Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Student:
Todor Patricia Valentina
Anul IV, grupa 2.3
Să se proiecteze o linie de transmisie punct cu punct de fibră optică cu următorii
parametrii:
𝑚
- Viteza de transmisie: 𝑣𝑡 = 10 7 𝑀𝑏𝑝𝑠, unde m=pozitia studentului în subgrupă;
- Distanța la care se face transmisia: 𝐿 = 𝑙 ∙ 𝑁
Unde l este lungimea unui tronson: l=500 m
36
Iar N este numărul de tronson și se calculează: 𝑁 = [5 + ]
𝑚
- Rata erorii admise la transmisie BER=10-9
a) Surse optice:
1) Diode electroiluminisciente (LED) din galiu, aluminiu și arsen, cu parametrii:
- lărgimea spectrală: ∆ = 40 nm
- lungimea centrală de emisie: 0 = 850nm,
- puterea sursei: 𝑃𝑆 = 40mW,
- capacitatea: 𝐶𝐷 = 150 ∙ 𝐾1 𝑝𝐹,
30
- preț estimativ = $
𝐾1
b) Fibre optice:
1) Fibră optică multimod:
- apertura numerică: NA = 0.05 · 𝐾1 , 𝑁𝐴 = √𝑛12 − 𝑛22
- atenuarea: = 4 · 𝐾1 dB
𝐹𝑂 km ,
400
-
banda/Km, B0: = MHz · km,
𝐾1
𝐵0
𝑛𝑠
-
dispersia materială: D𝑚𝑎𝑡 = 0.07 (la 850nm)
nm·km
𝑛𝑠
- = 5 ∙ 10−3 (la 1.3m)
D𝑚𝑎𝑡 nm·km
1$
-
preț estimativ =
𝐾1 𝑚
Unde: ɳ − eficiența
q - sarcina electronului
h - constanta lui Plank
𝜗 − frecvența legată de X
ℎ ∙ 𝜗 − energia fotonului
- Temperatura: T = 300 K
- CD = 5 pF
- X=0,5
- Prețul estimativ= 50 ∙ K2 $
- K2 ∈ {5,6,...,10}
Se mai cunosc:
- Sarcina electronului: 𝑞 = 1,6 ∙ 10−9 𝐶
- Constanta lui Boltzmann: kB J
= 1,38 ∙ 10−23
K
𝑚 12
Dacă 𝒎 = 𝟏𝟐 => 𝑉𝑡 = 10 7 => 𝑉𝑡 = 10 7 => 𝑽𝒕 = 𝟓𝟏, 𝟐𝟖𝟔 𝑴𝒃𝒑𝒔
36 36
𝑁 = [5 + ] = [5 + ] => 𝑵 = 𝟖
𝑚 12
Distanța pe care se face transmisia este:
𝐿 = 𝑁 ∙ 𝑙 = 8 ∙ 500𝑚 = 4000 𝑚 => 𝑳 = 𝟒 𝒌𝒎
Durata unui bit Tb, se calculează cu relația:
1 1
𝑇𝑏 =
𝑉𝑡 = => 𝑻𝒃 = 𝟏𝟗, 𝟒𝟗 𝒏𝒔
51,286 𝑀𝑏𝑝𝑠
Timpul maxim de degradare a impulsurilor va fi:
- Pentru NRZ: ∆𝑇𝑏 𝑁𝑅𝑍 = 0,7 ∙ 19,94 => ∆𝑻𝒃 𝑵𝑹𝒁 = 𝟏𝟑, 𝟔𝟒𝟑 𝒏𝒔
- Pentru RZ: ∆𝑇𝑏 𝑅𝑍 = 0,35 ∙ 19,94 => ∆𝑻𝒃 𝑹𝒁 = 𝟓, 𝟖𝟒𝟕 𝒏𝒔
A. Proiectare emițător
Se ia din catalog pentru dioda laser o valoare a tensiunii de deschidere a diodei Vd=2V și
𝑉𝑂𝐿=0.4V și curentul Id=60 mA pentru 74LS140. Rezistenșele R și R1, se calculează conform
𝑉 −𝑈
relațiilor: 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑑 + 𝑉𝑂𝐿 + 𝑅1 · 𝐼𝑑 și 𝑅 = 𝐶𝐶 𝑑.
𝐼𝑑0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑑 − 5 − 2 − 0,4
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑑 + 𝑉𝑂𝐿 + 𝑅1 ∙ 𝐼𝑑 => 𝑅1 =
𝑉𝑂𝐿 = = 43.3Ω
60 ∙ 10−3
𝑉𝐶𝐶 − 𝑈𝑑 𝐼𝑑
𝑅= = 𝟑 𝒌Ω
𝐼𝑑0
Se alege pentru R1 valoarea 𝟒𝟓Ω.
CD = 150 · K1 pF => se alege K1 = 1 => CD = 150 pF (pentru dioda laser GaAlAs)
CD = 75 · K1 pF => se alege K1 = 1 => CD = 75 pF (pentru dioda laser InGaAsP)
Dacă se alege pentru C1 o valoare de C1=68pF, rezultă timpii de creștere ai ansamblului în cele
2 cazuri:
-
pentru dioda laser GaAlAs: trc1 = R1 · (C1 + CD) = 45 · (68 + 150) => trc = 9.81 ns
-
pentru dioda laser InGaAsP: trc2 = R1 · (C1 + CD) = 45 · (68 + 75) => trc = 6.435 ns
Timpii de creștere ai transmițătoarelor se calculează cu relația:
- pentru dioda GaAlAs: ttx ≅ √tTTL2 + trc12 = √102 + 9.812 => 𝐭𝐭𝐱 = 𝟏𝟒. 𝟎𝟎𝟖 𝐧𝐬
- pentru dioda InGaAsP: ttx ≅ √tTTL2 + trc22 = √102 + 6.4352 => 𝐭𝐭𝐱 = 𝟏𝟏. 𝟖𝟗 𝐧𝐬
B. Proiectare receptor
Calculăm parametrii pentru fiecare din cele patru tipuri de amplificatoare utilizate la recepție:
=> VCC = IR =
VCC−UBE
= 423.5 kΩ => 𝐑
2
·
R2 + UBE => R2 𝟐
IR2
= 𝟒𝟐𝟐 𝐤Ω
Se alege R2 = 422kΩ, Cc = 0.1F și, respectiv, Rb = 100 kΩ >> Ra, rezistența de intrare a
etajului, 𝐑𝐞𝐜𝐡𝐭𝐨𝐭𝐚𝐥 = Ra || RB ≅ Ra ≅ Rint = 2.5kΩ. Capacitatea de intrare a amplificatorului este
dată de suma dintre capacitatea de intrare a tranzistorului și capacitatea parazită a montajului.
Rezultă, pentru capacitatea de intrare a amplificatorului, valoarea C = 10 pF.
1
1+𝑥 1−𝛾 2
𝐾 = −1 + [1 + 16 ∙ ∙( )]
𝑥2 (2 − 𝛾)2
Pentru x = 0.5 => K = 3,044 (avalanșă din
siliciu)
2+𝑥
1 1 1+𝑥
2 ∙ (1 − 𝛾) 1+𝑥 (2 − 𝛾 ) ∙ ( )∙𝐾+1
𝐾
2 1 2+𝛾
𝐿=[ ] 2 ]} => 𝑳 = 𝟏, 𝟓𝟔𝟕
( −𝛾 )
𝐾∙2 · {[ + 1] + [
2 ∙ (1 − 𝛾 )
Energia minimă a semnalului de la intrarea receptorului se calculează cu relația:
ℎ∙𝜗
2+𝑥 𝑥 1
𝑏𝑂𝑁𝑚𝑖𝑛 = 𝑄1+𝑥 ·
( ) · 𝑊2+2𝑥 ∙ 𝐼 1+𝑥 · 𝐿
2
ɳ
Unde W este caracteristica de zgomot termic, în acest caz îl notăm cu WHZ-TB
2 ∙ kb ∙ T Tb β+1 2π ∙ C 2
WHZ−TB = ∙
∙[ ∙ I2 + ( b ) ∙ Rint ∙ I3]
q2 R int β T
=> 𝐖𝐇𝐙−𝐓𝐁 = 𝟔, 𝟓𝟖 ∙ 𝟏𝟎𝟔
=>𝐛𝐎𝐍 𝐦𝐢𝐧 =0,725·10-15 J
Puterea minimă a semnalului necesară receptorului, adică sensibilitatea, este:
bON
min
P= => 𝐏
=36,35 · 10-9 W
r Tb 𝐫
P[W]
Pr[dBm] = 10 ∙ log10 => 𝐏[𝐝𝐁𝐦] = −𝟒𝟓, 𝟔 𝐝𝐁𝐦
1 mW
Banda receptorului este:
1
BHZ−TZ = · => 𝐁𝐇𝐙−𝐓𝐙 = 𝟏𝟎 𝐌𝐇𝐳
4 ∙ Rin C
Timpul de creștere al receptorului
este:
350
350
trx = [ns] =
Brx [MHz] B HZ−TZ [ns] => 𝐭𝐫𝐱 = 𝟑𝟓 𝐧𝐬
[MHz]
b) Amplificator cu impendanță ridicată cu tranzistor cu efect de câmp, FET
Alegem din catalog tranzistorul BF245 cu următorii parametrii: Vp = - 3V, IG = 5 mA, gm
𝒎𝑨
=5 = 𝟓 𝑺, ID = 1 mA, C = 10 pF, UGS = 1,5 V
𝑽
Alegem tensiunea drenă-sursă UDS > 𝑈𝐷𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎ț𝑖𝑒 pentru ca tranzistorul să funcționeze cu zona
activă: 2 V.
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝐷 + 𝑈𝐷𝑆 − 𝑈𝐺𝑆
Rechtotal = 1 1
+ ≅ RB => am ales 𝐑𝐁 = 𝟐, 𝟓 𝐤Ω
Ra RB
𝑊𝐻𝑍−𝐹𝐸𝑇 = 2 ∙ 𝐾2𝐵 ∙ 𝑇 · [( 1 + 4 1 2𝜋 ∙ 𝐶 2 4 𝐼3
𝑞 ∙ 2 ) ∙ 𝐼2 + ( ) ∙ ∙ ]
𝑇𝑏 𝑅𝐵 3 𝑔𝑚 ∙ 𝑅𝐵 𝑇𝑏 3 𝑔𝑚
=> 𝑾𝑯𝒁−𝑭𝑬𝑻 = 𝟏𝟔, 𝟏𝟑 · 𝟏𝟎𝟔
Energia minimă a semnalului se calculează cu aceeași formulă folosită la punctul a) și are
valoarea:
𝐛𝐎𝐍 𝐦𝐢𝐧 =0.820·10-15 J
Sensibilitatea receptorului este:
bONmin
P= => 𝐏
= 𝟒𝟑, 𝟎𝟗 ∙ 𝟏𝟎−𝟗𝐉/𝐬 [𝐖]
r 𝐫
Tb
P[W]
Pr[dBm] = 10 ∙ log10 => 𝐏[𝐝𝐁𝐦] = −𝟒𝟔. 𝟑𝟒 𝐝𝐁𝐦
1 mW
Banda receptorului este:
1
BHZ−FET = · => 𝐁𝐇𝐙−𝐅𝐄𝐓 = 𝟖. 𝟑𝟑 𝐌𝐇𝐳
4 ∙ Rin C
Timpul de creștere al receptorului este același ca și cel de la punctul a):
350
trx = [ns] => 𝐭𝐫𝐱 = 𝟒𝟐. 𝟎𝟏 𝐧𝐬
Brx [
MHz]
R3 ∙ h21e
A = h11e
=>𝑩𝑻𝒁−𝑻𝑩 = 𝟒 𝑮𝑯𝒛
Timpul de creștere al receptorului este același ca și cel de la punctul a):
350
trx = [ns] => 𝐭𝐫𝐱 = 𝟎. 𝟎𝟖𝟕𝟓 𝐧𝐬
Brx [
MHz]
d) Amplificator cu transimpendață și cu tranzistor cu efect de câmp, FET
Similar cu punctul c), se conectează o rezistență Rf și în cazul amplificatorului cu FET de la
punctul b).
Alegând aceeași valoare pentru Rf = 2.5 MΩ și considerând valorile pentru K și L cele calculate
la punctul a), tensiunea de zgomot se calculează cu relația:
W =W T T ∙ I2 = 𝟏𝟔. 𝟏𝟖𝟕 ∙ 𝟏𝟎𝟔
+ B ∙ 2 ∙ kB ∙ => 𝐖
TZ−FET HZ−FET 𝐓𝐙−𝐅𝐄𝐓
q2 Rf
Cazuri posibile:
a) FO multimod și LED GaAlAs:
-
receptor de tip HZ-TB: tsist = 39,45 ns
-
receptor de tip HZ-FET: tsist = 45,78 ns
-
receptor de tip TZ-TB: tsist = 18,21 ns
-
receptor de tip TZ-FET: tsist = 18,21 ns
b) FO multimod și LED InGaAsP:
-
receptor de tip HZ-TB: tsist = 36,91 ns
-
receptor de tip HZ-FET: tsist = 43,6 ns
-
receptor de tip TZ-TB: tsist = 11,72 ns
-
receptor de tip TZ-FET: tsist = 11,7 ns
c) FO monomod și LED InGaAsP:
-
receptor de tip HZ-TB: tsist = 36,74 ns
-
receptor de tip HZ-FET: tsist = 43,46 ns
-
receptor de tip TZ-TB: tsist = 11,2 ns
-
receptor de tip TZ-FET: tsist = 11,2 ns
d) FO monomod și GaAlAs:
-
receptor de tip HZ-TB: tsist = 37,73 ns
-
receptor de tip HZ-FET: tsist = 44,64 ns
-
receptor de tip TZ-TB: tsist = 14,09 ns
-
receptor de tip TZ-FET: tsist = 14.09 ns
Se observă că timpii de creștere ai sistemului sunt mai mici decât 70%Tb doar în cazurile
LED InGaAsP și receptoarele în varianta cu transimpendanță. Aceasta înseamnă că putem
transmite NRZ doar în 4 cazuri.
În nici un caz nu putem transmite RZ.
D. Bilanțul puterilor
Puterea optică cuplată în fibră depinde de puterea sursei este Ps și de apertura numerică NA.
Ps' = Ps · (NA) 2
a) pentru FO multimod:
Ps'=0.1 mW
𝑃[𝑊]
𝑃 ′[𝑑𝐵𝑚] = 10 ∙ 𝑙𝑜𝑔 => 𝑃 ′[𝑑𝐵𝑚] = -10 dBm
𝑆 10 1 𝑚𝑊 𝑆
b) pentru FO monomod:
Ps'=0.16 𝜇 W
𝑃𝑆′[𝑑𝐵𝑚] = -37,95 dBm
Puterea minimă necesară la intrarea receptorului este dată de relația: 𝑃𝑅𝑚𝑖𝑛 = 𝑃𝑆′ − 𝑃𝑇
unde PT reprezintă puterea optica pierdută pe lanțul de transmisie și care se calculează cu relația:
𝑃𝑇 = 𝑚 ∙ 𝑙𝑐 + 𝑛 ∙ 𝑙𝑠 + 𝛼𝐹𝑂 ∙ 𝐿 + 𝑎𝑟𝑒𝑧
unde:
-
m este numărul de cuplări
-
lC este atenuarea de cuplare
-
n este numărul de suduri
-
lS este atenuarea de sudare
-
FO este atenuarea fibrei
-
arez este atenuare de rezervă
E. Costuri
Se impune realizarea sistemului de transmisie cu costuri cât mai mici.
Deoarece LED-ul din GaAlAs este mai ieftin decât cel din InGaAsP, iar prețul celorlalte
componente electronice nu intervine, se va folosi la emițător LED-ul din GaAlAs. Prețul
emițătorului este de 30$.
La receptor cel mai scump element este fotodioda în avalanșă, care are prețul de 50*k2 =
50*5=250$. Restul circuitelor și cablajul imprimat au un cost de 6,5$.
Alte costuri:
- FO multimod: 1$/m = 4000 m = 4000 $
- 2 cuploare: 2*2,5$ = 5 $
- 7 suduri: 7*1$ = 7 $
Rezultă un preț total al sistemului de transmisie de 4300,5$.