26 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere

Lucrarea 1
STUDIUL DIODELOR ŞI TRANZISTOARELOR DE
PUTERE

A. Scopul lucrării
Se studiază principalele fenomene care au loc la comutaţia diodelor şi
tranzistoarelor de putere, evidenţiindu-se principalele mărimi de care acestea depind şi
efectele pe care le determină în diferite circuite ce conţin diode şi tranzistoare care
lucrează în comutaţie.

B. Descrierea lucrării

B.1. Dioda
B.1.1 Comutarea în conducţie

În momentul în care o diodă semiconductoare comută din blocare în conducţie

nu există purtători prezenţi în joncţiune şi ca urmare căderea directă de tensiune pe
diodă poate deveni rapid mare. Pe măsură ce sarcina stocată în joncţiune creşte, are loc
modularea conductivităţii şi tensiunea directă pe diodă scade rapid la valoarea din
starea staţionară. Prin urmare, la aducerea în conducţie dioda poate fi asimilată cu o
rezistenţă a cărei valoare scade în timp. Valoarea rezistenţei este legată de concentraţia
de purtători minoritari injectaţi. Cu cât zona centrală a joncţiunii este mai groasă (deci
cu cât dioda este de tensiune mai mare) cu atât vârful de tensiune la aducerea în
conducţie va fi mai mare. Capacitatea şi inductivitatea diodei au o influenţă minoră în
procesul de comutare în conducţie. Parametrii care vor influenţa comutarea în
conducţie sunt:
- curentul direct i F ;
- viteza de creştere (panta) di F /dt a curentului direct;
- temperatura joncţiunii;
- tehnologia de realizare a joncţiunii.
Parametrii care se măsoară şi se dau în cataloage sunt vârful de tensiune V fP şi
timpul de comutaţie la aducere în conducţie, t fr , definiţi în figura 1.1. Pentru t fr primul
moment de timp care îl defineşte este cel în care curentul a atins 10% din valoarea de
palier. Al doilea moment de timp nu are o accepţiune unanimă. De exemplu, firma
 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere 27

Thomson îl defineşte ca fiind momentul în care tensiunea pe diodă a scăzut la 2V, în

timp ce firma IXYS îl defineşte ca fiind momentul în care tensiunea pe diodă ia
valoarea de 110% din tensiunea din starea staţionară.

dIF I0
VF 10% dt

VFP
VF
2V sau 110%Von
Von
tFR t

Fig. 1.1. Definirea principalilor parametrii la

aducerea în conducţie

B.1.2. Blocarea

Dacă o diodă semiconductoare a condus suficient de mult timp, astfel încât să

se atingă starea staţionară, în joncţiune există stocată o sarcină datorată purtătorilor
minoritari prezenţi. Pentru ca dioda să se poată bloca această sarcină trebuie în
prealabil extrasă. Aceasta se face în două moduri:
- prin recombinare internă (de regulă numai un mic procent).
- printr-un curent invers, care de fapt reprezintă principalul mecanism de
evacuare a sarcinii stocate. Acest curent invers, împreună cu tensiunea inversă
existentă pe diodă, determină pierderi de comutaţie suplimentare. La frecvenţe mici
(până la aproximativ 500 Hz) pierderile de comutaţie la blocare se pot ignora. În
schimb la frecvenţe înalte şi pentru semnale dreptunghiulare pierderile de comutaţie
pot reduce substanţial randamentul circuitelor de putere.
Forma de undă tipică a curentului prin diodă la blocare este reprezentată în
fig.1.2. Principalii parametri pe care fabricantul îi specifică în cataloage sunt: timpul de
blocare, trr, sarcina stocată, Q s (notată şi Q R sau Q rr în unele cataloage,), şi curentul
invers maxim, I RM (notat în cataloage şi cu I RRM ).
În ceea ce priveşte parametrul trr acesta este diferenţa dintre timpii t 2 şi t 1 .
Dacă t 1 este unanim acceptat ca fiind momentul de anulare al curentului, pentru t 2
firmele producătoare dau definiţii diferite în paginile cataloagelor. Prezentăm în
continuare trei dintre ele, cu observaţia ca nici acestea nu sunt unicele.
• t2 este momentul de timp în care dreapta definită de punctele de pe curba
curentului în care acesta ia pentru a doua oară valorile de 75% din I RM şi
respectiv 50% din I RM intersectează axa timpului (International Rectifier).
28 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere

• t2 este momentul de timp în care dreapta definită de punctele de pe curba

curentului în care acesta ia pentru a doua oară valorile de 90% din I RM şi
respectiv 25% din I RM intersectează axa timpului (IXYS).
• t2 este momentul în care curentul ia a doua oară valoarea de 25% din I RM .
IF

dIF
dt

VF Δt2 Δt1
t
t0 t1 t2 dirr
Δt0 Q1 Q2 dt VR
Q1+Q2=QR
irr
t2-t0=trr

IAM
VR
Fig. 1.2. Blocarea diodei semiconductoare

Valorile parametrilor sunt precizate în anumite condiţii de blocare, deoarece

fenomenele de la blocare depind de mai multe mărimi şi anume:
- curentul direct I F din starea de conducţie ce precede blocarea. Cu cât I F este
mai mare trr creşte.
- viteza (panta) de scădere a curentului di F /dt. O pantă mare reduce timpul de
blocare t rr dar creşte sarcina stocată.
- temperatura joncţiunii. Creşterea temperaturii determină creşterea atât a lui
trr cât şi a lui Q s .
- configuraţia circuitului exterior diodei în care se face blocarea. Acesta
determină în primul rând tensiunea inversă care se aplică diodei. Există două categorii
de circuite tipice de blocare (la care se ajunge prin câteva transformări simple în
circuitul original): cel în care dioda funcţionează în mod “redresor” şi cel în care dioda
funcţionează în mod “chopper”.

B.2. Tranzistorul
Electronica de putere modernă este în mare proporţie o electronică de
comutaţie. De aceea studiul comutaţiei principalelor dispozitive de putere este de mare
importanţă.
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv la care conducţia se face prin purtători
minoritari, fapt care îi conferă o anumită inerţie la comutaţie, spre deosebire de
tranzistorul MOS la care conducţia se face prin purtători majoritari. El este un
 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere 29

dispozitiv la care mărimea de comandă este curentul de bază. Spunem că este un

dispozitiv comandat în curent. Din acest motiv timpii de comutaţie se definesc relativ
la acest curent, considerând ca mărime de ieşire curentul de colector şi nu tensiunea
colector-emitor. Aceasta pentru că în aplicaţiile de putere sarcina este aproape
întotdeauna reactivă (de cele mai multe ori inductivă), ceea ce face ca tensiunea
colector-emitor să depindă în primul rând de circuitul în care tranzistorul este conectat
şi mai puţin de tranzistor.
Definirea timpilor de comutaţie este dată în fig.1.3, unde semnificaţia lor este
următoarea:
• t d - timpul de întârziere la aducerea în conducţie.
• t r - timpul de ridicare.
• t s - timpul de stocare.
• t f - timpul de coborâre (de cădere).
• t ON = td+tr - timpul de comutaţie la aducerea în conducţie.
• t OFF = t s +t f - timpul de blocare.
IC

90%

IC1

10%
t
td tr ts tf
IB toff
ton

IB1
90%

tp 50%

10%
t

IB2

Fig.1.3. Definirea timpilor de comutaţie pentru tranzistorul bipolar

30 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere

Aceşti timpi sunt daţi de către fabricant în anumite condiţii de funcţionare

(tensiune de alimentare, anumit curent de colector pentru valoarea de palier, etc.) şi
specificând tipul sarcinii. În majoritatea situaţiilor timpii de comutaţie pentru sarcină
inductivă sunt mai mici decât cei pentru sarcină rezistivă, cu excepţia timpului de
stocare care este uşor mai mare.
Dintre toţi aceşti timpi, cel de stocare este de obicei cel mai mare şi deci cel
mai deranjant, deoarece limitează frecvenţa maximă de comutaţie a tranzistorului. Se
cunoaşte că la funcţionarea în regiunea saturată joncţiunea bază-colector este şi ea
deschisă şi are loc fenomenul de mărire a grosimii bazei, care se manifestă ca şi cum o
parte din regiunea colectorului se transformă în bază.
Această inversiune de tip de material necesită o anumită cantitate de sarcină
care este furnizată de curentul pozitiv de bază şi se numeşte sarcină stocată.
La blocare, scăderea curentului de colector nu se va putea face decât după ce
cea mai mare parte din sarcina stocată a fost evacuată. Deci timpul de stocare este
timpul necesar evacuării sarcinii stocate. Rezultă că timpul de stocare depinde de:
• starea (regiunea) de conducţie a tranzistorului din momentul anterior blocării
(regiunea activă, saturaţie profundă). Pentru un timp de stocare redus este de dorit ca
tranzistorul să nu se satureze. Acest lucru se realizează prin tehnica în care el este
comandat în bază. Unul din circuitele de antisaturare cel mai larg utilizat este grupul
Baker ( fig. 1.4.) unde în conducţie joncţiunea bază colector este polarizată invers cu
tensiunea: -V DAS +2V D + nV D , deci joncţiunea este blocată şi tranzistorul nesaturat.
Se observă că pe măsură ce numărul diodelor conectate serie în bază creşte,
tranzistorul se îndepărtează şi mai mult de regiunea saturată. Totuşi, simultan tensiunea
sa colector-emitor creşte şi ea, ceea ce duce la pierderi de conducţie mărite. De aceea
numărul de diode serie cu baza se limitează de regulă la 3.

DAS

I com IB

D1 Dn

Fig. 1.4 Circuit de antisaturare

• curentul negativ de bază cu care se face blocarea. Desigur, se doreşte o valoare

cât mai mare pentru acest curent pentru ca evacuarea sarcinilor stocate să se facă rapid.
O valoare mare însă va bloca rapid joncţiunea bază-emitor dar golurile din regiunea
colectorului vor necesita un anumit timp să se recombine, timp asupra căruia curentul
 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere 31

negativ de bază are o mică influenţă. Se ajunge astfel în situaţia în care joncţiunea
bază-emitor este blocată, tranzistorul funcţionând ca o diodă în perioada de blocare.
Acest tip de funcţionare introduce pierderi şi prezintă riscul instabilităţii termice, de
aceea el trebuie evitat. Deci nu este recomandat să se folosească un curent negativ de
bază de valoare mare atât timp cât există o mare cantitate de goluri în colector
(tranzistorul este saturat). În schimb acest lucru este permis de îndată ce tranzistorul a
părăsit regiunea saturată şi a intrat în regiunea activă. În concluzie, la blocare curentul
de bază va trebui să treacă de la o valoare pozitivă la una negativă cu o viteză
moderată, pentru a lăsa timp purtătorilor minoritari (golurile) să se recombine, pentru
ca în momentul în care acest proces este încheiat el să aibă o valoare negativă mare.
Procedeul descris mai sus se numeşte “adaptarea lui di B /dt” şi se realizează simplu,
conectând o bobină în serie cu baza. Mai mult, fabricanţii indică chiar valoarea acestei
bobine (câţiva microhenry).
• La frecvenţe mari pierderile de comutaţie pe tranzistor pot deveni
semnificative. De aceea se utilizează adesea circuite pentru reducerea pierderilor pe
tranzistor la comutaţie (“snubber”). În fig. 1. 5 este reprezentat un circuit care reduce
pierderile de comutaţie în procesul de blocare.
Admiţând sarcina inductivă, cu o constantă de timp mult mai mare decât
duratele de comutaţie, atunci putem considera curentul de sarcină constant pe
intervalele de comutaţie. Dacă presupunem condensatorul complet descărcat la sfârşitul
duratei de conducţie, la blocare dioda D snub se deschide şi condensatorul C snub se aplică
între colector şi emitor, curentul de sarcină trecând acum prin D snub şi C snub . Ca urmare
tensiunea colector-emitor este “întârziată”, condensatorul alegându-se de valoare
suficient de mare pentru ca în momentul în care curentul prin tranzistor s-a anulat
tensiunea pe condensator să nu fi ajuns la valori semnificative. În acest mod pierderile
de comutaţie la blocare pe tranzistor sunt diminuate.

SARCINA

Rsnub Dsnub

Csnub

Fig. 1. 5. Circuitul “snubber”

32 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere

SARCINA

Dsnub

Lsnub

Rsnub

Fig. 1.6

Fig.1.6 conţine un circuit pentru reducerea pierderilor la aducerea în conducţie.

Acestea sunt importante atunci când la intrarea în conducţie curentul prin tranzistor are
o variaţie bruscă (de exemplu la convertorul forward CCM datorită curentului reflectat
din secundar). L snub limitează viteza de creştere a curentului prin tranzistor, astfel încât
V CE va scădea rapid înainte ca i C să atingă valori apreciabile. Grupul R snub -D snub are
rolul demagnetizării complete a bobinei în perioada de blocare.

C. Desfăşurarea lucrării

C.1. Utilizând programul Multisim se realizează schemele din fig.1.7 notându-

se valorile măsurate pentru parametrii prezentaţi în figurile 1.1 şi 1.2.

a)
 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere 33

b)

c)

d)

Fig.1.7. a), b), c), d) Schemele de măsură pentru funcţionarea diodei

C.2 Se realizează schemele din fig.1.8 determinând parametrii specifici la

comutaţia tranzistoarelor.
34 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere

a)

b)

c)
 Studiul diodelor și tranzistoarelor de putere 35

d)
Fig.1. 8 a), b), c), d)Schemele de măsură la comutaţia tranzistorului

Întrebări
1. Care sunt diferenţele dintre funcţionarea diodei cu sarcină rezistivă şi cu
sarcină rezistiv-inductivă?
2. Care sunt diferenţele dintre funcţionarea tranzistorului pe sarcină rezistivă
sau pe sarcină rezistiv-inductivă?
3. Ce efecte au diodele din schemele din fig. 1.8 c şi d?