PORTOFOLI

U
FIZICA

TOCILA EMILIA
CLASA a XII-a A
Compton Effect
 IPOTEZA LUI DE BROGLIE. DIFRACTIA
ELECTRONILOR
Ipoteza de Broglie

Fenomenele luminoase de interferenta, difractie, polarizare, reflexive sau refractive

au putut fi explicate cu teoria ondulatorie, iar efectul fotoelectric, efectul Compton,
emisia si absorbtia luminii au putut fi explicate cu teoria corpuscular. Rezulta ca
lumina are un caracter dual, ondulatoriu si corpuscular. Proprietatile corpuscular ale
radiatiilor electromagnetice devin predominante la frecvente mari (efectul
fotoelectric apare de la o anumita frecventa, specifica metalului iradiat, din
domeniul vizibil sau ultraviolet; efectul Compton apare in domeniul radiatiilor X si .
Radiatia electromagnetica prezinta si caracter discontinuu, deoarece este emisa, se
propaga si este absorbita sub forma de cuante de energies au flux de fotoni. Cuanta
c 2
de energie a fotonului este de =h=h = m t c . Fiecare unda este

h h
caracterizata de frecventa si lungimea de unda = mt c = pt , iar fiecare

h h
foton este caracterizat de energia =h si de impulsul:
pt = =
c .

Iluminand foitele de la capetele tijelor orizontale, sprijinite pe un varf ascutit dintr-

un balon vidat, ele se rotesc datorita presiunii exercitate de lumina, mai mare pe
fetele lucioase decat pe fetele innegrite. In are sistemul se roteste in sens invers,
deoarece aerul din vecinatatea fetelor innegrite, care absorb mai puternic radiatia
luminoasa, se incalzeste mai mult si presiunea aerului pe aceste fete este mai mare
decat pe cele opuse.

In anul 1924, fizicianul francez Louis de Broglie a extins ipoteza dualismului unda-
corpuscul al lumii, asociind unei particule de substanta cu masa m, impulsul
h h
p=m si energia E=m c
2
, o unda caracterizata de lungimea
= = si
p mv

2
mc
frecventa . Putem observa efectele ondulatorii ale particulelor de substanta
h

(electroni, protoni, neutron, ioni) daca lungimile de unda ale undelor associate,
numite unde de Broglie, au acelasi ordin de marime cu dimensiunile fantelor sau
obstacolelor care produc difractie.

Louis de Broglie premiul Nobel (1929) pentru descoperirea naturii ondulatorii a

electronilor.

Daca in teoria luminii s-a neglijat aproape un secol aspectul corpuscular pentru a I
se atasa doar aspectul de unda, oare nu s-a comis eroarea inversa in cazul
substantei?Nu s-a gresit neglijand aspectul de unda pentru a se considera doar
aspectul corpuscular al substantei?

In general, prin radiatie (sau raze) se defineste emisia si propagarea in spatiu,

insotita de un transport de energie, a unor unde (radiatia ondulatorie) sau particule
(radiatia corpusculara); oricare dintre radiatii produce efecte de natura fizica,
biologica sau chimica si exercita o presiune asupra corpurilor pe care ajunge.

Difractia electronilor
Electronii accelerati intre catodul si anodul unui tun electronic castiga energia
me v 2
cinetica =eU
2

m h
= =
Lungimea undei asociate are expresia: me v 2 e me U

Experimentele de difractie prin reflexie a unui fascicul de electroni, indepartat spre

un monocristal de nichel care se poate roti in jurul unei axe, efectuate de Davisson
si Germer in 1927, au confirmat proprietatile ondulatorii ale electronilor.

Atomii din reteaua cristalina joaca rolul unei retele de difractie care produce
maxime de difractie pe anumite directi care satisfac relatia lui Bragg pentru conditia
de maxim:

2dsin = n, unde n = 1,2,3.

(diferenta de drum a undelor care interfera este un numar intreg de lungimi de

unda: BA+AC= n; BA=AC=dsin; d distanta dintre planurile atomilor si -
unghiul dintre directia fasciculului incident si aceste plane)

S-a constatat ca electronii care care ajung la detector (un cilindru Faraay conectat la
un galvanometru) determina intensitatea I a curentului, care prezinta valori
maxime la anumite tensiuni de accelerare U corespunzatoare anumitor lungimi de
unda

Se obtin lungimi de unda comparabile cu ale radiatiilor X si cu dinstanta dintre

plane.

Pentru d=2,15 ; n=1; U=54 V; = 50 se obtine = 1,6 . Electronii pot fi

inregistrati si pe un ecran fosforescent. Maximele de difractie ale unui fascicul de
electroni si ale unui fascicul de radiatii X pe un monocristal prezinta aceeasi
simetrie in jurul fasciculului incident (datorita dispunerii simetrice a diferitelor familii
de plane atomice)

Undele asociate se comporta analog radiatiilor X cu lungimi de unda de acelasi

ordin de marime. Ulterior s-a verificat ca si neutronii si protonii prezinta proprietati
ondulatorii. Putem considera ca imprastierile elastice ale particulelor sunt distribuite
statistic, cu probabilitati mai mari, la unghiul , iar difractia undelor prezinta
maxime la unghiul .

Daca se folosesc particulel de substanta cu viteza foarte mare sau particule

macroscopice cu masa mare, atunci lungimea de unda =/ este mult prea mica
pentru a fi difractata. Undele asociate se comporta analog radiatiilor X cu lungimi de
unda de acelasi ordin de marime. Ulterior s-a verificat ca si neutronii si protonii
prezinta proprietati ondulatorii. Putem considera ca imprastierile elastice ale
particulelor sunt distribuite statistic, cu probabilitati mai mari, la unghiul , iar
difractia undelor prezinta maxime la unghiul . Daca se folosesc particulel de
substanta cu viteza foarte mare sau particule macroscopice cu masa mare, atunci
lungimea de unda =/ este mult prea mica pentru a fi difractata.

Microscopul Electric
Microscopul este un instrument ce red imaginea mrit a obiectelor mici,
permind examinarea i analiza lor la o scar convenabil. Imaginea, format n
diverse moduri, este redat prin vizionare direct, procesare electronic, sau o
combinaie a celor dou modaliti.

Primul microscop optic a fost inventat n anul 1590 de fabricantul de ochelari Hans
Jansen i fiul su Zacharias. Aparatul avea o singur lentil, convex.

n 1609, Galileo Galilei construiete un microscop optic cu o lentil convex i una

concav. Microscopul se numea occhiolion.

Primul microscop electronic a fost construit de Ernst August Friedrich Ruska.

Ruska (n. 25 decembrie 1906, Heidelberg, Imperiul German d. 27 mai

1988,Berlinul Occidental, RFG) a fost un inginer i fizician german, laureat al
Premiului Nobel pentru Fizic n 1986, pentru lucrrile sale fundamentale n optica
electronic.

MICROSCOPIA ELECTRONIC

Microscopia electronic este o tehnic pentru examinarea unor eantioane prea mici
pentru a pute fi observate cu un micoscop obinuit. Elecronii au lungimi de und
mult mai mici dect lumina vizibil. Ca s poate fi observate mai bine, eantioanele
sunt acoperite cu atomi de metal.

n microscopul electronic, electronii emii de un filament nclzit sunt accelerai de

un tun electronic vidat care lovesc proba supus examinrii.

Microscopul electronic cu scanare

n cazul microscopului electronic cu scanare, un fascicul de electroni aflat

n micare, scanat de-a lungul unui obiect, este focalizat de lentile magnetice
pentru a produce o imagine a suprafeei obiectului asemntoare cu imaginea de
pe un ecran de televizor. Fotografiile par tridimensionale, pot reprezenta organisme
mici sau pri ale acestora, molecule, cum ar fi ADN-ul, sau chiar atomi individuali
mari, de exemplu uraniu, toriu, etc.
Microscopul electronic de transmisie

n cazul microscopului electronic electronic de transmisie, fascicululul de electroni

trece printr-un eantion foarte subire, atent pregtit i este focalizat pe un ecran
sau pe o plcu fotografic, pentru a vizualiza structura interioar a unor
eantioane precum celulele sau esuturile.

DUALISMUL UNDA CORPUSCUL

Ipoteza lui de Broglie

n cadrul tezei sale de doctorat, prezentat n 1923, fizicianul francez Louis Victor de
Broglie, un tnr nscut la 15 august 1892 ntr-o familie nobiliar din Piemont, o
regiune din nordul Franei, formuleaz o ipotez foarte curajoas, i anume ideea
c particulele considerate la vremea respectiv corpusculi de materie (de exemplu
electronii), au o natur dual, corpuscular i ondulatorie, asemenea radiaiei
electromagnetice. Louis de Broglie primete Premiul Nobel pentru teza sa de
doctorat n anul 1929.

De Broglie asociaz o und de o anumit frecven fiecrei particule, oprindu-se n

mod special la descrierea naturii duale a electronului. Francezul propune i o
formul de calcul a lungimii de und asociat unei particule elementare, n funcie
de impulsul (deci viteza i masa) particulei. Desigur, i constanta lui Planck joac un
rol n ecuaia propus de Louis de Broglie: =h/p, unde p=mv. Lungimea de und
asociat materiei poart numele de lungime de und de Broglie

Studiind formula propus de Louis de Broglie pentru descrierea undelor de

materie, cum sunt denumite undele asociate materiei propuse de francez, se
observ c dac lumea microscopic nu ar prezenta acest caracter granular, fapt
echivalent matematic cu o valoare nul asociat constantei lui Planck, atunci i
lungimea de und propus de Louis de Broglie ar deveni 0 (dac h->0, atunci ->0),
anulnd aspectul ondulatoriu al particulelor elementare.

Altfel spus, mecanica cuantic, redus la ideea central c exist o limit minim,
nenul, pn la care poate fi divizat energia, limit stabilit de valoarea constantei
lui Planck, sugereaz n mod indirect n contextul formulei propuse de Louis de
Broglie natura ondulatorie a constituenilor fundamentali ai materiei i, n
consecin, existena unei unde asociate lor.

Difracia electronilor pe cristale

Experimentul lui Davison & Germer din 1927 a verificat experimental ipoteza lui de
Broglie.

Amintiri din copilrie: difracia luminii

Este fenomenul de ocolire a obstacolelor de ctre undele luminoase, atunci cnd
dimensiunea acestora e comparabil cu lungimea de und a luminii.

Exemplu: difracia luminii pe o fant sau pe o reea de difracie.

Figura de difracie format pe ecran este alcatuit dintr-o succesiune de maxime si

minime (franje luminoase alternnd cu franje ntunecate).

Descriere:

Un tun electronic emite un fascicul de elecroni accelerai sub tensiunea U, avnd la

ieire energia cinetic Ec = eU. Fasciculul cade pe un monocristal de nichel. Acesta,
datorit aranjrii ordonate a atomilor, se comport ca o reea de difracie, cu
distanele dintre plane comparabile cu lungimea de und a undelor asociate
electronului.

Fasciculul difractat prin reflexie este captat de un detector, i transformat in

curent electric msurat cu un ampermetru.

S-a constatat c pentru diverse unghiuri se obin maxime i minime de curent.

Acestea, asemnatoare imaginii de difracie (specific fenomenelor ondulatorii), se
explic prin faptul c electronii care le-au produs au avut o comportare de und.

Concluzie

Concordana perfect dintre rezultatele experimentale i calculele teoretice

confirm ipoteza lui de Broglie.Teoria fotonic atribuie luminii (und) i caracter de
particul. Ipoteza de Broglie atribuie particulelor n micare i caracter de und.

Deci ntreaga materie are comportare dual, und i particul, manifestnd

preponderent unul din cele dou comportamente.Chiar i corpurile macroscopice au
comportare de und, dar lungimea de und tinde spre zero. Comportmentul
ondulatoriu al unui obiect se manifest i devine observabil doar la interaciunea sa
cu un sistem de dimensiuni comparabile cu lungimea sa de und.

SPECTRE
Exemplu : Dac arunci sare de buctrie ntr-o flacr, vei observa c flacara se
coloreaza n galben. Tampoane de vat sau buci de azbest mbibate cu soluie de
clorur de sodiu (NaCl) sau clorur de stroniu (SrCl2), prinse cu un clete cu
mnere termoizolatoare i introduse in vrful unei flcri (de la o spirtier sau bec
Bunsen), unde temperatura este mai mare, au anumite culori dominante (a radiaiei
galbene mai intense emise de sodiu i, respectiv, a radiaiei roii emise de stroniu).
O srmuli de cupru, inut cu un clete n flacr, d o culoare dominant verde.
Rezult c fiecare surs de radiaii emite un spectru caracteristic.
Spectroscopul cu prism

Analiza radiaiilor se poate face cu spectroscopul cu prism. Spectrul obinut cu

ajutorul prismei const dintr-o succesiune de imagini monocromatice ale unei fante,
ngust i paralel cu muchia prismei, iluminat de sursa de radiaii analizate. Linia
spectral reprezint imaginea fantei cnd sursa emite o radiaie monocromatic.
Spectrul de emisie reprezint totalitatea radiaiilor monocromatice emise de o
substan.

Spectroscopul cu prism este format din:

- prisma optic (P), fixat pe o msu, disperseaz radiaiile luminoase primite de

colimator;

- colimatorul (C) are o fant dreptunghiular reglabil spre captul luminat de sursa
analizat i o lentile convergent la cellalt capt. Fasciculul luminos emergent are
razele paralele dac fanta este aezat n focarul lentilei;

- luneta (L), cu ajutorul creia analizm spectrele obinute la ieirea din prism;

- colimatorul cu scala gradat (C.S.), pe ale crei diviziuni semitransparente ajunge

lumina de la alt surs i se reflect pe faa prismei dinspre lunet.

Prin luneta unui spectroscop se observ spectrul suprapus peste scala gradat.
Atomii excitai ai substanele aflate n stare gazoas sau de vapori emit un numar
finit de radiaii monocromatice, care formeaz un spectru de linii caracteristic
specimenului atomic din sursa luminoas analizat. Spectrele substanelor aflate n
stare atomic sunt discrete, formate din linii spectrale( imaginea fantei in diverse
culori).

Fiecare element chimic emite spectrul su caracteristic:

- gazele atomice emit un spectru de linii;

- gazele moleculare (N2, O2) emit un spectru de benzi (linii numeroase care
degenereaz n spectre aproape continue ).

- Corpurile solide sau lichide incandescente (filament incandescent, metal topit)

emit un spectru continuu.

Spectrul de emisie este dat de totalitatea tranziiilor radiative de pe

nivelele energetice superioare ale atomilor sau moleculelor unei substane pe
nivelele inferioare. Spectrul de absorbie poate fi obinut la trecerea unui fascicul
cu spectru continuu prin substana analizat. Analiza
spectral calitativ identific cteva linii ale spectrului substanei analizate din
spectrele de linii caracteristice ale elementelor chimice cunoscute din cataloagele
laboratoarelor de spectroscopie. Analiza spectral cantitativ msoar
intensitatea liniilor spectrale caracteristice, care depinde de concentraia atomilor
emitori. Spectrul solar este un spectru de absorbie.

Experimentul Franck-Hertz
Istoric

La nceputul secolului al XX- lea, fizicienii abia ncepeau s abordeze problema

cuantificrii observat n cazul experimentului picturii de ulei condus de Robert
Milikan, spectrului atomic i efectului fotoelectric.

Expeimentul Franck-Hertz, care a avut loc pentru prima dat acum 102 ani, n 1914,
este un experiment istoric care a confirmat modelul cuantificat a lui Bohr pentru
atom, demonstrnd c atomii pot s absoarb sau s cedeze energie doar in
cuante.

Conform modelului Bohr, electronii pot realiza transferuri ntre nivelele energetice
permise din atom, trecnd de pe nivele superioare pe nivele inferioare, prin emisia
unei cuante de energie. Prea normal ca i situaia invers s fie posibil, adic
trecerea electronului de pe un nivel inferior pe unul superior, ducnd la excitarea
atomului prin absorbia unei cuante corespunztoare de energie.

James Franck i Gustav Hertz au artat, n urma unui experiment devenit celebru,
c ntr-adevr aa stau lucrurile.

Dispozitivul experimental Franck-Hertz ( figura nr.1)

Un catod - filament, nclzit printr-un circuit electric propriu, care emite electroni
prin efect termoelectric n interiorul unui tub cu vapori de mercur.

O gril (plas de srm), ncrcat pozitiv fa de anod al crei rol este captarea
electronilor care i-au pierdut aproape complet energia n urma ciocnirilor.

Un anod aflat la un potenial mai mare dect al catodului, dar puin mai mic dect
al grilei

n experimentul Franck-Hertz electronii sunt accelerai prin intermediul unui cmp

electric prin vaporii unui gaz monoatomic (n acest caz mercur), care este preferat
n faa unui gaz molecular (ca hidrogenul de exemplu). Electronii care se deplaseaz
prin tub se ciocnesc de atomii gazului respectiv.

O dat cu creterea tensiunii de accelerare, crete i intensitatea curentului. Asta

nseamn c electronii nu cedeaz energia cinetic atomilor de mercur. Ei sufer
doar ciocniri elastice cu atomii de mercur care au o mas mult mai mare.

Cnd tensiunea atinge 4,93 V, se nregistreaz o scdere brusc a intensitii

curentului, fr ca ea s devin nul (figura nr.2).
Aadar, n anod ajung mai puini electroni, restul sufer ciocniri inelastice cu atomii
de mercur, i pierd energia cinetic i nu mai pot strbate distana dintre gril i
anod.

Crescnd n continuare tensiunea de accelerare, crete i intensitatea curentului.

Din nou, ea scade brusc cnd tensiunea atinge valoarea de 9,86 V. Acelai lucru se
observ i la 14,8 V.

Explicaia acestor minime periodice const n faptul c, atunci cnd energia cinetic
este egal cu 4,9 eV, electronul sufer o ciocnire inelastic cu atomii de mercur i
nu mai pot ajunge de la gril la anod. Aceasta ajunge la anod doar dac are o
energie cinetic diferit de multiplii valorii de 4,9 eV.

Experimentul imaginat de Franck i Hertz a fost realizat i pentru atomii altor

elemente chimice, curbele obinute avnd aceeai alur, ceea ce nseamn c i
energia celorlali atomi este cuantificat.

Concluziile experimentului

Experimentul Franck-Hertz a pus n eviden existena nivelelor cuantificate ale

atomilor i a confirmat modelul atomic a lui Bohr i a permis determinarea direct a
diferenei dintre nivelele excitate joase i nivelul fundamental ale atomului.

Modelul Bohr

Modelul atomic Bohr este primul model de natur cuantic al atomului i a fost
introdus n anul 1913 de ctre fizicianul danez Niels Bohr.

Spectrul emis de atomul de hidrogen este un spectru discret de linii. In cazul

ciocnirilor neelastice ale atomului electron, energia cinetica pierduta de un electron
si transferata atomului este cuantificata si produce tranzitia atomului din starea
fundamentala intr-o stare excitata.

Atomul aflat in stare excitata tinde sa execute o tranzitie, intr-un interval de timp t t
10^(8)s, catre starea energetica inferioara E1. Energia fotonului emis de
atom este: h= En- Ei (conform legii conservarii energiei). Starea energetica minima
corespunde nivelului energetic normal (fundamental).

Cu modelul fizicianului danez Niels Bohr se pot interpreta teoretic liniile emise de
atomul de hidrogen. Modelul elaborat de Bohr se baza pe urmatoarele postulate,
introduse pentru a explica stabilitatea sistemelor atomice:
-atomii se pot gasi timp indelungat numai in stari bine determinate, numite stari
stationare, in care nu emit si nu absorb energie;

-atomii absorb sau emit energie electromagnetica numai la trecerea dintr-o stare
stationara in alta stare stationara, adica atomii absorb sau emit o cuanta de
energie.

h= En- Ei , unde En> Ei sunt energiile cuantificate ale starilor stationare intre care
se face tranzitia, h-energa fotonului emis sau absorbit, iar h=
,^()Js (constanta lui Planck

electronii se misca in jurul nucleelor, fara sa radieze energie electromagnetica,

numai pe anumite orbite circulare, pentru care valoarea momentului cinetic L este
un multiplu intreg al constantei lui Planck impartita prin 2 .

Intr-un atom de hidrogen, electronul se misca in jurul nucleului pe o orbita circulara

sub actiunea fortei electrice de atractie dintre acesta si nucleu, avand rolul fortei
centripete.

Marimi cuantificate. Determinarea orbitelor stationare, cu razele rn ,permise

miscarii electronului cu vitezele vn in atomul de hidrogen, poate fi facuta cu ajutorul
unei reguli de cuantificare: marimea momentului cinetic (mevnrn) al electronului pe
o orbita stationara este egala cu un multiplu intreg de /2 , adica mevnrn =n
/ , unde n=1,2,3, ... si me -masa electronului, vn -viteza electronului pe orbita
de raza rn .

Aceasta cuantificare poate fi obtinuta din conditia ca unda asociata electronului sa

fie unda stationara, adica lungimea orbitei circulare stationare sa contina un numar
intreg de lungimi de unda de Broglie:

2 rn=n, unde = /"me vn" Me vn^2rn= ^2/4"0" me "vn" rn = n

/

Deoarece forta electrica de atractie dintre nucleu si electron joaca rol de forta
centripeta:

^/(rn^ )=(me vn^)/"rn" me vn^rn= ^/(@) me vn rn =

n /

Energiile totale au semnul negativ deoarece corespund starilor legate ale

electronului in atom. Observam ca energiile permise, numite si nivele de energie ale
atomului, formeaza un sir discret de valori, numit spectrul nivelelor de energii,
reprezentate intr-o diagrama. Liniile orizontale reprezinta valorile negative ale
energiei totale a atomului aflat intr-o stare stationara. Observam ca pentru valori
mai mari ale numarului cuantic n, diferenta de energie intre doua stari energetice
alaturate este din ce in ce mai mica, iar pentru n obtinem E =0, cand
electronul devine liber si in repaus, la distanta mare de nucleu.
Sistemul nu mai este legat cand se formeaza un ion si un electron liber, care se
misca pe traiectorii deschise. Spectrul energetic al electronului care se misca liber
este un spectru continuu. Energia de legatura Eleg = -E1 este energia necesara
atomului (primita sub forma de lucru mecanica L) pentru a fi adus din starea
energetica fundamentala E1 =-13,6 eV in starea energetica E =0 , deci egala cu
L=E -E1 , numita si energie de ionizare. Pentru stari excitate: En = E1/^2
Daca n=1, atunci atomul este in starea fundamentala corespunzatoare starii cu cea
mai mare energie de legatura a electronului: Eleg,max = - E1 =13,6 Ev.

Daca energia primita de atom din exterior are orice valoare mai mare decat
valoarea energiei de legatura, sistemul nu mai este legat (electronul este separat
de nucleu) si electronul va avea orice valoare a energiei cinetice egala cu diferenta
dintre energia primita si energia de ionizare.Procesul de ionizare prin absorbtia unui
foton este efect fotoelectric intern ( Ec =h- Eleg), deoarece numai energia cinetica
a electronului liber poate avea orice valoare, atomul acceptand o cantitate de
energie mai mare decat energia de legatura a electronului in atom.Pierderea de
energie a atomului cand acesta trece din stare excitata de energie En intr-o stare
energetica inferioara este egala cu energia =h a fotonului emis: En E1 =
h

Atomul cu mai multi electroni

Modelul paturilor electronice

- Nivelele energetice ale atomului de hidrogen sunt cuantificate prin numarul

cuantic n. Spectrele atomilor cu mai multi electroni au mai multe linii spectrale
caracteristice decat atomul de hidrogen . Periodicitatea proprietatilor chimice si
fizice ale elementelor este determinata de periodicitatea numarului de electroni din
stratul exterior. De asemenea numarul straturilor electronice ocupate (partial sau
complet) este egal cu numarul perioadei din sistemul periodic al elementelor.

- Cu ajutorul mecanicii cuantice (care depaseste nivelul cunostintelor de

matematica din clasa a XII-a), fizicienii au ajuns la concluzia ca starile stationare ale
unui atom sunt caracterizate de patru numere cuantice .

Numarul cuantic principal n

- determina stratul din care fac parte electronii

- cuantifica energia electronilor dintr-un atom

Electronii cu acelasi numar cuantic n formeaza un strat electronic :

K (n=1)L(n=2) M(n=3) N(n=4) O(n=5) P(n=6) Q(n=7)

Numarul cuantic al ultimului strat electronic ocupat (chiar si partial) coincide cu
2
numarul perioadei. Numarul maxim de electroni al unui strat complet este 2 n

Numarul cuantic secundar sau orbital l

-determina tipul orbitalului (forma norului electronic);

-diferentiaza electronii dintr-un strat;

l+ 1
-cuantifica marimea momentului cinetic (L= l h/2);

Poate avea valorile l=0,1,2,3. Toti electronii cu acelasi numar cuantic l, deci
din orbitali de acelasi tip, formeaza un substrat electronic cu acelasi niivel de
energie:s (l=0); p(l=1); d(l=2); f(l=3). Orbitalii s sunt sferici, orbitalii p sunt lobati,
iar ceilalti au forme geometrice complicate. Un substrat s este format dintr-un
orbital s, un substrat p este format din 3 orbitali orientati pe cele 3 axe
rectangulare, un substrat d este format din 5 orbitali, iar un substrat f este format
din 7 orbitali.

Numarul cuantic magnetic

m1

L
-cuantifica orientarile orbitalului si vectorului magnetic cinetic cand atomul se
gaseste intr-un camp magnetic exterior;

Pentru o anumita valoare a momentului cinetic sunt posibile (2l+1) orientari

LZ L
si, respectiv, valori ale proiectiei vectorului pe o axa Oz a unui camp

B LZ = m1 h/2
magnetic exterior de inductie magnetica (definite prin relatia

+
), unde
m1 =0, + 1, , l. Numarul orbitalilor dintr-un strat electronic este

2l+1. Numarul maxim de electroni dintr-un substrat este 2(2l+1).

Numarul cuantic magnetic de spin

ms = +
1/2

-caracterizeaza orientarea momentului cinetic propriu al electronului (in cuplaj

antiparalel).

Principiul excluziunii al lui Pauli

Intr-un atom nu pot exista doi sau mai multi electroni cu aceleasi patru numere

cuantice(n, l,
m1 , ms ).

Interpretarea periodicitatii proprietatilor fizico-chimice ale elementelor

-atomii cu opt electroni au o mare stabilitate chimica (gazele nobile).

-atomii elementelor alcaline din prima grupa au un singur electron slab legat in
1
orbitalii s (2 s ,3 s 1 ,, 7 s 1 ).

5 5 5 5
-atomii halogenilor au starile p incomplete (2 p ,3 p ,4 p ,5 p ) si
realizeaza o configuratie electronica stabila prin capturarea unui electron, formand
ioni negativi.

-perioadele a doua si a treia au cate 8 atomi in care se completeaza subnivelele

energetice: 2s, 2p si respectiv 3s si 3p.

-perioada a patra are 18 atomi in care se completeaza 4s si coninua cu 3d si 4p.

-perioada a cincea are 18 atomi in care se completeaza: 5s, 4d si 5p.

-perioadele a sasea si a saptea incep cu completarea subnivelelor 6s si 7s, apoi un

electron in subnivelul 5d la atomul de lantan si in subnivelul 6d la atomul de actiniu.
Urmeaza 14 elemente lantanide si, respectiv, actinidele- la care se completeaza 4f
si, respectiv, 5f.

Interpretarea periodicitatii proprietatilor fizico-chimice ale elementelor

Miscarea electronului in jurul nucleului genereaza un dipol magnetic, cu momentul

e
=- L
magnetic orbital 2 melectron ;

eh
proiectia sa pe axa Oz se scrie sub forma
Z =- m1 . Energia de
4 melectron

interactiune dintre acest dipol

magnetic si campul magnetic exterior depinde de numarul cuantic magnetic (

eh
Emg =-B cos = m1 B B , unde B B= este magnetodul Bohr-
4 melectron
Procopiu). Numarul cuantic magnetic ml cuantifica subnivelele energetice, in care se
despica un nivel energetic prin interactiunea

atomilor cu un camp magnetic exterior (efect Zeeman).Multiplicarea liniilor

spectrale

Este determinata de descompunerea nivelelor de energie in camp magnetic.

Electronii au si un moment cinetic propriu (de spin cu doua orientari posibile ale
sensului de rotatie) si se comporta ca un minuscul magnet de acelasi sens sau de
sens opus campului magnetic exterior. Numarul cuantic de spin
s=1/2caracterizeaza momentul cinetic prpriu al electronului , iar numarul cuantic
magnetic de spin cuantifica orientarea momentului cinetic de spin. Daca un
fascicul de atomi de argint este trecut printr-un camp magnetic neuniform, se
despica in doua fascicule cu deviatii opuse.

Energia de ionizare ( caracteristica fiecarei specii de atomi ) variaza periodic cu

numarul atomic Z.

Radiatii X

Radiatia (razele) X sau radiatia (razele) Rntgen sunt radiatii electromagnetice

ionizante, cu lungimi de unda mici, cuprinse intre 0,01 i 100 (ngstrm).

ISTORIC

n timpul unor experimente, fizicianul german Wilhelm Conrad Rntgen,

bombardnd un corp metalic cu electroni rapizi, a descoperit c acesta emite
radiaii foarte penetrante, radiaii pe care le-a denumit raze X (descoperire
realizat n anul 1895). Radiaiile X au fost numite mai trziu radiaii Roentgen sau
Rntgen.

OBTINEREA RAZELOR X IN LABORATOR

Razele X se pot obine n tuburi electronice vidate, n care electronii emii de un

catod incandescent sunt accelerai de cmpul electric dintre catod si anod
(anticatod). Electronii cu vitez mare ciocnesc anticatodul care emite radiaii X.
Electronii rapizi care ciocnesc anticatodul interacioneaz cu atomii acestuia n dou
moduri:

Electronii, avnd vitez mare, trec prin nveliul de electroni al atomilor

anticatodului i se apropie de nucleu. Nucleul, fiind pozitiv, i deviaz de la direcia
lor iniial. Cnd electronii se ndeparteaz de nucleu, ei sunt frnai de cmpul
electric al nucleului; n acest proces se emit radiaii X.
La trecerea prin nveliul de electroni al atomilor anticatodului, electronii rapizi pot
ciocni electronii atomilor acestuia. n urma ciocnirii, un electron de pe un strat
interior (de exemplu de pe stratul K) poate fi dislocat. Locul rmas vacant este
ocupat de un electron aflat pe straturile urmtoare (de exemplu de pe straturile L, M
sau N). Rearanjarea electronilor atomilor anticatodului este nsoit de emisia
radiaiilor X.

PROPRIETATILE RADIATIILOR X

Ele prezint urmtoarele proprieti:

- n vid ele se propag cu viteza luminii;

- impresioneaz plcile fotografice;

- nu sunt deviate de cmpuri electrice i magnetice;

- produc fluorescena unor substane (emisie de lumin); Exemple de substane

fluorescente: silicat de zinc, sulfur de cadmiu, sulfur de zinc, care emit lumina
galben-verzuie.

- sunt invizibile, adic spre deosebire de lumin, nu impresioneaz ochiul omului;

- ptrund cu uurin prin unele substane opace pentru lumin, de exemplu prin
corpul omenesc, lamele metalice cu densitate mic, hrtie, lemn, sticl .a., dar
sunt absorbite de metale cu densitatea mare (de exemplu: plumb). Puterea lor de
ptrundere depinde de masa atomic i grosimea substanei prin care trec.

- ionizeaza gazele prin care trec. Numrul de ioni produsi indica intensitatea
radiaiilor. Pe aceast proprietate se bazeaz functionarea detectoarelor de radiatii.

- au actiune fiziologic, distrugnd celulele organice, fiind, n general, nocive pentru

om. Pe aceast proprietate se bazeaz folosirea lor n tratamentul tumorilor
canceroase, pentru distrugerea esuturilor bolnave.

APLICATII:INDUSTRIEStudiul radiatiilor X a jucat un rol vital in fizica, in special in

dezvoltarea mecanicii cuantice. Ca mijloc de cercetare, radiatiile X au permis
fizicienilor sa confirme experimental teoria cristalografiei. Folosind metoda
difractiei, substantele cristaline pot fi identificate si structura lor determinate.
Metoda poate fi aplicata si la pulberi, care nu au structura cristalina, dar o structura
moleculara regulata. Prin aceste mijloace se pot identifica compusi chimici si se
poate stabili marimea particulelor ultramicroscopice. Prin spectroscopie cu raxe X se
pot identifica elementele chimice si izotopii lor.

IN ARTA:Gratie razelor X, au putut fi suprimate virtual cateva straturi de vernis care

alterau acuratetea tabloului si care au recompus culorile originale. In acest moment,
au fost izbitoare asemanarile intre tehnicile observate in tablou si principiile
enuntate de Leonardo in Tratatul despre pictura, unde teoretiza (chiar in momentul
cand picta Gioconda) observatiile sale despre culoare, lumina, privire: el
abandoneaza perspectiva geometrica, facand saltul la perspectiva atmosferica.
Prima perspectiva mai persista, bineinteles, prin cele doua coloane prezente de
fiecare parte a tabloului.

IN MEDICINA:Unde electromagnetice care nu apartin spectrului vizibil, a caror

lungime de unda este de ordinul de marime al angstromului (A), utilizate in
medicina pentru proprietatile lor de patrundere prin materia vie si pentru
proprietatile lor terapeutice.

Utilizare in scop diagnostic - Aplicatiile medicale ale razelor X sunt de domeniul

radiologiei conventionale si al tomodensitometriei (scaner cu raze X); ele au drept
scop vizualizarea organelor.

Utilizare terapeutica - radiatiile x mai sunt utilizate in radioterapia externa, dar,

capacitatea lor de ionizare fiind redusa, sunt preferate radiatii mai energetice,
ca radiatii y, care utilizeaza cobaltoterapia.

EFECTUL LASER

Laserul este un dispozitiv complex ce utilizeaz un mediu activ laser, ce poate

fi solid, lichid sau gazos, i o cavitate opticrezonant. Mediul activ, cu o compoziie
i parametri determinai, primete energie din exterior prin ceea ce se numete
pompare. Pomparea se poate realiza electric sau optic, folosind o fa de un mediu
aflat n echilibru termic, acest mediu pompat ajunge s aib mai muli electroni pe
strile de energie superioare, fenomen numit inversie de populaie.

Un fascicul de lumin care trece prin acest mediu activat va fi amplificat prin
dezexcitarea stimulat a atomilor, proces n care un foton care interacioneaz cu
un atom excitat determin emisia unui nou foton, de aceeai direcie, lungime de
und, faz i stare de polarizare.

Astfel este posibil ca pornind de la un singur foton, generat prin emisie spontan,
s se obin un fascicul cu un numr imens de fotoni, toi avnd aceleai
caracteristici cu fotonul iniial. Acest fapt determin caracteristica de coeren a
fasciculelor laser.

Tipuri de lasere:Laserul cu microundeLaserul opticLaserul cu rubineLaserii cu

lichidLaserul cu raze X

Laserul cu microunde:Acest laser a fost inventat de Townes i Shawlow in 1954.Raza

de amoniac trece printr-un concentrator electrostatic pentru a separa moleculele
aflate pe nivele energetice superioare.
 Din acest motiv inversia populaiilor sunt obinute uor cu o energie mica. Prima
inversie a populaiilor a fost obinut n molecula de amoniac (NH3). Inversia
populaiilor n moleculele de amoniac se obine prin separarea fizica a particulelor
aflate pe nivele energetice superioare de cele aflate pe nivele energetice inferioare.

Laserul optic:Primul laser optic, construit de Maiman n 1960, era un laser cu

pulsaie, din motive de disipare a caldurii i a necesitii unei energii mari de
pompare.

Nelson si Boyle au creat in 1962 primul laser continuu cu rubin, nlocuind sursa (o
lampa-blit) cu o lampa cu arc. La putin timp dupa ce a fost anuntat prima reusita a
laserului optic, alte laboratoare de cercetare au nceput i ele, cu succes, s fac
experimente cu lasere optice care n loc de Cr aveau alte metale rare ca Nd, Pr, Tm,
Ho, Er, Yb, Gd si chiar U, iar n locul cristalului de corindon s-a ncercat folosirea unei
combinaii de Ytriu-Aluminiu-Garnet, CaF2, sau sticla (care era i mai usor de
fabricat). Aceste lasere i-au gasit, odata cu mbunatairea metodelor de fabricaie,
i aplicai practice.

Laserul cu rubine:Laserul cu rubin este alcatuit, n principal, dintr-un cristal cilindric

de rubin, doua oglinzi paralele, argintate sau aurite i un tub de descarcare, n
forma de spirala, umplut cu un gaz nobil i conectat la un condensator de mare
capacitate . Dupa cum se stie, rubinul este un oxid de aluminiu care conine mici
cantiti de ioni de crom. Cilindrul de rubin utilizat are lungimea de civa centimetri
i diametrul de ctiva milimetri

Laserii cu lichid:Laserii cu lichid cei mai cunoscui sunt cei cu chelai organici i cei
cu colorani.

Mediul activ pentru laserii cu colorani este format de o substan fluorescent

dizolvat ntr-un solvent (alcool). Lrgimea spectral a radiaiei emise este de
ordinul sutelor de angstromi, putnd fi selectat lungimea de und dorit, deci
laserul este acordabil ntr-o band larg.

Laserul cu raze X:Cilindrul de plasma (rosu) este creat de impactul unui laser cu
pulsaie de mare putere (albastru).Nu sunt folosite oglinzi, n schimb emisiile
spontane sunt amplificate i raza este trimis n ambele sensuri.A fost creat pentru
prima oara de cercetatorii Matthews i Rosen la Lawrence Livermore National
Laboratory, n 1985.

inta este dintr-o foi subire de seleniu sau un alt element cu numr atomic mare,
dispusa pe un substrat de vinil pentru a-i da rigiditate. Aceast int este iradiat
din ambele parti de lasere cu pulsaie de mare putere al crei focar are o lungime
de cteva sute de ori mai mare dect latimea. Cnd raza lovete foia, aceasta
explodeaz, producnd o plasm format din ioni de seleniu ce au cu 24 de
electroni mai puin.
n prezent eficiena acestor lasere este foarte scazut datorit necesitaii unei puteri
i frecvene mari a laserului-surs. O eficien mai mare s-ar putea obine printr-o
rcire rapid, ceea ce duce la trei re-pompri a plasmei puternic ionizate. nsa un
hibrid ntre rcirea la contact i expansiunea adiabatic pare sa fie cel mai
promittor

Utilizarile radiatiei laser

INTRODUCERE

In medicina se efectueaza operatii pe retina, distrugerea unor pistrui, negi sau

tumori. Medicii stomatologi pot folosi un fascicul laser in locul frezei pentru tratarea
cariilor. In metalurgie se poate folosi la taierea si sudarea metalelor dure. Se
efectueaza masurari precise ale distantelor sau directiilor in constructii, dirijarea
satelitilor si rachetelor catre o tinta.

Informatia de pe un CD, continuta in striatiile succesive din stratul de aluminiu al

acestuia, se citeste cu ajutorul unui fascicul laser in infrarosu. Cand CD-ul este
introdus in lectorul optoelectronic, un fascicul laser reflectat de succesiunea de
scobituri decodifica informatia stocata in semnale electrice, care apoi sunt
reconvertite in sunete de catre difuzoare.

HOLOGRAFIA

Holografia reprezinta o metoda de inregistrare a franjelor de interferenta obtinute

din unda laser reflectata de obiect (numita unda obiect) cu unda laser directa de la
sursa laser (numita unda referinta), in volumul stratului fotosensibil al unui film
fotografic. Divizarea fasciculului laser in doua fascicule se obtine cu ajutorul unei
oglinzi semitransparente: unda directa este trimisa spre filmul fotografic(printr-un
sistem optic lentila-oglinda), iar unda reflectata de obiect este directionata si ea
spre filmul fotografic. Unda obiect, purtatoarea informatiei despre obiect, difera in
intensitate si faza fata de unda de referinta cu care se interfera pe film. Dupa
developarea filmului se obtine o holograma care prezinta o retea de difractie
tridimensionala de minime si maxime luminoase. Vizualizarea hologramei se obtine
tot cu fasciculul laser de referinta folosit la inregistrarea ei. O parte din acest
fascicul ilumineaza holograma astfel incat undele difractate, coerente cu unda de
referinta, reproduc imaginea in relief a obiectului, pe care ochiul o receptioneaza ca
si cum obiectul ar fi acolo. Daca holograma este rupta sau taiata, nu se pierde
informatia stocata. Holograma inregistreaza schimbarea directiei si fazei undei
obiect de la un corp in miscare.
 Conductia electrica in metale
La atomii metalelor, forta de atractie dintre nucleu si electronii de valenta este mica
si acesti electroni-practic liberi-se deplaseaza printre ionii dispusi regulat in nodurile
retelei cristaline. Atomii constituenti devin ioni pozitivi,legati in retea, deoarece
pierd unul sau mai multi electroni de valenta care trec de la un atom la altul. Acesti
electroni sunt numiti electroni liberi sau electroni de conductie.

Deplasarea dezordonata a electronilor liberi in interiorul metalului se face in toate

directiile printre ionii pozitivi.

Ionii pozitivi sunt nucleele atomilor cu electronii care raman in jurul lor. Ei vibreaza
in nodurile retelei cristaline.

Electronii de conductie apartin deci metalului care ramane neutru din punct de
vedere electric, deoarece sarcina electrica a tuturor electronilor liberi este egala in
marime cu sarcina electrica a tuturor ionilor legati. Daca la capetele unui
conductor metalic se aplica o tensiune electrica, electronii liberi sunt antrenati de
fortele electrice ale campului electric care se stabileste in conductor intr-o miscare
partial ordonata catre capatul pozitiv al conductorului, suprapusa peste miscarea
dezordonata, in zig-zag.

Curentul electric reprezinta deplasarea ordonata a purtatorilor de sarcina liberi

printr-un mediu conductor. Electronii de conductie au o deplasare de ansamblu catre
borna pozitiva a sursei electrice.

Curentul electric este o circulatie de electroni de conductie in corpurile conductoare.

Circuland printre ioni, acesti electroni sufera numeroase ciocniri. Intre doua ciocniri
consecutive castiga energie, dar la fiecare ciocnire pierd energie si se degaja o
cantitate mica de caldura.

Efectul termic al curentului depinde de numarul de interactiuni suferite de

electronii de conductie cu ionii pozitivi. Cu cat un conductor este mai subtire, cu
atat electronii de conductie sunt mai apropiati, desi intensitatea curentului ramane
aceeasi. Ciocnirile fiind mai numeroase, rezulta ca zona subtire se incalzeste mai
puternic decat zona groasa a firului, atunci cand sunt strabatute de un curent de o
anumita intensitate.

Observatie!

Sensul de miscare al electronilor prin conductoare este invers fata de sensul

conventional. Deplasarea electronilor intr-un sens este echivalenta deplasarii
sarcinilor pozitive in sens invers.

Semiconductorul este un material a crui rezistivitate este cuprins ntre cea a

conductoarelor i izolatoarelor. Un cmp electric poate schimba rezistivitatea
semiconductorilor. Dispozitivele fabricate din materiale semiconductoare sunt baza
electronicii moderne, fiind pri componente n radiouri, computere, telefoane i
multe altele. Dispozitivele semiconductoare sunt: tranzistorul, celulele solare, mai
multe tipuri de diode. Fotovoltaice sunt dispozitive semiconductoare care
transform energia luminii n energie electric. ntr-un conductor metalic, curentul
este reprezentat de fluxul de electroni. ntr-un semiconductor curentul este
reprezentat fie de fluxul de electroni fie de fluxul de "goluri" din structura
electronic a materialului.

Un semiconductor este un material care are conductivitatea electrica cuprinsa intre

conductivitatea unui metal (ex. Cupru) si a unui izolator (ex. Sticla). Semiconductorii
sunt fundatia electronicii moderne.

Conductivitatea electrica a unui material semiconductor creste odata cu cresterea

temperaturii, comportamentul opus fata de metale. Un material semiconductor este
alcatuit din atomi legati prin legaturi COVALENTE, deci nu metalice. Ceea ce
inseamna ca electronii de valenta din structura unui material semiconductor nu
formeaza nori de electroni liberi, ci sunt tinuti in loc de legaturile covalente dintre
atomii care ii impart. Aranjamentul unic al atomilor din Siliciu si Germaniu fac ca
aceste doua elemente sa fie cele mai folosite in prepararea materialelor
semiconductoare

Conductivitatea curentului intr-un semiconductor are loc prin miscarea electronilor

liberi (-) si a golurilor (+), acestia fiind cunoscuti ca si conductori de sarcina.
Adaugand atomi impuri intr-un material semiconductor (procedeu numit dopare),
numarul de conductori de sarcina dintr-un semiconductor poate creste substantial.
Cand un semiconductor are majoritar goluri, acesta este numit semiconductor de tip
p, iar cand un semiconductor are majoritar electroni liberi, acesta este numit
semiconductor de tip n. Un singur semiconductor poate avea mai multe regiuni de
tip p si de tip n; spatiul dintre aceste regiuni sunt responsabile de comportamentul
electric.

Dioda semiconductoare.
Redresarea curentului alternativ

Jonctiunea pn

Dioda semiconductoare se obtine prin doparea (prin difuzie), la capete, a

unei plachete monocristaline de siliciu sau germaniu sau atomi acceptori
trivalenti(zona p) si, respectiv , cu atomi donori pentavalenti(zona n). In
regiunea de tranzitie dintre cele doua zone, numita jonctiune pn,
electronii liberi din zona n difuzeaza catre zona p si se recombina cu
golurile la jonctiunea dintre cele doua zone.
Apare un strat dublu de sarcina spatiala: a ionilor pozitivi, in zona n, si, respectiv, a
Ionilor negativi, in zona p, acestia ramanand legati in retaua cristalina. Aceasta
jonctiune , dintre cele doua zone, cu grosimea d =1 m, este saracita in purtatori
mobili de sarcina.

Daca pe electrolizii de la capetele zonelor p si n se aplica din exterior o tensiune

de polarizare directa, Upn>0(plus la zona p si minus la zona n), atunci un numar de
purtatori mobili capata energie suficienta pentru a invinge campul electric de
franare, cu intensitatea E1 diminuata si jonctiunea devine astfel conductoare.
Electronii liberi, majoritari, din zona n sunt injectati si accelerati catre electrodu
pozitiv, deci curentul I prin circuit creste pentru ca jonctiunea se prezinta ca un
condensator strapuns sau ca o rezistenta mica.

Daca pe electrolizii diodei se aplica o polarizare inversa, adica o tensiune Upn<0,

Atunci electronii liberi din zona n sunt atrasi catre electrodul pozitivm iar golurile din
zona p sunt atrase catre electrodul negativ. Jonctiunea se comporta ca un
condensator ideal, deci nu conduce chiar daca este incarcata electric la o tensiune
mai mare , care genereaza un camp electric mai intens(E2>E0), deoarece zonele p
si n sunt conductoare.

Atunci cand tensiunea de alimentare a circuitului este alternativa, diodele

redreseazacurentul alternativ.

Studiul calitativ al redresarii curentului alternativ cu diode semiconductoare

In practica, aparatele ce contin montaje electronice se alimenteaza de la reteaua

electrica de curent alternativ prin intermediul unui redresor care produce conductia
intr-un singur sens. Acesta este compus din:

Transformator coborator de tensiune;

Redresor cu diode semiconductoare;

Un sistem de filtrare (de reducere a pulsatiilor) cu ajutorul condensatoarelor

electrice;

Curentul care circula prin dipolul consumator are un singur sens, dar este
pulsatoriu. In practica, se folosesc mai mult diodele cu siliciu.

Daca se reprezinta grafic valorile intensitatii curentului citite pe ampermetru,

in functie de valorile tensiunii citite pe voltmetru, se obtine o caracteristica de
curent I=f(U) neliniara si nesimetrica.

Putem sa vizualizam pe ecranul osciloscopului caracteristica de curent I=f(U).

Redresarea poate fi monoalternanta(a unei singure alternante), cand

curentul poate circula prin rezistenta de sarcina numai in timpul semiperioadei in
care dioda conduce.
Redresarea ambelor alternante se obtine, de obicei, cu ajutorul unei punti
redresoare cu patru diode. Curentul redresat circula prin rezistenta de sarcina in
timpul ambelor semiperioade ale tensiunii alternative. In fiecare semiperioada,
curentul circula prin doua diode, marcate cu aceeasi culoare.

CIRCUITE ELECTRONICE SIMPLE CU

TRANZISTOARE

Este o component electronic a crei rezisten electric poate fi controlat cu

ajutorul unui semnal electric numit semnal de comand. Cea mai important
meniune referitoare la aceast definiie este faptul c tranzistorul ne permite s
controlm un curent electric mare cu ajutorul unui cantiti foarte mici de energie
electric. Din acest motiv, una din principalele aplicaii ale tranzistorului este cea
de amplificator.

Echivalentul mecanic al tranzistorului ar putea fi robinetul de gaz de la

aragaz, cu ajutorul unui semnal de comand (fora minii tale) controleaz
cantitatea de gaz care iese pe ochiul respectiv i implicit intensitatea flcrii.

Pentru alimentarea circuitelor electronice sunt necesare redresoare ce transforma

tensiunea alternative in tensiune continua (ca in figura).

Circuitele electronice trimit la distanta comenzi pentru actionarea diferitelor

dispositive.

Un circuit electronic contine:

Un circuit de intrare, al cauri traductor transforma o informative primita din exterior,

adica un semnal neelectric (optic la fotorezistor, termic la termistor etc.) in semnal
electric;

Un circuit care amplifica semnalul electric primit din circuitul de intrare;

Un circuit de iesire care comanda alte circuite direct sau printr-un releu (ale carui
contacte inched sa deschid alte circuite ), acele circuite incluzand, la randul lor ,
sisteme optoelectronice (alarme) sau motoare electrice;

O sursa de alimentare electrica.

Tranzistorul Bipolar

Din punct de vedere fizic, tranzistorul bipolar este format din dou jonctiuni
Pn, dispuse spate n spate, aa ca n figura 2. Denumirea de bipolar vine de la faptul
c este compus din dou tipuri de materiale semiconductoare, care pot forma un
tranzistor NPN (cu o felie de semiconductor de tip P pus ntre dou felii de
semiconductori de tip N) sau un tranzistor PNP (cu o felie de semiconductor de tip N
pus ntre dou felii de semiconductoare de tip P). Simbolizarea fiecruia din aceste
tipuri este de asemenea prezentat n figura 2.

Tot n figura 1 se observ c fiecare din cele 3 materiale semiconductoare care

compun un tranzistor bipolar au denumiri specifice: Baz (B), Emitor (E) i Colector
(C). Aceste denumiri au fost inspirate de rolurile pe care aceste materiale l joac n
funcionarea tranzistorului.

Pentru a nelege cum funcioneaz tranzistorul bipolar, prima dat aruncati o

privire peste figura 3, unde este schiat principiul de funcionare al unui tranzistor
NPN.

Ca s evit orice confuzie, menionez c n figura 2 jonciunile PN sunt

reprezentate ntr-un mod simplificat iar n figura 3 sunt desenate aa cum apar ele
n realitate.

Pentru a nelege de ce este nevoie ca aceste jonciuni s fie construite

att de ntortocheat trebuie s retineti urmtoarele:

emitorul (E): este fabricat dintr-un semiconductor de tip N, foarte puternic dopat,
ceea ce nseamn c dispune de o mare cantitate de electroni liberi;

colectorul (C): este fabricat tot dintr-un semiconductor de tip N ns care este mai
slab dopat, ceea ce nseamn c are mai puini electroni liberi. Pe lng acestea,
colectorul este cea mai voluminoas zon tranzistorului;

baza (B) este fabricat dintr-un semiconductor de tip P tiat sub forma unei foie
foarte subiri. Baza este plasat ntre emitor i colector crend bariere de
potenial la zonele de contact cu acetia (vezi liniile roii din figura 3).

Avnd n vedere c n general n circuitul de ieire se aplic o tensiune mai mare

dect n circuitul de intrare (adic de regul tensiunea de pe colector este mai mare
dect cea de pe baz) apare ntrebarea: bine, dar jonciunea B-C din figura 3 nu
este cumva polarizat invers ? Cum de totui curentul electric trece prin ea, ca apoi
s ajung prin emitor la borna negativ. Specialistii explic acest lucru prin faptul
c emitorul este mult mai puternic dopat dect colectorul, dar i prin faptul c baza
are o grosime foarte mic. Altfel spus, datorit motivelor menionate, bariera de
potenial din jonciunea B-C devine parial transparent.

Circuite electronice simple cu tranzistoare

S1 Pentru alimentarea circuitelor electronice sunt necesare redresoare ce

transform tensiunea alternativ n tensiune continu.
 Circuitele electronice trimit la distan comenzi pentru acionarea unor dispozitive.
Un circuit electronic conine:

-un circuit de intrare, al crui traductor transform o informaie primit din exterior,
adic un semnal neelectric (optic la fotorezistor, termic la termistor, etc) n semnal
electric;

- un circuit care amplific semnalul electric primit din circuitul de intrare;

- un circuit de ieire care comand alte circuite, direct sau printr-un releu (ale crui
contacte nchid sau deschid alte circuite), acele circuite incluznd, la rndul lor,
sisteme optoelectronice (alarme, afiaj optic= sau motoare electrice

- o surs de alimentare electric. (poza)

S2 Inventarea tranzistorul bipolar (1948) a fost evenimentul care a pus bazele

electronicii moderne, tranzistoarele nlocuiind tuburile electronice. Astzi, ele
continu s domine piaa de componente, alturi de circuitele integrate. Circuitele
integrate se conecteaz ntr-o reea electric prin mai muli pini i sunt constituite
din sute sau chiar mii de tranzistoare i rezistoare montate pe acelai suport, de
dimensiuni foarte mici, numit cip.

S3 Tranzistorul bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv format din trei straturi de material

semiconductor la care se conecteaz trei electrozi. Cele trei straturi
semiconductoare formeaz dou jonciuni p-n. n funcie de ordinea de amplasare a
straturilor semiconductoare se disting dou tipuri de TB:

- p-n-p care conine dou straturi semiconductoare de tip p, ntre care se

gsete un strat semiconductor de tip n (Fig.a);

- n-p-n care conine dou straturi semiconductoare de tip n, ntre care se

gsete un strat semiconductor de tip p (Fig. b).

a) Tranzistor p-n-p. b) Tranzistor n-p-n.

Fig.4.1. Structura i simbolul tranzistorului

Pentru ambele tipuri de tranzistoare, stratul din mijloc este foarte subire, iar
electrodul corespunztor se numete Baz i se noteaz cu B. Nici straturile
exterioare nu sunt identice. Un strat este mai subire i este mai puternic
impurificat, iar electrodul corespunztor se numete Emitor i se noteaz cu E.
Ultimul strat este cel mai gros, iar electrodul corespunztor se numete Colector i
se noteaz cu C.

S4-S5 Principiu de funcionare.

 Dup cum s-a precizat anterior, tranzistorul are dou jonciuni p-n, una ntre baz
i emitor (BE) i una ntre baz i colector (BC). Dac s-ar considera cele dou
jonciuni ca fiind independente s-ar putea spune c tranzistorul este o conexiune
ntre dou diode conectate una invers fa de cealalt. Dac se ia n considerare
un tranzistor n-p-n putem spune c avem dou diode care au anodul comun i
conectat la electrodul B. n aceast situaie oricum am alimenta circuitul, o diod va
fi n conducie iar cealalt va fi blocat, iar prin circuitul n care sunt montate nu va
circula curent.

Schem echivalent cu dou diode

n realitate datorit faptului c stratul semiconductor median este foarte subire

apare aa numitul efect de tranzistor, care permite circulaia curentului ntre C i E.
Efectul de tranzistor permite trecerea curentului printr-o jonciune polarizat invers
(BC) datorit interaciunii ei cu o jonciune polarizat direct (BE) situat n imediata
ei vecintate. Circulaia curenilor prin tranzistor este prezentat n Fig.4.3.

Dac se ia n considerare tranzistorul n-p-n, la care jonciunea BE este polarizat

direct i jonciunea BC este polarizat invers atunci putem spune c tensiunea
dintre colector i emitor este pozitiv i mai mare dect tensiunea dintre baz i
emitor care este de aproximativ 0,7V. n aceast situaie va exista o circulaie de
curent de valoare mare de la colector la emitor, curent care depinde de valoarea
curentului de comand, adic curentul dintre baz i emitor.

a) Tranzistor n-p-n. b) Tranzistor p-n-p.

Fig 4,3. Circulaia curenilor prin tranzistor

S6- Regimurile de funcionare ale tranzistoarelor

Regimul de blocare. (poza)

Regimul de blocare se obine atunci cnd tensiune dintre Baz i Emitor

scade sub valoarea de polarizare a jonciunii (0,7 pentru Si), iar jonciunea dintre
Baz i Colector rmne polarizat invers. n acest regim prin tranzistor nu circul
curent i el se comport ca i o rezisten de valoare infinit, sau un contact deschis

Regimul de saturaie. (poza)

Un tranzistor este n regim de saturaie cnd valoarea curentului de comand

crete i implicit crete curentul principal pn la o limita la care tensiunea ntre
colector i emitor scade sub 0,7V, deci potenialul colectorului devine mai mic dect
al bazei. Din acest moment jonciunea dintre Baz i Colector este polarizat direct.
n practic tensiunea Colector-Emitor nu poate fi sczut sub o valoare de 0,2V. Din
momentul intrrii n saturaie curentul principal rmne la valoarea de saturaie i
nu mai este proporional cu acela de comanda. Curentul de comand poate s
creasc n continuare dar nu mai influeneaz curentul principal. Dac se neglijeaz
cderile de tensiune pe jonciunile deschise tranzistorul este echivalent cu un nod
de circuit

Regimul activ. (poza)

Regimul activ este regimul normal al tranzistorului pentru majoritatea

aplicaiilor. n acest regim tranzistorul este strbtut de un curent de valoare mare
ntre Colector i Emitor, valoare care depinde de valoarea curentului dintre Baz i
Emitor.

Fig.4.3. Circulaia curenilor prin tranzistor.

S6- Functiile tranzistorului

ntreruptor electric (conduce, n regim de saturaie, sau nu conduce, n regim de

blocare). Trecerea dintr-o stare n alta

IC = 0 sau
IC 0= este comandat
de tensiunea aplicat ntre baz i emitor care produce variaii mici ale curentului
de baz.

Amplificator de curent (variaii mici ale curentului de baz,

I B , produc variaii

mari ale curentului de colector,

I C ).

Dac un tranzistor conduce (se deschide d.p.d.v al conductibilitii), atunci

CE
rezistena dintre colector i emitor R scade foarte mult, tensiunea ntre baz i

U BE U BE
emitor = 0,6 V la tranzistoarele cu siliciu, de tip n p n i = 0,6 V la

tranzistoarele p n p) rmne practic constant, iar

U CE devine neglijabil (zecimi

de volt) cnd curentul

IC atinge valorile maxime admise (notate n cataloagele
de dispozitive semiconductoare) fr efect distructiv.

TRANZISTORUL CU EFECT DE CAMP

Functionarea tranzistorului cu efect de camp
Tranzistorul cu effect de camp TEC, (in engleza FET Field Effect Tranzistor), este
un dispozitiv electronic unipolar, la care conductia este asigurata de un singur tip de
purtatori de sarcina, electroni sau goluri. Acesta are 3 terminale din sarma:

Sursa S terminal de la care pleaca purtatorii de sarcinu electrice

Drena D terminal catre care se indreapta purtatorii de saricni electrice
Poarta G (in engleza, gate = poarta) terminal care comanda comportarea
tranzistorului

Condcutia purtatorilor de sarcina intre sursa drena are loc prin canalul
semiconductorului, dintre drenaD si sursaS. Tranzistoarele cu efect de camp
controleaza intensitatea curentului, care circula prin canal, prin campul electric
determinat de tensiunea de comanda aplicata intre terminalul portiiG si cel de
sursaS. Exista doua tipuri constructive de tranzistoare cu efect de camp:

Cu poarta de joctiune TEC J (in engleza JFET) realizata cu canal conductor

initial;
Cu poarta izolata, tip Metal Oxid Semiconductor, TEC-MOS (in engleza
MOSFET) realizate cu canal initial au cu canal indus

Tranzistoare cu efect de camp cu poarta jonctiune (TEC J) sunt clasificate dupa tipul
de dopare: cu canal de tip n si cu canal tip p. Cele doua tipuri sunt complementare
atat ca structura interna cat sic a functionare.

La tranzistoarele TECJ, cu canal tip n, acesta se creeaza prin difuzia a doua regiuni
de tip p conectate la terminlul poarta. In schemele electrice, terminalul apara
conectat numai la una din cele doua regiuni pentru simplitatea reprezentarii.
Intensitatea ID a curentului intre drena si sursa este de ordinul zecilor de
nanoamperi atunci cand tensiunea dintre poarta si sursa are valoarea U GS=0.

Tranzistoarele TECJ cu canal tip n sunt frecvent utilizate in aplicatii. Polarizarea

inversa a jonctiunii pn dintre poartasursa (U GS=0) mareste rezistenta electrica prin
ingustarea canalului, in urma difuziei electronilor si goluri.

Intensitatea ID a curentului intre drena si sursa scade prin aplicarea unei tensiuni U GS
care polarizeaza invers jonctiunea dintre poarta si canalul conductor. Tensiunea
poartasursa, pentru care curentul de drena devine nul, se numeste tensiune de
blocare Ublocare .

Simbolurile folosite in schemele electronice pentru TECJ sunt prezentate in figura

urmatoare. Sageata din poarta arata sensul direct al jonctiunii.

Cea mai utilizata conexiune este aceea cu sursa comuna porturilor de intrare si
iesire , unde portul de intrare este intre poarta si sursa, iar portul de iesire este intre
drena si sursa.
Parametrii necesari in proiectarea circuitelor electronice (amplificatoare, oscilatoare
etc.) sunt: panta de semnal mic (transconductanta g m), in vecinitatea punctului
prezentat in stanga figurii, si rezistenta de iersire (sau rezistenta de drena r d)
definite de relatiile:

ID U DS
gm = ( U GS )
U DS=constant
sir d= ( ID )
U GS=constant

O familie de caracteristi ID=ID(UDS) este prezentata in figura alaturata. Analizand o

curba corespunzatoare unei valori date a tensiunii UGS, se observa ca la valori mici
ale tensiunii UDS yramzistoril se comporta cu o rezistenta ohmica, dependent
ID=ID(UDS) fiind liniara. La tensiuni U DS mai mari, curentul de drena ramane aproape
constant pe un interval mare al valorilor tensiunii UDS.

Tranzistoarele cu efect de camp de tip TEC-MOS se deosebesc de cele de tip

TEC-J:

-nu au o jonctiune pn, dar eu poarta izolata fata de canalul conductor printr-
un strat de dioxid de siliciu (SiO2), astfel incat intensitatea curentului de poarta este
practic nula, iar a curentilor de drena si sursa este practic aceeasi

-mai au un terminal, substratul, legat la materialul semiconductor pe care a

fost realizat tranzistorul

Poarta G este o sarma din aluminiu. Conductia se realizeaza la suprafata

substratului de siliciu, intre doua zone de tip opus substratului, sursa (S) si
drena (D).

Drena si sursa de tip n se obtin prin difuzie in materialul substratului

Cand se aplica diferite tensiuni intre poarta si susra, se genereaza un

camp electric intre poarta si canal, ca intr-un condensator plan.

Tranzistoarele cu efect de camp de tip TEC-MOS sunt:

-cu canal initial (in regim de saracire/imbogatire). Tranzistoarele cu efect de camp

TEC-MOS tip n au structura din figura 42. TEC-MOS de tip p sunt similare.

Drena si sursa se obtin prin difuzie in materialul substratului si apoi sunt unite
printr-un canal ingust, adiacent portii izolate.

Cand tensiunea dintre poarta si sursa este negativa ( < 0), apare regimul de
saracire a canalului cu electroni de conductive

Condensatorul format are armaturile: poarta negativa si canalul cu ioni pozitivi

(golit de electroni). Intensitatea curentului electric intre sursa si drena se
 anuleaza la o anumita valoare a tensiunii , numita tensiune de

blocare sau de prag ( =0 pentru < )

Cand tensiunea dintre poarta si sursa este pozitiva ( >0), apare regimul de
imbogatire a canalului cu electroni de conductie. Conductivitatea canalului
creste deoarece in canal sunt atrasi mai multi electroni de conductie. Valoare

intensitatii curentului electric prin tranzistor este controlata de tensiunea

dintre poarta si sursa:

pentru

Constanta K depinde de tipul tranzistorului.

-cu canal indus (in regim de imbogatire) tip n (NMOS) sau tip p (PMOS). La
acest tip de TEC-MOS, substratul se intinde pana la stratul de dioxid de siliciu,
adica nu exista un canal initial

Aplicatii ale tranzistorului cu efect de camp

Modulatia in amplitudine sta la baza transmiterii radiofonice in benzile de unde

lungi, medii si scurte. Un semnal sinusoidal, cu frecventa de cativa MHz, numit
purtatoare este modulat in amplitudine de catre semnalul sonor cu frecvente < 20
kHz. La receptive, trebuie efectuata operatia inversa, demodulatia in amplitudine.

Comanda tensiunii pe poarta unui transistor TEC, in momentul conectarii becurilor

cu halogen pentru automobile, mareste durata de utilizare a acestora, deoarece
intensitatea curentului nu mai depaseste intensitatea curentului nominal.

Tensiunea creste lent, in intervalul de timp t=R1C determinat de rezistenta R1 si

capacitatea condensatorului C, ca si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu effect
de camp conectat in serie cu becul. Condensatorul se descarca prin diode bec si
TEC(transistor) la intreruperea alimentarii.

Amplificarea unui semnal electric de intrare produce variatia tensiunii Ugs, de o

parte si de cealalta a valorii punctului static de functionare ales (P), obtinandu-se
variatia intensitatii Id a curentului de drena din figura atasata, deci tensiune
variabila mare pe rezistenta de sarcina, ca semnal de iesire.

Proiectiile extremitatilor tensiunii din portul de itrare intre poarta si sursa, pe axa Id
delimiteaza extremitatile intensitatii curentului din drena.
Cea mai utilizata conexiune este cea cu sursa comuna porturilor de intrare si iesire.
In coexiunea prezentata, portul de intrare este intre poarta si sursa. Iar portul de
iesire intre drena si sursa.

Cea mai utilizata conexiune este aceea cu sursa comuna porturilor de intrare si
iesire. In aceasta conexiune, portul de intrare este intre poarta si sursa, iar portul de
iesire este intre drena si sursa.

In circuitele cu tranzistoare TEC, se noteaza tensiunea cea mai ridicata a alimentarii

cu UDD iar tensiunea cea mai coborata alimentarii cu USS. Diferenta UGS - Ublocare
joaca un rol important in comanda portii tranzistorului MOSFET. Tranzitorul este
considerat complet deschis (in stare ON) la o anumita valoare a tensiunii UGS,
uzual de 10 V, unde se defineste instensitatea ID(on) a curentului.

Commutator electronic cu tranzistor MOS este un dispozitiv de comanda prin

intermediul caruia se aplica un semnal de tensiune pe o sarcina. Rezistenta
comutatorului trebuie sa fie cat mai mica in starea ON si cat mai mare in starea OFF.

Se presupune ca tensiunea sursei de semnal evolueaza intre -5V si +5V, rezistenta

de sarcina are valoarea R=50k si intensitatea curentului prin sarcina evolueaza
intre -0,1 mA si +0,1 mA.

Conectam substratul la un potential mai coborat decat oricare potential din circuit,
de exemplu -10 V si modificam potentialul portii intre -10 V si + 10 V. Cu poarta
conectata la -10 V, potentialul acesteia este in orice moment mai coborat decat
potentialele drenei si sursei, care pot fi aduse de catre sursa de semnal numai pana
la -5V.

a) In aceste conditii, tranzistorul este tot timpul blocat, rezistenta intre drena si
sursa avand valori mari, de ordinal G. Rezulta ca tensiunea pe sarcina este practic
nula.

Conectam poarta la potentialul de +10 V. In momentul in care tensiunea semnalului

ajunge la -5 V,

b)atunci tensiunea poarta-sursa are valoare +15 V, iar cand tensiunea semnalului
este de +5 V, atunci tensiunea poarta sursa scade la +5 V.

Circuite integrate

Circuitul integrat reprezint un dispozitiv electronic compus din interconectarea mai

multor componente electrice pasive si active pe o plcut de material
semiconductor (de exemplu siliciul), care n cele mai multe cazuri este introdus
ntr-o capsul etan fat de factorii de mediu si dotat cu elemente de conexiune.

CUM SUNT REALIZATE CIRCUITELE INTEGRATE?

Construcia unui cip necesit, de obicei, cteva sute de pasi de fabricare care
dureaz cteva sptmni. Fiecare pas trebuie executat perfect pentru ca cip-ul sa
funcioneze. Condiiile sunt foarte stricte. Spre exemplu, deoarece un fir de praf
poate distruge cip-ul, fabricarea trebuie sa aib loc ntr-o camer curat care
conine mai puin de 25 de submicroni de particule de praf ntr-un metru cub de aer
(n contrast, camera de zi are ntre doua milioane si douazeci de milioane de
particule ntr-un metru cub de aer). Mare parte din echipamentul necesar pentru
crearea cipurilor admite cea mai nalt dintre tehnologiile nalte, astfel nct fabricile
de cipuri, care cost ntre un miliard si dou miliarde de dolari, sunt printre cele mai
costisitoare ntreprinderi. Tehnologia de baza a fabricrii cipului este procesul
planar proiectat n 1857 de Jean Hoerni de la Fairchild Semiconductor. Acesta
furniza mijloacele de creare a unei structuri cu straturi a bazei de silicon a unui cip.
Realizarea chipului se bazeaz pe fotolitografie. n fotolitografie o mare energie
luminoasa UV trece printr-o masca spre o felie de siliciu acoperite cu un film
fotosensibil. Masca descrie prti componente ale chipului.

AMPLIFICATOARE OPERATIONALE DE TENSIUNE

Amplificatoarele operationale sunt cele mai raspandite circuite integrate analogice.

Au fost initial utilizate pentru realizarea analogica a unor operatii matematice
(adunare, scadere, scalare, integrare etc.) ceea ce le-a determinat si denumirea.
Amplificatoarele operationale de tensiune (AO) sunt amplificatoare de curent
continuu, continand mai multe etaje de amplificare elementare, dintre care primul
etaj este de regula de tip diferential. Castigul in tensiune oferit de aceste etaje este
foarte mare, de regula mai mare de 104. Amplificatoarele operationale sunt folosite
de obicei in configuratii cu reactie negativa.

Un amplificator operational de tensiune este prevazut cu doua intrari si o iesire.

Aplicand pe una din intrari un semnal, cealalta fiind conectata la un potential fix, se
obtine la iesire un semnal in faza cu cel de la intrare. Aceasta intrare Se
numeste neinversoare (si se noteaza cu +). Daca se aplica un semnal pe cealalta
borna de intrare, borna inversoare fiind conectata la potential fix, se obtine la iesire
un semnal in antifaza. Aceasta borna de intrare se numeste inversoare (si se
noteaza cu ). In mod ideal, amplificatorul operational de tensiune se poate defini
ca un circuit ce amplifica diferenta tensiunilor aplicate pe cele doua intrari,
neinversoare si inversoare.

CARACTERISTICILE AMPLIFICATOARELOR DIFERENTIALE

Un amplificator diferential este un amplificator cu doua intrari calde care amplifica

diferenta dintre semnalele aplicate pe aceste doua intrari , indiferent de valoarea
lor individuala ,cu conditia sa fie mai mica decat tensiunea de alimentare sau decat
o fractiune din aceasta. Amplificatoarele diferentiale intra in structura
amplificatoarelor operationale (AO) ca etaje de intrare si etaje intermediare de
amplificare.

Folosirea acestor amplificatoare prezinta urmatoarele avantaje:

- datorita imperecherii si cuplajului termic al tranzistorelor monolitice sunt

ideale pentru integrare;

- pot fi conectate in cascada direct, fara capacitati de cuplaj;

- asigura intrarea diferentiala necesara pentru multe tipuri de circuite

analogice.

Aplicatii ale tranzistorului cu efect de camp

Modulatia in amplitudine sta la baza transmiterii radiofonice in benzile de unde
lungi, medii si scurte. Un semnal sinusoidal, cu frecventa de cativa MHz, numit
purtatoare este modulat in amplitudine de catre semnalul sonor cu frecvente < 20
kHz. La receptive, trebuie efectuata operatia inversa, demodulatia in amplitudine.

Comanda tensiunii pe poarta unui transistor TEC, in momentul conectarii becurilor

cu halogen pentru automobile, mareste durata de utilizare a acestora, deoarece
intensitatea curentului nu mai depaseste intensitatea curentului nominal.

Tensiunea creste lent, in intervalul de timp t=R1C determinat de rezistenta R1 si

capacitatea condensatorului C, ca si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu effect
de camp conectat in serie cu becul. Condensatorul se descarca prin diode bec si
TEC(transistor) la intreruperea alimentarii.

Amplificarea unui semnal electric de intrare produce variatia tensiunii Ugs, de o

parte si de cealalta a valorii punctului static de functionare ales (P), obtinandu-se
variatia intensitatii Id a curentului de drena din figura atasata, deci tensiune
variabila mare pe rezistenta de sarcina, ca semnal de iesire.

Proiectiile extremitatilor tensiunii din portul de itrare intre poarta si sursa, pe axa Id
delimiteaza extremitatile intensitatii curentului din drena.

Cea mai utilizata conexiune este cea cu sursa comuna porturilor de intrare si iesire.
In coexiunea prezentata, portul de intrare este intre poarta si sursa. Iar portul de
iesire intre drena si sursa.
Cea mai utilizata conexiune este aceea cu sursa comuna porturilor de intrare si
iesire. In aceasta conexiune, portul de intrare este intre poarta si sursa, iar portul de
iesire este intre drena si sursa.

In circuitele cu tranzistoare TEC, se noteaza tensiunea cea mai ridicata a alimentarii

cu UDD iar tensiunea cea mai coborata alimentarii cu USS. Diferenta UGS - Ublocare
joaca un rol important in comanda portii tranzistorului MOSFET. Tranzitorul este
considerat complet deschis (in stare ON) la o anumita valoare a tensiunii UGS,
uzual de 10 V, unde se defineste instensitatea ID(on) a curentului.

Commutator electronic cu tranzistor MOS este un dispozitiv de comanda prin

intermediul caruia se aplica un semnal de tensiune pe o sarcina. Rezistenta
comutatorului trebuie sa fie cat mai mica in starea ON si cat mai mare in starea OFF.

Se presupune ca tensiunea sursei de semnal evolueaza intre -5V si +5V, rezistenta

de sarcina are valoarea R=50k si intensitatea curentului prin sarcina evolueaza
intre -0,1 mA si +0,1 mA.

Conectam substratul la un potential mai coborat decat oricare potential din circuit,
de exemplu -10 V si modificam potentialul portii intre -10 V si + 10 V. Cu poarta
conectata la -10 V, potentialul acesteia este in orice moment mai coborat decat
potentialele drenei si sursei, care pot fi aduse de catre sursa de semnal numai pana
la -5V.

a) In aceste conditii, tranzistorul este tot timpul blocat, rezistenta intre drena si
sursa avand valori mari, de ordinal G. Rezulta ca tensiunea pe sarcina este practic
nula.

Conectam poarta la potentialul de +10 V. In momentul in care tensiunea semnalului

ajunge la -5 V,

b)atunci tensiunea poarta-sursa are valoare +15 V, iar cand tensiunea semnalului
este de +5 V, atunci tensiunea poarta sursa scade la +5 V.