului.

Funcionarea tranzistorului nu este
Uc
Q1
stabil (PSF-ul se deplaseaz
+
V
10.000
spre zona de blocare)
Ub
BC546BP
3.531
Rb2
5.6k
Re
560
Ue
Tensiunea n colector UC = 10 V
2.849
-
Figura 5.52 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Rc)
DEFECT 8. REZISTORUL RE SCURTCIRCUITAT

VCC
10V
Rb1
10k
Rc
1k
Acest defect duce la funcionarea

tranzistorului
0.025
Ub
BC546BP
0.730
zona
de
SATURAIE.
Uc
Q1

Tensiunea n emitor UE = 0 V
Ue
Rb2
5.6k
Re
560
0.000
Tensiunea n colector UC = 25 mV
Figura 5.53 Tranzistor cu circuit de polarizare defect (scurtcircuit Re)
89
5.5. REZOLVAREA CIRCUITELOR CU TRANZISTOARE BIPOLARE

PROBLEMA 1.
n circuitul din figura 5.54 se cunosc valorile: =
Se cere:
a. Valoarea intensitii curentului de colector IC .
b. Valoarea tensiunii baz-emitor UBE .
c. Valoarea tensiunii colector-emitor UCE .
Figura 5.54 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu dou surse de alimentare
REZOLVARE
a. = = 250 40() = 10000 = 10
b. n ochiul de reea unde se afl jonciunea BE, conform legii a II a lui Kirchhoff:
1 + 1 + = 0 = 1 1 = 5 100 40
= 5 100 103 40 106 = 5 4 = 1
c. n ochiul de reea unde se afl jonciunea CE, conform legii a II a lui Kirchhoff:
2 + 2 + = 0 = 2 2 = 12 1 10
= 12 1 103 10 103 = 12 10 = 2
90

PROBLEMA 2.
n circuitul din figura 5.55 se cunosc valorile: = ,
Se cere:
a.
b.
c.
d.
Valoarea intensitii curentului de colector IC .

Valoarea tensiunii din colector UC .
Valoarea tensiunii din emitor UE .
Valoarea tensiunii colector emitor UCE.
Figura 5.55 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu dou surse de alimentare
REZOLVARE
a.
2 + + + = 0
Dar: = =
nlocuind (2) n (1) +
+ = 2 (1)
= (2)
= 2 ( +
) = 2
2
15 0,6
14,4
14,4
=
=
=
103 = 1,37
100
100
10,5
+ 10 (
+ 10) 103
+
200
200
= ,
OBS. Se poate calcula mai nti IB apoi IC i IE tiind c = ( + 1) =
b. 1 + = 0 = 1 = 4,7 1,37 15
= 4,7 103 1,37 103 15 = 6,43 15 = 8,57
= ,
c. 2 = 0 = 2 = 15 10 1,37
= 15 10 103 1,37 103 = 15 13,7 = 1,3

d. = = 8,57 1,3
91
= ,
= ,

PROBLEMA 3.
Se cere:
a. Valoarea intensitii curentului din baz Ib .
b. Valoarea intensitii curentului din colector Ic i curentului din emitor Ie.
c. Valoarea tensiunii colector emitor Uce.
Figura 5.56 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu o surs de alimentare
REZOLVARE
a. Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul care conine jonciunea baz-emitor:
1 + + 2 = 0 = + 1 + 2 (1)
= (2) = + (3) nlocuind (2) n (3) = ( + 1) (4)
nlocuind (4) n (1) = 1 + 2 ( + 1) (5)
Din (5)
1+2(+1)
120,6
560+1(239+1)
(6)
11,4
800103
= 0,014 103
b. = = 239 14 = 3346 = 3,34 = ,
= ( + 1) = 240 14 = 3360 = 3,36 = ,

c. Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul care conine jonciunea colector-emitor:
+ 2 = 0
= 2 (7)
= 12 1 3,36 = 12 1 103 3,36 103 = 12 3,36 = 8,64

= ,
92

PROBLEMA 4.
= .
Se cere:
a. Coordonatele punctului static
de funcionare.
b. Coordonatele punctelor de
intersecie ale dreptei de
sarcin cu axele de coordonate.
Figura 5.57 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu o surs de alimentare
REZOLVARE
a. Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea baz-emitor:
+ 1 = 0 1 = =
=

()
1
12 0,7
11,3
=
= 0,013 103 = 13 =
820
820 103
= ()
= 220 13 = 2860 = 2,8
= ,
Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea colector-emitor:
+ 2 = 0 = 2 ()
= 12 1,8 2,8 = 12 1,8 103 2,8 103
= ,
Coordonatele PSF sunt: ( = , ; = , )

b. Pentru determinarea punctelor de intersecie cu axele n relaia (3) se egaleaz cu
zero, pe rnd,
= 0 + 0 = 0 = () =
= 0 0 + 2 = 0 =
() = ,
2
Coordonatele punctelor de intersecie cu axele sunt:
( ; ) ( ; , )
93

PROBLEMA 5.
= .
Se cere:
de funcionare.
b. Coordonatele punctelor de
intersecie ale dreptei de
sarcin cu axele de coordonate.
c.
S
se
verifice
dac
tranzistorul funcioneaz n
regiunea activ normal
Figura 5.58 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu divizor de tensiune
REZOLVARE
a.
Divizorul de tensiune format din rezistoarele Rb1 i Rb2 stabilete n baza
tranzistorului T tensiunea = (
) ()
1+2
= (
12
) 10 = 0,176 10 = 1,76
56 + 12
= ,
Se aplic T2 Kirchhoff pe ochiul ce conine jonciunea baz-emitor:
+ + = 0 = =
=
1,76 0,6 1,16

=
= 0,00207 = 2,07
560
560
Se tie c:
= ( + 1) =
+1

()
= ,
()
2,07
2,07
=
= 0,0066 = 6,6
310 + 1 311
= ,
Deoarece = () = 310 6,6 = 2046 = 2,04
= ,
94

+ + + = 0 = ()
= 10 2,2 2,04 560 2,07
= 10 2,2 103 2,04 103 560 2,07 103
= 10 4,48 1,16 = 4,36 = , .
b. Pentru determinarea punctelor de intersecie cu axele n relaia (5) se egaleaz cu
zero, pe rnd,
= 0 = 10 0 1,16 () = ,
= 0 = 0 =
=
10 1,16 8,84
=
103 = 4,01 103 () = ,
3
2,2 10
2,2
Coordonatele punctelor de intersecie cu axele sunt:
(, ; ) ( ; , )
c. Tranzistorul funcioneaz n RAN dac sunt ndeplinite condiiile;
(1) <
(2) , < < ( ) []
Verificarea condiiilor:
1. <
<
2. , < , < , < , <

Pentru verificarea regimului de funcionare a tranzistorului se calculeaz tensiunea
pe fiecare terminal al tranzistorului apoi se observ cum sunt polarizate jonciunile
tranzistorului. Aceast metod este prezentat n problemele care urmeaz.
95

PROBLEMA 6.
= .
Se cere:
de funcionare.
b. S se determine regimul de
funcionare al tranzistorului.
Figura 5.59 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu divizor de tensiune
REZOLVARE
a. Divizorul de tensiune format din rezistoarele Rb1 i Rb2 stabilete n baza
tranzistorului T tensiunea = (
) ()
1+2
= (
22
) 10 = 0,688 10 = 6,88
22 + 10
= ,
ntre tensiunile marcate cu rou n schema de mai sus este relaia:
= + + = ()
=
()
nlocuind relaia (3) n relaia (2) se obine:
= =
=
10 0,7 6,88
= 2,42 103 = 2,42
1 103
Se tie c:
=
96
= ( + 1) =
+1
2,42
2,42
=
= 0,011 = 11
215 + 1 216
()
= ,
()

Deoarece = () = 215 11 = 2365 = 2,36
= ,
+ + + = 0 = ()
= 10 1 2,42 1,8 2,36
= 10 1 103 2,42 103 1,8 103 2,36 103
= 10 2,42 4,24 = 3,34
= ,

b. Pentru determinarea regimului de funcionare se determin tensiunile n Emitor,
Baz, Colector i se observ cum sunt polarizate jonciunile EB i EC.
Tensiunile la terminalele tranzistorului se determin fa de masa

montajului.
= , a fost calculat cu relaia (1)
= = + ()
= 0,7 + 6,88 = 7,58 = ,
= = ()
= 7,58 3,34 = 4,24 = ,
Se observ c Uc = URc = 4,24 V (o metod mai simpl!)
= , ;
= , ; = ,
Deoarece > jonciunea emitor-baz este polarizat direct

Deoarece < jonciunea colector-baz este polarizat invers
Tranzistorul funcioneaz n regim activ normal deoarece jonciunea

emitor-baz este polarizat direct iar jonciunea colector-baz este
polarizat invers.
97

PROBLEMA 7.
Se cere:
a.
Valorile
parametrilor
caracterizeaz punctul static
ce
de
b. S se determine regimul
de
Figura 5.60 Tranzistor bipolar NPN polarizat cu reacie n colector
REZOLVARE
a. Parametrii care caracterizeaz PSF sunt: Ib, Ic, Uce.
Deoarece + =
()
Pe ochiul format de : Vcc, URc, URb, Ube se aplic T2 Kirchhoff:
= + +
+ = ()
+ = ()
= ()
nlocuind relaia (4) n relaia (3) se obine:
+ = =
=

()
+
10 0,6
9,4
9,4
=
=
103
3
3
3,3 280 + 100 3,3 10 280 + 100 10
1024
= 0,009 103 = 0,009 = 9
Se nlocuiete valoarea lui Ib n relaia (4) i se obine:
= 280 9 = 2520 = 2,52 = ,

98

Pe ochiul format de : Vcc, URc, Uce se aplic T2 Kirchhoff:
= +
= = ()
= 10 3,3 2,52 = 10 3,3 103 2,52 103

= 10 3,3 2,52 = 10 8,31 = 1,69
= ,
Parametrii caracteristici punctului static de funcionare al tranzistorului sunt:
= ; = , ; = ,
Baz, Colector i se observ cum sunt polarizate jonciunile BE i BC.
Deoarece emitorul tranzistorului este conectat la masa montajului Ue = 0
Dac Ue=0 Uc = Uce = 1,69 V i Ub = Ube = 0,6 V

= ;
= , ; = ,
Deoarece > jonciunea baz-emitor este polarizat direct

Deoarece < jonciunea baz-colector este polarizat invers
Tranzistorul funcioneaz n regim activ normal deoarece jonciunea

baz-emitor este polarizat direct iar jonciunea baz-colector este
polarizat invers.
99

PROBLEMA 8.
Se cere:
a. Valorile parametrilor
ce
caracterizeaz
punctul
static
de
funcionare
al
tranzistorului.
b. S se determine
regimul de funcionare
al tranzistorului.
Figura 5.61 Tranzistor bipolar PNP polarizat cu reacie n colector
REZOLVARE
a. Parametrii care caracterizeaz PSF sunt: Ib, Ic, Uce.
Pe ochiul format de : Vee, URe, Ueb, URb, UR1 se aplic T2 Kirchhoff:
= + + + 1
+ + 1 = ()
Aplicnd T1 Kirchhoff n nodul dintre Rc i R1 1 = + ()
= ; = ; 1 = 1 1 = 1 ( + ) ()
= ;
= ( + 1) ()
nlocuind relaiile (3) i (4) n relaia (1) se obine:
( + 1) + + 1 ( + ) = ()
[ ( + 1) + + 1 ( + 1)] = ()
=
100

( + 1) + + 1 ( + 1)
()
10 0,7
330 (230 + 1) + 100 + 1,5 (230 + 1)
9,3
9,3
=
330 231 + 100000 + 1500 231 76230 + 100000 + 346500
9,3
= 0,0000177 = 17,7
522730
= ,
nlocuind valoarea lui Ib n relaiile (4) i (2) se obine:
= 230 17,7 = 4071 = 4,07 = ,

= (230 + 1) 17,7 = 4089 = 4,09 = ,
1 = 4,07 + 17,7 = 4,08 = ,
Pe ochiul format de : Vee, URe, Uec, URc, UR1 se aplic T2 Kirchhoff:
= + + + 1
= ( + + 1 ) ()
= 10 (330 4,09 + 150 4,07mA + 1,5 4,08mA)

= 10 (330 4,09 103 + 150 4,07 103 + 1,5 103 4,08 103 )
= 10 (1,35 + 0,61 + 6,12) = 10 8,08 = 1,93 = ,
Parametrii caracteristici punctului static de funcionare al tranzistorului sunt:
= , ; = , ; = ,
Baz, Colector i se observ cum sunt polarizate jonciunile EB i EC.
= + 1 ; = ; = ()
= 10 1,35 = 8,65
= ,
= 8,65 0,7 = 7,95
= ,
= 0,61 + 6,12 = 6,73 = ,
Deoarece > jonciunea emitor-baz este polarizat direct
Deoarece < jonciunea colector-baz este polarizat invers
Tranzistorul funcioneaz n regim activ normal.
101
5.6. FORMULE DE BAZ UTILIZATE N CIRCUITELE CU TRANZISTOARE

Formule utilizate n circuite cu tranzistoare de tip NPN cu emitorul comun.
() = +
() =
() =
() () =
()
() = (, . , )
() = ( + )
() () =
()
() () =
()
() () =
() =
() =
Formule utilizate n circuite de polarizare a bazei din Vcc.
() =
() =
() = (
Formule utilizate n circuite de polarizare a bazei prin divizor de tensiune.
() = (
)
+ )
() =
() = ( + )
() () =
102
() = +
() =
() () =

Formule utilizate n circuite de polarizare cu dou surse de tensiune.
() =
() = + ( + )
() = +
() = +
() =
() () =
() () = +
Formule utilizate n circuite de polarizare cu reacie n colector.
() =
() =
() =
() =
103
REZUMATUL CAPITOLULUI.
Termenul bipolar asociat tranzistorului, indic faptul c n structura intern

a tranzistorului sunt dou tipuri de purttori de sarcin: electroni liberi i goluri;
Tranzistorul bipolar este realizat din 3 regiuni: baza, emitorul i colectorul i

dou jonciuni pn: jonciunea baz-emitor i jonciunea baz-colector.
n funcie de numrul de regiuni identice tranzistoarele bipolare se mpart n

dou mari categorii: tranzistoare npn (cu dou regiuni n i o regiune p) i
tranzistoare pnp ( cu dou regiuni p i o regiune n).
Tranzistorul bipolar lucreaz n regim de amplificator dac jonciunea bazemitor este polarizat direct iar jonciunea baz-colector este polarizat
invers.
Tranzistorul bipolar lucreaz n regim de comutator electronic (blocare i

saturaie) dac ambele regiuni sunt polarizate identic.
Tranzistorul este saturat (se comport ca un ntreruptor nchis) dac ambele

jonciuni sunt polarizate direct. n aceast situaie curentul prin tranzistor este
maxim iar tensiunea ntre colector i emitor este minim.
Tranzistorul este blocat (se comport ca un ntreruptor deschis) dac ambele

jonciuni sunt polarizate invers. n aceast situaie prin tranzistor nu circul
curent iar tensiunea ntre colector i emitor este maxim.
Tranzistorul bipolar este caracterizat de trei cureni: curentul de baz (Ib),

curentul de emitor (Ie) i curentul de colector (Ic).
Curentul de baz este foarte mic n comparaie cu curentul de colector i

curentul de emitor (cureni care sunt aproximativ egali ).
Raportul dintre curentul de colector (curent de ieire) i curentul de baz

(curent de intrare) se numete ctigul n curent continuu al tranzistorului i se
noteaz cu cc. ( =
). n foile de catalog pentru tranzistoare pentru cc
se utilizeaz notaia hFE.
Raportul dintre curentul de colector i curentul de emitor se numete factor de

amplificare n curent din emitor n colector i se noteaz cu cc. =
104
Tranzistorul bipolar poate fi conectat n circuit n trei configuraii de baz:

o Conexiunea emitor comun;
o Conexiunea baz comun;
o Conexiunea colector comun.
Prin termenul comun se definete terminalul care este comun att intrrii
ct i ieirii. Acest terminal se conecteaz la masa montajului.
Caracteristicile statice ale unui tranzistor sunt grafice ce reprezint

dependena dintre curenii ce trec prin terminalele tranzistorului i tensiunile ce
se aplic la aceste terminale. Sunt patru familii de caracteristici:
o IIE = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de ieire;
o UINT = f (IINT) la UIE = constant caracteristici de intrare;
o IIE = f (IINT)
la
UIE = constant caracteristici de transfer a
curentului;
o UINT = f (UIE) la IINT = constant caracteristici de reacie invers dup
tensiune.
Cea mai important caracteristic este caracteristica de ieire deoarece pe

aceast caracteristic se pot delimita regiunile de funcionare a tranzistorului
i se poate trasa dreapta de sarcin.
Pe caracteristica de ieire se disting trei regiuni:

o Regiunea de saturaie tranzistorul funcioneaz n regim de saturaie
i este caracterizat prin curent de colector foarte mare i tensiune
colector-emitor foarte mic;
o Regiunea de blocare tranzistorul funcioneaz n regim de blocare i
este caracterizat prin curent de colector foarte mic i tensiune colectoremitor foarte mare;
o Regiune activ normal
tranzistorul funcioneaz n regim activ
normal i este caracterizat prin curent de colector mare i tensiune

colector-emitor mic;
Pe graficul caracteristicii de ieire dac se unete punctul de blocare (VCC) cu

punctul de saturaie (IC(sat)) se obine dreapta de sarcin n curent continuu.
La intersecia unei caracteristici de ieire cu dreapta de sarcin se afl punctul

static de funcionare (PSF).
105
Pentru obinerea unui PSF stabil se utilizeaz patru tipuri de circuite de

polarizare:
o Circuit cu baza polarizat din Vcc prezint o stabilitate redus
deoarece PSF variaz cu cc ;
o Circuit cu emitorul polarizat din surs separat are PSF stabil dar
necesit dou surse de alimentare;
o Circuit de polarizare a bazei cu divizor de tensiune ofer un PSF
stabil i este configuraia de polarizare cea mai utilizat;
o Circuit de polarizare cu reacie n colector are PSF stabil datorit
reaciei negative din colector n baz.
PSF se afl pe dreapta de sarcin iar coordonatele acestuia sunt definite de

anumite valori ale curentului de colector Ic i tensiunii colector-emitor UCE.
Pentru determinarea coordonatelor PSF, n circuitul de polarizare se aplic

teoremele lui Kirchhoff i se utilizeaz formulele caracteristicilor electrice ale
tranzistorului pentru calcularea mrimilor Ic i UCE.
Pentru identificarea terminalelor tranzistorului bipolar se parcurg 3 etape:

o n prima etap se identific baza tranzistorului;
o n a doua etap se identific tipul tranzistorului;
o n a treia etap se identific Emitorul i Colectorul.
Identificarea terminalelor se poate face cu ajutorul unui multimetru digital prin

msurarea rezistenei electrice a jonciunilor tranzistorului bipolar.
Identificarea terminalelor tranzistorului bipolar se poate face i n funcie de

tipul capsulei utiliznd cataloage cu tranzistoare.
106
1. Dintre cele trei regiuni ale tranzistorului regiunea cea mai puternic dopat
este:
a. Regiunea emitorului;
b. Regiunea bazei;
c. Regiunea colectorului.
2. Dintre cele trei regiuni ale tranzistorului regiunea cea mai subire este:
a. Regiunea emitorului;
b. Regiunea bazei;
c. Regiunea colectorului.
3. La tranzistorul din imagine terminalul din partea de sus este:
a. Baza;
b. Colectorul;
c. Emitorul.
4. La tranzistorul din imagine terminalul din mijloc este:
a. Baza;
b. Colectorul;
c. Emitorul.
5. La tranzistorul de putere 2N3055 terminalul conectat la capsula metalic este:
a. Baza;
b. Colectorul;
c. Emitorul.
6. La o un tranzistor cu siliciu, valoarea tipic a tensiunii de polarizare direct a
jonciunii baz-emitor este:
a. ntre 0,2V i 0,3 V;
b. ntre 0,6 V i 0,7 V;
c. n jurul valorii de 1,4 V.
7. Un tranzistor funcioneaz ca amplificator dac jonciunile sale sunt polarizate
astfel:
a. BE direct i BC invers;
b. BE invers i BC direct;
c. BE direct i BC direct;
d. BE invers i BC invers.
107

8. Un tranzistor cnd lucreaz n blocare / saturaie se comport ca un:
a. Rezistor variabil;
b. Condensator variabil;
c. Amplificator;
d. Comutator.
9. n regim de saturaie:
a. Tensiunea emitor-colector este minim;
b. Tensiunea emitor colector este maxim;
c. Curentul de colector este minim;
d. Curentul de colector este maxim.
10. Parametrul CC al tranzistorului reprezint:
a. Ctigul n tensiune;
b. Ctigul n curent;
c. Ctigul n putere.
11. ntr-un montaj cu tranzistor n conexiunea emitor comun (EC), tensiunea ntre
colector i emitor (UCE) este:
a. Mrime de intrare;
b. Mrime de transfer;
c. Mrime de ieire.
12. Un montaj cu tranzistor n conexiunea colector comun (CC) se caracterizeaz
prin:
a. Amplificare n curent unitar (1);
b. Amplificare n tensiune unitar (1);
c. Amplificare n curent mare (peste 10);
d. Amplificare n tensiune mare (peste 10).
13. Dac jonciunea baz-emitor a unui tranzistor se ntrerupe, tensiunea n
colectorul tranzistorului va fi:
a. 0 V;
b. 0,7 V;
c. VCC.
14. ntr-un circuit de polarizare a unui tranzistor prin divizor de tensiune dac se
ntrerupe rezistena dintre baz i VCC, tensiunea n emitorul TB va fi:
a. 0 V;
b. 0,7 V;
c. VCC.
108

II. 1. Determinai valorile parametrilor ce caracterizeaz punctul static de funcionare
al tranzistorului pentru circuitul din imaginea de mai jos dac CC = 100 i UBE =0,7V.
Rb1
47k
Rc
2.2k
T
+ Vee
10 V
BC546BP
Rb2
15k
Re
1k
2. Pentru circuitul din imaginea de mai jos: CC = 300 i UBE =0,6 V.

Se cere:
a. Valorile parametrilor ce caracterizeaz punctul static de funcionare al
tranzistorului.
b. S se determine regimul de funcionare al tranzistorului.
+
V1
+ 15 V
4.7k
Rc
T
Rb
100k
BC546BP
V2
- 15 V
10k
Re
109
CAPITOLUL 6. TRANZISTOARE UNIPOLARE

6.1. TRANZISTOARE UNIPOLARE - GENERALITI
Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, tranzistoarele unipolare utilizeaz un
singur tip de purttori de sarcin (electroni sau goluri) care circul printr-un canal
semiconductor. Dac la tranzistoarele bipolare controlul conductivitii se realizeaz
prin variaia unui curent ntre emitor i baz, la tranzistoarele unipolare controlul
conductivitii se realizeaz prin variaia unei tensiuni aplicate unui electrod de
comand numit gril sau poart (cu rol asemntor bazei TB).
Tranzistoarele unipolare poart numele de tranzistoare cu efect de cmp TEC
(cunoscut i sub numele FET Field Effect Transistor).
Funcionarea tranzistoarelor cu efect de cmp se bazeaz pe modificarea
conductibilitii unui canal realizat dintr-un material semiconductor prin aplicarea unui
cmp electric creat de tensiunea aplicat electrodului de comand (gril sau poart).
Controlul curentului electric de ctre un cmp electric se numete efect de cmp.
Tranzistoarele cu efect de cmp au urmtoarele avantaje fa de tranzistoarele
bipolare :
prezint impedan de intrare foarte mare (deoarece sunt comandate n

tensiune);
pot fi utilizate ca rezistene comandate n tensiune;
liniaritate bun a circuitului;
zgomot redus;
gabarit redus .
Dup modul de realizare a canalului (n volum sau la suprafa), tranzistoarele cu

efect de cmp se mpart n dou categorii:
tranzistoare cu efect de cmp cu gril jonciune (TEC-J);
tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TEC-MOS).
n funcie de tipul de dopare al canalului, tranzistoarele TEC-J se mpart n dou

categorii:
TEC cu gril jonciune cu canal n;
TEC cu gril jonciune cu canal p.
n funcie de modul de realizare al canalului, tranzistoarele TEC-MOS se mpart n

dou categorii:
TEC cu gril izolat cu canal iniial;
110
TEC cu gril izolat cu canal indus.


Tranzistorul cu efect de cmp este un dispozitiv electronic cu trei terminale (unele
tipuri au 4 terminale) care se numesc Dren, Surs, Gril sau Poart, (Substrat).
Sursa i drena sunt conectate la capetele canalului. Sursa furnizeaz purttorii de
sarcin iar drena colecteaz purttorii de sarcin. Curentul care circul ntre surs i
dren se numete curent de dren i se noteaz cu ID. Grila controleaz curentul
de dren n funcie de tensiunea care se aplic ntre gril i surs VGS.
6.2. TRANZISTOARE CU GRIL JONCIUNE (TEC-J)

Tranzistoarele cu efect de cmp cu gril jonciune funcioneaz numai cu jonciunea
gril-surs polarizat invers. TEC-J poate lucra i cu jonciunea gril-surs polarizat
direct cu condiia ca tensiunea de polarizare s fie sub 0,5 V altfel TEC-J se distruge.
6.2.1 Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-J

D (DREN)
G
D
gril p
Canal de tip n
G (GRIL)
substrat de tip p
P
N
S (SURS)
Figura 6.1 Structur i simbol tranzistor TEC-J cu canal N

S (SURS)
G
D
gril n
Canal de tip p
G (GRIL)
G
N
substrat de tip n
P
D (DREN)
Figura 6.2 Structur i simbol tranzistor TEC-J cu canal P

111

Elementele grafice ale simbolurilor au urmtoarele semnificaii:
sgeata este ntotdeauna plasat pe gril;
sgeata este orientat ntotdeauna de la P spre N;
grila se plaseaz ntotdeauna n dreptul sursei;
TEC-J cu canal P sunt reprezentate inversat (cu sursa n sus) pentru ca

sensul curentului de dren ID s fie reprezentat de sus n jos.
6.2.2 ncapsularea i identificarea terminalelor dispozitivelor TEC-J.
D S G
Figura 6.3 Dispunerea terminalelor la TEC-J
OBSERVAIE IMPORTANT!
La unele tipuri de tranzistoare cu efect de cmp, terminalele pot fi dispuse altfel
dect sunt prezentate n figura de mai sus chiar dac capsulele sunt identice. Pentru
identificarea corect a terminalelor recomand utilizarea cataloagelor cu dispozitive
TEC unde sunt prezentate dispunerea terminalelor.
112
6.2.3. Principiul de funcionare al tranzistoarelor TEC-J.

n figura 6.4 este prezentat modul de polarizare a unui TEC-J cu canal n.
VGS
+
G
VGG +
ID
N
P
ID
+
-
+
- VDD
N
S
VGS
VGG +
+
- VD
VGS < ID >
ID
ID
N
S
VGS > ID <
Figura 6.4 Polarizarea i funcionarea unui tranzistor TEC-J cu canal N

VGG este tensiunea de comand cu care se polarizeaz invers jonciunea pn grilsurs. Polarizarea invers a jonciunii gril-surs
cu tensiune negativ pe gril,
genereaz n jurul jonciunii pn o regiune golit care se extinde n semiconductorul

mai slab dopat, n zona canalului, mrindu-i rezistena prin ngustarea lui. Astfel,
tranzistorul prezint ntre gril i surs o rezisten de intrare foarte mare. Din acest
considerent curentul de gril este foarte mic (de ordinul zecilor de nanoamperi)
Limea canalului, implicit rezistena lui, pot fi comandate prin modificarea tensiunii
gril-surs.
VDD este tensiunea dintre dren i surs care furnizeaz curentul de dren ID, care
circul dinspre dren spre surs. Acest curent este comandat de tensiunea grilsurs.
Cu ct tensiunea gril-surs UGG este mai mare cu att canalul se ngusteaz i
valoarea curentului de dren ID scade (figura 6.4 b).
6.2.4. Caracteristicile tranzistoarelor cu efect de cmp cu gril jonciune.

Deoarece jonciunea gril-surs este polarizat invers, aceste tranzistoare nu au
caracteristic de intrare.
n cele ce urmeaz se vor prezenta caracteristica de ieire ID = f(VDS) i
caracteristica de transfer ID = f(VGS) pentru tranzistorul BC264 care are
urmtoarele date de catalog:
tensiunea dren-surs VDS = 15V;
tensiunea de blocare gril-surs VGS(blocare) = 5V;
113
Tensiunea de blocare - reprezint valoarea tensiunii VGS
pentru care
curentul ID 0;
curentul de dren maxim IDSS = 12 mA.
Caracteristica de ieire
Caracteristica de transfer
IDSS
12
ID(mA)
VGS = 0V
10
7,68mA
VGS = - 1V
8
6
VGS = - 2V
4,32mA
4
1,92mA
VGS = - 3V
VGS = - 4V
0,48mA
-5 -4
VGS
VGS(blocare)
-3 -2 -1
5VP
Regiune ohmic
10
15
Regiune de curent constant
VDS
Strpungere
Figura 6.5 Graficele caracteristicilor de transfer i ieire unui TEC-J cu canal N
Pentru a trasa graficul caracteristicii de transfer trebuie determinate coordonatele

ID n funcie de valorile VGS. Pentru determinarea lor se utilizeaz formula:
I D I DSS (1
VGS = 1 I D 12 (1
1 2
) 7, 68mA
5
VGS = 3 I D 12 (1
3 2
) 1,92mA
5
VGS
VGS (blocare )
)2
VGS = 2 I D 12 (1
2 2
) 4,32mA
5
VGS = 4 I D 12 (1
4 2
) 0, 48mA
5
Pe graficul de ieire ntlnim VP care se numete tensiune de strangulare.

Aceasta reprezint valoarea tensiunii dren-surs de la care curentul de dren
ncepe s fie constant. VP este ntotdeauna egal n modul cu VGS(blocare) i de semn
opus cu aceasta.
Pe graficul caracteristicii de ieire se pot observa regiunile n care lucreaz un
TEC-J.
114
6.2.5. Polarizarea tranzistoarelor TEC-J.

Prin polarizarea TEC-J se urmrete obinerea unei tensiuni de comand VGS i a
unui curent de dren ID de valoare dorit, deci un PSF adecvat. n cele ce urmeaz
se va trata numai polarizarea TEC-J cu canal n, deoarece sunt cele mai utilizate n
practic.
a. POLARIZAREA AUTOMAT
V DD
La acest tip de polarizare jonciunea

gril-surs nu se polarizeaz de la o
surs de tensiune separat, ea va fi
polarizat automat. Aceast polarizare
se poate face cu configuraia din figura
6.6.
Grila se conecteaz la masa
montajului printr-un rezistor de valoare
foarte mare pentru a izola fa de
mas semnalul de curent alternativ n
circuitele de amplificare.
ID = 2,573
ID
12V
+
A
2.573m
R2
2.2k
D
T
BC264D
VGS
+
S
R1
10M
-0.841
-
R3
330
VGS = VG VS = 0 0,841 = - 0,841

PSF(-0,84V ; 2,57mA)
Figura 6.6 Polarizarea automat a unui tranzistor TEC-J cu canal N
b. POLARIZAREA PRIN DIVIZOR DE TENSIUNE

V DD
ID
15V
R1
6.8M
+
A
1.148m
R
3.3k
ID = 1,15mA
D
T
VGS = VG-VS = 1,91 - 3,09 = - 1,18V
BC264C
PSF(-1,18 ; 1,15)
S
Vg
G
+
1.906
-
R2
1M
La acest tip de polarizare jonciunea

gril-surs se polarizeaz invers prin
intermediul unui divizor rezistiv de
tensiune. Circuitul de polarizare este
prezentat n figura 6.7.
VS
R3
2.7k
3.096
Figura 6.7 Polarizarea prin divizor de tensiune a unui TEC-J cu canal N
115
6.3 TRANZISTOARE CU GRIL IZOLAT (TEC-MOS)

Structura TEC-MOS difer de structura TEC-J prin faptul c poarta (grila)
tranzistorului este izolat fa de canal printr-un stat subire de dioxid de siliciu
(SiO2). Datorit izolaiei realizat de stratul de oxid, aceste tranzistoare au rezistena
de intrare foarte mare (de ordinul 1015 ) i curentul de gril extrem de mic (de
ordinul 10-15 A).
n funcie de modul de funcionare sunt dou categorii de TEC-MOS:
TEC-MOS cu canal iniial la acest tip de tranzistoare canalul este

ntotdeauna prezent fiind realizat prin mijloace tehnologice;
TEC-MOS cu canal indus la acest tip de tranzistoare canalul apare n

condiiile n care tranzistorul este polarizat corespunztor.
6.3.1. Structurile de baz i simbolurile dispozitivelor TEC-MOS.

S
(SURS)
G
(GRIL)
D
(DREN)
S
(SURS)
D
(DREN)
G
(GRIL)
strat izolator - SiO2
canal
P
substrat
Figura 6.8 Structur TEC-MOS cu canal iniial
S
(SURS)
G
(GRIL)
D
(DREN)
a. canal n b. canal p
S
(SURS)
G
(GRIL)
D
(DREN)
strat izolator - SiO2
canal
substrat
Figura 6.9 Structur TEC-MOS cu canal indus
canal iniial de tip N
canal iniial de tip P
a. canal n b. canal p
canal indus de tip N
Figura 6.10 Simboluri grafice pentru TEC-MOS

116
canal indus de tip

p
6.3.2. Principiul de funcionare al dispozitivelor TEC-MOS.

a. Funcionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial N
Un TEC-MOS, n funcie de modul de polarizare al grilei, poate lucra n regim
de srcire sau n regim de mbogire. Dac tensiunea aplicat pe gril este
negativ tranzistorul lucreaz n regim de srcire (fig.6.11 a), iar dac tensiunea
aplicat pe gril este pozitiv tranzistorul lucreaz n
regim de mbogire
(fig.6.11 b).
R
-
VGG
+
+
+
+
+
G +
N
S
G -
ID
ID
+
+
VDD
+
-
VGG
+
-
VDD
+
-
Figura 6.11 Funcionarea unui TEC-MOS cu canal iniial N

Dac pe gril se aplic o tensiune negativ, sarcinile negative de pe gril
ndeprteaz electronii de conducie din canalul n, care vor lsa n urma lor goluri.
Deoarece canalul rmne srcit n electroni, conductivitatea lui scade, ceea ce
duce la scderea intensitii curentului de dren ID. Cu ct crete tensiunea VGG cu
att scade curentul ID, pn ce canalul se golete complet i curentul ID devine nul
(figura 6.11 a).
Dac pe gril se aplic o tensiune pozitiv, sarcinile pozitive de pe gril atrag
electronii de conducie din canalul n. Deoarece canalul se mbogete n electroni,
conductivitatea lui crete, ceea ce duce la creterea intensitii curentului de dren
ID. Cu ct crete tensiunea VGG cu att crete curentul ID (figura 6.11 b).
n cazul TEC-MOS cu canal iniial P, tranzistoarele funcioneaz n mod similar, cu
excepia faptului c polaritile tensiunilor sunt inversate.
n cele mai multe cazuri, aceste tranzistoare sunt utilizate n regim de srcire.
117

b. Funcionarea unui dispozitiv TEC-MOS cu canal indus
La aceste tranzistoare canalul de conducie nu este realizat constructiv (figura
6.12 a). Canalul de conducie este indus dac tranzistorul este polarizat corect cu o
tensiune gril-surs mai mare dect tensiunea de prag (figura 6.12 b).
TEC-MOS cu canal indus lucreaz numai n regim de mbogire.
G +
+
+
G
Substrat
VGG
ID
+
canal
indus
D
+
-
N
S
VDD
+
-
N
S
a
b
Figura 6.12 Funcionarea unui TEC-MOS cu canal indus N
Dac pe grila tranzistorului se aplic o tensiune pozitiv mai mare dect tensiunea
de prag, aceasta genereaz pe suprafaa substratului un strat subire de sarcini
negative n regiunea de substrat din vecintatea grilei. Astfel se induce un canal ntre
dren i surs a crui conductivitate crete odat cu creterea tensiunii gril-surs.
Cu ct crete tensiunea VGG cu att crete curentul ID (figura 6.12 b).
Un TEC-MOS obinuit are canalul de conducie ngust i lung ceea ce duce la o
rezisten dren-surs mare. Acest lucru limiteaz utilizarea tranzistoarelor n circuite
de cureni mici. Pentru utilizarea tranzistoarelor n circuite de putere trebuie
modificate din construcie dimensiunile i forma canalului. Prin lrgirea i scurtarea
canalului, rezistena lui scade, permind obinerea unor tensiuni i cureni mai mari.
Precauii la manevrarea TEC-MOS
Dispozitivele TEC-MOS se pot distruge foarte uor datorit descrcrilor
electrostatice. Pentru a prevenii aceast situaie trebuie luate urmtoarele msuri de
precauie:
dispozitivele TEC-MOS trebuie pstrate n ambalaj din material antistatic cu
terminalele scurtcircuitate cu staniol sau un conductor metalic subire;
scurtcircuitul dintre terminale se ndeprteaz numai dup ce tranzistorul a
fost lipit;
nu este permis aplicarea unui semnal de intrare pe grila tranzistorului dac
circuitul n care este acesta nu este alimentat n curent continuu.
118
6.3.3 Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS.

a. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal iniial N
VD
12V
D
+
A
D
820
Tranzistorul
BF908WR
are
dou grile deoarece are un
D
G
R
D
2.316m
T
BF908WR
canal iniial i un canal indus.
VD
+
-
10.099
VDS VDD RD I D
G
10M
Figura 6.13 Polarizare la zero a unui dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial N
b. Polarizarea dispozitivelor TEC-MOS cu canal indus N

VD
24V
D
Date de catalog 2N7000:

R1
100k
RD
150
+
A
VGS(prag) = 2 V
ID(cond)=75mA la VGS= 4,5V
D
0.064
ID(cond)=500mA la VGS=10V
D
G
VG
+S
-
3.130
VD
T
2N7000
+
-
14.370
Valori
obinute
simulatorul MULTISIM:
VGS = 3,13 V
ID = 64 mA
VDS = 14,37 V
R2
15k
cu
Figura 6.14 Polarizare prin divizor de tensiune a unui TEC-MOS cu canal indus N
VDD
15V
RD
3.3k
ID
+
A
3.787m
Valori
R1
10M
VGS
+
-
2.274
VDS
T
2N7000
2.502
cu
simulatorul MULTISIM:
+
-
obinute
VGS = 2,27 V
ID = 3,78 mA
VDS = 2,50 V
Figura 6.15 Polarizare cu reacie n dren a unui TEC-MOS cu canal indus N

119
REZUMATUL CAPITOLULUI.
Terminalele tranzistorului unipolar sau cu efect de cmp se numesc : dren,

gril (poart), surs. Unele tipuri de TEC mai au un terminal care se
numete substrat.
Funcionarea TEC se bazeaz pe modificarea curentului printr-un canal

semiconductor prin variaia unei tensiuni aplicate unui electrod de comand
numit gril sau poart.
Efectul de cmp reprezint controlul curentului electric de ctre cmpul

electric.
Tranzistoarele unipolare se mpart n dou mari categorii:

o TEC cu gril jonciune (TEC-J) care au canalul semiconductor realizat
n volum;
o TEC cu gril izolat (TEC-MOS) care au canalul semiconductor
realizat la suprafa.
n funcie de tipul de dopare al canalului, tranzistoarele TEC-J se mpart n

dou categorii:
o TEC cu gril jonciune cu canal n;
o TEC cu gril jonciune cu canal p.
Tranzistoarele cu efect de cmp cu gril jonciune TEC-J funcioneaz numai

cu jonciunea gril-surs polarizat invers.
Simbolurile dispozitivelor TEC-J:
D
TEC-J cu canal N
TEC-J cu canal P
La simbolul grafic sgeat este ntotdeauna plasat pe gril n dreptul sursei

i este orientat ntotdeauna de la P spre N.
Tranzistoarele TEC-MOS au grila izolat fa de canalul semiconductor printrun start de dioxid de siliciu (de unde denumirea Metal Oxid Semiconductor).
120
n funcie de modul de funcionare sunt dou categorii de TEC-MOS:

o TEC-MOS cu canal iniial la acest tip de tranzistoare canalul este
ntotdeauna prezent fiind realizat prin mijloace tehnologice.
o TEC-MOS cu canal indus la acest tip de tranzistoare canalul apare
n condiiile n care tranzistorul este polarizat corespunztor.
Simbolurile dispozitivelor TEC-MOS:
canal iniial de tip N
canal iniial de tip P
canal indus de tip N
canal indus de tip p
Dispozitivul TEC-MOS cu canal iniial N funcioneaz n regim de

mbogire dac pe gril se aplic o tensiune pozitiv i n regim de
srcire dac pe gril se aplic o tensiune negativ.
Dispozitivul TEC-MOS cu canal iniial P funcioneaz n regim de

mbogire dac pe gril se aplic o tensiune negativ i n regim de
srcire dac pe gril se aplic o tensiune pozitiv.
Dispozitivul TEC-MOS cu canal indus lucreaz numai n regim de mbogire

dac pe grila tranzistorului se aplic o tensiune mai mare dect tensiunea de
prag.
Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp:

+V
TEC-J
Vdd
Vdd
Rd
Rg1
Vdd
TEC-MOS
+V
Rd
Rd
Rd
Rg
BC264B
BS170 T
BF245A
T
BSV81
T
Rg
Polarizare
automat
121
Rd
Rg1
Rs
Rg2
Rs
Polarizare
prin divizor
de tensiune
2N7000
T
Rg2
Rg
Polarizare
la zero
Polarizare
cu reacie
n dren
Polarizare
prin divizor
de tensiune
1. La tranzistoarele unipolare controlul conductivitii se realizeaz prin :
a. Variaia unui curent;
b. Variaia unei tensiuni;
c. Variaia unei rezistene electrice.
2. Prin efect de cmp se nelege:
a. Controlul curentului electric de ctre un cmp electric;
b. Controlul tensiunii electrice de ctre un cmp electric;
c. Controlul rezistenei electrice de ctre un cmp electric.
3. ntr-un dispozitiv TEC-J canalul se afl ntre:
a. Gril i surs;
b. Gril i dren;
c. Dren i surs.
4. Un dispozitiv TEC-J funcioneaz ntotdeauna cu:
a. Jonciunea gril-dren polarizat direct;
b. Jonciunea gril-surs polarizat direct;
c. Jonciunea gril-surs polarizat invers
5. Tranzistoarele unipolare NU au:
a. Caracteristic de intrare;
b. Caracteristic de transfer;
c. Caracteristic de ieire.
6. Dac la un dispozitiv TEC-MOS cu canal iniial de tip N pe gril se aplic o
tensiune pozitiv, acesta lucreaz n regim de:
a. mbogire;
b. Srcire;
c. Blocare.
7. Un dispozitiv TEC-MOS cu canal indus lucreaz numai n regim de:
a. Saturaie;
b. mbogire;
c. Srcire:
122

8. Simbolul din figura de mai jos reprezint:
a. Un TEC-MOS cu canal P indus;
b. Un TEC-MOS cu canal N indus;
c. Un TEC-MOS cu canal P iniial;
d. Un TEC-MOS cu canal N iniial;
9. Simbolul din figura de mai jos reprezint:
a. Un TEC-MOS cu canal P indus;
b. Un TEC-MOS cu canal N indus;
c. Un TEC-MOS cu canal P iniial;
d. Un TEC-MOS cu canal N iniial;
10. n schema de mai jos tranzistorul unipolar este polarizat:
+V
a. Prin divizor de tensiune;

b. Cu reacie n dren;
c. Automat;
Rd
d. La zero.
BC264B
Rg
Rs
11. n imaginea de mai jos este prezentat structura unui dispozitiv:

S
a. TEC-MOS cu canal P indus;
G
(GRIL)
D
(DREN
b. TEC-MOS cu canal N indus;

c.
TEC-MOS cu canal P iniial;
d. TEC-MOS cu canal N iniial;
12. n circuitul din imaginea de mai jos ID = 10 mA. Tensiunea dren-surs este:
V
a. 14,5 V;
15V
b. 10 V;
c. 5 V.
R1
500
BSV81
R2
10M
123
CAPITOLUL 7. TRANZISTOARE UNIJONCIUNE

Tranzistoarele unijonciune au o singur jonciune pn i prezint o regiune de
rezisten negativ. Aceast proprietate le face utilizabile n schemele de oscilatoare
de relaxare, circuite de comand a tiristoarelor i triacelor, circuite de temporizare,
etc.
7.1 STRUCTURA I FUNCIONAREA TUJ

7.1.1 Structura i simbolul tranzistorului unijonciune
Tranzistorul unijonciune (TUJ) este un dispozitiv electronic cu o jonciune pn i trei
terminale: EMITOR (E) , BAZA 1 (B1), BAZA 2 (B2) (figura 7.1).
Baza 2
B2
ATENIE!
N
Emitor
Nu confundai simbolul TUJ cu simbolul
TEC-J!
La simbolul TUJ
B1
Baza 1
suportul sgeii este
nclinat.
Figura 7.1 Structura i simbolul tranzistorului unijonciune
7.1.2 Funcionarea i caracteristica static de emitor a TUJ.

Polarizarea i graficul caracteristicii unui TUJ sunt prezentate n figura 7.2.
IB2
IE
VE
VE Rezisten
Blocare
VP
B2
+
B1
negativ
+
VBB
Saturaie
punct vrf
punct vale
VV
IP
IV
IE
Figura 7.2 Polarizarea i graficul caracteristicii tranzistorului unijonciune

Tensiunea de alimentare (VBB) se aplic pe bazele tranzistorului. Tensiunea de
comand (VE) se aplic ntre emitor i baza1. Polaritile tensiunilor sunt indicate n
figura 7.2.
124

La o tensiune de alimentare constant, odat cu variaia tensiunii de comand,
tranzistorul se comport astfel:
cnd VE < 0, jonciunea E-B1 este polarizat invers, iar tranzistorul este
blocat;
cnd VE atinge valoarea de amorsare (vrf) VE = VP, jonciunea emitorului se
deschide iar rezistena emitor i baza1 scade repede. Tensiunea emitorului
scade de la valoarea de amorsare (vrf) VP la valoarea de vale VV iar curentul
din emitor crete de la valoarea de vrf IP la valoarea de vale IV. n acest mod
se manifest proprietatea tranzistorului de rezisten negativ;
cnd curentul din emitor depete valoarea curentului de vale IE > IV,
jonciunea E-B1 se comport ca o diod n conducie, tranzistorul se afl n
zona de saturaie.
7.1.3 Caracteristicile electrice specifice tranzistoarelor unijonciune

n figura 7.3 este prezentat schema echivalent a tranzistorului unijonciune
B2
D reprezint jonciunea pn a tranzistorului
R2
R2 reprezint rezistena dinamic intern dintre

emitor i baza 2
VBB
R1 reprezint rezistena dinamic intern dintre

emitor i baza 1
VD
R1
VE
VBB
Valoarea
rezistenei
R1,
variaz
invers
proporional cu curentul din emitor, de la civa
B1
kiloohmi la cteva zeci de ohmi.
Figura 7.3 Schema echivalent a tranzistorului unijonciune

Dispozitivele TUJ au urmtoarele caracteristici electrice:
rezistena interbaze (RBB) reprezint rezistena electric intern dintre cele

dou baze ale tranzistorului n condiii de polarizare normal. Valorile uzuale
ale rezistenei interbaze sunt cuprinse ntre 2K i 12K;
(1)
RBB R1 R2
raportul de divizare intrinsec () reprezint raportul dintre rezistena R1 i

rezistena interbaze RBB;
(2)
R1
RBB
Valorile uzuale ale parametrului sunt cuprinse ntre 0,5 i 0,85.

n figura 7.3 se observ c (3)
125
VE VD VBB
(4)
VE VD
VBB
tensiunea de vrf (peak n lb. englez) (VP) reprezint valoarea tensiunii

din emitor la care tranzistorul amorseaz VP = VE (5)
(VD = 0,7 V ; valoarea lui se i-a din catalog);
curentul de vrf
VP VD VBB
(IP) reprezint valoarea curentului din emitor la care
tranzistorul amorseaz. Are valori de ordinul zecilor de microamperi;
tensiunea de vale (valley n lb. englez) (UV) reprezint valoarea tensiunii

din emitor n punctul de vale (punctul n care tranzistorul trece din regimul de
rezisten negativ n regimul de blocare);
Aceast tensiune depinde foarte puin de VBB i poate lua valori ntre 1V i 3V
curentul de vale (IV) reprezint valoarea curentului din emitor n punctul de

vale
Acest curent este cam de 1000 de ori mai mare dect curentul de vrf.
7.2. STRUCTURA I FUNCIONAREA UNUI TUJ PROGRAMABIL

7.2.1 Structura i simbolul unui TUJ programabil
Tranzistorul unijonciune programabil este un TUJ la care parametrii electrici pot fi
programai pentru anumite valori prin intermediul unui divizor de tensiune extern.
Constructiv structura unui TUP este asemntoare cu a unui tiristor comandat n
tensiune. Tiristorul este un dispozitiv multijonciune care se va trata n alt capitol.
n figura 7.4 sunt prezentate structura i simbolul TUP.
ATENIE!
Anod(A)
Nu confundai simbolul TUP cu
P
N
Poart(G
)
simbolul tiristorului
G
La simbolul TUP grila este la

baza triunghiului (spre A) iar la
Catod(K)
structura de baz
structura cu TB
tiristor este la vrful triunghiului

(spre K).
simbolul
Figura 7.4 Structura i simbolul tranzistorului unijonciune programabil

Poarta sau grila tranzistorului este conectat n vecintatea anodului la regiunea N.
La tiristor poarta este conectat n vecintatea catodului la regiunea P.
126
7.2.2 Funcionarea i caracteristica static de emitor a TUP.

Polarizarea i graficul caracteristicii unui TUP sunt prezentate n figura 7.5.
+
VAK
R
VIN
A
G
2N602
IA
Figura 7.5 Polarizarea i graficul caracteristicii TUP

Tensiunea de comand pentru gril este asigurat de divizorul de tensiune extern
R1-R2. n funcie de valoarea tensiunii de intrare (tensiunea din anodul tranzistorului)
TUP se deschide sau se blocheaz. Cnd tensiunea din anod este mai pozitiv cu
0,7V dect tensiunea din gril, tranzistorul se deschide, deoarece jonciunea anodgril este polarizat direct. Dac tensiunea din anod scade sub nivelul de
deschidere, TUP se blocheaz.
7.3 Identificarea terminalelor tranzistoarelor unijonciune

B1
E
B2
E
B2
B1
Figura 7.6 Tranzistoare TUJ n capsul metalic
B2 E B1
E
B1 B2
B1
B2
Figura 7.7 Tranzistoare TUJ n capsul din material plastic
K G A
A
G
A
Figura 7.8 Tranzistoare TUP n capsul din material plastic

127
CAPITOLUL 8. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

8.1. DISPOZITIVE FOTODETECTOARE
8.1.1 FOTOREZISTORUL
Fotorezistorul este un dispozitiv electronic, a crui rezisten electric se modific
sub aciunea unui flux luminos care cade pe suprafaa sensibil a acestuia.
Fotorezistorul este format dintr-o pelicul din material semiconductor, depus prin
evaporare n vid pe un grtar metalic care este fixat pe o plac izolatoare. Pelicula
este prevzut la capete cu contacte ohmmetrice care reprezint terminalele i este
protejat prin acoperire cu lac sau prin ncapsulare n material plastic (figura 8.1)
Figura 8.1 Fotorezistorul

Simbolurile grafice ale fotorezistorului sunt prezentate n figura 8.2
Figura 8.2 Simbolurile fotorezistorului

Rezistena electric a fotorezistorului scade odat cu creterea intensitii fluxului
luminos aplicat pe suprafaa sensibil a fotorezistorului. n figura 8.3 se observ cum
rezistena fotorezistorului se modific n funcie de gradul de acoperire a suprafeei
sensibile.
Figura 8.3 Comportarea fotorezistorului la modificarea intensitii fluxului luminos
128

Conectat ntr-un circuit electric, fotorezistorul modific intensitatea curentului din
circuit. Intensitatea curentului crete proporional cu scderea rezistenei electrice a
fotorezistorului, deci proporional cu creterea intensitii fluxului luminos. n circuitele
electronice, n funcie de modul de conectare, fotorezistorul poate fi activat de lumin
(figura 8.4) sau poate fi activat de ntuneric (figura 8.5)
15V
+V
15V
+V
R2
820
R2
820
16.01mA
DC A
5.147mA
DC A
R3
R3
Q1
BC546BP
Q1
BC546BP
R1
1k
R1
1k
P
100k 50%
P
100k 50%
D1
LED1
R3 = 200K I = 5,14 mA
D1
LED1
R3 = 5K I = 16 mA
Figura 8.4 Montaj cu fotorezistor activat de lumin

15V
+V
15V
+V
R1
1k
R1
1k
R2
820
R2
820
3.756mA
DC A
P
100k 50%
15.98mA
DC A
P
100k 50%
Q1
BC546BP
Q1
BC546BP
R3
R3
D1
LED1
R3 = 10K I = 3,75 mA
D1
LED1
R3 = 200K I = 16 mA
Figura 8.5 Montaj cu fotorezistor activat de ntuneric

Din poteniometrul P se regleaz sensibilitatea fotorezistorului R3.
Rezistena R1 protejeaz fotorezistorul.
129
8.1.2 FOTODIODA
Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic, realizat dintr-o jonciune pn fotosensibil,
care funcioneaz n polarizare invers.
Capsula fotodiodei prezint o fant transparent, sub forma unei ferestre plane sau a
unei lentile, care permite ptrunderea luminii ctre jonciunea pn (figura 8.6).
Figura 8.6 Fotodiode

n figura 8.7 sunt prezentate structura i simbolul fotodiodei.
Flux
lumin Anod (A)
Strat de protecie
antireflectorizant
P
Jonciune PN
K A
Regiune
srcit de purttori
N
Catod (K)
Figura 8.7 Structura i simbolul fotodiodei

n structura fotodiodei materialul de baz este siliciul dopat N. La suprafaa stratului
N este creat un strat subire P, prin implantarea ionic sau difuzia termic a unui
material adecvat (de obicei se utilizeaz bor). Suprafaa activ a fotodiodei este
acoperit cu un stat subire de protecie, care este i antireflectorizant, care poate fi
monoxid sau bioxid de
siliciu. ntre cele dou substraturi, P i N, se formeaz
jonciunea PN. Regiunea care se formeaz n vecintatea jonciunii PN se numete

regiune srcit de purttori deoarece n aceast regiune siliciul este golit de
purttori de sarcin liberi. Aceast regiune este foarte important n funcionarea
fotodiodei, ea i modific adncimea n funcie de valoarea tensiunii inverse aplicat
la terminalele fotodiodei. Capacitatea jonciunii PN depinde de grosimea acestei
regiuni. Cu ct tensiunea de polarizare invers a fotodiodei crete, se mrete
adncimea regiunii i scade capacitatea jonciunii PN.
130

Identificarea terminalelor i verificarea fotodiodei
La fotodiode terminalul mai lung este Anodul (+) iar terminalul mai scurt este
Catodul (-).
La fotodiodele n capsul metalic terminalul de lng chei este Anodul (+).
La fotodiodele n capsul transparent electrodul mai subire este Anodul (+).
K
A
Figura 8.8 Identificarea terminalelor fotodiodei dup forma capsulei
n figura 8.9 este prezentat modul de identificare a terminalelor i de verificare a
fotodiodei cu multimetrul digital.
Figura 8.9 Identificarea terminalelor i verificarea fotodiodei cu multimetrul

Pentru identificarea terminalelor i verificarea fotodiodei cu multimetrul se parcurg
urmtoarele etape:
se fixeaz comutatorul multimetrului pe poziia
se activeaz butonul
se fixeaz tastele multimetrului la terminalele fotodiodei n sensul n care acesta
iar pe display n stnga-sus trebuie s apar
indic tensiune (fig. 8.9 a). n aceast situaie, terminalul fotodiodei pe care este
tasta + a multimetrului va fi catodul (-) fotodiodei;
pentru a verifica funcionarea fotodiodei, se astup capsula acesteia, situaie n

care tensiunea indicat de multimetru trebuie s se modifice (fig. 8.9 b);
dac se modific fluxul de lumin pe capsula fotodiodei (prin iluminare sau

ntunecare) trebuie s se modifice tensiunea la bornele acesteia.
131

Funcionarea i conectarea n circuit a fotodiodei.
Dup cum am precizat anterior, regiunea srcit de purttori din jurul jonciunii PN
este foarte important n funcionarea fotodiodei. Prin polarizarea invers a fotodiodei
aceast regiune se adncete i permite curentului electric produs de radiaiile
luminoase s traverseze jonciunea PN a fotodiodei. Cnd lumina este absorbit n
aria activ a fotodiodei se genereaz termic n regiunea golit o pereche electrongol. Aceast pereche este separat de cmpul electric produs n regiunea srcit
prin polarizarea invers a fotodiodei, electronii trecnd n regiunea N iar golurile n
regiunea P. Aceast separare de sarcini poart denumirea de efect fotovoltaic, iar
curentul corespunztor se numete curent de lumin (ISC). Curentul prin diod
crete proporional cu intensitatea luminii. Cnd jonciunea nu este luminat, curentul
este aproape neglijabil i se numete curent de ntuneric(ID). n cataloagele de
fotodiode se indic curentul de scurtcircuit ISC, deoarece fotodioda se comport ca o
surs de curent.
AM2 13.01nA
K
H
FD1
R2
330
AM2
AM 16.97pA
1
FD1
AM3 2.61pA
AM3
T1
BC546
V1
500.01uA
R2
330
AM
1
30.74mA
474.99uA
T1 BC546
V1
12V
12V
R1
100k
LED1
R1
100k
LED1
Figura 8.10 Comanda unui LED cu ajutorul unei fotodiode

Cnd asupra unei fotodiode polarizat invers, acioneaz un flux de lumin, fotodioda
modific curentul din circuitul n care este conectat.
n schema din fig. 8.10 a, ntreruptorul K este deschis, lampa H este stins iar
fotodioda FD1 este blocat, deci prin circuitul bazei tranzistorului T1 nu circul
curent. n aceast situaie tranzistorul este blocat iar LED1 este stins.
n schema din fig. 8.10 b, ntreruptorul K este nchis, lampa H lumineaz iar
fotodioda FD1 intr n conducie, deci prin circuitul bazei tranzistorului T1 circul
curent. n aceast situaie tranzistorul conduce iar LED1 lumineaz.
132

OBSERVAII IMPORTANTE!
La conectarea n circuit, fotodioda se conecteaz ntotdeauna n serie cu

un rezistor care limiteaz curentul prin fotodiod;
Semnalul emis de fotodiod se culege ntre anodul (+) fotodiodei i masa

montajului (fig. 8.11 a) sau dintre catodul (-) fotodiodei i +V (fig. 8.11 b);
R
FD
FD
Figura 8.11 Conectarea fotodiodei ntr-un circuit
Fotodioda se comport ca un generator de curent comandat de un flux

luminos;
La
ntuneric
curentul
fotodiodei
este
foarte
mic
(de
ordinul
nanoamperilor) iar la lumin (n funcie de intensitatea fluxului luminos)

crete (pn la ordinul microamperilor).
PARAMETRII PRINCIPALI AI FOTODIODELOR:
Tensiunea invers (Reverse voltage) - [VR];
Puterea disipat total (Total power dissipation) - [Ptot];
Curentul direct (Forward current) - [IF];
Curentul de ntuneric (Dark current) - [IR];
Curentul de lumin sau scurtcircuit (Short-circuit current) - [ISC].
Exemple:
1. Parametrii principali ai fotodiodei SFH 203:
VR = 50 V ; Ptot = 100 mW ; IF = 80 A ; IR = 1 nA
; ISC = 80 A;
2. Parametrii principali ai fotodiodei BPX 63:

VR = 7 V ; Ptot = 200 mW ; IF = 100 A ; IR = 5 pA
133
; ISC = 10 A.
8.1.3 FOTOTRANZISTORUL
Fototranzistorul este un tranzistor cu jonciunea baz-colector fotosensibil. Pentru
fototranzistoare sunt dou variante constructive: cu dou terminale sau cu trei
terminale. n configuraia cu dou terminale, baza nu este accesibil, situaie n care
semnalul de intrare n fototranzistor este exclusiv lumina. n configuraia cu trei
terminale, baza se conecteaz n circuit i asigur o stabilitate mai bun a punctului
static de funcionare fa de variaiile de temperatur.
Spre deosebire de fotodiod, fototranzistorul are sensibilitatea mult mai mare dar n
schimb are vitez de rspuns mai mic dect fotodioda (microsecunde fa de
nanosecunde n cazul fotodiodei).
Capsula fototranzistorului este prevzut cu o fereastr n care este plasat o lentil
care focalizeaz fluxul luminos asupra regiunii fotosensibile a dispozitivului(fig. 8.12).
B
C
B
E C
B
E C
B
C E
CE
Figura 8.12 Fototranzistoare

n figura 8.13 sunt prezentate structura i simbolul fototranzistorului
Flux
Emitor
N+
lumin
P
Baz - P
N
Colector - N
Colector
Figura 8.13 Structura i simbolul fototranzistorului
134

Identificarea terminalelor i verificarea fototranzistorului
B
C
E
C
Figura 8.14 Identificarea terminalelor fototranzistorului dup forma capsulei

n figura 8.15 este prezentat modul de identificare a terminalelor i de verificare a
fototranzistorului cu multimetrul digital.
Figura 8.15 Identificarea terminalelor i verificarea fototranzistorului cu multimetrul
Pentru identificarea terminalelor i verificarea fototranzistorului cu multimetrul se

parcurg urmtoarele etape:
se activeaz butonul
se fixeaz tastele multimetrului la terminalele fototranzistorului n sensul n care

acesta
indic
tensiune
iar pe display n stnga-sus apare

(fig.
8.15
fototranzistorului pe care este tasta +
a).
aceast
situaie,
;
terminalul
a multimetrului va fi colectorul (C)
fototranzistorului. (ATENIE! Cnd se face aceast verificare capsula

fototranzistorului se ndreapt spre lumin);
pentru a verifica funcionarea fototranzistorului, se astup capsula acestuia,

situaie n care tensiunea indicat de multimetru se modific (fig. 8.15 b);
dac se modific fluxul de lumin pe capsula fototranzistorului (prin iluminare sau

ntunecare) trebuie s se modifice tensiunea la bornele acestuia.
135

Conectarea n circuit a fototranzistorului.
Un fototranzistor poate comanda intrarea n conducie sau blocarea unui tranzistor n
funcie de cum este conectat n circuit fa de tranzistor.
Dac este conectat ntre baza i colectorul tranzistorului(pentru TB de tip NPN),
fototranzistorul sub aciunea luminii comand deschiderea tranzistorului iar la
ntuneric comand blocarea tranzistorului.
Dac este conectat ntre baza i emitorul tranzistorului (pentru TB de tip NPN),
fototranzistorul la ntuneric comand deschiderea tranzistorului iar la aciunea luminii
comand blocarea tranzistorului.
AM
+
1
AM
+
2
351.24nA
H
FT1
BP103
AM
1+
16.95pA
AM
2+
36.18mA
R1
100k
12.38m
A
R2
820
FT1
BP103
T1
BC546
V1
12
R2
820
T1
BC546
V1
12
R1
100k
LED1
LED1
Figura 8.16 Circuit cu LED activat de prezena luminii

n montajul din fig.8.16 a, ntreruptorul K este deschis iar lampa H este stins
deoarece nu este alimentat cu tensiune. n lipsa unui flux de lumin fototranzistorul
FT1 este blocat, prin el nu circul curent i se comport ca un ntreruptor deschis .
n aceast situaie baza tranzistorului T1 este deconectat de la potenialul pozitiv al
sursei de alimentare i este conectat prin intermediul rezistenei R1 la potenialul
negativ al sursei de alimentare. Acest lucru duce la blocarea tranzistorului T1
deoarece tensiunea baz-emitor este mai mic dect tensiunea de prag iar curentul
din baz este foarte mic.
Tranzistorul T1 fiind blocat, prin tranzistor nu circul curent iar LED1 este stins.
n montajul din fig.8.16 b, ntreruptorul K este nchis iar lampa H lumineaz
deoarece este alimentat cu tensiune. n prezena unui flux de lumin fototranzistorul
FT1 intr n conducie, prin el circul curent i se comport ca un ntreruptor nchis .
n aceast situaie baza tranzistorului T1 este conectat la potenialul pozitiv al sursei
de alimentare prin intermediul fototranzistorului. Acest lucru duce la intrarea n
conducie a tranzistorului T1 deoarece tensiunea baz-emitor este mai mare dect
tensiunea de prag iar curentul din baz crete.
Tranzistorul T1 fiind n conducie, prin tranzistor circul curent iar LED1 lumineaz.
136

AM
1
+
AM
+2
96.61uA
R1
100k
AM
+
1
12.53 mA
R2
330
V1
12
FT1
BP103
119.53u
A
LED1
16.94pA
T1
BC546
H
V1
12
R2
820
R1
100k
T1
BC546
AM
2+
FT1
BP103
LED1
Figura 8.17 Circuit cu LED activat de prezena ntunericului
n montajul din fig. 8.17 a, ntreruptorul K este deschis iar lampa H nu lumineaz
deoarece nu este alimentat cu tensiune. n lipsa unui flux de lumin fototranzistorul
FT1 este blocat, prin el nu circul curent i se comport ca un ntreruptor deschis .
n aceast situaie baza tranzistorului T1 este deconectat de la potenialul negativ al
sursei de alimentare i este conectat la potenialul pozitiv al sursei de alimentare
prin intermediul rezistenei R1. Acest lucru duce la intrarea n conducie a
tranzistorului T1 deoarece tensiunea baz-emitor este mai mare dect tensiunea de
prag iar curentul din baz crete.
Tranzistorul T1 fiind n conducie, prin tranzistor circul curent iar LED1 lumineaz.
n montajul din fig. 8.17 b, ntreruptorul K este nchis iar lampa H lumineaz
deoarece este alimentat cu tensiune. n prezena unui flux de lumin fototranzistorul
FT1 intr n conducie, prin el circul curent i se comport ca un ntreruptor nchis .
n aceast situaie baza tranzistorului T1 este conectat la potenialul negativ al
sursei de alimentare prin intermediul fototranzistorului. Acest lucru duce la blocarea
tranzistorului T1 deoarece tensiunea baz-emitor este mai mic dect tensiunea de
prag.
Tranzistorul T1 fiind blocat, prin tranzistor nu circul curent iar LED1 este stins.
n circuitele electronice de cureni mari se utilizeaz un dispozitiv fotoelectronic numit
fotodarlington.
Fotodarlington, este o combinaie dintre un

fototranzistor i un tranzistor conectate ca n
figura 8.18.
Figura 8.18 Structura i simbolul unui fotodarlington
137

OBSERVAII IMPORTANTE!
La conectarea n circuit, jonciunea colector-emitor a fototranzistorului

se conecteaz ntotdeauna n serie cu un rezistor care limiteaz curentul
prin fototranzistor;
Fototranzistorul poate fi activat la prezena luminii situaie n care

rezistorul se conecteaz n emitor i semnalul de comand se culege
dintre emitor i masa montajului (figura 8.19. a);
Fototranzistorul poate fi activat la prezena ntunericului situaie n care

rezistorul se conecteaz n colector i semnalul de comand se culege
dintre colector i +V (figura 8.19. b);
FT
FT
R
Figura 8.19 Conectarea unui fototranzistor n circuit
Cnd regiunea fotosensibil a fototranzistorului este expus la lumin

acesta genereaz un curent de baz (I) care comand curentul din
colector (IC)
= .
PARAMETRII PRINCIPALI AI FOTOTRANZISTOARELOR:
Tensiunea colector-emitor (Collector-emitter voltage) - [VCE];
Puterea disipat total (Total power dissipation) - [Ptot];
Curentul de colector (Collector current) - [IC];
Curentul de colector maxim (Collector surge current) - [ICS];
Temperatura de stocare (Storage temperature) - [TSTG].
Exemplu:
Parametrii principali ai fototranzistorului SFH 309
VCE = 35 V ; Ptot = 165 mW ; IC = 15 mA ; ICS = 75 mA ; TSTG = (-55 +100)C.
138
TRASAREA CARACTERISTICII STATICE PENTRU FOTOTRANZISTOARE.
OBIECTIVE:
o Realizarea montajului corespunztor schemei electronice;
o Msurarea corect a mrimilor electrice din circuit;
o Trasarea corect, prin puncte, a caracteristicii statice.
RESURSE:
o
o
o
o
o
o
o
Pistoale de lipit;
Conductoare;
Plcue de lucru;
Rezistoare: R1=1K ; R2=100K;
Fototranzistor (SFH 309; PT 331)
o LED;
o Surse de alimentare reglabile.
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz practic montajul din figura 8.20;
Figura 8.20 Circuit pentru trasarea caracteristicii statice a unui fototranzistor

2. Se regleaz sursa S1 astfel nct curentul prin LED s fie 5mA;
3. Se regleaz sursa S2 la valorile indicate n tabelul 8.1;
4. Se noteaz n tabelul 8.1 valorile indicate de aparatele de msur;
5. Se regleaz sursa S1 astfel nct curentul prin LED s fie 10mA i se reiau
operaiile de la punctele 3 i 4;
6. Se regleaz sursa S1 astfel nct curentul prin LED s fie 15mA i se reiau
operaiile de la punctele 3 i 4;
7. Pe baza valorilor notate n tabel se traseaz prin puncte caracteristica static
IFT = f(UFT) a fototranzistorului n sistemul de axe din figura 8.21.

139
TABELUL 8.1
US2[V]
ILED
IC
5mA
UCE
ILED
IC
10mA
UCE
ILED
IC
15mA
UCE
10
12
IC
UCE
Figura 8.21 Graficul caracteristicii statice a unui fototranzistor
OBSERVAIE:
LED-ul i fototranzistorul se plaseaz ntr-un tub (parasolar) care blocheaz
ptrunderea
radiaiilor
luminii
naturale
spre
regiunea
fotosensibil
fototranzistorului.
140
8.2. DISPOZITIVE FOTOEMITOARE

8.2.1 DIODA LUMINISCENT (LED)
LED (Light Emitting Diode) este o diod care are proprietatea de a emite lumin
atunci cnd este polarizat direct.
Construcia LED-ului
emisie
lumin ANOD(+)
emisie
lumin
capsul
turnat
fir
anod
diod
ANOD
teitur pentru
identificare
catod
CATOD
CATOD(-)
cup
reflectoare
b
Figura 8.22 Structura constructiv a unui LED
LED-ul este construit dintr-o structur semiconductoare pn cu suprafa foarte mic

(figura 8.22 a) care emite lumin. Aceast structur se realizeaz din aliaje
semiconductoare speciale. La construcia structurii semiconductoare nu se utilizeaz
siliciu sau germaniu deoarece se nclzesc i nu emit bine lumin. Aceast structur
care mai poart denumirea de diod este amplasat ntr-o cup reflectoare (figura
8.22 b) i este conectat la terminalele diodei ( ANOD i CATOD). Toate aceste
elemente sunt ncapsulate. Aceste capsule se realizeaz din rini sintetice de
diverse culori i sub diverse forme. Culoarea radiaiei luminoase depinde de aliajul
utilizat la realizarea structurii semiconductoare:
141
rou, infrarou AlGaAs (Aluminiu Galiu - Arsen);

verde AlGaP (Aluminiu - Galiu - Fosfor);
rou-orange, orange, galben, verde AlGaInP (AluminiuGaliuIndiu-Fosfor);
rou, rou-orange, orange, galben GaAsP (Galiu - Arsen - Fosfor);
rou, galben, verde GaP (Galiu - Fosfor);
verde, verde-smarald, albastru GaN (nitrur de galiu);
ultraviolet apropiat, albastru-verzui, albastru InGaN (nitrur indiu-galiu);
albastru ZnSe (zinc-seleniu);
ultraviolet Diamant (C) (Carbon);
de la ultraviolet apropiat pana la ultraviolet ndeprtatAlN, AlGaN (nitruri Al, Ga).

Funcionarea LED-ului
ntre semiconductorul de tip N i semiconductorul de tip P al diodei LED-ului se
formeaz o jonciune PN. La frontiere jonciunii electronii difuzeaz din partea N n
partea P i se recombin cu golurile de aici, iar golurile difuzeaz din parte P n
partea N i se recombin cu electronii de aici. n consecin se formeaz o regiune
srcit de purttori, n care nu exist nici electroni liberi i nici goluri libere, ce
formeaz o barier care nu mai permite recombinarea electronilor din partea N cu
golurile din partea P.
Prin polarizarea direct a jonciuni PN, bariera creat de regiunea srcit de
purttori este strpuns, electronii din partea N sunt atrai ctre terminalul pozitiv al
sursei de alimentare iar golurile din partea P sunt atrase ctre terminalul negativ al
sursei de alimentare. Att electronii ct i golurile ajung n regiunea srcit de
purttori unde se recombin i elibereaz energie sub form de cldur i lumin.
La LED-uri, prin construcia acestora, majoritatea combinrilor electron-gol
elibereaz fotoni sub form de lumin n spectrul vizibil. Acest proces se numete
electroluminescen.
Intensitatea radiaiilor luminoase produse de LED sunt direct proporionale cu
intensitatea curentului direct prin jonciunea PN a LED-ului.
Un LED emite lumin ntr-un anumit domeniu de lungimi de und (n funcie de aliajul
utilizat la construcia diodei LED-ului). Lungimea de und () este exprimat n
nanometri (nm) i ncadreaz lumina n spectrul vizibil sau invizibil:
= 460 nm lumin albastr
= 540 nm lumin verde
= 590 nm lumin galben
= 660 nm lumin roie
= 940 nm radiaie invizibil (infrarou)
(400nm 540 nm)

(460 nm 620 nm)
(520 nm 680 nm)
( 580 nm 740 nm)
(740 nm 20.000 nm)
Figura 8.23 Spectrul radiaiilor electromagnetice

142

Parametrii electrici ai LED-urilor:
Curentul direct (IF) reprezint curentul maxim suportat de LED la polarizare

direct. Valoarea maxim a acestui curent este de 50 mA pentru LED-urile ce
emit n spectrul vizibil respectiv 100 mA pentru LED-urile ce emit n infrarou.
n majoritatea cazurilor se alege IF = 20 mA;
Tensiunea direct (VF) reprezint tensiunea ce trebuie aplicat la bornele

LED-ului pentru ca acesta s emit radiaii luminoase. Valoarea acestei
tensiuni variaz ntre 1,6 V i 4,5 V, n funcie de culoarea luminii emise;
Culoare LED
TENSIUNE DIRECT
TABELUL 8.2
CURENT DIRECT
TIPIC
MAXIM
TIPIC
MAXIM
ROU
1,6 V
2V
10 mA
20 mA
VERDE
2,2 V
3V
10 mA
20 mA
GALBEN
2,2 V
3V
10 mA
20 mA
ALBASTRU
3,8 V
4,5 V
20 mA
20 mA
Tensiunea invers (VR) reprezint tensiunea maxim invers care o poate

suporta LED-ul fr a se distruge (tipic 3V 10V).
Caracteristica static a LED-ului -
IF = f(UF)
Figura 8.24 Caracteristica static de ieire a LED-ului

143
Identificarea terminalelor i verificarea LED-ului.
CATOD
ANOD
Figura 8.25 Identificarea terminalelor unui LED

Identificarea terminalelor unui LED se face vizual sau prin msurare cu multimetrul.
La identificarea vizual (fig. 8.25 a) ANODUL (+) este terminalul mai lung sau mai
subire. Dac capsula este rotund i prezint o teitur, n dreptul teiturii este
CATODUL (-) LED-ului.
Identificarea terminalelor prin msurare cu multimetrul se face astfel:
se fixeaz comutatorul multimetrul pe poziia
se activeaz butonul
se fixeaz tastele multimetrul la terminalele LED-ului n sensul n care acesta
indic tensiune (fig. 8.25 b). n aceast situaie, terminalul LED-ului pe care este
tasta + a multimetrului va fi ANODUL (+) LED-ului;
dac se schimb polaritatea tastelor la terminalele LED-ului, multimetrul indic 0

V (figura 8.25 c).
144

Conectarea LED-ului n circuit
Un LED se conecteaz ntr-un circuit electric, ntotdeauna n serie cu un rezistor care
limiteaz valoare intensitii curentului prin LED.
Calculul rezistenei rezistorului R (conectat n serie cu LED-ul).
15V
+V
Din datele de catalog ale LED-ului rezult:

VF = 1,7V ; IF = 20 mA.
R3
820
Aleg tensiunea de alimentare VCC = 15 V i
16.06mA
DC A
curentul prin LED ILED = 16 mA.

Trebuie s calculez R1 = ?
[] =
LED1
[] []
,
=
= ,
[]
Aleg R1 = 820 (valoare standard).
Figura 8.26 Conectarea unui LED n circuit

Conectarea LED-ului n circuit cu un tranzistor
15V
+V
R1
10k
Rc
1k
Q1
BC546BP
R2
3k3
LED1
13.54mA
DC A
( + )
(,+,)
[]
= ,
Aleg Rc= 1K
Figura 8.27 Conectarea unui LED n circuit cu un tranzistor
Valoarea intensitii curentului din colectorul tranzistorului nu este stabilit numai de

valoarea rezistorului Rc ci i de valoarea curentului din baza tranzistorului care
depinde de valorile rezistoarelor R1 i R2 din divizorul de tensiune. Dac modificm
valorile rezistoarelor R1 i R2 se modific i curentul prin tranzistor, implicit prin LED.
145
8.2.2 CELULA DE AFIAJ 7 SEGMENTE CU LED-uri.

Afiajul este format din 7 segmente (figura 8.28). Fiecare segment de afiaj este un
led. Prin combinaii ale segmentelor se formeaz cele zece cifre de la 0 la 9. Prin
polarizarea direct a segmentelor , n diverse combinaii, se poate forma orice cifr a
sistemului zecimal. Afiajele 7 segmente se construiesc n dou variante: cu anodul
comun i cu catodul comun i sunt prevzute cu 10 terminale (figura 8.29)
10 9 8 7 6
A
B
G
C
D
1 2 3 4 5
Figura 8.28 Afiaj 7 segmente - aranjarea segmentelor-numerotarea terminalelor
KW1 501 AS
KW1 501 CRB
KW1 521 AGA
KW1 521 CS
E1
E1
1 G
D2
09
F
Catod 3
8 Anod
C4
7A
Punc 5
6 B
t
D2
Anod 3
C4
Punc 5
t
(a) Cu Anod comun
1 G
09
F
8 Catod
7A
6 B
(b) Cu Catod comun
Figura 8.29 Structur afiaj 7 segmente

Pentru activarea unui segment acesta se polarizeaz direct.
La afiajele cu Anod comun, anodul se conecteaz spre polul pozitiv al sursei (+) iar
segmentul care se activeaz se conecteaz spre polul negativ al sursei (-).
La afiajele cu Catod comun, catodul se conecteaz spre polul negativ al sursei (-)
iar segmentul care se activeaz se conecteaz spre polul pozitiv al sursei (+).
Un segment are urmtorii parametrii electrici:
Tensiunea direct de polarizare Vf = 1,9 V 2,2 V (n funcie de culoarea
segmentelor)
Curentul direct If = 10 mA 20 mA.
146

Verificarea afiajului 7 segmente
Verificarea afiajului se poate face cu multimetrul dup cum se vede n figura 8.30
Figura 8.30 Verificare afiaj 7 segmente

Pentru verificarea afiajului 7 segmente se parcurg urmtoarele etape:
se activeaz butonul
la afiajul cu anodul comun (figura 8.30), tasta (+) a multimetrului se fixeaz pe
terminalul 3 sau 8 a afiajului (anozi) iar cealalt tast(-) se conecteaz pe rnd

la celelalte terminale ale afiajului. Pentru fiecare conectare multimetrul trebuie
s indice o anumit tensiune (figura 8.30), n funcie de tipul afiajului;
la afiajul cu catodul comun, tasta (-) a multimetrului se fixeaz pe terminalul 3

sau 8 a afiajului (catozi) iar cealalt tast(+) se conecteaz pe rnd la celelalte
terminale ale afiajului. Pentru fiecare conectare multimetrul trebuie s indice o
anumit tensiune (figura 8.30), n funcie de tipul afiajului;
dac se inverseaz polaritatea tastelor multimetrul va indica 0V.
n schemele electronice, afiajul 7 segmente se utilizeaz mpreun cu un

decodificator 7 segmente, care este un circuit integrat specializat pentru aceast
funcie (CDB 446, CDB 447, SN7447, etc. pentru anod comun ; CDB 448,
MMC4248, SN7448, etc. pentru catod comun).
147

Conectarea i verificarea afiajului 7 segmente n circuit.
VCC
CK
VCC
12V
S1
S2
S1
U1
R1 1k
CK
12V
S2
A B C D E F G H
A B C D E F G H
R2 1k
R2 1k
S3
S3
R3 1k
R3 1k
S4
S4
R4 1k
R4 1k
S5
S5
R5 1k
R5 1k
S6
S6
R6 1k
R6 1k
S7
S7
R7 1k
R7 1k
a
VCC
U1
R1 1k
b
CK
VCC
12V
S1
U1
R1 1k
S2
A B C D E F G H
CK
12V
S1
S2
R2 1k
S3
U1
R1 1k
A B C D E F G H
R2 1k
S3
R3 1k
S4
R3 1k
S4
R4 1k
S5
R4 1k
S5
R5 1k
S6
R5 1k
S6
R6 1k
S7
R6 1k
S7
R7 1k
R7 1k
Figura 8.31 Conectarea unui afiaj 7 segmente n circuit

n circuitele din figura 8.31, segmentele afiajului sunt conectate prin intermediul unor
rezistene la ntreruptoarele S. Deoarece afiajul este cu catodul comun, catodul se
conecteaz la masa montajului (-) iar ntreruptoarele S se conecteaz la borna (+).
La nchiderea unui ntreruptor lumineaz segmentul corespunztor ntreruptorului
respectiv (S1-A, S2-B, S3-C, S4-D, S5-E, S6-F, S7-G).
n figura 8.31. a sunt nchise toate ntreruptoarele, lumineaz toate segmentele
care formeaz cifra 8.
n figura 8.31. b sunt nchise toate ntreruptoarele mai puin ntreruptorul S7,
lumineaz toate segmentele mai puin segmentul G, care formeaz cifra 0.
n figura 8.31. c sunt nchise ntreruptoarele S3 i S4, lumineaz segmentele B i C
care formeaz cifra 1.
n figura 8.31. d sunt nchise ntreruptoarele S1, S2, S4, S5, S7 lumineaz
segmentele A, B, D, E, G care formeaz cifra 2.
148
8.3. MODULATOARE OPTOELECTRONICE

8.3.1 CUPLOARE OPTICE
Cuplorul optic este un dispozitiv optoelectronic format dintr-un emitor (LED) i un
receptor de lumin (fotodiod, fototranzistor, fototiristor, etc.) aezate fa n fa la
distan mic n aceeai capsul opac. Scopul principal al optocuplorului este de
realiza o izolare electric total ntre un circuit de intrare i unul de ieire
a. Structura cuplorului optic
Emitor
Receptor
Circuit intrare
Semnal optic
Semnal electric
Semnal electric
Circuit ieire
Figura 8.32 Structura unui cuplor optic

Circuitul de intrare sau emitorul unui cuplor optic este, de obicei, un LED. Acesta
primete semnal electric i emite semnal optic.
Circuitul de ieire sau receptorul unui cuplor optic poate fi: fotodiod, fototranzistor,
fotodarlington, fototiristor, fototriac. Acesta transform semnalul optic n semnal
electric.
Cele dou dispozitive (de intrare i de ieire) se afl n aceeai capsul la distan
mic i sunt cuplate optic mpreun, dar sunt izolate perfect din punct de vedere
electric.
Cnd la intrarea cuplorului optic se aplic un semnal electric, la ieirea cuplorului se
obine un semnal electric. Prin urmare, cuplorul optic transmite o comand electric
prin intermediul luminii, asigurndu-se o izolare perfect din punct de vedere electric
ntre circuitul de intrare i circuitul de ieire. Informaiile se transmit strict ntr-un
singur sens, de la circuitul de intrare spre circuitul de ieire, fr reacie n sens
invers
b. Tipuri constructive de cuploare optice
A
K A
Figura 8.33 Cuplor optic cu 4 terminale

149
A
K
E C
Figura 8.34 Comutator optoelectronic
6
3
2
1
Figura 8.35 Cuplor optic cu 6 terminale
8
4
3
2
1
Figura 8.36 Cuplor optic cu 8 terminale (fotodarlington)

150

c. Parametrii unui optocuplor
IF
IC
Figura 8.37 Parametrii optocuplorului PC123

Parametrii care caracterizeaz un optocuplor se mpart n dou categorii:
parametrii care se refer separat la emitor i receptor (fig.8.37 c input,

output);
parametrii specifici optocuplorului sunt parametrii care caracterizeaz

ansamblu LED receptor:
o tensiunea de izolare reprezint tensiunea maxim dintre bornele de
intrare i cele de ieire fr ca dielectricul s se strpung (valori de
ordinul kV);
o factorul de transfer n curent reprezint raportul dintre valoarea
curentului de ieire i cel de intrare. Se exprim n procente. Pentru
circuit de ieire cu fototranzistor este cuprins ntre 2% i 100%, iar pentru
circuit de ieire cu fotodarlington este cuprins ntre 50% i 500% .
151

d. Conectarea n circuit a cuplorului optic.
If
Ic
-
0.027n
+
A
1.089u
S1
LED1
1
V1
12 V
U1A
R1
V2
12 V
R2
820
820
Uf
0.120m
Uc
10.682
a
If
Ic
-
0.013
0.011
+
A
S1
LED1
1
V1
12 V
U1A
R1
V2
12 V
R2
820
820
Uf
1.186
1.223
Uc
b
Figura 8.38 Simulare montaj cu optocuplor
n figura 8.38 a, ntreruptorul S1 este deschis. n aceast situaie emitorul
optocuplorului (LED-ul) nu este alimentat cu tensiune iar curentul prin emitor i prin
receptor (fototranzistor) este aproape nul. Fototranzistorul este blocat iar LED1 este
stins. Se observ ca tensiunea pe emitor Uf este foarte mic iar pe receptor Uc
este mare, aproximativ egal cu tensiunea de alimentare.
n figura 8.38 b, ntreruptorul S1 este nchis, situaie n care emitorul este
alimentat cu tensiune i emite radiaii luminoase. Receptorul capteaz aceste radiaii
fapt care duce la intrarea n conducie a fototranzistorului i la luminarea
dispozitivului LED1.
Se observ c If = 13mA, Uf = 1,18V i Ic = 11 mA, Uc = 1,22V.
152
8.3.2 FIBRE OPTICE

Fibra optic este o fibr din plastic sau sticl care transport lumin de-a lungul
su. Fibra optic se comport ca un ghid de und care transport lumina de-a lungul
axei sale prin procesul de reflexie intern total.
n principiu, fibra optic constituie o cale de cuplare a unui dispozitiv ce emite lumin
cu un dispozitiv fotodetector, printr-un cablu prin care lumina se poate propaga
(fig.8.39).
Figura 8.39 Sistem de transmisie prin fibr optic

Un sistem de transmisie prin fibr optic este compus din:
transmitor optic produce i codeaz semnalele luminoase;
ghid optic conduce semnalele luminoase;
receptorul optic primete i decodeaz semnalele luminoase.
Transmitorul optic conine o diod (laser sau LED) i o monofibr al crui

diametru este mai mic dect cel al fibrei optice. Semnalul de intrare este convertit n
impulsuri optice pentru a putea fi transmise pe fibra optic. Impulsurile luminoase
sunt prelucrate ntr-un sistem optic pentru a se obine la ieire un fascicul paralel de
lumin monocromatic care va fi injectat n monofibr.
n cazul unor surse cu spectrul mai larg se poate intercala un filtru optic pentru a
obine radiaii monocromatice cu anumite lungimi de und.
Ghidul optic conine urmtoarele elemente: cablul optic, repetoare-amplificatoare i
echipamentul de electroalimentare. Fasciculul de lumin de la ieirea transmitorului
optic, modulat n impulsuri, este trimis n fibra optic prin cupla optic. Aceasta
realizeaz legtura cu sursa optic i permite cuplarea i decuplarea uoar a fibrei
la transmitor.
153

Receptorul optic conine o diod detectoare i o monofibr al crui diametru este
mai mare dect cel al fibrei optice. Fibra este ghidat de o cupl optic, pentru a
trimite lumina la receptorul electrooptic. Impulsurile luminoase sunt transformate n
impulsuri de curent. Acestea sunt amplificate i decodificate pentru a recompune
semnalul transmis.
Fibra de sticl este protejat la exterior cu un strat de sticl cu indicele de refracie
mai mic dect cel al fibrei. O raz de lumin ce ptrunde prin extremitatea cablului se
va refracta (figura 8.40). Dup refracie lumina va fi reflectat n interiorul fibrei de
mai multe ori pe toat lungimea fibrei i va ieii prin extremitatea opus dup o ultim
refracie.
n1
n2
n1
Figura 8.40 Raz de lumin ntr-o fibr optic

Fibra optic este compus din trei elemente de baz (figura 8.41 ):
- miez (fibra de sticl) (1);
- strat protector (izolaia optic a fibrei) (2);
- nveli protector (amortizor) (3).
Figura 8.41 Structura fibrei optice

Miezul fibrei este construit din sticl dopat (GeO2 + SiO2).
Stratul protector este construit din sticl pur (SiO2). Pentru a obine reflexie intern
total indicele de refracie a celor dou materiale este diferit (stratul protector are
indicele de refracie mai mic dect miezul).
nveliul protector este construit din plastic i geluri speciale care protejeaz fibra.
Fibrele optice, n funcie de construcia miezului, se mpart n dou mari categorii:
154
fibr multimodal transmite mai multe fascicule de lumin cu viteze diferite

i aceeai lungime de und. La aceste fibre scade semnificativ distana i
viteza de transmisie a semnalului ( distana de transmisie, fr regenerare a
semnalului, este pn la 2 km);
fibr monomodal transmite un singur fascicul de lumin cu lungime de

und specific. La acest tip de fibre distana i viteza de transmisie sunt mari
(distana de transmisie, fr regenerare a semnalului, zeci de Km).
Cablul cu fibr optic este format din una sau mai multe fibre optice, protejate de
unul sau mai multe straturi de ntrire, prevzut la exterior cu o manta din polietilen
extrudat.
Figura 8.42 Structura cablului cu fibr optic

Elementele componente ale unui cablu optic n construcie standard sunt:
fibre optice de tip multimod sau monomod;
element central de rezisten;
straturi i benzi de protecie din materiale termoplastice;
mantale interioare i exterioare din materiale termoplastice.
Avantajele sistemelor de comunicaie cu fibr optic:
capacitate mare de transmisie;
viteze mari de transfer;
imunitate la interferenele electromagnetice perturbatoare;
izolaie electric total;
fiabilitate n funcionare ridicat;
band de frecvene mai ridicat;
securitate perfect a transmisiei;
greutate redus i dimensiuni mici;
rezisten la condiii nefavorabile de vreme i de mediu.
Domeniile de utilizare ale sistemelor de comunicaie cu fibr optic:
telecomunicaii, reele de calculatoare, sisteme de iluminat, aparatur medical
(endoscoape, etc.).
Pentru a nelege mai bine cum funcioneaz fibra optic urmrii filmul de la adresa:
http://www.youtube.com/watch?v=0MwMkBET_5I .
155
TRASAREA CARACTERISTICII STATICE PENTRU LED-uri.
OBIECTIVE:
o Trasarea corect, prin puncte, a caracteristicii statice.
RESURSE:
o
o
o
o
o
o
o
Pistoale de lipit;
Conductoare;
Plcue de lucru;
Rezistoare: R=1K ;
LED-uri (rou, verde);
o Surs de alimentare reglabil.

DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz practic montajul din figura 8.43;
Figura 8.43 Circuit pentru trasarea caracteristicii statice a unui LED

2. Se regleaz sursa S la valorile indicate n tabelul 8.3;
3. Se noteaz n tabelul 8.3 valorile indicate de aparatele de msur;
4. Se nlocuiete LED-ul ROU cu LED-ul VERDE i se reiau operaiile de la
punctele 2 i 3;
5. Pe baza valorilor notate n tabel se traseaz
prin puncte caracteristicile
statice ILED = f(ULED) a celor dou LED-uri n sistemul de axe din fig. 8.44.
156
TABELUL 8.3
ILED[mA]
ROU
12
16
20
ULED[V]
VERDE ULED[V]
ILED
ULED
Figura 8.44 Graficul caracteristicilor statice a LED-urilor ROU i VERDE
157
CALCULUL REZISTENEI DE POLARIZARE A LEDURILOR N CIRCUIT.
OBIECTIVE:
o Calculul corect al rezistenei de polarizare a LED-urilor.
RESURSE:
o
o
o
o
o
o
o
Pistoale de lipit;
Conductoare;
Plcue de lucru;
Rezistoare, poteniometre;
LED-uri (roii, verzi);
o Surs de alimentare reglabil.

DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz cu ajutorul simulatorului schema din figura 8.45;
Figura 8.45 Conectarea LED-urilor n serie
2. Considernd: ULED = 1,7 V i ILED = 10 mA se calculeaz valoarea rezistenei

de polarizare a LED-urilor cu formula:
[] =
158
( + + )
[]

3. Se realizeaz practic montajul conform schemei din figura 8.45 n care se
nlocuiete poteniometrul P cu un rezistor care are valoare apropiat de
valoarea calculat la punctul (2);
4. Se citesc valorile indicate de multimetrele din circuit i se compar aceste
valori cu cele indicate de multimetrele din schema realizat cu simulatorul;
5. Se realizeaz cu ajutorul simulatorului schema din figura 8.46;
Figura 8.46 Conectarea LED-urilor n paralel

6. Considernd: ULED = 1,7 V i ILED = 10 mA se calculeaz valoarea rezistenei
de polarizare a LED-urilor cu formula:
[] =

[]
7. Se realizeaz practic montajul conform schemei din figura 8.46 n care se

nlocuiete poteniometrul P cu un rezistor care are valoare apropiat de
valoarea calculat la punctul (6);
8. Se citesc valorile indicate de multimetrele din circuit i se compar aceste
valori cu cele indicate de multimetrele din schema realizat cu simulatorul.
159
Fotorezistorul este un dispozitiv electronic, a crui rezisten electric se

modific sub aciunea unui flux luminos care cade pe suprafaa sensibil a
acestuia.
Fotodioda este o diod a crei funcionare este dependent de intensitatea

fluxului luminos care cade asupra sa.
Fotodioda funcioneaz numai n polarizare invers.
Fotodioda se conecteaz n circuit ntotdeauna n serie cu un rezistor care

limiteaz curentul prin ea.
Fototranzistorul este un tranzistor cu jonciunea baz-colector fotosensibil.
La conectarea n circuit, jonciunea colector-emitor a fototranzistorului se

conecteaz ntotdeauna n serie cu un rezistor care limiteaz curentul prin
fototranzistor.
Fototranzistorul poate fi activat la prezena luminii situaie n care rezistorul se

conecteaz n emitor i semnalul de comand se culege dintre emitor i
masa montajului.
Fototranzistorul poate fi activat la prezena ntunericului situaie n care

rezistorul se conecteaz n colector i semnalul de comand se culege dintre
colector i +V.
LED (Light Emitting Diode) este o diod care are proprietatea de a emite
lumin atunci cnd este polarizat direct.
Un LED se conecteaz ntr-un circuit electric, ntotdeauna n serie cu un

rezistor care limiteaz valoare intensitii curentului prin acesta.
Rezistena de polarizare a n LED-uri conectate n serie se calculeaz cu

formula:
[] =
[] ( + + . )[]

[]
Rezistena de polarizare a n LED-uri conectate n paralel se calculeaz cu

formula:
[] =
160
[] []

[]
Afiajele 7 segmente se construiesc n dou variante: cu anodul comun i cu

catodul comun i sunt prevzute cu 10 terminale.
Afiajul este format din 7 segmente, fiecare segment de afiaj este un led.
n schemele electronice, afiajul 7 segmente se utilizeaz mpreun cu un

decodificator 7 segmente, care este un circuit integrat specializat pentru
aceast funcie (CDB 446, CDB 447, SN7447, etc. pentru anod comun
CDB 448, MMC4248, SN7448, etc. pentru catod comun) .
Cuplorul optic este un dispozitiv optoelectronic format dintr-un emitor

(LED) i un receptor de lumin (fotodiod, fototranzistor, fototiristor, etc.)
aezate fa n fa la distan mic n aceeai capsul opac.
Cuplorul optic transmite o comand electric prin intermediul luminii,

asigurndu-se o izolare perfect din punct de vedere electric ntre circuitul de
intrare i circuitul de ieire.
Fibra optic este o fibr din plastic sau sticl care transport lumin de-a
lungul su.
n principiu, fibra optic constituie o cale de cuplare a unui dispozitiv ce emite

lumin cu un dispozitiv fotodetector, printr-un cablu prin care lumina se poate
propaga.
Un sistem de transmisie prin fibr optic este compus din:

o transmitor optic produce i codeaz semnalele luminoase;
o ghid optic conduce semnalele luminoase;
o receptorul optic primete i decodeaz semnalele luminoase.
161
Fibra optic este compus din trei elemente de baz:

o
miez (fibra de sticl);
strat protector (izolaia optic a fibrei);
nveli protector (amortizor) .
Cablul cu fibr optic este format din una sau mai multe fibre optice,
protejate de unul sau mai multe straturi de ntrire, prevzut la exterior cu o
manta din polietilen extrudat.
1. Rezistena electric a unui fotorezistor :
a. Crete odat cu creterea intensitii fluxului luminos;
b. Scade odat cu creterea intensitii fluxului luminos;
c. Crete odat cu scderea intensitii fluxului luminos;
d. Scade odat cu scderea intensitii fluxului luminos;
2. Rezistena intern a unei fotodiode:
a. Crete la intensificarea fluxului luminos cnd este polarizat direct;
b. Scade la intensificarea fluxului luminos cnd este polarizat direct;
c. Crete la intensificarea fluxului luminos cnd este polarizat invers;
d. Scade la intensificarea fluxului luminos cnd este polarizat invers;
3. LED-ul:
a. Produce lumin la polarizare invers;
b. Produce lumin la polarizare direct;
c. Sesizeaz lumin la polarizare direct;
d. Sesizeaz lumin la polarizare invers;
4. Curentul de baz al unui fototranzistor este determinat de:
a. Tensiunea de polarizare;
b. Fluxul luminos care acioneaz asupra regiunii fotosensibile;
c. Valoarea rezistenei conectate n serie cu jonciunea colector-emitor.
5. Fluxul luminos aplicat unui fototranzistor comand:
a. Tensiunea baz-emitor;
b. Curentul din baz;
c. Tensiunea colector-emitor;
d. Curentul din colector.
6. Optocuplorul este un dispozitiv format din:
a. Un LED i o diod;
b. Un LED i o fotodiod;
c. Un LED i un fototranzistor;
d. O fotodiod i un fototranzistor.
162

II. a. n schema din figura 8.47 se utilizeaz dou LED-uri roii cu ULED = 1,8 V i
ILED = 15 mA. Dac tensiunea de alimentare Vcc = 12 V calculai RLED.
Vcc
12V
LED1
Rled
LED2
Figura 8.47 Polarizarea LED-urilor conectate n paralel

b. n schema din figura 8.48 se utilizeaz dou LED-uri verzi cu ULED = 2,1 V i ILED
= 10 mA. Dac tensiunea de alimentare Vcc = 15 V calculai RLED.
Vcc
15V
LED1
LED2
Rled
Figura 8.48 Polarizarea LED-urilor conectate n serie

c. n schema din figura 8.49 se utilizeaz un LED verde cu ULED = 2,1 V i ILED = 15
mA. Dac tensiunea de alimentare Vcc = 15 V calculai RC.
Vcc
15V
Rc
LED
Figura 8.49 Polarizarea unui LED conectat n serie cu un tranzistor

163
CAPITOLUL 9. DISPOZITIVE MULTIJONCIUNE

9.1. DIODA SHOCKLEY
9.1.1 STRUCTUR I SIMBOL
Dioda Shockley este alctuit din patru straturi succesive semiconductoare P-N-P-N
, trei
jonciuni PN (figura 9.1 a). Structura diodei Shockley poate fi reprezentat
printr-un circuit echivalent format din dou tranzistoare pnp i npn conectate ca n
figura 9.1 b. Dioda este prevzut cu dou terminale anod conectat la prima regiune
de tip P i catod conectat la ultima regiune de tip N.
A
ANOD (A)
ANOD (A)
IAK
J1
A
T1
J1
J2
J3
D1
D2
D3
N
CATOD (K)
P
I1
I2
T2
N
J3
a. Structur cu diode
J2
CATOD (K)
b. Structur cu tranzistori
K
K
c. Simbol
Figura 9.1 Structura i simbolul diodei Shockley
9.1.2 FUNCIONAREA DIODEI SHOCKLEY.

n cazul structurii cu diode, dioda funcioneaz astfel: dac tensiunea dintre anod i
catod este pozitiv, diodele D1 i D2 sunt polarizate direct, intr n conducie i toate
tensiunea dintre anod i catod se aplic diodei D2 care este polarizat invers. Cnd
valoarea tensiunii dintre anod i catod depete valoarea tensiunii de strpungere a
diodei D2 (numit i tensiune direct de ntoarcere VBR), dioda D2 intr n
conducie invers iar prin dioda Shockley circul curent care este limitat numai de
circuitul exterior, rezistena intern a diodei devenind foarte mic. Odat amorsat,
dioda Shockley nu se blocheaz chiar dac valoarea tensiunii dintre anod i catod
scade sub valoarea tensiunii de strpungere a diodei D2. Dioda Shockley se
blocheaz cnd curentul prin ea scade sub o anumit valoare, denumit curent de
meninere (IH). Pentru a explica acest fenomen se prezint funcionarea structurii cu
tranzistori a diodei.
164
La amorsarea diodei Shockley prin ea circul un curent IAK. Acest curent favorizeaz
apariia curentului I1 n colectorul tranzistorului T1, care este i curent de baz pentru
tranzistorul T2. Prin urmare apare curentul de colector I2 n colectorul tranzistorului
T2 (unde I2 = I1 2 ). Curentul de colector I2 al tranzistorului T2 este i curent de
baz al tranzistorului T1. Acest curent determin creterea curentului de colector I1 al
tranzistorului T1 (unde I1 = I2 1 ).
Prin urmare apare fenomenul de reacie intern: curentul IAK determin apariia
curentului I1, I1 determin creterea lui I2, I2 determin creterea suplimentar a lui
IAK i aa mai departe, fenomenul se repet pn la intrarea n saturaie a celor dou
tranzistoare.
Dac dup amorsarea diodei Shockley tensiunea VAK a diodei scade sub
valoarea tensiunii directe de ntoarcere, curentul prin diod IAK nu dispare, el
fiind meninut de reacia pozitiv intern. Dioda se va bloca cnd curentul prin
diod scade sub o anumit valoare denumit curent de meninere IH (figura 9.2).
IAK
2
IH
IS
1
3
VBR
VAK
Figura 9.2 Graficul caracteristicii diodei Shockley
165
Dioda Shockley are trei zone de funcionare:

1. Polarizat direct, blocat este zona n care dioda este polarizat direct dar
valoarea tensiunii nu depete valoarea tensiunii directe de ntoarcere
(VBR). n aceast situaie curentul prin diod este neglijabil. Dioda este blocat
i se comport ca un contact deschis;
2. Polarizat direct, n conducie este zona n care valoarea tensiunii de
polarizare a diodei depete valoarea tensiunii directe de ntoarcere.
Tensiunea pe diod scade brusc, la o valoarea neglijabil, iar curentul prin
diod crete, este mai mare dect un curent minim numit curent de
meninere (IH). Dioda este n conducie i se comport ca un contact nchis;
3. Polarizat invers, blocat este zona n care dioda este polarizat invers
dar valoarea tensiunii de polarizare nu depete valoarea tensiunii inverse
maxime iar curentul prin diod este neglijabil.
Trecerea n starea de conducie se face prin depirea tensiunii directe de
ntoarcere.
Trecerea n starea de blocare se face prin scderea curentului sub valoarea

curentului de meninere.
166
9.2. TIRISTORUL
9.2.1 STRUCTUR I SIMBOL
Tiristorul este alctuit din patru straturi succesive semiconductoare P-N-P-N , trei
jonciuni PN. Structura tiristorului poate fi reprezentat printr-un circuit echivalent
format din dou tranzistoare pnp i npn conectate ca n figura 9.3. Tiristorul este
prevzut cu trei terminale anod (A) conectat la prima regiune de tip P, catod (K)
conectat la ultima regiune de tip N i poart sau gril (G) conectat la a doua
regiune de tip P.
Figura 9.3 Structura i simbolul tiristorului

Notarea tiristorului: T
1 N 4
VR tensiunea invers n sute de voli

N normal , R - rapid
IFAV curentul maxim n amperi
Tiristor
9.2.2 PARAMETRII ELECTRICI AI TIRISTORULUI

Principalii parametricii electrici ai tiristorului sunt:
Tensiunea de strpungere n direct (VBR; VDRM)[V] reprezint valoarea

tensiunii dintre anodul i catodul tiristorului, la polarizare direct, la care
tiristorul se strpunge;
Tensiunea invers continu (VR; VRM; VRRM) )[V] reprezint valoarea

tensiunii dintre anodul i catodul tiristorului, la polarizare invers, la care
tiristorul se strpunge;
Tensiunea de amorsare, de poart (VGT) )[V] reprezint tensiunea pentru

care tiristorul comut din starea de blocare n starea de conducie
(amorseaz) la o valoare relativ mic a tensiunii anod catod;
Curentul direct de poart de amorsare(IGT)[A] reprezint valoarea

curentului din grila tiristorului pentru care acesta amorseaz dac tensiunea
anod-catod este pozitiv;
167
Curentul direct de meninere (IH; IHOLD)[A] reprezint valoarea minim a

curentului prin tiristor de la anod la catod, necesar pentru meninerea
tiristorului amorsat n stare de conducie.
9.2.3 FUNCIONAREA TIRISTORULUI.

+V
+V
RA
RA
RA
IA=0
IA
IA
T1
conducie
T1
blocare
VG=0
+V
T2
blocare
IG=0
IK=0
T1
conducie
IB1
IB2
T2
conducie
IG
IB1
VG=0 IB2
T2
conducie
IG=0
IK
IK
Figura 9.4 Funcionarea tiristorului n circuit

Cnd curentul i tensiunea la grila tiristorului este zero (fig. 9.4 a), tiristorul este
blocat. Prin el nu circul curent i se comport ca un ntreruptor deschis.
Dac pe poart se aplic un impuls pozitiv de tensiune (fig. 9.4 b), curentul din grila
tiristorului deschide tranzistorul T2 iar prin colectorul tranzistorului T2 circul curentul
IB1. Acest curent deschide tranzistorul T1 iar prin colectorul tranzistorului T1 circul
curentul IB2.
Curentul de colector al tranzistorului T1 suplimenteaz curentul de baz al
tranzistorului T2 n aa fel nct acest tranzistor s rmn n conducie i dup
dispariia impulsului de amorsare din grila tiristorului. Se formeaz o bucl n care
tranzistorul T1 susine funcionarea tranzistorului T2, iar tranzistorul T2 susine
funcionarea tranzistorului T1 i dup dispariia impulsului de amorsare din grila
tiristorului (fig. 9.4 c).
Dup amorsare, prin tiristor circul curent i se comport ca un ntreruptor nchis.
Dup ce a fost amorsat tiristorul va comuta n starea de blocare numai dac curentul
anodic IA scade sub valoarea curentului de meninere IH.
168

Blocarea unui tiristor n conducie se poate face n dou moduri:
conectarea n circuitul anodic a unui ntreruptor i deschiderea acestuia

(ntreruperea curentului anodic);
conectarea ntre anod i catod, prin intermediul unui ntreruptor, a unei surse
de tensiune care la nchiderea ntreruptorului s polarizeze invers tiristorul
(comutarea forat).
IF
Regiune de
conducie
direct
IH
VR
VF
VBR(R)
VBR(F)
Regiune de
strpungere
invers
Regiune de
blocare
direct
Regiune de
blocare
invers
IR
Figura 9.5 Curba de funcionare a tiristorului
169
9.2.4 IDENTIFICAREA TERMINALELOR TIRISTORULUI.

a. Cu multimetrul
Identific grila (G) - ntre gril (G) i catod (C) rezistena electric indicat de aparat
ntr-un sens este mic i n cellalt sens este mare. ntre gril (G) i anod (A) n
ambele sensuri rezistena electric este f. mare. La unele tiristoare care au o
rezisten intern ntre gril i catod, multimetrul va indica n ambele sensuri
rezisten cnd este conectat ntre G i A.
Conectez tastele aparatului n sensul n care ntre 2 terminale ale tiristorului
rezistena electric este mic. n aceast situaie terminalul pe care este tasta + a
aparatului este grila G iar terminalul pe care este tasta a aparatului este catodul K.
b. Dup capsula tiristorului.

C
A
C
A
C
Figura 9.6 Identificarea terminalelor tiristorului n funcie de tipul capsulei

C Catod , A Anod
170
G Gril sau Poart

VERIFICAREA TIRISTORULUI N CIRCUIT
OBIECTIVE:
o Realizarea cu ajutorul simulatorului a unei scheme electronice de
simulare a comportrii tiristorului n circuit;
o Analiza comportamentului tiristorului ntr-un circuit.
RESURSE:
o Calculator;
DESFURAREA LUCRRII:
1. Se realizeaz cu simulatorul schema din figura 9.7. a;
H
K1
Iak
+
A
-0.263u
K2
Ig
+
A
Th
R1
0.444u
1k
V1
9V
a
H
K1
Iak
+
A
K2
K1
-
+
A
0.561
Ig
+
A
R1
K2
Th
1k
0.561
Ig
+
A
8.264m
V1
9V
Iak
R1
Th
0.444u
1k
V1
9V
Figura 9.7 Simularea verificrii tiristorului n circuit

2. Se observ c tiristorul este blocat (lampa H nu lumineaz) deoarece
ntreruptorul K2 fiind deschis nu permite polarizarea grilei tiristorului;
3. Se simuleaz nchiderea ntreruptorului K2 (figura 9.7 b) i se observ c
tiristorul intr n conducie (lampa H lumineaz). Curentul din grila tiristorului Ig
crete la 8,2 mA iar prin tiristor circul de la Anod la Catod un curent de 0,5 A;
4. Se simuleaz deschiderea ntreruptorului K2 (figura 9.7 c) i se observ c
tiristorul rmne n conducie (lampa H lumineaz) cu toate c prin grila tiristorului nu
mai circul curent;
5. Dac se simuleaz deschiderea ntreruptorului K1 tiristorul se blocheaz
(lampa H nu mai lumineaz).
171
VERIFICAREA UNUI TIRISTOR N CIRCUIT.
OBIECTIVE:
o Realizarea schemei de verificare a tiristorului cu simulatorul;
o Realizarea practic a circuitului de verificare a tiristorului;
o Analiza comportamentului tiristorului n circuit.
RESURSE:
o Multimetre digitale;
o Pistoale de lipit, accesorii pentru lipit, conductoare;
o Plcue de lucru;
o Rezistoare, lamp electric, buton cu revenire, ntreruptor;
o Tiristoare.
DESFURAREA LUCRRII:
H
Valoarea
calculeaz
rezistenei
n
rezistorului
funcie
de
se
curentul
de
amorsare (IH) a tiristorului i valoarea
tensiunii de alimentare a sursei E.

E
+
-
Pentru tiristori de tipul T1N. curentul de

amorsare se consider 10 mA.
A
P
Th
C
R[]
E[V ]
1000
I H [mA]
B buton pentru amorsare
Figura 9.8 Circuit pentru K

verificarea
unui
tiristor
ntreruptor
pentru
blocare
3. Se nchide ntreruptorul K2 i se observ c lampa H nu lumineaz deoarece
tiristorul este blocat n lipsa unui curent de amorsare n gril;
4. Se aplic un impuls pozitiv pe grila tiristorului prin activarea butonului B, moment
n care se observ c lampa H lumineaz deoarece tiristorul intr n conducie;
5. Se dezactiveaz (deschide) butonului B i se observ c lampa H continu s
lumineze, deci tiristorul rmne n conducie chiar n lipsa curentului n gril;.
6. Se deschide ntreruptorul K
i se observ c lampa H
nu mai lumineaz
deoarece n lipsa tensiunii anod-catod tiristorul s-a blocat.

172
9.3. DIACUL I TRIACUL

9.3.1 DIACUL
Diacul este format din cinci straturi succesive semiconductoare N-P-N-P-N, care
dup amorsare poate conduce n ambele sensuri.
Diacul este prevzut cu dou terminale ANOD 1 (A1) conectat la prima regiune de
tip N i ANOD 2 (A2) conectat la ultima regiune de tip N.
Diacul este format din dou tiristoare conectate n paralel n sensuri opuse (fig. 9.9).
a. STRUCTURA I SIMBOLUL DIACULUI.
A1
A1
A1
T3
T1
P
N
P
N
T2
T4
A2
A2
A2
Figura 9.9 Structura i simbolul diacului

b. FUNCIONAREA DIACULUI.
1. Cnd A1 este mai pozitiv dect A2 iar tensiunea dintre A1 i A2 este mai mare
dect tensiunea de amorsare (ntoarcere) VBo - diacul amorseaz i conduce de la
A1 spre A2 (n acest caz conduc tranzistoarele T1 i T2)
2. Cnd A2 este mai pozitiv dect A1 iar tensiunea dintre A21 i A1 este mai mare
dect tensiunea de amorsare (ntoarcere) VBo - diacul amorseaz i conduce de la
A2 spre A1 (n acest caz conduc tranzistoarele T3 i T4)
Diacul se blocheaz cnd curentul scade sub valoarea meninere IH
c. UTILIZAREA DIACULUI
Diacul (dioda de curent alternativ) este utilizat n circuite de curent alternativ.
Fiind un dispozitiv de putere mic se utilizeaz pentru comanda tiristoarelor i
triacelor. Deoarece conduce n ambele sensuri se utilizeaz n special pentru
generarea impulsurilor de comand ale triacelor.
173
9.3.2 TRIACUL
Triacul este un diac cu un terminal de poart.
Triacul este format din dou tiristoare conectate n paralel n sensuri opuse cu
terminalul de poart comun (figura 9.9).
Spre deosebire de tiristor, triacul poate conduce dup amorsare n ambele
sensuri, n funcie de modul de polarizare a terminalelor A1 i A2.
a. STRUCTURA I SIMBOLUL TRIACULUI.
A1
A1
A1
A1
T3
T1
P
N
N
T2
T4
G
A2
A2
A2
A2
Figura 9.10 Structura i simbolul triacului

b. FUNCIONAREA TRIACULUI.
1. Cnd A1 este mai pozitiv dect
triacul amorseaz i conduce de la
T1 i T2).
2. Cnd A2 este mai pozitiv dect
triacul amorseaz i conduce de la
T4 i T3) .
A2 iar pe poarta G se aplic un impuls pozitiv

A1 spre A2 (n acest caz conduc tranzistoarele
A1 iar pe poarta G se aplic un impuls pozitiv
A2 spre A1 (n acest caz conduc tranzistoarele
c. IDENTIFICAREA TERMINALELOR TRIACULUI.
A1
A1
BT136/600
A2
A2 A1 G
Figura 9.11 Triace

Cu multimetrul se msoar rezistena ntre A1 i G. BT136/600
n ambele sensuri rezistena trebuie s fie mic (cteva sute de ohmi).
ntre A2 i celelalte 2 terminale rezistena electric este foarte mare.
174
VERIFICAREA UNUI TRIAC N CIRCUIT.
OBIECTIVE:
o Realizarea schemei de verificare a triacului cu simulatorul;
o Realizarea practic a circuitului de verificare a triacului;
o Analiza comportamentului triacului n circuit.
RESURSE:
o Multimetre digitale;
o Pistoale de lipit, accesorii pentru lipit, conductoare;
o Plcue de lucru;
o Rezistoare, poteniometre;
o LED-uri;
o Triace.
DESFURAREA LUCRRII:
VCC2
VCC1
15V
-15V
S1
D3
1N4007GP
D4
1N4007GP
D1
1N4007GP
D2
1N4007GP
LED1
LED2
1.776u
LED3
R3
820
LED4
R4
820
10k
Key=A
R1
820
0%
R2
820
A1
TRIAC
BT136
R5
820
A2
Figura 9.12 Circuit de verificare a triacului. Triacul conduce de la A1 la A2.

175

ROLUL ELEMENTELOR SCHEMEI ELECTRONICE:
LED 3 i LED 4 indic polaritatea grilei triacului:
o LED 3 indic + ;
o LED 4 indic ;
LED 1 i LED 2 indic funcionarea i sensul de parcurgere a triacului:
o LED 1 sensul de parcurgere este de la A1 la A2;
o LED 2 sensul de parcurgere este de la A2 la A1) ;
Diodele D1..D4 protejeaz led-urile la polarizare invers;
Poteniometrul P se utilizeaz pentru blocarea triacului. Poteniometrul P este
la valoare minim (P = 0);
Ampermetru A se utilizeaz pentru vizualizarea curentului la care se
blocheaz triacul;
3. Se fixeaz comutatorul K este pe poziia +15 V i se observ c lumineaz LED 1
i LED 3 (led-urile roii). Grila G este pozitiv fa de A2 i triacul conduce de la A1
la A2 (figura 9.12);
4. Se fixeaz comutatorul K este pe poziia -15 V i se observ c lumineaz LED 2
i LED 4 (led-urile verzi). Grila G este negativ fa de A2 i triacul conduce de la
A2 la A1(figura 9.13);
VCC2
VCC1
15V
-15V
S1
D3
1N4007GP
D4
1N4007GP
D1
1N4007GP
D2
1N4007GP
LED1
LED2
-1.776u
LED3
R3
820
LED4
R4
820
10k
Key=A
R1
820
0%
R2
820
A1
R5
820
TRIAC
BT136
A2
Figura 9.13 Circuit de verificare a triacului. Triacul conduce de la A2 la A1.

5. Se rotete poteniometrul P spre maxim pn ce triacul se blocheaz. Se observ
valoarea curentului la care triacul se blocheaz.
.
176
Dioda Shockley este un dispozitiv alctuit din patru straturi succesive

semiconductoare P-N-P-N , trei
jonciuni PN, prevzut cu dou terminale
(anod i catod).
Dioda Shockley trece n stare de conducie cnd tensiunea aplicat la

terminalele sale depete tensiunea de strpungere (ntoarcere) .
Dioda Shockley trece n starea de blocare cnd valoarea curentului prin

diod scade sub valoarea curentului de meninere.
Tiristorul
este
un
dispozitiv
semiconductoare P-N-P-N , trei
alctuit
din
patru
straturi
succesive
jonciuni PN, prevzut cu trei terminale
(anod, catod, gril).
Tiristorul trece n stare de conducie cnd pe gril este aplicat un impuls de

tensiune continu pozitiv.
Tiristorul trece n stare de blocare cnd valoarea curentului din anod scade
sub valoarea curentului de meninere.
Diacul este un dispozitiv format din cinci straturi succesive semiconductoare

N-P-N-P-N, are dou terminale (anod 1 i anod 2), care dup amorsare poate
conduce n ambele sensuri.
Diacul este un dispozitiv bidirecional format din dou tiristoare conectate n

paralel n sensuri opuse.
Diacul trece n stare de conducie cnd tensiunea aplicat la terminalele sale

depete tensiunea de strpungere (ntoarcere);
Diacul trece n starea de blocare cnd valoarea curentului prin diac scade sub
valoarea curentului de meninere.
Triacul
este
un
dispozitiv
format
din
cinci
straturi
succesive
semiconductoare N-P-N-P-N, are trei terminale (anod 1, anod 2, gril), care

dup amorsare poate conduce n ambele sensuri.
Triacul este format din dou tiristoare conectate n paralel n sensuri opuse cu
terminalul de poart comun.
Triacul trece n stare de conducie cnd pe gril este aplicat un impuls de

tensiune continu pozitiv i conduce ntr-un sens determinat de polaritatea
tensiunii aplicate ntre cele dou terminale de anod;
Triacul trece n stare de blocare cnd valoarea curentului din anod scade sub
valoarea curentului de meninere.
177
1. Structura diodei Shockley este echivalent cu :
a. Dou diode;
b. Dou tranzistoare;
c. Dou tiristoare;
2. Dioda Shockley se blocheaz cnd:
a. Curentul prin diod scade sub valoarea curentului de meninere;
b. Tensiunea la bornele diodei scade sub valoarea tensiunii de
strpungere;
c. Att curentul prin diod ct i tensiunea la bornele ei scad;
3. Tiristorul este un dispozitiv prevzut cu:
a. Dou jonciuni pn;
b. Trei jonciuni pn;
c. Patru jonciuni pn;
4. Tiristorul trece din starea de conducie n starea de blocare prin:
a. Polarizarea invers ntre anod i catod;
b. Scderea curentului prin tiristor sub valoarea curentului de meninere;
c. ntreruperea curentului din gril;
d. ntreruperea curentului anodic;
5. Diacul este format din:
a. Trei straturi succesive semiconductoare;
b. Patru straturi succesive semiconductoare;
c. Cinci straturi succesive semiconductoare;
6. Diacul este:
a. O diod care conduce n ambele sensuri;
b. Un tiristor care conduce in ambele sensuri;
c. O diod de curent alternativ;
7. Triacul este:
a. Un diac cu trei terminale;
b. Un tiristor bidirecional;
c. Un dispozitiv bidirecional cu dou terminale.
178
BIBLIOGRAFIE
1. Floyd, T., Dispozitive electronice, Editura Teora, Bucureti, 2003
2. Cosma, D., Chivu, A., Electronic analogic. Electronic digital - Lucrri
practice, Editura Arves, Craiova, 2005
3. Bioiu, A., Blu, G. .a., Practica electronistului amator, Editura Albatros,
Bucureti, 1984
4. Cosma, D., Ghea, C., Muat, C., Chivu, A., Bazele electronicii analogice
Manual pentru clasa a X-a, Editura CD Press, Bucureti, 2011
5. Gzdaru, C. .a., ndrumar pentru electroniti, Editura Tehnic, Bucureti,
1986
6. Drgulescu, N., Agenda radioelectronistului, Editura Tehnic, Bucureti, 1983
7. Vasilescu, G., Electronic, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1981
8. http://www.datasheets360.com/
9. http://www.tehnium-azi.ro/page/index
10. http://eprofu.ro/tehnic/materiale-invatare-electronica/
11. http://cndiptfsetic.tvet.ro/
12. http://www.academia.edu/7200832/Electronica_Analogica_1
179
"STUDIAZ MAI NTI TIINA I

CONTINU APOI CU PRACTICA NSCUT
DIN ACEAST TIIN. Leonardo da Vinci
ISBN- 978-973-0-19868-3

Auxiliar Componente Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Auxiliar Componente Electronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

prof.

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

3.7.8 DIODE PIN ............................................................................................................................. 36

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

5.6. FORMULE DE BAZ UTILIZATE N CIRCUITELE CU TRANZISTOARE ....................................... 102

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

8.3. MODULATOARE OPTOELECTRONICE........................................................................................ 149

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

Prof. RUSU CONSTANTIN

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE

CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Materiale izolatoare - rezistivitatea electric = 1012 1023 [

Materiale semiconductoare - rezistivitatea electric = 10 1012 [

Materiale conductoare - rezistivitatea electric = 10-2 10 [

Materialele semiconductoare din punct de vedere al conducerii curentului electric au

Figura 1.1 Diagramele atomilor de siliciu i germaniu

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

1.2 CONDUCIA N SEMICONDUCTOARE

a. Poriune dintr-un cristal pur de SI

Figura 1.2 Legturile covalente la siliciu

banda de valen n care se afl electronii de valen din semiconductor;

banda interzis reprezint diferena energetic dintre banda de valen i

banda de conducie n care se afl electronii liberi din semiconductor.

Un cristal de siliciu pur (intrinsec) la o anumit temperatur, permite unor electroni de

curentul de electroni care reprezint deplasarea ordonat a electronilor

curentul de goluri care reprezint deplasarea ordonat a golurilor din

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE

1.3 SEMICONDUCTOARE DE TIP N I DE TIP P

1.3.1 SEMICONDUCTOARE DE TIP P

Figura 1.3 Semiconductor de siliciu de tip P impurificat cu galiu

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

1.3.2 SEMICONDUCTOARE DE TIP N

Figura 1.4 Semiconductor de siliciu de tip N impurificat cu fosfor

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 1. MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Din punct de vedere al conductibilitii materialele semiconductoare se

Atomii semiconductoarelor au patru electroni de valen.

Cele mai rspndite materiale semiconductoare sunt: Germaniul, Siliciul i

n jurul nucleului unui atom de material semiconductor se formeaz trei benzi

Electronii liberi sunt electronii care la o anumit temperatur a cristalului

Dac la capetele unui cristal semiconductor se aplic o tensiune, n interiorul

Procedeul prin care unui cristal semiconductor i se adaug impuriti se

Materialele semiconductoare de tip p se formeaz prin doparea cu atomi de

ntr-un semiconductor de tip p purttorii majoritari sunt golurile iar purttorii

Materialele semiconductoare de tip n se formeaz prin doparea cu atomi de

ntr-un semiconductor de tip n purttorii majoritari sunt electronii liberi iar

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

CAPITOLUL 2. JONCIUNEA PN.

CAPITOLUL 2. JONCIUNEA PN.

b. Formarea regiunii de barier

Figura 2.1 Structura semiconductorului n care s-a creat o jonciune PN

AUXILIARUL CURRICULAR SE POATE ACCESA DE LA ADRESA http://eprofu.ro/electronica/

AUXILIAR ELECTRONIC ANALOGIC COMPONENTE ELECTRONICE

n cazul siliciului tensiunea de prag este de aproximativ 0,6 1,2 V;

n cazul germaniului tensiunea de prag este de aproximativ 0,2 0,6 V.

Pentru ca electronii s poat strbate regiunea de barier, trebuie s li se furnizeze