Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
3123b Chibici Daniel SL3
3123b Chibici Daniel SL3
LUCRĂRI DE LABORATOR
CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE – SL3
Cuprins
VII REFERAT 7. CIRCUITE BASCULANTE MONOSTABILE CU TRANZISTOARE.............5
VII.1 Conținutul referatului ...............................................................................................................5
VII.2 Definițiile circuitelor realizate ...................................................................................................................5
VII.3 CBM cu cuplaj colector-bază (schemă, forme de undă și funcționare) .....................................5
Fig. 7.3.1. Schema tipică a unui CBM cu cuplaj colector-bază......................................................5
Fig. 7.3.2. Forme de undă..............................................................................................................6
Fig. 7.3.3. Diagrama ce sintetizează procesul de basculare............................................................6
VII.4 Analiza stării stabile a CBM.....................................................................................................6
Fig. 7.4.1. Sensurile curenţilor și tensiunilor în starea stabilă........................................................6
VII.5 Analiza stării instabile a CBM..................................................................................................7
Fig. 7.5.1. Circuitul de intrare al tranzistorului T1.........................................................................7
VII.6 Posibilități de modificare a duratei stării instabile ...................................................................9
Fig.7.6.1. Modificarea duratei stării instabile................................................................................9
Fig. 7.6.2. Modificarea duratei stării instabile.............................................................................10
VII.7 Proiectarea CBM cu cuplaj colector-bază...............................................................................10
VII.8 Desfășurarea lucrării...............................................................................................................12
Fig. 7.8.1Circuit basculant monostabil configurabil (macheta de laborator)................................12
VII.8.1 Desfășurarea lucrării........................................................................................................13
VII.8.1.1 Simularea circuitului basculant monostabil configurabil..............................................13
VII.8.1.2 Oscilograma cu formele de undă ale circuitului basculant monostabil configurabil.....14
VII.8.2 Desfășurarea lucrării........................................................................................................14
VII.8.2.1 Oscilograma circuitului basculant monostabil de pe osciloscop...................................14
VII.8.2.2 Oscilograma circuitului basculant monostabil cu cuplaj C-B de pe osciloscop............15
VII.9 Răspunsurile la întrebări.........................................................................................................15
VII.10 Observaţii personale.............................................................................................................16
VIII REFERAT 8. CIRCUITE BASCULANTE ASTABILE CU TRANZISTOARE...................17
VIII.1 Conținutul referatului ...........................................................................................................17
VIII.2 Definițiile circuitelor realizate ................................................................................................................17
Fig. 8.1 Circuit basculant astabil cu cuplaj RC colector-bază......................................................18
Fig. 8.2 Circuit basculant astabil cu diode de separaţie................................................................19
VIII.3 Desfăşurarea lucrării.............................................................................................................19
2
ELECTRONICA DIGITALĂ
3
ELECTRONICA DIGITALĂ
4
VII REFERAT 7. CIRCUITE BASCULANTE MONOSTABILE
CU TRANZISTOARE
VII.1 Conținutul referatului
Circuite basculante monostabile (CBM) se caracterizează prin doua stări dintre care
una stabilă, iar alta instabilă.
Circuitele basculante monostabile se folosesc drept elemente de memorie temporară,
drept dispozitive de marcare a intervalelor de timp, pentru întârzierea unor impulsuri
standardizate, pentru generarea de impulsuri de durată.
Principalele cerințe impuse CBM sunt stabilitatea duratei stării instabile și
stabilitatea stării sale stabile (inițiale).
Schema tipică a unui CBM cu cuplaj colector-bază este data în Fig. 7.3.1
Tranzistorul T2 fiind saturat s-au neglijat tensiunile B-E și C-E ale acestuia.
Conform schemei se poate scrie :
Pentru ca T1 să fie blocat este necesar ca tensiunea Ub1 , cu polaritatea indicată în
figură, să fie mai mare sau egală cu zero. Aceasta implică:
E b − r IC ≥ (7.4.2.)
Eb
r (7.4.3.)
I≤ C
Relația (7.4.3) trebuie să fie satisfăcută în condițiile cele mai defavorabile, adică al
temperatura maximă de funcționare, ceea ce corespunde la Ic0 max. Pentru asigurarea saturării
lui T2 este necesar ca:
Relația (7.4.5) trebuie să fie satisfăcută în condițiile cele mai defavorabile, adică
pentru bmin.
Așa cum s-a arătat în paragraful VII.3, blocarea lui T2 în starea instabilă este asigurată
de tensiunea de la bornele lui C, astfel că pentru blocarea lui T 2 nu se impune nici o
restricție asupra elementelor schemei CBM. Singura restricție este dictată de
tensiunea inversă admisibilă a joncțiunii B-E a lui T2. În acest scop este necesar ca
tensiunea la bornele lui C (aproximativ EC) să nu depășească tensiunea inversă admisibilă B-
E.
Uneori, pentru înlăturarea acestei restricții se conectează în baza lui T2 o diodă , cu
catodul spre bază, astfel încât tensiunea de la bornele condensatorului să se aplice pe doua
diode polarizate invers: dioda echivalentă joncțiunii B-E și dioda conectată suplimentar.
În scopul determinării condiției de saturare a tranzistorului T1 în starea instabilă , în
Fig. 7.5.1 s-a desenat circuitul de intrare al tranzistorului T1.
I = ib1+Ir1 (7.4.1.)
Relația (7.4.5.) trebuie să fie satisfăcută în condițiile cele mai defavorabile, adică pentru ßmin.
(7.6.2)
(
Fig.7.6.1. Modificarea duratei stării instabile
(r2 >> RC1 și deci cu atât mai mult r2 >> RC1||R’’C1) . Durata
1. Date de proiectare
Se impun de obicei, următoarele dare de proiectare:
- amplitudinea US, a impulsului generat de CBM;
- durata stării instabile, Ti ;
- temperatura maximă la care va funcționa CBM, tmax
- frecvența cu care se va comanda CBM, f;
- coeficientul impus al instabilității termice, KT.
2. Dimensionarea surselor de alimentare :
- EC = (1.1 - 1.3)US
- Eb = (0.1 - 0.2)EC
3. Alegere a tranzistoarelor
- fαo = f / 0.6, frecvența de tăiere a tranzistoarelor.
- UBE invers ≥ EC
Dacă ultima inegalitate nu este îndeplinită se înseriază cu baza tranzistorului T2 o
dioda cu catodul spre baza lui T2 .
4. Determinarea valorii rezistoarelor RC1, RC2.
Se trasează curbele β1 = f (ic1) $i β2 = f (ic2), unde ic1 $i ic2 sunt cureni de colector al
tranzistoarelor T1, respectiv T2 . Din aceste caracteristici se determina ic1 opt. corespunzător
lui β2max respectiv. Rezulta atunci :
R c1 = Ec / I c1opt și R c2 = Ec / I c2opt
Dacă nu se pot trasa aceste caracteristici , rezistoarele Rc se calculează din condiția ca
pe aceste rezistoare căderea de tensiune, datorită curenților reziduali, să fie neglijabilă
comparativ cu sursa de alimentare Ec. Aceasta conduce la :
R c1 = Rc2 = (0.05 ! 0.06) Ec / I c0max
(tmax-t catalog) /8¸10
unde IC0max = IC0catalog 2
În ambele situații trebuie să se verifice inegalitățile :
EC / RC1 ≤ IC1 admisibil și Ec / Rc2 ≤ IC12admisibil.
În general, dacă se dorește un consum redus de la sursa de alimentare se vor adopta
pentru rezistoarele de colector valori mari. Pe de altă parte, o valoare ridicată a rezistorului de
colector Rc 1 determină o durată mai mare a frontului anterior al impulsului generat de
colectorul tranzistorului T1 .
De aceea, este necesar să se verifice și posibilitatea de încărcare a condensatorului C
în starea stabilă până la aproximativ Ec, condiție tradusă prin inegalitatea:
3Rc1max C ≤ 1/f – Ti
Determinarea rezistorului r2
Pentru determinarea saturării tranzistorului T2 în starea stabilă $i asigurarea unui coeficient
de instabilitate termică mai mic sau cel mult egal cu cel impus (KT) se dimensionează
rezistorul r2 din condiția. :
5. Determinarea rezistorului r1
6. Determinarea condensatorului C
7. Determinarea rezistorului R
8. Circuitul de diferențiere Cd,Rd precum și amplitudinea impulsului de comandă
se dimensionează la fel ca în cazul CBB.
Trebuie făcută remarca că în cazul CBM realizate cu tranzistoare pe bază de Si se poate
renunța la sursa Eb și rezistorul R1 deoarece tensiunea UCE2 sat în starea stabilă este mai
mică decât tensiunea bază!emitor de deschidere a tranzistorului T1. În această
situație dimensionarea rezistorului R se efectuează din condiția R ≤ βminRc1 – Rc2.
CBM se pot realiza și cu tranzistoare de tip pnp după aceleași scheme prezentate cu
tranzistoarele npn, dacă se inversează polaritatea surselor de alimentare. Toate
relațiile, concluziile și proiectarea rămân valabile și pentru schemele realizate cu tranzistoare
de tippnp. Pentru protejarea joncțiunii bază - emitor a tranzistorului T2 (de tip pnp) se va
conecta în acest caz o diodă în serie cu baza tranzistorului T2, cu anodul spre bază.
După cum se observă din simularea de mai jos, dacă se aplică un semnal pe
intrarea de comandă cu frecvența de 1kHz, se observă o creștere a duratei stării
instabile a circuitului.
Saltul negativ de tensiune ce apare în colectorul lui T1, se transmite pe baza lui T2, blocându-
l. Tensiunea pe colectorul acestuia creşte brusc, iar această creştere se transmite pe baza lui
T1 dând naştere supracreşterii UBE1.
În figura 8.2 este dată schema unui CBA cu diode de separare. Diodele D1 şi D2
realizează separarea circuitelor de încărcare a capacităţilor C1 şi C2 de colectoarele
tranzistoarelor făcând posibil saltul abrupt, al tensiunii pe colectorul tranzistorului care se
blochează, de la 0,3V la valoarea tensiunii Ec. Utilizarea acestei metode se bazează pe faptul
că la blocarea unui tranzistor, potenţialul colectorului variază mai rapid decât tensiunea la
bornele capacităţii care se încarcă.
De exemplu, dacă tranzistorul T1 trece în starea de blocare, dioda D1 se blochează,
încărcarea condensatorului C2 efectuându-se prin rezistenţa R'’. Frontul anterior impulsului
obţinut pe colectorul tranzistorului T1 va depinde în acest caz numai de timpul de comutaţie
al acestui tranzistor, deoarece circuitul de încărcare alcondensatorului C2 este separat prin
dioda D1 de colectorul tranzistorului.
Fig. 8.2 Circuit basculant astabil cu diode de separaţie
În proiectare unui CBA de acest tip, trebuie să se considere că sarcina tranzistorului saturat
este Rc1 || R'', respectiv Rc2 || R', deoarece atunci când tranzistorul intră în conducţie, dioda
din colectorul său se deschide.
Figura 8.5 Schema electrică a circuitului basculant astabil cu cuplaj C-B în simulare
Figura 8.6 Oscilograma circuitului basculant astabil cu cuplaj colector-bază în simulare
Limita inferioară este de 5V ,iar cea superioară este de 15V. Aceste limite sunt
determinate de tranzistoare, deoarece au nevoie de o anumită tensiune pentru a trece
în starea de saturație sau pot ajunge în stare de suprasaturație.
3. Ce factori determină frecvenţa maximă de oscilaţie? Dar frecvenţa minimă
de oscilaţie?
Factorii ce determină frecvența maximă de oscilație sunt: variațiile
de alimentare, înlocuirea componentelor, variația temperaturii mediului ambiant sau
alte cauze.
4. Presupunând că este necesară proiectarea unui circuit basculant astabil având o
anumită frecvenţă de oscilaţie, care ar fi succesiunea de calcule (etape de
proiectare) necesare? Ce condiţii suplimentare trebuie îndeplinite de elementele de
circuit?
Circuitul integrat BE 555 este un circuit integrat monolitic bipolar care realizează
temporizări sau oscilaţii libere prin încărcarea şi descărcarea controlată a unui condensator
extern.
Etajul final este astfel proiectat şi realizat, încât suportă curenţi mari de ieşire (până la
200 mA). La o alimentare corespunzătoare, de 5V, ieşirea este compatibilă cu nivelele TTL.
Gama de valori a tensiunii de alimentare se întinde de la 4,5 V la 18 V.
Circuitul integrat BE 555, datorită structurii interne, este unul dintre cele mai versatile
circuite integrate fiind cunoscute peste 100 de scheme de utilizare a acestui circuit.
Figura 9.1. Schema logică echivalentă a circuitului BE 555
Schema de bază pentru utilizarea circuitului BE 555 ca astabil este prezentată în Figura 9.2.
Figura 9.3 Schema electrică pentru utilizarea ca astabil a circuitului BE 555 simulat
Circuitele de temporizare sunt circuite specializate concepute astfel încât, cu ajutorul unui număr
minim de componente externe, permit obţinerea unor intervale de timp precise, de aceea este importantă
utilizarea schemelor de temporizare.
Pentru a se asigura o precizie suficient de bună a temporizării este necesar să se asigure un curent de
încărcare a condensatorului C1 de cel puţin 10 ori mai mare decât curentul de fugă al acestuia.
Considerăm cazul cel mai defavorabil când C1 este electrolitic şi are un curent de fugă de ordinul
amperilor .În acest caz, R1max este egal cu 495Ω.
Efectul comenzii ALO este de a realiza un circuit de aducere la zero prin care se poate
întrerupe ciclul normal al timer-ului (normal, intrarea ALO este cuplată la sursa de alimentare şi
devine activă când tensiunea pe ALO scadesub 0,5V);