Definitii

Ø
Litografie – tehnica de transfer a copiei unei configuratii geomet
pe o suprafata

Ø
Fotolitorafie – transferul copiei unei configuratii geometrice
suprafata unui material fotosensibil, prin expunere la radiatie UV
Etapele principale ale procesului de fotolitografie
Etalare fotorezist
Substrat

Radiatie UV
Masca

Fotorezist
Expunere
Substrat

Substrat Substrat Develo

Fotorezist negativ Fotorezist pozitiv

Etalarea

•
Definitie: procesul prin care se realiz
un strat uniform de fotorezist pe supra
unei plachete
•
Metode:
– Centrifugare
•
Cea mai uitlizata
•
Polimerul este turnat pe suprafata plachete
•
Placheta se introduce intr-un spinner si este
rotita cu viteze de pana la 8000 rpm
Etalare prin centrifugare
•
Avantaje – se pot obtine straturi foarte subt
uniforme
– Turnare
•
Uniformitatea stratului greu de controlat
– Pulverizare
Expunerea

•
Radiatia UV trece prin masca
placheta
•
La contactul razelor UV cu stratul
fotorezist are loc o reactie fotochimica:
– Fotorezist pozitiv – aria expusa devine
solubila in anumiti compusi chimici
– Fotorezist negative – aria expusa devine
rezistanta la anumiti compusi chimici
Expunere la radiatie UV
Expunerea

•
Lungimea de unda a sursei de
folosite:
– Spectru indepartat – 150 – 300 nm
– Spectru apropiat – 350 – 500 nm
•
Doza de expunere ( energia incid
– Intensitatea luminii incidente mu
cu timpul de expunere
Fotorezist pozitiv vs fotorezist negativ

Fotorezist pozitiv: Fotorezist negativ:

•
Ariile expuse se elimina in solvent •
Ariile ne-expuse se elimina in solve
•
Rezolutie – submicrometrica •
Rezolutie > 3µm
•
Grosime – 1- 10 µm •
Grosime – 1- 500 µm
•
PMMA, AZ •
SU-8

+ -
Fotorezist Fotorezist

Substrat Substrat
Expunerea

•
Masca
– dispozitiv folosit pentru transmi
unei configuratii pe suprafata
fotorezist prin expunere la radiatie U
– Fabricata din sticla sau cuart, cu
layout realizat dintr-un mat
absorbant (Cr)
Masca pentru fotolitografie
Expunerea – tipuri de expunere

•
De contact:
– Masca este pusa in contact direc
stratul de resist
⁺ Transferul configuratiei geometrice
mai precis
⁻ Masca se contamineaza si
Masca de contact deterioreaza mai repede
Expunerea – tipuri de expunere

•
De proximitate:
– Masca este plasata la o distanta de 10-20
deasupra stratului de resist
⁻ Abateri in transferul configuratiei geometrice

Radiatie UV Masca

Masca de proximitate Intensitatea

luminoasa a
radiatiei UV
Expunerea – tipuri de expunere

Lentila •
Prin proiectie:
Masca – Masca este proiectata pe placheta prin
sistem de lentil cu rezolutie inalta
Lentila – Imaginea imprimata pe fotorezist poate fi re
Fotorezist la o scala 1:5 – 1:10 fata de imaginea de pe m
Ø
Fabricarea mastii mai usoara

Expunere prin proiectie

Expunere prin proiectie
Lumina refractata
D Masca

Lentila ro
Lumina difractata
Lentila focuseaza fascicolu
raze UV, reducand difracti

Intensitate luminoasa idea

Developarea

•
Prin developare se configureaza geom
de pe masca in stratul de fotorezist
•
Fotorezistul ramas va proteja zonele
care le acopera si va permite corod
selectiva a plachetei in zonele descoper
•
Doua variante:
– Prin imersie
Developare prin imersie – Prin pulverizare
in baie de solventi
Tehnica Lift-off

•
Realizarea de configuratii in straturi metal
•
Etape:
1. Se configureaza prin fotolitografie un stra
resist pe suprafata plachetei
2. Se depune un strat de metal, prin evapo
peste stratul configurat de resist
3. Se indeparteaza rezistul (chimic sau in plas
indepartandu-se astfel si metalul de deasup

Lift-off