Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
ELEMENTE DE CIRCUIT
1.1. Circuite electrice i elementele acestora
Circuitele sau reelele electrice intervin n producerea energiei
electromagnetice, transportul, distribuia la locul de utilizare i conversia acestei
energii n alte forme utile. Ele sunt constituite prin interconectarea elementelor de
circuit, adic a unor elemente fizice, dintre care se exemplific: rezistorul, bobina,
condensatorul electric, dioda, tranzistorul, amplificatorul operaional.
Elementele ideale de circuit sunt obiecte idealizate n sensul c interaciunea
electromagnetic cu exteriorul poate fi complet caracterizat printr-un sistem de
cureni i un sistem de tensiuni electrice.
Un element de circuit posed un numr oarecare de borne sau accesuri prin
care se realizeaz legturile cu alte elemente. Fiecare born este caracterizat prin
intensitatea curentului absorbit i prin potenialul electric fa de un punct de
referin. Diferena de potenial dintre dou borne se va numi tensiune electric
ntre aceste borne. Un element cu n borne se va numi multipol electric sau n-pol
electric (fig. 1.1) dac satisface urmtoarele condiii:
a) suma algebric a intensitilor curenilor care intr n accesuri este nul n
orice moment;
b) de-a lungul oricrei curbe ce unete dou accesuri precizate, fr a
intersecta elemente de circuit, tensiunea electric are aceeai valoare;
c) puterea instantanee p primit din exterior de un multipol este
n
p = v k ik .
(1.1)
k =1
u12
v1
i1
v2
i2
n-pol
ik
in
vk
vn
Fig. 1.1
9
ik
i1
i1
uk
n-port
in
u1
ik
i2
u2
Diport
i1
i2
in
un
Fig. 1.2
Fig. 1.3
Condiiile a), b) i c) care fac parte din definiia general a n-polului rmn
valabile i n cazul n-portului.
Evoluia unui n-port se poate descrie utiliznd vectorul (matricea coloan)
tensiunilor i vectorul curenilor porilor:
u = [u1 ... uk .... un ] t , i = [i1 ... ik .... in ] t
(1.2)
(1.3)
t1
pentru orice interval de timp (t1 ,t2 ) , unde cu W s-a notat energia electromagnetic
intern a elementului. Creterea energiei electromagnetice interne a unui astfel de
10
1. Elemente de circuit
(1.4)
u j = 0, j = 1, n , j k ,
se noteaz cu i j intensitatea curentului la poarta j, iar n condiiile:
u /j = e,
uk/
(1.5)
= 0, k = 1, n , k j,
(1.6)
Generator
u
Receptor
u
Fig. 1.4
11
is
u
e
is
Fig. 1.5
Fig. 1.6
u = e,
(1.7)
(1.8)
i = is ,
(1.9)
p = ui = uis ,
12
(1.10)
1. Elemente de circuit
sau
i = g( u) ,
(1.11)
sau
i = Gu,
(1.12)
R
u
Fig. 1.7
Puterea electric disipat de un rezistor liniar este:
p = ui = R i 2 = G u 2 .
(1.13)
i=0
u=0
(a)
(b)
Fig. 1.8
Latura ntrerupt (fig. 1.8.b) se poate considera ca un rezistor cu
conductana nul sau ca o surs de curent ideal pentru care i( t ) 0.
Relaiile (1.11), numite caracteristici ale elementului dipolar, pot conine
funcii neliniare, caz n care ele descriu rezistorul neliniar, simbolurile grafice
uzuale fiind cele din fig. 1.9.
13
Fig. 1.9
Elementele neineriale sunt acelea pentru care modul de variaie n timp a
mrimilor nu afectez caracteristicile, iar elementele ineriale sunt elementele care
nu satisfac aceast condiie. Pentru regimuri normale de funcionare, majoritatea
elementelor de circuit pot fi considerate ca neineriale.
Elementul bilateral este acela pentru care caracteristica prezint simetrie n
raport cu originea. n cazul elementelor nebilaterale, caracteristica nu este
simetric n raport cu originea axelor, inversarea bornelor conducnd la
modificarea funcionrii lor.
u
(a)
(b)
(c)
(d)
Fig. 1.10
1. Elemente de circuit
I
P
=>
U0
I
Rd
U0
Fig. 1.12
Fig. 1.11
U
I
(1.14)
u
i 0 i
Rd = lim
=
P
du
di
(1.15)
U = U 0 + Rd I .
(1.16)
-U2
-U2
0
(a)
0 U1
(b)
0 U1
(c)
Fig. 1.13
Dioda ideal, cu simbolul prezentat n fig. 1.14.a, este dioda pentru care se
admite caracteristica aproximant din fig. 1.14.b. Ea se poate afla n una din cele
dou stri posibile:
- starea de conducie, dac u = 0 i i 0 ;
- starea de blocare, dac i = 0 i u 0 .
Dioda ideal este un element nedisipativ, puterea instantanee primit pe la
borne fiind nul n oricare din cele dou stri.
Dioda semiconductoare (real), avnd simbolul din fig. 1.14.c, admite o
schem echivalent coninnd o diod ideal i o surs ideal de tensiune (fig.
1.14.d), pentru starea de conducie. Schema echivalent poate fi completat cu o
rezisten nseriat, valoarea acesteia fiind determinat de panta caracteristicii
aproximante din fig. 1.13.b. Ca element fizic de circuit, dioda semiconductoare
este disipativ, puterea instantanee absorbit fiind inferioar puterii maxime Pm pe
care aceasta o poate disipa:
p = ui Pm .
16
(1.17)
1. Elemente de circuit
i
(b)
(a)
i
U1
(c)
(d)
Fig. 1.14
Rezult c, pentru montajul din fig. 1.15.a, punctul de funcionare M al diodei nu
poate depi intersecia cu curba b, de ecuaie ui = Pm (fig. 1.15.b).
i
M
0
(a)
(b)
Fig. 1.15
Stabilirea poziiei punctului de funcionare al diodei se poate face prin
trasarea dreptei de sarcin (fig. 1.16).
R
E
Id
E
R
Ud
M
Id
i=
E 1
u
R R
Ud
(b)
(a)
Fig. 1.16
17
d
,
dt
(1.18)
=Li
(1.19)
(a)
(b)
(c)
Fig. 1.17
Bobina neliniar (cu miez feromagnetic) prezint o dependen i
(caracteristic magnetic) neliniar (fig. 1.17.b). Forma caracteristicii magnetice
depinde de modul de variaie n timp al mrimilor. Astfel, pentru o excitaie
alternativ ia forma unui ciclu de histerezis a crui lime crete cu frecvena (fig.
1.17.c).
Pentru bobina cu inductivitate constant, relaia de definiie devine
u= L
di
,
dt
(1.20)
1. Elemente de circuit
1 t
i( t ) = i( t 0 ) + u dt .
Lt
(1.21)
i
i
u
u
i(t0)
i
u
(c)
(b)
(a)
Fig. 1.18
Puterea primit la borne de bobina liniar ideal, cu L = const., este:
di d L i 2
,
p = ui = i L =
dt dt 2
(1.22)
Wm ( t ) = L i
t0
1
di
dx = L i 2 ( t ) i 2 ( t 0 ) .
2
dx
(1.23)
1 2
L i (t ) .
2
(1.24)
d
.
dt
(1.25)
Wm =
t0
t0
p dt = i d ,
(1.26)
i d .
(1.27)
(C)
u
P
=>
I0
I0
Ld
u
(a)
(b)
Fig. 1.19
Inductivitatea static ntr-un punct de funcionare P(I , ) este definit
astfel:
LS =
=
I
i
(1.28)
1. Elemente de circuit
i 0 i
Ld = lim
=
P
d
di
(1.29)
proporional cu tg .
Pentru punctul de funcionare P, bobina neliniar admite schema echivalent
liniarizat din fig. 1.19.b, bazat pe relaia evident
I=
1
I0.
Ld
(1.30)
dq
,
dt
(1.31)
(1.32)
(a)
(b)
Fig. 1.20
21
(c)
du
,
dt
(1.33)
u(t ) = u(t0 ) +
1
i dt .
C t
(1.34)
i
u
i
u
uC
u(t0)
u
(a)
(b)
(c)
Fig. 1.21
du d Cu 2
=
.
dt dt 2
(1.35)
Aceast putere este egal cu viteza de cretere n timp a energiei cmpului electric
al condensatorului:
22
1. Elemente de circuit
We (t ) =
t0
Cu
1
du
dx = C u 2 (t ) u 2 (t 0 ) .
2
dx
(1.36)
1
Cu 2 ( t ) .
2
(1.37)
dq
,
dt
(1.38)
We = pdt = udq .
t0
(1.39)
t0
We =
udq .
(1.40)
(C )
Cs =
Q q
=
,
U uP
(1.41)
q dq
=
u 0 u
du
Cd = lim
proporional deci cu tg (fig. 1.22.a).
23
,
P
(1.42)
q
P
=>
U0
Cd
U0
U
(a)
(b)
Fig. 1.22
Pentru punctul de funcionare P, condensatorul neliniar admite schema
echivalent liniarizat din fig. 1.22.b, existnd relaia evident
U=
1
Q U0.
Cd
(1.43)
u = 0, i = 0 .
(1.44)
Simbolul nulatorului este indicat n fig. 1.23.a. Puterea la bornele nulatorului este
nul.
i
u
(a)
(b)
Fig. 1.23
24
1. Elemente de circuit
Circuitele concrete sunt constituite din elemente reale de circuit (sursa real
de tensiune, bobina real, condensatorul cu pierderi etc.), care pot fi modelate prin
scheme echivalente ce conin elemente ideale interconectate.
Astfel, n regim staionar, o surs real poate admite reprezentarea Thvenin
(fig. 1.24.a) sau reprezentarea Norton (fig. 1.24.b), corespunznd ecuaiei
funcionale scris n forma
U = E rI ,
(1.45)
E U
.
r
r
(1.46)
sau n forma
I=
Is =
g=
E
r
1
r
U
U
(a)
(b)
Fig. 1.24
Pentru o bobin real, rezistena nfurrii nu mai poate fi neglijat,
tensiunea la borne fiind suma dintre o cdere de tensiune rezistiv i o cdere de
tensiune inductiv:
U = Ri + L
25
di
.
dt
(1.47)
(a)
(b)
Fig. 1.25
n schema echivalent a condensatoarelor cu dielectric imperfect izolant se
ia n consideraie conductana acestuia (fig. 1.25.b).
1.2.9. Unistorul i giristorul
i=f(u 0 1 + u 0 2 )
u01
u0
u02
(a)
(a)
(b)
(b)
Fig. 1.26
Fig. 1.27
1. Elemente de circuit
bornele sale i o born de referin precizat (fig. 1.27.a). Atunci cnd borna de
referin este cunoscut, se poate utiliza simbolul simplificat din fig. 1.27.b. n
majoritatea cazurilor, funcia generalizat f este liniar.
i1
i2
p1
p2
2
u2
u1
i1
i2
p1
p2
2
(a)
2
u2
2
(b)
Fig. 1.28
1.3.1. Surse comandate
(1.48)
b) Pentru STC:
u1 = 0 0 i1
u 2 r 0 i2
(1.49)
i1 = 0 0 u1
i2 g 0 u 2
(1.50)
0 0
u1 = 1 u2
i2
i1 0
(1.51)
c) Pentru SCT:
d) Pentru SCC:
Tabelul 1.1
Puteri
i2
i1=0
u1
u2
e2 = u1
STC
i1
u1=0
i2
u2
e2 = r i1
p1 = u1 i1 = 0
p2 =u 2 i 2 = u1i2
p1 = u1 i1 = 0
p2 = u 2 i 2 = r i1i 2
Mrime de comand
- amplificare
n tensiune
r- rezisten
de comand
SCT
i2
i 1= 0
u1
is 2 = g u1
p1 = u1 i1 = 0
u2
p2 = u 2 i 2 = g u1u2
u2
p1 = u1 i1 = 0
p 2 = u 2 i 2 = i1u2
g- conductan
de comand
SCC
i1
u1=0
i2
is 2 = i1
28
- amplificare
n curent
1. Elemente de circuit
STT
STT
SCC
STT
STC
SCC
SCC
SCT
SCT
SCC
STC
STT
Fig.1.29
u1 = 0 1 i1 .
i2 k 2 0 u 2
1
u1
i1
k 2 :1
i2
(1.52)
i1
u1
u2
2
k 2 :1
(a)
i2
2
u2
2
(b)
Fig. 1.30
Presupunnd c la bornele porii secundare este conectat un rezistor de
rezisten R, se obine:
u1 = u2 = R i 2 = k 2 R i1 ,
29
(1.53)
u1
= k 2 R ,
i1
(1.54)
(1.55)
(1.56)
1.3.3. Giratorul
i1
i2
u1
u1
u2
1
i1
u2
1
i2
(a)
D
2
(b)
Fig. 1.31
cu urmtoarele relaii caracteristici:
u1 = 0 r i1 sau
u 2 r 0 i2
i1 = 0 g u1 ,
i2 g 0 u 2
(1.57)
1
este conductana de giraie.
r
Giratorul este un element nedisipativ, energia primit de acesta ntr-un
interval de timp oarecare fiind nul:
30
1. Elemente de circuit
W (t ) =
p dt =
t0
(u1 i1 + u2 i2 ) dt =
t0
( r i2 i1 + r i1 i2 ) dt = 0 .
(1.58)
t0
(1.59)
Re 1
u1 r 2
=
=
i1 R2
(1.60)
du
di
di
di
u1 = r i2 = r C2 2 = ( r C2 ) r 1 = r 2 C2 1 = L1 1 , (1.61)
dt
dt
dt
dt
unde s-a notat
(1.62)
L1 = r 2 C2 .
Giratorul se poate deci utiliza ca simulator de inductane.
Dac elementul D este o bobin ideal, de inductan L2, rezult:
du
du
di
du
i1 = g u2 = g L2 2 = ( g L2 ) g 1 = g 2 L2 1 = C1 1 , (1.63)
dt
dt
dt
dt
unde s-a folosit notaia
C1 = g 2 L2 .
(1.64)
i2
i1
ri2
1
u2
r i1
u1
i2
i1
gu2
(a)
2
(b)
Fig. 1.32
31
u2
gu1
u1 = n u 2
i1 =
1
i2
n
(1.65)
i1
*
u1
i2 2
n
*
1
u2
i2 2
i1
u1
nu2
(a)
u2
ni1
2
(b)
Fig. 1.33
Relaiile (1.65) corespund sensurilor de referin din fig. 1.33.a, n care
bornele de acelai nume au fost notate cu cte un asterisc.
Transformatorul ideal transfer fr pierderi puterea de la poarta 11 la
poarta 22:
p1 = u1 i1 = n u 2
i2
= u2 i2 = p2 .
n
(1.66)
Re1 =
u1 n u 2
=
= n2R.
1
i1
i2
n
(1.67)
1. Elemente de circuit
di
di1
+M 2 ,
dt
dt
di
di
u2 = M 1 + L2 2 ,
dt
dt
u1 = L1
(1.68)
i1
u1
i2
M
L1
u2
L2
r1
r2
i2 2
u1
i1
L1
u2
L2
(a)
(b)
Fig. 1.34
Puterea instantanee total primit pe la borne de cele dou bobine ideale
cuplate este egal cu viteza de cretere n timp a energiei magnetice Wm acumulat
n cmpul lor magnetic:
dWm
d L1 i12 L2 i 22
.
p = u1 i1 + u 2 i 2 =
+
+ M i1 i 2 =
2
dt 2
dt
(1.69)
di1
di
+M 2 ,
dt
dt
di
di
u2 = r2i2 + M 1 + L2 2 .
dt
dt
u1 = r1i1 + L1
(1.70)
O parte din puterea instantanee total primit la cele dou pori este
transformat prin efect electrocaloric, cealalt parte contribuind la creterea
energiei cmpului magnetic al bobinelor cuplate:
p = u1i1 + u2 i 2 = r1i12 + r2 i 22 +
dWm
.
dt
(1.71)
1.3.6. Nulorul
u1 = 0 , i1 = 0 .
1
(1.72)
i2
i1=0
u1=0
u2
Fig. 1.35
Folosind nulorul, se pot construi scheme echivalente pentru toate elementele
diport prezentate.
i
i+
u
u+
u0
u0
u0
us
us
um
0 um
ud
us
(a)
(b)
ud
us
(c)
Fig. 1.36
Pe lng cele trei terminale prezentate n simbol, amplificatorul operaional
are nc dou terminale de alimentare care, de obicei, nu sunt indicate.
Tensiunea de ieire u0 este
u0 = A(u+ u ) = A ud ,
(1.73)
1. Elemente de circuit
i2
i1
R1
i1
u1
R2
i2
u0
R1
u1
(a)
u0
(b)
Fig. 1.37
(1.74)
R
u0 = u1 + R2 i2 = 1 + 2 u1 = Ar u1 ,
R1
(1.75)
R
R3
u1 3 u2 ,
R2
R1
(1.76)
i3
i1
i2
R1
R2
u1
u2
ud
u0
Re
Ri
Aud
u0
Fig. 1.38
Fig. 1.39
1.5. Tranzistorul
Din punctul de vedere al teoriei circuitelor, tranzistorul este un tripol electric
ale crui borne sunt numite baz (b), emitor (e), respectiv colector (c), simbolul
fiind reprezentat n fig. 1.40.a. Pentru a deveni funcional, cele dou jonciuni se
polarizeaz prin conectarea unor surse de tensiune cu valori adecvate (fig. 1.40.b).
c
c
b
ic
ib
uc
ub
e
ie
e
(a)
(b)
Fig. 1.40
Tranzistorul este un element neliniar comandat de circuit, cele dou familii
de caracteristici neliniare fiind:
- caracteristicile de intrare (fig. 1.41.a), ce exprim dependena ib - ube ,
pentru diverse valori ale tensiunii electrice dintre colector i emitor;
36
1. Elemente de circuit
ib
(1)
uce
( 2)
uce
( 3)
uce
= 0,6 V
ic
[mA]
[A]
160
4,8
ib( 4 ) = 160 mA
3,6
ib( 3)
80
2,4
ib( 2 )
40
1,2
ib(1) = 40 mA
120
(1)
( 2)
( 3)
u ce
< u ce
< u ce
0,2
0,4
0,6
0,8
ube
[V]
uce
[V]
(a)
(b)
Fig. 1.41
Caracteristicile din fig. 1.41 au fost trasate pentru un tranzistor tip 2N3055.
Pentru funcionarea n modul baz-comun, la semnale mici i joas
frecven tranzistorul admite schema echivalent din fig. 1.42.a. La frecvene
nalte, schema se completeaz cu capacitile indicate punctat.
ib
1
ie
e
ie
re
rc
Ce
rb
rb
ib
(1 ) rc
Cc
re
b
(a)
e
(b)
Fig. 1.42
n funcionarea n modul emitor-comun, modelarea tranzistorului se poate
face, la semnal mic i frecvene joase, utiliznd schema din fig. 1.42.b.
Ca i tranzistorul bipolar, elemente de circuit precum tranzistorul cu efect de
cmp, tranzistorul unijonciune, dioda cu patru straturi (dioda Shockley), tiristorul,
admit scheme echivalente coninnd elemente uniport sau diport interconectate.
37