1. Ce se poate spune despre ajustarea rezistoarelor in straturi groase?

false Prin ajustare rezistenta lor scade.

false Prin ajustare stabilitatea rezistoarelor creste.
true Prin ajustare zgomotul rezistoarelor creste.
2. Rata de evaporare a masei la un proces de evaporare termica depinde de:
false Presiunea din incinta, masa sursei de evaporare si temperatura substratului.
true Presiunea de vapori si masa molara a metalului evaporat si temperatura sursei.
false Presiunea din incinta, masa sursei, masa molara si temperatura substratului.
3. Care tehnologie permite principial realizarea de straturi subtiri cat mai uniforme?
false Evaporarea termica.
true Pulverizarea catodica.
false Tehnologia serigrafica cu stencil.
4. Pentru realizarea unei depuneri prin serigrafie
true Se recomanda ca pastele utilizate sa aiba un comportanent thixotropic.
false Este recomandat ca pastele utilizate sa aiba un caracter newtonian.
false Este recomandat ca pastele utilizate sa aiba un caracter plastic.
5. Un material se afla sub forma de strat subtire (thin film):
false Daca este realizat prin serigrafie si are grosimea mai mica ca 1 micron.
true Daca proprietatile lui sunt determinate de grosimea stratului.
false Daca are grosimea mai mica de 10 microni.
6. In cadrul seminarului disciplinei ati proiectat un circuit hibrid. Cum va fi conectat chipul
neincapsulat?
false Prin procedeul reflow.
true Prin Wire bonding.
false Prin lipire directa cu adezivi.
7. In cadrul seminarului disciplinei ati proiectat un circuit hibrid. Cum vor fi conectate
tranzistoarele in capsulele SOT23?
false Prin puncte de adeziv plasate sub capsule.
false Prin Wire bonding.
true Prin lipire metoda reflow.
8. In cadrul seminarului disciplinei ati proiectat un circuit hibrid. Cum vor fi realizate
rezistoarele palarie?
false Prin Wire bonding.
false Se vor atasa prin lipire reflow.
true Prin procede de serigrafie specifice TSG.
9. La dimensionarea unui rezistor dreptunghiular supraunitar ce urmeaza a fi ajustat se va tine
seama de:
false Rezistivitatea specifica a depunerii, densitatea de putere a depunerii, lungimea de ajustare.
true Rezistivitatea specifica a depunerii, densitatea de putere a depunerii, puterea nominala a
rezistorului, lungimea de ajustare.
false Rezistivitatea specifica a depunerii, densitatea de putere a depunerii, puterea nominala a
rezistorului, raportul de aspect.
10. La dimensionare pastilelor componentelor SMD pentru realizarea capsulelor (footprint) au
fost utilizate relatii de calcul in care intervin, printre altele:
false Dimensiunile capsulei, dimensiunile placii de circuit imprimat, toleranta masinii pick and
place.
false Elemente de geometrie a lipiturii conform standardelor IPC, raza de racordare a
terminalului, lungimea terminalului.
true Elemente de geometrie a lipiturii conform standardelor IPC, dimensiunile capsulei, toleranta
masinii pick and place.

11. Care procedeu de modificare a concentratiei de impuritati permite realizarea unui profil de tip
gaussian?
false Difuzia din sursa infinita.
true Implantarea ionica.
false Pulverizarea catodica in atmosfera reactiva.
12. Realizarea unui MEMS se bazeaza pe:
false Prelucrari mecanice la scara micrometrica.
false Doparea prin difuzie in faza de vapori.
true Corodarea anizotropa in siliciu.
13. De cine depinde principial rezolutia atinsa in procesul de litografie?
false Lungimea de unda a radiatiei utilizate.
true Lungimea de unda a radiatiei utilizate si caracteristicile sistemului optic.
false Lungimea de unda a radiatiei utilizate si tipul fotorezistului pozitiv/negativ.
14. Pentru a obtine un unghi de udare mic in procesul de lipire alegem:
false Aliaj de lipit cu tensiune superficiala mare, flux cu tensiune superficiala redusa, substrat cu
energie de suprafata mare.
false Aliaj de lipit cu tensiune superficiala mica, flux cu tensiune superficiala redusa, substrat cu
energie de suprafata mica.
true Aliaj de lipit cu tensiune superficiala mica, flux cu tensiune superficiala redusa, substrat cu
energie de suprafata mare.
15. Circuitele imprimate de tip multistrat (ML-PCB) au in structura:
true Folii de cupru, prepreg (B-stage), laminate single-layer i double-layer (C-stage).
false Folii de cupru, laminate single-layer i double-layer (C-stage).
false Folii de cupru, rasina fenolica, laminate de tip FR2.
16. Care din operatiile de realizare a circuitelor imprimate dubla fata cu gauri metalizate sunt in
ordine corecta (logica):
false Gaurire, depunere galvanica Cu, depunere chimica Cu, indepartare fotorezist, corodare Cu.
true Gaurire, depunere chimica Cu, depunere galvanica Cu, indepartare fotorezist, corodare Cu.
false Gaurire, depunere chimica Cu, depunere galvanica Cu, corodare Cu, indepartare fotorezist.
17. Rezistenta specifica a unei depuneri rezistive in TSG:
true Este egala numeric cu rezistenta unei depuneri sub forma de patrat masurata intre doua laturi
opuse.
false Se exprima in ohmi/metru patrat.
false Se calculeaza prin impartirea rezistivitatii volumice la latimea rezistorului.
18. Rezistoarele palarie realizate in TSG
false Au toate un raport de aspect subunitar.
false Nu necesita ajustare.
true Sunt utilizate pentru rapoarte de aspect mari.
19. Pentru a obtine o lipitura de calitate:
false Stratul de compusi intermetalici trebuie sa fie cat mai gros pentru a da rezistenta lipiturii.
true Compusii intermetalici trebuie sa aiba o grosime nici prea mare nici prea mica, grosime data
de timpul de lipire recomandat.
false Nu trebuie sa existe compusi intermetalici care contamineaza lipitura.
20. O placheta semiconductoare are tesitura primara paralela cu cea secundara. Ce fel de
semiconductor este?
false Tip p, orientare (100).
true Tip n, orientare (100).
false Tip n, orientare (111).

Epitaxia este
O metoda de a realiza modificarea concentratiei la tranzisoarele planar-epitaxiale.
O metoda de realizare a straturilor subtiri pe un monocristal cu constanta de retea apropiata de
cea a materialului depus.
O metoda de realizare a straturilor subtiri prin pulverizare catodica reactiva.
O metoda de realizare a straturilor subtiri pe cale termoionica.

Condensatoarele de tip interdigital realizate pe un substrat de tip FR4

Au dielectric aer.
Au un dielectric mixt aer si substrat.
Au capacitati specifice mari.
Au raport de aspect subunitar.
Ce se intelege prin "Electronic packaging"?
Tehnologia montarii pe suprafata.
Ansamblul tehnicilor ingineresti necesare pentru a transforma o schema electrica intr-un circuit
real.
O metoda de impachetare a circuitelor semiconductoare.
O tehnologie de depunere straturi conductoare.

Un miez de tip FR4

Este un stratificat pe baza de fibre de sticla, cupru si rasina
Este compus din patru folii polimerice de tip FR stratificate.
Este un stratificat pe baza de fibre de sticla si rasina.
Este un stratificat pe baza de alumina, fibre de sticla si rasina.
Ajustarea cu laser a rezistoarelor depuse in TSG se realizeaza prin
Modificarea rezistivitatii materialului prin incalzire.
Modificarea dimensiunilor plane ale rezistorului.
Modificarea grosimii stratului rezistiv.
Modificarea dimensiunilor plane si a grosimii rezistorului.
Pentru cresterea straturilor subtiri pe placheta de siliciu se utilizeaza:
? Difuzia si/sau implantarea ionica.
? Metoda Czochralski.
true Metode CVD si/sau MBE.
? Litografia cu electroni.
Aranjarea in ordine crescatoare a procedeelor de lipire dupa timpul de realizare a lipiturii este:
? Lipire in val, lipire in cuptor IR, lipire in faza de vapori.

? Lipire in cuptor IR, lipire in faza de vapori, lipire in cuptor.

? Lipire in faza de vapori, lipire in cuptor IR, lipire in val.
true Lipire in faza de vapori, lipire in val, lipire in cuptor IR.

In ce situatie se utilizeaza adezivi (neconductori) in tehnologia SMT?

Atunci cand se utilizeaza pe aceeasi placa componente SMD si THT.
Atunci cand se doreste utilizarea lipirii reflow pentru componentele THT.
Atunci cand se utilizeaza la contactare adezivi conductori anizotropici.
Atunci cand in procesul de lipire partea cu componente SMD trebuie rasturnata.