Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
p-n. Tranzistorul este dispozitivul esenial al oricrui circuit electronic. De exemplu se tie c procesoarele de generaie nou de la Intel au zeci de milioane de tranzistoare cu efect de cmp. Clasificarea tranzistoarelor: tranzistor bipolar (TB): n-p-n; p-n-p; tranzistor cu efect de cmp (TEC): TECMOS: cu canal indus: canal n; canal p; cu canal iniial: canal n; canal p; TEC-J: canal n; canal p;
4. TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din trei straturi de material semiconductor la care se conecteaz trei electrozi. Cele trei straturi semiconductoare formeaz dou jonciuni p-n. n funcie de ordinea de amplasare a straturilor semiconductoare se disting dou tipuri de TB: - p-n-p care conine dou straturi semiconductoare de tip p, ntre care se gsete un strat semiconductor de tip n (Fig.4.1.a); - n-p-n care conine dou straturi semiconductoare de tip n, ntre care se gsete un strat semiconductor de tip p (Fig.4.1.b). JE JC JE JC C E E C n n p p n p B E C E B C
B B a) Tranzistor p-n-p. b) Tranzistor n-p-n. Fig.4.1. Structura i simbolul tranzistorului. Pentru ambele tipuri de tranzistoare, stratul din mijloc este foarte subire, iar electrodul corespunztor se numete Baz i se noteaz cu B. Nici straturile exterioare nu sunt identice. Un strat este mai subire i este mai puternic impurificat, iar electrodul corespunztor se numete Emitor i se noteaz cu E. Ultimul strat este cel mai gros, iar electrodul corespunztor se numete Colector i se noteaz cu C.
Dac se noteaz cu ICM valoarea maxim a curentului din colector, i cu PDM valoarea puterii maxime ce poate fi disipat (prin efect Joule), atunci tranzistoarele pot fi clasificate astfel: - tranzistoare de mica putere, cu ICM 100mA500mA i PDM 100mW1W; - tranzistoare de putere medie, ICM: 500mA5A; PDM: 1W5W; - tranzistoare de putere, ICM: 5A50A; PDM: 5W100W; - tranzistoare de mare putere, ICM: 50Asute A; PDM: 100Wzeci KW. Dac notm cu UCE0 valoarea maxim admisibila a tensiunii ntre colector i emitor, valoare ce reprezint valoarea maxim a tensiunii sursei de alimentare care alimenteaz circuitul care utilizeaz tranzistorul respectiv, atunci tranzistoarele pot fi clasificate astfel: - tranzistoare de joas tensiune, cu UCE0 n plaja 20V100V; - tranzistoare de nalt tensiune, UCE0: 100Vmii V. Tranzistoarele mai pot fi clasificate n funcie de frecvena pentru care sunt proiectate s funcioneze: - tranzistoare de joas frecven sau de audiofrecven (sute KHz MHz); - tranzistoare de nalt frecven sau radiofrecven (MHzsute MHz); - tranzistoare de foarte nalt frecven (MHzGHz).
Fig.4.2. Schem echivalent cu dou diode. n realitate datorit faptului c stratul semiconductor median este foarte subire apare aa numitul efect de tranzistor, care permite circulaia curentului ntre C i E. Efectul de tranzistor permite trecerea curentului printr-o jonciune polarizat invers (BC) datorit interaciunii ei cu o jonciune polarizat direct (BE) situat n imediata ei vecintate. Circulaia curenilor prin tranzistor este prezentat n Fig.4.3. Dac se ia n considerare tranzistorul n-p-n, la care jonciunea BE este polarizat direct i jonciunea BC este polarizat invers atunci putem spune c tensiunea dintre colector i emitor este pozitiv i mai mare dect tensiunea dintre baz i emitor care este de aproximativ 0,7V. n
aceast situaie va exista o circulaie de curent de valoare mare de la colector la emitor, curent care depinde de valoarea curentului de comand, adic curentul dintre baz i emitor.
a) Tranzistor n-p-n. b) Tranzistor p-n-p. Fig.4.3. Circulaia curenilor prin tranzistor. Din cele prezentate anterior, rezult c pentru a conecta un tranzistor ntr-un circuit, trebuie s cunoate succesiune terminalelor sale. Acest lucru l putem gsii n datele de catalog ale tranzistorului respectiv. Dac nu avem la dispoziie aceste date sau dac nu tim ce tip de tranzistor avem, acestea se pot determina printr-o metod practic. Se consider tranzistorul din Fig.4.4. Pentru a determina terminalele tranzistorului i tipul su avem nevoie de un aparat de msur care are funcie de msurat diode.
b) dup determinare.
Cu ajutorul aparatului de msur se efectueaz ase msurtori dup cum urmeaz: borna + conectat la terminalul 1 i borna la terminalul 2: OL borna + conectat la terminalul 2 i borna la terminalul 1: 0,628V borna + conectat la terminalul 2 i borna la terminalul 3: OL borna + conectat la terminalul 3 i borna la terminalul 2: OL borna + conectat la terminalul 1 i borna la terminalul 3: OL borna + conectat la terminalul 3 i borna la terminalul 1: 0,664V n urma msurtorilor se observ c avem indicaie de prezen tensiune pentru dou msurtori. Tensiunea apare la borne cnd este polarizat direct o jonciune. Din prima msurtoare care indic tensiune rezult o jonciune care are anodul la terminalul 2 i catodul la terminalul 1. Din a doua msurtoare care indic tensiune rezult o jonciune care anodul la terminalul 3 i catodul la terminalul 1. Dac se analizeaz construcia tranzistorului se observ c cele dou jonciuni ale sale au un terminal comun i anume Baza. Din msurtorile de mai sus putem spune c Baza este conectat la terminalul 1. innd cont c din msurtorile care au indicat tensiune de fiecare dat borna a fost conectat la terminalul 1 rezult c acest terminal este conectat la un stat semiconductor de tip n, de unde rezult ca tranzistorul este de tip p-n-p. Din msurtoarea care indic tensiune mai mare, rezult jonciunea dintre baz i emitor i de aici rezult c terminalul 3 este Emitorul. n cele din urm rezult c terminalul 2 este Colectorul.
Dac dup efectuarea tuturor msurtorilor avem o singur msurtoare care indic tensiune sau avem msurtori care n loc de OL indic o valoare mic sau chiar 0, nseamn c tranzistorul este defect sau este de alt tip (nu este tranzistor bipolar).
Regiune de blocare
Regiune activ
Regiune de saturaie
a) Tranzistor n-p-n. b) Tranzistor p-n-p. Fig.4.5. Zonele de funcionare a tranzistorului ca funcie de tensiunile de alimentare. Regimul de blocare. Regimul de blocare se obine atunci cnd tensiune dintre Baz i Emitor scade sub valoarea de polarizare a jonciunii (0,7 pentru Si), iar jonciunea dintre Baz i Colector rmne polarizat invers. n acest regim prin tranzistor nu circul curent i el se comport ca i o rezisten de valoare infinit, sau un contact deschis (Fig.4.6.a). Regimul de saturaie. Un tranzistor este n regim de saturaie cnd valoarea curentului de comand crete i implicit crete curentul principal pn la o limita la care tensiunea ntre colector i emitor scade sub 0,7V, deci potenialul colectorului devine mai mic dect al bazei. Din acest moment jonciunea dintre Baz i Colector este polarizat direct. n practic tensiunea Colector-Emitor nu poate fi sczut sub o valoare de 0,2V. Din momentul intrrii n saturaie curentul principal rmne la valoarea de saturaie i nu mai este proporional cu acela de comanda. Curentul de comand poate s creasc n continuare dar nu mai influeneaz curentul principal. Dac se neglijeaz cderile de tensiune pe jonciunile deschise tranzistorul este echivalent cu un nod de circuit (Fig.4.6.b). n acest regim tranzistorul poate fi folosit ca i element de comutaie. Practic tranzistorul va fi n regim blocat pentru a avea rol de contact deschis i va fi n regim de saturaie pentru a avea rol de contact nchis. Regimul activ. Regimul activ este regimul normal al tranzistorului pentru majoritatea aplicaiilor. n acest regim tranzistorul este strbtut de un curent de valoare mare ntre Colector i Emitor, valoare care depinde de valoarea curentului dintre Baz i Emitor.
n acest regim tranzistorul poate fi echivalat cu o diod conectat ntre Baz i Emitor i o surs de curent conectat ntre Colector i Emitor (Fig.4.6.c). Sursa de curent echivalent iB , care este proporional cu valoarea curentului iB (denumit genereaz un curent constant iE = i curent de comand) care parcurge dioda. Din cele expuse mai sus rezult c tranzistorul care funcioneaz n zona activ are rol de amplificator.
Iintr.
IB
Iie.
IB Iintr.
Iie. IE
IB Iintr.
Iie. IC
a) Baz comun b) Emitor comun c) Colector comun Fig.4.7. Moduri de conectare a tranzistorului n circuit. n continuare se vor prezenta caracteristicile grafice ale tranzistorului pentru varianta cu emitor comun. Productorii furnizeaz n cataloage o mulime de caracteristici grafice. Dintre acestea cele mai importante sunt caracteristica de intrare i caracteristica de ieire. Dac se reprezint grafic curentul din baz ca funcie de tensiune Baz-Emitor se obine caracteristica de intrare (Fig.4.8). Practic aceast caracteristic este asemntoare cu caracteristica grafic a unei diode. Ca i n cazul diodei, jonciunea Baz-Emitor ntr n conducie la o tensiune de aproximativ 0,7V (n cazul tranzistorului din Si). Bineneles aceast jonciune are i o tensiune invers maxim care poate fi aplicat, dar care are valori mult mai mici (datorit faptului c stratul semiconductor din Baz este de dimensiuni foarte reduse) dect n cazul diodelor. n general tensiunea maxim invers poate fi de aproximativ 5V, i din acest
motiv tranzistorul poate fi protejat la tensiune invers cu ajutorul unei diode conectat cu anodul la emitor i cu catodul la baz.
Fig.4.8. Caracteristica de intrare a tranzistorului. Caracteristica de ieire este o reprezentare grafic a curentului din colector ca funcie de tensiunea Colector-Emitor. n general aceast grafic se reprezint ca i o familie de caracteristici, fiecare caracteristic depinznd ce curentul de comand (curentul din baz) (Fig.4.9).
Fig.4.9. Caracteristica de ieire a tranzistorului n conexiune Emitor comun. Pe caracteristica de ieire exist patru zone: zona A este zona de blocare a tranzistorului; zona B este zona de saturaie a tranzistorului; zona C este zona cu putere maxim de disipaie; zona cuprins ntre aceste zone este zona activ a tranzistorului. Tot din grafic se poate observa c un tranzistor la un moment dat trebuie s se ntr-un anumit punct de funcionare P(UCE, IC). Acest punct de funcionare depinde de mai muli factori
cum ar fi: valoarea curentului de comand, valoarea factorului de amplificare n curent, valoarea temperaturii tranzistorului, etc. Pentru determinarea punctului static de funcionare a unui tranzistor trebuie s determinm valoarea curentului din colector i tensiunea Colector-Emitor. Pentru determinarea lor se poate utiliza orice teorem de calcul a circuitelor electrice. n special pentru aplicaii simple cel mai rapid mod de obinere a rezultatului este aplicarea teoremei a doua a lui Kirchhoff.
Din relaiile de mai sus se observ c valoarea curentului din colector depinde i de rezistena din emitor care n general are o valoare mai mare. Din acest motiv aceast schem este mai puin sensibil la variaia de temperatur. Deoarece valoarea rezistenei din emitor este mai mare nseamn c variaia termenului RB 0 influeneaz mai puin valoarea curentului din colector i deci schema este mai puin sensibil i la variaia factorului de amplificare n curent.
Circuitul de polarizare cu divizor rezistiv (Fig.4.10.c) are urmtoarele formule de calcul ale mrimilor de ieire: R2 VCC U BE R1 + R2 IC = R1 R2 R + R2 RE + 1 0 U CE = VCC ( RC + RE ) I C Din relaiile de mai sus se observ c influena factorului de amplificare este mai redus dect la schemele anterioare i de aici rezult c aceast circuit este cel mai bun pentru realizarea polarizrii tranzistorului. Ultimul circuit de polarizare prezentat este circuitul cu diod Zener (Fig.4.10.d). Acesta are avantajul c datorit diodei Zener, potenialul aplicat Bazei este n permanen constant.
c) Circuit de polarizare cu divizor rezistiv d) Circuit de polarizare cu diod Zener Fig.4.10. Scheme de polarizarea ale tranzistorului.
Fig.4.11. Forma de und a curenilor prin tranzistor cnd acesta funcioneaz n regim de comutaie. La anularea tensiunii de comand din Baz, jonciunea baz-emitor se blocheaz, iar curentul din baz scade pn la o valoare maxim negativ (a se vedea funcionarea diodei n regim de comutaie), valoare care se pstreaz un anumit timp. Momentul de la dispariia tensiunii din baz i pn cnd ncepe creterea curentului din baz de la valoarea maxim negativ spre 0 poart denumirea de timp de stocare (ts), deoarece pe aceast durat jonciunea baz-colector rmne n conducie, iar curentul din colector se pstreaz aproximativ la aceiai valoare. Durata n care curentul din baz cretere de la valoarea maxim negativ pn la 0, poart denumirea de timp de cdere (tc). mpreun cei doi timpi formeaz timpul de comutaie invers a tranzistorului (tci). n concluzie, tranzistorul n regim de comutaie funcioneaz ca i un comutator comandat.
4.7. Fototranzistorul.
Fototranzistorul este n general un tranzistor de tip n-p-n, a crui baz nu este conectat ntr-un circuit de electric. Practic rolul curentului din baz l preia fotonii care genereaz n baz un curent care are rol de a polariza jonciunea baz-emitor.
Fig.4.12. Simbolul i modul de construcie a unui fototranzistor. Rolul curentului din baz din care rezulta caracteristica de ieire a tranzistorului, este preluat pentru fototranzistor de gradul de iluminare (Fig.4.13). Din aceast figur se poate observa c dac avem o lumin mai puternic pentru polarizare, valoarea curentului din colector crete.
Fig.4.13. Caracteristica de ieire a fototranzistorului. Cea mai important aplicaie a fototranzistorului este optocuplorul, un circuit electronic care face izolaie optic ntre dou circuite electrice diferite. Cu alte cuvinte dac vrem s comandm curentul dintr-un circuit, cu ajutorul curentului din alt circuit, fr a exista nici o legtur electric ntre ele, n circuitul de comand introducem o diod luminiscent care produce o iluminare. n circuitul comandat introducem un fototranzistor care preia lumina de la dioda luminiscent. Bineneles optocuplorul conine cele dou elemente ncapsulate pentru c n caz contrar fototranzistorul ar putea intra n conducie de la lumina exterioar.