CAPITOLUL 2

ELEMENTE DE FIZICA
SEMICONDUCTORILOR

Constante fizice
Sarcina electronului
Permitivitatea spatiului liber
Tensiune termica (T = 300 K)

Masa electronului liber in repaos

e = q = 1.6 10-19 C
o = 8.86 10-14 F/cm
kT
Vth =
= 0.0259 V
q
k T = 0.0259 eV
mo = 9.11 10-31 Kg

Proprietati importante ale principalelor materiale semiconductoare

Proprietatea
Constanta retelei [A]
Temperatura de topire [oC]
Constanta dielectrica - r
Largimea benzii interzise EG [eV]
Densitatea efectiva de stari in banda
de conductie NC [cm-3]
Densitatea efectiva de stari in banda
de valenta NV [cm-3]
Concentratie intrinseca de
purtatori ni [cm-3]
Mobilitatea electronilor - n [cm2/V.s]
Mobilitatea electronilor - p [cm2/V.s]

Si
5.43
1415
11.7
1.12
2.8 1019

Ge
5.65
937
16.0
0.66
1.04 1019

GaAs
5.65
1238
13.1
1.42
4.7 1017

1.04 1019

6.0 1018

7.0 1018

1.45 1010

2.4 1013

1.8 106

1350
480

3900
1900

8500
400

Energii de ionizare ale impuritatilor [eV]

Siliciu
Germaniu

Donori
Fosfor
0.045
0.012

Arsen
0.05
0.0127

2-1

Acceptori
Bor
0.045
0.0104

Aluminiu
0.06
0.0102

CAPITOLUL 2

Relatii utile:
Conditia de neutralitate:
Echilibru termic:
Legea lui Ohm:
Ecuatiile de transport:

v = q( p 0 n 0 + N D N A ) = 0
B
n 0 p 0 = n i2 = n i2 (T ) A exp
T
r
r
j = E
= q (n n + p p )
r
r
r
r
jn = jn (drift ) + jn (dif ) = q n n E + qD n grad n
r
r
r
r
jp = jp (drift ) + jp (dif ) = q p p E q D p grad p

kT
q

Relatiile lui Einstein:

Dn = n

Dp = p

Ecuatiile de continuitate:

r
dn 1
= div jn + g n U n
dt q

kT
q

r
dp
1
= div jp + g p U p
dt
q
La nivel mic de injectie, vitezele nete de recombinare:

Up =

Un =
Distributia Fermi-Dirac:

p 'p
p

n 'p
n

p p p pO
p

n p n pO

n
1
f ( E) =
E - EF
1 + exp

kT

Concentratiile de purtatori la echilibru termic, in semiconductori nedegenerati:

E EF
n 0 = N C exp C
k T

E Ei
n 0 = n i exp F

kT

E EV
p 0 = N V exp F
k T

E EF
p 0 = n i exp i

kT

Probabilitatea de ocupare cu un electron a unui nivel energetic donor:

fd (E D ) =

1
E EF
1
1 + exp D

2
kT

Probabilitatea de ocupare cu un electron a unui nivel energetic acceptor:

fa (E A ) =

1
E EF
1 + 4 exp A

kT
2-2

ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

Aplicatii
2.I. Campul electric intern intr-un semiconductor neuniform dopat.
Se considera o bara semiconductoare dopata neuniform cu impuritati pe directia x
(figura 2.1). Avem ND = ND (x) si NA = 0. Sa se calculeze campul electric intern la
echilibru termic.
Rezolvare. Nu se aplica tensiune din exterior si nu curge curent electric. Doparea neuniforma va
provoca insa un curent de difuzie care trebuie sa fie echilibrat de un curent de cmp, deoarece
fluxul net de purtatori nu poate fi dect nul. Va apare astfel un cmp electric intern care urmeaza
sa fie calculat.
Presupunem ca materialul este practic neutru si neglijam concentratia de goluri
minoritare. Rezulta:

n (x ) N D (x )

E
(a)
N D (x)

electron

(b)
x

Figura 2.1. (a) Directia campului electric intern, orientat in sensul pozitiv al axei x si efectul
asupra unui electron. (b) Gradientul concentratiei de donori si efectul asupra unui electron.
Curentii de electroni si respectiv, de goluri trebuie sa fie separat egali cu zero in conditii
de echilibru termic (conform principiului echilibrului detaliat). In caz contrar ar trebui sa se
admita o acumulare continua, neintrerupta, de purtatori la unul din capetele barei. Rezulta:

jn = q n n E + q D n

dn
=0
dx

Ultimile doua relatii furnizeaza expresia cmpului electric intern:

E=

kT 1 d n
kT 1 d N D (x )

q n dx
q N D (x ) d x

Pentru cazul reprezentat in fig. 2.1, E este pozitiv, indreptat in sensul pozitiv al axei x si
determina deplasarea electronilor in sens opus. Driftul actioneaza in sens opus difuziei.

2-3

CAPITOLUL 2

2.II. Verificarea relatiei Einstein.

Sa se verifice relatiile lui Einstein pentru un semiconductor nedegenerat, la
echilibru termic.
Rezolvare. Se pleaca de la relatia de echilibru pentru curentul de electroni:

r
r
jn = q n o n E + q D n grad n o = 0

Se inlocuieste:

r
E = - grad

unde: - este potentialul electric macroscopic in structura.

Se utilizeaza:

E EF
n 0 = N C exp C
k T

La echilibru termic nivelul Fermi EF este constant in structura, deci:

q
1
grad n o = n o n o grad
grad E c = +
kT
kT
Facnd inlocuirile in prima relatie rezulta:

Dn = n

kT
q

Relatia pentru goluri se obtine similar.

2.III. Diferenta interna de potential intr-o proba neomogena.

Sa se determine diferenta interna de potential intre doua puncte ale unei probe
semiconductoare nedegenerate de tip n cu dopare neuniforma, la echilibru termic.
Rezolvare. In figura 2.6.a este prezentata distributia concentratiei de impuritati. Diagrama de
benzi energetice va fi reflecta aceasta neuniformitate in dopare, dupa cum se arata in figura 2.6.b.
Nivelul Fermi este constant la echilibru termic. Energia potentiala Ec = Ec (x) este variabila si
toata diagrama de benzi energetice se curbeaza in consecinta. Si nivelul Fermi intrinsec, situat
practic la jumatatea benzii interzise, devine functie de pozitie, Ei = Ei (x).

N D (x)
(log)

Energia
electronului

N D1

E c (x)

q MF2

N D2
q MF1

q 'M

EF
E i (x)
E v (x)

a)
b)
Figura 2.6 (a) Profilul de dopaj si (b) diagama de benzi energetice (orientativ) pentru o bara
semiconductoare de tip n.
2-4

ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

In cele doua puncte pozitia nivelului Fermi este data de::

F1 =

kT N D1
ln
;
q
ni

F2 =

kT N D 2
ln
q
ni

Curba benzilor corespunde unei diferente interne de potential:

= F1 - F 2 =

kT N D1
ln
q
N D2

Aceasta diferenta interna de potential apare cu plusul in stnga. Marimea lui este de circa
60 mV pentru fiecare ordin de marime diferenta intre ND1 si ND2. De exemplu, pentru ND1 = 1018
si ND2 = 1014 cm-3, este circa 0.24 V. Diferenta interna de potential evaluata mai sus
corespunde cmpului electric intern calculat anterior, camp care contracareaza difuzia provocata
de gradientul de concentratie.

Probleme propuse
2.1. Un monocristal de material semiconductor cu concentratia intrinseca ni este
dopat cu NA acceptori si ND donori pe cm3. Sa se calculeze concentratiile de
purtatori mobili de sarcina, daca monocristalul se afla la echilibru termic, la
temperatura camerei.
Rezolvare. Se presupune valabila ipoteza ionizarii complete a atomilor de impuritate. Se
utilizeaza conditia de neutralitate a sarcinii electrice si conditia de echilibru termic:

v = q( p 0 n 0 + N D N A ) = 0

n 0 p 0 = n i2
Sistemul de doua ecuatii de mai sus are doua necunoscute. Presupunem un semiconductor de
tip n (deci ND > NA). Rezulta:

n i2
n0 + N D N A = 0
n0

n 02 n 0 (N D N A ) n i2 = 0

Solutia generala a ecuatiei de gradul doi este:

2

ND NA
N NA
2
D
+ ni
2
2

Semnul (+) corespunde purtatorilor majoritari si semnul (-) purtatorilor minoritari. Deci:

N NA
N
n0 = D
+ D
2

n i2
p0 =
=
n0 N N
D
A
+
2

NA
2
+ ni
2

n i2
2

ND NA
2
+ ni

N NA
N NA
2
p0 = D
+ D
+ ni
2
2

Cea de a doua relatie pentru p0 nu poate fi utilizata practic deoarece, in general, cele doua
numere care se scad au valori foarte apropiate si eroarea cu care se obtine rezultatul este mare.
2-5

CAPITOLUL 2

In majoritatea cazurilor practice se indeplineste conditia ND NA >> ni si relatiile de mai sus

devin:

n0 N D N A

n i2
p0
ND NA

In cazul unui semiconductor de tip p (deci ND < NA) se procedeaza similar. Daca NA ND >> nI
se obtine:

p0 N A N D

n i2
n0
NA ND

2.2. Un monocristal de siliciu de tip n se afla la echilibru termic si este dopat cu

ND = 1016 cm-3 donori si NA = 0 cm-3 acceptori. Sa se calculeze concentratiile de
electroni si goluri la T = 300 K.
Rezolvare. Se considera valabila ipoteza ionizarii complete. Deoarece ND >> ni = 1.45 1010 cm-3.
Deci (problema 2.1):
n0 = 1016 cm-3
p0 = 2.1 104 cm-3

2.3. Un monocristal de germaniu de tip n se afla la echilibru termic si este dopat cu

ND = 5.0 1013 cm-3 donori si NA = 0 cm-3 acceptori. Sa se calculeze concentratiile
de electroni si goluri la T = 300 K.
Rezolvare. In cazul germaniului ni = 2.4 1013 cm-3, deci trebuiesc utilizate relatiile exacte de
calcul deduse in problema 2.1. Rezulta:
n0 = 5.97 1013 cm-3
p0 = 9.66 1012 cm-3

2.4. Un monocristal de siliciu de tip n se afla la echilibru termic si este dopat cu

ND = 1016 cm-3 donori si NA = 3 1015 cm-3 acceptori. Sa se calculeze concentratiile
de electroni si goluri la T = 300 K.
Raspuns. n0 = ND NA = 7 1015 >> ni.

P0 = 3 10 4 cm-3 .

2.5. Sa se calculeze concentratiile de echilibru pentru electroni si goluri intr-un

monocristal de siliciu la T = 300 K pentru care nivelul Fermi este situat la 0.25 eV
sub marginea benzii de conductie.
Rezolvare.

EG
(E C E F ) = 0.31 eV
2
k T = 0.026 eV
n i = 1.45 1010 cm 3
E F Ei =

E Ei
n 0 = n i exp F
= 2.19 1015 cm 3

kT
E EF
p 0 = n i exp i
= 9.62 10 4 cm 3

kT
2-6

ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

BC

Ec
EF
Ei

0.5 E G

Ev
BV

Figura 2.7. Diagrama de benzi energetice pentru problema 2.5.

2.6. Sa se calculeze concentratiile de purtatori la echilibru termic pentru germaniu,

la T = 300 K, daca pozitia nivelului Fermi este EC EF = 0.195 eV.
Raspuns. n0 = 4.32 1015 cm-3 p0 = 1.33 1011 cm-3.

2.7. Sa se calculeze concentratiile de purtatori la echilibru termic pentru siliciu, la

T = 300 K, daca pozitia nivelului Fermi este EF EV = 0.22 eV.
Raspuns. n0 = 3.03 104 cm-3 p0 = 6.93 1015 cm-3.

2.8. Un monocristal de siliciu de tip n se afla la echilibru termic si este dopat cu

ND = 1016 cm-3 donori si NA = 0 cm-3 acceptori. Sa se calculeze pozitia nivelului
Fermi fata de marginea benzii de conductie la T = 300 K.
Raspuns. EC EF = 0.21 eV

2.9. Un monocristal de siliciu de tip n se afla la echilibru termic. La T = 300 K sa

se calculeze concentratia maxima de donori pana la care statistica Boltzmann
ramane valabila. Se considera NA = 0 cm-3. Sa se repete calculul in cazul germaniu
si GaAs.
Rezolvare.

2-7

CAPITOLUL 2

BC
3kT

0.5 E G

Ec
EF
Ei
Ev

BV
Figura 2.8. Diagrama de benzi energetice pentru problema 2.9.
Intr-un semiconductor de tip n la cresterea concentratiei de impuritati nivelul Fermi EF se
apropie de marginea benzii de conductie EC. Situatia limita de la statistica clasica (Boltzmann)
nu mai este valabila este prezentata in figura 2.8. Rezulta (in conditiile aproximatiei de ionizare
completa):

E Ei
N D,MAX n 0 = n i exp F

kT
unde:

E F Ei =

EG
3k T
2

Deci:
-3

ND,MAX [cm ]

Si
1.63 1018

Ge
3.9 1017

GaAs
6.5 1016

Se observa ca GaAs ajunge in cazul semiconductorului degenerat la dopaje mult mai mici decat
Si, ceea ce face mai dificil calculul concentratiilor de purtatori mobili de sarcina pentru dopajele
uzuale din dispozitivele semiconductoare.

2.10. Un monocristal de siliciu aflat la T = 300 K contine initial numai impuritati

acceptoare cu o concentratie NA = 5 1015 cm-3. Semiconductorul este impurificat in
continuare cu impuritati donoare astfel incat nivelul Fermi ajunge la 0.215 eV sub
marginea benzii de conductie. Sa se calculeze concentratia impuritatilor donoare.
Raspuns. ND = NA + n0 = 1.34 1016 cm-3

2.11. Un monocristal de siliciu, impurificat cu fosfor, se afla la T = 300 K.

Fosforul introduce un nivel donor in banda interzisa la EC ED = 0.045 eV. Sa se
calculeze procentul de impuritati complet ionizate daca concentratia de donori este:
a) ND = 1016 cm-3; b) ND = 1017 cm-3; c) ND = 1018 cm-3;
Rezolvare. Se calculeaza in conditiile aproximatiei de ionizare completa a impuritatilor
urmatoarele marimi:
2-8

ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

1) Pozitia nivelului Fermi

N
E F E i = k T ln D
ni

a) 0.35 eV

b) 0.41 eV

c) 0.47 eV

a) 0.165 eV

b) 0.105 eV

c) 0.045 eV

a) 0.0035

b) 0.034

c) 0.262

a) 99.65 %

b) 96.6 %

c) 73.8 %

2) Distanta de la nivelul Fermi la nivelul donor

ED EF =

EG
(E C E d ) (E F E i )
2

3) Probabilitatea de ocupare a nivelului donor

fd (E D ) =

1
E EF
1
1 + exp D

2
kT

4) Procentul de impuritati complet ionizate

Pd = 1 f d

2.14. Sa se calculeze la temperatura camerei, in cazul semiconductorilor puri,

rezistivitatea unui monocristal de: a) siliciu; b) germaniu c) GaAs.
Rezolvare. Se utilizeaza relatia:

= q (n n + p p )

unde n = p = ni. Rezulta:

a) = 4.25 10-6 -1 cm-1
b) = 2.23 10-2 -1 cm-1
c) = 2.56 10-9 -1 cm-1
Rezulta ca GaAs este practic un bun izolant (cu aplicatii in circuitele integrate).

2.15. Sa se calculeze tipul impuritatilor si concentratia lor pentru a obtine la

temperatura camerei un monocristal de siliciu cu rezistivitate maxima.
Rezolvare. Datorita diferentei dintre mobilitatile electronilor si golurilor, rezistivitatea maxima
(deci conductivitatea minima) nu se obtine pentru semiconductorul intrinsec ci pentru un
semiconductor de tip p usor dopat cu acceptori. La echilibru termic:

= q (n 0 n + p0 p )

n 0 p 0 = n i2

Rezulta urmatoarea functie de p0 pentru care trebuie gasit minimul prin derivare:

n i2 n
= (p 0 ) = q (
+ p0 p )
p0

d
=0
d p0

Solutia este:

p 0 = n i n = 4.1 1010 cm 3
p

n i2
n0 =
= 5.16 10 9 cm 3
p0

Conductivitatea rezulta = 4.26 10-6 -1 cm-1 si rezistivitatea = 2.35 105 cm.

2.16. Un semiconductor din siliciu compensat de tip n are o conductivitate

= 16 ( cm)-1 si o concentratie de impuritati acceptoare de NA = 5 1015 cm-3.
Considerand mobilitatea independenta de concentratia de impuritati, sa se
calculeze concentratia de impuritati donoare la temperatura camerei.
2-9

CAPITOLUL 2

Rezolvare. Semiconductorul este de tip n deci ND > NA iar datorita faptului ca conductivitatea
este mult mai mare decat cea a semiconductorului intrinsec rezulta ND NA >> ni. Deci, cu
ipoteza ionizarii complete:

= q ( n 0 n + p 0 p ) q n 0 n = q (N D N A ) n

Rezulta: ND = 7.91 1016 cm-3.

2.17. Sa se determine, la temperatura camerei, campul electric indus intr-un

semiconductor de tip n, neuniform dopat.
Distributia de impuritati pentru 0 x 1 m (x este in cm) este:
N D ( x ) = 1016 1019 x [cm -3 ]
Care este diferenta interna de potential intre capetele intervalului ?
Rezolvare. Aceasta este un exemplu numeric pentru aplicatia 2.I. A rezultat:

E=

kT 1 d n
kT 1 d N D (x )

q n dx
q N D (x ) d x

Cu expresia data pentru concentratia de impuritati, rezulta expresia campului electric intern:

E(x ) =

0.026 1019
16

10

10 x
19

[ V / cm]

Diferenta interna de potential se obtine fie prin integrarea in functie de x a relatiei de mai sus, fie
utilizand rezultatele obtinute la aplicatia 2.V.:

kT N D (0) kT 1016
ln
ln
=
=
= 0.06 V
q N D 10 4 cm q 1015

2.18. Intr-o proba de siliciu de tip n, aflata la temperatura camerei, coeficientul de

difuzie al electronilor este Dn = 25 cm2/s. Dopajul variaza liniar cu distanta de la
n(0) pentru x = 0 la 5 1014 cm-3 pentru x = 0.01 cm. Daca densitatea curentului de
difuzie este Jn = 0.19 A/cm2, sa se calculeze n(0).
Rezolvare.

n (x)
n (0)

5 10

14

x
0.01 cm

Figura.2.9. Distributia concentratiei de purtatori pentru problema 2.18.

2 - 10

ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

Deoarece ND >> ni si la temperatura camerei ipoteza ionizarii complete este valabila, rezulta
distributia concentratiei de electroni din figura 2.9. Expresia curentului de difuzie de electroni
este:

5 1014 n (0)
dn
= 0.19
= q Dn
jn (dif ) = q D n
0.01 0
dx

Rezolvand ecuatia de mai sus rezulta n(0) = 9.75 1014 cm-3.

2.19. Concentratia de electroni dintr-o proba de siliciu aflata la temperatura

camerei este data de:
x
n( x ) = 1016 exp - [cm 3 ]
18
unde x este masurat in m si este cuprins in intervalul 0 x 25 m.
Coeficientul de difuzie al electronilor este Dn = 25 cm2/s iar mobilitatea lor este
n = 960 cm2/Vs. Densitatea totala a curentului de electroni este constanta in proba
si este egala cu jn = - 40 A/cm2 si are atat componenta de difuzie cat si componenta
de drift. Sa se calculeze distributia campului electric in functie de x in proba.
Rezolvare. Expresia densitatii curentului total de electroni in proba este:

r
r
r
r
dn
= const
jn = jn (drift ) + jn (dif ) = q n n E + qD n
dx
dn
jn qD n
dx
Expresia campului electric rezulta
E( x ) =
q nn

Tinand cont de unitatea de masura a lui x (1 m = 10-4 cm) rezulta:

dn
x
= 5.56 1018 exp
dx
18
rezulta expresia campului electric:

x
E( x ) = 14.44 26 exp
18

[ V / cm]

2.20. O proba de material semiconductor aflata la echilibru termic (curent total

zero) are o concentratie de donori care variaza dupa legea:
N D ( x ) = N D,O exp (- x )

unde 0 x 1/ si ND,O este o constanta. Sa se determine in functie de x distributia

campului electric si diferenta de potential intre x = 0 si x = 1/.
Rezolvare. Se lucreaza in conditiile aproximatiei ionizarii complete deci n0 = ND. La echilibru
termic:

r
r
r
r
dn
jn = jn (drift ) + jn (dif ) = q n n E + qD n
dx

Rezulta:
2 - 11

CAPITOLUL 2

E=

kT 1 d N D (x )
kT d ln[N D (x )] kT
=
=
= const.
q N D (x ) d x
q
dx
q

Calculul diferentei de potential poate fi facut cu rezultatele aplicatiei 2.V sau direct, tinand cont
de campul electric constant:

kT
q

2.21. Intr-o bara semiconductoare de tip p, concentratia de purtatori variaza liniar

intre p(0) > p0 si p(W) = p0. Se considera: p(0) = 103 p0.
a) Sa se calculeze expresia densitatii de curent de goluri de difuzie;
b) Sa se calculeze, la temperatura camerei, diferenta interna de potential intre
x = 0 si x = W.
Raspuns.
a) j p (dif ) = 999
b) = 0.18 V

q D p p0
W

2.22. La unul din capetele unei bare semiconductoare de tip n, semiinfinite, aflate
intr-un circuit electric inchis, se injecteaza goluri astfel incat concentratia lor in
sectiune de injectie se mentine constanta p(0). Ce conditie trebuie sa satisfaca
campul electric din semiconductor, pentru ca componenta de camp a curentului de
goluri sa fie neglijabila in raport cu componenta de difuzie ?

2 - 12