CIA1Curs PDF

e
gic
alo
An
Circuite integrate analogice I.
e
at
Circuite fundamentale
gr
te
In
ite
rcu
Ci
e
gic
Cuprins
alo
1 Tranzistoare MOS si bipolare 3
An
1.1 Tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Generalitati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2 Functionarea tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3 Modelul de semnal mare n regiunea activa normala . . . 7
te
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar n saturatie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
ra
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar n RAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
g
1.1.6 Caracteristica de iesire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.1.7 Caracteristica de transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
te
1.1.8 Modelul de semnal mic si nalta frecventa . . . . . . . . 11

1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
In
1.2.1 Generalitati . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.2 Functionarea tranzistoarelor MOS . . . . . . . . . . . . 14
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS . . . . . 17
ite
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

n saturatie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.5 Polarizarea substratului si efectul latch-up . . . . . . . 22
rcu
1.2.6 Modelul de semnal mic si nalta frecventa . . . . . . . . 23

1.3 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2 Surse de curent 27
Ci
2.1 Sursa simpla de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . . 27

2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor si degenerare rezistiva . . 30
2.3 Sursa de curent cascoda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.4 Sursa de curent cu rezistenta de iesire marita . . . . . . . . . . 35
2.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
ii
3 Oglinzi de curent 39
3.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Oglinzi de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
e
3.2.1 Oglinda simpla de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.2 Oglinda de curent cascoda MOS . . . . . . . . . . . . . 44
gic
3.2.3 Oglinda cascoda MOS de joasa tensiune . . . . . . . . . 46
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS . . . . . 50
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . 53
alo
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . 53
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de . . . . . . . . . . 57
3.3.3 Oglinda de curent bipolara cu degenerare rezistiva . . . . 61
An
3.3.4 Oglinda cascoda bipolara . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.3.5 Oglinda Wilson bipolara . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4 Referinte electronice 70
e
4.1 Referinta simpla cu divizor de tensiune . . . . . . . . . . . . . . 71
at
4.2 Referinta de tensiune cu dioda
bipolara si MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
gr
4.3 Referinta de tensiune cu dioda Zener . . . . . . . . . . . . . . . 77

4.4 Referinta de curent cu oglinda simpla
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
te
4.5 Referinta de curent Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

4.5.1 Referinta Widlar cu tranzistoare MOS . . . . . . . . . . 79
In
4.5.2 Referinta Widlar cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . 81

4.6 Referinta de curent VT h si VBE . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.7 Referinte independente de VDD . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
ite
4.8 Referinte compensate cu temperatura . . . . . . . . . . . . . . 85

4.9 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.10 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
rcu
5 Amplificatoare simple 94
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcina rezistiva . . . . . . . . . . . . 94
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcina dioda . . . . . . . . . . . . . 100
Ci
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcina sursa

de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.4 Amplificatorul inversor cascoda . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.5 Amplificatorul inversor cascoda simetrica . . . . . . . . . . . . . 114
5.6 Amplificatorul inversor cascoda pliata . . . . . . . . . . . . . . . 119
iii
5.7 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
6 Amplificatoare diferentiale 125

6.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
e
6.2 Amplificatorul diferential cu sarcina rezistiva . . . . . . . . . . . 126
gic
6.3 Amplificatorul diferential MOS cu sarcina
oglinda de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
6.4 Amplificatorul diferential cu sarcina surse de curent . . . . . . . 139
alo
6.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
7 Amplificatoare operationale 147

7.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
An
7.2 Amplificatorul operational Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate
neconditionata . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
7.2.2 Viteza de variatie a tensiunii de iesire la AO Miller . . . 157
e
7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferential . . . 159
at
7.2.4 Amplificatorul operational Miller
cu etaj repetor de iesire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului
gr
operational Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162

7.3 Amplificatorul operational cascoda telescop . . . . . . . . . . . 167
te
7.3.1 AO cascoda telescop complet diferential . . . . . . . . . 176

7.4 Amplificatorul operational cascoda pliata . . . . . . . . . . . . . 177
In
7.4.1 AO cascoda pliata complet diferential . . . . . . . . . . 185

7.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
ite
rcu
Ci
iv
e
gic
Prefata
alo
Materialul prezentat n aceasta carte se adreseaza studentilor de la facultatile
de Electronica si Telecomunicatii, care urmeaza cursurile de Circuite Inte-
An
grate Analogice, inginerilor cu aceasta specialitate si tuturor celor interesati
de proiectarea analogica. Cartea este structurata pe sapte capitole, fiecare
abordand o categorie de circuite sau principii, utilizate n proiectarea cir-
cuitelor analogice integrate.
te
In capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare si tranzistoarele MOS.
ra
Pentru fiecare dispozitiv sunt discutate structura fizica, probleme de pola-
rizare, modelul de semnal mare si ecuatiile de functionare, caracteristicile
eg
de iesire si de transfer, iar n final modelul de semnal mic si parametrii

specifici, atat pentru joasa cat si pentru nalta frecventa.
t
Capitolul 2 si propune studiul catorva implementari electronice ale surselor

In
de curent. Pornind de la structura cea mai simpla si argumentand fiecare

mbunatatire se ajunge la structuri mai performante, utilizate n practica.
ite
Capitolul 3 se ocupa de oglinzile de curent MOS si bipolare. Accentul este

pus pe comportamentul de curent continuu si caracteristicile de semnal mic
ale circuitelor. Fiecare oglinda este caracterizata prin parametrii ei speci-
rcu
fici, astfel fiind posibila comparatia ntre diferitele implementari la nivel de

tranzistor.
In capitolul 4 sunt introduse cateva tipuri de referinte de tensiune si de

Ci
curent. Pentru fiecare referinta sunt date expresia senzitivitatii marimii de

iesire cu tensiunea de alimentare si a coeficientului de temperatura. Tot
n aceasta sectiune este explicata o metoda prin care se elimina dependenta
de tensiunea de alimentare a marimii generate. In final, sunt prezentate
referintele de tip banda interzisa, imune la variatiile cu temperatura.
Capitolul 5 se refera la principalele configuratii de amplificatoare simple,
iar capitolul 6 la amplificatoarele diferentiale. Aceste circuite stau la baza
e
oricarei structuri mai complicate ale unui amplificator operational complet.
Caracteristicile specifice fiecarui etaj de amplificare, discutate n acest pa-
gic
ragraf, sunt punctul static de functionare, domeniul de variatie al tensiunii
de iesire, modelul de semnal mic si comportamentul n frecventa.
alo
Ultimul capitol vizeaza studiul unei categorii speciale de circuite analogice, si
anume cel al amplificatoarelor operationale. In acest context, sunt discutate
AO avand compensare de tip Miller, AO cascoda telescop si AO cascoda
An
pliata. In cazul fiecaruia sunt evidentiate avantajele, limitarile si domeniul
de frecvente n care se utilizeaza n practica. Cele trei structuri de AO sunt
nsotite de metoda completa de proiectare pentru specificatii impuse.
Lucrarea ofera, pe langa prezentarea si analiza concreta a unor circuite, o

e
vedere de ansamblu aspura metodelor de analiza specifice circuitelor analo-
at
gice. Aceste metode permit cititorului sa adapteze algoritmii propusi altor
categorii de circuite, care nu sunt discutate n aceasta carte.
gr
te
Aprilie, 2007 Autoarea

In
ite
rcu
Ci
e
gic
Capitolul 1
alo
Tranzistoare MOS si bipolare
An
Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate.
Ele pot fi de mai multe tipuri n functie de pasii utilizati n procesul de fabricatie.
e
Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare si MOS cu canal indus.
at
1.1 Tranzistoare bipolare
gr
1.1.1 Generalitati
te
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale daca se

considera si conexiunea de substrat) comandate n curent. Simbolurile tipice
utilizate sunt date n Figura 1.1.
In
C E
ite
B B
rcu
E C
NPN PNP
Ci
Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare
In procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structura fizica ver-

ticala, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regula ca dispozitive
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE
laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentata n Figura 1.2 (vedere
de sus si sectiune).
e
gic
conexiuni metalice p+
n+
alo
n+ p+ n+
An
n-
n-
p-
e
SiO2
at
p+ n+
gr
n+
p+ p+
n-
te
n+ buried
p-
In
Figura 1.2: Structura fizica a unui tranzistor NPN

ite
Colectorul este realizat ca un strat ngropat (eng. n+ buried), contactul

acestuia fiind accesibil printr-o portiune verticala de tip n+ (dopata puternic cu
rcu
atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ngropat de dimensiuni mai mari

permite captarea optima a purtatorilor. Tranzistorul este izolat de dispozitivele
adiacente prin structuri p+.
Ci
1.1.2 Functionarea tranzistorului bipolar

Functionarea tranzistorului bipolar este determinata de cele doua jonctiuni pn
din structura, fiind similara pentru tranzistoarele NPN si PNP. Din acest motiv
se va discuta pe larg numai functionarea variantei NPN.
4 Doris Csipkes
Tranzistorul nepolarizat
Figura 1.3 prezinta distributia purtatorilor de sarcina ntr-un tranzistor NPN ale
e
carui terminale sunt conectate la masa.
gic
n p n
+ +
alo
+ +
+ +
+ +
An
+ +
+ +
E B e C
Figura 1.3: Electronii si golurile ntr-un tranzistor NPN nepolarizat

at
La limita dintre regiunile n si p electronii se recombina cu golurile astfel ncat
gr
fasiile adiacente jonctiunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul

este n echilibru energetic, curentul de conductie fiind zero.
te
Tranzistorul corect polarizat

In
Figura 1.4 arata distributia purtatorilor de sarcina ntr-un tranzistor NPN corect
polarizat.
ite
Polarizarea corecta nseamna:
- polarizarea directa a jonctiunii baza-emitor (VBE > 0);

rcu
- polarizarea inversa a jonctiunii baza-colector (VBC < 0);

Ci
O tensiune pozitiva aplicata ntre baza si emitor reduce latimea regiunii de

golire prin compensarea potentialului intrinsec datorat recombinarii purtatorilor.
Cand tensiunea externa egaleaza efectul potentialului intrinsec, dioda baza-
emitor intra n conductie, iar emitorul injecteaza electroni mobili n regiu-
nea bazei.
Doris Csipkes 5
E(n) B(p) C(n)

+
+ + +
+
+ + +
e
+
+ + +
gic
+
+ + +
+
+ + +
+
+ + +
alo
_ V + _ V +
BE BC
Figura 1.4: Electronii si golurile ntr-un tranzistor NPN corect polarizat
An
O tensiune negativa aplicata ntre baza si colector mareste latimea regiu-
nii de golire si n acelasi timp potentialul pozitiv al colectorului accelereaza
electronii liberi injectati n zona bazei de catre emitor. Electronii accelerati
e
urmeaza sa fie captati de colector. Astfel se formeaza un curent de conductie
at
ntre colector si emitor. Mecanismul de conductie este prezentat n Figura
1.5.
gr
E(n) B(p) C(n) C

te
B
In
_ V + _ V + E
ite
BE BC
Figura 1.5: Mecanismul de conductie a tranzistorului NPN

rcu
Observatie: sensul sagetilor reprezinta directia de deplasare a electronilor.

Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtatorilor. Drept
Ci
urmare, n tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens

sugerat de sageata de pe simbolul dispozitivului).
Electronii liberi din regiunea bazei sunt n numar mult mai mic decat golurile.
Din acest motiv ei se numesc purtatori minoritari.
6 Doris Csipkes
Dintre electronii injectati n baza de catre emitor majoritatea ajung sa fie

captati de colector. Un numar mic de electroni se pierd n baza datorita
potentialului pozitiv al bazei fata de emitor. Astfel, apare un curent n baza.
e
Valoarea tipica a curentului de baza este de aproximativ 1% din valoarea
curentului de colector.
gic
1.1.3 Modelul de semnal mare n regiunea activa normala
alo
Modelul de semnal mare descrie functionarea dispozitivului, dependenta din-
tre tensiunile aplicate celor doua jonctiuni si curentii generati. Ecuatiile de
functionare se deduc din concentratiile de purtatori n diferite regiuni si para-
metrii geometrici ai jonctiunilor. Curentul de colector se scrie n functie de ten-
An
siunea baza-emitor ca n ecuatia (1.1). Se observa dependenta exponentiala.
vBE
iC = IS e eVT
(1.1)
In aceasta ecuatie VT = kT /q este tensiunea termica, iar IS este curentul de

at
saturatie.
gr
Modelul de semnal mare este prezentat n Figura 1.6.

te
B C
iB iC
In
vBE vCE
ite
E E
rcu
Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Jonctiunea baza-emitor se modeleaza cu o dioda. Jonctiunea colector-emitor

Ci
se modeleaza cu o sursa de curent comandata n curent a carei factor de

transfer este castigul de curent al tranzistorului.
In ecuatia (1.1) si modelul de semnal mare nu s-a tinut cont de modulatia latimii
bazei cu variatia regiunii de golire baza-colector. Cu cat tensiunea negativa VBC
Doris Csipkes 7
este mai mare, cu atat regiunea de golire este mai lata, iar latimea bazei scade.
Acest fenomen se numeste efect Early. Ecuatia (1.1) se poate rescrie pentru
a considera si efectul Early. Factorul de corectie este invers proportional cu
e
tensiunea Early VEA si direct proportional cu tensiunea colector-emitor.
gic
vBE

vCE
iC = IS e VT
1+ (1.2)
VEA
alo
Observatie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variatia relativa a
latimii bazei cu tensiunea colector-emitor.
An
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar n saturatie
e
In regim saturat ambele jonctiuni sunt polarizate direct. Astfel, atat emito-
at
rul cat si colectorul injecteaza sarcini n baza, iar curentul nu se mai conformeaza
ecuatiei iC = iB . Tipic, curentul de baza creste, conditia de saturatie fiind
gr
iC iB (1.3)
te
In practica, pentru a evita saturatia nedorita a tranzistoarelor bipolare, punctul

In
static de functionare se alege astfel ncat VBE < VCE .
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului

ite
bipolar n RAN
Modelul de semnal mic se obtine din modelul de semnal mare considerand
rcu
variatii infinitezimale ale tensiunilor si curentilor n jurul punctului static de

functionare ales.
Ci
Observatie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datorita

faptului ca variatiile de semnal sunt infinitezimale n jurul punctului static
de functionare.
Modelul de semnal mic este dat n Figura 1.7.
8 Doris Csipkes
B C
iB iC
vBE rBE gmvBE rCE vCE
e
gic
E E
Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar n RAN
alo
Parametrii de semnal mic sunt rezistenta baza-emitor (rBE ), rezistenta
colector-emitor (rCE ) si transconductanta de semnal mic (gm ).
An
Rezistenta colector-emitor
e
Definitie: rezistenta colector emitor se defineste ca variatia tensiunii
at
colector-emitor cauzata de variatia infinitezimala a curentului de colec-
tor.
gr
Expresia rezistentei colector-emitor este:

te
vCE 1 1 VEA
rCE = = = vBE = (1.4)
iC iC IS iC
In
e VT
vCE VEA
Ordinul tipic de marime al rezistentei colector-emitor este de sute de k.

ite
Transconductanta de semnal mic

rcu
Definitie: transconductanta de semnal mic se defineste ca variatia curen-

tului de colector cauzata de o variatie infinitezimala a tensiunii baza-
emitor.
Ci
Expresia transconductantei de semnal mic este:
vBE

iC vCE 1 iC
gm = = IS e VT 1 + = (1.5)
vBE VT VT VT
Doris Csipkes 9
Ordinul tipic de marime a transconductantei este de mS.
Rezistenta baza-emitor
e
gic
Definitie: rezistenta baza-emitor se defineste ca variatia tensiunii baza-
emitor cauzata de variatia infinitezimala a curentului de baza.
alo
Expresia rezistentei baza-emitor este:
vBE 1 1
rBE = = = = (1.6)
An
iB iB 1 iC gm

vBE vBE
Ordinul tipic de marime a rezistentei baza-emitor este de sute de k.

e
1.1.6 Caracteristica de iesire
at
Caracteristica de iesire, data n Figura 1.8, descrie dependenta dintre tensiu-
nea colector-emitor si curentul de colector. Caracteristica de iesire este o
gr
familie de curbe corespunzatoare diferitelor valori ale tensiunii VBE . Panta

caracteristicii n RAN este conductanta colector-emitor (1/rCE ).
te
iC
In
SAT RAN
ite
iC_PSF i C
v CE vBE
rcu
Ci
VEA 0 vCE_PSF vCE

Figura 1.8: Caracteristica de iesire a tranzistorului NPN
10 Doris Csipkes
1.1.7 Caracteristica de transfer

Caracteristica de transfer descrie dependenta curentului de colector de ten-
siunea baza-emitor. Aceasta dependenta, prezentata n Figura 1.9, este o
e
exponentiala rapid crescatoare. Panta caracteristicii, masurata n jurul punc-
gic
tului static de functionare, reprezinta transconductanta de semnal mic (gm ).
iC
alo
An
iC_PSF i C
v BE
e
at
0 vBE_PSF vBE
gr
Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN

te
In
1.1.8 Modelul de semnal mic si nalta frecventa

ite
Modelul de semnal mic si nalta frecventa caracterizeaza comportamentul n

frecventa al tranzistorului. Dependenta de frecventa a parametrilor este data
de capacitatile parazite ale dispozitivului. Modelul este prezentat n Figura
rcu
1.10.
In acest model rB , rC si rE sunt rezistentele echivalente ale terminale-

lor, iar CBE , CBC si CCS sunt capacitatile asociate cu jonctiunile baza-
Ci
emitor, baza-colector si colector-substrat. Toate capacitatile parazite sunt de

tip jonctiune (eng. depletion). Ele se datoreaza regiunilor de golire (aces-
tea actioneaza ca izolatoare fara sarcini mobile) dintre regiunile p si n din
structura dispozitivului.
Doris Csipkes 11
B rB iB CBC iC rC C
CBE rBE gmvBE rCE CCS
e
gic
Substrat
rE
alo
E
An
Figura 1.10: Modelul de semnal mic si nalta frecventa al tranzistorului
bipolar
Expresia tipica a unei capacitati de golire depinde de tensiunea aplicata

e
jonctiunii, de potentialul intrinsec al jonctiunii nepolarizate precum si de
at
concentratia purtatorilor din regiunile p si n. De exemplu, capacitatea baza-
colector se scrie:
gr
CBC0
CBC = r (1.7)
te
VBC
1
intrinsecBC
In
Capacitatea baza-emitor mai are o componenta datorata tensiunii create de

difuzia sarcinilor din emitor spre baza. Aceasta componenta depinde de
latimea bazei, de constanta de difuzie a electronilor n siliciu si de transconduc-
ite
tanta de semnal mic a tranzistorului.

rcu
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus

1.2.1 Generalitati
Ci
Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale, comandate n tensiune.

Simbolurile tipice sunt prezentate n Figura 1.11.
Structura tranzistoarelor MOS cu canal n si canal p este data n Figura 1.12.

Acest exemplu de structura este valid numai pentru un proces de fabricatie
12 Doris Csipkes
de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat. Din figura trebuie remarcata
si semnificatia parametrilor geometrici W si L ai tranzistorului. Dispozitivele
individuale sunt izolate unul de celalalt prin implanturi speciale de izolator.
e
gic
D S
sau
G B G B
alo
S D
An
NMOS PMOS NMOS PMOS
Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS

e
at
L L
polisiliciu
gr
W W
G G
B S D S D B
te
ISO n+ ISO p+ p+ ISO n+ n+ ISO p+ ISO

SiO2 SiO2
In
n-well
substrat p-
PMOS NMOS
ite
Figura 1.12: Sectiunea tranzistoarelor MOS

rcu
Ci
Observatie: din Figura 1.12 se observa ca tranzistorul PMOS este plasat

ntr-o regiune speciala (n-well) menita sa elimine un scurt circuit ntre drena
si sursa prin substrat. Ca regula generala, tranzistoarele cu canalul de acelasi
tip cu substratul sunt pozitionate ntotdeauna pe o regiune implantata cu
dopant complementar.
Doris Csipkes 13
1.2.2 Functionarea tranzistoarelor MOS

Functionarea tranzistoarelor MOS este determinata de structura fizica a dispo-
zitivelor. Deoarece functionarea tranzistoarelor PMOS este similara cu a celor
e
NMOS (daca toate tensiunile se considera n modul) n continuare se discuta
gic
numai tranzistorul cu canal n.
Sectiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentata n Figura 1.13.
alo
An
G
S D
n+ n+
e
regiuni de golire
at
substrat p-
gr
Figura 1.13: Sectiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat

te
La jonctiunea dintre materialele de tip n (drena sau sursa) si p (substrat) se

formeaza regiuni de golire a caror latime depinde de concentratia de atomi
In
donori si acceptori.
Regiunea de sub grila ramane de tip p , iar curentul prin dispozitiv este zero.
ite
Daca grila este polarizata cu un potential pozitiv fata de sursa, atunci elec-
tronii minoritari din substratul p vor fi atrasi spre grila. Atat timp cat
rcu
tensiunea VGS este mai mica decat o tensiune de prag VT h , recombinarea aces-
tor electroni cu golurile din regiunea imediat adiacenta oxidului de grila duce la
extinderea regiunilor de golire dintre drena, sursa si substrat. Procesul este
ilustrat n Figura 1.14.
Ci
Daca tensiunea grila-sursa depaseste tensiunea de prag, concentratia de

electroni sub grila duce la aparitia temporara a unei regiuni de inversie (numita
n continuare canal). Canalul se mentine atata timp cat VGS > VT h (Figura
1.15).
14 Doris Csipkes
VGS<VTh
G
S D
e
n+ n+
gic
alo
e e
e e
e e substrat p-
An
Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grila
e
at
VGS>VTh
gr
G
S D
te
n+ n+
In
canal
substrat p-
ite
Figura 1.15: Formarea canalului pentru VGS > VT h

rcu
Ci
Observatie: spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici conductia se da-

toreaza purtatorilor majoritari (regiune complet inversata). Deasemenea,
este important de remarcat ca dispozitivul are o structura perfect simetrica.
Drept urmare, din punct de vedere teoretic, este indiferent care terminal se
considera drena si care sursa.
Doris Csipkes 15
Functionarea n regim liniar
Canalul odata format, este necesara aplicarea unei tensiuni ntre drena si
e
sursa pentru a accelera electronii si a aduce tranzistorul n conductie. Odata
cu cresterea tensiunii VDS (presupunem VDS > 0) jonctiunea substrat-drena
gic
este invers polarizata, iar regiunea de golire din jurul drenei se largeste
cauzand o ngustare a canalului de partea drenei. Fenomenul este prezentat
n Figura 1.16.
alo
VGS>VTh 0<VDS<VDSsat
An
G
S D
n+ n+
e
at
canal ngustat
gr
substrat p-
te
Figura 1.16: Ingustarea canalului datorita tensiunii VDS

In
In regim liniar (eng. triode sau weak inversion) canalul formeaza un

contact ohmic ntre drena si sursa. Astfel tranzistorul se va comporta ca o
rezistenta a carei valoare este controlata de tensiunea VGS . Conditia de
ite
functionare n regim liniar este ca 0 < VDS < VDSsat .

rcu
Functionarea n regim saturat
In regim saturat tensiunea VDS depaseste tensiunea VDSsat . Regiunea de

golire din jurul drenei se largeste mai mult decat adancimea canalului. Astfel
Ci
contactul ohmic al drenei cu canalul dispare, fiind nlocuit de o regiune de golire

numita regiune de pinch-off ca n Figura 1.17.
Datorita pierderii contactului ohmic ntre drena si sursa curentul prin dispozitiv
nu mai depinde de tensiunea drena-sursa, ci numai de concentratia de
16 Doris Csipkes
sarcini din sursa-canal, adica de VGS . Electronii accelerati de VDS trec de

bariera de potential fiind apoi eliminati din dispozitiv prin terminalul drenei.
e
VGS>VTh
gic
VDS>VDSsat
G
S D
alo
n+ n+
An
regiune "pinch-off"
substrat p-
Figura 1.17: Regiunea de golire elimina contactul ohmic al drenei cu ca-
e
nalul
at
Regimurile de functionare se pot da conform Tabelului 1.1 in functie de tensiu-
nile aplicate la terminale.
gr
Regiune VGS VDS Canal

te
blocare < VT h nu conteaza nu

liniar > VT h 0 < VDS < VDSsat da
In
saturat > VT h > VDSsat da, pinch-off
Tabelul 1.1: Regimurile de functionare ale tranzistoarelor MOS

ite
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS

rcu
Ecuatiile specifice modelului de semnal mare se obtin calculand gradientul de

variatie a sarcinii n canal n diferite regimuri de functionare. Cea mai generala
ecuatie a curentului de drena se obtine pentru polarizarea n regim liniar. Aici
Ci
tranzistorul se comporta ca o rezistenta controlata n tensiune.
2
VDS
Cox W
ID = (VGS VT h ) VDS , 0 < VDS < VDSsat (1.8)
L 2
Doris Csipkes 17
Marimile din aceasta ecuatie au urmatoarele semnificatii:
- - mobilitatea purtatorilor de sarcina (electroni sau goluri);
e
- Cox - capacitatea specifica a oxidului de sub grila;
gic
- W/L - raportul latime/lungime al canalului.
Se observa ca variatia curentului cu tensiunea drena-sursa este parabolica.
alo
Acest lucru nseamna ca valoarea curentului prin tranzistor va creste patratic
cu VDS pana la o valoare maxima, dupa care ar avea o tendinta de scadere.
Intuitiv, curentul va creste conform ecuatiei (1.8) atata timp cat contactul
ohmic dintre drena si canal persista, adica pana la aparitia regiunii pinch-off.
An
Observatie: valoarea maxima a curentului n regim liniar pentru un VGS
dat se determina calculand derivata curentului n functie de VDS si apoi
e
egaland derivata cu zero (metoda clasica de calcul ale punctelor de infle-
at
xiune).
gr
Prin calcule se demonstreaza ca valoarea curentului maxim se obtine pentru

te
VDS = VGS VT h = VDSsat (1.9)

In
Aceasta ecuatie arata ca regiunea pinch-off apare daca VDS depaseste dife-
renta dintre tensiunea grila-sursa si tensiunea de prag. Astfel, (VGS VT h )
se identifica cu VDSsat . Aceasta tensiune este adesea numita si tensiune de
overdrive (notata n continuare cu Vod ).
ite
Daca VDS > Vod curentul si pastreaza valoarea maxima atinsa n regim
liniar pentru un VGS dat, iar tranzistorul se satureaza. Termenul saturatie se
rcu
refera la faptul ca valoarea curentului este constanta indiferent de VDS . In

consecinta valoarea constanta a curentului se obtine substituind VDS cu Vod n
ecuatia (1.8).
Ci
I = Cox W V 2

D od
2L (1.10)
VDS > VDSsat

18 Doris Csipkes
Aceasta ecuatie presupune ca lungimea canalului se mentine constanta indi-

ferent de VDS . In realitate nsa lungimea regiunii pinch off creste cu
VDS (modulatia regiunilor de golire), iar lungimea efectiva a canalului se
e
micsoreaza. Astfel, curentul de drena va avea o dependenta slaba de VDS .
Expresia curentului de drena trebuie corectata n mod similar ca la tranzistoa-
gic
rele bipolare. Considerand gradientul de variatie a lungimii canalului cu VDS se
introduce coeficientul de variatie a lungimii canalului .
alo
Cox W 2
ID = Vod (1 + VDS ) (1.11)
2L
An
Figura 1.18 arata variatia curentului de drena cu VDS pentru regimul liniar si
cel saturat (caracteristica de iesire a dispozitivului).
ID
e
Liniar Saturaie
at
VGS
gr
te
In
0
VDS
ite
Figura 1.18: Variatia curentului de drena cu VDS

rcu
Observatie: curentul de drena variaza cu tensiunea substrat-sursa, chiar

Ci
daca VGS este o valoare constanta. Acest lucru se datoreaza variatiei ten-
siunii de prag VT h cu VBS conform ecuatiei (1.12).
q q
VT h (VBS ) = VT h0 + 2 |f | + |VBS | 2 |f | (1.12)
Doris Csipkes 19
Marimile au urmatoarele semnificatii:
- - parametrul de prag al substratului;
e
- VT h0 - tensiunea de prag a tranzistorului pentru VBS = 0;
gic
- f - potentialul intrinsec al jonctiunii sursa-substrat.
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS
alo
n saturatie
Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzisto-
An
rului bipolar polarizat n RAN. O diferenta este rezistenta grila-sursa infinita,
datorata izolatorului de sub grila. O alta diferenta este contributia jonctiunii
substrat-sursa la fenomenul de conductie. Modelul este prezentat n Figura
1.19. e
G D
at
iD
gr
vGS gmbvBS gmvGS rDS vDS

te
S S
In
Figura 1.19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat

ite
Parametrii de semnal mic sunt transconductanta (gm ), transconductanta

sursa-substrat (gmb ) si rezistenta drena-sursa (rDS ).
rcu
Transconductanta de semnal mic

Ci
Definitie: transconductanta este variatia curentului de drena cauzata de

o variatie infinitezimala a tensiunii grila-sursa n jurul punctului static de
functionare.
Expresia transconductantei se scrie:
20 Doris Csipkes
r
iD Cox W 2iD 2Cox W iD
gm = = vod (1 + vDS ) = = (1.13)
vGS L vod L
e
Valoarea tipica a transconductantei este de sute de S, de 3-4 ori mai mica
gic
decat a tranzistoarelor bipolare la acelasi curent.
Transconductanta sursa-substrat
alo
Definitie: transconductanta sursa-substrat se defineste ca variatia curen-
tului de drena cauzata de o variatie infinitezimala a tensiunii substrat-
An
sursa.
Expresia transconductantei sursa-substrat este:

e
iD iD VT h VT h
at
gmb = = = gm = gm p (1.14)
vBS VT h vBS vBS 2 |vBS | + 2 |f |
gr
Datorita factorului , tensiunii substrat-sursa si potentialului intrinsec, valoarea

tipica a transconductantei sursa-substrat este cu un ordin de marime mai
te
mica decat cea a transconductantei de semnal mic.
Rezistenta drena-sursa
In
Definitie: rezistenta drena-sursa se defineste ca variatia tensiunii drena-

ite
sursa cauzata de variatia infinitezimala a curentului de drena n jurul

punctului static de functionare.
rcu
Expresia rezistentei drena-sursa se calculeaza ca n ecuatia (1.15):

vDS 1 = 1 + vDS 1
Ci

rDS = = = (1.15)
iD sat
iD iD iD
vDS sat
Valoarea tipica a rezistentei drena-sursa este de sute de k, dar tinde sa fie

mai redusa decat rezistenta colector-emitor a tranzistorului bipolar.
Doris Csipkes 21
1.2.5 Polarizarea substratului si efectul latch-up

Regiunile dopate ale doua tranzistoare adiacente, unul NMOS si celalalt
PMOS, formeaza elementele parazite Rn , Rp , Q1 si Q2 din Figura 1.20.
e
gic
Gp Gn
alo
Bp Sp Dp Sn Dn Bn
ISO n+ ISO p+ p+ ISO n+ n+ ISO p+ ISO
Q2
An
Rn Q1 Rp
n-well
PMOS NMOS substrat p-
e
Figura 1.20: Elementele parazite ale structurii complementare
at
Tranzistorul PNP Q1 are terminalele conectate dupa cum urmeaza: baza la Bp ,
gr
emitorul la Sp si colectorul la Bn . In mod similar, Q2 , de tip NPN, are baza

conectata la Bn , emitorul la Sn si colectorul la Bp . Structura echivalenta cu
te
conexiuni este data n Figura 1.21.
Rezistentele mpreuna cu tranzistoarele bipolare PNP si NPN sunt conectate

In
ntr-o structura de reactie pozitiva. O perturbatie aplicata la una din bazele

tranzistoarelor poate aduce structura n conductie. In acest caz circuitul ajunge
rapid la echilibru, pastrand starea de conductie pana cand tensiunea dintre
ite
nodurile Sp si Sn este redusa la zero. Acest fenomen se numeste agatare

sau latch-up.
rcu
Pentru a evita agatarea elementelor parazite n starea de conductie se impune

blocarea explicita a tranzistoarelor bipolare parazite. Pentru aceasta trebuie sa
asiguram o tensiune de baza corespunzatoare ambelor tranzistoare. Un tran-
Ci
zistor bipolar NPN este blocat daca potentialul bazei este mai mic sau egal cu
potentialul emitorului. Drept urmare, nodul Bn se conecteaza n totdeauna
la cel mai mic potential din circuit (alimentarea negativa). Un rationament
asemanator duce la concluzia ca nodul Bp trebuie conectat la cel mai nalt
potential din circuit (alimentarea pozitiva).
22 Doris Csipkes
Bp
Rn Q2
e
Sn
reactie
gic
pozitiva Rp
Sp Q1
alo
Bn
Figura 1.21: Structura parazita echivalenta a tranzistoarelor complemen-
An
tare adiacente
1.2.6 Modelul de semnal mic si nalta frecventa

e
Modelul de semnal mic si nalta frecventa cuprinde capacitatile parazite si
rezistentele echivalente ale terminalelor. Dintre aceste elemente cele mai
at
importante sunt capacitatile parazite introduse de structura fizica a tranzis-
toarelor. Figura 1.22 arata distributia capacitatilor parazite.
gr
- COLS , COLD - capacitati formate din suprapunerea unei portiuni din

contactul grilei cu regiunea sursei si a drenei (eng. overlap capacitan-
te
ces);
In
- CjBS , CjBD , CjCh - capacitati de tip golire/jonctiune (eng. deple-

tion/junction capacitances) formate de contactul dintre doua regiuni
adiacente dopate complementar;
ite
- CCh - capacitatea canalului care are o natura similara cu capacitatile

de suprapunere.
rcu
Capacitati de jonctiune
Ci
Expresia capacitatilor de jonctiune este similara cu cea din ecuatia (1.7).
CBS0 CBD0
CjBS = r ; CjBD = r (1.16)
VBS VBD
1 1
0BS 0BD
Doris Csipkes 23
S COLS CCh COLD D
e
gic
CjBCh
CjBS CjBD
L
alo
LOL LOL B
An
Figura 1.22: Capacitatile parazite specifice structurii NMOS
Capacitati de suprapunere
e
at
Aceste capacitati sunt de tip planar. Prin urmare, expresia lor se scrie ca un
produs ntre o capacitate specifica (acelasi Cox ca n expresia curentului) si
gr
aria de suprapunere a grilei cu sursa, respectiv cu drena.

te
COLS = COLD
= W LOL Cox = CGS0 LOL = CGD0 LOL (1.17)
In
In ecuatia de mai sus s-a considerat ca regiunile de suprapunere a grilei cu drena

si cu sursa au aceeasi arie.
ite
Capacitatea canalului
Capacitatea canalului este tot o capacitate planara, formata prin suprapunerea

rcu
grilei cu canalul. Drept urmare, expresia sa este similara cu cea din ecuatia
(1.17).
CCh = W (L 2LOL ) Cox (1.18)

Ci
Fiecare dintre aceste capacitati contribuie la capacitatile parazite totale dintre

terminale, n functie de regimul de functionare al tranzistorului. Tabelul
1.2 arata contributia fiecarei capacitati n diferitele regimuri de functionare.
Lungimea efectiva a canalului se defineste ca fiind Lef = L LOL .
24 Doris Csipkes
Blocare Liniar Saturatie
CGD W LOL Cox W LOL Cox + W LOL Cox

1
e
+ W Lef Cox
2
gic
CGS W LOL Cox W LOL Cox + W LOL Cox +
1 2
+ W Lef Cox + W Lef Cox
2 3
alo
CGB CGB0 + CGB0 CGB0
+W Lef Cox
An
1 2
CSB CjSB CjSB + CjBCh CjSB + CjBCh
2 3
1
CDB CjDB CjDB + CjBCh CjDB
2
e
at
Tabelul 1.2: Contributia capacitatilor parazite n diferite regimuri de
gr
functionare
te
1.3 Sumar
In
In aceasta sectiune s-au studiat tranzistoarele bipolare si tranzistoarele MOS.

Pentru fiecare dispozitiv au fost discutate urmatoarele aspecte:
ite
structura fizica simplificata;

rcu
probleme de polarizare generale ( aditional efectul latch-up la MOS);
modelul de semnal mare si ecuatiile de functionare;
caracteristicile de iesire si de transfer;

Ci
modelul de semnal mic si parametrii specifici;
modelul de semnal mic si nalta frecventa;
capacitatile parazite.
Doris Csipkes 25
Bibliografie
e
1. Lelia Festila - Circuite integrate analogice I, Casa Cartii de Stiinta, 1997;
gic
2. Lelia Festila - Circuite integrate analogice II, Casa Cartii de Stiinta, 1999;
3. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
alo
simulation exercises, UTPres, 2004;
4. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
An
Press, 1987
5. B. VanZeghbroeck - Principles of Semiconductor Devices, online book

2004, http://ece-www.colorado.edu/ bart/book/.
e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci
26 Doris Csipkes
e
gic
Capitolul 2
alo
Surse de curent
An
Sursele de curent joaca un rol important n polarizarea circuitelor electronice.
In mod ideal ele furnizeaza un curent independent de tensiunea de la borne.
e
Parametrii specifici implementarii electronice:
at
- rezistenta de iesire - trebuie sa fie cat mai mare pentru a se apropia de
gr
sursele de curent ideale;
- tensiunea minima la iesire - trebuie sa fie cat mai mica pentru a permite
te
functionarea la tensiuni de alimentare joase.

In
2.1 Sursa simpla de curent cu un singur tranzistor

Figura 2.1 prezinta sursa de curent cu un tranzistor n varianta MOS si bipolara.
ite
Tensiunile de comanda sunt aplicate n grila, respectiv n baza tranzistoarelor.

rcu
Iout Iout Iout

M1 Q1
Ci
VG VB
Figura 2.1: Sursa de curent simpla cu un tranzistor

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Observatie: orice tranzistor poate fi considerat sursa de curent contro-

lata n tensiune daca este polarizat n regiunea activa normala (bipolar)
sau n regim saturat (MOS).
e
gic
Datorita raspandirii pe scara mai larga a tehnologiilor CMOS si BiCMOS, n
aceasta sectiune se vor discuta numai sursele de curent n varianta MOS.
alo
Ecuatia (2.1) defineste conditia de saturatie pentru un tranzistor MOS.
VDS Vod VDSmin = Vod (2.1)
An
Aceasta ecuatie defineste implicit si tensiunea minima admisa la iesire si
anume Voutm in = VDSmin . e
Caracteristica de iesire a sursei simple de curent este data n Figura 2.2.
at
Iout
gr
150uA
te
real PSF
100uA
In
ideal
ite
50uA
rcu
Vout_min
0A Vout
0V 0. 5V 1. 0V 1. 5V 2. 0V
I D( M1)
Ci
V_V1
Figura 2.2: Caracteristica de iesire a sursei de curent cu un tranzistor
Din figura se observa ca valoarea curentului depinde slab de tensiunea de

iesire. Acest lucru conduce la ideea ca sursa implementata de tranzistor nu
28 Doris Csipkes
este ideala, ci are rezistenta de iesire finita. Valoarea lui Rout se poate
determina masurand panta caracteristicii n regim saturat n jurul PSF.
e
Se poate demonstra ca rezistenta de iesire este egala cu rezistenta drena-sursa a
tranzistorului. Pentru demonstratie se considera modelul echivalent de semnal
gic
mic al tranzistorului din Figura 2.3.
alo
Iout
gmVGS gmbVBS rDS
An
Vout
e
at
Figura 2.3: Schema echivalenta de semnal mic a sursei de curent cu un
tranzistor
gr
Rezistenta de iesire se scrie:

te
Vout (Iout gm VGS gmb VBS ) rDS

Rout = = (2.2)
In
Iout Iout
La constructia modelului echivalent de semnal mic se pasivizeaza toate sursele

ite
constante din circuit. Astfel toate sursele de curent devin ntrerupere, iar toate
sursele de tensiune devin scurt circuit la masa. Din acest motiv atat VGS cat
si VBS sunt egale cu zero. Rezistenta de iesire devine:
rcu
Vout
Rout = = rDS (2.3)
Iout
Ci
Ordinul tipic de marime al rezistentei drena-sursa a fost precizat la sectiunea

de tranzistoare MOS, aceasta fiind de o suta de k. Acest lucru nseamna
ca o variatie de tensiune de 1V la bornele sursei (VDS ) va produce o variatie
de 10A. De multe ori aceasta variatie este considerata prea mare. Astfel este
necesara gasirea unei metode de a mari rezistenta de iesire a sursei.
Doris Csipkes 29
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor si de-

generare rezistiva
e
O metoda de a mari rezistenta de iesire a sursei simple cu un tranzistor este
conectarea ntre terminalul sursei si masa a unei rezistente ca n Figura 2.4.
gic
Iout
alo
Iout
M1 gmVGS gmbVBS rDS
VG
An
VB
Iout Vout
R
e R
at
gr
Figura 2.4: Schema si modelul de semnal mic al sursei degenerate rezistiv

te
Rezistenta de iesire se calculeaza n mod similar ca pentru sursa fara degene-

In
rare.
Vout (Iout gm VGS gmb VBS ) rDS + Iout R

Rout = = (2.4)
Iout Iout
ite
Observatie: De aceasta data, desi grila si terminalul de substrat ale tranzis-

rcu
torului sunt conectate la masa n modelul de semnal mic, terminalul sursei

este un nod flotant. Din acest motiv tensiunile VGS si VBS sunt diferite de
zero si pot fi exprimate ca diferente de potential.
Ci

VGS = VG VS = VS = Iout R
(2.5)
VBS = VB VS = VS = Iout R
30 Doris Csipkes
Din ecuatiile (2.4) si (2.5) rezulta:
Rout = rDS + R + (gm + gmb ) rDS R (2.6)
e
Deoarece gmb este tipic cu un ordin de marime mai mic decat gm , rezistenta de
gic
iesire se aproximeaza:
alo
Rout
= rDS + R + gm rDS R
= gm rDS R (2.7)
In afara de modul de calcul al rezistentei de iesire bazat pe schema de semnal
An
mic, mai exista un mod intuitiv de abordare a problemei care duce la acelasi
rezultat aproximativ (ca n ecuatia (2.7)).
Aceasta metoda de analiza se bazeaza pe identificarea unei reactii negative de

tip serie-serie care mareste rezistenta de iesire a amplificatorului de pe calea
e
directa de semnal cu un factor egal cu castigul buclei.
at
Din analiza sursei de curent se observa ca marimea de iesire este chiar curentul
gr
Iout . Marimea de intrare este considerata potentialul de comanda din grila

tranzistorului. Astfel amplificatorul de pe calea directa de semnal este de tip
transconductanta, castigul acestuia fiind egal cu transconductanta de semnal
te
mic a tranzistorului. Curentul de iesire este masurat n serie si transformat n

tensiune cu un factor de reactie egal cu R. Din schema mai rezulta ca aceasta
In
cadere de tensiune pe R se scade din tensiunea de intrare, astfel bucla de reactie

negativa fiind nchisa.
ite
rDS
VGS gm
rcu
VG Iout Rout
VR
Ci
Figura 2.5: Bucla de reactie negativa serie-serie
Doris Csipkes 31
Observatie: reactia este serie-serie deoarece la intrare tensiunile se

nsumeaza serie, iar la iesire curentul se masoara tot serie.
e
Rezistenta de iesire a amplificatorului transconductanta de pe calea directa
gic
este rezistenta rDS a tranzistorului, dupa cum s-a aratat la sursa simpla fara
degenerare. Reactia negativa mareste rezistenta de iesire n bucla nchisa cu
un factor egal cu castigul buclei, adica cu gm R. Astfel se ajunge la aceeasi
alo
aproximare a rezistentei de iesire ca n ecuatia (2.7).
Tensiunea minima admisa la iesire necesara tranzistorului pentru a functiona n

regim saturat este:
An
Voutmin = VDSmin + RIout (2.8)
Ca exemplu, vom calcula cateva valori pentru Rout si Voutmin corespunzatoare

e
sursei de curent cu degenerare rezistiva, stiind ca tranzistorul are rDS = 100k,
at
gm = 1mS si Vod = 200mV , pentru diferite valori ale rezistentei R.
Stiind valoarea transconductantei si a tensiunii de overdrive se poate calcula

gr
curentul prin tranzistor ca fiind 100A.

te
In Tabelul 2.1 sunt calculate Rout si Voutmin pentru o rezistenta de degenerare

de 1k, 10k si 100k.
In
R Rout Voutmin
1k 201k VDSmin + 0, 1V
ite
10k 1, 11M VDSmin + 1V

100k 10, 2M VDSmin + 10V
rcu
Tabelul 2.1: Rout si Voutmin pentru diferite valori ale lui R
Observatie: valorile din acest tabel sunt valide numai daca presupunem ca
Ci
punctul static de functionare al tranzistorului este mentinut constant.

Acest lucru implica o crestere a potentialului din grila pentru a compensa
caderea de tensiune pe rezistenta. Astfel tranzistorul se va mentine saturat.
Daca nu este compensata caderea de tensiune pe R, tranzistorul va intra n
regim liniar odata cu scaderea excesiva a tensiunii de iesire.
32 Doris Csipkes
Din tabel se poate vedea ca pentru valori mari ale rezistentei pasive se obtine
cresterea rezistentei de iesire, dar tensiunea minima la iesire creste si ea limitand
functionarea sursei n circuitele mai complicate cu alimentare redusa. Astfel
e
apare ideea de a gasi o structura care sa implementeze o sursa de curent avand
Rout marita si totodata Voutmin sa se mentina la valori relativ reduse. Solutia
gic
este nlocuirea rezistentei pasive cu un tranzistor (privit n saturatie ca sursa de
curent).
alo
2.3 Sursa de curent cascoda
Schema si modelul echivalent de semnal mic al sursei de curent cascoda sunt
An
prezentate n Figura 2.6.
Iout
e
at
gm2VGS2 gmb2VBS2 rDS2
Iout
gr
M2
VG2 VB2 Iout

te
M1
Vout
In
VG1 gm1VGS1 rDS1

ite
Figura 2.6: Sursa de curent cascoda si modelul echivalent de semnal mic

rcu
corespunzator
Rezistenta de iesire se scrie:

Ci
(Iout gm1 VGS1 ) rDS1

Rout = +
Iout
(Iout gm2 VGS2 gmb2 VBS2 ) rDS2
+ (2.9)
Iout
Doris Csipkes 33
Tensiunea VGS1 este zero datorita pasivizarii, iar expresiile lui VGS2 si VBS2
sunt:
e

VGS2 = VG2 VS2 = VS2 = Iout rDS1
gic
(2.10)
VBS2 = VB2 VS2 = VS2 = Iout rDS1
alo
Inlocuind tensiunile grila-sursa si substrat-sursa ale lui M2 n ecuatia (2.9),
rezulta:
An
Rout = rDS1 + rDS2 + (gm2 + gmb2 ) rDS2 rDS1
= gm2 rDS2 rDS1 (2.11)
e
Din aceasta ecuatie se poate vedea ca expresia lui Rout este aceeasi ca pentru
at
sursa de curent cu degenerare rezistiva, cu diferenta ca rezistenta pasiva a fost
nlocuita cu rezistenta drena-sursa a lui M1 . Astfel ordinul teoretic de marime
al rezistentei de iesire este cel al M -lor, pentru cazul n care tranzistoarele au
gr
rDS de o suta k si gm de ordinul mS. In practica aceasta valoare este adesea

imposibil de realizat.
te
Tensiunea minima de iesire este n acest caz:

In
Voutmin = VDSmin1 + VDSmin2 (2.12)

ite
Caracteristica de iesire a sursei de curent cascoda este data n Figura 2.7.

rcu
Din caracteristica de iesire simulata se observa o aplatizare a curbei n regiunea

corespunzatoare regimului de saturatie a ambelor tranzistoarelor fata de sursa
simpla de curent. Acest fapt indica o crestere considerabila a rezistentei de
iesire. O alta remarca importanta este aceea ca exista doua puncte de frngere
Ci
pe caracteristica, unul corespunzator intrarii n regim liniar a lui M2 , iar celalalt

intrarii n regim liniar a lui M1 . Tensiunea minima la iesire este impusa de
conditia de functionare n regim saturat a ambelor tranzistoare.
34 Doris Csipkes
120uA
Iout
e
gic
80uA
alo
40uA
An
Vout_min
0A Vout
0V 1. 0V 2. 0V 3. 0V
I D( M2)
V_V1
Figura 2.7: Caracteristica de iesire a sursei de curent cascoda
e
at
2.4 Sursa de curent cu rezistenta de iesire marita
gr
O crestere n continuare a rezistentei de iesire a sursei de curent cascoda este

posibila prin marirea castigului buclei de reactie negativa. Aceasta se poate
face prin conectarea unui amplificator inversor ntre sursa si grila tranzistorului
te
M2 .
In
VG2 Iout
gm2VGS2 gmb2VBS2 rDS2
ite
Iout
VCT +
a VG2 M2
-a
- VB2 Iout
rcu
Vout
M1
gm1VGS1 rDS1
Ci
VG1
Figura 2.8: Sursa de curent cascoda cu Rout marita si modelul echivalent

de semnal mic
Doris Csipkes 35
Rezistenta de iesire se determina dupa cum urmeaza:
(Iout gm1 VGS1 ) rDS1
e
Rout = +
Iout
gic
(Iout gm2 VGS2 gmb2 VBS2 ) rDS2
+ (2.13)
Iout
alo
Tensiunea VGS1 este zero, iar expresiile lui VGS2 si VBS2 se scriu:

VGS2 = VG2 VS2 = aVS2 VS2 = (a + 1) Iout rDS1
An
(2.14)
VBS2 = VB2 VS2 = VS2 = Iout rDS1
Combinand ecuatiile (2.13) si (2.14) rezulta:

e
at
Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1
=

= (a + 1) gm2 rDS2 rDS1 (2.15)
gr
Din expresia lui Rout se poate vedea ca aceasta a crescut de aproximativ a ori
te
fata de sursa de curent cascoda. Ordinul teoretic de marime este cel al zecilor de
M daca se ia rDS de o suta k, gm de ordinul mS si castigul amplificatorului
In
de ordinul zecilor.
Tensiunea minima de iesire este identica cu cea a sursei de curent cascoda.

ite
O posibila implementare a sursei de curent cascoda cu rezistenta marita este

data n Figura 2.9.
rcu
Rezistenta de iesire are urmatoarea forma:

Ci
Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1

(2.16)
a = gm3 (rDS3 || rDS4 )
36 Doris Csipkes
VDD
VCT
Iout
e
M4
gic
M2
VG2
VB2
M3
alo
M1
An
VG1
e
Figura 2.9: Implementarea la nivel de tranzistor a sursei de curent cas-
at
coda cu Rout marita
gr
2.5 Sumar
te
In aceasta sectiune s-au prezentat cateva implementari electronice ale sursei

de curent. Pornind de la structura cea mai simpla si argumentand fiecare
mbunatatire se ajunge la structuri mai performante, utilizate n practica. Pen-
In
tru fiecare structura au fost discutate urmatoarele aspecte:
- schema si modelul echivalent de semnal mic;

ite
- rezistenta de iesire;
- tensiunea minima de iesire pentru care circuitul mai functioneaza ca sursa

rcu
de curent;
- caracteristica de iesire si interpretarea ei.

Ci
Bibliografie:
Doris Csipkes 37

e
Press, 1987
gic
alo
An
e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci
38 Doris Csipkes
e
gic
Capitolul 3
alo
Oglinzi de curent
An
In sectiunea Surse de curent au fost prezentate structurile unor surse de curent
electronice si parametrii specifici de functionare. S-a presupus ca toate tranzis-
e
toarele sunt corect polarizate n regim de saturatie. Punctul nediscutat a fost
at
metoda cu care sunt generate tensiunile constante din grilele tranzistoarelor.
In majoritatea cazurilor tensiunile de grila sunt generate injectand un curent de
referinta ntr-un tranzistor conectat ca dioda MOS, determinand astfel tensiu-
gr
nea grila-sursa a tranzistorului. Astfel se ajunge la o clasa de subcircuite numite

oglinzi de curent. Oglinzile sunt utilizate pentru distribuirea curentilor de
te
polarizare, dar mai pot fi utilizate si ca amplificatoare de curent. In conti-

nuare se vor discuta cateva variante constructive implementate cu tranzistoare
In
MOS si tranzistoare bipolare.
3.1 Introducere
ite
Parametrul de baza care descrie functionarea oglinzii de curent este castigul de

curent sau raportul de reflexie. Raportul de reflexie se defineste ca raportul
rcu
dintre curentul de iesire si curentul de intrare/referinta.
Iout
Ci
n= (3.1)
Iin
Cerintele de performanta pentru oglinzile de curent sunt asemanatoare cu cele

de la sursele de curent, dar aditional mai punem conditiile necesare ca intrarea
oglinzii sa fie o intrare de curent (de joasa impedanta):
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
- rezistenta de iesire sa fie cat mai mare pentru a reduce dependenta cu-
rentului de iesire cu tensiunea de iesire (ca la sursele de curent);
- tensiunea minima la iesire pentru care circuitul mai functioneaza ca sursa
e
de curent sa fie cat mai mica (ca la sursele de curent);
gic
- tensiunea minima la intrare sa fie cat mai mica (determinata de PSF a
diodei MOS);
alo
- rezistenta de intrare sa fie cat mai mica;
- raportul de reflexie sa fie cat mai precis, constant cu tensiunea de alimen-
An
tare si independent de temperatura.
3.2 Oglinzi de curent MOS e

3.2.1 Oglinda simpla de curent MOS
at
Oglinda simpla de curent se obtine din sursa de curent cu un singur tranzistor
gr
prin conectarea grilei la dioda MOS care genereaza tensiunea de grila. Schema
circuitului este data n Figura 3.1 mpreuna cu modelul echivalent de semnal
mic.
te
In
Iin Iin Iout

Iout
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2
Vin Vout
ite
M1 M2
rcu
Figura 3.1: Oglinda simpla de curent si modelul echivalent de semnal mic

Ci
Observatie: modelul de semnal mic se deseneaza pentru tranzistoare n

saturatie. M1 este ntotdeauna saturat datorita conexiunii de dioda MOS
(VDS = Vod + VT h > Vod ), iar M2 este o sursa de curent.
40 Doris Csipkes
Observatie: n schema echivalenta de semnal mic nu apar sursele de curent

corespunzatoare transconductantei de substrat (gmb ) deoarece tensiunile
VBS de control ale acestora sunt zero (B conectat la S pentru ambele
e
tranzistoare).
gic
Rezistenta de intrare a oglinzii se calculeaza din schema echivalenta de semnal
mic, tinand cont de faptul ca tensiunea grila-sursa a tranzistorului M1 este egala
alo
cu tensiunea drena-sursa:
Vin rDS1 1
An
Rin = = = (3.2)
Iin 1 + gm1 rDS1 gm1
Rezistenta de iesire este aceeasi ca pentru sursa de curent simpla:

e
Vout
at
Rout = = rDS2 (3.3)
Iout
gr
Tensiunea minima admisa la iesire este aceeasi ca pentru sursa simpla de curent
si este egala cu tensiunea drena-sursa a lui M2 pentru care acesta este nca n
te
regim saturat.
Curentii de drena ai tranzistoarelor se scriu:

In
ite

iD1 = 1 (VGS1 VT h1 )2 (1 + VDS1 )

iD2 = 2 (VGS2 VT h2 )2 (1 + VDS2 )

(3.4)
rcu

Cox W1 Cox W2
1 =
; 2 =
2L1 2L2
Ci
Stiind ca tensiunile grila-sursa ale tranzistoarelor sunt egale, rezulta expresia

raportului de reflexie:
Iout 2 (VGS2 VT h2 )2 (1 + VDS2 )

n= = (3.5)
Iin 1 (VGS1 VT h1 )2 (1 + VDS1 )
Doris Csipkes 41
Examinand ecuatia (3.5) se observa ca sunt trei factori care afecteaza precizia
raportului de reflexie: modulatia lungimii canalului, nemperecherea tensiu-
nilor de prag a tranzistoarelor si nemperecherea geometriei tranzistoarelor.
e
Pentru analiza efectului de modulatie a lungimii canalului se considera un raport
gic
de reflexie unitar (presupunand ca tranzistoarele au aceeasi geometrie) si ca
tensiunile de prag sunt perfect mperecheate. In acest caz obtinem:
alo
Iout 1 + VDS2
n= = (3.6)
Iin 1 + VDS1
An
Ca o concluzie, se poate spune ca un dezechilibru ntre tensiunile de intrare si
de iesire va produce o eroare a raportului de reflexie.
Pentru a analiza efectul nemperecherii tranzistoarelor se considera tensiunile

e
drena-sursa egale. Diferenta dintre tensiunile de prag se noteaza cu VT h iar
at
diferenta dintre geometriile tranzistoarelor se traduce n . Pentru tensiunile
de prag si parametrii se pot scrie relatiile:
gr

1
te
1

VT h1 = VT h VT h
1 =
2 2

1 1

In
VT h2 = VT h + VT h 2 = + (3.7)

2
2

V + VT h2 + 2
VT h = T h1 = 1

2 2
ite
Combinand ecuatiile (3.5) si (3.7) rezulta:

rcu

VT h
1+ 1
2 2 (VGS VT h )2
n= (3.8)
Ci

VT h
1 1+
2 2 (VGS VT h )2
In continuare se considera functia binomiala inversa si dezvoltarea sa n serie

Taylor:
42 Doris Csipkes
X (x)k
1 1 x x2 x3
= = + 4 + ... (3.9)
a+x ak+1 a a2 a3 a
k=0
e
gic
Daca se considera x << 1 atunci termenii de ordin mai mare sau egal cu doi
se neglijeaza, iar ecuatia (3.9) devine:
alo
1 1 x
= 2 (3.10)
a+x a a
An
VT h
Pentru cazul n care, a = 1, << 1 si , termenii de grad
2 (VGS VT h )
mai mare decat doi se neglijeaza si expresia aproximativa a lui n devine:
2
e 4
VT h
n
= 1+ 1 (3.11)
at
2 2 (VGS VT h )
gr
Ridicand la puterile corespunzatoare si neglijnd din nou termenii de ordin mai

mare decat unitatea, raportul de reflexie se poate aproxima astfel:
te
2VT h
n
=1+ (3.12)
In
VGS VT h
ite
Observatie: eroarea raportului de reflexie se poate reduce daca dimensiunea

tranzistoarelor este mai mare (geometria depinde de ) sau daca curentul
prin ele este mai mare (curentul depinde de VGS VT h ). Intuitiv, doua
rcu
tranzistoare se mperecheaza mai bine daca dimensiunile lor sunt mai mari.
Insumand performantele oglinzii simple de curent se poate observa ca rezistenta

Ci
de iesire este relativ redusa (ca la sursa simpla de curent), iar factorul de reflexie
variaza puternic cu asimetriile din circuit. Pentru a mbunatati raportul de
reflexie si rezistenta de iesire trebuie gasita o structura care sa egaleze tensiunile
drena-sursa ale tranzistoarelor. De asemenea trebuie marita si rezistenta de
iesire. Metoda cu care toate aceste neajunsuri sunt reduse este cascodarea.
Doris Csipkes 43
3.2.2 Oglinda de curent cascoda MOS

Oglinda de curent cascoda se obtine din oglinda simpla prin cascodarea ambelor
ramuri de circuit, avand schema si modelul echivalent de semnal mic din Figura
e
3.2.
gic
Iin Iout
alo
Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3 gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4
VB3 M3 M4 VB4
An
Iin Iout
Vin Vout
M1 M2 gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2

e
at
Figura 3.2: Oglinda de curent cascoda MOS si modelul de semnal mic
gr
te
Determinarea rezistentei de intrare se face considerand teorema lui Norton la

iesire (la iesire curentul se masoara serie Norton), conform careia rezistenta
In
de sarcina se nlocuieste cu un scurt circuit la masa. Drept urmare, trebuie

sa consideram Vout = 0. In mod similar, pentru calculul rezistentei de iesire
aplicam teorema lui Thevenin la intrare (curentul se nsumeaza paralel
ite
Thevenin). Astfel, se considera Iin = 0.
Calculul rezistentelor de intrare si de iesire

rcu
Tensiunea de intrare se scrie ca suma caderilor de tensiune pe tranzistoarele M1

si M3 :
Ci
Vin = VDS1 + VDS3 (3.13)
Tinand cont de faptul ca tensiunile drena-sursa ale lui M1 si M3 sunt egale cu

tensiunile grila-sursa, rezulta:
44 Doris Csipkes
rDS1 1
VDS1 = (Iin gm1 VGS1 ) rDS1 VDS1 = Iin
= Iin
1 + gm1 rDS1 gm1
e
(3.14)
gic
In mod similar se scrie VDS3 :
rDS3 1 Iin
alo
VDS3 = Iin = (3.15)
1 + gm3 rDS3 gm3
Inlocuind ecuatiile (3.14) si (3.15) n (3.13), rezulta:
An
Vin 1 1
Rin = = + (3.16)
Iin gm1 gm3
e
Rezistenta de iesire este identica cu cea a sursei de curent cascoda:
at
Vout
gr
Rout = = rDS2 +rDS4 +(gm4 + gmb4 ) rDS4 rDS2

= gm4 rDS4 rDS2 (3.17)
Iout
te
Ordinul de marime pentru Rin este de k, iar pentru Rout de M.

In
Calculul tensiunii minime admise la iesire
Pentru a determina tensiunea minima admisa la iesirea circuitului se vor consi-

ite
dera toate tranzistoarele de aceeasi dimensiune si perfect mperecheate (VGS1 =

VGS2 = VGS3 = VGS4 ). Stiind ca tensiunea drena-sursa pentru care un tran-
zistor mai este n regim de saturatie este notata cu VDSmin , putem scrie:
rcu
VoutM IN =DSmin4 +VDSmin2 =

Ci
= VDSmin4 + (VGS3 + VGS1 VGS4 ) = 2VDSmin + VT h (3.18)
Din expresia tensiunii minime admise la iesire se poate remarca faptul

ca pe tranzistorul M2 cade o tensiune VDSmin + VT h . Pentru a lucra
n regim saturat valoarea minima necesara acestuia ar fi VDSmin . Prin
Doris Csipkes 45
urmare, structura clasica de oglinda de curent cascoda nu este solutia

optima din punctul de vedere al tensiunii minime la iesire (avand cu VT h
mai mult decat este necesar pentru a polariza tranzistoarele).
e
Raportul de reflexie al oglinzii cascoda este mbunatatit deoarece prin cascodare
gic
tensiunile drena-sursa ale tranzistoarelor M1 si M2 au fost echilibrate (curentii
din M3 si M4 precum si geometriile identice egaleaza VGS3 cu VGS4 ). Astfel
castigul de curent este mult mai putin influentat de efectul de modulatie al
alo
lungimii canalului.
In practica, pentru mbunatatirea raportului de reflexie, tranzistoarele M1 si M2
An
sunt optimizate pentru o mperechere cat mai buna, avand aria relativ extinsa,
iar M3 si M4 sunt optimizate pentru transconductanta cat mai mare n vederea
cresterii rezistentei de iesire.
3.2.3 Oglinda cascoda MOS de joasa tensiune

e
at
Oglinda de curent cascoda de joasa tensiune ncearca sa optimizeze oglinda
de curent cascoda din punctul de vedere al tensiunii minime admise la
gr
iesire. In acelasi timp se pastreaza structura etajului de iesire a oglinzii cascoda

si implicit si rezistenta de iesire.
te
Iin Iout
In
VTh
M3 M4
ite
VGS3 VGS4
rcu
M1
VDSmin
M2
VGS1
Ci
Figura 3.3: Principiul utilizat la reducerea tensiunii minime de iesire
In sectiunea anterioara s-a demonstrat ca tensiunea minima la iesirea oglinzii
46 Doris Csipkes
de curent cascoda era 2VDSmin + VT h , n timp ce valoarea necesara este doar

2VDSmin . Considerand structura oglinzii din Figura 3.2 se observa ca surplusul
de tensiune VT h se datoreaza potentialului prea ridicat din grila tranzistorului
e
M4 . Pentru a elimina VT h din expresia tensiunii minime de iesire este necesar
ca potentialul acestui punct sa scada cu VT h . Aceasta scadere se poate realiza
gic
prin inserarea unei surse de tensiune constanta ca n Figura 3.3. Tensiunea
furnizata de aceasta sursa trebuie sa fie egala cu VT h .
alo
Pentru o functionare corecta a circuitului este necesar ca toate tranzistoa-
rele sa fie saturate. Teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe bucla duce
la urmatoarea ecuatie:
An
VGS1 + VGS3 = VT h + VGS4 + VDSmin (3.19)
Din aceasta ecuatie rezulta ca potentialul din grila tranzistorului M3 trebuie sa

e
fie suficient de mare pentru a permite functionarea n regim saturat a lui
M2 . Relatia practica de proiectare se poate scrie (ntr-o prima aproximare se
at
considera acelasi VT h pentru toate tranzistoarele):
gr
Vod1 + Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.20)

te
O implementare practica a acestui principiu este prezentata n Figura 3.4. In

aceasta structura deplasarea de nivel se face cu ajutorul unei ramuri suplimen-
In
tare (M5 -M6 ).
Ecuatia pentru tensiuni este:

ite
VGS1 + VGS3 = VGS6 + VGS4 + VDSmin (3.21)

rcu
Daca se considera aceeasi tensiune de prag pentru toate tranzistoarele, rezulta:
Vod1 + Vod3 = Vod6 + Vod4 + VDSmin (3.22)

Ci
Pentru a realiza tensiunile de overdrive Vod1 si Vod3 suficient de mari, n acea

ramura de circuit se injecteaza un curent de referinta, iar dimensiunile se aleg
n concordanta cu tensiunile Vod dorite si cu valoarea curentului de referinta.
Doris Csipkes 47
Iref Iin Iout
e
M3 M6
gic
VGS6 M4
VGS3
VGS4
alo
M1
VDSmin
M5 M2
VGS1
An
Figura 3.4: Schema practica de oglinda cascoda de joasa tensiune
e
at
O alta implementare implica scaderea potentialului din sursa tranzistorului M3 .
Acest lucru este posibil (fara a bloca tranzistorul M1 ) numai daca potentialul
din grila lui M3 este independent de VGS1 . Structura de circuit este data n
gr
Figura 3.5 a).

te
Iref Iin Iout Iref Iin Iout

In
M3 M4 M3 M4
VGS3 VGS4 VGS4

ite
VGS3
M1 M1
VDSmin R VDSmin
rcu
VDSmin
VGS1 M2 M2
a) b)
Ci
Figura 3.5: Alta modalitate de a scadea tensiunea minima la iesire
Aceasta structura de circuit ne permite sa fixam tensiunea drena-sursa a lui M2
48 Doris Csipkes
conform urmatoarei relatii:
Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.23)
e
Din nou Vod3 trebuie sa fie suficient de mare pentru a permite functionarea
gic
tranzistorului M2 n regim saturat. Dezavantajul structurii este acela ca pentru
a obtine Vod3 suficient de mare trebuie fie sa marim curentul prin ramura, fie
sa alegem dimensiuni mult mai reduse pentru M3 decat pentru M4 . O solutie
alo
ar fi introducerea unei rezistente care sa preia o parte din tensiunea VGS3
(Figura 3.5 b). In acest caz tensiunile se scriu:
An
Vod3 + Iref R = Vod4 + VDSmin (3.24)
Daca M3 se alege identic cu M4 atunci caderea de tensiune drena-sursa a lui

M2 va fi tocmai Iref R. Prin aceasta metoda putem regla cu usurinta tensiunea
minima la iesire la 2VDSmin .
e
at
Observatie: raportul de reflexie al oglinzii din Figura 3.5 este afectat de
dezechilibrul dintre tensiunile VDS ale M1 si M2 . Corectia se poate face
gr
inserand un tranzistor care sa echilibreze VDS2 cu VDS1 . Suplimentar, im-

plementarea numai cu tranzistoare este preferata rezistentei pasive ori de
te
cate ori este posibil.

In
Iref Iin Iout Iref Iin Iout

ite
M5 M5
M3 M4 VGS3 M4
VGS3 VGS4 M3 VGS4

rcu
R M1 VDSmin M1 VDSmin
VDSmin VDSmin
M6
M2 M2
Ci
a) b)
Figura 3.6: Implementarea practica a oglinzii cascoda de joasa tensiune
Doris Csipkes 49
Observatie: rolul ramurii M3 -M6 este sa stabileasca potentialul n grilele

tranzistoarelor M5 si M4 . Aceasta ramura nu va afecta expresia rezistentei
de intrare.
e
gic
Calculul rezistentei de intrare si de iesire
Rezistenta de iesire este aceeasi ca la oglinda cascoda clasica. Rezistenta de

intrare se calculeaza pentru Vout = 0, conform teoremei lui Norton (similar ca
alo
la oglinda cascoda clasica). Din calcule rezulta:
An
rDS1 + rDS5 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 rDS1 1
Rin = = (3.25)
1 + gm1 rDS1 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 gm1 rDS1 gm1
Se observa ca rezistenta de intrare este comparabila cu cea a oglinzii MOS

e
simple.
at
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS
gr
Oglinda Wilson utilizeaza reactia negativa pentru a mari rezistenta de iesire.

Structura si schema echivalenta de semnal mic a circuitului sunt date n Figura
te
3.7.
In
Iout
Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3

ite
M3 VB3
VGS3 Iout
rcu
Vout
Iin
gm1VGS1 rDS1 gm2VGS2 rDS2

M1 M2 Vin
Ci
Figura 3.7: Structura si schema echivalenta a oglinzii Wilson cu tranzis-

toare MOS
50 Doris Csipkes
Tensiunea minima la iesire
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure functionarea tranzistorului M3 n
e
regim saturat, precum si sa acopere tensiunea VGS2 . Astfel, se obtine o valoare
similara ca si pentru oglinda cascoda clasica:
gic
VoutM IN = 2VDSmin + VT h (3.26)
alo
Este important de remarcat ca, datorita conexiunii de dioda a M2 , nu
avem nici o posibilitate de a reduce tensiunea minima la iesire.
An
Calculul rezistentelor de intrare si de iesire
Rezistentele de intrare si de iesire se calculeaza n conditii similare ca pentru

oglinzile de pana acum (Iin = 0 pentru Rout si Vout = 0 pentru Rin ). Din
calcule rezulta:
e
at
rDS1
Rin
= gm1 gm3 rDS1
gr

1+

1 1

+ + gm2 + gm3

rDS2 rDS3 (3.27)
te

rDS2 1 + gm1 rDS1

Rout

= rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2

1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
In
In relatiile (3.27) se pot face cateva simplificari care conduc la expresiile apro-
ximative din sistemul (3.28). Acestea sunt urmatoarele:
ite
gm rDS >> 1 si gm rDS rDS >> rDS

rDS /(1 + gm rDS )
= 1/gm
rcu
aditional s-a ignorat efectul substratului asupra tensiunii de prag

(gm >> gmb ).
Ci
gm2 + gm3

Rin = g g

m1 m3
(3.28)
gm1 gm3 rDS1 rDS3
Rout

=
gm2
Doris Csipkes 51
Din structura circuitului (Figura 3.7) se observa ca tensiunile drena-sursa ale

tranzistoarelor M1 si M2 nu sunt egale. Drept urmare, raportul de reflexie este
afectat de o eroare sistematica. Aceasta eroare se poate reduce prin echilibrarea
e
tensiunilor drena-sursa. Rezulta o structura similara cu cascoda clasica (Figura
3.8).
gic
alo
Iin Iout
Iin Iout gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4 gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3
An
VB4 M4 M3 VB3
Iin Iout
Vin Vout
M1 M2 gm1VGS1 rDS1
e gm2VGS2 rDS2
at
gr
Figura 3.8: Structura si schema de semnal mic a oglinzii Wilson MOS

echilibrate
te
Tensiunea minima la iesire ramane aceeasi, iar rezistentele de intrare si de iesire

In
se calculeaza conform urmatoarelor relatii:

ite
rDS4
rDS1 +
1 + gm4 rDS4

Rin

=

g gm3 rDS1

rcu
m1

1+
1 1

+ + gm2 + gm3 (3.29)

rDS2 rDS3

rDS2 1 + gm1 rDS1

Rout

Ci
= rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2

1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2
Desi structura circuitului s-a modificat, valorile aproximative ale rezistentei de

iesire si ale rezistentei de intrare sunt aceleasi ca pentru oglinda Wilson simpla.
52 Doris Csipkes
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare
Oglinzile de curent cu tranzistoare bipolare au aceeasi topologie ca si oglinzile cu
e
tranzistoare MOS. Principalele diferente n functionare se datoreaza rezistentei
gic
baza-emitor finite si curentului de baza diferit de zero.
alo
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare
Schema oglinzii de curent simple cu tranzistoare bipolare este data n Figura
An
3.9.
e
Iin Iout
at
gr
IC1 IC2
Q1 Q2
te
IB1 IB2
In
Figura 3.9: Oglinda de curent simpla cu tranzistoare bipolare

ite
In primul pas se analizeaza erorile factorului de reflexie. Aceste erori pot fi

rcu
introduse de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale celor doua tranzis-

toare, de amplificarea de curent si, n mod similar ca la oglinda MOS, de
nemperecherea ariilor. Nemperecherea ariilor se traduce n nemperecherea
Ci
curentilor de saturatie IS ai tranzistoarelor.
Analiza factorului de reflexie ncepe de la expresiile curentilor de colector ale

tranzistoarelor Q1 si Q2 . Datorita faptului ca atat bazele cat si emitoarele sunt
conectate mpreuna, se poate considera VBE1 = VBE2 .
Doris Csipkes 53
VBE1

VCE1
IC1 = IS1 e 1+

VT
VEA

e
(3.30)
VBE2
V
gic
IC2 = IS2 e VT 1 + CE2

VEA
O relatie importanta, dedusa din sistemul de mai sus, este dependenta curentului
alo
IC2 de IC1 . Pentru a determina aceasta dependenta se calculeaza raportul
curentilor de colector. Dupa efectuarea calculelor rezulta:
An

IS2 VCE2 VCE1
IC2 = IC1 1+ (3.31)
IS1 VCE1 + VEA
Aplicand teorem lui Kirchhoff pentru curenti la nodul de intrare al oglinzii se

e
obtine expresia curentului de intrare.
at
IC1 IC2
gr
Iin = IC1 + IB1 + IB2 = IC1 + + =

1 IS2 VCE2 VCE1 1
te
= IC1 1 + + IC1 1+ (3.32)

IS1 VCE1 + VEA
In
Din schema circuitului se poate scrie curentul de iesire:

ite

IS2 VCE2 VCE1
Iout = IC2 = IC1 1+ (3.33)
IS1 VCE1 + VEA
rcu
Factorul de reflexie este raportul dintre curentul de iesire si curentul de intrare.

Se observa ca n acest raport curentul IC1 se simplifica. Astfel expresia lui n
rezulta:
Ci

IS2 VCE2 VCE1
1+
Iout IS1 V + VEA
n= = CE1 (3.34)
Iin 1 IS2 VCE2 VCE1 1
1 + + IC1 1+
IS1 VCE1 + VEA
54 Doris Csipkes
O transformare a acestei relatii permite exprimarea factorului de reflexie n

functie de o eroare sistematica :
e
IS2
n= (1 + ) , (3.35)
gic
IS1
unde eroarea se scrie:
alo
VCE2 VCE1
1+
VCE1 + VEA
= 1 + (3.36)
An
1 IS2 VCE2 VCE1 1
1 + + IC1 1+
IS1 VCE1 + VEA
In cazul ideal, daca VCE1 = VCE2 si tinde la infinit, eroarea sistematica a

e
raportului de reflexie va tinde la 0, iar factorul de reflexie este definit numai
de raportul curentilor de saturatie si implicit de raportul ariilor.
at
IS2 A2
n= = (3.37)
gr
IS1 A1
te
Acest lucru nseamna ca, de exemplu, daca tranzistorul Q2 are o arie dubla fata
de Q1 , atunci raportul ideal de reflexie va fi egal cu doi (curentul de iesire dublu
fata de cel de intrare).
In
Observatie: si n acest caz este valabila teorema suprapunerii efectelor.

ite
Eroarea totala se obtine prin cumularea erorilor datorate dezechlibrului ten-

siunilor colector-emitor si castigului de curent (conform ecuatiei (3.36)).
rcu
Observatie: raportul de reflexie este influentat si de nemperecherea geo-

metrica a ariilor celor doua tranzistoare. Astfel pot sa apara erori statistice
chiar daca tinde la infinit si VCE1 = VCE2 .
Ci
Performantele oglinzii de curent mai depind si de rezistentele de intrare si de

iesire. Aceste rezistente se determina din schema echivalenta de semnal mic
data n Figura 3.10.
Doris Csipkes 55
Iin Iout
rBE1 gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
e
Vin Vout
gic
alo
Iin Iout
rBE1 1/gm1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
An
Vin Vout
e
Figura 3.10: Schema echivalenta de semnal mic a oglnzii simple cu TB
at
Observatie: orice sursa de curent controlata de tensiunea de la propri-
gr
ile borne este conform legii lui Ohm o rezistenta. Valoarea rezistentei
echivalente este R = 1/gm .
te
Rezistenta de intrare
In
Rezistenta de intrare se calculeaza pentru Vout = 0 conform teoremei lui Nor-

ton. Tensiunea de intrare se scrie n functie de curentul de intrare si rezistenta
echivalenta vazuta la masa.
ite

1
Vin = Iin rBE1 || || rCE1 || rBE2 (3.38)
rcu
gm1
Rezistenta de intrare rezulta:

Ci
Vin 1 1
Rin = = rBE1 || || rCE1 || rBE2
= (3.39)
Iin gm1 gm1
La aproximare s-a tinut cont de faptul ca rezistenta colector-emitor (de ordinul

100k) si rezistenta baza-emitor (100k) sunt mult mai mari decat 1/gm (k).
56 Doris Csipkes
Rezistenta de iesire
e
Rezistenta de iesire se calculeaza pentru un curent de intrare Iin = 0 conform
teoremei lui Thevenin. Din nou se tine cont de egalitatea tensiunilor baza-
gic
emitor ale celor doua tranzistoare. Astfel, VBE1 = VBE2 = Vin = Rin Iin = 0.
Tensiunea de iesire si rezistenta de iesire se scriu:
alo
Vout
Vout = rCE2 (Iout gm2 VBE2 ) = rCE2 Iout Rout = = rCE2 (3.40)
Iout
An
Tensiunea minima la iesire trebuie sa permita functionarea tranzistorului Q2 n

e
regiunea activa normala (ca sursa de curent). Drept urmare, VCE2 trebuie sa
at
fie suficient de mare pentru a evita polarizarea directa si deschiderea diodei
baza-colector. In caz contrar Q2 poate sa treaca n regimul de saturatie. In
practica se impune conditia ca VCE = VBE (n ciuda faptului ca tranzistorul
gr
este n RAN si pentru pentru VBE = VCE = VCEsat ).

te
In mod similar ca la oglinda simpla cu tranzistoare MOS, se pot face urmatoarele

observatii:
In
rezistenta de iesire este relativ redusa, fiind necesara o metoda de mbu-

natatire;
ite
factorul de reflexie prezinta o eroare sistematica chiar si daca tensiunile

colector-emitor sunt echilibrate.
rcu
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de

(eng. EFA - Emitter Follower Augmented)
Ci
Din schema oglinzii simple cu tranzistoare bipolare se observa ca responsabil

pentru eroarea sistematica a factorului de reflexie introdusa de este curentul
pierdut n bazele celor doua tranzistoare. Astfel curentul de colector IC1
nu mai este perfect egal cu IC2 ca n cazul realizarii MOS. Intuitiv, eroarea
datorata castigului de curent s-ar putea reduce daca s-ar micsora curentul
Doris Csipkes 57
pierdut n baze. Cea mai simpla metoda de a realiza aceasta mbunatatire

este introducerea unui buffer de curent care sa permita extractia unui curent
foarte redus din colectorul lui Q1 si n acelasi timp sa produca curentul IB1 +IB2
e
prin amplificare de curent. Bufferul se poate implementa cu un simplu tranzistor
ca n Figura 3.11 a.
gic
alo
gm3VBE3 rCE3
Iin Iout
An
Iin Iout
Q3
IB3 rBE3
IC1 IE3 IC2
rCE1 rBE1 rBE2 rCE2
Q1
IB1 IB2 Q2 gm1VBE1 gm2VBE2
Vin Vout
e
at
a) b)
gr
Figura 3.11: Structura si schema echivalenta de semnal mic a oglinzii EFA

te
Raportul de reflexie se calculeaza n mod similar ca la oglinda simpla. In primul

pas se scrie curentul de intrare n functie de curentii de colector IC1 si IC2 .
In
IE3 IB1 + IB2 IC1 + IC2

ite
Iin = IC1 +IB3 = IC1 + = IC1 + = IC1 + (3.41)

+1 +1 ( + 1)
rcu
Utilizand relatia (3.31) expresia curentului de intrare devine:

Ci

1 IS2 VCE2 VCE1 1
Iin = IC1 1+ + IC1 1+ (3.42)
( + 1) IS1 VCE1 + VEA ( + 1)
Curentul de iesire are aceeasi expresie ca n cazul oglinzii simple (ecuatia (3.33)).
Raportul de reflexie rezulta:
58 Doris Csipkes

IS2 VCE2 VCE1
1+
Iout IS1 V + VEA
e
n= = CE1 (3.43)
Iin 1 IS2 VCE2 VCE1 1
gic
1+ + 1+
( + 1) IS1 VCE1 + VEA ( + 1)
alo
Eroarea sistematica va avea aceeasi forma ca n relatia (3.35), dar este nlocuit
de ( + 1). Astfel, n cazul unui finit functia 1/[( +1)] va tinde la 0 mult
mai rapid decat 1/, iar eroarea sistematica datorata lui este mult redusa.
An
Observatie: aceasta oglinda este n continuare sensibila la erorile dato-
rate dezechilibrului tensiunilor colector-emitor si nemperecherii aleatoare a
e
ariilor. Corectia rezolva numai problemele legate de .
at
gr
Rezistenta de intrare se calculeaza din schema echivalenta de semnal mic data

te
n Figura 3.11 b). Scriind teoremele lui Kirchhoff si legea lui Ohm se ajunge la
sistemul de ecuatii (3.44). Din schema de semnal mic se observa ca rezistenta
rCE2 este conectata cu ambele borne la masa. Drept urmare, curentul prin ea
In
este zero. Deasemenea, sursa gm2 VBE2 extrage si injecteaza acelasi curent n
nodul de masa si astfel nu contribuie la echilibrul curentilor (se neglijeaza).
ite

Vin = VBE3 + VBE1
rcu

Vin

Iin = gm1 VBE1 + r + IB3

CE1
(3.44)
VBE3 = rBE3 IB3
Ci

VBE1 VBE1

IB3 + gm3 VBE3 =

rCE3 rBE1 || rBE2
Rezolvarea acestui sistem duce la urmatoarea expresie a rezistentei de intrare:
Doris Csipkes 59
1
Rin =

1 1 gm1
+ +

e
rBE3 + rech 1 + rBE3

rCE1 (3.45)
rech
gic

rech = (1 + gm3 rBE3 ) (rBE1 || rBE2 || rCE3 )

alo
Tinand cont de faptul ca rCE si rBE sunt mult mai mari decat 1/gm , expresia
rezistentei de iesire se aproximeaza:
An
1
Rin
= (3.46)
gm1
Se observa ca valoarea rezistentei de intrare este similara cu cea a oglinzii simple.

e
at
La calculul rezistentei de iesire Iin se considera egal cu zero. Drept urmare nodul
gr
de intrare va fi un nod flotant al carui potential se stabileste prin echilibrul

curentilor si tensiunilor n restul circuitului. Se poate scrie urmatorul sistem de
ecuatii:
te
In

Vin = VBE3 + VBE1

Vin

gm1 VBE1 + r + IB3 = 0

ite

CE1
(3.47)

VBE3 = rBE3 IB3

VBE1 VBE1

rcu

IB3 + gm3 VBE3 =

rCE3 rBE1 || rBE2
Rezolvand sistemul, rezistenta de iesire se scrie:

Ci

VBE1 = VBE2 = 0
(3.48)
CE2 (Iout gm2 rBE2 ) = Iout rCE2
V = r
out
60 Doris Csipkes
Astfel:
Vout
Rout = = rCE2 (3.49)
e
Iout
gic
Tensiunea minima la iesire este aceeasi ca la oglinda bipolara simpla.
3.3.3 Oglinda de curent bipolara cu degenerare rezistiva
alo
Oglinda bipolara simpla si cea cu compensare de nu rezolva problema rezisten-
tei de iesire relativ reduse. Ca si n cazul oglinzilor MOS, o solutie ar fi in-
An
troducerea unei reactii negative prin doua rezistente conectate n emitoarele
tranzistoarelor ca n Figura 3.12 a).
Iin Iout
e
Iin IB2 Iout Iout
at
IC1 IC2 rBE1 gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 rCE2
Q1 Q2
IB1 IB2
gr
Vin Vout
R1 R2 R1 R2
te
a) b)
In
Figura 3.12: Oglinda bipolara cu degenerare rezistiva

ite
Considerand tranzistoarele perfect mperecheate si tinzand la infinit

(Iin = IC1 ), teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe ramuri se scrie:
rcu
VBE1 + Iin R1 = VBE2 + Iout R2 (3.50)
Daca tensiunile baza-emitor sunt egale (aproximativ acelasi curent si aceeasi

Ci
arie) atunci raportul de reflexie rezulta:
Iout R1
n= = (3.51)
Iin R2
Doris Csipkes 61
Observatie: raportul de reflexie este n continuare influentat de finit si

de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale tranzistoarelor.
e
Observatie: pentru a obtine un raport de reflexie diferit de unitate este
gic
necesara si scalarea ariilor celor doua tranzistoare (pe langa scalarea
rezistentelor). Ecuatia (3.51) este valida sub aceasta forma numai daca
VBE1 = VBE2 . Daca aceasta conditie nu este ndeplinita atunci raportul de
alo
reflexie rezulta diferit de unitate, dar valoarea va fi diferita de cea dorita.
(a se vedea exemplul)
An
Exemplu: daca se doreste un factor de reflexie egal cu 2 atunci se alege R1 =
2R2 . Suplimentar, aria tranzistorului Q2 trebuie sa fie de doua ori mai mare.
In acest caz raportul de reflexie va fi aproximativ 2, cu eroarea introdusa de
finit si de dezechilibrul tensiunilor. e
at
Rezistenta de intrare se calculeaza din schema echivalenta de semnal mic din
gr
Figura 3.12 b) pentru Vout = 0. Teoremele lui Kirchhoff si legea lui Ohm duc
la urmatorul sistem de ecuatii:
te

1
In
Vin = R1 + rBE1 ||

|| rCE1 (Iin IB2 )
gm1

Vout = rCE2 (Iout gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 ) = 0

(3.52)
ite

VBE2 = rBE2 IB2

V = V
in BE2 + R2 (Iout + IB2 )
rcu
Rezistenta de intrare rezulta:

Ci
1
R1 + rBE1 ||
|| rCE1
Vin gm1 1
Rin = = = R1 + (3.53)
Iin 1 gm1
R1 + rBE1 || || rCE1
gm1
1+
rBE2 + (1 + gm2 rBE2 ) (R2 || rCE2 )
62 Doris Csipkes
La aproximare s-a considerat R1 de ordinul k-lor. Daca R1 este mai mare,

de exemplu 100k, atunci conteaza toti termenii fractiei.
e
gic
Pentru a determina rezistenta de iesire se scrie urmatorul sistem de ecuatii:
alo

Vout = rCE2 (Iout gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 )

VBE2 = rBE2 IB2

An

1

VBE2 + R2 (Iout + IB2 ) = R1 + rBE1 || || rCE1 (Iin IB2 )

gm1

I = 0
in
(3.54)
e
at
Rezistenta de iesire este raportul dintre tensiunea si curentul de iesire. Aceasta
este de forma:
gr

rech

te
1+
gm2 R2

rBE2
Rout = rCE2
1 +
+ R2

R2 rech R2 rech
In
1+ + 1+ + (3.55)

rBE2 rBE2 rBE2 rBE2

1
rech
= R1 + rBE1 || || rCE1
gm1
ite
Expresia aproximativa a lui Rout este:

rcu
Rout = rCE2 + R2 + gm2 rCE2 R2

= gm2 rCE2 R2 (3.56)
Ci
Observatie: din ecuatia (3.56) se observa ca rezistenta de iesire are aceeasi

forma ca la sursele de curent MOS. Rezistenta de iesire aproximativa a
unei structuri de tip cascoda se scrie n totdeauna ca un produs ntre
castigul tranzistorului cascoda (gmcas rCE(DS)cas ) si rezistenta echiva-
lenta vazuta n emitor/sursa.
Doris Csipkes 63
e
Tensiunea minima la iesire trebuie sa permita functionarea tranzistorului Q2
gic
n regiunea activa normala si sa acopere caderea de tensiune Iout R2 pe
rezistenta. Daca se doreste obtinerea unei rezistente de iesire foarte mari,
aceasta cadere de tensiune devine semnificativa. In practica rezistenta pasiva
se nlocuieste adesea cu o sursa de curent care permite o rezistenta echivalenta
alo
similara cu R2 , dar cu avantajul unei caderi de tensiune mult mai reduse.
Astfel se ajunge la structura cascoda.
An
3.3.4 Oglinda cascoda bipolara
Structura circuitului este data n Figura 3.13. e

at
Iin Iout
gr
IC3 IC4
te
Q3 Q4
IB3 IB4
In
IE3 IE4
IC1 IC2
ite
Q1 Q2
IB1 IB2
rcu
Figura 3.13: Oglinda cascoda bipolara

Ci
Forma generala a raportului de reflexie se deduce n mod similar ca la oglinzile

discutate anterior. Pentru nceput se scrie curentul de intrare avand urmatoarea
forma:
64 Doris Csipkes
IE3 IE3 IE4 IE4

Iin = IC3 + IB3 + IB4 = + + = IE3 + (3.57)
+1 +1 +1 +1
e
gic
Identificand IE3 si IE4 de pe schema circuitului se obtine:
alo
IC2 IC1 IC2 IC2
Iin = (IC1 + IB1 + IB2 ) + = IC1 + + + (3.58)
+1 +1
An
In urmatorul pas se tine cont de relatia (3.31) dintre IC1 si IC2 . Rezulta:

1 IS2 VCE2 VCE1 1 1
Iin = IC1 1+ + IC1 1+
e + (3.59)
IS1 VCE1 + VEA +1
at
Curentul de iesire se scrie:
gr
te

IS2 VCE2 VCE1
Iout = IC4 = IE4 = IC2 = IC1 1+
+1 +1 IS1 VCE1 + VEA +1
(3.60)
In
Raportul de reflexie se obtine mpartind ecuatiile (refecogl57) si (refecogl56).

ite

IS2 VCE2 VCE1
1+
IS1 VCE1 + VEA + 1
n= (3.61)
1 IS2 VCE2 VCE1 2 + 1
rcu
1+ + 1+
IS1 VCE1 + VEA ( + 1)
Eroarea sistematica (fata de unitate) rezulta:

Ci

VCE2 VCE1
1+
V + VEA + 1
= 1 + CE1 (3.62)
1 IS2 VCE2 VCE1 2 + 1
1+ + 1+
IS1 VCE1 + VEA ( + 1)
Doris Csipkes 65
Se observa ca eroarea sistematica depinde n continuare de si de diferenta de

tensiune VCE2 VCE1 . Daca curentii prin tranzistoarele Q3 si Q4 sunt apro-
ximativ egali atunci se poate spune ca si VBE3 = VBE4 . Astfel, tranzistoarele
e
cascoda echilibreaza tensiunile colector-emitor, iar eroarea raportului de refle-
xie va depinde foarte putin de VCE2 VCE1 . Daca tranzistoarele sunt identice,
gic
factorul de reflexie se aproximeaza:
alo
n= (3.63)
2 + 4 + 2
An
Calculul riguros al rezistentei de intrare este relativ complicat datorita curenti-
lor de baza si rezistentelor baza-emitor finite ale tranzistoarelor. O expresie
aproximativa este data n urmatoarea ecuatie (similara ca la varianta MOS):
e
at
1 1
Rin
= + (3.64)
gm3 gm1
gr
te
Calculul riguros este din nou relativ complicat. Drept urmare n ecuatia (3.65)
este data expresia aproximativa a rezistentei de iesire.
In
gm4 rCE4 rCE2 rBE4

Rout
= (3.65)
ite
gm2
rBE4 + rCE2 1 +
gm1
rcu
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure functionarea tranzistoarelor Q2 si

Q4 n regiunea activa normala.
Ci
3.3.5 Oglinda Wilson bipolara

Varianta bipolara a oglinzii de curent Wilson utilizeaza aceeasi reactie nega-
tiva ca si implementarea MOS pentru a mari rezistenta de iesire a circuitului.
66 Doris Csipkes
Schemele oglinzii simple si a oglinzii ehilibrate sunt date n Figura 3.14. In

continuare se discuta numai varianta echilibrata.
e
Iin Iout
gic
Iin Iout
IC4 IC3
Q3
Q4 Q3
IB3
IE3 IB4 IB3
alo
IE4 IE3
IC1 IC2 IC1 IC2
Q1 Q2 Q1 Q2
An
IB1 IB2 IB1 IB2
Figura 3.14: Oglinzile bipolare Wilson a) simpla si b) echilibrata

e
at
Forma generala a raportului de reflexie se calculeaza n mod similar ca si pentru
celelalte oglinzi bipolare discutate anterior. Dupa calcule raportul de reflexie al
gr
oglinzii Wilson echilibrate se obtine:

te

1 IS2 VCE2 VCE1
+ 1+
1 + IS1 V + VEA
In
n= CE1 (3.66)
1 IS2 VCE2 VCE1 1
1+ + 1+
( + 1) IS1 VCE1 + VEA
ite
In cazul particular n care tranzistoarele sunt identice (aceeasi arie a

emitorului) si VCE1 = VCE2 (tranzistoarele Q3 si Q4 echilibreaza oglinda
Q1 -Q2 ), raportul de reflexie va fi o functie numai de , expresia lui fiind
rcu
urmatoarea:
2 + 2
Ci
n= (3.67)
2 + 4 + 2
Expresia aproximativa a rezistentei de intrare este:
Doris Csipkes 67
rBE3 (gm2 + gm3 ) 1 1

Rin
= = + (3.68)
gm2 + gm1 gm3 rBE3 gm3 gm1
e
Se observa ca rezistenta de iesire aproximativa are aceeasi expresie ca si n cazul
gic
oglinzii cascoda clasice. In calcule s-a tinut seama de egalitatea lui gm1 cu gm2 .
Aceasta egalitate este valabila numai daca raportul de reflexie al oglinzii
este unitar.
alo
An
Rezistenta de iesire aproximativa se scrie:
rCE1
gm1 gm3 rCE1 rCE3 +
rBE3
Rout = (3.69)
rCE1
e rCE1
gm2 1 + + gm1
rBE3 rBE3
at
gr
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure functionarea tranzistoarelor Q2

te
si Q3 n regiunea activa normala. Din structura circuitului se observa ca

tranzistorul Q2 va functiona n RAN datorita conexiunii de dioda. Drept urmare
tensiunea minima teoretica la iesire este ceva mai mare decat la oglinda cascoda.
In
In practica, punand conditia VCE = VBE pentru fiecare tranzistor, rezulta valori
similare pentru tensiunea minima la iesire ca si pentru oglinda cascoda bipolara.
ite
3.4 Sumar
rcu
In acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS si bipolare.

Accentul s-a pus pe comportamentul de curent continuu si caracteristicile de
semnal mic ale circuitelor. Fiecare oglinda a fost caracterizata prin factorul de
reflexie, tensiunea minima la iesire, rezistenta de intrare si rezistenta de iesire.
Ci
La oglinzile MOS raportul de reflexie depinde de nemperecherea geometrica a

tranzistoarelor si de dezechilibrul tensiunilor drena-sursa ale tranzistoarelor din
oglinda fundamentala. Aditional, la oglinzile bipolare mai apare si dependenta
de castigul de curent finit al tranzistoarelor bipolare. Solutia care mbunatateste
68 Doris Csipkes
performantele oglinzilor (n general precizia raportului de reflexie si rezistenta

de iesire) este alegerea unor structuri de tip cascoda.
e
Bibliografie:
gic
alo
An
Press, 1987
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,

1999 e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci
Doris Csipkes 69
e
gic
Capitolul 4
alo
Referinte electronice
An
Referintele de curent si de tensiune sunt implementarile cu dispozitive active
ale unor surse ideale. Ele furnizeaza o tensiune sau un curent independent
e
de sarcina, de temperatura si de tensiunea de alimentare.
at
In realitate, termenul de referinta este utilizat pentru a denumi circuitele care
genereaza tensiuni si curenti cu o precizie mai buna si mai independente de
gr
temperatura si tensiunea de alimentare decat sursele electronice obisnuite.

te
Pentru a caracteriza calitativ performantele unei referinte, trebuie luate n con-

siderare dependentele curentului sau tensiunii generate de temperatura precum
In
si de parametrii de circuit. Astfel referintele se caracterizeaza prin doi parametrii

principali: senzitivitatea si coeficientul de temperatura.
ite
Senzitivitatea este o marime relativa si se defineste astfel:
Xref y
rcu
y
SXref = (4.1)
y Xref
In aceasta ecuatie Xref este tensiunea sau curentul generat, iar y este parame-
Ci
trul de circuit care introduce dependenta (de ex. tensiunea de alimentare sau
o rezistenta).
Coeficientul de temperatura este senzitivitatea la variatii ale temperaturii de

functionare, normata la 1 C.
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINTE ELECTRONICE
Xref 1
TC = (4.2)
T Xref
e
Coeficientul de temperatura este dat de regula n V(A)/ C sau n ppm/ C.
gic
Majoritatea parametrilor de circuit care intervin n expresia curentului sau a
tensiunii de referinta depind de temperatura. Astfel determinarea riguroasa a
alo
coeficientului de temperatura poate deveni foarte laborioasa.
4.1 Referinta simpla cu divizor de tensiune
An
Cea mai simpla implementare a unei surse de tensiune este un divizor de
tensiune. Pentru realizari practice se pot utiliza elemente pasive sau active.
Schema circuitului este data n Figura 4.1. e
VDD VCC
at
I I
M2
gr
R1
te
In
Vref Vref
R2
M1
ite
Figura 4.1: Referinta cu divizor de tensiune

rcu
Expresia tensiunii de iesire se poate gasi usor scriind regula divizorului de

tensiune.
Ci
R2
Vref = VDD (4.3)
R1 + R2
Aceasta ecuatie este valida numai daca circuitul functioneaza n gol sau daca
rezistenta de sarcina este foarte mare.
Doris Csipkes 71
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se calculeaza dupa cum urmeaza:
e
V
ref Vref VDD R2 VDD R1 + R2
SVDD = = =1 (4.4)
gic
VDD Vref R1 + R2 R1 VDD
Senzitivitatea fiind unitara, o variatie de 10% a tensiunii de alimentare (uzuala

de altfel n practica) va produce o variatie de 10% a tensiunii de referinta.
alo
Coeficientul de temperatura depinde de variatia raportului de rezistente precum
si de variatia tensiunii de alimentare cu temperatura. Coeficientul de tempera-
An
tura al unui raport de rezistente de acelasi tip este foarte redus. Prin urmare
factorul care influenteaza variatia lui Vref cu temperatura este VDD .
Tensiunea de referinta furnizata de varianta activa a circuitului se calculeaza

e
din urmatorul sistem de ecuatii:
at

ID1 = n (VGS1 VT hn )2
gr

ID2 = p (VSG2 |VT hp |)2

(4.5)
te
k W k W

n = n 1 p = p 2

2L1 2L2
In
Exprimand tensiunile VGS ale celor doua tranzistoare rezulta ecuatiile de dispo-
zitiv:
ite
r
ID1
VGS1 = VT hn +

n
rcu
s (4.6)
ID2
VSG2 = |VT hp | +

p
Ci
Din circuit se mai obtine:
(
VDD VSG2 = Vref
(4.7)
VGS1 = Vref
72 Doris Csipkes
Din combinatia sistemelor (4.6) si (4.7) rezulta curentul prin circuit. In calcule
se considera ID1 = ID2 .
e
VDD |VT hp | VT hn
I= (4.8)
gic
1 1
+p
n p
Stiind ca VGS1 = Vref si considerand expresia lui VGS1 n functie de curent, se
alo
ajunge la urmatoarea expresie a tensiunii de referinta:
VDD VT hn |VT hp |
An
Vref = VT hn + s (4.9)
n
1+
p
e
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se obtine prin calculul derivatei.
at
V
ref Vref VDD VDD
SVDD = = s (4.10)
gr
VDD Vref n
VDD + VT hn |VT hp |
p
te
In cazul particular n care n = p si VT hn = |VT hp | senzitivitatea este egala

In
cu unitatea. In practica acest caz particular este foarte putin probabil.
Coeficientul de variatie cu temperatura al implementarii active se determina

calculand derivatele partiale n raport cu toti parametrii de circuit care variaza
ite
cu temperatura. Astfel se poate scrie:

rcu
Vref 1
T CVref = = f T CVDD , T CVT hn , T CVT hp , T Cn , T Cp (4.11)
T Vref
Ci
Calculul matematic riguros al lui T CVref este relativ laborios.
Din expresia senzitivitatii si coeficientului de temperatura se observa ca ten-

siunea furnizata de referinta este puternic dependenta de tensiunea de ali-
mentare si de temperatura. Aceasta dependenta se datoreaza faptului ca Vref
Doris Csipkes 73
este definita de curentul de echilibru prin circuit, care la randul lui depinde
proportional de VDD . O mbunatatire s-ar putea aduce circuitului daca Vref
ar depinde neliniar de curentul de echilibru. Dependenta neliniara se poate
e
realiza prin nlocuirea rezistentei la masa cu un element neliniar, tipic o dioda
bipolara sau MOS.
gic
4.2 Referinta de tensiune cu dioda
alo
bipolara si MOS
Schemele referintelor de tensiune cu dioda bipolara si dioda MOS sunt date n
An
Figura 4.2.
VDD VCC
e
I I
at
R R
gr
te
Vref Vref
In
M1 Q1
ite
Figura 4.2: Referinta de tensiune cu dioda bipolara si dioda MOS

rcu
Expresia tensiunii de iesire si senzitivitatea cu VDD se pot determina cu metode

similare ca la referinta cu divizor de tensiune. Presupunand ca referinta este
izolata de sarcina (functioneaza n gol) punctele statice de functionare se gasesc
Ci
la intersectia dintre caracteristicile tranzistoarelor si dreapta de sarcina.
Varianta MOS
Pentru varianta MOS se scrie urmatorul sistem de ecuatii:
74 Doris Csipkes
VDD Vref

I =

R
e
r (4.12)
I
Vref = VGS = VT h +

gic

unde are aceeasi semnificatie ca la circuitele discutate anterior.
alo
Tensiunea de referinta rezulta:
s
VDD Vref
An
Vref = VT h + (4.13)
R
Aceasta ecuatie are solutii multiple (prin rearanjarea termenilor rezulta o ecuatie
de gradul 2). Calculul riguros al solutiilor nu este neaparat necesar pentru
e
a determina senzitivitatea tensiunii de referinta cu tensiunea de alimentare.
at
Senzitivitatea se obtine cu metoda clasica prin calculul derivatelor.
gr
V
ref Vref VDD VDD
SVDD = = p (4.14)
VDD Vref 2Vref R (VDD Vref )
te
Coeficientul de temperatura este din nou o functie de variatiile cu temperatura

In
ale tuturor parametrilor de circuit. Determinarea expresiei exacte se face prin

derivare n raport cu temperatura.
ite
Vref 1
T CVref = = f (T CVDD , T CVT h , T C , T CR ) (4.15)
T Vref
rcu
Varianta bipolara
Sistemul de ecuatii care caracterizeaza punctul static de functionare se scrie:

Ci

I

Vref = VBE = VT ln I

S
(4.16)

VCC Vref
I=
R
Doris Csipkes 75
Tensiunea de referinta rezulta:

VCC Vref
Vref = VT ln (4.17)
e
R IS
gic
Se observa ca aceasta ecuatie este transcendenta. Din acest motiv pentru
rezolvare se utilizeaza metode numerice. Senzitivitatea cu VDD se calculeaza
cu ajutorul derivatelor partiale.
alo
V
ref Vref VCC VCC VT
SVCC = = (4.18)
VCC Vref Vref (VCC Vref )
An
Se observa ca senzitivitatea scade cu Vref . Acest fapt se datoreaza variatiei
neliniare a lui Vref cu valoarea curentul prin circuit. e
at
Observatie: comparand senzitivitatile variantelor MOS si bipolare se poate
ajunge la concluzia ca implementarea bipolara ofera o senzitivitate mai
scazuta datorita neliniaritatii accentuate a functiei IC = f (VBE ). Chiar
gr
si asa, uneori senzitivitatea nu este suficient de mica pentru aplicatii de

precizie. In aceste cazuri este nevoie de structuri speciale care sa compen-
te
seze dependentele de VDD .

In
Coeficientul de temperatura se scrie:
T CVref = f (T CVCC , T CVT , T CR , T CIS ) (4.19)

ite
Un dezavantaj al referintei cu dioda simpla este domeniul limitat de valori ale

tensiunii de referinta. Din schema rezulta ca Vref este ntotdeauna egal cu
rcu
tensiunile grila-sursa sau baza-emitor ale tranzistoarelor.
O extensie a domeniului de valori se obtine prin introducerea unui divizor de

tensiune rezistiv ca n Figura 4.3. Tensiunea de referinta pentru varianta MOS
Ci
se scrie:
s !
R1 VDD Vref
Vref = 1+ VT h + (4.20)
R2 R
76 Doris Csipkes
VDD VCC
I I
e
R R
gic
R1 R1
Vref
alo
Vref
M1 Q1
R2 R2
An
Figura 4.3: Referinta de tensiune cu dioda si domeniu extins de valori
e
at
In mod similar pentru varianta bipolara rezulta:
gr

R1 VCC Vref
Vref = VT 1+ ln (4.21)
R2 R IS
te
In
4.3 Referinta de tensiune cu dioda Zener

ite
Din comparatia referintelor de tensiune cu dioda MOS si dioda bipolara a rezul-

tat ca o dependenta mai neliniara a tensiunii pe dioda (proportionala sau egala
cu Vref ) duce la o senzitivitate mai scazuta cu VDD . Intuitiv, cu cat variatia
rcu
curentului prin dioda cu tensiunea aplicata (VGS sau VBE ) este mai abrupta,
cu atat senzitivitatea cu VDD scade. Aceasta proprietate a circuitului este ex-
ploatata prin utilizarea unor diode Zener cu caracteristica VD = f (ID ) foarte
abrupta. Figura 4.4 prezinta referinta de tensiune cu o dioda Zener si variatia
Ci
curentului cu tensiunea pe dioda. Punctul static de functionare este determinat

tot de intersectia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcina.
Dioda Zener este utilizata n regim de strapungere pentru a implementa carac-

teristica tensiune-curent abrupta. Tensiunea de strapungere VBV este puternic
Doris Csipkes 77
dependenta de concentratia purtatorilor de sarcina din regiunile p+ si n+ ale

jonctiunii.
e
VDD
gic
I
I
R VDD/R
alo
An
D Vref IPSF
VBV VDD V
e
at
Figura 4.4: Referinta de tensiune cu dioda Zener
gr
Dezavantajul major al circuitului este faptul ca n tehnologiile MOS tensiunea

de strapungere are valori ridicate, tipic 5-6V. Astfel referinta nu poate fi
te
utilizata n circuitele de joasa tensiune unde alimentarea nu depaseste 2,5-3V.

In
4.4 Referinta de curent cu oglinda simpla

de curent
ite
Referinta de tensiune cu dioda discutata anterior se poate transforma ntr-o

referinta de curent prin copierea curentului din circuit cu o oglinda de curent.
Prin adaugarea unui tranzistor de iesire din oglinda rezulta schema din Figura
rcu
4.5.
Daca tranzistoarele sunt identice si oglinzile echilibrate, atunci senzitivitatea

curentului de iesire cu VDD va fi egala cu senzitivitatea lui Iref . O mbunatatire
Ci
a senzitivitatii este posibila daca senzitivitatea curentului Iref ar fi scalata cu

un coeficient subunitar. Aceasta scalare se poate implementa daca o parte
din tensiunea VGS (VBE ) creata de curentul Iref ar fi preluata de un element
liniar. Astfel s-ar introduce o dependenta mai slaba a curentului de iesire cu
VDD . Circuitul rezultat se numeste oglinda de curent sau referinta Widlar.
78 Doris Csipkes
VDD VCC
Iref Iref
e
R Io R Io
gic
M1 M2 Q1 Q2
alo
Figura 4.5: Referinta de curent cu oglinda de curent simpla
4.5 Referinta de curent Widlar

An
e
at
Referinta Widlar se poate implementa atat cu tranzistoare MOS cat si cu tran-
zistoare bipolare. Schemele celor doua variante sunt date n Figura 4.6.
gr
VDD VCC
te
Iref Iref
R1 R1
In
Io Io
ite
M1 M2 Q1 Q2
R2 R2
rcu
Figura 4.6: Referinta de curent Widlar

Ci
4.5.1 Referinta Widlar cu tranzistoare MOS

Functionarea circuitului este descrisa de urmatorul sistem de ecuatii:
Doris Csipkes 79

VGS1 = VGS2 + R2 Io

e
r
Iref

VGS1 = VT h + (4.22)
1
gic

r
Io

VGS2 = VT h +

2
alo
Calculand diferenta tensiunilor grila-sursa si nlocuind n prima ecuatie rezulta:
An
s s
Io Iref
Io R2 + =0 (4.23)
2 1

Aceasta ecuatie este de gradul doi cu necunoscuta Io . Solutia este de forma:
e
at
v
u s
p 1 1 u 1 Iref
Io = t + 4R2 (4.24)
gr
2R2 2 2 1

te
Dat fiind faptul ca termenul din stanga este un radical, solutia acceptata este
numai cea cu semnul plus.
In
Senzitivitatea curentului de iesire cu tensiunea de alimentare se determina prin

calculul derivatelor din ecuatia (4.23) si identificarea senzitivitatilor SVIoDD si
SVIref
DD .
ite
r
Iref
I 1 I Vod1
rcu
SVIoDD = SVref s = SVref (4.25)

DD
Iref
r
Io
DD 2Vod1 Vod2
2
1 2
Ci
Din prima ecuatie a sistemului (4.22) rezulta ca VGS1 > VGS2 . Aceasta inega-
litate este valabila si pentru perechea Vod1 si Vod2 . Astfel:
I
SVIoDD = k SVref
DD
, k<1 (4.26)
80 Doris Csipkes
4.5.2 Referinta Widlar cu tranzistoare bipolare

Sistemul de ecuatii care descrie functionarea circuitului se scrie:
gic
V = VBE2 + R2 Io
BE1

Iref

VBE1 = VT ln

IS1 (4.27)
alo

Io

VBE2 = VT ln

IS2
An
Inlocuind n prima ecuatie tensiunile baza-emitor se obtine:

Io IS1
Io R2 + VT ln =0 (4.28)
e
Iref IS2
at
Curentul de iesire rezulta:
gr

VT Iref IS2
Io = ln (4.29)
te
R2 Io IS1
Aceasta ecuatie este transcendenta, prin urmare valoarea curentului de iesire se

In
determina prin metode numerice.

ite
Observatie: curentul de iesire depinde direct proportional de VT deci de

temperatura absoluta. Astfel, putem spune ca referinta de curent Widlar cu
tranzistoare bipolare genereaza un curent de tip PTAT (Proportional To
rcu
Absolute Temperature). Pentru a fi PTAT curentul trebuie sa fie indepen-

dent de curentul de saturatie al tranzistoarelor, IS .
Ci
Senzitivitatea curentului de iesire cu VDD se calculeaza similar ca la varianta

MOS, rezultand:
I VT I
SVIoCC = SVref = k SVref , k<1 (4.30)
CC VT + R2 Io CC
Doris Csipkes 81
Senzitivitatea se poate mbunatati daca ntreaga tensiune VGS2 (VBE2 ) este

preluata de o rezistenta pasiva astfel ncat valoarea curentului de iesire nu va
mai depinde de VGS2 (VBE2 ).
e
gic
4.6 Referinta de curent VT h si VBE
Structura circuitului rezulta din observatia de mai sus si este data n Figura 4.7.
alo
VDD VCC
Iref Iref
An
R1 Io R1 Io
M2
e Q2
at
M1 Q1
gr
R2 R2
te
In
Figura 4.7: Referinta de curent VT h si VBE

ite
In aceasta structura rolul tranzistorului M2 (Q2 ) este sa actioneze ca tampon

si sa stabileasca rezistenta de iesire a circuitului.
rcu
Curentii de iesire se scriu:
r
Iref
VT h +

Ci
V

IoM OS = GS1 =

1
R2 R2

(4.31)
Iref
VT ln

V IS1

IoT B = BE1 =

R2 R2
82 Doris Csipkes
Prin derivare se gasesc senzitivitatile curentilor de iesire cu tensiunea de alimen-

tare.
e
gic
Vod1

IoM OS Iref
SVDD = SVDD

2 (Vod1 + VT h )
(4.32)
VT
SVIoT B = SVIref

alo
CC CC VBE1
Prin calcule numerice se poate demonstra ca referintele de tip VT h si VBE
An
au senzitivitati mai reduse cu tensiunea de alimentare decat oglinzile Widlar
corespunzatoare.
4.7 Referinte independente de VDD

e
at
Curentii si tensiunile furnizate de referintele studiate depind de tensiunea de
alimentare, avand o senzitivitate nenula cu VDD .
gr
La referintele studiate pana n acest moment curentul de iesire depinde de

tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referinta Iref . La
te
randul lui Iref depinde de VDD prin metoda cu care a fost generat (echilibrul din
prima ramura o cadere de tensiune pe o dioda MOS sau bipolara). Intuitiv,
In
daca Iref ar fi generat cu ajutorul lui Io , fara o dependenta de VDD , atunci

curentul de iesire ar fi teoretic independent de tensiunea de alimentare. Acest
lucru este posibil prin dubla definitie a curentului de iesire si fenomenul numit
ite
bootstrapping.
Generarea curentului Iref cu ajutorul lui Io se face prin simpla copiere a curen-
rcu
tului Io n cealalta ramura printr-o oglinda de curent. Schema circuitului este

data n Figura 4.8.
Cele doua variante se bazeaza pe referintele Widlar si VT h cu tranzistoare MOS.

Ci
Tranzistoarele M5 si M6 preiau si distribuie curentul de iesire spre alte circuite

dupa necesitate.
Ecuatiile care descriu functionarea circuitului sunt urmatoarele (scrise pentru

varianta cu referinta VT h ):
Doris Csipkes 83

VGS1 = Io R

e
r (4.33)
Iref
gic
VGS1 = VT h +

1
alo
VDD VDD
An
M3 M4 M5 M3 M4 M5
Rp Rp
I5 I5
M7 Iref M7 Iref
Io Io
I6
e
at
M2 I6
M1 M2 M6
M8 M8
M1 M6
gr
R R
te
Circuit de pornire Circuit de pornire

In
Figura 4.8: Referinta bootstrap

ite
Daca se considera tranzistoarele M3 si M4 identice si se neglijeaza neidealitatile

oglinzii de curent rezulta Iref = Io . In aceste conditii, din sistemul (4.33) se
poate obtine expresia curentului de iesire.
rcu
r
p 1 1 1
Io = + + 4RVT h (4.34)
2R 1 1
Ci
Se observa ca aceasta ecuatie nu contine elemente dependente de tensiunea de

alimentare. Drept urmare, senzitivitatea curentului de iesire cu tensiunea de
alimentare este zero.
84 Doris Csipkes
Observatie: n realitate eroarea raportului de reflexie al oglinzii PMOS

depinde de dezechilibrul tensiunilor drena-sursa ale tranzistoarelor. Deze-
chilibrul contine n expresia sa tensiunea de alimentare VDD . Astfel, daca
e
raportul de reflexie nu este precis, senzitivitatea va avea o valoare diferita
de zero.
gic
Observatie: datorita principiului de functionare, circuitul are doua puncte
alo
de echilibru. Primul punct este n origine, unde atat Iref cat si Io sunt
zero. Al doilea punct este definit de egalitatea lui Iref si Io la valori diferite
de zero. Pentru a ne asigura ca circuitul paraseste punctul static nedorit
An
din origine trebuie sa adaugam un circuit de pornire.
Circuitul de pornire asigura un curent initial prin circuit si este dezactivat treptat
daca circuitul evolueaza spre punctul static de functionare definit de ecuatia
(4.34). Functionarea circuitului de pornire din Figura 4.8 este urmatoarea:
e
at
- Iref = Io = 0 n drena lui M1 avem potential zero, dar n grila lui
M7 avem un potential egal cu VGS8 M7 conduce se injecteaza un
gr
curent n dioda MOS M1 apare o cadere de tensiune pe rezistenta R

apare un curent Io la iesire Io este copiat n ramura de referinta
curentii Iref si Io vor converge spre o valoare de echilibru prin reactie
te
pozitiva;
In
- tototdata potentialul din drena lui M1 creste M7 pierde VGS si se va

bloca treptat circuitul de pornire este dezactivat, curentul prin M7
reducandu-se la zero.
ite
4.8 Referinte compensate cu temperatura

rcu
Referintele prezentate pana acum erau puternic influentate de variatia tempe-

raturii. In practica este adesea necesara generarea unei tensiuni sau a unui
curent stabil cu temperatura. Aceasta conditie este ndeplinita de referintele
de tip banda interzisa (eng. bandgap).
Ci
Tensiunile si curentii generati de referintele studiate aveau o variatie pozitiva

sau negativa cu temperatura. In continuare se vor considera doua tipuri de
tensiuni: VBE si VBE , prima generata de referinta de curent de tip VBE , iar a
doua generata de referinta de curent Widlar cu tranzistoare bipolare.
Doris Csipkes 85
Variatia lui VBE cu temperatura
e
Reamintim variatia lui VBE cu valoarea curentului printr-un tranzistor bipolar:
gic

IC
VBE = VT ln (4.35)
IS
alo
La prima vedere s-ar parea ca VBE creste cu temperatura (fiind proportionala
cu VT ). Pentru a determina sensul de variatie corect trebuie considerata
urmatoarea expresie semi-empirica a curentului de saturatie:
An
VG0

IS = I0 e VT (4.36)
e
In aceasta ecuatie I0 este un curent dependent de procesul de fabricatie (mult
at
mai mare decat IS ), iar VG0 este tensiunea de banda interzisa a siliciului, ex-
trapolata la temperatura de 0 K. Inlocuind expresia lui IS n ecuatia (4.35),
rezulta:
gr

VG0
te

IC V I0
VBE = VT ln e T = VG0 VT ln (4.37)

I0 IC
In
Din aceasta ecuatie se observa ca tensiunea VBE scade liniar cu temperatura.

Deasemenea, la 0 K, VBE este egala cu VG0 . Drept urmare, se poate spune ca
ite
VBE este o tensiune de tip CTAT (Complementary To Absolute Temperature).
Variatia tensiunii VBE cu temperatura

rcu
Tensiunea VBE este de fapt o diferenta de tensiuni de tip VBE . Astfel, se

poate scrie:
Ci

IC1 IS2
VBE = VBE1 VBE2 = VT ln (4.38)
IC2 IS1
Daca cele doua tranzistoare sunt identice, atunci VBE va depinde numai de
raportul curentilor de colector, iar curentii IS1 si IS2 se simplifica. Astfel,
86 Doris Csipkes
dependenta de temperatura a lui IS este eliminata, iar VBE va creste liniar

cu temperatura. Drept urmare putem spune ca VBE este o tensiune de tip
PTAT.
e
gic
Observatie: de cate ori avem nevoie de tensiune (sau curent) PTAT, vom
cauta sa generam o tensiune de tip VBE . De cate ori avem nevoie de o
tensiune CTAT, generam o tensiune de tip VBE .
alo
Principiul de functionare a referintelor compensate cu temperatura se bazeaza
pe nsumarea ponderata a doua tensiuni avand coeficientul de temperatura
An
de semn opus (practic nsumam un PTAT cu un CTAT). Adtional, ambele
tensiuni ar trebui sa fie independente de tensiunea de alimentare (se obtine prin
bootstrapping) deoarece sumarea compenseaza numai variatiile cu temperatura.
e
Schema de principiu a unei referinte bandgap este data n Figura 4.9.
at
VDD
VT
a
gr
PTAT
I
te
I1 aVT
In
VBE Vo
Q
ite
Figura 4.9: Schema de principiu a unei referinte bandgap

rcu
Tensiunea de iesire se scrie:

Ci
Vo = VBE + a VT (4.39)
Coeficientul a este o marime constanta, independenta de temperatura

V
(de cele mai multe ori realizata ca raport de rezistente si/sau de curenti de
saturatie).
Doris Csipkes 87
Tinand cont de expresiile tensiunilor VBE si VBE , tensiunea de iesire se scrie:
e

I0 IC1 IS2
Vo = VG0 VT ln + VT ln (4.40)
gic
IC IC2 IS1
Daca circuitul este corect dimensionat, atunci termenii dependenti de tempe-
alo
ratura se reduc, iar tensiunea de iesire va fi aproximativ egala cu VG0 (de aici
numele de bandgap).
Pentru a gasi variatia tensiunii de iesire cu temperatura se deriveaza ecuatia
An
(4.39) n raport cu temperatura. Pentru un calcul corect ar trebui sa cunoastem
valorile exacte ale tensiunilor si coeficientul lor de variatie cu temperatura.
4.9 Exemple
e
at
Referinta bandgap de tip Widlar
gr
Una dintre primele implementari ale referintelor bandgap, bazata numai pe

tranzistoare bipolare, este cea data de Widlar. Schema circuitului este prezen-
te
tata n Figura 4.10.
Pentru simplitate, n calcule se considera = . Expresia tensiunii de iesire

In
se calculeaza din urmatorul sistem de ecuatii:

ite

V = R1 I1 + VBE1
o

VBE1 = VBE2 + R3 I2 (4.41)

rcu

VBE1 + R1 I1 = VBE3 + R2 I2

Daca tranzistoarele Q1 si Q3 sunt identice, atunci expresia lui I2 se scrie:

Ci

VT R2 IS2
I2 = ln (4.42)
R3 R1 IS1
Tensiunea de iesire rezulta:
88 Doris Csipkes

R2 R2 IS2
Vo = VBE1 + VT ln (4.43)
R3 R1 IS1
e
Din aceasta ecuatie se observa ca tensiunea de iesire este compensata cu tem-
gic
peratura.
VCC
alo
I3
Q4
Rp
An
Vo
R2 R1
I2 e I1
Q3
at
Q2 Q1
gr
R3
te
Figura 4.10: Referinta bandgap de tip Widlar

In
ite
Observatie: n general referintele bandgap prezinta o curbura a carac-

teristicii Vo = f (T ) datorata neidealitatilor. Punctul de maxim al curbei
semnifica un coeficient de temperatura egal cu zero si se ajusteaza la
rcu
temperatura nominala cu ajutorul elementelor de circuit.
Referinta bandgap de tip Song

Ci
Referinta bandgap Song foloseste o oglinda Widlar bipolara pentru a ge-

nera curentul PTAT. Oglinda de curent PMOS utilizata pentru compensarea
variatiilor cu VDD este o oglinda cascoda care reduce erorile raportului de re-
flexie si implicit senzitivitatea curentului de iesire cu VDD . Schema circuitului
este data n Figura 4.11.
Doris Csipkes 89
VDD
M6 M7 M8
e
gic
M3 M4 M5
alo
I1 IPTAT
I2 Vo
M1 M2
R2
Q1 Q2 Q3
An
e
R1
at
gr
Figura 4.11: Referinta bandgap de tip Song

te
Sistemul de ecuatii corespunzatoare circuitului se scrie:

In
V

V = VBE3 + R2 IP T AT
o

(4.44)
ite
VBE1 = VBE2 + R1 I2

I1 = I2 = IP T AT

Rezulta:
rcu

R2 IS2
Vo = VBE3 + VT ln (4.45)
R1 IS1
Ci
Referinta bandgap de tip Brokaw
Una dintre cele mai cunoscute structuri de referinte bandgap este celula
Brokaw. Diferenta dintre tensiunile baza-emitor necesara pentru producerea
curentului PTAT este generata cu ajutorul unui divizor rezistiv de tensiune.
90 Doris Csipkes
Schema circuitului este data n Figura 4.12.
e
VCC
gic
R1 R2
alo
Vo
-
I1 I2
An
Q1 Q2
R3
e
at
R4
gr
te
Figura 4.12: Referinta bandgap cu celula Brokaw

In
In aceasta varianta de celula Brokaw amplificatorul operational este utilizat n

configuratia cu reactie pentru a egala tensiunile la bornele sale de intrare. Daca
ite
se considera amplificatorul operational ideal (tensiune de offset si curenti de

polarizare neglijabili) atunci potentialele de la bornele inversoare si neinversoare
sunt egale. Astfel, caderile de tensiune pe rezistentele R1 si R2 sunt egale, iar
rcu
curentii sunt ponderati de valorile rezistentelor.
Sistemul de ecuatii caracteristic circuitului se scrie:

Ci

V = VBE1 + R4 (I1 + I2 )
o

VBE1 = VBE2 + R3 I2 (4.46)

R1 I1 = R2 I2

Doris Csipkes 91
Tensiunea de iesire rezulta:

R4 R2 R2 IS2
Vo = VBE1 + VT 1+ ln (4.47)
R3 R1 R1 IS1
e
gic
Observatie: n realitate variatia cu temperatura a lui VBE este usor ne-
liniara, astfel ncat caracteristica de iesire a referintei bandgap variaza
alo
cu temperatura ca n Figura 4.13. Se observa ca panta caracteristicii se
anuleaza la o singura temperatura, considerata temperatura nominala de
proiectare. De multe ori, mai ales la circuitele integrate de joasa putere,
aceasta temperatura este egala cu cea a camerei (27 C).
Vo
An
e
at
gr
T
te
o o o
-40 C 27 C 100 C
In
Figura 4.13: Variatia reala a tensiunii de iesire cu temperatura

ite
4.10 Sumar
rcu
In acest capitol s-au prezentat cateva tipuri de referinte considerate imple-

mentari electronice ale surselor ideale. Majoritatea referintelor simple sunt sen-
sibile la variatiile tensiunii de alimentare si ale temperaturii. Pentru a com-
pensa variatiile cu tensiunea de alimentare se utilizeaza procedeul de boots-
Ci
trapping care introduce o dubla definitie a curentului de iesire eliminand astfel

dependenta de VDD .
Pentru a compensa variatiile tensiunii sau curentului generat cu temperatura

se utilizeaza nsumarea unor tensiuni cu coeficienti de temperatura de semn
92 Doris Csipkes
opus. In paragrafele dedicate referintelor de tip banda interzisa s-a aratat ca

aceste referinte sunt, n cazul ideal, imune la schimbarile de temperatura, dar
n realitate exista o curbura a caracteristicii temperatura-tensiune. Elementele
e
de circuit permit o ajustare a temperaturii nominale la care coeficientul de
temperatura al referintei se anuleaza.
gic
Bibliografie:
alo
An

Press, 1987 e
at
1999.
5. T. H. Lee - The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits,

gr
Cambridge University Press, 1998;

te
6. J-T. Wu - Voltage and Current References - Lecture Notes, National

Chiao-Tung University, Taiwan, 2003
In
ite
rcu
Ci
Doris Csipkes 93
e
gic
Capitolul 5
alo
Amplificatoare simple
An
Amplificatoarele inversoare simple constituie etajele fundamentale n circuitele
de amplificare mai complexe, cum sunt amplificatoarele operationale sau com-
e
paratoarele integrate.
at
Structura amplificatoarelor inversoare contine ntotdeauna o sursa de curent
controlata n tensiune si un circuit de sarcina. Mecanismul de amplificare
gr
are la baza principiul de conversie a tensiunii de intrare n curent, iar apoi

acest curent este injectat ntr-un nod de nalta impedanta de unde se culege
te
tensiunea de iesire.
Discutia asupra amplificatoarelor simple din aceasta sectiune prezinta analiza

In
punctului static de functionare, modelul de semnal mic si joasa frecventa, pre-

cum si comportamentul la frecvente mari.
ite
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcina rezistiva

rcu
La acest tip de amplificator tensiunea de intrare este convertita n curent de

tranzistorul de intrare. Sarcina este o rezistenta pasiva care determina n ultima
instanta castigul. Schema circuitului este data n Figura 5.1.a.
Ci
Punctul static de functionare
Punctul static de functionare se gaseste din conditia de echilibru al circui-

tului. Conditia de echilibru implica egalitatea curentilor prin rezistenta si prin
tranzistor (presupunand functionarea n gol sau cu sarcina pur capacitiva).
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Punctul static de functionare se poate determina n mod grafic din intersectia

caracteristicii de iesire a tranzistorului M1 si a dreptei de sarcina (Figura 5.1.b).
e
VDD I
gic
VDD R
R R
alo
I vout PSF
vin M1 M1
An VDD Vout
a)
e b)
at
Figura 5.1: Amplificatorul inversor cu sarcina rezistiva
gr
te
Observatie: fiecarei tensiuni de intrare continue (fiecarui VGS1 ) i va cores-

punde un punct de echilibru diferit, circuitul are mai multe puncte statice
de functionare posibile
In
ite
Domeniul de variatie a tensiunii de iesire
Punctul static de functionare al circuitului trebuie ales astfel ncat la valori de

rcu
varf ale semnalului tranzistorul sa ramana n regim saturat. Invers, pentru un

PSF ales se poate determina domeniul de variatie a semnalului de iesire.
In cazul amplificatorului cu sarcina rezistiva limita de sus a domeniului de

Ci
variatie este chiar VDD deoarece rezistenta nu impune reguli asupra caderii
de tensiune la bornele sale. Limita de jos este determinata de polarizarea
tranzistorului care functioneaza n regim saturat daca VDS > Vod . Astfel, la un
varf negativ al semnalului tensiunea instantanee la iesire nu are voie sa scada
sub Vod1 .
Doris Csipkes 95
Modelul de semnal mic si joasa frecventa
Modelul de semnal mic si joasa frecventa, prezentatn Figura 5.2, ignora efectele
e
capacitatilor parazite si a capacitatii de sarcina asupra functionarii circuitului.
gic
alo
vin gm1vGS1 rDS1 R vout
An
Figura 5.2: Schema de semnal mic a amplificatorului cu sarcina rezistiva
e
La constructia modelului s-a considerat transconductanta de substrat mult mai
at
mica decat gm , iar nodurile conectate la surse constante au fost pasivizate (de
ex. VDD devine masa).
gr
Observatie: modelul de semnal mic este inerent liniar deoarece descrie

te
variatii mici (infinitezimale) ale semnalelor n jurul punctului static de

functionare. Acest lucru nseamna ca o tensiune sinusoidala aplicata la
In
intrarea modelului va produce la iesire tot un semnal sinusoidal de aceeasi

frecventa.
ite
Observatie: modelul de semnal mic contine doar elemente pasive si surse

comandate. Drept urmare, efectele dinamice din circuit (de ex. limitarea
rcu
semnalului sau viteza de variatie a semnalului) nu sunt modelate.
Castigul de joasa frecventa se determina scriind teorema lui Kirchhoff si legea

Ci
lui Ohm la nodul de iesire.

vout vout
gm1 vin + + =0 (5.1)
rDS1 R
Daca se considera rDS1 >> R, rezulta:
96 Doris Csipkes
vout gm1
A0 = = = gm1 Rout
= gm1 R (5.2)
vin 1 1
+
rDS1 R
e
gic
Observatie: castigul de joasa frecventa al unui amplificator simplu de ten-
siune se scrie ntotdeauna ca produsul dintre transconductanta tranzisto-
rului de intrare (conversia tensiune-curent) si rezistenta de iesire (conver-
alo
sia curent-tensiune).
Pentru amplificatorul cu sarcina rezistiva transconductanta tranzistorului de
An
intrare este gm1 , iar rezistenta de iesire se aproximeaza cu R.
Comportamentul n frecventa
e
Pentru a descrie comportamentul n frecventa trebuie sa tinem cont de capa-
at
citatile parazite din circuit si de capacitatea de sarcina. Figura 5.3 prezinta
schema amplificatorului cu toate capacitatile nodurilor explicitate.
gr
VDD
te
R
In
rhz vout
C1
p
ite
M1
vin
M1 C2
rcu
Ci
Figura 5.3: Schema amplificatorului cu sarcina rezistiva si capacitatile ex-

plicitate
Capacitatea C1 este chiar capacitatea grila-drena a tranzistorului M1 . Capa-

citatea C2 contine toate capacitatile parazite conectate la nodul de iesire si
Doris Csipkes 97
capacitatea de sarcina.
Din examinarea schemei se observa ca nodul de iesire va introduce un pol n
e
functia de transfer a circuitului. Etajul fiind inversor, efectul Miller datorat
gic
cuplajului capacitiv prin C1 va produce si un zero n semiplanul drept (RHZ
= Right Half-plane Zero). In concluzie, daca se considera o sursa de tensiune
ideala la intrare, functia de transfer a amplificatorului va avea un pol si un zero
pozitiv.
alo
Schema de semnal mic si nalta frecventa a circuitului este data n Figura 5.4.
An
C1
e
vin Gmvin Rout C2 vout
at
gr
te
Figura 5.4: Modelul de semnal mic si nalta frecventa al amplificatorului

cu sarcina rezistiva
In
Teorema lui Kirchhoff pentru curenti la nodul de iesire conduce la urmatoarea

ite
functie de transfer:
rcu

sC1 sC1
gm1 Rout 1 gm1 Rout 1
vout gm1 gm1
A(s) = = = (5.3)
vin 1 + s (C1 + C2 ) Rout 1 + sCL Rout
Ci
In aceasta ecuatie capacitatea conectata la nodul de iesire este dominata de

capacitatea de sarcina. Functia de transfer se mai poate scrie sub forma generala
dupa cum urmeaza:
98 Doris Csipkes

s
A0 1
rhz
A(s) = s (5.4)
e
1+
p
gic
Identificand parametrii rezulta castigul de joasa frecventa A0 , frecventa polului
fp si frecventa zeroului pozitiv fz .
alo

A0 = gm1 Rout = gm1 R

An

1

fp = (5.5)
2RC L
gm1

fz =

2C1 e
at
Diagramele Bode corespunzatoare functiei de transfer de mai sus sunt date n
Figura 5.5.
gr
|A(s)|
20
te
0
In
-20
-40
ite
f
A(s) fp frhz
180d
rcu
90d
Ci
0d f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
Figura 5.5: Caracteristicile de frecventa ale amplificatorului cu sarcina

rezistiva
Doris Csipkes 99
Pe figura sunt identificate frecventele aproximative fp si fz . Se observa ca zeroul

pozitiv compenseaza caderea cu -20dB/decada a caracteristicii de amplitudine,
dar introduce un defazaj suplimentar de 90 . Deasemenea trebuie remarcate
e
ordinele de marime ale celor doua frecvente si castigul de joasa frecventa
relativ redus (< 10).
gic
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcina dioda
alo
Amplificatorul cu sarcina dioda are structura similara cu cea a amplificatorului cu
sarcina rezistiva. Sarcina este de aceasta data o dioda MOS. Schema circuitului
An
este data n Figura 5.6.a.

e
Punctul static de functionare se determina din conditia de echilibru a circuitului
at
(acelasi curent prin ambele tranzistoare). In mod grafic, punctul static de
functionare este la intersectia dintre caracteristica de iesire a tranzistorului M1 si
caracteristica de transfer a lui M2 (Figura 5.6.b). M2 fiind ntotdeauna saturat
gr
(dioda), caracteristica sa de transfer este o parabola cu varful n tensiunea

VDD |VT hp |.
te
In
VDD
I
M2
M2
ite
PSF
vout
rcu
I
M1 M1
vin
Ci
VDD-|VThp| Vout
a) b)
Figura 5.6: Amplificatorul inversor cu sarcina dioda
100 Doris Csipkes

Valoarea instantanee a tensiunii de iesire trebuie sa permita pastrarea tranzis-
e
torului M1 n regim saturat si a lui M2 n conductie. La evaluarea domeniului
admis de variatie trebuie luat n seama si semnalul suprapus peste compo-
gic
nenta continua. Astfel rezulta:
alo
Vod1 + vmax Vout VDD |VT hp | vmax (5.6)
In aceasta inegalitate vmax este amplitudinea semnalului la iesirea circuitului.
An
Modelul de semnal mic si joasa frecventa, prezentat n Figura 5.7, permite

e
determinarea rezistentei de iesire si a castigului de joasa frecventa.
at
gr
vin gm1vGS1 rDS2 vout

rDS1 gm2vGS2
te
In
Figura 5.7: Modelul de semnal mic al amplificatorului cu sarcina dioda

ite
Castigul de joasa frecventa se calculeaza scriind teorema lui Kirchhoff pentru

rcu
curenti la nodul de iesire al circuitului. Daca se considera gDS << gm rezulta:
vout gm1 gm1

A0 = = gm1 Rout = = (5.7)
vin gDS1 + gDS2 + gm2 gm2
Ci
Se observa ca rezistenta de iesire este redusa datorita conexiunii de dioda a

tranzistorului M2 (rezistenta echivalenta aproximativ 1/gm2 ). Astfel, castigul de
joasa frecventa este apropiat de unitate, iar circuitul se utilizeaza ca repetor.
Doris Csipkes 101

In mod similar ca si amplificatorul cu sarcina rezistiva exista un singur nod n
e
calea semnalului. Capacitatile specifice circuitului sunt date n Figura 5.8. Polul
introdus de nodul de iesire este mutat la frecvente mai mari datorita rezistentei
gic
de iesire reduse. Zeroul pozitiv apare aproximativ la aceeasi frecventa ca si la
amplificatorul cu sarcina rezistiva.
alo
VDD
An
M2
rhz vout
p
e
C1 C2
at
M1
vin
gr
te
Figura 5.8: Capacitatile specifice amplificatorului cu sarcina dioda

In
Modelul de semnal mic si nalta frecventa a amplificatorului este dat n Figura

ite
5.9. Se observa ca modelul este identic cu cel al amplificatorului cu sarcina

rezistiva (topologia circuitului este neschimbata), dar expresia rezistentei de
iesire Rout este diferita.
rcu
Pentru Rout aproximativ egal cu 1/gm2 si C1 + C2 aproximativ egal cu CL

functia de transfer rezulta:
Ci
sC1 s
1 1
vout gm1 gm1 z
A(s) = = = A0 s (5.8)
vin gm2 sCL 1+
1+ p
gm2
102 Doris Csipkes

C1
e
gic
alo
Figura 5.9: Modelul de semnal mic si nalta frecventa al amplificatorului
cu sarcina dioda
An
Parametrii functiei de transfer sunt:
gm1 gm2 gm1

A0
= ; fp = ; fz = (5.9)
gm2 2CL
e
2C1
at
Diagramele Bode corespunzatoare sunt date n Figura 5.10.
gr
|A(s)|
te
0
In
-20
-40
ite
f
A(s) fp frhz
180d
rcu
90d
Ci
0d f

dioda
Doris Csipkes 103

Se observa deplasarea polului spre frecvente mai nalte fata de amplificatorul

cu sarcina rezistiva. Zeroul a ramas la aceeasi frecventa, iar castigul de joasa
frecventa este apropiat de 0dB.
e
gic
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcina sursa
de curent
alo
Topologia circuitului nu se schimba fata de circuitele discutate pana acum,
dar sarcina este nlocuita cu o sursa de curent simpla cu un singur tranzistor.
Schema circuitului este data n Figura 5.11.a.
An
VDD
M2 e
I
M2
at
VG2 M1
I
PSF
gr
vout
M1
te
vin
In
VDD Vout
a) b)
ite
Figura 5.11: Amplificatorul inversor cu sarcina sursa de curent

rcu
Punctul static de functionare se gaseste la intersectia caracteristicilor de iesire

Ci
ale celor doua tranzistoare (Figura 5.11.b). Tensiunile de polarizare din grilele
celor doua tranzistoare trebuie alese astfel ncat intersectia caracteristicilor sa
fie n zonele de saturatie ale tranzistoarelor. Astfel, ambele tranzistoare vor
fi saturate si se vor comporta ca si surse de curent.
104 Doris Csipkes

Domeniul de variatie a tensiunii de iesire se determina din conditiile de satu-
e
ratie ale celor doua tranzistoare. Conditiile de saturatie, scrise pentru cazurile
n care semnalul la iesire si atinge valoarea maxima (vmax ) respectiv minima
gic
(vmax ), conduc la urmatoarea inegalitate:
alo
Vod1 + vmax Vout VDD Vod2 vmax (5.10)
Inegalitatea de mai sus este utilizata si pentru a determina valoarea componentei
An
continue a tensiunii de iesire. Alegerea se face astfel ncat circuitul sa poata fi
conectat n cascada n timp ce variatia semnalului este maxim posibila (trebuie
evitata limitarea). In practica apar frecvent amplificatoare n cascada unde
polarizarea tranzistorului de intrare ntr-un etaj este asigurata de iesirea etajului
precedent.
e
at
gr
Modelul de semnal mic si joasa frecventa al amplificatorului inversor cu sarcina

sursa de curent este data n Figura 5.12.
te
In
vin gm1vGS1 rDS2 vout

rDS1 gm2vGS2
ite
rcu
Figura 5.12: Modelul de semnal mic si joasa frecventa al amplificatorului

cu sarcina sursa de curent
Ci
Observatie: grila si sursa tranzistorului M2 sunt conectate la un potential

constant, independent de semnal. Prin pasivizare aceste noduri sunt conec-
tate la masa. Drept urmare, VGS2 = 0 si sursa comandata gm2 VGS2 dispare
din schema de semnal mic.
Doris Csipkes 105

Teorema lui Kirchhoff pentru curenti si legea lui Ohm conduc la urmatoarea
expresie a castigului de joasa frecventa:
e
gic
gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || rDS2 ) = gm1 Rout (5.11)
gDS1 + gDS2
alo
Rezistenta de iesire a circuitului se obtine ca o conexiune paralela ntre
rezistentele drena-sursa ale celor doua tranzistoare.
An
Intuitiv, se poate spune ca amplificatorul cu sarcina sursa de curent va avea
un comportament similar n frecventa ca si amplificatoarele discutate anterior.
Acest lucru se datoreaza topologiei identice. Schema circuitului cu capacitati
e
parazite este prezentata n Figura 5.13.
at
VDD
gr
M2
te
VG2
In
p rhz vout
C1
M1
ite
vin C2
rcu
Figura 5.13: Capacitatile parazite n amplificatorul cu sarcina sursa de

curent
Ci
Modelul de semnal mic si nalta frecventa este dat n Figura 5.14.
106 Doris Csipkes

C1
e
gic
alo
Figura 5.14: Capacitatile parazite n amplificatorul cu sarcina sursa de
curent
An
Functia de transfer n s a circuitului este:

sC1 s
gm1 (rDS1 || rDS2 ) 1 1
vout
e gm1 z
A(s) = = = A0 s (5.12)
vin 1 + s (rDS1 || rDS2 ) CL
at
1+
p
gr
Castigul de joasa frecventa, frecventa polului si frecventa zeroului se scriu:

te
1 gm1
A0
= gm1 (rDS1 || rDS2 ) ; fp = ; fz = (5.13)
2Rout CL 2C1
In
Datorita rezistentei de iesire marite frecventa polului se deplaseaza la frecvente

mai joase, n timp ce castigul de joasa frecventa al circuitului creste. Aceste
modificari sunt ilustrate n diagramele Bode din Figura 5.15. Parametrii functiei
ite
de transfer sunt comparabile cu cele ale amplificatorului cu sarcina rezistiva.

rcu
5.4 Amplificatorul inversor cascoda

Amplificatoarele discutate n paragrafele anterioare se pot utiliza numai pentru
un castig relativ redus (tipic n jur de 20-30dB), chiar unitar. Aditional, s-a
Ci
ignorat efectul rezistentei nenule al sursei de semnal de la intrare. Aceasta

rezistenta poate deteriora semnificativ comportamentul n frecventa al circui-
tului daca se combina cu capacitatea reflectata la intrare prin efect Miller (de
ordinul sutelor de fF sau chiar pF daca A0 > 20dB). Rezultatul efectului Miller
este n aceste cazuri un pol suplimentar la frecvente joase sau medii.
Doris Csipkes 107

|A(s)|
20
e
gic
-20
-40
f
alo
A(s) fp frhz
180d
An
90d
0d f
10KHz 1.0MHz
e
100MHz 10GHz 1.0THz
at
sursa de curent
gr
te
Observatie: desi de cele mai multe ori efectul Miller nu este dorit, el poate
avea si efecte benefice. Aceste efecte se folosesc la mbunatatirea stabilitatii
In
amplificatoarelor cu etaje multiple (discutie mai detaliata la structuri de

AO).
ite
Utilizarea structurilor cascoda mareste rezistenta de iesire a amplificatorului.

Aditional, tranzistorul M1 va vedea n drena sa o rezistenta de valoare apro-
rcu
ximativ egala cu 1/gm2 si astfel castigul lui va scadea fata de amplificatorul

cu sarcina sursa de curent. Drept urmare, capacitatea reflectata la intrare prin
efect Miller va fi mai redusa. Acest lucru nseamna ca structura cascoda
permite reducerea consecintelor efectului Miller pe tranzistorul de intrare.
Ci
Structura amplificatorului cascoda este data n Figura 5.16.a.
108 Doris Csipkes

Punctul static de functionare al amplificatorului cascoda cu sarcina sursa de

curent se obtine prin intersectarea caracteristicilor de iesire ale tranzistorului
M3 si a sursei de curent cascoda M1 -M2 ca n Figura 5.16.b.
e
gic
VDD
M3 I
VG3 M3 M1+ M2
alo
PSF
M2
vout
M2
An
VG2 M1+ M2 liniar
liniar
M1
vin
VDD Vout
e
at
a) b)
Figura 5.16: Amplificatorul cascoda
gr
Cele doua coturi ale caracteristicii de iesire a sursei cascoda corespund tensiu-
te
nilor la care tranzistorul M2 si apoi M1 intra n regim liniar. Aceste aspecte au

fost discutate detaliat n paragraful cu surse de curent.
In

ite
Valorile extreme ale tensiunii instantanee la iesire trebuie sa permita mentine-

rea tuturor tranzistoarelor n regim saturat, chiar daca semnalul si atinge
valorile maxime pozitive si negative.
rcu
Limita superioara a domeniului admis pentru tensiunea de iesire este determi-

nata de tensiunea sursa-drena minima a tranzistorului M3 .
Ci
VoutM AX = VDD Vod3 vmax (5.14)
Limita inferioara a domeniului de variatie se obtine similar, impunand conditia

de saturatie pentru tranzistoarele M1 si M2 .
Doris Csipkes 109

VoutM IN = Vod1 + Vod2 + vmax (5.15)
e
gic
Schema de semnal mic se obtine prinnlocuirea fiecarui tranzistor cu modelul sau
de semnal mic. Tensiunile VG2 si VG3 nu depind de semnal si devin conexiuni
la masa dupa pasivizarea schemei. Figura 5.17 arata schema de semnal mic
alo
rezultata dupa pasivizare.
An
gm2vGS2 rDS2
e
rDS3
at
vout
gr
vin gm1vGS1
te
rDS1
In
Figura 5.17: Schema de semnal mic a amplificatorului cascoda cu sarcina

ite
sursa de curent
rcu
Observatie: la circuitele care contin surse de curent mai complicate (de ex.
cascoda) este util sa se construiasca schema echivalenta de semnal mic prin
nlocuirea tranzistoarelor. Astfel, pot fi puse n evidenta aspectele legate
Ci
de etajele intermediare de amplificare. In cazul amplificatorului cascoda

tranzistorul M2 reprezinta un etaj tampon de curent (grila comuna).
Castigul de joasa frecventa rezulta din teorema lui Kirchhoff pentru curenti
si legea lui Ohm.
110 Doris Csipkes

gm1 (gDS2 + gm2 + gmb2 )

A0 = (5.16)
gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 + gmb2 )
e
Daca se considera transconductanta de semnal mic mult mai mare decat con-
gic
ductanta drena-sursa si transconductanta sursa-substrat, A0 se aproximeaza:
A0
= gm1 rDS3 = gm1 Rout (5.17)
alo
Se observa ca rezistenta de iesire a amplificatorului este aproximativ egala cu
rDS3 .
An
Figura 5.18 prezinta schema amplificatorului cascoda cu capacitatile parazite

e
explicitate.
at
VDD
gr
te
M3
vG3
In
p1 vout
M2
ite
vG2
C3
rhz
rcu
C1 p2
M1
C2
vin
Ci
Figura 5.18: Capacitatile parazite n amplificatorul cascoda cu sarcina

sursa de curent
Doris Csipkes 111

Diferenta majora dintre caracteristicile de frecventa ale amplificatoarelor stu-

diate pana acum si ale amplificatorului cascoda este aparitia unui pol supli-
mentar (p2 ) datorat etajului n grila comuna. Frecventa acestui pol este
e
determinata de capacitatea si de rezistenta echivalenta a nodului din drena
tranzistorului M1 .
gic
Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecventa este data n Figura 5.19.
alo
gm2vGS2 rDS2
An
vout
C1 rDS3 C3
e
vin
at
gm1vGS1 rDS1 C2
gr
te
Figura 5.19: Schema echivalenta de semnal mic si nalta frecventa ampli-

ficatorul cascoda
In
Functia de transfer a circuitului rezulta:

ite

sC1
A0 1
gm1
A(s) = 2 (5.18)
s a + sb + 1
rcu
Coeficientii lui s se identifica dupa cum urmeaza:

Ci
C3 (C1 + C2 )

a =

gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )
(5.19)
C3 (gDS1 + gDS2 + gm2 ) + (C1 + C2 ) (gDS2 + gDS3 )
b =

gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )

112 Doris Csipkes

Examinand ecuatia (5.18) se observa ca functia de transfer a circuitului are

doi poli si un zero pozitiv. Castigul de joasa frecventa, frecventa polilor si
frecventa zeroului se pot aproxima ca n urmatoarele ecuatii:
e
gic
A0

= gm1 rDS3

1 1

fp1 =
=

2b 2Rout C3
alo
b gm2 (5.20)

fp2 = =
2a 2 (C1 + C2 )

fz = gm1

An
2C1
Diagramele Bode corespunzatoare circuitului sunt date n Figura 5.20.

e
|A(s)|
at
40
0
gr
-40
te
-80
In
f
A(s) fp1 fp2 frhz
ite
90d
rcu
0d
-90d f
Ci
Figura 5.20: Diagramele Bode corespunzatoare amplificatorului cascoda
Se observa ca frecventa polului dominant a ramas aproximativ neschimbata fata

de amplificatorul simplu cu sarcina sursa de curent, n timp ce castigul de joasa
Doris Csipkes 113

frecventa a crescut usor. Frecventa polului al doilea, introdus de etajul n grila

comuna este de ordinul GHz-lor.
e
Un dezavantaj al circuitului este acela ca structura de cascoda nu este simetrica.
Din acest motiv, beneficiul adus de cascoda rezistentei de iesire se pierde. O
gic
solutie la aceasta problema este utilizarea unei structuri de cascoda p-n
simetrice raportat la nodul de iesire.
alo
5.5 Amplificatorul inversor cascoda simetrica
An
Amplificatorul cascoda simetrica pastreaza avantajul introdus de cascoda simpla
n ceea ce priveste reducerea consecintelor efectului Miller pe tranzistorul de
intrare. Aditional, rezistenta de iesire este marita considerabil prin simetrizarea
structurii. Schema circuitului este data n Figura 5.21.
e
at
VDD
gr
M4
VG4 I
te
M3
M3+ M4 M1+ M2
PSF
In
VG3
vout M2 M3+ M4
M2 M1+ M2 liniar liniar
ite
liniar
VG2 M3
liniar
M1
VDD Vout
rcu
vin
a) b)
Ci
Figura 5.21: Amplificatorul inversor cu cascoda simetrica
114 Doris Csipkes

Punctul static de functionare se gaseste la intersectia caracteristicilor de

iesire ale celor doua surse de curent cascoda (M1 -M2 si M3 -M4 ). Este de
remarcat faptul ca ambele caracteristici prezinta franturile specifice introduse
e
de intrarea n regim liniar a tranzistoarelor cascoda si apoi ale tranzistoarelor
conectate la VDD respectiv VSS . In punctul static de functionare curentul este
gic
acelasi prin toate cele patru tranzistoare.
alo
Valoarea instantanee a tensiunii de iesire trebuie sa permita mentinerea n
saturatie a tuturor tranzistoarelor. Limitele domeniului admis de variatie se
An
scriu similar ca la amplificatorul cascoda simplu:

VoutM AX = VDD Vod3 Vod4 vmax
(5.21)
V
e
outM IN = Vod1 + Vod2 + vmax
at
gr
te
gm2vGS2 rDS2 gm3vGS3 rDS3

In
vout
ite
rDS4
rcu
vin gm1vGS1 rDS1

Ci
Figura 5.22: Schema de semnal mic a amplificatorul inversor cu cascoda

simetrica
Modelul de semnal mic si joasa frecventa a amplificatorului cu cascoda simetrica
Doris Csipkes 115

(Figura 5.22) se construieste nlocuind tranzistoarele cu schemele echivalente.

Suplimentar, potentialele din grilele tuturor tranzistoarelor n afara de M1 sunt
constante si devin conexiuni la masa dupa pasivizare.
e
Teoremele lui Kirchhoff si legea lui Ohm scrise pentru circuit duc la urmatoarea
gic
expresie a castigului de joasa frecventa:
A0
alo
= gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = gm1 Rout (5.22)
Ordinul de marime a rezistentei de iesire este cel al M-lor, considerabil mai

mare decat n cazul amplificatorului cascoda simplu.
An
VDD e
at
M4
vG4
gr
Rech3-4
M3
vG3
te
p1
In
vout
M2
vG2
ite
p2 C3
C1
rhz C2
rcu
vin
M1
Ci
Figura 5.23: Capacitatile specifice amplificatorului cu cascoda simetrica
116 Doris Csipkes

Comportamentul n frecventa al circuitului se determina considerand capa-
e
citatile parazite si rezistentele echivalente ale tuturor nodurilor din circuit.
Figura 5.23 prezinta schema amplificatorului cu capacitatile nodurilor explici-
gic
tate.
alo
An
gm2vGS2 rDS2
e Rech3-4 C3 vout
at
C1
gr
vin gm1vGS1 rDS1 C2 v

te
In
Figura 5.24: Schema de semnal mic si nalta frecventa a amplificatorului

cu cascoda simetrica
ite
Functia de transfer a circuitului are aceeasi forma ca si n cazul variantei cu

rcu
cascoda simpla, continand un zero pozitiv si doi poli.

s
A0 1
Ci

A(s) = rhz (5.23)
s s
1+ 1+
p1 p2
Frecventele polilor si a zeroului se scriu:
Doris Csipkes 117


A0 = gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )

e

1 1
fp1 = 2C3 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = 2Rout C3

gic

gm2 (5.24)

fp2
=

2 (C1 + C2 )
g
alo

m1

fz =
2C1
An
Diagramele Bode corespunzatoare sunt date n Figura 5.25.
|A(s)| e
40
at
0
gr
-40
-80
te
f
A(s) fp1 fp2 frhz
180d
In
90d
ite
0d
f
rcu
-90d
Figura 5.25: Raspunsul n frecventa al amplificatorului cu cascoda sime-
trica
Ci
Din figura se observa ca polii si zeroul pozitiv duc la un comportament n

frecventa similar cu cel al amplificatorului cascoda simpla. Diferenta principala
consta n cresterea castigului datorita rezistentei marite de iesire si deplasarea
polului dominant la frecvente mai joase.
118 Doris Csipkes

5.6 Amplificatorul inversor cascoda pliata

Dezavantajul amplificatorului cu structuri p si n simetrice este ca n tehnologi-
ile cu tensiuni de alimentare joase tranzistoarele sunt dificil de polarizat n
e
saturatie (insuficient VDS ). Solutia este plierea structurii cascoda pentru a
gic
reduce numarul de tranzistoare dintre cele doua conexiuni de alimentare. Cas-
codarea este facuta cu un tranzistor PMOS care serveste ca si cascoda atat
pentru tranzistorul de intrare cat si pentru cel de sarcina.
alo
Schema amplificatorului inversor cascoda pliata este data n Figura 5.26.
An
VDD
vG4
M4
e
at
VG2
M2
gr
vout
vin
VG3
te
M1
M3
In
Figura 5.26: Amplificatorul inversor cascoda pliata

ite

rcu
Punctul static de functionare este mai dificil de reprezentat n mod grafic deoa-
rece curentul furnizat de tranzistorul M4 se divide ntre doua ramuri de cir-
cuit. La dimensionarea tranzistoarelor trebuie tinut cont de valoare curentului
Ci
prin fiecare dispozitiv n parte.
Limitele domeniului de variatie a tensiunii de iesire se determina dupa acelasi
Doris Csipkes 119

rationament ca n paragrafele precedente. Pentru o functionare corecta toate

tranzistoarele trebuie mentinute n regim saturat, chiar si n prezenta sem-
nalului. Rezulta:
e
gic

VoutM AX = VDD Vod2 Vod4 vmax
(5.25)
V
outM IN = Vod3 + vmax
alo
Similar, tensiunea n nodul de pliere este si ea limitata. Din conditiile de
saturatie ale tranzistoarelor se obtine:
An

VnodpliereM AX = VDD Vod4 vmax
(5.26)
V
nodpliereM IN = Vod2 + Vod3 + vmax
e
at
Observatie: In cazul n care alimentarea este simetrica ntre VDD si VSS ,
limitele inferioare ale domeniilor de variatie corespunzatoare celor doua ten-
gr
siuni se raporteaza la VSS .

te

In
Schema echivalenta de semnal mic si joasa frecventa a amplificatorului inversor

cascoda pliata este data n Figura 5.27.
ite
Observatie: Sursele de curent comandate n tensiune corespunzatoare tran-

zistoarelor M3 si M4 se pot elimina din model deoarece atat grilele cat si
sursele sunt conectate la potentiale constante. Astfel n schema de semnal
rcu
mic tensiunile grila-sursa sunt egale cu zero dupa pasivizare.
Castigul de joasa frecventa si rezistenta de iesire rezulta:

Ci

A0 = gm1 Rout
(5.27)
R
out = rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )]
120 Doris Csipkes

Rezistenta de iesire se poate aproxima cu rDS3 , similar ca si n cazul amplifica-

torului cu cascoda simpla.
e
gic
rDS4
alo
vin gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2 rDS2
An rDS3 vout
e
at
Figura 5.27: Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecventa al am-
gr
plificatorului inversor cascoda pliata

te
In
Comportamentul n frecventa al amplificatorului cascoda pliata este similar cu

cel al amplificatorului cascoda asimetrica. Schema circuitului cu capacitatile
parazite explicitate este data n Figura 5.28.
ite
Schema de semnal mic si nalta frecventa corespunzatoare este data n Figura

rcu
5.29.
Functia de transfer a circuitului contine doi poli si un zero pozitiv, scriindu-se

sub forma:
Ci

s
A0 1

A(s) = rhz (5.28)
s s
1+ 1+
p1 p2
Doris Csipkes 121

VDD
e
vG4
gic
M4
vG2
alo
p2
C1 M2
rhz C2 p1 vout
vin
An
M1
vG3
M3 C3
e
Figura 5.28: Capacitatile parazite din structura amplificatorului cascoda
at
pliata
gr
te
rDS4
In
C1
ite
vin gm1vGS1 rDS1 C2 gm2vGS2 rDS2

rcu
rDS3 C3 vout
Ci
Figura 5.29: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa al am-

plificatorului inversor cascoda pliata
122 Doris Csipkes

Frecventele polilor si a zeroului se calculeaza din schema de semnal mic si nalta

frecventa. Dupa efectuarea calculelor rezulta:
e

Rout
= rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )]
gic

1
f

=

p1 2Rout C3

(5.29)
alo
gm2

fp2
=

2 (C1 + C2 )

gm1

fz =

An
2C1
Ordinele de marime ale frecventelor sunt foarte similare cu cele obtinute pentru
amplificatorul cascoda simplu. Asemanarea se observa si pe diagramele Bode
din Figura 5.30.
e
at
|A(s)|
gr
0
te
-40
In
-80
f
ite
A(s) fp1 fp2 frhz

rcu
90d
0d
Ci
-90d f
Figura 5.30: Caracteristicile de frecventa simulate ale amplificatorului
cascoda pliata
Doris Csipkes 123

5.7 Sumar
In acest capitol s-au prezentat principalele configuratii de amplificatoare simple.
Aceste circuite stau la baza oricarei structuri mai complicate ale unui ampli-
e
ficator, fie acesta un amplificator diferential sau un amplificator operational
gic
complet.
Caracteristicile specifice fiecarui etaj de amplificare, discutate n acest paragraf,
alo
sunt punctul static de functionare, domeniul de variatie a tensiunii de iesire,
modelul de semnal mic si comportamentul n frecventa. Aceste caracteristici
determina performantele unui amplificator n cazul n care semnalul este sufi-
cient de mic pentru a se putea considera o functionare liniara.
An
Bibliografie: e
at
gr

Press, 1987
te

In
1999.
5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National

ite
rcu
Ci
124 Doris Csipkes

e
gic
Capitolul 6
alo
Amplificatoare diferentiale
An
6.1 Introducere
e
Amplificatoarele diferentiale sunt circuite care, spre deosebire de amplificatoa-
rele simple, au un semnal de intrare diferential. Acest semnal se exprima ca
at
o diferenta de potential dintre doua noduri flotante (fiecare nod este la randul
lui raportat la masa). Adesea semnalul diferential util este suprapus peste un
gr
semnal de mod comun. Modul de aplicare a semnalului de intrare unui etaj

diferential este ilustrat n Figura 6.1.
te
v ip v ip
In
v
+ in
2
v in v
v im - in
ite
VMC 2
v im
VMC
rcu
Figura 6.1: Semnalul de intrare diferential si tensiunea de mod comun

Ci
A doua reprezentare permite utilizarea semicircuitelor n analiza amplificatoare-

lor diferentiale. Aceasta abordare este foarte des utilizata la calculele efectuate
pe baza modelului de semnal mic.
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE
Expresia semnalului de intrare este:
Vin = vip vim + VM Cin = vin + VM Cin (6.1)
e
gic
Observatie: tensiunea de mod comun afecteaza n mod identic ambele
intrari. Ea serveste la polarizarea corecta a tranzistoarelor de intrare.
alo
In paragrafele urmatoare sunt prezentate cateva amplificatoare diferentiale folo-
site n proiectarea circuitelor analogice mai complicate (de ex. la amplificatoare
An
operationale). Pentru fiecare structura se vor discuta domeniile de variatie ale
tensiunilor de intrare si iesire, modelul de semnal mic si comportamentul n
frecventa.
e
6.2 Amplificatorul diferential cu sarcina rezistiva
at
Cea mai simpla varianta de amplificator diferential este cea cu sarcina rezistiva.
gr
Schema circuitului este data n Figura 6.2.

te
VDD
RD RD
In
v out v out
- +
ite
2 2
M1 M2
v v in
rcu
+ in VX -
2 2
M3
Vbiasn
Ci
VSS
Figura 6.2: Amplificatorul diferential cu sarcina rezistiva
126 Doris Csipkes

Domeniul de variatie a tensiunii de intrare
Tensiunea instantanee la intrarile amplificatorului diferential trebuie sa permita
e
polarizarea corecta (n regim saturat) a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 si a
sursei de curent M3 .
gic
Aparent s-ar putea afirma ca cel mai defavorabil caz pentru tranzistoarele de
intrare si M3 este atunci cand semnalul la una dintre intrari si atinge valoarea
alo
maxima negativa fata de tensiunea de mod comun. In acest caz s-ar putea
scrie urmatoarea ecuatie:
An
vin
VM CinM IN = Vod1,2 + VT h1,2 + VxM IN (6.2)
2
Tensiunile Vod1 si Vod2 sunt stabilite prin polarizare si se considera constante.

e
Ecuatia (6.2) exprima cazul cel mai defavorabil numai daca varful de semnal
negativ cauzeaza scaderea tensiunii Vx si intrarea n regim liniar a tranzistorului
at
M3 . Aici se pot pune doua ntrebari:
gr
- ce efect are cealalta ramura asupra tensiunii Vx ?
- cum afecteaza semnalul de intrare tensiunea Vx daca se considera

te
si efectul celeilalte ramuri?

In
La prima ntrebare se poate raspunde considerand perechea ecuatiei (6.2), scrisa

pentru cealalta ramura a etajului diferential:
ite
vin
VM CinM IN + = Vod1,2 + VT h1,2 + VxM IN (6.3)
2
rcu
Din comparatia celor doua ecuatii se observa ca cealalta ramura, unde sem-
nalul si atinge valoarea maxima pozitiva, compenseaza scaderea tensiunii
Vx . Rezulta raspunsul la a doua ntrebare: tensiunea Vx este independenta de
Ci
semnal.
Observatie: Deorece tensiunea Vx nu depinde de semnal, nodul X, comun

celor doua tranzistoare M1 si M2 , este un nod de masa virtuala.
Doris Csipkes 127

Daca Vx este constanta, punctele statice de functionare ale tranzistoarelor nu

depind de semnalul de intrare, ci numai de tensiunea de mod comun VM Cin
(adica de polarizare). Astfel alegerea domeniului de variatie a tensiunii de intrare
e
se reduce la determinarea intervalului de valori admise pentru tensiunea de mod
comun VM Cin pentru care toate tranzistoarele sunt saturate.
gic
Tensiunea de mod comun minima este:
alo
VM CinM IN = Vod1,2 + VT h1,2 + Vod3 (6.4)
An
Tensiunea maxima admisa la iesire se calculeaza tinand seama de caderea
de tensiune pe rezistenta de sarcina si de variatia maxima a semnalului.
e
at
VoutM AX = VDD VR vmax (6.5)
Rezistenta de sarcina nu impune o cadere de tensiune minima. Totusi, trebuie

gr
tinut cont de faptul ca tensiunea la iesire polarizeaza intrarea urmatorului

etaj ntr-o cascada de amplificatoare. VR se alege astfel ncat tranzistoarele de
te
intrare ale etajului urmator sa poata fi corect polarizat n regim saturat.

In
Tensiunea minima la iesire trebuie sa asigure polarizarea tranzistoarelor de

intrare M1 si M2 n regim saturat. Rezulta:
ite
VoutM IN = Vx + Vod1,2 + vmax (6.6)

rcu
Observatie: Exista un echilibru strict ntre tensiunea de mod comun la

intrare VM Cin si tensiunea de mod comun la iesire VM Cout . Legatura dintre
cele doua tensiuni este potentialul mesei virtuale Vx .
Ci
Modelul de semnal mic si joasa frecventa al amplificatorului diferential cu sarcina

rezistiva este dat n Figura 6.3.
128 Doris Csipkes

v out v out
- +
2 2
e
v in v in
+ gm1vGS1 rDS1 RD RD rDS2 gm2vGS2 -
gic
2 2
alo
Figura 6.3: Modelul de semnal mic si joasa frecventa al amplificatorului
diferential cu sarcina rezistiva
An
Observatie: Tranzistorul M3 lipseste complet din modelul de semnal mic
deoarece prin pasivizare drena si sursa sunt ambele conectate la masa (scurt
circuit ntre VSS si masa virtuala). e
Castigul de joasa frecventa si rezistenta de iesire se obtin rezolvand urmatorul
at
sistem de ecuatii:
gr
1 vout 1 vout

gm1 vGS1 r =0

2 RD 2
te
DS1
(6.7)
1 vout 1 vout

gm2 vGS2 +
+ =0
rDS2 2 RD 2
In
Aditional, se tine cont de modul de aplicare a semnalului de intrare diferential

si de urmatoarele egalitati:
ite
vin vin
vGS1 = ; vGS2 = (6.8)
2 2
rcu
Castigul de joasa frecventa rezulta dupa efectuarea calculelor:
vout gm1 + gm2

Ci
A0 = = (6.9)
vin 1 1 2
+ +
rDS1 rDS2 RD
Daca se considera tranzistoarele de intrare si rezistentele de sarcina identice si

perfect mperecheate, atunci gm1 = gm2 si rDS1 = rDS2 , iar A0 devine:
Doris Csipkes 129

gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || RD ) = gm1 Rout (6.10)
1 1
+
rDS1 RD
e
Stiind ca rezistentele de sarcina RD au valoarea maxima limitata din conside-
gic
rente de zgomot, aria ocupata pe silicu si polarizare, ele vor fi n majoritatea
cazurilor cu cel putin un ordin de marime mai mici decat rezistenta rDS a unui
tranzistor MOS. Astfel castigul de joasa frecventa se aproximeaza:
alo
A0
= gm1 RD (6.11)
An
Observatie: Din expresia castigului de joasa frecventa se observa ca
transconductanta etajului diferential este jumatate din transconductanta
unui tranzistor de intrare gm1 , iar rezistenta de sarcina diferentiala este de
doua ori rezistenta RD .
e
at
gr
VDD
te
RD RD
v out v out
In
p - + p
rhz 2 2 rhz
C1 C3 C4 C2
ite
M1 M2
v in M1 M2 v in
+ -
rcu
2 2
M3
Vbiasn
Ci
VSS
Figura 6.4: Amplificatorul diferential cu sarcina rezistiva si capacitatile
parazite
130 Doris Csipkes

Schema amplificatorului diferential cu sarcina rezistiva, avand capacitatile pa-

razite utilizate la determinarea comportamentului n frecventa explicitate este
data n Figura 6.4. Din figura se observa ca functia de transfer a amplificatorului
e
va avea un singur pol si un zero pozitiv, datorat efectului Miller pe tranzistoa-
rele de intrare. Suplimentar, daca rezistenta de iesire a sursei de semnal este
gic
diferita de zero, atunci functia de transfer se va extinde cu un pol determinat
de capacitatile CGD reflectate la intrare prin efect Miller.
alo
v out v out
- +
An
C1 2 2
C2
v in gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2 v in

+ RD C3 C4 RD -
2 e 2
at
Figura 6.5: Schema de semnal mic si nalta frecventa
gr
Teoremele lui Kirchhoff si legea lui Ohm duc la urmatoarea expresie a functiei
te
de transfer n s:
In

gm1 + gm2 s (C1 + C2 )
1
1 1 2 gm1 + gm2
+ +
rDS1 rDS2 RD
A (s) = (6.12)
ite
C1 + C2 + C3 + C4
1+s
1 1 2
+ +
rDS1 rDS2 RD
rcu
Identificand castigul de joasa frecventa din ecuatia (6.9) si considerand din nou
tranzistoarele si rezistentele de sarcina identice, rezulta:
Ci

sC1 sC1
A0 1 A0 1
gm1 gm1
A (s) = = (6.13)
C1 + C3 1 + s (C1 + C3 ) (rDS1 || RD )
1+s
1 1
+
rDS1 RD
Doris Csipkes 131

Functia de transfer de mai sus se poate scrie sub forma generala dupa cum
urmeaza:

s
e
A0 1
rhz
gic
A (s) = s (6.14)
1+
p
alo
Identificand coeficientii termenilor n s din ecuatiile (6.13) si (6.14) se obtin
frecventele polului si a zeroului.

1
An
fp =

2Rout (C1 + C3 )

(6.15)
gm1
frhz =

2C1 e
Caracteristicile de amplitudine si faza ale amplificatorului sunt date n Figura
at
6.6.
gr
|A(s)|
20
te
10
In
0 f
fp frhz
ite
A(s)
0d
-45d
rcu
-90d
-135d
Ci
f
Figura 6.6: Caracteristica de amplitudine si faza a amplificatorului
132 Doris Csipkes

6.3 Amplificatorul diferential MOS cu sarcina

oglinda de curent
e
In Figura 6.7 este prezentata schema amplificatorului diferential cu sarcina
oglinda de curent. Tranzistoarele de intrare M1 -M2 sunt cu canal n, iar cele
gic
de sarcina M3 -M4 cu canal p. Iesirea este asimetrica si se culege din drena
tranzistorului M2 .
alo
VDD
M3 M4
An
vout
v in v in
+
e -
2 M1 M2 2
at
gr
M5
Vbiasn
te
VSS
In
Figura 6.7: Schema amplificatorului diferential cu sarcina oglinda de cu-

rent
ite
Tensiunea maxima admisa la iesirea circuitului se calculeaza astfel ncat

rcu
tranzistorul de sarcina M4 sa fie saturat si n plus se tine cont de variatia

maxima a semnalului de iesire. Prin urmare, VoutM AX va avea expresia:
Ci
Tensiunea minima admisa la iesire trebuie sa asigure functionarea n regim

saturat a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 si a lui M5 care implementeaza sursa
de curent.
Doris Csipkes 133

voutM IN = Vod1,2 + vod5 + vmax (6.17)
e
gic
Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecventa este prezentat n Figura

6.8 si include doar rezistentele echivalente nu si capacitati.
alo
An
1 rDS3 rDS4 gm4vGS4
gm3
e vout
v in v in
+ -
at
2 2
gr
gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2 rDS2

te
In
Figura 6.8: Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecventa a circui-

tului
Determinarea castigului de semnal mic si joasa frecventa necesita scrierea teo-

ite
remei lui Kirchhoff pentru curenti n nodul intermediar din drena tranzistorului
M1 si n nodul de iesire.
rcu

gm1 vGS1 + gDS1 v + gDS3 v + gm3 v = 0
(6.18)
Ci
gm2 vGS2 + gDS2 vout + gm4 vGS4 + gDS4 vout = 0

Din inspectia circuitului din Figura 6.7 rezulta urmatoarele identitati:

vin vin
vGS1 = ; vGS2 = ; vGS4 = v (6.19)
2 2
134 Doris Csipkes

Inlocuind tensiunile grila-sursa din sistemul (6.18) cu aceste expresii si apoi

eliminand tensiunea v din cele doua ecuatii, se obtine castigul circuitului:
e
vout gm2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + gm1 gm4
A0 = = (6.20)
gic
vin 2 (gDS2 + gDS4 )
Tinand cont de faptul ca tranzistoarele de intrare sunt identice, la fel si cele de
alo
sarcina, se pot scrie egalitatile:
gm1 = gm2 , gm3 = gm4 (6.21)
An
Astfel, castigul amplificatorului devine:
gm1 (gDS1 + gDS3 + 2gm3 )

A0 = (6.22)
e
2 (gDS2 + gDS4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 )
at
Stiind ca transconductanta unui tranzistor MOS este mult mai mare decat
conductanta sa drena-sursa, castigul de joasa frecventa se poate scrie sub o
gr
forma simplificata, dupa cum urmeaza:

te
gm1
A0 = = gm1 (rDS2 || rDS4 ) (6.23)
gDS2 + gDS4
In

ite
transconductanta etajului diferential este de fapt cat transconductanta unui

tranzistor de intrare, iar rezistenta de sarcina este egala cu rezistentele
drena-sursa a tranzistoarelor cu canal n si p conectate n paralel.
rcu
Ci
In Figura 6.9 este data schema amplificatorului diferential cu sarcina oglinda de

curent avand desenate capacitatile parazite ale tranzistoarelor.
Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecventa este dat n

Figura 6.10.
Doris Csipkes 135

VDD
M3 M4
e
gic
lhz rhz p1 vout
rhz p2
C1 C3 C2
alo
C4
M1 M2
v in v in
+ -
2 2
An
M5
Vbiasn
VSS
e
at
Figura 6.9: Schema amplificatorului cu capacitatile sale parazite
gr
te
In
1
gm3 rDS3 rDS4 gm4vGS4
vout
ite
v in v in
+ -
2 2
rcu
C1 C2
gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 gm2vGS2
Ci
Figura 6.10: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa
136 Doris Csipkes

Comportamentul n frecventa al circuitului se determina scriind teorema lui

Kirchhoff pentru curenti n nodul intermediar din drena tranzistorului M1 si
n nodul de iesire. Dupa efectuarea calculelor si tinand seama de expresiile
e
tensiunilor grila-sursa date n (6.19) se obtine functia de transfer a circuitului:
gic

C2
gm2 1 s (gDS1 + gDS3 + gm3 + sC1 + sC3 )
gm2
alo
A(s) = +
2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1)

C1
gm1 1 s gm4
gm1
An
+ (6.24)
2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1)
unde coeficientii a si b au expresiile de mai jos:

e
at

(C1 + C3 ) (C2 + C4 )
a =

(gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 )

gr

(C2 + C4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + (C1 + C3 ) (gDS2 + gDS4 )
b =

te
(gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 )

(6.25)
In
Deoarece structura circuitului este simetrica sunt valabile urmatoarele egalitati:

ite
gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , C1 = C2 (6.26)
Folosind aceste egalitati si identificand termenii care constituie castigul de joasa

rcu
frecventa, functia de transfer din (6.24) se poate rescrie dupa cum urmeaza:

C1 C1 + C3
Ci
A0 1s 1+s
gm1 gDS1 + gDS3 + 2gm3
A(s) = (6.27)
as2 + bs + 1
Din analiza lui A(s) se observa ca aceasta are doi poli si doua zerouri. Expresia
generala a unei functii de transfer cu doi poli si doua zerouri este data n (6.28).
Doris Csipkes 137


s s
A0 1 1+
rhz lhz
A(s) = (6.28)
s s
e
1+ 1+
p1 p2
gic
Polii functiei de transfer rezulta prin identificarea coeficientilor n s a polinoa-
melor de la numitorul expresiilor date n (6.27) si (6.28). Astfel vom avea:
alo
1 b
fp1 = , fp2 = (6.29)
2b 2a
An
In relatiile lui a si b date n (6.25) se considera conductanta drena-sursa a tran-
zistoarelor mult mai mare decat transconductanta lor. Astfel rezulta expresiile
simplificate ale polilor: e
at
gDS2 + gDS4 1

fp1 = 2 (C + C ) = 2 (C + C ) R

2 4 2 4 out
(6.30)
gr
gm3
fp2

=
2 (C1 + C3 )
te
Se observa ca polul dominat este introdus de nodul de iesire, iar polul de nalta
In
frecventa de nodul intermediar din drena tranzistorului M1 .
Expresiile zerourilor se obtin prin identificarea coeficientilor termenilor n s de

la numaratorul expresiilor (6.27) si (6.28). Este usor de remarcat faptul ca
ite
zeroul pozitiv este introdus de calea directa de semnal de la intrare la iesire prin
capacitatile C1 si C2 . Zeroul negativ provine de la oglinda de curent M3 -M4 .
rcu
gm1
frhz = 2C1

(6.31)
Ci
g + gDS3 + 2gm3 2gm3

flhz = DS1

=
2 (C1 + C3 ) 2 (C1 + C3 )
In Figura 6.11 este prezentata caracteristica de amplitudine si faza a amplifica-

torului diferential discutat.
138 Doris Csipkes

|A(s)|
20
-0
e
-20
gic
-40
-60
f
fp1
alo
A(s) fp2 flhz frhz
0d
-45d
An
-90d
-135d
e f
at
Figura 6.11: Caracteristica de amplitudine si faza a circuitului
gr
Din analiza caracteristicilor se poate observa prezenta celor doi poli negativi, a
unui zero pozitiv si a unui zero negativ, dupa cum am obtinut si din calculul
te
teoretic. Mai mult, se poate specifica ordinea n care sunt situate n frecventa
singularitatile. Primul pol este polul dominat datorat nodului de iesire a circui-
In
tului. Apoi urmeaza polul dat de nodul intermediar din grilele tranzistoarelor
care formeaza oglinda de curent si la frecventa apropiata zeroul dat de acelasi
nod intermediar. Faptul ca aceste singularitati sunt apropiate n frecventa se
ite
poate dovedi si teoretic analizand ecuatiile (6.30) si (6.31). Ultimul este zeroul
datorat caii directe de semnal de la intrare la iesire prin capacitatea grila-drena
a tranzistoarelor de intrare.
rcu
6.4 Amplificatorul diferential cu sarcina surse de

curent
Ci
Schema amplificatorului diferential cu sarcina surse de curent este prezentata

n Figura 6.12. Tranzistoarele M3 -M4 constituie circuitul de sarcina. Iesirea se
culege diferential din drena tranzistoarelor M1 si M2 .
Doris Csipkes 139

VDD
M3 M4
e
Vbiasp
gic
v out v out
- +
2 2
alo
v in M1 M2 v in
+ -
2 2
An
M5
Vbiasn
e VSS
at
Figura 6.12: Schema amplificatorului cu sarcina surse de curent
gr

te
Tensiunea maxima admisa la iesirea circuitului se calculeaza similar ca pentru

amplificatorul diferential cu sarcina oglinda de curent. Astfel voutM AX este de
In
forma:

ite
Tensiunea minima admisa la iesire se scrie conform relatiei:

rcu
voutM IN = Vod1 + Vod5 + vmax (6.33)

Ci
Schema echivalenta de semnal mic si joasa frecventa este prezentata n Fi-

gura 6.13. Fiecare tranzistor este modelat cu o sursa de curent comandata de
tensiunea grila-sursa a sa n paralel cu rezistenta drena-sursa.
140 Doris Csipkes

e
rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4
v out v out
- +
gic
2 2
v in v in
+ -
2 2
alo
gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2
An
Figura 6.13: Modelul echivalent de semnal mic si joasa frecventa a circui-
tului
e
at
Calculul castigului de semnal mic si joasa frecventa se determina scriind teorema
lui Kirchhoff pentru curenti n nodurile de iesire, ca n ecuatiile (6.34).
gr
vod vod
gm1 vGS1 gDS1 gDS3 = 0
te

2 2
(6.34)
gm2 vGS2 + vod gDS2 +
vod
gDS4 = 0
In
2 2
Analizand schema din Figura 6.12 se pot exprima tensiunile grila-sursa ale tran-
zistoarelor de intrare astfel:
ite
vin vin
vGS1 = ; vGS2 = (6.35)
2 2
rcu
Inlocuind tensiunile grila-sursa cu tensiunile de intrare corespunzatoare n siste-

mul (6.34) si scazand cele doua ecuatii, se obtine castigul de semnal mic:
Ci
vout gm1 + gm2

A0 = = (6.36)
vin gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4
Daca se considera tranzistoarele de intrare perfect mperecheate, la fel si cele

de sarcina, se pot scrie identitatile:
Doris Csipkes 141

gm1 = gm2 , gDS1 = gDS2 , gDS3 = gDS4 (6.37)
e
Bazat pe aceste egalitati, expresia castigului de joasa frecventa devine mai
gic
simpla si este data n ecuatia (6.38).
gm1
A0 = = gm1 (rDS1 || rDS3 ) (6.38)
gDS1 + gDS3
alo
An
transconductanta etajului diferential este jumatate din transconductanta
unui tranzistor de intrare gm1 , iar rezistenta de sarcina diferentiala este du-
blul rezistentei rezultate prin conectarea n paralel rDS a tranzistoarelor cu
canal n si p.
e
at
gr
In Figura 6.14 este data schema cu paraziti a amplificatorului diferential cu

sarcina surse de curent.
te
VDD
In
M3 M4
Vbiasp
p1 v out v out p1
ite
rhz - 2
+
2 rhz
C1 C3 C4 C2
rcu
v in M1 M2 v in
+ -
2 2
Ci
M5
Vbiasn
VSS
Figura 6.14: Schema amplificatorului cu capacitatile sale parazite
142 Doris Csipkes

Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecventa este dat n

Figura 6.15.
e
gic
rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4
v out v out
- +
2 2
alo
v in v in
+ -
2 2
An
C1 C2
gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 gm2vGS2
e
at
Figura 6.15: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa a am-
plificatorului
gr
Functia de transfer a circuitului se poate determina scriind teorema lui Kirchhoff

pentru curenti n nodurile de iesire. Tinand seama de expresia castigului de
te
joasa frecventa din ecuatia (6.36), n urma calculelor raportul dintre tensiunea
de iesire si cea de intrare rezulta:
In

C1 + C2
A0 1 s
gm1 + gm2
ite
A(s) = (6.39)
C1 + C2 + C3 + C4
1+s
gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4
rcu
Functia de transfer obtinuta se poate scrie simplificat, daca se considera tran-

zistoarele de intrare perfect mperecheate si la fel cele de sarcina. Aceasta
nseamna ca urmatoarele identitati sunt adevarate:
Ci
gm1 = gm2 , gm3 = gm4 , C1 = C2 , C3 = C4 (6.40)
Astfel comportamentul n frecventa al circuitului va fi caracterizat de relatia

(6.41).
Doris Csipkes 143

sC1
A0 (1 )
g1
A(s) = (6.41)
s(C1 + C3 )
e
1+
gDS1 + gDS3
gic
Din analiza expresiei lui A(s) se observa ca functia de transfer are un pol si un
zero. O astfel de functie de transfer se poate scrie dupa cum urmeaza:
alo

s
A0 1
rhz
A (s) = (6.42)
An
s
1+
p
In continuare se identifica coeficientii termenilor n s din relatiile (6.41) si (6.42),

e
obtinandu-se expresia polului si a zeroului.
at
gDS1 + gDS3 1
fp = =
gr
2 (C1 + C3 ) 2Rout (C1 + C3 )

gm1 (6.43)
f =
rhz

2C1
te

In
Polul este introdus de nodul de iesire, iar zeroul este datorat caii directe de
semnal de la intrare la iesire prin capacitatea grila-drena a tranzistoarelor de
intrare.
ite
Caracteristica de amplitudine si faza simulata pentru amplificatorul discutat

este data n Figura 6.16.
rcu
Ci
144 Doris Csipkes

|A(s)|
20
-0
e
-20
gic
-40
-60 f
fp frhz
alo
A(s)
0d
-45d
An
-90d
-135d
e f
at
Figura 6.16: Caracteristica de amplitudine si faza a circuitului
gr
6.5 Sumar
te
In acest capitol s-au prezentat cele mai des utilizate configuratii de amplifica-
toare diferentiale. Aceste circuite stau la baza oricarei structuri de amplificator
In
operational.
In cazul fiecarui etaj diferential s-a discutat domeniul de variatie a tensiunii de

iesire, castigul de joasa frecventa si comportamentul n frecventa. Determinarea
ite
acestor parametrii s-a facut pe baza modelelor cu surse comandate.

rcu
Bibliografie:
Ci


Press, 1987
Doris Csipkes 145


1999.
e
gic
alo
An
e
at
gr
te
In
ite
rcu
Ci
146 Doris Csipkes

e
gic
Capitolul 7
alo
Amplificatoare operationale
An
7.1 Introducere
e
Amplificatoarele operationale pot fi considerate n cazul ideal surse de tensiune
comandate n tensiune, ale caror tensiuni de iesire depind de tensiunea de intrare
at
cu factorul de scalare numit castig. In cazul ideal castigul este independent
de frecventa. In AO reale castigul depinde de frecventa, iar comportamentul
gr
circuitului poate fi modelat cu unul sau mai multi poli si zerouri de transmisie.
te
Amplificatoarele operationale se folosesc n numeroase aplicatii, dintre care cele

mai uzuale sunt:
In
- ca detector de erori si amplificator n sistemele cu reactie;
- n filtrele AO-RC, AO-CMOS sau cu capacitati comutate;

ite
- n amplificatoarele cu castig variabil;
- ca si comparatoare de viteza mica sau medie.

rcu
Pentru a obtine castigul specificat (n general de ordinul miilor sau zecilor de

mii), structura interna a AO trebuie sa permita conversii succesive tensiune-
Ci
curent si apoi curent-tensiune. Circuitul de intrare al fiecarui etaj din structura

amplificatorului operational converteste tensiunea diferentiala de intrare n cu-
rent diferential. Acest curent este reconvertit n tensiune de catre circuitul de
sarcina al etajului. Astfel, castigul dorit este obtinut prin cascadarea catorva
etaje de amplificare.
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE
Daca notam cu Gm castigul de conversie tensiune-curent, iar cu Rout castigul

curent-tensiune, atunci pentru un AO cu n etaje castigul de joasa frecventa se
scrie:
e
A0 = (Gm1 Rout1 ) (Gm2 Rout2 ) . . . (Gmn Routn )
gic
(7.1)
Schema de principiu a unui amplificator cu n etaje este prezentata n Figura 7.1.
alo
Etajele acestuia s-au ales sa fie de tipul amplificator simplu n conexiune sursa-
comuna. Astfel, se poate ntelege usor principiului conversiilor succesive, si
anume: pe fiecare tranzistor se face conversia tensiune-curent, iar apoi curentul
din drena este convertit napoi n tensiune pe rezistenta echivalenta de sarcina.
An
VDD
Circuit Circuit Circuit

de sarcina de sarcina
de sarcina
e
at
Vout
Vin
gr
Rech1 Rech2 Rechn

M1 M2 Mn
te
Figura 7.1: Ilustrarea principiului conversiilor succesive n amplificatoare

In
cu etaje multiple
VDD
ite
IV IV IV
R1 R2 Rn
rcu
VI VI VI VDD
Vout
Ci
Vin M1 M2 Mn
Figura 7.2: Exemplu concret de implementare a unui amplificator simplu

cu etaje cascadate
148 Doris Csipkes
VDD
Un exemplu concret de implementare este aratat n Figura 7.2. In acest scenariu

circuitul de sarcina este o simpla rezistenta care determina valoarea aproximativa
a rezistentei de iesire echivalente corespunzatoare fiecarui etaj.
e
In structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferential,
gic
iar conversia I-V se face pe sarcina acestuia, care poate fi rezistiva, sursa de
curent sau oglinda de curent n functie de castigul pe care dorim sa-l obtinem
si de topologia impusa (iesire asimetrica sau diferentiala).
alo
In categoria amplificatoarelor care se bazeaza pe cascadarea mai multor etaje
pentru a obtine castigul dorit, reprezentantul cel mai cunoscut este AO Miller.
An
Castigul marit al unui AO se poate realiza nu numai prin cascadarea mai multor
etaje, fiecare aducandu-si aportul la castigului final, ci si prin folosirea unui
singur etaj de amplificare cu o structura avand rezistenta de iesire mare, ceea ce
implica si un castig ridicat. Acesta este cazul AO cascoda telescop si cascoda
pliata. In cele ce urmeaza vor fi studiate diferite topologii de amplificatoare
e
operationale.
at
CM
gr
Vin Vout
A1 -A2
te
Etaj diferential Etaj inversor

de intrare
a)
In
CM
Vin Vout
A1 -A2 +1
ite
Etaj diferential Etaj inversor Etaj de iesire

de intrare
b)
rcu
Figura 7.3: Schemele bloc ale AO Miller a) fara si b)cu repetor la iesire
Ci
7.2 Amplificatorul operational Miller

Amplificatorul operational Miller se foloseste pentru aplicatiile unde functiona- VDD
rea la frecvente nalte nu este critica. Exista doua variante de implementare ale
acestuia, cu si fara repetor la iesire, avand schemele bloc din Figura 7.3.
Doris Csipkes 149

Varianta simpla, fara etaj repetor la iesire, are rezistenta de iesire mare si se
poate numi amplificator transconductanta, deoarece livreaza la iesire curent.
Acest tip de AO poate comanda sarcini strict capacitive fara a fi influentat
e
castigul de joasa frecventa.
gic
Structura unui AO Miller cu repetor la iesire este bazata pe un amplificator
transconductanta si un etaj de iesire avand o rezistenta de iesire (Rout ) mica,
n caz ideal zero. Varianta de AO Miller cu repetor la iesire poate comanda
alo
sarcini rezistiv-capacitive. La joasa frecventa rezistenta de sarcina (RL ) va
determina tensiunea de iesire din divizorul de tensiune format din Rout si RL .
Astfel, castigul repetorului este aproximativ egal cu unitatea.
An
VDD
M3 M4 e
M6
at
gr
M1 M2 Vout
te
Vip Vim CL
M7
M5
In
Vbiasn
VSS
ite
Figura 7.4: Schema AO Miller simplu

rcu
Schema implementata la nivel de tranzistor a amplificatorului operational Miller

este aratata n Figura 7.4. Tranzistoarele M1 - M2 formeaza etajul diferential
de intrare, iar M3 -M4 sarcina acestuia de tip oglinda de curent. Amplificatorul
Ci
diferential este polarizat de sursa de curent M5 . Cel de-al doilea etaj este un
amplificator inversor simplu, constituit din M6 si M7 .
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa corespunzator AO Miller

este dat n Figura 7.5. Se poate observa ca fiecare etaj de castig este modelat
150 Doris Csipkes

cu rezistenta echivalenta vazuta la iesirea etajului n paralel cu capacitatea

echivalenta a acestui nod si o sursa de curent comandata n tensiune, avand
parametrul Gm . Oglinda de curent M3 -M4 introduce un pol si un zero negativ
e
la frecvente nalte unde nu influenteaza functionarea AO, din acest motiv nu
au fost modelate.
gic
V
alo
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout
An
Figura 7.5: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller simplu
e
Conform acestui model, functia de transfer a amplificatorului operational este
at
de forma:
gr

1 1
A(s) =Gm1 R1 || Gm2 R2 || =
sC1 sC2
te
VDD
Gm1 R1 Gm2 R2
= (7.2)
(1 + sR1 C1 ) (1 + sR2 C2 )
In
Parametrii de semnal mic au urmatoarele expresii:

ite

Gm1 = gm1 , Gm2 = gm6

DS2 || rDS4 , R2 = rDS6 || rDS7
R = r
1
(7.3)
rcu

C1 = CBD2 + CBD4 + CGS6 + CGD6 (Gm2 R2 )

C = C
2

BD6 + CBD7 + CGD7 + CL = CL
Ci
Analizand ecuatia (7.2) se observa ca circuitul are doi poli: unul dat de nodul
de iesire si celalalt de nodul intermediar. Condensatorul C1 este mult mai mic
decat C2 deoarece primul este format din capacitatile parazite ale tranzistoarelor
conectate la nodul intermediar al circuitului, iar cel de-al doilea include pe langa
capacitatile parazite si condensatorul de sarcina. O alta observatie este aceea ca
Doris Csipkes 151

rezistentele R1 si R2 sunt de acelasi ordin de marime. Din aceste considerente

rezulta ca polul p1 este cel dominant si p2 este polul de nalta frecventa.
e
Castigul de tensiune continua si polii functiei de transfer sunt dati n sistemul
de ecuatii (7.4).
gic

A0 = Gm1 R1 Gm2 R2

1
alo

fp1 = (7.4)
2R2 C2

fp2 =
1
2R1 C1
An
Considerand scenariul n care p1 este polul dominant, caracteristicile de ampli-
tudine si faza, aproximate prin asimptotele lor, ale AO n bucla deschisa, sunt
date n Figura 7.6 a).
e
at
|A(s)| |A(s)|
p1 p1
gr
p1* p2
p2
te
GBW f GBW f
In
p2*
A(s) A(s)
f f
ite
-90 -90
mj
rcu
-180 mj -180
a) b)
Figura 7.6: Raspunsul n frecventa a AO n bucla deschisa

Ci
Din inspectia caracteristicilor de frecventa se poate vedea ca valoarea fazei la

frecventa unde castigul este zero dB (notata GBW, eng. Gain BandWidth)
este apropiata de -180 . Acest fapt se datoreaza celor doi poli apropiati, ambii
situati la frecvente mai mici decat GBW. Astfel la frecventa unde amplitudinea
152 Doris Csipkes

este unitara, faza a scazut deja doua decade ajungand n jurul valorii de -180 .
In aceste conditii marginea de faza este insuficienta pentru a asigura stabilitatea
neconditionata a amplificatorului n bucla nchisa.
e
Din conditia de stabilitate a lui Barkhausen rezulta ca faza nu trebuie sa fie mul-
gic
tiplu de 180 la frecventa egala cu produsul amplificare-banda (GBW). Pentru
a realiza stabilitatea neconditionata, marginea de faza se recomanda sa fie mai
mare decat 45 . O valoare a marginii de faza de 60 asigura stabilitatea simul-
alo
tan cu compromisul overshoot minim si viteza de variatie a tensiunii de iesire
maxima al raspunsului la semnal treapta.
An
Solutia la acesta problema este asa numita procedura de compensare a carac-
teristicii de frecventa. Prin aceasta polii sunt separati, un pol deplasandu-se la
frecvente mai joase, iar celalat pol la frecvente mai mari decat GBW. Separarea
n frecventa a celor doi poli are ca efect cresterea marginii de faza. Concret,
e
compensarea Miller se face cu ajutorul unei capacitati, CM , conectate ntre
nodul intermediar si nodul de iesire al circuitului.
at
gr
VDD
M3 M4
te
M6
CM
In
M1 M2 Vout
Vip Vim CL
ite
M7
M5
Vbiasn
rcu
VSS
Figura 7.7: Schema AO Miller compensat

Ci
Schema AO Miller compensat este prezentata n Figura 7.7. Compensarea este

realizata folosind efectul Miller pe etajul al doilea, inversor. Practic, capacitatea
grila-drena a tranzistorului M6 este marita cu o capacitate pasiva CM . Deoarece
castigul etajului al doilea este ridicat, CM va fi reflectata la iesirea etajului
Doris Csipkes 153

diferential cu valoare marita. Drept urmare, capacitatea echivalenta a acestui

nod va fi marita, iar polul corespunzator nodului se va deplasa la frecvente mai
joase, devenind polul dominant n urma compensarii.
e
Aditional, rezistenta de iesire a etajului de castig ridicat va fi redusa de catre
gic
reactia negativa prin capacitatea de compensare. Datorita faptului ca la frecven-
te nalte CM este un scurtcircuit virtual, tranzistorul M6 poate fi considerat n
conexiune de dioda. Astfel, rezistenta de iesire se poate aproxima cu 1/gm6 .
alo
Reducerea acestei rezistente echivalente are drept efect translatarea polului dat
de nodul de iesire a AO la frecvente mai nalte.
An
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa al AO Miller compensat
este prezentat n Figura 7.8. In acest model s-au ignorat polul si zeroul datorat
oglinzii de curent si zeroul pozitiv datorat efectului Miller pe tranzistoarele de
intrare. e
at
V CM
gr
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout

te
In
Figura 7.8: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller compensat

ite
Scriind teorema lui Kirchhoff n nodul intermediar si n nodul de iesire, rezulta

sistemul de ecuatii (7.5).
rcu
V

Gm1 Vin + R + V sC1 + sCM (V Vout ) = 0

VDD

1
(7.5)
Ci
V
sCM (V Vout ) = Gm2 V + out + sC2 Vout

R2
Dupa eliminarea variabilei V corespunzatoare nodului intermediar al circuitului,

rezulta urmatoarea functie de transfer:
154 Doris Csipkes


CM

Gm1 Gm2 R1 R2 1 s
Vout Gm2
e

A(s) = =

Vin 2
s a + sb + 1
gic
(7.6)

a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )

b = R1 C1 + R2 C2 + (R1 + R2 ) CM + Gm2 R1 R2 CM
alo
Examinand ecuatia (7.6) se poate vedea ca functia de transfer a circuitului
are doi poli la frecventele p1 , p2 si un zero pozitiv la rhz (eng. Right
An
Halfplane Zero). Din nou s-au ignorat polii si zerorurile de nalta frecventa
introduse de oglinda de curent, care nu influenteaza functia de transfer n re-
giunea frecventelor de interes. In conformitate cu aceasta observatie, forma
generala a functiei de transfer se scrie ca n ecuatia (7.7).
e
at

s
A0 1

A (s) = rhz (7.7)
gr

s s
1+ 1+
p1 p2
te
Determinarea expresiei polilor si a zeroului se face prin identificarea coeficientilor

termenilor n s din relatiile (7.6) si (7.7). In vederea simplificarii calculelor se
In
presupune ca polul al doilea este situat la frecventa mult mai nalta decat polul
dominant, p2 >> p1 . Utilizand aceasta aproximare, rezulta:
ite

A0 = Gm1 R1 Gm2 R2

1 1
p1 = =
rcu

b [C R + C R + C (R 1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 ]

2 2 1 1 M

b C2 R2 + C1 R1 + CM (R1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 (7.8)
p2 = =

a R1 R2 [C1 C2 + CM C1 + CM C2 ]
Ci

Gm2

rhz = C

M
Pentru a simplifica expresiile polilor si ale zeroului se tine cont de urmatoarele

aproximari:
Doris Csipkes 155

- etajul al doilea are un castig ridicat Gm2 R2 >> 1;
- capacitatea de sarcina este mult mai mare decat capacitatea parazita a

nodului intermediar CL >> C1 .
e
gic
Expresiile aproximative ale frecventelor polilor si a zeroului rezulta ca n sistemul
(7.9).
alo
fp1
=

2Gm2 R1 R2 CM

Gm2

fp2
= (7.9)
An

2C2
Gm2

frhz =

2CM
e
Din expresiile polilor se observa ca p1 este situat la frecvente joase datorita
efectului Miller. Efectul Miller se menifesta prin marirea capacitatii echivalente
at
la nodul intremediar. Capacitatea reflectata are valoarea amplificata de castigul
etajului al doilea, Gm2 R2 . Polul p2 este translatat la frecventa nalta datorita
gr
scurtcircuitului realizat de CM si conexiunii virtuale de dioda a tranzistorului

M6 la frecvente mari. Caracteristicile de frecventa ale circuitului compensat
te
sunt date n Figura 7.6 b).
Dimensionarea condensatorului Miller CM este problema cheie pentru a asigura

In
marginea de faza suficient de mare a amplificatorului cu doua etaje. In paragra-

ful urmator sunt deduse relatiile de dimensionare a condensatorului CM pornind
de la o valoare impusa a marginii de faza.
ite
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabili-

rcu
tate neconditionata
Considerand ca polii sunt separati n frecventa n urma compensarii, iar fp1 <<
Ci
fp2 , efectele lor nu se vor suprapune, prin urmare se poate utiliza modelul cu
pol pseudo-dominat. Modelul cu pol pseudo-dominant nseamna ca primul etaj
va fi considerat un integrator ideal, cu polul specific n origine (polul dominant
p1 al AO), avand defazaj de 90 la orice frecventa. Aditional, stiind ca zeroul
pozitiv introduce un defazaj suplimentar n caracteristica de faza, trebuie luat
156 Doris Csipkes

n calcul si efectul acestuia asupra marginii de faza. In aceste conditii, se obtine

expresia marginii de faza dupa cum urmeaza:
e

1 GBW 1 GBW
m = 90 tan tan (7.10)
gic
fp2 frhz
Considerand, de exemplu, zeroul pozitionat la frecventa de zece ori mai mare

decat GBW , se poate calcula frecventa polului al doilea raportata la GBW
alo
pentru o valoare a marginii de faza impusa. Astfel, pentru m = 45 rezulta
fp2 = 1, 22 GBW , iar pentru m = 60 se obtine fp2 = 2, 22 GBW .
An
In practica, amplificatorul Miller se proiecteaza pentru o margine de faza
m = 60 , valoare care asigura un compromis ntre stabilitate, overshoot si
viteza de variatie a tensiunii de iesire. Prin urmare, daca valoarea raportului
dintre fp2 si GBW este cunoscuta, utilizand relatiile (7.11), rezulta raportul
e
dintre capacitatea Miller si a celei de sarcina.
at
Gm1
GBW = A0 fp1 = 2C
gr

M
(7.11)
fp2
Gm2
=
te

2CL
In
Capacitatea de compensare se dimensioneaza conform urmatoarei relatii:
Gm1 1
CM = CL (7.12)
ite

Gm2 GBW
tan 90 m tan1
frhz
rcu
7.2.2 Viteza de variatie a tensiunii de iesire la AO Miller

Ci
Viteza de variatie a tensiunii de iesire, notata SR (eng. Slew-Rate), este un

parametru de nalta frecventa si semnal mare al amplificatoarelor operationale.
Acesta se defineste ca rata maxima cu care poate varia tensiunea de iesire a
amplificatorului operational.
Doris Csipkes 157

Daca amplitudinea semnalului de intrare depaseste o valoare critica, atunci tot

curentul dat de sursa de curent care polarizeaza etajul diferential va trece prin
unul dintre tranzistoarele de intrare M1 sau M2 . Blocarea uneia sau a celeilalte
e
dintre ramurile etajului diferential depinde de semnul tensiunii de intrare. Pentru
o tensiune pozitiva la intrare, tranzistorul M1 conduce si M2 este blocat. Astfel,
gic
tot curentul de polarizare se regaseste n M1 si prin oglinda de curent M3 - M4 .
Capacitatea de compensare CM se va ncarca de la acest curent furnizat de
oglinda. Sensul curentului este reprezentat cu linie continua n Figura 7.9. In
alo
cazul unei tensiuni negative la intrare, M1 este blocat si M2 conduce, iar curentul
de polarizare al etajului descarca direct condensatorul CM . Sensul curentului
este desenat cu linie punctata, n acest caz.
An
VDD
M3 M4 e CM
at
-A2
Vout
gr
M1 M2 CL
Vip Vim
te
M5
Vbiasn
In
VSS
Figura 7.9: Sensul curentului de polarizare n AO Miller pentru tensiuni

de intrare pozitive si negative
ite
La determinarea vitezei de variatie a tensiunii de iesire trebuie tinut cont de

rcu
fiecare nod al circuitului. In formula finala a SR-ului apare raportul minim

dintre curentul de ncarcare si capacitatea echivalenta asociata fiecarui nod n
parte. Pentru AO Miller, expresia SR se poate scrie dupa cum urmeaza:
Ci

dVout I5 I6 I5
SR = = min , = (7.13)
dt CM CL CM
158 Doris Csipkes

7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferential
Schema AO Miller complet diferential este prezentata n Figura 7.10.
e
gic
VDD
M3 M4
Vbiasp M6
alo
CM
M8
CM
An
M1 M2
Vip Vim Vom CL Vop
M7 M9
Vbiasn
M5
e
at
VSS
gr
Figura 7.10: Schema AO Miller complet diferential

te
Avantajele prelucrarii de semnal diferentiale au fost punctate n capitolul Am-

In
plificatoare Diferentiale si datorita acestora, n lanturile de prelucrare a sem-

nalului sunt preferate structurile complet diferentiale.
ite
Circuitul este similar cu AO Miller simplu, cu diferenta ca etajul de intrare are

sarcina de tipul sursa de curent, formata din tranzistoarele M3 -M4 , iar etajul al
doilea este dublat. Astfel, este posibila sa culegem semnalul de iesire diferential.
rcu
Vip CM Vop
Ci
Vin Gm1Vin R1 C1 V Gm2V R2 C2 Vout
CM
Vim Vom
Figura 7.11: Modelul echivalent pentru varianta complet diferentiala
Doris Csipkes 159

Schema de semnal mic si nalta frecventa este data n Figura7.11.
Parametrii de semnal mic se exprima n mod similar ca la varianta cu iesire
e
asimetrica, dar trebuie tinut cont de conexiunile diferentiale ale componentelor.
gic
gm1 gm6
Gm1 = , Gm2 =
2 2
alo

R = 2 (r || r ) , R2 = 2 (rDS6 || rDS7 )

1 DS2 DS4

1 (7.14)
C1 = [CBD2 + CBD4 + CGS6 + (CGD6 + CM ) A2 ]
2

An

C2 = 1 (CBD6 + CBD7 + CL ) CL

=
2 2
7.2.4 Amplificatorul operational Miller

e
cu etaj repetor de iesire
at
Amplificatorul operational Miller cu etaj repetor de iesire este folosit ca sursa
gr
de tensiune comandata n tensiune si poate comanda sarcini rezistiv-capacitive.
Schema AO Miller cu etaj repetor de iesire este data n Figura 7.12. Tranzis-
te
toarele M8 si M9 constituie bufferul de iesire, avand castig unitar.

In
VDD
M3 M4
ite
M6 M8
rcu
CM
M1 M2 Vout
Vip Vim CL
M7 M9
Ci
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.12: Schema AO Miller cu etaj repetor de iesire
160 Doris Csipkes

Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa este aratat n Figura 7.13.
Etajul de iesire este modelat cu o sursa de tensiune comandata n tensiune
avand castig unitar si n serie cu ea este conectata rezistenta echivalenta de
e
iesire a bufferului.
gic
V CM R3
alo
Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 AV=1 C3 Vout
An
Figura 7.13: Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa pentru
circuitul din Figura 7.9
e
Functia de transfer a circuitului este similara cu cea a AO Miller simplu, cu
diferenta ca etajul repetor de iesire introduce un pol denalta frecventa aditional.
at
Astfel, expresia lui A(s) este n conformitate cu ecuatia (7.15).
gr

CM VDD
Gm1 Gm2 R1 R2 1 s

Gm2
te

A(s) =

2
(s a + sb + 1) (1 + sR3 C3 )
(7.15)
In
a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )

b = R C + R C + (R + R ) C + G R R C
1 1 2 2 1 2 M m2 1 2 M
ite
Parametrii de semnal mic G1 , R1 , C1 , G2 si R2 sunt aceasi ca la AO Miller

fara etaj repetor din ecuatia (7.3). Insa, expresia lui C2 se modifica datorita
rcu
influentei capacitatilor parazite ale etajului repetor asupra capacitatii echivalente

din nodul de iesire a amplificatorului simplu. Astfel, C2 , rezistenta si capacitatea
echivalenta a bufferului de iesire se scriu:
Ci

C = CBD6 + CBD7 + CGD7 + CGD8
2

1 1
R3 = rDS9 || = (7.16)
gm8 gm8
C3 = CBD8 + CBS9 + CGS8 + CGD9 + CL

= CL

Doris Csipkes 161

Frecventele aproximative ale polilor si a zeroului functiei de transfer sunt date

n sistemul (7.17).
e

1
fp1 =
gic

2Gm2 R1 R2 CM

Gm2
fp2 =

2C2
(7.17)
alo
1
fp3 =

2R3 C3

frhz = Gm2

An
2CM
Analizand aceste ecuatii se observa ca frecventa polului dominant a ramas

aceeasi ca la AO Miller simplu. Polul de nalta frecventa s-a mutat mai sus
e
n frecventa, datorita capacitatii echivalente scazute a nodului de la intrarea
at
etajului repetor. Etajul repetor de iesire introduce un pol suplimentar n functia
de transfer putand contribui semnificativ la nrautatirea marginii de faza. Drept
urmare, expresia marginii de faza trebuie completata ca n urmatoarea ecuatie:
gr
te

GBW GBW GBW
m = 90 tan1 tan1 tan1 (7.18)
fp2 frhz fp3
In
Dezavantajul compensarii Miller este acela ca impune un compromis ntre ban-

da, marginea de faza si consumul de curent al amplificatorului operational.
ite
Astfel, stabilitatea neconditionata si banda larga se pot obtine numai cu pretul

unui consum de curent ridicat. Datorita acestei limitari AO Miller este utilizat
cu precadere n circuitele la care frecventa de functionare nu depaseste cativa
rcu
MHz.
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului

Ci
operational Miller
In acest paragraf este prezentata metoda completa de proiectare a unui ampli-
ficator operational Miller pentru specificatii impuse.
Specificatiile considerate n majoritatea aplicatiilor sunt urmatoarele:
162 Doris Csipkes

- castigul de joasa frecventa A0 60dB;

- viteza maxima de variatie a tensiunii de iesire SR 15V /s;
e
- produsul amplificare-banda GBW 10M Hz;
gic
- zeroul pozitv sa fie situat la o frecventa frhz = 10GBW ;
- capacitatea de sarcina CL = 10pF ;
alo
- alimentare simetrica VDD = VSS = 3V ;
- stabilitate neconditionata cu m = 60 ;
An
- tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezulta din calcul se con-
sidera Vod = 200mV .
Tip ID W/L Vod VT h

e
NMOS 50A 10/1 174mV 450mV
at
PMOS 50A 20/1 225mV 450mV
Tabelul 7.1: Valorile parametrilor din setul de referinta

gr
te
Pasul 1: determinarea capacitatii de compensare n raport cu cea de sarcina.

In
Conform expresiilor deduse pentru GBW si frhz , pe care le repetam din nou n
ecuatiile (7.19), si tinand cont de relatia dintre frecventa zeroului si GBW data
n specificatii, vom avea:
ite
Gm1

GBW =

2CM
(7.19)
rcu
G m2
frhz =
Gm2 = 10Gm1
2CM
Determinarea raportului dintre frecventa polului al doilea si produsul amplifica-

Ci
re-banda se face pe baza ecuatiei (7.10), dupa cum urmeaza:

GBW 1 GBW
= tan 90 m tan fp2 2, 22GBW (7.20)
fp2 frhz
Doris Csipkes 163

Tinand cont de acest rezultat, de legatura dintre transcoductantele celor doua

etaje dedusa n (7.19) si de expresiile lui GBW si fp2 , pe care le rescriem n
sistemul (7.21), rezulta relatia dintre capacitatea Miller si cea de sarcina:
e
gic
Gm1

GBW = 2C

M
(7.21)
G
fp2 = m2

CM 0, 22CL
alo
2CL
Pe baza acestei relatii si stiind ca CL = 10pF , putem alege capacitatea de

compensare CM = 2, 5pF .
An
CM = 2, 5pF
e
Pasul 2: calculul curentului de polarizare a etajului diferential.
at
Din formula vitezei maxime de variatie a tensiunii de iesire se calculeaza curentul
I5 astfel:
gr
I5
SR = I5 = SR CM = 37, 5A (7.22)
te
CM
I5 = 37, 5A
In
Pasul 3: calculul valorilor transconductantelor celor doua etaje.

ite
Din expresia produsului amplificare-banda putem obtine valoarea lui Gm1 :

rcu
Gm1
GBW = G1 = 2CM GBW = 157S (7.23)
2CM
Am aratat anterior cantre transconductantele celor doua etaje exita urmatoarea

Ci
relatie:
Gm2 = 10Gm1 = 1, 57mS (7.24)
Gm1 = gm1 = 157S, Gm2 = gm6 = 1, 57mS
164 Doris Csipkes

Pasul 4: gasirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M1 -M2
Stiind valorile transconductantei si a curentului prin M1 , putem afla tensiunea
e
de overdrive a acestui tranzistor:
gic
2I1 I5 I5
gm1 = = Vod1 = = 239mV (7.25)
Vod1 Vod1 gm1
alo
Vod1 = Vod2 = 239mV, restul Vod = 200mV
An
Pasul 5: dimensionarea tranzistoarelor M1 -M2
Folosind setul de referinta pentru tranzistoare NMOS (I = 50A, Vod =

e
174mV, W/L = 10/1) se face o scalare pentru a obtine setul de parametrii
at
doriti (I1 = 18, 75A, Vod1 = 239mV, W1 /L1 ):
2
gr

50 10L1 174m W1 2
= =2= (7.26)
18, 75 W1 239m L1 1
te
W1 W2 2
In
= =
L1 L2 1
ite
Pasul 6: dimensionarea tranzistorului M5
Se face o noua scalare pentru setul de parametrii doriti

rcu
(I5 = 37, 5A, Vod5 = 200mV, W5 /L5 ):
2
50 10L5 174m W5 5, 7
= = 5, 7 = (7.27)
Ci
37, 5 W5 200m L5 1
W5 5, 7
=
L5 1
Doris Csipkes 165

Pasul 7: dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4
Din nou scalam, de data aceasta folosind setul de referinta pentru tranzistoare
e
PMOS (I = 50A, Vod = 225mV, W/L = 20/1). Parametrii doriti sunt
(I3 = 18, 75A, Vod3 = 200mV, W3 /L3 ):
gic
2
50 20L3 225m W3 9, 5
= = 9, 5 = (7.28)
alo
18, 75 W3 200m L3 1
W3 W4 9, 5
= =
An
L3 L4 1
Pasul 8: determinarea curentului prin etajul al doilea de castig si dimensionarea

lui M6 e
at
Pentru ca factorul de reflexie al oglinzii de curent M3 -M4 si M6 sa nu depinda
de eroarea datorata coeficientului de modulatie al lungimii canalului, se impune
conditia de echilibru a tensiunilor drena-sursa. In aceste conditii tensiunile de
gr
overdrive ale tranzistoarelor ce formeaza oglinda sunt egale:

te
Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV (7.29)

In
Din formula transconductantei pentru M6 , rezulta curentul prin acesta conform

ecuatiei (7.28).
ite
2I6 1
gm6 = I6 = gm6 Vod6 157A (7.30)
Vod6 2
rcu
I6 = 157A
Facem o noua scalare pentru a obtine raportul dintre latimea si lungimea ca-
Ci
nalului lui M6 :
2
50 20L6 225m W6 40
= = 80 = (7.31)
157 W6 200m L6 0, 5
166 Doris Csipkes

W6 40
=
L6 0, 5
e
Pasul 9: dimensionarea lui M7
gic
2
50 10L7 174m W7 23, 8
= = (7.32)
157 W7 200m L7 1
alo
W7 23, 8
=
An
L7 1
Pasul 10: calculul tensiunii de polarizare Vbiasn e

Vbiasn = VSS + VT hn + Vod5 = 3 + 0, 45 + 0, 2 = 2, 35V (7.33)
at
gr
Vbiasn = 2, 35V
te
Observatie: metoda de dimensionarea a circuitului prezentata anterior, tre-

In
buie completata prin rularea unor simulari atat de punct static de functionare
cat si de curent alternativ si se ajusteaza fin, n cateva iteratii geometria
tranzistoarelor pana se obtin performantele dorite ale AO proiectat.
ite
7.3 Amplificatorul operational cascoda telescop

rcu
Dezavantajul major al AO Miller este acela ca pentru un consum rezonabil

putem obtine o banda modesta. Limitarea se datoreaza metodei de compensare
Miller. O structura care pentru acelasi consum ofera o banda mai larga este
amplificatorul cascoda telescop. La aceasta varianta de AO castigul ridicat
Ci
este asigurat de rezistenta de iesire mare, tipic de ordinul M-lor, a structurii

cascoda.
Schema AO cascoda telescop este prezentata n Figura 7.14. Tensiunea de

intrare se aplica tranzistoarelor M1a -M1b din etajul diferential. Sarcina acestuia
Doris Csipkes 167

este oglinda cascoda formata din M3a -M3b si M4a -M4b . Pentru a mari rezistenta
de iesire se utilizeaza cascoda de tip NMOS n locul structurii simple de etaj
diferential. Intreg etajul este polarizat cu sursa de curent implementata cu M5 .
e
gic
VDD
M4a M4b
alo
M3a M3b
An
Vout
M2a M2b
CL
Vcasn
e
D1a D1b
M1a M1b
at
Vip Vim
gr
M5
Vbiasn
VSS
te
Figura 7.14: AO cascoda telescop

In
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa corespunzator AO cascoda

telescop este dat n Figura 7.15. Similar ca la AO cu compensare Milller s-au
ite
ignorat singularitatile introduse de oglinda de curent cascoda M3a -M3b .
D1a
rcu
Vin Rp Cp Vp Rout Cout Vout

Gm1Vin Gm2Vp
Ci
D1b
Figura 7.15: Modelul echivalent de semnal mic al AO cascoda telescop
Conform acestui model functia de transfer a amplificatorului operational rezulta
168 Doris Csipkes

de forma:
Gm1 Rout Gm2 Rp

A(s) = , (7.34)
(1 + sRp Cp ) (1 + sRout Cout )
e
gic
unde parametrii de semnal mic au urmatoarele expresii:
alo
Gm1 = gm1 ,

Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4

gm2 2

Rp

Gm2 = 2 ,

=
gm2
(7.35)
An

Cout = CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL

Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 )

2 e
at
In cele ce urmeaza sunt prezentati pasii de proiectare sistematica a unui AO
cascoda telescop, avand specificatile:
gr

te

In

ite
- alimentarea simetrica VDD = VSS = 2V ;
- amplitudinea maxima a semnalului de iesire VsemnM AX = 0, 5V

rcu
Pasul 1: domeniul maxim de variatie a semnalului la iesire.

Ci
La proiectare se considera toate tranzistoarele polarizate n regim saturat. Prin

urmare, tensiunea drena-sursa a fiecarui tranzistor este mai mare decat ten-
siunea sa de overdrive. Pentru tranzistoarele M4 , M5 alegem Vod = 250mV
in vederea obtinerii unei bune mperecheri. In cazul tranzistoarelor cascoda se
alege o valoare mai mica, Vod = 200mV , pentru a obtine o valoare marita a
Doris Csipkes 169

transconductantei, necesara realizarii rezistentei de iesire ridicate a AO. Tensiu-

nea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 rezulta din specificatii ca fiind
Vod1 = 150mV , dupa cum se va arata la Pasul 5.
e
Tensiunea drena-sursa a fiecarui tranzistor se alege cu o margine V = 100mV
gic
pentru a pastra tranzistoarele n regim saturat chiar si n cazul cel mai defavo-
rabil, n care tensiunea de prag si punctul static de functionare se deplaseaza
cu temperatura si cu neidealitatile procesului de fabricatie.
alo
Domeniul de variatie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele
sa nu ajunga n regim liniar sau blocate. In consecinta, limitele de variatie ale
An
tensiunii de iesire se pot scrie:

VDD VoutM AX = VDS3 + VDS4

VoutM AX = VDD (Vod3 + V ) + (Vod4 + V )

e

at

VoutM AX = 1, 35V

(7.36)
VoutM IN VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5
gr

V = VSS + Vod1 + Vod2 + Vod5 + 3V
outM IN

te
VoutM IN = 1, 1V

In
S-a notat cu VoutM AX si VoutM IN tensiunea maxima, respectiv minima instan-

tanee la iesirea circuitului.
ite
Rezulta ca variatia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
Vout = VoutM AX VoutM IN = 1, 35 (1, 1) = 2, 45V (7.37)

rcu
Valoarea teoretica maxima a tensiunii de iesire suportate de circuit fara dis-

torsiuni (limitare) este 2, 45V . Pentru aplicatia noastra consideram variatia
semnalului de iesire de 1V , valoare normala n circuitele cu AO. Se pot alege
Ci
si alte valori n limitele admise si considerand tensiunea de mod comun data.

Notam amplitudinea semnalului de iesire cu VsemnM AX , acesta avand valoarea
egala cu jumatate din variatia semnalului de iesire, mai precis 0, 5V .
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .
170 Doris Csipkes

Pentru ca AO sa functioneze corect atunci cand este cascadat ntr-un lant de

amplificatoare, tensiunile de mod comun la intrare si iesire trebuie sa fie egale,
VM Cin = VM Cout .
e
Limita inferioara a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie
gic
sa permita ca tranzistoarele de intrare M1a -M1b si cel de polarizare al etaju-
lui diferential M5 sa fie n regim saturat. Conform acestei conditii, tensiunea
grila-sursa a tranzistoarelor de intrare si cea drena-sursa a tranzistorului ce im-
alo
plementeaza sursa de curent trebuie sa asigure functionarea dispozitivelor n
regim saturat.
An
VM Cmin VSS = VGS1 + VDS5 , (7.38)
unde:
(
e
VGS1 = Vod1 + VT hn = 0, 15 + 0, 45 = 0, 6V
at
(7.39)
VDS5 = Vod5 + V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
gr
Rezulta VM Cmin = 1, 05V

te
Pe de alta parte, tot valoarea minima a tensiunii de iesire se poate obtine

conform ecuatiei (7.40).
In
VM Cmin VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5 + VsemnM AX , (7.40)

ite
unde:

VDS1 = Vod1 + V = 0, 15 + 0, 1 = 0, 25V

rcu
VDS2 = Vod2 + V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V (7.41)

VDS5 = Vod5 + V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35

Ci
De aceasta data, rezulta VM Cmin = 0, 6V .
Pentru a afla valoarea minima a tensiunii de mod comun, se ia cazul cel mai
defavorabil VM Cmin = 0, 6V .
Doris Csipkes 171

Limita superioara a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie sa

permita functionarea tranzistoarelor M3b si M4b din oglinda de curent cascoda n
regim saturat, chiar si atunci cand semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
e
VDD (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 , (7.42)
gic
unde:
(
alo
VDS3 = Vod3 + V = 0, 3V
(7.43)
VDS4 = Vod4 + V = 0, 35V
An
Rezulta valoarea maxima a tensiunii de mod comun, ca fiind VM Cmax = 0, 85V
Teoretic, tensiunea de mod comun poate fi aleasa oriunde ntre -0,6V si +0,85V.
In practica, variatia optima a semnalului la iesire este obtinuta atunci cand
e
tensiunea de mod comun este aleasa la aproximativ jumatatea intervalului dintre
at
limitele admise pentru VM C . Prin urmare, o posibila valoare ar putea fi VCM =
0V .
gr
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasn si Vcasn .

te
Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ntai stabilite caderile de

tensiune drena-sursa pe fiecare tranzistor. Caderea de tensiune pe fiecare tran-
In
zistor trebuie sa permita polarizarea acestuia n regim saturat. In consecinta,

tensiunea sa drena-sursa se alege cu o margine de cel putin 100mV fata de
tensiunea de overdrive.
ite
Se porneste cu asezarea n tensiune a tranzistorului M5 . Tensiunea VDS5 este

conditionata de valoarea tensiunii de mod comun la intrare, astfel:
rcu
VM Cin VSS = VGS1 + VDS5 VDS5 = 1, 4V (7.44)
Daca VM Cin = VM Cout , atunci valoarea teoretica calculata a tensiunii instanta-

Ci
nee la iesire nu se mai conformeaza ecuatiei 7.36, ci este limitata de tensiunea

grila-sursa a tranzistorului de intrare si de tensiunea drena-sursa a lui M5 . Deoa-
rece la M5 asiguram 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care raman trebuie mpartiti
ntre tranzistoarele M1 si M2 . Vom aloca mai mult spatiu n tensiune tranzisto-
rului cascoda, deoarece ca si la sursa de curent cascoda, tranzistorul care intra
172 Doris Csipkes

primul n regim liniar este cel cascoda. Prin urmare, alegem VDS1 = 0, 25V si
VDS2 = 0, 35V .
Cascodarea tranzistorului de intrare duce la o structura nepotrivita pentru egali-
e
tatea tensiunilor de mod comun de la intrare si iesire. Aceasta, datorita faptului
ca bugetul de tensiune alocat tranzistorului de intrare si celui cascoda este prea
gic
redus. Este posibil ca pentru valori mai mari ale tensiunii de overdrive a Min ,
acest tranzistor sa fie la limita regimului saturat.
alo
In cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problema alocarea tensiunilor
drena-sursa, deoarece dispunem de 2V pe care sa-i mpartim ntre M3 si M4 .
Din nou alocam mai mult tranzistorului cascoda si vom avea VDS3 = 1, 5V si
An
VDS4 = 0, 5V .
In Figura 7.16 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curentii prin tranzistoare.

e
at
VDD=2V
M4a M4b
VDS4=0,5V
gr
100uA 100uA
te
M3a M3b
VDS3=1,5V
VMC=0V
In
M2a M2b
Vcasn=0,3V
VDS2=0,35V
ite
M1a VDS1=0,25V M1b

rcu
VMC=0V VMC=0V
200uA
Vbiasn=-1,3V
VDS5=1,4V
M5
VSS=-2V
Ci
Figura 7.16: AO cascoda telescop - asezare n tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuatiilor (7.45) si (7.46).
Doris Csipkes 173

Vcasn VSS =VGS2 + VDS1 + VDS5
e
Vcasn = VSS + (Vod2 + VT hn ) + VDS1 + VDS5 (7.45)
gic
Vbiasn VSS = VGS5 Vbiasn = VSS + (Vod5 + VT hn ) (7.46)
alo
Dupa nlocuirea valorilor numerice si efectuarea calculelor rezulta:
(
Vcasn = 2 + (0, 2 + 0, 45) + 0, 25 + 1, 4 = 0, 3V
An
(7.47)
Vbiasn = 2 + (0, 25 + 0, 45) = 1, 3V
Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferential.

e
Curentul I5 se obtine din expresia SR-ului, astfel:
at
I5
gr
SR = I5 = SR CL = 200A (7.48)
CL
te
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferential este egal cu jumatate din
curentul dat de sursa implementata cu M5 .
In
I1 = I2 = I3 = I4 = I5 /2 = 100A (7.49)
I5 = 200A, I1 = I2 = I3 = I4 = 100A
ite
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.

rcu
Din expresia lui GBW se poate calcula transconductanta Gm1 .

Ci
Gm1
GBW = Gm1 = gm1 = 2CL GBW = 1, 33mS (7.50)
2CL
Pe de alta parte transconductanta tranzistorului M1 se poate scrie conform

ecuatiei (7.51).
174 Doris Csipkes

2I1
gm1 = (7.51)
Vod1
e
Din ecuatiile (7.50) si (7.51) rezulta valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
gic
zistoarele M1a -M1b .
2I1
Vod1 = = 150mV (7.52)
gm1
alo
gm1 = 1, 33mS, Vod1 = 150mV
An
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
Tip ID Vod VDS
M1a M1b 100A 150mV 0,3V
e
M2a M2b 100A 200mV 0,45V
at
M3a M3b 100A 200mV 1,5V
M4a M4b 100A 250mV 0,5V
gr
M5 200A 250mV 1,25V
Tabelul 7.2: Curentii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor

te
In
Curentii si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schema sunt date

n Tabelul 7.2. Conform acestor valori si folosind setul de referinta, se poate
calcula raportul W/L pentru fiecare tranzistor.
ite
Pentru dimensionarea tranzistoarelor se face urmatoarea scalare:

rcu
!2 !2
ref ref
Iref Wref L Vod W Wref I Vod
= = (7.53)
I Lref W Vod L Lref Iref Vod
Ci
Particularizand aceasta ecuatie pentru fiecare tranzistor din schema, rezulta

geometria acestora, conform Tabelului 7.3.
Pentru tranzistoarele cascoda M2 si M3 s-a ales lungimea canalului mai redusa
decat a celorlate, n vederea diminuarii capacitatilor parazite de la iesire.
Doris Csipkes 175

M M1 M2 M3 M4 M5
W 26, 9 7, 5 25, 3 32, 4 19, 4
L 1 0, 5 0, 5 1 1
e
gic
Tabelul 7.3: Valorile W/L a tranzistoarelor
alo
7.3.1 AO cascoda telescop complet diferential
Schema AO cascoda telescop cu iesire diferentiala se obtine din structura de
AO cascoda telescop cu iesire simpla. Pentru aceasta se nlocuieste sarcina
An
oglinda de curent cascoda cu surse de curent cascoda si se culege diferential
iesirea din drenele tranzistoarelor M2 . In acest caz, circuitul de polarizare trebuie
sa furnizeze pe langaVtensiunile
casn Vbiasn , Vcasn si tensiunea de polarizare Vcasp ,
necesara pentru polarizarea tranzistoarelor cascoda PMOS.
e
at
Schema AO cascoda telescop complet diferentiala este data n Figura 7.17.
gr
VDD
M4a M4b
te
Vbiasp
In
M3a M3b
Vcasp
ite
Vop Vom
M2a CL M2b
Vcasn
rcu
M1a
D1a D1b M1b
Vip Vim
Ci
M5
Vbiasn
VSS
Figura 7.17: AO cascoda telescop complet diferentiala
176 Doris Csipkes

Un caz special l constituie modul de generare a tensiunii de polarizare Vbiasp ,

care este furnizata de un circuit destinat reglajului tensiunii de mod comun.
Acesta are la intrarea sa componenta continua a tensiunii instantanee de la
e
fiecare iesire a AO diferential, pe care o compara cu o tensiune de referinta,
egala chiar cu tensiunea de mod comun. Printr-o bucla de reactie negativa, prin
gic
intermediul lui Vbiasp se regleaza curentul prin ramurile AO, pana cand tensiunea
de mod comun la iesire are valoarea dorita. In literatura de specialitate se gasesc
mai multe variante de implementare a circuitelor de reglaj a tensiunii de mod
alo
comun, dar acestea, apartinand unei tematici mai avansate, nu fac obiectul
cursului nostru.
An
Modelul echivalent de semnal mic si nalta frecventa este aratat n Figura 7.18.
D1a
Vin Gm1Vin Rp Cp
e
Vp
Gm2Vp Rout Cout Vout
at
D1b
gr
Figura 7.18: Modelul echivalent corespunzator AO din Figura 7.17

te
Parametrii de semnal mic sunt dati n urmatorul sistem de ecuatii:

In
gm1
Gm1 = , Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )

2
gm2 2
ite

Gm2 = 2 , Rp = gm2

(7.54)
1
Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) = CL

rcu

2

Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 )

2
Ci
7.4 Amplificatorul operational cascoda pliata

Dezavantajul major al AO cascoda telescop l constituie polarizarea proble-
matica a tranzistorului de intrare si a celui cascoda NMOS, datorita spatiului
restrans n tensiune care poate fi alocat acestora. Deoarece tensiunile de mod
Doris Csipkes 177

comun la intrare si iesire sunt egale, suma tensiunilor drena-sursa a lui M1 si

M2 este egala cu tensiunea grila-sursa a tranzistorului de intrare. Pentru o po-
larizare corecta, valoarea tensiunii grila-sursa se considera insuficienta, n cazul
e
cel mai defavorabil, pentru a acoperi echivalentul a doua tensiuni drena-sursa.
Un caz concret a fost aratat n exemplul de proiectare al AO cascoda telescop,
gic
unde 0,6V au fost alocati tranzistorului de intrare si celui cascoda NMOS.
VDD VDD
alo
Vbiasp M4 Vbiasp
M4
An
Vcasp M3
VoutMC Vcasp
VSD3 M3
Vcasn M2 VDS2 e VoutMC

VDSin Min VinMC
VDS1 VinMC Vcasn
M1
at
M2
VGS1
VGS1
VS1 VSin
Vbiasn Vbiasn Vbiasn
gr
M5 M5 M1
VSS VSS VSS

te
Figura 7.19: Sectiuni ale AO cascoda telscop si AO cascoda pliata

In
In Figura 7.19 a) este data o sectiune din AO cascoda telescop. Daca scriem
caderea de tensiune dintre iesire si intrare, se poate demonstra afirmatia ante-
ite
rioara.

VoutM C VS1 = VDS2 + VDS1
rcu

VinM C VS1 = VGS1 (7.55)

VinM C = VoutM C VDS2 + VDS1 = VGS1

Ci
O solutie la aceasta problema ar fi nlocuirea tranzistorului cascoda NMOS cu

unul PMOS, ca n Figura 7.19 b). Tranzistorul cascoda PMOS introduce o
deplasare de nivel si astfel diferenta tensiunilor drena-sursa a tranzistorului de
intrare si a celui cascoda PMOS trebuie sa fie egala cu tensiunea grila-sursa a
lui Min , conform ecuatiei (7.56). Astfel, se pot aloca cu o margine rezonabila
178 Doris Csipkes

tensiunile drena-sursa tuturor tranzistoarelor din schema, evitand intrarea lor n

regim liniar sau blocat. Rezulta structura cascoda pliata. In acest caz ecuatiile
7.55 se rescriu dupa cum urmeaza:
e
gic

VoutM C VcasnVSin = VDSin VSD3

VinM C VSin = VGSin (7.56)

VinM C = VoutM C VDSin VSD3 = VGSin

alo
Schema AO cascoda pliata este prezentata n Figura 7.20.
An
VDD
M4a M4b
Vbiasp
e
M3a M3b
at
Iin Iin
Vcasp
Vout
gr
Mina Minb
Vip Vim M2b
CL
M2a
te
Icas Icas
M5
In
M1a M1b
Vbiasn
VSS
ite
Figura 7.20: Amplificatorul operational cascoda pliata
Aceasta varianta de amplificator operational are doua etaje. Primul, format

rcu
din tranzistoarele Mina si Minb converteste tensiunea diferentiala de intrare

n curent si apoi din nou n tensiune pe rezistenta echivalenta a nodului de
pliere. Acest nod prezinta o impedanta joasa, aproximativ egala cu inversul
transconductantei tranzistoarelor cascoda PMOS. Al doilea etaj, este format cu
Ci
tranzistoare n conexiune grila-comuna si amplifica curentul din nodul de pliere,

folosind rezistenta de iesire a circuitului de valoare ridicata.
Modelul echivalent de semnal mic este acelasi ca cel al AO cascoda telescop din
Figura 7.15. Parametrii de semnal mic sunt dati n sistemul de ecuatii (7.57).
Doris Csipkes 179


Gm1 = gmin , Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4

e
gm3 2

Rp

Gm2 = 2 ,

=
gm3
gic
(7.57)
C = C
out BD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL

Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 )

alo

2
Pentru a arata metoda completa de proiectare a unui AO cascoda pliata, se
An
considera urmatoarele specificatii:

e
at

gr
- alimentare simetrica VDD = VSS = 1, 5V ;

te
- amplitudinea semnalului de iesire VsemnM AX = 0, 5V ;
- curentul prin ramurile etajului cascoda este Icas = 1, 5 Iin , pentru a

In
evita blocarea tranzistoarelor din etajul de iesire la semnal mare.

ite
Pasul 1: domeniul maxim de variatie a semnalului la iesire.
Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de

rcu
polarizare M1 , M4 , M5 si Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascoda M2 , M3 .

Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare Min rezulta Vod = 160mV ,
dupa cum se va arata la Pasul 5. Aditional, tensiunea drena-sursa a fiecarui
tranzistor se alege cu o margine V = 100mV fata de valoarea VDSsat minima
Ci
admisa.
Domeniul de variatie al tensiunii de iesire trebuie ales astfel ncat tranzistoarele

sa fie polarizate n regim saturat. Rezulta ca limitele de variatie ale tensiunii de
iesire sunt:
180 Doris Csipkes


VDD VoutM AX = VDS3 + VDS4

e
VoutM AX = VDD (Vod3 + V ) + (Vod4 + V )

gic

VoutM AX = 0, 85V

(7.58)

VoutM IN VSS = VDS1 + VDS2

VoutM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + 2V
alo

VoutM IN = 0, 85V

An
Rezulta ca variatia maxima varf la varf a tensiunii de iesire este:
Vout = VoutM AX VoutM IN = 0, 85 (0, 85) = 1, 7V

e (7.59)
Pentru aplicatia noastra consideram ca variatia semnalului de iesire este de 1V .

at
Aceasta este mai mica decat valoarea teoretica maxima calculata n (7.59).
gr
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .
Din nou punem conditia ca tensiunile de mod comun la intrare si iesire sa fie
te
egale, VM Cin = VM Cout .

In
Limita inferioar a a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie

sa permita tranzistoarelor de intrare Mina -Minb si celui de polarizare a etajului
diferential M5 sa functioneze n regim saturat.
ite
VM Cmin VSS = VGS1 + VDS5 , (7.60)

rcu
unde:
(
Ci
VGSin = Vodin + VT hn = 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V

(7.61)
VDS5 = Vod5 + V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
Rezulta VM Cmin = 0, 54V
Doris Csipkes 181

Pe de alta parte, tot valoarea tensiunii de mod comun la iesire se poate obtine
conform ecuatiei (7.61).
e
VM Cmin VSS = VDS1 + VDS2 + VsemnM AX , (7.62)
gic
unde:
(
VDS1 = Vod1 + V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V
alo
(7.63)
VDS2 = Vod2 + V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
An
De aceasta data, rezulta VM Cmin = 0, 35V .
Valoarea minima a tensiunii de mod comun care acopera ambele valori partiale
calculate mai sus este VM Cmin = 0, 35V .
Limita superioara a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie sa

e
permita functionarea tranzistoarelor M3 si M4 n regim saturat, n conditiile n
at
care semnalul de iesire atinge valoarea sa maxima.
gr
VDD (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 , (7.64)

unde:
te
(
VDS3 = Vod3 + V = 0, 3V
In
(7.65)
VDS4 = Vod4 + V = 0, 35V
ite
Rezulta valoarea maxima a tensiunii de mod comun, ca fiind VM Cmax = 0, 35V
Teoretic tensiunea de mod comun poate fin intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru
rcu
maximizarea domeniului de variatie a semnalului de iesire alegem VCM = 0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp , Vcasp si Vbiasp .

Ci
Mai ntai stabilim caderile de tensiune pe fiecare tranzistor din schema, astfel
ncat ele sa fie polarizate n regim saturat. Pentru aceasta, tensiunile drena-
sursa se aleg cu o margine de cel putin 100mV fata de tensiunile de overdrive.
Deoarece schema este simetrica, tranzistoarelor M1 -M2 si M3 -M4 vom aloca
1,5V. In mod similar ca la AO cascoda telescop, repartizam mai mult spatiu n
182 Doris Csipkes

tensiune tranzistoarelor cascoda. Prin urmare, alegem VDS1 = VDS4 = 0, 5V

si VDS2 = VDS3 = 1V .
e
Tensiunea VDS5 este conditionata de valoarea tensiunii de mod comun la intrare
si se calculeaza conform ecuatiei:
gic
VM Cin VSS = VGSin + VDS5 VDS5 = 0, 89V (7.66)
alo
In Figura 7.21 sunt marcate tensiunile drena-sursa si curentii prin tranzistoare.
An
VDD=1,5V
M4a M4b
Vbiasp=0,8V
VDS4=0,5V
250uA
e 250uA
150uA 150uA
at
Vcasp=0,35V
VDS3=1V
100uA 100uA M3a M3b
gr
VMC=0V
Mina Minb
M2b
VMC=0V VMC=0V
te
M2a VDS2=1V
200uA
In
M1b
Vbiasn=-0,8V VDS5=0,89V M1a
VDS1=0,5V
M5
VSS=-1,5V
ite
Figura 7.21: AO cascoda pliata - asezare n tensiune

rcu
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuatiilor anterioare.

Vbiasn VSS = VGS5 Vbiasn = 0, 8V
Ci

VDD Vbiasp = VSG4 Vbiasp = 0, 8V (7.67)

VDD Vcasp = VSD4 + VSG3 Vcasp = 0, 35V

Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferential.
Doris Csipkes 183

Curentul I5 se obtine din expresia SR-ului, astfel:
I5
SR = I5 = SR CL = 200A (7.68)
e
CL
gic
Curentul prin cele doua ramuri ale etajului diferential de intrare este egal cu
jumatate din curentul prin M5 .
alo
IDina = IDinb = I5 /2 = 100A (7.69)
I5 = 200A, Iina = Iinb = 100A, Icas = 1, 5 Iin = 150A
An
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
e
Din expresia lui GBW determinam transconductanta Gm1 .
at
Gm1
GBW = Gm1 = gmin = 2CL GBW = 1, 25mS (7.70)
gr
2CL
te
Pe de alta parte, transconductanta lui Min se poate scrie astfel:
2IDin
In
gmin = (7.71)
Vodin
Din ecuatiile (7.70) si (7.71) rezulta valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
ite
zistoarele de intrare.
2Iin
Vodin = = 160mV (7.72)
rcu
gmin
gmin = 1, 25mS, Vodin = 160mV

Ci
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
In Tabelul 7.4 sunt dati curentii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din
schema.
184 Doris Csipkes

Tip ID Vod VDS

Min 100A 160mV 1,61V
M1 150A 250mV 0,5V
e
M2 150A 200mV 1V
gic
M3 150A 200mV 1V
M4 250A 250mV 0,5V
M5 200A 250mV 0,89V
alo
Tabelul 7.4: Curentii si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
An
Deoarece curentii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate,
egal cu 50A, se vor face scalari pentru tranzistoarele de tip NMOS si PMOS
avand curentul egal cu unitatea si tensiunea de overdrive de 200mV si 250mV .
Utilizand ecuatia (7.53), rezulta: e
at
Wp

Wn 7, 5 25, 3

Ln = , = , pentru Vod = 200mV
1 Lp 1

gr
(7.73)
Wn 4, 8 Wp 16, 2
= , = , pentru Vod = 250mV

Ln 1 Lp 1

te
In Tabelul 7.5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schema.

In
M Min M1 M2 M3 M4 M5
ite
W 23, 6 4, 8 3, 7 12, 6 16, 2 4, 8

3* 3* 3* 5* 4*
L 1 1 0, 5 0, 5 1 1
rcu
Tabelul 7.5: Geometria tranzistoarelor

Ci
7.4.1 AO cascoda pliata complet diferential

Varianta complet diferentiala a amplificatorului cascoda pliata este data n Fi-
gura 7.22. Trecerea de la AO cascoda pliata cu iesire simpla la structura complet
diferentiala se face n mod similar ca la amplificatorul cascoda telescop.
Doris Csipkes 185

Vcasn
VDD
M4a M4b
Vbiasp
e
gic
M3a M3b
Vcasp
alo
Mina Minb
Vop Vom
Vip Vim
M2a CL M2b
An
Vcasn
M5 M1a
M1b
Vbiasn e
VSS
at
Figura 7.22: AO cascoda pliata complet diferential
gr
Schema de semnal mic este aceeasi ca la AO cascoda telescop din Figura 7.18.
te
Parametrii de semnal mic sunt urmatorii:

In
gmin
Gm1 = 2 ,
Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )

gm3 2
Rp

Gm2 = 2 , =
ite

gm3

(7.74)
1
Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) = CL

2

rcu

Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 )

2
Ci
7.5 Sumar
In acest capitol s-au prezentat cateva configuratii de amplificatoare operationa-
le. Astfel, au fost discutate AO Miller, AO cascoda telescop si cascoda pliata.
186 Doris Csipkes

In cazul fiecaruia s-au evidentiat avantajele, limitarile si domeniul de frecvente

n care se utilizeaza n practica.
e
Cele trei structuri de AO sunt nsotite de metoda completa de proiectare pentru
specificatii impuse. Acesti pasi de proiectare permit ca pentru un nou set de
gic
specificatii sa se obtina cu usurinta dimensiunile tranzistoarelor si a componen-
telor pasive, acolo unde este cazul.
alo
Bibliografie:
An

e
Press, 1987
at
gr

te
In
ite
rcu
Ci
Doris Csipkes 187

CIA1Curs PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CIA1Curs PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

e

1.1.6 Caracteristica de iesire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

1.1.8 Modelul de semnal mic si nalta frecventa . . . . . . . . 11

1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS

1.2.6 Modelul de semnal mic si nalta frecventa . . . . . . . . 23

2.1 Sursa simpla de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . . 27

4.3 Referinta de tensiune cu dioda Zener . . . . . . . . . . . . . . . 77

4.5 Referinta de curent Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

4.5.2 Referinta Widlar cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . 81

4.8 Referinte compensate cu temperatura . . . . . . . . . . . . . . 85

5.3 Amplificatorul inversor cu sarcina sursa

6 Amplificatoare diferentiale 125

7 Amplificatoare operationale 147

operational Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162

7.3.1 AO cascoda telescop complet diferential . . . . . . . . . 176

7.4.1 AO cascoda pliata complet diferential . . . . . . . . . . 185

de iesire si de transfer, iar n final modelul de semnal mic si parametrii

Capitolul 2 si propune studiul catorva implementari electronice ale surselor

de curent. Pornind de la structura cea mai simpla si argumentand fiecare

Capitolul 3 se ocupa de oglinzile de curent MOS si bipolare. Accentul este

fici, astfel fiind posibila comparatia ntre diferitele implementari la nivel de

In capitolul 4 sunt introduse cateva tipuri de referinte de tensiune si de

curent. Pentru fiecare referinta sunt date expresia senzitivitatii marimii de

Lucrarea ofera, pe langa prezentarea si analiza concreta a unor circuite, o

Aprilie, 2007 Autoarea

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale daca se

Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare

In procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structura fizica ver-

Figura 1.2: Structura fizica a unui tranzistor NPN

Colectorul este realizat ca un strat ngropat (eng. n+ buried), contactul

atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ngropat de dimensiuni mai mari

1.1.2 Functionarea tranzistorului bipolar

Figura 1.3: Electronii si golurile ntr-un tranzistor NPN nepolarizat

fasiile adiacente jonctiunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul

Tranzistorul corect polarizat

Polarizarea corecta nseamna:

- polarizarea directa a jonctiunii baza-emitor (VBE > 0);

- polarizarea inversa a jonctiunii baza-colector (VBC < 0);

O tensiune pozitiva aplicata ntre baza si emitor reduce latimea regiunii de

E(n) B(p) C(n)

Figura 1.4: Electronii si golurile ntr-un tranzistor NPN corect polarizat

E(n) B(p) C(n) C

Figura 1.5: Mecanismul de conductie a tranzistorului NPN

Observatie: sensul sagetilor reprezinta directia de deplasare a electronilor.

urmare, n tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens

Dintre electronii injectati n baza de catre emitor majoritatea ajung sa fie

In aceasta ecuatie VT = kT /q este tensiunea termica, iar IS este curentul de

Modelul de semnal mare este prezentat n Figura 1.6.

Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar

Jonctiunea baza-emitor se modeleaza cu o dioda. Jonctiunea colector-emitor

se modeleaza cu o sursa de curent comandata n curent a carei factor de

In practica, pentru a evita saturatia nedorita a tranzistoarelor bipolare, punctul

static de functionare se alege astfel ncat VBE < VCE .

1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului

variatii infinitezimale ale tensiunilor si curentilor n jurul punctului static de

Observatie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datorita

Modelul de semnal mic este dat n Figura 1.7.

Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar n RAN

Expresia rezistentei colector-emitor este:

Ordinul tipic de marime al rezistentei colector-emitor este de sute de k.

Transconductanta de semnal mic

Definitie: transconductanta de semnal mic se defineste ca variatia curen-

Expresia transconductantei de semnal mic este: