Capitolul 1.

Materiale dielectrice
1.1. Definiii i clasificri
Materialele dielectrice se caracterizeaz prin stri de polarizaie electric,
care sunt stri de electrizare suplimentar i apar n prezena cmpului electric
intern sau extern. Pentru caracterizarea local a strii de polarizare a corpurilor,
se utilizeaz densitatea de volum a momentelor electrice, numit polarizaie
electric P , care este o mrime microscopic local sau punctual. Notnd cu
p p i suma geometric a momentelor electrice dintr-un domeniu restrns de
volum v , polarizaia electric se definete prin relaia:
p p

[C/m 2 ]
V 0 v
v

P lim

(1.1)

Momentul electric p , care este o mrime macroscopic sau global, se

definete prin relaia:
p P dv [Cm]
(1.2)
V
Cmpul electric E i polarizaia electric P , sunt cele dou mrimi care
caracterizeaz din punct de vedere electric starea unui material dielectric.
Materialul dielectric poate fi polarizat intrinsec, independent de plasarea sa n
cmp electric exterior, sau dimpotriv, se poate polariza sub efectul cmpului
electric exterior. Primul tip de polarizaie Pp , se numete polarizaie
permanent sau spontan i este asociat prezenei cmpului electric intern, iar
al doilea tip de polarizaie se numete polarizaie temporar i depinde de
intensitatea cmpului electric aplicat: P t P t E .
Teoria macroscopic a cmpului electromagnetic stabilete te relaia dintre
inducia electric D i mrimile de stare E i P , sub forma legii de material,
(scris sub form vectorial):
D 0 E P 0 E P t E P p [C/m 2 ] ,
(1.3)
unde: 0 =1/(4 910 -9 )[F/m], este permitivitatea vidului.
Legile de material descriu comportarea specific a materialelor. Ele se
deosebesc de legile generale prin gradul diferit de generalitate i exactitate.
Dup forma relaiei : P t P t E , dielectricii se pot clasifica n dielectrici
liniari i neliniari, izotropi sau anizotropi.
Pentru dielectricii liniari i izotropi, relaia este liniara:
Pt 0e E
(1.4)
unde: e reprezint susceptivitatea electric, care este n general o mrime
complex adimensional. Astfel, relaiile (1.3) i (1.4) au formele:
D 0 1 e E P p 0 r E P p
(1.5)
P t 0 r 1 E
(1.6)
unde: r 1 e ,este permitivitatea relativ a materialului dielectric, iar 0 r
este permitivitatea materialului dielectric.
Permitivitatea relativ complex r , este definit prin relaia:
r D 0 E
(1.7)
unde prin D i E s-au notat inducia i intensitatea cmpului electric, considerate
mrimi complexe.
Relaiile (1.4) i (1.6) ntre mrimi vectoriale se pot scrie sub forma unor
relaii ntre mrimi complexe dac forma de variaie n timp a mrimilor, este de
1

tip armonic:

Pt 0 e E ,

D 0 1 e E P p 0 r E P p ,

(1.8)
(1.9)
(1.10)

P t 0 r 1 E .
Pentru dielectricii liniari i anizotropi, relaiile (1.4) i (1.9) au forma:
Pt 0 e E ,
(1.11)
D E Pp ,
(1.12)
unde: susceptivitatea e i permitivitatea sunt tensori. Astfel, fiecare
component a polarizaiei temporare, respectiv a induciei electrice, depinde de
toate componentele cmpului electric.
Experimental, se pun n eviden dou tipuri de materiale dielectrice
liniare:
- materiale diaelectrice,
- materiale paraelectrice.
Materialele diaelectrice , cum sunt gazele monoatomice inerte: He, Ne i
Ar, se caracterizeaz prin susceptiviti de valori sczute, sunt independente de
temperatur i nu prezint postefect.
Materialele paraelectrice , cum sunt substanele poliatomice cu molecule
nesimetrice: NaCl, KCl, HCl,H 2 O, au susceptiviti de valori ridicate, care
variaz n raport invers cu temperatura, i prezint postefect i deci implicit,
dependen a susceptivitii electrice de frecvena cmpului electric alternativ
aplicat.
Postefectul reprezint procesul de urmrire ntrziat a polarizaiei
temporare la variaii rapide ale cmpului electric exterior. Astfel, dac
consideram o variaie brusc a cmpului electric, valoarea polarizaiei temporare
corespunztoare cmpului electric aplicat va fi atinsa dup un interval de timp t
(fig.1a).
La o variaie sinusoidal a cmpului electric, polarizaia temporar se
modific de asemenea sinusoidal, cu un defazaj "n urm", datorit postefectului:
E t E 0 sin t
(1.13)
P t 0 e E0 sint
(1.14)
ntruct e este o mrime complex, la frecvene nalte, n conformitate cu
relaiile (1.3) i (1.9), vectorii D i E nu mai sunt coliniari, iar dependena
polarizaiei temporare de intensitatea cmpului electric nu mai este liniar, avnd
forma unei elipse cu vrfuri ascuite (fig.1.1b).
La o cretere rapid a cmpului electric: E E1 0 , corespunde o cretere
mai redus a polarizaiei pna n punctul A', iar la o scdere brusc a cmpului
electric: E E max E 2 , corespunde o scdere mai redus a polarizaiei, pn n
punctul B'.
Relaia P t P t (E ) pentru dielectricii neliniari, cum sunt materialele
feroelectrice, este de tipul unui ciclu de histeresis. Valoarea polarizaiei
temporare la un moment dat nu este univoc determinat de valoarea cmpului
electric aplicat i depinde de evoluia anterioar a materialului.

fi g. 1.1 Di agram e asoci at e post efect ul ui l a di el ect ri ci i l i ni ari l a vari a i i brut e (a)
si nusoi dal e (b ) al e cm pul ui el ct ri c apl i cat .

1.2. Tipuri de polarizri

Materialele dielectrice prezint trei tipuri de polarizri: temporar,
permanent i cvasipermanent.
Polarizarea temporar de deplasare electronic sau ionic reprezint
deplasarea limitat elastic i reversibil a nveliurilor electronice ale atomilor
dielectricului (fig.1.2a) respectiv a ionilor dielectricului (fig.1.2b) sub influena
cmpului electric i este proprie materialelor diaelectrice.

f ig.1.2 P ol ari z area t em porar a di el ect ri ci l or:

(a) pol ari z are de depl asare el ect roni c;
(b ) pol ari z are de depl asare i oni c;
(c) pol ariz are de ori ent are di pol ar.

Polarizarea temporar de orientare dipolar , tipic materialelor

paraelectrice, ale cror molecule polare prezint momente electrice proprii,
reprezint orientarea momentelor electrice pe direcia cmpului electric aplicat,
ntruct n absena cmpului, datorit agitaiei termice, orientarea lor este
aleatorie(fig.1.2c).
Polarizarea permanent este produs de factori neelectrici i este de dou
tipuri:
-Polarizarea spontan sau piroelectric este asociata prezenei cmpului
electrostatic intern i apare din condiia de minimizare a energiei interne a
materialului dielectric, care depinde pronunat de temperatur. Astfel i starea de
polarizare va avea o puternic dependen de temperatur (fig.1.3a);
3

f ig.1.3 P ol ari z area perm anent a di el ect ri ci l or: (a) pol ari z are spont an;
(b ) pol ari z are pi ez oel ect ri c; (c) pol ari z are de ti p el ect ret .

-Polarizarea piezoelectric
(fig.1.3b) apare sub aciunea tensiunilor
mecanice aplicate structurii cristaline. Sub influena unui cmp electric exterior
apare efectul piezoelectric invers, de deformare a structurii cristaline.
Polarizarea cvasipermanent de tip electret (fig.1.3c) apare ca o
consecin a orientrii dipolilor i a deplasrii sarcinilor electrice, i se obine fie
prin tratament termic, fie prin iluminare n cmp electric intens, fie prin iradiere
cu un fascicul de electroni.
1.3. Funciile dielectricilor i utilizrile lor
1.3.1. Funcia de dielectric pentru condensatoare
Pentru un dielectric liniar i izotrop, admitem c permitivitatea relativ
complex, definit prin relaia (1.7), este de forma:
r r. j r,,
(1.15)
i vom arta deductiv c expresia este teoretic confirmat.
Neglijnd efectele de margine, prin definiie, admitana unui condensator
cu dielectric are expresia:
Y Cech j r C 0 j ( r. j r,, )C 0 r,, C 0 j r, C 0
(1.16)
unde: C 0 reprezint capacitatea condensatorului n absena dielectricului.
Schema echivalent a condensatorului este reprezentat n fig.1.4a.
Prin urmare, condensatorul cu dielectric este echivalent cu un condensator
,
fr pierderi avnd capacitatea de r, ori mai mare: C ech r C 0 i o rezisten de
pierderi conectat n paralel, de valoare: Rech 1 /( r,, C 0 )
Din schema echivalent i relaia (1.16), se observ c r' caracterizeaz
dielectricul din punctul de vedere al capacitii sale de a se polariza, iar

"
r

caracterizeaz dielectricul sub aspectul pierderilor de energie, care se transform

n cldur.
Din diagrama vectorial asociat schemei echivalente (fig.1.4b) se obin n
dou etape succesive diagrama permitivitii relative complexe confirmnd astfel
relaia (1.15) i diagrama puterilor. Prin definiie, tangenta unghiului de pierderi
este raportul dintre puterea activ disipat i cea reactiv i are expresia:

"
Pa U I R

1
tg

r' ,
Pr U I C Cech Rech r

(1.17)

fi g.1.4 S chem a echi val ent i di agr am a vect ori al pent ru un condensat or cu
m at eri al di el ect ri c l i ni ar i i zot rop cu pi erderi , nt re arm t uri .

iar permitivitatea relativ complex obine forma:

r r' (1 jtg ) ,
Factorul de calitate al condensatorului are expresia:
Q 1 / tg C ech Rech ,

(1.18)
(1.19)

1.3.2. Funcia de izolaie electric

Materialele dielectrice utilizate la izolarea conductorilor electrici de
conexiuni, presupun rezisten de izolaie ridicat, pentru a micoara pierderile
datorate curenilor de conducie prin dielectric, permitivitate relativ sczut
pentru micorarea cuplajului capacitiv ntre conductori, care intervine cu pondere
crescut la frecvene nalte i rigiditate dielectric ridicat, pentru evitarea
strpungerii dielectricului.
Rigiditatea dielectric Rd este egal cu cmpul electric la care are loc
strpungerea dielectricului i are expresia:
U
Rd str E str ,
(1.20)
d
unde: U str este tensiunea la care se strpunge dielectricul de grosime "d".
Tensiunile dintre conductorii utilizai n circuitele electronice nu sunt de valori
ridicate, ns grosimile "d" sunt reduse. Dielectricii utilizai pentru realizarea
condensatoarelor, au grosimi de ordinul micronilor i din acest motiv se impune
ca rigiditatea lor dielectric s fie ridicat.
1.3.3. Funcii neliniare i parametrice
5

Materialele dielectrice, cum sunt cristalele feroelectrice, pentru care

permitivitatea relativ complex este o funcie de intensitatea cmpului electric
continuu E 0 , sau alternativ E cf , pot fi utilizate pentru realizarea unor funcii de
circuit neliniare i parametrice. Astfel, utilizarea unui condensator cu cristal
feroelectric ntre armturi, ntr-un circuit oscilant, va permite modificarea
frecvenei oscilaiilor, prin aplicarea unei tensiuni continue la bornele
condensatorului. Aceste materiale sunt utilizate n construcia unor
amplificatoare, stabilizatoare, modulatoare n amplitudine sau faz. Diagramele
din fig. 1.5 s-au trasat pentru temperaturi constante inferioare temperaturii TC
peste care proprietile feroelectrice i polarizaia spontan dispar.

f ig.1.5 Dependen a perm i t i vi t i i rel at i ve real e a cri st al el or feroel e ct ri c e

de val oarea efect i v a cm pul ui el ect ri c al t ernat i v (a) i
de i nt ensi t at ea cm pul ui el ect ri c cont i nuu (b ). [ C t ]

1.3.4. Funcia de traductor piezoelectric

Prin interaciuni de natur elastic-electric, se transform energia
mecanic sau tensiunea mecanic n energie electric sau tensiune electric.
Efectul piezoelectric direct i invers, este utilizat pentru realizarea de
traductoare, microfoane, doze piezoelectrice, traductoare ultrasonice, difuzoare
pentru frecvene nalte. Efectul piezoelectric mai este utilizat i pentru realizarea
de dispozitive cu und elastic de volum (rezonatoare, filtre ceramice) i cu und
elastic de suprafa (filtre treceband, optimale, linii de ntrziere).
1.3.5. Funcia de traductor electro-optic
Materialele dielectrice cu polarizare spontan, cum sunt unele cristale
feroelectrice i cristalele lichide, care n straturi subiri sunt optic active, permit
modularea comandat electric a unui fascicul luminos transmis sau reflectat de
dielectric. Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor de
afiaj alfanumerice i a deflectoarelor de flux luminos.
1.3.6. Funcia de traductor de temperatur
Susceptivitatea electric a cristalelor feroelectrice are o dependen
pronunat de temperatur i determin astfel variaia pronuntat a polarizaiei
spontane cu temperatura, proces specific utilizat n conversia energiei fluxului
radiant din spectrul infrarou apropiat i ndeprtat, n energie electric.
1.3.7. Funcia de electret
Funcia de electret se bazeaz pe polarizaia remanent de lung durat a
electreilor, generat de cmpul electrostatic intern i este utilizat pentru
realizarea dozimetrelor, a filtrelor pentru gaze sau a microfoanelor.
1.4. Polarizarea de deplasare a dielectricilor
6

Polarizaia electric temporar P t poate fi exprimat ca sum a

momentelor electrice temporare mediate p t med ale celor N molecule din unitatea
de volum:

P t N p med
N A p med ,
(1.21)
M

unde este densitatea de mas a materialului, M este masa molecular, iar N A

reprezint numrul lui Avogadro.
Pentru un mediu liniar, omogen i izotrop, se admite ca momentul electric
temporar mediat al unei molecule este proporional cu intensitatea cmpului
efectiv E e f , care acioneaz asupra ei:
p med 0 E ef ,
(1.22)
unde reprezint polarizabilitatea moleculei i este o mrime complex
microscopic, caracteristic materialului, iar cmpul efectiv E e f se determin
considernd c fiecare molecul ocup o cavitate vid practicat n mediul
dielectric i are expresia:
E ef E

1
Pt ,
3 0

(1.23)

Din relaiile (1.5), (1.6) i (1.21), (1.23), rezult relaia

Clausius Mosotti:
r 1 N

,
(1.24)
r 2
3
care reprezint relaia de legtur ntre polarizabilitate - mrime microscopic i
permitivitate - mrime macroscopic. Aproximrile prin care s-a stabilit relaia i
reduc domeniul de valabilitate la dielectricii gazoi.
1.4.1. Modelul teoretic al dielectricului cu polarizare de deplasare fr
pierderi prin conducie
Modelul teoretic a fost conceput astfel nct s permit stabilirea relaiei
dintre permitivitatea relativ complex i frecvena cmpului electric aplicat din
exterior. Dependena permitivitii relative complexe: r E 1 e E , de
intensitatea cmpului electric aplicat este o lege de material, fiind diferit pentru
dielectrici diferii.
Polarizarea de deplasare presupune existena unor fore elastice de
interaciune. Astfel, sarcinile electrice sunt presupuse ca fiind legate elastic n
poziiile de echilibru: electronii legai elastic de nucleu i ionii din nodurile
reelei cristaline, legai elastic de ionii vecini. Cmpul electric exterior determin
deplasarea sarcinilor din poziiile lor de echilibru, genernd astfel polarizarea de
deplasare, iar la anularea cmpului electric, sarcinile revin la poziiile iniiale.
Presupunem c deplasrile sarcinilor electrice sunt orientate pe direcia
axei "z" paralel cu direcia cmpului electric exterior. Ecuaia micrii n regim
tranzitoriu de revenire a sarcinii electrice la anularea cmpului electric aplicat
este de forma: [Ct].
d 2z
dz
2
(1.25)
2
0 z 0 ,
2
dt
dt
unde: 2 reprezint factorul de amortizare al micrii, iar 0 este pulsaia
proprie de rezonan a particulei ncrcate electric.
n situaiile reale, micarea de revenire este slab amortizat, iar factorul de
amortizare este redus. Astfel, pentru valori 0 , soluia ecuaiei (1.25)
7

este:

(1.26)
z t z o e t cos o t 0 ,
unde: z(t) reprezint poziia particulei n raport cu poziia de echilibru z(t=0)
corespunztoare momentului iniial cnd se anuleaz cmpul electric exterior; z 0
este amplitudinea oscilaiei, 0 este faza iniial, iar ' 1 este constanta de
timp de relaxare i reprezint timpul dup care amplitudinea scade la 1/ e din
valoarea maxim z 0 . Amplitudinea i faza iniial sunt constante de integrare.
ntruct momentul electric elementar este n raport direct cu deplasarea
particulei ncrcate electric fa de poziia de echilibru, expresia polarizabilitii
este analoag relaiei (1.26):
'
(1.27)
t 0 e t cos o t 0 ,
unde: (0) este polarizabilitatea la momentul iniial.
Considerm un sistem liniar i ca orice sistem fizic, satisface principiul
cauzalitii. Dac sunt precizate condiiile iniiale i la limit i dac sunt
cunoscute legile de material, starea materialului stabilit prin mrimile E i P,
este univoc determinat. Aplicnd principiul suprapunerii efectelor i cunoscnd
dependena n timp a polarizabilitii, expresia permitivitii relative complexe n
funcie de frecvena cmpului electric aplicat, este de forma:

r r t e jt dt ,
(1.28)
o
unde: r r inst ,este permitivitatea relativ instantanee corespunztoare unor
frecvene: f .
Din relaiile (1.27) i (1.28), rezult:
1 j tg 0
1 j tg 0
r r 0 ' 2

cos 0 .
(1.29)
'
'
1

Prin identificarea relaiei (1.29) cu relaia (1.15) rezult:

a) pentru 0 ,

1 0 ' tg 0 cos 0
'
'
'
'
r r st r 0
,
(1.30)
1 02 '
r,, 0 ,
'

unde:

r, st reprezint permitivitatea relativ n regim staionar: f=0.

b) pentru 0
,
condiia 0 1 ,

i avnd n vedere c n cazurile reale este ndeplinit

r, r

r 0 ,
,
2 1 ( , ) 2

(1.31)

0 ,
r

,
2 1 ( , ) 2

(1.32)

,,
r

,,
r max

unde:

r r st r (0) ,
c) pentru 0 ,
r, r, ,
r,, (0) cos 0 / .
8

(1 , tg 0 ) cos 0
;
1 ( 0 , ) 2

(1.33)

(1.34)
(1.35)

Dependenele de frecvene ale componentelor permitivitii relative

complexe, n conformitate cu relaiile: (1.30) (1.35) sunt reprezentate n
fig.1.6a.

fi g.1.6 Dependen el e de frecven al e com ponent el or perm i ti vi t ii rel at i ve

com pl ex e (a) i schem a echi val ent pent ru 0 a condensat orul ui cu
di el ect ri c cu pol ari z are de depl asar e fr pi erderi pri n conduc i e (b ) [C t] .

Pentru frecvene relativ joase permitivitatea este constanta:

r, r, st ,

pierderile prin polarizare fiind ca i cele prin conducie, nesemnificative. Schema

echivalent a unui condensator cu dielectric fr pierderi prin conducie este
reprezentat n fig.1.6.b.
Pulsaiile de rezonan 0 ale electronilor se afl n spectrul vizibil (
0 2 1015 rad/s) iar ale ionilor n spectrul infrarou ( 0 2 1013 rad/s).
Pentru frecvene superioare frecvenei de rezonan, componenta reala a
permitivitii redevine constanta: r, r , iar pierderile prin polarizare, ca i
componenta r,, , tind rapid spre zero.
Schema echivalent din fig.1.6a se va completa cu o rezisten echivalent
de pierderi, conectat n paralel, daca n dielectric apar i pierderi prin conducie
electric.
1.4.2. Pierderi prin conducie n dielectrici
Dielectricii liniari posed sarcini electrice "libere" n concentraie redus
care se pot deplasa n cmp electric exterior, constituindu-se n curent electric de
conducie. Conducia electric n volumul materialului este caracterizat prin
conductivitate volumetric sau rezistivitate volumetric: 1 / , iar procesul
de conducie superficial, care poate interveni la dielectricii solizi, este
caracterizat prin aceleai mrimi, dar superficiale: s , s .
a) Dielectrici gazoi
Curentul electric de conducie n dielectricii gazoi este format din ioni i
electroni liberi, generai printr-un proces de ionizare n prezena unor factori
externi cum ar fi radiaii n spectrul infrarou i ultraviolet, sau n prezena
cmpului electric care determin ionizarea prin ciocnirea moleculelor gazului cu
particule ncrcate electric i accelerate n cmp.
n fig.1.7 se disting trei domenii specifice conduciei prin dielectrici
gazoi.
n primul domeniu, pentru intensiti relativ reduse ale cmpului electric
dependena curent tensiune este liniar, rezistivitatea i rezistena electrica fiind
mrimi constante. Pentru intensiti medii: E >10 5 V/m, toi purttorii de sarcin
electric creai de factori externi ajung la electrozi, curentul I de conducie are
9

valoarea constanta i crete brusc pentru tensiuni superioare valorii de

f ig.1.7 Dependen a curent t ensi une n caz ul di el ect ri ci l or gaz oi [ C t ] .

strpungere U str cnd sunt create condiii pentru ionizare prin ciocniri ale
atomilor dielectricului gazos, datorit vitezelor mari ale purttorilor de sarcin
electric accelerai de cmpul electric.
b) Dielectrici lichizi
Conducia electric a dielectricilor lichizi este o funcie de structur
molecular i depinde de tipul i cantitatea de impuriti, mai ales la lichidele cu
polarizare prin deplasare. Cu creterea temperaturii conductibilitatea se marete
datorit creterii gradului de disociere, dar mai ales prin creterea mobilitii
purttorilor de sarcin.
O relaie empiric are forma:
(1.36)
Ae a / T
unde: A i a sunt constante caracteristice ale materialului dielectric lichid.
c) Dielectrici solizi
Conducia electric n dielectricii solizi este asigurata prin electroni i de
asemenea prin defecte ale structurii cristaline denumite vacane ionice, a cror
mobilitate depinde pronunat de temperatur.
Expresia empiric a conductivitii este de forma:
(1.37)
B / Te b / T
unde: B i b sunt constante caracteristice materialului dielectric solid.
ntruct creterea exponeniala, asociat celui de-al doilea factor, este
superioar scderii de tip hiperbolic asociat primului factor, creterea
temperaturii determin mrirea conductivitii.
O relaie similar, are forma:
0 e b / T
(1.38)
unde: 0 este o constant de material.
Densitatea curentului de conducie are expresia:
J E
(1.39)
crescnd att cu temperatura ct i cu intensitatea cmpului electric aplicat.
n fig.1.8 se disting, de asemenea, 3 zone specifice conduciei prin
dielectricii solizi.
Pentru intensiti relativ reduse ale cmpului electric: E 10 6 V / m ,
conducia electric este neglijabil datorit lrgimii mari a benzii interzise, astfel
nct saltul unui electron de pe nivel energetic corespunztor benzii de valena pe
un nivel energetic din banda de conducie se poate efectua numai cu un aport
substanial de energie din exterior. Rezistivitatea i rezistena electric sunt
mrimi constante. Pentru intensiti medii ale cmpului electric aplicat, se produc
10

ionizri prin ciocniri ale ato mi lor cu particul e ncrcate electric, iar conducia

fi g.1.8 Dependen a curent cm p el ect ri c n caz ul di el ect ri ci l or sol i zi [ C t ] .

devine neliniar. Pentru intensiti ridicate: E 10 8 V / m , procesul de ionizare n

avalana, conduce la strpungerea distructiv a dielectricului.
Rezistivitatea superficial este ridicat la dielectricii solizi insolubili n
ap, i sczut la cei solubili sau cu structura poroas.
1.4.3. Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de deplasare i
pierderi prin conducie
Considerm un material dielectric plasat ntre dou suprafee metalice,
ncrcate electric, n regim staionar (fig.1.9 a i b).
Din legea fluxului electric aplicat unei suprafee care cuprinde
suprafaa de separaie dintre metal i dielectric i din relaia (1.39), rezult
relaia:
Dd A 0 r Ed A 0 r
qV / I

.
(1.40)

I d A Ed A
st

st

Relaia (1.40) se poate scrie i sub forma:

r C0U
CU
qV / I

r C 0 rp C r p ,

(1.41)

st

U / rp

U / rp

st

unde: C este capacitatea ansamblului format din dielectric i cele dou armturi
metalice, C 0 este capacitatea ansamblului fr dielectric, rp este rezistena de
pierderi prin conducie, iar p este constanta de timp a grupului C rp (fig.1.9c).
Din relaiile (1.40) i (1.41) rezult expresiile rezistenei de pierderi:
p

rp
rp 0 ,
(1.42)
,
(1.43)
r C0
C0
st

fig.1.9 Forma liniilor de cmp i de curent intr-un dielectric cu pierderi prin conducie electric:
(a) form a l i ni i l or de cm p; (b ) form a l i ni i l or de curent ; (c) schem a echi val ent a
condensatorului cu dielectric cu polarizare de deplasare i pierderi prin conducie [Ct].

11

1.4.4. Dependena de frecven i de temperatur

relative complexe pentru dielectricii cu polarizare
pierderi prin conducie
Din schema echivalent (fig.1.9c) a condensatorului
conducie, presupus valabil i pentru regimul nestaionar,
admitanei condensatorului:

a permitivitaii
de deplasare i
cu pierderi prin
rezulta expresia

Y 1/ rp j rst C0 j rC0 j( j )C

' "
.
r r 0

(1.44)

Cu relaia (1.42), expresiile componentelor permitivitii relative complexe

sunt:

r' rst ,

"
r

,
iar tangenta unghiului de pierderi este:

tg

"
r
'
r

(1.47)

"
r

cu creterea frecvenei.

Dac temperatura este constant, conductivitatea conform relaiilor

(1.37), (1.38) este o mrime constanta, iar dac temperatura se modific, tangenta
unghiului de pierderi se va modifica la fel ca i conductivitatea dup o lege
exponenial, conform relaiilor (1.37), (1.47). Dependenele de frecven la
temperatura constant ale permitivitii relative reale i ale tangentei unghiului
de pierderi sunt mrimi caracteristice materialului dielectric, fiind reprezentate
pe baza relaiilor (1.45), (1.47) n fig.1.10.
Componenta reala a permitivitii relative caracterizeaz materialul
dielectric din punct de vedere al proprietii sale de a se polariza. n cazul unui
condensator cu dielectric, cu ct aceasta proprietate este mai pronunat sau r '
este mai ridicat, cu att se mrete i capacitatea condensatorului, sau
proprietatea lui de a acumula sarcini electrice pe armturi. Dielectricii cu
polarizare de deplasare au permitivitatea real constant pn la frecvenele de
rezonan proprie ale ionilor i electronilor i pierderi prin conducie reduse, care
scad cu creterea frecvenei.

12

(1.46)

,
i scade, ca i

(1.45)

fi g.1.10 Dependen a de frecven l a t em perat ura const ant a perm i t i vi t i i real e i a

t angent ei unghi ul ui de pi erderi pent ru di el ect ri ci cu pol ari z are de depl asare
i pi erderi pri n conduc i e [ Ct ] .

1.5. Polarizarea de orientare a dielectricilor

1.5.1. Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare i
pierderi prin conducie
n absena cmpului electric exterior momentele electrice elementare sunt
distribuite aleatoriu, iar din punct de vedere macroscopic polarizaia este nul.
n prezena unui cmp electric exterior momentele electrice tind s se
orienteze n direcia cmpului, iar polarizaia temporar este diferit de zero.
Modelul teoretic simplificat presupune dou stri stabile ale dipolilor: A i
B, n care momentele electrice au aceai direcie cu a cmpului electric aplicat,
dar sensuri opuse. Aceasta ipoteza nu exclude posibilitatea existenei unor stri
diferite de strile A i B, doar c aceste stri sunt presupuse mai puin probabile.
n fig.1.11 sunt reprezentate diagramele electrice corespunztoare
diferitelor stri, n absena sau n prezena cmpului electric exterior. n absena
acestuia, cele 2 stri sunt egal probabile, ele fiind separate printr-o barier de
potenial W o . Numrul de momente electrice din starea A este egal cu cel
corespunztor strii B, n momentul iniial, cnd se aplic cmpul exterior, sau:
N A (0)=N B (0)=N/2,
(1.48)
unde N reprezint numrul total de stri A i B.
n prezena cmpului electric exterior, cu orientare identic cu cea a
momentelor din starea B, bariera de potenial se micoreaza cu W e , favoriznd
tranziiile momentelor electrice din starea A n starea B. Energia W e reprezint
lucru mecanic efectuat de cmp pentru a modifica orientarea momentului electric
din starea A n starea B. Astfel, numrul momentelor din starea B va fi superior
celui corespunztor strii A, sau:
N B t N A t
(1.49)
inegalitatea fiind cu att mai pronunat, cu ct intensitatea cmpului electric este
mai ridicat.
Aplicnd sistemului de momente electrice elementare statistica Boltzmann,
rezult c diferena N B t N A t variaz exponenial cu timpul [Ct].
Polarizabilitatea sistemului de momente electrice variaz n timp
proporional cu aceast diferen, conform unei relaii de forma:
t
t 0 e '' ,
(1.50)

unde: t este polarizabilitatea la momentul iniial, iar '' este constanta de

relaxare.

13

f ig.1.11 R eli eful de pot en i al pent ru un di el ect ri c cu 2 st ri st abi l e:

(a) - fr cm p el ect ri c ex t eri or; (b ) - n prez en a cm pul ui
el ect ri c ex t eri or cu ori ent are di pol ar. [ Ct ]

Introducnd relaia (1.50) n relaia (1.28), care se aplic i dielectricilor

cu polarizare de orientare, se obine:

r r 0 e

t
' ' jt

0 ''
,
1 j ''

(1.51)

Prin identificare cu relaia (1.15), pentru un dielectric fr pierderi prin

conducie rezult:
r
r' r
(1.52)
2 ,
1 ''

r'' r
tg

''

1 ''

''

r st

(1.53)

'' 2

(1.54)

unde: r r st r .
Pentru un dielectric cu pierderi prin conducie, relaia (1.53) se
completeaz cu valoarea corespunztoare pierderilor prin conducie dat de
relaia (1.46). Astfel, expresiile componentelor permitivitii relative complexe i
tangentei unghiului de pierderi, sunt de forma:
r
' r
(1.55)
2 ,
1 ''
r

r st
,,
r

,
1 ( ,, ) 2
,,
r

tg

r st [1 ( ,, ) 2 ] r ,, 2
[ r st r ( ,, ) 2 ]

(1.56)

(1.57)

Pe baza relaiilor (1.52) i (1.57), verificate experimental, rezult schemele

echivalente ale condensatoarelor cu i fr pierderi prin conducie, reprezentate
n fig.1.12.

14

fi g.1.12 S chem a echi val ent a condensat orul ui cu di el ect ri c cu pol ari z are de ori ent are:
(a) fr pi erderi pri n conduc i e i (b ) cu pi erderi pri n conduc i e. [C t]

1.5.2. Dependena de frecven i temperatur a permitivitii relative

complexe pentru dielectricii cu polarizare de orientare i pierderi prin
conducie
Din diagramele reprezentate n fig.1.13, stabilite pe baza relaiilor (1.55),
(1.57), se observ c la temperatur constant, permitivitatea real descrete
monoton cu frecvena, datorit ineriei orientrii momentelor elementare atunci
cnd frecvena crete. La frecvene ridicate, dielectricul are permitivitate real
r , datorat exclusiv polarizrii de deplasare electronic.
Tangenta unghiului de pierderi este puternic dependent de frecven.
Primul maxim corespunde regimului staionar ( =0) i este datorat pierderilor
prin conducie, iar al doilea maxim este datorat pierderilor prin polarizare.
Permitivitatea real n regim staionar scade pronunat cu temperatura dup
3Tc
legea Curie: r st
.
(1.58)
T Tc

f ig.1.13

Dependen a de frecv en l a t em perat ur const ant a perm i t i vi t i i

real e i a t angent ei unghi ul ui de pi erderi pent ru di el ect ri ci i cu
pol ariz are de ori ent are i pi erderi pri n conduc i e. [C t ]

n figurile (1.14) i (1.15) sunt reprezentate diagramele de variaie ale

permitivitii reale i tangentei unghiului de pierderi cu frecvena i temperatura.

15

fi g.1.14 Dependen a de frecvent l a dou t em perat uri di feri t e a perm i ti vi t i i

real e i a t angent ei unghi ul ui de pi erderi , pent ru di el ect ri ci i cu
pol ariz are de ori ent are i pi erderi pri n conduc i e. [C t ]

La frecvene mici i medii, permitivitatea real, prezint o puternic

dependen de temperatur, iar la frecvene ridicate, devine preponderenta
contribuia polarizrii de deplasare electronic, care se modific nesemnificativ
cu temperatura. Interseciile caracteristicilor pentru diferite temperaturi presupun
o dependen neunivoc. Astfel, mrimile la un moment dat, depind de evoluia
anterioar, comportarea dielectricului fiind diferit la creterea, respectiv
scderea temperaturii.

f ig.1.15 Dependen a de t em perat ur l a frecv en const ant a perm i t i vi t i i

real e i a t angent ei unghi ul ui de pi erderi pent ru di el ect ri ci i cu
pol ariz are de ori ent are i pi erderi pri n conduc i e. [C t ]

Tangenta unghiului de pierderi prezint un maxim datorat pierderilor prin

polarizare i crete exponenial la temperaturi ridicate, datorit pierderilor prin
conducie.
1.6. Rigiditatea dielectric
Rigiditatea dielectric Rd , sau intensitatea cmpului electric la care are loc
strpungerea E str , este prin definiie, tensiunea la care se strpunge dielectricul
raportat la grosimea dielectricului sau distana dintre electrozii aplicai pe
suprafaa dielectricului. Rigiditatea dielectric are o dependen puternic de
form geometric a electrozilor, care stabilete configuraia i gradul de
neuniformitate a cmpului electric.
1.6.1. Rigiditatea dielectricilor gazoi
Strpungerea dielectricilor gazoi are loc atunci cnd energia cinetic a
purttorilor de sarcin: electroni i ioni, accelerai n cmpul electric, este
suficient pentru a produce ionizarea prin ciocnire a moleculelor gazului.
Presupunem, aa cum se ilustreaz n fig.1.16a, c o particul ncrcat cu
sarcin electric q, se deplaseaz pe direcia cmpului E , considerat constant,
parcurgnd distana S1 , n timpul t1 i S 2 n timpul t 2 . Fora care acioneaz
16

asupra particulei are expresia:

F Eq ma ,
unde: m este masa particulei, iar a este acceleraia ei.

(1.59)

fi g.1.16 P arcursul li ber m i jl oci u al unei part i cul e ncr cat e el ect ri c (a) i
dependen a ri gi di t i i aerul ui de di st an a di nt re el ect roz i pl ani , l a
presi une i t em perat ur norm al e (b ).

Viteza particulei depinde de timpul n care acioneaz cmpul electric

asupra ei i are expresia:
v a t ( Eqt ) / m
(1.60)
Presupunnd c la momentul t=0 are loc o ciocnire a unei particule
ncrcate electric cu o molecul a gazului, care are ca efect eliberarea unui
electron. Energia cinetic a electronului, proporional cu viteza lui, pn n
momentul unei noi ciocniri are valoarea cu att mai ridicat cu ct parcursul liber
mijlociu este mai mare.
Dependena rigiditii aerului de distana dintre electrozi, de form plan
este reprezentat n fig.1.16b.
Creterea presiunii gazului determin micorarea parcursului liber mijlociu,
scderea energiei dobndite ntre dou ciocniri succesive, scderea posibilitii
de ionizare a gazului i creterea rigiditii. n cmp electric uniform i electrozi
plani, rigiditatea aerului la presiunea de 1atm. este: R d =30kV/cm, iar la 10atm.,
R d =300kV/cm.
Din curbele Pachen (fig.1.17a) se observ c exist o tensiune minim
aplicat electrozilor sub care strpungerea nu mai este posibil, indiferent de
presiune sau distana dintre electrozi. Valoarea acestei tensiuni este cuprins ntre
280 V i 420 V, pentru aer fiind 350 V.
Rigiditatea dielectric a gazelor n cmp omogen depinde de frecven.
Aceast dependen este reprezentat pentru aer, n fig.1.17b. La frecvene
ridicate rigiditatea crete pentru c durata procesului de ionizare prin ciocnire
devine comparabil cu semiperioada cmpului electric. Astfel, la un moment dat
t t1 (fig.1.16a), sensul cmpului electric este inversat i particula ncrcat cu
sarcina electric, nu va mai parcurge spaiul S 1 corespunztor ciocnirii cu o
molecul a gazului.
n condiiile n care rigiditatea aerului este mult mai redus dect
rigiditatea unui dielectric solid, apare strpungerea aerului la suprafaa
dielectricului solid, fenomen numit conturnare i care depinde de configuraia i
frecvena cmpului electric, starea suprafeei dielectricului i presiunea aerului.

17

f ig.1.17 Curbel e P achen pent ru aer (a) i dependent a de frecvent a a ri gi di t i i

aerul ui (b ). [ C t ]

1.6.2. Rigiditatea dielectricilor lichizi

Strpungerea are loc printr-un mecanism de ionizare prin ciocnire.
Parcursul liber mijlociu fiind mult mai redus dect n dielectricii gazoi,
rigiditatea dielectricilor lichizi este crescut, avnd valori de pn la 100 MV/m.
Prezena impuritilor, cu valori diferite ale permitivitilor n raport cu
cea a lichidului, determin micorarea rigiditii. Impuritile se distribuie de-a
lungul liniilor de cmp sub forma unor "lanuri", favoriznd strpungerea.
Pentru cmpuri electrice cu frecven ridicat, pierderile n dielectric, care
sunt importante mai ales la lichide cu polarizare de orientare, produc nclziri
locale, favoriznd strpungerea prin creterea numrului de purttori de sarcin.
1.6.3. Rigiditatea dielectricilor solizi. Tipuri de strpungeri
Dei parcursul liber mijlociu este redus, n cmpuri electrice intense, pot
avea loc ionizri prin ciocniri care conduc la strpungerea prin ionizare a
dielectricului. Mecanismul strpungerii se bazeaz pe multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin electric i este distructiv.
Din fig.1.18 se observ c rigiditatea dielectricilor polari este crescut
deoarece prezena dipolilor nu favorizeaz eliberarea electronilor care particip
la strpungere. Dielectricii nepolari au rigiditate sczut, independent de
temperatur pn la temperatura de topire.
Incluziunile sau neomogenitile de material, produc concentrri sau
dispersri ale liniilor de cmp electric, favoriznd strpungerea. Strpungerea
prin ionizarea incluziunilor gazoase , n interiorul crora intensitatea cmpului
electric are valori superioare intensitii cmpului electric din dielectric, are loc
n materiale cu porozitate.

18

fi g.1.18 Dependen a ri gi di t i i de t em perat ura n caz ul st rpungeri i el ect ri ce:

1-di el ect ri c pol ar (poli m et acri l at de m eti l ); 2 - di el ect ri c nepol ar
(pol i et il ena).
fi g.1.19 St rpunger ea t erm i c a di el ect ri ci l or: dependen a de t em perat ur a
cant i t i i de cl dura dez vol t at a dat ori t a pi erderi l or n di el ect ri c (l i ni e
pli n) i a cant i t i i de cl dur cedat m edi ul ui (l i ni e nt rerupt a) [C t] .

1.7. Dielectrici solizi cu polarizare temporar [Ct]

Polarizarea de deplasare exclusiv electronic este destul de rar ntlnit,
apare la polimeri termoplastici cu molecula neutr, pentru temperaturi inferioare
temperaturii de plasticitate peste care devin uor deformabili. Permitivitatea real
i tangenta unghiului de pierderi au valori reduse: 'r =22,5; tg = n 10 -4 , i
prezint stabilitate cu temperatura i frecvena.
Astfel de materiale sunt polistirenul, politetrafluoretilena, polietilena,
polipropilena.
Dielectricii cu molecula neutr, cu legturi ionice sau parial ionice, poseda
polarizare de deplasare electronic i ionica , au valori relativ ridicate ale
permitivitii reale i valori reduse ale tangentei unghiului de pierderi: tg = n x
10 -4 , fiind stabile la variaiile frecvenei sau temperaturii.
Astfel de materiale sunt oxizii: SiO 2 ( r ' =4), Al 2 O 3 ( r ' =10), Ta 2 O 5
( r ' =27), TiO 2 ( r ' =107), sau combinaii care conin aceti oxizi.
Mica muscovit conine oxizi de siliciu i aluminiu; fiind foarte stabil din
punct de vedere termic, este utilizat pentru fabricarea condensatoarelor.
Mica flogopit are proprieti dielectrice inferioare fa de mica muscovit,
dar stabilitate termica superioar.
Sticla silicat este compus din bioxid de siliciu n amestec cu oxizi ai
metalelor alcaline Na 2 O, K 2 O sau ali oxizi, care determin apariia polarizrii
structurale, implicnd mrirea permitivitii reale dar i a tangentei unghiului de
pierderi.
Dielectricii ceramici conin oxizi de aluminiu i siliciu n amestec cu oxizi
de bariu BaO sau magneziu MgO. Din prima categorie fac parte ceramica
mulitic, celsiana, corund, iar din a doua categorie, ceramica stealit i spinel.
Aceste materiale sunt utilizate pentru realizarea prilor electroizolante ale
dispozitivelor electronice. Dielectricii ceramici care conin oxizi de titan i
zirconiu posed permitivitate crescut ( r, > 20), stabilitate termic i n timp,
fiind utilizai n fabricarea condensatoarelor.
19

Dielectricii cu molecule care au momente electrice proprii, distribuite

aleatoriu n absena cmpului electric exterior, prezint polarizare de orientare.
Performanele dielectrice caracterizate prin r, i tg , sunt reduse, depinznd de
temperatur i frecven, iar pierderile sunt mari.
Astfel de materiale sunt polimeri cu molecula liniara care le confer
flexibilitate i elasticitate (policlorura de vinil, polietilentereftalat, poliamide i
polimetanice), precum i polimeri cu molecula spaial, care le confer rigiditate
mecanic i termic (rini formaldehidice i epoxidice, celuloz).
1.8. Dielectrici solizi cu polarizare spontan [Ct]
Polarizarea de deplasare electronic a ionilor reelei cristaline, este
asociat prezenei unui cmp electric cristalin intern. Astfel, dac un ion este
plasat ntr-un centru de simetrie al reelei, asupra sa vor aciona din motive de
simetrie, componente egale i de sens opus ale cmpului intern, iar ionul
respectiv nu posed moment electric propriu. Un ion plasat pe o ax sau ntr-un
plan de simetrie, poate avea moment electric propriu orientat n lungul axei sau n
planul de simetrie.
Polarizarea de deplasare ionic apare datorit necoincidenei centrelor
sarcinilor electrice pozitive i negative ale celulei elementare. Considerm o
celula elementar cu simetrie tetragonal, reprezentata n fig.1.20.
Cationul este deplasat cu distanta d 2 de-a lungul axei de simetrie 0z,
rezultnd astfel polarizarea de deplasare ionic. Datorit simetriei reelei, att
cationii ct i anionii sunt plasai pe axe de simetrie. Sub aciunea cmpului
electric intern, att cationii ct i anionii au polarizarea de deplasare electronic
pe direcia axei. Astfel, polarizarea de deplasare ionic i electronic au aceeai
direcie i sens, iar cristalul va prezenta polarizare spontan pe direcia 0z, care
este axa de uoara polarizare. Axele de polarizare grea sunt coninute n plane
perpendiculare pe axa de uoar polarizare, sau de polarizare spontan i au
aceeai indici Miller (vezi anexa 1.1).
Pentru apariia polarizaiei spontane, este necesar ca n interiorul
cristalului forele de interaciune de natur electric s depeasc forele de
natur elastic.
Prin aplicarea unui cmp exterior intens i orientat antiparalel cu
polarizaia spontan, exist posibilitatea comutrii cationului n poziie simetric
fa de centrul de simetrie al celulei, ceea ce determin modificarea sensului
tuturor momentelor elementare ale ionilor, iar polarizaia spontan a cristalului
va avea sensul cmpului electric aplicat.
Dielectricii cu polarizare spontan prezint o puternic dependen a
polarizaiei de temperatur, scznd cu creterea temperaturii, iar la temperatura
Curie, polarizaia spontan se anuleaz, cristalul avnd doar polarizaie
temporar.
Materialele feroelectrice, pentru care entropia se modific brusc la
temperatura Curie, se numesc cu tranziii de ordinul 1, iar cele pentru care
entropia variaz continuu, se numesc cu tranziii de ordinul 2. Aceste dependene
sunt reprezentate n fig.1.21. La temperaturi superioare temperaturii Curie T C ,
aceste materiale nu mai au proprieti feroelectrice.

20

fi g.1.20 C el ul el em ent ar cu sim et ri e t et ragon al .

fi g.1.21 Dependen a m odul ul ui pol ari z a i ei spont ane de t em perat ur, pent ru
feroel ect ri ci cu t ranz i i i de ordi nul 1 (a) i de ordi nul 2 (b ).

1.8.1. Materiale feroelectrice [Ct]

a) Structuri de domenii
n funcie de numrul direciilor prefereniale ale vectorului polarizaie,
materialele feroelectrice se clasific n uniaxiale cu o axa de uoara polarizaie i
axe perpendiculare de polarizaie grea, i multiaxiale, n care vectorul polarizaie
are mai multe direcii de uoara polarizare.
Din motive energetice, care vor fi discutate detaliat la materialele
feromagnetice, polarizaia nu are o distribuie uniform sau aleatoare n volumul
unui cristal feroelectric, ci se formeaz domenii n care polarizaia spontan egal
cu polarizaia de saturaie, este uniform, domenii separate prin perei de domenii
reprezentai n fig.1.22.
Pentru titanatul de bariu BaTiO 3, cu simetrie tetragonal, a crui structur
de domenii este reprezentat n fig.1.22c, grosimea pereilor de 180 este de 2nm,
iar cea a pereilor de 90 , care apar n regiunea cubic central, este de10nm.

f ig.1.22 P ere i de 180 (a) i de 90 (b) n cri st al e feroel e ct ri ce.

Structura de domenii se modific sub influena cmpului electric,

temperaturii i tensiunilor mecanice, ct i n timp.
b) Dependena permitivitii relative complexe de cmpul electric aplicat,
temperatur i frecven.
Partea real a permitivitii feroelectricilor are valori foarte mari, de
ordinul zecilor sau sutelor de mii, i prezint o puternic dependen de
temperatur, mai ales n apropierea temperaturii Curie. n fig. 1.23, sunt
21

reprezentate dependenele componentei reale a

de cmpul electric aplicat din exterior.

permitivitii, de temperatur i

fi g.1.23 Dependen a pr i i real e a perm i t i vit i i com pl ex e de t em perat ur:

feroel e ct ri ci cu t ranzi i i de faz de ordi n 2 (a) ; feroel ect ri ci cu t ranz i i i
de faz de ordi n 1 (b ); dependen a pr i i real e a perm i t i vit i i
de cm p, n faz a neferoel e ct ri c (c) .

n faza neferoelectric, corespunztoare unor temperaturi superioare

temperaturii Curie, permitivitatea real se modific cu temperatura conform unei
relaii asemntoare cu relaia (1.58):
r'

A
,
T T0

(1.64)

unde: A este o constant de material.

fi g.1.24 C i cl ul hi st eresi s (a),(b ) i dependen a perm i t i vi t ii di feren i al e de cm pul

el ect ri c apli cat , n faz a feroel ect ri c a (c) .

n procesul de polarizare corespunztor fazei feroelectrice, polarizaia P,

respectiv inducia electric D, se modific n funcie de intensitatea cmpului
electric aplicat, dup un ciclu de histeresis, reprezentat n fig.1.24.
Ciclul histeresis inducie-cmp, este mai nclinat i mai alungit dect ciclul
polarizaie-cmp, care prezint dou segmente orizontale corespunztoare
saturaiei, cnd toate momentele electrice elementare sunt orientate n direcia
cmpului electric exterior, suficient de intens. Curba de prima polarizaie
presupune polarizaie i inducie iniial nule pentru cmp nul. Starea materialului
feromagnetic la un moment dat este caracterizat prin polarizaie, mrime local
sau moment electric, mrime global i cmp electric. n fig. 1.24, s-au
reprezentat ciclurile de histeresis limit: astfel, numai punctele din interiorul
ciclului de histeresis pot caracteriza starea materialului la un moment dat, care
depinde de evoluia anterioar a procesului de polarizare. n fig. 1.24a, sunt
reprezentate cicluri de histeresis minore, care presupun existena unei
componente alternative suprapus sau nu, peste componenta continu a cmpului
22

electric exterior.
Pentru ciclul de histeresis, se definesc mrimile:
Cmpul coercitiv EC , este cmpul electric exterior minim necesar pentru a
produce anularea polarizaiei;
Polarizaia remanent Pr , este polarizaia materialului corespunztoare
absenei cmpului electric exterior;
Polarizaia de saturaie Psat este polarizaia maxim a materialului,
orientat n sensul cmpului electric aplicat;
Permitivitatea relativ diferenial, este panta ciclului de histeresis n
punctul considerat:
r'

dif

1
0

(1.65)

T const .

Permitivitatea relativ reversibil este panta ciclului minor care se

sprijin pe un punct plasat pe ciclul de histeresis:
1 D

E 0
0 E

r' lim
rev

E E0 ; D D0

(1.66)

i are valoare inferioar permitivitii relative difereniale, pentru c axa

ciclului minor este mai puin nclinat dect tangenta n punctul respectiv al
ciclului de histeresis;
Permitivitatea relativ iniial, se definete n originea axelor de
coordonate:
r' lim
in .

E 0

1 D

0 E

E 0; D 0

(1.67)

Dependena permitivitii relative reversibile de intensitatea cmpului

electric continuu sau alternativ, este reprezentat n fig. 1.5, iar dependena de
frecvena cmpului electric este reprezentat n fig. 1.25a. Permitivitatea
reversibil este constant pn la frecvena de relaxare, care are valoarea de
2GHz, pentru titanatul de bariu. Pentru frecvene inferioare celei de relaxare,
partea imaginar a permitivitii crete aproape liniar cu frecvena (fig. 1.25b).
Pierderile de energie n materiale feroelectrice au valori ridicate, fiind
proporionale cu suprafaa ciclului de histeresis i dependente de temperatur.
Astfel, n apropierea temperaturii Curie, tangenta unghiului de pierderi, este
crescut: tg 0,1 .

fi g.1.25 Dependen a de frecven a perm i t i vi t ii reversi bi l e real e (a) i a pr i i

i m agi nar e a perm i ti vi t ii feroel ect ri l or (b ) .

Pierderile ridicate impun utilizarea unei scheme echivalente serie pentru un

condensator feroelectric, care este reprezentat mpreun cu diagrama vectorial
asociat, n figura (1.26).

23

fi g.1.26 S chem a echi val ent seri e i di agram a vect ori al pent ru un condensat or cu
feroel e ct ri c (cu pi erderi sem ni fi cat i ve).

Tangenta unghiului de pierderi are expresia:

tg 'r' 'r rs C S

(1.68)
Experimental se constat c valorile C S i rs sunt aproape independente de
temperatur i cmpul electric aplicat. Rezult c dependenele prii imaginare a
permitivitii relative fa de temperatur i cmp, au aceeasi form ca i
dependenele prii reale, reprezentate n fig. 1.23.
c) Cristale feroelectrice
Cristalele feroelectrice au structuri de tip perovskit, piroclor sau cu
legatur de hidrogen.
Structura perovskit ABO 3 este reprezentat n figura (1.27).
Prin A s-a notat un element mono-, bi-, sau trivalent, iar B reprezint un
element tri-, tetra-, sau pentavalent. Aceste structuri au simetrie cubic i conin
cationi metalici n interstiii octaedrice formate din anioni de oxigen. Structurile
tip perovskit pot avea proprieti feroelectrice, numai atunci cnd la temperaturi
inferioare temperaturii Curie, apar mici deformaii fa de reeaua cubic.
n structurile de tip piroclor A 2 B 2 O 7 , reeaua cristalin este format din
octaedrii BO 6 , cu vrfurile comune i uor deformabile. Aceti octaedri
deformai determin apariia polarizaiei spontane.
n structurile cu legatur de hidrogen, polarizaia spontan apare ca o suma
a momentelor electrice dipolare ale legturilor covalente de hidrogen: A-H,
dipolul astfel format interacionnd electrostatic cu un alt ion de tip B.

fi g.1.27 C el ul a el em ent ar a st ruct uri i perovski t pent ru T>Tc.

1.8.2. Cristale lichide [Ct]

Cristalele lichide sunt substane organice cu molecule lungi, cu seciuni
circulare, care se pot roti n jurul axei proprii i care posed moment electric
permanent puternic. Ele formeaz o familie foarte numeroas. Starea de cristal
lichid, caracterizat prin ordonarea moleculelor i anizotropie, se manifest ntre
dou temperaturi de tranziie: pentru temperaturi inferioare temperaturii de
topire, cristalul devine solid, iar pentru temperaturi superioare temperaturii de
24

limpezire, cristalul devine izotrop. n figura (1.28) sunt reprezentate cele dou
tipuri de cristale lichide.
n cristale lichide smectice, moleculele formeaz straturi cu grosime de
aproximativ 20, n care moleculele sunt paralele ntre ele. Fa de planul
stratului, moleculele sunt perpendiculare sau nclinate, se pot deplasa n plan, dar
nu se pot deplasa dintr-un plan n altul. n cristalele lichide colesterice, direcia
de orientare a moleculelor, se modific de la un strat la altul, ntr-o manier
elicoidal. Moleculele se pot deplasa n planul stratului i dintr-un strat n altul.

fi g.1.28 Model ul ordonri i m ol ecul are: l i chi d iz ot rop (a) ; cri st al li chi d sm ect i c (b );
cri st al li chi d nem at i c (c) ; cri st al li chi d col est eri c (d )

Cristalele lichide nematice au de asemenea molecule paralele ntre ele, care

se pot deplasa n toate direciile. Cristalele lichide nematice au doar polarizare
temporar, care se manifest anizotrop, avnd o axa de simetrie care, reprezint
axa de uoar polarizare. Notm cu ' r , ' r permitivitile relative c omplexe n
lungul axei de simetrie, respectiv dup o direcie perpendicular pe axa de
simetrie. Pentru un cmp electric aplicat nclinat fa de planul dipolilor,
expresiile componentelor induciei electrice de-a lungul axei i de-a lungul unei
direcii perpendiculare pe ax, sunt [Ct]:
D// r, // 0 E cos
(1.69)

D r, 0 E sin

(1.70)

unde: este unghiul format ntre axa de simetrie i direcia cmpului

electric aplicat.
,
,
Cristalele lichide au anizotropie dielectric pozitiv, dac:
i
r //
r
negativ n caz contrar.
Pentru minimizarea energiei interne, moleculele se orienteaz paralel cu
cmpul electric n cristalele lichide cu anizotropie pozitiv i perpendicular pe
liniile de cmp, pentru cele cu anizotropie negativ.
n straturi subiri, cristalele lichide sunt optic active i posed
birefringen pronunat. Unele structuri de cristal lichid nematic rotesc planul de
polarizare al fluxului luminos liniar polarizat, n funcie de intensitatea cmpului
electric aplicat.

1.8.3. Cristale piezoelectrice [Ct]

Efectul piezoelectric direct este proprietatea unor cristale de a-i modifica
starea de polarizare sub aciunea tensiunilor mecanice, iar efectul piezoelectric
invers este deformarea reelei cristaline sub aciunea cmpului electric.
Interaciunea care transform prin intermediul cristalului, energia electric n
25

energie elastic i invers, este folosit pentru realizarea unor dispozitive cu und
elastic de volum sau de suprafa.
Din categoria materialelor utilizate pentru realizarea dispozitivelor cu unda
elastic de volum, fac parte cuarul SiO 4 i unele cristale feroelectrice cum sunt
titanatul de bariu BaTiO 3 , sau niobatul de sodiu i potasiu. Cuarul este utilizat
sub form de bare sau plachete paralelipipedice pentru fabricarea rezonatoarelor,
iar cristalele feroelctrice sunt utilizate pentru realizarea filtrelor, traductoarelor
de vibraii acustice, ct i a rezonatoarelor. Frecvena de rezonan depinde de
dimensiunile cristalului.
Dispozitivele cu und elastic de suprafa utilizeaz undele Rayleigh
polarizate eliptic i atenuate n adncime (vezi anexa 1.2). Aceste dispozitive
sunt formate dintr-un traductor emitor, care transform semnalul electric n
und elastic, care se propag pe suprafaa unui cristal piezoelectric. Un
traductor receptor transform unda elastic n semnal electric. Cuarul, niobatul
de litiu, germaniatul de bismut, nitratul de aluminiu, sunt doar cteva dintre
aceste materiale utilizate la realizarea filtrelor trece band, (pna la frecvene de
ordinul: n GHz ), linii de ntrziere, codoare i decodoare.
1.8.4. Electrei [Ct]
Electreii sunt materiale dielectrice care prezint polarizaie remanent de
lung durat.
a) Termoelectreii se obin prin nclzirea n cmp electric a dielectricului
pn la o temperatur apropiat de temperatura de topire. Mobilitatea sarcinilor
electrice se mrete, producndu-se acumulri de sarcini pe suprafeele
dielectricului. Dipolii se vor orienta dup direcia liniilor de cmp electric i vor
"nghea" n poziiile lor, prin scderea temperaturii.
Eterosarcina se formeaz prin orientarea dipolilor, sau deplasarea sarcinilor
(fig.1.29a)
Omosarcina este sarcina distribuit superficial transferat de la electrozi
prin strpungeri locale ale interstiiului electrod electret, apare n cmpuri
electrice intense i, avnd pondere mai mare dect eterosarcina, stabilete semnul
sarcinii elecetrice superficiale (fig. 1.29b).

fi g.1.29 Form are a sarci ni l or t erm oel ect re i l or: et erosarci ni (a) ; om osarci ni (b ).

Electreii formai n cmp electric sczut (E<0,5 MV/m), nu prezint

omosarcin (fig. 1.30a), care scade n timp printr-un proces de relaxare a
dipolilor. Cei formai n cmp electric intens (E>100MV/m), posed omosarcin
(fig. 1.30b), care scade printr-un proces de conducie. Electreii formai n
cmpuri electrice medii, posed att eterosarcin ct i omosarcin, care se
compenseaz la un moment dat.
26

fi g.1.30 Vari a i a n ti m p a densi t i i de sarci n a el ect re i l or: t erm oel ect re i form a i n
cm puri sl abe (a) ; t erm oel ect re i form a i n cm puri put erni ce (b ) ; t erm oel ect re i form a i n
cm puri m edi i (c) .

b) Fotoelectreii sunt realizati din materiale fotoconductoare (cum este

sulfura de zinc), plasate n cmp electric i puternic iluminate.
Dac energia cuantelor de lumin este suficient pentru a transfera
electroni din banda de valen n banda de conducie, aceti electroni sunt captai
pe nivele locale, create prin defecte n reeaua cristalin (fig. 1.31).
Dup anularea fluxului luminos i a cmpului electric, electronii captai pe
nivele locale produc polarizaie remanent, dar revin n poziiile iniiale prin
nclzirea materialului. Iluminarea distruge instantaneu polarizaia remanent,
determinnd trecerea tuturor electronilor de pe nivelele locale n banda de
conducie.

fi g.1.31 Di agram a ni vel el or energet i ce nt r-un fot el ect ret .

c) Pseudoelectreii se obin prin captarea electronilor radiaiei (format

din electroni) i pe nivelele locale generate prin defecte ale reelei cristaline ale
suprafeei iradiate (fig. 1.32).

fi g.1.32 St ruct ura pseudoel ect r e i l or.

Cmpul electric al sarcinii astfel fixate va aciona asupra sarcinii din

electrodul metalic, atrgnd sarcina electric pozitiv pe suprafaa inferioar a
27

materialului dielectric.
1.9. ntrebri
1. Definii starea de polarizare a materialelor dielectrice i mrimile
polarizaie i moment electric i precizai unitile lor de msur;
2. S se indice criteriul dup care se clasific materialele dielectrice i s
se enumere tipurile de materiale dielectrice, precum i semnificaiile mrimilor n
funcie de care se efectueaz clasificarea materialelor dielectrice.
3. Clasificai materialele dielectrice din punct de vedere al relaiei cauzale
ntre cmpul electric i polarizaia temporar i comentai relaia sub aspectul
susceptivitii electrice i al postefectului;
4. Explicai apariia postefectului n materialele dielectrice pe baza
relaiilor i diagramelor asociate;
5. S se explice necoliniaritatea vectorilor inducie electric i cmp
electric pentru frecvene nalte i apariia postefectului;
6. Analizai curbele de histeresis ale dependenelor: polarizaie-cmp,
respectiv inducie-cmp electric, pentru materialele feroelectrice i explicai prin
ce difer cele dou diagrame;
Se are n vedere nclinarea diferit a celor dou tipuri de curbe, datorit
expresiei induciei electrice, care este o funcie de cmpul electric aplicat.
7. Scriei legea de material pentru materiale dielectrice, utiliznd mrimi
vectoriale sau complexe i artai motivul pentru care relaia ntre mrimile
complexe este mai susceptibil interpretrii teoretice;
8. Explicai motivul pentru care vectorii asociai induciei electrice i
cmpului electric nu mai sunt coliniari atunci cnd frecvena cmpului electric
aplicat materialului dielectric se mrete;
9. Explicai apariia postefectului n materiale dielectrice pe baza relaiilor
i diagramelor i analizai comportarea materialelor dielectrice atunci cnd
frecvena cmpului electric aplicat din exterior se mrete;
10. S se argumenteze corectitudinea expresiei permitivitii electrice
complexe din diagramele fazoriale ale unui condensator cu dielectric, utiliznd
schema echivalent paralel;
11. Pentru determinarea componentei reale a permitivitii relative i a
tangentei unghiului de pierderi a unui material dielectric, se utilizeaz un circuit
cu rezonan de tensiune i un Q-metru. S se stabileasc configuraiile
circuitelor de msurare i algoritmul msurrilor; (vezi anexa 1.3)
12. Enumerai i comentai tipurile i subtipurile de polarizaii ale
materialelor dielectrice;
13. S se explice motivul intersectrii caracteristicilor din familia de
caracteristici ale componentei reale a permitivitii n funcie de cmpul electric
continuu aplicat, pentru materialele feroelectrice;
14. Definii rigiditatea dielectric i specificai condiiile impuse unui
material dielectric cu funcie de izolaie electric;
15. S se deduc relaiile Debye pentru dielectricii cu polarizare de
deplasare i s se traseze diagramele stabilite pe baza relaiilor.
R: Cunoscnd expresia polarizabilitii unui material dielectric cu
polarizare de deplasare i fr pierderi prin conducie:

28

t
cos 0 t 0 , unde: este constanta de timp de relaxare,
t 0 exp

este pulsaia de rezonan a particulei ncrcate electric, iar 0 este faza

iniial, se vor determina expresiile componentelor

complexe. Expresia permitivitii complexe este:

permitivitii

r r' j r" r

relative

t ex
0

unde r este permitivitatea relativ instantanee, corespunztoare frecvenei

care tinde spre infinit . n expresia permitivitii se introduce
expresia
polarizabilitii, se descompune funcia armonic ntr-o diferen de funcii
armonice i se integreaz expresiile astfel obinute, avnd in final expresia:
0 1 jtg 0 1 jtg 0
r r

cos 0 .
2

1 j 0 1 j 0
Pentru 0 , expresia are forma:
0 1 jtg 0 1 jtg 0
r r

cos 0 . ,
2

1 j 0 1 j 0

1 jtd g 0
"
sau: 0

cos

r rst r

0
r 0.
2
1 (0 )

Pentru 0 i 0 1, expresia permitivitii complexe este:

0
tg 0
1
cos 0 . , sau
r r
j tg 0
1
2
2

0 0
0

r 0
r

2
2 1
'
r

unde: 0 i:

r rst r

0 1 tg 0

cos 0
2
1
1 0

La frecvena de rezonan pierderile de energie care se transform n

cldur i de asemenea

",
r

care caracterizeaz pierderile de energie, sunt

maxime.
Pentru: 0 , expresia permitivitii complexe este:
29

 r r

0
1

r
'
r

j
1

cos 0 ., sau:
2
2
1 0 1 0

si

0
cos 0

"
r

16. Definii polarizabilitatea electric i precizai semnificaia mrimii i

crui aspect al comportrii materialului dielectric i corespunde;
17. S se arate care este semnificaia fizic a polarizabilitii i care este
legtura dintre polarizabilitatea i permitivitatea real.
Se are n vedere c amplitudinea mrit a coordonatei liniare (a particulei
ncrcate electric), sau unghiulare (a dipolului) n procesul de relaxare la
anularea cauzei perturbatoare (cmp electric), implic polarizabilitate mrit,
ntruct momentul elementar este n raport direct cu deplasarea liniar sau
unghiular fa de poziia de echilibru.
18. Utiliznd schema echivalent paralel a unui condensator cu dielectric s
se argumenteze asocierea dintre componenta real a permitivitii i capacitatea
dielectricului de a se polariza, precum i asocierea dintre componenta imaginar a
permitivitii i pierderile de putere activ din dielectric;
19. S se stabileasc diagrama puterilor pentru un condensator cu dielectric
utiliznd schema echivalent paralel.
20. S se argumenteze gradul de generalitate al expresiei permitivitii
relative complexe n funcie de permitivitatea relativ instantanee i
polarizabilitate, expresie care este valabil att pentru dielectricii cu polarizare
de deplasare ct i pentru cei cu polarizare de orientare.
Se are n vedere procesul de relaxare la anularea cauzei perturbatoare.
21. S se stabileasc ipotezele modelului teoretic al dielectricului ideal cu
polarizare de deplasare i fr pierderi prin conducie;
22. S se compare dou materiale dielectrice diferite din punct de vedere al
polarizabilitii, avnd n vedere ecuaia de micare, de revenire a sarcinilor
electrice la anularea cmpului electric exterior .
Se va ine cont c un material dielectric are polarizabilitate crescut
atunci cnd pentru acelai cmp electric aplicat, deplasarea liniar sau
unghiular (pentru dipoli) fa de o poziie de echilibru (n absena cmpului
electric exterior), este mai mare.
23. S se descrie modul n care s-a obinut expresia permitivitii relative
complexe n funcie de polarizabilitate, i s se precizeze motivul pentru care
expresia obinut este valabil att pentru dielectricii cu polarizare de deplasare
ct i pentru cei cu polarizare de orientare;
n cele dou cazuri, expresiile polarizabilitii sunt diferite, avnd
constante de timp de relaxare diferite, dar procesele sunt asemntoare cu
deosebirea c deplasarea liniar a sarcinilor electrice, sub influena cmpului
electric aplicat se transform n deplasare unghiular pentru dipoli;
24. S se determine expresia conductivitii materialelor dielectrice solide
n funcie de temperatur.
30

R: Comportarea materialului dielectric este similar comportrii unui

material semiconductor. Presupunem cunoscute: limea benzii interzise E g ,
concentraiile de electroni din banda de conducie N c i
valen N v ,

mobilitile electronilor n i golurilor

p , dependenele de temperatur ale
1.5
2.5
concentraiilor de electroni: Cy T i ale mobilitilor: n , p T
.
La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu
concentraiile n, p, a cror expresii sunt:

n NC e

EC E F
kT

; p NV e

E F EV
kT

unde: k este constanta lui Boltzmann, iar E F este nivelul Fermi. Presupunem
nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz, expresia
conductivitii este:

n p e N C n N V p e

E F EV

2 kT

(1)

unde: e- este sarcina electronului.

si T 2.5 .Conductivitatea se poate scrie sub forma:
Pentru ca: N T 1.5
b

B T
, unde: b i B sunt mrimi independente de temperatur. Aceast
e
T
expresie este valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii,
creterea de tip exponenial a conductivitii este mai pronunat dect scderea
de tip hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea
temperaturii;
25. Un senzor de temperatur este realizat dintr-o plac din siliciu de
grosime 1 i seciune S. Se cunosc: limea benzii interzise E g ,concentraiile
de electroni din banda de conducie N c i valen N v , mobilitatea electronilor
n i golurilor p , dependenele de temperatur ale concentraiilor de electroni:
C , T 1.5 i ale mobilitilor: n , p T 2.5 . S se determine sensibilitatea
senzorului dR/dT, dac se cunosc conductivitiile: 1 , 2 la temperaturile
T1 si T2 .
R: La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin,
cu concentraiile n, p; a cror expresii sunt:

n N c exp E C E F / kT ,

p N V exp E F EV / kT ,

unde: k este constanta lui Boltzmann, iar E F este nivelul Fermi.

Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz,
expresia conductivitii este:
n p e N C n N V p exp E g / 2kT ,
(1)
unde e- este sarcina electronului.
Pentru c N T 1.5 i T 2.5 ,conductivitatea se poate scrie sub forma:

B
b
exp ,
T
T

unde: B i b sunt mrimi independente de temperatur. Aceast expresie este

valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii, creterea de tip
exponenial a conductivitii este mai pronunat dect scderea de tip
hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea temperaturii.
ntruct se cunosc valorile 1 , 2 la T1 ,T2 , rezult:
31

 2T2

1T1

b
,
B 1T1 exp b / T1 2T2 exp b / T2 .
T2 T1
Expresia rezistenei senzorului de temperatur este de forma:

T1T2 ln

l
T l

exp(b / T ),
S BS

iar panta de conversie, sau sensibilitatea senzorului, este:

dR
1
b

exp (1 b / T ).
dT
BS
T

Valorile conductivitiilor pentru cele doua temperaturi se pot calcula din

relaia (1), dac se cunosc concentraiile N c i N v i mobilitile n i p la
dou temperaturi diferite.
26. S se traseze i s se comenteze diagramele componentelor
permitivitii relative complexe n funcie de frecvena cmpului electric aplicat,
obinute pe baza relaiilor Debye;
27. S se analizeze pierderile prin conducie a materialelor dielectrice
gazoase, lichide i solide, cu diagramele i explicaiile aferente.
28. Utiliznd legile fluxului electric i a conduciei electrice, s se descrie
relaiile rezistenei de pierderi a materialelor dielectrice cu polarizare de
deplasare i pierderi prin conducie n regim staionar;
29. S se deduc pe baza schemei echivalente a materialelor dielectrice cu
polarizare de orientare i pierderi prin conducie, expresiile componentelor
permitivitii electrice i a tangentei unghiului de pierderi i s se descrie
dependena acestora n funcie de frecven i temperatur;
30. S se descrie ipotezele care stau la baza modelului teoretic al
dielectricilor cu polarizare de orientare i s se pun n eviden deficientele
acestor ipoteze simplificatoare;
31. Pe baza modelului teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare,
s se stabileasc i s se comenteze comparativ cu expresia analoag pentru
dielectrici cu polarizare de deplasare, expresia permitivitii relative complexe;
32. S se determine expresia conductivitii materialelor dielectrice solide
n funcie de temperatur.
R: Comportarea materialului dielectric este similar comportrii unui
material semiconductor. Presupunem cunoscute: limea benzii interzise E g ,
concentraiile de electroni din banda de conducie N c i valen N V ,
mobilitile electronilor n i golurilor p , dependenele de temperatur ale
1.5
2 .5
concentraiilor de electroni: N C ,V T i ale mobilitilor: n , p T
.
La conducia electric particip ambele tipuri de purttori de sarcin, cu
concentraiile n, p, a cror expresii sunt:

n NC e

EC EF
kT

; p NV e

EF EV
kT

unde: k este constanta lui Botzmann, iar E F este nivelul Fermi.

Presupunem nivelul Fermi plasat la mijlocul benzii interzise. n acest caz,
expresia conductivitii este:

n p e N C n NV p e

unde: e este sarcina electronului.

32

E g

2 kT

(1)

Pentru c: N T 1.5 i T 2 .5 , conductivitatea se poate scrie sub forma:

B Tb
e , unde: B i b sunt mrimi independente de temperatur. Aceast
T
expresie este valabil i pentru dielectricii solizi. Cu creterea temperaturii,
creterea de tip exponenial a conductivitii este mai pronunat dect scderea
de tip hiperbolic, n consecin, conductivitatea va crete cu creterea
temperaturii.
33. S se traseze i s comenteze dependenele de frecven i temperatur
al componentei reale a permitivitii i ale tangentei unghiului de pierderi pentru
dielectrici cu polarizare de orientare i pierderi prin conducie;
34. S se deduc relaiile Debye pentru dielectrici cu polarizare de
orientare i pierderi prin conducie i s se traseze diagramele permitivitii reale
i a tangentei unghiului de pierderi, stabilite pe baza relaiilor, n funcie de
frecven, pentru diferite temperaturi;
R: Cunoscnd expresia polarizabilitii unui material dielectric cu
t
;unde

polarizare de orientare i fr pierderi prin conducie (t ) (0) exp

este constanta de timp de relaxare, se vor determina expresiile componentelor

permitivitii relative complexe.
Expresia permitivitii relative complexe este:

'
"
r
r
r
r

0
unde r este permitivitatea relativ instantanee, corespunztoare frecvenei
care tinde spre infinit.
Permitivitatea relativ n regim staionar sau pentru frecven nul se
noteaz cu rst iar r rst r 0 ,pentru c pe msur ce frecvena se mrete
apar pierderi prin polarizare. n expresia permitivitii se introduce expresia
polarizabilitii i prin identificare rezult:

t ex

'
r

"
r

tg

Dac se consider un dielectric cu pierderi prin conducie i polarizare de

orientare, n expresia componentei
pierderilor de putere prin conducie:

"
r

"
r

mai apare un termen corespunztor

,
unde: p 0 rst , iar tangenta unghiului de pierderi are forma:
33

tg

"
r

'
r

Prin anularea derivatei tangentei unghiului de pierderi se obine maximul

datorat pierderilor prin polarizare, pentru:
1 rst

r
35. S se stabileasc relaiile Debye pentru materiale dielectrice cu
neomogeniti;
R: Se vor determina componentele permitivitii relative complexe ale unui
material dielectric poros introdus ntre armturile unui condensator, care are in
vid capacitatea C 0 .Condensatorul cu dielectric poros se consider ca fiind
format din dou condensatoare cu dielectrici omogeni nseriate, a cror
capaciti i rezistene de pierderi sunt cunoscute.

Admitana schemei echivalente are expresia:

1 1 j1 1 j 2 ' "
Y
j r j r C 0
R1 R2 1 j

forma :
unde: 1 R1 C1 , 2 R2 C 2 iar are
R R
1 2 C1 C 2
R1 R2
Prin identificare se obin expresiile componentelor permitivitii relative
complexe:

34

'
r

"
r

1
1

unde:

rst

1
1 2 ,
C 0 R1 R2

1
1 2
C 0 R1 R2

rst C 0 R1 R2

Alt variant de rezolvare se obine considernd schema echivalent serie.

Relaiile de legtur ntre componentele R p ,C p ale schemei echivalente i
componentele R S ,C S ale schemei echivalente serie sunt:
RS R p sin 2

C S C p 1 tg 2 ,

unde: tg C p R p C S RS .
Admitana schemei echivalente serie, este de forma:
2

jC
Y
j r' j r" C0 ,
1 jCR

1
1
C C1 1
C2 1
.
2
2
C1 R1
C 2 R 2

unde:
R1
R2
R

.
2
C1 R1 C 2 R2 2

Prin identificare se obin expresiile componentelor r' i

.
"
r

36. S se explice motivul pentru care caracteristicile din familia de

caracteristici r, f ; tg f - cu parametru temperatur, se pot intersecta,
rezultnd din punct de vedere matematic: nedeterminarea procesului fizic;
37. S se traseze i s se explice pentru dielectricii gazoi alura
caracteristicilor rigiditii dielectrice n funcie de distana dintre electrozi,
forma electrozilor, presiunea i frecvena semnalului de tensiune aplicat
electrozilor;
38. S se analizeze strpungerea dielectricilor solizi prin ionizare proprie i
a incluziunilor gazoase;
39. S se analizeze pe baza relaiilor i diagramelor, strpungerea termic a
dielectricilor solizi;
40. S se argumenteze pe baza relaiilor i diagramelor asociate
strpungerii termice a dielectricilor solizi, modalitile de evitare a acestui tip de
strpungere electric;
41. Enumerai tipurile i subtipurile de materiale dielectrice cu polarizare
de deplasare temporar i spontan i precizai proprietile caracteristice acestor
materiale dielectrice;
35

42. Explicai natura polarizaiei spontane de deplasare ionic utiliznd

pentru exemplificare o structur elementar cu simetric tetragonal, apariia
cmpului electric intern i efectele acestuia asupra polarizrii de deplasare
electronic;
43. S se exemplifice i s se motiveze apariia polarizrii de deplasare
ionic n dielectrici solizi cu polarizare spontan, precum i procesul de comutare
a sensului polarizaiei sub influena cmpului electric exterior;
44. Explicai comportarea materialelor feroelectrice n funcie de
temperatur i cmpul electric aplicat, pe baza diagramelor polarizaiei, respectiv
ale componentei reale a permitivitii electrice;
45. Prin ce se aseamn materialele feroelectrice n faza neferoelectric cu
materialele dielectrice cu polarizare de orientare;
46. Analizai i comparai curbele de histeresis P f E si D f E pentru
materiale feroelectrice i stabilii pe baza diagramelor, componentele reale ale
permitivitii electrice;
47. Cunoscnd ciclul de histeresis limit pentru un material feroelectric, s
se traseze ciclurile de histeresis minore atunci cnd peste componenta continupozitiv sau negativ a cmpului electric aplicat, se suprapune i o component
alternativ;
Se cere s se traseze diagrama P(E) sau D(E), tiind c toate punctele de
stare ale materialului care se afl n interiorul ciclului de histeresis limit i se
consider cazurile n care peste componenta continu a cmpului (care stabilete
un punct situat pe curba de prim polarizare, pe ciclul limit sau pe un ciclu
minor cuprins n interiorul ciclului limit), se aplic i o component variabil
n timp (dup o lege armonic), care determin deplasarea punctului de stare pe
un ciclu minor.
48. S se motiveze relaia de inegalitate dintre permitivitatea real
diferenial i cea reversibil, pentru un material feroelectric;
49. S se argumenteze forma diferit a dependenelor induciei electrice,
respectiv polarizaiei electrice n funcie de cmpul electric aplicat unui material
feroelectric;
Se are vedere nclinarea diferit a celor dou tipuri de curbe, datorit
expresiei electrice, care este o funcie de cmpul electric aplicat.
50. Descriei comportarea materialelor feroelectrice pe baza dependenelor
componentei reale a permitivitii electrice de cmpul electric exterior: alternativ
i continuu, precum i pe baza dependenei de frecvena cmpului electric aplicat;
51. Analizai pierderile de energie din materialele feroelectrice: de care
mrimi depind aceste pierderi i explicai pe baza schemei echivalente a
materialului feroelectric i pe baza constatrilor experimentale similitudinea
alurii dependenelor componentelor imaginare i reale ale permitivitii, de
temperatur i cmpul electric aplicat;
52. S se specifice mrimea de care depind preponderent pierderile de
energie n materialele feroelectrice mult mai ridicate dect la
materiale
dielectrice;
53. Enumerai tipurile de cristale lichide i precizai caracteristicile acestor
materiale i efectele electrooptice pe care le prezint;
54. Descriei procesele care au loc ntr-un cristal piezoelectric utilizat n
dispozitive cu und elastic de volum i se suprafa;

36

55. Descriei structura i modul de funcionare a unui filtru trece-band cu

und de suprafa, preciznd care sunt caracteristicile distinctive ale acestui
dispozitiv;
56. Explicai cum se genereaz eterosarcina i omosarcina electreilor i
modul n care se modific densitatea de sarcin superficial i polarizaia
remanent n timp.
57. Explicai procesul de distrugere instantanee prin iluminare a
polarizaiei remanente a fotoelectreilor.
1.10 Probleme
1. Un condensator plan, avnd ca material dielectric ntre armaturi,
ceramic mulitica cu coninut de bariu, cu 'r =7,3, distanta dintre armaturi fiind:
d=1cm, functioneaza la o tensiune aplicata de 12KV. Datorita unui soc mecanic,
la una dintre armaturi s-a creat un interstitiu de aer, cu grosime =0,5mm. Sa se
calculeze valoarea cmpului electric n interiorul condensatorului n cele doua
situatii si sa se determine ordinea de strapungere n cazul n care strapungerea are
loc. Se cunosc rigiditatile aerului si ceramicii: E s t r.a er =3MV/m, E s t r.c er a m i c a =19MV/m.

Rezolvare:
Tensiunea aplicata armaturilor are expresia:
2

U12 =

dl

=Ed

de unde rezulta:
E =

U12 12 10 3

1,2 MV m E str .ceramica

d
10 2

si condensatorul nu se strapunge.
Pentru condesatorul cu interstitiu de aer, tensiunea aplicata armaturilor,
este:
2

U12 =

dl

=E 0 + dE

Din legea fluxului elctric rezulta teorema continuitatii inductiei electrice

pe suprafete normale pe directia cmpului electric:
D 0 = 0 E 0 = 0 'r E =D
Rezolvnd sistemul de ecuatii, rezulta:
U 12
0,879 MV m E str .ceramica ,
E =
d r'
E 0 = 'r E = 6,4 MV m E str .aer
Interstitiul de aer se va strapunge si sub actiunea arcului electric se va
deteriora n timp dielectricul ceramic si n final se va distruge condensatorul.
37

Este de subliniat pericolul existentei interstitiilor de aer, chiar si uniforme si cu

att mai mult neuniforme, in interiorul spatiului dintre armaturi.
Presupunem ca se aplica condensatorului tensiunea U = 12KV, si ulterior se
ntrerup conexiunile bornelor sursei de tensiune cu armaturile condensatorului. Se
va analiza si n acest caz efectul interstitiului asupra strapungerii ansamblului.
Daca suprafata armaturilor este S si sarcina electrica acumulata pe armaturi
este q, capacitatea condensatorului fara interstitiu de aer, este:
q
S
= 0 'r
U
d

C =

iar capacitatea condensatorului cu interstitiu de aer, are expresia:

C
C = 1 '
r
d

Intruct sarcina electrica acumulata pe armaturi nu se modifica, trensiunea

la armaturile condensatorului cu interstitiu de aer are expresia:
U =

q
C'

= U(1 +

'
) .
d r

S-a constatat ca pentru tensiunea U = 12KV aplicata condensatorului cu

interstitiu de aer, aerul se va strapunge. Cresterea de tensiune datorita aparitiei
interstitiului implica o crestere suplimentara a cmpului n interstitiul de aer:
E

'
0

U
d 'r

(1 +

'
r ) .
d

Prin urmare strapungerea aerului va avea loc si n acest caz.

2. Dielectricul dintre armaturile unui condensator plan cu suprafata
armaturilor
S= 100cm 2 si distanta dintre ele: d=10m, este o folie din
polistiren, fara interstitii de aer, cu: 'r = 2,5, =10 1 0 m, E s t r =30MV/m. Sa se
calculeze puterea activa dezvoltata prin conductie electrica pentru o tensiune
continua aplicata condensatorului:
U =200V.
Rezolvare:
Initial se verifica daca nu se strapunge condesatorul la tensiunea aplicata.
E =

U
20 MV m E str
d

Densitatea de curent se determina cu expresia:

J = E E 2 103 A m 2
Puterea dezvoltata prin conductie electrica se determina in doua moduri:
a) Puterea activa specifica dezvoltata in unitatea de volum, are expresia:
p = J E = 4 10 4 W m 3 ,
iar puterea activa este:
P=pSd=4 10 3 W
b) Curentul de conductie prin rezistenta echivalenta paralela a
condensatorului este:
I=JS=2 10 - 5 A , iar rezistenta echivalenta are expresia:
R =

d
107 .
S

Rezulta pierderile de putere activa, care se transforma in caldura:

38

P a =RI 2

U2
4 10 3 W .
R

In conditii stationare, pierderile de putere activa se datoreaza exclusiv

curentilor de conductie si prin urmare sunt minime.
3. Sa se considere aceeasi problema n conditiile n care tensiunea aplicata
condensatorului nu este continua ci alternativa, iar tangenta unghiului de pierderi
este: tg = 410 - 4 . Sa se calculeze puterea activa dezvoltata n condensator pentru
o tensiune: U e f =200V la frecventa de 5KHz si modulul permitivitatii relative
complexe.
Rezolvare:
Valoarea efectiva a unei marimi sinusoidale se determina prin echivalarea
marimii sinusoidale cu aceeasi marime - dar continua, care produce aceeasi
disipatie de putere ntr-un rezistor a carui rezistenta este data. In curent
alternativ, pe lnga pierderile prin conductie apar si pierderi prin polarizare
electrica. Consideram schema echivalenta paralel si diagramele fazoriale asociate.

Se determina componentele schemei echivalente paralel:

,S
C p 0 r 22 10 9 F
d
Rp

1
3,62 10 6
C p tg

Puterea activa dezvoltata n rezistenta este:

Pa

U2
11 10 3W
Rp

Se observa ca puterea disipata n curent alternativ este superioara celei

dezvoltate n curent continuu.
Modulul permitivitatii complexe se detrmina din relatia:
r r, 2 r, , 2 r, 1 tg 2 r, 2,5

Diagrama puterilor este un triunghi asemenea triunghiului curentilor, din

care s-a obtinut, cu deosebirea ca laturile triunghiului sunt segmente de dreapta a
caror lungime corespunde puterii respective.

4. O baterie de condensatoare de putere, destinata compensarii factorului de

putere: cos , functioneaza la o tensiune alternativa: U=220 V si frecventa: f=50
Hz, fiind parcursa de un curent: I=10 A. Uleiul folosit ca dielectric se
4
caracterizeaza prin: tg 300 10 , r' 2,2 si E str 20 MV / m . Sa se calculeze
valoarea capacitatii si cresterea de temperatura, atunci cnd se aplica
39

condensatorului o tensiune corespunzatoare cmpului electric: E E str / 10 . Puterea

disipata se degaja prin convectie cu coeficientul: k 10W / m 2 C . Condensatorul
este de forma paralelepipedica si constructie interdigitala avnd suprafata
armaturilor: S 1m 2 si distanta dintre armaturi: d 0,675mm .
Rezolvare:
Consideram schema echivalenta paralel a condensatorului.

Tangenta unghiului de pierderi are expresia:

P UI cos
1
tg ctg a

.
Pr UI sin R pC p
Stiind ca:
S 2 Pa2 Pr2 ,
rezulta:
Pa 65,97W

Pr 2199VAr

Rezistenta echivalenta de pierderi a schemei este:

Rp

U2
734 ,
Pa

iar valoarea capacitatii rezulta din expresia tangentei unghiului de pierderi:

1
'S
Cp
0 r tot 145 10 6 F .
R ptg
d
Suprafata totala a armaturilor este:
Cpd
S tot
4,55 10 3 m 2 ,
'
0 r
iar grosimea condensatorului este egala cu numarul de armaturi nmultite
cu distanta dintre ele:
L=

Stot
d 3,1 m
S

Suprafata exterioara a condensatorului prin care se degaja puterea activa

disipata, considernd suprafetele S, de forma patrata, este:
S e x t =2S+4L S 14,4 m 2
Cresterea de temperatura, sau diferenta ntre temperatura e ,de echilibru
termic si temperatura mediului ambiant o , este:
( e - o ) =

Pd
= 0,48 o C
Sext k

Pentru dimensiunile relativ

temperatura este nesemnificativa.

mari

ale

condensatorului,

cresterea

de

5. Un material dielectric cu polarizare de orientare si piederi prin

40

conductie, are rezistivitatea =10 1 1 cm si tangenta unghiului de pierderi

tg =30010 - 4 la frecventa f=1MHz. Cunoscnd valoarea permitivitatii relative
statice: r s t =4,5 si instantanee: r i =3,8, sa se determine constanta de relaxare
si pierderile de putere activa ale unui condensator plan paralel cu suprafata
armaturilor: S=100cm 2 si distanta dintre armaturi, sau grosimea dielectricului:
d=10m, alimentat la o tensiune: U=100V, cu frecventa: f=1MHz.
Rezolvare:
Relatiile utilizate sunt:
'r ri

r'' r

1 ( ) 2

,
2
1 ( )
st

r''
tg ' ,
r
unde: r rst ri , iar 0 rst corespunde pierderilor prin conductie.
Notnd: x , din expresia tangentei unghiului de pierderi, a carei
valoare este cunoscuta, rezulta doua valori pentru constanta de relaxare :
1 0,945 10 6 s ; 2 0,032 10 6 s .
Avnd n vedere modul n care s-a definit constanta de relaxare n cadrul
modelului teoretic al dielectricului, valoarea mai mare a constantei de relaxare
este conforma cu realitatea fizica.
Pierderile specifice de putere activa n dielectricul dintre armaturile
condensatorului se determina considernd schema echivalenta paralel a
condensatorului, pentru care:
tg

1
300 10 4 .
C p R p

Pentru frecventa relativ ridicata: f=1MHz ,

schemei echivalente paralel, este:
0 ri S
Cp
33,5 10 9 F
d
.
Rezistenta de pierderi rezulta:
Rp

1
2 f C p tg

r 'r ri

, iar capacitatea

1,58 10 2

,
iar pierderile de putere activa sunt:
Pa

U2
63,5W
Rp

In curent continuu, rezistenta echivalenta de pierderi este:

R 'p

d
108 ;
S

iar pierderile de putere activa sunt:

Pa'

U2
R 'p

0,1mW .

Din analiza dependentelor componentelor permitivitatii relative complexe

41

de produsul dintre frecventa si constanta sau au rezultat formele

simplificate ale expresiilor acestor componente pentru frecventa f=1MHz. Se
observa ca tangenta unghiului de pierderi ca si pierderile de putere activa au
valori ridicate pentru aceasta frecventa.
6. Consideram un condensator cu armaturi plan paralele, avnd suprafetele
de forma patrata: S=100cm 2 si distanta dintre armaturi: d=1mm. Dielectricul
dintre armaturi se caracterizeaza prin: 1 =10 8 m la T 1 =300K si 2 = 1,1 108 m , la
T 2 =400K, E s t r =10MV/m, t o p i r e =130C. Condensatorului i se aplica o tensiune U,
lent crescatoare. Sa se precizeze care tip de strapungere apare mai nti: cea
electrica sau cea termica. Se considera ca puterea disipata se degaja exclusiv prin
convectie termica, cu k = 10W/m 2 C.
Rezolvare :
Presupunem ca se aplica condensatorului o tensiune U.
Puterea dezvoltata prin conductie si puterea degajata prin convectie, au
expresiile:
P cond J E S d E S d ( 0 E S d )e
2

A
Te

U2
( 0
S )e Te ,
d

Pconv k S(Te T1 ) ,

unde: T e este temperatura de echilibru stabil.

Constantele A si 0 , din expresia conductivitatii se determina din valorile
rezistivitatii pentru cele doua temperaturi:

1 10 8 0 e

A
300

2 1,1 10 8 0e

A
400

Prin dezvoltarea functiei exponentiale n serie Taylor, se obtine: A=114 si

0 =1,4610 - 8 . Cresterea relativa a conductivitatii cu temperatura determina
valoare A, n timp ce 0 depinde de valoarea conductivitatii la o temperatura
precizata.
Presupunem ca tensiunea aplicata condensatorului are valoarea maxima:
U E str d 10 KV si calculam valorile temperaturii de echilibru, care corespund
egalitatii dintre puteri. Expresiile temperaturilor de echilibru sunt:
Te1, 2

1
U2
U2
2 U 4
T1 0 max T12 2 0 max (T1 2A) 0 max
2
kd
kd
2k d 2

Te1 405 K ,

Se retine valoarea
iar valoarea Te 40 K se considera
necorespunzatoare.
Rezulta ca nainte de a fi atinsa tensiunea corespunzatoare strapungerii
electrice, dielectricul - cu rezistivitate redusa, se ncalzeste excesiv si se topeste.
Daca vom
considera un dielectric cu rezistivitate mai mare cu un ordin de marime,
tensiunea maxima admisa nu va determina topirea dielectricului.
Pentru o rezolvare mai exacta, se pot retine mai multi termeni din seria
Taylor asociata functiei exponentiale, sau conductivitatea poate fi exprimata sub
forma:
42

B T
e ,
T
unde: constantele B si b se determina n mod similar.

7. Prin masurari la diferite frecvente asupra unui ulei sintetic de

transformator, introdus ntre armaturile unui condensator, a carui capacitate n aer
este: C 0 =1000pF, s-a obtinut o schema echivalenta, valorile componentelor fiind:
C 1 =2700pF, C 2 =2300 pF si R 2 =47 . Sa se determine: permitivitatea relativa
statica si instantanee, constanta de timp de relaxare, pulsatia si frecventa pentru
care tangenta unghiului de pierderi este maxima - datorita pierderilor prin
polarizare si valoarea acestui maxim. Pierderile prin conductie sunt neglijabile.

Rezolvare:

C1 C2
5.
C0
C1
2,7 .
2 Permitivitatea relativa instantanee este: r
C0

1 Permitivitatea relativa statica este: r st

7
3 Constanta de timp de relaxare este: C2 R2 1,081 10 s
4 Pulsatia si frecventa corespunzatoare valorii maxime a tangentei
1 rst

1,26 107 rad / s ; f m m 2 10 6 Hz .

unghiului de pierderi, sunt: m
r
2
5 Valoarea maxima a tangentei unghiului de pierderi este:
r
(tg ) max rst
0,313 .
2 rst r

8. Consideram condensatorul din figura, format din doua straturi dielectrice

"1" si "2", care sunt caracterizate prin permitivitatile relative: r1 , r2 , tensiunile
de strapungere: E str , E str2 si tangentele unghiurilor de pierderi: tg 1 , tg 2 .
1

Suprafata armaturilor este S, distanta dintre ele este d, iar k este un numar
cuprins ntre zero si unu. Sa se determine tensiunea maxima care poate fi aplicata
condensatorului si tangenta unghiului de pierderi.

Rezolvare:
43

Inductia electrica - normala pe suprafata de separatie, se conserva, iar

tensiunea aplicata este suma tensiunilor corespunzatoare celor doua straturi
dielectrice, sau:
U

E dl E1kd E2 (1 k ) d

E1 0 r1 E2 0 r2

unde E 1 , E 2 sunt intensitatile cmpurilor electrice din interiorul straturilor

dielectrice.
In expresia tensiunii aplicate condensatorului n functie de intensitatile
cmpurilor electrice E 1 , E 2 din interiorul dielectricilor, elementul de linie dl , s-a
considerat cu aceeasi directie si sens ca si intensitatile cmpurilor electrice
E1 , E2 .
Consideram: E1 E str , rezulta: E 2 E str r / r , iar:
r
U max1 E str1 d [ k (1 k ) 1 ] .
r2
1

Consideram: E 2 E str2 , rezulta: E1 E str1 r2 / r1 , iar:

r
U max 2 E str2 d [k 2 (1 k )]
r1
Tensiunea maxima care se poate aplica condensatorului are valoarea cea
mai mica dintre cele doua valori obtinute.
Condensatorul poate fi considerat ca fiind format din doua condensatoare
nseriate. Tangenta unghiului de pierderi este de forma:
U R U R2
C2tg C1 C1tg C 2
I ( R1 R2 )
tg C s 1

.
U C1 U C 2 I (1 / C1 1 / C2 )
C1 C2
Intruct se cunosc dimensiunile
dielectricilor dintre armaturi, rezulta:
k r2 tg C1 (1 k ) r1 tg C2
tg CS
.
(1 k ) r1 k r2

condensatoarelor

si

permitivitatile

In situatia n care suprafata de separatie dintre dielectrici ar fi paralela cu

directia liniilor de cmp, condensatorul se poate considera ca fiind format din
doua condensatoare conectate n paralel.
9. Un condensator este format dintr-un strat de aer si un strat de ulei.
Permitivitatile relative si intensitatile cmpurilor electrice de strapungere pentru
aer sau ulei sunt: r 1 , r 6,7 , E str 3,2 MV / m , Estr 30 MV / m . Cunoscnd
0

grosimile straturilor: d 0 7,5m , d1 17,5m , sa se determine tensiunea maxima

care poate fi aplicata condensatorului. Pentru o tensiune crescatoare sa se
precizeze ordinea de strapungere a dielectricilor. Sa se rezolve problema si n
cazul n care stratul de aer se nlocuieste cu un strat dielectric cu r 3 si
E str2 40 MV / m .
2

44

Rezolvare:
Tensiunea aplicata armaturilor condensatorului are expresia:
U E 0 d 0 E1 d1 ,
iar din teorema continuitatii inductiei electrice pe suprafete normale pe
directia cmpului electric:
D0 0 r0 E 0 0 r1 E1 D1 ,
rezulta ca valoarea intensitatii cmpului electric n aer este mai mare dect
n dielectric: E 0 r E1 , deci n prima instanta se strapunge stratul de aer.
Tensiunea maxima care se poate aplica condensatorului este:
d
U max E str ( d 0 1 ) 32,3V .
r
1

Daca se nlocuieste stratul de aer cu un strat dielectric, intensitatea

cmpului n dielectric este de asemenea mai mare dect n ulei pentru ca
permitivitatea uleiului are valoare superioara permitivitatii dielectricului:
r
E 2 1 E1 .
r2
Prin aplicarea unei tensiuni crescatoare, dielectricul se strapunge la o
valoare a tensiunii:
r
U max E str2 (d 2 2 d1 ) 612,5V .
r1
10. Cunoscnd expresia polarizabilitatii unui material dielectric cu
polarizare
de
deplasare
si
fara
pierderi
prin
conductie:
t /
(t ) (0)e
cos(0t 0 ) , unde: este constanta de timp de relaxare, 0
este pulsatia de rezonanta a particulei ncarcata electric, iar 0 este faza initiala,
sa se determine expresiile componentelor permitivitatii relative complexe.
Rezolvare:
Expresia permitivitatii relative complexe este:

'
r

"
r

(t

unde r este permitivitatea relativa instantanee, corespunzatoare

frecventei care tinde spre infinit.
In expresia permitivitatii se introduce expresia polarizabilitatii, se
descompune functia armonica ntr-o diferenta de produse de functii armonice si se
integreaza expresiile astfel obtinute, obtinndu-se n final expresia:
45

 r r

(0)
2

1 jtg0
1 jtg0

cos 0 .
1 j (0 ) 1 j (0 )

Pentru: 0 , expresia are forma:

(0) 1 jtg0 1 jtg0
r r

cos 0 ,
2 1 j0 1 j0
sau:
(1 0 tg0 ) cos 0
r' rst r (0)
1 02 2

0
"
r

Pentru: 0 si 0 1 , expresia permitivitatii complexe este :

(0)
tg0
1
r r
[1
j (tg0
)] cos 0 ,
2
20
20
sau:
0
r' r r
,
2 1 ( ) 2

"
r

unde: 0 si:

1 ' tg0
cos 0
1 ( 0 ) 2
La frecventa de rezonanta piederile de energie care se transforma n caldura
r rst r (0)

si deasemenea

" , care caracterizeaza pierderile de energie, sunt maxime.

r

Pentru: 0 , expresia permitivitatii complexe este:

1
j
r r (0)

cos 0
2
2
1 ( ) 1 ( )
sau:
r' r

"
r

cos 0

11. Cunoscnd expresia polarizabilitatii unui material dielectric cu

polarizarea de orientare si fara pierderi prin conductie (t ) (0)e t / , unde
este constanta de timp de relaxare, sa se determine expresiile componentelor
permitivitatii relative complexe.
Rezolvare:
46

Expresia permitivitatii relative complexe este:

r r, j r, , r (t )e jt dt
0

unde: r este permitivitatea relativa instantanee pentru o frecventa care

tinde spre infinit.
Permitivitatea relativa n regim stationar, sau pentru frecventa nula se
noteaza cu: r st , iar r r st r 0 , pentru ca pe masura ce frecventa se mareste
apar pierderi prin polarizare.
In expresia permitivitatii se introduce expresia polarizabilitatii si prin
identificare, rezulta:
r
r, r
,
1 ( ) 2

r,, r

tg

,
1 ( )2

r
.
r st r ( ) 2

Daca se considera un dielectric cu pierderi prin conductie si polarizare de

orientare, n expresia componentei r, , mai apare un termen corespunzator
pierderilor de putere prin conductie:

r,, r

r st ,
2
1 ( )

unde: 0 r st , iar tangenta unghiului de pierderi are forma:

2
2
r,, r st [1 ( ) ] r
tg ,
.
r
[ r st r ( ) 2 ]

Prin anularea derivatei tangentei unghiului de pierderi se obtine maximul

datorat piederilor prin polarizare, pentru:

1 r st
r

12. Sa se determine componentele permitivitatii relative complexe ale unui

material dielectric poros introdus nte armaturile unui condensator, care are n vid
capacitatea C 0 . Condensatorul cu dielectric poros se considera ca fiind format din
doua condensatoare cu dielectrici omogeni nseriate, a caror capacitati si
rezistente de pierderi sunt cunoscute.

Rezolvare:
47

Admitanta schemei echivalente are expresia:

1 (1 j 1 )(1 j 2 )
Y
j ( r, j r,, )C0
R1 R2
1 j
unde: 1 R1C1 , 2 R2C2 iar are forma:
RR
1 2 (C1 C2 )
R1 R2
prin identificare se obtin expresiile componentelor permitivitatii relative
complexe:
r
r, r
,
1 ( ) 2

r,, r

r st ,
2
1 ( )
1

unde: r st C ( R R ) ( 1 2 3 ) ,
0
1
2
1
1 2
r
,
C0 ( R1 R2 )

r st C0 ( R1 R2 ) .
Alta varianta de rezolvare se obtine considernd schema echivalenta serie.
Relatiile de legatura ntre componentele R p , C p ale schemei echivalente paralel si
componentele R s , C s ale schemei echivalente serie sunt:
Rs R p sin 2

Cs C p (1 tg 2 ) ,

unde: tg

1
C R Rs Cs .
p p

Admitanta schemei echivalente serie, este de forma:

Y

1
j C

j ( r, j r, , )C0 ,
Z 1 jRC

1
1
C2 1
unde: C C1 1
2
2 .
(C1R1 )
(C2 R2 )

R1
R2
R

.
2
1 (C1R1 ) 1 (C2 R2 ) 2

Prin identificare se obtin expresiile componentelor r, , r, , .

13. Pentru o frecventa de rezonanta f*, s-au determinat cu un Q-metru,
valorile capacitatii variabile si ale factorului de calitate pentru acelasi
condensator cu si fara dielectric ntre armaturi: C V 0 , Q 0 , respectiv: C v , Q. Sa se
determine valoarea permitivitatii electrice a dielectricului utilizat si tangenta
unghiului de pierderi pentru frecventa f*. Factorul de calitate al bobinei utilizate
este mult superior factorului de calitate al condensatorului cu dielectric, iar
valoarea capacitatii variabile conectata n serie doar cu inductivitatea L, la
frecventa de rezonanta f*, este C v * .

48

Rezolvare:

rL rS 2

1
astfel nct pulsatia de rezonanta , se
4L
LC
poate considera ca fiind egala cu pulsatia oscilatiilor proprii ale circuitului serie:
Presupunem ca:

LC

1 rL rS

LC 2 L

Aceasta conditie fiind ndeplinita, factorul de calitate al bobinei este:

L
1
QL

,
rL
CrL
iar factorul de calitate al circuitului rezonant serie este de forma:
1
QQ
Qcircuit
C L ,
C rS rL QC QL
sau:
1
1
1

.
Q circuit Q C Q L

Prin urmare, factorul de calitate al circuitului este egal cu factorul de

calitate al unei componente, daca factorul de calitate al celeilalte componente are
valoare mult superioara.
Pentru cele trei conexiuni, frecventa de rezonanta este aceeasi:
f*

1
2 LC*V

1
2 C V0 C 0

1
2 C V C

Componenta reala a permitivitatii relative se determina din relatia:

C
C * CV
'
V*
.
C0 CV CV
r

Factorii de calitate ai condensatorului cu si fara dielectric sunt:

1
1
Q
; Q0 r C C .
rS rL CV C
L
V0
0
Presupunnd ca: rS rL , se poate scrie relatia:
1
1

CV* rS rL CV* rS ,
Q Q0

iar tangenta unghiului de pierdri a condensatorului cu dielectric, rezulta:

1
1 CV* CV
tg rS C
Q Q0 CV*

49

1.11. Anexe
Anexa 1.1. - Reprezentarea mrimilor electrice cu variaie sinusoidal n timp
O mrime care variaz n timp dup o lege armonic u U max cos t , se poate
reprezenta sub forma unui vector care se rotete cu vitez unghiular , constant
n jurul unui punct de referin. Pentru a obine valoarea instantanee (la un
moment dat) a mrimii este suficient s proiectm vectorul pe o ax oarecare,
care trece prin punctul de referin i este preferabil ca axa s fie astfel aleas
nct n momentul iniial, proiecia s fie maxim.
ntre mrimile care variaz dup legi armonice pot aprea defazaje iniiale.

u (t ) U max cos t

M e j (cos j sin ) a jb

i (t ) I max cos (t t )
i (t ) I max cos(t )

Astfel, curentul poate fi defazat n urma tensiunii pentru c valoarea

maxim a curentului se obine dup un interval t, de timp. Defazajele iniiale se
reprezint n diagramele vectoriale i se pstreaz n timpul rotaiei vectorilor.
Mrimile care variaz dup o lege armonic cu pulsaie sau frecven
f constante, se pot asocia unei mrimi vectoriale sau care se rotete n plan n
jurul unui punct de referin. Dac mrimea vectorial se poate asocia unei
mrimi complexe, o mrime complex nu se poate asocia unei mrimi vectoriale
dect dac se precizeaz centrul de rotaie, care se poate alege pentru
simplificarea reprezentrii, n originea axelor de coordonate.
Avantajul utilizrii reprezentrii cu mrimi complexe, care are centrul de
rotaie precizat, este cel al transformrii ecuaiilor integro-difereniale n ecuaii
algebrice, ntruct operaiile de derivare i integrare se transform n nmuliri
sau mpriri cu j. Pe de alt parte, mrimile complexe se pot nmuli sau
mpri i se preteaz analizei n domeniul frecven, n timp ce reprezentrile
sub form de funcii armonice se preteaz analizei n domeniul timp.
Dac o mrime care variaz n timp dup o lege armonic se asociaz unei
mrimi complexe M , cu modul M i defazaj iniial t . Valoarea
instantanee se obine prin proiecia mrimii complexe pe axa real. nmulirea cu
j a numrului complex, are ca efect defazarea naine cu /2 a segmentului OP,
care va ocupa poziia OP, iar nmulirea cu j determin defazarea n urm cu
/2 astfel nct poziia segmentului OP va fi OP. nmulirea cu un numr real
(supraunitar sau subunitar) nu modific unghiul ci doar modulul mrimii
complexe. Mrimile complexe reprezentate n planul complex sunt segmente care
50

formeaz ntre ele diferite unghiuri. Prin nmulirea sau mprirea cu un numr
complex, a mrimilor complexe care formeaz o diagram n planul complex,
unghiurilor segmentelor fa de axa de referin cresc sau scad cu acelai unghi:

M N m e j m n e jn m n e j ( m n )
Din diagrama tensiunilor sau curenilor, se pot obine diagramele puterilor,
impedanelor sau admitanelor. Pentru a transforma de exemplu, triunghiul
impedanelor n triunghi al admitanelor este necesar s se transforme n prima
etap, schema echivalenta serie n schema echivalent paralel, iar n etapa a doua,
s se traseze diagrama curenilor i s se mpart mrimile complexe cu mrimea
complex corespunztoare tensiunii de alimentare. Prin nmulirea sau mprirea
cu j, diagramele se rotesc cu /2 n sens orar, respectiv invers orar.
Anexa 1.2. - Reele Bravais

Celula Bravais este definit prin vectorii a1 , a 2 , a3 , astfel nct: a 1 =a; a 2 =b;
a 3 =c.
Indicii Miller ai unui plan atomic (h,k,l) sunt cele mai mici numere ntregi,
a
a1
a
h; 2 k ; 3 l.
care sunt n acelai raport ca i:
x0
y0
z0
Direcia perpendicularei pe un plan (h,k,l) se noteaz:[h,k,l].
Toate planurile paralele i toate direciile paralele au aceeai indici Millerpozitivi, nuli sau negativi.
Pentru celula cu axe ortogonale i simetric tetragonale, (fig. a.1b),
interseciile planului (0,0,1) cu axele Ox, Oy sunt aruncate la infinit.
Anexa 1.3. - Filtru trece band cu unda de suprafa
Dispozitivul electric utilizeaz unda elastic de suprafa de tip Rayleigh,
care este o und polarizata eliptic i puternic atenuat n adncime. In fig. A.2.1.a
este reprezentat reeaua cristalin distorsionat de unda Rayleigh.
Punctele materiale ale stratului superficial sufer deplasri longitudinale
paralele cu suprafaa monocristalului i transversale (fig.A.2.a). Propagarea este
direcional, nedispersiv, iar viteza de propagare este mai redus dect a undelor
de volum.
51

Un semnal electric sinusoidal aplicat traductorului interdigital emitor,

realizat prin depuneri metalice pe un substrat de niobat de litiu(fig.A.2.b),
determin apariia n substrat a unui cmp electric n planul xOy, care produce
deplasarea punctelor materiale (fig. A.2.c). Traductorul receptor efectueaz
conversia n sens invers (fig. A.2.d). Traductoarele sunt conectate la sursa de
semnal, respectiv la consumator, prin reele de adaptare. Undele de suprafa
produse de seciunile vecine ale traductorului interdigital se vor impune n faz
numai dac perioada structurii interdigitale este egal cu lungimea de unda 0 .
Astfel conversia mrimii electrice n marimea elastic i invers este o conversie
selectiv iar filtrul trece band are caracteristica atenuare frecven cu fronturi
abrupte. Domeniul de utilizare este cuprins ntre sute de MHz i GHz. n acelai
mod se pot realiza filtre adaptate pentru recunoasterea unui semnal modulat n
frecven.

Fi g A.2 R eprez ent are pent ru unda R ayl ei gh pe suprafa a unui monocri st al (a); t raduct or
i nt erdi gi t al (b),(c) i fi l t ru cu unda de suprafa .

Anexa 1.4. - Consideraii teoretice asupra Q-metrului si msurri cu Q-metrul

Msurrile efectuate cu Q-metrul se bazeaza pe rezonanta de tensiune a
circuitului serie, format dintr-un inductor si un condensator (fig. 1).
Pulsatia de rezonanta:

1
LC

P
difera de pulsatia oscilatiilor proprii:

r

2 L
si sunt egale pentru:
52

1
LC

LC

2 L

Q
r
Daca rezistenta bobinei este neglijabila, factorul de calitate:
0

are valoare ridicata, iar pentru rezistenta serie r S neglijabila, factorul de calitate

al condensatorului:

r
0

I
rL

UL

C
o
Ur

U
L

QL

r=rL+rS

UL

(c)
L
U

UL

Uc
caracter
U
capacitiv
UC

(d)
Ur

o
rS
QC UC
r=rS+rL
UL=joL
C

UC

XI

UC

(b)

U=Ur=rI

XI

U=Ur=rI

PrL=oLI

PrC

I
C

PrL=oLI

e)

(x)

=o
UL=joLI

caracter
inductiv

(
(a)

UL

I
U/r

P ac=rSI

(f)

rC

I
C

I ( y ) PaL=rLI

(z)

0 car. car.
capacitiv
inductiv
car. rezistiv

0 car. car.
capacitiv
inductiv
car. rezistiv

Fig. 1 Circuit rezonant serie [i diagramele asociate

Regimul rezonant al circuitului serie se poate obtine prin modificarea

inductivitatii, capacitatii sau a frecventei tensiunii sinusoidale aplicate
circuitului. Masurarile curente cu Q-metrul presupun o valoare constanta a
inducti vitatii bobinei fara miez magnetic. Proprietatile miezului magnetic se
modifica cu frecventa, determinnd modificarea valorii inductivitatii bobinei.
Factorul de calitate al bobinei se modifica n acelasi mod ca si raportul: w/r L ,
pentru ca inductivitatea L, se considera invarianta n raport cu frecventa. Astfel,
factorul de calitate Q L , poate sa creasca cu frecventa, atunci cnd frecventa creste
n masura mai mare dect rezistenta r L , sau poate sa scada cu frecventa, atunci
cnd cresterea rezistentei de pierderi r L este superioara cresterii frecventei. De
asemenea, factorul de calitate poate sa fie constant ntr-un interval limitat de
frecvente. Utiliznd miezuri magnetice cu pierderi reduse, se pot obtine
inductoare cu factori de calitate superiori fata de inductoarele fara miez magnetic
pentru aceiai valoare a inductivitatii. Valorile ridicate ale factorului de calitate
53

al bobinelor cu miez magnetic sunt obtinute ntr-un interval limitat de frecvente.

Pentru frecventele superioare, pierderile datorate miezului magnetic se maresc
substantial si de asemenea cresc pierderile prin efect pelicular. Factorul de
calitate al unui condensator scade cu cresterea frecventei, iar prezenta
dielectricului dintre armaturi micsoreaza factorul de calitate, datorita rezistentei
de pierderi r S crescute. Pentru frecvente ridicate, schema circuitului se
completeaza cu componente parazite, cum sunt: capacitatea dintre spirele bobinei,
sau inductivitatea terminalelor si armaturilor condensatorului, iar diagramele
fazoriale si relatiile stabilite sunt valabile.
La rezonanta factorul de calitate al circuitului (fig. 1.a), n ipoteza ca:

1
LC , are expresiile:

circ.

circ.

C r S r L

circ.

(1)

L
1

rS r L 1 1

sau:

(2)
C

(3)
C

Q-metrul masoara factorul de calitate al circuitului n regim rezonant.

Pentru a masura factorul de calitate al unei componente, este necesar ca factorul
de calitate al celeilalte componente sa fie mult mai ridicat. De exemplu, pentru a
masura factorul de calitate al unui condensator, este necesar ca bobina sa fie
astfel dimensionata si realizata, nct factorul ei de calitate sa fie ridicat, pentru
ca factorul de calitate masurat sa fie egal cu: Q c i r c . =Q C , iar valoarea inductivitatii
sa permita obtinerea rezonantei n intervalul de frecvente pentru care este
proiectat Q-metrul respectiv. La rezonanta, tensiunile pe bobina si condensator
sunt egale cu tensiunea de alimentare a circuitului, multiplicata cu valoarea
factorului de calitate al condensatorului, mult inferioara valorii factorului de
calitate al bobinei: U L =U C =Q C U, sau: Q C =U C /U. Astfel, tensiunea pe condensator
este o masura a factorului de calitate al condensatorului atunci cnd tensiunea
de alimentare a circuitului U are o valoare (standard) constanta. Voltmetrul care
masoara tensiunea pe condensator se etaloneaza n unitati Q, indicatia fiind
reala numai atunci cnd circuitului i se aplica o tensiune egala cu tensiunea
standard. Pentru circuitul din fig.1.b, n ipoteza ca rezistenta r L este neglijabila,
expresia factorului de calitate al condensatorului, este (fig.1.f):

QC

P 1 U
P rC U
rc

ac

(4)

iar pentru circuitul din fig. 1.x, n ipoteza ca rezistenta r s este neglijabila,
expresia factorului de calitate al bobinei (fig. 1.z), este:

54

LI L U U

Q
r
U
U
r
P
I
2

rL

(5)

aL

Prin urmare, tensiunea pe condensator este o masura a factorului de

calitate al bobinei, atunci cnd valoarea factorului de calitate al condensatorului
este mult superioara: Q C Q L , sau valoarea rezistentei r S este neglijabila.
Pentru valori apropiate ale factorului de calitate: Q C Q L ,masurarile cu Qmetrul sunt afectate de erori. Pentru exemplificare, consideram ca frecventele
regimului rezonant al circuitului de masurare sunt cuprinse ntre frecventele
limita: f 1 si f 2 .
Presupunem ca factorul de calitate al bobinei este superior factorului de
calitate al condensatorului, valorile fiind nsa apropiate. Pentru frecvente
cuprinse n intervalul: sf 1 ,f M t, factorul de calitate al circuitului, care conform
relatiei (3), are expresia:

circ

QQ
Q Q
L

6,

creste pentru ca factorul de calitate Q L , creste cu frecventa, conform relatiei (5),

efectul pelicular are pondere redusa n pierderile totale, iar pierderile de putere
activa n dielectricul condensatorului nu se maresc sensibil.
Pentru frecvente cuprinse n intervalul: sf M ,f 2 t, factorul de calitate Q C , a
carui valoare este comparabila cu Q L , scade conform relatiei (4), n masura mai
mare dect creste Q L , iar factorul de calitate al circuitului scade cu cresterea
frecventei, datorita cresterii pronuntate a pierderilor de putere activa n
dielectric, ct si datorita efectului pelicular. Prin urmare, se obtine un maxim al
factorului de calitate al circuitului pentru frecventa f M , maxim care este rezultatul
unor erori de masurare.
QL

1/Q L
Qcirc
0

f1

fM

f2

QC

f1

fM

f2

f1

Qcirc
fM

1/Q C

f2

caracteristic`
eronat`

Q circ

caracteristic`
real`

Fig. 2

f1

fM

f2 f

f1

fM

f2 f

f1

fM

f2

Ilustrarea posibilit`]ilor apari]iei erorilor de m`surare a factorului de calitate al

unui condensator cu dielectric, atunci cnd valoarea factorului de calitate

Acest exemplu se bazeaza pe serii de masurari efectuate cu Q-metrul,

pentru determinarea dependentei de frecventa a permitivitatii relative a unui
dielectric plasat ntre armaturile condensatorului, masurari care au condus la
aparitia unui maxim al permitivitatii, la aceeasi frecventa la care s-a obtinut si
maximul factorului de calitate al circuitului.
55

n situatia n care factorul de calitate al bobinei este cu mult superior

factorului de calitate al condensatorului cu dielectric, factorul de calitate masurat
al circuitului: Q c i r c =Q C , scade cu cresterea frecventei, conform relatiilor (3) si
(4), iar masurarile nu mai sunt afectate de erorile mentionate.
Schema constructiva a Q-metrului
Schema Q-metrului este reprezentata n fig. 3. Q-metrul este format dintrun oscilator cu frecventa reglabila ntr-un interval, iar amplitudinea tensiunii
sinusoidale generate este de asemenea reglabila, fiind masurata cu un voltmetru
electronic pe a carui scala este marcata tensiunea standard. Ajustarea indicatiei
voltmetrului pe zero se efectueaza anulnd tensiunea oscilatorului.
Circuitul de cuplaj realizeaza o impedanta extrem de redusa de iesire si
este format dintr-un cablu coaxial a carui lungime l este inferioara sfertului de
lungime de unda minim, care corespunde frecventei maxime a oscilatorului. La
una din extremitatile cablului se aplica tensiunea U, furnizata de oscilator, iar la
cealalta extremitate, conductorul central se conecteaza la tresa cablului coaxial.
n cablul coaxial se formeaza o unda stationara, distributia amplitudinilor
fiind reprezentata n fig. 3

Masurarile cu Q-metrul se por efectua numai atunci cnd se ataseaza bobina

L X . Exista posibilitatea conectarii n paralel cu condensatorul variabil ncorporat
C V a unui condensator C X .
Voltmetrul electronic care masoara tensiunea pe condensator U C este
etalonat n unitati Q. Indicatia voltmetrului este conforma cu realitatea, numai
atunci cnd tensiunea furnizata de oscilator are valoarea U-standard, pentru care
s-a efectuat etalonarea voltmetrului VE2. Reglajul pe zero al indicatiei
voltmetrului VE2 se efectueaza prin anularea tensiunii furnizata de oscilator, n
aceeasi etapa n care se efectueaza reglajul pe zero al indicatiei voltmetrului
VE1.
Masurarile cu Q-metrul se bazeaza pe relatia:

f
sau:

1
2

LC
X

(7)
V

L C C
X

(8)

n situatia n care se conecteaza C X n paralel cu condensatorului variabil C V .

Regimul rezonant corespunde valorii maxime a tensiunii U C si se obtine conform relatiei (7), prin modificarea frecventei oscilatorului, sau prin
modificarea capacitatii variabile C V , ntruct - dupa cum s-a mentionat anterior,
valoarea inductivitatii L X , a bobinei fara miez magnetic, se poate considera
56

constanta n raport cu frecventa. O masurare cu Q-metrul presupune citirea

frecventei de rezonanta, a capacitatii variabile si a factorului de calitate:
(f 0 ;C V ;Q).
CS
1

rL

CS
LX

C10

C20

rL

LX

CL

(a)

(b)

Fig. 4

1
2
o

-C P

(C)

CV

Determinarea capacit`]ii parazite a bobinei

Schema echivalenta a bobinei este reprezentata n fig. 4. Capacitatile C 1 0 ,

C 2 0 reprezinta, n forma concentrata, capacitatea distribuita a bobinei fata de
masa electrica sau carcasa Q-metrului, iar C S este capacitatea spirelor bobinei.
Daca se considera: C L =C 1 0 +C 2 0 , iar - cu aproximatie relativ mare, C L (ca si C S ), n
paralel cu C V (fig. 3), rezulta o metoda simpla pentru determinarea capacitatii
parazite a bobinei: C P =C L +C S . Din relatia (8), rezulta dependenta liniara:
1/ o 2 =L X (C V +C P ). ntruct L X nu se modifica cu frecventa, din doua masurari cu
Q-metrul rezulta punctele A si B, iar dreapta care trece prin cele doua
puncte, prelungita n cadranul II, stabileste - la intersectia cu axa absciselor,
valoarea aproximativa a capacitatii parazite a bobinei C P .
Din relatia (7), se observa ca reglajul fin pentru obtinerea rezonantei, se
efectueaza cu capacitatea variabila C V , iar reglajul brut - prin modificarea
frecventei oscilatorului. Astfel, daca valoarea capacitatii variabile creste cu 10%:
C V =1,1C V , pentru obtinerea regimului rezonant, este necesar ca frecventa

'

f / 11
, 0,95 f

oscilatorului sa fie:
Pentru o modificare pronuntata a capacitatii variabile, variatia
corespunztoare a frecventei - pentru obtinerea rezonantei, este redusa.
Etapele unei masurari cu Q-metrul sunt urmatoarele:
1. Se comuta ntrerupatorul aparatului pe pozitia pornit.
2. Se regleaza pe zero indicatiile celor doua voltmetre electronice pentru
tensiune nula a oscilatorului, cursorul de reglaj al amplitudinii tensiunii furnizate
de oscilator fiind rotit n sens invers orar, pna la limita. Aceasta etapa se repeta
pentru fiecare masurare , pna cnd se stabilizeaza regimul termic al Q-metrului
(aproximativ 30 min.).
3. Pentru o tensiune oarecare (a carei valoare este inferioara valorii standard), furnizata de oscilator, se modifica - dupa caz, fie capacitatea variabila
astfel nct sa se obtina maximul indicatiei voltmetrului VE2, fie frecventa
oscilatorului. Prin modificarea frecventei se modifica si amplitudinea tensiunii
oscilatorului, nsa maximul indicatiei voltmetrului VE2 se obtine numai pentru o
frecventa precis stabilita. Din relatia (7) rezulta ca sensul variatiilor capacitatii
variabile, respectiv a frecventei, este opus. Sa presupunem ca frecventa este
impusa, iar regimul rezonant se obtine prin modificarea capacitatii variabile.
Pentru stabilirea valorii capacitatii variabile corespunzatoare rezonantei,
capacitatea variabila se modifica ntr-un sens, astfel nct indicatia maxima a
voltmetrului VE2 sa scada cu o valoare Q, minim sesizabila, retinndu-se
pozitia cursorului. Se modifica apoi capacitatea variabila n sens opus, astfel
nct sa se obtina aceeasi scadere minim sesizabila Q a indicatiei si se retine
57

noua pozitie unghiulara a cursorului. Pozitia unghiulara mediana a cursorului

corespunde regimului rezonant si pentru aceasta pozitie se citeste valoarea
capacitatii variabile. Din fig. 5. rezulta ca aprecierea corecta a valorii C V 0 ,
corespunde rezonantei, este mai dificila pentru factori de calitate redusi, pentru
ca modificarea capacitatii variabile corespunzatoare deviatiei Q, minim
sesizabile, este mai pronuntata, iar stabilirea pozitiei mediane a cursorului este
mai imprecisa.
Reglajele pe zero ale celor doua voltmetre electronice se vor efectua
atunci cnd regimul termic stabil de functionare a Q-metrului NU a fost atins ,
sau cnd se modifica domeniul de masurare al voltmetrelor electronice.
Q
Qmax

Q
Q
Q max

Fig.5

CV CV0 CV
(a)

CV

CV

CV0
(b)

CV

CV

Dependen]a indica]iei Q-metrului de capacitatea variabil` ncorporat`, pentru factori

de calitate ridica]i (a) [i sc`zu]i (b)

Tensiunea oscilatorului se mareste pna la valoarea U - standard,

inscriptionata pe scala voltmetrului VE1. Capacitatea variabila se mai poate
ajusta conform instructiunilor etapei precedente, pentru ca intervalul de variatie a
capacitatii variabile, delimitat de valorile: C V , C V , corespunzator aceleiasi
modificari Q, minim sesizabile a indicatiei, se micsoreaza cu cresterea tensiunii
oscilatorului.
Se citesc cele trei marimi corespunzatoare unei masurari: f, C V , Q.
Masurarile cu Q-metrul se caracterizeaza prin precizie ridicata, datorata
regimului rezonant. Cu ajutorul Q-metrului se pot aprecia comportari ale
materialelor dielectrice, sau magnetice si ale componentelor electronice pasive la
variatii ale frecventei. Rezonanta circuitului de masurare se va obtine prin
modificarea frecventei oscilatorului de la frecvente joase spre frecvente nalte.
Procednd invers, se poate obtine un maxim (fals) al indicatiei Q-metrului la o
frecventa ridicata, pentru ca n circuitul de masurare intervine capacitatea
parazita a bobinei, iar schema circuitului precum si relatiile utilizate, nu mai sunt
valabile.
Determinarea permitivitatii relative si tangentei unghiului de pierderi a
dielectricilor n functie de frecventa
Pentru determinarea si trasarea grafica a dependentelor functionale ale
permitivitatii relative si tangentei unghiului de pierderi n functie de frecventa,
este necesar sa se efectueze masurari cu Q-metrul pentru trei tipuri de circuite,
frecventa de rezonanta fiind aceeasi. n fig. 6 sunt reprezentate intervalele de
frecventa corespunzatoare celor trei tipuri de circuite si ordinea efectuarii
masurarilor. De asemenea este indicat sensul de modificare al capacitatii
variabile.
Capacitatea variabila a Q-metrului se poate modifica ntre limitele: C v m i n si
C v m a x . Pentru o rotatie completa a cursorului n sens orar, capacitatea variabila se
mareste cu un pF si se micsoreaza cu aceeasi valoare, pentru o rotatie completa a
58

cursorului n sens invers orar. Din relatia (7), rezulta ca frecventa limita
inferioara - pentru un anumit circuit de masurare, se obtine pentru C v m a x , iar
frecventa limita superioara - pentru C v m i n . Pentru o frecventa cuprinsa n
intervalul comun, se efectueaza masurari cu Q-metrul n trei etape,
corespunzatoare celor trei tipuri de configuratii ale circuitului de masurare. n
prima etapa, circuitul este alcatuit din bobina fara miez magnetic si
condensatorul variabil al Q - metrului. n etapa urmatoare se conecteaza in
paralel cu condensatorul variabil un condensator C 0 fara dielectric ntre armaturi,
iar n ultima etapa ntre armaturile condensatorului se introduce dielectricul a
carui comportare cu frecventa este studiat a; distanta dintre armaturi fiind
constanta, capacitatea C a condensatorului astfel obtinut este superioara valorii
C 0 . Dielectricul NU se poate extrage si reintroduce ntre armaturi fara a se
modifica configuratia geometrica a ansamblului.
Conform relatiei (7), frecventa minima care corespunde capacitatii
variabile minime se micsoreaza din aceleasi motive. Prin urmare, intervalul
comun de frecvente pentru o valoare prestabilit a a inductivitatii L n care se pot
efectua masurari cu Q - metrul este delimitat de frecventa minima determinata n
etapa I si frecventa maxima determinata n etapa III. Se impun valorile capacitatii
variabile si rezulta frecventele limita. Se consider a n frecvente n intervalul
comun pentru care se citesc (la rezonanta) valorile: f, C V , Q. n prima etapa,
factorul de calitate al circuitului are valoarea ridicata, iar domeniul de masurare
al Q - metrului se pozitioneaza pe domeniul maxim. n ultima etapa apar pierderi
de putere activa n dielectric, iar factorul de calitate al circuitului egal
aproximativ cu factorul de calitate al condensatorului, este redus, si domeniul de
masurare al Q - metrului se pozitioneaza pe un domeniu inferior. Daca pentru
primele doua masurari se impun valorile capacitatii variabile rezultnd
frecventele limita, pentru celelalte 3n-1 masurari se impune o frecventa din
intervalul comun si rezulta valoarea capacitatii variabile si factorul de calitate.
Frecventa ramne constanta pentru masurarile n, n+1 si 2n, 2n+1,
iar capacitatea variabila se mareste cu valoarea C-C 0 , respectiv cu C 0 . Sensurile
de variatie ale frecventei si capacitatii sunt opuse dupa cum s-a aratat anterior.
La masurarea a doua, corespunzatoare etapei III, dielectricul se introduce ntre
armaturi astfel nct interstitiile de aer sa fie minime. Se efectueaza toate
masurarile etapei III, apoi se scoate dielectricul dintre armaturi fara a modifica
pozitia reciproca a armaturilor sau a condensatorului fata de Q - metru. Astfel,
interstitiile inevitabile de aer dintre dielectric si armaturi nu se modifica si nu
apar surse suplimentare de erori este esential sa nu se modifice pozitia
condensatorului n raport cu Q - metrul pentru a nu se modifica configuratia
cmpului electromagnetic de dispersie al condensatorului, precum si capacitatile
parazite fata de carcasa Q - metrului care sunt surse de erori sistematice, ce nu
modifica alura caracteristicilor trasate grafic. Din motive similare, armatura
conectata la borna b a Q - metrului
(fig. 6), care este conectata la masa
electrica si carcasa aparatului, nu se va deconecta pe parcursul masuratorilor, ci
doar armatura conectata la borna a se va deconecta pentru efectuarea
masuratorilor primei etape. Conectarea armaturilor condensatorului la bornele a
sau b se va efectua astfel nct sa se asigure contacte electrice pe suprafata pentru a elimina rezistentele de contact.

59

Etapa I
domeniu: Qmax

(fmin)max

:
0

Cvmax

CV2n+1=CV2n+C0
2n+3 2n+2 2n+1

f max

CV
CV3
b
Etapa II
domeniu: Qmax<Qmax

Cv

a
CV2

f min2 : CVn+1=CVn+(C-C0)
C0

n+1

Etapa III
domeniu: Qmax<Qmax

L
a
CV1

2n
Cv

Se impune
frecven]a,
rezult`: CV

Cv

f min3
C

f max2

(f max)min : Cvmin
n

n-1

f2

f 1c

interval C v
fn

f n-1

comun

f3

Fig. 6 Intervalele de frecven]` [i ordinea efectu`rii m`sur`rilor n intervalul comun de frecven]e

Pentru o frecventa precizata de rezonanta, valorile capacitii variabile

corespunztoare celor trei circuite de msurare sunt: C V 3 - pentru etapa I, C V 2 pentru etapa II si C V 1 - pentru etapa III, iar Q 0 este factorul de calitate al
condensatorului fr dielectric si Q corespunde condensatorului cu dielectric. Cu
aceste notaii, expresiile permitivitii relative si tangentei unghiului de pierderi,
pentru frecventa respectiva, sunt:
C CV 1
r, V 3
(9)
CV 3 CV 2
1
1 CV 3 CV 1

CV 3
Q Q0

tg

(10)

Determinrile se efectueaz pentru fiecare frecventa din cele n frecvente

cuprinse n intervalul comun, iar rezultatele se traseaz grafic. Tangenta
unghiului de pierderi se mrete cu creterea frecventei, datorita creterii
pierderilor prin polarizarea dielectricului. Pentru intervale comune de frecvente
relativ reduse, componenta reala a permitiviti relative a dielectricului se
modifica n limite relativ reduse.
Anexa 1.5.
1.5.1. Legea fluxului electric
Fluxul electric printr-o suprafa nchis este egal cu sarcina total q r
din volumul v , mrginit de aceast suprafa:

60

D dA q v ,

(A.1)

unde: D este inducia electric, iar elementul de suprafa dA este orientat

spre exteriorul suprafeei considerate. S-a considerat ca sens pozitiv al fluxului
electric sensul normalei pe suprafaa, orientat spre exterior.
1.5.2. Teorema refraciei liniilor de cmp electric
La trecerea dintr-un mediu cu permitivitate diferit componenta tangenial
la suprafaa de separaie, nencrcat cu sarcin electric, a intensitii cmpului
electric se conserv, componenta normal a induciei electrice se conserv, iar
raportul tangentelor unghiurilor ntre normala la suprafaa de separaie i liniile
cmpului electric este egal cu raportul permitivitilor.

tg 1 1 0 r1

tg 2 2 0 r2
1.5.3. Legea conservrii sarcinii electrice
Viteza de scdere n timp a sarcinii electrice din interiorul unei suprafee
nchise este egal cu intensitatea curentului de conducie total i , care
prsete suprafaa .
dq v
i
dt
1.5.4. Notaii utilizate i uniti de msur
Q sarcina electric [C]
e = 1,6021*10 - 1 9 [C] sarcina electronului
E intensitatea cmpului electric [V/m]
D inducia electric [C/m 2 ]
0 1 / (4*9*10 9 ) [F/m] permitivitatea absolut
h = 6,6256 * 10 - 3 4 [Js] constanta lui Planck
c = 2,998*10 8 [m/s] viteza luminii
U tensiunea continu [V]
u tensiunea variabil (cu sau fr componenta continu)
I cutrent continuu [A]
61

i curent variabil (cu sau fr componenta continu)

J densitate de curent [A/m 2 ]
p a putere activ specific (pe unitate de volum) [W/m 3 ]
P a puterea activ [W]
P r putere reactiv [VAr]
S putere aparent [VA]
R rezisten [ohm] [ ]
- rezistivitate [ m]
- conductivitate [S/m]
T temperatura absolut [K]
- temperatura [ C]
k = 1,3804*10 - 1 6 [J/K] constanta lui Boltzmann
H intensitatea cmpului magnetic [A/m]
B inducia magnetic [T]
0 = 4*10 - 7 [H/m] permeabilitatea absolut
L inductivitatea [H]
C capacitatea [F]
Q factorul de calitate
U H tensiunea magnetic [A]
- flux magnetic [Wb]
W energie [J]
X reactan []
G conductan [S]
Y admitan [S]

62