Sunteți pe pagina 1din 5

Universitatea Tehnica a Moldovei

Facultatea Calculatoare,Informatica si Microelectronica


Catedra Microelectronica si Ignineria Biomedcal

Lucrarea de laborator nr.2


Disciplina : DMOE
Tema:Cercetarea caracteristicilor capacitive a structurilor semiconductorsemiconductor i metal-dielectric-semconducor

A efectuat:

st.gr.ISBM-131 Cozacenco Dm.

A verificat:

lec.univ. Cretu Vasile

Chisinau 2015

Scopul lucrrii : Determinarea parametrilor structurilor cu bariera semiconductorsemiconductor i metal-dielectric-semiconductor pri metoda msurrii i prelucrrii a
caracteristicilor experimentale volt-farad.

Consideraii teoretice
Ecuaia Ebers Moll

Schemele echivalente de conectarea diodei.

a)

b)

Fig.1 schemele echivalente de conectare a diodei a)direct b)invers

Fig.2 Schema echivalent a jonciunii p-n.

Tabelul 1- conexiune direct


U (V)
Cd (pF)
G (mS)

0
21.58
0.0199

0.1
25.8
0.029

0.2
43.12
0.143

0.3
93.76
0.706

0.4
171.1
1.97

0.5
263.7
3.96

0.6
355.3
6.39

0.7
445.7
9.05

0.8
523.8
11.62

0.9
601
14.41

1
442
20.03

Tabelul 1- conexiune invers


U (V)
Cd (pF)
G (uS)

0
21.6
20

1
12.23
10

2
9.32
6.61

3
7.81
4.2

4
6.94
2.72

5
6.38
2.03

6
5.96
1.81

7
5.63
1.72

Fig.3 Dependena volt-farad pentru Cb

8
5.37
1.66

9
5.14
1.61

10
4.95
1.6

Fig.4 Dependena volt-farad pentru Cd


Calcule:

2524,2 * 10^41

756,75*10^31

Concluzia : n lucrarea dat de laborator am studiat caracteristicile capacitive a strutrilor semiconductorsemiconductor i metal-dielectric-semconducor. n urma efecturii msurrilor i calculelor am primit
graficele fig(3) i fig(4) reieind din grafice am fcut concluzia c avem jonciune liniar.