Sunteți pe pagina 1din 4

DIODA SEMICONDUCTOARE

1. Scopul lucrrii - Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametrii ai diodelor semiconductoare; studiul comportrii diodei semiconductoare n circuite elementare. 2. Caracteristica static, curent-tensiune, teoretic a unei diode semiconductoare dedus prin analiza fenomenelor fizice ntr-o joncioune PN ideal ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior este dat de legea: i A = I 0 (e kT 1) (1.1)
n aceast relaie reprezentat grafic n fig.1.1, I 0 este curentul de
2 saturaie al diodei dat de expresia : I 0 = qni ( qu A

Dp Lp N D

Dn ) S (1.2), i este Ln N A

dependent de parametrii fizici i tehnologici ai jonciunii PN (suprafaa jonciunii, S , concentraia intrinsec de purttori ni , coeficienii de difuzie D p , Dn , lungimile de difuzie L p , Ln , ale purttorilor de sarcin , precum i concentraiile de impuriti, N D , N A ), iar 1 < < 2 , un coeficient cu valori mai apropiate de 1 pentru Ge, i mai apropiate de 2 pentru Si, care rezult din considerarea efectului
iA ( m A ) iA ( 1 0 0 1 0 5 0 . 20 . 40 . 6 I0 uA ( V) I0 1 0 1 0 l gA i uA . 20 . 40 . 6 uA ( V) m A)

f i g . 1 . 1

f i g . 1

. 2

de recombinare din zona de sarcin spaial la tensiuni de polarizare directe mici (efect cu importan la diodele cu Si la temperatura camerei. n funcie de suprafaa jonciunii PN, la rndul ei, dependent de curentul maxim pe care trebuie s-l accepte dioda n conducie direct, curentul de saturaie I 0 , are, la temperatura camerei, valori de ordinul de mrime, 1 10 A, pentru diodele din Ge i 1 100 mA pentru diodele din Si. La cureni direci de ordinul 1 10 mA (valori des ntlnite n practic) tensiunea direct pe diod este de 0.2 0.3 V pentru diodele din Ge respectiv 0.60.8 V pentru diodele din Si. 3. Cele dou mrimi, I 0 i , se determin prin reprezentarea ecuaiei diodei semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n fig.1.2 unde pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe vertical curentul pe diod n scar logaritmic). Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului . (De remarcat faptul c forma exponenial a cracteristicii directe se pstreaz ntr-un interval mare de valori ale curentului) cu relaia : =

q 1 u A (1.3). Prin prelungirera aceleai drepte, la intersecia KT 2.3 lg i A cu axa ordonatei se obine curentul de saturaie I 0 .

4. Dependena de temperatur a caracteristicii statice a unei diode semiconductioare este foarte puternic, nregistrndu-se a dublare a curentului de saturaie la fiecare 10 0C pentru diode din Ge respectiv la fiecare 6 0C pentru diodele din Si. Aceast depeden poate fi pus n eviden i prin coeficientul de variaie a tensiunii directe de pe diod cu temperatura, la curent constant. Teoretic acest curent este de circa 2 mV / 0C, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare. 5. La polarizare invers, conform ecuaie teoretice 1.1, curentul este constant i egal cu - I 0 . Dar pentru tensiuni inverse aplicate diodei, regiunea de sarcin spaial se mrete i apare un curent de generare, dependent de tensiunea aplicat, cu valori relative importante pentru diodele de Si (n fig.1.1 contribuia acestui curent la cracteristica diodei a fost reprezentat punctat). La tensiuni de polarizare invers mai mari, datorit fenomenului Zener, i fenomenului de multiplicare n avalan (predominant de obicei), curentul invers crete, valoare lui fiind limitat numai de circuitul exterior. Tensiunile de strpungere, la care apare aceast cretere a curentului, sunt dependente de natura materialului semiconductor, din care este realizat dispozitivul, precum i de concentraiile de impuriti, fiind cu att mai mici cu ct concentraiile de impuriti sunt mai mari. 6. La tensiuni directe mari caracteristica static tinde s se liniarizeze, datorit cderilor de tensiune pe zonele neutre ale jonciunii PN, care nu mai pot fi neglijabile. 7. n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot indeplini mai multe funciuni (redresare, detecie, limitare, etc.) n multe situaii fiind necesar stabilirea unui regim static de funcionare. Pentru circuitul elementar din fig.1.3 punctul static de funcionare se determin prin rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei (1.1) i ecuaia dreptei statice de
iA R E iA D uA E R IA UA E uA

f i g . 1 . 3
funcionare : u A = E R i A (1.4)

f i g . 1 . 4

Punctul static de funcionare M are coordonatele M (U A , I A ) , iar n acest punct de funcionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplizate in serie cu tensiunea continu E ) printr-o rezisten dinamic, pentru care se deduce relaia : rd =

KT (1.5). qI A

Rezistenta dinamic rd se determin experimental prin calculul pantei caractristicii statice, n punctul static de funcionare M conform relaiei :

rd =
iA - UZ U IZ
Z

u A i A

(1.6).
M

uA

8. Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate printr-o tensiune de strpungere bine definit (datorit efectului de multiplicare n avalan care determin o cretere foarte puternic a curentului invers n zona de

- ZI

f i g . 1 . 5

strpungere), controlat prin concentraia de impuriti, funcionarea normal a diodei fiind n aceast zon. fig..1.5 n care este reprezentat caracteristica static, att cea direct ct i cea invers, penrmite nelegerea noiunii de tensiune stabilizat, U Z , precum i determinarea rezistentei dinamice a diodei, rZ , conform relaiei: rZ =

U Z I Z

(1.7).
I Z = ct .

DESFURAREA LUCRRII
1. Se identific montajul din fig.1.6 n care se folosete o schem electric ajutoare ca surs de curent reglabil cu ajutorul poteniometrului P . Alimentat n curent continuu ntre bornele 3 (+5 V) i 2 (mas), circuitul furnizeaz la borna 7 un curent reglabil ntre 0 50 mA, iar la borna 8 un curent de maximum 500 mA, ambele nchizndu-se spre borna comun de mas (borna 2). 2. Se ridic caracteristicile statice la polarizarea direct pentru diodele D1
3

R
9 4 5 6 1 0

f i g . 1

. 6

- EFR 136 (diod redresoare din Ge) cu cureni cuprini ntre 0,5 500 mA (borna 4 reprezint anodul), D2 -BA 243 (dioad din Si, de uz general, de putere mic) cu cureni n domeniul 0,1 50 mA (borna 5 este anodul) i D3 BZX 85 C7V5 (dioad stabilizatoare de tensiune) cu cureni n domeniul 0,1 20 mA (anodul este borna 6). Ridicarea caracteristicilor directe se face cu montajul din fig.1.7; curentul prin diod se msoar cu un miliampermetru, pe o scar corespunztoare de cureni, iar tensiunea la bornele diodei cu un volmetru electronic (de preferin voltmetru numeric). Curentul se va regla la valori pentru care se poate face o reprezentare comod la scar logaritmic adic multiplii i submultiplii zecimali ai numerelor 1,2 i r (ai cror logaritmi zecimali sunt, aproximativ, 0, 0.3 respectiv 0.7). Pentru dioda EFR 136 se va folosi borna 8 a generatorului pentru cureni mai mari de 50 mA iar pentru celelalte cazuri se va folosi numai borna 7 a generatorului de curent. Rezultatele msurtorilor se vor trece ntr-un tabel. 2.a La curentul I A = 5 mA se nclzete (cu mna sau prin apropierea unui ciocan de lipit nclzit) dioda BA 243 i se constat, calitativ, modificarea tensiunii directe pe diod. 3. Se traseaz caracteristicile statice ale celor trei diode la scar semilogaritmic (ca n fig.1.2) i se determin parametrii I 0 i (care se vor trece ntr-un tabel). 4. Se vor trasa cele trei caracteristici la scar liniar pe un acelai grafic, pe hrtie milimetric (numai n domeniul de cureni comun diodelor). Pentru BA 243 se va trasa i dreapta static de funcionare (ecuaia 1.4, cu E = 5 V i R

=820 ) i se va determina punctul static de funcionare M (rpin precizarea coordonatelor sale, U A i I A ). n punctul static de funcionare astfel stabilit, se va determina, grafic, rezistena dinamic (cu relaia 1.6); se va calcula i valoarea teoretic a rezistenei dinamice cu formula 1.5 n care

kT = 26 mV, q

are valoarea dedus la punctul anterior iar I A are valoarea din punctul de funcionare i se vor compara rezultatele.

V N E

f i g . 1 5. Se realizeaz circuitul din fig.1.3 pentru dioda BA 243 cu E = 5 V i R =820 i se msoar mrimile caracteristice punctului static de funcionare, U A
(cu voltmetru numeric) i I A (cu un miliampermetru montat n serie cu dioda) i se compar cu rezultatele obinute prin metoda grafoanalitic, la punctul precedent. Se repet msurtoarile privind punctul static de funcionare pentru dioda EFR 136 cu E = 5 V. Se compar cu rezultatele obinute cu dioda BA 243 in aceleai condiii. 6. Cu montajul din fig.1.8 se msoar curentul invers prin diodele EFR 136 i BA 243 la tensiunile E = 0, -5 V, -10 V, -20 V. 7. Se msoar caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune BZX 85 C7V5 cu montajul din fig.1.9, pentru cureni ntre 0.1 mA i 20 mA. Pentru aceasta, generatorul de curent se alimenteaz cu +15 V (la borna 3), bornele 7 i 1 se conecteaz mpreun printr-un miliampermetru iar tensiunea se msoar cu un voltmetru electronic (numeric) (bornele 2 i 6 sunt i ele cuplate). Se traseaz caracteristica invers a diodei stabilizatoare la scar liniar pe un grafic pe care se traseaz, spre comparaie i caracteristica direct. n punctul static de funcionare caracterizat prin I Z = 10 mA, se determin rezistena dinamic, msurnd tensiunea pe diod la curenii: I Z = 5 mA i I Z = 15 mA. 8. Se vizualizeaz, pe caracterograf, caracteristicile directe ale diodelor semiconductoare i caracteristica invers a diodei stabilizatoare de tensiune. 9. Referatul va conine : schemele de principiu pentru ridicarea carcateristicilor directe i inverse ale diodelor, tabelele cu rezultatele msurtorilor, graficele i determinrile fcute pe baza acestora, precum i compararrea lor cu rezulatatele teoretice.

f i g . 1 . 7

D Z

I V N

f i g . 1 . 8

. 9