Optoelectronica

DOROGAN Andrei

FOTODIODE P-I-N
Este cel mai rspndit fotodetector. Conine 3 straturi semiconductoare. Straturile
p i n, de regul, sunt puternic dopate ( 1017 ...1018 cm 3 ).
Stratul i cu grosimea d este foarte puin dopat i posed o concentraie foarte
mic de impuriti donoare ( n 0 1014...1015 cm 3 ).
Structura fotodiodelor p i n are structura urmtoare:

Distribuia
puterii optice
absorbite

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

unde: Poptic - puterea optic incident; R Poptic - puterea optic reflectat;

Poptic 1 R e x - puterea optic absorbit; W - grosimea stratului de sarcin spaial;
E x - intensitatea cmpului electric fr polarizare invers i la polarizarea cu
tensiunea U respectiv.
Aplicnd fotodiodei tensiunea U , n stratul i se formeaz o regiune de sarcin
spaial lrgit cu intensitatea cmpului electric E x . De regul, tensiunea U se alege
n aa mod ca stratul de sarcin spaial s acopere toat grosimea stratului i. Deci:
W d.
P
Semnalul optic incident optic se absoarbe de structura semiconductoare conform
legii:
Poptic 1 R e x .
(1)
Sunt generai purttori de sarcin care sunt separai de cmpul electric E x .
Fotocurentul diodei este compus din curentul de drift (deriv) i curentul de
difuzie:
I f I drift I difuzie ,
I drift este format de purttorii de sarcin generai n interiorul stratului de sarcin
spaial; I difuzie este generat de purttorii de sarcin din stratul n i p. Deoarece,
stratul frontal p este foarte subire ( d 1 ), sau este transparent pentru semnalul
incident, neglijm purttorii de sarcin generai n el.
Viteza de generare a purttorilor de sarcin este:
G x 0 e x ,
(2)
0 - fluxul fotonilor incideni pe o unitate de suprafa.
1
0 Poptic 1 R
,
(3)
A h

unde R - coeficientul de reflexie, A - suprafaa fotoactiv.

Curentul de deriv se determin dup relaia:
W

I drift q G x dx q 0 1 e W

(4)

Pentru x W densitatea purttorilor de sarcin minoritari (goluri) n volumul de

tip n a semiconductorului se determin din ecuaia de difuzie:
p n p n p n 0

G x 0 ,
p
x 2
al golurilor; p - timpul

Dp

(5)

unde D p - coeficientul de difuzie

de via al purttorilor de
p
sarcin minoritari; n 0 - concentraia de echilibru a golurilor n stratul W .
Soluia ecuaiei (5) pentru condiiile iniiale p n p n 0 pentru ( x ) i p n 0
pentru ( x W ) ne permite deducerea relaiei pentru I difuzie :
I difuzie q 0

Lp

1 L p

e W q p n 0

Dp
Lp

(6)

Din relaiile (4) i (6) determinm curentul total:

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

e W
I total q 0 1

1 L p

qp n 0

Dp
Lp

(7)

n condiiile normale de funcionare a fotodiodei p i n al doilea termen al

relaiei (7) este mult mai mic ca primul termen. Deci:

e W
I total q 0 1

1 L p

(8)

Eficiena cuantic a fotodiodei se determin:

e W
0 1

1 L p

I total q
e W

1 R 1

1
Poptic A h 0 A h
1 L p

1 R
A h

(9)

Deoarece am presupus c absorbia optic n stratul p practic lipsete, atunci:

1 R 1 e W .
(10)
Concluzii: Pentru a primi eficien cuantic nalt este necesar ca coeficientul de
reflexie s fie ct mai mic ( R 1 ) i s se ndeplineasc condiia W 1 .
n semiconductorii cu structur direct a zonelor energetice (A 3B5) coeficientul de
absorbie al radiaiei cu h E g este mai mare ca 10 4 cm 1 , deaceea, pentru a asigura
absorbia complet a semnalului optic n regiunea de sarcin spaial W a jonciunii p
n, este necesar ca W 2m (sau civa m ).
Practic pentru toate materialele semiconductoare, ce se folosesc pentru
confecionarea fotodiodelor p i n, coeficientul de refracie a radiaiei la grania aer
semiconductor este ns 3,5 , iar coeficientul de reflexie R 0,3 . Deci, coeficientul de
reflexie micoreaz eficiena cuantic pn la 70% . ns, aceste pierderi optice pot fi
micorate utiliznd pelicule antireflex.
n calitate de straturi antireflex se folosesc pelicule din Si 3N4, Al2O3, SiO2, ZnS,
etc, cu coeficientul de refracie ndielectric 1,8...2 care ndeplinete condiia:

n aer

12

n dielectric
n semiconductor

Grosimea straturilor antireflex trebuie s fie:

d dielectric

, unde

n aer 1 .

Absorbia optic n exteriorul stratului de sarcin spaial micoreaz eficiena

cuantic a fotodiodei p-i-n, deoarece purttorii de sarcin trebuie s difundeze spre
stratul de sarcin spaial pentru a fi separai. Spre exemplu, n structura prezentat, la
iluminarea din partea stratului p, electronii generai n stratul p nu ajung toi la
stratul de sarcin spaial (SSS), deoarece recombineaz sau n volumul stratului p sau
la suprafaa lui.
FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Aici eficiena cuantic este determinat de geometria fotodiodei i de viteza de

recombinare superficial i de volum. ns, pierderile prin recombinare, la iluminarea
din partea startului p sunt mici, deoarece viteza de difuzie a electronilor (purttori de
sarcin minoritari n stratul p) este destul de mare.
La iluminarea structurii din partea stratului n, pierderile prin recombinare sunt
mult mai mari, deoarece viteza de difuzie a golurilor (purttori de sarcin minoritari)
este mult mai mic. n acest caz i rapiditatea fotodiodei este mult mai mic.
Absorbia optic n straturile n i p poate fi exclus, confecionnd straturile
din materiale cu E g mai mari ca energia cuanilor incideni. Aceasta devine posibil
utiliznd heterostructurile cu banda energetic a straturilor componente de valorile:
E gp E gi E gn sau E gp E gi E gn .
n acest caz conteaz numai viteza de recombinare superficial.
Cel mai important parametru al fotodiodei p-i-n este sensibilitatea, care are
urmtoare expresie:
S

If

, fiind funcie de .

Poptic

Amintim c:

N p,n
NF

If q
Poptic h

Deci:
S

If
Poptic

; I f q

q Poptic
h

1
Poptic

Dac se msoar n m , iar h - n eV, atunci:

S

n caz ideal cnd

1,24 ,

A V
;

W W

1:

1,24 .

Poptic
h

q
.
h

(11)
(12)

Diferena dintre sensibilitatea spectral a unui fotoreceptor ideal calculat dup

relaia (12) i a unei fotodiode ideale din Ge:

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Cauzele sunt:
Dependena R f . Acest efect se ia n consideraie prin formula:

S
1 R ;
Dependena
predomin.

1,24

care rezult din relaia (10), ( f ). Aceast dependen

RAPIDITATEA FOTODIODEI P-I-N

Rapiditatea fotodiodei este determinat de constanta de timp a circuitului electric
i de timpul de selectare a purttorilor de sarcin fotogenerai.
Constanta de timp ( RC ) este egal cu produsul dintre rezistena sarcinii
fotodiodei egal cu R 50 i capacitatea fotodiodei C f . Capacitatea C f este compus
din capacitatea jonciunii pn C p n i capacitatea parazit (capacitatea straturilor
semiconductoare i conductorilor metalici).
Capacitatea jonciunii pn este:
C p n 0 s A p n

1
W

(13)

unde 0 - constanta dielectric a vidului; s - constanta dielectric a semiconductorului

( 13 ); A p n - aria jonciunii pn; W - grosimea stratului de sarcin spaial.
Deci, pentru a micora capacitatea fotodiodei este necesar:
Micorarea suprafeei jonciunii pn;
Sporirea W , prin micorarea concentraiei impuritilor de fond n stratul i.
Suprafaa jonciunii pn se realizeaz prin dou metode:
1. formarea jonciunii meza a fotodiodei;
2. formarea jonciunii pn prin difuzie local, utiliznd mti din SiO2.

FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Stratul de sarcin spaial poate fi mrit polariznd invers fotodioda cu o tensiune

. n jonciunea pn abrupt dependena W f U este urmtoarea:
12
W 2 0 s b U p n q N d
(14)
unde U - tensiunea invers de polarizare; b - potenialul de contact al jonciunii.
Pentru fotodioda cu concentraia purttorilor de sarcin n statul i N d 1015 cm 3
i U 2...3V grosimea stratului de sarcin spaial este W 2 m . Jonciunea pn cu
diametrul 100 m posed capacitatea de C 1 pF i constanta de timp pentru Rs 50
egal cu RC 50 ps .
Timpul total necesar pentru selectarea purttorilor de sarcin fotogenerai se
determin prin suma timpului de deriv a purttorilor de sarcin prin W i a timpului de
difuzie a purttorilor de sarcin generai n afara W .
Viteza de deriv a purttorilor de sarcin pentru intensitatea cmpului electric W
egal cu 10 4 V cm constituie vderiva ~ 10 7 cm s . n aa mod, pentru W 2 m , timpul de
deriv este egal cu 20 ps .
Pentru electronii ce difuzeaz din stratul p n W timpul de difuzie va fi:
t difuzie L2n 2,4 Dn ,
(15)
unde Ln - lungimea de difuzie a electronilor; Dn - coeficientul de difuzie a electronilor
care este proporional cu mobilitatea lor.
n cazurile tipice pentru Ln 1...2m timpul de difuzie este t difuzie 100 ps . n aa
mod, pentru a realiza o nalt rapiditate a fotodiodei este necesar de a micora
considerabil grosimea stratului p sau de a exclude absorbia semnalului optic n acest
strat. Aceasta se realizeaz utiliznd heterostructurile semiconductoare cu stratul frontal
avnd E g h .
U

n acest caz, ns, poate exista absorbia n stratul n, iar golurile au o vitez de
difuzi mult mai mic ca electronii, ceea ce micoreaz rapiditatea fotodiodei. Pentru a
n
exclude absorbia i n stratul n, el este confecionat cu E g h .
FOTODIODE P-I-N

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

n acest caz:
h E gp E gn E gi h ,

FOTODIODE P-I-N

di W