Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Ion Catalin Atestat Final Cuprins Corectat
Ion Catalin Atestat Final Cuprins Corectat
2
CAP. 1.1.
CAP. 1.2.
Prin amplificare se nelege procesul de mrire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale
altei mrimi, fara a modifica modul de variaie a marimii in timp si folosind energia unor surse
de alimentare.
Dupa natura dispozitivelor utilizate in procesul de amplificare se poate vorbi de amplificare
electrica, amplificare magnetica, amplificare electromagnetica si amplificare electronica.
Circuitele de amplificare ce fac obiectul acestui capitol sunt circuite care amplifica electric prin
semiconductibilitate daca sunt realizate cu tranzistoare bipolare sau amplifica electronic daca
sunt realizate cu tuburi electronice.
In amplificatoarele reale semnalele sunt distorsionate, adica forma semnalului de iesire difera
de forma de unda a semnalului de intrare. Performantele unui amplificator sunt apreciate prin
caracteristici si parametri care se refera la:
zgomotele interne;
Daca se tine cont de latimea benzii de frecventa, amplificatoarele de c.a. se impart in:
Primele au banda mica in raport cu frecventa centrala din banda, iar cele de banda larga au
banda comparabila cu frecventa centrala.
De regul sarcina este constituit dintr-un releu, servomotor sau difuzor, ceea ce face ca
rezistena pe care se debiteaz putere s fie cuprins ntre 1 Q i 100 H. Domeniul cruia i
aparine puterea util se ntinde de la sute de miliwai pn la sute de wai.
Este evident c pentru a obine aceste puteri, punctul de funcionare va avea excursii relativ
mari, lucru care are trei consecine :
calculul nu mai poate fi fcut cu parametrii de semnal mic, deoarece
acetia sufer variaii importante ;
ntruct punctul de funcionare intr n regiunile neliniare, sau
n domeniile lor adiacente, trebuie impus un grad de distorsiuni admisibil;
exist riscul de a scoate tranzistorul din regiunea n care lucreaz
stabil, ceea ce poate duce la distrugerea acestuia.
La aplicaiile care necesit comanda unui releu sau servomotor, distorsiunile nu
constituie un criteriu limitativ (ca de exemplu la amplificatoarele de audiofrecven, unde se
urmrete o redare ct mai fidel a programelor, nregistrrilor etc).
Un alt criteriu de clasificare este dup conexiunea n care lucreaz tranzistoarele de putere.
Astfel, conexiunea EC are posibilitatea de a da amplificarea n putere cea mai mare .
Conexiunea BC ofer o amplificare n putere ceva mai mic (circa 2530 dB, fa de 3540
dB n cazul conexiunii EC), dar prezint avantajul unui comportri mai bune cu frecvena.
Aceasta o face util n aplicaiile la care trebuie furnizat o putere nsemnat la frecvene mari.
Conexiunea CC, dei are amplificarea n putere cea mai mic (n jur le 1520 dB), este
utilizat destul de des din dou motive :
are o rezisten de ieire foarte mic, ceea ce uneori face inutil transformatorul de ieire,
sarcina fiind legat direct;
gradul de distorsiuni este redus, datorit reaciei negative locale.
Prezint totui dezavantajul ca avnd amplificarea n tensiune subunitar, necesit la intrare
semnale cu amplitudine mare.
Astfel, aria este delimitat n primul rnd de hiperbola de disipaie PdM icUcE (se
presupune c puterea disipat n jonciunea emitor-baz este neglijabil fa de cea a jonciunii
colector-baz). Dup cum s-a artat, puterea disipat maxim depinde de temperatur, ceea ce
explic translaia hiperbolei pe poziia punctat, la o cretere a temperaturii ambiante (n cazul
utilizrii unui radiator, are loc o translaie n sens invers).
A doua delimitare se face prin dreapta de saturaie, care este locul n care se despart curbele, la
tensiuni uCE mici.
Inversul pantei acestei drepte este proporional cu rezistena de saturaie a colectorului, care este
constituit n cea mai mare msur din rezistena de volum a materialului colectorului. I, a
tranzistoarele de putere ea trebuie s fie ct mai mic posibil (la cele construite pe siliciu este de
civa ohmi, iar la cele pe germaniu, de fraciuni de ohm).
A treia limitare apare la cureni mari de colector, unde valoarea lui (3 scade att de mult nct
amplificarea devine neglijabil. Aceasta se traduce prin teirea (tierea) vrfurilor sinusoidei
amplificate. La unele tipuri de tranzistoare acest fenomen apare dup depirea curentului de
colector maxim admisibil.
In al patrulea rnd, se delimiteaz aria prin acelai fenomen de aplatizare a vrfurilor (de jos,
de data aceasta) ale sinusoidei, care apare prin reducerea parametrului la intrarea tranzistorului
n tiere.
In fine, mai trebuie considerat valoarea maxim admis a tensiunii, pentru a evita distrugerea
prin strpungere a tranzistorului (se ia din catalog).
O ultim chestiune care mai trebuie precizat este notaia care a fost folosit n acest
subcapitol i anume :
Pa puterea medie disipat n tranzistor ;
PdM puterea disipat maxim admisibil ;
Pdo puterea disipat n absena semnalului;
P'd
Ps
Po
eficiena comercial
= (Ps/Pd)max.
care este maximul raportului dintre puterea dat n sarcin i puterea dat de tranzistor n timpul
funcionrii cu semnul (de remarcat c ntotdeauna Pdmax = P'd, de unde precauia de notaie)
a) Schema tipica
Schema tipica a unui amplificator de audiofrecventa de semnal mic realizat cu tranzistor bipolar
este prezentata in fig. 7.
a) semnal b) raspuns
Divizorul format din rezistentele RA si RB are rolul de a polariza (stabili punctul static de
functionare) tranzistorul, adica de a furniza tranzistorului (jonctiunea BE) tensiunea de polarizare
VBE. Divizorul realizeaza tensiunea VBE aplicndu-se pe el tensiunea de la sursa comuna de
colector Vcc.
b) Polarizarea tranzistorului
Deoarece IB este neglijabil in raport cu curentul IA, divizorul lucreaza practic in gol si deci:
Pentru a face calculul elementelor din schema amplificatorului (fig. 8) trebuie cunoscut, in
primul rnd, punctul static de functionare M(VBE, IB, VCE, IC) . El se alege in zona centrala a
regiunii active directe pentru a permite punctului dina-mic de functionare sa evolueze in planul
caracteristicilor de iesire, ct mai amplu si simetric de o parte si de alta a lui M.
Pentru alegerea PFS (punct de functionare static) se folosesc caracteristicile statice ale
tranzistorului (exista cataloage care recomanda PFS).
Rezistenta de colector RC se alege astfel inct caderea de tensiune continua pe ea sa fie VCE
(sau in jurul acesteia). Scopul este de a obtine o tensiune alternativa vCE simetrica in cele doua
alternante si de amplitudine ct mai mare. Dupa alegerea PFS si m, elementele aferente
sistemului de polarizare se determina pe baza relatiilor.
RB = (d) ; RA = (e) .
Observatie:
Nu este obligatoriu sa folosim relatiile (d) si (e) cu valoarea m aleasa in (b). In orice caz,
eficienta stabilizarii lui M creste cu m, dar in acelasi timp se majoreaza si puterea absorbita de
divizorul RA, RB. Capacitatile CI si CO trebuie sa fie mari, astfel inct reactantele lor, chiar la
frecventa minima de semnal, sa fie mult mai mici dect rezistenta cu care este conectata in serie
si de pe care se culege semnalul spre a fi transmis mai departe.
Rezistenta de iesire a etajului este raportul dintre tensiunea de iesire in gol si curentul de
scurtcircuit la poarta de iesire.
Caderea de tensiune VR1 se aplica prin intermediul infasurarilor secundare ale lui TR1
jonctiunilor BE ale celor doua tranzistoare. Tensiunea de semnal ce se aplica la intrare, v1, se
transforma in tensiunile v1,1 si v1,2 aflate in antifaza, de amplitudini considerate egale, deci v1,1
iC = iC1 iC2.
Observatie: In reprezentarea cu linie plina a curentilor iC1 si iC2 nu s-a tinut cont de sensurile
curentilor din fig. 10. si care sunt de fapt contrare, lucru . iC2 poate fi reprezentat ca avnd sens
contrar (reprezentat cu linie punctata), caz in care iC = iC1 + iC2.
Schema simplificata a amplificatorului este prezentata in fig. 11. Amplificatorul lucreaza in clasa
B. Caracteristica de transfer idealizata este prezentata in fig. 12, a.
Pentru VBE2(on) < vi < VBE1(on) nici unul din tranzistoarele etajului nu se afla in conductie,
tensiunea la iesire fiind practic 0. Pentru Vi = VBE1(on) conduce T1, iar pentru Vi = VBE2(on)
conduce T2.
Observaie: Din relaia vi = vBE + RLiL valabila pentru ambele tranzistoare devine Vi = VBE
cnd acestea sunt blocate, ceea ce justifica faptul ca raportarea functionarii se face la tensiunea vi
si nu la vBE.
Spre deosebire de etajul din fig. 11., amplificatorul din fig. 13. nu poseda zona de insensibilitate,
caracteristica fiind cea din fig. 12, b. Anularea zonei de insensibilitate se face prin introducerea
celor doua diode D1 si D2, care, aflate in conductie, determina caderile de tensiune VD1 si VD2,
de aproximativ 0,6V fiecare, cu rol in polarizarea tranzistorului T1.
Definiie
Tranzistorul sau trioda cu cristal, cu s-a numit la nceput, este un dispozitiv cu trei zone
semiconductoare, in linii mari fiind ca o asociere de doua diode. Zonele semiconductoare pot fii
P (pozitive), N (negative). Aceasta echivalenta fictiva este prezentata in figura 1. in realitate,
schema echivalenta din dreapta figurii nu este utila dect la verificarea sumara cu ajutorul
ohmmetrului a strii tranzistorului. Tranzistorul prezint trei contacte (terminale) numite : emitor
(E), baza (B), colector (C).
Modul de funcionare. Curentul din circuitul format de colector si emitor depinde de curentul
injectat in baza, dar variaia curentului de colector este mult mai mare dect cea a curentului
din baza (tranzistorul amplifica).
Tipuri de tranzistoare
Tranzistorul de tip PNP (figura 1.a.)este format dintr-un cristal de germaniu sau alt
semiconductor dopat astfel cu impuriti nct se obin trei regiuni distincte : regiunea centrala de
tip N numita baza, foarte ngusta (0.01 mm) si, doua regiuni laterale de tip P numite emitor si
colector, de o lime mai mare, fiind dopate cu impuriti ceea ce ii confer o rezistenta mica.
Tranzistorul de tip NPN (figura 1.b.) se comporta identic cu tipul PNP, cu observaia ca sursele
de polarizare se conecteaz pe electrozi cu polariti inversate, iar transferul de la emitor la
colector nu mai este asigurat de goluri, ci de electroni, ca purttori majoritari de sarcini.
Purttorii minoritari formai din goluri produc un curent mult mai mic, care va fi neglijat. Aceste
goluri aflate in mijlocul bazei, vor trece spre emitor, recombinndu-se cu electronii.
Amplificarea tranzistorului apare pentru ca un curent de emitor IE este transferat cu foarte mici
pierderi dintr-un circuit cu o rezistenta mica intr-un circuit cu o rezistenta mare. De aici deriva si
numele de tranzistor (TRANsfer reZISTOR).
In regim de funcionare activ normal, in jonciunea BE care este polarizata direct, iar jonciunea
BC, invers, factorul static de amplificare in curent a = Io/IE, iar in tensiune a = Ries/Rintr..
Factorul b , un parametru al tranzistorului, reprezint o amplificare in curent, definita ca raportul
intre variaia curentului de colector si variaia curentului de baza (cu tensiunea de colector
constanta ) conectnd un tranzistor PNP cu emitorul comun (EC). O variaie mica a curentului de
baza provoac o variaie mare a curentului de colector. Aceasta este valabil si tranzistorul de tip
NPN.
Moduri de conectare. Exista trei moduri fundamentale de contare ale tranzistorului in circuit, aa
cu se prezint in figura 2. : emitor comun, baza comuna si colector comun. Cel mai folosit in
practica este circuitul cu emitor comun, deoarece ofer un ctig de tensiune si amplificare de
putere ridicata.
Capsula
Acest tranzistor este destinat utilizrii in circuite de comutare de putere, regulatoare, surse de
alimentare, amplificatoare de nalta fidelitate etc.
El a fost astfel proiectat, nct sa poat funciona la parametri maximali fr a se distruge datorita
tensiunilor de strpungere secundare.
Tensiunea de ieire U2 poate fi privit fie drept cderea de tensiune cu semn schimbat (a
curentului de colector si a tensiunii colector emitor de sarcin ( ntruct n curent alternativ
borna + Ec este la mas, bateria comportndu-se ca un scurtcircuit), fie drept cderea de tensiune
ntre colector i emitor. Fie c se raioneaz pe o variant sau pe cealalt, este clar c la creterea
curentului de colector corespunde scderea tensiunii U2 i viceversa.
ntruct regimul sinusoidal se suprapune peste cel continuu, se pot scrie ecuaiile :
Prin definiie, locul geometric descris de punctul de funcionare atunci cnd pe baz se aplic un
semnal oarecare se numete caracteristic dinamic.
n cazul de fa, acest loc geometric este segmentul MN, ale crui capete snt simetrice fa de Q
(ntruct i semnalul aplicat este simetric fa de axa timpului).
CAP. 5. ANEXE :
CAP. 6. BIBLIOGRAFIE
v
v
Oltean, G., Miron, C., Gordan, Mihaela, Hotoleanu, M., Dispozitive si circuite
electronice. ndrumtor de laborator, II. Multiplicare UTCN, 1999;
v
Miron,C., Oltean, G., Gordan, Mihaela, Dispozitive si circuite electronice, --- Culegere
de probleme, Editura Casa Cartii de Stiinta, Cluj-Napoca, 1999;
v
Lungu,S., s.a. - Electronica. Culegere de probleme Editura Casa Cartii de Stiinta, ClujNapoca, 1993;
v
Ciugudean, M., .a. Electronic aplicat cu circuite integrate analogice. Dimensionare., Editura de Vest, Timioara,1991;
v
Ciugudean, M., .a. Stabilizatoare de tensiune cu circuite integrate liniare.
Dimensionare, Editura de Vest,Timioara, 2001;
v
www.datasheetcatalog.com
www.google.ro
www.elforum.ro