LUCRAREA NR.

4
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S
1. Conținutul lucrării
Se vor studia tipurile de defecte care pot surveni în rețelele electrice și măsurile de protecție
în sistemele de tip TN, în cele două variante constructive TN-C și TN-S.
Cu ajutorul modulelor de simulare Lucas Nuelles (LN) din laborator se vor realiza
montajele electrice necesare pentru determinarea tensiunilor de contact și valoarea
curenților de defect în următoarele situații:
• Scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-C.
• Scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-S.
Tot cu ajutorul modulelor de simulare LN din laborator, se va analiza posibilitatea
conectării dispozitivelor de protecție diferențiale (RCD, Residual-current device) în
rețelele de tip TN-S și TN-C și se va analiza utilitatea lor în cazul apariției unui defect în
rețea.
2. Aspecte teoretice
2.1. Tipurile de defecte care pot surveni în instalațiile electrice
Cauzele apariției defectelor în instalațiile electrice sunt multiple și pot produce accidente
grave prin electrocutare în timpul exploatării. Din acest motiv, orice defect dintr-o
instalație electrică trebuie identificat și eliminat într-un timp cât mai scurt pentru a evita
accidentarea persoanelor implicate în exploatarea directă a instalației și/sau evitarea
distrugerii integrale sau parțiale a acesteia prin apariția incendiilor.
Curenții de defect datorați apariției scurtcircuitului sunt cei mai periculoși atât pentru
instalațiile electrice unde s-a produs defectul, dar mai ales pentru personalul implicat în
exploatarea instalației. Cauzele apariției scurtcircuitelor sunt :
• Uzura izolației conductoarelor;
• Acțiuni mecanice asupra conductoarelor;
• Manevre greșite în timpul intervenției în instalațiile electrice;
În funcție de cauza care a determinat apariția scurtcircuitului, acesta poate fi localizat
în mai multe puncte dintr-o instalație electrică conform Eroare! Fără sursă de
referință.Figura 4. 1.
L1
1
L2
L3
2
N
PE

Figura 4. 1 Defecte în instalațiile electrice

Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

Notații:
1 – scurtcircuit între două faze (bifazat) sau între trei faze (trifazat);
2 – scurtcircuit fază – conductor neutru;
3 – scurtcircuit la șasiu;
4 – scurtcircuit fază – pământ;
N – conductor neutru;
PE – conductor de protecție;
Efectele defectelor exemplificate mai sus, sunt următoarele:
• Deteriorarea izolației conductoarelor;
• Întreruperea conductoarelor;
• Apariția incendiilor;
• Electrocutarea personalului;
• Deconectarea instalației de alimentare.

2.2. Sisteme de tip TN-C, TN-S și combinat TN-C-S

În conformitate cu prevederile normativului I7/2011 - „Normativ pentru proiectarea,
execuția și exploatarea instalațiilor electrice aferente clădirilor”, legarea la pământ poate
fi de trei tipuri principale: TN, TT și IT, simbolurile literare utilizate pentru notarea lor
având următoarele semnificații:
- prima literă, se referă la situația rețelei de alimentare în raport cu pământul:
T – legarea directă la pământ a unui punct activ – punctul neutru, în cazul în care acesta
este accesibil; sau a unui conductor de fază, în cazul în care punctul neutru nu este
accesibil;
I – izolarea tuturor părților active față de pământ, sau legarea la pământ a unui punct
printr-o impedanță de valoare foarte mare.
- a doua literă, se referă la situația maselor electrice în raport cu pământul:
T – legarea direct la pământ a maselor instalației, independent de eventuala legare la
pământ a unui punct al alimentării;
N – indică modul de tratare a funcțiilor conductoarelor neutru și de protecție; poate fi N-
C sau N-S;
Alte litere, se referă la dispunerea conductorului neutru și a conductorului de
protecție în rețeaua TN:
C – în rețeaua TN arată că funcțiile pentru conductorul neutru și pentru conductorul
de protecție pot fi combinate într-un singur conductor (PEN).
S – în rețeaua TN arată că funcția de protecție este asigurată printr-un conductor PE
separat de conductoarele active, legat la pământ (în curent alternativ).

Rețelele de tip TT și TN prezintă legătură la pământ iar rețelele de tip IT sunt izolate
față de pământ. Literele utilizate pentru identificarea tipului rețelei electrice au următoarea
semnificație :
IT – rețea cu punctul neutru al transformatorului izolat față de pământ (sau printr-o
impedanță foarte mare) și masele legate la pământ;
2
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

TT – rețea cu punctul neutru al transformatorului legat la pământ și masele legate la

prize de pământ independente;
TN – C – rețea cu punctul neutru al transformatorului legat la pământ și conductor cu
funcții comune de protecție și neutru;
TN – S – rețea cu punctul neutru al transformatorului legat la pământ și conductoare
distincte pentru funcțiile de protecție și neutru;
TN – C – S – rețea în care funcțiile pentru conductorul de protecție și neutru sunt
combinate într-un singur conductor pe prima parte a rețelei.
Rețelele de tip TN-C, TN-S și TN-C-S sunt reprezentate în următoarele figuri:

TRANSFORMATOR /GENERATOR
L1
L2
L3
PEN

CONSUMATOR

Figura 4. 2 Schema bloc pentru rețea de tip TN-C

TRANSFORMATOR /GENERATOR
L1
L2
L3
N

PE

CONSUMATOR

Figura 4. 3 Schema bloc pentru rețea de tip TN-S

3
Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

TRANSFORMATOR /GENERATOR
L1
L2
L3
N
PEN
PE

CONSUMATOR CONSUMATOR

Figura 4. 4 Schema bloc pentru rețea de tip TN-C-S

2.3. Măsuri de protecție în sistemele de tip TN

Rețelele de tip TN posedă două caracteristici esențiale:
• Sistemul de legare la pământ se face prin sistemul de împământare;
• Legarea la pământ a consumatorilor prin conductorul neutru/conductorul de
protecție și sistemul de împământare;
În continuare, sistemele de tip TN sunt divizate în funcție de design-ul lor astfel:

• Sistem de tip TN-C (conductor neutru și de protecție comun, PEN)

L1
L2
L3
PEN

• Sistem de tip TN-S (conductor neutru și de protecție separate, N și PE)

L1
L2
L3
N
PE

4
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

• Sistem de tip TN-C-S (conductor neutru și de protecție comun pe prima parte a

rețelei și apoi separate)
L1
L2
L3
N
PE

În general, în rețelele de tip TN se pot lua următoarele măsuri de protecție :

• Cu ajutorul dispozitivelor de protecție la supracurent;
• Cu ajutorul dispozitivelor de protecție pentru curenții de defect (Residual-Current
Device, RCD).

Observație: În sistemele pur TN-C, nu sunt permise RCD-urile deoarece nu pot

îndeplini în mod fiabil funcția de protecție necesară, deoarece:
1. La întreruperea conductorului PEN, se întrerupe automat și conductorul de
protecție.
2. Un scurtcircuit la șasiu nu este detectat deoarece curentul de defect este
redirecționat prin conductorul de protecție și reîncorporat în balanța curentului
total prin conductorul PEN.

3. Modul de lucru
3.1. Scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-C
În următorul experiment se ia în calcul ipoteza apariției unui scurtcircuit la consumator
într-un sistem de tip TN-C.
Schema reprezentativă pentru o astfel de situație se regăsește în Figura 4. 5Figura 4.
5.

5
Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

Figura 4. 5 Schema reprezentativă în caz de scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-C

Parametrii variabili sunt :

• rezistența corp-pământ 𝑅𝑆𝑇 ;
• rezistența corpului persoanei de test 𝑅𝐾 ;
• rezistența de defect 𝑅𝐹 .
Rezistența sistemului de împământare funcțional 𝑅𝐵 are valoarea de 2 Ω iar cea a
echipamentului 𝑅𝐴 de 2,2 Ω.
Pentru simularea acestui experiment se vor folosi modulele LN din laborator astfel:
1. Se realizează circuitul ca în Figura 4. 6Figura 4. 6;
2. Se pornește sursa de alimentare virtuală 3x11,5 V, 50 Hz;
3. Se efectuează două serii de măsurători cu următoarele condiții limită:
- 𝑅𝑆𝑇 = 560 Ω și mâinile să fie uscate (𝑅𝑘 = 2,4 kΩ);
- 𝑅𝑆𝑇 = 10 kΩ și mâinile să fie umede (𝑅𝑘 = 825 Ω);
4. Se schimbă rezistența de defect 𝑅𝐹 pentru fiecare serie de măsurători;
5. Se scriu valorile măsurate în tabele (Tabel 4. 1Tabel 4. 1, Tabel 4. 2Tabel 4.
2);
6. Se convertesc valorile, astfel încât să corespundă condițiilor reale (1 :20);
7. Se închide sursa de alimentare virtuală.

6
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

Figura 4. 6 Circuit pentru simularea scurtcircuitului la șasiu într-un sistem de tip TN-C

Tabel 4. 1
𝑹𝑺𝑻 = 𝟓𝟔𝟎 Ω Direct A B C D
𝑹𝒌 = 𝟐, 𝟒 kΩ
𝑹𝑭 (Ω) 0 22 825 15K 45K
𝑼𝑭 (V)
𝑼𝑩 (V)
𝑰𝑲 (mA)
𝑼𝑭 real (V)
𝑼𝑩 real (V)
𝑰𝑲 real (mA)

Tabel 4. 2
𝑹𝑺𝑻 = 𝟏𝟎KΩ Direct A B C D
𝑹𝒌 = 𝟖𝟐𝟓 Ω
𝑹𝑭 (Ω) 0 22 825 15K 45K
𝑼𝑭 (V)
𝑼𝑩 (V)
𝑰𝑲 (mA)
𝑼𝑭 real (V)
𝑼𝑩 real (V)
𝑰𝑲 real (mA)

7
Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

3.2. Scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-S

În următorul experiment se ia în calcul ipoteza apariției unui scurtcircuit la consumator
într-un sistem de tip TN-S.
Schema reprezentativă pentru o astfel de situație se regăsește în Figura 4. 7Figura 4.
7.

Figura 4. 7 Schema reprezentativă în caz de scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-S

Parametrii variabili sunt:

• rezistența corp-pământ 𝑅𝑆𝑇 ;
• rezistența corpului persoanei de test 𝑅𝐾 ;
• rezistența de defect 𝑅𝐹 ;
Rezistența sistemului de împământare 𝑅𝐵 are valoarea de 2 Ω iar cea a echipamentului
𝑅𝐴 de 2,2 Ω.
Pentru simularea acestui experiment se vor folosi modulele Lucas Nuelles din
laborator astfel:
1. Se realizează circuitul ca în Figura 4. 8Figura 4. 8;
2. Se pornește sursa de alimentare virtuală 3x11,5 V, 50 Hz;
3. Se efectuează două serii de măsurători cu următoarele condiții limită:
- 𝑅𝑆𝑇 = 10 KΩ și mâinile să fie uscate (𝑅𝑘 = 2,4 kΩ);
- 𝑅𝑆𝑇 = 560 Ω și mâinile să fie umede (𝑅𝑘 = 825 Ω);
4. Se modifică rezistența de defect 𝑅𝐹 pentru fiecare serie de măsurători;
5. Se scriu valorile măsurate în tabele (Tabel 4. 3Tabel 4. 3, Fo
m
5.6.Tabel 4. 4Tabel 4. 4); Po
6.7.Se convertesc valorile, astfel încât să corespundă condițiilor reale (1 :20); In
îm
8
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

7.8.Se închide sursa de alimentare virtuală.

Figura 4. 8 Circuit pentru simularea scurtcircuitului la șasiu într-un sistem de tip TN-C

Tabel 4. 3
𝑹𝑺𝑻 = 𝟏𝟎KΩ Direct A B C D
𝑹𝒌 = 𝟐, 𝟒 kΩ
𝑹𝑭 (Ω) 0 22 825 15K 45K
𝑼𝑭 (V)
𝑼𝑩 (V)
𝑰𝑲 (mA)
𝑼𝑭 real (V)
𝑼𝑩 real (V)
𝑰𝑲 real (mA)
Tabel 4. 4
𝑹𝑺𝑻 = 𝟓𝟔𝟎 Ω Direct A B C D
𝑹𝒌 = 𝟖𝟐𝟓 Ω
𝑹𝑭 (Ω) 0 22 825 15K 45K
𝑼𝑭 (V)
𝑼𝑩 (V)
𝑰𝑲 (mA)
𝑼𝑭 real (V)
𝑼𝑩 real (V)
𝑰𝑲 real (mA)

9
Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

10
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

3.3. Sistem de tip TN-S cu protecție diferențială (RCD)

În următorul experiment se ia în calcul ipoteza apariției unui scurtcircuit la consumator
într-un sistem de tip TN-S. Consumatorul este conectat prin intermediul unui RCD.
Schema reprezentativă pentru o astfel de situație se regăsește în Figura 4. 9Figura 4.
9.

Figura 4. 9 Schema reprezentativă în caz de scurtcircuit la șasiu într-un sistem de tip TN-S cu RCD

Parametrul variabili este rezistența de defect 𝑅𝐹 .

Rezistența sistemului de împământare 𝑅𝐵 are valoarea de 2 Ω, rezistența corp-pământ
𝑅𝑆𝑇 = 560 Ω, iar rezistența corpului persoanei de test este 2,4 KΩ (mâinile uscate).
Pentru simularea acestui experiment se vor folosi modulele Lucas Nuelles din
laborator astfel:
1. Se realizează circuitul ca în Figura 4. 10Figura 4. 10;
2. Se conectează voltmetrul;
3. Se pornește sursa de alimentare virtuală 3x11,5 V, 50 Hz;
4. Se setează RCD-ul pe poziția ON;
5. Se modifică succesiv rezistența de defect 𝑅𝐹 ;
6. Se notează în tabel momentul la care RCD-ul a declanșat și valoare tensiunii 𝑈𝐵 ;
7. Se înlătură defectul simulat (scurtcircuit la șasiu) și se setează din nou RCD-ul pe
poziția ON, dacă este necesar;
8. Se convertește valoarea tensiunii astfel încât să corespundă condițiilor reale (1 :20);
9. Până în acest punct al experimentului s-a observat ca RCD-ul nu a declanșat de
fiecare dată. La pasul următor se va analiza valoarea curentului de defect;
10. Se scoate voltmetrul din montaj;

11
Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

11. Se simulează un scurtcircuit la consumator în punctele A, B și C printr-un

ampermetru, ca în Figura 4. 11Figura 4. 11;
ATENȚIE: În această parte a experimentului NU se realizează un scurtcircuit direct
la consumator (𝑅𝐹 = 0 Ω) deoarece echipamentul de măsură se poate distruge!
12. Se măsoară, acolo unde este posibil, curentul de defect;
13. Se notează datele măsurate în Tabelul 4.5.

Figura 4. 10 Circuit pentru simularea scurtcircuitului la șasiu într-un sistem de tip TN-S cu DDR

Tabel 4. 5
Scurtcircuit Direct A B C
𝑹𝑭 (Ω) 0 22K 68K 110K
RCD a declanșat :
da /nu
𝑼𝑩 măsurat (V)
𝑼𝑩 real (V)

12
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

Figura 4. 11 Scurtcircuit la consumator în punctele A,B și C printr-un ampermetru

Tabel 4. 6
Scurtcircuit A B C
𝑹𝑭 (Ω) 22K 68K 110K
𝑰𝑭 măsurat (mA)
𝑰𝑭 real (mA)

14. Se convertește valoarea curentului astfel încât să corespundă condițiilor reale (1

:20);
15. Se închide sursa de alimentare virtuală.

3.4. Sistem de tip TN-C cu protecție diferențială (RCD)

În următorul experiment se consideră un sistem de tip TN-C și dorim să conectăm un
consumator (de exemplu un uscător de rufe) prin intermediul unui RCD. Rezistența 𝑅𝐵 are
valoarea 2 Ω.
Pentru a putea conecta consumatorul prin intermediul RCD-ului într-un sistem de tip
TN-C, conductorul PEN trebuie separat în PE și N înainte de a introduce RCD-ului.
Schema reprezentativă pentru o astfel de situație se regăsește în Figura 4. 12Figura 4.
12.

13
Instalații electrice industriale – Lucrări de laborator

Figura 4. 12 Schema reprezentativă în caz de scurtcircuit la șasiu intra-un sistem de tip TN-C cu RCD

Pentru simularea acestui experiment se vor folosi modulele Lucas Nuelles din
laborator astfel:
1. Se realizează circuitul ca în Figura 4. 13Figura 4. 13;
2. Se pornește sursa de alimentare virtuală 3x11,5 V, 50 Hz;
3. Se setează RCD-ul pe poziția ON;
4. Se realizează un scurtcircuit direct la consumator între partea activă și șasiu;
5. Se notează dacă protecția diferențială a declanșat;
6. Se închide sursa virtuală.

14
Măsuri de protecție în sisteme de tip TN-C și TN-S

Figura 4. 13 Circuit pentru simularea scurtcircuitului la șasiu într-un sistem de tip TN-C cu RCD

4. Întrebări
1. Prin ce se diferențiază rețelele de tip TN și TT față de rețelele de tip IT?
2. Prin ce se diferențiază rețelele de tip TN-C, TN-S și TN-C-S ?
3. Într-o rețea reală de tip TN (valoarea tensiunii de 230V) în cât timp trebuie să
declanșeze protecția pentru a evita accidentele?
- Curent de defect până la valoarea de 32 A
o 0,2 s
o 0,4 s
o 1s
o 5s
- Curent de defect cu o valoare superioară valorii de 32 A
o 0,2 s
o 0,4 s
o 1s
o 5s
4. În experimentul de la punctul 3.3 protecția diferențială nu a declanșat de
fiecare dată. Care credeți că este motivul ?
- Din cauza factorului de scalare, curentul de eroare este prea mic pentru
a declanșa o decuplare.
- Din cauza factorului de scalare, tensiunea de defect este prea mică
pentru a declanșa o decuplare.
- Rezistența la defect este prea mare pentru a permite o întrerupere.
- Rezistența la defecțiuni este prea mică pentru a permite o întrerupere.

15