Lucrarea de laborator numărul 1

Dispozitive de putere. Dioda

1. Scopul lucrării

Lucrarea îşi propune o introducere în universul dispozitivelor semiconductoare de putere şi

analiza experimentală a fenomenului de comutaţie a diodei.
Rezultatele experimentale se vor compara cu cele obţinute prin simulare cu SPICE.

2. Introducere teoretică

2.1. Dioda

2.1.1. Dioda cu joncţiune

Siliciul este
materialul semiconductor
utilizat pentru obţinerea
dispozitivelor de comutaţie.
A T
Siliciul dopat uşor n-
constituie uzual materialul de N
bază pentru obţinerea
dispozitivelor semiconduc-
I O
toare. Rezistenţa materialului
depinde de rezistivitatea sa T
(), de grosimea stratului (l)
şi de aria totală (A): IC
R= 
l
A
T R Fig. 1.1

Prin adăugarea unui strat p se obţine dioda cu secţiunea transversală dată în figura 1.1.

E S
Structura diodei conţine o joncţiune pn a cărei comportare este bine cunoscută de la cursul de
dispozitive (figura 1.1).

R
Comutaţia diodei

Pentru aplicaţii în
circuite de comutaţie, timpul de
tranziţie al diodelor din starea
de conducţie directă (on) în
starea de blocare (off) trebuie
să fie cât mai redus.
Fenomenele care
însoţesc tranziţia unei joncţiuni
pn (diode) din starea "on" în
starea "off" sunt ilustrate în
figura 1.2.

Fig. 1.2
 Până la momentul t=0 dioda este polarizată direct, dispozitivul fiind parcurs de curentul de
conducţie IF . În momentul t=0 comutatorul trece instantaneu din poziţia 1 în poziţia 2. Ca urmare, se
întrerupe curgerea curentului IF şi se forţează trecerea prin joncţiune a curentului invers IR. Valoarea
acestui curent (IR= ER/ RR ) este determinată de sursa de tensiune ER şi de rezistenţa RR. Curentul
invers prin diodă îşi păstrează constantă valoarea IR până la momentul t=t1. Intervalul de timp (0,t1),
când tensiunea la bornele diodei scade de la VF (tensiunea pe diodă în polarizare directă) la 0, este
determinat de procesul de
evacuare a purtătorilor minoritari
existenţi în exces în joncţiunea
diodei şi poartă denumirea de
timp de stocare ts. După
momentul t1 curentul invers prin
diodă începe să scadă, iar
tensiunea la bornele diodei
devine negativă, tinzând către
valoarea sursei de polarizare
inversă (–ER). Durata intervalului

dioda
T
de timp (t1,t2) în cursul căruia

A îşi restabileşte
capabilitatea de blocare în invers,
N
poartă numele de timp de

I Otranziţie tt. Timpul de revenire

inversă trr este trr=ts+tt.

Fig. 1.3 T Din punct de vedere

practic, tranziţia unei diode din

IC
starea de blocare în starea de
conducţie, raportându-se la durata timpului de blocare toff =trr, are loc aproape instantaneu.

(reverse recovery time).

T R
Producătorii de diode de putere specifică de regulă valoarea timpului de revenire inversă trr

În cazul blocării pe sarcină inductivă fenomenele sunt ilustrate în figura 1.3.

E S
Caracteristica curent-tensiune la nivele mari de injecţie
Funcţionarea dispozitivelor cu joncţiuni pn la un nivel mare de injecţie (în conducţie directă)

R
se caracterizează prin faptul că valoarea concentraţiei purtătorilor minoritari în straturile
dispozitivului este comparabilă cu cea a purtătorilor majoritari.
Rezultatele experimentale obţinute cu diode redresoare din siliciu se reprezintă sub
următoarea dependenţă a densităţii de curent:
qV
J = exp( )
kT
unde  este factorul de idealitate al diodei (  = 2 la nivele mari de injecţie).

Străpungerea joncţiunii pn
La aplicarea unei tensiuni inverse de valoare suficient de mare joncţiunea semiconductoare se
străpunge: structura pn îşi pierde proprietăţile de redresare, curentul invers crescând foarte mult.
Există următoarele mecanisme de străpungere a unei joncţiuni pn:
- străpungerea prin avalanşă (ionizare prin şoc);
- străpungerea prin pătrundere sau atingere (punch-through sau reach-through);
- străpungerea Zener (prin tunelare).

2
 Puterea totală disipată de diodă
Puterea disipată de o diodă în conducţie directă se exprimă prin relaţia:
P d on = V T  I F(AV) + r D  I F(RMS)
unde:
- VT este tensiunea de prag a diodei;
- rD este rezistenţa internă a diodei în polarizare directă;
- IF(AV) este curentul direct mediu prin diodă;
- IF(RMS) este curentul direct efectiv prin dioda.
Puterea disipată de o diodă în comutaţie, mai precis pe durata comutaţiilor inverse, se poate
exprima aproximativ prin:
P d com = f E R Q rr
unde:
- f este frecvenţa comutărilor;
- ER este tensiunea inversă aplicată la blocare;
- QRR este sarcina de revenire care trebuie eliminată din joncţiune pentru ca dioda să se
blocheze

Q rr =
ER

C
0
j dV r
t rr

  i dt
0
A T
N
Puterea disipată în blocare este neglijabilă faţă de valorile date de relaţiile de mai sus, astfel
încât puterea disipată (totală) de o diodă este:

O
P d = P d on + P d com
I
2.1.2. Dioda Schottky de putere
T
IC
Particularităţi funcţionale ale diodei Schottky
Diodele Schottky reprezintă o categorie distinctă în cadrul familiei de diode redresoare prin

joncţiuni pn semiconductoare.
T R
faptul că funcţia de redresare este realizată de contactul între un metal şi un semiconductor şi nu de

Curentul prin dioda Schottky este transportat de un singur tip de purtători, purtătorii

E S
majoritari din semiconductor (goluri sau electroni). Deoarece mobilitatea electronilor este de 23 ori
mai mare decât cea a golurilor, diodele Schottky sunt realizate în general pe semiconductoare de tip
n.

R
Absenţa conducţiei prin purtătorii minoritari determină două avantaje majore:
1) nu există sarcină stocată la nivelul joncţiunii, deci timpii de comutaţie depind exclusiv de
valoarea capacităţii intrinseci a dispozitivului:
1
 q NDs 2
C j= Aj  
 2(  B n -  n + V R ) 
unde:
-  B este potenţialul barierei de contact Schottky, care depinde în principal de natura
n

metalului utilizat pentru realizarea contractului (  B = 0.6  0.7 V pentru Cr,  B n = 0.85 V
n

pentru Pt);
-  n este potenţialul Fermi pentru electroni;
- A j este aria joncţiunii metal-semiconductor;
- N d reprezintă nivelul de dopare a stratului epitaxial;

3
 - εs este permitivitatea electrică a semiconductorului n;
- q este sarcina electronului.

2) nu apare fenomenul de modulare

a rezistivităţii stratului semiconductor,
determinat de creşterea nivelului de curent,
deci tensiunea în conducţie şi tensiunea în
blocare sunt sensibil mai mici decât în
cazul diodelor cu joncţiune pn.
În figura 1.4 este prezentată
secţiunea transversală printr-o diodă
Schottky.

2.2. Dispozitive cu trei straturi Fig. 1.4

caracterizată de existenţa unui strat de tip n-), sunt prezentate în figura 1.5.

A T
Dispozitivele de bază cu trei straturi, de înaltă tensiune (deci care au structura verticală

N
I O
T
IC
T R
Fig. 1.5

obţin structurile de principiu pentru:

E S
Figura 1.6 prezintă modul cum, pornind de la o joncţiune pn, prin adăugarea unui strat n se

-tranzistorul bipolar de înaltă tensiune sau HVT cu secţiunea transversală dată în figura 1.6a;
R
-tranzistorul J-FET sau SIT cu secţiunea transversală dată în figura 1.6b;
-tranzistorul MOS cu secţiunea transversala dată în figura 1.6c.

Fig. 1.6

4
 2.3. Dispozitive cu patru straturi

Structurile de principiu cu trei straturi din secţiunea anterioara pot fi extinse cu un strat p  ,
obţinând trei structuri de bază cu patru straturi:
- tiristorul convenţional - SCR (Silicon Controlled Rectifier), care este în esenţă un HTV cu
un strat p  adăugat (figura 1.7.a);
- tiristorul cu inducţie statică - SITh sau FCT - un J-FET la care s-a adăugat un strat p 
(figura 1.7b);
- tiristorul bipolar cu poartă izolată - IGBT - un MOS la care s-a adăugat un strat p  (figura
1.7c).

A T
N
I O
T
IC Fig. 1.7

T R
E S
2.4. Optimizări ale structurilor de baza

În funcţie de aplicaţiile concrete în care sunt utilizate, dispozitivele semiconductoare de

R
putere trebuie să aibă:
- tensiuni de blocare cât mai ridicate;
- capabilităţi mari în curent;
- valori mari ale capabilităţilor în dV/dt şi dI/dt;
- timpi de comutare cât mai reduşi, deci frecvenţe de lucru cât mai mari;
- puterea disipată în comutaţie cât mai mică;
- nivele reduse ale puterii de comandă pe poartă.

De regulă, îmbunătăţirea uneia din caracteristicile de mai sus conduce inevitabil la

degradarea altor parametri ai dispozitivelor. În consecinţă, există dispozitive specializate, optimizate
pentru diferite aplicaţii. Prin integrare funcţională s-au obţinut structuri perfecţionate cum ar fi:
- tranzistorul cu efect de câmp cu dioda epitaxială rapidă FRED-FET (FET with Fast
Recovery Epitaxial Diode - figura 1.8a);
- tiristoare cu blocare pe poartă GTO (Gate Turn-Off Thyristor - figura 1.8b);
- tiristor controlat de MOS, denumit MCT (figura 1.8c) etc.

5
 Fig. 1.8

2.5. Analiza comparativă a performanţelor dispozitivelor semiconductoare de putere

Este important ca proprietăţile dispozitivelor semiconductoare să fie cunoscute atunci când

A T
alegem un dispozitiv care să lucreze optim într-o aplicaţie dată. Tabelul 1.1 se prezintă comparativ
proprietăţile esenţiale ale dispozitivelor capabile să susţină tensiuni de peste 1000V.
Se remarcă faptul că dispozitivele rapide sunt optimizate pentru o tensiune directă în
conducţie minimă.
N
I O
2.6. Aria de aplicaţii pentru dispozitivele semiconductoare de putere
T
IC
Această secţiune încearcă să dea indicaţii asupra modului de alegere a dispozitivului optim
pentru o anumită aplicaţie.

R
Este posibil pentru un proiectant de circuite, utilizând tehnici variate şi originale, să
folosească un dispozitiv în afara zonei de operare "normală", ilustrată în figura 1.9.

T
Se poate spune că este dificilă utilizarea tranzistoarelor bipolare HVT la frecvenţe de peste

S
100kHz, dar totuşi în literatura de specialitate sunt descrise aplicaţii la frecvenţe de sute de kHz. La
alegerea unui tip de comutator concură o gama mai largă de parametri, legaţi într-o anumită măsură
de frecvenţa de comutaţie:
E
- timpii de întârziere;
R
- puterea disipată în comutaţie;
- densitatea de curent în conducţie;
- limitări tehnologice la puteri mari;
- topologia aplicaţiei.

De exemplu GTO este preferat tranzistorului de putere în aplicaţii de mare putere la frecvenţe
între 1kHz şi 20kHz datorită capabilităţii sale la suprasarcină.

Scăderea tensiunii susţinute în blocare determină performanţe mai bune.

În tabelul 1.1, un "+" are, în funcţie de context, semnificaţia "simplu" sau "mică", iar un "-"
înseamnă "complexitate" sau "mare". Un punct în tabel semnifică o medie între "+" şi "-", iar
F(fast)=rapid şi S(slow)=lent. În cazul comutaţiei forţate pentru tiristoare sunt valabile performanţele
dintre acolade.

6
 Unitate
Dispozitiv/ IGBT IGBT
HVT JFET MOS THY GTO de
Parametru S F
măsură
V(ON) 1 10 5 1.5 3 2 4 V

Circuit CD - + + + + + + -

Circuit CI - - + + - + + -

Comanda - . + . . + + -

Tehnologie + . . + - - - -

Protecţia - . + + - - - -

Ts, tq 2 0.1 0.1 5 1 2 0.5 μs

Pd(com) . ++ ++ -- - - . -

J 50 12 20 200 100 50 50 A/cm2

dv/dt 3 20 10 0.5 1.5 3 10 V/ns

dI/dt

Vmax 1500
1 10

1000
10

1000 5000
1 0.3

4000
A T10

1000
10

1000
A/ns

Imax 1000 10 100 5000

N
3000 400 400 A

Imax/Inom

Fmax
5

50
3

1000
5

1000
T IO
15

10
Tab. 1.1
10

20
3

50
3

200
-

kHz

IC
T R
E S
R

Fig. 1.9
2.7. Valori limită absolute pentru dispozitivele semiconductoare de putere

În timpul operaţiilor de montare în echipamentul electronic, precum şi pe toată durata de

utilizare, dispozitivele semiconductoare sunt supuse la solicitări complexe, de natura mecanică,
electrică şi termică, ce pot afecta performanţele de fiabilitate ale acestora.

7
 Simplificarea mijloacelor de testare a determinat împărţirea metodelor de încercare în
încercări:
- climatice;
- mecanice;
- termice;
- electrice.
Corespunzător acestor moduri de încercare avem sistemele de valori limită absolute
mecanice, climatice, termice şi electrice.
Conform definiţiei dată de CEI pentru sistemul de valori limită absolute, fiecare este
imperativă, în sensul că depăşirea ei provoacă degradarea ireversibilă a dispozitivului. Proiectanţii de
echipamente cu dispozitive semiconductoare de putere trebuie să reţină că există o corelaţie strânsă
între probabilitatea defectării dispozitivului şi gradul de încărcare a dispozitivului, în sensul
apropierii de una din valorile sale limită absolute.

Valori limită absolute pentru diodă

În regim de polarizare inversă se definesc următoarele valori limită absolută:
VR - tensiunea inversă continuă;
VRRM
VRWM
VRSM
- tensiunea inversă repetitivă maximă;
- tensiunea inversă de lucru maximă;
- tensiunea inversă de suprasarcină maximă. A T
N
În regim de conducţie valorile limită absolută, evident, se vor referi la curentul ce parcurge
dispozitivul:
IF - curent direct continuu;
I O
IFAVM - curent direct mediu maxim;
IFRMSM - curent direct eficace maxim; T
IC
IFRM - curent direct repetitiv maxim;
IFM - curent direct de suprasarcină maximă;
I2t
R
- integrala de curent în funcţie de care se dimensionează siguranţele
ultrarapide de protecţie etc.
T
Pentru regimul de comutaţie al diodei interesează:
di/dt
dv/dt
tjM
S
- panta critică de creştere a curentului de conducţie;
- panta critică de creştere a tensiunii de blocare;
E
- temperatura joncţiuni maximă (parametru termic, dar strâns legat de puterea

R
disipată în comutaţie.

3. Aparate şi echipamente utilizate

- osciloscop cu două canale;

- machetă laborator;
- generator de impulsuri de putere;

4. Desfăşurarea lucrării

4.1. Experiment

1. Se alimentează generatorul de impulsuri şi se conectează în varianta impulsuri bipolare la

macheta de laborator cu schema dată în figura 1.10.
2. Se conectează osciloscopul astfel încât pe un canal să se vizualizeze curentul prin diodă
(iD), iar pe celălalt tensiunea pe diodă (vD).

8
 3. Se studiază comutaţia diodei pe sarcină rezistivă (figura 1.11a).
4. Se conectează dioda D1 (normală) în circuit.
5. Se desenează formele de undă şi se măsoară timpii ts şi trr , precum şi curenţii IF şi IRmax.
6. Se conectează dioda D2 (de comutaţie) în circuit şi se repetă punctul 5.
7. Se conectează dioda D3 (Schottky) în circuit şi se repetă punctul 5.
8. Se studiază comutaţia diodei pe sarcină inductivă, repetând punctele 4, 5, 6 şi 7 ale lucrării
(figura 1.11b).
9. Se studiază efectul introducerii unui condensator în circuitul de comutaţie (figura 1.11c şi
1.11d).
10. Se centralizează rezultatele măsurătorilor într-un tabel.

A T
N
I O
T
Fig. 1.10

IC
T R
E S
R
Fig. 1.11

4.2. Simulare

1. Utilizând programul SPICE se va studia:

- comutaţia diodei cu joncţiune normală pe sarcină rezistivă R (figura 1.12);
- comutaţia diodei cu joncţiune normală pe sarcină inductivă L;
- comutaţia diodei cu joncţiune de comutaţie pe sarcină R;
- comutaţia diodei cu joncţiune de comutaţie pe sarcină L.
Analizaţi comparativ rezultatele obţinute prin simulare cu rezultatele experimentale obţinute
pentru iD şi vD.

9
 2. Se vizualizează puterea disipată în comutaţie.

Fig. 1.12 A T
5. Întrebări. Teme de casă N
disipată în special)? Observaţie. Se va utiliza simularea cu SPICE.
I O
1. Cum influenţează fronturile impulsurilor de comandă procesul de comutaţie (puterea

stocare? T
2. La comutaţia diodei pe sarcină rezistivă, care este legătura dintre sarcină şi timpul de

IC
3. Care este legătura dintre frecvenţa impulsurilor de comutare (factor de umplere 1/2) şi
parametrii diodei (ts si trr)?

T R
4. De ce se conectează în paralel cu dioda care lucrează în comutaţie un condensator?
5. Care sunt avantajele utilizării diodelor Schottky?
6. Estimaţi valoarea inductanţei din circuitul utilizat în laborator pentru un curent direct
maxim IFmax=0,5A.

E S
7. Estimaţi sarcina stocată pentru fiecare situaţie analizată. Comparaţi rezultatele cu cele date
în catalog.

R
8. Propuneţi o schemă de generator de impulsuri dreptunghiulare cu amplificatoare
operaţionale, care să aibă posibilitatea reglării frecvenţei şi a factorului de umplere.
9. Cum trebuie să fie impedanţa de ieşire a generatorului de impulsuri?

6. Bibliografie

1. M. Bodea s.a., Diode şi tiristoare de putere - performanţe, Manual de utilizare, Ed.

Tehnică, Bucureşti 1989.
2. xxx, Power Semiconductor Applications, Philips Semiconductor, Netherlands, 1992.
3. P. Al. Dan s.a., Diode cu siliciu - Catalog, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1987.
4. D. Dascălu s.a., Contactul metal - semiconductor, Ed. Academiei Române, Bucureşti,
1988.

10
 Lucrarea de laborator numărul 2

Tranzistorul bipolar de putere şi tensiune mare

1. Scopul lucrării

Lucrarea îşi propune o analiză experimentală a caracteristicilor de comutaţie pentru

tranzistorul bipolar de putere corelată cu tipul circuitului de comandă şi respectiv tipul circuitului de
protecţie. Sunt analizate de asemenea fenomenele specifice comutaţiei tranzistorului bipolar pentru
tensiuni mari (High Voltage bipolar Tranzistor -
HVT). Rezultatele experimentale obţinute se vor
compara cu cele obţinute prin simulare cu SPICE.

2. Introducere teoretică

2.1. Structura tranzistorului bipolar

pentru tensiuni mari
A T
Elementele constructive ale unui HVT în
capsula SOT 186F sunt prezentate în figura 2.1. O N
I
secţiune transversală printr-o structură de HVT este
dată în figura 2.2. O Fig. 2.1
T
IC
T R
E S
R
Fig. 2.2 Fig. 2.3
-
Grosimea stratului n determină valoarea maximă a tensiunii colector-emitor susţinută în
blocare. Pentru a menţine această valoare se face o pasivizare a cipului cu sticlă specială (figura 2.2).
Această structură se poate obţine tehnologic în mai multe moduri (aceste tehnologii numindu-se
"planare").
Un HVT şi un tranzistor de tensiune mică diferă prin grosimea stratului n- care determină şi
alţi parametri electrici ai tranzistorului (figura 2.3). În figura 2.3 s-au folosit următoarele notaţiile
(care vor fi definite mai jos):
ts - timpul de stocare ;
tf - timpul de cădere a curentului.
HVT-urile sunt utilizate aproape în exclusivitate în circuite electronice de comutaţie pentru
conversia energiei, comanda motoarelor (d.c. şi a.c.) etc.
 2.2. Comutaţia tranzistorului bipolar ( HVT )

Pentru un tranzistor în conducţie se pot distinge trei zone în care se acumulează sarcina
electrică ( fig. 2.4).

Fig. 2.4 Fig. 2.5

Sarcina Qb localizată în regiunea bazei este esenţială pentru conducţia curentului de colector.

A T
Sarcina Qc localizată în zona colectorului, în dreptul emitorului, determină o rezistenţă scăzută
pentru colector, deci o tensiune colector emitor scăzută. Sarcina Q d este localizată în zona
colectorului în dreptul contactului de bază.
N Pentru o valoare

I O fixată a curentului de
colector valoarea sarcinilor

T Qb , Qc şi Qd depinde de
tensiunea colector-emitor

IC
(figura 2.5). În condiţii
normale de comandă se

T R obţine pentru V CE sat o

valoare satisfăcătoare
(punctul N în figura 2.5),

E S obţinându-se valori
moderate pentru Qc şi Qd.
Când se aplică un curent de

R bază mai mare, tranzistorul

se saturează profund
valoarea sarcinilor Qc şi Qd,
crescând (punctul O -
overdriven - în figura 2.5).
Fig 2.6 Dacă se aplică o reţea
pentru desaturarea tranzistorului (denumită Baker Clamp - vezi figura 2.7, punctul D în figura 2.5)
valoarea timpului de stocare şi timpul de cădere scade.
Blocarea tranzistorului prin aplicarea unui curent de bază negativ se face în patru etape, în
care se evacuează sarcinile Qb, Qc şi Qd; durata primelor două determină timpul de stocare t s , iar
celelalte determină timpul de cădere tf (figura 2.6).
În acest caz la saturaţie incipientă avem (figura 2.7):
V CE sat = V D1 + V BE - V D 3
supracurentul de comandă fiind preluat de dioda D3. Dioda D2 asigură calea de evacuare a sarcinii
stocate, iar dioda D1 fixează pragul saturaţiei incipiente (eventual pot fi conectate două diode în
serie).
2
 Fig. 2.7 Fig. 2.8

În cazul configuraţiei Darlington (figura 2.8), ţinând cont de faptul că joncţiunile BE şi BC

ale tranzistorului T1 joacă rolul diodelor D2 şi D3 , tranzistorul de forţă T2 nu se va satura profund,
indiferent cât este valoarea curentului de comandă IB2.
T
Comutaţia tranzistorului din blocare în conducţie (comutaţia directă - CD), respectiv invers

A
(comutaţia inversă - CI) se face într-un timp definit în principal de circuitul de comandă.

N
2.3. Circuite de comandă

I O
T
Circuitele de bază pentru comanda tranzistorului bipolar sunt reprezentate în figura 2.9.
Se remarcă existenţa rezistenţei

IC Rb în fiecare circuit de comandă, având

rolul de a limita valoarea curentului de

T R comandă.
În cazul unei comenzi cu forţarea
curentului de bază prin circuitul de

E S accelerare (Rb în paralel cu Cb , vezi

figura 2.10.b), puterea disipată în timpul
CD este mai mică decât în cazul unei

R comenzi simple printr-o rezistenţă Rb

(figura 2.10.a.).
La comutarea inversă, din
momentul t0 al aplicării tensiunii inverse
de comandă se pot evidenţia timpii:
- t o - t 1 = t s ; pe durata căruia tranzistorul
rămâne saturat;
- t 2 ; când iE=0 şi V BE devine negativă;
- t 3 ; când iC = 0;
- t 3 - t 1 = t f ; timpul de cădere pentru iC.
Formele de undă, pe durata CI,
pentru circuitele de comandă din figura
2.9 sunt reprezentate în figurile
Fig.2.9 2.11.ac.

3
Fig. 2.10.a Fig. 2.10.b

A T
N
I O
T
IC
T R
Fig. 2.11.a
E S Fig. 2.11.b

Fig. 2.11.c Fig. 2.12

4
 În figura 2.12 este prezentat efectul măririi tensiunii inverse, aplicate pentru blocarea
tranzistorului, asupra performanţelor de comutare inversă a circuitului din figura 2.9.b (vezi pentru
comparaţie figura 2.11.b).
Circuitul de accelerare RbCb (vezi figura 2.9.a) este în general utilizat pentru comanda
1
tranzistoarelor cu tensiuni V CE max mici. În general se urmareşte ca I BRM = I C .
2
Pe de altă parte, puterea disipată scade dacă nu se utilizează condensatorul de accelerare C b
(vezi figura 2.11.b) sau se măreşte tensiunea inversă aplicată (figura 2.12), fără însă a se depăşi
tensiunea de străpungere a joncţiunii bază emitor, V (BR)EB0. Se remarcă însă o creştere a timpului
total de comutare inversă.
Pentru tranzistoare HVT intrarea joncţiunii BE în străpungere la comutarea inversă, utilizand
o bobina în bază Lb (vezi figura 2.11.c), nu are efecte distructive dacă nu se depăşesc parametrii
IBR(AV) şi IBRmax (precizaţi în catalog).
Este evident că au loc relaţiile:
P dci (11a) > P dci (11b) > P dci (12 ) > P dci (11c)
t f (11a)> t f (11b)> t f (12 ) > t f (11c)
t s(11a) < t s(11b) < t s(11c)
A T
În general, valoarea optimă a inductanţei Lb se determină experimental. O estimare bună este
dată de relaţia :
E R+V BE sat
N
LB =
di B
I O
dt
T
IC
unde:
d iB
= 0,5Ic (A/μs), pentru un HVT cu V CE0 =400V, V CEx =800V;
dt
d iB
dt T R
= 0,15Ic (A/μs), pentru un HVT cu V CE0 =700V, V CEx =1500V;

V BE sat =1V.
E S
E R - tensiunea negativă de comanda;

R
Timpul de stocare poate fi estimat cu relaţia :
I BRM
I
( + 1) L B
BF
tf=
E R + V BE sat
unde, în practică, se consideră uzual:
I BRM
=13
I BF
Deoarece E R = 2  5 V, o valoare mică pentru ts se obţine pentru o valoare mică a inductanţei
1
Lb. În acest caz însă energia înmagazinată de bobină ( L B I 2BRM ) este insuficientă pentru a menţine
2
joncţiunea bază emitor în străpungere. În figura 2.13 şi 2.14 sunt prezentate doua circuite care
rezolvă această problemă, fie prin şuntarea cu o diodă a rezistenţei R b pe durata CI, fie prin mărirea
tensiunii inverse aplicate cu valoarea V3 (practic se poate utiliza în
locul rezistenţei R3 şi o dioda Zener).
5
 Fig. 2.13

A T
N
Fig. 2.14
I O
T
IC
T R
E S
R
Fig. 2.15

Circuitul optim de comandă este prezentat în figura 2.15. Este de menţionat că pentru a
obţine anumite performanţe nu sunt necesare, uneori, toate elementele. Astfel, în circuite în care rata
de creştere a curentului de colector este limitată (printr-o inductanţa aflată în circuitul de colector),
reţeaua R1 - C1 - D1 poate lipsi fără a creşte excesiv PdCD. De asemenea, în circuitele în care LB este
suficient de mare reţeaua R3 – C3 poate lipsi (vezi structura circuitelor de deflexie orizontală). Pentru
evitarea oscilaţiilor se poate utiliza un rezistor balast R 4.

6
 Fig. 2.16 Fig. 2.17

2.4. Aria de funcţionare sigură

În cazul în care joncţiunea de comandă este

polarizată direct punctul de funcţionare trebuie să se
afle în zona de funcţionare sigură reprezentată în
A T
figura 2.16. Dacă joncţiunea bază emitor este
scurtcircuitată ( V BE off =0V) sau este polarizată N
I O
invers ( V BE off =5V), aria de funcţionare sigură este
reprezentată în figura 2.17. Limitarea ariei de
T
funcţionare sigură este dată de curentul, tensiunea şi

străpungerii secundare.
IC
puterea disipată maximă, precum şi de limita
Fig. 2.18
R
Valoarea tensiunii maxime susţinute în
blocare depinde de profilul concentraţiei de purtători
T
(figura 2.18). Dacă curentul de colector creste,

E S
tensiunea V CE scade şi câmpul electric poate
atinge valoarea critică ( E crit ) pentru care se
declanşează fenomenul de multiplicare în avalanşă
R
(figura 2.19). La aproximativ VCE = 30V golurile
produse prin multiplicarea în avalanşă stabilizează
temporar acest proces. Oricum, la V CE  30V , un
curent de colector mare determină distrugerea
termică a dispozitivului de putere în cel mult o
microsecundă.
Reducerea ratei de creştere a tensiunii VCE la Fig. 2.19
CI cu ajutorul unei reţele R-C (vezi figura 2.20),
numită reţea snubber, determină şi o scădere a puterii Pd ( CI ) , deci evitarea străpungerii secundare. Se
recomandă o rată de creştere a tensiunii VCE dată de relaţia:
dV CE f[kHz]
= [kV/s]
dt 25
Uneori pierderile în reţeaua snubber pot fi considerabile şi deci se pune problema
recuperării energiei acumulată de condensator. Pentru o protecţie maximă a tranzistorului se
conectează în colector diverse reţele de protecţie (figura 2.21).
7
 Fig. 2.20 Fig. 2.21

A T
Reţeaua D 5 - R 5 - C 5 formează un detector de vârf pentru limitarea tensiunii VCE. Inductanţa
L6 reduce rata de creştere a curentului IC, care poate fi foarte mare pentru tranzistoarele care comută

N
transformatoare de putere, micşorând PdCD. Energia înmagazinată de L6 este disipată de circuitul R6-
D6 pe durata când tranzistorul este blocat.

I O
Înfăşurarea secundară, bobinată în opoziţie faţă de cea primară, împreună cu D7, are rol în
recuperarea energiei înmagazinate de transformator. Creşte însă şi tensiunea V CE pe durata când D7
conduce.
T
3. Aparate şi echipamente utilizate:
IC
- osciloscop cu două canale;
- machetă laborator (figura 2.22);
- generator de impulsuri de putere T R
E S
R

Figura 2.22
8
 4. Desfăşurarea lucrării:

4.1. Experiment
1. Se alimentează generatorul de impulsuri şi se conectează în varianta impulsuri bipolare la
macheta de laborator cu schema din figura 2.22. Pentru comparaţie se utilizează un tranzistor normal
(Q3) şi unul de comutaţie (Q4) .
2. Se alimentează montajul cu tensiune ( V cc = 10V ) şi se conectează osciloscopul la bornele
O1, O2 şi O3 pentru vizualizarea tensiunilor vBE şi vCE.
3. Se studiază comutaţia tranzistorului bipolar pe sarcină rezistivă, analizând influenţa
circuitului de comandă asupra timpilor de comutaţie (vezi figurile 2.7, 2.9 şi 2.15). Iniţial circuitele
de comandă se conectează separat, iar apoi şi în combinaţie.
4. Se vizualizează tensiunea  BE şi curentul i B în cazul circuitului din figura 2.9.c, pentru
sarcină rezistivă.
5. Se vizualizează (la bornele O 2 , O3 faţă de O4 ) tensiunea  CE şi curentul i C în cazul
circuitului din figura 2.9.b, pentru sarcină rezistivă.
6. Se conectează o sarcina inductivă în colectorul tranzistorului şi se repetă punctul 5.

A T
7. Se analizează circuitele de protecţie separat şi apoi în combinaţie, vizualizând ic şi  CE .
8. Se studiază circuitul pentru recuperarea energiei conectând osciloscopul la bornele O6 , O 2
şi O4 .
N
4.2. Simulare
Utilizând programul SPICE se analizează:
I O
T
9. Influenţa circuitului de comandă asupra timpilor de comutaţie şi puterii disipate .
10. Circuitele de protecţie a tranzistorului bipolar care comută pe sarcină inductivă.
5. Întrebări
IC
T R
1. Poate lipsi rezistenţa R b din circuitul de comandă ?
2. Explicaţi (prin relaţii şi grafic) efectul variaţiei parametrilor caracteristicii de comandă
i B ( BE ) , a tensiunii pozitive de comanda V1 şi a rezistenţei R b asupra curentului de bază i B .

E S
3. Cum acţionează asupra timpul de stocare circuitul Baker Clamp?
4. Explicaţi rolul fiecărei componente din circuitul optim de comandă.
5. Ce înţelegeţi prin arie de funcţionare sigură a tranzistorului şi cine o limitează ?
R
6. Explicaţi modul cum se face recuperarea energiei înmagazinate în transformator pentru
schema din figura 2.21.
7. Propuneţi o schemă de generator de impulsuri de putere cu fronturi cât mai abrupte.

BIBLIOGRAFIE.
1. xxx, Power Semiconductor Applications, Philips Semiconductor, Netherlands, 1992.
2. A. S. Grove, Fizica si tehnologia dispozitivelor semiconductoare, Ed. Tehnică, Bucureşti,
1973.
3. A. Rusu, Modelarea componentelor microelectronice active, Ed. Academiei Romane,
Bucureşti, 1990.
4. xxx, Tranzistoare cu siliciu, I.P.R.S. Băneasa, Catalog 1997.
5. C. Volosencu, Analiza circuitelor cu programul SPICE, Ed. Electronistul, Timişoara,
1994.

9
 Lucrarea de laborator numărul 3

Tranzistorul MOS de putere

1. Scopul lucrării

Lucrarea îşi propune o analiză experimentală a caracteristicilor de comutaţie pentru

tranzistorul MOS de putere în corelaţie cu circuitul de comandă.
Rezultatele obţinute experimental se vor compara cu cele obţinute prin simulare cu SPICE.

2. Introducere teoretică

2.1. Structură şi mod de fabricaţie

Un canal n vertical
pentru un tranzistor MOS
de putere este fabricat pe

A T un substrat n+ , având drena

metalică aplicată pe partea
inferioară a sa (fig. 3.1).

N Deasupra substratu-
lui n+ este crescut un strat

I O n- epitaxial, grosimea şi
rezistivitatea fiecăruia

T depinzând de tensiunea
programată să fie susţinută

IC în blocare între drenă şi

sursă. Structura canalului,

T R format printr-un
implant
stratului
în
dublu
suprafaţa
epitaxial n-,

E S Fig. 3.1
renunţă la modelul celular,
astfel încât mai multe mii
de celule pot forma un

R singur tranzistor.

Poarta (n- polisiliciu) creată în

stratul izolator de dioxid de siliciu este
structura unică care leagă între ele
celulele aceluiaşi dispozitiv. Sursa
metalică acoperă de asemenea întreaga
structură, realizand conectarea în
paralel a celulelor individuale într-un
singur tranzistor. Densitatea tipică este
de 0.3*106 celule/ cm2 .

O secţiune transversală printr-o

celulă este dată în figura 3.2.

Fig. 3.2
 2.2. Parametrii MOSFET-ului.

a. Tensiunea de prag (VP). Tensiunea de prag se măsoară în mod normal conectând poarta la
drenă şi apoi crescând tensiunea aplicată dispozitivului între drenă şi sursă până se obţine un curent
de drenă de 1.0 mA. Această metodă este foarte simplă şi furnizează indicaţii precise asupra
momentului în care se creează canalul indus.
Factorii principali care controlează tensiunea de prag sunt grosimea oxidului de sub poartă şi
concentraţia de suprafaţă maximă din canal, determinată de doza implantării zonei p.Valoarea
tensiunii de prag este în gama 2.14V pentru tipul standard, respectiv 12V pentru tipul logic.
b. Rezistenţa drenă sursă în starea de conducţie ("on") - R DS (on) .
Contribuţia elementelor care determină R DS (on) este dependentă de valoarea tensiunii drenă-
sursă proiectată a fi susţinută în blocare (fig. 3.3).
Se observă că la tensiuni înalte domină
rezistivitatea şi grosimea stratului epitaxial,
iar la tensiuni joase o pondere mare o are
rezistenţa canalului şi a stratului difuzat p +.

A T
Rezistenţa întregului canal este determinată
de lungimea canalului, grosimea stratului de
oxid al porţii, mobilitatea purtătorilor,

N
tensiunea de prag şi tensiunea aplicată pe
poartă. Pentru o tensiune de poartă dată,

I O
rezistenţa canalului poate fi redusă
semnificativ micşorând grosimea stratului de
T
oxid al porţii. Acest mod de lucru este utilizat

IC
pentru MOSFET-ul comandat cu nivele
logice, permiţând obţinerea unei R DS (on)

Fig. 3.3

T R similară cu tipul standard cu numai 5V pe

poartă. Rezistenţa totală a canalului este invers
proporţională cu lăţimea canalului determinată de toate ferestrele celulelor. Lăţimea canalului este

S
de peste 200 m pentru un tranzistor de joasă tensiune realizat pe un cip de 20mm 2 .

E
R

Fig. 3.4

2
 c. Tensiunea de străpungere drenă-sursă este determinată de forma câmpului electric la
joncţiunea dintre stratul p+ difuzat şi stratul n- epitaxial. Un set de inele flotante p+ este utilizat
pentru controlul distribuţiei de câmp electric periferic.

2.3. Caracteristicile electrice in curent continuu.

O familie de caracteristici de ieşire tipice pentru un tranzistor MOS de putere este dată în
figura 3.4. Se observă că depăşirea tensiunii V DS sat determină o limitare a curentului de drenă
(regiunea de saturaţie a caracteristicilor).

2.4. Caracteristicile de comutaţie.

Caracteristicile de comutaţie pentru un MOSFET de putere sunt determinate de capacităţile

inerente care apar în structură (fig. 3.5).
T
Capacităţile sunt încărcate/descărcate de circuitul de comandă. În figura 3.6 sunt prezentate
A
formele de undă VDS si VGS la comutaţia tranzistorului MOS pe sarcina rezistivă, iar în figura 3.7
este prezentată comutaţia directă pe sarcina inductivă.
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Fig. 3.5 Fig. 3.6

Capacitatea poartă-sursă Cgs trebuie încărcată până la tensiunea de prag pentru a începe
procesul de comutaţie directă, definindu-se timpul de întârziere la comanda pe poartă tgd (fig. 3.7.a).
Tensiunea VDS scade determinând descărcarea capacităţilor Cds, Cgs încărcându-se în
continuare până la tensiunea VGG aplicată în poartă (fig. 3.7.b). În momentul în care VDS < VGS
capacitatea Cgd creşte, determinând o creştere mai lentă a tensiunii VGS (curentul de comandă încarcă
capacitatea Cgd - fig. 3.7.c). În acest timp tensiunea VDS atinge valoarea minimă. Aplicarea unei
tensiuni mai mari pe poartă este necesară pentru micşorarea R DS (on) şi implicit a pierderilor de
putere în conducţie (fig. 3.7.d).
Comutaţia inversă pe sarcină rezistivă va dura mai mult decât comutaţia directă, deoarece
căile de încărcare a capacităţilor conţin rezistenţă de sarcină.

3
 A T
N
Fig. 3.7
I O
T
IC
2.5. Circuite de comandă

Circuitele de comandă trebuie să asigure o încărcare (descărcare) rapidă a capacităţilor

sunt prezentate astfel de circuite.

T R
parazite şi, atunci când este cazul, o izolare a comenzii faţă de circuitul de forţă. În figurile 3.83.14

E S
R

Fig. 3.8 Fig. 3.9

3. Aparate şi echipamente utilizate

- osciloscop cu două canale;

- macheta laborator (fig. 3.18);
- generator de impulsuri

4
Fig. 3.10 Fig. 3.11

A T
N
I O
T
IC
T R
E S Fig. 3.12
R

Fig. 3.13 Fig. 3.14

5
 Fig. 3.15

A T
N
I O
T
IC
T R
E S
Fig. 3.16

4. Desfăşurarea lucrării
R Fig. 3.17

4.1. Experiment:

1. Se alimentează generatorul de impulsuri şi se conectează în varianta de comandă cu

impulsuri monopolare pozitive la macheta de laborator cu schema dată în figura 3.18.
2. Se alimentează montajul cu tensiunea VDD=10V şi se conectează osciloscopul la bornele
O1, O2, şi O4 pentru vizualizarea tensiunii vGS si vDS.
3. Se studiază comutaţia tranzistorului MOS pe sarcina rezistivă analizând influenţa
capacităţilor Cgs si Cgd asupra timpului de comutaţie (fig. 3.15).
4. Se analizează influenţa circuitului de poartă asupra timpului de comutaţie (fig. 3.16 a,b).
5. Se vizualizează forma curentului de drenă (iD) şi tensiunea VDS pentru circuitul din figura
3.16.a.
6. Se vizualizează formele de undă iD si VDS pentru circuitul din figura 3.17.

6
 4.2. Simulare:

Utilizând programul SPICE se

analizează:
7. influenţa capacităţilor Cgs şi
Cgd asupra timpilor de comutaţie
utilizând două tipuri de tranzistoare MOS
(fig. 15.a). Se observă influenţa
circuitului de comandă
(RG 10  RG ) asupra puterii disipate.
8. timpul de comutaţie pentru
circuitele din figura 16.a si 16.b.
9. Considerând un generator de
curent constant în locul bobinei L din
circuitul din figura 3.17 (RD=0), se
analizează influenţa tipului de diodă
utilizată asupra puterii disipate de
tranzistor.
A T Fig. 3.18

5. Întrebări
N
I O
1. Care este cauza creşterii capacităţii Cgd în momentul comutaţiei directe (fig. 3.7.c)? Cum
evoluează capacitatea de ieşire în decursul unei comutaţii ?

T
2. De ce se utilizează o supracomandă vGS>VT?
3. Ce rol are o capacitate serie în circuitul de comandă (fig.3.13 si 3.14)? Explicaţi circuitul
de comandă din figura 3.14.
IC
4. Cum depinde panta de cădere a tensiunii vDS de capacităţile Cgs şi Cgd?

comutaţie de putere ?
T R
5. Care sunt avantajele utilizării tranzistoarelor MOS, faţă de bipolare, în circuitele de

Bibliografie.

E S
1. xxx, Power Semiconductor Applications, Philips Semiconductor, Netherlands, 1992.

1973. R
2. A. S. Grove, Fizica şi tehnologia dispozitivelor semiconductoare, Ed. Tehnică, Bucureşti,

3. A. Rusu, Modelarea componentelor microelectronice active, Ed. Academiei Române,

Bucureşti, 1990.
4. M.Bodea ş.a., Diode şi tiristoare de putere, vol. 1, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1990.
5. xxx, Diode şi tiristoare, catalog IPRS 1995.

ANEXA
7
 Rezultate obţinute prin simulare

Pentru comparaţie, în continuare se prezintă rezultatele obţinute cu SPICE utilizând un

tranzistor MOS cu modelul:

.model IRF530 NMOS (Level=3 Gamma=0 Delta=0 Theta=0 Kappa=0 Vmax=0 X j=0
Tox=100n Uo=600 Phi=.6 Rs=58.53m Kp=20.73u W=.68 L=2u Vto=3.191
Rd=38.69m Rds=444.4K Cbd=1.151n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso=876.7p
Cgdo=261.4p Rg=4.63 Is=1.861p N=1 Tt=125n)

Astfel, în figurile 3.19 şi 3.20 este prezentată dependenţa timpilor de comutaţie de

capacităţile parazite Cgs si Cgd (circuitele din figura 3.15).
În figurile 3.21, 3.22 si 3.23 este prezentată dependenţa de rezistenţa din circuitul de

procesul de comutaţie.

A T
comandă a curentului de poartă (IG), a curentului de drenă (ID) şi respectiv a puterii disipate (PD), în

Influenţa unei diode sau a unui condensator în circuitul de poartă (figura 3.16) se poate
observa în figura 3.24. Într-un circuit cu sarcină inductivă (figura 3.17), comutaţia este influenţată de
performanţele diodei de regim liber (figura 3.25).
N
I O
T
IC
T R
E S
R Fig. 3.19

Fig. 3.20
ANEXA
8
 Fig. 3.21

A T
N
I O
T
IC
T R Fig. 3.22

E S
R

Fig. 3.23

ANEXA
9
 A T
Fig. 3.24
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Fig. 3.25

10
 Lucrarea de laborator numărul 4

Tiristorul

1. Scopul lucrării

Scopul acestei lucrări este înţelegerea aspectelor teoretice (prin modelare-simulare) şi

practice privind metoda uzuală de amorsare a tiristorului prin curent de comandă pe poartă. Se vor
face măsurători pentru determinarea curenţilor de menţinere IH, de blocare IB şi de acroşare IL,
precum şi a altor parametrii specifici tiristoarelor.

2. Introducere teoretică

Denumirea generică de tiristor este atribuită unei familii de dispozitive semiconductoare de

T
putere, având o funcţionare de tip bistabil şi similarităţi de structură internă.
Caracteristica statică curent (iA) - tensiune (vAK) a unei structuri pnpn (cu sau fără electrozi de
poartă - figura. 4.1) are forma tipică din figura 4.2.
A
N
I O
T
IC
T R
E S
R Fig. 4.1

La polarizarea directă a structurii

pnpn (potenţalul din anod mai mare
decât cel din catod), pe porţiunea 0-1 a
caracteristicii, dispozitivul susţine
tensiunea aplicată (joncţiunea J2 este
blocată), fiind în starea de blocare în
direct. Dacă tensiunea directă aplicată
(vAK) atinge valoarea VF(BO) (breakover
voltage) dispozitivul trece rapid prin
zona de rezistenţă negativă 1-2 (dvAK/diA
< 0), ajungând în conducţie directă. În
conducţie directă (porţiunea 2-3 a
caracteristicii) dispozitivul pnpn se Fig. 4.2
comportă ca o diodă redresoare în
conducţie, fiind utilizat un model liniar analog diodei cu joncţiune pn în conducţie:
vAK= VT + rFTiA
unde:
rFT este rezistenţa în conducţie directă a tiristorului;
VT este tensiunea pe tiristorul aflat în
conducţie directă (VT=12V pentru
densităţi de curent de aproximativ
100A/cm2).
În polarizare inversă (- pe anod şi + pe
catod) dispozitivul pnpn se află în porţiunea 0-4 a
caracteristicii în polarizare inversă (joncţiunea J1
blocată susţine tensiunea aplicată, deoarece
VBR(J3)=1030V). Dacă tensiunea inversă aplicată
atinge valoarea VBR (breakdown voltage), curentul
invers prin dispozitiv creşte foarte rapid, provocând
distrugerea dispozitivului.
Amorsarea prin aplicarea unei tensiuni
directe vAK=VF(B0) se utilizează pentru diodele
tiristoare (dioda Schockley – figura 4.1.a, diacul
T
Fig. 4.3

A
etc), fiind evitată la triodele şi tetrodele tiristoare (figurile 4.1. c respectiv d) deoarece se pot
distruge dispozitivele respective.
N
I O
Amorsarea tiristoarelor convenţionale (figura 4.1.c) se obţine prin aplicarea unui curent
pozitiv de poartă iG>0 (obţinut prin aplicarea unei tensiuni vGK > 0) când tiristorul este polarizat

T
direct, amorsarea având loc la tensiuni vAK > 0 din ce în ce mai mici dacă valoarea curentului de
poartă creşte (figura 4.3).

IC
După amorsare, tiristorul rămâne în starea de conducţie dacă curentul anodic iA este mai
mare decât valoarea curentului de agăţare IL (latching current). Dispozitivul rămâne în conducţie

IL > IH.
T R
atâta timp cât curentul anodic este mai mare decât curentul de menţinere IH (holding current). Avem

Denumirea de "redresor comandat din siliciu", prescurtat SCR (Silicon Controlled Rectifier),

S
este utilizată şi în prezent (vezi biblioteca utilizată de SPICE) pentru tiristorul convenţional.
Comutarea în conducţie a tiristoarelor convenţionale se face uzual prin curent de comandă pozitiv pe
E
poartă, continuu sau în impulsuri. Tensiunea minimă continuă (VGT) aplicată pe poartă faţă de catod

R
şi curentul continuu minim de poartă (IGT), care determină o amorsare sigură a tiristorului sunt
parametri importanţi ai acestora. Împreună cu puterea disipată în poartă, aceştia determină valorile
componentelor din circuitul de comandă.
Domeniul de amorsare
sigură (figura 4.4) este limitat
superior de puterea de vârf de
comandă (în impulsuri) sau
medie de comandă (în curent
continuu). Inferior, domeniul se
extinde odată cu creşterea
temperaturii dispozitivului.
Odată cu creşterea
temperaturii, curentul rezidual
din joncţiunea J2 poate deveni
comparabil cu IGT, tiristorul
Fig. 4.4 putând amorsa termic (fără
comandă pe poartă).
2
 Aplicarea unui curent în poarta unui tiristor determină o injecţie de goluri (purtători
majoritari) în stratul p2, polarizând
direct joncţiunea J3. În momentul în
care joncţiunea J3 se deschide, stratul
n2 injectează electroni în zona p2, care
ajungând în câmpul electric al joncţiunii
J2 sunt transferaţi în stratul n1 (golurile
nu trec prin joncţiunea J2). Acest
fenomen de separare determină scăderea
concentraţiei purtătorilor în zona
joncţiunii J2.
Deoarece:
uAK=VJ1+VJ2+VJ3
scăderea tensiunii de blocare a joncţiunii Fig.4.5
J2 (figura 4.5) determină mărirea
tensiunii de deschidere a joncţiunii J1 şi J3, iniţiindu-se procesul tranzitoriu de amorsare a
tiristorului.

A T
Evident, acest fenomen începe din
zona catodului apropiată de terminalul porţii,
conducţia curentului anodic iniţial I(0) făcându-
N
se prin aria iniţială în conducţie (initial on-area

I O
– figura 4.6).
Curentul anodic continuă să producă

T fenomene de injecţie de purtători prin

joncţiunile J1 şi J3, determinând extinderea

IC
canalului de amorsare pe toată suprafaţa
catodului. Viteza vs cu care se desfăşoară acest

T R fenomen creşte cu densitatea curentului anodic

şi are valori în gama 0,030,1mm/s.
Dispozitivele pnpn pot fi amorsate cu

E S semnale optice situate în banda de răspuns

spectral a siliciului.
Pe lângă amorsare prin breakover

R Fig.4.6 (autoamorsarea), care este de tip parazit şi

distructivă, pentru tiristoarele cu terminal de
poartă, amorsarea prin efect dv/dt este de asemenea distructivă.
La aplicarea unei
tensiuni anodice vD de tip
rampă, datorită capacităţii de
barieră a jonctiunii J2

2 0  r N D1
C J 2 (t ) 
qv D (t )

apare un curent de deplasare

având densitatea:
Fig. 4.7

3
 dq dv (t) dC J 2 (t) dv (t)
jd = = C J 2 (t) D + v D (t)  C J 2 (t) D
dt dt dt dt
Valoarea sa medie este:
dv D (t) dv (t)
j d0 = C J = 2C J ( V RF ) D
2
dt 2
dt
unde: VRF este valoarea finală a tensiunii anodice.
Mărirea capabilităţii de protecţie la efectul dv/dt pentru dispozitivele pnpn se poate obţine
prin conectarea unui grup RC (denumit snubber) în paralel pe dispozitiv (fig. 4.7.a).
Conectarea unui rezistor RG între poartă şi catod determină devierea unei părţi din curentul
de deplasare din baza p2, mărind capabilitatea de protecţie la dv/dt (fig.4.8.).

A T
N
I O
Fig.4.8 T
IC
Procesul de amorsare a tiristoarelor de putere, deci care au o arie a catodului mare, ţinând

T R
cont că extinderea zonei de conducţie directă (on-zone spreading) se face cu viteza finită, vs,
determină limitări ale ratei de variaţie a curentului anodic di/dt.
În circuitele care utilizează tiristoare convenţionale, cu capabilitate în di/dt limitată la

E S
50200A/s, limitarea pantei de creştere a curentului anodic se obţine prin utilizarea unei inductanţe
serie L (de ordinul H sau zeci de H) (fig. 4.7.b). Mărirea capabilităţii în di/dt la tiristoarele
moderne la 300 – 1000A/s se obţine prin utilizarea unui amplificator de poartă integrat (integrated

R
amplifying gate) care acţionează doar în primele faze ale procesului tranzitoriu de amorsare (fig.
4.9.a). Schema echivalentă simplificată a unui tiristor cu amplificator de poartă integrat (fig. 4.9.b) se
aseamănă cu configuraţia Darlington a două tranzistoare.

4
 a) b)
Fig. 4.9

În fig. 4.10.a,b se prezintă schema şi formele de undă privind caracteristica statică de

amorsare în curent continuu la diferiţi curenţi anodici iG(vG)|iA .

A T
N
I O
T
IC
a)
T R b)

E S Fig. 4.10

Pentru acelaşi tiristor se prezintă în figura 4.11.a,b schema, principiul şi rezultatele obţinute
prin simulare privind determinarea curenţilor IL şi IH .
R

a) b)
Fig. 4.11
Necesitatea unei anumite puteri de comandă este ilustrată în fig. 4.12.a,b, unde se aplică
impulsuri de durată fixă şi amplitudine variabilă, respectiv impulsuri cu amplitudine fixă şi durată
variabilă.
5
 Fig. 4.12.a

A T
N
I O
T
IC
T R
Fig.4.12.b

S
Modificarea în timp a curentului anodic şi a tensiunii
anodice indică etapele procesului de amorsare a tiristorului (fig.
4.13.a,b) .
E
R
Timpul de întârziere la amorsare tgd depinde în principal de
curentul de amorsare IG , scăzând odată cu creşterea lui RG. Timpul
de cădere a tensiunii tfu nu mai depinde de IG ci, în principal de
caracterul circuitului anodic, scăzând odată cu creşterea inductanţei
din circuitul anodic. Timpul de stabilizare tst depinde de parametrii
constructivi ai tiristorului. În timpul amorsării, în tiristor, energia
electrică se transformă în energie termică. Puterea disipată în timpul
amorsării Pd este reprezentată în fig. 4.13.c.
Fig. 4.13.a

6
 Fig. 4.13.b
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Fig. 4.13.c

3. Aparate şi echipamente utilizate:

- ampermetru de c.c. şi c.a;

- voltmetru de c.c.;
- sursă de tensiune continuă;
- transformator reţea 220/12+12;
- osciloscop cu două canale;
- reostat;
- machetă de laborator (fig. 4.14). Cu ajutorul comutatorului K se selectează tiristorul de mică,
respectiv medie putere care va fi testat, iar cu K1 se aplică impulsurile de comandă când este
7
 cazul.

Fig. 4.14
A T
4. Desfăşurarea lucrării
N
4.1. Experiment
I O
T
1. Caracteristica statică de amorsare în c.c. a tiristorului
a. Se verifică datele de catalog ale tiristoarelor de pe macheta de laborator;

IC
b. Se identifică componentele de pe macheta de laborator (figura 14);
c. Se realizează montajul din figura 4.15;

T R
E S
R
Fig. 4.15
d. Se reglează reostatul R la minim, rezistenţa corespunzătoare limitând curentul anodic sub
valoarea admisă dată de catalog;
e. Se măreşte treptat valoarea sursei de tensiune continuă până la amorsarea tiristorului, de
exemplu, amorsarea este semnalizată optic prin stingerea becului B;
f. Se notează valoarea tensiunii şi curentului de amorsare, indicată de voltmetrul V1 şi
ampermetrul A1;
g. Se repetă experimentul pentru celalalt tiristor şi apoi se urmăreşte efectul modificării
curentului anodic asupra parametrilor de amorsare (o valoare medie şi maximă de reglaj a
reostatului). Se notează valoarea reglată iA;
8
 h. Se ridică caracteristica (uG,iG)|iA la amorsare pentru tiristoarele testate.

2. Măsurarea curentului de menţinere, blocare şi acroşare

a. Se realizează montajul din fig. 4.16.

Fig. 4.16

A T
b. Se reglează reostatul la valoarea minimă şi se fixează sursa de tensiune continuă la
aproximativ 1V.
N
c. Se alimentează montajul; voltmetru V va indica prezenţa tensiunii în starea blocat direct a
tiristorului.
I O
d. Cu comutatorul K1 se aplică impuls de amorsare a tiristorului. Se citeşte valoarea tensiunii
anodice când tiristorul este în conducţie.
T
IC
e. Se măreşte rezistenţa din circuitul anodic, urmărindu-se indicaţia ampermetrului A. La un
moment dat tiristorul se va bloca (indicaţia ampermetrului este 0, iar a voltmetrului este din nou
egală cu valoarea tensiunii de alimentare). Se reţine ultima indicaţie a ampermetrului, curentul

T R
anodic minim în conducţie, deci valoarea curentului de menţinere IH.
f. La valori şi mai mare ale rezistenţei anodice, se închide - deschide K1 şi se urmăreşte

S
modul cum conduce tiristorul; practic tiristorul are o funcţionare asemănătoare cu a unui tranzistor
până când curentul anodic scade sub valoarea de blocare IB. Se măsoară curentul de blocare IB

E
mărind rezistenţa reostatului până se observă blocarea tiristorului.
g. Se micşorează apoi, treptat, rezistenţa reostatului, aplicându-se totodată şi impulsuri de
R
comandă. Pentru o anumită valoare a curentului anodic IL, numită curent de acroşare, tiristorul
rămâne în conducţie şi după dispariţia impulsului de comandă (K1 deschis). Se reţine această valoare
IL.
h. Se fac măsurătorile pentru ambele tiristoare.

3. Amorsarea tiristorului cu impulsuri de comandă

9
 Fig. 4.17

a. Se realizează montajul din fig. 4.17. Generatorul de impulsuri sincronizate cu reţeaua de

A T
alimentare are posibilitatea reglării amplitudinii (între 010V cu R3) şi duratei (între 0,2 - 200s cu
R2) acestora. Întârzierea faţă de trecerile prin zero se fixează din semireglabilul R1.
b. Se şuntează inductanţa L; şi se reglează reostatul din circuitul anodic la R = Rmin.

N
c. Se vizualizează curentul iG şi tensiunea de poartă vG în momentul amorsarii tiristorului (K1
închis) pentru diverse combinaţii amplitudine - durată impuls. Se notează combinaţiile care
determină limita inferioară a domeniului de amorsare sigură.
I O
d. Se introduce inductanţa L în circuitul anodic şi se repetă punctul c., pentru combinaţiile
Rmin - Lmin şi Rmin - Lmax.
T
IC
e. Se vizualizează tensiunea anodică vA şi de poartă vG repetând punctele c. şi d.
f. Se repetă experimentul şi pentru celălalt tiristor.

4.1. Simulare

T R
S
Se vor determina prin simulare, pentru câteva tipuri de tiristoare din librăria SPICE:
1. Caracteristica (iG, uG)|iA (figura 4.10);

E
2. Curenţii de acroşare, menţinere şi blocare (figura 4.11);

R
3. Parametrii puterii de comandă la amorsare (figura 4.12);
4. Modificarea în timp a curentului anodic, a tensiunii anodice şi a puterii disipate în timpul
amorsării (figura 4.13).

5. Întrebări. Teme de casă

1. Considerând joncţiunile J1, J2 şi J3 ca abrupte şi asimetrice, iar dopajul celor patru straturi
ale structurii fiind de valorile N A1  10 3 ; N D1  N A 2  N D 2  1017 cm 3 , să se estimeze:
- tensiunile de străpungere în avalanşă VBR ale joncţiunilor polarizate invers (J1, J2 şi J3) ale
tiristorului în regim blocat, direct şi invers;
- extinderea zonei de sarcină spaţială W a joncţiunii J2 la o tensiune egală cu VF(BO);
Indicaţie: Se vor utiliza relaţiile cunoscute:
2 r  0 ( V D -  i ) 1 1
W = ln +l p = ( + )
q NA ND

10
 kT N A N D
NA lp = ND ln  i = ln
q ni2
2q 1 1
E max = V R( + )
r 0 NA ND
Se dau constantele:
ni=1,45·1010cm-3;
εr=11,2;
ε0=8,86·10-14F/cm.

2. Care sunt metodele de amorsare ale tiristorului?

3. Care sunt limitele domeniului de amorsare sigură?
4. Definiţi curentul de acroşare, menţinere şi blocare. Ce importanţă are cunoaşterea lor?
5. Cum se amorsează tiristorul prin creşterea bruscă a tensiunii anodice? De ce nu se aplică
această metodă?

6. Bibliografie
A T
N
1. M.Bodea ş.a., Diode şi tiristoare de putere, vol. 1, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1990.
2. xxx, Diode şi tiristoare, catalog IPRS 1995.

I O
T
IC
T R
E S
R

11