1.

STRUCTURA CRISTALINĂ A METALELOR

ŞI ALIAJELOR METALICE

1.1 Atomul. Legături între atomi

Atomul este cea mai mică particulă a materiei care mai păstrează trăsăturile
caracteristice ale unui element chimic. Modul în care sunt aranjaţi atomii în spaţiu
determină proprietăţile specifice pe care le are un material.
În modelul atomic acceptat în prezent, elaborat de E. Rutherford şi perfecţionat de
N. Bohr, atomii sunt formaţi din protoni, de sarcină pozitivă, şi neutroni, fără sarcină
electrică, care alcătuiesc un nucleu în jurul căruia se rotesc, pe orbite bine determinate,
electroni de sarcină negativă.
Interacţiunea dintre atomi, prin intermediul diverselor forţe care acţionează la
nivelul lor, poate fi descrisă prin termenul de legătură.
Între atomii aparţinând unor materiale metalice se manifestă predominant legătura
metalică. Aceasta poate fi descrisă ca fiind rezultatul forţelor de atracţie dintr-un ansamblu
rigid de ioni pozitivi (atomi fără electroni de valenţă), imersat într-o masă de electroni
relativ liberi (norul electronic), (fig. 1.1). Electronii din acest "nor" nu aparţin unui anumit
atom, ci se pot deplasa liber în spaţiul interatomic. Astfel pot fi explicate proprietăţi ca
deformabilitatea, conductibilitatea termică şi electrică etc., caracteristice metalelor.
Poziţia pe care o ocupă atomii în cadrul ansamblului rigid rezultă din echilibrul
dintre energiile corespunzătoare forţelor de atracţie (Ea) şi, respectiv, forţelor de respingere
(Er) care se manifestă la nivelul lor (fig. 1.2). Atomii tind să se amplaseze astfel încât
rezultanta acestor energii (Et) să fie cât mai mică, deci în poziţii de minim energetic (Emin),
la distanţa d0 = 2r0 unul de celălalt. Pentru a mări sau micşora distanţa interatomică d0 este
necesară o cantitate suplimentară de energie, introdusă sub formă de presiune sau căldură.

Fig. 1.1. Legătura metalică Fig. 1.2. Variaţia energiei în funcţie de distanţa interatomică

1
 Legătura covalentă este caracteristică materialelor ceramice şi polimerilor. În
cazul ei, electronii de valenţă sunt "utilizaţi" în comun de către doi sau mai mulţi
atomi învecinaţi. Pentru formarea de legături covalente, atomii trebuie să fie dispuşi
astfel încât legăturile să aibă un raport direcţional fix unele cu altele.
De exemplu, în cazul unui atom de siliciu, acesta formează legături covalente
prin utilizarea celor patru electroni de valenţă ai săi în comun cu cei patru atomi
învecinaţi (fig. 1.3 a). În spaţiu, atomii de siliciu sunt aranjaţi astfel încât să formeze
tetraedre ale căror laturi, reprezentate de legăturile covalente, sunt dispuse la unghiuri
de 109º între ele.

a. b.
Fig. 1.3. Schema legăturii covalente: a. - dispunerea în plan; b. - dispunerea spaţială a atomilor

Legăturile covalente sunt foarte puternice, materialele care le conţin fiind

fragile şi izolatoare din punct de vedere termic şi electric.
Legătura ionică (fig. 1.4) se întâlneşte atunci când un atom donează electronii
săi de valenţă unui atom vecin, de tip diferit, completând nivelul electronic exterior al
acelui atom. Ambii atomi dobândesc astfel o sarcină electrică şi se vor comporta ca
ioni cu sarcini opuse.

Fig. 1.4. Schema legăturii ionice

2
 Deoarece pentru transmiterea sarcinii electrice este necesară mişcarea
întregului ion, şi nu doar a unor electroni, conductivitatea electrică a materialelor care
conţin legături ionice este slabă.
Aplicarea unei forţe exterioare asupra unui cristal în care există legături ionice
determină distrugerea echilibrului electric dintre ionii cristalului. Aceasta este
principala cauză pentru care materialele cu legături ionice sunt fragile.
Legături ionice se întâlnesc în multe materiale ceramice şi la unele minerale
(de exemplu în cristalele de sare, NaCl).
Trebuie menţionat, de asemenea, faptul că în multe materiale se regăseşte o
combinaţie de caracteristici a mai multor tipuri de legături.
Legătura Van der Waals reprezintă o legătură secundară, în sensul că ea
apare între molecule sau grupuri de atomi, în care atomii individuali sunt legaţi prin
alte tipuri de legături. Ea se manifestă prin apariţia unei atracţii electrostatice relativ
slabe între părţile polarizate (pozitiv sau negativ) ale unor molecule.
Legături Van der Waals se întâlnesc la apă, în multe materiale plastice şi
ceramice. În cazul apei, de exemplu, încălzirea apei până la punctul de fierbere
determină ruperea legăturilor Van der Waals dintre molecule şi transformarea lor în
vapori. Ruperea legăturilor covalente dintre atomii de oxigen şi hidrogen dintr-o
moleculă necesită însă aplicarea unor temperaturi mult mai ridicate.

1.2 Structura cristalină

Majoritatea materialelor solide întâlnite în natură se caracterizează printr-o

amplasare ordonată a atomilor componenţi, aceştia constituind o structură
cristalină. Materialele cu o dispunere dezordonată a atomilor se numesc amorfe.
Pentru a putea descrie
aranjamentul ordonat al atomilor
într-un cristal, aceştia se pot asimila
unor sfere tangente între ele. Dacă
centrele tuturor sferelor (nucleele
atomice) se unesc prin intermediul
unor linii imaginare, se va obţine o
structură regulată, numită reţea
cristalină (fig. 1.5 a). a. b.

Unitatea constitutivă de bază a Fig. 1.5. a. - Reţeaua cristalină; b. - Celula elementară

3
unei reţele cristaline este celula elementară, care poate fi definită ca fiind cea mai
complexă grupare de atomi care prin repetarea ei prin suprapunere sau alăturare,
formează reţeaua cristalină
În natură există în total 14 tipuri de reţele cristaline care aparţin unui număr de
7 sisteme cristaline de bază, numite reţele Bravais (fig. 1.6), [35].

Fig. 1.6. Tipuri de sisteme şi reţele cristaline

În materialele metalice se întâlnesc cel mai des tipurile de reţele care au la bază
celula elementară cubică cu volum centrat, celula elementară cubică cu feţe centrate
şi celula elementară hexagonal-compactă.
Principalii parametri care descriu diversele tipuri de celule elementare sunt
lungimea laturilor celulei elementare (a, b, c) şi unghiurile dintre laturi (, , ),
numărul de atomi care aparţin, convenţional, unei celule elementare (N A), raza
atomilor celulei (rA) şi raza maximă a atomilor interstiţiali (rimax).
Tabelul 1.1 prezintă sintetic caracteristicile geometrice definitorii pentru cele 7
sisteme cristaline.
În continuare sunt prezentate succint cele mai răspândite tipuri de celule
elementare.

4
 Tabelul 1.1.
Clasificarea reţelelor cristaline în sisteme de cristalizare
Nr. crt. Sistemul de cristalizare Raportul dintre laturi Raportul dintre unghiuri
1. Cubic a=b=c  =  =  = 
2. Romboedric a=b=c  =  =   
3. Tetragonal a=bc  =  =  = 
4. Hexagonal a=bc  =  = ;  = 
5. Ortorombic abc  =  =  = 
6. Monoclinic abc  =  = ;   
7. Triclinic abc       

1.2.1 Celula elementară cubică cu volum centrat (c.v.c.)

Acest tip de celulă elementară se compune din 8 atomi amplasaţi în fiecare

dintre colţurile unei structuri cubice şi dintr-un atom situat în centrul acestei structuri
(fig. 1.7), toţi atomii din colţuri fiind tangenţi la atomul central.

Fig. 1.7. Celula elementară cubică cu volum centrat

Numărul de atomi care aparţin, convenţional, celulei c.v.c. este:

1
NA = 8. + 1 = 2, (1.1)
8
raza atomilor, în funcţie de lungimea laturii cubului fiind de:

5
 a 3
rA = (1.2)
2
iar raza maximă a atomilor străini care pot pătrunde în interstiţiile celulei elementare
c.v.c. este rimax = 0,291.rA , în cazul interstiţiilor de formă tetraedrică, respectiv
rimax = 0,15.rA în cazul interstiţiilor de formă octaedrică.
Celula elementară cubică cu volum centrat se întâlneşte în reţelele cristaline ale
Fe, Cr, V, Mo.

1.2.2 Celula elementară cubică cu feţe centrate (c.f.c.)

Celula elementară cubică cu feţe centrate este alcătuită din 8 atomi dispuşi în
fiecare dintre colţurile unui cub, alţi 6 atomi ocupând centrele feţelor acestui cub,
atomii din colţurile unei feţe a cubului fiind tangenţi la atomul central al acelei feţe
(fig. 1.8).

Fig. 1.8. Celula elementară cubică cu feţe centrate

Numărul de atomi care aparţin, convenţional, celulei c.f.c. este:

1 1
NA = 8. + 6. = 4, (1.3)
8 2
raza atomilor fiind de:
a 2
rA = . (1.4)
4
Raza maximă a atomilor străini care pot pătrunde în interstiţiile celulei
elementare c.f.c. este rimax = 0,41.rA.
Acest tip de celulă elementară se întâlneşte la Fe, Al, Cu, Ag, Pb.

6
1.2.3 Celula elementară hexagonal compactă (h.c.)

În cazul celulei elementare hexagonal-compacte, 12 atomi sunt dispuşi în

fiecare dintre colţurile unei prisme hexagonale regulate drepte, 2 atomi se află în
centrele bazelor prismei iar alţi 3 atomi formează un triunghi echilateral în interiorul
prismei, într-un plan situat la distanţe egale faţă de baze (fig. 1.2.3.1)
La acest tip de celulă,
1 1
NA = 12 + 2 +3 = 6 (1.5)
6 2
Câteva exemple de materiale care prezintă celule elementare hexagonal-
compacte sunt Mg, Zn, grafitul etc.

Fig. 1.9. Celula elementară hexagonal compactă

1.2.4 Alotropia

La unele materiale se constată că, la diferite temperaturi sau presiuni, ele pot să
prezinte celule elementare de tip diferit. Acest fenomen se numeşte alotropie.
Formele alotropice ale unui material se notează, de obicei în ordinea crescătoare a
temperaturii la care apar, cu litere din alfabetul grecesc: , ,  etc.
Pentru exemplificare, fierul prezintă următoarele forme alotropice:
- Fe între temperatura ambiantă şi 912ºC, cu structură c.v.c.
- Fe între 912ºC şi 1394ºC, cu structură c.f.c.
- Fe între 1394ºC şi temperatura de topire (1532ºC), cu structură c.v.c.
Alte materiale cu comportare alotropică sunt carbonul, titanul, zirconiul,
bioxidul de siliciu etc.

7
 Trecerea de la o formă alotropică la alta poate fi însoţită de o modificare a
volumului, care, dacă nu este ţinută sub control, poate să ducă la fisurarea sau chiar la
ruperea materialului.

1.2.5 Plane şi direcţii în cristale

Pentru a descrie poziţia unui anumit atom în cadrul unei reţele cristaline, se pot
folosi noţiunile de plane cristalografice şi respectiv direcţii cristalografice.
Identificarea diferitelor plane şi direcţii cristalografice se face cu ajutorul indicilor
cristalografici Miller.
Pentru notarea planelor cristalografice se alege un sistem de trei axe x, y, z,
de-a lungul a trei muchii neparalele ale celulei elementare. Identificarea unui plan
cristalografic se face în funcţie de lungimea segmentelor de dreaptă cuprinse între
originea axelor de coordonate şi punctele de intersecţie ale planului cu cele trei axe.
Indicii Miller se determină ca valori inverse ale acestor segmente.
Astfel, dacă lungimile segmentelor intersectate de un plan oarecare pe cele trei
axe sunt m, n, p, indicii cristalografici Miller corespunzători sunt h =1/m; k =1/n şi l
=1/p, iar planul se notează (h, k, l). Dacă unul dintre indici este reprezentat barat,
acest lucru indică faptul că planul intersectează una dintre axe în partea sa negativă.
Pentru exemplificare, figura 1.9 a prezintă planele cristalografice dintr-o celulă
elementară cubică.

a. b.
Fig. 1.9. Notarea planelor cristalografice:
a. - în celula elementară cubică; b. - în celula elementară hexagonală

8
 Astfel, planul ABCD din figura 1.9 a va avea indicii: h = l/1 , k = 1/, l = 1/,
adică h = 1, k = 0, l = 0 şi planul respectiv se va nota (100). În mod similar, planul
AFH va fi notat prin (111). iar planul ABGH prin (110).
În cazul celulelor elementare hexagonale, este necesar să se definească un
sistem de patru axe, trei fiind amplasate într-un plan orizontal la unghiuri de 120°
între ele, iar a patra perpendiculară pe acest plan. Notarea planelor cristalografice se
face ca atare prin patru indici h, k, i, l, corespunzător celor patru axe de coordonate
(fig. 1.9 b).
Pentru a nota o direcţie cristalografică
în reţeaua cristalină, se consideră o linie
dreaptă care trece prin origine şi este paralelă la
direcţia dată, determinându-se coordonatele u,
v, w ale unui punct situat pe dreaptă şi utilizând
lungimile laturilor celulei elementare ca unităţi
de lungime. Indicii u, v, w înscrişi în paranteze
drepte (pentru diferenţiere), reprezintă atât
indicii dreptei duse prin origine cât şi ai
direcţiilor paralele cu ea, deci şi ai direcţiei Fig. 1.10. Indicii unor direcţii
cristalografice din celula elementară cubică
considerate.
În figura 1.10 sunt prezentate câteva exemple de notare a direcţiilor
cristalografice într-o celulă elementară cubică.

1.3 Cristalizarea şi solidificarea metalelor şi aliajelor

La temperatura ambiantă, majoritatea materialelor metalice, ca şi a celor

ceramice şi a polimerilor, se află în stare solidă. La temperaturi ridicate însă, ele se
prezintă în stare lichidă, de topituri.
Starea de topitură se caracterizează prin faptul că atomii materialului respectiv
ocupă poziţii aleatoare, asocierile dintre ei fiind doar temporare şi restrânse la volume
mici. Acest mod de dispunere a atomilor se numeşte ordine apropiată.
În stare solidă, atomii sunt dispuşi ordonat în spaţiu, formând celule elementare
şi cristale bine definite ca formă şi compoziţie, care pot cuprinde un număr foarte
mare de atomi. Acest aranjament poate fi caracterizat prin termenul de ordine
îndepărtată.

9
 Trecerea aliajului din stare lichidă în stare solidă este însoţită de două procese
şi anume: cristalizarea şi solidificarea.
Prin cristalizare se înţelege formarea cristalelor izolate şi a zonelor cristaline
în secţiunea peretelui unei piese oarecare, iar solidificarea este procesul legat de
dinamica creşterii de fază solidă şi de micşorare a fazei lichide până la dispariţia
completă a acesteia.
Dacă la metalele pure, constituite dintr-un singur element chimic, cristalizarea
are loc la o temperatură constantă, în coordonate temperatură-timp înregistrându-se
aşa-numitul palier de cristalizare, la materialele cristaline rezultate prin combinarea
mai multor elemente chimice (aliaje metalice sau compuşi chimici nemetalici)
procesul se desfăşoară într-un interval de temperaturi.
În momentul în care temperatura unui material este scăzută sub punctul său de
topire, începe procesul de solidificare a sa, deoarece energia internă a materiei solide
va fi mai mică decât energia internă a lichidului. Într-o primă fază, în lichid se
formează germeni de cristalizare prin asocierea într-o structură ordonată a unui
număr oarecare de atomi. Trecerea spre starea de ordine îndepărtată a atomilor este
însoţită de degajarea căldurii latente de cristalizare de către atomi. Dacă germenii
au o dimensiune suficient de mare (dacă raza lor depăşeşte valoarea razei critice de
cristalizare) atunci ei vor începe să se dezvolte, prin alipirea tot mai multor atomi la
structura solidă. Se formează astfel cristale ale materialului respectiv, care cresc până
în momentul în care întâlnesc alte cristale şi până când întreaga cantitate de lichid a
fost consumată şi transformată în materie solidă. În cazul metalelor, aceste cristale,
care, având în vedere distribuţia aleatoare a germenilor de cristalizare în spaţiu, au
mărimi diferite şi forme neregulate, se numesc grăunţi cristalini sau cristalite.
Materialele care cristalizează în acest mod sunt deci de natură policristalină.
Fazele parcurse de un material în cursul cristalizării sale sunt prezentate în
figura 1.11.

a. b. c. d.
Fig. 1.11. Etapele de cristalizare la solidificarea unui material metalic

10
 Dimensiunea grăunţilor (granulaţia) depinde atât de numărul centrelor de
cristalizare cât şi de viteza de dezvoltare a cristalelor. Un număr mare de centre de
cristalizare şi o viteză mică de creştere a cristalelor vor determina o granulaţie fină.
Germenii eterogeni au, astfel o mare importanţă în determinarea granulaţiei finale,
metalele impure prezentând, în general, granulaţii mai fine comparativ cu cele cu
grad mai înalt de puritate.
Cristalele cresc mai rapid pe direcţia
evacuării căldurii, acumularea de materie solidă
având loc cu preponderenţă la colţurile grăuntelui,
deoarece mişcarea turbulentă a lichidului în acele
zone permite disiparea mai rapidă a căldurii latente
de solidificare. Se formează astfel structuri
cristaline spaţiale de tip ramificat, arborescent (fig.
1.12), numite dendrite, specifice turnării şi sudării
prin topire a materialelor metalice. În cazul turnării,
dacă condiţiile de cristalizare sunt favorabile (viteză
de germinare scăzută, răcire lentă etc.) se pot obţine
dendrite de mari dimensiuni, care ajung chiar şi la Fig. 1.12. Exemplu de structură
dendritică
câteva zeci de centimetri lungime.
Structura realizată în urma procesului de solidificare se numeşte structură
primară. Dacă materialul nu mai prezintă transformări în stare solidă, în cursul
răcirii sale ulterioare, această structură se poate menţine şi la temperatura ambiantă.
Dacă însă după cristalizare mai apar şi alte modificări structurale, structura nou creată
se numeşte structură secundară.

1.3.1. Cristalizarea propriu-zisă

Transformările de fază încep în anumite puncte (centre de cristalizare),

procesul numindu-se germinare sau nucleere. În continuare are loc creşterea
particulelor fazei noi, concomitent cu unele procese secundare care conduc la
schimbarea structurii sau morfologiei precipitatului primar.
Solidificarea metalelor din topitură (cristalizarea primară) se studiază pe curbe
de răcire (fig.1.13). Curba de răcire a unui metal pur are aspectul din figura 1.13.a.
Temperatura Ts , corespunzătoare palierului acestei curbe, este temperatura de

11
solidificare a metalului. Un punct critic asemănător se obţine şi la procesul invers, la
încălzire, Tt. Temperatura Tt reprezintă temperatura de topire a metalului (fig.1.13.b).
Cele două puncte critice, Ts şi Tt , corespund numai în cazul ideal când
încălzirea şi răcirea se fac cu viteze foarte mici. În mod practic aceste viteze sunt
relativ mari, solidificarea producându-se la o temperatură mai joasă Tr (temperatura
reală de solidificare) (fig.1.13.c).

Fig.1.13. Curbe de răcire:

a. - curba de răcire a unui metal pur; b. - curba de încălzire a unui metal pur;
c. - curba reală de solidificare

Fenomenul poartă numele de subrăcire şi depinde de puritatea metalului cât şi

de viteza sa de răcire. Astfel, cu cât metalul este mai pur şi de asemenea, cu cât viteza
de răcire este mai mare, cu atât mai mare va fi procesul de subrăcire.
Diferenţa:
T = Ts - Tr (1.5)
se numeşte grad de subrăcire.
Starea unui sistem se
caracterizează prin energia liberă
Ge, starea stabilă fiind cea pentru
care această energie este minimă.
De remarcat că orice transformare
spontană (solidificarea, topirea,
transformarea poliformă) este
determinată de scăderea energiei
libere a stării respective sub Fig.1.14. Graficul de variaţie a energiei libere
energia stării iniţiale. Dacă există a unui sistem cu temperatura

12
un sistem alcătuit din două faze, lichidă şi solidă (metal pur topit cu energia liberă Ge
şi metal pur solid cu energia liberă Gs), reprezentarea energiilor libere ale acestora în
funcţie de temperatură este redată corespunzător în figura 1.14.

1.3.2. Germinarea şi creşterea cristalelor

Solidificarea începe prin formarea unor germeni de fază solidă, numiţi centre
de cristalizare sau nuclee. Aceştia sunt mici grupuri de atomi proprii ai metalului
care solidifică, cu distribuţie ordonată, care se pot forma în două moduri: fie direct
din topitură, fie pe suprafeţe existente anterior (incluziuni nemetalice, suprafaţa
formelor de turnare).
În primul caz germinarea poate fi omogenă sau spontană (se formează germeni
omogeni), iar în cazul al doilea, germinarea este indusă (se formează germeni
eterogeni) sau forţată.
Mersul solidificării este determinat de vitezele cu care se desfăşoară naşterea
germenilor şi creşterea lor, parametrii de bază ai cristalizării sunt:
• viteza de germinare vg ;

• viteza de creştere a germenilor vc.

Aceste mărimi se pot utiliza spre a se deduce ce fel de structură se obţine în

diferite condiţii, care este mărimea, forma şi dispersia cristalelor. Teoretic s-a arătat
că viteza liniară de creştere a germenilor tridimensionali vc atinge valoarea maximă la
subrăciri mai mici decât viteza de germinare vg . În figura 1.15, se arată schematic
variaţia vitezei de germinare vg şi de creştere vc cu gradul de subrăcire, cu
temperatura şi cu viteza de răcire, indicându-se totodată şi structurile obţinute în
zonele reprezentative (Ng – numărul centrelor de germinare în unitatea de timp şi de
volum).
− Zona I este caracterizată de o subrăcire şi viteză de răcire foarte mică. Viteza
de germinare vg şi viteza de creştere vc a cristalelor fiind mică, rezultă o structură
grosolană.
− Zona II corespunde la o viteză mare de răcire, vg rămâne în continuare mică,
deci centrele de cristalizare sunt tot puţine, în schimb vc este foarte mare. Drept
consecinţă va predomina creşterea cristalelor în direcţia gradientului de temperatură,
obţinându-se cristale columnare.

13
 Fig.1.15. Graficul de variaţie a vitezei de germinare şi
de creştere cu gradul de subrăcire

− Zona III are multe centre de cristalizare, atât vc cât şi vg sunt mari, iar grăunţii
nu vor avea posibilitatea să crească la dimensiuni mari. Teoria clasică a germinării
(nucleerii) omogene presupune formarea unei faze noi solide din componenţii fazei
lichide, fără schimbarea compoziţiei chimice şi fără a interveni impurităţi sau
suprafeţe de separaţie. Teoretic s-a constatat că
există o dependenţă foarte mare între viteza de
germinare (nucleere) şi subrăcirea termică T. În
figura 1.16 se prezintă această dependenţă, de unde
se constată că există o anumită valoare pentru T
la care are loc o creştere foarte rapidă a vitezei de
germinare vg.
Această teorie a nucleerii a fost confirmată de Fig.1.16. Dependenţa dintre
o serie de experimentări care au presupus viteza de germinare
şi subrăcirea termică
observaţii microscopice şi analize termice ale unor
picături mici obţinute prin răcire rapidă. Pe baza acestor experimentări s-a constatat
că are loc o subrăcire a fazei lichide până la Tcritic fără nici o germinare, după care
are loc o germinare rapidă. La o subrăcire mai mică decât cea critică, faza lichidă

14
poate fi menţinută o durată mare de timp fără a începe procesul de nucleere
(germinare).
Nucleerea omogenă, în cazul aliajelor, este un proces deosebit de complex,
ţinând cont că diagrama de faze presupune echilibrul între un nucleu solid şi lichid de
diferite compoziţii. În aceste situaţii procesele de difuzie joacă un rol important.
În practică, marea majoritate a metalelor şi aliajelor lichide prezintă un grad de
subrăcire mult mai mic decât cel calculat pe baza nucleerii omogene. Această
diferenţă se explică prin aceea că nucleerea începe pe suprafeţe ale impurităţilor
existente în faza lichidă, care împiedică germinarea omogenă. În acest caz germinarea
(nucleerea) are un caracter eterogen.
Proprietatea unei suprafeţe solide de a acţiona ca un factor catalizator al
procesului de cristalizare al unui metal din topitura sa depinde de modul în care faza
solidă şi lichidă interacţionează cu această suprafaţă, adică de modul în care acestea
umectează suprafaţa particulei străine.

Fig.1.17. Gradul de umectare (a) şi unghiul de umectare (b)

Gradul de umectare este o măsură a diferenţelor între energiile superficiale

dintre solid-particulă şi lichid-particulă. Această diferenţă se poate exprima prin
mărimea unghiului de umectare  (fig.1.17).
La echilibru avem:
l - s - g - s = l - g cos  (1.6)
unde  l - s ,  g - s,  l - g reprezintă tensiuni superficiale.
În cazul germinării reale, aglomerările formate sunt de ordinul câtorva sute de
atomi, situaţie total diferită de cea reală în care se măsoară unghiul . Din acest motiv
se iau în considerare numai acele situaţii când unghiul de umectare  = 0, acestea
fiind şi situaţiile care prezintă importanţă practică.
Factorul cel mai important care este luat în considerare în acest caz este
posibilitatea existenţei unei potriviri a reţelei celor două faze solide la interfaţa

15
nucleu-suport-catalizator şi dacă nucleul este din punct de vedere structural coerent
cu suportul catalizator.
Se apreciază că proprietatea unui suport de a cataliza un proces de nucleere se
manifestă în capacitatea lui de a ordona atomii la limita de separaţie lichid-suport, ca
urmare a interacţiunii dintre acestea.
În practica industrială este utilizată metoda introducerii în metalul sau aliajul
topit a unor agenţi care să ajute la obţinerea unor materiale metalice cu o structură
fină. De exemplu, se introduc titan şi bor în aliajele de aluminiu, ferosiliciul în fontă,
carbon în aliajele de magneziu etc. Aceste elemente introduse în baia metalică
formează compuşi care pot fi centri de nucleere. Efectul de nucleere al diferiţilor
agenţi se micşorează cu temperatura şi cu timpul de menţinere în metalul sau aliajul
lichid.
O altă metodă de mărire a vitezei de germinare şi de obţinere a unor materiale
cu structuri fine o reprezintă germinarea dinamică. Germinarea dinamică presupune
prezenţa unor stimulatori dinamici (vibraţiile sonice şi ultrasonice, presiunea, agitarea
în câmp electric sau magnetic, injectarea de gaze).
Există mai multe explicaţii care însă nu trebuie generalizate. Astfel, se poate
considera că mărirea vitezei de germinare constă în fragmentarea dentritelor în
creştere, lucru care conduce la apariţia unui mare număr de centrii de cristalizare. O
altă explicaţie constă în faptul că, datorită presiunilor mari care apar în timpul
vibrării, se micşorează raza critică a nucleelor stabile care pot apoi creşte. Această
consideraţie este însă infirmată de faptul că structura metalelor pure nu este
influenţată prin vibrare.
De asemenea, s-a acceptat şi ideea care presupune că presiunea care apare
determină creşterea punctului de topire al aliajului, lucru care determină
corespunzător activarea acelor nuclee care sunt inactive la temperatura obişnuită de
topire.
Procesele de germinare prezentate succint până acum presupun existenţa în
faza lichidă a aceluiaşi fel de atomi, adică metale pure. În cazul aliajelor însă,
procesele de formare a structurii sunt mai complexe ca urmare a redistribuirii
elementelor dizolvate în faza lichidă, între faza lichidă şi cea solidă în timpul
schimbării stării de agregare. Această redistribuire conduce la schimbări în
morfologia de creştere a cristalelor şi la apariţia de microsegregaţii şi macrosegregaţii
în piesa turnată.

16
1.3.3. Creşterea cristalelor

Procesele de creştere care decurg după nucleere determină structura cristalină

a pieselor turnate. Această structură şi formă a interfeţei solid-lichid influenţează
morfologia cristalelor, numărul şi distribuţia defectelor din structura cristalină a fazei
solide. Modul de creştere a cristalelor individuale, cât şi de avansare a frontului de
solidificare depind şi de schimbările termice şi constituţionale care apar în lichidul
adiacent fazei solide.
Creşterea din faza lichidă se consideră rezultatul a două mişcări diferite ale
atomilor. La interfaţa cristalului are loc o trecere din lichid în solid, mişcare care
determină viteza de solidificare şi trecerea din solid în lichid care determină viteza de
topire.
Interfaţa solid-lichid se defineşte ca un strat limită între lichid şi solid
(fig.1.18). Există două tipuri de interfeţe (suprafeţe de separaţie) : suprafeţe plane
bine definite (treceri abrupte) (fig.1.18 a) şi suprafeţe rugoase nedefinite (treceri
gradate) (fig.1.18 b).

Fig.1.18. Interfaţa solid – lichid

a. - suprafeţe plane bine definite (treceri abrupte)
b. - suprafeţe rugoase sau nedefinite (treceri gradate)

În primul caz, trecerea de la lichid la solid se face printr-un singur strat atomic
(teoretic). În mod real în procesul de creştere
această trecere presupune mai multe straturi
atomice.
În a doua situaţie, trecerea de la lichid
la solid se face printr-o zonă formată din mai
multe straturi atomice, care se numeşte
suprafaţă de separaţie difuză în care Fig.1.19. Suprafaţa de separaţie difuză
ordonarea atomilor creşte dinspre faza lichid - solid

lichidă spre cea solidă, până când atomii îşi ocupă corespunzător poziţiile lor în
reţeaua cristalină a solidului (fig.1.19).

17
 De remarcat că în zona difuză proprietăţile termodinamice ale straturilor
atomice se schimbă continuu, de la faza lichidă la faza solidă.
În funcţie de forma pe care o au suprafeţele de separaţie lichid-solid, creşterea
cristalelor se poate face prin trei mecanisme :
− mecanismul creşterii continue;
− mecanismul creşterii laterale;
− mecanismul creşterii pe defecte.
● Mecanismul creşterii continue a cristalelor : presupune că toate locurile de
pe suprafaţa de separaţie sunt egale ca proprietăţi şi această suprafaţă avansează prin
depunerea succesivă a atomilor în reţea.
Considerând că toate locurile de pe suprafaţa de
separaţie sunt favorabile procesului de creştere, se poate
scrie că viteza de creştere a germenilor este dată de relaţia:
vc = c Tcrit (1.17)
de unde rezultă că această viteză de creştere este în
condiţiile date direct proporţională cu subrăcirea
(fig.1.20).
Fig.1.20. Variaţia vitezei
Constanta c poate fi calculată şi are valoarea egală de creştere a cristalelor cu
cu 10-2 ms-1K-1 ca urmare este de aşteptat obţinerea unor subrăcirea

viteze mari de creştere în cazul unor subrăciri mici.

Pe de altă parte vitezele de creştere întâlnite în practică (tabelul 1.2) arată că
subrăcirile sunt practic extrem de mici, având ordinul de mărire de aproximativ
10- 4 0C.
● Mecanismul creşterii Tabelul 1.2

laterale consideră că suprafaţa

Vitezele de creştere ale cristalelor metalice
de separaţie solid-lichid este
plană şi în trepte şi că procesul Viteza de creştere
Procesul
[ms-1]
de creştere are loc prin Creşterea unor cristale metalice
10- 5
nucleerea omogenă de straturi singulare
Creşterea direcţională 10- 4
noi sub forma unor discuri care Solidificarea lingourilor 10- 4
cresc lateral până când se Creşterea dendritică în primele
faze când 5 10- 2
formează un strat complet. T = 0,02 Ttop
Figura 1.21 evidenţiază Creşterea dendritică când
5 101
schematic modul de creştere T = 0,2 T top

18
laterale.
− Viteza de creştere laterală se exprimă
prin relaţia:
vl = l exp (-b/T) (1.7)
în care l şi b sunt constante care depind de natura
metalului lichid.
Se constată din relaţia de mai sus că
vitezele de creştere sunt destul de mici la subrăciri
mici.
Fig.1.21. Mecanismul creşterii
● Mecanismul creşterii pe defecte: laterale a cristalelor
presupune că există pe suprafaţa de separaţie mai
multe trepte de creştere continuă pe care atomii din lichid se pot ataşa continuu.
Aceasta înseamnă că se formează un cristal care nu este perfect şi are o
dislocaţie elicoidală la interfaţa solid-lichid (fig.1.22).
Ca şi germenii bidimensionali,
dislocaţiile elicoidale formează la suprafaţa
cristalului trepte pe care se depun atomi
individuali în condiţii energetice avantajoase,
producând creşterea aceluiaşi strat atomic
sub forma unei spirale.
− Viteza de creştere pe defecte este
dată de relaţia:
vd = d (T)2 (1.8)
din care se constată o dependenţă a vitezei de Fig.1.22. Tipuri de dislocaţii elicoidale la
interfaţa solid - lichid
creştere de
pătratul subrăcirii; d reprezintă o constantă de
reţea (fig.1.23).
În cristalele reale metalice numărul de
dislocaţii este de ordinul 108/cm2. În figura 1.24 se
prezintă comparativ creşterea în cazul existenţei
unei dislocaţii (fig.1.24 a) şi respectiv
două dislocaţii (fig.1.24 b).
Viteza totală de creştere este practic aceeaşi
Fig.1.23. Dependenţa vitezei de
creştere cu pătratul subrăcirii indiferent de numărul de perechi de dislocaţii de

19
semn opus. Viteza se schimbă atunci
când pe suprafaţa de separaţie există
dislocaţii care nu au o pereche de
sens opus. Viteza totală devine egală
cu viteza obţinută din relaţia de mai
sus multiplicată cu numărul de
dislocaţii fără pereche de sens opus.
Defectele la scara atomică
(vacanţe, dislocaţii) se pot produce în a. b.
timpul creşterii cristalelor, în special
Fig. 1.24 Mecanismul creşterii cristalelor
în prezenţa impurităţilor, când au loc pe defecte:
deformări şi torsionări ale reţelei la a. – o singură dislocaţie;
interfaţa suport-germene. b. - două dislocaţii

1.3.4. Forma cristalelor obţinute la solidificare

În absenţa subrăcirii, comportarea aliajelor lichide în timpul solidificării este

aceeaşi ca şi a metalelor pure, cu diferenţa că va apare un fenomen de
macrosegregare. Existenţa unei zone subrăcite în faţa frontului de solidificare
conduce la perturbarea formei unei suprafeţe plane de separaţie lichid-solid. La o
subrăcire mică celulele dintr-o suprafaţă cu o structură celulară devin alungite
(fig.1.25).

a. b.

Fig.1.25. Cristale obţinute prin solidificare:

a. - suprafaţă plană de separaţie lichid – solid; b. - structură celulară alungită

20
 Pe măsură ce viteza de subrăcire creşte, vârfurile celulelor în curs de
solidificare devin tot mai alungite şi se ramifică corespunzător, tinzând către o formă
de dendrite (fig.1.26).
Denumirea de dendrită este dată unei morfologii particulare : cristalelor cu
aspect arborescent (fig.1.12) şi se poate
forma prin creştere din topitură, din
vapori sau în timpul depunerii
electrolitice.
Structura dendritică este
caracteristică unui număr foarte mare de
materiale metalice obţinute prin
cristalizare din topitură, ceea ce explică
interesul practic deosebit pe care această
Fig.1.26. Celule alungite sub formă
structură îl prezintă. de dendrite
În cazul structurii celulare,
celulele se formează şi cresc în general la viteze mici de creştere, perpendicular pe
suprafaţa lichid-solid indiferent de orientările cristalului. Pe măsură ce viteza creşte,
orientările cristalografice influenţează creşterea în sensul că direcţia de creştere a
celulei începe să devieze după anumite direcţii cristalografice preferenţiale.
În mod similar începe să se simtă influenţa orientărilor cristalografice şi în
secţiunea transversală a celulelor (fig.1.27). Pe măsură ce viteza de creştere devine tot
mai mare, ramurile laterale devin tot mai pronunţate, devenind ramuri de ordinul II
(fig.1.27).
În general structura
dendritelor este direct legată de
creşterea preferenţială pe unele
plane cristalografice. În metalele
cu structură cubică cu feţe
centrate, de exemplu aluminiul,
Fig.1.27. Orientări cristalografice în secţiunea axele dendritelor se găsesc în
transversală a celulelor axele unei piramide formate de
patru plane (111). În cazul în care
cristalul de aluminiu creşte în aluminiu lichid, cele trei axe principale vor creşte cu
aceeaşi viteză (fig.1.28 a).

21
 Ramurile dendritice principale vor creşte
din aceste axe principale, iar cele secundare
vor creşte din cele primare. Dacă cristalul
nucleează pe suprafaţa formei în care aliajul
sau metalul este turnat, axele principale şi
ramurile principale nu vor creşte cu aceeaşi
viteză. Cele două ramuri care cresc de-a lungul
suprafeţei de separaţie vor creşte mai repede
faţă de cea perpendiculară acestei suprafeţe ca Fig.1.28. Structura dendritelor în
metalele cu c.f.c. (Al)
urmare a faptului că, subrăcirea maximă se
obţine la suprafaţa de separaţie metal-formă şi se micşorează pe măsură ce distanţa
creşte de la suprafaţa de separaţie spre axa termică a piesei (fig.1.28 b).
În figura 1.28 c se arată situaţia creşterii unui cristal în cazul în care numai axa
principală creşte în lungul suprafeţei formei, iar în figura 1.28 d cazul în care axele
principale intersectează peretele formei în acelaşi punct.
În condiţii practice pe suprafaţa formei nucleează în acelaşi timp mai multe
cristale (fig.1.29 a). La început dendritele se dezvoltă independent (fig.1.29 b), după
care, pe măsură ce cresc, ajung în contact şi
a.
formează un strat subţire solid la suprafaţa
b.
formei. Axele şi ramurile dendritice paralele
cu direcţia fluxului termic vor creşte cu o c.
viteză mai mare faţă de cele neparalele care
sunt împiedicate de cristalele înconjurătoare. d.
Ramurile primare, care cresc preferenţial,
formează ramuri secundare. Când aceste Fig.1.29. Nucleerea cristalelor
ramuri vin în contact cu dendritele adiacente
(fig.1.29 d) se schimbă direcţia de creştere şi ramurile dendritice vor creşte în direcţie
paralelă cu direcţia ramurilor primare (de ordinul II).
În general este de dorit ca distanţele dintre ramurile dendritice să fie cât mai
mici posibile având în vedere că microsegregarea care se formează între aceste
ramuri afectează proprietăţile mecanice ale aliajului solid. Având în vedere că pentru
micşorarea microsegregaţiilor interdendritice sunt necesare tratamente termice de
lungă durată şi că duratele de tratament se micşorează pe măsură ce se micşorează
distanţele dintre ramurile dentritice, se consideră că măsura cea mai potrivită pentru a

22
se obţine distanţe dorite între ramurile dendritice constă în aplicarea unor viteze de
răcire corespunzătoare.
Pe de altă parte, dacă condiţiile de răcire sunt identice, distanţele dintre
ramurile dendritice sunt influenţate de către concentraţia dizolvantului în aliajul
lichid. Pe măsură ce concentraţia dizolvantului creşte, segregarea acestuia tinde să
împiedice creşterea uniformă a ramurilor (fig.1.30 b, c). Pe măsură ce concentraţia
dizolvantului creşte şi mai mult ca urmare a segregării, se accentuează tendinţa de
frânare a creşterii unor
ramuri dendritice. Această
tendinţă se manifestă şi în
cazul ramurilor de ordinul
II sau III, ceea ce conduce
la apariţia de distanţe
diferite între ramurile
a. b. c.
dendritice.
În cazul unei Fig.1.30. Distanţele dintre ramurile dendritice

concentraţii mici a elementului dizolvat (fig.1.30 a) distanţele dintre ramurile

dendritice sunt mai mici.
Procesul descris mai sus, poate fi explicat, în zilele noastre, folosind structurile
fractale.

1.4. Structura cristalină în lingourile metalice

Turnarea materialelor metalice sub formă de lingouri reprezintă una dintre

etapele cele mai importante care preced operaţiile de prelucrare a materialului în
vederea obţinerii de semifabricate sau, uneori, de piese finite. De aceea, structura şi
proprietăţile obţinute la turnare sunt esenţiale pentru structura şi proprietăţile pieselor
metalice finite.
Forma de turnare poartă numele de lingotieră. Pereţii ei sunt uşor înclinaţi faţă
de verticală, pentru a uşura extragerea lingoului după solidificare.
Cristalizarea materialului metalic în lingotieră se produce pe zone, începând de
la pereţii lingotierei, care în momentul turnării metalului din oala de turnare
reprezintă regiunea cea mai rece. În general se pot distinge trei zone de cristalizare
(fig. 1.31):

23
 a. b.

Fig. 1.31. (a) Forma şi (b) detaliu al structurii interne a unui lingou de oţel

• zona cristalelor marginale (I) se compune din grăunţi de dimensiuni mici,

echiaxiali, fără o orientare dominantă, formaţi datorită vitezei mari de răcire la
contactul metalului topit cu pereţii lingotierei. Rugozitatea pereţilor interiori
determină formarea unui mare număr de centre de cristalizare.
• zona cristalelor columnare (II) cuprinde grăunţi de dimensiuni relativ mari, cu
aspect dendritic sau columnar şi cu o pronunţată orientare preferenţială,
perpendiculară pe pereţii lingotierei.
• zona cristalelor echiaxiale (III) este formată din grăunţi de dimensiuni relativ
mari, echiaxiali şi cu orientări variate, apăruţi în centrul lingoului datorită vitezei
de răcire mici din această regiune.

1.4.1 Defecte la cristalizarea lingourilor

În cazul lingotierelor ai căror pereţi verticali formează unghiuri drepte între ei,
cristalele columnare care se dezvoltă pe aceşti pereţi pot să dea naştere, în zona de
întâlnire a lor, unor regiuni bogate în impurităţi, cu proprietăţi mecanice mult reduse
faţă de restul materialului. Acest fenomen nedorit se numeşte transcristalizare şi
constituie un defect de cristalizare (fig. 1.32 a)
Pentru a înlătura acest defect se recurge de regulă la rotunjirea pereţilor
lingotierei (fig. 1.32 b)

24
 a. b.
Fig. 1.32. a. - Transcristalizarea în lingouri;
b. - Evitarea transcristalizării prin rotunjirea pereţilor lingotierei

Retasura este un defect de solidificare a lingoului care apare de obicei în centrul

zonei superioare a acestuia, ca rezultat al contracţiei materialului la răcire. Ea se
manifestă ca un gol de forma unei pâlnii, cu contur neregulat şi margini puternic oxidate
şi decarburate (fig.1.31 a).
Pentru a evita formarea retasurii în lingoul propriu-zis, deasupra lingotierei se poate
amplasa o maselotieră care se
umple şi ea cu material topit, care
formează maselota. Retasura va
lua naştere atunci în maselotă, care
va conţine şi o parte din
impurităţile mai uşoare din
materialul topit. După solidificare,
maselota se desprinde de lingou
prin operaţia numită şutarea
lingoului (fig. 1.32)
În situaţia în care are loc o Fig. 1.32. Eliminarea retasurii din lingou
solidificare locală întârziată a
unei cantităţi de metal relativ mici prinsă între cristale dendritice deja formate, ia
naştere o microretasură situată intercristalin.
Prin separarea şi gruparea unor elemente chimice şi/sau a unor impurităţi în
timpul solidificării, apar neomogenităţi macroscopice, de natură chimică, numite
segregaţii. Atunci când segregaţia ia naştere prin împingerea impurităţilor dinspre
marginile lingoului spre centru şi spre partea superioară a lingoului, deci pe direcţia
avansării frontului de solidificare, ea se numeşte segregaţie zonală normală

25
(directă). În unele situaţii, metalul lichid din zona centrală, îmbogăţită în impurităţi
prin fenomenul de segregaţie normală, poate fi absorbit, prin acţiunea unor forţe
capilare, presiunea gazelor dizolvate etc., între cristalele columnare deja formate în
zona II. Acest defect poartă denumirea de segregaţie zonală inversă.
Pe lângă segregaţiile macroscopice se pot întâlni adesea şi segregaţii
microscopice, numite şi microsegregaţii. Acestea pot fi intracristaline sau
intercristaline.
Microsegregaţiile intracristaline (dendritice) apar ca efect al diferenţei de
compoziţie între metalul lichid şi cel solid dată de diminuarea amploarei difuziei în faza
solidă şi de faptul că timpul de solidificare este prea scurt pentru a permite omogenizarea
compoziţiei chimice a grăunţilor metalici pe măsura dezvoltării lor. De aceea, metalul
lichid se va depune în jurul germenului de cristalizare în straturi cu compoziţii şi
proprietăţi diferite (fig. 1.33).

Fig. 1.33. Formarea microsegregaţiei intracristaline Fig. 1.34. Sufluri într-o piesă turnată

Microsegregaţiile intercristaline apar datorită faptului că lichidul rezidual,

situat între grăunţii deja solidificaţi, conţine mai multe impurităţi decât aceştia, astfel
că solidificarea sa duce la crearea unor neomogenităţi de natură chimică la limitele
dintre grăunţi.
Suflurile sunt cavităţi în materialul metalic ce conţin diferite gaze şi care apar
odată cu scăderea treptată a temperaturii topiturii. În stare lichidă, metalul poate
dizolva o cantitate relativ mare de gaze din atmosfera înconjurătoare. Atunci însă
când se ajunge prin răcire la temperatura de solidificare, capacitatea metalului de a
dizolva gazele scade brusc şi, dacă viteza de solidificare este ridicată, o parte din gaze
rămân prinse în solid sub forma suflurilor. Ele au o formă circulară sau ovală şi
suprafaţa lor este netedă, neoxidată (fig. 1.34).

26
 Pentru eliminarea suflurilor, în topitură se introduc elemente cum ar fi Mn, Si,
Al etc., care leagă gazele, în special oxigenul, sub formă de oxizi, silicaţi etc., care
rămân în topitură sub formă de suspensii. Astfel, numărul de sufluri va fi redus
considerabil, în schimb retasura va fi mai largă şi mai adâncă. Procedeul poartă
denumirea de degazare sau calmare.
În cazul oţelurilor, suflurile produse de hidrogen sunt deosebit de periculoase,
deoarece solubilitatea acestuia scade brusc la răcire. Acest fenomen este însoţit de
recombinări moleculare care duc la o creştere volumică considerabilă, creându-se
presiuni foarte mari asupra pereţilor suflurilor. Ca urmare, pot să apară fisuri foarte
fine în piesa din oţel, numite fulgi, care au un efect nefavorabil asupra rezistenţei
mecanice a piesei respective.
Suprafeţele suflurilor se pot suda prin forjarea sau laminarea ulterioară a
lingoului.

1.5 Defecte de structură

Cristalele în care atomii nu prezintă abateri de la aranjamentul perfect în

reţeaua cristalină se numesc cristale ideale. Calcularea rezistenţei la rupere a unui
asemenea cristal duce însă la valori care sunt de 100...1000 de ori mai mari decât cele
care pot fi măsurate concret, pe cristale reale. Acest lucru se poate explica doar
admiţând existenţa unor defecte (imperfecţiuni) în reţeaua cristalină.
Se pot distinge trei categorii de defecte:
- defecte punctiforme;
- defecte liniare (numite şi dislocaţii);
- defecte de suprafaţă.

1.5.1 Defecte punctiforme

Defectele punctiforme apar atunci când un atom sau un grup restrâns de atomi
ocupă o poziţie care perturbă aranjamentul ordonat al reţelei cristaline în acel loc.
Cele mai importante defecte punctiforme sunt vacanţele (lacunele), atomii
interstiţiali şi impurităţile.
Vacanţele rezultă prin neocuparea, de către unul din atomii materialului
respectiv, a unui nod al reţelei cristaline (fig. 1.35 a).

27
 Atomii interstiţiali apar prin introducerea unui atom suplimentar într-un punct
care nu reprezintă un nod obişnuit al reţelei cristaline (fig. 1.35 b).
În cazul impurităţilor, un atom de o altă natură decât cea a atomilor din reţeaua
cristalină de bază, este introdus în material. Impurităţile pot să ocupe poziţii interstiţiale
(fig. 1.35 d) sau pot chiar să înlocuiască atomi ai materialului de bază (fig.1.35 c).
În ansambluri ionice se pot întâlni şi alte două tipuri de defecte punctiforme:
defectele de tip Frenkel (fig.1.35 e), care apar prin deplasarea unui ion dintr-un nod
al reţelei într-o poziţie interstiţială (lăsând în urmă o vacanţă) şi defectele de tip
Schottky (fig.1.35 f), care se manifestă ca o pereche de vacanţe, formată prin
deplasarea unui ion pozitiv şi a unui ion negativ din poziţiile lor obişnuite.

a. b. c. d.

e. f.
Fig. 1.35. Defecte punctiforme: a. - vacanţă; b. - atom interstiţial; c. - impuritate în poziţie de
substituţie; d. - impuritate în poziţie interstiţială; e. - defect tip Frenkel; f. - defect tip Schottky

1.5.2 Defecte liniare

Conceptul de defect liniar într-un ansamblu cristalin a fost introdus pentru

prima oară în anul 1934, în mod independent de către E. Orowan, G.T. Taylor şi M.
Polanyi, pentru a explica modul de deformare plastică al materialelor.
Defectele liniare pot fi definite ca fiind regiunea de perturbări localizate ale
reţelei cristaline, care separă zonele în care, datorită unei acţiuni exterioare, s-a produs o
alunecare, de zonele în care alunecarea încă nu s-a produs. În mod curent, defectele
liniare sunt numite şi dislocaţii. Se pot distinge două tipuri principale de defecte liniare:
dislocaţii marginale (numite şi dislocaţii liniare) şi dislocaţii elicoidale.

28
1.5.2.1 Dislocaţia marginală

O dislocaţie marginală poate fi descrisă ca efect al apariţiei unui semiplan

atomic suplimentar într-un cristal ideal, datorită alunecării parţiale produse de o forţă
exterioară în acesta (fig. 1.36).
Linia AB, care separă partea dreaptă a cristalului, în care alunecarea a avut deja
loc, de partea stângă, în care alunecarea nu s-a produs încă, se numeşte linie de
dislocaţie. Planul ABCD este denumit plan de alunecare.

a. b.
Fig. 1.36. Dislocaţia marginală:
a. - reprezentarea schematică tridimensională a dislocaţiei;
b. - amplasarea atomilor într-un plan perpendicular pe dislocaţie.

Atunci când semiplanul atomic suplimentar se găseşte deasupra planului de

alunecare, dislocaţia se consideră pozitivă şi se notează prin simbolul ⊥, iar dacă
semiplanul suplimentar se află sub planul de alunecare, dislocaţia se consideră
negativă şi se notează prin simbolul T.
În urma acţiunii forţei exterioare F, toţi
atomii situaţi deasupra planului de alunecare au
fost deplasaţi. Pentru caracterizarea mărimii şi
sensului deplasării se foloseşte vectorul
Burgers ( b ). În scopul determinării acestui
vector se parcurge în cristalul deformat un traseu
care include un număr egal de atomi, în jos, spre
dreapta, în sus şi apoi spre stânga, în jurul
dislocaţiei (fig. 1.37). Într-un cristal ideal, Fig. 1.37. Determinarea vectorului
nedeformat, după parcurgerea traseului s-ar Burgers în cazul dislocaţiilor marginale

29
ajunge exact în poziţia de plecare. Dacă reţeaua cristalină conţine însă o dislocaţie, se
va constata existenţa unui decalaj între punctul de început şi cel de sfârşit al traseului.
Pentru închiderea traseului este nevoie de introducerea unui vector, care este chiar
vectorul Burgers.
În cazul dislocaţiilor marginale, vectorul Burgers este perpendicular pe linia de
dislocaţie AB.

1.5.2.2 Dislocaţia elicoidală

Dislocaţia elicoidală este un

defect liniar la care direcţia de alunecare
(şi vectorul Burgers) este paralelă cu
linia de dislocaţie (fig. 1.38).
Denumirea de dislocaţie
elicoidală sau în şurub provine de la
faptul că prin apariţia ei, atomii din
vecinătatea sa sunt deplasaţi pe o
traiectorie în şurub, elicoidală. Atomul Fig. 1.38. Dislocaţia elicoidală
P', de exemplu, care iniţial era poziţionat
chiar deasupra punctului P, este deplasat în jurul liniei de dislocaţie AB pe un traseu
elicoidal, orientat spre dreapta.
În cristalele obişnuite, prezenţa unor dislocaţii marginale sau elicoidale
distincte este rară, de obicei întâlnindu-se dislocaţii cu caracter mixt, care îşi schimbă
tipul de-a lungul liniei de dislocaţie, aceasta având o traiectorie curbă. Astfel,
dislocaţiile pot forma o reţea tridimensională (numită reţea Frank), alcătuită din
segmente de dislocaţii cu lungimi de 10-3 – 10-5 mm.
Numărul de dislocaţii poate fi foarte mare, mai ales atunci când materialul a
fost supus unor deformări. De exemplu, într-un oţel aflat în stare de echilibru
structural (care a fost supus unei recoaceri de normalizare), au fost detectate 10 3...104
dislocaţii pe mm2, în cazul unui material puternic deformat la rece densitatea
dislocaţiilor ajungând la 1010 dislocaţii pe mm2.
Dislocaţiile din grăunţii metalici pot fi puse în evidenţă prin intermediul a
diferite metode experimentale, cum ar fi atacul metalografic, microscopia electronică,
difractografia cu raze X etc.

30
1.5.2.3 Deplasarea dislocaţiilor

Dislocaţiile se pot deplasa prin alunecare sau prin căţărare (difuzie).

Mecanismul de deplasare prin alunecare a dislocaţiilor este prezentat schematic
în figura 1.39.

Fig. 1.39. Mecanismul deplasării prin alunecare a dislocaţiilor

Sub acţiunea tensiunii tangenţiale τ aplicate unei reţele cristaline, atomii din partea
superioară a acesteia se pot deplasa în raport cu atomii din partea inferioară, astfel încât
atomii 4I care alcătuiesc semiplanul atomic suplimentar (perpendicular pe planul foii)
ajung să se alinieze cu atomii 3II care formau partea inferioară a planului atomic vecin.
Datorită acestei modificări de poziţie a atomilor, dislocaţia s-a mutat şi ea cu o distanţă
interatomică spre stânga, din dreptul poziţiei atomice 4I în dreptul atomului 3I.
Deplasarea dislocaţiei necesită doar o valoare relativ mică a tensiunii
tangenţiale τ, deoarece în vecinătatea dislocaţiei, jumătate dintre atomi sunt supuşi
unor forţe de atracţie care se opun mişcării, iar ceilalţi unor forţe care acţionează în
sensul deplasării.
Dacă sarcina exterioară continuă să acţioneze, dislocaţia se va deplasa treptat,
cu câte o distanţă atomică spre stânga. Astfel, după ce dislocaţia a parcurs întregul
plan de alunecare FD, partea superioară a cristalului este deplasată faţă de cea
inferioară cu o distanţă interatomică (fig. 1.40), formându-se o denivelare numită
linie de alunecare.

Fig. 1.40. Deformarea produsă de deplasarea unei dislocaţii într-un cristal

31
 Deplasarea prin căţărare a dislocaţiilor se
întâlneşte doar la dislocaţiile marginale şi presupune
o deplasare a atomilor în aşa fel încât dislocaţia să se
mute din poziţia A în poziţia B, aflată în planul
atomic orizontal superior (fig. 1.41), [9]. Pentru ca
procesul de căţărare să aibă loc, trebuie ca
temperatura materialului să fie suficient de ridicată
pentru a permite mişcarea (difuzia) atomilor.
În mod convenţional se consideră că sensul de
deplasare prin căţărare este pozitiv dacă atomii se Fig. 1.41. Mecanismul deplasării
îndepărtează de planul atomic adiţional, astfel încât prin căţărare a dislocaţiilor [9]
dislocaţia marginală să se mişte în sus.

1.5.2.4 Atmosfere de impurităţi

Prezenţa unei dislocaţii într-o

zonă a unei reţele cristaline determină
apariţia unei stări de tensiune specifice
în zona respectivă. Astfel, în cazul unei
dislocaţii pozitive, în partea de deasupra
planului de alunecare acţionează
tensiuni de compresiune, în timp ce sub
planul de alunecare acţionează tensiuni
de întindere (fig. 1.42), [34].
Datorită acestei stări de tensiuni, Fig. 1.42. Starea de tensiuni din jurul unei dislocaţii
impurităţile (atomii străini) care se găsesc în reţeaua cristalină respectivă se vor
amplasa în vecinătatea dislocaţiei (unde pot ocupa poziţii de minim energetic), şi
anume atomii de dimensiuni mai mici deasupra planului ABCD, iar atomii mai mari
sub acest plan. Astfel ia naştere o grupare atomică relativ rigidă, numită atmosferă
de impurităţi sau atmosferă Cottrell. Această aglomerare de atomi va face ca
deplasarea prin alunecare a dislocaţiilor să se facă tot mai greu, fiind necesară o forţă
tot mai mare, fie pentru a deplasa dislocaţia împreună cu atmosfera ei de impurităţi,
fie pentru a rupe dislocaţia de această atmosferă.
Rezultă de aici că forţa necesară pentru deformarea unui material compus (de
exemplu a unui aliaj metalic) este mult mai mare decât cea necesară pentru
32
deformarea unui material pur. Ca atare, proprietăţile de rezistenţă mecanică şi duritate
ale unui aliaj vor fi semnificativ mai bune decât cele ale metalului de bază pur.

1.5.2.5 Multiplicarea dislocaţiilor

În general, toate materialele cristaline conţin un număr relativ mare de

dislocaţii. Totuşi, atunci când aceste materiale sunt supuse unei deformări plastice la
rece, numărul dislocaţiilor creşte considerabil, putând să ajungă până la 10 10
dislocaţii/mm2.
Modul în care se pot multiplica dislocaţiile sub acţiunea unui efort exterior a
fost descoperit şi descris de către F.C. Frank şi W.T. Read (fig. 1.43), [35]. De aceea,
sursele de multiplicare a dislocaţiilor se mai numesc şi surse Frank-Read.

Fig. 1.43. Reprezentarea schematică a modului de multiplicare a dislocaţiilor

Dacă o dislocaţie liniară, care se deplasează într-un cristal sub acţiunea unei
forţe exterioare, întâlneşte obstacole (de exemplu impurităţi sau dislocaţii ce se
deplasează în alte direcţii) care îi blochează capetele A şi B, ea se va curba treptat,
până când va lua forma unui semicerc. În cazul în care tensiunea deformatoare
continuă să acţioneze şi depăşeşte o anumită valoare critică, dislocaţia devine
instabilă şi continuă să se deformeze prin rotirea înspre înapoi în jurul capetelor
blocate, până când cele două părţi ale dislocaţiei se întâlnesc în punctul C, unde are
loc o "rupere". Se formează astfel o buclă de dislocaţie ce continuă să se extindă în
planul de alunecare, şi o nouă dislocaţie AB, care permite reluarea procesului de
multiplicare.

1.5.3 Defecte de suprafaţă

Există o varietate destul de mare de defecte de suprafaţă, dar mai importante

sunt limitele dintre grăunţi (intercristaline) şi sublimitele.

33
 Limitele intercristaline reprezintă zonele de legătură dintre grăunţii unui
agregat. De obicei, orientarea planelor cristaline diferă mult de la un grăunte la altul,
astfel încât aceste limite se mai numesc şi limite la unghiuri mari.
În funcţie de modul de distribuire a atomilor componenţi, există în prezent trei
modele pentru limitele dintre grăunţi (fig. 1.44), [35]:
- fără zonă de tranziţie între cristale,
- cu zonă de tranziţie ordonată;
- cu zonă de tranziţie amorfă.

a. b. c.

Fig.1.44. Modele pentru distribuţia atomilor la limitele intercristaline:

a. - fără zonă de tranziţie între cristale; b. - cu zonă de tranziţie ordonată;
c. - cu zonă de tranziţie amorfă

Limitele dintre grăunţi reprezintă zone cu energie internă mare, datorită

neechilibrării forţelor interatomice. Acest lucru are o serie de consecinţe practice:
sistemele policristaline tind să-şi micşoreze energia prin micşorarea suprafeţelor
limitelor intercristaline (proces care se realizează prin contopirea şi creşterea
grăunţilor), impurităţile se vor acumula cu precădere la limitele dintre grăunţi,
reacţiile chimice care se produc la limitele intercristaline sunt mult mai energice
decât cele care au loc în interiorul acestora etc.
Sublimitele sunt defecte de suprafaţă care apar în interiorul cristalelor. A fost
demonstrat, pe cale experimentală, faptul că reţeaua atomică a unui grăunte prezintă
abateri prin formarea de mici blocuri spaţiale care formează între ele unghiuri mici,
de ordinul minutelor (motiv pentru care sublimitele se mai numesc şi limite la
unghiuri mici). Aceste blocuri au dimensiuni de ordinul a 10 -3 - 10-5 mm, sublimitele
fiind formate de fapt dintr-o serie de dislocaţii marginale aşezate una sub alta.
Această structură, determinată de prezenţa sublimitelor, se numeşte structură în
mozaic (fig. 1.45), [35].
34
 Pentru a obţine o structură în mozaic, se poate aplica materialului cristalin o
deformare plastică la rece (cu un grad de deformare de 1-10%), urmată de o recoacere
la temperaturi relativ scăzute care împiedică desfăşurarea procesului de recristalizare.
Prin deformare se generează un mare număr de dislocaţii marginale care, la
recoacere, se aşează una sub alta pe planele de alunecare, formând o reţea poligonală
de sublimite. Acest proces se numeşte poligonizare (fig.1.46).

Fig. 1.45. Structură în mozaic Fig. 1.46. Formarea sublimitelor prin poligonizare

1.6 Difuzia atomilor

Difuzia caracterizează modul de deplasare al atomilor în interiorul unui material.

Ea se poate produce în masa cristalului (difuzie în volum), la suprafaţa acestuia
(difuzie superficială) sau în lungul limitelor intercristaline (difuzie intergranulară).
În general, într-un material eterogen, aceste tipuri de difuzie se întâlnesc
simultan, intensitatea cu care are loc unul sau altul fiind influenţată de natura
atomilor care difuzează şi de condiţiile exterioare sau interioare ale materialului
(temperatură, compoziţie chimică, concentraţie, structură etc.).
Cele mai des întâlnite situaţii care permit desfăşurarea difuziei într-un material
solid sunt asocierea atom-vacanţă şi prezenţa atomilor interstiţiali de dimensiuni mici
(fig. 1.47). În primul caz, dacă energia internă a unui atom este suficient de mare, acest
poate părăsi poziţia sa iniţială pentru a trece într-una vecină, în care exista o vacanţă. În
al doilea caz, un atom interstiţial cu energie internă suficient de mare poate să migreze
într-o poziţie interstiţială vecină. În cazuri mai rare, este posibil ca difuzia să se producă
şi prin trecerea unui atom dintr-un nod al reţelei cristaline într-o poziţie interstiţială.

35
 a. b.

Fig. 1.47. Mecanisme de difuzie: a. - asocierea atom-vacanţă; b. - atom interstiţial

Fenomenul de difuzie poate avea loc chiar şi în metale pure, prin schimbarea
locurilor între atomi de acelaşi tip, în acest caz vorbindu-se de autodifuzie. Acest
fenomen a fost demonstrat experimental prin utilizarea de atomi marcaţi radioactiv.
Intensitatea difuziei atomice este cu atât mai mare cu cât energia internă a
materialului este mai ridicată, întrucât aceasta duce la o mărire a amplitudinii
vibraţiei atomice, şi deci probabilitatea ca un atom să-şi părăsească poziţia iniţială
este mai mare. Cantitatea de energie care trebuie transmisă unui atom pentru ca
acesta să-şi poată părăsi poziţia iniţială se numeşte energie de activare.

1.6.1 Legile difuziei. Difuzivitatea

Pentru a studia intensitatea difuziei într-un material, se consideră o bară

metalică, în care atomii din două secţiuni, S1 şi S2, situate la distanţa dx între ele,
dc
prezintă o diferenţă de concentraţie dc = c2 - c1. Raportul se numeşte gradient de
dx
concentraţie. Dacă bara se încălzeşte puternic, va lua naştere o mişcare ordonată a
atomilor, orientată în sens invers faţă de gradientul de concentraţie, deci dinspre
secţiunea S2 către secţiunea S1. Dacă diferenţa de concentraţie nu variază în timp,
dc
= 0, fluxul de atomi, deci cantitatea de atomi care trec în unitatea de timp printr-o
dt
secţiune de arie dS, poate fi exprimat prin relaţia:
dc d 2c
= D 2 (1.9)
dt dx
care este cunoscută sub denumirea de "prima lege a lui Fick".
Semnul minus din relaţie arată că difuzia se realizează prin deplasarea atomilor
dc
din zonele cu concentraţii mai mari spre cele cu concentraţii mai mici ( < 0).
dx

36
 În această relaţie, D reprezintă coeficientul de difuzie sau difuzivitatea (cm2 sec-1),
care exprimă cantitatea de substanţă ce difuzează într-o secundă printr-o arie de 1 cm2, la o
dc
variaţie a concentraţiei, , egală cu unitatea.
dx
Coeficientul de difuzie variază în funcţie de temperatura absolută T conform
relaţiei:
Q
D= C  e RT , (1.10)

în care C este un factor care depinde de tipul reţelei cristaline şi de energia de

activare Q, iar R este constanta gazelor.
Tabelul 1.3 prezintă valorile coeficientului de difuzie al unor elemente în fierul .

Tabelul 1.3.
Coeficienţii de difuzie a unor elemente în fierul 
Elementul care difuzează Temperatura D1010
[oC] [cm2/s]
Al 900 88
Al 1150 195
Si 900 75
Si 1150 144
P 960 7,1
P 1040 25
Cr 1150 6,8
W 1280 3,7
W 1400 30

dc
În cazul mai general al unui flux nestaţionar (  0), se aplică legea lui Fick
dt
generalizată (numită şi "a doua lege a lui Fick"), care are forma:

dc d 2c
= D 2 . (1.11)
dt dx

37
1.6.2 Factori care influenţează difuzia

Factorii care influenţează difuzia sunt următorii:

- Temperatura. Cu cât temperatura este mai ridicată, cu atât energia internă a
materialului este mai mare, şi deci energia de activare va putea fi depăşită
mai uşor.
- Tipul reţelei cristaline a materialului de bază. S-a demonstrat experimental
că autodifuzia, dar şi difuzia N, C, Cr, W, Mo etc. se produce mai rapid în
fierul  decât în fierul , acesta din urmă având o reţea de tip c.v.c. care este
mai compactă decât cea c.f.c. a Fe. Coeficientul de difuzie a azotului în
fierul  este, la 600°C, de cca. 2000 ori mai mare decât coeficientul de
difuzie în fierul  iar în cazul molibdenului, la 925°C, coeficientul de
difuzie în fierul  este de 90 de ori mai mare decât în fierul  .
- Dimensiunile relative ale atomilor reţelei cristaline de bază şi ai atomilor
străini pătrunşi în material. Atomii unor elemente chimice ca H, C, B, N, ale
căror diametre atomice sunt mici şi ocupă în general poziţii interstiţiale, pot
difuza mai uşor. De exemplu, la difuzia carbonului într-un oţel cu 0,2 %C la
temperatura de 1100°C, D = 6.10-7, în timp ce la difuzia molibdenului, D =
6.10-11. În figura 1.48, [34] se prezintă influenţa unor elemente chimice
asupra coeficientului de difuzie a carbonului într-un oţel cu 0,4%C, la
temperatura de 1200°C.

Fig. 1.48. Influenţa unor elemente chimice asupra coeficientului de difuzie a

carbonului într-un oţel cu 0,4%C, la temperatura de 1200°C, [34]

38
 - Existenţa şi frecvenţa defectelor în reţeaua cristalină. Coeficientul de
difuzie creşte proporţional cu numărul de imperfecţiuni de reţea, deoarece
vacanţele, dislocaţiile şi limitele de grăunte reduc considerabil valoarea
energiei de activare. Ca urmare, difuzia este mai intensă în cazul unei
granulaţii fine decât în cazul unei granulaţii grosolane.
Factori de influenţă cu o importanţă mai redusă sunt de asemenea şi viteza de
încălzire, orientarea cristalului în spaţiu în raport cu fluxul de difuzie, concentraţia
elementului difuzant etc.

1.6.3 Efectul Kirkendall

Dacă se consideră două

blocuri alăturate, alcătuite din
două substanţe solide diferite, A
şi B, care se încălzesc simultan,
atunci prin creşterea temperaturii
în masa materialelor încep să se
manifeste fenomene de
autodifuzie şi difuzie. La
interfaţa dintre cele două
substanţe se vor constata
deplasări ale atomilor de tip A
către vacanţele din materialul B
şi vice-versa. Dacă coeficienţii
de difuzie sunt identici, poziţia Fig. 1.49. Efectul Kirkendall, [3]
interfeţei nu se modifică. Dacă însă atomii de tip A difuzează mai repede în masa
materialului B decât atomii de tip B în materialul A, după un anumit timp se constată că
în zona B sunt mai mulţi atomi decât în zona A, deci interfaţa A-B s-a deplasat înspre
materialul A. Acest fenomen de deplasare a interfeţei a două materiale care difuzează
reciproc, dar cu difuzivităţi diferite, se numeşte efect Kirkendall (fig. 1.49), [3].

39