Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
NOIUNI INTRODUCTIVE
Ioan NASCU
CIRCUITE
NUMERICE
CLUJ-NAPOCA
2002
U
Ti
Figura 1.1.
ui
T
Ti
Ti
ue
ue
Figura 1.2.b.
Figura 1.2.a.
repetiie este mult mai mare dect durata regimului tranzitoriu. Rspunsul
circuitului este tot un semnal de tip impuls. figura 1.2b prezint rspunsul
cuadripolului la aplicarea la intrarea sa a unui semnal pentru care perioada
de repetiie (durata ntre dou impulsuri succesive) este mai mic dect
durata regimului tranzitoriu al circuitului. n acest caz la ieire nu se obine
un semnal de tip impuls, nerealizndu-se trecerea de la o stare staionar la
alta, i conform definirilor anterioare ale circuitelor pentru impulsuri, nu
putem numi impuls semnalul de la intrare, el va fi definit prin termenul
semnal de tensiune rectangular.
0.9U
Ti
0.5U
0.1U
0.1Um0
Um0
t0
tr
tc
Figura 1.3.
u
a.
U
u
t1
u(t)=kt
b.
=arctg k
u
t1
U
U
t1
u1(t)
t1
c.
t
t2
t1
Figura 1.4.
t2
U u (t)
2
Figura 1.5.
1
U
u
t1
t
t2
u1(t)
U
t1
t1
t2
t2
u2(t)
u1(t)
t1
t2
u2(t) u3(t)
Figura 1.7.
Figura 1.6.
(2.3)
v = c1 e
1
dt
(2.6)
= c1 e
(2.7)
(2.8)
Unde:
y(t) reprezint rspunsul circuitului,
reprezint constanta de timp a circuitului,
x(t) reprezint semnalul aplicat la intrarea circuitului.
Vom cuta soluia ecuaiei sub forma unui produs de dou funcii
de timp. Una din aceste funcii se va alege arbitrar iar cea de a doua se alege
astfel nct s se verifice ecuaia (2.1).
Deci:
y( t ) = u ( t ) v( t )
(2.2)
(2.5)
d y (t)
+ y (t) = x (t)
dt
du x
dv 1
=
u
+ v + v
dt
dt
du x
=
dt
(2.9)
sau:
du
x (t )
=
dt v( t )
(2.10)
din care:
u=
v dt + c
(2.11)
v dt + c v
(2.12)
e dt + c e
= A + ce
(2.13)
(2.14)
(2.15)
y 2 (t) = c e
st
(2.16)
Prin urmare :
y 2 (t) =
ce
(2.18)
(2.19)
(2.20)
10
(2.21)
de unde:
t ' = ln
y() - y(0)
y() - y(t' )
(2.22)
t" = ln
y( ) - y(0)
y() - y(t" )
(2.23)
i analog
Prin urmare:
t = t" - t ' = ln
y() - y(t' )
y() - y(t")
(2.24)
11
di(t)
|t = A(t - )d
0 dt
(2.25)
di(t)
|t = t - A ( )d
0 dt
(2.26)
dA(t)
|t = i(t - )d
0 dt
(2.27)
dA(t)
|t = t - i( )d
0 dt
(2.28)
Unde
i(t) reprezint semnalul (tensiune sau curent) aplicat la intrare;
i(0) reprezint valoarea semnalului aplicat la intrare la momentul t
= 0;
e(t) reprezint rspunsul circuitului (curent sau tensiune);
A(t) reprezint funcia indicial a circuitului.
F(s) = f ( t ) e st dt = Lf ( t )
(2.29)
1
2j
+ j
st
F(s) e ds
- j
(2.30)
12
d j ue m d j ui
= bj j
j= 0
dt j
dt
(2.31)
A(s) Lu e = B(s) Lu i
(2.32)
aj
j= 0
Lu e B(s)
=
Lu i A(s)
(2.33)
13
transfer H(s), care aparine unui circuit liniar, cu parametri concentrai, este
exprimabil sub forma unei fracii raionale, real pentru s real. Ecuaia
obinut prin anularea numitorului constituie ecuaia caracteristic a
circuitului (sistemului) i determin regimul tranzitoriu al acestuia.
Utilitatea funciei de transfer deriv din simplitatea operaiilor
matematice bazate pe aceast funcie i a interpretrilor fenomenologice
directe i simple care rezult.
Astfel n problema analizei circuitelor liniare se consider cunoscut
semnalul de intrare ui(t) i funcia de transfer H(s), i intereseaz
determinarea semnalului de ieire ue(t), respectiv:
Lu e = H(s) Lu i
(2.35)
14
C0
+ (Cn cos n0 t + S n sin n0 t)
2 n =1
f(t) =
(2.37)
Cn =
(2.34)
2T
f(t) cos n0 t dt
T0
Sn =
2T
f(t) sin n0 t dt
T0
n = 0,1,2,...
(2.38)
n = 1,2,...
(2.39)
(2.41):
(2.41)
n care:
A0 =
S
C0
, A n = Cn 2+Sn 2 , n = -arctg n
2
Cn
(2.42)
1 +
C n e j n 0 t
2 n = -
(2.43)
unde:
C n = C (n0 ) =
2T
- jn t
f(t)e 0 dt
T0
(2.44)
15
C (n0 ) = C n jSn = A n e j n
(2.46)
T
2T
f ( t )e jn0 t dt = 0 f ( t )e jn0 t dt
0
T0
(2.47)
iar:
C (n 0 ) T
= f (t)e - j n0 t dt
0
0
(2.48)
C (n 0 )
= f (t)e - jt dt = F[f( t )]
0
-
(2.49)
16
1
2
jn t
C(n 0 )e 0 = lim 2
n=-
T
n=-
C (n 0 ) jn0 t
e
0
0
(2.50)
1
2
j t
S()e d
(2.51)
f(t)dt <
(2.52)
17
K(j) =
F [ y(t)]
Y(j)
B(j)
=
; k(j)=
=M() e -j()
F [ x(t)]
X(j)
A(j)
(2.53)
18
19
C
R
Ui(t)
y1(j)=Tj
y2(j )=1/(1+Tj )
Ue(t)
(3.4)
Figura 3.1.
b. Semnal treapt
Pentru a determina rspunsul circuitului la un semnal treapt de
amplitudine U se va aplica relaia (3.5) dedus din (2.20):
a. Semnal sinusoidal
S considerm c se aplic la intrarea circuitului din figura 3.1 un
semnal sinusoidal de forma (3.1):
ui(t)= Ui sin(t)
(3.1)
(3.2)
ue(t)=Ue sin(t+)
F(u e)
=
F(ui)
R
1
R+
jC
20
T j
1+ T j
(3.6)
(3.3)
(3.5)
0,9 U
u e () - u e ( t1)
u (t )
= ln e 1 = ln
= 2,2
0,1 U
u e ( ) - u e ( t 2)
u e ( t 2)
21
(3.7)
(3.8)
ui(t)
U
t
ue(t)
U
0.37U
u e (t) = u e () + [u e ( t i +) - u e ()] e
t
Figura 3.2.
u e (t) = U (e
c. Semnal impuls
Un impuls ideal are forma din figura 3.3, fiind considerat ca suma a
dou semnale treapt de amplitudine +U i -U aplicate la momentul t=0 i
respectiv t=ti.
ui(t)
U
t
ti
ui1(t)
ti
RC
- 1) e
t-ti
RC
(3.10)
t -t i
RC
U
t
ti
a.
ui2(t)
ue(t)
t
-U
RC << ti
ue(t)
ti
b.
U
ti
-U
Figura 3.4.
U
Figura 3.3.
ue = U e
t
RC
22
(3.9)
d. Semnal rectangular
Aa cum am mai artat, prin semnal rectangular se nelege un ir
de impulsuri cu perioada de repetiie comparabil cu durata regimului
tranzitoriu a circuitului prin care se transmite.
23
ue(t)
U 1' =
U1
U'1
U'1
U
U '2 = -
t
U'2
U2
T2
T1
ue(t)
U1
U'1
U'1
U
U'2
T1
RC
(3.11)
U 2 = U 1' - U
U '2 = U 2 e
(3.12)
T2
RC
(3.13)
U1 = U'2 + U
(3.14)
U2 = U1 e U
U1=U+U2 e-x = U+(U1 e-x U) e-x = U(1-e-x)+U1 e-2x
U1 =
U2 =
U (1 - e -x )
1 - e -2x
U
1 + e -x
U
1 + e -x
e x - U = - U1
24
1+ e
-x
e x = -
U
1+ ex
U
= - U 1'
1 + ex
(3.19)
(3.20)
e x = 1 -
x
+ ...
1
(3.21)
ex =1+
x
+ ...
1
(3.22)
1
= 1- x + x 2 + ...
1+ x
Figura 3.6.
U 1' = U 1 e
e x =
T/2
U2
1+ e
-x
Figura 3.5.
T/2
1
= 1 + x + x 2 + ...
1- x
T
U
x
U
U 1
U
)
(1 +
(1 + ) =
=
=
U1
x
4RC
2
2
2
2
1+1- x
12
U'1
U
U 1
U
x
U
T
=
= (1 - ) = (1 )
1+1+ x 2 1+ x 2
2
2
4RC
2
(3.18)
(3.24)
(3.25)
(3.26)
(3.15)
(3.16)
(3.17)
(3.23)
U
100%
U
(3.27)
P=
T
U1 - U1
100
100 %
U
4RC
25
(3.28)
u e (t ) =
U
(e RC - e T )
T
1RC
(3.33)
e. Semnal exponenial
y=
t
(1 - e T
n
(e x - e n )
1- n
ui
U
n=100
(3.29)
n=1
du i (t )
|
dt
0
u e (t ) = u i (0) A(t ) +
t=
A(t - )d
A(t) = e
u i (0) = 0
(3.31)
U U du i
|t = = e T |t = = e T
dt
T
T
Rezult (3.32) de unde, prin integrare, se obine o ieire de forma
(3.33).
U - T RC
e
d
u e (t ) = e
0 T
t
26
Figura 3.7.
t
RC
n=10
n=0.1
(3.30)
(3.34)
(3.32)
27
u e (t ) = i (t ) R = C
d ( ui - ue )
du c
R = RC
dt
dt
(3.35)
ti
ue
u e (t ) RC
du i
dt
Ue =
U
1
1+
RC
= arctan
5RC
(3.36)
1
RC
(3.39)
Figura 3.8.
(3.40)
ui
C'p
ug
R0
u1
R
u2
C"p
Figura 3.9.
u1 = U
RC
(e T - e RC )
T - RC
(3.42)
RC
RC - T
(3.43)
U' = U
28
(3.41)
29
t
T
u1 = U [(1 - e ) - (1 - e
t
RC
(3.44)
)]
ug
U
t
ui
ui
(3.45)
u 2 = u '2 - u "2
(3.46)
n
1
R C"
u '2 = U ' 1 +
e T - 1 e 0 p
n1 -1
n1 -1
n1 =
u"2
R 0 C "p
(3.47)
(3.48)
R g C 'p
1 RC n2 R0C"p
= U 1 +
e e
n2 - 1
n2 - 1
'
n2 =
R 0 C"p
(3.49)
(3.50)
RC
n2
1 n 2
' 2
" 2
t r 1,05 (R g C p ) + (R 0 C p )
30
ui
U
U
u e (t ) = U (1 -
t
u1
(3.51)
t f = 2,2RC
(3.52)
u1
u2
ui
U
U
U
u1
tr
tf
Figura 3.10.
31
u e (t ) = u e () + [u e (0) - u e ( )]e
u e (t ) = U (1 - e
C
(3.56)
R
Ui(t)
t
RC
(3.57)
Ue(t)
Figura 3.11.
a. Semnal sinusoidal
Funcia de transfer armonic a circuitului are expresia (3.53) unde
=RC reprezint constanta de timp a circuitului.
1
F (u e )
1
1
jC
Y ( j ) =
=
=
=
1
F (u i ) R +
1 + RC j 1 + j
jC
U
0.9U
(3.53)
0.1U
t2
t1
tr
Figura 3.12.
t r = t 2 - t1 = ln
1 + (R C )
Im [ Y ( j)]
() =
= - arctan ( R C )
Re [ Y ( j)]
(3.58)
(3.54)
(3.55)
b. Semnal treapt
Rspunsul la un semnal treapt se obine aplicnd relaia (3.56).
32
U - 0.1U
u e () - u e ( t1)
= ln
= ln 9 = 2.2
U - 0.9U
u e ( ) - u e ( t 2 )
u e ( t1 ) = 0.1 U = U(1 - e
t
1
e RC
= 0,9
t1 = RC ln
u e ( t 2 ) = 0,9 U = U (1 - e
t2
RC )
t
- 1
RC
1
= 0,1 RC
0,9
t 2 = 2,3 RC
t r = t 2 - t1 = 2,2 RC
33
(3.59)
(3.60)
(3.61)
c. Semnal impuls
Ca i n cazul circuitului RC trece-sus, rspunsul circuitului la un
semnal impuls se determin ca suma rspunsurilor la dou semnale de tip
treapt.
ui
u e1 (t ) = U + (U1 - U )e
t
RC
(3.65)
ui(t)
ti
a.
ue
ti << RC
b.
c.
Figura 3.13.
t
RC )
(3.63)
u e (t ) = U (1 - e
ti
tti
RC ) e RC
(3.64)
U
ue(t)
U
ue(t)
U2
U ue1
ue2
U U1
U2
U
d.
U1
Figura 3.14.
d. Semnal rectangular
Ca i n cazul circuitului RC trece sus, i rspunsul circuitului RC
trece jos la un semnal rectangular depinde de constanta de timp a circuitului
(vezi fig. 3.14).
34
ue(t)
u e (t ) = U (1 - e
T2
ue
ti >> RC
T1
t
RC
(3.66)
35
U 2 = U + (U1
- U )e 2 RC
(3.67)
T
2 RC
(3.68)
U1 = U + (U 2 - U )e
U2 =
U1 = -
U 1- e
T
unde x =
-x
2 1+ e
2RC
t ( k 1) T
RC
a. Uimed
(3.71)
uc
Uik
Udk
ue
(3.69)
ui(t)
b. Ucmed
U 1 - ex
2 1 + e x
-x
u c (t ) = u c ( ) + [u c (0) - u c ()]e
Ue cont=0
t
c.
Figura 3.15.
u c ( t ik ) = U c, k -1 + Ui, k = U + (U c, k -1 - U ) e
U ik = (U - U c, k 1 )(1 - e
ti
ti
RC
(3.72)
(3.73)
36
U ik = (U - U c, k -1 )
ti
(3.74)
u c (T t ik ) = U c,k 1 + U ik U dk = (U c,k 1 + U i ,k )e
Tti
RC
U dk = (U c, k 1 + U ik )(1 - e
Tti
) (U c, k 1 + U ik )
37
T - ti
(3.75)
(3.76)
k-1
U T
du i
e
|t = =
dt
T
Uik depete
y (t ) = ( 1 +
(3.77)
y(t)
1
dac n = 1
n=1
n=5
n=10
x
e. Semnal exponenial
Un semnal treapt cu front exponenial poate fi reprezentat prin
ecuaia (3.80).
u i (t ) = U (1 - e
t
T)
A(t
) = 1 - e RC
A(0) = u i (0) = 0
38
Figura 3.16.
t r = 1,05 t 2r1 + t 2r 2
(3.80)
(3.84)
ui
U
n=1/2
n=1/5
(3.79)
U Cmed = U t i
T
1 -x n - n
e e ) dac n
n -1
n -1
y (t ) = 1 - (1 + x )e
(3.83)
(3.85)
RC t r 2
=
T
t r1
iar
tr
= 1,05 1 + n 2
t r1
(3.86)
39
t
RC )
(3.90)
t
RC
1-
t 1t
+ ...
2
(3.91)
Rezult (3.92):
u i (t ) = R i (t ) + u e (t ) = RC
t 1 t 2
t 1 t
t
U e = U - = U 1 = U - U max
2
=
(3.87)
(3.92)
U max t i
t
= i
=
ti
2 2RC
U
(3.93)
ui(t)
U
du ( t )
u i (t ) RC e
dt
(3.88)
1
u e (t ) =
u i (t ) dt
RC
(3.89)
ue(t)
40
umax
Umax
t
Figura 3.17.
41
q0 = U
C1 C2
C1 + C 2
(3.97)
i deci
u 2 (0) =
u1 (0) =
3.1.6 Atenuatoare RC
q(0)
C2
q(0)
C1
C1
U
C1 + C 2
C2
U
C1 + C 2
(3.98)
= (C1 + C2)
R1
R2
C2
R1 R 2
R1 + R 2
(3.99)
C1
ui
(3.99):
R1 U
R1 + R 2
u 2 ( ) =
R2 U
R1 + R 2
(3.100)
u2=ue
u1 (t ) =
Figura 3.18.
q1 (t )
C1
q 2 (t )
(3.94)
C2
t
i dt
(3.95)
t 0
i infinit 0
R 1 U - R 1 - C 2 Ue -
+
R1 + R 2
R 1 R 2 C1 + C 2
Prin urmare
u i (0) = U = u1 (0) + u 2 (0) = q 0 (
1
C1
1
C2
(3.96)
de unde
42
(3.101)
t
C1
u 2 (t ) = R 2 U - R 2 Ue
R1 + R 2
R 1 + R 2 C1 + C 2
43
ue(t)
R2
R1+R2
C1
U
C1+C2
C1
C1+C2
R2
U
R1+R2
a)
R2
C1
<
R1+R2
C1+C2
t
ue(t)
ti
U 2' = U
b)
R2
C1
>
R1+R2
C1+C2
ti
Figura 3.19.
R 2 U (1 - e ) unde = C R 2 R S
2
RS + R 2
R 2 + RS
(3.103)
R1
R2
Sonda
C2
Cablu coaxial
Figura 3.20.
44
R2
R1 + R 2
(3.105)
(3.102)
sau C1R1=C2R2
n practic nu exist generator de rezisten intern zero. n cazul n
care se dorete oscilografierea unor semnale generate de o schem a crei
impedan de ieire este RS, forma semnalului oscilografiat pentru un
semnal treapt de amplitudine U, utiliznd un osciloscop cu rezistena de
intrare R2 i capacitatea parazit pe intrare C2 va fi dat de (3.103):
u e (t ) =
(3.104)
U 2' = U
C1
R2
U=
U
C1 + C 2
R1 + R 2
R2
R1 + R 2 + R S
u e (t ) = K u i (t - )
(3.106)
45
(3.107)
= LC l =
C
+ j LC
L
d
, cg =
z1/2
l =
(3.113)
cf
z1
z1/2
z2
2z2
2z2
a)
b)
L/2
L/2
(3.110)
C
(3.111)
46
cf
(3.109)
() = l = LC l =
(3.108)
() =
= + j = R
2C
c)
2C
d)
Figura 3.22
47
din figura 3.22a (T) impedana caracteristic este dat de relaia (3.114) iar
pentru cel din figura 2.2.b ( ) de relaia (3.115):
(3.120)
t f = 1,13 LC
1
zc =
L
1 -
C
c
zc =
L
C
t f = 1,13 n 3
(3.114)
1 -
c
(3.115)
(3.116)
LC
1
z 2m
= m
1
z2
z 2m =
1
1- 2
z 2 + m z1
m
4m
1
1 1
1- 2 1
=
+ m
z1m m z1
4m z1
2
RS
n = 1,1 , L =
1
,07 n
t
f
(3.116):
, C=
(3.117)
(3.118)
(3.119)
48
1,07 n R S
(3.122)
(3.121)
LC
49
4. REGIMUL DE COMUTAIE AL
DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE
4.1 Consideraii generale
n echipamentele numerice moderne, funciile logice se realizeaz
cu circuite electronice specializate cunoscute i sub denumirea de circuite
numerice. Utilizatorul circuitelor numerice este interesat n mai mic msur
s cunoasc fenomenele i procesele care au loc i care explic funcionarea
acestor circuite. S-ar putea trece la prezentarea structurii sistemelor
numerice utiliznd principiul cutiei negre, adic s se renune la
cunoaterea funcionrii intime a circuitelor i s se specifice de fiecare dat
doar interdependena dintre ieiri i intrri.
Se apreciaz ns c, avnd n vedere faptul c acest curs se
adreseaz studenilor seciilor de automatic i calculatoare, o astfel de
tratare ar ngreuna aprofundarea i nelegerea corect a funcionrii
sistemelor numerice. De asemenea exist posibilitatea ca studiind i alte
lucrri s se ntlneasc noiuni i principii legate de realizarea fizic a
circuitelor i sistemelor numerice care, insuficient explicate ar conduce la
semne de ntrebare.
Avnd n vedere aceste motive se vor prezenta pentru nceput
noiunile de baz caracteristice funcionrii circuitelor n regim de impulsuri
i a dispozitivelor semiconductoare care stau la baza utilizrii acestora n
realizarea circuitelor numerice.
Caracteristica fundamental a dispozitivelor electronice utilizate n
realizarea circuitelor numerice o constituie funcionarea lor n regim de
comutaie.
Comutaia electric reprezint o operaie manual sau automat de
nchidere sau deschidere a unei ci de curent. Comutaia s-a realizat pentru
prima dat manual apoi cu relee electromagnetice. n ambele cazuri,
comutaia presupune existena unor elemente mecanice n micare, cu
implicaii importante privind fiabilitatea, timpul i energia consumat pentru
realizarea comutrii. Eliminarea acestor dezavantaje presupune n primul
rnd gsirea unor mijloace de comutaie nemecanice.
Comutaia realizat cu dispozitive care nu presupun existena unor
elemente mecanice n micare se numete comutaie static, iar elementele
utilizate poart numele de elemente de comutaie static. Din categoria
50
51
52
53
a.
Vp
A
Regiunea +
de tip p
p>>n
Regiunea
de tip n
n>>p
Vn
C
Q
x
b.
V
c.
Potenial
electrostatic
Ed
Cmp
electric
Vd
Figura 4.1.
V
Ed
Ed
Vd
V
Vd
x
V
Ed
Ee
Vd>Vd
a)
Ed
Ee
Vd<Vd x
b)
Figura 4.2.
54
I = I0(eU/ cr UT - 1)
unde:
unde:
(4.1)
KT
T
=
e
11800
(4.2)
Pentru
e=1,610-19C
(4.3)
rezult la temperatura ambiant (T=300K) valoarea
(4.4)
UT = 26mV
Caracteristica curent-tensiune a diodei este reprezentat
aproximativ n figura 4.3, observnd o dependen neliniar, exponenial.
55
tensiunii de prag.
I
U
(4.5)
R cc =
I
unde U este tensiunea pe diod i I curentul care se stabilete prin aceasta.
arctg 1
Rd
UT
Curentul prin
jonciune
ID0
direct
Figura 4.4.
Tensiune
aplicat
invers
Figura 4.3.
56
57
Ui
U1
Id
Id=100mA
Ud[V]
1,5
t[s]
U2
I
Id
Id=200mA
Id=100mA
0,5
Id=50mA
0.9Id
t[s]
80ns
ui
Id
0.9Id
Id=10mA
0.1Id
t[s]
tr
Ud[V]
80ns
0,5
t[s]
0
0.1Id
t0
t1
tcd
Figura 4.6.
Figura 4.5.
Tensiunea direct la bornele diodei (ud) variaz n acest timp ntrun mod care depinde de curentul de deblocare (figura 4.5)
a) dac impulsul de curent are o amplitudine mare i frontul
anterior scurt, rspunsul diodei va prezenta o supracretere iniial, deoarece
distribuia purttorilor minoritari corespunztoare conduciei nu poate
urmri variaia rapid a curentului; n consecin, rezistena direct a diodei
va fi la nceput mai mare, de unde i supracreterea tensiunii. n figura 4.5b
se exemplific dependena timpului de comutare direct tcd funcie de
curentul I pentru o diod cu germaniu.
b) dac impulsul de curent are o amplitudine mic i front
anterior mai puin abrupt, tensiunea ud crete exponenial, pe msur ce se
ncarc capacitatea de difuziune Cd a diodei. n acest caz dioda poate fi
reprezentat sub forma unui circuit RC trece-jos unde Rd este rezistena
diferenial a diodei i care este invers proporional cu curentul direct I
aplicat la intrarea diodei (figura 4.5d).
Pentru a ntelege fenomenele care au loc n timpul procesului de
comutare direct se va analiza modul cum variaz concentraia purttorilor
minoritari n vecintatea jonciunii (figura 4.6). Trecerea de la situaia de
polarizare invers la situaia de polarizare direct implic "extragerea" unei
pri din sarcina spaial a regiunii de trecere. Extragerea acestei sarcini se
face n timp (intervalul t0-t1).
58
R
+
D
Ui
Ud
-
Figura 4.7.
59
u
U1
t
t0
U2
Concentraia
golurilor
Pn=Pn0
t1
iI
U1
Id R
I0
0.1Id
U2
Ii R
ts
tf
tci
u
U1=U2
Ud
R1
R1+R
Figura 4.8.
60
(4.8)
Catod
Figura 4.9.
61
a.
n
B
E
C
n
b.
p
n
c.
E
C
Figura 4.12.
Vzener
Anod
Vdirect
Catod
Figura 4.11.
Figura 4.10.
62
colector-
Jonciunea
emitorbaz polarizat invers
Regiunea de saturaie
Regiunea
63
activ
invers
Regiunea activ
normal
Regiunea de blocare
64
IB[A]
IB=30A
IB=20A
IB=10A
IB=0A
UCE=-0,1
UCE=0
UCE=-0,2
200
100
UCE[V]
10
20
UBE[V]
30
0,1
Figura 4.13.
0,2
0,3
Figura 4.14.
65
Ui
U1
0.9U
0.1U
U2
IC
ICS
0.9ICS
0.1ICS
ti
UCE
tr
tcd
ts
tci
EC
0.9EC
0.1EC
U1
RB
IB
t
U2
RB
Saturare
tf
IC0
Figura 4.16.
IB2
IB1
B
IB=0
Blocare
UCE
Figura 4.15.
66
67
ICs
N0
(4.14)
68
I Bd N0 I Bd
=
I Bds
I Cs
(4.15)
1-
tr =
N0
ln
2 f 0 1 -
0.1
Nd
0.9
(4.16)
Nd
unde f0 reprezint frecvena de tiere a tranzistorului. Factorul cu care se
multiplic logaritmul are dimensiunea unei constante de timp i se poate
nota r, fiind numit constant de timp care determin viteza de modificare a
curentului de colector.
69
1+
1
Nb
0,9
(4.18)
Nb
unde s reprezint constanta de timp de stocare, IBd curentul de baz direct,
IBi curentul invers de baz i IBs curentul de baz la frontiera ntre regiunea
de saturaie i cea activ normal.
Formula ultimului timp (4.18) a fost dedus similar formulei pentru
timpul de cdere, tc, timp necesar scderii valorii curentului de colector de la
valoarea 0,9ICs la valoarea 0,1ICs (4.19):
0.9
1+
t c = r ln N b
(4.19)
0.1
1+
Nb
unde, similar formulei timpului de ridicare, Nb reprezint coeficientul de
supraacionare la blocare, avnd formula (4.20)
N0 I Bi
Nb =
(4.20)
IC0
70
ICS
N0
NdICS
N0
ui
U1
NdIC0
N0 IC0 t
ti
U2
IB
IBd0
IBd
UCE
UCES
tcd
EC
IC0
IBi
tci
Figura 4.18
Figura 4.17
71
invers mare, care apoi s fie micorat la valoarea IC0, pentru a se asigura
blocarea tranzistorului.
Ca metode consacrate pentru accelerarea comutaiei tranzistorului
se amintesc: folosirea condensatoarelor de accelerare, evitarea intrrii n
saturaie prin reacie negativ neliniar de tensiune (folosirea diodelor n
paralel cu jonciunea baz-colector, montaj Darlington, folosirea diodelor
Schottky).
C
Ui
Rg
RB
RC
Figura 4.19.
72
Ui
+EC
RC
D2
Rg
T
D1
RB .
DS
Ui
R1
-EB
Figura 4.21.
Figura 4.20.
73
RC
Ui
RB
T2
T1
R2
Figura 4.22.
SIO2
+VG
Drena
VS=0
+VD
Substrat
Substrat
Figura 4.23.
Figura 4.24.
74
75
76
+VG
-VD
-VG
VS(GND)
VD
VG
VS(GND)
VS(GND)
Figura 4.25.
77
VD
O G
T1
G
S
Ue
T2
T1
S
D
VG
VG
Ue
D
T2
G
S
Figura 4.26.
78
4.4.3.1 Caracteristicile
tranzistorului MOS
de
intrare
de
ieire
79
ale
ale
IDS
[mA]
Regiunea
liniar
IDS[mA]
VDS=VGS-VT
Regiunea de saturaie
16
12
VGS3<VGS4
8
4
VGS2<VGS3
VT
VGS[V]
1
VGS1<VGS2
VDS[V]
Figura 4.28.
Figura 4.27.
80
V 2DS
(4.23)
)
2
regiunea de saturare a funcionrii tranzistorului, regiunea din
dreapta caracteristicii trasate pentru egalitatea VGS-VT=VDS; este
regiunea pentru care au loc relaiile (4.24) i (4.25):
(4.24)
0 VGS - VT VDS
I DS = K ((VGS - | V T |) V DS -
K
(4.25)
(V GS - V T ) 2
2
n relaiile precedente ce dau variaia curentului de dren funcie de
potenialul dren-surs i gril-surs, s-a introdus un factor K (4.26), factor
de conducie, ce depinde de geometria i tehnologia folosite n realizarea
tranzistorului (vezi figura 4.29):
K ( W / L)
(4.26)
I DS =
Grila
L
W
Contact
metalic
Figura 4.29.
81
Ui
VD
Vr
T1
I1
RS
Ue
T2
I2
Ui
Cp
Ue
U
t
ti
VD
0.9VD
0.1VD
t
tc
tr
Figura 4.31.
Figura 4.30.
82
83
E C - U BEs
U + EB
EC
+ BEs
N0 R C
RB
(4.34)
E C - U CEs
ICso
(4.35)
+EC
Ui
RC
C
IR
IC0
IRB
IBd
Ue
T
RB
-EB
Figura 4.32.
IR + IC0 = IRB
U
U
+ EB
BEb + I C0 = BEb
R
RB
(4.30)
(4.31)
84
85
tolerane.
Pentru analiza strii de saturaie i dimensionarea rezistenei R, se
iau n considerare:
curentul de colector are valoare maxim, dat de o valoare maxim
admis pentru tensiunea de alimentare EC i una minim pentru
rezistena RC, n cmpul de tolerane admis
factorii de amplificare iau valori extreme N0min
alimentarea bazei se face de la EBmin.
Uzual aceste relaii pentru dimensionarea rezistenelor se reprezint
grafic, prin dezvoltarea dependenei uneia fa de celelalte, cum ar fi
RB=f(R) sau R=g(RB) i din grafic se alege un punct de funcionare optim,
care s nu poat fi afectat grav de dispersii i tolerane.
+EC
RC
C
R
Ui
T
R
RB
-EB
Figura 4.33.
+EC
RC
IS
T
EL
RC
RS
ES
Figura 4.34.
Figura 4.35.
86
EB EB
=
IC0 I Bi
(4.36)
E C - U BEs
EC
(4.37)
E C U BEs + E B I Bd + I Bi
+
RC
RB
Pentru circuitul inversor, dac se impun anumii timpi de comutare,
din caracteristicile ce dau parametrii dinamici ai tranzistorului se determin
curenii direct i invers din baz IBd i respectiv IBi, pe baza acestor valori
calculnd valorile rezistenelor R i RB, conform relaiilor de mai sus.
Calculul capacitii C de accelerare a comutaiei tranzistorului,
prezente i n montajul circuitului inversor, se face dup relaiile date la
paragraful respectiv, cu urmtoarele consideraii de aproximare:
se consider c tensiunea la intrarea inversorului variaz de la 0V
R
87
la valoarea EC
se consider c deblocarea tranzistorului se face ntr-un interval de
timp t egal cu tdb (notat i timp de ridicare tr)
se consider c blocarea tranzistorului se face ntr-un interval de
timp dat t egal cu tbl+ts, mai precis tc+ts.
Pentru cazul deblocrii, neglijnd variaia tensiunii n baza
tranzistorului n timpul deblocrii, se obine relaia (4.38);
du c E C
dt
t
du c
E
=C C
dt
t db
(4.39)
(4.38)
N d I Cs
N0
(4.41)
ue
Er+U
ui
ui
R
ui
D
Er
ue
Figura 5.1.
88
89
RC
ui
ue
T
Uc
Ec
UCES
Figura 5.2.b.
Figura 5.2.a.
90
C
uc
ui
R2
ui
D ue
UC0
ue
t1
t2
t3
Figura 5.3.
ic
Ics
91
t3
t3
''
1 ''
1
(5.7)
(u i U C0 )dt = S''
i C 0 dt = ''
C
R C
R C
Valoarea tensiunii UC0 se poate determina pe baza condiiei de
stabilire a regimului staionar n care uC = uC de unde se poate
determina raportul R2/R1=(S-S)/S. Cunoscndu-se acest raport se poate
stabili valoarea componentei continue UC0. Aceasta poate fi micorat dac
se micoreaz R2 i se mrete R1. Micorarea valorii rezistenei R2 ncarc
ns suplimentar etajul precedent.
O metod mai eficient const n introducerea unei diode
suplimentare D2 (fig.5.4) i egalarea constantelor de timp CR1 i CR2
pentru care se obine R1 = R2.
u 'C' =
R1
C
R2
ui
ue
D1
D2
Figura 5.4.
C
ui
D ue
ui
ue
Er
Figura 5.6.
Figura 5.5.
92
93
Nivele teniune
(current)
Domeniu de
valori S1
nivel H
S1S2=
Domeniu de
valori S2
nivel L
Figura 6.1.
Stabilirea unor valori precise pentru cele dou nivele logice nu este
convenabil deoarece circuitul care trebuie s realizeze acest lucru devine
mai complicat.
Pentru buna funcionare a circuitelor logice i a circuitelor de
comutaie, n general, este necesar s se realizeze condiiile n care cele dou
valori S1 i S2 s poat fi distinse uor. Aceasta se realizeaz cu att mai bine
cu ct intervalul ntre cele dou domenii permise, numit uneori i interval
de rezerv, este mai mare.
Reprezentarea valorilor funciilor booleene prin nivele de tensiune
este mai rspndit i n continuare vom considera aceast reprezentare.
Nivelele de tensiune din cele dou domenii de valori respect
relaia:
(V1S1 , V2S2) avem V1>V2
Datorit acestui fapt tensiunile din S1 se mai numesc nivele H
(High) iar cele in S2 se numesc nivele L (Low).
Pentru a defini i realiza funcia logic realizat de anumite circuite
este necesar stabilirea unor reguli de coresponden ntre simbolurile
algebrei binare 0 i 1 i domeniile de tensiune S1 i S2.
n logica pozitiv, valorile maxime de tensiune corespund la 1 logic
iar cele minime la 0 logic.
94
95
a.
b.
c.
Figura 6.3
Figura 6.2
96
97
V0=VI
VOHmax
Zona de funcionare
n prezena perturbaiilor
Zona de funcionare
normal n absena
perturbaiilor
VOHmin
Zona de tranziie
Plaja
garantat
pentru
0 logic
Vr
VOLmax
VOLmin
VIL1
VILmin
VIH1
VIL2
VILmax VIHmin
Plaja permis
pentru starea 0
VI
VIH2
Figura 6.4.
1
U tipic (garantat)
la ieire
VOHmax
VOHmin
VIHmax
Plaja permis
pentru starea 1
98
VOLmax
VOLmin
VI2
VO1
VIHmax
MH
VIHmin
VILmax
ML
Figura 6.5.
VILmin
99
| I OL min | | I ILmax |
i =1
(6.5)
| I OHmin | | I IHmax |
I OLmin | ,
I OHmin |
FO H = |
I ILmax
I IHmax
(6.3)
i =1
ti
t
VO
0,9
0,5
0,1
tf
t
tpHL
100
(6.4)
tpLH
Figura 6.6.
Timpii de cretere (tr) i cdere (tf sau tc) se definesc ntre 0.1 i 0.9
din amplitudinea semnalului iar timpii de ntrziere (sau de propagare tpHL,
tpLH) la nivelul de 0.5 din amplitudinea semnalului.
Timpul de propagare mediu se definete ca
t pHL + t pLH
(6.6)
2
Pentru unele circuite timpii de ntrziere se definesc cu ajutorul
frecvenei maxime de tact care reprezint valoarea maxim a frecvenei
semnalului de intrare, conform unei secvene specificate.
t pd =
tr
101
(6.8)
102
(6.9)
103
O alt serie TTL, serie 'special', este constituit din circuitele din
seria 5400, destinate aplicaiilor militare. Gama tensiunilor de alimentare
admise este (4.55.5) V ntr-o gam de temperaturi de lucru admise de
(-55+125)C.
Trebuie remarcat c toate seriile TTL sunt compatibile din punctul
de vedere al nivelelor logice.
Familia circuitelor logice integrate TTL cuprinde un numr mare
de tipuri de circuite integrate pe scar de integrare mic, medie i mare, mai
ales pe scar medie, temporal aceast familie avnd cel mai mare succes n
anii '70-80.
R2
1k6
R4
130
T4
T1
T2
A
B
Y=AB
T3
D1
D2
R3
1k
Figura 7.1.
104
105
106
intrare minim permis pentru acest nivel logic. Se definesc astfel dou
componente, pentru cele dou nivele logice:
ML = VILmax - VOLmax, i are valoarea standard de 400mV.
MH = VOHmin - VIHmin, i se calculeaz valoarea standard de 400mV.
Aceast marj de siguran de 0.4 V, pentru ambele stri logice,
margine de zgomot n curent continuu garantat, asigur astfel
compatibilitatea ntre orice ieire i intrare n cadrul familiei TTL.
Valoarea de 400mV este garantat, dar practic o poart TTL
realizeaz o margine de zgomot de peste 1V. Aceasta deoarece porile i
schimb starea cnd tensiunea de intrare depete valoarea tensiunii de
prag, VT = 1.3-1.5V. Valorile de tensiune tipice la ieire pentru strile logice
sunt VOH = 3.5V i VOL = 0.2V. Rezult c ieirea pentru starea '1' logic
poate tolera o tensiune negativ de zgomot de 2V, fr ca porile comandate
s-i schimbe starea n mod fals. n mod similar, pentru starea '0' logic la
ieire, se poate tolera un zgomot pozitiv de 1.1V, fr a afecta corectitudinea
comportrii logice a circuitelor comandate.
Rezult c marginea de zgomot tipic pentru porile TTL este mai
mare pentru starea '1' logic la ieire (valoarea MH este mai mare dect ML).
Aceasta implic preferina ca starea logic de repaus a unui circuit logic s
fie starea de '1' logic, iar comanda comutrii s se fac cu un semnal 'activ
zero', ce se modific de la '1' logic la '0' logic.
107
VCC
R4
R1
R4
T4
R1
T4
T1
IIL
D 2
T1
D
IOH
T2
T3
IOL
T2
IIL
2
T3
Figura 7.2.
IIH
Figura 7.3.
108
B
C
2
1
0,2
0,5
1,3
0,65 1
D
1,5
VI[V]
E
2
Figura 7.4.
109
110
VCC
VIH
D1
VO
VI
R1
400
D2
C1
15pF
D3
D4
Figura 7.5.
28A U [V]
I
1
1,5
0,4
0,6
0,8
1,0
Figura 7.6.
111
VIH
VO[mV]
500
VI
400
300
200
100
Figura 7.7.
IOL[mA]
5 10
30
40
50
Figura 7.8.
(7.3)
(7.4)
(7.5)
IC(T2) =
V CC - V BE(T1) - V I
(7.2)
R1
Se observ c valorile curentului de intrare depind de tensiunea de
alimentare, de temperatura ambiant i de tensiunea de intrare, pe
caracteristic aflndu-ne pe prima pant.
Dac VI crete peste valoarea de 0.8V, curentul de intrare va scdea
n valoare absolut, iar pentru VI > 1.3V, va tinde abrupt spre valori
apropiate de 0. Pentru VI=1.7V el va deveni nul. Acesta se datoreaz
comutrii curentului de emitor a lui T1 n colectorul su (baza lui T2), i deci
scderea curentului de intrare.
Pentru tensiuni de intrare VI > 22.25V, tranzistorul T1 intr n
regim invers de funcionare, curentul de intrare schimbndu-i sensul i
stabilizndu-se la o valoare mic, dar pozitiv de 28A.
Ca date de catalog se dau valori adaptate pentru cazurile cele mai
defavorabile, IIL = -1.6mA i IIH = 40A.
20
IB(T2) =
V BE(T3)
= 2.45mA
(7.6)
R3
Tranzistorul T3 va fi puternic saturat, rmnnd astfel pn la
atingerea factorului de amplificare extrem N=20, curentul de ieire atingnd
valoarea:
IOL = NIB(T3) = 202.45 = 49mA
(7.7)
Pentru caracteristica de ieire VOH = f(IOH) se prezint n domeniul
pozitiv caracteristica VOH=f(IS), unde curentul de sarcin IS se definete ca
IS=-IOH. Caracteristica este ilustrat de figura 7.9.
IB(T3) = IE(T2) - I3= IE(T2)
VO[V]
5
4
3
1
112
IS[mA]
5 10
20
30
40
50
Figura 7.9.
113
IS
V BE(T4) VD
N + 1
(7.8)
(7.9)
(7.10)
VO 4,5 - ISR4
(7.11)
IOL
VIH
Figura 7.10.
VIH
VIL
VO
V
Figura 7.11.
ICCH + ICCL
(7.13)
V CC
2
Din schema porii fundamentale, innd cont de starea
tranzistoarelor, se determin:
pentru starea '1' la ieire, singura cale de curent de la VCC ctre
mas este prin rezistena R1 i jonciunea baz-emitor a
tranzistorului T1:
PC =
VO = 3.7 32IS
VO
1k
IOH
10k
VCC
(7.13)
ICCH = IR1 = (VCC -VB(T1))/R1 1mA
pentru starea '0' a ieirii, calea de curent este de la VCC ctre mas
prin rezistena R2 i colectorul tranzistorului T2 aflat n conducie,
i prin rezistena R1 i jonciunea baz-colector a tranzistorului T1
aflat n conducie invers, curentul absorbit fiind curentul din
emitorul lui T2:
115
ICC[mA]
ICCmax=30mA
I CCmax
(7.17)
u/t
O valoare tipic este CC = 10nF. Capacitatea de decuplare trebuie
s fie de nalt frecven, de tantal sau ceramic i n general se monteaz
una pentru 2 - 4 circuite. Pentru eliminarea zgomotului de joas frecven,
se recomand plasarea unei o a doua capaciti de decuplare, avnd valori
ntre 10 i 50F.
n general, pentru reducerea zgomotelor pe barele de alimentare se
recomand ca traseele de alimentare s fie de lime mai mare; tehnologia
multistrat, care ofer planuri separate pentru mas i alimentare prezint
pentru barele de alimentare cele mai sczute rezistene i inductiviti.
CC =
ICCL
3
2
ICCH
VI[V]
0,5 0,65
1,0
1,3 1,5
Figura 7.12.
Vi
0,9
t
0,1
ICC
30
15
1
t2
t1
tc
ICCmax
2
t1
t3 t 4
tr
ICCmax
ICCL=
3mA
t2
ICCH=1mA
t3
t4
Figura 7.13.
116
117
7.3.1 Poarta I
La nivelul circuitelor integrate realizate, cea mai rspndit poart
din familia TTL a fost poarta I-NU, analizat n paragrafele anterioare; pe
lng circuitul I-NU cu dou intrri (circuitul 7400), s-au realizat circuite
cu 3,4 sau 8 intrri (7410, 7420, respectiv 7430). Pentru a se realiza funcia
logic neinversat I, mai util dect cascadarea a dou circuite I-NU s-a
dovedit includerea n schem a unui etaj inversor suplimentar. O schem
posibil pentru circuit de tip I este ilustrat de figura 7.15.
VCC
R1
4k
R5
2k
R2
1k6
D1
VCC
T4
T1
VIH
T5
R1
D1
D2
D3
D4
T2
A
B
R4
130
T6
D
T3
GI
CS
15pF
R6
800
R3
1k
OSC
Figura 7.15.
Figura 7.14.
118
119
120
VCC
R1
4k
R2
1k6
R1
4k
R4
130
T4
T1'
A
T1"
T2'
T2"
D
T3
R3
1k
Figura 7.16.
121
VCC
VCC
R1
4k
R5
2k5
D1
T1'
A
R1
4k
R2
1k6
R1
4k
R4
130
T5"
R1
4k
R4
130
T4
T4
T1'
T1"
T5'
R2
1k6
T2
T6
R6
1k
D
T3
T1"
T2'
A
B
T2"
C
D
Y
T3
R3
1k
R3
1k
Figura 7.18.
Figura 7.17.
R5
1k6
T1
T2
A
B
T3
R6
1k
Figura 7.19.
122
Y=AB
123
V CC - V OHmin
nIOH + NI IH
(7.20)
VCC
RC
extern
P1
VIL
VIL
P2
*
VIL
Pn
*
IRC
IIH
P1
*
VOL
IOH
IIH
P2
*
VOL
IOH
IIH
PN
IOH
*
Figura 7.20.
VOL
VCC
RC
extern
P1
IRC
P1
VIH
IOL
IIL
VOH
VIL
P2
*
IOH
IIL
P2
*
VOH
Pn
IOH
IIL
PN
VIL
VOH
Figura 7.21.
V CC - V OLmax
I OLmax + (n - 1) IOH - NI ILmax
(7.21)
124
125
VCC
R1
4k
R2
1k6
R2
3k4
R5
1k6
RC
extern
T2
A
B
T1
T2
Y=AB
T3
D1
R4
130
T4
T1
VA
R1
6k
este din nou prezentat n figura 7.23 i a crei analiz s-a fcut detaliat n
subcapitolele precedente.
D2
R3
1k
T4
Figura 7.23.
R3
100
T3
R4
1k
Figura 7.22.
R2
760
T5
T4
T1
T2
126
R4
58
A
B
Y=AB
R5
4k
T3
R3
470
Figura 7.24.
127
toate rezistenele din schema porii TTL rapid au valori mai mici,
pentru ca ncrcarea i descrcarea capacitilor interne s se fac
mai rapid, pentru a se micora timpii de propagare. Aceste aciuni
se desfoar ns prin generarea unor cureni mai mari, ceea ce
duce la creterea puterii consumate. Astfel:
rezistena de colector a circuitului de ieire este de 58, fa de
130 la poarta normal, n acest fel scznd constanta de timp de
ncrcare a sarcinii capacitive de la ieire
rezistena de baz a tranzistorului multiemitor de la intrare este mai
mic, ducnd la creterea curentului din colectorul su, adic a
curentului direct de baz care comand deblocarea tranzistorului
T2, avnd de-a face cu o supraacionare mai mare la deblocare a
tranzistoarelor T2 i T3, ceea ce duce la obinerea valorii sczute
pentru tpHL
efect asemntor dat de valoarea sczut a rezistenei din emitorul
lui T2
poarta rapid nu conine dioda de deplasare de nivel de la ieire, n
schimb se folosete un tranzistor compus (montaj Darlington,
format din tranzistorul de comand T5 i tranzistorul T4) care nu
permite intrarea n saturaie a lui T4, reducnd astfel timpul de
deblocare al acestui tranzistor, obinnd timpul tpLH sub 6ns.
Ceilali parametri ai porii TTL rapide sunt asemntori celor de la
seria TTL normal. Astfel, tensiunea de alimentare VCC = 5V i tensiunile
nivelelor logice VIHmin = 2V, VILmax = 0.8V, VOLmax = 0.4V i VOHmin = 2.4V,
sunt identice la cele dou serii. De aici se deduce c i caracteristica de
transfer i marginea de zgomot sunt identice. Valori egale caracterizeaz
factorii de ncrcare ale circuitelor din cele dou serii (se consider valoarea
tipic a factorului de ncrcare la ieire de 10).
Valori diferite au ns curenii de intrare i ieire, datorate
mrimilor diferite ale rezistenelor din schem), ceea ce duce la obinerea de
caracteristici de intrare i de ieire diferite pentru cele dou serii. Pentru
seria TTL rapid avem valorile tipice: IILmax = -2mA, IIHmax = 50A, IOLmin =
20mA, IOHmin = -1mA.
128
R2
20k
R4
500
T4
T1
T2
A
B
Y=AB
T3
R3
12k
Figura 7.25.
129
R2
900
R4
50
2
1
T5
T4
T1
TTL
normal
0,5
Y=AB
T2
A
B
TTL Schottky
VI[V]
1,5
Figura 7.27.
T3
R3
500
R6
250
R5
3k5
T6
Figura 7.26.
130
131
MZL
FO
PC
tpLH
tpHL
tp
FC
Frecv.
VCC
R1
17k
R2
8k
R4
200
T5
T4
A
B
D1
T2
Y=AB
D3
T3
D2
R3
15k
R6
3k
R5
6k
[V]
[mW]
[ns]
[ns]
[ns]
[pJ]
[MHz]
0.4
10
10
12
8
10
100
35
0.4
10
22
6
6
6
132
50
0.4
20
1
35
31
33
33
3
0.3
10
19
3
3
3
57
125
0.3
20
2
9
10
9.5
19
45
T6
Figura 7.28.
R2
1k6
T1
Parametrii
VCC
VIHmin
VILmax
VOHmin
VOLmax
IIH
IIL
IOH
IOL
ICH
ICL
MZH
[V]
[V]
[V]
[V]
[V]
[mA]
[mA]
[mA]
[mA]
[mA]
[mA]
[V]
Standard
.
5
2
0.8
2.4
0.4
0.04
1.6
0.8
16
1
3
0.4
High
Speed
Low
Power
5
2
0.8
2.4
0.4
0.05
2
1
20
2.5
6.5
0.4
5
2
0.7
2.4
0.3
0.01
0.18
0.2
3.6
0.11
0.3
0.4
132
Schotky
5
2
0.8
2.7
0.5
0.05
2
1
20
2.5
5
0.7
Low
Power
Schotky
5
2
0.8
2.7
0.5
0.02
0.36
0.4
8
0.2
0.6
0.7
T5
T4
T2
A
I
Seria
R4
58
Y=AB
I1
T3
R3
1k
R5
4k
Figura 7.29.
133
1,5V
1,5V
1,5V
1,5V
tpHL
1,5V
1,5V
1,5V
0,8V
tLZ
2,2V
2,2V
1,5V
0,8V
tZL
tpLH
1,5V
tHZ
tZH
Figura 7.30.
134
135
VCC
RC1
290
T1A
T1B
RC2
300
T1C
VBB
T2
VEE=-5,2V
R2
300
T3
D1
D2
RE
1k16
R1
8k
R3
2k36
T4
T5
V01
R4
1k5
V02
R5
1k5
Figura 8.1.
136
VO1
VO2
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
L
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
137
138
(8.1)
VO 2 = VCC - I C 2 R C 2 = VCC - I E R C 2
(8.2)
(8.3)
139
(8.4)
V O2 = V CC
(8.5)
(8.6)
140
V E - V EE
= 2.84mA
RE
(8.7)
VC 2 = I C 2 R C 2 I E R C 2 = 0.85V
VBE1 = VI - VE = 0.35V
(8.8)
(8.9)
141
innd seama de deplasarea de nivel introdus de jonciunile bazemitor ale repetoarelor pe emitor T4 i T5, se obine la ieirea circuitului
(8.10).
-1.55
VO1
VI
-0.75
-1.16
-1.46
(8.10)
-1.65
-1.72
VO2
VI
Vi = V1 V2
-1.15
-1.6
(8.11)
142
-0.75
Figura 8.2.
V I - V BE1 - V EE
RE
(8.13)
R C1
(8.14)
143
R C1 = 4.9(0.290) = 0.97V
1.47
R C1 + R E
(8.16)
(8.17)
(8.18)
VC1 = VE + VCE S
(8.19)
(8.20)
VC1 = 0.7V
(8.21)
U C () = VEE = 5.2V
VO1 = 1.45V
(8.22)
144
(8.23)
C = C P = 5pF
t
RC
(8.24)
(8.25)
UC(tc) = VOL
145
(8.26)
t pLH = t r = R C ln
-1.55V
V OL - V CC
= R C ln
R C ln 2 0.42ns
- 0.75V
V OH - V CC
(8.27)
VCC
RC2
300
IB5
VC2
VBB
RC1
290
T2
VBE5
T5
IE5
II
-0.75V
T1
RC2
300
T2
VEE=-1,55V
VBE1
I0
(N-1) pori
R5
1k5
VEE=-5,2V
Figura 8.3.
VBB
IE
RE
1k18
VEE=-5,2V
(8.30).
3.8
FO H = N = IOH =
50
IIH 0.075
146
(8.30)
147
baza cea mai pozitiv. Rezult c n emitor avem tensiunea cea mai negativ
numai cnd, att n baza tranzistorului T1 ct i a tranzistorului T2, exist
tensiunea cea mai negativ.
VCC
T1
F1
T2
R1
F2
R2
VEE
Figura 8.4.
8.10 Poarta I
nafara porii ECL fundamentale, familia de circuite logice ECL
ofer posibilitatea obinerii funciei logice I i I-NU, direct de la cele
doua ieiri, prin nlocuirea rezistenei RE cu un alt amplificator diferenial. In
acest caz se obin circuite ECL n serie. Un exemplu tipic l constituie
schema de principiu prezentat n fig.8.5.
VCC
RC1
RC2
T7
R3
T1
R1
T3
F2 = AB
(8.32)
T2
T6
T4
V01
F1 = A B
T5
A
T1' T2'
V02
RE
R2
R4
R5
VEE
Figura 8.5.
148
149
1.
RC1
VC1
RC2
T1 T1'
T2
T2'
VBB
A
B
2.
VC2
T3"
T3
T3`
VBB
IE
Figura 8.6.
3.
4.
5.
150
VCC
RC2
T4
T5
A
T2
VBB
V0
D
T6
R5
VEE
Figura 8.7.
151
VCC1=0V
VCC2=5V
VA
VB
D4
RA
2k2
IA
1,1V
T1
T2
R
2k9
D3
Ii
IR
R1
4k7
VEE=-5,2V
R4
284
RE
1k2
T3
VBB
D1
R3
2k
R5
2k2
D2
VCC2=5V
R1
100
VA
T1
RC2
3k
VB
VC
T1`
VCC2=5V
T2`
RC
2k
VO
VD
T3
T2
RE
1k5
D1
T4
V0
R6
1k5
Dac la ambele intrri A i B se aplic nivelul logic inferior VL= 1.5V tranzistorii T1 se vor bloca, iar T2 vor conduce curentul de colector
prin aceste tranzistoare, ceea ce va determina o cdere de tensiune pe
rezistena RC2, fixnd n baza lui T3 un potenial negativ limitat de dioda D1.
T3 se va bloca i la iesire se stabilete un nivel logic TTL superior, VH = 5V.
Figura 8.8.
152
153
0V
VEE
+5V
RC1
RC2
-5,2V 0V
0V
VCC
VEE
VEE
TTL
CMOS
ECL
VCC=0V
0V
VCC
ECL
10125
10124
Figura 8.12.
D1
N MOS
(C MOS)
VEE=-5,2V
D2 V1
T1 T2
V2
T4
T5
V02
V01
R3
8k2
RE
R1
R2
Figura 8.10.
VCC
D2
VDD
CMOS
VSS
D1
ECL
-5,2V
-12V
Figura 8.13.
VCC=0V
T1
R1
510
VEE
VDD=-15V
PMOS
Figura 8.11.
154
VSS
510
VEE
-12V
VDD
CMOS
155
b
c
VDD
2
4
VI
VDD VDD
VDD
(1+ 2 )
4
4
Figura 9.2.
T2
V0
VI
T1
ID
VT>0
VT<0
Cp
VGS
a.
b.
VGS
c.
Figura 9.1.
156
157
V DD 2
V DD
(9.2)
VO
4
2
Pentru aceast regiune, caracteristica de transfer va avea forma unei
drepte verticale.
Zona d, corespunde scderii tensiunii de ieire, ducnd la ieirea
din saturaie a tranzistorului T1 i trecerea n regimul de triod. Ieirea din
saturaie a lui T1 are loc pentru o valoare a lui Vi (9.3).
Vi =
V DD 1 + V DD + V 0
16 V 0
8
4
(9.3)
158
(9.7)
D
B
S
D
B
S
VDD
VGG
T2
D
G
T2
V0
VI
T1
V0
VI
D
B
S
T1
Figura 9.3.
V DS
ID
(9.8)
159
V DD
R T1
R S + R T1
(9.10)
(9.12)
(9.13)
160
VDD
VGG
D
G
T3
F
S
D
S
V0
T2
T1
Figura 9.4.
161
VDD
VGG
D
G
T3
F
T1
G
V0
T2
G
L
L
H
H
L
H
L
H
H
L
L
L
F=A(C+B) A
B
C
A
B
C
Figura 9.6.c.
Figura 9.6.d.
Figura 9.5.
T4
F=A(C+B)
D
G
T4
T1
G
D
S
T2
G
VO
T3
T4
T4
T3
T1
C
Figura 9.6.a.
T1 T2
D
S
T2
G
Figura 9.8.
Figura 9.6.b.
162
S
D
T5
F=AB+C
T3
T1
VDD
VGG
D
T2
Figura 9.7.
VDD
VDD
VGG
VO
T3
F=AB+C
163
VDD
faze.
T7
T3
Vp2
VDD
VO
A
B
Vp1
T4
T2
T1 A
T2
Vout
T3
T 5 T6
Vin
T1
C1
C2
Figura 9.10.
Figura 9.9.
164
165
Vp2
VDD
T3
Vp1
Vout
T4
A
B
T2
C1
C2
T1
Figura 9.12.
Vp2
VDD
Vp1
T3
Vp2
T1
T3
Vp1
A
T4
Vin
T4
T2
T1
Vout
C1
T2
Vout
C2
B
Figura 9.13.
C2
C1
Figura 9.11.
166
167
VDD
S1
S3
S5
S7
T7
Vp1
Vp2
Y=AB+C
VP 2
VDD
T4
A
C1
S6
UC1
VDD
Vp1
T3
S4
T1
Vp1
S2
T2
T6
C
T5
C2
UC2
VDD
C3
t
Figura 9.14.
VO
VDD
VA
VDD
T3
T6
Vp1
Vp2
VO Vp1
Vp1
T2
VI
T1
T4
T5
C2
C1
Celula 1
T2
T1
C1
Celula 2
Figura 9.15.
168
V0 =0 V0 =1
Figura 9.16.
V0 =1
169
VDD
170
Qp
A
A
Qn
VSS
Figura 10.1.
171
II III IV
VDD
VTP
VTN
V*IN
VDD
VDD
VTN
VTP
Figura 10.2.
Figura 10.3.
VDD
QP
QN
0<VIN<VTN
SATURAT
BLOCAT
II
SATURAT
LINIAR
III
LINIAR
LINIAR
IV
LINIAR
SATURAT
VI
BLOCAT
SATURAT
VDD
t
172
V
VOH
VOL
t
tf
tr
Figura 10.4.
173
VI
VDD
90%
VDD-VT
(10.4):
Pt = Pcc + Pdc + Pdf
(10.4)
Pcc puterea static, disipat cnd circuitul este ntr-o stare stabil,
datorit curentului rezidual prin tranzistorul blocat;
Pdc puterea dinamic disipat datorit ncrcrii i descrcrii
sarcinii capacitive a circuitului;
Pdf puterea dinamic n momentul comutrii circuitului, cnd
fronturile semnalului de comand sunt nenule, datorit conduciei
simultane a tranzistoarelor MOS complementare.
Puterea disipat n regim static, Pcc, de ordinul nanowailor (nW)
este datorat curenilor reziduali ai jonciunilor pn dintr-un circuit CMOS.
Valoarea curentului rezidual se poate considera proporional cu valoarea
sursei de alimentare i i dubleaz valoarea cu fiecare cretere cu 10 C a
temperaturii.
n regim de comutare, puterea consumat de circuitele CMOS
crete considerabil, la aceasta contribuind dou cauze. Prima se refer la
situaia n care, pentru o durat mai ndelungat sau mai scurt, n funcie i
de mrimea frontului impulsului de comand de la intrare, ambele
tranzistoare MOS complementare se afl n regim de conducie, fapt ce
determin extragerea unui vrf de curent din surs. A doua cauz const n
necesitatea ncrcrii sau descrcrii capacitilor parazite de la ieirea
circuitului CMOS la fiecare tranziie a acestuia, prin rezistenele de ieire.
Aceste cauze determin creterea accentuat i, n general, liniar a
consumului de putere odat cu mrirea frecvenei de lucru.
La frecvene ridicate, ntre 5 i 10 Mhz, consumul circuitelor
CMOS standard este identic cu cel al circuitelor TTL echivalente. Pe msur
ce frecvena de lucru scade, consumul configuraiilor CMOS raportat la cel
al structurilor TTL echivalente se micoreaz ajungnd s fie de numai 1/106
la frecvena de 10 Hz.
Puterea consumat n regim dinamic de circuitele CMOS ca urmare
a deschiderii simultane a celor dou tranzistoare din etajul de ieire, Pdf,
reprezint doar 10 % din puterea dinamic consumat. Aceast component
a puterii disipate poate fi estimat conform relaiei (10.5) unde Iddmax
reprezint curentul datorat comutrii circuitului, fr a ine seama de
174
tr
tf
VT
10%
IDD
IDDmax
t
Irezidual
Figura 10.5.
1
Durata frontului
Pdf = VDD I DD max
Perioada semnal
2
(10.5)
Perioada semnal
VDD
T
(10.6)
Pdc =
2
2
Pt = C sarcina VDD
f + C PD VDD
f + PCC
2
Pt = (C PD + C sarcina ) VDD
f + I rezidual VDD
175
(10.8)
NMOS
300pJ
PMOS
1000 pJ
TTL
100pJ
STTL
60pJ
CMOS-SOS
3 pJ
CMOS
60 pJ
176
(10.9)
177
substrat n
VDD
p+
p+
D1
D1
Q1
VI
VO
Q2
D2
n+
insula p
D2
n+
insula p
Figura 10.6.
VDD
D1
Q1
p+
insula p
D1
D2
R0
VI
Vox
D2
n+
insula p
Q2
D2
n+
insula p
Figura 10.7.
D2
n+
insula p
VDD
D2
MMC4049
MMC4050
VO
D2
D2
VSS
Figura 10.8.
Intrare
Dispozitiv
CMOS
Ieire
VO
VSS
Figura 10.9.
VSS
178
VI
VSS
D2
179
Qp
VO=A+B
Qn
Figura 10.14.
Qn
B
VSS
VSS
Figura 10.11.
VDD
p
>10M
p
500
n
>10M
VI
Qn
Figura 10.10.
VO =AB
1
2
1+2
Qp
Qp
Qn
VDD
Qp
VO
p
>10M
p
>10M
VO=AB
VO =AB
n
1000
n
1000
n
1000
VSS
VSS
Figura 10.13.
Figura 10.12.
180
M H = VDD
0.1
ni
1.5 +
n
c
M L = VDD 0.9
ni
1.5 +
nc
(10.11)
181
182
Intrare
VDD
Sursa Drena
n+
p+
Ieire
p+
n+
p+
VDD
VSS
Drena Sursa
n+
n+
substrat n
T2
p+
T1
insula p
pnp lateral
< 0,2
Substrat n
npn vertical
insula p
= 20
Figura 10.16.
Figura 10.15.
183
CMOS
NMOS
CMOS
VDD1
VCC
VDD
Rx
VI
CMOS
TTL
4049
4050
CMOS
406
VO
VO
Figura 10.19.
VSS
Figura 10.17.
5V
5V
4,99V
5V
3,5V
2,4V
2,0V
1,5V
0,4V
0V
Ieire
TTL
Intrare
MOS
0V
0,1V
0V
0,8V
Ieire
CMOS
Intrare
TTL
0V
TTL
CMOS
Figura 10.20.
Figura 10.18.
184
VO
185
VDD
VCC
4000B
4049B
4050
HCT
HC
Figura 10.23.
406
HC
LSTTL
Figura 10.24.
VCC=5V
HCT
TTL
4000B
Figura 10.21.
VCC=5V
Bobina releu
R
VDD
T1
R1
3k
4000B
4104B
HCT
HC
4000B
T2
D1
R2
75
BD643
Figura 10.25.
Figura 10.22.
186
187
CMOS n starea "1" logic va trebui s debiteze un curent de circa 1.5 mA.
Valoarea rezistenei R se alege astfel nct tranzistorul cu canal p din etajul
de ieire s poat asigura curentul de ieire Io= 1.5 mA (10.13).
R=
V DD - V BE
- R DSC
IO
(10.13)
VDD
VCC
0-24V
RC
470
LED
LED
Rb
R2
150k
MMC4050
D1
4n7
D2
VSS
Figura 10.29.
Figura 10.26.
Figura 10.27.
VCC
T
RE
Sistem
Industrial
de Control
LED
Figura 10.28.
VDD=10V
D
27k
VZ
4n7
VSS
VDD =10V
R1
220k
Sistem
Industrial
de Control
(10.14)
Figura 10.30.
188
189
VDD=10V
+24V
22k
R
0-24V
T
Sistem
Industrial
de Control
Figura 10.31.
190
191
192
Upp = 2 fupCcRiUp
(10.16)
193
194
195
196
197
198
13
61
14
62
15
63
7
8
1
a) matrice 8x8
16
64
1
b) matrice 16x4
c) matrice 64x1
Figura 11.1
Matricea de 64 celule poate fi organizat n diferite feluri, baznduse pe unitatea de date. Figura 11.1.a arat o matrice 8 x 8, care poate fi
privit fie ca o memorie de 64 bii, fie ca o memorie de 8 octei. Figura
11.1.b prezint o matrice 16 x 4, care este o memorie de 16 nibbles i figura
11.1.c, o matrice 64 x 1, care este o memorie de 64 bii. O memorie este
identificat cu numrul cuvintelor pe care le poate stoca nmulit cu mrimea
cuvntului. De exemplu o memorie 16k x 8 poate stoca 16.384 cuvinte,
199
8
1
Decodor de
adrese
Matrice de
memorie
Magistrala de
date
Scriere
Figura 11.3.
Figura 11.2.
200
Magistrala de
adrese
Citire
201
terminnd operaia de scriere. Atunci cnd un octet nou de date este nscris
la o adres de memorie, octetul de date stocat curent la adresa respectiv
este suprascris i distrus.
Registru de date
Registru de adrese
011
01011101
0
1
1
Registru de date
Registru de adrese
101
10001101
0
1
1
Magistrala de
adrese
Decodor
de adrese
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
1
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
0 1 0
1 0 1
1 0 1
1 0 1
1 0
0 1
1 0
0
1
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
Citire
0
0
1
Magistrala de
adrese
Decodor
de adrese
2
3
4
5
6
7
Magistrala de
date
1
1
0
3
Scriere
1 0
0 1
0 1
1 0
0
0
0
1
0
1
1
0
1 0
0 1
1 0
0
1
0
0 1
1 1
1 0
2
Citire
1
0
1
1
0 1
1 0
1 0
1 0
0
1
1
1
1
0
1
1
1
0
0
0
1
3
Magistrala de
date
Scriere
1 Codul de adresa 011 este pus pe magistrala de adrese i este selectat adresa 3
2 Se da comanda de citire
3
1 Codul de adresa 101 este pus pe magistrala de adrese i este selectat adresa 5
2 Octetul de date este pus pe magistrala de date
3
202
203
DL
WL
WL
+VDD
+VDD
Read-Only
Memory
(ROM)
0 memorat
1 memorat
ROM
Cu mascare
ROM
Programabil
(PROM)
PROM
Cu stergere
(EPROM)
EPROM
Stergere cu
ultraviolete
(UVEPROM)
EPROM
Stergere
electrica
(EEPROM)
Figura 11.6.
204
Figura 11.7.
205
ROM 256x4
A0
A1
A2
WL0
1
Intrari
de
adrese
2
4
8
Linia 0
WL1
Linia 1
WL2
Linia 2
Decodor
de
adrese
Intrari
de
adrese
A3
A4
A5
A6
A7
E0
Linia 14
WL15
Linia 15
O0
O1
O2
O3
Iesiri
de
date
&
EN
E1
WL14
255
Figura 11-9.
Rezistori
terminali
0
Ieiri de date
Figura 11.8.
206
207
A0
Adrese
de
linie
A1
A2
A3
Intrari de
adrese
Matrice de
memorie
32 x 32
32
intrari
linii
Adresa
anterioara
Adresa valida pe
liniile de adrese
ta
A4
Iesiri de
date
A5
Activare
chip (E)
Date valide
pe liniile de
Tranzitie pe liniile de date
Adrese
de
coloana
Activare
chip
Decodoare de coloana
(4 decodoare 1 din 8)
i circuite I/O
A6
Figura 11.11.
A7
E0
E1
Buffere
de iesire
O3
O2
O1
O0
Figura 11.10.
208
209
+VDD
Linii
Comutatoare
electronice
WL2
PROM
0
O0
WLm
Generator
de impulsuri
programabil
On
m
DL1
DL2
DLn
Coloane
Figura 11.12.
Figura 11.13.
210
211
Drena
Sursa
WL
b)
a)
Figura 11.14.
212
213
Programare
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
CE / PGM
OE1
(8)
(7)
0
A
2047
(6)
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
(23)
(22)
(19)
(18)
(20)
10
&
EN
n+1
th(A)
(9)
(10)
(11)
(13)
(14)
(15)
(16)
(17)
O0
O1
O0
O1
O0
O1
O0
O1
OE
ts(A)
th(E)
th(D)
ts(E)
CE
PGM
VPP
(O0...O7)
ts(VPP)
th(D)
Date ce trebuiesc
inscrise
Figura 11.16.
Figura 11.15.
214
Adresa n
(A0...A10)
EPROM
2048x8
215
Poarta
flotanta
Poarta de
control
a)
Drena
WL
Q2
Linie programare
Sursa
Q1
DL
Figura 11.17.
216
RAM
static
(SRAM)
SRAM
asincron
(ASRAM)
SRAM
Sincron burst
(SB SRAM)
RAM
dinamic
(DRAM)
DRAM
DRAM
Cu acces rapid Cu acces hiper
pe pagina
rapid pe pag.
(FPM DRAM) (EDO DRAM)
Burst
EDO DRAM
(BEDO
DRAM)
DRAM
sincron
(SDRAM)
Figura 11.18.
217
Q2
DL
DL
Q5
Q6
Q3
Q4
Figura 11.19.a
WL2
Selecie
Linia n
DL1
DL1
DL2
DL2
DL3
DL4
DL4
WLn
Celul de
memorie
Scrie
Citeste
Date I/O
Bitul 0
Date I/O
Bitul 1
Date I/O
Bitul 2
Figura 11.19.b
218
DL3
219
Date I/O
Bitul 3
256 linii
Matrice de
memorie
256 linii x
128 x 8 coloane
8 bii
128 coloane
RAM 32k x 8
20
27
22
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
28
11
12
13
15
16
17
18
19
Linii de
adres
Intrri de date (I)
i ieiri (O)
CS
WE
OE
GND
Decodor de
linie
Linii de
adrese
10
9
8
7
6
5
4
3
25
24
21
23
2
26
1
14
8 buffere
de intrare
I/O1
Control
date de
intrare
I/O8
Matrice de memorie
256 linii x
128 x 8 coloane
Date de
ieire
I/O Coloan
Decodor de coloan
Figura. 11.20.
CS
G1
WE
OE
G2
Linii de
adres
8 buffere
de ieire
220
221
date de la adresa selectat sunt transmii prin coloana I/O la liniile de date
(de la I/O1 pn la I/O8), care acioneaz ca linii de date de ieire.
Scrierea. n modul de scriere (WRITE) WE este LOW i OE este
HIGH. Bufferele de intrare sunt validate prin poarta G1 i bufferele de ieire
sunt invalidate prin poarta G2. Astfel cei 8 bii de date de intrare sunt plasai
de pe liniile de intrare prin blocul de control al datelor de intrare i coloanele
I/O la adresa selectat i stocate.
Ciclurile de citire i de scriere. Figura 11.22 arat diagrame de
sincronizare tipice pentru un ciclu de scriere i de scriere, n cazul unei
memorii. n cazul ciclului de citire, prezentat n partea (a) a figurii, un cod
de adres valid este aplicat pe liniile de adres ntr-un interval de timp
specificat de durata ciclului de citire, tRC. Pe urm intrrile CS i OE sunt
puse pe LOW. La un anumit interval de timp dup ce intrarea OE a fost pus
pe LOW, un octet de date valide de la adresa selectat apare pe liniile de
date. Acest interval de timp este numit timpul de acces fa de validarea
circuitelor de ieire tGQ.
Se pot defini nc dou intervale diferite de timp de acces pentru
ciclul de citire: timpul de acces fa de activarea liniilor de adrese, tAQ,
msurat de la momentul n care adresele sunt valide pn la apariia unei
date valide pe liniile de date; i timpul de acces fa de validarea circuitului,
tEQ, msurat de la trecerea semnalului CS din HIGH n LOW pn la apariia
datelor valide pe liniile de date.
tRC
Adresa
Adresa valida
tWC
Adresa
Adresa valida
CS (Chip select)
WE (Write enable)
TS(A)
TH(D)
tWD
Date valide
I (Intrare de date)
Figura 11.22. b)
tAQ
CS (Chip select)
tEQ
OE (Output enable)
tGQ
O (Iesire de
date)
Date valide
Figura 11.22. a)
222
223
15
A0A14
(Adresa
externa)
Registru
de
adrese
A1
15
Decodor de
adresa
A0
CLK
A1 A0
13
Matrice de memorie
32k x 8
8
WE
Registru
date de
intrare
Registru de
scriere
Registru
date de
iesire
Control
I/O de
date
CS
Buffere
de iesire
Registru de
activare
OE
8
I/O0I/O7
(I/O de
date)
Registrul de date
de iesire pentru
pielined SRAM.
Nu exista
registru de date
de iesire pentru
flow-through
SRAM
Figura 11.23
224
225
Control burst
Numarator binar
Q1
Q0
CLK
A0
A1
A0
LSB ai
adresei
interne
burst
A1
226
227
Ceas (CLK)
Controler
cache
Microprocesor
Cache L2
(SRAM)
Memorie
principala
(DRAM)
Cache L1
(intern)
WL
Figura 11.25.
Q2
Q3
DL
228
Q4
Q1
C1 C2
Q2
Q3
DL
Q1
DL
a)
Figura 11.26
b)
229
230
DL
WL
Figura 11.27.
231
Control si
temporizare
remprosptare
Numrtor
remprosptare
A0/A10
A1/A11
A2/A12
A3/A13
A4/A14
A5/A15
A6/A16
A7/A17
A8/A18
A9/A19
Matrice de memorie
1024linii x
1024 coloane
1024
1 2
1
2
3
1024
Latch
adresa
coloana
Decodor de
coloane
Decodor de
linie
Linii de
adresa
Selector de
date
1
2
3
Latch
adresa linie
Amplificatoare i
buffere de
intrare/ieire
DOUT
DIN
1024
CAS
R W
RAS
Figura 11.28
Adrese
Adresa linie
Adresa coloana
RAS
CAS
Adresa colanei
este validata cand
CAS este activ
Figura 11.29.
232
233
1 ciclu de citire
Adrese
Adresa coloana
Adresa linie
RAS
CAS
R/W
DOUT
Date valide
Adresa linie
Adresa coloana
RAS
RAS
CAS
CAS
R/W
R/W
Adrese
DIN
Date
DOUT
Adresa
liniei
li i
Adresa
coloanei 1
Date
valide
Adresa
coloanei 2
Adresa
coloanei 3
Date
valide
Date
valide
Adresa
coloanei n
Date
valide
Figura 11.31
234
235
236
237
11.4.2.7.4 SDRAM
238
239
Grila
flotanta
Grila de
control
Drena
Simbol
transistor
MOS
Sursa
Figura 11.32.
+VD
+VD
+VPROG
a)
0V
b)
Figura 11.33.
240
241
+V
Rezistenta
activa
+VD
Linie bit 0
Referinta
Comparator
Iesire date 0
Linie bit m
+VREAD
Comparator
Iesire date m
DLm
DL0
+VREAD
Referinta
Selectie linie 0
WL0
0V
0V
Selectie linie 1
WL1
Figura 11.34.
Selectie linie n
WLn
Selectie coloana 0
Selectie coloana m
Figura 11.36.
0V
+VERASE
Figura 11-35
242
243
244
16 biti
ROM
65536 x 4
Magistrala
de date
4 biti
Magistrala
de control
Magistrala
de adresa
16 biti
ROM
65536 x 4
Magistrala
de date
4 biti
Magistrala
de control
Figura 11.37 a)
245
Magistrala
de adresa
16 biti
Magistrala
de date
ROM
65536 x 4
Magistrala
de control
4 biti
Magistrala
de adrese
8 biti
ROM
65536 x 4
0
65.535
O0
O1
O2
O3
O0
O1
O2
O3
A15
Magistrala
de date
16 biti
ROM 1
A0
EN
&
ROM 2
4 biti
A
0
65.535
Figura 11.37 b)
ROM
64Kx4
0
A
65.535
&
EN
Figura 11.39.
O0
Adresa
Magistrala
de control
O1
O2
Iesiri
de
date
Magistrala de adrese
A15
16 bii
ROM 1
64k x 4
16 bii
ROM 2
64k x 4
16 bii
ROM 3
64k x 4
16 bii
ROM 4
64k x 4
O3
4 bii
A15
&
Activare
chip
E0
EN
4 bii
&
EN
4 bii
&
EN
4 bii
&
EN
&
EN
E1
Figura 11.38
246
Magistrala de control
Figura 11.40.
Magistrala
de date
16 bii
O memorie ROM are numai date de ieire pe cnd una RAM are
att date de ieire ct i de intrare. Pentru extinderea lungimii cuvntului de
memorie ntr-o memorie RAM (SRAM sau DRAM), datele de la intrare i
datele de la ieire formeaz o magistral de date. Deoarece pentru datele de
intrare i ieire se folosesc aceleai linii este nevoie s se foloseasc buffere
cu trei stri. Majoritatea memoriilor RAM au pe intrri i pe ieiri circuite
cu trei stri. n figura 11.41 este exemplificat extinderea lungimii
cuvntului de memorie ntr-o memorie RAM.
Folosind memorii SRAM de 1M x 4 se poate implementa o
memorie SRAM de 1M x 8.
247
RAM 2m x 2n
Magistrala de
adrese
RAM 1
2m x n
m bii
Date de
I/O
m bii
n bii
RAM 2M x 8
Magistrala
de adrese
20 bii
RAM 2
2m x n
Date de
I/O
RAM
1M x 8
8 bii
20 bii
Magistrala
de adrese
21 bii
8 bii
EN
Magistrala
de date
n bii
RAM 1
1M x 8
Magistrala
de date
Magistrala
de control
Magistrala
de control
Magistrala
de adrese
20 bii
Magistrala
de date
Figura 11.41.
RAM
1M x 8
20 bii
Magistrala
de date
EN
8 bii
8 bii
a)
SRAM 1
A
19
0
1.048.575
Date de
I/O
0
19
0
1.048.575
Date de
I/O
Magistrala E
de control R/W
Magistrala
de date
Figura 11.42.
b)
Figura 11.43.
SRAM 2
A
8 bii
RAM 2
1M x 8
RAM 1
A
18
E0
E1 &
EN
RAM 2
A
18
Magistrala
de control
0
524.287
DI/O0
DI/O1
DI/O2
DI/O3
Magistrala
de date
4 bii
524.287
1.048.575
E0
E1 &
EN
Figura 11.44.
Adresarea extins se obine conectnd intrarea de validare a chipului (E0) la linia de adres A19, aa cum se vede n figura 11.44. Intrarea E1
se folosete ca intrare de activare pentru ambele memorii. Cnd pe linia de
adres A19 avem semnal LOW, se selecteaz RAM1 (RAM2 este
dezactivat) i liniile de adrese de nivel sczut (A0-A18) acceseaz fiecare
248
249
adres din RAM 1. Cnd pe linia A19 avem semnal HIGH, RAM2 este
activat de ctre un semnal LOW obinut dup un inversor (RAM1 este
dezactivat) i adresele de nivel sczut (A0-A18) acceseaz fiecare adres
din RAM2.
Figura 11.45.
250
Figura 11.46.
251
X
X
X
X
0
Ieire
Figura 11.47.
Matricea de memorie stocheaza
64 de cuvinte de 4 biti
Registru de deplasare de 64 bii
Date de
intrare
I0
I1
I2
I3
Buffer de
ieire
O0
O1
O2
O3
Date de
ieire
Buffer de
intrare
Logica de
control
pe intrare
Linii de
control
Registru de
marcare
i control
Logica de
control
pe ieire
Figura 11.48.
252
Registru FIFO
Figura 11.49. a)
253
Registru FIFO
Figura 11.49. b)
Registru FIFO
noul octet de date este ntotdeauna ncrcat n registrul din vrful stivei iar
octeii stocai sunt mpini mai adnc n stiv. Titlul de stiv push-down este
dat de acest caracteristic.
Primul octet de date pus n stiv
Figura 11.49. c)
Registru FIFO
Figura 11.49. d)
Figura 11-51.
Al doilea octet de date scos din stiv Primul octet de date scos din stiv
Figura 11-52.
Top of stack
Registrul n
Figura 11.50.
254
255
Seciune
din RAM
0001
0002
0003
0004
0005
Pointer
stiv
FFEE
0006
0007
Pointer
stiv
Vrful
stivei FFEC
Vrful
stivei
FFF9
FFFA
FFFB
FFFC
FFFD
FFFE
FFFF
Figura 11.53.
256
Pointer
stiv
FFEC
Vrful Pointer
stivei
stiv
FFEE
0
0
Vrful
stivei
257
discuri cu mii de rotaii pe minut. ntre discuri exist un spaiu n care intr
un bra servodinamic care are ataat un cap de citire/scriere magnetic, aa
cum apare n figura 11.57. Pentru ambele fee ale discurilor este prevzut
cte un cap de citire/scriere, deoarece datele se nregistreaz pe ambele fee.
Braul servodinamic sincronizeaz toate capetele de citire/scriere astfel c se
pstreaz alinierea perfect a acestora n timpul parcurgerii suprafeei
discurilor, la o distana de o fraciune de milimetru de disc. O mic particul
de praf ar putea distruge capul determinnd distrugerea suprafeei discului.
Ax
Platan
Substrat
Figura 11-56.
Brae
actuator
Capete de
Citire/Scriere
Carcas
258
Figura 11.57.
259
Impuls de
tensiune
Curent de
scriere
Cap de
citire
Cap de
scriere
Pista 3
Pista 2
Pista 1
Pist
Suprafa
magnetic
Figura 11-58.
260
Sector
Figura 11.59.
261
Figura 11-61.
Figura 11-62.
Priz metalic
Invelitoare
Ui cu arc
Disc
Orificiu de protecie
la scriere
Figura 11-60.
262
263
Cap de scriere
Ansamblu de
capete
Cap de
Pista 1
scriere
Pista 2
Pista n
Band magnetic
Figura 11.63.
264
265
Lentile
Particul
magnetic
Sensul
rotaiei
Fascicul laser
de nalt putere
Substrat
Material
magnetic
Electromagnet
Curent
de scriere
(b) Inscripionarea
Fascicul
reflectat
Detector
Oglind
Fascicul laser
de nalt putere
Fascicul laser
de mic putere
Curent
de tergere
(c) Citirea
11.8.3.3 CD-R-ul
Prism
Laser
11.8.3.4 CD-RW-ul
(d) tergerea
Figura 11.64.
Disc
Cavitate (por)
Normal
11.8.3.2 WORM
Lentil
Lentil
Celul
fotoelectric
Figura 11.65.
266
267
celei de cristalizare dar sub cea de topire ceea ce face ca materialul amorf s
redevin cristalin.
11.8.3.5 DVD-ROM
La nceput DVD era prescurtarea de la Disc Video Digital dar pn
la urm abreviaz Discul Digital Versatil. La fel ca la CD-ROM i la DVDROM datele sunt stocate pe disc. Mrimea porului este mai mic dect la
CD-ROM permind o capacitate de stocare mai mare pe pist. Principala
diferen dintre un CD-ROM i un DVD-ROM este c CD-ul are o singur
fa n timp ce DVD-ul are dou. Pe lng discurile DVD cu dou fee mai
exist discuri multi-strat care folosesc suprafee semitransparente de date
situate deasupra uneia principal permind capaciti de stocare de pn la
17 Gb. Pentru a accesa toate straturile fasciculul laser necesit refocalizri
pentru fiecare strat.
O nou tehnologie promitoare FMD (Fluorescent Multilayer
Optical), este o tehnologie care se aseamn cu cea utilizat pentru citirea
CD-ROM / DVD-urilor. Deosebirea major este dat de modul n care sunt
citite discurile i posibilitatea de a citi ntre 20 - 100 de straturi ce conin
informaii i care sunt plasate pe acelai suport. Ca performane, FMD
permite o capacitate de stocare de aproximativ 95GB pentru un singur disc.
Ideea const n utilizarea unor straturi fluorescente n locul celor de reflexie.
n acest mod aspectul discului se schimb, pentru ochiul uman el devine un
disc transparent dar acesta este un aspect minor pe ling avantajele acestei
tehnologii.
Datele
coincid?
NU
Indic
eroarea
DA
Urmtoarea
adres n=n+1
NU
Ultima
adres?
DA
STOP
Figura 11.66.
ROM
testat
Enable
Referin
ROM
EN
EN
Adrese
ROM
Date
Date de referin
Tester ROM
Figura 11.67.
268
269
START
Iniializeaz n=0
Iniializeaz
suma=0
Date
Figura 11.68.
270
Urmtoarea
adres n=n+1
Citete adresa
n
Citete adresa
checksum
Coninutul adresei
n XOR suma
precedent.
Actualizeaz suma
Compar
checksum cu
ultima
adres
NU
Ultima
adres?
DA
Datele
coincid?
NU
Indic
eroarea
DA
Figura 11.69.
STOP
271
Figura 11.70.a
Figura 11.70.b
Memoreaz
secvena de test la
toate adresele
Inverseaz
secvena
de test la
adresa n
Verific toate
adresele.
Totul
OK?
NU
Verific toate
celelalte adrese.
Indic
eroarea
Totul
OK?
DA
Inverseaz
secvena de test la
toate adresele
Urmtoarea
adres n=n+1
NU
Indic
eroarea
DA
Verific toate
adresele.
Totul
OK?
NU
NU
Ultima
adres?
DA
Indic
eroarea
STOP
DA
Figura 11.71.
272
273
abrupte. Ele sunt necesare n special dac la intrarea unor pori se aplic
semnale cu o variaie lent i nsoite de semnale perturbatoare (false), ca de
exemplu la conectarea ntr-un sistem numeric a elementelor electromecanice
(relee, de ex.) cu cele logice, fie ele realizate cu pori TTL sau CMOS. n
aceste cazuri se recurge la formarea semnalului cu ajutorul unui trigger
Schmitt, care furnizeaz la ieire impulsuri standard.
VI
VT
274
VO
t
Figura 12.1.
275
cztor.
VI
VO
R1
+
Vref
R2
VOH
AO
VO
VOL
R3
V1
Figura 12.2.
V2
VI
Figura 12.3.
VIN
VIN
2k2
A
VP
VO
220
VN
VH
Figura 12.4.
VO
R2
VIN
R1
2k2
A
t
VO
220
Figura 12.6.
Figura 12.5.
R 2 + R1
R
VOL 1
R1
R2
(12.3)
276
277
R2
1k8
R3
1,1k
R5
1k
Q1
D1
Q3
R9
130
Q6
Q4
Q2
A
B
C
D
R7
1k6
Q7
R6
2k
VDD
D2
Q5
R4
390
p1
R8
1k
VDD
p5
p6
p3
Y
p2
n5
A
VDD
VIN
VO
VDD
n2
Figura 12.7.
278
VDD
p4
n3
n1
n4
n6
Figura 12.8.
12.2 Circuite
sincronizare
pentru
diferenierea
fronturilor
279
C
I
C
I
O
Figura 12.9.a.
Figura 12.9.b.
VI
t
V1
VT
V1
VI
VO
t
t1
VO
Ti
Figura 12.9.c.
R
Figura 12.11.
Figura 12.10.
I
O
Figura 12.9.d.
280
V1 (t ) = V1 ( ) + [V1 (0) V1 ( )] e
t
RC
(12.8)
de unde
281
t
RC
= VT
(12.9)
Ti = R C ln
VO
(12.10)
VO(2n+1)
2n+1
1
VO1
VI
T
K
Figura 12.14.
VI
t
V0
t
V01
VI
V02
V1
t
tp
tp
V03
V2
C
VI
VT
V2
VO
V1
VO
tp
Figura 12.12.
Figura 12.15.
Ti
tp
Figura 12.13.
(12.11)
282
283
(A
+ A2 B Q
(12.12)
CT
RT
Rint
Cext
A1
A2
B
VCC
C/R
Q
Q
Figura 12.16.
284
0.7
Ti = 0.32 R T C T 1 +
R T
VCC
(12.14)
CT
RT
C/R Cext
Q
A
R
Figura 12.17.
285
t
V1
t
V2
VDD
VT
R
VI
P2
V1
V2
V0
C
P1
V2
VO
V2
t
Figura 12.19.
Figura 12.18.
VI
C1
D1
R1
D2
V1
V2
C2
I2
VO
R2
Figura 12.20.
286
V3
I1
287
VI
6
VDD
t
+TR
VT
-TR
V2
2
3
C
R1
Q
Q
VT
VDD
R2
8
V3
t
T1
Q1
V1
14
T1
p
T2
p
13
12
VDD
11
Rex
10
T3
n
Cex
VSS
VSS
T2
VO
Figura 12.22.
Ti
t
Figura 12.21
288
289
BIBLIOGRAFIE
1. Ardelean I., Giurgiu M., Petrescu L. (1986): Circuite integrate
CMOS. Manual de utilizare, E.T. Bucure ti.
2. Blakeslee Th. (1988): Proiectarea cu circuite logice MSI i LSI
standard, E.T. Bucure ti.
3. Buznea D. (1978): Calculatoare electronice, Ed. Militar
Bucure ti.
4. Damaye R. (1975): Logique lectronique et circuits intgrs
numrique, Ed. Radio.
5. Fe til Lelia (1994): Electronic digital , U.T.Cluj-Napoca.
6. Floyd Thomas (2000): Digital Fundamentals, Prentice Hall
7. Maican Sanda (1980): Sisteme numerice cu circuite integrate, E.T.
Bucure ti.
8. Morris R.L., Miller J.L. (1974): Proiectarea cu circuite TTL, E.T.
Bucure ti.
9. Stojanov I (1987): De la poarta TTL la microprocesor, E.T.
Bucure ti.
10. Stratulat M (1989): Tehnica impulsurilor. I.P.T.V. Timi oara.
11. tefan Gh. (1984): Circuite integrate digitale, E.D.P. Bucure ti.
12. tefan Gh. (1992): Circuite integrate digitale. Probleme,
proiectare, E.D.P. Bucure ti.
13. tefan Gh. (1993): Circuite integrate digitale, Ed. DENIX
Bucure ti.
14. Teodorescu D. (1985): Introducere n microelectronic , Ed. Facla,
Timi oara.
15. Valachi Al., Brsan M. (1986): Tehnici numerice i automate, Ed.
Junimea, Ia i.
16. * * * MICROELECTRONICA (1992) : Data book.
17. * * * PHILIPS (1992): Digital integrated circuits CMOS
HE4000B family.
18. * * * I.P.R.S. (1990): Circuite integrate logice. Catalog.
19. * * * ECA TTL7400...7450729 (1993/94) Circuite integrate.
Catalog.
290
1. NOIUNI INTRODUCTIVE............................................................. 1
1.1 Obiectivul cursului......................................................................... 1
1.2 Definirea noiunii de impuls.......................................................... 2
1.3 Parametrii impulsului .................................................................... 4
1.4 Generarea impulsului prin compunerea unor semnale elementare5
2. METODE DE ANALIZ A CIRCUITELOR PENTRU
IMPULSURI ............................................................................................ 7
2.1 Clasificarea metodelor de analiz a circuitelor ce funcioneaz n
regim de impulsuri ............................................................................... 7
2.2 Metode clasice de rezolvare a ecuaiilor difereniale.................... 8
2.3 Integrala Duhamel ....................................................................... 11
2.4 Calculul operaional..................................................................... 12
2.5 Analiza armonic a semnalelor ................................................... 14
3. CIRCUITE PENTRU TRANSFORMRI LINIARE .................. 19
3.1. Circuite liniare cu elemente pasive R, L, C ............................... 19
3.1.1 Circuite RC trece sus .......................................................... 19
3.1.2 Circuitul RC trece-sus ca circuit de difereniere ................ 27
3.1.3 Circuite de difereniere reale .............................................. 28
3.1.4 Circuitul RC trece-jos ......................................................... 31
3.1.5 Circuitul RC trece-jos ca circuit de integrare..................... 40
3.1.6 Atenuatoare RC................................................................... 42
3.2 Linii de ntrziere......................................................................... 45
4. REGIMUL DE COMUTAIE AL DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE ....................................................................... 50
4.1 Consideraii generale ................................................................... 50
4.1.1 Materiale semiconductoare ................................................. 51
4.2 Dioda semiconductoare n regim de comutaie........................... 52
4.2.1 Dioda semiconductoare....................................................... 52
4.2.2 Parametrii statici ai diodei semiconductoare...................... 55
4.2.3 Parametrii dinamici ai diodelor semiconductoare.............. 57
4.2.4 Diodele Schottky................................................................. 61
4.2.5 Diodele Zener...................................................................... 62
4.3 Tranzistorul bipolar n regim de comutaie................................. 62
4.3.1 Regimurile de funcionare ale tranzistorului...................... 63
4.3.2 Parametrii dinamici de comutaie ai tranzistorului bipolar 66
4.3.3 Metode de accelerare a comutrii tranzistorului ................ 71
291
292
293
294
295