Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Dispozitivele care transforma energia solara in electricitate sunt celulele solare, numite
si celule fotovoltaice. Beneficiile energiei solare, care este ecologica si pentru care nu se pune
problema de epuizare a resurselor, includ independenta energetica, mentenanta minima,
extindere usoara a sistemelor de captare a energiei (celulele solare se produc sub forma de
module) si faptul ca poate fi captata practic oriunde (energia eoliana, de exemplu, se produce
doar in locuri in care intensitatea vantului este de obicei mare, iar cea produsa de
hidrocentrale poate avea un impact nedorit asupra mediului).
2
Un exemplu de 6 module conectate in paralel, fiecare format din 40 celule fotovolatice
conectate in serie, este prezentat in figura de mai sus. Aces panou solar poate fi folosit pentru
incarcarea bateriilor si/sau pentru alimentarea unei retele domestice de 12 V dc.
Pentru a intelege functionarea celulelor solare, trebuie sa stim ca
1) radiatia solara este compusa din fotoni de diverse energii. Energia fotonului E = h
depinde de frecventa sau lungimea de unda a radiatiei electromagnetice = 2 / k =
2c / : cu cat este mai mare cu atat energia este mai mica. In figura de mai jos este
reprezentata distributia energetica a fluxului de fotoni emis de soare. Observati ca fluxul emis
se extinde pe un domeniu energetic mult mai larg decat cel vizibil, cu un maxim in infrarosu.
2) fotonii interactioneaza cu atomii dintr-un material semiconductor (sunt absorbiti) si, daca
fotonul are suficienta energie, poate rupe legatura intre electron si atom, si poate astfel excita
electronul de valenta pe nivele energetice superioare, creandu-se simultan un electron de
conductie cu sarcina negativa si un gol in banda de valenta, cu sarcina pozitiva, care se pot
misca liber in cristal, pana la recombinare. Electronul si golul sunt constituentii electricitatii.
De exemplu, energia necesara trecerii unui electron din banda de valenta in banda de
conductie in Si corespunde unei lungimi de unda de 1.12 m (in infrarosu!), 70% din radiatia
solara fiind compusa din fotoni ce pot excita un electron in banda de conductie a siliciului
(vezi figura de mai jos). Daca fotonii au o energie mult mai mare decat cea corespunzatoare la
3) pentru a avea celule solare eficiente, este necesara colectarea perechii electron-gol inainte
de recombinare. Aceasta se face prin separarea electronilor si golurilor cu ajutorul unui camp
electric intern al dispozitivului, iar curentul produs de electronii si golurile generate in urma
absorbtiei fotonului se numeste fotocurent.
Pentru o descriere cantitativa a efectului fotovoltaic vom studia in prima parte a
acestui curs modul de formare a benzilor energetice in materiale solide, care permite
clasificarea materialelor in metale, semiconductori si izolatori, doparea semiconductorilor,
jonctiuni intre semiconductori dopati diferit, respectiv heterojonctiuni intre diverse materiale,
absorbtia luminii, si efectul fotovoltaic.
4
din spatiu. Cristalul consta dintr-o baza, care este grupul de atomi sau molecule care formeaza
cristalul prin repetitie, si reteaua (numita si retea Bravais) care este un set de puncte abstracte
in care se pozitioneaza baza.
(a)
(b)
Exemple de cristale in care baza consta (a) dintr-un singur atom sau (b) din doi atomi
(1)
(m, n, si p sunt numere intregi arbitrare). Daca baza consta din n atomi, pozitiile acestora pot
fi descrise printr-un set de vectori r j = m j a1 + n j a 2 + p j a 3 , j = 1,2,,n, definiti fata de un
punct al retelei Bravais. In general, 0 m j , n j , p j 1 . Volumul celulei primitive, construita
folosindu-se vectorii primitivi de translatie, si care este celula elementara cu cel mai mic
volum, este dat de =| (a1 a 2 ) a 3 | .
Fiecare punct al retelei Bravais este echivalent cu orice alt punct, reteaua Bravais fiind
invarianta fata de translatiile discrete Tqrs = qa1 + ra 2 + sa 3 cu multipli intregi q, r si s ai
vectorilor primitive de translatie, deoarece Tqrs ( Rmnp ) = Tqrs + Rmnp = Rq + m ,r + n , s + p este tot un
punct al retelei Bravais. In afara de translatie, reteaua Bravais este invarianta si la alte operatii
punctuale (adica aplicate fata de un punct al retelei, care ramane fixat), cum ar fi a) rotatiile
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
Exemple de operatii de simetrie: (a) translatie, (b) rotatie, (c) inversie, si reflexie fata de un
plan (d) vertical, si (e) orizontal.
C2
C3
C4
C6
Example de figuri cu diferite simetrii la rotatia fata de o axa perpendicular ape planul hartiei.
(a)
(b)
(d)
(c)
(e)
Structura cristalina a (a) NaCl, (b) CsCl, (c) structura hexagonal compacta, (d) structura Si, si
(e) a ZnS.
O alta structura des intalnita este cea a CsCl (in aceasta structura cristalizeaza si AlNi,
CaZn, AgMg, CsBr, CsI), care este o structura cubica simpla, cu o baza formata din doi ioni:
Cs+ (rosu in figura de mai sus, in varfurile cubului) si Cl (verde, in centru).
Structura cristalina hexagonal compacta este o retea hexagonala Bravais cu o baza
formata din doi atomi (unul din randul de jos si celalalt din cel din mijloc), in care atomii
dintr-un plan, care se ating unul pe celalalt (daca sunt considerati ca sfere suficient de mari),
ating in acelasi timp si atomii din randurile adiacente. Atomii din randul din miljoc sunt
plasati deasupra centrului triunghiului format din trei dintre atomii din randul de jos, iar
7
atomii din randul de sus sunt exact deasupra celor din randul de jos. Aceasta structura
cristalina este intalnita in He, Zn, Cd, Mg, Zr, Ti. Daca randurile de atomi sunt mai departate,
astfel incat atomii din randuri adiacente nu se ating, structura hexagonala nu mai este
compacta. Grafitul este un exemplu de material care cristalizeaza in structura hexagonala necompacta.
Structura cristalina a diamantului (si a semiconductorilor Si si Ge) reprezentata in
figura de mai sus, este o retea cubica cu fete centrate in care baza este formata din doi atomi,
unul in varful cubului si celalalt deplasat cu o patrime din diagonala. Aceasta structura se
intalneste in general in materiale cu legatura covalenta, in care atomii plasati in varfurile unui
tetraedru regular formeaza legaturi covalente directionate cu atomii vecini punand in comun
fiecare cate un electron. Daca in structura Si baza este formata din atomi diferiti (de exemplu,
Zn and S in ZnS) obtinem structura blendei de zinc. In aceasta ultima structura cristalizeaza si
SiC, ZnS, ZnSe, CdS, CdTe, AlAs, GaAs, GaP, InAs, InSb, CuCl.
Reteaua reciproca
Intr-un cristal ai carui atomi sunt plasati intr-o retea Bravais descrisa de vectorul
Rmnp = ma1 + na 2 + pa 3
(2)
(r ) = (r + Rmnp ) ,
(3)
(4)
( x1 , x 2 , x3 ) = k exp[i (k1 x1 + k 2 x 2 + k 3 x3 )]
k1 , k 2 , k3
(5)
exp(imk1 a1 ) = 1 ,
exp(ink 2 a 2 ) = 1 ,
exp(ipk 3 a3 ) = 1 .
(6)
k i = 2si / ai ,
(7)
(r ) = k exp(ik r )
(8)
unde
(9)
k = s1b1 + s 2 b2 + s3 b3
(10)
este un vector in sistemul de coordonate definit de vectorii bi , i = 1,2,3, alesi astfel incat
bi a j = 2 ij .
(11)
b1 = (2 / )(a 2 a 3 ),
b2 = (2 / )(a 3 a1 ),
b3 = (2 / )(a1 a 2 ) ,
(12)
Spatiu direct
Retea
Constanta de retea
Cubic simpla
a
Spatiu reciproc
Retea
Constanta de retea
Cubic simpla
2 / a
4 / a
4 / a
10
De obicei, asa cum se poate vedea din figura de mai jos, directiile cu simetrie ridicata in
spatiul reciproc au notatii specifice.
Acesti electroni de pe nivelele superioare sunt slab legati de nucleu, si pot fi usor delocalizati
(smulsi din imediata apropiere a nucleului, lasand un urma un ion pozitiv, si pusi in miscare
in intreg cristalul) de catre un camp electric exterior. Acesti electroni devin electroni de
conductie. Spre deosebire de ei, electronii din jurul nucleului care contribuie la stabilirea
11
legaturilor intre atomi in cristal sunt electroni de valenta. Electronul de conductie intr-o retea
cristalina se misca intr-un potential periodic, dinamica lui fiind descrisa de ecuatia
Schrdinger
h2 2
+ U (r ) (r ) = E (r ) ,
2m
(13)
(14)
descrie interactia electrostatica cu toti ceilalti electroni si cu ionii pozitivi, si R este un vector
al retelei infinite. Datorita periodicitatii (simetriei la translatie), functia de unda a electronului
se poate pune sub forma de functii Bloch, adica
k (r ) = u k (r ) exp(ik r )
(15)
(16)
(17)
unde G este un vector din reteaua reciproca. De aceea, energia ia valori distincte doar pentru
valori k din prima zona Brillouin. In general, pot exista mai multe valori pentru energie,
E n (k ) , pentru acelasi k.
Observatie: Electronul in cristal difera de electronul liber. Pentru un electron liber in
volumul V, care satisface ecuatia Schrdinger cu U ( r ) = 0 , si are functia de unda
12
deoarece probabilitatea de a gasi electronul in punctul r, | k (r ) | 2 = 1 / V , este independenta
de r. Pe de alta parte, pentru functiile Bloch | k (r ) | 2 =| u k (r ) | 2 const., si doar punctele care
difera printr-un vector de translatie R sunt echivalente. In acest caz hk este cvasi-impulsul
electronului in cristal si k este cvasi-vectorul de unda; pentru simplitate, ne referim in
continuare la k ca vector de unda.
Similar cu cazul electronului liber, pentru care putem defini viteza ca si
v = hk / m = p / m , sau v = h 1 k E , deoarece relatia de dispersie a electronului liber este
E = h 2 k 2 / 2m si k E = h 2 k / m , aceeasi formula o utilizam si pentru viteza electronului in
cristal:
v = h 1 k E .
(18)
In plus, efectul unor forte externe F asupra electronului din cristal poate fi separat de efectul
interactiunii Coulomb cu toti ceilalti electroni si ioni din cristal. Influenta acestor interactiuni
electrostatice este caracterizata prin introducerea unei mase efective a electronului. Astfel,
definind acceleratia electronului in cristal la aplicarea fortei F ca
a=
dv 1 dE 1
dk 1
k ( k E F )
= k
=
= k k E
dt h dt h
dt h 2
(19)
a =
dv
dt
1
1 2E
F ,
F =
2
h k k
mef
(20)
m
ef
1 2E
= 2
.
h k k
(21)
Masa efectiva este un tensor simetric, (1 / mef ) = (1 / mef ) , caracterul ei tensorial aratand
ca aceleration unui electron in cristal are in general o directie diferita fata de cea a fortei
13
aplicate. Masa efectiva este un parametru ce descrie efectul retelei asupra miscarii
electronului, sin u o caracteristica a electronului, cum este masa electronului liber. Masa
efectiva poate lua valori pozitive, negative sau chiar infinite in punctele de inflexiune, unde
curbura relatiei de dispersie se anuleaza
In apropierea unui extrem k 0 (maxim sau minim) al reletiei de dispersie a energiei in
spatial k, energia se poate pune sub forma
E (k ) = E 0 +
h2
2
k12
k 22
k 32
,
+
+
m
ef ,1 m ef , 2 m ef ,3
(22)
unde E (k 0 ) = E0 . Daca suprafetele izo-energetice sunt elipsoizi de rotatie, masa efectiva de-a
lungul axei elipsoidului se numeste masa efectiva longitudinala, iar valoarea comuna a masei
pe celelalte doua directii se numeste masa efectiva transversala. In cristale izo-trope
suprafetele izo-energetice sunt sferice.
Benzi de energie
Spectrul de energie al electronului in crystal se poate calcula fie in aproximatia electronilor
cvasi-liberi (sau aproximatia legaturii slabe, in care starea electronului in cristal este modelata
ca o stare perturbata a electronului liber, perturbatia fiind determinata de potentialul periodic
al cristalului) fie in aproximatia electronilor cvasi-legati (sau aproximatia legaturii puternice,
in care starea electronului in cristal este modelata ca o stare perturbata a electronului in
atomul izolat, perturbatia fiind determinata de potentialul periodic al cristalului). In ambele
cazuri periodicitatea retelei cristaline duce la formarea benzilor de energie permise si
interzise. In figurile de mai jos se arata formarea benzilor de energie, separate de benzi
interzise, din orbitalii atomici s si p ai atomului de Si pe masura ce separarea intre atomi
scade; a este constanta de retea.
14
In aproximatia legaturii puternice, potentialul pe care il simte electronul este o suma intre
potentialul periodic V (r ) al retelei cristaline si potentialul U a (r ) in atomul izolat (vezi figura
de mai jos), iar energia se scrie ca
E k = E a C A exp(ik Rl )
(23)
l = vecini
Ua(r)
V(r)
unde Ea este energia in atomul izolat, iar A si C sunt constante ce depind de orbitalul atomic
din care se formeaza banda respectiva; suma se face peste vecinii cei mai apropiati ai
atomului dat.
De exemplu, intr-o retea cubica simpla, cu constanta de retea a,
15
(24)
si toate valorile posibile se obtin pentru componente ale vectorului de unda in prima zona
Brillouin, adica pentru / a k i / a . Nivelul discret al atomului in atomul izolat se
transforma intr-o banda care se extinde intre E min si E max , unde, pentru A > 0,
E min = E a C 6 A, pentru
ki = 0 ,
(25a)
E max = E a C + 6 A, pentru
k i = / a .
(25b)
mef
In figura de mai sus sunt prezentate o succesiune de benzi de energie ce se formeaza din
diferiti orbitali atomici pentru care, alternative, constanta A este pozitiva si negativa.
Intervalul de reprezentare este prima zona Brillouin. Daca nivele respective sunt indexate cu i,
intervalele interzise intre nivele sunt notate cu E gi . De exemplu, latimea primei benzi de
energie interzisa este
E g1 = E min, 2 E max,1 = ( E a , 2 E a ,1 ) (C 2 C1 ) 6( A1 + A2 ) .
(26)
16
Remarcati ca masa efectiva in jurul centrului primei zone Brillouin, pentru care
Electroni si goluri
Daca un electron in cristal, cu sarcina electrica e si masa efectiva positiva mef > 0 (in
apropierea minimului benzii de energie), este plasat intr-un camp electric E, acceleratia sa
a = dv / dt = F / mef = eE / mef
(27)
este similara cu cea a electronului liber. Daca insa energia electronului este apropiata valorii
maxime in banda, mef < 0 , si ecuatia sa de miscare este
a = dv / dt = F /(mef ) = eE /( mef ) .
(28)
In acest caz, spre deosebire de un electron liber, campul electric field va frana electronul, in
loc sa il accelereze. Pentru a evita aceasta interpretare, miscarea electronului cu masa efectiva
negativa in campul electric E este echivalata cu miscarea unei cvasi-particule cu sarcina
electrica + e si masa efectiva pozitiva. Aceata cvasi-particula, numita gol, exista doar in
cristal (nu in spatial liber, ca electronul) si reflecta absenta unui electron. Mai exact, daca un
electron din partea superioara a unei benzi de energie (banda de valenta) capata energie
suficienta de la vibratiile termice sau de la un camp exterior pentru a ajunge in stari neocupate
din banda de energie urmatoare, numita banda de conductie, starea libera ramasa se considera
a fi un gol. Cu alte cuvinte, o banda energetica ocupata cu electroni cu exceptia partii sale
superioare poate fi considerate ca fiind partial ocupata cu goluri. In acest mod, in loc sa
urmarim miscarea intregului system de electroni, putem urmari doar miscarea unui numar
mult mai mic de goluri. In general, golurile difera de electroni nu doar prin semnul sarcinii
electrice, ci si prin valoarea masei efective.
17
D( E ) =
( 2mef )1 / 2
4 h
2
( E E 0 )1 / 2 .
(29)
Aceste stari sunt ocupate in accord cu principiul Pauli, conform caruia la temperaturi joase (in
principiu, la T = 0 K) starile sunt ocupate in ordinea crescatoare a energiei, astfel incat doar
doi electroni (cu spini opusi) se pot afla pe o stare energetica cu un k dat. Valoarea energiei
pana la care se ocupa starile posibile se numeste energie Fermi, sau nivel Fermi si se noteaza
f (E) =
1
1 + exp[( E E F ) / k B T ]
(30)
Dupa cum rezulta din figura de mai sus, la T = 0 K, functia de distributie Fermi-Dirac este o
treapta, luand valoarea 1 pentru energii mai mici decat energia Fermi si valoarea 0 in rest.
18
In functie de pozitia nivelului Fermi pot exista doua situatii:
1) la temperaturi joase nivelul Fermi unei benzi de energie (vezi figura de mai jos, stanga),
adica electronii ocupa partial ultima banda de energie. Materialul este un metal si poate
conduce electricitate usor deoarece electronii din vecinatatea lui E F pot ocupa stari libere
cu energie mai mare daca sunt accelerati de un camp electric aplicat mic.
2) la temperature joase electronii ocupa complet un numar de benzi energetice, astfel incat
nivelul Fermi este in interiorul benzii interzise dintre ultima banda ocupata, numita banda
de valenta, si urmatoarea banda libera, numita banda de conductie (vezi figura de mai jos,
dreapta). In acest caz un camp electric mic nu da energie suficienta electronilor pentru a
trece pe starile neocupate din banda de conductie, si curentul electric nu poate trece prin
material. Material este in acest caz un dielectric.
19
E EF
n = 2 f ( E ) Dn ( E )dE = N c exp c
k BT
Ec
Ev
E Ev
p = 2 f ( E ) D p ( E )dE = N v exp F
k BT
(31a)
(31b)
unde s-a luat in considerare degenerarea dubla dupa spin, care indica faptul ca doi
electroni/doua goluri cu spini opusi se pot afla pe acelasi nivel energetic, in conformitate cu
principiul de excludere Pauli, iar Dn (E ) si D p (E ) sunt densitatile de stari ale electronilor si
respectiv golurilor, care se obtin din (29) inlocuind masa efectiva cu cea a electronilor mn ,
respectiv a golurilor m p , si E0 cu marginea inferioara a benzii de conductie Ec , respectiv
marginea superioara a benzii de valenta Ev . In formulele de mai sus functia de distributie
Fermi-Dirac s-a aproximat cu functia de distributie clasica Maxwell-Boltzmann
Nv =
(2m p k B T ) 3 / 2
4 2 h 3
(32)
sunt densitatile efective de stari in benzile de conductie si, respectiv, de valenta. Concentratia
intrinseca in semiconductorii nedopati se defineste ca ni2 = np .
Din conditia de neutralitate n = p se obtine pozitia nivelului Fermi,
EF =
mp
Ec + Ev 3
+ k B T ln
2
4
mn
(33)
20
care se afla la jumatatea benzii interzise la T = 0 K si se deplaseaza spre banda de energie cu
cea mai mica masa efectiva odata cu cresterea temperaturii.
Semiconductorii nedopati au proprietati electrice slabe. De exemplu, Si este un atom
cu 4 electroni de valenta, fiecare electron formand o legatura covalenta cu un alt electron de
valenta de la un atom de Si invecinat. Aceasta legatura este foarte puternica si in cristalul
perfect nu exista electroni de valenta liberi. Din acest motiv cristalul de Si este foarte slab
conductor de electricitate.
Pentru a imbunatati conductia electrica a materialelor semiconductoare, acestea se
dopeaza. Mai precis, se introduc atomi de alt tip decat cei care formeaza reteaua cristalina.
Acesti atomi de impuritate pot fi donori, daca prin substituirea unui atom din reteaua
cristalina de baza se elibereaza un electron care se poate misca liber in cristal, sau acceptori,
daca in urma substitutiei rezulta un gol liber. De exemplu, daca un atom de Si este inlocuit de
un atom de P, 4 din cei 5 electroni de valenta ai fosforului formeaza legaturi puternice cu
electronii cei mai apropiati din Si, electronul care ramane fiind legat foarte slab de nucleul
pozitiv al atomului de P. Acest ultim electron poate deveni usor un electron liber, adica un
electron de conductie, prin aplicarea unui camp electric slab. P este deci o impuritate donoare
pentru Si, semiconductorul care contine un numar mare de atomi donori fiind de tip n
deoarece conductia electrica are loc prin intermediul sarcinilor electrice negative.
+
B
Ec
Ec
EF
EF
Ev
Ev
21
In cazul in care electronii din banda de conductie provin predominant din impuritatile donoare
cu concentratie N d (care devin astfel ionizate), adica daca n N d si p << n, pozitia nivelului
Fermi se deplaseaza spre banda de conductie (vezi figura de mai sus, stanga) si este data de
relatia
E F = Ec + k B T ln( N d / N c ) .
(34)
E F = Ev + k B T ln( N v / N a ) .
(35)
22
necompensati prin plecarea golurilor, iar in regiunea n se formeaza o sarcina spatiala pozitiva
datorata donorilor ionizati ramasi necompensati prin plecarea electronilor. Aceste sarcini
spatiale genereaza un camp electric E indreptat de la regiunea n spre regiunea p care se
extinde pe o regiune ingusta in jurul interfetei dintre cele doua materiale (pentru l p x < 0
in regiunea de tip p si pentru 0 < x l n in regiunea de tip n) si se opune difuziei in continuare
a purtatorilor de sarcina (vezi figura de mai jos).
-lp
+
+ +
+
E
+
++
+
+ +
+
ln
23
majoritari iar curentul este mic si practic independent de tensiune. Prin urmare, jonctiunea p-n
este puternic neliniara, avand proprietati de redresare.
Pentru determinarea expresiei curentului prin jonctiune, se presupune ca aceasta este
abrupta, ca toate impuritatile sunt ionizate si ca nu exista purtatori de sarcina liberi in regiunea
stratului de baraj. In aceste conditii, distributia impuritatilor este aratata in figura de mai jos,
stanga, iar distributia sarcinilor spatiale in figura de mai jos, dreapta. N a si N d sunt
concentratiile de impuritati acceptoare, respectiv donoare.
eNd
ln
-lp
-lp
ln
eNa
Vd
-lp
ln
Em
Avem
eN a , l p x < 0
eN d , 0 < x l n
( x) =
(36)
iar potentialul electrostatic si campul electric se determina din rezolvarea ecuatiei Poisson
unidimensionale intr-un material cu permitivitate dielectrica
d 2
( x)
=
,
2
dx
E=
d
,
dx
(37)
24
p
n
EF
Ec
p,n
pp
nn
np
Ev
pn
ln
-lp
p n = p p exp(eVd / k B T )
(38)
Ec1
Ec
EF1
Eg1
Ev1
Eg2
Ev
Ec2
EF2
Ev2
Ec
+
+
+
+
-Ev
EF
25
EFp
n
eV
Ec
EFp
EFn
Ev
eV
Ec
EFn
Ev
eV
x + lp
n( x) = n p exp
1 exp
Ln
k BT
(40)
unde Ln , L p sunt lungimile de difuzie in cele doua regiuni. Pentru o jonctiune abrupta si un
strat de baraj subtire fata de lungimile de difuzie, l << Ln , L p astfel ca putem neglija
recombinarea in strat, curentii de purtatori minoritari in regiunea p si n sunt, respectiv,
j p = e p ( p n + p ) E eD p
d p
,
dx
j n = e n (n p + n) E + eDn
d n
.
dx
(41)
26
Primul termen din partea dreapta reprezinta curentii de drift (miscare indusa de campul
electric E si care se face cu viteze vn = n E , v p = p E pe directia campului aplicat, unde n
si p sunt mobilitatile electronilor si golurilor), iar ultimul termen reprezinta curentul de
difuzie, caracterizat de coeficientii de difuzie Dn si D p .
La campuri electrice mici si nivele mici de injectie predomina curentii de difuzie,
j p ( x) = eD p
j n ( x) = eDn
x ln
dp eD p p n eV
1 exp
=
exp
dx
L p k BT
Lp
dn eDn n p
=
dx
Ln
eV
x + lp
1 exp
exp
Ln
k BT
(42a)
(42b)
iar curentul total care trebuie sa fie constant de-a lungul jonctiunii, si pentru care
j n (l n ) = j n (l p ) , j p (l p ) = j p (l n ) , este
eDn n p eD p p n
j = j n ( x ) + j p ( x) =
+
Lp
Ln
eV
exp
k BT
eV
1 = j s exp
k BT
1 ,
(43)
unde j s este curentul de saturatie. Caracteristica I-V este reprezentata in figura de mai jos:
pentru tensiuni directe V > k B T / e curentul creste exponential cu tensiunea, iar pentru
tensiuni inverse, cu V < k B T / e , curentul nu depinde de tensiune, j j s .
-Is
(44)
27
Absorbtia luminii
Absorbtia luminii intr-un material este caracterizata prin coeficientul de absorbtie , care
reprezinta fractiunea din radiatia absorbita la parcurgerea unitatii de lungime prin acel
material. Aceasta se poate scrie ca
dI = Idx
(45)
unde I este intensitatea fluxului luminos care se propaga pe directia x si cade normal pe stratul
de grosime dx din material, iar semnul arata ca intensitatea I scade cu cresterea lui x.
Integrand ecuatia de mai sus se obtine legea absorbtiei optice
I ( x) = (1 R) I 0 exp(x)
(46)
unde I 0 este intensitatea fluxului luminos incident la suprafata, si R < 1 este coeficientul de
reflexie al luminii la suprafata. reprezinta adancimea de patrundere a radiatiei la care
intensitatea fluxului scade de e = 2.718 ori. Intensitatea medie a radiatiei ce patrunde pe o
distanta d in interiorul materialului se obtin integrand formula de mai sus, si rezultatul este
d
(47)
I0
I
(1-R)I0
Im
dI
dx
Aceasta lege este adevarata doar pentru lumina monocromatica deoarece coeficientul de
absorbtie depinde de lungimea de unda . Dependenta lui de este caracteristica pentru
fiecare material si este determinata de procesele fizice care au loc in acesta.
Indiferent insa de natura proceselor fizice, considerand fasciculul de radiatie
electromagnetica incident ca fiind compus din fotoni cu frecventa , energie E = h si
vector de unda k, interactia foton-material iluminat are loc cu conservarea energiei si a
impulsului care impun ca
28
E f E i = h ,
(48)
k f ki = k ,
(49)
Ec
Ef
foton
Eg
k
Ei
Ev
Eg
(50)
29
unde n refr este indicele de refractie al semiconductorului, c este viteza luminii in vid,
= 0
h E g
(51)
Ec
Ed
Ea
Ev
Eg - Ea
Eg
30
Absorbtia pe impuritati poate fi observata pentru concentratii moderate de impuritati
in semiconductori dopati si pentru concentratii mici de impuritati in semiconductori
compensati. Pentru nivele de impuritate putin adanci acest mecanism de absorbtie se observa
in infrarosu indepartat ( < 25 m) si la temperaturi mici, pentru a evita ionizarea
impuritatilor. Coeficientul de absorbtie este proportional cu concentratia impuritatilor.
In cazul in care benzile de valenta si conductie au extremele localizate in directii
diferite in spatiul k (vezi figura de mai jos), conditia conservarii impulsului total impune ca
tranzitiile sa aiba loc cu participarea fononilor sau a impuritatilor. Mecanismul de absorbtie se
numeste in acest caz banda-banda indirect, Si si Ge fiind exemple de semiconductori cu benzi
indirecte. In cazul in care fononii participa la procesul de absorbtie al luminii, ei pot fi emisi
sau absorbiti in timpul acestui proces, si tranzitia electronului se modeleaza ca avand loc in
doua etape, in care: 1) se absoarbe un foton, procesul fiind reprezentat printr-o tranzitie
verticala in spatiul k, 2) se absoarbe sau se emite ulterior un fonon cu frecventa f , proces
reprezentat printr-o tranzitie oblica in spatiul k.
Calcule cuantice arata ca in acest caz
= abs + em
2
( h h f E g ) 2
0 ( h + h f E g )
=
+
h exp(h f / k B T ) 1 1 exp(h f / k B T )
(52)
iar dependenta
cat si precum E g h f < h < E g + h f , unde absorbtia fononilor este mult mai probabila
decat emisia fononilor (vezi figura de mai jos).
(h)
1/2
Ec
E
fonon emis
(em)
1/2
fonon
fonon absorbit
T2
T1 < T2
Eg
(abs)
1/2
Ev
Eg-hf
Eg+hf
31
Deoarece exista mai multe tipuri de fononi in cristal si mai mult de un fonon poate fi
prezent in proces, curba de absorbtie poate avea mai multe discontinuitati care apar cand se
atinge pragul la care noi fononi pot participa la tranzitie. Pentru h > E g h f predomina
termenul cu absorbtie de fononi; pentru h > E g + h f predomina termenul cu emisie de
fononi. Coeficientul de absorbtie are valori mai mici decat la tranzitiile directe: 1020
cm1 si dependenta sa de temperatura este mult mai pronuntata.
In concluzie, pentru celule solare este preferabila folosirea materialelor cu benzi
directe. Dependenta spectrala a coeficientului de absorbtie al unor emiconductori este
prezentata in figura de mai jos.
Tema: Folosind curba coeficientului de absorbtie, estimati grosimea unei celule solare din
GaAs, astfel incat 90% din radiatia la 800 nm sa fie absorbita, in conditiile in care R = 1. Care
este grosimea necesara daca R = 0.6 ?
32
Efectul fotoelectric
Cand un foton cu o energie mai mare sau egala cu banda interzisa intr-un material
semiconductor este absorbit, se rupe o legatura/pereche de electroni, si se creaza o pereche de
sarcini electrice formata dintr-un electron negativ si un gol pozitiv. Aceste sarcini s-ar atrage
si s-ar recombina daca nu ar fi separate spatial. O metoda de a separa electronii de goluri este
aplicarea unui camp electric. In prezenta acestui camp electronii si golurile sunt directionati in
directii opuse, si se genereaza un flux de electricitate/fotocurent. Acesta este principiul de
functionare al celulelor solare. Campul electric este, de exemplu, campul electric intern intr-o
jonctiune p-n.
Sa consideram un exemplu tipic de celula solara reprezentat in figura de mai jos,
stanga, in care lumina este incidenta pe stratul n.
eVcd
l
Daca grosimea stratului n este suficient de mica, putem presupune ca fotonii sunt absorbiti in
vecinatatea stratului de baraj, astfel incat electronii si golurile create sunt separate spatial de
campul electric intern din jonctiune. Electronii sunt antrenati in regiunea n, si golurile in
regiunea p a structurii (vezi figura de mai sus, dreapta), sarcinile electrice in aceste doua
regiuni crescand pana la atingerea unui regim stationar, de echilibru intre procesele de
generare si recombinare. Aceasta incarcare electrica duce la aparitia unui camp electric opus
celui al jonctiunii, care micsoreaza bariera de potential din stratul de baraj, exact ca in cazul
aplicarii unei tensiuni directe. Tensiunea directa echivalenta, in conditiile in care circuitul este
deschis, se numeste tensiune la circuit deschis Vcd . Polaritatea acesteia este + la regiunea p si
33
la regiunea n. Daca dispozitivul este legat in serie cu o rezistenta de sarcina Rs in circuitul
exterior apare un fotocurent de sens opus celui care ar trece prin Rs daca jonctiunea
neiluminata ar fi polarizata la oa sursa externa, la aceeasi tensiune (directa). In consecinta,
fotocurentul are acelasi sens ca si curentul invers (de saturatie) al jonctiunii neiluminate,
celula solara generand un curent I L (vezi figura de mai jos). Cu alte cuvinte, curentul este
eV
1 .
I = I L + I s exp
k
T
(53)
Vm
Vcd
intuneric
iluminare
-Is
-IL
Im
Isc
V=-RsI
34
are un maxim care rezulta din dP / dV = 0 si caruia ii corespunde aria gri, pentru care I = I m ,
FF = I mVm / I scVcd
(54)
si eficienta de conversie
(55)
unde Prad este puterea radiatiei solare incidente. Ambii parametri sunt mai mici decat
unitatea. Eficienta de conversie tipica este intre 1220% pentru celule solare standard, iar
factorul de umplere tipic este in jur de 75%.
In plus, pentru compararea materialelor din care este fabricata celula solara, se mai
poate defini eficienta cuantica externa, ca fiind numarul de electroni generati la iesire pentru
un foton incident,
(56)
Erata
Inlocuiti in partea I a cursului ecuatiile (46)-(47) si textul referitor la acestea din capitolul de
absorbtie a luminii cu textul de mai jos.
............
Integrand ecuatia de mai sus se obtine legea absorbtiei optice
I ( x) = (1 R) I 0 exp(x)
(46)
unde I 0 este intensitatea fluxului luminos incident la suprafata, si R < 1 este coeficientul de
reflexie al luminii la suprafata. reprezinta adancimea de patrundere a radiatiei la care
intensitatea fluxului scade de e = 2.718 ori. Intensitatea medie a radiatiei ce patrunde pe o
distanta d in interiorul materialului se obtin integrand formula de mai sus, si rezultatul este
d
I0
I
(1-R)I0
Im
dI
dx
......
(47)
I ( E, T ) =
2E 3
1
.
2 3
c h exp( E / k B T ) 1
(1)
Aceasta densitate de putere are aceeasi forma pentru orice temperatura, dar maximul ei se
deplaseaza cu temperatura confrom legii Wien E max = 2.82k BT sau (vezi figura de mai jos,
stanga)
max T = 2.9 10 3 m K
(2)
Tema: Gasiti temperatura unui corp negru al carui maxim al iradiantei spectrale se afla la a)
550 nm (in regiunea verde a spectrului vizibil) si b) 700 nm (in regiunea rosie).
Puterea totala radiata pe unitate de suprafata (numita si densitate de putere sau iradianta) este
data de legea Stefan-Boltzmann,
RS
Soare
RP
P(T ) / A = I ( E , T )dE =
0
Pamant
2
x 3 dx
4
= T 4 ,
(
k
T
)
B
2 3
exp(
x
)
1
c h
0
(3)
unde = 2 5 k B4 /(15c 2 h 3 ) = 5.6108 W/m2K4 este constanta Stefan. Considerand temperatura soarelui ca fiind TS = 5762 K, densitatea de putere corespunzatoare este 6107 W/m2.
Din
aceasta,
conform
figurii
de
mai
sus,
dreapta,
doar
fractiunea
PP / A =
100%
3%
atmosfera
20%
70%
Pamant
7%
Tema: Stiind ca puterea este energia pe unitate de timp (pe secunda), aflati care este energia
primita de la soare, la limita superioara a atmosferei intr-o ora, pe intreaga suprafata.
Comparati aceasta energie cu cea consumata pe planeta intr-un an, pentru un consum de
putere (in 2009) de 15 TW.
(4)
O celula solara tipica are 5 cm in diametru si 1 mm in grosime, si (daca este din Si) genereaza
0.5 V intre terminale.
Exemplu: Aria panoului ar trebui sa fie 1.3105 km2 pentru a produce o energie de 3.51013
kWh/an folosind o retea de celule solare cu o eficienta de conversie de 12% daca iradianta
este de 6 kWh/m2zi.
In celula solara tensiunea electrica Vcd = ( k BT / e) ln(1 + I L / I s ) , care corespunde I =
0, adica situatiei in care nu circula curent/cazului de circuit deschis, este generata in urma
separarii electronilor si golurilor fotogenerate in campul electric intern al unei jonctiuni p-n.
Tensiunea la circuit deschis nu poate fi mai mare decat E g si este determinata de diferenta
5
intre cvasi-nivelele Fermi in regiunea n si p, care nu mai sunt la acelasi nivel in prezenta
iluminarii. Daca jonctiunea este conectata intr-un circuit ce contine o rezistenta de sarcina Rs ,
apare un fotocurent si se debiteaza o putere electrica pe Rs . In figurile de mai jos sunt
prezentate o jonctiune p-n iluminata (stanga si centru) si caracteristica I V (in dreapta).
I
Isc
Im
eVcd
l
P
V
Vm
Vcd
Desi in caracteristica I V
eV
1
I = I L + I s exp
k B T
(5)
fotocurentul este negativ, in conventia (deseori) utilizata in practica acestia sunt considerati
pozitivi (ca si in figura de mai sus); semnului curentului se inverseaza. Regiunea de tip p este
numita baza si regiunea de tip n emitor; electronii sunt transportati de campul electric intern
(orientat de la regiunea n spre p) de la regiunea de tip n catre regiunea p. Remarcati ca la
iluminare curentul este negativ deoarece are sens invers curentului produs la o tensiune V;
electronii si golurile se misca in sens invers sensului impus de difuzie. Parametrul de
idealitate 1 2 descrie mecanismul de curent in jonctiune: = 1 corespunde cazului in
care curentul este preponderent de difuzie (vezi demonstratia in partea I a cursului), iar = 2
descrie transportul preponderent prin drift al sarcinilor electrice. Curentul de scurtcircuit in
celula solara I sc = I L (la V = 0) depinde de numarul de electroni care sunt excitati in banda
de conductie, care este proportional cu radiatia solara incidenta, pe cand tensiunea la circuit
deschis este practic independenta de energia incidenta.
Pentru a creste puterea generata (egala cu produsul intre curent si tensiune in punctul
de lucru), se folosesc module fotovoltaic care genereaza tensiunea si curentul dorit (vezi
figura de mai jos). Curentul creste daca aria celulei solare creste sau daca radiatia solara
incidenta creste (este concentrata), iar daca celulele solare sunt conectate in serie, curentul
6
ramane acelasi si tensiunea creste. Pe de alta parte, daca celulele solare sunt conectate in
paralel, tensiunea este aceeasi dar curentul creste. Caracteristica exponentiala I V este
valabila, cel putin in prima aproximatie, si pentru celulele solare bazate pe heterojonctiuni.
Exemplu: Daca celula solara genereaza 0.5 V (valoare tipica pentru celule solare din Si),
pentru a forma un modul de 12 V trebuie conectate 24 celule solare in serie.
O retea de celule solare (sau retea fotovoltaiva) poate contine pana la cateva mii de
module fotovoltaice, organizate in panouri solare (un panou solar este un grup de module
fotovoltaice). Astfel de panouri pot produce curenti directi cu puteri care variaza de la cativa
W la zeci de MW, si pot fi folosite pentru a alimenta o sarcina care poate fi orice de la o
baterie de calculator la un sistem de comunicatii intr-o cladire sau oras. Cand o retea
fotovoltaica este conectata la o reatea utilitara, trebuie intai conectata la un invertor care sa
transforme curentul direct in curent alternativ. Astfel de invertoare au o eficienta de 90% si
produc curent de forma sinusoidala cu foarte putine distorsionari sau armonici superioare.
7
In aceste conditii, densitatea de fotocurent (curentul pe unitate de arie) generat la
iluminarea cu un flux de fotoni de energie E este
j L = I L / A = e S ( E )dE
(6)
Eg
unde
S = I ( E , TS ) / E =
2E 2
1
2 3
c h exp( E / k B TS ) 1
(7)
este fluxul de fotoni de energie E la temperatura soarelui, si s-a tinut cont ca doar fotonii cu
energie mai mare decat E g genereaza perechi electron-gol (intr-un semiconductor cu benzi
directe in care mecanismul predominant de absorbtie este absorbtia banda-banda).
La echilibru termodinamic, fiecare proces in celula solara este in echilibru cu procesul
invers. Adica, fluxul de fotoni in si dinspre celula solara este egal daca celula solara si mediul
inconjurator au aceeasi temperatura T. Considerand celula solara ca un corp negru la
temperatura T, fluxul de fotoni cu energie E emis de o celula solara la o tensiune V este dat de
legea Planck:
(V , E ) =
2E 2
1
c ( E ) exp(eV / k B T )
3 2
h c exp[(E eV ) / k BT ] 1
(8)
c (E) =
2E 2
1
2E 2
exp( E / k B T )
h 3 c 2 exp( E / k B T ) 1 h 3 c 2
(9)
este radiatia celulei pentru V = 0. Aceasta emisie de fotoni trebuie sa fie cauzata de un curent
de recombinare a carui densitate este
j rec = e (V , E )dE .
Eg
(10)
8
In urma recombinarii electronilor din banda de conductie cu golurile din banda de valenta,
separate prin banda interzisa cu latime E g fotonii au energie mai mare decat E g . Dar in
echilibru termodinamic curentul total trebuie sa fie fie nul, astfel incat curentul de
recombinare trebuie sa fie acelasi ca si fotocurentul cauzat de absorbtia radiatiei de corp negru
a mediului inconjurator. Deci, la aplicarea unei tensiuni densitatea curentului de intuneric este
eV
eV
j = e c ( E )dE exp
1 = j s exp
1
E
k BT
g
k BT
(11)
eV
1 j L .
j = j s exp
k
T
B
(12)
Caracteristica I V , desi obtinuta din alte considerente, are forma exponentiala pe care am
dedus-o anterior. Aceasta forma exponentiala este deci mult mai generala si se intalneste nu
numai la jonctiuni p-n ci si la heterojunctiuni sau structuri de tip p-i-n.
Tensiunea maxima care poate fi atinsa este tensiunea la care celula solara emite tot
atatia fotoni cat absoarbe, adica in conditiile in care nu exista transfer de energie net si nici
curent net, ceea ce inseamna ca celula solara este in circuit deschis. Deci tensiunea maxima
este Vcd = (k B T / e) ln( j L / j s + 1) , iar eficienta de conversie a celulei solare este data de
Pm
j V FF
= sc cd
Prad
Prad / A
(13)
unde FF este factorul de umplere si Prad este puterea radiatiei solare incidente. Din formulele
de mai sus rezulta ca eficienta de conversie depinde de largimea benzii interzise, si are o
valoare maxima de 31% pentru radiatia AM1.5G. care se obtine E g = 1.4 eV. Influenta benzii
interzise asupra eficientei de conversie este slaba in intervalul 11.45 eV. Pentru E g mai
mari tensiunea la circuit deschis creste (campul electric intern creste) dar ponderea fotonilor
neabsorbiti (cu energie mai mica decat banda interzisa) devine prea mare, iar pentru E g mai
mici, fotocurentul creste, deoarece mai multi fotoni ar putea genera perechi electron-gol, dar
tensiunea la circuit deschis si eficienta scade deoarece campul intern in jonctiune este de
9
asemenea mic. Extrapoland, toti fotonii ar participa la fotocurent daca E g = 0, dar eficienta de
conversie ar fi = 0 pentru ca tensiunea fotovoltaica este = 0. De asemenea, eficienta
conversiei = 0 daca E g = (nu poate circula un curent prin jonctiune). In figura de mai jos
este prezentata dependenta eficientei maxime, a tensiunii la circuit deschis si a curentului de
scurtcircuit de banda interzisa a semiconductorului la T = 300K si AM1.5G.
10
Dupa cum am vazut in sectiunea precedenta, intr-o celula solara dintr-un singur material
situatia optima corespunde unei benzi interzise E g = 1.4 eV, pentru care eficienta maxima
este de 31% pentru un soare (fara concentratori).
(14)
11
Exemplu de bilant energetic pentru o celula solara din Si: din puterea incidenta de 100
mW, 21 mW nu sunt absorbiti, si 31 mW constituie energia in exces. Raman 48 mW. Daca
tensiunea la circuit deschis este de 0.6 V (0.7 V), curentul maxim care poate fi generat este
dat de 48 mW/1.12 V = 44 mA. Aceste curent maxim corespunde cazului cand toti fotonii, in
numar de 48 mW/( h = E g ) = 48 mW/1.12 eV sunt convertiti in electricitate. Datorita
reflexiei la suprafata a fotonilor, umbrei/shading electrozilor, absobtiei incomplete, colectarii
incomplete a sarcinilor, curentul de scurtcircuit este de fapt 28 mA (41mA). Pentru un factor
de umplere 75% (80%), puterea generata ajunge la doar 14 mW (24mW).
12
Din exemplul de mai sus rezulta ca este de dorit sa avem un factor de umplere cat mai
mare. Pentru acelasi I sc si Vcd , factorul de umplere este mai mare cu cat caracteristica I V
are o portiune plata cat mai mare (caracteristica I V din figura de mai jos, stanga, are un
factor de umplere mai mare decat in figura de mai jos, dreapta).
Isc
Im
Isc
Im
Vm Vcd
Vm Vcd
k
T
R
B
sh
(15)
Circuitul echivalent al celulei solare ne-ideale (cu Rs si Rsh finite) este ilustrat in figura de
mai jos, stanga. I int este curentul de intuneric. Modul in care Rs si Rsh influenteaza
caracteristica I V este prezentata in figura de mai jos, centru si, respectiv, dreapta.
Rs
+
IL
Iint
Rsh
V
Rs creste
Rsh scade
13
Pm
j V FF
= sc cd
Prad
Prad / A
(16)
(17)
tensiunea la circuit deschis creste daca creste fotocurentul/curentul de scurtcircuit sau daca
scade curentul de saturatie care, pentru transport predominant difuziv (vezi prima parte a
cursului), are expresia
j s = (eDn n p / Ln + eD p p n / L p ) .
(18)
14
Tipuri de contacte
Contactele intre un material semiconductor si un metal sunt de doua feluri: ohmice si
Schottky. La interfata intre un metal si un semiconductor, analog cu cazul interfetei intre
regiunile n si p intr-o jonctiune, benzile de energie se curbeaza datorita redistributiei sarcinilor
la interfata. Curbura (vezi figura de mai jos, stanga) este mai accentuata in semiconductor,
care are o concentratie mai mica de purtatori. Daca un electron din banda de conductie a
semiconductorului trebuie sa treaca peste o bariera de potential pentru a ajunge in nivelul
Fermi din metal (care este acelasi ca si in semiconductor, la echilibru), contactul se numeste
ohmic. Caracteristica I V a unui contact Schottky este exponentiala (vezi figura de mai jos,
dreapta), ca si la jonctiunea p-n, in care purtatorii trebuie sa treaca peste potentialul de difuzie.
Din contra, daca electronii din semiconductor nu intalnesc o bariera de potential, contactul
este ohmic si caracteristica I V corespunzatoare este liniara. O rezistenta serie mica a
celulei solare implica folosirea contactelor ohmice, cu exceptia cazului in care contactele sunt
folosite pentru a crea un camp intern care separa sarcinile. Pentru un semiconductor dat, un
metal formeaza contact ohmic sau Schottky in functie de lucrul de extractie em (egal cu
energia pe care o trebuie sa o primeasca un electron de pe nivelul Fermi pentru a fi scos in
vid/in afara metalului) al acestuia. Daca acest lucru de extractie este mai mare decat energia
corespunzatoare scoaterii in vid a unui electron din banda de conductie a semiconductorului,
e , contactul este Schottky. In caz contrar, este ohmic. Un metal poate face contacte ohmice
15
I ( x) = (1 R) I 0 exp(x)
(19)
unde este coeficientul de absorbtie, putem creste absorbtia daca micsoram coeficientul de
reflexie R, crestem intensitatea incidenta I 0 , sau crestem drumul parcurs de lumina in
interiorul semiconductorului.
Pentru a scadea coeficientul de reflexie se folosesc straturi anti-reflexie care constau
dintr-o succesiune de straturi subtiri cu grosimi (de obicei) de / 4 din materiale cu indici de
refractie diferiti. Aceste straturi sunt necesare deoarece Si, de exemplu, cu un indice de
refractie ns = 3.46, reflecta aproape 30% la incidenta normala. Coeficientul de reflexie
aer/semiconductor la incidenta normala este dat de formula
n ns
R = aer
n aer + n s
(20)
unde naer 1 este indicele de refractie al aerului, iar ns cel al semiconductorului. In figura de
mai sus este ilustrata scaderea reflectivitatii cu cresterea numarului de straturi anti-reflexie.
Observati ca scaderea coeficintului de reflexie are loc doar intr-un interval spectral.
16
Tema: aflati care este coeficientul de reflexie la incidenta normala la interfata dintre aer si un
semiconductor cu indice de refractie a) 2.5, b) 3, c) 3.5.
In plus, pentru a permite unei fractii cat mai mari din lumina incidenta sa patrunda in
apropierea jonctiunii celulei solara, contactul electric de sus trebuie sa aiba o forma
digitala/de tip grila, ca in figura de mai jos, stanga, sau sa fie transparent (vezi figura de mai
jos, dreapta). Contactele transparente sunt de obicei fabricate din oxizi conductivi (care au o
conductivitate electrica mare) cum ar fi ZnO, SnO2, sau ITO (oxid de indiu si staniu).
Electrozii de contact s-ar putea plasa si lateral, dar in acest caz electronii ar trebui sa parcurga
distante mari pentru a ajunge la contact, ceea ce scade eficienta de conversie datorita
recombinarilor.
O alta modalitate de crestere a numarului de fotoni absorbiti este concentrarea energiei solare
(cresterea intensitatii I 0 ). Principiul (vezi figura de mai jos) se bazeaza pe focalizarea
energiei solare incidente pe o suprafata mai mica, in care este plasata celula solara.
Concentratorii se caracterizeaza prin raportul
17
C = I c / I inc
(21)
unde I c este intensitatea pe celula solara si I inc este intensitatea solara incidenta. Pentru
concentratori slabi ai energiei solare (210 sori) nu este nevoie de racirea dispozitivului, si se
pot utiliza celule din Si standard, racirea fiind necesara pentru concentratori intermediari
(10100 sori) si puternici (> 100 sori). In ultimul caz se folosesc celule de tip multi-jonctiune
(cu eficiente de pana la 41%), datorita curentilor mari, si este nevoie de o perfecta aliniere a
sistemului perpendicular pe radiatia solara incidenta. Desi concentratorii cresc puterea
debitata de celula solara, concentrarea luminii in exces scade Vcd odata cu cresterea
temperaturii. In plus, cresc pierderile de putere pe rezistenta serie. Exista deci un factor de
concentrare optim pentru fiecare celula solara, de (tipic) cateva sute de sori.
Concentrarea luminii se poate realiza prin mai multe metode. In figura de mai jos este
prezentata (stanga) o oglinda parabolica care poate concentra lumina in focarul ei. In figura de
mai jos, in centru este reprezentat un astfel de cuptor solar dintr-o oglinda parabolica inalta
cat 8 etaje, construit in 1969 la Odeillo in Pirineii francezi, in care temperatura atinge 3800C.
Astfel de temperaturi sunt mai degrada utile in transformarea energiei solare direct in energie
termica. Pentru concentrarea luminii in celule solare se folosesc retele de astfel de oglinzi
parabolice, celula solara fiind plasata in focar (vezi figura de mai jos, dreapta)
Concentrarea luminii se mai poate realiza prin intermediul lentilelor plane Fresnel
(vezi figura de mai jos, stanga; in partea dreapta este reprezentata o lentila convergenta
obisnuita). Deoarece razele de lumina intr-o lentila obisnuita sunt refractate in special de
suprafata concava, acelasi efect de focalizare se poate obtine si daca se elimina portiuni din
lentila de grosimi egale cu un multiplu de 2 . Astfel se obtin lentile Fresnel planare, mult
mai usoare si in care pierderile datorita absorbtiei luminii in materialul lentilei sunt reduse. O
alta utilizare a lentilelor Fresnel plane este in faruri.
18
19
20
compromis intre cerinta ca distanta parcursa de fotoni de la suprafata celulei solare la
jonctiune sa fie mare si cerinta ca aceasta distanta sa fie mica. In primul caz, absorbtia este
mare dar si pierderile prin recombinarea perechilor electron-gol generate in afara stratului de
baraj este mare, iar in al doilea caz absorbtia fotonilor dar si pierderile prin recombinare scad.
Probabilitatea de colectare a perechilor electron-gol este semnificativa doar in asanumita regiune activa, care se intinde de o parte si de alta a interfetei pe distante egale cu
lungimile de difuzie. Fotopurtatorii generati in afara regiunii active nu ajung in regiunea de
sarcina spatiala inainte de recombinare si, in consecinta, nu contribuie la curent. Cu alte
cuvinte, daca grosimea stratului in care are loc absorbtia este mai mare decat regiunea activa,
eficienta de conversie a celulei solare scade. Relatie intre mobilitate si difuzie este
Pentru a evita pe cat posibil pierderile prin recombinare, in multe cazuri stratul de sus (cel pe
care cade lumina) este cel in care mobilitatea purtatorilor este mai mica. Deoarece, in general,
golurile au o mobilitate mai mica decat electronii stratul p este cel direct iluminat pentru ca
golurile sa poata ajunge in regiunea de sarcina spatiala inaintea recombinarii. Pe de alta parte,
intr-o heterostructura din doua materiale cu benzi interzise E g1 si E g 2 stratul cu banda
interzisa mai mare (stratul 1 in figura de mai sus) este iluminat pentru a permite fotonilor cu
energie E g 2 < E < E g1 sa patrunda mai adanc in celula solara inainte de a genera perechi
electron-gol. (Dupa cum se vede si din figura de mai sus, spre deosebire de jonctiuni p-n, in
heterojonctiuni exista discontinuitati la interfata in banda de conductie si valenta.)
21
Semiconductorul cu banda interzisa mai mare joaca rol de fereastra pentru fotoni si emitor
pentru electroni. Recombinarea purtatorilor de sarcina este mai redusa (celula solara este mai
eficienta) in cazul heterojunctiunilor intre materiale cu acelasi tip de dopaj (n sau p). In cazul
heterostructurilor, pentru a creste absorbtia fotonilor, emitorul/fereastra este subtire si baza
(stratul in care are loc absorbtia, stratul 2 in cazul nostru) este groasa.
22
Performanta celulelor solare este deci influentata de parametrii de material, si in
special de produsul . In tabelul de mai sus sunt prezentati parametrii unor materiale
semiconductoare folosite in fabricarea celulelor solare, masurati la temperatura camerei. Cele
mai eficiente celule solare cu o singura jonctiune p-n s-au fabricat din compusi
semiconductori de tip III-V (de exemplu, GaAs), care insa sunt materiale scumpe in
comparatie cu Si, si de aceea sunt de obicei utilizate impreuna cu concentratori de lumina.
23
intern. Aceasta configuratie este potrivita pentru materiale cu mobilitate mica. De aceasta data
grosimea stratului i este determinata de produsul si de coeficientul de absorbtie, valoarea
optima tipica a grosimii acestui strat fiind de cateva sute de nm, pana la 1 m. Daca se aplica
o tensiune, campul intern scade, si transportul dependent de camp al sarcinilor depinde de
tensiune, adica celula solara tip p-i-n este puternic neliniara. In acest caz eficienta de colectare
si fotocurentul depind de tensiune daca mobilitatile sunt suficient de mici. In figura de mai
jos, stanga, este reprezentata jonctiunea p-n, iar in centru structura p-i-n.