Sunteți pe pagina 1din 8

8.4.

5 Microsenzori de presiune Microsenzorii de presiune au fost primul tip de senzori microprelucrati din siliciu care au fost dezvoltati la sfritul anilor 1950 i nceputul anilor 1960.
MICROSENSORS

Figura 8.27 Tipuri de baz de senzori de presiune pe baz de silicon pe o deflexie pe vertical: (a) piezorezistiv (Polisiliciu) i (b) capacitiv (cu un singur cristal de siliciu) Cele dou mai frecvente metode de a fabrica microsenzori de presiune sunt microprelucrarea de suprafa si de volum a siliciului policristalin. Figura 8.27 ilustreaz principiile de baz ale unui senzor piezorezistiv

i un senzor de presiune capacitiv. Siliciul monocristalin este un material de dorit s se utilizeze pentru diafragma, deoarece nu apare histerezis ul. Piezorezistiv constanta (044) este de obicei 1-138.1 PC / N i care face de msurare a presiunii n intervalul de la 0 la 1 MPa relativ simpl. Figura 8.27 (b) prezinta regimul general al unui senzor cu un singur cristal de siliciu sub presiune cu preluare capacitiv. n acest caz, un pod capacitiv poate fi format cu dou referin condensatori i tensiunea de ieire este legat de deformarea membranei A * i prin urmare, presiunea aplicat (P - P0). Vout un AC o un AJC (P - P0) (8.33) n acest caz, poziionarea exact a electrozilor de preluare este crucial. Prin controlul presiunii P0 fundal, este posibil s se fabrice cu urmtorul text tipuri de baz de senzori de presiune: Un senzor de presiune absolut care se face referire la un vid (P0 = 0) Un senzor de tip indicator de presiune care se face referire la presiunea atmosferic (P0 = 1 atm) Un tip de diferential sau relativ (P0 este constanta). Exist avantaje i dezavantaje ale capacitive mpotriva presiune piezorezistiv senzori si acestea sunt rezumate n Tabelul 8.10. Principalul avantaj al folosind microtehnologice vrac este c circuitul electronic poate fi mai uor integrate. Exist multe exemple de senzori de presiune capacitiv cu digitale de citire. Cititorii sunt ndreptate spre exemplu lucrat 6.8 pentru fluxul de proces de un aer decalaj capacitiv Senzor de presiune cu citire digital. Un exemplu de capacitiv senzor de presiune este prezentat n figura 8.28, cu o diafragm 100 polisiliciu urn i integrate capacitate de circuit (Kung i Lee 1992). Tensiunea de ieire din integrate n-tip de metal oxide semiconductor (nMOS) circuit este, de asemenea, indicat impotriva presiunii aerului n non-Si uniti de PSI. Acest design obine o rezoluie mare, prin utilizarea electronice integrate. O abordare alternativ pentru a spori gradul de sensibilitate al senzorii de presiune de siliciu a fost propus de Greenwood n 1988 i a cuprins utilizarea unui microstructur rezonant. Figura 8.29 prezinta structura micromecanice bulk-microprelucrate stele din singlecrystal siliciu (Greenwood 1988). Principiul de baz este schimbarea de frecvena de rezonan de oscilaie a acestei structuri atunci cnd presiunea asupra diafragmei provoac la curba. La rndul su, aceast curbur creeaz tensiune n mas de transfer i susine aceast schimbri frecvena de rezonan.Dinamice Ecuaia care guverneaza comportamentul este o versiune modificat a ecuaiei (8.27) pentru a include un termen tensiune, care afecteaz km de primvar eficiente constanta.Rezonan (de torsiune)

Figura 8.28 senzor de presiune capacitiv Polisiliciuul: (a) seciune transversal cu electronice integrate, (B) reacie de tensiune de la o diafragma ptrat de 100 um grosime 1 um. De la Kung i Lee (1992)

Figura 8.29 Un senzor de presiune capacitiv vertical de rezonan pe oscilaie torsiune a unui tensionat n vrac-microprelucrate structura. Din Greenwood (1988) senzor de presiune s-au dovedit a avea o rezolutie excelenta (civa centimetri n aer) i stabilitatea (Pri per milion (ppm) pe an), prin funcionare a rezonator ntr-un vid parial. Prin urmare, este posibil s se ating un nivel ridicat mecanic Q factor, aici aproximativ 18 000 la o presiune de aproximativ 1 Pa, i pentru a atinge, prin urmare, sensibilitate foarte mare presiune. Eforturi suplimentare au fost fcute pentru a fabrica un senzor capacitiv lateral rezonant care utilizeaz tehnologia subire de siliciu policristalin film. Figura 8.30 (a) arat o rezonant capacitiv Senzorul fabricate n siliciu policristalin, mpreun cu rspunsul su (Figura 8.30 (b)).Neliniare Rspunsul este montat cu ajutorul unui polinom de nalt comand i de efectele temperaturii arecompensated pentru. Aici, microstructura se comport ca un rezonator neliniare i Ecuaia (8.27) este extins pentru a descrie un arc greu (ecuaia Duffin lui), astfel nct mx + + k bmx x + kl MX3 = Fx (t) (8.34)

Figura 8.30 (a) Lateral senzor de presiune capacitiv de rezonan pe oscilaie liniar a unui Suprafa tensionate microprelucrate structur; (b) de rspuns la presiunea barometric (de la Welham i colegii (1996)); (c) procesul de siliciu actual; i (d) ultimul dispozitiv cu pickup

piezorezistiv (Welham et al. 2000)

Soluia la Ecuaia (8.34) este interesant, deoarece are dou posibile deturnri la anumite frecvene. Cu toate acestea, ruleaz Oscilator la devierea traficului low folosind

ClosedLoop feedback-ul evit aceast problem de stabilitate. Problema cu aceast structur este faptul c capacitatile de unitate i de detectare sunt prea sczut, deoarece microshuttle este de numai 1 la 5 um groase. Cu toate acestea, evoluiile recente din LIGA i Rie profund face acum rezonant lateral structuri de un dispozitiv practic. Rezonator a fost reproiectat n prezent de ctre Welham et al. (2000) pentru a depi aceste probleme, mpreun cu o camioneta piezorezistiv.Figura 8.30 (c) prezinta procesul de siliciu noi i fabricate aparatul este prezentat n Figura 8.30 (d).Aceste dispozitive au o precizie de 0.01 la sut la rdcin medie ptratic (rms) sau mai bine, care, pn n prezent, o depete pe cea de senzori de presiune static. Produsul este comercializat de catre Druck Ltd (Marea Britanie), ca un senzor de presiune de precizie, deoarece este relativ scump pentru a face. Cu toate acestea, tehnologia preferat de astzi este cea mai mare parte siliciumicroprelucrate piezorezistiv Senzorii de presiune din cauza low-cost, robustete si usurinta de integrare circuitului. Tabelul 8.11 sintetizeaz cererile actuale auto Senzor de presiune (Madou 1997). n mod evident, piaa de automobile pentru senzori de presiune este enorm i comercial Dispozitivele sunt disponibile n prezent de la Motorola, NovaSensor, Tehnologii SSI, i alte Producatori. Deoarece costurile sunt conduse n jos, se ndrepte spre polisiliciu piezorezistiv este de dorit, dar creeaz unele probleme de stabilitate i precizie. Prin urmare, am putea vedea aspectul de tehnologii alternative pentru a face diafragmele, cum ar fi de siliciu pe izolator (SOI).