Introducere în Ingineria Materialelor I

CURS_2_DEFECTE STRUCTURALE ALE MATERIALELOR

„Cristalele sunt ca oamenii, defectele lor tind să le facă interesante” - Coliumphreys

1.1. INTRODUCERE

Materialele metalice studiate la microscopul metalografic apar sub următoarele forme sau
elemente constitutive :
a) Metal (numit metal tehnic) deoarece este impurificat cu elemente însoţitoare. Reţeaua
cristalină este asemănătoare cu reţeaua metalului pur. Metalele tehnic pure sunt utilizate în
practică datorită unor proprietăţi speciale, cum sunt conductibilitatea termică şi electrică (Cu,
Al), rezistenţa bună la coroziune (Sn), stabilitatea la temperaturi înalte (Mo, W).
În practică cele mai multe metale se utilizează sub formă de aliaje, adică materiale
metalice rezultate din topirea împreună a unor metale cu metale sau metale cu nemetale
(metaloide). De exemplu argintul pentru bijuterii este compus din Ag 92,5% şi Cu 7,5%,
rezultând astfel un aliaj mult mai rezistent decât argintul.
b) Soluţii solide ce se formează prin topirea elementelor care compun materialul metalic
şi dizolvarea lor reciprocă. Prin răcire materialul topit se cristalizează. În acest caz pot apărea
următoarele situaţii:
b1) dacă atomii elementului de aliere (de adaos) sunt mult mai mici decât cei ai metalului
de bază, primii se distribuie în spaţiile dintre atomii metalului de bază. Se formează soluţia
solidă interstiţială (de pătrundere).
b2) dacă atomii celor două elemente ce compun aliajul au dimensiuni aproximativ egale,
atomii elementului de aliere înlocuiesc parţial atomii metalului de bază şi se formează soluţia
solidă de substituţie (de înlocuire).
Soluţiile solide sunt compuse din substanţa gazdă (denumită solvent sau matrice) în care
se dizolvă o cantitate mică dintr-un alt component (solut). Abilitatea solventului de a dizolva
solutul se numeşte solubilitate.
Într-un aliaj solventul este componentul aflat în cantitate mai mare iar solutul este
componentul aflat în cantitate mai mică.

Noţiuni de curs Page 1

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Soluţiile solide sunt omogene, îşi menţin structura cristalină şi conţin impurităţi
dispersate aleator (interstiţiale sau de substituţie).
Fazele secundare apar pe măsură ce noii atomi din solut sunt adăugaţi şi se formează un
nou compus sau o nouă structură sau solutul se precipită local.
Formarea fazelor secundare sau adiţia impurităţilor ce duc la formarea unor noi compuşi
depind de natura impurităţilor, concentraţie, temperatură şi presiune.
În figura 1 este prezentată o schemă a soluţiei solide ce se formează într-un aliaj Cu – Ni.

Figura 1. Soluţie solidă Cu-Ni

Factorii care favorizează solubilitatea sunt:
- mărimea atomilor – atomii trebuie să se potrivească, razele atomice ale solventului
şi ale solutului trebuie să fie diferite cu max 15%;
- structura cristalină a solutului şi solventului trebuie să fie aceeaşi;
- electronegativitatea solutului şi solventului trebuie să fie apropiată deoarece, în caz
contrar, apar compuşi intermetalici;
- ca regulă generală pentru metale, solutul trece în soluţii când are valenţa mai mare
decât solventul.
În figura 2 este reprezentat grafic un atom de carbon interstiţial în Fe-α. Atomul de C este
suficient de mic încât să intre în reţea şi să pună puţină presiune pe laturi astfel încât să
influenţeze proprietăţile materialului final.

Figura 2. Atom de carbon interstial în Fe - α

Noţiuni de curs Page 2

 Introducere în Ingineria Materialelor I

c) Compus definit ce se obţine atunci când atomii metalului de bază şi cei ai elementului
adăugat se reaşează într-o reţea nouă. Compuşii definiţi apar în structură sub formă globulară,
(figura 3a) sau sub formă aciculară (figura 3b).
a) b)

Figura 3. Compuşi definiţi: a) Formă globulară; b) Formă aciculară

În general, compuşii definiţi se caracterizează prin valori ale durităţii mult mai mari decât
cele ale altor constituenţi structurali, dar şi prin fragilitate ridicată. Carburile, nitrurile şi borurile
sunt constituenţi care se produc în straturile superficiale pentru a mări rezistenţa la uzură a
pieselor şi sculelor. Proprietăţile fizice ale compuşilor definiţi recomandă utilizarea materialelor
care le conţin ca materiale magnetice dure (magneţi permanenţi), materiale semiconductoare,
materiale rezistive, etc.
d) Amestecuri mecanice ce sunt constituenţi eterogeni formaţi prin cristalizarea
simultană a doi constituenţi care pot fi metale pure, soluţii solide sau compuşi definiţi. Acestea
se pot separa dintr-un lichid (eutectice) sau dintr-o soluţie solidă (eutectoide).
Proprietăţile amestecurilor mecanice depind de natura celor doi constituenti, dar şi de
mărimea, forma şi modul lor de dispunere. În mod obişnuit amestecurile mecanice A+B apar sub
formă lamelară (fig. 4a) sau sub forma unei matrici A (de obicei soluţie solidă) în care apar
formaţiuni globulare uniform distribuite B reprezentate, în general, de compuşi definiţi (fig. 4b)

Figura 4. Amestecuri mecanice: a) Amestec lamelar; b) Amestec globular

Noţiuni de curs Page 3

 Introducere în Ingineria Materialelor I

1.2. DEFECTELE ATOMICE

Defectele reţelei cristaline reprezintă abateri de la aranjamentul ideal al atomilor. Ele pot
să apară în timpul elaborării sau în timpul unor prelucrări ulterioare. Acestea influenţează
proprietăţile prin tipul, concentraţia, distribuţia lor precum şi prin interacţiunea dintre ele.
Prezenţa defectelor reţelei cristaline explică şi unele procese de transformare care au loc
în stare solidă.
Clasificare:
- defecte punctiforme (vacanţe, interstiţiali sau impurităţi), cu dimensiuni 0 (în spaţiu);
- defecte liniare (dislocaţii), cu o singură dimensiune (în spaţiu);
- defecte bidimensionale (limită de graunte, limită de subgrăunte, distorsiuni elastice) cu
2 dimensiuni (în spaţiu);
- defecte de volum (pori, fisuri) cu 3 dimensiuni (în spaţiu);
- vibraţii atomice.
Defectele sunt importante în materiale deoarce determină schimbări importante în
proprietăţile materialelor. Legăturile între atomi, structura cristalelor şi defectele ce apar
determină setul unic de proprietăţi ce caracterizează fiecare material.
Exemplu: Defectele sunt responsabile de culoarea şi preţul diamantelor.
Se numesc imperfecţiuni sau defecte de reţea, atomii sau grupările de atomi care nu sunt
înconjuraţi în mod identic de atomii vecini (nu au acelaşi nr. de coordinaţie). Defectele reţelei
cristaline reprezintă abateri de la aranjamentul ideal al atomilor.
În figura 5a este reprezentată structura unui cristal perfect. În realitate nici un cristal nu
este perfect. Reprezentarea grafică a unui cristal (în 2D) este prezentată în figura 5b.

Figura 5. a) Reprezentarea 2D a unui cristal perfect, b) Reprezentarea schematică a unui cristal

real (2D)

Noţiuni de curs Page 4

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Defectele pot fi introduse sau înlăturare în timpul procesării. În figura 6 este reprezentată
o schemă a introducerii defectelor în timpul procesării.

Figura 6. Schema exemplificând introducerea defectelor în timpul procesării

Procesarea materialelor ne permite să obţinem proprietăţile dorite pentru un material fără

să schimbăm compoziţia acestuia, ci doar manipulând introducerea unor defecte în timpul
procesării.
Exemple: Pentru producerea semiconductorilor se porneşte de la un cristal de Si perfect
în care sunt induse anumite defecte sau forjarea uneltelor metalice introduce defecte şi cresc
rezistenţa uneltei respective.

1.2.1. Defecte punctiforme

Vacanţele sunt defecte punctiforme reprezentate de absenţa unui atom dintr-o reţea
cristalină perfectă. Ele sunt prezente în cristale, în special la temperaturi ridicate, când atomii îşi
schimbă frecvent poziţiile lăsând spaţii goale în reţele. Numărul de vacanţe din atomi creşte pe
măsură ce temperatura creşte. Vacantele se deplaseaza prin cristal prin schimb de locuri cu
atomii vecini. Prezenţa lor facilitează procesul de difuzie.
Numărul de vacanţe poate fi estimat folosind constanta lui Boltzman. Astfel, funcţie de
temperatură, numărul de vacanţe este:
Nv=Nsexp(-Qv/kB*T)
unde:

Noţiuni de curs Page 5

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Ns – numărul de atomi din reţea

kB – constanta lui Boltzman
T – temperatura, K
Qv – energia necesară formării unei vacanţe în cristal
Vacanţele sunt prezente în cristal la orice temperatură. Conform formulei de mai sus ele
cresc exponenţial cu temperatura. De exemplu în cupru putem găsi o vacanţă la 1015 atomi din
reţea la temperatura camerei iar la temperatura de 890 oC vacanţele sunt întâlnite la 105 atomi.
Formula de mai sus este aplicabilă la reţele perfecte dar în practică vacanţele pot apărea
şi în timpul prelucrărilor diferite (coacere, deformare plastică).
Atomii interstiţiali sunt atomi care fac parte din aceeaşi reţea cristalină dar care sunt
deplasaţi din nodurile reţelei în interstiţii. Prezenţa unui atom interstiţial conduce la o deformare
elastică a reţelei. Pentru ca un atom să îşi părăsească locul şi să ajungă interstiţial este necesară o
cantitate de energie de trei ori mai mare decât energia necesară pentru formarea unei vacanţe. De
aceea numărul de interstiţiali este mai redus, mai puţin de 1 interstiţial pe 1 cm2 de material.

Figura 2. Tipuri de defecte punctiforme:

1 – vacanţe, 2 – atomi proprii interstiţiali,
3 – atomi straini interstiţiali,
4,5 –atomi straini substituţionali

Atomii străini sau impurităţile reprezintă atomii altui element decât ai elementului de
bază care se plasează în reţeaua cristalină a acestuia din urmă ocupând fie o vacanţă (atom
substituţional) fie un loc în interstiţi (atom interstiţial).

Noţiuni de curs Page 6

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Impurităţile sunt inerente în atomi. Nu există puritate 100% în materiale. Cel mai pur
metal, cu puritatea de 99,999% are impurităţi 1 la 10 6 atomi. Impurităţile pot fi adăugate:
adăugarea unei cantităţi mici de carbon în fier duce la obţinerea oţelului, ceea ce face ca
materialul obţinut, oţelul, să aibă calităţi superioare fierului.
Impurităţile pot fi interestiţiale sau de substituţie (fig. 7). În figură săgeţile exemplifică
forţa (de atracţie dau de respingere) exercitată în reţea de defectele punctiforme.

1.2.2. Defecte liniare

Dislocaţiile sunt defecte liniare în care legătura interatomică este modificată semnificativ
exact pe linia dislocaţiei. Această zonă este denumită miezul dislocaţiei. Descoperirea lor a fost
foarte importantă pentru înţelegerea proprietăţilor mecanice ale materialelor.
Pentru a defini o dislocaţie considerăm o reţea perfectă în care s-a practicat o tăietură în
partea superioară a ei până la un anumit plan numit plan de alunecare.
Consideram un semiplan suplimentar ABCD introdus în tăietura practicată în reţeaua
cristalină perfectă (a). Semiplanul suplimentar este limitat la partea inferioară, în planul α (de
alunecare) de linia AB care se numeşte linie de dislocaţie sau miezul dislocaţiei.
Un astfel de semiplan suplimentar se poate forma în realitate prin acţiunea unor forţe
tangenţiale τ asupra cristalului şi care produc o deplasare a părţilor cristalului una faţă de alta cu
o distanţă mai mică decât o distanţă interatomică.

Figura 8. Dislocatie Taylor

Noţiuni de curs Page 7

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Astfel o dislocaţie poate fi definită ca fiind linia de demarcaţie cuprinsă în planul de

alunecare, care separă partea de cristal pe care nu s-a produs alunecarea. Dacă deplasarea
semiplanului suplimentar se face până la ieşirea din cristal aranjamentul atomilor redevine
perfect dar la suprafaţa cristalului se înregistrează o treaptă de alunecare.
Orice dislocaţie este caracterizată prin linia de dislocaţie (AB) şi vectorul b (Burgers)
care exprimă direcţia deplasării sau alunecării şi mărimea acesteia. Pentru a găsi vectorul Burger
trebuie să realizăm un circuit, mergând din atom în atom cu aceleaşi distanţe interatomice, în
toate direcţiile. Dacă circuitul cuprinde o dislocaţie acesta nu se va închide. Vectorul care închide
circuitul cu dislocaţia este vectorul b perpendicular pe linia de dislocaţie AB.
Dislocaţiile din fig. 8 au vectorul Burger perpendicular pe linia dislocaţiei aceastea fiind
denumite dislocaţii în trepte (Taylor). Dislocaţiile care au vectorul Burger paralel cu linia
dislocaţiei se numesc dislocaţii elicoidale (fig. 9).

Figura 9. Dislocaţie elicoidală

Caracterizarea dislocaţiilor
Energia dislocaţiilor:
Prezenţa unei dislocaţii în reţeaua cristalină produce o distorsiune elastică a acesteia, deci
orice dislocaţie este însoţită de un punct de tensiune. Energia unei dislocaţii poate fi apreciată
prin forţa cvasielastică din reţeaua cristalină sau prin lucrul mecanic necesar pentru introducerea
dislocaţiei.
Edis = G·b²
G –modulul de elasticitate transversal; b – vectorul burgers

Noţiuni de curs Page 8

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Formarea dislocaţiei:
Se formează în timpul procesului de elaborare, solidificare sau în cea mai mare măsura în
timpul proceselor de deformare plastică la rece. Densitatea de dislocaţie: φ = Σ l/ V [dist/cm²]
reprezintă raportul dintre suma segmentelor tuturor dislocaţiilor din unitatea de volum pe volum.

1.2.3. Defecte bidimensionale (de suprafaţă)

Atomii prezenţi la suprafaţă, în stratul exterior, prezintă de obicei posibilitatea de a forma
legături, dar aceste legături nu sunt formate, de obicei, deoarece energia la suprafaţă este mai
mare decât în centrul materialului. În multe cazuri minimizarea suprafeţei reduce energia totală a
sistemului (ex: formarea picăturii de apă). Principiul important în fizică, cel al minimei energii
este respectat şi de materiale, ele modificându-şi suprafaţa astfel încât atomii de suprafaţă să fie
şi ei implicaţi în legături.
Materialele policristaline sunt formate dintr-o multitudine de cristale mici sau grăunţi.
Aceşti grăunţi au o orientare cristalografică diferită. La „întâlnirea” dintre grăunţi se produc
uneori „amestecuri” atomice. Această zonă este denumită limită de grăunţi. În figura 10 este
reprezentată grafic o astfel de limită de grăunţi.

Figura 10. Limita de grăunţi

Suprafeţele şi interfeţele cu structură diferită de masa materialului tind să devină reactive

iar impurităţile tind să segregheze în acele zone (se concentrează pentru a se putea îndepărta
ușor).
Limita de grăunte: într-un material policristalin aranjamentul atomilor este puternic
perturbat la trecerea de la un grăunte la altul, tranziţia se face printr-o zonă de câteva diametre

Noţiuni de curs Page 9

 Introducere în Ingineria Materialelor I

atomice care se numesc limită de grăunte. Grăunţii sunt dezorientaţi unul faţă de celălalt cu
câteva grade până la câteva zeci de grade.
Caracteristici ale limitei de grăunte:
- la limita de grăunte aranjamentul atomilor nu corespunde cu a nici unuia dintre grăunţii
pe care-i separă, fiind prezentă o reţea complexă de imperfecţiuni precum dislocaţia sau vacanţa;
- limita de grăunte prezintă o reactivitate chimică sporită, motiv pentru care este foarte
bine pusă în evidenţă în urma unui atac cu reactivi chimici;
- limita de grăunte prezintă o energie sporită datorită tensiunii superficiale ataşate ei;
- datorită energiei suplimentare şi reţelei de defecte prezentă în aceste zone, limita de
grăunte este punctul de plecare pentru majoritatea transformărilor în stare solidă.
Limita de subgrăunte: chiar şi la nivelul unui cristal se înregistrează abateri de la
aranjamentul perfect al atomilor, aranjamentul perfect înregistrându-se ca având anumite blocuri
numite blocuri în mozaic. Linia care desparte aceste blocuri în mozaic poartă denumirea de linie
de subgrăunte. Blocurile în mozaic sunt dezorientate unul faţă de celălalt cu mai puţin de 1 grad.

Figura 11. Bloc în mozaic

Distorsiuni elastice ale reţelei cristaline: într-o reţea cristalină perfectă se înregistrează
mici abateri ale atomilor de la poziţia normală, abateri care determină distorsiunea elastică a
reţelei cristaline. Aceste distorsiuni elastice conduc la formarea de tensiuni interne ce se pot
manifesta local (microtensiuni) sau pe distanţe mai mari (macrotensiuni).
Microtensiunile pot să fie de compresiune sau de întindere. Orice atom care înlocuieşte
un alt atom al elementului de bază în poziţia normală a acestuia, şi care are rezistenţa mai mică
decât raza atomului de bază produce tensiuni de întindere. Microtensiunile afectează
rezistivitatea electrică, rezistenţa la coroziune şi mai puţin celelalte proprietăţi.

Noţiuni de curs Page 10

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Macrotensiunile sunt produse în general de:

- tensiuni termice, care se datorează dilatării sau contracţiei diferite înregistrate la
încălzirea sau răcirea cu viteze diferite a pieselor groase. Tot tensiuni termice se formează în
timpul solidificării unor piese complexe care au îmbinări de pereţi grosi cu pereţi subţiri. Pereţii
subţiri solidificaţi primii vor supune la tensiuni de întindere pereţii groşi care solidifică mai greu;
- tensiuni mecanice, care se datorează deformării plastice cu grade de deformare diferite
pe anumite zone;
- tensiuni structurale, care se formează datorită nesimultaneităţii demarării proceselor
de transformare în stare solidă (lichid - solid).
Atât microtensiunile cât şi macrotensiunile trebuie eliminate prin tratamente termice
specifice ulterioare, în caz contrar în material putând să apară fisuri sau chiar să se producă
ruperea materialului.

1.2.4. Defectele de volum

Defectele în volum sunt extrem de periculoase pentru materiale, deoarece prezenţa lor
afectează dramatic proprietăţile materialului. Defectele de volum sunt: pori, fisuri, incluziuni
nedorite. a) b)

Figura 12: Defecte de volum: pori (a) si fisuri (b)

1.2.5. Vibraţiile atomice

Vibraţiile atomice apar din cauza energiei termice. O dată cu creşterea temperaturii unei
substanţe, atomii acesteia pot începe să vibreze. Amplitudinea vibraţiilor atomice creşte pe
măsură ce temperatura creşte.

Noţiuni de curs Page 11

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Vibraţiile atomice devin foarte puternice şi la o anumită temperatură legăturile atomice se

rup şi materialul începe să se topească. Frecvenţa vibraţiilor este de aproximativ 10 13Hy (1013
vibraţii pe secundă).
Energia atomică medie, datorată exictării termice este de ordinul k BT (kB – constanta lui
Boltzman). Temperatura la care apare prima picatură de metal lichid se numeşte temperatură de
topire. Căldura latentă de topire este căldura necesară cantităţii de metal să se topească complet
(să treacă integral din stare solidă în stare lichidă).

Difuzia atomică (solide)

Difuzia este un proces de amestecare spontan inițiat (datorită principiului "Mișcării
Browniene") a particulelor a două substanțe, acționând treptat până la completa și ireversibila
omogenitate a acestora. Difuzia este reprezentată de transportul materialului prin mişcarea
atomilor. În figura 10 este prezentată o simulare privind difuzia atomilor. În imagine se observă
cum atomii de tip B difuzează printre atomii de tip A.

Figura 13. Model pentru difuzia atomică

Materialele neomogene pot deveni omogene cu ajutorul mecanismului de difuzie ce

depinde de natura cristalului în care are loc difuzia şi de natura substanţei difuzante. Pentru ca

Noţiuni de curs Page 12

 Introducere în Ingineria Materialelor I

difuzia să apară temperatura trebuie să aibă o valoare suficient de ridicată astfel încât „bariera”
miscării atomice să fie trecută.
De notat că atomii ce constituie cristalul pot difuza ei înşişi; în acest caz fenomenul este
numit autodifuzie. Autodifuzia este fenomenul prin care toţi atomii care îşi schimbă poziţia în
interiorul unei substanţe aparţin acelei substanţe. Autodifuzia prezintă interes, întrucât prin ea se
creează spaţii în reţeaua cristalină).

Difuzia vacanţelor
Pentru a-şi modifica poziţia un atom are nevoie de energie atomică pentru a rupe
legăturile cu atomii vecini şi totodată trebuie să îşi creeze spaţiul în care se va aşeza în interiorul
reţelei. Valoarea energiei atomice este egală cu energia atomic vibraţională, E av=kBT. Direcţia
atomilor care difuzează este opusă direcţiei în care se deplasează vacanţele în material. Difuzia
vacanţelor este totuşi mai rar întâlnită deoarece energiile ce trebuie depăşite sunt destul de mari.

Difuzia interstiţiilor
Difuzia intersţitiilor este de obicei mai des întâlnită deoarece legătura între atomii
interstiţiali şi cei înconjurători este de obicei mai mică, prin urmare mecanismul difuziei este
favorizat. Interstiţiile ce difuzează uşor sunt mici (atomi de C, H, O) pentru a se potrivi uşor în
spaţiile interstiţiale ale reţelei.
Fluxul atomilor ce difuzează este o măsură utilizată pentru a cuantifica difuzia. Fluxul
difuziei este definit ca fiind numărul de atomi ce difuzează prin unitatea de arie într-o unitate de
timp (atomi/m2s) sau masa atomilor ce difuzează prin unitatea de arie în unitatea de timp
(kg/m2 s).
J=M/A*t
unde:
J – fluxul de difuzie, kg/m2s
M – masa atomilor, kg
A – aria, m2
t – timpul, s
Difuzia staţionară este difuzia în care fluxul J nu se modifică în timp.

Noţiuni de curs Page 13

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Concentraţia atomilor sau moleculelor este importantă în studiul difuziei datorită valorii
pe care o are în anumite porţiuni ale unei probe (profilul concentraţiei).
Gradientul de concentraţie dC/dx este panta profilului concentraţiei într-un anumit
punct (fig. 14).

Figura 14. Gradientul de concentraţie

dC/dx=ΔC/Δx=(CA-CB)/(xA-xB)

Prima lege a difuziei a lui Fick spune că fluxul difuziei pe o anumită direcţie x este
proporţional cu gradientul de concentraţie. Gradientul de concentraţie este denumit forţa motrică
a difuziei:
J=-D*dC/dx
Această lege se aplică în general pentru cazul ideal de difuzie. Pentru cazul difuziei reale
se aplică legea a doua a lui Fick, deoarece profilul concentraţiei ca şi gradientul de concentraţie
se modifică în timp:
δC/δx=Dδ2C/δx2

În figura 15 este prezentat grafic profilul concentraţiei variind conform celei de-a doua
legi a difuziei a lui Fick.

Noţiuni de curs Page 14

 Introducere în Ingineria Materialelor I

Figura 15. Variaţia profilului concentraţiei în legea a doua a lui Fick

Concentraţia creşte cu timpul în zonele în care curbura este pozitivă şi descreşte în zona
de curbură negativă.

Factorii care influenţează difuzia sunt:

- temperatura: viteza de difuzie creşte foarte rapid pe măsură ce temperatura creşte;
- mecanismul de difuzie: difuzia interstiţială este mult mai probabilă decât difuzia
vacanţelor;
- difuzia şi substanţa gazdă: D0 şi Qd sunt unice pentru fiecare pereche solvent – solut;
- difuzia este mai accelerată în substanţele policristaline în comparaţie cu cele formate
dintr-un singur cristal datorită datorită difuziei accentuate de-a lungul limitei de
grăunţi.
Aplicaţii ale difuziei:
Durificare – difuzia impurităţilor în regiunea de suprafaţă a unei piese metalice pentru a
mări duritatea acelei suprafeţe (ex: durificarea oţelului cu atomi de carbon care măresc rezistenţa
oţelelui).
Doparea siliciului cu fosfor pentru realizarea unor semiconductori de tip n.

Noţiuni de curs Page 15