DISPOZITIVE ELECTRONICE

2 C Prof.dr.ing. Gabriel Oltean

1 / 11

Obiectivul cursului
Dezvoltarea abilitilor pentru:
analiza i nelegerea principiilor de funcionare ale dispozitivelor electronice utilizarea dispozitivelor n diverse circuite electronice analiza i (re)proiectarea de circuite electronice simple

2 / 11

Descriere curs
structur unitar - aceeai metodologie de tratare pentru dispozitivele electronice : diode, tiristoare, amplificatoare operaionale i tranzistoare. principiul de funcionare - model puternic simplificat (ideal). se revine cu modele mai complexe, sau se studiaz efectele proprietilor neideale i eventuale mijloace de contracarare a lor.

3 / 11

Descriere curs
sunt deduse modurile de utilizare ale fiecrui dispozitiv: n comutare (toate dispozitivele), respectiv n conducie permanent (diode) sau ca amplificator (amplificatoare operaionale i tranzistoare). pentru fiecare dispozitiv este analizat mai nti modul de utilizare n comutare, iar mai apoi modul de utilizare n conducie permanent sau ca amplificator. utilitatea dispozitivelor electronice: aplicaii reprezentative.

4 / 11

Continut
Relaii si teoreme de circuite electrice Condensatorul i bobina Generalizarea relaiilor si teoremelor de circuite electrice Circuite RC - rspunsul n frecven si in timp

Semnale electrice

FUNDAMENTE

Diode:
Tipuri, principiul de functionare, caracteristici, parametri. Circuite cu diode. Dioda Zener
TIRISTOARE

5 / 11

Continut
Amplificatorul operational (AO):
AO ideal, principiul de functionare, caracteristici, parametri. Moduri de utilizare Comparatoare de tensiune cu AO. Amplificatoare cu AO.

6 / 11

Continut
Tranzistoare (cu efect de camp si bipolare):
Tipuri, principiul de functionare, caracteristici, parametri. Circuite cu tranzistoare in comutare. Polarizarea tranzistoarelor (PSF). Amplificatoare fundamentale cu tranzistoare.
7 / 11

Desfasurare activitate curs

Implicare cat mai mare a studentilor Fiecare student pregateste (invata) apriori tematica cursului Curs: prezentare teorie, dezbatere, intrebari, comentarii, schimburi de idei, rezolvare probleme, etc.

http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/de/de.htm
prezentari de curs lucrari de laborator tematica pentru examen exemple de probleme date la examene diverse

8 / 11

9 / 11

Notare
Examen scris final (E) + Laborator (L) + Teste (T) E: scris teorie 30% + probleme 70%: 010 puncte L: prezenta integrala + activitate: 010 puncte T: 3 teste la curs: 010 puncte

E4p

Da

L 5 p

Da

0,6E+0,2L+0,2T 4.5
Da

Nota =1 4.49 respins

Nota=0,6E+0,2L+0,2T+1 Admis
10 /10
10 / 11

11 / 11

Fundamente

Text integral
1 / 20

Scopul capitolului:

S fim narmai cu mijloace i instrumente de lucru tocmai potrivite pentru nelegerea principiilor de funcionare ale dispozitivelor electronice i a principalelor lor aplicaii.

2 / 20

Coninut
semnale electrice relaiile i teoremele utilizate n circuitele electronice surse de tensiune i curent componentele pasive circute RC - comportare in frecventa si in timp
3 / 20

Semnale electrice

4 / 20

Surse. Notaii

5 / 20

Relatii si teoreme de circuite electrice

Legea lui Ohm Teoremele lui Kirchhoff (TKV si TKI) Conectarea rezistoarelor Divizoare rezistive

6 / 20

Metoda suprapunerii efectelor

V0 = V01+V02
7 / 20

Teorema lui Thevenin (generatorul echivalent de tensiune)

8 / 20

Teorema lui Millman (poteniale la noduri)

Teorema lui Millman (poteniale la noduri)

VN = ?

9 / 20

Puterea. Transferul de putere

10 / 20

Condensatorul si bobina Relaia tensiune curent Conectarea serie i paralel Comportarea n cc Comportarea n ca

11 / 20

Circuit RC cu sursa de tensiune

Ecuaia condensatorului

C dvC (t ) = iC (t ) t

vC (t ) = vC (0)e + (1 e )vC ()
12 / 20

Circuit RC cu sursa de tensiune

vC (t ) = vC (0)e + (1 e )vC ()

13 / 20

Circuit RC - rspunsul n timp

i (t ) = vI (t ) vO (t )
CdvO (t ) = i (t )dt ; dvO (t ) i (t ) = C dt

Ri (t ) + vO (t ) = v I (t )

dvO (t ) RC + vO (t ) = v I (t ) dt

vO (t ) = ?
14 / 20

T T 5 << ; << 2 10

T = 5 2

15 / 20

 >> T
A

Calculeaza valoarea medie a tensiunii de intrare

16 / 20

ncrcarea C la curent constant

1 vC (t ) = It C
17 / 20

Comportarea n c.a.
Reactana

1 ; pentru condensator XC = C X L = L; pentru bobin

Z = R + j(X L X C )

Impedana

Z C = R jX C ;
Elemente reactive ideale

Z L = R + jX L

1 Zc = ; jC

Z L = jL

18 / 20

Circuit RC - rspunsul n frecven

1 F ( j ) = 1 + jRC

F ( j ) =

1 1 + (RC )
2

( ) = arctg(RC)
19 / 20

Reprezentarea rspunsului n frecven

1 F ( j ) = 1 + jRC

FTJ

20 / 20

Dioda semiconductoare

1/5

Introducere

Simbol

Asocierea sensurilor pentru curent i tensiune

2/5

Dioda ideal
Modelul ideal (dioda ideal ) conine doar proprietatea de conducie unilateral a curentului

Caracteristica diodei ideale

3/5

Dioda ideal
Dioda ideal se comport ca un comutator automat care interzice total trecerea curentului dac tensiunea la borne este negativ (b), respectiv permite trecerea curentului dac tensiunea la borne tinde s devin pozitiv (c).

Modele echivalente ale D ideale

Conductie

Blocare
4/5

Regimuri de functionare
Regim de comutare - dispozitivul comut (automat,
semicomandat sau comandat) ntre dou stri extreme: blocare, cnd mpiedic complet trecerea curentului conducie puternic cnd permite trecerea curentului, valoarea acestuia fiind stabilit de alte elemente din circuit (surse, R, C,etc.)

Regim de conducie permanent (moderat) cnd

dispozitivul controleaz (determin) valoarea diferit de zero a curentului ce trece prin el.

5/5

Dipori DR n comutare

Analiza diporilor DR CSTV - caracteristica static de transfer n tensiune

se consider toate situaiile posibile din combinarea strilor de conducie i blocare ale diodelor n circuit pentru fiecare situaie se determin : schema echivalent valoarea vO domeniul de valori ale vI pentru situaia respectiv
1/12

se deseneaz CSTV.

Exemplificare

vD < 0

iD = 0

iD > 0

vD = 0

vO = 0 v D = v I vO vI < 0

vI iD = R

vO = v I

vI > 0

2/12

vO =

vI < 0

vI

vI > 0

CSTV Caracteristica statica de transfer in tensiune

3/12

4/12

Alte modaliti de conectare

Inversarea locului diodei si rezistenei Iesirea de pe D Diport DR, conectare paralel ?

?
Structura echivalent pentru situaie de avarie

vI > 0

Important Niciodat nu vom conecta o surs de tensiune astfel nct n timpul functionrii normale a circuitului s fie pus n scurtcircuit

5/12

Dipori cu rezisten de sarcina

Aceasi CSTV Comparatie

6/12

Modelul diodei cu cdere de tensiune constant in conductie

Pentru polarizarea direct vD>0: cnd cnd vD<0.7V; vD=0.7V; D-(b); D-(c); iD=0 iD>0
7/12

Efectul cderii de tensiune pe dioda in conducie

8/12

9/12

Aplicaii ale diporilor DR

Redresoare monoalternan

10/12

Aplicaii ale diporilor DR

Selector de impulsuri

11/12

Aplicaii ale diporilor DR

Limitatoare de tensiune

12/12

Multipori DR n comutare
Multipori de maxim spaial

vA < vB vO = vB

vA > vB vO = vA
1/8

vO (t)= max(vA(t); vB(t))

vO= max(vA , vB , 0). vO= max(vA 0,7; vB 0,7V; 0).

D- ideala D cu cadere de tensiune

2/8

Multipori de minim spaial

vO= min(vA, vB, VAl) vO= min(vA+ 0.7V, vB+ 0.7V, VAl) vO(t) ?
3/8

Aplicaii ale multiporilor DR

Redresare dubl alternanta

VI>0V

VI<0V

4/8

Alimentarea de rezerv de la acumulator

5/8

Circuite logice DR
Semnal analogic logic

0 logic 1 logic

fals
sau

sczut
sau

adevrat

ridicat

0V 0logic 10V1logic
6/8

Circuit SAU cu dou intrri

7/8

Circuit si cu trei intrri

8/8

Dipori DC n comutare
Propriettile de regim static (cum ar fi CSTV) ale diportului DC nu prezint interes n aplicaii. Este util s studiem comportarea lor n domeniul timp n regim variabil

Dipori DC de extrem temporal

vD tinde s fie pozitiv, dioda conduce, vC(t) crete vD<0V, dioda este blocat, vC (t)=constant
1 /13

vD (t) = vI (t) vO(t)

Detector de varf pozitiv

2 /13

Dipori DC de translatie

vO(t)=vI(t)-vC(t)
Translatie spre valori negative

3 /13

vO = vI+vC VC > 0
Translatie spre valori pozitive

4 /13

Aplicaii ale diporilor DC

Dublor de tensiune varianta 1

5 /13

 Dublor de tensiune varianta 2

6 /13

V+

V-

C1 V01 Vi 22n D1 D1N4448

D2 V02 D1N4448 C2 22n

V1 = +5V V2 = -5V PER = 1ms

7 /13

V+

V-

C1 V01 Vi 22n D1 D1N4448

D2 V02 D1N4448 C2 22n

V1 = +5V V2 = -10V PER = 1ms

8 /13

Triplorul de tensiune - facultativ

9 /13

Redresoare cu filtru capacitiv

RC >> T
pentru

v << V I
VI I= R

Curentul de descarcare poate fi aproximat

t d = T ti T

Cv = It

T VI v = RC

1 v = VI fRC

- ondulatie (riplu)

10 /13

Exemplificare
VI = 10V f=50Hz, RL = 100
C=?

v < 1.5 V

alegem un condensator electrolitic C=1500F/25V .

11 /13

Demodulator pentru modularea n amplitudine

12 /13

Restabilirea componentei continue - facultativ

Ca i aplicaie considerm un semnal dreptunghiular care a fost transmis pe o linie cu cuplare capacitiv. Datorit cuplrii capacitive semnalul i-a pierdut componenta continu iniial. Dup trecerea prin circuitul de translaie spre valori pozitive nivelul de curent continuu al semnalului este restabilit.
13 /13

Circuite cu diode n conducie permanent

Curentul prin diod i tensiunea pe diod sunt legate prin ecuaia de funcionare a diodei o cdere de tensiune pe diod determin valoarea curentului prin ea o valoare a curentului prin diod determin cderea de tensiune pe ea

1 /14

Caracteristica diodei
Caracteristica curent-tensiune, pentru o diod semiconductoare cu Si.

2 /14

Polarizare direct
i D = I S (e
VT = KT q
vD nVT

1)

Ecuatia este valabila in regiunea de polarizare directa, vD > 0.

IS - curentul de saturaie
tensiunea termica

VT = 25mV la temp ambianta (aprox 20O C)

n=2 pentru diode discrete n=1 pentru diode din CI

i D >> I S

iD I S e

vD nVT
3 /14

Dependena de temperatur
iD I S e
vD nVT

IS, VT - depind direct de temperatura

la curent constant, la o cretere a temperaturii cu 10C , tensiunea pe diod scade cu 2mV
CT = 2mV/ C

v D (T2 ) = v D (T1 ) + CT (T2 T1 ) I

D cst

4 /14

Analiza circuitelor cu diode

ID=? VD=?
VD nVT

ID = ISe
VD nVT

VI = I D R + VD
Ecuaie transcendent

VI VD = RI S e

Dou metode aproximative de rezolvare: 1. Metoda grafic 2. Metoda analitic (aproximri succesive)
5 /14

Metoda grafic
Ecuatia dreptei de sarcina:

VI = I D R + VD
Ecuatia diodei:
VD nVT

ID = ISe

6 /14

Metoda grafic
Efectul rezistentei asupra PSF (punct static de functionare)

7 /14

Metoda analitic
1. Se consider o valoare iniial a tensiunii pe diod, de ex. VD(0) =0,7V i se determin curentul prin diod ID(0) folosind ecuaia dreptei de sarcin.
(VD(0), ID(0)) soluia initiala

2. Cu valoarea ID(0) se calculeaz tensiunea pe diod din ecuaia diodei VD(1), apoi curentul ID(1) din ecuaia dreptei de sarcin.
(VD(1) , ID(1)) soluia dupa prima iteraie Astfel am parcurs o iteraie. Dac este necesar o precizie mai bun se mai efectueaz alte interaii.

In analiza manuala, rapida se utilizeaza in general solutia initiala !

8 /14

Metoda analitic - Exemplu

Se considera VI=3V, R=0,5K, iar D este 1N400x cu IS=14nA i n=2.

VD = nVT ln

ID IS

( VD0 ) = 0,7V

V VD ID = I R

( I D0) =

3 0,7 = 4,6 mA 0,5

(0 ID ) 4,6mA (1) VD = nV ln = 2 0,025 ln = 0,635 V T IS 14nA

(1 ID)

( VI VD1) 3 0,635 = = = 4,73mA R 0,5

( V D2 )

(1 I D) 4,73mA = n VT ln = 2 0,025 ln = 0,637 V 14nA IS

( VI VD2) 3 0,637 = = = 4,726mA R 0,5

( I D2)

9 /14

Parametrii diodei
Parametrii se definesc in punctul static de functionare (PSF)

Parametrii statici se definesc in regim static (c.c.) Parametrii difereniali se definesc in regim variabil
(parametrii de semnal mic)

10 /14

Parametrii statici
VD rD = ID Q
rezistena static a diodei conductana static a diodei

gD =

1 ID = rD VD

Exemplu: Q1(0,7V; 16,8mA) r D 1 Q2(0,65V; 2,3mA)

rD 2

0 ,7 = = 42 16 , 8
0,65 = = 283 2,3

gD1=24mS gD2=3,5mS

Cu cresterea curentului, dioda este in conductie mai puternica, asadar rezistenta statica este mai redusa.
11 /14

Parametrii difereniali (de semnal mic)

Un semnal variabil mic este suprapus peste marimile de cc OPTIONAL

vD(t)= VD+vd(t)
iD(t)=ID+id(t)

Rezistenta diferentiala:

vd rd = id

nVT rd = ID

v D rd = i D

Aproximarea de semnal mic:

regiune liniar in jurul lui Q
12 /14

Interpretarea rD i rd

OPTIONAL

Modelarea diodei in PSF curent continuu semnal mic (variatii)

13 /14

Exemplificare
vi

OPTIONAL

a) Care este circuitul echivalent in curent continuu? b) Considerand Q(0,64V; 4,7mA), ce valoare are rezistenta statica? c) Ce valoare are rezistenta de semnal mic in Q? d) Care este circuitul echivalent pentru variatii? e) Cum arata cronogramele vD(t), si iD(t)?

14 /14

Dioda Zener

Factorul relativ de stabilizare al DZ

vZ VZ FZ = iZ IZ

rz FZ = rZ

1 /8

Exemplu
Pentru trei diode de 0,4 W la acelai curent nominal IZ =

5 mA avem :

1) DZ 3V6 2) DZ 5V1 3) DZ 10
FZ 1

VZ = 3,6V; VZ = 5,1V; VZ = 10V;

rzmax = 95; rzmax = 60; rzmax = 15;

rZ = 0,72 K rZ = 1,02 K rZ = 2 K

95 = = 0,132 720

FZ 2

60 = = 0,059 1020
FZ 3

15 = = 0,0075 2000
2 /8

Domeniul de stabilizare al DZ

I Z max

Pd max = VZ

3 /8

Dependena de temperatur
Diodele Zener au un coeficient de temperatur CT care depinde att de tensiune ct i de curentul la care lucreaz. Diodele cu efect Zener (25V) au un coeficient de temperatur negativ (la creterea temperaturii scade VZ,). Diodele cu multiplicare n avalan au coeficient de temperatur pozitiv. n particular diodele Zener cu VZ = 5,1V, au CT~0mV/C la curent mic.

Pe de alt parte pentru DZ de 6,8V, au CT ~ 2mV/C.

Echivalentul unei diode Zener de 7,5V cu coeficientul de temperatur foarte sczut.

4 /8

Aplicaii ale DZ
Stabilizator parametric de tensiune Referinta de tensiune Limitatoare duble de tensiune Ajustarea nivelului de curent continuu al unui semnal variabil
studiem la CEF

5 /8

Referina de tensiune

Io << Iz
6 /8

Limitatoare duble de tensiune

7 /8

Ajustarea componentei continue a unui semnal variabil

8 /8

Amplificatoare operationale (AO)

CI ce conin un numr relativ mare de tranzistoare i componente pasive (n general rezistoare) pe aceeai pastil de siliciu (popularul 741 conine 24 T, 12 R, 1C); Sunt mpachetate n diverse capsule de plastic sau metal ce prezint mai multe terminale (8,14 sau 16); Foarte populare datorita versatiliatii lor; AO are caracteristici la terminale care il fac sa se comporte ca un amplificator (aproape) ideal; Optimizate pentru vitez / precizie / zgomot redus / consum redus / amplificare mare / excursia maxim a ieiri (linie la linie) / stabilitate termic / tensiuni reduse de alimentare, etc; Studiul din p.d.v. al caracteristicilor la terminale si al principalelor aplicatii
1/5

Terminalele AO

Conectarea in circuit
Observatie: n multe circuite nu se deseneaz terminalele de alimentare ale AO ci doar intrrile i ieirea, considerndu-se implicit c exist o alimentare corect.

2/5

Funcionarea AO
vD = v v
+ _

vO = av D
Modelul pentru variatii
rezistenta de iesire
tensiunea de intrare

vD

dac nici una dintre intrri nu este legat la mas nu avem un terminal comun ntre intrare i ieire

rezistenta de intrare

sursa de tensiune comandata in tensiune (STCT) - pseudosursa

3/5

AO ideal

Rezisten de intrare ri=. Aceasta are ca efect faptul c AO nu absoarbe curent pe intrri: i+=i-=0 Rezistena de ieire ro=0. Aceasta nseamn c tensiunea de ieire este independent de curentul furnizat n sarcin. Banda de frecven infinit B=, adic amplificarea a este constant n tot domeniul de frecvene, inclusiv n cc. Amplificarea infinit: a=
4/5

? Care este valoarea tensiunii de iesire, avnd n vedere ecuaia de funcionare a AO, care devine: vO=avD=vD ?
Utilizarea ca si comparator, n comutare. vO=VOH +VAl vD >0; vO +, vO va fi limitat vD<0, vO -, vO va fi limitat vO=VOL-VAl vO poate lua doar dou valori extreme Utilizarea ca amplificator vO(VOL ; VOH) vO poate lua o infinitate de valori intre cele doua valori extreme este necesar cavD=0. Apare nedeterminarea: vO=avD=0 vD poate fi inut la 0 prin conectarea unor rezistene n exteriorul AO ntr-o configuraie cu reactie negativ. Aceste rezistene mpreun cu AO menin vD la zero i stabilesc valoarea tensiunii de iesire amplificatoare cu AO 5/5

AO comparator
AO este utilizat in comutare => comparatoare cu AO
Comparator de tensiune: circuit care semnalizeaz prin dou valori diferite ale tensiunii de ieire starea relativ a dou tensiuni aplicate la intrare

compararea tensiunilor: prin semnul diferentei dintre ele in functie de semn, comparatorul raspunde cu una sau alta dintre cele doua valorile disponibile la iesire pentru comparator putem considera o singur intrare i anume diferena ntre v+ i v-, adic vD vD>0, adic v+>v- , vO=vOH VO {VOL , VOH} vD<0, adic v+<v- , vO=vOL
1 / 11

Modelare AO in comutare

CSTV ?

Potrivit pentru AO linie-la-linie

2 / 11

Comparatoare simple
Comparatoare simple, fara reactie, cu o singura tensiune de prag; Comparatoare cu histerezis (cu reactie pozitiva), cu doua tensiuni de prag; Tensiunea de prag VP : acea valoare particular a tensiunii de intrare vI pentru care are loc comutarea tensiunii de iesire, (pentru care vD=0). Determinarea tensiunii de prag: se determina expresia vD se pune conditia vD=0 si se inlocuieste vI cu VP se determina VP
3 / 11

Comparatoare cu VP = 0
neinversor

vD = v + v v = vI ; v = 0 vD = vI v D = 0; VP = 0
4 / 11

Comparatoare cu VP = 0
inversor

Cum arata tensiunea de iesire daca tensiunea de intrare este o tensiune sinusoidala cu amplitudine de 3V si alimentarea este V Al = 12V ?
5 / 11

Comparatoare cu VP 0

vD = v + v v D = v I VREF v D = 0; VP = VREF
CSTV ?

i+ << crt prin divizorul R1, R2 (i+0)

VREF

R1 V Al = R1 + R2

6 / 11

Exemplificare

Reproiectare:
inversor Vp= +6V ? CSTV

? vO(t)
7 / 11

AO speciale pentru comparatoare

amplificatoarele operaionale uzuale comparatoare clas special de AO destinate utilizrii ca i comparatoare, cum ar fi: LM 306, LM 311 ,LM 399, LM 393, LM 339 :

tensiuni difereniale de intrare mari rspuns foarte rapid (vitez foarte mare de cretere
a tensiunii de ieire) uzual comparatoarele au ieirea de tip colector n gol (necesita conectarea la ieire a unei rezistene externe R ctre un potenial pozitiv) pot prezenta terminal de mas, care nu se ntlnete la AO uzuale
8 /11

Aplicaii ale comparatoarelor simple

Circuite logice Interfaare ntre circuite analogice i circuite logice Formarea de semnal dreptunghiular din semnalul sinusoidal (sau triunghiular) Indicator optic de nivel Modularea n durat a impulsurilor Circuitele de semnalizare i comand, convertoare analog-digitale, circuite de modulare a impulsurilor n lime, etc.

9 /11

Indicator optic de nivel

10 /11

Interfaare ntre circuite analogice i circuite logice

Circuit logic

11 /11

Comparatoare cu histerezis
Comparatoarele simple, fr reacie au dou dezavantaje: Pentru un semnal de intrare cu variaie lent comutarea ieirii dintr-o valoare n alta poate fi lent. Dac semnalul de intrare conine zgomot la ieire vom avea comutri multiple nedorite, cnd semnalul de intrare trece prin valoarea de prag. Nu mai sunt comutari nedorite

Cum implementam aceasta CSTV ?

1/8

Solutie:
Doua praguri de comparare VPH si VPL Doua valori distincte ale vO: VOH si VOL comutarea are loc la VPH numai daca vO=VOH comutarea are loc la VPL numai daca vO=VOL Valorile tensiunilor de prag sa depinda de valoarea tensiunii de iesire Tensiunea de iesire adusa la intrare: reactie pozitiva (sa intareasca efectul): aducerea unei fraciuni din tensiunea de ieire la intrarea neinversoare a AO prin intermediul unui divizor rezistiv

2/8

Comparator inversor cu histerezis

vO

CSTV ?

vI

R1 vO v = R1 + R2
+

vD = 0

R1 vO = VP R1 + R2
VPH

v _ = vI

R1 vD = vO v I R1 + R2

VPL

R1 VOL = R1 + R2

R1 VOH = R1 + R2
3/8

V P = V PH V PL

R1 (VOH VOL ) = R1 + R2

sensul de parcurgere al histerezisului la un anumit moment este activ doar un singur prag comparatoarele cu histerezis sunt circuite bistabile semnalul de intrare declaneaz aciunea de comutare a ieirii, procesul de comutare fiind continuat de reacia pozitiv: consideram vO=VOL , vI>VPL vI ; cand vI trece prin VPL: vI , vD , vO , v+, vD, vO RP procesul va continua de la sine datorit RP pn cnd ieirea ajunge n cealalta stare, VOH comutare rapid circuite basculante bistabile (CBB) sau trigger Schmitt
4/8

Exemplificare

CSTV ?

5/8

Comparator inversor cu Comparator inversor cu praguri nesimetrice praguri nesimetrice

Circuit ?

R1 R2 v = vO + VREF R1 + R2 R1 + R2 R1 R2 + vD = v v = vO + VREF vI R1 + R2 R1 + R2
+

VPL
V PH

R2 R1 = VOL + VREF R1 + R2 R1 + R2

R2 R1 = VOH + V REF R1 + R2 R1 + R2
6/8

Comparator neinversor cu histerezis

R1 R2 vD = v v = vO + vI 0 R1 + R2 R1 + R2
+

R2 R1 vO + VP = 0 R1 + R2 R1 + R2

VPL

R1 vO VP = R2

VPH

R1 = VOH R2 R1 = VOL R2

7/8

Exemplificare

R1 R2 vD = v v = vO + v I VREF R1 + R2 R1 + R2
+

8/8

AMPLIFICATOARE ELECTRONICE
Amplificatorul electronic: triport activ ce furnizeaz la ieire un semnal xo(t) (tensiune sau curent) cu aceeai form de variaie n timp ca a semnalului de intrare xi(t) i care este capabil s furnizeze o putere mai mare dac lucreaz pe o sarcin adecvat..

Circuit liniar: x0 proportional cu xi

A - amplificare

x o ( t ) = A xi ( t )

A<0 A>0

inversor neinversor
1/11

Alimentarea amplificatoarelor
cu surse de tensiune continu i/sau surse de curent continuu. mai frecvent cu surse de tensiune Alimentare unipolara

Alimentare bipolara (diferentiala simetrica)

2/11

Circulaia i bilanul puterilor

puterea medie a semnalului de ieire Pout este mai mare dect puterea medie a semnalului de intrare Pin. Surplusul de putere la ieire este preluat din sursele de alimentare Palim+Pin=Pout+Pdisipat Palim Pout+Pdisipat =Pout/Palim un transformator ridictor de tensiune nu este amplificator
3/11

Tipuri de amplificatoare

4/11

amplificator in tensiune, alimentat diferential simetric

CSTV

regiunea activa (de amplificare):

V V v I OL ; OH A Av v v O (V OL ; V OH ;

amplificator ideal:

dvO Av = dv I

VOL=-VAl

VOH=+VAl

AO uzuale
vO (V Al + 1V...2V; + V Al 1V...2V)
AO linie la linie (bara la bara, rail-to-rail): vO ( V Al ;+V Al )

5/11

Transferul semnalului de amplificat

Observaie: Semnalul de intrare

suficient de mic pentru ca amplificatorul s lucreze n regiunea liniar din jurul PSF:

aproximare de semnal mic

6/11

Modele ale amplificatoarelor

diport: se refer explicit doar la comportarea la porile de intrare i ieire, alimentarea fiind considerat implicit valabile indiferent de complexitatea intern a amplificatoarelor pe care le modeleaz valabile n domeniul frecvenelor din banda de trecere

Surse comandate liniare (SCL)

dipori activi - un singur parametru finit i nenul: transferul direct semnalul de iesire este comandat de semnalul de intrare pseodosurse Exemplu: STCT vO = av vi
7/11

Modelarea amplificatorului in tensiune

vo av = vi
Ri - va absoarbi curent de la sursa de semnal, Ro - diminuarea tensiunii de iesise la lucrul in sarcina

Conectarea amplificatorului cu o sursa reala de semnal si cu sarcina

vo Av = vs
Ri RL Av = av Rs + Ri RL + Ro
Amplificator ideal ?
8/11

Av este cu att mai apropiat de amplificarea la mers n gol av cu ct se reduc pierderile de tensiune la intrare (pe Rs) i la ieire (pe Ro)

Ri>>Rs - toat tensiunea sursei sa ajung la intrarea amplificatorului Ro<<RL - toat tensiunea SCL s ajung pe rezistena de sarcin
amplificator n tensiune ideal

Ri = ;

Ro = 0

9/11

Determinarea parametrilor amplificatoarelor

amplificarea (factorul de transfer direct) rezistenta de intrare rezistenta de iesire

Amplificarea
analiza circuitului folosind teoreme i relaii de circuite electrice (Kirchhoff, Ohm, etc.) i ecuaii ce descriu funcionarea dispozitivelor active. se determin mrimea de ieire n funcie de cea de intrare i prin raportul lor se deduce amplificarea

Rezistenta de intrare

vi Ri = ii
10/11

Rezistena de ieire
1.

Se pasivizeaza sursa de semnal de intrare Se aplica la iesire o sursa de test

vtest Ro = itest

2.

gol

scurtcircuit

Ro =

vo , gol io , sc
11/11

AO amplificator
vO=avD=vD
Utilizarea ca amplificator vO(VOL ; VOH)
este necesar ca vD=0. Apare o nedeterminare:

vO=avD=0

vD poate fi inut la 0 prin conectarea unor impedante n exteriorul AO ntr-o configuraie cu reacie negativ. Aceste impedante mpreun cu AO menin vD la zero i
stabilesc valoarea tensiunii de ieire amplificatoare cu AO
1/16

AO cu reactie negativa - amplificator

vD = 0 v D , vO , v , v D
RN, mentine automat vD la zero

Ce posibilitati avem pentru conectarea intrarilor ?

2/16

Amplificator neinversor

CSTV ?

R1 v = vO R1 + R2

vD = v + v = vI

R1 vO = 0 R1 + R2

R1 vI = vO R1 + R2

vO R2 Av = = 1+ vI R1

3/16

Alta metoda de a determina amplificarea

vD = 0

v + = vI

v = vI
vO R2 Av = = 1+ vI R1

acelai curent prin R1 i R2 i

amplificarea este dat doar de raportul a dou rezistene valoare precis a amplificrii amplificarea este independent de AO, nefiind influenat de dispersia tehnologic a valorilor parametrilor AO. consecin direct a folosirii RN n cazul unui amplificator cu amplificare proprie foarte mare ( a in cazul AO)
4/16

Rezistentele de intrare si de iesire

se determina pe modelul echivalent

vI vede ntrerupere, deci Ri =

Ro = vOgol iOsc = vOgol =0
5/16

Exemplificare
A =? Avv=6
Modelul echivalent al amplif.

CSTV

vO(t) pentru vI(t) triunghiulara cu amplitudunea 1,5V axata pe zero

vO(t) pentru vI(t) triunghiulara cu amplitudinea 2V axata pe 0,5V ?

6/16

Reglarea amplificarii
Av max = 1 + R2 R1

Avmax

R2 + P = 1+ R1

Avmin = 1 +

R2 R1 + P

Amin =0 v

Ce se obtine pentru valori extreme (0 sau ) ale rezistentelor pentru amplificatorul inversor ?

vO = ? daca R1 = 0 cursorul la extrema stanga

7/16

Repetor de tensiune

vO = v I
RN total nu exist amplificare n tensiune amplificare infinit n curent etaj tampon pentru a conecta o surs (sau ieirea unui circuit electronic) cu rezistena de ieire mare (poate debita curent redus) cu o rezistent de sarcin sczut (care solicit curent mare).
8/16

Amplificator inversor

Circuit ?

CSTV ?

v =0
+

R2 R1 v = vI + vO R1 + R 2 R1 + R 2

R2 R1 vD = v v = 0 vI vO = 0 R1 + R2 R1 Amplificare ? + R2

vO R2 Av = = vI R1

9/16

Alternativ pentru nelegerea funcionrii amplificatorului inversor

v+ = v v+ = 0
0 vO i2 = R2
masa virtuala

v =0

i1 = i2
vI 0 i1 = R1

vO vI = R1 R2

vO R2 = Av = vI R1
10/16

Rezistenele de intrare i ieire

Ri = R1
Ro = 0

Ri = ?
Ro = ?

n comparaie cu amplificatorul neinversor la care Ri pentru amplificatorul inversor avem o rezisten mai mic de intrare. Uzual aceasta este de ordinul K, zeci de K. Dac ntr-o aplicaie se solicit o rezisten mare de intrare vom folosi conexiunea neinversoare.
11/16

Exemplificare

R1=10K, R2=100K, alimentare 12V

Ri, Ro, Av Modelul echivalent Domeniul vi, a.i. AO amplificator

Ri = R1 = 10 k

Ro = 0

R2 100 = = 10 Av = R1 10

Domeniul vI: (1,2V; + 1,2V)

12/16

Exemplu de Proiectai un amplificator inversor cu R >8k si i proiectare amplificarea |Av| reglabil n domeniul [10,18]
Av min R2 = = 10 R1
Av
max

R2 + P = 18 R1

R2 = 10R1
Din condiia pentru Ri:
Ri = R1 8k

R2 + P = 18R1
R1 = 10k

Alegem

P = 18 10 100 = 80 k R2 = 10 10 = 100 k Deoarece nu exist poteniometru de 80K, alegem 100K i refacem calculele. Pstrnd R2=100K, rezult:
R2 + P 100 + 100 R1 = = = 11,1k 18 18
Verificare:

R2=100k
= 18

P=100k

Av

min

= 9.1

Av

max

Acceptabil ?
13/16

Exemplu de proiectare (cont.)

Av
min

R2 = = 10 R1

Av

max

R2 + P = 18 R1

R2 = 10R1
P = 100 k

R2 + P = 18R1
R 2 = 10 R1

R1 = 12.5k
R2 = 125k

R 2 + 100 k = 18 R1

Verificare:

Av

min

= 10

Av

max

= 18
14/16

Repetor de tensiune inversor

vO Av = = 1 vI
Ri = R

15/16

Amplificare si rezistenta mare de intrare

OPTIONAL

R2 Av = R1

Ri = R1

R21 + R22 R21 R22 vO = + Av = vI R1 R1 R3

10 + 10 10 10 Av = + = 1020 1 0,1 1

R21 R21 R22 vO Av = R + RR vI 1 3 1

Av 1010

Acelasi curent prin R1 si R21 Aceasi tensiune pe R3 si R21

16/16

Sumatorul inversor

Expresia tensiunii de iesire ?

R R vI 2 vO = v I 1 + R R2 1

Ce relatie trebuie sa existe intre rezistente pentru a obtine media aritmetic a tensiunilor de intrare ?

R1 = R2 = 2 R

1/7

Problema
a) Expresia vO(vi1, vi2) considerand ca AO lucreaza in regiunea liniara? Ce aplicatie realizeaza circuitul? b) Considerand vi1=2V, cum arata CSTV vO(vi2) a circuitului pentru vi2[-5V; 5V]? In aceasta situatie pentru ce interval de valori ale vi2 avem functionare in regiunea activa? c) Pentru valorile rezistentelor din figura, cum arata vO(t) pentru tensiunile din figura alaturata? d) Dimensionati R1, R2, R3, R4 a.i. circuitul sa realizeze functia de sumator inversor vO= -(vi1+ vi2). Cum trebuie modificat circuitul pentru a obtine functia de sumator neinversor, vO= vi1+ vi2?

2/7

Sumatorul neinversor

vO = ?

R4 R2 R1 vO = 1 + R R + R vI 1 + R + R vI 2 3 1 2 1 2

Relatia intre rezistoare pentru

vO = vI 1 + vI 2
R3 = R4
3/7

R1 = R2 si
Uzual:

R1 = R2 = R3 = R4

Amplificatorul diferential
Aplicam suprapunerea efectelor

vO1

R4 = R3 + R4

R2 1 + v I 1 R1

vO 2

R2 = vI 2 R1

vO = vO1 + vO 2

R4 = R3 + R4

R2 R2 1 + v I 1 vI 2 R1 R1

4/7

Cum amplificam vI1-vI2 ?

R2 R4 R2 1 + v I 1 v I 2 vO = R3 + R4 R1 R1
R4 R3 + R 4 R R 1 + 2 = 2 R1 R1

R1 R3 = R2 R4

vO

R2 (v I 1 v I 2 ) = R1

pentru vI1=vI2 se obine vO=0 circuitul amplific doar diferena tensiunilor i rejecteaz semnalele de mod comun. in cazurile practice se pune R1=R3 i R2=R4
5/7

Exemplificare
De la un senzor se primeste un semnal variabil vi cu componenta continua VI =5V. Dorim sa amplificam doar partea variabila a semnalului (cea care contine informatie), de 10 ori. Ce solutie se poate utiliza ?

R2 R4 R2 1 + vI (t ) VREF vO (t ) = R1 R3 + R4 R1 R4 R2 R2 1 + (VI + vi (t )) VI vO (t ) = R3 + R4 R1 R1

R4 R2 R2 1 + R R =0 R3 + R4 1 1

R4 R2 1 + = 10 R3 + R4 R1

R1 R3 = R2 R4

R1 R3 1 = = R2 R4 10

R1 = R3 = 2,5k R2 = R4 = 25k

vo (t ) = 10vi (t )
6/7

Amplificator de instrumentatie standard

rezisten mare de intrare rejecie ct mai bun a semnalului de mod comun

Optional

AO1 i AO2: rezistena de intrare mare asigur amplificarea, AO3: amplificarea unitar trecerea de la dou tensiuni vO1 i vO2 la o singur tensiune vO. rejecie suplimentar a tensiunii de mod comun

2 R2 v O = 1 + R1

(v I 1 v I 2 )

7/7

TRANZISTOARE
Dispozitive semiconductoare active (cu trei terminale) Principiul de funcionare: utilzarea unei tensiuni ntre dou din terminale (de comand) pentru a controla intensitatea curentului prin al treilea terminal (de execuie).

curent comandate n tensiune

Tranzistoarele: surse de

1/9

Categorii de tranzistoare

2/9

Principiul si regiuni de functionare

Tranzistorul surs de curent comandat Modelul in cc sursa ideala de curent comandata in tensiune Tip n Tip p

TECMOS TB npn

cu canal n

TECMOS TB pnp

cu canal p

Surse comandate neliniare: exponentiala TB

Tensiune de prag

patratica - TMOS

3 /9

Utilizarea in circuit a tranzitorului Tn

De ce este necesara R ? Marimi de iesire: IO, VO CST: IO(VCT), VO(VCT)

alimentare serie cu sursa de tensiune alimentare paralel cu sursa de curent

4 /9

Caracteristici de transfer
VCT<VPn, Tn blocat, IO=IT=0 VCT>VPn, Tn conduce, IO=IT>0
VAl=RIO+VO ; VO= VAl - RIO VCT , IO , VO

VO,min=0

I Oex

V Al = R

5 /9

 Dou regiuni extreme, regiuni pasive: - blocare (b) IT=0; VO>0; comutator ideal blocat - conducie extrem (cex) IT=IOex; VO=0; comutator ideal n conducie. Dac VCT<VPn sau VCT>VCTex tranzistorul - regim de comutare O regiune intermediar, regiunea activ direct aF

VCT(Vpn; VCTex), - tranzistorul - regim de amplificare

6 /9

Utilizarea Tp. Circuit. CST

- blocare (b)

VCT > VPP

- conducie extrem (cex) - regiunea activa (aF)

VCT < VCTex

7 /9

VCTex < VCT < VPP

Cine determin graniele ntre cele trei regiuni?

Tn Tp

grania (b) - (aF) tranzistorul prin tensiunea de prag

T prin funcia IT(VCT) R i VAl prin valorea extrema a curentului de iesire

granita (cex) - (aF), VCT=VCTex tranzistor, R i VAl:

I Oex

VAl = R

8 /9

Exemplu

i) VAl=10V; R=1K ii) VAl=15V; R=1k iii) VAl=10V; R=2.5k

9 /9

TECMOS
Tranzistoare cu efect de cmp metal-oxid-semiconductor
Simboluri Structura fizica Principiul de functionare Caracteristici de transfer si de iesire Regiuni de funcionare Plasarea PSF
pentru TMOS cu canal n indus i canal p indus.
1 / 18

Structura fizica canal n indus

Ce conditii trebuie realizate pentru a avea curent intre drena si sursa?

Formarea unui canal cu purtatori majoritari de tip n de la drena la sursa Crearea unei diferente de potential pozitive drena sursa care sa antreneze purtatorii

2 / 18

Optional

3 / 18

Optional

ID = 0

4 / 18

Optional

Curentul depinde liniar de VGS

5 / 18

Optional

Curentul depinde neliniar de VGS2

6 / 18

Curentul prin tranzistor

Curentul prin tranzistor depinde de VGS - formarea canalului VDS deplasarea dirijata a purtatorilor

I D = f (VGS , VDS )
7 / 18

Simboluri

D drena G grila S sursa B baza (substrat)

8 / 18

Principiul de funcionare
Pentru a nelege funcionarea TMOS vom studia caracteristicile statice la terminalele TMOS cu canal n:

Familia de caracteristici de transfer

i D + iG = iS nod de curent iG = 0 i D = iS

i D (vGS ) cu parametru v DS

Familia de caracteristici de iesire

vGS = vCo v DS = v Al
9 / 18

i D (v DS ) cu parametru vGS

Caracteristici de transfer
i D (vGS ) cu parametru v DS

VDSsat = vGS VP

Regiunea liniara

vDS mic,

vDS < VDSsat

2

iD = [2(vGS VP )vDS vDS ]

iD depinde liniar de tensiunea de comanda vGS, - depinde de tensiunea de iesire vDS, Regiunea de saturatie vDS< vDSsat

vDS > VDSsat

iD = (vGS VP ) 2
iD depinde doar de patratul vGS VP=0,58V, =104A/V2
10 / 18

Caracteristici de iesire
i D (v DS ) cu parametru vGS

i D (v DS ) cu parametru vGS
Regiunea liniara

iD = [2(vGS VP )vDS vDS ]

2

vDS < VDSsat

Regiunea de saturatie (activa)

iD = (vGS VP )
vDS > VDSsat

11 / 18

Exemplificare
5V

Ce valori au VGS, ID, VDS, VGD, VDSsat pentru urmatoarele valori ale VCo?

VCo1 = 2V VCo 2 = 2.5V VCo 3 = 2.8V

Plasati punctele statice de functionare Q(VDS, ID), in planul caracteristicilor de iesire. In ce regiuni de functionare lucreaza tranzistorul?
12 / 18

Regiunea activ:

Regiunea liniara:

i D = (vGS VP )

iD = [2(vGS VP)vDS v ]
2 DS

parametru constructiv al tranzistorului TMOS;

factorul beta se msoar n A/V2, mA/V2, A/V2; pentru tranzistoare discrete se poate extrage din caracteristicile de catalog Pentru tranzistoarele integrate avem:

K W = 2 L

KW (vGS VP )2 iD = 2 L

regiunea activ

K - parametrul transconductan i se msoar n A/V2 W - limea canalului prin care circul iD L - este lungimea canalului prin care circul iD
13 / 18

Plasarea PSF: Q(ID, VDS)

Dreapta de sarcin:

vDS =VAl -RD iD

VDS

Q(ID, VDS) se afl la intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica corespunztoare tensiunii vGS

14 / 18

Regiuni de functionare
IDex

T (b): VGS<VP T (aF): VP<VGS<VGS3 T (cex): VGS>VGS3 (cex) i (aF) sunt separate de curba

VDSsat=VGS VP
VDS

Tranzistorul s nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe. in comutare (b) Moduri de utilizare (cex) ca amplificator (aF), eventual (aR) rezistenta liniara comandata in tensiune
15 / 18

Exemplificare
a) n ce regiune se afl T pentru: 1.vGS=0,8V; 3.vGS =4V 2.vGS=2,5V; b) Valoarea minim a vGS pentru care T mai este n (cex)? 1. vGS<VP, deci T (b) 2. vGS>VP, deci T (cex) sau (aF) comparam vDS cu vDSsat vDS =VAl -RD iD Presupunem T n (aF) iD= (vGS VP)2

=2mA/V2 VP=1V

iD =2(2,5 -1)2= 4,5mA vDS =20-3 4,5= 6,5V vDS sat= vGS VP=1,5-1= 0,5V vDS>vDssat, T este n (aF). vGD=vGS-vDS=1,5-6,5= -4V < VP
16 / 18

3. vGS=4V>VP, deci T (cex) sau (aF) iD =2(4-1)2 =18mA vDS =20-318= -34V presupunerea T - (aF) este fals T este n (cex)

Alt modalitate: compararea valorii iD in (aF) cu iDex

iDex = VAl vDS ,ex R VAl 20 = = 6,67 mA R 3

iD=18mA > iDex=6,67mA T - (cex)

17 / 18

b) valoarea minim vGSmin pentru care T este n (cex) corespunde plasrii lui T pe curba vDSsat vDSsat =VAl -RiD vDSsat =vGSmin-VP VAl -RiD=vGsmin VP iD =(vGSmin-VP)2 R (vGSmin VP)2+ (vGSmin-VP) -VAl = 0 din soluia vGSmin VP >0 VGSmin =2,744V
18 / 18

TECMOS IN COMUTARE
In cazul tranzistoarelor n comutare, apar dou stri extreme:

(b)
curentul de iesire (iD ) tensiunea de ieire (vDS) regiunea specifica de functionare zero

(cex)
stabilit (aproape) n totalitate de circuitul extern tranzistorului

stabilita de circuitul foarte apropiata de extern tranzistorului zero (ideal zero) (alimentare) TECMOS: blocat TECMOS: regiunea liniara
1/13

Tn

Tp

Modelul intrerupator comandat

VCTex,n

VCTex,p

vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO0 vCT <VPn ; T- (b) ; iO =0

vCT >VPp ; T- (b) ; iOT=0 vCT <VCTex,p ; T- (cex) ; iO>0 ; vO0

2/13

Intrerupatoarele comandate sunt complementare

Comutatoare analogice
semnalului de intrare ctre ieire n funcie de un semnal de comand. vCo - dou nivele: VCoL<VPn VCoH> VCTex,n

CA este un circuit care permite sau blocheaz trecerea

vCo=VCoL ; Tn-(b) ;

vO=0

blocheaza trecerea vI permite trecerea vI

3/13

vCo=VCoH ; Tn- (cex) ; vO= vI

comandate complementare

CA cu dou ntreruptoare

vCo=VCoH

vCo=VCoL ; CA-(b) ; vCo=VCoH ; CA- (c) ;

4/13

C=0; CA-blocat; vO=0 C=1; CA-conduce; vO=vI CA implementare CMOS VCoH=VDD; VCoL=VSS vI (VSS; VDD)
CI 4066 - 4 pori de transfer; alimentat la 10V, ron=150

DG400 de la
Siliconics ron=20

5/13

Aplicatie: MUX cu trei canale

6/13

Circuite logice cu tranzistoare MOS

Modelul ntreruptor comandat ideal Implementare cu tranzistoare MOS complementare circuite logice CMOS

7/13

Inversorul logic
Cu Tn si R

0 logic - 0V 1 logic - VAl

Cu Tp si R

8/13

Analiza critica a inversorului cu intrerupator comandat si R

Tn (c) Tn (b)

Diminuarea dezavantajului R ct mai mic, ideal R0; R ct mai mare, ideal R

9/13

Solutie: nlocuirea R cu ntrerupator comandat

Dou solutii: ntreruptoare complementare

comand complementar

Specifica TMOS

Specifica TB
10/13

 Inversorul CMOS

VGSn=vI ; vGSp=vI-VDD

11/13

CSTV a inversorului CMOS

Ideala din punct de vedere al intrarii

Optional

Reala

12/13

Margini de zgomot

NM H = VOH min VIH min NM L = VIL max VOL max

Nivelele tensiunii i marginile de zgomot pentru familia logic CMOS alimentata la +5V

NM L = 1,5V 0 ,5V = 1V NM H = 4 ,5V 3,5V = 1V

13/13

Tranzistoare bipolare (TB)

Simbolurile Structura simplificata Caracteristici de intrare, transfer, iesire Principiul de functionare Regiunile de funcionare Curentii prin TB Saturatia TB pentru TB npn i pnp
1 / 14

Simboluri
Simboluri uzuale

npn

pnp

Ce vede un ohmmetru la terminalele TB Exist interaciune ntre cele dou diode

2 / 14

npn

pnp

Terminalele TB se numesc: B baz (corespondent G la TECMOS) C colector (corespondent D) E emitor (corespondent S)

Sgeata indic sensul pozitiv al curentului prin tranzistor de la C la E (npn) i de la E la C (pnp).
3 / 14

Structura simplificata, tranzistor npn

Efectul de tranzistor:
Trecerea curentului printr-o regiune polarizat invers (bazcolector) datorit interaciunii ei cu o jonciune polarizat direct (baz-emitor) situat n imediata ei vecintate. regiunea bazei foarte ngust; considerabil mai ngust dect lungimea de difuzie a purttorilor minoritari n baz; regiunea de emitor mai puternic dopat dect regiunea bazei; regiunile de emitor i colector mai late dect lungimea de 4 / 14 difuzie a purttorilor minoritari n aceste regiuni.

Caracteristici statice la terminalele

IS
v BE VT

iB =

iC =iB
Valabila in regiunea activa

iC = I S e

v BE VT

Caracteristica de intrare

Caracteristica de transfer

5 / 14

Caracteristici de ieire

Regiunea activ: iC=iB Saturaie: iC <iB VCEsat0,2V Blocare: iC=iB =0

6 / 14

Regiunile de funcionare ale TB, npn

rareori folosit vBE>0,6V vBC>0,6V

vBE<0,6V vBC<0,6V

vBE>0,6V vBC<0,6V

Tranzistorul s nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe.

Moduri de utilizare

in comutare (b)

(cex)
7 / 14

ca amplificator (aF), eventual (aR)

Curenii prin TB

iE =iC+iB
Valabila in toate regiunile de functionare

n regiunea activ (aF), cu iC=iB

iE = iC +
iE=(+1)iB iB

iC = iC (1 +

Relaiile nu sunt valabile la saturaia TB (cex) unde iC <iB

8 / 14

Limitarea curentului de comanda prin TB

deosebire TB TECMOS: jonciune n circuitul de comand se impune folosirea unei rezistene serie pentru stabilirea (limitarea) curentului de baz, fie n baz, fie n emitor

9 / 14

Saturaia TB
valorile rezistoarelor i surselor de alimentare astfel nct tranzistorul s lucreze n regiunea dorit TB poate fi privit ca o surs de curent comandat prin curent dup relaia iC=iB n regiunea activ (aF).

i Bsat =

iCex

10 / 14

Exemplificare
A.n ce regiune se afl T pt RB=50k cu i) vCo=0,4V; ii) vCo=1,7V; iii) vCo=5V B. Se dau vco=2,7V i (25200) Domeniul RB astfel nct T i) (aF); ii) (cex). Rezolvare: i) deoarece vCo=0,4V < VP=0,6V T-(b) ii) vCo >VP T fie n (aF) fie n (cex). Vom considera vBE=0,7V n conducie i =100. Presupunem T n (aF) astfel ca iC =iB. Vom compara iB cu iCex /. Dac iB >iCex /, T - (cex), dac iB <iCex /, T - (aF)
11 / 14

iCex

V Al vCEsat 12 0,2 = = = 5,9 mA RC 2

vCo v BE 1,7 0,7 = = 0,02 mA iB = RB 50

iCex 5,9 = = 0 ,059 mA 100

Cum iB=20A <

iCex

= 59 A, T este n (aF)

iC = iB = 100 0,02 = 2mA vCE = V Al RC iC = 12 2 2 = 8V

PSF

v BC = v BE vCE = 0,7 8 = 7,3V < 0,6V

12 / 14

vCo vBE 5 0,7 iB = = = 0,086mA 50 RB

Cum iB =86A>iCex /=59A, rezult c T este n (cex); vBE 0,8V; vBC=vBEsat -vCEsat 0,8V-0,2V=0,6V=VP

iii)

Puteam rezolva problema presupunnd T n (aF) iC=iB=8,6mA vCE=VAl - RCiC =12-28,6=-5,2V Evident o valoare imposibil (vCE nu poate fi dect pozitiv) deci presupunerea fcut este fals. Aadar T este n (cex)
13 / 14

B. i) Pentru T n (aF) trebuie s ne asigurm c iB<iCex / indiferent de valoarea lui din domeniul specificat; cea mai defavorabil situaie =max= 200.

iB <

max

iCex

vCo v BE i Cex < RB max

vCo vBE 2,7 0,7 = 200 = 67,8K RB > max 5,9 iCex
ii) Pentru saturaie trebuie ndeplinit condiia:

vCo v BEsat iCex > RB min

iB >

min

iCex

RB < min

vCo vBEsat 2,7 0,8 = 75 = 24K iCex 5,9

14 / 14

TB IN COMUTARE
In cazul tranzistoarelor n comutare, apar dou stri extreme:

(b)
curentul de iesire (iC ) tensiunea de ieire (vCE) regiunea specifica de functionare zero

(cex) (sat)
stabilit (aproape) n totalitate de circuitul extern tranzistorului

stabilita de circuitul foarte apropiata de extern tranzistorului zero (VCE,sat 0,2V) (alimentare) TB: blocat TB: saturatie
1/8

Tn

VCTex,n

Modelul intrerupator comandat

vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO0 vCT <VPn ; T- (b) ; iO =0
2/8

Circuite logice bipolare Tehnologie RTL Inversorul logic

0 logic - 0V 1 logic - VCC

SAU - NU

3/8

Circuite logice bipolare TTL (Tranzistor-Tranzistor Logic) Inversorul logic

din motive tehnologice n circuitele logice integrate este preferat folosirea doar a tranzistoarelor npn. se adopt varianta cu tranzistoare identice comandate complementar

4/8

Poarta TTL standard

OPTIONAL

5/8

Nivelele tensiunilor i marginile de zgomot pentru familia logic TTL

6/8

Subfamilii TTL cu performane mbuntite:

OPTIONAL

viteze mai mari, disipare (consum) redusa de putere

Tranzistor Schottky

Dioda Schottky: jonciune metal semiconductor, n conductie 0,5V

vBE=0,8V; vBC=0,5V; vCE=0,3V

tranzistorul Schottky nu intra n saturatie creste viteza de comutare
7/8

Structura simplificat a porii I-NU n tehnologie Schottky de mic putere

OPTIONAL

8/8

Polarizarea tranzistoarelor in curent continuu

tranzistorul lucreaz n regiunea activ (aF) in jurul PSF alimentare n curent continuu (surse de tensiune / curent) Amplificatoare fundamentale cu un tranzistor: Conexiunile SC i EC Conexiunile GC i BC Conexiunile DC i CC Conexiunea cu degenerare n emitor Caracteristici importante: amplificarea in tensiune (curent) rezistenta de intrare rezistenta de iesire banda de frecventa
2/19

Functionarea amplificatorului cu un tranzistor (SC sau EC)

polarizarea n cc: PSF aproximativ la mijlocul regiunii active

VAl alimentare in cc VI stabilirea PSF: (IO,VO) vi tensiune de amplificat (de intrare) vo tensiune amplificata (de iesire) Suprapunerea semnalului variabil peste regimul de curent continuu

3/19

Functionarea amplificatorului (SC, EC)

Cine determina amplificarea ?

4/19

Caracteristica de transfer n tensiune vO(vI ) a unui amplificator inversor

Semnal mic: functionarea amplificatorului n regiunea liniar ngust din jurul PSF

Excursia maxim a semnalului de intrare: adeseori determinat din

considerente de liniaritate
5/19

Polarizarea n curent continuu fixarea PSF

Functionarea tranzistorului ca amplificator:
tranzistorul polarizat ct mai aproape de mijlocul regiunii active punctul instantaneu (mobil) de funcionare s fie inut n regiunea activ (liniara in jurul PSF) semnalul de intrare s fie pstrat suficient de mic.

PSF: stabil i predictibil independent de parametrii tranzistorului

6/19

Polarizarea TECMOS
Varianta 1

VGS

RG 2 VAl = RG1 + RG 2
2

I D = (VGS VP )

V DS = V Al R D I D
foarte simpl curentul din PSF, ID depinde

puternic de parametrii tranzistorului, si VP

nu asigur stabilitatea punctului static de funcionare

7/19

Polarizarea TECMOS
Varianta 2

VGG

RG 2 V Al = RG1 + RG 2

VGS = VGG R S I D

I D = (VGS V P ) 2
necunoscute: VGS i ID sistem de ecuaii de gradul 2 se alege dupa calcul valoarea convenabila a ID

V DS = V Al ( R D + R S ) I D
8/19

Polarizarea TECMOS
Varianta 2 continuare

VGS = VGG R S I D

I D = (VGS V P ) 2
VGS este determinat i de curentul de dren ID ID , RSID , VGS , ID circuitul se opune tendinei de modificare a ID. reacie negativ datorita prezentei RS asigur stabilitatea PSF la variaia diverilor parametrii crete complexitatea relaiilor de 9/19 calcul.

Exemplificare 1
RG1=3M; RG2=1M; RD=3K; RS=1K; VAl=20V VP =2V; =0,5mA/V2.
? Care este PSF ?

VGG

RG 2 1 = V Al = 20 = 5V RG1 + RG 2 3 +1

I D = (VGS VP ) 2
ID2-8ID+9=0; ID in mA
VDS = V Al I D ( RD + RS ) = = 20 1,35(3 + 1) = 14,6V

VGS = VGG I D RS
ID1 nu convine; ar rezulta VGS<0

ID1=6,65mA i ID2=1,35mA

ID=ID2=1,35mA
10/19

VD =?

VS =?

Q (14,6V; 1,35mA)

Exemplificare 2
TMOS:
?

VP =2V; =0,25mA/V2, VAl=20V

Cum dimensionam circuitul pentru PSF cu ID=1mA ?

I D = (VGS VP ) 2
VGS = VP + ID 1 =2+ = 4V 0,25

VDSsat=VGS-Vp=2V T- regiunea activ VDS(2V; 20V). PSF : VDS=7V

VDS = V Al ( RD + RS ) I D

VAl VDS 20 7 = = 13K RD + RS = 1 ID

11/19

Exemplificare 2 cont.
TMOS:
?

VP =2V; =0,25mA/V2, VAl=20V

Cum dimensionam circuitul pentru PSF cu ID=1mA ?

RD i n funcie de amplificarea dorita. Neavnd valoarea amplificrii putem considera VS=4V pe RS :

VS 4 = = 4K RS = ID 1

RD = 13 4 = 9K

VGG = VGS + VS = 4 + 4 = 8V
RG1 = 300 K; RG 2 = 200 K
12/19

Polarizarea TECMOS
Varianta 3
Uzual in circuitele integrate: polarizare cu surse de curent ID independent de parametrii tranzistorului amplificator

V DS = V Al R D I + VGS VGG
Tensiunea pe sursa de curent: VGG -VGS

VDS = V Al RD I + VGS
13/19

Polarizarea TB,

varianta uzuala in circuite discrete

Fa de analiza pentru TECMOS, la TB apare: - curentul de baz IB, diferit de zero - prin colector i emitor nu trece exact acelai curent

I C = I B
+1 I E = I C + I B = ( + 1) I B = IC
Se poate aproxima

IC I E

Calcul exact: se utilizeaza IB exact Calcul aproximat: se neglizeaza aproximat IB fata de curentul prin divizorul din baza (nu se considera IB=0)
14/19

 Calcul aproximat
VBB

RB 2 = V Al RB1 + RB 2

VBB VBE IC I E = RE

VCE = V Al I C RC I E RE V Al I C ( RC + RE )
RE este deosebit de important n stabilirea si stabilizarea PSF, prin mecanismul de RN introdus prin divizorul din baz

IB mult mai mic dect curentul

IC; IE; VRE; VBE; IC

15/19

 Calcul exact

IC=IE+IB IE

VCE = V Al I C RC I E RE V Al I C ( RC + RE )
IE insensibil la variaiile :

RB RE >> ( + 1)
Teorema Thevenin: VBB, RB

RE > 10

RB

VBB = RB I B + VBE + RE I E
IE=(+1)IB

rezistena de intrare

RB1, RB2 valori mici cerute de independena PSF de RB1 i RB2 valori mari cerute de

IE insensibil la variaiile temperaturii (VBE)

VBB VBE IE = RE + RB /( + 1)

VBB >> 0,1V

o variaie VBE de 0,1V poate fi neglijat fa de VBB=35V 16/19

Exemplificare 3

VAl=15V; RB1=10k; RB2=4,7k; RE =1,5k; RC=1,8k; =150 Calcul aproximat IC = ? VCE =? VC = ? VE = ? Calcul exact IC = ? IC = 2,7mA IC = 2,73mA VCE = 6V VC = 10,1V VE = 4,1V

17/19

Exemplificare 4
RE =

1 1 Uzual VBB = VAl = 12 = 4V 3 3 alegem:

VBB VBE (1/ 3) 12 0,7 = 1,65 1,6K = 2 IE 1 V AL IC 2 IB < = = 20A IB = 100 10 RB1 + RB 2 VAl 12 = = 60K R B1 + R B 2 < 10 I B 10 0,02

VBB

RB 2 1 = V Al = V Al 3 RB1 + RB 2

R B1 = 2 R B 2

RB2=18K; RB1=36K Valorile rezistentelor Verificare: astfel incat T in aF la VBB VBE 4 0,7 IC=2mA. IE = = = 1,92mA RE + RB /( + 1) 1,6 + 12 /(100 + 1) V =12V, =100
Al
18/19

Polarizarea TB, alimentare diferentiala

IE = I
V Al VBE IE = RE + RB /( + 1) VCE = 2V Al RC I C RE I E

VCE

RB = VAl RC I C + VBE + I +1

Tensiunea pe sursa de curent:

V Al V BE

RB I +1
19/19

Modele de semnal mic ale tranzistoarelor

funcionarea la semnal mic (variatii) parametrii de semnal mic modele de semnal mic

Modelul de semnal mic necesar pentru a deduce vo in functie de vi

2/13

Funcionarea la semnal mic

Tranzistorul pentru regimul de semnal mic: parametrii difereniali (sau parametrii de semnal mic) valorile parametrilor difereniali depind de PSF modelul de semnal mic al tranzistorului. Modelul tranzistorului la frecvente joase:

rezistenta de intrare rezistenta de iesire sursa comandata care arata transferul intrare-iesire
La frecvente inalte modelul se completeaza cu capacitatile parazite dintre terminale
3/13

TECMOS la semnal mic

Conexiunea SC

Schema completa a amplificatorului cu 1 TMOS (polarizare + semnal variabil) Schema echivalenta pentru semnal mic: tensiune continua sau curent continuu

- pasivizarea surselor de

4/13

Parametrii de semnal mic

Transconductana diferenial id i D gm = vDS =cst = vDS =cst vGS v gs
( (vGS VP ) 2 gm = vGS
Q

iD = (vGS VP )

= 2 (vGS VP ) Q

2I D gm = = 2 ID VGS VP
tranzistoare integrate:

W g m = 2K I D L

id = g m v gs

TECMOS: surs de curent comandat n tensiune (SCCT) pentru semnal mic

5/13

 Rezistenta diferentiala de intrare

grila este izolat electric de restul structurii: rezistena diferenial de intrare este infinit (intrerupere)

Rezistenta diferentiala de iesire

caracteristicile de iesire nu sunt perfect orizontale, curentul de dren crete uor cu tensiunea dren-surs lavGS = cst.

v DS 1 ro = = go i D

vGS

vds = cst = id

vGS = cst

vDS iD = (VGS VP ) 1 + V A
2

VA tensiunea Early

VA ro = ID

6/13

regim static

TMOS:

regim variabil
id = g m v gs

g m = 2 (VGS VP ) = 2I D = = 2 ID vGS VP
I D = (VGS V P ) 2
VDS RO = ID

id = 2 (VGS VP )v gs
VA ro = ID
7/13

Modelul de semnal mic al TECMOS

la frecvente joase :

g m = 2 (VGS VP ) = 2I D = = 2 ID vGS VP

VA ro = ID
la frecvente inalte: apar capacittile parazite interne ntre terminale; tipic de ordinul pF sau fractiuni de pF
8/13

Parametrii de semnal mic ai TB

Transconductana diferentiala

iC gm = v BE

ic vCE =cst = vbe

vCE =cst

iC = I S e vBE / VT
VT 25mV @ 20 o C

Amplificarea n curent

IC gm = 40 I C @ 20o C VT
VT = KT q

iC = i B

ic vCE =cst = ib

vCE =cst

Dei pot exista diferene ntre amplificarea n curent continuu i amplificarea diferenial in curent, vom folosi aceeai notaie i aceeai valoare (orientativ =100).

temp. g m
9/13

Parametrii de semnal mic ai TB - continuare

Rezistena de ieire

vCE ro = iC
iC = I S e

vBE =cst
vBE VT

vce = ic

vBE cst

vCE 1 + VA

Rezistena de intrare

v BE rbe = i B

vbe vCE =cst = ib

vCE =cst

VA ro = IC

rbe =

gm
10/13

Modele de semnal mic ale TB la joasa frecventa

g m = 40 I C

rbe =

gm

VA ro = IC

simplificat
11/13

modelele hibrid

Modele de semnal mic ale TB la inalta frecventa

modelul hibrid

apar capacitatile parazite intre terminalele tranzistorului

frecvente inalte

efectul acestor capacitati: reducerea amplificarii la

se poate folosi si modelul cu sursa de curent comandata in curent

12/13

Exemplul numeric pentru TECMOS

TECMOS : K=100A/V2 , W/L=1, VA=100V ; polarizat la ID=100A.
Care sunt valorile parametrilor de semnal mic i joas frecven?
W g m = 2K L I D = 2 100 1 100 = 0.14mS V A 100 = = 1M ro = 0,1 ID

Exemplul numeric pentru TB

TB polarizat n PSF la IC=100A, VA=100V, =100.
gm=40IC=400,1=4mS
Care sunt valorile parametrilor de semnal mic i joas frecven?

100 = = 25K rbe = gm 4

V A 100 ro = = = 1M IC 0,1
13/13