Gheorghe I. RUSU - Bazele Fizicii Semiconductorilor Vol I

Editura Tehnica ~tiintifica ~
i Dldactica CERMI
'i<!C
lasi - 2005
.~:~.'15t!I
Gheorghe I. Rusu
George - Mihail G. Rusu
Referentl ~tiintifici:
Prof. dr. Nicolae Rezlescu, lnstitutul National de Cercetare i
Dezvoltare pentru Fizica Tehnica, lasl
Prof. dr. Gheorghe Zet, Universitatea Tehnica "Gh. Asachi", lasi
'
Descrierea CIP a Bibliotecii Nationale a Romaniei

RUSU,GHEORGHE
Bazele fizicii semiconductorilor I Gheorghe I. Rusu,
George-Mihail G. Rusu. - Iasi : Cenni, 2005
vol.
ISBN 973-667-111-9
Vol. 1. - 2005. - Bibliogr. - ISBN 973-667-112-7
p.366; cm 24
Gheorghe I. Rusu, George Mihail G. Rusu
VOLUMULl
Structura
Cristalina
53 7 .311.322
Tipar Digital realizat la Tipografia plm

Soseaua Stefan eel Mare m. 11
Iasi - 700498
Tel./fax: 0232-212740
e-mail: editurapim(ii),pimcopv.ro
www.pimcopy.ro
Edltura Tehnlca ~tiintifica

i Didactica CERMI
lai . . 2005
Prefa/a
In
ultimele decenii, cercetarile teoretice si experimentale
domeniul fizicii semiconductorilor

Rezultatele
acestor
cercetdri
din
au cdpdtat o amploare deosebitd.
au contribuit
la dezvoltarea
bazelor
teoretice ale fizicii stdrii solide, la elaborarea de tehnologii performante

de preparare a unor materiale noi cu structuri si proprietdti de mare
interes, precum i la realizarea unor echipamente si dispozitive utilizate
cu succes in domeniile de vdrf ale stiintei si tehnicii moderne.
Fiind un domeniu de mare intindere, cu implicatii in foarte multe
alte domenii (automaticd, microelectronicd,
tehnica de calcul etc), de-a
lungul anilor, a aparut un numdr mare de monografii, cursuri, manuale,

autorii !or fiind atdt fizicieni recunoscuti cat si specialisti in domeniile
puternic influentate de progresele realizate in fizica semiconductorilor.
Multe dintre aceste monografii se re/era la teme speciale de fizica
semiconductorilor si se adreseazd in special cercetdtorilor cu experient a
in domeniul respectiv.
Autorii lucrarii de fafa si-au propus sii elaboreze o carte, in trei
volume,
care sd cuprinda
o prezentare
sistematicd
si unitard
problemelor de bazd din fizica semiconductorilor. Primul volum, pe care

fl propunem
atentiei cititorilor, se re/era la structura
cristalind a
materialelor semiconductoare. in celelalte doud volume, vor fi studiate

fenomenele
de transport in semiconductori
si, respectiv, proprietatile
optice si fotoelectrice ale materialelor semiconductoare.
BAZELE FIZICII
inf elegerea corecta a problemelor
SEMICONDUCTORILOR
Cuprins
CUPRINS
din fizica semiconductorilor
implied cunostinte temeinice de fizica corpului solid, ceea ce ar impune

ca cititorul sa lectureze in prealabil unele cdrti din acest domeniu. in
prezentul volum, in mdsura in care a Jost posibil, s-a cdutat sa se evite
trimiterile la lucrari monografice de fizica stdrii solide, prezentdndu-se
aceste probleme, in Jonna si la nivelul care sunt necesare pentru scopul
cdrtii de fatd. Prin aceasta, s-a ldrgit mult si cercul celor interesati de
acest volum.
Problemele tratate sunt prezentate
posibil
utilizarea
unor probleme,
in detaliu, evitdndu-se pe cat
unor formule nedemonstrate. Pentru
cititorul poate apela la bibliografia
aproJundarea
vastd si variatd
indicatd la sfdrsitul cdrtii.
Capitolul I. Structura cristalina a materialelor semiconductoare

1.1. Consideratii generale
1.2. Principalele caracteristici ale corpurilor cristaline
13
1.3. Retea spatiala. Baza. Structura cristalina
16
1.4. Caracteristicile retelelor spatiale. Celula elernentara
20
1.4.1. Refea urndtmensionete (dreapta reticulere, sir reticular)

1.4.2. Refea bidimensionele (retee plene, plan reticular)
1.4.3. Refele tridimensionale (spafiale)
1.5. Retele Bravais
Prin continutul ei si modul de prezentare a problemelor, cartea se
1.6. Cifra (nurnar) de coordinatie
20
23
32
36
.48
adreseazd unui cerc Joarte larg de cititori. Cartea poate Ji de un real

Jolos studentilor si masteranzilor de la diferite facultdti care audiaza
1. 7. Celulele primitive pentru retelele complexe
50
1.8. lndicii Miller
53
cursuri
1.9. Coordonate atomice
66
1.10. Raze atomice (ionice).

Coeficient (factor) de compactitate (impachetare )
68
1.11 Celula Wigner-Seitz
76
1.12 Reteaua reciproca (inversa)
79
de fizica
semiconductorilor,
fizica
stdrii
solide,
stiinta
materialelor, fizica dispozitivelor cu corp solid s.a., proJesorilor care

predau
anumite
discipline
din
acest
domeniu,
cercetdtorilor,
doctoranzilor, etc.
in timpul elabordri cdrtii ne-am bucurat de sfaturile competente
1. 12. 1. Considerafii genera le

1. 12. 2. Refele reciproce pentru diferite tipuri de refele Bravais
ale unor colegi, cdrora le multumim pe aceastd cale.

De asemenea, exprimdm sincere multumiri recenzentilor cartii.
Autorii sunt deosebit de recunoscdtori
Editurii CERMI si
Tipografiei PJMpentru interesul depus in vederea aparitiei volumului in

bune conditii.
In vederea
imbundtatirii in viitor a continutului acestei carti,
apreciem ca binevenite orice observatie .)i sugestie.

Autorii
79
82
1.13. Celula Wigner-~eitz in reteaua reciproca. Zone Brillouin
88
1.14. Plane atom ice. Distanta interplanara
92
1.15. Structuri cu aranjament compact (impachetare cornpacta)
101
1.16. Criterii de clasificare a cristalelor
106
1.17. Structura cristalina a metalelor
108
1. 17. 1. Considerafii generale . . . . . . . .. . . .. .. .. . . .. . .. .. .. . .. .. .. . . .. . .. . .. . .. .. . .. .. . .. . .. . 108

1 '. 17. 2. Principalele tipuri de structuri cristaline caracteristice
elementelor meta/ice
109
1.18. Structura cristalelor ion ice (polare)
115
1. 18. 1. Conskieretii generate
115
1. 18.2. Principalele tipuri de structuri

caracteristice cristalelor ionice
1. 18. 3 Unele observafii cu privire la structura cristalelor ionice
Cuprins
BAZELE FIZICH SEMICONDUCTORILOR
2.7. Microscopia de
116
122
1.19. Structura cristalelor covalente (atomice)
127
1. 20 Structura crlstalma a unor cornpusi semiconductori
133
forta atornica
221
Capitolul III. Legatura cristalina

3.1. Fortele de leqatura dintre atomi (ioni)
229
3.2. Caracteristicile interactiunilor dintre atomi (ioni)
234
3.3. Tipurile principale de legaturi chimice In corpurile solide
240
3.4. Leqatura van der Waals
242
3.5. l.eqatura ionica
255
3.6. l.eqatura de hidrogen
267
142
144
3. 7. Leqatura covalenta
269
2.2 Microscopia electronica
144
3.8. Leqatura metallca ~267
2.3. Microscopia electronica de baleiaj

2. 3. 1. Schema constructlve
2.3.2. Mecanismul de formare a imaginii
2. 3. 3. Formarea imaginilor In microscoapele cu baleiaj.
2. 3. 4. Unele aplicafii ale microscopiei electronice de baleiaj
2. 3. 5. Microanaliza cu radiafii X In
microscopia etectronice de baleiaj
2. 3. 6. Spectroscopia de electroni Auger
150
150
151
154
156
2.4. Microscopia electronlca de transmisie

2.4. 1. Principiul de constructie i funcfionare
2.4.2. Mecanisme de contrast
2.4.3. Metode de cercetare a probe/or
tn microscopia electronice
160
160
162
167
2.5 Studiul structurii cristaline prin difractie de radiatii X

2.5.1. Considerafii generale
2. 5. 2. Producerea radiafiilor X
2.5.3. Spectrul radiafiilor X
2.5.4. lnteracfiunea radiafiilor X cu substanfa
2. 5. 5. Ecuafiile Jui Laue. Relafia Bragg
2.5.6. Utilizarea zone/or Brillouin
2. 5. 7. Construcfia Ewald
2. 5. 8. Formarea maximelor de difracfie
2. 5. 9. Metode de studiu a cristalelor prin difracfie de radiafii X
171
171
172
174
181
185
192
196
198
204
2.6. Microscopia cu efect tunel

2. 6. 1. Efectul tune/
2.6.2. Microscopul cu efect tune/
212
212
218
Capitolul II. Studiul experimental al structurii materialelor

semiconductoare
2.1 Microscopia metaloqrafica
2. 1. 1. Considerafii generale
2. 1. 2. Principiul de construcfie i funcfionare a microscopului
metalografic
2. 1. 3. Metode de preparare a probe/or
141
141
157
159
3.9. Leqatura cristalina, Consideratii finale
279
Capitolul IV. Vibratiile retelei cristaline

4.1. Vibratiile retelei unidimensionale (liniare)
cu un singur tip (sort) de atomi pe celula elernentara
283
4.2. lpoteza cristalului ciclic.

Conditille de ciclicitate Born - von Karmann
297
4.3. Densitatea de moduri de vibratie (oscilatie)
300
4.4. Viteza de faza i viteza de grup
304
4.5. Vibratiile ( oscilatiile) retelei unidimensionale

cu doua tipuri de atomi pe celula elernentara
308
4.6. Coordonate normale pentru o retea unidirnensionala slmpla
323
4.7. Oscilatiile retelei tridimensionale
335
Anexa IV.1. Coordonate normale.

Viteze (impulsuri) generalizate
339
Bibliografie
345
CAPITOLULI
STRUCTURA CRISTAL/NA A MATERIALELOR
SEMICONDUCTOARE
Consfderatll generale
Existenta uneia sau alteia dintre cele trei stiiri
(faze) de
agregare (gazoasa, lichida, solida), in care poate exista o substanta

oarecare, depinde de anurniti factori interni (natura si rnarimea fortelor
interatomice), precum si de factori externi (ternperatura,
carnpuri electromagnetice etc.). Trebuie rnentionat
presiune,
ca plasma este
considerata a patra stare de agregare a substantei, in care atomii neutri,
atomii excitati, electronii, ionii i fotonii forrneaza un "gaz" compresibil,

asernanator starf gazoase, deosebindu-se lnsa fundamental de aceasta
din urrna prin cornpozitie si natura fortelor de interactiune dintre
cornponentii ei [149].
Se stie ca in starea gazoasa, interactiunile dintre particule

(atomi, molecule) sunt slabe, lntrucat aceste particule se qasesc la
distante mari unele fata de altele. Din aceasta cauza, in aceasta stare
de agregare, atomii (moleculele) capata independenta in rniscare
(gazele prezinta o serie de proprletati specifice: expansibilitate, densitate
mica in
conditii fizice
compresibilitate
normale de presiune i
mare
temperature,
etc.).
BAZELE FIZICII SEMICONDUCTORILOR
Starile lichida
$i solida sunt numite stiiri
condensate.
Capitolul I - Structura cristalina a materialelor semiconductoare
In
timp mai indelungat. Ca urmare, startle metastabile au tendinta de a
aceste stan interactiunea dintre particule (atomi, molecule, ioni) este
trece cu o .viteza" mai mare sau mai mica in starea crlstalina stabila,
mult mai putemlca si, ca rezultat, se formeaza sisteme mai stabile de
Pentru ,,viteze de tranzitie"
particule la care se pot delimita anumite structuri spetiele.
considerat amorf in
Startle condensate pot fi grupate in cinci tipuri de steri (faze)
mai mici, corpul solid poate fi
intervale de timp suficient de mari, lncat
caracteristicile lui structurale pot fi presupuse constante In timp i sunt
structurale:
lnfluentate numai de actiunea unor factori exteriori [28, 73, 85].
a - starea emorte,
b - starea nemetice,
b)
c-
starea cotestericii,
(de cele mai multe ori molecule organice alungite de dimensiuni mari)
d -
starea smectics i
prezinta o tendinta de asociere In sisteme cu aranjari regulate dupa o
e-
starea cristeline.
- Starea (faza) nemetics este starea In care particulele constitutive
sinqura directie, dar fara periodicitate.

Denumirea acestei start (atribuita lui Friedel") provine de la
a)
- Starea (faza) amorfa (necristeline) se considera starea in care
cuvantul grecesc nema ( vsa) care lnseamna fir. Privite la microscop,
particulele constitutive prezinta o distributie spatiala, fara nici un fel de
substantele care se qasesc In aceasta stare se asearnana
ordine sl periodicitate.
rnanunchi de fire de ata, de aceea aceasta structura se spune ca este
In
conformitate cu aceasta definitie (vom reveni cu unele
fibroasa.
precizari asupra acestei definltii in Vol. 11), starea arnorfa ar presupune
In
Fig. 1.1, se prezinta schematic
cu un
aranjamentul particulelor
lipsa oricarei ordini, atat in apropiere, cat si la distanta, stare care poate
pentru starea nernatica, moleculele alungite fiind reprezentate prin niste
fi reatizata numai in cazul in care energia de legatura dintre particule
elipsoizi. Axele mari ale moleculelor tind sa se alinieze de-a lungul unei
este mai mica decat energia de aqitatie terrnica.
Insa aceasta situatie se
dlrectll (axe) preferentiale (ordonare preterentiete) [127, 224, 225].
intalneste numai in cazul gazelor i partial la unele lichide.
In
indeplinite
cazul in care conditiile de presiune i temperatura sunt

pentru existents
starii solide, atunci starea cristalina
corespunde staril stabile de echilibru (starea in care energia libera

prezinta un minim absolut). Startle care corespund unor minime relative
ale energiei libere se numesc stiirt de echilibru metastabile.
corpurile solide ele corespund stsrilor
amorfe.
In
Conditiile pentru
Fig. 1.1. Aranjamentul schematic al moleculelor tn starea nernatlca.
realizarea starilor metastabile sunt mai greu de realizat i de mentinut un
L este vectorul director.

1
G. Friedel, Ann. Phys., 18 (1922) 273
10
Orientarea locala a axelor moleculelor este descrisa de un vector
[ (1),
numit vector director. Vectorul [
(1)
indica directia orientarii
moleculei care se qaseste In punctul al carui vector de pozi,1e es e
(definit de requla tntr-un sistem de axe cartezian In care axa Oz este

paralela cu [ ).
In
cazul moleculelor cu extremitati (capete) identice
(molecule nepolare), semnul (sensul) vectorului
nu are semnificatie
fizica. Insa, In cazul moleculelor cu momente dipolare permanente

trebuie sa se ia In considerare i acest semn. Intrucat In studiul starii
nematice prezinta important, a numai direct, iile vectorului
Orientarea axelor moleculelor poate fi moditicata prin actiunea
unor factori externi (ternperatura, carnpuri electrice, carnpuri magnetice,
mteracnuni cu moleculele perefilor incintei In care se afla substanta
nernatica etc.). Pentru anumite intensitat' i ale factorilor externi.' fluctuat' iile
colesterol, Intrucat a fast observata pentru prima data la unii esteri ai

structura colesterica particulele sunt dispuse In straturi (plane) paralele
i echidistante, normale la o anurnita directie (axa Oz, Fig 1.2) [127,
224]. Tntr-un anumit strat (plan) axele mari ale particulelor sunt aliniate In
lungul unei directii preferentiale caracterizata de vectorul director,
i.
Tntre doua plane vecine dlrectiile preferentiale fac un unghi, <AJ. Un

parametru important a structurii II constituie distanta, rnasurata In lungul
axei Oz (nurnita si axa de rotatie) pe parcursul careia vectorul director se
pentru foarte multe substante, care au acest tip de structure (nurnita i

structure stretiticetii elicoidala), este cornparabila cu lungimea de
unda a luminii vizibile, depinzand puternic de ternperatura, directia i
intensitatea campului electric aplicat etc.
',"
paralela a axelor lungi ale moleculelor (se spune ca se realizeaza un

camp director paralel). Aceasta confiquratie deterrnina i proprietatile
fizice specifice starii nematice (de exemplu, transmisia este foarte
/.
ridicata pentru radiatiile electromagnetice din domeniul vizibil).

Tntr-o substanta nernatica, centrele de masa ale moleculelor nu
sunt dispuse ordonat la distante mari. Moleculele se pot roti In jurul
axelor mari si, de asemenea, prezinta i o mobilitate In spatiu, ceea ce
-,
I
confera proprietatea de fluiditate substantelor nematice.

Starea (faza)
In
colesterolului (colesterolul Insasi nu are o asemenea structure).
termice pot fi neglijate, si, In consecinta, poate avea loc o aranjare
c) -
11
roteste cu 2n. Aceasta distanta se nurneste pasul colestericului care,
rnarimea (modulul) acestuia se considera eqala cu unitatea.
coiesterlce este starea In
care
particulele constituitive au tendinta de a se uni In sisteme cu axe

paralele, cu aranjament unidimensional.
Din punct de vedere istoric, denumirea starii provine de la
Fig. 1.2. Aranjamentul schematic al moleculelor Tn starea colesterica.

P reprezinta pasul colestericului.
12
d) -
Starea (faza) smectice consta dintr-o aranjare bi
Starea nernatica,
colesterica ~i
smectica, numite ~i
13
stiirl
dirnensionala a particulelor, cu aparitia unor fete tubulare paralele, ale
mezomorfe sau "cristale lichide", sunt considerate stari intermediare
carer plane sunt dispuse periodic.
Tntre starea amorfa i cea cristalina,
Denumirea atribuita acestei stari (de catre Herrmann i
Desi unele proprietaf ale cristalelelor lichide au fast studiate Tn
Krummacher" Tn 1932) provine de la cuvantul grecesc srnectos (care
urrna cu mai mult de un secol, cercetarile din acest domeniu capata o
tnsearnna sepun) si a fast propusa tinand seama de structura stratiflcata
amploare deosebita Tn perioada 1965-1975 cand se sernnaleaza si
(asemanatoare solutiei de sapun) a acestor substante.
foarte importante aplicatil ale cristalelor lichide ln numeroase domenii,
Prezentarea schernatica a acestei structuri este avidentiata ln

Fig. 1.3 [127, 225]. Axele lungi ale particulelor (rnoleculelor).
sunt
cum ar fi afisaju' numeric, stocarea inforrnatiei, detectarea i vizualizarea

carnpurilor electromagnetice etc.
paralele cu o directie preferentiala care poate fi norrnala (Fig. 1.3 a). sau
e) - Starea (faza) cristalina este caracterizata printr-o aranjare
tncllnata cu un unghi rp ( rp:::;; 90) (Fig. 1.3 b) fata de planul .straturilor.

Dispunerea moleculelor In interiorul unui strat poate fi ordonata
ordonata (periodica) a particulelor dupa cele trei directii spatiale. Acest

tip de stare (faza) va fi prezentat pe larg Tn cele ce urmeaza.
( straturi structurate) sau dezordonata (straturi nestructurate).

f,Z
1.2. Principalele caracteristici ale corpurilor cristaline

Structura cnstallna (cristalele) se forrneaza prin repetarea
requlata, dupa cele trei directii spatiale, a unor unitati structurale
distincte (atomi, molecule, ioni, grupuri de atomi, grupuri de molecule
sau grupuri de ioni).
Tn corpurile cristaline, particulele constituive sunt distribuite lntr-o
ordine bine determinata, extinsa la distante mari In cornparatie cu
(a)
(b)
distantele dintre aceste particule. 0 astfel de aranjare interna da nastere

la forme geometrice exterioare rnarqinite de fete plane, muchii drepte ~i
Fig. 1.3. Modul de aranjare al moleculelor In starea srnectica [127]:

(a) - directia preferentiala (lndicata de vectorul L) este norm~la
cu planul straturilor; (b)- directia preferentiala face unqhiul (() ((()~90 )
cu planul straturilor.
colturi, cu o simetrie rernarcabila.

Principalele caracteristici ale corpurilor solide cristaline sunt
urmatoarele:
1. Corpurile cristaline ( cristalele) se caracterizeaza printr-o simetrie
interne (numita i simetrie cristalina), care se refera la
K. Herrmann, A.A. Krummacher, Z. Krist. Miner, Petrogr., A81 (1932) 317.
BAZELE FIZICII
14
SEMICONDUCTORILOR
aranjarea ordonata a particulelor componente dupa cele trei

directii din spatiu,
2. Cristalele prezinta, de asemenea, o simetrieexterioara (nurnita
15
proprtetatile .sunt diferite dupa directii diferite se numesc

anizotrope.
In
general, corpurile amorfe sunt izotrope, iar cele
cristaline sunt anizotrope. Anizotropia este conditionata fie de
geometrica sau singonie) care se refera la forma polledrica
anumite particularitati ale grupurilor de particule constituitive
oxterioara requlata, determinata de procesele de cristalizare.
(care ele insele pot fi sisteme anizotrope), fie de modul de
Dupa gradul de simetrie corpurile cristaline se clasifica in
aranjare, diferit dupa diferite directii din spatiu, a particulelor
sisteme, clase, familii sl grupe de simetrie [50, 99, 200].
constituitive.
crestere
3. Cristalele se formeaza prin procese de germinare si
Anizotropia .- poate fi
neiurete
sau
artificiala
(provocata de anurniti factori externi, cum ar fi tensiuni mecanice,

carripuri electrice sau magnetice s.a.),
(din faza qazoasa, din topitura, din solutie etc.)[65, 66, 157].
4. Supuse unor solicitari externe, corpurile cristaline se pot deforma
7. Starea cristalina este o stare de echilibru termodinamic a
sau rupe, de-a lungul unor plane bine determinate numite plane
corpurilor solide. Fiecare faza solida care are o anumita
de alunecare
cornpozitie chimica, in conditii termodinamice date, poseda un
sau
plane
de
clivaj.
Aceste
plane
se
anumit tip de structura cristalina.
caracterizeaza de obicei prin densitate atomica maxima.

5. Cristalele difracta coerent radiatiile X, precum i fasciculele de
Majoritatea cristalelor naturale sau sintetice ale substantelor
electroni sau neutroni, planele reticulare comportandu-se ca
solide cu diferite cornpozitf
retele de difractie pentru domeniul acestor lungimi de unda, Pe
policristale (au structura policristallna), adlca reprezinta in sine
'
chimice (metale, aliaje
etc.) sunt
baza acestor proprietati au fest elaborate metode de studiu a
agregate de cristale mici (care au diferite forme si diferite orientari) care
structurii
se numesc cristalite, (granule, graunti cristalini etc.). In unele cazuri
cristalelor
(analiza
r6engenostructurala,
analiza
electronografica sau neutronografica) (v. Capitolul 11).

6. Dupa cristalizare, substantele capata proprietati fizice specifice.
cristalitele pot avea o orientare privileqiata si atunci se vorbeste despre

aparitia unor texturi.
Acestea pot fi sea/are (care sunt invariabile fata de schimbarea
Evident, ca proprietatile policristalelor sau a texturilor depind de
directiei) i vectoriale (care variaza cu directia ~i uneori chiar cu
proprietatile cristalitelor din care sunt formate, dar ~i de dimensiunile
sensul considerat in cristal). La randul lor proprietatile vectoriale
acestor cristalite, dispunerea lor reciproca i
sunt fie continue, a carer rnarirne variaza in mod continuu odata
interactiunilor dintre cristalitele respective.
de caracteristicile
cu schimbarea directiei, fie discontinue, care prezinta valori
Un cristal separat, de dimensiuni mai mari, se numeste
minime sau maxime pentru o anumita directie, iar pentru alta
monocristal.Dupa cum vom vedea, monocristalele pot avea unele
directie, foarte apropiata, ia valori mult diferite.
irnperfectiun)
atat in ceea ce priveste structura, numite defecte
Substantele pentru care proprietatile sunt aceleasi in
structurale (lipsa unor atomi din noduri, prezenta unor atomi suplimentari
toate directiile se numesc izotrope, iar cele pentru care
intre noduri etc) cat si prezenta unor atomi strain! De multe ori, aceste
16
Structura cristeline se obtine numai atunci clnd flecarul punct
abateri de la structura cristalina ideal a pot fi neglijate (fiind.}n cantitati

foarte mici) lncat monocristalul, poate fi considerat ca un rnediy gmogen.
17
(nod) al retelei i se ataseaza in mod identic o baza de atomi (Fig. 1.5).

in Fig 1.5.a se prezinta intuitiv modul de formare a unei structuri
cristaline prin atasarea flecarui nod al retelei a unei baze formate din doi
Reteaspatlala. Baza. Structura crtstallna.
1.3.
atomi diferiti (aici s-a considerat o retea bidimenslonala),
Structura cristalelor ideale poate fi descrisa consigerapc:ju-se ca

se forrneaza prin repetarea regulata, iniinitii
In spatiui.a(Ljnpr unitafi
structurale identice. 0 astfel de unitate (nurnita baza) poate .c;pptine.s . In

cazul eel mai simplu,
un singur atom.
Insa, In
marea(.JlJ(:ijpfitate a
cazurilor, unitatile structurale pot fi formate din ioni, molecule; grl1puri de

atomi
(ioni)
sau
de
molecule.
Nurnarul
atomilor,
iqnilp[ .. sau
oo
(In cazul substantelor
compusi
organici
acest
anorganice ), tnsa In cazul cristalelor

nurnar
poate
depasi
chiar.
unor
10.000 .. (cazul
cristalelor proteinelor).
Marea
cristaline,
baza trebuie sa-i pastreze
care forrneaza
baza) si
compozitie (nurnarul ~i natura atomilor care
forrneaza baza). Numai In acest caz se forrneaza o structura cristalina

real a.
Daca, s-ar modifica orientarea bazei (de exemplu, cei doi atomi
ar fi situaf pe orizontala) (Fig. 1.5.b), aranjamentul (de exemplu, distanta
Intre cei doi atomi) (Fig. 1.5.c) sau compozitia (atomii ar fi, de exemplu,
identici),
atunci
s-ar
obtine
alte
tipuri
de
structuri
cristaline
bidimensionale care difera de cea prezentata In Fig. 1.5.a.
majoritate
descrise, plecandu-se
structurii
nemodificata orientarea, aranjamentul (dispunerea reciproca a atomilor
al
moleculelor din aceste unitati structurale este de requla mai n]iC decat
1
La formarea
structurilor
cristaline
de la o rete spafiala
cunoscute . pot . f.i
in schimb,
dupa cum se poate UOr constata,
nu prezinte
(nurnita rnaL.p.e. ?.c;urt,
importenie modul de dispunere a bazei in raport cu nodurile refelei. De
"refea") si atasand fiecarui punct (nod) al acestei retele o baza.(bazade
exemplu, daca In cazul considerat In Fig. 1.5.a, atomul A al bazei nu ar
etomii.
fi asezat In nodurile retelei,

Prin urmare, putem scrie simbolic:
distanta
dintre
lnsa s-ar pastra nemodificata orientarea i
atomi (aranjamentul),
atunci s-ar obtine o structure
cristalina (Fig. 1.5.d) identica cu aceea prezentata In Fig. 1.5.a.

Retea
spatlala
Baza
(de atomi)
Structura
Mentionarn ca la formarea structurii cristaline nu este obligatoriu
crlstallna
ca unul dintre atomii bazei sa fie asezat In unul din nodurile retelei
Fig. 1.4. Reprezentarea sirnbolica a modului de formare a structurii cristaline
spatiale (Fig. 1.5.d), dar este mai comod sa se procedeze In acest mod,
Reteeue este definita ca un aranjament de puncte (noduri) In

spatiu ( o structura periodica
este o abstractie rnaternatica.
infinita, forrnata din puncte discrete).
Ea
deoarece este mai UOr de indicat pozitia unor atomi ai bazei.

in acord cu cele prezentate,
structurii
cristaline,
referitor la modul de formare a
vom studia succesiv,
teristici ale reteletor spatiale,
pe larg, principalele
carac
modul In care se indica compozltia
~i
18
aranjamentul
bazei in retea, precum l?i cele mai importante tipuri de
structuri cristaline reale
1l.
19
de atomi de un numit tip. De asemenea, trebuie indicate l?i dispunerea

reciproca a acestor atomi prin indicarea vectorilor de pozitie, respectiv a
coordonatelor atomilor care formeaza baza intr-un sistem de coordonate

legat de reteaua spatiala (v. 1.9). Totodata trebuie rnentionata l?i
+c!B
natura legaturii chimice dintre atomi.
Pentru unele cristale (de exemplu, cele de natriu) baza este

Baza
Retea (bldlmensionala)
Structure cristalina
formats dintr-un singur atom. La altele baza este formats din doi atomi
fie identici (cazul diamantului,
(a)
siliciului,
germaniului
etc.), fie diferiti
(sulfura de cadmiu, clorura de natriu etc.).
e e e e
e e e e
e e e e
Un anumit tip de structura
cristalina poate fi obtinuta aleqand
convenabil fie reteaua spatiala, fie baza. Astfel, structura cristalina din
Fig. 1.6.a poate fi obtinuta fie conslderand reteaua l?i baza din Fig. 1.6.b,
(cl
(b)
(d)
Fig. 1.5. Modul de formare a unei structuri cristaline, plecandu-se de la o retea

bldlrnensionala si o baza forrnata din doi atomi:
(a) - formarea structurii cristaline; (b) - modificarea orientari! bazei;
(c) - modificarea aranjamentului (distantei dintre atom1);_
.
(d) - modificarea modului de dispunere a bazei in raport cu nodunle retelei,
Cu sunt reprezentate nodurile retelei.
Din cele prezentate se poate constata ca reteaua (spatiala) in

sine nu descrie modul de aranjare a atomilor (ionilor, moleculelor) intr-un
cristal. Pentru descrierea
structurii cristaline, in afara de tipul retelei,
este necesar sa se indice l?i o baza caracterizata printr-un anumit nurnar
1 in acest capitol noi nu vom lua in considerare faptul ca atomii din cristal executa oscil~tii
(vibratii) in jurul unor pozitii de echilibm ~i nici faptul ca dimensiunile cristalelor reale sunt fimte
(fiind limitate de suprafetele acestora).
fie reteaua l?i baza din Fig. 1.6.c.
(a)
cf
' ' ' ' '
' ' ' ' '

' ' ' ' '
(b)
cJ-d
'-c! '-c! <#-08-c! '-cf <#-'-cf '-cf <#--
(c)
Fig. 1.6. Formarea unei structuri cristaline (in acest caz, bldlmenstonala) (a),
aleqand in mod convenabil reteaua ~i baza de atomi ((b) ~i (c)).
20
Alte aspecte legate de modul de formare a structurii cristaline vor

fi prezentate in paragrafele urmatoare.
21
A0A1 = A1A2 = ... =a

si se nurneste parametrul (perioada) sirului reticular sau constanta
retelei unidimensionale.
Printr-o translatie dupa dtrectia slrulul de rnarirne n-a (n, fiind un
1.4. Caracteristicile retelelor spatlale. Celula elernentara,
nurnar intreg oarecare pozitiv sau negativ), nodul Ao va ocupa pozitia
Desi cristalele reale sunt tridimensionale, pentru definirea unor
unui alt nod analog de pe dreapta respective. Pentru toate valorile lui n1
marirni caracteristice sau pentru studiul unor fenomene; rn'afara de
(n, EZ) dreapta reticulara se transforma in ea insasi. Se spune ca sirul
reteaua spatiala, se mai folosesc alte doua tipuri de re{ea. Astfel, sunt
prezinta proprietatea de invarianta la o operatie de translatie discreta.
posibile urrnatoarele tipuri de aranjare a nodurilor:

aranjarea
lntr-o
sinqura
directie
Considerand Ao ca origine, dreapta reticulara ca o axa de

riurnlta
retea
coordonate Ox, iar parametrul sirutui ca un vector avand sensul acelai
unkilmenslonete ( dreapta reticutere sau ffr reticl11ar)1 );
ca si eel al axei i modulul egal cu distanta dintre noduri, putem scrie
aranjarea nodurilor in spatiu dupa doua directH,numita refea
pentru vectorul de pozitie al unui nod oarecare al sirului reticular, relatia
bidimensionala tretee plana sau plan reticular);
(1.1)
aranjarea nodurilor in spatiu dupa trei directil necoplanare,

constituind o ret, ea tridimensionelii sau o ret, ea spat, iala.
Relatia (1.1) se mai nurneste si ecuetie sirului reticular, iar

se nurneste vector fundamental sau vector de baza al sirului,
1.4.1. Retea unidimensionala (dreapta reticulara. sir reticular)
Ao
o:
Ducand o dreapta lntr-o anurnita directie in reteaua spatiala,
Ii(
I
aceasta va tntalnl o serie de noduri (puncte) echidistante, care nu se

deosebesc intre ele prin nici o proprietate.
reticulerii ($ir reticularsau retee unidtmenslonstei.
......
An nodurile dreptei respective (Fig.
1.7). Distanta dintre doua noduri consecutive este aceeasi

1
Retelele uni- si bidimensionale cu anumite caracteristici sunt folosite pentru studiul

teoretic al unor probleme de fizica cristalelor, permitand sa se deduca mai simplu unele
relatii, care pot fi apoi generalizate pentru cazul retel~lor tridimensio~ale. Pe d~ alta
parte, intr-o retea tridimensionala, de foarte multe on, este nece~ar s~ ~e refen~ ~a
unele directii sau plane, care au un anumit mod de aranjare a nodunlor ~1, in consecmta,
"imprima retelei cristaline anumite proprietati.
a
a
...
A1
A2
A3
I
I
I
I
;) Ii(
I
;) IE(
I
An
;/<
;)
'Tr---7
x
I
I
Fig. 1.7. $irul reticular (dreapta reticulara) sau retea unidtrnensionala.

Nodurile care se gasesc pe aceasta dreapta vor forma o dreapta

Notam cu A0, A1, A2,
Evident, din multimea vectorilor
Rn
a carer rnarime este distanta
dintre doua noduri oarecare ale sirului, nurnai
poate fi considerat un
vector fundamental (de baza), tntrucat nurnai acesta este vectorul cu

lungimea minima cu ajutorul caruia putem construi siru' reticular
respectiv. Daca, de exemplu, s-ar alege un alt vector
ja 'I
a'
astfel lncat
= 2a, atunci utilizand un vector de forma Rn = n1a' cu originea in
22
a'
nodul A0, nu putem gasi pozitia nodurilor A1, A3,
Prin urmare,
nu
poate fi considerat un vector fundamental (i aici
n- este un nurnar intreg
constituie centre de inversie fata de care nodurile cu vector de pozitie
Rn
defini
celula
etementers
ca
portiune
retelei
discreta,
putem
-Rn , adica,
coincid cu noduri cu vectori de pozitie
oarecare).
Vom
23
putem scrie
-Rn= R_n
Tn Fig. 1.8 este prezentat schematic modul de formare a unei
unidimensionale
construi
pentru
cu ajutorul
intreaga
reteaua
careia,
prin translatie
retea unidirnensionala
reprezentata
in
Fig.
(sir reticular).
1.7,
celula
De exemplu,
elernentara
este
structuri cristaline liniare pornindu-se de la o retea unidimensionala
(Fig.
1.8.a), baza fiind forrnata dintr-un singur atom (Fig. 1.8.b ), din doi atomi
identici (Fig. 1.8.c) sau din doi atomi de natura diferita (Fig. 1.8.d).
segmentul dintre doua noduri vecine alese arbitrar ( A0A1 sau A1A2 etc).
Observarn
UOr ca nodurile
de la capetele
unor
asemenea
segmente (din extrernitatile celulei elementare) .apartin" in eqala masura

celor doua celule vecine. Astfel, nodul A2 .apartine"
celulei
A2A3
celulei ~A2
:<
I
)i:<
I
)i:<
)i:<
I
)i:
(a)
si
(b)
Se poate deci considera ca 1 /2 din nod apartine celulei

(c)
A1A2 i 1 /2 celulei A2A3
Prin urmare, fiecarei celule ii corespunde un
nod (cate 1/2 nod de la cele doua extrernltati).
(d)
Daca o celula elernentara confine un singur nod, ea se nurneste
celule primitive.
Putem construi reteaua unidimensionala
alta celula elernentara.
AoA2
segmentul
De exemplu,
din Fig. 1.7 aleqand o
putem alege ca astfel de celula
Fig. 1.8. Prezentarea modului de formare a unei structuri cristaline unidimensionale:

a - reteaua bidirnensionala (cu sunt reprezentate nodurile retelei),
b - baza formata dintr-un singur atom;
c - baza formata din doi atomi atomi identici;
d - baza formate din doi atomi de natura dlterita.
Dar aceasta nu mai este o celula primitiva lntrucat

Tn cazul acestui tip de retea, pozitia dreptei fiind deterrninata,
contine doua noduri (cate 1/2 nod in extrernitatile Ao si A2 i 1 nod in A1).

Prin urmare, putem scrie: [ ~
+; +
1) noduri
= 2 noduri. 0 astfel de
este necesar sa se indice numai distanta dintre noduri. Tn capitolele care

urmeaza se vor folosi mult astfel de retele unidimensionale
pentru a
deduce mai simplu unele relatii, care mai apoi vor fi generalizate pentru
celula elernentara (cu mai multe noduri) se nurneste celula elernentara
neprimitivii sau celula elernentara complexii.

Reteaua unidirnensionala, In afara simetriei de translatie, poseda
'
'
cazul retelelor tridimensionale (reale).

1.4.2. Retea bidimensionala (retea plana, plan reticular)
i centre de inversie. Tn adevar, fiecare nod al retelei, precum si fiecare

punct
care se gasete
la jumatatea
distantei
dintre
doua
Daca se considers o alta directe prin reteaua spatiala care trece
noduri
prin
nodul
Ao i care
face
un
unghi
nenul
cu
directia
retelei
24
unidimensionale,
A0, A1,
A2, aceasta va lntalni
25
unele noduri identice
AJ, A5, Ag, ......
situate la distante egale (Fig. 1.9). Putem scrie i

pentru aceasta directie o relatie de forma:
A0AJ =
AJA5 = ... = b
(1.2)
b fiind parametrul (constanta) sirului reticular respectiv.

O dreapta paralela cu
reticular identic s.a.rn.d.
AoAJ ...
care trece prin A1 va forma un sir
Obtinern, In acest mod, o aranjare

nodurilor, acestea alcatuind
bidimensionala
requlata
un plan reticular (refea plana sau retee
btatmensionetii; cu parametrii a i b. Considerand i aici pe
ca un
Fig. 1.9. Elementele unei retele bidimensionale (plan reticular, retea plana).
9i E sunt vectorii de baza (tundamentali) ai retelei bidimensionale.
vector a carui sens coincide cu eel al unei axe Oy, ecuatia planului
reticular se va scrie
(1.3)
Celula elernentara pentru o retea bidimensionala

unde n1 sl n2 sunt numere lntregi, pozitive, negativ sau zero.
De asemenea, vectorul
E este
(ca i In cazul sirului reticular) In diferite moduri (Fig. 1.10). Celulele I, II,
un vector fundamental (de baza)
al planului reticular.
si
sunt diterite, iar unghiul, a,
dintre ei este diferit de 90. 0 astfel de retea se nurneste

O translatie
oarecare
cu vectorul
Rn
retee obnc.
= n 1a + n2E
transforma
A0A1AJA~
neprirnitiva
este numit paralelogram (po/igon)
(complexa)
celulelor bidimensionale,
lntrucat
confine
doua
noduri. in cazul
nodurile din varfurile celulei elementare apartin
la patru (sau trei) celule alaturate (cu varful comun) si deci doar 1/4 (sau
1/3) dintr-un nod apartine unei celulei considerate.
Reteaua
reteaua plana In ea tnsasi.

Paralelogramul
IV i V sunt primitive, Intrucat contin cate un singur nod, lnsa celula Ill
este
in general, marimile vectorilor
poate fi aleasa
bidimenslonala
oblica are urrnatoarele
elemente
de
simetrie: trensletie discrete i rotetie cu un unghi n in jurul unor axe
normale la planul figurii care tree prin nodurile celulelor, prin centrul
primitiv sau paralelogram generator. Prin deplasarea acestui paralelo
gram dupa directiile a doua axe de coordonate
baza,
constituie
considerata.
E'
paralele cu vectorii de
se forrneaza planul reticular respectiv. Acest paralelogram
celula
elementerii
pentru
reteaua
bidimenslonala
celulei primitive i prin mijloacele laturilor (Fig. 1.11 ). Se poate constata

usor ca, pentru retelele bidimensionale,
o rotatie cu un unghi re este
echivalenta cu o inversie. Axele de simetrie de rotatie cu un unghi 2rc/n

(n fiind un nurnar lntreg), se numesc axe de rotetie de ordinul n i se
noteaza cu Cn. in cazul retelelor bidimensionale oblice, rotatia cu unghiul
26
= 2 ~i
n, corespunde lui n
deci aceste axe de rotatie sunt de ordinul 2,
fiind notate cu C2 (Fig. 1.11 ).
celula
elementara
(care
poate
fi prirnitiva
sau
27
neprimit'va),
Toate
elementele de simetrie rnentionate la reteaua oblica, rarnan valabile ~i

pentru reteaua dreptunghiulara.
Insa reteaua
dreptunghiulara
prezinta in
plus ~i axe de simtrie de reflexie de ordinul 2, notate cu m. Acestea sunt

orientate dupa directiile vectorilor
a ~i
jj ~i dupa directiile mediatoarelor
acestor vectori.
Fig. 1.10. Diferite moduri de alegere a celulei elementare

in cazul unei retele bidimensionale.
Cu saqeti punctate sunt reprezentate directiile de translatie
a poligoanelor generatoare pentru formarea retelei.
Daca formam
o structura
cristalina
plana (btdimenslonala)
~i
atasarn fiecarui nod o baza formats dintr-un singur atom (ion), atunci o
astfel
de structure
(nurnita
de requla
forrnata din mai multe particule

structura
cristalma
cornplexa,
Cand
(atomi, ioni, molecule

care,
de requla,
lnsa baza este

1>)
se obtine o
prezinta
mai putine
elemente de simetrie in cornparatie cu structurile cristaline simple.

in cazul in care
/a/ jEI,
=1:-
lnsa
Fig. 1.11. Elemente de simetrie intr-o retea bidirnensionala oblica.

Cu 0 s-au notat axele de simetrie de ordinul 2, perpendiculare pe planul figurii.
structure simpla), pastreaza
elementele de simetrie ale retelei bidimensionale.
90, reteaua se nurneste
dreptunghiulara.
Ca ~i in cazul retelelor oblice, putem alege
in Fig. 1.12 sunt prezentate elementele de simetrie pentru retele

bidimensionale
moduri
dreptunghiulare.
Trebuie
sa
mentionarn ca elementele de simetrie ale unei retele
de acest tip se observa numai pentru cazul in care celula prirnitiva, cu

care se descrie formarea retelei bidimensionale,
de baza
a'
~i
a 1- b. Celula
b'
Atomii, ionii si moleculele se considera particule punctifonne
are vectorii de baza
elementara care are, de exemplu, vectorii
(Fig. 1.12) nu reflects toate elementele de simetrie ale
retelei dreptunghiulare.
1
Axele de simetrie de rotatie sunt situate
perpendicular pe planul figurii.
perpendiculari,
in diferite
28

y
0 alta retea bidirnensionala este reteeue patratica(Fig. 1.13). In

acest caz,
/al = )Ej, si a = go
29
in cornparatie cu refeaua dreptunqhiulara,
reteaua patratica are in plus axe de simetrie de ordinul patru care tree
prin centrul celulei !?i prin nodurile din varfurile acesteia.
y
o a
Fig. 1:13. El~m~n!e de simetrie tn reteaua plana patratica,

Cu C2 I C4 ~e 1nd1ca axele de rotatls de ordinul 2, respectiv 4,
iar cu m se noteaza axele de simetrie
a'
Fig. 1.12. Elemente de simetrie Tn reteaua plana dreptunghiulara.

Cu C2 se indica axele de rotatie de ordinul 2, iar cu m se noteaza axele de simetrie
!al
Daca
= jEj i a=60, celula elernetara se nurneste
hexagonala (Fig. 1.14). Aceasta refea are urmatoarele elemente de
simetrie: translatia discreta, axe de ordinul sase (care tree prin varfurile
celulei si sunt normale la planul acesteia), axe de ordinul trei (care tree
prin centrele triunghiurilor formate din trei noduri vecine) i axe de
o a
ordinul doi (care au aceleasi pozitii ca !?i in cazul refelei obiice).
fn cazul in care
lal = jEj lnsa a 7:- 60 !?i a 7:- go
refeaua se spune
Fig. 1.14. Reteaua plana hexaqonala. Elemente de simetrie.
ca este rombicii. Pentru descrierea acestei refele bidimensionale se

poate alege celula elernentara dreptunghiularcentretii (Fig. 1.15) care
este neprimitiva. Vectorii de baza sunt
a !?i
E ( lal = jEj) i
a' 7:-
go
Reteaua rombica are acelea!?ielemente de simetrie ca !?i reteaua

obnca, lnsa diagonalele rombului sunt !?i axe de reflexie.
Pentru axele de simetrie de diferite ordine se folosesc de obicei
BAZELE
30
FIZICII SEMICONDUCTORILOR
31
exemplu, daca In centrul celulei primitive dreptunghiulare
se adauqa un
urrnatoarele notatii:
() - axa de ordinul al doilea, 6 - axa de ordinul al Ill-lea,
ordinul al IV-lea i
0-
D-
axa de
nod, se poate forma, printr-o alegere convenabila a vectorilor
E,
retea rombica (Fig. 1.16).
axa de ordinul al VI-lea.
Fig. 1.16. Transformarea unei retele plane dreptunghiular centrata Intr-o retea rornbica
Fig. 1.15. Reteaua plans rornbica sau dreptunghiular centrata.

Elemente de simetrie.
Dupa cum rezulta din cele prezentate

orice structura cristalina bidimensionala,
cinci tipuri de retele bidimensionale
mai sus, putem construi
Tabelul 1.1. Caracteristicile celor cinci tipuri de retele bidimensionale.
plecand de la una dintre cele
i atasand flecarui nod al retelei o
Tipul celulei
conventionale
Relatii dintre
marimea
vectorilor de
OBLICA
DREPTUNGHIULARA
PATRATICA
Paralelogram
Dreptunghi
Patrat
baza
a ;i:: b
a ;i:: b
a=b
HEXAGONALA
Hexagon
(Romb)
ROM BICA
(dreptunghiular
centrata)
Romb
(Dreptunghi)
Tipul retelei
baza.
Cele cinci tipuri de retele (oblica, dreptunghiulara,
hexaqonala
patratica,
i rornbica) se numesc retele fundamentale sau retele
Breveis". Tn Tabelul 1.1 au fost incluse caracteristicile principale ale

acestor retele fundamentale.
Se poate constata, din cele de mai sus, ca singurele axe de simetrie
care pot sa apara In cazul retelelor bidimensionale sunt axele de ordin 2,
3, 4 si 6. De asemenea, se poate demonstra ca cele cinci tipuri de retele
mention ate sunt singurele
retele Bravais bidimensionale
(plane). De
Fizicianul francez Auguste BRAVAIS (1811 - 1863) elaboreaza teoria retelelor cristaline si a
claselor de simetrie.
1
Principalele
bidimensionale sunt:
marimi
care
a=b
a=b
(a ;i:: b)
caracterizeaza
Unghiul
dintre vectorii
de baza
a 7: go0
a - go0
a - go0
a= 120
(a - go0)
a 7: 60;a ;i::
goo
(a - go0)
retelele
Bravais
32
constantete retelei:
a, E;
33
triolmenslonata.
aria celulei elementare: So =I a
. b I;
Vectorii
a, E
se numesc vectorii de baza (fundamentali)

1),
ai retelei tridimensionale
pozitia oricarui nod al retelei putand fi
numsrul de noduri pe celula etementers;

numsrul de coordinafie (nurnarul de noduri vecine de
ordinul intai situate la aceeasi distanta de un nod dat).
deterrninata de un vector de pozitie de forma
Rn
Se poate constata UOr ca nurnarul (cifra) de coordinatie este:
=n1a+n2b+n3
c ,
(1.4)
unde n-, n2, i n, sunt numere intregi pozitive, negative sau zero.
doi la retelele oblica, dreptunqhiulara si rombica: patru la reteaua

patratica i sase la reteaua hexaqonala.
1.4.3.Retele tridimensionale (spatiale)

Ducand prin punctul A0 al retelei din Fig.1.9 o a treia dlrectie,
necoplanara
cu primele doua, aceasta va lntalni la randul ei noduri
echidistante din retaua tridirnensionala. Se va forma astfel un nou sir

reticular (retea unldimensionala) al carui parametru poate fi diferit fata
de parametrii sirurilor care forrneaza reteaua bidimensionala (Fig. 1.17).
Directiile
paralele cu directla considerata
punctele Ao, A1, A2, ...... ,
Ari,
At,
initial, care tree prin
Ag, ...... A{, Af, A~ ......
var forma
Fig._ 1: 17. Ca_racteristic!I~. retelelor tridimensionale ( spatiale ).
noi retele unidimensionale, avand acelasi parametru, pe care ii vom nota
Paralelipipedul
cu c.
In
Se poate forma in acest mod o rete trkiimensionete (spafiala).

Aceasta retea poate fi obtinuta i
directie necontinuta in planul initial, cu un vector de forma
conformitate cu relatia (1.4), pozitia oricarui nod al retelei
spatiale se obtine ca o cornbinatie liniara a vectorilor
prin deplasarea unei retele
bidimensionale ( caracterizata prin vectorii fundamentali
f1gurat cu lln11 continue reprezlna celula elementara

(paralelipipedul vectorilor de baza),
a, E
c.
Paralelipipedul (in general, poliedrul) cu varful in Ao cu ajutorul
E ), dupa o
n3c (n, fiind
si
caruia, pri~ translatii discrete (in lungul a trei directf independente),

putem construi intreaga retea spatiala se numeste celula elementers
un nurnar Tntreg).
Intrucat structurile cristaline reale se obtin pornindu-se de la o
itridtmenstonete; sau paralelipipedul vectorilor de baza.
astfel de
celula este evidentiata prin linii continue in Fig. 1.17.
retea spatiala, atasand fiecarui nod o baza, cand se foloseste termenul
Parametrul (constanta) retelei reprezinta unitatea de translatie
de reiee, de obicei se sublnteleqe ca aceasta se refera la o retea
In
unele carti acesti vectori sunt numiti vectori de translatie.
'
BAZELE FIZICII
34
SEMICONDUCTORILOR
Celula tridirnensionala
in lungul unei directli. Lungimile muchiilor celulei elementare, a, b, i c
(!al = a, !El = b, !cl = c)
constituie
tocmai
parametrii
celulei elementare
opt varfuri (cele opt colturi ale paralelipipedului).

Nurnarul de atomi dintr-o celula prirnitiva este egal cu nurnarul
Trebuie mentionat ca lungimile muchiilor celulei elementare

intotdeauna
cu
dlstanta
dintre
atomii
vecini
nu
a, b
Vectorii de baza
(numite
de requla,
c,
formeaza
atomilor care formeaza baza (tntrucat celula primltiva are un singur nod).
(distanta
interatomica) in structurile cristaline reale ( 1.17 - 1.20).
coordonate
care are un singur nod se numeste celule
primitive. Evident, o astfel de celula are ,,noduri de retea" numai in cele
respective.
corespund
35
Celula elementara este caracterizata

baza a ,
un sistem de axe de
axe cristalografice), numit sistem
si
prin marirnile vectorilor de
i prin unghiurile a, ~ i y dintre acesti vectori (Fig.
1.19). Se poate arata UOr ca volumul unei celule elementare este dat
de relatia
cristalografic.
Tipurile fundamentale
de celule elementare tridimensionale
(1.6)
pot
confine noduri in varfuri (colturi), pe fete sau in interiorul (in volumul)
adica, de valoarea absoluta a produsului mixt dintre vectorii de baza,
celulei (Fig. 1.18). Se poate constata UOr, ca numarul total de noduri,
N; dintr-o celula elernentara tridirnensionala este dat de relatia:

N = N- + Nr + Nv
t
nod al carui vector de pozitie este

(1.5)
0 retea spatiala arata cu totul identic daca este privita dintr-un

sau dintr-un alt nod al carui vector
de pozitie, R2 , este determinat de relatia
'R2 =R1 +Rn =R1
unde Ni este numarui de noduri din interiorul celulei (nodurile din interior
apartin numai celulei respective), N, este nurnarul de noduri de pe fetele
R1
n1J
+n1a+n26+n3
(1.7)
n2 i n3 fiind numere intregi arbitrate.
celulei (un nod de pe o fata apartine ,,in eqala rnasura" celor doua celule
vecine care au fata cornuna), N; reprezinta nurnarul de noduri din varfuri

(un nod dintr-un varf apartine ,,in eqala masura" celor opt celule care au
varful comun).
1
x
Fig. 1.19. Celula elernentara pentru o retea tridimenslonala.
-7-
Fig. 1.18. Pozitia unor noduri tntr-o celula slementara:

8 - noduri situate In varfuri: 9 -7- 14 - noduri situate pe tetele celulei;
15 - nod situat In interiorul celulei.
$i in cazul retelelor spatiale, pentru a descrie un anumit tip de
BAZELE FIZICH
36
retea, alegerea vectorilor
a, E
si
SEMICONDUCTORILOR
Insa, marea
(deci a celulei elementare) nu este
majoritate a structurilor
37
cristaline cunoscute
descrise cu ajutorul a 14 tipuri de retele tridimensionale,
intotdeauna univoca. Aceasta se poate observa din Fig. 1.20.
pot fi
numite retele
fundamentale sau retele Bravais.

Acestea
sunt celule elementare
conventionale,
stabilite
din
considerente de simetrie, dintre care numai sapte sunt celule primitive.

Aceste retele sunt grupate in septe sisteme cristalografice
(sisteme cristalinesau singonii),lmpartire care are la baza relatiile

dintre rnarunile vectorilor
de baza i valoarea unghiurilor
dintre acesti
vectori. (Plansa 1.1, Tabelui' 1.2).
1. -
Sistemul cubic se formeaza
pornindu-se
jaj =IE! =lei
blctmensionala patratica. Pentru acest sistem avem
Fig. 1.20. Diferite moduri de alegere a celulei elementare in cazul unei retele
tridimensionale.
'
=y =
de la reteaua
i a=
90. Sistemul cuprinde trei tipuri de retele Bravais: cubica simpla
(CS), cubica cu volum centrat (CVC) i cubica cu fete centrate (CFC).

Reteaua
1.5. Retele Bravais

'
reteaua
Pe baza celor cinci tipuri de retele Bravais bidimensionale se pot
cubicii
plana patratica,
simpla se construieste
asezand
pornindu-se
nodurile din planele
de la
succesive
pe
aceeiasi verticals cu cele ale retelei patratice, la distanta egala cu latura

patratulul respectiv.
construi retele Bravais tridimensionale,
cu ajutorul carora, prin asocierea
unei anumite baze, se pot obtine, dupa cum se va vedea in cele ce

urrneaza, tipurile de structuri cristaline reale.
pot fi obtinute prin
S-a aratat deja, ca retelele tridimensionale
Reteaua cubics cu volum centrateste construita de la o retea

plana patratica, nodurile dintr-un plan fiind situate deasupra centrelor
patratelor din planul precedent.
Reteaua cublcii cu iete centrate are noduri in varfurile cubului
deplasarea dupa directiile vectorilor de baza a unei celule elementare de
ii pe centrele fetelor.
tipul celei din Fig. 1.19.

Din punct de vedere matematic
asemenea celule, deoarece nu sxlsta nici un fel de restrtctii referitoare la

modul de alegere a rnarirnilor vectorilor de baza
a, E
alegerea valorilor muchiilor celulei) i a unghiurilor a,

vectori.
Celulele elementare cubica cu volum centrat i cubica cu fete
exista un nurnar nelimitat de
p,
si
c ( deci
centrate
sunt complexe,
continand
2, respectiv
4 noduri
(calculate
conform relatie, (1.5)).

la
i y dintre acesti
Unele caracteristici ale retelelor din sistemul cubic sunt indicate

in
Tabelul
1.3,
in
care
cu
s-a
notat
latura
cubului.
BAZELE FIZICII
38
SEMICONDUCTORILOR
39
Capitolul I - Structura cristalina a materialelor serniconductoare
I Plansa
1.1 Retele Bravais tridimensionale f
Tabelul 1.2
Nr
crt
1.
2.
Sistemul
Nr.
retelelor
din
sistern
Cubic
Tetragonal
SISTEMUL
CUBIC
Relatii
intre
marlmile
vectorilor
de baza
a=b=c
a= b
:;t:C
Unghiuri
le dintre
vectorii
de baza
a= 13 = y
= go0
a= 13 = y
= go0
Tipul ratelei
spatiale
Cubica sirnpla
(P)
Cubica cu fete
centrate (F)
Cubics cu
volum centrat
(I)
Tetragonala
simola (P)
Tetragonala cu
volum centrat
(I)
Notatii
cs
CFC
( c.f.c.)
SISTEMUL
TETRAGONAL
I
I
I
...
--
eve
(c.v.c.)
SISTEMUL
ROMBIC
TS
TVC
Rornblca
simpla (P)
3.
Rombic
(ortorombic,
ortogonal)
a* b:;.:: c
4.
Romboedric
(trigonal)
a=b=c
5.
Monoclinic
a* b:;.:: c
6.
Triclinic
a* b=1:- c
7.
Hexagonal
a- = a2 = a3
:;t:
a= 13 = y
= go0
a=j3=y
*goo
a =
13 =
go0
::j:.
a* 13 * y
- so"
a1 = a2 =
a3 = go0
'Y1 = 'Y2 =
'Y3 = 120
Rornbica cu
baze centrate
Rombica cu
fete centrate
(F)
Rornbica cu
volum centrat
(I)
Romboedrica
sirnpla (P)
Monoclinica
sirnpla (P)
Monoclinica cu
baze centrate
Triclinica
sirnpla (P)
Hexaqonala
sirnpla (P)
SISTEMUL
ROMBOEDRIC
SISTEMUL
MONOCLINIC
SISTEMUL
TRICLINIC
In tabel au fost folosite notatiile: P - celula primitiva, F - celula cu tete centrate,
I
I
--
I - celula centrata in interior (cu volum centrat).

Pentru indicarea
notatiile din Fig. 1.1 g.
muchiilor
celulelor ~i a unghiurilor
dintre
muchii s-au folosit
I
_ ....
SISTEMUL
HEXAGOLNAL
40
Tabelul 1.3. Unele caracteristici ale retelelor din sistemul cubic (cu as-a
notat latura cubului).
41
din planele vecine ). Aceasta din urma celula este neprimitiva, dar i
pentru acest caz se poate gasi o celula elernentara primitiva (care are
Tipul
celulei
Nurnarul nodurilor
vecine
Distanta pana la
nodurile vecine
de
de
ordinu/
ordinul I
II
Nr. de
noduri
Volumul
celulei
conventionale
de
ordinul I
de
ordinul II
a3
12
a3
--
a3
12
--
cubica
simpla
cubica
cu volum
centrat
cubica
cu fete
cent rate
forma
unui romboedru)
cu care se poate forma
reteaua
(Fig. 1.22).
2a
aJ3
ah
2
Retelele cubica cu volum centrat i cubica cu fete centrate nu

sunt primitive,
lnsa pentru acestea pot fi gasite celule primitive cu un
grad de simetrie mai redus. Tn Fig. 1.21a [97] se indica modul de alegere
a vectorilor de baza In cazul unei celule cubice cu volum centrat. Se
Fig. 1.21a. Modul de alegere a vectorilor de baza pentru formarea unei

celule primitive in cazul unei retele cubice cu volum centrat.
observa ca pentru aceasta constructie se folosesc unele noduri de la trei

celule vecine.
Modul de alegere a unei celule elementare
primitive In cazul
retelei cubice cu fete centrate este prezentat In Fig. 1.21 b [97]. Pentru
usurinta constructiei
nodurile care devin varfuri ale celulei primitive au
fast numerotate.
2 - Sistemul tetragonal sau patratic, are celula elernentarao
prisrna dreapta cu baza un patrat (prisrna patratica
dreapta).
Pentru
acest sistem care se Iormeaza de la o retea patrata plana, avem: a

c i a
=~=y =
=b*
Fig. 1.21 b. Modul de constructls a unei celule primitive in cazul

unei retele Bravais cubica cu fete centrate.
90. Exista doua tipuri de celule elementare In acest
sistem: reteaua tetragonala simpla (cu nodurile din planele succesive
3 - Sistemul ortorombic Crombiesau ortogonal), are celula
situate unele sub altele) si reteaua tetragonaJa cu volum centrat (In
elernentara
un paralelipiped drept cu baza un dreptunghi (se forrneaza
care nodurile dintr-un anumit plan se afla deasupra centrelor patratelor
pornindu-se
de la o retea plana dreptunqhiulara).
Pentru acest sistem,
BAZELE FIZICU SEMICONDUCTORILOR
42
8
;e b
* c, iar a = ~ = y = go
43
Fig 1.23. Pentru retelele ortorornbica cu volum centrat ~i ortorornbica cu
Sistemul cuprinde patru tipuri de retele Bravais: ortorombice
fete centrate modul de alegere a acestor vectori este analog cu cu eel
simpla (construita pornindu-se de la o retea plana dreptunqhiulara,
din cazul retelelor cubice cu volum centrat si respectiv cubice cu fete
asezand nodurile pe aceeasi verticala); onorombice cu volum centrat
centrate.
(care provine de la o retea plana droptunqhiulara, nodurile dintr-un

z
anumit plan fiind situate deasupra centrelor dreptunghiurilor din planele

vecine), ortorombicii cu tete centrate (poate fi construita plecandu-se
de la o retea rornbica plana, nodurile din primul plan sunt situate pe
aceeasi verticala cu nodurile din planul al treilea) ~i ortorombicii cu
baze centrate (se construieste pornind de la o retea plana rornbica,
nodurile din planele succesive fiind situate unele deasupra altora).
Se pot construi celule elementare primitive pentru cele trei celule
elementare complexe din sistemul ortorombic.
Fig. 1.23. Modul de alegere a celulei primitive pentru

o retea ortorornbica cu baze centrate.
4 - Sistemul romboedric (trigonal), cuprinde o sinqura retea

Bravais: reteaua romboedrice (trigonala) simplii.
elernentara din acest sistem, avem:
Pentru celula
c, iar a
= ~ =
go0
Reteaua triqonala se construieste plecandu-se de la o retea plana

rombica, nodurile dintr-un anumit plan fiind situate deasupra nodurilor
din planul precedent. Celula elernentara triqonala primitiva poate fi
obtinuta prin deformarea unei celule cubice simple dupa diagonala
principala a cubului respectiv.
Fig. 1.22. Modul de alegere a vectorilor de baza pentru constructia
unei celule primitive In cazul unei retele tetraqonala cu velum centrat.
Modul de alegere a vectorilor de baza pentru a construi o celula

primitiva pentru o retea ortorombica cu baze centrate este prezentat In
5 - Sistemul hexagonal are o sinqura retea Bravais: reteaua

hexagona/a simple. Celula elementara din acest sistem este o prisrna
hexaqonala dreapta. Astfel putem scrie: 81 = 82 'f. 83 = c;
a1
a2
a3
= go
44
Se poate demonstra ca cele 14 tipuri de retele sunt singurele
si y1 = y2 = y3 = 120 (Fig. 1.24). Sistemul se construieste plecand de la o

retea plana hexaqonala,
nodurile dintr-un anumit plan fiind plasate
45
Capitolul I - Structura cristalina a rnaterialelor serniconductoare
retele Bravais tridimensionale. Daca, de exemplu, incercam sa

modificarn una din aceste retele prin adauqarea de noduri pe centrele
deasupra nodurilor din planele precedente.

Modul de alegere a axelor cristalografice pentru o celula
fetelor, pe centrele bazelor sau In centrul celulei respective, vom obtine
hexaqonala este prezentat In Fig. 1.24. in acest caz este mai comod sa
o alta retea Bravais din cele 14 descrise mai sus, prin realegerea
se foloseasca un sistem format din patru axe de coordonate Oxyuz.
convenabila a vectorilor de baza (Fig. 1.20 - 1.23). Astfel, de exemplu,

daca la o retea rnonoclmica sirnpla adauqarn noduri pe centrele celor
doua baze, se obtine o alta retea rnonoclinlca sirnpla, aleqand

convenabil celula elementara.
De asemenea, se poate demonstra ca retelele Bravais
tridimensionale pot fi generate una din a/ta prin deformari dupa anumite
directii (modificarea lungimilor laturilor celulelor elementare si/sau a
unghiurilor dintre acestea). in Fig. 1.25 se prezinta schematic modul de
generare a sistemelor cristalografice unele din altele. Sistemul cubic
poseda simetria cea mai lnalta, iar sistemul triclinic are cea mai joasa
x
simetrie.
Mentionarn cateva caracteristici foarte importante ale retelelor
Fig. 1.24. Reteaua Bravais din sistemul hexagonal. Se indica doua

moduri de alegere a sistemului de axe cristalografice.
Bravais:
6 - Sistemul monoclinic confine doua tipuri de retele Bravais:

reteeue monocllnice simpla
si reteeue monoclinicii
cu baze
centrate. Cele doua retele sunt construite plecandu-se de la reteaua

plana oblica. Celula elernentara este un paralelipiped drept avand baza
un paralelogram: a ;e b ;e c, iar a
=y =
90 i::. ~ La ambele celule
a - Reteaua Bravais reprezinta o structure periodica infinlta,

formats din puncte (noduri) discrete, care au absolut sceeesi ordine
spafiala indiferent care dintre aceste puncte este considerat ca origine;
b - Reteaua Bravais tridimensionala este forrnata din totalitatea
punctelor determinate de vectori de pozitie de forma:
(1.8)
monoclinice nodurile din planele vecine se afla pe aceeasi verticala.

7 - Sistemul triclinic
confine un singur tip de retea Bravais:
reteaua triclinicii simpla. Celula elernentara din acest sistem este un

paralelipiped oblic cu baza un paralelogram: a ;e b ;e c, iar a
90.
i::.- ~
*y*
unde 81,
82,
83 sunt vectorii de baza (fundamentali) ai
retelel (care sunt necoplanari) iar n-, n2, i n3 sunt numere lntregi
oarecare (pozitive, negative sau zero).
46
47
exemplu, din punctele M sau N) !?i In alt mod (rotita cu 180) daca este
privita din alte puncte (de exemplu, din punctele P sau R).
MONOCLINIC
TRICLINIC
(nodurile)
vectorilor
acestei
i jj (Fig. 1.26).
retele
RM =a+ 2b; RN =-a+
conformitate
pot fi descrise
Rn
~i jj, adica
In
cu (1.8),
ca o cornbinatie
a !i)i E, coefic'entii acestor cornbinatu

numere lntregi (RM = a+ 2E ; RN = -a+ E ).
combinatu liniare ale vectorilor de baza,
Sa considerarn o retea Bravais bidirnensionala caracterizata
Fig. 1.26. Retea Bravais bidimenslonala. Vectorii de pozitie a nodurilor retelei sunt
Fig. 1.25. Prezentarea schernatica a modului de generare a

unor sisteme cristalografice din alte sisteme, prin deformare.
vectorii de baza
fiind
prin
punctele
liniara
= n1a + n2b . Varn putea scrie, de exemplu:
jj s.a.rn.d .. Valorile negative ale nurnerelor n, i
t indica deplasari In sens contrar sensului vectorilor respectivi.

Pornind din 0, ajungem in M, facand un "pas" In directia lui
doi "pasi" In directia lui
si
(indiferent In ce ordine sunt facuti acestia).
Din oricare punct ar fi privita reteaua Bravais, aceasta "apare"

("se vede") In acelasi mod. Acest fapt se poate constata UOr din Fig.
1.26. Aceasta este o caracteristica irnportanta a unei retele Bravais.
In
Fig.
1.27
este
reprezentata
de
asemenea
Fig. 1.27. Reteaua bidirnensionala forrnata din hexagoane regulate (retea sub
forrna de fagure) nu forrneaza o retea Bravais [7].
0 astfel de retea ,,apare"In acelasi mod daca este privita din
punctele M sau N, tnsa ,,apare"In mod diferit daca
este privita din punctele P sau R).
retea
bldirnensionala, dar aceasta nu este o retea Bravais, tntrucat reteaua se
Pentru a confirma cele rnentionate, sa considerarn i o retea
lntr-un anumit mod daca este privita din unele puncte (de
tridirnensionala, de exemplu reteaua cubica cu volum centrat (Fig. 1.28).
observa
48
La prima vedere s-ar parea ca punctul B1 din centrul cubului s-ar qasi
tntr-o alta situatie, Tn cornparatie cu punctele Ai (i=1, ... , 8) din varfurile
acestuia.
81,
Insa
daca construim si alte puncte din retea (puncte notate cu
82 ... 88) observarn ca si un punct din varf (de exemplu, A1) se
49
In cazul unei retele cubice simple cifra de coordinatie este sase.

Pentru reteaua cubica cu volum centrat, nurnarul de coordinatie este opt
(Fig. 1.29), iar pentru reteaua cubica cu fete centrate cifra de coordinatie
este doisprezece (Fig. 1.30) (v. si Tabelul 1.3)
gase!?te "Tn aceeasl situatie" ca i B1. Deci acest tip de retea spatiala are
caracteristicile unei retele Bravais
Fig. 1.29. Nurnarul (cifra) de coordmatie In cazul unei retele

cubice cu volum centrat. Nodul A din centrul cubului are 8 vecini de ordinul tntai,
deci pentru acest nod cifra de coordinatie este 8. Tn mod analog,
nodurile B, C, Dau aceiasi citra de coordinatie.
$i nodurile din varfuri au cifra de coordinatie 8 (v. Fig. 1.28)
Fig. 1.28. Reteaua cubica cu volum centrat are caracteristicile unei r~tele Bravais.
Se observa ca un punct 81 din centrul cubului ~i un punct A1 dintr-un
varf al acestuia au aceiasi confiquratie spatiala.
1.6. Cifra (nurnar) de coordlnatie

Nodurile unei retele Bravais care sunt eel mai apropiate de un
11
nod dat (situate la aceea!?i distanta de acesta) se numesc vecini (noduri

vecine) cei mai apropiafi sau vecini de ordinul
tntsi.
Fig. 1.30. Cifra de coordinatie pentru retele cubice cu fete centrate.

Sunt indicaf vecinii de ordinul Tntai pentru nodul A
0 proprietate
importanta a retelelor Bravais consta Tn faptul ca orice nod al retelei are

acelasi
nurnar
caracteristica
de vecini
eel mai aproplati.
Acest
nurnar
este
a retelei !?i se nurneste numiir (cifra) de coordineile a
ref elei respective.
Cifra de coordinatie se poate defini chiar si pentru retele spatiale

care nu satisfac conditiile pentru a fi retele Bravais.
Evident, vecinii cei mai apropiaf (de ordinul Tntai) pentru un nod
dat se gasesc pe suprafata unei ,,sfere" avand raza eqala cu distanta
50
51
dintre nodul considerat i nodurile vecine de ordinul lntai. Aceasta sfera

se nurneste prima
sfera
de coordlnetie iar distanta respective
constituie raza primei sfere de coordinetie. In mod analog se pot defini

nodurile vecine de ordinul al doilea, situate la distante egale, dar mai
mari decat primele, si sfera a doua de coordinatie corespunzatoare
s.a.rn.d ..
1.7. Celulele primitive pentru retelele complexe

(a)
(b)
Am aratat In 1.5 ca pentru re\elele Bravais neprimitive (cu fete

Fig.1.31. Modul de alegere a vectorilor de baza pentru constructia
unei celule primitive tn cazul unei retele cubice cu fete centrate.
sau baze centrate sau cu velum centrat) se pot gasi celule primitive,
care au tnsa o simetrie mai joasa. Varn stabili expresiile vectorilor de
Noi putem scrie vectorul de pozitie pentru fiecare nod In reteaua
baza pentru celulele primitive In functie de dimensiunile celulelor

neprimitive i de versorii axelor de coordonate ale unui sistem ales In
CFC ca o cornbinatie liniara a vectorilor
mod convenabil.
usor ca
Sa considerarn cazul celulei cubice cu fete centrate. In acest caz,

pornind de la anumite noduri ale re\elei complexe (numerotate de la 1 la
8 In Fig. 1.31 a pentru ca cititorul sa poata urrnari mai UOr constructia
celulei primitive), se poate construi o celula elernentara (Fig. 1.31 a)
pentru care vectorii fundamentali
a' E i
(Fig. 1.31 b) pot fi exprirnati
In functie de versorii unui sistem de coordonate rectangular cu ajutorul

relatiilor
a =2a (-j
+k-)
b- =2a (k- +i -)
- = a(-:I + J-:)
a fiind aici latura cubului, iar T, ], k versorii axelor de coordonate.
(1.9)
R6
=a+E+c,
R7
R5
=a+E,
a, E
=a+c
c.
Se poate constata
s.a.rn.d..
Pentru celula cublca cu velum centrat, exista mai multe

posibilitati de a alege o celula elernentara prirnitiva. De exemplu, o
celula cu vectorii de baza
a = aT , E = bk
c = ~ (T + J + k)
si o alta
celula cu vectorii de baza
a =2a ( -i-
+ j- +k-)
b- =2a (-i-j+k-
-)
c=2a (-i+j-k-
-)
(1.9')
Modul de deducere a acestor expresii reiese UOr din Fig. 1.32.
52
Astfel,
vectorului
cu
notand
OA I= ax, OB= ay,OC = az'
Se poate arata UOr, geometric sau analitic, ca retelele astfel
prolectiile
obtinute sunt retele Bravais.
pe cele trei axe de coordonate, putem scrie

(1.9")
a = ax + ay + az.
Insa se observa
1.8.
usor ca
indicarea diferitelor plane i drepte (directii) lntr-o retea spatiala. Acetia
a-:
a- y =-J
2
T, J
sl
=-
lndiciiMiller
lndicii Miller" constituie un set de numere care ne permit
a ( -/--:-)
a-x= 2
a- z
53
sunt de mare utilitate in cazul in care dorim sa descriem structura sau

proprietatile unor tipuri de structuri cristaline reale.
ak-
Fundamentarea teoretica a indicilor Miller va fi prezentata in

1.12. Aici vom prezenta doar modul de calcul al acestora.
fiind versorii axelor de coordonate.
Pentru determinarea indicilor Miller pentru un anumit plan
Tnlocuindin (1.9") valorile lui ax, ar i az, obtinern pentru vectorul
reticular se poate folosi urrnatoru' procedeu:

a expresia din (1.9'). Tn mod analog se deduc i expresiile pentru
vectorii
se considera un sistem de axe de coordonate determinate de
din (1.9').
muchiile celulei elementare (evident, acesta poate fi rectangular sau

oblic);
z
luandu-se apoi ca unitate de rnasura pe fiecare axa parametrul

retelei pe directia respectiva, se determina distanta de la originea
axei pana la intersectia ei cu planul considerat;
pentru exprimarea nurnerica se iau valorile inverse marimilor
i
--
distantelor respective ~i se aduc fractiile la acelasi numitor (daca
este cazul);
--,L-- -
I
I
in acest caz, nurnaratorii
I
I
'
var constitui indicii Miller ai planului
respectiv.
lndicii Miller se noteaza lncadrati in paranteze rotunde pentru
plane ~i In paranteze patrate pentru drepte. Astfel, avem notatia (h k I)
pentru plane i [h k I] pentru drepte (directii), lndicii nu se separa prin
Fig.1.32. Modul de alegere a vectorilor de baza pentru constructia

unei celule primitive In cazul unei retele cubice cu volum centrat.
1
Mineralogul ~i chimistul englez William Hallows MILLER (1801 - 1880) enunta legea conform
careia pozitia fiecarei fete a unui cristal poate fi caracterizata prin trei numere intregi (indicii
Miller).
54
virgule ! in cazul in care intersectia fata de una sau mai multe axe da o
valoare
numerica
neqativa,
aceasta
se indica
printr-o
h=~=8=1
bara (liniuta)
X1
deasupra cifrei respective.
a*
cele de mai sus vom considera

b
* c ~i
a= j3
= r = 90). Sistemul
indicii
Miller
pentru
!
z
=a
y1 =OB= b .
Z1
=QC=
Deci planul respectiv are indicii Miller (111 ).
ABC care
1.33). Evident,
= OA
z1
Planul A1B1C1 (Fig. 1.34) intersecteaza axele la distantele:

planul
intersecteaza axele de coordonate la distantele x., Y1 si respectiv z1 (Fig.
X1
(1.11)
1=.=E.=1
de axe de
Fie a, b, c rnarimile muchiilor celulei respective.

acum
Y1
sistemul
coordonate este triedrul rectangular format de muchiile celulei primitive.
Sa calcularn
k=_E_=E_=1
Pentru a exemplifica
rombic (in acest sistem,
55
x2 = OA1 =a
y2 = 081=2b
Z2
( 1.12)
= OC1 = c
(1.10)
Planul (212)
Planul (111)
Fig. 1.34. Determinarea indicilor Miller pentru plane.

Cazul unui plan care lntersecteaza axele de
coordonate la distantele: x = a, y = 2b, z = c.
Fig. 1.33. Modul de determinare a indicilor Miller pentru planul (111).
Valorile indicilor Miller, determinate

sus, vor fi:
dupa metoda descrisa mai
Deci indicii Miller vor avea valorile:
56
57
h=~=8=1
X2
h=~=!!_=1
(1.13)
k=_!}_=b=1
Y3 b
/=__=.=1
Z2
z3
'
Numaratorii
fractiile
la
acelasi
(1.14)
1=__=~=2
Pentru acest plan, unul dintre indici este fractionar. fn acest caz
aducand
X3
k=_!}_=_E_=2
y2
2b 2
numitor,
putem
. 2
scne:-,
2
1
-,
2
'
2
-.
2
acestor fractii var reprezenta indicii Miller pentru planul
Deci planul are indicii (112).

Pentru planul A'38'3C'3 (Fig. 1.35b) se qasesc In mod analog
indicii Miller (212).
Cand planul nu intersectaza una din axe (fiind paralel cu
respectiv. Adica, planul va avea indicii Miller (212).

Daca intersectiile planului cu axele sunt: X3
= a, y3 = b,
z3
(Fig. 1.35a), indicii Miller se var calcula conform relatiilor:
c/2
aceasta), indicele Miller respectiv va fi egal cu zero (punctul de

mtersectie fiind la infinit). Astfel, planul (100) (Fig. 1.36a) intersecteaza
= a i va fi paralel cu axele Oy i Oz (se considera,

prin urmare, Y4 = oo si Z4 = oo). Deci vom avea, respectiv:
axa Ox la distanta X4
Planul (112)
Planul (212)
h=~=!!_=1
x4
k=.!}_=!!_=0
Y4
(1.15)
00
1=__=~=0
z4 oo
Planul A2B2C2 (Fig. 1.37) care intersecteaza axele la distantele x5
= 2a, y5 = 2b, Z5 = 2c are indicii Miller:

(a)
'
(b)
h=~=2
x5 2
Fig. 1.35. Determinarea indicilor Miller pentru plane.
Cazul unor plane care intersecteaza axele de coordonate la
distantele: x =a, y = b, z = c/2 (planul A3B3C3), respectiv x =
a/2, y = b, z = c/2 (planul A'3B'3C'3).
k=_E_=2
Ys
1=__=2
Z5
(1.16)
58
Planul (110)
59
planul A383C3 care intersecteaza
axele la distantele
3a, 3b, 3c, are
indicii Miller (111) si este paralel cu planele A1B1C1 si A2B2C2. Se poate

consatata usor ca aceste plane sunt si echidistante.
Prin urmare, indicii Miller intilcii familii de plane paralele $i
echidistante. Vom mai reveni in 1.14 asupra acestei probleme.

Sa calcularn, in sfarsit, indicii Miller pentru planul ABC din Fig.
1.38.
(a)
(b)
Fig. 1.36. Determinarea indicilor Miller pentru plane

paralele cu una axele de coordonate
Fig.1.38. Determinarea indicilor Miller pentru plane.

Cazul indicilor Miller cu valori negative.
Conform celor rnentionate, acesta va avea acelasl indici Miller ca i

planul A'B'C' cu care este paralel.
X5
= a, Y6 = -b,
de intersectie
Fig. 1.37. Planele cu aceiasi indici Miller sunt paralele i echidistante.
Prin urmare indicii Miller se vor scrie (111 ). in acest caz, rapoartele sunt
fractii, dar ele au deja acelai numitor. Deci planele A1B1C1 i A2B2C2 au
aceiasi indici Miller. Se observa ca ele sunt paralele. in mod analog,
Z5
Insa
pentru acesta din urma, avem
= c, unde am notat cu X5, y6, Z5 coordonatele
ale planului cu axele de coordonate
urmare, indicii Miller ai planului respectiv, var fi:
punctelor
respective.
Prin
60
61
Planele cu indici Miller mai mici sunt cele mai interesante din
h=~=1
punct de vedere fizic. in studiile teoretice si experimentale ale structurii
x6
( 1.17)
k=_E =-1
Y6
~i proprietatilor cristalelor, plane cu indici Miller mai mari decat 3 se

intalnesc de obicei destul de rar.
in Fig. 1.40 sunt prezentate unele familii de plane cu anurniti
/=__=1
z6
indici Miller pentru retele tetragonale.
si, conform conventiei, vom scrie (1 1 1 ).
Cu cat indicii Miller au valori mai mici, cu atat planele respective

sunt mai departate tntre ele i cuprind mai multe noduri ale reieie! pe
unitatea de suprafafa. Acest lucru se poate observa U!?Or din Fig. 1.39 in
care, pentru sistemul cubic, se prezinta intersectia diverselor plane cu
planul z=O, care are indicii Miller (001). Deci planul xOy este planul
x
x
figurii.
Plane (010)
Plane (100)
z
3c
Plane (110)
plane (010)
plane (110)
plane (120)
plane (130)
Plane ( 110)
Fig. 1.39. Familii de plane. Pentru sistemul cubic sau tetragonal,

dreptele paralele raprezina tntersectia familiilor de
plane cu un plan paralel cu planul xOy.
x
Fig. 1.40. Diferite familii de plane in sistemul tetragonal.
62
63
lndicii Miller pentru directii se noteaza, In general, cu u, v, si w,

z, Ll3
dar de foarte multe ori se utilizeaza aceleai notatii ca si pentru plane

(adica h, k, i /). Pentru directii, dupa cum s-a mai aratat, indicii Miller se
M
.-~-
- -----....+--..
scriu In paranteze drepte. in acest caz, indicii h, k, i I reprezinta cele
I
I
(a}
mai mici numere lntregi care se gasesc In acelasl raport ca si marimlle
I
I
I
~,
Yi ,
zi respectiv, xi, yj,
z, reprezentand proiectiile pe cele trei axe
I
I
I;;
de coordonate (exprimate In unitati egale cu parametrii retelel dupa
axele respective) ale unei drepte paralela cu directia considerata, care
[011]
trece prin originea axelor si are extremitatea pe o fata, o muchie sau varf
a celulei elementare respective.
Varn descrie modul de calcul al indicilor Miller pentru unele
directii In cazul mai general al unei retele rombice. Directia ~1 (Fig.
[010]
(b)
-:
1.41 a) trece prin origine i prin varful A al celulei elementare. Proiectiile

pe cele trei axe a punctului A sunt: x1=a, y1=b, zr=c, in acest caz indicii
Miller vor fi respectiv:
[1
T11
h=~=8=1
[100]
k=li=_e.=1
b
b
(1.18)
Fig. 1.41. lndicii Miller pentru drepte (directii): (a)- modul de calcul al indicilor Miller
(b) indicii Miller pentru unele drepte (directii) din sistemul tetragonal.
'
/=~=E.=1
deci vom scrie, pentru dreapta respective, indicii Miller sub forma [111].
Sa consideram acum dreapta
~2
care intersecteaza In punctul P
fata din dreapta a celulei elementare. Daca P este situat In mijlocul

acestei fete, proiectiile lui pe cele trei axe de coordonate vor fi: x2
Y2 = b, z2
= c/2. Calcularn acum indicii Miller:
= a/2,
h=
X2
a
k
= 2 = _1
a 2
= Y2 = b = 1
b
c
I=
Z2
= 2 = _1
c
(1.19)
64
65
Intrucat avem si numere fractionate, aducem fractiile la acelasi numitor
sunt situate in planul bazei, facand intre ele unghiuri de 120. lndicii
i nurnarartorf vor constitui indicii Miller pentru dreapta respectiva, adica
Miller-Bravais
acestia vor fi [121].
[h k i ~. pentru drepte.
se noteaza sub forma (h k
In mod analog, dreapta Ll3 care coincide cu Oz, are indicii Miller
[001], lntrucat
coordonatele
i /), pentru plane, i respectiv
punctului M sunt X3=0, y3=0, z2=c i deci
h=O, k=O si /=1.

In Fig. 1.41 b sunt prezentati indicii Miller pentru cateva directii
dintr-o celula rornblca sirnpla. Daca o directie este normala pe una dintre
axele cristalografice
ea va avea indicele Miller corespunzator
egal cu
zero.
Din modul In care au fast definif
indicii Miller pentru directii
( drepte ), rezulta ca orice directie cristaloqraflca
paralela cu o directie
considerata va avea aceeasi indici Miller ca i aceasta din urrna.

Daca dorim sa indicam toate familiile de plane dintr-un sistem
cristalografic,
indiferent
de orientarea
lor, se foloseste
notatia
Fig.1.42. Determinarea indicilor Miller - Bravais

in cazul retelelor hexagonale.
prin
incadrarea in acolada {h k f}. De exemplu, notatia {111} include planele:

In mod analog cu procedeul descris pentru celelalte tipuri de
(111), (111), (111), (111), (111), (111), (111), (111).
celule elemen,tare, vom scrie in cazul planelor din sistemul hexagonal:

In cristalele cu simetrie cubica, directiile au aceeai indici Miller
ca i planele pe care sunt perpendiculare.
este perpendiculara pe planul (111) etc. (v. si 1.14)
Intr-un anumit
sistem cristalografic,
h = a/xi, k = a:z/'ri. i = a,Yuj, I = c/z; unde xi, Yi. u., si z reprezinta
De exemplu, dreapta [111]
familia tuturor dreptelor,
indiferent de orientarea lor, se noteaza sub forma <h k I>. De exemplu,

familia de drepte <111 > va indica dreptele [111 ], [111], [111]
etc.
In cazul retelelor hexagonale, indicarea planelor si a dreptelor se
distantele
de la originea
intersectie
a planului considerat
perpendiculara
patru axe de coordonate
(Fig. 1.42): axa Oz este
pe planul bazei celulei elementare, iar celelalte trei axe
de axe pana
cu axele respective,
la punctele
de
luandu-se
ca
unitate de rnasura pe fiecare axa parametrul retelei dupa aceasta axa,

Se observa ca s-au notat cu a1 i a2 laturile hexagonului (a1 = a2),
a3 este parametrul dupa directia Ou (a3 = a1 = a2), iar c este lnaltimea
prismei hexagonale.
face utilizand sistemul de notare (indexare) Miller-Bravais. In acest

caz, se folosesc
sistemului
Intre indicii Miller-Bravais din sistemul hexagonal, exista relatia:

i
= -(h
+ k). Din acest motiv, de cele mai multe ori indicele
i nu se mai
indica (daca se stie precis ca este vorba de un sistem hexagonal) sau se
66
BAZELE FIZICH
inlocuieste
67
SEMICONDUCTORILOR
printr-un punct sau cu litera H dupa paranteza. Adica vom
scrie (h k . I) sau (h k /)H pentru plane i respectiv [h k . I] sau [h k ~H
reprezinta fractiuni din valorile muchiilor a, b, c ale celulei elementare in

directia axelor respective.
Coordonatele atomice (numere fntregi sau fracfionare) se scriu in
pentru drepte (directii),
paranteze rotunde, fara a fi separate prin virgule.

Operafia de ca/cu/are a indicilor Miller (sau Miller-Bravais) pentru
diferite plane si/sau directii ale unei structuri cristaline se numesie de
regula indexare.
In
Fig. 1.43 sunt indicate
elernentara,
cu vectorii de baza
rectangular.
Sa determinarn
pozittile
a, E,
unor atomi
lntr-o cetula
care forrneaza
coordonatele
atomice
un triedru
ale unora dintre
acesti atomi. Pozltia atomului A1, care se qaseste pe diagonala mare a

celulei la 1 /4 de varful Ao, este data de vectorul ~, care conform relatiei
Coordonate atomice
1.9.
(1.20) se poate scrie ca:

Dupa cum s-a aratat in 1.3, o anurnita structura cristalina se
obtine prin
1-
1-
1-
r1=-a+-b+-c
atasarea unei baze (de atomi) fiecarui nod al retelei, In
procesul de formare este necesar ca baza sa-i pastreze nemodificata
Cornparand
orientarea, natura ( cornpozitia) i aranjamentul (dispunerea reciproca a
coordonatele atomice
aceasta
(1.22)
relatie cu (1.20) constatarn
x, =
1/4,
ca atomul A1 are
y1 = 1/4, z1 = 1/4. Vom scrie coordonatele
atomilor). Prin urmare, trebuie sa mdicam pozitia in celula elernentara a

ficarui atom care forrneaza
baza. Aceasta
se face cu ajutorul
asa
respective, sub forma (:
: : ) .
numitelor coordonate atomice.

Daca se presupune ca baza este forrnata din N atomi, pozitiile
centrelor atomilor vor fi determinate de un grup de
N vectori de pozitie
( 222)
222
dati de:
(1.20)
unde i
N, iar
1, 2, 3,
a, E, c
(000)
sunt vectorii fundamentali ai retelei
Bravais respective.
Intrucat
atomii a carer pozitie se indica se afla in interiorul sau pe
fetele celulei elementare, vom avea:
0 ::;
Marirnile
X; '
adimensionale
Y; '
( 1.21)
Z; ::::; 1
Fig. 1.43. Coordonatele atomice. Modul de determinare.
xi, Yi! z,
se numesc
coordonate
atomice i dupa cum se poate deduce din (1.20) i (1.21 ), acestea
68
Pentru vectorul de pozitie al atomului A2 situat la mijlocul fetei din

dreapta a celulei putem scrie:
distanta
de echilibru
dintre
atomi,
d0 corespunde
69
minimului
curbei
energiei potentials de interactiune dintre atomii respectivi ( 3.1 ).
1b- 1_
r2=1a++-c
Deci coordonatele
Fiecare
(1.23)
atom
se caracterizeaza
spatiala a norului electronic,
atomice ale acestui atom vor fi (1 ; ;) . in mod
chiar
si pentru
electronii
printr-o
anurnita
distributie
dlstributie care se modifica relativ putin,

exteriori,
la formarea
leqaturilor
chimice
puternice, fara a mai vorbi de leqaturile slabe de tip van der Waals
analog, atomul A3 din centrul celulei are coordonatele atomic.e (1 11) ,
2
( 3.4 ).
iar atomul A4 va avea coordonatele
lntre care exista un tip sau altul de legaturi chimice, sa fie consideraf
22
(111 ). Evident, un atom care se
Aceasta constatare a permis ca, In prlrna aproxirnatie, atomii,

ca
gasete In originea axelor (In punctul Ao) va avea coordonatele atomice
avand "dimensiuni" determinate, adica ca fiind sfere de anumite "raze"
(000).
constante.
In
acest caz, distanta interatornica dintre diferitele perechi de
Pentru a descrie modul de formare a unui anumit tip de structura
atomi se presupune a fi egala cu suma acestor raze, numite i raze
cristalina trebuie sa se indice: tipul retelei Bravais. numarul si natura
atomice (sau raze ionice daca reteaua cristalina este formats din ioni)
atomilor (ionilor) care formeaza baza. precum si coordonatele atomice
sau uneori raze cristalo-chimice(denumire mai suqestiva, pentru ca
ale fiecaruia dintre acesti atomi Ooni).
intr-adevar, marimea razelor atomice depinde atat de tipul de structura

cristallna, cat i de tipul leqaturii chimice dintre atomi).
Notiunea de raza atornica a fost introdusa de V.L. Bragg, care In
1.10. Raze atomice (ionice).

Coeficient (factor) de compactitate (impachetare)
In
1920 [199] prezinta i primul sistem al razelor cristalochimice.

dezvoltata apoi de catre Goldschmidt
tabele
reteaua cristalina
a unui corp, atomii (ionii) sunt situati la
anumite distante unul fata de altul. Evident, atomii (ionii) din retea pot fi
de aceeai natura (atomi sau ioni identici) dar pot fi si de natura diferita,
Tntre doi atomi vecini de natura diferita, A sl B, pot exista diferite tipuri de
leqaturi chimice (v. Capitolul 111).
Insa
cercetarile referitoare la structura
cristalelor au evidentiat faptul ca distanta dAs dintre perechea respectiva

de atomi, depinde putin de tipul concret de structura cristalma. Pentru
toate tipurile de structuri cristaline care ar putea fi construite cu atomii A
si B, aceste distante nu difera cu mai mult de 0,05-0, 1 O
A.
Tntr-un cristal,
cu valorile
acestor
Ea a fost
[199] i de altll, care au intocmlt
raze pentru
un nurnar foarte
mare de
elemente.
In
cazul cristalelor cu atomi identici, raza atomica rA a unui atom
A va fi jumatate din cea mai mica distanta interatornica. Tn substantele

simple (Li, Be, Na etc.) ieqatura chirnica dintre atomi este fie metalica,
fie covelente. Vom nota cu rM ire razele atomice corespunzatoare celor
doua tipuri de leqaturi, Experienta conflrma aditivitatea acestor raze i
pentru structura cornpusllor cu leqaturi chimice de tipul respectiv. De
exemplu, distanta C-C In cristalul de diamant este de 1,54
covalenta a carbonului este rc(C)
A, adica raza
0, 77 A. Distanta Si-Si In cristalul de
70
71
siliciu este 2,34 A, de unde rezulta ca rc(Si)=1,17 A (Fig. 1.44). Pentru
cristalina),
carbura de siliciu (SiC), s-a qasit experimental ca distanta Si-C este de
cubica a halogenurilor metalelor alcaline care cristalizeaza intr-o retea
1,98 A, valoare care concorda bine cu suma rc(C) + rc(Si)= 0, 77A +
de tip NaCl (exceptie fac cornpusii CsCI, CsBr ~i Csl care cristalizeaza
1, 17A = 1,94 A. Rezultate asernanatoare se obtin in cazul leqaturf
intr-o retea de tip CsCI (v. 1.18)).
metalice. De exemplu, rM(Nb) = 1,45 A, rM(Pt) = 1,45 A ~i deci
NaCl reteaua spatiala este cubica cu fete centrate, iar baza este formats
rM(Nb) +rM(Pt) = 2,83 A.
din doi ioni: un ion de Na+ si un ion de Cl", coordonatele lor atomice fiind
Pentru compusul respectiv se qaseste
experimental valoarea de 2,85 A [199].
Un exemplu clasic de asemenea serie ii constituie structura
(000) si respectiv
(222J.
In
cazul structurii cristaline de tip
Tn Fig. 1.45 se prezinta modul de aranjare a
In cazul cornpusilor cu leqaturi chimice ionice se introduce

notiunea de raza lonicii, fi. In acest caz, metoda de determinare a
ionilor cu razele r1 pe fata (100) a celulei elementare cubice pentru
acestor
halogenurile metalelor alcaline. Pentru structurile CsCI, CsBr, Csl este
raze
pe
baza
distantelor
interatomice
prezinta
unele
particularitati.
222
mdicata distributia ionilor in
planul (110) a celulei elementare.
Dimensiunile ionilor pot fi evaluate cornparand diametrul lor cu scara din

figura.
.2.,rc(C.~..
I
_ --
J_. rc(C)
cristal de diamant
= 0,77
Li
Na
Rb
Cs
F
2rc(Si)
Cl
cristal de siliciu
~rc(Si-C)
I
= 1,94A
Br
i.--+:
I
I
cristal de carbura
de siliciu
Fig. 1.44. Raze atomice In cristalele de diamant, siliciu si carbura de siliciu
1,,,,1,,.,1
o
Pentru definirea razei ionice trebuie sa folosim distanta anion
cation in serii de structuri izomorfe (prin izomorfism se inteleqe
proprietatea unor substante de a prezenta acelasl tip de structura
10A
Fig. 1.45. Modul de aranjare a ionilor pe fata (100) a cristalelor halogenurilor metal el or
alcaline. Pentru compusil CsCI, CsBr si Csl (care cristalizeaza tntr-o retea de tip CsCI
( 1.18.2)) se indica modul de aranjare a ionilor In planele diagonale (110) [199]
72
Se poate
observa
ca pentru
o perioada
data
a sistemului
periodic, anionii au raze ionice mai mari decat cationii: de exemplu,

n(Li+) = 0,86
A, n(Ci-) = 1,81 A
s.a.rn.d.
In
vom inteleqe
volumul tuturor atomilor (ionilor) din celula respectiva,
fiecare sort de atomi (ioni) avand o anumita raza.
A, r1(F-) = 1,33 A. Daca nurnarul de ordine al elementului
creste, razele ionului cresc. De exemplu, n(Na+) = 0,98
73
Prin urmare, coeficientud

l e compactitate se mai poate defini i
ca raporlul dintre volumul ocupat de atomii din celula elementara si
volumul geometric total al celulei.
structurile
de mai mare complexitate
determinarea
razelor
Sa calcularn
ionice constituie o problerna mai dificila [125, 138, 143, 199].

Prin introducerea
consideram
notiunf
de raza atomics
atomii (ionii) care alcatuiesc
(ionica)
putem sa
cristalul ca fiind niste sfere
de compactitate
pentru
cazul
unei
structuri cristaline In care reteaua este cubica sirnpla (Fig.1.46a),
iar
baza este formata dintr-un singur atom. Considerand atomii ca sfere cu

raze egale, tangente lntre ele, dispunerea lor In celula elernentara este
tangente Intre ele.

Notiunea de raza atomics (ionics) permite evaluarea graduluide
compactitate (impachetare) al
agregatului
compactitate
caracterizeaza
al
coeficientul
unui
cristal
se
cristalin.
prin
Gradul
de
coeficientul
(factorul) de compactitate(impachetare), 17, definit ca raportul dintre

volumul ocupat de atomii (ionii) cristalului
(consideraf
sfere rigide In
prezentata In Fig. 1.46b.
In
Fig. 1.46c au fast "retinute" numai portiunile
din sfera care apartin celulei respective, adica 1/8 din fiecare sfera.
cele 8 varfuri sunt cate 1/8 sfera cu raza R=a/2,
a fiind
latura cubului.
In
In
celula se qaseste o sinqura sfera (cate 1/8 In fiecare varf (Fig.1.46c)),

deci volumul ocupat de aceasta sfera, va fi
;(~r
contact) i volumul geometric total al cristalului respectiv.
VA =1
Volumul geometric al cristalului, Ve, se poate scrie ca Ve = Nflo,
flo fiind volumul geometric al unei celule elementare, iar N - numarut de
In
celule elementare care alcatuiesc cristalul respectiv. Daca In celula ar fi
compactitate va fi
acest caz, volumul celulei este evident flo = a3, deci factorul de
atomi (ioni) identici, atunci volumul ocupat de acesti atomi (ioni) In celula
elernentara este VA= SVi, S fiind nurnarul de atomi (ioni) din celula, iar
= ~ a3
17=
VA
TC 3
a
6
TC
no =7=6=0,524
V1 volumul ocupat de un singur atom. Atunci volumul total ocupat de toti

atomii din cristal va fi: Vr = NVA = NSV1. Conform definitiei, coeficientul
Sa considerarn acum cazul unei retele cubice cu volum centrat

cu atomi identici. Dispunerea sferelor i modul cum se calculeaza In
de compactitate va fi
NVA
17=--=Nno
VA
n0
Relatia de mai sus a fast dedusa presupunand
acest caz raza sferelor se deduc din Fig. 1.47. Volumul celulei este
(1.24)
flo = a3. Raza sferelor va fi

ca atomii sunt
identici, dar ea ramane valabila si pentru cazul In care celula elernentara

confine atomi sau ioni de sorturi diferite. Tn acest din urma caz, prin VA
aJ3
4
(Fig.1.47d).
In
celula elernentara sunt
doua sfere (una In centrul cubului i cate 1 /8 In cele 8 varfuri), Deci
74
4;"
volumul ocupat de aceste sfere va fi: VA = 2.
l a~r
17
VA
no
75
respective. De asemenea, razele atomice depind de cifra de coordinatie

?i coeficientul
'
a retelei, Odata cu scaderea compactitatii
cristalului,
razele atomice
cresc.
de compactitate corespunzator va fi:

2. 4JZ" (
aJ3J3
=
a3
JC./3 = 0 680
'
(b)
(a)
(b)
I
I
--------
I
I
B
(a)
c
(c)
(c)
BO =a.J3 =4R
(d)
Fig. 1.47. Medul de determinare a ceeficientului (factorului) de cempactitate

in cazul unei retele cubice cu velum centrat.
(a) reteaua Bravais cubica cu velum centrat;
(b) medul de dispunere a sfereler in nodurile retelel:
(c) sferele (portiunile de sfera) din interierul velumului celulei elementare;
(d) determinarea razei sferelor in functie de latura cubului.
Fig. 1.46. Medul de determinare a ceeficientului (facterului) de cempactitate

pentru o retea cubica sirnpla: (a) celula elernentara cubica simpla:
(b) rnodul de aranjare a sferelor in nodurile retelei;
(c) portiunile de sfera din interierul velumuli celulei elementare.
In
centrate,
mod similar,
se gase~te
cu baza forrnata
compactitate 77
= 0, 7 40
Razele atomice
pentru
tot dintr-un
reteaua
singur
atom,
cubica
cu fete
coficientul
de
decat razele acelorasi atomi In cristale metalice. Astfel, ionul de sodiu
lntr-o sare are raza atornlca de 0,98 A, In timp ce In stare metalica raza
(v. 1.15).
ale diferitelor
fortele de legatura interatomice,
Atomii ionizatl din cristalele ionice au razele atomice mai mici
elemente
In cristale depind
care deterrnina coeziunea
de
cristalelor
atornica a sodiului este de 1,85
A.
76
Raportul razelor atom ice (ion ice) ale particulelor constituente ale
77
Celula Wigner-Seitz are centrul intr-un nod oarecare al retelei i
unui cristal i caracterul leqaturilor interatomice ce determina structura
este o portiune din spatiu situata in vecinatatea acestui nod i a oricarul
cristalina
cea mai probabila,
alt punct al retelei".
echilibru
termodinamic,
atomilor
sau ionilor. Aceasta
deci si cea mai stabila, in conditii de
corespund
celei mai compacte
structura
se realizeaza
aranjari
ale
Considerarn un punct (nod) oarecare, 0, al retelei plane din Fig
in cazul cane
1.48. Nodurile care constituie vecinii de ordinul intai sunt 1, 2, 3, 4, 5 si
spatiul care rarnane liber intre particule are eel mai mic volum posibil.
f1,
r2
......
originea in punctul 0. Ducem apoi mediatoarele
Li1,
Li2,
6. Ducem vectorii de pozitie a acestor noduri
Acest caz este analizat in 1.15.
segmentele
Celula Wigner-Seitz
Wigner-Seitz
Am aratat ca pentru retelele Bravais neprimitive
care constituie
pentru reteaua plana considerata.
este o celula prirnitiva
se pot gasi
Li6 pe
respective. Rezulta un poligon, (in cazul nostru ABCDEF)
care are o anumita arie (hasurata in fiqura],
1.11
{6, care au
celula
Celula Wigner-Seitz
lntrucat are un singur nod (eel din centrul celulei).
Din proprletatile de simetrie ale retelelor Bravais, rezulta ca se
retele primitive tnsa cu o simetrie mai joasa, Ar fi important daca s-ar

putea sa se constuiasca o astfel de retea care sa pastreze proprietatile
poate deplasa celula cu centrul in nodul 0 al retelel intr-un alt nod
de simetrie ale retelei mitiale. 0 astfel de celula elernentara este celula
oarecare
Wigner-Seitz. Pentru a descrie modul de constructie a celulei Wigner
P, caracterizat
prin vectorul
Rp
= n1
+ n 2b
(a
si
fiind
vectorii fundamentali ai retelei plane respective), vectorul Rp unind cele
Seitz sa considerarn o retea bidimensionala (Fig. 1.48).

doua noduri 0 i P ale retelei.
in acest mod, reteaua plana poate fi "lmpartita" in astfel de celule
Ll5
primitive (Fig. 1.49).

Se poate constata LIOr ca celula Wigner-Seitz
are, in general
aceleai elemente de simetrie ca i reteaua Bravais pentru care a fost

construita. Se poate arata insa ca celula Wigner-Seitz poate sa posede
i elemente
de simetrie
suplimentare
(de rotatie
i de reflexie)
in
cornparatie cu celula prirnitiva. De asemenea, se constata user ca celula
Wigner-Seitz cuprinde toate punctele din spatiu situate eel mai aproape
de un nod dat al retelei In comparatie cu celelalte noduri. Celulele
Fig. 1.48. Celula Wigner - Seitz pentru o retea plana.

il1, L'l2, ..... Ll6 sunt mediatoarele pentru vectorii de pozitie Fi'
r2 ' ..... r5 .
De altfel, o astfel de constructie se poate realiza pentru orice ansamblu de puncte discrete, care
nu constituie numai decat o retea Bravais, dar in acest caz fonna acesteia depinde de pozitia
punctului ~i nu are caracteristicile unei retele Bravais. (0 astfel de retea se numeste retea Voronii
[3]).
78
Capitolul I
Structura cristalina a materialelor semiconductoare
79
Wigner-Seitz pentru retelele Bravais plane sunt fie dreptunghiuri (In caz
particular patrate), fie hexagoane.
Fig. 1.50. Celula Wigner - Seitz pentru reteaua cubica cu volum centrat [7].
Fig. 1.49. Celule Wigner - Seitz pentru o retea bidirnenslonala.
in mod analog se pot construi celule Wigner-Seitz pentru retelele

tridimensionale. in acest caz, din nodul considerat se due vectorii de
pozitie ai nodurilor vecine de ordinul lntai: se due planele mediatoare pe
1.12
Reteaua reclprcca (inverse)
1.12.1. Consideratig
i enerale
acesti vectori i se obtine un poliedru Inchis de planele cele mai

apropiate. Aceasta constituie celula Wigner-Seitz pentru reteaua
respectiva i este o celula prirnitiva de un anumit volum.
Conceptul de retee reciproce sau retee inverse joaca un rol

important In studiul teoretic al proprietatilor retelelor cristaline. Astfel,
Daca reteaua este cubica sirnpla, latura cubului fiind a, celula
teoria difractiei In cristale a radiatiilor X (a fasciculelor de electroni sau
Wigner-Seitz este tot un cub cu latura a avand un nod In centru. Fig.
neutroni), studiul oscilatiilor (vibratiilor ) retelei cristaline (tnteleqand prin
1.50 ilustreaza celula Wigner-Seitz pentru o retea Bravais cublca cu
aceasta oscilatirle Tn jurul pozitiilor de echilibru a particulelor din nodurile
volum centrat. Aceasta are forma unui octaedru sectionat de planele
retelei cristaline), studiul miscarii electronilor ln
mediatoare.
periodica s.a, pot fi tratate cu mai rnulta profunzime luind In considerare
reteaua cristalina
caracteristicile retelelor reciproce.

in cazul In care, intr-un anumit rationament trebuie sa ne referim
la cele doua tipuri de retele, retelele Bravais i retelele reciproce, pe
80
primele le vom numi
retete directe".
81
Relatia (1.29) se deduce direct din (1.25) - (1.27) tinand seama
in acest paragraf vom nota cu 81, 82 i

retelei directe (deci
83 vectorii de baza ai
8 devine 81, b devine 82 si
devine
de urrnatoarele relatii pentru produsul mixt a trei vectori:

(1.30)
83 ). Prin
aceasta vom deduce mai UOr unele expresii, iar relatiile finale obtinute
le vom putea scrie cat mai simetric i concis. Vom reveni la notatiile
Relatiile
8i bj = 0 pentru i
nalitate 8 vectorilor 8i i jjj
j, exprima condifia de ortogo
7:-
8i . jjj
iar
=1
exprirna
condltla
de
folosite pana acum, atunci cand vom descrie diferite tipuri de structuri
normare.
cristaline.
Daca
81, 82
Expresia,
i 83 sunt vectorii fund8ment8/i 8i retelei directe,
(1.31)
atunci vom defini vectorii de baza ai retelei reciproce, prin relatiile
indica volumul celulei elementare pentru reteaua inversa (notat de multe

ori i cu
n ).
Se poate arata UOr ca
(1.25-1.27)
(2rc)3
.0=-Vectorul
unde
(1.28)
Ei,
Kg ,
(1.32)
no
scris sub forma unei combinatll liniare a vectorilor
adica sub forma
reprezinta volumul celulei elementare2l in reteaua directa.

intre
reciproce
vectorii
E1, b2
retelei
E3
directe
81,
82
(1.33)
i 83 i cei ai retelei
unde
g1, g2, g3 sunt numere intregi oarecare, poarta denumirea de
vectoru/ retelet reciproce.
exista relatia
(1.29)
Multirnea
punctelor
definite
de
(1.33)
forrneaza
reteeue
reciprocs (refeaua inverse;

unde 8ii este simbolul lui Kroneker (8ii =O, pentru i 7:- j i 8u = 1 pentru i = j).
Vectorul retelei directe se scrie sub forma (v. 1.4)

(1.34)
in cazul general, prin retea vom intelege reteaua Bravais si numai daca este necesar
vom face precizarea ca este vorba de reteaua directa sau reteaua reciproca.
2
Dupa cum se stie, produsul mixt a trei vectori 81 , 82 si 83 este un scalar care in
marime absoluta este egal cu volumul paralelipipedului construit pe vectorii respectivi
camuchii.
1
n-, n2, n3 fiind i aici numere intregi oarecare.

Din (1.33), (1.34) i (1.29) qasirn UOr pentru produsul scalar
dintre vectorii
Rn
Kg , expresia
82
Rn K9
2;r ( n1g1 + n292 + n393) = 2;rN
83
(1.35)
N fiind evident un nurnar intreg.

Prin urmare,
(1.36)
lntrucat, daca Neste un nurnar intreg, putem scrie
e
iK -K9 = e i(2nN) =COS 2.Jr N - I. Si. n 2 Jr N = 1
Relatia (1.36) este foarte des folosita in studiul rniscarii electronilor in

corpurile cristaline.
Evident, punand conditia (1.36), rezulta ca vectorul K9 trebuie
sa poata fi scris sub forma (1.33), adlca sa fie o combinatie liniara a
vectorilor
bi,
iar coeficientii 91, 92, g3
Fig:_1.51. D~ducerea expresiilor pentru vectorii retelel reciproce

rn cazul rn care reteaua directa este ortorornbica sirnpla.
numere intreqi.
In
acest caz,
o = 81 ( 82 x 83 ) = 8182 83 [T . ( J x k) = 8182 83
1.12.2. Retele reciprocepentrudiferitetipuride retele Bravais
Intrucat
vectorii
fundamentali
ai retelei reciproce
depind de vectorii fundamentali ai retelei directe
b1, b2 i b3 ,
si inlocuind (1.37) i (1.38) in (1.25) - (1.27), gasim:

-
reciproce.
2Jr
Prin urmare,
fundamentali
j81 I * j82 j * 183 I
i a =
/3 = r = 90
unui sistem de coordonate
. Daca
In
acest tip de retea (v. 1.5),
T,
J,
sunt versorii axelor
ales ca in Fig. 1.51, (care coincide
cu
81, 82 i 83
= 8/,
82
= 82],
83
2Jr -:
82
reteaua reciproca
b1, b2 i b3,
ai acesteia,
respectivi ai retelei directe,
81, 82
2Jr -
b3=-k
(1.39)
83
este tot ortorombica,
vectorii
avand aceeai forma ca i vectorii
83 (adica pot fi scrisi ca produse
lntre niste parametri (2rr/8j, i = 1, 2, 3) i aceiasi versori
T,
J i k ).
Pentru cazul in care reteaua cirecta este cubica sirnpla (CS),

avem evident 81 = 82 = 83 = 8 (8 fiind latura cubului) i respectiv, pentru
sistemul de axe cristalografice ), putem scrie
81
81
Sa construim reteaua reciproca in cazul in care reteaua directs

este ortoromblcii simpla (Fig. 1.51).
b1=-_-1; b2=-1;
81, 82 i 83, rezulta ca
tieciirui tip de retee Bravais ii corespundeun anumit tip de retee
(1.38)
= 83
fiind lungimile muchiilor celulei elementare.
(1.37)
vectorii retelei reciproce, vom gasi:

-
2Jr
b1=-1;
2Jr -:
b2=-1
8
2Jr -
b3=-k
(1.40)
84
Prin urmare, reteaua reciproca este de asemena cubica sirnpla ib,
= b2 =
Efectuand calculele1l , gasim:
= 2n/8).
b,
In
b1
cazul general insa, reteaua reciproca nu este de acelasi tip cu
In
reteua directa. Daca reteaua directa nu este prirnitiva, trebuie mai intai
'
85
'
sa qasirn, pentru reteaua directa respectiva, o retea prirnltiva cu anurniti
2Jr (
=a--/+
-:
-)
J +k
mod analog se calculeaza expresiile vectorilor
b2
b3 .
In final, putem scrie expresiile vectorilor de baza ai retelei
vectori fundamentali, dupa care, cu ajutorul relatiilor (1.25) - (1.27) sa
b1
determinarn vectorii retelei reciproce. Astfel, pentru reteaua cubics cu
2Jr ( - - -)
=a-i + j +k
(1.45)
fete centrate (CFC), celula prirnitiva corespunzatoare va avea vectorii

(1.46)
fundamentali, respectiv (v. 1.7):
82
83
=28 (-j
+k-) '
(1.42)
8 (7
-:) '
=2
I+ J
(1.43)
2Jr (7 -: -)
=a
+j-k
b3
(1.41)
(1.47)
Comparand relatiile (1.45) - (1.47) cu (1.9'), rezulta ca reteaua

reciproca a unei retele (directe) cubice cu fete centrate este o retea
cubica cu volum centrat.
Pentru a stabili forma retelei reciproce in cazul in care reteaua
iar volumul acesteia va fi:
Bravais directa este cubics cu volum centrat (CVC), scriem vectorii de

83
Q=-
baza pentru reteaua prirnitiva a retelei eve sub forma (v. 1. 7):
(1.44)
81 = 28 ( -i- + j- + k-)
Expresiile pentru vectorii fundamentali ai retelei reciproce pot fi

calculate UOr folosind de asemenea (1.25) - (1.27). Astfel, pentru
stabilirea expresiei vectorului
b1,
putem scrie
b-1 = 2Jr _ 82:::x 8..3::.

81. (82 x 83)
sau, tinand seama de (1.41) - (1.43), avem
_
b1 =
2ir[W +k)]x[W n]
[W +k)}[~(T +k)Jx[f{T n]
+
82
=28 (-j
83
28 (-j
(1.48)
j- +k-)
(1.49)
+ j- -k-)
(1.50)
Amintim cititorului urmatoarele relatii de calcul vectorial pentru versorii axelor de

coordonate considerate rectangulare:
f.T=J]=kk=1;
f.J=]f=O;
(Jxk)=-(kxJ)=T
]k=k]=O;
(TxkJ=-(kxf)=J
f.k=k]=O;
(TxJ)=-(JxT)=k;
86
no=-
83
Dupa
vectorului
a2
cum se poate
b1 = 2Jr
n0
2Jr
-8 (-i-j+k
-)
x-8 (-i+j-k
2
-)J
UOr din Fig. 1.52b, versorul
1- ./3i cos60 + j cos30 = -i +-j

2
2
reciproce (1.25) - (1.27), obtinern:
82 x 83
deduce
este
Tnlocuind aceste relatii in expresiile pentru vectorii fundamentali ai retelei
87
Prin urmare,
2
sau, efectuind calculele, qasirn
b1
2Jr (-j + k-)

=a
(1.51)
-4:
you= 30
-4:X0U
si in mod analog
b2
2Jr (k
=a
-;)
(1.52)
2Jr (-; -;)

b3=-;-t+j
(1.53)
+I
eve
este
---.>
avand aceeai forma ca
(b)
(1.41) - (1.43).
In
y
---.>
Prin urmare, reteaua reciproca a unei retele Bravais

cubica cu fete centrate, relatiile (1.51 )-(1.53)
= 60
cazul in care reteaua directa este haxaqonala simpla, se aleg
(a)
vectorii pentru celula primitiva a acestei retele sub forma (Fig. 1.52):
(1.54)
Fig. 1.52. Modul de alegere a vectorilor de baza pentru reteaua hexaqonala sirnpla,
(a) pozitia sistemului de axe de coordonate rectangular in raport cu celula elementara:
(b) modul de determinare a versorului vectorului 2
(1.55)
(1.56)
Se considera ca
ja1 I= ja2 j = 8
celula elernentara) si
j83 j = c
(8
fiind latura hexagonului care formeaza
Volumul celulei primitive este
n0
sau, tinand seama de (1.54)-
181 ( 82 x 83 )I
(1.56), putem scrie
(c este inaltimea prismei hexagonale).

00 =
(aT){~ (T + J3J)x ck J
88
~i efectuand calculele gasim
89
reciproca este asernanator cu eel descris In 1.11 pentru reteaua
J3
0.0=-a c .
(1.57)
directa.
Vom considera pentru lnceput o retea plana patratica, parametrul
Vectorii fundamentali ai retelei reciproce pentru reteaua directa
retelei fiind egal cu b (Fig. 1.53). Se alege ca origine un nod arbitrar, 0,
hexaqonala vor fi:
al retelei reciproce de la care vom duce vectorii

- =- 2tr (b1
82
- )
KA, K8, Kc, K0
la
cele patru noduri vecine de ordinul lntai (indicate cu A1, 81, C1 si 01 In
X83
no
Fig. 1.53a). Se due mediatoarele pe segmentele OA1, 081,
sau, lnlocuind 82 ~i 83 daf de (1.55) si (1.56),
c [ ~ (T + ~
E1 = ;,;
J)]
OC1, 001.
intersectia acestora detimiteaza In reteaua reciproca un poligon de o

x
(ck)
anumlta forma (In cazul nostru un patrat) cu o anurnita arie, numit prima
zone Brillouin[27, 90].
2
sau Inca:
b-1 = 2r;; ( -vt3; :i - j-)
(1.58)
b2 =
aJ31
(1.59)
2 -
e-rs
4
-:
b3 =-k
(1.60)
Expresiile vectorilor
E; b2
b3
definesc de asemenea o retea
hexaqonala.
(a)
Fig. 1.53. Celule Wigner-Seitz pentru reteaua reciproca plana patratica.

(a)- constructia primei zone Brillouin; (b) - constructia primei si
celei de-a doua zone Brillouin. Reducerea la prima zona Brillouin.
1.13. Celula Wigner-Seitz in reteaua reclproca, Zone Brillouin

Celula elernentara Wigner-Seitz (v. 1.11) pentru reteaua
reciproca se nurneste prima zone Brillouin".
Modul de constructie a celulei primitive Wigner-Seitz In reteaua
(b)
f n mod analog se construiesc celelalte zone. Se iau nodurile

vecine de ordinul al doilea A2, 82, C2 si 02 (Fig. 1.53b). Se due vectorii
K 'A, K '8, K 'c, K '0
cu originile In 0 ~i extrernitatile In cele patru
noduri. Se construiesc mediatoarele pe segmentele OA2

1
Fizicianul francez Louis Marcel BRILLOUIN (1854 - 1948) a elaborat in 1930 modelul zonelor
energetice in cristale
002
082
OC2
Portiunile de retea dehmitata de aceste mediatoare, care nu fac
90
parte din prima zona Brillouin, forrneaza cea de a doua zona Brillouin
(Fig. 1.53) [90].
In
91
cazul tridimensional, zonele Brillouin au acelasi volum.
Aceasta ne permite sa suprapunem oricare dintre zone peste prima
Se poate constata UOr (Fig. 1.53b) ca ariile celor doua zone
zona, deplasand cu un anumit vector al retelei reciproce domeniile
sunt egale. [ntr-adevar, deplasand portiunile 1 ', 2', 3', 4', 5', 6', 7' i 8'
corespunzatoare zonelor de ordinul al doilea, al treilea s.a.rn.d. Deci i
ale zonei a doua cu distanta a, adlca cu parametrul retelei, acestea se
In cazul tridimensional putem suprapune oricare dintre zone, peste
vor suprapune peste portiunile 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 i 8 ale primei zone.
prima zona Brillouin sau, cu alte cuvinte, putem face reducerea la prima
Tn Fig. 1.54 se arata si a treia, a patra s.a.rn.d. zona Brillouin.
zona Brillouin.
Oricare din aceste zone de ordin superior se pot suprapune peste prima
zona, operatie nurnita de obicei reducerea la prima zone Brillouin.
In
cazul retelelor tridimensionale, prima zona Brillouin are forma
unui poliedru.
In
Fig. 1.55 este mdicata prima zona Brillouin pentru o
retea reciproca cubica cu volum centrat i cubica cu fete centrate.

Acestea se construiesc In mod analog constructiei celulelor Wigner
Seitz In reteaua directa care a fost descrisa In 1.10.
CJ
D
2
7
...)
fiTiil'l) 4
Iii
lITITJ 6
5
;o
0
(a)
(b)
r
N
0
z
m
Fig. 1.55. Prima zona Brillouin pentru retetele reciproce cubice

cu volum centrat (a) ~i cubics cu fete centrate (b) [?].
Tn cazul retelei cubice cu fete centrate un anumit nod
este inconjurat de 12 noduri vecine de ordinul intai (v. ~i Fig. 1.30).
Cu toate ca termenii de "celula Wigner-Seitz" i "prima zona

Brillouin" se refera la acelasi tip de constructie qeometrica, ultimul
Fig. 1.54. Zone Brillouin de diferite ordine
pentru o retea reciproca plana patratica [41].
termen se foloseste numai In cazul retelei reciproce.
Intrucat vom utiliza zonele Brillouin la studiul vibratiilor retelei

cristaline si a altar caracteristici ale acestora, vom mentiona In capitolele
respective i alte caracteristici ale acestor zone.
92
93
Pentru indicarea acestor plane se folosesc indicii Miller ( 1.8).

S-a aratat
1.14. Plane atomice. Distanta interplanara
f n general, un plan atomic lntr-o retea Bravais oarecare este
ca pl8nele
cu
8cei8si
indici
Miller
(numite ~i plane
echivalente) sunt p8r8/ele si echidist8nte (Fig. 1.57).
definit ca un plan care confine eel putin trei atomi (trei noduri) care
nu
sunt
situett in lungul
unei
eceleesi
drepte
din
reteeue
respective.
Datorita simetriei de translatie discreta a retelelor Bravais ( 1.5),
un asemenea plan contine In realitate un nurnar infinit de noduri ale

retelei,
Modul de dispunere a nodurilor din aceste plane respecta
caracteristicile retelelor Bravais plane. In Fig. 1.56 sunt indicate cateva

asemenea plane In cazul unei retele cubice simple ~i a unei retele
cubice cu fete centrate.
Fig. 1.57. Planele cu aceeasi indici Miller sunt paralele si echidistante.
Distente interplanara se defineste ca distente dintre planele

succesive cu eceeesi indici Miller. Aceasta distanta se noteaza de
requla cu dhkf, reprezentand distanta dintre planele cu indici Miller (hkl).
Sa considerarn un plan ABC care are indicii Miller (hkl) (Fig.

1.58a). Sa stabilim expresia distantei dintre acest plan ~i un alt plan
paralel cu el care trece prin originea axelor de coordonate. Conform
(b)
(a)
definitiei indicilor Miller ( 1.8), putem scrie,

h=~
X1 '
unde 81,
82, 83
k = 82
Y1 '
I = 83
sunt marimlle muchiilor celulei elementare, iar x1, Y1, z1
coordonatele punctelor de intersectie

(c)
(1.61)
Y1
ale planului cu axele de
coordonate (Fig. 1.58a).

Din (1.61), se deduc relatiile
Fig. 1.56. Diferite moduri de a diviza retelele spatiale In familii de plane atomice:
(a) ~i (b)- cazul retelelor cubice simple; (c) cazul retelelor cubice cu fete centrate.
(1.62)
94
care pot fi scrise si sub forma vectoriala

-
a1.
X1=h,
unde vectorii
x1 ,
91
a2.
Y1=k,
Varn arata ca vectorul

a3
Z1=-,-
(1.63)
e;
este perpendicular pe planul (hkl) din
reteaua directa. Pentru aceasta, conform unei teoreme din geometrie,

trebuie sa dernonstrarn ca vectorul respectiv este perpendicular pe doua
21 au directiile i sensul vectorilor 81,
si
a2 si a3 ,
drepte concurente din planul (hkl). Putem
iar marlmile date de relatiile (1.62).
sa considerarn aceste drepte
J, (; - ~ J sl ( ~
concurente, doi dintre vectorii ( ~ - ;

z
95
3 - ~
J, care
planul (hkl)
sunt situaf in planul (hkl) (in planul ABC din Fig. 1.58b ). Pe de alta
parte, doi vectori sunt perpendiculari, daca produsul scalar dintre acestia
este egal cu zero.
lntr-adevar, sa consideram produsul scalar
(1.65)
y
Efectuand
x
(~ -: J
calculele
81 b1 = 82 b2 = 2Jr
si luind
i
in
considerare
faptul
ca
81 b2 = 81 b3 = 82 b1 = 82 b3 = 0 ,
(v. (1.29))
obtmern UOr
(a)
(1.66)
(c)
si, prin urmare, vectorii consideraf sunt perpendiculari.
In
mod analog, gasim

(1.67)
Fig. 1.58. Deducerea expresiei distantei interplanare: (a) - pozitia planului (hkl);
(b) - demonstrarea faptului ca vectorul ; este perpendicular pe planul (hkl);
(c) - deducerea expresiei distantei interplanare, dhkl
adica si acesti vectori sunt perpendiculari.

Prin
Sa considerarn
coordonate
sub forma
(1.64)
Evident relatia (1.64) este un caz particular al relatiei (1.33), in
care in locul numerelor intregi g1, g2, g3 am scris indicii Miller (care sunt
tot niste numere intregi).
urmare,
vectorul
Khkt
trece
prin
originea
axelor
de
un vector al retelei reciproce pe care ii scriem

i este normal la planul ABC cu indicii Miller (hkl) (Fig.
1.58b ). Evident, versorul vectorului
<; va fi dat de expresia
n- =--Khkt
/.Rhkt/
(1.68)
96
in ~OPA (Fig. 1.58c), unghiul APO are 90 ~i putem scrie produsul
97
2tr
dhkl
scalar
=-1--1
Khkt
(1.76)
Din relatia (1.76), rezulta ca distanta dintre doua plane succesive
(1.69)
a fiind unghiul dintre vectorii 81 ~i ii.
cu aceea~i indici Miller depinde,
Pe de alta parte, din L10PA, avem (Fig. 1.58)
Miller respectivi.
prin intermediul
lui /Rhkt / , de indicii
in cazul in care o familie de plane are indicii Miller (mh mk ml), m

cos a= dhkt
a1
(1. 70)
fiind un numar intreg, putem scrie, in conformitate cu (1.63),
Kmh,mk,mt
= mhb + mkb
1
= m ( hb + kb
+ mlb3
+lb)
= mKhkt
inlocuind (1.70) in (1.69), obtinern

Deci
81 d
- - a1 d
d hkl h
hkt n - h hkt a1
IRmh,mk,ml / =
jmj IRhkl /
d
mh,mk,ml -1
I/- I
m Khkt
(1. 77)
de unde, gasim
a1
dhkt =-n
h
(1.71)
in mod analog, se poate arata ca
dhkt
2tr
(1. 78)
sau, din (1.76) ~i (1.78), qasim:
a2 =-n
k
a3
dhkt =-n
I
(1.72)
IR
~i prin urmare, din ultimele doua relatil, gasim
ooue plane succesive ale familiei de plane
(mh mk ml) este de m ori mai mica decaf distanfa dintre doue plane
Sa
(1.74)
Bravais.
trebuie
= 2trh
(1. 79)
succesive ale familiei de plane (hkl).
Dar, se poate deduce usor ca
81 Khkt
- dhkl
mh,mk,ml - /m/
Deci, distanfa dintre

(1.73)
Tinand sema de (1.68), (1.71) se scrie sub forma
d
_ 81 . Rhkt
hkl - h
I
hkl
(1.75)
deducem distantele interplanare pentru diferite tipuri de retele
Din relatia (1.76), rezulta ca pentru a gasi aceste distante
sa calcularn jRhkt / pentru cazurile respective. in acest scop se
foloseste formula:
/Rhkl = ~ Khkl .
Tinand seama de (1.63), putem scrie (1.80) sub forma
(1.80)
98
d100 =
Efectuand calculele produsului scalar de sub radical, obtinern
h
22
hkb
b2 +
b3 +
hlb;
khb
+k
22
2
klb
lhb
lkb
a13
unghiurile <r: (
i; b
<r: ( b2,
2),
b3)
si, <r: ( b3, b1),
~12 + 02 + 02
=a
22
Tinand seama ca produsul scalar este comutativ si notand cu

a23
Deci distanta dintre doua familii de plane succesive din aceasta

+I
(1.81)
u12,
99
familie esta a.
A
In mod analog, se gasete d111
a
a
= r;;; d200 = -v3
s.a.m.d.
putem scrie
Observiim ca d200 = d~o , fapt care rezulta direct ~i din (1.79).
(1.81) sub forma
IRhkl
I= ( h bf + k b'1_ + 1 bt) + 2hkb b

2
1 2
cos a12 + 2klb2b3 cos a23 + 2hlb1b3 cos a13

(1.82)
Deci, In principiu, cunoscand vectorii fundamentali

se determina - folosind relatiile (1.25)-(1.27)
b2
din reteaua directa,
- expresiile vectorilor
E1,
b - Reteaua cubica cu volum centrat(CVC)

in acest caz, folosind pentru
si
b3
relatile (1.25) - (1.27)
i repetand rationarnentul descris mai sus gasim

a
ib3, care se lnlocuiesc In (1.81) sau (1.82) i se gasetejKhktl iar
In final, cu ajutorul relatiei (1. 76) se deterrnina
E1, b2
(1.84)
dhkl = -;===========~( h + k )2 + ( h + 1)2 + ( k + 1)2
dhkl
a fiind i aici latura cubului.

Sa dam cateva exemple:
Din (1.84 ), obtinern UOr
a - Reteaua cubica simpla
in acest caz
d100 =
ja1 I = la2 I= la3 I= a
(a fiind latura cubului) i a= fJ =
.J2 '
d111
2J3 '
d200 =
2.J2
r
d100
if ~
id t '
tia d
Re I an
200 = -2- seven tea, evi en, I in acest caz.
A
= go0 in conformitate cu relatiile (1.40), avem b, = b2 = b3 = 2n/a i

a12
= fh3 = y13 = go0 Din (1.82), obtinern In acest caz
I Khkt =
c - Reteaua cubica cu fete centrate (CFC)
Zr: I 2
2
2
+k +I
'i:"
in acest caz, folosind relatiile (1.25)-(1.27)
si lnlocuind aceasta expresie In (1. 76), qasirn
d hkl = --;:::::====
~h2+k2+12
E1, b2, E3
se
gasete
(1.83)
De exemplu, pentru familia de plane (100), avem h=1, k=O i

l=O
si, din (1.83), rezulta
pentru
dhkt = I
-v(-h + k + 1)2 + ( h- k + 1)2 + ( h + k-1)2

Deci
(1.85)
100
101
1.15. Structuri cu aranjament compact
(impachetare compacta)
Daca se considers ca atomii unui cristal pot fi reprezentati prin
d - Reteaua hexagonala (H)
sfere rigide, tangente intre ele, atunci un cristal format din atomi de
Pentru reteaua Bravais hexaqonala,
expresiile vectorilor
reciproce sunt exprimate prin relatiile (1.58) - (1.60).
In
retelel
acest tip
de retea pentru distanta interplanara, obtlnern [16, 131, 147]

dhkl
-J3
= 2
h2 +k2 +hk+(t
a;;J
cum s-a
aratat, razele acestor sfere depind de caracteristicile interactiunilor dintre
(1.86)
consecinta,
cristalul
trebuie
sa alba
o astfel
de structura,
tncat
interactiunea unui atom oarecare cu ceilalti atorni, dar in primul rand cu

'
'
atomii vecini, sa prezinte o astfel de simetrie lncat sa nu poata exista

tipuri de mteractiuni (forte) care sa conduca la ,,distrugerea" agregatului
cristalin.
c este inaltirnea acestei prisme.
Daca ne referim la un ,,strat" de asemenea sfere dispuse pe o
In
Insa, dupa
atomi, dar ~i de modul de dispunere reciproca a atomilor respectivi. Tn
a fiind aici latura hexagonului regulat al bazei prismei hexagonale,

iar
acelasl tip va fi alcatuit din sfere cu raze egale.
* *
cazul in care indicii Miller sunt negativi, la inlocuirea acestora
suprafata plana, atunci o aranjare cat mai compacts a acestora (adica o

aranjare a sferelor in asa fel, lncat acestea sa fie tangente iar spatiile
in relatiile (1.84) - (1.86) trebuie sa tinern seama ~i de semn. Astfel

libere dintre ele sa ocupe un volum cat mai mic) se poate obtine in cazul
rezulta
in care in jurul unei sfere date sunt dispuse (tangent la aceasta sfera)
pentru reteaua
eve
alte sase sfere identice cu centrul in varfurile unui hexagon regulat, in

centrul
~i
d-
111
=-
Ji1
caruia
se
gase~te
sfera
considerata
(Fig.
pentru reteaua CFC.
*
* *
Din cele prezentate mai sus, se poate constata ca fiecarui plan
(hkl) din reteaua directa ii corespunde, conform relatiei (1. 76), un vector
Khkt din reteaua reciproca, acestuia corespunzandu-i la randut sau un
(a)
nod din aceasta retea reciproca.
(b)
Fig. 1.59. Sisteme de sfere cu aranjament compact:

(a) - sfere situate In centrul ~i varfurile unui hexagon regulat;
(b) - obtinerea unui ,,strat de sfere" cu aranjament compact.
1.59a).
102
Capitolu_} J - Structura cristalina a materialelor semiconductoare
103
Evident, latura hexagonului este 2R, R fiind raza sferelor.
8unt doua tipuri de retele pe baza carora se obtin aranjamente
Constructia .hexaqonala" din Fig. 1.59a se poate completa cu alte sfere
compacte: retesue hexagonal compectii si reteeue cubics cu iete
81, 82,
centrate.
....
asezate In asa fel Incat o anurnita sfera sa fie In contact
(tanqenta) cu alte sase (Fig. 1.59b). De exemplu, sfera 2 (Fig. 1.59b)
Celula de la care se obtine reteaua hexagonal cornpacta (Fig.
este Inconjurata de sase sfere (1, 0, 3, 83, 84, 85) la fel ca si sfera 0 (Fig.
1.61 a) este o prisrna hexaqonala dreapta cu noduri In varfuri, In centrele
1.59a).
bazelor si trei noduri, M, N, P (Fig. 1.61 b), situate In interiorul celulei,

Urmatorul strat de sfere s-ar putea aseza peste primul strat, In
intr-un plan paralel cu bazele la mijlocul distantei dintre acestea. Tn Fig.
asa fel tncat centrele sferelor din cele doua straturi sa fie situate doua
1.61 c se indica modul de aranjare a sferelor In structura hexagonal
cate doua pe aceeasi verticala. Dar In acest caz, se poate constata ca
cornpacta. 8tructura se spune ca este de tipul ABABAB...
nu se obtine o lmpachetare compacts. Aceasta se obtine In cazul In
Aceasta Insearnna ca sferele din al treilea strat au centrele
care centrele sferelor din stratul al doilea se gasesc deasupra punctelor
deasupra centrelor sferelor din primul strat (evident, pe aceeasi
B care se qasesc In mijlocul a trei din cele sase interstitii formate In
verticala), cele din stratul al 4-lea au centrele deasupra celor din stratul
primul strat de sfere (Fig. 1.60b) sau, ceea ce este echivalent, deasupra
al 2-lea s.a.rn.d.
punctelor marcate cu C, situate In mijlocul celorlalte interstltl: (Fig.

1.60c).
In
ambele cazuri, pornindu-se de la cele trei sfere, se poate
forma un al doilea strat de sfere, aranjate ca si sferele din primul strat.

(b)
Evident, centrele sferelor din primul strat se qasesc lntr-un plan care
este paralel cu planul In care se qasesc centrele sferelor din stratul al
doilea.
A
B
A
B
A
(a)
(a)
(b)
Fig. 1.60. Structuri cu aranjament compact.

Modul de suprapunere a sferelor In al doilea strat
(c)
(c)
Fig. 1.61. Structura hexagonal cornpacta: (a) - celula hexaqonala:

(b) - pozitia nodurilor din planul median; (c) - modul de aranjare a sferelor.
104
BAZELE FIZICII SEMICONDUCTU
~~~~~~~~~~~~~~~~.
RILOR
105
Se lnteleqe ca intr-un astfel de aranjament, inaltimea c a prisrnei
Daca anatizarn acest strat de sfere, se poate observa user ca
hexagonale este mai mica decat 4R sau mai mica decat 2a, R fiind raza
asezarea lor este sirnilara cu aceea prezentata in Fig. 1.59, adica o
sferelor si a latura hexagonului.
sfera (de exemplu, sfera 4) asezata in centrul unui hexagon regulat (cu
Se poate arata (v. Fig. 1.63) ca pentru a avea o impachetare

compectii idea/a este necesar sa avem: c = 1,633a.
latura 2R) este tanqenta cu alte sase sfere (2, 3, S1, S2, 5 i 6) care se
gasesc in varfurile acestui hexagon (Fig. 1.62b).
Considerand reteaua spatiala ca fiind formats cu ajutorul unei

celule elementare hexaqonala (sirnpla) care are vectorii de baza
(cu a= b, c = 1,633a,
a,
E i
<r(a,E) = 120) (Fig. 1.61a), structura compacts
ideala s-ar obtine, atasand fiecarui nod al retelei o baza formats din doi
atomi identici avand coordonatele atomice (000) si
(~22J.
332
In
structura hexagonal compacts cifra de coordinatie este 12 (de
exemplu, sfera din centrul hexagonului care formeaza baza prismei este
tangenta cu cele 6 sfere din varfunle hexagonului, cu 3 sfere din stratul
x
(a)
de deasupra si cu 3 sfere din stratul dedesubt).

Un alt tip de retea cu aranjament compact se poate obtine
plecandu-se de la o retea cubica cu fete centrate. Celula elementara
(reteaua Bravais) este prezentata in Fig. 1.62a. Intersectia cubului cu
a.J2
(a fiind latura
cubului) care are noduri in varfuri (nodurile 1, 3 i 5) i la mijlocul laturilor
planul (111) este un triunghi echilateral cu latura
(nodurile 2, 4 i 6) (Fig. 1.62a). Daca in . nodurile 1, 2, 3, 4, 5 i 6,

asezarn sfere de raze egale (evident, R
=a:),
constata UOr ca se pot gasi o serie de sfere (cu aceeasi raza), S1, S2,
,
(d)
atunci se ob\ine un
strat de sfere tangente cu centrele in planul (111) (Fig. 1.62b). Se poate

S3, 84 ....
(b)
la celulele vecine care sunt tangente la unele din cele sase
sfere considerate initial i care au centrele tot in planul (111 ).
Fig. 1.62. Structura cu aranjament compact cubica cu fete centrate:

(a) - celula cubica cu fete centrate (se indica planul (111));
(b) - aranjarea sferelor in primul strat;
(c) - familii de plane paralele;
(d) - modul de aranjare a sferelor in structura cubica cu fete centrate.
Planul MNP (Fig. 1.62c) este paralel cu planul (111) si cuprinde

centre ale unor sfere tangente cu o aranjare slrnitara cu cele situate in
106
107
primul strat. $i In urmatorul strat vom avea o aranjare a sferelor identica
AB indica cristalele cornpusilor NaCl, CsCI, ZnS, CdTe s.a.rn.d., formate
cu aceea observata In primele doua straturi. Numai ca, daca privim
din cate un atom (ion) a celor doi cornponenti, cristalele de tip AB2 indica
straturile de sfere dintr-o directie perpendlculara pe planul (111) (adlca
cristalele cornpusilor de tipul GeS2,GeSe2,SnSe2etc.
dupa o directie paralela cu [111]), vom observa o dispunere a centrelor

diferita de aceea prezentata In cazul structurii hexagonal cornpacta.
Daca asezarn straturile In aa fel lncat sa fie paralele cu planul
Un alt criteriu de clasificare ia In considerare forma qeornetrica a

retelei cristaline (de exemplu, cristale cu structura cubica, cu structure
hexaqonala, tetraqonala s.a.rn.d.)".
orizontal, atunci In primele doua straturi avem o aranjare identica In cele
Cristalele pot fi de asemenea clasificate dupa tipul leqaturii
doua tipuri de structuri cu aranjament compact. Stratul al treilea Insa,
chimice (v. Capitolul Ill) care exista lntre particulele constituiente
poate fi asezat In doua moduri diferite:
(cristale covalente, ionice etc). Sunt unele clasificari care iau In
fie centrele sferelor din acest strat sunt pe aceeasi verticala cu

centrele sferelor din primul strat (In cazul structurii hexagonal
dintre particulele constituiente este, din multe puncte de vedere, mai
fie centrele sferelor din eel de-al treilea strat sunt asezate In
avantajoasa decat aceea bazata pe caracteristicile geometrice ale
dreptul interstitiilor din primul strat rarnase neocupate de centrele
retelei lntrucat se poate constata ca proprietatile fizice si chimice ale
sferelor din stratul al doilea (adica In punctele C din Fig. 1.60a).
cristalelor depind accentuat de tipul leqaturilor chimice dintre particulele
Prin urmare, In cazul retelel hexagonal compacte se obtine pe
constitutive.
centrate pe verticala vom avea succesiunea ABCABC.....
( 17 =
Clasificarea care ia In considerare natura fortelor de leqatura
compacte, HC);
verticals succesiunea ABABAB .... iar In cazul retelei cubice cu fete
12),
considerare caracteristicile de simetrie ale retelei cristaline.
De requla, studiul structurilor cristaline lncepe
cu studiul
cristalelor substantelor simple, a elementelor (de exemplu, metalele Cu,
Tn ambele cazuri lnsa cifra de coordinatie este aceeasi (adica
Ni, Ag,
iar
maxima
caracteristicile interactiunilor dintre atomii respectivi. Tipul de structura
0, 740) care poate fi obtinuta prin aranjarea unor sfere rigide
cristalina a unui element este determinat i de pozitia elementului
Jr~
3~2
coeficientul
=
de
compactitate
are
valoarea
'
de dimensiuni egale.
Au, s.a.), lntrucat acestea scot mai clar In evidenta
respectiv In sistemul periodic.

Astfel, deosebim doua grupe mari de elemente: metalele i
nemetalele.
1.16. Criterii de clasificarea cristalelor
Structura cristalina a metalelor este de requla o structura cu

aranjament compact, iar leqatura chimica este de tip metalic. Pe rnasura
Exista mai multe moduri de clasificare a structurilor cristaline ale
ce ne .deplasarn" In partea dreapta a sistemului periodic i In josul
unor cornpusi: dupa nurnarul atomilor componentelor (elementelor) In

formula chirnica a substantei respective. De exemplu, cristalele de tip
I Aceasta clasificare se refera latipul celor sapte retele Bravais primitive si nu ia in considerare
baza (cu toate caracteristicile acesteia: compozitie, aranjamentul atomilor).
'I
108
acestuia
atomi
incepe
sa creasca componenta
covalenta
a leqaturf
dintre
si, in consecinta, structura cristalina a elementelor respective se
complies
(leqaturile
covalente
avand,
dupa cum se stie, un puternic
109
Un nurnar foarte mare de metale cristalizeaza in doua sau mai

multe tipuri
(alotropie).
de structuri
Trecerea
cristaline,
proprietate
de la un tip de structure
caracter directional). in partea dreapta a sistemului periodic sunt situate
transformare polimorfa, aceasta
~i elemente a carer structura cristalina are leqaturi tipic covalente (C, Si,
factori externi (ternperatura,
Ge, Sn). in sfarsit, tot in aceasta parte sunt situate gazele nobile, care in
libera a cristalului.
stare solida cristalina au leqaturi de tip van der Waals.
polirnorfa
nurnita polimorfism
la altul se nurneste
realizandu-se
sub influenta
presiune etc.) care pot modifica energia
Din punct de vedere termodinamic,
transformarea
este o transformare de ordinul intai, avand
ternperatura
determinate
unor
si necesitand
o anurnita
loc la o
caldura
letente
specitice,
1.17. Structura crtstalma a metalelor
Diferitele tipuri de structuri in care cristalizeaza un anumit metal

1. 17. 1. Consideratii generale
se numesc de obicei faze (polimorfe) ~i se noteaza cu a,
Marea majoritate a metalelor reprezinta elemente din sistemul
p, y, 8 etc.
Metalul cu eel mai mare nurnar de modificatii alotropice
este
periodic, foarte putini compusi chimici prezentand caracteristici metalice.
plutoniul.
in cristalele metalice ionii pozitivi sunt "scufundati" ("cimentati") intr-un
temperatura
"nor" de electroni liberi (electroni "colectivizati"),
peratura de topire (640C), acesta trece prin sase transforrnari polimorfe
Interactiunea dintre un
anumit ion si ionii vecini de ordinul intai se realizeaza prin intermediul

electronilor liberi. Caracteristic
acestei interactiuni o constituie simetria
(simetrie centrata) pentru toate directiile din cristal, neexistand o directle

preferentiala de mteractiune.
Astfel,
daca
plutoniului
la
presiune
cristalin
intre
norrnala,
se
temperatura
variaza
continuu
camerei
~i tem
( caracterizate prin retele monoclinice, tetragonale, ortorombice etc.).

Un numar foarte mare de metale (aproape 3/4 din numarul total
al acestora) crlstalizeaza in structuri cristaline cu aranjament compact.
Metalele care au acelasi tip de structura crtstalina (deosebindu
Aceasta caracteristlca face ca modelul sferelor rigide, descris in
se numai prin natura atomilor care formeaza
baza) sunt asociate in
1.1 O sa poata fi folosit cu succes pentru descrierea structurii cristalelor
grupe cristaline sau tipuri de structuri cristaline. Denumirea grupelor
metalice. Caracteristicile
(sau a tipurilor de structura)
simetrice ale fortelor de mteractiune dintre ioni
face ca aranjarea in cristal a ionilor (sferelor rigide) sa fie in asa fel
lncat
volumul total rarnas fiber intre sfere sa fie minim. Astfel de structura se
provine de la metalul mai cunoscut din
grupa respective (pentru a nu crea confuzii accest metal nu trebuie sa

prezinte polimorfism).
nurneste cu aranjament compact sau cu ansamblare compacta ( 1.15).

Exista ~i unele metale care prezinta ,,abateri" de la aceasta
simetrie centrata, deterrninata de modul de aranjare al electronilor
paturile
interioare
ale
ionilor.
Aceasta
face
ca structura
pe
cristalina
respectiva sa nu mai posede un coeficient de compactitate maxim.
1.17.2 Principalele tipuri de structuri cristaline

caracteristice elementelor meta/ice
a. - Structura (qrupa) cuprului
in
acest tip de structura reteaua Bravais este cubica cu fete
110
centrate, iar baza este formata dintr-un atom de cupru. Aranjamentul

(v. Fig. 1.62), factorul de com
compact este de tipul ABCABC......

pactitate fiind
in
r; =
Punctul C este centrul (ortocentrul) triunghiului echilateral A1MN care are

latura 81 (latura hexagonului regulat care constituie baza prismei).
0, 74, iar cifra de coordinatie este 12.
sistemul
CFC
(numit
uneori
si
cubic
Din triunghiul dreptunghic A1A2C, avem

cu
lmpachetare
AA2 =d=~AC2 +AC2
cornpacta) cristalizeaza urrnatoarele metale: cupru, aluminiu, argint, aur,

a-calciu,
a-cobalt,
{3-crom, y-fier,
iridiu,
111
f3-lantan, a-nichel,
(1.87)
Intrucat sferele cu centrele In A1 i A2 sunt tangente, distanta
paladiu,
dintre ele este
platina, plumb, 8-plutoniu, -strontiu s.a,
AA = d = 2R = 81
Deci cristalele de aluminiu au aceeasi structura ca si cele de

cupru, fiind formate dintr-o retea CFC, iar baza este formats
dintr-un
R fiind raza sferelor, iar
81,
(1.88)
latura hexagonului (v. Fig.1.61 ).
atom de aluminiu.
Evident, In aceasta structura, baza fiind formats dintr-un singur
atom, nu mai este necesar
sa se indice coordonatele
atomice
ale
tip de structure,
au
acestuia, atomul respectiv asezandu-se In nodurile retelei,

Elementele
configur8fii
eiomice
care
cristalizeaza
In acest
diferite si, prin urmare, si raze atomice diferite.
Intrucat raza atornica este
.J2
4
(8
fiind latura cubului) (v. Fig. 1.62)
rezulta ca fiecare metal va avea parametrii de retea diferiti (lungimea

muchiei cubului va fi diferita). Astfel, aceasta este 8
4,05
pentru
(a)
aluminiu,
8
= 4,95 A pentru
plumb, 8
= 6,08 A pentru
strontiu s.a.rn.d,
(b)
Fig. 1.63. Determinarea distantei dintre doi atomi vecini

din straturi adiacente In reteaua hexagonal compacta,
Din triunghiul dreptunghic A1PN (Fig. 1.63b), putem scrie
b - Structur8 (grup8) m8qneziului

Acesta
structura
este
hexagonal
compacts
Bravais este hexaqonala (o prisrna hexaqonala)
(HC).
Reteaua
din doi atomi identici avand coordonatele atomice (000) i(3-L!_J .

332
Distanta,
structura
d, dintre
se deterrnina
centrele
(1.89)
iar baza este formata

Evident,
(1.90)
a doi atomi A1 i A2 din aceasta
considerandu-se
triunghiul A1A2C (Fig. 1.63).
c fiind lnaltlmea prismei hexagonale.
112
BAZELE FIZICII SEMICONDUCTORJLOR
Tinand seama de (1.88) - (1.90), putem scrie (1.87) sub forma
VA
27r
77=-=-Vc
3J3
113
a1
c
(1.93)
in cazul in care raportul cle, are valoarea ideala data de relatia (1.91 ),
atunci
De aici, deducem
__ =
a1
IE= 1,633
V3
(1.91)
Aceasta valoare este valabila pentru cazul ideal al structurii HC.

Pentru acest caz, putem calcula factorul de compactitate
dupa cum se
7J
ii
deci
In cazul
N
M=
(1.92)
3 (trei noduri din interiorul celulei), N,
centrele bazelor hexagonale) ii N;
2 (cei doi atomi din
12 (atomii din varfurile celor doua
hexagoane care formeaza bazele prismei, fiecare atom fiind comun la

cele iase celule vecine cu varful comun). Prin urmare N,
. -
1- = 0 74
1, 633
de impachetare
In care raportul cle,
Pentru magneziu,
N =N. +-r+-v
t
3.J3
'
corespunde
unui
aranjament
1,633, coeficientul de compactitate
-:1=
se rnicsoreaza, indiferent daca cle, < 1,633 sau cle, > 1,633 [102, 198].
Nurnarul de noduri este dat de relatia (v. (1.5)):
27[
compact asa cum a fost descris acesta in 1.15.
arata in continuare.
in care
coeficientul
cle,
elementul
care da denumirea
acestei grupe
1,623, structura cristalina a acestuia apropiindu-se
foarte mult de
structura HC ldeala. Pentru beriliu valoarea acestui raport este cu mult

mai mica tcle,
1,56), iar cea mai mare valoare a acestui raport este
pentru cadmiu tcle,
1,89) (Tabelul 1.4).
= 6.
Tabelul 1.4. Elemente cu structure cristanna hexagonal compaeta
in fiecare nod al retelel se qasests o sfera cu raza r = 5- sl

s
2 ~
volumul Vs =
47r a1
Elementul
3 ( 2 J . Volumul
A
c
(A)
3,58
5,62
5,96
4,07
5,78
1,56
1,89
1,63
1,62
1,59
la T=2K
3,57
5,83
1,63
Hf
La
Mg
3,20
3,75
3,21
5,06
6,07
5,21
1,58
1,62
1,62
Zn
Zr
Be
Cd
Ce
a-Co
Gd
He
ocupat de cele sase sfere va fi:
V = 6. 47r (a1J3 = 7ra3
a
(A)
2,29
2,98
3,65
2,51
3,64
'
iar volumul prismei hexagonale este
inlocuind
Prin urmare, factorul de compactitate va fi
7J
valoarea
c/a
raportului
a
(A)
2,74
2,76
2,70
3,31
2,95
3,46
3,65
2,66
3,23
c
(A)
4,32
4,46
4,28
5,27
4,69
5,53
5,73
4,95
5, 15
Ideal: c/a 1,63
Elemen tu I
Os
Re
Ru
Sc
Ti
Tl
c!a
1,58
1,62
1,59
1,59
1,59
1,60
1,57
1,86
1,59
cle,
1,89 in (1.93), obtinern
0,64, ceea ce lnsearnna ca In cazul cadmiului nici nu mai putem
114
115
vorbi de o structura cu aranjament compact, 77 fiind chiar mai mic decat

In cazul structurii CVC, pentru cares-a calculat 77
Tn
1,681 (1.10).
1.18. Structura cristalelor ionice (polare)
sistemul hexagonal compact cristalizeaza metalele: beriliu, f3-
calciu, cadmiu, f3-strontiu, zinc, magneziu, scandiu, ytriu, lantan, a-taliu,
1. 18. 1. Consideratii clenerale
a-titan, a- zirconiu, a-hafniu, y-crom, tehnetiu, reniu, f3-cobalt, f3-nichel,

osmiu
s.a,
Reteaua crlstalina a cristalelor ion ice (polare) este formata din

ioni cu sarcini electrice opuse (anioni i cationi). Atractia electrostatica
dintre
c- Structura (qrupa) wolframului
Tn
puternica
acest tip de structura reteaua Bravais este cubica cu velum
centrat (CVC), iar baza este formata dintr-un atom (Fig. 1.4 7).
Pentru
coeficientul
aceasta
structura
de compactitate
cifra
de
coordinatie
(care a fast calculat
este
ioni
realizeaza
se stabileste
grupei, cristalizeaza
retelei.
legatura
ionica
lntre ioni proveniti de la atomi cu .structura
electronica antaqonista" (de exemplu, ionii proveniti de la atomi de Na,
8,
iar
In 1.10) este
la atomii de Cl, care au pe patura exterioara
care da i denumirea
metalele alcaline (Li, Na, K, Rb, Cs) precum i
metalele: bariu, vanadiu, niobiu, tantal, molibden, y-calciu, y-strontiu, f3-
sapte electroni).
Prin
urmare, leqatura ionica tipica se va manifesta In cazul unor compusi

binari In care cornponentii
acest sistem, In afara de wolfram,
coeziunea
care au pe patura exterioara cate un singur electron, si cei provenif de
77 = 0,681.
Tn
acesti
fac parte din grupe extreme
(,,diametral
opuse") ale sistemului periodic (eel mai des din grupa a 1-a i grupa a
VII-a). Dupa cum se stie, ionii poseda confiquratil electronice stabile cu
invelisuri electronice exterioare ocupate.
taliu, (3-titan, f3-zirconiu, f3-hafniu, a-cram, -fier, y-uraniu, s-plutoniu.
Sunt trei tipuri principale de structuri cristaline considerate
ca
apartinand cristalelor ionice: structura de tip clorura de cesiu, structura

d - Alte tipuri de structuri cristaline caracteristice metalelor
Foarte putine metale cristalizeaza
de tip clorura de natriu i structura de tip tluorine.
In structuri diferite de cele
prezentate mai sus.
numesc
Astfel, In reteaua cubice simpt cristalizeaza a-poloniul.
In
reteaua
ortorombics
cristalizeaza:
reteaua
ca In realitate
toate
au si o components
care intr-adevar
In unele cazuri este foarte slaba, dar In alte cazuri (pentru explicarea
unor proprietati) trebuie luata obligatoriu In considerare.
galiu,
a-neptuniu,
plutoniu, a-uraniu.
In
,,ionice", pentru
covalenta a leqaturi' lor chimice (v. 3.9), components
reteaua tetreqonele cristalizeaza: indiu, y-mangan, f3-neptuniu,
f3-staniu, 8-plutoniu, f3-uraniu, protactiniu.
In
Trebuie rnentionat ca toate aceste cristale numai prin traditie se
Pentru un anumit cristal cu leqaturi ionice se poate calcula gradul

de ionicitate ( exprimat de obicei In procente si care indica cat la suta din
romboedrice
cristalizeaza:
arseniu,
mercurul (In stare solida), f3-poloniu.

a-plutoniul crlstalizeaza
lntr-o retea monoclinice.
bismut,
stibiu,
leqatura
cristalina
totala
este
ionica
3.9)).
116
117
1.18.2Principalele tipuri de structuri caracteristice cristalelor ionice
dupa
a. - Structura de tip clorura de cesiu (CsCI)
cunoscute daca se indica coordonatele atomice ale celor doi ioni.
diagonala
mare
a cubului).
Aranjamentul
i orientarea
sunt
in structura clorurii de cesiu (CsCI) componenta ionica a leqaturii
Asezand baza In fiecare nod al retelei cubice vom constata ca o
este foarte puternica. Cesiul este, dupa cum se stie, metalul care are o
parte dintre ionii de clor (sapte din cei opt) apartin unor celule vecine. in
electronegativitate
acest caz, sunt reprezentati numai acei ioni care .apartin" celulei initiale
foarte mare si, din acest motiv, gradul de polarizare
cubice.
In acest tip de structura cristalina este foarte ridicat.

Reteaua spatiala a clorurii de cesiu este cublca slrnpla. Baza
este formata din doi ioni: un ion pozitiv monovalent,
Cs+, care are
coordonatele
atomice (000), i un ion negativ monovalent , Cl", avand
coordonatele
atomice
(ii;)
(Fig. 1.64 ). Prin urmare, baza si, in
consecinta, lntreg cristalul sunt neutre din punct de vedere electric.
in celula elementara, ionii respectivi sunt situati In nodurile unei

retele cubice cu volum centrat. lonul de clor, aflat In centrul cubului fiind
inconjurat
de opt ioni de cesiu care se gasesc In varfurile
cubului
respectiv (cifra de coordinatie este deci 8). Distanta dintre doi ioni vecini
de semn contrar este a.J3 , a fiind latura cubului. Se poate constata
2
UOr ca reteaua cristalina de tip clorura de cesiu se poate obtine prin
lntrepatrunderea
a doua retele cubice simple, formate de ionil de cesiu
si, respectiv de clor, deplasate In directia diagonalei mari a cubului cu o

lungime eqala cu jurnatatea acestei diagonale.
+
Se poate demonstra ca momentul electric dipolar total al ionilor

este nul (In cazul In care nu se ia In considerare aqitatia termica [3, 29]).
Astfel,
elementare
se poate considera
Am aratat ca la formarea structurii cristaline, baza trebuie sa-i

pastreze nemodificata cornpozitia (In acest caz, union Cs+ i un ion Cl"),
aranjamentul
orientarea
(distanta dintre ioni este .J3a I 2, a fiind latura cubului) i
(dreapta care unete centrele celor doi ioni este orientata
dipolar
total al celulei
ca fiind egal cu suma geometrica a momentelor celor opt
dipoli orientati dupa diagonalele

Fig. 1.64. Modul de formare a structurii de tip clorura de cesiu (CsCI):
(a)- reteaua cubics simple: (b)- modul de dispunere a bazei forrnata
dintr-un ion Cs+ ~i un ion Cl : (c) ~ structura crtstalina a clorurii de cesiu
(au fost retunuti numai ionii care apartin celulei elementare)
momentul
dipoli are o sarcina
pozitiva
mari ale cubului. Fiecare dintre acesti
+e/8 (fiecare ion monovalent
de cesiu
apartinand la 8 celule care au un varf comun) i o sarcina neqativa -e/8

(ionul monovalent de clor participa la formarea a 8 momente dipolare)
situate la distanta
'
aJ3
2
una de cealalta.
118
Structura
caracterizaf
de tip CsCI
nu este lntalnita
numai
la cornpusf
printr-o components tonica puternlca a legaturii chimice, dar
119
situat la o distanta eqala cu jurnatatea diagonalei mari a cubului. Raza

ionului de sodiu este mai mica decat cea a ionului de clor (Tabelul 1.7).
si la unele faze ale catorva aliaje metalice.

in Tabelul 1.5 sunt prezentaf
cr(222J
principalii cornpusi i unele aliaje
cu structura cristalina de tip CsCI si sunt indicate de asemenea valorile
222
laturii a a celulei elementare cubice.
Substanta (aliajul)
I
I
4, 11
NH4CI
3,87
Tl Br
3,97
Cu-Zn (alarna f3)
2,94
Tll
4,20
Ag-Mg
3,28
Cs Br
4,29
Al-Ni
2,88
Csl
4,57
Be-Cu
2,70
a (A)
Cs Cl
--'-----
aliaje care cristalizeaza In structuri de tip CsCI
I
l
l
I
I
I
'""
,','1
'
\
'
.C. - .1 - - ~ -
Tabelul 1.5. Dimensiunile celulei elementare pentru unii compusi si
a (A)
,'1 \
I
I
I
I
Substanta
r----------.;r
1 .... '....,
I
I
7',
r- -- -~- -
: ,'
I
I
I
I
I
I
I
.I
I
I
I
""_""'+
'""
\
I
4I
'\:,., ,'
----------"'
(b)
(a)
(c)
b ~ Structura de tip clorura de natriu (NaCl)

Structura cristalelor de clorura de sodiu este formata din cationi
(e)
(d)
de sodiu (Na+) i anioni de clor (Cl"), fiecare ion de un anumit tip fiind
legat de sase ioni de semn contrar (vecini de ordinul lntai) printr-o
leqatura puternica de tip electrostatic. Cifra de coordinatie este 6. Gradul
de ionicitate este mai mic In comparatie cu reteaua de tip CsCI (v. relatia
(3.92)).
Retaua Bravais a structurii
Fig. 1.65. Modul de formare a structurii de tip clorura de natriu (NaCl):

(a) - reteaua cubica cu tete centrate; (b) - modul de asezare a bazei;
(c) - structura de tip NaCl; (d) - Celula structurii de tip NaCl.
Se indica cu mici segmente de dreapta dirsctia In care se qaseste eel de al doilea atom
al bazei; (e)- cubul ABCDA1B1C1D1 cu care se poate obtine structura, daca se
deplaseaza cu o distanta a (latura cubului) dupa directia axelor cristalografice.
de tip NaCl este cubica cu fete
Intrucat distanta dintre cei doi ioni care forrneaza baza este mare
si nurnarul de noduri este de asemenea mare, celula structurii de tip
centrate.
Baza
coordonatele
este formata
(000)
si
din doi
ioni:
une ion de Na+ avand
un ion Cl avand coordonat le
atomice
(222J
222
NaCl cuprinde
si ioni de clor de la celulele vecine. in acelasi timp,
asezand ionii de natriu In nodurile celulei cubice cu fete centrate, ionii de

clor corespunzatori
var apartine unor celule vecine. Pentru a scoate In
f1
120
evidenta acest fapt, in Fig. 1.65d, pentru fiecare ion s-a indicat, prin mici
Capitolul I -Structura cristalina a materialelor semiconductoare
Tabelul 1.6. Parametrul celulei elementare (latura cubului) pentru unii

cornpusi care cristalizeaza in structura de tip NaCL
segmente de dreapta, directia in care se gasete eel de-al doilea ion cu

care primul ion forrneaza baza.
Au fost de asemenea trasate unele directii in celula elernentara
(Fig. 1.65c si 1.65d) pentru a putea indica mai UOr pozitia unor ioni.
Structura
distanta
de tip NaCl
poate fi obtinuta
prin deplasarea
cu
(a fiind latura cubului) dupa cele trei dlrectli a unei celule
cubice cu varful in A, care confine patru ioni de Na+, avand coordonatele

atomice (Fig. 1.65e):
(ooo) (22oJ (2o2J (o-11J

'
22
'
2 '
22
si patru ioni Cl" avand coordonatele atomice
( 2) (oo (o ) (2oo)
222'
2'
'
121
Cristalul
LiF
LiCI
Li Br
Lil
NaF
NaCl
Na Br
Nal
KF
KCI
KBr
Kl
a (A)
4,02
5,13
5,50
6,00
4,62
5,64
5,97
6,47
5,35
6,29
6,60
7,07
Cristalul
RbF
Rb Cl
Rb Br
Rbl
CsF
AqF
AqCI
AqBr
MgO
MqS
MqSe
Cao
a (A)
5,64
6,58
6,85
7,34
6,01
4,92
5,55
5,77
4,21
5,20
5,45
4,81
Cristalul
CaS
Case
Ca Te
SrO
SrS
SrSe
SrTe
Bao
Bas
Ba Se
BaTe
a (A)
5,69
5,91
6,34
5,16
6,02
6,23
6,47
5,52
6,39
6,60
6,99
c - Structura de tip fluorina (CaF21
Fluorina este denumirea mineralogica a florurii de calciu (CaF2).

Latura unui cub elementar este a . Distanta dintre doi ioni vecini cu
'
2
'
sarcini diferite este de asemenea
!!.. .
2
(Ca2+) sunt situaf in varfurile si centrele fetelor unui cub, iar ionii negativi
de fluor (F-) sunt situati pe diagonalele
suprapunerea a doua retele cubice cu fete centrate, una formats din ioni
se intrepatrund
cubului la distanta de 1 /4 de
varfuri (Fig. 1.66). Se observa ca in acesta structura doi ioni negativi de
Structura de tip NaCl poate fi considerata ca fiind forrnata prin
er, care
a structurii de tip fluorina, ionii pozitivi de calciu
lonii negativi de clor i cei pozitivi
de natriu se succed periodic dupa cele trei directii principale.
de Na+ si cealalta din ioni
in celula elernentara
F- sunt corelati cu un ion pozitiv de Ga2+, ceea corespunde

generale A2+B2-.
una in alta pana la
jumatatea muchiei cubului, care constituie celula elernentara.

in structura de tip NaCl cristalizeaza,
nurnar
mare
de
semiconductoare:
mare
parte
substante,
care
foarte
multe
un
au Insusiri
~F-
hidrurile alcaline, majoritatea halogenurilor alcaline, o
dintre
alcallno-pamantoase
in Tabelul 1.6.
dintre
in conditi' obisnuite,
oxizi,
sulfurile,
seleniurile
i telururile
metalelor
s.a. Cateva dintre aceste substante sunt cuprinse

Fig. 1.66. Structura de tip ftuorina
formulei
122
Tn structurile
1. 18.3 Unele observatii cu privire la structura cristalelor ionice
mentionate,
Dupa cum am aratat in 1.10, prin definirea razei atomice si a

o anurnita structura
cristalina
tanqenti
unul la
celalalt,
Sa considerarn
razei ionice, putem considera
ionii se considera
123
ca fiind
alcatuita din sfere rigide (cu raze determinate) tangente intre ele.
ca unul dintre ioni are raza mai mare, rM, si
celalalt are raza mai mica,
rm.
Tn acest caz, un mod de aranjare a ionilor
poate fi eel reprezentat in Fig. 1.67. Se poate observa ca toti ion ii sunt
tanqenti.
Tn cazul cristalelor ionice, distanta dAc dintre dintre doi ioni A i B
Insa aceasta
are loc numai daca este satisfacuta conditia
2(rm + rM )2
2d2 = (2rM )2
de semn contrar, cei mai apropiati, este eqala cu suma razelor ionilor
sau
respectivi, adica
(1.96)
(1.95)
care rezulta direct din triunghiul dreptunghic isoscel ABC din Fig. 1.67.
relatie verificata cu suflcienta precizie.

Astfel, pentru marea majoritate a halogenurilor
alcaline dAc nu
difera cu mai mult de 2 % de suma razelor anionului

respectiv.
Fae exceptie
i cationului
cornpusii LiCI, LiBr i Lil, pentru care suma
Din (1.96), gasim
r.
rm
_M_=--="\12
~ -1
t:
+1=2 41
(1.97)
'
razelor este mai mica decat distanta dAc cu 6%, 7% i respectiv 8% si,
Exista deci o valoare "critica" a acestui raport care ar permite
de asemenea, cornpusii NaBr i Nal pentru care suma razelor este mai
realizarea unei structuri de tipul celei prezentate in Fig. 1.67. Astfel de
mica decat distanta dAc cu 3%, respectiv 4%.
aranjament al ionilor ii lntalnirn in cazul structurii de tip NaCl, in Fig. 1.67
Prin urmare, printr-o impachetare
"cornpacta" a unor astfel de
fiind reprezentati ionii din planul (100).
sfere s-ar putea forma cristale de tip NaCl sau CsCI. Cunoscand valorile
razelor ionice se pot calcula, cu precizie de
pana la cateva procente,
parametrii celulelor elementare .respective. Totusi, intrucat relatia (1.95)

este verificata
cu o anumita
aproxirnatie,
atribuirea
anumitor
valori
pentru razele ionice nu este univoca. Intr-adevar, prin .distanta dintre doi
ioni vecini cei mai apropiati" noi inteleqem
dintre centrele ionilor respectivi.
intotdeauna
Insa marimea
distanta minima
rA + re nu se modifica
daca, de exemplu, se rnaresc razele anionilor cu o cantitate constants 11r

si, in acelasi timp, se rnicsoreaza razele cationilor cu aceeasi cantitate
11r, adica rA --+ rA + 11r i 'e --+ r8 -11r .
Fig. 1.67. Aranjarea In cristal a ionilor cu raze diferite. Cazul

cand raportul rezelor are valoarea critica rM I rm= J2+1. Aici d
este distanta dintre centrele a doi ioni tanqenti diferlti,
iar rM si rm sunt razele celor doi ioni.
124
125
In acest caz, distanta

dintre doi ioni vecini de natura diferita este
'
Daca rM!rm este mai mic decat 2,41, ceea ce lnseamna ca rm are
valoare mai apropiata de
ru,
d = J2.rM, tnsa este dtferita de suma rm+ rM a razelor ionilor respectivi.
atunci poate exista cazul din Fig. 1.68a,
cand ionii cu raze mai mari nu mai sunt tanqenti intre ei ci numai cu ionii
cu raza mai mica (tnsa distanta dintre doi ioni vecini eel mai apropiati
0 discutie sirnilara se poate face i pentru structura de tip CsCI.
Insa In acest caz trebuie sa tinern seama ca fiecare ion de
er
are opt
vecini cei mai apropiati.
este eqala cu suma razelor ionilor respectivi).
Pentru valoarea critica a raportului dintre raze, In cazul structurii

NaCl, se gasete
rM = ~ ( F3 + 1) = 1, 3 7
rm 2
(a)
care este mai mica decat cea gasita pentru structura de tip NaCl.
Valorile unor parametri caracteristici pentru cristalele ionice ale
halogenurilor alcaline sunt prezentate in Tabelul 1.7.
Se poate observa ca numai pentru constantele LiCI, LiBr i Lil,
raportul razelor ionice rMlrm depaseste valoarea critics egala cu 2,41.
Pentru aceste cristale Insa, valorile lui d sunt foarte apropiate de valorile
rnarirnilor J2.r M pentru cazul respectiv (indicate intre paranteze drepte
(b)
in Tabelul 1.7).
Raportul razelor ionice reprezinta o importanta deoseblta in
,,prezicerea" tipului de structura crlstauna In care ar putea cristaliza un
a
campus binar. In cazul In care rMlrm ~ 1,37 este probabila formarea unor
structuri de tip CsCI, iar daca 1,37 ~ rM/rm ~ 2,41 se forrneaza o structura
Fig. 1.68. Aranjarea ionilor tn planul (100) pentru o structura cristalina de t!p Nac.1
(a este latura cubului): (a) - cazul In care i.onii cu raza mai. mar~ sunt tangen~1_numa1. cu
cei cu raze mai mici; (b)- cazul In care 1on11 cu raze rnai man sunt tanqenti rntre e1.
(d este distanta dintre doi ioni diferiti vecini)
de tip NaCl.
Raportul razelor ionice determina de asemenea cifra de
coordinatle a cristalelor ionice, fiind cu atat mai mare cu cat diferenta
Daca din contra, rM este prea mare, atunci ionii cu raza mare
devin tanqenf cu alti ioni de raza mare, iar ionii cu raza mica ,,pierd
contactul" cu primii, ocupand poziti, interstitiale (Fig. 1.68b).
dintre dimensiunile ionilor este mai mica. La dimensiuni egale ale ionilor,
cifra de coordinatie maxima este 12.
Cifra de coordinatie depinde insa si de gradul de polarizare a
leqaturii
cristaline.
126
Tabelul 1.7. Valorile razelor ionice sunt indicate, Tn A, ln paranteze

imediat dupa
(in A) dintre
suma razelor
In paranteze
simbolurile ionilor respectivi; d este distanta

doi ioni vecini de ordinul intai; r: + r" este
ionice (in A); rM!rm este raportul razelor ionice.
drepte sunt indicate valorile teoretice ale
.J2.rM
(de asemenea, in A). Datele din tabel sunt
rnarirnii
Capitolul I -Stmctura cristalina a materialelor semiconductoare
1.19. Structura cristalelor covalente (atomice)

Caracteristicile legaturilor covalente (atomice) vor fi prezentate Tn
3.7.
r-+ t
TM/rm
cr(1,81)
d
r- + r+
rM!rm
Br- (1,95)
d
r- + r+
rM!rm
(2,16)
r t
rM!rm
In
acest capitol
vom descrie
doar principalele tipuri de structuri
cristaline in care predornina acest tip de legatura chimlca.

Leqatura
luate [138, 139].
F- (1,36)
d
127
covalenta Tntre un anumit atom i atomii vecini se
realizeaza prin forte de interactiune de schimb intre electronii cu spini
Lt (0,60)
Na+ (0,95)
K+ (1,33)
Rb+ (1,48)
Cs+ (1,69)
2,01
1,96
2,27
2,31
2,31
1,43
2,67
2,69
1,02
2,82
2,84
1,09
3,00
3,05
1,24
2,57
2,41
3,02
[2,56]
2,82
2,76
3, 15
3,14
3,29
3,29
3,57
3,50
structura de tip diamant;
structura grafitului;
1,91
1,36
1,22
1,07
structura seleniului i telurului.
2,75
2,55
3,25
[2,76]
2,99
2,90
3,30
3,28
3,43
3,43
3,71
3,64
2,05
1,47
1,32
1, 15
3,24
3, 11
3,53
3,49
3,67
3,64
3,95
3,85
2,27
1,62
1,46
1,28
opusi ai atomilor respectivi ( 3. 7).
3,00
2,76
3,60
[3,05]
Principalele
tipuri
de structuri
cristaline
in
care
predomina
leqatura covalenta sunt:
a - Structura de tip diamant

Diamantul este o modificatie alotropica a carbonului. Se gasete
foarte rar Tn natura.
In
stare pura, diamantul este incolor, transparent
avand cea mai mare duritate dintre toate substantele
i un punct de
topire foarte ridicat.

Aceste
proprietati
ale diamantului
sunt determinate,
in foarte
mare rnasura de structura lui cristalma i de caracteristicile fortelor care

Analizand structurile cristaline a peste 1000 de cornpusi (oxizi,
fluoruri s.a.), Shannon i Prewitt" au intocmit un tabel cu valorile razelor
ion ice pentru principalii ioni ai elementelor sistemului periodic.
Determinarea cu cat mai mare precizie a razelor ionice constituie
determina coeziunea acestei structuri.

Structura cristalina de tip diamant se formeaza, pornindu-se de la
(~~~J
o retea cubica cu fete centrate, asociind fiecarui nod al retelei o baza

formats din doi atomi de carbon avand coordonatele (000) i
o problems deosebit de irnportanta i de mare actualitate.

(Fig. 1.69). Atomii
444
1 i 2 (Fig. 1.69) forrneaza baza care este apoi
asezata in fiecare nod al retelei cubice cu fete centrate. Dupa cum se

observe in Fig. 1.69, sunt fiqurati numai atomii de carbon care apartin
celulei cubice cu fete centrate. De asemenea, se indica si modul de
1
R.D. Shannon, C.T. Prewitt, Acta Crystallographica, B25 (1969) 929.

R.D. Shannon, Acta Crystallographica, A32 (1969) 925.
128
realizare a leqaturilor covalente dintre atomi.
In
acest tip de structura, fiecare atom are patru atomi vecini cei
129
Se poate arata usor, ca celula elementara se poate imparti in 8

celule cubice identice (Fig. 1. 70).
mai apropiati, cu care se leaqa covalent. De exemplu, atomul 2 (Fig.
Celula elernentara a structurii de tip diamant are opt atomi: opt in
1.69) se leaqa covalent cu atomii 1, 3, 4 i 5. Se poate constata UOr ca
varfuri (colturi), sase pe fete i patru in interior. Calculul nurnarului de
atomii 1, 3, 4 si 5 se qasesc in varfurile unui tetraedru regulat, in centrul
atomi se face folosind relatia (1.5).
caruia se qaseste atomul 2. Din acest motiv, o astfel de structura se

spune ca este tetraedrica sau ca in structura cristalina a diamantului
leqaturile (cristaline) sunt tetraedrice.
l
Fig. 1.69. Structura cristalina a diamantului.
Se poate observa caracterul tetraedric al leqaturilor,
In
majoritatea monografiilor de fizica semiconductorilor structura
cristalina de tip diamant este reprezentata sub forma din Fig. 1.70, fiind
Fig. 1.70. Structura cristalina de tip diamant [168].

Baza este AB. Atomii B, B', C si C' sunt in centrele unor tetraedre regulate.
Atomii din varfuriie acestor tetraedre fac parte din celula.
In
structura
de
tip
diamant
cristallzeaza
elementele
semiconductoare din grupa a IV-a a sistemului periodic: Si, Ge i a-Sn.
preluata din cartea lui SHOCKLEY1 publicata in 1950 [168]. In Fig. 1. 70
Deci un cristal de siliciu va avea celula sirnilara cu aceea
originea axelor cristalografice se alege in punctul A, baza fiind formata
prezentata in Fig. 1.69 cu deosebirea ca in locul atomilor de carbon vom
din atomii A si B. Pentru atomii din varfurile cubului i de pe fetele

acestuia sunt indicate i directiile leqaturilor covalente.
avea atomi de siliciu, iar latura cubului va fi mai mare (a

pentru diamant, a
0,543 nm pentru siliciu i a
0,356 nm
0,566 nm pentru
germaniu).
1
W.B. SHOCKLEY (premiul Nobel pentru Fizica in 1956) descopera in 1948, impreuna cu J.
Bardeen ~i W.H. Bratain, tranzistorul ~i explica modul de functionare al acestuia.
Reteaua de tip diamant are un grad de compactitate mai redus,
130
17
= 0,34,
ceea ce reprezinta aproximativ 46% din factorul de
compactitate a unei structuri cu aranjament compact.

Tendinta atomilor de a forma ieqaturt directionate In spatiu
asiqura o coeziune maxima cristalelor de tip diamant.
131
cenusie, este opac, are luciu metalic, lasa urrna pe hartie. Prin lncalzire
la temperaturi ridicate, In absenta aerului, diamantul se transforms In
grafit.
Grafitul are o structura cristallna hexaqonala stratificata (Fig.
1. 72). Distanta dintre doi atomi din acetasl strat este de 1,42 A, iar
distanta dintre doua straturi succesive este 3,35 A.
1,42 A
Fig. 1.71. Structura cristalma de tip diamant

privita perpendicular pe planul (111)
Privita dintr-o dlrectie norrnala la planul (111 ), structura de tip
Fig. 1. 72. Structura cristalina a grafitului
diamant are forma prezentata In Fig. 1.71. Se observa ca In acest tip de

structure, are loc o grupare a volumelor libere care determina formarea
unor canale dupa anumite dlrectil. Acest fapt prezinta o deosebita
irnportanta
In procesele de impurificare controlata a materialelor
semiconductoare. Canalele respective usureaza difuzia unor atomi

straini (de anumite dimensiuni) In cristalele de acest tip.
In structura cristatina a grafitului, fiecare atom de carbon este

legat de alti trei atomi din acelasi strat (de doi atomi din stratul respectiv
prin legaturi covalente simple i de al treilea printr-o leqatura dubla,
astfel ca tetravalenta atomului de carbon este satisfacuta), Coeziunea
intre straturi este slaba realizandu-se prin forte van der Waals (v. 3.4).
Cifra de coordinatie a retelei grafitului este 6.
b - Structura cristalina a qrafitului

Grafitul este o alta rnodificatie alotropica a carbonului. Se
gasete In natura In cantitati mari. Cateva caracteristici: are culoare
Aceasta structura specifics explica si puternica anizotropie a

proprietatilor mecanice i electrice ale grafitului. Exista si o rnodificatie
rornboedrica
grafitului.
132
133
c - Structura cristalina a seleniului si telurului

Structura cristalina a seleniului ~i telurului derlva de la o retea
hexaqonala cornpacta. Cele doua elemente fac parte din grupa a VI-a
principala a sistemului periodic.
Seleniul prezinta mai multe rnodificatti alotropice: seleniul amorf,
seleniul rosu (cu structura rnonoclinica) si seleniul cenusiu (gri) (care are
structura cristalina hexaqonala).
Seleniul cenusiu (numit de multe ori ~i ,,seleniu metalic'') este
modificatia
cea
semiconductoare.
mai
stablla,
avand
interesante
proprietatl
Seleniul amorf (obtinut de regula prin racirea rapida a

(a)
topiturii sau, sub forrna de straturi subtiri, prin evaporare terrnica in vid)
se transforms,
chiar la temperatura
camerei, in seleniu hexagonal
(b)
(la
temperatura de 150C aceasta transformare are loc foarte rapid).

Fig. 1.73. Structura cristalina a seleniului ~i telurului.
(a)- celula elernentara a structurii;
(b) - proiectiile atomilor din catene pe un plan
paralel cu baza prismei hexagonale.
Telurul are o sinqura rnodificatie alotropica, ~i anume telurul cu

structura cristalina hexaqonala.
Reteaua cristalma a seleniului ~i telurului este formata din lanturi
(catene) alungite si spiralate de atomi, care se qrupeaza in jurul unor
canale
interne,
dispuse
paralel
cu
axa
celulei
elementare
Prezinta
proprietatile
interes faptul
ca cele doua elemente
semiconductoare
semiconductoare,
i~i pastreaza
~i dupa topire (in general, materialele
prin topire, capata caracteristici metal ice) [22,85, 159].
hexagonale (Fig. 1.73).

Se poate arata, ca aceasta
structura
provine de la o retea
hexaqonala cu o baza forrnata din trei atomi [57, 65, 152].
1. 20 Structura crlstallna a unor cornpusl semiconductori
Tntre atomii din lungul catenelor leqaturile chimice sunt covalente,
Cornpusii
semiconductori
binari
(cornbinatii
semiconductoare
lnsa intre catene leqatura este slaba, realizandu-se prin forte van der
binare) sunt cornpusi chimici (nu aliaje, amestecuri etc.) care au doua
Waals.
componente in formula lor chimica. Acestia sunt imparMi de regula in

Proprietatile
mecanice,
electrice
etc. ale Se si Te prezinta o
puternica anizotropie, determinata de structura lor cristalina specifica.
,,grupe" sau ,,tipuri" de cornpusi in functie de pozitia componentelor

sistemul
periodic
al elementelor.
Se folosesc
diferite
in
notatiii pentru
aceste grupe de cornpusi, De exemplu, A11Bv1 indica cornpusi formati prin

interactlunea elementelor din grupa a II-a (Cd, Zn, Hg) ~i a VI-a (S, Se,
134
135
Te) a sistemului periodic (de exemplu, sulfura de cadmiu (CdS), sulfura
care ii pot pune in comun formand o legatura covalenta, asernanator cu
de zinc (ZnS), seleniura de cadmiu (CdSe) etc.)
formarea legaturilor covalente tetraedrice in cristalele de tip diamant.
Grupa, din sistemul periodic, din care

face parte componentul respectiv
Numai ca spre deosebire de structura de tip diamant, unde leqatura se
I I
A11B~1
Alte
notatii
Exemple
II-VI
2-6
CdS
ZnS
Cd Se
Zn Se
I I
A111B~
111-V
3-5
Al Sb
In Sb
Ga Sb
GaAs
I I
realizeaza intre atomi de aceeasi natura, si neutri din punct de vedere

electric, in cornpusii de tipul A111Bv participa la formarea acestor leqaturi
I I
doi ioni rnonovalenti de semn contrar. Evident, intre cei doi ioni va exista
A/1B3ti1
t t
Nurnarul de atomi din

element in compus
;;i o components ionica a ieqaturii si, prin urmare se va forma o legatura

mixta (covalenta ;;i ionica) in care cernponenta covalenta este mai
ln2Se3
ln2Te3
Ga2Se3
Ga2Te3
puternica decat cea ionica (v. 3.9).

Cornpusil A11Bv' au in cornpozitie elemente din doua grupe mai
.Indepartate" de grupa a IV-a. Vom exemplifica modul de formare al
leqaturilor in acest tip de compusi prin explicarea leqaturii cristaline in
Fig.1.74. Schema pentru notatia generala a cornpusilor binari
sulfura de zinc, (compus a carui structura cristalina este ti pica pentru

foarte multi cornpusi binari) luand deocamdata in considerare in special
Leqatura cristalina in acesti cornpusl este rnixta: ionica ;;i

covalenta. Se pot stabili unele caracteristici generale (reguli) referitoare
la natura leqaturii cristaline in cornpusii binari.
In
cristalele elementelor
din grupa a VIII-a (He, Ne, Ar etc.) predomina leqatura van der Waals
( 3.4). Structurile cristaline ale elementelor semiconductoare din grupa
a IV-a (Si, Ge, f3-Sn), o grupa .centrala" a sistemului periodic, au leqaturi

covalente.
Cornpusf binari de tipul A111Bv sunt formati din elemente din doua
grupe ,,adiacente" (,,simetrice")grupei a IV-a. Cristalele acestor cornpusi
au ;;i o components covalenta a leqaturii dar ;;i o components ionica. In
acest caz, elementul din grupa a V-a (As. Sb, P etc) cedeaza un
electron elementului din grupa a Ill-a (In, Ga, Al etc). Ca urmare a
acestui schimb, se forrneaza ioni pozitivi rnonovalenti ai elementului din
grupa a V-a ;;i ioni negativi monovalenf ai elementelor din grupa a 111-a.
Ambele tipuri de ioni au lnsa cate patru electroni pe invelisul exterior pe
aspectele care se refera la structura cristalina a acestui campus.

Se ;;tie ca zincul face parte din grupa a II-a a sistemului periodic
al elementelor, avand pe lnvelisul exterior doi electroni, iar sulful
apartine grupei a VI-a ;;i are pe invelisul exterior ;;ase electroni. S-ar
putea crede ca atomul de zinc va ceda doi electroni celui de sulf si, in
consecinta, se vor forma ionii bivalenf Zn2+ ;;i
s",
fiecare ion avand
lnvelisurile exterioare ,,complete".
In
realitate, atomul de zinc prirneste doi electroni de la eel de
sulf, devenind ion negativ bivalent, Zn2-, iar sulful, in urma acestui
schimb devine ion pozitiv bivalent S2+.
Insa
in acest mod, cei doi ioni
formaf au cate patru electroni pe lnvelisurile exterioare si ii pot folosi

pentru formarea unor leqaturi covalente, in acelasi mod in care se
forrneaza leqaturile covalente intre atomii de carbon in structura de tip
diamant ( 1.19). Numai ca, ;;i in acest caz, spre deosebire de structura
de tip diamant, in care leqaturile se realizeaza intre atomi (neutri), in
136
structura de tip Zn8 leqaturile

urmare, In afara componentei
se realizeaza lntre ioni bivalenti.
cazul cornpusilor
interactioneaza
A111Bv,
ion zn2-
Prin
covalente a Ieqaturi', In structura de tip
sulfurs de de zinc exista i o components

pentru
sunt rnonovalenti
avand coordonatele
coordonatele atomice
ionlca mai puternica decat In
ca In acestia
(222J
444
atomice (000) si un ion de 82+ avand

(Fig. 1.75).
din urrna, ionii care
(nu bivalent' ca In cazul cornpusilor
-~---:
:
Gradul de ionicitate (v. 3.9) poate fi calculat folosind formula lui
A11Bv1).
/_....-
>
Pauling, (3.92).
Acest tip de legatura
cristalina
137
rnixta, covalenta
I
1.
I
I roruca, o
I
I
I
I
I
intalnlrn la cornpusil binari care se supun ,,regulii 8 - N' (cu 2::; N::; 7 ).
I
I
I
Aici N indica grupa din sistemul periodic din care face parte unul (de
requla, primul) dintre componentii
compusului
I
I
binar respectiv. Astfel de
cornpusi au formula generala ANss-N, adica sunt compusi de tipul A"Bv'

sau de tipul A111Bv.
Fig. 1.75. Structura cristalina de tip blenda (de zinc)
8-a aratat deja ca legatura chimica In cornpusii de tipul A'Bv"

(NaCl, CsCI, etc) este preponderent ionica.
Ca i In cazul structurii de tip diamant, structura de tip blenda
Am prezentat aici, lntr-o forrna mult sirnpliflcata, caracteristicile

ieqaturi'
mixte ionlca i covalenta,
Vom reveni cu o prezentare
mai
poate fi obtinuta
prin lntrepatrunderea
a doua retele cubice cu fete
centrate (una fiind formata din ioni de zinc, iar cealalta din ioni de sulf)
detaliata (i mai riquroasa) In capitolele urrnatoare.
deplasate una fata de cealalta cu un sfert din diagonala mare (spatiala)
a - Structura cristalina de tip blenda de zinc (blenda sau sfalerit)
a cubului. $i structura de tip blenda
In
structura crlstalina de tip blenda (blenda de zinc) cristalizeaza
un nurnar foarte
mare
de cornpusi
semiconductori
binari
(sulfuri,
acestia din urma fiind situatl In varfurile unui tetraedru regulat (Fig.1.76).
Distanta dintre doi ioni diferiti, vecini de ordinul tntai este
aJ3 I 4.
0 celula cubica a structurii de tip blenda cuprinde 8 ioni (4 ioni de
8tructura cristatina de tip blenda de zinc (sulfura de zinc cubics)
Reteaua spatiala este cubica cu fete centrate, ca si In cazul
este o structura tetraedrica, fiecare
ion de o anurnita specie fiind lnconjurat de patru ioni din cealalta specie,
seleniuri, telururi etc.).
este asernanatoare cu structura cristalina de tip diamant.
1J
Zn2- i 4 ioni de 82+) fiind neutra din punct de vedere electric. Calculul
numarului de ioni din celula se face tinand seama ca aceasta celula are
refelei de tip diamant, lnsa baza este forrnata din doi ioni bivalenti: un
Blenda (blenda de zinc) este denumirea mineralogies a unei modificatii alotropice a sulfurii de
zinc (a-ZnS) a carei structura cristalina se formeaza de la o retea spatiala cubica,
138
139
8 ioni in varfurile cubului, 6 ioni pe centrele fetelor !?i 4 ioni in interiorul
exista deosebiri in modul de aranjare !?i orientare a tetraedrelor
acestuia. Prin urmare, in conformitate cu (1.5), putem scrie
adiacente in structura de tip wurtzit in ccrnparatie cu cea a blendei de

Zn
4+62+82=8
(Fig.
1.79).
(b)
(a)
Fig. 1.76. Structura cristalina de tip blends de zinc (cublca).

Sunt scoase In evidents leqaturile tetraedrice.
(a) - celula elernentara a structurii de tip blends de zinc;
(b) - unul din cele opt cuburi tn care poate fi lmpartita celula elernentara.
Fig. 1.77. Structura de tip blenda de zinc (cubica) privita din drrectia [111].
Privlta in directia [111] (adica dupa o diaqonala a cubului)

aranjarea ionilor in structura de tip blends arata ca in Fig. 1. 77. Se
observa existenta unor plane formate din ioni de aceeasi specie care
sunt normale la dlrectia [111]. Ca si in cazul structurii de tip diamant,
Fig. 1.77 scoate in evidenta existents unor canale paralele cu directia
[111 ], care pot facilita difuzia atomilor strain! in cristalele cu acest tip de
structura,
b - Structura cristalina de tip wOrtzit
Fig. 1.78. Structura cristalina de tip wOrtzit.
Wurtzitul (wurtzita) este o alta rnodificatie alotropica a sulfurii de

zinc (~-ZnS). Structura cristalina a wurtzitului deriva de la o retea
hexaqonala si are cifra de coordinatie 4 (Fig. 1. 78). Structura cristalina a
wurtzitului este de asemenea tetraedrica . Se poate constata Insa ca
In
cazul structurii de tip blends de zinc triunghiul care forrneaza
baza tetraedrului este rotit cu 60 in raport cu triunghiul de baza a

tetraedrului
vecin.
140
CAPITOLUL II
(a)
STUD/UL EXPERIMENTAL AL STRUCTURII

MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE
(b)
Fig. 1.79. Aranjamentul atomic In structura de tip wOrtzit(a)

si In structura de tip blenda de zinc (b ).
Asezarea atomilor in structura de tip diamant este similara cu

aceea a structurii de tip blenda de zinc, deosebindu-se de aceasta din
urma prin faptul ca atomii care formeaza sistemul sunt identici.
2.1 Microscopia metalografica

2.1.1. Consideratii generale
Microscopia metaloqrafica este una dintre cele mai raspandite

metode de studiu a structurii cristaline. Aceasta metoda este folosita cu
succes pentru studiul unor detalii structurale de la suprafata cristalelor
sau din interiorul acestora. Tn acest din urrna caz, din esantioanele
masive se detaseaza anumite portiuni de mici dimensiuni (denumite
slifuri)
care sa reflecte cat mai fidel caracteristicile structurale ale
esanionului respectiv.
Microscopia metaloqrafica este nelipsita in laboratoarele uzinale
fiind utllizata cu succes pentru efectuarea unor testari care sa contribuie
la urrnarirea ii controlul unor procese tehnologice (prepararea diferitelor
tipuri de aliaje, sisteme multifazice sau materiale compozite; verificarea
unor piese obtinute prin turnare, forjare, prelucrare la rece etc.), controlul
efectelor tratamentului termic, stabilirea cauzelor aparitiei unor defecte
structurale
s.a,
142
Tn
Capitolul II - Studiul experimental al structurii materialelor semiconductoare
143
diverse variante modernizate, microscoapele metalografice
reflexie totals 7'. Microscoapele metalografice fabricate in ultimul timp
sunt utilizate in laboratoarele de cercetari de fizica (fizica metalelor,
sunt prevazute cu ambele dispozitive de deviere, folosindu-se dupa
fizica semiconductorilor, straturi subtiri etc.), cristalografie, mineralogie ~i
dorinta una sau alta dintre variante.
altele. Dintre alte utilizari ale microscopiei metalografice, amintim:

~Obs.
punerea in evidenta a litnitelor (domeniilor) dintre cristalite intr-un

material
policristalin
(strat
subtire),
determinarea
dimensiunilor
cristalitelor, recunoasterea structurii i a texturii probelor, determinarea

raportului dintre faze in cazul compusilor multifazici, punerea in evidenta
a domeniilor de magnetizare a esantloanelor feromagnetice sau
I II
I II
ferimagnetice s.a.
7'
3 2
2.1.2 Principiulde constructiesi functionare

a microscopulum
i etalografic
(a)
Microscoapele optice nu pot fi utilizate pentru tipul de cercetan
(b)
mentionate mai sus, deoarece probele respective, fiind opace (chiar in

Fig. 2.1. Schema de constructie a microscopului metalografic:
(a) - cu lama sernitransparenta; (b) - utilizarea unei prisme cu reflexie totala.
1 - sursa de lurnina: 2 - lentila colimator; 3 - filtru monocromatic;
4 - polarizor; 5, 6 - sistem de diafragme; 7 - lama sernitransparenta:
7' - prisma cu reflexie totala: 8 - lentila obiectiv;
9 - analizor; E - esantionui de studiat.
cazul grosimilor mici), nu pot fi studiate prin transmisie. Din acest motiv,
cu microscoapele metalografice se obtin inforrnatii despre structura
probelor din analiza luminii reflectate. Se foloseste de requla lumina
polarizata, unele domenii de pe suprafata probei putandu-se comporta
Utilizarea lamei din sticla are avantajul ca Iasa deschiderea
diferit in ceea ce priveste reflexia luminii polarizate.

Principiul constructiv al unui microscop metalografic este
prezentat in Fig. 2.1 [61, 118, 147, 148]. Fasciculul de radlatii luminoase
obiectivului complet libera, lnsa introduce unele reflexii suplimentare ale

razelor care vin de la proba.
In
de la sursa 1, trece printr-o lentila condenser 2, un filtru de lurnina 3 (cu
continuare, razele tree prin obiectivul 8 si, dupa reflexia pe
care se obtine lurnina rnonocrornatica), un polarizer 4 (polarizorul se
esantionul E, traverseaza analizorul 9 si ocularul 10, ajunqand, in final,
poate monta inaintea lentilei condensoare), cu care se obtine lurnina
in ochiul observatorului. In unele variante imaginea poate fi captata pe o
liniar polarizata, i o serie de diafragme 5,6. Devierea fasciculului spre
placa
proba se face fie cu ajutorul unei lame semitransparente cu fete plan

paralele (inclinata la 45 fata de fasciculul incident), 7, fie cu o prisrna cu
fotoqrafica.
144
2.1.3. Metode de preparare a probe/or

Probele folosite au dimensiuni
esantioane
mai mari se folosesc,
145
Datorita puterii foarte mari de rezolutie (de requla, aprox. 1A),
mici, iar in cazul analizei unor
microscopul electronic permite sa se studieze in mod direct sisteme de
slifuri [24, 25]. Ele se
dimensiuni foarte mici (agregate de atomi sau molecule). Microscopul
in general,
separa cu mare grija din materialul de studiat prin procedee mecani~e
electronic permite studiul direct al planelor reticulare, a diferitelor tipuri
( dalti speciale,
de defecte structurale, urrnarirea in direct (in situ) a diverselor procese
structura
materialului
reflectanta
reactivi.
dispozitive
speciale
respectiv.
prin slefuire,
Prin corodare
de taiat etc.) care nu rnooifica
Se realizeaza
lustruire,
corodare
apoi suprafata
(atac chimic)
plana
cu diversi
(in urma unor reactii chimice intre materialul
care au loc in fizica semiconductorilor
de faza, procese de magnetizare etc.), procese biologice la nivel celular
~.a.
esantionului i reactivul chimic folosit, se dizolva un strat de la supraf~ta

esantionului)
se inlatura stratul superficial care in urma operatiilor
de
slefuire (lustruire etc.) poate avea defecte de structura suplimentare,

tensiuni mecanice s.a.
Performantele
[61, 66, 107]: formarea, in urma unor reactii chimice, a unor cornpusi
cu microscopul.
Colorarea
constituientilor
structurali
dintr-un
esantion se poate face, in afara de atacul chimic, i prin tncalzire. Se pot

utiliza de semenea
Incalzire.
Reactivii
microstructurale
i ambele
utilizati
procedee:
pentru
atac chimic cu reactiv i
punerea
in evidenta
a detaliilor
sunt nurnerosi, depinzand de natura materialului studiat
sunt determinate
de
cu microscopul respectiv. Puterea de separatie a unui
microscop este finita (lirnitata), fapt datorat fenomenelor de difractle ale

fasciculelor care participa la formarea imaginilor.
Cu cat distanta d dintre cele doua puncte care pot fi puse in
evidenta distinct este mai mica, se spune ca microscopul are o putere
de separatie (putere separatoare) mai mare. Daca 2a este deschiderea
obiectivului ( considerata din punctul de pe axa optics in care este situat
obiectul), atunci, in conformitate
cu relatia lui Abbe, putem scrie [86,
150, 227]
si de scopul special al atacului chimic [25, 43, 72, 118].

d
unde
2.2 Microscopiaelectronlcii
electronic
optic) reprezlnta distanta minima dintre doua puncte vecine care Inca se
(oxizi, sulfuri etc.) care pot fi pusl UOr in evidenta (de exemplu, dupa
culoare)
unui microscop
puterea /ui de rezolutie (separatie), care (analog cazului microscopului
mai vad separat
Atacul chimic urrnareste i alte scopuri, dintre care rnentlonarn
( deformatll plastice, transforrnari
n este
= 0,61A
nsina
(2.1)
indicele de refractie a spatiului obiect, iar A este lungimea
de unda a radiatiei folosite la iluminarea obiectului.

Microscopia electronica
a devenit un mijloc deosebit de eficace
in investigarea structurii corpurilor solide. La baza acestei rnetode stau

proprietatile
proprietati
de propagare
asernanatoare
sl focalizare
a fasciculelor
cu cele ale radiatiei
microscopul optic [15, 43, 59].
luminoase
de electroni,
folosite
In
Din (2.1 ), se observa ca distanta d este cu atat mai mica, cu cat

,,t este mai mic. Utilizarea fasciculelor
de electroni permite realizarea
acestei cerinte,
Intr-adevar,
daca un fascicul de electroni este accelerat,
aplicarea unei tensiuni de accelerare U, impulsul electronilor,
p, va fi
prin
146
p=.J2meU
2
(relatie obtinuta din m;
(2.2)
respective pot fi create fie de catre electrornaqneti,
Dupa tipurile de lentile folosite, microscoapele electronice pot fi:

electrostatice, magnetice sl mixte.
A-=!!_=
h
p .J2meU
(2.3)
m si e fiind aici masa (de repaus) i respectiv sarcina electronului, iar h -
0 alta clasificare a microscoapelor electronice tine seama de

modul de formare
imaginilor. Din acest punct de vedere,
microscoapele electronice, pot fi [61, 147, 148]:

microscoape cu reflexie (de baleiaj) (SEM -
constanta lui Planck.
Scanning
Electron Microscope) In care imaginea se produce prin
Din (2.3) rezulta ca, In principiu, lungimea de unda, A-, asociata
reflexia electronilor de catre obiectul de studiat;
electronilor poate fi facuta oricat de mica, prin cresterea tensiunii de
Insa,
fie de rnaqnef
perrnanenti.
= ;m = eU ), iar lungimea de unda asociata
electronului va fi
accelerare U.
147
microscoape de (cu) transmisie (TEM -
In realitate, puterea de separatie a unui microscop
Transmission
electronic este mai mica decat cea teoretica, fiind deterrninata de
Electron Microscope), In care fasciculul de electroni strabate
posibilitatile de corectare a aberatiilor lentilelor care focalizeaza fasciclul
obiectul de studiat;
de electroni.
microscoape cu emisie, In care tnsusi obiectul de studiat

emite electroni;
Perfectionarea sistemelor de focalizare i al opticii electronice,

au condus la cresterea puterii de rnarire a microscopului electronic,
microscoape
autoelectronice,
care
folosesc
emisia
ajunqandu-se la puteri de rnarire de 107 - 108 ori i puteri de rezolutie de
electronica proprie (a obiectului) determinata de prezenta
aproximativ 1 A.
unui camp electric puternic;
T n microscoapele electronice se folosesc In calitate de sisteme
microscoape cu explorare de camp, In care formarea imaginii
de focalizare a fasciculului de electroni lentile magnetice, electrostatice
obiectului se realizeaza cu ajutorul electronilor secundari
sau mixte. In principiu, lentilele electrostatice sunt realizate cu ajutorul
ernisi de obiect, fasciculul de electroni primari de mica
unor diafragme metalice, care, prin aplicarea unor diferente de potential
intensitate
electric, permit obtinerea unor carnpuri electrice ale carer suprafete
respectiv;
echipotentiale (asernanatoare cu suprafetele unei lentile din sticla
microscoape cu umbra, In care imaginea finala de pe ecran
obisnuite) var actions asupra fasciculului de electroni In mod similar cu
reprezinta umbra obiectului de la o serie de surse de
actiunea unei lentile din sticla asupra unui fascicul de lumina.
electroni de dimensiuni foarte mici.
Focalizarea fasciculelor de electroni poate fi realizata i cu
In
exploreaza
("matura")
suprafata
obiectului
cele mai numeroase investiqatii se folosesc Insa doua dintre
ajutorul unor lentile magnetice, care creaza carnpuri magnetice
aceste tipuri: microscopul electronic de transmisie (TEM) i microscopul
constante care poseda o simetrie axiala. Carnpurile magnetice
electronic de baleiaj (SEM), care au ajuns astazi la perforrnante
148
deosebite,
care, In anumite
directii,
se apropie
mult de limita
ultima
performante
Microscoapele electronice de diferite tipuri au In cornponenta lor

elemente
comune,
cum ar fi: tunul
de electroni,
electrostatice sau magnetice, sistemul de obtinere a vidului
s.a [61, 148,
wolfram In forma de V, cu dimensiunea vafului de aproximativ
situata
fast
realizate
tunuri
electronice
cu
din La85 sau care functioneaza
cu
Principalele caracteristici ale unui tun electronic sunt: stralucirea,
f] ( defmita ca fiind densitatea
de cu rent In fasciculul
de electroni
unitatii de unghi solid) si diametrul fasciculului de
electroni la iesirea din tunul electronic, d0.
100 m),
un anod (polarizat pozitiv la tensiunea de lucru a microscopului,
au
ridicate confectionate
corespunzatoare
Tunul electroniceste alcatuit dintr-un catod (un filament din
vreme
149
emisie In camp [61, 148].
lentilele
157, 195].
a.
In
lor
tsoretica.
anumite
sa alba perforrnante ridicate, f] trebuie sa
Pentru ca microscopul
fie cat mai mare sl do cat mai mic. Pentru cazul tunurilor electronice cu
de obicei lntre 1 si 50 keV) i un cilindru Wehnelt (care este dispus In
filament din wolfram, f]
jurul filamentului si este polarizat pozitiv la un potential de pana la 500 V,
pentru tunurile electron ice mai performante, f] poate avea valori de 107
avand rolul de a opri electronii
108 A.cm-2 .steradiari ' si do ::; 10 A [148].
de joasa energie ernisi de filament,
deviindu-i spre perefii cilindrului) (Fig. 2.2.) [15, 59, 75, 148].
b.
104
106 A.cm-2 .steradian ' i d0 > 50
A, Insa,
-
Sistemele de lentile (lentila condensor, lentila obiectivsi
lentilade proiectie) sunt eel mai frecvent lentile magnetice (sisteme de

bobine avand In interior piese polare magnetizate la saturatie) i produc
o focalizare
actiunea
aceste
(reducerea
diametrului)
a fasciculului
unor torte Lorentz cu orientari
i marirn' adecvate.
lentile, distanta focala poate fi variabila
mtensitatile
curentilor
utilizati
de electroni,
pentru alimentarea
sub
Pentru
fiind determinata
de
lor. Ca i lentilele
optice, lentilele magnetice prezinta aberatil care trebuie, pe cat posibil,

corectate.
c.
Sistemul de vid, din coloana (tubul) microscopului (prin care
se propaqa fasciculul de electroni) are o mare irnportanta In functionarea

microscopului.
Realizarea unui vid tnalt (< 10-5 Torr) (la microscoapele
de ultima generatie, cu pompe turbomoleculare

Fig. 2.2. Schema de constructie a unui tun electronic
cu filament de wofram sub forma de ,,v'':
1 - filament; 2 - cilindru Wehnelt; 3 - anod; 4 - fascicul de electroni
(d0 - diametrul fasciculului de electroni); 5 - linii echipotentiale,
pana
la 10-10 Torr)
reduce lmprastierea
se realizeaza un vid de
electronilor
pe atomii din
atmosfera coloanei si, ca urmare, puterea de rezolutie a microscopului

crests.
150
151
2.3. Microscopia electronica de baleiaj

2.3.2. Mecanismud
l e formare a imaginii
2.3.1. Schema constructiva
Mecanismul de formare a imaginii in microscopul electronic cu
Tn Fig. 2.3 este prezentata schema constructiva a unui microscop
baleiaj este fundamental diferit de modul cum are loc acest proces in
electronic de baleiaj. Principalele parti componente au fost deja
microscopul optic (inclusiv in microscopul metalografic) ~i
descrise. Acestea pot fi grupate in urrnatoarele [61, 75, 148, 169]:
chiar in
microscopul electronic de tranmisie.
sistemul care produce ~i focalizeaza pe proba fasciculul de electroni
Pentru a interpreta corect o imagine obtinuta cu microscopul
( sistemul iluminarelimagine);
electronic de baleiaj, trebuie sa avem cat mai multe lnforrnatii referitoare
sistemul care culege si arnplifica semnalele fizice care apar la
la fenomenele care pot avea lac la lnteractiunea fasciculului de electroni
interactiunea fasciculului de electroni cu proba de studiat (sistemul
cu materialul din care este confectionat esantionul de studiat.
de cu/egere a informatiilor);
In
sistemul care produce pe cale electronica o imagine conventionala a
urma acestor interactiuni se pot genera urrnatoarele particule
~i unde electromagnetice1):
probei (sistemul de formare a imaginii);
Electroni Auger2), care iau nastere ca urmare a unor procese de
sistemul care realizeaza vidul din tubul microscopului (sistemul de
ionizare interna a atomilor materialului probei, urmata de o rearanjare a
vid).
electronilor pe invellsurile electronice, lnsotita de emisia unui electron a

carui energie este caracteristica tipului de atom care I-a emis. Electronii
Auger au energii mici ~i din acest motiv sunt rapid absorbiti In volumul
probei ~i numai electronii qeneraf lntr-un strat superficial cu grosimea
de 2 - 1 O A pot sa paraseasca proba. Analiza acestor electroni (cu
spectrometrul Auger) ofera numeroase informati' despre structura ~i
caracteristicile atomilor din stratul superficial al probei.
Electronii secundari sunt emisi de atomii de la suprafata probei In
urma mteractiunii acestora cu electronii (nurniti primari) din fasciculul
......- ..
E
1---1 Sistem electronicde
formare a ima inii
incident. Ei au energii de pana la 50 eV ~i pot parasi suprafata probei

numai daca sunt qenerati la o adancirne mai mica de 500 A. Prin studiul
~ Spre pompade vid

1
Fig. 2.3. Schema consfructiva a unui microscop electronic cu baleiaj:

1 - tun electronic; 2 - sistem de diafragme; 3 - lentila condensor;
4 - lentile obiectiv; 5 - bobine de deflexie (baleiaj); 6 - astigmator;
7 - detector de radiatii: 8 - detector pentru electronii secundari
li)i retrolrnprastiati: E - esantion,
Cititorul poate gasi informatii pretioase detaliate despre caracteristicile acestor interactiuni in
monografiile care se refera la.aceasta tema [15, 59, 75, 148, 169, 184].
2
In anul 1925, fizicianul francez Pierre Victor AUGER descopera fenomenul de autoionizare a
unui atom excitat prin emisia unui electron de pe un invelis electronic apropiat de nucleu (efectul
Auger) [26, 37, 157, 169]. In fizica semiconductorilor se intalneste fenomenul de recombinare
Auger, in care energia rezultata prin recombinarea unei perechi electron-go! este tranmisa unui alt
purtator de sarcina, care efectueaza o tranzitie pe un nivel energetic superior [45, 52, 121].
152
acestor electroni se pot obtine inforrnatii
referitoare la topografia
153
interactiunii neelastice a acestora cu electronii din fasciculul folosit
suprafetei probei, confiquratia unor campuri electrice de la suprafata,
pentru investigare. Depinzand
structura domeniilor de magnetizare s.a.
radiatia ernisa se prezinta fie sub forma unui spectru continuu (rezultat
de caracteristicile acestei lnteractini,
Electronii retrolmprastiati provin din fascicuful primar de efectroni
In urma proceselor de franare a electronilor incidenf In campurile
care, In urma unor ciocniri cu atomii probei, li rnodiflca In asa fel
coulumbiene din proba), fie sub forma unui spectru de linii (caracteristic)
traiectoria i energia, lncat reusesc sa paraseasca proba prin aceeasi
(cane electronii fasciculului pot scoate electroni de pe paturile interioare
suprafata pe care a cazut fasciculul de electroni incident. Electronii
ale atomilor probei, iar revenirea atomului In stare fundarnentala se face
retrotrnprastlatl au energii mai mari, putand ajunge chiar la energii egale
cu emisia unui foton X) (v. 2.5). Analiza radiatiei X caracteristice (care
cu cele ale electronilor lncidenti. Din acest motiv, ei pot sa provina de fa
poate fi obtinuta de la adancirni de maximum 5 m de suprafata probei)
distante de pana la aproximativ 1000
A de suprafata probei. Prin analiza
poate furniza informatii despre compozltia chirnica a probei studiate.
lor se pot obtine inforrnatf privind topografia suprafetei i mai ales

cornpozitia chirnica a diferitelor domenii ale probei.
Electronii absorbiti reprezinta fractiunea din fluxul de electroni

incidenti care In urma unor ciocniri neelastice succesive li micsoreaza
''
'
foarte mult energia. Daca proba este leqata la rnasa, prin intermediul
unui instrument de masura (Fig. 2.4), poate fi evatuata intensitatea
curentului de electroni absorbitl. Valoarea acestui curent depinde de
puritatea ~i perfectiunea structurala a probei, grosimea acesteia si, mai
ales, In cazul probelor monocristaline (sau policristaline cu orientare
preferenttala
a cristalitelor), de unghiul de incidenta a fasciculului de
electroni. lntensitatea curentufui poate oferi informatii despre compozftia

chimlca a probei, natura si concentratia defectelor structurale s.a.
Electronii transmisi prin proba sunt acei electroni care strabat

proba (In special cane aceasta are grosime mica) si pot fi apoi detectaf
In ceea ce priveste nurnarul i energia lor. Acestia pot furniza unele
mforrnatn referitoare la tipul de structura cristalina, cornpozitta chimica a
probei etc, dar sunt mai putin utilizati In microscopia electronica de

baleiaj.
Radiatia X poate fi ernisa de catre atomii din proba In urma
Fig. 2.4. Prezentarea schematica a lnteractiurrii unui fascicul de electroni cu substanta:

1 - fasciculul de electroni incident; 2- electroni Auger; 3 - electroni secundari;
4 - electroni retrolmprastiati: 5 - radiatie X caracteristica: 6 - electroni transrnisi;
7 - catodolurniniscenta: A - amplificator pentru rnasurarea electronilor absorbiti;
dE - grosimea esantionului: dA, ds, dR - adancimile de ernerqenta a electronilor Auger,
secundari ~i respectiv a electronilor retrolrnprastiati.
Catodoluminiscenta
consta
electromagnetice din domeniul vizibil
In
emisia
unei
radiatii
In urma unor procese de
154
recombinare1),
turniniscentei
155
catodo
mai mare decat timpul necesar interactiunli ,,complete" a fasciculului de
permite obtinerea de inforrnatii privind pozitia unor stari
electroni primari cu proba i deci mai mare decat timpul necesar
In
materiale
semiconductoare.
Studiul
energetice aditionale In banda mterzisa a unui semiconductor, distributia
qenerarii tipului de particule i unde enumerate In . 2.3.2).
In volumul probei a unor atomi de impuritare s.a,
2.3.3. Formarea imaginilorin microscoapelecu baleiaj

Formarea imaginii In acest tip de microscop este un proces
complex. lmaginea nu este formats de catre electronii care provin din
12
tunul electronic i nici a celor care sunt transrnisi prin proba, Aceasta
este o imagine conventionala, o "harta" a probei construlta electronic pe
ecranul unui monitor TV.
In Fig. 2.5 [61, 75, 148] se prezinta schematic modul de formare
a imaginii (sunt implicate componentele din partea inferioara din schema
constructive a microscopului prezentata In Fig. 2.3).
Particulele i
radiatiile generate In urma lnteractiunii fasciculului initial de electroni cu

materialul probei de studiat sunt puse In evidenta utilizandu-se diferite
tipuri de detectori [9, 61] (contori cu scintilatir, detectoare de radiatri cu
corp solid s.a.) In functie de inforrnatiile pe care dorim sa le obtinern
despre caracteristicile probei.
Fasciculul de electroni ajunqand la prima bobina de baleiaj este
deflectat fata de axa optica. Cea de-a doua bobina de baleiaj produce o
noua deflexie, In urma careia fasciculul traverseaza axa optica ajungand
la proba, Cele doua deflexii determina o baleiere a probei cu o anurnita
viteza (cornandata de catre un generator de baleiaj).
In
functie de
aceasta viteza, timpul de "stationare" a fasciculului de electroni pe o

anurnita portiune a suprafetei probei are o anurnlta valoare
1
(care este
Recombinarea reprezinta procesul de "anihilare" a perechilor de purtatori liberi electron-go! sau

a unui purtator liber ~i a unuia localizat etc. In aceste procese in care purtatorii de sarcina liberi
devin localizati are loc o disipare de energie. Dupa modul de disipare a energiei procesele de
Fig. 2.5. Formarea imaginii in microscoapele electronice cu baleiaj (SEM) [61, 148, 184]:
1 - lentila obiectiv; 2 - bobine de deflexie (baleiaj); 3 - diafraqrna de aperture;
4 - fascicul de electroni; 5 - detector pentru electronii secundari :;;i retrolmprastiatl:
6 - detector de radiatii X; 7 - detector pentru radiatia optica (catodcluminiscenta),
8 - detector pentru punerea in evidenta a electronilor absorbiti: 9 - detector pentru
electronii tranrnisi: 10- generator de baleiaj; 11 - amplificator; 12 - monitor TV;
E - esantionul de studiat.
Semnalul primit de la detectori, dupa amplificare, este utilizat

pentru a modula In intensitate fasciculul de electroni emis de tubul
catodic al unui monitor TV i care baleiaza (sincron cu baleierea
suprafetei probei) suprafata ecranului acestuia. Tn conseclnta, mteractiunea
fasciculului de electroni primari cu diferite domenii ale suprafetei
probei va fi reprodusa pe ecran. Intrucat fasciculul de electroni
interactioneaza
diferit
cu
diferite
regiuni
ale
probei
(datorita
caracteristicilor specifice ale acestor regiuni, cum ar fi: defecte

recombinare pot fi: radiante (fotonice), neradiante (fononice), Auger (in care energia este tranmisa
unui al treilea purtator).
156
157
structurale, prezenta unor atomi de lmpuritati, etc.), "rezultatul" acestor
Pentru analiza suprafetelor de rupere a materialelor, perrnitand
interactiuni
Auger,
obtinerea unor informatii referitoare la mecanismul de rupere, In
retrolmprastiati, intensitatea radiatiei X emise s.a.) va fi diferit [75, 131,
scopul evitarii In viitor a cauzelor care determina acest proces.
145, 171].
lmaginile obtinute In acest caz (numite fractoqrame) ofera informatf
(nurnarul
de
electroni
secundari,
lnterpretarea imaginilor este facuta
electroni
luandu-se In considerare
'
'
despre modul de rupere (fragil, ductil) determinat de factori externi
fenomenele care determina semnalele de la diferite regiuni ale probei
(suprasarcina de lntindere, forfecare sau lncovoiere).
[ 15' 147' 157].
De asemenea, microscopul electronic de baleiaj este folosit cu

succes In metalurgia pulberilor, punandu-se In evidenta structura
2.3.4. Unele aplicatiiale microscopiee

i lectronicede baleiaj
in functie de tipul microscopului electronic, dimensiunile probelor
suprafetelor acestora, prezenta unor oxizi, fisuri etc.

Caracterizandu-se prin puteri de rnarire ridicate, rezolutii lnalte,
studiate pot fi de pana la 15 - 25 mm. Aceste probe trebuie sa aiba o
valori mari ale adancirnii carnpului, microscopul electronic cu baleiaj se
conductivitate electrics mare. in caz contrar, electronii absorbitl
foloseste, In prezent, pe scara larga In cele mai diverse i importante
deterrnina o tncarcare electrostatica a probei, care poate produce unele
domenii ale stiintei si tehnicii: fizica, chimie, stllnta materialelor, biologie,
descarcari electrice lntre proba i suport si, ca rezultat, calitatea imaginii
rnedicina, aqricultura s.a.
este influentata puternic. Din acest motiv, probelor confectionate din
in fizica starf solide este folosit de asemenea intens acest mijloc
materiale neconductoare ( ceramice, mase plastice etc.) trebuie sa Ii se
de investigare pentru obtinerea unor informatii utile referitoare la:
metalizeze suprafata care urmeaza sa fie studiata. in general, aceasta
orientarea cristalitelor In esantioanele policristaline, studiul proceselor de
operatie se reallzeaza prin depunerea (eel mai frecvent prin pulverizare
recombinare In semiconductori, studiul defectelor structurale In cristale,
catodica In vid) a unui strat subtire (cu grosimea de cateva sute de A)
studiul mecanismelor de formare a straturilor subtiri s.a,
dintr-un material conductor cu coeficient de emisie secundara mare (Au,

Ag, etc). Grosimea i natura stratului conductor precum i modul de
depunere a acestuia trebuie riguros analizate pentru a lnfluenta cat mai
putin procesele care au loc ca urmare a interactiunii electronilor primari
cu suprafata probei si, prin aceasta, sa se obtina inforrnatii cat mai
corecte despre suprafata studiata,
Microscopul electronic de baleiaj este utilizat:
Pentru studiul structurilor metalice, perrnitand punerea In evidenta a
structurilor fine (incluziuni, faze etc.) care nu pot fi observate cu
ajutorul microscopului metalografic.
2.3.5. Microanaliza cu radiatiiX in

microscopiaelectronica de baleiaj
Microanaliza
cu radiatii
X este o analiza chirnica care s-a
dezvoltat In cadrul microscopiei electronice de baleiaj. Principiul de

functionare al acestor echipamente, numite spectrometre, se bazeaza
pe faptul ca radiatia X ernisa (caracterizata fie prin lungimea sa de unda,
fie prin energia cuantei respective) depinde de natura atomilor probei
(de nurnarul de ordine a acestor atomi) si de procesele de autoabsorbtie
din proba (determinate atat de atomii care emit radiatia X, cat i de catre
158
159
ceilalti atomi). Astfel, intensitatea radiatiei X de o anumita lungime de
mare nurnar de probe etalon i folosesc programe complexe pentru
unda da informatii asupra naturii atomilor care emit si asupra
prelucrarea spectrelor obtinute.
concentratiei
lor in proba. Metoda permite determinarea concentratlei in
care un anumit tip de atomi se afla tntr-un anumit volum investigat. Cu
2.3.6. Spectroscopia de electroni Auger
alte cuvinte, putem efectua o analiza elernentala calitativa i cantitativa,
Mecanismul emisiei electronilor Auger a fast descris in 2.3.2.
Numai ca, spre deosebire de metodele clasice de analiza chimica, aici
Numai electronii Auger ernisi de atomii dintr-un strat cu grosimea foarte
obtinern informatli despre un domeniu foarte mic (se efectueaza o
mica (de cativa A) de la suprafata probei pot fi analizati. Ceilalti electroni
analiza pe microarii).
de acest tip, emisi de domeniile situate mai in adancimea probei sunt
Pentru detectarea radiatiei X emise de proba se folosesc, de

requla, doua tipuri de spectrometre:
absorbiti (datorita energiei lor foarte mici) i prin urmare nu parasesc
proba. Spectroscopia de electroni Auger (AES -
Auger Electron
Spectrometre cu dispersie dupa lunqimea de unda a radiatiei (WDS
Spectroscopy) permite obtinerea unor inforrnatii despre stratul de la
suprafata
Wavelength Dispersive Spectrometer), in care radiatia
din
probei
pe baza analizei
energiei electronilor Auger.
fasciculul incident este descompusa dupa lungimea de unda cu
Echipamentele respective (spectrometre Auger) permit analiza dispersiei
ajutorul unui cristal (radiatia de diverse lungimi de unda este
dupa energie a electronilor Auger cu detectoare speciale [38, 75, 92].
difractata sub anumite unghiuri);
Spectrele tipice obtinute prezlnta maxime (peak-uri) pentru
Spectrometre cu dispersie dupa enerqie (EDS - Energy Dispersive
anumite energii caracteristice anumitor elemente (identificate prin
Spectrometer), in care detectia dupa energie se realizeaza cu
compararea cu spectre standard). in general, elementele produc mai
ajutorul unui detector de radiatii X (in general o dioda din siliciu
multe peak-uri, tnsa unul sau cateva sunt predominante. Un spectru
dopat cu litiu) i un analizor multicanal.
Auger tipic este prezentat in Fig. 2.6. 0 atentie deosebita trebuie sa se
Cu ajutorul celor doua tipuri de spectrometre poate fi determinate
acorde starii suprafetei analizate, aceasta putand fi UOr contarninata de
cornpozitla chirnica a unei probe, modurile de distributie in proba a unui
diferiti factori (gaze absorbite sau adsorbite, reactii chimice, actiunea
anumit element, variatia concentratiei unui element dupa anumite directii
unor particule cu energii mari etc.). Curatarea suprafetei analizate se
.a.
poate face prin atac chimic sau prin pulverizare catodica (in care are lac
in
principiu, spectrele obtinute cu cele doua tipuri de
Incepartarea stratului de la suprafata care poate avea si defecte
spectrometre prezinta maxime (peak-uri) pentru radiatii X cu anumite
structurale), prin actiunea unor fascicule de atomi (ioni) cu rnasa mare
lungimi de unda, respectiv energii. Acestea sunt comparate cu spectrele
(de cele mai multe ori atomi de argon). Stabilirea concentratiei
standard ale unor esantioane confectlonate din monocristale (de lnalta
elementelor in probele studiate se realizeaza cunoscand intensitatea
puritate i perfectiune structurala) ale unor elemente cunoscute.
peak-urilor pentru anumite valori ale parametrilor care caracterizeaza
Microscoapele electronice moderne au baze de date pentru un
functlonarea spectrometrului. Se pot folosi probe de referinta (de
160
exemplu, din argint de foarte inalta puritate). Domeniile de energii in
161
mult cu eel al unui microscop optic.
care sunt observate peak-urile diferitelor elemente este 0 - 1000 eV.
in Fig. 2.7 se arata schematic modul de formare a imaginii Intr-un

microscop electronic de transmisie, prin analogie cu un microscop optic.
Partile componente
1\J\j~ ~-1
\ II
electronic
de tranmisie
(tunul
electronic, lentilele, sistemul de realizare a vidului) au fast deja descrise

in
2.3.
~.i
ale unui microscop
Iv/
2~1~0... ~23-0-'---2~S0-1- ._27 a-,L._?~9C-,-'--J~10
sursa de lurnina
0
tun electronic
Energia cinetica (eV)
(b)
(a)
Fig. 2.6. Spectru Auger. In figura (b) este rnarita

portiunea Incadrada a spectrului din figura (a)
(dupa R.K. Wild, Vacuum, 31 (1981) 183)
Spectrometria
de electroni Auger este utilizata pe scara larga in
materialelor
pentru
stiinta
interfetel
unor jonctluni
studiul
domeniilor
sau heterojonctiuni,
intercristalite,
studiul
studiul mecanismelor
de
oxidare s.a,
2.4. Microscopia electronlca de transmisie

2.4.1.Principiul de constructie si functionare
Microscoapele
prin transmisie
utilizare. in principiu, functionarea
au in prezent o arie mare de
microscoapelor
de acest tip are la
baza efectul unui fascicul de electroni accelerati asupra caracteristicilor

l
'
Fig. 2.7. Formarea imaginii In cazul unui microscop optic (a)

~i In cazul microscopului electronic prin transmisie (TEM) (b)
structurale ale materialului de studiat. Pentru a putea fi pus in evidenta

fasciculul
de electroni transrnisi, trebuie ca grosimea esantionului
de
Fasciculul
de
electroni
rapizi
de
la tunul
electronic"
este
concentrat de o lentila condenser pe obiectul (esantionul) de studiat.
studiat sa fie mica.

Principiul de functionare a unui microscop de transmisie (TEM Transmission
Electron Microscope) este simplu, asernanandu-se
foarte
1
In mcroscoapele moderne fasciculul de electroni este accelerat in spatiul dintre catod si anod de
o diferenta de potential ce poate depasi 1000 kV.
162
BAZELE FIZICH
SEMICONDUCTORILOR
Lentila obiectiv produce o imagine intermediara rnarita a obiectului, care
Capitolul II - Studiul experimental al strncturii materialelor semiconductoare
163
grosimea acestuia. Efectul este caracteristic In special esantioanelor cu
este apoi rnarita de lentila proiector (de proiectie) (pentru microscopul
structure arnorfa.
optic, aceasta este lentila ocular). Pentru ca sa devina .vizibila",
In
Fig. 2.8 se prezinta schematic modul de obtinere a contrastului
imaginea electronica flnala a obiectului se forrneaza pe un ecran
prin imprastiere. Electronii Irnprastiati (sub unghiuri mai mari) de catre
fluorescent sau pe un tub captor de imagine cuplat la un calculator, fiind
esantion sunt absorbif de catre
astfel transformata lntr-o imagine Iurninoasa.
micrometri) situata In planul focal imagine a lentilei obiectiv.
Mecanismele de formare a imaginii In microscopul optic i In

microscopul electronic sunt diferite.
In
diafraqrna (cu deschiderea de cativa
Tn Fig. 2.8 se considera doua regiuni M i N din proba care (din
microscopia optica contrastul
cauza ca au grosimi diferite sau densitati diferite) lrnprastie in mod diferit
imaginii este determinat fie de dtferenta dintre coeficientli de absorbtie
fasciculul de electroni incident distribuit omogen pe suprafata acesteia.
pentru diferite domenii ale obiectului (In cazul microscopiei de
Daca lmprastierea este mai puternica in regiunea M, fasciculul de
transmisie), fie de diferenta dmtre coeficientii de reflexie a diferitelor
electroni emergent va avea un unghi de incidenta mai mare i atunci
domenii ale probei (cazul microscopiei optice prin reflexie).
In
cazul
diafragma poate opri (absoarbe) o parte din acesti electroni Imprastiaf
microscoapelor electronice, prezenta unor absorbtu (chiar foarte mici) ar
(Fig. 2.8), in timp ce fasciculul de electroni trnprastiati de regiunea N
duce la distrugerea obiectului, datorita energiei foarte mari a electronilor
trece in intregime prin diafraqrna. Pe ecranul receptor, imaginea PL a
din fasciculul principal. Din acest motiv, se alege In asa fel diferenta de
regiunii N va avea o luminozitate mai mare decat imaginea P1 a regiunii
potential de accelerare (deci viteza electronilor) i grosimea probei, Incat
M. Prin aceasta se pot obtine informatii referitoare la topografia
electronii sa traverseze proba aproape fara absorbtie. Pe de alta parte,
suprafetei probei.
pentru obtinerea imaginii, densitatea de electroni pe diferite sectoare ale
In
suprafetei receptorului trebuie sa fie diferita.
In
cazul in care, din anumite motive (grosime mare a obiectului,
caz contrar, evident,
modificarea caracteristicilor obiectului sub actiunea fasciculului de
lntreaga suprafata va fi iluminata uniform si deci nu va apare nici un fel
electroni s.a.) nu se poate evidentia topografia suprafetei, se foloseste
de imagine a obiectului.
metoda replicilor (un fel de mulaje a suprafetei sub forma unor straturi
Sunt trei mecanisme de realizare a contrastului in microscopia
subtiri).(. 2.4.3).
electronica prin transmisie: prin lmprastierea electronilor, prin difractia

electronilor i prin contrast de faza.
b - Contrastul obtinut prin difractie

Acest
mecanism
este
specific
esantioanelor
cristaline
2.4.2. Mecanisme de contrast
(policristaline) si are la baza fenomenul de difractie a electronilor pe
a - Contrastul obtinut prin Tmprastierea e/ectronilor
reteaua cristalina a acestor esantloane,
Electronii fasciculului pot suferi o lmprastiere in urma ciocnirii cu

atomii probei. Aceasta depinde atat de densitatea obiectului, cat i de
Exista doua variante tehnice pentru realizarea contrastului prin

difractie:
164
Contrastul In camp luminos (BFI - Bright Field Image
1));
148], ceea ce indica faptul ca fasciculele de electroni difractate ar putea
Tn conformitate cu legea lui Bragg, pentru difractia pe o familie de

dhkl
putem scrie
fi absorbite
dhkl
sin 2B
= nA-
(2.4)
unde A, este lungimea de unda asociata fascicului de electroni,
aproape
deschidere
imaginea
(v. (2.43))
2
165
gasesc din (2.4) unghiuri de difractie de aproximativ 5.10-3 radiani [61,
Contrastul In camp lntunecat (DFI - Dark Field Image).
plane cristaline lntre care distanta interplanara este
In lntregime
de catre
o diafraqma
(a carei
este de cateva zeci de micrometri) (Fig.2.9). Tn acest mod,

In camp
luminos
(BFI) este obtinuta
numai cu fasciculul
nedifractat.
n (un
nu mar lntreg) este ordinul de difractie, iar Beste unghiul de difractie.
~
3
3
Fig. 2.9. Obtinerea contrastului prin difractie In camp luminos
(BFI - Bright Field Image): 1 - fascicul incident de electroni;
2 - fascicul de electroni difractat; E - esantion de studiat;
D - diafragma de apertura (ecran cu o fanta circulara),
Fig. 2.8. [rnprastierea diferentiata a unui fascicul de electroni In cazul

unui esantion care prezinta domenii (M, N) cu densitati diferite:
1 - fascicul de electroni incident; 2 - apertura: 3 - ecran;
E - esantlon.Pi - punct luminos; P1 - punct lntunecat.
Tn cazul contrastului In camp lntunecat (DFI), imaginea este data

Daca se considera difractia pe familia de plane
tensiuni de accelerare
dhkl
A, pentru
utilizate cu rent In TEM (800 - 1000 KV2)), se
de fasciculele
prin deplasarea
difractate. Aceasta se poate realiza In doua moduri: fie

diafragmei circulare pentru a putea transmite fasciculul
difractat, fie prin utilizarea unei diafragme

1
In ultima vreme aceste mecanisme sunt denumite de catre specialisti in limba engleza,
2 Din relatia (2.3) se pot calcula valorile lungimilor de unda corespunzatoare acestor tensiuni.
contrastului
In camp intunecat
inelare (Fig. 2.10). Varianta
este frecvent utilizata In TEM, tntrucat
BAZELE FIZICU
166
SEMICONDUCTORILOR
167
permite obtinerea unor imagini cu contrast ridicat prin rnarirea timpului
2.4.3. Metode de cercetare a probe/orin microscopiaelectronica
de expunere.
Utilizarea cu succes a microscopiei electronice (SEM si
c - Contrastul de faza
TEM) in diferitele domenii ale fizicii corpului solid depinde in foarte mare
in acest caz, undele difractate de esantion interfera, obtinandu
rnasura de modul de preparare a probelor. Au fast elaborate numeroase
se Tn planul imagine un tablou de interferenta sub forma unor franje.
tehnici in vederea realizarii acestui scop i sunt numeroase monografii i
lnterfranja, i poate fi determinata din relatia [9, 75, 92, 184]
reviste (period ice) internationale de mare prestigiu in care sunt descrise
i=M-~-=Mdhkt
2smB
unde A, este lungimea de unda asociata electronilor,

difractie,
dhkl
tehnicile respective.
(2.5)
Aceste
B - unghiul de
in:
metode directe ~i metode
in cazul metodelor directe, preparatul
de studiat este introdus
direct in fasciculul de electroni al microscopului.

in
acest
transparent
----2
se clasifica
indirecte.
distanta dintre planele cu indici Miller (hkl), iar M marirea
liniara a microscopului respectiv [148].
metode
in straturi
sens,
fie
proba
se aseaza pe un suport
pentru fasciculul de electroni, fie este Incapsulata

foarte
subtiri, fie se confectioneaza
subtire
(inclusa)
din proba respectiva
straturi ultrasubtiri (subtierea probei).

Ultimul procedeu,
realizarea
de straturi ultrasubtlri
care pot fi
traversate de fasciculul de electroni, se face, in cazul corpurilor solide,

prin efectuarea
urmatoarelor
operatiuni succesive: confectionarea
unor
discuri cu grosimi de ordinul catorva zecimi de milimetru (in general, 0,2

-
0,3 mm);
grosimea
polizarea
devine
bombardament
~
4
....:.....,-:-;
4
rnecanica
0, 1 - 0,2 mm; polizarea
speciali)
pana cand
electrochimica
sau prin
ionic pentru a ajunge la o grosime de cateva sute de
A;
curatirea probei in bai cu ultrasunete .

Astfel
preqatite,
probele
speciale in calea fasciculului

Fig. 2.10 Obtinerea contrastului prin difractie. Formarea imaginii In camp lntunecat:
1 - fasciculul de electroni incident; 2 - diafraqrna: 3 - fascicul de electroni
nedifractat; 4 - fascicul difractat; E - esantion: D - diafraqma de aperture inelara.
(cu abrazivi
se aseaza
apoi pe nlste suporturi
de electroni. Aceste suporturi sunt sub
form a unor site metal ice (din nichel, bronz fosforos etc.) sau materiale
plastice (polivinil, polistirol s.a.) cu diametre de 2 - 3 mm i cu ochiuri de
0, 1 - 0,05 mm.
168
Metodele directe au dezavantajul
ca sunt metode distructive i
necesita operatii complexe, dificil de efectuat.
straturilor subtiri prin aceasta rnetoda consta tn evaporarea terrnica" In

vid Tnalt a materialului
Metodele indirecte se mai numesc metode ale replici/or. Replicile

sunt straturi subtiri, dintr-un material avand caracteristici speciale, care
169
din care se doreste
sa se obtina stratul i
condensarea ulterioara a acestuia pe suprafata probei de studiat.

c) Replici cu strat subtire de oxid. in cazul Tn care se studiaza cu
se depun pe suprafata probei, capatand astfel relieful acestei suprafete,
microscopul
Cu ajutorul replicilor se realizeaza un fel de "mulaj" al suprafetei, relieful
temperaturi nu prea ridicate (Al, In, Sn etc.), atunci se poate obtine mai
replicii fiind un fel de "negativ" al reliefului suprafetei. Stratul subtire (cu
Tntai un strat de oxid la suprafata probei (In general prin incalzire Tn
grosimi de 500 - 1000 A) se desprinde de pe suprafata probei i este
atrnosfera de oxigen). Grosimea necesara a stratului oxidat se obtine
studiat
prin varierea temperaturii
cu ajutorul
microscopului
electronic
de transmisie.
Metoda
electronic suprafete metalice care se oxideaza In aer la
replicilor este frecvent utilizata pentru a investiga suprafete polizate cu
materialului
diferite
corespunzator,
materiale
abrazive
(cu
granulatii
de
diferite
dimensiuni),
suprafetele corodate chimic In anumite scopuri, suprafetele de ruptura

.a.
rarnas
si/sau a timpului de oxidare. Desprinderea
neoxidat
se
fie prin electrollza
face
fie
utilizand
un
solvent
[15, 61, 148]. Stratul de oxid se
analizeaza apoi cu microscopul electronic.

Se poate face o clasificare a replicilor i dupa numarul de etape
Diferitele tipuri de replici se clasifica tn functie de mai multe

criterii. Astfel, dupa natura materialului
din care sunt confectionate,
deosebim:
(trepte) care sunt parcurse In vederea realizarf acestor replici. Din acest
punct de vedere, avem:
a) Replici cu o sinqura treapta (monotreapta) sunt acele replici
a) Rep/ici din mase plastice. in acest caz, materialul
plastic se
obtinute direct de pe suprafata probei fie sub forma unui strat subtire
dizolva Tntr-un solvent organic dupa care solutia obtinuta se depune sub
(Fig. 2.11 a) fie sub forma unui strat cu grosime mai mare (Fig. 2.11 b ). in
forma
ambele cazuri, desprinderea
unui strat subtire,
solventul
se evapora,
pe suprafata
probei de studiat.
rarnane pe suprafata
un strat subtire
Dupa ce
solid a
replicii se realizeaza prin metode chimice
sau prin procedee mecanice [15, 61, 14 7].
materialului plastic respectiv. Stratul se desprinde de suprafata fie prin
b) Replici cu doua trepte. in acest caz, peste stratul cu grosime
procedee mecanice, fie prin metode chimice, folosind un solvent care
mare (replica rnonotreapta) se depune un strat subtire, dupa care stratul
dizolva proba a caret suprafata se studiaza si In care materialul plastic
initial se dizolva chimic (Fig. 2.12). Replicile cu doua trepte se folosesc
respectiv este insolubil.
Tn cazul In care replica rnonotreapta nu se poate desprinde decat prin
b) Replici sub forma de straturi subtiri depuse prin evaporare
termica rn vid. Aceste replici se caracterizeaza prin Tnalta rezolutie si au

un foarte
bun contrast.
materiale:
carbon,
Se folosesc
aur, platina,
crom
pentru
s.a.
depunere
Procesul
urrnatoarele
de obtinere
distrugerea probei sau cane proba are un relief cu adancirni mari.

Replicile nu trebuie sa prezinte o structura lnterna caracteristica
(eel mai convenabil
sunt cazurile In care materialele
din care sunt
a
1
Pentru evaporarea termica, substanta este incalzita direct sau indirect prin efect Joule, curenti de
inalta
frecventa,
bombardament
electronic
etc.
170
171
confectionate au o structura arnorfa) si sa nu reactioneze chimic cu
Contrastul imaginii poate fi rnarit mult folosind metoda umbririi.
proba. De asemenea, trebuie sa perrnita redarea cat mai fidela a
Aceasta consta in depunerea in vid sub un anumit unghi a unor straturi
reliefului suprafetei probei.
subtiri din metale grele (Cr, Pt, Au etc.) pe replici (sau chiar pe proba),
Fetele umbrite au grosimi mai mari si, prin urmare, in imaginile TEM var
aparea mai intunecate. Prin umbrire se pot determina lnaltimile unor
detalii structurale ale suprafetei probe.
.:J
~
Strat subtire
Esantion /
Strat cu grosime mare
JMan
Metoda replicilor se foloseste pentru obtinerea de informatii

privind structura corpului solid, cum ar fi: determinarea dimensiunilor
cristalitelor in probe policristaline, caracteristicile domeniilor (limitelor)
dintre cristalite, structura domeniilor de magnetizare a substantelor
..An..
feromagnetice s. a. [15, 61, 148, 157].
~Replica/
(a)
(b)
2.5 Studiulstructuriicristalineprin dlfractle de radlatil X

Fig. 2.11. Procedee de obti nere a unor replici monotreapta:
(a) - sub forma unui strat subtire: (b) - strat cu grosime mai mare
2.5.1. Consideratig
i enerale
Aceste metode permit determinarea unor rnarimi importante care
caracterizeaza structura cristalina, printre care rnentionarn [9, 61, 68,
Esantion
111 ' 141 ' 147]:

tipul structurii cristaline i elementele de simetrie;
prezenta unor modiflcatf (faze) cristaline;
~simemare
parametrii (constantele) retelei;

distantele interplanare;
orientarea cristalitelor (granulelor) in esantioane policristaline;
lea
gradul de cristalinitate (in esantioanele care poseda i o

cornponenta arnorfa):
dimensiunea cristalitelor in esantioane policristaline;

compozitia
Fig. 2.12. Prepararea replicilor In doua trepte
esantionului
(prezenta
anumitor
elemente,
cornpusi) s.a.
S-a aratat deja (v. 1.1 ), ca monocristalele (in care atomii sunt
172
173
dispusi periodic) se cornporta ca retele de difractie pentru radiatia X, iar
planele atomice au proprietatea de a reflecta aceste radiatii. Studiul
10-100
kV
cristalelor bazata pe dlfractia radiatiilor X (XRD - X - Ray Diffraction) se

nurneste difractometrie.
inainte de a descrie bazele teoretice si tehnica experirnentala

pentru metoda difractiei de radiatii X, considerarn important sa
prezentarn succint modul de producere a radiatiilor X, caracteristicile
spectrelor de radiatii
x1J
8-12
E(
v3)
i procesele care au lac tn cazul interactiunii
acestor radiatii cu corpul solid.

Fig. 2.13. Schema de principiu a unui tub de radiatii X:
K - catodul; A- anodul (anticatodul)
2.5.2. Producerea radiatiilor X
Dupa valorile lungimii de unda (Tntre aproximativ 0, 1 i 1 O A)2l,
Principalele parti componente ale unui tub de radiatii X sunt [9, 68, 148]:
radiatiile X sunt situate Tntre domeniul radiatiilor ultraviolete si eel al
Catodul (sursa de electroni) constituit dintr-un filament din

wolfram care, incalzit (prin efect Joule) pana la incendescenta (peste
radiatiilor y.
2000 C), emite electroni. Acestia, focalizati cu ajutorul unui cilindru
Radiatiile X utilizate In difractometrie pot fi obtinute prin franarea

brusca a unor particule lncarcate (electroni, protoni, ioni etc.) de mare
Wehnelt (Fig. 2.2) sunt acceleraf
energie (radiatie de franare) sau prin revenirea In starea fundarnentala a
(de ordinul zecilor sau chiar sutelor de kV) i sunt apoi dirijati spre anod.
atomilor unei tinte a carer electroni de pe paturile K, L, M, N, 0 (ln
Anodul este format dintr-o piesa rnetalica rnasiva (de obicei din
notatia din spectroscopie) au fast initial excitati (prin ciocniri cu particule
cupru) prevazuta cu o cavitate In care se gasete tinta fasciculului de
incarcate, cu fotoni y de mare energie etc.) 3) (radiatie caracteristica)
electroni (anticatodul).
Radiattile
Anticatodul
X se produc ln tuburi (generatoare) de radlatil X.
Acestea sunt de obicei sub forma unor cilindri, confectionati dintr-o

portiune rnetalica si alta din sticla, In care se reallzeaza o presiune de
aproximativ 10-5 Torr (Fig. 2.13).
1J
cu ajutorul unei tensiuni de accelerare
este confectionat dintr-un metal de o foarte lnalta
puritate (Cu, Cr, Co, Mo, Ag etc) i este prevazut cu sapte orificii: unul
prin care intra In cavitate fasciculul de electroni, patru (asezate pe
directii reciproc perpendiculare) prin care ies din cavitate radiatiile X
(acestea se mai numesc ferestre i sunt confectionate de requla din
Fizicianul german Wilhem Conrad ROENTGEN (1845 - 1923) a descoperit, in anul 1895
radiatia care ii poarta nurnele (radiatia Roentgen sau radiatia X), demontrand ca ea este de natura
electromagnetica. I se decerneaza Prerniul Nobel pentru fizica in anul 1901.
2
In unele rnetode de difractie se folosesc radiatii cu lungirni de unda rnult rnai rnari (pana la
200 A).
3Radiatiile
X generate prin alte rnecanisrne (dezintegrarea nucleelor radioactive prin captura K,
dezintegrarea prin conversie interns [220, 230 - 232]) nu sunt utilizate in difractornetrie.
beriliu, care absorb radiatiile X moi si electronii produsi prin efecte

secundare), doua orificii sunt folosite pentru a asigura racirea anodului
In ultirna vrerne, se pare ca s-a renuntat la denurnirea de "anticatod", folosindu-se denurnirea de

"anod" pentru ansarnblul anod-anticatod.
1
BAZELE FIZICU SEMICONDUCTORJLOR
174
(ciocniri) succesive cu atomii anticatodului, ernitandu-se radiatf cu
(de requla cu ajutorul unui flux de apa),

1 O -20
175
Randamentul tuburilor de radiatli X este foarte mic (In general,
frecvente mai mici decat
% ), aproape lntreaga energie a electronilor incidenf pe anticatod
radiatii X (numit ~i speetru alb). Acest spectru se prezinta de requla sub
transformandu-se In caldura.
Vmax
Se obtine astfel un speetru eontinuu de
forma dependentei densitatii spectrale /(A,) n In functie de lungimea de

unda a radiatiilor pentru tensiuni date aplicate tubului de radiatii X (Fig.
2.14).
2.5.3. SpectrulradiatiilorX
a - Speetrul eontinuu
10
I
I
Electronii accelerati care provin de la catod pot pierde energie

cinetica prin mecanismul de franare a acestora In carnpul coulumbian al
atomilor anticatodului. Se obtine In acest mod o radiatie X (radiatie de

franare), caracterizata printr-un speetru eontinuu.
Daca lntreaga energie a electronului este pierduta In urma unei
singure ciocniri, atunci putem scrie
he
(2.6)
hvmax =--=eV
Amin
unde h este constanta lui Planck,

emise,
Amin -
Vmax
frecventa maxima a radiatiei X
lungimea de unda minima caracteristica acestor radiatii,
Fig. 2.14 Distributia spectrala a intensitatii radiatiei X.
e - viteza luminii, e - sarcina electronului, iar V - tensiunea de
Spectrul continuu de radiatie X.

Se indica tensiunile de accelerare pentru fiecare spectru
accelerare foloslta.
Din Fig. 2.14 se pot observa cateva caracteristici importante ale
Din (2.6), obtlnern
Amin
he
= eV
acestui spectru:
(2.7)
Cu cresterea tensiunii de accelerare, spectrul se deplaseaza

In domeniul lungimilor de unda mai mici;
de unde rezulta ca lungimea de unda minima a radiatiilor X emise prin

acest mecanism nu depinde de natura anticatodului, ci numai de
tensiunea de accelerare.
Din (2. 7) se poate gasi user, ca pentru obtinerea unei radiatii X
cu lungimi de unda de 0,2 - 1 A (folosite frecvent In difractometrie) este
necesar ca tensiunile de accelerare sa fie de 10 - 50 kV.
Insa
franarea electronilor are lac In urma unor interactiuni
Fonna curbelor I= I ( /L) este data de relatia [61, 68, 231, 232]
1(/L)=A{Jc-An,in)
A,
f8Z
(2.8)
Amin
unde !0 reprezinta intensitatea curentului prin tub, Z - numarul atomic al anticatodului, iar A un
parametru caracteristic,
176
Spectrele au o lirnlta foarte pronuntata in domeniul lungimilor
177
CuKa1,2
de unda mici;
Cu cresterea
tensiunii
de accelerare,
crests i densitatea
spectrala, si intensitatea inteqrala (intensitatea radiatiei totale

emise) redata de aria delirnltata de curba i axa absciselor.
Intrucat intensitatea
radiatiei
nurnarul atomic al elementului
emise
este
proportionala
cu
(v. (2.8)), pentru constructia .anticatodului
trebuie alese materiale cu numar atomic mare (Mo, Cu, Co, W s.a.) care
produc spectre continue intense.
0,1
b - Spectrul caracteristic (discret)
In
cazul in care tensiunea
de accelerare
depaseste
valoare de prag (nurnita tensiune critica, Ve), caracteristica

anticatod
dintr-un
anumit
material,
electronii
acceleraf
o anurnita
0,2
0,3
Fig. 2.15. Spectru caracteristic al radiatlei X
pentru un
In
au energii
Fig. 2.16 sunt indicate tranzitiile electronice
suficient de mari pentru ca, prin ciocnire, sa scoata electronii de pe
spectrul
paturile inferioare (nivelele electron ice inferioare) ale atomului (paturile
(Z
K, L, M etc), iar locurile rarnase libere pe aceste nivele sa fie ocupate,
straturile, nurnarut cuantic secundar (orbital) /, care defineste nivelele
prin tranzitii electronice
energetice (/
(de pe nivelele energetice superioare pe cele
inferioare) cu emisie de radiatii X. Se obtine astfel spectrul caracteristic
continua a spectrului),
tensiuni mai mari apar unele maxime pronuntate
iar pentru
pe fondul spectrului
= 0, nivele
(lungimile
i pot fi determinate
pe
de cupru
n care defineste
nurnarut cuantic intern
%, pe un nivel energetic se gasesc maxim 2j + 1 electroni).
In
spectroscopia
numerelor cuantice
de
= 1,
radiatii
X,
straturile
corespunzatoare
2, 3, 4, 5, 6, ... se noteaza de obicei cu literele
K, L, M, N, 0, P, ... , iar nivelele consecutive se indica cu cifre romane
Trebuie
de unda) a radiatiltor emise depind de
energiile nivelelor intre care au lac tranzitiile
nurnarul cuantic principal
s, I= 1, nivele p s.a.rn.d.),
sub forrna de indici (adica,
continuu.
Frecventele
al radiatiei X pentru cazul atomului
29). Sunt indicate:
U = I
(discret) de radiatii X (Fig. 2.15). Pentru tensiuni mai mici, se observa

doar spectrul continuu (componenta
caracteristic
care deterrnina
K,; L,, L11, L111; Mr, ..... (v. Fig. 2.16).
sa rnentionarn
faptul ca emisia fotonului
urmare a tranzitiei electronului de pe un strat mai indepartat
are lac ca
de nucleu
baza legii lui Moseley [231, 232] (pe care cititorul o cunoaste deja de la
unde poseda o energie mai mare, pe un strat mai apropiat de nucleu,
cursul de fizica atomului).
unde are o energie mai mica. Cele mai intense sunt, in fiecare serie,
liniile
M--+
corespunzatoare
L,
etc)
tranzitiilor
[148,
dintre
straturile
vecine
131,
(L --+
K,
132].
178
179
prezenta" tntrucat nivelul 4p nu este ocupat.
t)
a;
c:>
a;
.2::
c
N1
4s
Mv
Miv
---;;:;:;;:;:
M111
Mu
LP3.4
{L"'
I
L111
Ly
}3d
sunt foarte apropiate, Incat cele doua radiatii nu pot fi detectate separat.
0
2
2
}3p
3s
t ,., ""----
1/2
5/2
312
2
6
4
1/2
4
2
1/2
312
1/2
1/2
312
Astfel, In cazul atomului de Cu, radlatnle K131 i K133 sunt detectate sub
forma unei radiatii K131,3 cu o lungime de unda "interrnediara'' (Tabelul
2.1) [48, 61, 148].
Tabelul 2.1. Valorile lungimilor de unda i a energiilor tranzitiilor

electronice pentru atomul de Cu
L a1,2
--
Lu
--..-...-. }2p
'IV
L1
KP1KP2
K
--- -
LP1
M1
- - -- -
--- - ------
De multe ori, lungimile de unda corespunzatoare unor tranzitu
+
N'
2s
1s
1/2
Liniile
caracteristice
Fig. 2.16. Tranzitiile electronice care determine spectrul

caracteristic al radiatiei X pentru atomul de cupru [148].
'A
Linii le
'A
(A)
(keV)
caracteristice
(A)
(keV)
Kf31
1,392218 8,90529
Lf33.4
12, 112 1,0228
Kf33
1,3926
Lf31
13,053 0,9498
Ka1
1,540562 8,04778
La1.2
13,336 0,9297
Ka2
1,54439
8,9029
8,02783
L11
14,90
0,832
Ly
15,286 0,8111
Structura de multiplet a nivelelor energetice L, M, N, ...

genereaza structura de multiplet a seriilor spectrale. Acestea sunt
denumite luand In considerare nivelul pe care are loc tranzitla finala. De
exemplu, seria K, indica tranzitiile de pe nivelele L pe K (L ---+ K), de pe
nivelele M pe nivelul K (M ---+ K) etc. In cazul In care au loc tranzitli pe
nivelul L (M ---+ L, N ---+ L etc.), atunci seria se nurneste L s.a.rn.d.
In
cazul unei serii date, liniile spectrale se noteaza cu a, f3, y, 8 etc. ca

indici. Astfel, Ka indlca tranzltii de pe nivelele L pe nivelul K, K13 indica
tranzitii de pe nivelele M pe nivelul K s.a.rn.d.
In
cazul In care nivelele
In
Tabelul 2.1 sunt indicate lungimile de unda a radiatiilor
corespunzatoare liniilor caracteristice atomului de Cu din care se pot

calcula tensiunile de accelerare (v. (2.7)) necesare pentru a scoate un
electron de pe nivelul pe care are loc tranzitla.
In
Tabelul 2.2 [148], pentru diferite materiale din care sunt
confectionati anticatozii, se mdica lungimile de unda pentru radiatllle

corespunzatoare tranzitiilor
Ka1, Ka2. K13
si valorile tensiunii critice,
Ve.
Deoarece, dupa cum s-a aratat, spectrul caracteristic se suprapune
initiale au structura de multiplet, tranzitiile respective se noteaza cu Ka1,
peste un spectru continuu, In cazul In care se utilizeaza spectrul
Ka2 sau K131, K132, .... In exemplul din Fig 2.16, tranzltia K132 nu este
caracteristic este necesar ca tensiunea de accelerare, V, sa depaseasca
'
'
1
Mentionam ca tranzitiile respecta ~i unele reguli se selectie pentru numerele cuantice respective
[220, 231, 232].
180
tensiunea crltica, Ve.
In
practica, daca V!Vc ~ 4, intensitatea liniilor din
spectrul caracteristic este suficient de mare pentru a putea fi utilizate
181
electrice de accelerare pe portiunile liniare ale inelului.

Fasciculul de radiatii X emis este tangent la traiectoria circulara a
fasciculului de particule. Randamentul de producere a radlatlilor este
pentru studii de difractometrie [48, 61, 148].
foarte mic.
Tabelul 2.2. Valorile lungimilor de unda i a tensiunilor critice pentru
anticatozi (anozi) confectionati din diferite materiale.
Materialul
anodului
Ka1
Ka2
Kp
Ve
(A)
(A)
(A)
(kV)
Cr
24
2,28970
2,293606
2,08487
5,99
Fe
26
1,936042
1,939980
1,75661
7, 11
Co
27
1,788965
1,792850
1,62079
7,71
Cu
29
1,540562
1,544390
1,392218
8,98
Mo
42
0,709300
0,713590
0,632288
20,00
Ag
47
0,5594075
0,563798
0,497685
22,51
Radiatia sincrotron se foloseste
mai rar pentru studiul prin
difractometrie a corpului solid.
2.5.4. lnteractiunea radiatiilorX cu substanta
In
urma interactiunii radiattilor X cu substanta poate avea lac un
fenomen de irnprastiere (modificare a traiectoriei) care poate fi:

1mprastiere coerenta, care are lac fara pierdere de energie (deci fara
modificarea lungimii de unda a radiatiei respective) sau 1mprastiere
incoerenta (numita i efect Compton), care are lac cu pierdere de
energie (deci lungimea de unda a radiatiei va crests).
De asemenea, In urma lnteractlunii cu substanta, intensitatea
radiatiei X poate sa scada, adica radiatia sa fie absorbita de catre atomi,
care tree In stari excitate. Revenirea acestor atomi In stare normala se
c - Radiatia (de) sincrotron
face fie prin emisia unei radiatii X caracteristlca atomilor excitati (nurnlta
Radiatia d,e sincrotron este o radiatie electromagnetica ernisa de

o particula avand o sarcina electrics (de exemplu, un electron) si care se
misca cu o viteza foarte mare (energia cinetica este de cativa GeV) pe o
traiectorie circulara (mentinuta cu ajutorul unor carnpuri magnetice
orientate corespunzator), Miscarea are lac lntr-o incinta inelara
orizontala (inel de stocaj) alcatuita din arce de cerc care alterneaza cu
radiatie de fluorescenta sau spectru secundar de radiatii X [9, 48, 231,

232]), fie prin emisia de electroni Auger (v. 2.3.2). Desi au intensitati
mult mai mici In cornparatie cu radiatiile primare (aproximativ 10% din

intensitatea acestora), radiatiile de fluorescenta au o lrnportanta
deosebita In determinarea structurii corpurilor cristaline cu ajutorul
radiatiilor X.
regiuni rectilinii si In care se realizeaza un vid Inalt (~ 10-10 Torr) pentru

a elimina ciocnirile particulelor incarcate
care le-ar putea modifica
traiectoriile si/sau energia. Emisia de radiatie X se datoreste rnodificarii

directiei vitezei particulelor, iar energia pierduta prin radiatie este
"retransrnisa" fasciculului de particule prin aplicarea unor tensiuni
a - Detectia radiatiilor X
Proprietatea radiatiilor X de a excita sau de a ioniza atomii
substantei prin care se propaqa, a fast folosita pentru constructia
detectorilor
de
radlatli
X.
182
Detectorul de radiatii X eel mai simplu este o p/aca fotografica.

acest caz, se foloseste
electromagnetice,
efectul fotochimic
(proprietatea
In
Detectoare cu semiconductori in care prin absorbtia radiatiilor
unor radiatii
X are loc generarea de perechi electron-gal.
dintr-un anumit domeniu spectral, de a produce reactii
chi mice) al radiatiilor
X. Gradul
de "innegrire"
183
Purtatoril de
sarcina qeneraf ( a carer concentratie este proportionala cu
a placii este direct
intensitatea radlatlilor X) deterrnina o crestere a conductivitatn
proportional cu intensitatea radiatiei X detectate.
electrice a materialului semiconductor respectiv.
Detectorul cu qaz se compune dintr-un tub metalic (avand rol de

catod) a carui extrernitati sunt inchise ermetic cu plac' izolatoare i pe
b - imprastierea coerenta si difractia radiatiilor X
axa caruia este asezat un fir metalic subtire (de requla din wolfram) care
joaca rol de anod. Cilindrul este prevazut cu o fereastra din beriliu prin
care pot patrunde radiatiile X.
In
interiorul cilindrului se introduce un gaz
Fenomenele
de lrnprastiere
studiate in detaliu intr-o serie de monografii [9, 61, 111, 141]. De aceea
vom prezenta aici doar principalele caracteristici ale acestor fenomene
la o presiune scazuta, lntre anod si catod se aplica o tensiune lnatta.
pentru
Astfel, ionii gazului, forrnaf
cristaline prin difractia radiatiilor X.
de radiatia X, nu se recombina in spatrul
a lnteleqe
dintre anod i catod ci, dau nastere unui curent a caret intensitate este
proportionals cu intensitatea radiatiilor X detectate.
cu gaz.
Acestea sunt folosite i in prezent fiind mult modernizate prin conectarea

la dispozitive de amplificare si inregistrare performante [48, 148].
se bazeaza pe absorbtia (aproape totala) a
radiatiilor X. Sunt doua tipuri de detectoare de acest tip:
cristal absorbant
Radiatia
'
de
fotomultiplicator
ca urmare
fluorescenta
'
1l
emisa de catre un
a interactiunii
cade
de studiu a structurii
pe
in care ne tntereseaza
numai interactiunile
care pot fi explicate prin
inducerea in sistemele atomice, sub actiunea carnpului electromagnetic
secundare
dipolare
( electrice)
i emisia unor unde
de catre aceste momente dipolare, se pot folosi metodele
electrodinamicii clasice [61, 231, 232].

Din acest punct de vedere, interactiunea radiatiilor X cu atomii
detectoare cu scintilatii a carer functionare se bazeaza pe

radiatiei de fluorescenta
metodelor
Interactiunea radiatiilor X, considerate ca unde electromagnetice,
al undei, a unor momente
In ultima vreme se folosesc pe scara larga detectoare cu corp
inregistrarea
corect principiul
poate fi explicata numai prin metodele mecanicii cuantice. Tnsa, in cazul
Contarele Geiger-Muller au fast primele detectoare
solid a carer functionare
!?i de dfractie a radiatiiior X sunt
cu radiatia
fotocatodul
X.
unui
extraqand un fascicul de electroni. Are apoi
unui corp solid, are ca rezultat (induce) aparitia unor miscari oscilatorii a
electronilor
atomilor
respectivi
cu anumite
frecvente
proprii. Fiecare
electron care oscileaza, emite in toate directllle unde electromagnetice

secundare cu aceeasl frecventa ca a undei incidente. Acest fenomen se
nurneste
fmprastiere elastica (fara schimbarea frecventei sau a lungimii
loc o amplificare a acestuia in interiorul fotomultiplicatorului.

de unda a radiatiei initiate) sau fmprastiere coerenta (in unele carti se
mai foloseste
denumirea
de fmprastiere difractiva). Aceasta
radiatie
coerenta joaca un rol esential in fenomenul de difractie a radiatiilor X.

1
Radiatia emisa de corpul solid dupa incetarea radiatiei excitatoare.
Nucleele, datorita masei lor mari, nu participa la acest proces (daca
184
data. Mai rnentionam ca retelele de difractie cu modulare In amplitudine

pot fi prin transmisie sau prin reflexie 1>.
energia cuantelor de radiatii X nu este prea mare, adica avem radiatii X

moi).
Fiecare
secundare
dintre cei Z electroni
coerente.
185
a unui atom va emite radiath
Radiatiile lrnprastiate
2.5.5. Ecuatiile Jui Leue". Relatia Bragg3>
de diferiti electroni ai unui
atom nu sunt In faza, lntrucat electronii respectivi ocupa In atom .pozitii"
Vom prezenta aici cateva principii de baza referitoare la difractia
diferite. Radiatia tmprastiata de catre un atom va fi o rezultanta a tuturor
pe retele cristaline. Acestea sunt valabile atat In cazul difractiei radiatiilor
amplitudinilor undelor emise de catre electronii atomului respectiv.
X, cat si In cazul difractiei fasciculelor de electroni sau neutroni.
Amplitudinile
cont de diferentele de faza respective.

reprezinta
vectorilor
Sa presupunem
acestor unde se aduna geometric (vectorial) tinand
suma a doi vectori

care se tnsurneaza,
radiatie rnonocrornatica cu lungimea de unda A-, ia nastere un sistem de
Intrucat modulul vectorului care
este mai mic decat suma

tnsearnna
ca amplitudinea
maxime i minime ale intensittaii radiatiei difractate.
modulelor
rezultanta
ca, In urma iradierii unei retele cristaline cu o
Considerarn doua siruri reticulare din reteaua cristalina formate
undelor lmprastiate de catre electronii unui atom, A, nu va fi ZAe (Ae fiind
din atomi identici. Vectorul fundamental al retelei dupa o anurnita directie
amplitudinea undei emise de un singur electron a atomului respectiv), ci
a axei Ox este
va fi lntotdeauna mai mica, adica
(Fig. 2, 17).
Diferenta de drum Intre razele difractate este

(7.9)
unde f se numeste
a1
factor de forma (atomic) sau amplitudine de
11=AB+BC .
(2.10)
Intrucat
AB= Bf sine= a1 sine
structure.
Din cele rnentionate rezulta ca f < Z.
in cazul In care pe un cristal cade un fascicul monocromatic
de
BC= /Bsine = a1 sine ,
radiatii X, undele secundare (sferice) emise de atomii cristalului, dispusi

periodic, vor interfera lntre ele. Va avea loc o interferenta distructiva In
tot spatiul, cu exceptia anumitor directil numite directii de difractie In care
inteferenta este constructive,
dupa aceste directii obtinandu-se maxime
de difractie.
Fenomenul de difractie a radiatiilor X pe retelele cristaline este
asernanator
cu difractia
rnodulatie In amplitudine
luminii
pe retelele
de dlfractie
plane
cu
[150, 227], care reprezinta, In principiu,
un
ecran plan opac cu fante liniare identice dispuse periodic dupa o directie
De exemplu, o retea de difractie prin transmisie poate fi construita prin trasarea cu un varf din
diamant a unor zgarieturi paralele si echidistante pe suprafata unei lame transparente cu fete plan
paralele (zgarieturile constituie intervalele opace), iar cele prin reflexie se realizeaza prin
zgarierea in modul de mai sus a unei suprafete metalice (aluminiu, alama, etc) foarte bine slefuita,
2
Max Theodor Felix von LAUE (1879 - 1960) fizician gennan. A studiat teoria relativitatii ~i
teoria cuantelor, difractia radiatiei X in cristale. A elaborat metode de analiza cu radiatii X a
strncturii cristaline a materialelor. in anul 1914, i se acorda Premiul Nobel pentru fizica (pentru
studiul difractiei radiatiei X in cristale).
3
Fizicienii englezi, William Henry BRAGG (1862 - 1942) si fiul acestuia, William Laurence
BRAGG (1890 - 1971) au intreprins cercetari sistematice asupra strncturii cristalelor cu ajutorul
radiatiei X, punand in evidents asezarea periodica a atomilor si a ionilor in reteaua cristalina. in
anul 1915, celor doi fizicieni Ii s-a acordat Premiul Nobel pentru fizica. Relatia (2.43), numita
relatia (legea) Bragg, era denumita in urma cu cateva decenii, relatia Bragg-Bragg.
186
187
Deci diferenta de drum poate fi scrisa sub forma:
obtinern
~ = AB+Bc = -n .a,+ n' a1 = a1 (n'-n)
(2.11)
~ = 2a1 sine
e fiind
Conditia de maxim pentru aceasta directie cristaloqrafica va fi
aici unghiul de incidenta In raport cu sirul reticular.
(2.13)
Prin
urmare,
pentru
cele
trei
directii
cristalografice,
avem
urrnatoarele relatli
(2.14)
a1,
a2,
a3
fiind
considerata, iar
vectorii
fundamentali
pentru
reteaua
directa
gi ( i =1, 2, 3) numere lntregi oarecare.
Relatiile (2.14) se numesc ecuatiile lui Laue.

Daca notarn cu
Fig. 2.17. Difractia radiatiilor X pe retele cristaline.
(acesta
k,
vectorul de unda pentru radiatia incidenta
indica, dupa cum se stie, directia de propagare
a acestei
radiatii), avem pentru modulul acestui vector relatia

Conditla
de maxim
a intensitatii
radiatiei
difractate
este
ca
(2.15)
aceasta dlferenta sa fie eqala cu un nurnar lntreg de lungimi de unda a

radiatiei incidente, adica
iar versorul,
(2.12)
ii ,
a directiei de propagare a fascicululi incident, se poate
scrie, evident
91 fiind un nurnar lntreg.

Daca notarn cu
n'
razelor incidente (1 i 2) i difractate (1' i 2') (

(Fig.2.17)
AB i BC sub
lnl =In 'I= 1 ),
forma unor produse scalare:
AB = ii a1
n= k
versorii pentru directiile de propagare a
j"k/
k =-3: k
2tr
(2.16)
2tr
,,t
putem scrie
in mod analog,
difractat,
I '
pentru versorul
directiei
de propagare
a fascicului
avem
= a1 cos ( 90 - B) = a1 sin B
(2.17)
i
unde k' este vectorul de unda pentru fasciculul difractat.
188
Difractia se considera un proces elastic i In acest caz energia
hv' a fotonilor difractaf va fi aceeasi cu energia hv a fotonilor incidenti,

adica
hv'
= hv
(2.18)
(2.24)
i;
b2, b3
De asemenea,
(2.19)
ai retelei reciproce, iar 91, 92, 93
fiind vectorii fundamentali
numere lntregi.
sau, mai putem scrie
h_=h~
A
A
189
directa i vectorii
Ej
s-a demonstrat
ca lntre vectorii
8i din reteaua
din cea reciproca, exista relatia (v. (1.29))
( v i
(2.25)
v' fiind frecventele radiatiitor respective, h - consatanta lui Planck,

unde ~j
iar c - viteza luminii). Din (2.19), qasirn
de unde rezulta ca lungimea de unda a radiatiilor difractate este eqala

cu cea a radiatiilor incidente.
Prin urmare,
difractata
de unda pentru radiatia incidenta
81
rnarlrne (k
k'), modificandu-si
Kg
= 81 ( 91E1 + 92E2 + 93b3)
81 E1 = 27r , 81 . E2 = 81 . E3 =
In urma
(2.26)
(2.27)
Deci putem scrie (2.26) sub forma
acestui proces numai directia,
f nlocuind
= j si ~j = o daca i * j.
sl, tinand cont de (2.25), avem
si vectorul
va avea aceeasi
daca i
Evident,
(2.20)
A,'=A,'
= 1,
(2.16) i (2.17) In (2.13), obtinem

(2.21)
fn
(2.28)
82 Kg = 2Jr92
(2.29)
83 . Kg
2Jr93
(2.30)
2Jrgi
(2.31)
mod analog putem gasi ca
sau, tinand seama de (2.20), putem scrie
81. ( k'-k) = 27r91
81 Kg = 2Jr91
(2.22)
Deci In general, putem scrie
i prin urmare, In acest caz ecuatiiie lui Laue, (2.14), pot fi scrise sub
8i Kg
form a
81. ( t-:
cu i
k) = 27r91
=
forma (v. (1.33))
(2.23)
gasim
k'-k = Kg
27r93
S-a aratat ( 1.12) ca vectorul retelei reciproce,
2, 3.
Cornparand relatille (2.28) - (2.30) (sau (2.31 )) cu relatiite (2.23),
82 (k'-k)=27r92
83. ( k'-k)
= 1,
Kg ,
se scrie sub
(2.32)
ceea ce lnseamna ca ecuatiile (2.23) sunt satisfacute de conditia (2.32).

Ecuatia (2.32) este echivalenta cu ecuatille lui Laue i reprezinta
190
de asemenea conditia de difractie.
191
k'=k
Din (2.32) rezulta ca vectorii de unda
;;i k'
sunt vectori In
si, tinand seama de aceasta relatie, putem scrie (2,35) sub forma
reteaua reciproca, tnsa ei In general nu unesc noduri ale acestei retele.

in schimb, Kg trebuie sa alba si originea si extremitatea In noduri ale
(2.36)
2k2 - 2k2 cos 2() = Kg2

sau
retelei reciproce.
Putem scrie, tinand seama de (2.32), urmatorul produs scalar:
sau, mai putem scrie
(k'-k) (k'-k)
=Kg. Kg
4k2 sin2 () = K2g
sau, desfacand parantezele, avem

k '2 + k2 -
Putem exprima pe Kg In functie de distanta interplanara
k '. k - k. k
I=
K2g
(2.33)
(2.37)
dhkt
(care
reprezina distanta dintre planele paralele ;;i echidistante cu indici Miller

(hkl) (v. 1.14)), adica
Din Fig. 2.18 rezulta ca
k k k 'k
1
I=
k k COS 2()
(2.34)
(2.38)
() fiind unghiul de incidenta In raport cu sirul reticular pe care are loc

difractia
i care este egal cu unghiul de difractie In raport cu sirul
unde Khkt este un vector al retelei reciproce care are forma (v. (1.64))
respectiv.
(2.38')
Daca
n este un nurnar lntreg, putem scrie
n Khkt = nhb1 + nkb2 + nlb3
= 91b1+92b2 + g3b3 =Kg
(2.39)
(evident, Intrucat n, h, k, I sunt numere intregi, i produsele nh, nk, nl vor

fi de asemenea nu mere lntregi notate cu 91, 92 ;;i respectiv 93).
Din (2.39), gasim
Kg= /Kg/= n/Khkt/
Fig 2.18. Dlfracfia radiatiilor X pe retele unidimensionale.
Directiile vectorilor de unda pentru raza incidenta si cea ditractata.
Din (2.38) ;;i (2.40), deducem
K =n
Din (2.33) i (2.34 ), obtinern
k'2+ k2 -2kk'cos2()
= Kg2
(2.35)
S-a mentionat tnsa ca interactiunea radiatiei cu reteaua cristalina

'
este elastica (A'
= l,
'
(v. 2.20)), deci
'
'
(2.40)
2Jr
dhkl
Introducand aceasta expresie In (2.37), gasim
(2.41)
BAZELE FIZICH
192
seama
(2.42)
'
dhkl
care, tinand
ca rnarirnea vectorului
hk
de unda este
Insa p = tzk i p' = tzk'
k = 27r I A, , se mai scrie

2dhkt
(2.43)
sin B = nA,
incloenta si cea difractata, iar
(2.43)
se
mai
reprezinta ordinul de difractie (n
0, 1, 2, 3, ... ). De asemenea,
relatia
1, A, ~ 2dhkt ( deci radiatia utilizata trebuie sa aibe lungimi de unda
Pc = tzKg
este impulsul cristalului.
sau
k'2
Pe de alta parte, In experientele de difractie, pentru valori foarte

diferitelor ordine de difractie
unele de altele, fapt ce creaza
(2.46)
k' k' = (k +Kg). (k +Kg)
comparabile cu distantele interplanare sau cu distantele interatomice ).
sunt foarte mici i foarte apropiate
reprezinta impulsurile fotonilor In radiat,ia
Ridicand (2.44) la patrat, obtinern
Intrucat sinB ~ 1, din (2.43) rezulta ca, pentru
mici ale lui ,,t, unghiurile B corespunzatoare
(2.45)
relatie care exprima legea de consetvare a impulsului fotonului.
Bragg ne permite sa stabilim i lungimile de unda a radiatiilor utilizate In

fenomenul de difractie.
p' = P +Pc
conditia de difractie iar n
nurneste
hk + tzKg
I=
Tn consecinta (2.45), poate fi scrisa sub forma
relatie foarte irnportanta, care se nurneste legea (reafia) Bragg1).

Relatia
= k2 + k. Kg + Kg . k + K2g
(2.47)
si, tinand seama ca avem k' = k (prin dlfractie vectorul de unda nu-si
schirnba rnarirnea (v. (2.36))), avem
(2.48)
dificultati In separarea diferitelor fascicule difractat~.--Mai mentionam
i legea conform
193
sau, mai put em scrie
( 21[)2
4k2 sin2 B = n2 -- 2
expresie
SEMICONDUCTORILOR
careia raza incidenta,
raza
relatie care este valabila si pentru un vector
-Kg
al retelei reciproce.
difractata i normala la planul de difractie In punctul de incidenta sunt In

acelasi
plan i ca fenomenul
de refractie
Pentru acest din urma vector, (2.48) se scrie sub forma
a radiatiilor X In cristalul
2"k . (-Kg) + (-Kg) . (-Kg) = o
respectiv se poate neglija, indicele de refractie a radiatiilor X fiind foarte

apropiat de unitate (acesta este aproximativ 0,99999).
sau
-
-2k
2.5.6. Utilizarea zone/orBrillouin
-2
Kg
+ Kg = 0
(2.49)
De aici, putem deduce expresia
Din (2.32) putem deduce urmatoarea expresie pentru vectorul de

unda a radiatiei difractate
(2.44)
k_--Kg
2
-(Kg-
Dupa cum rezulta din (2.50), radiatla cu vectorul de unda

1
(2.50)
k,
care
satisface conditia de difractie este reflectata pe planele mediatoare ale

Relatia (2.43) este cunoscuta si sub denumirea de legea Wulf-Bragg.
194
vectorului
Kg . Aceste plane constituie suprafetele primei zone Brillouin.
relatle Identica cu (2.50).
-[K- ~J
2
k---K~
2
Intersectia planelor mediatoare pe acesti vectori deterrnina zonele

de ordinul lntai, zona a doua pentru vecinii de ordinul al II-lea s.a.rn.d.).
(Fig.2.19), se poate
demonstra ca este verificata relatia
retelei, de la care se due vectorii Kg la vecinii de diferite ordine.
Brilloiun respective (prima zona pentru cazul In care se considers vecinii
K~
in mod analog, pentru vectorul
Intr-adevar, In 1.13 s-a aratat ca pentru a construi zonele

Brillouin In reteaua reciproca se alege ca origine un nod arbitrar al
195
fiind aici un vector de unda cu originea In nodul 0 si cu extremitatea
Pentru a exemplifica modul de aplicare a relatiei (2.50), vom
intr-un punct oarecare de pe mediatoarea NN' la vectorul K~ . Insa In
considera o retea reciproca plana (Fig. 2.19). Aici s-a considerat ca
acest din urma exemplu, mediatoarea NN' nu delimiteaza prima zona
origine un punct 0 al retelei (ales arbitrar), s-a dus vectorul Kg pana la
Brillouin, ci o zona de ordin mai mare.
un nod vecin de ordinul lntai, s-a dus apoi mediatoarea pentru vectorul
Kg
(perpendiculara pe mijlocul segmentului respectiv) i s-a reprezentat
K
apoi vectorul _JJ_ Orice vector k, care are originea In punctul 0 i
2
extremitatea pe mediatoarea MM' satisface relatia (2.50). in Fig 2.19 s-a
luat un vector de unda cu extremitatea In punctul B. Putem scrie
produsul scalar
- Kg
kKg
(2.51)
k-=--cosy
2
y fiind unghiul dintre vectorii
Kg I 2.
lnsa din ~OAB, avem
(2.52)
inlocuind (2.52) In relatia (2.51), obtinern
k- ~
=[K; J
Kg
cosy=_l_
Kg
2
M'
Fig. 2.19. Relatia intre vectorii
K9
pentru cazul unei retele reciprocee bidimensionale
(2.53)
Prin urmare, relatia (2.50) reprezinta ecuatia de deflnltle a
BAZELE FIZICH
196
planelor mediatoare ale vectorilor
Kg ,
SEMICONDUCTORILOR
care in spatiu forrneaza marginile
procesul de difractie.
Tlnanc seama de aceste doua conditii, P.P. Ewald .descopera" o
(fetele) zonelor Brillouin. Astfel, marginile zonei Brillouin reprezinta
constructie qeornetrica foarte utila pentru studiul difractie: radiatiilor X in
planele pe care are loc reflexia, cu respectarea relatiei Bragg.

Se observa ca prin constructia zonelor Brillouin se pot gasi
vectrorii de unda incidenti
197
cristale, care poarta denumirea de constructia Ewald sau sfera Ewald.

in Fig. 2.20 este prezentata aceasta constructie.
pentru undele care pot suferi difractie in
cristal. Prin urmare, putem stabili o leqatura intre forma zonei Brillouin ~i
aspectul figurii de difractie,

2.5.7. Constructia Ewald
directia fasciculului incident
Fasciculul difractat trebuie sa satisfaca doua conditii:

1 - Fotonii radiatiilor X, in urma difractiei, nu-si modifica energia
(frecventa), intrucat s-a presupus ca lrnprastierea este elastica, Prin
urmare, vom putea scrie
..
....... .......
(2.54)
hv' = hv
Fig. 2.20. Constructia Ewald pentru o retea reciproca bidirnensionala.
unde hv este energia fotonilor din fasciculul incident, iar hv' - energia
Se considera o retea reciproca bfdimensionala
fotonilor din fasciculul difractat.

Aplicand relatiile de dispersie pentru undele electromagnetice in
corespunde retelei directe pentru care dorim sa studiem difractia de

radiatii X. Fie un vector de unda
vid, obtinern
2nv =
OJ
= ck ; 2nv ' =
OJ'
= ck '
(plana) care
k,
care are directia fasciculului incident,
rnarirnea deterrninata de lungimea de unda a fasciculului incident

(k
de unde qasim
Zr: I 1) ~i a caru: extremitate coincide cu un nod A al retelei
(2.55)
reciproce. Originea acestui vector este intr-un punct oarecare 0. Nu
ceea ce Insearnna ca in urma difractiei modulul vectorului de unda nu se
este obligatoriu ca punctul 0 sa coinclda cu un nod al retelei reciproce.
rnodifica.
Este tnsa obligatoriu ca acest vector de unda sa fie paralel cu directia
k=k'
fasciculului de radiatii X incident pe cristal si sa aiba extremitatea 1ntr-un

2 - Vectorii de unda pentru radiatia dlfractata,
k' ,
!?i incidenta, k ,
nod al retelei reciproce (nurnita ~i spatiul vectorilor de unda sau spatiul k
sau spatiul Fourier).
trebuie sa verifice relatia (2.32), adica

(2.56)
care poate fi considerata o requla de selectie pentru vectorul de unda in
Se traseaza un cerc cu raza k = 2tr I A., care are centrul in

originea vectorului
(in punctul 0). Pentru un fascicul de radiatii X care
198
199
are o anurnita dtrectie, cu o anurnita lungime de unda (cu un anumit
respective sunt determinate de patratul modulului amplitudinilor
undelor
vector de unda) va exista un fascicul
difractate, care, la randu' lor, depind de distributia electronilor In cristal i
care lndeplineste
conditia
de
difractie, numai daca acest cerc intersecteaza un alt nod oarecare B din
de valorile
reteaua reciproca considerata.
conditiile experimentale stabilite.
Intr-adevar,
vectorului
vectorul
OB= k'
are modulul
egal
parametri
care
caracterizeaza
metoda
folosita
In
Pentru a simplifica tratarea fenomenului de difractie, vom utiliza o
cu modulul
(cei doi vectori reprezinta In sine doua raze ale cercului cu
unor
serie de aproxirnatii, si anume:

Nu vom lua In considerare vibratiile retelei cristaline, adica vom
centrul In 0).
Insa vectorul AB=
Kg
este un vector al retelei reciproce,
considera cristalul ideal, cu atomii In pozitlile lor de echilibru;
Intrucat
Vom
are extrernitati,le In doua dintre nodurile acestei ret,ele, iar din Fig. 2.20
se observa ca putem scrie:
k '- k =Kg,
considera
ca razele
incidente
pe cristal
forrneaza
un
fascicul perfect paralel;
relatie care reprezinta conditia
Vom presupune ca fenomenul
de dlfractie (v. i (2.32)).
de absorbtie (In urma caruia ar
avea loc o rnlcsorare a intensitatii radiatiei) se neqlijeaza:
in cazul In care cercul dus prin extremitatea lui k nu lntalneste
Vom considera de asemenea ca radiatiile difractate (prin reflexie
nici unul dintre nodurile retelei reciproce, atunci conditia de difractie nu
sau transmisie)
este lndepllnita i deci reteaua cristalina considerata nu poate fi studiata
atomii pe care Ii lntalnesc In drumul lor.
cu radiatia X respective.
Sa ne lmaqinarn ca putem separa un sir reticular, orientat In
Metoda descrisa aici reprezinta metod8 gr8fica de determinare a

directiilor In care se qasesc maximele de difractie i este cunoscuta sub
sfera (nurnita sfera Ewald), lnsa procedeul de constructie descris mai
incidenta
(ionilor)
cristalului
unor informatii
i a modului
a fasciculului
AB-AC=
unde
Pentru obtinerea
cu 81 perioada
sirulu'
de radiatie
reticular
X cu siru'
i cu a0 unghiul
reticular
de
(Fig. 2.21 ).
Maximele de difractie se formeaza dupa directitle care satisfac relatia
sus este analog si pentru cazul tridimensional.
2.5.8. Formarea maximelorde difractie
nici cu
difractie a unor radlatit X In acest caz.

Notarn
In locul cercului vom avea o
cu cele incidente,
directia axei Ox, format din atomi identici i sa studiem fenomenul de
denumirea de constructie Ewald.

Evident, In cazul tridimensional,
nu interactioneaza
n,
81
cosa0
-81
cos
a=
este un nu mar lntreg oarecare
81 (
cos, -cos a)= n1A,
tn, =
(2.56)
0, 1, 2, ... ) care indica
ordinul maximului de difractie (Fig. 2.22).

referitoare
de asezare
la natura atomilor
a acestora
In celula
in cazul incidentei normale, conditia (2.56) este indepllnita

toate generatoarele
de
unor familii de conuri care au ca axa (lnaltime) sirul
elernentara, este necesar sa cunoastern intensitatiie maximelor (liniilor)
reticular respectiv iar unghiurile la varf sunt egale cu 2 a. Deschiderea
de
acestor conuri coaxiale (unghiul 2a) scade pe masura ce crests ordinul
difractie
care
respecta
legea
Bragg.
Intensitatile
maximelor
200
de difractie (adica valoarea lui n1) (Fig. 2.23a). Pentru n,
201
0,
lungimi de unda) atunci unghiurile de difractie vor depinde de lungimea
generatoarele conurilor devin razele unui cerc. Prin intersectia acestor
de unda, fiind cu atat mai mari cu cat este mai mare lungimea de unda,
conuri cu plane paralele cu sirul reticular, se obtin niste hiperbole
Franja centrals este alba intrucat pentru n,
echilatiere (Fig. 2.23b) iar prin intersectia lor cu plane normale la siru]
satisfacuta indiferent de lungimea de unda a radiatiei,
0, ecuatia (2.56) este
reticular, se obtin niste cercuri concentrice (cresterea ordinului de

difractie este lnsotita de o scadere a razei acestor cercuri) (Fig. 2.23c).
'
'
(a)
-2
n=O
n=-1
n=-1
(CJ
(b)
n=O
n=O
n=1
[)JI
Fig. 2.21. Difractia radiatiilor X pe un sir reticular
n=-1
-1
(c)
n=1
Fig. 2.23. Difractia radiathlor X pe un slr reticular. (a) - conurile coaxiale de diferite
ordine; (b) - hiperbolele echilatere obtinute prin
lntersectia conurilor cu planul n, paralel cu siru' reticular;
(c) cercurile concentrice obtinute prin
intersectia conurilor cu planul n' perpendicular pe sirul reticular.
Fiecarei valori a lui n, ii vor corespunde cate doua franje, situate

n=-1 n=O
n=-1 n=O
n=1
n=-1 n=O
n=1
Fig. 2.22. Obtlnerea maximelor de difractie de diferite ordine in

cazul incidentei normale. Sunt reprezentate maximele obtinute
prin reflexie si prin transmisie.
simetric fata de franja centrala, fiecare franja alcatuind un spectru de

difractie avand radiatiile cu lungimi de unda mai mici situate mai aproape
de franja centrala. in acest mod, sirul reticular considerat joaca rolul unui
dispozitiv dispersiv, analog unei prisme din sticla pentru radiatia
in cazul in care radiatia X utilizata nu este rnonocromatica, ci

este radiatie "alba" (nernonocrornatica sau formats din radiatii de diferite
luminoasa.
Insa
in cazul prismei, radiatiile cu lungimi de unda mai mici
202
BAZELf FIZICH SEMICONDUCTORILOR
sunt deviate mai puternic (se spune ca dispersia este anormala),
pe
cand In cazul retelei de difractie se obtine un spectru normal.

Sa considerarn

hiperbole echilatere,
a1)
iar rntersectiile cu plane normale la axa Oy sunt
cercuri concentrice.
cazul difractiei radiatiei X pe un plan reticular
format dintr-o serie de siruri reticulare (cu pararnetrul
203
paralele cu Ox,
Figurile de interferenta pentru planul reticular considerat se vor

forma
la intersectia
celor doua familii de conuri. in Fig. 2.24a se
(situate Tn planul xOy) distanta dintre ele fiind a2 (a2 este deci perioada
reprezinta doua dintre conuri (cate unul din fiecare familie) !?i punctele
retelei dupa Oy) (Fig. 2.24). $i Tn acest caz, pentru sirurile reticulare
pentru care sunt satisfacute
paralele cu Oy, se pot obtine maxime de difractie, daca este lndeplinita
(2.57).
conditia
lntersectia
(2.57)
simultan
conditiile
de difractie
(2.56) !?i
celor doua familii de conuri cu un plan paralel cu
planul xOy (deci paralel !?i cu planul reticular considerat), va reprezenta
unde f30 !?i f3 sunt unghiurile de incidenta, respectiv de difractie pentru
doua familii de hiperbole cu axe reciproc perpendiculare
sirurile reticulare situate dupa directia Oy, iar n2 este un nurnar Tntreg (n2
Punctele de intersectie a hiperbolelor respective satisfac conditiile de
= 0' 1 ' 2'
difractie !?i deci ln aceste puncte se obtin maxime de difractie.
... ) .
(Fig. 2.24b ).
Cele mentionate aici pentru sirul reticular !?i planul reticular, pot fi
generalizate
U!?Or pentru o retea tridimensionala
(spatlala). in acest caz,
directiile pentru care se obtin maxime de interferenta se determina din

urmatoarele relatii:
directia
fascicu'lului
incident
unde
a):
n1/t
a2 (cos /30 - cos /3) - n21
a3 (cosr0 -cosr) = n31
a, (cosa0 -cos
(2.58)
a3 este constanta retelei dupa directia Oz, iar n3 este un nurnar
Tntreg. Aceste conditii, numite si ecuatiile lui Laue, trebuie respectate

simultan.
Fig. 2.24. Dlfractia radiatlei X pe o retea bidimensionala.
(a) - conuri de difractie dupa axele Ox ~i Oy;
(b) - intersectia conurilor cu un plan paralel cu planul reticular
(care coincide cu planul xOy).
in acest caz se obtin trei familii de conuri dispuse Tn lungul celor

trei axe de coodonate (Ox, Oy si Oz) (Fig.2.25). Daca dorim
sa punem
Tn evidents figura de difractie pe o placa fotoqrafica plana, atunci este

Evident, !?i conditia (2.57) este satisfacuta de radiatiile difractate,
care au dlrectia generatoarelor
egale cu
lntersectia
2/3
unor familii de conuri cu deschiderile
!?i care au tnaltimlte situate dupa axa Oy. $i Tn acest caz,
acestor
conuri cu plane paralele
cu Oy reprezinta
niste
recomandabil ca ea sa fie situata normal la una din axele de coordonate

!?i atunci intersectia conurilor care au axele comune cu axa respective
(cu placa fotoqrafica)
reprezinta niste cercuri (v. Fig.2.25b). Daca, de
exemplu, placa fotoqrafica (sau, Tn general, alt dispozitiv de Tnregistrare)
204
este asezata normal la axa Oz, atunci figura de difractie va fi formats din
205
Asa Incat, In cazul In care parametrii ao, J]o, ro i A- sunt stabiliti
cele doua familii de hiperbole obtinute In cazul unui plan reticular si, In
(deci au valori constante), cele trei mariml variabile, a, J],
plus, o familie de cercuri concentrice pentru difractia pe sirurile reticulare
marlmile necunoscute din sistem), trebuie sa satisfaca un sistem de
paralele cu axa Oz. Conditlile de difractie sunt Tndeplinite de directiile
patru ecuatii, Cu alte cuvinte, pentru un unghi de incidenta dat ( a0, j30 i
care intersecteaza planul considerat (placa) intr-un punct In care se
ro
lntalnesc simultan cele trei familii de curbe (doua de hiperbole i una de

cercuri) (Fig.2.25b).
(deci
constante), pentru o radiatie X cu o lungime de unda determinata,
trebuie neaparat sa avem un maxim de difractie Intr-o directie care face

cu axele de coordonate unghiurile a, j3 i
r Acest lucru este Insa foarte
greu de realizat (un sistem de patru ecuatii cu trei necunoscute nu este
Tntotdeaunacompatibil).
Daca unul sau mai multi parametri din ecuatiile (2.58) sunt
variabili, atunci se pot obtine maxime de difractie pentru acele valori ale
x
parametrilor variabili care satisfac ecuatiile (2.58) i (2.59).

In consecinta, putem stabili de aici, principiile celor mai
importante metode care pot fi utilizate pentru studiul structurii cristaline
prin difractie de radiatii X.
a. Daca parametrul A- (lungimea de unda a radiatiilor X incidente)
-y
(a)
este variabil, adica fasciculul incident de radiatii X prezina un
(b)
Fig. 2.25. Difractia radiatiei X pe o retea tridlrnensionala. (a) - conurile de difractie: (b)
Intersectiile conurilor cu axele de coordonate (privite din directia axei Oz)
spectru continuu, atunci pentru un unghi de incidenta determinat

( ao,
/30
si t constante), va fi reflectata acea components
spectrala a radiatiei pentru care sunt satisfacute conditiile (2.58).

2.5.9.Metode de studiu a cristalelor prin difractie de radiatii X
Trebuie sa mentionarn ca lntre variabilele a, J],
Aceasta rnetoda se nurneste metoda Laue i foloseste pentru
din (2.58) (care
In fond reprezinta unghiurile pe care o dreapta care trece prin originea
lnvestiqatie radiatiile X care prezinta un spectru continuu (radiatia
x "alba").
unui sistem de axe de coordonate le face cu axele sistemului respectiv)
b. Daca unghiul de incidenta i lungimea de unda a radiatiei X
exista o relatie de interdependenta. De exemplu, pentru un sistem de
folosite sunt parametrii determinati (deci se foloseste radiatie X
coordonate rectangular, putem scrie
rnonocrornatica), atunci fie se roteste sursa de radiatii X In jurul
cos2 a + cos2 j3 + cos2 r = 1
(2.59)
unei axe de referinta pentru anumite valori ale unghiului de

incidenta, fie se mentine sursa In pozitie fixa i se roteste
cristalul pentru a se obtine anumite valori ale unghiurilor de
206
207
incidenta pentru care se forrneaza maxime de difractie. Ultima
corespunde unei familii de plane care, pentru unghiul de incidenta
varianta este mult mai avantajoasa din punct de vedere a
stabilit, selecteaza, din spectrul continuu al radiatiilor X, radiatlile cu
reallzarii practice i In acest caz metoda se numeste metoda
anumite lungimi de unda care satisfac conditia Bragg.
cristalului rotitor.
Prin metoda Laue se poate determina orientarea planelor

cristaline i simetria celulei elementare [61, 97, 147, 148], intrucat figura
a - Metoda Laue
de difractie obtinuta pastreaza simetria retelei cristaline. Daca, de
Este folosita pentru studiul monocristalelor cu radiatii X care au
exemplu, figura de difractie prezina o axa de simetrie de ordinul 6,
spectru continuu (radiatie alba sau policromatica), Sunt mai multe
reteaua este hexaqonala, In cazul In care exista o axa de simetrie de
variante ale metodei, insa principiul metodei este acelasi,
ordinul 4, reteaua este tetraqonala, iar daca pe langa aceasta axa de
Un monocristal de dimensiuni mici (cativa milimetri) este fixat pe
ordinul 4 mai poseda i o axa de ordinul 3, reteaua are simetrie cubica.
un suport (de obicei pe platforma unui goniometru) care permite sa-I

orientam sub diferite unghiuri fata de fasciculul incident (Fig.2.26).
a' - Metoda celor patru cercuri (rotatii)
Monocristalul va difracta radiatiile X care, pentru unghiul de incidenta

considerat, au o lungime de unda care satisface conditia Bragg (2.43).
tub de
radiatiii X
In altele o rnetoda diferita (independents) [48, 61, 148].

Dispozitivul experimental folosit este tot un tip de goniometru
monocristal
---.g..--------
-s-
goniometru
fante
colimatoare
in multe carti aceasta se considera o variana a metodei Laue, iar
(sistem giroscopic) care permite rotirea cristalului (cu unghiurile

<p3)
(fh
<p2,
In jurul a trei axe de rotatle necoplanare (Fig.2.27) i rotirea
lndependenta a detectorului de radiatie X pentru a putea scana unghiul

de difractle 2B. Analiza figurii de difractie In acest caz permite sa se
determine i indicii Miller pentru planele pe care are loc difractia.
film fotografic
Fig. 2.26. Aranjamentul experimental folosit pentru

metoda Laue de studiu a structurii cristaline
b - Metoda cristalului rotitor

in aceasta rnetoda se foloseste radiatia X monocrornatica i un
Radiatiile difractate pot fi lnregistrate de un film fotografic sub
esantion sub forrna de monocristal. Unghiul de incidenta poate fi variat
forma plana (se poate utiliza Inca un film pentru lnregistrarea radiatiilor
prin rotirea (modificarea orientaril) cristalului In raport cu fasciculul
reflectate [61, 97]).
incident. in acest scop, cristalul se fixeaza pe un suport, care se gasete
Figura de difractie (laueqrarna) se prezinta sub forma unor pete

(puncte) situate pe niste elipse cu axa mare cornuna. Fiecare pata
208
Metoda cristalului
monocristal
209

rotitor permite determinarea
elementelor
de
simetrie a monocristalului studiat, parametrii celulei elementare s.a. [48].

raza difractata
c - Metoda de difractie pe pu/beri (metoda pulberilor)

Aceste metode sunt utilizate pe scara larqa, lntrucat majoritatea
esantioanelor analizate au o structure policristalma (strat subtire, pulberi
de cristalite fine etc.).
~tajie28
Sa explicam principiul acestei metode. Considerarn ca difractia

are lac pe planele cu indici Miller (hkl) a unui cristal care forrneaza un
unghi de incidenta
Fig. 2.27. Prezentarea schematics a difractometrului cu patru cercuri
in
interiorul
unei
camere
de
difractie
cilindrice
(Fig.2.28),
e cu
fasciculul de radiatie X rnonocrornatica.
pentru unghiul respectiv, conditia Bragg (2.43) este lndeplinlta,

rotirea
OB a radiatiei difractate
face un unghi 2() cu fasciculul
Daca
directia
incident. Se
pe directia fasciculului
obtine pe o pelicula fotoqrafica, pe care se studiaza difractia, o pata (un
pe un film fixat
pe
punct). in cazul in care se roteste continuu planul de reflexie in jurul
rotatie numai
fasciculului incident ( B ramanand constant) raza difractata va forma un
pentru anumite valori ale unghiului de incidents este satifacuta relatia
con (cu un unghi de deschidere 4B) (Fig. 2.29a) a carul intersectie cu
Bragg (2.43), figura de difractle va fi formats din pete dispuse pe niste
pelicula
efectuandu-se
incident.
suprafata
in jurul unei axe perpendiculare
Radiatiile
difractate
interioara
sunt inregistrate
a peretilor cilindrului.
Intrucat, prin
fotoqrafica
reprezinta
arce
de
cerc
(Fig.
2.29b
cercuri. Pentru o rotatie completa a cristalului se formeaza patru pete de

difractie [48, 61, 97].
monocristal
radiatil X
incidente
radiatii X
transmise
film fotografic
(a)
(b)
Fig. 2.29. Principiul metodei pulberilor
in cazul unei pulberi policristaline,

Fig. 2.28. Metoda cristalului rotitor pentru studiul monocristalelor
prin difractie de radiati' X.
cristalitelor,
conditia
var exista
Bragg
(adica
intoteauna
relatia
datorita orientaril haotice a
plane reticulare
despre
care
care indeplinesc
vorbeam
mai
sus
"se
).
210
211
realizeaza de la sine"). De exemplu, daca analizarn 1 mm3 de pulbare
forrna rnasiva (suprafata de analiza fiind plana), Sursa de radiatii este
policristalina
fixa iar esantionul si detectorul se rotesc cu unghiurile B i respectiv 2B.
forrnata
din cristalite
cu dimensiuni
aceasta pulbere va contine aproximativ

structura
cristalina
medii de 10 m,
106 cristalite, care au aceeai
dar care sunt orientate
Aceste
dispozitive
se
numesc
difractometre
(Fig.2.30).
Semnalul
diferit fata de fasciculul
lnregistrat de detector este lnregistrat sub forma de maxime (peak-uri)
incident. Tntre aceste cristalite se va qasi, fara Indolala, un mare numar
de difractie lnguste situate la anumite valori ale unghiului 2B i poarta
de cristalite cu planele (hkl) care fac un unghi B cu fasciculul incident si
numele de difractograme (Fig. 2.31 ).
care satisfac conditia Bragg i care vor da o raoiatle difractata,

urmare, fenomenul
este asernanator
Prin
cu eel de rotire a planului
~---
de
reflexie In jurul fasciculului incident.
--
Tub de
Metoda descrisa de studiu a structurii cristaline poarta denumirea
\
\
\
\
de metoda Debye-Scherrer.
In
\
\
forrna
de
pulbere are de obicei forma unui cilindru cu diametrul de aproximativ
dispozitivele
experimentale
utilizate,
proba sub
/\
deplasarea
goniometrului
mm (pulberea fie se introduce lntr-un tub cu diametrul foarte mic i cu

pereti foarte subtiri, fie este depusa
esantionul
de studiat
uniform pe un suport cilindric
filiform) i se aseaza In centrul casetei cilindrice, pe peretele interior al

careia este fixat filmul pe care se Inreqistreaza
lntersectia
conurilor cu pelicula fotoqrafica
Fig. 2.30. Schema unui difractometru [148].
maximele de difractie.
forrneaza liniile de difractie
Difractometrele
moderne
asiqura controlul
experimentelor
din a carer pozitie se determina unghiurile de difractie, Pe film se obtin
interpretarea
atat radiatiile difractate "inainte'', cat i cele difractate "inapoi".
crestere accentuata a preciziei echipamentelor respective.
Metoda Debye-Scherrer
permite determinarea simetriei structurii
cristaline (tipul celulei elementare,
parametrii celulei elementare,
fazele
cristaline, defectele structurale .a ..
rezultatelor cu ajutorul calculatoarelor,
fapt ce determina o
Pentru un nurnar foarte mare de substante (elemente, cornpusi,

fazele diferite ale unor substante etc.) cu diferite structuri cristaline se
cunosc unghiurile pentru care se obtin maximele de difractie pe diferite
plane reticulare pentru diferite radiatii X monocromatice
c' - Metoda difractometrului

Scherrer,
care,
detectoare
locul
de radiatii
semiconductori
eantioanele
In
s.a.),
este In fond o varianta a metodei Debye

lnreqistrarii
X (contori
radiatia
fotografice,
Geiger-Muller,
folosita
este
foloseste
diferite
cu scintilatii,
monocrornatica,
folosite. Astfel,
prin compararea figurii de difractie obtinuta In urma studiului unui anumit

esantion
cu fiele ASTM
1),
se poate identifica
tipul de structure
cu
iar
folosite sunt fie sub forma de pulbere compacts fie sub
1
in fisele ASTM (American Standard for Testing Materials) sunt catalogate fazele cristaline
cunoscute pana in prezent. 0 anumita fi~a cuprinde, in afara de datele cristalografice despre o
anumita faza cristalina ~i informatii referitoare la conditiile experimentale in care a fost trasata
difractograma
respectiva.
212
cristatina.
213
unei probabilitati nenule de a gasi particula de cealalta parte a barierei in
Studiile intreprinse cu difractometrele moderne permit obtinerea
cazul in care larqimea barierei este de acelasi ordin de rnarirne cu
unor inforrnatii referitoare la: tipul de structura cristalina, analiza
lungimea de unda asociata particulei respective.
calitativa si cantitativa a fazelor, prezenta unor texturi cristalografice,
Primul care a sugerat posibilitatea tunelarii electronilor din
studiul unor tensiuni interne etc.
groapa de potential coulumbian a unui atom izolat, a fost Oppenheimer

(1928)1) care a aratat ca intr-un camp electric intens, peretii gropii de
potential atomic se distorsioneaza (se micsoreaza ~i se inqusteaza)
lncat electronul poate tunela prin bariera astfel deformata (Fig. 2. 32).
cu
Q)
Efectul tunel a fost folosit pentru prima data in 1928, de catre
u;
Fowler ~i Nordheim pentru explicarea emisiei electronilor din metale (la
Q)
rece) in campuri electrice intense, ~i de catre Frenkel, in 1930, pentru a

explica faptul ca rezistenta de contact dintre doua metale nu depinde de
ternperatura.
28
Fig. 2.31. Exemplu de difractoqrarna pentru un material cristalin
Echipamentele permit efectuarea de rnasuratori la temperaturi

joase sau la temperaturi inalte sau se poate studia difractia la unghiuri
nivel
enerqetic
mici pe esantioane sub forrna de straturi subtiri, tablete (obtinute prin

presarea pulberilor cristaline) etc.
(a)
(b)
Fig. 2. 20. Forma gropii de potential din atom ~i a probabilitatii

pentru un atom aflat tntr-un camp electric nul (a)
~i tntr-un camp electric intens (b ).
2. 6. Microscopia cu efect tune/

2.6.1. Efectul tune/
Acest fenomen sta la baza explicarii functionarii microscopului cu
Dupa cum se stie, efectul tunel consta in "trecerea" unei particule

printr-o bariera de energie potentiala avand o lnaltime mai mare decat
energia
particulei.
Spre
deosebire
de
mecanica
clasica,
efect tunel.
in
unde
traversarea unei bariere de potential se poate face doar prin escaladare,
corpurile
solide fenomenul
de tunelare are
caracter
unidimensional. Pentru electroni care au energii mai mici decat inaltimea
in mecanica cuantica, natura ondulatorie a particulelor duce la aparitia

1
J.R. Oppenheimer, Phys. Rev., 31 (1928) 66.
214
barierei se definete, In mecanica cuantica, coeficientul de transmisie
215
rezolvarea ecuatiilor lui Schrodinger In regim stat'onar.
(sau probabi/itate de tune/are) ca fiind raportul dintre densitatea fluxului
Rata de transfer a unui electron de la un electrod la altul este
de probabilitate din unda transrnisa si densitatea fluxului de probabilitate
calculate folosind teoria perturbatiilor dependents
din cea incidenta sau dintre curentul transmis ( curentul de tunelare) :;;i
Bardeen gasete amplitudinea
eel incident.
elementul matricii de tunelare Msr prin suprapunerea functiilor de unda
deosebita importanta pentru procesele de tunelare pentru diverse forme
ale celor doua subsisteme, pe o suprafata oarecare (un plan situat lntre
ale barierei de potential [226].
cei doi electrozi (de exemplu pentru
Calculul
Microscopul
densitatii
de curent
de tunelare
cu efect tunel constituie
prezinta
un mijloc deosebit
de
care se deplaseaza
la o distanta foarte mica (de ordinul
angstromilor)
de suprafata probei, electronii putand tunela spatiul liber
= z0 (v.
f [ 's--8-'r--
Msr =- Ii
este un varf metalic ( confectionat de requla
din wolfram)
electronic, sau, altfel spus,
Fig. 2. 33))) sub forma
[226]
important In studiul suprafetelor solide. Dupa cum se va vedea, partea

principala a microscopului
transferului
de timp. Ca rezultat,
2m
Z=Zo
&
8'S
&
dS
(2.60)
unde Ts i "'Pr sunt functiile de unda ale celor doi electrozi (suprafata
probei i varful metalic).
dintre suprafata
:;;i varf, Acest proces este In fond o tunelare intr-o
structura de tipul metal - izolator - metal sau o tunelare tntre suprafetele
(a)
s
a doi electrozi metalici situati la o distanta foarte mica.
Pentru deducerea expresiei curentului de tunelare vom urrnari un

rationarnent pro pus de Bardeen ( 1961) care ia In considerare tranzitiile
lntre doua stari electronice
apartinand
calcul
perturbatiilor
se foloseste
teoria
la doi electrozi.
In aproxirnatia
Pentru acest
de ordin
dependenta de timp.
0 diaqrarna schernatica
pentru formalismul
folosit de Bardeen
este data In Fig. 2. 33 [60, 226]. Astfel In locul rezolvarf
ecuatiei lui
Schrodinger pentru sistemul cuplat (Fig. 2.21 a), Bardeen porneste de la
Fig. 2.33. Reprezentarea schematics a formalismului electrozilor independenti [60].

Functia de unda a celor doi electrozi cuplati (notati cu S si T) (a) se obtine prin
suprapunerea functiilor de unda a electrozilor separaf (b) ~i (c).
cele doua subsisteme separate (Fig. 2.21 (b) :;;i (c)) calculand curentul
de tunelare
prin suprapunerea
functiilor
de unda
a subsistemelor
Probabilitatea de tranzitie este data, cum am mai spus, de regula

de aur a lui Fermi, adica: probabilitatea
w ca un electron In starea Ts
independente folosind regula de aur din mecanica cu anti ca ( enuntata de

Fermi)
(v. 2.61 ). Din acest
motiv, formalismul
este cunoscut
sub
denumirea de aproximafia electrozilor independenfi.

Startle electronice
a subsistemelor
separate sunt obtinute prin
avand o energie
E\f'T
E\f's
sa treaca (tuneleze) In starea "'Pr avand energia
este data de [60, 226, 233]
216
Pe langa acestea,
(2.61)
Bardeen
a presupus
217
ca in intervalul
de
energie de interes, elementul matricii de tunelare, Msr, este aproximativ

Functia c5 care da densitatea de stari, este astfel aleasa incat
constant, curentul de tunelare depinzand in principal de densitatile de
doar starile cu aceeasi energie in ambii electrozi sa contribuie apreciabil

la procesul de tunelare.
start din cei doi electrozi, adica
Cu alte cuvinte, este vorba de conservarea
eV
I~
energiei sau, altfel spus, de tunelari "orizontale".
Sa particularizarn
startle. Adica, pentru o diferenta de potential, V, intre cei doi electrozi,
I=
lucrul
J [t(EF
-eV +&)-t(EF
+c)]x
= ---1+ e
1
E-EF
mecanic
densitatea
de extractie
de
barierei iar
kT
din (2.62) iau in considerare
se poate face doar de pe stari energetice
electronilor
care tuneleaza
ocupate
de la dreapta
tunel:
una datorata
la stanqa
e-2Kos
ale curentului disparand. in acest caz, curentul de
f Ps(EF-eV+c)PT(EF
1)
(2.65)
s este latimea
n2
j =
(2.67)
in care
C:V 1'2 exp(-C2s1'2) '
c 1 = 4 ' 74 Av-1A-1ev-112
Principala
concluzie
c::i
'S'
care
c2 =
1 ' 025
rezulta
A-1ev-112
din
(4.61)
.
relatia
(2.68)
este
tiescresteree exponenfia/a a curentului odata cu cresteree distentei

dintre cei doi electrozi.
+c)/MsT/2dc
(2.66)
iar (2.65) devine
eV
forma
sl una
tunelare are expresia
sub
conditi.
inlocuind constantele in expresia de mai sus, gasim
pe stari
distributie Fermi-Dirac devin de tip treapta, una dintre cele doua
V Ka
4nn
ca tunelarea
in cazul particular al temperaturilor joase (eV <<kT), functiile de
l=_!!_e
J = 3e2
Ka [A-1] = 0,50125([ev])112
ale curentului
scrie
fiind
Ka este o constants de atenuare pana la nivelul Fermi a
datorata electronilor care traverseaza bariera in sens invers;
componente
putea
aceste
K = (2m, J112
energetice libere;
componente
va
in
aplicata celor doi electrozi,
Trebuiesc facute cateva observatli cu privire la relatia (2.62):
doua
se
barierei).
<< EF,
functiei de unda in bariera, data de
i Pr(E) sunt densitatile de stari din cei doi electrozi.
Exista
(Inaltirnea
curent
in care V este tensiunea
este functia de distributie Fermi-Dirac, iar Ps(E)
Functiile Fermi-Dirac
i eV
ca
(2.62)
-00
in care f (E)
mai departe acest rezultat presupunand
tensiunea de polarizare este mica, adica eV <<
curentul de tunelare total este [60, 233]:

+oo
(2.64)
Curentul de tunelare poate fi evaluat prin integrarea pentru toate
J Ps ( EF - e V + E) PT ( EF + E) d E
(2.63)
1
J.G. Simons, J. Appl. Phys., 34(1963) 1793; 35(1964 2655.
218
De exemplu, pentru o inaltirne a barierei de 5 eV, o crestere a

distantei cu 1 A, duce la o scadere a curentului de 10 ori!
tensiunii aplicate).
In
219
acest fel, curentul tune! variaza (exponential
conform cu (2.68)) cu distanta varf - proba fiind in final tocmai semnalul

folosit pentru generarea imaginii tridimensionale a suprafefei.
2.6.2. Microscopul cu efect tune/
Exista doua moduri de functionare pentru baleierea (scanarea)
Pornind de la cele prezentate, a aparut idea construirii unui

microscop cu efect tune/. Acesta a fost inventat in 1981 de catre Gerd
unei probe: modul de inaltirne constants (IC) i modul de current

constant (CC).
Binning si Heinrich Rohrer. Microscopul cu efect tune! cu baleiaj (STM -
In
modul de lnaltime constanta, varful este deplasat intr-un plan
Scanning Tunneling Microscope) a fost primul instrument capabil sa
paralel cu suprafata probei (Fig. 2.35). Curentul tune! depinde de
genereze imagini tridimensionale la o rezolutie de nivel atomic.
topografia i de proprfetatile electronice superficiale ale probei.
Schema de principiu a unui microscop cu efect tunel este data in Fig.

2.34.
traseul varrulul
Fig. 2.35. Reprezentarea

dispozitiv de
masura a
curentului tunel
sistem de generare
a imaginii
tridimensionale
sistem de control al
deplasarilor varfului
~i probei
In
schernatica a functionarii in modul de inal1ime constanta.
modul de curent constant, microscopul foloseste o bucla de
reactie (feedback) pentru a rnentine constant curentul prin ajustarea

distantei dintre varf si proba in fiecare punct (Fig. 2.36).
~
~
vizuallzarea irnaqinii
tridimensionale a suprafetel
Fig. 2.34. Schema de principiu a unui microscop cu efect tune!
Evident imaginile generate in cele doua moduri de functionare

vor fi identice. Dar fiecare dintre aceste moduri prezinta anumite
avantaje ~i dezavantaje. Astfel, modul de lnaltime constants este mai
Microscopul tunel cu baleiaj foloseste un varf foarte ascutit ("tip"
rapid deoarece nu mai este necesara reactia de ajustare a Inaltirnii.
In
in limba enqleza) confectionat dintr-un material conductor. Tntre acesta
schimb, acest mod poate fi folosit numai pentru suprafete putin rugoase,
si proba de studiat se aplica tensiunea de polarizare. Cand varfu' este
fara asperitati. Pe de alta parte, modul de curent constant poate
adus la cca. 10 A de proba, electronii din proba incep sa tuneleze
"rnasura" suprafete mai neregulate cu mai mare precizie dar necesita un
intervalul de la proba la varf (sau invers, in functie de polaritatea
timp
mai
lung.
220
221
poate fi un avantaj. Celelalte tehnici ~i metode utilizate pentru obtinerea

de lnforrnatii despre proprietatue electronice ale suprafetei detecteaza
doar o valoare medie a acestor proprietati corespunzator unei zone mult
varr
mai intinse (de la cativa m2 la cativa rnrrr) ~i nu la o rezolutie la nivel
traseul vartulul
atomic ca in cazul microscopului tunel.
2.7. Microscopia de forta atomica

Fig. 2.36. Reprezentarea schernatica a functionarf In modul de curent constant.
Microscopul cu forta atomics (AFM - Atomic Force Microscope)

Trebuiesc facute unele observatii cu privire la microscopul cu
este o varianta a microscopului cu efect tunel. Microscopul cu forta
efect tuneI. f n prima aproxirnatie, "imaginea" curentului tuneI corespunde
atomica beleiaza (scaneaza) suprafata probei cu un varf ascutit de
cu topografia suprafetei probei. Mai precis insa,
curentul tunel
cativa m lungime si cu mai putin de 100 A in diametru. Varful este
corespunde densitati: de stari electronice de la suprafata probei. Astfel,
plasat la extremitatea libera a unui suport (cantilever - qrinda, consola in
microscopul cu efect tunel sesizeaza de fapt numarul de stari ocupate
limba enqleza) a carui lungime este de 100 - 200 m. Fortele care apar
sau libere din vecinatatea suprafetei Fermi, dintr-un interval determinat
intre varf ~i proba determina indoirea si/sau torsionarea suportului
de tensiunea de polarizare (v. (2.64)). Cu alte cuvinte, microscopul
(cantileveru-lui). Un detector specializat mascara deflexia (indoire si/sau
masoara supreiete de probabi/itate de tune/are Constanta.
torsiune) cantilever-ului in timp ce varful baleiaza suprafata probei.
Avand in vedere cele de mai sus, pot apare doua puncte de

vedere: unul pesimist conform caruia sensibilitatea microscopului cu
efect tunel la structura electronica a suprafetei poate cauza "probleme"
daca suntem interesati de fapt de topografia suprafetei. De exemplu,
daca o zona a probei este oxidata, curentul tunel va descreste puternic
cand varful ajunge in respectiva zona. In modul de functionare in curent
Odata rnasurate aceste deflexii, cu ajutorul unui calculator se poate

genera imaginea tridirnensionala a suprafetei probei.
Spre deosebire de microscopul cu efect tunel, microscopul cu
forta atomica se poate folosi ~i pentru studiul suprafetelor izolatorilor.
Principalele forte care deterrnina deflexia cantileverului sunt
fortele interatomice, respectiv fortele van der Waals.
constant, bucla de reactie va obliga varful sa se apropie de suprafata
Descrierea detauata a acestui tip de forte va fi facuta in 3.4.
probei pentru a rnentine curentul constant. Aceasta este de fapt
Aici doar vom rnentiona ca in functie de distanta dintre varf si suprafata
echivalent cu existenta unei false "gropi" pe suprafata probei.
probei, se deosebesc doua regimuri (moduri) de lucru pentru
Celalalt punct de vedere, eel optimist, apreciaza sensibilitatea
microscopul cu forta atornica: modul contact cand varful este rnentinut
mare a microscopului cu efect tunel la structura electronica a probei care
la o distanta de cativa A de suprafata probei, iar fortele de interactlurie
222
223
dintre acestea sunt de natura repulsiva (Fig. 2.37) i modul (regimul)
apropierea varfului de suprafata probei, cantileverul se va lndoi datorita
non-contact cand varful se afla la distante de ordinul zecilor sau sutelor
imposibilitatii apropierii atomilor varfului de cei ai probei. Chiar daca
de A de suprafata, fortele de interactiune fiind de tip atractiv (Fig. 2.37).
incercam sa folosim un cantilever cu o constants de elasticitate mai

mare, este putin probabil ca varful sa se apropie mai mult de proba, f n
lac de aceasta are lac mai deqraba o deformare a suprafetei probei.

Regim contact
intermitent
repulsie
Practic, este posibila smulgerea de atomi din proba i deplasarea

acestora pe suprafata acesteia In pozitii dorite (tehnica se numeste
nanolitografie).
f n afara
fortelor repulsive van der Waals, mai exista alte doua
tipuri de forte care sunt prezente In cazul operarf In modul contact:

forta capilara exercitata de stratul subtire de apa prezent la
regim non-contact
atractie
suprafata probei In mediul lnconjurator, Acest tip de
forta apare
cane moleculele de apa se qrupeaza In jurul varfului apllcand o

puternica forta atractiva (~ 1
Fig. 2. 37. Dependents fortelor de lnteractiune (F) de distanta dintre varf ~i proba (R).
Sunt figurate cele doua regimuri de lucru.
o-8
N) asupra acestuia, rnentinandu-l
astfel In "contact" cu proba. Evident, rnarimea acestei forte

capilare depinde de distanta dintre varf si suprafata probei.
Varn explica mai arnanuntit aceste doua regimuri de functionare.
Forts exercitata de cantilever-ul lnsui care este asimilata unei

forte de natura elastics. Manrnea i sensul acestei forte (atractiva
a - Madu/ contact
sau repulsive) depinde de Indoirea cantilever-ului si de constanta
f n modul contact (mod repulsiv), varful face un "contact fizic" UOr cu
sa elastlca.
suprafata probei. Constanta elastica a cantilever-ului trebuie sa fie mai
Spre deosebire de fortele
mica decat constanta elastica efectiva corespunzatoare Ieqaturilor

interatomice din proba. Pe rnasura ce varful trece peste suprafata
probei, fortele interatomice "obliqa" cantileverul sa se Indoaie pentru a
constante (presupunand pelicula de apa ornoqena), forta elastica a

cantilever-ului este variabila,
f n cazul regimului (modului) contact,
se adapta la rnodificarile din relieful suprafetei,
f n zona corespunzatoare modului contact, panta curbei F
capilare (de adeziune), care sunt
= f(r)
totala exercitata
asupra probei, variaza de la 1 o-8 N pana la valori uzuale In practica de

10-5 N. Aceasta forta este compensata de fortele de respingere
este foarte abrupta (v. Fig. 2.37). Ca urmare, fortele van der Waals
10-7
cornpenseaza orice alta forta care ar determina apropierea atomilor. f n
van der Waals.
cazul concret al microscopului cu forta atornica, aceasta Insearnna ca, la
forta
224
b - Madu/ non-contact
In
225
constanta elastica variaza cu gradientul fortei "sirntite" de
acest regim de lucru se foloseste tehnica cantilever-ului
cantilever;
vibrant. Acesta, aflat in rniscare de vibratie, este adus la o distanta de
gradientul fortei (care este de fapt derivata functiei F
sute de angstromi de suprafata probei. Tn Fig. 2.37 acest regim este
modifies cu distanta dintre varf si suprafata probei (v. Fig. 2.37)).
marcat in zona corespunzatoare fortelor de atractie.
Astfel, se poate pune in leqatura distanta varf - proba cu
Regimul non-contact este de dorit deoarece permite evidentierea
f(R) se
rnodificarile in frecventa
de rezonanta
a cantilever-ului.
'
'
topografiei suprafetei probei fara un contact direct cu aceasta. Forta

totala exerclteta de varf pe suprafata probei este cu mult mai mica
Modul de lucru non-contact prezinta cateva avntaje si anume: In
(~ 10-12 N) decaf in modul contact. Valoarea mica a acestei forte
modul non-contact, nu apare degradarea varfului ca in cazul regimului
prezinta un avantaj in cazul studierii probelor moi sau cu o mare
contact; regimul non-contact este preferat in cazul investiqarii probelor
elasticitate. Mai mult, datorita distantei mari dintre varf i proba este
moi (putin dure).
lmpiedicata contaminarea suprafetei acesteia din urma.

Pe de alta parte, datorita valorii mici a fortei de interactiune,
rnasurarea acesteia devine dificila.
In
In
cazul unor probe dure, cele doua regimuri de lucru dau
rezultate identice. Oricum, daca un strat subtire de apa (condensate pe
plus, rigiditatea relativ mare a
suprafata probei din mediul inconjurator) se afla pe suprafata unei probe
cantilever-ului contribuie si ea la intensitatea mica a semnalului ce
rigide, imaginea poate sa apara diferit in cele doua cazuri: in cazul
trebuie detectat.
regimului non-contact varful va produce sl imaginea suprafetei stratului
Din acest motiv, in practica se folosesc o serie de scheme de

detectie in curent alternativ. Astefel, sistemul de control al cantilever-ului
de lichid (Fig.2. 38a), pe cand, in modul contact varful va penetra stratul

de lichid pentu a atinge suprafata probei (Fig.2. 38b).
ii aduce pe acesta in vibratie la o frecventa apropiata de frecventa de
Trebuie sa mai rnentionarn ca in cazul unor suprafete foarte
rezonanta (de obicei intre 100 i 400 kHz) i cu o amplitudine de cativa
elastice, care ar putea fi distruse de trecerea varfului peste ele, se poate
zeci de angstromi. Ulterior sunt detectate schirnbarile frecventei de
folosi un regim de lucru intermediar intre cele doua prezentate numit cu
rezonanta (sau a amplitudinii) care au loc In timpul scanarii suprafetei
contact intermitent. Acesta este asemanator cu modul non-contact cu
probei. Sensibilitatea acestui procedeu duce la rezolutif verticale sub 1A
diferenta ca varfu' aflat in rnlscare de vibratie este adus mai aproape de
ca i in cazul regimului contact.
suprafata, lncat la capatul inferior al cursei acesta atinge suprafata
Dependenta frecventei de rezonanta de topografia suprafetel

poate fi explicata in felul urmator:
frecventa de rezonanta a cantilever-ului este proportionala cu
puterea % a constantei sale elastice;
probei. Acest mod (regim) de lucru se nurneste mod pipalre (tapping

mode in limba enqleza) si este de asemenea figurat in Fig. 2.37.
Avantajul acestui mod este ca elirnina fortele laterale (de frecare)
dintre varf i suprafata probei, ellrnlnand in acest fel si unele
dezavantaje
ale
modurilor
contact
sau
non-contact.
226
227
non-contact
(a)
proba
Fig. 2.39. Detectarea rniscarilor verticale ale cantilever-ului
folosind un fotodetector sensibil la pozitia razei laser
pe suprafata sa (PSPD).
contact
*
(b)
Dupa descoperirea microscopului cu efect tunel, pe lanqa

microscopia de forta atomlca, au mai fast dezvoltate i alte tehnici
inrudite de studiu a proprietatilor
suprafetelor. Noi doar vom rnentiona
unele dintre acestea, prezentarea lor in arnanunt

Fig. 2.38. Evidentierea imaginii obtinute a unei suprafete
pe care se gase~te o picatura de apa
in modul de lucru non-contact (a) ~i contact (b).
f n final, trebuie sa mai mentionam ca pentru detectarea

rnodificarilor de pozitie ale cantilever-uiui se folosesc in practica curenta
tehnici de fotodetectie (Fig. 2.39). Astfel, o raza laser este reflectata de o
oqlinda plasata pe spatele cantilever-ului ajunqand apoi la un
fotodetector sensibil la pozitia fasciculului (PSPD - Position Sensitive
Photo-Detector). Acestea pot detecta deplasari ale fasciculului de pana
nefacand obiectul
cursului de fata:
Microscopia de forta rnaqnetica (MFM -
Magnetic Force
Microscopy);
Microscopia de forta rnooulatlonala (FMM - Force Modulation
Microscopy);
Microscopia cu detectie de faza (PDM -
Phase Detection
Microscopy);
Microscopia de forta electrostatica (EFM - Electrostatic Force
la 10 A. Datorita raportului mare intre drumul razei laser de la cantilever
Microscopy);
la detector, are lac o "amplificare" rnecanica. Ca urmare, sistemul poate
Microscopia capacitiva cu baleiaj (SCM - Scnning Capacitance
detecta deplasari verticale mai mici de 1 A, avand deci rezolutii de nivel
Microscopy);
atomic.
Microscopia termala cu baleiaj (SThM - Scanning Thermal

Microscopy);
228
Micro analiza termica (ThM - Micro-Thermal Analysis);

Nanolitografia s.a.
CAPITOLUL III
LEGATURA CRISTAL/NA
3.1. Fortele de legatura dintre atomi (ioni)
Proprietatea atomilor (ionilor) de a putea forma, in conditii
determinate, molecule sau cristale stabile este o dovada mcontestabila a
faptului ca intre acestia se exercita atat forte de etreciie, cat si forte de
respingere (repulsie).
Stabilitatea corpurilor este realizata numai in
cazul in care intre atomii care se qasesc la distante mari actioneaza

preponderent forte de atractie, iar in cazul in care acestia se gasesc la
distante foarte mici (mai mici decat aproximativ 1 o-B cm) trebuie sa
predomine fortele de respingere. Evident, daca intre atomii aflati la
distante mari unul de celalalt ar actiona forte de respingere, atunci atomii
respectivi s-ar ,,impra~tia" (dispersa) in spatiu, iar in cazul in care la
distante mici intre atomi ar predomina fortele de atractie, atomii s-ar
,,ingramadi"lntr-un singur punct.
In general, este mai comod sa studiem mteractiunea dintre atomi
luand in considerare nu fortele de interactiune, ci energia potenfia/a de
interectiune dintre atomi,
U(R). Aceasta energie potentiala o vom
considera ca depinzand numai de distanta R dintre nucleele atomilor.
In
Fig.3.1, prin curbele 1
sl 2, s-au reprezentat energiile
potentials de interactiune dintre doi atomi, unul considerat fix, situat in
Capitolul III - Legatura cristalina
230
originea O a axelor de coordonate,
deplasa in lungul axei R. Energia potentrala

valorile
ei fiind determinate
in
i un alt atom A care se poate
cu precizia
este o manrne relative,
unui termen
constant,
ales
Forta de interactiune dintre atomii care se qasesc la distanta R
unde
R =QA
potentials i deci corespunde

(indiferent
de distanta
reprezinta
partea
cazului in care cei doi atomi se resping
dintre acestia), iar curba 2 reprezinta
'
au
dU
dR
=----=- =--aR
(3.2)
unde
A in raport cu originea
Fa
este forta de atractie,
Fr - forta
de respingere, iar
FR
este forta
rezultanta de interactlune dintre atomi.

Exista o anurnita distanta Ro intre atomii care formeaza cristalul
pentru care energia potentiala are un minim, distanta care se deterrnina
'
in cazul in care d U > 0, forta

dR
'
are sens contrar cu
R ( F este
cu R) si In acest caz predominii atractla. Dacii :~
< 0,
....
R ( F este
partea
'
(3.1)
este vectorul de pozitie al atomului
are acelasi sens cu
a energiei
Conditia de echilibru dintre forte este
sistemului , iar R este un verser in directi, a axei OR.
antiparalelii
repulsiva
rezuitanta 3 are o forma mai cornplexa.
se poate scrie sub forma
Fig. 3.1, curba
atractiva a energiei potentiale si corespunde atractiei dintre atomi. Curba
conventional. in general, se considera ca pentru R--+ co, U--+ 0.
F =-gradU(R)
231
'
din conditia
auJ
( 8R
=O
R=Ro
(3.3)
.
Relatia (3.3) permite definirea distanfeide echilibru

, R0, dintre
paralel cu R) sl prin urmare predornina

atomi.
respingerea.
Echilibrul este stabil daca in punctul Ro energia potentials este

minima, adica trebuie sa avem
a uJ > 0
( 8R2
R=Ro
(3.4)
Evident, cane atomii se gasesc la distanta
R > R0 intre ei se
exercita forte de atractie iar cand aceasta distanta este
R < R0 , atomii
se resping.
Pentru abateri mici a atomului A fata de pozitia de echilibru,
putem dezvolta in serie Taylor functia U(R), i obtinern
Fig. 3.1. Oependenta de distanta a energiei potentiale rep~lsiva (c~rba 1).
atractiva (curba 2) i a celei totale (rezultante) (curba 3) dintre doi atomi
232
U(R)=U(R0)+
( dU)
-
(R-R0)+-
dR R=R0
-33
3. dR
(R-Ro) 3
(R-R0) 2
2! dR
1 (d UJ
+--,
1 (d-UJ
R-R
- 0
233
dU
1
F=--=-f3x+rx
dx
+
. (3.5)
(3.11)
Se poate observa ca, in prirna aproxirnatie, forta de interactiune

poate fi conslderata ca fiind elastica (aproximatia
F = -f3x se numeste
R=Ro
cvasielestica),
Intrucat in punctul Ro curba U(R) are un minim (derivata a doua a lui U

este diferita de zero ~i pozitiva), putem scrie
8
(
2~J
8R
evidenta
(3.6)
/3 > 0
R=Ro
R din apropierea punctului
R = R0 , dupa cum rezulta din Fig. 3.1, fortele de respingere dintre atomi
!iU
cresc mai repede decat scad fortele de atractie ~i deci < 0. Vom
!iR
33
faptul ca in cazul in care dependenta
energiei
potentiale
de
interactiune in functie de distanta dintre atomi este de forma curbei 3
efectueaza
oscilatii in jurul pozitiei lor de echilibru. Din acest motiv,
forma alqebrica concreta a dependentei de distanta a energiei potentiale

de interactiune, U
U(R), prezinta o irnportanta deosebita in explicarea
diferitelor tipuri de interactiuni.

in consecinta,
~J
8R
concluzie este foarte irnportanta, deoarece scoate in
(Fig. 3.1 ), atunci se poate considera ca, in prima aproxirnatie, atomii
Pe de alta parte, pentru valori ale lui
nota
Aceasta
pentru ca un agregat de atomi sau ioni sa poata
forma molecule stabile sau cristale este necesar ca interactiunea dintre

= -2r <
o .
(3.7)
acestia sa poata fi descrisa de o curba de forma curbei 3 din Fig. 3.1.
R=Ro
Acest tip de lnteractiune poate fi descris scriind energia potentiala totala

Pentru distanta de echilibru putem scrie
sub forma
(3.8)
U(R0)=-U0
(3.12)
si, daca introducem notatia
(3.9)
R-R0 =X
unde parametrii A, B,
m si n reprezmta rnarirni pozitive care pot fi
atunci, tinand seama de (3.3), ~i (3.6) - (3.9), putem scrie (3.5) sub
determinate fie teoretic, fie prin cornparatie cu datele experimentale [41,
forma
76, 142, 218, 220].
u ( x ) = -U0 + 2.1 f3x2 - 31 r x 3
Valorile
(3.10)
daca ne lirnitarn la termenul de ordinul al treilea.

Forta care actioneaza asupra atomului A, atunci cand acesta se
qaseste in apropierea pozitiei de echilibru, pozitie in care U(x) poate fi
scris sub forma (3.10), va fi
acestor
parametri
depind
de
natura
atomilor
care
interactioneaza si de caracteristicile leqaturi' chimice dintre acestia,

in (3.12), termenul ~
Rm
descrie respingerea, (semnul pozitiv al
acestui termen lndica faptul ca fortele de respingere au acelasi sens cu
234
R'
deci au sensul axei absciselor),
iar termenul
_ _!!
Rn
descrie atractia
R ).
Pentru ca la distante mici sa predomine termenul care
descrie respingerea, este necesar ca

Pe baza rationarnentelor
235
lnteractiunea dintre nucleele acestora.
(semnul negativ al termenului indica faptul ca fortele de atractie au sens

opus axei
Sa explicarn
atomi, excluzand
mai riguros natura fortelor
aftrmatia
simplista
conform
de respingere
dintre
careia aceste forte se
datoreaza respingerii coulumbiene dintre doi ioni cu acelasi semn.
m > n.
Aceasta se poate face aplicand conceptele mecanicii cuantice.
mecanicii cuantice, energia potentiala
Intrucat masa nucleelor
in cazul respingerii dintre doi atomi (ioni) este data de o expresie de
electronilor
forma [113, 212, 213].
electronilor),
(3.13)
atomilor
(M/m0
considerabil
mai mare
decat
103, M fiind aici masa nucleelor
putem
sunt
este
considera,
imobile
in
(aproxirnatia
prirna
i m0 cea a
aproximatie,
adiabatica)
cea a
ca
iar energia
nucleele
totala
electronilor depinde parametric de pozitiile nucleelor respective. Variatia

parametrii A i
a fiind
i aici rnarirni pozitive.

R
Expresia A e a difera foarte putin de ~
mari ale lui
Rm
in domeniul valorilor
R=Ro =
De aici se qaseste
expresie
dintre
se datoreste
atomi,
variatiei
odata
cu variatia
energiei
totale
ale
electronilor i a energiei de repulsie coulumbiana a nucleelor. Evident, la
(3.14)
pentru distente de
cu principiul lui Pauli, doi electroni nu pot ocupa simultan aceeasi stare
cuantica.
La apropierea celor doi atomi, ca urmare a suprapunerii starilor
echilibru dintre cei doi atomi (ioni):
electronice
Ro
acestia,
dintre
partiala a Invelisurilor electronice ale atomilor (Fig. 3.2). in conformitate
AmRmo;-1 + BnRn
o -1 =O
R~m
R~n
urmatoarea
distantei
de interactiune
acelasi semn) este repulsiva tnsa la distante mici are lac o suprapunere
Din (3.12), obtinem conform conditiei (3.3)
(dR
potentiale
distante mari interactiunea coulurnbiana dintre nuclee (avand sarcina de
m (in general valori cuprinse intre 9 i 11 ).
dUJ
energiei
=(~:t"
(3.15)
din domeniul
leqaturi cristaline.
coulumblana
dintre electroni (sarcini electrice negative), mai ia nastere o interactiune

repulsiva determinate
Relatiile (3.12) i (3.15) var fi aplicate pentru anumite tipuri de
hasurat, pe langa respingerea
adevar,
de cresterea energiei sistemului respectiv. Tntr
startle electronice
fundamentale
ocupa in sistem numai stari energetice
fiind ocupate,
superioare,
electronii
pot
ceea ce duce la
creterea energiei sistemului.

Pentru explicarea
3.2 Caracteristicile interactiunilor dintre atomi (ioni)

'
Teoria interactiunii dintre atomi (ioni) trebuie sa ia in considerare

interactiunea
electronilor
atomilor
(ionilor)
respectivi
precum
si
caracteristicilor
acestor interactiuni electronii
atomilor (ionilor) se pot considera ca un gaz Fermi degenerat la 0 K.
236
Densitatea
de energie
cinetica
totala
a electronilor
(pentru
AE k -_
Ll
unitatea de volum si pentru un interval energetic egal cu unitatea) va fi
3513
n este
concentratia
2TCfz =
h este
TC
413tz2
. n5!3
(3.16)
10m
considerat),
5/3
4/3 2
TC
fz [(
10m
5/3]
nA + na )5/3 - nA5/3 - na
Se observa de aici (lntrucat in general ( a, + a2
[3, 219, 220]:
unde
237
(3.18)
>a~ +a;)
ca
energia cinetlca a sistemului crests (cu atat mai mult cu cat atomii sunt
mai apropiati i inveliurile electronice se suprapun mai mult) ceea ce
electronilor
constanta
lui
(In
vaclnatatea
Planck,
iar
punctului
este
masa
electronului.
indica aparitia unei repulsii intre atomi. La aceasta mai trebuie sa mai
adunam i actiunea fortelor de respingere pur coulumbiene dintre nuclee
atomilor respectivi.
Energia (eV)
1--------
Nivelul de vid
3s
-10
-20
Fig.3.2. Reprezentarea schernatica a doi atomi a carer

tnvelisuri electronice se interpatrund.
Pentru simplitate, cei doi atomi identici sunt considerati
sfere avand raza r.
-30
-40
Presupunem ca valorile concentratiilor electronilor pentru cei doi
2s
r ..
2s
r - "''-'". . .
atomi liberi A i B, nA i respectiv n8, nu se rnodifica in cazul in care
1s
tnvellsurile electronice se suprapun. Atunci, variatia densitatii de energie

clnetlca
in
domeniul
In
care
invelisunle
electronice
se
suprapun
Fig. 3.3. Nivelele energetice (in eV) 1 s, 2s, 2p ~i 3s

ale electronilor pentru un atom de natriu izolat [88].
(domeniul hasurat din Fig. 3.2), va fi

Sa consideram,
5/3
35/3 TC4/3n2
=
10m
(nA +na)
-
~Ee =(Ee), -(Ee)i
structura electronica 1s22s22p63s1

(3.17)
ft
3 5/3 TC 4/3r,.2
- (
10m
.
5/3
nA
3513 TC4/3r,.2
ft
10m
n5!3
8
indicii ,,i" si ,,f' corespunzand starilor initiala i respectiv finala.
de exemplu,
1l
un atom liber de Na, care are
(Fig. 3.3). Pozitiile nivelelor (starilor)
electronice respective sunt indicate in electronvolti (1 eV =1,602 10-19 J).

Energiile sunt negative, indicand start energetice legate ale electronilor
si reprezinta energia necesara pentru a scoate in vid (pe nivelul de vid)
un electron care se qaseste pe nivelul respectiv. Cu exceptia starii 3s,
Ultima expresie se mai poate scrie sub forma

1 Aceasta structura este descrisa prin indicarea numarului cuantic principal n (n = 1,2,3, ... ) si a
numarului cuantic secundar (! = 0 indica starile s, l = 1 indica starile p, l = 2 starile d s.a.m.d.),
238
239
care este ocupata numai de catre un singur electron, toate celelalte start
exista electroni care sa ecraneze nucleul, aceasta energie este mult mai
cuantice sunt paturi complete (ocupate). Electronii de pe orbitele
mare (energia de ionizare a atomului de hidrogen este de 13,6 eV)).
interioare sunt foarte apropiati de nucleu in cornparatie cu electronul de
Tn cazul in care atomii de Na sunt apropiati pana la distanta la
valenta a carui orbita este mult mai extinsa. Din acest motiv, electronii
care acestia se gasesc in reteaua cristalina a natriului, functiile de unda
de valenta reprezinta un interes particular deosebit.
a electronilor de valenta ai atomilor vecini se suprapun puternic1). Insa
Cu ajutorul ecuatiei lui Schrodinger pot fi determinate pozitiile
electronii de pe paturile interioare i!?i pastreaza caracteristicile lor
nivelelor energetice ale electronului !?i functiile lor de unda, Tn aceasta
atomice chiar in
ecuatie noi trebuie sa introducem energia potentiala de atractie dintre
semnificativ multe din proprietatile fizice ale acestor cristale. Din acest
nucleu !?i acest electron, precum !?i energia potentiala de respingere
motiv, de foarte multe ori actiunea acestor electroni interiori poate fi
datorata lnteractiunii electron-electron. Energia totala a electronului de
neglijata. Tn consecinta, densitatea totala de sarcina deterrnlnata de
valenta considerat la distanta mare de "miezul ionic" (format de nucleu si
electronii de valenta se poate considera o forma a contributiilor atomilor,
ceilalf Z - 1 electroni) va fi [41, 45, 76, 96]
asa cum sunt acestia reprezentati in insertul din Fig. 3.4 [88].
'
'
V=
e2 Z
(3.19)
unde Eo este permitivitatea (electrica) a vidului,
Er -
interiorul solidului cristalin !?i
nu influenteaza
Energia
potentiala
permitivitatea relativa
a mediului, e - sarcina electronului, r - distanta dintre electron !?i nucleu
distanta pana
la nucleu
(considerat punctiform).
Pentru atomul de Na (in vid
Er
1 ), dependenta acestei energii
potentiale de distanta dintre electronul 3s si nucleu este reprezentata

schematic in Fig. 3.4. Aici re este raza "miezului ionic" (adica raza care
indica sfera din jurul nucleului in care se poate considera ca sunt
localizati electronii de pe nivelele 1 s, 2s !?i 2p). Tn insert se prezinta o
schita reprezentand electronul de valenta 3s care se roteste (orbiteaza)
in jurul nucleului ecranat de electronii 1 s, 2s !?i 2p.
Fig. 3.4. Energia potentiala a electronului de valenta al sodiului In functie de distanta

dintre acesta ~i nucleu; re reprezinta raza miezului ionic, indicand volumul
din apropierea nucleului In care sunt localizati electronii 1 s, 2s ~i 2p.
In inset s-a indicat electronul de valenta care se roteste In jurul miezului ionic
Tn vecinatatea nucleului, potentialul care actioneaza asupra

electronului 3s nu este similar cu acela datorat unei sarcini punctiforme
indicat prin curba punctata din Fig 3.4. Energia necesara pentru a
scoate electronul 3s de la atomul de Na este, dupa cum se deterrnina
din Fig. 3.3, de aproximativ 5 eV (in cazul atomului de hidrogen, unde nu
1
Distanta tipica dintre doi atomi vecini intr-un corp solid cristalin este de 2 - 4 A (IA = 1 o-10m),
in timp ce razele "miezurilor" ionice (re in Fig 3.4), sunt mai mici de 1 A. Prin unnare, nu are Joe
o
suprapuncre
a
acestor
raze
de
Ia
doi
atorni
vecini.
240
in Fig. 3.5 [88] este ilustrat acest efect pentru o retea

unidimensionala de sodiu. in fiqura,
'35
este functia de unda pentru
electronii cu energie corespunzatoare starilor 3s, iar

de probabilitate pentru startle energetice 3s.
'total
j'P 35 j2
este functia
se refera la toti
241
ionicii
sau beteropoterii (care are loc intre ioni cu sarcini electrice
opuse), legatura
neutri) i legatura
covelentii sau bomopoterii (realizata lntre atomi

meteilce
(realizata prin electroni colectivizati).
Cristalele in care predornina aceste leqaturi se numesc, respectiv,

cristale moleculare. ionice Coo/are), cova/ente (atomice), meta/ice.
electronii care se qasesc in startle energetice indicate in Fig. 3.3.

0
-5
(b)
Cl
Na
(a)
l'l'3sl2
1=v=v=v:
E3s------~
-10
>
E 3p
-15
ill' total
(c)
12
L-1
---------~>
-20
Fig. 3.5. a - Atomii de sodiu tntr-o retea unldlrnensionala

(orbitele electronilor de valenta sunt reprezentate explicit);
b - Suprapunerea sarcinilor electronilor de valenta ale atomilor;
c - Distributia densitatii de sarcina totala din cristal obtinuta prin
suprapunerea sarcinilor individuale.
Se observa ca, datorita distantei mici dintre atomi, variatia densitatii de

sarcina in lungul retelei unidimensionale devine aproape plata,
E(eV)
Fig. 3.6. Nivelele energetice ale electronilor de valerrta pentru atomii de natriu !?i clor.
La formarea cristalului de NaCl, electronul 3s al atomului de natriu este
transferat pe nivelul 3p a atomului de clor, acesta din urrna
cornpletandu-i lnvelisul exterior (de valenta)
Vom reveni asupra acestor concluzii.

in corpurile solide, in marea majoritate a cazurilor, nu se poate
vorbi despre leqaturi pur ionice, pur covalente s.a.rn.d. Leqaturile din
3.3 Tipurile principale de legaturi chimice in corpurile solide

Principalele tipuri de leqaturi chimice existente in corpul solid
sunt [76, 138, 142, 222]: legatura
van der Waals sau legatura
moiecutere (care se raalizeaza pe baza de dipoli tndusi), legatura
sistemele solide au un caracter "mixt", fiind intermediare intre tipurile de

leqaturi mentionate,
De exemplu, legatura ionice pura ar trebui sa
avem in cazul cristalelor de clorura de natriu (NaCl). Dupa cum se arata

schematic in Fig 3.6, Na cedeaza un electron, devenind ion pozitiv
monovalent, atomului de Cl, care devine ion negativ monovalent. intre
242
BAZELE FIZICH
SEMICONDUCTORILOR
cei doi ioni cu sarcini electrice opuse se exercita forte de atractie de tip
coulumbian.
Insa,
in cazul acestor cristale, considerate rnulte vreme ca
fiind tipic ionice, gradul de ionicitate (v. (3.92)) este aproximativ 80%.
243
interne sunt satisfacute, lncat lntre ele, moleculele nu se pot lega decat
prin forte de tip van der Waals.
In
cazul acestor cristale (formate de asemnea din ioni monovalenf Na+ i

Cl") ar trebui sa avem un moment dipolar de o anurnita valoare daca se
considera ca cei doi ioni au sarcini +e i -e. Insa valoarea determinata
Fig. 3.7. Molecula de metan (CH4) cu leqaturi

saturate (pentru atomul de carbon din centru sunt
reprezentaf numai electronii de valenta).
experimental este de numai 80% din cea calculate [125, 138, 142].
3.4 Leqatura van der Waals
Pentru a stabili energia de interactlune de tip van der Waals, sa
Leqatura van der Waals este relativ slaba i se realizeaza intre
considerarn interactiunea dintre cei doi atomi care forrneaza o rnolecula
atomi cu paturi electronice exterioare complete (in aceasta categorie
de hidrogen (Fig. 3.8). Fiecare atom este format dintr-un nucleu (proton)
intra gazele nobile in stare solida) sau intre molecule saturate (cum ar fi,
Incarcat pozitiv (A si B) i un electron (1 i 2) situat la distanta
de exemplu, molecula de metan, CH4).
1'1 / = /'2 / = r
Apropierea atomilor sau
moleculelor respective la distante mici, asa cum are lac in corpurile
de nucleul respectiv. Aici
'1
~i
'2
sunt vectorii de pozltie ai
celor doi electroni in raport cu protonii atomilor respectivi.
cristaline, determina o deformare a distributiei de sarcina a acestor

atomi sau molecule (in sensul ca centrele de simetrie a sarcinilor
(R+f2-~) (R+r2)
pozitive i negative nu coincid) si, ca rezultat, are lac aparitia unor dipoli
-e
electrici (dipoli indusi), Interactiunea dintre acesti dipoli indusi determine
stabilitatea sistemelor respective sub forma cristalina.

Structura cristalelor gazelor nobile (gazele nobile He, Ne, Ar, Kr,
+e
Xe se solidifica la temperaturi foarte coborate (Tabelul 3.2)) este o

structura
cu aranjament
compact:
He cristatizeaza lntr-o
retea
hexagonal compacts (HC), iar celelalte elemente au structura cubica cu

fete
centrate
(CFC)
(Tabelul
3.2).
Caracteristicile specifice ale
structurilor cu aranjament compact (v. 1.15), face ca acestea sa fie

singurele tipuri de structura cristanna care permit realizarea stabilitatii
sistemului in cazul unor leqaturi foarte slabe Intre particulele constitutive.
In
Fig. 3.8. lnteractiunea dintre particule (electroni, protoni)

in cazul unei molecule de hidrogen
cazul moleculelor saturate (Fig. 3.7) toate leqaturile chimice
Energia potentiala de interactiune dintre cei doi atomi va fi data

de expresia:
244
245

Notand
(3.20)
(3.24)
putem scrie (3.23), sub forma
unde primul termen din membrul al doilea indica interactiunea dintre cei
4Jr&o
termeni descriu interactiunile electron - proton (electronul unui atom cu

protonul celuilalt atom). Sernnificatia notatiilor este indicate in Fig. 3.8.
u = ---
+ .,.-_---~
4Jr&0 R
R (2 ~
-+--
R R R
-+
r2
(3.21)
R_~
( P1
R) ( P2 R
Rs
R mari ( r1, r2 R ), interactiunea
distante
interactiunea
1
R3
)l
(3.25)
De aici rezulta ca in cazul in care cei doi atomi sunt situati la
Mai putem scrie (3.20) sub forma
e2
u ~ _1_ i51 i52
doi protoni, al doilea termen interactiunea dintre electroni, iar ultimii doi
dintre ei este identica cu
p1
dintre doi dipoli electrici cu momentele dipolare
si
p2
[217, 221 ].
Daca "pozitia medie" a electronilor
unui atom nu coincide cu
pozltia nucleului, atomul se va comporta ca un dipol electric (caracterizat

undeR = /R/.
printr-un moment dipolar) si, in consecinta, va produce un camp electric,
Valorile tipice ale distantelor
I~ I=
'1 i
li2 I= r2
sunt de ordinul
razei Bohr (raza primei orbite circulare Bohr in atomul de hidrogen), a8

[213, 220], iar valoarea lui
acest rnotiv, putem
;;i ( ~
J fractiile
R este de eel putin cateva orbite Bohr. Din
sa dezvotarn in serie dupa puterile rapoartelor ( ~
chiar daca sarcina lui totala este egala cu zero. Acest camp actioneaza
cu forte
protonilor
de semne
unui
alt
contrare
atom,
asupra
lnducand
electronilor
un moment
i repectiv
dipolar
asupra
la atomul
respectiv.
Deoarece
intensitatea
campului electric creat de dipolul initial
variaza cu distanta (fiind mai mica la distante mai mari [138, 217, 218]),
din mem bru I al doi lea al relatiei (3. 21 )
;;i obtinern [217,
fortele exercitate asupra electronilor atomului difera, ca marirne de cele

exercitate asupra protonilor, astfel Incat forta totala este una de atractie.
218, 221].
f nsa,
(3.22)
care, in starea fundarnentala, atomul nu are un moment de dipol electric

( (er)=
expresie care mai poate fi scrisa sub forma
u ~-1-f
(e~)(ef':z)
4Jr&0
e fiind
R3
3 (e~
0 ), prezenta celui de al doilea atom induce un moment de di pol
si, dupa
R)
R
ier2 R)l
cum s-a explicat,
fundamentala)
(3.23)
din calculele efectuate mai sus, rezulta ca si in cazul in
atomii
aflaf la distante
mari (in stare
se atrag. Aceste forte de atractie, numite forte van der
Waals, sunt extrem de slabe i daca, intre cei doi atomi sunt prezente i
alte tipuri de leqaturi chimice (de exemplu ionice, covalente s.a.), atunci
aici sarcina electronului.
246
de multe ori acestea din urrna sunt mult mai importante In cornparatie cu
Expresia (3.26) este cunoscuta sub numele de potenfial 6-12
primele. Atractia de tip van der Waals se caracterizeaza printr-o energie
sau potenfia/Lennard-Jones(sau potenfialLennard- Jones 6-12).

Evident,
de interactiune aproximativ proportion ala cu 1 I R6 (R fiind distanta dintre

atomi) [138, 142, 222].
In
247
energia
totala
cristalului
(suma
energiilor
de
interactiune a perechilor de atomi) va fi data de relatia
cazul In care distanta dintre atomi este mica,
calculul interactiunii dintre acestia este mult mai dificil de efectuat.
utot = 2 ?:u( Rij)
Atomii elementelor cu paturi electronice exterioare complete (He,
(3.27)
I,}
i:t:: j
Ar etc.) se resping in cazul in care sunt situati la distante mici unul de

unde factorul % indica faptul ca nu se ia de doua ori in considerare
celalalt, intrucat orbitele lor electronice nu se pot suprapune. Acestui tip

de respingere (repulsie) ii este caracteristica
interactlunea dintre doi atorni", iar in sumare se exclud termenii i
o energie de interactiune
Expresia (3.26) mai poate fi scrisa sub o forma care sa ne
care variaza aproximativ proportional cu 1/R12.

Energia
potentiala
totala,
tine
seama
atat
de
energia
permita sa o compararn mai user cu expresia generala (3.12), adica
de
interactiune de respingere, care variaza proportional cu 1/R12, cat !i)i de

energia
de lnteractiune
de atractie
= j.
(cunoscuta
sub denumirea
(3.28)
de
potential atractiv van der Waals) care variaza proportional cu 1 I R6.
sau
Astfel, energia potentiala de interactlune dintre atomii identici i !i)i

j, situaf la distanta Rij unul de celalalt, poate fi scrisa sub forma [3, 7,
U(RIf)=~-!i_
R!.2 R~
(3.29)
A= 4s<J12 '
(3.30)
If
138]:
If
unde am notat
(3.26)
B = 4s<J6
in retatllle (3.26), (3.28) !i)i (3.29), termenii cu semnul "+" se refera

unde parametrii
mediu
s !?i <J depind de polarizabilitatea
al fiecarul
atom,
precum
!?i
de gradul
1)
si momentul dipolar
la interactiunea
de suprapunere
3.1 ).
Se observa ca expresia (3.29) poate fi conslderata ca o forrna a
lnvellsurilor electronice a atomilor respectivi.

Se observa
din (3.26)
ca <J are dimensiunea
ecuatiei (3.12) scrisa pentru cazul particular al legaturii van der Waals.
unei lungimi
Energia potentiala de interactiune a atomului "i" cu
( distante ), iar e a unei energii. Vom reveni mai jos asupra semnficatiei
cristalului se scrie sub forma
acestor parametri.
Porarizabilitatea a se defineste din relatia

intensitatea campului electric.
repulsive iar cei cu "-" la interactiunea atractiva (v.
p = aE, p
fiind momentul dipolar, iar
E
1
Evident, U(Ru)
= U(RF)
tof atomii
248
249
P12 = 1 ; P13 = 1; P14 = 1; P1 s = 1; P15 = 1, 41; P17 = 1, 41
(3.37)
(3.31)
Inlocuind (3.36) in (3.31 ), obtinern relatia
surnarile
excluzand
termenii
pentru care
j, iar N reprezentand
nurnarul atomilor din cristalul respectiv.
11
Dupa cum s-a aratat in Cap. I, intr-un cristal cu un anumit tip de

structura, atomii ocupa pozitii caracteristice,
avand un anumit nurnar de

1~
vecini de ordinul intai (situati la o anurnita distanta), un nurnar de vecini
12
10
de ordinul al doilea s.a.rn.d. Putem exprima distanta de la un anumit

atom la toti ceilalti atomi din cristal in functie de distanta
atom i atomii vecini de ordinul
R dintre acest
Intai. Pentru a explica modul de stabilire
a relatiilor respective, vom considera o retea bidimensionala
12
patratica.
Sa exprimarn distantele de la atomul 1 la ceilalti atomi. Distantele pana
Fig. 3.9. Modul de calcul a parametrilor pij (v. Relatia (3.36))

pentru o retea bidimensionata patratica
la atomii de ordinul lntai (atomii 2, 3, 4 i 5) sunt egale i putem scrie

(Fig. 3.9)
(3.32)
ui (Ri) = 4E
Pana la vecinii de ordinul al doilea (atomii 6, 7, 8 si 9), distantele

vor fi
12 I
(a-J
R
.
[
N (
}= 1
j-.#
)12
6 N ( J6]
1 -(a-J I -1
P
R . 1 P
I}
}=
(3.38)
I}
j:;t.i
Daca facem notatille

(3.33)
si in mod analog putem scrie pentru vecinii de ordinul al treilea
R1,10 = R1,11 = R1,12 = R1,13 = 2R
~(P1 J12 = "L,Pij12 = P12
(3.39)
~(p J =LA/=
(3.40)
(3.34)
Prin urmare, distantele lntre atomul 1 i cellalf atomi vor fi
R; RJ2 =1,41R; 2R; R/5 =2,236R;
3R;
(3.35)
I}
1..
I}
Ps
putem scrie (3.38) sub forma
in acest mod putem exprima distanta de la atomul 1 la oricare alt

atom in functie de distanta R. Pentru cazul general, putem scrie
Rij =pijR
unde pij sunt niste coeficienti adimensionali.
Cornparand (3.36) cu (3.32) - (3.35), qasirn UOr
(3.41)
(3.36)
Valorile parametrilor
P12 i PB depind numai de tipul de structura
cristalina studiat i sunt independente de indicile i. (Dupa cum rezulta i
250
251
din Fig. 3.9, un atom oarecare este inconjurat in mod identic de ceilalti
(3.45)
atomi sau, cu alte cuvinte, o retea prezinta proprietatea de invarianta in

operatia de translatie discreta prin care reteaua va coincide cu ea tnsusi
unde factorul 1 /2 arata ca vom lua In considerare o sinqura data
(v. 1.4)).
interactiunea dintre fiecare pereche de atomi.
Pentru exemplul considerat in Fig. 3.9, tinand seama de (3.37),
In ceea ce priveste modul de aranjare a vecinilor de diferite ordine,
obtinern
1(r:J =(~J +(~J +(~J +

12
12
= 2+2+2+2+(-1-)12
Intrucat, dupa cum s-a aratat, tof atomii sunt considerati identici
1, 41
12
12 (
J12 (
~s
. J12
P:6
sumarea din (3.45) se reduce la lnmultirea energiei potentiale pentru un
( 1 J12
+ p,7 + . . =
(3.42)
pentru a lua In considerare o singura data lnteractiunlle dintre perechile
+ (-1-)12 + .....
1, 41
de atomi.
Pe rnasura ce distantele de la atomul considerat la ceilalti atomi

cresc, rnarimile pij cresc iar rnarirnile (
~J
lPlj
mult. De exemplu,
atom U;(R;) cu nurnarul atomilor din cristalul respectiv, N, !?i lmpartit la 2
1 J12
~ 0,01619.
( 1141
sau (
~J
lPlj
12
Din (3.41) i (3.45), avem
scad foarte
De aici rezulta
ca deja
(3.46)
Aceasta
relatie poate fi conslderata
der Waals.
Valorile parametrilor p12 i Pe pot fi calculate pentru diferite tipuri

de structuri cristaline. Se poate constata UOr ca ele nu depind de
Distanta de echilibru dintre atomi,
celulele cubice cu fete centrate (CFC), in care cristalizeaza
(a~;tRo
gazele
nobile, se gasete [3, 7, 97, 106]

(3.43)
autot
--=
aR
12, 13229 i
P6
Nl ---a12R1.
1
R24
12P12+--a
6Rs
R12
6 P6
si punand conditia (3.4 7), gasim expresia
se poate arata
_ 2aP12+ a P6 = O
ca
RJ3
= 1,445489.
Energia potentiala totala a cristalului va fi
2e
(3.44)
p12
(3.47)
=O
Derivand (3.46) In raport cu R, obtlnern
Pentru structura hexagonal cornpacta
R0, se gasete din conditia
(v. 3.1)
dimensiunile celulelor elementare ci numai de tipul celulei. Astfel pentru
L Pij6 = P6 = 14, 45392
forma
qenerala a energiei potentiale de interactiune pentru cazul lepaturii van
contributia vecinilor de ordinul al doilea este foarte mica.
L Pij12 = P12 = 12, 13188
ca reprezentand
de unde
R6
(3.48)
252
BAZELE
Ro=
(2P12 )
SEMICONDUCTORILOR
253
1/6
Utot (Ro)
(3.49)
P6
Tn
FIZICII
Pt
P12
Pentru cazul particular al retelel CFC, tinand cont de relatia
cazul retelei CFC, lnlocuind in (3.49), valorile lui P12 ~i P6 date
(3.43) ;;i (3.44), gasim
de (3.43) ;;i (3.44 ), obtinern
Ro
= 1 09
Utot ( R0) = -8,6N&
(3.50)
'
Marimile R0,
Valoarea 1,09 se consldera ca este o constanta universala,
& si
(3.52)
~ numite ;;i parametriiLennard- Jones, pot fi
determinate experimental. Astfel, distanta de echilibru dintre atomi, Ro,
pentru ca nu depinde de natura atomilor cristalului, ci numai de tipul
poate fi determinata cu ajutorul difractiel radiathlor X ( 2.4 ). Daca se
retelei spatiale utilizate pentru formarea structurii cristaline considerate.
cunoaste
Valorile experimentale, determinate pentru cristalele gazelor
R0, folosind relatia (3.50), se poate calcula apoi valoarea lui
;;i invers, daca se determina valoarea lui a, efectuand rnasuratori asupra
nobile care au o structure CFC sunt foarte apropiate de aceasta valoare
atomilor izolaf (in stare qazoasa) [3, 7, 41 ], se poate evalua, pe baza
(Tabelul 3.1)
relatiei (3.50), parametrul (constanta) retelei cristalului care se poate
La echilibru, energia potentiala totala, In conformitate cu (3.46),
forma din atomii respectivi.
va fi
Energia totals 1l a atomilor este data de ecuatia (3.52), si, dupa

cum se observa, depinde de parametrul s. Acesta se poate determina
(3.51)
din masuratori de compresibilitate lzoterma,

Dupa cum se stie, compresibilitatea izoterma a cristalelor
unde Ro este distanta de echilibru.
(coeficientul de compresibilitate volurnica izoterma) se defineste din

relatia [41, 178]
Tabelul 3.1. Valorile unor parametri caracteristici pentru cristalele

gaze I or noen1e 1l
Ro
Ro
8
cro
Cristalul
a
(A)
(10-23J)
XT =-
(A)
1, 14
Ne
3,13
50
2,74
Ar
1, 11
3,76
167
3,40
Kr
1, 10
4,01
225
3,65
Xe
1,09
4,35
320
3,98
Din (3.49) si (3.51 ), obtinern pentru energia totala la echilibru,
relatia
Tabelul este preluat din: M. Born, Phys. Rev., 275 (1937) 2174.
(3.53)
si este o rnarirne care poate fi deterrninata experimental cu precizie

mare [178]. Semnul ,,-" lndica faptul ca la cresterea presiunii, volumul
cristalului
se micsoreaza. este o masura a rigiditafii cristalului ;;i indica
Compresibilitatea
energia necesara pentru a produce o deformare data.
1
~(~~l
Energia cinetica a atomilor se neglijeaza, astfel incat din relatia (3.52) se determina energia
totala a sistemului,
254
Pentru structura CFC compresibilitatea izoterrna la O K este data
-4
--;--AO
p5/2
6
8
p3/2 -3
12 (J"
(3.54)
Daca se stabileste experimental dependenta de ternperatura a

se extrapoleaza dependenta respective la T---+ O K si se
obtine valoarea lui
zo.
fete
centrate, cu exceptia
255
heliului, care cristalizeaza
intr-o retea
hexagonal cornpacta.
de expresia [41, 178]
compresibilitatii,
Apoi, cunoscand pe
CJ"
Tabelul 3.2
Gazul inert
He
Ne
Ar
Kr
Xe
Temperatura de cristalizare (K)
4,2
24
84
117
161
Tipul retelei
HG
CFC
CFC
CFC
CFC
(determinat din (3.50), in
care Ro se determina cu ajutorul difractiei de radiatii X), i parametrii p12

si p5 (v. (3.43) i (3.44)), se qaseste s.
exercita leqaturi van der Waals. Un mare nurnar de cornpusi organici
in ratlonarnentele de mai sus s-a presupus reteaua cristalina ca

fiind riqida, adica nu s-a luat in considerare energia cinetica a atomilor
cristalului, precum si unele corectii cuantice care sunt necesare in cazul
in care se face o tratare mai riquroasa a caracteristicilor acestui tip de
interactiune,
Trebuie sa mentionarn faptul ca, chiar in cazul in care in atom
sarcinile electrice pozitive sunt compensate de cele negative, distributia
t?
spatiala a sarcinii electronice i nucleare se rnodiflca in timp (datorita

rniscarilor specifice la nivel atomic i subatomic). Ca rezultat, centrul
sarcinilor pozitive (punctul in care ar putea fi concentrata intreaga
sarcina pozitiva) si eel al sarcinilor negative se modifica in timp. Din
acest motiv, atomul sau molecula reprezinta un dipol electric fluctuant.
Valoarea medie in timp a momentului dipolar este eqala cu zero.
Cristalele molecularesunt formate din molecule intre care se
Insa
datorita acestui moment fluctuant, intre atomii si moleculele neutre din
(naftalina, antracen, piren, ftalocianine s.a.) cristalizeaza in retele cu

leqatur' de acest tip, interactiunile dintre atomii din interiorul moleculelor
respective fiind mult mai puternica decat tnteractiunea dintre molecule.
in aceste conditii, transferul de electroni de la o molecula la alta se
realizeaza cu mare greutate si, in consecinta, aceste substante au o
conductivitate electrica foarte mica.
in afara de aceasta, forma cornplexa a moleculelor respective
(care nu poate fi conslderata cu simetrie sferica) si aparltia in multe
cazuri a unor momente dipolare, nu ne permite sa explicarn
caracteristicile acestor leqaturi numai cu ajutorul teoriilor prezentate aici,
intrucat, in afara fortelor de atractie i respingere, este necesar sa se ia
in considerare i iortele orientetionete
(care depind de orientarea
reciproca a moleculelor).
punct de vedere electric, apar forte de interactiune de atractie, fapt ce

explica formarea cristalelor atomilor cu paturi electronice complete sau a
3.5. Leqatura lonica
moleculelor cu leqaturi saturate.

in cristalele gazelor inerte (nobile) leqaturile cristaline sunt de tip
van der Waals. La temperaturile rnentionate in Tabelul 3.2, la presiune
atrnosferica normals, aceste gaze cristalizeaza intr-o retea cubica cu
Legatura ionics (heteropolara sau polara) se realizeaza intre

ioni pozitivi i negativi (atomi ionizati), prin forte de atractie coulumblana
(forte electrostatice). Cristalele in care predornina acest tip de leqaturi se
256
numesc cristale ionice (po/are).
Dupa cum s-a aratat in 1.18, in
acest fel de cristale dispunerea in spatiu a ionilor este in
257

ordin par in raport cu ionul pentru care se evalueaza interactiunea).
asa fel lncat un
in
Fig. 3.10
este
reprezentat
un sir reticular
din structura
ion de un anumit tip are ca vecini de ordinul intai ioni de celalalt tip. in
cristalina a NaCl. Se observa modul de aranjare a ionilor descris mai
consecinta, fortele de atractie dintre ioni de semn opus predornina fata
SUS.
de fortele de repulsie dintre ionii de acelasi semn.

De exemplu, cristalul de clorura de natriu (NaCl) este format din
ioni pozitivi rnonovalenti de natriu, Na+, i ioni rnonovalenti
negativi de
clor, Cl". Cele doua elemente au urmatoarele confiquratli electronice
1):
Na: 1 s2 2s22p63s1;
Cl: 1 s2 2s22p6 3s23p5.
Fig.3.10. Modul de aranjare a ionilor intr-un slr reticular

a unei structuri cristaline de tip NaCl
Cei doi ioni rnonovalenti se formeaza prin transferul electronului 3s de

la atomul de Na (care devine ion pozitiv) la eel de Cl (care devine ion
Daca notarn cu R distanta dintre vecinii de ordinul lntai ( cea mai
negativ (Fig. 3.6)), ionii rezultaf avand urmatoarea structura electronica:
mica distanta dintre doi ioni), putem scrie (v. (3.36))
Na+: 1 s2 2s22p6,
(3.56)
identica cu cea a neonului (Ne)
Cl: 1 s2 2s22p6 3s23p6,
unde pij sunt coeficienf
de interactiune
dintre doi ioni rnonovalenti
Luand in considerare (3.56), expresia (3.55) se scrie sub forma
oarecare, i ij, este data de relatia [7, 47, 103, 125, 218]:
A
e2
RiJ
RiJ
Uij=1n-
A
U=-----Rm
IJ
(3.55)
Scriind
unde Rij este distanta dintre centrele ionilor respectivi iar e, sarcina
termenului
(3.55)
sub
e2 ( 1)
PiJ
aceasta
(3.57)
PiJ
forrna
(cu semnul
al doilea din membrul 2), semnificatia
,,-" in fata
semnelor ,,+" i ,,-"
(precizata pentru relatia (3.55)) se inverseaza.
ionilor.
Termenul
al doilea
al acestei
expresii
descrie
Energia de interactiune a ionului ,,i" cu toti ceilalti ioni este data
interactlunea
coulurnbiana a ionilor si are semnul "-" pentru interactiunea dintre ioni

de semne diferite (vecinii de ordin impar fata de ionul considerat)
semnul "+" in cazul lnteractunii dintre ionii de acelai semn (vecinii de
'
'
'
de
U =~
~ _1 _ e2 ~
( 1)
'
mL,;
m
RL,;
R J, i=i PiJ
J, i*i PiJ
Evident, in sumare se exclud termenii cu i
Semnificatia notatiilor a fost explicata in 3.1
cu ajutorul carora se exprima
distanta dintre doi ioni oarecare ,,i" i ,,j" in unitat' R.
identica cu structura electronica a argonului (Ar).

Energia potentiala
adimensionali,
= j.
(3.58)
258
259
iar
Daca se noteaza
(3.59)
a=
:L
1=(2+2J-(2+2J+(2+2J+
j, f:t:i Pij
... =2(1-2+2_2+
2 3 4
...J(3.62)
Incercarn sa gasim pentru expresia din paranteza o serie a carei
si
:L
j,
(1)
=a
surna poate fi determinata cu ajutorul unor formule cunoscute.

(3.60)
l=! Pij
Dezvoltand in serie Taylor ln(1 +x), se obtine [3]

x2 x3
ln(1+x)=x--+---+......
2
3
relatia (3.58), devine

A
ae2
Ui=RmPm-R
(3.61)
(3.63)
Daca x = 1, avem
1 1 1
In ( 1 + 1) = In 2 = 1- - + - - - +
2 3 4
Marirnea a, definita de (3.60) poarta denumirea de constanta

Madelung.
x4
(3.64)
in consecinta, pentru sirul unidimensional considerat, tinand
Suma din (3.59) este rapid converqenta, tntrucat, dupa cum s-a
mai aratat, in cele mai multe cazuri, exponentul m este mai mare decat
seama de (3.62) !?i (3.64), obtinern

a=
21n2=20,693=1,386
(3.65)
9 sau apropiat de aceasta valoare (de exemplu, pentru NaCl, m = 9,5).

Consatanta Madelung depinde numai de tipul retelei in care
Pentru cazul retelelor tridimensionale, calculele sunt evident, mai
cristalizeaza substanta respectiva. Calculul valorii lui a este mai dificil,
complicate. in acest caz, sumarea se face pe celule aproximativ neutre
lntrucat, de requla, se cauta ca suma respective sa poata fi scrisa sub
din punct de vedere electric !?i trebuie sa se ia in considerare ca ionii din
forma unor serii (pentru care se cunosc formulele de calcul pentru
varfuri, de pe muchii !?i de pe fete participa la determinarea mteractlunii
aceste sume).
din mai multe celule (analog cu nodurile unor celule elementare (v.
Pentru a lnteleqe mai U!?Or modul de calcul, sa considerarn

reteua unldlmensionala cu parametrul a formata din ioni rnonovalenf
(Fig. 3.10). Evident in acest caz R = a.
Relatla (1.5)), respectiv la 8, 4 i 2 celule

Astfel, pentru structura cristalina de tip NaCl, pentru care reteaua
spatiala este CFC (v. 1.18), in Tabelul 3.3, se lndica, pentru un ion de
lonul pozitiv 0, are doi ioni negativi vecini de ordinul I, 2 ioni
referinta negativ, urrnatoarele rnarirni: nurnarul de ioni vecini de diferite
pozitivi vecini de ordinul al II-lea s.a.rn.d. Distantele respective vor fi:
ordine i semnul acestora, valorile parametrilor pij sl gradul de
Ro1 = Ro1' = 1 a =1 R; Ro2 = Ro2 = 2a =2R; Ro3 = Ro3 = 3a =3R etc. in
participare a ionilor situati la diferite distante la interactiunea cu ionul
conformitate cu (3.56), avem:
considerat.
Po1 = Po1' = 1; Po2 = Po2 = 2 s.a.m.d. ,
260
Tabelul 3.3. Parametrii caracteristici pentru retele cristaline de tip NaCl.

Parametrii
Nurnarul ionilor
vecini
Coeficientii
Ordin II
Ordin Ill
Ordin IV
6(+)
12(-)
8(+)
6(-)
J2
J3
1/2
1/4
1/8
1/2
Ordinul
Pij = Rij IR
Gradul de
participare
261
Tinand cont i de contributla ionilor din celulele situate la distante mai

mari de ionul de referinta, gasim pentru valoarea constantei Madelung a
structurii NaCl, valoarea indicata Tn Tabelul 3.4. Tn acelasi tabel sunt
prezentate valorile constantei :;;i pentru alte tlpuri de retele ionice [199,
218].
Tabelul 3.4
Cristalul
NaCl
Cs Cl
ZnS
de
Tipul retelei spatiale
CFC
cs
Blanda de zinc
coordinatie, Tn centrul careia se qaseste ionul negativ de referinta, A
Constanta Madelung
1,74756
1,76267
1,63805
Astfel,
considerand
celula
coraspunzatoare
primei
sfere
(Fig. 3.11 ), va trebui sa evaluam actiunea asupra acestuia din partea

urrnatorilor ioni: 6 ioni pozitivi de pe centrele tetelor (care rnteractionand
fiecare cu cei doi ioni negativi simetrici tata de fetele respective au un
grad de participare
Energia totala a cristalului presupus format din 2N ioni (N ioni

pozitivi si N ioni negativi) este
de 1/2); 12 ioni negativi de pe muchiile cubului
v;
(avand fiecare un grad de participare de 1/4); 8 ioni pozitivi din varfuri

(pentru care gradul de participare este 1/8). Prin urmare, luandu-se In
considerare
numai ionii din primul cub, constanta
Madelung
pentru
(3.66)
data interactiunea dintre doi ioni.

Din (3.61)
a = 6 I 2 _ 12 I 4 + 8 I 8 = 1, 833
1
2
unde i aici factorul 1 /2 indica faptul ca se ia Tn considerare o sinqura
prima sfera de coordinatie, poate fi scrlsa sub forma

1
1 2N
=-LU;
:;;i (3.66), obtinern

U -N( ~
lRm Pm
tot -
ae2J
R
(3.67)
deoarece sumarea se reduce la Inrnultirea cu nurnarul de ioni 2N (v.

(3.46)).
In
distanta
starea de echilibru, energia totala are valoarea minima, iar
Ro (valoarea lui R la echilibru) se determlna din conditia

(
autot
8R
=0
R=Ro
Din (3.67) i (3.68), qasirn pentru parametrul A, expresia

Fig. 3.11. Modul de aranjare a ionilor ln cristalele cu structure de tip NaCl
(3.68)
262
A=
ae2
Rm-1
o
mpm
inlocuind In (3.67) (scrisa pentru R
263
(3.69)
Ro) expresia pentru A din
Nae2( 1--
R0
1)
dV T
si tlnand seama de (3. 74 ), putem scrie
(3.69), obtinern
Utot(Ro)=Uo =---
=-v(~)
:!_
(3.70)
d2
dV2
-=V-
(3.75)
in aceasta relatie putem trece de la variabila Ula variabila R -
distanta cea mai mica dintre ioni. Avem, evident
Notand
Nae
Ro
-U
- M
(3. 71)
=UM(1- ~)
lui UM poate fi calculata
(3.72)
La echilibru (R
folosindu-se
= R0),
dV
dR
dV
(3.76)
d2 U ( d R )2
dR2
dV
(3.77)
avem (v. (3.68)),
_0
( dU)
dR R=Ro
relatia (3.71 ), toate
marirnile din aceasta relatie se pot determina experimental (prin metode
si (3. 77), devine
descrise deja).
Parametrul
dR
d2 U d U d2 R
-- --+--
dV2
dR dV2
Marirnea UM se nurneste energia Madelung a cristalului ionic.

Valoarea
dU
vom putea scrie (3.70) sub forma
Uo
dU
( d UJ
( d UJ (dR)
l d v2 R=Ro = l d R2 Ro . d v Ro
2
m din (3. 72) este singurul a carui valoare nu este
(3.78)
cunoscuta. Aceasta se poate determina din datele experimentale asupra

Volumul total al cristalului poate fi UOr exprimat In functie de R.
cnmpresibilitatii izoterme a cristalului [3, 7, 41, 97, 212].

La
50 = dU
T = 0 K,
+ pdV
din
primul
principiu
al
termodinamicii
Astfel, pentru structura de tip NaCl, putem scrie [7, 21, 41, 89]
V
= 0, avem
dU =-pdV
(3.73)
dU
dV
(3.74)
(3.79),
obtinem
(3.53), qasim
= V /2N,
R3
diferentnnd,
gasim
3R2 dR =-1-dV sau

2N
V fiind volumul cristalului si p presiunea.
Insa, din
(3. 79)
N fiind nurnarul de ioni de un anumit tip.

Din
p=--
= 2NR3
dR
dV
6NR2
i deci
( dR)
dV
= 36N2R4
(3.80)
264
Din (3.80) si (3.78), qasim, pentru
265
cristalul ionic in cele doua tipuri de ioni considerati izolati (separati), Fara
R =Ro
lndoiala ca aceasta valoare a lucrului mecanic nu poate fi deterrninata

(3.81)
experimental direct, dar poate fi exprimata in functie de alte rnartrni care

pot fi determinate experimental.
Din (3.67), folosind relatia (3.69) pentru A, obtinem
in acest sens, se foloseste
asa-nurnitul
ciclu inchis Born -
Haber. Sa explicarn in ce consta aceasta, luand ca exemplu un cristal
(3.82)
ionic format din ioni pozitivi monovalenti ai unui metal, M+, (de exemplu
d2UJ
( dV2
(3.83)
LiBr, CsCI etc.
36R7N
0
Sa
in final, din (3.75) i (3.83), tinand seama i de faptul ca pentru
cristalul de tip NaCl, V = 2NR6, rezulta ca pentru T
Extrapoland
determinata experimental,
(determinate
prin
penfru
difractie
de
ioni negativi de halogen,
(3.84)
de
temperature
b - Transferarn
compresivltatii,
halogen
T ~ 0 K, i cunoscand valorile lui Ro

radiatii
= 9,4 [7, 89,
Valoarea mare a lui

respingere
cu dlstanta
X) si ale
lui
(cu apropierea
x-.
Pentru aceasta este necesar
sa
la fiecare
ion pozitiv de metal. in urma acestor
(VM
Ex) ,
de ionizare a atomului de metal
atomul de metal), iar Ex - afinitatea electronului la atomul de
ionilor) (v (3.55)).
halogen
La aceasta
1);
c - Transformam prin condensare (la temperatura de OK) vaporii

metalului in cristal (deci vom avea o transformare
de faza
vapori - solid, adica o desublimare). in urma acestui proces
Ro ix [41, 212, 213].
se va degaja o energie + Ws (evident
Cunoscand valorile lui a i m, se poate calcula, folosind relatia

ionic,
la
(adica energia necesara pentru a scoate un electron de la
125].
exponential cu dlstanta, dupa o lege de forma: a e-RJ P, unde parametrii
(3. 70), energia cristalului
considerat
cate un electron de la fiecare ion negativ de
unde VM este potentialul
m indica o cretere foarte rapida a fortelor de
pot fi sxprimati in functie de
ionic
"procese" se va degaja o energie egala cu +N
a (constanta
concluzie se poate ajunge i in cazul in care fortele de respingere scad
a i p
cristalul
cheltuim o energie - (U0) (v. relatia (3.70));
Madelung), putem sa calcularn din (3.84) valoarea lui m. Pentru cristalul

de NaCl, se qaseste
ca supunem
a - "Desfacem" cristalul ionic MX in ionii pozitivi de metal, M+, i
18R6
dapendenta
ne imaqinam
urrnatoarele "transforrnari" (rnodificari):
=OK
1 _ (m-1)e2 a
Xo -
(de
exemplu Cl, Br, I). Ne referim de exemplu, la cristalele de NaCl, KBr,
=2e2(m-1)
R0
x,
Li, Na, K, Cs etc) i ionii negativi monovalenti a unui halogen,
inlocuind acum (3.82) in (3.81 ), se gasete
Ws va depinde de
U0. Aceasta reprezinta lucrul mecanic
necesar pentru ca la temperatura
de zero absolut, sa se "desfaca"
Afinitatea pentrn electron reprezinta energia degajata la acceptarea unui electron de catre atomul
unui element electronegativ pentru fonnarea unui ion negativ avand configuratia de gaz nobil.
266
temperature,
dar
valoarea
ei
trebuie
extrapolata
Tabelul 3.5. Energia de coeziune a cristalelor de halogenuri alcaline

cu structura de tip Nac11l
la
temperatura de zero absolut);

d - Se transforrna
vaporii monoatomici
biatomici, X2 (adica, In exemplele

etc.). in
urma acestui
'
proces
de halogen In vapori
considerate,
se deqaja
de
pentru o rnolecula biatornica:

e - Producem o reactie chimica
lntre cristalul metalic din atomi M
~i vaporii biatomici X2. in urma acestei reactii are loc o

degajare de caldura (caldura de formare),
asemenea
trebuie extrapolate
+QMX (care de
pentru temperatura
de zero
absolut).
Intrucat
In
urma
tuturor
transformarilor
imaginate
Energia de coeziune cu ioni

liberi
(kcal/mol)
experimental
cal cu lat
Distanta
panala
vecinii de
ordinul
intai
(A)
In Cb, Br2
o energie
267
sistemul
(substanta) a revenit la starea initiala (deci a fost parcurs un ciclu lnchis)

variatia totala a energiei interne a acestui sistem trebuie sa fie eqala cu
zero, adica, vom putea scrie
(3.85)
LiF
LiCI
Li Br
2,014
2,570
2,751
242,3
198,9
189,8
242,2
192,9
181,0
Lil
Nal
NaF
NaCl
Na Br
3,000
2,317
2,820
2,989
3,237
177,7
214,4
182,6
173,6
163,2
166,1
215,2
178,6
169,2
156,6
Kl
KF
2,674
3,147
189,8
165,8
189,1
161,6
KCI
3,298
158,5
154,5
KBr
Rbl
RbF
3,533
2,815
3,291
149,9
181,4
159,3
144,5
180,4
155,4
Rb Cl
Rb Br
3,445
3,671
152,6
144,9
148,3
139,6
si prin urmare
(3.86)
3.6. Legatura de hidrogen
Toate valorile marlrnilor din membrul al doilea al ecuatiei (3.86)
Legatura de hidrogen (legatura prin punti de hidrogen) este
pot fi determinate experimental ~i In acest mod putem determina energia
o leqatura
foarte
irnportanta
cu ajutorul
careia se explica formarea
de coeziune a cristalelor.
Intre valorile experimentale determinate cu ajutorul relatiei (3.86),
moleculelor unor cornpusi organici.
Intrucat atomul de hidrogen are un singur electron, el poate
~i cele teoretice, calculate pe baza formulei (3.72), esista o concordanta
forma o leqatura covalenta numai cu un singur atom. Este totusi

foarte buna (v. Tabelul 3.5).
Valorile sunt la temperatura camerei si presiune normala $i au fast extrase din tabelele intocmite
de M.P. Tosi (Solid State Physics, 16 (1964) 1.
268
269
cunoscut, ca acest atom de hidrogen poate sa participe la formarea unei
de oxigen i un atom de hidrogen (distanta H - 0 este de 0,96A1>).
leqaturi electrostatice suplimentare i cu un al doilea atom care poseda
Cercetarile
au aratat ca cristalul de qheata este alcatult din
electronegativitate foarte mare. Astfel de atomi sunt atomii de oxigen si,
molecule ,,normale" (,,nedeformate") de apa, Leqaturile de hidrogen
lntr-o mai mica rnasura, atomul de azot. Aceasta leqatura suplirnentara,
(puntile de hidrogen) se pastreaza partial i In apa obisnuita, pe baza lor
numlta legatura de hidrogen, se caracterizeaza printr-o energie mare
putand
(de requla cuprinsa tntre 0, 1 eV i 0,5 eV) In cornparatie cu energia van
anumite conditii (temperaturi foarte joase, presiuni foarte mari) structura
der Waals i depinde de natura atomului de care este legat hidrogenul
cristalina a ghetii poate suferi unele modificari.
[219, 220]. t.eqatura de hidrogen asiqura coeziunea atomilor In cristalul
fi explicate propnetatlle
Leqatura
de qheata (H20) (Fig. 3.12).
atat de interesante ale acesteia. In
de hidrogen explica
polimerizarea unor cornpusi
chimici, joaca un rel important In moleculele unor sisteme biologice, In

unele cristale segnettoelectrice s.a.
Sunt cateva monografii de referinta despre leqatura (puntea) de
hidrogen, problema studiata si astazi intens de catre chirnistl i
spectroscopisti [139, 219, 220].
3. 7 Legatura covalenta
S-a aratat ( 3.4) ca lntre doi atorni care formeaza molecula de
hidrogen leqatura este covelentii (homopolara) i se formeaza prin
intermediul celor doi electroni cu spinii orientati antiparalel. Coeziunea
dintre atomi se realizeaza prin forte de schimb de natura cuantica, care
apar prin suprapunerea functiilor de unda ale electronilor atomilor
respectivi. Intrucat In domeniul dintre cei doi atomi suprapunerea
Fig. 3.12. Structura cristalului de qheata. Fiecare atom de oxigen
(cercurile cu diametre mai mari) este legat de patru atomi de hidrogen
care sunt situati In varfurile unui tetraedru regulat.
functillor de unda este maxima (i de asemenea este maxima i
Structura cristalina a ghetii este In fond o structura de tip wurtzit,
138, 222]. Intr-o astfel de leqatura, cu cat suprapunerea functiilor de
Distanta dintre atomii de oxigen apartinand la molecule vecine este
unda este mai mare, cu atat molecula este mai stabila, adica leqatura
2, 76 A, fiind de peste doua ori mai mare decat distanta dintre un atom
este mai puternica.
densitatea de sarcina), acest tip de legatura este puternic dirijata [89,
S.W. Peterson, H.A. Leng, Acta Crystalographica,
10 (1957) 70.
270
Explicarea corecta a leqaturilor chimice dintre atomi se poate
271
cei patru orbitali neechivalenti (unul s i trei p) se formeaza patru orbitali
face folosind notiunea

de orbital atomic. Prin orbital atomic se lntelege
'
'
hibrizi echivalenti, avand o forma intermediara lntre cea a unui orbital s
domeniul din jurul unui nucleu atomic In care probabilitatea existentei
i a unui orbital p, i care sunt orientaf spre varfurile unui tetraedru
unui electron, caracterizat prin valori diferite a numerelor cuantice, este
regulat (Fig. 3.14). Acest tip de hibridizare se nurneste hibridizare sp".
maxima. Din punctul de vedere al mecanicii cuantice, orbitalul reprezinta
Se spune ca atomul de carbon participa la formarea leqaturilor chimice
solutii cu semnificatie fizica, care se obtin prin integrarea ecuatiei
cu orbitali hibridizati sp", Deci atomul de carbon este tetravalent, desi
Schrodinqer pentru anumite valori ale energiei i ale nurnarului cuantic
prin confiquratia lui electronica, 1 s2 2s22p2 ar trebui sa fie bivalent (prin
principal.
In
fiecare orbital se qasesc maxim doi electroni care au
numerele cuantice de spin diferite. Pentru fiecare valoare, n, a nurnarului
urmare, spinii In starile 1 s i 2s var fi antiparaleli) (fapt confirmat de

datele experimentale ale chimiei organice).
cuantic principal exista n2 orbitali. Orbitalii cu acetasi n se deosebesc

prin valoarea energiei proprii. Corespunzator acestei energii proprii,
orbitalii poseda si geometrii (forme) specifice. Astfel, orbitalii s au forma
sferica, orbitalii p au forrna bilobara, orbitalii d tetralobara s.a.m.d.
Un proces important, care de asemenea poate fi explicat prin
Fig. 3.13. Orbitalii rezultati din hibridizarea unor orbitali atomici.

Dintr-un orbital s ~i unul p rezulta doi orbitali hibrizi de tipul sp
mecanica cuantica este hibridizarea, prin care un nurnar oarecare de

orbitali atomici neechivalenti, pot fi lnlocuiti printr-un nurnar egal de
orbitali echivalenti,
Orbitalii obtinuti In acest mod se numesc orbitali
hibrizi. Se poate demonstra [138, 142] ca orbitalii hibrizi deterrnina

formarea unor leqaturi chimice mai puternice In cornparatie cu acelea
formate de orbitalii de la care provin. Acest proces se explica prin faptul
ca orbitalii hibrizi, de exemplu cu forrna geometrica bilobara, se
deforrneaza formand un lob mult marlt In cornparatie cu celalalt (Fig.
3.13).
In
acest fel, poate fi realizata o suprapunere mult mai buna a
orbitalilor In procesul de formare a leqaturilor chimice.

Pentru explicarea
leqaturilor
din
cristalele covalente, o
Fig. 3.14. Hibridizarea sp": a - orbital hibrid sp";

b - orientarea tetraedrica a orbitalilor hibrizi sp" ai atomului de carbon
lrnportanta deosebita o constituie hibridizarea orbitalilor atomilor de
0 anahza mai arnanuntlta a acestei probleme [139, 219] arata ca
carbon. Dupa cum se stie, acest atom are pe stratul exterior un orbital s
atomul de carbon nu participa la leqaturile chimice In starea

fundarnentala (1 s2 2s22p2) ci In starea excitata 1 s2 2s 12p3. In acesta din
i trei orbitali p, care se deosebesc lntre ei prin stare enerqetica, forrna

qeometrica i orientare spatiala.
ln
urma fenomenului de hibridizare, din
urrna stare, tof cei patru electroni din startle 2s i 2p pot participa la
272
formarea leqaturilor covalente. Mai riguros vorbind, atomul de carbon

forrneaza o legatura covalenta prin intermediul unei start electronice
273
exista un al treilea electron.
In
cristalul de diamant (carbon) leqatura chlrnica dintre atomi se
care este o superpozifie a unei start 2s i a trei stari 2p. Coeflcientii
realizeaza prin punerea Tn comun a unor electroni cu spin opus, dupa ce
fiecareia dintre startle respective Tn superpozitle liniara i directia celor
In prealabil a avut lac hibridizarea (dupa modelul prezentat schematic ln
patru leqaturi de valenta pot fi determinate punand conditia de minim a
Fig. 3.14).
energiei de formare a moleculei. Aceste calcule, pe care noi, Tn dorinta
Dupa cum s-a aratat, leqaturile covalente sunt orientate spre
de a face o prezentare cat mai concisa a acestei probleme, nu le vom
varfurile unui tetraedru regulat. Totusi, de foarte multe ori este comod sa
prezenta aici, arata ca leqaturile covalente sunt orientate spre varfurile
se foloseasca asa-nurnlta schema plana
unui tetraedru regulat (sau spre patru dintre varfurile unui cub) (Fig.
considera ca cele patru legaturi sunt situate In acelasi plan. Cei doi
3.15). Este user de demonstrat, ca unghiurile dintre doua directii care
electroni cu spin antiparalel pusi In comun de fiecare atom se reprezinta
pornesc din centru spre atomii din varfurile tetraedrului este de 10928'.
schematic Tn diverse moduri. Cateva dintre acestea sunt prezentate in
Avem prin urmare In acest caz orbitali de valenfa dirijafi [3, 7].
Fig. 3.16. Acosta schema ne permite sa explicam o serie de fenomene
a legaturilor, adica se
importante, printre care amintim: generarea purtatorilor de sarcina in

3
semiconductorii intrinseci i cu irnpuritati, formarea jonctiunilor p-n s.a.

Fig. 3.15. Orientarea tetraedrica a orbitalilor hibrizi sp" ai atomului de carbon
in conexiune cu o retea cubica sirnpla
Se stabileste experimental ca legatura covalenta a metanului

(CH4) (Fig. 3.7) are o structura tetraedrica, cu un atom de carbon In
centrul unui tetraedru regulat si cei patru atomi de hidrogen Tn cele patru
varfuri,
Leqatura
covalenta
corespunzatoare
energiei
minime
sistemului se realizeaza prin electroni cu spinii antiparaleli. Se spune ca

leqatura
covalenta
are
propietatea
de saturare, deoarece,
Fig. 3.16. Diferite moduri de reprezentare a leqaturilor covalente

in schema plana a leqaturilor pentru structuri cristaline de tip diamant
In
conformitate cu principiul lui Pauli, In starea respectiva nu mai poate
Leqaturi covalente de acelasi tip se forrneaza intre atomii
274
275
cristalului de Si (pentru care cei patru electroni cu care un atom de siliciu
forrneaza startle hibride sp" pentru atomii respectivi. Tn mod analog se
se leaga cu patru atomi vecini sunt din startle 3s23p2 care in urma
13p3),
hibridizarii devin 3s
de Ge (pentru care cei patru electroni sunt din
14p2)
startle 4s24p2 hibridizate sub forma 4s
i de Sn (pentru care cei
explica formarea unor leqaturi covalente in cazul cornpusilor A11Bv1

Se observa
lnsa ca exista o diferenta intre leqatura covalenta din
cristalele de C (diamant), Si, Ge, in care aceasta legatura se realizeaza
patru electroni din startle 5s25p2 sunt pusi in comun cu atomii vecini
15p3).
dupa ce a avut loc o hibridizare 5s
Deci in toate cazurile se
prin intermediul unor atomi neutri, i cea din cristalele cornpusilor A111Bv
realizeaza stari hibride de tipul sp3.
A- i B+ in cazul cornpusilor A111Bv i bivalenti in cazul cornpusilor A11Bv).
sau A11Bv1,
S-a aratat deja in 1.19 ca Si, Ge, i a - Sn cristalizeaza intr-o

retea de tip diamantin care leqaturile sunt de tip covalent. Cristalele de
constatat
(care are atat o components ionica cat i o components covalenta),
ca
la
Pentru realizarea leqaturilor covalente trebuie indeplinite anumite

cornpusilor
conditii, in primul rand, atomii trebuie sa posede asemenea electroni
binari care au valenta "medie" patru (adica cornpusii de
care, prin apropierea lor, sa formeze perechi cu. spini antiparaleli. Apoi,
tipul A11Bv11)) (de exemplu sulfura de cadmiu (CdS), sulfura de zinc (ZnS),
distanta dintre atomi trebuie sa fie foarte mica astfel lncat sa poata fi
telurura de cadmiu (CdTe) etc.), A111Bv (antimonidul
evidentiate proprietatile lor cuantice legate de principiul tndlscernabilitatli
semiconductori
experimental
mixte
Deci acesti cornpusi sunt caracterizaf printr-o legatura
acest tip se numesc cristaleatomice (covalente).

S-a
in care acesta legatura se realizeaza intre ioni (rnonovalenti,
cristalele
de indiu (lnSb),
arseniura de galiu (GaAs) etc.) sau A1vBiv (de exemplu carbura de siliciu
particulelor care alcatuiesc un sistem (atomii sa poata fi considerati ca
(SiC)) poseda de asemenea
particule identice ).
legaturi chimice in care poate predomina
componenta covalenta,
Teoria
De exemplu, in cazul compusului lnSb, confiquratia electronlca a

celor doi electroni de pe lnvelisui
5s25p
1,
exterior al atomului de indiu este
iar a celor doi electroni ai atomului de stibiu este 5s25p3. in acest
leqaturii
cristalelor introducand
covalente
explica
formarea
moleculelor
notiunea de cristal molecularca o combinatie

'
'
Iiniara de orbitali atomici. Pentru stabilirea confiquratiei

unor
molecule
i a
complete,
chimia
cuantica
foloseste
electronice a
principiul
mod, ca i in cazul atomilor de Ge sau Si, avem in total 4 electroni in
suprapuneriimaximale. in conformitate
straturile s i 4 electroni in straturile p. Un electron p trece de la atomul
orbitelor moleculare este minima in cazul in care suprapunerea orbitelor
de Sb la eel de In (ceea ce determina formarea ionilor rnonovalenti In- i
moleculelor care formeaza molecula este maxima. Aplicarea principiului
Sb"), dupa care,
necesita cunoasterea distributiei spatiale de sarcina.
prin excitarea
electronului
s a fiecarui
atom,
se
cu acest principiu, energia
Leqaturile covalente in care densitatea de sarcina este maxima

in lungul
axei moleculei
densitatea
electronica
se numesc
"'
legaturi a, iar cele in care
Aceasta notatie se utilizeaza frecvent in fizica semiconductorilor pentru a indica o familie de

compusi. Aici A indica unul dintre componenti, B pe eel de-al doilea, iar la exponent sunt indicate
(cu cifre romane sau arabe) grupele din sistemul periodic din care fac parte elementele respective.
De exemplu, compusii (combinatiile) de tipul AnBv1 se formeaza prin interactiunea elementelor
din grupa a II-a (Zn, Cd, Hg) ~i a VI-a (S, Se, Te) a sistemului periodic. Acesti compusi nu sunt
aliaje, ci combinatii chimice (v. 1.20).
se concentreaza
intr-un plan perpendicular
pe
axa moleculei se numesc legaturi1C.

Fortele care actioneaza in cazul legaturii covalente scad foarte
276
repede cu distanta, astfel ca la distante R a8 (as fiind raza primei
Tn
277
cornparatie cu atomul liber (In stare qazoasa sau de vapori),
orbite Bohr) sunt neglijabile i In acest caz lntre atomi sau molecule
caracteristica leqaturii metalice consta In scaderea energiei cinetice a
neutre din punct de vedere electric lncep sa predomine interactiunile de
electronilor exteriori (de valenta).
tip van der Waals.
Un studiu teoretic riguros al leqaturii metalice ar trebui sa ia In

considerare toate tipurile de interactiuni din cristalul respectiv (energia
cinetica a electronilor, energia de interactlune dintre ioni, energia de
3.8. Legatura metalica

Metalele tipice, cum ar fi Li, Cu, Ag, Fe, Ni s.a. poseda proprietati
mecanice, electrice i optice specifice. Dintre acestea rnentlonarn:
interactiune dintre gazul electronic i ionii din nodurile retelel etc.) [13,
102, 153].
cadrul cursului de fata.

Pentru a ilustra caracteristicile leqaturf metalice vom prezenta, In
plasticitate ridicata, conductivitate electrica mare, coeficient de absorbtie

a radiatiei electromagnetice ridicat etc. Aceste proprietati pot fi explicate
Insa, prezentarea In detaliu a unui astfel de studiu depaseste
ceea ce urrneaza, un model mult mai simplificat.
daca se considera ca In metale exlsta un numar foarte mare de
Acest model considera cristalul metalic ca un cristal ionic, fiind
electroni.Jiberi" ( electronicolectivizafi)care se spune ca forrneaza
format din 2N ioni de semn opus. Energia potentiala de atractie
un gaz electronic. Sub actiunea unor carnpuri electrice slabe, acesti
coulumbiana, se poate scrie sub forma
electroni se pot deplasa la distante macroscopice In volumul metalului
a*e2N
Drude, In 1907, propune un model teoretic pentru a explica

proprietatile metalelor. Conform acestuia, metalul este un ansamblu
(3.87)
respectiv.
unde o" este o constanta .efectiva" Madelung, iar R este distanta dintre
'
ionii vecini.
format din ioni cu sarcina electrica pozitiva situati In nodurile retelei
Daca se cornpara relatia (3.87) cu (3.67), observarn ca, de fapt,
cristaline sl un gaz ideal format din electroni liberi care se rnisca intre
(3.87) reprezinta tocmai al doilea termen din membrul al doilea al
ioni. Evident, teoriile ulterioare asupra metalelor au adus rnodlficari i
formulei (3.67) care descrie atractia dintre ioni.
completarl teoriei lui Drude, insa modelul propus de el si-a pastrat, In

esenta, valabilitatea.
Leqatura care asiqura stabilitatea cristalelor metalice se nurneste
Energia totala trebuie sa tina seama i de energia cinetica de

zero a gazului electronic degenerat (v. (3.16)) si se poate scrie sub
forma
legatura metelice.
Dupa cum s-a mai aratat In 1.17, pe langa unele elemente din
sistemul periodic (Fe, Au, Ag, Co etc.) exista i alte sisteme (aliaje,
cornpusi intermetalici s.a.) caracterizate prin leqaturi specifice de tip
metalic.
a* e2 N
tot
=-
+ 3s13
1[4;3n2
10m
N513
(3.88)
unde h este constanta lui Planck ( n = h I 21f) i m masa electronului.

Energia care corespunde unei perechi de ioni este
278

* 2
E(R)= UJQJ_=-~+
35 I 3
4I 3 2
tr
n N213
(3.89)
10m
Tabelul 3.6
Tipul de
Metalul
structura
cristalma
Li
eve
Cu
CFC
HC
(hexagonal
Pentru a scoate in evidenta aspectul dependentei acestei energii de R,

vom inlocui, in ultimul termen al acestei relatii, pe N = b3 (b fiind un
factor numeric care depinde de geometria retelei si care are valori de
Zn
ordinul unitatilor) si atunci (3.89), devine

a* e2
E(R)=---+
R
3s12 tr4;3n2b213
10mR2
Nurnarul celor mai apropiati

vecini
ro (A)
3 atomi la distanta ro
6 atomi la distanta 3r0 I .J3
12 atomi la distanta r0
2,56
12 atomi la distanta r0
2,66
3,04
cornpacta)
(3.90)
La multe metale, la formarea unor astfel de leqaturi participa
Se poate arata ca dependents E ( R) descrisa de (3.90), este de

forma curbei 3 din Fig. 3.1. Relatia care da distanta minima dintre ioni Ro
numai cate un electron de la fiecare atom. De exemplu, atomul de litiu

are pe lnvelisul exterior numai un singur electron i de aceea cristalul de
litiu este format din ioni rnonovalenti de Li+ cu raza de 0,68 A, dispusi
se poate deduce din conditia
ld~~RtR,
279
regulat in nodurile retelei, care sunt lnconjuraf de un gaz electronic (a

~O
(3.91)
carui concentratie se poate determina din calcule, stiind ca fiecare atom

cedeaza cate un singur electron).
iar valorile lui Ro calculate din relatia respectiva sunt in buna

concordanta cu acelea determinate prin metode de difractie
cu radiatii
X
'
'
3.9 Leqatura crlstallna, Consideratii finale

'
(v. Capitolul II).

Trebuie sa rnentionarn ca structurile cristaline ale metalelor sunt
in acest capitol au fast prezentate principalele tipuri de leqaturi
caracterizate prin distante relativ mari dintre atomi si printr-o cifra de
cristaline pe baza carora se pot explica formarea moleculelor din atomi,
coordinatie mare (un nurnar mare de vecini de ordinul lntai) (Tabelul 3.6)
precum i formarea cristalelor cu structuri de mare diversitate.
[13, 102].
Trebuie sa mentionarn ca in cazuri reale, foarte putine cristale
Din acest motiv, fiecare atom de metal participa la formarea unui
sunt caracterizate prin leqaturi de un singur tip (,,pure"), adica fie
nurnar mare de leqaturi, care nu pot fi localizate, i in consecinta, se va
covalente, fie ionice etc. in general, cristalele sunt caracterizate prin
forma o leqatura prin rezonanta a electronilor din paturile exterioare ale
legaturi mixte adlca leqaturi care au anumite componente (anumite
flecarul atom.
prop~rfii) din anumite legaturi.

S-a putut constata din cele prezentate ca interactiunea
electrostatics este factorul determinant in coeziunea cristalelor solide
'
celelalte tipuri de interactlum (magnetice, gravitationale etc.) fiind slabe
280
sau putand fi chiar neglijate.
281
unde I este energia de ionizare i A este afinitatea pentru electroni.
O structure crlstallna oarecare este stabila numai In cazul In care
I i A se exprirna de obicei In eV [56, 57, 186], lnsa practic se
energia ei totala este mai mica decat energia totala a atomilor sau a
foloseste o scara relative definita ca raportul dintre electronegativitate
moleculelor constituente In cazul In care acestea s-ar afla In stare llbera
elementului
(In stare qazoasa
dintre energia
A= 0,62 eV).
sistemului de atomi liberi i energia lor In faza condensate se nurneste
Dupa
sau In stare de vapori).
Diferenta
energie de coeziune.
anumite
ieqaturi.
De exemplu, In cazul leqaturii ionice se formeaza
cristale de tip CsCI sau NaCl ( 1.18).

Leqatura
cum
electroneqativitati
in functie de natura leqaturf cristaline se formeaza i cristale cu
covalenta,
diferenta
rezulta
din
(3.92),
dupa
5,392 eV si
diterenta
dintre
se poate evalua caracterul unei legaturi chimice. Daca

are
valoare
mare,
leqatura
dintre
cornponentii
compusului format din cele doua elemente are caracter preponderent

ionic, iar In cazul In care aceasta diferenta este mica, leqatura are un
care se poate
electroni cu spini trnperecheati,
aceasta
i cea a litiului (pentru litiu, I
respectiv
al
realiza
prin
perechi
de
caracter preponderent covalent.
este o legatura puternlca, cornparabila
100
cu intensitatea legaturii ionice, desi leqatura covalenta se forrneaza lntre

atomi neutri din punct de vedere electric.
75
co
t.eqatura mixts, ionlca i covalenta este foarte raspandita printre

cornpusli semiconductori
Q)
: 50
'(3
c:
binari.
.2
Pauling [138, 139] arata ca gradul de ionicitate a unui campus

binar avand o astfel de retea cu leqaturi mixte, se poate determina din
25
0
2
relatia
Diferenta electroneqativitatilor XA - xs
(3.92)
Fig. 3.17. Gradul de ionicitate al halogenurilor alcaline (in procente)
in functie de diferenta electroneqativitatilor elementelor componente [19].
unde XA si xs reprezinta electroneqativitatile

Electronegativitatea
reprezinta
celor doi cornponenti.
proprietatea
elementelor
de a
Dupa cum se poate observa
din Fig. 3.17 [19], gradul de
accepta electroni i de a forma ioni negativi. Aceasta marime este data
ionicitate (cat la suta din leqatura totala este ionica) calculat din relatia
de relatia 1)
(3.92) (curba continua) este In buna concordanta
I +A
x=- -2
experimental (indicate cu cercuri negre In fiqura).

(3.93)
Un alt tip de leqatura rnixta, covalenta - van der Waals, este

caracteristica
RS. Mulliken, J. Chem. Phys., 3 (1935) 573.
cu valorile obtinute
(carbon).
cristalelor
de Te i Se ( 1.19) sau cristalelor de grafit
282
BAZELE FIZJCU SEMICONDUCTORJLOR
Tipul de leqatura chimica care predornina intr-un
cristal
deterrnina ~i proprietatile caracteristice ale acestuia. De exemplu, in

cazul in care o substanta cristalizeaza intr-o structura in care predornina
leqaturile van der Waals, cristalele respective au temperaturi de topire
foarte scazute, se cornporta ca dielectrici si sunt transparente in
domeniul
ultraviolet.
Cristalele
covalente
au
proprietati
tipic
CAPITOLUL IV
semiconductoare si sunt transparente in domeniul spectral cu lungimi de
VIBRATIILE RETELEI CRISTAL/NE

'
unda mari. in sfarsit, cristalele metalice sunt conductoare electrice foarte
'
bune, au coeficienf de reflexie ridicaf s.a.
4.1. Vlbratiile retelei unidimensionale (liniare) cu un singur tip

(sort) de atomi pe celula elementara
Atomii (ionii, moleculele) unui cristal situati in pozitii fixe (in
repaus) in nodurile retelei constituie un caz ideal, care ar putea sa aiba
loc numai la temperatura de zero absolut", in realitate, la o ternperatura
oarecare, atomii cristalului respectiv efectueaza mici oscilatii (vibratii) in
jurul pozitiflor lor de echilbru (pozitii care corespund cu nodurile retelei
cristaline). Amplitudinile acestor oscilatii sunt cu atat mai mari cu cat
temperatura cristalului este mai ridicata.
Cunoasterea caracteristicilor acestor oscilatn pentru diferite tipuri
de
retele
cristaline,
prezinta
un
interes
deosebit
in
fizica
semiconductorilor. 0 serie de fenomene importante (dilatarea termica i

topirea cristalelor, lmprastierea neutronilor i a radiatiilor X in corpurile
cristaline, propagarea radiatiilor infrarosf in cristalele ionice etc.) pot fi
explicate luandu-se in considerare proprietatile oscilatilior respective.
Mai facem precizarea ca de foarte multe ori se foloseste
termenul de vibratiile (oscilatiile) retelei (retelei cristaline) i se
subinteleqe ca este vorba de oscilatiile particulelor din nodurile retelei,
In acest capitol noi nu vorn lua in considerare efectele cuantice care se manifesta la ternperaturi
foarte joase.
284
Capitolul IV - Vibratiile retelei cristaline
Aceste oscilatii pot fi privite ca un anumit tip de .Imperfectiuni ale

retelel cristaline ideale" (de multe ori ele chiar sunt denumite
imperfectiuni
dinamice
i sunt studiate de un capitol special al fizicii
corpului solid, intitulat dinamica retelei cristaline).
In
acest capitol noi nu vom lua in considerare imperfectiunile
Pentru studiul teoretic al oscilatiilor luarn axa de coordonate Ox

in
dlrectia
retelei i
atomilor de baza a cristalului etc.).
considerarn ca fiind
pozitive elonqatiile
corespunzatoars atomilor care sunt deplasati in dreapta nodurilor (deci

in sensul pozitiv al axei Ox) i negative cele ale atomilor care sunt
deplasati
in
cristalelor reale (lipsa unor atomi din nodurile retelei, existenta unor
atomi in internoduri, prezenta unor atomi de natura diferita de cea a
285
stanqa
a
(a)
nodurilor
a
respective.
+--
--~
n-2
n-1
n+l
11
n+2
Pentru a stabili caracteristicile oscilatiilor retelei, vom considera,

mai lntai, cazul eel mai simplu, al unei retele unidimensionale (liniare),
forrnata din atomi identici, a carer rniscare de oscilatie se supune legilor
mecanicii clasice1>. Rezultatele obtinute pentru cazul unidimensional pot
(b)
+-0
Un-2
--~
Un-l
Un
.._.,.!
Un+l
Un+2
fi UOr generalizate pentru cazul retelelor tridimensionale.

Tn Fig. 4.1 s-a reprezentat o portiune dintr-o retea cristalina
unldimensionala, avand constanta egala cu a, formats din N atomi
identici (de acelasi sort), avand fiecare masa m. Intrucat N este foarte
Fig. 4.1. Reprezentarea schernatica a unei portiunl dintr-o

retea unidirnensionala avand parametrul a. Baza atasata
fie'carui nod este formats dintr-un atom avand masa m.
Atomii sunt reprezentati in pozitia de echilibru (a)
~i in timpul efectuarii oscllatiilor (b).
mare, reteaua se poate considera ca fiind infinita, atunci cand se
Se stie din mecanica [211, 212, 223] ca micile oscilati' (oscltatn
studiaza rnlscarea unui atom din sirul respectiv. Structura crlstalina
liniare cu elonqatii mici) efectuate de un punct material (particula) cu un
respectiva a fast obtinuta pornindu-se de la o retea unidimensionala,
singur grad de libertate in vecinatatea pozitiei sale de echilibru stabil
atasand fiecarul nod al retelei o baza formata dintr-un sinqur atom. Tn
sunt oscllati! armonice. In acest caz, o departare a punctului material de
acest caz, celula elernentara (un segment de lungime a) are un singur
la pozitia sa de echilibru stabil deterrnina aparltia unei forte
atom (fiecare atom de la capetele segmentului apartinand la cele doua
(conservative) care tinde sa readuca punctul material in pozitla sa de
celule care sunt in contact), fiind o celula primitiva (celula slrnpla),
echilibru. Teoria micilor oscilatii se bazeaza pe dezvoltarea in serie dupa
Sa notarn cu ... (n - 2), (n - 1 ), n, (n + 1 ), (n + 2) .... nodurile unei
coordonate i viteze a energiei potentiale (considerata minima in pozitia
anumite portiuni din reteaua unidimenslonala considerata i cu ... un-2,
de echilibru) i cinetice, fiind pastrati numai termenii de ordinul al doilea
elonqatiile (deplasarile de la pozitiile de echilibru
(care de altfel sunt primii termeni care nu se anuleaza). Luarea in
Un_1,
Un, Un+1,
Un+2 ....
stabil) atomilor din nodurile respective.
consideratie a aproxirnatiilor urmatoare (sau, cum se mai spune, a
enermonicitinii; conduce la aparltla unor particularttati calitativ noi [23,

1
Exceptand dorneniul ternperaturilor foarte joase, oscilatiile atornilor in cristal se supun legilor
mecanicii clasice.
47, 108, 154, 208].
286

Sistemul
de
atomi
care
formeaza
reteaua
unidimensionala
287

iar
constituie un sistem de osci/atori armonici cupleii, ceea ce tnseamna

ca o deplasare a unui atom din pozitia de echilibru va influenta .starile"
(4.3)
ultima relatie deducandu-se U!?Or din Fig. 4.2.
celorlalf atomi din sir. Pentru a scoate In evidenta acest fapt, ne putem
a= d,
n-1
elastice ideale (de rnasa neqlijabila), care, In cazul In care atomii sunt In
pozitiile lor de echilibru, sunt nedeformate (Fig. 4.1 a).
atomii oscileaza, aceste resorturi se deformeaza
In
imagina ca atomii din sir ar fi legati unul de altul prin niste resorturi
1
--.
'+--+i
: Un-1'
(se alungesc sau se
normale
matematice
(introducerea
n+1
Un+1
+------+:
I
1
I
df
Fig. 4.2. Oscilatiile atomilor tntr-o retea unidlrnensionala.

Se iau In considerare numai Interactiunile
dintre atomul n i atomii vecini n - 1 i n + 1.
sensul de deplasare a atomului In raport cu sensul axei Ox (Fig. 4.1 b).

metode
Un
comprirna) In functie de pozitia atomului In sir, marirnea elonqatlel !?i
Prin anumite
'..,.-.. :L-4B.0.!i'ftl-----+l""l'_.'_n-_1.n-(ilieili!!i1k...1
.;\'~~-.,,-,n
--1P._
-.n'.},7.~
,.::.1;,+'' ~-+
((._.,,
)
I
cazul In care
coordonatelor
[211, 223]) sistemul de oscilatori armonici cuplati, poate fi

Din (4.1) - (4.3), se gasete
inlocuit cu un sistem de oscilatori intiependenti. Aceasta "decuplare"
(4.4)
poate fi efectuata numai In cazul eproxitnetiei armonice.

Varn considera
ca un atom din slr interactioneaza
atom ii vecini de ordinul Intai ( cei mai apropiati)
de
.raza de
interactlune
actiune mica". Tn cazul elenqatiilor mici

dintre
atomi
poate
fi
cvesletestice, adica se poate presupune
conslderata
(lunl
(4.5)
Forta rezultanta care actioneaza asupra atomului
n este
<< a), forta
ca
(4.6)
forfa
ca este proportionala
cu
cele doua forte avand aceeasi directie, dar sensuri diferite.

Din (4.4) - (4.6), obtinern UOr
variatia distantei dintre atomii respectivi.

Astfel, forta cu care atomul
n - 1 i n va fi
(Fig. 4.2). Aceasta
inseamna ca vom presupune ca fortele de interactiune dintre atomi sunt

forte cu
Tn mod analog, forta de interactiune dintre atomii
numai cu
(4.7)
n + 1 actioneaza asupra atomului n

Ecuatia de rniscare a atomului
este
d 2u
man = m dt2n = -/3 (2un - un-1 - un+1)
(4.1)
unde f3 este coeficientul (parametrul) fortei cvasielastice
(/3 >
n are forma
(4.8)
0), dr -
distanta finala dinre cei doi atomi, iar di distanta initiala dintre acestia.
Evident,
unde
an= ~~n
reprezinta acceleratia rniscarii atomului din nodul n.
Ecuatii de tipul (4.8) se pot scrie pentru fiecare atom din strut
(4.2)
considerat.
Daca s-ar rezolva ecuatia (4.8), s-ar putea gasi modul In
288
care depinde
de timp elonqatia
Un, adica
s-ar putea stabili forma
Mai putem scrie (4.9), sub forma
alqebrica concreta a functiei un(t). Din pacate, functiile Un-1(t) si Un+1(t) din
expresia
(4.8) sunt necunoscute
(depinzand
u ( x, t) = A sin ( kx - mt)
!?i ele de timp) si, ca
In definitiv, chiar daca presupunem ca vom rezolva aceste ecuatii
(pentru
!?i vom gasi aspectul dependentei de timp a elonqatiilor tuturor celor N

aceste
diferentiale
tipul
de
(amplitudinile
initiale
ale
elonqatii,
(4.8),
confine
constante
de
!?i fazele initiale) care trebuie determinate

miscarii
considerate
(de
requla,
prin
urmare, suma sotutillor este de asemenea o inteprala a ecuatiei), este
valorii
comod din punct de vedere matematic

forrna cornplexa, adica [3, 23]
u(x,
Din acest
rezolvarea
ecuatiei
motiv,
vom alege
o cale mult mai simpla
Totusi
pentru
vibrente. Acesta coarda se presupune

de rigiditate)
fiind
ornoqena,
situata
cu o coerdii
elastica
in directia
la linia
diferentiala
pentru
vibratiilor
cazul
admite
ca
unele .rnoditicari"
x, se va inlocui
cu o
na este ecuatia sirului reticular, r fiind aici
oscilatiilor
solutii
transversale
unde
ecuatia
monocromatice
u(x,
t)=Ae-i(wt-kna) =un(t)=un
(4.12)
amplitudinea A nedepinzand de n.
Ecuatia (4.12) descrie variatia In timp a elonqatiei atomului, care
(4.9)
u este abaterea corzii de la pozitia de echilibru la momentul t, lntr

este x, A - amplitudinea,
'
sirului, adica vom scrie
unda si v- frecventa de oscllatle,
continuua,
'
u( x, t) =A- sin2,,-( ~ -vt)
un punct a carui coordonata
sa-i aducem
lntreg), lntrucat atomii, In pozitiile lor de echilibru, sunt situati In nodurile
progresive, de forma [3, 7, 211]
unde
(4.11)
vectorul de pozitie al unui nod, a distanta dintre atomi, iar n un nurnar
De
cazul osciiatiilor mici (coarda "deviaza" foarte putin
dreapta),
(4.11) trebuie
"merime discrete", na (r
si absolut
axei Ox.
ecuatiei
In primul rand, coordonata
asemenea, greutatea corzii se neglijeaza.

Considerand
=Ae-i(wt-kx),
pentru a o putea utiliza pentru cazul unui sir reticular infinit.
(4.8), !?i anume vom asernana acest sir infinit de
atomi, intre care exista forte de interactiune cvasielastice,
(lipsita
t)=A[cos(kx-mt)+isin(kx-mt)]=Aei(kx-wt)
unde amplitudinea A poate fi o rnarime cornplexa.
rezultatelor respective.
de
sa se foloseasca solutia sub
0). Varn obtine in final un nurnar de N asemenea functii, cu
foarte multi parametri, ceea ce ar face practic imposibila interpretarea
flexibila
= 2n v)2).
Daca se cons id era ca ecuatia corzii (libere) este liniara (prin
din conditiile
elonqatiel !?i a vitezei punctului material care oscileaza, la un moment

initial, t
care poate avea atat valori pozitive
unde care se propaqa In sensul pozitiv al axei Ox) cat !?i
sau frecventa unqhiulara ( ro
integrare
indicarea
2;),
(4.10)
negative ( cand propagarea undei este In sens invers ), iar to este pulsatia
privite ca solutii ale unor ecuatii
var
k fiind vectorul de unda" ( k
urmare, rezolvarea ecuatiei este irnposibila.
atomi ai sirului,
289
/L - lungimea de
De fapt k reprezinta aici componenta vectorului de unda dupa directia axei Ox si, pentru simetria
notatiilor, ar trebui sa o notam cu kx, insa, de obicei in miscarea unidimensionala, componenta
vectorului de unda dupa directia respectiva se noteaza cu k.
2
Deoarece valorile frecventei v si a frecventei unghiulare (pulsatiei) w, nu difera decat printr-o
constanta numerica, de foarte multe ori se foloseste pentru ca denumirea de frecventa, Ia.ra a mai
preciza ca este vorba de fapt despre frecventa unghiulara, cititorii ,,descoperind" usor acest Iucru
din analiza relatiilor respective. Vom folosi ~i noi, in cadrul acestui capitol, aceasta conventie,
290
se gasete in nodul n.
Din (4.16) i (4.17), obtinern
Trebuie sa mai mentionarn i faptul ca in cazul unei corzi, se

OJ2
definesc frecventele proprii, care iau in considerare faptul ca lungimea

corzii (fixata la ambele capete) cuprinde un nu mar intreg de jumatat' de
lungimi de unda (I
291
nA/2, I fiind lungimea corzii).
reticular,
vom considera
frecventa
(unqhiulara)
OJ
ca modulul
vectorului
Insa,
In cazul sirului
2 /3 ( 1 - cos ka)
c::1 tiinan d seama ca, 1 - cos k a = 2 si n 2 -ka , avem

A
'
de unda, k, cat si
OJ2
pot lua toate valoarile cuprinse intre 0 i oo
= 4 .!!_ sin" ka
m
2
(4.19)
De aici, deducem
(fiecarei valori a lui k Ii corespunde o unda de o anurnlta forma),
(4.20)
l.ulnd in considerare (4.12), putem scrie

un-1
=A e
_A
un+1 -
In
-i[ mt-k(n-1)aJ
= une
-i[ mt-k(n+1)Ja _
- une
-ika
(4.13)
ika
(4.14)
Valoarea maxima a lui to se obtine pentru lsin
ecuatiile (4.12) - (4.14) s-au considerat oscllatiile unei retele
pentru care tof
atomii constituenf oscileaza
cu aceeasi frecventa,
care alcatuiesc
siru' unidimensional
OJ
m
OJ.
Astfel de oscilatii se numesc osclieiii normale. Deoarece toate celulele

elementare
(4.18)
=2
~I
= 1 si este
~m{7i
(4.21)
Deci, mai putem scrie (4.20), sub forma
sunt, din punct de
m( k) =mm lsin ~al
(4.22)
vedere fizic, echivalente, atunci amplitudinile atomilor din diferite celule

vor fi aceleai, la trecerea de la o celula la alta variind numai faza
oscilatiilor.
re I at, .1 e care, t"inan d seama d e expres1.a k

,
A
Tn aceasta situatie, din (4.12) obtinern
d2un =
-mOJ2
Ae-i(mt-kna)
df2
m( A)= mm lsin
= -mOJ2U
n
(4.15)
= -/3(
2-
e-ika - eika)
71
(4.23)
Prin urmare, relatia (4.12) reprezinta o solutie a ecuatiei (4.8)

pentru orice valoare a lui n, In cazul In care dependents frecventei
Tnlocuind (4.12) - (4.15) in (4.8), qasfrn user, dupa sirnplificari

-mOJ2
= -2/LTC , se scne
(4.16)
OJ
de
de unda k (sau de lungimea de unda /L) este descrisa de
vectorul
expresia (4.22), respectiv (4.23).
Insa,
Relatia (4.22) se nurneste legea (relafia) de dispersie pentru o
retee unkiimensionele cu un singur tip (sort) de atomi pe celula

etementsrii. Din aceasta relatie rezulta ca Intr-un sir unidimensional cu
si deci
e-ika
+ eika
= 2 cos ka
(4.17)
distributie
de masa discreta,
frecventa
OJ
nu este proportionala
cu
292
'
vectorul de unda k asa cum se tntampla in cazul corzii vibrante (pentru

care
OJ
= ck
sau v = c }5_, c fiind viteza de propagare a undei) ci este

21C
'
1[
--~k~+-
(4.23')
(4.26)
'
respectiva. Punctul k
(4.24)
ng este tot un
primei
definesc marginile
(extremitafile) primei zone

Valorile vectorului de unda k situate in afara acestui interval nu
conduc la start noi de oscilatie a atomilor retelei unidimensionale.
'
nurnarintreg i putem scrie
pentru reteaua
0, constituie centrul
-i[wt-(k+ 2:r g)na]

a
= un ei2:rgn
Evident, intrucat n i g sunt numere intregi, n,
uniotmensionata
zone Brillouin, iar punctele k = - 1[ si k = +TC
(g fiind un nurnar intreg pozitiv sau negativ), obtinern
un = Ae-1(wt-k na) = Ae
1[
care se spune ca reprezinta prima zona Brillouin
k +-g
21[
care se considera varlatla lui k, se alege intervalul
Daca in expresia (4.12) inlocuim vectorul de unda k cu un alt

vector de unda k' dat de expresia
21[ ) ~in
a
De requla, ca domeniu de baza (cu rnarirnea eqala cu
dsscrisa de o ecuatie de dispersie1).
k =
293
'
Reprezentarea qrafica a dependentei
OJ=
co ( k)
descrisa de
(4.25)
ecuatia (4.22), este reprezentata in Fig. 4.3.
i din (4.24) si (4.25), gasim ca
Prin urmare, unda descrisa de u~
(v. (4.24)) este identica (in
toate punctele i in toate momentele de timp) cu unda descrisa de
Un
(v.
(4.12)). Aceasta tnsernna ca vectorii de unda k st k' nu se deosebesc

din punct de vedere fizic (sunt indiscernabili).
Tn consecinta, este suficient sa studiem variatia lui k intr-un
Jr
21[
interval de rnarime a , lntrucat numai aceste valori ale lui k dau solutii
,
distincte. Aceasta tnsearnna ca toate proprietatile fizice (care depind de
vectorul de unda) ale sirutui unidimensional considerat vor fi periodice cu
pen. oad a-.21C
1 Dispersia reprezinta fenomenul de descompunere a unei radiatii in radiatiile monocromatice

componente, care se produce ca unnare a dependentei de frecventa a vitezei de faza a undelor
care strabat mediul dispersiv.
Fig. 4.3. Reprezentarea qrafica a dependentei
ai
= m(k),
+2Jr
descrisa de relatia (4.22)
Prima zona Brillouin este figurata cu linie ingro~ata.
Se poate observa ca
(4.22), cuprinde factorul lsin
OJ
k;1.
ia dear valori pozitive, tntrucat relatia

De asemenea, dupa cum se poate
294
295
2Jr
deduce UOr din (4.22), OJ este o functie

periodica de k, cu perioada a
,
m(0k)
adica
(4.27)
In
conformitate
cu
reprezentarea qrafica OJ= OJ( k)
aceasta
relatie,
orice
portiune
: m~af!k
I
I
I
I
I
I
I
I
I
din
din afara primei zone Brillouin, poate fi
.transferata" In prima zona Brillouin prin deplasarea (translarea) ei cu

2Jr
2Jr
Fig. 4.4. Curba de dispersie In prima zona Brollouin

pentru o retea unidimensionala cu atomi identici.
Pe de alta parte, tinand seama ca graficul OJ= OJ( k)
se suprapune peste
portiunea B'A din prima zona; portiunea CD, deplasata cu 2Jr I a spre
In directia
, axei abciselor (axei Ok) sl In sens convenabil. Astfel,
portiunea BC, deplasandu-se spre stanqa cu
7f
In prima
zona este simetric fata de axa Om (fata de ordonata) si deci
OJ ( k)
stanqa se suprapune peste portiunea AB din prima zona. In mod analog,
= OJ ( -k)
portiunile C'B' i D'C' prin deplasarea cu 2Jr I a spre dreapta se
In majoritatea cazurilor, este suficient sa se analizeze dependents
suprapun peste portiunile AB, respectiv B'A din prima zona s.a.rn.d.
OJ= OJ(k)
numai pentru valori pozitive ale lui k, adica In intervalul
cuprins
intre
Operatia de translare (deplasare) a tuturor portiunilor graficului
OJ= OJ( k)
si
n/a
(Fig.
4.5).
In prima zona Brillouin se nurneste de obicei reducere la
primazone Brillouin.
Din cele prezentate mai sus, se poate constata ca este suficient
sa se reprezinte grafic dependents OJ= OJ( k)
,
0
UJ(k)
numai In prima zona
I
I
I
Brillouin, aspectul dependents' pentru celelalte valori ale lui k putandu
IP
m=a~~k
I
I
se stabili UOr tinand seama de relatia (4.27). 0 astfel de reprezentare

este prezentata In Fig. 4.4. Cele doua portiuni ale reprezentarii se
7f
numesc de requla ramuri de dispersie (fiind .asernanatoare" cu

ramurile unui copac).
Fig. 4.5. Curba de dispersie pentru 0 s ks nla
Valoarea maxima a lui k In prima zona Brillouin, este
r.;
=-
Jr
(4.28)
296
BAZELE FIZICII SEMICONDUCTORILOR-
Acestei valori ii corespunde o valoare minima a lungimii de unda
297

sau
21r
A.min =-=2a
k
(4.29)
max
Pentru
kmax
ff,
din (4.22), se qaseste
ca frecventa
va avea de
De aici rezulta ca pentru unde cu lungimi de unda mari (in cornparatie cu

distanta
asemenea o valoare maxima i anume
dintre
atomi),
in sistemul
de coordonate
(OJ, k), graficul
OJ= OJ(k) reprezinta o dreapta care trece prin origine (Fig. 4.4 i 4.5).
OJ =
OJ.m
= 2[!;
(4.30)
'
relatie care se obtine din (4.23) in care se Inlocuieste A cu
Amin
A doua zona Brillouin (ZB), cuprinde urrnatoarele doua domenii

de variatie a lui k:
= 2a
21r
--~k~--;-~
Din (4.29), rezulta ca, spre deosebire de un mediu continuu, intr
un sir reticular (sistem cu distributie discreta a masei) nu se pot

propaga unde cu lungime de unda mai mica decat dublul
1[
k~-
21r
a
care sunt situate de o parte si de alta a primei zone.

Tn mod analog, pentru a treia zona, avem
constanteiretelei (undele cu lungimi de unda mai mici se anihileaza
- 37r ~ k ~ - 21r ; 21r ~ k ~ 37r
reciproc).
Acest rezultat,
Amin
a
2a, poate fi interpretat ca o reflexie Bragg
pentru unghiuri de 90 (v. 2.10) pe .fetele" primei zone Brillouin.

Intr-adevar, din (2.16), pentru
2, 3, .... ) si pentru
1[
e = 90, avem
n = 1, obtinem 2a =A=
n=
1,
Amin
s.a.rn.d.
Tn aceste
2a = nA (unde
relatii, valorile
pozitive ale vectorului
de unda, k,
corespund unor unde care se propaqa in sensul pozitiv al axei Ok, iar
valorile negative se refera la unde care se propaqa in sens contrar.
Deci o unda care corespunde primei zone Brillouin este o unda

stationara i nu o unda proqresiva,
Linda cu lungime de unda minima se caracterizeaza
printr-o
frecventa maxima data de relatla (4.30).
4.2. lpoteza cristalului ciclic.

Conditiile de ciclicitate Born - von Karmann
'
Pentru valori foarte mici ale lui k in cornparatie cu n/a, putem

Tn studiul intreprins asupra vibratiilor retelei unidimensionale
aproxima
. (ka)
Sin -
considerat ca lungimea acesteia este inflruta.

:::::k:-a
In
s-a
realitate, irul reticular
face parte dintr-un cristal care are dimensiuni finite. Deci i lungimea
sirului va fi finita, el fiind format dintr-un nurnar finit de atomi. Evident,
i, din (4.22), obtinern
atomii de la extrernitatile sirulul (de la suprafata cristalului) au o inftuenta
OJ = OJ ka = 2 /ji ka
m2
{;;i2
mica asupra rniscarii celorlalti atomi din sir, tntrucat s-a presupus ca
BAZELE FIZICII SEMICONDUCTORILOR -
298
fortele de lnteractiune
dintre atomi se rnanifesta cu precadere
299
numai
lntre atomii vecini de ordinul lntai. Acest lucru este valabil tnsa numai
pentru sirurile cu un urnar foarte mare de atomi. Luarea In considerare a
unui cristal cu dimensiuni finite (In concordanta cu situatia fizica reala),
necesita
introducerea
unor conditii
la limita la capetele
sirului
(la
suprafata cristalului) pentru ecuatiile elonqatiilor, fapt care ar complica

mult studiul oscilatiilor retelei respective.
Daca nurnarul N este mare i daca nu ne intereseaza procesele care au
lac la extrernitatile sirului reticular, se poate considera ca toti cei N atomi
ai sirului, inclusiv cei de la extremitati, se qasesc In aceleai conditii i
se introduce
ipoteza cristalului ciclic, utilizata frecvent
In teoria
corpului solid si care prezinta
multiple avantaje din punct de vedere
matematic.
cei N atomi care forrneaza
Conform
acesteia,
Fig.4.6. Reprezentarea schernatica a aranjarii celor N atomi

pe un contur Inchis folosita In cazul ipotezei cristalului ciclic
De aici rezulta ca, pentru a fi lndeplinite conditiile de ciclicitate,

trebuie sa fie satisfacuta relatia
sirul sunt
dispusi pe un contur (o circurnferinta) cu raza foarte mare, astfel
incat
eikaN= 1
(4.32)
care rezulta direct din (4.31').
lntre atomul nurnarul 1 i atomul N sa fie aceeasi distanta a ca i lntre

Dupa cum s-a aratat (v. (4.25)), conditia (4.32) este satisfacuta daca
oricare doi atomi vecini din sir (Fig. 4.6).
kaN = 2Jr!
Prin urmare, conform acestei ipoteze a cristalului unidimensional
ciclic
format din N atomi, atomul "1" este echivalent cu atomul "N+1" sau, In
general, atomul n trebuie sa fie echivalent cu atomul
n N (semnele
I fiind un nurnar lntreg (/
(4.33)
= 0, 1, 2, 3, ... ).
Din (4.33), qasirn pentru vectorul de unda expresia

k = 2Jr _!
,,+"
(4.34)
a N
i ,,-" indica sensul In care este parcurs conturul respectiv).
Dupa cum rezulta din(4.34), modulul vectorului de unda, k, ia
Tn acest fel, conditiile la lirnita (care ar trebui scrise pentru atomii

de la extrernitatile
sirului) sunt lnlocuite
de coruiitiile de ciclicitate
Born-Karmann, care se deduc din conditia

UnN =Un
Sa determinam
numarul de valori pe care le poate lua vectorul
de unda k In prima zona Brillouin. Din (4.34 ), avem

(4.31)
Tinand seama de (4.12), putem scrie (4.31) sub forma

A e-i[01t-k(nN)a]=A e-i(01t-kna)
valori discrete, tntrucat I ia valori discrete.
pentru k=-(4.31')
Jr
a'
I=--
Jr
.
k
iar pentru
=+-,I=+-.
N
2'
N
Asadar, nurnarul valorilor ,,permise" (posibile) ale lui k In prima zona
300
301
Miscaril de oscilatie (vibratie) a unui atom In jurul pozitiei lui de
Brillouin se determine din relatia
--~l~+2
(4.35)
echilibru Ii corespunde un singur grad de libertate (pozitia atomului este

cunoscuta
adica In aceasta zona I ia N valor!" i In consecinta, In conformitate cu
cunoscand
valoarea
elonqatlei
u, care
indica
distanta
atomului fata de pozltia de echilibru) [211, 223].
(4.34), i vectorul de unda k ia tot Nvalori.
Deci pentru cei N atomi din sistem (siru' reticular), avem N grade
Prin urmare, numiirul valorilor permise pentru
vectorul de
unda k, in prima zona Brillouin, este egal cu numiirul N al etomilor

din strut reticular considerat (sau cu nurnarul celulelor elementare,
lntrucat s-a presupus ca baza este formats dintr-un singur atom).
numiirul grade/or de libertate ale sistemului.

S-a aratat deja ca In prima zona Brillouin, vectorul de unda k ia
un nu mar foarte mare de valori, astfel In cat functia OJ= f (k)
Datorita faptului ca N ia vaJori foarte mari, variatia Jui k cu
data de
(4.22) este considerata cvasicontinua, desi k ia valori discrete (v. (4.34 )).
descrisa de (4.34). se poate considera ca fiind o functie practic continua

(cvasicontinua). Aceasta ipoteza este foarte utila (i mai ales cornoda) In
studiul vibratiilor diferitelor tipuri de siruri unidimensionale.
de libertate. Rezulta ca numiirui de moduri de vibreiie este egal cu
De exemplu,
fn
aceste conditii se poate calcula nurnarul de moduri de vibratie
cu numere de unda k diferite In intervalul de frecventa cuprins
lntre OJ i
OJ+ dOJ. Varn stabili o expresie pentru densitatea de stsri, In raport cu
datorita variatiei cvasicontinue a lui k, putem aproxima o surna dupa k cu

o inteqrala In spatiul k unidimensional.
deduse
pe baza acestei
ipoteze
fn
nurnarul de unda, care se defineste ca numarul de stari pe unitate de

acest mod, formulele finale
le vom putea compara
lunqime a reteJei unidimensionaJe si pentru o variatie a Jui k eqaJa cu
cu datele
unitatea.
experimentale,
fara a fi necesar sa cunoastern (cu exactitate) nurnarul N

Din (4.22), qasirn (prin diterentiere)
de atomi din sirul reticular respectiv.
dz = ~wm /cos :a/

fiecarei valori a vectorului
de unda k Ii corespunde
dk = 21[ J_
a N
unda (un mod de vibrafie), rezulta ca In prima zona Brillouin (In care k
ia N valori) nurnarul de valori posibile pentru vectorul de unda k este
egal cu N, deci egal cu nurnarul atomilor din sir,
(4.36)
di .
(4.37)
iar din (4.34), deducem UOr, relatia
4.3. Densitatea de moduri de vibratle (oscllatle)
f ntrucat
dk
f nlocuind
pe dk din (4.37) In (4.36), obtinern
dOJ =~OJ
2
21[
/cos kal
2 aN
di
(4.38)
i tlnand seama de (4.21 ), putem scrie (4.38), sub forma
dw=~ g/cos:a/d/.
1
Dupa cum rezulta din (4.35) este comod sa consideram pe N ca fiind un numar par, dar aceasta
evident nu este esential in tratarea problemelor.
(4.39)
302
Tn intervalul de variatie a lui k cuprins lntre de moduri de vibratie, dz, corespunzator
si
Jr
+Jr
nurnarul
cos~
intervalului di de variatie a lui I
va fi
303
=J1-:; = J1+ 4w!
(4.43)
Din (4.41) i (4.43), obtinem In final

(4.40)
dz=2dl
factorul 2 intevenind aici datorita simetriei dependentei
Sa
conformitate
explicam
mai
amanuntit
valabilitatea
OJ= OJ( k).

retatiei
dOJ
(4.40):
Insa
de vibratie,
va trebui sa Inmultirn
Jr
~OJ! - OJ2
(4.44)
frecventa egal cu d OJ.
=~
Reprezentarea qrafica a dependentei
numai valorile
pozitive ale lui I (In total N/2 valori), dar In acest caz pentru a gasi
nurnarul de moduri
care reprezinta densitatea de moduri de vibratie pentru un inteval de
I poate lua (In mod simetric), atat valori
pozitive, cat i valori negative. Putem lua In considerare
2N
In
cu (4.34), la o anurnita valoare a lui I Ii corespunde
anumita valoare pentru k.
dz
=f
( w) este data In
Fig. 4.7.
dz
dm
cu 2 valorile
respective ale lui I.

Tnlocuind In (4.40) pe di determinat din (4.39), qasirn
(4.41)
2N
Insa
Jr
(4.41')
0)
iar din (4.22), obtinern

Fig.4.7. Reprezentarea grafica ~
d OJ
OJ2 sink"a =OJ2

m
2
de unde, luand In considerare i relatia (4.21 ), gasim
.
ka
OJ2
OJ!
sin-=-=--
Tnlocuind (4.42) In (4.41 ') avem
OJ2
4
/3
m
=f
(OJ) .
Se observa din (4.44) ca pentru OJ= 0, avem dz

d OJ
2N
J[OJm
i pentru
(4.42)
OJ-+ mm = 2
(ii,
~m
rezulta
dz -+ co . Densitatea de moduri de vibratie,

dOJ
dz , este o marirne irnportanta In studiul vibratiilor retelei cristaline.

dOJ
'
'
304
Densitatea
unitatea (dr
de start pentru un interval de frecventa
egal cu
1) va fi (v. 4.44))
Tr
utllizata
pentru
deducerea
1
)
{1)~
(4.44')
expresiilor
numai de marirnea vectorului
de unda
Vom exprima vitezele Vr !i)i v9 In functrs de

unor
rnarirnl
fizice
(adica In cazul
mediilor izotrope ).
0)2
305
Viteza de grup este data de expresia (4.46), In cazul In care to

depinde
dz= 2N
relatie
v0, viteza cu care se
propaqa un impuls sonar lntr-o bara solida.
importante, caracteristice retelei cristaline (de exemplu, caldura specifica
Se !i)tie ca In acest caz, putem scrie (formula lui Newton [211])
[7, 23, 41, 97]).
v, =
(4.47)
unde E este modulul lui Young, iar p este densitatea (masica).
4.4 Viteza de faza ~i viteza de grup
Modulul lui Young (definit ca fiind raportul dintre efortul unitar !i)i
Tn cazul In care frecventa depinde neliniar de nurnarul de unda,
alungirea specifica), se poate scrie, In cazul !i)irului reticular considerat,

sub forma (v. Fig. 4.2 !i)i (4.5)):
putem defini o viteza de faza !?i o viteza de grup.
Viteza de faza este viteza de deplasare a suprafetei de aceeasi

faza (echifaza) a unei unde monocromatice,
E=
iar viteza de grup de unde
IFn-1,nl
/un - Un-1 /
a
armonice (rezultat din suprapunerea unui pachet de unde de frecvente

!?i amplitudini
apropiate)
In medii dispersive
(medii In care viteza de
sernntncatra rnanrnllor care intra In relatie fiind deja cunoscuta ( 4.1 ).
f nsa,
propagare a undei depinde de frecventa sau de lungimea de unda) fiind

viteza de deplasare a maximului de energie (amplitudine).
In conformitate cu (4.5) putem scrie
)Fn-1,nl = J3lun -Un-1/
Fenomenul
de dispersie indlca faptul ca undele de frecvente diferite (lungimi de
E = j3a
relatii
generale [3, 23, 150]:
raportul dintre masa sirului, Nm, !?i lungimea
acestuia, Na), care se deterrnina din relatia

Nm
p=-=Na
(4.45)
(4.50)
Tn cazul !i)irului de atomi considerat trebuie sa definim o densitate

liniara (care reprezinta
pentru viteza de faza
(4.49)
Din (4.48) !i)i (4.49), gasim user
unda diferite, sau vectori de unda diferiti) se propaqa cu viteze diferite.

Pentru calculul acestor viteze putem utiliza urmatoarele
(4.48)
Tnlocuind (4.50)
pentru viteza de grup
sunetului
(4.46)
reticular,
!i)i
(4.51)
In
(4.51)
a
(4.47),
obtinern
pentru
viteza
lntr-o bara solida cu lungimea eqala cu lungimea sirulu'

Na,
!?i
cu
densitatea
liniara
m/a:
306
V0
=a)?;
(4.52)
307
~i
ka
COS--+
Pe de alta parte, din (4.45) si (4.22), gasim pentru viteza de faza
vf
to
; I srn. 2kal
------k k
Tn acest caz, din (4.54) ~i respectiv din (4.56), obtinern
2)?;/sin~/
(4.58)
vf
=V
=V
=8
IP
f;;;
(4.59)
=8
IP
~-;n
(4.60)
si, tinand seama de (4.52), putem scrie
v, =-2svr0n, -
kal
2
ak
(4.53)
sau lnca
Deci pentru k
v,--vo
0 (centrul zonei Brillouin), vitezele de faza ~i de
grup sunt egale (Fig. 4.8) valoarea lor cornuna reprezintand viteza de
. ka
srn~. 2
(4.54)
propagare a sunetului in siru' de atomi considerat. De aici rezulta ca, in

cazul undelor cu lungimi de unda mari (vectori de unda mici), reteaua
unidimensionala cu atomi identici se comports ca un ,,mediu" cu

in conformitate cu (4.46), expresia pentru viteza de grup se
distributie de rnasa continua, fenomenul de dispersie neavand loc.
deduce derivand relatia (4.22) in raport cu k. Se qaseste astfel
v =d
g
{i)
dk
IP/cos kal
2
= co a/cos kal = a
m 2
2
f;;i
(4.55)
si, tinand seama de (4.52), putem scrie (4.55) sub forma:

vg = v0
/cos k;/ .
(4.56)
Relatiile (4.54) ~i (4.56) prezinta o importanta deosebita in studiul

vibratiilor cristaline. Sa le reprezentarn grafic in prima zona Brillouin
a
Fig. 4.8. Dependents vitezelor de faza (vr) ~i de grup (vg) de vectorul
de unda In intervalul ( 0, ~) .
Pentru valori mici ale lui k (k --+ 0) (lungimi de unda mari),

avem
. ka ka
srn-~-
(4.57)
Pentru acest caz particular, tinand seama de (4.21), (4.52) ~i

(4.57), putem scrie legea de dispersie (4.22), sub forma
308
co(k)
/pl Sln2
. kal ~ 2~~2
{7i ka
distanta b unul fata de celalalt,
2~~
(n-1 ), n, (n+1), (n+2) ... pentru nodurile si baza din nodurile
... (n-2),
(4.61)
Intrucat v, este constants, co depinde liniar de k si, prin urmare,
corespunzatoare
n-1
vom
nota respectiv cu ... Un-1, Un, Un+1 .. elonqatiile
---
Mn
Nn-1
I
I
Nn
I
I
r+---+i
(4.62)
. -.
n+1
Mn-1
din (4.54 ), obtinem UOr

,
pentru atomii M si cu ..... Vn_1, Vn, Vn+1 ..... elonqatiile pentru atomii N.
fenomenul de dispersie nu are lac.

1l' ,
m, > mz, vom folosi indicii
Varn considera in cele ce urrneaza ca
sau
Pentru k =
309
Mn+1
---
8
I
I
I
I
I
I
...--..
b
(a)
Mn+2
Nn+1
iar din (4.56), gasim

(4.63)
De aici rezulta ca viteza de grup cu care se transfers energia de
1l' :::;
--+-fl)~l~~9a-~~--:--1tl}r;~~~m11---:--rt~:~-----~~-t)1
I
I
I
I
I
I
I
:....: :...--..:
oscilatie devine eqala cu zero la marginea zonei Brillouin.

Se poate constata UOr ca pentru domeniul -
(b)
I
~n-11
k -: 0, se obtin
,
curbe simetrice.
~ Vn-1 :
I
I
I
I
I
I
..._...::
Un : ~
I
I
I
I
.+-+~ :~:
Vn
Un+1
I
I
.....1
Vn+1 :
Un+2
Fig. 4.9. Reprezentarea schernatica a unei retele unidimensionale.

Baza este in acest caz torrnata din doi atomi diferiti.
(a)- atomii sunt in repaus; (b) - atomii efectueaza oscilatii.
Se observa ca in aceasta structura, un atom de un anumit tip
4.5. Vibratiile(oscllatllle) retelei unidimensionale cu doua

tipuride atomi pe celula elementara
Reteaua cristalina unldlmenstonala
multi)
atomi
de
mase
diferite
se
este "inconjurat" de doi atomi vecini de celalalt tip. De exemplu, atomul
Mn este vecin cu Nn (cu care formeaza baza n) i atomul Nn-1 (de la baza
in care baza are doi (sau mai
vecina). in consecinta, se poate considera ca marimea coeficientului de
retee
elasticitate este dlferlta pentru fiecare dintre cei doi atomi vecini. Varn
nurneste,
de
obicei,
unidimensioneie complexii. (Fig. 4.9).
considera ca acest coeficient este
Pentru cazul in care baza are doi atomi, aceasta retea cristalma
se construieste
pornindu-se
de la o retea unidirnensionala,
cu noduri
situate la distanta a unul in raport cu celalalt, atasand fiecarui nod o
/31
pentru interactiunea dintre atomul
Mn i atomul N, i j32 pentru interactiunea dintre atomul Mn i Nn-1
In aproxirnatia armonica (v. i 4.1 ), putem scrie pentru forta de

interactiune dintre atomii Mn i Nn (v. (4.4))
baza forrnata din doi atomi M (cu masa m1) si N (cu masa m2) situati la
~=-J31(un-vn)
310
311
si, similar pentru forta de lnteractiune dintre atomii Mn i Nn-1,

(4.71)
F2 =-/32
(vn-1 -un)
Forta rezultanta care actioneaza asupra atomului Mn este

FR =-/31(un
(4.64)
-vn)-/32(vn_1-un)
( P1 +~:
Evident, ecuatia de miscare a atomului Mn va fi
m1
d 2u
d f2n = -
Inrnultind (4.71) cu m1 i (4.72) cu
/31 (Un
(4.65)
- V n ) - /32 ( V n-1 - Un )
iar pentru atomul Nn, vom gasi in acelasi mod, expresia
m2
d2v
d t2n
e;a} +2 P1;:2)
= -/31 ( v n
- u n) - /32 ( v n - u n+1)
(4.72)
m-, gasim
[m1m2 -(/31 + /32) J A+ [/31 + /32 e-iak
=0
(4. 73)
i
.
(4.67)
Obtinern, in acest mod, un sistem de ecuatii liniare omogene in
ca
ecuatiile (4.65) si (4.66) sunt satisfacute de solutii de forma unor unde

U = Ae-i(wt-nak)
(4.74)
(4.66)
Prin analogie cu cazul sirului reticular simplu, consideram
raport cu necunoscutele A si B (care, in general vorbind, pot fi i rnarim'

complexe).
Sistemul de ecuatii admite solutii (in afara celor banale A
si respectiv
= Be-i(wt-nak)
B= 0
(4.68)
'
unde k este rnarirnea vectorului de unda (orientat dupa directia sirulu:
0) in cazul in care determinantul
0 i
coeficientilor este egal cu zero,
adica
/31 + /32 /31 + /32 e-iak

m,
m1
/31 + /32 e iak (1)2 /31 + /32
m2
m2
(1)2 -
reticular),
ro - frecventa (unqhiulara), considerate aceeasi in cele doua
expresii, iar A i B sunt amplitudinile.

Putem particulariza relatiile (4.67) i (4.68) pentru elonqatiile Un+1
si Vn-1. si vom avea
=0
'
daca luarn in considerare ecuatiile (4.71) i (4.72), sau

_A
un+1 -
-i[ wt-(n+1)ak J
(4.69)
m1m2 - (/31 + /32)

a
/11 + JJ2 e
_ B
vn-1 -
-i[ wt-(n-1)akJ
(4.70)
Tnlocuind in (4.65) i (4.66) expresiile elonqatiilor date de (4.67) (4.70), obtinern (dupa simplificare cu e-i(wt-nak) ), expresiile
iak
/31 + /32 e-iak

a ) =0
m2 m2 - (/11 + JJ2
(4.75)
daca ne referim la ecuatiile (4.73) i (4.74).

Din (4. 75), obtinern
[m1m2 -(/31 + /32)] [ m2m2 - (/31 + /32) ]- (/31 + /32 e-iak) (/31 + /32 eiak)
(4.76)
Efectuind calculele i introducand notatiile
cristaline
312
/31 + /32 m1 + m,
2
m1m2
In cazul
(4.77)
mo=-------
in care se considera
/31 = /32 = /3
(4.83)
din (4.77) i (4.78) gasim respectiv

(4.84)
(4.78)
si de asemenea, tinand seama ca
eiak+
e-iak
= 2cosak
a2 =4
(4.79)
m1 m2
irn, +m2)2
(4.85)
iar
Prin urmare, in cazul retelel complexe exlsta doua tipuri de
1- cosak = 2 sin2 ka
2
ecuatll
sau ramuri de dispersie. Curba descrisa de ecutia
(4.81) se nurneste ramura
putem scrie relatia (4.76) sub forma
m4 -2m20m2 + a2m20 sin2 ka

2 =0
"'m;, =mi [ 1- ~1-
a2sin2 ~a
ecustice iar cea descrisa de relatia (4.82),
ramura optice. Vom specifica

(4.80)
'
care este o ecuatie de gradul doi in m2 i are urmatoarele doua radacini

m12
(relatii)
mai tarziu
(4.81)
aceste
denumiri.
Din (4.85) se poate constata UOr ca valoarea maxima a lui
este eqala cu 1 i se obtine in cazul in care
de unde provin
Intr-acevar,
daca considerarn
m,
m,
ct
= m2.
q mz (q < 1, daca
m, > m2 i
q > 1 daca m, < m2), putem scrie (4.85) sub forma

2
{1)2 "'
2 = %2 (1 + ~1 - a 2 sm
. 22
ka
Q)opt
J .
a2 =4
(4.82)
iar atunci conditia ca
Sernnificatia notatiilor mac si mopt va fi explicata ulterior.
ct sa fie minim
(4.86)
(1 + q )2
este
Se constata ca in cazul unui sir reticular complex, solutiile (4.67)

i (4.68)
frecvente!e
satisfac
ecuatiile
to si vectorii
diferentiale
(4.65)
de unda k satisfac
i (4.66)
numai
ecuetiile (legi/e) de
ceea ce da
q = 1.
Prin urmare, din (4.86), obtmern
dispersie(4.81) $i (4.82).
Deci, in acest caz, exlsta
(4.87)
daca
doua
legi de dispersie, respectiv
(4.81) i (4.82), in locul uneia singure (data de (4.22)) in cazul retelei

unidimensionale cu un singur tip de atomi pe celula elernentara.
D eoarece
. ka
sin
2 ~1,
(a
2)
max
= 1.
rezulta ca in ecuatule (4.81) i (4.82),
314
BAZELE FIZICH
(a' 7 J
expresia de sub radical

ce lnsearnna ca m12 si
sin'
cristaline
SEMJCONDUCTORILOR
este mai mica sau eqala cu 1, ceea
m; sunt rnarirni reale.
sau, efectuind calculele, gasim
Vom analiza si in cazul acestui tip de retea reprezentarile grafice

to
= m( k) pentru intervalul de variatie a vectorului de unda k cuprins
intre 0 si nle.
Pentru k
= 0 (centrul
(4.93)
In
zonei Brillouin), avem
. ka
mod analog, inlocuind in (4.91) aceleasi expresii pentru
m; ~i d date
de (4.84) si (4.85)), obtinern
Sin-=
(4.94)
~i din (4.81) ~i (4.82) obtinern
; ( 0) = 0
mopt (
J[
Prin urmare, in intreg intervalul de variatie a lui k in prima zona
(4.88)
Brillouin,
0) = J2.mo
mopt >mac
(amintim
ca
am
. ka
ka
considerat
m,
>
m2),
deci
(4.89)
Pentru k = - , putem scne

a
. ka
Jr
Sin-. - =Sin--=
a2
sl ecuatiile (4.81) ~i (4.82), devin in acest caz

to ac
sm-~2
(JarJ=m ~1-~
(4.90)
(4.91)
Dezvoltand in serie radicalul din ecuatiile (4.81) ~i (4.82), dupa formula

(1
-x ) 1/2 = 1 --+x--- 1 x2
x3 ....
Evident,
(4.95)
2 4
....~1 neg1I""Jand t ermen11 care cupnn d pe x 2,

A
putem scrie expresiile respective, sub forma

(4.96)
(4.92)
Considerand
/31 = j32 = j3
(4.85), obtinern
~i inlocuind in (4.90) pe
m; ~i a
din (4.84) ~i
~i
OJopt
.J2.mo ( 1- -a8-ak
Din (4.81) ~i (4.82), derivatele lui
2 2
a)j
(4.97)
~i m.z in raport cu vectorul de
316
unda k sunt egale cu zero pentru k
d m1
dk
= n/a (daca cl-* 1 ),
= ( d mac
l dk
k=!!_
adica

ramura optica, frecventa
=O
(4.98)
!!_
oscilatiilor
to scade
cresterea lui k. Cea mai mare diferenta

k
317
= 0 (In centrul
lntre
relativ Incet odata cu
mac
i OJopt are lac pentru
zonei Brillouin).
(4.99)
Relatiile (4.98) i (4.99) pot fi deduse si direct din (4.90) i (4.91 ).
Prin urmare, functiile
punctul k
mac
= f ( k) si
m0pt
= f ( k) au extreme In
~Jn;-
Jr
=- .
De asemenea, se poate arata pentru derivatele de ordinul al

doilea, ca
d2 roa_c
( dk
<0
( d2dk J
>0
toopt
~!!_
(4.100)
1i
~!!_
De aici rezulta
k=
ca pentru
Jr ,
functia
mac
f ( k)
are un
Fig. 4.10. Reprezentarea qrafica a dependentelor w0P1

~i
wac = w(k)
ca ( k) (ramura de sus)
(ramura de jos) Tn prima zona Brillouin.
maxim, iar m pt = f ( k) are un minim.

0
Reprezentarile
grafice
Fig. 4.8 pentru intervalul -
Jr ~
ale acestor
k~
tax
/31 * /32
1, si se obtine pentru
sau m1
*m
2,
In
/31 = /32
si
cl-
este eqala cu unitatea,
m,
m., In
= m2 = m (In acest caz se
(4.101)
(4.102)
a2=1
Prin urmare, In acest caz putem scrie
= 0 (lungimi
de unda A---) oo),
pentru ramura acustica vom avea mac(O) --) 0 si pentru ramura optica,
J2 mo * 0
i m1
cazul In care
conditia a2 < 1 este indeplmita (amintim ca noi am
Observarn din Fig. 4.10 ca pentru k
/31 = /32 = j3
respectiv
considerat ca m1 > m2 ).
m0pt(O)-)
T n cazul In care
spune ca sistemul .prezinta degenerare"), din (4.84) i (4.85), obtinern
Jr .
Am aratat ca valoarea maxima a lui

(a2
functii sunt prezentate
(vezi i (4.88) si (4.89)). Se observa
ca pentru
)1 -
a2sin2 ~a
)1 -
sin2
i deci, (4.81) si (4.82), se scriu sub forma
= cos ~
BAZELE FIZICII SEMICONDUCTORlLOR
318
319
(4.103)
2
OJ2
Al
nsa, 1 -cos
v
kaJ
= OJ2opt = OJo2 ( 1 + COS 2
2ka = 2 sin. 2 4ka
~1
1 -cos
2ka
(4.104)
Insa din
kal
4
'J7ii
m2 ~ m0P,
Comparlnd
(4.105)
2)?;jcos
cu (4.22),
~I
elastice sunt aceleasi ( /31 =
/32 ),
=Jr
respectiv
(4.110)
(4.106)
constatarn
= m2)
(4.105) ~i (4.106) avem, pentru k
(4.105)
( cazul
(4.111)
ca In cazul sirului
reticular complex (cu doua tipuri de atomi pe celula elementara),

masele atomilor sunt aceleasi ( m1
De aici rezulta ca
. ka . t
. ti A d
~1 a unci nnan
2 sin 2
seama de (4.101 ), (4.103) si (4.104 ), se pot scrie
ca1 = toac = 2 [jjjsin
(4.108)
daca
degenerat) ~i constantele
Deci, In acest caz particular (cand

pentru k
= nle,
/31 = /32 = /3
~i
m; = m2 = m ),
cele doua ramuri coincid (Fig. 4.11 ).
reteaua este echivalenta cu cu o retea
m(k)
care are constanta egala cu
cazul unui sir reticular
!!.- ,
2
adica de doua ori mai mica decat In
simplu (cu un singur tip de atom pe celula
elernentara).
in
consecinta,
dependentele
In
acest
de k ale lui Wac ~i
caz
OJopt
este
indicat
sa
se
studieze
In intervalul de variatie a lui k
0
a
Insa, se
a/2
observa din (4.105) ca

Fig. 4.11. Reprezentarea qrafica a dependentelor w0P1
(4.107)
iar din (4.106), pentru k
= 0, gasim
wac = w(k)
pentru cazul cand
/11 = /32
=fl
si
= OJ ( k)
m, = m2 = m.
320
Se poate arata ca ~i in intervalul
(Jr ,_!!_J
a a/2
cele doua ramuri
coincid. Intr-adevar, in acest interval k ia valoarea k' =
321
Pe de alta parte, pentru k
0, conform (4.88), mac (0) = 0. Prin urmare,
in acest caz (4.117) devine

21[
-
k. Dar, in
acest caz,
/31 + /32
(/31 + /32) - 0
= 1
(4.118)
De aici rezulta ca in orice moment de timp, deplasarile celor

cosak' =cos8(2Jr -kJ=cos(Jr
_ akJ=sinak
4
4 a
2
4
4
(4.112)
f7f
2~rm
cos4ak
J ramura optica coincide

2
(4.113)
urmare unde cu lungimi de unda foarte mari), oscllatiile din sirul complex
sunt analoage cu mecanismul
Sa
explicarn
acum
ecustice (Fig. 4.12).

+
,, . -o,
denumirea
celor
de propagare a undelor elastice [221,
228, 229] si de aceea aceasta rarnura de oscitatie a fast nurnita ramura

cu ramura acustica.
*
*
sunt aceleasi,
doi atomi se deplaseaza ca un intreg. Deci, in acest caz (k ~ 0 ~i prin
'I = 2~m
f7f sin4kal
ultima relatie fiind identica cu (4.105), ceea ce arata ca in intervalul de

variatie a lui k, (:,a~
lor de echilibru
( u; = vn ), adica atomii se deplaseaza sincron sau baza formata din cei
~i inlocuind acesta expresie in (4.106), gasim
O)opt
doua tipuri de atomi de la pozitiile
doua
ramuri,
c5
adica
'e.. '
caracteristicile oscilatiilor din ramurile respective.
'a
Irnpartind membru cu membru relatiile (4.67) si (4.68), obtinern
(a)
"o............ ,o
""
(4.114)
+
-"
Pe de alta parte, din (4.71 ), gasim user
/31 + /32 e-iak

B (/31 + /32) - m1m2
A
Pentru k
= 0, e-iak = eiak
,'
(4.115)
. - ',,
'
... '
,,'
,
O'
--
....
-.
Q
(b)
= e0 = 1 iar (4.115) devine
A
B
/31 + /32
(/31 + /32 )- m1m2
Fig. 4.12. Modul de miscare al atomilor unei retele cu doi atomi

pe celula elernentara la trecerea unei unde transversale:
(a) - modul acustic, (b) - modul optic.
(4.116)
Pentru ramura acustica, din (4.114) ~i (4.116), rezulta ca
A
B
/31 + /32
(/31 + /32) - m1m;c .
Insa pentru
(4.117)
(k
= 0), in
o unda cu lungimea de unda foarte mare, A-~ co
cazul ramurii optice, din (4.89) si (4.77), avem
322
323
interactiunea cu o radiatie de lungime de unda corespunzatoare. Din

(4.119)
acest motiv, aceasta ramura de oscilatie, a fost numita remurii optice".
si deci pentru acest caz, (4.116) se scrie sub forma

A
B
sau, inlocuind aici pe
OJ~pt
/31 + /32
(/31 + /32)
(4.120)
- m10J~pt
4.6. Coordonate normale pentru o retea

unidirnensionala slrnpla
'
Intr-un cristal, atomii (ionii) efectueaza oscllatii In jurul pozitiilor
(0) din (4.119), gasim
lor de echilibru, fiind considerati ca alcatuind un sistem de oscilatori

(4.123)
armonici cuplati,
lntroducerea unor noi coordonate de pozitie i de
impuls, numite coordonate normale, care variaza armonic In timp,

permite ,,decuplarea" acestor oscilatori i studierea lor ca un sistem de
expresie care se mai poate scrie sub forma

1
oscilatori independenti,
(4.124)
Pentru simplitate, vom aplica aceasta rnetoda In cazul unei retele

unidimensionale simple.
Pentru o asemenea retea (v. 4.1 ), noi am scris ecuatia de
in final, se obtine
rnlscare a atomului n, sub forma

(4.125)
d2
df2n
De aici rezulta ca, In acest caz, atomii cu masele m, i m2

oscileaza In opozitie de faza (se deplaseaza In directii opuse, avand
elonqatl' de semne contrare). in acest caz rniscarea se face In asa fel
lncat centrul de rnasa a fiecarei perechi de atomi rarnane nemodificat,
=-f3(2un
-Un-1
-Un+1)
(4.126)
a carei solutie
u =A
n
e-i(wt-nak)
'
(4.127)
trebuie sa satisfaca relatia (legea) de dispersie
din (4.125) deducandu-se UOr Ca m1Un + m2Vn = 0.
(4.128)
in cazul In care cei doi atomi ai bazei sunt ioni de semn contrar,
atunci osciiatiile lor In opozitie de faza dau nastere unor dipoli electrici
(caracterizati de anumite momente dipolare) care pot interactiona1) cu
radiatia electromagnetica. in acest fel, reteaua devine activa la
Apare o absorbtie sau o emisie in infrarosu.
Sernnificatia rnarirnilor care sunt cuprinse In relatille (4.126) (4.128) au fast indicate In 4.1.
S-a mentionat ca ecuatia (4.127), scrisa pentru un atom oarecare

1
In cazul in care baza este formats din doi atomi neutri, oscilatiile de acest tip nu sunt legate de
aparitia unor momente dipolare. Totusi, si in acest caz, ramura corespunzatoare se numeste tot
opticd.
324
din sir, n, ia in considerare numai interactiunile acestuia cu atomii vecini
adica, este o cornbinatie
!i)i prin urmare aceasta ecuatie nu descrie modul de rniscare a intregului
oscilatil caracterstice
sir reticular.
Miscarea
slrului
liniara (suma) tuturor
tipurilor
sirului reticular considerat,
de rniscarea
tuturor
dupa toate valorile posibile ale lui k.
atomilor care ii alcatuiesc
!?i poate fi scrisa ca o superpozitie
liniara
Introducand notatiile
(surna) a tuturor
posibile care au ecuatii de forma (4.127).
undelor
este determinata
325
posibile de
sumarea facandu-se
(4.135)
Undele componente sunt caracterizate de vectorul de unda k, frecventa

corespunzatoare
OJ ( k) = OJk !i)i prin amplitudinea Ak
(4.136)
1).
putem scrie (4.134) sub forma

Vom scrie ecuatia deplasarii
atomilor retelei ca reprezentand
u = _1_
partea reala a relatiei

(4.129)
in care am considerat ca
Se considers
~[a
r;::;N L.;
-V /V
k=1
einak +a. e-inak

k
(4.137)
ca reteaua satisface conditia de ciclicitate, astfel
incat sumarea in (4.134) !i)i (4.137) se face dupa cele N valori posibile
(4.130)
(discrete) ale vectorului de unda, k, determinate de expresia (4.34)
k=Jr.3_,
aN
(4.131)
I fiind aici un nurnar intreg care ia valorile (v. (4.35))
Asupra semnificatiei lui ak vom reveni mai jos.
--~/~2
inlocuind (4.130) !i)i (4.131) in (4.129), obtinern

(4.132)
simple
+ ak) +sin( OJkt-kan
coordonate
+ ak)
....
ale marirnilor
coordonatenormale iar derivatele
Daca tinern acum seama ca
ei(wkt-kan+ak) =cos( OJkt-kan
Unele combinatii
ak !i)i ak
se numesc
in raport cu tirnpul ale acestor
viteze generalizate pentru atomii din sirul
se numesc
reticular considerat.
putem scrie partea reaia a ecuatiei (4.132), sub forma
Despre sernniflcatia
un = 21Akjcos(
OJkt-kan
+ ak)
(4.133)
in cazul eel mai general, miscarea atomilor sirului poate fi descrisa de

relatia
Un
=I[Ak e-i(wkt-kan) +A;
ei(wkt-kan)
J'
acestor notiuni cititorul ii poate reaminti
Iecturand Anexa 4.1 (problemele respective sunt prezentate in detaliu In

cursurile de mecanica teoretica [211, 223].)
Relatia (4.137) permite
(4.134)
coordonatele normale !i)i de vitezele generalizate.
Energia cinetica,
1
Yorn indica cu sirnbolul 0-1.:: siAk faptul ca frecventa co si arnplitudinea A se refera la unda a carei
vector de unda este k.
sa exprimarn elonqatiile Un In functie de
rr;
i energia potentiala, o/, a sirului de atomi se
pot scrie, In conformitate cu cele prezentate In Anexa 4.1, sub forma
326
(v. relatiile (29) ~i (36) din Anexa 4.1)
ak
N
rr= mLu2
2 n=1
(4.138)
327
= -imkak
(4.145)
a;= imka;
(4.146)
ak'
(4.147)
~i
~i respectiv
j3 N
'V'=-L(u n -u n-1 )
2
(4.139)
n=1
a;. = i O)k,a;.
Tnlocuind acum
Conform acestei relatii, energia potenttala de mteractiune dintre

atomul n ~i cei doi atomi vecini (n - 1) ~i (n + 1 ), se scrie sub forma
~[(un -Un-1)2 +(un+1 -un)2]
o/ =
n va
(4.145) -
(4.148)
(4.148) In (4.144),
obtinern,
dupa
efecturarea unor calcule simple, expresia
(4.140)
(4.149)
(ceilalf termeni ai sumei din (4.139) nu depind de Un).

Forta care actioneaza asupra atomului
= -i O)k,ak'
fi (v. (37) din Anexa
Dar, conform conditiei de ciclicitate, vectorul de unda k poate lua N

valori discrete (v. (4.34) ~i (4.35)), adica
4.1)
Fn
=-Jo/
aun
=-/3[2(un
2
2Jr !_
a N
-un_1)(+1)+2(un+1-un)(-1)]
(4.150)
'
I fiind un numar lntreg.
care se mai poate scrie
Prin urmare, putem scrie, tinand seama de (4.150),

(4.141)
(4.151)
relatie echivalenta cu (4.7).

Din (4.137), obtinern
u -_dun dt
Evident
1_~( ak einak + ak e-inak)

*
r;:-; L...J
-vN
(4.142)
(4.152)
geometrice cu ratla q = e
i2TT I
N
care are N termeni. Amintim ca expresia
qenerala pentru suma primilor n termeni ai unei progresii geometrice cu
sau, tinand seama de (4.142), avem
ak einak +a; e-inak)] x [L( ak. einak'+ a;. e-inak')J} .

k
Membrul al doilea al acestei relatii reprezinta suma unei progresii

(4.143)
.
i{[L(
2N n=1
i27rt-N
+eN
n=1
iar energia cinetica se scrie sub forma
rr =
N /lftn
i27rt1 i27rt2 i27rt-3
LeN =eN +eN +eN +
(4.144)
ratia q, se scrie sub forma
k'
S =-a1_(qn_-_1)
Din (4.135) si (4.136) gasim respectiv
unde a1 este primul termen.
q-1
(4.153)
328
Deci, vom putea scrie, tinand seama
de (4.151) -
(4.153),
L ei(k-k')an = N
N
urrnatoarea relatie:
n=1
L e-i(k-k')an
N
Observant ca daca nurnarul intreg I
=1=
O (prin urmare i k
i2TT I
e N
dupa cum rezulta din (4.150)) vom avea
=O
(4.158)
L e-i(k+k')an
N
=N
n=1
=1=
0,
'[inand seama ca (v. (4.22) sau (4.128))
* 1.
Intr-adevar,
daca
/ = O, avem ei2m1N = 1 (intrucat ei2m1N = cos 2nl/N - isin 2nl/N = 1) si prin

-
=N
n=1
(4.154)
urmare ei2m1N
329
(1.159)
putem scrie expresia energiei cinetice (4.149) sub forma
(deci numaratorul fractiei din expresia (4.154) va fi
nul).
Pe de alta parte, daca I= 0, din (4.152), avem
N
sau
.2Jrl
L e'Nn
= 1+1+1+ .... +1 = N
n~
(4.154')
i2TT I
Evident,
=1=
(4.160)
1, daca I
=1=
0 si atunci numitorul fractiei
din
Se poate arata UOr ca a;a_k
= aka~k.
Intr-adevar, din expresia
(4.154) va fi diferit de zero.

in consecinta, putem scrie
eikan
n=1
e;2;1n
n=1
= {O, p e ntru k =1= 0 (sau I =1= 0) .

N, p e ntru k = 0 (sau I= 0)
(4_ 155)
qasirn:
in mod analog, avem
i
n=1
ei(k+k')an =
{O, pentru
k + k' =I=
N, pentru k + k' = 0 (sau k = -k')
=v r;:-;NA
ak. = a_k
tv -k e lea t
(4.156)
lntrucat
sau
L ei(k+k')an
N
aLk
'
mk.
Prin urmare, daca luarn in considerare aceste relatii, deducem

= N
'
(4.157)
UOr
n=1
aka~k = NAkA-k
oricare ar fi valorile sumei (k + k').
a;a_k
in urma unor rationarnente similare, putem gasi relatiile

Deci, putem scrie
= NAkA-k
330
BAZELE FIZICH
SEMICONDUCTORILOR
331
obtine o valoare eqala cu N numai pentru cazul in care k
(4.160')
+ k'
0 (deci
k' = -k) i pentru cazul in care k'-k = 0 (deci k' = k ).
Tinand seama de (4.160'), putem scrie (4.160) sub forma
'[Inand seama ca
(4.161)
e'k8+
e-l
a= 2coska = 4sin2- ka
2
expresie care indica dependents energiei cinetice de rnarlrnile ak i a;.

i ca pentru k
+ k'
= 0 i
(4.167)
k - k' = O , avem
Sa exprimarn energia potentiala in functie de ak sl a;.

ei(k'-k)a = ei(k-k')a = ei(k+k')a = 1
Din (4.139), rezulta
j3
putem scrie (4.165), sub forma
o/=-2)un
(4.168)
(4.162)
-Un-1)(un -Un-1)
n=1
(4.169)
Elonqatiile Un si Un-1 se determina din expresiile (v. (4.137)), sub forma

u
n
Pe de alta parte, din (4.22), qasirn
= _1_"(a
ffi~
u.; = ~
eikan +a* e-ikan)

k
(4.163)
~ ( a,
e;ka(n~1)
. ka m
4 Sin 2 -=-OJ
2
/3
(4.170)
Tnlocuind (4.169) i (4.170) in (4.165), obtinem
+a; e~;ka(n~1))
(4.164)
(4.171)
Tnlocuind
eika(n-1)
aceste
expresii
in
(4.162)
tinand
seama
ca
Energia totala a sistemului va fi
= eikne+ika obtinem
'
rv = /3 L:
2
f ( .
'
eika e-ikan) x
Substituind in (4.172) expresiile (4.161) i (4.171 ), rezulta

.
k,k' n=1
(4.165)
(4.173)
x ( ak' eik'an +a;. e-ik'an - ak e-ik'a eik'an - a;. eik'a e-ik'an)

Efectuand lnrnultirile i qrupand convenabil termenii, putem scrie suma
Definim marirnile
Xk
si
Pk,
prin relatiile
din (4.165), sub forma
z:
(4.174)
[akak.
( 1+8-i(k+k')a
(4.172)
<E='T+o/
eikan +a; e-ikan _ ak e-ika eikan _a;
8-ika _ e-ik'a)
ei(k+k')an +aka;.
(1
+ ei(k'-k)a
_ eik'a _ e-ika) ei(k-k')an
n=1
+akak.
(1 +
ei(k-k')a - e-ik'a - eika) ei(k'-k)an
* *
+ akak.
(1 + e
(4.175)
i(k+k')a - eika - eik'a )e-i(k+k')an]
Tnlocuind acum in (4.174) pe ak i a;
(4.166)
In
conformitate
cu (4.155) si (4.156), prin sumarea dupa n, se
gasim
din (4.135) i (4.136),
BAZELE
332
FIZICH
SEMICONDUCTORILOR
xk = ak +a; = JNAk [(cos lOkf - i sin lOkt) + (cos lOkt + i sin lOkt) = 2JNAk cos lOkf
'.E
(4.176)
unde s-a luat in considerare ca se poate scrie
eiwt
=cos
mkt
+ i sin mkt
(4.177)
11
'.E = ( -P
2m
ak +a; = 2Re{ak}
prin Re{ak},
I(-1-Pt + 2mmtxtJ =
2m
Jf ( xk,pk)
(4.185)
Relatia de mai sus se mai poate scrie sub forma
Mai putem scrie (4.176) sub forma
inteleqand
333
2 +-1mm12 X12J + ( -P1 2 2 +-m1 m2X22 2J +

2
2m
De aici se poate constata ca parametrii
(4.178)
de coordonate
partea reala a expresiei (4.174). Deci (4.174)
(4.185')
xk i pk = mx; joaca rol
normale i respectiv impulsuri generalizate
(v. Anexa
IV.1).
se poate scrie
Relatia (4.185) reprezinta hamiltonianul
xk = ak +a;= 2Re{ak}
(4.179)
aceste noi variabile
in mod analog putem scrie succesiv:
exprimat in
(xk i Pk). in acest mod, utilizarea variabilelor xk i Pk
ne permite sa .separarn"
reticular considerat,
sistemului
miscarile
inlocuind
de oscilatie
ale atomilor din sirul
ecuatiile de rniscare de tipul (4.8) cu o
serie de k ecuatii independente.

sau
Energia
pk= m~k ( /NAk2i sin m/) = 2mmk/NAk sin m/
(4.180)
ak - a; = 21m{ak}
(4.181)
(unidimensionala)
totala
a sistemului
de
atomi
din
reteaua
liniara
de atomi identici este o surna de energii ale unor
oscllati, normale (moduri normale de oscilatle sau de vlbratie) care sunt

efectuate de un ansamblu de k oscilatori liniari armonici, fiecare oscilator
unde Im { ak}, este partea irnaqinara a expresiei (4.176).
fiind caracterizat de o anurnita frecventa to.
Intrucat k ia N valori (N fiind nurnarul celulelor elementare din
Luand acum in considerare (4.175), avem
reteaua unidimenslonala
(4.182)
Din (4.174) sl (4.175), obtinern pentru
1)),
rezulta ca avem N oscilatori
independenti sau N moduri de vibratie,
ak i a;, relatiile
1(
. pk
a k -- 2 x k +1-. mmk
considerate
Dupa cum rezulta din expresiile (4.17 4) i (4.175), coordonatele
x, i impulsurile Pk depind de ak i a; care la randul lor (v. (4.135) i

(4.183)
(4.136)) depind de timp dupa niste legi armonice .
*
* *
(4.184)
inlocuind in final (4.183) i (4.184) in expresia energiei totale (4.173),
qasirn:
1
in cazul in care baza este formats din r atomi vom avea, evident, rN oscilatori independenti,
334
335
neutroni etc.
* *
Fononul
Se stie ca, In mecanica cuantica [113, 212, 213], se gase~te
poseda energie
analoaqa impulsului
Pr
nk
~i este caracterizat
printr-o marirne
nurnita cvasiimpuls.
pentru energia unui oscilator armonic liniar, expresia
-; =nm(n+~J
unde
n = 0, 1, 2, 3,
(4.186)
4. 7. Oscilatiile retelei tridimensionale

'
'
Se observa ca energia In starea cea mai joasa (n
= 0) este
Tn cazul tridimensional fiecare atom are trei grade de libertate ~i
tu
din acest
si se numeste energie de zero (absolut).
(amplitudinea
Energia sistemului de oscilatori care formeaza sirul reticular este
n; = 0, 1, 2, 3,
vectorului de unda
r atomi,
atunci (4.187), devine
'Lnws (k)(nks +..!J

2
k,s
1, 2, 3,
respectiv
var fi marirni vectoriale. Tn consecinta,
longitudinale(L), sau perpendicular
k,
In acest
pe dlrectia
(care coincide cu directia de propagare a undei), In
iar prin
sau riguros transversale
(4.188)
Lk,s _!nw
2
Pentru
o directie
oarecare
din cristal,
posibila, lntrucat vectorul de polarizare
1J
aceasta
clasificare
nu este
poate avea orlentari arbitrare In
raport cu vectorul de unda,
(k) + "Lnksnw k) = E0 + Eex

5 (
exista numai In medii izotrope (gaze, lichide,
solide amorfe) ~i In cristale numai pentru anumite directii de simetrie.
s am indicat nurnarul atomului din baza
Formula (4.188) se poate scrie sub forma
unde
atomului
Trebuie rnentionat faptul ca oscilatiile riguros (pur) longitudinale
care efectueaza oscilatii armonice cu frecventa ms (evident, 1 ~ s ~ r ).
E=
miscarf
acest caz ele numindu-se transversa/e (T).
E=
nks = O,
caracteristice
~i cvasiimpulsul)
caz ele numindu-se
Tn cazul In care baza cuprinde
unde
rnarimile
oscilatiile se pot efectua In directia vectorului de propagare
(4.187)
unde
motiv
Tn cazul In care baza este formats din r atomi, var exista In total
(4.189)
3r ramuri de vibratie2l:
Ea reprezinta energia vibratiilor de zero ale retelei cristaline, iar Eex
trei ramuri acustice, pentru
w( k = 0) = 0
si
este nurnita energie de excitatie.
(3r- 3) ramuri optice pentru
Tn conformitate cu reprezentarile mecanicii cuantice, flecarui mod
w( k = 0) ;e 0.
de vibratie Ii putem asocia o particula pe care o numim fonon ~i care

este cuanta carnpului de vibratie a retelei cristaline.
Dupa cum vom vedea, existenta fononilor poate fi confirrnata de
1
unele experiente
In care cristalul interacnoneaza
cu fotoni, electroni,
Vectoml de polarizare este vectoml rezultant a vectorilor caracteristici celor doua tipuri de unde.
Miscarea de ansamblu, de translatie ~i de rotatie a sistemului format din cei r atomi nu se ia in
considerare.
2
336
337
Tn cazul in care se poate face o clasificare a oscrlatlilor efectuate
celulelor elementare din cristal. Acest rezultat se poate obtine usor din
in oscilatii longitudinale si oscilatii transversale, atunci din cele trei
conditia de ciclicitate Born-Karmann pentru elonqatia Un data de ecuatia
ramuri acustice avem una lonqitudinala (LA) si doua transversale (TA),
(4.191 ), adica
iar in ramurile optice avem cate o rarnura lonqitudinala (LO) ~i cate doua
ramuri transversale (TO) pentru fiecare din cele 3r - 3 ramuri optice
(4.193)
j fiind un atom oarecare, iar N = N1N2N3 .
existente.
Din (4.191) sl (4.193) obtinem
Tn cazul in care cristalele au anumite proprietati de simetrie, de
(4.194)
requla are loc o degenerare a ramurilor transversale, cele doua ramuri

unde
deqenerand intr-una sinqura cu o sinqura frecventa caracteristica,

Relatia (4.23') poate fi generalizata pentru cazul tridimensional
sub forma
(4.195)
Din (4.193) si (4.195) se deduce

(4.190)
Kg
(4.196)
fiind un vector oarecare al retelei

reciproce.
'
Deoarece k1, k2, k3 sunt componentele lui
Prin urmare, putem scrie solutia ecuatiei de rniscare a atomului

n, sub forma
dupa axele
cristalografice. Daca 11, 12, /3, .... sunt numere intregi determinate de
conditia
(4.191)
fiind aici amplitudinea iar
Rn
un vector al retelei directe (v. (1.34 )).
putem scrie
k - 2tr !J_. k - 2tr ~. k - 2tr ~
' 31' 281 N1
82 N2
83 N3
Ecuatia (4.191) reprezinta o generalizare a ecuatiei (4.12) pentru

cazul tridimensional.
(4.197)
relatii care reprezinta o generalizare a condltiei (4.34) pentru cazul
Tn general, toate marimile care depind de k sunt periodice cu
tridimensional.
perioada retelei reciproce. Tn particular, relatia (4.27), devine
Prin urmare, in prima zona Brillouin, exista N = N1N2N3

(4.192)
Dupa o directie oarecare din cristal,
permise pentru vectorul de unda
ia atatea valori cate celule
elementare exista dupa directia respective. Daca dupa directiile 81,82,83
valori
k.
Energia totala a sistemului de oscilatori armonici va fi in acest

caz
din cristal, indicate de parametrii celulei elementare, exista respectiv N1,

N2, N3 celule, vectorul
va lua N = N1N2N3 valori, adica nurnarul total al

Fononii asociaf fiecarui mod de vibratie a retelei vor fi
338
BAZELE FIZICH
SEMICONDUCTORILOR
caracterizaf prin energii &ks = tuo, (i<) si cvasiimpulsuri pk = nk.

Ansamblul format din ramurile acustice i optice ale unei retele
cristaline poarta denumirea de spectrude vibretie al retelei respective.
Se poate arata, luand In considerare rnarimea fortelor care
actioneaza asupra atomilor [23, 97, 208] ca ramurile longitudinale au
frecvente mai mari decat cele transversale. De asemenea, poate avea
ANEXAIV.1
lac lntersectta anumitor ramuri de vibratie pentru anumite valori ale

vectorului de unda
k.
Pentru trasarea experimentala a spectrelor de vibratie exists
Coordonate normale. Viteze (impulsuri) generalizate
diferite metode. Cel mai frecvent tnsa, se foloseste pentru aceasta

Pentru simplitate, sa consideram doua particule (atomi) identice,
studiul lrnprastierii neelastice a radiatiilor X sau a neutronilor.

Tn aceste procese de lmprastiere, pe langa irnprastierea elastica
care se supune relatiei Bragg (v. Capitolul 11), poate avea lac i o
cu masa m dintr-un sir reticular orientat In lungul axei Ox (Fig. 1) care

efectueaza oscilatri In jurul pozitiilor de echilibru 01 i 02 cu elonqatiile u
lrnprastiere neelastica, determinata de absorbtia sau emisia unor fononi.
i u2. Asupra particulelor (atomilor) actioneaza fortele cvasielastice
Tn aceste cazuri se respects legile de conservare a energiei si a
-j3u1, respectiv -j3u2 orientate spre pozitiile de echilibru 01 i respectiv
impulsului, adica
02. Fortele de interactiune dintre cele doua particule sunt r ( u1

(4.199)
nm( k),
iar
K9
a
I
_o
fotonilor X sau neutronilor, indica emisia sau absorbtia unui fonon de

energie
u2)
(v. 4.1 ).
(4.200)
lndicii ,,f' i ,,i" se refera aici la starea finala, respectiv initiala a
~~=l-------0-1'.~_!
I
I
:
:I
U1
I
I
I
~_!.Pl-I
2-~-ufli----~>
~.,
U2
este vectorul fundamental al retelei reciproce
(vom mai reveni asupra acestor chestiuni cand se va discuta absorbtia
Fig. 1. Oscllatiile retelei unidimensionale

cu un singur tip de atomi pe celula elernentara.
radiatiei electromagnetice In semiconductori, mecanismele de generare

a purtatorilor de sarcina de neechilibru s.a.),
Ecuatiile de rniscare ale particulelor respective pot fi scrise sub

forma
(1)
340
(2)
Anexa IV. I - Coordonate normale. Viteze (impulsuri) generalizate.
341
Tnlocuind In (9), pe co cu m1 dat de (13), se obtine
Scriem solutlile acestui sistem de doua ecuatii diferentiale sub

(15)
forrna cornplexa
-A
2 -
eiwt
Tnlocuind (3) i (4) i derivatele In raport cu timpul
o,
o, In
(3)
Vom scrie aceasta relatie sub forma
(4)
A(1) = -A~1)
(1) i (2),
= c,
(16)
Tnlocuind acum In (10) pe m2 dat de (14) adica m2
= m;, gasim
obtinern
(17)
(5)
(6)
lntroducand notatiile:
(18)
2
/3 + r = mar;
(7)
Solutiile generale ale ecuatiilor (1) i (2) pot fi scrise sub forma:
(19)
(8)
(20)
putem scrie ecuatiile (5) i (6) sub forma
( m; - oi) A - m~A
-m~A + ( m; - m
sau, tinand seama de (16) i (18), mai putem scrie
=0
(9)
A2 = 0
(10)
(21)
2)
(22)
Acest sistem de ecuatii In A1 i A2 admite solutii nebanale, daca
Dupa cum rezulta din ultimele doua relatil, elongatiile
u, i u2 pot
determinantul coeficientilor este egal cu zero. Deci

fi scrise ca niste sume de catre doi termeni, fiecare dintre acesti termeni
(11)
depinzand de timp dupa o lege caracteristica
unei oscilatii armonice,
fiecare avand o anurnita frecventa caracteristlca.

Se poate gasi un sistem de coordonate (pe care le vom numi
Obtinem de aici ecuatia bipatrata

'
'
(12)
coordonatenormale) lncat fiecare dintre aceste coordonate sa depmda

armonic de timp.
care are solutiile:
Din (21) si (22), obtinern UOr

(13)
(23)
(14)
(24)
342
ne~
xa~I~
V~
. l ~- ~
C~
oo~rd~o~
nate nor.
m:
al.
e.Vite=ze (~
im
) g-e~
ne~
ra~
liz~at~
e.~~~A~
_p;ulsuri=
343
Tlnand seama ca fortele care actioneaza asupra fiecarui atom
in acest caz putem introduce coordonatele normale prin relatiile

(25)
sunt (v. (1) i (2))

(33)
(26)
i
F2
J2
factorul
fiind introdus aici, dupa cum se va vedea, pentru efectuarea
cu mai mare usurinta a unor calcule.
UOr urrnatoarele
u, si u2 in functie de coordonatele
expresii pentru
u1)
(34)
energia potentiala a sistemului format din cei doi atomi este

o/ =
Ecuatiile (25) i (26) forrneaza un sistem din care putem gasi
r ( u2 -
= -J]u2 -
(~u1 + F2u2)
inlocuind
(35)
in acesta relatie expresiile
lui
F1 i F2 din (33) i
respectiv (34 ), qasim, dupa efectuarea unor calcule algebrice simple:
normale
'f/ =
i[(/3
+ r) ( u; + u; )-
2yu,u2 J
(36)
Se poate gasi user din aceasta relatie ca
F1-- - av
(37)
0U1
Derivatele
q, = ddqt1
in
raport
cu
timpul
= d q2 se numesc
coordonatelor
normale,
viteze generalizate.
dt
(38)
Energia cinetica a sistemului format din cele doua particule, va fi,

Tlnand seama de (7) i (8), putem scrie (36) sub forma
in fiecare moment, egala cu
rr =
12
+ ui)
i[(mm~)(u;
u;)- 2(mm: )u,u
J.
(39)
Din (13) i (14 ), obtinern (adunand si respectiv scazand membru cu
Din (27) i (28), qasirn (derivand in raport cu timpul), relatiile
. J2(. q1 +q2. )
U1 =2
'f/
(29)
membru) relatiile
(30)
(40)
. =2
J2(.q2
U2
.)
-q1
(31)
2
ma=
2
m1 -
m2
(41)
inlocuind aceste expresii in (29), obtinern

inlocuind (40) si (41) precum si (27) i (28) in (39), qasim
(32)
(42)
344
in final, functia Lagrange pentru sistemul considerat se poate scrie

(43)
sau
= ;
(q:
- OJ1q:) + ; ( q; - OJ2 q;)
(44)
De aici rezulta ca functia i; nurnita ~i potentlatul cinetic a lui Lagrange,
BIBLIOGRAFIE
poate fi scrlsa sub forma
fiind deci o surna de doi termeni
fiecare
(i = 1, 2) '
(45)
cuprinzand
numai rnarimi
caracteristice unui anumit oscilator.

Ecuatia lui Lagrange de ordinul al doilea se scrie sub forma [211,
1. 0. ACZEL, C. BOZAN, Dislocafiile i frecarea interne la metale,

Editura Facla, Tirnisoara, 1974.
2. ST. ANTOHE, Materiale i dispozitive e/ectronice organice, Editura
Universitatu Bucuresti, 1996
212, 223]
-d ( -8- - -8 - 0
dt 8qi
8qi
(i = 1, 2) .
(46)
3. A. ANSLEM, Introduction to Semiconductor Theory, Mir Publisher,

Moscow, 1981.
Tlnand seama de (45), avem
cit 8q; J = mq. ,

d ( 8
-8=-mm.
8qi
2
I
(47)
4. I. ARDELEAN, lntroducere in studiul materialelor cu structure

vitroese, Editura NAPOCA STAR, Cluj Napoca, 2002.
5. I. ARDELEAN, R. CICEO-LUCACEL, Fizica i tehnologia
materialelor oxidice, Lucrari practice, Universitatea Babes-Bclyal
Cluj- Napoca, 2000.
q ..
(48)
6. G. ARGHIR, Caracterizarea structurete a metalelor i aliajelor prin

difracfie cu raze X, Lito UTCN, Cluj-Napoca, 1993.
Cu acestea, ecuatia (46), devine
Ci1+OJ;2qi=0 (i= 1, 2) '
(49)
7. N. W. ASHCROFT, N. D. MERMIN, Solid State Physics, Holt

Saunders International Editions, Tokyo, 1981.
(50)
8. T.A. BAK (editor), Phonons and Phonon Interactions, W.A. Benjamin,

New York, 1964.
de unde putem gasi ca
adica, asa cum rezulta din relatiile (23) - (26).
9. D. BALLY, R. BENES, R. MANAILA, Difracfia raze/or X i a

neutronilor, Editura Tehnica, Bucuresti, 1972.
346
BAZELE FlZICH SEMICONDUCTORILOR
Bibliografie
347
10. D.BALL Y, Metode fizice tn studiul corpului solid, Editura Didactica i

Pedagogica, Bucuresti, 1966.
44.1.S. BRAMMAR, M.A.P. DEWEY, Specimen Preparation for Electron

Metallography, Elsevier Publishing Company, New York, 1966.
11.1. BARBUR, I. ARDELEAN, S. SIMON, Ceramici feroelectrice i

supraconductoare, Editura BIT, lasi, 1999.
25. D.G. BRANDON, Modem Techniques in Metallography, Butterworth,

London, 1966.
12. C J BALL, Introduction of the Theory of Diffraction, Pergamon Press,

Oxford, 1971.
26. D. BRIGGS, M.P. SEAH, Practical Surface Analysis by Auger and X

ray Photoelectron Spectrocopy, J Willey and Sons, Chichester, 1990.
13. T.B. BARRET, T.B. MASSALSKI, The structure of Metals, Mc Graw

Hill, New York, 1966.
27. L. BRILLOUIN, La structure des corps so/ides dans la physique

modeme, Ed. Hermann, Paris, 1937.
14. J. BEN BRAHIM, B. CHOURABI, Structure et proprietes de la

matiere, Masson, Paris, 1992.
28. XX X, Amorphus Semiconductors, Ed. M.H. Brodsky, Topics Appl.

Phys. Vol. 36, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1979.
15. B.E.P. BEESTON, R.W. HORNE, R. MORKHAM, Electron Diffraction
29. F.C. BROWN, The Physics of Solid, Ionic Cristals Lattice Vibration
and Imperfections, W.A. Benjamin, New York, 1967.
and Optical Diffraction Tehniques in Practical Methods in Electron

Microscopy, Ed. A M Glauert, North Holland, London, 1983.
16. D.BERCHERESCU, V.CRISTEA, l.MENESSY, F.WINTER, Chimia
sterli solide, Vol I i II, Editura $tiintifica i Enciclopedica, Bucuresti,
1987.
17. F.D. BLOSS, Crystallography and Crystal Chemistry, vol I, II, Holt,
Rinehart and Wiston, New York, 1969.
18. J.S. BLAKEMORE, Semiconductor Statistics, Pergamon Press,
London, 1962.
19. J.S. BLAKEMORE, Solid State Physics, W.B.Sauders Company,
Phyladelphia - London - Toronto, 1970.
20. Y.F. BLATT, Physics of Electronic Conduction in Solids, McGraw Hill
Book Company, New York 1968.
21. V.L. BONCl-BRUEVICI, S.G. KALASNIKOV, Fizica poluprovodnikov,
lzd. Nauka, Moskva, 1977, 1990.
22. A.BONDI, Physical Properties of Molecular Crystals, Liquides and
Glass, J. Wiley, London, 1968.
23. M. BORN, K. HUANG, Dynamical Theory of Crystals Lattices,
Clarendon Press, Oxford, 1968.
30. I. BUNGET, M. POPESCU, Fizica dielectricilor solizi, Ed. Stiintiflca i

Enciclopedica, Bucuresti, 1978.
31. I. BURSUC, N. SULITANU, Solidul. Fenomene. Teorii. Aplicafii, Ed.
$tiintifica, Bucuresti, 1991.
32. l.D. BURSUC, Supreieie Fermi, Ed. $tiintifica i Enctclopedica,
Bucuresti, 1979.
33. l.D. BURSUC, M. SUCIU, Peturi subtin feromagnetice, Ed. Acad.
RSR, Bucuresti, 1969.
34. E. BURZO, Magnefi permanenfi, Ed. Academiei Romane, Bucuresti,
vol.I, vol. II, 1986
35. E. BURZO, Fizica fenomenelor magnetice, Ed. Academiei Romane,
Bucuresti, vol.1(1979), vol.11(1981), vol Ill (1983).
36. A. BUZDUGAN, M. IOVU (Eds,), Contributions to Non-crystalline
Semiconductors Physics and to Optoelectronics, Editura Academiei
R. Moldova, Chisinau, 2003.
37. T.A. CARLSON, Photoelectron and Auger Spectroscopy, Plenum
Press, New York, 1975.
348
Bibliografie
349
38. D. CHATTORJI, The Theory of Auger Transitions, Academic Press,

New York, 1976.
52.1. DIMA, I. LICEA, Fenomene fotoelectrice tn semiconductori i

eplicetii, Ed. Acad. R.S.R., Bucuresti, 1980.
39. K.I. CHOPRA, Thin Films Phenomena, Mc Graw Hill, New York,
1969.
53. I. DIMA, I. MUNTEANU, Materiale i dispozitive semiconductoare,

Ed. Didactica i Pedagogica, Bucuresti, 1980.
40. K.L. CHOPRA, S.R. DAS, Thin Film Solar Cells, Plenum Press, New
York-London, 1983.
54. V. DOLOCAN, Fizica dispozitivelor cu corp solid, Ed. Acad. R.S.R.,

Bucuresti, 1978.
41. G. CIOBANU, C. CONSTANTINESCU,

Tehnlca, Bucuresti, 1981.
Fizica sterii solide, vol. I, Ed.
42. R. L. COHEN, G. K. WERTHEIM, Methods of Experimental Physics,

Solid State Physics, vol 11, 307, 1974
55. V. DOLOCAN, Fizica electronice a
stern solide, Bucuresti,
1984.
56. V. DOLOCAN, Fizica jonciiunilor cu semiconductoare, Ed.

Academiei, Bucuresti, 1982.
57. M. DRAGANESCU,
Bucuresti, 1972.
Electronica corpului solid, Ed. Tehnica,
43. H. COLAN, E. BICSAK, M. FIRANESCU, D. CHIOREANU, T.

DOBREA, V. CANDEA, Studiul metalelor. Lucreri de laborator. Lito.
IPCN, Cluj-Napoca, 1988
58. M. DRAGANESCU,
44. H. COLAN, D. TUDORAN, G. AILINCAI, M. MARCU, E.

DRUGESCU, Studiul metalelor, Ed. Didactica si Pedagogica,
Bucuresti, 1983.
59. J W EDINGTON, Practical Electron Microscopy in Materials Science

Vol 3 Philips Tech Library, Macmillan Press, London, 1976.
45. C. CONSTANTINESCU, A. GLODEANU, Siert locale In

semiconductori, Ed. Acad. RSR, Bucuresti, 1967.
60. M. ENACHESCU, Atomic Resolution and Nanometer-Scale

Structuring, Heronimus, Munchen, 1994.
46. A.H. COTTRELL, Theory of Crystal Dislocations, Blackie and Sons

Ltd., London, 1964.
61. P.E.J FLEWITT, R.K.WILD, Physical Methods for Materials

Characterization, Institute of Physics Publishing, Bristol and
Philadephia, IOP Publishing Ltd. London, 1994.
47. G. CRISTEA, lntroducere In fizica semiconductorilor, Presa

Universitara Clujeana, 2001.
48. B. CULLITY, Elements of X-ray diffraction, Addison-Wesley,
Reading, Massachusetts, 1979.
49. AG CULLIS, N G CHEW, J L HUTCHINSON, S J C IRVINE, GEUS,
Microscopy of Semiconducting Materials, Institute of Physics, Bristol,
1985.
50. A.S. DAVI DOV, Teoria corpului solid, Ed. $tiintifica i Enciclopedica,
Bucuresti, 1983.
51. M.C. DESJONQUERES, D. SPANJAARD, Concepte de fizica
supreieiei, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1998.
Procese electronice In dispozitive

semiconductoare de circuit, Ed. Acad. R.S.R., Bucuresti, 1962.
62. R.A FLIN., P. K.TROJAN, Engineering Materials and their

Applications, 4th edition, John Wiley&Sons, New York, 1995.
63. D. FRENKNEL, I. DE SABATA, Traductorul HALL, Ed. Tehnica,
Bucuresti, 1968.
64. H. GAVRILA, H. CHIRIAC, V. IONITA, P. CIUREANU, A. YELON,
'
Magnetism tehnic i eplicetii, Ed. Academiei
Romane, Bucuresti,
2000.
65. S. GADEA, M. PROTOPOPESCU, D. DRIMER, Metalurgia tizic a
semiconductoarilor, Ed. Acad. R.S.R., Bucuresti, 1963.
350
Bibliografie
66. S. GADEA, M. PROTOPOPESCU, D. DRIMER, Metalurgia tizice a

materialelor semiconductoare, Ed. Acad. R.S.R., Bucuresti, 1967.
80. W. HEYWANG, Amorphe und polycristalline Halbleiter, Springer

Verlag, Berlin Heidelberg, New York, Tokyo, 1984.
67. N. GERU, M. BANE, C. GURGU, Analiza structurii materialelor

meta/ice, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1991.
81. PB HIRSCH, A HOWIE, RB NICHOLSON, D W PASHELEY, M J

WHELAN, Electron Microscopy of Thin Crystals, Butterworth,
London, 1969.
68. C. GHEORGHIE$, Controlul structurii fine

Editura Tehnica, Bucuresti, 1990.
a metalelor cu radiafii )(,
69. C. GHEORGHIE$, L. GHEORGHIE$, Controlul texturii metalelor cu

radiafii X, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1994.
70. H. T. GRAHN, Semiconductors
1999.
82. R. E. HUMMEL, Electronic Properties of Materials, Springer-Verlag,

Berlin, 1985.
83. L.P. HUNTER, Semiconductor Phenomena and Devices, Addison
Wesley Reading, Massachusets, 1966.
Physics, Wold Scientific, Singapore,
71. P. GRAY, C. SEARLE, Bazele electronicii moderne, Edit. Tehnica,

Bucuresti, 1973.
72. R.H. GREAVES, H. WRIGHTON, Practical Microscopical
Metallography, Chapman and Hall, London, 1966.
73. R. GRIGOROVICI, Structure of Amorphous Semiconductors. In:
Amorphous and liquid Semiconductors, Ed. J. Tauc, Plenum Press
London, -New York, 1974.
84. M.T. HUTCHINGS, C.G. WINDSOR, Neutron Scattering, Eds. K.

Skold and D.L. Price, Academic Press, London, 1986.
85. A.F. IOFFE, A.R. REGEL, Non-crystalline, Amorphous and Liquid
Electronic Semiconductors (serie de monografii "Progress in
Semiconductors"), Temple Press Book, London, 1966.
86. I. IOVA, Elemente de optice epllcete. Ed. $tiintifica i Enciclopedica,
Bucuresti, 1977.
87. A. INOUE, K. HASHIMOTO (Eds.) Amorphous and Nanocrystalline
Materials, Berlin, 2001.
74. A.S. GROVE, Fizica i tehnologia dispozitivelor semiconductoare,

Edit. Tehnlca, Bucuresti, 1973.
75. P.J. GRUNDY, G.A, JONES, Electron Microscopy in the Study of
Materials, Edward Arnold, London, 1976.
76. F. GUTMAN, L.S. LYONS, Organic Semiconductors, J.Wiley, New
York, 1967.
88. M. JAROS, Physics and Applications of Semiconductor

Microstuctures, Oxford Science, Publications, Oxford, 1990.
89. G.S. JDANOV, Fizika tviordogo tela, lzd. Moskovskogo Universiteta,
Moskva, 1961.
90. H. JONES, The Theory of Brillouin-Zones and Electronic States in
Cristals, North-Holland, Publ.Comp, Amsterdam, 1966.
77. W.A. HARRISON, Electronic Structure and Properties of Solids, vol I,

Vol II, (Physics of the Chemical Bonds), W.H. Freman and Company,
San Francisco 1980.
91. W. JONES, Theoretical Solid State Physics, vol I, II, John Wiley,
New York, 1963.
78. W.A. HARRISON, Solid State Theory, Mc Graw-Hill Book Company,

New York-London-Toronto, 1970.
92. D.C. JOY, Introduction to Analytical Electron Microscopy, Eds J.J.

Hren, J.I. Goldstein and D.C. Joy, Plenum Press, New York, 1979.
79. A. HAUG, Theoretical Solid State Physics, Mc Graw Hill, New York,
1970.
93. P.F. KANE, Introduction to Analytical Electron Microscopy. Eds J.J.

Hren, J.I. Goldstein and D.C. Joy, Plenum Press, New York, 1979.
351
352
94. J.E. KATON, Organic Semiconducting Polymers, M. Dekker, New

York, 1968.
95. A. KELLY, G.W. GROVES, Cristallography and Crystal Defects,
Longman, London, 1970.
96. P.S. KIREEV, Fizica semiconductorilor,
Enciclopedica, Bucuresti, 1977.
Bibliografie
108.A.A. MARADUDIN, E.W. MONTROLL, H.H. WEISS, Theory of

Lattice Dynamic in the Harmonic Approximation, Academic Press,
New York-London, 1963.
109. G. MARCU, Chimia metalelor, Editura Didactica i Pedagogica,
Bucuresti, 1979.
Editura $tiintifica si
110. D. MARDARE, Fenomene de transport In corpurile solide, Editura
"Gh.Asachi", Iasi, 2002.
97. C. KITTEL, lntroducere In fizica corpului solid, Ed. Tehnica,

Bucuresti, 1973
111. G. MASTACAN, Al. CIOCANEL, Studiul cristalelor cu raze X, Ed.

Tehnica Bucuresti, 1962.
98. C. KITTEL, Quantum Theory of Solids, J.Wiley, New York-Lodon,

1963.
99. R.S. KNOX, A. GOLD, Simmetry in Solide State, W.A.Benjamin,
New York, Amsterdam, 1964.
Inc.
100. P.T. LANDSBERG, Solid State Theory, Metods and Applications,

J.Wiley, London, 1969.
101. R.A. LEVY, Principles of Solid State Physics, Academic Press, New
York, 1968.
102.1. LICEA, Fizica metalelor, Editura $tiintifica i Enciclopedica,
Bucuresti, 1986.
103. D. LONG, Energy Bands in Semiconductors, J.Wiley, New York,
1968.
104. E. LUCA, V. BARBOIU, Analiza structumle prin metode fizice,
Editura Academiei R.S.R., Bucuresti, 1984.
105. E. LUCA, M. CHIRIAC, M. STRAT, V. BARBOIU, Analiza
structurete prin metode fizice, vol I, Editura Academiei R.S.R.,
Bucuresti, 1985.
106. 0. MADELUNG, Introduction in Solid State Theory, Springer
Verlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1978.
107.A. MANY, Y. GOLDSTEIN, N.B. GROVER, Semiconductors
Surfaces, J.Wiley and Sons, New York, 1965.
112. NS MCINTYRE, Practical Surface Analysis, Eds. Briggs and MP

Seah, J Wiley and Sons, Chichester, 1983.
113.A. MESSIAH, Mecenice cuentice, vol I, II, Editura $tiintifica,
Bucuresti, 1969.
114. L. MIHALY, M.C. MARTIN, Solid State Physics, John Willey and
Sons, New York, 1996.
115. S. MITURA (Ed.) Nanotechnology in Materials Science, Elsevier,
Amsterdam,2000.
116. L. MITO$ERIU, V. TURA, Fizica dielectricilor, Editura Universitatll
"Al.1.Cuza" tasi, 1999.
117 .L MOENKE-BLANKERBURG, Advances in Optical and Electron
Microscopy Volume 9, Eds R Baret and V E Cosslett, Academic
Press, London, 1984.
118. H. MODIN, S. MODIN, Metalurgica/ Microscopy, London
Butterworts, London, 1973.
119. W. MONCH, Semiconductor Surface and Interfaces, 2nd ed.,
Springer Ser. Surf. Sci. vol.26, 1995.
120. C. MOR0$ANU, Depunerea chimice din vapori a straturilor subtiri,
Ed. TehnicaBucuresti, 1981.
121. T.S. MOSS (Ed.), Handbook on Semiconductors; P.T.
LANDSBERG (Volume Editor) Basic Propeties of Semiconductors,
North Holland, Amsterdam, New York, London, Tokyo, 1992.
353
354
122. T.S. MOSS, G.Y. BURRELL, B. ELLIS, Semiconductor

Optoelectrronics, Butterworts, New York, 1973.
123. T.S. MOSS, Optical Properties of Semiconductors, London, 1959.
124. N.F. MOTT, E.A. DAVIS, Electron Processes in Non-Crystalline
Materials, Clarendon Press, Oxford, 1979.
125. N.F. MOTT, R.W. GURNEY, Electronic Processes in Ionic Crystals,
Oxford, 1963.
126. C. MOTOC, lntroducre In fizica solidului, Editura Didactica i
127. I. MU$CUTARU,
1981.
Cristale lichide i aplicafii, Ed. Tehnica, Bucuresti,
128.1. MU$CUTARIU, I. BICA, Defecte structurale In cristale, Editura

Universitatii de Vest, Tirnisoara, 1995.
129.1.1. NICOLAESCU, Metode experimentale de studiu al corpului solid,
Fasc. I i II, lasi, 1974.
130.1.1. NICOLAESCU, V. CANTER, Fizica corpului solid, Vol. I, II, Ill,
Chisinau, 1991.
131. Al. NICULA, Fizica semiconductorilor i aplicafii, Ed. Dldactica i
pedaqocica, Bucuresti 1976.
131.1.1. NICOLAESCU, lntroducere In fizica corpului solid, Ed. Cultura,
Pitesti, 1997.
132. Al. NICULA, I. FARKAS, Dielectrici i feroelectrici, Editura Tehnica,
Bucuresti, 1988.
133.1. NIERKORN, P. ROMAN, lntroducere In chimia i tehnologia
materialelor semiconductoare, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1964.
134. J. F.NYE, Physical Properties of Crystals, Calderon Press, Oxford,
1964.
135.A. PALFALVI, Metalurgia pulberilor, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1988.
Bibliografie
355
136. J.I. PANKOVE, Optical Processes in Semiconductors, Dover, New

York, 1971.
137. C. PAPU$01, Proprietetile magnetice i de rezonente ale corpului
solid, Centrul de multiplicare al Universltatil "Al.l.Cuza" lasi, vol I,
1980, vol II, 1988.
138. L. PAULING, The Nature of the Chemical Bond, Cornell University
139. L. PAULING, Chimie genera/a, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1973.
140. R.E. PEIERLS, Quantum Theory of Solids, Oxford, 1965.
141. H.S. PEISER, H.P. ROOKSBY, A.J.C. WILSON, X-ray Diffraction
by Polycrystalline Materials, Chapman Hall, London, 1960.
142. J.C. PHILLIPS, Bonds and Bands in Semiconductors, Academic
143. F.C. PHILLIPS, An Introduction to Crystallography, Oliver&Boyd,
Edinburg, 1971.
144. D. PINES, Elementary Exitations in Solids, W.A.Benjamin, New
York, 1963.
145. G.Z. PINSKER, Dynamical Scattering of X-Rays in Crystals,
Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1978.
146.1. POP, M. CRl$AN, Fizica corpului solid i a semiconductorilor,
Editura $tiintifica i Pedagogica, Bucuresti, 1983.
147.1. POP, V. NICULESCU, Structura corpului solid (Metode fizice de
studiu), Editura Academiei R.S.R., Bucuresti, 1974.
148. V. POP, I. CHICINA$, Proorieteti fizice ale materialelor i aliajelor,
Universitatea Babes-Bolyai Cluj- Napoca, 1997
149.1. IOVIT POPESCU, D. CIUBOTARU, Bazele tizlcii plasmei, Edit.
Tehnica, Bucuresti, 1987.
150. V. POP, Bazele opticii, Editura Univ. ,,Al.I. Cuza", lasi 1988.
356
BAZELE FIZICH SEMICONDUCTORJLOR
151. M. POPESCU,A. ANDRIE$, V. CIUMA$, M. IOVU, S. $UTOV, D.

TIULEANU, Fizica sticlelor ca/cogenice, Editura $tiintifica Bucuresti
Editura $tiinta, 1996.
152. XX X, Probleme actuale ale iizicii semiconductori/or,
Academiei R.S.R., Bucuresti, 1970.
357
165. LE SAMUELS, Mettalographic Polishing by Mechanical Methods,

Pitmans, London, 1968.
166. D.D. SANDU, Electronica fizica, Ed. Academiei Romane, Bucuresti,
1973.
Editura
167.Z. SCHELETT, I. HOFFMAN, A. CAMPEANU, Semiconductori i

aplicafii, Editura Facla, Tirnisoara, 1981.
153. M. PROTOPESCU, Teoria etectronice a metalelor, Editura

Academiei R.S.R., Bucuresti, 1973.
154. M.H.L. PRYCE, Phonons in Perfect Lattices and in Lattices with
Point Imperfections, Oliver and Boyd, Edinburg, 1966.
155. C. PUMNEA, I. DINA, FL. SORESCU, M. DUMITRU, T.
NICULESCU, Tehnici speciale de eneltz tizico-cblmice a
materialelor meta/ice, Editura Tehnica, Bucuresti, 1988.
168. W. SHOCKLEY, Electrons and Holes in Semiconductors, D.van

Nostrand Company Inc., Princeton, New Jersey, Toronto, London,
New York, 1950.
169. E.M. SCHULSON, C.G. VAN HESSEN, D.C. JOY, Scanning
Electron Microscopy, llTRI, Chicago, 1969.
156. E.H. PUTLEY, The Hal/Effect in Semiconductor Physics, Dover

Publications, New York, 1960.
157. Y. QUERE, Physiques des materiaux, Edition Ellipses, Paris, 1988.
157. L. REIMER, Scanning Electron Microscope, Springer-Verlag,
Heidelberg, 1985.
Bibliografie
170. K. SEEGER, Semiconductor Physics, Springer-Verlag, Berlin

Heidelberg-New York, 1982, 1999.
171.T. SEKINE, Y. NAGASAWA, M. KUDOH, Y. SAKAI, A. S. PARKES,
J. D. GELLER, A. MOGAMI, H. HIROTA, Handbook of Auger
Electron Spectroscopy, JEOL Inc., Tokyo, 1982.
Berlin
158. J.A. REISSLAND, The Physics of Phonons, John Wiley, London,

New York, 1973.
172. V. SERGIESCU, lntroducere In fizica solidului, Ed. Tehnica,

Bucuresti, 1956.
173. S.SIMON, Fizica materialelor oxidice, Supraconductori oxidici,
Editura Universitatii Babes-Bolyai, Cluj-Napoca, 1993.
159. G.I. RUSU, Semiconductori i aplicafii, vol I, lasi, 1976.

160. G.I. RUSU, Semiconductori organici, Editura tehnica, Bucuresti,
1982.
161. G.I. RUSU, I.I. RUSU, M. STAMATE, lntroducere In fizica
semiconductorilor, Ed. Plumb, Bacau, 1997.
162. G.l.RUSU, M.RUSU, M. SOROHAN, Fizica molecuiere i ca/dura
(Lucreri practice), Vol. I i II, Editura Univ. "Al.I. Cuza", lasi, 1986.
163. G.I. RUSU s.a., Mecanica, Ed. Didactica ~i Pedagogica, Bucuresti,
1990.
164. G.G. RUSU, C. SABAN, M. RUSU, Materiale i dispozitive
semiconductoare, Editura Unlversitatii ,,Al.l.Cuza" lasi, 2002.
174.1. SIROTIN, M.P. SASKOLSKAIA, Fizica cristalelor, Editura

$tiintifica i Enciclopedica, Bucuresti, 1981.
175. J.C. SLATER, Insulators, Semiconductors and Metals, Mc Graw Hill
Book Company, New York, St. Louis, San Francisco, Toronto,
London, Sydney, 1967.
176. R.A. SMITH, Semiconductors, Cambridge University Press, 1980.
177. RA.SMITH, Wave Mechanism of Crystalline Solids, Chapman and
Hall, London, 1969.
178. M. SOROHAN, Proprietetl! fizice ale metalelor sub presiune
nkirostetice, Editura Tehnlca, Bucuresti, 1988.
358
179.1. SPANULESCU,
Fizica tranzistorilor i principiile
microminieiurizerii, Editura Didactica i Pedagogica, Bucuresti,
Bibliografie
359
193. G. THOMAS, M.J. GORINGE, Transmission Electron Microscopy of

Materials, J Wiley and Sons, New York, 1979.
1973.
180.1. SPANULESCU, Fizica straturilor subiiti i eplicetilte ecestore,
Editura $tiintifica i Enciclopedica, Bucuresti, 1975.
181.1. SPANULESCU, 0. BIRAU, A. BODI, P. CIOARA, I.
MUSCUTARIU, R. PARVAN, Electronica pentru perfecfionarea
profesorilor, Editura Didactica i Pedagogica, Bucuresti, 1983.
R. PARVAN, Principiile fizice ale
microelectronicii, Editura $tiintifica i Enciclopedica, Bucuresti, 1981.
194. B K TANNER, D K BOWEN, Characterisation of Crystal Growth

Defects by X-ray Methods, Plenum Press, New York, 1980.
195. F. THON, Electron Microscopy in Material Science, Ed. U. Valdre,
Academic Press, New York, 1971.
196. G. TIMP, Nanotechology, Springer Verlag, New York, Berlin
Heidelberg, 1998.
182.1. SPANULESCU,
183.J.C.H. SPENCE, R.W. CARPENTER, Principles of Analytical

Electron Microscopy, Plenum Press, New York, 1986.
184. J.W. STEEDS, Introduction to Analytical Electron Microscopy, Eds.
J J Hren, J I Goldstein and D C Joy McGraw -Hill, New York, 1979.
185. L.S. STILBANS, Fizika poluprovodnikov, lzd. Nauka, Moskva, 1967.
186. N. SULITANU, Fizica suprafefei solide, Editura Universitatii
"Al.l.Cuza" iasi, 1997.
187. C. M.SZE, Physics of Semiconductors Devices, John Wiley and
Sons, New York-Sydney, 1969.
188.1.K. $ALABUTOV,
Leningrad, 1969
Vvedenie poluprovodnikov, lzd. Nauka,
189. K.V. SALIMOVA, Fizika poluprovodnikov, lzd. Energhia, Moskva,

1971, Energoatomizd., Moskva, 1995.
190. V. $UNEL, G.I. RUSU, M. RUSU, I. CAPLANU$, Substenie chimice
utilizate In laboratoare, Editura Univ. "Al.I. Cuza", lasi, 1993.
191. V. TAREEV, Physics of Dielectric Materials, lzd. Mir., Moskva,
1975.
192.1. TEOREANU,
L. NICOLESCU, N. CIOCEA, V. MOLDOVAN,
lntroducere In tiinfa materialelor anorganice, Editura tehnica,

Bucuresti, 1987.
197.1.M. TILDICOVSKI, Termomagnitre iavleniya v poluprovodnikov, lzd.

Nauka, Moskva, 1972.
198. M. URSAGHE, D. CHI RICA, Proprietafile metalelor, Editura
Didactica i Pedagogica, Bucuresti, 1982.
199. B.K. WAINSTEIN, V.M. FRIDKIN, V.L. INDEBOM, Modem
Crystalography, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1980
(traducere In limba rornana, Editura Didactica !?i Enciclopedica,
Bucuresti, 1989).
200. H. WALDEMAR STREITWOLF, Gruppentheorie in der
Festkorpephysik, Leipzig, 1967.
201. R.F. WALLIS, Lattice Dynamics, Pergamon Press, Oxford, 1965.
202. G.A. WERT, R.M. THOMSON, Physics of Solids, Mc Graw Hill
Book Company, New York-San Francisco-Toronto-London-Sydney,
1964.
203. R.M. WHITE, T.H. GEBALE, Long Range Order in Solids,
Academic Press, New York-San Francisco-London- 1979.
204. F. WOOTEN, Optical Properties of Solids, Academic Press, New
York, 1972.
205. H.P. WOLF, Silicon Semiconductor Data, International Series of
Monographs on Semiconductors, Vol. 9, Pergamon Press, Oxford,
1969.
206. G. ZET, D. URSU, Fizica stetii solide, Ed. Tehnica, Bucuresti, 1989.
360
207. J.M. ZIMAN, Principles of the Theory of Solids, Cambridge

University Press, London, 1972.
220. U.FANO, L.FANO, Physics of Atoms a not mollecules, University of

Chicago Press, Chicago, 1972.
208. J.M. ZIMAN, Electrons and Phonons, Clarendon Press, Oxford,

1960.
221. J.D.JACKSON,
1975.
209. P. YU, M. CORDONA, Fundamentals of Semiconductors,

Berlin, Heidelberg, 1996.
222. M.O"KEEFFE, A.NAVRO TSKY (Eds), Structure and Bonding in

Crystals, Academic Press, New York, 1981.
210. G. YEPIFANOV, Physical Principles of Microelectronics,

Moskow, 1974.
Springer,
Mir. Publ.,
* *
211. C.IACOB, Mecanica teoretice, Editura Didactica si Pedagogica,
Bucuresti, 1971.
212. LO.LANDAU, E.M.LIF$1T, Fizice steiistice, Editura Tehnica,
Bucuresti, 1988.
213. S.TITEICA, Mecanica cuentice, Editura Academiei RSR, Bucuresti,
1984.
214.X XX, Handbook of Thin Film Technology, (Eds. y L.l.MAISSEL,
R.GLANG), McGraw Hill Book Company, 1970.
215. X X X, Polycrystalline Semiconductors. Physical Properties and
Applications, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York-Tokyo,
1985.
Classical Electrodynamics,
J.Wiley, New York,
223. L.D.LANDAU, E.M.LIF$1T, Mecanica, Editura Tehnica, Bucuresti,

1966.
224. T.KALLAID, Liquid Crystals and Their Applications, Optosonic
225. G.H. BROWN, J.W. DOANE, V.D. NEFF, Structure and Physical
Properties of Liquid Crystals, Buttervorsth, London, 1971.
226. V. DOLOCAN, Fenomene de tune/are i epticeti), Editura !;)tiintifica
sl Enciclopedica, Bucuresti, 1989.
227. M. BORN, E. WOLF, Principles of Optics, Pergamon Press, Oxford
New York, 1970.
228. GH. SILAS, Mecanica. Vibrafii mecanice,
Editura Didactica i
229. l.M. POPESCU, Fizice, Vol.I, Editura Didactica i Pedagogica,

Bucuresti, 1982.
230. J. BARRET, Atomic and Molecular Structure, Wiley, London, 1970.
216.1. VIDA-SIMITI, Proprieieti tehnologice In metalurgia pulberilor, Ed.

Enciclopedica, Bucuresti 1999.
231. E.V. !;)POLSCHI, Physique Atomique, Vol. I, II, lzd. Mir, Moskow,
1974.
217 LE.TAMM, Bazele teoriei etectriciteii', Editura Tehnica, Bucuresti,

1967.
232. M.A. BLOCHIN, Physik der Rontgenstrah/en, VEB Verlag Technik,

Berlin, 1957
218. J.R.CHRISTMAN,
New York, 1988.
233. XX X, Tunneling Phenomena in Solids, Plenum Press, New York,

1969
Fundaments of Solid State Physics, J.Wiley,
219. M.A.ELIA!;)EVICI, Spectroscopia etomic i motecutere, Editura

Academiei RSR, Bucuresti, 1966.
234. O.BIRAU, A.CIUHANDU, D.ANDRU-VANGHELI,

Ed. Facla, Tlmlsoara, 1986.
Safirul i rubinul,
362
235. R.B. ALDER, A.C. SMITH, R.G. LONGIN!, Introduction to

Semiconductor Physics, John Wiley and Sons, New York, 1964.

Gheorghe I. RUSU - Bazele Fizicii Semiconductorilor Vol I

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Gheorghe I. RUSU - Bazele Fizicii Semiconductorilor Vol I

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Editura Tehnica ~tiintifica ~

Descrierea CIP a Bibliotecii Nationale a Romaniei

Tipar Digital realizat la Tipografia plm

Edltura Tehnlca ~tiintifica

ultimele decenii, cercetarile teoretice si experimentale

domeniul fizicii semiconductorilor

au cdpdtat o amploare deosebitd.

teoretice ale fizicii stdrii solide, la elaborarea de tehnologii performante

tehnica de calcul etc), de-a

lungul anilor, a aparut un numdr mare de monografii, cursuri, manuale,

problemelor de bazd din fizica semiconductorilor. Primul volum, pe care

atentiei cititorilor, se re/era la structura

materialelor semiconductoare. in celelalte doud volume, vor fi studiate

si, respectiv, proprietatile

optice si fotoelectrice ale materialelor semiconductoare.

inf elegerea corecta a problemelor

din fizica semiconductorilor

implied cunostinte temeinice de fizica corpului solid, ceea ce ar impune

in detaliu, evitdndu-se pe cat

unor formule nedemonstrate. Pentru

cititorul poate apela la bibliografia

indicatd la sfdrsitul cdrtii.

Capitolul I. Structura cristalina a materialelor semiconductoare

1.3. Retea spatiala. Baza. Structura cristalina

1.4. Caracteristicile retelelor spatiale. Celula elernentara

1.4.1. Refea urndtmensionete (dreapta reticulere, sir reticular)

1.5. Retele Bravais

Prin continutul ei si modul de prezentare a problemelor, cartea se

1.6. Cifra (nurnar) de coordinatie

adreseazd unui cerc Joarte larg de cititori. Cartea poate Ji de un real

1. 7. Celulele primitive pentru retelele complexe

1.8. lndicii Miller

1.9. Coordonate atomice

1.10. Raze atomice (ionice).

1.11 Celula Wigner-Seitz

1.12 Reteaua reciproca (inversa)

materialelor, fizica dispozitivelor cu corp solid s.a., proJesorilor care

1. 12. 1. Considerafii genera le

ale unor colegi, cdrora le multumim pe aceastd cale.

Tipografiei PJMpentru interesul depus in vederea aparitiei volumului in

imbundtatirii in viitor a continutului acestei carti,

apreciem ca binevenite orice observatie .)i sugestie.

1.13. Celula Wigner-~eitz in reteaua reciproca. Zone Brillouin

1.14. Plane atom ice. Distanta interplanara

1.15. Structuri cu aranjament compact (impachetare cornpacta)

1.16. Criterii de clasificare a cristalelor

1.17. Structura cristalina a metalelor

1. 17. 1. Considerafii generale . . . . . . . .. . . .. .. .. . . .. . .. .. .. . .. .. .. . . .. . .. . .. . .. .. . .. .. . .. . .. . 108

1.18. Structura cristalelor ion ice (polare)

1. 18. 1. Conskieretii generate

1. 18.2. Principalele tipuri de structuri

BAZELE FIZICH SEMICONDUCTORILOR

1.19. Structura cristalelor covalente (atomice)

1. 20 Structura crlstalma a unor cornpusi semiconductori

Capitolul III. Legatura cristalina

3.2. Caracteristicile interactiunilor dintre atomi (ioni)

3.3. Tipurile principale de legaturi chimice In corpurile solide

3.4. Leqatura van der Waals

3.5. l.eqatura ionica

3.6. l.eqatura de hidrogen

2.2 Microscopia electronica

3.8. Leqatura metallca ~267

2.3. Microscopia electronica de baleiaj

2.4. Microscopia electronlca de transmisie