Analiza Circuitelor Electronice

MINISTERUL EDUCAŢIEI CERCETĂRII ŞI TINERETULUI
Proiectul Phare TVET RO 2005/017-553.04.01.02.04.01.03
MEdCT–CNDIPT / UIP
AUXILIAR CURRICULAR
PROFILUL: TEHNIC
SPECIALIZAREA: TEHNICIAN ELECTRONIST
MODULUL: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
NIVELUL: 3
Acest material a fost elaborat prin finanțare Phare în proiectul de Dezvoltare instituțională a sistemului de
învățământ profesional și tehnic
Noiembrie 2008
AUTOR:
PROF.ING. CARMEN LILIANA GHEAŢĂ, Grad didactic I,

GRUPUL ŞCOLAR INDUSTRIAL „UNIREA”, BUCUREŞTI
CONSULTANŢĂ CNDIPT: POPESCU ANGELA, EXPERT CURRICULUM

ASISTENŢĂ TEHNICĂ: WYG INTERNATIONAL
IVAN MYKYTYN, EXPERT
COORDONATOR: CIOBANU MARIANA VIOLETA
Profilul: TEHNIC 2
Nivelul 3
MULŢUMIRI:
Prof.ing. Mariana Robe – inspector de specialitate ISMB

Prof.ing. Carmen Onofreiciuc - Grupul Şcolar Industrial
„UNIREA”, BUCUREŞTI
Profilul: TEHNIC 3
Nivelul 3
Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
CUPRINS
Pagina
1. Introducere 6
2. Competenţe relevante pentru modul 8
3. Activităţi de învăţare 13
1.Lucrare practică de laborator:
13
Caracteristica statică a diodei semiconductoare
2.Simulare cu ajutorul calculatorului
16
3.Rezolvare de probleme 19
4. Evaluare 20
22
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
26
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
7.Rezolvare de exerciţii 28
8. Rezolvare de exerciţii 32
10. Evaluare 35
42
Amplificatorul operaţional cu reacţie negativă
17. Prezentare Power Point:
47
Amplificatorul operational caracteristici
48
Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice
49
Amplificatorul operational
52
Amplificatorul operational
21. Cubul – Amplificatorul operaţional 54
23. Evaluare 57
59
Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat βA 723
62
Aplicaţiile circuitului integrat βE555
26. Concurs de testare a cunoştinţelor
64
Circuite integrate analogice
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 4

65
Analiza porţilor logice folosind programul Digital Works
4. Glosar 71
5. Fişe de documentare 75
1. Caracteristicile electrice ale diodei semiconductoare 75
2. Caracteristicile electrice ale tranzistorului bipolar 79
3. Tranzistorul în regim dinamic 83
4. Tranzistoare cu efect de câmp 89
5. Reacţia în amplificatoare 92
6. Oscilatorul armonic 97
7. Oscilator cu reţea Wien şi amplificator de tensiune 98
8. Stabilizatoare electronice cu reacţie 100
9. Amplificatoare operaţionale 103
10. Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate 110
11. Axiomele şi teoremele fundamentale ale algebrei booleene 112
12. Moduri de exprimare a funcţiilor logice 114
13. Analiza şi sinteza circuitelor logice combinaţionale 116
14. Programul Digital Works 118
6. Soluţionarea activităţilor de învăţare 120
7. Fişe de rezumat 131
8. Bibliografie 138
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 5
1. INTRODUCERE
Acest material auxiliar de învăţare a fost elaborat pentru modulul ANALIZA
CIRCUITELOR ELECTRONICE, pentru clasa a XIII-a ruta progresivă a liceului
tehnologic, specializarea Tehnician Electronist. Acest modul oferă elevilor cunoştinţe
care le vor permite să-şi dezvolte abilităţi practice privind analiza circuitelor electronice
cu competenţe cheie privind prelucrarea datelor numerice, în condiţiile participării lor
nemijlocite şi responsabile la un proces instructiv-formativ centrat pe nevoile şi
aspiraţiile proprii.
Modulul face parte din „Cultura de specialitate” (aria curriculară "Tehnologii") şi are
alocate un număr de 124 de ore / an, din care:
Teorie – 62 ore;
Laborator tehnologic – 62 ore
În acest modul au fost agregate competenţe din unitatea de competenţă tehnică
specializată ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE şi din unitatea de competenţă
cheie PROCESAREA DATELOR NUMERICE.
Înainte de aplicarea propriu-zisă a materialelor de învăţare propuse, profesorul
trebuie să cunoască particularităţile colectivului de elevi şi, îndeosebi, stilurile de
învăţare ale acestora, pentru reuşita centrării pe elev a procesului instructiv.
Structurarea conţinuturilor se bazează pe principiul subordonării la competenţele
de format şi la criteriile de performanţă ale fiecărei competenţe: astfel, au fost selectate
şi organizate corespunzător, informaţii care permit formarea unei competenţe şi
atingerea criteriilor de performanţă prevăzute în SPP.
Fiecare etapă de învăţare este urmată de execiţii prin care sunt exersate diferite
stiluri de învăţare şi, de asemenea, abilităţile cheie.
Materialele de învăţare urmăresc cu stricteţe condiţiile de aplicabilitate ale
criteriilor de performanţă pentru fiecare competenţă, aşa cum sunt acestea precizate în
Standardele de Pregătire Profesională.
Prin conţinutul auxiliarului se doreşte sporirea interesului elevului pentru
formarea abilităţilor din domeniul tehnic, prin implicarea lui interactivă în propria
formare.
Activităţile propuse elevilor, exerciţiile şi rezolvările lor, urmăresc atingerea
majorităţii criteriilor de performanţă respectând condiţiile de aplicabilitate cuprinse în
Standardele de Pregătire Profesională. Ele conţin sarcini de lucru care constau în:
Căutarea de informaţii utilizând diferite surse (manuale, documente,
standarde, pagini Web);
Rezolvarea de exerciţii şi desfăşurarea unor activităţi practice;
Întocmirea unui portofoliu conţinând toate exerciţiile rezolvate şi activităţile
desfăşurate. Portofoliul trebuie să fie cât mai complet pentru ca evaluarea
competenţelor profesionale să fie cât mai adecvată.
Sugestiile pentru activităţile cu elevii sunt în concordanţă cu stilurile de învăţare
ale acestora: vizual, auditiv şi practic. Alegerea activităţilor s-a făcut ţinând seama de
nivelul de cunoştinţe al elevilor de clasa a XIII-a, enunţurile fiind formulate într-un limbaj
adecvat şi accesibil.
Activităţile propuse pot fi evaluate folosind diverse tehnici şi instrumente de
evaluare: probe orale, scrise, practice, observarea activităţii şi comportamentului
elevului consemnată în fişe de evaluare şi de progres al elevului.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 6
Rezultatele activităţilor desfăşurate şi ale evaluărilor, colectate atât de profesor

cât şi de elev, trebuie strânse şi organizate astfel încât informaţiile să poată fi regăsite
cu uşurinţă:
elevilor le pot fi necesare pentru actualizarea, pentru reluarea unor
secvenţe la care nu au obţinut feed-back pozitiv;
profesorilor le pot fi necesare ca dovezi ale progresului înregistrat de
elev şi ca dovezi de evaluare.
Prezentul Auxiliar didactic nu acoperă toate cerinţele cuprinse în Standardele de

Pregătire Profesională pentru care a fost realizat. El poate fi folosit în procesul
instructiv şi pentru evaluarea continuă a elevilor. Însă, pentru obţinerea
Certificatului de calificare, este necesară validarea integrală a
competenţelor din S.P.P., prin probe de evaluare conforme celor prevăzute în
standardele respective.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 7
2. Competenţe relevante pentru modul
UNITATEA DE COMPETENŢĂ 26: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE
1. Utilizează metodele de analiză ale circuitelor cu componente discrete.

2. Utilizează noţiunile şi conceptele algebrei logice pentru analiza circuitelor
digitale.
3. Utilizează circuite integrate analogice
4. Utilizează reacţia în circuite electronice
UNITATEA DE COMPETENŢĂ 7: PROCESAREA DATELOR NUMERICE
1. Planifică o activitate şi culege date numerice în legătură cu aceasta.

2. Prelucrează datele numerice-
3. Interpretează rezultatele obţinute şi prezintă concluziile.
II.Tabelul de corelare a competenţelor şi conţinuturilor
Unitate de
Competenţe Conţinuturi tematice
competenţe
26.Analiza 26.1.Utilizează  Caracteristicile statice ale componentelor
circuitelor metodele de analiză electronice discrete (diode, tranzistoare
electronice ale circuitelor cu bipolare, tranzistoare cu efect de câmp).
componente  Modele echivalente de semnal pentru
discrete. componente discrete (modelul de semnal mic al
diodei semiconductoare, modele de cuadripol cu
parametri h, Z, Y ale tranzistoarelor bipolare,
modelul natural al tranzistorului bipolar, modelul
de semnal mic al tranzistorului cu efect de
câmp).
 Analiza circuitelor electronice simple folosind
modele echivalente ale componentelor discrete
(circuite cu diode semiconductoare,
amplificatoare cu unul sau două etaje cu
tranzistoare bipolare în conexiuni emitor comun,
colector comun, bază comună, amplificatoare cu
un etaj cu tranzistoare cu efect de câmp).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 8
Unitate de
competenţe
26.2.Utilizează  Porţi logice elementare (NU, SAU, ŞI-NU, SAU-
noţiunile şi NU, SAU EXCLUSIV).
conceptele algebrei  Funcţii logice. Exprimare folosind:
logice pentru - tabelă de adevăr
analiza circuitelor - forma canonică normal disjunctivă
digitale. - forma canonică normal conjunctivă
- forma elementară.
 Metode de minimizare a funcţiilor logice:
- postulatele şi teoremele algebrei logice
- diagrame Veitch-Karnaugh.
 Implementarea funcţiilor logice folosind porţi
logice elementare.
26.3.Utilizează  Circuite integrate analogice uzuale (A 741,
circuite integrate M324, A723, AA145, E555):
analogice. - parametrii caracteristici
- dispunere terminale
- aplicaţii specifice.
26.4.Utilizează  Reacţia în circuite electronice:
reacţia în circuite - definiţie
electronice. - reacţia pozitivă
- reacţia negativă.
 Configuraţii tipice ale circuitelor electronice
(amplificatoare, oscilatoare) cu reacţie:
- serie-serie
- serie-paralel
- paralel-serie
- paralel-paralel.
7.Procesarea 7.1.Planifică o  Demonstrează abilităţi de colectare a datelor
datelor activitate şi culege numerice (dimensiuni, distanţe, temperatură,
numerice. date numerice în masă, concentraţie, densitate, tensiune) în
legătură cu aceasta. vederea analizei circuitelor electronice, de
selectare şi înregistrare a acesotor date în
tabele, fişe.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 9
Unitate de
competenţe
7.2.Prelucrează  Demonstrează abilităţi de utilizare a formulelor
datele numerice. de calcul (transformări de unităţi de măsură,
calcule economico-financiare, ecuaţii liniare cu
două variabile, media aritmetică, geometrică,
dispersia, abaterea medie pătratică) pentru
efectuarea calculelor (puteri, radicali, procente,
scări şi proporţii) necesare analizei circuitelor
electronice.
 Caracteristicile statice ale componentelor
electronice discrete (diode, tranzistoare
bipolare, tranzistoare cu efect de câmp) –
reprezentarea şi citirea graficelor (liniare, în
coloane şi bare, circulare, radar, Gantt) şi
diagramelor (cumulativă, Paretto, de dispersie).
Corelarea competenţelor cu criteriile de performanţă din SPP:
Competenţa 1: Utilizează metodele de analiză ale circuitelor cu componente

discrete.
Criterii de performanţă:
(a) Caracterizarea componentelor discrete cu ajutorul caracteristicilor statice.
(b) Realizarea modelelor echivalente de semnal pentru componente discrete.
(c) Reprezentarea schemei electrice a circuitelor cu componente discrete folosind
modele echivalente.
(d) Efectuarea calculelor pentru determinarea parametrilor circuitului folosind schema
echivalentă de semnal.
Condiţii de Aplicabilitate a Criteriilor de Performenţă:

Componente: diode, tranzistoare bipolare, tranzistoare cu efect de câmp
Modele echivalente: modelul de semnal mic al diodei semiconductoare, modele
de cuadripol cu parametri Z, Y, h ai tranzistoarelor bipolare,
modelul natural al tranzistorului bipolar, modelul de semnal
mic al tranzistorului cu efect de câmp
Circuite: cu diode semiconductoare, amplificatoare cu unul sau două

etaje cu tranzistoare bipolare (conexiuni BC, EC, CC),
amplificatore cu un etaj cu tranzistoare cu efect de câmp
(conexiuni DC, SC, GC)
Probe de evaluare:
Probe scrise care atestă capacitatea candidatului de a analiza circuite electronice cu
componente discrete folosind scheme echivalente de semnal, aşa cum s-a precizat în
criteriile (a), (b), (c) şi (d) de performanţă, cuprinzând toate elementele din condiţiile de
aplicabilitate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 10
Competenţa 2: Utilizează noţiunile şi conceptele algebrei logice pentru

analiza circuitelor digitale.
(a) Exprimarea funcţiilor logice în forme precizate..
(b) Realizarea minimizării funcţiilor logice folosind metode adecvate.
(c) Implementarea funcţiilor logice minimizate folosind porţi logice.
Condiţii de aplicabilitate a criteriilor de performanţă:

Forme: tabelă de adevăr, forma canonică normal disjunctivă, forma
canonică normal conjunctivă, forma elementară
Metode de minimizare: pe baza postulatelor şi teoremelor algebrei logice, cu
diagrame Veitch-Karnaugh
Porţi logice: NU, SAU, ŞI-NU, SAU-NU, SAU EXCLUSIV
Probe de evaluare:
Probe scrise care atestă capacitatea candidatului a eprima funcţii logice în diverse
forme, aşa cum s-a precizat în criteriul (a) de performanţă, cuprinzând toate elementele
din condiţiile de aplicabilitate.
Probe scrise şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea candidatului

de a implementa funcţii logice cu porţi logice, după minimizarea acestora, aşa cum s-a
precizat în criteriile (b) şi (c) de performanţă, cuprinzând toate elementele din condiţiile
de aplicabilitate.
Competenţa 3: Utilizează circuite integrate analogice.
(a) Definirea parametrilor caracteristici ai circuitelor integrate analogice.
(b) Identificarea dispunerii terminalelor pe baza informaţiilor din catalogele de
componete.
(c) Precizarea rolului funcţional al circuitului integrat într-o aplicaţie dată.

Circuite integrate: A 741, M 324, A 723, AA145, E555
Aplicaţii: conform indicaţiilor din cataloagele de componente
Probe de evaluare:
Probe orale şi scrise care atestă capacitatea candidatului de a defini parametrii

caracteristici ai circuitelor integrate analogice, aşa cum s-a precizat în criteriul (a) de
performanţă, cuprinzând toate elementele din condiţiile de aplicabilitate.
Probe orale, practice şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea

candidatului de a identifica dispunerea terminalelor pe baza informaţiilor din catalogele
de componete, aşa cum s-a precizat în criteriul (b) de performanţă, cuprinzând toate
elementele din condiţiile de aplicabilitate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 11
Probe orale, scrise şi practice care atestă capacitatea candidatului de a indica rolul
funcţional al circuitului integrat într-o aplicaţie dată, aşa cum s-a precizat în criteriul (c)
de performanţă, cuprinzând toate elementele din condiţiile de aplicabilitate.
Competenţa 4: Utilizează reacţia în circuite electronice.
(a) Definirea reacţiei în circuite electronice.
(b) Precizează tipurile de reacţie în circuitele electronice.
(c) Reprezentarea configuraţiilor tipice ale circuitelor electronice cu reacţie.
(d) Identificarea tipurilor de reacţie în circuite electronice.
Tipuri: negativă şi pozitivă

Configuraţii tipice: serie-serie, serie-paralel, paralel-serie, paralel-paralel
Circuite: amplificatoare, oscilatoare
Probe de evaluare:
Probe orale şi scrise care atestă capacitatea candidatului de a defini reacţia în circuite
electronice, aşa cum s-a precizat în criteriul (a) de performanţă, cuprinzând toate
elementele din condiţiile de aplicabilitate.
Probe orale şi scrise care atestă capacitatea candidatului de a preciza tipuri de reacţie
în circuitele electronice, aşa cum s-a precizat în criteriul (b) de performanţă, cuprinzând
toate elementele din condiţiile de aplicabilitate.
Probe practice şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea candidatului

de a reprezenta configuraţii tipice ale circuitelor electronice cu reacţie, aşa cum s-a
precizat în criteriul (c) de performanţă, cuprinzând toate elementele din condiţiile de
aplicabilitate.
Probe practice şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea candidatului

de a identifica tipuri de reacţie în circuite electronice, aşa cum s-a precizat în criteriul (d)
de performanţă, cuprinzând toate elementele din condiţiile de aplicabilitate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 12
3. Activităţi de învăţare
3.1 Activitatea de învăţare 1

Competenţe:
 Utilizează metodele de analiză ale circuitelor cu componente discrete
 Planifică o activitate şi culege date numerice în legătură cu aceasta.
 Prelucrează datele numerice
Obiective:
 Să caracterizeze diodele semiconductoare cu ajutorul caracteristicilor
statice.
 Să realizeze circuitul echivalent pentru diferite tipuri de diode
semiconductoare
 Să analizeze circuite electronice simple folosind modele echivalente
ale componentelor discrete
Lucrare practică de laborator

 Activitatea se va desfăşura în laboratorul de electronică.
 Resurse: Platformă experimentală, miliampermetru, voltmetru, calculator.
 Organizare: Elevii vor lucra organizaţi pe echipe.
 Timp alocat: 3 ore
 Evaluare / Autoevaluare: Referat

Procedura de lucru:
Realizaţi (sau identificaţi) circuitul din figura de mai jos pe
platforma experimentală din laborator.
R1=220Ω
R2=100k Ω
D1 – 1N4001
D2 – EFD 108
1 2 3 4
R1 D1 R2
E1 E2
Profilul TEHNIC 5 6
Nivelul 3 13
a. Polarizarea directă
1.Conectaţi miliampermetrul între bornele
notate cu 1 şi 2, iar voltmetrul între bornele A
notate cu 2 şi 5, ca în figura alăturată. 1 2 3 4
2. Alimentaţi circuitul de la sursa de tensiune
variabilă E1.
R1 R2
3. Reglaţi tensiunea furnizată de sursa de V D1
alimentare, astfel încât voltmetrul să indice
UD=0,1V. E1 E2
4. Măsuraţi curentul prin circuit. Notaţi
valoarea măsurată în tabelul 1.1.
5 6
5. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate valorile
tensiunii UD din tabelul 1.1.
6. Cu ajutorul calculatorului şi a programului Microsoft Excel realizaţi diagrama care
reprezintă caracteristica statică a diodei semiconductoare, în polarizare directă.
Tabelul 1.1
UD(V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7
ID(mA)
7. Analizaţi aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, în polarizare directă.
b. Rezistenţa de curent continuu
Cu ajutorul graficului, determinaţi rezistenţa de curent continuu a diodei în punctele:
M1: UD=0,5V.
M2: UD=0,65V.
UM
Folosiţi relaţia: RM 
IM
c. Rezistenţa dinamică.
Cu ajutorul graficului, determinaţi rezistenţa dinamică a diodei in punctele:
- UD=0,5V.
- UD=0,65V.
U
Folosiţi relaţia: rd 
I
rd(0,5V)=
rd(0,65V)=
Comparaţi rezultatele obţinute.
d. Polarizarea inversă
1.Conectaţi miliampermetrul între bornele A
notate cu 3 şi 4, iar voltmetrul între bornele 1 2 3 4
notate cu 4 şi 6, ca în figura alăturată.
2. Alimentaţi circuitul de la sursa de tensiune
variabilă E2. R1
D1 V R2
Reglaţi tensiunea furnizată de sursa de
alimentare, astfel încât voltmetrul să indice
UD=0V. E1 E2
valoarea măsurată în tabelul 1.2. 5 6
tensiunii E2 din tabelul 1.2.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 14
Tabelul 1.2
E2 0 1 2 5 10 20 30 40 50 60 70
UD(V)
IR(µA)
7. Analizaţi aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, în polarizare inversă.
e. Reprezentarea caracteristicii statice a diodei semiconductoare
1. Reprezentaţi, pe o singură diagramă, caracteristica statică a diodei semiconductoare.
ID(mA)
UR(V) UD(V)
IR(µA)
2. Reprezentaţi, pe caracteristică, parametrii electrici ai diodei:

 Tensiunea de deschidere
 Tensiunea maximă
 Tensiunea de străpungere
3. Analizaţi caracteristica statică a diodei semiconductoare.
4. Realizaţi circuitul echivalent, la frecvenţe joase, al diodei redresoare.
f. Repetaţi lucrarea practică de laborator înlocuind dioda D 1 cu dioda D2.
g. Comparaţi rezultatele obţinute.
h. Întocmiţi un referat cu tema „Caracteristica statică a diodei semiconductoare”
Soluţionarea activităţii
 Utilizarea glosarului: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot
căuta în glosar cuvintele subliniate.
 Fişe de documentare: Pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, elevii pot
consulta Fişa de documentare 1.
 Conţinutul referatului:
o Titlul activităţii de învăţare
o Obiectivele activităţii de învăţare
o Schemele electronice utilizate
o Tabele completate
o Diagramele ridicate
o Interpretarea datelor experimentale
o Observaţii şi concluzii.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 15

Competenţe:
Obiective:
statice.
semiconductoare
Simulare cu ajutorul calculatorului

 Activitatea se va desfăşura în laboratorul de electronică sau de
informatică, astfel încât fiecare echipă să aibă acces la un calculator.
 Resurse: Calculator, program de simulare Multisim.

Resurse: Calculator, program de simulare Multisim.
a. Polarizarea directă
1. Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a programului de simulare circuitul din figura de
mai jos.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 16
R1=220Ω
R2=100k Ω
R1
D1 D1 – 1N4001
V
E1
2. Reglaţi tensiunea furnizată de sursa de alimentare, astfel încât voltmetrul să indice

UD=0,1V.
3. Măsuraţi curentul prin circuit. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 2.1.
4. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate valorile tensiunii U D din tabelul 2.1.
Tabelul 2.1
UD(V) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,45 0,5 0,55 0,6 0,65 0,7
ID(mA)
6. Analizaţi aspectul caracteristicii statice a diodei semiconductoare, în polarizare
directă.
b. Polarizarea inversă
Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a programului de simulare circuitul din figura de
mai jos.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 17
D1 R2
V
E2
Reglaţi tensiunea furnizată de sursa de alimentare, astfel încât voltmetrul să indice

UD=0V.
ID(mA)
valoarea măsurată în tabelul 2.2.
tensiunii E2 din tabelul 2.2.
6. Cu ajutorul calculatorului şi a programului
Microsoft Excel realizaţi diagrama care
reprezintă caracteristica statică a diodei
UR(V) UD(V) semiconductoare, în polarizare directă.
Tabelul 2.2
E2 0 1 2 5 10 20 30 40 50 60 70
UD(V)
IR(µA)
IR(µA)
7. Analizaţi aspectul caracteristicii statice a
diodei semiconductoare, în polarizare inversă.
c. Reprezentarea caracteristicii statice a diodei semiconductoare
1. Reprezentaţi, pe o singură diagramă, caracteristica statică a diodei semiconductoare.
2. Reprezentaţi, pe caracteristică, parametrii electrici ai diodei:

 Tensiunea de deschidere
 Tensiunea maximă
 Tensiunea de străpungere
4. Analizaţi caracteristica statică a diodei semiconductoare
d. Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a programului de simulare circuitul din figura
alăturată.
2. Vizualizaţi imaginea obţinută pe ecranul
osciloscopului.
3. Analizaţi oscilograma obţinută.
4. Interpretaţi rezultatele obţinute.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 18
d. Întocmiţi un referat cu tema „Caracteristica statică a diodei semiconductoare”
o Tabele completate

Competenţe:
Obiective:
semiconductoare
Rezolvare de exerciţii
 Activitatea se va desfăşura în laboratorul de electronică sau în sala de clasă.
 Resurse: Fişe de lucru individual.
 Organizare: Elevi vor lucra individual.
 Timp alocat: 1 oră
 Evaluare / Autoevaluare: fişa de evaluare /autoevaluare.
Rezolvaţi sarcinile de lucru de mai jos.
a. Se consideră circutele din figurile de mai jos, în care E=10V, R=1000

IR=0, rezistenţa diodei în conducţie=10,UD=0,7V.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 19
R R R D1 R
E D E D E E D1 D2
D2
a b c d
1. Reprezentaţi, pe fişa de lucru, circuitele folosind circuitul echivalent al diodei

semiconductoare.
2. Determinaţi curentul prin diode, pentru fiecare circuit în
parte. CV
b. Se consideră dioda varicap BB 139, al cărui circuit
RS LS
echivalent este prezentat în figura de mai jos. La tensiunea
inversă UR=25V, se măsoară frecvenţa de rezonanţă serie
f01=1.4GHz şi capacitatea C01=6pF. La tensiunea inversă RP
UR=3V, se măsoară capacitatea C02=32pF.
Determinaţi frecvenţa de rezonanţă serie, f 02, pentru tensiunea inversă U R=3V şi
valoarea inductanţei serie, LS2.
 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii vor consulta anexa 6.

Competenţe:
Obiective:
statice.
semiconductoare
Evaluare
 Activitatea se va desfăşura în laboratorul de electronică sau în sala
de clasă.
 Resurse: Fişe de evaluare individuale.
 Organizare: Elevii vor lucra individual.
 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 3.
Se acordă 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte. Timp de lucru: 60 minute.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 20
a. Se consideră caracteristica statică a diodei semiconductoare din figura alăturată. (30p)

1. Identificaţi, pe diagramă, regimurile de
funcţionare ale diodei semiconductoare.
I.............................................
ID
II........................................ PDM
IDM (mA)
III.......................................
IV,V....................................
2. Explicaţi fenomenele care au loc în fiecare
regiune de pe caracteristica statică.
US I0
R
UD0 UDMUD (V)
PDM
I..............................................................................................................................................
.........II....................................................................................................................................
.............
III............................................................................................................................................
....
IV,V................................................................
3. Reprezentaţi, pe fişa de lucru, circuitul echivalent al diodei, pentru fiecare regim de
funcţionare
I – polarizare directă II – polarizare inversă III – străpungere(stabilizare)
b. Alege varianta corectă: (25p)

1. Tensiunea maximă pe o diodă, realizată din siliciu, polarizată direct, este de ordinul:
a) 0,7mV; b) 0,3V; c) 0,7V; d) 0,3mV
2. Tensiunea maximă pe o diodă, realizată din germaniu, polarizată direct, este de
ordinul:
a) 0,7mV; b) 0,3V; c) 0,7V; d) 0,3mV
3. Printr-o diodă realizată din siliciu, polarizată invers, valorile tipice ale curentului
invers sunt de ordinul:
a)mA; b)A; c)A; d)nA
4. Printr-o diodă realizată din germaniu, polarizată invers, valorile tipice ale curentului
invers sunt de ordinul:
a)mA; b)A; c)A; d)nA
5. Într-o diodă polarizată direct curentul direct
a) creşte exponenţial cu creşterea tensiunii de polarizare directă
b) creşte liniar cu creşterea tensiunii de polarizare directă
c) nu depinde de creşterea tensiunii de polarizare directă
d) descreşte cu tensiunea aplicată. R1=1k A
c. Dioda din figura de mai jos este o diodă de siliciu. (20p) +5V
UD D
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 21
R2=2k
-4,6V B
1.Determinaţi căderea de tensiune pe rezistorul R1.

2.Calculaţi tensiunea între punctele A şi B.
d. Se consideră circuitul din figura de mai jos, în care E=10V.

(15p)
R
ID[mA]
E D
Caracteristica statică a diodei este prezentată în figura

alăturată, iar punctul static de funcţionare este M.
19,6 M
Determinaţi valoarea rezistenţei rezistoruluiR.
0
0,2 UD[V]
 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii vor consulta anexa 6.

Competenţe:
Obiective:
 Să caracterizeze tranzistoarele bipolare cu ajutorul caracteristicilor
statice.
 Să realizeze circuitul echivalent pentru trazistorul bipolar în diferite
regimuri de funcţionare.
 Să analizeze circuite electronice simple folosind caracteristicile
statice.

 Resurse: Platformă experimentală, miliampermetru, voltmetru, calculator.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 22
Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare

Resurse: Platformă experimentală, microampermetru, miliampermetru, voltmetru,
calculator.
RV1 R2 3 R3
5 6
1 T 7
2 8
E1 E2
Procedura de lucru:
Realizaţi (sau identificaţi) circuitul din figura alăturată pe platforma experimentală din
laborator.
RV1=500kΩ
R2=220kΩ
R3=470 Ω
T1 – 2N2222A
a. Caracteristica de intrare
1.Conectaţi miliampermetrul între bornele notate cu 1 şi 2, iar voltmetrul între bornele
notate cu 3 şi 4, ca în figura alăturată.
2. Alimentaţi circuitul de la sursa de
tensiune E1 = 5V. IB RV1 R2 R3
3. Variaţi valoarea rezistorului RV1 5 6
astfel încât valoarea curentului I B 7
A UBE
să se afle între 5 şi 10 µA. 8
4. Măsuraţi tensiunea UBE. Notaţi V
valoarea măsurată în tabelul 5.1. E1 E2
5. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate
valorile curentului de bază din
tabelul 5.1.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 23

reprezintă caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar.
Tabelul 5.1
IB (µA)
0 5-10 16-25 30-50 120-200
- dorit
IB (µA)
- măsurat
UBE (V)
7. Analizaţi aspectul caracteristicii statice de intrare a tranzistorului bipolar.
b. Caracteristica de transfer
1.Conectaţi microampermetrul între bornele notate cu 1 şi 2, iar miliampermetrul între
bornele notate cu 7 şi 8, ca în figura alăturată.
2. Alimentaţi circuitul de intrare
de la sursa de tensiune E1 = 5V şi IC
circuitul de ieşire de la sursa de IB RV1 R2 R3
tensiune variabilă E2. Reglaţi
5 6
E2=10V. mA
3. Variaţi valoarea rezistorului R V1 A
astfel încât valoarea curentului I B
să aibă valoarea IB=10 µA.
E1 E2
4. Măsuraţi valoarea curentului
de colector IC. Notaţi valoarea
măsurată în tabelul 5.2.
5. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru
toate valorile curentului de bază
din tabelul 5.2.
reprezintă caracteristica de transfer a tranzistorului bipolar.
Tabelul 5.2
IB (µA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC (mA)
I
 C
IB
IC
7. Calculaţi valoarea factorului de amplificare   .
IB
8. Analizaţi aspectul caracteristicii statice de transfer a tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obţinut, determinaţi panta caracteristicii de transfer.
c. Familia caracteristicilor de ieşire
1.Conectaţi microampermetrul între bornele notate cu 1 şi 2, miliampermetrul între
bornele notate cu 7 şi 8, iar voltmetrul între bornele 5 şi 4, ca în figura alăturată.
Scurtcircuitaţi rezistorul R3.
2. Alimentaţi circuitul de intrare de IB RV1 R2 R3
UCE
la sursa de tensiune E1 = 5V şi 5 6
circuitul de ieşire de la sursa de mA
tensiune variabilă E2. A
V
E1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 24
3. Variaţi valoarea rezistorului RV1 astfel încât valoarea curentului I B să aibă valoarea
IB=10 µA.
4. Reglaţi sursa variabilă, E2, astfel încât voltmetrul să indice UCE=0,05V.
5. Măsuraţi valoarea curentului de colector IC. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 5.3. E2
6. Repetaţi paşii 3, 4 şi 5 pentru toate valorile curentului de bază din tabelul 5.3.
reprezintă familia caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului bipolar.
Tabelul 5.3
IB (µA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
UCE(V) IC (mA)
0,05
0,07
0,1
0,2
0,4
0,5
1
2
4
6
8
10
8. Analizaţi aspectul familiei caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului bipolar.

9. Pe graficul obţinut, identificaţi regiunile corespunzătoare regimurilor de funcţionare
ale tranzistorului bipolar.
10. În planul caracteristicilor de ieşire, delimitaţi aria de funcţionare normală a unui
tranzistor bipolar.
11. Caracterizaţi funcţionarea tranzistorului bipolar:
 În regim activ normal
 În regim de saturaţie
 În regim de blocare
 În regim activ invers.
12. Reprezentaţi, pe fişa de lucru, circuitul echivalent al tranzistorului bipolar:
 În regim de saturaţie
 În regim de blocare
13. Determinaţi valorile mărimilor UCE şi IC pentru cazurile indicate la punctul 11.
d. Dreapta de sarcină
1. Se consideră montajul de la punctul c. Înlăturaţi scurtcircuitarea rezistorului R3.
2. Pe graficul obţinut la punctul c. trasaţi dreapta de sarcină.
3. Determinaţi, cu ajutorul graficului, punctul static de funcţionare al tranzistorului pentru
IB = 20 µA, respectiv pentru IB = 60 µA şi E2=10V.
IB=20 µA.
5. Reglaţi sursa variabilă, E2=10V.
7. Măsuraţi valoarea curentului de colector IC.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 25
8. Măsuraţi valoarea tensiunii UCE.

9. Comparaţi valorile măsurate cu valorile determinate cu ajutorul graficului, la punctul
3.
IB=60 µA.
11. Repetaţi paşii 7,8, şi 9.
e. Întocmiţi un referat cu tema: „Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar”
o Tabele completate

Competenţe:
Obiective:
statice.
statice.

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare
a. Caracteristica de intrare RV1 R2 R3
3
1. Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a 5 6
programului de simulare circuitul din figura 1 T 7
alăturată. 2 8
RV1=500kΩ E1 E2
R2=220kΩ
Profilul TEHNIC 4
Nivelul 3 26
R3=470 Ω
T1 – 2N2222A
2.Conectaţi miliampermetrul între bornele notate cu 5 şi 1, iar voltmetrul între bornele
notate cu 3 şi 0, ca în figura de mai jos.
3. Alimentaţi circuitul de la sursa de tensiune V 1 = 5V.

4. Variaţi valoarea rezistorului R 3 astfel încât valoarea curentului I B să se afle între 5 şi
10 µA.
5. Măsuraţi tensiunea UBE. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 6.1.
6. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate valorile curentului de bază din tabelul 6.1.
reprezintă caracteristica de intrare a tranzistorului bipolar.
Tabelul 6.1
IB (µA)
0 5-10 16-25 30-50 120-200
- dorit
IB (µA)
- măsurat
UBE (V)
8. Analizaţi aspectul caracteristicii statice de intrare a tranzistorului bipolar.
9. Comparaţi cu rezultatele obţinute în cadrul lucrării practice de laborator.
b. Caracteristica de transfer
Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a RV1 R2 3 R3
programului de simulare circuitul din 5 6
1 T 7
figura alăturată.
2 8
RV1=500kΩ
R2=220kΩ E1 E2
R3=470 Ω
T1 – 2N2222A
4
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 27
1. Conectaţi multimetrul 1 între bornele notate cu 6 şi 7, selectaţi funcţia ampermetru

(A) şi setaţi domeniul de măsurare 1mA. Conectaţi multimetrul 2 între bornele notate cu
1 şi 5, selectaţi funcţia ampermetru (A) şi selectaţi domeniul de măsurare 1A, ca în
figura de mai sus.
2. Alimentaţi circuitul de intrare de la sursa de tensiune V 1 = 5V şi circuitul de ieşire de
la sursa de tensiune V2=12V.
aproximativ IB=10 µA.
4. Măsuraţi valoarea curentului de colector I C. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 6.2.
5. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate valorile curentului de bază din tabelul 6.2.
reprezintă caracteristica de transfer a tranzistorului bipolar.
Tabelul 6.2
IB (µA)-
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
dorit
IB (µA)-
măsura
t
IC (mA)
I
 C
IB
IC
7. Calculaţi valoarea factorului de amplificare   .
IB
8. Analizaţi aspectul caracteristicii statice de transfer a tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obţinut, determinaţi panta caracteristicii de transfer.
10. Comparaţi cu valorile calculate.
c. Familia caracteristicilor de ieşire
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 28
Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a programului de simulare circuitul din figura

alăturată. RV1 R2 3
RV1=500kΩ
R2=220kΩ 1 T 7
R3=470 Ω 2 8
T1 – 2N2222A E1 E2
1. Conectaţi multimetrul 3 între bornele notate cu 1 şi 5, selectaţi funcţia ampermetru

(A) şi setaţi domeniul de măsurare 1mA. Conectaţi multimetrul 2 între bornele notate cu
4 şi 6, selectaţi funcţia ampermetru (A) şi selectaţi domeniul de măsurare 1A. Conectaţi
multimetrul 3 între bornele notate cu 4 şi 0, selectaţi funcţia voltmetru (V), ca în figura
de mai sus.
2. Alimentaţi circuitul de intrare de la sursa de tensiune V 1 = 5V şi circuitul de ieşire de
la sursa de tensiune variabilă V2.
aproximativ IB=10 µA.
4. Reglaţi sursa variabilă, E2, astfel încât voltmetrul să indice UCE=0,05V.
5. Măsuraţi valoarea curentului de colector IC. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 6.3.
6. Repetaţi paşii 3, 4 şi 5 pentru toate valorile curentului de bază din tabelul 6.3.
reprezintă familia caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului bipolar.
Tabelul 6.3
IB (µA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
UCE(V) IC (mA)
0,05
0,07
0,1
0,2
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 29
0,4
0,5
1
2
4
6
8
10
8. Analizaţi aspectul familiei caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului bipolar.
9. Pe graficul obţinut, identificaţi regiunile corespunzătoare regimurilor de funcţionare
ale tranzistorului bipolar.
10. În planul caracteristicilor de ieşire, delimitaţi aria de funcţionare normală a unui
tranzistor bipolar.
11. Comparaţi cu rezultatele obţinute în cadrul lucrării practice de laborator.
e. Întocmiţi un referat cu tema: „Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar”
 Evaluare: Referat
o Tabele completate

Competenţe:
Obiective:
statice.
statice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 30
de clasă.
a. Se consideră montajul din figura alăturată. +E =10V

C
Tranzistorul este de tip BC 107 şi are caracteristicile RC
CS
RB
statice reprezentate în figura de mai jos. 2k
4M
C
CB u0
S
ui ~~
R
2
Determinaţi punctul static de

funcţionare al tranzistorului.
b. Tranzistorul din figura de mai jos este caracterizat de parametrii:

 = 100, UBE = 0,7 V şi ICBO = 0. Dacă RC = 1 k şi EC = 20 V.
EC
R R
B C
1. Determinaţi coordonatele punctelor (M, N) de intersecţie ale dreptei de sarcină cu

axele de coordonate (OIC şi OUCE)
2. Calculaţi valoarea rezistenţei RB astfel încât tranzistorul să funcţioneze în punctul

static aflat la jumătatea dreptei de sarcină (se presupune că tensiunea U BE = ct).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 31
consulta Fişa de documentare 5.2.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 32

Competenţe:
Obiective:
 Să realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare bipolare
 Să reprezinte schema electrică a circuitelor cu componente discrete
folosind modelele echivalente.
ale componentelor discrete.
 Să efectueze calcule pentru determinarea parametrilor circuitului
folosind schema echivalentă de semnal.
de clasă.
a. În figura de mai jos este prezentat un etaj de amplificare, având tranzistorul T cu Si,
caracterizat de parametri: UBE=0,6V, ICB0 0, =49, h11=1,5k, h12=60, h12 0, h22  0.
1. Determinaţi punctul static de funcţionare;

2.Calculaţi valoarea tensiunii la ieşirea amplificatorului, în condiţiile în care la intrare se
aplică tensiunea: ui = 0,3 sint, iar reactanţele condensatoarelor C B, CE şi CS se pot
neglija la frecvenţa de lucru.
b. Un tranzistor cu Si (UBE = 0,6V, ICB0  0, h21= = 24, h11= 0,12k), este utilizat într-un
etaj de amplificare, în conexiune EC, ca în figura de mai jos. Pentru polarizarea bazei
se foloseşte un divizor de tensiune, format din rezistenţele R 1 şi R2. În vederea asigurării
stabilităţii cu temperatura a punctului static de funcţionare, se impune ca R2/RE =10 şi
UEM/UBE =5. În condiţiile în care Ec=20V, IE = 5mA şi IB=0,2mA, se cere să se determine:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 33
1. elementele de circuit RE, R1 şi R2;

2. mărimile Ic şi UCE pentru RC = 1k;
3. mărimile Ri1 =ui / ii şi Au = u0 / ui, în condiţiile în care se neglijază parametrii h 12, h22,
precum şi reactanţele condensatoarelor CE, CB, CS.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 34

Competenţe:
Obiective:
 Să realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare cu efect de câmp.
de clasă.
 Timp alocat: 1ore
a. Se consideră amplificatorul cu TEC-J din figura alăturată. ID

+ED=+24V
Tranzistorul are parametrii: gm = 2mA/V, rd =10k. RD
Calculaţi amplificarea Au= u0 /ui, considerând condensatorul 50k
Cs
Cs un scurtcircuit.
ui
RS
u0
50k
UGS
ES=12V
+ED=+24V
b. În repetorul pe sursă din figura alăturată, tranzistorul
are gm = 2mA/V.
Calculaţi amplificarea în tensiune.
ui
Cs
RS u0
100k
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 35
cosulta Fişa de documentare 5.

Competenţe:
Obiective:
 Să realizeze circuite echivalente pentru tranzistoare
Evaluare
de clasă.
 Resurse: Fişe de evaluare individuale.
 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 3..
a. Alege varianta corectă: (20p)

1. Pentru ca un tranzistor bipolar să funcţioneze în regiunea activă normală este
necesar ca:
a)atât joncţiunea emitorului cât şi cea a colectorului să fie polarizate direct;
b)atât joncţiunea emitorului cât şi cea a colectorului să fie polarizate invers;
c)joncţiunea emitorului să fie polarizată direct iar cea a colectorului invers;
d)joncţiunea emitorului să fie polarizată invers iar cea a colectorului direct;
e)să fie polarizată numai joncţiunea emitorului.
2. Curentul de bază al unui tranzistor npn, funcţionând în regiunea activă normală, are
sensul:
a)spre bază pentru orice tensiune uBE;
b)din spre bază pentru orice tensiune uBE;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 36
c)spre bază pentru tensiuni uBE mici şi dinspre bază pentru tensiuni uBE mari;
d)dinspre bază pentru tensiuni uBE mici şi dinspre bază pentru tensiuni uBE mari;
e)spre bază pentru tensiuni uBE mari şi dinspre bază pentru tensiuni uBE mici. .
3. Un tranzistor funcţionează în regiunea de saturaţie când:
a)joncţiunea emitorului este polarizată direct, iar cea a colectorului este polarizată
invers;
b joncţiunea emitorului este polarizată invers, iar cea a colectorului este polarizată
direct;
c)joncţiunea emitorului este polarizată direct, iar cea a colectorului este polarizată
direct;
d)joncţiunea emitorului este polarizată invers, iar cea a colectorului este polarizată
invers; IC
e)nici o joncţiune nu este polarizată.
I
4. Zona haşurată din figura alăturată C max
corespunde: UCB = 0
a) domeniului interzis de valori pentru PD max
funcţionarea tranzistorului;
b) domeniului permis de valori pentru
funcţionarea tranzistorului;
c) regimului activ invers;
d) regimului de blocare a tranzistorului. IB = 0
e) Regimului activ normal.
0 UCE max UCE
b. Notaţi în dreptul fiecărui enunţ de mai jos litera A, dacă apreciaţi că enunţul este
adevărat şi litera F, dacă apreciaţi că enunţul este fals. (30p)
1. Coordonatele punctului static de funcţionare al tranzistorului bipolar verifică
ecuaţia dreptei de sarcină.
2. Tranzistoarelel cu efect de câmp cu joncţiuni sunt comandate în curent.
3. Tranzistoarele cu efect de câmp în comparaţie cu tranzistoarele bipolare au
curenţi de intrare mult mai mici şi impedanţa de intrare mult mai mare.
4. Cu cât tensiunea UBE de polarizare a joncţiunii bază-emitor este mai mare, cu
atât curentul de emitor IE va fi mai mare.
5. Dacă între curentul de colector I C şi curentul de bază I B există relaţia IC < β·IB ,
tranzistorul funcţionează în regim de saturaţie.
6. Punctul static de funcţionare al tranzistorului bipolar este dependent de
temperatură.
c. Se consideră circuitul din figura de mai jos. (40p)

1. Calculaţi valoarea rezistenţei RB1 pentru ca tranzistorul T2 din figură să funcţioneze în
punctul static caracterizat de mărimile:
UCE2 = 10 v, UBET2 = 0,7 V. Se mai cunosc:
EC = 20 V, RC1 =RC2 = RE2 = 1 k, RB2 = 50 k, T1 = T1 = 50, UBE1 = 0,7 V. Curenţii
reziduali de colector se neglijează
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 37
EC
RB1 RC1 RC2
T1 I1 T2 IC2
IB1 M RB2
IB2
IE2
RE2
2. Determinaţi regimul în care funcţionează tranzistorul T 2 dacă rezistenţa RC1 se

scurtcircuitează şi tensiunea UBE2 se consideră constantă şi egală cu 0,7V.
consulta Fişa de documentare 2,5.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 38

Competenţe:
 Utilizează reacţia în circuite electronice.
 Interpretează rezultatele obţinute şi prezintă concluziile.
Obiective:
 Să definească reacţia în circuite electronice.
 Să precizeze tipurile de reacţie în circuitele electronice.
 Să reprezinte configuraţiile tipice ale circuitelor electronice cu reacţie.
 Să identifice tipurile de reacţie în circuite electronice.

Activitatea se va desfăşura în laboratorul de electronică sau în sala
de clasă.
a. Completeză spaţiile libere pentru a obţine o formulare corectă:

Un amplificator cu reacţie este un ........(1)............ la care o parte din semnalul
de ............(2).......... este aplicat la ...............(3)..............
b. Pe schema bloc de mai jos completează semnalele corespunzătoare intrărilor şi

ieşirilor, precum şi expresia lui A şi .
 A=
=
Reţea de reacţie
c. Alege varianta corectă:

1. În cazul reacţiei negative:
a. Ar  A
b. Ar  A
c. Ar  A
d. Ar  
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 39
1’ 1 2 2’
'
U1' U1 A U2 U2
1’ 1 Modulul: ANALIZA CIRCUITELOR
2’ ELECTRONICE
U1r  U2r
2. Prin aplicarea reacţiei negative:

a. banda de frecvenţă se îngustează
b. banda de frecvenţă se lărgeşte
c. banda de frecvenţă nu se modifică
d. banda de frecvenţă tinde la zero.
d. În coloana A a tabelului de mai jos sunt prezentate schemele bloc ale

amplificatoarelor cu reacţie , iar în coloana B tipurile de reacţii. Să se stabilească
asocierile ’corespunzătoare dintre cifrele’ din coloana A şi literele corespunzătoare din
coloana B.1 1 2 2
U1' U1 A
A U2 B
1’ bloc 1ale amplificatoarelor cu reacţie
Scheme Tipuri de reacţii
U”2
U1r  U2r
2’
a)Serie – serie
1.
'
1’ I’1 1 I1 I2 2 I 2 2’
U1 A U2 U’2 b)Serie – paralel
U’1 1 2 ’
I1r I2r
U1r  U2r
’
2. 1
c) Paralel – serie
3.
d)Paralel – paralel
e. Realizează corespondenţa între elementele coloanelor de mai jos, completând

corect tabelul propus:
A B C
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 40
Eşantionare pe nod serie - serie tensiune - serie

Eşantionare pe buclă serie - paralel tensiune - paralel
Comparare pe nod paralel - serie curent - serie
Comparare pe buclă paralel - paralel curent - paralel
Eşantionare NOD BUCLĂ
Comparare
tensiune - paralel
NOD
paralel - serie
BUCLĂ
f. Se consideră montajul prezentat în schema de principiu de mai jos, în care
condensatoarele sunt scurtcircuit în current alternativ.
Evidenţiaţi reacţiile.
.
+Ec
RC1 RC2
CS
CB
RG C
RS
RB
Ug ~ RE1 R
CE RE2 CE2
1
g. În absenţa reacţiei negative, un amplificator are frecvenţele limită: f j=100Hz şi

fs=1MHz.
Indicaţi modul în care se modifică aceste frecvenţe limită, dacă reacţia negativă aplicată
este caracterizată de 1- A = 50.
h. Un amplificator are amplificarea în tensiune fără reacţie egală cu A = 1000 ± 100.
Se doreşte un amplificator a cărui amplificare să nu varieze cu mai mult de ± 0,1%.
a) Calculaţi factorul de transfer, , al reţelei de reacţie;
b) Determinaţi valoarea amplificării cu reacţie.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 41

Competenţe:
Obiective:
de clasă.
a. Amplificatorul operaţional cu reacţie din figura alăturată este considerat ideal.

1. Determinaţi amplificarea amplificatorului cu
reacţie. R2
2. Identificaţi tipul de reacţie.
b. Analizaţi influenţa reacţiei asupra
-
R1 Ao
amplificatorului operaţional. Ui
 Uo
c. Stiind că R1=2kΩ şi R2=8kΩ, calculaţi
amplificarea amplificatorului cu reacţie.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 42

Competenţe:
Obiective:
 Timp alocat: 1oră
1. Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a programului de

simulare circuitul din figura alăturată.
R1=1kΩ
R2=10kΩ
AO - virtual
2.Conectaţi osciloscopul ca în figura alăturată.
3. Variaţi valoarea rezistenţei de reacţie,
R2.
4. Analizaţi modul în care valoarea
rezistenţa de reacţie înfluenţează
amplificarea amplificatorului cu reacţie.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 43

Competenţe:
Obiective:
de clasă.
 Resurse: Fişe de lucru.
Oscilatorul cu reacţie
Se consideră schema bloc a unui oscilator cu reacţie.

Xg X1 X2 X2
 A=
X1
Xr
Reţea de reacţie X2
Xr
=
X2
a.Completează spaţiile punctate pentru a obţine o formulare corectă:

Oscilatorul armonic este un .......(1)............ .care generează un semnal de formă ..........
(2)........
b. Determinaţi condiţia de oscilaţie (relaţia lui Barkhausen).
c. Alege varianta corectă

1. Condiţia de oscilaţie a unui oscilator armonic este:
a) . A  1
b) . A = 1
c) . A 1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 44
2. Pentru a se obţine un oscilator amplificatorul trebuie să aibă:

a) reacţie negativă;
b) reacţie pozitivă;
c) reacţie negativă sau pozitivă;
d) nu trebuie să aibă reacţie.
d.Explicaţi de ce oscilatorul armonic generează semnal sinusoidal şi nu de altă formă.

e. Completează spaţiile punctate pentru a obţine o formulare corectă:
În cazul în care amplificatorul are A = real frecvenţa de oscilaţie este determinată
de..........(1)….....
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 45

Competenţe:
Obiective:
de clasă.
Oscilator cu reţea Wien şi amplificator

operaţional r2
r1
Se consideră oscilatorul cu reţea Wien şi -
amplificator operaţional din figura de mai
jos. + U2
1. Identificaţi buclele de reacţie care există
în acest circuit.
2. Precizaţi tipul reacţiei pentru fiecare
buclă. R1 C1
3. Precizaţi rolul fiecărei bucle de reacţie. U1
4. Redesenaţi schema de mai sus, astfel R2 C2
încât să puneţi în evidenţă puntea.
consulta Fişa de documentare 7, 8.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 46

Competenţe:
Obiective:
de clasă.
Stabilizatorul cu reacţie
Se consideră schema stabilizatorului serie, cu reacţie, din figura de mai jos.

T Io Io
i
R UBE
IB Uo Rs
Ui
DZ Uz
Analizaţi funcţionarea schemei şi evidenţiaţi rolul reacţiei în acest circuit.
consulta Fişa de documentare 9
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 47

Competenţe:
 Utilizează circuite integrate analogice.
Obiective:
 Să definească parametri caracteristici ai circuitelor integrate
Prezentare PowerPoint
 Resurse: Calculator, Windows, MS Office
 Timp alocat: 30 minute
Menţineţi apăsată tasta contol şi faceţi click pe textul “Prezentare PowerPoint” sau
deschideţi fişierul “Amplificatorul operational caracteristici”.
Urmaţi indicaţiile din prezentare.
 Autoevaluare: On-line.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 48

Competenţe:
Obiective:
analogice.
 Să identifice dispunerea terminalelor pe baza informaţiilor din
Menţineţi apăsată tasta contol şi faceţi click pe textul “Prezentare PowerPoint” sau
deschideţi fişierul “Dispunerea terminalelor circuitelor integrate analogice”.
consulta Fişele de documentare 10,11.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 49

Competenţe:
Obiective:
analogice.
catalogele de componente.
 Să precizeze rolul funcţional al circuitului integrat într-o aplicaţie dată.
 Resurse: Platformă experimentală, voltmetre, calculator.
Amplificatorul operaţional
Procedura de lucru:
Realizaţi (sau identificaţi) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimentală din
laborator.
R1 R2
Intrare 1 2 3 4
R3 R4
5 6 7 8
+15V
- Ieşire
A0
E1 V1 Ui +
U0
R5 V2
-15V
R1=22kΩ
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 50
R2=22kΩ
R3=10kΩ
R4=100kΩ
R5=1kΩ
AO – βA741
1. Conectaţi voltmetrul V1 la intrare, pentru măsurarea tensiunii de intrare, iar voltmetrul

V2 la ieşire pentru măsurarea tensiunii de ieşire, ca în figură.
2. Conectaţi, la intrare, sursa de tensiune variabilă E V1.
3. Variaţi valoarea EV1 astfel încât valoarea tensiunii de intrare, U i, să fie în jur de 0,1V.
4. Măsuraţi tensiunea de ieşire Notaţi valoarea măsurată în tabelul 19.1.
5. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate tensiunii de intrare din tabelul 19.1.
reprezintă variaţia amplificării cu reacţie.
Tabelul 19.1
Ui(V) -
0,1 0,5 1 2 4 5 6 8 10 12
dorit
Ui(V) -
măsurat
U0(V)
U0
A1 
Ui
7. Analizaţi aspectul diagramei

R2
8. Calculaţi amplificarea cu formula A1   şi comparaţi cu valorile obţinute în urma
R1
măsurătorilor.
9. Desfaceţi conexiunile dintre bornele 1-2, respectiv, 3-4 şi conectaţi bornele 5-6,
respectiv 7-8.
10. Variaţi valoarea EV1 astfel încât valoarea tensiunii de intrare IB să fie în jur de 0,1V.
11. Măsuraţi tensiunea de ieşire Notaţi valoarea măsurată în tabelul 19.2.
12. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate tensiunii de intrare din tabelul 19.2.
Tabelul 17.2
Ui(V) -
0,1 0,5 1 2 4 5 6 8 10 12
dorit
Ui(V) -
măsurat
U0(V)
U0
A2 
Ui

reprezintă variaţia amplificării cu reacţie.
14. Analizaţi aspectul diagramei.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 51
R2
R1
măsurătorilor.
16. Răspundeţi la următoarele întrebări:
a. Pentru ce domeniu al tensiunii de intrare, variaţiile amplificării cu reacţie sunt mai
mici de 5%?
b. Pentru valori mici ale tensiunii de intrare amplificarea este influenţată de
……………………. (offset, saturaţie)
c.Pentru valori mari ale tensiunii de intrare amplificarea este inflenţată de
……………………. (offset, saturaţie)
17. Întocmiti un referat cu titlul: “Amplificatorul inversor în c.c.”
o Tabele completate
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 52

Competenţe:
Obiective:
analogice.

 Resurse: Platformă experimentală, osciloscop cu 2 canale, calculator.
Amplificatorul operaţional
Procedura de lucru:
Realizaţi (sau identificaţi) circuitul din figura de mai jos pe platforma experimentală din
laborator.
AO – βA741
R1=22kΩ
R2=22kΩ
R3=10kΩ
R4=100kΩ
R5=1kΩ
1. Conectaţi, la intrare, generatorul de funcţii
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 53
2. Conectaţi sonda corespunzătoare canalului A la intrare, pentru vizualizarea tensiunii

de intrare, iar sonda corespunzătoare canalului B la ieşire, pentru măsurarea tensiunii
de ieşire, ca în figură.
3. Reglaţi generatorul de funcţii astfel încât să obţineţi, la intrare un semnal triunghiular,
cu frecvenţa de 1000 Hz şi valoarea vârf la vârf de 1V.
4. Vizualizaţi forma de undă a semnalului de ieşire.
5. Reprezentaţi, pe fişa de lucru, forma de undă a semnalului de intrare şi de ieşire.
6. Comparaţi cele două forme de undă.
7. Analizaţi rezultatele şi trageţi concluziile.
R2
R1
măsurătorilor.
9. Reglaţi generatorul de funcţii astfel încât să obţineţi, la intrare un semnal sinusoidal,
cu frecvenţa de 1000 Hz şi valoarea vârf la vârf de 8V.
10. Variaţi frecvenţa semnalului de intrare, conform valorilor din tabelul 20.1.
11. Măsuraţi tensiunea de intrare şi de ieşire. Notaţi valorile măsurate în tabelul 20.1
Tabelul 20.1
Frecvenţa
1 10 100 1000 5000 10000 20000 30000 50000 100000
(Hz)
Ui(V)
U0(V)
U0
A2 
Ui

reprezintă caracteristica de frecvenţă a amplificatorului..
15. Determinaţi lărgimea de bandă şi calculaţi produsul amplificare-bandă.
17. Întocmiţi un referat cu titlul: “Amplificatorul inversor în c.a.”
o Schemele electronice utiliaze
o Tabele completate
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 54

Competenţe:
Obiective:
analogice.
Cubul
de clasă.
 Organizare: Elevii se vor organiza în 6 echipe.
 Evaluare / Autoevaluare: coevaluare.
Folosiţi un cub care semnifică, în mod simbolic, tema ce urmează a fi explorată:

Amplificatorul operaţional. Cubul are înscrise pe fiecare dintre feţele sale Descrie,
Compară, Analizează, Asociază, Aplică, Argumentează. Pe tablă, profesorul detaliază
cerinţele de pe feţele cubului cu următoarele:
Descrie: Proprietăţile amplificatorului operaţional.
Compară: Compară amplificatorul operaţional cu amplificatorul cu componente
discrete.
Analizează: Analizează funcţionarea amplificatorului inversor
Asociază: Transformă schema amplificatorului inversor în amplificator neinversor.
Aplică: Ce aplicaţii au amplificatoarele operaţionale?
Argumentează: De ce se utilizează amplificatoarele operaţionale în schemele
electronice.
Conducătorul fiecărui grup va rostogoli cubul. Echipa sa va explora tema din
perspectiva cerinţei care a căzut pe faţa superioară a cubului şi va înregistra totul pe o
foaie de flip-chart.
După 1 oră, grupurile se reunesc în plen şi vor împărtăşi clasei rezultatul analizei.
Afişaţi pe tablă, flip-chart rezultatele întregii discuţii.
 Utilizarea fişelor de documentare adecvate.
 Utilizarea altor surse de informare (internet, manual, reviste de
specialitate, caiet de notiţe, etc)
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 55

Competenţe:
Obiective:
analogice.
de clasă.
a. Se consideră configuraţia de amplificator inversor, din figura de mai jos, în care se

utilizează un amplificator operaţional ideal. Calculaţi amplificarea în tensiune, Au .
Ir
R2=50k
I1 Ii
R1=10k u-
-
Ui Ao
 Uo

u
b. Se consideră circuitul sumator inversor din figura de mai jos.
R2=10k I2 I3 R3=50k
I1 Ii
Ui2 R1=10k u-
-
Ui1 Ao
 Uo

u
La cele două intrări se aplică tensiunile continue: U i1 = E1 = 1V şi Ui2 = E2 = 2V, iar A.O.
este considerat ideal.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 56
Determinaţi tensiunea la ieşirea circuitului.
c. Se consideră circuitul cu ieşire diferenţială din figura de mai jos.

R1 R2 R4
Ui - R3
AO1 - AO
+ 2
+
Uo
Amplificatoarele sunt presupuse ideale.

Ui = 10V.
R1 = 10K; R2 = 50K; R3 = 50K; R4 = 50K.
1.Determinaţi tensiunea de ieşire a fiecărui amplificator.

2.Determinaţi tensiunea de ieşire diferenţială.
3.Determinaţi amplificarea acestui amplificator.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 57

Competenţe:
Obiective:
analogice.
catalogele de componete.
Evaluare
de clasă.
 Evaluare: Se acordă 10 puncte din oficiu. Punctaj total : 100 puncte
Rezolvaţi sarcinile de lucru de mai jos:
a. Completează spaţiile punctate pentru a obţine o formulare corectă: (16puncte)

1. Amplificarea în buclă deschisă fiind… (1) …., poate fi considerată …(2) …..:
2. Din relaţia U0 =A0(u+ - u-), cum U0 are o valoare finită, rezultă: u+ - u- =…(3) …., deci,
bornele de intrare sunt în ……(4) ……virtual;
3.Impedanţa de intrare fiind……(5) ……, poate fi considerată ……(6) ……..:, ca urmare
curentul de intrarea poate fi considerat…(7) ….;
4. Impedanţa de ieşire, Zo este foarte mică, putând fi considerată egală cu …(8) …..
b.Alege varianta corectă: (20puncte)
b.1 Amplificatorul operaţional are proprietăţile:
a)impedanţă de ieşire mică
b)amplificare mare:
c)impedanţă de intrare mică;
d)curent de intrare mare
e) bandă de frecvenă mică
b.2 Impedanţa de intrare a AO este:

a)de ordimul 
b)de ordinul sute de 
c)de ordinul M.
b.3 Alege varianta corectă:

Amplificatorul operaţional are proprietăţile:
a)impedanţă de ieşire mare
b)amplificare mică:
c)impedanţă de intrare mare;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 58
d)decalaj mare
e) bandă de frecvenă mică
b.4.Alege varianta corectă:

Curentul absorbit de un AO este:
a)de ordimul mA;
b)de ordinul nA;
c)de ordinul A.
c.Desenează schema de principiu a unui sumator neinversor şi explică funcţionarea

circuitului. (20puncte)
d. Se consideră configuraţia de amplificator inversor, din figura de mai jos, în care se

utilizează un amplificator operaţional ideal.
(30puncte) R1=2k R2=2k
1)Calculaţi amplificarea în tensiune, Au .
2)ştiind că ui=7V,să se calculeze uo. Ii
3)Determinaţi R2, , astfel încât u-
-
amplificatorul să fie divizor cu 2. Ii
Ao
 Uo

Ui u
e.Pe borna de intrare a amplificatorului din problema

precedentă se aplică una dintre sondele unui osciloscop şi se
obţine oscilograma din figura de mai jos.
Desenaţi oscilograma care trebuie să apară atunci când cea
de a doua sondă se aplică la ieşirea amplificatorului.
(4puncte)
 Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 2.1.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 59

Competenţe:
Obiective:
analogice.

 Timp alocat: 1oră
Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul integrat βA 723

Se consideră schema stabilizatorului de
tensiune, realizat cu circuitul integrat βA
723, din figura de mai jos.
C1
Marimile fizice care definesc
independenta stabilizatorului de Ui
βA723
influenţele mediului extern sunt: 1 14

-tensiunea minimă de alimentare la R2 2 13
3 12
intrarea stabilizatorului Uimin 4 11
- factorul de stabilizare 5 10
6 9
U i
S R3 7 8
U 0
R1 R6 Rsc1
- curentul maxim de ieşire Iomax
- deriva termică a tensiunii de ieşire.
1. Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a

programului de simulare circuitul din
figura alăturată. Rs U0
R1=4,7kΩ
R2=3,3kΩ
R3=2,2kΩ
R6=10M Ω
Rsc1=2,2 Ω
RS = 51 Ω
T – BD 135 C1= 390pF
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 60
2. Conectaţi voltmetrul în paralel cu sarcina.

3. Alimentaţi circuitul de la sursa de tensiune variabilă U 1 = 5V.
5. Măsuraţi tensiunea U0. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 24.1.
6. Repetaţi paşii 3 şi 4 pentru toate valorile tensiunii de intrare din tabelul 24.1.
reprezintă variaţia tensiunii de ieşire funcţie de variaţia tensiunii de intrare.
Tabelul 24.1
Ui(V) 5 6 7 8 9 10 11 12 5 20
U0(V)
9. Determinaţi tensiunea minima de alimentare la intrarea stabilizatorului
Uimin=
10. Calculaţi factorul de stabilizare
U i
S =
U 0
11. Stabiliţi tensiunea de intrare la valoarea Ui=20V.
12. Reglaţi valoarea rezistenţei de sarcină la R S= 10.
13. Măsuraţi tensiunea U0. Notaţi valoarea măsurată în tabelul 24.2.
14. Repetaţi paşii 12 şi 13 pentru toate valorile rezistenţei de sarcină din tabelul 24.2.
Tabelul 24.2
RS () 10 20 25 30 40 100 200
U0(V)
U
I 0  0 (A
Rs
)
reprezintă variaţia tensiunii de ieşire funcţie de valoarea rezistenţei de sarcină de
intrare.
16. Determinaţi valoarea intensităţii curentului de scurtcircuit (pentru R sc=10):
U
I sc  0 =
R sc
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 61
17. Determinaţi valoarea maximă a curentului de ieşire pentru care tensiunea de ieşire
se menţine constantă:
I0max=
18. Analizaţi calitatea circuitului de stabilizare studiat.
19. Întocmiţi un referat cu tema “Stabilizatorului de tensiune, realizat cu circuitul
integrat βA 723”
o Tabele completate
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 62

Competenţe:
Obiective:
analogice.
Aplicaţiile circuitului integrat βE555.
În figura de mai jos este rezentat un circuit electronic realizat cu ajutorul circuitului
integrat βE555.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 63
1. Cu ajutorul datelor din catalog, identificaţi semnificaţia pinilor circuitului integrat.

1.
2.
3.
4.
6.
7.
9.
2. Identificaţi componentele discrete utilizate. Notaţi în dreptul fiecărei componente de

mai jos, cifra corespunzătoare.
3. Identificaţi rolul funcţional al circuitului şi explicaţi funcţionarea.
 Prezentare PowerPoint: Menţineţi apăsată tasta contol şi faceţi click pe
textul “Prezentare PowerPoint” sau deschideţi fişierul “E555”.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 64

Competenţe:
Obiective:
analogice.
Concurs de testare a cunoştinţelor

 Resurse: Calculator, Internet, Cataloage, reviste de specialitate etc.
 Evaluare / Autoevaluare: Coevaluare / Autoevaluare.
Sugestii:
- elevii se vor organiza în grupe mici (4 elevi)
- fiecare grup va formula câte 6 întrebări de verificare a cunoştinţelor despre un
circuit integrat analogic studiat precum şi răspunsurile la acestea
- profesorul va verifica întrebările şi răspunsurile pentru a fi sigur că sunt atinse
informaţii relevante şi au răspunsuri corecte
- întrebările vor fi schimbate între grupuri
- timp de lucru recomandat 50 minute
Enunţ: Folosind surse diferite (internet, manual, reviste de specialitate, caiet de notiţe,
etc) obtineţi informaţii despre utilizările circuitelor integrate analogice studiate. Formulaţi
câte 6 întrebări, precum şi răspunsurile pentru ele. Scrieţi întrebările pe cartonaşe şi
schimbaţi întrebările cu altă grupă. Răspundeţi la întrebările primite şi daţi-le spre
verificare grupei care le-a formulat. Dacă aţi răspuns corect puteţi lua setul de întrebări
de la altă grupă.
 Utilizarea fişelor de documentare adecvate.
 Utilizarea altor surse de informare (internet, manual, reviste de
specialitate, caiet de notiţe, etc)
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 65

Competenţe:
 Utilizează noţiunile şi conceptele algebrei logice pentru analiza
circuitelor digitale.
Obiective:
 Să exprime funcţiile logice în forme precizate.
 Să realizeze minimizarea funcţiilor logice folosind metode adecvate.
 Să implementeze funcţiile logice minimizate folosind porţi logice.

 Resurse: Calculator, program de simulare Digital Works.
Analiza porţilor logice folosind programul Digital Works

a. Stabilirea tabelului de adevăr pentru porţile logice ŞI, ŞI-NU, SAU, SAU-NU, SAU-
EXCLUSIV, SAU-EXCLUSIV NEGAT. Urmaţi indicaţiile următoare:
• selectaţi, pe rând, porţile amintite mai sus şi se poziţionează în zona destinată
circuitului;
• pentru fiecare dintre ele legaţi la ambele intrări dispozitivele denumite intrări
interactive; (nu uitaţi să legaţi efectiv aceste dispozitive, folosind unealta de legături,
!);
• la ieşirea fiecărei porţi legaţi câte un led pentru a putea stabili starea sa logică; (nu
uitaţi să legaţi efectiv aceste dispozitive, folosind unealta de legături, !);
• faceţi clic pe butonul pentru a pomi efectiv simularea.
• transformaţi cursorul astfel încât să se poată comanda intrările interactive.
Comandând intrările interactive, stabiliţi tabelele de adevăr pentru fiecare poartă în
parte.
b. Pornind de la variabilele binare A, B, C şi D, realizaţi cu porţi logice următoarele
funcţii:
f 1  A  BC  D

f2  A  B D  C
f3   A  B C  D 
f4  AB   A  B  C 
Pentru fiecare dintre funcţiile de mai sus, stabiliţi tabelul de adevăr, folosind intrări
interactive şi led-uri.
c. Studiul unui comparator digital.
Realizaţi, cu ajutorul programului, următoarea schemă cu porţi logice:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 66
• poziţionaţi porţile logice, led-urile şi intrările interactive;

• faceţi legăturile folosind unealta pentru legături, !;
• faceţi clic pe butonul pentru a pomi simularea;
• transformaţi cursorul astfel încât să se poată comanda intrările interactive
• stabiliţi la intrare toate combinaţiile posibile şi notaţi de fiecare dată starea celor trei
ieşiri, notate 1, 2 şi 3;
• stabiliţi care dintre ieşiri reprezintă A<B, A>B şi A=B.
d. Studiul unui semisumator.
Realizaţi schema cu porţi logice prezentată alăturat.
• poziţionaţi porţile logice, led-urile şi intrările interactive;

• faceţi legăturile folosind unealta pentru legături, !;
• faceţi clic pe butonul pentru a porni simularea;
• transformaţi cursorul astfel încât să se poată comanda intrările interactive;
• stabiliţi la intrare toate combinaţiile posibile şi se notează de fiecare dată starea celor
două ieşiri, S şi C;
• completaţi tabela de adevăr a circuitului.
e. Întocmiţi un referat cu tema “Analiza porţilor logice”.
consulta Fişele de documentare 14, 15.
o Schemele cu porţi logice simulate cu ajutorul programului.
o Tabelele de adevăr pentru funcţiile logice studiate.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 67

Competenţe:
Obiective:
Activitatea se va desfăşura în laboratorul de electronică sau în sala
de clasă.
 Resurse: Fişe de lucru, flipcart.
 Organizare: Elevii vor lucra organizaţi în 4 echipe.
 Evaluare: Coevaluare/Autoevaluare
Implemetarea funcţiilor logice
Se consideră funcţia logică:

f  A B  A B
Implementaţi funcţia în următoarele variante:
a)cu porţi ŞI,SAU,NU
b)cu porţi ŞI-NU
c)cu porţi SAU-NU
d)cu porţi SAU-EXCLUSIV
Analizaţi economicitatea fiecărei implementări.
Fiecare echipă va implementa funcţia în una dintre variante şi va analiza
economicitatea implementării. După 30 de minute, grupurile se reunesc în plen şi
compară rezultatele şi trag concluziile.
Afişaţi pe tablă/flip-chart rezultatele întregii discuţii.
Indicaţii:
1. Utilizaţi postulatele şi teoremele algebrei logice pentru a transforma funcţia într-o
formă convenabilă fiecărei variante de implementare.
2. Notaţi în dreptul fiecărei porţi utilizate la implementare codul corespunzător porţii şi
fracţiunea care arată cât reprezintă poarta în cadrul circuitului integrat folosit.
Analizaţi, pentru fiecare variantă de implementare, câte porţi s-au utilizat, căte circuite
integrate sau folosit şi câte porţi au rămas nefolosite.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 68
 Coevaluare/Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta
anexa 6.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 69

Competenţe:
Obiective:
de clasă.
 Organizare: Elevii vor lucra în echipe.
 Evaluare / Autoevaluare: autoevaluare, coevaluare..
Se consideră funcţia logică descrisă în tabelul de adevăr de mai jos:
C B A f
0 0 0 1 a) minimizaţi funcţia folosind postulatele şi teoremele algebrei logice.
0 0 1 0 b) minimizaţi funcţia folosind diagrama Veich-Karnaugh.
0 1 0 1 c) implementaţi funcţia cu porţi logice.
0 1 1 1 d) Analizaţi economicitatea fiecărei implementări.
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
Clasa se va împărţi într-un număr par de echipe. Jumătate din echipe va minimiza
funcţia prin una dintre metode, iar cealaltă jumătate prin a doua metodă. Fiecare
echipă va implementa funcţia obţinută. După 30 de minute, grupurile se reunesc în plen
şi compară rezultatele, analizează implementările şi trag concluziile.
consulta Fişa de documentare 12, 13, 14.
 Coevaluare/Autoevaluare: Pentru autoevaluare, elevii pot consulta anexa 6.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 70

Competenţe:
Obiective:
de clasă.
 Resurse: Fişe de lucru, flipcart.
 Organizare: Elevii vor lucra organizaţi în echipe.
Se consideră funcţia logică definită cu ajutorul tabelului de adevăr de mai jos:
C B A f Implementaţi funcţia în următoarele variante:

0 0 0 1 a)cu porţi ŞI-NU cu două intrări;
0 0 1 0 b)cu porţi ŞI-NU;
0 1 0 1 Analizaţi economicitatea fiecărei implementări.
0 1 1 1
1 0 0 0
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
Clasa se va împărţi într-un număr par de echipe. Jumătate din echipe va implementa
funcţia în varianta de la puncţul a), iar cealaltă jumătate în varianta de la puncţul b).
Fiecare echipă va analiza implementarea realizată. După 30 de minute, grupurile se
reunesc în plen şi compară rezultatele, analizează implemetările şi trag concluziile.
consulta Fişele de documentare 12,13,14.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 71
4. GLOSAR
4.1 Algebra logică - operează cu propoziţii care pot fi adevărate sau false. Unei
propoziţii adevărate i se atribuie valoarea “1”, iar unei propoziţii false i se atribuie
valoarea “0”. O propoziţie nu poate fi simultan adevărată sau falsă, iar două
propoziţii sunt echivalente d.p.d.v. Al algebrei logice, dacă simultan ele sunt
adevărate sau false.
4.2 Amplificator - este un circuit electronic care furnizează la ieşire un semnal cu o
putere mai mare decât semnalul aplicat la intrare.
4.3 Amplificator cu reacţie - este un amplificator la care o parte din semnalul de
ieşire este aplicat la intrarea acestuia.
4.4 Amplificatorul operaţional - este un amplificator de c.c. (cu cuplaj direct), care
îndeplineşte nişte performanţe deosebite: amplificare, bandă de frecvenţă şi
impedanţă de intrare foarte mari, decalaj, derivă şi impedanţă de ieşire foarte
mici.
4.5 Capacitate de cuplaj - are rolul de a bloca accesul curentului continuu, dar de a
permite trecerea curentului alternativ.
4.6 Caracteristica statică reprezentare grafică care dă indicaţii asupra proprietăţilor
de curent continuu ale dispozitivului.
4.7 Caracteristică dinamică - dă indicaţii asupra proprietăţilor de curent alternativ
sau de impuls ale dispozitivului semiconductor.
4.8 Caracteristici de ieşire - arată dependenţa dintre mărimile de ieşire (i c = ic
(UCE)), pentru diferite valori ale curentului de intrare, I B)
4.9 Caracteristici de intrare - arată dependenţa dintre mărimile de intrare
(reprezentarea grafică a variaţiei curentului de intrare, I B, în funcţie de tensiunea
de intrare, UBE)
4.10Caracteristici de transfer - arată dependenţa dintre o mărimile de ieşire şi o
mărime de intrare (reprezentarea grafică a variaţiei curentului de ieşire, I C, în
funcţie de tensiunea de intrare, UBE sau în funcţie de curentul de intrare, IB).
4.11 Circuit echivalent - circuit care modelează proprietăţile şi comportamentul
electric al unui dispozitiv
4.12Cuadripol - un bloc care are două borne de intrare şi două borne de ieşire
4.13 Curentul direct - curentul care parcuge o diodă polarizată direct. Valoarea
acestui curent creşte exponenţial cu tensiunea directă aplicată.
4.14 Curentul invers (curentul rezidual) – curentul care parcuge o diodă
polarizată invers. Acest curent este ve valori foarte mici, de ordinul nA pentru
diodele realizate din siliciu, respective de ordinal µA pentru diodele realizate din
germaniu. Valoarea acestui curent este independent de tensiunea inversă
aplicată.
4.15Diagrama Veitch-Karnaugh – este o reprezentare grafică a formelor canonice
ale unei funcţii logice. Elementele mulţimii de intrare sunt reprezentate de
suprafeţşe dreptunghiulare, din intersectarea cărora rezultă termenii canonici.
4.16Dioda - este un dispozitiv electronic care prezintă conducţie electrică unilaterală
4.17Diode redresoare - diode utilizate la transformarea energiei electrice de curent
alternativ în energie electrică de curent continuu la frecvenţe joase, de obicei la
frecvenţa industrial; sunt utilizate în orice alte aplicaţii, la frecvenţe joase, în care
este folosit faptul că acestea prezintă conducţie unilaterală.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 72
4.18Diode stabilizatoare - diode destinate să lucreze în regiunea de străpungere

(III). Proprietatea de stabilizare provine din menţinerea unei tensiuni relativ
constante la borne, pentru o gamă de curenţi specificată.
4.19Diode varicap - diode destinate să funcţioneze în regim de polarizare
inversă. În acest domeniu schema echivalentă a joncţiunii pn cuprinde doar
capacitatea de barieră Cb, dependentă de tensiunea continuă de polarizare
inversă. Astfel, se obţine un condensator a cărui capacitate se poate controla pe
cale electronică.
4.20Forma canonică - presupune operarea cu termeni canonici. Prin termen
canonic înţelegem un termen în care sunt prezente toate variabilele
independente, luate sub formă directă sau negată.
4.21Forma canonică conjunctivă - În cadrul formei canonice conjunctive (f.c.c.),
termenii sunt legaţi între ei prin conjuncţii, iar variabilele - în cadrul fiecărui
termen, numit "constituent al lui zero" - prin disjuncţii.
4.22Forma canonică disjunctivă - În cadrul formei canonice disjunctive (f.c.d.)
Termenii sunt legaţi între ei prin disjuncţii, iar variabilele - în cadrul fiecărui
termen, numit "constituent al unităţii" - prin conjuncţii.
4.23Forma elementară - are în alcătuire cel puţin un termen elementar. Prin
termen elementar se înţelege un termen care nu conţine toate cele n variabile ale
funcţiei, deci care nu este canonic.
4.24Funcţie logică – este o funcţie de una sau mai multe variabile care nu pot lua
decât două valori: “0” sau “1”.
4.25Implemetarea unei funcţii logice – realizarea circuitului electronic care
realizează funcţia propusă.
4.26Metoda circuitelor echivalente, - constă în înlocuirea dispozitivului electronic
cu un circuit echivalent compus din elemente obişnuite de circuit: generatoare
de tensiune sau de curent, rezistoare, capacităţi şi care are aceiaşi funcţionare.
4.27Microsoft Excel este un program performant de calcul tabelar ce se poate
utiliza pentru stocarea şi prelucrarea eficientă a listelor de date în vederea
realizării de calcule numerice în scopul obţinerii de rapoarte şi analize. De
asemenea, pe baza datelor înregistrate programul Excel poate crea foarte uşor
diagrame şi poate face schimb de informaţii cu alte programe, cum ar fi Microsoft
Word, Microsoft powerpoint, Microsoft Access, astfel încât datele să poată fi
prezentate practic, în orice formă.
4.28Minimizarea - reprezintă trecerea de la o formă canonică la o formă
elementară de exprimare a unei funcţii logice, deci eliminarea unor variabile de
intrare din termenii funcţiei.
4.29Oscilatorul armonic - este un circuit electronic care generează un semnal de
formă sinusoidală
4.30Poartă logică - este un dispozitiv electronic digital elementar care
implementează o funcţiune logică elementară.
4.31Polarizare directă - borna + a sursei se conectează la regiunea p, iar borna -
la regiunea n.
4.32Polarizare inversă - borna - a sursei se conectează la regiunea p, iar borna +
la regiunea n.
4.33 Program de simulare Multisim - soft de proiectare şi simulare în domeniul
electric.
4.34Regim activ invers – se obţine atunci când joncţiunea emitor – bază este
polarizată invers, în timp ce joncţiunea colector bază este polarizată direct.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 73
4.35Regimul activ normal se - obţine atunci când joncţiunea emitorului este

polarizată direct, iar joncţiunea colectorului este polarizată invers.
4.36Regimul de saturaţie - se obţine atunci când ambele joncţiuni sunt polarizate
direct. Tranzistorul se comportă ca un comutator închis.
4.37Regimul de tăiere - se obţine atunci când ambele joncţiuni sunt polarizate
invers. Tranzistorul se comportă ca un comutator deschis.
4.38Regiunea activă normală - corespunde zonei delimitate de regiunea de
saturaţie şi de blocare. În această zonă, curentul de ieşire, I C, se menţine la o
valoare aproximativ constantă, determinată da valoarea curentului de intrare, I B.
În această situaţie spunem că tranzistorul funcţionează în regim activ normal. În
acest regim de funcţionare, tranzistorul se comportă ca amplificator.
4.39Regiunea de saturaţie - corespunde zonei în care curentul de ieşire, I C, creşte
rapid până la valoarea sa maximă. Această zonă corespunde unei tensiuni de
ieşire, UCE, de valoare foarte mică. În această situaţie spunem că tranzistorul
este în regim de saturaţie, sau că este saturat.
4.40Regiunea de tăiere, sau de blocare - corespunde zonei în care curentul de
ieşire, IC, ia valori foarte mici, apropiate de zero. Tensiunea de ieşire, U CE, poate
lua valori mari. Această zonă este situată sub curba care corespunde lui I B = 0.
În această situaţie spunem că tranzistorul este în regim de tăiere sau că este
blocat.
4.41Rezistenţa de curent continuu - egală cu raportul între tensiunea de
polarizare a joncţiunii şi curentul care o străbate, este numeric egală cu tangenta
unghiului format de axa verticală cu dreapta care uneşte originea cu punctul
static de funcţionare, P.
4.42Rezistenţă dinamică (rezistenţă diferenţială, rezistenţă de curent
alternativ) - numeric egală cu tangenta unghiului pe care îl face tangenta la
caracteristică cu axa verticală.
4.43Stabilizatorul - este un circuit electronic care se conectează între sursa de
semnal nestabilizată şi consumator şi care, ideal, asigură la ieşire un semnal
independent de tensiunea de intrare, de curentul de sarcină (rezistenţa de
sarcină) şi de temperatură.
4.44Tabel de adevăr – tabel care conţine, ordonat, toate configuraţiile de intrare
posibile precum şi toate valorile corespunzătoare funcţiei de ieşire.
4.45Tensiune de străpungere - valoarea tensiunii de polarizare inversă la care
curentul creşte brusc datorită efectului Zener sau multiplicării în avalanşă a
purtătorilor de sarcină care participă la conducţie.
4.46Tensiunea de deschidere - reprezintă tensiunea minimă de polarizare la care
dispozitivul începe să conducă curentul electric
4.47Tensiunea maximă - valoarea maximă a căderii de tensiune pe diodă U DM,
pentru un curent dat, de obicei, curentul maxim admisibil, I DM.
4.48Tranzistorul bipolar - este un dispozitiv electronic realizat dintr-un monocristal
semiconductor în care sunt realizate două joncţiuni pn, situate în imediată
vecinătate una faţă de cealaltă.
4.49Tranzistorul cu efect de câmp (prescurtat TEC; în engleză field effect
transistor, FET) este un dispozitiv electronic semiconductor folosit pentru a
comanda intensitatea curentului electric dintr-un circuit. Funcţionarea lui se
bazează pe modificarea conductibilităţii unui canal realizat dintr-un material
semiconductor prin aplicarea unui câmp electric. Întrucât conducţia electrică
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 74
este asigurată de un singur tip de purtători de sarcină asemenea dispozitive

se numesc şi tranzistoare unipolare.
4.50Tranzistorul MOS - este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia curentului
electric la suprafaţa semiconductorului. Proprietăţile conductive ale suprafeţei
semiconductorului sunt controlate de un câmp electric aplicat printr-un electrod
izolat de semiconductor numit poartă.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 75
5 Fişe de documentare
5.1 Fişa de documentare 1
CARACTERISTICILE ELECTRICE ALE DIODEI SEMICONDUCTOARE
Dioda este un dispozitiv electronic care prezintă

conducţie electrică unilaterală. Simbolul general
diodei este prezentat în figura 3.1; cei doi electrozi
ai dispozitivului se numesc anod (A) şi catod (C).
Sensul direct de conducţie electrică este de
la anod la catod.
A ID C
p n Fig.1.1
a. b.
UD
Marea majoritate a diodelor semiconductoare sunt realizate pe baza joncţiunii pn.
În figura
a 2.1.bFigura
este 2.1
prezentată structura fizică a diodei semiconductoare cu joncţiune pn.
Diodele semiconductoare se realizează într-o mare varietate de tipuri, în funcţie
de utilizările ce li se dau în circuite.
Observaţie: Nu trebuie făcută confuzia între dioda semiconductoare şi joncţiunea
pn. Diodele pot fi realizate şi pe baza altor structuri fizice (de exemplu contactul metal -
semiconductor). Pe de altă parte, dioda conţine şi alte elemente, pe lângă joncţiunea
pn, cum ar fi: elemente de contact, terminale, sistem de evacuare a căldurii, capsulă
etc.
2.2 CARACTERISTICI ELECTRICE
Sunt reprezentate de caracteristicile statice (de curent continuu), caracteristici

dinamice (de curent alternativ) şi de familii de caracteristici.
Caracteristicile statice dau indicaţii asupra proprietăţilor de curent continuu ale
dispozitivului.
Principalii parametri electrici de c.c. ai diodei
semiconductoare sunt reprezentaţi în figura 2.2.
 În polarizare directă dioda este caracterizată de: ID
Tensiunea de deschidere, UD0, care IDM (mA) PDM
reprezintă tensiunea minimă de polarizare la care
dispozitivul începe să conducă curentul electric.
Valoarea lui UD0 depinde de tipul diodei. Astfel, U D0
este în jur de 0,2V pentru diodele realizate din US I0
germaniu şi în jur de 0,5V pentru diodele realizate R
UD0 UDMUD (V)
din siliciu.
Pentru tensiuni mai mari decât UD0, căderea
de tensiune pe diodă este determinată de valoarea
intensităţii curentului ce trece prin dispozitiv. Cu o P
DM
Fig.1.2
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 76
oarecare aproximaţie se poate considera: U D = UD0 + RD. ID, unde RD este rezistenţa
internă a diodei şi include efectele fizice ale tuturor fenomenelor care au loc în
dispozitiv.
În cataloage se specifică valoarea maximă a căderii de tensiune pe diodă
UDM, pentru un curent dat, de obicei, curentul maxim admisibil, IDM.
Observaţie: Tensiunea directă pe diodă UDM, este mai mare decât valoarea
barierei de potenţial a joncţiunii, U 0, în special în cazul diodelor care lucrează la curenţi
mari, unde devine importantă rezistenţa serie a joncţiunii, Rs, iar efectele temperaturii
sunt foarte puternice. Astfel, pentru o diodă redresoare de siliciu U DM poate ajunge la
maxim 1,4V.
 În polarizare inversă dioda este caracterizată de faptul că la variaţii mari ale tensiunii
inverse, UR1 (uneori până la sute sau mii de volţi), curentul prin dispozitiv este neglijabil.
Acesta este curentul invers, sau curentul rezidual, I 0. Când se ajunge la o valoare
critică a tensiunii de polarizare inversă, curentul prin diodă creşte brusc, datorită
efectului Zener sau multiplicării în avalanşă a purtătorilor de sarcină care participă la
conducţie.
Valoarea tensiunii de polarizare inversă la care curentul creşte brusc se numeşte
tensiune de străpungere, US. În mod obişnuit, firmele producătoare garantează
funcţionarea corectă a dispozitivului la o valoare U RM  US, numită tensiune inversă
maxim admisă. Pentru intervalul URM 0 V , în cataloage se specifică o valoare maxim
admisibilă a curentului invers I0.
 Un alt parametru important este puterea disipată maxim admisă, PDM.
Observaţii:
1. În funcţie de utilizarea diodei, se precizează şi se garantează şi alţi parametri electrici
de c.c.
2. Caracteristicile de curent continuu sunt dependente de temperatură şi sunt valabile
numai pentru o temperatură ambiantă sau a capsulei date.
Caracteristicile dinamice dau indicaţii asupra proprietăţilor de curent alternativ
sau de impuls ale dispozitivului semiconductor. În funcţie de tipul dispozitivului se
prezintă cele mai importante caracteristici de joasă sau de înaltă frecvenţă, sau de
comutaţie, valabile numai în condiţii speciale de lucru. În funcţie de necesităţi, în
cataloage se specifică şi circuitele de măsurare corespunzătoare.
DIODE REDRESOARE
Sunt utilizate la transformarea energiei electrice de curent alternativ în

energie electrică de curent continuu la frecvenţe joase, de obicei la frecvenţa industrială
(50-60 Hz). Procesul de transformare a curentului alternativ în curent continuu se
bazează pe conducţia unilaterală a diodei şi poartă numele de redresare 2.
Aceste diode lucrează în regiunile I (conducţie) şi II (blocare).
+
Circuitul echivalent al unei diode redresoare este rD
prezentat în figura 1.3 Dioda redresoare se comportă ca o -
rezistenţă de valoare rD, pentru semnalele pozitive şi ca o Figura 1.3
întrerupere pentru semnalele negative.
1
UR este o notaţie consacrată pentru tensiunea inversă (R de la Reverse – invers, în limba engleză)
2
În realitate procesul de transformare a curentului alternativ în curent continuu presupune mai mult decât redresarea,
însă în practică se obişnuieşte să se numească simplu, redresare (vezi 3.4).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 77
Observaţie: Circuitul echivalent corespunde modelării joncţiunii la frecvenţe

joase, unde se pot neglija capacităţile acesteia.
Parametrii garantaţi de catalog pentru astfel de diode sunt:
 tensiunea inversă maxim admisă, URM - care pentru astfel de diode poate ajunge la
sute sau chiar mii de volţi;
 curentul în polarizare directă maxim admis, IDM - care pentru astfel de diode poate
ajunge la zeci sau chiar sute de amperi;
 tensiunea de polarizare directă, UDM, măsurată la un curent dat, de obicei la I DM;
 curentul mediu redresat, I0 - este valoarea medie a curentului direct calculată pe o
perioadă completă pentru redresare monoalternanţă, monofazat;
 curentul invers - pentru o tensiune inversă specificată;
 rezistenţa dinamică directă - măsurată pentru tensiuni sau curenţi alternativi de
semnal mic, într-un punct dat de pe caracteristica statică;
 capacitatea joncţiunii - Cj
 rezistenţa termică a joncţiunii, Rthja.
Întrucât diodele folosite la redresare se folosesc la semnal mare, pun probleme
speciale de răcire. Cele de putere mică asigură disiparea căldurii prin capsulă. Cele de
putere mare se montează pe radiatoare speciale.
Diodele redresoare cu siliciu asigură, în general, curenţi inverşi mult mai mici şi
tensiuni inverse mai mari decât cele cu germaniu.
Observaţie: În afara circuitelor de redresare, diodele redresoare sunt
utilizate în orice alte aplicaţii, la frecvenţe joase, în care este folosit faptul că
acestea prezintă conducţie unilaterală.
DIODE STABILIZATOARE
Aceste diode sunt destinate să lucreze în

regiunea de străpungere (III). Proprietatea de Iz Iz
+ rZ
stabilizare provine din menţinerea unei -
DZ Uz +Uz
tensiuni relativ constante la borne, pentru o
gamă de curenţi specificată. Sunt diode de -
siliciu care, de la o anumită tensiune inversă
aplicată, prezintă o creştere rapidă a curentului a Figura 1.4 b
invers. Datorită creşterii rapide a curentului
invers, tensiunea de străpungere U Iz
corespunzătoare este aproape constantă.
Evident, în acest regim de funcţionare, dioda
prezintă o rezistenţă dinamică de valoare foarte Uz
mică. Izm u
Simbolul acestor diode este prezentat în
figura 1.4.a, iar în figura 1.4.b este prezentat Iz
circuitul echivalent al diodei stabilizatoare. IZM
În cataloage se specifică : PDM
 curentul de control al tensiunii de stabilizare, Figura 1.5
Iz - este valoarea impusă a curentului invers
la care se verifică dacă tensiunea de
stabilizare este egală cu tensiunea de stabilizare nominală, ţinând cont de toleranţele
impuse;
 rezistenţa dinamică, rZ pentru un curent Iz dat;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 78
 curentul minim, respectiv maxim pentru care dioda funcţionează în zona de

stabilizare, IZm şi IZM - unde IZm este determinat de ieşirea din regiunea de stabilizare,
iar IZM este determinat din considerente de putere maximă disipată);
 tensiunea nominală de stabilizare, Uz - care reprezintă tensiunea pe diodă pentru o
valoare specificată a curentului invers, Iz.
 coeficientul de temperatură al tensiunii stabilizate, arată dependenţa de temperatură
a tensiunii de lucru pentru un curent specificat.
În figura 1.5 este prezentată caracteristica statică de funcţionare a diodei
stabilizatoare şi sunt marcate principalele caracteristici electrice.
Pentru a funcţiona în regiunea de străpungere, dioda stabilizatoare trebuie
polarizată invers, respectiv cu plusul pe catod şi minusul pe anod, ca în figura 1.5.a .
Polarizată direct, ea se va comporta ca o diodă obişnuită (redresoare). Pentru a se evita
greşelile de conectare, pe capsula diodei se marchează electrodul pe care trebuie să se
aplice plusul tensiunii de polarizare, respectiv catodul.
Diodele stabilizatoare se fabrică pentru tensiuni de la 4 volţi până la sute de volţi.
Observaţie: Deşi numai pentru diodele cu tensiuni de stabilizare până în 6 volţi,
străpungerea se face prin efect Zener, iar pentru restul prin multiplicare în avalanşă, se
obişnuieşte să se numească toate diodele stabilizatoare şi diode Zener.
3.3.4 DIODE VARICAP
Diodele varicap sunt destinate să funcţioneze în regim de polarizare inversă, în

regiunea II de pe caracteristica statică de funcţionare. În acest domeniu schema
echivalentă a joncţiunii pn cuprinde doar capacitatea de barieră C b, dependentă de
tensiunea continuă de polarizare inversă (figura 1.6). Astfel, se obţine un condensator a
cărui capacitate se poate controla pe cale electronică. Calitatea acestui condensator va
depinde de curentul rezidual al diodei. Diodele varicap se realizează din siliciu, tocmai
pentru faptul că prezintă curenţi reziduali neglijabili . Pentru a se realiza o variaţie
maximă de capacitate la o variaţie dată de tensiune, se utilizează joncţiuni p +n.3
Tensiunea de polarizare aplicabilă diodelor varicap este cuprinsă între o valoare
minimă, URm, pentru ca semnalul aplicat să nu fie deformat sau redresat, şi o valoarea
maximă, URM, determinată de tensiunea de străpungere. În cataloage este
C M (U Rm )
specificat raportul de capacitate, exprimat prin:
C m (U RM )
Diodele varicap se utilizează în circuite acordate, oscilatoare, filtre etc.

Simbolul diodei varicap este prezentat în figura 1.7.
- + . CM
Faţă
Figura 1.7 de condensatoarele
variabile obişnuite, varicapul este mai
mic, mai sensibil şi are o foarte bună stabilitate şi fiabilitate.
Cm
3 UR decât zona
notaţia p+n semnifică faptul că zona p are o concentraţie mult mai mare de impurităţi URMn. URm
Figura 1.6
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 79
CARACTERISTICI STATICE DE FUNCŢIONARE
TIPURI DE CARACTERISTICI
Dacă pentru a descrie dioda în curent continuu era suficientă caracteristica curent
-tensiune, în cazul tranzistorului se folosesc trei tipuri de caracteristici:
 Caracteristici de intrare: arată dependenţa dintre mărimile de intrare.
 Caracteristici de transfer: arată dependenţa dintre o mărimile de ieşire şi o mărime
de intrare
 Caracteristici de ieşire: arată dependenţa dintre mărimile de ieşire.
Observaţie: Este evident faptul că, pentru fiecare din conexiunile tranzistorului
corespund alte mărimi de intrare, respectiv de ieşire, deci caracteristicile vor fi diferite
pentru fiecare tip de conexiune. Astfel, pentru un anumit tranzistor, va exista, de
exemplu, caracteristica de intrare în conexiunea emitor comun, diferită de caracteristica
de intrare în conexiunea colector comun.
În continuare vom considera un tranzistor de tip npn, în conexiune emitor comun
(figura 2.1.a).
Montajul pentru ridicarea caracteristicilor este prezentat în figura 2.1.b.
IC Fi
IB mA
IB +EC
A Fi
UCE +EB V
V
UBE UBE şUCE
a
a b d
Figura 2.1
CARACTERISTICA DE INTRARE e
Caracteristica de intrare constă în d
reprezentarea grafică a variaţiei curentului
Curentul de intrare, IB (A)
de intrare, IB, în funcţie de tensiunea de o

intrare, UBE (figura 2.2).
c
Privit dinspre intrare, tranzistorul în Si
u Ge
conexiune emitor comun se prezintă ca o 100
joncţiune pn polarizată direct. Ca urmare, m
caracteristica de intrare este asemănătoare 80
cu caracteristica exponenţială a unei diode. e
60
Astfel, curentul IB devine semnificativ numai
după ce tensiunea UBE atinge valoarea 40
nt
tensiunii de prag de deschidere a joncţiunii
20 ar
Profilul TEHNIC
e
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Nivelul 3 2 Tensiunea de intrare, UBE (V) 80
C Figura 2.2
A
R
A
C
T
E
BE. Odată atinsă această valoare, curentul creşte rapid, în timp ce tensiunea U BE
rămâne practic constantă.
RI
S
CARACTERISTICI DE TRANSFER
TI
Caracteristicile de transfer constau în reprezentarea CI grafică a variaţiei curentului de
ieşire, IC, în funcţie de tensiunea de intrare, UBE (figura 2.3.a) sau în funcţie de curentul
L
de intrare, IB (figura 2.3.b).
E
E
Curentul de ieşire, IC (mA)

E
C
Si T
Ge
10 10
RI
8 8
C
6 6 E
4 4 A
Aspectul acestor caracteristici este
2 2 justificat Lde cea de a doua ecuaţie
fundamentală a tranzistorului: IC =  IB + ICE0. E
Caracteristica de transfer iC = iC (uBE), pentru uCE = constant (figura 2.3.a) are
aceiaşi alură
0,1 0,2 ca0,3şi caracteristica 0,7de intrare, respectiv, 40 I T
c creşte exponenţial cu tensiunea
0,4 0,5 0,6 20 60 80 100
Tensiunea de intrare, U (V) Curentul de intrare, I
UBE. BE
R
B (A)
a
Caracteristica ce transfer iC Figura
= iC (i2.3
B), pentru uCEb = constant (figura 2.3.b) este
aproximativ liniară. A
N
CARACTERISTICI DE IEŞIRE
ZI
În figura 2.4 este prezentată familia
S
caracteristicilor de ieşire
iC = iC (UCE)), pentru diferite valori ale T
curentului de intrare, IB. O
Se observă că, după o creştere
rapidă, curentul de colector se stabileşte la R IB=80A
o valoare aproximativ constantă. 8 U
IB=60A
6 L
UI
4
M IB=40A
BI
IB=20A
2 P
O I =0
2 4 6 8 10B 12
L Tensiunea de ieşire UCE, (V)
Profilul TEHNIC
A Figura 2.4
Nivelul 3 81
R
REGIMURI DE FUNCŢIONARE
Analizând graficul care reprezintă

familia caracteristicilor de ieşire, se
disting trei regiuni în care

tranzistorul prezintă regimuri de
funcţionare diferite.
 Regiunea de saturaţie REGIUNE

corespunde zonei în care curentul DE
SATURAŢIE IB=80A
de ieşire, IC, creşte rapid până la
8
valoarea sa maximă. Această zonă
corespunde unei tensiuni de ieşire, 6
IB=60A
UCE, de valoare foarte mică. În

această situaţie spunem că IB=40A
4
tranzistorul este în regim de
saturaţie, sau că este saturat. 2 IB=20A
Regimul de saturaţie se obţine
atunci când ambele joncţiuni sunt
IB=0
polarizate direct, (pentru 2 4 6 8 10 12
NE DE
tranzistorul npn UBE  0 şi UBC0). Figura 2.5
REGIU -UCE, (V)
TĂIERE
+EC
+EC
În figura 2.6 este prezentat RC
circuitul echivalent al unui RC
UBC ICEC /RC
tranzistor saturat. I
CC
UCE = UBC - UBE  0 B UCE
E
ICEC /RC UBE
Figura 2.6
În regim de saturaţie, tranzistorul se comportă ca un comutator închis.

Observaţie: Curentul prin tranzistor este independent de acesta, fiind determinat
numai de circuitul exterior (Ec şi Rc).
 Regiunea de tăiere, sau de blocare corespunde zonei în care curentul de ieşire, I C,

ia valori foarte mici, apropiate de zero. Tensiunea de ieşire, U CE, poate lua valori
mari. Această zonă este situată sub curba care corespunde lui I B = 0. În această
situaţie spunem că tranzistorul este în regim de tăiere sau că este blocat.
Regimul de tăiere se obţine atunci când ambele joncţiuni sunt polarizate

invers, (pentru tranzistorul npn UBE 0 şi UBC  0).
-EC +EC
RC RC
În figura 2.7 este prezentat
circuitul echivalent al unui I IC0
tranzistor blocat. CC
B UCE +EC
UCE  EC E
IC0 Figura 2.7
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 82
În regim de blocare (tăiere), tranzistorul se comportă ca un comutator deschis.
 Regiunea activă normală corespunde zonei delimitate de celelalte două regiuni. În

această zonă, curentul de ieşire, IC, se menţine la o valoare aproximativ constantă,
determinată da valoarea curentului de intrare, I B. În această situaţie spunem că
tranzistorul funcţionează în regim activ normal. În acest regim de funcţionare,
tranzistorul se comportă ca amplificator.
Pentru exemplificare, să considerăm raportul între curentul de ieşire, I C, şi cel de

intrare, IB, într-un punct, M, oarecare de pe caracteristică. Se obţine:
IC 4mA 4.10-3A
= = = 100 , valoare mult mai mare decât 1.
IB 40A 40.10-6A
Raportul de mai sus se numeşte factor de amplificare în curent continuu şi se
notează cu hef. El este aproximativ egal cu .
Regimul activ normal se obţine atunci când joncţiunea emitorului este
polarizată direct, iar joncţiunea colectorului este polarizată invers, (pentru
tranzistorul npn UBE  0 şi UBC  0).
Observaţie: Există şi posibilitatea funcţionării tranzistorului bipolar şi în cazul în care

joncţiunea emitor – bază este polarizată invers, în timp ce joncţiunea colector bază este
polarizată direct. Acest regim de funcţionare se numeşte regim activ invers şi este
foarte rar folosit, deoarece, deşi structural tranzistorul bipolar este simetric, tehnologic el
nu este simetric -emitorul este mult mai puternic impurificat în timp ce aria joncţiunii
colectorului este mai mare pentru a se asigura o disipaţie de putere mai eficientă- ceea
ce face ca amplificarea în regim activ invers să fie mai mică .
În tabelul următor sunt prezentate regimurile de funcţionare ale tranzistorului.
Regimul de Polarizarea Polarizarea Comportarea IC UCE

funcţionare joncţiunii joncţiunii tranzistorului
emitor-bază colector-
bază
Regim de direct direct Comutator Ec 0
saturaţie închis Rc
Regim de blocare invers invers Comutator 0 Ec
deschis
Regim activ direct invers Amplificator mare mare
normal
Regim activ invers invers direct Amplificator mare mare
(performanţe
mai slabe)
Observaţie: În planul caracteristicilor de ieşire se

poate delimita aria de funcţionare a unui tranzistor,
ca în figura alăturată.
Aria este limitată:
 La stânga de intrarea tranzistorului în saturaţie;
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 83
 Superior de Valoarea curentului de colector maxim

 La dreapta de puterea disipată maximă
 Inferior de intrarea tranzistorului în tăiere.
Fişa de documentare 3
TRANZISTORUL ÎN REGIM DINAMIC
În aplicaţiile practice cel mai des întâlnit este cazul funcţionării tranzistorului în
regiunea activă normală, în regim dinamic, cu un semnal sinusoidal aplicat la intrare.
În figura 3.1.a este prezentată o schemă practică cu tranzistor în conexiunea
emitor comun. Generatorul de semnal alternativ este separat de etajul propriu-zis
printr-o capacitate, numită şi capacitate de cuplaj, CB, care are rolul de a bloca accesul
curentului continuu, dar de a permite trecerea curentului alternativ. Rezistenţa de
sarcină, RS, este conectată în colector prin capacitatea C S care este tot o capacitate de
cuplaj, având acelaşi rol ca si capacitatea C B. În sfârşit, rezistenţa RE (care stabilizează
punctul static de funcţionare) este decuplată în curent alternativ prin capacitatea CE, de
valoare suficient de mare pentru a se comporta ca un scurtcircuit în curent alternativ, la
frecvenţa de lucru. Capacităţile C B şi CS sunt alese astfel încât să se comporte ca
scurtcircuite în curent alternativ, în toată gama de frecvenţe de lucru.
+EC
RC CS
R1
CB
uG RC RS u0
~ RB ui
uG RS
~ R2 CE
RE
R'S
a Figura 3.1 b
În figura 3.1. b este prezentată schema echivalentă de curent alternativ. În

această schemă, condensatoarele au dispărut deoarece se comportă ca scurtcircuite în
c.a. De asemenea, sursa de c.c. se comportă ca un scurtcircuit în c.a.
În aceste condiţii:
R1 R2 RC R S
RB = , iar sarcina totală în colector va fi: R' S = .
R1  R2 RC  R S
Dacă semnalul de intrare este de amplitudine suficient de mică (de ordinul
milivolţilor), atunci caracteristicile dinamice ale tranzistorului pot fi considerate liniare, în
sensul că la variaţii egale ale semnalelor de intrare se obţin variaţii egale ale
semnalelor de ieşire.
În aceste condiţii, funcţionarea tranzistorului în curent alternativ se poate
studia fie grafic, prin metoda aproximării liniare a caracteristicilor pe porţiuni,
utilizând caracteristicile statice de funcţionare, fie algebric, prin metoda circuitelor
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 84
echivalente, înlocuind tranzistorul cu un circuit echivalent compus din elemente

obişnuite de circuit: generatoare de tensiune sau de curent, rezistoare, capacităţi.
ANALIZA GRAFICĂ A FUNCŢIONĂRII TRANZISTORULUI ÎN C.A.
Din figura 3.3 se observă că semnalul de c.a, u G = UG sin t, se aplică pe baza
tranzistorului. În condiţiile aproximării liniare, în jurul punctului static de funcţionare, a
caracteristicii de intrare, acesta va determina un curent de intrare: i B = IB sin t.

Curentul de ieşire se
poate determina pe baza
caracteristicii de transfer
iC = iC (iB), prezentată în
figura 3.2 şi care este
aproximativ liniară.
4
Astfel, atunci când
iB variază după o lege
sinusoidală: 3
iB = IB sin t, IC va avea o M
lege de variaţie de 2
aceeaşi formă: t
iC = IC sin t. 1
Din figură se
observă că, în timp ce
20 20 30 40
valoarea instantanee a lui Curentul de intrare, IB (A)
iB variază între ±20 A,
valoarea instantanee a lui
Figura 3.2
iC ia valori între ±2mA.
În felul acesta se
evidenţiază cu uşurinţă IC(mA)
t
funcţia de amplificator a
tranzistorului.
Pentru a studia variaţia

tensiunii de ieşire, uCE, apelăm la
familia caracteristicilor de ieşire, 8
iC=iC (uCE).
Se observă că atunci 6 N
când curentul de bază creşte (în M
primul sfert de perioadă), curentul 4
de colector de asemenea creşte, t IB=const.
în timp ce tensiunea dintre 2
P
colector şi emitor scade.
2 4 6 8 10
UCE, (V)
Figura 3.3
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 85
t
Atunci când curentul de bază devine descrescător, curentul de colector descreşte şi el,
iar tensiunea uCE începe să crească. În baza aproximării liniare a caracteristicilor
tranzistorului, rezultă că tensiunea de ieşire va avea aceeaşi variaţie sinusoidală ca şi
tensiunea de intrare, cu observaţia că acestea sunt în antifază.
Atunci când la intrarea tranzistorului se aplică tensiunea u G = UG sin t,
punctul de funcţionare se va deplasa pe dreapta de sarcină între punctele N şi P.
Segmentul de dreaptă determinat de N şi P se numeşte caracteristică dinamică.
Mărimea acestui segment depinde de amplitudinea semnalului aplicat la intrare.
De asemenea, se observă că, nu numai curentul este amplificat de către
tranzistorul în conexiunea emitor comun, ci si tensiunea: în timp ce tensiunea de intrare
ia valori de ordinul milivolţilor, tensiunea de ieşire ia valori de ordinul volţilor.
În concluzie, tranzistorul în conexiune emitor comun amplifică în curent,
amplifică în tensiune, iar tensiunea de ieşire este defazată cu 180º faţă de
tensiunea de intrare.
Observaţie: Analiza grafică a funcţionării tranzistorului în c.a. este utilă
pentru a determina limitările majore legate de intrarea tranzistorului în blocare (limitare
"jos") sau în saturaţie (limitare"sus").
ANALIZA ALGEBRICĂ A FUNCŢIONĂRII TRANZISTORULUI ÎN C.A.
După cum s-a arătat în paragraful anterior, analiza funcţionării tranzistorului în

regim dinamic se poate face şi prin metode algebrice, adică înlocuind dispozitivul cu un
circuit echivalent şi aplicând legile lui Kirchhoff.
Alegerea mărimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului în c.a. se
poate face în diferite moduri. Criteriul este următorul: se consideră tranzistorul ca un
diport sau, cu alte cuvinte, cuadripol, (un bloc care are două borne de intrare şi două
borne de ieşire- figura 3.4). Deoarece tranzistorul are numai trei borne, una dintre ele
trebuie să fie comună intrării şi ieşirii (indicată prin linia punctată din figură).
ii i0 Figura 3.4.
Tranzistor ca Observaţie: Din motive de
ui un cuadripol u0 simetrie, sensul pozitiv al
semnalelor este cel precizat în
figură.
Două dintre cele patru mărimi electrice care definesc cuadripolul pot fi scrise în funcţie
de celelalte două (prin aplicarea legilor lui Kirchhoff). Această dependenţă apare ca un
sistem de două ecuaţii de gradul I care conţin patru coeficienţi. Proprietăţile
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 86
tranzistorului, considerat ca un cuadripol, sunt caracterizate de aceşti patru coeficienţi.

Aceşti coeficienţi se numesc parametri de cuadripol ai tranzistorului.
Observaţie: Deoarece relaţiile liniare se pot aplica numai atunci când la intrarea
tranzistorului se aplică semnale mici (de ordinul mV), aceşti parametri se numesc şi
parametri de semnal mic.
Există şase posibilităţi distincte de a alege cele două mărimi, în funcţie de care
se calculează celelalte două, dar nu toate prezintă interes. Astfel, se pot calcula
tensiunile în funcţie de curenţi, curenţii în funcţie de tensiuni, sau variante combinate.
Pe baza relaţiilor ce se pot scrie între tensiuni şi curenţi se determină circuitul
echivalent al tranzistorului în c.a.
Importanţa definirii acestor parametri constă în faptul că aceştia pot fi
determinaţi prin măsurători directe, la bornele tranzistorului, după cum se va vedea
în continuare.
În domeniul frecvenţelor joase, la semnale mici, cel mai utilizat set de parametri
este cel cunoscut sub numele de parametrii hibrizi (notaţi cu „h”)
În cazul utilizării acestor parametrii, se consideră ca variabile independente
curentul de intrare, ii şi tensiunea de ieşire , u 0. În funcţie de acestea se calculează
celelalte două mărimi, respectiv tensiunea de intrare, ui, şi curentul de ieşire, i0.
În această situaţie se poate scrie următorul sistem de ecuaţii:
ui = h11 ii + h12 u0
i0 = h21 ii + h22 u0
Parametrii "h" se deduc astfel:
ui
- impedanţa de intrare, cu ieşirea în scurtcircuit;
h11 = ii u  0
0
ui
h12 = u0 i  0
i - factor de transfer (de reacţie) în tensiune invers,
i0
h21 = ii u  0 cu intrarea în gol;
0 Arată influenţa tensiunii de ieşire asupra tensiunii de
i0 intrare.
h22 = u0 i  0
i
- factor de transfer (de amplificare) în curent, cu ieşirea în
scurtcircuit;
- admitanţa de ieşire, cu intrarea în gol;
Observaţii:
1. Se observă că parametri nu au aceiaşi semnificaţie fizică, de unde le vine şi
denumirea de " parametri hibrizi".
2. O altă particularitate a acestor parametrii este aceea că ei nu sunt definiţi în aceleaşi
condiţii (de scurtcircuit sau de gol).
3. Având natură diferită, ei vor avea şi unităţi de măsură diferite. Astfel:
h11 - impedanţa de intrare, se măsoară în ohmi;
h12 - fiind un raport de două tensiuni, nu are unitate de măsură (este
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 87
adimensional);
h21 - fiind un raport de doi curenţi, nu are unitate de măsură (este
adimensional);
h22 - admitanţa de ieşire, se măsoară în ohm-1 (sau mho, sau Siemens).
1
Mărimea h reprezintă impedanţa de ieşire , cu intrarea în gol (se măsoară în
22
ohmi).
5. Valoarea parametrilor hibrizi se modifică în funcţie de PSF şi de temperatură.
6. Valorile parametrilor hibrizi diferă în funcţie de conexiunea tranzistorului. Pentru a

evidenţia acest lucru, când este cazul, se mai specifică un indice suplimentar:
- h11e, h12e, h21e, h22e - pentru conexiune EC;
- h11b, h12b, h21b, h22b - pentru conexiune BC;
- h11c, h12c, h21c, h22c - pentru conexiune CC.
În tabelul de mai jos sunt prezentate valorile tipice ale acestor parametri, pentru
EC şi pentru BC. Examinând acest tabel, se pot face următoarele observaţii:
1. Valorile impedanţelor de intrare în cele două conexiuni diferă foarte mult, deoarece,
la aplicarea aceloraşi tensiuni de intrare, U BE, curentul de intrare, în conexiune EC este
IB (de ordinul microamperilor), iar în conexiune BC este I C (de ordinul miliamperilor).
2. La frecvenţe joase, h12 este foarte mic şi, de obicei, se neglijează.
3. Impedanţa de ieşire este mai mare în BC faţă de EC.
Conexiunea EC BC
Parametrul
h11 1100  22 
h12 2,5 . 10-4 2,9 . 10-4
h21 49 0,98
h22 25 . 10-6-1 0,5 . 10-6-1
1 40k 2M
h22
Factorii de amplificare în curent alternativ, h21, au valori absolute destul de

apropiate de valorile factorilor de amplificare în curent continuu corespunzători:
h21e  
h21b  
CIRCUITUL ECHIVALENT CU PARAMETRII HIBRIZI PENTRU TRANZISTOR
Pentru a obţine circuitul echivalent al tranzistorului, cu parametrii hibrizi, se

observă că prima ecuaţie este o relaţie între tensiuni, adică reprezintă teorema a doua a
lui Kirchhoff aplicată pe ochiul de intrare, iar cea de a doua este o relaţie între curenţi,
adică este prima teoremă a lui Kirchhoff aplicată în nodul de ieşire. Cu alte cuvinte,
cele două relaţii definesc, de fapt, un circuit echivalent cu parametrii hibrizi.
Modelarea cu parametrii hibrizi se aplică tranzistorului în orice conexiune. În
figura ce urmează este prezentat circuitul echivalent pentru conexiunea EC, deoarece
aceasta este cel mai des întâlnită.
i0 ii h11 i0
Profilulii TEHNIC
Nivelul 3 1 88
u ui ~ h i i u0
ui 0 h u
12 0
21 h 22
a)Tranzistorul ca un cuadripol b)Circuitul echivalent cu parametrii hibrizi

Figura 3.5
Observaţie:
Circuitul echivalent prezentat este valabil numai pentru:
 semnale mici, când sunt adevărate relaţiile liniare între tensiuni şi curenţi;
 frecvenţe joase, când se pot neglija capacităţile aferente joncţiunilor tranzistorului; în
această situaţie impedanţa de intrare şi cea de ieşire sunt rezistenţe pure;
 la frecvenţe ceva mai înalte (zeci de kHz) trebuie adăugate circuitului şi capacităţile
tranzistorului.
În afara acestor circuite echivalente mai există si modelarea tranzistorului cu

circuitul echivalent natural (tip Giacoletto), care se construieşte pe baza proceselor
fizice care au loc în tranzistor.
COMPORTAREA TRANZISTORULUI ÎN FUNCŢIE DE FECVENŢĂ
După cum s-a arătat în paragraful anterior, pe măsură ce creşte frecvenţa

semnalului sinusoidal aplicat la intrarea tranzistorului, încep să se facă simţite din ce în
ce mai puternic capacităţile joncţiunilor .
Aceasta are ca efect diminuarea proprietăţii de amplificare a tranzistorului.
Deoarece, în funcţie de conexiunea tranzistorului, poziţia fizică, în circuit, a capacităţilor
diferă, şi influenţa acestora asupra amplificării diferă în funcţie de conexiunea în care
este montat tranzistorul.
Astfel, se constată că influenţa frecvenţei asupra amplificării este mai
puternică în conexiune emitor comun, în sensul că scăderea amplificării devine
importantă începând de la frecvenţa mai joase decât în conexiunea bază comună.
Se defineşte ca "frecvenţă limită", sau "frecvenţă de tăiere", în conexiunea
emitor comun, frecvenţa f la care factorul de amplificare în curent în conexiune emitor
1
comun, , scade la =0,707 din valoarea constantă pe care o avea la frecvenţe
2
joase.
De asemenea, se defineşte ca "frecvenţă limită", sau "frecvenţă de tăiere", în
conexiunea bază comună, frecvenţa f  la care factorul de amplificare în curent în
1
conexiune emitor comun, , scade la =0,707 din valoarea constantă pe care o
2
avea la frecvenţe joase.
Frecvenţele f şi f reprezintă două dintre frecvenţele caracteristice ale
tranzistoarelor şi arată că fiecare tranzistor poate amplifica semnale într-o bandă
limitată de frecvenţe.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 89
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP
Tranzistorul cu efect de câmp, TEC (cunoscute şi sub numele de FET – Field Effect
Transistor, în limba engleză), este un dispozitiv semiconductor foarte utilizat în
echipamentele electronice moderne.
El constă, în principal, dintr-un canal semiconductor, prin care trece curentul, a
cărui rezistenţă este determinată de un câmp electric, care controlează astfel valoarea
curentului prin dispozitiv.
La conducţia curentului electric participă numai purtătorii de sarcină majoritari, de
aceea, tranzistorul cu efect de câmp este un tranzistor unipolar.
MĂRIMI ELECTRICE CARACTERISTICE
Mărimile electrice care caracterizează tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiuni sunt:

 uDS - tensiunea drenă - sursă : determină valoarea intensităţii curentului prin
dispozitiv, până ce acesta ajunge în saturaţie.
 uGS - tensiunea poartă - sursă: permite controlul valorii intensităţii curentului prin
dispozitiv.
 iD - curentul de drenă : curentul prin dispozitiv.
 iG - curentul de poartă : este un curent invers foarte mic (de ordinul nA) şi se
poate considera zero (iG  0).
 iS - curentul de sursă : iS  iD(iG  0).
 Ri - rezistenţa de intrare : foarte mare.
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP CU JONCŢIUNI - TEC-J
Caracteristici statice de funcţionare

a) Caracteristica de ieşire: iD=iD(uDS) pentru
UGS=constant este ilustrată în figura alăturată
Pe această caracteristică se definesc
regimurile de funcţionate ale TEC-J:
 Pentru tensiuni uDS foarte mici (sub 0,1V),
caracteristicile se pot considera liniare.
Tranzistorul se poate folosi ca o rezistenţă
controlată în tensiune (prin uGS) .
 Pentru tensiuni uDS mai mari distingem o zonă
neliniară.
 Pentru tensiuni uDS mai mari decât UDSsat ajungem în zona de saturaţie. În această
zonă dispozitivul este folosit ca amplificator.
 Pentru tensiuni uDS foarte mari apare o creştere abruptă a curentului prin tranzistor,
datorită străpungerii prin multiplicare în avalanşă a joncţiunii poartă-canal
b) Caracteristica de transfer: iD=ID(uGS) pentru UGS=constant este ilustrată în figura
4.2.
La o tensiune de drenă constantă, atunci când tensiunea de poartă este zero,
curentul este maxim, IDSS. Valoarea acestui maxim este cu atât mai mare cu cât
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 90
tensiunea de drenă este mai mare. La creşterea tensiunii de poartă, datorită polarizării
inverse puternice, regiunile de trecere se extind şi curentul scade până la zero, atunci
când regiunile de trecere se ating.
Acest lucru se întâmplă la UGS = UT.
Dispozitivul este folosit ca
amplificator în zona uDS  uDSsat.
Aici iD = iDsat, indiferent de uDS.
Pentru calcule de circuit se
foloseşte aproximaţia parabolică:
UGS2
iD = iDsat = IDSS( 1- )
UT
TEC-J în regim dinamic
Comportarea tranzistorului cu efect de câmp la frecvenţe joase şi la semnal mic

se poate studia pe baza circuitului echivalent dedus prin liniarizarea caracteristicilor în
jurul punctului static de funcţionare.
Definirea parametrilor circuitului echivalent se iDD
G
face plecând de la :
gmuGS
iD = iD(uGS, uDS) şi se obţine circuitul uGS r uDS
prezentat în figura 4.3. d
Valorile uzuale pentru gm şi rd sunt S S

de ordinul 0,1-10mA/V şi respectiv 0,1 – 1M. D
Figura 4.3
TRANZISTOARE MOS
Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducţia

curentului electric la suprafaţa semiconductorului. Proprietăţile conductive ale
suprafeţei semiconductorului sunt controlate de un câmp electric aplicat printr-un
electrod izolat de semiconductor numit poartă.
Caracteristici statice de funcţionare
Caracteristica de ieşire: iD=iD(uDS) pentru UGS= constant este ilustrată în

figura 4.4
Dispozitivul este folosit ca amplificator în zona uDS  UDSsat. Aici iD = iDsat, indiferent
de uDS.
Caracteristica de transfer: iD=ID(uGS) pentru UGS=constant este ilustrată în
figura 4.5.
Comparaţie între TEC-J şi TEC-MOS
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 91
TEC-J TEC-MOS
Curentul circulă în volumul semiconductorului Curentul circulă la suprafaţa semiconductorului
Curentul de drenă scade la creşterea tensiunii Curentul de drenă creşte la creşterea tensiunii
de poartă, la tensiune de drenă constantă. de poartă, la tensiune de drenă constantă.
Este comandat în tensiune Este comandat în tensiune
Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA
(practic se consideră egal cu zero). (practic se consideră egal cu zero).
Rezistenţa de intrare foarte mare (joncţiune Rezistenţa de intrare foarte mare (joncţiune
polarizată invers) polarizată invers)
Nu amplifică în curent, ci numai în tensiune Nu amplifică în curent, ci numai în tensiune
Amplificarea în tensiune este mai mică decât la Amplificarea în tensiune este mai mică decât la
tranzistoarle bipolare. tranzistoarle bipolare.
Tranzistoarele TEC - MOS sunt mult mai fragile
decât TEC -J de aceea sunt necesare precauţii la
utilizare.
Comparaţie între tranzistorul cu efect de câmp şi tranzistorul bipolar
Tranzistor cu efect de câmp Tranzistorul bipolar

Controlul curentului care circulă prin dispozitiv Controlul valorii curentului prin dispozitiv se
se face prin modificarea conductanţei canalului realizează pe baza unor fenomene de injecţie şi
cu ajutorul unui câmp electric creat de o transport de purtători de sarcină majoritari
tensiune care se aplică pe poartă. (emitorul injectează purtători de sarcină în
bază, care sunt transportate prin difuzie până în
colector).
La conducţia curentului electric participă numai La conducţia curentului electric participă şi
purtătorii majoritari (tranzistoare unipolare). purtătorii majoritari şi purtătorii minoritari
(tranzistoare bipolare).
Este comandat în tensiune Este comandat în curent
Curentul de intrare foarte mic, de ordinul nA De obicei, curentul de intrare este curentul de
(practic se consideră egal cu zero). bază (A).
Rezistenţa de intrare foarte mare (joncţiune Valoarea rezistenţei de intrare depinde de
polarizată invers) conexiune
Nu amplifică în curent, ci numai în tensiune Amplifică şi în curent şi în tensiune
Amplificarea în tensiune este mai mică
Dependenţa de temperatură a parametrilor Purtătorii de sarcină minoritari, creaţi pe cale
tranzistorului TEC este mai redusă deoarece termică intervin în conducţie.
nu intervin purtătorii de sarcină minoritari. Există pericolul ambalării termice.
Pericolul de ambalare termică este mult redus. Necesită circuite se stabilizare a PSF în raport
cu variaţiile de temperatură.
Nu există tensiune de decalaj Există tensiune de decalaj.
Sunt mai simplu de fabricat şi mai uşor de
folosit în circuitele integrate.
Circuitele care folosesc TEC-uri sunt mai
simplu de proiectat, folosind mai puţine
componente.
Zgomot mai redus
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 92
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE
Definiţie
Un amplificator cu reacţie este un amplificator la care o parte din semnalul de

ieşire este aplicat la intrarea acestuia.
Fie amplificatorul din figura de mai jos, cu amplificarea A.
X1 X2 X2
A= X1
Figura 5.1
Amplificatorul cu reacţie are următoarea configuraţie:
Xg X1 X2 X2  se numeşte factor de transfer al reţelei de

 A= reacţie.
X1
Xr Se observă că:
Reţea de reacţie X1 = Xg Xr  Xg = X1 - Xr
X2
Xr
=
X2 Figura 5.2
Amplificarea amplificatorului cu reacţie va fi:
X2
X X2 X1 A A A
Ar  2     
X g X1  X r X X X X X 1  A
1 r 1 2 r 1 r 2
X1 X1 X 2 X 2 X1
Tipuri de reacţie
a) După mărimea amplificării cu reacţie:

a ) |Ar|  |A|  |1 -  A|  1  REACŢIE NEGATIVĂ
b ) |Ar|  |A|  |1 -  A|  1  REACŢIE POZITIVĂ
c ) |Ar| = |A|  |1 -  A| = 1  Nu există reacţie
d ) |Ar|    |1 -  A| = 0  OSCILAŢIE ( se obţine semnal la ieşirea
amplificatorului fără să se aplice semnal la
intrare)
b) După topologia reţelei de reacţie
Semnalul de reacţie, Xr, care se compară cu semnalul dat de generator, Xg, este
proporţional cu semnalul de ieşire, X2. Semnalul de ieşire poate fi curent sau tensiune.
Semnalele care sunt asociate comparatorului de la intrare (Xg, Xr, X1) pot fi, independent
de X2, fie curenţi, fie tensiuni. Există în total 4 posibilităţi, care vor fi analizate în
continuare (figura 5.3 a,b,c,d).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 93
a) Comparare Eşantionare
Reţeaua de reacţie ia un eşantion al
tensiunii de ieşire şi îl comparã cu
tensiunea dată de generatorul de semnal.
~ Ug U1
Amplificator de
U2 Z Acest tip de reacţie se numeşte
tensiune S
 cu eşantionare în nod şi comparare
pe buclă,
 sau reacţie de tensiune serie
Ur
Reţea de  sau reacţie serie -paralel.
reacţie
b) Acest tip de reacţie se numeşte

Comparare Eşantionare
Ig I
1  cu eşantionare în nod şi
Amplificator
U2
comparare pe nod
Z
S  sau reacţie de tensiune paralel
 sau reacţie paralel-paralel.
Ir
Reţea de
reacţie
c) Comparare Eşantionare
Ig Reţeaua de reacţie ia un eşantion al
I1 Amplificator I2 curentului de ieşire şi îl comparã cu
ZS curentul dat de generatorul de semnal.
Acest tip de reacţie se numeşte
 cu eşantionare pe buclă
Ir I şi comparare în nod,
2
Reţea de  sau reacţie de curent paralel
reacţie  sau reacţie paralel- serie.
d)
Comparare I2 Eşantionare
Acest tip de reacţie se numeşte
~ Ug U1 Amplificator de
tensiune ZS  cu eşantionare pe buclă
şi comparare pe buclă,
 sau reacţie de curent- serie
 sau reacţie serie - serie.
I2
Reţea de
Ur reacţie
Figura 5.3
Exemple de amplificatoare cu reacţie

Profilul TEHNIC
Nivelul 3 94
a)Amplificator cu reacţie de curent, tip serie- serie:
+Ec
În figura 5.4 este prezentat un
R1 Rc exemplu tipic de amplificator cu
CS reacţie.
CB
RG RS
R2 RE
~ Ug Figura 5.4
În figura 5.5 este prezentată

i0 schema de c.a.
Presupunând Rc  RS 
Rc || RS  RS şi i0  IC  iE.
RG ug RB ui Rc RS u0 Ca urmare reacţia constã în
aplicarea pe bucla de intrare cu
ug ~ curentul de ieşire. Se constată
prezenţa unei reacţii de curent
serie (de tip serie - serie).
ur
RE
Figura 5.5
Reţea de reacţie
b) Amplificator cu reacţie de tensiune, tip paralel- paralel:

+Ec În figura 5.6, alăturată, este prezentat un
alt exemplu tipic de amplificator cu reacţie.
R1 Rc
R CS
CB
RG RS
ug ~
Figura 5.6
În figura 5.7 este prezentatã schema de c.a.

Presupunând Rc  RS Rc || RS  RS.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 95
i0
ii Se observă reacţia cu eşantionare
în nod şi comparare pe nod, deci
RG ui Rc|| RS u0 o reacţie de tensiune paralel, sau
de tip paralel- paralel (tensiunea
de reacţie se culege în paralel la
ug ~
ieşire şi, prin circuitul de reacţie, se
R aplică, în paralel, la intrare).
Figura5.7
Reţeaua de reacţie
Influenţa reacţiei asupra amplificatorului
a)Influenţa reacţiei asupra amplificării
Din relaţia care defineşte amplificarea cu reacţie se observă că:

 reacţia negativă scade amplificarea;
 reacţia pozitivă creşte amplificarea.
b)Influenţa reacţiei asupra stabilităţii amplificatorului
Să presupunem că dintr-un motiv oarecare s-a produs o variaţie A A a

amplificatorului fără reacţie, care a devenit A A. Amplificarea cu reacţie va fi:
A  A
A r  A r 
1   A   A 
A  A A  A A
A r   Ar  
1   A   A  1   A   A  1  A
 Ar
Se defineşte stabilitatea amplificatorului prin relaţi a:
Ar
Calculând stabilitatea amplificatorului cu reacţie, şi ţinând cont că A A, se obţine:
 Ar 1 A

Ar 1  A A
 Ar A
În cazul reacţiei negative, 1  A
Ar
‹ 1, de unde , deci
A
stabilitatea amplificatorului cu reacţie negativă se îmbunătăţeşte.
c)Influenţa asupra benzii de frecvenţă a amplificatorului
Se demonstrează că în cazul amplificatorului cu reacţie negativă banda de frecvenţă

se lărgeşte, după cum se poate observa în figura 5.8:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 96
1
A fãrã reacţie fj r = f j  fj
1- A
cu reacţie negativã
fsr =(1- A) fs  fs
fj r fj fs fsr
Figura 5.8
d)Influenţa asupra impedanţelor de intrare şi de ieşire
Impedanţele de intrare şi respectiv de ieşire ale amplificatoarelor cu reacţie se

modifică faţă de cele ale amplificatorului de bază. Şi în acest caz, reacţia negativă are
efecte favorabile, deoarece produce modificări într-un asemenea sens încât
amplificatorul tinde să se transforme în unul ideal. Examinarea acestui aspect se poate
face pentru cazul concret al fiecărui tip de amplificator cu reacţie.
Astfel, de exemplu, pentru un amplificator de tensiune cu reacţie serie, se
demonstrează că impedanţa de intrare creşte, proporţional cu (1- A):
Zir  Z i 1  A 
Impedanţa de ieşire scade în mod corespunzător:
1
Z 0r  Z 0
1  A
Prin creşterea impedanţei de intrare şi scăderea impedanţei de ieşire ca urmare
a aplicării reacţiei negative, amplificatorul devine un amplificator de tensiune mai bun.
Observaţie: În cazul folosirii unei reacţii negative puternice, 1   A1    1 ,

r adică
amplificarea cu reacţie devine independentă de amplificatorul de bază, depinzând

numai de reţeua de reacţie. Acest fapt conferă amplificatorului cu reacţie o stabilitate
sporită.
Concluzie :
Reacţia negativă îmbunătăţeşte performanţele amplificatoarelor din multe

puncte de vedere, tinzând să le transforme în amplificatoare ideale. Aceasta face
ca utilizarea reacţiei negative să fie aproape nelipsită din amplificatoarele electronice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 97
OSCILATORUL ARMONIC
Oscilatorul armonic este un circuit electronic care generează un semnal de formă

sinusoidală.
Circuit cu
dispozitive u(t)= U sint
electronice RS
active
Oscilatorul cedează sarcinii putere de curent alternativ. Sursa primară a puterii de

curent alternative, cedată sarcinii este sursa de curent continuu care alimentează
oscilatorul. Circuitul trebuie să conţină dispozitive electronice active, capabile să
transforme puterea de curent continuu în putere de curent alternativ.
Oscilatorul armonic se poate obţine dintr-un amplificator căruia i se aplică o reţea de

reacţie pozitivă.
Xg X1 Amplificator X2 X2 = A X1
+ ideal Xr = β X2
A=X2/X1 X1 = Xg  Xr
Xr
Reţea de Amplificarea cu reacţie este :
reacţie pozitivă X2 A
β=Xr/X2 Ar  
X g 1  A
Condiţia de oscilaţie : Circuitul de mai sus devine un oscilator, dacă îndepărtând

semnalul de excitaţie (Xg =0) obţinem totuşi un semnal la ieşire (X2 =finit,  0 )
X2
Ar     1   A  0   A  1 Relaţia lui BARKHAUSEN (condiţia de oscilaţie)
Xg
În general, deoarece circuitul conţine elemente reactive,
A  A exp j A , j  1
   exp j 
În aceste condiţii, relaţia lui Barkhausen este echivalentă cu două condiţii reale:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 98
 A  .   Condiţia de amplitudine
 A   = 0, 2 , 4.... Condiţia de fază
 Semnalul sinusoidal este unicul semnal care îşi reproduce forma după ce parcurge
un circuit liniar cu elemente reactive. Acesta este şi motivul pentru care circuitul
generează un semnal sinusoidal şi nu de altă formă.
 Frecvenţa de oscilaţie. În multe situaţii practice se poate presupune că A este un

număr real. Atunci A = 0 sau , după caz. Condiţia de fază devine:  A    ()= 0,
2 .... şi determină frecvenţa de oscilaţie. În acest caz reţeaua de reacţie pozitivă
este cea care determină frecvenţa de oscilaţie.
OSCILATOR CU REŢEA WIEN ŞI AMPLIFICATOR DE TENSIUNE
În figura de mai jos este prezentată schema bloc a unui oscilator format dintr-un
amplificator ideal de tensiune şi o reţea de reacţie Wien.
Funcţia de transfer în tensiune a reţelei

Wien lucrând în gol este:
U1 1
F W  j   
U2R C  1 
1  1  2  j  R1C 2  
R2 C1  R2 C1 
Condiţia Barkausen este:
AU F W  j   1
Dacă AU =AU = real, atunci şi FW(j)=real. De aici rezultă frecvenţa de oscilaţie:

1
f osc 
2 R1 R2 C1C 2
Iar amplificarea necesară pentru susţinerea oscilaţiilor este:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 99
1 R C
AU   1 1  2
F W  j osc  R2 C1
În figura de mai jos este prezentat un oscilator cu reţea Wien şi amplificator operaţional.
r2
r1
-
+ U2
R1 C1
U1
R2 C2
Aici există două bucle de reacţie:

-o reacţie pozitivă, selectivă, dependentă de frecvenţă, prin reţeaua Wien
-o reacţie negativă, neselectivă, prin atenuatorul (divizorul) format din
rezistenţele r1 şi r2.
Amplificatorul operaţional împreună cu reţeaua de reacţie negativă formează un
amplificator ideal de tensiune, a cărui amplificare este AU.
U r r r
AU   2  1 2  1  2  real
U1 r1 r1
În cazul R1=R2=R, C1=C2=C, pentru a obţine AU= 3, trebuie ca r2=2r1.
1
Frecvenţa de oscilaţie este: f osc  .
2RC
Cele două bucle de reacţie formează o punte Wien, aşa cum devine clar prin
redesenarea schemei de mai sus. Intrarea amplificatorului este conectată în diagonala
orizontală a punţii, iar ieşirea amplificatorului în diagonala verticală.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 100
C1
R1 r2
+
R2 -
Uo
C2 r1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 101
STABILIZATOARE ELECTRONICE CU REACŢIE
Stabilizatorul este un circuit electronic care se conectează între sursa de semnal

nestabilizată şi consumator şi care, ideal, asigură la ieşire un semnal independent de
tensiunea de intrare, de curentul de sarcină (rezistenţa de sarcină) şi de temperatură.
Sursa de semnal care conţine şi stabilizator se numeşte sursă stabilizată.
Stabilizatoarele electronice sunt acele stabilizatoare care conţin elemente active

(tranzistoare, amplificatoare operaţionale), la care elementul de reglaj este comandat de
un semnal de eroare. Acest semnal se obţine prin compararea tensiunii de ieşire cu o
tensiune fixă, numită tensiune de referinţă.
În stabilizatoarele electronice cu reacţie efectul de stabilizare a tensiunii de ieşire
este realizat printr-o reacţie negativă, după cum se poate observa în figura 8.1 a şi b.
Tensiunea de ieşire este eşantionată în circuitul de eşantionare (E) şi apoi comparată
în circuitul de comparare (C) cu tensiunea de referinţă dată de sursa de referinţă (R).
Semnalul de eroare produs este aplicat elementului regulator (ER). În urma comparării
se obţine o tensiune numită tensiune de reglaj, care comandă modificarea valorii
rezistenţei echivalente a elementului de reglaj. În felul acesta elementul de reglaj preia
variaţiile tensiunii de intrare în vederea obţinerii unei tensiuni de ieşire constantă. În
funcţie de poziţia elementului de reglaj în circuit se deosebesc două tehnici de reglare:
 reglare serie (figura 8.1.a), în care elementul de reglaj este în serie cu rezistenţa de
sarcină;
 reglare paralel sau derivaţie (fig 8.1.b), în care elementul de reglaj este în paralel cu
rezistenţa de sarcină.
ER
Ui C E Uo Rs Ui ER C E Uo Rs
R R
a Figura 8.1 b
Observaţie: Dacă tensiunea de eroare nu are amplitudinea suficientă pentru a comanda

elementul de reglaj, se utilizează un amplificator de eroare.
Stabilizator de tensiune serie, cu reacţie, fără amplificator de eroare
Schema cea mai simplă a unui stabilizator serie, cu reacţie este cea din figura 8.2:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 102
T Io Io
i
R UBE
IB Uo Rs
Ui
DZ Uz
Figura 8.2
In această schemă elementul regulator este tranzistorul T. Tensiunea de referinţă este

asigurată de dioda stabilizatoare DZ. Întreaga tensiune de ieşire este comparată cu
tensiunea de referinţă , Uz, direct pe baza tranzistorului regulator:
Scriind legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de ieşire, se obţine:
U0= Uz - UBE
Dacă tensiunea de ieşire creşte, dintr-o cauză oarecare, concomitent scade U BE.
Acest fapt va determina scăderea curentului de colector şi, implicit, a celui de emitor şi
deci şi a curentului de ieşire, I0, ceea ce va duce la scăderea tensiunii de ieşire la
valoare iniţială.
În cazul în care tensiunea de ieşire are o tendinţă de scădere, se produce
creşterea tensiunii UBE, şi în consecinţă creşterea curentului de colector, a curentului de
emitor şi deci a curentului de ieşire, ceea ce va determina creşterea tensiunii de ieşire.
Observaţii:
1.Tranzistorul T lucrează în conexiunea colector comun (sarcina este în emitor). Cum
potenţialul bazei este UB = Uz  constant, la ieşire, în emitor, se va regăsi acest
potenţial aproximativ constant. Din acest motiv montajul se mai numeşte şi stabilizator
repetor pe emitor.
2.Tensiunea la ieşirea stabilizatorului este chiar tensiunea pe diodă: U 0 =Uz şi, ca
urmare, este de dorit să alimentăm dioda la un curent constant în plaja de stabilizare
(Izm ÷ IzM,). Aceste cerinţe sunt îndeplinite printr-o dimensionare corectă a rezistenţei R.
3.Dioda stabilizatoare lucrează în condiţii mai uşoare decât în cazul stabilizatorului
parametric, preluând numai variaţiile curentului de bază al tranzistorului T, variaţiile
curentului de ieşire fiind preluate de curentul de colector.
4.Tranzistorul T lucrează ca o rezistenţă variabilă între colector şi emitor, preluând astfel
variaţiile de tensiune.
5.Tranzistorul T este, de obicei un tranzistor de putere.
Stabilizator de tensiune serie, cu reacţie, cu amplificator de eroare
Stabilizarea schemei prezentate mai sus se asigură prin modificarea curentului

tranzistorului T, comandat direct prin variaţia tensiunii de ieşire. Eficacitatea acestei
comenzi poate fi sporită dacă se amplifică semnalul de eroare înainte de a-l aplica
elementului de reglaj.
În figura 8.3 este prezentată cea mai simplă schemă de principiu a unui
stabilizator de tensiune serie, cu reacţie, cu amplificator de eroare.
Funcţionarea schemei este simplă. Diferenţa dintre o fracţiune a tensiunii de
ieşire şi tensiunea de referinţă U z, constituie semnalul de eroare, amplificat de etajul
T1 :
uBE = kU0 - Uz , de unde rezultă tensiunea stabilizată:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 103
Ui
Figura 8.3
U z  U BE   U R1  R2
U0  z  U BE 
k R2
Curentul de ieşire al amplificatorului T 1 comandă curentul de colector al
tranzistorului T şi, implicit, rezistenţa lui echivalentă în curent continuu (între colector şi
emitor). Variaţiile căderii de tensiune pe această rezistenţă echivalentă compensează
variaţiile iniţiale ale tensiunii de intrare, menţinând practic constantă tensiunea de ieşire.
Orice tendinţă de creştere a tensiunii de ieşire U 0, se traduce printr-o creştere
concomitentă a tensiunii de eroare aplicată pe baza tranzistorului T 1, respectiv
creşterea curentului de colector a acestui tranzistor, creştere ce are loc în detrimentul
curentului de bază al tranzistorului T; aceasta va avea drept consecinţă revenirea
tensiunii de ieşire la valoarea iniţială.
Observaţii:
1. Rezistenţa R asigură curentul de polarizare a colectorului tranzistorului T 1 şi a bazei
lui T. Ea asigură I= I B  IC1 = const. ( este preferabil să se utilizeze un generator de
curent constant).
2. Tranzistorul T1 trebuie să fie un tranzistor cu  mare (eventual un montaj Darlington).
3. Dioda Zener, care furnizează tensiunea de referinţă, fiind conectată în emitorul lui T 1,
va suporta variaţii mari de curent. Pentru a evita ca DZ să iasă din zona de stabilizare
ea se polarizează separat prin R3.
4. Pentru a micşora variaţiile de curent prin DZ, baza lui T 1 se polarizează printr-un
divizor de tensiune (R1, R2).
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 104
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE
Definiţie
Amplificatorul operaţional este un amplificator de c.c. (cu cuplaj direct),

care îndeplineşte nişte performanţe deosebite: amplificare, bandă de frecvenţă şi
impedanţă de intrare foarte mari, decalaj, derivă şi impedanţă de ieşire foarte
mici.
Din punct de vedere constructiv, AO au o structură complexă, fiind realizate sub
formă de circuite integrate monolitice, prevăzute cu borne pentru alimentare, intrări,
ieşiri, reacţii etc.
În mod normal, AO se folosesc cu reţele de reacţie, care, printr-o structurare

adecvată, le permit să realizeze operaţii matematice (adunare, scădere, integrare,
diferenţiere etc) sau să fie utilizate într-o gamă extrem de largă de aplicaţii.
Structura internă a amplificatorului

operaţional
Majoritatea AO sunt amplificatoare diferenţiale, adică oferă la ieşire diferenţa a

două tensiuni de intrare (notate u+ , respectiv u- ), amplificată, astfel:
U0 = A0 (u+- u-), unde A0 (notată uneori şi Ad) reprezintă amplificarea diferenţială.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 105
Amplificarea diferenţială (fără reacţie, sau în buclă deschisă), A 0 (sau Ad ), este

foarte mare, de ordinul zecilor sau sutelor de mii.
Datorită performanţelor sale, AO poate fi considerat un amplificator ideal de
tensiune.
Simbol
Simbolul utilizat pentru AO este prezentat în figura de mai jos:

Ec

u   -
Uo = A0 ( u - u )
u-
-
-Ec
Borna notată cu ² ² se numeşte intrare neinversoare.

Borna notată cu ²- ² se numeşte intrare inversoare.
Aplicând un semnal pe borna inversoare, se obţine la ieşire un semnal în opoziţie

de fază cu cel de la intrare.
Dacă semnalul este aplicat pe intrare neinversoare, la ieşire se obţine un semnal
în fază cu cel de la intrare.
După cum se aplică semnalul de intrare, pe una sau pe cealaltă dintre intrări,
amplificatorul se numeşte inversor sau neinversor.
Parametrii electrici
1 Amplificarea în buclă deschisă (fără reţea de reacţie externă), A0, este foarte
mare, putând fi considerată infinită.
Aceasta face ca diferenţa de potenţial între cele două borne de intrare să fie
practic nulă:
u+  u- sau se poate spune că cele două intrări sunt în scurtcircuit virtual.
2 Impedanţa de intrare, Zi, este foarte mare, putând fi considerată infinită.
Aceasta face ca să putem considera curentul absorbit de amplificator practic
nul: Ii  0.
3 Impedanţa de ieşire, Zo este foarte mică, putând fi considerată egală cu zero.
Aceasta face ca tensiunea de decalaj de intrare să poată fi considerată nulă.
u+ = u-  U0 = 0.
Utilizările A.O. circuite specifice
AO constituie principala clasă de circuite integrate liniare. Ele sunt destinate

lucrului în buclă de reacţie, în care funcţiile de transfer sunt univoc determinate de
proprietăţile reţelelor de reacţie.
Prin aplicarea reacţiei amplificatorului operaţional, se obţin configuraţii de circuit
cu noi proprietăţi:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 106
 În cazul aplicării reacţiei negative se obţin: micşorarea amplificării, mărirea stabilităţii

etajului, se lărgeşte banda de frecvenţă, creşte viteza de lucru, scade nivelul
zgomotelor şi al distorsiunilor neliniare.
 Prin aplicarea reacţiei pozitive se obţin noi proprietăţi reactive şi regenerative
(capacităţi, inductanţe, oscilatoare).
Prin realizarea combinată a unor reacţii pozitive şi negative se obţin circuite de
filtrare a semnalelor, stabilizatoare de tensiune, convertoare D-A etc.
În cele ce urmează se vor prezenta principalele configuraţii ale AO.
A.O. inversor
Schema de principiu :
Ir
R2
I1 Ii
u-
-
R1 Ao
Ui

u Uo
Aplicând prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de intrare, se obţine:

I1 Ir = Ii .
Din proprietăţile AO: Zi   Ii = 0 
I1 = - Ir.
Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de intrare, se obţine:
I1 R1 - u-  u+ - Ui =0  I1 R1 = Ui - (u+ - u- )
Ui
Din proprietăţile AO: A0   (u+ - u- ) = 0  I1 =
R1
Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de ieşire, se obţine:
- U0  Ir R2 – u-  u+ = 0  - U0 = - Ir R2
Din U0 = Ir R2
şi I 1 = - Ir  U0 = - I1 R2
U 0  I 1 R2 R R
2
Prin definiţie: A    2 , rezultă: A 
R
Ui I 1 R1 R1 1
Observaţii:
1. Din expresia amplificării se observă că tensiunea de la ieşire este în opoziţie de fază
cu semnalul de la intrare, deci amplificatorul este inversor.
2. Datorită proprietăţilor AO, A nu depinde de AO ci numai de reţeaua de reacţie.
Acest fapt permite controlul amplificării, conferindu-i o mare stabilitate, precum şi
posibilităţi de reglaj.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 107
Aplicaţii
Alegând în mod convenabil raportul R 2/R1 se pot realiza diferite operaţii

matematice.
Înmulţirea cu o constantă
Dacă se alege R2 = k R1, k 1, se obţine U0 = - kUi, deci tensiunea de la ieşire

reproduce tensiunea de la intrare multiplicată de k ori.
Împărţirea cu o constantă
1 1
Dacă se alege R2 = R1, k 1, se obţine U0 = Ui, deci tensiunea de la
k k
ieşire reproduce o fracţiune a tensiunii de la intrare.
Circuit repetor
Dacă se alege R2= R1, se obţine U0 = -Ui, deci tensiunea de la ieşire reproduce
tensiunea de la intrare, dar în antifază.
Prin montarea în cascadă a două AO repetoare se poate obţine la ieşire reproducerea
tensiunii de la intrare în fază.
U  I 1 R2 R
A 0   2
Ui I 1 R1 R1
4.1.4 AO inversor sumator
Presupunând AO ideal, şi aplicând
I11 R11 prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de
I12 R12 R2 la intrare, se onţine:
Ir I11 I12..... I1n  Ir = Ii = 0
I11 I12..... I1n = - Ir
Ui1 I1n R1n Ii
-
Ui2 u- Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff
Ao pe fiecare ochi de la intrare se
Uin  Uo obţine:
u+
Ui1= I11 R11
U ik
Ui2= I12 R12  I1k =
Rik
............
Uin= I1n R1n
Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare ochi de la ieşire se obţine:
U0
U0 = Ir R2  Ir =
R2
Înlocuind expresiile curenţilor în prima relaţie, se obţine:
U U
 Rik   R0
ik 2
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 108
U ik U
Alegând R11 = R12 =........= R1n = R1 = R2 = R se obţine: 
k R
  0  U 0   U ik
R k
Uik
Sk Uo
R =R  Uo = - k Uik S
deci tensiune de la ieşire este egală şi în antifază cu suma tensiunilor de la
intrare.
AO neinversor
Schema de principiu:
Ir
R2 Aplicând prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de
I1 intrare, se obţine:
Ii
- - Ir Ii = I1 .
R1 u Ao Din proprietăţile AO: Zi  Ii = 0 
+
 Uo I1= Ir.
Ui u Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul
de intrare, se obţine:
Ui =( u+ - u- )  I1 R1  Ui = I1 R1
Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe ochiul de ieşire, se obţine:

U0 = Ir R2 I1 R1 = I1 (R2 R1). R
A  1 2
R
U 0 I 1  R2  R1  R1  R2 R 1
Amplificarea va fi: A=    1 2
Ui I 1 R1 R1 R1
Observaţii:
1. Semnalul de la ieşire este în fază cu semnalul de la intrare, deci amplificatorul este
neinversor.
2. A  1, deci nu poate fi folosit ca divizor sau ca repetor.
APLICAŢII
Înmulţirea cu o constantă
Dacă se alege R1  R2 = k R1  R2 = (k - 1) R1, atunci:
U0  k  1 R1
A=  1  k şi Uo = k Ui
Ui R1
Tensiunea de la ieşire reproduce tensiunea de la intrare multiplicată de k ori.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 109
AO neinversor sumator
Presupunând AO ideal, şi aplicând
R2
Ir prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de
la intrare, se obţine:
R1
u-
- I11 I12..... I1n = Ii = 0
I11 Ri1 Ii Ao Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe
 Uo fiecare nod de la intrare, se obţine:
I12 Ri2 
u Ui1= Ri1 I11 u+
U ik  u 
Ui1 I1n Rin Ui2= Ri2 I12 u + I 1k 
Rik
Ui2 ...........
Uin2 Uin= Ri1 I1n u+
Înlocuind aceste expresii în prima
egalitate, se obţine:
U ik  u 
k I 1k  k R  0 .
ik
1
Dacă se alege Ri1 = Ri2 =........= Rin = R se obţine:  (U ik  u  )  0,
R k
1
 U ik  n.u 
R k
Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la ieşire, se obţine:
U 0 R1
u+ = u - =
R1  R2
U
alegând R1  R2 = n R1 , se obţine: u   0 ,
n
U0  Uk
ik
Deci tensiunea de la ieşire este egală cu suma tensiunilor de la intrare.

Observaţie: Spre deosebire de sumatorul inversor, în această situaţie tensiunea de la
ieşire este în fază cu suma tensiunilor de la intrare.
Integratoare şi derivatoare
În afara operaţiilor matematice simple, ca multiplicarea, divizarea, adunarea,

scăderea, AO pot efectua şi operaţii mai complexe, de natură algebrică sau din analiza
matematică. Aceste operaţii au numeroase şi variate utilizări, printre care: măsurarea
intervalelor de timp, rezolvarea (analogică) a ecuaţiilor diferenţiale, conversia analog
digitală, realizarea regulatoarelor automate etc.
În cele ce urmează ne vom opri asupra integratoarelor şi derivatoarelor.
Integratoarele şi derivatoarele electronice analogice se bazează pe relaţia care
leagă tensiunea de curentul la bornele unei capacităţi electrice. Cele două forme sub
care poate fi scrisă această relaţie sunt:
1
u
C  idt
Tensiunea la bornele capacităţii este proporţională cu integrala curentului prin borne.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 110
du
iC
dt
Curentul prin capacitate este proporţional cu derivata tensiunii la bornele acestia.
AO integrator
Ir
C În schema de bază a AO inversor s-a înlocuit R1 cu
I1 Ii o capacitate.
u- - Aplicând legea a doua alui Kirchhoff pe ochiul de
R1 Ao
ui ieşire şi apoi pe cel de la intrare,se obţine:
+  1 1
u uo u0  uC  
C  i dt   R C  u dt
r
1
i
AO derivator
Ir În schema de bază a AO inversor s-a înlocuit R 1
I1 R2 cu o capacitate.
Ii
- Aplicând legea a doua alui Kirchhoff pe ochiul
C u- de ieşire şi apoi pe cel de la intrare, se obţine:
ui Ao
 du
 Uo u0   R2 C i
u dt
Observaţie: În mod similar se realizează şi integratoare şi derivatoare neinversoare.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 111
STABILIZATOARE DE TENSIUNE CU CIRCUITE INTEGRATE
Stabilizatoare cu amplificatoare operaţionale
In figura 10.1 este prezentată schema unui stabilizator serie cu reacţie realizat cu
amplificatorul operaţional βA741.
2N2218
R1
R3 10k
Ui= 1k
- U0=12V
14-20V R4 βA741
 U0= Uref (1 R2 ) .
2,2k R1
PL6V2Z R2
10k Figura 10.1
Dacă tensiunea de referinţă, aplicată pe borna neinversoare, este constantă,

atunci şi tensiunea de ieşire, Uo va fi constantă.
În cazul în care rezistenţa de sarcină variază, tensiunea de ieşire, egală cu
produsul dintre amplificarea în buclă deschisă a AO şi tensiunea de referinţă, rămâne
constantă
Amplificatorul operaţional este folosit ca amplificator de eroare. Curentul de ieşire
al AO alimentează baza tranzistorului regulator. Intrarea sa neinversoare este menţinută
la un potenţial constant de 6,2V prin dioda Zener. Intrarea inversoare primeşte semnalul
de eroare, proporţional cu tensiunea de ieşire, prin intermediul divizorului rezistiv R1 -P-
R2. Tensiunea de ieşire poate fi reglată cu ajutorul potenţiometrului P.
Observaţie: La curenţi mici de sarcină, Ui

amplificatoarele operaţionale pot fi R1 R2
utilizate ca surse de tensiune
stabilizată, ca în figura 10.2. -
A

R R2
U0=Uz (1  )
R1
Figura 10.2 DZ
Stabilizatoare de tensiune cu circuite
integrate monolitice
Stabilizatoarele de tensiune cu circuite discrete pot fi executate cu uşurinţă, dar

prezintă o serie de neajunsuri legate de performanţele de stabilizare şi de gabaritul lor
relativ mare. Imperativul miniaturizării aparaturii electronice, performanţele excelente
furnizate de stabilizatoarele de tensiune integrate, scăderea continuă a costurilor, au
contribuit la orientarea celor mai mulţi dintre utilizatori spre acest gen de dispozitive.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 112
Majoritatea stabilizatoarelor de tensiune continuă monolitice se construiesc pe

baza unor scheme de reglare automată tip serie. În principiu schema electrică nu diferă
de schema stabilizatoarelor cu componente discrete. Deosebirea constă în utilizarea
unor blocuri funcţionale, în care se apelează la tehnici de circuit mai complexe, pentru a
atinge un nivel de performanţă mai ridicat.
În figura 10.3.a este prezentată schema bloc a unuia dintre cele mai cunoscute
stabilizatoare de tensiune continuă monolitice, βA723.
Ui
Vc
U
Uref
Referinţa
de tensiune NC 1 14 NC
Amplificator Element CL 2 13 COMP

de eroare regulator CS 3 12 U
 NI 4 11 Vc
- I 5 10 U0
R3 U0
Uref 6 9 Uz
- NC
U 7 8
r Uz
CL b
Limitator CS
NI R2 Figura 10.3
U-
de curent
I
R1
COMP
a
Acest stabilizator are nivelul tensiunii de ieşire stabilizată programabil, reţeaua de
reacţie a amplificatorului de eroare putându-se aplica din exterior.
De asemenea, circuitul are posibilităţi de reglare simplă a curentului de ieşire,
prin intermediul terminalelor CL şi CS.
Prin conectarea unui condensator de (0,1...10 nF) la terminalul COMP se
realizează compensarea în frecvenţă a amplificatorului de eroare.
Cu ajutorul unui număr relativ mic de componente externe, un astfel de
stabilizator monolitic poate asigura performanţe de stabilizare mai bune de 0,1%,
domenii de tensiuni de ieşire de 0 - 40V şi curenţi de ieşire disponibili până la 10A. De
asemenea, un astfel de stabilizator se poate utiliza ca element de control în circuite de
stabilizare cu performanţe superioare.
În figura 10.3.b este prezentată configuraţia terminalelor.
În figura 10.4 este ilustrată schema generală de protecţie cu diode a
stabilizatorului de tensiune integrat. Dioda D3 este blocată pentru tensiunea de ieşire a
stabilizatorului, dar pentru tensiuni de polarităţi inverse dioda va scurtcircuita
eventualele tensiuni tranzitorii ce pot apare pe sarcini inductive. Acelaşi rol îl are şi
dioda D1 , pentru intrarea în stabilizator. Dioda D2 protejează circuitul integrat când la
intrare se produc scurtcircuite accidentale.
D2
 
Ui Sabilizator U0
C1 C2
D1 D3 Figura 11.4
- -
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 113
Fişa de documentare nr.11

AXIOMELE ŞI TEOREMELE FUNDAMENTALE ALE ALGEBREI BOOLEENE
Ştiaţi că…..
Algebra Booleană a fost concepută pe la mijlocul secolului al XIX-lea,
de către matematicianul englez George Boole (1815  1864) care a propus o
interpretare matematică a logicii propoziţiilor bivalente de tip „Da” – „Nu” sau
„Adevărat” – Fals” etc.
Abia în 1938, Claude Shannon, de la Institulul de Tehnologie din Massachusetts –
California, avea să o utilizeze pentru prima oară la analiza circuitelor de comutaţie.
Algebra Booleană, cunoscută şi sub denumirea de Algebra logică operează cu funcţii

logice.
Operaţiile logice de bază sunt prezentate în tab. 11.1.
Se observă că denumirile şi simbolurile operaţiilor logice diferă de la un domeniu
la altul. În cele ce urmează, vom utiliza aproape exclusiv notaţiile din matematică.
Tab. 11.1. Denumirea şi simbolizarea operaţiilor de bază
Matematică Logică Tehnică

Prima lege de
compoziţie Disjuncţie SAU (OR)
(suma logică) x1 x2 x1 x2
x1+ x2
A doua lege de Conjuncţie ŞI (AND)
compoziţie x1 x2 x1 x2
(produsul logic)
x1 x2
Elementul invers Negaţie NU (NOT)
x x x
Funcţia logică sau funcţia binară ia valoarea logică 1 când este adevărată şi 0
când este falsă.
Funcţia logică este complet definită cu ajutorul unui tabel finit (tabel de adevăr)
având în primele coloane valorile logice ale variabilelor (considerate independente) şi în
ultima coloană - valorile logice ale funcţiei, obţinute prin aplicarea operaţiilor logice
asupra variabilelor
Exprimarea matematică a unei funcţii logice necesită introducerea axiomelor şi a
teoremelor ale algebrei Boole.
Axiomele algebrei Booleene

Se consideră o mulţime, M, compusă din n elemente (x 1, x2, ..., xn) şi operaţiile ""
(produs logic) şi "+" (sumă logică) deja prezentate.
Spunem că mulţimea M formează o algebră Booleană dacă:
1. Mulţimea M conţine cel puţin două elemente distincte:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 114
 xi, xj  M, cu xi  xj.
2. Pentru orice xi, xj  M, avem:
xi  xj  M şi xi + xj  M, cu 1  i, j  n.
3. Operaţiile "" şi "+" prezintă următoarele proprietăţi:
a) comutativitatea:
x1  x2 = x2  x1;
x1 + x2 = x2 + x1;
b) asociativitatea:
x1  x2  x3 = (x1  x2)  x3 = x1  (x2  x3) = ... ;
x1 + x2 + x3 = (x1 + x2) + x3 = x1 + (x2 + x3) = ... ;
c) distributivitatea (uneia faţă de cealaltă):
x1  (x2 + x3) = x1  x2 + x1  x3;
x1 + (x2  x3) = (x1 + x2)  (x1 + x3);
4. Ambele operaţii admit câte un "element neutru" cu proprietatea:
x  1 = 1  x = x;
x + 0 = 0 + x = x;
5. Pentru orice x  M, va exista un element x (non x) cu proprietăţile:
x  x = 0;
x + x = 1.
Ultimele două relaţii poartă numele de principiul contradicţiei, respectiv - principiul
terţului exclus şi se enunţă astfel:
Principiul contradicţiei: o propoziţie nu poate fi şi adevărată şi falsă în acelaşi timp.
Principiul terţului exclus: o propoziţie este sau adevărată, sau falsă, o a treia
posibilitate fiind exclusă.
Teoremele algebrei Booleene

Pornind de la axiome, se deduc următoarele teoreme care devin reguli de calcul în
cadrul algebrei Booleene:
1. Principiul dublei negaţii:
x = x (dubla negaţie este echivalentă cu afirmaţia).
2. Idempotenţa:
x x ...  x  x ;
n
x  x  ...
  x  x .
n
3. Absorbţia:
x1  (x1 + x2) = x1;
x1 + (x1  x2) = x1.
4. Legile elementelor neutre:
x  0 = 0;
x + 0 = x;
x  1 = x;
x + 1 = 1.
5. Formulele lui De Morgan:
x 1  x 2  x1  x 2 ;
x1  x 2  x1  x 2 .
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 115
MODURI DE EXPRIMARE A FUNCŢIILOR LOGICE
Forma canonică
Forma canonică presupune operarea cu termeni canonici. Prin termen canonic

înţelegem un termen în care sunt prezente toate variabilele independente, luate sub
formă directă sau negată.
Forma canonică disjunctivă
În cadrul formei canonice disjunctive (f.c.d.) termenii sunt legaţi între ei prin
disjuncţii, iar variabilele - în cadrul fiecărui termen, numit "constituent al unităţii" - prin
conjuncţii.
Forma canonică conjunctivă
În cadrul formei canonice conjunctive (f.c.c.), termenii sunt legaţi între ei prin
conjuncţii, iar variabilele - în cadrul fiecărui termen, numit "constituent al lui zero" - prin
disjuncţii.
Forma elementară
Forma elementară (f.e.) are în alcătuire cel puţin un termen elementar. Prin
termen elementar se înţelege un termen care nu conţine toate cele n variabile ale
funcţiei, deci care nu este canonic.
La forma elementară se ajunge prin minimizare.
Forma neelementară
Funcţiile logice scrise sub formă canonică sau elementară (ambele, disjunctive
sau conjunctive) pot fi aduse la forma neelementară dacă există variabile sau grupuri de
variabile comune mai multor termeni.
Comparativ cu formele din care provin, formele neelementare se pot implementa
cu circuite logice având un număr mai mic de intrări, dar structurate pe mai multe
niveluri logice.
Diagrame Veitch Karnaugh
Folosirea unei diagrame pentru simplificarea funcţiilor booleene a fost sugerată pentru
prima dată de E. Veitch. Ulterior, M. Karnaugh propune de asemenea o formă de
diagramă în acelaşi scop, rezultând diagrama Karnaugh. Această diagramă se
utilizează în mod curent pentru reprezentarea funcţiilor booleene cu un număr relativ
mic de variabile.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 116
O diagramă Karnaugh constituie o variantă modificată a unui tabel de adevăr. Ea

este,de fapt, o reprezentare grafică a formelor canonice. Elementele mulţimii de intrare
sunt reprezentate prin suprafeţe dreptunghiulare, din intersecţia cărora rezultă termenii
canonici.
A A AB AB AB AB AB AB AB AB
0 1 00 01 11 10 00 01 11 10
B0 P0 P2 C0 P P2 P7 P4 CD 00 P P4 P12 P8
0 0
B1 C1 CD 01 P
P1 P3 P1 P3 P8 P5 1
P5 P13 P9
CD 11 P2 P7 P15 P11
Pentru 2
variabile de Pentru 3 variabile de CD 10 P
intrare 3
P6 P14 P10
intrare
Pentru 4 variabile de
intrare
Se consideră adiacente şi pătratele aflate la capetele opuse ale unei linii, respectiv
coloane. De aceea, este convenabil să se privească aceste diagrame ca suprafeţe care
se închid la margini.
Observaţie: În cazul unei exprimări sub forma canonică disjunctivă (f.c.d.) a funcţiei,
fiecărui termen îi corespunde o locaţie care conţine "1" logic, iar în cazul exprimării sub
formă canonică conjunctivă (f.c.c.) - o locaţie care conţine "0" logic.
Evident, atât în cazul f.c.d. cât şi în cazul f.c.c, locaţiile cărora nu le corespunde nici un
termen canonic vor primi valori logice complementare celor menţionate mai sus, iar cele
ce corespund unor stări nedeterminate (cazul funcţiilor incomplet definite) se vor marca
cu "X" şi vor fi interpretate, după caz, ca "0" sau "1" logic, în procesul de minimizare.
Minimizarea funcţiilor logice
Minimizarea reprezintă trecerea de la o formă canonică la o formă elementară de

exprimare a unei funcţii logice, deci eliminarea unor variabile de intrare din termenii
funcţiei.
Etapele minimizării cu ajutorul diagramelor Veitch-Karnaugh:
 Se scrie diagrama Veitch-Karnaugh pentru funcţia exprimată prin f.c.n.d.;
 Se aleg suprafeţele maxime formate din constituenţii „1” (suprafeţele au un număr
maxim de pătrate, egal cu puteri ale lui 2);
 Aceste suprafeţe corespund termenilor elementari, iar reprezentarea grafică este
identică cu aplicarea teoremei:
A B  A B  A
Pentru minimizare se foloseşte principiul terţului exclus.
 Lateralele diagramei sunt adiacente.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 117
Fişa de documentare nr.13

ANALIZA ŞI SINTEZA CIRCUITELOR LOGICE COMBINAŢIONALE
Circuitele logice combinaţionale sunt circuite fără memorie (independente de

propriile stări anterioare), caracterizate prin faptul că semnalele de ieşire sunt combinaţii
logice ale semnalelor de intrare, existând numai atâta timp cât acestea din urmă există.
În legătură cu circuitele logice combinaţionale, se pun de regulă două probleme

importante şi anume: analiza şi sinteza c.l.c.
Analiza circuitelor logice combinaţionale
Analiza c.l.c. porneşte de la schema logică cunoscută a circuitului şi
urmăreşte stabilirea modului de funcţionare a acestuia, fie prin construirea tabelului de
funcţionare, fie prin scrierea formei analitice a funcţiei de ieşire.
Spre exemplu, pornind de la schema logică a unui c.l.c. simplu, fig. 13.1, se deduce, din
aproape în aproape, urmărind transformările semnalelor de intrare, expresia
analitică a funcţiei de ieşire:
Y  AB  A B A
AB
A Y  AB  AB
Fig. 13.1. Schema logică a unui XOR B
B
AB
Construirea tabelului de funcţionare este
acum extrem de simplă şi urmează paşii prezentaţi în coloanele tabelului 13.1.
Tab. 13.1. Tabelul de funcţionare al c.l.c. din fig. 13.1

B A B A AB AB Y  A B  AB
0 0 1 1 0 0 0
0 1 1 0 0 1 1
1 0 0 1 1 0 1
1 1 0 0 0 0 0
Se recunoaşte funcţia de ieşire şi tabelul de funcţionare al circuitului SAU-EXCLUSIV
(XOR).
Sinteza circuitelor logice combinaţionale
Sinteza c.l.c. porneşte de la funcţia pe care trebuie să o îndeplinească

circuitul şi îşi propune obţinerea unei variante (minimale) a structurii acestuia.
Etapele sintezei sunt: definirea funcţiei (funcţiilor) de ieşire, minimizarea şi, în final,
desenarea schemei circuitului.
După modul în care este scrisă funcţia, implementarea se poate face în diverse
variante, printre care:
a) cu orice combinaţie de circuite logice elementare;
b) numai cu circuite NAND;
c) numai cu circuite NOR.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 118
Spre exemplu, considerând funcţia: Y  A  B şi tabelul ei de funcţionare, se

propune realizarea sintezei circuitului corespunzător în mai multe variante.
Tab. 13.2. Tabelul de adevăr al funcţiei XOR B A Y

0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
a) Sinteza utilizând mai multe tipuri de circuite logice elementare
Pornind de la tab. 13.2, se observă că forma canonică disjunctivă (f.c.d.) a funcţiei este
cea exprimată de relaţia Y  AB  A B . Fiind o formă deja minimală, implementarea ei
conduce la circuitul din fig. 13.1.
Procedând similar, dar utilizând forma canonică conjunctivă (f.c.c.), se obţine:
Y   A  B   A  B  ,
care în urma implementării conduce la
A+
circuitul din fig. 13.2.
B Y   A  B   A  B 
A A
B
AB
B
Fig. 13.2. O altă variantă de implementare a XOR-ului
+Vc
Sinteza numai cu porţi NAND c
Aplicând De Morgan asupra f.c.d., se A
obţine:
Y  AB  AB   AB    AB  ,
Y
a cărei implementare poate fi realizată numai cu
NAND-uri şi conduce la circuitul din fig. 13.3.
B
Fig. 13.3. Implementarea XOR-ului

numai cu NAND-uri
Sinteza numai cu porţi NOR

Aplicând De Morgan asupra f.c.c., rel. 4.4, se obţine:
Y   A  B    A  B    A  B  A  B  ,
a cărei implementare poate fi făcută numai cu NOR-uri şi conduce la circuitul din fig.
13.4. A
Y
Fig. 13.4. Implementarea XOR-ului numai cu NOR-uri
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 119
PROGRAMUL Digital Works
Există mai multe posibilităţi de a verifica funcţionarea corectă a unui circuit care
realizează o funcţie logică. Una dintre ele este simularea cu ajutorul unui program de
analiză a circuitelor logice.
În continuare se va prezenta programul Digital Works(Digital Works for Microsoft
Windows 2.04 © 1997 David John Barker) care permite o astfel de analiză.
Pentru lansarea în execuţie a programului se face dublu clic pe icoana corespunzătoare, cea
prezentată mai jos.
Se va trece acum în revistă principalele elemente ale lucrului cu fişierele

specifice programului; la apariţia ecranului de început, în partea stângă sus există
opţiuni pentru:
• 2 - crearea unui nou fişier,

• 1 - încărcarea unui fişier creat anterior,
• < - memorarea fişierului deja deschis.
Urmează apoi linia pentru selectarea porţilor logice, cu icoanele prezentate mai jos:
1 2 3 4 5 6 7
1) SAU, 2) SAU-NEGAT, 3) SAU-EXCLUSIV, 4) SAU-EXCLUSIV-NEGAT, 5) NU, 6) SI,

7) SI-NEGAT
Orice selecţie se poate face printr-un clic al butonului din stânga al mouse-ului şi,
după aceea, printr-un clic al aceluiaşi buton în zona activă a ecranului, cea cu grila
punctată, colorată în galben pal, se poziţionează poarta în zona dorită. Pentru fiecare
poartă selectată astfel (şi reprezentată iniţial punctat pe ecran) se poate stabili numărul
de intrări, dând clic pe butonul din dreapta al mouse-ului apoi Inputs şi se selectează
2,3 sau 4 intrări.
Pentru a face conexiuni se foloseşte o unealtă specială, cea aflată la
extremitatea din dreapta a celui de-al doilea rând de icoane şi notată cu semnul !.
Odată selectată cu un clic al butonului din stânga al mouse-ului, ea poate fi folosită
după cum urmează:
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 120
Pentru a putea aduce în starea 0 logic sau 1 logic una dintre intrările unei porţi,
se foloseşte aşa numita intrare interactivă, aflată pe bara de instrumente, redată în
figura alăturată, în zona afectată semnalelor de intrare.
Intrare interactivă
Pentru a amplasa la intrarea unei porţi (sau a unui alt circuit) un astfel de
dispozitiv este necesar sa facem clic pe icoana aferentă, se poziţionează cursorul pe
ecran, în zona prevăzută pentru desenarea circuitului (cea cu grilă punctată), urmată de
un nou clic pentru validarea poziţiei alese. După poziţionare este necesar să facem
legătura dintre acest dispozitiv şi intrarea respectivă, folosind unealta pentru legături,
(!), aşa cum s-a arătat mai sus. Simpla poziţionare pe ecran a simbolului nu este
suficientă pentru o simulare corectă !
Pentru a trece acest dispozitiv dintr-o stare în cealaltă este necesar să
parcurgem paşii puşi în evidenţă de desenul următor.
Unu logic este reprezentat, în cazul unei intrări interactive, prin culoarea roşie a
cerculeţului din interiorul simbolului, în timp ce bitul zero este reprezentat prin culoarea
albă.
Pentru a pune în evidenţă starea unei ieşiri se foloseşte un dispozitiv numit led,
aflat pe cea de-a doua bară cu unelte, alături de dispozitivul de afişare cu opt
segmente.
LED
Pentru a aşeza un led în zona activă a ecranului se selectează acest dispozitiv pe

bara cu unelte şi apoi se face clic în poziţia dorită. Este necesară legarea acestui
dispozitiv la ieşirea circuitului a cărui stare dorim să o monitorizăm - în acest scop se
foloseşte unealta de legături, !.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 121
6. SOLUŢIONAREA ACTIVITĂŢILOR DE ÎNVĂŢARE
Soluţionarea activităţii de învăţare 3

a)
1.
R R R rD1 R
E rD E D1 E E rD D2
D2
a b c d
2.I=9,3mA;b)I=0mA,Ud=-10V;c)I=0;d)I D1=0,ID2=9,3mA,UD1=-UD2=0,7V
b.
1 1
f 01   Ls1 
2 C 01  Ls  2f 01  2 C01
1 C01
f 02   f 01  606MHz
2 C02  Ls C02
1
Ls 2   2,15nH
 2f 02  2 C02
a. (30p)
 1. zona I: corespunde polarizării directe.

zona II: corespunde polarizării inverse.
zona III: corespunde străpungerii joncţiunii.
zonele IV ,V : corespund limitărilor datorate puterii
maxim admise.
2. I - Căderea de tensiune pe joncţiune, UA, este mai
mică decât diferenţa internă de potenţial a joncţiunii,
U0. În această zonă de funcţionare, joncţiunea este
străbătută de un curent direct, de valoare mare;
rezistenţa diodei polarizate direct este de valoare
foarte mică.
II - În situaţia de polarizare inversă curentul care circulă prin joncţiune, I 0, nu depinde de
valoarea tensiunii aplicate şi este de valoare foarte mică; în polarizare inversă
joncţiunea prezintă o rezistenţă foarte mare.
III - Această zonă este caracterizată de creşterea puternică a curentului prin joncţiune,
la o anumită tensiune, numită tensiune de străpungere (U S).
Întrucât curentul creşte foarte rapid, tensiunea la bornele joncţiunii se menţine
aproximativ constantă.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 122
IV, V - Creşterea curentului prin joncţiune peste anumite valori maxim admise duc la
distrugerea structurii prin încălzire excesivă.
3.
b. (25p)
1-c; 2-b; 3-d; 4-c; 5-a
c. (20p)
1. UR1 = I.R1 =3mA . 1k =3V
2. UAB = UD + I.R2 = 0,6V + 3mA . 2k =6,6V

d. (15p)
Circuitul echivalent este:
R
E rD +E =10V
C
RC CS
RB
2k
4M
E U M 9,8V C u
R   0,5k ui ~~
B
C 0
IM 19,6mA S
Soluţionarea activităţii de învăţare 7 R

a. 2
Problema se rezolvă
prin metoda grafo-analitică.
uCE(V)=5V Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicată pe ochiul de
TA=25C intrare, conduce la ecuaţia:
E u
i B  C  BE
RB RB
Care este o dreaptă, reprezentată prin linia punctată
albastră din figura alăturată.
Din caracteristica iB(uBE) se obţine valoarea lui iB,
repectiv uBE din punctul static de funcţionale: IB= 9µA,
0 0,5 1 uBE(V) UBE=0,5V.
Teorema a II-a a lui
Kirchhoff, aplicată pe ochiul de ieşire, conduce la ecuaţia
dreptei de sarcină:
E u
iC  CC  CE ,
RC RC
reprezentată, în figura alăturată, prin linia, roşie, punctată.
PSF se va afla la intersecţia dreptei de sarcină cu
caracteristica de ieşire pentru iB=9µA: I B= 9µA
4mA
IC=4mA, UCE=2V.
0 2V 4 8 uCE(V)
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 123
b. 1. Punctele M şi N sunt reprezentate în IC

figura alăturată, iar coordonatele sunt:
M (ICmax, 0 V; 0,7 V)
N (0 A; UCEmax, 0,7 V) M
IC max
E
IC max  C  20 mA şi UCE max = EC = 20 V
RC
Deci coordonatele punctelor M şi N sunt P
M  IC max = 20 mA, UCE = 0
N  IC = 0, UCE max = 20 V
2. Punctul static (P) aflat la jumătatea dreptei N
de sarcină este caracterizat de mărimile: 0 UCE max UCE
IC = 10 mA, UCE = 10 V şi UBE = 0,7V
IC
IC = IB  IB   0,1 mA
β
Teorema a II-a a lui Kirchhoff, aplicată pe ochiul de intrare, conduce la ecuaţia:
EC  UBE 19,3
EC = RBIB + UBE  RB    193 k
IB 0,1 +E =20 C
R
Soluţionarea activităţii de învăţare 8 R VC C
S
B 1k
1M
a. Rezolvarea problemelor referitoare la C u
C 0
amplificatoare de abordează în două etape: ui ~~ B
S
 În primul rând se determină P.S.F. R
 În a doua etapă de construieşte circuitul i0
ii i1 2
echivalent şi, aplicând legile lui Kirchhoff, se
determină mărimile necunoscute. ui h21i1
RB h11 Rc u0
1. Ic0,95mA; UCE  19V.
2. Se desenează circuitul echivalent, de c.a. şi
apoi circuitul echivalent cu parametri „h”, ca in
figura alăturată:
Aplicând legile lui Kirchhoff se obţine:
u0 = - RCi0 = -RCh21i1 =-RCh21u1/h11 = -40.ui
u0 = - 12 sint.
b. Cunoscându-se mărimile IE şi UBE, rezultă: +E C
RE = UEM / IE = 0,6k. I1
R C
Totodată, se poate scrie următorul sistem de ecuaţii: R 1 IC
C
S
EC= R1I1 +R2I2 C B

C
I1 = I2+IB I2 S
u i ~ R IE u
R2I2 = UBE + REIE 2
0
R
Cum R2 = 10RE = 6k, rezultă: R1 =20,5k. R E
C
CE E
b)IC=4,8mA şi UCE = 12,2V. 2 R

c)Se desenează circuitul echivalent de c.a. cu parametri h, ca în figura RE de mai jos:.
RB = R1R2 = 4,64k. ii i1 i0
S
Ri1 =ui / ii = RBh11 =0,11k.

Au = u0 / ui ui
h21i1
RB h11 Rc u0
u0 =- RCi0 = -RCh21i1; ui = Ri1 ii
RB h11 ii RB ii RC RB h11ii
i1 = ui/h11 = Ri1 ii/h11 =    Au =-  212,68
RB  h11 h11 RB  h11  RB  h11  Ri1i1
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 124
a. Amplificarea în tensiune este:

Au = - gmRs’ ,
Rs’ = rdRDRs = 7,14k, rezultă: Au = - 14,28.
b. Amplificarea în tensiune este:
u0 g m RS
Au    0,995
u i 1  g m RS

a. (20p)
1-c; 2-a; 3-c; 4-a.
b. (30p)
1-A; 2-F; 3-A; 4-A; 5-A; 6-A.
c. (40p)
1. EC = RC2IC2 + UCE2 + RE2IE2
IC2 = 2IB2 şi IE2 = (2 + 1) IB2 
EC = RC22IB2 + RE2 (2 + 1) IB2 + UCE2 
IB2 = 0,99 mA  0,1 mA
Tensiunea UCE1 = RB2IB2 + UBE2 + RE2 (2 + 1) IB2 = 10,8 V
EC = RC1I1 + UCE1  I1 = 9,2 mA,
I1 = IC1 + IB2 
IC1 = I1 - IB2 = 9,1 mA
I
IB1  C1  0,18 mA
β1
E C  UBET1
EC = RB1IB1 + UBET1  R B1   107,2 k
IB1
2. Dacă RC1 se scurtcircuitează VM = EC
E  UBE 2
IB 2  C  0,38 mA
R B2  R E2
2IB2 = 19 mA
Se calculează curentul maxim de colector al tranzistorului T 2
EC
IC 2 max   10 mA
R C2  R E2
Se observă că 2IB2 > IC2  tranzistorul T2 este în saturaţie. Regimul în care
funcţionează tranzistorul T2 este regimul de saturaţie.

a. (1) – amplificator; (2) – ieşire; (3) – intrare;
b. Xg X1 X2 X2
 A=
X1
Xr
Reţea de reacţie X2
Xr
=
X2
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 125
c. 1-a; 2-b.
d. 1-c; 2-d; 3-b.
e.
Eşantionare NOD BUCLĂ
Comparare
tensiune - paralel curent - paralel
NOD
paralel - paralel paralel - serie
tensiune - serie curent - serie
BUCLĂ
serie - paralel serie - serie
f.
 În c.c. RE1 şi RE2 sunt rezistenţe de reacţie şi asigură stabilizarea punctului static
de funcţionare în raport cu dispersia lui  şi cu variaţia temperaturii.
+Ec
RC1 RC2
CS
CB
RG C
RS
RB
Ug ~ RE1 R
CE RE2 CE2
1
 În c.a. rezistenţa R asigură reacţia negativă: dacă i C2 are tendinţa să crească,

creşte şi căderea de tensiune pe rezistenţa R, ceea ce determină scăderea lui
uBE1 şi deci scăderea lui iC1.
RG RC1 RC2 RS
RB R
Ug ~
1
g. f jr  1  A f j  2 Hz
f sr  1   A f s  50MHz
h. 1. Stabilitatea amplificării fără reacţie este :
A 100
  10 %, iar cea a amplificatorului cu reacţie este:
A 1000
Ar A 1 10
   0,1 %, rezultă 1-βA=100, de unde β=0,099.
Ar A 1   A 100
A
2. Ar= 1  A  10
R2
a. 1. A  
R1
2. reacţie negativă
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 126
b. În cazul aplicării reacţiei negative se obţin: micşorarea amplificării, mărirea stabilităţii

etajului, se lărgeşte banda de frecvenţă, creşte viteza de lucru, scade nivelul
zgomotelor şi al distorsiunilor neliniare.
R2 8
c. A      4
R1 2
a. (1)- circuit electronic
(2)- sinusoidală
b. X2 = A X1
Xr = β X2
X1 = Xg  Xr
Amplificarea cu reacţie este :
X2 A
Ar  
X g 1  A
Condiţia de oscilaţie : Circuitul devine un oscilator, dacă, îndepărtând semnalul de

excitaţie (Xg =0), obţinem totuşi un semnal la ieşire (X2 =finit,  0 )
X2
Ar     1   A  0   A  1 Relaţia lui BARKHAUSEN (condiţia de oscilaţie).
Xg
c. 1- b; 2- b.
d. Semnalul sinusoidal este unicul semnal care îşi reproduce forma după ce parcurge
un circuit liniar cu elemente reactive.
e. (1)- reţeaua de reacţie.
a. există două bucle de reacţie:

- reţeaua de reacţie formată din r1 şi r2.
- reţeaua de reacţie formată din R1,C1, R2, C2.
b. R1,C1, R2, C2 -o reacţie pozitivă, selectivă,
dependentă de frecvenţă (reţeaua Wien)
r 1 şi r2 -o reacţie negativă, neselectivă.
c. R1,C1, R2, C2 - asigură funcţia de oscilator şi
determină frecvenţa de oscilaţie.
r1 şi r2 -stabilizează amplificatorul, transformându-l
într-un amplificator ideal de tensiune; determină
amplitudinea de oscilaţie.
d.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 127

U0= Uz - UBE
Dacă tensiunea de ieşire creşte, dintr-o cauză oarecare, concomitent scade U BE.
Acest fapt va determina scăderea curentului de colector şi, implicit, a celui de emitor şi
deci şi a curentului de ieşire, I0, ceea ce va duce la scăderea tensiunii de ieşire la
valoare iniţială.
În cazul în care tensiunea de ieşire are o tendinţă de scădere, se produce
creşterea tensiunii UBE, şi în consecinţă creşterea curentului de colector, a curentului de
emitor şi deci a curentului de ieşire, ceea ce va determina creşterea tensiunii de ieşire.

a.
u0 R
Au    2  5
ui R1
U i1 U i 2
b. Pe baza figurii se poate scrie: Întrucât Ii=0 (AO ideal), I 3  I 1  I 2  
R2 R2
Aplicând legea a,doua alui Kirchhoff pe ochiul de ieşire, se obţine :
U U 
U 0   R3 I 3   R3  i1  i 2   15V
 R1 R2 
R2
c. 1. Uo1 = - Ui
R1
Uo1 = - 5 Uoi = -50V
Ui2 = Uo1
R4
Uo2 = - Ui2
R3
R4 R2
Uo2= - (- Ui)
R3 R1
Uo2= 5 Ui
Uo2= 50V
2. Uo = Uo2 - Uo1
Uo =5 Ui – (- 5 Uoi)
Uo =10 Ui
Uo = 100V
Uo
3. AU =
Ui
10U i
AU =
Ui
AU = 10.

a.16 puncte
(1) – foarte mare; (2) –infinită; (3) –zero; (4) – scurtcircuit; (5) – foarte mare;
(6) – infinită; (7) – zero; (8) – zero.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 128
b. 20 puncte
1- b; 2 – c; 3 – c; 4 – b.
c.
Presupunând AO ideal, şi aplicând R2
Ir
prima lege a lui Kirchhoff pe nodul de
la intrare, se obţine: R1
u-
-
I11 I12..... I1n = Ii = 0 Ao
I11 Ri1 Ii
Aplicând a doua lege a lui 
 Uo
Kirchhoff pe fiecare nod de la I12 Ri2 u
intrare, se obţine:
Ui1= Ri1 I11 u+ Ui1 I1n Rin

U u
Ui2= Ri2 I12 u+ I 1k  ik Ui2
Rik Uin2
...........
Uin= Ri1 I1n u+
Înlocuind aceste expresii în prima
U ik  u 
egalitate, se obţine:  I 1k    0.
k k Rik
1
Dacă se alege Ri1 = Ri2 =........= Rin = R se o bţine:  (U ik  u  )  0,
R k
1
 U ik  n.u 
R k
Aplicând a doua lege a lui Kirchhoff pe fiecare nod de la ieşire, se obţine:
U 0 R1
u+ = u - =
R1  R2
U
alegând R1  R2 = n R1 , se obţine: u   0 ,
n
U0  U
k
ik
Deci tensiunea de la ieşire este egală cu suma tensiunilor de la intrare.

d. 30 puncte
R2
1. Au  1  2
R1
2. u 0  A  u i  2.7  14V
3. amplificatorul neinversor nu poate fi divizor.
e. 4 puncte.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 129
a) Implemetarea cu porţi ŞI, SAU, NU

Acest tip de implementare este
1/4 CDB dezavantajos: se folosesc trei
A 406 tipuri de circuite integrate, care
B 1/4 CDB F=
1/6 CDB sunt utilizate foarte neeconomic:
404 432
mai rămân nefolosite 4
inversoare, 2 porţi ŞI şi trei porţi
1/6CDB
1/6 CDB SAU.
404
404 1/4 CDB
406
1/4 CDB
b)Implementarea cu porţi ŞI NU 400
Pentru implemetarea funcţiei cu porţi ŞI NU se
F=
transformă funcţia cu ajutorul teoremelor lui De
1/4 CDB
Morgan. 400
F  A B  A B 1/4 CDB
400
1/4 CDB
Acest tip de implementare are avantajul că se 1/4 CDB
400
foloseşte un singur tip de circuite integrate, 400
atingându-se un grad mai mare de utilizarea a acestora, ceea ce conduce la reducerea
numărului de circuite integrate utilizate: se utilizează 2 x CDB 400. Rămân neutilizate 3
porţi.
1/4 CDB
c) Implementarea cu porţi SAU NU 402
Pentru implemetarea funcţiei cu porţi
SAU NU se transformă funcţia cu ajutorul 1/4 CDB F=
teoremelor lui De Morgan. 402
F  A B  A B 1/4 CDB
Acest tip de implementare are avantajul 402 1/4 CDB
că se foloseşte un singur tip de circuite 402
integrate, atingându-se un grad mai mare
de utilizarea a acestora, ceea ce conduce 1/4 CDB 1/4 CDB
la reducerea numărului de circuite 402 402
integrate utilizate: se utilizează 2 x CDB
400. Rămân neutilizate 2 porţi.
d) Implementarea cu porţi SAU EXCLUSIV

Aplicând postulatele şi teoremele algebrei booleene, se observă că funcţia F este chiar
Sau EXCLUSIV negat.
  
F  A  B  A  B  A  B A  B  A  B A  B  A  B  A  B  A  B
Se utilizează un singur circuit integrat.CDB 486.

Rămân nefolosite două porţi XOR.
1/4 CDB
F=
486
1/4 CDB
486
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 130
a)Se extrage din tabel funcţia:

F  ABC  A BC  A BC  ABC
Aplicând postulatele şi teoremele algebrei booleene,se obţine:
   
F  A  A BC  C  C A B  BC  A B
b)Se foloseşte diagrama:
AB1001 1100C
Se obţine F  BC  A B
1/4 CDB
A 406 Acest tip de
B implementare este dezavantajos: se folosesc
1/6 CDB
404 trei tipuri de circuite integrate, care sunt
1/4 CDB
C 432 utilizate foarte neeconomic: mai rămân
1/6 CDB 1/4 CDB nefolosite 4 inversoare, 2 porţi ŞI şi trei porţi
404 406 SAU.
Observaţie: Prin dubla negare a funcţiei F, se obţine:

F  BC  A B
La această formă se ajunge fie algebric, fie din diagram Veitch Karnaugh.
F  F  BC  A B
Aceasta funcţie se implementează :
Acest tip de implementare este

C mai avantajos: se folosesc două
tipuri de circuite integrate, care
1/6 CDB sunt utilizate economic: mai rămân
B 404 nefolosite 4 inversoare şi 1/2 CDB
A 451
1/6 CDB 1/2 CDB 451
404

F  CB ACB ACB ACB ACB A
a)În figura alăturată este

reprezentată implementarea,
cu porţi ŞI NU cu două intrări,
numai pentru termenul al
doilea al funcţiei date.
b) În figura alăturată este prezentată

implementare funcţiei cu porţi ŞI
NU cu două şi cu trei intrări.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 131
Este evident că implementarea cu porţi ŞI NU cu două intrări este foarte neeconomică.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 132
7. FIŞE DE REZUMAT
Fişele de rezumat ale modulului oferă profesorilor şi elevilor un mijloc de înregistrare a
progresului.
O păstrare exactă a evidenţelor reprezintă un aspect important de administrare a
învăţării şi ajută de asemenea la informarea şi motivarea elevilor. Elevii trebuie să fie
încurajaţi să îşi evalueze propria învăţare prin comentarii asupra unor domenii, cum ar fi
ce au făcut şi ce le-a plăcut la un subiect. Aceste comentarii pot oferi profesorilor
informaţii valoroase despre domeniile care creează dificultăţi elevilor.
Elevii trebuie să fie încurajaţi să îşi asume responsabilitatea pentru învăţare. Elevul care
îşi asumă responsabilitatea pentru aspectele păstrării evidenţei poate contribui la acel
obiectiv.
Prima pagină a unei fişe de rezumat exemplu de mai jos include un rezumat al
progresului elevului. Aceasta poate fi utilă atât pentru elev cât şi pentru profesor şi
poate motiva elevii oferindu-le o imagine vizuală clară a progresului pe care l-au făcut.
Exemplu de prima pagină a unei fişe de rezumat:
Titlul modulului: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Numele
elevului:
Data începerii: Data încheierii:
Unitatea de competenţe: 26.Analiza circuitelor electronice
Competenţe Activitatea de învăţare Obiective de Data Verificat
învăţare realizării
Denumirea sau alte Data când Semnătura
referinţe ale activităţii obiectivele profesorului
de învăţare de învăţare
au fost
realizate
26.1.Utilizează 1.Lucrare practică de  Să caracterizeze diodele
metodele de laborator: semiconductoare cu ajutorul
caracteristicilor statice.
analiză ale Caracteristica statică
 Să realizeze circuitul
circuitelor cu a diodei echivalent pentru diferite
componente semiconductoare tipuri de diode
discrete. semiconductoare
 Să analizeze circuite
electronice simple folosind
modele echivalente ale
componentelor discrete
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 133
2.Simulare cu ajutorul  Să caracterizeze diodele

calculatorului semiconductoare cu ajutorul
Caracteristica statică
a diodei echivalent pentru diferite
semiconductoare tipuri de diode
semiconductoare
3.Rezolvare de  Să caracterizeze diodele
probleme semiconductoare cu ajutorul
echivalent pentru diferite
tipuri de diode
semiconductoare
4. Evaluare  Să caracterizeze diodele
semiconductoare cu ajutorul
echivalent pentru diferite
tipuri de diode
semiconductoare
5.Lucrare practică de  Să caracterizeze
laborator: tranzistoarele bipolare cu
ajutorul caracteristicilor
Caracteristicile statice statice.
ale tranzistorului  Să realizeze circuitul
bipolar echivalent pentru
trazistorul bipolar în diferite
regimuri de funcţionare.
caracteristicile statice.
6.Simulare cu ajutorul  Să caracterizeze
calculatorului tranzistoarele bipolare cu
Caracteristicile statice statice.
ale tranzistorului
bipolar electronice simple folosind
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 134
7.Rezolvare de  Să caracterizeze
exerciţii tranzistoarele bipolare cu
statice.
8.Rezolvare de  Să realizeze circuite
exerciţii echivalente pentru
tranzistoare bipolare
 Să reprezinte schema
electrică a circuitelor cu
componente discrete
folosind modelele
echivalente.
componentelor discrete.
 Să efectueze calcule
pentru determinarea
parametrilor circuitului
folosind schema
9.Rezolvare de  Să realizeze circuite
exerciţii echivalente pentru
componente discrete
folosind modelele
echivalente.
pentru determinarea
folosind schema
10. Evaluare  Să realizeze circuite
echivalente pentru
componente discrete
folosind modelele
echivalente.
pentru determinarea
folosind schema
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 135
26.2.Utilizează 27.Simulare cu  Să exprime funcţiile

noţiunile şi ajutorul calculatorului logice în forme precizate.
 Să realizeze
conceptele Analiza porţilor logice
minimizarea funcţiilor
algebrei logice folosind programul logice folosind metode
pentru analiza Digital Works adecvate.
circuitelor  Să implementeze
digitale. funcţiile logice minimizate
folosind porţi logice
28.Rezolvare de  Să exprime funcţiile
exerciţii logice în forme precizate.
 Să realizeze
logice folosind metode
adecvate.
 Să implementeze
funcţiile logice minimizate
29.Rezolvare de  Să exprime funcţiile
exerciţii logice în forme precizate.
 Să realizeze
logice folosind metode
adecvate.
 Să implementeze
funcţiile logice minimizate
26.3.Utilizează 17. Prezentare Power  Să definească parametri
circuite Point: caracteristici ai circuitelor
integrate analogice
integrate Amplificatorul
analogice. operational
caracteristici
18. Prezentare Power  Să definească parametri
Point: caracteristici ai circuitelor
integrate analogice.
Dispunerea
 Să identifice dispunerea
terminalelor circuitelor terminalelor pe baza
integrate analogice informaţiilor din catalogele
de componete.
19.Lucrare practică  Să definească parametri

de laborator: caracteristici ai circuitelor
Amplificatorul
operational terminalelor pe baza
informaţiilor din catalogele
de componete.
20.Lucrare practică  Să definească parametri

de laborator: caracteristici ai circuitelor
Amplificatorul
operational terminalelor pe baza
de componete.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 136
21. Cubul –  Să definească parametri

Amplificatorul caracteristici ai circuitelor
operaţional
terminalelor pe baza
de componete.
22.Rezolvare de  Să definească parametri

exerciţii caracteristici ai circuitelor
de componete.
23. Evaluare  Să definească parametri

caracteristici ai circuitelor
de componete.
24.Simulare cu  Să definească parametri

ajutorul calculatorului caracteristici ai circuitelor
Stabilizatorului de
tensiune, realizat cu terminalelor pe baza
circuitul integrat βA informaţiilor din catalogele
723 de componete.
25. Prezentare Power  Să definească parametri

Point: caracteristici ai circuitelor
Aplicaţiile circuitului
integrat βE555 terminalelor pe baza
de componete.
26. Concurs de  Să definească parametri

testare a cunoştinţelor caracteristici ai circuitelor
Circuite integrate
analogice terminalelor pe baza
de componete.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 137
26.4.Utilizează 11.Rezolvare de  Să definească reacţia în

reacţia în exerciţii circuite electronice.
 Să precizeze tipurile de
circuite
reacţie în circuitele
electronice. electronice.
 Să reprezinte
configuraţiile tipice ale
circuitelor electronice cu
reacţie.
 Să identifice tipurile de
reacţie în circuite
electronice.
12.Rezolvare de  Să definească reacţia în
exerciţii circuite electronice.
electronice.
 Să reprezinte
reacţie.
electronice.
13.Simulare cu  Să definească reacţia în
ajutorul calculatorului circuite electronice.
Amplificatorul
operaţional cu reacţie electronice.
negativă  Să reprezinte
reacţie.
electronice.
electronice.
 Să reprezinte
reacţie.
electronice.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 138

electronice.
 Să reprezinte
reacţie.
electronice.
electronice.
 Să reprezinte
reacţie.
electronice.
FIŞA PENTRU ÎNREGISTRAREA PROGRESULUI ELEVULUI

Această format de fişă este un instrument detaliat de înregistrare a progresului elevilor.
Pentru fiecare elev se pot realiza mai multe astfel de fişe pe durata derulării modulului,
acestea permiţând evaluarea precisă a evoluţiei elevului, furnizând în acelaşi timp
informaţii relevante pentru analiză.
Exemplu de fişă pentru înregistrarea progresului elevului
Modulul ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

Numele elevului _________________________
Numele profesorului _______________________
Competenţa Activitatea de Obiectivul de

Finalizat
învăţare învăţare
26.1.Utilizează 1.Lucrare practică  Să caracterizeze diodele Data când
metodele de de laborator: semiconductoare cu ajutorul obiectivul a
analiză ale Caracteristica fost realizat.
circuitelor cu statică a diodei echivalent pentru diferite tipuri
componente semiconductoare de diode semiconductoare
discrete.  Să analizeze circuite
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 139
Comentariul elevului
De exemplu:
 Ce v-a plăcut la subiectul acestei activităţi.
 Ce aţi găsit interesant la subiectul acestei activităţi.
 Ce trebuie să ştie despre subiectul activităţii.
 Ideile elevului despre cum ar dori să îşi atingă obiectivul de
învăţare.
Comentariul profesorului
De exemplu:
 Comentarii pozitive despre domeniile în care elevul a avut
rezultate bune, a arătat entuziasm, a fost implicat deplin şi
a colaborat bine cu alţii.
 Domenii de învăţare sau alte aspecte unde încă este
nevoie de dezvoltare.
 Ce au convenit elevul şi profesorul că trebuie să facă
elevul având în vedere ideile elevului despre cum ar dori
să îşi urmeze obiectivele de învăţare.
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 140
7. BIBLIOGRAFIE
1. M.Robe şi alţii: Componente şi circuite electronice, Bucureşti, Ed. Economică,

2000.
2. T. Dănilă, M. Ionescu-Vaida: Componente şi circuite electronice, Bucureşti, Ed.
Didactică şi Pedagogică, 1995
3. D. Cosma şi alţii: Componente şi circuite electronice – Lucrări de laborator, Ed.
Arves, 2008
4. Silviu Mirescu, Aurelian Chivu, Dragoş Cosma, Marin Sărăcin, Componente şi
circuite electronice-teste pentru examenul naţional de bacalaureat şi olimpiade
interdisciplinare tehnice, Editura Economică, 2001
5. K. F. Ibrahim: Introducere în electronică, Bucureşti, Ed. Teora, 2001.
6. T. Dănilă: Componente şi circuite electronice, Bucureşti, Ed. Didactică şi
Pedagogică, 1979.
7. D. Dascălu, A. Rusu, M. Profirescu, I. Costea: Dispozitive şi circuite electronice,
Bucureşti, Ed. Didactică şi Pedagogică, 1982.
8. Biţoui şi alţii: Practica electronistului amator, Bucureşti, Ed Albatros,1984.
9. R. W. J. Barker: Electronica Aplicată- Întrebări şi răspunsuri, Bucureşti, Ed.
Tehnică, 1976.
10. Bărbat, I Presură, T. Tănăsescu: Amplificatoare de audiofrecvenţă, Bucureşti, Ed.
Tehnică, 1972.
11. D. Dascălu şi alţii: Dispozitive şi circuite electronice – Probleme, Bucureşti, Ed.
Didactică şi Pedagogică, 1982.
12. V. Croitoru şi alţii: Electronică – Culegere de probleme, Bucureşti, Ed. Didactică
şi Pedagogică, 1982.
13. Constantin şi alţii: Aplicaţii şi probleme de radio şi televiziune, Bucureşti, Ed.
14. A.Trifu: Electronică digitală, Ed. Economică, 2001
15. T. Mureşan şi alţii: Circuite integrate numerice – Aplicaţii şi proiectare, Ed. De
Vest, 2000
16. G. Ştefan, V. Bistriceanu: Circuite integrate digitale – proiectare, probleme, Ed.
17. I. Spânulescu, S. Spânulescu: Circuite integrate digitale şi sisteme cu
microprocesoare, Ed. Victor, 1996
18. www.williamson-labs.com
19. www.circuit-fantasia.com
20. www.bbc.co.uk/scotland/education/bitesize/higher/physics/elect/analogue_rev.shtml
21. Filipovic D. Miomir: Understanding Electronics Components,
www.mikroe.com/en/books/keu/00.htm
22. www.da4design.com/electronica.htm
23. www.cadsoft.de/
24. www.dforum.ro/electronica-f46.html
25. http://www.scheme-electronice.go.ro/
26. http://www.electronics-lab.com/downloads/schematic/002/index.html
Profilul TEHNIC
Nivelul 3 141

Analiza Circuitelor Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Analiza Circuitelor Electronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

MINISTERUL EDUCAŢIEI CERCETĂRII ŞI TINERETULUI

Proiectul Phare TVET RO 2005/017-553.04.01.02.04.01.03

PROF.ING. CARMEN LILIANA GHEAŢĂ, Grad didactic I,

CONSULTANŢĂ CNDIPT: POPESCU ANGELA, EXPERT CURRICULUM

COORDONATOR: CIOBANU MARIANA VIOLETA

Prof.ing. Mariana Robe – inspector de specialitate ISMB

27.Simulare cu ajutorul calculatorului

Rezultatele activităţilor desfăşurate şi ale evaluărilor, colectate atât de profesor

Prezentul Auxiliar didactic nu acoperă toate cerinţele cuprinse în Standardele de

2. Competenţe relevante pentru modul

UNITATEA DE COMPETENŢĂ 26: ANALIZA CIRCUITELOR ELECTRONICE

1. Utilizează metodele de analiză ale circuitelor cu componente discrete.

UNITATEA DE COMPETENŢĂ 7: PROCESAREA DATELOR NUMERICE

1. Planifică o activitate şi culege date numerice în legătură cu aceasta.

II.Tabelul de corelare a competenţelor şi conţinuturilor

Corelarea competenţelor cu criteriile de performanţă din SPP:

Competenţa 1: Utilizează metodele de analiză ale circuitelor cu componente

Condiţii de Aplicabilitate a Criteriilor de Performenţă:

Circuite: cu diode semiconductoare, amplificatoare cu unul sau două

Competenţa 2: Utilizează noţiunile şi conceptele algebrei logice pentru

Condiţii de aplicabilitate a criteriilor de performanţă:

Probe scrise şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea candidatului

Competenţa 3: Utilizează circuite integrate analogice.

Condiţii de aplicabilitate a criteriilor de performanţă:

Probe orale şi scrise care atestă capacitatea candidatului de a defini parametrii

Probe orale, practice şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea

Competenţa 4: Utilizează reacţia în circuite electronice.

Condiţii de aplicabilitate a criteriilor de performanţă:

Tipuri: negativă şi pozitivă

Probe practice şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea candidatului

Probe practice şi observarea desfăşurării activităţii care atestă capacitatea candidatului

3.1 Activitatea de învăţare 1

Lucrare practică de laborator

Caracteristica statică a diodei semiconductoare

2. Reprezentaţi, pe caracteristică, parametrii electrici ai diodei:

3.2 Activitatea de învăţare 2

Simulare cu ajutorul calculatorului

Caracteristica statică a diodei semiconductoare

2. Reglaţi tensiunea furnizată de sursa de alimentare, astfel încât voltmetrul să indice

Reglaţi tensiunea furnizată de sursa de alimentare, astfel încât voltmetrul să indice

2. Reprezentaţi, pe caracteristică, parametrii electrici ai diodei:

d. Întocmiţi un referat cu tema „Caracteristica statică a diodei semiconductoare”

3.3 Activitatea de învăţare 3

a. Se consideră circutele din figurile de mai jos, în care E=10V, R=1000

1. Reprezentaţi, pe fişa de lucru, circuitele folosind circuitul echivalent al diodei

3.4 Activitatea de învăţare 4

a. Se consideră caracteristica statică a diodei semiconductoare din figura alăturată. (30p)

b. Alege varianta corectă: (25p)

1.Determinaţi căderea de tensiune pe rezistorul R1.

d. Se consideră circuitul din figura de mai jos, în care E=10V.

Caracteristica statică a diodei este prezentată în figura

3.5 Activitatea de învăţare 5

Lucrare practică de laborator

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor bipolare

6. Cu ajutorul calculatorului şi a programului Microsoft Excel realizaţi diagrama care

8. Analizaţi aspectul familiei caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului bipolar.

8. Măsuraţi valoarea tensiunii UCE.

3.6 Activitatea de învăţare 6

Simulare cu ajutorul calculatorului

3. Alimentaţi circuitul de la sursa de tensiune V 1 = 5V.

1. Conectaţi multimetrul 1 între bornele notate cu 6 şi 7, selectaţi funcţia ampermetru

Realizaţi cu ajutorul calculatorului şi a programului de simulare circuitul din figura

1. Conectaţi multimetrul 3 între bornele notate cu 1 şi 5, selectaţi funcţia ampermetru