UNIVERSITATEA "POLITEHNICA" DIN BUCURETI CATEDRA DE FIZIC

LABORATORUL DE OPTIC BN - 122 B

TERMISTORUL
STUDIUL VARIAIEI CU TEMPERATURA A REZISTENEI ELECTRICE A MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE

1997

TERMISTORUL
STUDIUL VARIAIEI CU TEMPERATURA A REZISTENEI ELECTRICE A MATERIALELOR SEMICONDUCTOARE 1. Scopul lucrrii Verificarea legii dependenei rezistenei electrice cu temperatura la materialele semiconductoare. 2. Teoria lucrrii Pentru materialele semiconductoare pure (sau slab dopate) numite termistoare, la temperaturi inferioare ctorva sute de grade Celsius, energia Fermi se afl n banda interzis, departe att de banda de valen ct i de banda de conducie. La T 0, agitaia termic va popula banda de conducie cu o concentraie de electroni liberi notat cu n, n timp ce n banda de valen vor aprea golurile, n concentraie p. Dac semiconductorul este nedopat, p = n. Din teoria benzilor de energie n materialele semiconductoare rezult expresiile celor dou concentraii de sarcini electrice:

n = 2 ( 2 me kT )
p = 2 2 mg kT

3/ 2

h 3 exp ( E c E F ) / kT

(1)

) 3/ 2 h 3 exp[ ( E F E v ) / kT ]

(2)

unde me este masa efectiv a electronilor; mg este masa efectiv a golurilor; k este constanta Boltzman; T este temperatura semiconductorului; h este constanta Planck; E c este energia corespunztoare minimului benzii de conducie; E v este energia corespunztoare plafonului benzii de valen, E F este energia nivelului Fermi aflat, n cazul semiconductorilor intrinseci, la jumtatea "distanei" dintre E c i E v . Fcnd produsul expresiilor (1) i (2) rezult: n p = A exp ( E c E v ) / kT

(3) (4) (5)

innd seama c: n = p = ni se deduce concentraia purttorilor n semiconductorii intrinseci ni :

ni = B exp ( E c E v ) / 2kT

Conductibilitatea electric a unui semiconductor este: 1 = = e n n + p p

Mobilitile n , p fiind practic independente de temperatur rezult:

exp ( E c E v ) / 2kT exp( + E / 2kT )

(6)

(7)
1

unde E = E c E v i poart numele de lrgimea benzii (zonei) interzise. Rezistena unei probe semiconductoare va fi: R = C exp( + E / 2kT ) i dependena ei de temperatur e reprezentat n fig. 1.

(8)

Fig. 1

Logaritmnd expresia (8) se obine: E ln R = C + 2kT

(9)

3. Dispozitivul experimental este prezentat n figura 2 i cuprinde un cuptor electric (1) pentru nclzirea termistorului, un ohmmetru (2), care servete la msurarea rezistenei termistorului i un transformator (3) pentru alimentarea ohmetrului. Cuptorul are inerie termic mare astfel nct, dei nu este alimentat printr-un reostat ci direct de la reea, creterea temperaturii este foarte lent. Acest fapt nltur necesitatea unui termostat, permindu-ne s presupunem c fiecare msurare de rezisten se face ntr-un regim staionar. Pe capacul cuptorului sunt fixate termometrul (4) pentru indicarea temperaturii i termistorul (5) cu cele 2 borne care sunt legate prin conductori izolai la ohmetru.

Fig. 2

Ohmetrul este construit dup schema punii Wheastone. El cuprinde ungalvanometru (6) ca instrument de zero, un comutator (7) (rotativ sau cu fi) care schimb intervalele de valori indicnd de fiecare dat factorul multiplicator, i o rezisten variabil (8) cu cursor gradat i prevzut cu indicator. Un ntreruptor (9) intercalat n circuitul acumulatorului permite ca alimentarea ohmetrului s se fac doar n timpul citirilor. La unele ohmetre ntreruptorul intr n construcia lor sub forma unui buton . 4. Modul de lucru Se verific legturile de la termistor la ohmetru i la transformator. Sub ndrumarea cadrului didactic se face prima msurare a rezistenei termistorului. Cursorul rezistenei variabile se pune pe poziia minim iar comutatorul factorului multiplicator pe poziia maxim. Se apas scurt pe buton (ntreruptor) i se observ sensul deviaiei acului galvanometrului. Se trece la factorul multiplicator inferior observnd din nou sensul deviaiei acului. Operaiunea se repet pn cnd sensul deviaiei acului se schimb. Din acest moment se apas permanent pe buton i rotind cursorul, se aduce acul galvanometrului la zero, dup care se ridic degetul de pe buton. Rezistena termistorului este egal cu valoarea indicat la cursor nmulit cu factorul multiplicator. n acest moment se citete i temperatura. Valorile se trec ntr-un tabel de forma: t [oC] R [] T [K] 1/T [K-1] ln R

Se pornete nclzirea cuptorului punndu-l la priza de 380 V curent alternativ. Pe msur ce temperatura crete se fac noi msurtori ale rezistenei, nemaifiind necesare ncercrile cu diferii factori multiplicatori. Temperatura se citete imediat dup aducerea acului la zero. Intervalul de temperatur dintre dou citiri se alege atfel nct de la temperatura iniial (care eventual este mai mare dect temperatura camerei) i pn la temperatura final (care nu trebuie s depeasc 100oC) s se fac un numr de aproximativ 10 citiri. Este preferabil ca intervalele de temperatur dintre citirile succesive s fie egale,

ns rezultatele experienei nu vor fi viciate dac din neatenie a fost depit vreuna dintre temperaturile propuse. Important este ca citirea temperaturii s se fac practic concomitent cu determinarea rezistenei. La terminarea msurtorilor se scoate cuptorul din priz. 5. Prelucrarea rezultatelor experimentale

1 " respectiv " ln R" . Printre T punctele experimentale se traseaz dreapta de interpolare. Se deduce panta m a acestei drepte. E . Conform relaiei (9) m 2k -5 Se va calcula E exprimat n electroni voli. (k = 8,6.10 eV / K)
Folosind datele din tabel se traseaz un grafic cu axele " 6. ntrebri 1. Ce este un termistor? 2. De ce un termistor este mult mai sensibil la variaia temperaturii dect un metal? 3. Care este starea de umplere a nivelelor din banda de conducie, respectiv valen, la un semiconductor la T = 0 K i T 0 K?