Elemente de electronic analogic

J onctiunea pn la echilibru termodinamic

Se determin:
- lungimea regiunii de trecere,
n p
l l l + =
- nlimea barierei de potenial,
0
U



Aproximaii:

a
i
p a p i p p p p
N
n
n N p n n p n p
2
2
~ ~ = >>

d
i
n d n i n n n n
N
n
p N n n p n p n
2
2
~ ~ = >>
Model unidimensional

Deducerea lungimii regiuni de trecere

Densitatea de sarcin electric din regiunea de trecere:

| |
a a p
qN x n x p N q x l ~ + = < < ) ( ) ( 0

| |
d d n
qN x n x p N q l x ~ + = < < ) ( ) ( 0

(n zona de trecere ) (x p si ) (x n sunt neglijabile, regiune golit de purttori
mobili de sarcin)
Deci:
- pentru semiconductorul P:
p a
qp qN ~ ~
2

Elemente de electronic analogic


- pentru semiconductorul N:
n d
qn qN ~ ~
1

Se determin variaia lui ) (x u n regiunea de trecere: ) (
2
x u i ) (
1
x u
Se rezolv ecuaia lui Poisson

= Au (unde
0

r
= este
permitivitatea electric a materialului semiconductor) n cele dou regiuni
i se pun condiiile de continuitate n origine.

Zona 2

p
qp
dx
x u d
=
2
2
2
) (
cu condiiile la limit:
0
) (
0 ) (
2
2
= =
=
=
p
p
l x
l x
dx
x du
x u
Se integreaz:
1
2
) (
C x
qp
dx
x du
p
+ =

rezult:

p p
l qp
C =
1

adic:
( )
p
p
l x
qp
dx
x du
+ =

) (
2

Se integreaz:
( )
2
2
2
2
1
) ( C l x
qp
x u
p
p
+ + =

rezult:
0
2
= C i: ( )
2
1
2
1
) (
p
p
l x
qp
x u + =

Zona 1

n
qn
dx
x u d
=
2
1
2
) (

cu condiiile la limit:
0
) (
) (
1
0 1
= =
=
=
n
n
l x
l x
dx
x du
U x u
Elemente de electronic analogic


Se integreaz:
3
1
) (
C x
qn
dx
x du
n
+ =

rezult:

n n
l qn
C =
3

adic:
( )
n
n
l x
qn
dx
x du
=

) (
1

Se integreaz:
( )
4
2
1
2
1
) ( C l x
qn
x u
n
n
+ =

rezult:
0 4
U C =
i:
( )
2
0 2
2
1
) (
n
n
l x
qn
U x u =

Racordarea soluiilor:

- pentru: ) 0 ( ) 0 ( 0
2 1
u u x = = rezult:

( )
2 2 2 2
0
2
1
2
1
2
1
p p n n n
n
p
p
l p l n
q
l
qn
l
qp
U + = + =



- pentru:
0
2
0
1
) ( ) (
0
= =
= =
x x
dx
x du
dx
x du
x rezult:

n
n
p
p
l
qn
l
qp

=
de unde:
p p n n
l p l n = sau:
p
n
n
p
p
n
l
l
=

- Deoarece:
p n
l l l + = , rezult imediat:
l
n p
p
l
n p
p
n
+
= i: l
n p
n
l
n p
n
p
+
=
Elemente de electronic analogic



Se nlocuiesc:

( ) ( )
(
(

+
+
+
=
2
2 2
2
2 2
0
2
1
p n
n
p
p n
p
n
p n
n l
p
p n
p l
n
q
U

- De aici se deduce lungimea zonei de trecere:

n p
n p
n p
n p
q
U
l
+
=
0
2

Observaii:
- lungimea de trecere este mic dac zonele sunt dopate puternic;
- regiunea de trecere se extinde mai mult n zona mai puin dopat cu
impuriti.

Deducerea nlimii barierei de potenial

Varianta 1:

La echilibru termic:
0
0
= + =
= =
dx
dn
qD E qn j
dx
dp
qD E qp j
n n n
p p p

Se deduc:
dx
dn
n q
kT
E
dx
dp
p q
kT
dx
dp
p
D
E
p
p
1 1 1
= = =

Dar:

dx
du
E = i, prin artificiu elementar:
n
dn
q
kT
p
dp
q
kT
du = =

Se integreaz:
c c
n
x n
q
kT
p
x p
q
kT
x u
) (
ln
) (
ln ) ( = =

c c
n p , constante de integrare


Elemente de electronic analogic


Se expliciteaz concentraiile de purttori:
kT
x qu
c
kT
x qu
c
e n x n e p x p
) ( ) (
) ( ) ( = =



Condiii la limit:

p c p c p p
n n p p n n p p u x = = = = = ; ; 0

kT
qU
p n
kT
qU
p n
n n
e n n e p p
n n p p U u x
0 0
;
0
= =
= = =

Din ambele relaii rezult:

2 2
0
ln ln ln ln
i
d a
i
n p
n
p
p
n
n
N N
q
kT
n
n p
q
kT
p
p
q
kT
n
n
q
kT
U = = = =

Pentru valori tipice ale concentraiilor de impuriti, rezult valori de
ordinul zecimi de V:

V U cm n cm N cm N
i d a
777 , 0 / 10 ; / 10 ; / 10
0
6 20 2 3 18 3 15
= = = =

Varianta 2:

Se folosete structura de benzi energetice ale semiconductorului:


Se constat:
q
U qU
1 2
0 0 1 2
;



= + =

Elemente de electronic analogic


Dar:

kT
W
p p p
kT
W
p n n
e p l p e p l p
2 1
) ( ; ) (


A

= = = =


kT
qU
p
kT
p
kT
W
n
kT
W
n n
e p e p e e p
0 1 2 1 2 2 1

+ A

= = = =



kT
n
kT kT
n
kT
n
kT
n p p
e n e e e e n l n
1 2 1 2 1 1 2 1 2
) (

+

= = = = =

Se obin imediat relaii identice cu acelea obinute prin metoda
anterioar.