Sunteți pe pagina 1din 58

I.

Bazele fizice ale efectului fotovoltaic

Efectul fotovoltaic se refera la transformarea radiatiei electromagnetice/luminii (phos in


greaca) in electricitate/cadere de tensiune (masurata in volti, denumire ce provine de la
numele fizicianului italian Alessandro Volta, care a studiat electricitatea). Figura de mai jos
ilustreaza acest efect. Efectul fotovoltaic a fost descoperit de E. Becquerel in 1839, iar primul
dispozitiv a fost construit in 1877. Totusi, de-abia in 1954 a fost pus in evidenta efectul
fotoelectric in Si la Bell Labs si a inceput folosirea efectului fotoelectric pe scara din ce in ce
mai larga.

Dispozitivele care transforma energia solara in electricitate sunt celulele solare, numite
si celule fotovoltaice. Beneficiile energiei solare, care este ecologica si pentru care nu se pune
problema de epuizare a resurselor, includ independenta energetica, mentenanta minima,
extindere usoara a sistemelor de captare a energiei (celulele solare se produc sub forma de
module) si faptul ca poate fi captata practic oriunde (energia eoliana, de exemplu, se produce
doar in locuri in care intensitatea vantului este de obicei mare, iar cea produsa de
hidrocentrale poate avea un impact nedorit asupra mediului).
2

Un exemplu de 6 module conectate in paralel, fiecare format din 40 celule fotovolatice


conectate in serie, este prezentat in figura de mai sus. Aces panou solar poate fi folosit pentru
incarcarea bateriilor si/sau pentru alimentarea unei retele domestice de 12 V dc.
Pentru a intelege functionarea celulelor solare, trebuie sa stim ca
1) radiatia solara este compusa din fotoni de diverse energii. Energia fotonului E = hω
depinde de frecventa ω sau lungimea de unda a radiatiei electromagnetice λ = 2π / k =
2πc / ω : cu cat λ este mai mare cu atat energia este mai mica. In figura de mai jos este
reprezentata distributia energetica a fluxului de fotoni emis de soare. Observati ca fluxul emis
se extinde pe un domeniu energetic mult mai larg decat cel vizibil, cu un maxim in infrarosu.

2) fotonii interactioneaza cu atomii dintr-un material semiconductor (sunt absorbiti) si, daca
fotonul are suficienta energie, poate rupe legatura intre electron si atom, si poate astfel excita
electronul de valenta pe nivele energetice superioare, creandu-se simultan un electron de
conductie cu sarcina negativa si un gol in banda de valenta, cu sarcina pozitiva, care se pot
misca liber in cristal, pana la recombinare. Electronul si golul sunt constituentii electricitatii.
De exemplu, energia necesara trecerii unui electron din banda de valenta in banda de
conductie in Si corespunde unei lungimi de unda de 1.12 μm (in infrarosu!), 70% din radiatia
solara fiind compusa din fotoni ce pot excita un electron in banda de conductie a siliciului
(vezi figura de mai jos). Daca fotonii au o energie mult mai mare decat cea corespunzatoare la
λ = 1.12 μm, excesul de enrgie se transforma in caldura, care scade performantele celulei
solare.
3

3) pentru a avea celule solare eficiente, este necesara colectarea perechii electron-gol inainte
de recombinare. Aceasta se face prin separarea electronilor si golurilor cu ajutorul unui camp
electric intern al dispozitivului, iar curentul produs de electronii si golurile generate in urma
absorbtiei fotonului se numeste fotocurent.
Pentru o descriere cantitativa a efectului fotovoltaic vom studia in prima parte a
acestui curs modul de formare a benzilor energetice in materiale solide, care permite
clasificarea materialelor in metale, semiconductori si izolatori, doparea semiconductorilor,
jonctiuni intre semiconductori dopati diferit, respectiv heterojonctiuni intre diverse materiale,
absorbtia luminii, si efectul fotovoltaic.

Dinamica electronilor in solidele cristaline


Structuri cristaline
Proprietatile solidelor cristaline, si in special miscarea electronilor, sunt determinate de
simetria retelei cristaline. Reteaua cristalina este un aranjamanet periodic al atomilor, care se
mentine pe distante mari (cel putin de ordinul miilor de perioade). Materialele folosite in
constructia celulelor solare includ si materiale ne-cristaline, in care nu exista ordine la distanta
mare, dar proprietatile optice ale acestora (si in particular absorbtia) sunt similare cu cele
intalnite in materialele cristaline deoarece lungimea de unda a fotonilor incidenti (de ordinul a
1 μm) este mult mai mare decat neomogenitatile, astfel incat fotonul “vede” un mediu efectiv
omogen.
Un cristal este format prin repetarea unor celule elementare care constau din atomi sau
molecule. O celula elementara reproduce deci cristalul prin translatii pe toate cele trei directii
4

din spatiu. Cristalul consta dintr-o baza, care este grupul de atomi sau molecule care formeaza
cristalul prin repetitie, si reteaua (numita si retea Bravais) care este un set de puncte abstracte
in care se pozitioneaza baza.

(a) (b)

Exemple de cristale in care baza consta (a) dintr-un singur atom sau (b) din doi atomi

In trei dimensiuni, punctele retelei Bravais pot fi descrise ca superpozitii de multipli


intregi ai unor vectori primitive de translatie, ne-coplanari, a1 , a 2 si a 3 :

Rmnp = ma1 + na 2 + pa 3 (1)

(m, n, si p sunt numere intregi arbitrare). Daca baza consta din n atomi, pozitiile acestora pot
fi descrise printr-un set de vectori r j = m j a1 + n j a 2 + p j a 3 , j = 1,2,…,n, definiti fata de un

punct al retelei Bravais. In general, 0 ≤ m j , n j , p j ≤ 1 . Volumul celulei primitive, construita


folosindu-se vectorii primitivi de translatie, si care este celula elementara cu cel mai mic
volum, este dat de Ω =| (a1 × a 2 ) ⋅ a 3 | .
Fiecare punct al retelei Bravais este echivalent cu orice alt punct, reteaua Bravais fiind
invarianta fata de translatiile discrete Tqrs = qa1 + ra 2 + sa 3 cu multipli intregi q, r si s ai

vectorilor primitive de translatie, deoarece Tqrs ( Rmnp ) = Tqrs + Rmnp = Rq + m ,r + n , s + p este tot un

punct al retelei Bravais. In afara de translatie, reteaua Bravais este invarianta si la alte operatii
punctuale (adica aplicate fata de un punct al retelei, care ramane fixat), cum ar fi a) rotatiile
Cn cu un unghi 2π / n , n = 1, 2, 3, 4 and 6, b) inversiile I, definite prin operatia r → −r daca
sunt aplicate fata de origine, c) reflexiile σ j aplicate fata de planul orizontal (j = h), vertical (j

= v), sau diagonal (j = d), si d) rotatiile improprii S n , sau rotatiile-reflexii, care constau dintr-

o rotatie Cn urmata de o reflexie fata de un plan normal pe axa de rotatie.


5

(a) (b) (c) (d) (e)

Exemple de operatii de simetrie: (a) translatie, (b) rotatie, (c) inversie, si reflexie fata de un
plan (d) vertical, si (e) orizontal.

C2 C3 C4 C6

Example de figuri cu diferite simetrii la rotatia fata de o axa perpendicular ape planul hartiei.

In functie de simetria retelei cristaline, toate cristalele se impart in 7 sisteme cristaline


(sau singonii) care contin 14 retele Bravais reprezentate in figura de mai jos, unde vectorii
primitivi de translatie sunt notati a, b, c (lungimile lor, a, b, si c numindu-se constante de
retea), si α, β, γ sunt unghiurile intre b si c, c si a, si, respectiv, a si b. Constantele de retea
sunt cuprinse intre 3 Å si 6 Å, depinzand de cristal.
6

Exemple de structuri cristaline simple


Una dintre cele mai simple structuri cristaline este cea a sari de bucatarie, NaCl (vezi figura
de mai jos). Este o retea cubica cu fete centrate, baza fiind formata din un ion de Cl− (albastru,
in originea centrului de coordonate) si un ion de Na+ ion (verde, la mijlocul laturii sau in
centru). In aceasta retea cristalizeaza si alte materiale, cum ar fi LiF, LiBr, KBr, AgBr, MgO,
MnO.

(a) (b) (c)

(d) (e)

Structura cristalina a (a) NaCl, (b) CsCl, (c) structura hexagonal compacta, (d) structura Si, si
(e) a ZnS.

O alta structura des intalnita este cea a CsCl (in aceasta structura cristalizeaza si AlNi,
CaZn, AgMg, CsBr, CsI), care este o structura cubica simpla, cu o baza formata din doi ioni:
Cs+ (rosu in figura de mai sus, in varfurile cubului) si Cl− (verde, in centru).
Structura cristalina hexagonal compacta este o retea hexagonala Bravais cu o baza
formata din doi atomi (unul din randul de jos si celalalt din cel din mijloc), in care atomii
dintr-un plan, care se ating unul pe celalalt (daca sunt considerati ca sfere suficient de mari),
ating in acelasi timp si atomii din randurile adiacente. Atomii din randul din miljoc sunt
plasati deasupra centrului triunghiului format din trei dintre atomii din randul de jos, iar
7

atomii din randul de sus sunt exact deasupra celor din randul de jos. Aceasta structura
cristalina este intalnita in He, Zn, Cd, Mg, Zr, Ti. Daca randurile de atomi sunt mai departate,
astfel incat atomii din randuri adiacente nu se ating, structura hexagonala nu mai este
compacta. Grafitul este un exemplu de material care cristalizeaza in structura hexagonala ne-
compacta.
Structura cristalina a diamantului (si a semiconductorilor Si si Ge) reprezentata in
figura de mai sus, este o retea cubica cu fete centrate in care baza este formata din doi atomi,
unul in varful cubului si celalalt deplasat cu o patrime din diagonala. Aceasta structura se
intalneste in general in materiale cu legatura covalenta, in care atomii plasati in varfurile unui
tetraedru regular formeaza legaturi covalente directionate cu atomii vecini punand in comun
fiecare cate un electron. Daca in structura Si baza este formata din atomi diferiti (de exemplu,
Zn and S in ZnS) obtinem structura blendei de zinc. In aceasta ultima structura cristalizeaza si
SiC, ZnS, ZnSe, CdS, CdTe, AlAs, GaAs, GaP, InAs, InSb, CuCl.

Reteaua reciproca
Intr-un cristal ai carui atomi sunt plasati intr-o retea Bravais descrisa de vectorul

Rmnp = ma1 + na 2 + pa 3 (2)

cu m, n si p numere intregi, orice functie ϕ cu aceeasi periodicitate ca si reteaua cristalina


trebuie sa satisfaca relatia

ϕ (r ) = ϕ (r + Rmnp ) , (3)

unde r = ( x1 , x 2 , x3 ) este un vector de pozitie arbitrar cu coordonate x1 , x 2 , si x3 masurate

fata de sistemul de coordonate determinat de a1 , a 2 , si a 3 . Adica,

ϕ ( x1 , x2 , x3 ) = ϕ ( x1 + ma1 , x2 + na2 , x3 + pa3 ) (4)

sau, daca functia poate fi dezvoltata in serie Fourier

ϕ ( x1 , x 2 , x3 ) = ∑ ϕ k exp[i (k1 x1 + k 2 x 2 + k 3 x3 )] (5)


k1 , k 2 , k3
8

atunci, pentru orice m, n, si p,

exp(imk1 a1 ) = 1 , exp(ink 2 a 2 ) = 1 , exp(ipk 3 a3 ) = 1 . (6)

Aceasta inseamna ca k i , with i = 1, 2, 3, poate lua doar valori discrete

k i = 2πsi / ai , (7)

si functia initiala se poate exprima si ca

ϕ (r ) = ∑ ϕ k exp(ik ⋅ r ) (8)
k

unde

ϕ k = Ω −1 ∫cell ϕ (r ) exp(−ik ⋅ r )dV , (9)

integrala facandu-se pe volumul unei celule primitive cu volum Ω, si

k = s1b1 + s 2 b2 + s3 b3 (10)

este un vector in sistemul de coordonate definit de vectorii bi , i = 1,2,3, alesi astfel incat

bi ⋅ a j = 2πδ ij . (11)

Similar cu reteaua Bravais, care se construieste pornind de la vectorii primitivi ai , se poate

defini o retea reciproca pornind de la vectorii primitivi bi , astfel incat k scris ca mai sus este
un punct in reteaua reciproca.
Daca Ω = (a1 × a 2 ) ⋅ a 3 > 0, vectorii bi se pot alege ca

b1 = (2π / Ω)(a 2 × a 3 ), b2 = (2π / Ω)(a 3 × a1 ), b3 = (2π / Ω)(a1 × a 2 ) , (12)

si volumul celulei primitive in reteaua reciproca este Ω rec = b1 ⋅ (b2 × b3 ) = (2π ) 3 / Ω . Pentru
sistemul cubic, legatura dintre retelele din reteaua/spatiul direct si reteaua/spatiul reciproc,
precum si intre constantele de retea sunt ilustrate in tabelul de mai jos.
9

Spatiu direct Spatiu reciproc


Retea Constanta de retea Retea Constanta de retea
Cubic simpla a Cubic simpla 2π / a
Cub cu volum centrat a Cub cu fete centrate 4π / a
Cub cu fete centrate a Cub cu volum centrat 4π / a

Prima zona Brillouin


Celulele primitive ale unei retele nu sunt unice; diverse celule primitive se obtin alegand
seturi diferite de vectori primitive de translatie. Prima zona Brillouin este o astfel de celula
primitiva in spatiul reciproc, care se obtine desenand intai linii intre un punct dat al retelei si
toate celelalte puncte, si apoi desenand plane perpendiculare pe aceste linii, la jumatatea
acestora. Prima zona Brillouin este volumul din spatiul reciproc care rezulta din intersectia
acestor plane. Se pot defini si zone Brillouin de ordin mai mare, de exemplu de ordin n, ca
fiind volumele in spatiul reciproc la care ajung din punctul de origine intersectand exact n − 1
plane. In figura de mai jos sunt prezentate exemple de prima zona Brillouin pentru o retea (in
spatiul direct) cubica cu volum centrat (reteaua reciproca este volum cu fete centrate!) si
pentru o retea (in spatiul direct) cu fete centrate (reteaua reciproca este volum cu volm
centrat!).
10

De obicei, asa cum se poate vedea din figura de mai jos, directiile cu simetrie ridicata in
spatiul reciproc au notatii specifice.

Prima zona Brillouin este importanta in studierea dinamicii electronului in cristal.


Toate zonele Brillouin au acelasi volum, iar zonele de ordin mai mare se pot reduce la prima
zona Brillouin prin aplicarea operatiilor de simetrie.

Dinamica electronului in reteaua cristalina


Intr-un atom izolat (vezi figura de mai jos), electronii se misca pe orbite circulare in jurul
nucleului, forta de atractie a nucleului fiind mai slaba pentru electronii de pe paturile/nivele
discrete de energie superioare.

Acesti electroni de pe nivelele superioare sunt slab legati de nucleu, si pot fi usor delocalizati
(“smulsi” din imediata apropiere a nucleului, lasand un urma un ion pozitiv, si pusi in miscare
in intreg cristalul) de catre un camp electric exterior. Acesti electroni devin electroni de
conductie. Spre deosebire de ei, electronii din jurul nucleului care contribuie la stabilirea
11

legaturilor intre atomi in cristal sunt electroni de valenta. Electronul de conductie intr-o retea
cristalina se misca intr-un potential periodic, dinamica lui fiind descrisa de ecuatia
Schrödinger

⎛ h2 2 ⎞
⎜⎜ − ∇ + U (r ) ⎟⎟ψ (r ) = Eψ (r ) , (13)
⎝ 2m ⎠

unde energia potentiala

U (r ) = U (r + R) (14)

descrie interactia electrostatica cu toti ceilalti electroni si cu ionii pozitivi, si R este un vector
al retelei infinite. Datorita periodicitatii (simetriei la translatie), functia de unda a electronului
se poate pune sub forma de functii Bloch, adica

ψ k (r ) = u k (r ) exp(ik ⋅ r ) (15)

unde k este un vector de unda din reteaua reciproca, si u k (r ) = u k (r + R) este o functie cu


aceeasi periodicitate ca si reteaua. In plus, energia electronului este o functie para de k,

E (k ) = E (− k ) , (16)

ci are periodicitate ca si reteaua reciproca, adica

E (k ) = E (k + G ) , (17)

unde G este un vector din reteaua reciproca. De aceea, energia ia valori distincte doar pentru
valori k din prima zona Brillouin. In general, pot exista mai multe valori pentru energie,
E n (k ) , pentru acelasi k.
Observatie: Electronul in cristal difera de electronul liber. Pentru un electron liber in
volumul V, care satisface ecuatia Schrödinger cu U ( r ) = 0 , si are functia de unda

ψ k (r ) = V −1 / 2 exp(ik ⋅ r ) si impulsul p = hk , toate punctele din spatiu sunt echivalente


12

deoarece probabilitatea de a gasi electronul in punctul r, | ψ k (r ) | 2 = 1 / V , este independenta

de r. Pe de alta parte, pentru functiile Bloch | ψ k (r ) | 2 =| u k (r ) | 2 ≠ const., si doar punctele care


difera printr-un vector de translatie R sunt echivalente. In acest caz hk este cvasi-impulsul
electronului in cristal si k este cvasi-vectorul de unda; pentru simplitate, ne referim in
continuare la k ca vector de unda.
Similar cu cazul electronului liber, pentru care putem defini viteza ca si
v = hk / m = p / m , sau v = h −1∇ k E , deoarece relatia de dispersie a electronului liber este

E = h 2 k 2 / 2m si ∇ k E = h 2 k / m , aceeasi formula o utilizam si pentru viteza electronului in


cristal:

v = h −1∇ k E . (18)

In plus, efectul unor forte externe F asupra electronului din cristal poate fi separat de efectul
interactiunii Coulomb cu toti ceilalti electroni si ioni din cristal. Influenta acestor interactiuni
electrostatice este caracterizata prin introducerea unei mase efective a electronului. Astfel,
definind acceleratia electronului in cristal la aplicarea fortei F ca

dv 1 ⎛ dE ⎞ 1 ⎛ dk ⎞ 1
a= = ∇k ⎜ ⎟ = ∇k ⎜∇k E ⎟= ∇ k (∇ k E ⋅ F ) (19)
dt h ⎝ dt ⎠ h ⎝ dt ⎠ h 2

sau, pe componente μ,ν = x,y,z,

dv μ 1 ∂2E ⎛ 1 ⎞
aμ = =∑ Fν = ∑ ⎜⎜ ⎟ Fν ,
⎟ (20)
dt ν h ∂k μ ∂kν
2
ν ⎝ mef ⎠
μν

masa efectiva se introduce prin

⎛ 1 ⎞ 1 ∂2E
⎜ ⎟ = 2 . (21)
⎜m ⎟
⎝ ef ⎠ μν h ∂k μ ∂kν

Masa efectiva este un tensor simetric, (1 / mef ) μν = (1 / mef )νμ , caracterul ei tensorial aratand

ca aceleration unui electron in cristal are in general o directie diferita fata de cea a fortei
13

aplicate. Masa efectiva este un parametru ce descrie efectul retelei asupra miscarii
electronului, sin u o caracteristica a electronului, cum este masa electronului liber. Masa
efectiva poate lua valori pozitive, negative sau chiar infinite in punctele de inflexiune, unde
curbura relatiei de dispersie se anuleaza
In apropierea unui extrem k 0 (maxim sau minim) al reletiei de dispersie a energiei in
spatial k, energia se poate pune sub forma

h2 ⎛ k12 k 22 k 32 ⎞⎟
E (k ) = E 0 + ⎜ + + , (22)
2 ⎜m ⎟
⎝ ef ,1 m ef , 2 m ef ,3 ⎠

unde E (k 0 ) = E0 . Daca suprafetele izo-energetice sunt elipsoizi de rotatie, masa efectiva de-a
lungul axei elipsoidului se numeste masa efectiva longitudinala, iar valoarea comuna a masei
pe celelalte doua directii se numeste masa efectiva transversala. In cristale izo-trope
suprafetele izo-energetice sunt sferice.

Benzi de energie
Spectrul de energie al electronului in crystal se poate calcula fie in aproximatia electronilor
cvasi-liberi (sau aproximatia legaturii slabe, in care starea electronului in cristal este modelata
ca o stare perturbata a electronului liber, perturbatia fiind determinata de potentialul periodic
al cristalului) fie in aproximatia electronilor cvasi-legati (sau aproximatia legaturii puternice,
in care starea electronului in cristal este modelata ca o stare perturbata a electronului in
atomul izolat, perturbatia fiind determinata de potentialul periodic al cristalului). In ambele
cazuri periodicitatea retelei cristaline duce la formarea benzilor de energie permise si
interzise. In figurile de mai jos se arata formarea benzilor de energie, separate de benzi
interzise, din orbitalii atomici s si p ai atomului de Si pe masura ce separarea intre atomi
scade; a este constanta de retea.
14

In aproximatia legaturii puternice, potentialul pe care il simte electronul este o suma intre
potentialul periodic V (r ) al retelei cristaline si potentialul U a (r ) in atomul izolat (vezi figura
de mai jos), iar energia se scrie ca

E k = E a − C − A ∑ exp(ik ⋅ Rl ) (23)
l = vecini

Ua(r)

V(r)

unde Ea este energia in atomul izolat, iar A si C sunt constante ce depind de orbitalul atomic
din care se formeaza banda respectiva; suma se face peste vecinii cei mai apropiati ai
atomului dat.
De exemplu, intr-o retea cubica simpla, cu constanta de retea a,
15

E k = E a − C − 2 A[cos(k1a) + cos(k 2 a) + cos(k 3 a)] , (24)

si toate valorile posibile se obtin pentru componente ale vectorului de unda in prima zona
Brillouin, adica pentru − π / a ≤ k i ≤ π / a . Nivelul discret al atomului in atomul izolat se

transforma intr-o banda care se extinde intre E min si E max , unde, pentru A > 0,

E min = E a − C − 6 A, pentru ki = 0 , (25a)

E max = E a − C + 6 A, pentru k i = ±π / a . (25b)

mef

In figura de mai sus sunt prezentate o succesiune de benzi de energie ce se formeaza din
diferiti orbitali atomici pentru care, alternative, constanta A este pozitiva si negativa.
Intervalul de reprezentare este prima zona Brillouin. Daca nivele respective sunt indexate cu i,
intervalele interzise intre nivele sunt notate cu E gi . De exemplu, latimea primei benzi de

energie interzisa este

E g1 = E min, 2 − E max,1 = ( E a , 2 − E a ,1 ) − (C 2 − C1 ) − 6( A1 + A2 ) . (26)


16

Remarcati ca masa efectiva in jurul centrului primei zone Brillouin, pentru care
k i a << 1 si E k = E a − C − 6 A + Aa 2 (k12 + k 22 + k 32 ) = E min + Aa 2 k 2 , este pozitiva (pentru A

pozitiv), si data de mef = h 2 (∇ k2 E k ) −1 = h 2 / 2 Aa 2 , iar la marginile primei zone Brillouin,

pentru k i ' = ±π / a − k i , k i ' a << 1 , si E k ' = E a − C + 6 A − Aa 2 (k1 ' 2 + k 2 ' 2 + k 3 ' 2 ) = E max −

Aa 2 k ' 2 , masa efectiva a electronului este negativa mef = h 2 (∇ k2 E k ) −1 = −h 2 / 2 Aa 2 ,

Electroni si goluri
Daca un electron in cristal, cu sarcina electrica − e si masa efectiva positiva mef > 0 (in

apropierea minimului benzii de energie), este plasat intr-un camp electric E, acceleratia sa

a = dv / dt = F / mef = −eE / mef (27)

este similara cu cea a electronului liber. Daca insa energia electronului este apropiata valorii
maxime in banda, mef < 0 , si ecuatia sa de miscare este

a = dv / dt = F /(−mef ) = −eE /(− mef ) . (28)

In acest caz, spre deosebire de un electron liber, campul electric field va frana electronul, in
loc sa il accelereze. Pentru a evita aceasta interpretare, miscarea electronului cu masa efectiva
negativa in campul electric E este echivalata cu miscarea unei cvasi-particule cu sarcina
electrica + e si masa efectiva pozitiva. Aceata cvasi-particula, numita gol, exista doar in
cristal (nu in spatial liber, ca electronul) si reflecta absenta unui electron. Mai exact, daca un
electron din partea superioara a unei benzi de energie (banda de valenta) capata energie
suficienta de la vibratiile termice sau de la un camp exterior pentru a ajunge in stari neocupate
din banda de energie urmatoare, numita banda de conductie, starea libera ramasa se considera
a fi un gol. Cu alte cuvinte, o banda energetica ocupata cu electroni cu exceptia partii sale
superioare poate fi considerate ca fiind partial ocupata cu goluri. In acest mod, in loc sa
urmarim miscarea intregului system de electroni, putem urmari doar miscarea unui numar
mult mai mic de goluri. In general, golurile difera de electroni nu doar prin semnul sarcinii
electrice, ci si prin valoarea masei efective.
17

Clasificarea materialelor solide


Desi structura benzilor de energie este asemanatoare in toate materialele, gradul de ocupare al
benzilor este diferit. Intr-un interval energetic dE numarul starilor pe care electronul le poate
ocupa daca are o relatie de dispersie de forma E (k ) = E 0 + h 2 k 2 / 2mef este

( 2mef )1 / 2
D( E ) = ( E − E 0 )1 / 2 . (29)
4π h2 3

Aceste stari sunt ocupate in accord cu principiul Pauli, conform caruia la temperaturi joase (in
principiu, la T = 0 K) starile sunt ocupate in ordinea crescatoare a energiei, astfel incat doar
doi electroni (cu spini opusi) se pot afla pe o stare energetica cu un k dat. Valoarea energiei
pana la care se ocupa starile posibile se numeste energie Fermi, sau nivel Fermi si se noteaza
E F . Functia de distributie a electronilor dupa energii la o temperatura T este data de formula
Fermi-Dirac

1
f (E) = (30)
1 + exp[( E − E F ) / k B T ]

unde E este energia electronului si k B este constanta Boltzmann.

Dupa cum rezulta din figura de mai sus, la T = 0 K, functia de distributie Fermi-Dirac este o
treapta, luand valoarea 1 pentru energii mai mici decat energia Fermi si valoarea 0 in rest.
18

In functie de pozitia nivelului Fermi pot exista doua situatii:


1) la temperaturi joase nivelul Fermi unei benzi de energie (vezi figura de mai jos, stanga),
adica electronii ocupa partial ultima banda de energie. Materialul este un metal si poate
conduce electricitate usor deoarece electronii din vecinatatea lui E F pot ocupa stari libere
cu energie mai mare daca sunt accelerati de un camp electric aplicat mic.
2) la temperature joase electronii ocupa complet un numar de benzi energetice, astfel incat
nivelul Fermi este in interiorul benzii interzise dintre ultima banda ocupata, numita banda
de valenta, si urmatoarea banda libera, numita banda de conductie (vezi figura de mai jos,
dreapta). In acest caz un camp electric mic nu da energie suficienta electronilor pentru a
trece pe starile neocupate din banda de conductie, si curentul electric nu poate trece prin
material. Material este in acest caz un dielectric.

La temperaturi mai mari, T ≠ 0 K, materialele dielectrice se clasifica in izolatori si


semiconductori in functie de largimea benzii interzise care se formeaza intre banda de valenta
si conductie. Daca E g < 3 eV, fluctuatiile termice pot excita electroni din banda de valenta in

cea de conductie, unde pot contribui la conductia electrica, si materialul este un


semiconductor. In consecinta, in semiconductorul nedopat numarul de electroni din banda de
conductie este egal cu numarul golurilor din banda de valenta. Numarul de purtatori de
sarcina este insa mic. Daca se aplica un camp electric curentul are doua contributii, din partea
electronilor si golurilor, care sunt deviati in directii opuse. In materialele izolatoare E g > 3 eV
si curentul electric nu poate trece chiar si la temperaturi mai ridicate.
19

Semiconductori intrinseci si dopati

Intr-un semiconductor cristalin nedopat, sau intrinsec, cu o retea cristalina perfecta, numarul
electronilor din banda de conductie, n, este egal cu numarul golurilor din banda de valenta, p,
iar concentratiile acestora depind de temperatura conform relatiilor


⎛ E − EF ⎞
n = 2 ∫ f ( E ) Dn ( E )dE = N c exp⎜⎜ − c ⎟⎟ (31a)
Ec ⎝ k BT ⎠
Ev
⎛ E − Ev ⎞
p = 2 ∫ f ( E ) D p ( E )dE = N v exp⎜⎜ − F ⎟⎟ , (31b)
−∞ ⎝ k BT ⎠

unde s-a luat in considerare degenerarea dubla dupa spin, care indica faptul ca doi
electroni/doua goluri cu spini opusi se pot afla pe acelasi nivel energetic, in conformitate cu
principiul de excludere Pauli, iar Dn (E ) si D p (E ) sunt densitatile de stari ale electronilor si

respectiv golurilor, care se obtin din (29) inlocuind masa efectiva cu cea a electronilor mn ,

respectiv a golurilor m p , si E0 cu marginea inferioara a benzii de conductie Ec , respectiv

marginea superioara a benzii de valenta Ev . In formulele de mai sus functia de distributie


Fermi-Dirac s-a aproximat cu functia de distributie clasica Maxwell-Boltzmann
f ( E ) = exp(E F / k B T ) exp(− E / k B T ) << 1 , aproximatie valabila in conditiile in care
concentratia purtatorilor de sarcina este mica, iar parametrii

(2πmn k B T ) 3 / 2 (2πm p k B T ) 3 / 2
Nc = , Nv = , (32)
4π 2 h 3 4π 2 h 3

sunt densitatile efective de stari in benzile de conductie si, respectiv, de valenta. Concentratia
intrinseca in semiconductorii nedopati se defineste ca ni2 = np .
Din conditia de neutralitate n = p se obtine pozitia nivelului Fermi,

Ec + Ev 3 ⎛ mp ⎞
EF = + k B T ln⎜⎜ ⎟⎟ (33)
2 4 ⎝ mn ⎠
20

care se afla la jumatatea benzii interzise la T = 0 K si se deplaseaza spre banda de energie cu


cea mai mica masa efectiva odata cu cresterea temperaturii.
Semiconductorii nedopati au proprietati electrice slabe. De exemplu, Si este un atom
cu 4 electroni de valenta, fiecare electron formand o legatura covalenta cu un alt electron de
valenta de la un atom de Si invecinat. Aceasta legatura este foarte puternica si in cristalul
perfect nu exista electroni de valenta liberi. Din acest motiv cristalul de Si este foarte slab
conductor de electricitate.
Pentru a imbunatati conductia electrica a materialelor semiconductoare, acestea se
dopeaza. Mai precis, se introduc atomi de alt tip decat cei care formeaza reteaua cristalina.
Acesti atomi de impuritate pot fi donori, daca prin substituirea unui atom din reteaua
cristalina de baza se elibereaza un electron care se poate misca liber in cristal, sau acceptori,
daca in urma substitutiei rezulta un gol liber. De exemplu, daca un atom de Si este inlocuit de
un atom de P, 4 din cei 5 electroni de valenta ai fosforului formeaza legaturi puternice cu
electronii cei mai apropiati din Si, electronul care ramane fiind legat foarte slab de nucleul
pozitiv al atomului de P. Acest ultim electron poate deveni usor un electron liber, adica un
electron de conductie, prin aplicarea unui camp electric slab. P este deci o impuritate donoare
pentru Si, semiconductorul care contine un numar mare de atomi donori fiind de tip n
deoarece conductia electrica are loc prin intermediul sarcinilor electrice negative.

+
B

Ec Ec
EF
EF
Ev Ev
21

In cazul in care electronii din banda de conductie provin predominant din impuritatile donoare
cu concentratie N d (care devin astfel ionizate), adica daca n ≅ N d si p << n, pozitia nivelului
Fermi se deplaseaza spre banda de conductie (vezi figura de mai sus, stanga) si este data de
relatia

E F = Ec + k B T ln( N d / N c ) . (34)

Similar, daca un atom de Si este inlocuit cu un atom de B, cei 3 electroni de valenta


formeaza legaturi puternice cu electronii adiacenti din Si, dar ramane un electron din Si care
nu mai are cu cine sa formeze o legatura. Acest electron lipsa este de fapt un gol, care este
slab legat deoparece legatura covalenta puternica din Si nu poate fi constituita. Golul devine
usor liber prin aplicarea unui camp electric slab, iar atomii de impuritate (in acest caz B) care
au un electron de valenta lipsa sunt atomi acceptori. Semiconductorul care contine un mumar
mare de atomi acceptori este de tip p, conductia electrica realizandu-se cu ajutorul sarcinilor
electrice pozitive. In cazul Si, concentratia tipica de B este de 2×1016/cm3, iar cea de P este de
1019/cm3. Daca concentratia golurilor este egala cu cea a atomilor acceptori ionizati, p ≅ N a
si n << p, nivelul Fermi se deplaseaza spre banda de valenta (vezi figura de mai sus, dreapta)
si are expresia

E F = Ev + k B T ln( N v / N a ) . (35)

Jonctiuni p-n si heterojonctiuni semiconductoare

O jonctiune p-n se formeaza daca un semiconductor dopat n este pus in contact cu acelasi
material semiconductor dopat p. In regiunea p, datorita impuritatilor acceptoare concentratia
de goluri depaseste concentratia de electroni, iar in regiunea n impuritatile donoare fac sa
predomine concentratia de electroni. Prin urmare, in apropierea jonctiunii exista gradienti ai
concentratiei de goluri si de electroni datorita carora golurile tind sa difuzeze din regiunea de
tip p in regiunea de tip n in timp ce electronii tind sa difuzeze in directie opusa. Electronii
ajunsi in regiunea p datorita difuziei recimbina imediat cu golurile. La fel se intampla si cu
golurile care ajung in regiunea n, astfel incat, in apropierea planului jonctiunii, in regiunea p,
se formeaza o regiune de sarcina spatiala negativa datorata acceptorilor ionizati ramasi
22

necompensati prin plecarea golurilor, iar in regiunea n se formeaza o sarcina spatiala pozitiva
datorata donorilor ionizati ramasi necompensati prin plecarea electronilor. Aceste sarcini
spatiale genereaza un camp electric E indreptat de la regiunea n spre regiunea p care se
extinde pe o regiune ingusta in jurul interfetei dintre cele doua materiale (pentru − l p ≤ x < 0

in regiunea de tip p si pentru 0 < x ≤ l n in regiunea de tip n) si se opune difuziei in continuare


a purtatorilor de sarcina (vezi figura de mai jos).

p x n
+ + +
E +
+
++ +
+ + +
-lp ln

Acestui camp electric intern ii corespunde o diferenta de potential/bariera de potential


eVd numita potential de contact sau potential de difuzie. Daca se aplica din exterior o

tensiune de aceeasi polaritate ca a campului intern al jonctiunii (− la regiunea p si + la


regiunea n) atunci bariera de potential creste iar jonctiunea este polarizata invers. Curentul
care trece prin jonctiune este foarte mic deoarece golurile din regiunea de tip p si electronii
din regiunea de tip n (purtatorii majoritari) nu pot depasi bariera de potential crescuta iar
concentratiile purtatorilor minoritari in cele doua regiuni sunt foarte mici. Din contra, daca se
aplica jonctiunii o tensiune opusa (+ la regiunea p si – la regiunea n) jonctiunea este polarizata
direct iar inaltimea barierei de potential se reduce permitand difuzia purtatorilor de sarcina
dinspre regiunile unde sunt majoritari spre regiunile unde sunt minoritari.
Regiunea de sarcina spatiala din imediata vecinatate a jonctiunii, care este saracita in
purtatori liberi, se numeste strat de baraj. Grosimea acestui strat, l = l p + l n , este determinata

de concentratia si distributia impuritatilor in regiunile p si n, precum si de polarizarea


jonctiunii. La polarizare directa grosimea stratului de baraj scade iar la polarizare inversa
creste. Sarcina spatiala de o parte si de alta a planului jonctiunii este echivalenta cu o
capacitate care poarta numele de capacitate a stratului de baraj. Intr-un circuit, prin jonctiunea
p-n polarizata direct prin aplicarea unei tensiuni pozitive V trece un curent datorat injectiei
purtatorilor minoritari peste bariera de potential. Deoarece numarul de electroni cu energie
mai mare decat e(Vd − V ) este proportional cu exp[e(Vd − V ) / k B T ] , curentul prin jonctiune
creste exponential cu tensiunea directa. La tensiune inversa prin jonctiune trec purtatori
23

majoritari iar curentul este mic si practic independent de tensiune. Prin urmare, jonctiunea p-n
este puternic neliniara, avand proprietati de redresare.
Pentru determinarea expresiei curentului prin jonctiune, se presupune ca aceasta este
abrupta, ca toate impuritatile sunt ionizate si ca nu exista purtatori de sarcina liberi in regiunea
stratului de baraj. In aceste conditii, distributia impuritatilor este aratata in figura de mai jos,
stanga, iar distributia sarcinilor spatiale ρ in figura de mai jos, dreapta. N a si N d sunt

concentratiile de impuritati acceptoare, respectiv donoare.

ρ E ψ
Vd
eNd
-lp -lp ln
ln x x -lp ln x
eNa Em

Avem

⎧− eN a , − l p ≤ x < 0
ρ ( x) = ⎨ (36)
⎩eN d , 0 < x ≤ l n

iar potentialul electrostatic si campul electric se determina din rezolvarea ecuatiei Poisson
unidimensionale intr-un material cu permitivitate dielectrica ε

d 2ψ ρ ( x) dψ
=− , E=− , (37)
dx 2
ε dx

cu conditii la limita adecvate. Conditia de neutralitate a sarcinii totale in stratul de baraj


impune N a l p = N d l n . Dependenta spatiala a sarcinii, campului electric si a potentialului

electrostatic cand nu se aplica o tensiune exterioara sunt reprezentate in figurile de mai sus.
Lungimea stratului de baraj creste in prezenta unei tensiuni inverse si scade la polarizare
directa.
Redistributia sarcinii electrice in jonctiunea p-n, cand nu avem o tensiune exterioara
aplicata, este echivalenta cu curbarea benzilor de conductie si valenta in jurul interfetei astfel
incat nivelul Fermi, situat la diferite energii in regiunile p si n, devine acelasi in tot
dispozitivul (vezi figura de mai jos). Concetratiile purtatorilor de sarcina la echilibru (cand nu
se aplica o tensiune exterioara) sunt de asemenea reprezentate in figura de mai jos.
24

Δp pp
p,n
n Ec nn
EF
Δn
p np pn
-lp ln x
Ev

Aceste concentratii sunt date de nn = N c exp(−Δ n / k B T ) , n p = N c exp(− Δ p / k B T ) ,

n p = n n exp(−eVd / k B T ) , p n = p p exp(−eVd / k B T ) (38)

unde Δ = Ec − E F , indicele n si p indicand regiunile respective, iar concentratiile de goluri

pot fi determinate analog cu concentratiile de electroni, sau direct din nn p n = ni2 , n p p p = ni2 .
Din (38) rezulta ca potentialul la interfata depinde de concentratie de dopanti:
Vd = ( k B T / E ) ln(n n p p / ni2 ) ≅ (k B T / E ) ln( N a N d / ni2 ) .

Similar cu jonctiunea p-n, o heterojonctiune se formeaza prin contactul/alipirea a doi


semiconductori cu benzi interzise si nivele Fermi diferite (vezi figura de mai jos, stanga).
Curbarea benzilor de energie in apropierea interfetei se datoreaza si in acest caz redistribuirii
sarcinii electrice. Daca E F 1 > E F 2 , electronii difuzeaza din materialul 1 lasand in urma donori
incarcati pozitiv. Aceasta sarcina spatiala de la interfata da nastere unui potential electrostatic
care curbeaza benzile astfel incat la echilibru energia Fermi este constanta de-a lungul
structurii (vezi figura de mai jos, dreapta). Spre deosebire de cazul unei jonctiuni p-n, in
heterojonctiuni exista discontinuitati in benzile de conductie si valenta, ΔEc , respectiv ΔEv .

Ec1
ΔEc
EF1 Ec2 ΔEc
Eg2 EF2 +
Eg1 + --
Ev2 - EF
ΔEv + -
Ev1 + ΔEv
25

Caracteristica I-V a jonctiunii p-n

Cand se aplica o tensiune exterioara, sistemul de electroni nu mai este in echilibru, si trebuie
sa definim cvasi-nivele Fermi pentru electronii din regiunea p, E FP , si pentru cei din regiunea

n, E Fn , deoarece notiunea de nivel Fermi are sens doar in conditii de echilibru a sistemului de
electroni. In figura de mai jos ete reprezentata pozitia cvasi-nivelelor Fermi la polarizare
inversa (stanga) si directa (dreapta).

EFp
n
eV Ec n
p Ec
EFn EFp eV EFn

Ev p
Ev

La aplicarea unei tensiuni exterioare V, se injecteaza purtatori minoritari in regiunile p si n,


Δn si respectiv Δp , astfel incat concentratiile purtatorilor la marginea stratului de baraj sunt

p(l n ) = p n exp(eV / k B T ) = p n + Δp(l n ) , n(−l p ) = n p exp(eV / k B T ) = n p + Δn(−l p ) . (39)

Daca Δn( x << −l p ) = 0 si Δp( x >> l n ) = 0 , concentratia purtatorilor injectati determinata de

ecuatia de difuzie este data de

⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤ ⎛ x − ln ⎞ ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤ ⎛ x + lp ⎞
Δp ( x) = p n ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ exp⎜⎜ − ⎟, Δn( x) = n p ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ exp⎜⎜ ⎟⎟ , (40)

⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎝ Lp ⎠ ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎝ Ln ⎠

unde Ln , L p sunt lungimile de difuzie in cele doua regiuni. Pentru o jonctiune abrupta si un

strat de baraj subtire fata de lungimile de difuzie, l << Ln , L p astfel ca putem neglija

recombinarea in strat, curentii de purtatori minoritari in regiunea p si n sunt, respectiv,

d Δp d Δn
j p = eμ p ( p n + Δp ) E − eD p , j n = eμ n (n p + Δn) E + eDn . (41)
dx dx
26

Primul termen din partea dreapta reprezinta curentii de drift (miscare indusa de campul
electric E si care se face cu viteze vn = μ n E , v p = μ p E pe directia campului aplicat, unde μ n

si μ p sunt mobilitatile electronilor si golurilor), iar ultimul termen reprezinta curentul de

difuzie, caracterizat de coeficientii de difuzie Dn si D p .


La campuri electrice mici si nivele mici de injectie predomina curentii de difuzie,

dΔp eD p p n ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤ ⎛ x − ln ⎞
j p ( x) = −eD p = ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ exp⎜⎜ − ⎟, (42a)
dx L p ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ Lp ⎟
⎝ ⎠

dΔn eDn n p ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤ ⎛ x + lp ⎞
j n ( x) = eDn = ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ exp⎜⎜ ⎟⎟ , (42b)
dx Ln ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎝ Ln ⎠

iar curentul total care trebuie sa fie constant de-a lungul jonctiunii, si pentru care
j n (l n ) = j n (−l p ) , j p (−l p ) = j p (l n ) , este

⎛ eDn n p eD p p n ⎞ ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤ ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤
j = j n ( x ) + j p ( x) = ⎜⎜ + ⎟ ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ = j s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ , (43)

⎝ Ln Lp ⎠⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦

unde j s este curentul de saturatie. Caracteristica I-V este reprezentata in figura de mai jos:

pentru tensiuni directe V > k B T / e curentul creste exponential cu tensiunea, iar pentru

tensiuni inverse, cu V < k B T / e , curentul nu depinde de tensiune, j ≅ − j s .

-Is V

Luarea in considerare a altor fenomene, ca de exemplu generarea si recombinarea purtatorilor


in stratul de baraj si nivele mari de injectie duc la o dependenta exponentiala de tipul
j = j s [exp(eV / 2k B T ) − 1] , dependenta generala (cu 1 ≤ β ≤ 2 ) fiind

⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤
j = j s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ . (44)
⎣ ⎝ βk BT ⎠ ⎦
27

Absorbtia luminii

Absorbtia luminii intr-un material este caracterizata prin coeficientul de absorbtie α, care
reprezinta fractiunea din radiatia absorbita la parcurgerea unitatii de lungime prin acel
material. Aceasta se poate scrie ca

− dI = αIdx (45)

unde I este intensitatea fluxului luminos care se propaga pe directia x si cade normal pe stratul
de grosime dx din material, iar semnul – arata ca intensitatea I scade cu cresterea lui x.
Integrand ecuatia de mai sus se obtine legea absorbtiei optice

I ( x) = (1 − R) I 0 exp(−αx) (46)

unde I 0 este intensitatea fluxului luminos incident la suprafata, si R < 1 este coeficientul de

reflexie al luminii la suprafata. α reprezinta adancimea de patrundere a radiatiei la care


intensitatea fluxului scade de e = 2.718 ori. Intensitatea medie a radiatiei ce patrunde pe o
distanta d in interiorul materialului se obtin integrand formula de mai sus, si rezultatul este

d
I m (d ) = [(1 − R ) I 0 / d ]∫ exp( −αx)dx = [(1 − R ) I 0 / αd ][1 − exp( −αd )] (47)
0

I
I0
(1-R)I0
Im
dI

dx d x

Aceasta lege este adevarata doar pentru lumina monocromatica deoarece coeficientul de
absorbtie depinde de lungimea de unda λ. Dependenta lui α de λ este caracteristica pentru
fiecare material si este determinata de procesele fizice care au loc in acesta.
Indiferent insa de natura proceselor fizice, considerand fasciculul de radiatie
electromagnetica incident ca fiind compus din fotoni cu frecventa ω, energie E = hω si
vector de unda k, interactia foton-material iluminat are loc cu conservarea energiei si a
impulsului care impun ca
28

E f − E i = hω , (48)

k f − ki = k , (49)

unde E f ,i si k f ,i sunt energia si impulsul materialului iluminat in starea finala (indice f) si

initiala (indice i).


Natura interactiei intre foton si materialul iluminat depinde de energia fotonului. In
semiconductori, mecanismul de absorbtie predominant este absorbtia banda-banda, sau
absorbtia fundamentala, in care in urma absorbtiei fotonului un electron din banda de valenta
ajunge in banda de conductie. In acest caz | k |<<| k f − k i | si impulsul electronului se

conserva, tranzitia din banda de valenta in banda de conductie fiind “verticala” in spatiul k
(vezi figura de mai jos).

E
Ec α
Ef

foton
Eg

k
Ei hω
Ev Eg

Daca ambele benzi, de conductie si de valenta, sunt izotrope, parabolice si au extremele la


k = 0 , absorbtia banda-banda este directa, si energia electronului in jurul extremelor celor
doua benzi se poate scrie ca E f = E g + h 2 k 2 / 2m n , E i = −h 2 k 2 / 2m p . Conservarea energiei

impunand in acest caz egalitatea E f − E i − hω = 0 = E g + h 2 k 2 / 2m r − hω , unde mr este

masa redusa, definita prin 1 / mr = 1 / mn + 1 / m p .


Exemple de semiconductori cu benzi directe sunt GaAs, GaSb, InP, InAs, CdS. Din
ecuatia (45) rezulta ca putem exprima coeficientului de absorbtie ca

α = −(dI / dx) / I = −(nrefr / c)(dI / dt ) / I , (50)


29

unde n refr este indicele de refractie al semiconductorului, c este viteza luminii in vid,

I = Nhω , cu N numarul de fotoni in intensitatea incidenta, si dI / dt = hω (dPtot / dt ) este


energia absorbita pe unitatea de timp, cu hω energia fotonului, si dPtot / dt probabilitatea de
tranzitie pe unitatea de timp. Un calcul cuantic al probabilitatii de tranzitie pe unitatea de timp
duce la urmatoarea expresie pentru coeficientul de absorbtie banda-banda direct

hω − E g
α = α0 (51)

cu α 0 un termen independent de energie. Dependenta coeficientului de absorbtie de frecventa


fotonilor incidenti este reprezentata in figura de mai sus. Se observa ca absorbtia are un prag
la hω p = E g , valorile tipice pentru α fiind 104–105 cm–1.

Pentru semiconductori impurificati, cu nivele energetice putin adanci ale impuritatilor


si pentru concentratii nu foarte mari ale acestora, nivelele discrete donoare si acceptoare, E d
si respective E a , precum si posibilele tranzitii intre aceste nivele si intre nivelele impuritatilor
si benzile de valenta si conductie sunt ilustrate in figura de mai jos.
In acest caz trecerea purtatorilor de sarcina de pe nivelele de impuritati in banda de
conductie sau valenta poate avea loc in urma absorbtiei unui foton cu energie mai mica decat
E g , astfel incat spectrul de absorbtie are un prag mai mic decat cel din cazul absorbtiei

fundamentale. Daca, de exemplu, exista doar nivele acceptoare in semiconductor, spectrul de


absorbtie pe impuritati, suprapus peste spectrul absorbtiei fundamentale arata ca in figura de
mai jos. Absorbtia pe impuritati are o intensitate mai mica (densitatea de stari/numarul de
purtatori pe nivelul acceptor este mult mai mic decat numarul purtatorilor in banda de valenta
sau conductie) si este deplasata catre energii mai mici in comparatie cu absorbtia
fundamentala.

α
Ec

Ed

Ea

Ev Eg - Ea
Eg
30

Absorbtia pe impuritati poate fi observata pentru concentratii moderate de impuritati


in semiconductori dopati si pentru concentratii mici de impuritati in semiconductori
compensati. Pentru nivele de impuritate putin adanci acest mecanism de absorbtie se observa
in infrarosu indepartat (λ < 25 μm) si la temperaturi mici, pentru a evita ionizarea
impuritatilor. Coeficientul de absorbtie α este proportional cu concentratia impuritatilor.
In cazul in care benzile de valenta si conductie au extremele localizate in directii
diferite in spatiul k (vezi figura de mai jos), conditia conservarii impulsului total impune ca
tranzitiile sa aiba loc cu participarea fononilor sau a impuritatilor. Mecanismul de absorbtie se
numeste in acest caz banda-banda indirect, Si si Ge fiind exemple de semiconductori cu benzi
indirecte. In cazul in care fononii participa la procesul de absorbtie al luminii, ei pot fi emisi
sau absorbiti in timpul acestui proces, si tranzitia electronului se modeleaza ca avand loc in
doua etape, in care: 1) se absoarbe un foton, procesul fiind reprezentat printr-o tranzitie
verticala in spatiul k, 2) se absoarbe sau se emite ulterior un fonon cu frecventa ω f , proces

reprezentat printr-o tranzitie oblica in spatiul k.


Calcule cuantice arata ca in acest caz

α 0 ⎡ ( hω + hω f − E g ) ( hω − hω f − E g ) 2 ⎤
2

α = α abs + α em = ⎢ + ⎥ (52)
hω ⎣⎢ exp(hω f / k B T ) − 1 1 − exp(−hω f / k B T ) ⎦⎥

iar dependenta γhω = f (hω ) este aproximativ o linie dreapta atat pentru hω > E g + hω f ,
cat si precum E g − hω f < hω < E g + hω f , unde absorbtia fononilor este mult mai probabila
decat emisia fononilor (vezi figura de mai jos).

(αhω)
1/2
E
Ec
fonon emis

(αem)
1/2
fonon fonon absorbit
T2
Eg T1 < T2

(αabs)
1/2
Ev k hω
Eg-hωf Eg+hωf
31

Deoarece exista mai multe tipuri de fononi in cristal si mai mult de un fonon poate fi
prezent in proces, curba de absorbtie poate avea mai multe discontinuitati care apar cand se
atinge pragul la care noi fononi pot participa la tranzitie. Pentru hω > E g − hω f predomina

termenul cu absorbtie de fononi; pentru hω > E g + hω f predomina termenul cu emisie de

fononi. Coeficientul de absorbtie are valori mai mici decat la tranzitiile directe: α ≅ 10–20
cm–1 si dependenta sa de temperatura este mult mai pronuntata.
In concluzie, pentru celule solare este preferabila folosirea materialelor cu benzi
directe. Dependenta spectrala a coeficientului de absorbtie al unor emiconductori este
prezentata in figura de mai jos.

absorbtie banda-
absorbtii banda-
banda indirecta
banda directe

Tema: Folosind curba coeficientului de absorbtie, estimati grosimea unei celule solare din
GaAs, astfel incat 90% din radiatia la 800 nm sa fie absorbita, in conditiile in care R = 1. Care
este grosimea necesara daca R = 0.6 ?
32

Efectul fotoelectric

Cand un foton cu o energie mai mare sau egala cu banda interzisa intr-un material
semiconductor este absorbit, se rupe o legatura/pereche de electroni, si se creaza o pereche de
sarcini electrice formata dintr-un electron negativ si un gol pozitiv. Aceste sarcini s-ar atrage
si s-ar recombina daca nu ar fi separate spatial. O metoda de a separa electronii de goluri este
aplicarea unui camp electric. In prezenta acestui camp electronii si golurile sunt directionati in
directii opuse, si se genereaza un flux de electricitate/fotocurent. Acesta este principiul de
functionare al celulelor solare. Campul electric este, de exemplu, campul electric intern intr-o
jonctiune p-n.
Sa consideram un exemplu tipic de celula solara reprezentat in figura de mai jos,
stanga, in care lumina este incidenta pe stratul n.

eVcd

Daca grosimea stratului n este suficient de mica, putem presupune ca fotonii sunt absorbiti in
vecinatatea stratului de baraj, astfel incat electronii si golurile create sunt separate spatial de
campul electric intern din jonctiune. Electronii sunt antrenati in regiunea n, si golurile in
regiunea p a structurii (vezi figura de mai sus, dreapta), sarcinile electrice in aceste doua
regiuni crescand pana la atingerea unui regim stationar, de echilibru intre procesele de
generare si recombinare. Aceasta incarcare electrica duce la aparitia unui camp electric opus
celui al jonctiunii, care micsoreaza bariera de potential din stratul de baraj, exact ca in cazul
aplicarii unei tensiuni directe. Tensiunea directa echivalenta, in conditiile in care circuitul este
deschis, se numeste tensiune la circuit deschis Vcd . Polaritatea acesteia este + la regiunea p si
33

− la regiunea n. Daca dispozitivul este legat in serie cu o rezistenta de sarcina Rs in circuitul

exterior apare un fotocurent de sens opus celui care ar trece prin Rs daca jonctiunea
neiluminata ar fi polarizata la oa sursa externa, la aceeasi tensiune (directa). In consecinta,
fotocurentul are acelasi sens ca si curentul invers (de saturatie) al jonctiunii neiluminate,
celula solara generand un curent I L (vezi figura de mai jos). Cu alte cuvinte, curentul este

⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤
I = − I L + I s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ . (53)
⎣ ⎝ β k B T ⎠ ⎦

I I Vm Vcd
V

intuneric -Is V Im

iluminare Isc
-IL V=-RsI

O privire mai atenta la caracteristica I − V a fotoelementului (vezi figura de mai sus,


dreapta), pentru V > 0, I < 0, ne ajuta sa definim doi parametri importanti ai celulei solare:
tensiunea la circuit deschis, Vcd = ( βk BT / e) ln(1 + I L / I s ) , care este tensiunea corespun-

zatoare curentului I = 0, si curentul de scurtcircuit, I sc = − I L , care corespunde tensiunii V = 0.


In aplicatii, se considera de multe ori cadranul inversat (cu I > 0). Tensiunea la circuit deschis
nu poate fi mai mare decat banda interzisa a semiconductorului, pe cand curentul generat este
determinat de intensitatea radiatiei solare (de numarul de fotoni cu energie mai mare decat
banda interzisa).
In plus, performantele celulelor solare sunt determinate de puterea P = IV pe care o
pot debita pe rezistenta de sarcina. Punctul de functionare al dispozitivului (adica tensiunea si
curentul) se gasesc din intersectia caracteristicii I − V cu dreapta definita de V = − Rs I ,
puterea debitata fiind data de dreptunghiul format de valorile tensiunii si curentului in punctul
de functionare. Dependenta puterii de tensiune (curba albastra in figura de mai sus, dreapta)
34

are un maxim care rezulta din dP / dV = 0 si caruia ii corespunde aria gri, pentru care I = I m ,

V = Vm . Puterea maxima Pm = I mVm se debiteaza pe rezistenta Rsm = −Vm / I m . Pentru


optimizarea puterii trebuie facut, in general, un compromis intre curent mare sau tensiune
mare.
O celula solara este caracterizata prin factorul de umplere

FF = I mVm / I scVcd (54)

si eficienta de conversie

η = puterea la iesire/puterea la intrare = Pm / Prad (55)

unde Prad este puterea radiatiei solare incidente. Ambii parametri sunt mai mici decat
unitatea. Eficienta de conversie tipica este intre 12−20% pentru celule solare standard, iar
factorul de umplere tipic este in jur de 75%.
In plus, pentru compararea materialelor din care este fabricata celula solara, se mai
poate defini eficienta cuantica externa, ca fiind numarul de electroni generati la iesire pentru
un foton incident,

η ce = electroni la iesire/fotoni incidenti (56)

parametru care ia valori intre 60−90%, depinzand de reflectivitate, lungime de unda si


iluminare, si eficienta cuantica interna, ca fiind numarul de electroni la iesire per foton
absorbit.

η ci = electroni la iesire/fotoni absorbiti

Ultimul parametru are valori tipice intre 80−95%, depinzand de lungimea de unda.
Celulele solare eficiente sunt cele cu eficienta de conversie mare, deci eficienta
cuantica externa mare, si care pot transforma in energie electrica fotoni dintr-o regiune
spectrala cat mai extinsa. In partile urmatoare ale cursului vom analiza performantele
celulelor solare din diverse generatii si solutiile pentru imbunatatirea eficientei acestora.
Erata
Inlocuiti in partea I a cursului ecuatiile (46)-(47) si textul referitor la acestea din capitolul de
absorbtie a luminii cu textul de mai jos.

............
Integrand ecuatia de mai sus se obtine legea absorbtiei optice

I ( x) = (1 − R) I 0 exp(−αx) (46)

unde I 0 este intensitatea fluxului luminos incident la suprafata, si R < 1 este coeficientul de

reflexie al luminii la suprafata. α reprezinta adancimea de patrundere a radiatiei la care


intensitatea fluxului scade de e = 2.718 ori. Intensitatea medie a radiatiei ce patrunde pe o
distanta d in interiorul materialului se obtin integrand formula de mai sus, si rezultatul este

d
I m (d ) = [(1 − R ) I 0 / d ]∫ exp( −αx)dx = [(1 − R ) I 0 / αd ][1 − exp( −αd )] (47)
0

I
I0
(1-R)I0
Im
dI

dx d x
......
II. Eficienta de conversie a celulelor solare

Am prima parte a acestui curs am vazut ca celulele solare functioneaza pe baza efectului
fotoelectric, in care o tensiune electrica este generata prin separarea in campul electric intern
al unei jonctiuni p-n a electronilor si golurilor ce rezulta in urma absorbtiei unor fotoni cu
energie mai mare decat banda interzisa a semiconductorului care formeaza jonctiunea.
Campul electric intern transporta prin drift purtatorii de sarcina minoritari (care ajung la
jonctiune in urma difuziei) dintr-o parte in cealalta a jonctiunii (unde devin majoritari), si
impiedica injectia purtatorilor majoritari dintr-o parte in cealalta (unde devin minoritari). Sa
vedem intai cat de mare este puterea primita de la soare.

Puterea solara incidenta


Celulele solare capteaza, cu o eficienta mai mare sau mai mica (tipic, intre 15–30%), radiatia
solara care ajunge pe suprafata Pamantului. Puterea totala radiata de soare, se poate estima
daca soarele este modelat ca un corp negru. Un corp negru absoarbe toata radiatia
electromagnetica incidenta, fara a reflecta sau transmite nici o parte din ea, si emite o radiatie
termica, cu un spectru dependent de temperatura. Puterea emisa pe unitate de suprafata si pe
unitate de energie de un corp negru la temperatura T este

2πE 3 1
I ( E, T ) = . (1)
c h exp( E / k B T ) − 1
2 3

Aceasta densitate de putere are aceeasi forma pentru orice temperatura, dar maximul ei se
deplaseaza cu temperatura confrom legii Wien E max = 2.82k BT sau (vezi figura de mai jos,
stanga)

λmax T = 2.9 ⋅ 10 −3 m ⋅ K (2)

Tema: Gasiti temperatura unui corp negru al carui maxim al iradiantei spectrale se afla la a)
550 nm (in regiunea verde a spectrului vizibil) si b) 700 nm (in regiunea rosie).

Puterea totala radiata pe unitate de suprafata (numita si densitate de putere sau iradianta) este
data de legea Stefan-Boltzmann,
2

RS
Soare

RP
Pamant


2π ∞
x 3 dx
P(T ) / A = ∫ I ( E , T )dE = ( k T ) 4
∫ = σT 4 , (3)

2 3 B
0 c h 0 exp( x ) 1

unde σ = 2π 5 k B4 /(15c 2 h 3 ) = 5.6·10–8 W/m2⋅K4 este constanta Stefan. Considerand tempera-

tura soarelui ca fiind TS = 5762 K, densitatea de putere corespunzatoare este 6·107 W/m2.

Din aceasta, conform figurii de mai sus, dreapta, doar fractiunea PP / A =

( PS / A)( RP / D) 2 ( RS / RP ) 2 = ( PS / A)( RS / D) 2 ≅ 1366 W/m2 ajunge pe Pamant, unde R S =

696·103 km este raza soarelui (de 109 ori mai mare decat raza medie Pamantului, egala cu
R P = 6371 km) si D = 149.6·106 km este distanta medie Pamant-Soare, folosita ca unitate de
masura (1 AU) in astronomie.

100%

3%
atmosfera
20%
70% 7%
Pamant
3

Deoarece distanta Pamant-Soare variaza, si puterea solara radiata care ajunge pe


Pamant variaza slab in functie de anotimp. Din aceasta putere, 20% este absorbita in straturile
superioare ale atmosferei si 3% este imprastiata si ajunge din nou in spatiul cosmic, astfel
incat (tinand seama si de unghiul de incidenta mediu) doar 70% ajunge direct pe suprafata
pamantului si 7% este imprastiata spre suprafata pamantului (vezi figura de mai sus, stanga).
Evident, puterea utila variaza si functie de pozitia pe pamant, vreme (conditii meteo), si
unghiul de incidenta pe celula solara, absorbtia puterii solare fiind maxima pentru incidenta
normala. Mai mult, spectrul luminii care ajunge pe Pamant este usor modificat fata de spectrul
luminii emise de Soare (vezi figura de mai sus, dreapta), datorita absorbtiei pe atomii sau
moleculele constituente ale atmosferei (CO2, H2O, N2, etc.) sau imprastierii neuniforme care
se face cu preponderenta in anumite intervale spectrale.
Pentru a cuantifica radiatia solara care ajunge pe Pamant se defineste Masa aerului
AM (air mass) care este raportul intre lungimea drumului pe care il parcurge lumina prin
atmosfera si cel mai scurt drum posibil (ce corespunde incidentei normale). AM este o masura
a reducerii puterii luminii pe masura ce trece prin atmosfera. Se defineste AM1 (vezi figura de
mai jos), daca soarele este exact deasupra, AM1.5, adica radiatia solara conventionala,
incidenta la aproximativ 48.2°, care poate fi AM1.5D (care provine direct de la soare, 900
W/m2) sau AM1.5G (globala, care include si radiatia imprastiata, 1000 W/m2), si AM0,
parametru folosit in aplicatii spatiale (deasupra atmosferei, 1366 W/m2). AM2 corespunde
unei radiatii solare incidente la 60°.

Tema: Stiind ca puterea este energia pe unitate de timp (pe secunda), aflati care este energia
primita de la soare, la limita superioara a atmosferei intr-o ora, pe intreaga suprafata.
Comparati aceasta energie cu cea consumata pe planeta intr-un an, pentru un consum de
putere (in 2009) de 15 TW.
4

Puterea de iesire a unui modul fotovoltaic


Pentru a creste puterea generata, celulele solare sunt combinate (conectate in serie si/sau
paralel si incapsulate) pentru a forma un modul fotovoltaic. Mai multe module formeaza un
panou. Puterea de iesire a unui modul fotovoltaic se defineste ca puterea generata cand
radiatia solara incidenta este 1000 W/m2 (AM1.5G) si temperatura este de 25 Celsius. Aceasta
este o valoare tipica a radiatiei solare in miezul unei zile insorite de vara.

Exemplu: Un modul cu o suprafata de 1 m2 care are o eficienta de 15% produce o putere la


iesire de 150 W la amiaza unei zile insorite.

Problema: Daca am o retea fotovoltaica cu o putere de 2.2 kW si radiatia solara incidenta


(iradianta) este de 4kWh/m2·zi, cata energie produce intr-un an? (Energia este egala cu
produsul dintre putere si timp.)

Solutie: Pentru a afla energia produsa pe zi, trebuie intai sa impart radiatia solara incidenta la
AM1.5G, si sa aflu cati “sori” pe zi cad pe reteaua fotovoltaica, adica (4 kWh/m2·zi)/1000
W/m2 = 4/zi, dupa care calculez energia produsa pe zi E = (2200 W)×4/zi = 8.8 kWh/zi =
3200 kWh/an.

Pentru a calcula aria panoului care produce o anumita cantitate de energie pe an, daca
am o eficacitate de conversie data, folosim formula:

energia necesara (kWh/an)


2
suprafata (m ) = —–————————————————————— (4)
[resursa solara (kWh/m2/an)×eficienta de conversie]

O celula solara tipica are 5 cm in diametru si 1 mm in grosime, si (daca este din Si) genereaza
0.5 V intre terminale.

Exemplu: Aria panoului ar trebui sa fie 1.3·105 km2 pentru a produce o energie de 3.5·1013
kWh/an folosind o retea de celule solare cu o eficienta de conversie de 12% daca iradianta
este de 6 kWh/m2·zi.

In celula solara tensiunea electrica Vcd = ( βk BT / e) ln(1 + I L / I s ) , care corespunde I =


0, adica situatiei in care nu circula curent/cazului de circuit deschis, este generata in urma
separarii electronilor si golurilor fotogenerate in campul electric intern al unei jonctiuni p-n.
Tensiunea la circuit deschis nu poate fi mai mare decat E g si este determinata de diferenta
5

intre cvasi-nivelele Fermi in regiunea n si p, care nu mai sunt la acelasi nivel in prezenta
iluminarii. Daca jonctiunea este conectata intr-un circuit ce contine o rezistenta de sarcina Rs ,

apare un fotocurent si se debiteaza o putere electrica pe Rs . In figurile de mai jos sunt


prezentate o jonctiune p-n iluminata (stanga si centru) si caracteristica I − V (in dreapta).

I
Isc

Im
P
eVcd
V
l Vcd
Vm

Desi in caracteristica I − V

⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤
I = − I L + I s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ (5)
⎣ ⎝ βk B T ⎠ ⎦

fotocurentul este negativ, in conventia (deseori) utilizata in practica acestia sunt considerati
pozitivi (ca si in figura de mai sus); semnului curentului se inverseaza. Regiunea de tip p este
numita baza si regiunea de tip n emitor; electronii sunt transportati de campul electric intern
(orientat de la regiunea n spre p) de la regiunea de tip n catre regiunea p. Remarcati ca la
iluminare curentul este negativ deoarece are sens invers curentului produs la o tensiune V;
electronii si golurile se misca in sens invers sensului impus de difuzie. Parametrul de
idealitate 1 ≤ β ≤ 2 descrie mecanismul de curent in jonctiune: β = 1 corespunde cazului in

care curentul este preponderent de difuzie (vezi demonstratia in partea I a cursului), iar β = 2
descrie transportul preponderent prin drift al sarcinilor electrice. Curentul de scurtcircuit in
celula solara I sc = − I L (la V = 0) depinde de numarul de electroni care sunt excitati in banda
de conductie, care este proportional cu radiatia solara incidenta, pe cand tensiunea la circuit
deschis este practic independenta de energia incidenta.
Pentru a creste puterea generata (egala cu produsul intre curent si tensiune in punctul
de lucru), se folosesc module fotovoltaic care genereaza tensiunea si curentul dorit (vezi
figura de mai jos). Curentul creste daca aria celulei solare creste sau daca radiatia solara
incidenta creste (este concentrata), iar daca celulele solare sunt conectate in serie, curentul
6

ramane acelasi si tensiunea creste. Pe de alta parte, daca celulele solare sunt conectate in
paralel, tensiunea este aceeasi dar curentul creste. Caracteristica exponentiala I − V este
valabila, cel putin in prima aproximatie, si pentru celulele solare bazate pe heterojonctiuni.

Exemplu: Daca celula solara genereaza 0.5 V (valoare tipica pentru celule solare din Si),
pentru a forma un modul de 12 V trebuie conectate 24 celule solare in serie.

O retea de celule solare (sau retea fotovoltaiva) poate contine pana la cateva mii de
module fotovoltaice, organizate in panouri solare (un panou solar este un grup de module
fotovoltaice). Astfel de panouri pot produce curenti directi cu puteri care variaza de la cativa
W la zeci de MW, si pot fi folosite pentru a alimenta o “sarcina” care poate fi orice de la o
baterie de calculator la un sistem de comunicatii intr-o cladire sau oras. Cand o retea
fotovoltaica este conectata la o reatea utilitara, trebuie intai conectata la un invertor care sa
transforme curentul direct in curent alternativ. Astfel de invertoare au o eficienta de 90% si
produc curent de forma sinusoidala cu foarte putine distorsionari sau armonici superioare.

Eficienta de conversie maxima a celulelor solare


Puterea maxima debitata/eficienta maxima de conversie a unei singure celule solare ce
contine o jonctiune p-n se considera o celula solara in echilibru termodinamic cu mediul
inconjurator si se ia in calcul balanta detaliata a proceselor care pot avea loc (teoria Shockley-
Queisser). Pentru a obtine o eficienta maxima de conversie se presupune absorbtia perfecta a
fiecarui foton cu energie E > E g care creaza exact o pereche electron-gol, colectarea perfecta

a purtatorilor fotogenerati (adica se presupune ca numarul perechilor electron-gol colectate de


electrozi este egal cu numarul perechilor generate), precum si un unic mecanism de
recombinare a electronilor si golurilor, care corespunde recombinarilor radiative (in urma
carora se genereaza un foton).
7

In aceste conditii, densitatea de fotocurent (curentul pe unitate de arie) generat la


iluminarea cu un flux de fotoni de energie E este


j L = I L / A = e ∫ Φ S ( E )dE (6)
Eg

unde

2πE 2 1
Φ S = I ( E , TS ) / E = (7)
c h exp( E / k B TS ) − 1
2 3

este fluxul de fotoni de energie E la temperatura soarelui, si s-a tinut cont ca doar fotonii cu
energie mai mare decat E g genereaza perechi electron-gol (intr-un semiconductor cu benzi
directe in care mecanismul predominant de absorbtie este absorbtia banda-banda).
La echilibru termodinamic, fiecare proces in celula solara este in echilibru cu procesul
invers. Adica, fluxul de fotoni in si dinspre celula solara este egal daca celula solara si mediul
inconjurator au aceeasi temperatura T. Considerand celula solara ca un corp negru la
temperatura T, fluxul de fotoni cu energie E emis de o celula solara la o tensiune V este dat de
legea Planck:

2πE 2 1
Φ(V , E ) = ≅ Φ c ( E ) exp(eV / k B T ) (8)
h c exp[(E − eV ) / k BT ] − 1
3 2

unde s-a presupus ca E − eV >> k BT si

2πE 2 1 2πE 2
Φ c (E) = ≅ exp(− E / k B T ) (9)
h 3 c 2 exp( E / k B T ) − 1 h 3 c 2

este radiatia celulei pentru V = 0. Aceasta emisie de fotoni trebuie sa fie cauzata de un curent
de recombinare a carui densitate este


j rec = e ∫ Φ (V , E )dE . (10)
Eg
8

In urma recombinarii electronilor din banda de conductie cu golurile din banda de valenta,
separate prin banda interzisa cu latime E g fotonii au energie mai mare decat E g . Dar in

echilibru termodinamic curentul total trebuie sa fie fie nul, astfel incat curentul de
recombinare trebuie sa fie acelasi ca si fotocurentul cauzat de absorbtia radiatiei de corp negru
a mediului inconjurator. Deci, la aplicarea unei tensiuni densitatea curentului de intuneric este

⎛∞ ⎞ ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤ ⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤
j = e⎜ ∫ Φ c ( E )dE ⎟ ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ = j s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ (11)
⎜E ⎟
⎝ g ⎠⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦ ⎣ ⎝ k BT ⎠ ⎦

iar in prezenta luminii,

⎡ ⎛ eV ⎞ ⎤
j = j s ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ − j L . (12)
⎣ ⎝ k B T ⎠ ⎦

Caracteristica I − V , desi obtinuta din alte considerente, are forma exponentiala pe care am
dedus-o anterior. Aceasta forma exponentiala este deci mult mai generala si se intalneste nu
numai la jonctiuni p-n ci si la heterojunctiuni sau structuri de tip p-i-n.
Tensiunea maxima care poate fi atinsa este tensiunea la care celula solara emite tot
atatia fotoni cat absoarbe, adica in conditiile in care nu exista transfer de energie net si nici
curent net, ceea ce inseamna ca celula solara este in circuit deschis. Deci tensiunea maxima
este Vcd = (k B T / e) ln( j L / j s + 1) , iar eficienta de conversie a celulei solare este data de

Pm j V FF
η= = sc cd (13)
Prad Prad / A

unde FF este factorul de umplere si Prad este puterea radiatiei solare incidente. Din formulele
de mai sus rezulta ca eficienta de conversie depinde de largimea benzii interzise, si are o
valoare maxima de 31% pentru radiatia AM1.5G. care se obtine E g = 1.4 eV. Influenta benzii

interzise asupra eficientei de conversie este slaba in intervalul 1−1.45 eV. Pentru E g mai

mari tensiunea la circuit deschis creste (campul electric intern creste) dar ponderea fotonilor
neabsorbiti (cu energie mai mica decat banda interzisa) devine prea mare, iar pentru E g mai

mici, fotocurentul creste, deoarece mai multi fotoni ar putea genera perechi electron-gol, dar
tensiunea la circuit deschis si eficienta scade deoarece campul intern in jonctiune este de
9

asemenea mic. Extrapoland, toti fotonii ar participa la fotocurent daca E g = 0, dar eficienta de

conversie ar fi η = 0 pentru ca tensiunea fotovoltaica este = 0. De asemenea, eficienta


conversiei η = 0 daca E g = ∞ (nu poate circula un curent prin jonctiune). In figura de mai jos

este prezentata dependenta eficientei maxime, a tensiunii la circuit deschis si a curentului de


scurtcircuit de banda interzisa a semiconductorului la T = 300K si AM1.5G.

Mecanisme de pierderi ale puterii in celule solare


Celule solare tipice, formate din jonctiuni p-n intr-un singur material, de exemplu Si, au o
eficienta de conversie a energiei solare de doar 15−20%, desi eficienta maxima ar trebui sa fie
in jur de 30%. Care sunt cauzele pierderilor in conversia energiei si cum pot fi minimizate?
Principala cauza a pierderilor pentru celule solare facute dintr-o jonctiune p-n intr-un
singur material, si care limiteaza teoretic eficienta conversiei energiei solare, este banda
spectrala ingusta a fotonilor care genereaza perchi electron-gol. Mai exact, pentru Si, care are
E g = 1.12 eV, pentru o energie solara incidenta cu o putere de 100 mW, 21 mW nu sunt

absorbiti (pentru ca au o energie E < E g ) si 31 mW constituie energia in exces, a fotonilor cu

E > E g care este transformata in caldura (vezi figurile de mai jos).


10

Dupa cum am vazut in sectiunea precedenta, intr-o celula solara dintr-un singur material
situatia optima corespunde unei benzi interzise E g = 1.4 eV, pentru care eficienta maxima

este de 31% pentru un soare (fara concentratori).

In plus, eficienta de conversie scade pentru ca nu tori fotonii incidenti cu energie


suficient de mare genereaza perechi electron-gol. Eficienta generarii este caracterizata de
cuantica interna η ci < 1 a materialului, care este egala cu raportul intre numarul de electroni la
iesire si numarul de fotoni absorbiti si care depinde puternic de lungimea de unda a radiatiei
incidente (vezi figura de mai sus, stanga: GaInP, cu E g = 1.8 eV, dreapta: CIGS, cu E g = 2.4

eV); aceste parametru ia valori tupice intre 80−95%. Densitatea fotocurentului pentru o
radiatie incidenta cu spectru larg si flux de fotoni de energie E notat Φ (E ) este

j = e ∫ Φ ( E )η ci ( E )dE . (14)

Alte mecanisme de pierderi sunt termalizarea retelei cristaline (procesul 1 in figura de


mai jos), care reduce eficienta de conversie, pierderile de tensiune la jonctiune (procesul 2),
pierderile de tensiune la contact (procesul 3), si pierderile prin recombinare (procesul 4 in
figura de mai jos).
11

Termalizarea retelei cristaline, adica cresterea temperaturii datorita ciocnirii purtatorilor cu


energie mare cu fononii (cuante ale miscarii de vibratie a retelei cristaline), reduce eficienta
conversiei cu (tipic) 0.1%/°C, astfel incat daca eficienta este de 16% la 25°C, ea devine 9% la
100°C. La cresterea temperaturii are loc o usoara crestere a curentului de scurtcircuit si o
scadere semnificativa a tensiunii la circuit deschis. Pierderile prin recombinare pot fi
minimizate prin limitarea grosimii straturilor n si p la lungimea de difuzie a purtatorilor.
Recombinarile la suprafata pot fi reduse prin introducerea unui strat de pasivare (vezi figura
de mai jos) care are rolul de a scadea concentratia purtatorilor minoritari la suprafata. (In
prima parte a cursului am vazut ca intr-o jonctiune p-n curentul este datorat purtatorilor
minoritari in exces!) Acest strat poate fi un strat puternic dopat, un alt semiconductor cu
banda interzisa mai mare, sau ambele. Indiferent de alegere, benzile de energie se curbeaza.

Exemplu de bilant energetic pentru o celula solara din Si: din puterea incidenta de 100
mW, 21 mW nu sunt absorbiti, si 31 mW constituie energia in exces. Raman 48 mW. Daca
tensiunea la circuit deschis este de 0.6 V (0.7 V), curentul maxim care poate fi generat este
dat de 48 mW/1.12 V = 44 mA. Aceste curent maxim corespunde cazului cand toti fotonii, in
numar de 48 mW/( hω = E g ) = 48 mW/1.12 eV sunt convertiti in electricitate. Datorita

reflexiei la suprafata a fotonilor, umbrei/shading electrozilor, absobtiei incomplete, colectarii


incomplete a sarcinilor, curentul de scurtcircuit este de fapt 28 mA (41mA). Pentru un factor
de umplere 75% (80%), puterea generata ajunge la doar 14 mW (24mW).
12

Din exemplul de mai sus rezulta ca este de dorit sa avem un factor de umplere cat mai
mare. Pentru acelasi I sc si Vcd , factorul de umplere este mai mare cu cat caracteristica I − V
are o portiune plata cat mai mare (caracteristica I − V din figura de mai jos, stanga, are un
factor de umplere mai mare decat in figura de mai jos, dreapta).

I I
Isc Isc
Im
Im

V V
Vm Vcd Vm Vcd

Forma caracteristicii I − V depinde de rezistenta serie si de shunt a dispozitivului.


Rezistenta serie Rs trebuie sa fie mica si cea de shunt mare Rsh pentru dispozitive eficiente.
Rezistenta serie inglobeaza contributia tuturor elementelor rezistive din dispozitiv, a contacte
ohmice si a interfetei semiconductor/contact. Rezistenta shunt reprezinta portiunea din energia
electrica generata care este pierduta prin recombinare la jonctiunea p-n sau la suprafata celulei
solare. Caracteristica I − V in prezenta acestor rezistente, pentru un factor de idealitate β, este

⎡ ⎛ e(V − IRs ) ⎞ ⎤ V − IRs


I = I S ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ + − IL (15)
⎣ ⎝ β k B T ⎠ ⎦ R sh

Circuitul echivalent al celulei solare ne-ideale (cu Rs si Rsh finite) este ilustrat in figura de

mai jos, stanga. I int este curentul de intuneric. Modul in care Rs si Rsh influenteaza
caracteristica I − V este prezentata in figura de mai jos, centru si, respectiv, dreapta.

Rs
I I
+

IL Iint Rsh V
Rs creste Rsh scade
- V V
13

Metode de optimizare a eficientei de conversie


Din exemplul precedent, am vazut ca o parte din pierderi pot fi minimizate printr-o proiectare
corespunzatoare a celulelor solare. Pentru ca densitatea de putere a radiatiei solare incidente
este constanta, pentru a creste eficienta de conversie

Pm j V FF
η= = sc cd (16)
Prad Prad / A

trebuie sa vedem cum putem curentul de scurtcircuit/fotocurentul, tensiunea la circuit deschis


si factorul de umplare.
Deoarece

Vcd = ( βk B T / e) ln( j L / j s + 1) ≅ ( βk B T / e) ln( j L / j s ) , (17)

tensiunea la circuit deschis creste daca creste fotocurentul/curentul de scurtcircuit sau daca
scade curentul de saturatie care, pentru transport predominant difuziv (vezi prima parte a
cursului), are expresia

j s = (eDn n p / Ln + eD p p n / L p ) . (18)

De exemplu, pentru β = 1, pentru fiecare crestere de 10 ori a raportului j L / j s , Vcd creste cu

60 mV = (k B T / e) ln(10) . Daca j L creste de doua ori, tensiunea la circuit deschis creste cu 18

mV = (k BT / e) ln(2) . Metodele de crestere a fotocurentului le vom discuta mai jos. Pentru a

scadea curentul de saturatie trebuie sa avem lungimi de difuzie Ln = Dnτ n , L p = D pτ p

mari si coeficienti de difuzie Dn , D p mici, adica timpii de viata ai purtatorilor τ n , τ p ,


trebuie sa fie cat mai mari. Pe de alta parte concentratiile purtatorilor minoritari trebuie sa fie
mici, ceea ce implica un potential de difuzie mare, mai usor de implementat in heterostructuri.
Am vazut mai sus cum este influentat factorul de umplere de rezistentele de serie si
shunt. Prima poate fi scazuta iar a doua marita prin reducerea pierderilor in celula solara si
prin folosirea contactelor ohmice, care influenteaza in special rezistenta serie. O rezistenta
serie mica, pe langa imbunatatirea factorului de umplere, minimizeaza si caldura (Joule)
disipata in material, crescand eficienta de conversie.
14

Tipuri de contacte
Contactele intre un material semiconductor si un metal sunt de doua feluri: ohmice si
Schottky. La interfata intre un metal si un semiconductor, analog cu cazul interfetei intre
regiunile n si p intr-o jonctiune, benzile de energie se curbeaza datorita redistributiei sarcinilor
la interfata. Curbura (vezi figura de mai jos, stanga) este mai accentuata in semiconductor,
care are o concentratie mai mica de purtatori. Daca un electron din banda de conductie a
semiconductorului trebuie sa treaca peste o bariera de potential pentru a ajunge in nivelul
Fermi din metal (care este acelasi ca si in semiconductor, la echilibru), contactul se numeste
ohmic. Caracteristica I − V a unui contact Schottky este exponentiala (vezi figura de mai jos,
dreapta), ca si la jonctiunea p-n, in care purtatorii trebuie sa treaca peste potentialul de difuzie.
Din contra, daca electronii din semiconductor nu intalnesc o bariera de potential, contactul
este ohmic si caracteristica I − V corespunzatoare este liniara. O rezistenta serie mica a
celulei solare implica folosirea contactelor ohmice, cu exceptia cazului in care contactele sunt
folosite pentru a crea un camp intern care separa sarcinile. Pentru un semiconductor dat, un
metal formeaza contact ohmic sau Schottky in functie de lucrul de extractie eφm (egal cu
energia pe care o trebuie sa o primeasca un electron de pe nivelul Fermi pentru a fi scos in
vid/in afara metalului) al acestuia. Daca acest lucru de extractie este mai mare decat energia
corespunzatoare scoaterii in vid a unui electron din banda de conductie a semiconductorului,
eχ , contactul este Schottky. In caz contrar, este ohmic. Un metal poate face contacte ohmice
cu anumiti semiconductori si Schottky cu altii.
15

Metode de crestere a absorbtiei


Fotocurentul este produs de perechile electron-gol generate in urma absorbtiei fotonului care
ajung la contactele electrice. Pentru a creste fotocurentul putem sa crestem numarul de fotoni
absorbiti si sa scadem numarul de procese de recombinare.
Avand in vedere formula intensitatii luminoase in interiorul semiconductorului

I ( x) = (1 − R) I 0 exp(−αx) (19)

unde α este coeficientul de absorbtie, putem creste absorbtia daca micsoram coeficientul de
reflexie R, crestem intensitatea incidenta I 0 , sau crestem drumul parcurs de lumina in
interiorul semiconductorului.
Pentru a scadea coeficientul de reflexie se folosesc straturi anti-reflexie care constau
dintr-o succesiune de straturi subtiri cu grosimi (de obicei) de λ / 4 din materiale cu indici de
refractie diferiti. Aceste straturi sunt necesare deoarece Si, de exemplu, cu un indice de
refractie ns = 3.46, reflecta aproape 30% la incidenta normala. Coeficientul de reflexie
aer/semiconductor la incidenta normala este dat de formula

2
⎛ n − ns ⎞
R = ⎜⎜ aer ⎟⎟ (20)
⎝ n aer + n s ⎠

unde naer ≅ 1 este indicele de refractie al aerului, iar ns cel al semiconductorului. In figura de
mai sus este ilustrata scaderea reflectivitatii cu cresterea numarului de straturi anti-reflexie.
Observati ca scaderea coeficintului de reflexie are loc doar intr-un interval spectral.
16

Tema: aflati care este coeficientul de reflexie la incidenta normala la interfata dintre aer si un
semiconductor cu indice de refractie a) 2.5, b) 3, c) 3.5.

In plus, pentru a permite unei fractii cat mai mari din lumina incidenta sa patrunda in
apropierea jonctiunii celulei solara, contactul electric de sus trebuie sa aiba o forma
digitala/de tip grila, ca in figura de mai jos, stanga, sau sa fie transparent (vezi figura de mai
jos, dreapta). Contactele transparente sunt de obicei fabricate din oxizi conductivi (care au o
conductivitate electrica mare) cum ar fi ZnO, SnO2, sau ITO (oxid de indiu si staniu).
Electrozii de contact s-ar putea plasa si lateral, dar in acest caz electronii ar trebui sa parcurga
distante mari pentru a ajunge la contact, ceea ce scade eficienta de conversie datorita
recombinarilor.

O alta modalitate de crestere a numarului de fotoni absorbiti este concentrarea energiei solare

(cresterea intensitatii I 0 ). Principiul (vezi figura de mai jos) se bazeaza pe focalizarea


energiei solare incidente pe o suprafata mai mica, in care este plasata celula solara.

Concentratorii se caracterizeaza prin raportul


17

C = I c / I inc (21)

unde I c este intensitatea pe celula solara si I inc este intensitatea solara incidenta. Pentru
concentratori slabi ai energiei solare (2−10 sori) nu este nevoie de racirea dispozitivului, si se
pot utiliza celule din Si standard, racirea fiind necesara pentru concentratori intermediari
(10−100 sori) si puternici (> 100 sori). In ultimul caz se folosesc celule de tip multi-jonctiune
(cu eficiente de pana la 41%), datorita curentilor mari, si este nevoie de o perfecta aliniere a
sistemului perpendicular pe radiatia solara incidenta. Desi concentratorii cresc puterea
debitata de celula solara, concentrarea luminii in exces scade Vcd odata cu cresterea
temperaturii. In plus, cresc pierderile de putere pe rezistenta serie. Exista deci un factor de
concentrare optim pentru fiecare celula solara, de (tipic) cateva sute de sori.
Concentrarea luminii se poate realiza prin mai multe metode. In figura de mai jos este
prezentata (stanga) o oglinda parabolica care poate concentra lumina in focarul ei. In figura de
mai jos, in centru este reprezentat un astfel de cuptor solar dintr-o oglinda parabolica inalta
cat 8 etaje, construit in 1969 la Odeillo in Pirineii francezi, in care temperatura atinge 3800°C.
Astfel de temperaturi sunt mai degrada utile in transformarea energiei solare direct in energie
termica. Pentru concentrarea luminii in celule solare se folosesc retele de astfel de oglinzi
parabolice, celula solara fiind plasata in focar (vezi figura de mai jos, dreapta)

Concentrarea luminii se mai poate realiza prin intermediul lentilelor plane Fresnel
(vezi figura de mai jos, stanga; in partea dreapta este reprezentata o lentila convergenta
obisnuita). Deoarece razele de lumina intr-o lentila obisnuita sunt refractate in special de
suprafata concava, acelasi efect de focalizare se poate obtine si daca se elimina portiuni din
lentila de grosimi egale cu un multiplu de 2πλ . Astfel se obtin lentile Fresnel planare, mult
mai usoare si in care pierderile datorita absorbtiei luminii in materialul lentilei sunt reduse. O
alta utilizare a lentilelor Fresnel plane este in faruri.
18

O alta metoda de crestere a numarului de fotoni absorbiti este cresterea drumului


parcurs de lumina in material. Aceasta se poate realiza in concentratori luminescenti (vezi
figura de mai jos) care constau din straturi transparent de polimeri dopati cu substante (atomi
sau molecule) luminescente sau puncte cuantice. Lumina solara incidenta este absorbita de
substantele luminescente si este apoi re-radiata in directii arbitrare (cu o eficienta, de
preferinta, mare) astfel incat o fractie din lumina incidenta este captata in strat (nu poate iesi
datorita reflexiei totale interne la interfata polimer-aer care are loc daca unghiul de incidenta
la suprafata este mai mare decat o valoare critica). Astfel, drumul parcurs de lumina pana la
celula solara plasata la margine creste si spectrul luminii incidente poate fi mai bine adaptat
benzii interzise a semiconductorului din celula solara deoarece fotonii re-radiati au energie
mai mica decat cei incidenti. Concentratorul planar luminescent este in particular eficient
pentru lumina difuza, foarte greu/imposibil de concentrat cu concentratori care functioneaza
pe baza de reflexie sau refractie.

Alternativ, drumul parcurs de fotoni in materialul absorbant creste prin folosirea


suprafetelor structurate (vezi figura de mai jos, stanga) in care, prin efectul de capcana datorat
reflexiilor multiple, absorbtia este semnificativa chiar si in straturi absorbante de grosime
mica. In figura de mai jos, dreapta, este ilustrat un strat de Si nanostructurat. Aceasta solutie
este deosebit de utila in materiale in care probabilitatea de recombinare a perechilor electron-
gol este mare si este necesara crearea fotopurtatorilor cat mai aproape de jonctiunea p-n.
19

Coeficientul de absorbtie poate creste de asemenea in cazul folosirii materialelor


nanometrice (fire sau particule cu dimensiuni de ordinul nanometrilor) in care efectele de
confinare spatiala modifica proprietatile electrice si optice ale structurilor fata de cele ale
materialelor omogene (de dimensiuni macroscopice). In materialele nanometrice coeficientul
de absorbtie este mai mare cu cel putin un ordin de marime fata de materialul omogen. De
asemenea, absorbtia fotonilor creste si datorita maririi suprafetei de interactie foton/material
cat si datorita efectului de capcana pentru fotonii care se reflecta de mai multe ori pe fire
nanometrice paralele, respectiv datorita cresterii drumului parcurs de lumina prin imprastieri
la suprafata aer/material nanometric. In plus, spectrul de absorbtie al firelor (vezi figura de
mai jos, stanga) si punctelor nanometrice (figura de mai jos, dreapta) poate fi modificat in
functia de diametrul acestora.

Influenta materialului semiconductor


In general, pentru celule solare sunt preferabile materialele semiconductoare cu mobilitati
mari ale electronilor si golurilor (mobilitatea μ este raportul intre viteza medie v a purtatorilor
si campul electric aplicat E), deoarece purtatorii de sarcina sunt transportati in acest caz pe
distante mai mari inainte de recombinare (au viteze mai mari!). Distanta medie pana la
recombinare este data de vτ = μEτ unde τ este timpul de viata al purtatorului, adica timpul
mediu intre creerea perechii electron-gol si recombinare. In practica, trebuie creat un
20

compromis intre cerinta ca distanta parcursa de fotoni de la suprafata celulei solare la


jonctiune sa fie mare si cerinta ca aceasta distanta sa fie mica. In primul caz, absorbtia este
mare dar si pierderile prin recombinarea perechilor electron-gol generate in afara stratului de
baraj este mare, iar in al doilea caz absorbtia fotonilor dar si pierderile prin recombinare scad.
Probabilitatea de colectare a perechilor electron-gol este semnificativa doar in asa-
numita regiune activa, care se intinde de o parte si de alta a interfetei pe distante egale cu
lungimile de difuzie. Fotopurtatorii generati in afara regiunii active nu ajung in regiunea de
sarcina spatiala inainte de recombinare si, in consecinta, nu contribuie la curent. Cu alte
cuvinte, daca grosimea stratului in care are loc absorbtia este mai mare decat regiunea activa,
eficienta de conversie a celulei solare scade. Relatie intre mobilitate si difuzie este
μ = eD / k B T , unde D este coeficientul de difuzie, iar lungimea de difuzie se defineste ca

Ldif = Dτ . Timpul de viata τ are valori tipice de zeci de nanosecunde pentru

semiconductori cu benzi directe si de cateva milisecunde pentru semiconductorii cu benzi


indirecte. Grosimea optima a unui strat in care are loc si absorbtia fotonilor si pierderi prin
recombinare depinde de produsul μτ si de valoarea coeficientului de absorbtie.

Pentru a evita pe cat posibil pierderile prin recombinare, in multe cazuri stratul de sus (cel pe
care cade lumina) este cel in care mobilitatea purtatorilor este mai mica. Deoarece, in general,
golurile au o mobilitate mai mica decat electronii stratul p este cel direct iluminat pentru ca
golurile sa poata ajunge in regiunea de sarcina spatiala inaintea recombinarii. Pe de alta parte,
intr-o heterostructura din doua materiale cu benzi interzise E g1 si E g 2 stratul cu banda

interzisa mai mare (stratul 1 in figura de mai sus) este iluminat pentru a permite fotonilor cu
energie E g 2 < E < E g1 sa patrunda mai adanc in celula solara inainte de a genera perechi

electron-gol. (Dupa cum se vede si din figura de mai sus, spre deosebire de jonctiuni p-n, in
heterojonctiuni exista discontinuitati la interfata in banda de conductie si valenta.)
21

Semiconductorul cu banda interzisa mai mare joaca rol de fereastra pentru fotoni si emitor
pentru electroni. Recombinarea purtatorilor de sarcina este mai redusa (celula solara este mai
eficienta) in cazul heterojunctiunilor intre materiale cu acelasi tip de dopaj (n sau p). In cazul
heterostructurilor, pentru a creste absorbtia fotonilor, emitorul/fereastra este subtire si baza
(stratul in care are loc absorbtia, stratul 2 in cazul nostru) este groasa.
22

Performanta celulelor solare este deci influentata de parametrii de material, si in


special de produsul μτ . In tabelul de mai sus sunt prezentati parametrii unor materiale
semiconductoare folosite in fabricarea celulelor solare, masurati la temperatura camerei. Cele
mai eficiente celule solare cu o singura jonctiune p-n s-au fabricat din compusi
semiconductori de tip III-V (de exemplu, GaAs), care insa sunt materiale scumpe in
comparatie cu Si, si de aceea sunt de obicei utilizate impreuna cu concentratori de lumina.

Configuratii posibile pentru celulele solare cu materiale inorganice


Valorile parametrilor de material mobilitate si timp de viata influenteaza si configuratia
celulei solare. Jonctiunile p-n, folosite in cazul celulelor solare bazate pe Si cristalin, sau
heterojonctiunile intre doua materiale semiconductoare cu proprietati diferite, cum ar fi cele
folosite in cazul celulelor solare bazate pe filme subtiri (de exemplu Cu(In,Ga)Se2 sau CdTe)
nu reprezinta singura configuratie posibila. O alta configuratie des utilizata in celulele solare
este structura p-i-n, formata dintr-o succesiune de trei straturi din care primul este dopat p, al
doilea este nedopat/intrinsec i, iar al treilea este dopat n.
O celula solara este in general formata din straturi ce difera ca banda interzisa E g ,

dopaj si concentratie a purtatorilor. In diferent de configuratie, celula solara trebuie sa


indeplineasca trei functii:
(1) cel putin un strat trebuie sa absoarba fotonii si sa creeze perechi electron-gol libere sau
legate (in ultimul caz se numesc excitoni si se intalnesc in special in semiconductorii
organici). Acest strat trebuie sa aiba un E g corespunzator si un coeficient de absorbtie mare.
(2) purtatorii trebuie apoi colectati, astfel incat electronii si golurile sa ajunga la contacte
separate ca sa am fotocurent. Cu alte cuvinte, trebuie sa avem contacte selective.
(3) trebuie sa existe elemente capacitive/regiuni cu sarcina electrica neta in celula solara, ca sa
am cadere de tensiune interna.
In celulele solare cu jonctiune p-n sau in heterojunctiuni lumina este absorbita intr-un
strat iar jonctiunea fare dublu rol: element selectiv pentru electroni si goluri, si generator de
camp electric intern. Colectarea purtatorilor este limitata de transportul difuziv al purtatorilor
minoritari spre jonctiune. In acest caz, sistemul este intr-o prima aproximatie liniar si eficienta
de colectare a purtatorilor minoritari nu depinde semnificativ de tensiune.
In structura p-i-n, stratul absorbant este i, iar selectivitatea contactelor se realizeaza cu
ajutorul unor regiuni foarte subtiri p si n, de obicei puternic dopate, care creaza un camp
electric intern. Transportul sarcinilor nu mai este difuziv, ci se datoreaza si campului electric
23

intern. Aceasta configuratie este potrivita pentru materiale cu mobilitate mica. De aceasta data
grosimea stratului i este determinata de produsul μτ si de coeficientul de absorbtie, valoarea
optima tipica a grosimii acestui strat fiind de cateva sute de nm, pana la 1 μm. Daca se aplica
o tensiune, campul intern scade, si transportul dependent de camp al sarcinilor depinde de
tensiune, adica celula solara tip p-i-n este puternic neliniara. In acest caz eficienta de colectare
si fotocurentul depind de tensiune daca mobilitatile sunt suficient de mici. In figura de mai
jos, stanga, este reprezentata jonctiunea p-n, iar in centru structura p-i-n.

Exista si configuratia de banda plata, in care separarea sarcinilor se datoreaza unor


discontinuitati de benzi suficient de mari (figura de mai sus, dreapta). Nu e nevoie de camp
intern Vbi , dar colectarea sarcinilor este redusa. In acest caz nu exista element capacitiv in
care sa existe cadere de tensiune, fara a afecta colectarea sarcinilor.
Dupa cum vom vedea in partea a treia a cursului, atat considerente de cost cat si de
eficienta de conversie au dus la dezvoltarea unor tipuri de celule solare bazate pe materiale
sau configuratii diferite de simpla jonctiune p-n, p-i-n, sau heterojonctiuni, la care ne-am
referit pana acum (vezi figura de mai jos). In cursurile viitoare vom prezenta pe scurt aceste
tipuri de celule solare.