GRUPUL SCOLAR NICOLAE BALCESCU-OLTENITA

PORTOFOLIU M 1 BAZELE ELECTRONICII ANALOGICE ELEV : Bold Lucian CLASA: a X a H PROFESOR Perebiceanu Gratziela ANUL scolar:2011-2012

MOTTO
Only two things are infinite, the universe and human stupidity, and I'm not sure about the former. ALBERT EINSTEIN
ABSTRACT Acest document vine in sprijinul elevului ,pentru a facilita realizarea unui portofoliu ce reprezinta sintetic activitatea desfasurata de elev, in scopul dobandirii competentelor vizate de curricula. Experienta didactica imi confirma faptul ca elevul este capabil intr-o mica masura sa genereze sau sa realizeze un anumit tip de document , indeplinind niste cerinte impuse . Pentru a evita neintelegerile,erorile ,am decis sa public un model de portofoliu standard care va oferi elevului un prototip de urmat . Orice idee a elevilor de a imbunatati acest model,in scopul obtinerii performantei va fi apreciata pozitiv prin nota .

OBSERVATII
1.Portofoliul va fi prezent asupra elevului la fiecare ora de curs sau laborator . 2.Neprezentarea portofoliului la solicitarea profesorului este notata cu nota 2(doi) 3.Nerezolvarea unui item tema in intervalul precizat de documentatie (profesor) se noteaza cu nota 3(trei). 4.In cazul in care portofoliul se distruge va fi refacut INTEGRAL. 5.In cazul situatiei de corigenta ,portofoliul personal al elevului se prezinta profesorului la examenul de corigenta . 6.Este exclusa prezentarea unui portofoliu care nu este personalizat (apartine unui alt elev) Frauda de pedepseste cu nota 2(doi) sau situatie de corigenta . 7.La solicitarea elevului de a-si imbunatati situatia scolara(media), in timp util(interval de 2 saptamani de la obtinerea precedentei note neperformante), profesorul da curs solicitarii elevului pentru o noua examinare . 8.Este posibil ca elevul sa nu predea la timp un item de evaluare(absenta ,neglijenta ) Itemul va fi atasat la portofoliu pentru o examinare ulterioara. 9. Examinarea de tip final consta in evaluarea portofoliului ;portofoliul trebuie sa cuprinda toate documentele prevazute in prezentul document . 10.Sectiunea ITEMI DE EVALUARE poate fi realizat de catre elev si in format electronic in produsul educational MOODLE EDUKA . 11.Acest portofoliu poate fi realizat integral in format electronic,care sa poata fi accesat ca document public prin internet .

12.Profesorul va da dovada de transparenta in procesul de examinare si evaluare, asigurand sanse egale tuturor elevilor .

CUPRINS
1. FISA PROTECTIA MUNCII ................................................ pag 4 2.FISA EVALUARE INDIVIDUALA ELEV .............................. pag 5 3.EXTRAS CURRICULA ........................................................ pag 6 4.AUXILIAR CURRICULAR M 1(facultativ ) 5.ITEMI EVALUARE DE TIPUL ..............................................pag 14
5.1 TEST INITIAL..................................................................................pag 15 5.2 TEST AUTOEVALUARE ................................................................pag 16 5.3 TESTE ANTRENAMENT.................................................................pag 17 5.4 TESTE ON LINE AEL 5.5 TEMA INDIVIDUALA tip fisa de lucru............................................pag 79 5.6 ITEM MINIPROIECT

6.STRUCTURA NOTEI (calcularea mediei finale )....................pag 92 7.OBSERVATII PROFESOR/ ELEV ...........................................pag 93

1. FISA PROTECTIA MUNCII

NORME DE PROTECTIA MUNCII IN LABORATOR Inveti azi sa te pazesti o viata !

Fiecare elev al clasei a a, din anul scolar 2011/2012,de la Grupul Scolar <Nicolae Balcescu, conform tabelului de pe verso, am fost instruit cu privire la normele de tehnica securitatii muncii, pentru buna desfasurare si in conditii de siguranta, a orelor din laborator. Am luat la cunostinta de urmatoarele norme : Elevul este obligat sa respecte programul de laborator stabilit Nu se admite prezenta la laborator sub influenta bauturilor alcoolice Intrarea in laborator se face numai in prezenta cadrului didactic sau a laborantului Nu se admite parasirea laboratorului fara acordul cadrului didactic In cazul constatarii unei defectiuni sau nereguli la aparatura pe care o voi utiliza trebuie sa anunt imediat profesorul fara sa intervin din propria initiativa la remedierea situatiei Inceperea lucrarii se va face numai cu acordul cadrului didactic Corectitudinea montajului efectuat se certifica numai de indrumatorul de lucrare Se interzice jocul cu instrumentele ascutite sau taioase Este interzisa efectuarea de catre elevi a oricaror reparatii sau interventii la aparate si instalatii Nu se vor efectua montaje sau se vor repara aparate aflate sub tensiune Nu se lucreaza cu conductori neizolati sau de asemenea nu se lucreaza cu mainile ude Calculatoarele si echipamentele periferice nu se vor muta si nu vor fi lovite sau expuse unor conditii necorespunzatoare de lucru. Este interzisa demontarea aparatelor, detasarea carcaselor, efectuarea reglajelor sau accesul la componentele interne ale calculatoarelor Este interzisa intrarea in alta aplicatie decat in cea impusa sau in jocuri in timpul orelor de curs Nu se realizeaza niciun fel de activitate in afara celor precizate de cadrul didactic Nu se umbla la prize decat la indicatia profesorului; nu se efectueaza lucrari de electricitate cu mainile umede; nu se deconecteaza de la priza nici un aparat decat dupa ce a fost inchis de la intrerupatorul sau. In cazul blocarii unui calculator se actioneaza simultan tastele CTRL ALT DEL si calculatorul se va reseta

Nu am voie sa instalez software si nici sa introduc dispozitive de memorie externa in calculatoare. Totul se face numai cu acordul profesorului Nu este permisa aglomerarea elevilor in jururl PC-urilor Nu este permisa intrarea persoanelor straine in laborator Dupa terminarea orei, laboratorul va fi lasat in perfecta ordine; elevii vor fi direct raspunzatori de deficientele semnalate la inceputul urmatoarei activitati didactice care se desfasoara in laborator .

In cazul nerespectarii celor de mai sus, voi suporta consecintele de rigoare care decurg din regulamentul intern al scolii

Am luat cunostinta de Normele de protectia muncii in laborator NR.CRT NUME PRENUME ELEV ,clasa SEMNATURA ELEV

2.FISA EVALUARE INDIVIDUALA ELEV

Acest document se completeaza de catre elev, pentru a demonstra ca elevul cunoaste situatia performantelor scolare proprii la acest modul .

NUME PRENUME ELEVBOLD LUCIAN

DISCIPLINA (MODUL) ABSENTE NOTE

CLASA a X a H
TEMA NOTATA

: Modulul 1 : BAZELE ELECTRONICII ANALOGICE TEORIE 70 ORE

35 ore instruire
practic 35 ore - laborator

NR.MIN. NOTE :3

OBSERVATII

CONCLUZII FINALE Abilitati pe care elevii trebuie sa le dobandeasca la terminarea modulelor 1.Intelegerea activitatilor 2.Abilitati de cercetare utilizand o varietate de resurse ,inclusiv internetul 3.Identificarea unor solutii alternative pentru probleme 4.Cum sa discute ,sa dezbata si sa ia o decizie . 5.Planificarea ,efectuarea si evaluarea unor activitati ,prin analiza punctelor tari slabe si a aspectelor care urmeaza a fi imbunatatite in viitor 6.Abilitati de prezentare si utilizare a echipamentelor

Bifati

7.Luarea de notite ,scrierea de rapoarte\ si lucrul in echipa 8.Intelegerea diferitelor roluri pe care le au ceilalti in cadrul grupului si influenta stilurilor de invatare .

3.EXTRAS CURRICULA
Modul I: Bazele electronicii analogice

1.

Not introductiv

Modulul Bazele electronicii analogice face parte din cultura de specialitate aferent domeniului de pregtire general Electronic - automatizri, clasa a X-a, ciclul inferior al liceului, filiera tehnologic, i are alocat un numr de 140 ore conform planului de nvmnt, din care: 35 ore instruire practic 35 ore - laborator Modulul se parcurge cu un numr de ore constant pe ntreaga durat a anului colar, nefiind condiionat sau dependent de celelalte module din curriculum. Modulul Bazele electronicii analogice vizeaz dobndirea de competene specifice domeniului de pregtire general, n perspectiva folosirii tuturor achiziiilor n continuarea pregtirii ntr-o calificare din domeniul de pregtire general. Parcurgerea coninuturilor modulului Bazele electronicii analogice i adecvarea strategiilor didactice vor viza i dezvoltarea competenelor pentru unitatea de competen cheie Satisfacerea cerinelor clienilor. 2. Unitatea/ unitile de competene la care se refer modulul UTILIZAREA COMPONENTELOR ELECTRONICE UTILIZAREA DISPOZITIVELOR ELECTRONICE DISCRETE SATISFACEREA CERINELOR CLIENILOR

3. Corelarea rezultatelor nvrii i criteriilor de evaluare MODULUL: Bazele electronicii analogice Cunotine Deprinderi Rezultatul nvrii 1: Explic funcionalitarea dispozitivelor electronice discrete. o Dioda semiconductoare. Identificarea tipurilor de componente Jonciunea PN: polarizare, caracteristica. dup simbol, tip de capsul i marcaj Tipuri de diode: dioda redresoare, dioda Identificarea terminalelor dispozitivelor stabilizatoare, diode cu contact punctiform, diode electronice discrete folosind cataloagele de de comutaie, diode varicap, diode tunel. Principiul componente de funcionare, simboluri, domeniul de utilizare. Alegerea dispozitivelor echivalente o Tranzistorul bipolar. dup criterii specificate. Simboluri, conexiuni, regimuri de funcionare, Interpretarea valorii parametrilor caracteristici statice, ecuaii fundamentale, circuite electrici ai componentelor electronice pe baza de polarizare, punct static de funcionare, datelor de catalog. principiul de funcionare. Interpretarea caracteristicilor o Dispozitive optoelectronice. dispozitivelor electronice discrete. Tipuri de dispozitive: fotodioda, fototranzistor, Alegerea reelei de polarizare a fotoelement, dioda electroluminiscent. Principiul dispozitivelor electronice n funcie de cerine de funcionare, simboluri, domeniul de utilizare. Calcularea valorilor componentelor o Tranzistorul unipolar reelei de polarizare n funcie de cerine Tipuri: TEC-J, TEC-MOS. Simboluri, polarizare, protecie electrostatica, principii de funcionare, parametri. o Dispozitive speciale Tipuri: diac, triac, tiristor. Principii de funcionare, simboluri, domeniul de utilizare. Rezultatul nvrii 2: Realizeaz montaje simple cu componente electronice discrete o Surse stabilizate de tensiune. Identificarea tipurilor de circuite Redresoare monoalternan i dubl alternan electronice analogice pe baza schemelor Stabilizatoare parametrice de tensiune electrice Filtre pasive RLC Explicarea rolului componentelor din Criterii de evaluare Selectarea componentelor electronice dup simbol, tip de capsul i marcaj Utilizarea cataloagelor de componente pentru determinarea tipului de component i a parametrilor ei electrici. Precizarea valorilor limit ale parametrilor electrici specifici ai dispozitivelor electronice discrete conform datelor de catalog. Stabilirea tipului de conexiune a dispozitivelor electronice discrete ntr-o schem dat. Recunoaterea regimurilor de funcionare ale dispozitivelor electronice discrete n schemele electronice..

Respectarea msurilor de protecie antistatic Citirea schemelor electronice, preciznd tipurile de componente utilizate. 7

o Amplificatoare. Amplificatoare cu un tranzistor, scheme de baz

schemele electronice Conectarea componentelor active n circuit n conformitate cu schema electric. Plantarea SMD Surface Mounted Devices

Selectarea componentelor electronice, conform specificaiilor schemei electronice. Identificarea componentelor pe cablajul imprimat pe baza documentaiei tehnice. Montarea componentelor electronice astfel nct s fie prevenite solicitrile termice.

Executarea preformrii terminalelor componentelor, conform cerinelor tehnologice de plantare manual. Efectuarea plantrii manuale, conform standardelor de calitate impuse. Rezultatul nvrii 3: Verific funcionalitea dispozitivelor i a circuitelor realizate cu acestea o Parametri de baz ai dispozitivelor electronice discrete Msurarea parametrilor componentelor Tensiuni, cureni, impedane, puteri, band de electronice prin metode adecvate folosind AMC frecven, temperaturi, coeficient de amplificare, specifice valori limit, Identificarea defectelor componentelor o Aparate de msur i control i circuitelor electronice, prin inspecie vizual specifice: i pe baza interpretrii valorilor parametrilor Multimetre, osciloscoape, generatoare de semnal, specifici msurai surse de alimentare de c.a i c.c Remedierea defectelor constatate o Defecte ale dispozitivelor i circuitelor electronice Scurtcircuite, ntreruperi, mbtrnire Rezultatul nvrii 4: Recunoate drepturile clienilor Surse de informare cu privire la drepturile Identificarea surselor de informare cu clienilor privire la drepturile clienilor o Standarde; Legislaia din domeniul Precizarea cerinelor i drepturilor legale consumatorilor ale clienilor Clienii si drepturile acestora o Beneficiari interni si externi ai serviciilor unei organizaii; Drepturi reglementate legal; Drepturi

Precizarea parametrilor specifici dup tipul de circuit. Verificarea funcionrii circuitelor electronice analogice prin utilizarea metodelor adecvate Identificarea defectelor specifice ale dispozitivelor electronice discrete

Enumerarea surselor de informare cu privire la drepturile clienilor Selectarea i listarea drepturilor clienilor Diferenierea dintre cerinele i drepturile legale ale clienilor

coninute n codurile deontologice Legtura dintre drepturile si cerinele clienilor o Stabilirea justeei cerinelor formulate de clieni Rezultatul nvrii 5: Rspunde fr discriminare cerinelor si nevoilor clienilor in domeniul de activitate Tipuri de clieni Identificarea tipurilor de clieni din Identificarea clienilor n domeniul de o Furnizori; Distribuitori domeniul electronic automatizri activitate i a nevoilor / cerinelor acestora o Consumatori de bunuri si sevicii; Aplicarea unor criterii valide de evaluare a Evaluarea nevoilor i cerinelor Membrii altor departamente din clienior clienilor n raport cu un anumit criteriu cadrul organizatiei ndeplinirea nediscriminatorie a cerinelor Stabilirea modalitii de aciune pentru Criterii de evaluare a clientilor clienilor ndeplinirea cerinelor clienilor o Timp; Politica firmei; Costuri; Deservirea nediscriminatorie a Urgente; Importanta sociala clienilor, conform modului de aciune stabilit Modalitati de colaborare cu clientii o Scrisori personale adresate clientilor; Masuri de remediere a unui prejudiciu semnalat (produs defect, serviciu neadecvat); Comunicarea si notificarea prejudiciilor o Tratarea nondiscriminatorie a clientilor in functie de: gen; rasa; vrsta; religie; etnie; statut social Rezultatul nvrii 6: Ofera clientilor servicii corespunzatoare standardelor Parametrii calitativi ai serviciilor oferite clientilor: Aplicarea standardelor n vigoare cu Identificarea parametrilor calitativi ai o promptitudine; eficienta; politete; privire la calitatea serviciilor, n contextul serviciilor siguranta unor activiti specifice domeniului Adoptarea unui limbaj verbal i Limbajul verbal si nonverbal in raport cu clientii electronic- automatizri nonverbal adecvat o precizarea ideii principale; Utilizarea adecvat a limbajului verbal i Furnizarea unor informaii despre amabilitate si atentie; ton moderat; nonverbal organizaie tinuta corespunzatoare; zambet; Oferirea informaiilor adecvate clientilor limbaj pozitiv al trupului
Informatii oferite clientilor

o adresa; telefon; fax; website; 9

email; profil; gama de produse;

Indicarea unor surse specializate pentru informatii suplimentare

Rezultatul nvrii 7: Prezinta implicatiile socio-economice ale serviciilor de calitate corespunzatoare Entitati asupra carora se rasfrang efectele serviciilor Identificarea unor servicii de calitate Identificarea serviciilor de calitate necorespunzatoare: necorespunztoare din domeniul necorespunztoare i a entitilor asupra crora o proces de fabricatie; produs; electronic automatizri i se rsfrng organizatie; sistem; persoana; Aplicarea de msuri de remediere n cazul Descrierea implicaiilor sociosocietate constatrii de servicii de calitate economice ale non-calitii Servicii de calitate necorespunzatoare si implicatiile necorespunztoare sociale: o Somajul; Scaderea credibilitatii firmei
Servicii de calitate necorespunzatoare si implicatiile economice:

o scaderea veniturilor; indepartarea investitorior; scaderea competitivitatii

10

4. Coninutul formrii Se recomand urmtoarea ordine de parcurgere a modulului: Tema 1. Dioda semiconductoare. Jonciunea PN: polarizare, caracteristica. Tipuri de diode: dioda redresoare, dioda stabilizatoare, diode cu contact punctiform, diode de comutaie, diode varicap, diode tunel. Principiul de funcionare, simboluri, domeniul de utilizare, parametri. Tema 2. Aplicaii ale diodelor. Surse stabilizate de tensiune. Redresoare monoalternan i dubl alternan Stabilizatoare parametrice de tensiune Filtre pasive RLC Defecte. Tema 3. Tranzistorul bipolar. Simboluri, conexiuni, regimuri de funcionare, caracteristici statice, ecuaii fundamentale, circuite de polarizare, punct static de funcionare, principiul de funcionare, parametri. Tema 4. Aplicaii ale tranzistorului bipolar. Amplificatoare. Amplificatoare cu un tranzistor, scheme de baz, parametri. Defecte Tema 5. Dispozitive optoelectronice. Tipuri de dispozitive: fotodioda, fototranzistor, fotoelement, dioda electroluminiscent. Principiul de funcionare, simboluri, domeniul de utilizare, parametri. Tema 6. Tranzistorul unipolar Tipuri: TEC-J, TEC-MOS. Simboluri, polarizare, protecie electrostatica, principii de funcionare, parametri. Tema 7. Dispozitive speciale Tipuri: diac, triac, tiristor. Principii de funcionare, simboluri, domeniul de utilizare, parametri. Tema 8. Tipuri de clieni Furnizori; Distribuitori Consumatori de bunuri si sevicii; Membrii altor departamente din cadrul organizatiei Tema 9. Criterii de evaluare a clientilor Timp; Politica firmei; Costuri; Urgente; Importanta sociala Tema 10. Modalitati de colaborare cu clientii Scrisori personale adresate clientilor; Masuri de remediere a unui prejudiciu semnalat (produs defect, serviciu neadecvat); Comunicarea si notificarea prejudiciilor Tratarea nondiscriminatorie a clientilor in functie de: gen; rasa; vrsta; religie; etnie; statut social Tema 11. Parametrii calitativi ai serviciilor oferite clientilor : promptitudine, eficienta, politete, siguranta
Tema 12. Limbajul verbal si nonverbal in raport cu clientii

Precizarea ideii principale; amabilitate si atentie; ton moderat; tinuta corespunzatoare; zambet; limbaj pozitiv al trupului
Tema 13. Informatii oferite clientilor: adresa; telefon; fax; website; email; profil; gama de produse. Indicarea unor surse specializate pentru informatii suplimentare Tema 14.Entitati asupra carora se rasfrang efectele serviciilor necorespunzatoare: proces de fabricatie; produs; organizatie; sistem; persoana; societate Tema 15. Servicii de calitate necorespunzatoare si implicatiile sociale: omajul; scaderea credibilitatii firmei Tema 16. Servicii de calitate necorespunzatoare si implicatiile economice: scaderea veniturilor, indepartarea investitorior, scaderea competitivitatii

Coninuturile formrii cuprind teme care pot fi abordate i practic prin desfurarea de lucrri delaborator / instruire practic: - Masurarea parametrilor dispozitivelor electronice - Trasarea caracteristicii dispozitivelor electronice. 11

Realizarea de montaje simple pe cablaj experimental / cablaj imprimat / platforme dedicate

5. Resurse materiale minime necesare parcurgerii modulului

Pentru parcurgerea modulului se recomand utilizarea urmtoarelor resurse materiale minime:

Componente electronice discrete (diode, tranzistori, dispozitive multijonciune, dispozitive optoelectronice) Aparate de msur i control (multimetre, osciloscop, generatoare de semnal, surse de alimentare) Module pentru studiul experimental al componentelor i circuitelor / plci de test, surse de alimentare, generatoare de semnal Sistem de calcul cu software adecvat pentru simulri

6. Sugestii metodologice

Coninuturile programei modulului ,,Bazele electronicii analogice trebuie s fie abordate ntr-o manier flexibil, difereniat, innd cont de particularitile colectivului cu care se lucreaz i de nivelul iniial de pregtire.
Numrul de ore alocat fiecrei teme rmne la latitudinea cadrelor didactice care predau coninutul modulului, n funcie de dificultatea temelor, de nivelul de cunotine anterioare ale colectivului cu care lucreaz, de complexitatea materialului didactic implicat n strategia didactic i de ritmul de asimilare a cunotinelor de ctre colectivul instruit.

Modulul ,,Bazele electronicii analogice are o structur elastic, deci poate ncorpora, n orice moment al procesului educativ, noi mijloace sau resurse didactice. Orele se recomand a se desfura n laboratoare sau/i n cabinete de specialitate din unitatea de nvmnt sau de la agentul economic, dotate conform recomandrilor precizate n unitile de competene menionate mai sus.
Pregtirea practic n laboratoare tehnologice sau la agentul economic are importan deosebit n dobndirea competenelor de specialitate Pentru achiziionarea competenelor vizate de parcurgerea modulului ,, Bazele electronicii analogice, n continuare se recomand cteva exemple de activiti practice de nvare: - exerciii aplicative i practice de identificare i grupare a componentelor i circuitelor electronice - exerciii aplicative de comparare a parametrilor componentelor i circuitelor electronice - exerciii de identificare a teminalelor componentelor electronice

Se recomand abordarea instruirii centrate pe elev prin proiectarea unor activiti de nvare variate, prin care s fie luate n considerare stilurile individuale de nvare ale fiecrui elev. Acestea vizeaz urmtoarele aspecte: aplicarea metodelor centrate pe elev, pe activizarea structurilor cognitive i operatorii ale elevilor, pe exersarea potenialului psiho-fizic al acestora, pe transformarea elevului n coparticipant la propria instruire i educaie; mbinarea i o alternan sistematic a activitilor bazate pe efortul individual al elevului (documentarea dup diverse surse de informare, observaia proprie, exerciiul personal, instruirea programat, experimentul i lucrul individual, tehnica muncii cu fie) cu activitile ce solicit efortul colectiv (de echip, de grup) de genul discuiilor, asaltului de idei, etc.; folosirea unor metode care s favorizeze relaia nemijlocit a elevului cu obiectele cunoaterii, prin recurgere la modele concrete; nsuirea unor metode de informare i de documentare independent, care ofer deschiderea spre autoinstruire, spre nvare continu. Pentru atingerea obiectivelor i dezvoltarea competenelor vizate de parcurgerea modulului, pot fi derulate urmtoarele activiti de nvare: Elaborarea de referate interdisciplinare; Exerciii de documentare; Navigare pe Internet n scopul documentrii; Vizionri de materiale video (casete video, CD uri); 12

 Discuii. Se consider c nivelul de pregtire este realizat corespunztor, dac poate fi demonstrat fiecare dintre rezultatele nvrii. 7. Sugestii cu privire la evaluare Evaluarea reprezint partea final a demersului de proiectare didactic prin care profesorul va msura eficiena ntregului proces instructiv-educativ. Evaluarea urmrete msura n care elevii i-au format competenele propuse n standardele de pregtire profesional. Evaluarea poate fi : a. n timpul parcurgerii modulului prin forme de verificare continu a rezultatelor nvrii. Instrumentele de evaluare pot fi diverse, n funcie de specificul modulului i de metoda de evaluare probe orale, scrise, practice. Planificarea evalurii trebuie s aib loc ntr-un mediu real, dup un program stabilit, evitndu-se aglomerarea evalurilor n aceeai perioad de timp. Va fi realizat de ctre profesor pe baza unor probe care se refer explicit la criteriile de performan i la condiiile de aplicabilitate ale acestora, corelate cu tipul de evaluare specificat n Standardul de Pregtire Profesional pentru fiecare rezultat al nvrii. b. Final Realizat printr-o lucrare cu caracter aplicativ i integrat la sfritul procesului de predare/ nvare i care informeaz asupra ndeplinirii criteriilor de realizare a cunotinelor, abilitilor i atitudinilor. Propunem urmtoarele instrumente de evaluare continu: Fie de observaie; Fie test; Fie de lucru; Fie de autoevaluare; Teste de verificarea cunotinelor cu itemi cu alegere multipl, itemi alegere dual, itemi de completare, itemi de tip pereche, itemi de tip ntrebri structurate sau itemi de tip rezolvare de probleme. Propunem urmtoarele instrumente de evaluare final: Proiectul, prin care se evalueaz metodele de lucru, utilizarea corespunztoare a bibliografiei, materialelor i echipamentelor, acurateea tehnic, modul de organizare a ideilor i materialelor ntr-un raport. Poate fi abordat individual sau de ctre un grup de elevi. Studiul de caz, care const n descrierea unui produs, a unei imagini sau a unei nregistrri electronice care se refer la un anumit proces tehnologic. Portofoliul, care ofer informaii despre rezultatele colare ale elevilor, activitile extracolare etc. n parcurgerea modulului se va utiliza evaluare de tip formativ i la final de tip sumativ pentru verificarea atingerii competenelor. Elevii trebuie evaluai numai n ceea ce privete dobndirea competenelor specificate n cadrul acestui modul.O competen se va evalua o singur dat. Evaluarea scoate n eviden msura n care se formeaz competenele cheie i competenele tehnice din standardul de pregtire profesional. 8. Bibliografie 1. Dnil T., Ionescu-Vaida M . , Componente i circuite electronice, Manual pentru clasa a-X- a, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1995 2. Dnil T., Ionescu-Vaida M . ,Componente i circuite electronice, Manual pentru clasele a-XI-a i a-XII-a, licee industriale, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1993 3. Cosma D., Mare F. .a. Teste i probleme pentru bacalaureat i olimpiade electrotehnic i electronic Editura Arves, Bucureti, 2006 13

4. Thomas L Floyd Dispozitive electronice, Editura Teora, 2003 5. Aurelian Chivu, Electronic analogic, electronic digital- lucrri practice,Editura Arves 2008

5.ITEMI EVALUARE
TEST INITIAL are rolul de stabili un nivel initial de performanta a elevului .Continutul testului vizeaza competentele achizitionate de elev in clasa a-9-a la modulele tehnice . Punctajul obtinut nu se trece in catalog . Perioada rezolvare S1-S2 TEST AUTOEVALUARE ELEV are rolul de a realiza o imagine despre modul in care elevul interactioneaza cu modulul tehnic . Perioada rezolvare :inceputul semestrului 2 TESTE ANTRENAMENT sunt teste de capitol si au drept scop antrenarea elevului pentru a sustine testul on- line la sfarsitul capitolului Antrenamentul se poate face cu testul in format hartie sau in format electronic Perioada rezolvare: pe parcursul parcurgerii capitolului, inainte de a sustine testul on-line 5.4.TESTE AEL-sunt teste de capitol ,se desfasoara on line in laboratorul AEL . In situatia in care elevul absenteaza la test ,testul va fi refacut in ora urmatoare . Perioada rezolvare: la finalul fiecarui capitol. Nota obtinuta se trece in catalog. 5.5 TEMA INDIVIDUALA tip fisa de lucru sunt itemi de evaluare care se rezolva de catre elev pe masura parcurgerii capitolului . Evaluarea itemului se va face prin interviu,pe itemul rezolvat partial sau total; in situatia in care elevul nu raspunde la intrebari ,itemul se considera copiat si se noteaza cu nota 3(trei).Limbajul de specialitate al elevului va fi notat pozitiv. In cazul in care elevul are portofoliul in format electronic ,acest item poate fi rezolvat in format electronic. Nota obtinuta se trece in catalog. 5.6 ITEM tip MINIPROIECT este un document de tip PPT . Nota obtinuta se trece in catalog.

14

5.1.TEST INITIAL-BAZELE EA
Profesor: Perebiceanu Gratziela Nume elevBold Lucian Clasa a Xa H Perioada rezolvare S1-S2 Timp de lucru: 35 min 1.Msurarea intensitii curentului electric cu ampermetru este o metod: 5p a) indirect; b) direct; c) de comparaie. 2. Ampermetrul se utilizeaz pentru msurarea :....5p a) numai a intensitii curentului continuu; b) intensitii n c.c. i c.a.; c) numai a intensitii curentului alternativ. 3.Ampermetrul se monteaz n circuitul de msurat:...................10p a) n serie cu consumatorul; b) n paralel cu consumatorul; c) n paralel cu o rezisten adiional 4.Completai enunul de mai jos:..............10p Cu ct.ampermetrului este mai mic fa de .circuitului, cu att erorile de msurare sunt mai 5.Stabilete o asociere ntre cele 2 coloane de mai jos:5p Aparat de A B Simbol msur 1 2 ampemetru a mA

miliampermetru b kA microampermetr 3 c A u 4 kiloampermetru d MA Microampermetr A 5 e u 6.Alegei varianta corect:..5p ntr-un circuit electric ampermetrul se leag n serie/ paralel Motoraul unei jucrii este alimentat de o baterie de 1,5 V /24 V Intensitatea curentuluielectric este aceeai/ nu este aceeai n orice punct al unui circiut serie Sensul curentului n exteriorul generatorului este de la borna pozitiv la borna negativ/borna negativ la borna pozitiv. 7. Prin exprimarea a 0,45 A n miliamperi, obinem: a. 45mA; b.4,5mA; c. 450mA; d. 0,45 mA5p 8. Un circuit electric conine un rezistor electric, un ampermetru, un voltmetru i un alimentator didactic cu posibilitatea de a modifica tensiunea de alimentare a circuitului electric. Datele experimentale au fost nscrise n tabelul urmtor: U(V) 0,5 1,0 1,2 1,8 2,3 3,0 I(A) 0,10 0,20 0,24 0,36 0,46 0,60 a) reprezentai schema circuitului electric......30p b) trasai graficul I=f(U) i scriei concluzia care rezult din interpretarea lui.

15

c) aflai rezistena electric a rezistorului electric 9. Efectuai urmtoarele transformri:.....15p 2 h 15 min = min = secunde 315 cm = m 256mm = m 72 dm = cm 7200 A = KA 32,3 KV = V Se acorda 10 p din oficiu PUNCTAJ OBTINUT

5.2.TEST AUTOEVALUARE ELEV

Profesor: Perebiceanu Gratziela Elev Bold Lucian Clasa..a Xa H PERIOADA REZOLVARE :inceputul semestrului 2 Bifati varianta cu care sunteti de accord sau completati dupa caz . 1. Avand in vedere performantele scolare la acest modul ,acordati-va un punctaj de la 0 la 100 . . 2. Care modalitate de evaluare credeti ca cuantifica mai correct performanta scolara , cea cu notare 1-10 sau cea cu punctaj 1-100p . 3. Daca aveti un nivel de performanta scolara BUN /SLAB la acest modul cauzele sunt: a. este un modul interesant b. aveti o cultura generala solida . c. doriti sa faceti cariera in acest domeniu de activitate d. curricula este in acord cu propriile cerinte educationale . e. informatia este accesibila,transparenta si bine structurata . f. g. h. i. este un modul plictisitor nu va atrage domeniul tehnic curricula nu este in acord cu cerintele educationale proprii informatia are un grad ridicat de complexitate

4. Indicati care credeti ca sunt cele mai importante calitati ale unui elev ; indicati 4 dintre ele cele mai importante a.capacitatea de memorizare a informatiei b.viteza de reactie c.creativitatea d.tupeul c.utilizarea unui limbaj specializat e.utilizarea unei limbi europene f.adaptarea rapida la conditii noi invatare .

16

g.cumintenia h.disciplina interna si autocunoastere . 5.In cazul in care alti colegi obtin performante scolare mai bune la acest obiect ,cauzele sunt : a.predau temele la termenele stabilite b.prezinta portofoliul personal la solicitarea profesorului . c.sunt interesati de acest tip de informatie si colaboreaza cu profesorul . d .nu exista nici o regula ,totul e probabilistic determinat . e.copie de la alti colegi rezolvarea itemilor

5.3.1 TEST EXERCITIU- SEMICONDUCTOARE ,JONCTIUNEA P-N

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV Bold Lucian CLASAa X a H PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte

1.Un semiconductor este un material cu structura(bifati raspunsul corect) a.amorfa b cristalina c.matrice geometrica spatiala 2. Atomul de siliciu are ca electroni de valenta a. 3 electroni b. 4 electroni c. 5 electroni 3. Siliciul este un element din grupa a. a V-a b. a IV-a c. a-III-a

4. Imaginea reprezinta (bifati afirmatiile adevarate ). a. o structura cristalina de tip cubic a unui semiconductor (Si) b. atomii de Si in retea si electronii de valenta gravitand pe orbitele legaturilor covalente c. un material amorf. 5.Intr-un semiconductor intrinsec (pur) electronii de conductie apar in urmatoarele situatii:

17

a.semiconductorul este dopat cu elemente pentavalente b.semiconductorul se afla la temperatura camerei (20 grade Celsius) c semiconductorul este bombardat cu radiatii luminoase 6.In situatia in care temperatura unui semiconductor creste ,numarul electronilor liberi(de conductie) a .creste b. scade c .ramane constant 7.Intr-un semiconductor intrinsec o pereche electron gol apare atunci cand: a.creste temperatura semiconductorului si se rupe o legatura covalenta b semiconductorul intrinsec este la temperatura 0 K. c.perechile electron gol pot fi generate prin polarizarea semiconductorului cu o sursa de tensiune . 8.Pentru un semiconductor pur (intrinsec) ,sunt adevarate informatiile : a.electronii sunt purtatori majoritari b.golurile sunt purtatori minoritari c.numarul de electroni este egal cu numarul de goluri

9. Figura de mai sus reprezinta : a.o joncitune p-n b.un semiconductor de tip n nepolarizat c.un semiconductor de tip n polarizat

18

10. Polarizarea semiconductorului va determina in structura semiconductorului de tip n : a.deplasarea electronilor in directia zonei de potential (+) b. deplasarea electronilor in directia zonei de potential () c.deplasarea golurilor in zona de potential( )

11.Datorita polarizarii semiconductorului de tip n ,in structura va apare un curent de electroni : a.mai mic decat in cazul unui semiconductor intrinsec b. mai mare decat in cazul unui semiconductor intrinsec c.nu exista current prin structura . 12.Electronii sunt purtatori majoritari intr-un a. semiconductor de tip p b. semiconductor de tip n c. semiconductor intrinsec semiconductor de tip n 13.Electronii sunt purtatori minoritari intr-un: a. semiconductor de tip p b. semiconductor de tip n c. semiconductor intrinsec

19

14.Golurile sunt purtatori majoritari intr-un a. semiconductor de tip p b. semiconductor de tip n c. semiconductor intrinsec 15.OKGolurile sunt purtatori minoritari intr-un a. semiconductor de tip p b. semiconductor de tip n c. semiconductor intrinsec

16.Figura reprezinta ;bifati afirmatiile adevarate a.un semiconductor intrinsec b.o jonctiune p-n cu zona de sarcina spatiala c.o jonctiune p-n polarizata direct

17.Zona de sarcina spatiala din zona jonctiunii p-n se formeaza datorita : a. fenomenului de difuzie a electronilor din zona p in zona n

20

b. fenomenului de difuzie a electronilor din zona n in zona p si difuziei golurilor din zona p in zona c . fenomenului de difuzie a golurilor din zona p in zona n

18 In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential electric pozitiv datorita : a.difuziei electronilor din zona n spre zona p b. difuziei golurilor din zona n spre zona p c difuziei golurilor din zona p spre zona n

19. In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential negativ datorita : a.difuziei electronilor din zona n spre zona p b. difuziei golurilor din zona n spre zona p c difuziei golurilor din zona p spre zona n

20.Zona de sarcina spatiala care apare la jonctiunea n-p nepolarizata are o latime de ordinul

21

a. mai mica decat 1m b.mai mare decat 1mm c mai mica decat 1nm

21.In cazul jonctiunii p-n, zona de sarcina spatiala are urmatoarele proprietati : a.favorizeaza difuzia toala a purtatorilor in cele 2 zone p si n b.opreste difuzia purtatorilor in cele 2 zone p si n . c. prezinta un un potential electric de semn (+) in zona n si de semn (-) in zona p

22.Tensiunea specifica unei jonctiuni p-n pe Si are valoarea aproximativ a. 7 V b. 0,7 V c. 700mV 23. . Tensiunea specifica unei jonctiuni p-n la Ge are valoarea aproximativ a. 3 V b. 0,3 V c. 0,7V

24.In cazul figurii sunt adevarate afirmatiile a.este o jonctiune n-p polarizata direct

22

b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare

25In cazul figurii sunt false afirmatiile a.este o jonctiune n-p polarizata direct b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare

26 .In cazul unei jonctiuni p-n polarizate direct sunt adevarate afirmatiile a. se comporta ca un comutator deschis b. se comporta ca un comutator inchis c. are rezistenta mica de ordinul zeci de

27 In cazul unei jonctiuni p-n polarizate invers sunt false afirmatiile :

23

a. se comporta ca un comutator deschis b.inchis c.are rezistenta mare de ordinul M 28.Un material semiconductor dopat are rezistivitatea de valoare mica atunci cand : a.numarul de electroni liberi (de conductie ) este mic b. numarul de electroni liberi(de conductie ) este mare

c.nu are importanta numarul de electroni liberi 29. Proprietatile fizice si chimice ale unui element chimic sunt determinate de : a.numarul electronilor de valenta b.orbitalul electronilor c. rezistivitatea elementului chimic

30.In cazul unui semiconductor, la procesul de conductie participa : a.nucleul atomic . b.electronii de valenta . c.electronii liberi .

31. In cazul figurii sunt false afirmatiile a.este o jonctiune n-p polarizata direct

24

b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers c. zona de sarcina spatiala are rezistenta de valoare mare

5.3.2 TEST DE PROGRES. DIODA

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV Bold Lucian CLASAa X a H PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte Pentru informatii accesati
1.Anodul unei diode este un: a. semiconductor de tip n b.semiconductor de tip p c. jonctiunea p-n 2. O dioda semiconductoare obisnuita se poate realiza prin: a.lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor intrinsec si a unui semiconductor extrinsec . b. lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor Si si a unui semiconductor Ge c.lipirea (fuziunea)termica a unui semiconductor de tip p si a unuia de tip n 3.

4 In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile: a.dioda este polarizata direct b.curentul prin circuit este zero Amperi c.rezistenta R are rolul de a limita curentul prin dioda .

. 4. In cazul circuitului sunt false afirmatiile : a.dioda este polarizata invers

25

b.curentul prin circuit este zero A c.comutatorul inchis are rezistenta infinita

. 5.O dioda ideala se comporta ca un comutator deschis atunci cand : a. este polarizata direct dar tensiunea directa este mai mica de 0,7 V (jonctiune Si) b.are rezistenta de valoare mare(sute k-M) c. este polarizata invers 6. O dioda ideala se comporta ca un comutator inchis atunci cand a. este polarizata direct b.are rezistenta de valoare mica (30-40 ) c. este polarizata invers 7.In cazul diodei ideale ,sunt adevarate afirmatiile (interpretati figura de mai sus ) a.in momentul deschiderii diodei curentul are o crestere lenta b..in momentul deschiderii diodei curentul are o crestere foarte rapida c tensiunea la bornele diodei ramane constanta in zona de deschidere a diodei

. 8.Valoarea aproximativa a tensiunii la bornele diodei la un curent de 10 mA, conform graficului este de : a. 70 mV b 20 mA c. 700mV

26

9.In cazul circuitului din figura sunt adevarate afirmatiile : a.dioda este polarizata direct b. dioda este polarizata invers c.curentul prin circuit are valoare de ordinul nA

10.In cazul graficului de mai sus ,in circuit dioda este polarizata a.direct b.invers c.nu este polarizata .

11.In cazul graficului observam ca in jurul valorii de -50V ,curentul invers (IR) prin dioda a.scade brusc b.creste brusc c ramane constant

12.In cazul graficului, observam ca la o variatie a curentului invers (IR) intre valorile -200-800A, tensiunea la bornele diodei a.variaza puternic b.ramane relativ constanta

27

c.are valoare negativa

13.Efectul de AVALANSA in diode are drept cauza a.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare directa b.o valoare mare a curentului(mA) la polarizare inversa c.cresterea tensiunii inverse, determina cresterea numarului de ciocniri a electronilor de conductie cu electronii de valenta ,ruperea legaturilor covalente ce implica cresterea numarului de purtatori deci a curentului prin dioda . 14.Tensiunea de strapungere a unei diode depinde de a.valoarea curentului prin dispozitiv b.gradul de dopare a jonctiunii p-n c.valoarea tensiunii inverse la bornele diodei 15.La o dioda ZENER valoare tensiunii inverse la care apare efectul ZENER , are valoare a.mai mare decat la o dioda obisnuita b.mai mica decat o dioda obisnuita c egala cu valoarea tensiunii inverse la o dioda obisnuita . 16.Conditiile tehnologice pentru a obtine o dioda ZENER sunt a. o dopare obisnuita a semiconductorilor b. o dopare puternica a semiconductorilor c. zona de sarcina spatiala este foarte ingusta 17. Efectul ZENER apare intr-o jonctiune de tip ZENER atunci cand : a.intensitatea campului electric depaseste 100mV /cm b. intensitatea campului electric depaseste 300mV /cm c.nu are importanta intensitatea campului electric

18.Rolul rezistentei din schema este de a: a.stabiliza curentul in circuit

28

b.limiteaza curentul si implicit emisia de caldura pe dioda . c este o rezistenta de sarcina pentru dioda .

19.Dioda ZENER din circuit are VZ=2,4V.Valoarea curentului in circuit va fi : a .I= 0,010A b. I= 10mA c. I= 100mA

20.Puterea disipata pe ZENER in cazul in care VZ=2,4V si I= 10mA va avea valoarea a.P= 24 W b. P= 24 mW c. P= 24 *10-3W

21.Dioda ZENER din circuit are VZ=2,4V.Valoarea curentului in circuit va fi : a .I= 0,031A b. I= 31mA c. I= 310mA 22 In cazul unei diode LED sunt adevarate afirmatiile : a. lumina emisa are drept cauza efectul JOULE ,la fel ca la un bec cu filament b. Lumina emisa are drept cauza fenomenul de recombinare electron gol in semiconductor, eliberandu-se energie sub forma de fotoni (electroluminiscenta ) c. dioda LED are consum mic de putere .

29

23. In cazul unei diode LED sunt false afirmatiile : a. dioda LED emite lumina in polarizare inversa b. tensiunea inversa a diodei are valoare mica in comparatie cu o dioda obisnuita . c. daca jonctiunea nu este subtire si aproape de suprafata ,lumina emisa de LED nu poate fi observata .

24. In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile a.dioda LED este polarizata invers b.rezistenta diodei aprinse are valoarea Rd= 110 c .daca R=390 este scurtcircuitata ,curentul in circuit scade mult .

25 In cazul circuitului sunt false afirmatiile a.dioda LED este polarizata direct b.rezistenta diodei aprinse are valoarea Rd= 11 c .daca R=390 este scurtcircuitata ,curentul in circuit creste mult .

30

26.In cazul caracteristicii I(U) pentru o dioda LED sunt adevarate afirmatiile : a.tensiunea de deschidere este mai mica decat la o dioda obisnuita b. tensiunea de deschidere este mai mare decat la o dioda obisnuita c in cazul in care curentul prin dioda creste ,luminozitatea dispozitivului creste . 27.In cazul caracteristicii I(U) pentru o dioda LED sunt false afirmatiile : a.tensiunea de deschidere este mai mare decat la o dioda obisnuita b. tensiunea de deschidere este egala cu tensiunea de deschidere a unei diode obisnuite. c .pentru a emite lumina LED trebuie polarizat invers .

28.Banda de pe corpul unei diode indica a.anodul b.catodul. c jonctiunea p-n

29.In cazul graficului unei diode reale sunt false afirmatiile : a.dioda reala are rezistenta mai mica decat dioda ideala ,in regim de polarizare directa b .dioda ideala are rezistenta mai mica decat dioda reala in polarizare directa c.dioda reala se poate strapunge termic (efect Joule) la curenti mari

31

5.3.3 TEST EXERCITIU. REDRESOARE. SURSE DE PUTERE

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV Bold Lucian CLASA a X a H PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte Pentru informatii accesati 1. Un redresor este un dispozitiv care converteste a. semnalul continuu in semnal alternativ b semnalul alternativ in semnal de tip continuu c.semnalul de impulsuri in semnal alternativ .

2.In care din figurile de mai sus .formele de unda sunt in concordanta cu schema electrica ? a. a b.b. c.c 3.In cazul redresorului monoalternanta sunt adevarate afirmatiile : a. intr-o perioada tot curentul se regaseste transferat in sarcina b.se pierde jumatate din curent c. se pierde jumatate din putere.

32

4 . In care din figurile de mai sus formele de unda sunt in concordanta cu schema electrica ? a. a b. b. c. c

5.Indicati schemele electrice care realizeaza redresare monoalternanta a curentului a. a b. b. c. c

6. Indicati schemele electrice care realizeaza redresarea bialternanta a curentului a. a b. b. c. c

33

7.In cazul redresarii bialternanta ,pe alternanta pozitiva a semnalului ,curentul urmeaza traseul : a. A-B-C b. A-B-D-A c. A-B-D-C

8. In cazul redresarii bialternanta ,pe alternanta negativa a semnalului ,curentul urmeaza traseul : a. A-B-C b. C-B-A c. C-B-D-A

9.In cazul redresarii bialternanta potentialul pozitiv al puntii se afla in punctul a. A b. D c. B d.C

34

10.In cazul redresarii bialternanta potentialul negativ al puntii se afla in punctul a. A b. D c. B

11 La bornele condensatorului vom avea forma de unda de tipul : a. a b. b. c. c

12.Armatura A a condensatorului va fi legata la potential a.negativ b.pozitiv c la masa montajului

12.Armatura B a condensatorului va fi legata la potential a.negativ b.pozitiv c la masa montajului

35

13.In infasurarile primar secundar ale unui tranformator coborator de tensiune vizualizam formele de unda : a. a si b b. b si c c. b si a

14.Un condensator de netezire are valoare uzuala : a. 50F - 100F b. 5F - 10F c. 500F - 1000F

15.Care este succesiunea corecta a formelor de unda vizualizate de la intrare spre sarcina , pentru schema electrica ? a. a-b-c-d-e b. b-d-c-a-e 36

c. b-d-a-c-e

16.In cazul schemei sunt adevarate afirmatiile a.este un stabilizator parametric b.este un stabilizator derivatie c.tensiunea la iesire Us=Uz tensiunea pe dioda Zener

17.In circuitul stabilizator sunt adevarate afirmatiile : a. io = iR + iZ

b. Z c.

i = iR + io iR= io + iZ

18

. In circuitul stabilizator sunt adevarate afirmatiile :

a. UZ = UI + US b. UI = UZ + US c. UI = R iR + U

37

19.Diodele Zener conectate in serie permit obtinerea : a. unui factor de stabilizare mai mare . b. unui factor de stabilizare mai mic. c. unei tensiuni de stabilizare mai mari

20.Relatia de dimensionare a rezistentei R este : a.

R= U I + Us i Z + iO U I Us i Z iO

b.

R=

38

c.

R=

U I Us i Z + iO

21. Conectarea in cascada a 2 celule de redresare are ca efect obtinerea a.unui factor de stabilizare mai mare . b. unui factor de stabilizare mai mic. c. unei tensiuni de stabilizare mai mari

22.In cazul unui transformator sunt adevarate relatiile : a.

VS I N = S = P VP IP NS VP I N = P = P VS IS NS I VP N = S = P VS IP NS

b.

c.

39

23.Daca valoarea tensiunii primar VP =220 V, NP= 100 spire si VS= 22 V;numarul spirelor din secundar are valoarea : a. NS= 100 spire b. NS= 1000 spire c. NS= 10 spire

24.Daca valoarea VP =220 V, IP= 1A si VS= 22 V; IS curentul in secundar are valoarea : a. IS= 1A b. IS= 100A c. IS= 10A 25.Un tranformator are rolul : a.transforma curentul alternativ in curent continuu b.transforma curentul continuu in curent alternativ c.transforma o marime alternativa tot in marime alternativa ,modificand valoarea tensiunii si curentului din secundar fata de primar. 40

26. http://en.wikipedia.org/wiki/RLC_circuit

26.In figura avem un : a.filtru trece sus FTS b.filtru trece jos FTJ c. filtru trece banda FTB d filtru opreste banda FOB

27. In figura avem un : a.filtru trece sus FTS b.filtru trece jos FTJ c. filtru trece banda FTB d filtru opreste banda FOB

41

28. In figura avem un : a.filtru trece sus FTS b.filtru trece jos FTJ c. filtru trece banda FTB d filtru opreste banda FOB

29. In figura avem un : a.filtru trece sus FTS b.filtru trece jos FTJ c. filtru trece banda FTB d filtru opreste banda FOB

42

30.In figura avem un : a.filtru trece sus FTS b.filtru trece jos FTJ c. filtru trece banda FTB d filtru opreste banda FOB

31.In figura avem un : a.filtru trece sus FTS b.filtru trece jos FTJ c. filtru trece banda FTB d filtru opreste banda FOB

43

n ce domeniu poate lua valori rezistena R pentru ca stabilizatorul parametric cu DZ din Fig. 11.7. s furnizeze la ieire tensiunea VO=5,1V, dac vI i RL iau valori n intervalele: vI [8, 12] [V] , RL [50, 100] [ ] Pentru DZ se cunosc: VZnom=5,1V; IZmax=200mA; IZnom=100mA; IZmin=50mA; Indicatie: R se alege asfel nct indiferent de valorile pe care le iau VI i RL in domeniile specificate, s fie indeplinit condiia: Izmin < IZ < IZmax.

http://staff.etc.tuiasi.ro/patachen/DE/DE%20lab%2002/Trasarea%20caracteristicii%20I(U) %20pentru%20diodele%20semiconductoare%20.pdf

5.3.4 TEST ANTRENAMENT. TRANZISTORUL BIPOLAR

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV Bold Lucian CLASA a X a H PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte

1.Tranzistorul poate fi utilizat ca : a.amplificator de putere b.amplificator de curent c.comutator electronic 2.In cazul tranzistorului bipolar sunt adevarate afirmatiile a. lucreaza cu 2 tipuri de purtatori :electroni si goluri b.are 2 poli . c.curentul de iesire depinde de curentul de intrare 3. In cazul tranzistorului unipolar sunt adevarate afirmatiile : a. lucreaza cu un tip de purtatori :electroni sau goluri b. poate fi folosit ca un comutator electronic c.curentul prin dispozitiv este controlat de tensiunea de pe poarta 44

4.

Imaginea reprezinta : a. o structura de tranzistor unipolar b o structura de tranzistor bipolar c. un tranzistor npn

45

5. Selectati 3 imagini ce corespund unui transistor PNP;indicati varianta corecta . a. a-e-g b. a-f-d c. b-f-d 6. Selectati 3 imagini ce corespund unui transistor NPN a. b-e-g b. b-f-d c. a-e-g 7.Tranzistoarele realizate pe Si sunt preferate celor pe Ge deoarece : a. lucreza la frecvente mai mari b. lucreza la temperaturi mai mici c lucreza la tensiuni mai mari

46

8.In circuitul de polarizare a jonctiunii B-E curentul de baza va avea valoarea : a. I B =1,6 mA b. I B =16 mA c. I B =0,016 A

9.Rezistenta din circuitul de baza (2,7 k) are rolul de a : a.limiteaza curentul I B pentru a nu se distruge jonctiunea baza emitor b.este rezistenta de sarcina pentru sursa de tensiune de 5 V c.stabileste valoarea tensiunii la 0,7 V pe dioda jonctiunii emitorului .

10. In circuit vom avea un curent care circula dinspre baza spre emitor daca : a. exista o rezistenta in circuitul bazei (2,7 k) b. tensiunea VBB este mai mica decat tensiunea de deschidere a unei jonctiuni (0,7V) 47

c. tensiunea VBB este mai mare decat tensiunea de deschidere a unei jonctiuni (0,7V)

11.In circuit observam urmatoarele fenomene :(bifati afirmatiile adevarate ) a. exista current de collector I C b. nu exista curent de collector I C,deorece jonctiunea colectorului este invers polarizata c. nu exista curent de collector I C,deorece circuitul este interupt in baza

12. In circuit observam urmatoarele fenomene :(bifati afirmatiile adevarate ) a. exista curent de collector I C ,deoarece jonctiunea emitorului e polarizata direct . b. nu exista curent de collector I C,deorece jonctiunea colectorului este invers polarizata c. exista curent de collector I C,deorece potentialul electric pozitiv al colectorului este mai mare decat al bazei tranzistorului

48

13.In circuit sunt adevarate afirmatiile a.I C = I E+I B b. I E = I C+ I B c. I B<< I E, I B<< I C

14.In privinta castigului in curent al tranzistorului bipolar (BJT) sunt adevarate afirmatiile : a. dc= I C/ I B b. dc= I B/ I C c. .dc=100-300 valori tipice

49

15.I n circuit sunt adevarate afirmatiile : a. este un circuit collector comun b. este un circuit emitor comun c. VBB trebuie sa aiba valoare mai mare decat VBE =0,7 V ,pentru a deschide jonctiunea baza emitor .

16.I n circuit sunt false afirmatiile: a.curentul IB poate fi controlat modificand valoarea RB si VBE b.in colector, VCE trebuie sa fie mai mica de 0,7 V pentru a avea curent de colector

c. in colector, VCE trebuie sa fie mai mare de 0,7 V pentru a avea curent de colector

50

17.In circuit avem urmatoarele valori ale marimilor electrice : a. b. c. I B = 1 mA I B = 0,001 A I B = 0,086 mA I C= 50mA

I C = 0,050A I C= 4,3mA

18. In circuit avem urmatoarele valori ale marimilor electrice : 3 min a. b. c. V L= 0.215V V L= 0V V L= 2,15V V C= 0.285V V C= 0.285V V C= 2.85V

51

19. In circuit avem urmatoarele valori ale marimilor electrice a. I B = 1 mA b c. I B = 0 mA I B = 0 mA I C= I C= I C= 50mA 0mA 0mA V L= 0.25V V L= 2,5V V L= 0V V C= 0.25V V C= 2,5V V C= 5V

20.Alegerea unei rezistente de colector RL de valoare 1k va determina in circuit urmatoarele marimi electrice : a. I B = 1 mA I C = 50mA V L= 0.25V V C= 0.25V b. I B = 0,1 mA I C = 5mA V L= 0.25V V C= 0.25V c. I B = 0,086 mA I C = 4,3mA V L= 4,3V V C= 0,7V

52

21.In circuit tranzistorul se comporta ca un : a. amplificator b comutator.deschis c. comutator inchis

. 22.Circuitul reprezinta un : a. amplificator cu 2 tranzistoare b. un comutator cu 2 tranzistoare care lucreza in faza c un comutator cu 2 tranzistoare care lucreza in contratimp (antifaza )

53

23.Cand comutatorul este in pozitia 1, tranzistoarele T1si T2 sunt in starile : a. T1 = BLOCAT (OFF) T2 = BLOCAT (OFF) b.. T1 = DESCHIS(ON) T2 = DESCHIS(ON) a. T1 = DESCHIS(ON) T2 = BLOCAT (OFF)

24.In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile : a. prin tranzistorul T1 nu circula curent , potentialul colectorului T1 este in 0V, prin T2 nu circula curent b. prin tranzistorul T1 nu circula curent , potentialul colectorului T1 este in 0V, prin T2 circula curent c. tranzistorul T1 DESCHIS , potentialul colectorului T1 este in 0V, T2 BLOCAT

54

25. .Cand comutatorul este in pozitia 2, tranzistoarele T1si T2 sunt in starile : a. T1 = BLOCAT (OFF) T2 = BLOCAT (OFF) b.. T1 = DESCHIS(ON) T2 = BLOCAT(OFF) a. T1 = DESCHIS(ON) T2 = DESCHIS (ON)

26. In care din figuri, tranzistorul bipolar este polarizat pentru a lucra in R.A.N ? a. A b . B c. A& B

55

.27.In circuit, sunt adevarate urmatoarele ecuatii in cazul in care tranzistorul functioneaza in R.A.N. a.VS = IB RB + VBE b . VS = I B R B c VS = IC RL + VCE

.28. In circuitul de mai sus sunt adevarate afirmatiile a. IC MAX , b. IC 0 , c. IC MAX , Rtranzistor Rtranzistor Rtranzistor 0

56

29. In circuitul de mai sus sunt adevarate afirmatiile a. IC MAX , Rtranzistor ,VC = 5V b. IC 0 , Rtranzistor ,VC = 5V c. IC MAX , Rtranzistor 0 , VC = 0V

30.Circuitul reprezinta un circuit de tip: a. amplificator b. comutator cu iesirea in 0 logic c. comutator cu iesirea in 1 logic

57

5.3.5 TEST ANTRENAMENT .AMPLIFICATOARE CU BJT

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte

1.In schema de mai sus IB=100A, =100. IC curentul de collector va avea valoarea a. IC= 10 mA b. IC= 10000 A c. IC =0,01 A

2. In schema de mai sus Vs=10V, VcE=5V, RL =1K. IC curentul de colector va avea valoarea: a. IC =5 A b. IC =5 mA c. IC =0,005 A

58

3. In schema de mai sus Vs=10V, VcE=5V, RL =1K, =100.In circuit IB va avea valoarea : a. IB = 5 mA b. IB =0,05 mA c. IB =50 mA

4. In schema de mai sus Vs=10V, VcE =5V, RL =1K, =100, VBE=0,7V.Polarizarea in zona liniara de amplificare a tranzistorului impune pentru RB valoarea : a RB = 150 k b. RB = 18,6k c.RB = 186 k

5. Q(QUIESCIENT POINT) Punctul static de functionare are coordonatele a. Q( VcE, IC) b. Q( VBE, IB) c. Q(5V,5mA) 6.In cazul in care temperatura unui transistor creste ,parametrii tranzistorului variaza (bifati varianta corecta ) a. IC creste b. IB scade. c. scade 59

d. VBE scade

7.In cazul in care temperatura unui transistor scade ,parametrii tranzistorului variaza (bifati varianta corecta ) a. IC creste b. IB scade. c. scade d. VBE creste

8.Defazajul existent intre semnalul de intrare si iesire din etaj are valoarea : a. =180 b. =360 c. = rad

9. Defazajul existent intre cele 2 semnale are valoarea : a. =180 b. =0 60

d. = rad

10. . Defazajul existent intre cele 2 semnale are valoarea : a. =180 b. =0 c. = rad

11.Amplitudinea Umax, a celor 2 semnale sinusoidale are valorile 61

a. U1max = 0,5V, U2max =0.5V b. U1max = 1V, U2max =1V c U1max = 1V, U2max =0.5V

12.Frecventa f si perioada T a celor 2 semnale sinusoidale are valorile : a. T =0,001s f= 1000 Hz b T =1s f= 1000 Hz c. T =10-3 s f= 1k Hz

13.In cazul figurii putem afirma : a. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 4V;4mA b. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 5V;5mA c semnalele de iesire (tensiune ,current ) sunt nedistorsionate d.tranzistorul lucreaza in zona liniara a caracteristicii 62

14. In cazul figurii sunt false afirmatiile : a. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 4V;4mA b. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 5V;5mA c semnalele de iesire (tensiune ,current ) sunt distorsionate d.tranzistorul lucreaza in zona de saturatie

15. In cazul figurii putem afirma : a. tranzistorul e blocat b tranzistorul e saturat c. tranzistorul lucreza in zona liniara a caracteristicii d. IB are valoarea aproximativ 50mA pentru un =100

63

16. . In cazul figurii putem afirma : a. tranzistorul e blocat b tranzistorul e saturat c. tranzistorul lucreza in zona liniara a caracteristicii d.semnalul de intrare are amplitudine prea mare

17. . In cazul figurii putem afirma : a. tranzistorul are tendinta de blocare b tranzistorul e saturat c. tranzistorul lucreza in zona liniara a caracteristicii d.semnalele de iesire sunt distorsionate

64

18 In cazul figurii putem afirma : a. tranzistorul are tendinta de blocare b tranzistorul are tendinta de saturare c. tranzistorul lucreza in zona liniara a caracteristicii d.semnalele de iesire sunt distorsionate

19. In cazul figurii sunt false afirmatiile : a. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 4V;4mA b. PSF (Q) are coordonatele Q( VcE, IC) 5V;5mA c semnalele de iesire (tensiune ,current ) sunt distorsionate d.tranzistorul lucreaza in zona de saturatie

20. In cazul figurii putem afirma : 65

a. tranzistorul este polarizat in zona de blocare b tranzistorul este polarizat in zona de saturare c. tranzistorul este polarizat in zona liniara a caracteristicii d.semnalele de iesire sunt distorsionate

21.In cazul figurii sunt false afirmatiile a.tranzistorul este polarizat in zona liniara a caracteristicilor b. tranzistorul este polarizat in zona de saturare c. tranzistorul este polarizat in zona de blocare d. semnalele de iesire sunt distorsionate

21.In cazul figurii sunt false afirmatiile a.tranzistorul este polarizat in zona liniara a caracteristicilor b. tranzistorul este polarizat in zona de saturare c. tranzistorul este polarizat in zona de blocare d. semnalele de iesire sunt distorsionate 22.Strapungerea termica a tranzistorului are drept cauza : a. efectul JOULE la intrarea in blocare a tranzistorului b.efectul JOULE la intrarea in saturatie a tranzistorului 66

c.efectul JOULE la jonctiunea CB in regim RAN si acumularea caldurii in jonctiune .

23.Rezistenta RE are rolul: a.asigura polarizarea tranzistorului b.este rezistenta de sarcina pentru transistor c.stabilizeaza deriva punctului static de functionare Q.

24.Rezistentele R1 si R2 au rolul : a.asigura polarizarea tranzistorului b.este rezistenta de sarcina pentru transistor c.stabilizeaza deriva punctului static de functionare Q. d .asigura in baza tranzistorului un potential electric constant V2.

25.Condensatorul din emitor are rolul : a.scurtcircuiteaza la masa semnalul continuu. 67

b. scurtcircuiteaza la masa semnalul alternativ VCE c. scurtcircuiteaza la masa semnalul alternativ VE

26.In cazul circuitului sunt adevarate afirmatiile : a.este un etaj colector comun CC b.este un etaj emitor comun EC c.este un etaj amplificator de curent d.este un etaj amplificator de tensiune

27.In cazul schemeim, UIN, semnalul de intrare se aplica : a. in colectorul tranzistorului b.in baza tranzistorului c. intre terminalul condensatorului C1 si masa montajului .

28.In cazul schemei, UOUT, semnalul de iesire se culege : a. in colectorul tranzistorului b.in baza tranzistorului 68

c. intre terminalul condensatorului C2 si masa montajului .

29 UIN=10 mV, UOUT=10 V; valoarea amplificarii etajului este a.A= 1 b.A= 100 c.A=1000 d.A(dB)= 40 dB e.A(dB)= 60 Db 30.Amplificarea unui etaj amplificator in regim de current continuu(dc) este definita de relatia : a. A(dc)= UIN / UOUT b. A(dc)= UOUT/ UIN c. A(dc)= UOUT/ UIN d. A(dc)(dB)= 20lg UOUT/ UIN

31.Amplificarea unui etaj amplificator in regim de current alternativ(ac) este definita de relatia : a.A(ac)= UIN / UOUT b.A(ac)= UOUT/ UIN c.A(ac)= UOUT/ UIN d.A(ac)(dB)= 20lg UOUT/ UIN 32. Stiind ca :IE = (+1)IB, IC = IB ,exprimati valoarea lui in functie de IE , IC, IB = IC / IB = IB / IE = IE / IB

a. b. c.

-1 -1 -1

69

33.In circuitul de mai sus RB dispare din circuit .Cum se modifica curentii IE, IB, IC in noul circuit ? Bifati raspunsurile corecte . a. IE, IB, IC cresc. b. IE, IB, IC scad c. IE, IB, IC se anuleaza. IE, IB, IC =0

34. In circuitul de mai sus RC dispare din circuit .Cum se modifica curentii IE, IB, IC in noul circuit ? Bifati raspunsurile corecte . a. IE, IB, IC cresc. b .IE, IB, IC scad c. IE, IB, IC se anuleaza. IE, IB, IC =0 d. IB ramane neschimbat , IC =0 se anuleaza , IE = IB , IE coboara la valoarea lui IB

35.In figura tranzistorul este in urmatoarele configuratii a. A=EC(EMITOR COMUN ) COMUN ) b. A= BC(BAZA COMUNA) COMUN) c. A=EC(EMITOR COMUN ) COMUNA ) B=BC(BAZA COMUNA ) B= EC(EMITOR COMUN) B=CC(COLECTOR COMUN ) C=CC(COLECTOR C=CC(COLECTOR C=BC(BAZA 70

71

36.In circuitul de mai sus ,potentialul electric VB in baza tranzistorului se calculeaza cu formula VB= +V R2/(R1+R2),in consecinta VB va avea valoarea : a. VB=20V b. VB=15V c. VB=10V :

37.In circuitul de mai sus ,curentul in emitor IE se calculeaza din formula VB=VBE +IERE (VBE=0,7V;VB=10V) ,in consecinta IE va avea valoarea : a. IE = 5mA b. IE = 4,65mA c. IE = 0,00465A

72

5.3.6 TEST ANTRENAMENT TRANZISTOR JFET&MOS

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Pentru itemii de mai jos bifati raspunsul sau rapunsurile corecte 1.Un dispozitiv de tip FET poate functiona ca : a.rezistenta controlabila in current b.tranzistor c.rezistenta controlabila in tensiune 2.Avantajele tehnologice ale tranzistoarelor FET sunt : a.rezistenta de intrare mica (zeci de ) b. rezistenta de intrare foarte mare (M) c.comanda in tensiune a tranzistoarelor FET d.comanda in curent a tranzistoarelor FET 3.Dezavantajele tehnologice ale tranzistoarelor FET sunt: a. absorb curenti IG de valoare mare b .absorb curenti IG de valoare mica c .lucreaza la frecvente relativ mici fata de tranzistoarele bipolare 4.Tranzistoarele FET absorb curenti IG de valoare mica ;acest aspect implica : a. consum de putere mare b. consum de putere mic c. densitate mare de tranzistoare pe cipul de Si. 5. In regim de lucru ca R controlabila in tensiune,tranzistoarele FET : a. au canalul inchis b.au canalul deschis jonctiunea poarta canal (G-S) polarizata invers . c.au canalul deschis 6.Cresterea rezistentei dispozitivului FET in regim de functionare ohmic ,se face prin : a.cresterea sectiunii canalului b.micsorarea sectiunii canalului c.inchiderea sectiunii canalului . 7.Functionarea FET ca tranzistor se face in cazul in care : a.canalul este deschis b.canalul este inchis c.VDS a depasit tensiunea pinch-off (VP) 9.La un dispozitiv de tip MOS ,succesiunea metal oxid-semiconductor ,se gaseste in zona : a.sursa (S) b.drena .(D) c.porta (G)

73

10.Stratul de SiO2 al tranzistorului MOS,este sensibil la : a.temperatura b.caldura c.tensiune electrostatica

11.Indicati tipul de dispozitiv si tipul canalului pentru figurile A,B. a. A = MOS, canal p ;B= MOS, canal n b. A =FET, canal n ;B= FET, canal p c. A = FET, canal p ;B= FET, canal n

12.Indicati la tranzistorul FET ,terminalele dispozitivului : a. A = drena D, ;B=sursa S; C = poarta G b. A = drena D, ;B=sursa S; C = poarta G c. A = poarta G, ;B=sursa S; C = drena D

13.In cazul dispozitivului sunt adevarate afirmatiile : a.este un dispozitiv FET b.functioneza ca un rezistor c.purtatorii sunt electroni d.rezistenta canalului = sute de

74

14 In cazul dispozitivului sunt false afirmatiile : a.este un dispozitiv MOS b.functioneaza ca tranzistor c.purtatorii sunt goluri d . .rezistenta canalului = M

15. In situatia in care comutatorul se inchide : a. sectiunea canalului scade(canalul se inchide) b. sectiunea canalului creste. c. sectiunea canalului ramane constanta

16.Dispozitivul lucreaza ca un : a.comutator inchis(SWITCH-ON) b. comutator deschis(SWITCH-OFF) c. transistor amplificator

17.Dispozitivul lucreaza ca un : a.comutator inchis(SWITCH-ON) 75

b. comutator deschis(SWITCH-OFF) c. transistor amplificatory

18. Indicati tipul de dispozitiv si tipul canalului pentru figurile A,B. a.A =FET, canal n ;B= FET, canal p b.A = FET, canal p ;B= FET, canal n c.A = MOS, canal p ;B= MOS, canal n

. 19. In situatia prezentata ,sunt adevarate afirmatiile: a. curentul ID are valoare maxima b. curentul ID= 0A c. dispozitivul are comportament de comutator deschis (SWITCH-OFF) d.in structura exista un curent de goluri

. 20. In situatia prezentata ,sunt false afirmatiile: a. curentul ID are valoare maxima b. curentul ID= 0A c. dispozitivul are comportament de comutator deschis (SWITCH-OFF) d.in structura exista un curent de goluri

76

21.. In situatia prezentata ,sunt adevarate afirmatiile: a. in structura exista canal de tip n b. curentul ID= 0A c. dispozitivul are comportament de comutator deschis (SWITCH-OFF) d.in structura exista un curent de goluri

22.. In situatia prezentata ,sunt false afirmatiile: a. in structura exista canal de tip n b. curentul ID= 0A c. dispozitivul are comportament de comutator deschis (SWITCH-OFF) d.in structura exista un curent de goluri

23. .. In situatia prezentata ,sunt adevarate afirmatiile: a. structura se comporta ca un comutator deschis(SWITCH-OFF) b. structura se comporta ca un comutator inchis(SWITCH-ON) c. dispozitivul are comportament de transistor. d.in structura exista un curent de goluri

77

24. Schema electrica reprezinta un : a. inversor CMOS sursa comuna b. inversor p-MOS sursa comuna c. inversor n-MOS sursa comuna

25. 25. Schema electrica reprezinta un : a. inversor CMOS sursa comuna b. inversor p-MOS sursa comuna c. inversor n-MOS sursa comuna

26. Schema electrica reprezinta un : a. inversor CMOS sursa comuna b. inversor p-MOS sursa comuna c. inversor n-MOS sursa comuna

78

27.Pentru a proteja un dispozitiv MOS-FET , asiguram urmatoarele masuri : a.stocare cu terminalele in surt circuit (in folie metalica ) b.operatorul poarta imbracaminte antistatica . c. operatorul poarta o bratara conductiva legata la pamant

28.In cazul figurii sunt adevarate afirmatiile : a. este prezentata functionarea unui dispozitiv JFET b. este prezentata functionarea unui dispozitiv MOS c. este prezentata functionarea unui dispozitiv p-MOS d. este prezentata functionarea unui dispozitiv n-MOS

79

29.Dispozitivul functioneaza ca resistor controlabil in tensiune in fig: a. A b. B c. C d. D

30.Dispozitivul functioneaza ca TRANZISTOR in fig: a. A b. B c. C d. D

80

5.5.1.TEMA INDIVIDUALA . JONCTIUNEA PN. DIODA SEMICONDUCTOARE

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

COMPETENTE VIZATE Analizeaz funcionarea componentelor electronice discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta
Obiective: S precizeze tipurile de materiale semiconductoare S precizeze comportarea jonciunii pn polarizat i nepolarizat S precizeze parametrii caracteristici fiecrui tip de component discret S precizeze funcionarea tipurilor de componente discrete studiate

Tipul activitii: Coninutul: Jonciunea pn i dioda semiconductoare Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s precizai comportarea jonciunii pn i s caracterizai pe scurt tipurile de diode studiate. Bifati raspunsul corect Enun: 1. Materialele semiconductoare de tip p se obin prin doparea semiconductorului pur cu elemente: a. trivalente; b. pentavalente; c. trivalente i pentavalente. 2. La o jonciune pn polarizat direct sensul curentului este : a. de la n la p; b. de la p la n; c. dependent de materialul semiconductor. 3. La un semiconductor de tip n purttorii majoritari sunt: a. electronii; b. golurile; c. nu exist purttori majoritari. 4. La o jonciune pn curentul direct crete cu: a. tensiunea de polarizare direct; b. tensiunea de polarizare invers; c. are o valoare constant cu variaia tensiunii. 5. Diodele cu contact punctiform sunt utilizate ca: a. diode redresoare la frecvene joase; b. diode stabilizatoare de tensiune; c. diode redresoare la frecvene nalte.

81

6. Pe corpul unei diode Zener se marcheaz electrodul: a. pe care trebuie s se aplice plusul tensiunii de polarizare; b. pe care trebuie s se aplice minusul tensiunii de polarizare; c. nu se aplic nici un marcaj. 7. Din lista de termeni de mai jos selectai pe cei adecvai pentru a realiza o scurt prezentare a diodei Zener. Polarizare direct, curent de iluminare, catod, colector, emitor, anod, stabilizare, redresare, marcarea electrodului, compensare termic, tensiune constant, curent constant, tensiune variabil, variaie a curentului, tranzistor, varactor.

1p pentru fiecare item cu alegere multipl 2p pentru selectarea termenilor adecvai 2p pentru prezentarea diodei Zener ELEVUL VA CENTRALIZA IN TABEL RASPUNSURILE LA ITEMII PROPUSI ELEVUL SE VA AUTOEVALUA PRIN NOTA . NR .ITEM 1 2 3 4 5 6 7 ESEU SCURT RASPUNS PUNCTAJ PUNCTAJ RASPUNS CORECT STANDARD OBTINUT ELEV DE ELEV 1P 1P 1P 1P 1P 1P 2P 2P

82

TOTAL PUNCTAJ

NOTA NOTA PROFESOR AUTOEVALUARE ELEV

5.5.2.TEMA INDIVIDUALA .CIRCUITE CU DIODE . SURSE DE PUTERE.REDRESOARE.STABILIZATOARE

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

COMPETENTE VIZATE
Analizeaza functionarea circuitelor analogice din echipamentele electronice Planifica o activitate si culege date numerice in legatura cu aceasta

Obiective
Sa identifice scheme de circuite electronice analogice Sa selecteze componente electronice pentru realizarea unor circuite Sa precizeze parametrii caracteristici fiecarui tip de circuit

Sa precizeze functionarea tipurilor de circuite studiate CONTINUTUL :REDRESORUL SCOPUL ACTIVITATII:Aceasta activitate va ajuta sa intelegeti functionarea redresoarelor

Enunt:
1.Folosind surse diferite (auxiliar curricular,internet ,catalog http://www.datasheetcatalog.com/), obtineti informatii despre : a.redresorul monoalternanta b.redresorul dubla alternanta cu punte de diode c.redresorul dubla alternanta cu transformator cu priza mediana Reprezentati schemele de principiu ale acestor 3 redresoare,formele de unda la iesire.Calculati frecventa semnalului obtinut . Punctaj: 3p............... pentru schema, 3p................pentru formele de unda , 3p................pentru randament ,factor de ondulatie,frecventa semnalului obtinut , 1p............... pentru limbajul de specialitate folosit si aspect document . Copierea unui document de la un coleg se pedepseste cu nota 1(unu). NOTA :Tema se va prezenta sub forma unui document WORD ,schemele electrice+ formele de unda, pot fi descarcate de pe internet,dar vor fi insotite de textele explicative (compilatie de documente ). Tema va fi sustinuta prin interviu .

83

REZOLVARE ITEM 5.5.1 NOTA PROFESOR .............. NOTA AUTOEVALUARE ELEV .......................

5.5.3 TEMA INDIVIDUALA.TRANZISTORUL BIPOLAR. BASICS

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Competente Analizeaza functionarea componentelor electronice discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta Obiective: Sa identifice tipuri de componebte electronice discrete S recunoasc terminalele tranzistorului bipolar Sa precizeze ecuaiile fundamentale ale tranzistorului Sa precizeze conexiunile tranzistorului i regimurile de funcionare Continut:TRANZISTORUL BIPOLAR Scopul activitii: Aceast activitate va va ajuta sa aprofundati cunostintele despre performanele i particularitile constructive, de polarizare i de utilizare, ale tranzistorului bipolar. BIFATI( TRUE/FALSE ) RASPUNSUL CORECT sau COMPLETATI DUPA CAZ 1.Pentru a avea loc efectul transistor este necesar ca :..1P a. baza s aib o lime ct mai mic; b. baza s fie puternic dopat cu impuritati c. emitorul s aib o lime mai mic dect baza 2.In figura de mai jos sunt reprezentate simbolurile a doua elemente active de circuit ..4P

a. indicati denumirea componentelor prezentate R: b. indicai denumirea terminalelor notate cu 1,2,3; ; 84

R: c. indicai materialele utilizate la confecionarea lor R: d. precizai modul de polarizare a dispozitivului pentru afunctiona in RAN . R:

3.Prima ecuatie fundamentala a unui tranzistor este: ..1P a. IE = I B IC b. IE = I B+ IC c. IE + I B+ IC = 4.Functionarea unui transistor in regim activ invers presupune:.1P a.polarizare directa a jonctiunii BE, polarizarea inversa a jonctiunii CB. b. polarizare directa a jonctiunii BE, polarizarea directa a jonctiunii CB. c. polarizare inversa a jonctiunii BE, polarizarea directa a jonctiunii CB. 5.La un transistor bipolar in conexiunea EC,marimile de intrare sunt:.1P a.IE, IB b.IC, UBE c.IB, UBE 6. n transistor bipolar este utilizat ca un comutator electronic in regim :.1P a.RAN b.RAI c.blocat ,saturat 7.Un transistor bipolar se distruge termic atunci cand :..1P a. IC creste foarte mult b. IC scade foarte mult c. jonctiunea CB nu disipa eficient caldura in RAN .
EVALUARE SI NOTARE TEMA EVALUARE SI NOTARE TEMA NOTA :EVALUAREA FINALA SE VA FACE PRIN INTERVIU PE TEMA REZOLVATA DE ELEV NR ITEM RASPUNS ELEV AUTOEVALUARE ELEV RASPUNS CORECT NOTA PROFESOR (NOTA ) 1 2 3 4

85

5 6 7 TOTAL PUNCTAJ Observatii PROFESOR /ELEV : AUTOEVALUARE ELEV (NOTA )= NOTA PROFESOR=

5.5.4 TEMA INDIVIDUALA. TRANZISTORUL BIPOLAR. APLICATII.AMPLIFICATOARE

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Competente Analizeaza functionarea componentelor electronice discrete Planific o activitate i culege date numerice n legtur cu aceasta Obiective: Sa identifice tipuri de componebte electronice discrete S recunoasc terminalele tranzistorului bipolar Sa precizeze ecuaiile fundamentale ale tranzistorului Sa precizeze conexiunile tranzistorului i regimurile de funcionare Sa calculeze curenti tensiuni si marimi specifice in circuit . Scopul activitatii:studierea comportamentului unui transistor bipolar ca amplificator

1.Care este rolul rezistentelor R1,R1..0.5P R= 2.Care este rolul rezistentei R5. 0.5P R= 86

3.Care este rolul C1 ,C2...0.5P R= 4 .Care este rolul C4.0.5P R= 5.Care este rolul V2.0.5P R= 6.

Ce marime electrica masoara R=

V (Q1:C). 0.5P

7. Ce marime electrica masoara R=

V (V2+). 0.5P

8. 7. Ce marime electrica masoara

I (Q1:B)0.5P

R=8. Ce marime electrica masoara R=

I (R7:1)0.5P

9.Calculati potentialul electricVB in baza tranzistorului .0.5P R= 10. Calculati curentul de emitor IE 0.5P R= 11. Calculati VCE si estimati regimul de lucru a tranzistorului ..0.5P R= 12. Figurati PSF si DREAPTA DE SARCINA in sistemul de coordonate 1P

87

13.Punctele de intersectie ale dreptei cu axele sunt 1P I C= 0mA, IC=mA, VCE= VCE=0V

14.

14.Calculati amplitudinea celor 2 semnale sinusoidale : V1=.0.5P V2=.0.5P 15.Calculati perioada T1 si T2 pentru cele 2 semnale T1=.0.5P T2=0.5P 16.Calculati frecventa si defazajul pentru cele 2 semnale f1=..0.5P f2=..0.5P 1,2 = 0.5P
PUNCTAJ TOTAL 11P EVALUARE SI NOTARE TEMA NOTA :EVALUAREA FINALA SE VA FACE PRIN INTERVIU PE TEMA REZOLVATA DE ELEV NR ITEM RASPUNS ELEV AUTOEVALUARE ELEV RASPUNS CORECT NOTA PROFESOR (NOTA ) 1 2 3

88

4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

TOTAL PUNCTAJ Observatii PROFESOR /ELEV :

AUTOEVALUARE ELEV (NOTA )=

NOTA PROFESOR=

89

5.5.5 TEMA INDIVIDUALA .Tranzistoare cu efect de cmp

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Competene: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivele evalurii: - s recunoasc tranzistoarele cu efect de cmp; - s precizeze parametrii tranzistoarelor cu efect de cmp; - s s specifice principiul de funcionare tranzistoarelor cu efect de cmp. Tipul testului: prob scris ;se rezolva ca tema individuala . Notarea se face prin interviu. Subiectul I. Pentru fiecare item stabilii rspunsului corect: 1) La conducia curentului electric n tranzistoarele cu efect de cmp particip: a) numai electronii; b) numai golurile; c) un singur tip de purttori ceri majoritari; d) un singur tip de purttori cei minoritari. 2) Tranzistorul cu efect de cmp este un dispozitiv electronic cu trei electrozi: a) surs, dren i poart; b) emitor, colector i baz; c) anod, catod i poart; d) emitor, colector i poart. 3) TEC-J este comandat n: 90 2 puncte

a) curent; b) tensiune; c) putere; d) rezisten. 4) n cazul funcionrii tranzistorului TEC-J cu poart liber (nepolarizat), prin modificarea tensiunii continue aplicat ntre surs i dren curentul: a) variaz invers proporional cu tensiunea aplicat; b) rmne constant; c) este blocat; d) variaz direct proporional cu tensiunea aplicat. Subiectul II. 2 puncte

Specificai prin A (adevrat) sau F (fals) valoarea de adevr a urmtoarelor propoziii: 1) Zona preferat de lucru a TEC J ului este cea la cureni mari. 2) Tranzistoarele MOS prezint fenomenul de strpungere secundar i ambalare termic; 3) Tranzistoarele cu efect de cmp cu gril se prescurteaz TEC -J; 4) Tranzistoarele cu efect de cmp fac parte din familia tranzistoarelor unipolare. Subiectul III Completai cu informaia corect spaiile libere: 1) n cazul unui TEC-J nu se pune problema ambalrii...............................; 2) n regiunea de ........................... a unui TEC MOS curentul de dren rmne aproape constant; 3) TEC-J este ca un rezistor a crui seciune este controlat de ...................... regiunii sarcinii spaiale a unei jonciuni pn. Subiectul IV Pentru simbolul de mai jos: 1) identificai tipul de tranzistor cu efect de cmp simbolizat; 2) denumii i notai bornele. 2 puncte 3 puncte

91

Instruciuni pentru elevi Pentru rezolvarea Subiectului I vei ncercui litera corespunztoare rspunsului corect. Pentru rezolvarea Subiectului II vei scrie n dreptul propoziiei A (dac considerai propoziia adevrat) i F ( dac considerai propoziia fals). Pentru rezolvarea Subiectului III vei completa spaiile libere cu informaia corect. Pentru rezolvarea Subiectului IV vei rspunde n scris cerinelor.

5.5.5 TEMA INDIVIDUALA .DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

Profesor: Perebiceanu Gratziela ELEV . CLASA........................................ PERIOADA REZOLVARE :pe parcursul parcurgerii capitolului.

Competene: Identific componentele electronice analogice Explica funcionalitatea componentelor electronice analogice Interpreteaza caracteristicele I(U) pentru dispozitive optoelectronice .

1. Identificati dispozitivele din fig.11.1a,b...2p Interpretati graficele din fig.11.1c.0.5p 92

2. Identificati dispozitivele din fig.11.2....2p Interpretati graficele din fig.11.2.0.5p

3. Identificati dispozitivele din fig.11.3....2p Interpretati graficele din fig.11.3.0.5p

93

4. Identificati dispozitivele din fig.11.4....2p Interpretati graficele din fig.11.4.0.5p Elevul va rezolva tema in format scris pe caiet sau in format electronic si o va atasa la portofoliu .
EVALUARE SI NOTARE TEMA NOTA :EVALUAREA FINALA SE VA FACE PRIN INTERVIU PE TEMA REZOLVATA DE ELEV NR ITEM RASPUNS ELEV AUTOEVALUARE ELEV RASPUNS CORECT NOTA PROFESOR (NOTA ) 1 2 3 4 TOTAL PUNCTAJ Observatii PROFESOR /ELEV : AUTOEVALUARE ELEV (NOTA )= NOTA PROFESOR=

6.STRUCTURA NOTEI (calcularea mediei finale ) CALCULAREA MEDIEI FINALE LA M1

Media finala este MEDIA ARITMETICA a notelor(4-6 NOTE), obtinute la fiecare item de evaluare ce intra in structura portofoliului

NR. NOTA 1

TIP ITEM
INTERVIU (proba orala )

TIMP REZOLVARE ITEM

DATA NOTARE
S2-36

94

2 3 4 5 6 NOTA

REZOLVARE TEMA INDIVIDUALA (interviu) TESTE CU ITEMI COMBINATI laborator AEL MINIPROIECT NOTA LABORATOR EVALUARE FINALA PORTOFOLIU .

1 SAPTAMANA

S2-36 S2-36

1-2 SAPTAMANI S2-36 S15-17 S30 -34

1.IN CAZUL IN CARE UNUL DIN ITEMII NR.2 NU ESTE PREDAT LA TERMENUL INDICAT,ELEVUL VA FI PENALIZAT LA NOTARE . 2.LIPSA UNUI ITEM NR 2 SE NOTEAZA CU NOTA 2(DOI) 3.INITIATIVELE PERSONALE ALE ELEVILOR DE TIPUL: a. INREGISTRARI VIDEO CU SUBIECT STIINTIFIC TEHNOLOGIC ,REALIZARE PPT ,etc............. vor fi evaluate ca MINIPROIECT . b .PARTICIPARI LA SESIUNI STIINTIFICE ,OLIMPIADE INTERDISCIPLINARE VOR FI NOTATE CU NOTE 8-10 IN FUNCTIE DE PERFORMANTELE ELEVULUI .

7.OBSERVATII PROFESOR/ ELEV

95