DISPOZITIVE ELECTRONICE

2 C Prof.dr.ing. Gabriel Oltean

1 / 11

Obiectivul cursului
Dezvoltarea abilităţilor pentru:
analiza şi înţelegerea principiilor de funcţionare ale dispozitivelor electronice utilizarea dispozitivelor în diverse circuite electronice analiza şi (re)proiectarea de circuite electronice simple

2 / 11

Descriere curs
structură unitară - aceeaşi metodologie de tratare pentru dispozitivele electronice : diode, tiristoare, amplificatoare operaţionale şi tranzistoare. principiul de funcţionare - model puternic simplificat (ideal). se revine cu modele mai complexe, sau se studiază efectele proprietăţilor neideale şi eventuale mijloace de contracarare a lor.

3 / 11

Descriere curs
sunt deduse modurile de utilizare ale fiecărui dispozitiv: în comutare (toate dispozitivele), respectiv în conducţie permanentă (diode) sau ca amplificator (amplificatoare operaţionale şi tranzistoare). pentru fiecare dispozitiv este analizat mai întâi modul de utilizare în comutare, iar mai apoi modul de utilizare în conducţie permanentă sau ca amplificator. utilitatea dispozitivelor electronice: aplicaţii reprezentative.

4 / 11

Circuite cu diode.Continut Relaţii si teoreme de circuite electrice Condensatorul şi bobina Generalizarea relaţiilor si teoremelor de circuite electrice Circuite RC . caracteristici. parametri. Dioda Zener TIRISTOARE 5 / 11 . principiul de functionare.răspunsul în frecvenţă si in timp Semnale electrice FUNDAMENTE Diode: Tipuri.

Moduri de utilizare Comparatoare de tensiune cu AO. principiul de functionare. 6 / 11 . Amplificatoare cu AO. caracteristici.Continut Amplificatorul operational (AO): AO ideal. parametri.

Circuite cu tranzistoare in comutare. parametri. Amplificatoare fundamentale cu tranzistoare. 7 / 11 .Continut Tranzistoare (cu efect de camp si bipolare): Tipuri. Polarizarea tranzistoarelor (PSF). caracteristici. principiul de functionare.

htm prezentari de curs lucrari de laborator tematica pentru examen exemple de probleme date la examene diverse 8 / 11 .Desfasurare activitate curs Implicare cat mai mare a studentilor Fiecare student pregateste (invata) apriori tematica cursului Curs: prezentare teorie. comentarii. http://www. dezbatere. intrebari. rezolvare probleme.ro/dce/didactic/de/de. etc. schimburi de idei.bel.utcluj.

9 / 11 .

49 respins Nota=0.2T+1 Admis 10 /10 10 / 11 .6E+0.2T ≥ 4.6E+0.2L+0.2L+0.5 Da Nota =1… 4.Notare Examen scris final (E) + Laborator (L) + Teste (T) E: scris – teorie 30% + probleme 70%: 0…10 puncte L: prezenta integrala + activitate: 0…10 puncte T: 3 teste la curs: 0…10 puncte E≥4p Da L ≥5 p Da 0.

11 / 11 .

Fundamente Text integral 1 / 20 .

2 / 20 .Scopul capitolului: Să fim înarmaţi cu mijloace şi instrumente de lucru tocmai potrivite pentru înţelegerea principiilor de funcţionare ale dispozitivelor electronice şi a principalelor lor aplicaţii.

comportare in frecventa si in timp 3 / 20 .Conţinut semnale electrice relaţiile şi teoremele utilizate în circuitele electronice surse de tensiune şi curent componentele pasive circute RC .

Semnale electrice 4 / 20 .

Surse. Notaţii 5 / 20 .

Relatii si teoreme de circuite electrice Legea lui Ohm Teoremele lui Kirchhoff (TKV si TKI) Conectarea rezistoarelor Divizoare rezistive 6 / 20 .

Metoda suprapunerii efectelor V0 = V01+V02 7 / 20 .

Teorema lui Thevenin (generatorul echivalent de tensiune) 8 / 20 .

Teorema lui Millman (potenţiale la noduri) Teorema lui Millman (potenţiale la noduri) VN = ? 9 / 20 .

Transferul de putere 10 / 20 .Puterea.

Condensatorul si bobina Relaţia tensiune – curent Conectarea serie şi paralel Comportarea în cc Comportarea în ca 11 / 20 .

Circuit RC cu sursa de tensiune Ecuația condensatorului C ⋅ dvC (t ) = iC (t ) ⋅ t −t −t vC (t ) = vC (0)e σ + (1 − e σ )vC (∞) 12 / 20 .

Circuit RC cu sursa de tensiune −t −t vC (t ) = vC (0)e σ + (1 − e σ )vC (∞) 13 / 20 .

Circuit RC .răspunsul în timp i (t ) = vI (t ) − vO (t ) CdvO (t ) = i (t )dt . dvO (t ) i (t ) = C dt Ri (t ) + vO (t ) = v I (t ) dvO (t ) RC + vO (t ) = v I (t ) dt vO (t ) = ? 14 / 20 .

σ << 2 10 T = 5σ 2 15 / 20 .T T 5σ << .

σ >> T A Calculeaza valoarea medie a tensiunii de intrare B A B 16 / 20 .

Încărcarea C la curent constant 1 vC (t ) = It C 17 / 20 .

a.Comportarea în c. jωC Z L = jωL 18 / 20 . Reactanţa 1 . pentru condensator XC = ωC X L = ωL. Elemente reactive ideale Z L = R + jX L 1 Zc = . pentru bobină Z = R + j(X L − X C ) Impedanţa Z C = R − jX C .

Circuit RC - răspunsul în frecvenţă

1 F ( jω ) = 1 + jωRC

F ( jω ) =

1 1 + (ωRC )
2

Φ(ω ) = −arctg(ωRC)
19 / 20

Reprezentarea răspunsului în frecvenţă
1 F ( jω ) = 1 + jωRC

FTJ

20 / 20

Dioda semiconductoare

1/5

Introducere

Simbol

Asocierea sensurilor pentru curent şi tensiune
2/5

Dioda ideală Modelul ideal (dioda ideală ) conţine doar proprietatea de conducţie unilaterală a curentului Caracteristica diodei ideale 3/5 .

respectiv permite trecerea curentului dacă tensiunea la borne tinde să devină pozitivă (c). Modele echivalente ale D ideale Conductie Blocare 4/5 .Dioda ideală Dioda ideală se comportă ca un comutator automat care interzice total trecerea curentului dacă tensiunea la borne este negativă (b).

5/5 .dispozitivul comută (automat.Regimuri de functionare Regim de comutare . C. când împiedică complet trecerea curentului conducţie puternică când permite trecerea curentului. R. semicomandat sau comandat) între două stări extreme: blocare.) Regim de conducţie permanentă (moderată) când dispozitivul controlează (determină) valoarea diferită de zero a curentului ce trece prin el.etc. valoarea acestuia fiind stabilită de alte elemente din circuit (surse.

caracteristica statică de transfer în tensiune se consideră toate situaţiile posibile din combinarea stărilor de conducţie şi blocare ale diodelor în circuit pentru fiecare situaţie se determină : • • • schema echivalentă valoarea vO domeniul de valori ale vI pentru situaţia respectivă 1/12 se desenează CSTV.Diporţi DR în comutare Analiza diporţilor DR CSTV . .

Exemplificare vD < 0 iD = 0 iD > 0 vD = 0 vO = 0 v D = v I − vO vI < 0 vI iD = R vO = v I vI > 0 2/12 .

vO = 0 vI < 0 vI vI > 0 CSTV – Caracteristica statica de transfer in tensiune 3/12 .

4/12 .

conectare paralel ? ? Structura echivalentă pentru situaţie de avarie vI > 0 Important Niciodată nu vom conecta o sursă de tensiune astfel încât în timpul functionării normale a circuitului să fie pusă în scurtcircuit 5/12 .Alte modalităţi de conectare Inversarea locului diodei si rezistenţei Iesirea de pe D Diport DR.

Diporţi cu rezistenţă de sarcina Aceasi CSTV Comparatie 6/12 .

7V. iD=0 iD>0 7/12 .Modelul diodei cu cădere de tensiune constantă in conductie Pentru polarizarea directă vD>0: când când vD<0.7V. vD=0. D-(c). D-(b).

Efectul căderii de tensiune pe dioda in conducţie 8/12 .

9/12 .

Aplicaţii ale diporţilor DR Redresoare monoalternanţă 10/12 .

Aplicaţii ale diporţilor DR Selector de impulsuri 11/12 .

Aplicaţii ale diporţilor DR Limitatoare de tensiune 12/12 .

vB(t)) .Multiporţi DR în comutare Multiporţi de maxim spaţial vA < vB vO = vB vA > vB vO = vA 1/8 vO (t)= max(vA(t).

7.ideala D – cu cadere de tensiune 2/8 . vB . vO= max(vA – 0. 0). D.vO= max(vA .7V. 0). vB – 0.

VAl) vO(t) ? 3/8 . VAl) vO= min(vA+ 0.Multiporţi de minim spaţial vO= min(vA. vB+ 0.7V.7V. vB.

Aplicaţii ale multiporţilor DR Redresare dublă alternanta VI>0V VI<0V 4/8 .

Alimentarea de rezervă de la acumulator 5/8 .

Circuite logice DR Semnal analogic logic “0” logic “1” logic fals sau scăzut sau adevărat ridicat 0V→ “0”logic 10V→”1”logic 6/8 .

Circuit “SAU” cu două intrări 7/8 .

Circuit “si” cu trei intrări 8/8 .

dioda conduce. dioda este blocată. Este util să studiem comportarea lor în domeniul timp în regim variabil Diporţi DC de extrem temporal vD tinde să fie pozitivă.Diporţi DC în comutare Proprietătile de regim static (cum ar fi CSTV) ale diportului DC nu prezintă interes în aplicaţii. vC (t)=constant 1 /13 . vC(t) creşte vD<0V.

vD (t) = vI (t) – vO(t) Detector de varf pozitiv 2 /13 .

Diporţi DC de translatie vO(t)=vI(t)-vC(t) Translatie spre valori negative 3 /13 .

vO = vI+vC VC > 0 Translatie spre valori pozitive 4 /13 .

Aplicaţii ale diporţilor DC • Dublor de tensiune – varianta 1 5 /13 .

• Dublor de tensiune – varianta 2 6 /13 .

V+ V- V C1 V01 Vi 22n D1 D1N4448 D2 V02 D1N4448 C2 22n V1 = +5V V2 = -5V PER = 1ms 0 V V 7 /13 .

V+ V- V C1 V01 Vi 22n D1 D1N4448 D2 V02 D1N4448 C2 22n V1 = +5V V2 = -10V PER = 1ms 0 V V 8 /13 .

facultativ 9 /13 .Triplorul de tensiune .

ondulatie (riplu) 10 /13 .Redresoare cu filtru capacitiv RC >> T pentru ˆ Δv << V I ˆ VI I= R Curentul de descarcare poate fi aproximat Δt d = T − Δti ≈ T Δv CΔv = IΔt T ˆ VI Δv = RC 1 ˆ Δv = VI fRC .

11 /13 . RL = 100Ω C=? Δv < 1.Exemplificare ˆ VI = 10V f=50Hz.5 V alegem un condensator electrolitic C=1500µF/25V .

Demodulator pentru modularea în amplitudine 12 /13 .

Restabilirea componentei continue . 13 /13 .facultativ Ca şi aplicaţie considerăm un semnal dreptunghiular care a fost transmis pe o linie cu cuplare capacitivă. Datorită cuplării capacitive semnalul şi-a pierdut componenta continuă iniţială. După trecerea prin circuitul de translaţie spre valori pozitive nivelul de curent continuu al semnalului este restabilit.

Circuite cu diode în conducţie permanentă Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei o cădere de tensiune pe diodă determină valoarea curentului prin ea o valoare a curentului prin diodă determină căderea de tensiune pe ea 1 /14 .

pentru o diodă semiconductoare cu Si.Caracteristica diodei Caracteristica curent-tensiune. 2 /14 .

curentul de saturaţie tensiunea termica VT = 25mV la temp ambianta (aprox 20O C) n=2 pentru diode discrete n=1 pentru diode din CI i D >> I S iD ≅ I S e vD nVT 3 /14 . IS .Polarizare directă i D = I S (e VT = KT q vD nVT − 1) Ecuatia este valabila in regiunea de polarizare directa. vD > 0.

VT . tensiunea pe diodă scade cu 2mV CT = −2mV/ Ο C v D (T2 ) = v D (T1 ) + CT ⋅ (T2 − T1 ) I D − cst 4 /14 .depind direct de temperatura la curent constant.Dependenţa de temperatură iD ≅ I S e vD nVT IS. la o creştere a temperaturii cu 10C .

Metoda analitică (aproximări succesive) 5 /14 . Metoda grafică 2.Analiza circuitelor cu diode ID=? VD=? VD nVT ID = ISe VD nVT VI = I D R + VD ⇒ Ecuaţie transcendentă VI − VD = RI S e Două metode aproximative de rezolvare: 1.

Metoda grafică Ecuatia dreptei de sarcina: VI = I D R + VD Ecuatia diodei: VD nVT ID = ISe 6 /14 .

Metoda grafică Efectul rezistentei asupra PSF (punct static de functionare) 7 /14 .

7V şi se determină curentul prin diodă ID(0) folosind ecuaţia dreptei de sarcină. (VD(0). VD(0) =0. Se consideră o valoare iniţială a tensiunii pe diodă. (VD(1) . rapida se utilizeaza in general solutia initiala ! 8 /14 . ID(1)) – soluţia dupa prima iteraţie Astfel am parcurs o iteraţie.Metoda analitică 1. Dacă este necesară o precizie mai bună se mai efectuează alte interaţii. de ex. In analiza manuala. apoi curentul ID(1) din ecuaţia dreptei de sarcină. Cu valoarea ID(0) se calculează tensiunea pe diodă din ecuaţia diodei VD(1). ID(0)) – soluţia initiala 2.

635 = = = 4.7 = 4. R=0.6mA (1) VD = nV ⋅ ln = 2 ⋅ 0.73mA = n ⋅ VT ⋅ ln = 2 ⋅ 0.637 = = = 4.6 mA 0.5 ( V D2 ) (1 I D) 4.025⋅ ln = 0.Exemplu Se considera VI=3V.635 V T IS 14nA (1 ID) ( VI − VD1) 3 − 0.637 V 14nA IS ( VI − VD2) 3 − 0. VD = nVT ln ID IS ( VD0 ) = 0.025 ⋅ ln = 0.5KΩ.73mA R 0.5 ( I D2) 9 /14 . iar D este 1N400x cu IS=14nA şi n=2.5 (0 ID ) 4.7V V − VD ID = I R ( I D0) = 3 − 0.726mA R 0.Metoda analitică .

) Parametrii diferenţiali – se definesc in regim variabil (parametrii de semnal mic) 10 /14 .Parametrii diodei Parametrii se definesc in punctul static de functionare (PSF) Parametrii statici – se definesc in regim static (c.c.

8mA) r D 1 Q2(0.7 = = 42 Ω 16 . 11 /14 . asadar rezistenta statica este mai redusa.3mA) rD 2 0 .Parametrii statici VD rD = ID Q rezistenţa statică a diodei conductanţa statică a diodei gD = 1 ID = rD VD Exemplu: Q1(0.65 = = 283 Ω 2.65V. dioda este in conductie mai puternica.3 gD1=24mS gD2=3. 2. 8 0.5mS Cu cresterea curentului.7V. 16.

Parametrii diferenţiali (de semnal mic) Un semnal variabil mic este suprapus peste marimile de cc OPTIONAL vD(t)= VD+vd(t) iD(t)=ID+id(t) Rezistenta diferentiala: vd rd = id Q nVT rd = ID δv D rd = δi D Q Aproximarea de semnal mic: regiune liniară in jurul lui Q 12 /14 .

Interpretarea rD şi rd OPTIONAL Modelarea diodei in PSF curent continuu semnal mic (variatii) 13 /14 .

ce valoare are rezistenta statica? c) Ce valoare are rezistenta de semnal mic in Q? d) Care este circuitul echivalent pentru variatii? e) Cum arata cronogramele vD(t). si iD(t)? 14 /14 .7mA). 4.Exemplificare vi OPTIONAL a) Care este circuitul echivalent in curent continuu? b) Considerand Q(0.64V.

Dioda Zener Factorul relativ de stabilizare al DZ ΔvZ VZ FZ = Δ iZ IZ rz FZ = rZ 1 /8 .

0075 2000 2 /8 . VZ = 10V.6V. rzmax = 15Ω.059 1020 FZ 3 15 = = 0.4 W la acelaşi curent nominal IZ = 5 mA avem : 1) DZ 3V6 2) DZ 5V1 3) DZ 10 FZ 1 VZ = 3. rZ = 0.132 720 FZ 2 60 = = 0. rzmax = 95Ω. VZ = 5. rzmax = 60Ω.Exemplu Pentru trei diode de 0.1V.72 KΩ rZ = 1.02 KΩ rZ = 2 KΩ 95 = = 0.

Domeniul de stabilizare al DZ I Z max Pd max = VZ 3 /8 .

Echivalentul unei diode Zener de 7. au CT~0mV/°C la curent mic.Dependenţa de temperatură Diodele Zener au un coeficient de temperatură CT care depinde atât de tensiune cât şi de curentul la care lucrează. ≅ Pe de altă parte pentru DZ de 6.).8V.1V.5V cu coeficientul de temperatură foarte scăzut. Diodele cu efect Zener (2…5V) au un coeficient de temperatură negativ (la creşterea temperaturii scade VZ. Diodele cu multiplicare în avalanşă au coeficient de temperatură pozitiv. 4 /8 . În particular diodele Zener cu VZ = 5. au CT ~ 2mV/°C.

Aplicaţii ale DZ Stabilizator parametric de tensiune – Referinta de tensiune Limitatoare duble de tensiune Ajustarea nivelului de curent continuu al unui semnal variabil studiem la CEF 5 /8 .

Referinţa de tensiune Io << Iz 6 /8 .

Limitatoare duble de tensiune 7 /8 .

Ajustarea componentei continue a unui semnal variabil 8 /8 .

Amplificatoare operationale (AO) CI ce conţin un număr relativ mare de tranzistoare şi componente pasive (în general rezistoare) pe aceeaşi pastilă de siliciu (popularul 741 conţine 24 T. 1C). Studiul din p. al caracteristicilor la terminale si al principalelor aplicatii 1/5 . Sunt împachetate în diverse capsule de plastic sau metal ce prezintă mai multe terminale (8.v. Foarte populare datorita versatiliatii lor. 12 R. AO are caracteristici la terminale care il fac sa se comporte ca un amplificator (aproape) ideal. etc. Optimizate pentru viteză / precizie / zgomot redus / consum redus / amplificare mare / excursia maximă a ieşiri (linie la linie) / stabilitate termică / tensiuni reduse de alimentare.14 sau 16).d.

Terminalele AO Conectarea in circuit Observatie: În multe circuite nu se desenează terminalele de alimentare ale AO ci doar intrările şi ieşirea. 2/5 . considerându-se implicit că există o alimentare corectă.

Funcţionarea AO vD = v − v + _ vO = av D Modelul pentru variatii rezistenta de iesire • tensiunea de intrare vD • dacă nici una dintre intrări nu este legată la masă nu avem un terminal comun între intrare şi ieşire rezistenta de intrare sursa de tensiune comandata in tensiune (STCT) .pseudosursa 3/5 .

adică amplificarea a este constantă în tot domeniul de frecvenţe. Aceasta înseamnă că tensiunea de ieşire este independentă de curentul furnizat în sarcină. Aceasta are ca efect faptul că AO nu absoarbe curent pe intrări: i+=i-=0 Rezistenţa de ieşire ro=0. Banda de frecvenţă infinit B=∞. Amplificarea infinit: a=∞ 4/5 . inclusiv în cc.AO ideal Rezistenţă de intrare ri=∞.

Apare nedeterminarea: vO=avD=∞·0 vD poate fi ţinută la 0 prin conectarea unor rezistenţe în exteriorul AO într-o configuraţie cu reactie negativă. în comutare. vO → +∞.? Care este valoarea tensiunii de iesire. vO=VOH ≈ +VAl vD >0. având în vedere ecuaţia de funcţionare a AO. vO va fi limitată vO=VOL≈-VAl vO poate lua doar două valori extreme • Utilizarea ca amplificator vOЄ(VOL . care devine: vO=avD=∞·vD ? • Utilizarea ca si comparator. vO va fi limitată vD<0. VOH) vO poate lua o infinitate de valori intre cele doua valori extreme este necesar cavD=0. Aceste rezistenţe împreună cu AO menţin vD la zero şi stabilesc valoarea tensiunii de iesire ⇒ amplificatoare cu AO 5/5 . vO → -∞.

comparatorul raspunde cu una sau alta dintre cele doua valorile disponibile la iesire pentru comparator putem considera o singură intrare şi anume diferenţa între v+ şi v-.. VOH} vD<0.AO – comparator AO este utilizat in comutare => comparatoare cu AO Comparator de tensiune: circuit care semnalizează prin două valori diferite ale tensiunii de ieşire starea relativă a două tensiuni aplicate la intrare compararea tensiunilor: prin semnul diferentei dintre ele in functie de semn. vO=vOL 1 / 11 . adică vD vD>0. adică v+<v. vO=vOH VO Є {VOL . adică v+>v..

Modelare AO in comutare CSTV ? Potrivit pentru AO linie-la-linie 2 / 11 .

Comparatoare simple Comparatoare simple. Determinarea tensiunii de prag: • se determina expresia vD • se pune conditia vD=0 si se inlocuieste vI cu VP • se determina VP 3 / 11 . Comparatoare cu histerezis (cu reactie pozitiva). cu doua tensiuni de prag. cu o singura tensiune de prag. Tensiunea de prag VP : acea valoare particulară a tensiunii de intrare vI pentru care are loc comutarea tensiunii de iesire. (pentru care vD=0). fara reactie.

VP = 0 4 / 11 + − .Comparatoare cu VP = 0 • neinversor vD = v + − v − v = vI . v = 0 vD = vI v D = 0.

Comparatoare cu VP = 0 • inversor Cum arata tensiunea de iesire daca tensiunea de intrare este o tensiune sinusoidala cu amplitudine de 3V si alimentarea este ±V Al = ±12V ? 5 / 11 .

R2 (i+≅0) VREF R1 V Al = R1 + R2 6 / 11 . VP = VREF CSTV ? i+ << crt prin divizorul R1.Comparatoare cu VP ≠ 0 vD = v + − v − v D = v I − VREF v D = 0.

Exemplificare Reproiectare: inversor Vp= +6V ? CSTV ? vO(t) 7 / 11 .

LM 393. LM 311 .LM 399.AO speciale pentru comparatoare amplificatoarele operaţionale uzuale – comparatoare clasă specială de AO destinate utilizării ca şi comparatoare. care nu se întâlneşte la AO uzuale 8 /11 . LM 339 : tensiuni diferenţiale de intrare mari răspuns foarte rapid (viteză foarte mare de creştere a tensiunii de ieşire) uzual comparatoarele au ieşirea de tip colector în gol (necesita conectarea la ieşire a unei rezistenţe externe R către un potenţial pozitiv) pot prezenta terminal de masă. cum ar fi: LM 306.

etc. circuite de modulare a impulsurilor în lăţime. 9 /11 .Aplicaţii ale comparatoarelor simple Circuite logice Interfaţare între circuite analogice şi circuite logice Formarea de semnal dreptunghiular din semnalul sinusoidal (sau triunghiular) Indicator optic de nivel Modularea în durată a impulsurilor Circuitele de semnalizare şi comandă. convertoare analog-digitale.

Indicator optic de nivel 10 /11 .

Interfaţare între circuite analogice şi circuite logice Circuit logic 11 /11 .

Comparatoare cu histerezis
Comparatoarele simple, fără reacţie au două dezavantaje: Pentru un semnal de intrare cu variaţie lentă comutarea ieşirii dintr-o valoare în alta poate fi lentă. Dacă semnalul de intrare conţine zgomot la ieşire vom avea comutări multiple nedorite, când semnalul de intrare trece prin valoarea de prag. Nu mai sunt comutari nedorite

Cum implementam aceasta CSTV ?
1/8

Solutie:
Doua praguri de comparare VPH si VPL Doua valori distincte ale vO: VOH si VOL comutarea are loc la VPH numai daca vO=VOH comutarea are loc la VPL numai daca vO=VOL ⇒ Valorile tensiunilor de prag sa depinda de valoarea tensiunii de iesire → Tensiunea de iesire adusa la intrare: reactie pozitiva (sa intareasca efectul): aducerea unei fracţiuni din tensiunea de ieşire la intrarea neinversoare a AO prin intermediul unui divizor rezistiv

2/8

Comparator inversor cu histerezis

vO

CSTV ?

vI

R1 vO v = R1 + R2
+

vD = 0

R1 vO = VP R1 + R2
VPH

v _ = vI

R1 vD = vO − v I R1 + R2

VPL

R1 VOL = R1 + R2

R1 VOH = R1 + R2
3/8

ΔV P = V PH − V PL

R1 (VOH − VOL ) = R1 + R2

sensul de parcurgere al histerezisului la un anumit moment este „activ” doar un singur prag comparatoarele cu histerezis sunt circuite bistabile semnalul de intrare declanşează acţiunea de comutare a ieşirii, procesul de comutare fiind continuat de reacţia pozitivă: consideram vO=VOL , vI>VPL vI ↓; cand vI trece prin VPL: vI ↓, vD ↑, vO ↑, v+↑, vD↑, vO ↑ RP procesul va continua de la sine datorită RP până când ieşirea ajunge în cealalta stare, VOH ⇒ comutare rapidă circuite basculante bistabile (CBB) sau trigger Schmitt
4/8

Exemplificare CSTV ? 5/8 .

Comparator inversor cu Comparator inversor cu praguri nesimetrice praguri nesimetrice Circuit ? R1 R2 v = vO + VREF R1 + R2 R1 + R2 R1 R2 + − vD = v − v = vO + VREF − vI R1 + R2 R1 + R2 + VPL V PH R2 R1 = VOL + VREF R1 + R2 R1 + R2 R2 R1 = VOH + V REF R1 + R2 R1 + R2 6/8 .

Comparator neinversor cu histerezis R1 R2 vD = v − v = vO + vI − 0 R1 + R2 R1 + R2 + − R2 R1 vO + VP = 0 R1 + R2 R1 + R2 VPL R1 vO VP = − R2 VPH R1 = − VOH R2 R1 = − VOL R2 7/8 .

Exemplificare R1 R2 vD = v − v = vO + v I − VREF R1 + R2 R1 + R2 + − 8/8 .

Circuit liniar: x0 proportional cu xi A .amplificare x o ( t ) = A ⋅ xi ( t ) A<0 A>0 inversor neinversor 1/11 ..AMPLIFICATOARE ELECTRONICE Amplificatorul electronic: triport activ ce furnizează la ieşire un semnal xo(t) (tensiune sau curent) cu aceeaşi formă de variaţie în timp ca a semnalului de intrare xi(t) şi care este capabil să furnizeze o putere mai mare dacă lucrează pe o sarcină adecvată.

mai frecvent cu surse de tensiune Alimentare unipolara Alimentare bipolara (diferentiala simetrica) 2/11 .Alimentarea amplificatoarelor cu surse de tensiune continuă şi/sau surse de curent continuu.

Circulaţia şi bilanţul puterilor puterea medie a semnalului de ieşire Pout este mai mare decât puterea medie a semnalului de intrare Pin. Surplusul de putere la ieşire este preluat din sursele de alimentare Palim+Pin=Pout+Pdisipată Palim ≈ Pout+Pdisipată η=Pout/Palim un transformator ridicător de tensiune nu este amplificator 3/11 .

Tipuri de amplificatoare

4/11

amplificator in tensiune, alimentat diferential simetric

CSTV

regiunea activa (de amplificare):
⎛V V v I ∈ ⎜ OL ; OH ⎜ A Av ⎝ v v O ∈ (V OL ; V OH ⎞ ⎟; ⎟ ⎠

)

amplificator ideal:

dvO Av = dv I

Q

VOL=-VAl

VOH=+VAl

AO uzuale
vO ∈ (−V Al + 1V...2V; + V Al − 1V...2V)
AO linie la linie (bara la bara, rail-to-rail): vO ∈ (− V Al ;+V Al )

5/11

Transferul semnalului de amplificat

Observaţie: Semnalul de intrare
suficient de mic pentru ca amplificatorul să lucreze în regiunea liniară din jurul PSF:

aproximare de semnal mic

6/11

Modele ale amplificatoarelor
diport: se referă explicit doar la comportarea la porţile de intrare şi ieşire, alimentarea fiind considerată implicit valabile indiferent de complexitatea internă a amplificatoarelor pe care le modelează valabile în domeniul frecvenţelor din banda de trecere

Surse comandate liniare (SCL)
diporţi activi - un singur parametru finit şi nenul: transferul direct semnalul de iesire este comandat de semnalul de intrare pseodosurse Exemplu: STCT vO = av • vi
7/11

Ro .va absoarbi curent de la sursa de semnal.diminuarea tensiunii de iesise la lucrul in sarcina Conectarea amplificatorului cu o sursa reala de semnal si cu sarcina vo Av = vs Ri RL Av = ⋅ ⋅ av Rs + Ri RL + Ro Amplificator ideal ? 8/11 .Modelarea amplificatorului in tensiune vo av = vi Ri .

Av este cu atât mai apropiată de amplificarea la mers în gol av cu cât se reduc pierderile de tensiune la intrare (pe Rs) şi la ieşire (pe Ro)

Ri>>Rs - toată tensiunea sursei sa ajungă la intrarea amplificatorului Ro<<RL - toată tensiunea SCL să ajungă pe rezistenţa de sarcină
amplificator în tensiune ideal

Ri = ∞;

Ro = 0

9/11

Determinarea parametrilor amplificatoarelor
amplificarea (factorul de transfer direct) rezistenta de intrare rezistenta de iesire

Amplificarea
analiza circuitului folosind teoreme şi relaţii de circuite electrice (Kirchhoff, Ohm, etc.) şi ecuaţii ce descriu funcţionarea dispozitivelor active. se determină mărimea de ieşire în funcţie de cea de intrare şi prin raportul lor se deduce amplificarea

Rezistenta de intrare

vi Ri = ii
10/11

Rezistenţa de ieşire
1.

Se pasivizeaza sursa de semnal de intrare Se aplica la iesire o sursa de test

vtest Ro = itest

2.

gol

scurtcircuit

Ro =

vo , gol io , sc
11/11

AO – amplificator
vO=a·vD=∞·vD
Utilizarea ca amplificator vOЄ(VOL ; VOH)
este necesar ca vD=0. Apare o nedeterminare:

vO=a·vD=∞·0

vD poate fi ţinută la 0 prin conectarea unor impedante în exteriorul AO într-o configuraţie cu reacţie negativă. Aceste impedante împreună cu AO menţin vD la zero şi
stabilesc valoarea tensiunii de ieşire ⇒ amplificatoare cu AO
1/16

amplificator vD = 0 v D ↑. v − ↑.AO cu reactie negativa . v D ↓ RN. mentine automat vD la zero Ce posibilitati avem pentru conectarea intrarilor ? 2/16 . vO ↑.

Amplificator neinversor CSTV ? R1 v = vO R1 + R2 − vD = v + − v − = vI − R1 vO = 0 R1 + R2 R1 vI = vO R1 + R2 vO R2 Av = = 1+ vI R1 3/16 .

• Alta metoda de a determina amplificarea vD = 0 v + = vI v = vI vO R2 Av = = 1+ vI R1 − i • acelaşi curent prin R1 şi R2 i amplificarea este dată doar de raportul a două rezistenţe valoare precisă a amplificării amplificarea este independentă de AO. consecinţă directă a folosirii RN în cazul unui amplificator cu amplificare proprie foarte mare ( a → ∞ in cazul AO) 4/16 . nefiind influenţată de dispersia tehnologică a valorilor parametrilor AO.

Rezistentele de intrare si de iesire • se determina pe modelul echivalent vI vede întrerupere. deci Ri = ∞ Ro = vOgol iOsc = vOgol ∞ =0 5/16 .

•CSTV •vO(t) pentru vI(t) triunghiulara cu amplitudunea 1.Exemplificare A =? •Avv=6 •Modelul echivalent al amplif.5V axata pe zero •vO(t) pentru vI(t) triunghiulara cu amplitudinea 2V axata pe 0.5V ? 6/16 .

Reglarea amplificarii Av max = 1 + R2 R1 Avmax R2 + P = 1+ R1 Avmin = 1 + R2 R1 + P Amin =0 v Ce se obtine pentru valori extreme (0 sau ∞) ale rezistentelor pentru amplificatorul inversor ? vO = ? daca R1 = 0 cursorul la extrema stanga 7/16 .

Repetor de tensiune vO = v I RN totală nu există amplificare în tensiune amplificare infinită în curent etaj tampon pentru a conecta o sursă (sau ieşirea unui circuit electronic) cu rezistenţa de ieşire mare (poate debita curent redus) cu o rezistentă de sarcină scăzută (care solicită curent mare). 8/16 .

Amplificator inversor Circuit ? CSTV ? v =0 + + R2 R1 v = vI + vO R1 + R 2 R1 + R 2 − R2 R1 vD = v − v = 0 − vI − vO = 0 R1 + R2 R1 Amplificare ? + R2 − vO R2 Av = =− vI R1 9/16 .

Alternativă pentru înţelegerea funcţionării amplificatorului inversor v+ = v− v+ = 0 0 − vO i2 = R2 masa virtuala − v =0 i1 = i2 vI − 0 i1 = R1 vO vI =− R1 R2 vO R2 =− Av = vI R1 10/16 .

Rezistenţele de intrare şi ieşire Ri = R1 Ro = 0 Ri = ? Ro = ? În comparaţie cu amplificatorul neinversor la care Ri →∞ pentru amplificatorul inversor avem o rezistenţă mai mică de intrare. zeci de K. Dacă într-o aplicaţie se solicită o rezistenţă mare de intrare vom folosi conexiunea neinversoare. Uzual aceasta este de ordinul K. 11/16 .

2V. alimentare ±12V Ri. Av Modelul echivalent Domeniul vi. + 1. R2=100K.i. AO amplificator Ri = R1 = 10 k Ro = 0 R2 100 =− = −10 Av = − R1 10 Domeniul vI: (−1.Exemplificare R1=10K. Ro.2V) 12/16 . a.

Păstrând R2=100K.1 Av max Acceptabil ? 13/16 .1kΩ 18 18 Verificare: R2=100kΩ = 18 P=100kΩ Av min = 9. alegem 100K şi refacem calculele.Exemplu de Proiectaţi un amplificator inversor cu R >8k si i proiectare amplificarea |Av| reglabilă în domeniul [10.18] Av min R2 = = 10 R1 Av max = R2 + P = 18 R1 R2 = 10R1 Din condiţia pentru Ri: Ri = R1 ≥ 8kΩ R2 + P = 18R1 R1 = 10kΩ Alegem P = 18 ⋅10 − 100 = 80 kΩ R2 = 10 ⋅10 = 100 kΩ Deoarece nu există potenţiometru de 80K. rezultă: R2 + P 100 + 100 R1 = = = 11.

5k R2 = 125k R 2 + 100 k = 18 R1 Verificare: Av min = 10 Av max = 18 14/16 .Exemplu de proiectare (cont.) Av min R2 = = 10 R1 Av max = R2 + P = 18 R1 R2 = 10R1 P = 100 k R2 + P = 18R1 R 2 = 10 R1 R1 = 12.

Repetor de tensiune inversor vO Av = = −1 vI Ri = R 15/16 .

Amplificare si rezistenta mare de intrare OPTIONAL R2 Av = R1 Ri = R1 ⎛ R21 + R22 R21 R22 ⎞ vO ⎟ = −⎜ + Av = ⎜ vI R1 R1 R3 ⎟ ⎝ ⎠ ⎛ 10 + 10 10 ⋅10 ⎞ Av = −⎜ + ⎟ = −1020 1 ⋅ 0.1 ⎠ ⎝ 1 ⎛ R21 R21 R22 ⎞ vO ≅ −⎜ Av = ⎜ R + RR ⎟ ⎟ vI 1 3 ⎠ ⎝ 1 Av ≅ −1010 Acelasi curent prin R1 si R21 Aceasi tensiune pe R3 si R21 16/16 .

Sumatorul inversor Expresia tensiunii de iesire ? ⎛R ⎞ R vI 2 ⎟ vO = −⎜ v I 1 + ⎜R ⎟ R2 ⎝ 1 ⎠ Ce relatie trebuie sa existe intre rezistente pentru a obtine media aritmetică a tensiunilor de intrare ? R1 = R2 = 2 R 1/7 .

vO= vi1+ vi2? 2/7 .Problema a) Expresia vO(vi1. Cum trebuie modificat circuitul pentru a obtine functia de sumator neinversor. 5V]? In aceasta situatie pentru ce interval de valori ale vi2 avem functionare in regiunea activa? c) Pentru valorile rezistentelor din figura.i. cum arata CSTV vO(vi2) a circuitului pentru vi2∈[-5V. R4 a. vi2) considerand ca AO lucreaza in regiunea liniara? Ce aplicatie realizeaza circuitul? b) Considerand vi1=2V. circuitul sa realizeze functia de sumator inversor vO= -(vi1+ vi2). cum arata vO(t) pentru tensiunile din figura alaturata? d) Dimensionati R1. R3. R2.

Sumatorul neinversor vO = ? ⎛ R4 ⎞⎛ R2 ⎞ R1 vO = ⎜1 + ⎟ ⎜ R ⎟⎜ R + R vI 1 + R + R vI 2 ⎟ ⎟⎜ 3 ⎠⎝ 1 2 1 2 ⎠ ⎝ Relatia intre rezistoare pentru vO = vI 1 + vI 2 R3 = R4 3/7 R1 = R2 si Uzual: R1 = R2 = R3 = R4 .

Amplificatorul diferential Aplicam suprapunerea efectelor vO1 R4 = R3 + R4 ⎛ R2 ⎞ ⎜1 + ⎟v I 1 ⎜ R1 ⎟ ⎝ ⎠ vO 2 R2 =− vI 2 R1 vO = vO1 + vO 2 R4 = R3 + R4 ⎛ R2 ⎞ R2 ⎜1 + ⎟v I 1 − vI 2 ⎜ ⎟ R1 ⎠ R1 ⎝ 4/7 .

in cazurile practice se pune R1=R3 şi R2=R4 5/7 .Cum amplificam vI1-vI2 ? R2 R4 ⎛ R2 ⎞ ⎜1 + ⎟v I 1 − v I 2 vO = R3 + R4 ⎜ R1 ⎟ R1 ⎝ ⎠ R4 R3 + R 4 ⎛ R ⎞ R ⎜1 + 2 ⎟ = 2 ⎜ R1 ⎟ R1 ⎝ ⎠ R1 R3 = R2 R4 vO R2 (v I 1 − v I 2 ) = R1 pentru vI1=vI2 se obţine vO=0 circuitul amplifică doar diferenţa tensiunilor şi rejectează semnalele de mod comun.

Exemplificare De la un senzor se primeste un semnal variabil vi cu componenta continua VI =5V. Dorim sa amplificam doar partea variabila a semnalului (cea care contine informatie).5kΩ R2 = R4 = 25kΩ vo (t ) = 10vi (t ) 6/7 . Ce solutie se poate utiliza ? R2 R4 ⎛ R2 ⎞ ⎜1 + ⎟vI (t ) − VREF vO (t ) = R1 R3 + R4 ⎜ R1 ⎟ ⎝ ⎠ R4 ⎛ R2 ⎞ R2 ⎜1 + ⎟(VI + vi (t )) − VI vO (t ) = R3 + R4 ⎜ R1 ⎟ R1 ⎝ ⎠ R4 ⎛ R2 ⎞ R2 ⎜1 + ⎟ − ⎜ R ⎟ R =0 R3 + R4 ⎝ 1 ⎠ 1 R4 ⎛ R2 ⎞ ⎜1 + ⎟ = 10 R3 + R4 ⎜ R1 ⎟ ⎝ ⎠ R1 R3 = R2 R4 R1 R3 1 = = R2 R4 10 R1 = R3 = 2. de 10 ori.

AO3: amplificarea unitară trecerea de la două tensiuni vO1 şi vO2 la o singură tensiune vO.Amplificator de instrumentatie standard rezistenţă mare de intrare rejecţie cât mai bună a semnalului de mod comun Optional AO1 şi AO2: rezistenţa de intrare mare asigură amplificarea. rejecţie suplimentară a tensiunii de mod comun ⎛ 2 R2 v O = ⎜1 + ⎜ R1 ⎝ ⎞ ⎟(v I 1 − v I 2 ) ⎟ ⎠ 7/7 .

TRANZISTOARE Dispozitive semiconductoare active (cu trei terminale) Principiul de funcţionare: utilzarea unei tensiuni între două din terminale (de comandă) pentru a controla intensitatea curentului prin al treilea terminal (de execuţie). curent comandate în tensiune Tranzistoarele: surse de 1/9 .

Categorii de tranzistoare 2/9 .

TMOS 3 /9 .Principiul si regiuni de functionare Tranzistorul – sursă de curent comandată • Modelul in cc – sursa ideala de curent comandata in tensiune Tip n Tip p TECMOS TB npn cu canal n TECMOS TB pnp cu canal p Surse comandate neliniare: exponentiala – TB Tensiune de prag patratica .

Utilizarea in circuit a tranzitorului Tn De ce este necesara R ? Marimi de iesire: IO. VO CST: IO(VCT). VO(VCT) • alimentare serie cu sursa de tensiune • alimentare paralel cu sursa de curent 4 /9 .

IO=IT>0 VAl=RIO+VO . Tn – blocat. VO= VAl .Caracteristici de transfer • VCT<VPn. VO ↓ VO.min=0 I Oex V Al = R 5 /9 . IO=IT=0 • VCT>VPn. Tn – conduce.RIO VCT ↑. IO ↑.

VCTex). comutator ideal blocat . . Dacă VCT<VPn sau VCT>VCTex tranzistorul . regiunea activă directă aF VCT∈(Vpn.conducţie extremă (cex) IT=IOex.blocare (b) IT=0. VO=0.regim de amplificare 6 /9 .• Două regiuni extreme. VO>0. regiuni pasive: .tranzistorul . comutator ideal în conducţie.regim de comutare • O regiune intermediară.

Utilizarea Tp.blocare (b) VCT > VPP . Circuit.regiunea activa (aF) VCT < VCTex 7 /9 VCTex < VCT < VPP . CST .conducţie extremă (cex) .

VCT=VCTex tranzistor.Cine determină graniţele între cele trei regiuni? Tn Tp • graniţa (b) .(aF).(aF) tranzistorul prin tensiunea de prag T prin funcţia IT(VCT) R şi VAl prin valorea extrema a curentului de iesire • granita (cex) . R şi VAl: I Oex VAl = R 8 /9 .

R=1KΩ ii) VAl=15V.5kΩ 9 /9 .Exemplu i) VAl=10V. R=2. R=1kΩ iii) VAl=10V.

1 / 18 .TECMOS Tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor Simboluri Structura fizica Principiul de functionare Caracteristici de transfer si de iesire Regiuni de funcţionare Plasarea PSF pentru TMOS cu canal n indus şi canal p indus.

Structura fizica canal n indus Ce conditii trebuie realizate pentru a avea curent intre drena si sursa? • Formarea unui canal cu purtatori majoritari de tip n de la drena la sursa • Crearea unei diferente de potential pozitive drena – sursa care sa antreneze purtatorii 2 / 18 .

Optional 3 / 18 .

Optional ID = 0 4 / 18 .

Optional Curentul depinde liniar de VGS 5 / 18 .

Optional Curentul depinde neliniar de VGS2 6 / 18 .

Curentul prin tranzistor Curentul prin tranzistor depinde de • VGS . VDS ) 7 / 18 .formarea canalului • VDS – deplasarea dirijata a purtatorilor I D = f (VGS .

Simboluri D – drena G – grila S – sursa B – baza (substrat) 8 / 18 .

Principiul de funcţionare Pentru a înţelege funcţionarea TMOS vom studia caracteristicile statice la terminalele TMOS cu canal n: • Familia de caracteristici de transfer i D + iG = iS nod de curent iG = 0 i D = iS i D (vGS ) cu parametru v DS • Familia de caracteristici de iesire vGS = vCo v DS = v Al 9 / 18 i D (v DS ) cu parametru vGS .

58V.Caracteristici de transfer i D (vGS ) cu parametru v DS VDSsat = vGS − VP • Regiunea liniara vDS – mic. β=104μA/V2 10 / 18 . .depinde de tensiunea de iesire vDS. vDS < VDSsat 2 iD = β [2(vGS − VP )vDS − vDS ] iD – depinde liniar de tensiunea de comanda vGS. • Regiunea de saturatie vDS< vDSsat vDS > VDSsat iD = β (vGS − VP ) 2 iD – depinde doar de patratul vGS VP=0.

Caracteristici de iesire i D (v DS ) cu parametru vGS i D (v DS ) cu parametru vGS • Regiunea liniara iD = β [2(vGS − VP )vDS − vDS ] 2 vDS < VDSsat • Regiunea de saturatie (activa) iD = β (vGS − VP ) vDS > VDSsat 2 11 / 18 .

ID). VGD.5V VCo 3 = 2. VDS. In ce regiuni de functionare lucreaza tranzistorul? 12 / 18 .Exemplificare 5V Ce valori au VGS. in planul caracteristicilor de iesire. ID. VDSsat pentru urmatoarele valori ale VCo? VCo1 = 2V VCo 2 = 2.8V Plasati punctele statice de functionare Q(VDS.

parametrul transconductanţă şi se măsoară în µA/V2 W .este lungimea canalului prin care circulă iD 13 / 18 . A/V2.Regiunea activă: Regiunea liniara: i D = β (vGS − VP ) 2 iD = β[2(vGS −VP)vDS −v ] 2 DS β – parametru constructiv al tranzistorului TMOS. – pentru tranzistoare discrete se poate extrage din caracteristicile de catalog Pentru tranzistoarele integrate avem: K W β= ⋅ 2 L KW (vGS − VP )2 iD = 2 L regiunea activă K . mA/V2.lăţimea canalului prin care circulă iD L . – factorul beta se măsoară în µA/V2.

VDS) Dreapta de sarcină: vDS =VAl -RD iD VDS Q(ID.Plasarea PSF: Q(ID. VDS) se află la intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica corespunzătoare tensiunii vGS 14 / 18 .

eventual (aR) rezistenta liniara comandata in tensiune 15 / 18 . in comutare (b) Moduri de utilizare (cex) ca amplificator (aF).Regiuni de functionare IDex T – (b): VGS<VP T – (aF): VP<VGS<VGS3 T – (cex): VGS>VGS3 (cex) şi (aF) sunt separate de curba VDSsat=VGS –VP VDS Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe.

deci T (b) 2.5-6. b) Valoarea minimă a vGS pentru care T mai este în (cex)? 1.Exemplificare a) În ce regiune se află T pentru: 1.vGS=2.8V.5V vDS sat= vGS –VP=1.5= -4V < VP 16 / 18 . T este în (aF). vGD=vGS-vDS=1. vGS>VP. deci T (cex) sau (aF) comparam vDS cu vDSsat vDS =VAl -RD ·iD Presupunem T în (aF) iD= β (vGS –VP)2 β=2mA/V2 VP=1V iD =2·(2.5 -1)2= 4. 3.vGS=0. vGS<VP.5V vDS>vDssat.vGS =4V 2.5-1= 0.5= 6.5mA vDS =20-3 · 4.5V.

ex R VAl 20 ≈ = = 6.67mA ⇒ T . vGS=4V>VP.67 mA R 3 iD=18mA > iDex=6.3.(aF) este falsă T este în (cex) Altă modalitate: compararea valorii iD in (aF) cu iDex iDex = VAl − vDS .(cex) 17 / 18 . deci T (cex) sau (aF) iD =2·(4-1)2 =18mA vDS =20-3·18= -34V presupunerea T .

744V 18 / 18 .b) valoarea minimă vGSmin pentru care T este în (cex) corespunde plasării lui T pe curba vDSsat vDSsat =VAl -R·iD vDSsat =vGSmin-VP VAl -R·iD=vGsmin –VP iD =β·(vGSmin-VP)2 R β(vGSmin –VP)2+ (vGSmin-VP) -VAl = 0 din soluţia vGSmin –VP >0 VGSmin =2.

TECMOS IN COMUTARE In cazul tranzistoarelor în comutare. apar două stări extreme: (b) curentul de iesire (iD ) tensiunea de ieşire (vDS) regiunea specifica de functionare zero (cex) stabilit (aproape) în totalitate de circuitul extern tranzistorului stabilita de circuitul foarte apropiata de extern tranzistorului zero (ideal zero) (alimentare) TECMOS: blocat TECMOS: regiunea liniara 1/13 .

iO >0 .Tn Tp Modelul intrerupator comandat VCTex.(cex) .(b) .(b) . iOT=0 vCT <VCTex. T.n VCTex. vO≈0 vCT <VPn . T.p . iO =0 vCT >VPp . vO≈0 2/13 Intrerupatoarele comandate sunt complementare . T.n .(cex) . iO>0 . T.p vCT >VCTex.

vO=0 blocheaza trecerea vI permite trecerea vI 3/13 vCo=VCoH . Tn-(b) . vCo .două nivele: VCoL<VPn VCoH> VCTex.Comutatoare analogice semnalului de intrare către ieşire în funcţie de un semnal de comandă. vO= vI . Tn.n CA este un circuit care permite sau blochează trecerea vCo=VCoL .(cex) .

CA. vCo=VCoH .(c) . CA-(b) . 4/13 .comandate complementare CA cu două întrerupătoare vCo=VCoH vCo=VCoL .

4 porţi de transfer. VDD) CI 4066 . alimentat la ±10V. vO=vI CA – implementare CMOS VCoH=VDD. CA-blocat. vO=0 C=1. VCoL=VSS vI ∈(VSS. CA-conduce.C=0. ron=150Ω ± DG400 de la Siliconics ron=20Ω 5/13 .

Aplicatie: MUX cu trei canale 6/13 .

Circuite logice cu tranzistoare MOS Modelul întrerupător comandat ideal Implementare cu tranzistoare MOS complementare – circuite logice CMOS 7/13 .

VAl Cu Tp si R 8/13 .Inversorul logic Cu Tn si R 0 logic .0V 1 logic .

ideal R→∞ 9/13 Solutie: înlocuirea R cu întrerupator comandat .Analiza critica a inversorului cu intrerupator comandat si R Tn – (c) Tn – (b) Diminuarea dezavantajului R cât mai mică. R cât mai mare. ideal R→0.

Două solutii: întrerupătoare complementare comandă complementară Specifica TMOS Specifica TB 10/13 .

vGSp=vI-VDD 11/13 .• Inversorul CMOS VGSn=vI .

CSTV a inversorului CMOS Ideala din punct de vedere al intrarii Optional Reala 12/13 .

5V = 1V 13/13 .Margini de zgomot NM H = VOH min − VIH min NM L = VIL max − VOL max Nivelele tensiunii şi marginile de zgomot pentru familia logică CMOS alimentata la +5V NM L = 1.5V = 1V NM H = 4 .5V − 3.5V − 0 .

transfer.Tranzistoare bipolare (TB) Simbolurile Structura simplificata Caracteristici de intrare. iesire Principiul de functionare Regiunile de funcţionare Curentii prin TB Saturatia TB pentru TB npn şi pnp 1 / 14 .

Simboluri Simboluri uzuale npn pnp “Ce vede” un ohmmetru la terminalele TB Există interacţiune între cele două diode 2 / 14 .

3 / 14 .npn pnp Terminalele TB se numesc: B – bază (corespondent G la TECMOS) C – colector (corespondent D) E – emitor (corespondent S) Săgeata indică sensul pozitiv al curentului prin tranzistor de la C la E (npn) şi de la E la C (pnp).

tranzistor npn Efectul de tranzistor: Trecerea curentului printr-o regiune polarizată invers (bazăcolector) datorită interacţiunii ei cu o joncţiune polarizată direct (bază-emitor) situată în imediata ei vecinătate. . • regiunile de emitor şi colector mai late decât lungimea de 4 / 14 difuzie a purtătorilor minoritari în aceste regiuni.Structura simplificata. • regiunea de emitor mai puternic dopată decât regiunea bazei. • regiunea bazei foarte îngustă. considerabil mai îngustă decât lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în bază.

Caracteristici statice la terminalele IS v BE VT iB = β e iC =βiB Valabila in regiunea activa iC = I S e v BE VT Caracteristica de intrare Caracteristica de transfer 5 / 14 .

Caracteristici de ieşire Regiunea activă: iC=βiB Saturaţie: iC <βiB VCEsat≈0.2V Blocare: iC=βiB =0 6 / 14 .

6V Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe.6V vBC<0.6V vBC<0.6V vBE>0.6V vBE<0. npn rareori folosită vBE>0.Regiunile de funcţionare ale TB. eventual (aR) . Moduri de utilizare in comutare (b) (cex) 7 / 14 ca amplificator (aF).6V vBC>0.

cu iC=βiB iE = iC + iE=(β+1)iB ≈βiB 1 β iC = iC (1 + 1 β ) Relaţiile nu sunt valabile la saturaţia TB (cex) unde iC <βiB 8 / 14 .Curenţii prin TB iE =iC+iB Valabila in toate regiunile de functionare În regiunea activă (aF).

fie în emitor 9 / 14 . fie în bază.Limitarea curentului de comanda prin TB deosebire TB – TECMOS: joncţiune în circuitul de comandă se impune folosirea unei rezistenţe serie pentru stabilirea (limitarea) curentului de bază.

i Bsat = iCex β 10 / 14 .Saturaţia TB valorile rezistoarelor şi surselor de alimentare astfel încât tranzistorul să lucreze în regiunea dorită TB poate fi privit ca o sursă de curent comandată prin curent după relaţia iC=βiB în regiunea activă (aF).

ii) vCo=1.4V < VP=0. T . Presupunem T în (aF) astfel ca iC =βiB. Dacă iB >iCex /β. Vom compara iB cu iCex /β.(cex). Rezolvare: i) deoarece vCo=0.Exemplificare A. Se dau vco=2.În ce regiune se află T pt RB=50k cu i) vCo=0.(aF) 11 / 14 . iii) vCo=5V B.4V. Vom considera vBE=0.7V în conducţie şi β=100. ii) (cex). dacă iB <iCex /β. T .6V T-(b) ii) vCo >VP ⇒ T fie în (aF) fie în (cex).7V şi β∈(25…200) Domeniul RB astfel încât T i) (aF).7V.

2 = = = 5.7 = = 0.3V < 0.9 mA RC 2 vCo − v BE 1.02 mA iB = RB 50 iCex 5.02 = 2mA vCE = V Al − RC ⋅ iC = 12 − 2 ⋅ 2 = 8V PSF v BC = v BE − vCE = 0.059 mA β 100 Cum iB=20μA < iCex β = 59 μA.7 − 8 = −7.7 − 0.6V 12 / 14 .iCex V Al − vCEsat 12 − 0.9 = = 0 . ⇒ T este în (aF) iC = β iB = 100 ⋅ 0.

6mA vCE=VAl . vBE ≈0. vBC=vBEsat -vCEsat ≈0.2V Evident o valoare imposibilă (vCE nu poate fi decât pozitivă) deci presupunerea făcută este falsă.2V=0.8V-0.6V=VP iii) Puteam rezolva problema presupunând T în (aF) ⇒ iC=βiB=8.8V. Aşadar T este în (cex) 13 / 14 .7 iB = = = 0.6=-5.vCo − vBE 5 − 0.086mA 50 RB Cum iB =86µA>iCex /β=59µA. rezultă că T este în (cex).RCiC =12-2·8.

cea mai defavorabilă situaţie β=βmax= 200.9 14 / 14 .B. iB < β max iCex vCo − v BE i Cex < RB β max vCo − vBE 2.8KΩ RB > βmax ⋅ 5.7 − 0. i) Pentru T în (aF) trebuie să ne asigurăm că iB<iCex /β indiferent de valoarea lui β din domeniul specificat.7 − 0.8 = 75 ⋅ = 24KΩ iCex 5.9 iCex ii) Pentru saturaţie trebuie îndeplinită condiţia: vCo − v BEsat iCex > RB β min iB > β min iCex RB < β min vCo − vBEsat 2.7 = 200⋅ = 67.

apar două stări extreme: (b) curentul de iesire (iC ) tensiunea de ieşire (vCE) regiunea specifica de functionare zero (cex) (sat) stabilit (aproape) în totalitate de circuitul extern tranzistorului stabilita de circuitul foarte apropiata de extern tranzistorului zero (VCE.2V) (alimentare) TB: blocat TB: saturatie 1/8 .sat ≈0.TB IN COMUTARE In cazul tranzistoarelor în comutare.

iO =0 2/8 .Tn VCTex.n Modelul intrerupator comandat vCT >VCTex.(b) . iO >0 . T. T. vO≈0 vCT <VPn .(cex) .n .

Circuite logice bipolare Tehnologie RTL • Inversorul logic 0 logic .0V 1 logic .NU 3/8 .VCC • SAU .

Circuite logice bipolare TTL (Tranzistor-Tranzistor Logic) • Inversorul logic • din motive tehnologice în circuitele logice integrate este preferată folosirea doar a tranzistoarelor npn. • se adoptă varianta cu tranzistoare identice comandate complementar 4/8 .

Poarta TTL standard OPTIONAL 5/8 .

Nivelele tensiunilor şi marginile de zgomot pentru familia logică TTL 6/8 .

în conductie ≈0.5V vBE=0.8V.3V • tranzistorul Schottky nu intra în saturatie • creste viteza de comutare 7/8 . disipare (consum) redusa de putere Tranzistor Schottky Dioda Schottky: joncţiune metal semiconductor.Subfamilii TTL cu performanţe îmbunătăţite: OPTIONAL viteze mai mari. vCE=0.5V. vBC=0.

Structura simplificată a porţii ŞI-NU în tehnologie Schottky de mică putere OPTIONAL 8/8 .

Polarizarea tranzistoarelor in curent continuu .

tranzistorul lucrează în regiunea activă (aF) in jurul PSF alimentare în curent continuu (surse de tensiune / curent) Amplificatoare fundamentale cu un tranzistor: • Conexiunile SC şi EC • Conexiunile GC şi BC • Conexiunile DC şi CC • Conexiunea cu degenerare în emitor Caracteristici importante: amplificarea in tensiune (curent) rezistenta de intrare rezistenta de iesire banda de frecventa 2/19 .

VO) vi – tensiune de amplificat (de intrare) vo – tensiune amplificata (de iesire) • Suprapunerea semnalului variabil peste regimul de curent continuu 3/19 .Functionarea amplificatorului cu un tranzistor (SC sau EC) • polarizarea în cc: PSF aproximativ la mijlocul regiunii active VAl – alimentare in cc VI – stabilirea PSF: (IO.

Functionarea amplificatorului (SC. EC) Cine determina amplificarea ? 4/19 .

Caracteristica de transfer în tensiune vO(vI ) a unui amplificator inversor Semnal mic: functionarea amplificatorului în regiunea liniară îngustă din jurul PSF Excursia maximă a semnalului de intrare: adeseori determinată din considerente de liniaritate 5/19 .

Polarizarea în curent continuu – fixarea PSF Functionarea tranzistorului ca amplificator: • tranzistorul polarizat cât mai aproape de mijlocul regiunii active • punctul instantaneu (mobil) de funcţionare să fie ţinut în regiunea activă (liniara in jurul PSF) • semnalul de intrare să fie păstrat suficient de mic. PSF: stabil şi predictibil independent de parametrii tranzistorului 6/19 .

Polarizarea TECMOS Varianta 1 VGS RG 2 VAl = RG1 + RG 2 2 I D = β (VGS − VP ) V DS = V Al − R D I D ☺ foarte simplă curentul din PSF. ID depinde puternic de parametrii tranzistorului. β si VP nu asigură stabilitatea punctului static de funcţionare 7/19 .

Polarizarea TECMOS Varianta 2 VGG RG 2 V Al = RG1 + RG 2 VGS = VGG − R S I D I D = β (VGS − V P ) 2 necunoscute: VGS şi ID sistem de ecuaţii de gradul 2 se alege dupa calcul valoarea convenabila a ID V DS = V Al − ( R D + R S ) I D 8/19 .

. • reacţie negativă datorita prezentei RS ☺ asigură stabilitatea PSF la variaţia diverşilor parametrii creşte complexitatea relaţiilor de 9/19 calcul. ID ↓ circuitul se opune tendinţei de modificare a ID.Polarizarea TECMOS Varianta 2 continuare VGS = VGG − R S I D I D = β (VGS − V P ) 2 VGS este determinată şi de curentul de drenă ID ID ↑. RSID ↑. VGS ↓.

RS=1KΩ. RG2=1MΩ. ? Care este PSF ? VGG RG 2 1 = V Al = ⋅ 20 = 5V RG1 + RG 2 3 +1 I D = β (VGS − VP ) 2 ID2-8ID+9=0.35mA 10/19 VD =? VS =? Q (14.35mA) .6V. ID in mA VDS = V Al − I D ( RD + RS ) = = 20 − 1.65mA şi ID2=1.35mA ID=ID2=1. VAl=20V VP =2V.6V VGS = VGG − I D RS ID1 nu convine. RD=3KΩ. 1. β =0.35(3 + 1) = 14.Exemplificare 1 RG1=3MΩ. ar rezulta VGS<0 ID1=6.5mA/V2.

β =0.Exemplificare 2 TMOS: ? VP =2V. PSF : VDS=7V VDS = V Al − ( RD + RS ) I D VAl −VDS 20 − 7 = = 13KΩ RD + RS = 1 ID 11/19 .regiunea activă VDS∈(2V. VAl=20V Cum dimensionam circuitul pentru PSF cu ID=1mA ? I D = β (VGS − VP ) 2 VGS = VP + ID 1 =2+ = 4V 0.25mA/V2. 20V).25 β VDSsat=VGS-Vp=2V T.

TMOS: ? VP =2V.25mA/V2. Neavând valoarea amplificării putem considera VS=4V pe RS : VS 4 = = 4KΩ RS = ID 1 RD = 13 − 4 = 9KΩ VGG = VGS + VS = 4 + 4 = 8V RG1 = 300 KΩ.Exemplificare 2 – cont. VAl=20V Cum dimensionam circuitul pentru PSF cu ID=1mA ? RD şi în funcţie de amplificarea dorita. β =0. RG 2 = 200 KΩ 12/19 .

Polarizarea TECMOS Varianta 3 • Uzual in circuitele integrate: polarizare cu surse de curent • ID independent de parametrii tranzistorului amplificator V DS = V Al − R D I + VGS − VGG Tensiunea pe sursa de curent: VGG -VGS VDS = V Al − RD I + VGS 13/19 .

curentul de bază IB.Polarizarea TB. varianta uzuala in circuite discrete Faţă de analiza pentru TECMOS. diferit de zero .prin colector şi emitor nu trece exact acelaşi curent I C = βI B β +1 I E = I C + I B = ( β + 1) I B = IC β Se poate aproxima IC ≈ I E • Calcul exact: se utilizeaza IB exact • Calcul aproximat: se neglizeaza aproximat IB fata de curentul prin divizorul din baza (nu se considera IB=0) 14/19 . la TB apare: .

• Calcul aproximat VBB RB 2 = V Al RB1 + RB 2 VBB − VBE IC ≈ I E = RE VCE = V Al − I C RC − I E RE ≈ ≈ V Al − I C ( RC + RE ) • RE este deosebit de important în stabilirea si stabilizarea PSF. prin mecanismul de RN introdus prin divizorul din bază IB mult mai mic decât curentul IC↑. VRE↑. IE↑. VBE↓. IC↓ 15/19 .

1V poate fi neglijată faţă de VBB=3…5V 16/19 .• Calcul exact IC=IE+IB ≈ IE VCE = V Al − I C RC − I E RE ≈ ≈ V Al − I C ( RC + RE ) • IE insensibil la variaţiile β: RB RE >> ( β + 1) Teorema Thevenin: VBB. RB2 valori mici cerute de independenţa PSF de β RB1 şi RB2 valori mari cerute de • IE insensibil la variaţiile temperaturii (VBE) VBB − VBE IE = RE + RB /( β + 1) VBB >> 0. RB RE > 10 RB β VBB = RB I B + VBE + RE I E IE=(β+1)IB rezistenţa de intrare RB1.1V o variaţie ΔVBE de 0.

RB1=10kΩ.1V 17/19 .5kΩ. β =150 Calcul aproximat IC = ? VCE =? VC = ? VE = ? Calcul exact IC = ? IC = 2. RB2=4.Exemplificare 3 VAl=15V.8kΩ. RE =1.7kΩ.1V VE = 4. RC=1.73mA VCE = 6V VC = 10.7mA IC = 2.

6 + 12 /(100 + 1) V =12V.6KΩ = 2 IE 1 V AL IC 2 IB < = = 20μA IB = β 100 10 RB1 + RB 2 VAl 12 = = 60KΩ R B1 + R B 2 < 10 I B 10 ⋅ 0.7 = 1. IE = = = 1.7 IC=2mA.02 VBB RB 2 1 = V Al = V Al 3 RB1 + RB 2 R B1 = 2 R B 2 RB2=18KΩ.65 ≈ 1. β=100 Al 18/19 . RB1=36KΩ Valorile rezistentelor Verificare: astfel incat T in aF la VBB − VBE 4 − 0.Exemplificare 4 RE = 1 1 Uzual VBB = VAl = 12 = 4V 3 3 alegem: VBB − VBE (1/ 3) ⋅12 − 0.92mA RE + RB /( β + 1) 1.

alimentare diferentiala IE = I V Al − VBE IE = RE + RB /( β + 1) VCE = 2V Al − RC I C − RE I E VCE RB = VAl − RC I C + VBE + I β +1 Tensiunea pe sursa de curent: V Al − V BE RB I − β +1 19/19 .Polarizarea TB.

Modele de semnal mic ale tranzistoarelor funcţionarea la semnal mic (variatii) parametrii de semnal mic modele de semnal mic .

Modelul de semnal mic necesar pentru a deduce vo in functie de vi 2/13 .

• Modelul tranzistorului la frecvente joase: rezistenta de intrare rezistenta de iesire sursa comandata care arata transferul intrare-iesire • La frecvente inalte modelul se completeaza cu capacitatile parazite dintre terminale 3/13 .Funcţionarea la semnal mic Tranzistorul pentru regimul de semnal mic: parametrii diferenţiali (sau parametrii de semnal mic) valorile parametrilor diferenţiali depind de PSF modelul de semnal mic al tranzistorului.

pasivizarea surselor de 4/13 .TECMOS la semnal mic Conexiunea SC Schema completa a amplificatorului cu 1 TMOS (polarizare + semnal variabil) Schema echivalenta pentru semnal mic: tensiune continua sau curent continuu .

Parametrii de semnal mic • Transconductanţa diferenţială id ∂i D gm = vDS =cst = vDS =cst ∂vGS v gs ∂ ( β (vGS − VP ) 2 gm = ∂vGS Q iD = β (vGS − VP ) 2 = 2 β (vGS − VP ) Q 2I D gm = = 2 β ID VGS − VP tranzistoare integrate: W g m = 2K I D L id = g m v gs TECMOS: sursă de curent comandată în tensiune (SCCT) pentru semnal mic 5/13 .

curentul de drenă creşte uşor cu tensiunea drenă-sursă lavGS = cst.• Rezistenta diferentiala de intrare grila este izolată electric de restul structurii: rezistenţa diferenţială de intrare este infinit (intrerupere) • Rezistenta diferentiala de iesire caracteristicile de iesire nu sunt perfect orizontale. ∂v DS 1 ro = = go ∂i D vGS vds = cst = id vGS = cst ⎛ vDS iD = β (VGS − VP ) ⎜1 + ⎜ V A ⎝ 2 VA – tensiunea Early ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ VA ro = ID 6/13 .

regim static TMOS: regim variabil id = g m v gs g m = 2β (VGS − VP ) = 2I D = = 2 β ID vGS − VP I D = β (VGS − V P ) 2 VDS RO = ID id = 2 β (VGS − VP )v gs VA ro = ID 7/13 .

tipic de ordinul pF sau fractiuni de pF 8/13 .Modelul de semnal mic al TECMOS • la frecvente joase : g m = 2β (VGS − VP ) = 2I D = = 2 β ID vGS − VP VA ro = ID • la frecvente inalte: apar capacitătile parazite interne între terminale.

vom folosi aceeaşi notaţie şi aceeaşi valoare (orientativ β=100). ↑ g m ↓ 9/13 . temp.Parametrii de semnal mic ai TB • Transconductanţa diferentiala ∂iC gm = ∂v BE ic vCE =cst = vbe vCE =cst iC = I S e vBE / VT VT ≈ 25mV @ 20 o C • Amplificarea în curent IC gm = ≈ 40 I C @ 20o C VT VT = KT q ∂iC β= ∂i B ic vCE =cst = ib vCE =cst Deşi pot exista diferenţe între amplificarea în curent continuu şi amplificarea diferenţială in curent.

continuare • Rezistenţa de ieşire ∂vCE ro = ∂iC iC = I S e vBE =cst vBE VT vce = ic ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ vBE −cst ⎛ vCE ⎜1 + ⎜ VA ⎝ • Rezistenţa de intrare ∂v BE rbe = ∂i B vbe vCE =cst = ib vCE =cst VA ro = IC rbe = β gm 10/13 .Parametrii de semnal mic ai TB .

Modele de semnal mic ale TB la joasa frecventa g m = 40 I C rbe = β gm VA ro = IC simplificat 11/13 modelele π hibrid .

Modele de semnal mic ale TB la inalta frecventa modelul π hibrid apar capacitatile parazite intre terminalele tranzistorului frecvente inalte efectul acestor capacitati: reducerea amplificarii la se poate folosi si modelul cu sursa de curent comandata in curent 12/13 .

14mS V A 100 = = 1MΩ ro = 0. VA=100V. Care sunt valorile parametrilor de semnal mic şi joasă frecvenţă? W g m = 2K L I D = 2 ⋅100 ⋅ 1 ⋅ 100 = 0. β=100. VA=100V .1 ID Exemplul numeric pentru TB TB polarizat în PSF la IC=100μA. gm=40IC=40·0.Exemplul numeric pentru TECMOS TECMOS : K=100μA/V2 .1 13/13 . polarizat la ID=100μA.1=4mS Care sunt valorile parametrilor de semnal mic şi joasă frecvenţă? 100 = = 25KΩ rbe = gm 4 β V A 100 ro = = = 1MΩ IC 0. W/L=1.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful