Aplicatii in Fizica Corpului Solid

2
Cuprins
INTRODUCERE ........................................................................................................... 6
1. REELE CRISTALINE ........................................................................................ 7
1.1. Breviar teoretic ............................................................................................... 7
1.2. Aplicaii ........................................................................................................ 20
2. STUDIUL STRUCTURII CRISTALINE PRIN DIFRACTIA DE RAZE X...... 29
2.1. Breviar teoretic ............................................................................................. 29
2.1.1.
Metoda Debye-Scherrer ....................................................................... 32
2.1.2.
Metoda Laue ........................................................................................ 34
2.2. Aplicaii ........................................................................................................ 35
3. LEGTURA CRISTALIN. DEFECTE N RETELE CRISTALINE .............. 40
3.1.1.
Fore de interaciune............................................................................. 40
3.1.2.
Legtura ionic ..................................................................................... 41
3.1.3.
Legtura covalent ............................................................................... 42
3.1.4.
Legtura metalic ................................................................................. 43
3.1.5.
Legtura Van der Waals ....................................................................... 45
3.1.6.
Tipuri de defecte .................................................................................. 45
3.1.7.
Defecte punctiforme ............................................................................. 45
3.1.8.
Defecte unidimensionale ...................................................................... 46
3.2. Aplicaii ........................................................................................................ 48
4. VIBRAIILE REELEI CRISTALINE; FONONI ............................................ 51
4.1.1.
Vibraiile reelei monoatomice unidimensionale ................................ 51
4.1.2.
Vibraiile reelei unidimensionale biatomice ...................................... 54
4.1.3.
Vibraiile reelei tridimensionale ........................................................ 56
4.1.4.
Cuantificarea vibraiilor reelei; fononi................................................ 57
4.2. Aplicaii ........................................................................................................ 59
5. ELECTRONII LIBERI N METALE I SEMICONDUCTORI ........................ 61
5.1.1.
Concentraia de purttori n metale ...................................................... 61
5.1.2.
Concentraia de purttori n semiconductori ........................................ 64
5.2. Aplicaii ........................................................................................................ 66
6. CONDUCIA
ELECTRIC.
EFECTE
MAGNETOELECTRICE
I
TERMOELECTRICE .................................................................................................. 73
6.1.1.
Tipuri de solide; structuri de benzi ...................................................... 73
6.1.2.
Conducia electric la metale ............................................................... 76
6.1.3.
Conducia electric la semiconductori ................................................. 77
6.1.4.
Efectul Hall .......................................................................................... 79
6.1.5.
Efecte termoelectrice............................................................................ 81
6.2. Aplicaii ........................................................................................................ 84
PROPRIETI MAGNETICE ALE SOLIDULUI .......................................... 100

7.1. Breviar teoretic ........................................................................................... 100
7.1.1.
Noiuni generale ................................................................................. 100
7.1.2.
Diamagnetismul ................................................................................. 101
7.1.3.
Paramagnetismul ................................................................................ 102
7.1.4.
Feromagnetismul ................................................................................ 108
7.1.5.
Antiferomagnetismul i ferimagnetismul........................................... 113
7.2. Aplicaii ...................................................................................................... 115
8. METODE EXPERIMENTALE N STUDIUL MAGNETISMULUI ATOMIC I
AL REZONANEI MAGNETICE NUCLEARE ..................................................... 121
8.1. Magnetismul atomic i al particulelor elementare ..................................... 121
8.1.1.
Momentul magnetic orbital ................................................................ 121
8.1.2.
Momentul magnetic de spin ............................................................... 123
8.1.3.
Momentele magnetice i structura pturilor electronice ale atomilor 123
8.1.4.
Proprietile magnetice ale nucleului ................................................. 125
8.1.5.
Rezonana magnetic nuclear ........................................................... 126
8.2. Metode experimentale ................................................................................ 130
8.2.1.
Metode bazate pe orientarea i devierea n cmp magnetic a fasciculelor
atomice sau moleculare ...................................................................................... 130
8.2.2.
Metode de spectroscopie optic ......................................................... 134
8.2.3.
Metode de rezonan cu fascicule atomice sau moleculare ............... 135
8.2.4.
Metode de rezonan pentru substane n diferite stri de agregare ... 137
8.2.5.
Aplicaii ale rezonanei magnetice nucleare (RMN).......................... 142
8.2.6.
Rezonana magnetic nuclear la metale. Efectul Knight i efectul
Overhauser ......................................................................................................... 143
9. FENOMENE TERMICE ................................................................................... 148
9.1. Breviar teoretic ........................................................................................... 148
9.1.1.
Cldura specific a solidelor .............................................................. 148
9.1.2.
Dilatarea termic a solidelor .............................................................. 152
9.1.3.
Conductibilitatea termic a solidelor ................................................. 153
9.2. Aplicaii ...................................................................................................... 156
10.
METODE DE STUDIU AL PROPRIETILOR MATERIALELOR
AMORFE ................................................................................................................... 163
10.1.
Consideraii generale.............................................................................. 163
10.2.
Calorimetria diferenial ........................................................................ 163
11.
CRETEREA CRISTALELOR ..................................................................... 166
11.1.
Consideraii generale.............................................................................. 166
11.2.
Aspecte termodinamice .......................................................................... 167
11.3.
Metode practice ...................................................................................... 168
11.3.1. Creterea din topitur ......................................................................... 168
11.3.2. Creterea din soluie la temperatur sczut ...................................... 174
11.3.3. Creterea din soluie la temperaturi ridicate sau creterea n flux ..... 178
11.3.4. Creterea hidrotermic ....................................................................... 184
11.3.5. Metode mai puin utilizate ................................................................. 187
7.
11.4.
Depuneri de straturi subiri prin evaporare n vid .................................. 188
11.4.1. Consideraii generale.......................................................................... 188
11.4.2. Instalaia experimental ..................................................................... 189
12.
PROPRIETI DIELECTRICE ALE SOLIDELOR ................................... 192
12.1.
Breviar teoretic ....................................................................................... 192
12.1.1. Consideraii generale.......................................................................... 192
12.1.2. Piroelectricitatea................................................................................. 193
12.1.3. Piezoelectricitatea .............................................................................. 194
12.1.4. Feroelectricitatea ................................................................................ 195
12.1.5. Electrei .............................................................................................. 195
12.2.
Aplicaii .................................................................................................. 196
13.
FENOMENE OPTICE N SEMICONDUCTORI ......................................... 198
13.1.
Breviar teoretic ....................................................................................... 198
13.2.
Aplicaii .................................................................................................. 200
Bibliografie ................................................................................................................ 206
INTRODUCERE
A devenit deja, de mult, un fapt banal, acela de a clasifica substanele din punct
de vedere al strii de agregare n trei (eventual patru) categorii solide, lichide, gaze (i
plasm). Aceast clasificare, fcut n ordinea cresctoare a energiei interne, este ns
de multe ori ambigu, att timp ct nu exist un criteriu clar, care s delimiteze o
categorie, de alta. Altfel spus, doar valoarea energiei interne nu este, uneori, suficient
pentru a putea spune dac un corp face parte dintr-o anumit categorie. Ei bine, teoria
corpului solid este partea tiinei care vine s explice ceea ce este propriu strii solide
i ceea ce o deosebete de celelalte stri.
Cunotinele asupra strii solide prezint un aspect paradoxal: numeroase fapte
experimentale, practice (de la topirea metalelor i obinerea aliajelor, nc din vremuri
strvechi, pn la fenomene legate de conducia electric i cea termic) sunt cunoscute
i au intrat n obinuin, n schimb explicarea lor a nceput s fie cutat abia ncepnd
cu secolul al XX-lea i, n mod special n a doua jumtate a lui. Unii ar explica acest
lucru prin tendina general a oamenilor de tiin de a se apleca n mod special asupra
fenomenelor mai stranii, de a se ocupa ct mai puin de lucrurile banale, care pot prea
tuturor deja cunoscute.
Adevrul este ns c, pn prin deceniile al doilea, al treilea, ale secolului XX,
cunotinele teoretice, n special cele de fizic, erau nc insuficiente pentru explicarea
fenomenelor legate de corpul solid. Abia odat cu punerea la punct a teoriei cuantice,
cu elucidarea problemelor legate de structura moleculelor, atomilor i nucleului
acestora, a fost posibil abordarea studiului fenomenelor amintite.
Pe de alt parte, nimic nu poate prea mai stabil i mai static ca un solid i, totui,
dac ar fi s definim aceast stare printr-o formul lapidar, am putea-o face spunnd
c ea este starea ordinii i, n acelai timp, a mobilitii, a micrii.
Scopul acestei lucrri, destinate unei largi categorii de cititori, este acela de a
demonstra c noiuni complexe se pot explica simplu i c realitatea este mai abordabil
dect imaginea pe care ne-o facem uneori despre ea. Pe lng aceasta, cei ce vor fi
parcurs paginile ce urmeaz vor privi (sperm) altfel obiectele care-i nconjoar i
curiozitatea lor se va trezi, fcndu-i s descopere aspecte noi ale unui tablou familiar
i o lume nou, complex i n continu micare, acolo unde nu vedeau dect o mas
inert i incoerent.
Autorii
1. REELE CRISTALINE
1.1. Breviar teoretic
Starea solid reprezint o form particular a materiei condensate, caracterizat
din punct de vedere macroscopic prin form geometric stabil i volum invariant n
condiii date de temperatur i presiune, iar din punct de vedere microscopic prin
existenta unor fore de interaciune ce se exercit ntre particulele constituente (atomi,
ioni, molecule), rezultnd un ansamblu rigid cu o form astfel nct potenialul
termodinamic Gibbs al sistemului este minim.
Dup modul de dispunere a particulelor constituente, se stabilete astfel o
structur cristalin, cazul ideal al acesteia fiind cel n care nu exist defecte, impuriti
i se face abstracie de micarea de agitaie termic. Pentru studierea structurii cristaline,
este necesar definirea unor noiuni premergtoare.
Reeaua reprezint un aranjament periodic regulat al unei mulimi infinite de
puncte discrete, dispuse n spaiu, care se obin unele din altele prin translaii repetate
dup cele trei axe de coordonate (direcii cristalografice) ale unei entiti din spaiu,
numit celul elementar, avnd forma unui paralelipiped. Vrfurile celulei
elementare se numesc noduri, poziia acestora putnd fi determinat prin utilizarea
vectorilor fundamentali ai reelei (figura 1.1) cu relaia 1.1.
R n n 1a 1 n 2 a 2 n 3 a 3
(1.1)
unde n1, n2, n3 sunt numere ntregi.
Figura 1.1 Celula elementar
Structura cristalin se obine asociind reelei o aa-numit baz, reprezentat

de atomii (n general, particulele materiale) asociai fiecrui nod. Numrul de atomi
dintr-o celul elementar este dat de relaia:
N
N
N = Ni + f c
(1. 2)
2
8
unde Ni este numrul nodurilor (atomilor) interioare celulei, Nf cel al nodurilor din
centrul feelor iar Nc numrul nodurilor din coluri.
Celula primitiv este o celul elementar care conine un singur nod.
Corpurile cristaline sunt limitate de fee plane, alctuind un poliedru numit
cristal. Acesta are o structur reticular intern, fiind omogen i anizotrop. Un cristal
este delimitat de feele acestuia, cu form poligonal. Liniile de intersecie a feelor
reprezint muchiile cristalului, colurile acestuia fiind unghiurile solide ce rezult din
intersecia a cel puin trei fee. Dac se noteaz numrul feelor cu F, al colurilor cu C
i al muchiilor cu M, este ntotdeauna valabil relaia lui Euler:
F+C=M+2
(1. 3)
Principala proprietate a cristalelor este simetria, constnd n dispunerea sau
repetarea feelor, muchiilor i colurilor n raport cu anumite elemente de simetrie.
Operaiile elementare (simple) de simetrie sunt:
a) rotaia, avnd ca element de simetrie axa de rotaie, reprezentat de o
direcie n jurul creia, prin rotirea sistemului cu 360, acesta se suprapune de n ori peste
poziia iniial. Dac unghiul de rotaie necesar pentru aducerea sistemului ntr-o poziie
identic cu cea iniial (numit unghi elementar al rotaiei) este , atunci n (ordinul axei
de simetrie) este dat de:
360
n=
(1. 4)
Este evident faptul c unghiul elementar nu poate avea dect valorile de 360,
180, 120, 90 i 60 grade, corespunztor axelor de rotaie de ordin 1, 2, 3, 4 i 6. Aceste
axe se noteaz Cn i, repetate de p ori, C pn . Evident, C nn = C1, care este transformarea
identic. La sistemele cu mai multe axe de rotaie, cea de ordinul cel mai mare reprezint
axa principal de rotaie.
b) reflexia are ca element de simetrie planul de reflexie. Acesta mparte
sistemul n dou pri care, prin oglindire, se suprapun identic. Oricare plan de simetrie
conine o fa posibil a cristalului. Planele de simetrie se noteaz cu p sau, dac sunt
perpendiculare pe axe de simetrie de ordin mai mare dect 2, cu .
c) inversia are ca element de simetrie centrul de inversie, care este un punct
din cristal, fa de care toate prile componente i toate proprietile sunt simetrice.
Aceast operaie de simetrie este analoag reflexiei, deosebirea constnd n elementul
de simetrie, care nu este un plan, ci un punct. Acest punct este unic pentru un sistem
dat. Operaia de inversie se noteaz cu I.
Din combinarea a dou din cele trei operaii simple de simetrie, rezult operaii
complexe, acestea fiind roto-reflexia (C + P) i roto-inversia (C + I). Cea de-a treia
combinaie posibil, reflexo-inversia, poate fi nlocuit cu o rotaie C2. Elementul de
simetrie al roto-reflexiei se numete giroid i reprezint o combinaie a unei axe de
rotaie cu un plan de reflexie perpendicular pe aceasta. Operaia se noteaz cu Sn (Sn =
Cn + P). Dac n este impar, n roto-reflexii echivaleaz cu o simpl reflexie. De
asemenea, S2 este chiar o inversie, iar S6 echivaleaz cu o rotaie C3 urmat de o
inversie. Din aceste considerente, rezult c numai S4 reprezint o operaie de simetrie
nou. Roto-inversia are ca element de simetrie axa de inversie, care este o direcie n
8
jurul creia, printr-o rotaie Cn i o inversie fa de centrul de simetrie, sistemul se

suprapune cu el nsui. Operaia se noteaz cu Cin. Se constat c Ci1 este o simpl
inversie, Ci2 este o reflexie, Ci3 = S6, Ci4 = C2 (relaia nu este reciproc - nu orice ax
C2 este i Ci4 ) iar Ci6 = S3.
Cele trei axe cristalografice formeaz ntre ele unghiurile 12 i, respectiv,
Dac vectorii de baz ai celulei elementare reprezint versorii sistemului de
coordonate, poziia unui punct (nod) n acest sistem este indicat de o expresie de forma
[[m1 m2 m3]], unde m1, m2, m3 sunt numere reprezentnd distana de la origine pn la
punctul respectiv, pe direcia corespunztoare. n mod asemntor, o expresie de forma
[h k ], unde h, k, sunt numere care nu admit un divizor comun, exprim direcia
vectorului R h a 1 ka 2 a 3 . Pentru definirea unui plan cristalografic, se folosete

notaia (h k ) unde h, k, reprezint indicii Miller, definii astfel: planul respectiv
intersecteaz cele trei axe de coordonate la distanele (fa de origine) a, b, c; se iau
valorile inverse ale acestora (1/a, 1/b, 1/c) i se aduc la acelai numitor; cele mai mici
numere ntregi care sunt n acelai raport ca i numrtorii celor trei numere obinute
anterior, sunt indicii Miller.
Orice structur cristalin, orict de complex, se poate construi pornind de la o
reea cu noduri echidistante n care se plaseaz o baz, alctuit dintr-un grup de atomi;
aceast reea se numete reea Bravais. Exist 14 reele Bravais, distribuite n 7 sisteme
cristaline (singonii) (tabelul 1.1).
sistemul triclinic, pentru care a1 a2 a3 i 12 23 31 90. n acest caz,
exist o singur reea, reeaua triclinic simpl.
sistemul monoclinic, cu a1 a2 a3 i 12 23 = 31 = 90, n dou variante:
reeaua monoclinic simpl i reeaua monoclinic cu volum centrat.
sistemul ortorombic (ortogonal, rombic), pentru care a1 a2 a3 i 12 = 23 =
31 = 90, se ntlnete n patru variante: reea ortorombic simpl, cu volum
centrat, cu baze centrate i cu fee centrate.
sistemul hexagonal, cu a1 = a2 a3 i 12 = 60, 23 = 31 = 90 este ntlnit numai
n varianta reelei hexagonale simple.
sistemul romboedric (trigonal), de asemenea, cu o singur variant, reeaua
trigonal simpl este caracterizat de a1 = a2 = a3 i 12 = 23 = 31 90.
sistemul tetragonal (ptratic), cu dou variante, reeaua tetragonal simpl i
reeaua tetragonal cu volum centrat, cu a1 = a2 a3 i 12 = 23 = 31 = 90.
sistemul cubic, cu a1 = a2 = a3 i 12 = 23 = 31 = 90 are trei variante: reeaua
cubic simpl, cu volum centrat i cu fee centrate.
O alt noiune important este aceea de reea reciproc. Dac celula reelei

cristaline este definit de vectorii fundamentali a 1 , a 2 , a 3 , celula elementar a reelei

reciproce este definit de vectorii fundamentali b1 , b 2 , b 3 :

a a3
a a
a a
b1 1 2 ; b 2 2
; b3 3 1
(1. 5)
V
V
V

unde V = a 1 a 2 a 3 . Se observ c a i b j = ij (i, j = 1, 2, 3).
9
Mulimea punctelor definite de vectorul:
K g 1b 1 g 2 b 2 g 3 b 3
unde g1, g2, g3 sunt numere ntregi, formeaz reeaua reciproc.
(1. 6)
Tabelul 1.1
Singonii
triclinic
lungimi
axe,
unghiuri
a1a2a3
simpl
REELE BRAVAIS
cu baze
cu volum
centrate
centrat
cu fee
centrate
INFERI - monoclinic a1a2a3

OARE
=
rombic
(ortorombic)
a1a2a3
=
= =
tetragonal
a1=a2a3
=
= =
romboedric a1=a2=a3
(trigonal) =
=
MEDII
hexagonal
SUPERIOARE
cubic
a1=a2a3
=
=
a1=a2=a3
=
= =
Se poate arta c vectorul K hk hb1 kb2 b3 este perpendicular pe planul (h

k ). Ca urmare a acestui fapt, distana de la originea sistemului de coordonate la acest
plan, care reprezint distana dintre dou plane succesive ale familiei de plane, este dat
de relaia:
1
d hk
(1. 7)
K hk
De asemenea, se poate arta c, pentru o familie de plane {mh mk m}, distana
interplanar este:
10
1
dhk
(1. 8)
m
Se pot calcula, astfel, distanele interplanare pentru diferitele tipuri de reele. De
exemplu, pentru reeaua cubic simpl (CS), pentru care a1 = a2 = a3 = a:
a
dhk =
(1.9)
h 2 k 2 2
Considernd o reea oarecare, se definesc vecinii de ordinul n (n = 1, 2, 3,...) ai
unui nod oarecare, nodurile situate la aceeai distan, rn (r1 < r2 < r3...). Numrul acestor
noduri se numete numr de coordinaie de ordin n, notat cu Zn. Sfera avnd centrul
n nodul considerat i raza rn se numete sfer de coordinaie de ordin n. Considernd
c n fiecare nod se gsete un atom (ion etc.), de form sferic, astfel nct toi acetia
se ating, se definete gradul (fracia) de mpachetare (raportul de umplere), astfel:
volumul atomilor din celula elementar
=
(1.10)
volumul celulei elementare
Dintre cele 14 reele Bravais, cea care are simetria cea mai mare este structura
cubic simpl (CS) (figura 1.2). De altfel, ea este i cel mai comod de studiat (este i
uor de desenat) dar realitatea este departe de a fi att de simpl; multe din proprietile
solidelor pot fi explicate tocmai prin detaliile structurii cristaline, care difer de la un
solid la altul.
dmh mk m =
Figura 1.2 Structura cubic simpl
Se cunoate doar un singur element, poloniul, care cristalizeaz n forma cubic

simpl i aceasta doar pe un interval limitat de temperatur. De fapt, n majoritatea
cazurilor, atomii nu se aranjeaz ntr-o structur cubic simpl ntruct aceasta este o
structur foarte rarefiat, prezentnd spaii largi goale (evident, la scara dimensiunilor
atomice). Natura ns face economie de spaiu, n astfel de structuri existnd tendina
general a atomilor de a se aranja ct mai aproape unii de alii.
n analiza structurii cristaline este util s se considere atomii ca fiind sfere rigide
cu raze bine-definite. n acest model de sfere rigide, cea mai scurt distan dintre doi
atomi de acelai tip este egal cu diametrul sferei.
La structura cubic simpl, gradul de mpachetare este de 0,52 (52 %.).
11
Metalele sunt de obicei materiale (poli)cristaline, dei formarea metalelor

amorfe este posibil prin rcire rapid. Cum legtura atomic n metale este
nedirecional, nu exist o restricie asupra numrului sau poziiilor vecinilor de ordinul
I ai atomilor, ceea ce determin un numr mare de vecini de ordinul I i o mpachetare
atomic dens. Raza sferei atomice, R este, tipic, 0,1 0,2 nm. Majoritatea celulelor
elementare la metale sunt de tipul: cubic cu volum centrat (CVC), cubic cu fee
centrate (CFC), sau hexagonal compact (HC).
Se poate observa, imaginnd atomii ca sfere rigide i c ei se aranjeaz astfel
nct se ating, c spaiul gol n structura cubic simpl este cel din mijlocul cubului
reprezentnd celula elementar. Dac acest spaiu se umple (evident, parial) cu un alt
atom, se obine structura cubic cu volum centrat (CVC). ntr-o astfel de reea, celula
elementar conine doi atomi, fiecare dintre ei avnd opt vecini de ordinul I, care sunt
de natur diferit fa de natura atomului considerat, dac structura conine atomi de
specii diferite (figura 1.3).
Aceast structur poate fi considerat ca fiind obinut din suprapunerea a dou
subreele cu structur cubic simpl (figura 1.2), deplasate una fa de alta pe direcia
diagonalei cubului [1 1 1] cu distana egal cu jumtate din lungimea acestei diagonale.
Structura cubic cu volum centrat este ntlnit la numeroase metale, dintre care
cele mai cunoscute sunt -Fe, Cr, Mo, W, metalele alcaline (Li, K, Na, Rb, Cs) ca i la
compui cum sunt CsCl, CsBr, TlBr, NH4Cl. De altfel, aceast structur mai este
cunoscut i sub denumirea de structura clorurii de cesiu.
Figura 1.3 Structura cubic cu volum centrat
Sferele rigide se ating (sunt tangente) de-a lungul diagonalei cubului, de unde
4R
rezult c lungimea muchiei cubului (constanta reelei) este a =
. Fracia de
3
mpachetare este de 0,68 (68 %), numrul vecinilor de ordinul I este 8, iar numrul
atomilor din celula elementar este n = 2.
Dac se consider o structur plan, aranjarea optim a atomilor este cea din
figura 1.4. Spaiile dintre atomi (notai cu 1) sunt notate cu 2 i respectiv 3.
12
Figura 1.4 Structur hexagonal plan
Dac se urmrete obinerea unei structuri spaiale prin suprapunerea mai multor
plane atomice de felul celui din figura 1.4, se poate face acest lucru prin suprapunerea
acestora n aa fel nct atomii planelor de deasupra s se afle exact n poziiile atomilor
notai cu 1. n acest caz, se obine structura hexagonal simpl (H) (figura 1.5), o
structur destul de rar ntlnit (La, Am, Nd, grafit, cuar, smarald) datorit aceluiai
motiv: risipa de spaiu.
Figura 1.5 Structur hexagonal simpl
Dac ns planul de deasupra celui considerat este format din atomi plasai n
poziiile 2, dup care urmeaz iar un plan cu atomi n poziiile 1 i aa mai departe,
adic o succesiune de plane 121212... (figura 1.6.a), atunci structura obinut este aanumita structur hexagonal-compact (HC). Aranjarea atomilor se poate vedea foarte
bine n figura 1.6.b, iar figura 1.6.c prezint celula elementar, unde se constat c
aceast structur se poate obine dintr-o structur hexagonal simpl, prin introducerea
unui plan intermediar situat simetric ntre planele bazelor, coninnd (pentru o celul
elementar) trei atomi aflai pe verticala dus din centrul de greutate al unui numr de
trei triunghiuri din cele ase n care se mparte hexagonul baz, luate prin alternan.
Celula elementar are doi parametri de reea, a i h. Raportul ideal este h/a = 1,633.
13
Figura 1.6 Structur hexagonal-compact
Structura HC este una dintre cele mai comune structuri ale cristalelor metalice
i n aceast structur cristalizeaz elemente ca: H, He, Be, Mg, Sc, Ti, Co, Zn, Zr, Cd,
Tl, precum i compui: ZnO, ZnSe, ZnTe, SiC, CdS, CdSe. Gradul de mpachetare al
acestei structuri este de 74%.
Dac planele de forma celui din figura 1.4 se suprapun astfel nct peste un plan
cu atomii n poziia 1 se suprapune un plan cu atomii n poziia 2 iar peste acesta un
plan cu atomii n poziia 3 i aa mai departe (adic o succesiune de plane 123123...,
figura 1.7.a), se obine o structur cubic cu fee centrate (CFC) (figura 1.7.b,c).
Aceasta are un grad de mpachetare de 0,74 (74 %). Planele cu aranjament compact, de
tipul celui din figura 1.4 sunt planele diagonale ale cuburilor reprezentnd celulele
elementare ale acestei structuri, aa cum se poate vedea i n figura 1.8.
Figura 1.7 Structur cubic cu fee centrate
Structura cubic cu fee centrate este tipic unor metale cum sunt Cu, Ag, Au,
Al, Ni, Pd, Pt, Sr, Ca, Pb. De asemenea, aceeai structur se ntlnete i la substane
compuse, ca: NaCl, KCl, KBr, LiH, PbS, MgO, MnO, AgBr. Aceste structuri, de tipul
clorurii de sodiu, pot fi considerate ca fiind alctuite din dou reele CFC (de exemplu,
la NaCl, de Na+ i respectiv Cl), ntreptrunse.
14
Figura 1.8 Planele cu aranjament hexagonal-compact, din structura cubic cu fee centrate
Sferele rigide se ating una cu alta de-a lungul diagonalei feelor, de unde rezult
4R
c lungimea muchiei cubului (constanta reelei) este a =
. Numrul vecinilor de
2
ordinul I este egal cu 12 i numrul atomilor din celula elementar este 4.
O alt clas este cea a structurii de tip diamant, structur care se poate obine
tot prin suprapunerea a dou reele CFC, deplasate una fa de alta pe direcia [1 1 1] cu
un sfert din lungimea diagonalei cubului. O imagine mult mai sugestiv este cea care
prezint aceast structur pentru care fiecare atom se afl n centrul unui tetraedru
regulat, n vrfurile acestuia aflndu-se vecinii si de ordinul I (figura 1.9).
Elemente care cristalizeaz n aceast structur sunt C, Si, Ge, -Sn, iar
compuii sunt de tipul AIIBVI (ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe), de
tipul AIIIBV (InSb, InAs, InP, GaAs, GaSb, GaP), sau de tipul AIBVII (CuBr, AgI).
Figura 1.9 Structura diamantului
Celelalte sisteme sunt i ele mai rar ntlnite. Astfel, n sistemul tetragonal
cristalizeaz zirconiul i oxidul de titan, n sistemul ortorombic sulful i sulfatul de
bariu, n sistemul monoclinic gipsul i pehblenda iar n sistemul romboedric calcitul i
rubinul.
15
Aliajele (amestecuri de dou sau mai multe metale) n general au structuri

cristaline de tip CFC, CVC, sau HC, atomii fiind aezai ordonat sau dezordonat:
Structura clorurii de sodiu (NaCl) (figura 1.10) este o structur de tip CFC, la care
raportul razelor celor dou tipuri de ioni (Na+ i Cl), r/R este ntre 0,414 i 0,732,
ionul de Cl fiind situat la [[0 0 0]], iar ionul de Na+ la [[0 1/2 0]].
Figura 1.10 Structura clorurii de sodiu
Exemple sunt: halogenuri alcaline (LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI,
KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF), halogenuri metalice (AgF, AgCl,
AgBr), oxizi metalici (MgO, CaO, SrO, BaO, VO, MnO, FeO, CoO, NiO), sulfuri
metalice (MgS, CaS, SrS, BaS, MnS, PbS), hidruri metalice (LiH, NaH, KH, RbH,
CsH), hidroxizi metalici (KOH), sruri de amoniu (NH4I).
Structura clorurii de cesiu (CsCl) (figura 1.11) este o structur de tip CVC, la care
raportul razelor celor dou tipuri de ioni (Cs+ i Cl), r/R este ntre 0,732 i 1,0, ionul
de Cl fiind situat la [[0 0 0]], iar ionul de Cs+ la [[1/2 1/2 1/2]].
Exemple: CsCl, CsBr, CsI, NH 4Cl, NH4Br
Figura 1.11 Structura clorurii de cesiu
16
Structura perovskitului (figura 1.12), numit aa dup mineralul CaTiO3, numit

perovskit, are ionul de Ca2+ la [[0 0 0]], ionul O2 la [[1/2 0 1/2]], [[0 1/2 1/2]] i
[[1/2 1/2 0]], iar ionul de Ti4+ la [[1/2 1/2 1/2]]. Exemple: CaTiO3, SrTiO3, BaTiO3,
KNbO3, PbZrO3.
Figura 1.12 Structura perovskitului
Trebuie precizat faptul c multe substane nu cristalizeaz exact n forma unor

reele simple, aa cum au fost descrise cele de mai sus, dar se apropie foarte mult de
acestea. Exist substane care, de exemplu, cristalizeaz aproape cubic, la care ns, fie
laturile cubului, fie unghiurile sale sunt doar aproximativ egale, respectiv drepte.
Figura 1.13 Tabelul periodic al structurilor cristaline
De asemenea. unele materiale i schimb sistemul de cristalizare atunci cnd

sunt nclzite peste o anumit temperatur. Am amintit deja starea alotrop a staniului
(-Sn, staniul cenuiu), cu structur de tip diamant, care este posibil numai la
temperaturi sub 40 C. De asemenea, fierul i schimb structura din CVC n CFC iar
17
nichelul din CFC n HC, la temperaturi mari, aa cum structura sodiului, sub temperaturi
n jurul a 30 K, devine o structur complex mixt.
O imagine sugestiv privind sistemul de cristalizare pentru diferite substane
este dat n figura 1.13.
Faptul c, pentru o substan dat, aspectul exterior al cristalului poate varia, dar
elementele sale de simetrie rmn ntotdeauna constante a fost observat nc din 1669
de ctre danezul Steno, fapt reluat apoi i dezvoltat n secolul al XVIII-lea de ctre
francezul Rom de l'Isle. Astfel s-a nscut cristalografia, tiin natural care se ocup
cu studiul formelor cristaline ale substanelor.
De obicei, n natur, cristalele se asociaz n momentul formrii lor, alctuind
formaiuni policristaline (cristalite), alctuite din numeroase monocristale orientate
diferit.
Exist, de asemenea, un alt fenomen, numit clivaj, care permite cristalografilor
s recunoasc i s clasifice cristalele, acesta fiind un fenomen de ruptur a unui cristal
sub aciunea unor factori mecanici, urmrind o direcie privilegiat. Mica, de exemplu,
cliveaz paralel cu suprafaa sa, astfel nct ea poate fi considerat ca fiind constituit
dintr-un teanc de foi. Acelai fenomen este observat i la grafit.
Clivajul este o reflectare a forelor electrice care acioneaz ntre atomi, avnd
drept rezultat ruperea cristalului de-a lungul planelor atomice care sunt paralele cu feele
acestuia.
Evident c, n afara acestor observaii privind structura cristalin a substanelor,
cristalografia mai dispune i de date cu privire la culoarea cristalelor, densitatea lor,
duritatea etc. Duritatea unui cristal se determin cu ajutorul scrii lui Mohs, n care
mineralele sunt clasificate de la 1 la 10, astfel nct fiecare categorie zgrie pe cele care
o preced i este zgriat de cele care o succed.
Duritatea unui mineral este reprezentat de rezistena sa la zgriere. Aceasta este
legat de structura cristalului n sensul c, cu ct atomii sunt mai strns legai, cu att
este mai mare rezistena suprafeei la zgriere. n 1812, Friedrich Mohs a conceput o
scar a duritii care este foarte util n identificarea mineralelor. Talcul are, pe aceast
scar, duritatea 1, n timp ce diamantul are duritatea maxim, 10. Intervalele ntre
numere nu sunt totui egale: diferena ntre corindon, la 9 i diamant la 10 este mai mare
dect ntregul domeniu de la 1 la 9!
Scara Mohs a duritii minerale este urmtoarea:
1. Talc
2. Gips
3. Calcit
4. Fluorin
5. Apatit
6. Feldspat
7. Cuar
8. Topaz
9. Corindon
10. Diamant
18
Unele materiale pot exista n mai mult dect o structur cristalin, acest fapt
numindu-se polimorfism, iar n cazul particular cnd materialul este un element solid,
alotropie. Structurile cristaline depind de temperatura i presiunea mediului ambiant.
Un exemplu de alotropie este carbonul, care poate exista ca diamant (figura 1.9),
grafit (figura 1.14) i carbon amorf. Grafitul monocristalin are o structur stratificat.
Legtura covalent puternic sp2 leag atomii de carbon n fiecare strat la unghiuri de
120. Straturile sunt asamblate mpreun de legturi Van der Waals relativ slabe, ceea
ce explic proprietatea sa de clivaj. n ultimul timp s-au descoperit i alte structuri
cristaline ale carbonului, mai complexe i mai vaste, numite fulerene. Cele mai
cunoscute astfel de structuri, cu numeroase aplicaii prezente sau doar ntrevzute, sunt
nanotuburile de carbon.
Figura 1.14 Structura grafitului
Un alt exemplu este cel al fierului, care are o structur de tip CVC de la
temperatura camerei la 912C, o structur CFC ntre 912C i 1394C i din nou CVC
de la 1394C pn la temperatura de topire.
Gheaa este un alt exemplu de substan alotropic. Structura normal a gheii
la presiune atmosferic este hexagonal, dar se cunosc cel puin ase polimorfisme,
depinznd de presiune.
Dioxidul de siliciu pur cristalin, SiO2, (cunoscut i sub numele de silice,
cremene, cuar), are ase forme polimorfe:
- i cuar (romboedric), pn la 870C
- i cristobalit (cubic), de la 870C la 1470C
- i tridimit (hexagonal), peste 1470C
Dac SiO2 este rcit rapid din starea lichid, se formeaz sticl amorf.
Diferite direcii ntr-un cristal au aranjamente diferite ale atomilor. De exemplu,
atomii de-a lungul muchiei unei celule elementare de tip CFC sunt mai distanai dect
cei de-a lungul diagonalei unei fee. Aceasta determin o anizotropie n proprietile
cristalelor; de exemplu, deformarea depinde de direcia n care este aplicat fora
deformatoare. n unele materiale policristaline, orientrile cristalitelor sunt aleatoare,
astfel nct proprietile macroscopice ale materialului sunt izotrope. Alte materiale
policristaline au cristalitele cu orientri prefereniale (au o textur), astfel c
19
proprietile sunt dominate de acelea relevante pentru orientarea texturii i materialul

prezint proprieti anizotrope.
Datele obinute de cristalografie n privina proprietilor cristalelor provin din
studii la scar macroscopic i, de aceea, ele sunt insuficiente pentru a lmuri toate
aspectele acestor proprieti. Este necesar, deci, i un studiu la scar microscopic,
pentru a aduce date noi, n completarea celor prezentate pn acum. Acest lucru
nseamn ns un salt calitativ deosebit, salt care a fost posibil odat cu dezvoltarea
rapid a fizicii, ncepnd cu primele decenii ale secolului XX.
1.2. Aplicaii
1.1. Pentru fiecare din cele 14 reele Bravais, s se arate un mod de alegere a celulei
primitive (care conine un singur atom).
1.2. Pentru fiecare reea, s se evidenieze operaiile i elementele de simetrie.
1.3. Pentru fiecare tip de reea, s se determine numrul de noduri din celula
elementar, precizndu-se coordonatele acestora; s se verifice relaia (1.3).
1.4. Considernd c atomii cristalelor sunt sfere aflate n contact, s se calculeze
numrul vecinilor de ordinul I, raza sferei de coordinaie de ordinul I i fracia de
mpachetare pentru cristalele cu reele cubic cu volum centrat (CVC), cubic cu
fete centrate (CFC) i hexagonal-compact (HC).
Rezolvare
a) reeaua CVC.
Numrul vecinilor de ordinul I este numrul de atomi fa de care orice atom din reea
se afl la distana cea mai mic (numit raza sferei de coordinaie de ordinul I).
Analiznd din acest punct de vedere reeaua CVC, se constat c numrul vecinilor de
a 3
ordinul I este 8 iar raza sferei de coordinaie de ordinul I este
, unde a este
2
parametrul reelei.
a
D
D
2D
2D
c)
b)
Figura 1.15
Din figura 1.15.a, se vede c 2D = a 3 , iar distana dintre doi atomi vecini de
ordinul I este D, de unde i valoarea razei sferei de coordinaie de ordinul I. Fracia de
20
mpachetare (raportul de umplere) se definete ca raport dintre volumul atomilor din

celula elementar i volumul acesteia. Conform acestei definiii, cum n celula CVC
sunt doi atomi, fracia de mpachetare are valoarea:
D
6
=
a3
3
a 3
3 2
a
3
= 0,68
8
b) reeaua CFC
Numrul vecinilor de ordinul I este, n acest caz, 12: considernd un atom din centrul
unei fee, acesta are patru vecini de ordinul I n colurile feei i, de asemenea, cte patru
n planele perpendiculare pe planul feei respective. Raza sferei de coordinaie de
a 2
ordinul I este egal cu
(figura 1.15.b, reprezentnd una din feele celulei).
2
n acest caz, 2D = a 2 , iar fracia de mpachetare este:
D3
D3
4
4
6
6 = 0,74
=
3
3
a
3 2
D 2
c) reeaua HC.
Aceast reea (figura 1.16) provine dintr-o reea hexagonal simpl, la care s-a
mai adugat un plan intermediar, situat ntre planele bazelor, paralel i la distan egal
de ele. n acest plan, n interiorul celulei se gsesc trei atomi dispui simetric, astfel
nct verticala cobort de la ei cade n centrul cte unuia din cele ase triunghiuri ale
hexagonului baz, n mod alternativ.
Figura 1.16
Ca urmare a acestei aezri, fiecare din aceti trei atomi formeaz, mpreun cu
cei trei atomi din colturile triunghiurilor de sub el i, respectiv de deasupra lui, cte o
piramid triunghiular regulat (tetraedru regulat) ale crei fee sunt triunghiuri
21
echilaterale, avnd latura egal cu a, latura hexagonului, ceea ce nseamn c raza sferei
de coordinaie este egal cu a, iar numrul vecinilor de ordinul I este egal cu 12.
nlimea prismei hexagonale este dublul nlimii unei piramide triunghiulare,
2
adic h = 2a
.Fracia de mpachetare este (sunt 6 atomi n celula elementar HC):
3
D 3
6
6 = 0,74
=
3
3D 2 3 2
1.5. S se deseneze o celul CFC i s se figureze poziiile planelor (100), (110) i
(111). S se arate prin calcul c familia de plane (111) are cea mai mare densitate
de atomi i distana interplanar cea mai mic fat de familiile de plane (110) i
(100).
Rezolvare:
Poziiile planelor sunt reprezentate n figura 1.17. Aceste trei plane sunt
reprezentate ntr-o vedere plan, cu aranjarea atomilor pentru fiecare dintre acestea, n
figura 1.18.
Figura 1.17
22
Dup cum se poate vedea, numrul atomilor coninui n fiecare plan (pe
suprafaa corespunztoare celulei elementare) este acelai, doi. Suprafaa
corespunztoare este ns diferit:
a2 pentru planul (100)
2 a2 pentru planul (110)
3 2
a pentru planul (111)
2
Densitatea atomilor n planele respective este, deci:

pentru planul (110) i
2
2
pentru planul (100), 2
2
a
a
pentru planul (111). Se vede c aceasta este n raportul:

3 a2
1,41; 2; 2,31 pentru planele: (110), (100), (111), ceea ce verific afirmaia din textul
a
problemei. Distana interplanar este dat de relaia: dhk =
. Conform
2
h k2 2
a
a
acestei relaii, este uor de observat c: d111 =
< d110 = =
< d100 = a.
3
2
a
a
(100)
(110)
(111)
Figura 1.18
Raza atomului de nichel este 124 pm. S se calculeze volumul celulei elementare
a reelei cristaline a nichelului (CFC). Dndu-se masa atomic a Ni, 58,69 u i
numrul lui Avogadro, 6,0231026 kmol1, s se calculeze densitatea nichelului.
Experimental, densitatea determinat pentru Ni este mai mic dect cea calculat
teoretic. De ce?
Rezolvare:
Folosind rezultatele problemelor precedente, rezult c latura celulei elementare
(parametrul reelei) a Ni este: a = 2 2 r, de unde volumul celulei elementare este v =
a3 = 4,314.1029 m3. O celul elementar CFC conine 4 atomi. Masa unui atom se
calculeaz tiind c 1 kmol de Ni are masa de 58,69 kg i conine 6,0231026 atomi,
58,69
deci: mNi =
kg. Densitatea Ni se calculeaz ca raport dintre masa a patru
6,023 10 26
atomi coninui ntr-o celul elementar i volumul acesteia:
4 m Ni
4 58, 69
Ni
9, 035 103 kg / m3
V
6, 023 1026 4,314 1029
Valoarea experimental a densitii nichelului este mai mic dect cea obinut
prin calcul deoarece acesta s-a fcut considernd reeaua cristalin ideal, pe cnd n
realitate, aceasta este afectat de defecte, ca vacane, dislocaii, impuriti etc.
1.6.
23
Structura Fe se schimb din CVC n CFC la temperaturi peste 910C. Cu ce

procent se modific lungimea unui fir de Fe cnd acesta trece de la structura CVC
la structura CFC? Se va neglija variaia razei firului. Raza atomului de Fe n
structura CVC este de 125,8 pm iar n cea CFC, 129,2 pm.
Rezolvare:
Putem exprima raportul dintre volumele firului n cele dou stri n dou moduri (tuturor
mrimilor caracteristice strii sub temperatura de tranziie le vom atribui indicele 1 iar
celor pentru starea peste aceast temperatur, indicele 2). Pe de o parte,
V1
r 2
1 2 1 , unde 1 i 2 sunt lungimile firului n cele dou stri iar r - raza
VV2 2 r
2
1.7.
4r1
N 3
a1
V1
N 1 v1
4 2r13
3
2
firului. Pe de alt parte,
. n aceast
3
3
VV 2 N 2 v 2 N 3
3
3
r
4
r
2
a2
2
4
2
relaie, N este numrul atomilor din fir, N1 i N2 - numrul celulelor elementare din fir
(celula elementar CVC are 2 atomi iar cea CFC 4 atomi), v1 i v2 - volumele celulelor
elementare CVC, respectiv CFC, a1 i a2 - parametrii celor dou reele iar r1 i r2 - razele
3 3r23
1 2
2
1 1
atomului de Fe n cele dou cazuri. Putem scrie, astfel:
.
4 2r13
1
1
Acest lucru nseamn c, dac firul are iniial 1 m, el se va scurta cu 4,9 mm.
1.8. Pentru figura 1.19, precizai indicii Miller ai planelor determinate de punctele:
ABC; IJK; BEG; precizai direciile: EI; IM; AC; BH; precizai poziia punctelor A,
B, C, D, E, F, G, H, I, K, L, M.
Figura 1.19
24
Desenai o celul cubic i marcai pe desen planele (221), (110) i (312);

alegei o linie din fiecare dintre aceste plane i precizai-i direcia.
1.10. Pentru reelele cubic cu volum centrat (CVC), cubic cu fete centrate (CFC) i
hexagonal simpl (HS), vectorii fundamentali ai celulei primitive pot fi alei astfel
(considernd un sistem de coordonate ortogonal, cu versorii i , j , k ): pentru CVC:
a
a
a
pentru CFC:
a1 i j k ;
a2 i j k ;
a3 i j k ;
2
2
2
a
a
a
a 1 j k ; a 2 i k ; a 3 i j (n ambele cazuri, a reprezint
2
2
2
a
lungimea muchiei cubului); pentru HS: a1 a i ; a 2 i 3 j ; a 3 c k . n
2
aceste relaii, a este raza cercului circumscris hexagonului-baz i c nlimea
prismei hexagonale. S se construiasc vectorii reelei reciproce ai celor trei reele;
s se gseasc relaia care exprim distana interplanar, dh k , n fiecare caz.
Rezolvare
a) reeaua CVC:
Calculm produsele vectoriale dintre vectorii de baz ai reelei, luai doi cte
doi:

i
j k

a2
a2
a1 a 2
1 1 1
ij .
4
2
1 1 1
1.9.

a2
a2
Analog, a 2 a 3
k i . Calculm volumul celulei
j k ; a 3 a1
2
2

a3
elementare: V = a 1 a 2 a 3
. Calculm vectorii de baz ai reelei reciproce:
4

a2 a3 2
a 3 a1 2
a1 a 2 2
b3
ij .
b1
b2
jk ;
ki ;
V
a
V
V
a
a
2
Construim vectorul: K hk h b1 k b 2 b 3 k i h j h k k i
a
2
k 2 h 2 h k 2 , de unde:
modulul: K hk
a
1
a
dhk =
2
2
2
K hk
2 k h h k
n mod analog, se rezolv i n cazul celorlalte dou reele.

1.11. S se arate c, ntr-o reea cubic, direcia [hk] este perpendicular pe planul
(hk).
25
1.12. S se calculeze unghiul dintre planele (111) i 1 1 0 ale unei reele cubice i
distana interplanar pentru cele dou familii de plane, tiind c parametrul reelei
este 250 pm.
1.13. Raza atomului de Fe este 123,8 pm, acesta cristaliznd n sistemul CVC. S se
calculeze parametrul reelei (muchia celulei elementare).
1.14. Polietilena hiperdens cristalizeaz n sistemul ortorombic, parametrii celulei
elementare fiind: a = 741 pm, b = 494 pm, c = 255 pm. tiind c formula chimic a
polietilenei este (C2 H4 )n, densitatea acesteia 965 kg/m3, s se calculeze numrul
atomilor de C i H din celula elementar. Se cunosc: MC = 12, MH = 1, NA =
6,023102 6 kmol1.
1.15. Cuprul cristalizeaz n sistemul CFC, raza atomilor fiind 127,8 pm. Care este
densitatea de atomi n planul (100) ?
1.16. Aurul cristalizeaz n sistemul CFC, avnd parametrul reelei a = 407 pm. Masa
atomic a Au este 197,2 u.a.m. S se calculeze densitatea aurului, cunoscnd
numrul lui Avogadro, NA = 6,0231026 kmol1.
1.17. Distana interatomic dintre atomii de Si (care cristalizeaz n structura
diamantului) este 0,235 nm. Care este densitatea siliciului dac masa sa atomic
este 28 u.a.m.? Se cunoate numrul lui Avogadro.
1.18. Densitatea aurului, care cristalizeaz n sistemul CFC, este 19,3103 kg/m3 iar
masa atomic 197 u.a.m. S se calculeze distana interplanar ntre planele cu cea
mai mare densitate de atomi i raza acestora. NA= 6,0231026 kmol1.
1.19. S se gseasc relaia dintre volumul celulei elementare a reelei directe i cel
al celulei elementare a reelei reciproce.
Rezolvare:
Prin definiie, vectorii de baz ai reelei reciproce, se exprim n funcie de cei ai
reelei directe prin relaiile:

2a 2 a 3
2a 3 a 1
2a 1 a 2

; g2
; g3
, unde V = a 1 a 2 a 3 este
g1
V
V
V
volumul celulei elementare al reelei directe. Atunci,
3 a2 a3
a 3 a1 a1 a 2
g1 g 2 g 3 2
V3
2
a 2 a 3 a 3 a1 a 2 a1 a1 a1 a 2 a 3 2 3
V3
Deci
8 3
=
V
, care este relaia cutat.
1.20. S se arate c orice vector al reelei reciproce este perpendicular pe o familie
de plane ale reelei directe.

Rezolvare:
Fie un vector al reelei reciproce, g n 1 g1 n 2 g 2 n 3 g 3 i un vector al reelei
directe m1 a 1 m 2 a 2 m 3 a 3 , unde n1, n2, n3, m1, m2, m3 sunt numere ntregi.
26

Atunci, g = 2(n1m1 + n2m2 + n3m3) = 2N, unde N este, de asemenea, ntreg. Din
aceast relaie putem spune c proiecia vectorului pe direcia vectorului g are
lungimea d =
2N
. Dar exist o infinitate de puncte ale reelei, avnd aceast
g
proprietate. De exemplu, s presupunem c determin un punct al reelei, reprezentat

de ntregii: m1 = m1 pn3; m2 = m2 pn3; m3 = m1 + p(n1 + n2), unde p este un

ntreg. Este evident c g g = 2N, ceea ce nseamn c are aceeai proiecie
pe g ca i , adic punctul din reea determinat de se afl i el n planul perpendicular
pe g , la distana d de originea sa. Cum acest vector a fost ales arbitrar, nseamn c
exist o infinitate de astfel de vectori, care determin puncte din reea care se afl n
planul perpendicular pe g deci acest plan este un plan al reelei, ceea ce nseamn c
afirmaia din textul problemei este corect.
1.21. S se arate c dac componentele unui vector al reelei reciproce, g , nu admit
factor comun, atunci g este invers proporional cu distana interplanar a

planelor normale la el.
Rezolvare
Din rezolvarea problemei precedente, a rezultat c proiecia unui vector al reelei
2N
directe, , pe direcia unui vector al reelei reciproce, g , are lungimea d =

. Dac
g
n1, n2, n3 nu admit factor comun, atunci putem gsi un alt vector al reelei, , ale crui

componente sunt astfel nct g = 2(N + 1) (figura 1.20).
Figura 1.20
27

Asta nseamn c planul reelei coninndu-l pe se afl la distana d =
2 N 1
2
fa de origine, adic se afl la distana
fa de planul care l conine pe
g
g
, q.e.d.
1.22. S se arate c reeaua direct este

reeaua reciproc a propriei reele reciproce.

g g
Indicaie: se construiete vectorul 1 2 i se arat c este egal cu a 3 . n mod

g 1 g 2 g 3
analog, se procedeaz i pentru ceilali doi vectori.
28
2. STUDIUL STRUCTURII CRISTALINE PRIN

DIFRACTIA DE RAZE X
Radiaiile X sunt radiaii electromagnetice cu lungimi de und cuprinse ntre 10
11
i 108 m, care se obin de obicei n tuburi Roentgen (tuburi vidate, n care electronii
emii de un catod incandescent i accelerai la tensiuni de ordinul 60 - 125 kV,
bombardeaz atomii-int ai unui anticatod). Radiaiile X emise n acest mod sunt
rezultatul interaciunii dintre electronii rapizi i atomii intei, interaciune care poate
avea loc n dou moduri, rezultnd astfel dou feluri de radiaie X:
- radiaia X caracteristic: electronii cu energie cinetic mare pot ioniza atomulint prin scoaterea unui electron de pe un strat inferior; electronii atomului se
rearanjeaz pentru a readuce atomul n starea de energie minim i, ca urmare a
tranziiilor ce au loc, se emit fotoni cu energie bine determinat, caracteristic
elementului din care este confecionat inta. Formula care exprim lungimea de und
a radiaiei X emise este:
=
hc
Wm Wn
(2. 1)
unde Wm i Wn sunt energiile nivelurilor ntre care are loc tranziia iar h este constanta
lui Planck.
- radiaia X de frnare: electronii de energii mari pot trece prin nveliul
electronic al atomilor-int, interacionnd direct cu nucleul acestora, interaciune
constnd n devierea electronului de la traiectoria iniial. Mai exact, ca urmare a
interaciunii electrostatice dintre sarcina electric a nucleului i cea a electronului,
traiectoria acestuia din urm devine hiperbolic; micarea fiind accelerat, el va emite
radiaii electromagnetice. Spre deosebire de spectrul radiaiei X caracteristice, care este
un spectru discret, de linii, spectrul radiaiei X de frnare este un spectru continuu, cu o
lungime de und minim dat de legea Duane-Hunt:
Umin = 1,25106 Vm
(2. 2)
unde U este tensiunea de accelerare a electronilor, aplicat electrozilor tubului.

Dac pe o reea cristalin cade o radiaie X, aceasta va suferi fenomenul de
difracie, asemntor difraciei luminii pe o reea optic de difracie.
Pentru analiza fenomenului, vom face unele aproximri: considerm o reea
cristalin ideal (fr defecte, impuriti i neglijnd agitaia termic), care nu absoarbe
radiaie X iar radiaia X difractat nu interacioneaz cu cea incident sau cu atomii
reelei. S considerm o astfel de reea unidimensional, cu constanta a, pe care cade un
fascicul paralel de raze X, sub unghiul 0. Radiaiile difractate vor avea un maxim de
difracie pe direcia , pentru care este valabil relaia (figura 2.1):
AC DB = a(cos cos 0) = h
(2. 3)
unde h este un numr ntreg.

29
Figura 2.1 Difracia radiaiei X pe o reea cristalin unidimensional
Figura de difracie const dintr-o serie de conuri coaxiale (axa fiind chiar direcia
reelei) de diferite ordine, n funcie de valoarea lui h. ntr-un un plan paralel cu reeaua
unidimensional, figura de difracie este constituit dintr-o serie de hiperbole echilatere
iar intr-un plan perpendicular, dintr-o serie de cercuri concentrice.
n realitate, reelele cristaline nu sunt unidimensionale, atomii acestora fiind
dispui regulat dup trei direcii, la distanele a, b, c. n acest caz, se impun trei condiii
de maxim:
a(cos a cos a0) = h b(cos cos 0) = k c(cos cos 0) = (2. 4)
numite ecuaiile Laue. Se poate arta c, din aceste relaii, deriv relaia:
2dhksin = n
(2. 5)
relaie cunoscut sub numele de relaia Wulf-Bragg, n care 2este unghiul dintre
direcia radiaiei incidente i cea a radiaiei difractate iar n este un numr natural (ordinul
de difracie). La incidena unui fascicul monocromatic de radiaii X pe un cristal, nu
ntotdeauna se obin maxime de difracie ntruct relaiile (2.4) nu sunt oricnd
satisfcute deoarece unghiurile nu sunt independente ci sunt legate printr-o
relaie care impune o a patra condiie. Sistemul de patru ecuaii cu trei necunoscute
nefiind oricnd compatibil, pentru obinerea figurilor de difracie, trebuie ca nc una
din mrimile 0 0 0 s fie fcut variabil.
Pentru studiul structurii cristaline prin difracie de raze X, se folosesc mai multe
metode, dintre care, cele mai utilizate sunt urmtoarele:
- metoda Laue const n iradierea unui monocristal de dimensiuni mici (~ 1 mm)
cu radiaie X cu spectru continuu. Cristalul este fixat pe un suport care permite
orientarea acestuia sub diferite unghiuri fat de direcia fasciculului incident. Figura de
difracie este nregistrat pe un film fotografic i apare sub forma unor pete,
corespunznd maximelor de difracie pe diferite plane care selecteaz din spectrul
continuu anumite lungimi de und, conform relaiei Bragg. ntruct dhk este acelai,
pentru orice tripl h, k, care respect o anumit relaie, n funcie de tipul reelei, relaia
Bragg fiind astfel satisfcut cu lungimi de und i ordine de difracie diferite, cu
aceast metod nu se poate determina distana interplanar, metoda fiind util numai
pentru determinarea orientrii planelor cristaline i a simetriei reelei, care este dat de
simetria figurii de difracie.
30
- metoda cristalului rotitor: se utilizeaz o radiaie X monocromatic ce cade pe

un monocristal de dimensiuni mici, fixat pe un suport care se rotete uniform n jurul
unei axe perpendiculare pe direcia fasciculului incident. Suportul cristalului este plasat
pe axa unui cilindru, pe peretele interior al acestuia fiind aplicat un film fotografic pe
care se nregistreaz imaginea de difracie. Aceasta este sub forma unor pete dispuse pe
cercuri determinate de intersecia fasciculului difractat cu filmul cilindric. Prin aceast
metod se pot identifica elementele de simetrie ale cristalului i se pot determina
constantele de reea.
- metoda pulberilor cristaline: se utilizeaz o radiaie X monocromatic ce cade
pe o prob policristalin, format din cristalite de dimensiuni mici (~ 10 m), distribuite
aleator. Cea mai rspndit variant a acestei metode este cea cunoscut sub numele de
metoda Debye-Scherrer, n care proba policristalin este fixat pe un suport ce se
poate roti n jurul unei axe perpendiculare pe direcia fasciculului incident de raze X.
Suportul este plasat pe axa unui cilindru, pe interiorul cruia este fixat un film
fotografic. Cristalitele fiind orientate aleator, vor exista ntotdeauna unele orientate
astfel nct s fie satisfcut relaia Bragg. Metoda poate fi simplificat prin meninerea
policristalului n poziie fix, dar n acest caz doar 0,1 - 10 % din cristalite particip la
formarea figurii de difracie n timp ce, prin rotirea probei, procentul crete pn la
valori n jurul a 34 %. Metoda permite determinarea parametrilor celulei elementare, a
elementelor de simetrie, a compoziiei materialului i a defectelor n reea. Figura de
difracie de pe filmul fotografic este sub forma unor arce de cerc concentrice, simetrice
fat de direcia fasciculului incident, rezultate din intersecia conurilor coaxiale ale
fasciculelor difractate de diferite plane cu filmul fotografic.
n practic, lucrndu-se cu reele reale i nu cu reele ideale, intervin, n plus,
anumii factori care influeneaz producerea i observarea fenomenului de difracie.
Astfel, intensitatea radiaiei difractate este proporional cu aa-numitul factor de
structur, F, care arat de cte ori intensitatea radiaiei difractate de un plan atomic
oarecare al unei reele complexe este mai mic dect intensitatea radiaiei difractate de
acelai plan al unei reele simple. El se obine prin nsumarea amplitudinilor i fazelor
radiaiilor difractate de cei n atomi ai celulei elementare a reelei complexe. Dac
coordonatele celor n atomi sunt xj, yj, zj, factorul de structur este dat de relaia:
2 i x jh y jk z j
F(h k ) = f j e
(2. 6)
j
unde h, k, sunt indicii Miller ai planului de difracie iar fj este factorul de form atomic,
care exprim puterea de difracie a unui singur atom i care, de regul, este proporional
cu numrul atomic, Z.
Factorul de structur are valori diferite, n funcie de tipul reelei. Iat cteva
exemple:
a) reea cubic simpl (CS), avnd un singur atom n celula elementar, de coordonate
[[0 0 0]]
2 i h0 k 0 0
F = f e
=f
Oricare ar fi h, k, amplitudinea este diferit de zero, deci, la difracie poate
participa orice plan al reelei.
31
b) reea cubic cu volum centrat (CVC), avnd doi atomi n celula elementar, de
coordonate: [[0 0 0]] i [[1/2 1/2 1/2]]
1 1
1
2 i h k
2 2
2
F = f 1 e
= f[1 + cos (h + k + ) isin (h + k + )]
n acest caz, dac h + k + este par, F = 2f iar dac este impar, F = 0, ceea ce
nseamn c la formarea imaginii de difracie particip numai planele pentru care suma
indicilor Miller este par.
c) reea cubic cu fee centrate (CFC), cu patru atomi n celul, de coordonate:
[0 0 0]], [[0 1/2 1/2]], [[1/2 0 1/2]] i [[1/2 1/2 0]]:
F = f[1 + cos (h + k) + cos(k + ) + cos(h + )]
Dac h, k, sunt simultan toi pari sau toi impari, F = 4f iar dac unul din indici
este par (impar) iar ceilali doi impari (pari), atunci F = 0; la formarea imaginii de
difracie particip numai planele avnd toi indicii Miller pari sau toi impari.
d) reea cubic cu volum centrat, cu atomi diferii, pentru care i factorul de form are
valori diferite, f1 i f2. (de exemplu, compuii CuSe, CsCl). Dac suma h + k +
este par, F = f1 + f2, iar dac este impar, F = f1 f2. n acest caz, planele cu suma
indicilor Miller par dau linii intense, pe cnd cele cu suma indicilor Miller impar
dau linii slabe. Cum f Z, de exemplu pentru structura CuCl, pentru suma par a
indicilor, F = 29 + 17 = 46, iar pentru o sum impar, F = 29 17 = 12. n acest
caz, liniile vor fi de aproximativ 4 ori mai slabe dect n primul caz.
2.1.1. Metoda Debye-Scherrer

Geometria dispozitivului de difracie n metoda Debye-Scherrer este
reprezentat n figura 2.3., n care P este un plan al reelei, care satisface relaia Bragg,
radiaia X incident cznd sub un unghi fat de acesta; toate radiaiile difractate de
un anumit plan (h k ) sunt distribuite pe nfurtoarea unui con circular cu axa pe
direcia fasciculului incident i cu unghiul de deschidere de 4; pe filmul fotografic
plasat perpendicular pe direcia fasciculului incident va aprea un inel cu diametrul D
(figura 2.2).
Figura 2.2 Aspectul filmului fotografic obinut la difracia de raze X prin metoda Debye-
Scherrer
Unghiul se calculeaz cu formula:
1
D
arctg
2
2x
32
(2. 7)
Utiliznd o prob dintr-un cristal cu reea cubic cu constanta a, distana

interplanar este dat de relaia:
a
dhk =
(2. 8)
h 2 k 2 2
Introducnd (2.8) n (2.5) scris pentru primul ordin de difracie (n = 1) i
ridicnd la ptrat, obinem:
2
2
sin =
(h2 + k2 + 2)
(2. 9)
2
4a
Aceast relaie este valabil pentru toate unghiurile corespunztoare inelelor de
difracie aprute. Pentru determinarea parametrului a al reelei, se procedeaz astfel:
unghiul cel mai mic, corespunztor inelului interior, l notm cu 1 i considerm c
el corespunde difraciei pe planul (1 0 0); calculm apoi rapoartele i verificm pentru
care combinaie h, k, avem egalitate, caz n care difracia sub unghiul respectiv s-a
fcut pe planul (h k ); cunoscnd , cu formula (2.9), se calculeaz a; dac nu se obin
rezultate satisfctoare, se refac calculele atribuind unghiul 1 planului (1 1 0) sau (1 1
1).
Rezultatele unor msurtori pe un film obinut prin metoda Debye-Scherrer sunt
date n tabelul 2.1, care trebuie completat cu valorile calculate.
Figura 2.3 Geometria dispozitivului de difracie n metoda Debye-Scherrer
inel nr.
1
2
3
4
5
D(mm)
20,2
23,9
38,2
52,0
72,0
Tabelul 2.1
(rad.)
sin
hk
a(pm)
33
n calcule, se va tine seama c x = 23,5 mm iar lungimea de und a radiaiei X este

= 154,5 pm.
rezultatele se vor prezenta sub forma: a = ( a a) pm
calculul rapoartelor se va trece n tabelul 2.2.
hk
h k
12 0 2 0 2
2
Tabelul 2.2
h 2 k 2 2
12 12 0 2
h 2 k 2 2
12 12 12
sin 2
sin 2 1
100
110
111
200
210
211
220
221
222
300
310
311
320
321
322
330
331
332
333
400
410
411
2.1.2. Metoda Laue

Analiznd figura 2.4, care reprezint schematic difracia unui fascicul de raze X
pe planul (h k ), direcia sa fiind [h1 k1 1], unghiul de inciden, este determinat de
produsul scalar dintre versorul normalei la planul de inciden i versorul direciei de
propagare a fasciculului incident; se calculeaz:
h h1 k k1 1
cal = 90 unde cos =
(2. 10)
h 2 k 2 2 h12 k12 12
Dac L este distana dintre o pat i centrul figurii de difracie i x este distana
dintre prob i film, calculul experimental al lui se face cu relaia:
34
1
L
exp arctg
(2. 11)
2
x
Se calculeaz exp cu relaia (2.11) i cal cu relaia (2.10), pentru toi indicii h,
k, de valori mici i pentru direcia de inciden [0 0 1]. Planurile cutate sunt cele
pentru care cal = exp.
Rezultatele se trec n tabelul 2.3.
reflexia
1
2
3
4
5
6
L(mm)
30,0
55,0
64,5
15,5
25,5
41,5
exp
Tabelul 2.3
h k
cal
d(pm)
(pm)
Figura 2.3 Difracia unui fascicul de raze X pe planul (h k )
n calcule se va lua x = 22,5 mm i a = 403 pm.

innd cont c radiaia X de frnare folosit s-a obinut prin accelerarea
electronilor la tensiunea de 25 kV, se va calcula lungimea de und minim i se va
verifica faptul c valorile calculate ale lungimilor de und respect relaia > min.
2.2. Aplicaii
2.1. Pentru a examina o prob dintr-un metal cu structur CFC prin metoda Debye
- Scherrer se utilizeaz radiaie X cu = 154,2 pm. Dac parametrul reelei este a

= 4,05 , s se calculeze unghiurile Bragg pentru primele patru linii.
Rezolvare
Primele patru plane de difracie pentru reeaua CFC (innd cont de condiia impus de
factorul de form i anume ca indicii Miller s fie ori toi pari, ori toi impari) sunt:
35
(111), (200), (220) i (311). Unghiul de difracie Bragg se exprim din relaia Bragg:
a
arcsin(d, unde d este distana interplanar, dat de: dhk =
.
h 2 k 2 2
nlocuind datele problemei, se obin valorile:
(111)19,25(200)22,38(220)32,58(311) = 39,16.
2.2. ntr-o experien de difracie pe o prob cristalin cu structur cubic, utiliznd
radiaie X cu = 1,71 , primele dou unghiuri Bragg obinute, au fost 30 0 i,
respectiv 35 17. S se determine tipul reelei cubice, parametrul reelei i diametrul
atomic.
Rezolvare
Dac reeaua are structur CVC, primele dou difracii au loc pe planele (110) i (200)
iar dac reeaua este CFC, pe planele (111) i (200). Pentru a gsi tipul reelei,
presupunem c ea este de un anumit tip (de exemplu, CFC) i calculm parametrul
reelei pentru ambele plane. Dac se obine aceeai valoare, presupunerea este corect.
n cazul dat, presupunnd c reeaua este CFC, i folosind relaiile de la problema
precedent (relaia Bragg sub forma: = 2dsinse obine pentru ambele plane, (111)
i (200), valoarea a = 2,96 , deci reeaua este CFC, parametrul reelei fiind cel de mai
sus. n cazul reelei CFC, diagonala unei fee a celulei elementare este egal cu de dou
ori diametrul atomic: 2D = a 2 , de unde se obine D = 2,09 .
2.3. n cristalele cu structur CVC, pot avea loc reflexii Bragg pe urmtoarele plane:
(110), (200), (211), (220), (310), (222), (321), (400, (411), (420), (332), (422). Care
dintre aceste plane vor da reflexii Bragg n cazul unui cristal de Cr (ai crui atomi au
diametrul D = 249,4 pm) cnd se utilizeaz radiaie X cu = 154 pm?
Rezolvare
2D

Din condiia /2d = sin 1 d /2
h2 k2 2 2
3 h2 k2 2 2
, adic h2 + k2 + 2 16D2/3h + k2 + 2 13,98. Rezult c vor da reflexii
Bragg planele din irul prezentat, pn la (222) inclusiv.
2.4. a) Intr-o experien de difracie de raze X cu = 1,541 prin metoda Debye Scherrer, s-a obinut un film fotografic pe care, distana dintre cea mai apropiat
pereche de linii este x = 44,52 mm. tiind c diametrul camerei de difracie este D
= 57,5 mm, s se calculeze distana interplanar pentru familia de plane pe care a
avut loc difracia i raza atomilor metalului din care a fost confecionat proba.
b) Se aliaz acest metal, cu structur CVC, cu un alt metal, cu structur CFC i raza
atomic r2 = 1,35 , n proporie de maxim 5 %. Considernd c metalele formeaz
o soluie substituional solid, s se discute dac, prin metoda de difracie utilizat,
se poate estima compoziia aliajului.
Rezolvare
a) Figura de difracie obinut arat ca n figura 2.2.
36
Cum camera este cilindric, distana x reprezint lungimea arcului de cerc cu

raza D/2, subntins de unghiul 4Atunci, 4 = 2x/D = 1,549 rad, deci 22,19. Cum
cristalul este cu structur CVC, prima reflexie Bragg are loc pe planul (110), deci:
2 d110 3
a 3
d1 1 0 = /(2sin) = 2.04 ; r1 =
= 1,25 .
4
4
b) La formarea soluiei substituionale solide, parametrul reelei se modific, ca urmare
a faptului c raza atomilor substitueni este diferit. Raza atomic medie n soluie este
o medie ponderat a celor dou raze atomice.
Cum procentele celor doi constitueni ai soluiei sunt p1 = 95 %, respectiv p2 = 5 %,
raza medie este r = [(r1p1 ) + (r2p2 )] = 1,255 . Noul parametru al reelei este acum:
a = 2,898 , iar distana interplanar, d = 2,049 . Cu aceste noi valori, se calculeaz
i, respectiv, x = 44,32 mm. Rezult c diferena ntre distana x pentru proba pur
i x pentru proba de aliaj este de numai 0,2 mm. Dac n locul planului (110) se
consider planul maxim pe care mai poate avea loc reflexia Bragg pentru radiaia
folosit, (222), distana ntre perechea de linii corespunztoare acestei reflexii este
(fcnd calcule n acelai mod) 134,6 mm pentru proba pur i 135,9 mm pentru proba
aliat, ceea ce d o diferen (maxim) de 1,3 mm. Aceast valoare este insuficient
pentru msurtori de precizie, avnd n vedere c limea unei linii pe filmul fotografic
este ea nsi 0,5 - 1 mm. Deci, dei teoretic este posibil ca, msurnd diferena x x,
s se determine unul din cei doi parametri, r2 sau p2, cunoscndu-l pe cellalt, practic,
n condiiile date, metoda nu poate fi aplicat ca urmare a erorilor foarte mari care s-ar
obine.
2.5. ntr-o experien de difracie pe un cristal cu structur cubic, utiliznd radiaie
X cu = 1,54 , maximele de difracie de ordinul nti ale radiaiei difractate pe
diferite plane s-au obinut la unghiurile 21,66; 31,47; 39,74; 47,58; 55,63;
64,71; 77,59. S se determine structura cristalului, planele pe care a avut loc
difracia i parametrul reelei.
Rezolvare
Dac reeaua este cubic simpl, difracia a avut loc pe planele: (100), (110), (111),
(200), (210), (211) i (220). Dac reeaua este cubic cu volum centrat, planele de
difracie sunt (suma indicilor Miller par): (110), (200), (211), (220), (310), (222) i
(321). Dac reeaua este cubic cu fete centrate planele de difracie sunt (toi indicii
Miller pari sau toi impari): (111), (200), (220), (311), (222), (400) i (331).
Utiliznd relaia Bragg, = 2d.sin i relaia a = d h 2 k 2 2 , se calculeaz, n
fiecare caz, parametrul a. Dac valoarea acestuia este aceeai pentru toate planele de
difracie ale tipului de structur considerat atunci aceea este structura reelei. Fcnd
calculele numerice n cazul dat, rezult c structura reelei este CVC, planele de difracie
sunt cele date anterior, corespunztor acestei structuri iar parametrul reelei este a = 2,95
.
2.6. S se determine lungimea de und a radiaiei X folosite ntr-o experien de
difracie pe un cristal pur de NaCl, cu parametrul reelei a = 5,63 , dac maximul
de ordinul I al difraciei pe planul (111) se obine la un unghi de 5,2.
37
Se efectueaz o difracie de raze X pe un cristal, maximul de ordinul I fiind

observat sub un unghi fix, = 14. Acesta se obine dac tensiunea de accelerare a
electronilor n tubul de raze X este U = 9100 V. S se calculeze parametrul reelei.
Se cunosc sarcina electronului, e, constanta lui Planck, h, viteza luminii n vid, c.
2.8. Un fascicul de electroni accelerai la tensiunea U = 180 V cade pe un cristal,
maximul de difracie de ordinul IV observndu-se sub unghiul = 55. Care este
distana interplanar a familiei de plane pe care a avut loc difracia ? Se cunosc: e,
c, h.
2.9. O prob cristalin cu structur cubic este supus unei experiene de difracie
cu raze X cu 62,5 pm. Primele trei maxime de difracie de ordinul I se obin sub
unghiurile de 7,7; 8,9 i 12,7. S se determine tipul structurii cristaline i
parametrul reelei.
2.10. O prob de Cu, a crui structur este de tipul CFC, este iradiat cu radiaie X
cu = 179 pm. Maximul de difracie de ordinul I pe planul (111) se obine la unghiul
2 = 25,42. Care este raza atomului de Cu ?
2.11. O prob policristalin dintr-un metal este supus unei experiene de difracie
ntr-o camer de difracie cu raza de 2,54 cm, folosind radiaie X cu = 178,6 pm.
distana ntre perechile de linii ce se obin pe filmul fotografic plasat pe interiorul
peretelui camerei este, pentru primele sase perechi: 4,19; 6,09; 7,77; 9,42; 11,23 i
13,9 cm. S se determine tipul reelei cubice a metalului, parametrul reelei i
densitatea metalului, cunoscnd masa molar, M = 185,35 kg/kmol, a acestuia i
numrul lui Avogadro.
2.12. Maximele de difracie de ordinul I la o experien de difracie pe un cristal cu
structur cubic, folosind radiaie X cu = 154 pm, se obin la unghiurile 2 cu
valorile 40; 58; 73; 86,8; 100,4; 114,7. S se determine tipul reelei i
parametrul acesteia.
2.13. Dou probe de Cu dau, ntr-o experien de difracie cu raze X cu = 1,5 , la
difracia pe planul (111), maximul de ordinul I la un unghi de 21,00, respectiv
21,38. S se dea o explicaie calitativ i cantitativ a acestui fapt, tiind c
diametrul atomilor de Cu este D=2,55 .
2.14. Un cristal cu reea cubic, cu parametrul reelei a = 0,4 nm, este plasat cu
direcia [001] perpendicular pe direcia unui fascicul incident de raze X cu = 0,1
nm. Iniial, se produce un fascicul difractat asociat cu planele (h1 k1 1 ). Cu ce unghi
trebuie rotit cristalul pentru a se produce difracie pe planele ( h2 k2 2 ) ? Aplicaie
numeric: (h1 k1 1 ) = (020 ), (h2 k2 2 ) = (130). Care dintre planele (h2 k2 2 ) nu
vor produce difracie dac reeaua este CS, CVC sau, respectiv, CFC ?
2.15. Celula elementar a cuprului, care cristalizeaz n sistemul CFC, are
parametrul a = 360 pm. S se calculeze lungimea de und maxim a radiaiei X
care produce difracie pe planul (111). Pe ce plane ar putea radiaia X cu = 0,5
nm s fie difractat ?
2.7.
38
2.16. Celula elementar CVC a fierului are parametrul a = 0,29 nm. La difracia
neutronilor pe planele (110) se observ dou ordine de difracie. Care este energia
minim a neutronilor ?
Indicaie: din relaia Bragg se scrie: n2d = sin 1, din care se scoate
lungimea de und maxim (lungimea de und asociat neutronilor) i, respectiv energia
minim.
2.17. Unghiul Bragg de difracie pe o prob de pulbere de Cu este de 47,75 la 20
C i 46,6 la 1000 C. S se calculeze coeficientul de dilatare liniar al cuprului.
Indicaie: se calculeaz distana interplanar pentru cele dou unghiuri i,
folosind legea dilatrii liniare, se calculeaz coeficientul cerut.
2.18. La o experien Laue, de difracie pe un monocristal de Al, cu parametrul reelei
a = 405 pm, utiliznd radiaie X obinut prin accelerarea electronilor la 50 kV,
planul (111) face un unghi de 88 cu fasciculul incident. Ce ordine de difracie sunt
prezente n fasciculul difractat? Se va considera c radiaia X are o lungime de und
maxim de 0,2 nm.
2.19. Pentru determinarea parametrului reelei unui cristal cu structur cubic, se
efectueaz o experien de difracie de raze X cu = 154 pm, observndu-se
maximul de ordinul n sub un unghi .
a) tiind c eroarea de msurare a acestui unghi este = 6', s se determine
valoarea unghiului la care eroarea relativ n determinarea parametrului reelei
este minim.
b) Pentru ce unghiuri eroarea relativ este mai mic dect 103 ?
c) tiind c parametrul reelei este a = 536 pm i c planul pe care a avut loc
difracia este (111), s se determine cel mai mic ordin de difracie n, corespunztor
erorii minime asupra lui a.
Rezolvare
a
a) difracia are loc n condiia: dsin n.unde d =
.
h2 k2 2
2 sin da
2a cos d
nlocuindu-l pe d i difereniind relaia, se obine:

= 0,
2
2
2
h k
h2 k2 2
a
de unde gsim: a =
. Se vede c eroarea relativ n determinarea lui a este
a
tg
minim cnd tg este maxim, deci cnd 90.
b) din condiia a < 103, rezult tg > 1,296, adic > 58 10
c) cum > 58 10, sin > 0,7917 i, din relaia Bragg, rezult:
2a sin
n=
> 3,18.Cum n este ntreg, valoarea sa minim este 4.
h2 k2 2
39
3.
LEGTURA CRISTALIN. DEFECTE N RETELE

CRISTALINE

3.1.1. Fore de interaciune
Structura ordonat a solidelor cristaline este datorat unor interaciuni ale
particulelor constituente ale reelei; forele de interaciune trebuie s fie fore de atracie
dar, n acelai timp trebuie s existe i fore de respingere, fapt ce permite ca, prin
echilibrul acestora, particulele s se gseasc n reea la o distan de echilibru, r0,
specific sistemului.
Figura 3.1 Variaia energiei poteniale de interaciune dintre doi atomi, n funcie de distana
dintre ei
Este necesar ca la o distan mai mic dect r0 forele s fie repulsive iar la o
distan mai mare, atractive, astfel nct energia potenial a sistemului format (pentru
simplificare) din dou particule se poate reprezenta grafic ca n figura 3.1. Cum F U
i cum F acioneaz pe direcia lui r , putem scrie:
U r
F

(3.1)
r r
Pentru a avea graficul din figura 3.1, trebuie ca la r < r0,
> 0. Pentru r = r0,
U
=0
r
40
U
U
< 0, iar la r > r0,
r
r
(3.2)
Aceasta reprezint condiia de echilibru, din care se poate obine valoarea lui r0.
n plus, pentru ca echilibrul s fie stabil (energie potenial minim la distana de
echilibru), trebuie ca:
2U
>0
(3.3)
r 2 r r
0
Din numeroase studii experimentale i teoretice, a rezultat c U este dat de o

expresie de forma:
A B
U= m n , m>n
(3.4)
r
r
Din aceast relaie se obine:
1
mA mn
r0 =
(3.5)
nB
n unele cazuri, este mai convenabil s se lucreze cu o expresie a lui U de forma:
r
B
U = A e n
(3.6)
r
Valoarea U0 a energiei poteniale din graficul din figura 3.1 este o msur a
lucrului mecanic ce trebuie efectuat (energia cheltuit) pentru a deplasa un atom aflat la
distana r0 fa de altul, la o distan infinit fa de acesta (pentru un atom aflat n cristal,
ea reprezint energia necesar scoaterii acestui atom n afara reelei). Ea este numit
energie de disociere sau energie de coeziune i poate fi determinat experimental prin
msurtori calorimetrice.
Natura forelor de legtur este electric, la care se adaug efecte cuantice,
datorate relaiilor de nedeterminare ale lui Heisenberg i principiului de excluziune al
lui Pauli. Tipurile principale de legturi cristaline sunt: legtura ionic, legtura
covalent i legtura metalic (legturi intramoleculare) i legtura Van der Waals
(legtur intermolecular).
3.1.2. Legtura ionic

Dup cum este cunoscut, atomii oricrui element au tendina de a-i forma
configuraia electronic a unui gaz inert, prin captarea sau cedarea de electroni. De
exemplu, metalele alcaline au un electron de valen, pe care l pot ceda relativ uor,
energia de ionizare fiind mic; n schimb, halogenii au pe ultimul strat electronic apte
electroni, lipsindu-le unul pentru a avea o configuraie electronic complet, de octet.
Aceste elemente prezint o afinitate electronic, caracterizat de energia eliberat la
captarea electronului care le asigur formarea octetului complet. Transferul unui
electron de la un tip de atom la altul i transform pe amndoi n ioni (unul pozitiv,
cellalt negativ) cu structuri electronice complete, acesta fiind aspectul esenial al
legturii ionice. Structura unei reele cristaline cu legtur ionic este format din
alternarea ionilor pozitivi cu cei negativi. ntre acetia se exercit interaciuni
coulombiene, fora atractiv avnd expresia F =
Ve
4 0 r 2
, unde V este valena ionului

41
pozitiv. Energia de interaciune electrostatic are expresia U =
Ve
, r fiind distana
4 0 r
dintre ioni. La o distan interatomic de ordinul a 1010 m, corespunde o energie de
atracie electrostatic de ordinul a 1019 J (civa eV). Pentru un calcul mai exact, trebuie
inut ns seama nu numai de interaciunea ionilor cei mai apropiai ci i de cea dintre
ionii aflai la distane mai mari, care include i fore de respingere (ntre ionii de acelai
semn). Expresia energiei totale de interaciune ionic poate fi scris sub forma:
Ve 2 B
U =
n
4
r
r
0
nsumarea fcndu-se pentru toate nodurile reelei. Calculul acestei expresii a fost fcut
de ctre Madelung i Ewald (1918), care au ajuns la relaia:
2
Ve
U =
(3.7)
n
40
unde este constanta reelei iar este constanta Madelung, ce depinde de tipul reelei
(pentru reeaua clorurii de sodiu ea are valoarea 1,75, pentru altele fiind cuprins ntre
1,6 i 1,8). Constantele i n se determin din condiiile:
dU
d2U
0 ;
d
d 2
Prima din aceste relaii este condiia de echilibru iar cea de-a doua exprim fora
necesar pentru a comprima cristalul cu o anumit valoare, for ce se determin
experimental. Rezultatele teoriei lui Madelung pot fi verificate experimental.
3.1.3. Legtura covalent

Un alt tip de interacie care asigur structuri cristaline este cea n care geometria
norilor electronici ai atomilor este suficient de distorsionat astfel nct electronii sunt
continuu mprii ntre atomii vecini, formnd nveliuri complete pentru acetia. O
astfel de legtur este deci asociat cu existena unei perechi de electroni comuni
atomilor care interacioneaz. Punerea n comun a electronilor de ctre atomi nseamn
c este imposibil de precizat crui atom aflat n interaciune i aparine electronul pus n
comun.
O teorie a legturii covalente care s rezolve toate problemele aprute i care s
aib un caracter general este greu de pus la punct. O posibilitate (nu complet i nici
singura) este metoda orbitalilor moleculari, prezentat calitativ n continuare,
aplicat, pentru simplificare i nelegere mai uoar, moleculei de hidrogen.
S considerm unul din electronii celor doi atomi de H din molecul. Densitatea
de sarcin electric a orbitalului molecular corespunztor acestui electron poate fi
exprimat ca fiind proporional cu ptratul unei combinaii liniare a celor dou funcii
de und ale electronului n cazul n care el ar aparine numai unui atom, A, sau
celuilalt, B
S ~ A + B ; S* ~ A B
(3.8)
42
Forma funciilor de und S i S* i a densitilor de sarcin electric,

corespunztoare, sunt date n figura 3.2. n cazul funciei s, se observ o redistribuire
a sarcinii electrice n regiunea dintre atomii A i B, ceea ce duce la ecranarea sarcinii
electrice a celor dou nuclee. Acest lucru se ntmpl dac distana dintre cei doi atomi
este mai mare dect o anumit valoare pentru care energia sistemului este minim; sub
aceast valoare, ecranarea nu se mai produce i nucleele se resping. O astfel de funcie
de und, s, este un aa-numit orbital de legtur.
Figura 3.2 Forma funciilor de und S i S* i a densitilor de sarcin electric,

corespunztoare
Pentru funcia de und s*, nu se produce ecranarea sarcinilor nucleelor, care se

resping, indiferent de poziia lor, starea descris de aceast funcie fiind instabil, fr
existena unei legturi. Funcia de und s* este un orbital antilegtur. Considernd
acum ambii electroni, acetia trebuie s se afle ntr-o stare descris de funcia:
(1, 2) = S(1) + S(2)
(3.9)
care, din considerente cuantice, trebuie s fie caracterizat de spinul total nul.
Evident, n aceast discuie simplificat, s-a neglijat termenul care trebuie s
apar n (1,2) datorit interaciunii celor doi electroni, care, oricum, trebuie s fie
minim, deci acetia s se afle la distana maxim. Energia strii descrise de (1,2) este
de forma din figura 3.1, ceea ce poate explica apariia legturii covalente.
3.1.4. Legtura metalic

ntr-un metal, electronii de pe stratul exterior al atomilor pot prsi aceti atomi
destul de uor, numai c nu exist ali atomi, ca la legtura ionic, cu afinitate
43
electronic i care s atrag aceti electroni. Cnd astfel de atomi sunt adui mpreun,
ntr-o structur metalic, norii electronici ai atomilor vecini se suprapun, astfel nct
este uor pentru un electron s migreze de la un atom la altul. Acest fapt fiind valabil
pentru toi electronii de valen ai tuturor atomilor, nseamn c nu mai exist electroni
de valen aparinnd unui atom anume. Aceti electroni migratori sunt electronii de
conducie ai metalului, care-i asigur acestuia cele mai importante proprieti electrice.
Structura metalic poate fi considerat ca fiind alctuit dintr-o reea fix de ioni
pozitivi, scufundat ntr-un gaz alctuit de electronii de conducie*.
ntruct un astfel de sistem reprezint o punere n comun de electroni de ctre
toi atomii reelei, el poate fi studiat cu aceeai metod utilizat pentru legtura
covalent.
Caracteristic structurii metalice este faptul c fiecare atom tinde s se nconjoare
cu maximum de vecini posibil, astfel nct s se realizeze o umplere compact a
volumului disponibil. Trei sferturi din metale cristalizeaz n sistemele cubic (cu volum
centrat sau cu fee centrate) i hexagonal compact (la care, dup cum s-a vzut anterior,
fracia de mpachetare are valoarea maxim), distana interatomic fiind minim.
Metalele au o foarte mare importan practic i, de aceea, ele au fost studiate
foarte intens (cercetri arheologice au artat c ameliorarea calitilor metalelor prin
aliere sau tratamente termice i mecanice era cunoscut nc de acum dou mii de ani).
Dac un metal sau alt element este adugat unui metal exist patru posibiliti:
insolubilitatea celor dou specii; plumbul i fierul sau bismutul i cuprul nu au nici
o afinitate unul pentru altul, fiind deci insolubile unul n cellalt. n acest caz,
amestecul este numai mecanic, neafectnd structurile celor dou specii de atomi.
Aliajele obinute n acest fel nu au modificate proprietile intrinseci dar, uneori,
apar efecte noi. Astfel, Fe aliat cu o carbur posed o rezisten la uzur cu mult mai
mare dect cea a Fe pur. De fapt, aceste amestecuri sunt false aliaje, prin comparaie
cu cele prezentate n continuare.
solubilitate cu formarea unui ansamblu interstiial; ntr-o reea mai puin compact
exist posibilitatea ca ali atomi s umple locul gol, existent ntre atomii metalului.
Cel mai adesea, hidrogenul, borul, azotul sau carbonul sunt substane susceptibile
de a juca acest rol, pentru a da natere la soluii interstiiale.
solubilitate cu formarea unui ansamblu substituional; unele aliaje sunt caracterizate
de faptul c atomii elementului adugat metalului substituie atomii acestuia n
nodurile reelei. Este cazul aliajelor cupru - nichel. Substituia se poate realiza
aleatoriu sau sistematic, ceea ce are drept efect crearea unei suprastructuri n care
atomii unuia din metale ocup locuri bine precizate iar cei ai celuilalt locurile
rmase libere n reea. De exemplu, n aliajul cupru - zinc n proporie egal (ca
numr de atomi), atomii de Cu ocup colurile celulelor elementare iar atomii de Zn
centrele acestora. Acest tip de solubilitate poate fi provocat prin nclzirea unei
soluii substituionale aleatorii la temperaturi mari i rcirea lent a acesteia, cnd,
Termenul de gaz electronic este ct se poate de potrivit, ntruct electronii de conducie se comport
ca moleculele unui gaz
44
sub 400C, suprastructura se realizeaz prin orientarea atomilor spre poziiile

privilegiate.
formarea unui compus; are loc o reacie chimic ntre cele dou elemente chimice.
3.1.5. Legtura Van der Waals

Toate legturile discutate anterior sunt legate, ntr-un fel sau altul, de transferul
unui electron al unui atom ctre vecinii si, lucru posibil atunci cnd energia necesar
acestui proces nu este prea mare. Dac electronii aparin ns unor straturi complete,
energia lor de legtur cu nucleul este foarte mare i ei nu pot prsi atomul. Aa este
cazul gazelor inerte care, ar rezulta din considerentele de mai sus c nu pot forma
structuri solide cristaline. Totui, i n acest caz se pot obine astfel de structuri, ca
urmare a altor interaciuni care pot asigura stabilitatea acestora. Este vorba de
interaciunile de tip molecular, sau Van der Waals, care sunt mult mai slabe dect cele
discutate anterior. Ele sunt datorate unei deplasri relative a electronilor dintr-un atom
sau o molecul fa de sarcina pozitiv, central a nucleului; altfel spus, norul electronic
nu are o simetrie sferic, astfel nct ansamblul sarcin pozitiv a nucleului - sarcin
negativ a electronilor, dei neutru din punct de vedere electric, ca urmare a distribuiei
asimetrice, formeaz un dipol. Atomul sau molecula se va caracteriza printr-un moment
electric dipolar variabil, ca urmare a modificrii permanente a formei norului electronic.
ntre doi astfel de dipoli oscilani apare o for atractiv care constituie interaciunea
Van der Waals, cea care asigur mecanismul solidificrii substanelor cu structura
complet a nveliului electronic. Pentru c legtura Van der Waals este foarte slab,
astfel de solide formate pe baza acestei legturi au puncte de topire sczute i o duritate
mic.
3.1.6. Tipuri de defecte

Structura reelei cristaline nu trebuie considerat ca fiind una n care atomii
ocup poziiile corecte ntr-un mod foarte precis; n realitate, exist atomi care nu
respect acest aranjament ordonat, astfel nct reeaua are unele defecte structurale.
Defectele pot fi clasificate n patru categorii, n funcie de dimensiune:
Defecte punctiforme, sau zero-dimensionale: atomi lips, sau n locuri anormale
n reea (vacane, atomi interstiiali, impuriti)
Defecte liniare, sau unidimensionale: grupri de atomi n poziii anormale (de
exemplu, dislocaii marginale i elicoidale)
Defecte planare, sau bidimensionale: interfee dintre regiuni omogene ale
materialului (suprafaa de separare dintre cristalite, suprafee exterioare)
Defecte de volum, sau tridimensionale: defecte extinse (pori, fisuri)
3.1.7. Defecte punctiforme

Cel mai simplu defect care poate aprea este lipsa unui atom din locul
corespunztor n reea - defect numit vacan. Acest defect se produce prin ruperea
legturilor cristaline dintre un atom i restul reelei, acesta migrnd ntr-o alt poziie,
unde, la rndul su, reprezint tot un defect punctiform, numit atom interstiial. De
regul, deci, defectele punctiforme apar ca perechi vacan-atom interstiial. Atomul
45
interstiial se poate plasa undeva, oriunde, n interstiiul dintre dou plane reticulare ale
reelei (ceea ce produce o dilatare a acesteia), caz n care perechea vacan-atom
interstiial se numete defect Frenkel sau poate migra la suprafaa cristalului, caz n
care perechea respectiv se numete defect Schottky. i n regiunea unde se formeaz
o vacan are loc deformarea reelei dar n sensul comprimrii ei. n plus, prezena
vacanelor ofer o posibilitate destul de uoar a atomilor de a difuza dintr-o parte a
cristalului (cu concentraie mic de vacane) n alta (cu concentraie mai mare de
vacane) datorit faptului c, atunci cnd un atom se deplaseaz ntr-o vacan lsnd
propriul loc gol, nu produce rupturi prea mari n reea, adic necesit o foarte mic
energie. Odat cu difuzia atomilor ntr-un sens, are loc i difuzia vacanelor n sens
invers. Difuzia atomilor datorat vacanelor se poate produce i n cazul cnd
concentraia acestora este constant n toat masa cristalului, dar se aplic din exterior
un cmp electric, situaie ce duce i la modificarea proprietilor de conducie electric.
Dac energia de formare a unei perechi vacan-atom interstiial este EV (~ 1 eV pentru
defecte Schottky i ~ 4 - 5 eV pentru defecte Frenkel), se poate demonstra uor c, la
temperatura T, concentraia unor astfel de defecte este dat de relaia:
E
n = N exp V
(3.10)
k
T
B
unde kB este constanta Boltzmann i N este concentraia atomilor din reea.

Atomii interstiiali determin distorsiuni n reeaua nconjurtoare, ceea ce face
ca energia de formare a unui astfel de defect s fie de aproximativ 3 ori mai mare dect
cea de formare a vacanelor (Ei 3EV). Din aceast cauz, concentraia de echilibru a
atomilor interstiiali este foarte mic (mai puin de un atom interstiial pe cm3 la
temperatura camerei).
Un alt tip de defect punctiform const n prezena n reea a unor atomi de alt tip
dect cei ai reelei respective, numii impuriti. Acestea pot fi impuriti
interstiiale, cnd atomii de impuritate sunt plasai ntre planele reelei sau impuriti
substituionale, cnd atomii de impuritate substituie, chiar n nodurile reelei, atomi ai
acesteia.
Aliajele reprezint amestecuri deliberate de metale. Un caz particular este cel al
soluiilor solide, care sunt obinute pe baza unei gazde (solvent sau matrice), care
dizolv componentul minor (solvit). Proprietatea de a se dizolva este numit
solubilitate.
ntr-un aliaj, elementul sau compusul prezent n mai mare cantitate este
solventul, iar elementul sau compusul prezent n mai mic cantitate este solvitul.
Soluia solid este omogen, i menine structura cristalin i conine impuriti
(substituionale sau interstiiale) dispersate aleatoriu.
3.1.8. Defecte unidimensionale

Defectele unidimensionale sunt defecte extinse la un ntreg ir de atomi, cele
mai frecvente fiind dislocaiile. Cnd un cristal sufer o deformare plastic, aceasta se
produce prin alunecarea unui plan reticular (specific materialului respectiv) fa de altul,
46
pe o direcie de asemenea bine definit, n funcie de natura materialului. Linia care

separ partea din cristal care a alunecat de cea care nu a alunecat se numete dislocaie.
Figura 3.3 Dislocaii
Dac direcia de alunecare este perpendicular pe dislocaie, avem de-a face cu

o dislocaie marginal (Taylor) iar dac cele dou direcii sunt paralele, dislocaia este
o dislocaie elicoidal sau spiral (Burgers). Cnd direcia de alunecare este una
oarecare, s-a produs o dislocaie mixt. n figura 3.3 sunt prezentate cele dou tipuri de
dislocaii. La dislocaia marginal, alterarea structurii reelei este mare n imediata
vecintate a acesteia dar la distane de cteva ori mai mari dect distana interplanar,
deja structura reelei este aproape cea regulat. Totui, descriind o curb nchis n
planul xOy n jurul originii (figura 3.3), i adunnd pe aceast curb vectorii deplasare,
u j , ai fiecrui atom de pe curb fa de poziia iniial n reeaua ideal, vectorul

rezultant este nenul, avnd mrimea egal cu distana interplanar i fiind orientat pe
direcia Ox.
Dislocaia elicoidal are loc prin tierea reelei de-a lungul unui semiplan i
alunecarea celor dou pri rezultate fa de poziia iniial pe o distan egal cu
jumtate din distana interplanar. i n acest caz se constat acelai lucru n legtur cu
vectorul deplasare calculat pe o curb nchis n jurul liniei de dislocaie, astfel nct se
poate scrie:
u
(3.11)
du i x ki dx k b i
Cu alte cuvinte, cnd se descrie o curb arbitrar nchis, , n jurul unei linii de
dislocaie, vectorul deplasare elastic, u , sufer o variaie finit, b , egal cu unul din
vectorii de baz ai reelei (cel perpendicular, pentru dislocaia marginal, respectiv
paralel, pentru dislocaia elicoidal, cu direcia liniei de dislocaie). Vectorul b este

constant de-a lungul liniei de dislocaie i se numete vectorul lui Burgers. Este evident
c linia de dislocaie nu se poate ntrerupe n interiorul cristalului, cele dou capete ale
acesteia ieind la suprafa sau unindu-se i rezultnd o curb nchis. Dislocaiile pot
fi puse n eviden prin diverse tehnici, dintre care cele mai importante sunt microscopia
47
electronic, microscopia autoionic, difracia de raze X, atacul chimic al suprafeei

cristalului etc.
3.2. Aplicaii
3.1. Energia potenial de interaciune dintre doi atomi poate fi scris sub forma: U(r)
A B
, unde r este distana dintre atomi iar A i B sunt dou constante, depinznd
rm rn
de natura atomilor; m i n sunt numere ntregi.
a) s se arate c m > n
b) s se stabileasc relaia dintre energia de respingere i cea de atracie la echilibru.
Rezolvare
dU
a) La echilibru, energia potenial trebuie s fie minim, ceea ce nseamn c:
dr r R 0
= 0;
d2U
dr 2
> 0. Din condiia ca derivata nti a energiei poteniale s se anuleze la

r R 0
mA m n
echilibru, se obine distana de echilibru: R0 =
. Calculnd i derivata a doua
nB
i exprimnd-o, la echilibru, n funcie de R0, B, m i n, se obine expresia:
d2U
n m n B
, iar din condiia ca aceast derivat s fie pozitiv se obine
2
dr r R
R 0n 2
0
condiia cerut, m > n.

b) Primul termen al energiei de interaciune este datorat forelor de respingere iar cel
de-al doilea, forelor de atracie. Dac facem raportul celor doi termeni obinem:
U resp
U resp
A 1
n
m n , iar la echilibru, cnd r = R0,
.
U atr
B r
U atr
m
3.2. S se calculeze ntr-un cristal aflat la echilibru:

a) concentraia de defecte Schottky
b) concentraia de defecte Frenkel
Rezolvare
Aceste defecte sunt defecte punctiforme n reea i apar ca urmare a faptului c
un atom oarecare, aflat ntr-un nod al reelei, capt suficient energie pentru a se rupe
din legturile sale cu restul reelei i prsete locul ocupat, acesta rmnnd gol
(vacant). Diferena const n aceea c, n cazul defectelor Schottky, atomul migreaz
spre suprafaa cristalului, pe cnd, n cazul defectelor Frenkel, atomul rmne n
interiorul cristalului, n interstiiul dintre dou plane (atom interstiial). Acest tip de
defect punctiform este foarte rar ntlnit la metale, care au o structur foarte compact
a) S notm: ES - energia necesar formrii unui defect Schottky, n - concentraia de
vacane formate n acest fel i N - concentraia atomilor din reea. Pentru a obine o
concentraie n de vacante este necesar o energie W = nES pe unitatea de volum a
48
cristalului. Numrul nodurilor reelei cristalului este N + n, iar probabilitatea de a obine

N n ! . Entropia sistemului S = k .ln p, iar energia
o astfel de configuraie este: p =
B
n !N !
liber F = W TS = nES TkBln p. Utiliznd formula lui Stirling, pentru numere mari,
ln x! x.ln x x, rezult:
F = nES -kBT[(N + n)ln (N + n) nln n Nln N]
Punnd condiia F/n = 0, rezult:
0 = ES kBT.ln [(N + n)/n], n/(N + n) = exp(ES /kBT).
ES
k BT
Pentru N >> n n = N e
b) Notm: EFr = energia necesar formrii unui defect Frenkel, N - concentraia de

poziii interstiiale libere, N - concentraia de atomi ai reelei i n - concentraia de
vacante, egal cu cea a atomilor interstiiali.
N n ! N n ! .
Probabilitatea de realizare a unei astfel de stri este: p =
n !N !
n !N !
E Fr
n2
e k BT , iar
Fcnd aceleai calcule ca la punctul precedent, rezult:
N n N n
E Fr
n2
e k BT .
pentru n << N i n << N,
N N
E Fr
2k B T
Pentru cristale cubice, N = N, deci: n = N e

3.3. Defectele punctiforme n metale determin o rezistivitate electric adiional la
temperaturi joase, ca urmare a mprtierii electronilor de conducie pe aceste defecte.
Aceast rezistivitate este proporional cu concentraia defectelor. n tabelul de mai jos
este prezentat variaia relativ a rezistivitii unui fir de Au la temperatura de 78K
cnd este rcit brusc de la diferite temperaturi.
T(K)
920
970
1020
1060
1220
0,41
0,7
1,4
2,3
9
S se calculeze energia de formare a unei vacante n reeaua de Au.

Indicaie: concentraia vacantelor variaz n funcie de temperatur dup o lege
exponenial de forma: n = N.exp(-ES /kBT), unde ES este energia de formare a unei
vacante (vezi problema precedent).Influenta vacantelor asupra rezistivitii se poate
observa numai la temperaturi sczute deoarece la temperaturi mai mari intervin
fenomene legate de vibraiile reelei care sunt mult mai consistente i care mpiedic
observarea acestuia. De aceea, determinarea s-a fcut prin rcirea brusc ceea ce face
ca starea vacantelor s nghee pentru ctva timp (la rcirea lent are loc recombinarea
vacantelor cu atomii interstiiali) i, n acest fel, s poat fi studiat fenomenul. Astfel, la
rcirea brusc de la temperatura T la temperatura T0 = 78 K, se constat c rezistivitatea
msurat imediat dup rcire este cu x % mai mare dect cea msurat n mod obinuit
la aceeai temperatur, datorit faptului c, n mod obinuit, la 78 K exist o
concentraie n0 de vacante pe cnd imediat dup rcirea brusc, la 78 K exist o
49
concentraie n de vacante, ca urmare a ngherii strii de la temperatura T. Atunci,

cum rezistivitatea datorat vacantelor este proporional cu concentraia acestora, este
E 1 1
valabil relaia: n/N n/N = exp S . Prin logaritmarea
k B T0 T
acestei ultime relaii se obine: ln n = C p/T, unde p = ES /kB. Din reprezentarea grafic
a acestei drepte pe baza datelor din tabel, se determin panta dreptei i, de aici, ES.
3.4. Energia de formare a unei vacante n Cu este 1 eV. S se calculeze variaia relativ
a densitii cuprului ca urmare a formrii vacantelor la o temperatur imediat sub
punctul de topire, 1356 K.
Indicaie: apariia unei vacane determin modificarea distanelor interatomice
i, deci, a volumului solidului. Cu ct sunt mai multe vacane, cu att mai mare va fi
variaia volumului, i, ca urmare, a densitii solidului. Deci variaia relativ a densitii
este invers proporional cu variaia relativ a volumului, care, la rndul su este
proporional cu numrul de vacante, acesta fiind variabil cu temperatura dup legea
dat la problema 3.2.
50
4.
VIBRAIILE REELEI CRISTALINE; FONONI

Agitaia termic a solidelor cristaline const n mici oscilaii ale particulelor
constituente n jurul poziiilor de echilibru care sunt nodurile reelei cristaline.
4.1.1. Vibraiile reelei monoatomice unidimensionale

Deplasrile atomilor fa de poziia lor de echilibru sunt mult mai mici fa de
distana dintre ei, la aceste deplasri opunndu-se fore electrostatice aprute ca urmare
a deformrii nveliurilor electronice ale atomilor datorit tocmai acestor deplasri. ntro prim aproximaie, aceste fore de revenire pot fi considerate proporionale cu
deplasarea (elastice).
Figura 4.1 Vibraiile reelei unidimensionale monoatomice
S considerm o reea unidimensional cu un atom de mas M pe celul, fiecare

atom interacionnd numai cu vecinii si cei mai apropiai (figura 4.1). Constanta reelei
este a, constanta elastic iar deplasrile atomilor fa de poziia de echilibru sunt un.
Ecuaia de micare a atomului cu numrul de ordine n este:
M u n = (un+1 un) + (un un1)

(4. 1)
sau:
M u n = (2un un+1 un1)
(4.1)
Cutm soluii de forma*:

un = Ugeigna
(4. 2)
Atunci, relaia (4.1) devine:
M U g = (2 eiga e iga)Ug = 2(1 cos ga)Ug

(4. 3)
Aceasta reprezint ecuaia unui oscilator armonic simplu, cu pulsaia:
*
ceea ce nseamn c g este modulul vectorului reelei reciproce
51

g a
2 sin
(4. 4)
M
2
Orice vibraii posibile sunt date de valorile posibile ale lui g n domeniul:
<g
(4. 5)
a
a
care reprezint, de fapt, prima zon Brillouin. Orice valoare a lui g n afara acestui
interval are ca rezultat un mod de vibraie care repet cu exactitate aceeai micare ca
cea a unuia din modurile de vibraie din intervalul dat. Reprezentat grafic, relaia (4.4)
arat ca n figura 4.2.
g =
Figura 4.2 Dispersia undelor n reeaua unidimensional monoatomic
Ecuaia (4.4) are N soluii diferite, corespunztor celor N valori ale lui g n zona
Brillouin, aceasta corespunznd celor N grade de libertate ale reelei iniiale, cu N
atomi; g joac rolul numrului de und, putnd fi reprezentat n spaiul reciproc (aa
cum s-a vzut la difracia n reele cristaline, vectorul reelei reciproce are dimensiunea
unui vector de und). Deci, cei N atomi ai reelei pot vibra n N moduri diferite, vibraii
ce se propag n reea sub forma unei unde avnd numrul de und g.
Pentru valori mici ale lui g (ga << 1) obinem pentru pulsaie valoarea:
g ~
ag
(4. 6)
M
ceea ce arat c g este proporional cu numrul de und, conform binecunoscutei
proprieti a unei unde elastice obinuite, ce se propag ntr-un mediu continuu. La
valori mari ale lui g, viteza de propagare a undei nu este ns constant, ceea ce
semnific faptul c are loc un proces de dispersie.
Pentru a nelege mai bine acest fapt, s calculm viteza de propagare a undei n
reea, conform formulelor:
d
vf =
; vg =
dg
g
52
i, innd cont de relaia (4.4), obinem:

ga
ga
sin
sin
2 v
2 ; vg = a cos ga v cos ga
vf =
(4. 7)
s
s
ga
ga
M
2
2
M
2
2
Reprezentarea grafic a vitezei de faz i a celei de grup n funcie de numrul
de und este dat n figura 4.3. Se vede c, pentru g mici ( mari), vg vf, neavnd loc
dispersie, ceea ce nu se ntmpl la g mari ( mici). Avnd n vedere faptul c la gmax =
/a corespunde un min = 2a, rezult c undele cu lungimi de und mai mici dect aceast
valoare minim nu se pot propaga n reea.
Figura 4.3 Viteza de faz i viteza de grup a undelor n reea
innd cont i de faptul c aceast lungime de und minim este dublul distanei
interatomice, putem interpreta acest lucru astfel: undele datorate vibraiilor termice ale
reelei au o semnificaie fizic numai n poziiile atomice; ceea ce se ntmpl cu acestea
n alte locuri ale reelei prezint doar un interes matematic, neavnd nici o legtur cu
comportarea sistemului.
Faptul c numrul soluiilor ecuaiei (4.4) (numrul modurilor de vibraie) este
egal cu N (mai general, egal cu numrul gradelor de libertate) rezult i din
raionamentul urmtor: se consider lanul unidimensional de atomi, aflat la echilibru
termic, de lungime L = Na; undele ce se propag trebuie s fie staionare ceea ce
implic:
un = un+N
(4. 8)
Relaia de mai sus este forma simplificat (pentru cazul reelei unidimensionale
monoatomice) a condiiei de ciclicitate Born - von Karman. Pentru a nelege de ce se
impune aceast condiie, s presupunem c lanul de N atomi este mpreunat la capete,
formnd o bucl. n acest caz, este evident c ecuaia de micare a atomului cu numrul
de ordine n trebuie s fie aceeai cu cea a atomului cu numrul de ordine n + N, cei doi
atomi fiind, de fapt unul i acelai.
Din relaia (4.8), rezult:
eigna = eiga(n+N)
(4. 9)
53
adic:
eigNa = 1
ceea ce impune:
2f
g=
,fZ
aN
innd cont i de (4.5), rezult:
N
N
<f<
2
2
Relaia de mai sus arat c numrul modurilor de vibraie este
gradelor de libertate.
(4.9)
(4. 10)
(4. 11)
egal cu cel al
4.1.2. Vibraiile reelei unidimensionale biatomice

S considerm acum un lan liniar cu atomi echidistani dar de dou specii,
dispui n mod alternativ, ntre care se exercit fore elastice cu aceeai constant, ,
ca i n cazul precedent (figura 4.4).
Figura 4.4 Vibraiile reelei unidimensionale biatomice
Ecuaia (4.3) are, n acest caz, analogul:
M1 u1 = 2u1 + 2cos(ga)u2
M2 u 2 = 2u1 + 2cos(ga)u1
creia, pentru rezolvare, i asociem ecuaia determinantului:
2 M12
2 cosga
=0
2 cosga 2 M 2 2
Pulsaia rezult din rezolvarea acestei ecuaii i are expresia:
(4. 12)
(4. 13)
1
1
1
1 4 sin 2 ga

(4. 14)
M1M 2
M1 M 2
M1 M 2
Reprezentate grafic n funcie de g, cele dou soluii arat ca n figura 5.5. Ca i
n cazul lanului monoatomic, soluia - tinde spre proporionalitate cu g atunci cnd ga
<< 1. Acest mod de vibraie este numit mod acustic, fiind analog cu o und de lungime
de und mare, reeaua comportndu-se ca un mediu elastic continuu (distana
2
2
1; 2
54
interatomic este mult mai mic dect lungimea de und), viteza de propagare a undei
fiind egal cu viteza sunetului.
Cea de-a doua ramur, +, are o valoare constant, independent de g, n
apropierea valorii g = 0.
1
1
(4. 15)
M1 M 2
Aceast ramur, numit mod optic, este separat net de modul acustic dar, cnd
g /2a, ea tinde s se apropie de ramura corespunztoare modului acustic.
Figura 4.5 Dispersia undelor n reeaua unidimensional biatomic
Se poate arta c, la g = 0, cele dou subreele, cu atomi uori, respectiv grei, se

mic fiecare n opoziie de faz, altfel spus, molecula biatomic a fiecrei celule
vibreaz independent de vecinii si. Dac, aa cum este cazul cristalelor ionice, cei doi
atomi ai celulei au sarcini electrice opuse, rezult o oscilaie a momentului electric
dipolar, acesta fiind, deci, optic activ.
Revenind la figura 4.5, se poate vedea c, dac se consider M1=M2 (cei doi
atomi sunt identici), cele dou ramuri, optic i acustic, se ntlnesc la g = /2a
(figura 4.6.a). Comparnd figura 4.6.a cu figura 4.2, s-ar prea c numrul modurilor
de vibraie s-a dublat. n realitate, prin dublarea dimensiunii celulei elementare la
valoarea 2a, dimensiunea zonelor Brillouin s-a njumtit; putem desfura figura 4.6.a
sub forma din figura 4.6.b, obinnd, n acest fel, chiar figura 4.2, n care se observ c
ntlnirea ramurii acustice cu cea optic se produce fr discontinuitate. Revenind la
situaia cnd atomii sunt diferii, rezult c valorile g = /2a reprezint, n acest caz,
zone de salt, de discontinuitate, pulsaia nemaifiind continu la aceste valori, aa cum
se poate vedea n figura 4.6.c, care nu este altceva, dect desfurarea figurii 4.5.
55
Figura 4.6 Moduri de vibraie n reele unidimensionale
4.1.3. Vibraiile reelei tridimensionale

Discuiile din paragraful precedent se pot relua i n cazul tridimensional dar, n
cele ce urmeaz, vom face doar o analiz general, calitativ, fr a intra n amnunte
de calcul. Principial, acesta se face la fel, doar c, fiecare dimensiune introducnd o
nou component a vectorului deplasare, vom avea de rezolvat o ecuaie de gradul al
III-lea n 2.
Un atom plasat n nodul de poziie r n reea va oscila conform ecuaiei:
(4. 16)
ur ~ e i kr t
Vecinul su va oscila conform ecuaiei:

(4. 17)
ur a ~ exp i kr a t exp ik a ur
Pentru lungimi de und mai mari, deci k mic, practic toi atomii oscileaz n
faz, solidul comportndu-se ca un mediu elastic continuu (domeniul acustic), structura
sa fiind prea fin pentru a fi semnificativ n dinamica undelor lungi. Este cunoscut c,
ntr-un astfel de mediu, se pot propaga trei tipuri diferite de unde acustice, cu viteze
diferite, diferena esenial dintre aceste trei tipuri constnd n natura polarizrii lor.
Dac mediul este izotrop, un mod este polarizat longitudinal (oscilaiile au loc pe
direcia de propagare a undei) i celelalte dou sunt polarizate transversal (oscilaiile au
loc perpendicular pe direcia de propagare). Viteza de propagare a modului longitudinal
este mai mare dect a modurilor transversale, care sunt egale. n cazul cristalului
anizotrop, lucrurile se complic clasificarea formal n moduri longitudinale i
transversale este oarecum neltoare, vectorul de polarizare netrebuind s fie strict
paralel sau perpendicular pe direcia de propagare a undei.
56
Dac lungimea de und este de ordinul constantei reelei, atomii vecini oscileaz
n opoziie de faz, frecvena atinge valoarea sa maxim i unda devine o und
staionar.
Numrul modurilor de vibraie trebuie s fie ntotdeauna egal cu numrul
gradelor de libertate, pentru o reea tridimensional cu N atomi existnd 3N moduri cu
vectori de und n poliedrul zonei Brillouin.
Aa cum am mai artat, n cristalele ionice, modurile de vibraie de frecven
nalt sunt asociate cu momente electrice dipolare de vibraie, ionii pozitivi i negativi
micndu-se n opoziie de faz. Ca urmare a interaciunii puternice dintre aceti dipoli
cu radiaia luminoas, aceste moduri au cptat denumirea de moduri optice, denumire
pstrat chiar i n cazul cristalelor neionice.
4.1.4. Cuantificarea vibraiilor reelei; fononi

Discuiile anterioare s-au purtat n limitele teoriei clasice; aplicnd rezultatele
teoriei cuantice referitoare la oscilatorul armonic, pentru care energia unui mod de
1
vibraie este cuantificat dup formula n h , cu n = 0, 1, 2,..., energia vibraiilor

2
reelei va fi dat de relaia:

h
E = E0 +
(4. 18)
h
1
exp
k BT
Prin analogie cu optica, unde radiaia electromagnetic poate fi descris prin
numrul de fotoni, adic prin numrul de cuante de energie, vibraiile reelei pot fi
descrise prin intermediul cuantelor de energie hg, crora le asociem o particul fictiv,
numit fonon. Pentru a nelege mai bine acest concept, s privim ntr-un mod puin
diferit analiza pe care am fcut-o asupra vibraiilor reelei cristaline. Am considerat c
aceste vibraii sunt efectuate de oscilatori individuali dar, desigur, sistemul n ansamblul
su este cel care oscileaz i genereaz aceste unde n reea, motiv pentru care putem
considera reeaua cristalin drept un sistem capabil s oscileze la diferite frecvene.
Acest sistem se supune legilor teoriei cuantice, energia lui fiind descris de relaia (4.18)
iar variaia ei nu se poate face dect cu valori discrete, multipli ntregi ai cuantei hg,
crora le asociem (pentru comoditate) o particul fictiv, numit, dup cum spuneam,
fonon. Dac temperatura crete, crete i energia de vibraie a reelei, ceea ce n termeni
cuantici se traduce n creterea numrului de fononi n sistem.
Fononii sunt particule indiscernabile, fiind asociate reelei n totalitatea sa,
motiv pentru care se supun statisticii Bose-Einstein, avnd spin nul*.
Evident. fiecrui mod de vibraie i corespunde un fonon, astfel nct, conform
terminologiei deja adoptate, exist fononi acustici i fononi optici.
Faptul c fononii se supun statisticii Bose-Einstein este exprimat deja n relaia 4.18, ntruct
probabilitatea de ocupare a unei stri de energie de ctre un bozon are expresia {exp(/ kBT) 1}1
57
Caracterizarea complet a fononului implic i precizarea impulsului su, care

este g = (h/2)g*. Cum g este un vector n reeaua reciproc, g nu este, propriu-zis,
un impuls, n sensul obinuit, motiv pentru care l numim cvasiimpuls.
Vom face aici o parantez n expunere, pentru a ne ntoarce la un fenomen deja
analizat. Privit din punctul de vedere al fononilor, procesul difraciei radiaiilor (X, ,
neutronice etc.) pe reele cristaline este un proces prin care radiaia incident
interacioneaz cu reeaua pentru a distruge sau a crea un fonon cu vectorul de und g

i energia g. Se poate scrie:

(4. 19)
k k g
care nu este altceva dect legea de conservare a impulsului n procesul interaciei
radiaiei incidente (foton, electron, neutron etc.) cu fononul care este absorbit (figura
4.7.a); cazul din figura 4.7.b prezint schematic procesul invers, cnd este creat un
fonon. Astfel de situaii justific utilizarea conceptului de fonon, ca o excitaie
cuantificat cu proprieti ca cele ale unei particule, prin analogie cu fotonul.
Figura 4.7 Interacie radiaiei incidente cu fononii reelei
n general, ns, pot avea loc i procese n care sunt implicai fononi fr
respectarea relaiei (4.19) deoarece, aa cum am vzut, cvasiimpulsul este o mrime de
forma g, oricare alte valori multipli ai acesteia fiind, fizic echivalente. Procesele care
respect relaia (4.19) se numesc procese normale sau procese N oricare altele
numindu-se procese Umklapp sau procese U.
n interpretarea cuantic, propagrii libere a undelor n aproximaia oscilaiilor
armonice i corespunde deplasarea liber a fononilor, fr nici o interacie, adic fr
ciocniri reciproce. innd cont i de termenii ptratici n raport cu deplasrile atomilor,
n energia potenial a particulelor, apar procese de ciocniri inelastice ntre fononi, care
duc la stabilirea echilibrului termic n gazul de fononi (adic stabilirea unei agitaii
termice de echilibru n reea).
Se poate utiliza i expresia h/ dar este de preferat s se lucreze cu expresia dat n text, n funcie de
constanta Planck redus i de numrul de und, cu care s-a lucrat pn acum; acelai lucru este valabil i
pentru energie, pentru care este de preferat s utilizm nu relaia hci, mai degrab
58
4.2. Aplicaii
4.1. Pulsaia vibraiilor pentru un lan de atomi identici depinde de numrul de und,
k, dup relaia m.|sin(ka/2)|, unde m este pulsaia maxim vibraiilor, k = 2,

numrul de und corespunztor pulsaiei , a - distana dintre doi atomi vecini.
Utiliznd aceast relaie de dispersie, s se determine n funcie de , numrul
vibraiilor longitudinale pe intervalul unitar de pulsaii, dn/d, dac lungimea lanului
este . Cunoscnd aceast valoare, s se determine numrul total de vibraii
longitudinale.
Rezolvare
Utiliznd condiia de ciclicitate Born-von Karmann cu privire la soluia
ecuaiilor ce descriu vibraiile reelei unidimensionale monoatomice (un+N = un) i
cunoscnd i forma acestei soluii, rezult: exp( ikaN) = 1, ceea ce implic:
2
k=
,
aN
unde N = /a este numrul total de atomi din reea.
innd cont i de valorile lui k ce dau soluii distincte (

k ), rezult:
a
a
N
N
2
2
Numrul valorilor permise ale lui k n prima zon Brillouin, adic numrul
modurilor de vibraie este egal deci cu numrul atomilor din reea, N, egal, n acest caz,
cu numrul celulelor.
2
Difereniind relaia care l exprim pe k, obinem: dk =
d. Se nlocuiete
aN
ka
aceast relaie n relaia de dispersie, care devine d = m cos d.

N
2
Densitatea de moduri de vibraie (numrul vibraiilor pe intervalul unitar de
pulsaii) va fi atunci:
dn
d 2 N
1
2
1
2
d
d
2m 2 a 2m 2
Factorul 2 apare datorit simetriei curbei (k) ceea ce face ca o valoare oarecare
a modulului din expresia lui d s corespund la dou valori ale lui .
4.2. ntr-o reea cubic simpl, un fonon care se deplaseaz pe direcia [100], avnd
numrul de und egal cu 1,3.1010 m-1, interacioneaz cu un alt fonon, cu acelai numr
de und, care se deplaseaz pe direcia [110]. S se determine numrul de und i
direcia de deplasare a fononului rezultat.
4.3. S se calculeze conductivitatea termic a reelei de Al2 O3 la 1 K, tiind c masa
molar este 102 kg/kmol, viteza sunetului este 5000 m/s, densitatea este 4000 kg/m3,
temperatura Debye este 1000 K i drumul liber mediu al fononilor la 1 K este 3 mm.
59
Indicaie: se va utiliza legea T3 pentru clduri specifice la temperaturi mici i se

va ine cont c aceast relaie este dedus pentru substane cu molecule monoatomice,
deci n cazul acestei probleme ea trebuie modificat corespunztor.
60
5.
ELECTRONII LIBERI N METALE I

SEMICONDUCTORI

5.1.1. Concentraia de purttori n metale
Considernd, pentru simplificare, o reea unidimensional, energia potenial n
reea poate fi reprezentat conform figurii 5.1, n care n1, n2,... reprezint nodurile
reelei. Potenialul la marginea cristalului a fost ales cu valoarea zero.
Se observ c un electron cu energia W1 nu poate fi liber n cristal, neputnd
prsi groapa de potenial n care se afl. El poate trece doar la un atom vecin, pe acelai
nivel energetic, fiind astfel un electron legat, care nu poate participa la conducia
electric. n schimb, un electron cu energia W2 se poate deplasa liber n interiorul
metalului, el fiind un electron de conducie. Pentru a putea prsi metalul, unui electron
nu i este ns suficient energia W2, ntruct, dup cum se poate vedea n figur, el
ntlnete la marginea cristalului o barier de potenial. Numai electronii cu valori
pozitive ale energiei, cum este W3, prsesc metalul devenind liberi n exteriorul
acestuia. n mod obinuit, electronii metalului nu au energii care s le permit prsirea
acestuia.
Figura 5.1 Energia potenial n reeaua cristalin
Electronii liberi din metal sunt distribuii pe diverse niveluri energetice din
banda de conducie conform relaiei:
dn = f(w)N(w)dw
(5.1)
unde dn este concentraia de electroni cu energii cuprinse n intervalul energetic dw,
f(w) este probabilitatea ca starea cuantic de energie w s fie ocupat de un electron iar
N(w) este densitatea de stri energetice din banda de conducie (numrul de stri
energetice din unitatea de volum i pe unitatea de energie).
61
S considerm un metal de form cubic, de latur a, n interiorul cruia

potenialul este considerat constant, bariera de potenial la marginea acestuia fiind
suficient de nalt pentru ca nici un electron s nu poat prsi cristalul. n acest caz,
funcia de und asociat electronului (funcia Bloch) este nul n exteriorul metalului
ceea ce este posibil numai dac unda asociat este staionar, avnd un minim de
amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca dimensiunea cristalului,
a, s fie un multiplu ntreg al semilungimii de und a undei asociate electronilor liberi
h
din cristal, adic a = f i, cum p = , rezult:
2
h
p=f
(5.2)
2a
p2
f 2h2
w=
(5.3)
2m 8ma 2
Pentru cele trei direcii, relaia 5.2 devine:
px = fx = h/2a, py = fyh/2a, pz = fzh/2a
Electronii liberi din metal sunt caracterizai deci de patru numere cuantice: fx,
fy, fz i s (numrul cuantic de spin).
ntr-o reprezentare n spaiul impulsurilor, innd cont de principiul de
excluziune al lui Pauli i de cele dou valori posibile ale lui s, densitatea electronilor n
acest spaiu este 2(2a/h)3 deci numrul electronilor cu impulsul cuprins n intervalul (p,
1 2a
8a 3 2
2
p + dp) este 2 4p dp 3 p dp . Cum p = 2mw , pdp = mdw i p2dp
8 h
h
3
8p 2 dp 42m 2
= 2m w dw , se poate scrie: N(w)dw =

h3
h3
w dw . Dac se noteaz
3
42 m 2
C=
= 6,821027 eV 2 m 3 , rezult:
3
h
N(w) = C w
(5.4)
Trebuie precizat c n toat aceast discuie, m reprezint masa efectiv a
electronilor, aa cum a fost ea definit n cursul de fizica corpului solid.
Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel nct
probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este dat de relaia:
1
f(w) =
(5.5)
w WF
1 e kT
unde WF este energia Fermi, T temperatura absolut a cristalului i k constanta
Boltzmann.
Se vede c, la T = 0 K, pentru w > WF, f(w) = 0 i pentru w < WF, f(w) = 1, ceea
ce semnific faptul c, la 0 K, toate strile energetice aflate sub nivelul Fermi sunt
ocupate iar cele de deasupra sunt, toate, libere. La T > 0 K, cnd w = W F, f(w) = 1/2,
ceea ce d posibilitatea unei alte interpretri a nivelului Fermi (nivelul energetic a crei
62
probabilitate de ocupare este 50 %). n figura 5.2 este reprezentat grafic expresia
f(w)N(w) la diferite temperaturi.
Numrul total de electroni din unitatea de volum (concentraia de electroni) este:
1
3
WF
2
n = Cw 2 dw CWF 2
(5.6)
0
3
Se constat c la metale concentraia electronilor de conducie este practic
constant, nedepinznd de temperatur. Rezult c, ntruct mobilitatea electronilor este
invers proporional cu temperatura, conductivitatea metalelor este i ea invers
proporional cu temperatura (rezistivitatea este direct proporional cu temperatura).
Figura 5.2 Variaia funciei dn/dw = f(w)N(w) n funcie de w la diferite temperaturi
Pentru a scoate un electron din metal, dup cum s-a vzut anterior, este necesar
ca energia sa s fie cel puin egal cu nlimea barierei de potenial de la marginea
cristalului. Energia electronilor la 0 K este ns cel mult egal cu energia Fermi. Ca
atare, pentru extracia unui electron este nevoie, n medie, de o energie egal cu
diferena dintre nivelul barierei de potenial de la marginea cristalului i energia Fermi,
valoarea respectiv fiind o caracteristic a fiecrui metal, numit energie de extracie.
Aceast energie poate fi primit de unii din electronii de conducie ai metalului pe
diferite ci. De exemplu, prin nclzirea metalului, cum se poate vedea din figura 5.2,
unii din electroni pot avea energii mai mari dect WF i pot depi astfel bariera de
potenial, ieind din metal. Din calcule, rezult c, prin emisia electronilor din metal ca
urmare a nclzirii acestuia la temperatura T (fenomen numit emisie
termoelectronic),se formeaz un curent termoelectronic a crui densitate este dat de:
Wext
kT
j = AT e
(5.7)
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscut i sub numele de legea
Richardson-Dushman.
2
63
5.1.2. Concentraia de purttori n semiconductori

La echilibrul termodinamic cu mediul ambiant, purttorii mobili de sarcin
electric dintr-un semiconductor prezint o micare de agitaie termic, ce nu are o
direcie preponderent deci nu poate constitui un curent electric. Doar prin perturbarea
echilibrului termodinamic prin aplicarea unui cmp electric exterior (efectul de drift)
sau prin inducerea unei distribuii neuniforme de puttori mobili de sarcin electric
(efectul de difuzie) este posibil apariia unui curent electric. Acesta este determinat n
semiconductori de electronii de conducie i de golurile care apar prin generarea
intrinsec (ruperea legturilor covalente din reea) sau extrinsec (ionizarea atomilor de
impuriti). Aceste dou tipuri de purttori sunt particule care au sens numai n interiorul
semiconductorului, unde micarea lor este guvernat de legile mecanicii cuantice.
Pentru semiconductorii la care concentraia purttorilor este mic, probabilitatea de
ocupare a unei stri energetice dintr-o band permis este descris aproximativ de
distribuia de tip Boltzmann:

f0(, T) exp
(5.8)
k BT
unde T este temperatura absolut de echilibru, - potenialul chimic al materialului i
kB - constanta lui Boltzmann. n acest caz, concentraiile de echilibru ale golurilor (p)
i electronilor (n) au expresiile:
42m p 2
3
p=
h3
1
EC
2 f 0 , T d N p exp k BT
(5.9)
1
EV
42m n 2 2
n=
(5.10)
f 0 , T d N n exp
3
h
k BT
unde Np i Nn reprezint densitatea efectiv de stri pentru BV, respectiv BC:
3
22m p k B T 2
3
22m n k B T 2
Np =
; Nn =
(5.11)
3
h3
h
ntr-un semiconductor intrinsec:
g
n = p = ni = N p N n exp
(5.12)
2k B T
ntr-un semiconductor extrinsec de tip n, cu o concentraie Nd de atomi donori,
concentraiile purttorilor datorate generrii extrinseci sunt:
E Ed
Nn Nd
exp c
p=0 ; n=
(5.13)
2
2k B T
3
E EV
2 N n N d exp a
(5.14)
2k B T
Pentru apariia curentului electric este necesar aciunea unei cauze perturbatoare
care s scoat sistemul din starea de echilibru, caz n care distribuia de stri va fi
n=0 ; p=
64
descris de o funcie de distribuie de neechilibru, f, n majoritatea cazurilor practice,

aceasta avnd forma:
t

f r , k, t f 0 f1 r , k exp
(5.15)
k
unde k este constanta de timp de relaxare, caracteristic revenirii la starea de

echilibru a sistemului dup ncetarea aciunii cauzei perturbatoare iar f1 r , k are
expresia:

eh f 0
(5.16)
f1 r , k
k
2m *
Funcia X exprim aciunea tuturor cauzelor perturbatoare posibile care scot

sistemul din starea de echilibru i imprim purttorilor o micare ordonat. Pentru un
h 2k 2
semiconductor izotrop, la care suprafeele izoenergetice sunt sferice i k 2
,
8 m *
X are expresia:

k Y g 2 k H Y g2 2 k H Y H
(5.17)
X
2
1 g k H
unde:
Fr
Y
Tr
Vr
k BT
e
n care H este intensitatea cmpului magnetic exterior, V - potenialul electric, T e

temperatura absolut iar g =
factorul giromagnetic.
cm*
Densitatea de curent este dat de relaia:

e
e
jr 3
k f r , k dk 3
k f1 r , k dk
4 m *
4 m *
care, pentru cazul considerat, al suprafeelor izoenergetice, d:

ne 2
f 0
e2h 2
jn r
k
k dk
X
16 5 m 2n
mn
pe 2
(5.18)
jp r
X
mp
ntr-un semiconductor, deci, densitatea de curent va fi:

jr jn r jp r
(5.19)

curentul putnd fi produs de un cmp electric, E r V r , de un cmp magnetic,

H r , de o injecie de purttori, Fr , sau de un gradient termic, T. Pentru cazul
particular, al efectului de drift, X e E i:
65
ne 2

jn r
E r n E r
mn
pe 2

jp r
Er p Er
mp
(5.20)
(5.21)
unde n i p reprezint componentele conductivitii electrice:

= n + p
(5.22)
r
Timpul de relaxare are o expresie de forma a , unde parametrii a i r sunt
determinai de tipul mecanismului de interaciune a purttorilor mobili de sarcin
electric.
Interaciunea cu impuritile neutre, important la temperaturi joase, cnd
1
impuritile nu sunt ionizate, are drept parametri: a =
; r = 0, unde Ni este
Ni
concentraia impuritilor neutre.
1
3
Pentru interaciunea cu impuritile ionizate, a = * 2 ; r = , unde Ni* este
Ni Z
2
concentraia impuritilor ionizate, Z - sarcina electric a ionilor (n sarcini electrice
elementare).
*
M
Interaciunea cu fononii optici este caracterizat de: a = 2 4 e k BT , r = 0, pentru
Ze
1
M 1
temperaturi mici, a = 2 4 , r = pentru temperaturi mari, unde M este masa ionilor
Z e T
2
din nodurile reelei iar * este energia fononului emis sau absorbit la interacie.
Interaciunea cu fononii acustici este caracterizat de: a = M
TD2
1
, r = .n
2
T
1
1
.
ef
i i
La temperaturile uzuale de lucru cu semiconductorii, predomin interaciunile
cu impuriti ionizate i cu fononi acustici.
cazul mai multor tipuri de interaciuni, prezente simultan,
5.2. Aplicaii
5.1. Distribuia Fermi pentru electronii liberi ntr-un metal la T = 0 K este dat
2m 2
3
3 dunde dn este numrul electronilor din unitatea de

4 2 3
volum cu energia cuprins ntre i d, i m masa efectiv a unui electron. Energia
este msurat de la marginea inferioar a benzii de conducie. Utiliznd aceast
formul, s se calculeze:
a) energia cinetic maxim a electronilor liberi ntr-un metal n care concentraia
acestora este egal cu n
de relaia: dn =
66
b) energia cinetic medie a electronilor liberi, cunoscnd rezultatul de la punctul

anterior.
Rezolvare
a) Numrul total de electroni din unitatea de volum, n, este:
Em
n=
dn
2m2
3
4
2
2
3 2 n
2m
Em
3
dn E m
5
0
de unde rezult: Em =
b)
Em
3
2 2m 2
d 2 3 E m 2
3 4
3
2
3
5.2. Utiliznd formula de dispersie din problema anterioar, s se determine la

T = 0 K:
a) distribuia electronilor dup viteze
b) raportul dintre viteza medie a electronilor liberi i cea maxim a lor
Indicaie: exprimnd energia n funcie de vitez, se obine:
v
m3
3

a) dnv = 2 3 v2dv;
b)
vm 4

5.3. Plecnd de la formula de dispersie din problema 5.1, s se determine

funcia de distribuie a electronilor liberi n funcie de lungimea de und de Broglie,
ntr-un metal la T = 0 K
Indicaie: exprimnd energia n funcie de lungimea de und asociat
electronului, se obine: dn = 8 4d.
5.4. S se determine numrul electronilor liberi pentru un atom de Na,
cunoscnd energia Fermi, F = 3,07 eV i densitatea = 970 kg/m3, pentru sodiu.
5.5. La ce temperatur ar trebui adus un gaz electronic clasic pentru ca energia
medie a electronilor si s fie egal cu energia medie a electronilor liberi n Cu, la T
= 0 K ? Se va considera c fiecrui atom de Cu i corespunde un electron liber.
5.6. S se calculeze presiunea gazului electronic n Na la T = 0 K, concentraia
electronilor fiind n = 2,51025 m3.
Indicaie: se va utiliza ecuaia de stare a gazului perfect
5.7. S se determine lucrul mecanic de extracte al unui electron dintr-un metal,
tiind c la creterea temperaturii sale cu T = 1 K fat de T = 2000 K, curentul de
saturaie al emisiei termoelectronice crete cu 1,4 %.
Indicaie: se folosete legea Richardson-Dushman a emisiei termoelectronice.
5.8. S se calculeze energia Fermi la 0 K a potasiului (masa atomic M = 39
u, densitatea 800 kg/m3). S se determine densitatea de stri la EF, pentru un volum de
1 cm3 de potasiu.
Rezolvare
67
2mE max 2
3
La 0 K, EF = Emax; concentraia de electroni liberi estede unde n =
.
3 2 3
Considernd c fiecrui atom de K i corespunde un electron liber, concentraia de
2
1 3 2 3 3
. Densitatea de stri la energia EF este
electroni este n = /M, deci EF =
2m M
3 N
g(EF) =
, unde N = nv este numrul de electroni din volumul v = 1 cm3.
2 EF
5.9. Energia Fermi a cuprului la 0 K este 7 eV. S se calculeze energia medie a

electronilor de conducie ai cuprului.
Indicaie: A se vedea rezolvarea problemei 5.1.
5.10. S se calculeze cldura specific molar electronic a cuprului la 300 K.
La ce temperatur joas, aceasta este egal cu cea a reelei (TD = 348 K) ?
Indicaie: Cldura specific molar electronic este dat de relaia:
N
1
C = 2 A k 2B T .
2
EF
Pentru aflarea temperaturii, se egaleaz aceast expresie cu cea a cldurii
specifice molare a reelei la temperaturi sczute.
5.11. Se consider un semiconductor, avnd lrgimea benzii interzise Eg, i
nivelurile acceptor i donor Ea, respectiv Ed, foarte apropiate de limita superioar a
benzii de valen, EV, respectiv de limita inferioar a benzii de conducie, EC.
Considernd c electronii de conducie i golurile se supun statisticii clasice, s se
calculeze potenialul chimic al semiconductorului; concentraia donorilor este n1 i cea
a acceptorilor n2, masele efective ale electronilor i golurilor, mn, respectiv mp. Se va
considera cazul unui semiconductor extrinsec de tip n (n2 = 0; temperaturi suficient de
mari).
Figura 5.3 Structura de benzi a unui semiconductor cu impuriti
Rezolvare
S considerm schema nivelurilor energetice din figura 5.3, n care vom
considera nivelul zero al energiei, limita inferioar a benzii de conducie, EC.
68
Probabilitatea ca o stare cuantic de energie s nu fie ocupat de un electron

1
deci s corespund unui gol este: f() = 1 f() =
1
exp
k
T
B
2k 2
Energia unui electron n B.C. este:n =
, pe nivelul donor Ed, pe nivelul
2m n
2k 2
este energia unui gol.
2m p
Scriind condiia de neutralitate electric n semiconductor, rezult:
2g d
1
E
BC accept.
exp n
exp v
1
1
k
T
B
k BT
acceptor Ea iar n banda de valen Eg P, unde p =
2g d
1
Eg p
Ec
donor
BC
exp
exp
1
1
k BT
k BT
n condiia n care electronii de conducie i golurile se supun statisticii
Boltzmann, integralele se calculeaz ca n cazul teoriei generale i relaia anterioar
devine:
2m n k BT 2 x
3
4 3 3
2m p k BT 2 exp E V 1
n2
n1
3 3
4
EV 1
k B T x exp E C x 1

exp
k T
k BT x
B
3

.
unde x = exp
k BT
Concentraiile electronilor din banda de conducie, respectiv golurilor din banda
de valen sunt, deci:
2m p k BT 2 exp E g

;
p
=
k T
k T
4 3 3
4 3 3
B
B
Ecuaia n x, de mai sus, este o ecuaie de gradul 4. Considerm soluia acesteia
4 3 3 n 1
n condiia din problem (n2 = 0, kBT >> Ed ), cnd se obine: = kBTln
3
2m n k B T 2
Concomitent, se obine c n n1, adic toi donorii sunt ionizai.
5.12. S se arate c, pentru un semiconductor extrinsec, este valabil relaia:
n.p ni, unde n i p sunt concentraiile de electroni din banda de conducie, respectiv
de goluri din banda de valen iar ni este concentraia de purttori n semiconductorul
intrinsec.
2m n k BT 2 exp
n=
3
69
Rezolvare
Utiliznd rezultatele problemei precedente, rezult:
3
3
Eg
k T
~ ni
np = B 2 m n m p 2 exp
2
k BT
5.13. Intr-un semiconductor impurificat cu atomi donori n concentraie Nd =
51020 m-3, concentraia purttorilor intrinseci este ni = 41019 m-3. S se calculeze
concentraiile purttorilor de sarcin electric liberi n semiconductor la temperatura
mediului ambiant.
Rezolvare
Din relaiile: np = n i2 ; n = Nd + p p2 + pNd n i2 , cu soluia:
2
2n i
Nd
1 = 3,181018 m 3
1
p=
2
N
d
Pentru electroni, n = Nd + p = 5,01020 m-3

5.14. Relaia dintre energie i modulul vectorului de und pentru zona
inferioar a benzii de conducie a unui semiconductor este de forma E = Ak2, unde A
este o constant cu valoarea 510-37 Jm2. S se calculeze masa efectiv a electronilor
de conducie.
5.15. Determinarea tipului de conducie al unui semiconductor
Determinarea tipului de conducie la un semiconductor este de o mare importan
practic i ea se poate face prin mai multe metode, dintre care, aici, vor fi descrise dou:
A. Metoda termosondei (a electrodului cald)
Pentru nelegerea principiului acestei metode, s reamintim faptul c prezena
unui punct (a unei zone) mai cald ntr-un semiconductor, adic existena unui gradient
de temperatur, determin apariia unui fenomen de difuzie a purttorilor liberi de
sarcin electric dinspre zona mai cald spre cea mai rece, stabilindu-se, n acest fel, un
cmp electric i o diferen de potenial electric ntre cele dou zone, ca urmare a
distribuirii neuniforme a sarcinilor electrice n semiconductor. Dac semiconductorul
este de tip n, electronii majoritari vor difuza din zona cald spre cea rece, astfel nct
zona cald se va electriza pozitiv iar cea rece negativ, cmpul electric avnd sensul de
la zona cald spre cea rece. n mod analog, ntr-un semiconductor de tip p, zona cald
se va electriza negativ iar cea rece pozitiv, cmpul electric aprut, avnd de data aceasta
sensul de la zona rece spre cea cald. Trebuie s precizm c difuzia are loc i pentru
purttorii minoritari dar, cum concentraia acestora este mult mai mic dect a celor
majoritari, influena lor poate fi neglijat.
n acest fel, tipul de conducie se poate determina n funcie de sensul tensiunii
electrice aprute ntre doi electrozi - cald i rece - de pe semiconductor, respectiv dup
sensul de deviere a acului unui galvanometru plasat ntre acetia.
B. Metoda contactului punctiform redresor
Aceast metod se bazeaz pe proprietatea de redresare a unui contact punctiform
metal-semiconductor. n cazul unui semiconductor de tip p curentul are sensul de la
70
metal la semiconductor iar n cazul unui semiconductor de tip n curentul are sensul de
la semiconductor la metal.
Figura 5.4 Dispozitiv experimental pentru determinarea tipului de conducie al unui

semiconductor prin metoda termosondei (a electrodului cald)
Montajul experimental pentru prima metod este prezentat n figura 5.4. El este
alctuit dintr-un suport, pe care se fixeaz proba semiconductoare, o sond metalic, cu
vrf ascuit, care se sprijin pe prob i care poate fi nclzit prin intermediul unei
rezistene electrice prin care trece un curent electric furnizat de o surs de curent.
Montajul experimental pentru cea de-a doua metod este prezentat n figura 5.5.
Este vorba de un montaj electronic ce cuprinde un generator de semnal sinusoidal,
semnalul aplicndu-se pe cele dou contacte ale jonciunii metal-semiconductor (se
poate folosi o diod punctiform).
Figura 5.5 - Dispozitiv experimental pentru determinarea tipului de conducie al unui

semiconductor prin metoda contactului punctiform redresor
71
Folosind un montaj clasic, de trasare pe osciloscop a caracteristicii unei diode

semiconductoare, se obine pe ecranul osciloscopului una din cele dou caracteristici,
(a) sau (b), corespunztor conduciei n, respectiv p, ca n figura 5.5, dup forma acestei
caracteristici putndu-se identifica tipul de conducie al probei.
Pentru metoda A, se realizeaz montajul din figura 5.4, se alimenteaz rezistena
de nclzire de la sursa de alimentare i se las sistemul s ating regimul termic
staionar, dup care se urmrete sensul de deviere a acului galvanometrului i se
determin sensul curentului i, n funcie de sensul curentului, se determin tipul
semiconductorului.
Pentru metoda B, se realizeaz montajul din figura 5.5, se aplic semnalul
sinusoidal de amplitudine mic (~ 1 mV) i se urmrete forma caracteristicii jonciunii
metal-semiconductor pe osciloscop; n funcie de aceast form, se determin tipul
semiconductorului.
Se analizeaz urmtoarele aspecte:
1. Cum se explic forma caracteristicii obinute la a doua metod?
2. Cum se explic comportarea unui semiconductor intrinsec cnd este supus
determinrilor prin cele dou metode?
3. Ce probleme practice pot aprea la realizarea contactului metal - semiconductor ?
72
6. CONDUCIA ELECTRIC. EFECTE

MAGNETOELECTRICE I TERMOELECTRICE
6.1.1. Tipuri de solide; structuri de benzi
Dup cum rezult din metodele de calcul al structurii energiei electronilor n
solide, aceasta este o structur de benzi, care se formeaz, n principiu, la fel, indiferent
de tipul solidului, deosebirea fiind doar cantitativ. Fiecare band provine dintr-un nivel
discret al atomului izolat, ele fiind desprite de zone (benzi) interzise.
Dup modul de ocupare a acestor benzi energetice cu electroni, apare deosebirea
dintre diferitele solide, fiind posibil i clasificarea acestora.
Dac n solid sunt N celule elementare, fiecare avnd s atomi, numrul atomic
al acestora fiind Z, numrul total de electroni din solid va fi atunci NsZ. Numrul strilor
NsZ
energetice (innd cont de dubla valoare a spinului electronic) este egal cu
. Vom
2
face, mai nti, o analiz la T = 0 K. Atunci:
dac electronii, n numr de NsZ, ocup complet un anumit numr de benzi (adic
energia celui mai nalt nivel energetic ocupat coincide cu limita superioar a ultimei
benzi ocupate), banda de deasupra acesteia, separat de ea printr-o band interzis,
va fi complet goal (figura 6.1).
Figura 6.1 Structura de benzi energetice la izolatori
Pentru a crea un curent electric printr-un solid, ar trebui ca electronii (sau cel
puin o parte din ei) s treac n stri energetice superioare celor n care se gsesc (ceea
ce nseamn ruperea lor din legturile pe care le au cu atomii crora le aparin i trecerea
lor n stare liber n solid) sub aciunea unui cmp electric exterior. Procesul nu poate
avea loc ns n cazul solidelor cu structura descris mai sus sub aciunea unui cmp
electric obinuit, electronilor fiindu-le necesar o energie mare (cel puin egal cu
lrgimea benzii interzise, Eg) pentru a sri peste banda interzis i a trece ntr-o stare
neocupat, aflat n banda de deasupra, iniial goal (care se numete band de
73
conducie, deoarece n ea se pot afla aceti electroni, care pot participa la conducia
electric). Ultima band complet ocupat se numete band de valen, coninnd
electronii de valen ai atomilor solidului. Ca urmare a celor expuse, solidul este un
dielectric (izolator), el neputnd permite trecerea unui curent electric dect n prezena
unui cmp electric foarte intens (de ordinul a 108 V/m), cnd se produce fenomenul de
strpungere electric.
dac electronii nu ocup complet ultima band energetic, nivelul energetic cel mai
nalt ocupat aflndu-se n interiorul acesteia, atunci ei pot trece foarte uor, chiar i
sub aciunea unui cmp electric foarte slab, n stri energetice superioare (aflate la
valori infinit mici deasupra celor iniiale) ceea ce asigur trecerea lor n stare liber
n cristal i posibilitatea de a forma un curent electric. Structura energetic n acest
caz este prezentat n figura 6.2 i ea corespunde solidelor numite conductori, la
care, la T = 0 K, ultima band ocupat (parial) este banda de conducie. Din cele
discutate anterior, rezult c nivelul energetic maxim al strilor ocupate cu electroni
este nivelul Fermi.
Figura 6.2 Structura de benzi energetice la conductori
Deci, la T = 0 K, solidele sunt fie conductori fie dielectrici (izolatori). La T > 0

K, dielectricii cu o lrgime Eg a benzii interzise mic (< 3 eV), pot prezenta o conducie
electric, datorit fluctuaiilor termice, care permit obinerea energiei necesare, de ctre
unii electroni, pentru a trece n banda de conducie.
La conducia electric a acestor solide particip i golurile formate n banda de
valen prin trecerea unor electroni n stri energetice superioare, din banda de
conducie. Astfel de solide sunt numite semiconductori.
Dup cum s-a vzut anterior, numrul de stri energetice dintr-o band
energetic este N. Pentru un cristal cu un singur atom pe celul, numrul benzilor
NZ
ocupate (rezultat ca raport dintre numrul total de stri energetice ocupate,
, i
2
Z
numrul de stri dintr-o band, N) este .
2
Dac Z este impar, ultima band este incomplet ocupat, solidul respectiv fiind
un conductor (metal), cum sunt, de exemplu, metalele monovalente; alcaline (Li, Na,
74
K, Rb, Cs) i nobile (Cu, Ag, Au), care au o band ocupat pe jumtate, ca i cele
trivalente (Al, Ga).
Elementele cu Z par nu sunt ns ntotdeauna dielectrici, aa cum ar trebui, ca
urmare a faptului c ultima band ocupat este complet ocupat. Astfel, datorit
suprapunerii pariale a benzii de valen cu cea de conducie, elementele bivalente sunt,
toate, metale (de exemplu, Be, Mg, Ca, Hg, Zn). Unele dintre acestea sunt ns slabi
conductori, ca urmare a unei suprapuneri mici a benzilor energetice. Tot datorit
suprapunerii benzilor energetice, elementele pentavalente (As, Sb, Bi etc.) sunt metale,
dei, avnd doi atomi n celula elementar, ultima band este complet ocupat. La aceste
elemente se observ o conducie mixt (de electroni i de goluri), ele fiind semimetale.
n aceste cazuri, nivelul Fermi este plasat n zona de suprapunere a benzilor (figura 6.3).
Figura 6.3 Suprapunerea parial a benzilor energetice la semimetale
Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai interesant
fiind cel al staniului, care, prezentnd dou faze solide, este metal ntr-una i
semiconductor n cealalt. De asemenea, carbonul, cu structura de diamant, este un
izolator pe cnd ca grafit este un semiconductor. Din aceeai categorie, a elementelor
tetravalente, Ge i Si sunt semiconductori standard iar Pb este metal.
Cu excepia cazurilor amintite, elementele cu Z par sunt dielectrici.
O ultim problem ce merit a fi amintit aici este cea a aa-numitelor stri
locale, datorate unor defecte structurale ale reelei, de tipul celor descrise anterior.
Aceste defecte determin apariia, pe lng benzile de energie permise, normale, ale
solidului i a unor niveluri energetice discrete, plasate uneori n interiorul benzilor
permise, alteori n benzile interzise. Aceste niveluri energetice, corespunztoare strilor
locale, sunt foarte importante, ntruct electronii din aceste stri pot fi excitai i pot
trece n stri din benzile permise, modificnd concentraia purttorilor de sarcin
electric liberi n solid i, n acest fel, numeroase proprieti ale acestuia. Legat de
aplicaiile practice, cel mai cunoscut exemplu este cel al semiconductorilor cu impuriti
(extrinseci).
75
6.1.2. Conducia electric la metale

La temperaturi obinuite, electronii de valen ai metalelor se gsesc n banda
de conducie; acest lucru nseamn c ei sunt liberi s se mite n interiorul cristalului;
ei nu mai aparin unui atom anume i constituie astfel purttori de sarcin electric
liberi. Aceti electroni se comport ca un gaz n care este scufundat reeaua
cristalin. Sub aciunea unui cmp electric exterior, de intensitate E , electronii de
conducie capt o micare ordonat, ce se constituie ntr-un curent electric de densitate:
d 2Q E
(6. 1)
j
dS dt E
unde dQ este sarcina electric transportat n intervalul de timp dt prin suprafaa
transversal de arie dS, pe direcia cmpului electric.
Aceast micare dirijat se suprapune peste agitaia termic a purttorilor i are
loc cu o vitez medie constant, numit vitez de drift.
Figura 6.4 Viteza electronilor liberi n reea
S considerm un electron de conducie; asupra sa acioneaz cmpul electric

exterior, de intensitate E , cu fora F eE , imprimndu-i o acceleraie a . Ca urmare,
viteza electronului crete uniform, pn cnd acesta ciocnete plastic un ion al reelei,
cedndu-i ntreaga energie, dup care micarea se reia n acelai mod, cu o vitez iniial
nul. Presupunnd c ciocnirile se succed la intervale de timp egale (acest lucru
nsemnnd c distana parcurs ntre dou ciocniri consecutive este egal cu drumul
liber mediu), dependena de timp a vitezei electronului este de forma din figura 6.4, n
care tc este timpul dintre dou ciocniri consecutive iar vmax este dat de relaia:
et
v max a t c c E
mn
v
et
Viteza medie a acestei micri este v m max c E , din care se vede c vm
2
2m n
(care este viteza de drift) este constant, deci micarea este uniform. n realitate,
ciocnirile nu au loc la intervale egale de timp, dar formula se poate folosi considernd
76
o valoare medie a acestor intervale de timp dintre dou ciocniri consecutive, tcm. Atunci,
viteza de drift a electronilor de conducie are expresia:
et
v n c E n E
(6. 2)
2m n
Mrimea n reprezint mobilitatea electronilor de conducie. Densitatea de
curent va fi deci:
d 2Q E
e n dS d E
j
env en n E
dS dt E
dS dt E
nlocuind:
1
enn = =
(6. 3)
unde este conductivitatea electric a metalului iar este rezistivitatea electric

a acestuia, densitatea de curent se scrie sub forma:
(6. 4)
j E
care reprezint forma local a legii lui Ohm.
Acest model clasic d rezultate n concordan cu datele experimentale la
temperaturi obinuite. La temperaturi sczute ns, acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesar o tratare cuantic.
6.1.3. Conducia electric la semiconductori

Consideraiile expuse n paragraful anterior sunt valabile i n cazul
semiconductorilor, numai c aici trebuie s inem seama c exist dou tipuri de
purttori: electronii (cu sarcin negativ) i golurile (cu sarcin pozitiv). Acetia se vor
deplasa sub aciunea unui cmp electric exterior cu viteza de drift*:

et
et
v n cm E n E ; v p cm E p E
(6.5)
2m n
2m p
Se constat c viteza de drift a golurilor este n sensul cmpului electric, n timp
ce viteza de drift a electronilor este n sens invers acestuia. Fiecare tip de purttor va
crea un curent electric cu densitatea:
jn = enn E = n E ; jp = enp E = p E
(6.6)
Sensul celor doi cureni, determinai de cele dou tipuri de purttori, este acelai
cu sensul cmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin suprapunerea lor are
densitatea:

j jn jp = e(nn + pp) E = (n + p) E = E
(6.7)
Mrimea
= e(nn + pp)
(6.8)
reprezint conductivitatea electric a semiconductorului.
Relaia 6.7 este cunoscut sub denumirea de formula conductivitii unui
semiconductor cu impuriti.
n continuare, pentru electroni se va folosi indicele n i pentru goluri indicele p
77
Conductivitatea unui semiconductor intrinsec este aproximativ o funcie

exponenial ce crete odat cu creterea temperaturii. Rezistena unei probe
semiconductoare are expresia:
Eg
R = R0 e
k BT
(6.9)
R0
T
Figura 6.5 Variaia rezistenei unei probe semiconductoare n funcie de temperatur
Dup cum se vede, rezistena (i rezistivitatea) unei probe semiconductoare

depinde de temperatur, scznd exponenial odat cu creterea acesteia. n relaia (6.9),
R0 reprezint valoarea rezistenei probei semiconductoare cnd T . Reprezentat
grafic, relaia (6.9) arat ca n figura 6.5.
1
Dac se reprezint grafic funcia lnR = f , graficul este o dreapt de pant
T
Eg
, din care se poate determina lrgimea benzii interzise (figura 6.6).
kB
lnR
lnR 0
1/T
Figura 6.6 Variaia logaritmului unei probe semiconductoare n funcie de inversul

temperaturii
78
6.1.4. Efectul Hall

Dac o prob paralelipipedic dintr-un metal sau semiconductor, prin care trece
un curent electric de densitate jx este plasat ntr-un cmp magnetic de inducie Bz , ca
n figura 6.7., pe direcia perpendicular pe planul determinat de direcia cmpului
magnetic i cea a curentului electric se constat apariia unui cmp electric E H , numit
cmp Hall, fenomenul purtnd, i el, acelai nume.
Figura 6.7 Efectul Hall
Fenomenul este datorat aciunii cmpului magnetic asupra sarcinilor electrice

aflate n micare. Acestea sunt deviate de la traiectoria rectilinie pe care o au n lipsa
cmpului magnetic i se acumuleaz pe fetele laterale ale paralelipipedului, crend
cmpul electric Hall. Se ajunge la echilibru cnd:
FL q E H v x B Z 0
(6.10)
unde q este sarcina electric a purttorilor i v x viteza de drift a acestora. Cum:
jx qnv x
(6.11)
unde n este concentraia purttorilor, din (6.10) i (6.11) rezult:
1
(6.12)
EH
jx Bz
qn
Scriind relaia scalar i nlocuind factorul constant cu:
1
RH =
(6.13)
qn
obinem:
EH = RHjxBz
(6.14)
Factorul RH se numete constanta Hall, al crui semn depinde de semnul
sarcinii purttorilor (lucru ce, n practic permite determinarea tipului acestora).
Se poate stabili uor relaia:
= RH
(6.15)
unde este mobilitatea purttorilor i - conductivitatea electric a probei.
Relaia (6.15) permite determinarea mobilitii purttorilor combinnd msurtori
asupra constantei Hall cu msurtori de conductivitate electric.
79
Efectul Hall poate fi caracterizat i de aa-numitul unghi Hall, H, definit prin

relaia:
EH
= RHB = B
(6.16)
Ex
Expresia (6.13) a fost dedus n cazul existentei unui singur tip de purttori; n
cazul cnd la conducie particip ambele tipuri de purttori, expresia constantei Hall
devine:
2
2
1 p p n n
(6.17)
RH
e p n 2
p
n
tg H
unde n i p sunt mobilitatea electronilor liberi, respectiv a golurilor, iar n i p

concentraiile acestora.
Expresiile (6.13) i (6.17) nu sunt riguroase, fiind deduse n ipoteza c toi
purttorii au aceeai vitez; n realitate, trebuie s inem seama de distribuia dup viteze
i de dependenta timpului de relaxare de energie, caz n care, n baza teoriei fenomenelor
de transport, expresia constantei Hall devine:
2
1 c2 2
1
(6.18)
RH
2
2
ne
c 2
1 c2 2
1 c2 2
eB
unde este timpul de relaxare, iar c
este frecventa ciclotronic (m* este masa
m*
efectiv a purttorilor).
n cazul unor cmpuri magnetice intense (c >> 1), relaia (6.18) se reduce la
relaia (6.13), coeficientul Hall fiind independent de cmp i de mecanismul de
mprtiere; n cazul unor cmpuri magnetice slabe (c << 1), din (6.18) se obine:
2
1
(6.19)
RH
ne 2
Din relaia (6.19) se vede dependenta coeficientului Hall de mecanismul de
mprtiere, ntruct timpul de relaxare depinde de energie dup relaia: () = A(T)r,
n care r are diferite valori, n funcie de mecanismul de mprtiere. Astfel:
2
pentru mprtierea pe fononi acustici, r = 1/2 i raportul
are valoarea
2
38
pentru mprtierea pe impuriti ionizate, r = 3/2 iar raportul respectiv devine
315/512
pentru mprtierea pe impuriti neutre, r = 0 iar raportul are valoarea 1
80
pentru mprtierea pe fononi optici, la temperaturi mult mai mici dect temperatura
Debye, r = 0 iar la temperaturi mult mai mari dect aceasta, r = 1/2, raportul avnd
valoarea 45128.
Efectul Hall permite cele mai precise determinri de concentraii de purttori de
sarcin electric i este utilizat, de asemenea, n dispozitive de msurare a cmpurilor
magnetice, la construirea traductoarelor Hall etc.
O dat cu producerea efectului Hall, are loc i un alt fenomen, efectul magnetorezistiv, constnd n modificarea rezistivitii probei, ca urmare a curbrii traiectoriei
purttorilor i micorrii, n consecin, a proieciei drumului liber mediu pe direcia
cmpului electric aplicat.
De asemenea, concomitent, se produc i efectul Ettingshausen (apariia unui
gradient de temperatur pe direcia cmpului Hall, datorat faptului c echilibrul dinamic
la care fora Lorenz se anuleaz se stabilete numai pentru purttorii avnd vitezele
egale cu viteza medie, ceilali fiind deviai ntr-un sens sau altul, dup cum viteza - i
energia - este mai mic, respectiv mai mare dect cea medie) i efectul Nernst (apariia
unui gradient de temperatur de-a lungul curentului).
6.1.5. Efecte termoelectrice

Efectul Seebeck const n apariia unei tensiuni electromotoare ntr-un circuit
format din dou metale diferite, cnd cele dou contacte (jonciuni) se afl la
temperaturi diferite, T2 > T1 (figura 6.8). Experimental, se constat c aceast tensiune,
numit tensiune termoelectromotoare, este proporional cu diferena de temperatur,
conform relaiei:
dUAB = ABdT
(6.20)
unde AB este o mrime ce depinde de temperatur i de natura celor dou metale i se
numete tensiune termoelectric diferenial relativ.
Tensiunea termoelectromotoare n cazul unor diferene finite de temperatur va
fi dat, deci, de relaia:
UAB =
T2
T1
AB dT
T2
T1
A B dT
(6.21)
unde A si B sunt tensiunile termoelectrice difereniale absolute ale celor dou

metale.
Fenomenul se produce i n cazul cnd, n locul metalelor, se folosesc
semiconductori, tensiunea termoelectromotoare fiind, n acest caz, mult mai mare.
Explicaia efectului Seebeck este urmtoarea: la temperaturi diferite, energia
purttorilor liberi de sarcin electric (la semiconductori i concentraia acestora) este
diferit, ceea ce determin difuzia acestora din zona mai cald n zona mai rece, acestea
electrizndu-se cu sarcini de semn opus, aprnd astfel un cmp electric.
n cazul metalelor, dac la jonciunea cald curentul circul de la metalul A la
metalul B, tensiunea termoelectric diferenial absolut a metalului A este mai mic
dect a metalului B. n ordinea descresctoare a tensiunii termoelectrice difereniale
absolute, s-a stabilit urmtoarea succesiune: Sb, Fe, Mo, Cd, W, Au, Ag, Zn, Rb, Ir, Tl,
Cs, Ta, Sn, Pb, Mg, Al, grafit, Hg, Pt, Na, Pd, K, Ni, Co, Bi.
81
Cea mai important aplicaie a efectului Seebeck o reprezint termocuplul,

realizat, de regul, din metale i (sau) aliaje, utilizarea semiconductorilor,dei
sensibilitatea termocuplului n acest caz este mai mare, fiind mai restrns, ca urmare a
dependentei mai mari de temperatur a tensiunii termoelectrice difereniale i a
instabilitii mai pronunate fa de mediu.
Fig.6.8 Efectul Seebeck ntr-un termocuplu
n practic, se constat c orice termocuplu, care este un ansamblu de doi

conductori, A i B, ale cror suduri (jonciuni) se afl la temperaturile T1 i T2, diferite,
respect anumite legi:
- tensiunea termoelectromotoare a unui termocuplu nu depinde de distribuia
temperaturii n circuit ci numai de diferena temperaturilor sudurilor.
- prin introducerea n circuitul unui termocuplu a unui metal intermediar ale
crui conexiuni se afl la aceeai temperatur, tensiunea termoelectromotoare nu se
schimb.
- dac sudurile unui termocuplu se afl la temperaturile T1 i T2, sau T2 i T3,
sau T1 i T3, tensiunile termoelectromotoare n cele trei cazuri sunt n relaia:
UAB(T3, T1) = UAB(T3, T2) + UAB(T2, T1)
(6.22)
n care s-a considerat c T3 > T2 > T1.
Dei tensiunea termoelectromotoare depinde, pentru un termocuplu dat, de
temperatur dup o lege mai complicat, n practic se poate considera c aceast
dependent este de forma:
b
U(T1, T2) = a(T2 T1) + (T2 T1)2
(6.23)
2
Unde a = aA aB i b = bA bB, aA, aB, bA, bB fiind constante ale celor dou metale.
O mrime caracteristic unui termocuplu este sensibilitatea, S, dat de relaia:
dU
S=
= a + b, unde = T2 T1
(6.24)
d
n construcia termocuplelor uzuale, folosite pentru msurarea temperaturilor, se
utilizeaz metale ca: Fi, Pt., Ir, Cu precum i aliaje: constantan (57 % Cu, 43 % Ni),
82
cromal (90 % Ni, 10 % Gr), alunel (94 % Ni, 3 % Nn, 2 % Al, 1 % Si) sau Pt-Rh i IrRh. Dup materialele folosite i domeniul de utilizare, termocuplele se clasific n:
termocuple S (standard), cu sensibilitate mic dar stabilitate i reproductibilitate
mari, utilizate la msurarea temperaturilor n domeniul 600 - 1600C; sunt
confecionate din Pt - (90 % Pt, 10 % Rh)
termocuple R, asemntoare cu termocuplele S, se utilizeaz pentru msurarea
temperaturilor mari i foarte mari: pn la 1800C: Pt - (87 % Pt, 13 % Rh); pn
la 2100C: Ir - (50 % Ir, 50 % Rh); pn la 3000C: (74 % W, 26 % Re) - (75 %
W, 25 % Re) sau (97 % W, 3 % Re) - (75 % W, 25 % Re)
termocuple T, avnd o precizie mai mare dect precedentele dar putnd fi folosite
numai pn la 350C, sunt, de regul, confecionate din Cu constantan
termocuple K (cromel-alumel) - sunt utilizate pentru msurtori ntre - 200C i
1370C
termocuple E (cromel-constantan) - au o stabilitate foarte bun n intervalul 0 900C.
Efectul Peltier const n degajarea sau absorbia de cldur la jonciunea
(sudura) a dou materiale (metale sau semiconductori) diferite cnd prin acestea circul
un curent electric. Dup cum se poate constata, efectul Peltier este invers efectului
Seebeck, explicaia fenomenului putnd fi dat, deci, n acelai mod (figura 6.9)
Fig. 6.9 Efectul Peltier
Cldura degajat n unitatea de timp la una din suduri, egal numeric cu cea
absorbit n unitatea de timp la cealalt sudur, depinde de natura materialelor i de
intensitatea curentului electric ce trece prin circuit, astfel nct fluxul de cldur
degajat, respectiv absorbit, este dat de relaia:
w = ABj
(6.25)
83
unde j este densitatea de curent iar AB = A B este coeficientul Peltier relativ al

celor dou materiale, A i B fiind coeficienii Peltier absolui ai acestora.
Efectul Thomson const n absorbia sau degajarea de cldur ntr-un material
(metal sau semiconductor) omogen n care exist un gradient de temperatur i prin care
trece un curent electric, cldur dat de expresia:
Q = q T j
(6.26)
unde q este coeficientul Thomson.
Se poate arta c aceste trei efecte sunt legate ntre ele, legtura fiind exprimat
prin relaiile lui Kelvin, cunoscute uneori i sub numele de relaiile lui Thomson:
Tq
(6.27)
q A T A ; A A dT; AB T A B
0 T
T
n teoria fenomenelor de transport n solide se arat c:
1
(6.28)
eT
unde este energia purttorilor, timpul de relaxare iF energia nivelului Fermi.

Pentru metale, dup efectuarea medierilor i a celorlalte calcule, obinem:
2 k 3 kT
(6.29)
r
3 e 2 F
unde k este constanta Boltzmann, e sarcina electric elementar, r exponentul din
relaia: = ar, care exprim dependena de energie a timpului de relaxare pentru diferite
mecanisme de mprstiere.
Pentru semiconductori, n cazul nedegenerat, din (6.28) se obine relaia:
k
5
r
(6.30)
e
2 kT
n care termenul F se poate exprima n funcie de concentraia purttorilor, rezultnd

kT
n respectiv p.
n cazul conduciei mixte, este dat de relaia:
n n p p
(6.31)
n p
Revenind la metale, se poate observa c, ntruct este exprimat prin relaia
(6.29), din relaia (6.21) rezult, ntr-adevr c tensiunea termoelectromotoare este
dependent de temperatur dup o lege de forma (6.23). n general, dac temperatura
sudurii reci a unui termocuplu este constant (prin meninerea acesteia, de exemplu, la
temperatura mediului ambiant), tensiunea termoelectromotoare este dependent numai
de temperatura sudurii calde.
6.2. Aplicaii
6.1. Densitatea de curent ntr-un conductor de Al este j = 1 A/mm2. S se calculeze
viteza de drift a electronilor de conducie, cunoscnd c acetia au concentraia egal
84
cu cea a atomilor de Al n reea. Se dau: masa molar a Al, M = 26,98 kg/kmol,

densitatea Al, = 2,7103 kg/m3, sarcina electric elementar, e i numrul lui
Avogadro.
Rezolvare
j = env v = j/en
N A
pe de alt parte, n =
; din cele dou relaii, rezult:
M
jM
v=
= 1,04104 m/s
e N A
6.2. La capetele unui fir de Cu, cu lungimea = 1 m, se aplic o tensiune U = 10 mV.
Cunoscnd rezistivitatea cuprului, = 1,55108 m, concentraia electronilor liberi,

n = 8,431028 m3, i sarcina electric a electronului, e, s se calculeze:
a) mobilitatea electronilor de conducie n Cu
b) timpul n care un electron strbate lungimea conductorului
Rezolvare
1
a) = en
1 m2/Vs
en en
en 2
1
U
b) viteza de drift este: v= E = 1 ; timpul cerut este: t = = 2,09104
en
v U
s.
6.3. S se calculeze energia minim de formare a unei perechi electron-gol ntr-un
semiconductor pur a crui conductan crete de 5 ori cnd temperatura crete de la
T1 = 300 K la T2 = 400 K.
6.4. Dac se msoar rezistena R, a unei probe semiconductoare intrinseci la diferite
temperaturi, se obin datele din tabelul urmtor:
738
314
150
78
27
11
5,53
3,1
R() 2000
T(K)
300
325
350
375
400
450
500
550
600
Cunoscnd lungimea probei, = 2 cm i seciunea acesteia, S = 4 mm2, s se determine:
a) lrgimea benzii interzise a semiconductorului
b) temperatura la care rezistena probei scade de x = 1000 de ori fat de rezistena la
300 K
Rezolvare
Eg
1
1

; ni ~ exp
a) R =
k
T
S en i n p S
B
R~
Eg
E
1
sau R = R0 exp g
~ exp
ni
k BT
k BT
85
Eg
1
. Din aceast relaie, se
k BT T
Eg
vede c, dac se reprezint grafic lnR = f(1/T), se obine o dreapt de pant p =
.
k BT
Reprezentnd grafic funcia ln(R) = f(1/T), cu datele din tabel, se obine o dreapt a
crei pant este p = 3886 K. Rezult, deci: Eg = 2kB.p = 0,67 eV.
Eg 1 1
R T1
1
exp
644 K
b) x
T2 1 2k
R T2
2k B T1 T2
B
ln x
T1 E g
Logaritmnd, se obine relaia: ln R = ln R0 +
6.5. Figura 6.10 reprezint curba experimental a variaiei conductivitii electrice,
, a siliciului n funcie de inversul temperaturii absolute, T. S se calculeze lrgimea

benzii interzise, Eg, a siliciului.
(S/m)
103
102
0,5103
0,5103
0,5103
1/T (K1)
Fig. 6.10
Indicaie: a se vedea rezolvarea problemei precedente.

6.6.Graficul din figura 6.11 red variaia logaritmului conductivitii n funcie de
inversul temperaturii (T este msurat n kK) pentru un semiconductor de tip n. S se
calculeze lrgimea benzii interzise a semiconductorului i energia de activare de pe
nivelul donor.
Indicaie: Se procedeaz ca la problema 6.4., doar c aici exist dou poriuni
liniare, corespunztoare celor dou regimuri: generarea intrinsec (excitarea
electronilor din banda de valen n banda de conducie) i generarea extrinsec
(excitarea electronilor de pe nivelul donor n banda de conducie).
86
Fig. 6.11
6.7. La temperaturi sczute, rezistivitatea datorat unei anumite concentraii de
impuriti ionizate ntr-un metal este proporional cu (Z)2 unde Z este diferena
dintre valena impuritilor i cea a metalului. O prob de Cu pur are o rezistivitate de
1010 m. Dac proba este impurificat cu 0,1 % Cd2+, rezistivitatea crete la 51010
m. S se estimeze rezistivitatea unei probe de Cu impurificate cu 0,1 % In3+si,
respectiv Sn4+
6.8. La 300 K, energia Fermi a aluminiului este 12 eV i rezistivitatea 3108 m. S
se calculeze drumul liber mediu al electronilor de conducie i viteza de drift a acestora
ntr-un cmp de 1000 V/m (masa atomic a Al este 27 u i densitatea 2700 kg/m3 ).
6.9. O prob de Si conine 0,01 % donori de P care, la temperatura camerei, sunt
complet ionizai. Mobilitatea electronilor fiind 0,15 m2 /Vs, s se calculeze
rezistivitatea extrinsec a probei. Se cunosc masa atomic a Si, 28 i densitatea
acestuia, 2300 kg/m3.
6.10. O prob de Ge extrinsec de tip n conine 1023 donori ionizai/m3. S se estimeze
la temperatura camerei raportul dintre rezistivitatea acestei probe i cea a unei probe
de Ge intrinsec.
6.11. Un semiconductor este dopat cu 1022 donori i 51021 acceptori pe m3. Nivelurile
energetice donor i acceptor se gsesc n banda interzis, la 0,01 eV de limita
inferioar a benzii de conducie, respectiv de limita superioar a benzii de valen.
Mobilitatea purttorilor fiind 0,2 m2/Vs, s se calculeze rezistivitatea
semiconductorului la 20 K.
6.12. O prob de Si, cu lungimea = 5 mm i seciunea S = 2 mm2, impurificat cu
atomi acceptori se afl la o temperatur la care toi acceptorii sunt ionizai. tiind c
la N0 = 7107 atomi de Si revine un atom acceptor i cunoscnd mobilitile electronilor
i golurilor, n0,13 m2/V.s i p = 0,05 m2/Vs precum i concentraia intrinsec, ni
= 2,51016 m3, s se calculeze:
a) conductivitatea de goluri, respectiv de electroni; b) rezistena electric a probei
Se dau: masa molar, M = 28,086 kg/kmol, densitatea, = 2420 kg/m3, numrul lui
Avogadro, NA i sarcina electronului, e.
87
Rezolvare
a) concentraia atomilor de Si este NSi =
Na =
N A
deci concentraia acceptorilor este:
M
N Si N A
= 7,411020 m3; cum Na >>ni p Na,

N 0 MN 0
de unde:
p = epp = e
N A
p = 5,93 ( m)1.
MN 0
Pe de alt parte, np = n i2 n =
n i2 n i2
,
p Na
de unde n = enn = 1,75108 ( m)1.

1
1

= 422 .
b) cum n <<p, R =
n p S p S
6.13. O prob de Ge, cu lungimea = 1 cm i seciunea S = 1 mm2, conine donori
ionizai cu concentraia Nd = 1020 m-3 i acceptori ionizai cu concentraia Na = 51019

m3. Cunoscnd concentraia intrinsec a purttorilor de sarcin electric, ni = 31019
m3, s se determine intensitatea curentului electric ce strbate proba cnd la capetele
acesteia se aplic o tensiune U = 4 V. Se cunosc: n = 0,38 m2/Vs, p = 0,18 m2/Vs i
sarcina electronului, e.
Rezolvare
Din relaiile np = n i2 i n + Na = p + Nd, rezult concentraiile de electroni i goluri:
2
2
2n i
Nd Na
N
N
2n
d
a
i
n
1
1
1 ; p
1
2
N
N
2
N
N
a
a
d
d
Curentul este:
2
2n i
Nd Na
U
U
I S eS
n p 1
n p 1mA
2
Nd Na
6.14. O sond Hall, de form cubic cu latura de 2 mm, este proiectat s msoare
cmpuri magnetice cu valori minime de 104 T. Tensiunea Hall la aceast valoare a
cmpului trebuie s fie de minim 1 mV. tiind c mobilitatea purttorilor este de 0,5
m2/Vs, s se calculeze concentraia acestora.
6.15. O plac de Cu are lungimea = 60 mm, limea b = 20 mm i grosimea a = 1
mm. Dac de-a lungul plcii trece un curent electric de intensitate I = 10 A, ntre
punctele M i N se msoar o tensiune UMN = 0,51 mV iar ntre punctele P i Q o
tensiune nul. Dac se aplic un cmp magnetic uniform, perpendicular pe plac, de
inducie B = 100 mT (figura 6.12), ntre punctele P i Q apare o tensiune UPQ = 0,055
V. S se calculeze concentraia electronilor liberi n Cu i mobilitatea acestora.
88
Fig. 6.12
6.16. O plcu cu grosimea h = 10 mm i lungimea = 50 mm, confecionat dintrun semiconductor extrinsec de tip p este plasat ntr-un cmp magnetic uniform
perpendicular, de inducie B = 0,5 T. La capetele plcutei se aplic o tensiune U = 10
V. Tensiunea Hall msurat este UH = 50 mV. Rezistivitatea materialului fiind = 2,5
m, s se calculeze concentraia i mobilitatea golurilor.
6.17. O plcu de semiconductor pur este plasat ntr-un cmp magnetic transversal
de inducie B = 0,5 T. Cmpul electric transversal care apare este de 10 ori mai mic
dect cmpul electric longitudinal aplicat. S se calculeze diferena dintre mobilitile
electronilor de conducie i golurilor din semiconductor.
6.18. Efectul Hall tinde s nu mai fie observat ntr-un semiconductor n care
mobilitatea electronilor de conducie este de dou ori mai mare dect cea a golurilor.
S se calculeze raportul dintre concentraia electronilor de conducie i a golurilor.
6.19. Coeficientul Hall al aluminiului este 0,3107 V.m/AT. Ci electroni pentru
fiecare atom iau parte la conducia electric ? Se cunosc masa atomic i densitatea
aluminiului.
6.20. Determinarea conductivitii electrice a unui semiconductor extrinsec
Este cunoscut faptul c densitatea curentului ce strbate un material conductor
I
este dat de relaia: j =
= nev, unde I este intensitatea curentului electric, S aria
S
seciunii transversale, n concentraia purttorilor de sarcin electric liberi i v viteza de
drift a acestora.
Pe de alt parte, viteza de drift se poate exprima n funcie de mobilitatea
purttorilor i de intensitatea cmpului electric aplicat: v E , v = E.
Pentru un material semiconductor, relaiile sunt de asemenea valabile, dar
trebuie inut cont de faptul c acesta dispune de ambele tipuri de purttori (electroni
liberi i goluri). Densitatea de curent este, n acest caz, dat de:
j = e(nn + pp)E = E
unde este conductivitatea semiconductorului.
89
Pe de alt parte, dac se exprim densitatea de curent n funcie de dimensiunile
i rezistena probei, R =
i tensiunea aplicat, U = E, expresia acesteia este:
S S
I
U E S
j=
E
S RS S
Din aceast ultim relaie, putem scrie:
I
U=
S
Msurnd tensiunea pentru diferite lungimi, la un curent I constant i
reprezentnd grafic U = f (), din panta tg , a dreptei care se obine, se poate determina
conductivitatea semiconductorului:
I
=
S tg
Dispozitivul experimental (figura 6.13) este alctuit dintr-un suport pe care este
fixat proba semiconductoare (o bar de siliciu p cu aria seciunii transversale de 25
mm2), o surs de c.c. reglabil n domeniul 0 5 V i un poteniometru compensator (P).
Cele dou sonde de msur au ntre ele distana variabil, . O sond este fix pe prob,
care se poate deplasa cu suportul prin intermediul unui dispozitiv ce permite msurarea
deplasrii; cea ce-a doua sond este fix fa de suport.
Figura 6.13 Dispozitiv experimental pentru determinarea conductivitii electrice a unui

semiconductor extrinsec
Se verific montajul, se fixeaz un curent I prin prob i, pentru 5 lungimi

diferite, se msoar cu poteniometrul compensator P, tensiunea dintre sonde;
rezultatele se trec ntr-un tabel de felul celui urmtor:
U(mV)
l(mm)
Se repet msurtorile pentru nc alte patru valori ale curentului i se reprezint
grafic cele cinci drepte i se determin pantele lor. Se calculeaz pentru fiecare,
90
conductivitatea, cu relaia: U =
I
. Rezultatele calculelor se trec ntr-un tabel de felul
S
celui urmtor:
nr.det.
1.
:
I(mA)
tg (mV/mm)
(1m1)
mediu (1m1)
Rezultatul final se prezint sub forma: = mediu (1m1)

1. Care sunt erorile care pot afecta determinrile fcute ?
2. Cum se modific panta tg n funcie de concentraia purttorilor ? Dar n funcie de
mobilitatea acestora ?
6.21. Studiul variaiei rezistivitii unui semiconductor intrinsec cu temperatura;
determinarea lrgimii benzii interzise a semiconductorului
ntruct, pe intervalul relativ mic al temperaturilor de lucru, mobilitatea
purttorilor se poate considera constant, variaia rezistenei probei descrie n acelai
timp i comportarea concentraiei de purttori n funcie de temperatur.
Montajul experimental este alctuit din proba semiconductoare, P, plasat ntrun cuptora, C, n care aceasta este nclzit cu ajutorul unei rezistene electrice prin
care trece curentul electric furnizat de sursa S, temperatura fiind msurat cu ajutorul
unui termometru, T. ntregul montaj este reprezentat n figura 6.14.
Figura 6.14 Dispozitiv experimental pentru studiul variaiei rezistivitii unui semiconductor
intrinsec cu temperatura
Se verific montajul, se alimenteaz rezistena de nclzire i se las s creasc

temperatura pn la aproximativ 200C. Se ntrerupe curentul de nclzire i se las
proba s se rceasc pn la temperatura mediului ambiant
91
Se msoar cu un ohmmetru rezistena probei din 5 C n 5 C, de la temperatura

maxim pn la temperatura mediului ambiant. Datele obinute se trec n tabelul
urmtor:
Nr.crt.
1
2
:
t(C)
T(K) 1/T (K1) R() lnR
1
Se reprezint grafic R = f(T) i lnR = f . Din panta celui de-al doilea grafic
T
se determin Eg.
1. Ce factori afecteaz determinrile ? Estimai erorile care apar.
2. Determinai constanta R0.
3. Care expresia conductivitii n funcie de temperatur, utiliznd datele
experimentale obinute ?
6.22. Determinarea benzii interzise a unui semiconductor din msurtori ale variaiei
curentului de saturaie al unei jonciuni p-n cu temperatura.
Metoda se bazeaz pe variaia curentului de saturaie al unei jonciuni p-n (diod
semiconductoare), cu temperatura. Este cunoscut faptul c o diod semiconductoare are
o caracteristic curent - tensiune dat de relaia:
eV
I = Is e kT 1
(6.32)
unde I este curentul prin diod, IS curentul invers de saturaie, V tensiunea aplicat pe
diod i T temperatura absolut. Dup cum se vede din aceast relaie, dac tensiunea
aplicat pe diod este negativ (plusul pe zona n), curentul invers prin diod este
practic egal cu acest curent de saturaie, care are o valoare foarte mic ( sau chiar
nA, n funcie de semiconductor). Se poate, deci, msura curentul de saturaie prin
msurarea curentului invers prin diod. Curentul invers de saturaie este dependent de
temperatur, dup o lege de forma:
-
Eg
Is = C e
(6.33)
unde C este o constant dependent de concentraiile purttorilor de sarcin electric
liberi, de lungimile de difuzie i coeficienii de difuzie ai acestora, iar Eg lrgimea benzii
interzise.
Prin logaritmare, relaia (6.33) devine:
Eg 1
ln Is ln C
(6.34)
2k T
Dispozitivul experimental este alctuit conform figurii 6.15. El cuprinde o
incint termostatat, a crei temperatur poate fi modificat i n care se afl o diod
semiconductoare cu germaniu. Aceasta face parte dintr-un circuit alimentat de la o surs
92
2kT
de curent continuu, prin intermediul unui montaj poteniometric i care mai cuprinde
aparatele de msur a curentului i tensiunii pe diod.
Se verific i se alimenteaz montajul, se nclzete termostatul la 50C i, dup
atingerea regimului termic staionar (cteva minute), se determin curentul invers prin
diod la diferite valori ale tensiunii de polarizare n sens invers (din volt n volt, de la 0
la 5 V).
Rezultatele se trec ntr-un tabel de felul celui urmtor:
I(A)
V(V)
Figura 6.15 Dispozitiv experimental pentru determinarea benzii interzise a unui

semiconductor din msurtori ale variaiei curentului de saturaie al unei jonciuni p-n cu
temperatura
Se repet determinrile pentru temperaturile 60, 70, 80, 90C. Se traseaz pe

aceeai hrtie milimetric graficele I = f(V), pentru fiecare temperatur. Din grafice se
determin cu exactitate IS la diferite temperaturi. Se ntocmete un tabel ca cel urmtor:
IS(A)
T(K)
Se reprezint grafic lnIS = f(1/T) i se determin panta p a dreptei. Se calculeaz
lrgimea benzii interzise, cu expresia: Eg = 2kp; rezultatul final se va exprima n eV.
6.23. Determinarea diferenei de potenial de contact metal-semiconductor
Problema fenomenelor care apar la contactul metal-semiconductor este una
foarte important, ntruct toate dispozitivele semiconductoare au contacte metalice,
fapt ce influeneaz funcionarea acestora.
Se definete nivelul de vid, ca fiind energia necesar unui electron pentru a
prsi cristalul i a deveni liber, cu energie cinetic nul. El este ales drept nivel de
referin pentru reprezentarea structurii enegetice i, fa de el se definesc alte dou
mrimi importante:
Afinitatea electronic, a, este energia necesar unui electron situat la limita
inferioar a benzii de conducie, EC, pentru a trece pe nivelul de vid i, pentru
semiconductori, are valoarea de aproximativ 4 eV.
93
Lucrul de extracie (de ieire), e, reprezint diferena dintre nivelul de vid i

nivelul Fermi i are valoarea de 3 5 eV, pentru majoritatea metalelor i
semiconductorilor.
Cnd un metal i un semiconductor sunt aduse n contact, datorit situaiei de
neechilibru care apare ca urmare a faptului c lucrul de extracie al metalului este mai
mare dect cel al semiconductorului, electronii din banda de conducie a
semiconductorului vor trece n metal pn cnd nivelurile Fermi ale metalului i
semiconductorului devin egale.Ca urmare a acestui fapt, apare o regiune srcit n
electroni, situat n apropierea zonei de contact, de partea semiconductorului, n timp
ce zona simetric dispus n metal va avea un surplus de electroni. Se creeaz astfel o
diferen de potenial egal cu diferena dintre lucrurile de extracie ale celor dou
cristale, raportat la sarcina electronului.
es
VD = em
e
VD se numete potenial de contact (de difuzie).
Stratul electrizat, situat de o parte i de alta a zonei de contact, se numete strat
de baraj i are o grosime mai mare n semiconductor, ca urmare a concentraiei mai
mici de purttori (108 106 m) i mai mic n metal, unde concentraia purttorilor
este mai mare.
Figura 6.16 Structura benzilor energetice la contactul metal-semiconductor
Pentru ca electronii s treac din metal n semiconductor, ei trebuie s

depeasc bariera de potenial em as, iar pentru a trece din semiconductor n metal,
ei trebuie s depeasc bariera de potenial em es. Stratul de baraj determin
proprietatea de redresare a contactului metal-semiconductor, n cazul cnd em > es.
Din figura 6.16, se poate vedea diagrama nivelurilor energetice la contactul
metal-semiconductor de tip n, n condiia de mai sus.
Dac jonciunea este polarizat direct (+ pe metal), bariera de potenial a
stratului de baraj scade, n timp ce la polarizare invers ( pe metal ) bariera crete, de
unde rezult proprietatea de redresare a jonciunii metal-semiconductor. Acelai rezultat
se obine i dac semiconductorul este de tip p, cu condiia caem > es.
Calcule teoretice arat c expresia dependenei curent-tensiune a unei jonciuni
metal-semiconductor polarizat direct la tensiunea V, este de forma:
94
eV
I Is e kT 1
unde Is este curentul de saturaie, avnd forma:

D
2eSn 0 VD V eV
en 0 vS eVkTD
, sau Is
Is
e
e kT
4
n funcie de teoria aplicat pentru deducerea acestor expresii (teoria emisiei
termoelectrice sau a diodei, respectiv teoria difuziei); semnificaia mrimilor din aceste
expresii este urmtoarea: S este aria seciunii transversale a jonciunii, n0 i v,
concentraia, respectiv viteza medie termic a purttorilor n semiconductor,
conductivitatea semiconductorului, lrgimea stratului de baraj.
Se vede c, din relaiile de mai sus, se poate determina VD, acest lucru fiind
posibil prin dou metode:
A. Prima metod permite determinarea potenialului de contact din dependena
curentului de saturaie sau, i mai bine, a rezistenei difereniale (dinamice) a jonciunii,
de temperatur. Rezistena diferenial depinde de curentul de saturaie conform relaiei:
e VD V
dV 4kT
RD
e kT
dI en 0 v
Cum v
kT , se poate scrie:
e VD V
Rd
ct e kT
kT
R
1 p
Reprezentnd grafic expresia ln d f , se obine o dreapt de
T T
kT
pant p, care trece prin origine. Atunci, potenialul de contact va fi dat de:
k
VD V p
e
B. Cea de-a doua metod folosete trasarea dependenei capacitii stratului de baraj de
tensiunea V, aplicat pe jonciune:
eN d r 0
Cb
2 VD V
Pentru a determina potenialul de contact metal-semiconductor prin prima
metod descris mai sus, se poate folosi o diod punctiform, care este de fapt o
jonciune metal-semiconductor.
De obicei, montajul experimental este o punte Wheatstone n curent alternativ
care, permite determinarea rezistenei difereniale a jonciunii. n locul acesteia se poate
folosi montajul urmtor (figura 6.17).
Dioda este meninut ntr-o incint termostatat, a crei temperatur poate fi
variat i msurat. Ea este polarizat cu tensiunea continu V, de la sursa E (se msoar
cu un voltmetru de c.c.) i cu o tensiune sinusoidal de la sursa e, necesar pentru
msurarea rezistenei difereniale cu un ohmmetru.
95
Figura 6.17 Dispozitiv experimental pentru determinarea diferenei de potenial de contact

metal-semiconductor
Se realizeaz i se verific montajul de mai sus, se pornete termostatul i se

nclzete pn la 50 - 60C.
Se determin Rd pentru diferite temperaturi, din 5 n 5C. Se traseaz graficul
R
1 p
ln d f
i se determin panta acestuia. Se calculeaz potenialul de
T T
kT
k
contact cu relaia: VD V p .
e
6.24. Studiul experimental al efectului Hall
Montajul experimental folosit pentru studiul efectului Hall ntr-o prob
semiconductoare este reprezentat n figura 6.18. Proba este plasat ntre polii unui
electromagnet alimentat de la o surs de curent continuu, ale crui sens i intensitate pot
fi modificate.
Prin prob, longitudinal, trece un curent mic (1 5 mA), reglabil prin
intermediul rezistenei variabile, R, furnizat de o surs de t.e.m. de 2 V. ntre contactele
transversale, se leag un milivoltmetru pentru msurarea tensiunii Hall.
mpreun cu tensiunea Hall, mai apar i alte tensiuni parazite, datorate efectelor
Ettingshausen, Nernst i Righi-Leduc, ultimele dou avnd caracteristica de a-si
schimba sensul la schimbarea sensului curentului electric prin prob sau la schimbarea
sensului cmpului magnetic, ceea ce permite eliminarea efectelor lor de introducere a
unor erori de msur a tensiunii Hall.
n plus, plasarea contactelor transversale altfel dect pe aceeai linie
echipotenial duce la apariia altei tensiuni parazite, care poate fi eliminat prin
montaje poteniometrice i un contact dublu pe una din fete sau prin inversarea sensului
curentului. Deci, la o msurtoare, se obine tensiunea:
U = UH + UE + UN + UR + UP
96
unde UH este tensiunea Hall, UE - tensiunea Ettingshausen, UN - tensiunea Nernst, UR tensiunea Righi-Leduc i UP - tensiunea parazit datorat plasrii asimetrice a
contactelor.
Figura 6.18 Dispozitiv experimental pentru studiul experimental al efectului Hall
Pentru un anumit sens al cmpului electric aplicat i al cmpului magnetic,

tensiunea msurat va fi:
U(E+, B+) = UH + UE + UN + UR + UP
La schimbarea sensului cmpului electric aplicat,
U(E, B+) = UH UE + UN + UR UP
Schimbnd i sensul cmpului magnetic,
U(E, B) = UH + UE UN UR + UP
Schimbnd nc o dat sensul cmpului electric,
U(E+, B) = UH UE UN UR + UP
Tensiunea corectat va avea valoarea:
U E ,B U E ,B U E ,B U E ,B
U cor
UH UE UH
4
Dup realizarea, verificarea i alimentarea montajului experimental, se fac
msurtori ale celor patru tensiuni pentru diferii cureni prin prob, Ix, meninnd prin
electromagnet un curent constant cu diferite valori, Iel, pentru fiecare din acestea
msurndu-se inducia magnetic n ntrefierul electromagnetului (unde este plasat
proba) cu ajutorul unui teslametru. Valorile msurate se trec n tabelul:
Iel
(A)
:
:
Bz
(T)
Ix
(mA)
U(E+,B+)
(mV)
U(E,B+)
(mV)
U(E,B)
(mV)
U(E+,B_)
(mV)
UH
(mV)
Se traseaz graficul UH = f(Bz) pentru Ix constant. Se traseaz graficul UH = f(Ix)

pentru Bz constant.
97
UH
Ix
, unde h sunt limea, respectiv grosimea
h
U
E
RBz
probei, cunoscnd panta graficului UH = f(Ix), tg = H H
, se calculeaz
Ix
jx h
h
h tg
constanta Hall, cu formula: RH =
.
Bz
3 1
Se calculeaz media constantelor Hall determinate i, din formula: RH =
, se
8 ne
calculeaz concentraia de purttori.
1. De ce, prin prob, trebuie s treac un curent mic ?
2. De ce cmpul magnetic trebuie s fie slab ? Ce se ntmpl cu graficul U H = f(Bz),
dac Bz crete la valori prea mari ? De ce ?
3. Care ar fi schema electric pentru eliminarea tensiunii parazite datorate neplasrii
contactelor transversale pe aceeai linie echipotenial printr-un montaj
poteniometric i un dublu contact pe una din fetele laterale.
4. Ce msurtori ar mai trebui fcute pentru determinarea mobilitii purttorilor n
acest experiment ? Ce probleme ar aprea ?
5. Care este influenta temperaturii asupra determinrilor fcute ? Ce precauii trebuie
luate din acest punct de vedere la efectuarea determinrilor ?
6.25. Studiul efectului Seebeck. Termocuple
n aceast aplicaie se urmrete studierea efectului Seebeck la metale,
msurarea tensiunii termoelectromotoare la un termocuplu la diferite temperaturi,
etalonarea termocuplului i determinarea energiei Fermi a unuia dintre metalele
termocuplului. n acest scop, se folosete un dispozitiv experimental (figura 6.19)
alctuit dintr-un cuptora nclzit prin intermediul unei rezistene electrice alimentate la
220V/50 Hz printr-un autotransformator; n interiorul cuptoraului este plasat sudura
cald a unui termocuplu, n circuitul acestuia fiind montat un milivoltmetru de rezisten
intern mare, cu care se msoar tensiunea termoelectromotoare; n cuptora se afl i
un termometru pentru msurarea temperaturii.
Se verific montajul i se alimenteaz rezistena de nclzire la 220 V prin
intermediul autotransformatorului.
Cum EH = RjxBz, iar EH =
i jx =
Figura 6.19 Dispozitiv experimental pentru studiul efectului Seebeck
98
Iniial se fixeaz n circuitul rezistenei de nclzire un curent de 50 mA, care

apoi se crete treptat din 50 n 50 mA pn la 250 mA, astfel ca temperatura s creasc
foarte lent. Se noteaz temperatura iniial, a mediului ambiant, Tm i se msoar cu
milivoltmetrul tensiunea termoelectromotoare, din 10 n 10C, pn la 200C.
Se ntrerupe alimentarea cuptoraului, se las s se rceasc i se fac aceleai
msurtori, pn la temperatura camerei. Rezultatele se trec n tabelul:
nr.det.
t(C)
U(mV) U(mV)
nclzire rcire
U Ur
2
T = T Tm
U
T
1.
2.
:
Se reprezint grafic U = U(T), se calculeaz tensiunea termoelectric
U
diferenial cu formula AB =
i se reprezint grafic n funcie de temperatur.
T
innd cont c, pentru metale monoatomice pure, mecanismul de mprtiere pe
2 k 2 T
fononi acustici este preponderent i c, n acest caz, A =
, din panta graficului
e F
anterior, se determin F pentru cel de-al doilea material al termocuplului, tiind c
primul este cuprul, pentru care F = 7 eV.
1. Ce important practic au legile stabilite experimental pentru termocuple?
2. De ce tensiunea termoelectromotoare se calculeaz ca medie a valorilor msurate la
nclzire i rcire?
3. Este corect formula de calcul al lui AB indicat la modul de lucru? Discuii.
4. Ce alte aplicaii ale efectului Seebeck se mai pot ntrevedea ? Dac pentru efectele
Peltier i Thomson?
99
7.
PROPRIETI MAGNETICE ALE SOLIDULUI

7.1.1. Noiuni generale
Proprietile magnetice ale solidelor sunt determinate de existena la nivel
microscopic a unor momente magnetice elementare (orbitale i de spin). Pentru
caracterizarea comportrii magnetice a solidelor, vom reaminti aici cteva noiuni de
magnetism, absolut necesare n ceea ce urmeaz.
Dac o particul ncrcat cu sarcina electric q se mic pe o curb nchis (n
particular, pe un cerc), micarea ei echivaleaz cu un mic curent electric care produce
un cmp magnetic. Astfel, particula echivaleaz cu un mic magnet, care, dac se afl
ntr-un cmp magnetic exterior de intensitate H , tinde s se alinieze paralel cu acesta.

Cmpul magnetic propriu al particulei este caracterizat de mrimea numit
moment magnetic, definit prin:
(7.1)
p m ISn
unde I este intensitatea curentului determinat de deplasarea particulei (dac acesta
q
parcurge traiectoria circular n perioada T, I =
= q = 2q), S este aria suprafeei
T
nchise de traiectorie i n este versorul normal la suprafaa S, cu sensul dat de regula

burghiului.
Pentru un sistem de mai multe particule, se definete magnetizarea, M , ca fiind

momentul magnetic al unitii de volum:
1
(7.2)
M pm
V i
Cnd o astfel de substan este introdus ntr-un cmp magnetic extern de
intensitate H , alinierea momentelor magnetice proprii particulelor constituente ale

substanei cu cmpul exterior face ca n interiorul acesteia, cmpul magnetic s se
modifice, mrimea caracteristic a acestuia n substan, inducia magnetic, B , fiind

legat de intensitatea cmpului magnetic i de magnetizare prin relaia:
B
H
M
(7.3)
0
sau:

B 0 H M
(7.4)
unde 0 este permeabilitatea magnetic absolut a vidului. ntre M i H se stabilete

de obicei relaia (valabil pentru medii liniare):
M mH
(7.5)
unde m este susceptibilitatea magnetic, o mrime caracteristic materialului (dac
acesta este anizotrop, ea se definete ca un tensor).
100
B
1 m H sau B 0 r H , rezult:
Scriind
0
r = 1 + m
(7.6)
relaie care definete permeabilitatea magnetic relativ a materialului.
Proprietile magnetice ale substanelor pot fi analizate prin intermediul
susceptibilitii magnetice sau al permeabilitii magnetice relative. Astfel, ntr-o prim
clasificare, substanele se mpart n:
diamagnetice, pentru care r < 1 (m < 0); aceste substane sunt formate din atomi
care nu posed un moment magnetic propriu permanent; magnetizarea este n sens
invers cmpului magnetic exterior i nu depinde de temperatur.
paramagnetice, pentru care r > 1 (m > 0); atomii acestor substane posed un
moment magnetic permanent; magnetizarea are loc n sensul cmpului magnetic
exterior i este puternic dependent de temperatur.
n ambele cazuri, diferena permeabilitii magnetice relative fa de unitate (a
susceptibilitii magnetice fa de zero) este foarte mic, proprietile acestor substane
manifestndu-se foarte slab.
7.1.2. Diamagnetismul
Diamagnetismul este caracteristic tuturor atomilor i ionilor dar, cu excepia
unor situaii speciale (cum este supraconductivitatea), nu influeneaz proprietile
solidelor. El este datorat induciei electromagnetice care se produce la scar atomic
(inducerea unor cureni elementari n nveliul electronic al atomilor, cureni care, prin
cmpul magnetic pe care l creeaz, se opun cmpului magnetic exterior).
Figura 7.1 Inducerea unor cureni elementari n nveliul electronic al atomilor
S considerm un electron n micarea sa n jurul nucleului. Acest lucru

echivaleaz cu un mic curent electric, ce creeaz un mic cmp magnetic (figura 7.1).
Interaciunea acestuia cu un cmp magnetic exterior determin o micare de precesie
(numit precesie Larmor, datorat tendinei de aliniere a momentului magnetic orbital,
corespunztor micrii electronului n jurul nucleului, cu direcia cmpului magnetic
101
exterior), constnd n rotaia momentului magnetic orbital n jurul unei axe avnd
direcia cmpului magnetic exterior. Aceast micare are loc cu pulsaia:
eB
L =
(7.7)
2m
unde e este sarcina electric elementar, m este masa electronului i B este inducia
magnetic a cmpului exterior.
Pentru un atom cu Z electroni, precesia Larmor echivaleaz cu un curent electric
(indus de cmpul magnetic exterior) de intensitate:
Ze 2 B
I = Ze L
(7.8)
2
4m
cruia i corespunde un moment magnetic:
Ze 2 B 2
pm = IS = I2 =

(7.9)
4m
n care 2 este aria proieciei orbitei electronului pe un plan perpendicular pe direcia
cmpului magnetic exterior, 2 fiind media ptratului razei acestei proiecii (figura
7.1).
Cum 2 = x2 + y2, r2 = x2 + y2 + z2, iar la o distribuie cu simetrie
2
sferic avem relaia: x2 = y2 = z2, rezult c 2 = r2, unde r2 este media
3
ptratului razei orbitei electronice.
Dac substana conine n atomi n unitatea de volum, magnetizarea este M =
M np
npm i m = 0 m , de unde:
H
B
nZe 2 2
m = 0
r
(7.10)
6m
Aceasta este formula Langevin, care explic n cadrul clasic diamagnetismul
(se observ valoarea negativ a susceptibilitii magnetice). Teoria cuantic confirm
rezultatele obinute de ctre Langevin dar, n plus, ea arat c exist i un diamagnetism
al electronilor liberi (datorat momentului magnetic de spin al electronilor liberi), numit
diamagnetism Landau, susceptibilitatea magnetic fiind dat n acest caz de o relaie
de forma:
e2k F
m =
(7.11)
12 2 m
7.1.3. Paramagnetismul
n paragraful precedent am vzut c fiecrei micri a unui electron n jurul
nucleului i corespunde un moment magnetic orbital, a crui precesie d natere
diamagnetismului. Se poate pune ntrebarea: de ce nu s-a luat n discuie contribuia
acestor momente la susceptibilitatea magnetic ci numai a celor asociate micrii de
precesie? Pentru a rspunde la aceast ntrebare, trebuie s se in seama de modul n
102
care momentele magnetice i de spin ale electronilor dintr-un atom interacioneaz i se

combin.
Vom face o scurt trecere n revist a problemelor legate de aceste aspecte ale
structurii electronice, la un nivel minim analizei pe care ne-o propunem.
Dup cum se tie, electronii din pturile electronice ale atomilor sunt
caracterizai de patru numere cuantice:
numrul cuantic principal, n, care cuantific energia electronului i care poate lua
valori toate numerele naturale: n = 1, 2, 3,...

numrul cuantic orbital, , care cuantific momentul cinetic orbital, m r v , i
care poate lua valorile ntregi: = 0, 1, 2,...(n-1), deci l are n valori
numrul cuantic magnetic, m, care cuantific proiecia momentului magnetic
orbital, asociat momentului cinetic orbital pe o direcie exterioar dat (de exemplu,
direcia cmpului magnetic exterior) i care poate lua 2 + 1 valori: m = 0, 1, 2,
3, , .
numrul cuantic de spin, s, care cuantific momentul magnetic de spin al
electronului i care poate avea doar dou valori: s = 1/2.
ntr-un atom, electronii vor ocupa stri n ordinea cresctoare a energiei i
respectnd principiul de excluziune al lui Pauli (ntr-un atom, nu pot exista doi electroni
cu aceleai valori ale celor patru numere cuantice).
Dac, pentru un n i un dai, toate strile n atom sunt ocupate cu electroni,
momentul magnetic de spin total este nul, deoarece exist electroni cu spin + 1/2 n
numr egal cu electronii cu spin 1/2. De asemenea, momentul magnetic orbital total
este nul, deoarece fiecrui electron ntr-o stare + m, i corespunde un electron ntr-o
stare m. Astfel de sisteme de electroni formeaz o aa-numit ptur complet.
Singurii electroni care pot contribui la momentul magnetic total al atomului sunt cei de
pe pturile incomplete.
Alinierea spinilor electronilor n atom i ntre atomi vecini este determinat de
interacia dintre acetia, numit interacie de schimb i care face ca, ntr-o ptur
incomplet, energia s fie minim cnd electronii se aliniaz cu spinii paraleli (evident,
cu respectarea principiului de excluziune al lui Pauli), ceea ce face ca momentul
magnetic de spin al unui astfel de ansamblu de electroni dint-o ptur incomplet s fie
diferit de zero.
La cristalele ionice nu se observ totui apariia efectelor paramagnetice,
deoarece electronii de pe stratul incomplet al unui tip de atomi sunt transferai celuilalt
tip de atomi, astfel nct toi ionii rezultai au pturi complete. Acelai lucru se ntmpl
la cristalele cu legturi covalente, deoarece energia interaciei de schimb ntre electroni
ai atomilor vecini este minim cnd momentele totale de spin ale acestor atomi vecini
se orienteaz antiparalel.
Rezult, deci, c paramagnetismul nu poate aprea dect la solide la care atomii
au pturi incomplete, altele dect cea ocupat de electronii de valen.
Sunt cinci astfel de categorii de substane:
grupa fierului, cu stratul 3d incomplet;
grupa paladiului, cu stratul 4d incomplet;
103
grupa lantanidelor, cu stratul 4f incomplet;

grupa platinei, cu stratul 5d incomplet;
grupa actinidelor, cu stratul 5f incomplet.
Aceste lucruri fiind stabilite, s vedem cum putem calcula momentul magnetic
total al unui atom dintr-o substan paramagnetic.
Momentul cinetic total al unui atom rezult din nsumarea vectorial a tuturor
momentelor cinetice orbitale i de spin ale electronilor si. Acest lucru se poate face n
dou feluri, n funcie de interaciunea dintre aceste momente:
n majoritatea atomilor i n special la cei uori se realizeaz cuplajul spin-orbit
(Russell-Saunders, L-S), cnd interacia dintre momentele individuale orbitale ale
electronilor, , unele cu altele i cea dintre momentele de spin, s , unele cu altele sunt
mai puternice dect interacia dintre momentul orbital i cel de spin al fiecrui
electron. Momentele orbitale se compun, dnd un moment cinetic orbital rezultant,
L i , acelai lucru ntmplndu-se i cu momentele cinetice de spin, rezultnd

i

S si . Momentul cinetic total al atomului este J L S . Electronii vor fi

i
caracterizai n acest caz de numrul cuantic intern, J, care poate lua valori variind
ntre L S i L + S n trepte egale cu unitatea.
n cazul strilor excitate ale atomilor grei se produce cuplajul j j, cnd interacia
dintre momentul cinetic orbital i cel de spin ale fiecrui electron este mai puternic
dect interacia dintre diferitele momente cinetice orbitale ale electronilor i, respectiv
diferitele momente cinetice de spin ale acestora. n acest caz, se compun i si ji ,
dup care J ji .
i
Acest al doilea tip de cuplaj fiind mai rar ntlnit, nu l vom discuta, referindune numai la cuplajul L S.
Completarea pturilor cu electroni se face respectnd anumite reguli care rezult
din consideraii cuantice pe care nu le vom aminti aici, limitndu-ne la precizarea
acestor reguli, cunoscute sub numele de regulile lui Hund:
- ntr-un strat electronic (n i dai), electronii se aranjeaz astfel nct, un numr ct
mai mare dintre ei s aib spinii paraleli.
- electronii aranjai dup regula anterioar au valori ale numrului cuantic magnetic,
m, astfel nct m este maxim.
- starea fundamental corespunde unui numr cuantic intern cu valoarea J = L S
pentru un strat electronic completat cu mai puin de jumtatea din electroni,
respectiv unui numr cuantic intern J = L + S, pentru un strat completat cu mai mult
de jumtate din electroni.
104
De exemplu, Fe, care are 6 electroni pe stratul 3d, va avea aceti electroni
aranjai astfel:
Atunci, S = s = 2 i L = m. Cum pe straturile de tip d numrul maxim de

electroni este 10, n acest caz stratul este umplut mai mult de jumtate i deci starea
fundamental este dat de J = L + S = 4.
Momentul magnetic total al atomului poate fi calculat dup relaia:
mJ = gB JJ 1
(7.12)
unde B este magnetonul Bohr-Procopiu
eh
B =
(7.13)
4m e
i g este factorul giromagnetic (factorul de despicare Land), a crui expresie este:
3 SS 1 LL 1
g=
(7.14)
2
2JJ 1
Dac atomul este introdus ntr-un cmp magnetic exterior de inducie B ,

momentul magnetic al atomului tinde s se alinieze cu cmpul exterior i, ca urmare a
acestei tendine, el execut o micare de precesie n jurul direciei lui B . Interaciunea

dintre momentul magnetic al atomului i cmpul magnetic exterior este caracterizat de
energia de interaciune:

Wm = m j B
(7.15)
Cum momentul magnetic total al atomului nu se poate orienta dect ntr-un
numr limitat, discret de direcii fa de o direcie exterioar, egal cu 2J + 1, componenta
paralel cu cmpul exterior, a momentului magnetic (conform relaiei 7.12) nu poate
lua dect valorile: mi = gBi, unde i = J, (J 1),..., (J 1), J, ceea ce nseamn c
energia de interaciune a momentului magnetic atomic cu cmpul exterior este i ea
cuantificat i poate lua doar valorile:
Wm = gBJB, gB(J 1)B,..., gB(J 1)B, gBJB
(7.16)
La echilibru termodinamic, numrul atomilor cu momentul magnetic de o
anumit orientare i avnd o anumit energie de interacie cu cmpul magnetic exterior
Wm
kT
este dat de distribuia Maxwell-Boltzmann: N = N0 e

. La temperaturi mari, numrul
atomilor din diferite stri tinde s devin egal, ceea ce nseamn c vor exista atomi cu
momentul magnetic orientat ntr-un anumit sens, n numr aproximativ egal cu atomii
cu momentul magnetic orientat n sens invers, motiv pentru care magnetizarea (i
susceptibilitatea magnetic) a substanei este foarte mic. La scderea temperaturii,
ns, un numr din ce n ce mai mare de atomi vor avea momentul magnetic orientat
paralel sau ct mai aproape de paralel cu cmpul magnetic exterior, ceea ce va duce la
105
creterea magnetizrii i a susceptibilitii magnetice, aceasta fiind comportarea tipic

a materialelor paramagnetice. S subliniem nc o dat c acest lucru este posibil numai
la materialele ai cror atomi posed un moment magnetic permanent.
Magnetizarea unei astfel de substane se calculeaz astfel (presupunnd c
momentele magnetice ale fiecrui atom sunt independente, neinteracionnd unul cu
altul):
J
N g Bie
M=
g BiB
kT
(7.17)
g BiB
kT
unde N este concentraia atomilor.

Pentru simplificare, vom considera c gBiB << kBT, lucru valabil la temperaturi
nu foarte mici, ntruct energia de interaciune a momentelor magnetice cu cmpul
magnetic exterior este foarte mic. Atunci, nlocuind gkTBiB = z, rezult:
J
Ng B izi 1
M=
izi 1
Ng B zJ J 12J 1
32J 1
adic:
M=
Ng 2 2B BJ J 1
(7.18)
3kT
M
Cum m = 0 , rezult:
B
2 2
Ng B J J 1 C
m = 0
(7.19)
3kT
T
Aceasta este legea Curie, descoperit de P. Curie n 1896. C se numete
constanta Curie. La aceast lege, se poate ajunge i pe cale clasic i este n bun
concordan cu rezultatele experimentale, inclusiv n ceea ce privete valoarea
constantei Curie. Trebuie s subliniem ns c pentru grupa de tranziie a fierului,
constanta Curie nu este cea din relaia (7.18), datorit faptului c aceste materiale au
momentul magnetic orbital al atomilor nul, caz n care, n formula respectiv numrul
cuantic intern, J, trebuie nlocuit cu numrul cuantic de spin i g are valoarea 2.
Susceptibilitatea paramagnetic a reelei la temperatura camerei, dat de legea
Curie, este de ordinul a 103 adic o valoare cu dou ordine de mrime mai mare dect
susceptibilitatea diamagnetic, ceea ce permite neglijarea susceptibilitii diamagnetice
n substanele paramagnetice.
n cazul metalelor se poate constata i un paramagnetism al electronilor liberi
(paramagnetism Pauli), asociat momentelor magnetice de spin ale acestora, care sunt
orientate complet aleatoriu dar, cnd substana este introdus ntr-un cmp magnetic
exterior, se vor orienta fie n sensul cmpului, fie n sens invers.
106
S considerm toi electronii liberi aflai n aceeai stare energetic i care pot
avea spin 1/2. Aflai ntr-un cmp magnetic exterior, energia lor este egal cu energia
cinetic la care se adaug energia de interaciune cu acest cmp:
= wm = BB
(7.20)
Numrul electronilor cu spin pozitiv i, respectiv, negativ va fi dat de dou
distribuii Fermi-Dirac distincte, care arat ca n figura 7.2. n lipsa cmpului magnetic
exterior, concentraiile de electroni cu spin pozitiv, respectiv negativ, sunt egale n+ = n
(n+ reprezint concentraia electronilor cu spin negativ).
Figura 7.2 Distribuia Fermi-Dirac a electronilor cu spin pozitiv, respectiv negativ ntr-un
metal
Cnd sistemul este introdus n cmpul magnetic exterior, nivelul energetic de

energie se despic n dou subniveluri, conform relaiei (7.19), acestea fiind deplasate
unul fa de altul cu valoarea energetic 2BB. Cum tendina oricrui sistem este de a
trece ntr-o stare de energie minim i n acest caz sistemul i va reduce energia prin
trecerea unora din electronii cu spin negativ (i energie + = + BB) n starea de
energie = BB, prin schimbarea semnului spinului. Acest lucru nseamn
creterea concentraiei electronilor cu spin pozitiv i scderea concentraiei celorlali.
Pe ansamblu, apare o magnetizare dat de relaia:
1
M = B(n n+) = B [f0() f0(+)]N()d =
2
0
f 0
N d 2B B N F
= 2B B
(7.21)
0
Aceast relaie ne arat existena paramagnetismului electronilor liberi. Factorul
1/2 apare n calculul de mai sus datorit faptului c distribuia a fost divizat n dou).
Susceptibilitatea paramagnetic a electronilor liberi va avea valoarea:
e2k F
m =
(7.22)
4 2 m e
107
Se poate observa c un ansamblu de electroni liberi are o susceptibilitate

pozitiv, deci se comport paramagnetic, ntruct susceptibilitatea diamagnetic Landau
este mai mic dect susceptibilitatea paramagnetic Pauli i:
e2k F
= m + L =
>0
(7.23)
6 2 m e
7.1.4. Feromagnetismul
Experimental, se constat existena unor substane la care magnetizarea este
diferit de zero, chiar atunci cnd cmpul exterior este nul. Dac se reprezint grafic
variaia magnetizrii n funcie de temperatur, din datele experimentale se obine o
variaie de felul celei din figura 7.3, n care se vede c, la temperaturi peste TC, numit
temperatura Curie, magnetizarea spontan dispare i materialul se comport ca un
paramagnet.
Figura 7.3 Variaia magnetizrii n funcie de temperatur la substanele feromagnetice
Aceste substane sunt substanele feromagnetice, comportarea lor fiind

datorat unei ordonri spontane a momentelor magnetice ale atomilor, ordonare
datorat, la rndul ei, interaciunii dintre aceste momente magnetice (interaciune pe
care am neglijat-o cnd am discutat despre paramagnetism). Dependena de temperatur
apare i ea fireasc, att timp ct agitaia termic se constituie ntr-un factor de
dezordine cu att mai puternic, cu ct temperatura este mai mare.
Pentru astfel de substane nu se poate aplica legea Curie, ntruct, ca s se obin
o valoare foarte mare a susceptibilitii, conform acestei legi, temperatura ar trebui s
fie sub 1 K ceea ce este contrazis de experien, care arat c, de exemplu, fierul se
comport feromagnetic pn la temperaturi de aproximativ 1000 K.
O prim explicaie a feromagnetismului a fost dat, sub o form clasic, de ctre
fizicianul P. Weiss, care a presupus existena unui cmp intern (molecular, Weiss),
care acioneaz asupra momentelor magnetice atomice, orientndu-le pe o direcie
preferenial, chiar n lipsa unui cmp magnetic exterior. Expresia acestui cmp este:
B N p m M
(7.24)
108
unde este o constant dependent de material.

Cum peste temperatura Curie substana devine paramagnetic, n acest caz i
putem aplica legea Curie cu corecia de a aduga cmpului magnetic exterior cmpul

Weiss, deci Btot B BW .
B
C
Din relaia (7.4) avem M m
i, nlocuind B cu B tot i m = , rezult:
0
T
0C
C B M
CB
M=
M=
, de unde m =
, adic:
T
0
T 0 C
0 T C
C
m =
(7.25)
T TC
unde
C
TC =
(7.26)
0
Relaia (7.25) este legea Curie-Weiss iar valoarea dat de relaia (7.26) pentru
temperatura Curie este n bun concordan cu cea obinut experimental.
Dup cum rezult din legea Curie-Weiss, n timp ce cmpul molecular tinde s
alinieze momentele magnetice ale atomilor din substan, agitaia termic tinde s
distrug aceast ordonare, ceea ce se ntmpl cnd ea este destul de puternic, adic
peste o temperatur TC, care separ faza ordonat, feromagnetic (la T < TC) de faza
dezordonat, paramagnetic (la T > TC).
Ceea ce nu explic teoria lui Weiss este natura acestui cmp molecular, care este
cauza comportrii feromagnetice a unor substane dintre care cele mai cunoscute sunt
fierul, cobaltul, nichelul i unele din aliajele acestora.
Problema care se pune este aceea de a explica tendina spinilor electronilor de a
se alinia paralel unii cu ceilali. Pentru aceasta, trebuie gsit interacia care face ca
aceast aliniere s fie avantajoas din punctul de vedere al energiei totale minime a
sistemului, care asigur stabilitatea acestuia. Teoria cuantic arat c interacia
responsabil de alinierea spinilor, caracteristic feromagneticilor, este aa-numita
interacie de schimb, care este o consecin a naturii cuantice a sistemului. Electronii
se supun statisticii Fermi-Dirac i, ca atare, pentru a avea spini paraleli, trebuie s aib
cel puin un alt numr cuantic diferit, ceea ce nseamn c ei nu pot fi att de apropiai
ca atunci cnd au spinii antiparaleli i cnd pot aparine aceleiai stri energetice. n
consecin, energia de interaciune coulombian este mai mic atunci cnd spinii
electronilor sunt paraleli, dect atunci cnd ei sunt antiparaleli. Diferena dintre energia
de interacie a electronilor cu spini paraleli, respectiv antiparaleli se numete energia
interaciei de schimb i este dat de o expresie de forma:
Wsch = 2Isch S1S 2

(7.27)
unde Isch este aa-numita integral de schimb, iar S1 i S 2 sunt momentele cinetice de
spin ale electronilor care interacioneaz.
Situaia de mai sus nu asigur ns automat alinierea paralel a spinilor, ntruct
scderea energiei de interaciune coulombian este nsoit de creterea, n mai mare
109
msur, n majoritatea cazurilor, a energiei cinetice. Numai n anumite cazuri energia

total se reduce, la orientarea paralel, fa de cea de la orientarea antiparalel. Acest
lucru se ntmpl cnd integrala de schimb este pozitiv.
Dac electronii aparin aceluiai atom, energia este minim cnd spinii lor sunt
paraleli (aa cum stabilete i una din regulile lui Hund), I > 0, dar dac electronii aparin
unor atomi diferii energia minim este, n majoritatea cazurilor, cea n care spinii sunt
antiparaleli (J < 0). Numai la substanele feromagnetice energia de interacie este
minim cnd spinii sunt paraleli, n acest fel putndu-se explica feromagnetismul.
Mrimea integralei de schimb depinde de gradul de suprapunere a funciilor de und
electronice ceea ce determin dificulti destul de mari n calculul propriu-zis al
integralei de schimb, n ale crui detalii nu vom intra.
ntr-un sistem de spini ordonai, ca cel din substanele feromagnetice,
perturbaiile dinamice se pot propaga din aproape n aproape, prin intermediul acestei
interaciuni de schimb, sub forma undelor de spin. Acestea constau n precesia spinilor
n jurul direciei unui cmp magnetic extern. Analog cu fononii, se asociaz acestor
unde o particul fictiv, numit magnon, cu mas de repaus nul i cu spin ntreg (acesta
este deci un boson).
n practic se constat c, totui, la majoritatea feromagneilor, cu excepia
magneilor naturali, sub temperatura Curie, magnetizarea spontan nu este prezent,
acetia trebuind s fie magnetizai prin plasarea ntr-un cmp magnetic extern pentru
a avea o magnetizare proprie, care poate fi distrus sub aciunea unor factori mecanici
(ocuri), sau termici. Aceast comportare a fost explicat de ctre Weiss pe baza
existenei domeniilor de magnetizare spontan, care sunt regiuni macroscopice,
prezentnd o magnetizare spontan, avnd orientarea diferit, de la un domeniu la altul.
Formarea lor este datorat faptului c energia unui astfel de sistem, mprit n mai multe
domenii, este mai mic dect dac sistemul ar prezenta un singur domeniu. Pentru a
nelege de ce se petrece acest lucru, s privim figura 7.4.
Figura 7.4 Formarea domeniilor magnetice
Dac ar exista un singur domeniu, energia sistemului ar fi mai mare ca urmare a

nmagazinrii unei energii n spaiul exterior magnetului (figura 7.4.a). Dac se
formeaz dou domenii cu magnetizare cu sens opus, (figura 7.4.b), energia magnetic
se njumtete (n general, la divizarea n n domenii, energia scade de n ori).
110
Reducerea practic la zero a energiei magnetice nmagazinate n spaiul exterior al probei

se face prin apariia unor domenii de nchidere (figura 7.4.d i e). Trecerea de la un
domeniu la altul nu se face printr-un salt brusc n orientarea momentelor magnetice ci
printr-o zon de trecere, n care are loc schimbarea treptat a direciilor acestor
momente, numit perete Bloch. Dimensiunea acestora se ntinde pe cteva distane
interatomice, dup cum se poate vedea n figura 7.5.
Figura 7.5 Perete Bloch
Existena pereilor Bloch ntre domenii limiteaz numrul acestora, ntruct

formarea lor necesit efectuarea unui lucru mecanic mpotriva forelor de schimb ceea
ce nseamn c, dac pe de o parte, energia sistemului scade odat cu formarea mai
multor domenii, pe de alt parte, se cheltuiete mai mult energie pentru formarea
pereilor Bloch. Se ajunge astfel la un anumit numr limitat de domenii, cnd sistemul
are energia minim.
Numrul de domenii este limitat i de alte dou cauze. Prima este existena la un
cristal a unei direcii de magnetizare uoar, care este o direcie n cristal de-a lungul
creia este mai uor ca materialul s fie magnetizat. Pentru Fe, aceasta este direcia [1
0 0] iar pentru Ni [1 1 1]. Asta nseamn c pentru a magnetiza cristalul pe direcia de
magnetizare uoar cu o anumit magnetizare, este necesar o energie mai mic dect
cea necesar pentru a magnetiza cristalul cu aceeai magnetizare, pe oricare alt
direcie. Din aceast cauz, domeniile care au magnetizarea pe alte direcii dect direcia
de magnetizare uoar vor necesita un surplus de energie la formarea lor (acest surplus
pe unitatea de volum se numete energie de anizotropie cristalin) ceea ce limiteaz
numrul domeniilor.
O alt cauz a limitrii numrului de domenii este fenomenul de
magnetostriciune*, care const n mica modificare (mrire sau micorare) a volumului
unui cristal atunci cnd el este magnetizat. Cum efectul magnetostrictiv (variaia
dimensiunii) este mai puternic pe direcia magnetizrii, este evident c aceste variaii
dimensionale ale domeniilor nu sunt egale, ceea ce duce la apariia unor tensiuni
mecanice i, deci, la creterea energiei cristalului, acest fapt fcnd ca numrul de
domenii s fie limitat i de acest factor.
Existena domeniilor de magnetizare spontan poate fi pus n eviden prin
intermediul microscopiei optice sau electronice (cnd este posibil i evidenierea
*
Fenomenul este folosit la producerea i recepia ultrasunetelor; exist i fenomenul magnetostrictiv

invers (efectul Villari), care const n magnetizarea cristalului cnd este supus unor deformri mecanice.
111
pereilor Bloch). Un fenomen simplu care permite punerea n eviden a deplasrii

pereilor Bloch la magnetizarea unui feromagnet este efectul Barkhausen, datorat
creterii magnetizrii feromagnetului n salturi atunci cnd cmpul magnetic exterior
crete continuu i uniform, ca urmare a orientrii brute a domeniilor de magnetizare
spontan pe direcia de magnetizare uoar. Acest efect poate observat foarte uor dac
primarului unui transformator cu miez feromagnetic i se aplic un curent electric
cresctor continuu. n secundarul acestuia se obine un curent cu variaii n salturi
brute, care poate fi observat fie direct pe un osciloscop, fie amplificat i aplicat unui
difuzor.
Dac se plaseaz un feromagnet ntr-un cmp magnetic cresctor de la zero pn
la o valoare maxim, se produce fenomenul de histerezis magnetic, pe care l putem
descrie i analiza pe baza curbei de histerezis din figura 7.6.
Figura 7.6 Ciclul de histerezis magnetic
Crescnd intensitatea cmpului magnetic exterior, se observ i creterea

magnetizrii i, dac H crete suficient de mult, magnetizarea atinge o valoare maxim
MS, numit magnetizare de saturaie. Procesul cuprinde mai multe etape, astfel: la
aplicarea unui cmp cu valori mici, pereii Bloch ncep s se deplaseze astfel nct s
creasc volumul domeniilor orientate favorabil (avnd o magnetizare cu direcia ct mai
apropiat de direcia de magnetizare uoar), pe seama scderii volumului domeniilor
orientate defavorabil. Acest proces este reversibil. La creterea n continuare a
intensitii cmpului exterior, ca urmare a faptului c, n deplasarea lor, pereii Bloch
trec peste diverse obstacole (defecte de structur) care sunt nsoite de prezena n acea
zon a unor bariere de potenial, procesul devine ireversibil i are drept urmare
eliminarea tuturor domeniilor orientate defavorabil, astfel nct rmn numai domeniile
a cror magnetizare are direcia de magnetizare uoar.
O ultim etap are loc la creterea i mai pronunat a intensitii cmpului
exterior, cnd se produce o rotaie a direciei de magnetizare a domeniilor, astfel nct
ea s fie ct mai apropiat de direcia cmpului exterior.
112
Evident, cele trei etape nu sunt clar delimitate, existnd zone unde unele din cele
trei procese descrise se suprapun. Saturaia se obine cnd toate momentele magnetice
elementare ale feromagnetului s-au aliniat dea lungul direciei cmpului exterior i orice
cretere a acestuia nu mai produce nici o schimbare n material. Curba rezultat,
reprezentnd creterea magnetizrii (sau a lui B) n funcie de creterea intensitii
cmpului magnetic exterior se numete curba de magnetizare iniial.
Dac acum intensitatea cmpului exterior ncepe s scad pn la zero, se
observ c magnetizarea scade dup o alt curb dect cea de magnetizare iniial, astfel
nct, cnd H devine nul, magnetizarea are nc o valoare pozitiv, Mr, numit
magnetizare remanent. Pentru a reduce magnetizarea la zero, trebuie aplicat un cmp
de orientare invers dect cea iniial, avnd intensitatea egal cu o valoare H C, numit
cmp coercitiv.
Crescnd n continuare intensitatea cu valori negative peste cea a cmpului
coercitiv, are loc magnetizarea substanei pn la saturaie, n sens invers magnetizrii
iniiale, i aa mai departe. La un ciclu complet de variaie a intensitii cmpului
magnetic exterior de la zero la Hmax, apoi din nou la zero i pn la Hmax i din nou la
zero i apoi la Hmax, se obine ciclul variaiei magnetizrii, numit ciclul de histerezis
magnetic.
Energia disipat pe un ciclu este egal cu:

Wh = B dH H dH
(7.28)
i este egal cu aria ciclului.
Analiza curbei de histerezis are o mare importan din punctul de vedere al
aplicaiilor practice. Astfel, pentru construirea magneilor permaneni, trebuie utilizate
materiale care au o magnetizare remanent mare, apropiat de cea de saturaie. Pentru
fabricarea tolelor de transformator trebuie s se utilizeze materiale feromagnetice al
cror ciclu de histerezis s aib o form foarte alungit de-a lungul axei magnetizrii,
ceea ce asigur un cmp coercitiv mic i aria ciclului mic, astfel ca pierderile energetice
n transformator s fie minime.
Pentru construirea memoriilor magnetice se folosesc materiale al cror ciclu de
histerezis are o form ct mai apropiat de cea dreptunghiular, pentru a avea o
delimitare clar ntre cele dou stri de magnetizare (magnetizare pozitiv - magnetizare
negativ), corespunztoare celor dou stri logice, 1 i 0 logic.
n sfrit, s amintim aici aplicaiile feromagneilor n construirea benzilor i
discurilor magnetice, materialele utilizate n acest caz trebuind s aib o magnetizare
remanent ridicat i stabil n timp iar variaia magnetizrii n funcie de intensitatea
cmpului magnetic exterior s fie ct mai apropiat de o variaie liniar.
7.1.5. Antiferomagnetismul i ferimagnetismul

Dac integrala de schimb este negativ (J < 0) cum se ntmpl de obicei,
interacia de schimb determin ntr-un sistem de momente magnetice o orientare
antiparalel a acestora, cum este reprezentat n figura 7.7, determinnd o ordonare
antiferomagnetic sau ferimagnetic.
113
Un astfel de sistem poate fi considerat ca fiind alctuit din dou subreele, fiecare
avnd o ordonare feromagnetic a momentelor magnetice. Dac momentele magnetice
ale acestor subreele sunt egale, avem de-a face cu un antiferomagnet, momentul
magnetic total al sistemului fiind nul.
Figura 7.7
Comportarea substanelor antiferomagnetice poate fi descris analog cu

descrierea comportrii celor feromagnetice. Astfel, aranjarea ordonat este datorat tot
unui cmp intern (molecular), doar c acesta are expresia:
(7.29)
B M
semnul negativ aprnd datorit valorii negative a integralei de schimb.
Refcnd calculele n maniera de la paragraful precedent, rezult c
susceptibilitatea magnetic a unui antiferomagnet variaz cu temperatura dup legea:
C
m =
(7.30)
T TN
care, se vede c este chiar legea Curie-Weiss, doar c n locul temperaturii Curie apare,
cu valoare pozitiv, temperatura Nel, dat de:
C
TN =
(7.31)
2 0
Acest lucru nseamn c la temperaturi peste temperatura Nel antiferomagnetul
respect legea Curie-Weiss.
Sub aceast temperatur, susceptibilitatea sa crete odat cu creterea
temperaturii (figura 7.8), materialul comportndu-se puternic anizotrop
(susceptibilitatea pe diferite direcii este diferit).
Deci, la temperaturi mici, antiferomagnetul are o aranjare ordonat a
momentelor magnetice elementare, aranjare care, odat cu creterea temperaturii se
stric, astfel nct, la aplicarea unui cmp magnetic exterior apare o magnetizare diferit
de zero, ca urmare a tendinei de aliniere a momentelor magnetice pe direcia acestuia.
Materialele feromagnetice standard sunt cromul, cu TN = 475 K i -Mn, cu TN
= 100 K. Alte materiale cu comportare antiferomagnetic sunt lantanidele; astfel, Ce,
Pr, Nd, Pm, Sm i Eu sunt antiferomagnei cu temperaturi Nel sub 100 K, Gd este un
feromagnet, n timp ce Tb, Dy, Ho, Er i Tm au o comportare complex, fiind
feromagnei la temperaturi mari i antiferomagnei la temperaturi sczute. De altfel,
114
aproape toate substanele paramagnetice devin antiferomagnetice la temperaturi foarte

sczute.
Figura 7.8 Variaia susceptibilitii magnetice a unui antiferomagnet cu temperatura
Dac momentele magnetice ale celor dou subreele sunt diferite, avem de-a face
cu un ferimagnet; momentele magnetice necompensndu-se total, rezultanta lor
determin un moment magnetic total spontan, ordonat pe domenii Weiss. Magnetizarea
se realizeaz n acest caz n cmp magnetic exterior ca la substanele feromagnetice,
prin deplasarea pereilor Bloch. Cel mai cunoscut material de acest tip este magnetitul
(Fe3O4). Ca urmare a faptului c substanele ferimagnetice sunt izolatori, combinat cu
permeabilitatea magnetic mare a acestora, acestea au o mare importan practic, ele
utilizndu-se ca miezuri la bobinele care lucreaz la frecvene mari i n construcia
memoriilor magnetice. Materialele utilizate n acest mod n practic sunt cunoscute sub
numele de ferite.
7.2. Aplicaii
7.1. Susceptibilitatea diamagnetic a cuprului este egal cu 8,8108. S se calculeze
distana medie e electronilor fat de nucleu n atomul de Cu.
7.2. n figura 7.9 este reprezentat curba experimental a magnetizrii iniiale a
fierului moale. Utiliznd acest grafic, s se construiasc graficul variaiei
permeabilitii magnetice, , n funcie de intensitatea cmpului magnetic, H. S se
determine valoarea maxim a permeabilitii magnetice i intensitatea cmpului
magnetic, corespunztoare acesteia.
115
Figura 7.9
7.3. Tabelul de mai jos prezint valorile coordonatelor punctelor unui ciclu de
histerezis maxim pentru un material feromagnetic. Sunt date coordonatele prii
ciclului situate n cadranele I i IV. Aceleai valori dar de semn opus sunt coordonatele
prii ciclului situate n cadranele II i III. Se utilizeaz acest material feromagnetic
drept miez al unui tor de raz r = 200 mm i de seciune transversal S = 300 mm2.
nfurarea torului este strbtut de un curent alternativ de frecven = 50 Hz i de
amplitudine astfel nct se observ magnetizarea la saturaie a feromagnetului de
fiecare dat cnd intensitatea curentului atinge maximul. S se calculeze cldura Q
degajat n miez n timpul = 1 min.
B
(T)
ramura inferioar a 0,23

ciclului
ramura superioar -0,23
a ciclului
H (A/m)
0
0,46 0,69 0,92 1,08 1,15 1,19 1,24 1,26

0
0,23 0,46 0,69 0,92 1,10 1,20 1,26
100
200
300
400
500
600
700
800
Indicaie: se construiete ciclul de histerezis pe hrtie milimetric.

7.4. S se estimeze contribuia paramagnetic la susceptibilitatea magnetic a
potasiului, pentru care energia Fermi este 2,1 eV.
7.5. S se calculeze susceptibilitatea magnetic la 300 K a unei sri care conine 1 g
de ioni Cr2+. Acetia au patru electroni pe stratul 3d (B = 1023 Am2 ).
7.6. Determinarea experimental a punctului Curie la materiale fero i ferimagnetice
116
1
f T , la temperaturi mult mai mari dect Tc,
m
aceasta este o linie dreapt; n vecintatea punctului Curie apar ns abateri de la
liniaritate (figura 7.10)
Dac se traseaz curba
Figura 7.10
Temperatura Curie se poate determina n mai multe moduri, dintre care cele mai
utilizate sunt:
reprezentarea grafic a magnetizrii de saturaie n funcie de temperatur - punctul
n care curba intersecteaz axa absciselor determin temperatura Curie;
msurarea susceptibilitii n funcie de temperatur i, din graficul de forma celui
din figura 7.10, se determin temperatura Curie;
trasarea ciclului de histerezis la diferite temperaturi; temperatura Curie este cea la
care ciclul dispare.
Un dispozitiv experimental folosit pentru determinarea punctului Curie la ferite
este cel prezentat n figura 7.11.
Figura 7.11 Dispozitiv experimental pentru determinarea experimental a punctului Curie la

materiale fero i ferimagnetice
117
El este alctuit dintr-un transformator, Tr, care are dou nfurri secundare
identice, S, legate n serie, dar avnd sensul de nfurare inversat. Semnalul din
circuitul secundar este amplificat de amplificatorul A i poate fi msurat cu voltmetrul
V. Primarul P este alimentat de la reeaua de 220 V prin intermediul unui
autotransformator, At. n mod obinuit, nfurrile secundare fiind legate n opoziie,
semnalul msurat este nul. Dac ntr-una din acestea se introduce o bar de ferit,
simetria lor dispare, echilibrul se stric i semnalul msurat este diferit de zero. n
interiorul acestei nfurri secundare se afl un cuptora, n care se introduce, de fapt,
bara de ferit. Cuptoraul poate fi nclzit i, odat cu el, bara de ferit; temperatura din
interiorul su poate fi msurat cu termometrul T. Pe msura creterii temperaturii,
permeabilitatea magnetic a feritei scade, semnalul msurat scznd i el; la atingerea
punctului Curie, acest semnal devine nul deoarece ferita devine paramagnetic,
pierzndu-i toate proprietile magnetice, permeabilitatea magnetic a sa devenind
practic egal cu cea a aerului din interiorul nfurrii n care a fost introdus.
Se conecteaz autotransformatorul la reea, cursorul fiind la zero, se regleaz
poziia cursorului astfel nct autotransformatorul s furnizeze o tensiune de maxim 120
V, care se aplic primarului transformatorului; aceeai tensiune se aplic i circuitului
de nclzire a cuptoraului. Se introduce bara de ferit n cuptora. ncepnd cu
temperaturi de aproximativ 60C, din 5 n 5C, se msoar simultan temperatura n
cuptora i tensiunea indicat de voltmetru, pn la 180 190C, cnd se ntrerupe
alimentarea de la reea; aceleai msurtori se fac i la rcire.
Datele obinute se trec n tabelul:
nr.det.
U(nclzire)
U(rcire)
t(C)
1.
2.
:
Se traseaz graficul U = U(t), att la nclzire, ct i la rcire, pe aceeai hrtie
milimetric. Se duc tangentele la fiecare curb n punctele de inflexiune i se prelungesc
pn la intersecia cu axa absciselor, determinndu-se valoarea temperaturilor
corespunztoare acestor puncte de intersecie. Temperatura Curie reprezint media
acestor dou temperaturi
1. De ce se face o medie a temperaturilor determinate la nclzire i la rcire ?
2. S se explice n detaliu de ce temperatura Curie este cea determinat din grafic.
7.7. Studiul ciclului de histerezis magnetic
Se urmrete trasarea ciclului de histerezis pentru o prob de ferit, care
constituie miezul magnetic al unui transformator. Bobina primar a acestuia este
alimentat n curent alternativ de maxim 300 mA. Schema montajului experimental,
care permite vizualizarea pe osciloscop a ciclului de histerezis, este prezentat n figura
7.12.
Cderea de tensiune de pe rezistena reglabil, Rp, montat n serie cu primarul
transformatorului, se aplic pe plcile de deflexie orizontal ale osciloscopului O.
118
Figura 7.12 Dispozitiv experimental pentru studiul ciclului de histerezis magnetic
Aceast tensiune este proporional cu cmpul magnetic creat n bobina primar

a transformatorului, care este dat de relaia:
N pi p N p
H
2I p sin t H 0 sin t
unde NP este numrul de spire din primar, este lungimea primarului, ip intensitatea
instantanee a curentului din primar, cu valoarea efectiv Ip i pulsaia .
Tensiunea indus n secundar este dat de expresia:
d s
dB
e
N sS
N sSH 0 cos t
dt
dt
unde NS este numrul de spire n secundar, permeabilitatea magnetic a miezului de
ferit al transformatorului i S aria seciunii transversale a miezului.
Pentru a obine ciclul de histerezis, B = f(H), sau M = f(H) pe osciloscop, pe
plcile de deflexie vertical ale acestuia trebuie aplicat un semnal proporional cu
inducia B. Cum tensiunea din secundar este proporional cu derivata induciei, este
necesar un circuit de integrare a acestei tensiuni, pentru ca apoi, acest semnal s fie
aplicat plcilor de deflexie vertical ale osciloscopului. n montaj se utilizeaz drept
circuit de integrare, un circuit RC, format din rezistena RS i condensatorul C, la
intrarea acestuia aplicndu-se tensiunea eS, la ieire obinndu-se tensiunea u, dat de:
t dq
t idt
u t
0 C
0 C
Curentul iS din secundar este dat de relaia:
119
is
es
es
R s2
Condiia ca circuitul s funcioneze ca integrator este ca uC << eS, ceea ce

implic:
1
R s2
2
C
e
n acest caz, is = s i u(t) devine:
R
NS
1 t
1
u t
es dt
N sSH 0 sin t s B
0
R sC
R sC
R sC
Se verific montajul i se alimenteaz prin intermediul unui transformator cu un
curent alternativ de 24 V. Se vizualizeaz curba diferenial, dB/dt =f(H) pe osciloscop,
prin neconectarea condensatorului n circuit sau prin reducerea valorii lui RS sub limita
de integrare i se reproduce pe hrtie milimetric.
Se vizualizeaz ciclul de histerezis i se reproduce pe hrtie milimetric cel mai
mare ciclu, din care se determin HC. Se variaz curentul din primar de la zero pn la
atingerea saturaiei, observndu-se variaia nlimii ciclului; se msoar i se noteaz
perechile de valori: curent din primar ( IP ) - nlimea ciclului (y).
Se reprezint grafic y = f(IP); aceasta reprezint curba de magnetizare iniial.
Din acest grafic, trasndu-se tangenta de pant minim i cea de pant maxim, se
determin tg1 i tg2, cu care se calculeaz permeabilitatea iniial i cea maxim a
feritei, cu relaiile:
R 2 C tg 1 2
1 2
N s N pS
Valorile mrimilor necesare n calcule sunt: C = 2,3 F, NP = 30 spire, NS = 100
spire, = 2,5 cm, S = 1 cm2. RS se msoar cu un ohmmetru.
Se vor analiza urmtoarele probleme:
1. Analiznd dispozitivul experimental i formulele de calcul, se identific sursele de
erori.
2. S se explice forma graficului dB/dt = f (H) i s se fac legtura cu curba de
histerezis.
120
8. METODE EXPERIMENTALE N STUDIUL

MAGNETISMULUI ATOMIC I AL REZONANEI
MAGNETICE NUCLEARE
8.1. Magnetismul atomic i al particulelor elementare
Proprietile magnetice ale materiei la scar macroscopic sunt strns legate de
magnetismul atomic i al particulelor elementare.
Comportarea particulelor elementare ne indic existena unor proprieti
magnetice care se pot exprima atribuind fiecrui tip de particul un moment magnetic
intrinsec. n cele ce urmeaz se ca presupune existena momentului magnetic propriu, a
crui valoare este caracteristic a fiecrei particule elementare.
Din punct de vedere istoric, momentul magnetic asociat particulelor elementare a
fost pus n eviden, pentru prima dat, la electron (experienele Stern-Gerlach), iar
ipoteza spinului electronic se datoreaz lui Goudsmit i Uhlenbeck (1925).
8.1.1. Momentul magnetic orbital

Proprietile magnetice ale electronilor din nveliul electronic al atomilor s-au
explicat cu ajutorul momentului magnetic orbital (Bohr-Procopiu) i al momentului
magnetic de spin.
Electronul n micarea sa n jurul nucleului poate fi asimilat cu un curent electric
circular (sau eliptic), care circul printr-o spir i care creeaz un moment magnetic
orbital :
= iS
(8.1)
unde i este intensitatea curentului format de electronul n micare i S este aria suprafeei
nchise de spira prin care circul curentul i.
n cazul micrii orbitale a electronului,
e
i=
(8.2)
T
unde e este sarcina electric elementar i T perioada micrii.
Aria suprafeei S este:
2
2
1
S = r d
(8.3)
20
unde r este raza traiectoriei electronului i este unghiul descris de aceasta la un
moment dat fa de o poziie iniial.
Conform condiiilor de cuantificare Bohr-Sommerfeld, momentul cinetic
orbital, P este:
d
P = mr2
= n
(8.4)
dt
unde n este numrul cuantic azimutal (n = 1, 2, 3, , n)
Din mecanica cuantic este tiut c:
121
P =
unde este numrul cuantic orbital, care poate lua valorile = 0, 1, 2, , (n 1).
(n este numrul cuantic principal).
Folosind relaia (8.4), rezult:
2
T
1
1 P
S = r 2d dt
20
20 m
De aici, se obine momentul magnetic orbital,
e P T eP
= iS =
(8.5)
T 2m 2m
Raportul momentelor magnetic orbital, i cinetic orbital, P se numete raport
giromagnetic i are expresia:
=
(8.6)
P 2m
Conform rezultatului dat de mecanica cuantic, se obine:
e
=
(8.5)
1 = 1
2m
Expresia:
eh
MB = =
(8.7)
4m
este magnetonul Bohr.
Magnetonul Bohr reprezint o unitate potrivit pentru exprimarea momentelor
magnetice atomice.
innd cont de semnul negativ al sarcinii electrice a electronului, din (8.6)
rezult c cele dou momente orbitale, cinetic i magnetic sunt antiparalele.
O tratare mai riguroas a celor expuse mai sus se poate obine n teoria cuantic.
Astfel, se obine c momentul magnetic orbital are expresia dat de (8.5), iar proiecia
acestuia pe o direcie oarecare Oz poate lua 2 + 1 valori:
()z = m
(8.8)
unde m = 0, 1, 2, , ( 1).
Din teoria cuantic se tie c nu se pot determina simultan momentul cinetic
total i proieciile sale pe cele trei axe de coordonate. Simultan, nu se pot cunoate dect
momentul total i proiecia sa pe o direcie dat, Oz, a crei alegere este arbitrar, ceea
ce nsemn c exist acelai numr de posibiliti de proiecie, (2 + 1) i aceleai valori
ale proieciei pentru orice direcie n spaiu. Se poate atunci adopta un mod de exprimare
sugestiv, bazat pe o imagine clasic.
Se poate afirma c momentele cinetic i magnetic se comport ca vectori care
execut o micare de precesie n jurul direciei privilegiate Oz. Fiind dat valoarea
momentului, se poate cunoate numai mrimea proieciei sale pe direcia considerat,
deoarece valoarea proieciei pe planul perpendicular al acestei direcie este, n medie,
nul.
122
8.1.2. Momentul magnetic de spin

Printr-o analogie cu micarea planetelor, s-a considerat c i electronii au o
micare de rotaie n jurul axei proprii (spin), creia i se asociaz un moment cinetic de
spin, s i un moment magnetic de spin, Ps. Se poate scrie:
Ps =
s s 1
unde s este numrul cuantic de spin i are, n cazul electronului, valoarea s =
1
.
2
Momentul magnetic asociat este:

s = s s s 1
(8.9)
iar proiecia sa pe o direcie privilegiat este:

(s)z = sms
(8.10)
1
unde ms reprezint numrul cuantic magnetic de spin, care poate lua valorile .
2
Din experiena Stern-Gerlach, rezult:
(s)z = 1 MB
(8.11)
1
ntr-adevr, ntruct = MB, rezult c: (s)z = sms = s = , de
2
e
unde se obine: s = 2 =
m
Deci:
(s)z = sms = 2ms = 2msMB
(8.12)
Introducnd factorii magnetici g = 1, gs = 2, rezult:
()z = gmMB i (s)z = gsmsMB
8.1.3. Momentele magnetice i structura pturilor electronice ale

atomilor
Completarea pturilor electronice ale atomului n cmpul central al nucleului se
supune urmtoarelor reguli:
1. Numrul Zn de electroni, care corespund aceluiai numr cuantic principal n, nu
poate depi valoarea:
Zn max
n 1
= 2 2 1 = 2n2
(8.13)
Se poate deci forma tabelul 8.1:

Tabel 8.1 Valoarea numrului Zn de electroni care corespund aceluiai numr
cuantic principal n
n
(Zn)max
1
2
2
8
3
18
4
32
5
50
6
72
123
2. Numrul Zn de electroni cu aceleai valori n i nu poate depi 2(2 + 1). Deci

(tabelul 8.2):
Tabel 8.2 - Valoarea numrului Zn de electroni cu aceleai valori ale lui n i
n/
1
2
3
4
5
6
7
0
2
2
2
2
2
2
2
6
6
6
6
6
6
10
10
10
10
10
14
14
14
14
18
18
18
22
22
26
Considernd valorile numrului cuantic J i ale momentului magnetic J, se

constat c J = 0 pentru pturile i orbitele complete, adic pentru cele la care Zn =
(Zn)max. Cu creterea numrului Zn de electroni, pentru orice valori ale lui n i , se pot
obine n starea fundamental a atomului urmtoarele posibiliti:
1
a. Zn (Zn)max cu J = Jmin = L S, unde L are valoarea minim posibil compatibil
2
cu orientarea paralel a tuturor momentelor de spin.
1
b. Zn = (Zn)max i J = S, unde S are valoarea maxim posibil.
2
1
c. Zn > (Zn)max i J = Jmax = L + S, unde L are valoarea ce corespunde configuraiei
2
1
cu un numr de electroni egal cu Zn (Zn)max.
2
Se vede c momentul magnetic n starea fundamental e determinat numai de
numrul electronilor de pe pturile incomplete. Astfel, variaia momentului magnetic
cu numrul atomic reflect procesul de completare treptat a pturilor electronice, de-a
lungul sistemului periodic. Se poate urmri, de exemplu, completarea pturilor
electronice n grupa de tranziie a fierului. Aplicnd regulile de mai sus, se obine o
bun concordan cu rezultatele experimentale. Structura electronic i termenul
fundamental cu valoarea maxim a proieciei momentului magnetic total (n MB) sunt
indicate n tabelul 8.3.
Un interes deosebit prezint structura electronic a elementelor din grupele de
tranziie, la care se completeaz treptat pturi interioare rmase necompletate. Pe lng
grupa fierului amintit mai sus, la care, la trecerea de la un element la urmtorul,
electronul suplimentar se aeaz, de regul, pe ptura 3d, se mai cunosc urmtoarele
grupe de elemente de tranziie:
1. Grupa paladiului Rb (37) Pd (46), la care se completeaz ptura 4d.
2. Grupa lantanidelor La (57) Yb (70), la care se completeaz ptura 4f. La Gd
(64) i Tb (65) un electron se plaseaz nu pe ptura 4f, ci pe 5d.
124
3. Grupa platinei Lu (71) Au (79). Se completeaz treptat ptura 5d.

4. Grupa protactiniului Pa (91). Se completeaz ptura 5f. La Pa, U, Np, Cm, Bk, un
electron se aeaz pe ptura 6d.
Elementele de tranziie i mai ales cele din grupa fierului joac un rol esenial n
apariia principalelor forme sub care se manifest magnetismul: para-, fero- i
antiferomagnetismul.
Tabel 8.3 Structura electronic i termenul fundamental cu valoarea maxim a
proieciei momentului magnetic total (n MB)
Z
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
Element 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s
K
Ca
Sc
Ti
V
Cr
Mn
Fe
Co
Ni
Cu
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
1
2
3
5
5
6
7
8
10
1
2
2
2
2
1
2
2
2
2
1
Electronii
care
determin
momentul
4s1
3d1
3d2
3d3
3d5 4s1
3d5
3d6
3d7
3d8
4s1
Simbolul
spectral
2
S1/2
S0
2
D3/2
3
F2
4
F3/2
7
S3
6
S5/2
5
D4
4
F9/2
3
F4
2
S1/2
1
gj
gjJ
2
0
4/5
2/3
2/5
2
2
3/2
4/3
5/4
2
1
0
1,2
4/3
0,6
6
5
6
6
5
1
8.1.4. Proprietile magnetice ale nucleului

Magnetismul nuclear prezint un mare interes att pentru studiul nucleului
atomic, ct i pentru fizica atomic, molecular i fizica solidului. Aici se manifest
interaciunea dintre magnetismul nucleului i cel al electronilor, care joac un rol
esenial n explicarea unui mare numr de efecte.
Ipoteza spinului nuclear a fost emis de ctre Pauli, care a ncercat cu ajutorul
ei s explice structura hiperfin a spectrelor.
Se tie c, n cmpuri magnetice exterioare puternice, fiecare linie a dubletului
D al sodiului apare despicat n dou linii foarte apropiate, ceea ce permite tragerea
concluziei c n atom exist niveluri de energie suplimentare, sursa lor fiind
interaciunea magnetic a electronilor cu nucleul. Aceste niveluri sunt grupate n jurul
nivelurilor calculate fr a lua n considerare acest efect, fiind separate energetic ntre
ele prin intervale egale cu energia de interaciune.
Prin analogie cu electronul, Pauli a presupus c nucleul are un spin, cruia i
corespunde un moment magnetic, egal cu un numr ntreg de magnetoni nucleari B,
unde:
125
B =
MB
e
4m p 1836,5
(8.14)
deoarece mp 1836,5me, mp fiind masa protonului i me cea a electronului.

Momentele nucleare sunt de circa trei ordine de mrime mai mici dect cele
electronice i, n consecin, energia de interaciune magnetic electroni-nucleu este i
ea mai mic dect energia de interaciune spin-orbit n aceeai proporie.
Din aceast cauz i intervalele dintre liniile spectrale ale structurii hiperfine
sunt de aproximativ 103 ori mai nguste dect cele care apar n cazul structurii fine, ceea
ce corespunde rezultatelor experimentale.
Astfel, n modelul vectorial al atomului, momentele cinetic de spin i magnetic
ale nucleului, au expresiile:
PI =
I I 1
I = I I I 1
unde I este numrul cuantic de spin nuclear iar
MB
I = gIB = gI
1836,5
(8.15)
(8.16)
(8.17)
8.1.5. Rezonana magnetic nuclear

Comportarea unei particule n cmp magnetic constant H se poate obine relativ
uor. Astfel, se arat c proiecia momentului orbital pe direcia cmpului magnetic se
rotete cu frecvena Larmor L. Aceeai component a spinului se rotete cu frecvena
dubl, 2L, unde:
eH
L =
(8.18)
2m
Considernd ecuaia de micare a unui moment magnetic nuclear ntr-un cmp
magnetic uniform H , ntr-un sistem de coordonate fix, ea are forma:
dPI
I H
(8.19)
dt
Fie un al doilea sistem de coordonate, care se rotete cu o vitez unghiular
n jurul direciei lui H . Ecuaia de micare fa de acest sistem devine:
dPI dPI
I PI
(8.20)
dt
dt
sau
dPI
I H I PI
(8.21)
dt
Cum I I PI , rezult:
dPI
I H I H
dt
I
126
(8.22)
unde
(8.23)
reprezint cmpul magnetic efectiv care acioneaz asupra momentului nuclear n

sistemul mobil.
Dac cmpul efectiv este nul, deci pentru
(8.24)
I H
cuplul se anuleaz, ceea ce nseamn c n sistemul mobil, caracterizat de relaia (8.24),
momentul nuclear este o integral a micrii:
P = ct.
(8.25)
Deci, n prezena unui cmp magnetic constant, H , momentul I execut o
H H
precesie n jurul lui H cu o frecven 0 = IH.

Considernd acum cazul n care, pe lng un cmp H constant n timp,
acioneaz i un cmp variabil periodic i tiind c orice cmp oscilant liniar polarizat
se poate reduce la dou cmpuri rotative suprapuse, cazul se poate analiza reducndu-l
la cel al unui cmp H orientat pe axa Oz suprapus cu un cmp H1 ce se rotete n jurul
axei Oz, ntr-un plan perpendicular pe aceasta, cu o frecven apropiat de valoarea
0 (figura 8.1).
z
O
Figura 8.1 Spin n cmpuri magnetice constant i variabil, suprapuse
Introducnd un sistem de coordonate care se rotete odat cu cmpul rotitor n

jurul direciei cmpului constant, cmpul efectiv are n acest sistem coordonatele:
(8.26)
H e z H ; H e x H1
I
deci:
127
He = H H12
I
(8.27)
i
tg =
H1
(8.28)
H
I
Momentul cinetic este constant ntr-un sistem care se rotete n jurul direciei
cmpului efectiv cu o frecven , astfel nct cmpul efectiv n acest sistem este nul,
adic:
He
=0
(8.29)
I
de unde
2
= I H H12
(8.30)
I
Rezult c sunt dou micri simultane ale momentului nuclear: o precesie n

jurul direciei cmpului He i o rotaie, odat cu cmpul, n jurul axei Oz, respectiv n
jurul direciei cmpului H .

Cmpul rotitor, H1 are deci tendina de a deprta momentul nuclear de axa Oz,
rsturnndu-l. Aceast tendin de rsturnare a spinului poate fi evaluat dup mrimea
componentei spinului pe axa Oz.
Vectorul I , n micarea sa de precesie, descrie o suprafa conic (figura 8.2).
1
Dac particula are spinul egal cu , componenta sa pe axa Oz poate fi scris sub forma:
2
1
1 1 1 1
cos P P
(8.31)
2
2 2 2 2
1
unde este unghiul dintre I i H , P probabilitatea ca spinul orientat iniial n
2
1
sens pozitiv s se rstoarne, orientndu-se antiparalel, iar P probabilitatea
2
situaiei inverse.
Cum cos = 1 2sin2 , din figura 1.2 rezult:

2
a
sin =
(8.32)
I
2
deoarece AOA este isoscel (s-a notat AH = AH = a).
128
A
H
a)
O
a
b)
Fig. 8. 1 Seciune principal n conul de precesie al vectorului I
Fie M centrul cercului descris de vrful lui I n micarea sa de precesie i r raza

cercului considerat. atunci:
t a
sin
(8.33)
2
r
i folosind relaiile precedente, rezult:
r
t
sin =
sin
(8.34)
I
2
2
Cum
r
sin =
(8.35)
I
se obine:
t
cos = 1 2sin2 = 1 2sin2sin2

(8.36)
2
2
Din (8.28), rezult c la rezonan, cnd = IH i = IH1, tg , ceea ce
nseamn c =
i sin = 1; n acest caz, relaia (8.36) devine:
2
t
cos = 1 2sin2
(8.36)
2
sau
Ht
cos = 1 2sin2 I 1
(8.36)
2
Rezult c la momentul
t=
(8.37)
I H1
cos = 1, adic momentul I este orientat n sens invers sensului cmpului.
Revenind la relaia (8.31), pentru spin 1/2, innd cont de condiia de normare a
probabilitii:
129
1
1
P + P = 1
(8.38)
2
2
rezult:
t
1
P = sin2sin2
(8.39)
2
2
La rezonan, cnd = IH i sin = 1,
Ht
t
1
P = sin2
= sin2 I 1
(8.40)
2
2
2
ntruct = He = IH1.
Momentul de timp pentru care probabilitatea de rsturnare devine maxim este:
1
t=
, cnd P = 1.
I H1
2
n cmpuri magnetice de circa 1 T, frecvena de rezonan pentru nucleu este de
ordinul a 10 MHz. Mecanismul descris mai sus st la baza fenomenului de rezonan
magnetic nuclear (RMN).
8.2. Metode experimentale

Principalul obiectiv n studiul magnetismului atomic const n determinarea
momentelor magnetice nucleare. Pentru aceasta, din datele experimentale trebuie
determinat numrul cuantic al spinului nuclear I i raportul I, respectiv factorul
giromagnetic gI.
Majoritatea metodelor utilizate permit determinarea fie a uneia, fie a celeilalte
dintre cele dou mrimi indicate mai sus, i numai uneori a ambelor simultan.
Metodele de msurare a momentului nuclear se clasific astfel:
I. Metode bazate pe orientarea i devierea n cmp magnetic a fasciculelor atomice
sau moleculare
II. Metode de spectroscopie optic
III. Metode de rezonan cu fascicule atomice sau moleculare
IV. Metode de rezonan cu substane n diferite stri de agregare
Ultimele dou metode sunt radiospectroscopice.
8.2.1. Metode bazate pe orientarea i devierea n cmp magnetic a

fasciculelor atomice sau moleculare
Metoda devierii fasciculelor moleculare n cmpuri magnetice neomogene,
constante n timp
Aceast metod se bazeaz pe cunoscuta experien a lui Stern i Gerlach, dar n
prezent are un interes mai mult istoric. Pe aceast cale s-a artat, pentru prima dat pe
fascicule moleculare de hidrogen, c momentul protonului este de circa 2,5B, fa de
1B, ct era de ateptat.
n principiu, metoda const n aceea c un fascicul molecular ngust, ndreptat
dup axa Oz, se afl sub aciunea unui cmp magnetic neomogen, dirijat n lungul lui
1.
130
Ox i avnd un gradient dup aceast direcie (figura 8.3). Ca urmare a cuantificrii n

spaiu, fasciculul se mparte n mai multe subfascicule, deviate diferit de cmpul
magnetic neomogen i care, dup ieirea din cmp, sunt nregistrate de un detector. Din
numrul de subfascicule se determin valoarea numrului cuantic F, iar mrimea
devierii d n planul de detecie este dat de
1 cos v x , H H 2
d=
( + 2)
(8.41)
4
Ec
x
n care este distana strbtut de fascicul n cmpul H, distana dintre detector i
electromagnei i Ec energia cinetic a particulei.
C
O
B
O
B
b
L
H
z
y
x
Fig. 8.3 Schema de principiu a experienei Stern-Gerlach: A surs, B, B polii

electromagnetului, b fante, C plan de detecie
Evident, pentru a obine o deviaie d ct mai mare este necesar s mrim gradientul
H
cmpului
. n acest scop, se alege o form special pentru polii electromagnetului.
x
ntruct momentul nuclear este de circa 1000 de ori mai mic dect magnetonul
Bohr, nu se pot obine rezultate cantitative dect n cazul n care momentul magnetic al
pturilor electromagnetice ale atomului sau moleculei este nul. Aducnd metodei o serie
de mbuntiri i lucrnd cu precauii speciale, s-au putut face determinri ale
momentului magnetic al protonului cu o eroare n jurul a 10%.
O lips esenial a metodei este aceea c devierea d, proporional cu produsul
H
dintre proiecia momentului nuclear i gradientul cmpului
, are valori foarte mici,
x
fiind de circa 1000 de ori mai mic dect n cazul momentelor magnetice electronice.
De asemenea, metoda nu permite determinri n cazul atomilor i moleculelor, care au
un moment electronic suficient de mare fa de momentul nuclear.
2.
Metoda cmpurilor slabe
131
Aceast metod, propus de Breit i Rabi, permite determinarea momentului

cinetic nuclear, nu i a celui magnetic. Ea se bazeaz pe faptul c, n cmpuri magnetice
slabe, cuplajul pturi electronice-nucleu se pstreaz i, n limbajul modelului vectorial,
atomul preceseaz, ca un ntreg, n jurul direciei cmpului H. Proiecia momentului
total al atomului pe direcia lui H poate lua 2F + 1 valori. n cmpuri intense, cuplajul
se rupe i, n prim aproximaie, proiecia momentului poate lua 2J + 1 valori. Deci, n
cmp slab, fasciculul se va despic n 2F + 1 componente, acest numr fiind o funcie
de J, cunoscut, i de I, care urmeaz a fi determinat.
Avantajul metodei const n aceea c fora de deviere n cmp magnetic este
proporional cu momentul total (nu cu cel nuclear) i deci suficient de mare. Pentru a
asigura o separare ct mai bun a componentelor se pot folosi trei ci:
H
a) Creterea gradientului
pentru valoarea dat a lui H.
x
b) Creterea drumului particulei n cmp () i n afara lui ().
c) Monocromatizarea vitezelor particulelor care alctuiesc fasciculul, ceea
ce duce la creterea contrastului.
Dispozitivul folosit const dintr-un cuptor S, care servete la obinerea vaporilor
substanei studiate, un sistem de fante prin care trece fasciculul molecular i care
determin forma fasciculului ngust, un spaiu A, n care acioneaz un cmp magnetic
intens HA, avnd gradientul perpendicular pe fascicul, o diafragm mobil i dispus
excentric, care monocromatizeaz fasciculul lrgit n cmpul HA, selectnd moleculele
ale cror viteze difer ntre ele cu circa 10%, o regiune B, n care acioneaz un cmp
slab H, cu gradientul perpendicular pe fascicul i pe gradientul lui HA i n care
fasciculul monocromatizat se desface n 2F + 1 componente, o regiune C, n care
acioneaz un cmp intens, cu gradientul orientat la fel ca n B i care accentueaz
separarea fasciculului i un dispozitiv de detectare, care permite s se nregistreze circa
20 de puncte experimentale pe o lrgime a fasciculului de 1 mm. ntregul sistem este
nchis ntr-o incint n care se creeaz un vid foarte naintat.
Experiena arat c exist o valoare optim a cmpului magnetic, pentru care
mprtierea componentelor apare cu maxim claritate. Pentru cmpuri mai mici,
maximele se acoper parial, reciproc, iar pentru cmpuri mai mari ncepe domeniul
cmpurilor intense.
3.
Metoda momentelor nule
Mai corect, metoda ar trebui numit metoda proieciilor nule ale momentelor.
Ea se bazeaz pe faptul c, n cazul cmpurilor intermediare, pentru anumite valori ale
cmpului magnetic, caracteristice atomului studiat (deci pentru I dat), se obin valori
nule ale proieciei momentului total pe direcia cmpului (dup cum rezult din calculul
cuanto-mecanic al lui Breit i Rabi). Cum atomii pentru care proiecia momentului este
nul nu sunt deviai n cmpul neuniform, rezult c, pentru valori ale cmpului H, vor
aprea n fasciculul molecular componente nedeviate.
gM H
n tabelul 8.4 se indic valorile expresiei x = J B (n care h0 reprezint
h 0
diferena de energie dintre strile caracterizate prin F1 = I + i F2 = I ) pentru care
132
apar componente cu proiecii nule, n funcie de diferitele valori ale numrului cuantic
I.
Tabel 8.4 - Valorile lui x pentru care apar componente cu proiecii nule, n funcie de
diferitele valori ale numrului cuantic I
I 1/2 2/2 3/2 4/2 5/2
6/2
7/2
0 0,333 0,5 0,6 0,667 0,714 0,75
0 0,2 0,333 0,429 0,50
x
0
0,143 0,25
0
8/2
0,777
0,555
0,333
0,111
9/2
0,8
0,6
0,4
0,2
0
Rabi a propus ca n loc s se numere componentele fasciculului, ca n metoda

cmpurilor slabe, s se urmreasc apariia componentelor cu proiecie nul pentru
diferite valori ale cmpului H.
Este de subliniat faptul c, ntruct x = 0 corespunde cmpului H = 0, pentru care
fasciculul nu se descompune n componente, acest caz nu se folosete experimental.
Calculul mrimii x necesit cunoaterea valorilor gJ i 0.
ns, innd seama de faptul c oricrui I i corespunde o valoare Hmax (deci i un
xmax) pentru care apare ultima component, cu proiecia nul, se poate exprima orice
valoare a cmpului n uniti Hmax.
n tabelul 8.5 sunt date mrimile raportului dintre H i Hmax pentru diferite valori
ale lui I.
Tabel 8.5 - Mrimea raportului H/Hmax pentru diferite valori ale lui I
I
H/Hmax
2/2 3/2 4/2

5/2
6/2
7/2
8/2
9/2
0 1,0 1,0 1,000 1,000 1,00 1,000 1,000 1000
0 0,333 0,500 0,60 0,667 0,714 0,75
0
0,20 0,333 0,428 0,50
0
0,143 0,25
0
Marele avantaj al metodei descrise mai sus fa de metoda cmpurilor slabe const
n aceea c, nu mai este necesar monocromatizarea vitezei particulelor, ceea duce la o
puternic cretere a intensitii fasciculului.
Necesitatea de a cunoate exact valoarea cmpului i a gradientului a fcut ca
electromagneii s fie nlocuii cu evi de cupru, strbtute de curent i rcite cu ap.
Calculul conduce la:
2a
H = 2i
(8.42)
r1r2
i
133
H
2a
= 2I 3 3 r12 r22 y
(8.43)
r1 r2
y
unde i este intensitatea curentului ce strbate eava i a este raza interioar a evii.
Dificultatea esenial n interpretarea datelor experimentale const n aceea c, de
obicei, avem un amestec de izotopi ai aceluiai element, care deseori, prezint momente
nucleare diferite, astfel nct rezultatul final apare ca o suprapunere a diferitelor
tablouri, corespunznd izotopilor coninui n diferite concentraii.
Ca exemplu se poate da cazul simplu al atomului de Cs, lipsit de izotopi. Iniial,
se determin Hmax, apoi, scznd intensitatea cmpului, se determin celelalte valori ale
lui H pentru care proieciile momentului magnetic atomic se anuleaz. Se obine o curb
din care se pot obine rezultate precum cele prezentate n tabelul 8.6.
Tabel 8.6 - Date experimentale obinute n patru serii de experiene

Experiena Seria I Seria II Seria III Seria IV
0,347 0,342
0,360
0,351
H/Hmax
0,664 0,664
0,683
0,667
1,000 1,000
0,000
1,000
Comparnd aceste rezultate cu tabelul 5, se vede c, la Cs, I =
7
.
2
8.2.2. Metode de spectroscopie optic

Aceste metode se bazeaz, n esen, pe studiul structurii hiperfine a spectrelor i
al efectului Zeeman nuclear. Fr a intra n amnunte tehnice de spectroscopie
experimental, se amintete faptul c, ntruct intervalele ntre componentele structurii
hiperfine (n scara 1/, unde este lungimea de und) se afl cuprinse n domeniul
0,001 0,01 cm1, este necesar ca spectrograful s prezinte o mare putere de rezoluie,
iar sursa de lumin s fie bine controlabil.
Numrul cuantic I poate fi bine determinat din urmtoarele date experimentale:
1) numrul componentelor structurii de multiplet hiperfine;
2) raportul intervalelor dintre componentele multipleilor, folosind regula
intervalelor;
3) raportul intensitilor diferitelor componente ale multipleilor;
4) numrul componentelor n care se separ o linie a structurii hiperfine n cmpul
magnetic (efect Zeeman);
5) curbele intensitii luminii + sau n metoda pompajului optic.
Factorul giromagnetic gI se determin msurnd intervalele dintre componentele
multipletului ce apare din linia dat n cmp magnetic.
Deoarece intervalele dintre liniile multipleilor structurii hiperfine sunt foarte
mici, este evident c metodele de spectroscopie optic permit determinarea cu o precizie
mult mai mare a numrului I dect a factorului gI. Din aceast cauz, aceste metode
134
servesc, n special, la determinarea numrului cuantic nuclear I, respectiv a momentului

cinetic nuclear PI.
8.2.3. Metode de rezonan cu fascicule atomice sau moleculare

Metoda, elaborat de Rabi i colaboratorii si, folosete efectul de magnetorezonan, pentru determinarea momentului magnetic nuclear i a semnului factorului
giromagnetic.
Dispozitivul experimental utilizat este reprezentat schematic n figura 8.4. O este
sursa fasciculului molecular; de obicei, se realizeaz dintr-un fir metalic (de exemplu
din wolfram), pe care se zidete un coule din material refractar. Substana de studiat
se introduce n coule i poate fi vaporizat, printr-o alegere convenabil a curentului
electric din fir. Alteori, materialul de cercetat se depune direct pe firul metalic. Fineea
fasciculului astfel obinut poate fi reglat cu ajutorul unor diafragme.
A
Hi
S
z
D
y
x
Fig. 8.4 Schema dispozitivului experimental n metoda Rabi: O sursa fasciculului

molecular, A, B, C electromagnei, Hi bucl metalic ce creeaz cmpul oscilant; D
detector
Un sistem de fante suficient de largi ngrdete spaiul n care se afl cuptoraul

i unde este un vid nesatisfctor, astfel nct restul incintei poate fi bine vidat,
obinndu-se presiuni n jurul a 105 torr. Electromagneii A, B, C creeaz cmpuri
H A
H B
magnetice avnd aceeai polaritate, dar cu gradienii
i
de semne contrare,
z
z
iar cmpul HC este perfect uniform i constant n timp. Electromagneii A i B se
construiesc din evi de oel moale, tiate dup o generatoare i bobinate cu evi de cupru,
care se rcesc cu ap, intensitile curenilor fiind de sute de amperi. Configuraia
ntrefierului electromagneilor se realizeaz astfel ca gradientul cmpului s fie bine
cunoscut; se obine un cmp cu aceeai topografie ca a celui creat de doi cureni paraleli
135
i de sens opus. Pentru cmpuri de circa 1 T i un ntrefier de 1 mm se obine un gradient

H
= 5 T/cm.
z
Electromagnetul C se realizeaz cu poli plan paraleli urmrindu-se obinerea unui
cmp ct mai omogen.
Cmpul oscilant este creat cu ajutorul unei bucle metalice R, legat la un generator
de semnale de nalt frecven i situat ntre polii plani ai electromagnetului C, astfel
nct cmpul oscilant s fie perpendicular att pe direcia lui HC, ct i pe fasciculul
molecular nedeviat.
Sistemul de detecie D este fix, fiind aezat pe axul dispozitivului, astfel nct
nregistreaz intensitatea fasciculului nedeviat.
Particulele din fasciculul molecular traverseaz dou cmpuri magnetice A i B,
neomogene, dar constante n timp. Lungimea traiectoriei particulelor n aceste cmpuri,
intensitatea i gradienii cmpurilor sunt alese astfel nct devierea produs de HA este
compensat de cea produs de HB: dA = dB.
ns dac n spaiul dintre A i B o parte din particule este supus reorientrii,
suferind o rsturnare a momentului magnetic ca urmare a aciunii suprapuse a
cmpurilor HC i HR, nu vom mai avea compensaie, cci particulele reorientate vor fi
deviate i mai mult de cmpul HB i, n concluzie, intensitatea J a fasciculului,
nregistrat de sistemul de detecie, va scdea. n funcie de intensitatea cmpului
produs de electromagnetul C, se obine o curb de variaie a intensitii detectate avnd
un minim. Conform teoriei, frecvena de rezonan este:
H C
0 =
(8.44)
2
Evident c, dac sunt posibile mai multe frecvene Larmor, se vor gsi mai multe
minime.
Astfel, metoda lui Rabi permite determinarea factorului din frecvena de
rezonan 0. Marele avantaj al metodei const n aceea c ea nu necesit
monocromatizarea fasciculului dup viteze, relaia dA = dB fiind independent de
viteza particulei.
Dup cum s-a mai amintit, metoda de fa permite i determinarea semnului
factorului giromagnetic, datorit formei speciale a buclei R, care introduce un efect
suplimentar, numit efect de capt. ntr-adevr, la capetele buclei, direcia cmpului
oscilant nu mai este perpendicular pe fascicul, ci devine aproximativ paralel cu el.
Astfel, cmpul i schimb direcia ntr-o regiune nu prea mare a spaiului strbtut de
fascicul. Efectul este echivalent cu prezena unui cmp rotativ, avnd o frecven
egal cu inversul timpului necesar parcurgerii de ctre particul a dublului distanei
dintre capetele buclei:
1
v
=
=
(8.45)
2t
2
v fiind viteza particulei, iar lungimea traiectoriei ntre capetele buclei.
Descompunnd cmpul oscilant fundamental n dou cmpuri rotitoare n
sensuri opuse, cu aceeai frecven , se gsete pentru cmpul rotitor efectiv la capetele
136
buclei frecvena rezultant . Ca urmare a acestui fapt, alturi de efectul

fundamental de rezonan la = 0, se observ i un minim suplimentar pentru = 0
sau = 0 + , n funcie de sensul precesiei Larmor. Dac se obine rezonan la
= 0 , nseamn c sensul de variaie al frecvenei de capt coincide cu sensul de
rotaie n precesia Larmor. n cazul rezonanei, pentru = 0 + sensul de rotaie al
cmpului suplimentar este opus sensului de rotaie al precesiei Larmor. Aadar,
cunoscnd sensul lui H C i geometria sistemului, se determin semnul lui , tiind c
L = H C . Probabilitatea de rsturnare a spinului nuclear pentru = 0 va fi

mai mic dect pentru = 0, ntruct particula se afl un timp mai scurt sub aciunea
capetelor buclei dect sub aciunea poriunii orizontale a buclei. De aceea, minimul
suplimentar este deseori practic acoperit de cel fundamental, aa c experimental
semnul lui se determin din asimetria curbei de dependen a intensitii fasciculului
n centru n funcie de frecvena a generatorului, pstrnd HC constant, sau n funcie
de cmpul HC, pstrnd constant (ultima posibilitate se prefer n practic, ntruct
modificarea frecvenei generatorului n limite largi este foarte dificil). De asemenea,
n determinrile experimentale se schimb i sensul cmpului H C , schimbndu-se astfel
sensul precesiei Larmor, ceea ce duce la modificarea asimetriei curbei i elimin erorile
la interpretarea rezultatelor.
8.2.4. Metode de rezonan pentru substane n diferite stri de

agregare
1.
Metoda rezonanei magnetice nucleare n gaze, lichide i solide
Principiul metodei const n urmtoarele: proba este introdus ntr-un cmp

magnetic puternic H; proieciile posibile ale momentelor nucleare dup direcia H sunt
caracterizate prin seria valorilor mI, mI, mI, iar tranziiile cuantice dintr-o stare n
alta corespund frecvenelor
H
= I mI
(8.46)
2
unde mI = 1.
Dup cum s-a mai artat, aceste tranziii sunt situate n domeniul radiofrecvenelor
(pentru cmpuri H = 0,1 1 T, se obine ~ 106 107 s 1). Problema revine la studiul
absorbiei selective de ctre nucleele atomice a frecvenelor corespunztoare . Pentru
a obine rezultate corecte, cmpul H trebuie s fie suficient de puternic ca s rup
cuplajul spinului nuclear cu pturile electronice exterioare (cuplajul I J).
Un exemplu de dispozitiv experimental este montajul folosit de Arnold i Roberts
(figura 8.5).
137
Partea esenial a montajului o constituie o punte de radiofrecven alimentat de

un generator de semnale standard. ntr-una din ramurile punii este situat proba, ca
miez al bobinei k; sistemul bobin + prob este aezat, la rndul su, ntre polii unui
electromagnet care creeaz un cmp magnetic H foarte uniform. La nceput, ambele
ramuri ale punii se echilibreaz n faz i n amplitudine. Semnalul, trecnd prin cele
dou ramuri, ajunge la sistemele de amplificare i, de aici, la receptor. Cnd proba,
situat n bobina K, se gsete la rezonan, unda este puternic amortizat n ramura
respectiv a punii i echilibrul se stric. Pentru a mri sensibilitatea dispozitivului se
aplic urmtoarea schem: electromagnetului care creeaz cmpul H i se ataeaz o
mic bobin suplimentar, alimentat de un generator special de 30 Hz, de la care se
aplic tensiune i pe plcile de deflexie orizontal ale oscilografului catodic, n timp ce
plcile de deflexie vertical sunt legate la receptorul amintit mai sus. La rezonan va
aprea pe ecranul oscilografului o band luminoas. Dup apariia ei, cmpul de 30 Hz
este slbit, iar banda este adus n mijlocul ecranului. Eliminarea final a acestui cmp
nu va modifica cmpul H, care acioneaz asupra probei.
A
2
4
K
5
8
Fig. 8.5 Schema dispozitivului experimental al metodei Arnold i Roberts: 1 generator de

semnale standard; 2 amplificator; 3 sistem de recepie; 4 bobin suplimentar; 5
electromagnet; 6 prob; K bobin; 7 osciloscop; 8, 9 generatoare sinusoidale de 30 Hz
n cazul deuteriului (H2 sau D), s-a gsit frecvena de rezonan , care
corespunde, probabil, tranziiei mI = 1 mI = 0, iar n cazul hidrogenului (H1) frecvena
1
1
, corespunznd tranziiei mI =
mI = . Dar, cum pentru deuteriu
2
2
D = D(mI)D = D
138
iar pentru proton

p = p(mI)p =
1
p
2
rezult c
'
1
= D = D.
2 p
"
p
Experienele efectuate conduc la
'
= 0,153512 0,00001,
"
de unde
D
= 0,307023 0,00002,
p
ceea ce corespunde, pentru p = 2,7896 B, valorii
D = (0,85647 0,003)B.
n mod analog s-a gsit pentru tritiu (T sau H3)
T
= 1,06666 0,00010.
p
2.
Metoda inductiv de determinare a rezonanei nucleare
Propus i prelucrat de Bloch i colaboratorii si, metoda const n msurarea
tensiunii electromotoare induse n bobina de detecie de spinii nucleari care preceseaz
sub aciunea simultan a unui cmp magnetic constant H (presupus dirijat dup axa Oz)
i a unui cmp oscilant perpendicular pe primul, de forma;
Hx = 2Hcos t
Proba de studiat se introduce ca miez al bobinei de detecie, aezat cu axa dup
direcia Oy. Atunci, fluxul magnetic care strbate bobina este dat de relaia:
= nSMy
(8.47)
n care n este numrul de spire al bobinei, S este suprafaa fiecrei spire, este
coeficientul de acoperire, care indic partea din suprafaa bobinei ocupat efectiv de
sistemul de spini i My este componenta magnetizrii probei pe axa bobinei.
Dar, ntruct
2H cos t 2H1 sin t 0 T2
1
My = 00T2 1
(8.48)
2
2
1 T22 0 2 H12T1T2
unde T1 i T2 sunt timpii de relaxare spin-reea, respectiv spin-spin, se gsete pentru

tensiunea electromotoare indus expresia:
H sin t H1 cos t 0 T2
V=
= nS00T2 1
(8.49)
2
2
2 2
t
1 T2 0 H1 T1T2
Expresia (8.49) poate fi pus sub forma:

V = 2nSH1(cos t + sin t)
(8.50)
139
din care se vede c prima component (de dispersie) a lui V este n faz cu cmpul
oscilant, iar cea de-a doua component (de absorbie) este n ntrziere de faz cu .
2
La rezonan, deci pentru = 0, se obine:
V = 2nSH10 maxsin t
(8.51)
Acordnd sistemul de detecie pentru recepionarea componentei de absorbie,
amplitudinea V0 a tensiunii electromotoare din bobina detectoare este:
V0 = 2nSH1max
(8.52)
n cazul cnd se studiaz componenta de dispersie, se obine:
V0 = 2nSH1
(8.53)
La rezonan,
rez = 0
(8.54)
iar
rez = max
(8.55)
Deoarece tensiunea electromotoare V se obine nemijlocit prin inducie
electromagnetic, ca urmare a precesiei vectorului rezultant al momentelor magnetice
nucleare, Bloch a numit acest fenomen inducie nuclear.
Sensibilitatea metodei este foarte mare. ntr-adevr, Bloch a reuit s detecteze
precesia de rezonan a izotopului de hidrogen 1H2(1D2) i a izotopului de oxigen 8O17
n ap obinuit, dei concentraiile acestora reprezint doar 0,002%, respectiv 0,04%.
3.
Metoda spin-ecoului (E. L. Hahn, 1950)
S-a dezvoltat i o alt metod inductiv, care se deosebete de cea precedent prin
aceea c aciunea cmpului oscilant este aplicat sub forma unor impulsuri de scurt
durat. Torrey (1949) a studiat procesele care au loc n timpul aplicrii cmpului
oscilant, n timp ce Hahn (1950) s-a ocupat de timpul dintre impulsuri. Ultimul a
observat c, dac se acioneaz asupra probei cu dou impulsuri scurte, dar intense,
separate printr-un interval de timp t0, pe oscilograf vor fi nregistrate nu numai
impulsurile aplicate, ci i un al treilea impuls, care apare spontan dup un timp t 0 de la
aplicarea celui de-al doilea (figura 8.6).
AB
t+2tw
tw
Fig. 8.6 Reprezentarea oscilogramei din experienele cu spin-ecou
Hahn a numit acest impuls spontan spin-ecou. Pe baza ecuaiilor lui Bloch, el a
reuit s explice fenomenul i l-a utilizat pentru msurarea timpilor de relaxare T1 i T2.
O explicaie simplificat a acestui proces este urmtoarea. Primul impuls, aplicat
la momentul t = 0, schimb orientarea vectorului total al momentului magnetic n fiecare
140
element de volum al probei, iar semnalul induciei nucleare de la nucleele care

preceseaz este amortizat cu constanta de timp T2. Datorit neomogenitii cmpului
magnetic, n fiecare din elementele de volum momentul rezultant preceseaz cu diferite
frecvene i semnalele induciei nucleare se defazeaz repede. Cel de-al doilea impuls,
aplicat la momentul < T2, produce o aciune invers, astfel nct coerena precesiei se
restabilete cu aceeai vitez cu care se stricase. Atunci, la momentul t = 2 toate
momentele nucleare preceseaz din nou n faz i semnalul induciei nucleare se
restabilete pentru un timp scurt, dup care se amortizeaz din nou, ca urmare a unei
noi defazri a spinilor care preceseaz. Mrimea spin-ecoului pentru t = 2 este
2 t0
T2
proporional cu factorul exponenial e , ceea ce permite msurarea lui T2.

Aplicnd un al treilea impuls la momentul t1 > 2 (deci, dup un interval de timp
t1 2 de la apariia spin-ecoului), se vor obine spin-ecouri stimulate la momentele 2t1
2, 2t1 , 2t1. n total, se nregistreaz 7 semnale, ale cror mrimi permit
determinarea timpilor de relaxare T1 i T2.
4.
Metod de rezonan pentru msurarea paramagnetismului nuclear
(Dorfman, 1948)
Greutatea determinrii susceptibilitii paramagnetice nucleare const n aceea c
ea este acoperit, de obicei, de magnetismul pturilor electronice ale atomilor probei de
studiat.
Principiul metodei propuse de Dorfman (1948) const n aceea c susceptibilitatea
magnetic total a substanei n cmp magnetic constant H se schimb sub aciunea
unui cmp magnetic oscilant cu frecvena de rezonan 0, perpendicular pe cmpul H.
ntr-adevr,
= n + e
(8.56)
unde n este susceptibilitatea nuclear, iar e susceptibilitatea electronilor.
La rezonan, proiecia momentelor nucleare dup direcia cmpului constant
este nul. n consecin, momentul magnetic total M al unui mol de substan
M = H = nH + eH = Mn + Me
(8.57)
va fi la rezonan
Mnz = Me = eH
(8.58)
Msurnd deci pe n absena i n prezena cmpului variabil, avem
M me
n = e =
(8.59)
H
Cunoscnd frecvena de rezonan,
H
0 = I
(8.60)
2
se poate determina I i, folosind legea lui Curie pentru susceptibilitatea magnetic
nuclear
N g2I I I 1 2B
n =
(8.61)
3kT
141
se gsete valoarea lui I.

Dac substana conine mai multe tipuri de nuclee, msurnd susceptibilitile
la rezonan i frecvenele respective, se determin pe rnd momentele nucleare.
Dificultatea esenial a metodei const n aceea c ea presupune (ca de altfel toate
metodele statice de msurare a susceptibilitii) existena unui gradient al cmpului H,
n timp ce o msur precis a frecvenei 0 necesit un cmp ct mai uniform.
8.2.5. Aplicaii ale rezonanei magnetice nucleare (RMN)

Fenomenul de rezonan nuclear prezint un mare interes practic, datorit
numeroaselor sale aplicaii n diferitele ramuri ale fizicii, chimiei, biologiei, medicinii
etc.
Astfel, msurarea frecvenelor de rezonan i a lrgimii liniilor de absorbie
magnetic nuclear ca funcie de parametrii externi (cmp magnetic, temperatur,
presiune) permite studiul individual al nucleului, d informaii asupra structurii corpului
solid i lichid, asupra constituiei unor molecule complexe, asupra cineticii reaciilor
chimice etc. De asemenea, merit amintite i posibilitatea determinrilor precise ale
unor constante fizice importante precum i o serie de aplicaii tehnice, ca msurarea i
stabilizarea intensitii cmpului magnetic.
1.
Msurarea intensitii cmpului magnetic i stabilizarea topografiei lui
Deoarece momentul magnetic al protonului este msurat cu precizie de 22106,
aceeai precizie e posibil i n msurarea cmpului magnetic, sau chiar mai bun, dac
se msoar raportul valorilor cmpului n diferite puncte.
De obicei se folosete o prob care conine n soluie i ionii unei sri
paramagnetice pentru reducerea timpului de relaxare T1. Prin msurarea frecvenei de
rezonan ntr-un cmp magnetic se poate determina intensitatea lui RMN poate servi
i la msurarea cmpului magnetic pmntesc n operaiile de prospectare. De asemenea
poate fi utilizat pentru stabilizarea cmpurilor electromagneilor.
2.
Studiul autodifuziunii
ngustarea liniei de rezonan fa de valoarea ateptat indic de obicei o
mobilitate mai mare a atomilor sau a moleculelor. Un asemenea efect, observat la
cristale de ciclohexan, alcool metilic, ciclopentan etc., indic existena unui proces de
migraie a moleculelor (autodifuzie) din cele cu diametrul relativ de mare (61 n cazul
moleculei de ciclohexan). Acelai fenomen se poate observa i la metale, la care ns
autodifuzia s-a mai pus n eviden i pe alte ci.
3.
Deplasarea chimic
Se constat c exist o diferen ntre frecvenele de rezonan ale atomilor
aceluiai izotop cnd ei particip la diferite legturi chimice. Acest efect este legat de
variaia cmpului local, produs de modificrile configuraiei electronilor nconjurtori
n funcie de tipul legturilor chimice. Astfel, rezonana protonilor n alcoolul etilic pune
n eviden o structur fin, care poate fi interpretat ca datorndu-se prezenei
protonului n grupele chimic diferite CH3, CH2 i OH. Se poate stabili care protoni
provoac apariia fiecruia din maximele de rezonan ce apar, deoarece suprafeele
142
delimitate de curbele g() respective trebuie s fie proporionale cu numrul de protoni,

adic, n raportul 3:2:1 n cazul dat. (separarea maxim pentru H = 0,76 T este de 3710
7
T) Studiul deplasrii chimice constituie un mijloc destul de eficient pentru analiza
structural fizico-chimic.
4.
Msurarea coninutului de ap
Rezonana magnetic nuclear a protonilor poate servi la analiza nedestructiv a
substanelor care conin ap. Mobilitatea moleculelor de ap va influena lrgirea liniei
de rezonan i astfel se poate stabili i modul de distribuie al apei, ntre soluie i
substana studiat. De exemplu, n cazul soluiilor de acid dezoxiribonucleic, s-a
confirmat pe aceast cale faptul c n jurul moleculelor se formeaz o ptur de ap cu
molecule care, desigur, i pierd mobilitatea. Linia de rezonan protonic
corespunztoare se va lrgi.
5.
Cinetica reaciilor chimice
Dac un compus care ia parte la o reacie chimic are o structur fin
caracteristic, se poate studia mersul reaciei urmrind intensitatea rezonanei produse
de un anumit grup molecular. n acelai scop pot servi i msurtorile asupra timpului
de relaxare T1.
6.
Degenerarea Fermi-Dirac n He3
1
i un ansamblu de astfel de particule ar trebui s se
2
supun statisticii Fermi-Dirac, cel puin sub temperatura de degenerare care teoretic ar
trebui s fie n acest caz de aproximativ 5 K. ns intensitatea absorbiei la rezonan e
proporional cu susceptibilitatea paramagnetic nuclear calculat clasic. Msurnd
deci intensitatea absorbiei ea va urma dependena de timp a susceptibilitii clasice
Nucleul de He3 are spinul
1
~ , att timp ct sistemul nu e degenerat. Se gsete astfel o temperatur de
T
degenerare de 0,45 K, adic aproape de 10 ori mai mic dect n cazul n care He3 ar fi
fost un gaz Fermi-Dirac ideal.
8.2.6. Rezonana magnetic nuclear la metale. Efectul Knight i

efectul Overhauser
n metale apar efecte suplimentare datorate interaciunii nucleelor cu electronii de
conducie. De asemenea, datorit spin-efectului, adncimea la care ptrunde cmpul de
nalt frecven e limitat, astfel nct pe probe masive se poate studia numai rezonana
n regiunile superficiale. Se pot ns utiliza pulberi sau pelicule, dar trebuie s se in
seama de modificrile pe care la poate suferi reeaua n procesele de prelucrare
mecanic (de exemplu laminare sau frmiare).
143
1.
Timpul de relaxare spin-reea n metale
Un rol esenial n aceast relaxare l joac interaciunea cu electronii de conducie.

Cnd electronul trece pe lng nucleu, produce un cmp magnetic relativ mare i
variabil n timp, care poate induce salturi ntre subnivelurile Zeeman ale nucleului n
cmp magnetic extern. Energia h emis sau absorbit de nucleu se obine de la electron
sau i se cedeaz pe socoteala energiei sale cinetice. De aceea tranziiile sunt posibile
numai dac exist un nivel neocupat, accesibil electronului, adic superior cu h
energiei sale iniiale. Rezult de aici c puterea procesului de relaxare va fi mai redus
dect s-ar putea atepta la prima vedere, deoarece n distribuia Fermi-Dirac nivelurile
neocupate se ntlnesc numai n domeniul de energie cu o lrgime de aproximativ kT,
situat la limita superioar a distanei F.D. Cum pentru cazurile reale h kT, n procesele
de relaxare poate participa numai o fraciune a electronilor, egal cu aproximativ
kT/EO, unde EO e nivelul Fermi. Chiar la temperatura camerei aceast fraciune
reprezint numai aproape 1%.
Calculul aproximativ al timpului de relaxare se poate efectua determinnd ordinul
de mrire al energiei magnetice de interaciune. Majoritatea metalelor conin
aproximativ un electron de conducie pe atom, astfel nct putem presupune c n jurul
fiecrui nucleu, la o distan r0 egal cu constanta de reea, se afl n medie un electron
r
de conducie. Dac electronul se mic cu viteza v, el va petrece timp t O n
v
vecintatea nucleului considerat. Dac toi electronii de conducie s-ar mica cu aceeai
vitez v, frecvena schimburilor de energie cu nucleul ar fi l/t. Dar la procesul de
kT
relaxare particip numai fraciunea
a electronilor. n acest caz numrul de procese
E0
de schimb cu nucleul dat pe unitatea de timp va fi
kTv F
l kT
=
(8.62)
t E0
E 0 r0
unde vF reprezint acum viteza electronilor de energie Fermi E0. n realitate ns, numai
o parte a ciocnirilor e nsoit de schimb efectiv de energie. Conform teoriei perturbaiei,
2
probabilitatea unui astfel de schimb este h 2 Vij t 2 unde Vij este elementul de matrice
al interaciunii magnetice ntre spinii electronilor i cei ai nucleelor, strile iniiale i
finale fiind descrise de numerele cuantice magnetice mi i mj. Ordinul de mrime pentru
L S
Vij este dat de energia de interaciune magnetic Vij E1
.
r3
Probabilitatea tranziiilor va fi
1/ 2
E12 kT 1
2
W = 2 2 EO me r0
(8.63)
E0 h 2
2
2E 0
, iar E0 = 3 32
.
2m e r02
me
Introducnd expresia lui E0, se obine:
unde t ~
144
r0
i vF =
vF
1/ 3
32 E12 kT
1
W=
=
(8.64)
2
2T1
8 E0h
de unde se vede c T1 este invers proporional cu temperatura T, ceea ce s-a verificat
experimental. Valoarea lui T, cu 15% mai mare pentru Cu63, se explic prin dependena
de E12, unde E1 e proporional cu momentul magnetic care e mai mic la Cu63
Cu 65
1, 07 ceea ce face ca T1 Cu63 s fie cu 15% mai mare dect T1 Cu65 .
63
Cu
2.
Efectul Knight
Knight (1949) a artat c semnalul RMN la o prob metalic se obine pentru o

intensitate a cmpului mai mare dect n cazul n care acelai tip de nucleu face parte
dintr-o prob nemetalic. Deplasarea H0 era proporional cu cmpul H aplicat.
Efectul, numit efect Knight (sau deplasare Knight) pare s fie comun tuturor metalelor
att n cristalul metalic ct i n topitura lui. Deplasarea crete cu numrul atomic Z.
Astfel, H0/H crete de la 0,03103, pentru Li7, la 12103, pentru Pb207. Townes
(1950) a presupus c deplasarea Knight e provocat de interaciunea magnetic dintre
nucleu i electronii de conducie n strile situate n vecintatea suprafeei Fermi. Cum
aceast interaciune produce o relaxare spin-reea, era de ateptat s se gseasc o relaie
care s lege deplasarea Knight de T1.
Dei aplicarea statisticii Fermi-Dirac d pentru macroscopic medie o valoare
foarte redus, magnetic local este mult mai mare, deoarece electronii au o mare
densitate de probabilitate n jurul nucleului. Deplasarea H0 este egal tocmai cu
creterea cmpului magnetic mediu n jurul nucleului produs de electronii de
conductibilitate, i n cazul simetriei cubice nucleului, nmulit cu 8/3 (adic
magnetic local, nmulit cu H0). Dac distribuia electronilor nu prezint simetrie
cubic n jurul nucleului, deplasarea e anizotrop.
Dac e este fraciunea magnetic pe unitate de volum datorit electronilor de
conducie, atunci densitatea medie a momentului magnetic la nucleul dat este:
2
e H 0
F 0
(8.65)
N
unde N este numrul de nuclee din unitatea de volum, iar F 0
este media densitii
de probabilitate la nucleu pentru toate strile electronilor pe suprafaa Fermi, exprimat

prin funcia de und a electronilor.
Variaia relativ este deci:
2
H 0 2 e
F 0
(8.66)
H0
3N
Cum funciile de und F(0) nu sunt bine cunoscute, se folosete o aproximaie n
care se ine seama c n atomul izolat interaciunea electron-nucleu este responsabil de
separrile ce caracterizeaz structura fin, care, exprimat energetic cu ajutorul funciei
de und a a electronului, este, dup Fermi:
145
2 2I 1 I M B
2
a 0
3I
Se obine deci:
H0
E l e I
G
H0
I M B N 2I 1
El =
unde G =
F 0
a 0
(8.67)
(8.68)
este de ordinul unitii.
Pentru unele elemente, ca Li, Be, Na, factorul G s-a putut calcula, i pentru
deplasarea Knight duce la valori n bun concordan cu datele experimentale.
Se vede c deplasarea Knight poate da posibilitatea obinerii unor importante
informaii asupra strilor electronice n metale la limitele distribuiei Fermi. Creterea
deplasrii cu numrul atomic se explic uor, deoarece separarea E l crete i ea o dat
cu numrul atomic. Cum e este dat, n funcie de energia Fermi E0, de
2
1
e = N M 2B
(8.69)
3
E0
rezult:
H 0
3M B IG E l
(8.70)
H0
2 I 2I 1 E 0
Cum, pe de alt parte, timpul de relaxare datorit interaciunii cu electronii de
conducie este dat de:
E 02 h
Tl
(8.71)
2E12 kT
rezult:
2
H 0
hR M B I
(8.72)
Tl

kT I
H0
unde R e un coeficient de ordinul unitii.
Ultima relaie a fost verificat experimental de Korring pentru Li, Al i Cu. Dac
deplasarea Knight este anizotrop, se poate obine o lrgire a liniei de rezonan datorit
suprapunerii celor dou linii de rezonan obinute pe direciile care marcheaz
anizotropia (cnd msurtorile se fac pe policristal sau pulberi). Bloembergen i
Rowland au explicat lrgirea rezonanei obinute la Sn care are simetrie tetragonal,
H 0
presupunnd c
este 7,8103 pe direcia axei tetragonal i 7,410 3 pe o direcie
H0
perpendicular.
146
3.
Efectul Overhauser
Overhauser a artat teoretic (1955) c ntr-un metal, prin realizarea saturaiei la

rezonana de spin a electronilor de conducie se obine, datorit interaciunii spin
electronic-moment nuclear, o polarizare a momentelor nucleare.
Evident, aceast polarizare mrete intensitatea efectului de rezonan nuclear.
Astfel, Corver i Slichter au obinut RES la Li ntr-un cmp de 30,3104 T i intensitatea
rezonanei nucleare a crescut de circa 100 de ori, ceea ce indic o cretere a diferenei
populaiei de cel puin acelai ordin de mrime.
Totodat, saturaia spinilor electronici produce o scdere a paramagnetismului de
spin i astfel o reducere a deplasrii Knight. n acelai timp, polarizarea Overhauser a
nucleelor va produce o deplasare a frecvenei la care se obine RES. Acest efect apare
cnd se reduce deplasarea Knight. Cum:
p
s =
(8.73)
2 2
1 H1 T1T2
se obine pentru deplasrile Knight n absena i n prezena saturaiei:
p
Hs s
(8.74)
H p 1 2 H12T1T2
unde este raportul giromagnetic pentru electron.
147
9. FENOMENE TERMICE
9.1.1. Cldura specific a solidelor
Aa cum este cunoscut din termodinamic, cldura specific a unui solid este
cldura specific la volum constant, definit ca:
1 U
c=
(9. 1)
T
unde U este energia intern a sistemului i - numrul de kilomoli ai acestuia.
Considernd c sistemul se supune statisticii Maxwell-Boltzmann, pentru care
kT
funcia de distribuie este de forma f ~ e i c este alctuit din N atomi care oscileaz
independent cu o pulsaie constant, se arat c energia intern a unui astfel de sistem
este egal cu 3NkBT, de unde:
c = 3NAkB = 3R
(9. 2)
unde R este constanta gazelor perfecte i NA numrul lui Avogadro.
Aceasta este legea Dulong-Petit care arat independena de temperatur a
cldurii specifice a unui solid.
Verificrile experimentale arat c legea Dulong-Petit este valabil la
temperaturi obinuite dar cnd acestea scad astfel nct ~ kBT, ea nu mai este valabil.
La temperaturi tinznd spre zero absolut, cldura specific a unui solid depinde de
temperatur dup o lege de forma (dedus experimental):
c(T) = 1T3 + 2T
(9. 3)
n care 1>>2 iar n cazul dielectricilor 2 = 0, ceea ce ne determin s considerm
c al doilea termen este datorat electronilor de conducie.
Cel care a ncercat pentru prima dat s dea o explicaie acestui fapt a fost A.
Einstein (1907). El a pornit de la faptul c energia termic ce duce la creterea
temperaturii unui solid excit vibraiile reelei (adic fononii), cldura specific putnd
fi calculat, deci ca fiind cea a unui gaz de fononi coninui n solid (i care se supun,
evident, statisticii Bose-Einstein), pentru care probabilitatea de ocupare a unei stri
energetice (funcia de distribuie) este:
1
f() =
(9. 4)
e kT 1
La echilibru termic, energia unui sistem care se supune statisticii Bose-Einstein,
este dat de:
D
d
U = f D d
(9. 5)
0
0
kT
e 1
Considerm c numrul de celule ale reelei este N i fiecare celul conine un
singur atom. n modelul lui Einstein se consider c fiecare atom vibreaz independent
de vecinii si, ca un oscilator armonic simplu, spectrul energetic constnd n niveluri
148
discrete, distanate cu valoarea 0 = E, unde E este pulsaia Einstein. n acest caz,

densitatea de stri energetice este:
D() = ( 0)
(9. 6)
unde este funcia Dirac, egal cu 1 pentru i nul pentru orice alte valori
ale lui . Atunci,

3N
d 0 0
U=
(9. 7)
0
kT
e 1
e kT 1
de unde:
2
TE
1 U
eT
T
c=
3N A k B E
2
T
T TE
T
e 1
unde s-a notat:
E
TE = 0
k
k
TE fiind temperatura Einstein.
(9. 8)
(9. 9)
Figura 9.1 Dependena cldurii specifice de temperatur n modelul Einstein (linia punctat),
comparat cu dependena obinut experimental (linia continu)
Se poate observa uor c, la temperaturi nalte (T >> TE), relaia (9.8) se reduce
la c = 3NAkB, adic tocmai legea Dulong-Petit. La temperaturi sczute (T << TE), se
obine:
2
T E
c = 3NAkB E e T
(9. 10)
T
care este, practic, o dependen exponenial, care, experimental, nu este observat.
n figura 9.1 este reprezentat dependena cldurii specifice de temperatur n
modelul Einstein (linia punctat), comparat cu dependena obinut experimental (linia
continu).
T
149
Neconcordana provine din faptul c, aa cum a artat Debye, spectrul

frecvenelor de vibraie ale reelei este diferit de cel presupus n modelul Einstein, fiind
dat, de fapt, de valorile din relaia (4.4).
Energia unui oscilator este n acest caz g, densitatea de stri energetice,
D() fiind i ea dat de o alt expresie, pe care o vom deduce n continuare.
Dup cum s-a vzut n capitolul referitor la vibraiile reelei cristaline, vectorul
de und al unui fonon, g , este cuantificat, valorile sale posibile fiind cuprinse n
interiorul primei zone Brillouin. Aproximnd aceast zon cu o sfer de raz gD,
reprezentnd valoarea maxim a numrului de und (gD se numete numr de und
Debye iar sfera de raz gD - sfera Debye) i considernd c viteza de propagare a
undelor n cristal este unic, egal cu c, astfel nct g = cg, numrul valorilor lui g (care
este egal cu numrul gradelor de libertate, egal, la rndul lui cu triplul numrului de
celule elementare, N) poate fi exprimat ca raportul dintre volumul sferei Debye i
8 3
volumul unei singure stri, care este
(volumul unei celule elementare n spaiul
V
4 3
g D
reciproc), adic 3N = 3 3 .
8
V
De aici, se poate scrie:
1
6 2 3
gD = 3
(9. 11)

unde V/N este volumul celulei elementare.
Volumul ocupat de o stare n spaiul vectorului de und este egal cu raportul
4 3
g D
dintre volumul sferei Debye i numrul de stri din aceast sfer, adic 3
.
3N
ntr-un interval cuprins ntre i d, ceea ce corespunde pentru g unui
interval (g, g + dg), vom avea un numr de stri egal cu raportul dintre volumul din
spaiul vectorului de und corespunztor acestui interval i volumul ocupat de o singur
stare:
2
3N
2
D()d = 4
dg = 3N 3 d
(9. 12)
4 3
D
g D
3
unde D = cgD este pulsaia Debye. Putem scrie atunci (nlocuind n relaia (9.5):
D
2
U = 9N
(9. 13)
3 d
D
0
kT
e 1
Cu aceast formul, se obine:
150
kT 2
3
e
D
k BT
T D x 4e x
dx (9. 14)
c = 9NkB
d = 9NkB
2
2
x
T
e
1
kT
D
0
0
3
e 1 D
n care x =
i
kT
D
TD =
(9. 15)
k
TD reprezint temperatura Debye, caracteristic solidului respectiv. Relaia
(9.14) este cunoscut sub numele de formula Debye pentru cldura specific a
solidelor.
Dac temperatura este mare (T >> TD), integrala din formula (9.14) devine egal
cu
1 TD
i cldura specific devine egal cu cea dat de formula Dulong-Petit.
3 T
T
La temperaturi joase (T 0; D ), integrala tinde spre un factor constant,
T
4 4
i putem scrie:
15
3
T
12 4
c=
Nk
(9. 16)
5
TD
cunoscut sub numele de legea T3 a cldurii specifice, valabil la temperaturi joase.
Pentru un kmol, relaia (9.16) poate fi scris:
3
T
c = 1,94110 J/kmolK
(9. 17)
T
D
Relaia (9.16) este, aa cum am precizat, valabil la temperaturi joase; experiena
T
arat c ea este valabil sub temperaturi n jurul valorii D . Aceast formul este
10
valabil pentru majoritatea elementelor ct i pentru unele substane compuse (de
exemplu, srurile halogenilor); pentru corpuri cu o structur mai complex ea nu mai
este valabil ntruct spectrul vibraiilor acestora este mult mai complex. n mod special,
formula Debye nu se poate aplica pentru cristalele cu o anizotropie pronunat.
Temperatura Debye este o mrime caracteristic fiecrui cristal, ea aprnd i n
legtur cu alte proprieti ale sale, nu numai n legtur cu cldura specific. Fiind
proporional cu frecvena maxim a vibraiilor reelei, ea semnific temperatura la care
sunt excitate toate modurile de vibraie. Cnd aceast frecven maxim este mare,
forele de legtur din reeaua cristalin sunt puternice, ceea ce nseamn c acele
cristale cu TD mare au structura foarte stabil (de exemplu, diamantul, cu TD
aproximativ 2000C) i invers (de exemplu, plumbul, cu TD n jurul a 100C).
6
151
Majoritatea elementelor au temperatura Debye de ordinul a cteva sute de K, aa cum

se poate vedea i din tabelul de mai jos:
Tabelul 9.1
SUBSTANA
Na
K
Be
Ca
Ag
Au
Pb
Al
TD (K)
158
91
1440
230
210
165
90
426
SUBSTANA
V
Cr
W
Fe
Co
Ir
Ni
Pt
TD (K)
380
630
400
470
445
420
450
240
SUBSTANA
Cu
Si
Diamant
Ge
Al2O3
NaCl
KCl
KBr
TD (K)
348
645
2230
360
1000
310
230
174
Am precizat la nceputul acestui paragraf c la cldura specific a conductorilor

contribuie i gazul de electroni. Pentru calculul termenului corespunztor acestei
contribuii vom ine seama c numai electronii cu energii foarte apropiate de energia
Fermi contribuie la conducia electric i, deci, numai acetia vor contribui i la
conducia termic.
Numrul total al acestora (pe unitatea de volum) poate fi calculat ca produsul
dintre densitatea de stri electronice (numrul strilor electronice din unitatea de volum
i pe unitatea de energie) i energia kBT, adic N(FkT, unde N( este cel din relaia
(5.4). Oricare din aceti electroni poate interaciona cu fononii i, ca urmare a acestei
interacii, i poate mri energia cu o valoare de ordinul kBT, astfel nct, la 0 K,
creterea total a energiei acestor electroni este egal cu produsul dintre numrul lor i
energia pe care o poate primi fiecare, adic N(k2T2. Cldura specific electronic se
calculeaz derivnd aceast relaie n funcie de temperatur, cnd se obine o relaie de
forma c = a2T, adic al doilea termen din relaia (9.3). Calculnd valoarea numeric la
temperatura mediului ambiant (300 K), rezult o valoare de ordinul 200 J/kmolK, care
este numai de ordinul a 1% din cldura specific a reelei. Numai la temperaturi sczute,
termenul datorat electronilor devine important.
9.1.2. Dilatarea termic a solidelor

n capitolul referitor la vibraiile reelei cristaline, am analizat aceste vibraii
pornind de la presupunerea c interaciunea dintre atomi este de tip elastic.
Dac energia potenial a sistemului format din atomi aflai n poziia de
echilibru este V0, ca urmare a vibraiilor reelei au loc mici deplasri ale atomilor fa
de aceast poziie i energia potenial, ca funcie de poziie, poate fi dezvoltat n serie
Taylor n jurul poziiei de echilibru, obinndu-se o relaie de forma (9.18), n care u s,j
(j = x,y,z) sunt componentele deplasrii u s , n jurul poziiei de echilibru a atomului s
din celula elementar de poziie a reelei. Primul termen al relaiei (9.18) este
constant, al doilea se anuleaz, la echilibru, doar al treilea are importan - termenul
armonic.
152
V
V = V0 + u j
u
j,s ,
s,
j
s,
2V
u j u j'

j,s , s , s ', ' u j u j'
s ', ' 0
0 j',s ', '
s,
(9. 18)
Pentru studiul dilatrii termice ns, nici acest al treilea termen nu este suficient
ci este necesar luarea n considerare i a termenilor de ordin superior - termeni
anarmonici.
S considerm al patrulea termen - cel de ordinul trei:
3V
j
j'
j''
u u
u
V(3) =
(9. 19)
j
j
'
j
'
'
s,
s ', '
s '', ''
u u
u
j,s ,
s ', '
s '', '' 0
s,
j',s ', '
j'',s '', ''
La creterea temperaturii, valoarea medie a lui u sj , crete, termenii anarmonici

contribuind din ce n ce mai mult la energia cristalului, aceasta nemaifiind n mod
necesar minim pentru vibraiile n jurul configuraiei de echilibru (n care u sj , se
anuleaz). n acest fel, ntregul cristal se dilat pn gsete un volum la care noile
poziii de echilibru ale atomilor asigur minimul energiei sistemului.
Fr a intra n amnunte, vom preciza c, innd cont de influena acestor
termeni anarmonici, n teorie se stabilete relaia care exprim coeficientul de dilatare
1 V
termic, , n funcie de coeficientul de compresibilitate izoterm, =
i de
V T
cldura specific, c, cunoscut sub numele de formula Grneisen:
c
=
(9. 20)
V
unde este constanta Grneisen, dat de relaia:
ln TD
=
(9. 21)
ln V
Cum este o constant, a crei valoare determinat experimental este de
aproximativ 2, rezult din relaia (9.20) c temperatura Debye este dependent de
volumul cristalului.
9.1.3. Conductibilitatea termic a solidelor

Conductibilitatea termic (transportul cldurii) a solidelor este determinat de
doi factori: purttorii de sarcin electric liberi din solid i reeaua (prin intermediul
fononilor), astfel nct se pot deosebi dou laturi ale fenomenului. Legea
fenomenologic a transportului de cldur este cea cunoscut din termodinamic:
q T
(9. 22)
153

unde q este densitatea de curent termic*, - coeficientul de conductibilitate termic i
T - temperatura. Este evident c transportul cldurii dintr-o zon mai cald spre una mai
rece are loc ca urmare tocmai a existenei acestui gradient de temperatur.
Din teoria clasic a gazelor,
1
= cv
(9. 23)
3
unde este densitatea de particule care efectueaz transportul, c - cldura specific, v
- viteza medie a particulelor care realizeaz transportul cldurii iar - drumul liber
mediu al acestora.
n cazul dielectricilor, conducia termic este realizat practic numai de fononi.
Calculul cuantic al coeficientului de conductibilitate termic al gazului de fononi este
destul de complicat, lucrndu-se n condiii de anarmonicitate, cnd pot avea loc ciocniri
bi- i trifononice, unele dintre acestea, de tip U, opunndu-se procesului conduciei
termice prin introducerea unei rezistene termice a solidului. La aceasta contribuie i
mprtierea fononilor pe defectele reelei.
Deci, conductivitatea termic a reelei este influenat de procesele de
mprtiere pe care le sufer fononii i care sunt de mai multe tipuri:
ciocniri fonon - fonon; am vzut c acestea pot avea loc cu respectarea relaiei
(5.19), caz n care procesul respectiv se numete proces normal. Aceste procese nu
influeneaz n nici un fel conductivitatea termic. Cele care o influeneaz sunt
procesele Umklapp, n care nu se respect relaia respectiv, datorit faptului c,
aa cum am precizat, k nu este un impuls n sensul strict, ntruct, pentru valori n
afara primei zone Brillouin, ale vectorului de und, acestea repet stri din prima
zon; astfel, un vector care difer de altul cu g (vectorul reelei reciproce)
corespunde unei stri fizice echivalente cu cea corespunztoare primului. De

exemplu, dac doi fononi cu vectorii de und k 1 , k 2 interacioneaz poate rezulta
un fonon cu vectorul de und k 3 dar, este posibil s rezulte i un fonon cu vectorul

de und k 3 g , care va avea sensul invers (aproximativ) cu primul (acest lucru
rezultnd din conservarea impulsului). Acest fapt nseamn i o inversare a sensului
vitezei fononului ceea ce echivaleaz cu apariia unei rezistene la transportul
cldurii n reea. Procesele Umklapp se produc cu o probabilitate ce crete
exponenial cu temperatura la temperaturi mici i proporional cu acesta la
temperaturi mari. Acelai lucru este valabil, n consecin i pentru rezistivitatea
termic (inversul conductivitii termice) datorat proceselor Umklapp.
mprtierea fononilor pe defecte punctiforme.
La temperaturi mici, lungimea de und dominant a fononilor este mult mai
mare dect dimensiunea defectelor punctiforme, care este de ordinul de mrime al
*
n multe lucrri, aceast mrime este numit densitate de cldur, densitate a fluxului de cldur sau,
chiar flux de cldur. Am considerat c termenul de densitate de curent termic, i datorit analogiei cu
termenul densitate de curent electric (inclusiv ca mod de definire), este mai sugestiv i, oricum, mai corect
din punct de vedere semantic.
154
dimensiunilor atomice, probabilitatea de mprtiere pe defecte punctiforme fiind

proporional cu 4, adic cu T4 (ca n legea Rayleigh, a dispersiei luminii) ceea ce
duce la un drum liber mediu al fononilor proporional cu T4, care, introdus n relaia
(9.22), d pentru conductivitatea termic o dependen proporional cu T1 (innd
cont c i cldura specific la temperaturi mici depinde de T3). Un calcul mai precis
d o dependen a conductivitii termice proporional cu T3/2.
La temperaturi mari, mprtierea fononilor pe defecte punctiforme nu mai
depinde de temperatur, termenul conductivitii termice datorat acestui proces
rmnnd constant.
mprtierea fononilor pe dislocaii. Conductivitatea termic este influenat de
aceste procese printr-un termen invers proporional cu densitatea dislocaiilor i care
variaz proporional cu T3/2.
mprtierea fononilor pe zonele de separare dintre cristalitele unui policristal.
Conductivitatea termic (termenul datorat acestor procese) variaz ca i c (adic
proporional cu T3 la temperaturi sczute) i este proporional i cu dimensiunea
minim a cristalitelor.
Dac se reprezint grafic variaia conductivitii termice cu temperatura, se
obine graficul din figura 9.2.
Figura 9.2 Variaia conductivitii termice cu temperatura pentru o prob pur (linia
continu), i pentru o prob cu impuriti (linia punctat)

n figur este reprezentat cu linie continu variaia conductivitii termice
pentru o prob pur. La temperaturi n apropiere de 0 K este important mprtierea
fononilor pe zonele de separare dintre cristalite (regiunea corespunztoare pe grafic este
notat cu unde ~ T3) iar la creterea temperaturii procesele Umklapp (regiunea ,
TD
unde ~ e 2 T ). Cu linie punctat, este reprezentat variaia cu temperatura a

conductivitii termice a unei probe avnd impuriti, la care, la temperaturi n jurul lui
155
0 K conteaz mprtierea fononilor pe zonele de separare dintre cristaline (regiunea

notat cu ) iar la temperaturi ceva mai mari mprtierea pe impuriti (regiunea ,
unde ~ T3/2 ). n ambele cazuri, la temperaturi mari (> TD) conductivitatea termic
variaz invers proporional cu temperatura.
n general, dielectricii sunt considerai i izolatori termici sau slab conductori
de temperatur. n anumite cazuri, ns, ei pot deveni buni conductori termici, cum este
cazul, aa cum se vede n figura 9.2, al probelor foarte pure, la temperaturi n jurul
T
valorii D , corespunztoare vrfului graficului, cnd poate avea valori de ordinul 10
20
4
W/mK.
Un caz interesant este cel al diamantului, care avnd TD aproximativ 2000 K,
prezint o conductivitate termic la temperatura camerei de aproximativ 2000 W/m.K,
adic de aproximativ 5 ori mai mare dect a cuprului. Faptul c diamantul este un foarte
bun izolator electric dar i un foarte bun conductor termic i confer acestuia proprieti
speciale care fac ca el s fie folosit n construcia unor dispozitive electronice speciale
(n special ca suport radiator de cldur).
Aplicnd cele discutate aici la materiale cu structur amorf, cum sunt sticla i
unele materiale plastice, tocmai aceast structur neregulat a acestora implic procese
intense de mprtiere a fononilor, ceea ce face ca aceste materiale s prezinte o
conductivitate termic foarte sczut, de ordinul a 101 W/mK.
n cazul conductorilor, n procesul conduciei termice intervin i electronii liberi,
care au o contribuie important la acest proces. Conductivitatea termic a acestora este
legat de conductivitatea electric printr-o relaie care poate fi dedus astfel:
e 2 n
conductivitatea electric este dat de expresia: =
, unde e este sarcina
2mv
electronilor, n - concentraia acestora, - drumul lor liber mediu, m - masa electronilor
1
1
i v - viteza medie. Pe de alt parte, e = cv = nkv, unde c este cldura specific
3
2
mv 2 3
kT , rezult
electronic. mprind cele dou relaii de mai sus i innd cont c
2
2
2
e 3k
2 T . Un calcul mai precis d:
e
2 k
e =
(9. 24)
LT
3 e
cunoscut sub numele de legea Wiedemann-Franz (L este constanta Lorenz).
Conductivitatea termic total este dat deci, n cazul conductorilor, de suma
dintre conductivitatea termic a reelei i cea a electronilor liberi.
2
9.2. Aplicaii
9.1. Considerm un kmol de cristal alctuit din atomi identici, dispui ntr-o reea
cubic simpl. Fiecare atom poate oscila armonic, avnd trei grade de libertate,
156
independent de ceilali atomi. Conform modelului lui Einstein, energia unui oscilator
din acest ansamblu este wi = i, unde i poate lua valorile 0, 1, 2,..., pn la infinit. S
se calculeze cldura specific kilomolar a cristalului.
Rezolvare
Probabilitatea ca un oscilator s se gseasc n starea energetic wi este:
w
exp i
kT
p(wi) =
w
exp i
kT
i 0
Este evident c condiia de normare
pw = 1 este respectat. Considernd

i 0
sistemul de oscilatori la temperatur constant, i putem aplica distribuia canonic;

ln Z
1
energia medie a unui oscilator este w
, unde =
iar Z este funcia de
kT
partiie a sistemului: Z = exp w i ; n acest caz, Z este o serie cu termeni n

i 0
progresie geometric a crei sum este Z =
1
.
1 exp
Calculnd energia medie a unui oscilator, obinem: w
. Energia
exp 1
3N A
(NA este numrul lui
exp 1
Avogadro iar factorul 3 apare datorit celor 3 grade de libertate ale fiecrui oscilator).
Cldura specific molar este:
intern a unui kmol din cristal este: U = 3NA w
kT
2
c
kT
U
C
3kN A
3kN A c
2
2
T V
kT
e 1
e 1
9.2. Figura 9.3 prezint variaia cldurii specifice molare a unui solid raportat la
cldura specific molar clasic (constant), n funcie de temperatura absolut
raportat la temperatura Debye.
Pe baza acestui grafic, s se determine:
a) temperatura Debye pentru Ag, a crui cldur specific molar la T = 65 K este de
15 J/molK
b) cldura specific molar a Al la T = 80 K, tiind c la T' = 125 K, ea este egal cu
22,4 J/molK
c) pulsaia maxim a vibraiilor reelei de Cu, a crui capacitate caloric la T' = 125
K difer cu 25% fa de cea clasic.
2
157
Figura 9.3
9.3. S se determine temperatura Debye:

a) pentru un lan de atomi identici cu n0 atomi pe unitatea de lungime
b) pentru o reea ptratic plan de atomi identici, cu n0 atomi pe unitatea de suprafa
c) pentru o reea cubic simpl de atomi identici, cu n0 atomi n unitatea de volum
Se va considera c vitezele undelor transversale, respectiv longitudinale au
aceeai valoare, v.
9.4. S se determine temperatura Debye pentru Fe, n care undele longitudinale i
transversale se propag cu vitezele 5,85, respectiv 3,23 km/s.
9.5. S se evalueze viteza de propagare a undelor acustice n Al, a crui temperatur
Debye este TD = 396 K.
9.6. Se poate admite c temperaturile 20 K i 30 K sunt joase pentru Fe tiind c, la
aceste temperaturi, cldura specific a Fe este 0,226, respectiv 0,760 J/molK ?
Indicaie: se verific variaia cldurii specifice proporional cu T3. Dac aceast
variaie se confirm, temperaturile respective sunt joase.
9.7. S se evalueze valoarea maxim a energiei i impulsului unui fonon n Cu, a crui
temperatur Debye este de 33 K.
9.8. Temperaturile Debye ale NaCl i KCl, care au aceeai structur cristalin, sunt
319 K i, respectiv 230 K. Cldura specific molar a reelei de KCl este la 5 K egal
cu 3,8102 J/molK. S se calculeze cldura specific molar a reelei de KCl la 2 K i
a reelei de NaCl la 5 K.
158
9.9. Temperatura Debye a diamantului este de 2000 K, densitatea acestuia 3500 kg/m3,
masa molar 12 kg/kmol iar distana interatomic 150 pm. S se calculeze viteza
sunetului n diamant. S se estimeze lungimea de und a fononilor dominani la 300 K
i s se calculeze frecventa vibraiilor reelei care corespunde acesteia.
Indicaie: La temperaturi suficient de mari, domin undele n reea, avnd
pulsaia n jurul valorii max. Aceasta corespunde unei lungimi de und care este de
ordinul dublului constantei reelei, a. La temperaturi mici sunt excitai numai fononii cu
T
lungimi mari de und, care pot fi exprimate conform relaiei d a D .
T
9.10. S se estimeze drumul liber mediu al fononilor n germaniu la T = 30 K tiind c
temperatura Debye este TD = 360 K, conductivitatea termic a reelei 14,55103
Wm2/kgK, masa molar M = 72,6 kg/kmol, densitatea, = 5500 kg/m3 i viteza
sunetului n Ge, v = 4500 m/s. Se va considera c toat cldura este transportat numai
de fononi.
1
Indicaie: Conductivitatea termic a reelei este dat de relaia: = cv ,
3
3
12 4 R T
unde cldura specific este (la temperaturi mici, sub 0,1TD ) c =
, v
5 M TD
este viteza sunetului (pentru fononi acustici) iar - drumul liber mediu al fononilor.
Folosind cele dou relaii i datele problemei, se gsete .
9.11. tiind c temperatura Debye a diamantului este 2000 K, s se calculeze raportul
dintre conductivitatea termic a reelei la 50 K i la 4 K.
9.12. Determinarea coeficientului de conductivitate termic al metalelor
S considerm o bar omogen, de seciune transversal S (perimetrul acestei
seciuni este p) i de lungime infinit, orientat pe direcia axei Ox i avnd la unul din
capete o surs de cldur care i cedeaz o cldur constant n unitatea de timp. Aceast
cldur se transmite de-a lungul barei si, la echilibru, se stabilete un regim staionar,
caracterizat de faptul c, n bar, la o distant oarecare, x, de captul la care se afl sursa
de cldur, considerat drept origine a axei Ox, temperatura este constant, depinznd
numai de poziia x i de proprietile barei. Distribuia temperaturii T de-a lungul acestei
bare poate fi aflat astfel: fluxul de cldur (cldura transportat n unitatea de timp prin
unitatea de suprafa transversal a barei) este dat de:
w = T
(9.25)
unde coeficientul de conductibilitate termic al materialului din care este
confecionat bara. Cum gradientul de temperatur este unidimensional, pe direcia
Ox,considernd un element de lungime dx al barei, cldura care trece n unitatea de timp
prin seciunea transversal a barei n punctul de coordonat x, este:
dT
q
S
(9.26)
dx x
Cldura ce trece n unitatea de timp prin seciunea corespunztoare punctului de
coordonat x + dx, este dat de expresia:
159
dT
S
(9.27)
dx x dx
Prin suprafaa lateral a segmentului de bar de lungime dx se pierde cldura:
dq T T0 p dx
(9.28)
q
unde este coeficientul de transfer termic.

Pentru un proces staionar: dq q q , adic:
dT
dT
T T0 p dx
S
S
(9.29)
dx x
dx x dx
Dezvoltnd n serie expresia din membrul drept al relaiei de mai sus i neglijnd
termenii de ordin superior, obinem:
dT
dT
d 2T
2 dx
dx x dx dx x dx x
de unde,
d 2T
S 2 p T T0
(9.30)
dx
Notm
p
a2
(9.31)
S
i obinem ecuaia diferenial:
d 2T
a 2 T T0
(9.32)
2
dx
care este o ecuaie de tip oscilator armonic i care, rezolvat, ne permite s gsim
distribuia de temperatur de-a lungul barei.
Soluia este de forma:
T T0 = Aeax + Beax
(9.33)
Din condiiile fizice (pentru x = 0, T = T1 iar pentru x = , T = T0), rezult c A
= 0 i B = T1 T0, deci soluia (9.33) devine:
T T0 = (T1 T0)eax
(9.34)
Din aceast relaie scoatem:
1 T T
a ln 1 0
(9.35)
x T T0
dq
p T T0 e ax i, prin integrare,
Din relaia (9.28), putem scrie c:
dx
p
q
(9.36)
T T0
a
Din relaiile (9.31) i (9.36) rezult:
1
q
(9.37)
aS T T0
nlocuind n aceast relaie expresia lui a din (9.35), obinem:
160
qx
(9.38)
T1 T0
S T T0 ln
T T0
Aceasta este relaia care permite determinarea experimental a conductibilitii
termice. Pentru aceasta, trebuie cunoscute cldura q, pierdut de bar prin suprafaa
lateral n regim staionar, temperatura T1 a captului nclzit al barei, temperatura T
ntr-un punct oarecare al ei, aflat la distana x de captul nclzit, aria seciunii
transversale a barei i temperatura T0 a mediului ambiant. Cum n practic este
imposibil s se utilizeze o bar de lungime infinit, n determinrile experimentale vor
aprea erori, cu att mai mari, cu ct lungimea barei este mai mic. Eroarea introdus
la utilizarea unei bare de lungime finit poate fi estimat calculnd eroarea n
determinarea cldurii q, pierdute de bar prin suprafaa lateral, dac lungimea ei este
:
p
(9.39)
q
T T0 e a
a
Dispozitivul experimental este prezentat n figura 9.4.
Figura 9.4 Dispozitiv experimental pentru determinarea coeficientului de conductivitate

termic al metalelor
nclzirea captului barei se face cu ajutorul unui cuptor electric, cldura cedat
de acesta n unitatea de timp determinndu-se cu formula Q = I0U0, unde U0 i I0 sunt
tensiunea, respectiv intensitatea curentului electric de nclzire a cuptorului, msurate
cu voltmetrul, respectiv ampermetrul montate n instalaia electric de alimentare a
cuptorului. Temperatura T1 a captului nclzit al barei (si a cuptorului) se msoar cu
un termocuplu montat n cuptor. Cldura Q se cheltuiete parial pentru crearea fluxului
termic, q, prin conductibilitate termic, restul prin disipare n spaiul nconjurtor (q1)
astfel nct: Q = q + q1. Dac se scoate bara din cuptor i se regleaz nclzirea acestuia
astfel nct s se obin n el aceeai temperatur, T1, pe care o are mpreun cu bara,
cldura disipat n mediu este dat de q1 = I1U1, unde I1 i U1 sunt curentul i tensiunea
de nclzire a cuptorului n lipsa barei. Putem scrie, atunci:
161
Q = I0U0 I1U1
Temperatura T a barei se msoar cu termocuplele aezate pe bar la diferite
distante x de captul cald al acesteia.
Se determin aria seciunii transversale, S, i lungimea barei, se msoar
distanele xi, de la captul cald al barei pn la termocuple, se verific instalaia de
alimentare, se alimenteaz cuptorul fr bar, se ateapt stabilirea echilibrului termic
i se msoar I1 i U1 precum i T1.
Se introduce bara n cuptor i se regleaz curentul de alimentare astfel nct
temperatura n acesta, la echilibru termic, s fie tot T1. Se msoar I0 i U0 precum i
temperaturile date de termocuplele montate pe bar. Rezultatele msurtorilor se trec n
tabelul:
Nr.crt. xi (m) Ti (K) I0 (A) U0 (V) I1 (A) U1 (V) S (m2)
(m)
1.
2.
:
T1 T0
f x i se
T T0
determin panta dreptei obinute din trasarea acestui grafic. Cunoscnd valoarea lui q,
se determin coeficientul de conductibilitate termic al materialului din care e
confecionat bara, cu relaia (9.38). Se determin q, cu relaia (9.39) i, pe baza acestei
valori, Rezultatul se prezint sub forma: = exp .
Se calculeaz q, cu relaia (9.17), se traseaz graficul: ln
162
10.
METODE DE STUDIU AL PROPRIETILOR

MATERIALELOR AMORFE
10.1. Consideraii generale

Materialele amorfe liniare, cum sunt polimerii i alte materiale plastice, prezint
cinci regiuni de comportare viscoelastic: o regiune vitroas, o regiune de tranziie
plasto-elastic (tranziie vitroas), un domeniu elastic, o regiune de curgere
viscoelastic i o regiune de curgere lichid (figura 10.1). n regiunea vitroas, au loc
numai rotaii i vibraii pe distan scurt ale lanurilor moleculare. Tranziia vitroas
este caracterizat de iniierea micrilor moleculare la distan (10-50 atomi) i pentru
aceast tranziie se definete temperatura de tranziie vitroas, Tv. n domeniul elastic,
lanurile polimerice au n general o comportare elastic, peste care, n regiunea de
curgere viscoelastic, se suprapun proprieti de curgere; n sfrit, aceast comportare
de curgere viscoelastic se transform n curgere lichid, n cea de-a cincea regiune.
Figura 10.1 Cele cinci regiuni de comportare viscoelastic a polimerilor:

1 regiunea vitroas, 2 regiunea de tranziie vitroas, 3 domeniul elastic, 4 regiunea de
curgere viscoelastic, 5 regiunea de curgere lichid
10.2. Calorimetria diferenial

Calorimetria diferenial (Differential Scanning Calorimetry - DSC) este o tehnic
de analiz termic utilizat pe scar larg n studiul proprietilor polimerilor i
materialelor compozite. Metoda este util n caracterizarea desfurrii reaciilor
exoterme sau endoterme. Principalele avantaje ale metodei constau n faptul c sunt
necesare probe de dimensiuni mici (de ordinul miligramelor) i c datele cantitative
privitoare la cinetica reaciilor se obin relativ uor i repede. n plus, se pot face
determinri cu privire la tranziiile termice, cum ar fi temperatura de tranziie vitroas,
TV. DSC este o tehnic n care este determinat fluxul de cldur schimbat de o
163
substan n funcie de temperatur. Integrarea acestui flux n timp d consumul de

cldur, sau variaia entalpiei probei. Determinrile sunt fcute de obicei prin scanarea
domeniului de temperatur dorit. Principala arie de aplicaie a DSC privete
determinarea cldurii specifice, studiul unor efecte termice, al tranziiei vitroase, al
stabilitii oxidative, al cineticii unor reacii chimice, al comportrii amestecurilor i al
cristalizrii.
Figura 10.2 Termogram DSC tipic
O termogram DSC tipic este prezentat n figura 10.2. Picul BCD descrie un
proces exoterm, datorat unor modificri fizice sau chimice ale probei, care n acest caz
degaj cldur. Picul EFG descrie un proces endoterm, n care proba absoarbe cldur.
Variaia total de entalpie este calculat ca aria suprafeei BCD, respectiv EFG. n
punctul A are loc tranziia vitroas, n care are loc o modificare n salt a cldurii
specifice, ceea ce se exprim prin modificarea n treapt a liniei de baz n jurul
acestui punct. Fenomenul este similar unei tranziii de faz de spea a II-a, dar nu este
o tranziie de faz propriu-zis, deoarece el este dependent de timp.
Figura 10.3 Determinarea temperaturii de tranziie vitroas
164
Pentru determinarea temperaturii de tranziie vitroas, TV, se procedeaz la o

scanare a domeniului de temperatur potrivit, la o rat de nclzire constant. Sunt dou
metode utilizate pentru determinarea TV din curba DSC (figura 10.3):
TV este determinat ca:
- abscisa punctului de intersecie dintre extrapolarea liniei de baz i extrapolarea
curbei de inflexiune (figura 10.3.a), sau
- abscisa punctului de inflexiune (figura 10.3.b)
165
11.
CRETEREA CRISTALELOR
11.1. Consideraii generale

Cristalele sunt nu numai foarte frumoase, dar i foarte utile. Acestea sunt
subiecte pentru studiul tiinific. Cristalele sintetice au fost crescute n laborator de
foarte mult timp, iar n scopuri comerciale de cel puin 100 de ani. Cristalele sunt cele
mai uniforme solide disponibile, ceea ce a condus de altfel i la primele lor utilizri, n
scop comercial: rubinele ca pietre preioase i la fabricarea ceasurilor, utilizri care se
pstreaz i n prezent. Aproximativ jumtate din rubinele utilizate sunt sintetice i
multe tone de rubine sunt folosite ca podoabe (pietre preioase, bijuterii) sau drept
componente supuse unui efort ridicat n diferite mecanisme (mult timp, acele de
gramofon sau picup au fost confecionate din rubine). n prezent sunt exploatate n
aceleai scopuri i alte cristale sintetice: depunerile de aluminiu i ytriu (YAG) n
construcia laserilor i pentru confecionarea bijuteriilor, ca i titanatul de stroniu i
diamantul n aplicaii n care este necesar o durabilitate mare i o conductibilitate
termic ridicat. n prezent exist de asemenea o industrie considerabil care produce
cristale de halogenuri alcaline sau alcalino-pmntoase, utilizate ca pri ale unor
dispozitive optice (ferestre optice transparente n anumite domenii spectrale).
Utilizarea cristalelor piezoelectrice (cuarul n filtrele rezonante, sarea Rochelle
i sulfatul de litiu n dispozitivele de locaie submarin ASDIC sau SONAR) a marcat
nceputul utilizrii pe scar larg a cristalelor artificiale. Dezvoltarea dispozitivelor
semiconductoare a completat procesul. Mii de tone de cristale de siliciu sunt crescute
anual n prezent. Tehnicile de cretere a cristalelor semiconductoare de nalt calitate
au fost de atunci aplicate i la obinerea altor materiale.
Tabel 11.1 Cristale dielectrice uzuale
Metod de cretere
Utilizare
cuar
hidrotermic
filtre piezoelectrice
rubin
Verneuil,
rulmeni, laseri, bijuterii
Czochralski
halogenuri alcaline
Kyropoulos,
componente optice
Bridgman
niobat de litiu
Czochralski
dispozitive electrooptice i
piezoelectrice
depuneri de oel i
n flux i LPE
dispozitive de microunde i de
ytriu
domenii magnetice
KDP, ADP etc.
din soluie
dispozitive electrooptice
Material
Tabelul 11.1 prezint materialele de interes comercial precum i utilizarea lor

curent. n prezent, aproximativ 2000 de tone de cristale dielectrice sunt obinute n
fiecare an prin diferite metode de cretere. Pe lng aceste materiale, trebuie s fie luate
n considerare i cele care pot deveni interesante, dac pot fi dezvoltate tehnologiile
potrivite. Astfel, dac problemele tehnice de cretere uniform a cristalelor solide pot fi
166
rezolvate, este de ateptat ca niobatul de bariu i stroniu precum i niobatul de tantal i

potasiu s nlocuiasc ADP i KDP n multe dispozitive electrooptice. n mod similar,
cristalele de oxid de bismut i siliciu sau cele de oxid de bismut i germaniu pot fi
utilizate la dispozitivele cu unde de suprafa i n unele sisteme electrooptice de afiaj.
Cum stocurile de cristale naturale se epuizeaz, chiar i materiale precum calcitul vor
trebui produse n mod artificial. n plus, a aprut posibilitatea ca i cristalele organice
s fie utilizate din ce n ce mai mult, pe msur ce proprietile lor sunt mai bine nelese.
Optica integrat este un cmp rapid de dezvoltare i n timp ce majoritatea studiilor au
fost fcute pn acum pe semiconductori, este acum rndul cristalelor dielectrice s
capete aplicaii din ce n ce mai numeroase i mai importante.
n multe aplicaii este nevoie de blocuri mari de cristale, de exemplu, pentru
componentele optice). i pentru alte utilizri (de exemplu filtre rezonante, laseri),
dispozitivele pot fi fabricate satisfctor din cristale mari. Totui, exist mai multe
dispozitive bazate pe straturi subiri epitaxiale ale unui material crescut pe altul. Astfel,
dispozitivele ce exploateaz domeniile magnetice sunt fcute prin creterea unui strat
de depunere de oel magnetic pe un substrat nemagnetic de depunere de gadoliniu i
galiu (GGG). Procesele utilizate pentru creterea acestor cristale voluminoase sau n
strat subire sunt similare n principiu, dar diferite, n practic.
11.2. Aspecte termodinamice

n orice proces de cristalizare, ceea ce determin desfurarea procesului este
energia liber degajat. n general, se poate scrie aceast energie liber cu ajutorul
formulei:
G = S
(11.1)
i s se adauge ali termeni n partea dreapt atunci cnd este cazul.
H i S sunt variaiile de entalpie i respectiv entropie cnd cristalizarea are
loc la temperatura T. La o anumit temperatur, Te, cristalul i faza din care acesta crete
sunt n echilibru. La aceast temperatur, G este zero, i se poate scrie ecuaia 11.2:
T T
T
H
G = H e
(11.2)
Te
Te
Aceast relaie implic numai variaii de temperatur i entalpie (cldura latent
de cristalizare). n majoritatea cazurilor, ecuaia (11.2) este satisfctoare i permite
exprimarea lui G n termeni de suprarcire T. Ocazional, este convenabil lucrul n
termeni de suprasaturaie , unde 1+ este raportul dintre concentraia sau presiunea
corespunztoare unei anumite stri i concentraia sau presiunea la echilibru. n acest
caz:
G = aRTln (1+)
(11.3)
unde a este numrul de particule ce formeaz o molecul n cristal iar R este constanta
gazelor perfecte.
Astfel, a este factorul cu care cldura latent de cristalizare H excede energia
de activare a soluiei sau vaporizrii, cnd se exprim acestea n form Arrhenius,
de exemplu:
167
C = C0 e RT
(11.4)
unde C0 este o constant.
Dac se crete un cristal tensionat (de exemplu o nepotrivire a germenului n
suport) energia liber eliberat scade cu valoarea:
Vm E a
(11.5)
1 a
pentru un cristal izotrop, unde Vm este volumul molar, E reprezint modulul lui Young,
reprezint exponentul adiabatic i a este variaia impus a constantei reelei, a.
Pe msur ce cristalul crete, a scade, dar tensiunea de forfecare asociat cu
aceast scdere crete, astfel nct pentru o valoare a creterii , a unui germene cu raza
R, pentru << R, expresia de mai sus, referitoare la o nepotrivire iniial crete de un
2
. Astfel, este posibil pentru un cristal ca el s creasc iniial, dar s ajung

aR
la o grosime la care energia total de deformare egaleaz energia liber eliberat termic.
La aceast grosime creterea nceteaz. i alte surse de deformare pot afecta creterea.
De exemplu, s-a artat c att cmpurile electrice, ct i presiunea hidrostatic au efecte
semnificative.
Cellalt aspect termodinamic important al creterii cristalului este concentraia
relativ a solviilor n cristal precum i faza din care este crescut cristalul. S-a artat c
raportul concentraiilor n cristal, CS i n cealalt faz, CL este de obicei o constant
care poate fi scris:
G
CS
K e RT
(11.6)
CL
unde K este coeficientul de separare i G este diferena dintre energiile libere ale
solvitului n cele dou faze.
Printre ali parametri, G depinde de mrimea nepotrivirii solvitului n cristal.
Cum energia de nepotrivire depinde de ptratul acestei nepotriviri, solviii care sunt prea
mari sau prea mici sunt eliminai deopotriv. Acest stres compoziional variaz cu
compoziia i astfel modific distribuia solvitului n cristal.
factor 1 +
11.3. Metode practice

11.3.1.
Creterea din topitur
Viteza de cretere liniar a unui cristal dintr-o topitur pur este mai rapid (de
obicei cu un factor de aproximativ 100) dect cea atins prin oricare alt metod. Exist
i un alt avantaj, acela c nu este introdus nici un al doilea component n sistem ca un
solvent sau transportor.
168
Figura 11.1 Aparat pentru creterea Brigdman a cristalelor de oxizi sau de halogenuri.
Interfaa convex lichid-solid este esenial pentru creterea de cristale de nalt calitate
Pe de alt parte, creterea dintr-o topitur implic folosirea temperaturii maxime

de cretere, care poate crea probleme legate de controlarea gradientului de temperatur
la niveluri acceptabile de precizie. Temperaturile ridicate implic utilizarea unei puteri
mai mari i introduc o mai mare posibilitate de contaminare dac topitura este inut
169
ntr-un container. Creterea n topitur poate fi aplicat numai acelor materiale care se
topesc congruent, adic prin topire se obin lichide cu aceeai compoziie ca solidele.
Creterea n topitur pentru materialele cu presiuni ale vaporilor saturani mici
poate fi un proces destul de simplu. Tehnica, iniiat n deceniul al treilea al secolului
trecut este folosit foarte des. Figura 11.1 prezint un aparat tipic pentru creterea
oxizilor, iar n tabelul 11.2 se dau cteva exemple de materiale, creuzete i rate de
cretere.
Cristalele sunt de obicei produse prin coborrea creuzetului ntr-un gradient de
temperatur, dar este posibil s se deplaseze izoterma de solidificare n creuzet prin
scderea puterii furnizate rezistenei de nclzire. Este posibil folosirea unui germen
de cristal, dar un creuzet cu forma ca n figura 11.1 de obicei produce un singur cristal
i creuzetele cu un simplu vrf pot fi folosite cu succes. Pentru materiale volatile pot fi
folosite creuzete nchise. Pentru a preveni lipirea cristalului de creuzet, pot fi folosite
cptueli de carbon i straturi din fibre de sticl sau carbon.
Figura 11.2 Aparat pentru creterea cristale de halogenuri alcaline prin metoda Kyropoulos
Metoda are marele avantaj de a produce cristale mari (pn la 200 mm

diametru), cu aceleai dimensiuni ca ale creuzetului. Principalul dezavantaj este c
dilatarea termic diferit a cristalului i a creuzetului pot tensiona cristalul. Acest efect
poate fi redus la minim folosind un creuzet orizontal umplut astfel nct cristalul se
poate ridica n loc s fie comprimat, dac creuzetul se contract mai mult dect cristalul.
Totui, chiar i cu orice perfecionare a metodei, este dificil s se obin cristale perfecte.
170
Figura 11.3 Aparat pentru creterea cristalelor de Bi12SiO20 prin metoda Czochralski.
Folosind un creuzet de iridiu, un aparat similar poate fi utilizat pentru pmnturile rubinii rare
Solidificarea topiturii ncepnd de la partea superioar permite cristalului s

creasc iniial fr s ating creuzetul, astfel crescnd calitatea germenului, dar o
metod mai bun este cea n care este introdus un germen n vrful topiturii (figura
11.2). Rcirea topiturii cauzeaz creterea acestui germen i poate fi folosit rotirea
germenului pentru a controla distribuia temperaturii n topitur. n acest fel, este
posibil creterea cristalelor la dimensiuni aproape de mrimea creuzetului dar
gradienii de temperatur radial sunt eseniali pentru a permite disiparea cldurii latente
i aceasta limiteaz perfeciunea cristalului. Totui, metoda este folosit cu succes
pentru fabricarea cristalelor pentru utilizare n optic.
Tabel 11.2 Cristale crescute prin metoda Brigdman-Strockbarger
171
Cristal
Al2O3
Y3Al5O12
Gd3Ga5O12
FeAl2O4
YfeO3
CaF2
LiF
AgBr
NaNO2
NH3
Ar
N2
Punct de topire (C)

2037
1975
1825
1790
1685
1392
870
434
275
78
189
210
Vitez de cretere
(mm/h)
6
2
2
10
2
1
3
3
5
3
1
1
Creuzet
Molibden
Molibden
Iridiu
Iridiu
Platin
Carbon
Platin
Pyrex
PTFE
Mylar
Mylar
Pyrex
Metoda Czochralski n care se folosete un germen de cristal care se rotete i

concomitent este ridicat permite att controlul fluxului de cldur ct i cel al
amestecrii topiturii. Figura 11.3 prezint un aparat tipic. i n acest caz tehnica de baz
este simpl. Un germen de cristal este scufundat n topitur, temperatura este reglat
astfel nct o mic parte din germen este topit, apoi temperatura este cobort i
germenul este ridicat ncet, trgnd un cristal din topitur.
Scderea temperaturii topiturii determin creterea diametrului cristalului i
invers. Sistemele pentru controlarea diametrului sunt folosite pe scar larg.
Tabelul 11.3 ofer o imagine privind materialele care pot fi crescute prin aceast
metod. n prezent este posibil creterea cristalelor de oxizi pn la 80 mm diametru
fr dislocaii.
Vitezele de cretere prezentate n tabelul 11.3 sunt adecvate pentru cristale cu
diametre de aproximativ 20 mm. Cristale mai mari trebuie s fie crescute mai lent.
Deoarece multe aplicaii ale cristalelor implic folosirea acestora n folii sau
benzi, o mare parte a efortului tehnologic s-a ndreptat pentru a produce cristale direct
n aceste forme. Scopul este se a elimina pierderile i defectele ce apar la tierea
cristalelor n forma dorit, mai ales innd cont c pierderile de material pot ajunge pn
la 50 % din materialul iniial. Cercetrile privind aceast problem au nceput nc de
acum 50 de ani, dar n ciuda unor rezultate, se pare c nc nu s-a gsit o metod
eficient de a produce cristale de nalt calitate n form de folie la o vitez care este
comparabil, din punct de vedere economic, cu cea a creterii cristalelor n volum mare,
chiar innd seama de pierderi i de costurile tierii. n esen, metodele implic tragerea
cristalului din lichid ntr-o matri, sau pe un mosor poros. Problema major const n
faptul c este necesar simultan s fie satisfcute att condiiile pentru eliminarea
incluziunilor ct i pe cele necesare pentru obinerea perfeciunii cristalografice cu
meninerea concomitent a creterii la o vitez satisfctoare. Din aceste motive, nu sa reuit nc producerea unor materiale de nalt calitate cristalografic, la o vitez care
s fac oricare din aceste metode atractive din punct de vedere comercial.
172
Tabel 11.3 Materiale crescute prin metoda Czochralski

Cristal
Punct de topire
Vitez de cretere
(mm/h)
(C)
MgAl2O4
2100
6
Y3Al5O12
1975
2
LiTaO3
1650
10
CaWO4
1550
10
MnFe2O4
1500
5
NaBa2Nb5O15
1450
5
Sr0,75Ba0,25Nb2O6
1406
5
LiNbO3
1238
5
ZnWO4
1200
10
BaClF
1008
8
Bi12SiO20
900
5
KCl
770
5
NaNO2
275
3
H2O
0
3
Creuzet
Iridiu
Iridiu
Iridiu
Rodiu
Iridiu
Platin
Platin
Platin
Platin
Platin
Platin
Porelan
Platin
Pyrex
Toate metodele descrise pn acum implic meninerea topiturii ntr-un

container. Acest lucru nu este ntotdeauna de dorit, fie datorit problemelor legate de
contaminare, fie datorit costului prea ridicat al creuzetului. Astfel, cristalele de rubin
folosite pentru laseri (la care perfeciunea este vital) sunt crescute prin metoda
Czochralski, dar pentru folosirea lor n construcia ceasurilor (pentru care costul este
factorul dominant) este folosit metoda prin fuziune n flacr a lui Verneuil.
n aceast metod, materia prim sub form de pudr este presrat ntr-o flacr
sau un jet de plasm, unde se topete nainte s ajung la cristal n cretere, deasupra
cruia se formeaz o pelicul topit din care are loc creterea. Figura 11.4 prezint un
sistem tipic de cretere a cristalelor prin aceast metod. Ea este folosit la scar larg
numai pentru rubin.
Alt metod de cretere fr creuzet este metoda topirii zonale. n aceast
metod, o zon topit este meninut de tensiunea superficial ntre cristalul n cretere
i o bar policristalin de alimentare. Mrimea zonei care poate fi meninut crete odat
cu raportul dintre tensiunea superficial i densitate. Pentru cristale dielectrice, acest
raport tinde s fie mic astfel nct metoda nu este folosit la scar larg exceptnd
siliciul.
O metod de cretere din topitur care nu s-a dovedit prea folosit, n ciuda
faptului c produce destul de uor volume mari de cristal este topirea n arc. n aceast
metod este creat o topitur cu un arc electric. Topitura este suportat de materia prim
n stare de pulbere netopit. Dup topire, materialul este lsat s se rceasc ncet i apar
astfel spontan nuclee de cristal. Folosind o arj de nceput, din care 80 % se poate
refolosi, pot fi crescute 5 6 kg de cristale de MgO de 10 30 mm diametru i 40 60
mm lungime. Deoarece topitura este n contact doar cu propria sa faz solid, singura
surs de contaminare sunt electrozii.
173
Figura 11.4 Aparat pentru creterea rubinului prin metoda Verneuil
11.3.2.
Creterea din soluie la temperatur sczut
Nu sunt puine cazurile cnd, lucrnd n laborator, s-au crescut cristale din
soluie folosind solveni obinuii, la temperatura camerei. Producerea cristalelor de
dimensiuni mici este uoar, rapid i rezultatele sunt bune. Producerea cristalelor de
dimensiuni mari i perfecte este ns mult mai dificil. Pentru prevenirea formrii
incluziunilor, viteza de cretere pentru cristalele de dimensiuni mari este foarte mic (o
fraciune de milimetru pe zi) astfel nct creterea dureaz mai multe luni i problema
obinerii unei aparaturi sigure este foarte complex. Totui, multe cristale pot fi crescute
numai din soluie: majoritatea materialelor cunoscute care se descompun cnd sunt
nclzite, care au schimbri de faz sau prezint anomalii la topire.
174
Dei un numr enorm de materiale cristalizeaz n volum mare, de exemplu

sarea i zahrul, doar o mic parte dintre acestea sunt crescute pe scar larg pentru a fi
utilizate ca un cristal unic. Cea mai mare parte dintre acetia sunt fosfai sau arsenii,
crescui din soluie de H2O sau D2O pentru utilizarea n dispozitive optice.
Tabel 11.4 Materiale crescute din soluie la temperaturi sczute
Solvent
Cristale
Ap
fosfat diacid de amoniu, acid aspartic, aluminat de crom,
tartrat de etilen-diamin, hexamin, acid iodic, aluminat de
potasiu, fosfat diacid de potasiu, sare Rochelle, clorat de
sodiu, trifosfat de sodiu, zaharoz, sulfat de triglicin,
nitrat de uraniu, sulfat de zinc
Aceton
acridin, benzofenon, glioxol dimetil, hidrat de terpen,
trilaurin
alcool etilic
L-aspargin, hexamin, urotropin, xanton
tetraclorur de carbon benzofenon, cloramid de diclorochinon
disulfat de carbon
sulf
Practic singurele materiale de interes comercial important sunt sulfatul de
triglicin i alte materiale asemntoare. Att pentru fosfai, ct i pentru srurile de
triglicin este nevoie de cristale mari cu dimensiuni de 60 100 mm.
Tabelul 11.4 prezint diferite materiale care pot fi crescute n soluii la
temperatur sczut.
Cea mai cunoscut metod de cretere este cea care folosete rcirea lent.
Viteza de rcire este foarte mic: 0,2 pn la 0,01C pe zi. Pentru ca aceast vitez s
fie semnificativ, deviaiile de temperatur fa de cursul planificat trebuie s fie foarte
mici, astfel nct este un lucru obinuit folosirea sistemelor de bi multiple (figura 11.5)
inute n camere cu temperatur controlat.
Aparatul pentru cristalizarea la temperaturi sczute este compus din trei camere
concentrice: o baie exterioar, o baie interioar i camera de cretere. Cele dou bi sunt
confecionate din oel inoxidabil iar camera de cretere din Pyrex. Volumele acestor
camere sunt de 120, 80 respectiv 70 de litri. Amestecarea n camera interioar i n cea
exterioar se face cu cte un motor de 1500 de rotaii pe minut ataate la tije de oel
inoxidabil prevzute cu elice fixe. Amestecarea n camera de cretere se face prin de
rotaia arborelui suport pentru germeni, la o vitez de 10 15 rot/min, cu ajutorul unui
motor de curent continuu. Cldura este furnizat direct la camera de cretere printr-un
element de nclzire n form de spiral localizat ca n figur. Doi senzori de
temperatur sunt plasai n baia interioar i sunt folosii pentru controlul i
supravegherea permanent a temperaturii. Cele dou deschideri P din baia exterioar
sunt conectate la un aparat de rcire extern, capabil s rceasc ntregul sistem pn la
aproximativ 10C. ntreaga suprafa exterioar a cristalizatorului este acoperit cu o
izolaie termic. O intrare pentru vizualizare permite observarea din lateral a camerei
de cretere.
175
Figura 11.5 Aparat pentru cristalizarea la temperaturi sczute
Marile mase de lichid implicate tind s previn fluctuaii de temperatur dar este
destul de meninut evoluia temperaturii (scderea ei) cu o precizie bun. O metod
standard este folosirea unui poteniometru elicoidal cu motor, a crui rezisten poate fi
comparat cu rezistena unui rezistor dependent de temperatur (termistor). Acest
sistem poate furniza o variaie de temperatur n 10000 sau mai muli pai. Pentru a
depi problemele legate de rcire, unii lucrtori folosesc o temperatur constant i
las solventul s se evapore. Totui, obinerea unei viteze de evaporare constante este
dificil i apare tendina de formare a unor cristale false la suprafaa soluiei.
Pentru ca aparatele s funcioneze corect timp de mai multe luni, este necesar
o ntreinere riguroas. Cea mai mare parte a pieselor care se uzeaz (rulmeni, motoare
etc.) trebuie s fie nlocuite dup fiecare folosire i cea mai mare parte a pieselor, de
exemplu ansamblul de nclzire, trebuie s fie folosite la puteri mult mai mici dect cele
acceptate. O atenie la fel de mare trebuie dat la proiectarea sistemelor de control.
176
Figura 11.6 Folosirea mixerului cu disc n soluia de cretere
Problema major n creterea cristalelor mari este obinerea unei agitri adecvate
a soluiei, pentru prevenirea apariiei incluziunilor, fr a crea turbulene care ar putea
duce la formarea de cristale false. Cei mai muli cercettori folosesc o combinaie de
mixere cu elice i micarea cristalului. n aparate ca cel din figura 11.5 suportul care
ine germenul este nvrtit mai nti ntr-un sens, apoi n cellalt, prin inversarea
sensului de rotaie a motorului dup ce suportul a efectuat una-dou rotaii. O tehnic
interesant pentru creterea cristalelor plate este artat n figura 11.6.
Cealalt problem de importan capital, legat de creterea cristalelor din
soluie este cea a efectelor impuritilor, care pot schimba profund forma de echilibru a
cristalului. Att la metoda de rcire lent, ct i la metoda de evaporare a solventului,
este posibil folosirea tehnicilor de transfer de gradient de temperatur. Esena acestei
tehnici const n faptul c cristalul crete la o temperatur i materialul din care acesta
crete este meninut n alt parte la o temperatur mai mare. De obicei, camera de
cretere i camera n care se gsete materialul din care crete cristalul sunt separate i
177
soluia saturat din camer este pompat n camera de cretere i se rcete pe parcurs,
astfel nct, cnd ajunge n camera de cretere ea este suprasaturat. Principala problem
este c poate avea loc nucleaia n conducta de transfer, probabil ca rezultat al aciunii
pompei.
Rcirea lent, evaporarea solventului i transferul gradientului de temperatur
sunt cele mai cunoscute metode pentru producerea unei suprasaturaii pe faa de
cretere, dar sunt posibile i alte metode.
De exemplu, s-au crescut cristale dintr-o varietate de materiale n soluie de ap
i oxid de deuteriu (ap grea) folosind electroliza pentru a ndeprta solventul din sistem
cu o vitez corespunztoare. De asemenea, s-a descoperit c, impunnd un gradient de
temperatur, difuzia termic (efectul Soret) creeaz un gradient de temperatur care
poate fi folosit pentru a produce suprasaturaia necesar pentru cretere.
11.3.3.
Creterea din soluie la temperaturi ridicate sau
creterea n flux
Creterea n soluii la temperaturi ridicate este unul dintre cele mai vechi procese
folosite pentru prepararea cristalelor. Pn de curnd, procedeul a fost folosit mai mult
n laborator, pentru c este o tehnic convenabil pentru prepararea probelor folosite n
cercetare. n prezent, este folosit la scar comercial pentru a produce depuneri de oel
i pmnturi rare cu volum suficient de mare (pentru dispozitive cu microunde) i n
form de straturi subiri (pentru dispozitive pe baza domeniilor magnetice).
Procedeul de baz pentru a obine cristale cu volum de dimensiuni mari este n
principiu foarte simplu: o soluie corespunztoare este rcit lent. Problemele implic
gsirea unui solvent i a unui container corespunztoare, atingerea unei viteze de rcire
corespunztoare (constante) i, dac se doresc rezultate reproductibile, introducerea un
germen de cristal cu dificultile concomitente de obinere a distribuiei corecte de
temperatur i a condiiilor de agitare. Dac aceste probleme pot fi rezolvate fr a
introduce alte complicaii, metoda ofer posibiliti de cretere la temperaturi rezonabile
a cristalelor cu temperaturi de topire foarte ridicate sau cu anomalii de topire n
dispozitive uor de construit.
178
Pentru oxizi, solvenii (sau fluxurile) bazai pe oxid de plumb sunt foarte
cunoscui. Ionul de plumb este att de mare nct are o solubilitate sczut n solid la
majoritatea cristalelor. Oxidul de plumb singur nu este un solvent bun, motiv pentru
care este adugat n mod frecvent fluorur de plumb. Aceasta crete volatilitatea
fluxului astfel nct dac nu se folosete metoda evaporrii solventului este necesar
ermetizarea containerului pentru a elimina sau a reduce pierderile din flux. Adugnd
un al treilea component solventului, de exemplu oxid de bor, se poate reduce
volatilitatea i se pot modifica i alte proprieti.
Figura 11.7 Aparat pentru creterea n flux folosind un creuzet sferic. La sfritul unei
funcionri, tijele care se rotesc sunt mpinse nuntru i cristalul este scos prin rotaie din
soluie
Containerele folosite sunt de obicei din platin i, n ciuda faptului c aliajele

din platin sunt mai rezistente dect metalul pur, puritatea joac n acest caz un rol
esenial: impuritile, n particular rodiul, genereaz germeni de coroziune accelerat.
179
Aparatura poate varia n general de la cele mai simple dispozitive, la cele mai
sofisticate (figura 11.7). Pentru producia fr germeni de probe pentru cercetri este
adecvat un creuzet simplu din platin, plasat ntr-un cuptor nclzit, care se rcete cu
cteva grade pe or. Cristalele sunt filtrate din solventul solidificat, de exemplu, n acid
azotic. La cealalt extrem, viteze de rcire de 0,1C/h ar putea fi folosite, fiind necesar
un control al temperaturii de 0,01C i amestecul prin tehnica rotirii accelerate a
creuzetului (rotaie n sens unic cu o vitez care variaz ciclic), cu posibilitatea de
ndeprtare prin rotire a soluiei lichide de pe cristalul crescut.
Figura 11.8 Aparat pentru creterea cristalului prin metoda transportului de cldur la
creterea n flux
Pentru sisteme cu fluxuri nevolatile, este posibil folosirea unei geometrii

similare cu cea a sistemului Czochralski (metod aplicat, de exemplu, la creterea
180
cristalelor de KTaxNb1-xO3, folosind un aparat pentru viteze mici de cretere: 10 100

m/h).
Este de asemenea posibil folosirea creterii n flux ntr-o configuraie similar
cu cea a topirii zonale. n acest fel, materialul este transportat printr-o zon de soluie
prin meninerea unui gradient de temperatur, astfel nct o bar din materialul de
cretere s aib o fa de dizolvare care este mai fierbinte dect faa de cretere a
cristalului. n acest fel, de exemplu, s-au crescut cristale de calcit de 25 mm n diametru
din soluie n carbonat de litiu la o vitez de aproape 60 mm pe lun (figura 11.8). Totui,
aceast tehnic prezint multe dificulti experimentale (de exemplu, proiectarea
radiatorului n interiorul soluiei).
Pentru materialele conductoare (i multe materiale sunt conductoare la
temperatura folosit la creterea n flux) este posibil depunerea electrolitic. Aceast
metod de cretere nu este foarte folosit, dar ea ofer posibiliti interesante.
Se cunosc peste 100 de compui care au fost cristalizai electrolitic, acetia
incluznd un numr de oxizi (ai metalelor alcaline, tungstenului, molibdenului),
pnictide (de exemplu, WAs, MoSb, NbP, etc), sulfuri (MoS2, LaS etc.) i o varietate de
boruri (BaB6, WB, ZrB2 etc.), carburi (Fe3C, MoC), germaniuri (CrGe, Ni2Ge) i
siliciuri (CaSi2, LaSi2, Mn2Si etc.).
Cu materialele conductoare este posibil folosirea rcirii Peltier pentru a
produce suprasaturarea necesar. Cea mai mare parte a lucrrilor pe acest subiect a fost
realizat n legtur cu creterea semiconductorilor.
Epitaxia n faz lichid (LPE liquid phase epitaxy), n sensul creterii unui
cristal dintr-un material dintr-o soluie pe un germen din alt material, este un proces
foarte vechi, bibliografia pe acest subiect cuprinznd lucrri vechi de peste un secol. n
prezent, procesul implic creterea unui strat relativ subire dintr-o soluie la o
temperatur ridicat i n aceast form a fost studiat doar de cteva decenii, din
timpurile cnd se fabricau tranzistoare n tehnologie aliat. Singurele cristale izolatoare
crescute pe scar larg prin aceast metod sunt depunerile magnetice pentru
dispozitivele cu ferit. Pentru aceast aplicaie straturile crescute trebuie s fie aproape
perfecte din punct de vedere cristalografic iar calitatea substratului i prepararea sa sunt
parametri critici.
Soluiile de depuneri de oxid de bor i plumb sau oxid de bismut i de siliciu
sunt foarte stabile, chiar la suprarciri foarte mari (pn la 100 C sau chiar mai mult).
De aceea, este posibil crearea unei soluii suprasaturate i conducerea procesului de
cretere la o anumit temperatur. Dou variante de procese sunt folosite. Figura 11.9
l prezint pe cel mai cunoscut, care seamn foarte mult cu procesul Czochralski.
Pentru creterea de straturi de Y2Fe5O12 pe substraturi de Gd3Ga5O12 dintr-o
topitur coninnd PbO 85 % molar, B2O3 6,9 %, Y2O3 0,5 % i Fe2O3 7,8 %. Procesul
de cretere implic nclzirea la 1040C timp de o or, rcirea la temperatura de cretere
de 885C i apoi introducerea substratului n topitur. O vitez de rotaie tipic este 120
rot/min n timpul creterii dar cnd creterea este terminat, viteza este crescut pentru
a ndeprta surplusul de material. Sunt atinse viteze de cretere de 1m/min.
Al doilea proces implic scufundarea substratului cu feele mari inute vertical.
n acest caz nu este folosit de obicei amestecarea mecanic. Convecia datorat
181
gradientului de temperatur sau gradientului solvitului (creat de cretere) ofer o

oarecare amestecare dar grosimea stratului de separare crete n direcia curgerii, astfel
nct un strat de grosime uniform poate fi produs doar prin impunerea unui gradient de
temperatur.
Figura 11.9 Aparat pentru epitaxia n faz lichid pe un substrat orizontal
Aceasta este greu de realizat i cum coeficienii de separare ai multor

componeni sunt dependeni de temperatur, uniformitatea grosimii i a compoziiei
este aproape imposibil de atins. Pentru eliminarea acestor inconveniente, s-a impus
amestecarea prin aplicarea a dou micri armonice simple, pe direcii perpendiculare,
182
n planul substratului, cu o diferen de faz de 90. Aceast metod ofer o agitare

adecvat.
n procesul prezentat n figura 11.9 au loc mai multe procese tranzitorii. De aici
rezult o vitez de cretere neuniform, cu variaia concomitent a compoziiei. La
nceput, pe msur ce substratul este imersat, trebuie s se formeze un strat de separare
i atunci difuzia din acest strat trebuie s se stabilizeze. n timpul acestor dou procese,
viteza de cretere scade i solvitul n apropierea substratului este epuizat. Totui, pe
msur ce din ce n ce mai mult lichid este agitat de rotaia substratului, se
aprovizioneaz solvit nou i viteza de cretere ar putea deveni mai mare. n final, are
loc epuizarea solvitului n ntreaga soluie i viteza de cretere scade din nou.
Constantele de timp pentru aceste procese sunt date n tabelul 11.5. Procese similare au
loc i n alte tehnici n care apar i alte procese dependente de timp. Astfel, straturile
crescute prin LPE tind s fie neuniforme n grosime, ceea ce ar putea fi ultima limitare
n folosirea lor. n prezent sunt depuse eforturi pentru nelegerea acestor procese i a
altora limitatoare, n sperana c o nelegere mai bun va permite un control adecvat.
Una dintre cele mai evidente orientri actuale este o cretere stabil n mrimea
substratului, ceea ce este esenial, dac trebuie reduse costurile procesului.
Relaii similare celor din tabelul 11.5 pot fi derivate pentru alte sisteme de
amestecare. Aici este viteza de rotire a discului care are raza R i este scufundat ntro topitur de raz A i adncime L, este grosimea stratului de separare, D este
constanta de difuzie, v este viscozitatea cinematic, k este coeficientul cinetic, este o
1
constant, .
2
Tabelul 11.5 Procese tranzitorii n LPE cu substrat rotitor n form de disc
Constanta de timp
Proces
Relaie teoretic
Valoare experimental (s)
Formarea stratului
0,2
limit
Echilibrarea
10
2
solvitului
2D
Extinderea agitrii
30
L
Epuizarea
solvitului
v
2
1A
L 2
D kR
1000
n epitaxia n faz lichid, ca i n alte procese de cretere n soluie, este greu

de gsit un solvent bun i sunt rare componentele singure bune. De obicei, sunt adugate
componente suplimentare pentru a reduce viscozitatea, volatilitatea i tensiunea
superficial. De asemenea, ele au de obicei un efect benefic de reducere a punctului de
solidificare a soluiei, astfel fcnd mai uoar ndeprtarea urmelor finale, care
inevitabil se lipesc pe substrat n timp ce acesta este scos din soluie.
183
11.3.4.
Creterea hidrotermic
Procesul hidrotermic este o tehnic de cretere a cristalelor din soluie la o

temperatur aproape de sau puin peste temperatura critic. Procesul este astfel unul
intermediar ntre creterea n soluie i creterea n vapori. Totui, presiunile foarte mari
( 2000 bari) folosite de majoritatea cercettorilor o plaseaz de obicei mai aproape de
creterea n soluie: fluidele au densiti de 0,7 g/cm. Metoda a fost aplicat pentru mai
multe materiale dar aproape singurul material studiat pe scar larg i crescut n scop
comercial este cuarul, motiv pentru care, n acest paragraf discuia se concentreaz
asupra acestui material.
Cristalele sintetice de cuar au fost obinute nc de acum peste 100 de ani, dar
viteza mic de cretere a descurajat cercetarea pn prin anul 1945, cnd se prea c
cererea pentru cuar va ntrece n curnd stocurile de cristale. A trebuit s treac nc
zece ani pentru aduce procesul la eficien comercial, primele cristale sintetice aprnd
pe pia n 1955. n prezent, cu o autoclav de 25 mm n diametru i de aproape 3 m
lungime se poate produce o ton de cristale de cuar pe an, fiecare dintre acestea
cntrind cteva sute de grame. Producia total mondial este de aproximativ 1000 de
tone.
Tabelul 11.6 Viteze relative de cretere pe diferite plane la creterea prin metoda
creterii hidrotermice
Mineralizator
Plan
Na2CO3
NaOH
Z (0001)
1
1
0,4
0,50,8
z 1011
r 01 11
X+ 2 1 10
X 2110
m 10 10
0,05
0,10,5
0,3
0,07
0,04
* Se consider creterea pe faa Z la o vitez unitar. De fapt, viteza de cretere n NaOH

este de cteva ori mai mare dect n Na2CO3.
Procesul hidrotermic de baz este n esen creterea din soluie prin transfer de
gradient de temperatur. Cipuri mici (5 6 mm) de cuar natural sunt plasate ntr-un
co, umplnd 40 % din partea inferioar a unei autoclave, germeni orientai convenabil
fiind susinui pe un suport n partea superioar a acesteia. Vasul este umplut pn la o
fraciune predeterminat din volumul su total, de obicei 80 %, cu o soluie bazic, de
exemplu NaOH 1 M. Vasul este nchis ermetic (figura 11.10) i plasat ntr-un cuptor
destinat pentru a menine partea inferioar mai cald dect regiunea de cretere, de sus.
Un ecran cu deschideri cu suprafaa de 5 10 % din suprafaa total este introdus
deseori pentru a uura meninerea diferenei de temperatur.
184
Figura 11.10 Aparat pentru creterea hidrotermic
Pe msur ce temperatura crete, lichidul crete n volum i la o anumit

temperatur, mai mic dect temperatura critic (375C), umple vasul. Pentru o
temperatur de dizolvare de 400C i o temperatur de cretere de 350C, presiunea este
de aproximativ 2000 de bari i creterea pe direcia [0001] are loc la o vitez de 1mm/zi.
Sunt posibile viteze mai mari, dar de obicei ele nu duc la un produs satisfctor. Faa
(0001) este aspr i ofer o vitez maxim de cretere. Tabelul 11.6 prezint cteva
viteze de cretere relative.
185
Aparatele pentru creterea hidrotermic industrial sunt autoclave standard de

15 i 25 cm n diametru intern. Diametrul extern este de obicei ntre 1,8 i 2,5 ori
diametrul intern: perei mai groi dect acetia nu mresc apreciabil presiunile i
temperaturile maxime ce pot fi folosite.
Figura 11.11 Factorul de calitate Q, al cristalelor de cuar, n funcie de viteza de cretere.

Cercurile pline sunt pentru creterea pe planul 01 11 . Celelalte date sunt pentru creterea pe
planul (0 0 0 1)
Echipamentul tipic lucreaz satisfctor la 2000 de bari i 400C, timp de mai

muli ani. Presiuni mai mari ar da viteze de cretere mai mari pentru o diferen de
temperatur dat i temperaturi mai mari ar da viteze de cretere mai mari i o puritate
mai mare (figura 11.11). Totui, aceste condiii nu sunt accesibile n echipamentul de
producie folosind materiale disponibile n prezent.
Materialul de nceput n proces este cuarul natural. Surse de minereuri pentru
acesta exist n Brazilia, Malaezia, India, Japonia, America. Aproape toate impuritile
au un efect nedorit asupra creterii. Astfel V, Ga, Mg, Ge i Zn ncetinesc creterea, Fe,
Al, Mg determin formarea de incluziuni, Al i Fe scad factorul de calitate mecanic, Q.
Zn, K i Rb cresc concentraia de impuriti indezirabile.
n medie, cristalele conin doar o zecime impuriti n materia prim dar
coeficienii de separare sunt dependeni de vitez i de faa de depunere. Astfel,
186
aluminiul este ncorporat de 10 ori mai mult pe faa 2 1 10 dect pe faa (0001),
ordinea general fiind 01 11 > 2110 > 2 1 10 > (0001). Pentru Ge, acesta este
ncorporat ntr-o proporie de 15 ori mai mare pe faa 01 11 dect pe faa (0001). Este
de ateptat creterea cantitii de impuriti odat cu creterea vitezei de cretere dar n
aceste exemple (0001) este faa cu cea mai mare vitez de cretere, deci trebuie s se
atribuie aceste rezultate diferenei de cinetic pe feele naturale (singulare), unde este
de ateptat s creasc rapid straturi, iar pe faa aspr (0001) rezultatele experimentale
este de ateptat s se apropie de valorile calculate termodinamic i hidrodinamic. Cele
mai intense studii au fost fcute cu incluziuni de hidrogen (ion de hidroxil). n reea,
hidrogenul acioneaz ca un agent de umezire i scade factorul de calitate mecanic Q al
cristalului. S-a artat c datele din figura 11.11 sunt compatibile cu un coeficient de
separare dependent de fa i de temperatur, care variaz odat cu viteza de cretere.
Coeficientul de separare depinde i de mineralizator i adugarea de mici cantiti de
sruri de litiu este benefic. Nitritul este eficient n mod special, dar nu exist nc nici
o explicaie a acestui fapt.
O problem important este cea a densitii dislocaiilor. Acestea se pot propaga
din germen, se pot forma la interfaa germen-cristal (datorit nepotrivirii reelelor sau
datorit incluziunilor care deseori exist ca un voal n jurul germenului) sau pot fi
generate de nuclee de incluziuni formate n alte locuri n cristal. Majoritatea acestora
sunt probabil rezultatul instabilitii interfeei, care poate aprea foarte uor pe feele
(0001). Feele naturale (singulare) par s fie stabile din punct de vedere cinetic, dar sunt
deseori observate crpturi pe faa (0001).
Dei creterea hidrotermic a fost studiat intensiv timp n ultimii ani, rmn de
pus la punct multe lucruri. Cercetrile viitoare vor determina cu siguran mbuntirea
procesului care, aa cum este practicat n prezent, d aproximativ 70 % din producia
de cristale de cuar. O mbuntire deja utilizat este creterea pe faa 01 11 a unui
germen, lucru care elimin unele pierderi de la tiere. Totui, aa cum arat figura 11.11,
acest proces necesit o vitez de cretere mai mic i n anumite situaii s-ar putea s nu
fie economic.
11.3.5.
Metode mai puin utilizate
Exist un numr de metode disponibile pentru creterea cristalelor care nu sunt

folosite de obicei pentru materialele izolatoare. Acestea includ:
a) creterea din vapori
b) creterea din faz solid
c) creterea din gel.
Aceste metode sunt prezentate pe scurt n continuare.
Metodele creterii n vapori se mpart n dou clase:
- metode de evaporare (incluznd tehnicile cu fascicule moleculare)
- metode de transport chimic
Ambele clase au fost dezvoltate pentru creterea materialelor semiconductoare
n special n form de straturi subiri, aplicaiile lor pentru halogeni i oxizi fiind mai
187
puin frecvente i, n general, de mai puin succes. Un numr de materiale organice au

fost, de asemenea, crescute prin evaporare. Tehnica de baz este simpl. O parte din
compuii dorii sunt nchii ermetic ntr-un balon de sticl ce este plasat ntr-un gradient
de temperatur astfel nct materia iniial se evapor i se condenseaz la un punct
unde se va forma un nucleu. Creterea poate fi fcut similar n sisteme deschise i
transportul de la surs la cristal poate fi ajutat de un curent de gaz inert.
Cealalt tehnic folosit n mod obinuit este transportul chimic de vapori. Un
proces tipic este creterea compuilor fierului, prin reacii de tipul:
MO + 2HCl MCl2 + H2O
Fe2O3 + 6HCl 2FeCl3 + 3H2O
MCl2 + 2FeCl3 + 4H2O Mfe2O3 + 8HCl
Aici, reactanii sunt inui la 50 100C sub temperatura zonei de cretere (800
1200C).
n ciuda unor mari eforturi de cercetare pentru aceast metod, majoritatea
materialelor par a fi mai uor de crescut prin alte tehnici.
Cristalele pot fi crescute din faza solid prin diferite tehnici. Cele mai importante
sunt: sinterizarea, clirea sub tensiune mecanic i utilizarea unei transformri de faz.
Sinterizarea n general produce cristale mici. Clirea sub tensiune mecanic nu poate fi
aplicat pe majoritatea materialelor izolatoare deoarece acestea au tensiuni de spargere
mici ( 2103) i, de aceea, nu pot fi deformate apreciabil. Utilizarea rcirii treptate
pentru a propaga un monocristal ntr-o faz de temperatur sczut este posibil numai
pentru materiale cu transformri de faz situate convenabil i chiar cnd exist astfel de
transformri (de exemplu CuCl2), sunt cunoscute metode mai bune de cretere a
cristalelor..
Creterea n gel este intermediar ntre creterea n soluie i creterea n stare
solid. Pn acum metoda nu a fost folosit prea mult dar ideea de a difuza mpreun
componentele unui cristal care este inut ntr-un mediu semi-solid dar uor de ndeprtat
prezint cteva aspecte atractive. Singura problem evident este c n practica de acum,
viteza de cretere liniar scade n timp, astfel nct creterea cristalelor mari dureaz
mult.
11.4. Depuneri de straturi subiri prin evaporare n vid

11.4.1.
Consideraii generale
Proprietile solidelor aflate ntr-un strat subire sunt deosebite, ntruct

fenomenele de suprafa joac un rol dominant. Din aceast cauz, numeroase cercetri
se fac avnd drept obiect de studiu depunerile de materiale n strat subire, cu aplicaii
foarte importante, n numeroase domenii. Pentru aceasta este necesar punerea la punct
a unor tehnici de depunere care s permit obinerea unor straturi de o puritate ct mai
mare i de grosimi foarte riguros controlate. Una din metodele bine puse la punct n
prezent este cea a evaporrii n vid, care const n depunerea din stare de vapori, pe un
suport, a substanei dorite. Acest proces este influenat de numeroi factori, dintre care
cei mai importani sunt:
natura i presiunea gazului rezidual n incinta de depunere.
188
Orict de performant ar fi instalaia de vid, n incinta vidat rmn urme ale gazului
care a umplut-o anterior vidrii, la o presiune cu att mai mic, cu ct performantele
instalaiei de vidare sunt mai bune. Aceast presiune trebuie s aib o astfel de valoare
nct drumul liber mediu al moleculelor gazului rezidual s fie mai mare dect distana
de la sursa de vapori la suportul pe care se face depunerea. Pentru o mai bun edificare
n legtur cu acest aspect, n tabelul de mai jos sunt date valorile drumului liber mediu
pentru aer aflat la diferite presiuni (n cazul altor gaze, valorile sunt diferite).
p(torr)
102
103
104
105
106
3
2
1
5
50
510
510
510
(m)
Pe de alt parte, natura gazului rezidual are i ea o important deosebit,
deoarece s-a constatat c, pentru un material ce urmeaz s fie depus, anumite gaze
produc efecte negative n privina calitii depunerii.
intensitatea fasciculului de atomi care condenseaz pe suportul de depunere.
Aceasta prezint o valoare critic, sub care nu are loc condensarea.
natura i starea suportului de depunere.
n primul rnd, starea de curenie a suportului influeneaz decisiv calitile
stratului depus. De aceea, suprafaa suportului de depunere trebuie curat n prealabil
de orice impuriti. i temperatura suportului este important, constatndu-se c, sub o
anumit temperatur, n funcie de natura suportului, depunerea se face dificil. n sfrit,
natura suportului influeneaz i ea depunerea, pentru o anumit substan ce se depune,
anumite materiale mpiedicnd depunerea dac suportul este confecionat din unul din
ele. De obicei, cnd nu este necesar n mod expres un suport din alt material, acesta este
confecionat din sticl (lamele de sticl de microscop).
temperatura de evaporare a atomilor, care determin viteza acestora.
La temperaturi prea mici, stratul depus prezint defecte de structur sau chiar o
structur amorf.
natura i starea sursei i modul de evaporare.
Natura substanei depuse, ct i puritatea acesteia sunt, i ei, factori ce influeneaz
calitatea depunerii. Evident, o surs de evaporare cu impuriti va duce la obinerea unui
strat depus avnd prezente aceleai impuriti; nsi tehnica de evaporare poate
constitui o surs de impuriti i, n orice caz, influeneaz calitatea stratului depus.
natura starea i forma mtii de depunere.
n general, pentru obinerea unor straturi de contur dorit, se interpune ntre sursa de
evaporare i suportul de depunere un ecran (masc), avnd practicat o deschidere de
forma dorit. Este evident c natura, starea de curenie i forma mtii determin i ele
calitatea stratului depus. Din aceste considerente, se vede c alegerea modului de
depunere este ea nsi o operaie laborioas i pretenioas, de ea depinznd n final
calitatea straturilor depuse i, deci, rezultatele cercetrilor sau activitilor practice
desfurate cu acestea.
11.4.2.
Instalaia experimental
O instalaie de depunere des folosit este cea din figura 11.12. Ea este alctuit
din dou pri: instalaia de vid (pompa rotativa cuplat cu pompa de difuzie, asigurnd
189
o vidare pn la 104 torr precum i instalaia de msur a presiunii) i instalaia propriuzis de depunere, alctuit dintr-un clopot de sticl, C, sub care, n vid, se face
depunerea.
Figura 11.12 Instalaie de depunere n vid
Clopotul de sticl C se afl pe un suport, care are prevzut accesul spre pompa
de vid i contacte electrice speciale (E) pentru a suporta cureni mari, necesari
evaporrii. Materialul ce urmeaz a fi depus (Al, de exemplu) este sub forma unui
filament (F) prin care trece un curent suficient de mare (~ 30 A) pentru a produce
incandescena i evaporarea (de fapt, sublimarea). n cazul anumitor materiale, care nu
pot fi trase sub form de filament, n locul acestuia se plaseaz o cuv confecionat
dintr-o foit de metal greu fuzibil (tungsten), n care se plaseaz metalul ce va fi topit
prin trecerea curentului electric. La o distan corespunztoare (3 - 4 cm), se plaseaz o
lamel de sticl de microscop (S), curat n prealabil, peste care se plaseaz o masc.
Pentru depunere, se procedeaz astfel:
se verific instalaia de vid i cea de lucru;
se cur foarte bine lamela de sticl de microscop i se fixeaz n dispozitivul
de prindere de sub clopot;
se fixeaz ntre contactele E o srm de Al, verificndu-se starea contactelor
electrice;
se fixeaz clopotul pe garnitura de etanare i se pornete instalaia de vid
(conform instruciunilor de lucru cu aceasta);
190
se urmrete presiunea n incinta de vidare i, cnd aceasta a atins valoarea

minim (care se noteaz), se oprete instalaia de vid;
se stabilete un curent electric prin filament i se ateapt un interval de timp
(cteva minute) pentru a avea loc depunerea, dup care se devideaz instalaia
i se scoate lamela, avnd grij s nu fie murdrit;
se repet operaiile i se depune un nou strat, care s acopere parial stratul iniial
(folosind, de data aceasta o masc);
cu ajutorul unui microscop metalografic, se analizeaz calitatea straturilor
depuse i se msoar grosimea celui de-al doilea strat depus;
Folosind fire de Al de grosimi diferite i variind timpul de depunere sau curentul
prin filament se pot obine straturi de grosimi i caracteristici diferite. Prin analizarea
lor, se pot determina condiiile optime de utilizare a metodei pentru a obine produsul
cu caracteristici dorite.
191
12. PROPRIETI DIELECTRICE ALE SOLIDELOR

12.1.1.
Consideraii generale
Multe dintre aspectele fenomenelor care au loc la introducerea unei substane

dielectrice (adic o substan care nu dispune de purttori de sarcin electric liberi)
ntr-un cmp electric exterior sunt asemntoare cu cele care se petrec la introducerea
substanei n cmp magnetic, datorit faptului c structura dielectricului este o structur
polar (permanent sau indus).
S reamintim c un dipol electric este un sistem alctuit din dou sarcini
electrice egale ca mrime dar de semn opus, +q i q, situate la o distan . Se definete
momentul electric dipolar ca fiind:
pe q
(12.1)
unde este vectorul de modul , orientat pe direcia ce unete cele dou sarcini, cu
sensul de la sarcina negativ spre cea pozitiv.
n general, momentele electrice dintr-un dielectric sunt orientate haotic, ca
urmare a agitaiei termice dar, ntr-un cmp electric exterior ele tind s se orienteze de
a lungul acestuia, sub aciunea momentului de rotaie, M p E , ce tinde s roteasc
dipolii astfel ca acetia s se alinieze pe direcia cmpului electric exterior. Ca urmare
a acestui fapt, n dielectric apare o redistribuire a sarcinii electrice i, dei pe ansamblu
el este neutru din punct de vedere electric, la suprafaa lui apar sarcini electrice
necompensate, numite sarcini de polarizare, care creeaz n dielectric un cmp electric
de polarizare E p , ce se suprapune peste cel exterior, E 0 , astfel nct cmpul electric

total este dat de suma vectorial a celor dou: E E 0 E p .

Se definete vectorul polarizare a dielectricului ca fiind momentul electric
dipolar al unitii de volum:
1
P p ei
(12.2)
V i
Experimental se constat c, pentru o gam larg de dielectrici (medii liniare),
este valabil relaia:
P e 0 E
(12.3)
unde e este susceptibilitatea dielectric a substanei.
Comportarea dielectricului poate fi descris prin intermediul vectorului inducie
electric, D , dat de:
D 0 E P 0 1 e E 0 r E
(12.4)
unde r este permitivitatea electric relativ a dielectricului.
Aceast relaie este valabil numai pentru medii izotrope, n cazul anizotropiei,
evident, permitivitatea se definete ca un tensor.
192
Starea de polarizare a unui dielectric poate fi polarizare temporar, dac

aceasta depinde de cmpuri electrice exterioare sau polarizare permanent, dac ea
nu depinde de acestea.
Polarizarea temporar poate fi, la rndul ei, de dou feluri: de deplasare sau de
orientare dipolar. Polarizarea de deplasare poate fi polarizare de deplasare
electronic, dat de deplasarea limitat i elastic, sub aciunea cmpurilor electrice
exterioare a nveliurilor electronice ale atomilor sau polarizare de deplasare ionic,
dat de deplasarea limitat i elastic, sub aciunea cmpurilor electrice exterioare a
ionilor reelei (specific cristalelor ionice).
Polarizarea de orientare dipolar reprezint orientarea preponderent pe direcia
cmpului electric exterior a dipolilor existeni n cristal i care, n absena acestui cmp
sunt orientai haotic, aleatoriu, ca urmare a agitaiei termice (este caracteristic
cristalelor polare).
Polarizarea permanent poate fi polarizare spontan, atunci cnd ordonarea
apare pe domenii de temperaturi, n cristale cu ax polar, ca urmare a condiiei de
minimizare a energiei libere a sistemului. ntruct acest tip de polarizare este
dependent de temperatur, ea se mai numete i polarizare piroelectric. Cristalele
feroelectrice sunt cele mai cunoscute cristale cu polarizare de acest fel.
La structurile cristaline fr un centru de simetrie, sub aciunea unor factori
mecanici, poate aprea un alt tip de polarizare permanent, polarizarea piezoelectric.
Pot fi create, sub aciunea unor radiaii sau prin tratament termic n cmp electric
exterior i stri de polarizare cvasipermanent.
n majoritatea cazurilor, dielectricii prezint concomitent dou sau mai multe
tipuri de polarizare, din cele descrise mai sus.
12.1.2.
Piroelectricitatea
La cristalele ionice se poate observa o polarizare spontan piroelectric. Pentru

a explica apariia acesteia, s considerm o reea unidimensional ionic, cu dou tipuri
de ioni avnd masele M1 i M2 i sarcina electric q1 = + e, q 2 = e. Cmpul electric
cristalin local Ec = E0eit determin oscilaii ale ionilor reelei, conform:
M1 u n 1 = (un un 1) (un 1 un 2) + eEc

(12.5)
M2 u n = (un+1 un) (un un 1) + eEc

(12.5)
Cum intereseaz numai deplasarea relativ fa de poziia de echilibru a ionilor
pozitivi, respectiv negativi, relaiile de mai sus se pot scrie sub forma:
M1 u = (u v) + eEc
(12.6)
M2 v = 2(v u) eEc
(12.6)
unde u i v sunt deplasrile din poziia de echilibru ale ionilor pozitivi, respectiv
negativi, considerate identice la ioni de acelai semn apropiai. Din relaiile de mai sus,
se obine:
e
u v = 2 M 2 EC
(12.7)
0
193
unde M =
2
M1 M 2
i 0 =
. Atunci, polarizarea este:
M1 M 2
M
Ne 2
Ps = eN(u v) = 2 M 2 EC
(12.8)
0
unde N este numrul celulelor elementare din unitatea de volum (egal cu concentraia
ionilor pozitivi sau negativi).
Evident, deplasarea relativ a ionilor pozitivi i negativi este dependent de
temperatur, de unde rezult c i polarizarea spontan, dat de relaia (12.8) este
dependent de temperatur, acest fenomen fiind efectul piroelectric, care const n
variaia polarizrii spontane n funcie de temperatur. Pentru caracterizarea acestui
efect, se definete coeficientul piroelectric, dat de relaia:
dP
C= s
(12.9)
dT
Dac un cristal piroelectric este supus unei variaii de temperatur, ca urmare a
variaiei polarizrii spontane, apare un curent piroelectric, prin msurarea cruia se
pot obine informaii cu privire la proprietile dielectrice ale cristalului. Cele mai
cunoscute substane piroelectrice sunt turmalina, cuaritul, sulfatul de litiu.
12.1.3.
Piezoelectricitatea
Dac asupra unui cristal dielectric acioneaz o for de deformare (comprimare sau
ntindere) mecanic, este posibil ca ntre feele perpendiculare pe direcia deformrii s
apar o diferen de potenial, cristalul fiind n acest caz un cristal piezoelectric Sensul
tensiunii electrice se schimb la schimbarea sensului forei deformatoare. Fenomenul,
cunoscut sub numele de efect piezoelectric, a fost descoperit n 1880 de fraii Pierre i
Jacques Curie. El poate fi descris de ecuaiile:
P = eE KF
(12.10)
1
x = KE F
(12.11)
unde P este polarizarea, E - intensitatea cmpului electric aplicat, F- fora aplicat, constanta elastic (determinat n cmp electric constant), e - susceptibilitatea
dielectric, x - deformarea elastic i K - coeficientul piezoelectric. n cazul substanelor
anizotrope, relaiile de mai sus se scriu tensorial. Se constat c efectul este de ordinul
I (E este proporional cu deformarea).
Relaiile (12.10) i (12.11) arat i posibilitatea producerii efectului
piezoelectric invers*, care const n apariia unei deformri mecanice la introducerea
cristalului ntr-un cmp electric exterior i care este folosit la producerea ultrasunetelor.
i efectul piezoelectric direct are aplicaii importante, n construcia dozelor
*
Dei, n multe lucrri, efectul piezoelectric este numit i efect electrostrictiv, trebuie subliniat c
aceast denumire este greit, ea desemnnd un alt fenomen, mai general, prezent la toate materialele i
constnd n modificarea dimensiunilor la introducerea n cmp electric. Aceast variaie a dimensiunilor
este proporional cu ptratul intensitii cmpului electric (i nu cu puterea I a cmpului electric, cum se
ntmpl la efectul piezoelectric invers) i este foarte mic.
194
piezoelectrice, a microfoanelor i difuzoarelor piezoelectrice i a cristalelor utilizate la

obinerea unor oscilaii electromagnetice de frecven foarte precis i stabil.
Toate substanele piroelectrice sunt piezoelectrice dar mai sunt i alte substane
care prezint acest efect. Cele mai cunoscute materiale care prezint efectul
piezoelectric sunt cuarul, fosfatul hidrogenat de potasiu (KH2PO4), titanatul de bariu
(BaTiO3), sarea Seignette (Rochelle) (NaKC4H4O6. 4H2O), fosfatul de potasiu i
hidrogen (KH2PO4), colemanita (CaB3O4[OH]3. H2O), sulfatul de amoniu ([NH4] 2SO4),
fluorberilitul de amoniu ([NH4]2BeF4), sulfatul de metilamoniu i aluminiu
(NH4Al[SO4]2.12H2O), - nitratul de potasiu, (KNO3), selenatul de triglicin, fluoritul
de triglicin, sulfatul de triglicin etc. Marea majoritate a acestora au fost studiate i
analizate abia ncepnd cu deceniul al aselea, multe proprieti fiind nc n studiu.
12.1.4.
Feroelectricitatea
Exist o categorie de solide dielectrice a cror comportare n cmp electric

exterior este foarte asemntoare cu cea a feromagneticilor n cmp magnetic exterior.
Acesta a i fost motivul pentru care ele au fost numite substane feroelectrice. Ele sunt
substane care, sub o anumit temperatur, numit temperatur Curie feroelectric,
prezint o polarizare spontan, care se distruge peste aceast temperatur. Aceste
materiale respect peste temperatura Curie o lege de tipul legii Curie-Weiss. Exist i
substane care prezint proprieti feroelectrice numai ntr-un domeniu de temperaturi,
avnd astfel dou temperaturi de tranziie (de exemplu, sarea Seignette, care este
feroelectric numai ntre 18C i + 23C).
De asemenea, materialele feromagnetice prezint i ele un fenomen de
histerezis, la introducerea ntr-un cmp electric exterior variabil, ciclul de histerezis
electric producndu-se la fel cu producerea ciclului de histerezis magnetic la materiale
feromagnetice. Explicaia poate fi dat tot pe baza existenei unei structuri de domenii;
n fiecare domeniu, polarizarea are o direcie unic dar aceast direcie difer de la un
domeniu la altul, astfel nct, pe ansamblu, materialul nu prezint o polarizare
msurabil.
Cristalele feroelectrice sunt, toate, piezoelectrice (reciproca nu este adevrat).
A fost observat i o stare antiferoelectric la unele cristale, care const n
aranjarea antiparalel a dipolilor electrici i care poate fi detectat printr-o variaie
brusc a susceptibilitii dielectrice la temperatura de tranziie. Cele mai cunoscute
materiale de acest fel sunt WO3, NH4H2PO4, PbZrO3, NaNbO3 etc.
12.1.5.
Electrei
Electreii sunt substane avnd o polarizare spontan observabil la scar

macroscopic i care se menine un timp ndelungat, de ordinul anilor. Primul electret a
fost obinut n anul 1925 de ctre japonezul M. Eguchi, pe baza unei previziuni a lui O.
Heaviside, fcut nc din 1896, prin analogie cu existena magneilor permaneni.
Pentru obinerea electreilor este necesar, n cele mai multe cazuri, aciunea
combinat a doi factori externi, dintre care unul este un cmp electric intens, sub
valoarea de strpungere a dielectricului, ns.
195
Dac al doilea factor este temperatura ridicat, se obine un termoelectret, a

crui polarizare crete cu temperatura la care a fost nclzit materialul. Se constat c
se obine o saturaie la o temperatur TP, numit temperatur de polarizare, i care
este o constant caracteristic materialului, ntotdeauna mai mic dect temperatura de
topire a sa.
Dac intensitatea cmpului electric extern depete o anumit valoare (~ 106
V/m), polarizarea electretului are loc n acelai sens cu sensul cmpului extern, n caz
contrar polarizarea fiind n sens invers.
Cele mai cunoscute substane care pot deveni termoelectrei sunt unele materiale
ceramice, rinile (i cele sintetice), unele materiale plastice (plexiglas), titanaii (de
bariu, de zinc, de magneziu) etc.
Dac al doilea factor este radiaia vizibil sau din alte domenii spectrale, se
obine un fotoelectret (substana cea mai cunoscut din aceast categorie este sulful).
Unele substane pot deveni magnetoelectrei, sub aciunea combinat a unui
cmp magnetic i a unei temperaturi ridicate. Altele (feroelectrice) pot deveni
electroelectrei sub aciunea doar a unui cmp electric intens iar altele pot deveni
triboelectrei prin frecare (de exemplu, plexiglasul). Se pot obine electrei i sub
aciunea radiaiilor nucleare.
n prezent fenomenul este studiat intens, pe de o parte pentru c mecanismele de
polarizare nu sunt pe deplin elucidate i, pe de alt parte, pentru aplicaiile electreilor.
Astfel, acetia sunt utilizai la construirea unor instrumente de msur, asemntoare
celor magnetoelectrice (voltmetre, electrometre), generatoare i motoare de c.c. sau c.a.,
traductoare (microfoane, barometre, dozimetre etc.), filtre de purificare a unor gaze,
lentile electrostatice, relee de comutaie, memorii etc.
12.2. Aplicaii
12.1. Determinarea permitivitii dielectrice relative a unor materiale solide
Un condensator este un sistem alctuit din dou corpuri conductoare, numite
armturi, izolate ntre ele printr-un dielectric.
Aplicnd o tensiune electric pe armturile condensatorului, acesta se ncarc pe
cele dou armturi cu sarcina electric +Q, respectiv Q, dup cum potenialul este mai
mare, respectiv mai mic.
Raportul constant dintre sarcina electric cu care se ncarc un condensator i
tensiunea aplicat pe armturile sale se numete capacitate electric:
Q
C=
U
Dac armturile sunt plane i paralele, condensatorul este un condensator planparalel (figura 12.1). n acest caz, capacitatea electric a unui astfel de condensator este
dat de relaia:
S 0 r S
C=
196
unde 0 este permitivitatea electric a vidului, r este permitivitatea electric relativ a

dielectricului dintre armturi, S este aria suprafeei comune a celor dou armturi, iar
este distana dintre armturi.
Figura 12.1 Condensator plan-paralel
Dac armturile sunt cilindrice, dispuse coaxial (figura 12.2), de lungime

comun L i de raze a i b (b > a), atunci capacitatea condensatorului este dat de relaia:
20 r
C=
L
b
ln
a
Figura 12.2 Condensator cilindric
Cunoscnd caracteristicile armturilor (suprafaa comun i distana dintre ele,

n cazul condensatorului plan), se poate determina permitivitatea electric relativ a
dielectricului, msurnd capacitatea condensatorului format i utiliznd expresia acestei
capaciti.
197
13. FENOMENE OPTICE N SEMICONDUCTORI

Dac asupra unui material semiconductor cade o radiaie electromagnetic, o
parte din aceasta este absorbit, restul fiind reflectat sau transmis. Interacia radiaiei
electromagnetice cu semiconductorul poate consta n absorbia energiei fotonilor de
ctre electroni, care poate avea drept consecin, atunci cnd energia fotonilor absorbii
este cel puin egal cu energia de extracie, emisia n exterior a unui flux de electroni,
fenomen cunoscut sub numele de efect fotoelectric extern. Dac energia fotonilor
absorbii este mai mic dect energia de extracie, se poate produce, prin mai multe
mecanisme, efectul fotoelectric intern, care const n crearea n semiconductor a unor
purttori de sarcin electric liberi n exces, fapt ce duce, evident, la creterea
conductivitii electrice a acestuia.
Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este
generarea optic intrinsec a perechilor electron liber-gol, ca urmare a excitrii prin
absorbia fotonilor de ctre unii din electronii din banda de valen i trecerea lor n
banda de conducie, concomitent cu formarea corespunztoare a unor goluri n banda
de valen. Acest fenomen se poate produce indiferent de tipul semiconductorului cu
condiia ca energia fotonului s fie cel puin egal cu lrgimea benzii interzise, adic
h g, ceea ce impune pentru lungimea de und a radiaiei electromagnetice, o
valoare maxim (lungimea de und de prag):
hc
m =
(13.1)
Eg
Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel de generare
optic extrinsec, prin excitarea electronilor din banda de valen pe nivelul acceptor,
cu apariia corespunztoare a unor goluri n banda de valen sau prin excitarea
electronilor de pe nivelul donor n banda de conducie. Evident, acest mecanism se poate
produce numai n semiconductorii dopai, la care exist nivelurile energetice discrete
donor i/sau acceptor.
Condiia necesar producerii fenomenului este ca energia fotonului absorbit s
fie cel puin egal cu energia de activare, adic hWC WD pentru generarea optic
extrinsec a electronilor de conducie, respectiv hWA WV, pentru generarea
optic extrinsec a golurilor. i n aceste cazuri se poate scrie o relaie asemntoare
relaiei 14.1, care s exprime lungimea de und maxim necesar producerii
fenomenului.
Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic n figura 13.1. n
tabelul 13.1, sunt date valorile lungimii de und de prag pentru siliciu sau germaniu
dopat cu diferite impuriti.
Se vede c lungimea de und de prag este mai mic pentru semiconductorii puri,
dect pentru aceiai semiconductori dopai, lucru de altfel simplu de explicat. n schimb,
la acetia fenomenul de generare optic nu se poate petrece dect la temperaturi sczute
(~ 10 K), la temperaturi medii impuritile fiind deja ionizate prin fenomenul de
generare termic.
198
Tabelul 13.1 - Valoarea lungimii de und de prag pentru diferii semiconductori

impuritate B
Al Ga In Bi As P Sb Cu Zn Si
1,1
m (m) 28 18 17 8 18 23 28 29
semiconductor
Al Ga In Bi As P Sb Cu Zn Ge impuritate B
104
30 38 1,8
m (m) 108
Procesul de generare optic nu se produce n mod uniform n tot volumul
semiconductorului, acesta fiind cu att mai intens, cu ct el se produce mai aproape de
suprafa.
Viteza de absorbie a fotonilor la o adncime x n semiconductor (numrul de
fotoni absorbii n unitatea de timp i n unitatea de volum) este dat de relaia:
A = I(x) = I0e x
(13.2)
unde este coeficientul de absorbie, ce depinde de energia de activare sau de lrgimea
benzii interzise (n funcie de mecanismul de absorbie), I(x) este intensitatea radiaiei
la adncimea x n semiconductor iar I0 este intensitatea radiaiei la suprafaa acestuia.
Figura 13.1 Procese optice n semiconductori

Nu toi fotonii absorbii produc generarea optic a unor purttori; pe de alt
parte, este posibil ca un singur foton s genereze mai muli purttori. Din aceast cauz,
viteza de generare a purttorilor sub aciunea radiaiei electromagnetice absorbite este
doar proporional cu viteza de absorbie: G = A, unde este randamentul de
generare (randament cuantic), definit ca numrul mediu de purttori de un anumit tip,
generai prin absorbia unui singur foton. Atunci,
G(x) = I(x) = I0e x = G0e x
(13.3)
Din relaia de mai sus, se vede c viteza de generare optic a purttorilor scade
exponenial cu adncimea n semiconductor, ceea ce nseamn c procesul de generare
optic este semnificativ doar ntr-un strat subire de la suprafaa semiconductorului.
199
Dup cum am artat anterior, fenomenul de generare este compensat de

fenomenul invers, de recombinare, la un flux constant al radiaiei incidente stabilinduse un echilibru ntre cele dou fenomene (R = G), astfel nct concentraia purttorilor
n exces rmne constant (n = Rnsau p = Rp), adugndu-se celei de echilibru.
Acest lucru duce la creterea conductivitii semiconductorului:
= e[n(n + n) + p(p + p)] = e(nn + pp) + e(nn + pp) = 0 + f (13.4)
unde 0
conductivitatea la ntuneric i f este fotoconductivitatea
semiconductorului
n anumite situaii, se poate produce recombinarea radiativ a purttorilor,
care este un fenomen invers celui de absorbie a radiaiei electromagnetice. Dac
procesul de recombinare radiativ are loc lent (durata de 1 104 s), fenomenul de
emisie optic se numete fosforescen iar dac el are loc rapid (105 108 s), emisia
optic se numete fluorescen. n fapt, este vorba de tranziia electronic de pe un
nivel energetic superior, Wi, pe unul inferior, Wf, avnd ca urmare emisia unui foton de
energie h = Wi Wf. Mecanismele prin care poate avea loc emisia optic sunt:
- recombinarea radiativ direct, adic trecerea unui electron de conducie direct n
banda de valen i emisia unui foton;
- recombinarea radiativ indirect, cnd trecerea electronului de conducie n banda
de valen nu se face direct ci prin intermediul unui nivel energetic discret existent
n banda interzis, corespunztor unei stri locale, ceea ce determin emisia a doi
fotoni, evident cu respectarea conservrii energiei; acest caz are ns o probabilitate
de producere mult mai mic dect recombinarea radiativ direct.
- recombinarea radiativ prin alipire, care, spre deosebire de celelalte dou tipuri
de recombinare radiativ, se produce numai n semiconductorii extrinseci i const
n captarea de ctre un ion de impuritate a unui purttor de semn contrar i emisia
unui foton.
13.2. Aplicaii
13.1. La un LED energia de recombinare este de 3,121019 J. Ce culoare are lumina
emis de LED?
3,12 1019
3 108
E
c
14
R: f =
=
=
4,7110
Hz;
=
=
= 6,36107 m = 636 nm;
f
h
6, 63 1034
4, 711014
lumina este roie.
13.2. Un LED este caracterizat de datele urmtoare: tensiunea direct aplicat 1,8 V,
curentul direct 20 mA. Acest LED este alimentat de la o surs cu t.e.m. de 6 V.
a) S se reprezinte circuitul care permite aceast alimentare, incluznd un rezistor
protector.
b) S se calculeze valoarea rezistenei acestui rezistor, care permite LED-ului s
lucreze normal.
U
4, 2
R: b) cderea de tensiune pe rezistor este U = 6 1,8 = 4,2 V; R =
=
= 210
I
20 10 3
.
200
13.3. Se numete sensibilitate energetic, s(), a unei celule fotoelectrice raportul:

s
Is
A / W
Sensibilitatea este dependent de frecvena radiaiei incidente. Pentru o celul

cu catod de cesiu, sensibilitatea este maxim pentru o radiaie de lungime de und m
= 370 nm.
a) S se calculeze s n funcie de frecvena , randamentul cuantic , sarcina electric
a electronului, e i constanta Planck, h.
b) Care este randamentul cuantic pentru o celul a crei sensibilitate este s(m) = 85
mA/W ?
Rezolvare
a) Fie frecvena radiaiei incidente i n numrul de fotoni incideni n unitatea de
timp. Is = nen s
Is
e
e nm

mA / W
h
hc
1, 24
b) Pentru = m = 370 nm, s = 85 mA/W (m) = 0,28 (28 %).
13.4. Studiul dispozitivelor fotonice

1. Fotorezistori
Acetia sunt dispozitive optice semiconductoare a cror rezisten electric este
dependent de iluminare. Ei sunt construii astfel: pe un suport izolator (notat cu c, n
figura 14.2), se depun doi electrozi metalici (din Au, Ag sau Pt) (a, n figura 14.2.), sub
forma unui strat subire (~ 1 m), acetia constituind contactele ohmice ale
dispozitivului; peste ei se depune un strat de semiconductor fotosensibil cu grosimea nu
mai mare dect adncimea de ptrundere a radiaiei electromagnetice n el (b, n figura
14.2); se prefer un semiconductor cu conducie extrinsec, aceasta fiind mult mai puin
dependent de temperatur; se pot depune straturile i n ordine invers, cu condiia ca
electrozii s fie transpareni pentru radiaia folosit; ntregul dispozitiv este protejat prin
acoperirea cu un material dielectric anticoroziv, transparent n domeniul de radiaii n
care funcioneaz dispozitivul.
201
Fig.13.2 Structura unui fotorezistor
La iluminare constant, caracteristica I = f(U) este liniar; n schimb,

caracteristica R = f(E), a variaiei rezistenei n funcie de iluminare este neliniar.
2. Fotodiode, celule fotovoltaice i diode luminescente
Fenomenul de fotoconducie se poate produce i ntr-o jonciune p-n, caz n care
curentul prin diod n funcie de tensiunea V, aplicat pe ea, este dat de expresia:
eV
I = Is e kT 1 I L
(13.5)
unde IL este fotocurentul datorat iluminrii.

Cnd dioda este n scurtcircuit (V = 0), curentul este: ISC = IL. Cum IL depinde
de iluminare, rezult principala aplicaie a fotodiodei i anume n msurtori
fotometrice, utilizndu-se schema urmtoare:
Fig.13.3 Schema de cuplare a unei fotodiode n msurtori fotometrice
De obicei, instrumentul de msur a fotocurentului este etalonat direct n uniti

de msur ale iluminrii.
n circuit deschis (I = 0), apare o tensiune, VCD, la bornele diodei, datorat
iluminrii, expresia sa fiind dat de relaia:
kT IL
VCD
ln 1
(13.6)
e Is
Aceast ultim relaie permite observarea faptului c o astfel de diod poate fi

folosit ca surs de tensiune electromotoare (se obine energie electric sub aciunea
radiaiilor electromagnetice), fenomenul prin care se realizeaz acest lucru fiind
cunoscut sub numele de efect fotovoltaic, iar dispozitivele ce funcioneaz pe baza
acestui fenomen numindu-se celule fotovoltaice sau celule solare.
Diodele luminescente (LED) sunt diode care, la trecerea unui curent electric prin
ele, emit radiaie electromagnetic n domeniul vizibil sau n cele nvecinate (IR sau
UV). Acest lucru este datorat producerii unui fenomen invers efectului fotoelectric
intern: purttorii de sarcin electric liberi, aflai sub aciunea unui cmp electric extern
capt o anumit energie, pe care, n momentul recombinrii, o cedeaz n exterior sub
forma radiaiei electromagnetice. Dac aceast emisie de radiaie se produce pe baza
efectului LASER (emisie stimulat, n condiia realizrii unei inversii de populaie),
dioda respectiv este o diod LASER, iar radiaia electromagnetic emis are
proprieti speciale (coeren, monocromaticitate, unidirectionalitate, intensitate foarte
202
mare). Evident, ambele tipuri de diode (LED sau LASER) se construiesc n capsule
speciale, cu ferestre transparente pentru radiaia emis.
n afara caracteristicilor obinuite, ale diodelor normale, cele optice mai au i
I
alte caracteristici: pentru fotodiode, IL = f(E), sensibilitatea spectral, S = SC ; pentru
celulele fotovoltaice, VSC = f(E) etc.

3. Fototranzistori
Acetia sunt dispozitive optoelectronice folosite ca fotodetectori, construite sub
form de tranzistori care, concomitent cu fotodetecia, realizeaz i o amplificare a
fotocurentului. Schema de utilizare a unui astfel de dispozitiv este cea din figura 13.4.
O caracteristic important a fototranzistorului (n afar de cele ale unui
tranzistor obinuit) este IC = f(E).
Fig.13.4 Circuitul de utilizare a unui fototranzistor
Pentru toate dispozitivele fotoelectrice descrise aici, o caracteristic important

este caracteristica spectral, care descrie rspunsul dispozitivului n funcie de lungimea
de und a radiaiei electromagnetice.
Dispozitivul experimental este alctuit dintr-un panou, pe care sunt montate
dispozitivele fotoelectrice care sunt studiate, instrumentele de msur necesare i
circuitele electrice necesare determinrilor. El este reprodus n figura 13.5. n afara
panoului, mai sunt necesare o surs de lumin prevzut cu o diafragm pentru
modificarea iluminrii, un fotometru i un monocromator.
203
Fig.14.5 Dispozitiv experimental pentru studiul dispozitivelor optoelectronice

Procedura de lucru este urmtoarea:
1. Studiul fotorezistorului
Se nchid ntreruptoarele K1 i K3, celelalte fiind deschise, se conecteaz sursa
de c.c. E i se aplic la bornele fotorezistorului o tensiune minim (0,1 V). Se aprinde
sursa de lumin, se regleaz diafragma la deschidere minim, se ilumineaz
fotorezistorul i se citesc iluminarea E i fotocurentul I. Se repet msurtorile pentru
mai multe valori ale iluminrii. Rezultatele se trec n tabelul A
TABELUL A
E
I
Se menine o iluminare constant i se citesc perechi de valori ale tensiunii U pe
fotorezistor i fotocurentului I prin acesta. Rezultatele se trec n tabelul B.
TABELUL B
U
I
Pstrnd tensiunea i iluminarea constante, se modific, cu ajutorul
monocromatorului, lungimea de und i se msoar fotocurentul pentru diferite lungimi
de und ale luminii. Rezultatele se trec n tabelul C.
TABELUL C
I
204
2. Studiul fotodiodei
Se deschid ntreruptoarele K1 i K3 i se nchid K2, K5 i K7. Se msoar
fotocurentul pentru mai multe valori ale iluminrii. Rezultatele se trec ntr-un tabel de
felul tabelului A. Se pstreaz iluminarea constant i se msoar fotocurentul pentru
diferite lungimi de und ale luminii. Rezultatele se trec ntr-un tabel de felul tabelului
C.
3. Studiul fototranzistorului
Se deschid ntreruptoarele K2, K5 i K7 i se nchid K1, K4 i K8. Pentru o
tensiune de colector constant, se msoar fotocurentul de colector la diferite iluminri.
Rezultatele se trec ntr-un tabel de felul tabelului A. Se msoar fotocurentul la diferite
lungimi de und, pentru o iluminare i o tensiune de colector constante. Rezultatele se
trec ntr-un tabel de felul tabelului C
4. Studiul celulei fotovoltaice
Se deschid ntreruptoarele K1, K4 i K8 i se nchid K6 i K7. Se msoar
tensiunea n gol la diferite iluminri ale celulei fotovoltaice. Rezultatele se trec n
tabelul D
TABELUL D
VCD
E
Se msoar tensiunea n gol pentru diferite lungimi de und, la iluminare
constant. Rezultatele se trec n tabelul E
TABELUL E
VCD
Se traseaz caracteristicile I = f(E) i I = f( ) pentru fotorezistor, caracteristicile

IL = f(E) i IL = f(pentru fotodiod, caracteristicile IC = f(E) i IC = f( pentru
fototranzistor i caracteristicile VCD = f(E) i VCD = f() pentru celula fotovoltaic.
205
Bibliografie
1. Alexandru H. V., tiina i tehnologia materialelor, Universitatea din Bucureti,
1990
2. Askeland, D.R., The Science and Engineeing of Materials, 3rd Ed., PWS Pub. Co.,
Boston 1994
3. Bair H. E., Glass Transition Measurements by DSC, in Assignment of Glass
Transition, STP 1249, Seyler R. J. (Ed.), ASTM, Philadelphia, PA, 1994
4. Bardell P.R., Magnetic Materials in the Electrical Industry, MacDonald & Co.,
London, 1960
5. Barrett C.R., Nix W. D., Tetelman A. S., The Principles of Engineering Materials,
Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ., 1973
6. Billmeyer, F, Textbook of Polymer Science, 2nd ed., John Wiley and Sons, Inc.,
NY, 1971
7. Bond W.L., Crystal Technology, Wiley, New York, 1996
8. Borg R.J., Dienes, G.J., An Introduction to Solid State Diffusion, Academic Press,
San Diego, 1988
9. Boyd R.H., Philips P.J., The Science of Polymer Molecules, London: Cambridge
University Press, 1993
10. Brice J.C., Atomic Diffusion in Semiconductors, Plenum, London, 5th ed., 1991
11. Brice J.C., The Growth of Crystals from the Melt, North-Holland, Amsterdam 3rd
ed., 1993
12. Brice J.C., The Growth of Crystals from Liquids, North-Holland, Amsterdam 3rd
ed., 1995
13. Brice J.C., Crystal Growth and Materials, North-Holland, Amsterdam 3rd ed., 1997
14. Bursuc I.D., Sulitanu N.D, Solidul. Fenomene. Teorii. Aplicaii, Editura tiintific,
Bucureti, 1991
15. Callister W. D., Materials Science and Engineering: An Introduction, 6th edition,
John Wiley & Sons, Inc., 2003
16. Carter G.F., Paul, D.E., Material Science and Engineering, ASM International,
United States, 1991
17. Chandler, M., Ceramics n the Modern World, Double Day & Co. Inc., Garden City,
NY, 1967
18. Chung, D.D.L., Carbon Fiber Composites, Butterworth-Heinemann, Boston, 1994
19. Chung, D.D.L., Ed., Materials for Electronic Packaging, Butterworth-Heinemann,
Boston, 1995
20. Chung, D.D.L., Applied Materials Science, CRC Press, Boca Raton London New
York Washington, D.C., 2001
21. Ciobanu Gh., Constantinescu C., Fizica strii solide, Ed. Tehnic, Bucureti, 1982
22. Crane, F.A.A., Charles, J.A., Selection and Use of Engineering Materials,
Butterworths, London, 1984
23. Davdov A.S., Teoria corpului solid, Ed tiinific, Bucureti, 1980
24. De Renzo D.J. ed., Corrosion Resistant Materials Handbook, 4th Ed., Noyes Data
Corporation, Mill Road, Park Ridge, New Jersey, 1985
206
25. Dieter, G.E., Engineering Design: A Materials and Processing Approach,McGrawHill, New York, 1983
26. Drgnescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972
27. Elliot S.R., Physics of amorphous Materials, Longman, London, New York, 1984
28. Eugene A. I., Electronic Materials Science, John Wiley & Sons, Inc. Inc., Hoboken,
New Jersey, 2005
29. Fox M., Optical Properties of Solids, Oxford: Oxford University Press, 2001
30. Friedel J., Dislocations, Pergamon Press, 1964
31. Geru N, et al., Materiale metalice, Ed. Tehnic, Bucureti, 1985
32. Ghez R., Diffusion Phenomena, Kluwer Academic, Dordrecht, 2001
33. Hall C., Polymer Materials: An Introduction for Technologists and Scientists,
Second edition, Macmillan Education, 1989
34. Harper, C.A., Ed., Handbook of Plastics and Elastomers, McGraw-Hill, New York,
1975
35. Hlavac, J., Technology of Glass and Ceramics, Elsevier Scientific Press, Oxford,
1983
36. Hove, J.E., Riley,W.C., Modern Ceramics, John Wiley i Sons, NY, 1965
37. Hull D., Introduction to Dislocations, Pergamon Press, New York, 1975
38. Ispas S., Materiale compozite, Ed. Tehnic, Bucureti, 1987
39. Jeludev I.S., Cristale Electrice, Ed. Tehnic, Bucureti, 1973
40. John V.B., Engineering Materials, MacMillan Education Ltd., London, 1990
41. Kingery, W.D., Bowen, H.K., Uhlmann, D.R., Introduction la Ceramics, John
Wiley and Sons, NY, 1976
42. Kittel Ch., Introducere n fizica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972
43. Louthan, McIntyre R. Jr., Metals: A History, ASM International, 1987
44. Mallick, P.K., Fiber Reinforced Composites: Materials, Manufacturing and
Design,Marcel Dekker, New York, 1993
45. Mazumdar, S.K., Composites manufacturing: materials, product, and process
engineering, CRC Press, Boca Raton, London, New York, Washington, D.C., 2002
46. McKelvey J. P., Solid State Physics for Engineering and Materials Science, Krieger,
1993
47. Meyers M. A., Chawla K. K., Mechanical Behaviour of Materials, Prentice-Hall,
1999
48. Millett E.J., et al. Crystal Growth, Pergamon, Oxford, 1987
49. Mitoeriu L., ura V., Fizica dielectricilor, Ed. Universitii Al. I. Cuza Iai, 1999
50. Morrell, R., Handbook of Properties of Technical and Engineering Ceramics,Part
1, Her Majestys Stationery Office, London, 1985
51. Moss T.S., Optical Properties of Semiconductors, Butterworth Publications,
London, 1995
52. Nicula Al., Puskas F., Dielectrici i feroelectrici, Ed. Scrisul Romnesc, Craiova,
1982
53. Ohring, M., Engineering Materials Science, Academic Press, San Diego, 1995
54. Painter P. C., Coleman M., Fundamentals of Polymer Science: An Introductory Text
Second edition, Technomic Publishing, 1997
207
55. Quere Y., Physique des materiaux, Editions de l'Ecole polytechnique, 1994
56. Rabek J. F., Experimental Methods in Polymer Chemistry: Physical Principles and
Applications, Wiley, New York, 1994
57. Richerson, D.W., Modern Ceramic Engineering, Marcel Dekker, Inc., NY, 1982
58. Rosenborg H.M., The Solid State, Clarendon Press, Oxford, 1975
59. Rusu G.G., Baban C., Rusu M., Materiale i dispozitive semiconductoare - lucrri
de laborator, Ed. Universitii Al. I. Cuza Iai, 1998
60. Schaffer, J.P., et al., The Science and Design of Engineering Materials, 2nd Ed.,
McGraw-Hill, Boston, 1995
61. Schwartz, M. M. (editor), Engineering Aplications of Ceramic Materials, American
Society for Metals, Metals Park, OH, 1985
62. Shackelford, J.F., Introduction to Materials Science for Engineers, 5th Ed., Prentice
Hall, Upper Saddle River, NJ, 2000
63. Shackelford, J.F., Alexander W., Materials Science and Engineering Handbook, 3rd Ed.,
CRC Press LLC N.W. Corporate Blvd., Boca Raton, Florida,, 2000
64. Shackelford, J.R., Introduction to Materials Science for Engineers, 3rd Ed.,
Macmillan, New York, 1992
65. Shewmon P. G., Diffusion in Solids, McGraw-Hill, New York, 1963
66. Simmons J.H., Potter K. S., Optical Materials, San Diego, CA: Academic Press,
2000
67. Smith, W.F., Principles of Materials Science and Engineering, 3rd Ed., McGrawHill, New York, 1996
68. Smith,W.F., Foundations of Material Science and Engineering, McGraw Hill, Inc.,
1993
69. Smith E.V., Manual of Experiments in Applied Physics, London Butterworths, 1970
70. Smithells, C.J., Ed., Metals Reference Book,6 ed., Butterworths, London, 1984
71. Strong A. B., Plastics: Materials and Processing, Second edition, Prentice-Hall,
2000
72. Suzanne J., Gay J.M. in Handbook of surface science, vol 1 Ed W.N. Unertl, NorthHolland, 1996
73. Thornton P. A., Colangelo V. J., Fundamental of Engineering Materials, Prentice
Hall, Englewood Cliffs, NJ. 1985
74. Turi E. A. (Ed.), Thermal Characterization of Polymeric Materials, vol. I, 2nd ed,
Academic Press, Inc., London, 1997
75. Vincenzini, P., Fundamentals of Ceramic Engineering, Elsevier Aplied Science,
NY, 1991
76. Voinea R., Voiculescu D., Simion F.P., Introducere n fizica solidului cu aplicaii
n inginerie, Editura Academiei Romne, Bucureti, 1990
77. Wanniers G.H., Elements of Solid State Theory, Cambridge University Press, 1959
78. White, M.A., Properties of Materials, Oxford University Press, New York, 1999
79. Zet Gh., Ursu D., Fizica strii solide. Aplicaii n inginerie, Ed. Tehnic, Bucureti,
1989
80. Ziman J.M., Principles of the Theory of Solids, Cambridge University Press, 1974
208
http://solidstate.physics.sunysb.edu/book/prob/
http://www.ceramics.org
http://www.chem1.com/acad/webtext/chembond/
http://www.cmse.ed.ac.uk/MSE3/mse3.html
http://www.ecma.ch
http://www.matsceng.ohio-state.edu/~flores/mse205/
http://www.matter.org.uk/universities.htm
http://www.soton.ac.uk/~pasr1/build.htm#page7
http://www.tms.org/Meetings/Specialty/Superalloys2000/SuperalloysHistory.html
http://www.umist.ac.uk/MatSci/research/intmic/schools/default.htm
http://www.webelements.com
http://www.mse.uiuc.edu/info/mse182/t1.html
209

Aplicatii in Fizica Corpului Solid

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Aplicatii in Fizica Corpului Solid

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

2

PROPRIETI MAGNETICE ALE SOLIDULUI .......................................... 100

Figura 1.1 Celula elementar

Structura cristalin se obine asociind reelei o aa-numit baz, reprezentat

jurul creia, printr-o rotaie Cn i o inversie fa de centrul de simetrie, sistemul se

vectorului R h a 1 ka 2 a 3 . Pentru definirea unui plan cristalografic, se folosete

Mulimea punctelor definite de vectorul:

INFERI - monoclinic a1a2a3

Se poate arta c vectorul K hk hb1 kb2 b3 este perpendicular pe planul (h

Figura 1.2 Structura cubic simpl

Se cunoate doar un singur element, poloniul, care cristalizeaz n forma cubic

Metalele sunt de obicei materiale (poli)cristaline, dei formarea metalelor

Figura 1.3 Structura cubic cu volum centrat

Figura 1.4 Structur hexagonal plan

Figura 1.5 Structur hexagonal simpl

Figura 1.6 Structur hexagonal-compact

Figura 1.7 Structur cubic cu fee centrate

Figura 1.9 Structura diamantului

Aliajele (amestecuri de dou sau mai multe metale) n general au structuri

Figura 1.10 Structura clorurii de sodiu

Figura 1.11 Structura clorurii de cesiu

Structura perovskitului (figura 1.12), numit aa dup mineralul CaTiO3, numit

Figura 1.12 Structura perovskitului

Trebuie precizat faptul c multe substane nu cristalizeaz exact n forma unor

Figura 1.13 Tabelul periodic al structurilor cristaline

De asemenea. unele materiale i schimb sistemul de cristalizare atunci cnd

Figura 1.14 Structura grafitului

proprietile sunt dominate de acelea relevante pentru orientarea texturii i materialul

mpachetare (raportul de umplere) se definete ca raport dintre volumul atomilor din

Densitatea atomilor n planele respective este, deci:

pentru planul (111). Se vede c aceasta este n raportul:

Structura Fe se schimb din CVC n CFC la temperaturi peste 910C. Cu ce

Desenai o celul cubic i marcai pe desen planele (221), (110) i (312);

n mod analog, se rezolv i n cazul celorlalte dou reele.

, care este relaia cutat.

1.20. S se arate c orice vector al reelei reciproce este perpendicular pe o familie

de plane ale reelei directe.

Fie un vector al reelei reciproce, g n 1 g1 n 2 g 2 n 3 g 3 i un vector al reelei

aceast relaie putem spune c proiecia vectorului pe direcia vectorului g are

proprietate. De exemplu, s presupunem c determin un punct al reelei, reprezentat

pe g ca i , adic punctul din reea determinat de se afl i el n planul perpendicular

factor comun, atunci g este invers proporional cu distana interplanar a

directe, , pe direcia unui vector al reelei reciproce, g , are lungimea d =

1.22. S se arate c reeaua direct este

Indicaie: se construiete vectorul 1 2 i se arat c este egal cu a 3 . n mod

2. STUDIUL STRUCTURII CRISTALINE PRIN

unde U este tensiunea de accelerare a electronilor, aplicat electrozilor tubului.

unde h este un numr ntreg.

Figura 2.1 Difracia radiaiei X pe o reea cristalin unidimensional

- metoda cristalului rotitor: se utilizeaz o radiaie X monocromatic ce cade pe

2.1.1. Metoda Debye-Scherrer

Utiliznd o prob dintr-un cristal cu reea cubic cu constanta a, distana

Figura 2.3 Geometria dispozitivului de difracie n metoda Debye-Scherrer

n calcule, se va tine seama c x = 23,5 mm iar lungimea de und a radiaiei X este

2.1.2. Metoda Laue

Figura 2.3 Difracia unui fascicul de raze X pe planul (h k )

n calcule se va lua x = 22,5 mm i a = 403 pm.

- Scherrer se utilizeaz radiaie X cu = 154,2 pm. Dac parametrul reelei este a

Cum camera este cilindric, distana x reprezint lungimea arcului de cerc cu

Se efectueaz o difracie de raze X pe un cristal, maximul de ordinul I fiind

nlocuindu-l pe d i difereniind relaia, se obine:

LEGTURA CRISTALIN. DEFECTE N RETELE

3.1. Breviar teoretic

i cum F acioneaz pe direcia lui r , putem scrie: